KR101579510B1 - Apparatus for Processing Substrate - Google Patents

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KR101579510B1
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황수민
노형래
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세메스 주식회사
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    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers

Abstract

본 발명의 기판 처리 설비는 기판이 담겨진 용기가 놓여지는 포트 및 인덱스 로봇을 가지는 인덱스부; 기판을 현상하는 공정을 진행하는 제1현상 처리실과 제2현상처리실이 서로 층으로 구획되어 배치되는 현상 처리부를 갖는 공정 처리부; 상기 현상 처리부와 상기 인덱스부 사이에 배치되는 제1패스부를 포함하되; 상기 제1현상 처리실은 현상 모듈 및 제1가열 모듈 그리고, 상기 현상 모듈 및 상기 제1가열 모듈에 접근 가능한 이동 통로상에 배치되는 제1메인반송로봇을 포함하고, 상기 제1패스부는 제2가열 모듈, 제1버퍼 모듈, 쿨링 모듈, 제2버퍼 모듈 그리고 상기 제2가열 모듈, 상기 제1버퍼 모듈, 상기 쿨링 모듈 및 상기 제2버퍼 모듈에 접근 가능한 이동 통로상에 배치되는 제1 버퍼 반송 로봇을 포함할 수 있다. The substrate processing apparatus of the present invention comprises: an index portion having a port and an index robot on which a container containing a substrate is placed; A processing section having a development processing section in which a first development processing chamber and a second development processing chamber, which are subjected to a process of developing a substrate, are divided and arranged in layers; And a first path portion disposed between the development processing portion and the index portion; Wherein the first development processing chamber includes a development module and a first heating module and a first main transfer robot disposed on a transfer passage accessible to the development module and the first heating module, A first buffer carrying robot disposed on a moving path accessible to the first buffer module, the first buffer module, the cooling module, the second buffer module, and the second heating module, the first buffer module, the cooling module, . ≪ / RTI >

Description

기판 처리 설비{Apparatus for Processing Substrate}[0001] Apparatus for Processing Substrate [

본 발명은 기판 처리 설비에 관한 것으로, 더 상세하게는 도포, 현상, 베이크 공정을 수행하는 기판 처리 설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for performing a coating, developing, and baking process.

일반적으로, 반도체 소자용 제조 장치는 기판 상에 소정의 막을 형성하고, 그 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다. 패턴은 막 형성, 사진(photolithogrphy), 식각, 세정 등과 같은 단위 공정들의 순차적 또는 반복적인 수행에 의해 형성된다. In general, a manufacturing apparatus for a semiconductor device is manufactured by forming a predetermined film on a substrate and forming the film into a pattern having electrical characteristics. The pattern is formed by sequential or repetitive execution of unit processes such as film formation, photolithography, etching, cleaning, and the like.

여기서, 사진 공정은 실리콘 기판 상에 포토레지스트막을 도포하여 형성하는 도포 공정과 이 포토레지스트막이 형성된 기판 상에 마스크를 이용하여 선택적으로 노광하는 노광 공정과 이 노광된 포토레지스트막을 현상하여 미세회로 패턴을 형성하는 현상 공정, 그리고 도포 공정, 노광 공정 및 현상 공정 후 각각 진행하는 베이크 공정으로 이루어진다. Here, in the photolithography process, a coating process for forming a photoresist film on a silicon substrate, an exposure process for selectively exposing the substrate with the photoresist film formed thereon using a mask, and a step for developing the exposed photoresist film to form a fine circuit pattern And a baking step which proceeds after the application step, the exposure step and the development step, respectively.

사진 공정을 수행하기 위한 설비는 도포 공정을 담당하는 도포 처리 영역, 현상 공정을 담당하는 현상 처리 영역 및 베이크 공정을 담당하는 베이크 처리 영역을 구비하는 설비와, 노광 공정을 담당하는 별도의 노광 설비로 구별된다. 도포, 현상, 베이크 공정을 수행하는 포토리소그래피 설비는 기판 이송의 효율을 올리기 위해 일측에 도포 처리 영역과 현상 처리 영역을 복층으로 구분하여 배치하면서, 이와 대향되는 측에 베이크 처리 영역을 배치한다. 따라서, 각 층에 기판 이송을 담당하는 로봇이 별도로 설치된다. The facility for carrying out the photolithography process includes a facility including a coating processing area for performing a coating process, a developing processing area for carrying out a developing process, and a bake processing area for carrying out a baking process, and a separate exposure facility Respectively. In the photolithography equipment for performing the coating, developing and baking processes, a baking process region is arranged on the opposite side of the coating process region and the developing process region on one side in order to increase the substrate transfer efficiency. Therefore, a robot for transferring the substrate to each layer is separately installed.

그러나, 이와 같은 구성은 설비의 가동율을 증대시키는데 한계를 가지고 있다. 예를 들어, 현상 처리를 수행하는 층에 배치된 1개의 반송 로봇은 버퍼- 노광후베이크 - 쿨링 - 현상 - 하드베이크 - 쿨링 - 버퍼로 이루어지는 7개 스텝을 처리한다. 따라서, 1개 층에 배치된 반송 로봇에는 큰 부하가 걸리게 되고, 그에 따른 설비 생산 효율이 감소된다. However, such a configuration has limitations in increasing the operating rate of equipment. For example, one transport robot disposed in the development processing layer processes seven steps consisting of buffer-post-exposure bake-cooling-development-hard bake-cooling-buffer. Therefore, a large load is applied to the conveying robot disposed in one layer, and the facility production efficiency is accordingly reduced.

본 발명의 실시예들은 반송 로봇의 부하를 분산시킬 수 있는 레이아웃을 갖는 기판 처리 설비를 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention are intended to provide a substrate processing apparatus having a layout capable of distributing a load of a carrier robot.

본 발명의 실시예들은 포지티브형 현상 공정과 네거티브형 현상 공정을 선택적으로 수행하면서 기판 생산량을 향상시킬 수 있는 기판 처리 설비를 제공하고자 한다. Embodiments of the present invention provide a substrate processing apparatus capable of selectively performing a positive type development process and a negative type development process while improving a substrate production amount.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판이 담겨진 용기가 놓여지는 포트 및 인덱스 로봇을 가지는 인덱스부; 기판을 현상하는 공정을 진행하는 제1현상 처리실과 제2현상처리실이 서로 층으로 구획되어 배치되는 현상 처리부를 갖는 공정 처리부; 상기 현상 처리부와 상기 인덱스부 사이에 배치되는 제1패스부를 포함하되; 상기 제1현상 처리실은 현상 모듈 및 제1가열 모듈 그리고, 상기 현상 모듈 및 상기 제1가열 모듈에 접근 가능한 이동 통로상에 배치되는 제1메인반송로봇을 포함하고, 상기 제1패스부는 제2가열 모듈, 제1버퍼 모듈, 쿨링 모듈, 제2버퍼 모듈 그리고 상기 제2가열 모듈, 상기 제1버퍼 모듈, 상기 쿨링 모듈 및 상기 제2버퍼 모듈에 접근 가능한 이동 통로상에 배치되는 제1 버퍼 반송 로봇을 포함하는 기판 처리 설비가 제공될 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus including: an index unit having a port and an index robot on which a container containing a substrate is placed; A processing section having a development processing section in which a first development processing chamber and a second development processing chamber, which are subjected to a process of developing a substrate, are divided and arranged in layers; And a first path portion disposed between the development processing portion and the index portion; Wherein the first development processing chamber includes a development module and a first heating module and a first main transfer robot disposed on a transfer passage accessible to the development module and the first heating module, A first buffer carrying robot disposed on a moving path accessible to the first buffer module, the first buffer module, the cooling module, the second buffer module, and the second heating module, the first buffer module, the cooling module, May be provided.

또한, 상기 제1버퍼 모듈과 상기 쿨링 모듈은 상기 제1메인 반송 로봇과 상기 제1 버퍼 반송 로봇이 모두 접근 가능한 위치에 배치될 수 있다.In addition, the first buffer module and the cooling module may be disposed at positions accessible to both the first main transport robot and the first buffer transport robot.

또한, 상기 제1버퍼 모듈과 상기 쿨링 모듈은 상기 제1메인반송로봇의 이동통로와 상기 제1 버퍼 반송 로봇의 이동통로 사이에 적층되어 배치될 수 있다.In addition, the first buffer module and the cooling module may be disposed between the moving path of the first main transporting robot and the moving path of the first buffer transporting robot.

또한, 상기 제1메인반송로봇의 이동통로는 수평방향으로 제공되고, 상기 제1 버퍼 반송 로봇의 이동통로는 수직방향으로 제공될 수 있다.The moving path of the first main transporting robot may be provided in a horizontal direction, and the moving path of the first buffer transporting robot may be provided in a vertical direction.

또한, 상기 제1가열 모듈은 노광후베이크(PEB;Post Exposure Bake) 모듈일 수 있다.Also, the first heating module may be a post exposure bake (PEB) module.

또한, 상기 제2가열 모듈은 하드 베이크(H/B;Hard Bake) 모듈일 수 있다.Also, the second heating module may be a hard bake (H / B) module.

또한, 상기 제1현상 처리실의 현상 모듈은 포지티브형 현상을 행하는 포지티브형 현상 모듈과 네거티브형 현상을 행하는 네거티브형 현상 모듈 중 어느 하나만으로 제공되고, 상기 제2현상 처리실의 현상 모듈은 포지티브형 현상을 행하는 포지티브형 현상 모듈과 네거티브형 현상을 행하는 네거티브형 현상 모듈 중 다른 하나만으로 제공될 수 있다.It is preferable that the developing module of the first developing chamber is provided by only one of a positive developing module that performs positive development and a negative developing module that performs negative development, and the developing module of the second developing chamber performs a positive developing Only the other of the positive developing module for performing negative development and the negative developing module for performing negative developing can be provided.

또한, 상기 제1현상 처리실의 개수는 상기 제2현상 처리실의 개수보다 적을 수 있다.In addition, the number of the first development processing chambers may be smaller than the number of the second development processing chambers.

또한, 상기 공정 처리부는 기판에 대해 포토 레지스트 도포 공정을 수행하는 도포 처리실들이 층으로 구획되어 배치되는 도포 처리부를 더 포함하되; 상기 도포 처리부는 상기 현상 처리부와는 층으로 구획되어 배치될 수 있다.Further, the process processing unit may further include a coating processing unit in which coating treatment chambers for performing a photoresist coating process on the substrate are divided and arranged in layers; The coating unit may be divided and disposed in layers with the developing unit.

본 발명의 일 측면에 따르면, 인덱스부; 포지티브형 현상 공정을 진행하는 제1현상 처리실과 네가티브형 현상 공정을 진행하는 제2현상 처리실이 적층되어 배치되는 현상 처리부; 및 상기 현상 처리부와 상기 인덱스부 사이에 배치되는 제1패스부를 포함하되; 상기 제1현상 처리실과 제2현상 처리실 중 어느 하나의 처리실은 노광후 베이크와 쿨링 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행하기 위해 현상 모듈, 노광후베이크(PEB;Post Exposure Bake) 모듈, 쿨링 모듈이 제1메인반송로봇의 이송통로 상에 배치되고, 상기 제1패스부는 상기 현상 모듈에서 처리된 기판에 대한 하드 베이크(H/B;Hard Bake)공정을 수행하기 위한 하드 베이크 모듈이 제1버퍼반송로봇의 이송통로 상에 배치되는 기판 처리 설비가 제공될 수 있다. According to an aspect of the present invention, A development processing section in which a first development processing chamber for performing a positive development process and a second development processing chamber for advancing a negative development process are stacked and arranged; And a first path portion disposed between the development processing portion and the index portion; In order to sequentially perform the post-exposure baking, cooling, and developing processes, any one of the first developing chamber and the second developing chamber may be provided with a developing module, a post exposure bake (PEB) module, A hard bake module for performing a hard bake (H / B) process on the substrate processed in the development module is disposed on a transfer path of the main transfer robot, A substrate processing equipment disposed on the transfer path can be provided.

또한, 상기 쿨링 모듈은 상기 제1메인 반송 로봇과 상기 제1 버퍼 반송 로봇이 모두 접근 가능한 위치에 배치되며, 상기 쿨링 모듈에는 기판이 일시적으로 머무르는 제1버퍼 모듈이 적층되어 배치될 수 있다.In addition, the cooling module may be disposed at a position where the first main transport robot and the first buffer transport robot are both accessible, and the first buffer module in which the substrate temporarily stays may be stacked on the cooling module.

또한, 상기 제1패스부는 상기 인덱스부와의 기판 인계를 위한 제2버퍼 모듈을 더 포함할 수 있다.The first pass unit may further include a second buffer module for transferring the substrate to the index unit.

또한, 상기 제1메인반송로봇의 이동통로는 수평방향으로 제공되고, 상기 제1 버퍼 반송 로봇의 이동통로는 수직방향으로 제공될 수 있다.The moving path of the first main transporting robot may be provided in a horizontal direction, and the moving path of the first buffer transporting robot may be provided in a vertical direction.

또한, 상기 어느 하나의 처리실 수량은 다른 하나의 처리실 수량보다 적을 수 있다.In addition, any one of the above described treatment chamber quantities may be smaller than the other one.

본 발명의 일 측면에 따르면, 인덱스부; 제1현상 처리실과 제2현상처리실이 서로 층으로 구획되어 배치되는 현상 처리부; 상기 현상 처리부와 상기 인덱스부 사이에 배치되는 제1패스부를 포함하되; 상기 제1현상 처리실은 노광후 베이크와 쿨링 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행하기 위해 처리 모듈들이 제1메인반송로봇의 수평 이송통로 상에 배치되고, 상기 제1패스부는 상기 제1현상 처리실에서 현상 처리된 기판에 대한 하드 베이크(H/B;Hard Bake)공정을 수행하기 위한 처리 모듈이 제1버퍼반송로봇의 수직 이송통로 상에 배치되며,상기 제1버퍼반송로봇은 이웃하는 상기 제1현상 처리실과 상기 제2현상처리실들로 층간 이동이 가능하도록 승강 가능하게 제공되는 기판 처리 설비가 제공될 수 있다. According to an aspect of the present invention, A development processing section in which the first development processing chamber and the second development processing chamber are divided and arranged in layers; And a first path portion disposed between the development processing portion and the index portion; Wherein the first development processing chamber is disposed on a horizontal transfer path of the first main transfer robot for sequentially performing post-exposure baking, cooling, and developing processes, and the first pass portion performs development processing in the first development processing chamber A processing module for performing a hard bake (H / B) process on the substrate is disposed on the vertical transfer path of the first buffer transfer robot, and the first buffer transfer robot is connected to the first developing processing chamber And a substrate processing apparatus provided so as to be movable up and down so as to allow interlayer movement to the second development processing chambers.

또한, 상기 제1현상 처리실은 포지티브형 현상을 행하는 현상 모듈 또는 네거티브형 현상을 행하는 현상 모듈 중에서 어느 한 종류의 현상 모듈만을 포함할 수 있다.In addition, the first developing process chamber may include only one type of developing module among a developing module for performing a positive developing process or a developing module for performing a negative developing process.

또한, 상기 제1메인 반송 로봇과 상기 제1 버퍼 반송 로봇이 모두 접근 가능한 위치에는 제1버퍼 모듈과 쿨링 모듈이 배치될 수 있다.In addition, the first buffer module and the cooling module may be disposed at positions accessible to both the first main transport robot and the first buffer transport robot.

본 발명에 의하면, 반송 로봇의 부하를 분산시켜 기판 생산량을 향상시킬 수 있다. According to the present invention, it is possible to improve the substrate production amount by dispersing the load of the transport robot.

본 발명에 의하면, 포지티브형 현상 공정과 네거티브형 현상 공정을 선택적으로 수행하면서 기판 생산량을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible to improve the substrate production amount while selectively performing the positive type development step and the negative type development step.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 외관도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 설비에서의 각 층별 레이아웃을 보여주는 구성도이다.
도 3은 현상 처리부와 제1 현상 패스부 그리고 제2 현상 패스부를 설명하기 위한 구성도이다.
도 4는 현상 처리부와 제1 현상 패스부 그리고 제2 현상 패스부를 설명하기 위한 사시도이다.
1 is an external view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a configuration diagram showing the layout of each layer in the substrate processing facility shown in Fig. 1. Fig.
3 is a configuration diagram for explaining a development processing section, a first development path section, and a second development path section;
4 is a perspective view for explaining the development processing section, the first development path section, and the second development path section;

본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수 있다. 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면들에 있어서, 각각의 장치는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 개략적으로 도시된 것이다. 또한, 각각의 장치에는 본 명세서에서 자세히 설명되지 아니한 각종의 다양한 부가 장치가 구비되어 있을 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.The present invention is not limited to the embodiments described herein but can be implemented in other forms. The embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the spirit and scope of the invention to those skilled in the art. In the drawings, each apparatus is schematically shown for the sake of clarity of the present invention. In addition, each device may be provided with various additional devices not described in detail herein. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

본 실시예에서는 기판으로 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명한다. 그러나 기판은 반도체 웨이퍼 이외에 포토마스크, 평편 표시 패널 등 다양한 종류의 기판일 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 기판 처리 설비가 포토리소그래피 공정을 수행하는 설비인 것을 예로 들어 설명한다. 그러나 기판 처리 설비는 웨이퍼 등과 같은 다른 종류의 기판에 세정 공정을 수행하는 설비일 수 있다. In this embodiment, a semiconductor wafer will be described as an example of a substrate. However, the substrate may be various kinds of substrates such as a photomask, a flat display panel, etc. in addition to a semiconductor wafer. In this embodiment, the substrate processing equipment is a facility for performing a photolithography process. However, the substrate processing equipment may be a facility for performing a cleaning process on other types of substrates such as wafers and the like.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 외관도이고, 도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 설비에서의 각 층별 레이아웃을 보여주는 구성도이다. FIG. 1 is an external view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a configuration diagram showing layouts of respective layers in the substrate processing apparatus shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 기판 처리 설비(1000)는 인덱스부(10), 공정 처리부(20), 제1패스부(30), 제2패스부(40) 그리고 인터페이스부(50)를 포함할 수 있다. 1 and 2, a substrate processing apparatus 1000 according to the present invention includes an index unit 10, a processing unit 20, a first pass unit 30, a second pass unit 40, 50).

인덱스부(10), 제1패스부(30), 공정 처리부(20), 제2패스부(40) 그리고 인터페이스부(50)는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10), 제1패스부(30), 공정 처리부(20), 제2패스부(40) 그리고 인터페이스부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향의 수직인 방향을 제 2 방향이라 하며, 제 1 방향과 제 2 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향이라 정의한다. The index unit 10, the first path unit 30, the processing unit 20, the second path unit 40, and the interface unit 50 are arranged in a line. The direction in which the index unit 10, the first path unit 30, the processing unit 20, the second path unit 40, and the interface unit 50 are arranged is referred to as a first direction, A direction perpendicular to the first direction is referred to as a second direction and a direction perpendicular to the plane including the first direction and the second direction is defined as a third direction.

기판(W)은 용기(16) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 용기(16)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 용기(16)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. 이하 도 1 내지 도 3을 참조하여, 각각의 구성에 대해서 상세히 설명한다. The substrate W is moved in a state accommodated in the container 16. At this time, the container 16 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the container 16, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used. Hereinafter, each configuration will be described in detail with reference to Figs. 1 to 3. Fig.

(인덱스부)(Index portion)

인덱스부(10)는 기판 처리 설비(1000)의 제 1 방향의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 4개의 로드 포트(12) 및 1개의 인덱스 로봇(13)을 포함한다. The index portion 10 is disposed in front of the substrate processing apparatus 1000 in the first direction. The index section 10 includes four load ports 12 and one index robot 13.

4개의 로드 포트(12)는 제 1 방향으로 인덱스부(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향을 따라 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 설비(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 용기(예컨대, 카세트, FOUP등)가 안착된다. The four load ports 12 are disposed in front of the index portion 10 in the first direction. A plurality of load ports 12 are provided and they are disposed along the second direction. The number of the load ports 12 may increase or decrease depending on the process efficiency and the footprint condition of the substrate processing apparatus 1000. The load ports 12 are loaded with a substrate W to be supplied to the process and a container (e.g., cassette, FOUP, etc.) in which the processed substrate W is placed.

인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 제1패스부(30) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 제1패스부(30)와 로드 포트(12) 간에 기판을 이송한다. 제1패스부(30)의 버퍼 모듈에 대기하는 기판(W)을 용기(16)로 이송하거나, 용기(16)에서 대기하는 기판(W)을 제1패스부(30)의 버퍼 모듈로 이송한다.
The index robot 13 is disposed in the first direction adjacent to the load port 12. [ The index robot 13 is installed between the load port 12 and the first path portion 30. The index robot 13 transfers the substrate between the first path portion 30 and the load port 12. The substrate W waiting in the buffer module of the first path section 30 is transferred to the container 16 or the substrate W waiting in the container 16 is transferred to the buffer module of the first path section 30 do.

(인터페이스부)(Interface)

인터페이스부(50)는 제2패스부(40)와 노광 장치(미도시됨) 간에 기판을 이송한다. 인터페이스부(50)는 인터페이스 로봇(510)을 포함한다. 도시하지 않았지만, 인터페이스부(50)는 기판이 일시적으로 대기하는 버퍼 모듈들이 제공될 수 있다.
The interface section 50 transfers the substrate between the second pass section 40 and an exposure apparatus (not shown). The interface unit 50 includes an interface robot 510. Although not shown, the interface section 50 may be provided with buffer modules in which the substrate temporarily waits.

(공정처리부)(Process processing section)

공정 처리부(20)에서는 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정과 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정이 진행될 수 있다. In the process processing unit 20, a process of applying the photoresist on the substrate W and a process of developing the substrate W after the exposure process may be performed before the exposure process.

공정 처리부(20)는 도포 공정 처리를 수행하기 위한 도포 처리부(200a)와, 현상 공정 처리를 수행하기 위한 현상 처리부(200b)가 층으로 구획되도록 적층되어 제공될 수 있다. 도포 처리부(200-a)는 3개 층의 도포 처리실(200-1,200-2,200-3)을 포함하고, 현상 처리부(200b)는 3개 층의 현상 처리실(200-4, 200-5, 200-6)을 포함할 수 있다.The process processing unit 20 may be provided with a coating processing unit 200a for performing a coating process process and a developing process unit 200b for performing a developing process process in a layered manner. The coating processing section 200-a includes three coating processing chambers 200-1, 200-2, and 200-3. The developing processing section 200b includes three developing processing chambers 200-4, 200-5, and 200- 6).

일 예로, 도포 처리부(200a)와, 현상 처리부(200b)의 처리실들(200-1 ~ 200-6) 각각은 중앙 통로(210), 제1메인 반송로봇(240,250) 그리고 해당 처리실의 공정 수행을 위한 처리 모듈들을 포함할 수 있다. 처리 모듈들은 열처리 모듈들과 스핀 처리 모듈들을 포함할 수 있으며, 스핀 처리 모듈들에는 도포 공정을 위한 도포 모듈들 또는 현상 공정을 위한 현상 모듈들을 포함할 수 있다. 이처럼, 도포 처리부(200a)와, 현상 처리부(200b)의 처리실들(200-1 ~ 200-6) 각각에는 각 공정 특성에 맞는 모듈들이 배치될 수 있다. For example, the coating processing unit 200a and the processing chambers 200-1 to 200-6 of the developing processing unit 200b may perform the processings of the central passage 210, the first main transport robots 240 and 250, Lt; / RTI > The processing modules may include thermal processing modules and spin processing modules, and the spin processing modules may include coating modules for the coating process or developing modules for the developing process. As described above, the modules corresponding to the respective process characteristics can be arranged in the coating processing unit 200a and the processing chambers 200-1 to 200-6 of the developing processing unit 200b.

제1메인 반송로봇(240,250)은 중앙 통로(210)상에서의 기판 반송을 책임진다. 제1메인 반송로봇(240,250)과 기판을 직접 핸들링하는 핸드가 제 1 방향, 제 2 방향, 제3 방향으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 다축 구동이 가능한 구조를 가질 수 있다. The first main transport robot 240 or 250 is responsible for transporting the substrate on the central passage 210. The first main transport robot 240 and the second main transport robot 240 can be moved in the first direction, the second direction, and the third direction so that the hand for directly handling the substrate can be rotated.

처리 모듈들은 제1메인 반송로봇(240,250)이 접근 가능한 중앙 통로(210)를 따라 설치될 수 있다. The processing modules may be installed along a central passage 210 accessible by the first main transport robot 240,

본 실시예에서는 1~3층의 도포 처리실에는 도포 공정을 위한 모듈들이, 그리고 4~6층의 현상 처리실에는 현상 공정을 위한 모듈들을 구비하는 것으로 도시하였다. 그러나, 이와 달리, 1~3층에는 현상 공정을 위한 처리실들이, 그리고 4~6층의 도포 공정을 처리실들이 배치될 수 있으며, 처리실의 개수는 변경될 수 있다.
In the present embodiment, the coating process chambers for the first to third layers are provided with modules for the coating process, and the developing process chambers for the fourth to sixth layers are provided with modules for the developing process. On the other hand, in the first to third layers, the processing chambers for the developing process and the coating processes for the four to six layers can be disposed, and the number of the processing chambers can be changed.

(제1패스부 및 제2패스부)(First pass section and second pass section)

제1패스부(30)는 공정 처리부(20)와 인덱스부(10) 사이에 배치된다. 제1패스부(30)는 도포 처리실(200-1,200-2,200-3)과 연결되는 제1도포 패스부(30-1)와, 현상 처리실(200-4, 200-5, 200-6)과 연결되는 제1현상 패스부(30-2)를 포함하며, 제1도포 패스부(30-1)와 제1현상 패스부(30-2)는 층으로 구획되어 제공된다. The first pass section 30 is disposed between the processing section 20 and the index section 10. The first pass section 30 includes a first dispense pass section 30-1 connected to the coating processing chambers 200-1, 200-2 and 200-3, development processing chambers 200-4, 200-5 and 200-6, And the first development pass section 30-1 and the first development pass section 30-2 are partitioned and provided.

제1도포 패스부(30-1)는 도포 처리부(200a)와 인덱스부(10) 간의 기판 반송 뿐만 아니라 도포 처리실(200-1,200-2,200-3)들 간의 기판 반송을 위한 층간 반송 로봇(310a)이 제공된다.The first application pass section 30-1 is provided with an interlayer transport robot 310a for transporting the substrate between the coating processing chambers 200-1, 200-2, and 200-3 as well as the substrate transport between the coating processing section 200a and the index section 10, / RTI >

제1현상 패스부(30-2)는 현상 처리부(200b)와 인덱스부(10) 간의 기판 반송 뿐만 아니라 현상 처리실(200-4,200-5,200-6)들 간의 기판 반송을 위한 층간 반송 로봇(310b)이 제공된다. The first development pass section 30-2 is an interlayer transport robot 310b for transporting the substrate between the development processing chambers 200-4, 200-5, and 200-6 as well as the substrate transport between the development processing section 200b and the index section 10, / RTI >

제2패스부(40)는 인터페이스부(50)와 공정 처리부(20) 사이에 배치된다. 제2패스부(40)는 도포 처리실(200-1,200-2,200-3)과 연결되는 제2도포 패스부(40-1)와, 현상 처리실(200-4, 200-5, 200-6)과 연결되는 제2현상 패스부(40-2)를 포함하며, 제2도포 패스부(40-1)와 제2현상 패스부(40-2)는 층으로 구획되어 제공된다. 제2도포 패스부(40-1)와 제2현상 패스부(40-2)에는 기판이 일시적으로 대기하는 버퍼 모듈(420)들이 제공된다. The second path unit 40 is disposed between the interface unit 50 and the processing unit 20. The second pass section 40 includes a second dispense pass section 40-1 connected to the coating processing chambers 200-1, 200-2 and 200-3, development processing chambers 200-4, 200-5 and 200-6, And the second development pass section 40-1 and the second development pass section 40-2 are provided in a layered manner. Buffer modules 420 are provided in the second application pass section 40-1 and the second development pass section 40-2, in which the substrate temporarily stands by.

제1패스부(30)와 제2패스부(40)는 공정 처리부(20)를 사이에 두고 서로 대향되게 배치된다. The first path portion 30 and the second path portion 40 are disposed opposite to each other with the process processing portion 20 interposed therebetween.

도 3 및 도 4는 현상 처리부와 제1 현상 패스부 그리고 제2 현상 패스부를 설명하기 위한 구성도 및 사시도이다.Figs. 3 and 4 are a configuration diagram and a perspective view for explaining the development processing section, the first development path section, and the second development path section.

도 3 및 도 4를 참조하면, 현상 처리부(200b)는 3개 층의 현상 처리실(200-4, 200-5, 200-6)을 포함한다. 3개의 현상 처리실(200-4, 200-5, 200-6) 각각은 층별로 포지티브형 현상 공정을 수행하거나 또는 네거티브형 현상 공정을 수행할 수 있다. 일 예로, 4층과 5층의 현상 처리실(200-4, 200-5)은 포지티브형 현상 공정을 수행하기 위한 현상 모듈(DEV+)들이 층별로 4개씩 제공되며, 6층의 현상 처리실(200-6)은 네거티브형 현상 공정을 수행하기 위한 4개의 현상 모듈(DEV-)이 제공될 수 있다. 즉, 현상 처리부(200b)는 8개의 포지티브형 현상 모듈(DEV+)과 4개의 네거티브형 현상 모듈(DEV-)을 갖는다. Referring to Figs. 3 and 4, the development processing section 200b includes three development processing chambers 200-4, 200-5, and 200-6. Each of the three development processing chambers 200-4, 200-5, and 200-6 may perform a positive development process or a negative development process for each layer. For example, the development processing chambers 200-4 and 200-5 of the fourth and fifth layers are provided with four development modules (DEV +) for performing the positive type development process, and the six development processing chambers 200- 6) may be provided with four developing modules DEV- for performing the negative developing process. That is, the development processing section 200b has eight positive development modules (DEV +) and four negative development modules (DEV-).

본 실시예에 따른 현상 처리부(200b)는 네거티브형 현상 모듈(DEV-)이 포지티브형 현상 모듈(DEV+) 보다 개수가 적기 때문에 네거티브형 현상 모듈(DEV-)이 구비된 6층의 현상 처리실(200-6)은 4층 및 5층의 현상 처리실(200-4, 200-5)과는 다른 배치 구조를 갖는다. 6층의 현상 처리실(200-6)이 4,5층의 현상 처리실(200-4, 200-5)과 가장 큰 차이점은 하드 베이크 모듈을 동일 층에 배치하지 않고 별도의 영역인 제1현상 패스부(30-2)에 배치하였다는 점이다. The development processing section 200b according to the present embodiment has six development processing chambers 200 (DEV-), each having a negative development module DEV- since the number of the negative development modules DEV- is smaller than that of the positive development modules DEV + -6 has a layout structure different from that of the developing processing chambers 200-4 and 200-5 of the 4th and 5th layers. The most significant difference between the development processing chamber 200-6 of the sixth layer and the development processing chambers 200-4 and 200-5 of the fourth and fifth layers is that the hard bake module is not disposed in the same layer, (30-2).

일 예로, 6층의 현상 처리실(200-6)은 네거티브형 현상 모듈(DEV-)들, 제1가열 모듈(220)들 그리고, 제1메인반송로봇(240)을 포함한다. 네거티브형 현상 모듈(DEV-) 및 제1가열 모듈(220)은 제1메인반송로봇(240)이 접근 가능한 이동 통로(210)상에 배치된다. 여기서, 제1가열 모듈(220)은 노광후베이크(PEB;Post Exposure Bake) 모듈일 수 있다. 6층의 현상 처리실(200-6)은 제1가열 유닛의 수량이 4,5층의 현상 처리실(200-4, 200-5)의 제1가열 유닛의 수량보다 증가하게 된다. 이로 인해, 시스템 반도체 생산 공정과 같이 노광후베이크 사용 온도가 빈번한 경우 온도 변화에 따른 대기 시간을 줄여서 생산 로스를 감소시켜 설비 운영 효율을 증가시킬 수 있다. For example, the six developing processing chamber 200-6 includes the negative developing modules DEV-, the first heating modules 220, and the first main transport robot 240. The negative development module DEV- and the first heating module 220 are disposed on the moving path 210 accessible by the first main transport robot 240. Here, the first heating module 220 may be a post exposure bake (PEB) module. The number of the first heating units in the sixth development processing chamber 200-6 is increased more than the number of the first heating units in the developing processing chambers 200-4 and 200-5 in the fourth and fifth layers. Accordingly, when the temperature of the bake after the exposure is frequently used as in the system semiconductor production process, the waiting time due to the temperature change can be reduced, thereby reducing the production loss and increasing the facility operation efficiency.

제1현상 패스부(30-2)는 제2가열 모듈(340), 제1버퍼 모듈(320), 쿨링 모듈(330), 제2버퍼 모듈(350) 그리고 제1 버퍼 반송 로봇(310b)을 포함한다. 제2가열 모듈(340), 제1버퍼 모듈(320), 쿨링 모듈(330), 제2버퍼 모듈(350)은 제1 버퍼 반송 로봇(310b)이 접근 가능한 이동 통로(390)상에 배치된다. 여기서, 제2가열 모듈(340)은 하드 베이크(H/B;Hard Bake) 모듈일 수 있다. The first development pass unit 30-2 includes a second heating module 340, a first buffer module 320, a cooling module 330, a second buffer module 350 and a first buffer transfer robot 310b . The second heating module 340, the first buffer module 320, the cooling module 330 and the second buffer module 350 are disposed on a moving passage 390 accessible by the first buffer carrying robot 310b . Here, the second heating module 340 may be a hard bake (H / B) module.

제1버퍼 모듈(320)과 쿨링 모듈(330)은 제1메인 반송 로봇(240)과 제1 버퍼 반송 로봇(310b)이 모두 접근 가능한 위치에 배치된다. 일 예로, 제1버퍼 모듈(320)과 쿨링 모듈(330)은 제1메인반송로봇(240)의 이동통로(210)와 제1 버퍼 반송 로봇(310b)의 이동통로(390) 사이에 적층되어 배치될 수 있다. 제1메인반송로봇(240)의 이동통로(210)는 수평방향으로 제공되며, 제1 버퍼 반송 로봇(310b)의 이동통로(390)는 수직방향으로 제공된다. 제1버퍼 모듈(320)과 쿨링 모듈(330)은 제1메인반송로봇(240)이 기판을 반입 또는 반출할 수 있도록 제1메인반송로봇(240)이 제공된 방향과, 제1 버퍼 반송 로봇(310b)이 기판을 반입 및 반출할 수 있도록 제1 버퍼 반송 로봇(310b)이 제공된 방향에 각각 개구를 가진다. The first buffer module 320 and the cooling module 330 are disposed at positions where both the first main transfer robot 240 and the first buffer transfer robot 310b are accessible. The first buffer module 320 and the cooling module 330 are stacked between the moving path 210 of the first main transport robot 240 and the moving path 390 of the first buffer transport robot 310b . The moving path 210 of the first main transport robot 240 is provided in the horizontal direction and the moving path 390 of the first buffer carrying robot 310b is provided in the vertical direction. The first buffer module 320 and the cooling module 330 are connected to each other in a direction in which the first main transport robot 240 is provided so that the first main transport robot 240 can carry the substrate in or out, 310b have openings in the directions in which the first buffer carrying robot 310b is provided so that the boards can be carried in and out.

4층 및 5층의 현상 처리실(200-4,200-5)은 포지티브형 현상 모듈(DEV+)들, 제1가열 모듈(220)들, 제2가열 모듈(280) 그리고, 제1메인반송로봇(240)을 포함한다. 포지티브형 현상 모듈(DEV+)들, 제1가열 모듈(220)들, 제2가열 모듈(280)은 제1메인반송로봇(240)이 접근 가능한 이동 통로(210)상에 배치된다. The development processing chambers 200-4 and 200-5 of the fourth and fifth layers are constituted by the positive development modules DEV +, the first heating modules 220, the second heating module 280 and the first main transport robot 240 ). The positive development modules DEV +, the first heating modules 220 and the second heating module 280 are disposed on the moving path 210 accessible by the first main transport robot 240.

4층 및 5층의 현상 처리실(200-4,200-5)에서는 노광후베이크 - 쿨링 - 현상 - 하드베이크 - 쿨링으로 이루어지는 현상 공정이 동일 층에서 진행된다. 그리고, 6층의 현상 처리실(200-6)에서는 노광후베이크 - 쿨링 - 현상 과정만 동일 층에서 진행되고, 나머지 하드베이크 - 쿨링 과정은 제1현상 패스부(30-2)에서 진행된다.In the development processing chambers 200-4 and 200-5 of the fourth and fifth layers, the developing process of baking-cooling-developing-hard-baking-cooling after exposure is performed in the same layer. In the sixth development processing chamber 200-6, only the post-exposure bake-cooling-developing process is performed in the same layer, and the remaining hard bake-cooling process proceeds in the first development pass section 30-2.

이처럼, 포지티브형 현상 모듈(DEV+) 보다 개수가 적은 네거티브형 현상 모듈(DEV-)이 구비된 6층의 현상 처리실(200-6)에서는 제1메인반송로봇(240)이 버퍼모듈(420) -> 제1가열모듈(220) -> 쿨링 모듈(330) -> 네거티브형 현상 모듈(DEV-) -> 제1버퍼 모듈(320)로 이어지는 5개 스텝을 수행하고, 제1현상 패스부(30-2)의 제1 버퍼 반송 로봇(310b)이 제1버퍼 모듈(320) -> 제2가열 모듈(340) -> 쿨링 모듈(330) -> 제2버퍼 모듈(350)로 이어지는 4개 스텝을 수행한다. 이처럼, 2개의 반송 로봇이 분산하여 5개 스텝 이내로 현상 공정을 처리한다. As described above, in the six-layer development processing chamber 200-6 equipped with the negative development module DEV- having a smaller number than the positive development module DEV +, the first main transfer robot 240 transfers the buffer module 420- (DEV-) to the first buffer module (320). The first developing pass section (30) is connected to the first developing module The first buffer transfer robot 310b of the first buffer module 310-1 is connected to the first buffer module 320 to the second heating module 340 to the cooling module 330 to the second buffer module 350, . As described above, the two conveying robots disperse and process the developing process within five steps.

일 예로, 반송 로봇의 1 스텝의 사이클 타임이 3.5초라 가정하면, 기존 레이 아웃에서 네거티브형 현상 공정을 처리하면 기판 생산량은 시간당 146매 정도 처리하지만, 본 발명의 현상 처리부에서는 기판 생산량이 시간당 205매 정도로 처리가 가능하다. 따라서, 본 발명의 반송 분산 및 로봇 사용 최적화를 통해 기판 생산량을 40% 이상 향상시킬 수 있다. Assuming that the cycle time of one step of the conveying robot is 3.5 seconds, for example, if the negative type development process is performed in the existing layout, the substrate production amount is about 146 pieces per hour. However, in the development processing portion of the present invention, . Therefore, the substrate production amount can be improved by 40% or more through the carrier dispersion and the robot use optimization of the present invention.

만약, 5층 및 6층의 현상 처리실(200-5, 200-6)에서 네거티브형 현상 공정을 수행하고, 4층의 현상 처리실(200-4)에서 포지티브형 현상 공정을 수행할 경우, 포지티브형 현상 모듈(DEV+)이 네거티브형 현상 모듈(DEV-) 보다 개수가 적기 때문에 포지티브형 현상 모듈(DEV+)이 구비된 4층의 현상 처리실(200-4)은 5층 및 6층의 현상 처리실(200-5, 200-6)과는 다른 배치 구조를 갖도록 재구성될 수 있다.If the negative development process is performed in the development processing chambers 200-5 and 200-6 of the fifth and sixth layers and the positive development process is performed in the development processing chamber 200-4 of the fourth layer, Since the number of developing modules DEV + is smaller than that of the negative developing modules DEV-, the four developing processing chambers 200-4 equipped with the positive developing modules DEV + -5, and 200-6).

본 발명의 기판 처리 설비는 네거티브형 현상 공정과 포지티브형 현상 공정을 모두 사용하는 리소그라피 처리 장치에 매우 유용하게 적용할 수 있다. The substrate processing facility of the present invention can be very usefully applied to a lithography processing apparatus that uses both a negative development process and a positive development process.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. It will be possible.

10 : 인덱스부 20 : 공정 처리부
30 : 제1패스부 40 : 제2패스부
50 : 인터페이스부
10: Index section 20: Process processing section
30: first pass section 40: second pass section
50:

Claims (17)

기판 처리 설비에 있어서:
기판이 담겨진 용기가 놓여지는 포트 및 인덱스 로봇을 가지는 인덱스부;
기판을 현상하는 공정을 진행하는 제1현상 처리실과 제2현상처리실이 서로 층으로 구획되어 배치되는 현상 처리부를 갖는 공정 처리부;
상기 현상 처리부와 상기 인덱스부 사이에 배치되는 제1패스부를 포함하되;
상기 제1현상 처리실은 현상 모듈 및 제1가열 모듈 그리고, 상기 현상 모듈 및 상기 제1가열 모듈에 접근 가능한 이동 통로상에 배치되는 제1메인반송로봇을 포함하고,
상기 제1패스부는 제2가열 모듈, 제1버퍼 모듈, 쿨링 모듈, 제2버퍼 모듈 그리고 상기 제2가열 모듈, 상기 제1버퍼 모듈, 상기 쿨링 모듈 및 상기 제2버퍼 모듈에 접근 가능한 이동 통로상에 배치되는 제1 버퍼 반송 로봇을 포함하는 기판 처리 설비.
A substrate processing facility comprising:
An index portion having a port and an index robot on which a container containing a substrate is placed;
A processing section having a development processing section in which a first development processing chamber and a second development processing chamber, which are subjected to a process of developing a substrate, are divided and arranged in layers;
And a first path portion disposed between the development processing portion and the index portion;
Wherein the first development processing chamber includes a development module and a first heating module and a first main transfer robot disposed on a transfer passage accessible to the development module and the first heating module,
Wherein the first pass comprises a second heating module, a first buffer module, a cooling module, a second buffer module, and a travel pathway accessible to the second heating module, the first buffer module, the cooling module and the second buffer module And a second buffer transfer robot disposed on the first buffer transfer robot.
제 1 항에 있어서,
상기 제1버퍼 모듈과 상기 쿨링 모듈은 상기 제1메인 반송 로봇과 상기 제1 버퍼 반송 로봇이 모두 접근 가능한 위치에 배치되는 기판 처리 설비.
The method according to claim 1,
Wherein the first buffer module and the cooling module are disposed at positions accessible to both the first main transfer robot and the first buffer transfer robot.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제1버퍼 모듈과 상기 쿨링 모듈은 상기 제1메인반송로봇의 이동통로와 상기 제1 버퍼 반송 로봇의 이동통로 사이에 적층되어 배치되는 기판 처리 설비.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the first buffer module and the cooling module are stacked and disposed between a moving path of the first main transporting robot and a moving path of the first buffer transporting robot.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제1메인반송로봇의 이동통로는 수평방향으로 제공되고, 상기 제1 버퍼 반송 로봇의 이동통로는 수직방향으로 제공되는 기판 처리 설비.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the moving path of the first main transporting robot is provided in the horizontal direction and the moving path of the first buffer transporting robot is provided in the vertical direction.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제1가열 모듈은 노광후베이크(PEB;Post Exposure Bake) 모듈인 기판 처리 설비.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the first heating module is a Post Exposure Bake (PEB) module.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제2가열 모듈은 하드 베이크(H/B;Hard Bake) 모듈인 기판 처리 설비.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the second heating module is a hard bake (H / B) module.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제1현상 처리실의 현상 모듈은 포지티브형 현상을 행하는 포지티브형 현상 모듈과 네거티브형 현상을 행하는 네거티브형 현상 모듈 중 어느 하나만으로 제공되고,
상기 제2현상 처리실의 현상 모듈은 포지티브형 현상을 행하는 포지티브형 현상 모듈과 네거티브형 현상을 행하는 네거티브형 현상 모듈 중 다른 하나만으로 제공되는 기판 처리 설비.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the developing module of the first developing chamber is provided by only one of a positive developing module for performing a positive developing and a negative developing module for performing a negative developing,
Wherein the developing module in the second developing chamber is provided only in the other of the positive developing module for performing the positive developing and the negative developing module for performing the negative developing.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제1현상 처리실의 개수는 상기 제2현상 처리실의 개수보다 적은 기판 처리 설비.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the number of the first development processing chambers is smaller than the number of the second development processing chambers.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 공정 처리부는
기판에 대해 포토 레지스트 도포 공정을 수행하는 도포 처리실들이 층으로 구획되어 배치되는 도포 처리부를 더 포함하되;
상기 도포 처리부는 상기 현상 처리부와는 층으로 구획되어 배치되는 기판 처리 설비.
3. The method according to claim 1 or 2,
The process-
Further comprising: a coating processing unit in which a coating treatment chamber for performing a photoresist coating process on the substrate is partitioned and arranged in layers;
Wherein the coating processing unit is divided and disposed as a layer with respect to the development processing unit.
기판 처리 설비에 있어서:
인덱스부;
포지티브형 현상 공정을 진행하는 제1현상 처리실과 네가티브형 현상 공정을 진행하는 제2현상 처리실이 적층되어 배치되는 현상 처리부; 및
상기 현상 처리부와 상기 인덱스부 사이에 배치되는 제1패스부를 포함하되;
상기 제1현상 처리실과 제2현상 처리실 중 어느 하나의 처리실은
노광후 베이크와 쿨링 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행하기 위해 현상 모듈, 노광후베이크(PEB;Post Exposure Bake) 모듈, 쿨링 모듈이 제1메인반송로봇의 이송통로 상에 배치되고,
상기 제1패스부는 상기 현상 모듈에서 처리된 기판에 대한 하드 베이크(H/B;Hard Bake)공정을 수행하기 위한 하드 베이크 모듈이 제1버퍼반송로봇의 이송통로 상에 배치되는 기판 처리 설비.
A substrate processing facility comprising:
An index portion;
A development processing section in which a first development processing chamber for performing a positive development process and a second development processing chamber for advancing a negative development process are stacked and arranged; And
And a first path portion disposed between the development processing portion and the index portion;
The processing chamber of any one of the first developing processing chamber and the second developing processing chamber
A post exposure bake (PEB) module, and a cooling module are disposed on the conveyance path of the first main conveying robot for sequentially performing baking, cooling, and developing processes after exposure,
Wherein the first pass portion is disposed on a transfer passage of the first buffer transfer robot, wherein a hard bake module for performing a hard bake (H / B) process on the substrate processed in the development module is disposed.
제 10 항에 있어서,
상기 쿨링 모듈은 상기 제1메인 반송 로봇과 상기 제1 버퍼 반송 로봇이 모두 접근 가능한 위치에 배치되며,
상기 쿨링 모듈에는 기판이 일시적으로 머무르는 제1버퍼 모듈이 적층되어 배치되는 기판 처리 설비.
11. The method of claim 10,
Wherein the cooling module is disposed at a position where both the first main transport robot and the first buffer transport robot are accessible,
Wherein the first buffer module in which the substrate temporarily stays is stacked and disposed in the cooling module.
제 11 항에 있어서,
상기 제1패스부는
상기 인덱스부와의 기판 인계를 위한 제2버퍼 모듈을 더 포함하는 기판 처리 설비.
12. The method of claim 11,
The first pass
And a second buffer module for taking over the substrate with the index portion.
제 11 항에 있어서,
상기 제1메인반송로봇의 이동통로는 수평방향으로 제공되고, 상기 제1 버퍼 반송 로봇의 이동통로는 수직방향으로 제공되는 기판 처리 설비.
12. The method of claim 11,
Wherein the moving path of the first main transporting robot is provided in the horizontal direction and the moving path of the first buffer transporting robot is provided in the vertical direction.
제 11 항에 있어서,
상기 어느 하나의 처리실 수량은 다른 하나의 처리실 수량보다 적은 기판 처리 설비.
12. The method of claim 11,
Wherein the one of the processing chamber quantities is smaller than the other one of the processing chamber quantities.
기판 처리 설비에 있어서:
인덱스부;
제1현상 처리실과 제2현상처리실이 서로 층으로 구획되어 배치되는 현상 처리부;
상기 현상 처리부와 상기 인덱스부 사이에 배치되는 제1패스부를 포함하되;
상기 제1현상 처리실은 노광후 베이크와 쿨링 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행하기 위해 처리 모듈들이 제1메인반송로봇의 수평 이송통로 상에 배치되고,
상기 제1패스부는 상기 제1현상 처리실에서 현상 처리된 기판에 대한 하드 베이크(H/B;Hard Bake)공정을 수행하기 위한 처리 모듈이 제1버퍼반송로봇의 수직 이송통로 상에 배치되며,
상기 제1버퍼반송로봇은 이웃하는 상기 제1현상 처리실과 상기 제2현상처리실들로 층간 이동이 가능하도록 승강 가능하게 제공되는 기판 처리 설비.
A substrate processing facility comprising:
An index portion;
A development processing section in which the first development processing chamber and the second development processing chamber are divided and arranged in layers;
And a first path portion disposed between the development processing portion and the index portion;
Wherein the first development processing chamber is disposed on a horizontal transfer path of the first main transfer robot in order to sequentially perform post-exposure baking, cooling, and development,
Wherein the first pass part is disposed on a vertical transfer path of the first buffer transfer robot, wherein a processing module for performing a hard bake (H / B) process on the substrate developed in the first development processing chamber is disposed on the vertical transfer path of the first buffer transfer robot,
Wherein the first buffer carrying robot is provided so as to be able to move up and down so as to be able to move between the first developing processing chamber and the second developing processing chamber adjacent to each other.
제 15 항에 있어서,
상기 제1현상 처리실은 포지티브형 현상을 행하는 현상 모듈 또는 네거티브형 현상을 행하는 현상 모듈 중에서 어느 한 종류의 현상 모듈만을 포함하는 기판 처리 설비.
16. The method of claim 15,
Wherein the first developing processing chamber includes only one type of developing module among a developing module for performing a positive developing or a developing module for performing a negative developing.
제 15 항에 있어서,
상기 제1메인 반송 로봇과 상기 제1 버퍼 반송 로봇이 모두 접근 가능한 위치에는 제1버퍼 모듈과 쿨링 모듈이 배치되는 기판 처리 설비.
16. The method of claim 15,
Wherein the first buffer module and the cooling module are disposed at positions accessible to both the first main transfer robot and the first buffer transfer robot.
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