KR20230058713A - 방사선 촬상 장치 - Google Patents

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토루 아오키
카츠유키 타카기
아키후미 코이케
테츠야 이이다
토모히코 코스기
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고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸
안씬 가부시키가이샤
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Abstract

방사선 촬상 장치(1)는, 입사한 방사선의 에너지에 대응하는 전하를 생성하는 전하 생성부(10) 및 전하에 근거하여 디지털값을 출력하는 독출부(20)를 갖는 방사선 검출기(2)와, 복수의 방사선 검출기(2)가 이차원 형상으로 배치된 회로 기판(3)을 구비한다. 독출부(20)는, 복수의 신호 처리부(45)가 이차원 형상으로 배치된 리드 아웃 기판(40)과, 전하 생성부(10)와 리드 아웃 기판(40) 사이에 배치되는 중간 기판(30)을 갖는다. 중간 입력면(30a)에는 제1 중간 전극(31)이 복수 배치 되어 있다. 중간 출력면(30b)에는 제2 중간 전극(32)이 복수 배치 되어 있다. 제2 중간 전극(32)의 배치 간격은, 복수의 제1 중간 전극(31)의 배치 간격과 다르다.

Description

방사선 촬상 장치
본 발명은, 방사선 촬상 장치에 관한 것이다.
방사선을 검출하는 기술이 개발되고 있다. 방사선 검출 기술은, 의료 분야, 공업 분야, 시큐리티 분야 등으로의 응용이 기대되고 있다. 방사선을 검출하는 장치로서, 방사선 화상을 얻는 방사선 촬상 장치가 있다. 예를 들면, 특허 문헌 1이 개시하는 방사선 촬상 장치는, 방사선 검출 소자와, 집적회로 소자를 구비하고 있다. 방사선 검출 소자는, 집적회로 소자와는 다른 부품이다. 방사선 검출 소자는, 집적회로 소자 상에 배치되어 있다. 그리고, 방사선 검출 소자의 이면과 집적회로 소자의 주면이 복수의 전극에 의해 전기적으로 접속되고 있다. 검출 소자와 회로 소자가 적층된 구조를 채용한 센서는, 예를 들면, 특허 문헌 2에도 개시되고 있다.
[특허 문헌 1] 일본특허공개 2007-155562호 공보 [특허 문헌 2] 일본특허공개 2012-9607호 공보
방사선 촬상 장치의 기술 분야에서는, 유효 화소 영역의 대면적화가 바람직하고 있다. 그렇지만, 방사선 촬상 장치를 구성하는 방사선 검출기는, 1개 당의 대면적화가 어렵다. 그래서, 복수의 방사선 검출기를 회로 기판에 배치하는 것에 따라, 유효 화소 영역을 확대하는 구조가 검토되고 있다.
또, 방사선 검출기는, 방사선을 전하로 변환하는 제1 기판과, 전하를 소정의 신호 정보로 변환하는 제2 기판을 구비하고 있다. 이 구성에 의하면, 제1 기판을 제2 기판에 전기적으로 접속하는 전극 구조가 필요하고, 게다가 제2 기판을 복수의 방사선 검출기가 배치되는 회로 기판에 전기적으로 접속하는 전극 구조가 필요하다. 이러한 전극 구조는, 서로 간섭하지 않는 위치에 배치할 필요가 있다.
상기의 조건을 만족하도록 전극 구조 등을 배치한 결과, 방사선 검출기의 화소로부터, 인접하는 다른 방사선 검출기의 화소까지의 사이에는, 틈새가 생긴다. 이 틈새에는 화소가 배치되지 않기 때문에, 틈새는 유효 화소 영역은 아니다. 즉, 복수의 방사선 검출기를 배치하는 구조에 의하면, 화소수를 늘리는 것은 달성할 수 있다. 그러나, 유효 화소 영역을 양호하게 확대한다는 시점에서 보면, 개선의 여지가 있다.
본 발명은, 유효 화소 영역을 확대 가능한 방사선 촬상 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 형태인 방사선 촬상 장치는, 입사한 방사선의 에너지 또는 입자의 수에 대응하는 전하를 생성하는 전하 생성부 및 전하에 근거하여 디지털값을 출력하는 독출부를 갖는 방사선 검출기와, 복수의 방사선 검출기가 이차원 형상으로 배치된 회로 기판을 구비한이다. 독출부는, 디지털값을 출력하는 복수의 신호 처리부가 이차원 형상으로 배치된 리드 아웃 기판과, 전하 생성부와 리드 아웃 기판과의 사이에 배치되고, 전하 생성부에 대면하는 제1 주면 및 리드 아웃 기판에 대면하는 제2 주면을 포함한 중간 기판을 갖는다. 제1 주면에는, 전하 생성부에 전기적으로 접속되는 복수의 제1 전극이 배치된다. 제2 주면에는, 리드 아웃 기판의 신호 처리부 및 제1 전극의 각각 전기적으로 접속되는 복수의 제2 전극이 배치된다. 복수의 제2 전극의 배치 간격은, 복수의 제1 전극의 배치 간격과 다르다.
방사선 촬상 장치에서는, 방사선 검출기가 방사선을 받아 전하를 발생시킨다. 이 전하는, 제1 전극을 통해 중간 기판으로 이동한다. 그리고, 전하는, 제2 전극을 통해 중간 기판으로부터 리드 아웃 기판의 신호 처리부로 이동한다. 여기서, 복수의 제2 전극의 배치 간격은, 복수의 제1 전극의 배치 간격과 다르다. 그리고, 제1 전극의 배치는, 방사선 검출기에서의 화소의 배치에 대응한다. 또, 제2 전극의 배치는, 리드 아웃 기판의 신호 처리부의 배치에 대응한다. 즉, 리드 아웃 기판의 신호 처리부의 배치는, 방사선 검출기에서의 화소의 배치와 다르다. 따라서, 중간 기판에 의하면, 리드 아웃 기판의 신호 처리부의 배치에 따라, 방사선 검출기에서의 화소의 배치가 구속되지 않는다. 그 결과, 방사선 검출기에서의 화소의 배치의 자유도가 높아지므로, 유효 화소 영역을 양호하게 확대할 수 있다.
일 형태에 있어서, 복수의 제2 전극의 배치 간격은, 복수의 제1 전극의 배치 간격 보다 좁아도 무방하다. 이 구성에 의하면, 리드 아웃 기판이 갖는 신호 처리부의 배치에 대응하도록, 제2 전극을 배치할 수 있다.
일 형태에 있어서, 전하 생성부와 리드 아웃 기판과의 사이에는, 복수의 중간 기판이 배치되어도 무방하다. 이 구성에 의하면, 제1 전극을 제2 전극에 대해서 전기적으로 접속하는 배선의 길이를 맞출 수 있게 할 수 있다.
일 형태에 있어서, 리드 아웃 기판은, 중간 기판의 제2 전극과 전기적으로 접속되는 제3 전극을 포함함과 동시에 중간 기판이 배치되는 입력부와, 회로 기판에 전기적으로 접속되는 제4 전극을 포함하고, 입력부에 인접하도록 설치된 출력부를 포함해도 무방하다. 이 구성에 의하면, 리드 아웃 기판은, 중간 기판으로부터 양호하게 전하를 받는 것이 가능한 것과 함께, 회로 기판으로 디지털값을 출력할 수 있다.
일 형태에 있어서, 중간 기판을 평면시 했을 경우의 외형은, 전하 생성부를 평면시 했을 경우의 외형 보다 작아도 무방하다. 또, 리드 아웃 기판을 평면시 했을 경우의 외형은, 전하 생성부를 평면시 했을 경우의 외형 보다 작아도 무방하다.
일 형태에 있어서, 중간 기판을 평면시 했을 경우의 외형은, 전하 생성부를 평면시 했을 경우의 외형 보다 커도 무방하다. 또, 리드 아웃 기판을 평면시 했을 경우의 외형은, 전하 생성부를 평면시 했을 경우의 외형 보다 커도 무방하다.
일 형태에 있어서, 제1 전극은, 제1 배치 간격과, 제1 배치 간격과는 다른 제2 배치 간격에 따라 배치되어 있어도 무방하다. 또, 제2 전극은, 제3 배치 간격과, 제3 배치 간격과는 다른 제4 배치 간격에 따라 배치되어 있어도 무방하다.
본 발명에 의하면, 유효 화소 영역을 확대 가능한 방사선 촬상 장치가 제공된다.
[도 1] 도 1은, 실시 형태에 따른 방사선 촬상 장치의 구성을 나타내는 사시도이다.
[도 2] 도 2는, 도 1에 나타내는 방사선 촬상 장치를 분해 함과 동시에 제1 시점에서 본 사시도이다.
[도 3] 도 3은, 도 1에 나타내는 방사선 촬상 장치를 분해 함과 동시에 제2 시점에서 본 사시도이다.
[도 4] 도 4는, 도 1의 방사선 촬상 장치가 구비하는 방사선 검출기를 확대해 나타내는 도이다.
[도 5] 도 5는, 도 4에 나타내는 방사선 촬상 장치가 구비하는 신호 처리부의 구성을 나타내는 블록도이다.
[도 6] 도 6(a)는, 비교예의 방사선 촬상 장치에서의 유효 화소 영역을 설명하기 위한 도이다. 도 6(b)는, 실시 형태의 방사선 촬상 장치에서의 유효 화소 영역을 설명하기 위한 도이다.
[도 7] 도 7(a)는 변형예 1의 방사선 촬상 장치가 갖는 화소 블록을 나타내는 도이다. 도 7(b)는 변형예 2의 방사선 촬상 장치가 갖는 화소 블록을 나타내는 도이다.
[도 8] 도 8은 변형예 3의 방사선 촬상 장치가 갖는 화소 블록을 나타내는 도이다.
도 1에 나타내는 방사선 촬상 장치(1)는, 검사 대상으로부터 도달하는 방사선에 근거하여 이차원 화상을 얻는다. 방사선은, 예를 들면, 감마선, X선, 알파선, 베타선 등이다. 방사선 촬상 장치(1)는, 복수의 방사선 검출기(2)와, 회로 기판(3)을 갖는다. 방사선 검출기(2)는, 회로 기판(3)의 회로주면(3a)에 장착되고 있다. 방사선 검출기(2)는, 입사한 방사선에 따른 화소 신호를 출력한다. 방사선 검출기(2)는, 복수의 화소 구조(G)(도 4 참조)를 포함하고 있고, 화소 구조(G) 마다 화소 신호를 출력한다. 화소 신호는, 화상 생성부(4)에 있어서 방사선 화상의 생성에 이용된다. 회로 기판(3)은, 방사선 검출기(2)로부터 출력된 화소 신호를 받는다. 회로 기판(3)은, 제어 신호를 제어부(5)로부터 방사선 검출기(2)에 제공하기 위한 신호선을 갖는다. 또, 회로 기판(3)은, 화소 신호를 화상 생성부(4)으로 출력하기 위한 신호선을 갖는다. 또, 회로 기판(3)은, 방사선 검출기(2) 서로를 전기적으로 접속하는 신호선을 가져도 무방하다.
도 2 및 도 3에 나타내듯이, 방사선 검출기(2)는, 전하 생성부(10)와, 독출부(20)를 갖는다. 전하 생성부(10) 및 독출부(20)의 형상은, 판 형상이다. 방사선 검출기(2)는, 적층 구조를 갖는다. 전하 생성부(10)는, 독출부(20) 상에 배치되어 있다. 전하 생성부(10)는, 독출부(20)에 대해서 전기적으로 접속되고 있다. 전하 생성부(10)는, 입사한 방사선에 따른 전하를 생성한다. 전하 생성부(10)는, 전하를 독출부(20)으로 출력한다. 독출부(20)는, 전하 생성부(10)가 생성한 전하를 이용하여 화소 신호를 생성한다.
전하 생성부(10)는, 반도체 검출부(11)와, 제어 전극부(12)와, 전하 출력 전극(13)을 갖는다.
반도체 검출부(11)는, 받은 X선에 의해 전자 정공 쌍(전하 쌍)을 생성한다. 즉, 반도체 검출부(11)는, 받은 방사선을 그 에너지에 대응한 전류 신호(전하 신호)로 변환한다. 반도체 검출부(11)의 평면 형상은, 사각형이다. 반도체 검출부(11)의 크기는, 예를 들면, 9.6mm*9.6 mm 정도이다. 반도체 검출부(11)는, X선 등의 방사선을 받는 반도체 입사면(11a)과, 전하를 출력하는 반도체 출력면(11b)을 갖는다. 전하에 근거한 신호는, 반도체 출력면(11b)으로부터 독출부(20)로 제공된다. 반도체 검출부(11)로서는, 예를 들면, Cd(Zn) Te 전하 생성기, Si 전하 생성기, Ge 전하 생성기, GaAs 전하 생성기, GaN 전하 생성기, TlBr 전하 생성기 등을 이용해도 무방하다. 또, 반도체 검출부(11)으로서, 신틸레이터(scintillator)와 광검출기를 구비한 장치를 이용해도 무방하다. 신틸레이터는, X선을 광으로 변환한다. 광검출기는, 신틸레이터가 생성한 광을 전하로 변환한다.
제어 전극부(12)는, 반도체 입사면(11a)에 설치되고 있다. 제어 전극부(12)는, 반도체 입사면(11a)의 전면을 덮는다. 평면시하면, 제어 전극부(12)의 평면 형상은, 반도체 입사면(11a)의 평면 형상과 일치한다. 제어 전극부(12)는, 반도체 검출부(11)가 배치되는 영역에, 전계를 형성한다. 전계는, 반도체 검출부(11)에 발생한 전하가 이동할 방향을 결정한다. 제어 전극부(12)는, 반도체 검출부(11)의 내부에 있어서 전하가 반도체 출력면(11b)으로 향해 이동하도록 전계를 발생시킨다.
복수의 전하 출력 전극(13)은, 반도체 출력면(11b)에 설치되고 있다. 전하 출력 전극(13)은, 범프(bump)이여도 무방하다. 1개의 전하 출력 전극(13)은, 1개의 화소에 대응한다. 따라서, 전하 출력 전극(13)이 배치되어 있는 영역은, 화소 영역이다. 예를 들면, 제1 변에 n개의 전하 출력 전극(13)이 배치되고, 제2 변에 m개의 전하 출력 전극(13)이 배치되어 있는 경우에는, 전하 출력 전극(13)의 총수는 k개(k=n*m)이다. 이 경우에는, 1개의 방사선 검출기(2)의 화소수는, k이다. 그리고, 방사선 촬상 장치(1)가 p개의 방사선 검출기(2)를 갖는 경우에는, 방사선 촬상 장치(1)의 화소수는, r(r=k*p)이다.
1개의 방사선 검출기(2)의 화소수는, 예를 들면, 96이다. 따라서, 전하 출력 전극(13)의 수도 96이다. 상술한 것처럼 반도체 검출부(11)의 크기가 9.6mm*9.6 mm 정도의 정사각형이면, 전하 출력 전극(13)의 간격은, 100μm이다. 또한, 도 2 등에서는, 도시의 편의상, 전하 출력 전극(13)의 수는 96 보다 적은 수로서 도시하고 있다.
독출부(20)는, 반도체 검출부(11)가 발생한 전하에 근거하여 화소 신호를 생성한다. 화소 신호는, 디지털값이다. 독출부(20)는, 화소 신호를 회로 기판(3)으로 출력한다. 독출부(20)는, 중간 기판(30)과, 리드 아웃 기판(40)을 갖는다.
중간 기판(30)은, 반도체 검출부(11)가 발생한 전하를 리드 아웃 기판(40)으로 유도한다. 자세한 것은 후술 하지만, 전하 출력 전극(13)의 배치는, 제1 리드 아웃 전극(41)의 배치와 다르다. 그래서, 중간 기판(30)은, 서로 다른 위치에 배치된 전극 서로를 접속하는 기능을 유발한다. 이 기능을 피치 변환이라고 칭한다. 따라서, 중간 기판(30)은, 피치 변환 기판이다. 중간 기판(30)은, 반도체 검출부(11)가 갖는 전하 출력 전극(13)의 피치를, 리드 아웃 기판(40)의 제1 리드 아웃 전극(41)의 피치로 변환한다.
중간 기판(30)은, 중간 입력면(30a)(제1 주면)과, 중간 출력면(30b)(제2 주면)을 갖는다. 중간 입력면(30a)은, 전하 생성부(10)에 대면한다. 중간 출력면(30b)은, 리드 아웃 기판(40)에 대면한다.
중간 입력면(30a)은, 반도체 검출부(11)의 반도체 출력면(11b)에 대면한다. 중간 입력면(30a)에는, 평면시하여 사각형의 중간 입력 영역(30S)이 설정되어 있다. 중간 입력 영역(30S)은, 중간 입력면(30a)의 거의 전면에 걸쳐 설정되어 있다. 예를 들면, 중간 입력 영역(30S)은, 중간 입력면(30a)의 전면이라고 해도 무방하다. 중간 입력 영역(30S)에는, 복수의 제1 중간 전극(31)(제1 전극)이 이차원 형상으로 등간격에 배치되어 있다. 제1 중간 전극(31)에는, 반도체 검출부(11)의 전하 출력 전극(13)이 전기적으로 접속된다. 따라서, 서로 이웃이 되는 제1 중간 전극(31)의 피치(간격)는, 전하 출력 전극(13)의 피치와 같다. 예를 들면, 전하 출력 전극(13)의 피치가 100μm이면, 제1 중간 전극(31)의 피치도 100μm이다. 중간 입력면(30a)에 있어서 중간 입력 영역(30S)은, 화소 영역에 대응한다.
중간 출력면(30b)에는, 평면시하여 사각형의 중간 출력 영역(30R)이 설정되어 있다. 평면시하면, 중간 출력 영역(30R)의 전체는, 중간 입력 영역(30S)과 중복 한다. 즉, 중간 출력 영역(30R)의 면적은, 중간 입력 영역(30S)의 면적보다 작다. 중간 출력 영역(30R)에는, 복수의 제2 중간 전극(32)(제2 전극)이 이차원 형상으로 배치되어 있다.
제1 중간 전극(31)(도 2 참조)은, 중간 기판(30)의 측면의 근방으로까지 배치된다. 한편, 제2 중간 전극(32)(도 3 참조)은, 중간 기판(30)의 측면의 근방에는 배치되지 않는다. 최외주에 배치되는 제2 중간 전극(32)은, 중간 기판(30)의 측면에서 이간한다. 제2 중간 전극(32)으로부터 중간 기판(30)의 측면까지의 거리는, 제1 중간 전극(31)으로부터 중간 기판(30)의 측면까지의 거리 보다 크다. 예를 들면, 제2 중간 전극(32)으로부터 중간 기판(30)의 측면까지의 거리는, 제2 중간 전극(32)의 몇 개 분의 길이 보다 크다. 이 거리는, 후술 하는 리드 아웃 출력부(40R)의 폭에 대응한다. 리드 아웃 출력부(40R)의 폭이 200μm이면, 제2 중간 전극(32)으로부터 중간 기판(30)의 측면까지의 거리도 대개 200μm이다.
도 4에 나타내듯이, 1개의 제1 중간 전극(31)은, 1개의 제2 중간 전극(32)에 전기적으로 접속되고 있다. 따라서, 중간 기판(30)은, 제1 중간 전극(31)을 제2 중간 전극(32)에 접속하는 배선(33)을 갖는다. 배선의 구성은 특별히 제한은 없다. 예를 들면, 배선은, 중간 기판(30)의 두께 방향으로 연장하는 배선부(수직 비아)와, 중간 기판(30)의 표면의 방향으로 연장하는 배선부(사선 배선층)와의 조합이여도 무방하다. 또, 배선은, 제1 중간 전극(31)으로부터 제2 중간 전극(32)으로 향하여 직선 형상으로 연장하는 구성(사선 비아)이여도 무방하다. 사선 비아는, 경사 방향으로 연장한다. 사선 비아에 의하면, 제1 중간 전극(31)으로부터 제2 중간 전극(32)까지의 배선의 거리인 피치 변환 거리를 짧게 할 수 있다. 그 결과, 부유 용량의 영향을 저감 할 수 있다.
제1 중간 전극(31)의 수는, 제2 중간 전극(32)의 수와 같다. 서로 인접하는 제2 중간 전극(32)의 피치(P32)는, 서로 인접하는 제1 중간 전극(31)의 피치(P31) 보다 작다. 제1 중간 전극(31)의 피치(P31)가 100μm이면, 제2 중간 전극(32)의 피치(P32)로서 80μm를 예시할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 복수의 제2 중간 전극(32)은, 등간격에 배치되어 있지만, 제2 중간 전극(32)의 피치(P32)는 등간격으로 한정되지 않는다. 제2 중간 전극(32)의 배치예는, 변형예의 란에서 몇개 예시한다.
다시 도 2 및 도 3을 참조한다. 리드 아웃 기판(40)은, 전하를 받고, 받은 전하에 대응하는 화소 신호를 생성한다. 리드 아웃 기판(40)은, 리드 아웃 입력면(40a)과, 리드 아웃 출력면(40b)을 갖는다. 리드 아웃 입력면(40a)은, 중간 출력면(30b)에 대면한다. 리드 아웃 출력면(40b)은, 회로 기판(3)에 대면한다. 또, 리드 아웃 기판(40)은, 리드 아웃 입력부(40S)(입력부)와, 리드 아웃 출력부(40R)(출력부)와, 복수의 신호 처리부(45)를 갖는다.
리드 아웃 입력부(40S)는, 리드 아웃 입력면(40a)에 형성되고 있다. 리드 아웃 입력부(40S)는, 복수의 제1 리드 아웃 전극(41)(제3 전극)을 포함한다. 제1 리드 아웃 전극(41)의 배치는, 제2 중간 전극(32)의 배치에 대응하고 있다. 즉, 제1 리드 아웃 전극(41)은, 제2 중간 전극(32)에 대면한다. 그 결과, 1개의 제1 리드 아웃 전극(41)은, 1개의 제2 중간 전극(32)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 제1 리드 아웃 전극(41)은, 제2 중간 전극(32)으로부터 전하를 받는다.
리드 아웃 출력부(40R)는, 방사선 검출기(2)와 다른 구성요소(제어부(5) 및 화상 생성부(4))와의 사이에서의 신호의 입출력부로서 기능한다. 예를 들면, 리드 아웃 출력부(40R)는, 제어부(5)로부터 방사선 검출기(2)를 동작시키기 위한 제어 신호를 받는다. 또, 리드 아웃 출력부(40R)는, 화상 생성부(4)에 대해서, 디지털값을 출력한다. 리드 아웃 출력부(40R)는, 리드 아웃 입력부(40S)를 둘러싸도록 형성되고 있다. 예를 들면, 리드 아웃 출력부(40R)의 폭은, 200μm이다. 평면시하면 리드 아웃 출력부(40R)는, 틀 형상을 갖는다.
리드 아웃 출력부(40R)는, 복수의 제2 리드 아웃 전극(42)(제4 전극)을 포함한다. 예를 들면, 틀 형상의 리드 아웃 출력부(40R)에 있어서, 1개의 변에는, 50개의 제2 리드 아웃 전극(42)이 배치되어 있다. 따라서, 리드 아웃 출력부(40R)를 구성하는 4개의 변에 있어서, 200개의 제2 리드 아웃 전극(42)이 배치되어 있다. 1개의 제2 리드 아웃 전극(42)은, 1개의 신호 처리부(45)에 접속되고 있다. 제2 리드 아웃 전극(42)은, 리드 아웃 입력부(40S)를 둘러싼다. 환언하면, 리드 아웃 입력면(40a)에 있어서, 복수의 제2 리드 아웃 전극(42)은, 복수의 제1 리드 아웃 전극(41)을 둘러싸도록 배치되어 있다. 제2 리드 아웃 전극(42)은, 관통 전극이다. 즉, 제2 리드 아웃 전극(42)은, 리드 아웃 입력면(40a)으로부터 리드 아웃 출력면(40b)에 도달한다. 제2 리드 아웃 전극(42)은, 리드 아웃 출력면(40b)에 설치된 범프를 통해 회로 기판(3)에 전기적으로 접속되고 있다.
신호 처리부(45)는, 전하를 디지털값인 화소 신호로 변환한다. 1개의 신호 처리부(45)는, 1개의 제1 리드 아웃 전극(41)에 접속되고 있다. 신호 처리부(45)는, 리드 아웃 입력부(40S)로부터 전하를 받는다. 신호 처리부(45)는, 리드 아웃 출력부(40R)로부터 디지털값을 출력한다. 보다 상세하게는, 신호 처리부(45)는, 전하 생성부(10)가 출력하는 전하를 화소 신호인 에너지 적분 신호로 변환한다. 에너지 적분 신호는, 적어도 입사한 방사선이 가지고 있던 에너지의 정보를 포함한다.
도 5에 나타내듯이, 독출부(20)는, 신호 변환부(46)와, 메모리(47)를 갖는다. 신호 변환부(46) 및 메모리(47)는, 신호 처리부(45)를 구성한다. 즉, 전하 생성부(10)의 하나의 화소에 대해서, 1개의 신호 변환부(46), 및 1개의 메모리(47)가 접속되고 있다.
1개의 신호 변환부(46)는, 중간 기판(30)의 배선(33)을 통해 전하 생성부(10)의 1개의 전하 출력 전극(13)에 접속되고 있다. 신호 변환부(46)는, 전하 생성부(10)로부터 전하(φ1)를 받는다. 신호 변환부(46)는, 전하(φ1)에 근거하여 아날로그 신호를 이산화 한다. 아날로그 신호는, 전압으로서 표현된다. 전압은, 전하 생성부(10)의 대응하는 화소에 입사한 방사선의 에너지 또는 입자의 수에 대응한다. 따라서, 신호 변환부(46)는, 디지털 신호를 출력하는 A/D 변환기이다. 예를 들면, 신호 변환부(46)의 분해능은, 10비트로 하여도 무방하다.
메모리(47)는, 신호 변환부(46)에 접속된다. 메모리(47)는, 신호 변환부(46)로부터 디지털 신호(φ2)를 받는다. 그리고, 메모리(47)는, 디지털 신호(φ2)가 입력될 때마다, 디지털 신호(φ2)를 보존한다. 메모리(47)는, 디지털 신호(φ2)를 소정의 메모리 공간에 순차 보존한다. 그리고, 메모리(47)는, 제어부(5)로부터 제공되는 제어 신호(θ)에 따라, 디지털 신호(φ2)를 화상 생성부(4)로 출력한다.
방사선의 검출기로서, 신틸레이션 검출기와 반도체 검출부가 예시될 수 있다. 신틸레이션 검출기와 반도체 검출부를 비교했을 경우에, 반도체 검출부는 X선의 이미징 기술에 있어서 고감도 및 고해상을 용이하게 실현할 수 있다. 반도체 검출부를 구비한 방사선 촬상 장치(1)는, 보다 섬세한 X선화상을 보다 단시간에 촬상할 수 있다. 그 결과, 반도체 검출부를 구비한 방사선 촬상 장치(1)는, 의료, 공업, 비파괴 검사, 시큐리티 및 산업/사회 인프라 검사 등에 이용되고 있다.
그러나, 반도체 검출부는, 단일의 소자로 큰 검출 면적을 실현하는 것이 어렵다. 단일의 반도체 검출부에서의 검출 면적은, 일례로서 20mm*20mm 정도이다. 상술한 방사선 촬상 장치(1)가 이용되는 분야에서는, 예를 들면 400mm*400mm라고 하는 검출 면적이 요구된다. 그래서, 단일의 반도체 검출부에서는 실현될 수 없는 큰 검출 면적을, 복수의 반도체 검출부에 의해 실현되는 수법이 검토되고 있다.
방사선의 입사에 의해 반도체 검출부가 출력하는 신호는, 반도체 검출부만으로는 읽어낼 수 없다. 즉, 방사선 촬상 장치(1)는, 반도체 검출부에 더하여, 반도체 검출부가 출력하는 신호를 처리하는 독출회로를 구비하고 있다. 반도체 검출부와 독출회로는 적층되고 있다. 이와 같이, 반도체 검출부와 독출회로를 구비한 것을, 검출기 모듈이라고 부른다. 그리고, 반도체 검출부의 화소 마다 출력되는 신호는, 독출회로에서의 신호 처리에 의해 디지털값으로 변환된다.
추가 신호 처리에 따라, 디지털값을 이용하여 방사선 화상을 생성한다. 따라서, 방사선 화상을 생성하는 처리를 실시하는 처리 장치에 독출회로로부터 디지털값을 전송할 필요가 있다. 즉, 처리 장치와 독출회로를 전기적으로 접속할 필요가 있다.
이러한 접속 구성으로서, 회로 기판과 독출회로를 본딩 와이어에 의해 접속하는 구성을 예시할 수 있다. 그러나, 본딩 와이어에 의한 접속 구성에서는, 회로 기판에 대해서 본딩 패드를 배치할 필요가 있다. 그 결과, 서로 이웃이 되는 반도체 검출부의 사이에 큰 틈새가 생겨 버린다. 반도체 검출부의 사이의 틈새는, 방사선의 검출 영역으로서 기능하지 않는다. 그 결과, 이미징 장치로서 불리하다.
다른 접속 구성으로서, 임의 검출기 모듈의 일부에, 서로 이웃이 되는 다른 검출기 모듈의 일부를 중첩하는 구성도 검토되고 있다. 이러한 배치에 의하면 검출기 모듈의 각각은, 높이 방향으로 비스듬하게 배치된다. 즉, 이웃의 검출기 모듈의 아래에 독출용의 전극을 배치하는 것에 따라, 검출기 모듈 간의 틈새가 생기지 않도록 하고 있다. 그러나, 이러한 배치에 의하면, 방사선의 선원(line source)에 대해서 검출기 모듈의 입사면이 기울어진다. 그 결과, 방사선의 선원으로부터 검출기 모듈까지의 거리가 화소에 따라 달라져 버린다. 또, 원래 검출기 모듈을 기울여 실장하는 것이 어렵다.
그래서 발명자 등은, 검출기 모듈을 비스듬하게 실장하지 않고, 복수의 검출기 모듈을 회로 기판에 배치하는 기술을 제안하기에 이르렀다. 그 결과, 큰 검출 면적을 실현하는 것과 동시에, 검출기 간의 틈새를 최소로 하는 것이 가능한 방사선 촬상 장치를 제공할 수 있었다.
본 실시 형태의 방사선 촬상 장치(1)에서는, 방사선 검출기(2)가 방사선을 받아 전하를 발생시킨다. 이 전하는, 제1 중간 전극(31)을 통해 중간 기판(30)으로 이동한다. 그리고, 전하는, 제2 중간 전극(32)를 통해 중간 기판(30)으로부터 리드 아웃 기판(40)의 신호 처리부(45)로 이동한다. 여기서, 복수의 제2 중간 전극(32)의 배치 간격은, 복수의 제1 중간 전극(31)의 배치 간격과 다르다. 구체적으로는, 복수의 제2 중간 전극(32)의 배치 간격은, 복수의 제1 중간 전극(31)의 배치 간격 보다 작다.
그리고, 제1 중간 전극(31)의 배치는, 방사선 검출기(2)에서의 화소의 배치에 대응한다. 또, 제2 중간 전극(32)의 배치는, 리드 아웃 기판(40)의 신호 처리부(45)의 배치에 대응한다. 즉, 리드 아웃 기판(40)의 신호 처리부(45)의 배치는, 방사선 검출기(2)에서의 화소의 배치와 다르다. 따라서, 중간 기판(30)에 의하면, 리드 아웃 기판(40)의 신호 처리부(45)의 배치에 따라, 방사선 검출기(2)에서의 화소의 배치가 구속되지 않는다. 그 결과, 방사선 검출기(2)에서의 화소의 배치의 자유도가 높아지므로, 복수의 방사선 검출기(2)의 사이에서의 유효 화소 영역을 양호하게 확대할 수 있다.
구체적인 예를 참조하여, 보다 상세하게 설명한다. 도 6(a)는, 비교예의 방사선 촬상 장치(100)가 구비하는 2개의 방사선 검출기(102)에 있어서, 전하 생성부(110)의 전극(113)과 리드 아웃 기판(140)의 전극(141)을 중복 시켜 도시한다. 전극(113)은, 리드 아웃 기판(140)의 전극(141)에 대해서 직접 접속된다. 방사선 검출기(102)는, 전하 생성부(110)와, 리드 아웃 기판(140)을 구비하고 있다. 즉, 방사선 검출기(102)는, 중간 기판을 갖추지 않는다. 따라서, 리드 아웃 기판(140)의 전극(141)은, 전하 생성부(110)의 전극(113)에 대해서 직접 접속된다. 그 결과, 전하 생성부(110)의 전극(113)은, 리드 아웃 기판(140)의 전극(141)의 배치에 일치시킬 필요가 있다.
리드 아웃 기판(140)은, 복수의 입출력 전극이 배치되는 리드 아웃 출력부(140R)를 구비하고 있다. 리드 아웃 출력부(140R)와 중복하는 영역에는, 전하 생성부(110)와 접속되는 전극(141)을 배치할 수 없다. 즉, 리드 아웃 기판(140)의 전극(141)은, 리드 아웃 출력부(140R)에 둘러싸인 영역에 배치된다. 상술한 것처럼, 리드 아웃 기판(140)의 전극(141)의 배치는, 전하 생성부(110)의 전극(113)의 배치에 일치한다. 따라서, 평면시하면 전하 생성부(110)의 전극(113)도 리드 아웃 출력부(140R)에 둘러싸인 영역에 배치된다. 그 결과, 전하 생성부(110)의 전극(113)과 이웃의 전하 생성부(110)의 전극(113)과의 사이에는, 간격이 형성되어 버린다. 전하 생성부(110)의 전극(113)의 배치는, 화소의 배치에 상당한다. 따라서, 방사선 검출기(102)가 형성하는 화소와, 이웃의 방사선 검출기(102)의 화소와의 사이에, 간격(P100)이 형성된다. 이 간격(P100)에는, 화소가 존재하지 않기 때문에, 방사선을 검출할 수 없다. 그 결과, 화소수는 증가하지만, 유효 화소 영역이 양호하게 확대할 수 있다고는 말할 수 없었다.
도 6(b)는, 실시 형태의 방사선 촬상 장치(1)가 구비하는 2개의 방사선 검출기(2)에서의 제1 중간 전극(31)을 나타낸다. 실시 형태의 방사선 촬상 장치(1)는, 중간 기판(30)을 구비하고 있다. 중간 기판(30)에 의하면, 전하 생성부(10)의 전하 출력 전극(13)의 배치는, 중간 기판(30)의 제1 중간 전극(31)의 배치에 일치하고 있으면 무방하고, 제1 리드 아웃 전극(41)의 배치에 일치시킬 필요가 없다. 따라서, 전하 생성부(10)의 전하 출력 전극(13)은, 전하 생성부(10)의 기판의 측면으로 접근해 배치할 수 있다. 이러한 배치에 의하면, 방사선 검출기(2)의 전하 출력 전극(13)과 이웃의 방사선 검출기(2)의 전하 출력 전극(13)과의 사이의 간격 Pa이 줄어든다. 즉, 유효 화소 영역이 아닌 영역이 축소되므로, 넓은 유효 화소 영역을 확보할 수 있다. 그 결과, 화소수가 증가시키는 것이 가능하고, 또 유효 화소 영역도 양호하게 확대할 수 있다.
유효 화소 영역은, 반도체 검출부(11)의 면적이다. 따라서, 반도체 검출부(11)의 하부에 배치되는 중간 기판(30) 및 리드 아웃 기판(40)은, 구조가 손상되지 않는 범위에서, 반도체 검출부(11) 보다 커도 무방하다. 환언하면, 중간 기판(30) 및 리드 아웃 기판(40)에 의해 구성되는 LSI인 독출부(20)는, 전하 생성부(10) 보다 커도 무방하다. 반대로, 중간 기판(30) 및 리드 아웃 기판(40)은, 반도체 검출부(11) 다 작아도 무방하다. 즉, 중간 기판(30) 및 리드 아웃 기판(40)의 크기는, 반도체 검출부(11)의 크기와 반드시 일치 하지 않아도 된다.
예를 들면, 중간 기판(30)과 반도체 검출부(11)와의 크기의 차이는, 화소 구조(G)의 피치의 1/2 정도를 최대라고 해도 무방하다. 이것은, 중간 기판(30)이 반도체 검출부(11) 보다 큰 경우에도 채용할 수 있고, 중간 기판(30)이 반도체 검출부(11) 보다 작은 경우에도 채용할 수 있다. 또, 리드 아웃 기판(40)과 반도체 검출부(11)의 크기의 차이도, 같은 구성을 채용해도 무방하다. 리드 아웃 기판(40)과 반도체 검출부(11)와의 크기의 차이는, 화소 구조(G)의 피치의 1/2 정도를 최대로 해도 무방하다.
방사선 검출기(2)를 회로 기판(3)에 배치했을 때, 반도체 검출부(11)(방사선 검출기(2))의 측면에서 상기 반도체 검출부(11)에 인접하는 다른 반도체 검출부(11)(방사선 검출기(2))의 측면까지의 거리는, 완전하게 0은 되지 않는다. 이 거리를, 간격 Pb이라고 칭한다. 도 6(b)에 나타내듯이, 간격 Pb는, 간격 Pa의 내측에 존재한다. 그 때문에 서로 이웃이 되는 리드 아웃 출력부(40R)와의 최연부(最緣部)의 제1 리드 아웃 전극(41)의 화소 피치가, 단독의 리드 아웃 출력부(40R)에 배치내의 화소 피치(예를 들면 상술한 100 um)와 동일해지도록 반도체 검출부(11)의 외형 사이즈를 작게 한다. 이 구성에 의하면, 최연부의 유감(有感) 면적을 작게 하는 것에 의해, 복수의 반도체 검출부(11)를 넘어서도 화소 피치가 유지된 실장을 실시할 수 있다.
이 기술을 이용해도 간격 Pb가 리드 아웃 출력부(40R)의 화소 피치에 비해 영향이 있을 만큼 크게 해야 하는 경우, 간격 Pb에 화소 피치에 상당하는 여백을 추가한다. 이 경우에 있어서, 서로 이웃이 되는 리드 아웃 출력부(40R)의 최연부 간의 피치를 화소 피치*N(N은 1 보다 큰 정수)로 한다. 그 결과, 리드 아웃 출력부(40R) 간에 화소 피치를 유지하는 실장을 실시할 수 있다.
다른 시점으로부터 본 실시 형태의 방사선 촬상 장치(1)의 작용 효과를 설명한다. 실시 형태의 방사선 촬상 장치(1)는, 반도체 검출부(11)의 풋 프린트(footprint)로부터 독출전극인 제2 리드 아웃 전극(42)이 돌출하지 않는 회로 구조를 채용한다. 즉, 제2 리드 아웃 전극(42)은, 회로 기판(3)의 주면에 대해서 수직 방향으로 연장하는 형상을 갖는다. 게다가, 실시 형태의 방사선 촬상 장치(1)는, 모듈을 타일링 하는 기판에 다층 구조를 채용한다. 즉, 기판의 내측에 배치된 모듈이 출력하는 신호는, 내층 및 이면에 설치된 배선을 통해 외부로 출력된다.
방사선 촬상 장치(1)는, 모듈의 외형과 검출 면적이 동일하다. 환언하면, 방사선 촬상 장치(1)에서는, 전극이 수평 방향으로 돌출하지 않는다. 그 결과, 복수의 방사선 검출기(2)를 회로 기판(3)에 배치하는 경우에, 전극을 배치하기 위한 틈새를 설치할 필요가 없다. 게다가, 틈새를 축소하는 배치를 하기 위해서, 방사선 촬상 장치(1)는, 방사선 검출기(2)를 비스듬하게 실장할 필요도 없다. 즉, 복수의 방사선 검출기(2)는, 회로 기판(3)에 대해서 수평으로 실장할 수 있다.
복수의 제2 중간 전극(32)의 배치 간격은, 복수의 제1 중간 전극(31)의 배치 간격 보다 좁다. 이 구성에 의하면, 리드 아웃 기판(40)이 갖는 신호 처리부(45)의 배치에 대응하도록, 제2 중간 전극(32)를 배치할 수 있다.
리드 아웃 기판(40)은, 중간 기판(30)의 제2 중간 전극(32)과 전기적으로 접속되는 제1 리드 아웃 전극(41)을 포함함과 동시에 중간 기판(30)이 배치되는 리드 아웃 입력부(40S)와, 회로 기판(3)에 전기적으로 접속되는 제2 리드 아웃 전극(42)을 포함하고, 리드 아웃 입력부(40S)를 둘러싸도록 설치된 리드 아웃 출력부(40R)를 포함한다. 이 구성에 의하면, 리드 아웃 기판(40)은, 중간 기판(30)으로부터 양호하게 전하를 받는 것이 가능한 것과 함께, 회로 기판(3)에 디지털값을 출력할 수 있다.
본 발명의 방사선 촬상 장치(1)는, 상기의 실시 형태로 한정되지 않는다. 예를 들면, 중간 기판(30)의 구성에는, 여러가지 변형예를 채용할 수 있다. 상기의 실시 형태에서는, 중간 기판(30)이 갖는 제2 중간 전극(32)의 배치는, 균일하다. 환언하면, 제2 중간 전극(32)의 피치는, 모두 같다. 그러나, 제2 중간 전극(32)의 피치는, 모두 같은 필요는 없다.
예를 들면, 도 7(a)에 나타내듯이, 중간 기판(30A)은, 4개의 화소 블록 PB1를 가지고 있어도 무방하다. 화소 블록 PB1에는, 각각 복수의 제2 중간 전극(32)이 균등하게 배치된다. 서로 인접하는 화소 블록 PB1의 간격은, 화소 블록 PB1에 포함되는 제2 중간 전극(32)의 간격 보다, 넓다. 이러한 배치에 의하면, 제1 중간 전극(31)을 제2 중간 전극(32)에 접속하는 배선의 길이가 서로 달라지는 것을 작게 할 수 있다. 보다 상세하게는, 제2 중간 전극(32)을 중간 출력면(3b)의 전면에 대해서 균일하게 배치했을 경우에는, 기판의 중앙 부근에 배치된 제1 중간 전극(31)과 제2 중간 전극(32)과의 위치의 차이는, 작다. 즉, 배선의 길이(피치 변환 거리)는 짧다. 이것에 대해서, 기판의 주변에 배치된 제1 중간 전극(31)과 제2 중간 전극(32)과의 위치의 차이는, 크다. 즉, 배선의 길이는 길다. 배선의 길이는, 배선을 통과하는 신호에 영향을 줄 가능성이 있다. 예를 들면, 배선의 구성은, 부유 용량을 발생시키는 요인이 될 수 있다. 즉, 제1 중간 전극(31)과 제2 중간 전극(32)과의 접속 구성 마다, 부유 용량이 서로 달라지는 것을 고려한다고 하는 노이즈로의 대책이 바람직한다. 따라서, 중간 기판(30)에 있어서 배선의 길이의 최대치와 최소치가 서로 달라지는 것은, 작은 편이 바람직하다.
도 7(a)에 나타내는 제2 중간 전극(32)의 배치에 의하면, 중간 기판(30)에 있어서 배선의 길이의 최대치와 최소치가 서로 달라지는 것을 작게 할 수 있다. 따라서, 신호가 받는 영향이 서로 달라지는 것도 작아지므로, 양호한 방사선 화상을 얻을 수 있다.
또한, 도 7(a)에 나타내는 제2 중간 전극(32)의 배치를 채용하는 경우에는, 제1 리드 아웃 전극(41)의 배치도, 도 7(a)에 나타내는 제2 중간 전극(32)의 배치와 일치한다. 이 경우에는, 리드 아웃 기판(40)에는, 제1 리드 아웃 전극(41)이 설치되지 않는 영역이 형성된다. 이 영역에는, 소망한 기능을 갖게 하는 전극이나 제어 회로 등을 부가적으로 형성해도 무방하다. 그 한편, 전하 생성부(10)의 전하 출력 전극(13)의 배치는, 도 7(a)에 나타내는 제2 중간 전극(32)의 배치에 구속되지 않고, 즉, 실시 형태와 같은 배치를 채용할 수 있다. 또한, 도 7(a)에 나타내는 제2 중간 전극(32)의 배치는, 1개의 중간 기판(30A)에 의해 실현되는 경우로 한정되지 않는다. 복수의 중간 기판에 의해 실현되어도 무방하다.
도 7(b)는, 중간 기판(30B)이 구비하는 제2 중간 전극(32)의 다른 배치의 예시이다. 도 7(a)에 나타내듯이, 화소 블록 PB1의 수는, 실시 형태와 같이 1개인 경우 및 변형예 1과 같이 4개인 경우로 한정되지 않는다. 도 7(b)에 나타내듯이, 중간 기판(30B)은, 16개의 화소 블록 PB2를 형성하고 있어도 무방하다. 또, 도 8에 나타내는 제2 중간 전극(32)의 배치는, 복수의 중간 기판에 의해 실현되어도 무방하다.
도 8은, 중간 기판(30C)가 구비하는 제2 중간 전극(32)의 한층 더 다른 배치의 예시이다. 도 8에 나타내듯이, 화소 블록 PB3의 형상은, 정사각형으로 한정되지 않는다. 환언하면, 화소 블록 PB3에 배치되는 제2 중간 전극(32)의 배치에 있어서, 세로로 늘어선 제2 중간 전극(32)의 수와, 변에 늘어선 제2 중간 전극(32)의 수는 서로 일치할 필요는 없다. 환언하면, 세로로 늘어선 제2 중간 전극(32)의 수는, 변에 늘어선 제2 중간 전극(32)의 수와 달라도 무방하다. 도 8에 나타내듯이, 세로로 늘어선 제2 중간 전극(32)의 수를 4개로 하는 것과 동시에, 변에 늘어선 제2 중간 전극(32)의 수를 8개로 해도 무방하다. 또, 변형예 3에서도 예시한 것처럼, 도 8에 나타내는 제2 중간 전극(32)의 배치는, 1개의 중간 기판(30)에 의해 실현되어도 무방하고, 복수 개의 중간 기판(30)에 의해 실현되어도 무방하다.
1…방사선 촬상 장치, 2…방사선 검출기, 3…회로 기판, 4…화상 생성부, 5…제어부, 10…전하 생성부, 20…독출부, 11…반도체 검출부, 12…제어 전극부, 13…전하 출력 전극, 11a…반도체 입사면, 11b…반도체 출력면, 30…중간 기판, 40…리드 아웃 기판, 30a…중간 입력면(제1 주면), 30b…중간 출력면(제2 주면), 30S…중간 입력 영역, 31…제1 중간 전극(제1 전극), 30R…중간 출력 영역, 32…제2 중간 전극(제2 전극), 40a…리드 아웃 입력면, 40b…리드 아웃 출력면, 45…신호 처리부, 41…제1 리드 아웃 전극(제3 전극), 42…제2 리드 아웃 전극(제4 전극), 46…신호 변환부, 47…메모리.

Claims (10)

  1. 입사한 방사선의 에너지 또는 입자의 수에 대응하는 전하를 생성하는 전하 생성부 및 상기 전하에 근거하여 디지털값을 출력하는 독출부를 갖는 방사선 검출기와,
    복수의 상기 방사선 검출기가 이차원 형상으로 배치된 회로 기판을 갖추고,
    상기 독출부는,
    상기 디지털값을 출력하는 복수의 신호 처리부가 이차원 형상으로 배치된 리드 아웃 기판과,
    상기 전하 생성부와 상기 리드 아웃 기판과의 사이에 배치되고, 상기 전하 생성부에 대면하는 제1 주면 및 상기 리드 아웃 기판에 대면하는 제2 주면을 포함한 중간 기판을 갖고,
    상기 제1 주면에는, 상기 전하 생성부에 전기적으로 접속되는 복수의 제1 전극이 배치되고,
    상기 제2 주면에는, 상기 리드 아웃 기판의 상기 신호 처리부 및 상기 제1 전극의 각각 전기적으로 접속되는 복수의 제2 전극이 배치되고,
    복수의 상기 제2 전극의 배치 간격은, 복수의 상기 제1 전극의 배치 간격과 다른, 방사선 촬상 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    복수의 상기 제2 전극의 배치 간격은, 복수의 상기 제1 전극의 배치 간격 보다 좁은, 방사선 촬상 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 전하 생성부와 상기 리드 아웃 기판과의 사이에는, 복수의 상기 중간 기판이 배치되는, 방사선 촬상 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리드 아웃 기판은,
    상기 중간 기판의 상기 제2 전극과 전기적으로 접속되는 제3 전극을 포함함과 동시에 상기 중간 기판이 배치되는 입력부와,
    상기 회로 기판에 전기적으로 접속되는 제4 전극을 포함하고, 상기 입력부에 인접하도록 설치된 출력부를 포함하는, 방사선 촬상 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중간 기판을 평면시 했을 경우의 외형은, 상기 전하 생성부를 평면시 했을 경우의 외형 보다 작은, 방사선 촬상 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리드 아웃 기판을 평면시 했을 경우의 외형은, 상기 전하 생성부를 평면시 했을 경우의 외형 보다 작은, 방사선 촬상 장치.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중간 기판을 평면시 했을 경우의 외형은, 상기 전하 생성부를 평면시 했을 경우의 외형 보다 큰, 방사선 촬상 장치.
  8. 제1항 내지 제4항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리드 아웃 기판을 평면시 했을 경우의 외형은, 상기 전하 생성부를 평면시 했을 경우의 외형 보다 큰, 방사선 촬상 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 전극은, 제1 배치 간격과, 상기 제1 배치 간격과는 다른 제2 배치 간격에 따라 배치되어 있는, 방사선 촬상 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 전극은, 제3 배치 간격과, 상기 제3 배치 간격과는 다른 제4 배치 간격에 따라 배치되어 있는, 방사선 촬상 장치.
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