KR20230047339A - Wiring film and display device including the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 배선 필름 및 배선 필름을 포함한 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 배선이 형성된 배선 필름 및 상기 배선 필름을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wiring film and a display device including the wiring film, and more particularly, to a wiring film formed with wiring and a display device including the wiring film.
현재까지 널리 이용되고 있는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)와 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Display; OLED)는 그 적용 범위가 점차 확대되고 있다. Liquid Crystal Display Device (LCD) and Organic Light Emitting Display Display (OLED), which have been widely used up to now, are gradually expanding their application range.
액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치는 고해상도의 화면을 제공할 수 있고 경량 박형이 가능하다는 장점으로 인해 일상적인 전자기기, 예를 들어, 핸드폰, 노트북 등의 화면에 많이 적용되고 있고, 그 범위도 점차 확대되고 있다. Liquid crystal display devices and organic light emitting display devices are widely applied to the screens of everyday electronic devices, such as mobile phones and laptops, due to the advantages of providing high-resolution screens and being lightweight and thin, and their range is gradually increasing. is expanding
다만, 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치는 표시 장치에서 영상이 표시되지 않는 영역으로 사용자에게 시인되는 베젤(bezel) 영역의 크기를 감소시키는데 한계가 있다. 예를 들어, 액정 표시 장치의 경우, 액정을 밀봉하고 상부 기판과 하부 기판을 합착하기 위해 씰런트(sealant)가 사용되어야 하므로, 베젤 영역의 크기를 감소시키는데 한계가 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치의 경우, 유기 발광 소자가 유기 물질로 이루어져 수분 또는 산소에 매우 취약하여 유기 발광 소자를 보호하기 위한 봉지부(encapsulation)가 배치되어야 하므로, 베젤 영역의 크기를 감소시키는데 한계가 있다. 특히, 하나의 패널로서 초대형 화면을 구현하는 것은 불가능하므로, 복수 개의 액정 표시 패널 또는 복수 개의 유기 발광 표시 패널을 일종의 타일(tile) 형태로 배치하여 초대형 화면을 구현하는 경우, 서로 인접하는 패널 간의 베젤 영역이 사용자에게 시인되는 문제가 발생할 수 있다.However, the liquid crystal display and the organic light emitting display have limitations in reducing the size of a bezel area recognized by a user as an area in which an image is not displayed on the display device. For example, in the case of a liquid crystal display device, since a sealant must be used to seal the liquid crystal and bond the upper substrate and the lower substrate, there is a limit to reducing the size of the bezel area. In addition, in the case of an organic light emitting display device, since an organic light emitting element is made of an organic material and is very vulnerable to moisture or oxygen, an encapsulation must be placed to protect the organic light emitting element, so there is a limit to reducing the size of the bezel area. there is. In particular, since it is impossible to implement a super-large screen with one panel, when a super-large screen is implemented by arranging a plurality of liquid crystal display panels or a plurality of organic light emitting display panels in a tile form, a bezel between adjacent panels A problem in that the region is recognized by the user may occur.
이에 대한 대안으로, LED를 포함하는 표시 장치가 제안되었다. LED는 유기 물질이 아닌 무기 물질로 이루어지므로, 신뢰성이 우수하여 액정 표시 장치나 유기 발광 표시 장치에 비해 수명이 길다. 또한, LED는 점등 속도가 빠를 뿐만 아니라, 소비 전력이 적고, 내충격성이 강해 안정성이 뛰어나며, 고휘도의 영상을 표시할 수 있기 때문에 초대형 화면에 적용되기에 적합한 소자이다.As an alternative to this, a display device including an LED has been proposed. Since the LED is made of an inorganic material rather than an organic material, it has excellent reliability and has a longer lifespan than a liquid crystal display or an organic light emitting display. In addition, the LED is a device suitable for application to a super-large screen because it not only has a fast lighting speed, but also consumes little power, has excellent stability due to strong impact resistance, and can display a high-brightness image.
이에 따라, 일반적으로 베젤 영역을 최소화할 수 있는 초대형 화면을 제공하기 위한 표시 장치에는 LED 소자가 이용되고 있다.Accordingly, LED devices are generally used in display devices for providing a super-large screen capable of minimizing a bezel area.
본 발명의 발명자들은 LED는 유기 발광 소자에 비해 발광 효율이 좋으므로, LED를 포함하는 표시 장치의 경우 유기 발광 소자를 사용하는 표시 장치에 비해 하나의 화소의 크기, 즉, 동일한 휘도의 광을 발광하기 위해 요구되는 발광 영역의 크기가 매우 작다는 것을 인식하였다. 이에, 본 발명의 발명자들은 LED를 사용하여 표시 장치를 구현하는 경우, 서로 인접하는 화소의 발광 영역 사이의 거리가 동일 해상도를 갖는 유기 발광 표시 장치에서의 서로 인접하는 화소의 발광 영역 사이의 거리보다 매우 길다는 것을 인식하였다. 이에, 본 발명의 발명자들은, 복수의 패널을 타일 형태로 배치하여 구현된 타일링 디스플레이를 구현하는 경우, 하나의 패널의 최외곽 LED와 이에 인접하는 다른 하나의 패널의 최외곽 LED 사이의 간격을 하나의 패널 내에서의 LED 사이의 간격과 동일하게 구현할 수 있으므로 실질적으로 베젤 영역이 존재하지 않는 제로 베젤 구현이 가능하다는 것을 인식하였다.According to the inventors of the present invention, LEDs have higher luminous efficiency than organic light emitting diodes, so that a display device including an LED emits light having the same luminance as the size of one pixel compared to a display device using an organic light emitting device. It was recognized that the size of the light emitting area required for this is very small. Therefore, when the inventors of the present invention implement a display device using LEDs, the distance between light emitting regions of adjacent pixels is greater than the distance between light emitting regions of adjacent pixels in an organic light emitting display device having the same resolution. I realized that it is very long. Therefore, the inventors of the present invention, when implementing a tiling display implemented by arranging a plurality of panels in the form of tiles, the distance between the outermost LED of one panel and the outermost LED of another adjacent panel is one. Since it can be implemented at the same interval as the interval between LEDs in the panel of , it was recognized that a zero bezel implementation in which a bezel area does not substantially exist is possible.
다만, 상술한 바와 같이 하나의 패널의 최외곽 LED와 이에 인접하는 다른 하나의 패널의 최외곽 LED 사이의 간격을 하나의 패널 내에서의 LED 사이의 간격과 동일하게 구현하기 위해서는, 기존에 패널 상면에 위치하였던 게이트 구동부, 데이터 구동부 등과 같은 다양한 구동부를 패널 상면이 아닌 배면에 위치시켜야 한다. 이에, 본 발명의 발명자들은 패널 상면에 박막 트랜지스터, LED 등과 같은 소자들이 배치되고, 패널 배면에 게이트 구동부, 데이터 구동부 등과 같은 구동부들이 배치된 새로운 구조의 표시 장치를 발명하였다. 또한, 본 발명의 발명자들은 패널 상면에 배치된 소자들과 패널 배면에 배치된 구동부들을 연결하기 위해, 패널 측면에 측면 배선을 형성하는 제조 기술을 발명하였다.However, as described above, in order to realize the same distance between the outermost LED of one panel and the outermost LED of another adjacent panel as the distance between LEDs within one panel, the upper surface of the panel has been conventionally Various driving units, such as the gate driving unit and the data driving unit, which were located on the panel, should be located on the rear surface, not on the upper surface of the panel. Accordingly, the inventors of the present invention invented a display device having a new structure in which elements such as thin film transistors and LEDs are disposed on the upper surface of the panel, and driving units such as gate driving units and data driving units are disposed on the rear surface of the panel. In addition, the inventors of the present invention invented a manufacturing technique of forming side wires on the side of the panel to connect elements disposed on the upper surface of the panel and driving units disposed on the rear surface of the panel.
그러나, 측면 배선을 형성하기 위한 종래 기술들의 경우 패드를 사용하여 복수회 프린팅해야 하는 경우 공정이 길고 불량률이 높아 프린팅 정확도가 낮다. 이에, 패드를 사용하여 1번에 프린팅하는 경우에는 측면 배선의 길이가 짧아 패널 상면의 배선과 배면의 배선을 연결하기 어렵다. 또한, 패드를 사용하여 프린팅하는 방식으로 측면 배선을 제조하는 경우 패드의 접촉면이 파손되거나 변형되어 프린팅 품질이 저하되므로, 패드를 주기적으로 교체하여야 하나, 패드 가격이 고가이고, 패드를 교체할 때마다 새롭게 제조 장비의 설정값들을 변경하여야 하는 번거로움이 존재한다. 또한, 패널 측면에 측면 배선을 형성하는 경우 패널의 모서리를 그라인딩 해야 하는데, 공정 마진을 감안하여 그라인딩 하면 인접 패널간 LED 사이의 간격이 멀어질 수 있는 위험성이 존재한다. However, in the case of conventional technologies for forming side wires, printing accuracy is low when a process is long and the defect rate is high when printing is performed multiple times using a pad. Therefore, in the case of one-time printing using the pad, it is difficult to connect the wiring on the upper surface of the panel and the wiring on the rear surface because the length of the wiring on the side is short. In addition, when side wiring is manufactured by printing using a pad, the contact surface of the pad is damaged or deformed and the printing quality deteriorates. Therefore, the pad must be replaced periodically, but the pad is expensive, and every time the pad is replaced There is a hassle of having to newly change the setting values of the manufacturing equipment. In addition, when side wiring is formed on the side of a panel, it is necessary to grind the edge of the panel. However, if the grinding is performed in consideration of the process margin, there is a risk that the distance between LEDs between adjacent panels may become farther apart.
이에, 본 발명의 발명자들은 제로 베젤을 구현함과 동시에 보다 단순한 구조 및 공정으로 패널 상면에 배치된 소자들과 패널 배면에 배치된 구동부들을 연결할 수 있는 새로운 보호 필름 및 이를 이용한 표시 장치를 발명하였다. Accordingly, the inventors of the present invention invented a new protective film capable of realizing zero bezel and at the same time connecting elements disposed on the upper surface of the panel with driving units disposed on the rear surface of the panel with a simpler structure and process, and a display device using the same.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The tasks of the present invention are not limited to the tasks mentioned above, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수 개의 화소를 포함하는 기판, 기판의 상면 상에 배치된 복수 개의 제1 전극, 기판의 하면 상에 배치된 복수 개의 제2 전극, 및 복수 개의 배선이 형성된 배선 필름을 포함한다. 여기서, 배선 필름은 기판의 측면에 위치하여, 제1 전극과 제2 전극을 전기적으로 접속시킨다.In order to solve the above problems, a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate including a plurality of pixels, a plurality of first electrodes disposed on an upper surface of the substrate, and a plurality of electrodes disposed on a lower surface of the substrate. It includes a second electrode and a wiring film on which a plurality of wirings are formed. Here, the wiring film is positioned on the side surface of the substrate and electrically connects the first electrode and the second electrode.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other embodiment specifics are included in the detailed description and drawings.
본 발명은 배선 필름을 기판의 측면에 부착함으로써 측면 배선을 형성하기 위한 제조 공정을 단순화하고 제조 비용을 감소시킬 수 있다.The present invention can simplify the manufacturing process for forming the lateral wiring and reduce the manufacturing cost by attaching the wiring film to the side surface of the substrate.
또한, 본 발명은 측면 배선을 형성하기 위해 배선 필름을 부착함으로써 그라인딩 공정을 위한 공정마진을 줄일 수 있고, 이에 따라 타일링 디스플레이의 경계부 시인 현상을 최소화할 수 있다.Also, according to the present invention, a process margin for a grinding process can be reduced by attaching a wiring film to form side wiring, thereby minimizing the visibility of the boundary portion of the tiling display.
또한, 본 발명은 측면 배선을 형성하기 위해 배선을 포함하는 배선 필름을 부착함으로써, 배선을 보호하기 위한 별도의 보호층을 생략할 수 있고, 이에 따라 측면 배선을 형성하기 위한 제조 공정을 단순화하고 제조 비용을 감소시킬 수 있다.In addition, the present invention can omit a separate protective layer for protecting the wiring by attaching a wiring film including the wiring to form the side wiring, thereby simplifying and manufacturing the manufacturing process for forming the side wiring. can reduce cost.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 측면도이다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 조감도이다.
도 4a 내지 도 4c는 도 3에 도시된 표시 장치의 부분 확대도이다.1 is a side view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
2A to 2F are schematic process diagrams for explaining a display device and a method of manufacturing the display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a bird's eye view for explaining a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
4A to 4C are partial enlarged views of the display device shown in FIG. 3 .
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and methods of achieving them, will become clear with reference to the detailed description of the following embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, only these embodiments make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the holder of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative, so the present invention is not limited to the details shown. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in this specification is used, other parts may be added unless 'only' is used. In the case where a component is expressed in the singular, the case including the plural is included unless otherwise explicitly stated.
구성요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, even if there is no separate explicit description, it is interpreted as including the error range.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of a positional relationship, for example, 'on top of', 'on top of', 'at the bottom of', 'next to', etc. Or, unless 'directly' is used, one or more other parts may be located between the two parts.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 위 (on)로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.When an element or layer is referred to as (on) another element or layer, it includes all cases where another element or layer is directly on top of another element or another layer or another element is interposed therebetween.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numbers designate like elements throughout the specification.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The size and thickness of each component shown in the drawings are shown for convenience of description, and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the illustrated components.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention can be partially or entirely combined or combined with each other, and as those skilled in the art can fully understand, various interlocking and driving operations are possible, and each embodiment can be implemented independently of each other. It may be possible to implement together in an association relationship.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 측면도이다. 도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정도이다. 도 2a는 본딩 공정 이전의 제1 기판(111)의 개략적인 상면도이다. 도 2b는 본딩 공정 이전의 제2 기판(112)의 개략적인 배면도이다. 도 2c는 제1 기판(111)과 제2 기판(112)이 본딩된 상태의 개략적인 단면도이다. 도 2d는 스크라이빙 공정이 완료된 상태의 제1 기판(111)의 개략적인 상면도이다. 도 2e는 스크라이빙 공정이 완료된 상태의 개략적인 단면도이다. 도 2f는 제1 기판(111)의 측면에 배선 필름(190)이 부착된 상태의 개략적인 단면도이다.1 is a side view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. 2A to 2F are schematic process diagrams for explaining a display device and a manufacturing method of the display device according to an exemplary embodiment of the present invention. 2A is a schematic top view of the
도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예는 기판(111, 112)의 측면에 배선 필름(190)을 접착하여 기판(111, 112)의 상부와 하부에 배치된 배선의 전기적인 연결을 용이하게 하여, 기판(111, 112)의 측면에 배선을 형성하는 복잡한 공정을 생략할 수 있는 장점을 가진다. 이하에서는, 도 2a 내지 도 2f를 참조하여 배선 필름(190) 및 배선 필름9190)를 포함하는 표시 장치의 구조에 대하여 상세히 설명한다.In one embodiment of the present invention shown in FIG. 1, wiring
먼저, 도 1 및 도 2a를 참조하면, 표시 영역(AA)에는 화소부(110)가 배치되고, 비표시 영역(NA)에는 게이트 배선(GL)과 게이트 링크 배선(GLL)이 배치된다. First, referring to FIGS. 1 and 2A , the
이어서, 제1 기판의 상면에 복수의 박막 트랜지스터(120), 복수의 LED(130), 복수의 게이트 배선(GL) 및 복수의 데이터 배선(DL)을 형성한다.Subsequently, a plurality of
도 2a에 도시된 제1 기판(111)은 표시 장치 상부에 배치되는 구성요소들을 지지하는 기판으로, 절연 기판일 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(111)은 유리 또는 수지 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 기판(111)은 고분자 또는 플라스틱을 포함하여 이루어질 수도 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 기판(111)은 가요성(flexibility)을 갖는 플라스틱 물질로 이루어질 수도 있다. The
제1 기판(111)에는 표시 영역(AA) 및 표시 영역(AA)을 둘러싸는 비표시 영역(NA)이 정의될 수 있다. 표시 영역(AA)은 표시 장치에서 실제로 영상이 표시되는 영역으로, 표시 영역(AA)에는 후술할 LED(130) 및 LED(130)를 구동하기 위한 박막 트랜지스터(120) 등이 배치될 수 있다. 비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로, 표시 영역(AA)을 둘러싸는 영역으로 정의될 수 있다. 비표시 영역(NA)에는 표시 영역(AA)에 배치된 LED(130) 및 박막 트랜지스터(120)와 연결된 게이트 배선(GL) 및 데이터 배선(DL) 등과 같은 다양한 배선이 배치될 수 있다. 본 명세서에서는 제1 기판(111)이 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)으로 정의되는 것으로 설명되었으나, 이에 제한되지 않고, 비표시 영역(NA)이 없는 것으로 정의될 수도 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법에 의해 제조된 표시 장치를 사용하여 타일링 디스플레이를 구현하는 경우, 하나의 패널의 최외곽 LED(130)와 이에 인접하는 다른 하나의 패널의 최외곽 LED(130) 사이의 간격을 하나의 패널 내에서의 LED(130) 사이의 간격과 동일하게 구현할 수 있으므로 실질적으로 베젤 영역이 존재하지 않는 제로 베젤 구현이 가능하다. 따라서, 제1 기판(111)은 표시 영역(AA)만을 갖는 것으로 정의되고, 비표시 영역(NA)이 제1 기판(111)에 정의되지 않는 것으로 설명될 수도 있다.A display area AA and a non-display area NA surrounding the display area AA may be defined on the
제1 기판(111)의 표시 영역(AA)에는 복수의 화소(PX)가 정의된다. 복수의 화소(PX) 각각은 빛을 발광하는 개별 단위로서, 복수의 화소(PX)는 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 복수의 화소(PX) 각각에는 박막 트랜지스터(120) 및 LED(130)가 형성된다. 박막 트랜지스터(120) 및 LED(130)에 대한 보다 상세한 설명은 도 2c를 참조하여 후술한다.A plurality of pixels PX are defined in the display area AA of the
제1 기판(111)에는 스크라이빙 라인(SL)이 정의될 수 있다. 스크라이빙 라인(SL)은 제1 기판(111)과 제2 기판(112)의 본딩 공정 이후에 표시 장치를 셀 단위로 절단하기 위해 사용되는 절단 라인이다. 즉, 복수의 표시 장치를 동시에 형성한 후 또는 하나의 표시 장치를 원장 기판에 형성한 후, 셀 단위로 표시 장치를 절단하는 스크라이빙 공정을 위해 스크라이빙 라인(SL)이 정의될 수 있다. 스크라이빙 라인(SL)은 도 2a에 도시된 바와 같이 선(line) 모양이거나, 혹은 복수 개의 패턴일 수도 있다. A scribing line SL may be defined on the
이어서, 제2 기판(112)의 배면에 복수의 게이트 링크 배선(GLL) 및 복수의 데이터 링크 배선(DLL)을 형성한다.Subsequently, a plurality of gate link wires (GLL) and a plurality of data link wires (DLL) are formed on the rear surface of the
도 2b를 참조하면, 제2 기판(112)은 표시 장치 하부에 배치되는 구성요소들을 지지하는 기판으로, 절연 기판일 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(112)은 유리 또는 수지 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 제2 기판(112)은 고분자 또는 플라스틱을 포함하여 이루어질 수도 있다. 제2 기판(112)은 제1 기판(111)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 기판(112)은 플렉서빌리티(flexibility)을 갖는 플라스틱 물질로 이루어질 수도 있다. Referring to FIG. 2B , the
제2 기판(112)의 배면에는 복수의 게이트 링크 배선(GLL) 및 복수의 데이터 링크 배선(DLL)이 형성된다. 복수의 게이트 링크 배선(GLL)은 제1 기판(111)의 상면에 형성된 복수의 게이트 배선(GL)과 게이트 구동부를 연결시키기 위한 배선이고, 복수의 데이터 링크 배선(DLL)은 제1 기판(111)의 상면에 형성된 복수의 데이터 배선(DL)과 데이터 구동부를 연결시키기 위한 배선이다. 복수의 게이트 링크 배선(GLL) 및 복수의 데이터 링크 배선(DLL)은 제2 기판(112)의 끝단에서 제2 기판(112)의 중앙을 향해 연장될 수 있다.A plurality of gate link wires (GLL) and a plurality of data link wires (DLL) are formed on the rear surface of the
도 2b에 도시되지는 않았으나, 제2 기판(112)의 배면에 복수의 게이트 링크 배선(GLL)과 전기적으로 연결되도록 게이트 구동부가 배치되고, 복수의 데이터 링크 배선(DLL)과 전기적으로 연결되도록 데이터 구동부가 배치될 수 있다. 이때, 게이트 구동부 및 데이터 구동부는 제2 기판(112)의 배면에 직접 형성될 수도 있고, COF(Chip on Film) 방식으로 제2 기판(112)의 배면에 배치될 수도 있고, PCB(Printed Circuit Board) 상에 배치되는 방식으로 제2 기판(112)의 배면에 배치될 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Although not shown in FIG. 2B , the gate driver is disposed on the rear surface of the
이어서, 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 본딩한다.Subsequently, the
도 2c를 참조하면, 제1 기판(111)과 제2 기판(112)은 본딩층(118)을 통해 본딩된다. 본딩층(118)은 다양한 경화 방식을 통해 경화되어 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 합착시킬 수 있는 물질로 이루어질 수 있다. 본딩층(118)은 제1 기판(111)과 제2 기판(112) 사이에서 전체 영역에 배치될 수도 있고, 일부 영역에만 배치될 수도 있다.Referring to FIG. 2C , the
도 2c를 참조하여 제1 기판(111) 상면에 배치된 구성요소들에 대해 보다 상세히 살펴보면, 제1 기판(111) 상에는 박막 트랜지스터(120)가 형성된다. 구체적으로, 제1 기판(111) 상에 게이트 전극(121)이 배치되고, 게이트 전극(121) 상에 액티브층(122)이 배치된다. 게이트 전극(121)과 액티브층(122) 사이에는 게이트 전극(121)과 액티브층(122)을 절연시키기 위한 게이트 절연층(113)이 배치된다. 액티브층(122) 상에는 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 배치되고, 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124) 상에는 박막 트랜지스터(120)를 보호하기 위한 패시베이션층(114)이 배치된다. 다만, 패시베이션층(114)은 실시예에 따라 생략될 수도 있다.Referring to FIG. 2C and examining components disposed on the upper surface of the
도 2c를 참조하면, 게이트 전극(121)과 동일 층 상에 게이트 배선(GL)이 형성된다. 게이트 배선(GL)은 게이트 전극(121)과 동일 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 배선(GL)은 표시 영역(AA), 비표시 영역(NA)에 배치되고, 스크라이빙 라인(SL)을 넘어서 형성되며, 제1 기판(111)의 모서리까지 연장될 수 있다. 도 2c에서는 게이트 배선(GL)을 도시하였으나, 데이터 배선(DL) 또한 게이트 배선(GL)과 동일한 취지로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2C , a gate line GL is formed on the same layer as the
도 2c를 참조하면, 게이트 절연층(113) 상에 공통 배선(CL)이 배치된다. 공통 배선(CL)은 LED(130)에 공통 전압을 인가하기 위한 배선으로, 게이트 배선(GL) 또는 데이터 배선(DL)과 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 공통 배선(CL)은 게이트 배선(GL) 또는 데이터 배선(DL)과 동일한 방향으로 연장될 수 있다. 공통 배선(CL)은 도 2c에 도시된 바와 같이, 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않고 게이트 전극(121)과 동일한 물질로 이루어질 수도 있다.Referring to FIG. 2C , a common wire CL is disposed on the
표시 영역(AA)에서 반사층(143)이 패시베이션층(114) 상에 배치된다. 반사층(143)은 LED(130)에서 발광된 광 중 제1 기판(111) 측을 향해 발광된 광을 표시 장치 상부로 반사시켜 표시 장치 외부로 출광시키기 위한 층이다. 반사층(143)은 높은 반사율을 갖는 금속 물질로 이루어질 수 있다. A
반사층(143) 상에 접착층(115)이 배치된다. 접착층(115)은 반사층(143) 상에 LED(130)를 접착시키기 위한 접착층(115)으로, 금속 물질로 이루어지는 반사층(143)과 LED(130)를 절연시킬 수도 있다. 접착층(115)은 열 경화 물질 또는 광 경화 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.An
접착층(115) 상에 LED(130)가 배치된다. LED(130)는 n형층(131), 활성층(132), p형층(133), n전극(135) 및 p전극(134)을 포함한다. 이하에서는, LED(130)로 레터럴(lateral) 구조의 LED(130)가 사용되는 것으로 설명하나, LED(130)의 구조가 이에 제한되는 것은 아니다. An
LED(130)의 적층 구조에 대해 보다 상세히 설명하면, n형층(131)은 우수한 결정성을 갖는 질화갈륨(GaN)에 n형 불순물을 주입하여 형성될 수 있다. n형층(131) 상에는 활성층(132)이 배치된다. 활성층(132)은 LED(130)에서 빛을 발하는 발광층으로, 질화물 반도체, 예를 들어, 인듐질화갈륨(InGaN)으로 이루어질 수 있다. 활성층(132) 상에는 p형층(133)이 배치된다. p형층(133)은 질화갈륨(GaN)에 p형 불순물을 주입하여 형성될 수 있다. 다만, n형층(131), 활성층(132) 및 p형층(133)의 구성 물질은 이에 제한되는 것은 아니다.Describing the stacked structure of the
LED(130)는, 이상에서 설명한 바와 같이, n형층(131), 활성층(132) 및 p형층(133)을 차례대로 적층한 후, 소정 부분을 식각한 후, n전극(135)과 p전극(134)을 형성하는 방식으로 제조될 수 있다. 이때, 소정 부분은 n전극(135)과 p전극(134)을 이격시키기 위한 공간으로, n형층(131)의 일부가 노출되도록 소정 부분이 식각될 수 있다. 다시 말해, n전극(135)과 p전극(134)이 배치될 LED(130)의 면은 평탄화된 면이 아닌 서로 다른 높이 레벨을 가질 수 있다. As described above, the
이와 같이, 식각된 영역, 다시 말해, 식각 공정으로 노출된 n형층(131) 상에는 n전극(135)이 배치될 수 있다. n전극(135)은 도전성 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있다. 한편, 식각되지 않은 영역, 다시 말해, p형층(133) 상에는 p전극(134)이 배치될 수 있다. p전극(134)도 도전성 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있다. 또한, p전극(134)은 n전극(135)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.As such, the n-
상술한 바와 같이, n형층(131), 활성층(132), p형층(133), n전극(135) 및 p전극(134)이 형성된 상태에서, n형층(131)이 n전극(135) 및 p전극(134)보다 반사층(143)에 인접하게 LED(130)가 배치될 수 있다. As described above, in the state where the n-
이어서, 표시 영역(AA)에서 박막 트랜지스터(120) 상에 제1 평탄화층(116)이 배치된다. 제1 평탄화층(116)은 LED(130)가 배치된 영역 및 컨택홀을 제외한 영역에서 상부를 평탄화하도록 형성될 수 있다. 또한, 제1 평탄화층(116) 상에는 제2 평탄화층(117)이 배치될 수 있다. 제2 평탄화층(117)은 컨택홀을 제외한 영역에서 박막 트랜지스터(120) 및 LED(130) 상부에 배치될 수 있다. 이때, 제2 평탄화층(117)은 LED(130)의 p전극(134) 및 n전극(135)의 일부 영역이 오픈되도록 형성될 수 있다. 도 2c에서는 표시 장치 제조 시 2개의 평탄화층이 사용되는 것으로 도시하였으나, 이는 단일의 평탄화층으로 형성하는 경우 공정 시간 등이 지나치게 증가하는 것을 방지하기 위함이다. 따라서, 평탄화층은 도 2c에 도시된 바와 같이 복수 개의 층으로 이루어져야 하는 것은 아니고, 단일의 평탄화층으로 이루어질 수 있다.Subsequently, a
제1 전극(141)은 박막 트랜지스터(120)와 LED(130)의 p전극(134)을 연결하기 위한 전극이다. 제1 전극(141)은 제1 평탄화층(116), 제2 평탄화층(117), 패시베이션층(114) 및 접착층(115)에 형성된 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123)과 접하고, 제2 평탄화층(117)에 형성된 컨택홀을 통해 LED(130)의 p전극(134)과 접한다. 다만, 이에 제한되지 않고, 박막 트랜지스터(120)의 타입에 따라 제1 전극(141)은 박막 트랜지스터(120)의 드레인 전극(124)과 접하는 것으로 정의될 수도 있다. The
제2 전극(142)은 공통 배선(CL)과 LED(130)의 n전극(135)을 연결하기 위한 전극이다. 제2 전극(142)은 제1 평탄화층(116), 제2 평탄화층(117), 패시베이션층(114) 및 접착층(115)에 형성된 컨택홀을 통해 공통 배선(CL)과 접하고, 제2 평탄화층(117)에 형성된 컨택홀을 통해 LED(130)의 n전극(135)과 접한다. The
이에 따라, 표시 장치가 턴온(turn-on)되면 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123) 및 공통 배선(CL) 각각에 인가되는 서로 상이한 전압 레벨이 제1 전극(141) 및 제2 전극(142)을 통해 p전극(134)과 n전극(135)으로 전달되어 LED(130)가 발광할 수 있다. 도 2c에서는 박막 트랜지스터(120)가 p전극(134)과 전기적으로 연결되고 공통 배선(CL)이 n전극(135)과 전기적으로 연결되는 것으로 설명되었으나, 이에 제한되지 않고, 박막 트랜지스터(120)가 n전극(135)과 전기적으로 연결되고 공통 배선(CL)이 p전극(134)과 전기적으로 연결될 수도 있다.Accordingly, when the display device is turned on, different voltage levels applied to the
도 2c에서는 도시되지 않았으나, 각각의 화소(PX)의 발광 영역을 정의하기 위해 뱅크가 LED(130) 및 제2 평탄화층(117) 상에 형성될 수 있다. 이때, LED(130)에서 발광된 광이 인접하는 화소(PX)로 전달되는 등의 인접 화소(PX) 간의 간섭 등을 방지하기 위해, 뱅크는 블랙 물질로 이루어질 수 있다.Although not shown in FIG. 2C , a bank may be formed on the
도 2c를 참조하면, 제2 기판(112)의 배면에 게이트 링크 배선(GLL)이 형성된다. 게이트 링크 배선(GLL)은 게이트 전극(121)과 동일 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 링크 배선(GLL)은 표시 영역(AA), 비표시 영역(NA)에 배치되고, 스크라이빙 라인(SL)을 넘어서 형성되며, 제2 기판(112)의 모서리까지 연장될 수 있다. 도 2c에서는 게이트 링크 배선(GLL)을 도시하였으나, 데이터 링크 배선(DLL) 또한 게이트 링크 배선(GLL)과 동일한 취지로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2C , a gate link line GLL is formed on the rear surface of the
이어서, 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 셀 단위로 스크라이빙한다.Then, the
도 2d 및 도 2e를 참조하면, 제1 기판(111) 및 제2 기판(112)의 스크라이빙 라인(SL)을 따라 제1 기판(111) 및 제2 기판(112)을 스크라이빙하여, 제1 기판(111) 및 제2 기판(112)이 셀 단위로 분리될 수 있다. 즉, 도 2c에 도시된 바와 같이, 제1 기판(111)과 제2 기판(112)이 합착된 상태에서 스크라이빙 라인(SL)을 따라 레이저를 조사하는 방식이나 기계적인 방식을 사용하여 제1 기판(111) 및 제2 기판(112)을 스크라이빙하여, 제1 기판(111) 및 제2 기판(112)이 셀 단위로 분리될 수 있다. 제1 기판(111) 및 제2 기판(112)이 스크라이빙 라인(SL)을 따라 스크라이빙됨에 따라, 게이트 배선(GL) 및 데이터 배선(DL)은 제1 기판(111)의 상면의 끝단까지 연장하고, 게이트 링크 배선(GLL) 및 데이터 링크 배선(DLL)은 제2 기판(112)의 배면의 끝단까지 연장하게 된다.Referring to FIGS. 2D and 2E , the
이어서, 복수의 게이트 배선(GL)과 복수의 게이트 링크 배선(GLL)을 연결하고, 복수의 데이터 배선(DL)과 복수의 데이터 링크 배선(DLL)을 연결하기 위해 배선 필름(190)을 제1 기판(111) 및 제2 기판(112)의 측면에 접착한다.Subsequently, a
도 2f를 참조하면, 배선 필름(190)은 베이스 필름(191), 배선(192), 유색층(193)을 포함한다. Referring to FIG. 2F , the
베이스 필름(191)은 배선(192) 또는 유색층(193)이 형성되는 기판이다. 베이스 필름(191)은 제1 기판(111)의 측면을 따라 일 방향으로 연장된 모양일 수 있다. 도 2f에 도시된 바와 같이, 베이스 필름(191)은 제1 기판(111)의 측면뿐만 아니라 상부 또는 하부에도 접착될 수 있으므로 베이스 필름(191)은 유연한 재질로 이루어지는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들어 베이스 필름(191)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalte; PET)로 이루어질 수 있다. The
복수의 개로 이루어진 배선(192)이 베이스 필름(191) 상에 배치된다. 각각의 배선(192)은, 제1 기판(111)의 상면에 위치한 게이트 배선(GL)과 제2 기판(112)의 배면에 위치한 게이트 링크 배선(GLL)을 전기적으로 연결시키며, 제1 기판(111)의 상면에 위치한 데이터 배선(DL)과 제2 기판(112)의 배면에 위치한 데이터 링크 배선(DLL)을 전기적으로 연결시킨다. 배선(192)은 전도성이 높은 은(Ag) 등의 물질일 수 있다. 배선(192)은 전도성이 높은 물질을 파우더 형태로 잉크와 같은 고착용액에 혼합시켜 프린팅하여 베이스 필름(191)에 형성되거나, 금속 전사층이 형성된 베이스 부재 상에 레이저를 조사하여 베이스 필름(191)에 형성될 수 있다.A plurality of
도 2f를 참조하면, 유색층(193)이 베이스 필름(191) 상에 배치된다. 유색층(193)은 제1 기판(111) 또는 제2 기판(112)의 측면으로 LED(130)의 광이 유출되는 것을 차단할 수 있다. 유색층(193)의 일면은 반사도가 큰 물질로 이루어질 수 있다. 또한 유색층(193)은 검정색 안료를 포함한 레진 등으로 이루어질 수 있다. 도 2f에 도시된 일 실시예에서는, 유색층(193)이 베이스 필름(191)과 배선(192) 사이에 배치되었지만, 반드시 이에 한정하는 것은 아니다. 예를 들면, 유색층(193)은 배선(192)이 형성되지 않은 일면 상에 배치되거나, 배선(192)과 제1 기판(111)의 측면 사이에 배치될 수도 있다.Referring to FIG. 2F , a
도 2f를 참조하면, 배선(192)은 제1 기판(111) 및 제2 기판(112)의 측면과 부착되고, 배선(192)의 양단은 제1 기판(111) 및 제2 기판(112)의 상부 또는 하부와 중첩되도록 구부러진 모양으로 부착될 수 있다. 즉, 배선(192)은 제1 기판(111) 또는 제2 기판(112)의 측면 상에 위치하는 제1 배선부(192a), 제2 기판(112)상의 게이트 링크 배선(GLL)과 전기적으로 접속되는 제2 배선부(192b), 및 제1 기판(111) 상의 게이트 배선(GL)과 전기적으로 접속되는 제3 배선부(192c)를 포함한다.Referring to FIG. 2F , the
게이트 배선(GL) 및 게이트 링크 배선(GLL)과, 배선 필름(190) 사이에는 도전층(195)이 배치될 수 있다. 이에 따라, 제2 배선부(192b)는 게이트 링크 배선(GLL)과 전기적으로 연결되고, 제3 배선부(192c)는 게이트 배선(GL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 마찬가지로, 데이터 링크 배선(DLL)은 배선(192)과 도전층(195)을 통해 데이터 배선(DL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도전층(195)은 이방성 도전필름(Anisotropic Conductive Film; ACF)일 수 있으나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니다.A
도 2f를 참조하면, 도전층(195)은 제1 배선부(192a)와 기판(111, 112) 사이에도 배치되었으나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니다. 제1 배선부(192a)와 기판(111, 112)의 측면 사이에는 도전층(195)이 배치되지 않을 수 있으며, 도전성이 없는 접착성만 가진 물질층이 배치될 수도 있다.Referring to FIG. 2F , the
다시 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 배선 필름(190)은 표시 장치의 표시 영역(AA)과 중첩하도록 연장될 수 있다. 즉, 베이스 필름(191)은 제1 기판(111)의 측면에 대응되도록 복수 개의 배선(192)을 포함하면서, 화소부(110) 전체를 덮도록 연장될 수 있다. 다시 말해서, 표시 장치는, 화소부(110)를 보호하기 위해 화소부(110)를 덮는 보호 필름(190')과, 기판의 상부 및 하부를 전기적으로 접속하기 위한 배선 필름(190)을 포함할 수 있는데, 보호 필름(190')과 배선 필름(190)은 적어도 하나의 층을 공유할 수 있다. 이 때, 보호 필름(190')은 제1 기판(111)이 외부의 충격으로부터 파손되는 것을 최소화하거나, 제1 기판(111)의 파손시 파편으로부터 사용자를 보호하는 역할을 동시에 수행할 수 있다. 한편, 보호 필름(190')은 강도향상층, 지문방지층 등을 더 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 실시예는 도 2a 내지 도 2f를 참조하여 설명한 실시예와 비교하여 배선 필름(190) 및 보호 필름(190')이 상이할 뿐, 다른 구성요소들은 실질적으로 동일하므로 중복 설명을 생략한다.Referring back to FIG. 1 , the
도 1 및 도 2f를 참조하면, 배선 필름(190)과 표시 장치와의 구조를 간략히 설명하기 위해, 도 2c에서 설명한 박막 트랜지스터(120) 및 LED(130)를 화소부(110)로 표현하였다. 베이스 필름(191')과 화소부(110) 사이에는 접착층이 배치되어 배선 필름(190')이 제1 기판(111)에 고정될 수 있다. 접착층은 양면 테이프로 구성되거나, OCR(Optical Clear Resin)과 같은 액상 물질로 구성될 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 2F , to briefly describe the structure of the
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 조감도이고, 도 4a 내지 도 4c는 도 3에 도시된 표시 장치의 부분 확대도이다.3 is a bird's eye view for explaining a display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 4A to 4C are partially enlarged views of the display device shown in FIG. 3 .
도 3을 참조하면, 제1 기판(111) 상에 배선 필름(190')이 배치된다. 배선 필름(190')은 제1 기판(111)의 측면까지 연장되어, 제1 기판(111)의 측면을 감싸는 모양일 수 있으나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 기판(111)의 서로 이웃하는 두 측면을 감싸는 모양일 수 있으며, 또는 한 측면의 적어도 일부를 감싸는 모양일 수도 있다. 한편, 배선 필름(190')과 제1 기판(111) 사이에는 도전접착층 또는 투명접착층이 배치될 수 있다.Referring to FIG. 3 , a
도 4a는 도 3에 도시된 제1 기판(111) 및 제2 기판(112)의 A 영역을 확대한 확대도이고, 도 4b는 도 3에 도시된 배선 필름(190')의 B 영역을 확대한 확대도이다. 그리고 도 4c는 제1 기판(111) 및 제2 기판(1120)의 측면 상에 배선 필름(190')이 부착된 상태를 보여준다.FIG. 4A is an enlarged view of area A of the
도 3 및 도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 배선 필름(190') 상에 위치한 배선들(192)의 피치(P)는, 게이트 배선(GL) 및 게이트 링크 배선(GLL)의 피치와 다를 수 있다. Referring to FIGS. 3 and 4A to 4C , the pitch P of the
도 4c를 참조하면, 배선(192)의 피치(P2)는 게이트 배선(GL) 및 게이트 링크 배선(GLL)의 피치(P1)보다 작다. 따라서, 배선 필름(190') 상에 배치된 복수 개의 배선(192)은 게이트 배선(GL) 및 게이트 링크 배선(GLL) 중 어느 것과도 연결되지 않는 더미 배선(192')과 게이트 배선(GL) 및 게이트 링크 배선(GLL)을 연결하는 링크 배선(192'')을 포함한다. 도 4c 에서는 이해를 돕기 위해 베이스 필름(191) 및 유색층(193) 등은 생략하여 도시하였다.Referring to FIG. 4C , the pitch P2 of the
게이트 배선(GL)의 선폭(W1)은 게이트 링크 배선(GLL)의 선폭과 동일할 수 있다. 그리고 링크 배선(192'')의 선폭(W2)은 더미 배선(192')의 선폭과 동일할 수 있다. 한편, 링크 배선(192'')의 선폭(W2)은 게이트 배선(GL)의 선폭(W1)보다 작다. 예를 들어, 하나의 게이트 배선(GL)은 둘 이상의 링크 배선(192'')과 접속될 수 있다. 이에 따라, 배선 필름(190)을 제1 기판(111)에 부착함에 있어서 별도의 얼라인키(align key)가 필요하지 않으며, 얼라인 공정 없이도 게이트 배선(GL)과 게이트 링크 배선(GLL)을 연결시킬 수 있다. 이와 같이, 배선 필름(190) 부착공정 시 얼라인 공정이 생략될 수 있으므로 공정 비용을 절약할 수 있다.The line width W1 of the gate line GL may be the same as the line width of the gate link line GLL. Also, the line width W2 of the link wire 192'' may be the same as that of the dummy wire 192'. Meanwhile, the line width W2 of the link line 192'' is smaller than the line width W1 of the gate line GL. For example, one gate line GL may be connected to two or more link lines 192''. Accordingly, a separate align key is not required when attaching the
도 4c에서는 게이트 배선(GL)이 게이트 배선(GL)과 전기적으로 접속되는 게이트 링크 배선(GLL)과 수직 방향으로 완전히 중첩하는 것으로 도시되었지만, 반드시 이에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 게이트 배선(GL)은 게이트 배선(GL)과 전기적으로 접속되는 게이트 링크 배선(GLL)과 수직 방향으로 어긋나도록 배치될 수도 있다. 이 경우, 더미 배선(192') 및 링크 배선(192'')은 베이스 필름(190') 상에 사선 모양으로 배치되거나, 곡선 모양 등으로 배치될 수 있다.In FIG. 4C , it is illustrated that the gate line GL completely overlaps the gate link line GLL electrically connected to the gate line GL in the vertical direction, but is not necessarily limited thereto. For example, the gate line GL may be vertically offset from the gate link line GLL electrically connected to the gate line GL. In this case, the dummy wires 192' and the link wires 192'' may be disposed in an oblique shape or a curved shape on the base film 190'.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 기판의 측면에 배선을 직접 형성하지 않아도 되므로, 이에 따른 공정 비용을 절감할 수 있다. As described above, since the display device according to an exemplary embodiment of the present invention does not need to directly form wires on the side surface of the substrate, process costs can be reduced accordingly.
또한, 종래 구조에서는 측면 배선을 보호하기 위해 별도의 보호층을 형성해야 하는 것에 반해, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서는, 배선 필름(190)의 베이스 필름(191)이 보호층으로 기능하므로 별도의 보호층을 형성하기 위한 공정 시간 및 공정 비용을 절감할 수 있다. In addition, in the conventional structure, a separate protective layer must be formed to protect side wiring, whereas in the display device according to an embodiment of the present invention, the
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 장치 기판의 측면배선을 배선 필름으로 대신한다. 따라서, 제1 기판(111) 또는 제2 기판(112)의 모서리의 형상이 각이 진 형태인 경우에도 용이하게 복수의 측면 배선 형성이 가능하고, 게이트 배선(GL)과 게이트 링크 배선(GLL) 및 데이터 배선(DL)과 데이터 링크 배선(DLL)이 정상적으로 연결될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 게이트 배선(GL)과 게이트 링크 배선(GLL) 및 데이터 배선(DL)과 데이터 링크 배선(DLL)을 연결하기 위해 제1 기판(111) 및 제2 기판(112)의 모서리를 그라인딩하는 공정이 생략될 수 있다. 또한, 그라인딩 공정을 진행한 경우 제1 기판(111) 및 제2 기판(112)의 측면이 라운드(round) 형상을 갖거나, 다각형 형상을 갖게 되므로, 그라인딩 공정을 진행하지 않은 경우보다 비표시 영역(NA)의 크기가 증가될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법에서는 비표시 영역(NA)의 크기를 감소시킬 수 있다. 단, 배선 필름의 배선(192)과 기판의 모서리가 접촉되어 배선(192)이 마모되어 단선되는 것을 방지하기 위하여, 약간의 그라인딩은 필요할 수 있다.In a display device according to an exemplary embodiment of the present invention, side wirings of a display device substrate are replaced with a wiring film. Therefore, even when the shape of the corner of the
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 블랙 물질로 이루어지는 유색층(193)이 배선 필름(190) 상에 배치되어, 외광이 복수의 배선(192)에서 반사되거나 LED(130)에서 발광된 광이 복수의 배선(192)에서 반사되어 사용자에게 시인되는 문제점이 해결될 수 있다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 타일 형태로 배치하여 초대형 화면을 구현하는 경우, 서로 인접하는 표시 장치 사이에서 빛샘 현상이 발생하는 것이 방지될 수 있다.In addition, in the display device according to an exemplary embodiment, the
몇몇 실시예에서, 표시 장치 제조를 위해 제1 기판(111) 및 제2 기판(112)의 2개의 기판을 사용하지 않고, 1개의 기판만을 사용하여 표시 장치를 제조할 수도 있다. 즉, 1개의 기판의 상면에 데이터 배선(DL) 및 게이트 배선(GL)을 배치하고, 동일 기판의 배면에 데이터 링크 배선(DLL) 및 데이터 배선(DL)을 배치하여 공정을 진행할 수도 있다.In some embodiments, the display device may be manufactured using only one substrate instead of using two substrates, the
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and may be variously modified without departing from the technical spirit of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The protection scope of the present invention should be construed according to the claims below, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.
111: 제1 기판
112: 제2 기판
113: 게이트 절연층
114: 패시베이션층
115: 접착층
116: 제1 평탄화층
117: 제2 평탄화층
118: 본딩층
120: 박막 트랜지스터
121: 게이트 전극
122: 액티브층
123: 소스 전극
124: 드레인 전극
130: LED
131: n형층
132: 활성층
133: p형층
134: p전극
135: n전극
141: 제1 전극
142: 제2 전극
143: 반사층
190: 배선 필름
190': 보호 필름
191, 191': 베이스 필름
192: 배선
192': 더미 배선
192'': 링크 배선
193: 유색층
195: 도전층
SL: 스크라이빙 라인
PX: 화소
DL: 데이터 배선
DLL: 데이터 링크 배선
GL: 게이트 배선
GLL: 게이트 링크 배선
CL: 공통 배선
AA: 표시 영역
NA: 비표시 영역111: first substrate
112: second substrate
113: gate insulating layer
114: passivation layer
115: adhesive layer
116: first planarization layer
117: second planarization layer
118: bonding layer
120: thin film transistor
121: gate electrode
122: active layer
123: source electrode
124: drain electrode
130: LEDs
131: n-type layer
132: active layer
133: p-type layer
134: p-electrode
135: n-electrode
141: first electrode
142: second electrode
143: reflective layer
190: wiring film
190': protective film
191, 191': base film
192: wiring
192': dummy wiring
192'': link wiring
193: colored layer
195: conductive layer
SL: scribing line
PX: pixels
DL: data wire
DLL: data link wiring
GL: gate wiring
GLL: gate link wiring
CL: common wiring
AA: display area
NA: non-display area
Claims (30)
상기 제1 기판 상부에 배치되고, 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
상기 제1 기판의 상면 상에 배치된 복수 개의 제1 전극;
상기 제1 기판의 하부에 배치되는 제2 기판;
상기 제2 기판의 하면 상에 배치된 복수 개의 제2 전극;
상기 제1 기판과 제2 기판을 본딩하는 본딩층; 및
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 측면에 위치하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 접속시키며, 복수 개의 배선이 형성된 배선 필름을 포함하고,
상기 본딩층의 일부분이 상기 배선필름과 접촉하는, 표시 장치.a first substrate in which a plurality of pixels are defined in a display area;
a thin film transistor disposed on the first substrate and including a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode;
a plurality of first electrodes disposed on an upper surface of the first substrate;
a second substrate disposed below the first substrate;
a plurality of second electrodes disposed on a lower surface of the second substrate;
a bonding layer bonding the first substrate and the second substrate; and
A wiring film disposed on side surfaces of the first substrate and the second substrate, electrically connecting the first electrode and the second electrode, and having a plurality of wires formed thereon;
A display device, wherein a portion of the bonding layer contacts the wiring film.
상기 제1 기판의 상부에 배치된 LED;
상기 게이트 전극과 상기 액티브층 사이에 배치된 게이트 절연층; 및
상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 상부에 배치된 패시베이션층;을 더 포함하는, 표시 장치.According to claim 1,
an LED disposed on the first substrate;
a gate insulating layer disposed between the gate electrode and the active layer; and
The display device further includes a passivation layer disposed on the source electrode and the drain electrode.
상기 액티브층은 상기 게이트 전극의 상부에 위치하고,
상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 액티브층 상부에 위치한, 표시 장치.According to claim 1,
The active layer is located on top of the gate electrode,
The source electrode and the drain electrode are positioned on the active layer.
상기 제1 전극은 상기 게이트 전극과 동일 층 상에 동일 물질로 형성된, 표시 장치. According to claim 3,
The first electrode is formed of the same material on the same layer as the gate electrode.
상기 제1 전극은 상기 제1 기판의 상면의 끝단까지 연장되고,
상기 제2 전극은 상기 제2 기판의 배면의 끝단까지 연장된, 표시 장치.According to claim 1,
The first electrode extends to an end of the upper surface of the first substrate,
The second electrode extends to an end of the rear surface of the second substrate.
상기 게이트 절연층 상에 배치되고, 상기 LED에 공통 전압을 인가하는 공통 배선을 더 포함하는, 표시 장치.According to claim 2,
and a common wiring disposed on the gate insulating layer and applying a common voltage to the LEDs.
상기 공통 배선은, 상기 제1 전극과 동일한 방향으로 연장되며, 상기 제1 전극과 이격되어 배치된, 표시 장치.According to claim 6,
The common wire extends in the same direction as the first electrode and is spaced apart from the first electrode.
상기 표시 영역에서 상기 패시베이션층 상부에 배치된 반사층을 더 포함하는, 표시 장치.According to claim 2,
The display device further comprises a reflective layer disposed on the passivation layer in the display area.
상기 반사층은 금속 물질로 이루어진, 표시 장치.According to claim 8,
The reflective layer is made of a metal material, the display device.
상기 반사층의 상부에 배치되며, 상기 반사층과 상기 LED를 절연시키는 접착층을 더 포함하는, 표시 장치.According to claim 8,
and an adhesive layer disposed on the reflective layer and insulating the reflective layer from the LED.
상기 접착층은,
열 경화 물질 또는 광 경화 물질로 이루어진, 표시 장치.According to claim 10,
The adhesive layer is
A display device made of a thermal curing material or a light curing material.
상기 LED는,
n형층, 상기 n형층 상의 활성층, 상기 활성층 상의 p형층, 상기 n형층 상의 n전극, 및 상기 p형층 상의 p전극을 포함하는, 표시 장치.According to claim 2,
The LED,
A display device comprising: an n-type layer, an active layer on the n-type layer, a p-type layer on the active layer, an n-electrode on the n-type layer, and a p-electrode on the p-type layer.
상기 n형층은 질화갈륨(GaN)에 n형 불순물을 주입하여 형성된, 표시 장치.According to claim 12,
The n-type layer is formed by implanting n-type impurities into gallium nitride (GaN).
상기 활성층은 질화물 반도체로 이루어진 발광층이고,
상기 질화물 반도체는 인듐질화갈륨(InGaN)을 포함하는, 표시 장치.According to claim 12,
The active layer is a light emitting layer made of a nitride semiconductor,
The nitride semiconductor includes indium gallium nitride (InGaN).
상기 p형층은 질화갈륨(GaN)에 p형 불순물을 주입하여 형성된, 표시 장치.According to claim 12,
The p-type layer is formed by implanting p-type impurities into gallium nitride (GaN).
상기 n전극 및 상기 p전극은 도전성 물질로 이루어지고,
상기 도전성 물질은 투명 도전성 산화물을 포함하는, 표시 장치.According to claim 12,
The n-electrode and the p-electrode are made of a conductive material,
The conductive material includes a transparent conductive oxide.
상기 n전극 및 상기 p전극은 동일 물질로 이루어진, 표시 장치.According to claim 16,
The n-electrode and the p-electrode are made of the same material.
상기 LED는,
차례로 적층된 상기 n형층, 상기 활성층 및 상기 p형층의 적층 구조에서 상기 활성층 및 상기 p형층의 소정 부분을 식각하여 상기 n형층의 일부분이 노출되며,
상기 n형층의 노출된 일부분 상에 상기 n전극이 배치되고,
식각되지 않은 상기 p형층 상에 상기 p전극이 배치되고,
상기 활성층 및 상기 p형층이 식각된 상기 소정 부분 중 일부에 의해 상기 n전극과 상기 p전극이 이격된, 표시 장치.According to claim 12,
The LED,
A portion of the n-type layer is exposed by etching predetermined portions of the active layer and the p-type layer in the laminated structure of the n-type layer, the active layer, and the p-type layer sequentially stacked,
The n-electrode is disposed on an exposed portion of the n-type layer;
The p-electrode is disposed on the unetched p-type layer,
The display device, wherein the n-electrode and the p-electrode are separated from each other by a portion of the predetermined portion where the active layer and the p-type layer are etched.
상기 LED는,
상기 n형층의 상면을 기준으로 상기 n 전극과 상기 p 전극이 서로 다른 높이에 위치하는, 표시 장치.According to claim 12,
The LED,
The display device, wherein the n-electrode and the p-electrode are positioned at different heights with respect to a top surface of the n-type layer.
상기 표시 영역에서 상기 패시베이션층 상부에 배치된 반사층을 더 포함하고,
상기 n형층은 상기 반사층에 상기 n전극 및 상기 p전극보다 더 인접하게 배치된, 표시 장치.According to claim 12,
Further comprising a reflective layer disposed on the passivation layer in the display area,
The n-type layer is disposed closer to the reflective layer than the n-electrode and the p-electrode.
상기 제1 및 제2 전극과 상기 배선 필름과의 사이에 배치된 도전층을 더 포함하는, 표시장치. According to claim 1,
The display device further comprises a conductive layer disposed between the first and second electrodes and the wiring film.
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은,
유리, 수지, 고분자 물질, 플라스틱, 및 가요성을 갖는 플라스틱 물질 중 어느 하나를 포함하는, 표시 장치.According to claim 1,
The first substrate and the second substrate,
A display device comprising any one of glass, resin, polymer material, plastic, and plastic material having flexibility.
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 동일한 물질로 이루어진, 표시 장치.The method of claim 22,
The display device, wherein the first substrate and the second substrate are made of the same material.
상기 제1 기판 상에서 상기 화소를 덮는 보호 필름을 더 포함하고,
상기 배선 필름 및 상기 보호 필름은 적어도 한 개의 층을 공유하는, 표시 장치.According to claim 1,
Further comprising a protective film covering the pixel on the first substrate,
The display device, wherein the wiring film and the protective film share at least one layer.
상기 배선은,
상기 제1 전극과 전기적으로 접속하는 제1 배선부;
상기 제2 전극과 전기적으로 접속하는 제2 배선부; 및
상기 제1 배선부와 상기 제2 배선부를 연결하는 제3 배선부를 포함하는, 표시 장치.According to claim 1,
The wiring is
a first wiring part electrically connected to the first electrode;
a second wiring part electrically connected to the second electrode; and
and a third wiring part connecting the first wiring part and the second wiring part.
상기 제1 배선부와 상기 제1 전극, 및 상기 제2 배선부와 상기 제2 전극 사이에는 도전층이 배치되고,
상기 제3 배선부와 상기 제1 및 제2 기판의 측면 사이에는 접착층이 배치되는, 표시 장치.According to claim 25,
A conductive layer is disposed between the first wiring part and the first electrode, and between the second wiring part and the second electrode,
An adhesive layer is disposed between the third wiring part and side surfaces of the first and second substrates.
상기 배선의 너비는 상기 제1 전극의 너비보다 작은, 표시 장치.According to claim 1,
A width of the wiring is smaller than a width of the first electrode.
상기 배선은 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제1 배선 및 상기 제1 전극과 절연된 제2 배선을 포함하는, 표시 장치.The method of claim 27,
The display device, wherein the wiring includes a first wiring electrically connected to the first electrode and a second wiring insulated from the first electrode.
상기 제1 전극은 적어도 둘 이상의 상기 제1 배선과 전기적으로 접속되고,
상기 제2 배선은 플로팅된, 표시 장치.According to claim 28,
The first electrode is electrically connected to at least two or more first wires,
The second wire is floating, the display device.
상기 배선 필름은 유색층을 더 포함하고,
상기 유색층은 상기 복수 개의 배선과 중첩하도록 배치되어, 상기 기판의 측면을 덮는, 표시 장치.
According to claim 1,
The wiring film further includes a colored layer,
The colored layer is disposed to overlap the plurality of wires and covers a side surface of the substrate.
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Citations (7)
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JPS5138529B1 (en) * | 1971-04-14 | 1976-10-22 | ||
JP2000122571A (en) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Noritake Co Ltd | Tile type picture display device |
KR100335295B1 (en) * | 1996-05-29 | 2002-10-04 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | Resistor and its manufacturing method |
KR20030041153A (en) * | 2001-08-09 | 2003-05-23 | 가부시끼가이샤 도시바 | Matrix type display apparatus |
JP2010086498A (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-15 | Hitachi Displays Ltd | Display device |
KR101210377B1 (en) * | 2007-04-20 | 2012-12-10 | 주식회사 오리온 | Plasma display panel for multi-screen and fabricating method for the same |
KR20170086366A (en) * | 2016-01-18 | 2017-07-26 | 엘지전자 주식회사 | Display device using semiconductor light emitting diode |
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Patent Citations (7)
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---|---|---|---|---|
JPS5138529B1 (en) * | 1971-04-14 | 1976-10-22 | ||
KR100335295B1 (en) * | 1996-05-29 | 2002-10-04 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | Resistor and its manufacturing method |
JP2000122571A (en) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Noritake Co Ltd | Tile type picture display device |
KR20030041153A (en) * | 2001-08-09 | 2003-05-23 | 가부시끼가이샤 도시바 | Matrix type display apparatus |
KR101210377B1 (en) * | 2007-04-20 | 2012-12-10 | 주식회사 오리온 | Plasma display panel for multi-screen and fabricating method for the same |
JP2010086498A (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-15 | Hitachi Displays Ltd | Display device |
KR20170086366A (en) * | 2016-01-18 | 2017-07-26 | 엘지전자 주식회사 | Display device using semiconductor light emitting diode |
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