KR20230070260A - 반도체 발광 소자, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 발광 소자, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

반도체 발광 소자, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 위치하는 활성층; 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 중 적어도 하나의 반도체층의 일면으로부터 돌출되어 형성되는 반도체 구조물; 및 상기 반도체 구조물의 외부면에 적층되어 형성되는 금속층;을 포함한다.

Description

반도체 발광 소자, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법
본 발명은 반 반도체 발광 소자, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법에 관한 것이다.
최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 플렉서블 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다.
이러한 반도체 발광 소자는 다양한 방식으로 기판 상에 전사되어 배선 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 반도체 발광 소자의 소자 전극과 배선 기판 상의 배선 전극의 전기적 연결을 안정적이 되도록 하기 위한 본딩(bonding) 과정이 요구되어 공장의 복잡도 및 비용 증가 등의 문제가 야기될 수 있다.
본 발명의 일 목적은 반도체 발광 소자 및 배선 전극의 전기적 연결 공정이 간단하고 그 전기적 연결이 안정적인 반도체 발광 소자, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법을 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 위치하는 활성층; 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 중 적어도 하나의 반도체층의 일면으로부터 돌출되어 형성되는 반도체 구조물; 및 상기 반도체 구조물의 외부면에 적층되어 형성되는 금속층;을 포함한다.
상기 제1 도전형 반도체층의 일면 또는 상기 제2 도전형 반도체층의 일면에서 상기 반도체 구조물이 접하는 영역 및 상기 반도체 구조물의 주변부를 제외한 영역에 형성되는 유전층;을 더 포함할 수 있다.
상기 반도체 구조물은, 상기 제1 도전형 반도체층 또는 상기 제2 도전형 반도체층에 대해 복수 개로 구비될 수 있다.
상기 반도체 구조물은, 원뿔, 다각뿔, 원기둥, 각기둥, 원뿔대 및 각뿔대 중 하나의 형상으로 형성될 수 있다.
상기 반도체 구조물은, 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 중 위치하는 반도체층의 일면의 반도체 결정과 연결될 수 있다.
상기 반도체 구조물의 높이는 상기 반도체 발광 소자에서 상기 반도체 구조물을 제외한 두께의 25% 내지 45%로 형성되고, 상기 반도체 구조물의 직경은 상기 반도체 구조물의 높이에 대응되어 형성될 수 있다.
상기 반도체 구조물의 주변부와 상기 금속층 사이에 오믹 컨택(ohmic contact)이 형성될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층은 상기 제1 도전형 반도체층과 제1 방향으로 단차를 갖고 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층에 대한 상기 반도체 구조물의 높이와 상기 제1 도전형 반도체층에 대한 상기 반도체 구조물의 높이는 상기 단차만큼 차이가 날 수 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 일면에 배선 전극이 형성된 배선 기판; 상기 배선 전극을 감싸도록 형성되는 접착층; 및 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 위치하는 활성층, 및 상기 접착층을 압착 및 관통하여 상기 배선 전극과 접촉하는 소자 전극을 포함하는 반도체 발광 소자;를 포함하고, 상기 소자 전극은, 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 중 적어도 하나의 반도체층의 일면으로부터 제1 높이로 돌출되어 형성되는 적어도 하나의 반도체 구조물; 및 상기 반도체 구조물의 외부면에 적층되어 형성되는 금속층;을 포함한다.
상기 반도체 발광 소자는, 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 중 상기 반도체 구조물이 형성되는 반도체층의 일면에서 상기 반도체 구조물이 접하는 영역 및 상기 반도체 구조물의 주변부를 제외한 영역에 형성되는 유전층;을 더 포함할 수 있다.
상기 반도체 발광 소자는, 상기 반도체 구조물의 주변부와 상기 금속층 사이에 오믹 컨택;을 더 포함할 수 있다.
상기 반도체 구조물은, 상기 유전층 일면에서부터 상기 제1 높이까지의 임의의 구간까지 단면적이 줄어들 수 있다.
상기 반도체 구조물은, 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층에 대해 모두 형성되고, 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층은 제1 방향으로 서로 단차를 갖게 형성되고, 상기 제1 도전형 반도체층에 대해 형성되는 상기 반도체 구조물의 상기 제1 높이와 상기 제2 도전형 반도체층에 대해 형성되는 상기 반도체 구조물의 상기 제1 높이는 서로 다를 수 있다.
상기 배선 전극은 상기 반도체 구조물보다 경도가 낮거나 연성이 높은 금속으로 형성될 수 있다.
상기 배선 전극은, 상기 소자 전극과 접촉하는 일면 상에 상기 소자 전극의 형상과 대응되는 홈이 형성될 수 있다.
상기 접착층은, 접착 물질 및 상기 접착 물질의 점도를 낮추는 희석제를 포함할 수 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조방법은, 임의의 도전형으로 도핑된 반도체층의 일면에 적어도 하나 이상의 개구부를 포함하는 유전층을 패터닝(patterning)하는 단계; 상기 개구부로부터 제1 결정면을 따라 선택 성장시켜 반도체 구조물을 형성하는 단계; 상기 반도체 구조물의 외부면에 금속층을 적층하는 단계; 및 상기 금속층과 배선 기판의 배선 전극을 접촉시키는 단계;를 포함한다.
상기 유전층을 패터닝하는 단계는, 각각, 제1 도전형으로 도핑된 제1 도전형 반도체층, 및 제2 도전형으로 도핑되고 상기 제1 도전형 반도체층과 제1 방향으로 단차를 갖는 제2 도전형 반도체층에 대해 진행하는 단계;를 포함하고, 상기 반도체 구조물을 형성하는 단계는, 상기 제1 도전형 반도체층에 대해 형성된 반도체 구조물 및 상기 제2 도전형 반도체층에 대해 형성된 반도체 구조물을 서로 다른 크기로 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 금속층과 상기 배선 전극에 접촉시키는 단계는, 상기 배선 기판에 상기 배선 전극이 몰딩(molding)되는 접착층을 형성하는 단계; 상기 반도체 발광 소자의 상기 배선 기판으로의 전사를 통해 전도성 매개체를 형성하는 과정 없이 상기 금속층을 상기 배선 전극과 전기적으로 연결시키는 단계; 및 상기 금속층의 상기 배선 전극에 접하는 일단 또는 상기 배선 전극 중 상기 금속층과 접하는 영역을 변형시키는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 금속층을 상기 배선 전극과 전기적으로 연결시키는 단계는 열이 가해지는 상태로 진행되고, 상기 금속층의 일단 또는 상기 배선 전극 중 상기 금속층과 접하는 영역을 변형시키는 단계는 경화 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 발광 소자, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법에 의하면, 반도체 발광 소자의 구조를 통해, 별도의 본딩 매개체 없이도 반도체 발광 소자와 배선 전극 사이의 전기적 연결을 보다 용이하면서도 안정적으로 실현할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 발광 소자, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법에 의하면, 반도체 발광 소자의 구조를 통해, 반도체 발광 소자의 내부 전반사를 억제하여 광추출 효율을 높임으로써, 제품 성능을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 발광 소자, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법에 의하면, 반도체 발광 소자의 성장 공정에서 간단한 공정 단계를 추가하는 것만으로, 반도체 발광 소자와 배선 전극 사이의 전기적 연결을 위한 공정을 간소화할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 발광 소자, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법에 의하면, 반도체 발광 소자의 전사 및 배선 전극과의 전기적 연결을 동시에 진행하여, 제품 생성 공정을 간소화할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 발광 소자, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법에 의하면, 공정 간소화를 통해, 제품의 수율을 향상시키면서도 생산 비용을 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러 가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 구조물의 성장 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 구조물의 형상에 대한 예를 나타내는 도면이다.
도 13 및 14는 각각 본 발명의 실시예에 따른 반도체 구조물의 직경과 높이의 예를 나타내는 도면이다.
도 15는 도 10의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 16 및 도 17은 각각 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조방법을 나타내는 도면이다.
도 18은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다.
플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.
상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.
이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 A 부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러 가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.
기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.
도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.
본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.
다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다.
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.
또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다.
발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.
이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.
도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.
다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)과 대향하도록 배치한다.
이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.
그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광 소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.
그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.
마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.
이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러 가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.
기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.
기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분과 전도성을 가지지 않는 부분으로 구획된다.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.
이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.
수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.
도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다.
개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다.
제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.
또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.
만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.
만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.
또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
상기 설명과 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
전술한 바와 같이, 반도체 발광 소자를 배선 전극에 전사하는 공정 이외에, 반도체 발광 소자를 배선 전극에 전기적으로 연결하는 본딩 과정이 요구된다. 본딩 과정에 있어, 이방성 전도성 필름 또는 이방성 전도성 페이스트와 같은 본딩 매개체가 필요하고, 이 경우 이방성 전도성 필름 또는 이방성 전도성 페이스트의 형성을 위한 공정이 추가된다. 또는 전술되지는 않았으나 범프 형태의 메탈을 이용한 방식의 경우, 포토리소그래피를 통한 패터닝 공정 및 증착 공정이 추가로 요구된다.
이하에서는 반도체 발광 소자를 배선 전극에 전기적으로 연결하기 위한 별도의 본딩 공정이 요구되지 않아 공정수, 공정 난이도, 공정 비용 및 생산성 측면에서 유리하면서도, 제품 품질을 향상시킬 수 있는 반도체 발광 소자의 구조에 대해 자세히 설명한다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 나타내는 도면이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광 소자(1000)는, 제1 도전형 반도체층(1010), 제2 도전형 반도체층(1020), 활성층(1030), 반도체 구조물(1040a, 1040b) 및 금속층(1050a, 1050b)을 포함한다.
제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020)은 각각, n형 반도체층 및 p형 반도체층일 수 있다. 즉, 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020)은 각각, 성장 기판(GSUB) 상에서 성장된 반도체 결정에 n형 및 p형 불순물을 도핑하여 형성될 수 있다. 성장 기판(GSUB)은 사파이어 기판일 수 있고, 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020)은 각 n형 GaN층 및 p형 GaN층일 수 있다. 이때, 성장 기판(GSUB)과 제1 도전형 반도체층(1010) 사이에 버퍼층(1070)이 형성될 수 있다. 버퍼층(1070)은 불순물이 도핑되지 않은 GaN로 형성되고, 후술되는 전사 과정에서 성장 기판(GSUB)이 분리되는 때에 활성층(1030)을 보호하는 기능 등을 수행할 수 있다.
도 10은 도 4의 플립 칩 타입의 반도체 발광 소자와 같이 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020)이 형성되는 예를 도시하고 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020) 사이에 위치하여 빛을 발광하는 활성층(1030)은, 제1 도전형 반도체층(1010)의 일면의 일부에 형성될 수 있다. 예를 들어, 활성층(1030)은 제1 도전형 반도체층(1010)의 일면의 면적의 50% 정도의 면적으로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(1020)은 활성층(1030)과 동일하거나 유사한 면적으로 형성될 수 있다.
다만, 이는 설명의 편의를 위함일 뿐, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 활성층(1030)은 제2 도전형 반도체층(1020)의 면적보다 명확히 작거나 크게 형성될 수도 있다. 또는, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광 소자는 도 9와 같이 수직형 발광 소자이고, 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020)은 각각, 도 9의 n형 반도체층(253) 및 p형 반도체층(255)과 같이 형성될 수 있다.
반도체 구조물(1040a, 1040b)은 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020) 중 적어도 하나의 반도체층의 일면으로부터 돌출되어 형성된다. 도 10은 반도체 구조물(1040a, 1040b)이 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020) 모두에 대해 2개씩 형성되는 예를 도시한다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 10의 반도체 발광 소자(1000)가 수직형 반도체 발광 소자인 경우, 반도체 구조물(1040a, 1040b)은 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020) 중 하나의 반도체층에만 형성될 수 있다.
특히, 도 10의 반도체 발광 소자(1000)가 도 9의 반도체 발광 소자와 동일한 구조로 형성되는 경우, 반도체 구조물(1040a, 1040b)은 제2 도전형 반도체층(1020)에만 형성될 수 있다. 또는, 반도체 구조물(1040a, 1040b)은 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020) 중 적어도 하나의 반도체층에 하나 또는 3개 이상으로 형성되거나, 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020) 모두에 동일한 개수 또는 상이한 개수로 형성될 수 있다. 이러한 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 개수 등은 반도체 발광 소자(1000)의 소자 전극(EELTa, EELTb)과 후술되는 배선 전극(도 18의 WELTa, WELTb)과의 물리적 또는 전기적 결합력의 요구 및 이에 대한 공정 실현도 등의 요소에 따라 달리 설정될 수 있다. 또는, 반도체 구조물(1040a, 1040b)은 소자 전극(EELTa, EELTb)과 후술되는 배선 전극(도 18의 WELTa, WELTb)과 접촉 저항을 분산시키기 위한 개수로 구비될 수 있다.
반도체 구조물(1040a, 1040b)은 성장 기판(GSUB)에서 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020)을 형성한 후 선택적으로 반도체 결정을 성장시켜 형성할 수 있다.
일 실시예로, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광 소자(1000)는 반도체 구조물(1040a, 1040b)을 형성하기 위해 유전층(1060)을 을 더 포함할 수 있다. 유전층(1060)은 제1 도전형 반도체층(1010)의 일면 또는 제2 도전형 반도체층(1020)의 일면에서 반도체 구조물(1040a, 1040b) 및 그 주변부(ARD)를 제외한 영역에 형성될 수 있다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 구조물의 성장 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 10 및 도 11은 참조하면, 유전층(1060)은 제1 도전형 반도체층(1010) 또는 제2 도전형 반도체층(1020)의 일면에 적어도 하나 이상의 개구부(OPN)를 포함하는 유전층(1060)이 패터닝(patterning)된다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(1010) 또는 제2 도전형 반도체층(1020)의 일면에 산화물 또는 질화물 등의 유전막을 형성한 후 일부 영역을 제거함으로써 개구부(OPN)가 패터닝될 수 있다.
개구부(OPN)에 의해 제1 도전형 반도체층(1010) 또는 제2 도전형 반도체층(1020) 상에 노출된 영역으로부터, 반도체 구조물(1040a, 1040b)이 성장될 수 있다. 예를 들어, 적어도 하나 이상의 개구부(OPN)를 포함하는 패터닝된 유전층(1060)이 형성된 성장 기판(GSUB)을 챔버에 로딩하여 유기금속화학증착법(Metalorganic Chemical Vapor Deposition)을 실행함으로써, 반도체 구조물(1040a, 1040b)은 개구부(OPN)에 의해 노출된 영역으로부터 성장할 수 있다. 따라서, 반도체 구조물(1040a, 1040b)은, 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020) 중 위치하는 반도체층의 일면의 반도체 결정과 연결되어 성장될 수 있다.
반도체 구조물(1040a, 1040b)은 챔버에서의 성장 조건 등을 조절하여 선택성장법에 따라 요구되는 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 성장 압력, 성장 온도 및 III-IV족 화합물의 소스 비율 등이 요구에 따라 달리 설정될 수 있다. 반도체 구조물(1040a, 1040b)은 개구부(OPN)로부터 제1 결정면을 따라 선택 성장되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(1010) 또는 제2 도전형 반도체층(1020)이 GaN로 형성된 경우, 결정면 (10-10), 결정면 (11-20) 또는 결정면 (10-11)을 따라 성장하여 반도체 구조물(1040a, 1040b)로 형성될 수 있다. 제1 결정면이 어떤 결정면인지에 따라 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 형상이 달리 형성될 수 있다. 예를 들어, 결정면 (10-11)을 따라 성장하여 도 11과 같이 제1 도전형 반도체층(1010) 또는 제2 도전형 반도체층(1020)과 약 62도의 각도를 이루는 각뿔 형상의 반도체 구조물(1040a, 1040b)이 형성될 수 있다.
반도체 구조물(1040a, 1040b)의 성장 단계 초기에는 개구부(OPN)의 두께에 의해 개구부(OPN)의 형상과 동일하게 성장하다가 개구부(OPN)의 두께보다 더 높게 성장하는 경우, 일시적으로 개구부(OPN)의 직경보다 넓게 성장한 후 점차 단면적이 작아지는 형상으로 성장할 수 있다. 개구부(OPN)의 두께, 즉 유전층(1060)의 두께는 선택성장하는 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 결정구조의 성장속도 및 조건 등에 따라 달리 설정될 수 있다. 예를 들어, 1nm~1μm의 두께로 형성될 수 있다.
도 11은 반도체 구조물(1040a, 1040b)이 각뿔 형상으로 형성된 예를 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 구조물의 형상에 대한 예를 나타내는 도면이다.
도 12를 참조하면, 반도체 구조물(1040a, 1040b)은 도 11의 각뿔 형상뿐 아니라, 각기둥 형상(도 12의 (a)), 원뿔 형상(도 12의 (b)), 각뿔대 형상(도 12의 (c)), 원기둥 형상(도 12의 (d)) 등으로 형성될 수 있다. 각뿔, 각기둥, 각뿔대의 경우, 밑면이 삼각형, 사각형, 오각형, 육각형 등의 형상으로 형성될 수 있다. 이는 전술된 바와 같이, 유전층(1060)의 패터닝된 형상 또는 성장하는 결정면 등의 성장 환경에 따라 조율될 수 있다. 또한, 도 12의 (e)와 같이, 반도체 구조물(1040a, 1040b)은 그 성장이 시작되는 하단부의 일부 높이까지는 동일한 단면적으로 성장한 후, 점차적으로 단면적이 감소하는 형상으로 형성될 수도 있다. 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 형상은 반도체 발광 소자(1000)의 내부 전반사를 억제하여 반도체 발광 소자(1000)의 광추출 효율을 높일 수 있다.
도 13 및 14는 각각 본 발명의 실시예에 따른 반도체 구조물의 직경과 높이의 예를 나타내는 도면이다.
도 11 및 도 13을 참조하면, 반도체 구조물(1040a, 1040b)은 전술된 바와 같이 선택성장법에 따라 요구되는 형상으로 형성됨에 있어, 성장 조건을 조율하여 요구되는 크기로 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 높이(h)는, 후술되는 배선 전극(도 18의 WELTa, WELTb)의 구조 또는 반도체 발광 소자(1000)의 소자 전극(EELTa, EELTb)과 후술되는 배선 전극(도 18의 WELTa, WELTb)과의 물리적 또는 전기적 결합력의 요구 및 이에 대한 공정 실현도 등에 근거하거나, 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 성장에 요구되는 공정 시간 등에 따라 설정될 수 있다. 예를 들어, 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 높이(h)는, 후술되는 배선 전극(도 18의 WELTa, WELTb)으로 안정적으로 전사되고 전기적으로 연결될 수 있도록 반도체 발광 소자(1000)에서 반도체 구조물(1040a, 1040b)을 제외한 두께의 25% 내지 45%로 형성되는 것이 요구될 수 있다.
도 11 및 도 14를 참조하면, 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 높이(h)는 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 직경(R)에 따라 달리 성장될 수 있다. 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 직경(R)은 전술된 유전층(1060)의 개구부(OPN)의 직경을 조절하여 설정될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(1000)가 약 6μm의 높이로 형성하고자 하는 경우, 반도체 구조물(1040a, 1040b)은 약 2.6μm로 형성이 요구되고, 이 경우 개구부(OPN)의 직경(R)은 약 3μm가 되도록 유전층(1060)이 패터닝될 수 있다.
다시 도 10을 참조하면, 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020)은 제1 방향(예를 들어, 수평 방향)으로 단차를 갖고 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020)은 0.5~2μm 이내로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(1020)이 제1 도전형 반도체층(1010)보다 높게 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 도전형 반도체층(1010) 상의 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 높이는 제1 도전형 반도체층(1010) 상의 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 높이보다 단차 만큼 높게 설정될 수 있다.
반도체 구조물(1040a, 1040b)의 성장이 완료된 후, 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 주변부(ARD)의 유전층(1060)은 오픈(open)되어, 주변부(ARD) 아래의 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020)가 노출된다.
금속층(1050a, 1050b)은 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 외부면 및 유전층(1060)이 제거된 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 주변부(ARD)에 형성될 수 있다. 도 10은 금속층(1050a, 1050b)이 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 주변부(ARD) 중 일부에 대해서는 형성되지 않는 것으로 도시되었으나 이는 공정 마진 등에 따라 달라질 수 있는 것일 뿐이고 본 발명의 기술적 사상이 이에 의해 한정되는 것은 아니다.
반도체 구조물(1040a, 1040b)에 대해서는 그 외부면에 금속층(1050a, 1050b)이 적층되어 형성된다. 따라서, 금속층(1050a, 1050b)의 형상은 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 형상에 따라 달리 설정될 수 있다. 도 10은 반도체 구조물(1040a, 1040b)이 각뿔 또는 원뿔 형상으로 형성된 예를 도시하고 있으므로, 금속층(1050a, 1050b)은 각뿔의 옆면 또는 원뿔의 옆면과 같은 형상으로 형성될 수 있다. 금속층(1050a, 1050b)에 대한 더 자세한 설명은 후술된다. 반도체 구조물(1040a, 1040b) 및 금속층(1050a, 1050b)은 함께 소자 전극(EELTa, EELTb)을 구성할 수 있다.
도 15는 도 10의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 15를 참조하면, 제2 도전형 반도체층(1020)과 금속층(1050b) 사이에 오믹 컨택층(ohmic contact layer, 1080)이 더 형성된다. 예를 들어, 제2 도전형 반도체층(1020)이 p형 반도체층인 경우, 오믹 컨택층(1080)은 제2 도전형 반도체층(1020) 상에 ITO, 또는 오믹 메탈(예를 들어, Pt, Pd, NiAu합금 등)이 적층되어 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(1010)이 n형 반도체층이고 금속층(1050a)이 Ti, Cr등을 포함하는 경우, 추가적인 구조 없이 제1 도전형 반도체층(1010)과 금속층(1050a) 사이에 오믹 컨택이 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 구조물(1040a, 1040b)은 불순물 도핑되지 않아 전도성을 갖지 않을 수 있다. 이때, 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 주변부(ARD)에서 오믹 컨택이 형성됨으로써, 금속층(1050a, 1050b)로 인가된 전압으로 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020)을 전도시킬 수 있다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조방법을 나타내는 도면이고, 도 18은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타내는 도면이다.
도 16 내지 도 18을 참고하여 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치(1800) 및 이의 제조 방법(1600)을 설명함에 있어, 전술된 사항과 중복되는 사항은 필요한 경우에 한하여 설명한다. 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치(1800)의 제조 방법(1600)은 임의의 도전형으로 도핑된 반도체층(1010, 1020)의 일면에 적어도 하나 이상의 개구부(OPN)를 포함하는 유전층(1060)을 패터닝(patterning)하는 단계(S1620), 개구부(OPN)로부터 제1 결정면을 따라 선택 성장시켜 반도체 구조물(1040a, 1040b)을 형성하는 단계(S1640), 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 외부면에 금속층(1050a, 1050b)을 적층하는 단계(S1660) 및 금속층(1050a, 1050b)과 배선 기판(WSUB)의 배선 전극(WELTa, WELTb)을 접촉시키는 단계(S1680)를 포함한다.
유전층(1060)을 패터닝하는 단계(S1620)의 이전에 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020)이 형성될 수 있다(S1610). 예를 들어, 사파이어 기판 상에 n형 GaN층 및 p형 GaN층이 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020)은 제1 방향으로 단차를 갖고 형성될 수 있다.
유전층(1060)을 패터닝하는 단계(S1620)는 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020) 모두에 대해 개구부(OPN)가 형성되도록 패터닝될 수 있다. 다만, 전술된 바와 같이, 하나의 반도체층에 한하여 형성될 수도 있다.
유전층(1060)이 패터닝된 기판(예를 들어, 도 10의 성장 기판(GSUB))은 챔버로 로딩되어 유기금속화학증착법(Metalorganic Chemical Vapor Deposition)을 실행함으로써, 반도체 구조물(1040a, 1040b)이 개구부(OPN)에 의해 노출된 영역으로부터 성장할 수 있다(S1640). 반도체 구조물(1040a, 1040b)은 도 11 및 도 12에 도시된 다양한 형상으로 성장할 수 있다.
유전층(1060)은 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020)의 일면에서 반도체 구조물(1040a, 1040b)이 형성된 후, 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 주변부(ARD)에 대해 제거(오픈)될 수 있다(S1650). 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 주변부(ARD)의 유전층(1060)을 오픈(S1650)시킨 후, 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 외부면 및 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 주변부(ARD)에 금속층(1050a, 1050b)이 적층될 수 있다(S1660). 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 유전층(1060)은 반도체 구조물(1040a, 1040b)이 형성된 후 제거 공정을 통해 모두 제거될 수 있다.
이렇게 형성된 반도체 발광 소자(1000)는 배선 기판(WSUB)에 전사된다(S1680). 다만, 반도체 발광 소자(1000)가 배선 기판(WSUB)에 직접 전사되지 않고, 임시 기판(미도시)에 전사된 후 다시 배선 기판(WSUB)으로 전사될 수도 있다. 전사 과정을 통해 도 10 등의 성장 기판(GSUB)은 제거될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 배선 전극(WELTa, WELTb)은 접착층(ADHS)으로 둘러싸일 수 있다. 반도체 발광 소자(1000)가 배선 기판(WSUB)에 전사되는 경우, 돌출된 형상의 소자 전극(EELTa, EELTb)이 배선 전극(WELTa, WELTb)을 몰딩(molding)하고 있는 접착층(ADHS)을 뚫고 배선 전극(WELTa, WELTb)에 접촉할 수 있다(S1680). 접착층(ADHS)은, 접착 물질 및 접착 물질의 점도를 낮추는 희석제를 포함하여 연성을 낮춤으로써, 소자 전극(EELTa, EELTb)이 용이하게 압착 및 관통할 수 있다.
이렇듯, 반도체 발광 소자(1000)가 배선 기판(WSUB)에 전사하는 단계에서 소자 전극(EELTa, EELTb)의 금속층(1050a, 1050b)이 직접 배선 전극(WELTa, WELTb)에 접하므로, 소자 전극(EELTa, EELTb)과 배선 전극(WELTa, WELTb)을 전기적으로 결합시키기 위해 ACF, ACP 또는 메탈 범프 등과 같은 전도성을 갖는 매개체를 이용하여 별도의 본딩(bonding) 과정을 수행하지 않고도, 반도체 발광 소자(1000)를 배선 기판(WSUB)에 전사 과정에서 가해지는 압력(화살표 표시)만을 이용하여 반도체 발광 소자(1000)의 소자 전극(EELTa, EELTb)과 배선 전극(WELTa, WELTb)이 전기적으로 결합될 수 있다.
이때, 배선 전극(WELTa, WELTb)은 반도체 구조물보다 경도가 낮거나 연성이 높은 금속들, 예를 들면 인디움, 주석, 납 등의 합금 등의 금속으로 형성될 수 있다. 또는, 반도체 발광 소자(1000)를 배선 기판(WSUB)에 전사하는 때에 배선 전극(WELTa, WELTb)이 일정 정도 용융될 수 있는 열을 가할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(1000)의 전사 과정에서 돌출된 형상의 반도체 발광 소자(1000)의 소자 전극(EELTa, EELTb)이 배선 전극(WELTa, WELTb)에 압력을 가하는 경우, 배선 전극(WELTa, WELTb)이 일정 정도 용융되어 소자 전극(EELTa, EELTb)의 일부가 배선 전극(WELTa, WELTb)에 안정적으로 결합될 수 있다.
이러한 열처리 공정이 끝난 후 자연적으로 온도가 하강함으로써, 또는 별도의 UV 등의 경화 과정에 의해, 소자 전극(EELTa, EELTb)의 끝단과 그 끝단에 접하는 배선 전극(WELTa, WELTb) 부분이 합체된 상태로 유지될 수 있다. 그밖에, 다양한 방식을 통해, 소자 전극(EELTa, EELTb)의 금속층(1050a, 1050b)과 배선 전극(WELTa, WELTb)이 접하는 영역에 대한 처리를 통해, 소자 전극(EELTa, EELTb)과 배선 전극(WELTa, WELTb)을 안정적으로 결합할 수 있다. 또는, 배선 전극(WELTa, WELTb)에 반도체 구조물(1040a, 1040b)의 형상에 대응되는 홈(미도시)이 구비되어 소자 전극(EELTa, EELTb)과 배선 전극(WELTa, WELTb)의 결합을 더 공고히 할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020)이 단차를 갖고 형성되는 경우, 제1 도전형 반도체층(1010)에 형성된 반도체 구조물(1040a) 및 제2 도전형 반도체층(1020)에 형성된 반도체 구조물(1040b)의 높이를 달리하여 형성할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(1020)이 제1 도전형 반도체층(1010)보다 높게 형성되는 예에서, 제1 도전형 반도체층(1010)에 형성된 반도체 구조물(1040a)은 제2 도전형 반도체층(1020)에 형성된 반도체 구조물(1040b)보다 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020) 사이의 단차 만큼 높게 형성될 수 있다. 이 경우, 비록 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020)이 단차를 갖더라도, 반도체 발광 소자(1000)를 배선 기판(WSUB)에 전사 과정에서 동일한 압력을 가하더라도 제1 도전형 반도체층(1010)에 대한 소자 전극(EELTa)의 소자 전극(EELTa) 및 제2 도전형 반도체층(1020)에 대한 소자 전극(EELTb)이 모두 대응되는 배선 전극(WELTa, WELTb)과 동시에 접촉될 수 있다. 또는, 제1 도전형 반도체층(1010) 및 제2 도전형 반도체층(1020)이 단차를 갖더라도, 반도체 구조물(1040a, 1040b)가 동일한 크기로 구비되고, 대신 배선 전극(WELTa, WELTb)의 높이를 달리할 수 있다.
이렇듯, 본 발명에 따른 반도체 발광 소자(1000), 디스플레이 장치(1800) 및 이의 제조 방법(1600)에 의하면, 반도체 발광 소자(1000)의 구조와 배선 전극(WELTa, WELTb) 등의 구조 또는 소재 및/또는 전사 공정 조건 등을 통해, 소자 전극(EELTa, EELTb) 및 배선 전극(WELTa, WELTb)의 전기적 결합을 위한 별도의 본딩 공정을 생략할 수 있어, 반도체 발광 소자(1000)의 소자 전극(EELTa, EELTb)과 배선 전극(WELTa, WELTb) 사이의 전기적 연결을 보다 용이하면서도 안정적으로 실현하고, 공정 간소화를 통해, 제품의 수율을 향상시키면서도 생산 비용을 줄일 수 있다.
이상에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.

Claims (20)

  1. 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층;
    상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 위치하는 활성층;
    상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 중 적어도 하나의 반도체층의 일면으로부터 돌출되어 형성되는 반도체 구조물; 및
    상기 반도체 구조물의 외부면에 적층되어 형성되는 금속층;을 포함하는 반도체 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전형 반도체층의 일면 또는 상기 제2 도전형 반도체층의 일면에서 상기 반도체 구조물이 접하는 영역 및 상기 반도체 구조물의 주변부를 제외한 영역에 형성되는 유전층;을 더 포함하는 반도체 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 구조물은,
    상기 제1 도전형 반도체층 또는 상기 제2 도전형 반도체층에 대해 복수 개로 구비되는 반도체 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 구조물은,
    원뿔, 다각뿔, 원기둥, 각기둥, 원뿔대 및 각뿔대 중 하나의 형상으로 형성되는 반도체 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 구조물은,
    상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 중 위치하는 반도체층의 일면의 반도체 결정과 연결되는 반도체 발광 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 구조물의 높이는 상기 반도체 발광 소자에서 상기 반도체 구조물을 제외한 두께의 25% 내지 45%로 형성되고, 상기 반도체 구조물의 직경은 상기 반도체 구조물의 높이에 대응되어 형성되는 반도체 발광 소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 구조물의 주변부와 상기 금속층 사이에 오믹 컨택(ohmic contact)이 형성되는 반도체 발광 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전형 반도체층은 상기 제1 도전형 반도체층과 제1 방향으로 단차를 갖고 형성되고,
    상기 제2 도전형 반도체층에 대한 상기 반도체 구조물의 높이와 상기 제1 도전형 반도체층에 대한 상기 반도체 구조물의 높이는 상기 단차만큼 차이가 나는 반도체 발광 소자.
  9. 일면에 배선 전극이 형성된 배선 기판;
    상기 배선 전극을 감싸도록 형성되는 접착층; 및
    제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 위치하는 활성층, 및 상기 접착층을 압착 및 관통하여 상기 배선 전극과 접촉하는 소자 전극을 포함하는 반도체 발광 소자;를 포함하고,
    상기 소자 전극은,
    상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 중 적어도 하나의 반도체층의 일면으로부터 제1 높이로 돌출되어 형성되는 적어도 하나의 반도체 구조물; 및
    상기 반도체 구조물의 외부면에 적층되어 형성되는 금속층;을 포함하는 디스플레이 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 반도체 발광 소자는,
    상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 중 상기 반도체 구조물이 형성되는 반도체층의 일면에서 상기 반도체 구조물이 접하는 영역 및 상기 반도체 구조물의 주변부를 제외한 영역에 형성되는 유전층;을 더 포함하는 디스플레이 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 반도체 발광 소자는,
    상기 반도체 구조물의 주변부와 상기 금속층 사이에 오믹 컨택;을 더 포함하는 디스플레이 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 반도체 구조물은,
    상기 유전층 일면에서부터 상기 제1 높이까지의 임의의 구간까지 단면적이 줄어드는 형성되는 디스플레이 장치.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 반도체 구조물은,
    상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층에 대해 모두 형성되고,
    상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층은 제1 방향으로 서로 단차를 갖게 형성되고,
    상기 제1 도전형 반도체층에 대해 형성되는 상기 반도체 구조물의 상기 제1 높이와 상기 제2 도전형 반도체층에 대해 형성되는 상기 반도체 구조물의 상기 제1 높이는 서로 다른 디스플레이 장치.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 배선 전극은 상기 반도체 구조물보다 경도가 낮거나 연성이 높은 금속으로 형성되는 디스플레이 장치.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 배선 전극은,
    상기 소자 전극과 접촉하는 일면 상에 상기 소자 전극의 형상과 대응되는 홈이 형성되는 디스플레이 장치.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 접착층은, 접착 물질 및 상기 접착 물질의 점도를 낮추는 희석제를 포함하는 디스플레이 장치.
  17. 임의의 도전형으로 도핑된 반도체층의 일면에 적어도 하나 이상의 개구부를 포함하는 유전층을 패터닝(patterning)하는 단계;
    상기 개구부로부터 제1 결정면을 따라 선택 성장시켜 반도체 구조물을 형성하는 단계;
    상기 반도체 구조물의 외부면에 금속층을 적층하는 단계; 및
    상기 금속층과 배선 기판의 배선 전극을 접촉시키는 단계;를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 유전층을 패터닝하는 단계는,
    각각, 제1 도전형으로 도핑된 제1 도전형 반도체층, 및 제2 도전형으로 도핑되고 상기 제1 도전형 반도체층과 제1 방향으로 단차를 갖는 제2 도전형 반도체층에 대해 진행하는 단계;를 포함하고,
    상기 반도체 구조물을 형성하는 단계는,
    상기 제1 도전형 반도체층에 대해 형성된 반도체 구조물 및 상기 제2 도전형 반도체층에 대해 형성된 반도체 구조물을 서로 다른 크기로 형성하는 단계;를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 금속층과 상기 배선 전극에 접촉시키는 단계는,
    상기 배선 기판에 상기 배선 전극이 몰딩(molding)되는 접착층을 형성하는 단계;
    상기 반도체 발광 소자의 상기 배선 기판으로의 전사를 통해 전도성 매개체를 형성하는 과정 없이 상기 금속층을 상기 배선 전극과 전기적으로 연결시키는 단계; 및
    상기 금속층의 상기 배선 전극에 접하는 일단 또는 상기 배선 전극 중 상기 금속층과 접하는 영역을 변형시키는 단계;를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 금속층을 상기 배선 전극과 전기적으로 연결시키는 단계는 열이 가해지는 상태로 진행되고,
    상기 금속층의 일단 또는 상기 배선 전극 중 상기 금속층과 접하는 영역을 변형시키는 단계는 경화 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
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