KR20230054045A - Dielectric layer material for flexible copper clad laminate and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a dielectric layer material for a flexible copper clad laminated board and a manufacturing method thereof.
고도의 정보화 사회 진전에 수반하여 다량의 정보를 고속으로 처리할 필요가 생김으로써, 통신 전자기기에 사용되는 신호의 주파수대는 MHz로부터 GHz의 고주파 영역으로 이행하고 있다. 그러나 주파수가 높아질수록 전기신호의 전송 손실이 증가하여 통신 성능이 저하되는 문제가 발생됨으로 인해 고주파 영역에서 저유전 특성을 갖는 전기 절연 소재에 대한 요구 또한 증가하고 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] As a result of the need to process a large amount of information at high speed along with the progress of a high-level information society, the frequency band of signals used in communication electronic devices is shifting from MHz to the high-frequency region of GHz. However, as the frequency increases, transmission loss of electrical signals increases and communication performance deteriorates. Therefore, demand for electrical insulating materials having low dielectric properties in a high frequency region is also increasing.
현재, 이러한 특성 구현을 위한 전기 절연 소재로 폴리올레핀 수지, 에폭시 수지, 불소계의 열가소성 수지, 폴리이미드 수지 등의 통상적인 고분자 재료들이 제안되고 있다. Currently, conventional polymer materials such as polyolefin resins, epoxy resins, fluorine-based thermoplastic resins, and polyimide resins have been proposed as electrical insulating materials for implementing these characteristics.
이 중, 폴리이미드(PI)는 강직한 방향족 주쇄와 함께 화학적 안정성이 매우 우수한 이미드 고리를 가지고 있어 유기 재료들 중에서도 가장 높은 수준의 내열성, 내약품성, 전기 절연성, 내화학성 및 내후성 등을 지닌 고분자 재료로, FPCB(Flexible Printed Circuit Board), TAB(Tape Automated Bonding), COF(Chip on Film) 등의 전자 재료로 널리 사용되고 있다. 특히, 폴리이미드는 도금 작업성이 우수하여 FCCL 유전층 소재로 사용되기 에 적합한 특성을 갖고 있다. Among them, polyimide (PI) has a rigid aromatic main chain and an imide ring with excellent chemical stability, so it is a polymer with the highest level of heat resistance, chemical resistance, electrical insulation, chemical resistance and weather resistance among organic materials. As a material, it is widely used as an electronic material such as FPCB (Flexible Printed Circuit Board), TAB (Tape Automated Bonding), and COF (Chip on Film). In particular, polyimide has excellent plating workability and has properties suitable for use as an FCCL dielectric layer material.
일반적으로 단말기의 통신 안테나로 사용되는 FCCL(Flexible Copper Clad Laminate)은, 도체인 동박(Copper foil)과 유전층(Dielectric Layer)의 적층 구조로 이루어져 있으며, Lamination, Casting, 증착-도금법, 직접 도금법을 사용하여 제조되고 있다. 전송 손실은 도체손실과 유전손실의 합으로 이루어지는데, 도체 손실을 줄이기 위해서는 동박과 유전층 간의 계면 거칠기가 낮은 증착-도금법 또는 직접 도금법이 유리하기 때문에 폴리이미드의 우수한 도금 작업성은 전송손실을 줄이는데 유리하게 작용할 수 있는 특성인 것이다.FCCL (Flexible Copper Clad Laminate), which is generally used as a communication antenna of a terminal, is composed of a laminated structure of copper foil and a dielectric layer, which is a conductor, and uses lamination, casting, deposition-plating, and direct plating methods. is being manufactured. Transmission loss consists of the sum of conductor loss and dielectric loss. In order to reduce conductor loss, the deposition-plating method or direct plating method with low interface roughness between copper foil and dielectric layer is advantageous, so the excellent plating workability of polyimide is advantageous in reducing transmission loss. It is a feature that can work.
그러나, 이와 같은 폴리이미드의 장점에도 불구하고, 통상의 폴리이미드의 경우 유전상수가 3.4 내지 3.6 정도로 고주파 통신에서 충분한 절연성을 유지할 수 있을 정도로 우수한 수준은 아니어서 고주파 안테나 소재로 사용되기에 적합하지 않다. 예컨대, 폴리이미드는 2 GHz 이상의 고주파 통신이 진행되는 박형 회로기판에서 절연성을 부분적으로 또는 전체적으로 상실한 가능성이 존재한다.However, despite the advantages of polyimide, normal polyimide has a dielectric constant of about 3.4 to 3.6, which is not good enough to maintain sufficient insulation in high-frequency communication, so it is not suitable for use as a high-frequency antenna material. . For example, there is a possibility that polyimide partially or entirely loses insulation properties in a thin circuit board in which high-frequency communication of 2 GHz or more proceeds.
또한, 저유전 손실 특성을 지닌 고분자 소재로 액정 고분자 필름(LCP Film)과 개질 폴리이미드 필름(Modified Polyimide Film)이 제안되고 있으나 합성 공정이 어렵고 제막 비용이 많이 드는 한계점을 가지고 있다.In addition, a liquid crystal polymer film (LCP film) and a modified polyimide film (Modified Polyimide Film) have been proposed as polymer materials having low dielectric loss characteristics, but have limitations in that the synthesis process is difficult and the film production cost is high.
따라서, 고주파 영역에서 저유전 손실 특성을 가질 뿐만 아니라 우수한 도금 작업성을 확보할 수 있는 새로운 유전층 소재의 개발이 필요하다.Therefore, it is necessary to develop a new dielectric layer material capable of securing excellent plating workability as well as having low dielectric loss characteristics in a high frequency region.
전술한 배경기술은 발명자가 본원의 개시 내용을 도출하는 과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.The above background art is possessed or acquired by the inventor in the process of deriving the disclosure of the present application, and cannot necessarily be said to be known art disclosed to the general public prior to the present application.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 고주파 영역에서 저유전 손실 특성을 가질 뿐만 아니라 도금 작업성을 확보하여 도체 손실을 개선할 수 있는, 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention is to solve the above-described problems, and an object of the present invention is a dielectric layer material for a flexible copper clad laminate board, which can improve conductor loss by securing plating workability as well as having low dielectric loss characteristics in a high frequency region. And to provide a manufacturing method thereof.
본 발명의 다른 목적은, 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재를 사용하여 고주파에서 전송 손실이 낮은 통신안테나용 유연 동박 적층 기판을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a flexible copper clad laminate for a communication antenna using a dielectric layer material for a flexible copper clad laminate having low transmission loss at a high frequency.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 해당 분야 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problem to be solved by the present invention is not limited to those mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
본 발명의 일 측면은, 저유전율 필름; 상기 저유전율 필름 상에 적층된 접착층; 및 상기 접착층 상에 적층된 폴리이미드 필름;을 포함하는, 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재를 제공한다.One aspect of the present invention, a low dielectric constant film; an adhesive layer laminated on the low dielectric constant film; And a polyimide film laminated on the adhesive layer; it provides a dielectric layer material for a flexible copper clad laminated board comprising a.
일 실시형태에 따르면, 상기 저유전율 필름은, 퍼플루오로알콕시알칸(PFA), 폴리에테르케톤(PEK), 신디오택틱 폴리스티렌(SPS), 폴리설폰(PSU), 폴리에테르설폰(PES), 폴리아릴레이트(PAr), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리페닐렌설파이드(PPS) 및 폴리에테르에테르케톤(PEEK)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.According to one embodiment, the low dielectric constant film may include perfluoroalkoxyalkane (PFA), polyetherketone (PEK), syndiotactic polystyrene (SPS), polysulfone (PSU), polyethersulfone (PES), polyether It may include at least one selected from the group consisting of relate (PAr), polyetherimide (PEI), polyphenylene sulfide (PPS), and polyetheretherketone (PEEK).
일 실시형태에 따르면, 상기 접착층은, 에폭시계 접착제, 아크릴계 접착제, 폴리이미드계 접착제 및 불소계 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.According to one embodiment, the adhesive layer may include one or more selected from the group consisting of an epoxy-based adhesive, an acrylic-based adhesive, a polyimide-based adhesive, and a fluorine-based resin.
일 실시형태에 따르면, 상기 저유전율 필름은, 복수 개 적층되어 용융 접합된 것일 수 있다.According to one embodiment, a plurality of the low-k films may be laminated and melt-bonded.
일 실시형태에 따르면, 상기 저유전율 필름의 두께는, 20 ㎛ 내지 250 ㎛인 것일 수 있다.According to one embodiment, the thickness of the low dielectric constant film may be 20 μm to 250 μm.
일 실시형태에 따르면, 상기 접착층의 두께는, 0.5 ㎛ 내지 50 ㎛인 것일 수 있다.According to one embodiment, the adhesive layer may have a thickness of 0.5 μm to 50 μm.
일 실시형태에 따르면, 상기 폴리이미드 필름은, 상기 접착층과 접합되지 않은 면의 표면 조도(Ra)가, 1 ㎛ 이하인 것일 수 있다.According to one embodiment, the polyimide film may have a surface roughness (Ra) of 1 μm or less on a surface not bonded to the adhesive layer.
일 실시형태에 따르면, 상기 폴리이미드 필름의 두께는, 5 ㎛ 내지 50 ㎛인 것일 수 있다.According to one embodiment, the thickness of the polyimide film may be 5 μm to 50 μm.
일 실시형태에 따르면, 상기 폴리이미드 필름 및 상기 저유전율 필름의 두께비는, 1 : 1 내지 1 : 10인 것일 수 있다.According to one embodiment, the thickness ratio of the polyimide film and the low dielectric constant film may be 1:1 to 1:10.
일 실시형태에 따르면, 상기 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재는, 두께가 40 ㎛ 내지 450 ㎛인 것일 수 있다.According to one embodiment, the dielectric layer material for the flexible copper clad laminated board may have a thickness of 40 μm to 450 μm.
일 실시형태에 따르면, 1 GHz의 주파수에서, 유전율(Dk)이 3.3 Dk 이하이고, 유전정접(Df)이 0.015 이하인 것일 수 있다.According to one embodiment, at a frequency of 1 GHz, the dielectric constant (Dk) may be 3.3 Dk or less, and the dielectric loss tangent (Df) may be 0.015 or less.
본 발명의 다른 측면은, 폴리이미드 필름의 일면에 접착제를 도포하여, 접착층이 코팅된 폴리이미드 필름을 제조하는 단계; 및 상기 접착층 상에 저유전율 필름을 적층 및 접합하는 단계;를 포함하는, 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재의 제조방법을 제공한다.Another aspect of the present invention is to prepare a polyimide film coated with an adhesive layer by applying an adhesive to one surface of the polyimide film; And laminating and bonding a low dielectric constant film on the adhesive layer; it provides a method for manufacturing a dielectric layer material for a flexible copper clad laminate substrate, including.
본 발명의 또 다른 측면은, 폴리이미드 필름의 일면에 접착제를 도포하여, 접착층이 코팅된 폴리이미드 필름을 제조하는 단계; 상기 접착층이 코팅된 폴리이미드 필름 두 개를 각각의 접착층이 서로 마주하도록 배치하는 단계; 및 상기 서로 마주하도록 배치된 접착층들 사이에 저유전율 필름을 삽입하고 접합하는 단계;를 포함하는, 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재의 제조방법을 제공한다.Another aspect of the present invention is to prepare a polyimide film coated with an adhesive layer by applying an adhesive to one surface of the polyimide film; disposing the two polyimide films coated with the adhesive layer so that the respective adhesive layers face each other; and inserting and bonding a low dielectric constant film between the adhesive layers disposed to face each other.
일 실시형태에 따르면, 상기 접합은, 200 ℃ 내지 500 ℃의 온도에서, 3 MPa 내지 5 MPa의 압력의 핫프레싱에 의하여 수행되는 것일 수 있다.According to one embodiment, the bonding may be performed by hot pressing at a temperature of 200 °C to 500 °C and a pressure of 3 MPa to 5 MPa.
본 발명의 다른 측면은, 상기 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재를 포함하는, 유전층; 및 상기 유전층 상에 적층된 구리층;을 포함하는, 유연 동박 적층 기판을 제공한다.Another aspect of the present invention, a dielectric layer comprising a dielectric layer material for the flexible copper clad laminated board; and a copper layer laminated on the dielectric layer.
일 실시형태에 따르면, 상기 구리층은, 상기 유전층 상에 직접도금방식으로 적층되는 것일 수 있다.According to one embodiment, the copper layer may be laminated on the dielectric layer by a direct plating method.
본 발명에 따른 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재는, 고주파 영역에서 저유전손실 특성을 가질 뿐만 아니라, 도금 작업성을 확보함으로써 동박 적층 시 직접도금법의 사용이 가능하여 계면에서의 도체 손실을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.The dielectric layer material for a flexible copper clad laminate board according to the present invention not only has low dielectric loss characteristics in the high frequency region, but also can reduce conductor loss at the interface by using a direct plating method when copper foil is laminated by securing plating workability. There is an effect.
구체적으로, 본 발명에 따른 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재는, 폴리이미드 필름이 표면층(스킨층)에 배치됨으로써 치수안정성, 열전정성, 내열성, 구리층의 무전해 직접도금성을 확보할 수 있으며, 저유전 필름이 내부층(코어층)에 배치됨으로써 고주파 영역에서도 저유전손실 특성을 확보할 수 있다.Specifically, the dielectric layer material for a flexible copper clad laminate substrate according to the present invention can secure dimensional stability, thermal conductivity, heat resistance, electroless direct plating of a copper layer by placing a polyimide film on the surface layer (skin layer), By disposing the low dielectric film on the inner layer (core layer), low dielectric loss characteristics can be secured even in a high frequency region.
본 발명에 따른 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재의 제조방법은, 접착층이 도포된 폴리이미드 필름과 저유전 필름을 핫프레싱으로 접합함으로써, 비교적 단순한 방법으로 폴리이미드 필름 및 저유전 필름의 접착성을 확보할 수 있다.The method for manufacturing a dielectric layer material for a flexible copper clad laminate substrate according to the present invention secures adhesion between a polyimide film and a low dielectric film in a relatively simple manner by bonding a polyimide film coated with an adhesive layer and a low dielectric film by hot pressing. can do.
본 발명에 따른 유전동박적층기판은, 고주파 영역에서 낮은 유전손실 및 도체 손실 특성을 나타냄으로써 전송 손실을 감소시킬 수 있는 효과가 있으며, 고주파 영역에서 통신 안테나용 소재로 적용 가능한 효과가 있다.The dielectric copper-clad laminate according to the present invention has an effect of reducing transmission loss by exhibiting low dielectric loss and conductor loss characteristics in a high frequency region, and has an effect applicable as a material for a communication antenna in a high frequency region.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따라 제조된 폴리이미드 기반 적층 필름인 유전층 소재를 간략히 도식화한 것이다.
도 2는, 본 발명의 또 다른 일 실시형태에 따라 제조된 폴리이미드 기반 적층 필름인 유전층 소재를 간략히 도식화한 것이다.1 is a schematic diagram of a dielectric layer material that is a polyimide-based laminated film manufactured according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic diagram of a dielectric layer material that is a polyimide-based laminated film manufactured according to another embodiment of the present invention.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 그러나, 실시예들에는 다양한 변경이 가해질 수 있어서 특허출원의 권리 범위가 이러한 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 실시예들에 대한 모든 변경, 균등물 내지 대체물이 권리 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, since various changes can be made to the embodiments, the scope of the patent application is not limited or limited by these embodiments. It should be understood that all changes, equivalents or substitutes to the embodiments are included within the scope of rights.
실시예에서 사용한 용어는 단지 설명을 목적으로 사용된 것으로, 한정하려는 의도로 해석되어서는 안된다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms used in the examples are used only for descriptive purposes and should not be construed as limiting. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as "include" or "have" are intended to designate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features It should be understood that the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the art to which the embodiment belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in the present application, they should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning. don't
또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 실시예의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.In addition, in the description with reference to the accompanying drawings, the same reference numerals are given to the same components regardless of reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted. In describing the embodiment, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the gist of the embodiment, the detailed description will be omitted.
또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the components of the embodiment, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, order, or order of the corresponding component is not limited by the term. When an element is described as being “connected,” “coupled to,” or “connected” to another element, that element may be directly connected or connected to the other element, but there may be another element between the elements. It should be understood that may be "connected", "coupled" or "connected".
어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Components included in one embodiment and components having common functions will be described using the same names in other embodiments. Unless stated to the contrary, descriptions described in one embodiment may be applied to other embodiments, and detailed descriptions will be omitted to the extent of overlap.
본 발명의 일 측면은, 저유전율 필름; 상기 저유전율 필름 상에 적층된 접착층; 및 상기 접착층 상에 적층된 폴리이미드 필름;을 포함하는, 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재를 제공한다.One aspect of the present invention, a low dielectric constant film; an adhesive layer laminated on the low dielectric constant film; And a polyimide film laminated on the adhesive layer; it provides a dielectric layer material for a flexible copper clad laminated board comprising a.
본 발명에 따른 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재는, 폴리이미드 필름이 표면층(스킨층)에 배치됨으로써 치수안정성, 열전정성, 내열성, 구리층의 무전해 직접도금성을 확보할 수 있으며, 저유전 필름이 내부층(코어층)에 배치됨으로써 고주파 영역에서도 저유전손실 특성을 확보할 수 있다.The dielectric layer material for a flexible copper clad laminate substrate according to the present invention can secure dimensional stability, thermal conductivity, heat resistance, electroless direct plating of a copper layer by placing a polyimide film on the surface layer (skin layer), and a low dielectric film. By being disposed in this inner layer (core layer), low dielectric loss characteristics can be secured even in a high frequency region.
또한, 유전층 소재로, 액정 고분자 필름(LCP Film) 또는 개질 폴리이미드 필름(Modified Polyimide Film)이 아닌 일반적인 폴리이미드 필름을 사용함으로써, 재료 비용 및 공정 비용을 현저히 감소시켜 생산 단가를 줄일 수 있는 장점이 있다.In addition, by using a general polyimide film rather than a liquid crystal polymer film (LCP Film) or a modified polyimide film as a material for the dielectric layer, there is an advantage in that the production cost can be reduced by significantly reducing material and process costs. there is.
일 실시형태에 따르면, 상기 저유전율 필름은, 퍼플루오로알콕시알칸(PFA), 폴리에테르케톤(PEK), 신디오택틱 폴리스티렌(SPS), 폴리설폰(PSU), 폴리에테르설폰(PES), 폴리아릴레이트(PAr), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리페닐렌설파이드(PPS) 및 폴리에테르에테르케톤(PEEK)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.According to one embodiment, the low dielectric constant film may include perfluoroalkoxyalkane (PFA), polyetherketone (PEK), syndiotactic polystyrene (SPS), polysulfone (PSU), polyethersulfone (PES), polyether It may include at least one selected from the group consisting of relate (PAr), polyetherimide (PEI), polyphenylene sulfide (PPS), and polyetheretherketone (PEEK).
상기 저유전율 필름은, 유전율이 낮은 고분자 재료를 포함함으로써, 상기 유전층 소재의 유전율을 감소시키는 기능을 수행하며, 특히, 고주파 영역에서 저유전율 특성을 확보할 수 있도록 한다.The low dielectric constant film, by including a polymer material having a low dielectric constant, performs a function of reducing the dielectric constant of the dielectric layer material, and in particular, it is possible to secure low dielectric constant characteristics in a high frequency region.
또한, 상기 저유전율 필름 내 포함되는 고분자 재료들은, 상업적으로 공급이 유용한 것으로 유전층 소재의 제조 용이성을 확보할 수 있다.In addition, the polymer materials included in the low dielectric constant film are commercially available and can secure the ease of manufacture of dielectric layer materials.
다만, 상기 저유전율 필름 내 포함되는 상기 고분자 성분들은, 도금 작업성이 떨어져 단독 사용 시 구리층 적층 시 계면 안정성을 확보할 수 있는 직접도금법을 사용할 수 없다는 한계가 있다.However, the polymer components included in the low dielectric constant film have poor plating workability, and when used alone, there is a limit in that a direct plating method capable of securing interfacial stability during copper layer lamination cannot be used.
본 발명에 따른 유전층 소재는, 상기의 한계점을 극복하기 위해, 저유전율 필름을 내부에 삽입하고 구리층이 적층되는 면 또는 표면층에 폴리이미드 필름을 적층함으로써, 저유전율 특성과 동시에 도금 작업성 또한 확보한 특징이 있다.In order to overcome the above limitations, the dielectric layer material according to the present invention secures both low dielectric constant characteristics and plating workability at the same time by inserting a low dielectric constant film into the inside and laminating a polyimide film on the surface layer or surface layer on which the copper layer is laminated. There is one feature.
일 실시형태에 따르면, 상기 저유전율 필름은, 퍼플루오로알콕시알칸(PFA), 폴리에테르케톤(PEK) 및 신디오택틱 폴리스티렌(SPS)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the low dielectric constant film may include at least one selected from the group consisting of perfluoroalkoxyalkane (PFA), polyetherketone (PEK), and syndiotactic polystyrene (SPS).
상기 퍼플루오로알콕시알칸(PFA), 폴리에테르케톤(PEK) 및 신디오택틱 폴리스티렌(SPS)는, 유전특성인 Dk과 Df 값이 보다 우수한 장점을 갖는다.The perfluoroalkoxyalkane (PFA), polyetherketone (PEK), and syndiotactic polystyrene (SPS) have superior dielectric characteristics, Dk and Df values.
일 실시형태에 따르면, 상기 접착층은, 에폭시계 접착제, 아크릴계 접착제, 폴리이미드계 접착제 및 불소계 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.According to one embodiment, the adhesive layer may include one or more selected from the group consisting of an epoxy-based adhesive, an acrylic-based adhesive, a polyimide-based adhesive, and a fluorine-based resin.
상기 접착층은, 경화성 접착제 성분을 포함할 수 있다.The adhesive layer may include a curable adhesive component.
상기 에폭시계 접착제, 아크릴계 접착제, 폴리이미드계 접착제 및 불소계 수지는, 당 업계에서 사용되는 접착제를 제한없이 사용할 수 있다.As the epoxy-based adhesive, acrylic adhesive, polyimide-based adhesive, and fluorine-based resin, adhesives used in the art may be used without limitation.
일례로, 상기 불소계 수지로는, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 퍼플루오로알콕시(PFA), 불소화(fluorinated)된 에틸렌프로필렌(FEP), 에틸렌테트라플루오로에틸렌(ETFE) 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.For example, as the fluorine-based resin, polytetrafluoroethylene (PTFE), perfluoroalkoxy (PFA), fluorinated ethylene propylene (FEP), ethylenetetrafluoroethylene (ETFE), or a mixture thereof can be used
일 실시형태에 따르면, 상기 저유전율 필름은, 복수 개 적층되어 용융 접합된 것일 수 있다.According to one embodiment, a plurality of the low-k films may be laminated and melt-bonded.
상기 저유전율 필름은, 복수 개 적층되어 다층을 형성함으로써 저유전율 특성 및 기계적 물성을 향상시킬 수 있다.A plurality of low dielectric constant films may be laminated to form a multilayer, thereby improving low dielectric constant characteristics and mechanical properties.
상기 적층되는 저유전율 필름은, 동일 성분 필름들을 사용할수 있고, 상이한 성분 필름들을 조합하여 다층으로 적층할 수 있다. For the low dielectric constant film to be laminated, identical component films may be used, or different component films may be combined and stacked in multiple layers.
상기 적층되는 저유전율 필름의 개수는 목표 유전율에 따라 조절될 수 있다.The number of laminated low dielectric constant films may be adjusted according to a target dielectric constant.
즉, 상기 적층되는 저유전율 필름의 성분 조합 및 개수 조절을 통해 유전율을 조절할 수 있다.That is, the permittivity can be adjusted by adjusting the combination of components and the number of the laminated low-k films.
일 실시형태에 따르면, 상기 저유전율 필름의 두께는, 20 ㎛ 내지 250 ㎛인 것일 수 있다.According to one embodiment, the thickness of the low dielectric constant film may be 20 μm to 250 μm.
바람직하게는, 20 ㎛ 내지 100 ㎛인 것일 수 있고, 더욱 바람직하게는, 20 ㎛ 내지 50 ㎛인 것일 수 있다.Preferably, it may be 20 μm to 100 μm, more preferably, it may be 20 μm to 50 μm.
상기 저유전율 필름의 두께가 상기 범위 미만일 경우, 저유전율 특성 구현이 어려울 수 있다. When the thickness of the low dielectric constant film is less than the above range, it may be difficult to implement low dielectric constant characteristics.
반면, 상기 저유전율 필름의 두께가 상기 범위를 초과할 경우, 기계적 물성과 내열성이 저하되는 문제점이 발생할 수 있다.On the other hand, when the thickness of the low dielectric constant film exceeds the above range, mechanical properties and heat resistance may deteriorate.
일 실시형태에 따르면, 상기 접착층의 두께는, 0.5 ㎛ 내지 50 ㎛인 것일 수 있다.According to one embodiment, the adhesive layer may have a thickness of 0.5 μm to 50 μm.
바람직하게는, 0.8 ㎛ 내지 30 ㎛인 것일 수 있고, 더욱 바람직하게는, 1 ㎛ 내지 20 ㎛인 것일 수 있다.Preferably, it may be 0.8 μm to 30 μm, more preferably, it may be 1 μm to 20 μm.
상기 접착층의 두께가 상기 범위 미만일 경우, 저유전율 필름 및 폴리이미드 필름이 박리될 수 있다. When the thickness of the adhesive layer is less than the above range, the low dielectric constant film and the polyimide film may be separated.
반면, 상기 접착층의 두께가 상기 범위를 초과할 경우, 저유전율 특성 구현이 어려울 수 있다.On the other hand, when the thickness of the adhesive layer exceeds the above range, it may be difficult to implement low dielectric constant characteristics.
일 실시형태에 따르면, 상기 폴리이미드 필름은, 상기 접착층과 접합되지 않은 면의 표면 조도(Ra)가, 1 ㎛ 이하인 것일 수 있다.According to one embodiment, the polyimide film may have a surface roughness (Ra) of 1 μm or less on a surface not bonded to the adhesive layer.
본 발명에 있어서, 상기 표면 조도(Ra)는 원자 현미경(atomic force microscope : AFM) 분석을 통하여 측정된 것일 수 있다. 일례로, 상기 표면 조도(Ra)는 AFM(Multimode IVa, Veeco) 분석을 통하여 확인된 것일 수 있다.In the present invention, the surface roughness (Ra) may be measured through atomic force microscope (AFM) analysis. As an example, the surface roughness (Ra) may be confirmed through AFM (Multimode IVa, Veeco) analysis.
상기 폴리이미드 필름에 있어서, 상기 접착층과 접합되지 않은 면의 표면 조도(Ra)가 상기 범위를 초과한 값을 가질 경우, 고주파 영역에서 도체 손실이 증가할 수 있다. In the polyimide film, when the surface roughness (Ra) of a surface not bonded to the adhesive layer has a value exceeding the above range, conductor loss may increase in a high frequency region.
상기 폴리이이드 필름에 있어서, 상기 접착층과 접합되지 않은 면은, 표면층 또는 스킨층으로 유연 동박 적층 기판(FCCL) 제조 시 구리층이 적층되는 면을 의미할 수 있다.In the polyide film, the surface not bonded to the adhesive layer may mean a surface layer or a skin layer on which a copper layer is laminated when manufacturing a flexible copper clad laminated board (FCCL).
일반적으로, 유연 동박 적층 기판(FCCL)은 유전층 상에 구리층이 적층되는데, 유전층과 구리층 사이 계면에서 도체 손실이 발생한다.In general, a copper layer is laminated on a dielectric layer in a flexible copper clad laminate board (FCCL), and conductor loss occurs at an interface between the dielectric layer and the copper layer.
Skin effect에 의해 주파수가 높아짐에 따라 도체 표면을 따라 전류 또는 전하가 흐르게 되는 성질이 증가하는데, 이 때 도체 표면 조도는 도체 손실에 영향을 주는 요인이 된다. 일례로, 고주파 영역(28 GHz)에서 유전층 표면으로부터 0.4 ㎛ 이내의 영역에서 전류가 흐른다는 결과가 보고된 바 있다.As the frequency increases due to the skin effect, the property of current or charge flowing along the conductor surface increases, and at this time, the conductor surface roughness becomes a factor influencing conductor loss. For example, it has been reported that current flows in a region within 0.4 μm from the dielectric layer surface in a high frequency region (28 GHz).
따라서, 상기 폴리이미드 필름의 표면 조도(Ra)는, 도체 손실을 감소시키기 위한 핵심적 요소일 수 있다.Therefore, the surface roughness (Ra) of the polyimide film may be a key factor for reducing conductor loss.
또한, 상기 표면 조도를 개선하기 위해서는, 폴리이미드 필름 표면에 구리층 적층 시 증착 도금법 또는 직접도금법을 사용하는 것이 바람직하다.In addition, in order to improve the surface roughness, it is preferable to use a deposition plating method or a direct plating method when depositing a copper layer on the surface of the polyimide film.
일 실시형태에 따르면, 상기 폴리이미드 필름의 두께는, 5 ㎛ 내지 50 ㎛인 것일 수 있다.According to one embodiment, the thickness of the polyimide film may be 5 μm to 50 μm.
바람직하게는, 8 ㎛ 내지 40 ㎛인 것일 수 있고, 더욱 바람직하게는, 10 ㎛ 내지 30 ㎛인 것일 수 있다.Preferably, it may be 8 μm to 40 μm, more preferably, it may be 10 μm to 30 μm.
상기 폴리이미드 필름의 두께가 상기 범위 미만일 경우, 적층 필름의 내열성, 내화학성, 치수 안정성, 기계적 강도가 저하될 수 있다.When the thickness of the polyimide film is less than the above range, heat resistance, chemical resistance, dimensional stability, and mechanical strength of the laminated film may be deteriorated.
반면, 상기 폴리이미드 필름의 두께가 상기 범위를 초과할 경우, 유전율이 증가하며 특히 고주파수 영역에서 저유전율 특성 구현이 어려울 수 있다.On the other hand, when the thickness of the polyimide film exceeds the above range, the dielectric constant increases, and it may be difficult to implement low dielectric constant characteristics, particularly in a high frequency region.
일 실시형태에 따르면, 상기 폴리이미드 필름 및 상기 저유전율 필름의 두께비는, 1 : 1 내지 1 : 10인 것일 수 있다.According to one embodiment, the thickness ratio of the polyimide film and the low dielectric constant film may be 1:1 to 1:10.
바람직하게는, 1 : 1 내지 1 : 5인 것일 수 있고, 더욱 바람직하게는, 1 : 1 내지 1 : 3인 것일 수 있다.Preferably, it may be 1:1 to 1:5, and more preferably, it may be 1:1 to 1:3.
상기 폴리이미드 필름의 두께가 상기 범위를 벗어나 상대적으로 두꺼워질 경우, 유전율이 증가하여 저유전율 구현이 어려울 수 있다.When the thickness of the polyimide film is out of the above range and becomes relatively thick, it may be difficult to implement a low dielectric constant due to an increase in dielectric constant.
반면, 상기 저유전율 필름의 두께가 상기 범위를 벗어나 상대적으로 두꺼워질 경우, 상기 유전층 소재의 내열성, 내화학성, 기계적 물성이 저하될 수 있다.On the other hand, when the thickness of the low dielectric constant film is out of the above range and becomes relatively thick, heat resistance, chemical resistance, and mechanical properties of the dielectric layer material may be deteriorated.
즉, 상기 비율은, 유전층 소재의 저유전율 특성, 내열성, 기계적 물성을 동시 확보할 수 있는 최적 범위일 수 있다.That is, the ratio may be in an optimal range capable of simultaneously securing low dielectric constant characteristics, heat resistance, and mechanical properties of the dielectric layer material.
일 실시형태에 따르면, 상기 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재는, 두께가 40 ㎛ 내지 450 ㎛인 것일 수 있다.According to one embodiment, the dielectric layer material for the flexible copper clad laminated board may have a thickness of 40 μm to 450 μm.
바람직하게는, 45 ㎛ 내지 300 ㎛인 것일 수 있고, 더욱 바람직하게는, 50 ㎛ 내지 200 ㎛인 것일 수 있다.Preferably, it may be 45 μm to 300 μm, more preferably, it may be 50 μm to 200 μm.
상기 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재의 두께가 상기 범위 미만일 경우 기계적 물성 저하가 일어날 수 있고, 상기 범위를 초과할 경우 유연성이 저하될 수 있다.When the thickness of the dielectric layer material for the flexible copper clad laminate substrate is less than the above range, mechanical properties may be deteriorated, and when it exceeds the above range, flexibility may be reduced.
일 실시형태에 따르면, 상기 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재는, 1 GHz의 주파수에서, 유전율(Dk)이 3.3 Dk 이하이고, 유전정접(Df)이 0.015 이하인 것일 수 있다.According to one embodiment, the dielectric layer material for the flexible copper clad laminate substrate may have a dielectric constant (Dk) of 3.3 Dk or less and a dielectric loss tangent (Df) of 0.015 or less at a frequency of 1 GHz.
본 발명에 따른 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재는, 고주파수에서 유전특성이 우수한 장점을 갖는다.The dielectric layer material for a flexible copper clad laminate substrate according to the present invention has an advantage of excellent dielectric properties at high frequencies.
특히, 고주파수 영역에서 저유전율 특성을 가지면서도, 내열성, 내화학성, 기계적 물성이 우수한 특징이 있다.In particular, it has characteristics of excellent heat resistance, chemical resistance, and mechanical properties while having low permittivity characteristics in a high frequency region.
본 발명의 다른 측면은, 폴리이미드 필름의 일면에 접착제를 도포하여, 접착층이 코팅된 폴리이미드 필름을 제조하는 단계; 및 상기 접착층 상에 저유전율 필름을 적층 및 접합하는 단계;를 포함하는, 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재의 제조방법을 제공한다.Another aspect of the present invention is to prepare a polyimide film coated with an adhesive layer by applying an adhesive to one surface of the polyimide film; And laminating and bonding a low dielectric constant film on the adhesive layer; it provides a method for manufacturing a dielectric layer material for a flexible copper clad laminate substrate, including.
본 발명의 또 다른 측면은, 폴리이미드 필름의 일면에 접착제를 도포하여, 접착층이 코팅된 폴리이미드 필름을 제조하는 단계; 상기 접착층이 코팅된 폴리이미드 필름 두 개를 각각의 접착층이 서로 마주하도록 배치하는 단계; 및 상기 서로 마주하도록 배치된 접착층들 사이에 저유전율 필름을 삽입하고 접합하는 단계;를 포함하는, 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재의 제조방법을 제공한다.Another aspect of the present invention is to prepare a polyimide film coated with an adhesive layer by applying an adhesive to one surface of the polyimide film; disposing the two polyimide films coated with the adhesive layer so that the respective adhesive layers face each other; and inserting and bonding a low dielectric constant film between the adhesive layers disposed to face each other.
상기 폴리이미드 필름, 접착층, 저유전율 필름의 각 특성은 상기 언급한 것과 동일하다.Each characteristic of the polyimide film, adhesive layer, and low dielectric constant film is the same as described above.
본 발명에 따른 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재의 제조방법은, 접착층이 도포된 폴리이미드 필름과 저유전 필름을 핫프레싱으로 접합함으로써, 비교적 단순한 방법으로 폴리이미드 필름 및 저유전 필름이 접착된 유전층 소재를 제조할 수 있는 효과가 있다.The method for manufacturing a dielectric layer material for a flexible copper clad laminate substrate according to the present invention is a dielectric layer material to which a polyimide film and a low dielectric film are bonded in a relatively simple manner by bonding a polyimide film and a low dielectric film to which an adhesive layer is applied by hot pressing. There is an effect that can manufacture.
일 실시형태에 따르면, 상기 접합은, 200 ℃ 내지 500 ℃의 온도에서, 3 MPa 내지 5 MPa의 압력의 핫프레싱에 의하여 수행되는 것일 수 있다.According to one embodiment, the bonding may be performed by hot pressing at a temperature of 200 °C to 500 °C and a pressure of 3 MPa to 5 MPa.
상기 접합 시 온도 조건은, 상기 접착제의 융점을 고려하여 상기 범위 내에서 조절될 수 있다.The temperature condition during the bonding may be adjusted within the above range in consideration of the melting point of the adhesive.
상기 온도 및 압력 범위 미만의 조건으로 핫프레싱이 수행될 경우, 폴리이미드 필름과 저유전율 필름 사이에 접합이 충분히 이루어지지 않아 박리가 발생할 수 있다.When hot pressing is performed under conditions below the above temperature and pressure ranges, bonding between the polyimide film and the low dielectric constant film is not sufficiently performed, and peeling may occur.
반면, 상기 온도 및 압력 범위를 초과한 조건으로 핫프레싱이 수행될 경우, 공정 효율성이 저하될 수 있고, 유전층 소재내 결함이 발생할 수 있다.On the other hand, if hot pressing is performed under conditions exceeding the above temperature and pressure ranges, process efficiency may be reduced and defects may occur in the dielectric layer material.
본 발명의 다른 측면은, 상기 유연 동박 적층 기판용 유전층 소재를 포함하는, 유전층; 및 상기 유전층 상에 적층된 구리층;을 포함하는, 유연 동박 적층 기판을 제공한다.Another aspect of the present invention, a dielectric layer comprising a dielectric layer material for the flexible copper clad laminated board; and a copper layer laminated on the dielectric layer.
일 실시형태에 따르면, 상기 구리층은, 상기 유전층 상에 직접도금방식으로 적층되는 것일 수 있다.According to one embodiment, the copper layer may be laminated on the dielectric layer by a direct plating method.
여기서, 상기 직접도금방식은, 상기 유전층 표면에 무전해 구리 도금 또는 무전해 니켈 도금을 수행하여 유전층 표면에 도전성을 부여한 후, 그 위에 전해 구리 도금 또는 무전해 구리 도금을 수행하여 구리층을 형성시키는 방식을 의미할 수 있다.Here, in the direct plating method, electroless copper plating or electroless nickel plating is performed on the surface of the dielectric layer to impart conductivity to the surface of the dielectric layer, and then electrolytic copper plating or electroless copper plating is performed thereon to form a copper layer. can mean the way
이 때, 상기 유전층 표면에는, 구리층 접착을 위한 물리적인 표면 러프닝(surface roughening) 공정이 수행되지 않아 유전층 표면과 구리층 계면에 미세 요철이 발생하지 않으며, 이에 따라 고주파 신호 전송 시 도체 표피 효과가 억제되어 신호 손실이 감소할 수 있다.At this time, on the surface of the dielectric layer, a physical surface roughening process for bonding the copper layer is not performed, so that fine irregularities do not occur at the interface between the surface of the dielectric layer and the copper layer, and thus the conductor skin effect during high frequency signal transmission. is suppressed and signal loss can be reduced.
즉, 본 발명에 따른 유연 동박 적층 기판은, 유전층 상에 직접도금방식을 사용하여 구리층을 적층함으로써, 구리층과 접하는 유전층 표면 증 접합면의 표면 조도를 개선할 수 있으며, 이를 통해 도체 손실을 감소 시킬 수 있다.That is, in the flexible copper clad laminate substrate according to the present invention, by laminating a copper layer on a dielectric layer using a direct plating method, the surface roughness of the junction surface of the dielectric layer contacting the copper layer can be improved, thereby reducing conductor loss. can reduce
상기 유연 동박 적층 기판은, 유전손실 및 도체손실이 낮아 전송 손실을 감소시킬 수 있으며, 특히, 고주파 영역에서 전송손실을 감소시켜 통신성능을 향상시킬 수 있다.The flexible copper clad laminate substrate has low dielectric loss and conductor loss, so transmission loss can be reduced, and in particular, communication performance can be improved by reducing transmission loss in a high frequency region.
상기 유연 동박 적층 기판은, 5G 통신 안테나에 적용될 수 있으며, 고주파 영역(3.5GHz, 28GHz)에서 우수한 통신 성능을 확보할 수 있다.The flexible copper clad laminate substrate can be applied to a 5G communication antenna and can secure excellent communication performance in a high frequency region (3.5 GHz, 28 GHz).
일 실시형태에 따르면, 상기 유전층은, 상기 구리층 형성을 위한 구리 도금 전에 표면 개질 처리하는 것일 수 있다. According to one embodiment, the dielectric layer may be surface modified before copper plating for forming the copper layer.
이하, 실시예 및 비교예에 의하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by examples and comparative examples.
단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.However, the following examples are only for illustrating the present invention, and the content of the present invention is not limited to the following examples.
<실시예 1> <Example 1>
에폭시 접착제가 한 면에 코팅된 폴리이미드 필름(PI-EP-23)의 사이에 저유전율 필름으로 PFA 필름(PFA-23)을 넣고, 160 ℃의 온도에서 3 MPa의 압력을 가하여1시간 동안 핫프레싱함으로써 폴리이미드 필름층과 저유전 PFA 필름층을 접합하였다. Put a PFA film (PFA-23) as a low dielectric constant film between the polyimide film (PI-EP-23) coated on one side with an epoxy adhesive, and apply a pressure of 3 MPa at a temperature of 160 ° C for 1 hour. The polyimide film layer and the low dielectric PFA film layer were bonded by pressing.
이어서, 적층 필름이 급격히 냉각하면서 수축하고 주름이 생기는 것을 방지하기 위해 상온으로 서서히 냉각시켜 스킨층(PI)/코어층(PFA)/스킨층(PI) 구조를 갖는 폴리이미드 기반 적층 필름을 제조하였다. Then, in order to prevent shrinkage and wrinkles while rapidly cooling the laminated film, it was gradually cooled to room temperature to prepare a polyimide-based laminated film having a skin layer (PI) / core layer (PFA) / skin layer (PI) structure. .
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따라 제조된 폴리이미드 기반 적층 필름인 유전층 소재를 간략히 도식화한 것이다.1 is a schematic diagram of a dielectric layer material, which is a polyimide-based laminated film manufactured according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 유전층 소재는, 코어층인 내부에는 저유전율 필름이 배치되고, 스킨층인 표면에는 폴리이미드 필름이 배치된 형태임을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 1 , it can be confirmed that the dielectric layer material according to an embodiment of the present invention has a low dielectric constant film disposed inside the core layer and a polyimide film disposed on the surface, which is the skin layer.
도 2는, 본 발명의 또 다른 일 실시형태에 따라 제조된 폴리이미드 기반 적층 필름인 유전층 소재를 간략히 도식화한 것이다.2 is a schematic diagram of a dielectric layer material, which is a polyimide-based laminated film manufactured according to another embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 유전층 소재는, 저유전율 필름 상에 접착층이 적층되고, 상기 접착층 상에 폴리이미드 필름이 배치된 형태임을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 2 , it can be confirmed that the dielectric layer material according to an embodiment of the present invention has a form in which an adhesive layer is laminated on a low dielectric constant film and a polyimide film is disposed on the adhesive layer.
<실시예 2> <Example 2>
저유전율 필름으로 PFA-50을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 사용하여 폴리이미드 기반 적층 필름을 제조하였다.A polyimide-based laminated film was prepared in the same manner as in Example 1, except that PFA-50 was used as the low dielectric constant film.
<실시예 3> <Example 3>
저유전율 필름으로 SPS-35를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 사용하여 폴리이미드 기반 적층 필름을 제조하였다.A polyimide-based laminated film was prepared in the same manner as in Example 1, except that SPS-35 was used as the low dielectric constant film.
<실시예 4> <Example 4>
저유전율 필름으로 PEEK-26을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 사용하여 폴리이미드 기반 적층 필름을 제조하였다.A polyimide-based laminated film was prepared in the same manner as in Example 1, except that PEEK-26 was used as the low dielectric constant film.
<실시예 5> <Example 5>
폴리이미드 필름으로 PI-EP-28을 사용하고 저유전율 필름으로 PFA-25를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 사용하여 폴리이미드 기반 적층 필름을 제조하였다.A polyimide-based laminated film was prepared in the same manner as in Example 1, except that PI-EP-28 was used as the polyimide film and PFA-25 was used as the low dielectric constant film.
<실시예 6> <Example 6>
폴리이미드 필름으로 PI-EP-28을 사용하고 저유전율 필름으로 PFA-50를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 사용하여 폴리이미드 기반 적층 필름을 제조하였다.A polyimide-based laminated film was prepared in the same manner as in Example 1, except that PI-EP-28 was used as the polyimide film and PFA-50 was used as the low dielectric constant film.
<실시예 7> <Example 7>
폴리이미드 필름으로 PI-EP-28을 사용하고 저유전율 필름으로 SPS-35를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 사용하여 폴리이미드 기반 적층 필름을 제조하였다.A polyimide-based laminated film was prepared in the same manner as in Example 1, except that PI-EP-28 was used as the polyimide film and SPS-35 was used as the low dielectric constant film.
<실시예 8> <Example 8>
폴리이미드 필름으로 PI-EP-28을 사용하고, 저유전율 필름으로 PEEK-26을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 사용하여 폴리이미드 기반 적층 필름을 제조하였다.A polyimide-based laminated film was prepared in the same manner as in Example 1, except that PI-EP-28 was used as the polyimide film and PEEK-26 was used as the low dielectric constant film.
<실시예 9> <Example 9>
폴리이미드 필름(PI-TPI-25) 사이에 저유전율 필름 PFA-25를 2장 적층하여 넣고, 300 ℃의 온도에서 5 MPa의 압력을 가하여 35분 동안 핫프레싱함으로써 폴리이미드 필름층과 저유전 필름층을 접합한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 폴리이미드 기반 적층 필름을 제조하였다.Two sheets of low dielectric constant film PFA-25 were laminated between polyimide films (PI-TPI-25), and hot-pressed for 35 minutes at a temperature of 300 ° C. by applying a pressure of 5 MPa to obtain a polyimide film layer and a low dielectric constant film. A polyimide-based laminated film was prepared in the same manner as in Example 1, except that the layers were bonded.
폴리이미드 필름으로 PI-TPI-25를 이용한 경우, 폴리이미드계 접착제(TPI)의 접착을 위하여 고온인 300 ℃에서 접착을 실시하였으며, 그 결과 저유전율 필름인 PFA-25도 용융 접착되어 다층의 안정한 폴리이미드 필름이 성공적으로 제작되었다.In the case of using PI-TPI-25 as a polyimide film, bonding was performed at a high temperature of 300 ° C for bonding of the polyimide-based adhesive (TPI). A polyimide film was successfully fabricated.
<실시예 10> <Example 10>
폴리이미드 필름(PI-TPI-25) 사이에 저유전율 필름 PFA-25를 16장 적층하여 넣고, 300 ℃의 온도에서 5 MPa의 압력을 가하여 35분 동안 핫프레싱함으로써 폴리이미드 필름층과 저유전 필름층을 접합한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 폴리이미드 기반 적층 필름을 제조하였다.16 sheets of low dielectric constant film PFA-25 were laminated between polyimide films (PI-TPI-25), and hot-pressed for 35 minutes by applying a pressure of 5 MPa at a temperature of 300 ° C. A polyimide-based laminated film was prepared in the same manner as in Example 1, except that the layers were bonded.
<실시예 11> <Example 11>
폴리이미드 필름(PI-TPI-25) 사이에 저유전율 필름 PFA-50을 1장 넣고, 300 ℃의 온도에서 5 MPa의 압력을 가하여 35분 동안 핫프레싱함으로써 폴리이미드 필름층과 저유전 필름층을 접합한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 폴리이미드 기반 적층 필름을 제조하였다.One sheet of low dielectric constant film PFA-50 was placed between the polyimide films (PI-TPI-25), and hot-pressing for 35 minutes at a temperature of 300 ° C. and applying a pressure of 5 MPa to form a polyimide film layer and a low dielectric constant film layer. Except for bonding, a polyimide-based laminated film was prepared in the same manner as in Example 1.
<실시예 12> <Example 12>
폴리이미드 필름(PI-TPI-25) 사이에 저유전율 필름 PFA-50을 8장 적층하여 넣고, 300 ℃의 온도에서 5 MPa의 압력을 가하여 35분 동안 핫프레싱함으로써 폴리이미드 필름층과 저유전 필름층을 접합한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 폴리이미드 기반 적층 필름을 제조하였다.8 sheets of low dielectric constant film PFA-50 were laminated between polyimide films (PI-TPI-25), and hot-pressed for 35 minutes at a temperature of 300 ° C. by applying a pressure of 5 MPa to obtain a polyimide film layer and a low dielectric constant film. A polyimide-based laminated film was prepared in the same manner as in Example 1, except that the layers were bonded.
<비교예 1 - 7><Comparative Examples 1 to 7>
저유전율 필름이 접합되지 않은 접착제만이 도포된 폴리이미드 필름 또는 저유전율 필름인 PI-TPI-25, PI-EP-23, PI-EP-28, PFA-25, PFA-50, SPS-35 및 PEEK-26을 각 비교예로 사용하였다.PI-TPI-25, PI-EP-23, PI-EP-28, PFA-25, PFA-50, SPS-35 and PEEK-26 was used in each comparative example.
<실험예 1> 유전율 및 유전 정접 측정<Experimental Example 1> Measurement of permittivity and dielectric loss tangent
임피던스분석기(Agilent E4991A)를 이용하여 1 MHz에서 1 GHz의 주파수 범위에서 각 필름(실시예 1 내지 12, 비교예 1 내지 7 )의 유전율 및 유전정접 값을 측정하였다.The dielectric constant and dielectric loss tangent of each film (Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 7) were measured in the frequency range of 1 MHz to 1 GHz using an impedance analyzer (Agilent E4991A).
<실험예 2> 필름 두께 측정<Experimental Example 2> Film thickness measurement
실시예 및 비교예에서 제조된 필름의 두께는 마이크로미터(mircometer) 장비를 이용하여 측정하였다.The thickness of the films prepared in Examples and Comparative Examples was measured using a micrometer (mircometer) equipment.
실시예 및 비교예의 구체적인 적층 필름 구성과 유전율, 유전정접, 최종 두께 측정 결과를 하기 표 1에 나타내었다.Table 1 below shows specific laminated film configurations, dielectric constant, dielectric loss tangent, and final thickness measurement results of Examples and Comparative Examples.
여기서, 시료명 뒷부분의 숫자는 필름의 두께를 의미한다.Here, the number at the end of the sample name means the thickness of the film.
(융점, ℃)low dielectric film
(melting point, ℃)
적층수
(장)low dielectric film
number of layers
(page)
(um)Final Laminated Film Thickness
(um)
(1GHz)permittivity
(1GHz)
(1GHz)dielectric loss tangent
(1GHz)
(295 ℃)PFA-25
(295℃)
(295 ℃)PFA-50
(295℃)
(271 ℃)SPS-35
(271 ℃)
(343 ℃)PEEK-26
(343 ℃)
표 1 을 잠조하면, 폴리이미드 필름층과 한장의 PFA 저유전율 필름층이 접합된 적층 필름의 유전율과 유전정접의 값은, 폴리이미드 필름의 유전율, 유전정접 값과 PFA 저유전율 필름의 유전율, 유전정접 값의 사이 값을 가짐을 확인할 수 있다.Referring to Table 1, the dielectric constant and dielectric loss tangent of the multilayer film in which the polyimide film layer and one PFA low dielectric constant film layer are bonded are the dielectric constant, dielectric loss tangent of the polyimide film and the dielectric constant, dielectric constant of the PFA low dielectric constant film. It can be confirmed that it has a value between the tangent values.
또한, PFA의 적층 수가 증가할 수로 유전율 및 유전정접 값이 PFA 기본값에 가까워 짐을 확인할 수 있다.In addition, as the number of layers of PFA increases, it can be confirmed that the permittivity and dielectric loss tangent values approach the PFA default value.
실시예들의 1 GH에서의 유전율(Dk) 1 GH에서 2 내지 3.3 범위 내로 나타났고, 유전정접(Df)은 0.00008 내지 0.012 범위 내로 측정되었다.The dielectric constant (Dk) at 1 GH of the examples was found to be in the range of 2 to 3.3 at 1 GH, and the dielectric loss tangent (Df) was measured to be in the range of 0.00008 to 0.012.
표 1의 결과를 참조하면, PFA를 저유전율 필름으로 사용한 실시예들의 경우, 저유전율 필름(비교예 5,6)과 비교하여 유전율이 다소 증가하긴 하나, 폴리이미드 필름을 단독으로 사용한 경우(비교예 1-3)와 비교하여 유전율이 현저히 떨어졌음을 알 수 있다.Referring to the results of Table 1, in the case of examples using PFA as a low dielectric constant film, although the dielectric constant slightly increased compared to the low dielectric constant film (Comparative Examples 5 and 6), when a polyimide film was used alone (comparison Compared to Example 1-3), it can be seen that the permittivity is remarkably lowered.
즉, 실시예들의 경우 표면층 또는 스킨층에 폴리이미드 필름층을 배치함에 따라 최종 적층 필름의 우수한 치수 안정성, 열안정성 및 남땜 내열성을 확보하면서, 무전해 직접 도금을 통한 구리층의 형성을 가능하게 하며, 내부층 또는 코어층에 저유전율 필름을 배치함으로써 최종 적층 필름의 저유전율 특성 또한 확보할 수 있음을 알 수 있다. That is, in the case of the embodiments, by disposing the polyimide film layer on the surface layer or the skin layer, it is possible to form a copper layer through electroless direct plating while securing excellent dimensional stability, thermal stability, and soldering heat resistance of the final laminated film, , it can be seen that the low dielectric constant property of the final laminated film can also be secured by disposing the low dielectric constant film on the inner layer or the core layer.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기를 기초로 다양한 기술적 수정 및 변형을 적용할 수 있다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described with limited drawings, those skilled in the art can apply various technical modifications and variations based on the above. For example, the described techniques may be performed in an order different from the method described, and/or components of the described system, structure, device, circuit, etc. may be combined or combined in a different form than the method described, or other components may be used. Or even if it is replaced or substituted by equivalents, appropriate results can be achieved.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents of the claims are within the scope of the following claims.
Claims (16)
상기 저유전율 필름 상에 적층된 접착층; 및
상기 접착층 상에 적층된 폴리이미드 필름;
을 포함하는,
유연 동박 적층 기판용 유전층 소재.
low dielectric constant film;
an adhesive layer laminated on the low dielectric constant film; and
a polyimide film laminated on the adhesive layer;
including,
Dielectric layer material for flexible copper clad laminated boards.
상기 저유전율 필름은,
퍼플루오로알콕시알칸(PFA), 폴리에테르케톤(PEK), 신디오택틱 폴리스티렌(SPS), 폴리설폰(PSU), 폴리에테르설폰(PES), 폴리아릴레이트(PAr), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리페닐렌설파이드(PPS) 및 폴리에테르에테르케톤(PEEK)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,
유연 동박 적층 기판용 유전층 소재.
According to claim 1,
The low dielectric constant film,
Perfluoroalkoxyalkane (PFA), polyetherketone (PEK), syndiotactic polystyrene (SPS), polysulfone (PSU), polyethersulfone (PES), polyarylate (PAr), polyetherimide (PEI) , To include at least one selected from the group consisting of polyphenylene sulfide (PPS) and polyether ether ketone (PEEK),
Dielectric layer material for flexible copper clad laminated boards.
상기 접착층은,
에폭시계 접착제, 아크릴계 접착제, 폴리이미드계 접착제 및 불소계 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,
유연 동박 적층 기판용 유전층 소재.
According to claim 1,
The adhesive layer is
To include at least one selected from the group consisting of epoxy-based adhesives, acrylic adhesives, polyimide-based adhesives and fluorine-based resins,
Dielectric layer material for flexible copper clad laminated boards.
상기 저유전율 필름은,
복수 개 적층되어 용융 접합된 것인,
유연 동박 적층 기판용 유전층 소재.
According to claim 1,
The low dielectric constant film,
A plurality of layers are laminated and melt-bonded,
Dielectric layer material for flexible copper clad laminated boards.
상기 저유전율 필름의 두께는,
20 ㎛ 내지 250 ㎛인 것인,
유연 동박 적층 기판용 유전층 소재.
According to claim 1,
The thickness of the low dielectric constant film is,
20 μm to 250 μm,
Dielectric layer material for flexible copper clad laminated boards.
상기 접착층의 두께는,
0.5 ㎛ 내지 50 ㎛인 것인,
유연 동박 적층 기판용 유전층 소재.
According to claim 1,
The thickness of the adhesive layer is
0.5 μm to 50 μm,
Dielectric layer material for flexible copper clad laminated boards.
상기 폴리이미드 필름은,
상기 접착층과 접합되지 않은 면의 표면 조도(Ra)가, 1 ㎛ 이하인 것인,
유연 동박 적층 기판용 유전층 소재.
According to claim 1,
The polyimide film,
The surface roughness (Ra) of the surface not bonded with the adhesive layer is 1 μm or less,
Dielectric layer material for flexible copper clad laminated boards.
상기 폴리이미드 필름의 두께는,
5 ㎛ 내지 50 ㎛인 것인,
유연 동박 적층 기판용 유전층 소재.
According to claim 1,
The thickness of the polyimide film,
5 μm to 50 μm,
Dielectric layer material for flexible copper clad laminated boards.
상기 폴리이미드 필름 및 상기 저유전율 필름의 두께비는,
1 : 1 내지 1 : 10인 것인,
유연 동박 적층 기판용 유전층 소재.
According to claim 1,
The thickness ratio of the polyimide film and the low dielectric constant film,
1: 1 to 1: 10,
Dielectric layer material for flexible copper clad laminated boards.
두께가 40 ㎛ 내지 450 ㎛인 것인,
유연 동박 적층 기판용 유전층 소재.
According to claim 1,
The thickness is 40 μm to 450 μm,
Dielectric layer material for flexible copper clad laminated boards.
1 GHz의 주파수에서,
유전율(Dk)이 3.3 Dk 이하이고, 유전정접(Df)이 0.015 이하인 것인,
유연 동박 적층 기판용 유전층 소재.
According to claim 1,
At a frequency of 1 GHz,
The dielectric constant (Dk) is 3.3 Dk or less, and the dielectric loss tangent (Df) is 0.015 or less,
Dielectric layer material for flexible copper clad laminated boards.
상기 접착층 상에 저유전율 필름을 적층 및 접합하는 단계;
를 포함하는,
유연 동박 적층 기판용 유전층 소재의 제조방법.
preparing an adhesive layer-coated polyimide film by applying an adhesive to one surface of the polyimide film; and
laminating and bonding a low dielectric constant film on the adhesive layer;
including,
Manufacturing method of dielectric layer material for flexible copper clad laminated board.
상기 접착층이 코팅된 폴리이미드 필름 두 개를 각각의 접착층이 서로 마주하도록 배치하는 단계; 및
상기 서로 마주하도록 배치된 접착층들 사이에 저유전율 필름을 삽입하고 접합하는 단계;
를 포함하는,
유연 동박 적층 기판용 유전층 소재의 제조방법.
preparing an adhesive layer-coated polyimide film by applying an adhesive to one surface of the polyimide film;
disposing the two polyimide films coated with the adhesive layer so that the respective adhesive layers face each other; and
inserting and bonding a low dielectric constant film between the adhesive layers arranged to face each other;
including,
Manufacturing method of dielectric layer material for flexible copper clad laminated board.
상기 접합은,
200 ℃ 내지 500 ℃의 온도에서, 3 MPa 내지 5 MPa의 압력의 핫프레싱에 의하여 수행되는 것인,
유연 동박 적층 기판용 유전층 소재의 제조방법.
According to claim 13,
The junction is
At a temperature of 200 ℃ to 500 ℃, carried out by hot pressing at a pressure of 3 MPa to 5 MPa,
Manufacturing method of dielectric layer material for flexible copper clad laminated board.
상기 유전층 상에 적층된 구리층;
을 포함하는,
유연 동박 적층 기판.
A dielectric layer comprising the dielectric layer material for a flexible copper clad laminated board of claim 1; and
a copper layer laminated on the dielectric layer;
including,
Flexible copper clad laminated board.
상기 구리층은, 상기 유전층 상에 직접도금방식으로 적층되는 것인,
유연 동박 적층 기판.According to claim 15,
The copper layer is laminated on the dielectric layer by a direct plating method,
Flexible copper clad laminated board.
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---|---|---|---|---|
JPH07122825A (en) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Sharp Corp | Solid molded circuit substrate and its manufacture |
JPH10338809A (en) * | 1997-04-08 | 1998-12-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | Composite film comprising low-permittivity resin and p-directing polyamide, prepreg thereof and use thereof |
WO2013172355A1 (en) * | 2012-05-14 | 2013-11-21 | 新日鉄住金化学株式会社 | Polyimide layer-containing flexible substrate, polyimide layer-containing substrate for flexible solar cell, flexible solar cell, and method for producing same |
KR20180009213A (en) * | 2016-07-18 | 2018-01-26 | 주식회사 디케이티 | Flexible printed circuit board comprising low permittivity material |
-
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- 2021-10-15 KR KR1020210137606A patent/KR102543589B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07122825A (en) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Sharp Corp | Solid molded circuit substrate and its manufacture |
JPH10338809A (en) * | 1997-04-08 | 1998-12-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | Composite film comprising low-permittivity resin and p-directing polyamide, prepreg thereof and use thereof |
WO2013172355A1 (en) * | 2012-05-14 | 2013-11-21 | 新日鉄住金化学株式会社 | Polyimide layer-containing flexible substrate, polyimide layer-containing substrate for flexible solar cell, flexible solar cell, and method for producing same |
KR20180009213A (en) * | 2016-07-18 | 2018-01-26 | 주식회사 디케이티 | Flexible printed circuit board comprising low permittivity material |
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