KR20230047744A - Wafer etching device with adjustable reaction rate - Google Patents

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KR20230047744A KR1020210130955A KR20210130955A KR20230047744A KR 20230047744 A KR20230047744 A KR 20230047744A KR 1020210130955 A KR1020210130955 A KR 1020210130955A KR 20210130955 A KR20210130955 A KR 20210130955A KR 20230047744 A KR20230047744 A KR 20230047744A
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Abstract

A substrate etching device with adjustable reaction rate is disclosed. A substrate etching device according to an embodiment includes: at least one etching bath in which an etching solution is accommodated; and a plurality of rollers arranged on the etching solution in the at least one etching bath, immersing the etching solution into the substrate through grooves formed on respective surfaces and moving the substrate. The grooves formed on the surface of each of the plurality of rollers may have different sizes according to positions where the plurality of rollers are disposed along the moving direction of the substrate.

Description

반응 속도 조절이 가능한 기판 식각 장치{WAFER ETCHING DEVICE WITH ADJUSTABLE REACTION RATE}Substrate etching device with adjustable reaction rate {WAFER ETCHING DEVICE WITH ADJUSTABLE REACTION RATE}

아래의 실시예들은 기판 식각 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반응 속도 조절이 가능한 기판 식각 장치에 관한 것이다.The following embodiments relate to a substrate etching apparatus, and more particularly, to a substrate etching apparatus capable of controlling a reaction rate.

기판 식각 장치는, 복수의 식각 배스들 각각에 식각 용액을 수용한 채, 복수의 롤러들을 띄워 기판을 이동시키며 기판에 식각 용액을 침지시켜 식각 공정을 수행한다.The substrate etching apparatus performs an etching process by moving a substrate by floating a plurality of rollers while holding an etching solution in each of a plurality of etching baths and immersing the substrate in the etching solution.

그러나 종래의 기판 식각 장치는, 식각 과정에서 알칼리가 아닌 산을 이용하기 때문에, 식각이 진행될수록 기판의 식각 반응 속도가 빨라지게 되는 문제점과, 식각 공정 시작지점과 끝지점의 식각 속도 차이로 기포 발생 구간이 많아지는 문제점(구간별 기포 발생량이 달라져버리는 문제점), 그리고 기포 발생 구간이 많아져 Vapor가 발생되고 기판 상부 표면에 약액이 튀어 데미지가 발생됨에 따라 기판 불량이 발생되는 문제점을 갖는다.However, since the conventional substrate etching apparatus uses an acid rather than an alkali in the etching process, the etching reaction rate of the substrate increases as the etching proceeds, and bubbles are generated due to the difference in etching rate between the start and end points of the etching process. It has a problem that the number of sections increases (a problem that the amount of bubbles generated in each section varies), and a defect in the substrate occurs due to the generation of vapor due to the increase in the number of bubbles and the splashing of chemical liquid on the upper surface of the substrate.

이에, 식각 반응 속도를 조절하여 균일한 식각을 보장하는 기술이 제안될 필요가 있다.Accordingly, it is necessary to propose a technique for ensuring uniform etching by adjusting the etching reaction rate.

일 실시예들은 식각 반응 속도를 조절하여 균일한 식각을 보장하고자, 롤러의 구조를 조절하거나 식각 용액의 식각율을 조절하는, 기판 식각 장치를 제안한다.Embodiments propose a substrate etching apparatus that controls the structure of a roller or controls the etching rate of an etching solution in order to ensure uniform etching by adjusting the etching reaction rate.

다만, 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제들은 상기 과제로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있다.However, the technical problems to be solved by the present invention are not limited to the above problems, and can be variously expanded without departing from the technical spirit and scope of the present invention.

일 실시예에 따르면, 반응 속도 조절이 가능한 기판 식각 장치는, 식각 용액이 수용되는 적어도 하나의 식각 배스; 및 상기 적어도 하나의 식각 배스 내 상기 식각 용액 상에 배열된 채, 각각의 표면에 형성된 홈들을 통해 상기 식각 용액을 기판에 침지시키며 상기 기판을 이동시키는 복수의 롤러들을 포함하고, 상기 복수의 롤러들 각각의 표면에 형성된 상기 홈들은, 상기 복수의 롤러들이 상기 기판의 이동 방향을 따라 배치되는 위치별로 상이한 크기를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.According to one embodiment, a substrate etching apparatus capable of controlling a reaction rate includes at least one etching bath in which an etching solution is accommodated; and a plurality of rollers arranged on the etching solution in the at least one etching bath and moving the substrate while immersing the substrate in the etching solution through grooves formed on respective surfaces, the plurality of rollers The grooves formed on each surface may have different sizes according to positions where the plurality of rollers are disposed along the moving direction of the substrate.

일 측에 따르면, 상기 복수의 롤러들 각각의 표면에 형성된 상기 홈들은, 상기 기판의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 롤러에 포함되는 것일수록 작은 크기를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.According to one side, the grooves formed on the surface of each of the plurality of rollers may have a smaller size as they are included in the roller located at the rear end along the moving direction of the substrate.

다른 일 측에 따르면, 상기 복수의 롤러들 중 상기 기판의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 롤러의 표면에 형성된 홈들은, 상기 복수의 롤러들 중 상기 기판의 이동 방향을 따라 전단에 위치하는 롤러의 표면에 형성된 홈들보다 작은 크기를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.According to another aspect, the grooves formed on the surface of the roller positioned at the rear end along the moving direction of the substrate among the plurality of rollers are the grooves of the roller positioned at the front end along the moving direction of the substrate among the plurality of rollers. It may be characterized in that it has a smaller size than the grooves formed on the surface.

또 다른 일 측에 따르면, 상기 복수의 롤러들 각각의 표면에 형성된 상기 홈들의 크기는, 상기 기판이 이동됨에 따른 식각율(Etch Rate; E/R)이 일정하게 유지되도록 조절되는 것을 특징으로 할 수 있다.According to another aspect, the size of the grooves formed on the surface of each of the plurality of rollers is adjusted such that an etch rate (E/R) is maintained constant as the substrate moves. can

또 다른 일 측에 따르면, 상기 복수의 롤러들 각각의 표면에 형성된 상기 홈들은, 상기 기판의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 롤러에 포함되는 것일수록 작은 피치(Pitch)를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.According to another aspect, the grooves formed on the surface of each of the plurality of rollers may have a smaller pitch as they are included in the roller located at the rear end along the moving direction of the substrate. there is.

또 다른 일 측에 따르면, 상기 적어도 하나의 식각 배스가 복수 개 포함되는 경우, 상기 복수의 식각 배스들 각각에 수용되는 상기 식각 용액은, 상기 기판의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 것일수록 낮은 농도를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.According to another aspect, when a plurality of the at least one etching bath is included, the etching solution accommodated in each of the plurality of etching baths has a lower concentration as the etching solution is located at a rear end along the moving direction of the substrate. It can be characterized by having.

일 실시예에 따르면, 반응 속도 조절이 가능한 기판 식각 장치는, 식각 용액이 각각 수용되는 복수의 식각 배스들; 및 상기 복수의 식각 배스들 각각 내 상기 식각 용액 상에 배열된 채, 각각의 표면에 형성된 홈들을 통해 상기 식각 용액을 기판에 침지시키며 상기 기판을 이동시키는 복수의 롤러들을 포함하고, 상기 복수의 식각 배스들 각각에 수용되는 상기 식각 용액은, 상기 기판의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 것일수록 낮은 농도를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.According to one embodiment, a substrate etching apparatus capable of controlling reaction speed includes a plurality of etching baths each containing an etching solution; and a plurality of rollers arranged on the etching solution in each of the plurality of etching baths and moving the substrate while immersing the etching solution into the substrate through grooves formed on respective surfaces, The etching solution accommodated in each of the baths may have a lower concentration as the etching solution is located at a rear end along the moving direction of the substrate.

일 측에 따르면, 상기 복수의 식각 배스들 중 상기 기판의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 식각 배스에 수용되는 식각 용액은, 상기 복수의 식각 배스들 중 상기 기판의 이동 방향을 따라 전단에 위치하는 식각 배스에 수용되는 식각 용액보다 낮은 농도를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.According to one side, the etching solution contained in the etching bath positioned at the rear end along the moving direction of the substrate among the plurality of etching baths is located at the front end of the plurality of etching baths along the moving direction of the substrate. It may be characterized in that it has a lower concentration than the etching solution accommodated in the etching bath.

다른 일 측에 따르면, 상기 복수의 식각 배스들 각각에 수용되는 상기 식각 용액의 농도는, 상기 기판이 이동됨에 따른 식각율(Etch Rate; E/R)이 일정하게 유지되도록 조절되는 것을 특징으로 할 수 있다.According to another aspect, the concentration of the etching solution accommodated in each of the plurality of etching baths is adjusted such that an etch rate (E/R) is maintained constant as the substrate is moved. can

일 실시예들은 롤러의 구조를 조절하거나 식각 용액의 식각율을 조절하는, 기판 식각 장치를 제안함으로써, 식각 반응 속도를 조절하여 균일한 식각을 보장하는 기술 효과를 달성할 수 있다.Embodiments may achieve a technical effect of ensuring uniform etching by controlling an etching reaction rate by proposing a substrate etching device that controls a structure of a roller or an etching rate of an etching solution.

또한, 일 실시예들은 균일한 식각을 보장함으로써, Vapor 발생 감소 및 기판 상부 표면 데미지 최소화를 통한 기판 불량 발생을 억제하는 기술 효과를 달성할 수 있다.In addition, the embodiments may achieve a technical effect of suppressing substrate defects by reducing vapor generation and minimizing damage to the upper surface of the substrate by ensuring uniform etching.

다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있다.However, the effects of the present invention are not limited to the above effects, and can be variously extended without departing from the technical spirit and scope of the present invention.

도 1은 일 실시예에 따른 기판 식각 장치를 도시한 도면이다.
도 2는 기판이 이동됨에 따른 식각율이 일정하게 유지되도록 롤러의 구조가 조절된 기판 식각 장치를 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 기판 식각 장치에서 기판이 이동됨에 따른 식각율을 도시한 그래프이다.
도 4는 기판이 이동됨에 따른 식각율이 일정하게 유지되도록 식각 용액의 농도가 조절된 기판 식각 장치를 도시한 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 기판 식각 장치에서 기판이 이동됨에 따른 식각율을 도시한 그래프이다.
도 6은 기판이 이동됨에 따른 식각율이 일정하게 유지되도록 롤러의 구조 및 식각 용액의 식각율 모두가 조절된 기판 식각 장치를 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating a substrate etching apparatus according to an exemplary embodiment.
FIG. 2 is a diagram illustrating a substrate etching apparatus in which the structure of a roller is adjusted so that an etching rate is maintained constant as the substrate moves.
FIG. 3 is a graph showing an etching rate as a substrate is moved in the substrate etching apparatus shown in FIG. 2 .
4 is a diagram illustrating a substrate etching apparatus in which the concentration of an etching solution is adjusted such that an etching rate is maintained constant as the substrate moves.
FIG. 5 is a graph showing an etching rate as a substrate is moved in the substrate etching apparatus shown in FIG. 4 .
6 is a diagram showing a substrate etching apparatus in which both the structure of a roller and the etching rate of an etching solution are adjusted so that the etching rate is maintained constant as the substrate moves.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명에 대한 설명은 구조적 내지 기능적 설명을 위한 실시예에 불과하므로, 본 발명의 권리범위는 본문에 설명된 실시예에 의하여 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. Since the description of the present invention is only an embodiment for structural or functional description, the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described in the text.

즉, 본 발명은 다양한 변경이 가능하고, 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으므로 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않기 때문에 본 발명에 따른 권리범위는 기술적 사상을 실현할 수 있는 균등물들을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.That is, since the present invention is not limited to the embodiments described herein since various changes are possible and can be implemented in various different forms, the scope of rights according to the present invention includes equivalents capable of realizing the technical idea. It should be understood.

한편, 본 발명에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.On the other hand, the meaning of terms described in the present invention should be understood as follows.

"제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. 예를 들어, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as "first" and "second" are used to distinguish one component from another, and the scope of rights should not be limited by these terms. For example, a first element may be termed a second element, and similarly, a second element may be termed a first element.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It should be understood that when an element is referred to as “connected” to another element, it may be directly connected to the other element, but other elements may exist in the middle. On the other hand, when an element is referred to as being “directly connected” to another element, it should be understood that no intervening elements exist. Meanwhile, other expressions describing the relationship between components, such as “between” and “immediately between” or “adjacent to” and “directly adjacent to” should be interpreted similarly.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Expressions in the singular number should be understood to include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise, and terms such as “comprise” or “have” refer to an embodied feature, number, step, operation, component, part, or these. It should be understood that it is intended to indicate that a combination exists, and does not preclude the possibility of the presence or addition of one or more other features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

각 단계들에 있어 식별부호(예를 들어, a, b, c 등)는 설명의 편의를 위하여 사용되는 것으로 식별부호는 각 단계들의 순서를 설명하는 것이 아니며, 각 단계들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않는 이상 명기된 순서와 다르게 일어날 수 있다. 즉, 각 단계들은 명기된 순서와 동일하게 일어날 수도 있고 실질적으로 동시에 수행될 수도 있으며 반대의 순서대로 수행될 수도 있다.In each step, the identification code (eg, a, b, c, etc.) is used for convenience of explanation, and the identification code does not describe the order of each step, and each step clearly follows a specific order in context. Unless otherwise specified, it may occur in a different order than specified. That is, each step may occur in the same order as specified, may be performed substantially simultaneously, or may be performed in the reverse order.

여기서 사용되는 모든 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미를 지니는 것으로 해석될 수 없다.All terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs, unless defined otherwise. Terms defined in commonly used dictionaries should be interpreted as consistent with meanings in the context of related art, and cannot be interpreted as having ideal or excessively formal meanings unless explicitly defined in the present invention.

도면들은 개략적이고 축적에 맞게 도시되지 않았다는 것을 일러둔다. 도면에 있는 부분들의 상대적인 치수 및 비율은 도면에서의 명확성 및 편의를 위해 그 크기에 있어 과장되거나 감소되어 도시되었으며 임의의 치수는 단지 예시적인 것이지 한정적인 것은 아니다. 그리고 둘 이상의 도면에 나타나는 동일한 구조물, 요소 또는 부품에는 동일한 참조 부호가 유사한 특징을 나타내기 위해 사용된다.It is advised that the drawings are schematic and not drawn to scale. Relative dimensions and proportions of parts in the drawings are shown exaggerated or reduced in size for clarity and convenience in the drawings, and any dimensions are illustrative only and not limiting. And like structures, elements or parts appearing in two or more drawings, like reference numerals are used to indicate like features.

본 발명에 따른 실시예는 본 발명의 이상적인 실시예를 구체적으로 나타낸다. 그 결과, 도해의 다양한 변형이 예상된다. 따라서 실시예는 도시한 영역의 특정 형태에 국한되지 않으며, 예를 들면 제조에 의한 형태의 변형도 포함한다.Examples according to the present invention specifically represent ideal embodiments of the present invention. As a result, various variations of the diagram are expected. Therefore, the embodiment is not limited to the specific shape of the illustrated area, and includes, for example, modification of the shape by manufacturing.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 반응 속도 조절이 가능한 기판 식각 장치가 설명된다.Hereinafter, a substrate etching apparatus capable of controlling a reaction rate will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일 실시예에 따른 기판 식각 장치를 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating a substrate etching apparatus according to an exemplary embodiment.

도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 기판 식각 장치(100)는 식각 배스(110) 및 복수의 롤러들(120)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , a substrate etching apparatus 100 according to an embodiment may include an etching bath 110 and a plurality of rollers 120 .

이하, 기판 식각 장치(100)가 하나의 식각 배스(110)를 포함하는 것으로 설명되나, 이에 제한되거나 한정되지 않고 기판(130)의 이동 방향을 따라 순차적으로 배치되는 복수의 식각 배스들을 포함할 수 있다.Hereinafter, the substrate etching apparatus 100 is described as including one etching bath 110, but is not limited thereto or may include a plurality of etching baths sequentially disposed along the moving direction of the substrate 130. there is.

식각 배스(110)에는, 기판(130)을 식각하기 위한 식각 용액(111)이 수용될 수 있다.An etching solution 111 for etching the substrate 130 may be accommodated in the etching bath 110 .

복수의 롤러들(120)은, 식각 배스(110) 내 식각 용액(111) 상에 배열된 채, 각각의 표면에 형성된 홈들을 통해 식각 용액(111)을 기판(130)에 침지시키며 기판(130)을 이동시킬 수 있다.The plurality of rollers 120, while being arranged on the etching solution 111 in the etching bath 110, immerse the etching solution 111 into the substrate 130 through grooves formed on the surface of each substrate 130. ) can be moved.

보다 상세하게, 복수의 롤러들(120)은 식각 배스(110) 내 식각 용액(111) 상에서 기판(130)의 이동 방향을 따라 순차적으로 배열됨으로써 기판(130)을 이동시킬 수 있다. 또한, 복수의 롤러들(120) 각각은 기판(130)을 이동시키는 과정 중 식각 용액(111) 상에서 구르며, 표면에 형성됨 홈들에 식각 용액(111)을 담아 접촉된 기판(130)에 식각 용액(111)을 침지시킬 수 있다.More specifically, the plurality of rollers 120 may be sequentially arranged along the moving direction of the substrate 130 on the etching solution 111 in the etching bath 110 to move the substrate 130 . In addition, each of the plurality of rollers 120 rolls on the etching solution 111 during the process of moving the substrate 130, and contains the etching solution 111 in grooves formed on the surface so that the etching solution ( 111) can be immersed.

이하, 기판(130)이 복수의 롤러들(120)에 의해 좌에서 우로 이동되는 것으로 설명되나, 이에 제한되거나 한정되지 않는다.Hereinafter, the substrate 130 is described as being moved from left to right by the plurality of rollers 120, but is not limited or limited thereto.

종래의 기판 식각 장치는, 기판(130)이 이동됨에 따라 식각 반응이 점차 증가되기 때문에, 균일한 식각을 보장하지 못하는 문제점을 갖는다.A conventional substrate etching apparatus has a problem of not ensuring uniform etching because the etching reaction gradually increases as the substrate 130 moves.

이를 해결하고자, 일 실시예에 따른 기판 식각 장치(100)는 복수의 롤러들(120) 각각의 구조를 조절하거나 식각 용액(111)의 농도에 따라 식각율(Etch Rate; E/R)을 조절함으로써, 식각 반응 속도를 일정하게 유지하여 균일한 식각을 보장할 수 있다.To solve this problem, the substrate etching apparatus 100 according to an embodiment adjusts the structure of each of the plurality of rollers 120 or adjusts the etching rate (E/R) according to the concentration of the etching solution 111. By doing so, it is possible to ensure uniform etching by maintaining a constant etching reaction rate.

복수의 롤러들(120) 각각의 구조를 조절하는 것과 관련된 상세한 설명은 아래의 도 2 내지 3을 참조하여 기재하기로 하며, 식각 용액(111)의 식각율을 조절하는 것과 관련된 상세한 설명은 아래의 도 4 내지 5를 참조하여 기재하기로 한다.A detailed description related to controlling the structure of each of the plurality of rollers 120 will be described with reference to FIGS. 2 and 3 below, and a detailed description related to controlling the etching rate of the etching solution 111 will be described below. It will be described with reference to FIGS. 4 to 5 .

도 2는 기판이 이동됨에 따른 식각율이 일정하게 유지되도록 롤러의 구조가 조절된 기판 식각 장치를 도시한 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 기판 식각 장치에서 기판이 이동됨에 따른 식각율을 도시한 그래프이다.FIG. 2 is a diagram showing a substrate etching apparatus in which the structure of a roller is adjusted so that the etching rate is maintained constant as the substrate moves, and FIG. 3 shows the etching rate as the substrate moves in the substrate etching apparatus shown in FIG. It is the graph shown.

도 2를 참조하면, 기판 식각 장치(200)는 도 1을 참조하여 설명된 기판 식각 장치(100)와 동일하게, 기판(230)을 식각하기 위한 식각 용액(211)이 수용되는 식각 배스(210)와, 식각 배스(210) 내 식각 용액(211) 상에 배열된 채 각각의 표면에 형성된 홈들(240)을 통해 식각 용액(211)을 기판(230)에 침지시키며 기판(230)을 이동시키는 복수의 롤러들(220)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the substrate etching apparatus 200, like the substrate etching apparatus 100 described with reference to FIG. ), and the etching solution 211 is immersed in the substrate 230 through the grooves 240 formed on each surface while being arranged on the etching solution 211 in the etching bath 210 to move the substrate 230 A plurality of rollers 220 may be included.

이 때, 복수의 롤러들(220) 각각의 표면에 형성됨 홈들(240)은, 복수의 롤러들(220)이 기판(230)의 이동 방향을 따라 배치되는 위치별로 상이한 크기를 갖는 것을 특징으로 한다. 보다 상세하게, 복수의 롤러들(220) 각각의 표면에 형성됨 홈들(240)은 기판(230)의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 롤러에 포함되는 것일수록 작은 크기를 갖는 것을 특징으로 한다.At this time, the grooves 240 formed on the surface of each of the plurality of rollers 220 are characterized in that they have different sizes for each position where the plurality of rollers 220 are disposed along the moving direction of the substrate 230 . In more detail, the grooves 240 formed on the surface of each of the plurality of rollers 220 are characterized in that they have a smaller size as they are included in the roller located at the rear end along the moving direction of the substrate 230 .

즉, 복수의 롤러들(220) 중 기판(230)의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 롤러(221)의 표면에 형성된 홈들(241)은, 복수의 롤러들(220) 중 기판(230)의 이동 방향을 따라 전단에 위치하는 롤러(222)의 표면에 형성된 홈들(242)보다 작은 크기를 갖는 것을 특징으로 한다.That is, the grooves 241 formed on the surface of the roller 221 located at the rear end along the moving direction of the substrate 230 among the plurality of rollers 220 are the grooves of the substrate 230 among the plurality of rollers 220. It is characterized in that it has a smaller size than the grooves 242 formed on the surface of the roller 222 located at the front end along the moving direction.

예를 들어, 복수의 롤러들(220) 중 기판(230)의 이동 방향을 따라 가장 후단에 위치하는 롤러(221)의 표면에 형성된 홈들(241)의 크기가 가장 작고, 복수의 롤러들(220) 중 기판(230)의 이동 방향을 따라 중간에 위치하는 롤러(222)의 표면에 형성된 홈들(242)의 크기가 그 다음 작으며, 복수의 롤러들(220) 중 기판(230)의 이동 방향을 따라 가장 전단에 위치하는 롤러(223)의 표면에 형성된 홈들(243)의 크기가 가장 클 수 있다.For example, among the plurality of rollers 220, the size of the grooves 241 formed on the surface of the roller 221 positioned at the rearmost end along the moving direction of the substrate 230 is the smallest, and the plurality of rollers 220 ), the size of the grooves 242 formed on the surface of the roller 222 positioned in the middle along the moving direction of the substrate 230 is the next smaller, and among the plurality of rollers 220, the moving direction of the substrate 230 The size of the grooves 243 formed on the surface of the roller 223 positioned at the front end along the can be the largest.

여기서, 복수의 롤러들(220) 각각의 표면에 형성됨 홈들(240)의 크기는, 도면에 도시된 바와 같이 피치(Pitch)를 의미하나, 이에 제한되거나 한정되지 않고, 홈들(240)의 깊이를 의미할 수 있다.Here, the size of the grooves 240 formed on the surface of each of the plurality of rollers 220 means a pitch as shown in the drawing, but is not limited or limited thereto, and the depth of the grooves 240 can mean

이처럼 복수의 롤러들(220) 각각의 표면에 형성된 홈들(240)의 크기가 조절되는 것은, 기판(230)이 이동됨에 따른 식각율에 기초하여 이루어질 수 있다. 보다 상세하게, 복수의 롤러들(220) 각각의 표면에 형성된 홈들(240)의 크기는, 도 3에 도시된 바와 같이 종래 기판 식각 장치에서의 기판이 이동됨에 따른 식각율(310)과 달리, 기판(230)이 이동됨에 따른 식각율(320)이 일정하게 유지되도록 조절될 수 있다. 일례로, 복수의 롤러들(220) 각각의 표면에 형성된 홈들(240)은, 기판(230)이 이동됨에 따른 식각율(320)이 일정하게 유지되도록, 기판(230)이 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 롤러에 포함되는 것일수록 작은 크기를 가질 수 있다.Adjusting the size of the grooves 240 formed on each surface of the plurality of rollers 220 may be performed based on an etching rate as the substrate 230 moves. In more detail, the size of the grooves 240 formed on the surface of each of the plurality of rollers 220, as shown in FIG. 3, unlike the etching rate 310 according to the movement of the substrate in the conventional substrate etching apparatus, As the substrate 230 is moved, the etching rate 320 may be adjusted to maintain a constant level. For example, the grooves 240 formed on the surface of each of the plurality of rollers 220 are formed at the rear end along the moving direction of the substrate 230 so that the etching rate 320 is maintained constant as the substrate 230 moves. The more included in the roller located in may have a smaller size.

이처럼 일 실시예에 따른 기판 식각 장치(200)는, 복수의 롤러들(220) 각각의 표면에 형성됨 홈들(240)이 기판(230)의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 롤러에 포함되는 것일수록 작은 크기를 갖는 특징을 통해, 기판(230)이 이동됨에 따른 식각율(320)을 도 3에 도시된 바와 같이 일정하게 유지함으로써, 균일한 식각을 보장할 수 있다.As such, in the substrate etching apparatus 200 according to an embodiment, the grooves 240 formed on the surface of each of the plurality of rollers 220 are included in the roller located at the rear end along the moving direction of the substrate 230. Through the feature of having a small size, uniform etching may be ensured by maintaining the etching rate 320 constant as the substrate 230 moves, as shown in FIG. 3 .

이상, 기판 식각 장치(200)가 하나의 식각 배스(210)를 포함하는 경우가 설명되었으나, 기판 식각 장치(200)는 기판(230)의 이동 방향을 따라 순차적으로 배치되는 복수의 식각 배스들을 포함하는 경우에도 전술된 바와 같이 복수의 롤러들(220) 각각의 구조(보다 정확하게는, 복수의 롤러들(220) 각각의 홈들(240)의 구조)가 조절됨을 특징으로 한다.Although the case where the substrate etching apparatus 200 includes one etching bath 210 has been described above, the substrate etching apparatus 200 includes a plurality of etching baths sequentially disposed along the moving direction of the substrate 230. Even in this case, the structure of each of the plurality of rollers 220 (more precisely, the structure of each of the grooves 240 of the plurality of rollers 220) is adjusted as described above.

도 4는 기판이 이동됨에 따른 식각율이 일정하게 유지되도록 식각 용액의 농도가 조절된 기판 식각 장치를 도시한 도면이고, 도 5는 도 4에 도시된 기판 식각 장치에서 기판이 이동됨에 따른 식각율을 도시한 그래프이다.FIG. 4 is a view showing a substrate etching apparatus in which the concentration of an etching solution is adjusted so that the etching rate is maintained constant as the substrate moves, and FIG. 5 is an etching rate as the substrate moves in the substrate etching apparatus shown in FIG. 4 is a graph showing

도 4를 참조하면, 기판 식각 장치(400)는 기판(440)을 식각하기 위한 식각 용액(411, 421)이 각각 수용되는 복수의 식각 배스들(410, 420)와, 복수의 식각 배스들(410, 420) 각각 내 식각 용액(411, 421) 상에 배열된 채 각각의 표면에 형성된 홈들(450)을 통해 식각 용액(411, 421)을 기판(440)에 침지시키며 기판(440)을 이동시키는 복수의 롤러들(430)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the substrate etching apparatus 400 includes a plurality of etching baths 410 and 420 in which etching solutions 411 and 421 for etching the substrate 440 are accommodated, respectively, and a plurality of etching baths ( 410 and 420) while immersing the substrate 440 in the etching solutions 411 and 421 through the grooves 450 formed on the respective surfaces while being arranged on the etching solutions 411 and 421, respectively, and moving the substrate 440. It may include a plurality of rollers 430 to do.

여기서, 복수의 롤러들(430) 각각의 표면에 형성됨 홈들(450)은, 모두 동일한 크기(피치)를 가질 수 있다.Here, the grooves 450 formed on each surface of the plurality of rollers 430 may all have the same size (pitch).

이 때, 복수의 식각 배스들(410, 420) 각각에 수용되는 식각 용액(411, 421)은, 기판(440)의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 것일수록 낮은 농도를 갖는 것을 특징으로 한다.At this time, the etching solutions 411 and 421 accommodated in each of the plurality of etching baths 410 and 420 are characterized in that they have lower concentrations as they are located at the rear end along the moving direction of the substrate 440 .

즉, 복수의 식각 배스들(410, 420) 중 기판(440)의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 식각 배스(420)에 수용되는 식각 용액(421)은, 복수의 식각 배스들(410, 420) 중 기판(440)의 이동 방향을 따라 전단에 위치하는 식각 배스(410)에 수용되는 식각 용액(411)보다 낮은 농도를 갖는 것을 특징으로 한다.That is, the etching solution 421 accommodated in the etching bath 420 located at the rear end along the moving direction of the substrate 440 among the plurality of etching baths 410 and 420 is the plurality of etching baths 410 and 420 ) is characterized in that it has a lower concentration than the etching solution 411 accommodated in the etching bath 410 located at the front end along the moving direction of the substrate 440.

이처럼 복수의 식각 배스들(410, 420) 각각에 수용되는 식각 용액(411, 421)의 농도가 조절되는 것은, 기판(440)이 이동됨에 따른 식각율에 기초하여 이루어질 수 있다. 보다 상세하게, 복수의 식각 배스들(410, 420) 각각에 수용되는 식각 용액(411, 421)은, 도 5에 도시된 바와 같이 종래 기판 식각 장치에서의 기판이 이동됨에 따른 식각율(510)과 달리, 기판(440)이 이동됨에 따른 식각율(520)이 일정하게 유지되도록 조절될 수 있다. 일례로, 복수의 식각 배스들(410, 420) 각각에 수용되는 식각 용액(411, 421)은, 기판(440)이 이동됨에 따른 식각율(520)이 일정하게 유지되도록, 기판(440)의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 것일수록 낮은 농도를 가져 낮은 식각율을 가질 수 있다.As such, the concentration of the etching solutions 411 and 421 accommodated in each of the plurality of etching baths 410 and 420 may be adjusted based on the etching rate as the substrate 440 moves. More specifically, the etching solutions 411 and 421 accommodated in the plurality of etching baths 410 and 420, respectively, have an etching rate 510 as the substrate moves in the conventional substrate etching apparatus, as shown in FIG. Unlike, the etching rate 520 as the substrate 440 is moved may be adjusted to be constant. For example, the etching solutions 411 and 421 accommodated in each of the plurality of etching baths 410 and 420 are used to maintain the etching rate 520 constant as the substrate 440 moves. Those positioned at the rear end along the moving direction may have a low etch rate due to a low concentration.

이와 같이 일 실시예에 따른 기판 식각 장치(400)는, 복수의 식각 배스들(410, 420) 각각에 수용되는 식각 용액(411, 421)이 기판(440)의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 것일수록 낮은 농도를 갖는 특징을 통해, 기판(230)이 이동됨에 따른 식각율(520)을 도 5에 도시된 바와 같이 일정하게 유지함으로써, 균일한 식각을 보장할 수 있다.In this way, in the substrate etching apparatus 400 according to an embodiment, the etching solutions 411 and 421 accommodated in the plurality of etching baths 410 and 420 are located at the rear along the moving direction of the substrate 440. Uniform etching may be ensured by maintaining a constant etching rate 520 as the substrate 230 moves through a feature having a lower concentration as the substrate 230 is moved, as shown in FIG. 5 .

이상, 기판 식각 장치(400)가 두 개의 식각 배스들(410, 420)를 포함하는 경우가 설명되었으나, 기판 식각 장치(400)는 기판(440)의 이동 방향을 따라 순차적으로 배치되는 세 개 이상의 식각 배스들을 포함하는 경우에도 전술된 바와 같이 복수의 식각 배스들(410, 420) 각각에 수용되는 식각 용액(411, 421)의 식각율이 조절됨을 특징으로 한다.Although the case where the substrate etching apparatus 400 includes two etching baths 410 and 420 has been described above, the substrate etching apparatus 400 includes three or more etching baths sequentially disposed along the moving direction of the substrate 440. Even when the etching baths are included, the etching rates of the etching solutions 411 and 421 accommodated in the plurality of etching baths 410 and 420, respectively, are adjusted as described above.

도 6은 기판이 이동됨에 따른 식각율이 일정하게 유지되도록 롤러의 구조 및 식각 용액의 식각율 모두가 조절된 기판 식각 장치를 도시한 도면이다.6 is a diagram showing a substrate etching apparatus in which both the structure of a roller and the etching rate of an etching solution are adjusted so that the etching rate is maintained constant as the substrate moves.

도 6을 참조하면, 기판 식각 장치(600)는 도 2를 참조하여 설명된 기판 식각 장치(200)의 특징(복수의 롤러들(220) 각각의 표면에 형성됨 홈들(240)이 기판(230)의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 롤러에 포함되는 것일수록 작은 크기를 갖는 특징) 및 도 4를 참조하여 설명된 기판 식각 장치(400)의 특징(복수의 식각 배스들(410, 420) 각각에 수용되는 식각 용액(411, 421)이 기판(440)의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 것일수록 낮은 농도를 갖는 특징) 모두를 가질 수 있다.Referring to FIG. 6, the substrate etching apparatus 600 is characterized by the characteristics of the substrate etching apparatus 200 described with reference to FIG. Features of the substrate etching apparatus 400 described with reference to FIG. 4 (characteristics of the substrate etching apparatus 400 described with reference to a plurality of etching baths 410 and 420, respectively) Etching solutions 411 and 421 that are accommodated may have both characteristics of having a lower concentration as the etching solutions 411 and 421 are located at the rear end along the moving direction of the substrate 440 .

보다 상세하게, 기판 식각 장치(600)는 기판(640)을 식각하기 위한 식각 용액(611, 621)이 각각 수용되는 복수의 식각 배스들(610, 620)와, 복수의 식각 배스들(610, 620) 각각 내 식각 용액(611, 621) 상에 배열된 채 각각의 표면에 형성된 홈들(650)을 통해 식각 용액(611, 621)을 기판(640)에 침지시키며 기판(640)을 이동시키는 복수의 롤러들(630)을 포함할 수 있다.In more detail, the substrate etching apparatus 600 includes a plurality of etching baths 610 and 620 in which etching solutions 611 and 621 for etching the substrate 640 are respectively accommodated, a plurality of etching baths 610, 620) A plurality of moving the substrate 640 while immersing the etching solutions 611 and 621 into the substrate 640 through the grooves 650 formed on the respective surfaces while being arranged on the etching solutions 611 and 621, respectively. It may include rollers 630 of.

이 때, 복수의 롤러들(630) 각각의 표면에 형성됨 홈들(650)은, 기판(640)의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 롤러에 포함되는 것일수록 작은 크기를 갖는 것을 특징으로 한다.At this time, the grooves 650 formed on the surface of each of the plurality of rollers 630 are characterized in that they have a smaller size as they are included in the roller located at the rear end along the moving direction of the substrate 640.

즉, 복수의 롤러들(630) 중 기판(640)의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 롤러(631)의 표면에 형성된 홈들(651)은, 복수의 롤러들(630) 중 기판(640)의 이동 방향을 따라 전단에 위치하는 롤러(632)의 표면에 형성된 홈들(652)보다 작은 크기를 갖는 것을 특징으로 한다.That is, the grooves 651 formed on the surface of the roller 631 positioned at the rear end along the moving direction of the substrate 640 among the plurality of rollers 630 are the grooves 651 of the substrate 640 among the plurality of rollers 630. It is characterized in that it has a smaller size than the grooves 652 formed on the surface of the roller 632 located at the front end along the moving direction.

예를 들어, 복수의 롤러들(630) 중 기판(640)의 이동 방향을 따라 가장 후단에 위치하는 롤러(631)의 표면에 형성된 홈들(651)의 크기가 가장 작고, 복수의 롤러들(630) 중 기판(640)의 이동 방향을 따라 중간에 위치하는 롤러(632)의 표면에 형성된 홈들(652)의 크기가 그 다음 작으며, 복수의 롤러들(630) 중 기판(640)의 이동 방향을 따라 가장 전단에 위치하는 롤러(633)의 표면에 형성된 홈들(653)의 크기가 가장 클 수 있다.For example, among the plurality of rollers 630, the size of the grooves 651 formed on the surface of the roller 631 positioned at the rearmost end along the moving direction of the substrate 640 is the smallest, and the plurality of rollers 630 ), the size of the grooves 652 formed on the surface of the roller 632 located in the middle along the moving direction of the substrate 640 is the next smallest, and among the plurality of rollers 630, the moving direction of the substrate 640 The size of the grooves 653 formed on the surface of the roller 633 located at the front end along the can be the largest.

여기서, 복수의 롤러들(630) 각각의 표면에 형성됨 홈들(650)의 크기는, 도면에 도시된 바와 같이 피치(Pitch)를 의미하나, 이에 제한되거나 한정되지 않고, 홈들(650)의 깊이를 의미할 수 있다.Here, the size of the grooves 650 formed on the surface of each of the plurality of rollers 630 means a pitch as shown in the drawing, but is not limited or limited thereto, and the depth of the grooves 650 can mean

또한, 복수의 식각 배스들(610, 620) 각각에 수용되는 식각 용액(611, 621)은, 기판(640)의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 것일수록 낮은 농도를 갖는 것을 특징으로 한다.In addition, the etching solutions 611 and 621 accommodated in each of the plurality of etching baths 610 and 620 are characterized in that they have a lower concentration as they are located at the rear end along the moving direction of the substrate 640 .

즉, 복수의 식각 배스들(610, 620) 중 기판(640)의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 식각 배스(620)에 수용되는 식각 용액(621)은, 복수의 식각 배스들(610, 620) 중 기판(640)의 이동 방향을 따라 전단에 위치하는 식각 배스(610)에 수용되는 식각 용액(610)보다 낮은 농도를 갖는 것을 특징으로 한다.That is, the etching solution 621 accommodated in the etching bath 620 located at the rear end along the moving direction of the substrate 640 among the plurality of etching baths 610 and 620 is the plurality of etching baths 610 and 620 ) is characterized in that it has a lower concentration than the etching solution 610 accommodated in the etching bath 610 located at the front end along the moving direction of the substrate 640.

이처럼 복수의 롤러들(630) 각각의 표면에 형성된 홈들(650)의 크기가 조절되는 것, 그리고 복수의 식각 배스들(610, 620) 각각에 수용되는 식각 용액(611, 621)의 농도가 조절되는 것은, 기판(640)이 이동됨에 따른 식각율에 기초하여 이루어질 수 있다. 보다 상세하게, 복수의 롤러들(630) 각각의 표면에 형성된 홈들(650)의 크기 및 복수의 식각 배스들(610, 620) 각각에 수용되는 식각 용액(611, 621)의 농도 각각은, 기판(640)이 이동됨에 따른 식각율이 일정하게 유지되도록 조절될 수 있다.As such, the size of the grooves 650 formed on the surface of each of the plurality of rollers 630 is adjusted, and the concentration of the etching solutions 611 and 621 accommodated in each of the plurality of etching baths 610 and 620 is adjusted. This may be done based on the etching rate as the substrate 640 is moved. More specifically, the size of the grooves 650 formed on the surface of each of the plurality of rollers 630 and the concentration of the etching solutions 611 and 621 accommodated in each of the plurality of etching baths 610 and 620, respectively, As 640 is moved, the etch rate may be adjusted to maintain a constant level.

일례로, 복수의 롤러들(630) 각각의 표면에 형성된 홈들(650)은, 기판(640)이 이동됨에 따른 식각율이 일정하게 유지되도록, 기판(640)이 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 롤러에 포함되는 것일수록 작은 크기를 가질 수 있으며, 복수의 식각 배스들(610, 620) 각각에 수용되는 식각 용액(611, 621)은, 기판(640)이 이동됨에 따른 식각율이 일정하게 유지되도록, 기판(640)의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 것일수록 낮은 농도를 가질 수 있다.For example, the grooves 650 formed on the surface of each of the plurality of rollers 630 are located at the rear end along the moving direction of the substrate 640 so that the etching rate is maintained constant as the substrate 640 moves. The ones included in the roller may have a smaller size, and the etching rate of the etching solutions 611 and 621 accommodated in each of the plurality of etching baths 610 and 620 is maintained constant as the substrate 640 moves. As much as possible, those located at the rear end along the moving direction of the substrate 640 may have a lower concentration.

이처럼 일 실시예에 따른 기판 식각 장치(600)는, 복수의 롤러들(630) 각각의 표면에 형성됨 홈들(650)이 기판(640)의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 롤러에 포함되는 것일수록 작은 크기를 갖는 특징과, 복수의 식각 배스들(610, 620) 각각에 수용되는 식각 용액(611, 621)이 기판(640)의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 것일수록 낮은 농도를 갖는 특징을 통해, 기판(640)이 이동됨에 따른 식각율을 일정하게 유지함으로써, 균일한 식각을 보장할 수 있다.As such, in the substrate etching apparatus 600 according to an embodiment, the grooves 650 formed on the surface of each of the plurality of rollers 630 are included in the roller located at the rear end along the moving direction of the substrate 640. A characteristic of having a small size and a characteristic of having a low concentration as the etching solutions 611 and 621 accommodated in each of the plurality of etching baths 610 and 620 are located at the rear end along the moving direction of the substrate 640. Through this, uniform etching may be ensured by maintaining a constant etching rate as the substrate 640 is moved.

이상, 기판 식각 장치(600)가 두 개의 식각 배스들(610, 620)를 포함하는 경우가 설명되었으나, 기판 식각 장치(600)는 기판(640)의 이동 방향을 따라 순차적으로 배치되는 세 개 이상의 식각 배스들을 포함하는 경우에도 전술된 바와 같이 복수의 롤러들(630) 각각의 구조(보다 정확하게는, 복수의 롤러들(630) 각각의 홈들(650)의 구조)가 조절되는 동시에, 복수의 식각 배스들(610, 620) 각각에 수용되는 식각 용액(611, 621)의 농도가 조절됨을 특징으로 한다.Although the case where the substrate etching apparatus 600 includes two etching baths 610 and 620 has been described above, the substrate etching apparatus 600 includes three or more etching baths sequentially arranged along the moving direction of the substrate 640. Even when the etching baths are included, the structure of each of the plurality of rollers 630 (more precisely, the structure of each of the grooves 650 of the plurality of rollers 630) is adjusted as described above, and at the same time, the plurality of etching baths are etched. It is characterized in that the concentration of the etching solutions 611 and 621 accommodated in each of the baths 610 and 620 is adjusted.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described with limited examples and drawings, those skilled in the art can make various modifications and variations from the above description. For example, the described techniques may be performed in an order different from the method described, and/or components of the described system, structure, device, circuit, etc. may be combined or combined in a different form than the method described, or other components may be used. Or even if it is replaced or substituted by equivalents, appropriate results can be achieved.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents of the claims are within the scope of the following claims.

Claims (9)

반응 속도 조절이 가능한 기판 식각 장치에 있어서,
식각 용액이 수용되는 적어도 하나의 식각 배스; 및
상기 적어도 하나의 식각 배스 내 상기 식각 용액 상에 배열된 채, 각각의 표면에 형성된 홈들을 통해 상기 식각 용액을 기판에 침지시키며 상기 기판을 이동시키는 복수의 롤러들
을 포함하고,
상기 복수의 롤러들 각각의 표면에 형성된 상기 홈들은,
상기 복수의 롤러들이 상기 기판의 이동 방향을 따라 배치되는 위치별로 상이한 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 식각 장치.
In the substrate etching apparatus capable of controlling the reaction rate,
at least one etching bath in which an etching solution is accommodated; and
A plurality of rollers arranged on the etching solution in the at least one etching bath and moving the substrate while immersing the substrate in the etching solution through grooves formed on respective surfaces thereof.
including,
The grooves formed on the surface of each of the plurality of rollers,
The substrate etching apparatus, characterized in that the plurality of rollers have different sizes for each position disposed along the moving direction of the substrate.
 제1항에 있어서,
상기 복수의 롤러들 각각의 표면에 형성된 상기 홈들은,
상기 기판의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 롤러에 포함되는 것일수록 작은 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 식각 장치.
According to claim 1,
The grooves formed on the surface of each of the plurality of rollers,
Substrate etching apparatus characterized in that it has a smaller size as it is included in the roller located at the rear end along the moving direction of the substrate.
 제2항에 있어서,
상기 복수의 롤러들 중 상기 기판의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 롤러의 표면에 형성된 홈들은,
상기 복수의 롤러들 중 상기 기판의 이동 방향을 따라 전단에 위치하는 롤러의 표면에 형성된 홈들보다 작은 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 식각 장치.
According to claim 2,
Among the plurality of rollers, the grooves formed on the surface of the roller located at the rear end along the moving direction of the substrate,
A substrate etching apparatus characterized in that it has a smaller size than the grooves formed on the surface of the rollers located at the front end along the moving direction of the substrate among the plurality of rollers.
 제2항에 있어서,
상기 복수의 롤러들 각각의 표면에 형성된 상기 홈들의 크기는,
상기 기판이 이동됨에 따른 식각율(Etch Rate; E/R)이 일정하게 유지되도록 조절되는 것을 특징으로 하는 기판 식각 장치.
According to claim 2,
The size of the grooves formed on the surface of each of the plurality of rollers,
A substrate etching apparatus characterized in that the etching rate (Etch Rate; E / R) is adjusted so as to be kept constant as the substrate is moved.
 제2항에 있어서,
상기 복수의 롤러들 각각의 표면에 형성된 상기 홈들은,
상기 기판의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 롤러에 포함되는 것일수록 작은 피치(Pitch)를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 식각 장치.
According to claim 2,
The grooves formed on the surface of each of the plurality of rollers,
The substrate etching apparatus, characterized in that it has a smaller pitch (Pitch) as it is included in the roller located at the rear end along the moving direction of the substrate.
 제1항에 있어서,
상기 적어도 하나의 식각 배스가 복수 개 포함되는 경우, 상기 복수의 식각 배스들 각각에 수용되는 상기 식각 용액은,
상기 기판의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 것일수록 낮은 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 식각 장치.
According to claim 1,
When a plurality of the at least one etching bath is included, the etching solution accommodated in each of the plurality of etching baths,
Substrate etching apparatus characterized in that it has a lower concentration as it is located at the rear along the moving direction of the substrate.
 반응 속도 조절이 가능한 기판 식각 장치에 있어서,
식각 용액이 각각 수용되는 복수의 식각 배스들; 및
상기 복수의 식각 배스들 각각 내 상기 식각 용액 상에 배열된 채, 각각의 표면에 형성된 홈들을 통해 상기 식각 용액을 기판에 침지시키며 상기 기판을 이동시키는 복수의 롤러들
을 포함하고,
상기 복수의 식각 배스들 각각에 수용되는 상기 식각 용액은,
상기 기판의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 것일수록 낮은 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 식각 장치.
In the substrate etching apparatus capable of controlling the reaction rate,
a plurality of etching baths each containing an etching solution; and
A plurality of rollers arranged on the etching solution in each of the plurality of etching baths and moving the substrate while immersing the substrate in the etching solution through grooves formed on respective surfaces.
including,
The etching solution accommodated in each of the plurality of etching baths,
Substrate etching apparatus characterized in that it has a lower concentration as it is located at the rear along the moving direction of the substrate.
 제7항에 있어서,
상기 복수의 식각 배스들 중 상기 기판의 이동 방향을 따라 후단에 위치하는 식각 배스에 수용되는 식각 용액은,
상기 복수의 식각 배스들 중 상기 기판의 이동 방향을 따라 전단에 위치하는 식각 배스에 수용되는 식각 용액보다 낮은 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 식각 장치.
According to claim 7,
Among the plurality of etching baths, the etching solution contained in the etching bath located at the rear end along the moving direction of the substrate,
A substrate etching apparatus characterized in that it has a lower concentration than the etching solution contained in the etching bath located at the front end along the moving direction of the substrate among the plurality of etching baths.
 제7항에 있어서,
상기 복수의 식각 배스들 각각에 수용되는 상기 식각 용액의 농도는,
상기 기판이 이동됨에 따른 식각율(Etch Rate; E/R)이 일정하게 유지되도록 조절되는 것을 특징으로 하는 기판 식각 장치.According to claim 7,
The concentration of the etching solution accommodated in each of the plurality of etching baths,
A substrate etching apparatus characterized in that the etching rate (Etch Rate; E / R) is adjusted so as to be kept constant as the substrate is moved.
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