KR20230059873A - Process Block for Photolithography Instruments and Photolithography Instruments using therof - Google Patents

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KR20230059873A
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박민정
정영헌
오창석
박동운
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Abstract

본 발명은 필요한 공정에 따라 레지스트막 코팅, 반사막 코팅, 현상 등의 공정을 처리할 수 있도록 구성되어 상하방향으로 여러 개 적층된 포토리소그래피 장치용 처리 블록 및 이를 이용한 포토리소그래피 장치에 관한 것으로서 보다 상세하게는 열처리 블록과 공정 블록을 별도의 블록으로 제작하여 설치함으로써 공간 활용을 극대화할 수 있도록 구조가 개선된 포토리소그래피 장치용 처리 블록 및 이를 이용한 포토리소그래피 장치에 관한 것이다.
본 발명은, 한쪽은 캐리어 블록과 연결되어 캐리어 블록에서 웨이퍼를 이송받아 코팅 작업을 하고, 코팅 처리한 웨이퍼는 상기 캐리어 블록의 반대쪽에 연결된 인터페이스 블록을 거쳐 노광 블록으로 이송하여 노광 처리한 후 노광 처리된 웨이퍼를 다시 이송받아 현상 처리하며, 상하 방향으로 여러 개가 적층된 형태의 처리 블록으로서, 상기 처리 블록의 내부 중 상기 캐리어 블록 측에 위치하여 캐리어 블록에서 이송된 웨이퍼를 임시 보관하는 제1선반 유닛과 상기 처리 블록의 내부 중 상기 노광 블록 측에 위치하여 노광 블록에서 이송된 웨이퍼를 임시 보관하는 제2선반 유닛과, 상기 웨이퍼의 온도를 조정하는 온조 유닛과, 상기 처리 블록의 내부 중 상기 캐리어 블록 쪽에 설치되며 상하로 적층된 처리 블록 사이에서 웨이퍼를 주고받기 위한 제1보조이송 로봇과, 상기 처리 블록의 내부 중 상기 인터페이스 블록 쪽에 설치되며 상하로 적층된 처리 블록 사이에서 웨이퍼를 주고받기 위한 제2보조이송 로봇;을 포함하는 포토리소그래피 장치용 처리 블록에 있어서, 상기 처리 블록은 웨이퍼를 가열 또는 냉각하기 위한 열처리 블록과 웨이퍼에 코팅을 하거나 현상을 하기 위한 공정 블록을 포함하여 구성되고, 상기 열처리 블록은, 상기 캐리어 블록, 처리 블록 및 인터페이스 블록을 연결하는 가상의 선의 양쪽에 각각 배치되어 상기 웨이퍼를 가열 또는 냉각하는 한 쌍의 열처리 유닛; 상기 한 쌍의 열처리 유닛 사이에 배치되어 제1선반 유닛, 제2선반 유닛 및 열처리 유닛 사이에서 웨이퍼를 주고 받기 위한 제1메인 이송로봇;을 포함하고, 상기 공정 블록은, 상기 캐리어 블록, 처리 블록 및 인터페이스 블록을 연결하는 가상의 선의 양쪽에 각각 배치되는 코팅 유닛과 현상 유닛; 상기 한 쌍의 공정 유닛 사이에 배치되어 상기 제1선반 유닛, 제2선반 유닛 및 공정 유닛 사이에서 웨이퍼를 주고받기 위한 제2메인 이송 로봇을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치용 처리 블록을 제공한다.The present invention relates to a processing block for a photolithography device configured to process processes such as resist film coating, reflective film coating, development, etc. according to necessary processes and stacked in several layers in a vertical direction, and to a photolithography device using the same, in more detail. relates to a processing block for a photolithography device having an improved structure to maximize space utilization by manufacturing and installing a heat treatment block and a process block as separate blocks and a photolithography device using the same.
In the present invention, one side is connected to a carrier block to receive a wafer from the carrier block and perform a coating operation, and the coated wafer is transferred to an exposure block via an interface block connected to the opposite side of the carrier block, exposed, and then exposed. A first shelf unit that receives and develops wafers that have been transported again, and is a processing block in the form of stacking several in a vertical direction, located on the side of the carrier block among the inside of the processing block to temporarily store the wafers transferred from the carrier block. and a second shelf unit located on the exposure block side of the inside of the processing block to temporarily store the wafer transferred from the exposure block, a temperature control unit for adjusting the temperature of the wafer, and the carrier block inside the processing block. A first auxiliary transfer robot installed on the side of the processing block for transferring wafers between processing blocks stacked vertically and a second auxiliary transfer robot installed on the side of the interface block among processing blocks stacked vertically and transferring wafers between processing blocks stacked vertically. A processing block for a photolithography apparatus including an auxiliary transfer robot, wherein the processing block includes a heat treatment block for heating or cooling a wafer and a process block for coating or developing the wafer, wherein the heat treatment block a pair of heat treatment units disposed on both sides of an imaginary line connecting the carrier block, the processing block, and the interface block to heat or cool the wafer; and a first main transfer robot disposed between the pair of heat treatment units to transfer and receive wafers between a first shelf unit, a second shelf unit, and a heat treatment unit, wherein the process block includes the carrier block and the process block. and a coating unit and a developing unit disposed on both sides of an imaginary line connecting the interface blocks, respectively. The processing block for the photolithography apparatus of claim 1, further comprising a second main transfer robot disposed between the pair of processing units to transfer wafers between the first shelf unit, the second shelf unit, and the processing unit. to provide.

Description

포토리소그래피 장치용 처리 블록 및 이를 이용한 포토리소그래피 장치{Process Block for Photolithography Instruments and Photolithography Instruments using therof}Processing block for photolithography device and photolithography device using the same {Process Block for Photolithography Instruments and Photolithography Instruments using therof}

본 발명은 필요한 공정에 따라 레지스트막 코팅, 반사막 코팅, 현상 등의 공정을 처리할 수 있도록 구성되어 상하방향으로 여러 개 적층된 포토리소그래피 장치용 처리 블록 및 이를 이용한 포토리소그래피 장치에 관한 것으로서 보다 상세하게는 열처리 블록과 공정 블록을 별도의 블록으로 제작하여 설치함으로써 공간 활용을 극대화할 수 있도록 구조가 개선된 포토리소그래피 장치용 처리 블록 및 이를 이용한 포토리소그래피 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a processing block for a photolithography device configured to process processes such as resist film coating, reflective film coating, development, etc. according to necessary processes and stacked in several layers in a vertical direction, and to a photolithography device using the same, in more detail. relates to a processing block for a photolithography device having an improved structure to maximize space utilization by manufacturing and installing a heat treatment block and a process block as separate blocks and a photolithography device using the same.

포토리소그래피(Photolithography) 공정은 반도체나 디스플레이 공정에서 많이 사용되는 공정으로서 포토 공정이라고도 불리며 사진 인쇄 기술과 비슷하게 빛을 이용하여 복잡한 회로 패턴을 제조하는 방법이다. A photolithography process is a process widely used in semiconductor or display processes, also called a photo process, and is a method of manufacturing complex circuit patterns using light similar to photo printing technology.

포토리소그래피 공정은 웨이퍼에 레지스트리막을 도포(코팅)하고, 포토마스크를 이용하여 레지스트리막을 노광한 후 현상 처리를 통해 원하는 패턴을 얻는 공정을 포함한다.The photolithography process includes a process of applying (coating) a registry film on a wafer, exposing the registry film using a photomask, and then obtaining a desired pattern through a developing process.

이때, 코팅, 노광, 현상 등은 각각 개별적인 장치 유닛에 의해 이루어지며, 웨이퍼를 가열 또는 냉각하기 위한 열처리 유닛, 냉각 유닛, 온도 조절을 위한 온조 유닛 등이 더 포함된 상태로 운영된다. 또한, 공정의 순서에 따라 어느 하나의 장치 유닛에서 다른 장치 유닛으로 이송하는 이송 유닛(로봇)도 포토리소그래피 공정에 필수적인 장치이다.At this time, coating, exposure, development, etc. are performed by individual device units, and are operated in a state in which a heat treatment unit for heating or cooling the wafer, a cooling unit, a temperature control unit for temperature control, and the like are further included. In addition, a transfer unit (robot) that transfers from one device unit to another according to the order of the process is also an essential device for the photolithography process.

이러한 포토리소그래피 공정을 위한 장치가 대한민국 공개특허 제10-2011-0128766호에 개시되어 있다.An apparatus for such a photolithography process is disclosed in Korean Patent Publication No. 10-2011-0128766.

상기 특허에 개시된 장치는 도포막 형성용 단위 블럭과 현상 처리용 단위 블럭이 상하방향으로 적층되는 형태로 설치되는데, 각각의 단위 블럭은 액처리 유니트, 가열 유니트, 반송 수단(이송용 로봇) 등의 구성을 포함하고 있다.The device disclosed in the above patent is installed in a form in which a unit block for forming a coating film and a unit block for developing treatment are stacked vertically, and each unit block is a liquid treatment unit, a heating unit, a transport means (transfer robot), etc. contains the configuration.

단위 블럭을 상하방향으로 적층하면, 공정에 따라 처리 블럭을 선택적으로 활용함으로써 제품 생산 효율을 높일 수 있고, 상대적으로 적은 면적에 장치를 설치할 수 있어 공간 활용도가 높은 장점이 있다.When the unit blocks are stacked in the vertical direction, product production efficiency can be increased by selectively utilizing processing blocks according to the process, and space utilization can be increased because the device can be installed in a relatively small area.

한편, 상기 특허에 개시된 발명은 도포 처리 단위 블록과 현상 처리 단위 블록 모두에 포함되는 액처리 유닛이나 현상 유닛은 가열 처리 유닛과 서로 마주보도록 배치되는 특징이 있고, 어떤 단위 블록에도 가열 처리 유니트는 포함되어 있는 특징이 있다. 다시 말해 도포 처리 단위 블록은 액처리 유니트와 가열 처리 유니트를 포함하고, 현상 처리 단위 블록은 현상 유니트와 가열 처리 유니트를 포함하고 있는 것이다.Meanwhile, in the invention disclosed in the patent, the liquid processing unit or developing unit included in both the coating unit block and the developing unit block is disposed to face the heat processing unit, and any unit block includes a heat processing unit. There are features that have been In other words, the coating processing unit block includes a liquid processing unit and a heat processing unit, and the developing processing unit block includes a developing unit and a heat processing unit.

또한, 상하방향으로 적층된 모든 단위 블록에서 가열 처리 유니트는 모두 같은 쪽에 배치되고 그 반대쪽에 액처리 유니트나 현상 처리 유니트가 배치되는 특징도 포함하고 있다.In addition, in all the unit blocks stacked in the vertical direction, heat processing units are all disposed on the same side, and liquid processing units or developing processing units are disposed on the opposite side.

그런데 가열 처리 유니트는 상대적으로 높이가 낮고 액처리 유니트나 현상 유니트는 상대적으로 높이가 높은데, 하나의 단위 블록에 가열 처리 유니트와 액처리 유니트가 포함되는 경우 높이가 높은 액처리나 현상 유니트에 맞추어 단위 블록을 제작해야 하므로 단위 블록의 높이가 높아져야 하고 상하방향으로 적층되는 단위 블록의 특성상 높이방향의 공간 활용에 불리한 점이 있다.However, the height of the heat processing unit is relatively low, and the height of the liquid processing unit or developing unit is relatively high. Since the block must be manufactured, the height of the unit block must be increased, and there is a disadvantage in utilizing space in the height direction due to the characteristics of the unit block stacked in the vertical direction.

대한민국 공개특허 제10-2011-0128766호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2011-0128766

본 발명은 배경 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 각각의 처리 블록에 포함되는 열처리 유닛과 코팅 유닛 또는 현상 유닛을 적절히 배치함으로써 처리 블록의 높이를 줄이고 배출되는 가스의 수집 및 처리가 용이할 수 있도록 하며, 일부 처리 블록의 높이를 줄임으로써 효율적인 처리 블록의 적층이 가능하도록 구조가 개선된 포토리소그래피 장치용 처리 블록 및 이를 이용한 포토리소그래피 장치를 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the problems of the background art, and the problem to be solved by the present invention is to reduce the height of the processing block by properly arranging the heat treatment unit and the coating unit or the developing unit included in each processing block and discharge An object of the present invention is to provide a processing block for a photolithography device having an improved structure so that gas can be easily collected and processed and a height of some of the processing blocks can be efficiently stacked by reducing the height of the processing block, and a photolithography device using the same.

전술한 과제의 해결 수단으로서 본 발명은,As a means of solving the above problems, the present invention,

한쪽은 캐리어 블록과 연결되어 캐리어 블록에서 웨이퍼를 이송받아 코팅 작업을 하고, 코팅 처리한 웨이퍼는 상기 캐리어 블록의 반대쪽에 연결된 인터페이스 블록을 거쳐 노광 블록으로 이송하여 노광 처리한 후 노광 처리된 웨이퍼를 다시 이송받아 현상 처리하며, 상하 방향으로 여러 개가 적층된 형태의 처리 블록으로서,One side is connected to the carrier block to receive wafers from the carrier block for coating, and the coated wafer is transported to the exposure block via the interface block connected to the opposite side of the carrier block, exposed, and then exposed again. It is transferred and developed, and as a processing block in the form of stacking several in the vertical direction,

상기 처리 블록의 내부 중 상기 캐리어 블록 측에 위치하여 캐리어 블록에서 이송된 웨이퍼를 임시 보관하는 제1선반 유닛과 상기 처리 블록의 내부 중 상기 노광 블록 측에 위치하여 노광 블록에서 이송된 웨이퍼를 임시 보관하는 제2선반 유닛과, 상기 웨이퍼의 온도를 조정하는 온조 유닛과, 상기 처리 블록의 내부 중 상기 캐리어 블록 쪽에 설치되며 상하로 적층된 처리 블록 사이에서 웨이퍼를 주고받기 위한 제1보조이송 로봇과, 상기 처리 블록의 내부 중 상기 인터페이스 블록 쪽에 설치되며 상하로 적층된 처리 블록 사이에서 웨이퍼를 주고받기 위한 제2보조이송 로봇;을 포함하는 포토리소그래피 장치용 처리 블록에 있어서,A first shelf unit positioned on the carrier block side of the processing block to temporarily store wafers transferred from the carrier block and a first shelf unit located on the exposure block side of the processing block to temporarily store wafers transferred from the exposure block a second shelf unit that controls the temperature of the wafer, a temperature control unit that adjusts the temperature of the wafer, and a first auxiliary transfer robot that is installed on the carrier block side of the inside of the processing block and transfers wafers between the vertically stacked processing blocks; In the processing block for a photolithography apparatus including a second auxiliary transfer robot installed on the interface block side of the processing block and transferring wafers between the processing blocks stacked vertically,

상기 처리 블록은 웨이퍼를 가열 또는 냉각하기 위한 열처리 블록과 웨이퍼에 코팅을 하거나 현상을 하기 위한 공정 블록을 포함하여 구성되고,The processing block includes a heat treatment block for heating or cooling the wafer and a process block for coating or developing the wafer,

상기 열처리 블록은,The heat treatment block,

상기 캐리어 블록, 처리 블록 및 인터페이스 블록을 연결하는 가상의 선의 양쪽에 각각 배치되어 상기 웨이퍼를 가열 또는 냉각하는 한 쌍의 열처리 유닛;a pair of heat treatment units disposed on both sides of an imaginary line connecting the carrier block, the processing block, and the interface block to heat or cool the wafer;

상기 한 쌍의 열처리 유닛 사이에 배치되어 제1선반 유닛, 제2선반 유닛 및 열처리 유닛 사이에서 웨이퍼를 주고 받기 위한 제1메인 이송로봇;을 포함하고,A first main transfer robot disposed between the pair of heat treatment units to transfer and receive wafers between the first shelf unit, the second shelf unit, and the heat treatment unit;

상기 공정 블록은,The process block,

상기 캐리어 블록, 처리 블록 및 인터페이스 블록을 연결하는 가상의 선의 양쪽에 각각 배치되는 코팅 유닛과 현상 유닛;a coating unit and a developing unit respectively disposed on both sides of a virtual line connecting the carrier block, processing block and interface block;

상기 한 쌍의 공정 유닛 사이에 배치되어 상기 제1선반 유닛, 제2선반 유닛 및 공정 유닛 사이에서 웨이퍼를 주고받기 위한 제2메인 이송 로봇을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치용 처리 블록을 제공한다.The processing block for the photolithography apparatus of claim 1, further comprising a second main transfer robot disposed between the pair of processing units to transfer wafers between the first shelf unit, the second shelf unit, and the processing unit. to provide.

상기 코팅 유닛은,The coating unit,

상기 웨이퍼에 레지트스막을 형성하기 위한 제1코팅 유닛과, 상기 웨이퍼에 반사 방지용 막을 형성하기 위한 제2코팅 유닛 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다.It may include at least one of a first coating unit for forming a resist film on the wafer and a second coating unit for forming an antireflection film on the wafer.

상기 열처리 유닛, 제1코팅 유닛, 현상 유닛 및 제2코팅 유닛은 각각 여러 개의 단위 유닛으로 구성되어 여러 개의 단위 유닛 중 어느 하나 또는 둘 이상의 단위 유닛에서 선택적으로 처리 공정이 이루어질 수 있는 것이 바람직하다.Preferably, the heat treatment unit, the first coating unit, the developing unit, and the second coating unit each consist of a plurality of unit units, so that a treatment process can be selectively performed in any one or two or more unit units among the plurality of unit units.

본 발명은 두 번째 형태로서 전술한 처리 블록을 포함한 포토리소그래피 장치를 제공한다.As a second aspect, the present invention provides a photolithography apparatus including the aforementioned processing block.

본 발명은 각각의 처리 블록에 포함되는 열처리 유닛과 코팅 유닛 또는 현상 유닛을 적절히 배치함으로써 처리 블록의 높이를 줄이고 배출되는 가스의 수집 및 처리가 용이할 수 있도록 하며, 일부 처리 블록의 높이를 줄임으로써 효율적인 처리 블록의 적층이 가능하도록 구조가 개선된 포토리소그래피 장치용 처리 블록 및 이를 이용한 포토리소그래피 장치를 제공할 수 있다.The present invention reduces the height of the processing block by appropriately arranging a heat treatment unit and a coating unit or developing unit included in each processing block to facilitate collection and treatment of discharged gas, and by reducing the height of some processing blocks. A processing block for a photolithography device having an improved structure so as to enable efficient stacking of processing blocks and a photolithography device using the processing block may be provided.

도 1은 열처리 블록을 설명하기 위한 도면.
도 2는 공정 블록을 설명하기 위한 도면.
도 3 내지 도 5는 열처리 블록과 공정 블록이 적층된 상태의 다양한 예를 설명하기 위한 도면.1 is a view for explaining a heat treatment block;
2 is a diagram for explaining a process block;
3 to 5 are views for explaining various examples of stacked states of heat treatment blocks and process blocks;

이하에서는 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명함으로써 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용을 제공하기로 한다.Hereinafter, specific details for carrying out the present invention will be provided by describing preferred embodiments of the present invention with reference to the drawings.

도 1은 열처리 블록을 설명하기 위한 도면, 도 2는 공정 블록을 설명하기 위한 도면, 도 3 내지 도 5는 열처리 블록과 공정 블록이 적층된 상태의 다양한 예를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a heat treatment block, FIG. 2 is a view for explaining a process block, and FIGS. 3 to 5 are views for explaining various examples of stacked states of a heat treatment block and a process block.

우선 본 발명의 첫 번째 형태인 포토리소그래피 장치용 처리 블록의 하나의 실시예에 대하여 설명하기로 한다.First, an embodiment of a processing block for a photolithography apparatus, which is a first form of the present invention, will be described.

본 실시예에 따른 포토리소그래피 장치용 처리 블록은 캐리어 블록(C)과 연결되어 캐리어 블록(C)에서 웨이퍼를 이송받아 코팅 작업을 하고, 코팅 처리한 웨이퍼를 상기 캐리어 블록(C)의 반대쪽에 연결된 인터페이스 블록(I)을 거쳐 노광 블록(E)으로 이송하여 노광 처리한 후 노광 처리된 웨이퍼를 다시 이송받아 현상 처리하며, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이 상하 방향으로 여러 개가 적층된 형태로 배치된다. 상기 캐리어 블록(C)과 처리 블록 사이와 처리 블록과 인터페이스 블록(I) 사이의 웨이퍼의 이송은 도시되지 않은 이송용 로봇에 의해 이루어진다.A processing block for a photolithography apparatus according to the present embodiment is connected to a carrier block (C), receives a wafer from the carrier block (C), performs a coating operation, and connects the coated wafer to the opposite side of the carrier block (C). After being transported through the interface block (I) to the exposure block (E) for exposure treatment, the exposed wafer is transferred again and developed, and as shown in FIGS. 3 to 5, several are stacked in the vertical direction. are placed Transfer of wafers between the carrier block C and the processing block and between the processing block and the interface block I is performed by a transfer robot (not shown).

상기 처리 블록은 열처리 블록(TP)과 공정 블록(CP)을 포함하여 구성되는데, 상기 열처리 블록(TP)과 공정 블록(CP)은 공통된 구성도 포함하고, 각 볼록만이 가지는 특징적인 구성도 포함하고 있는데, 먼저 열처리 블록(TP)과 공정 블록(CP)에 공통으로 포함된 구성에 대해 설명한 후에 각 처리 블록의 특징적인 구성에 대하여 설명하기로 한다. 이하 상기 열처리 블록(TP)과 공정 블록(CP)이 공통으로 포함하는 구성을 설명할 때에는 처리 블록이라는 명칭으로 상기 열처리 블록(TP)과 공정 블록(CP)을 공통적으로 칭하기로 한다.The processing block includes a heat treatment block (TP) and a process block (CP), and the heat treatment block (TP) and the process block (CP) also include a common configuration and also include a characteristic configuration that only each convex has. First, configurations commonly included in the heat treatment block TP and process block CP will be described, and then characteristic configurations of each processing block will be described. Hereinafter, when describing a configuration that the heat treatment block TP and the process block CP commonly include, the heat treatment block TP and the process block CP will be commonly referred to as a process block.

상기 처리 블록은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 제1선반 유닛(10), 제2선반 유닛(20), 온조 유닛(30), 제1보조이송 로봇(40), 제2보조이송 로봇(50)을 포함한다.1 and 2, the processing blocks include a first shelf unit 10, a second shelf unit 20, a temperature control unit 30, a first auxiliary transfer robot 40, and a second auxiliary transfer robot. (50).

상기 제1선반 유닛(10)은 상기 캐리어 블록(C) 측에 마련되어 캐리어 블록(C)과 처리 블록 사이에서 웨이퍼를 주고받을 때 임시 보관한다. 다시 말해 캐리어 블록(C)에서 이송된 웨이퍼를 임시 보관하거나, 코팅, 노광, 현상 등의 처리가 완료된 웨이퍼를 캐리어 블록(C)으로 이송하기 전에 임시 보관을 하기도 한다.The first shelf unit 10 is provided on the side of the carrier block C to temporarily store wafers when transferring and receiving wafers between the carrier block C and the processing block. In other words, the wafers transferred from the carrier block (C) are temporarily stored, or the wafers after processing such as coating, exposure, and development are temporarily stored before being transferred to the carrier block (C).

상기 제2선반 유닛(20)은 상기 인터페이스 블록(I) 측에 마련되어 인터페이스 블록(I)과 웨이퍼를 주고받는 과정에서 임시보관하는 역할을 한다. 다시 말해 노광 처리를 위해 코팅 처리가 완료된 웨이퍼를 인터페이스 블록(I)에 전달하거나, 노광이 완료된 웨이퍼를 다시 처리 블록으로 이송할 때 웨이퍼를 임시보관 하는 역할을 수행하는 것이다.The second shelf unit 20 is provided on the side of the interface block (I) and serves to temporarily store in the process of exchanging wafers with the interface block (I). In other words, it serves to temporarily store the wafer when transferring the coated wafer to the interface block (I) for exposure or transferring the exposed wafer back to the processing block.

상기 온조 유닛(30)은 웨이퍼의 온도를 조정하는 구성으로서 가열과 냉각이 모두 가능하도록 구성되는데, 본 실시예에서는 한 쌍의 온조 유닛(30)이 상기 제1선반 유닛(10)과 제2선반 유닛(20)에 각각 설치된다. 웨이퍼가 제1선반 유닛(10)이나 제2선반 유닛(20)에 임시 보관된 상태에서 다음 공정에 필요한 최적의 온도가 될 수 있도록 가열 또는 냉각을 함으로써 공정의 효율을 높일 수 있도록 하는 것이다.The temperature control unit 30 is configured to adjust the temperature of the wafer and is configured to be capable of both heating and cooling. Each is installed in the unit 20. This is to increase the efficiency of the process by heating or cooling the wafer to an optimal temperature required for the next process while it is temporarily stored in the first shelf unit 10 or the second shelf unit 20 .

상기 제1보조이송 로봇(40)은 상기 캐리어 블록(C) 쪽에 설치되며 상하로 적층된 처리 블록 사이에서 웨이퍼를 주고받기 위한 로봇이다. 3축 방향으로 이동과 회전 중 필요한 만큼 이동과 회전이 가능할 수 있도록 구성되는데. 특히 상하 방향으로 적층된 처리 블록 사이에서 웨이퍼를 이송할 수 있어야 하므로, 상하방향에 대해서는 큰 가동범위가 될 수 있도록 구성된다.The first auxiliary transfer robot 40 is installed on the side of the carrier block C and is a robot for exchanging wafers between processing blocks stacked up and down. It is configured to be able to move and rotate as much as necessary during movement and rotation in the 3-axis direction. In particular, since wafers should be able to be transferred between processing blocks stacked in the vertical direction, it is configured to provide a large movable range in the vertical direction.

상기 제2보조이송 로봇(50)은 상기 인터페이스 블록(I) 쪽에 설치되며, 상기 제1보조이송 로봇(40)과 마찬가지로 상하로 적층된 처리 블록 사이에서 웨이퍼를 주고 받기 위한 로봇이다.The second auxiliary transfer robot 50 is installed on the side of the interface block I, and like the first auxiliary transfer robot 40, is a robot for exchanging wafers between processing blocks stacked vertically.

이하에서는 열처리 블록(TP)과 공정 블록(CP)의 특유한 구성에 대해 설명한다. Hereinafter, specific configurations of the heat treatment block TP and the process block CP will be described.

상기 열처리 블록(TP)은 도 1에 도시된 바와 같이 앞서 설명한 공통의 구성들 이외에 열처리 유닛(70)과 제1메인 이송로봇(61)을 더 포함한다.As shown in FIG. 1 , the heat treatment block TP further includes a heat treatment unit 70 and a first main transfer robot 61 in addition to the common components described above.

상기 열처리 유닛(70)은 상기 열처리 블록(TP) 내부에 설치되어 웨이퍼를 가열 또는 냉각하는 기능을 수행하는 구성이다. 상기 열처리 유닛(70)은 여러 개의 단위 유닛(70a)을 포함하고 있어서, 동시에 여러 개의 웨이퍼를 열처리할 수 있도록 구성되어 있다.The heat treatment unit 70 is installed inside the heat treatment block TP to perform a function of heating or cooling a wafer. The heat treatment unit 70 includes a plurality of unit units 70a and is configured to heat-treat several wafers at the same time.

상기 열처리 유닛(70)은 캐리어 블록(C), 처리 블록 및 인터페이스 블록(I)을 연결하는 가상의 선을 기준으로 양쪽에 각각 배치된다. (이하 도면의 맨 아래층을 1층이라고 지칭하기로 하며, 도 3의 3층 및 4층 참조)The heat treatment unit 70 is disposed on both sides of a virtual line connecting the carrier block C, the processing block, and the interface block I, respectively. (Hereinafter, the bottom floor in the drawing will be referred to as the first floor, see the third and fourth floors in FIG. 3)

상기 제1메인 이송로봇(61)은 제1선반 유닛(10), 제2선반 유닛(20) 및 상기 열처리 유닛(70) 사이에서 웨이퍼를 주고 받는 역할을 하는 구성이다.The first main transfer robot 61 serves to transfer and receive wafers between the first shelf unit 10 , the second shelf unit 20 and the heat treatment unit 70 .

상기 공정 블록(CP)은 도 2에 도시된 바와 같이 앞서 설명한 공통의 구성 이외에 코팅 유닛(80), 현상 유닛(90) 및 제2메인이송 로봇(62)을 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 2 , the process block CP includes a coating unit 80 , a developing unit 90 , and a second main transfer robot 62 in addition to the common components described above.

상기 코팅 유닛(80)은 웨이퍼에 레지스트 막을 형성하는 제1코팅 유닛, 웨이퍼에 반사 방지용 막을 형성하는 제2코팅 유닛 중 적어도 어느 하나를 포함하여 구성된다.The coating unit 80 includes at least one of a first coating unit for forming a resist film on a wafer and a second coating unit for forming an antireflection film on a wafer.

상기 현상 유닛(90)은 노광이 완료된 웨이퍼를 현상하는 구성이다.The developing unit 90 develops the exposed wafer.

상기 코팅 유닛(80)과 상기 현상 유닛(90)은 캐리어 블록(C), 처리 블록 및 인터페이스 블록(I)을 연결하는 가상의 선을 기준으로 양쪽에 각각 배치되는데, 도 3의 1층에 도시된 바와 같이 도면상 왼쪽에 코팅 유닛(80)이 배치되고, 도면상 오른쪽에 현상 유닛(90)이 배치될 수도 있고, 도 3의 2층에 도시된 바와 같이 그 반대로 배치될 수도 있다.The coating unit 80 and the developing unit 90 are respectively disposed on both sides of an imaginary line connecting the carrier block C, the processing block and the interface block I, as shown in the first layer of FIG. As shown, the coating unit 80 may be disposed on the left side of the drawing and the developing unit 90 may be disposed on the right side of the drawing, or vice versa as shown in the second layer of FIG. 3 .

상기 제2메인 이송로봇(62)은 제1선반 유닛(10), 제2선반 유닛(20), 상기 코팅 유닛(80) 및 상기 현상 유닛(90) 사이에서 웨이퍼를 주고받을 수 있도록 웨이퍼를 이송하는 구성이다.The second main transfer robot 62 transfers wafers between the first shelf unit 10, the second shelf unit 20, the coating unit 80, and the developing unit 90. It is a composition that

상기 코팅 유닛(80)과 상기 현상 유닛(90)은 여러 개의 단위 유닛(80a, 90a)을 포함하여 구성됨에 따라 동시에 여러 개의 웨이퍼에 필요한 작업을 할 수 있도록 구성되어 작업의 효율성을 높이도록 구성된다.As the coating unit 80 and the developing unit 90 are configured to include a plurality of unit units 80a and 90a, they are configured to perform necessary operations on several wafers at the same time, thereby increasing the efficiency of the operation. .

도 3에 도시된 처리 블록의 배치는 하나의 예시에 불과하다. 도 4에 도시된 바와 같이 1층과 2층에 열처리 블록(TP)을 배치하고 3층과 4층에는 도면상 왼쪽에 현상 유닛(90)을 도면상 오른쪽에 코팅 유닛(80)을 배치할 수도 있고, 도 5에 도시된 바와 같이 열처리 블록(TP)과 공정 블록(CP)을 번갈아가며 적층 할 수도 있다. 물론 생산 공정에 맞추어 열처리 블록(TP)과 공정 블록(CP)의 개수나 적층 위치를 얼마든지 변경할 수 있다.The arrangement of processing blocks shown in FIG. 3 is only an example. As shown in FIG. 4, the heat treatment block (TP) may be disposed on the first and second layers, and the developing unit 90 may be disposed on the left side of the drawing and the coating unit 80 may be disposed on the right side of the drawing on the third and fourth layers. And, as shown in FIG. 5, the heat treatment block TP and the process block CP may be alternately laminated. Of course, the number or stacking positions of the heat treatment block TP and the process block CP may be changed according to the production process.

본 발명은 선행특허문헌과 달리 하나의 처리 블록에 열처리 유닛과 코팅 유닛 또는 현상 유닛을 설치하는 것이 아니라 열처리 블록(TP)과 공정 블록(CP)을 구분하여 열처리 블록(TP)에는 열처리 유닛만 배치되고, 공정 블록(CP)에는 코팅 유닛과 현상 유닛을 배치하는 특징이 있다.Unlike prior patent literature, the present invention does not install a heat treatment unit, a coating unit, or a developing unit in one processing block, but separates the heat treatment block (TP) and the process block (CP) and places only the heat treatment unit in the heat treatment block (TP). and a coating unit and a developing unit are disposed in the process block CP.

전술한 바와 같이 열처리 유닛은 코팅 유닛이나 현상 유닛에 비하여 상대적으로 낮은 높이로 제작될 수 있는데 이러한 점을 이용하여 열처리 블록(TP)은 공정 블록(CP)에 비하여 상대적으로 낮은 높이로 제작할 수 있게 되어(도 3 내지 도 5에 열처리 블록(TP)은 낮은 높이로 도시되어 있다.) 공간활용을 효율적으로 할 수 있는 효과를 기대할 수 있다. As described above, the heat treatment unit can be manufactured at a relatively low height compared to the coating unit or the developing unit. Using this point, the heat treatment block TP can be manufactured at a relatively low height compared to the process block CP. (The heat treatment block TP is shown at a low height in FIGS. 3 to 5.) An effect of efficient space utilization can be expected.

또한, 열처리 블록(TP)의 높이를 줄임으로써 제1보조이송 로봇(40)이나 제2보조이송 로봇(50)의 상하방향의 이동거리도 줄일 수 있게 되어 웨이퍼의 이동시간을 단축할 수 있는 효과도 기대할 수 있다.In addition, by reducing the height of the heat treatment block TP, the movement distance in the vertical direction of the first auxiliary transfer robot 40 or the second auxiliary transfer robot 50 can be reduced, thereby reducing the wafer movement time. can also be expected.

또한, 열처리 유닛(70)에서 발생하는 배기가스는 코팅 유닛(80)이나 현상 유닛(90)에서 발생하는 배기가스와 다른데 열처리 유닛(TP)을 별도로 제작함으로써 배기가스의 포집과 처리를 효율적으로 할 수 있는 효과도 기대된다.In addition, the exhaust gas generated from the heat treatment unit 70 is different from the exhaust gas generated from the coating unit 80 or the developing unit 90. By manufacturing the heat treatment unit TP separately, it is possible to efficiently collect and treat the exhaust gas. Possible effects are expected.

마지막으로 현재 메인 이송로봇(61, 62)은 어느 하나의 처리 블록에서만 웨이퍼의 이송을 담당하고 있고, 적층된 처리 블록 사이에서의 웨이퍼 이송은 별도의 구성(제1,2보조이송 로봇)에 의해 이루어지는데, 메인 이송로봇이 상하방향으로도 이동하면서 웨이퍼를 수송하도록 구조가 개선되는 경우 전체 처리 블록의 높이를 줄여 상하 방향의 이송 부하를 줄임으로써 효율을 높이고 생산성이 증가할 수 있는 효과도 기대할 수 있게 된다.Finally, the current main transfer robots 61 and 62 are in charge of transferring wafers only in one processing block, and wafer transfer between stacked processing blocks is performed by a separate configuration (first and second auxiliary transfer robots). However, if the structure is improved so that the main transfer robot moves in the vertical direction and transports wafers, the effect of increasing efficiency and productivity can be expected by reducing the transfer load in the vertical direction by reducing the height of the entire processing block. there will be

이하에서는 본 발명의 두 번째 형태인 포토리소그래피 장치에 대해 설명하기로 한다. Hereinafter, a second type of photolithography device of the present invention will be described.

본 발명에 따른 포토리소그래피 장치는 전술한 처리 블록(P)과 함께 캐리어 블록(C), 인터페이스 블록(I), 노광 블록(E) 등의 구성을 포함하고 있으며, 각 블록 사이에서 웨이퍼를 이송하기 위한 이송 로봇(미도시)도 포함하여 구성된다. 본 발명의 포토리소그래 장치의 특징은 처리 블록(P)에 있으며 이에 관한 설명은 앞서 충분히 이루어졌고, 나머지 구성은 종래기술을 사용할 수 있으므로 포토리소그래프 장치에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The photolithography apparatus according to the present invention includes components such as a carrier block (C), an interface block (I), and an exposure block (E) together with the processing block (P) described above. It is also configured to include a transfer robot (not shown) for. The feature of the photolithography device of the present invention is in the processing block P, which has been sufficiently described above, and the other configurations can use the prior art, so a detailed description of the photolithography device will be omitted.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명함으로써 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용을 제공하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 설명된 실시예에 한정되는 것은 아니며 본 발명의 기술적 사상에 포함되는 범위 안에서 다양한 형태의 포로리소그래프 장치용 처리 블록 및 이를 이용한 포토리소그래피 장치으로 구체화 될 수 있다.In the above, specific details for carrying out the present invention have been provided by describing preferred embodiments of the present invention, but the technical spirit of the present invention is not limited to the described embodiments, and within the scope included in the technical spirit of the present invention, various It can be embodied in a processing block for a photolithography device of the form and a photolithography device using the same.

10 : 제1선반 유닛 20 : 제2선반 유닛
30 : 온조 유닛 40 : 제1보조이송 로봇
50 : 제2보조이송 로봇 61 :제1메인이송 로봇
62 : 제2메인이송 로봇 70 : 열처리 유닛
80 : 코팅 유닛 90 : 현상 유닛10: first shelf unit 20: second shelf unit
30: temperature control unit 40: first auxiliary transfer robot
50: second auxiliary transfer robot 61: first main transfer robot
62: second main transfer robot 70: heat treatment unit
80: coating unit 90: developing unit

Claims (6)

한쪽은 캐리어 블록과 연결되어 캐리어 블록에서 웨이퍼를 이송받아 코팅 작업을 하고, 코팅 처리한 웨이퍼는 상기 캐리어 블록의 반대쪽에 연결된 인터페이스 블록을 거쳐 노광 블록으로 이송하여 노광 처리한 후 노광 처리된 웨이퍼를 다시 이송받아 현상 처리하며, 상하 방향으로 여러 개가 적층된 형태의 처리 블록으로서,
상기 처리 블록의 내부 중 상기 캐리어 블록 측에 위치하여 캐리어 블록에서 이송된 웨이퍼를 임시 보관하는 제1선반 유닛과 상기 처리 블록의 내부 중 상기 노광 블록 측에 위치하여 노광 블록에서 이송된 웨이퍼를 임시 보관하는 제2선반 유닛과, 상기 웨이퍼의 온도를 조정하는 온조 유닛과, 상기 처리 블록의 내부 중 상기 캐리어 블록 쪽에 설치되며 상하로 적층된 처리 블록 사이에서 웨이퍼를 주고받기 위한 제1보조이송 로봇과, 상기 처리 블록의 내부 중 상기 인터페이스 블록 쪽에 설치되며 상하로 적층된 처리 블록 사이에서 웨이퍼를 주고받기 위한 제2보조이송 로봇;을 포함하는 포토리소그래피 장치용 처리 블록에 있어서,
상기 처리 블록은 웨이퍼를 가열 또는 냉각하기 위한 열처리 블록과 웨이퍼에 코팅을 하거나 현상을 하기 위한 공정 블록을 포함하여 구성되고,
상기 열처리 블록은,
상기 캐리어 블록, 처리 블록 및 인터페이스 블록을 연결하는 가상의 선의 양쪽에 각각 배치되어 상기 웨이퍼를 가열 또는 냉각하는 한 쌍의 열처리 유닛;
상기 한 쌍의 열처리 유닛 사이에 배치되어 제1선반 유닛, 제2선반 유닛 및 열처리 유닛 사이에서 웨이퍼를 주고 받기 위한 제1메인 이송로봇;을 포함하고,
상기 공정 블록은,
상기 캐리어 블록, 처리 블록 및 인터페이스 블록을 연결하는 가상의 선의 양쪽에 각각 배치되는 코팅 유닛과 현상 유닛;
상기 한 쌍의 공정 유닛 사이에 배치되어 상기 제1선반 유닛, 제2선반 유닛 및 공정 유닛 사이에서 웨이퍼를 주고받기 위한 제2메인 이송 로봇을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치용 처리 블록.
One side is connected to the carrier block to receive wafers from the carrier block for coating, and the coated wafer is transported to the exposure block via the interface block connected to the opposite side of the carrier block, exposed, and then exposed again. It is transferred and developed, and as a processing block in the form of stacking several in the vertical direction,
A first shelf unit positioned on the carrier block side of the processing block to temporarily store wafers transferred from the carrier block and a first shelf unit located on the exposure block side of the processing block to temporarily store wafers transferred from the exposure block a second shelf unit that controls the temperature of the wafer, a temperature control unit that adjusts the temperature of the wafer, and a first auxiliary transfer robot that is installed on the carrier block side of the inside of the processing block and transfers wafers between the vertically stacked processing blocks; In the processing block for a photolithography apparatus including a second auxiliary transfer robot installed on the interface block side of the processing block and transferring wafers between the processing blocks stacked vertically,
The processing block includes a heat treatment block for heating or cooling the wafer and a process block for coating or developing the wafer,
The heat treatment block,
a pair of heat treatment units disposed on both sides of an imaginary line connecting the carrier block, the processing block, and the interface block to heat or cool the wafer;
A first main transfer robot disposed between the pair of heat treatment units to transfer and receive wafers between the first shelf unit, the second shelf unit, and the heat treatment unit;
The process block,
a coating unit and a developing unit disposed on both sides of an imaginary line connecting the carrier block, the processing block and the interface block, respectively;
The processing block for a photolithography apparatus according to claim 1 , further comprising a second main transfer robot disposed between the pair of processing units to transfer wafers between the first shelf unit, the second shelf unit, and the processing units.
 제1항에 있어서,
상기 코팅 유닛은,
상기 웨이퍼에 레지트스막을 형성하기 위한 제1코팅 유닛과, 상기 웨이퍼에 반사 방지용 막을 형성하기 위한 제2코팅 유닛 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치용 처리 블록.
According to claim 1,
The coating unit,
A processing block for a photolithography apparatus, comprising at least one of a first coating unit for forming a resist film on the wafer and a second coating unit for forming an antireflection film on the wafer.
 제2항에 있어서,
상기 열처리 유닛, 제1코팅 유닛, 현상 유닛 및 제2코팅 유닛은 각각 여러 개의 단위 유닛으로 구성되어 여러 개의 단위 유닛 중 어느 하나 또는 둘 이상의 단위 유닛에서 선택적으로 처리 공정이 이루어질 수 있는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치용 처리 블록.
According to claim 2,
The heat treatment unit, the first coating unit, the developing unit, and the second coating unit are composed of several unit units, so that a treatment process can be selectively performed in any one or two or more unit units among the plurality of unit units. Characterized in that A processing block for a photolithography device.
 청구항 제1항에 포함된 처리 블록을 포함하는 포토리소그래피 장치.
A photolithography apparatus comprising the processing block included in claim 1 .
 제4항에 있어서,
상기 공정 유닛은,
상기 웨이퍼에 레지트스막을 형성하기 위한 제1코팅 유닛,
노광이 완료된 상기 웨이퍼를 현상하기 위한 현상 유닛,
상기 웨이퍼에 반사 방지용 막을 형성하기 위한 제2코팅 유닛,
중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
According to claim 4,
The process unit,
A first coating unit for forming a resist film on the wafer;
a developing unit for developing the exposed wafer;
A second coating unit for forming an antireflection film on the wafer;
A photolithography device comprising at least one of
 제4항에 있어서,
상기 열처리 유닛, 제1코팅 유닛, 현상 유닛 및 제2코팅 유닛은 각각 여러 개의 단위 유닛으로 구성되어 여러 개의 단위 유닛 중 어느 하나 또는 둘 이상의 단위 유닛에서 선택적으로 처리 공정이 이루어질 수 있는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 장치.
According to claim 4,
The heat treatment unit, the first coating unit, the developing unit, and the second coating unit are composed of several unit units, so that a treatment process can be selectively performed in any one or two or more unit units among the plurality of unit units. Characterized in that Photolithography device.
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