KR20230039541A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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히로노부 히아쿠타케
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, which can prevent a particle from being attached to a substrate without the number to be processed. The substrate processing apparatus provided by one aspect of the present disclosure comprises: a processing tank which stores a processing liquid into which a substrate is immersed; a drying tank which is disposed on an upper side of the processing tank and dries the substrate; a gas supply unit which supplies mixture gas, including inert gas and steam of an organic solvent, to the drying tank; and a control unit which controls the gas supply unit. The control unit uniformly maintains the concentration of the steam of the organic solvent in the mixture gas supplied to the drying tank, and changes a supply flow rate of the inert gas according to a state of the substrate and the supply flow rate of the organic solvent.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

특허문헌 1에 기재된 세정 건조 유닛은, 린스액(예컨대, 순수)을 저류하는 세정조와, 세정조의 상부에 위치하는 건조조와, 기판을 유지하는 기판 유지구, 그리고 기판 유지구를 승강시키는 승강 기구를 갖는다. 기판 유지구는, 복수 매의 기판을, 기립 자세로, 수평 방향으로 배열한 상태로 유지한다. 승강 기구는, 기판 유지구를, 세정조의 조 내와 건조조 사이에서 승강시킨다. 복수 매의 기판은, 세정조의 조 내에 저류된 린스액에 침지된 후, 린스액의 액면으로부터 인상되어 건조조에서 건조된다. The washing and drying unit described in Patent Literature 1 includes a washing tank for storing a rinse liquid (eg, pure water), a drying tank located above the washing tank, a substrate holder for holding a substrate, and an elevating mechanism for lifting and lowering the substrate holder. have The substrate holder holds a plurality of substrates in a state in which they are arranged in a horizontal direction in a standing posture. The elevating mechanism elevates the substrate holder between the inside of the cleaning tank and the drying tank. After the plurality of substrates are immersed in the rinse liquid stored in the cleaning tank, they are pulled up from the surface of the rinse liquid and dried in the drying tank.

특허문헌 1 : 일본특허 제6144236호 공보Patent Document 1: Japanese Patent No. 6144236

본 개시는, 처리 매수에 상관없이, 기판에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있는 기술을 제공한다. The present disclosure provides a technique capable of suppressing adhesion of particles to a substrate regardless of the number of processed sheets.

본 개시의 일양태에 의한 기판 처리 장치는, 기판이 침지되는 처리액을 저장하는 처리조와, 상기 처리조의 상측에 배치되고 상기 기판을 건조시키는 건조조와, 상기 건조조에 불활성 가스 및 유기 용제의 증기를 포함하는 혼합 가스를 공급하는 가스 공급부, 그리고 상기 가스 공급부를 제어하는 제어부를 가지며, 상기 제어부는, 상기 건조조에 공급되는 상기 혼합 가스에 차지하는 상기 유기 용제의 증기 농도를 일정하게 유지하면서, 상기 기판의 상태에 따라서 상기 불활성 가스의 공급 유량 및 상기 유기 용제의 공급 유량을 변경한다. A substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a processing tank for storing a processing liquid in which a substrate is immersed, a drying tank disposed above the processing tank and drying the substrate, and inert gas and vapor of an organic solvent are supplied to the drying tank. a gas supply unit for supplying a mixed gas containing the gas, and a control unit for controlling the gas supply unit, wherein the control unit maintains a constant vapor concentration of the organic solvent in the mixed gas supplied to the drying tank, The supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent are changed according to conditions.

본 개시에 의하면, 처리 매수에 상관없이, 기판에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다. According to the present disclosure, adhesion of particles to a substrate can be suppressed regardless of the number of processed sheets.

도 1은 기판 처리 장치의 일례를 도시하는 도면.
도 2는 기판 처리 장치의 일례를 도시하는 도면.
도 3은 기판 유지구의 일례를 도시하는 단면도.
도 4는 테이블의 일례를 도시하는 도면.
도 5는 테이블의 일례를 도시하는 도면.
도 6은 테이블의 일례를 도시하는 도면.
도 7은 테이블의 일례를 도시하는 도면.
도 8은 테이블의 일례를 도시하는 도면.
도 9는 기판 처리 방법의 일례를 도시하는 플로우도.
도 10은 기판 처리 방법의 일례를 설명하는 도면.
도 11은 기판 처리 방법의 일례를 설명하는 도면.
도 12는 기판 처리 방법의 일례를 설명하는 도면.
도 13은 기판 처리 방법의 일례를 설명하는 도면.
도 14는 기판 처리 방법의 다른 일례를 설명하는 도면.
도 15는 기판에 파티클이 부착되는 이유를 설명하는 도면.
도 16은 기판에 파티클이 부착되는 이유를 설명하는 도면.
도 17은 기판에 부착된 파티클의 수의 측정 결과를 도시하는 도면. 1 is a diagram showing an example of a substrate processing apparatus;
2 is a diagram showing an example of a substrate processing apparatus.
Fig. 3 is a cross-sectional view showing an example of a substrate holder.
Fig. 4 is a diagram showing an example of a table;
Fig. 5 is a diagram showing an example of a table;
Fig. 6 is a diagram showing an example of a table;
Fig. 7 is a diagram showing an example of a table;
Fig. 8 is a diagram showing an example of a table;
9 is a flow diagram showing an example of a substrate processing method.
10 is a view for explaining an example of a substrate processing method.
11 is a view for explaining an example of a substrate processing method;
12 is a view for explaining an example of a substrate processing method;
13 is a view for explaining an example of a substrate processing method;
14 is a view for explaining another example of a substrate processing method;
Fig. 15 is a view explaining why particles are attached to a substrate;
Fig. 16 is a view explaining why particles are attached to a substrate;
Fig. 17 is a diagram showing measurement results of the number of particles adhering to a substrate;

이하, 첨부의 도면을 참조하면서, 본 개시의 한정적이지 않은 예시의 실시형태에 관해 설명한다. 첨부한 전체 도면 중, 동일 또는 대응하는 부재 또는 부품에 관해서는, 동일 또는 대응하는 참조 부호를 붙이고, 중복 설명을 생략한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of a non-limiting example of this disclosure is described, referring an accompanying drawing. In all the accompanying drawings, the same or corresponding reference numerals are assigned to the same or corresponding members or components, and redundant explanations are omitted.

〔기판 처리 장치〕[substrate processing device]

도 1∼도 8을 참조하여, 기판 처리 장치(1)의 일례에 관해 설명한다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)에 대하여 처리액(L)을 공급하고, 그 후 기판(W)을 건조시킨다. 기판 처리 장치(1)는, 처리 용기(10)와, 기판 유지구(20)와, 가스 공급부(30)와, 가스 배출부(40)와, 제어부(90)를 구비한다. An example of the substrate processing apparatus 1 will be described with reference to FIGS. 1 to 8 . The substrate processing apparatus 1 supplies the processing liquid L to the substrate W, and then dries the substrate W. A substrate processing apparatus 1 includes a processing container 10 , a substrate holder 20 , a gas supply unit 30 , a gas discharge unit 40 , and a control unit 90 .

처리 용기(10)는, 기판(W)이 침지되는 처리액(L)을 저장하는 처리조(11)를 갖는다. 처리액(L)은, 예컨대 DIW 등의 순수이다. 처리조(11)는, 예컨대, 처리액(L)을 저장하는 내조(111)와, 내조(111)로부터 오버플로우한 처리액(L)을 회수하는 외조(112)와, 외조(112)의 상단을 둘러싸는 시일조(113)를 갖는다. 내조(111)의 내부에는, 내조(111)의 내부에 처리액(L)을 공급하는 노즐(51)이 설치된다. 내조(111)의 저벽에는, 내조(111)의 내부에 저장한 처리액(L)을 배출하는 배출 포트(52)가 설치된다. The processing vessel 10 has a processing tank 11 storing a processing liquid L in which the substrate W is immersed. The treatment liquid L is, for example, pure water such as DIW. The treatment tank 11 includes, for example, an inner tank 111 for storing the treatment liquid L, an outer tank 112 for recovering the treatment liquid L overflowing from the inner tank 111, and an outer tank 112. It has a seal jaw 113 surrounding the upper end. Inside the inner tub 111, a nozzle 51 for supplying the treatment liquid L to the inside of the inner tub 111 is installed. A discharge port 52 for discharging the treatment liquid L stored in the inner tub 111 is installed on the bottom wall of the inner tub 111 .

처리 용기(10)는, 기판(W)을 건조시키는 건조조(12)를 갖는다. 건조조(12)는 처리조(11)의 상측에 배치된다. 건조조(12)는, 예컨대, 통형의 측벽(121)을 포함한다. 통형의 측벽(121)은, 상측에 개방되어 있고, 그 상단에 기판(W)의 반입 반출구(122)를 갖는다. 건조조(12)는, 반입 반출구(122)를 개폐하는 덮개(123)를 더 갖는다. 덮개(123)는, 위로 볼록한 돔형이며, 개폐 기구(53)에 의해 승강된다.The processing container 10 has a drying tank 12 for drying the substrate W. The drying tank 12 is disposed above the treatment tank 11 . The drying tank 12 includes, for example, a tubular side wall 121 . The cylindrical side wall 121 is open on the upper side, and has a loading/unloading port 122 for the substrate W at its upper end. The drying tank 12 further has a lid 123 that opens and closes the carry-in/out port 122 . The lid 123 has an upwardly convex dome shape, and is lifted by the opening/closing mechanism 53 .

처리 용기(10)는, 처리조(11)와 건조조(12) 사이에 케이싱(13)을 갖는다. 케이싱(13)의 내부에는 셔터(14)가 이동 가능하게 배치된다. 셔터(14)는, 도 1에 도시된 바와 같이 처리조(11)와 건조조(12)를 연통하는 연통 위치와, 도 2에 도시된 바와 같이 처리조(11)와 건조조(12)를 차단하는 차단 위치의 사이에서 이동된다. The processing container 10 has a casing 13 between the processing tank 11 and the drying tank 12 . Inside the casing 13, a shutter 14 is movably disposed. The shutter 14 is a communication position where the treatment tank 11 and the drying tank 12 communicate, as shown in FIG. 1, and the treatment tank 11 and the drying tank 12, as shown in FIG. It is moved between blocking positions to block.

기판 처리 장치(1)는, 셔터(14)를 연통 위치와 차단 위치 사이에서 이동시키는 개폐 기구(54)를 더 구비한다. 개폐 기구(54)는, 셔터(14)를 수평 방향으로 이동시킨다. 개폐 기구(54)는, 셔터(14)를 연직 방향으로도 이동시켜도 좋다. 셔터(14)는, 수평으로 배치되고, 그 상면에 프레임형의 시일 부재(15)를 유지한다. The substrate processing apparatus 1 further includes an opening/closing mechanism 54 that moves the shutter 14 between a communicating position and a blocking position. The opening/closing mechanism 54 moves the shutter 14 in the horizontal direction. The opening/closing mechanism 54 may also move the shutter 14 in the vertical direction. The shutter 14 is disposed horizontally and holds a frame-shaped sealing member 15 on its upper surface.

기판 유지구(20)는, 예컨대 도 3에 도시된 바와 같이, 수평 방향으로 간격을 두고 배열되는 복수 매의 기판(W)의 각각을 연직으로 세워 유지한다. 기판 유지구(20)는, 기판(W)을 1장만 유지하는 것도 가능하다. 기판 유지구(20)는, 예컨대 수평 방향으로 연장되는 복수(예컨대 4개)의 아암(21)을 갖는다. 복수의 아암(21)은, 각각 연장 방향으로 동일한 피치로 형성된 홈(211)을 포함한다. 홈(211)에는 기판(W)의 둘레 가장자리가 삽입된다. 복수의 아암(21)은, 각 기판(W)의 둘레 가장자리를 복수의 점에서 유지한다. As shown in FIG. 3 , for example, the substrate holder 20 vertically holds each of a plurality of substrates W arranged at intervals in the horizontal direction. The substrate holder 20 can hold only one substrate W. The substrate holder 20 has a plurality of (for example, four) arms 21 extending in the horizontal direction, for example. The plurality of arms 21 each include grooves 211 formed at the same pitch in the extension direction. The circumferential edge of the substrate W is inserted into the groove 211 . The plurality of arms 21 hold the periphery of each substrate W at a plurality of points.

기판 유지구(20)는, 복수의 아암(21)을 캔틸레버 지지하는 연직의 배판(背板)(22)과, 배판(22)으로부터 바로 위로 연장되는 승강 로드(23)(도 1 및 도 2 참조)를 갖는다. 승강 로드(23)는, 덮개(123)의 관통 구멍에 삽입 관통되어 있고, 그 관통 구멍에는 시일 기구가 설치되어 있다. 승강 로드(23)의 상단에는 승강 기구(55)가 접속되어 있다. 승강 기구(55)는 기판 유지구(20)를 승강시킨다. The substrate holder 20 includes a vertical back plate 22 that cantilever-supports a plurality of arms 21, and a lifting rod 23 extending directly upward from the back plate 22 (FIGS. 1 and 2). reference) has. The elevating rod 23 is inserted through the through hole of the lid 123, and a sealing mechanism is provided in the through hole. An elevating mechanism 55 is connected to the upper end of the elevating rod 23 . The elevating mechanism 55 elevates the substrate holder 20 .

가스 공급부(30)는, 처리 용기(10)의 내부에 가스를 공급한다. 공급하는 가스는, 예컨대 불활성 가스(G1), 또는 불활성 가스(G1)와 유기 용제의 증기(G2)의 혼합 가스이다. 불활성 가스는, 예컨대 질소(N2) 가스이다. 유기 용제는, 예컨대 IPA(이소프로필알코올)이다. 공급하는 가스는, 기판(W)의 건조를 촉진할 수 있다고 하는 관점에서, 미리 가열되어도 좋다. The gas supply unit 30 supplies gas to the inside of the processing container 10 . The gas to be supplied is, for example, an inert gas (G1) or a mixed gas of the inert gas (G1) and the organic solvent vapor (G2). The inert gas is, for example, nitrogen (N 2 ) gas. The organic solvent is, for example, IPA (isopropyl alcohol). The gas to be supplied may be heated in advance from the viewpoint that drying of the substrate W can be accelerated.

가스 공급부(30)는 노즐(31)을 포함한다. 노즐(31)은, 처리 용기(10)의 내부에 설치되고, 처리 용기(10)의 내부에 가스를 공급한다. 노즐(31)에는 공급 라인(32)이 접속되어 있다. 공급 라인(32)은, 공통 라인(321)과, 복수의 개별 라인(322∼323)을 갖는다. The gas supply unit 30 includes a nozzle 31 . The nozzle 31 is installed inside the processing container 10 and supplies gas to the inside of the processing container 10 . A supply line 32 is connected to the nozzle 31 . The supply line 32 has a common line 321 and a plurality of individual lines 322 to 323 .

공통 라인(321)은, 복수의 개별 라인(322∼323)의 합류점과 노즐(31)을 접속한다. 공통 라인(321)의 도중에는, 공급하는 가스를 가열하는 히터(33)가 설치되어도 좋다. The common line 321 connects the junction of the plurality of individual lines 322 to 323 and the nozzle 31 . In the middle of the common line 321, a heater 33 for heating the supplied gas may be provided.

개별 라인(322)은, 노즐(31)에 대하여 불활성 가스(G1)를 공급한다. 개별 라인(323)은, 노즐(31)에 대하여 유기 용제의 증기(G2)를 공급한다. 개별 라인(322, 323)의 각각의 도중에는, 개폐 밸브(34)와 유량 제어기(35)가 설치된다. A separate line 322 supplies an inert gas G1 to the nozzle 31 . A separate line 323 supplies organic solvent vapor G2 to the nozzle 31 . In the middle of each of the individual lines 322 and 323, an on-off valve 34 and a flow controller 35 are installed.

가스 배출부(40)는, 처리 용기(10)의 내부로부터 외부로 가스를 배출시킨다. 가스 배출부(40)는, 예컨대 건조조(12)로부터 연장되는 배출 라인(41)을 포함한다. 배출 라인(41)의 도중에는, 개폐 밸브(42)와 유량 제어기(43)가 설치된다. The gas discharge unit 40 discharges gas from the inside of the processing container 10 to the outside. The gas outlet 40 includes, for example, a discharge line 41 extending from the drying tank 12 . In the middle of the discharge line 41, an on-off valve 42 and a flow controller 43 are installed.

제어부(90)는, 기판 처리 장치(1)의 각 부를 제어한다. 제어부(90)는, 예컨대 컴퓨터이며, CPU(Central Processing Unit)(91)와, 메모리 등의 기억 매체(92)를 구비한다. 기억 매체(92)에는, 기판 처리 장치(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(90)는, 기억 매체(92)에 기억된 프로그램을 CPU(91)에 실행시키는 것에 의해 기판 처리 장치(1)의 동작을 제어한다. The control unit 90 controls each unit of the substrate processing apparatus 1 . The control unit 90 is, for example, a computer, and includes a CPU (Central Processing Unit) 91 and a storage medium 92 such as a memory. In the storage medium 92 , a program for controlling various processes executed in the substrate processing apparatus 1 is stored. The controller 90 controls the operation of the substrate processing apparatus 1 by causing the CPU 91 to execute a program stored in the storage medium 92 .

CPU(91)는, 처리 대상의 기판(W)의 매수에 따라서 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 보정한다. The CPU 91 corrects the supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent according to the number of substrates W to be processed.

기억 매체(92)는, CPU(91)가 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 산출할 때에 이용하는 각종 정보를 기억한다. The storage medium 92 stores various types of information used when the CPU 91 calculates the supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent.

각종 정보는, 건조조(12)에 공급되는 혼합 가스에서 차지하는 유기 용제의 증기 농도(이하 「유기 용제의 증기 농도」라고 한다.)와, 기판(W)의 매수가 기준 매수인 경우의 불활성 가스의 기준 공급 유량 및 유기 용제의 기준 공급 유량이 대응된 테이블 T1을 포함할 수 있다. 기준 매수는, 예컨대 기판 유지구(20)가 유지할 수 있는 최대의 기판(W)의 매수일 수 있다. 예컨대 도 4에 도시된 바와 같이, 테이블 T1에서는, 기준 매수는 100장이며, 유기 용제의 증기 농도가 D1[vol%]인 경우의 불활성 가스의 기준 공급 유량 및 유기 용제의 기준 공급 유량은 각각 X1[L/min] 및 Y1「ml/sec」이다. Various pieces of information include the organic solvent vapor concentration in the mixed gas supplied to the drying tank 12 (hereinafter referred to as "organic solvent vapor concentration") and the inert gas when the number of substrates W is the standard number. Table T1 in which the standard supply flow rate and the standard supply flow rate of the organic solvent are corresponded may be included. The standard number of sheets may be, for example, the maximum number of substrates W that the substrate holder 20 can hold. For example, as shown in FIG. 4 , in table T1, the standard number of sheets is 100, and the standard supply flow rate of inert gas and the standard supply flow rate of organic solvent when the organic solvent vapor concentration is D1 [vol%] are X1 [L/min] and Y1 "ml/sec".

각종 정보는, 유기 용제의 증기 농도와, 기판(W)의 매수와, 불활성 가스의 공급 유량 비율이 대응된 테이블 T2을 포함할 수 있다. 유기 용제의 증기 농도가 기준 농도로부터 변경되지 않는 경우, 테이블 T2은 유기 용제의 농도를 포함하지 않아도 좋다. 불활성 가스의 공급 비율은, 기준 공급 유량에 대한 비율을 백분율로 나타낸 값이다. 예컨대 도 5에 도시된 바와 같이, 테이블 T2에서는, 유기 용제의 증기 농도가 D1[vol%], 기판(W)의 매수가 1장∼10장인 경우의 불활성 가스의 공급 유량 비율은 44%이다. Various types of information may include a table T2 in which the vapor concentration of the organic solvent, the number of substrates W, and the supply flow rate ratio of the inert gas correspond to each other. If the vapor concentration of the organic solvent does not change from the standard concentration, table T2 may not include the concentration of the organic solvent. The supply ratio of the inert gas is a value expressed as a percentage with respect to the standard supply flow rate. For example, as shown in Fig. 5, in Table T2, the supply flow rate ratio of the inert gas when the organic solvent vapor concentration is D1 [vol%] and the number of substrates W is 1 to 10 is 44%.

각종 정보는, 유기 용제의 증기 농도와, 기판(W)의 매수와, 유기 용제의 공급 유량 비율이 대응된 테이블 T3을 포함할 수 있다. 유기 용제의 증기 농도가 기준 농도로부터 변경되지 않는 경우, 테이블 T3은 유기 용제의 농도를 포함하지 않아도 좋다. 유기 용제의 공급 유량 비율은, 기준 공급 유량에 대한 비율을 백분율로 나타낸 값이다. 예컨대 도 6에 도시된 바와 같이, 테이블 T3에서는, 유기 용제의 증기 농도가 D1[vol%], 기판(W)의 매수가 1장∼10장인 경우의 유기 용제의 공급 유량 비율은 44%이다. 한편, 테이블 T2과 테이블 T3은, 어느 한쪽만 있으면 충분하다. 유기 용제의 증기 농도는 일정하게 제어되기 때문에, 불활성 가스의 공급 유량 비율과 유기 용제의 공급 유량 비율의 어느 한쪽이 결정되면, 자동적으로 다른 쪽도 결정된다. Various types of information may include a table T3 in which the vapor concentration of the organic solvent, the number of substrates W, and the supply flow rate ratio of the organic solvent correspond to each other. If the vapor concentration of the organic solvent does not change from the reference concentration, Table T3 may not include the concentration of the organic solvent. The supply flow rate ratio of the organic solvent is a value expressed as a percentage with respect to the standard supply flow rate. For example, as shown in Fig. 6, in Table T3, the organic solvent supply flow rate rate when the organic solvent vapor concentration is D1 [vol%] and the number of substrates W is 1 to 10 is 44%. On the other hand, either table T2 or table T3 is sufficient. Since the vapor concentration of the organic solvent is controlled to be constant, when either one of the inert gas supply flow rate ratio and the organic solvent supply flow rate ratio is determined, the other is automatically determined as well.

각종 정보는, 유기 용제의 증기 농도와, 기판(W)의 매수와, 불활성 가스의 공급 유량이 대응된 테이블 T4을 포함할 수 있다. 불활성 가스의 공급 유량은, 예컨대 유기 용제의 증기 농도에 관계없이 고정되고, 기판(W)의 매수에 따라서만 변경된다. 유기 용제의 증기의 공급 유량은, 유기 용제의 증기 농도와 불활성 가스의 공급 유량으로부터 자동적으로 결정된다. 유기 용제의 증기 농도가 레시피 등으로 설정 변경되면, 설정 변경된 증기 농도에 기초하여, 유기 용제의 증기의 공급 유량이 보정된다. 한편, 유기 용제의 증기 농도가 기준 농도로부터 변경되지 않는 경우, 테이블 T4은 유기 용제의 농도를 포함하지 않아도 좋다. 예컨대 도 7에 도시된 바와 같이, 테이블 T4에서는, 유기 용제의 증기 농도가 D1[vol%], 기판(W)의 매수가 1장∼10장인 경우의 불활성 가스의 공급 유량은 P1[L/min]이다. Various types of information may include a table T4 in which the vapor concentration of the organic solvent, the number of substrates W, and the supply flow rate of the inert gas correspond to each other. The supply flow rate of the inert gas is fixed regardless of, for example, the vapor concentration of the organic solvent, and is changed only according to the number of substrates W. The organic solvent vapor supply flow rate is automatically determined from the organic solvent vapor concentration and the inert gas supply flow rate. When the setting of the vapor concentration of the organic solvent is changed according to a recipe or the like, the supply flow rate of the organic solvent vapor is corrected based on the changed vapor concentration. On the other hand, if the vapor concentration of the organic solvent does not change from the reference concentration, table T4 may not include the concentration of the organic solvent. For example, as shown in FIG. 7 , in Table T4, the vapor concentration of the organic solvent is D1 [vol%] and the supply flow rate of the inert gas when the number of substrates W is 1 to 10 is P1 [L/min ]am.

각종 정보는, 기판(W)의 매수와, 유기 용제의 증기 농도와, 유기 용제의 공급 유량이 대응된 테이블 T5을 포함할 수 있다. 예컨대 도 8에 도시된 바와 같이, 테이블 T5에서는, 기판(W)의 매수가 1장∼10장, 유기 용제의 증기 농도가 D1, D2, D3[vol%]인 경우의 유기 용제의 공급 유량은 각각 Q11, Q21, Q31[ml/sec]이다. 테이블 T5에서는, D1, D2, D3의 대소관계는 D1<D2<D3이며, Q11, Q21, Q31의 대소관계는 Q11<Q21<Q31이다. Q12∼Q20, Q22∼Q30, Q31∼Q40의 대소관계에 관해서도 Q11, Q21, Q31의 대소관계와 동일하다. Various types of information may include a table T5 in which the number of substrates W, the vapor concentration of the organic solvent, and the supply flow rate of the organic solvent correspond to each other. For example, as shown in Fig. 8, in table T5, the organic solvent supply flow rate when the number of substrates W is 1 to 10 and the vapor concentrations of the organic solvent are D1, D2, and D3 [vol%] Q11, Q21, and Q31 [ml/sec], respectively. In Table T5, the magnitude relationship of D1, D2, and D3 is D1<D2<D3, and the magnitude relationship of Q11, Q21, and Q31 is Q11<Q21<Q31. The magnitude relationship of Q12 to Q20, Q22 to Q30 and Q31 to Q40 is the same as that of Q11, Q21 and Q31.

〔기판 처리 방법〕[substrate processing method]

도 9∼도 14를 참조하여, 실시형태의 기판 처리 장치(1)에 있어서 실시되는 기판 처리 방법의 일례에 관해 설명한다. 기판 처리 방법은, 제어부(90)가 기판 처리 장치(1)의 각 부를 제어하는 것에 의해 실시된다. An example of a substrate processing method performed in the substrate processing apparatus 1 of the embodiment will be described with reference to FIGS. 9 to 14 . The substrate processing method is implemented by the control unit 90 controlling each unit of the substrate processing apparatus 1 .

스텝 S11에 있어서, 제어부(90)는 처리 대상의 기판(W)의 매수에 따라서 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 산출한다. In step S11, the control unit 90 calculates the supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent according to the number of substrates W to be processed.

예컨대, 제어부(90)는, 유기 용제의 증기 농도와, 처리 대상의 기판(W)의 매수를 취득한다. 유기 용제의 증기 농도는, 예컨대 레시피로 설정되는 값이다. 처리 대상의 기판(W)의 매수는, 예컨대 처리 용기(10)의 내부에 기판(W)이 반입되기 전에, 로드 포트에 실린 FOUP(Front Opening Unified Pod) 등의 반송 용기에 수납된 기판(W)의 매수를 계측하는 것에 의해 취득되는 값이다. 또한, 제어부(90)는, 취득한 유기 용제의 증기 농도와, 취득한 처리 대상의 기판(W)의 매수와, 기억 매체(92)에 기억된 테이블 T1과, 기억 매체(92)에 기억된 테이블 T2에 기초하여, 불활성 가스의 공급 유량을 산출한다. 또한, 제어부(90)는, 취득한 유기 용제의 증기 농도와, 취득한 처리 대상의 기판(W)의 매수와, 기억 매체(92)에 기억된 테이블 T1과, 기억 매체(92)에 기억된 테이블 T3에 기초하여, 유기 용제의 공급 유량을 산출한다. 일례로서, 유기 용제의 증기 농도가 D1, 기판(W)의 매수가 1장∼10장인 경우를 생각한다. 이 경우, 테이블 T1을 참조하여 얻어지는 불활성 가스의 공급 유량 X1에, 테이블 T2을 참조하여 얻어지는 불활성 가스의 공급 유량 비율 44%를 곱하고 100으로 나누는 것에 의해, 불활성 가스의 공급 유량이 얻어진다. 즉, 불활성 가스의 공급 유량은 (X1×44)/100에 의해 산출된다. 또한, 테이블 T1을 참조하여 얻어지는 유기 용제의 공급 유량 Y1에 테이블 T3을 참조하여 얻어지는 유기 용제의 공급 유량 비율 44%를 곱하고 100으로 나누는 것에 의해, 유기 용제의 공급 유량이 얻어진다. 즉, 유기 용제의 공급 유량은 (Y1×44)/100에 의해 산출된다. For example, the controller 90 acquires the vapor concentration of the organic solvent and the number of substrates W to be processed. The vapor concentration of the organic solvent is a value set by a recipe, for example. The number of substrates W to be processed is, for example, the number of substrates W stored in a transport container such as a FOUP (Front Opening Unified Pod) loaded on a load port before the substrates W are loaded into the processing container 10. ) is a value obtained by counting the number of sheets. In addition, the controller 90 determines the obtained organic solvent vapor concentration, the acquired number of substrates W to be processed, a table T1 stored in the storage medium 92, and a table T2 stored in the storage medium 92. Based on this, the supply flow rate of the inert gas is calculated. In addition, the control unit 90 determines the obtained organic solvent vapor concentration, the acquired number of substrates W to be processed, a table T1 stored in the storage medium 92, and a table T3 stored in the storage medium 92. Based on this, the supply flow rate of the organic solvent is calculated. As an example, consider a case where the vapor concentration of the organic solvent is D1 and the number of substrates W is 1 to 10. In this case, the supply flow rate of the inert gas is obtained by multiplying the inert gas supply flow rate X1 obtained by referring to Table T1 by the inert gas supply flow rate ratio of 44% obtained by referring to Table T2 and dividing by 100. That is, the supply flow rate of the inert gas is calculated by (X1×44)/100. The supply flow rate of the organic solvent is obtained by multiplying the organic solvent supply flow rate Y1 obtained with reference to Table T1 by the organic solvent supply flow rate ratio of 44% obtained with reference to Table T3 and dividing by 100. That is, the supply flow rate of the organic solvent is calculated by (Y1×44)/100.

또한, 예컨대, 제어부(90)는, 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 산출할 때, 테이블 T1, 테이블 T2 및 테이블 T3을 참조하는 대신에, 기억 매체(92)에 기억된 테이블 T4을 참조해도 좋다. 이 경우, 제어부(90)는, 취득한 유기 용제의 증기 농도와, 취득한 처리 대상의 기판(W)의 매수와, 기억 매체(92)에 기억된 테이블 T4에 기초하여, 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 산출한다. 일례로서, 유기 용제의 증기 농도가 D1, 기판(W)의 매수가 1장∼10장인 경우를 생각한다. 이 경우, 테이블 T4를 참조하여 얻어지는 불활성 가스의 공급 유량 P1과, 유기 용제의 증기 농도 D1에 기초하여, 공지의 연산에 의해 유기 용제의 공급 유량이 얻어진다. 또한, 동일한 연산에 의해, 기판(W)의 매수 및 유기 용제의 증기 농도마다 유기 용제의 공급 유량을 산출하고, 기판(W)의 매수와, 유기 용제의 증기 농도와, 유기 용제의 공급 유량이 대응된 테이블 T5를 생성하여, 기억 매체(92)에 기억시켜도 좋다. Further, for example, when calculating the supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent, the control unit 90 instead of referring to tables T1, T2 and T3, the table T4 stored in the storage medium 92 You may also refer to In this case, the control unit 90 determines the supply flow rate of the inert gas and the organic solvent based on the acquired vapor concentration of the organic solvent, the acquired number of substrates W to be processed, and the table T4 stored in the storage medium 92. Calculate the supply flow rate of the solvent. As an example, consider a case where the vapor concentration of the organic solvent is D1 and the number of substrates W is 1 to 10. In this case, based on the supply flow rate P1 of the inert gas obtained by referring to Table T4 and the vapor concentration D1 of the organic solvent, the supply flow rate of the organic solvent is obtained by a known calculation. Further, by the same calculation, the organic solvent supply flow rate is calculated for each number of substrates W and the organic solvent vapor concentration, and the number of substrates W, the organic solvent vapor concentration, and the organic solvent supply flow rate are calculated. A corresponding table T5 may be created and stored in the storage medium 92.

스텝 S12에 있어서, 제어부(90)는, 기판 처리 장치(1)에 있어서 처리 대상의 기판(W)에 건조 처리를 실행하도록 기판 처리 장치(1)의 동작을 제어한다. In step S12 , the control unit 90 controls the operation of the substrate processing apparatus 1 so that the substrate W to be processed is subjected to a drying process in the substrate processing apparatus 1 .

우선, 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(W)이 반입되기 전의 처리 용기(10)에서는, 덮개(123)가 폐색 위치로 이동하고 있다. 이때, 노즐(31)로부터 건조조(12)의 내부에 가열된 불활성 가스(G1)를 공급함과 더불어, 배출 라인(41)으로부터 건조조(12)의 내부의 가스를 외부로 배출하여, 건조조(12)의 내부의 온도를 조정한다. 또한, 노즐(51)로부터 처리조(11)의 내부에 처리액(L)을 공급한다. First, as shown in (a) of FIG. 10 , in the processing container 10 before the substrate W is loaded, the cover 123 is moved to the closed position. At this time, while supplying the inert gas (G1) heated to the inside of the drying tank 12 from the nozzle 31, and discharging the gas inside the drying tank 12 to the outside through the discharge line 41, the drying tank Adjust the temperature inside (12). In addition, the treatment liquid L is supplied from the nozzle 51 to the inside of the treatment tank 11 .

계속해서, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이, 개폐 기구(53)가 덮개(123)를 폐색 위치로부터 개방 위치로 이동시킨다. 계속해서, 기판 유지구(20)(도 1 및 도 2를 참조. 도 10∼도 14에서는 도시를 생략.)가 처리 용기(10)의 상측에서 반송 장치(도시하지 않음)로부터 복수 매의 기판(W)을 수취한다. 한편, 기판 유지구(20)는, 상기와 같이, 기판(W)을 1장만 유지하는 것도 가능하다. 계속해서, 승강 기구(55)(도 1 및 도 2를 참조. 도 10∼도 14에서는 도시를 생략.)가 기판 유지구(20)를 하강시킨다. 승강 기구(55)가 기판 유지구(20)를 하강시키는 동안, 셔터(14)는 기판 유지구(20) 및 기판(W)과 간섭하지 않도록 연통 위치에 위치한다. 승강 기구(55)는 기판 유지구(20)를 하강시키는 것에 의해, 복수 매의 기판(W)을 처리액(L)에 침지시킨다. 이것에 의해, 복수 매의 기판(W)이 동시에 처리된다. 이때, 노즐(31)로부터 건조조(12)의 내부에 소(小)유량(예컨대 20 L/min)의 불활성 가스(G1)를 공급함과 더불어, 배출 라인(41)으로부터 건조조(12)의 내부의 가스를 외부로 배출한다. 또한, 노즐(51)로부터 처리조(11)의 내부에 처리액(L)을 공급한다. Subsequently, as shown in FIG. 10(b), the opening/closing mechanism 53 moves the lid 123 from the closed position to the open position. Subsequently, the substrate holder 20 (see FIGS. 1 and 2 . Not shown in FIGS. 10 to 14 ) transfers a plurality of substrates from a transport device (not shown) above the processing container 10 . (W) is received. On the other hand, the substrate holder 20 can also hold only one substrate W as described above. Subsequently, the lifting mechanism 55 (see FIGS. 1 and 2 . Illustrations are omitted in FIGS. 10 to 14 ) lowers the substrate holder 20 . While the elevating mechanism 55 lowers the substrate holder 20, the shutter 14 is positioned in the communicating position so as not to interfere with the substrate holder 20 and the substrate W. The lifting mechanism 55 lowers the substrate holder 20 to immerse the plurality of substrates W in the treatment liquid L. In this way, a plurality of substrates W are simultaneously processed. At this time, while supplying inert gas (G1) of a small flow rate (for example, 20 L/min) to the inside of the drying tank 12 from the nozzle 31, the drying tank 12 from the discharge line 41 The gas inside is discharged to the outside. In addition, the treatment liquid L is supplied from the nozzle 51 to the inside of the treatment tank 11 .

계속해서, 도 10의 (c)에 도시된 바와 같이, 개폐 기구(53)가 덮개(123)를 개방 위치로부터 폐색 위치로 이동시키고, 반입 반출구(122)를 덮개(123)에 의해 폐색한다. 이때, 노즐(31)로부터 건조조(12)의 내부에 대(大)유량(예컨대 356 L/min)의 불활성 가스(G1)를 공급함과 더불어, 배출 라인(41)으로부터 건조조(12)의 내부의 가스를 외부로 배출한다. 또한, 노즐(51)로부터 처리조(11)의 내부에 처리액(L)을 공급한다. Subsequently, as shown in (c) of FIG. 10 , the opening/closing mechanism 53 moves the lid 123 from the open position to the closed position, and the carry-in/out port 122 is closed by the lid 123. . At this time, while supplying inert gas (G1) of a large flow rate (for example, 356 L/min) to the inside of the drying tank 12 from the nozzle 31, the discharge line 41 of the drying tank 12 The gas inside is discharged to the outside. In addition, the treatment liquid L is supplied from the nozzle 51 to the inside of the treatment tank 11 .

계속해서, 도 11의 (a)에 도시된 바와 같이, 승강 기구(55)가 기판 유지구(20)를 상승시키는 것에 의해 복수 매의 기판(W)을 처리조(11)의 내부에 저장한 처리액(L)으로부터 인상하고, 기판 유지구(20)를 건조조(12)의 내부 공간에서 정지시킨다. 이때, 노즐(31)로부터 건조조(12)의 내부에 소유량(예컨대, 30 L/min)의 불활성 가스(G1)를 공급함과 더불어, 배출 라인(41)으로부터 건조조(12)의 내부의 가스를 외부로 배출하고, 기판(W)에 부착된 액적을 휘발시켜, 기판(W)을 건조시킨다. 또한, 노즐(51)로부터 처리조(11)의 내부에 처리액(L)을 공급한다. Subsequently, as shown in (a) of FIG. 11 , the elevating mechanism 55 lifts the substrate holder 20 to store a plurality of substrates W inside the treatment tank 11. It is pulled up from the treatment liquid L, and the substrate holder 20 is stopped in the inner space of the drying tank 12 . At this time, a small amount (eg, 30 L/min) of inert gas G1 is supplied from the nozzle 31 to the inside of the drying tank 12, and the gas inside the drying tank 12 is supplied from the discharge line 41. is discharged to the outside, and the liquid droplets attached to the substrate (W) are volatilized to dry the substrate (W). In addition, the treatment liquid L is supplied from the nozzle 51 to the inside of the treatment tank 11 .

계속해서, 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 노즐(31)로부터 건조조(12)의 내부에 불활성 가스(G1)와 유기 용제의 증기(G2)의 혼합 가스(G3)를 공급함과 더불어, 배출 라인(41)으로부터 건조조(12)의 내부의 가스를 외부로 배출한다. 유기 용제의 증기(G2)는, 각 기판(W)의 표면 및 이면에 접촉하여, 각 기판(W)의 표면 상 및 이면 상에서 응축(결로)하고, 응축한 유기 용제에 의해 각 기판(W)의 표면 상 및 이면 상의 처리액(L)이 치환된다. 이것에 의해, 기판(W)의 건조를 촉진할 수 있다. 이때, 스텝 S11에 있어서 산출한 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량으로 건조조(12)의 내부에 불활성 가스와 유기 용제의 증기의 혼합 가스를 공급한다. 또한, 노즐(51)로부터 처리조(11)의 내부에 처리액(L)을 공급한다. Subsequently, as shown in (b) of FIG. 11, a mixed gas G3 of an inert gas G1 and an organic solvent vapor G2 is supplied from the nozzle 31 to the inside of the drying tank 12, In addition, the gas inside the drying tank 12 is discharged to the outside through the discharge line 41 . The organic solvent vapor G2 comes into contact with the front and back surfaces of each substrate W and condenses (condenses) on the front and back surfaces of each substrate W, and the condensed organic solvent evaporates on each substrate W. The treatment liquid (L) on the surface and the back of the is substituted. In this way, drying of the substrate W can be accelerated. At this time, the mixed gas of the inert gas and organic solvent vapor is supplied into the drying tank 12 at the supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent calculated in step S11. In addition, the treatment liquid L is supplied from the nozzle 51 to the inside of the treatment tank 11 .

계속해서, 도 11의 (c)에 도시된 바와 같이, 개폐 기구(54)가 셔터(14)를 연통 위치로부터 차단 위치로 이동시킨다. 이때, 건조조(12)의 내부로의 혼합 가스(G3)의 공급, 건조조(12)의 외부로의 가스의 배출, 및 처리조(11)의 내부로의 처리액(L)의 공급을 계속한다. Subsequently, as shown in Fig. 11(c), the opening/closing mechanism 54 moves the shutter 14 from the communicating position to the blocking position. At this time, the supply of the mixed gas G3 to the inside of the drying tank 12, the discharge of the gas to the outside of the drying tank 12, and the supply of the treatment liquid L to the inside of the treatment tank 11 Continue.

계속해서, 도 12의 (a)에 도시된 바와 같이, 셔터(14)가 차단 위치로 이동한 상태에서, 건조조(12)의 내부로의 혼합 가스(G3)의 공급, 건조조(12)의 외부로의 가스의 배출, 및 처리조(11)의 내부로의 처리액(L)의 공급을 소정 시간만큼 계속한다. 소정 시간은, 예컨대 레시피에 의해 정해진다. Subsequently, as shown in (a) of FIG. 12, in a state in which the shutter 14 is moved to the blocking position, the mixed gas G3 is supplied to the inside of the drying tank 12, and the drying tank 12 Discharge of the gas to the outside of the tank 11 and supply of the treatment liquid L to the inside of the treatment tank 11 are continued for a predetermined time. The predetermined time is determined by a recipe, for example.

계속해서, 도 12의 (b)에 도시된 바와 같이, 노즐(31)로부터 건조조(12)의 내부에 제1 유량(예컨대, 270 L/min)으로 불활성 가스를 공급함과 더불어, 배출 라인(41)으로부터 건조조(12)의 내부의 가스를 외부로 배출한다. 또한, 노즐(51)로부터 처리조(11)의 내부로의 처리액(L)의 공급을 정지한다. 이것에 의해, 처리액(L)의 사용량을 삭감할 수 있다. Subsequently, as shown in (b) of FIG. 12, the inert gas is supplied from the nozzle 31 to the inside of the drying tank 12 at a first flow rate (eg, 270 L/min), and the discharge line ( 41), the gas inside the drying tank 12 is discharged to the outside. In addition, the supply of the treatment liquid L from the nozzle 51 to the inside of the treatment tank 11 is stopped. Thereby, the usage amount of the processing liquid L can be reduced.

계속해서, 도 12의 (c)에 도시된 바와 같이, 노즐(31)로부터 건조조(12)의 내부에 제1 유량보다 큰 제2 유량(예컨대, 445 L/min)으로 불활성 가스를 공급함과 더불어, 배출 라인(41)으로부터 건조조(12)의 내부의 가스를 외부로 배출한다. 또한, 노즐(51)로부터 처리조(11)의 내부로의 처리액(L)의 공급의 정지를 계속한다. 이것에 의해, 처리액(L)의 사용량을 삭감할 수 있다. Subsequently, as shown in (c) of FIG. 12, supplying an inert gas from the nozzle 31 to the inside of the drying tank 12 at a second flow rate (eg, 445 L/min) greater than the first flow rate, and In addition, the gas inside the drying tank 12 is discharged to the outside through the discharge line 41 . In addition, the supply of the treatment liquid L from the nozzle 51 to the inside of the treatment tank 11 continues to be stopped. Thereby, the usage amount of the processing liquid L can be reduced.

계속해서, 도 13에 도시된 바와 같이, 개폐 기구(53)가 덮개(123)를 폐색 위치로부터 개방 위치로 이동시켜, 반입 반출구(122)를 개방한다. 또한, 승강 기구(55)가 기판 유지구(20)를 상승시키는 것에 의해, 복수 매의 기판(W)을 처리 용기(10)의 외부로 반출한다. 그 후, 기판 유지구(20)는 처리 용기(10)의 상측에서 반송 장치(도시하지 않음)에 기판(W)을 전달한다. 이때, 노즐(31)로부터 건조조(12)의 내부에 소유량(예컨대, 20 L/min)의 불활성 가스(G1)를 공급함과 더불어, 배출 라인(41)으로부터 건조조(12)의 내부의 가스를 외부로 배출한다. 또한, 노즐(51)로부터 처리조(11)의 내부로의 처리액(L)의 공급의 정지를 계속한다. 이것에 의해, 처리액(L)의 사용량을 삭감할 수 있다. Subsequently, as shown in FIG. 13 , the opening/closing mechanism 53 moves the lid 123 from the closed position to the open position to open the carry-in/out port 122 . In addition, the substrate holder 20 is lifted by the lifting mechanism 55 to carry the plurality of substrates W out of the processing container 10 . After that, the substrate holder 20 transfers the substrate W from the upper side of the processing container 10 to a transfer device (not shown). At this time, a small amount (eg, 20 L/min) of inert gas G1 is supplied from the nozzle 31 to the inside of the drying tank 12, and the gas inside the drying tank 12 is supplied from the discharge line 41. discharge to the outside. In addition, the supply of the treatment liquid L from the nozzle 51 to the inside of the treatment tank 11 continues to be stopped. Thereby, the usage amount of the processing liquid L can be reduced.

이상에 의해, 실시형태의 기판 처리 방법이 종료한다. With the above, the substrate processing method of the embodiment ends.

한편, 상기 실시형태에서는, 복수 매의 기판(W)을 처리조(11)의 내부에 저장한 처리액(L)으로부터 인상할 때에 노즐(31)로부터 건조조(12)의 내부에 불활성 가스(G1)를 공급하는 경우를 설명했지만 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 14의 (a) 및 도 14의 (b)에 도시된 바와 같이, 복수 매의 기판(W)을 처리액(L)에 침지시킨 후이자 인상이 시작되기 전부터 인상이 끝날 때까지의 동안에, 노즐(31)로부터 건조조(12)의 내부에 혼합 가스(G3)를 공급해도 좋다. 이것에 의해, 처리액(L)의 액면에 유기 용제의 막을 형성할 수 있다. 그 결과, 인상중에 유기 용제의 막을 각 기판(W)이 통과하는 것에 의해, 각 기판(W)의 표면 상 및 이면 상의 처리액(L)이 유기 용제로 치환되기 때문에, 각 기판(W)의 건조가 촉진된다. On the other hand, in the above embodiment, when pulling up the plurality of substrates W from the processing liquid L stored inside the processing tank 11, the inert gas ( Although the case of supplying G1) has been described, it is not limited thereto. For example, as shown in FIGS. 14(a) and 14(b), after the plurality of substrates W are immersed in the treatment liquid L, and from before the start of the pulling until the end of the pulling. In the meantime, you may supply mixed gas G3 from the nozzle 31 to the inside of the drying tank 12. In this way, it is possible to form an organic solvent film on the liquid surface of the treatment liquid L. As a result, as each substrate W passes through the organic solvent film during pulling, the processing liquid L on the front and back surfaces of each substrate W is replaced with the organic solvent, so that the Drying is accelerated.

또한, 상기 실시형태에서는, 노즐(31)로부터 건조조(12)의 내부에 불활성 가스(G1)와 유기 용제의 증기(G2)의 혼합 가스를 일정한 유량으로 공급하는 경우를 설명했지만 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 유기 용제의 증기 농도를 일정하게 유지하면서, 노즐(31)로부터 건조조(12)의 내부에 공급하는 불활성 가스(G1)와 유기 용제의 증기(G2)의 혼합 가스(G3)의 유량을 도중에 변화시켜도 좋다. 일례로는, 유기 용제의 증기 농도를 일정하게 유지하면서, 처음에 상기 실시형태에서의 혼합 가스의 유량과 동일한 유량으로 혼합 가스(G3)를 공급하고, 이어서 상기 실시형태에서의 혼합 가스의 유량보다 큰 유량으로 혼합 가스(G3)를 공급해도 좋다. 별도의 일례로는, 유기 용제의 증기 농도를 일정하게 유지하면서, 처음에 상기 실시형태에서의 혼합 가스의 유량보다 큰 유량으로 혼합 가스(G3)를 공급하고, 이어서 상기 실시형태에서의 혼합 가스의 유량과 동일한 유량으로 혼합 가스(G3)를 공급해도 좋다. 이와 같이, 상기 실시형태에서의 혼합 가스의 유량보다 큰 유량으로 혼합 가스(G3)를 공급하는 것을 추가하는 것에 의해, 유기 용제의 증기(G2)가 각 기판(W)의 하단에 도달하기 쉬워지므로, 유기 용제에 의한 기판(W)의 하단에 남는 처리액(L)의 액적의 치환이 촉진된다. In the above embodiment, the case where the mixed gas of the inert gas (G1) and the vapor (G2) of the organic solvent is supplied from the nozzle 31 to the inside of the drying tank 12 at a constant flow rate has been described, but it is not limited to this. don't For example, the flow rate of the mixed gas G3 of the inert gas G1 and the organic solvent vapor G2 supplied from the nozzle 31 to the inside of the drying tank 12 is increased while maintaining the concentration of the organic solvent vapor constant. You may change it along the way. As an example, the mixed gas G3 is initially supplied at the same flow rate as the flow rate of the mixed gas in the above embodiment while maintaining the vapor concentration of the organic solvent constant, and then the mixed gas G3 is supplied at a flow rate higher than the flow rate of the mixed gas in the above embodiment The mixed gas G3 may be supplied at a large flow rate. As another example, the mixed gas G3 is initially supplied at a flow rate greater than the flow rate of the mixed gas in the above embodiment while maintaining the vapor concentration of the organic solvent constant, and then the mixed gas in the above embodiment The mixed gas G3 may be supplied at the same flow rate as the flow rate. In this way, by adding supplying the mixed gas G3 at a higher flow rate than the flow rate of the mixed gas in the above embodiment, the vapor G2 of the organic solvent easily reaches the lower end of each substrate W. , replacement of droplets of the treatment liquid L remaining on the lower end of the substrate W by the organic solvent is promoted.

도 15를 참조하여, 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 제1 매수(예컨대 50장∼80장)용의 값으로 제어하면서, 제1 매수보다 적은 제2 매수(예컨대 3장)의 기판(W)을 건조 처리한 경우에, 기판(W)에 파티클이 부착되는 이유를 설명한다. 이 경우, 건조조(12)의 내부에 있어서 유기 용제의 증기의 양이 과잉이 된다. 이것에 의해, 기판(W)의 표면 상 및 이면 상에 더하여, 건조조(12)의 내부의 벽면, 기판 유지구(20)의 표면 등에서 유기 용제의 증기가 응축한다. 그 때문에, 혼합 가스의 공급에 이어서 건조조(12)의 내부에 불활성 가스를 공급하면, 불활성 가스가 건조조(12)의 내부의 벽면, 기판 유지구(20)의 표면 등에서 응축한 유기 용제(OS)를 미스트형으로 부유시킨다. 그 결과, 도 15 중의 파선의 화살표로 도시된 바와 같이, 미스트형으로 부유한 유기 용제(OS)가 기판(W)에 재부착되어 파티클이(로) 된다. Referring to FIG. 15, while controlling the supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent to the values for the first sheet (eg, 50 to 80 sheets), the second sheet (eg, 3 sheets) smaller than the first sheet The reason why particles adhere to the substrate (W) when the substrate (W) is subjected to a dry treatment will be explained. In this case, the amount of steam of the organic solvent in the inside of the drying tank 12 becomes excessive. As a result, vapor of the organic solvent is condensed on the front and rear surfaces of the substrate W, as well as on the inner wall surface of the drying tank 12, the surface of the substrate holder 20, and the like. Therefore, when the inert gas is supplied into the drying tank 12 following the supply of the mixed gas, the organic solvent condensed on the wall surface of the inside of the drying tank 12, the surface of the substrate holder 20, etc. OS) is suspended in a mist form. As a result, as shown by the broken line arrows in FIG. 15 , the organic solvent (OS) floating in the form of a mist is reattached to the substrate W and becomes particles.

도 16을 참조하여, 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 제1 매수(예컨대 50장∼80장)용의 값으로 제어하면서, 제1 매수보다 많은 제3 매수(예컨대 100장)의 기판(W)을 건조 처리한 경우에, 기판(W)에 파티클이 부착되는 이유를 설명한다. 이 경우, 도 16 중의 실선의 화살표로 도시된 바와 같이, 유기 용제의 증기는 기판 유지구(20)의 일단 및 타단에 유지된 기판(W)과 건조조(12)의 내부의 벽면 사이의 넓은 공간으로 흐르기 쉽다. 이것에 의해, 기판 유지구(20)의 일단 및 타단에 유지된 기판(W)에서는, 별도의 기판(W)측의 면보다 건조조(12)의 내부의 벽면측의 면에서 많은 유기 용제의 증기가 응축한다. 그 때문에, 별도의 기판(W)측의 면에 유기 용제의 증기가 응축하기 전에, 건조조(12)의 내부의 벽면측의 면에서 응축한 유기 용제(OS)의 응축열에 의해 기판(W)의 온도가 상승한다. 그 때문에, 별도의 기판(W)측의 면에서의 유기 용제의 증기의 응축이 불충분해진다. 그 결과, 기판 유지구(20)의 일단 및 타단에 유지된 기판(W)에서의 별도의 기판(W)측의 면의 하단에 처리액(L)의 액적이 남고, 액적이 증발할 때에 액적 중의 잔류물이 파티클이 된다. Referring to FIG. 16, while controlling the supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent to the values for the first sheet (eg, 50 to 80 sheets), the third sheet (e.g., 100 sheets) greater than the first sheet The reason why particles adhere to the substrate (W) when the substrate (W) is subjected to a dry treatment will be explained. In this case, as shown by the solid arrows in FIG. 16, the organic solvent vapor spreads widely between the substrate W held at one end and the other end of the substrate holder 20 and the inner wall surface of the drying tank 12. Easy to flow into space. As a result, in the substrate W held at one end and the other end of the substrate holder 20, the vapor of the organic solvent is higher on the surface on the wall side of the inside of the drying tank 12 than on the surface on the other substrate W side. is condensed Therefore, before the vapor of the organic solvent is condensed on the surface on the other side of the substrate W, the condensation heat of the organic solvent OS condensed on the surface on the wall side inside the drying tank 12 causes the substrate W to temperature rises Therefore, condensation of vapor of the organic solvent on the surface on the side of the other substrate W becomes insufficient. As a result, droplets of the processing liquid L remain on the lower end of the surface on the substrate W side of the substrate W held at one end and the other end of the substrate holder 20, and when the droplets evaporate, the droplets Residues in the particles become particles.

이것에 대하여, 실시형태의 기판 처리 장치(1)에서는, 제어부(90)가, 건조조(12)에 공급되는 혼합 가스에 차지하는 유기 용제의 증기 농도를 일정하게 유지하면서, 기판(W)의 매수에 따라서 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 변경한다. In contrast, in the substrate processing apparatus 1 of the embodiment, the control unit 90 maintains the vapor concentration of the organic solvent in the mixed gas supplied to the drying tank 12 at a constant level, while maintaining the number of substrates W The supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent are changed accordingly.

예컨대, 기판(W)의 매수가 제2 매수인 경우, 제어부(90)는 유기 용제의 증기 농도를 일정하게 유지하면서, 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을, 기판(W)의 매수가 제1 매수인 경우보다 작게 한다. 이것에 의해, 건조조(12)의 내부에 있어서 유기 용제의 증기의 양이 과잉이 되는 것이 방지된다. 그 때문에, 건조조(12)의 내부의 벽면, 기판 유지구(20)의 표면 등에서 응축하는 유기 용제의 증기의 양을 적게 할 수 있다. 그 결과, 기판(W)에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다. For example, when the number of substrates W is the second number, the controller 90 controls the supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent while maintaining the organic solvent vapor concentration constant. It is made smaller than the case of the first number. This prevents the amount of steam of the organic solvent from becoming excessive in the drying tank 12 . Therefore, the amount of vapor of the organic solvent condensing on the inner wall surface of the drying tank 12, the surface of the substrate holder 20, and the like can be reduced. As a result, adhesion of particles to the substrate W can be suppressed.

예컨대, 기판(W)의 매수가 제3 매수인 경우, 제어부(90)는 유기 용제의 증기 농도를 일정하게 유지하면서, 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을, 기판(W)의 매수가 제1 매수인 경우보다 크게 한다. 이것에 의해, 인접하는 기판(W) 사이에 유기 용제의 증기가 공급되기 쉬워진다. 그 때문에, 기판 유지구(20)의 일단 및 타단에 유지된 기판(W)에서의 별도의 기판(W)측의 면과 건조조(12)의 내부의 벽면측의 면의 사이에서 응축하는 유기 용제의 증기의 양의 차가 작아지고, 양쪽 면에서 유기 용제의 증기가 충분히 응축한다. 그 결과, 기판(W)에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다. For example, when the number of substrates W is the third, the controller 90 adjusts the supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent while maintaining the organic solvent vapor concentration constant. It is made larger than in the case of the first number of sheets. This facilitates the supply of vapor of the organic solvent between the adjacent substrates W. Therefore, organic condensation occurs between the surface of the substrate W held at one end and the other end of the substrate holder 20 on the side of the substrate W and the surface on the wall side of the inside of the drying tank 12. The difference in the amount of the solvent vapor becomes small, and the organic solvent vapor is sufficiently condensed on both sides. As a result, adhesion of particles to the substrate W can be suppressed.

〔실시예〕[Example]

실시형태의 기판 처리 장치(1)에 있어서, 기판(W)의 매수, 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 변경한 이하에 나타내는 4개의 조건 A∼D로 건조 처리를 행하고, 이어서 기판(W)에 부착된 파티클의 수를 측정한 실시예에 관해 설명한다. 실시예에서는, 유기 용제로서 IPA를 사용하고, 불활성 가스로서 질소 가스를 사용했다. 실시예에서는, 재현성을 확인하기 위해, 각 조건 A∼D로 건조 처리 및 파티클의 수의 측정을 순서대로 행하는 평가를 3회씩 실시했다. In the substrate processing apparatus 1 of the embodiment, the drying process is performed under the four conditions A to D shown below in which the number of substrates W, the supply flow rate of the inert gas, and the supply flow rate of the organic solvent are changed, and then the substrate An embodiment in which the number of particles attached to (W) is measured will be described. In the examples, IPA was used as the organic solvent and nitrogen gas was used as the inert gas. In the examples, in order to confirm reproducibility, evaluation was performed three times in which the drying treatment and the measurement of the number of particles were sequentially performed under each condition A to D.

조건 A 및 조건 B는, 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 고정한 조건, 바꿔 말하면, 기판(W)의 매수에 따라서 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 변경하지 않은 조건이다. 구체적으로는, 조건 A에서는, 기판(W)의 매수를 3장, 불활성 가스의 공급 유량을 79%, 유기 용제의 공급 유량을 79%로 설정했다. 조건 B에서는, 기판(W)의 매수를 100장, 불활성 가스의 공급 유량을 79%, 유기 용제의 공급 유량을 79%로 설정했다. Conditions A and B are conditions in which the inert gas supply flow rate and the organic solvent supply flow rate are fixed, in other words, conditions in which the inert gas supply flow rate and the organic solvent supply flow rate are not changed according to the number of substrates W. . Specifically, under condition A, the number of substrates W was set to 3, the inert gas supply flow rate was set to 79%, and the organic solvent supply flow rate was set to 79%. Under condition B, the number of substrates W was set to 100, the inert gas supply flow rate was set to 79%, and the organic solvent supply flow rate was set to 79%.

조건 C 및 조건 D는, 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 기판(W)의 매수에 따라서 편향한 조건이다. 구체적으로는, 조건 C에서는, 기판(W)의 매수를 3장, 불활성 가스의 공급 유량을 44%, 유기 용제의 공급 유량을 44%로 설정했다. 조건 D에서는, 기판(W)의 매수를 100장, 불활성 가스의 공급 유량을 100%, 유기 용제의 공급 유량을 100%로 설정했다. Condition C and condition D are conditions in which the supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent are biased according to the number of substrates W. Specifically, under condition C, the number of substrates W was set to 3, the inert gas supply flow rate was set to 44%, and the organic solvent supply flow rate was set to 44%. Under condition D, the number of substrates W was set to 100, the inert gas supply flow rate was set to 100%, and the organic solvent supply flow rate was set to 100%.

한편, 조건 A∼D에 있어서, 건조조(12)에 공급되는 유기 용제의 증기 농도는 일정하다. On the other hand, in conditions A to D, the vapor concentration of the organic solvent supplied to the drying tank 12 is constant.

도 17은 기판(W)에 부착된 파티클의 수를 측정한 결과를 도시하는 도면이며, 조건마다 1장의 기판(W)에 부착된 40 nm 이상의 파티클의 수를 측정한 결과를 나타낸다. 도 17 중, 「일단」, 「중앙」 및 「타단」은 각각 기판 유지구(20)의 일단, 중앙 및 타단에 위치하는 기판(W)에서의 결과를 나타낸다. 또한, 「1회째」, 「2회째」 및 「3회째」는 각각 3회 실시한 평가 중의 1회째, 2회째 및 3회째의 결과를 나타낸다. 17 is a diagram showing the result of measuring the number of particles attached to the substrate W, and shows the result of measuring the number of particles of 40 nm or more attached to one substrate W for each condition. In Fig. 17, "one end", "center", and "other end" indicate results for the substrate W positioned at one end, the center, and the other end of the substrate holder 20, respectively. In addition, "1st time", "2nd time", and "3rd time" show the result of the 1st time, the 2nd time, and the 3rd time of evaluation performed 3 times, respectively.

도 17에 도시된 바와 같이, 조건 C 및 조건 D에서는, 기판(W)의 위치에 상관없이 파티클의 수가 적은 것을 알 수 있다. 구체적으로는, 조건 C에서는, 3회 실시한 평가에 있어서, 파티클의 수는 0개∼10개였다. 조건 D에서는, 3회 실시한 평가에 있어서, 파티클의 수는 1개∼12개였다. As shown in FIG. 17 , in conditions C and D, it can be seen that the number of particles is small regardless of the position of the substrate W. Specifically, under condition C, in the evaluation performed three times, the number of particles was 0 to 10. Under condition D, in the evaluation performed three times, the number of particles was 1 to 12.

이것에 대하여, 조건 A 및 조건 B에서는, 조건 C 및 조건 D에 비교하여 파티클의 수가 많은 것을 알 수 있다. 구체적으로는, 조건 A에서는, 3회 실시한 평가에 있어서, 파티클의 수는 9개∼70개였다. 조건 B에서는, 3회 실시한 평가에 있어서, 파티클의 수는 1개∼46개였다. 또한, 조건 B에서는 기판 유지구(20)의 중앙에 위치하는 기판(W)보다 기판 유지구(20)의 일단 및 타단에 위치하는 기판(W)에 있어서 파티클의 수가 많았다. On the other hand, in condition A and condition B, it can be seen that the number of particles is larger than in condition C and condition D. Specifically, under condition A, in the evaluation performed three times, the number of particles was 9 to 70. Under condition B, in the evaluation performed three times, the number of particles was 1 to 46. Further, under condition B, the number of particles in the substrate W positioned at one end and the other end of the substrate holder 20 was greater than in the substrate W positioned in the center of the substrate holder 20 .

이러한 결과로부터, 기판(W)의 매수가 적은 경우, 유기 용제의 증기 농도를 일정하게 유지하면서, 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 작게 하는 것에 의해, 기판(W)에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있는 것이 나타났다. 한편, 기판(W)의 매수가 많은 경우, 유기 용제의 증기 농도를 일정하게 유지하면서, 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 크게 하는 것에 의해, 기판(W)에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있는 것이 나타났다. 즉, 유기 용제의 증기 농도를 일정하게 유지하면서, 기판(W)의 매수에 따라서 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 변경하는 것에 의해, 기판(W)에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있는 것이 나타났다. From these results, when the number of substrates W is small, particles adhere to the substrate W by reducing the inert gas supply flow rate and the organic solvent supply flow rate while keeping the organic solvent vapor concentration constant. Something that can be suppressed has emerged. On the other hand, when the number of substrates W is large, by increasing the inert gas supply flow rate and the organic solvent supply flow rate while maintaining the organic solvent vapor concentration constant, particles are prevented from adhering to the substrate W. Something that could be suppressed appeared. That is, by changing the supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent according to the number of substrates W while maintaining the concentration of the organic solvent vapor constant, the adhesion of particles to the substrate W can be suppressed. What could have appeared.

이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시형태는, 첨부한 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 여러가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다. It should be thought that the embodiment disclosed this time is an example in all respects and not restrictive. The above embodiments may be omitted, substituted, or changed in various forms without departing from the appended claims and their gist.

상기 실시형태에서는, 유기 용제의 증기 농도를 일정하게 유지하면서, 기판(W)의 매수에 따라서 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 변경하는 경우를 설명했지만, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다. 즉, 기판(W)의 상태는 기판(W)의 매수에는 한정되지 않는다. 유기 용제의 증기 농도를 일정하게 유지하면서, 기판 유지구(20)에 유지되는 복수 매의 기판(W)의 배열 피치에 따라서 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 변경해도 좋다. 이 경우, 기판(W)의 배열 피치가 좁을수록, 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 크게 하는 것에 의해, 기판(W)에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 예컨대, 유기 용제의 증기 농도를 일정하게 유지하면서, 기판(W)의 매수와 기판(W)의 배열 피치의 양쪽에 따라서 불활성 가스의 공급 유량 및 유기 용제의 공급 유량을 변경해도 좋다. In the above embodiment, the case where the inert gas supply flow rate and the organic solvent supply flow rate are changed according to the number of substrates W while keeping the organic solvent vapor concentration constant has been described, but the present disclosure is not limited to this. don't That is, the state of the substrate W is not limited to the number of substrates W. The supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent may be changed according to the arrangement pitch of the plurality of substrates W held in the substrate holder 20 while maintaining the concentration of the organic solvent vapor constant. In this case, the smaller the arrangement pitch of the substrates W, the larger the supply flow rate of the inert gas and the organic solvent supply flow rate, so that adhesion of particles to the substrate W can be suppressed. Further, for example, the supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent may be changed according to both the number of substrates W and the arrangement pitch of the substrates W, while keeping the vapor concentration of the organic solvent constant.

1 : 기판 처리 장치 11 : 처리조
12 : 건조조 30 : 가스 공급부
90 : 제어부 W : 기판1: substrate processing device 11: processing tank
12: drying tank 30: gas supply unit
90: control unit W: substrate

Claims (16)

기판이 침지되는 처리액을 저장하는 처리조와,
상기 처리조의 상측에 배치되고 상기 기판을 건조시키는 건조조와,
상기 건조조에 불활성 가스 및 유기 용제의 증기를 포함하는 혼합 가스를 공급하는 가스 공급부, 그리고
상기 가스 공급부를 제어하는 제어부
를 가지며,
상기 제어부는, 상기 건조조에 공급되는 상기 혼합 가스에서 차지하는 상기 유기 용제의 증기 농도를 일정하게 유지하면서, 상기 기판의 상태에 따라서 상기 불활성 가스의 공급 유량 및 상기 유기 용제의 공급 유량을 변경하는 것인 기판 처리 장치. A treatment tank for storing a treatment liquid in which the substrate is immersed;
a drying tank disposed above the treatment tank and drying the substrate;
A gas supply unit for supplying a mixed gas containing an inert gas and organic solvent vapor to the drying tank, and
Control unit for controlling the gas supply unit
has,
Wherein the control unit changes the supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent according to the state of the substrate while maintaining a constant vapor concentration of the organic solvent in the mixed gas supplied to the drying tank. Substrate processing device. 제1항에 있어서,
상기 기판의 상태는 기판의 매수를 포함하는 것인 기판 처리 장치. According to claim 1,
The substrate processing apparatus wherein the state of the substrate includes the number of substrates. 제2항에 있어서,
상기 제어부는, 처리 대상의 기판의 매수가 많을수록 상기 불활성 가스의 공급 유량 및 상기 유기 용제의 공급 유량을 크게 하는 것인 기판 처리 장치. According to claim 2,
wherein the control unit increases the supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent as the number of substrates to be processed increases. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 기판의 매수와, 상기 불활성 가스의 공급 유량과, 상기 유기 용제의 공급 유량의 상관관계에 관한 정보를 기억하는 기억 매체를 가지며,
상기 제어부는, 상기 정보를 이용하여, 처리 대상의 기판의 매수에 따른 상기 불활성 가스의 공급 유량 및 상기 유기 용제의 공급 유량을 산출하는 것인 기판 처리 장치. According to claim 2 or 3,
The control unit has a storage medium for storing information relating to a correlation between the number of substrates, a supply flow rate of the inert gas, and a supply flow rate of the organic solvent;
wherein the control unit calculates a supply flow rate of the inert gas and a supply flow rate of the organic solvent according to the number of substrates to be processed using the information. 제4항에 있어서,
상기 정보는, 상기 유기 용제의 증기 농도가 기준 농도일 때의 상기 상관관계에 관한 정보이며,
상기 제어부는, 상기 유기 용제의 증기 농도가 상기 기준 농도와는 상이한 농도로 변경되었을 때에 상기 유기 용제의 공급 유량을 보정하는 것인 기판 처리 장치. According to claim 4,
The information is information about the correlation when the vapor concentration of the organic solvent is a reference concentration,
wherein the controller corrects the supply flow rate of the organic solvent when the vapor concentration of the organic solvent is changed to a concentration different from the reference concentration. 제4항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 기판이 상기 건조조에 반입되기 전에 상기 처리 대상의 기판의 매수를 계측하는 것인 기판 처리 장치.According to claim 4,
The control unit counts the number of substrates to be processed before the substrates are loaded into the drying tank. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 건조조에 상기 혼합 가스를 공급할 때에 상기 유기 용제의 공급 유량을 도중에 변화시키는 것인 기판 처리 장치. According to any one of claims 1 to 3,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the control unit changes a supply flow rate of the organic solvent midway when supplying the mixed gas to the drying tank. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 처리액에 상기 기판을 침지한 후이자 상기 처리액으로부터 상기 기판을 인상하기 전에 상기 건조조에 상기 혼합 가스를 공급하고, 계속해서 상기 처리액으로부터 상기 기판을 인상할 때에 상기 건조조에 상기 혼합 가스를 공급하는 것인 기판 처리 장치. According to any one of claims 1 to 3,
The control unit supplies the mixed gas to the drying tank after immersing the substrate in the treatment liquid and before lifting the substrate from the treatment liquid, and then to the drying tank when pulling the substrate from the treatment liquid. A substrate processing apparatus supplying the mixed gas. 처리조에 저장된 처리액에 기판을 침지하는 것과,
상기 처리조의 상측에 배치된 건조조에 불활성 가스 및 유기 용제의 증기를 포함하는 혼합 가스를 공급하는 것에 의해 상기 기판을 건조시키는 것
을 가지며,
상기 기판을 건조시키는 것은, 상기 건조조에 공급되는 상기 혼합 가스에 차지하는 상기 유기 용제의 증기 농도를 일정하게 유지하면서, 상기 기판의 상태에 따라서 상기 불활성 가스의 공급 유량 및 상기 유기 용제의 공급 유량을 변경하는 것
을 포함하는 기판 처리 방법. immersing the substrate in the treatment liquid stored in the treatment tank;
Drying the substrate by supplying a mixed gas containing an inert gas and vapor of an organic solvent to a drying tank disposed above the treatment tank.
has,
Drying the substrate changes the supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent according to the state of the substrate while maintaining a constant vapor concentration of the organic solvent in the mixed gas supplied to the drying tank. to do
A substrate processing method comprising a. 제9항에 있어서,
상기 기판의 상태는 기판의 매수를 포함하는 것인 기판 처리 방법. According to claim 9,
The substrate processing method of claim 1, wherein the state of the substrate includes the number of substrates. 제10항에 있어서,
상기 기판을 건조시키는 것은, 처리 대상의 기판의 매수가 많을수록, 상기 불활성 가스의 공급 유량 및 상기 유기 용제의 공급 유량을 크게 하는 것을 포함하는 것인 기판 처리 방법. According to claim 10,
The substrate processing method of claim 1 , wherein drying the substrates includes increasing a supply flow rate of the inert gas and a supply flow rate of the organic solvent as the number of substrates to be processed increases. 제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 기판의 매수와, 상기 불활성 가스의 공급 유량과, 상기 유기 용제의 공급 유량의 상관관계에 관한 정보를 기억하는 것과,
상기 정보를 이용하여, 처리 대상의 기판의 매수에 따른 상기 불활성 가스의 공급 유량 및 상기 유기 용제의 공급 유량을 산출하는 것
을 포함하는 기판 처리 방법. According to claim 10 or 11,
storing information relating to a correlation between the number of substrates, a supply flow rate of the inert gas, and a supply flow rate of the organic solvent;
Calculating the supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent according to the number of substrates to be processed using the information
A substrate processing method comprising a. 제12항에 있어서,
상기 정보는, 상기 유기 용제의 증기 농도가 기준 농도일 때의 상기 상관관계에 관한 정보이며,
상기 불활성 가스의 공급 유량 및 상기 유기 용제의 공급 유량을 산출하는 것은, 상기 유기 용제의 증기 농도가 상기 기준 농도와는 상이한 농도로 변경되었을 때에, 상기 유기 용제의 공급 유량을 보정하는 것을 포함하는 것인 기판 처리 방법. According to claim 12,
The information is information about the correlation when the vapor concentration of the organic solvent is a reference concentration,
Calculating the supply flow rate of the inert gas and the supply flow rate of the organic solvent includes correcting the organic solvent supply flow rate when the vapor concentration of the organic solvent is changed to a concentration different from the reference concentration. Phosphorus substrate processing method. 제12항에 있어서,
상기 기판이 상기 건조조에 반입되기 전에, 상기 처리 대상의 기판의 매수를 계측하는 것을 포함하는 기판 처리 방법. According to claim 12,
and counting the number of substrates to be processed before the substrates are loaded into the drying tank. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 건조조에 상기 혼합 가스를 공급할 때에 상기 유기 용제의 공급 유량을 도중에 변화시키는 것을 포함하는 기판 처리 방법. According to any one of claims 9 to 11,
and changing a supply flow rate of the organic solvent halfway when supplying the mixed gas to the drying tank. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액에 상기 기판을 침지한 후이자 상기 처리액으로부터 상기 기판을 인상하기 전에 상기 건조조에 상기 혼합 가스를 공급하고, 계속해서 상기 처리액으로부터 상기 기판을 인상할 때에 상기 건조조에 상기 혼합 가스를 공급하는 것을 포함하는 기판 처리 방법. According to any one of claims 9 to 11,
The mixed gas is supplied to the drying tank after the substrate is immersed in the treatment liquid and before the substrate is pulled from the treatment liquid, and the mixed gas is supplied to the drying tank when the substrate is subsequently pulled from the treatment liquid. A substrate processing method comprising supplying.
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