KR20230038987A - Apparatus for injecting gas - Google Patents

Apparatus for injecting gas Download PDF

Info

Publication number
KR20230038987A
KR20230038987A KR1020210121761A KR20210121761A KR20230038987A KR 20230038987 A KR20230038987 A KR 20230038987A KR 1020210121761 A KR1020210121761 A KR 1020210121761A KR 20210121761 A KR20210121761 A KR 20210121761A KR 20230038987 A KR20230038987 A KR 20230038987A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cover
gas
insulating
unit
injection device
Prior art date
Application number
KR1020210121761A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이용현
정철우
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020210121761A priority Critical patent/KR20230038987A/en
Publication of KR20230038987A publication Critical patent/KR20230038987A/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45565Shower nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means

Abstract

The present invention relates to a gas injection device, and more particularly, to the gas injection device for injecting a gas onto a substrate carried into an internal space of a chamber. The gas injection device according to an embodiment of the present invention is the gas injection device for supplying gas to a chamber, comprising: a cover part to which RF power is supplied; an injection part disposed below the cover part to inject gas; an insulating part disposed between the cover part and the injection part so that the cover part and the injection part are spaced apart from each other; a connection part connecting the cover part and the injection part so that RF power is transmitted to the injection part; and a coupling part that sequentially penetrates the injection part and the insulating part to connect the cover part and the injection part.

Description

가스 분사 장치{APPARATUS FOR INJECTING GAS}Gas injection device {APPARATUS FOR INJECTING GAS}

본 발명은 가스 분사 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 챔버의 내부 공간으로 반입되는 기판에 가스를 분사하기 위한 가스 분사 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas injection device, and more particularly, to a gas injection device for injecting a gas onto a substrate carried into an internal space of a chamber.

반도체 소자, 태양 전지 및 디스플레이 장치 등은 기판 상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고, 패터닝하여 제조된다. 이를 위하여 증착 공정 및 식각 공정 등과 같은 여러 단계의 서로 다른 박막 처리 공정이 수행된다.Semiconductor devices, solar cells, and display devices are manufactured by depositing and patterning various materials in the form of thin films on a substrate. To this end, several different thin film processing processes such as a deposition process and an etching process are performed.

박막 처리 공정은 밀폐된 내부 공간을 가지는 챔버를 포함하는 기판 처리 장치에서 수행되고, 챔버의 리드(lid)에는 반입되는 기판에 가스를 분사하기 위한 가스 분사 장치가 설치된다. 최근에는, 고주파(RF; Radio Frequency) 전원으로 내부 공간에 플라즈마를 형성하여 증착 공정 등을 수행하는 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방법이 폭넓게 사용되고 있다. 이러한 플라즈마 강화 화학 기상 증착 방법에서 가스 분사 장치는 기판에 가스를 분사하는 역할 외에도 전압 차를 발생시켜 플라즈마를 형성하기 위한 상부 전극의 역할을 수행한다.A thin film processing process is performed in a substrate processing apparatus including a chamber having a sealed inner space, and a gas spraying device for spraying gas to a loaded substrate is installed in a lid of the chamber. Recently, a Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) method in which a deposition process is performed by forming plasma in an internal space using a radio frequency (RF) power source has been widely used. In this plasma-enhanced chemical vapor deposition method, the gas injection device serves as an upper electrode for generating plasma by generating a voltage difference in addition to a role of injecting gas onto the substrate.

가스 분사 장치는 챔버의 내부 공간에 플라즈마를 형성하기 위하여 고주파 전원이 인가되는 디퓨저 커버(diffuser cover) 및 상기 디퓨저 커버의 하측에 설치되어 기판에 가스를 분사하기 위한 다수의 분사홀이 형성된 샤워헤드(showerhead)를 포함한다.The gas injection device includes a diffuser cover to which high-frequency power is applied to form plasma in the inner space of the chamber, and a shower head installed below the diffuser cover and having a plurality of injection holes for injecting gas to a substrate ( showerhead).

일반적으로, 박막 처리 공정에서 챔버의 내부 공간은 가스를 열 분해하기 위하여 높은 온도로 유지된다. 가스 분사 장치는 고주파 전원이 인가되는 디퓨저 커버(diffuser cover)에 샤워헤드(showerhead)가 결합되어 마련되는데, 디퓨저 커버와 샤워헤드는 그 구조 또는 재질 차이에 의하여 열 팽창 정도가 상이하게 나타난다. 이와 같은 열 팽창 정도의 차이에 의하여 디퓨저 커버와 샤워헤드 사이에서는 마찰로 인한 마이크로 아킹(micro arcing)이 발생하게 되고, 마이크로 아킹에 의하여 발생하는 파티클(particle)과 같은 이물질은 제조되는 박막의 품질 저하를 유발하는 문제점이 있었다.In general, in a thin film processing process, an internal space of a chamber is maintained at a high temperature to thermally decompose a gas. The gas injection device is provided by coupling a showerhead to a diffuser cover to which high-frequency power is applied. The diffuser cover and the showerhead have different degrees of thermal expansion due to differences in structure or material. Due to this difference in the degree of thermal expansion, micro arcing occurs between the diffuser cover and the showerhead due to friction, and foreign substances such as particles generated by the micro arcing deteriorate the quality of the thin film produced. There was a problem that caused

KRKR 10-2003-0066118 10-2003-0066118 AA

본 발명은 부품 상호 간의 마찰로 인한 이물질의 발생을 최소화할 수 있는 가스 분사 장치를 제공한다.The present invention provides a gas injection device capable of minimizing the generation of foreign substances due to friction between parts.

본 발명의 실시 예에 따른 가스 분사 장치는, 챔버에 가스를 공급하기 위한 가스 분사 장치로서, RF 전력이 공급되는 커버부; 상기 커버부의 하측에 배치되어 가스를 분사하는 분사부; 상기 커버부와 분사부가 이격되도록 상기 커버부와 분사부 사이에 배치되는 절연부; 상기 분사부로 RF 전력이 전달되도록 상기 커버부와 분사부를 연결하는 연결부; 및 상기 분사부 및 절연부를 순차적으로 관통하여 상기 커버부와 분사부를 연결하는 결합부;를 포함한다.A gas injection device according to an embodiment of the present invention is a gas injection device for supplying gas to a chamber, comprising: a cover portion to which RF power is supplied; a spraying unit disposed below the cover unit to spray gas; an insulating part disposed between the cover part and the spraying part so that the cover part and the spraying part are spaced apart from each other; a connection unit connecting the cover unit and the dispensing unit so that RF power is transmitted to the dispensing unit; and a coupling part connecting the cover part and the spraying part by sequentially penetrating the spraying part and the insulating part.

상기 절연부는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE; Polytetrafluoroethylene)을 포함하는 합성수지 재질로 형성될 수 있다.The insulating part may be formed of a synthetic resin material including polytetrafluoroethylene (PTFE).

상기 절연부는 상기 커버부의 가장자리 영역을 따라 연장될 수 있다.The insulating part may extend along an edge area of the cover part.

상기 연결부는 일측 단부가 상기 커버부의 가장자리 영역과 절연부 사이에 배치되고, 타측 단부가 상기 분사부의 하측으로 연장될 수 있다.One end of the connection part may be disposed between the edge region of the cover part and the insulating part, and the other end may extend downward of the injection part.

상기 결합부는 상기 연결부의 일측 단부와 타측 단부를 관통하여 상기 커버부에 결합될 수 있다.The coupling part may be coupled to the cover part by penetrating one end and the other end of the connection part.

상기 커버부는 가장자리 영역의 내측에서 하향 돌출되도록 형성되는 돌출부를 포함할 수 있다.The cover part may include a protrusion formed to protrude downward from an inside of the edge area.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 가스 분사 장치는, 챔버에 가스를 공급하기 위한 가스 분사 장치로서, 가스를 유입하기 위한 가스 유입구가 마련된 커버부; 상기 커버부의 하측으로 이격 배치되고, 상기 가스 유입구를 통해 유입되는 가스를 분사하는 분사부; 및 상기 커버부와 분사부 사이에서 상기 커버부의 가장자리 영역을 따라 연장되고, 복수의 절연부재를 구비하는 절연부;를 포함할 수 있다.Further, a gas injection device according to an embodiment of the present invention is a gas injection device for supplying gas to a chamber, comprising: a cover portion provided with a gas inlet for introducing gas; an injection unit spaced apart from the lower side of the cover unit and injecting gas introduced through the gas inlet; and an insulating part extending along an edge region of the cover part between the cover part and the spraying part and having a plurality of insulating members.

상기 복수의 절연부재는 서로 접촉되어 연장 방향으로 배열될 수 있다.The plurality of insulating members may contact each other and be arranged in an extension direction.

상기 복수의 절연부재는 연장 방향에 교차하는 방향으로 서로 일부 중첩되도록 배열될 수 있다.The plurality of insulating members may be arranged to partially overlap each other in a direction crossing the extending direction.

상기 복수의 절연부재는 서로 접촉되는 접촉면의 적어도 일부가 상기 커버부와 분사부 사이의 이격 공간을 마주보도록 마련될 수 있다.At least some of the contact surfaces of the plurality of insulating members may be provided to face a separation space between the cover part and the injection part.

본 발명의 실시 예에 따르면, 마찰 계수가 낮은 절연부를 커버부와 분사부 사이에 배치하여 커버부와 분사부 간의 마찰로 인한 이물질의 발생을 억제할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by disposing an insulating part having a low friction coefficient between the cover part and the spraying part, it is possible to suppress the occurrence of foreign substances due to friction between the cover part and the spraying part.

또한, 복수의 절연부재를 배열하여 절연부를 형성함으로써 제조를 용이하게 하고 비용을 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라, 기판의 대면적화에 따라 가스 분사 장치가 대형화되는 경우에도 효과적으로 이에 대응할 수 있다.In addition, by arranging a plurality of insulating members to form the insulating part, manufacturing can be facilitated and costs can be reduced, and even when the size of the gas injection device increases according to the large area of the substrate, it can effectively cope with this.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 가스 분사 장치를 포함하는 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 절연부를 개략적으로 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 연결부의 연결 위치에 따라 플라즈마가 형성되는 모습을 개략적으로 나타내는 도면.
1 is a view schematically showing a substrate processing apparatus including a gas injection apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged view of part A of FIG. 1;
3 is a schematic view of an insulating unit according to an embodiment of the present invention;
4 is a view schematically showing how plasma is formed according to the connection position of the connection part according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 발명의 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 발명을 상세하게 설명하기 위해 도면은 과장되어 도시될 수 있으며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention will not be limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, only the embodiments of the present invention will make the disclosure of the present invention complete, and will make the scope of the invention clear to those skilled in the art. It is provided to fully inform you. In order to explain the invention in detail, the drawings may be exaggerated, and like reference numerals refer to like elements in the drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 가스 분사 장치를 포함하는 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 또한, 도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 절연부를 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating a substrate processing apparatus including a gas injection apparatus according to an embodiment of the present invention. In addition, FIG. 2 is an enlarged view of portion A of FIG. 1 , and FIG. 3 is a schematic view of an insulation unit according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 박막을 증착하고, 패터닝하는 등의 다양한 박막 처리 공정을 수행하기 위한 장치로서, 챔버(10), 상기 챔버(10) 내에 마련되며, 상기 챔버(10) 내에 제공되는 기판을 지지하기 위한 기판 지지 장치(20), 상기 기판 지지 장치(20)에 대향 배치되도록 상기 챔버(10) 내에 마련되며, 상기 기판 지지 장치(20)를 향하여 가스를 분사하기 위한 가스 분사 장치(30) 및 상기 가스 분사 장치(30)에 가스를 제공하기 위한 가스 공급관(40)을 포함한다. 또한, 상기 기판 처리 장치는 상기 챔버(10) 내에 플라즈마를 발생시키도록 전원을 인가하는 RF 전원(미도시) 및 상기 RF 전원을 제어하는 제어부(미도시)를 더 포함할 수도 있다.1 to 3, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is an apparatus for performing various thin film processing processes such as depositing and patterning a thin film, and includes a chamber 10, the chamber 10 A substrate support device 20 for supporting a substrate provided in the chamber 10, provided in the chamber 10 so as to face the substrate support device 20, and the substrate support device 20 ) and a gas supply pipe 40 for supplying gas to the gas injection device 30 and the gas injection device 30 for injecting gas. In addition, the substrate processing apparatus may further include an RF power source (not shown) for applying power to generate plasma in the chamber 10 and a controller (not shown) for controlling the RF power source.

챔버(10)는 소정의 반응 공간을 마련하고, 이를 기밀하게 유지시킨다. 챔버(10)는 대략 원형 또는 사각형의 평면부 및 평면부로부터 상향 연장된 측벽부를 포함하여 소정의 반응 공간을 가지는 몸체(120)와, 대략 원형 또는 사각형으로 몸체(120) 상에 위치하여 반응 공간을 기밀하게 유지하는 덮개(110)를 포함할 수 있다. 그러나, 챔버(10)는 이에 한정되지 않고 기판의 형상에 대응하는 다양한 형상으로 제작될 수 있다.The chamber 10 provides a predetermined reaction space and keeps it airtight. The chamber 10 includes a body 120 having a predetermined reaction space including a substantially circular or quadrangular plane portion and a side wall portion extending upward from the planar portion, and a substantially circular or quadrangular shape positioned on the body 120 to provide a reaction space. It may include a cover 110 to keep the airtight. However, the chamber 10 is not limited thereto and may be manufactured in various shapes corresponding to the shape of the substrate.

챔버(10)의 하면의 소정 영역에는 배기구(미도시)가 형성되고, 챔버(10)의 외측에는 배기구와 연결되는 배기관(미도시)이 마련될 수 있다. 또한, 배기관은 배기 장치(미도시)와 연결될 수 있다. 배기 장치로는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프가 이용될 수 있다. 따라서, 배기 장치에 의해 챔버(10) 내부를 소정의 감압 분위기, 예를 들어 0.1mTorr 이하의 소정의 압력까지 진공 흡입할 수 있다. 배기관은 챔버(10)의 하면 뿐만 아니라 후술하는 기판 지지 장치(20) 하측의 챔버(10) 측면에 설치될 수도 있다. 또한, 배기되는 시간을 줄이기 위해 다수 개의 배기관 및 그에 따른 배기 장치가 더 설치될 수도 있음은 물론이다.An exhaust port (not shown) may be formed in a predetermined area of the lower surface of the chamber 10 , and an exhaust pipe (not shown) connected to the exhaust port may be provided outside the chamber 10 . Also, the exhaust pipe may be connected to an exhaust device (not shown). As an exhaust device, a vacuum pump such as a turbo molecular pump may be used. Therefore, the inside of the chamber 10 can be vacuumed up to a predetermined reduced pressure atmosphere, for example, a predetermined pressure of 0.1 mTorr or less by the exhaust device. The exhaust pipe may be installed not only on the lower surface of the chamber 10 but also on the side surface of the chamber 10 below the substrate support device 20 to be described later. In addition, it goes without saying that a plurality of exhaust pipes and corresponding exhaust devices may be further installed to reduce the exhausting time.

한편, 기판 지지 장치(20)에는 박막 형성 공정을 위하여 챔버(10) 내로 제공된 기판이 안착될 수 있다. 여기서 기판은, 예를 들어 실리콘 기판, 글래스 기판 또는 플렉서블(flexible) 디스플레이를 구현하는 경우에는 플라스틱 기판(PE, PES, PET, PEN 등)이 사용될 수 있다. 또한, 기판(100)은 반사형 기판이 이용될 수도 있으며, 이 경우 메탈 기판을 사용할 수 있다. 기판 지지 장치(20)는 이와 같은 기판이 안착되어 지지될 수 있도록, 예를 들어 정전척 등이 마련되어 기판을 정전력에 의해 흡착 유지할 수도 있고, 진공 흡착이나 기계적 힘에 의해 기판을 지지할 수도 있다.Meanwhile, a substrate provided into the chamber 10 may be placed on the substrate support device 20 for a thin film forming process. Here, the substrate may be, for example, a silicon substrate, a glass substrate, or a plastic substrate (PE, PES, PET, PEN, etc.) in the case of implementing a flexible display. In addition, a reflective substrate may be used as the substrate 100, and in this case, a metal substrate may be used. The substrate support device 20 may be provided with, for example, an electrostatic chuck so that such a substrate may be seated and supported, and may adsorb and hold the substrate by electrostatic force, or may support the substrate by vacuum adsorption or mechanical force. .

기판 지지 장치(20)는 기판 형상과 대응되는 형상, 예를 들어 원형 또는 사각형으로 마련될 수 있다. 기판 지지 장치(20)는 기판이 안착되는 기판 지지부(210) 및 상기 기판 지지부(210) 하부에 배치되어 기판 지지부(210)를 승하강 이동시키는 승강부(220)를 포함할 수 있다. 여기서, 기판 지지부(210)는 기판보다 크게 제작될 수 있으며, 승강부(220)는 기판 지지부(210)의 적어도 일 영역, 예를 들어 중심부를 지지하도록 마련되고, 기판 지지부(210) 상에 기판이 안착되면 기판 지지부(210)를 가스 분사 장치(30)에 근접하도록 이동시킬 수 있다. 또한, 기판 지지부(210) 내부에는 히터(미도시)가 설치될 수 있다. 히터는 소정 온도로 발열하여 기판 지지부(210) 및 상기 기판 지지부(210)에 안착된 기판을 가열하여, 기판에 균일하게 박막이 증착되도록 한다.The substrate support device 20 may be provided in a shape corresponding to the shape of the substrate, for example, a circular shape or a rectangular shape. The substrate support device 20 may include a substrate support part 210 on which a substrate is seated and an elevation part 220 disposed below the substrate support part 210 to move the substrate support part 210 up and down. Here, the substrate supporter 210 may be manufactured to be larger than the substrate, and the elevation part 220 is provided to support at least one region of the substrate supporter 210, for example, the center, and the substrate is placed on the substrate supporter 210. When the substrate support 210 is seated, the substrate support 210 may be moved closer to the gas injection device 30 . In addition, a heater (not shown) may be installed inside the substrate support 210 . The heater generates heat to a predetermined temperature to heat the substrate support 210 and the substrate seated on the substrate support 210 so that a thin film is uniformly deposited on the substrate.

가스 공급관(40)은 챔버(10)의 덮개(110)를 관통하도록 설치되어 챔버(10) 내에 설치된 가스 분사 장치(30)에 가스를 공급한다. 가스 공급관(40)에는 RF 전원이 연결될 수 있으며, RF 전원으로부터 인가되는 RF 전력은 가스 공급관(40)과 연결된 커버부(310) 및 분사부(320)로 제공될 수 있다. 이때, 기판 지지 장치(20)는 접지될 수 있으며, 이에 의하여 기판 지지 장치(20)와 가스 분사 장치(30) 사이의 공정 공간에는 플라즈마가 형성될 수 있다. 커버부(310) 및 분사부(320)를 포함하는 본 발명의 실시 예에 따른 가스 분사 장치(30)의 세부 구성과 관련하여는 이하에서 상세하게 설명한다.The gas supply pipe 40 is installed to pass through the cover 110 of the chamber 10 to supply gas to the gas injection device 30 installed in the chamber 10 . An RF power source may be connected to the gas supply pipe 40 , and RF power applied from the RF power source may be provided to the cover part 310 and the injection part 320 connected to the gas supply pipe 40 . In this case, the substrate support device 20 may be grounded, and thus plasma may be formed in a process space between the substrate support device 20 and the gas injection device 30 . Detailed configurations of the gas injection device 30 according to the embodiment of the present invention including the cover part 310 and the injection part 320 will be described in detail below.

본 발명의 실시 예에 따른 가스 분사 장치(30)는 챔버(10)에 가스를 공급하기 위한 가스 분사 장치(30)로서, RF 전력이 공급되는 커버부(310), 상기 커버부(310)의 하측에 배치되어 가스를 분사하는 분사부(320), 상기 커버부(310)와 분사부(320)가 이격되도록 상기 커버부(310)와 분사부(320) 사이에 배치되는 절연부(330), 상기 분사부(330)로 RF 전력이 전달되도록 상기 커버부(310)와 분사부(320)를 연결하는 연결부(340) 및 상기 분사부(320) 및 절연부(330)를 순차적으로 관통하여 상기 커버부(310)와 분사부(320)를 연결하는 결합부(360)를 포함한다.Gas injection device 30 according to an embodiment of the present invention is a gas injection device 30 for supplying gas to the chamber 10, the cover portion 310 to which RF power is supplied, the cover portion 310 A spraying part 320 disposed on the lower side and spraying gas, and an insulating part 330 disposed between the cover part 310 and the spraying part 320 so that the cover part 310 and the spraying part 320 are spaced apart. , By sequentially passing through the connection part 340 connecting the cover part 310 and the injection part 320, the injection part 320, and the insulation part 330 so that the RF power is transmitted to the injection part 330. A coupling part 360 connecting the cover part 310 and the injection part 320 is included.

한편, 본 발명의 실시 예에 따른 가스 분사 장치(30)는 챔버(10)에 가스를 공급하기 위한 가스 분사 장치(30)로서, 가스를 유입하기 위한 가스 유입구가 마련된 커버부(310), 상기 커버부(310)의 하측으로 이격 배치되고, 상기 가스 유입구를 통해 유입되는 가스를 분사하는 분사부(320) 및 상기 커버부(310)와 분사부(320) 사이에서 상기 커버부(310)의 가장자리 영역을 따라 연장되고, 복수의 절연부재(332)를 구비하는 절연부(330)를 포함하여 구성될 수도 있다. 이하에서, 본 발명의 실시 예에 따른 가스 분사 장치(30)의 각 구성에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.On the other hand, the gas injection device 30 according to an embodiment of the present invention is a gas injection device 30 for supplying gas to the chamber 10, the cover portion 310 provided with a gas inlet for introducing the gas, the A dispensing unit 320 spaced apart from the lower side of the cover unit 310 and injecting gas introduced through the gas inlet, and between the cover unit 310 and the dispensing unit 320, the cover unit 310 It may also include an insulating portion 330 extending along the edge region and having a plurality of insulating members 332 . Hereinafter, each configuration of the gas injection device 30 according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

챔버(10)의 공정 공간은 덮개(110)에 의하여 외부와 격리되는데, 덮개(110)의 내측으로는 가스를 유입하기 위한 가스 유입구가 마련된 커버부(310)가 배치된다. 여기서, 커버부(310)는 디퓨저 커버(diffuser cover) 또는 백킹 플레이트(backing plate)를 지칭할 수 있으며, 커버부(310)에는 전술한 RF 전원으로부터 RF 전력이 공급될 수 있다.The process space of the chamber 10 is isolated from the outside by the cover 110, and a cover part 310 provided with a gas inlet for introducing gas is disposed inside the cover 110. Here, the cover unit 310 may refer to a diffuser cover or a backing plate, and RF power may be supplied to the cover unit 310 from the RF power source described above.

커버부(310)는 공정 공간을 횡 방향, 즉 X-Y 평면을 따라 횡단하는 소정 두께의 판 형상으로 마련될 수 있으며, 커버부(310)의 최외측은 챔버(10)의 덮개(110)에 의하여 지지되는 구조를 가질 수 있다. 이와 같은 커버부(310)는 일반적으로 알루미늄(Al)을 포함하는 금속 재질로 형성된다.The cover part 310 may be provided in a plate shape having a predetermined thickness traversing the process space in the transverse direction, that is, along the X-Y plane, and the outermost part of the cover part 310 is covered by the cover 110 of the chamber 10. It may have a supported structure. Such a cover part 310 is generally formed of a metal material including aluminum (Al).

커버부(310)는 중심부가 관통되어 가스 유입구가 형성되고, 가스 유입구에는 가스 공급관(40)이 연결될 수 있다. 커버부(310)의 하측에는 소정 간격 이격되어 분사부(320)가 배치되는데, 가스 공급관(40)으로부터 공급되는 가스는 커버부(310)의 하측으로 유입되어, 커버부(310)와 분사부(320) 사이의 이격 공간(D)에서 확산될 수 있다.The cover part 310 has a central portion through which a gas inlet is formed, and a gas supply pipe 40 may be connected to the gas inlet. The injection unit 320 is disposed on the lower side of the cover unit 310 at a predetermined interval. The gas supplied from the gas supply pipe 40 flows into the lower side of the cover unit 310, and the cover unit 310 and the spray unit It can diffuse in the spaced space (D) between (320).

분사부(320)는 커버부(310)와의 사이에서 이격 공간(D)을 형성하도록 커버부(310)의 하측으로 소정 간격 이격되어 배치된다. 이와 같은 분사부(320)는 커버부(310)의 중심 영역의 하측에 배치되며, 커버부(310)에 마련된 가스 유입구로부터 유입되어 이격 공간(D)에서 확산된 가스를 기판에 분사하기 위한 복수의 분사홀(H)이 형성된 본체(322) 및 상기 본체(322)의 외주면으로부터 외측으로 연장되어 커버부(310)의 가장자리 영역에 결합되기 위한 지지체(324)를 포함할 수 있다. 본체(322)와 지지체(324)는 일체로 형성되거나, 별개로 마련되어 상호 결합될 수 있으며, 일반적으로 알루미늄(Al)을 포함하는 금속 재질로 형성될 수 있다.The injection unit 320 is spaced apart from the cover unit 310 by a predetermined distance to the lower side of the cover unit 310 to form a separation space D between them. The spraying unit 320 is disposed below the central region of the cover unit 310 and is configured to spray a gas flowing in from a gas inlet provided in the cover unit 310 and diffused in the separation space D to the substrate. It may include a body 322 having a spray hole H of the body 322 and a support 324 extending outward from an outer circumferential surface of the body 322 and coupled to an edge region of the cover part 310 . The main body 322 and the support 324 may be integrally formed or provided separately and coupled to each other, and may be formed of a metal material generally containing aluminum (Al).

한편, 지지체(324)의 적어도 일부 영역은, 전술한 커버부(310)의 가장자리 영역, 즉 커버부(310)의 외주면으로부터 내측으로 소정 간격 연장된 영역과 상하 방향, 즉 Z축 방향으로 중첩되도록 마련된다. 이때, 커버부(310)의 가장자리 영역은 커버부(310)의 최외측이 챔버(10)의 덮개(110)에 의하여 지지되는 구조를 가지는 경우, 커버부(310)의 외주면으로부터 내측으로 소정 간격 연장된 영역 중 덮개(110)에 의하여 지지되는 커버부(310)의 최외측을 제외한 영역일 수 있다.On the other hand, at least a portion of the support 324 is overlapped in the vertical direction, that is, in the Z-axis direction, with the edge area of the cover part 310 described above, that is, the area extending inward from the outer circumferential surface of the cover part 310 by a predetermined distance. provided At this time, when the outermost side of the cover part 310 has a structure supported by the lid 110 of the chamber 10, the edge area of the cover part 310 is a predetermined distance from the outer circumferential surface of the cover part 310 to the inside. Among the extended areas, it may be an area excluding the outermost side of the cover part 310 supported by the cover 110 .

종래에는, 전술한 커버부(310)의 가장자리 영역과 분사부(320)의 지지체(324)가 볼트(bolt) 등과 같은 결합부(360)를 통하여 직접 결합되었다. 그러나, 이와 같이 커버부(310)의 가장자리 영역과 분사부(320)의 지지체(324)를 결합부(360)를 통하여 직접 결합하는 경우, 커버부(310)와 분사부(320) 간의 열 팽창 정도 차이에 의하여 커버부(310)와 분사부(320) 사이에 마찰이 발생하게 되고, 마찰에 발생한 갈림성 이물질이 커버부(310)와 분사부(320) 사이의 이격 공간(D)으로 유입되어 제조되는 박막의 품질을 저하시키는 문제가 있었다.Conventionally, the above-described edge area of the cover part 310 and the support 324 of the injection part 320 are directly coupled through a coupling part 360 such as a bolt. However, when the edge area of the cover part 310 and the support 324 of the spraying part 320 are directly coupled through the coupling part 360 as described above, thermal expansion between the cover part 310 and the spraying part 320 occurs. Due to the difference in degree, friction is generated between the cover part 310 and the injection part 320, and the grinding foreign matter generated by the friction flows into the separation space D between the cover part 310 and the injection part 320. There was a problem of deteriorating the quality of the thin film to be manufactured.

이에, 본 발명의 실시 예에서는 커버부(310)의 하측, 즉 커버부(310)와 분사부(320) 사이에 커버부(310)의 가장자리 영역을 따라 연장되는 절연부(330)를 배치하여, 커버부(310)와 분사부(320)가 직접 접촉하는 것을 방지하고, 이물질의 발생을 최소화할 수 있다.Therefore, in the embodiment of the present invention, the insulating part 330 extending along the edge area of the cover part 310 is disposed on the lower side of the cover part 310, that is, between the cover part 310 and the spraying part 320. , It is possible to prevent direct contact between the cover part 310 and the injection part 320 and to minimize the occurrence of foreign substances.

절연부(330)는 챔버(10) 내의 높은 온도에 견딜 수 있으며, 낮은 마찰 계수를 가지는 내열성 합성수지 재질로 형성될 수 있다. 이와 같은 내열성 합성수지는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE; Polytetrafluoroethylene), 즉 테프론(TeflonTM)을 포함할 수 있다.The insulation unit 330 can withstand high temperatures in the chamber 10 and may be formed of a heat-resistant synthetic resin material having a low coefficient of friction. Such a heat-resistant synthetic resin may include polytetrafluoroethylene (PTFE; Polytetrafluoroethylene), that is, Teflon TM .

여기서, 절연부(330)는 일체로 형성될 수 있으나, 연장 방향을 따라 배열되는 복수의 절연부재(332)를 포함하여 형성될 수도 있다.Here, the insulating unit 330 may be integrally formed, but may also be formed by including a plurality of insulating members 332 arranged along the extension direction.

커버부(310)와 분사부(320) 사이에 절연부(330)를 배치하는 경우, 절연부(330)는 커버부(310)의 가장자리 영역을 따라 연장되는 형상을 가지게 된다. 그러나, 기판의 대면적화에 따라 가스 분사 장치가 대형화되는 경우, 절연부(330) 또한 이에 따라 그 크기가 증대되어야 한다. 증대된 크기를 가지며, 커버부(310)의 가장자리 영역을 따라 연장되는 형상으로 절연부(330)를 정교하게 제작하기 위하여는 많은 시간과 비용이 소모되는 바, 본 발명의 실시 예에서는 복수의 절연부재(332)로 절연부(330)를 형성하여 제조를 용이하게 하고 비용을 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라, 기판의 대면적화에 따라 가스 분사 장치가 대형화되는 경우에도 효과적으로 이에 대응할 수 있게 된다.When the insulating part 330 is disposed between the cover part 310 and the injection part 320 , the insulating part 330 has a shape extending along the edge area of the cover part 310 . However, when the size of the gas injection device increases with the increase in the area of the substrate, the size of the insulating unit 330 also needs to increase accordingly. In order to elaborately manufacture the insulating part 330 having an increased size and extending along the edge area of the cover part 310, a lot of time and money are consumed. In the embodiment of the present invention, a plurality of insulating parts Forming the insulating portion 330 with the member 332 not only facilitates manufacturing and reduces cost, but also effectively responds to the case where the gas injection device is enlarged according to the large area of the substrate.

이를 보다 상세히 설명하면, 본 발명의 실시 예에 따른 절연부재(332)는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE; Polytetrafluoroethylene)을 포함하는 합성수지 재질로 형성되며, 커버부(310)의 가장자리 영역을 따라 연장되는 절연부(330)를 연장 방향에 교차하는 단면으로 절단한 형상을 가진다. 예를 들어, 절연부재(332)는 일 방향으로 연장되는 바(bar) 형상을 가지거나, 90°의 각도로 절곡된 바 형상을 가질 수 있다. 그러나, 절연부재(332)의 형상은 이에 제한되지 않고 다양하게 구성될 수도 있음은 물론이다.In more detail, the insulating member 332 according to the embodiment of the present invention is formed of a synthetic resin material including polytetrafluoroethylene (PTFE) and extends along the edge area of the cover part 310. It has a shape obtained by cutting the insulating portion 330 into a cross section crossing the extension direction. For example, the insulating member 332 may have a bar shape extending in one direction or may have a bar shape bent at an angle of 90°. However, it goes without saying that the shape of the insulating member 332 is not limited thereto and may be configured in various ways.

이와 같은, 절연부재(332)는 커버부(310)의 가장자리 영역을 따라 배열될 수 있으며, 절연부재(332) 사이의 틈으로 인하여 이격 공간(D)에서 확산된 가스가 가스 분사 장치(30)의 외부로 누설되는 것을 방지하기 위하여 복수의 절연부재(332)는 서로 접촉되어 배열될 수 있다.As such, the insulating member 332 may be arranged along the edge area of the cover part 310, and the gas diffused in the spaced space D due to the gap between the insulating members 332 is discharged from the gas injection device 30. In order to prevent leakage to the outside of the plurality of insulating members 332 may be arranged in contact with each other.

도 3은 복수의 절연부재(332)가 서로 접촉되어 배열되는 일 실시 예를 도시한 도면이다. 도 3에서는 분사부(320) 상에 복수의 절연부재(332)가 마련되는 모습을 도시하였으며, 본체(322)에 형성된 분사홀(H)의 도시는 생략하였다.3 is a view showing an embodiment in which a plurality of insulating members 332 are arranged in contact with each other. In FIG. 3, it is shown that a plurality of insulating members 332 are provided on the injection unit 320, and the injection hole H formed in the main body 322 is omitted.

도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 절연부재(332)는 서로 접촉되어 커버부(310)의 가장자리 영역을 따라 빈틈없이 배치될 수 있다. 이때, 복수의 절연부재(332)는 연장 방향에 교차하는 방향, 즉 커버부(310)의 외측을 향하는 방향으로 서로 일부 중첩되도록 배열될 수 있다. 이는, 서로 이웃하는 절연부재(332)는 서로 접촉하여 배치되는 경우에도 상호 간의 소정의 틈이 발생할 수 있는데, 이와 같은 틈으로 누설되는 가스의 누설 경로를 절곡시킴으로써 절연부재(332) 사이의 틈으로 가스가 누설되는 것을 최대한으로 방지하기 위함이다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 절연부재(332)는 서로 접촉되는 접촉면의 적어도 일부(332a)가 커버부(310)와 분사부(320) 사이의 이격 공간(D)을 마주보도록 마련될 수도 있다. 이 역시, 이웃하는 절연부재(332) 사이의 틈으로 가스가 누설되는 것을 방지하기 위함인데, 이와 같이 서로 접촉되는 접촉면의 적어도 일부(332a)가 커버부(310)와 분사부(320) 사이의 이격 공간(D)을 마주보도록 복수의 절연부재(332)를 배치하는 경우, 이웃하는 절연부재(332)가 접촉면을 통하여 상호 체결될 수 있어 고정력을 향상시킬 수 있다.As shown in FIG. 3 , the plurality of insulating members 332 may contact each other and be disposed along the edge area of the cover unit 310 without gaps. In this case, the plurality of insulating members 332 may be arranged to partially overlap each other in a direction crossing the extending direction, that is, in a direction toward the outside of the cover part 310 . This means that even when the insulating members 332 adjacent to each other are placed in contact with each other, a predetermined gap may occur between them. This is to prevent gas leakage as much as possible. In addition, as shown in FIG. 3 , the plurality of insulating members 332 are arranged so that at least a portion of the contact surface 332a in contact with each other faces the separation space D between the cover part 310 and the injection part 320. may be provided. This is also to prevent gas from leaking into gaps between adjacent insulating members 332, and at least a portion 332a of the contact surfaces that come into contact with each other in this way is a gap between the cover part 310 and the injection part 320. When the plurality of insulating members 332 are disposed so as to face the separation space D, adjacent insulating members 332 can be coupled to each other through contact surfaces, thereby improving fixing force.

전술한 바와 같이 절연부(330)는 낮은 마찰 계수를 가지는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE; Polytetrafluoroethylene)을 포함하는 합성수지 재질로 형성된다. 이 경우, 절연부(330)는 전기 절연성을 가지게 되므로, RF 전원으로부터 커버부(310)에 공급되는 RF 전력이 분사부(320)로 전달될 수 없는 문제가 발생한다.As described above, the insulator 330 is made of a synthetic resin material including polytetrafluoroethylene (PTFE) having a low coefficient of friction. In this case, since the insulator 330 has electrical insulation, a problem arises in that RF power supplied from the RF power source to the cover unit 310 cannot be transmitted to the injection unit 320 .

이에, 본 발명의 실시 예에 따른 가스 분사 장치(30)는 분사부(320)로 RF 전력이 전달되도록 커버부(310)와 분사부(320)를 전기적으로 연결하는 연결부(340)를 포함할 수 있다. 연결부(340)는 전도성을 가지는 금속 재질로 형성될 수 있으며, 일측 단부로부터 타측 단부로 연장되는 띠 형상을 가져 커버부(310)에 공급되는 RF 전력을 분사부(320)에 전달할 수 있는 RF 스트랩(strap)을 포함할 수 있다.Accordingly, the gas injection device 30 according to an embodiment of the present invention may include a connection part 340 electrically connecting the cover part 310 and the injection part 320 so that RF power is transmitted to the injection part 320. can The connection part 340 may be formed of a metal material having conductivity, and has a band shape extending from one end to the other end, so that the RF power supplied to the cover part 310 can be transmitted to the injection part 320. (strap) may be included.

여기서, 연결부(340)는 커버부(310)와 분사부(320)를 연결하는 다양한 위치에 마련될 수 있다. 즉, 연결부(340)는 일측 단부가 커버부(310)의 일면, 예를 들어 도 2에서 커버부(310)의 좌측면에 연결되고, 타측 단부가 분사부(320)의 일면, 예를 들어 도 2에서 분사부(320)의 좌측면 또는 하면에 연결되도록 마련될 수 있다.Here, the connection part 340 may be provided in various positions connecting the cover part 310 and the injection part 320 . That is, the connection part 340 has one end connected to one surface of the cover part 310, for example, the left surface of the cover part 310 in FIG. 2, and the other end connected to one surface of the spraying part 320, for example In FIG. 2 , it may be provided to be connected to the left side or lower surface of the injection unit 320 .

한편, 본 발명의 실시 예에서는 연결부(340)의 일측 단부가 커버부(310)의 가장자리 영역과 절연부(330) 사이에 배치되고, 연결부(340)의 타측 단부가 분사부(320)의 하측으로 연장되도록 마련될 수도 있다. 이와 같이, 연결부(340)의 일측 단부를 커버부(310)의 가장자리 영역과 절연부(330) 사이에 배치하고, 연결부(340)의 타측 단부를 분사부(320)의 하측으로 연장되도록 배치하는 경우, 커버부(310)와 분사부(320)를 결합시키기 위한 결합부(360)가 연결부(340)의 일측 단부와 타측 단부를 관통하도록 분사부(320)의 하측에서 결합될 수 있어, 연결부(340)를 보다 견고하게 설치할 수 있다. 이때, 결합부(360)의 결합력을 향상시키기 위하여, 도 2에 도시된 바와 같이 분사부(320)의 하측에는 별도의 클램핑부(350)가 마련되고, 결합부(360)가 클램핑부(350), 연결부(340)의 타측 단부, 분사부(320)의 지지체(324), 절연부(330) 및 연결부(340)의 일측 단부를 순차적으로 관통하여 커버부(310)에 결합될 수 있음은 물론이다.On the other hand, in the embodiment of the present invention, one end of the connection part 340 is disposed between the edge area of the cover part 310 and the insulating part 330, and the other end of the connection part 340 is at the lower side of the injection part 320. It may be provided to extend to . As such, one end of the connection part 340 is disposed between the edge area of the cover part 310 and the insulating part 330, and the other end of the connection part 340 is disposed to extend downward from the injection part 320. In this case, the coupling part 360 for coupling the cover part 310 and the injection part 320 may be coupled at the lower side of the injection part 320 so as to pass through one end and the other end of the connection part 340, so that the connection part (340) can be installed more firmly. At this time, in order to improve the bonding force of the coupling unit 360, as shown in FIG. 2, a separate clamping unit 350 is provided below the injection unit 320, and the coupling unit 360 is the clamping unit 350. ), the other end of the connection part 340, the support 324 of the spraying part 320, the insulation part 330, and one end of the connection part 340 may be sequentially passed through and coupled to the cover part 310. Of course.

이와 같이, 연결부(340)의 일측 단부가 커버부(310)의 가장자리 영역과 절연부(330) 사이에 배치되는 경우, 전술한 바와 같이 커버부(310)는 알루미늄(Al)을 포함하는 재질로 형성되고, 연결부(340)는 금속 재질로 형성되기 때문에 커버부(310)와 연결부(340) 사이의 계면(I)으로부터 갈림성 이물질이 발생할 수 있다. 이에, 본 발명의 실시 예에서는 커버부(310)의 가장자리 영역과 연결부(340)의 일측 단부 사이의 계면이 이격 공간(D)으로 노출되지 않도록, 커버부(310)에 돌출부(312)를 형성할 수 있다. 여기서, 돌출부(312)는 커버부(310)의 가장자리 영역의 내측에서 커버부(310)의 가장자리 영역과 연결부(340)의 일측 단부 사이의 계면보다 낮은 높이까지 하측으로 돌출되도록 형성될 수 있으며, 이에 의하여 커버부(310)와 연결부(340) 사이의 계면(I)으로부터 갈림성 이물질이 발생하는 경우에도, 발생된 이물질이 이격 공간(D)으로 유입되는 것을 방지할 수 있게 된다.In this way, when one end of the connection part 340 is disposed between the edge region of the cover part 310 and the insulating part 330, as described above, the cover part 310 is made of a material containing aluminum (Al). And, since the connection part 340 is formed of a metal material, grinding foreign matter may occur from the interface I between the cover part 310 and the connection part 340 . Therefore, in the embodiment of the present invention, the protruding portion 312 is formed on the cover portion 310 so that the interface between the edge area of the cover portion 310 and one end of the connection portion 340 is not exposed to the separation space D. can do. Here, the protrusion 312 may be formed to protrude downward from the inside of the edge region of the cover part 310 to a height lower than the interface between the edge region of the cover part 310 and one end of the connection part 340, Accordingly, even when grinding foreign substances are generated from the interface (I) between the cover part 310 and the connection part 340, it is possible to prevent the generated foreign substances from flowing into the separation space (D).

한편, 연결부(340)는 탈착 가능하게 설치될 수 있으며, 이때 연결부(340)는 커버부(310)의 가장자리 영역을 따른 복수의 위치에서 커버부(310)와 분사부(320)를 각각 전기적으로 연결하도록 복수로 마련될 수 있다. 전술한 바와 같이, 연결부(340)는 커버부(310)로 공급되는 RF 전력을 분사부(320)로 전달하는 역할을 수행하는데, 연결부(340)가 연결되는 위치에 따라 분사부(320)와 기판 지지부(210) 사이에서 발생되는 플라즈마의 형상이 제어될 수 있다.Meanwhile, the connection unit 340 may be detachably installed, and at this time, the connection unit 340 electrically connects the cover unit 310 and the injection unit 320 at a plurality of positions along the edge area of the cover unit 310 . It may be provided in plurality to connect. As described above, the connection unit 340 serves to transfer the RF power supplied to the cover unit 310 to the injection unit 320, depending on the location where the connection unit 340 is connected to the injection unit 320 and A shape of plasma generated between the substrate supporters 210 may be controlled.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 연결부의 연결 위치에 따라 플라즈마가 형성되는 모습을 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 4에서는 분사부(320) 상에 복수의 연결부(340)가 마련되는 모습을 도시하였으며, 본체(322)에 형성된 분사홀(H)의 도시는 생략하였다.4 is a diagram schematically showing how plasma is formed depending on the connection position of the connection part according to an embodiment of the present invention. In FIG. 4 , a plurality of connecting parts 340 are provided on the spraying part 320, and the spraying hole H formed in the main body 322 is omitted.

예를 들어, 도 4(a)에 도시된 바와 같이, 연결부(340)가 커버부(310)의 가장자리 영역 중 장변과 단변을 따라서만 형성되는 경우, 분사부(320)와 기판 지지부(210) 사이에서 발생되는 플라즈마(P1)는 상측에서 보았을 때 모서리가 둥근 대략 직사각형의 형태로 형성될 수 있다. 반면, 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 연결부(340)가 커버부(310)의 가장자리 영역 중 코너(corner)에만 형성되는 경우, 분사부(320)와 기판 지지부(210) 사이에서 발생되는 플라즈마(P2)는 상측에서 보았을 때 타원형의 형태로 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에서는 원하는 플라즈마의 형상에 따라 복수의 연결부(340)가 커버부(310)와 분사부(320)를 연결하는 위치를 제어함으로써 플라즈마의 밀도를 조절하고, 이에 따라 박막의 특성 및 균일도를 용이하게 조정할 수 있다.For example, as shown in FIG. 4(a) , when the connection part 340 is formed only along the long side and the short side of the edge region of the cover part 310, the injection part 320 and the substrate support part 210 When viewed from above, the plasma P1 generated therebetween may be formed in a substantially rectangular shape with rounded corners. On the other hand, as shown in FIG. 4( b ), when the connection part 340 is formed only in the corner of the edge area of the cover part 310, it occurs between the injection part 320 and the substrate support part 210. The plasma P2 to be may be formed in an elliptical shape when viewed from the top. Therefore, in the embodiment of the present invention, the density of the plasma is adjusted by controlling the position where the plurality of connection parts 340 connect the cover part 310 and the spray part 320 according to the desired shape of the plasma, and accordingly, the thickness of the thin film Characteristics and uniformity can be easily adjusted.

이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따르면 마찰 계수가 낮은 절연부(330)를 커버부(310)와 분사부(320) 사이에 배치하여 커버부(310)와 분사부(320) 간의 마찰로 인한 이물질의 발생을 억제할 수 있다.As described above, according to an embodiment of the present invention, the insulating part 330 having a low friction coefficient is disposed between the cover part 310 and the spraying part 320 to cause friction between the cover part 310 and the spraying part 320. The generation of foreign matter can be suppressed.

또한, 복수의 절연부재(332)를 배열하여 절연부(330)를 형성함으로써 제조를 용이하게 하고 비용을 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라, 기판의 대면적화에 따라 가스 분사 장치(30)가 대형화되는 경우에도 효과적으로 이에 대응할 수 있다.In addition, by arranging a plurality of insulating members 332 to form the insulating portion 330, not only can manufacturing be facilitated and cost reduced, but also when the gas injection device 30 is enlarged according to the large area of the substrate. can also be effectively dealt with.

상기에서, 본 발명의 바람직한 실시 예가 특정 용어들을 사용하여 설명 및 도시되었지만 그러한 용어는 오로지 본 발명을 명확하게 설명하기 위한 것일 뿐이며, 본 발명의 실시 예 및 기술된 용어는 다음의 청구범위의 기술적 사상 및 범위로부터 이탈되지 않고서 여러 가지 변경 및 변화가 가해질 수 있는 것은 자명한 일이다. 이와 같이 변형된 실시 예들은 본 발명의 사상 및 범위로부터 개별적으로 이해되어져서는 안 되며, 본 발명의 청구범위 안에 속한다고 해야 할 것이다.In the above, although preferred embodiments of the present invention have been described and illustrated using specific terms, such terms are only intended to clearly explain the present invention, and the embodiments and described terms of the present invention are the technical spirit of the following claims. And it is obvious that various changes and changes can be made without departing from the scope. Such modified embodiments should not be individually understood from the spirit and scope of the present invention, and should be said to fall within the scope of the claims of the present invention.

10: 챔버 20: 기판 지지 장치
30: 가스 분사 장치 40: 가스 공급관
310: 커버부 320: 분사부
330: 절연부 340: 연결부
350: 클램핑부 360: 결합부
10: chamber 20: substrate support device
30: gas injection device 40: gas supply pipe
310: cover part 320: injection part
330: insulation part 340: connection part
350: clamping part 360: coupling part

Claims (10)

챔버에 가스를 공급하기 위한 가스 분사 장치로서,
RF 전력이 공급되는 커버부;
상기 커버부의 하측에 배치되어 가스를 분사하는 분사부;
상기 커버부와 분사부가 이격되도록 상기 커버부와 분사부 사이에 배치되는 절연부;
상기 분사부로 RF 전력이 전달되도록 상기 커버부와 분사부를 연결하는 연결부; 및
상기 분사부 및 절연부를 순차적으로 관통하여 상기 커버부와 분사부를 연결하는 결합부;를 포함하는 가스 분사 장치.
A gas injection device for supplying gas to the chamber,
a cover portion to which RF power is supplied;
a spraying unit disposed below the cover unit to spray gas;
an insulating part disposed between the cover part and the spraying part so that the cover part and the spraying part are spaced apart from each other;
a connection unit connecting the cover unit and the dispensing unit so that RF power is transmitted to the dispensing unit; and
and a coupling part connecting the cover part and the spraying part by sequentially penetrating the spraying part and the insulating part.
청구항 1에 있어서,
상기 절연부는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE; Polytetrafluoroethylene)을 포함하는 합성수지 재질로 형성되는 가스 분사 장치.
The method of claim 1,
The gas injection device of claim 1, wherein the insulating portion is formed of a synthetic resin material including polytetrafluoroethylene (PTFE).
청구항 1에 있어서,
상기 절연부는 상기 커버부의 가장자리 영역을 따라 연장되는 가스 분사 장치.
The method of claim 1,
The gas injection device of claim 1, wherein the insulating portion extends along an edge region of the cover portion.
청구항 3에 있어서,
상기 연결부는 일측 단부가 상기 커버부의 가장자리 영역과 절연부 사이에 배치되고, 타측 단부가 상기 분사부의 하측으로 연장되는 가스 분사 장치.
The method of claim 3,
The gas injection device of claim 1 , wherein one end of the connection part is disposed between the edge region of the cover part and the insulating part, and the other end part extends below the injection part.
청구항 4에 있어서,
상기 결합부는 상기 연결부의 일측 단부와 타측 단부를 관통하여 상기 커버부에 결합되는 가스 분사 장치.
The method of claim 4,
The coupling part passes through one end and the other end of the connection part and is coupled to the cover part.
청구항 4에 있어서,
상기 커버부는 가장자리 영역의 내측에서 하향 돌출되도록 형성되는 돌출부를 포함하는 가스 분사 장치.
The method of claim 4,
The gas injection device of claim 1, wherein the cover part includes a protrusion formed to protrude downward from an inside of an edge region.
챔버에 가스를 공급하기 위한 가스 분사 장치로서,
가스를 유입하기 위한 가스 유입구가 마련된 커버부;
상기 커버부의 하측으로 이격 배치되고, 상기 가스 유입구를 통해 유입되는 가스를 분사하는 분사부; 및
상기 커버부와 분사부 사이에서 상기 커버부의 가장자리 영역을 따라 연장되고, 복수의 절연부재를 구비하는 절연부;를 포함하는 가스 분사 장치.
A gas injection device for supplying gas to the chamber,
a cover portion provided with a gas inlet for introducing gas;
an injection unit spaced apart from the lower side of the cover unit and injecting gas introduced through the gas inlet; and
and an insulating part extending along an edge region of the cover part between the cover part and the spraying part and having a plurality of insulating members.
청구항 7에 있어서,
상기 복수의 절연부재는 서로 접촉되어 연장 방향으로 배열되는 가스 분사 장치.
The method of claim 7,
The plurality of insulating members are in contact with each other and arranged in an extension direction.
청구항 7에 있어서,
상기 복수의 절연부재는 연장 방향에 교차하는 방향으로 서로 일부 중첩되도록 배열되는 가스 분사 장치.
The method of claim 7,
The plurality of insulating members are arranged to partially overlap each other in a direction crossing the extending direction.
청구항 8에 있어서,
상기 복수의 절연부재는 서로 접촉되는 접촉면의 적어도 일부가 상기 커버부와 분사부 사이의 이격 공간을 마주보도록 마련되는 가스 분사 장치.
The method of claim 8,
The gas injection device of claim 1, wherein at least a portion of contact surfaces of the plurality of insulating members are in contact with each other to face a separation space between the cover part and the spray part.
KR1020210121761A 2021-09-13 2021-09-13 Apparatus for injecting gas KR20230038987A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210121761A KR20230038987A (en) 2021-09-13 2021-09-13 Apparatus for injecting gas

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210121761A KR20230038987A (en) 2021-09-13 2021-09-13 Apparatus for injecting gas

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230038987A true KR20230038987A (en) 2023-03-21

Family

ID=85800940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210121761A KR20230038987A (en) 2021-09-13 2021-09-13 Apparatus for injecting gas

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230038987A (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030066118A (en) 2002-02-04 2003-08-09 주성엔지니어링(주) Showerhead type gas supplier which minimizes thermal expansion-induced deformation

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030066118A (en) 2002-02-04 2003-08-09 주성엔지니어링(주) Showerhead type gas supplier which minimizes thermal expansion-induced deformation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI717074B (en) Substrate processing device and substrate supporting unit
KR101306315B1 (en) Apparatus for chemical vapor deposition
KR101451244B1 (en) Liner assembly and substrate processing apparatus having the same
KR101249999B1 (en) Apparatus for chemical vapor deposition
US8636871B2 (en) Plasma processing apparatus, plasma processing method and storage medium
TW201824434A (en) Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit
KR20080105617A (en) Chemical vapor deposition apparatus and plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus
JPH10144614A (en) Face plate thermal choke in cvd plasma reactor
KR20090069826A (en) System for treatmenting substrate
KR101957832B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20110058534A (en) Gas distribution apparatus and process chamber having the same
US10600610B2 (en) Substrate treatment apparatus
KR102460503B1 (en) Plasma atomic layer deposition apparatus and horizontal guide type electrode
US11908663B2 (en) Plasma processing apparatus
KR20230038987A (en) Apparatus for injecting gas
KR100457455B1 (en) Chemical Vapor Deposition Apparatus which deposition-speed control is possible
KR101338827B1 (en) Deposition apparatus
KR101127757B1 (en) Suscepter grounding unit, method for altering a ground of a suscepter using the same and process chamber having the same
KR101172274B1 (en) Gas spraying apparatus and substrate processing apparatus having the same
KR20130142480A (en) Apparatus and method of processing substrate
KR101410820B1 (en) Upper Electrode Assembly and Thin-film Processing Apparatus Having the Same
KR20050116230A (en) Plasma enhanced chemical vapor deposition apparutus
JP7145625B2 (en) Substrate mounting structure and plasma processing apparatus
TWI580322B (en) Substrate treatment apparatus
TW202410259A (en) Gas injection device, apparatus for processing substrate and method for depositing thin film