KR20230037958A - 하우징을 포함하는 전자 장치 - Google Patents

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KR20230037958A
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신완주
박기재
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최현석
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삼성전자주식회사
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Abstract

전자 장치가 개시된다. 상기 전자 장치는, 상기 전자 장치의 제1 면을 형성하는 디스플레이, 및 상기 전자 장치의 제2 면을 형성하는 하우징을 포함하고, 상기 하우징은, 요철 구조가 형성된 바디; 상기 하우징의 표면의 적어도 일부를 형성하며 컬럼 구조물을 포함하는 나노 컬럼 레이어; 및 상기 나노 컬럼 레이어와 상기 바디 사이에 배치되는 복수의 레이어들, 상기 복수의 레이어들은 제1 레이어, 및 상기 제1 레이어와 상기 나노 컬럼 레이어 사이에 배치되는 제2 레이어를 포함함; 을 포함할 수 있다.

Description

하우징을 포함하는 전자 장치 {ELECTRONIC DEVICE INCLUDING HOUSING}
본 문서에서 개시되는 실시 예들은 하우징을 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
전자 장치의 하우징은 소정의 강성을 확보하기 위해 금속 재질을 포함할 수 있다. 하우징은 전자 장치의 외관을 형성할 수 있다. 사용자에게 심미감을 제공하기 위해, 하우징은 질감 및 광택을 가지도록 제조될 수 있다. 하우징의 질감은 물리적/화학적으로 하우징의 표면 조도를 증가/감소시킴으로써 제공될 수 있다. 하우징의 광택은 하우징을 물리적/화학적으로 연마함으로써 제공될 수 있다. 예를 들어, 연마 공정을 통해 광택을 증가(유광, high glossy)시키거나, 블라스팅 공정을 통해 광택을 감소(무광, matte)시킬 수 있다.
헤이즈 효과는 물체의 표면의 난반사를 통해 구현될 수 있다. 표면에서의 난반사가 증가됨에 따라 상대적으로 정반사의 비율이 감소되고, 이에 따라, 종래의 헤이즈 하우징은 주로 어두운 컬러 및 무채색으로 형성된다. 또한, 종래의 헤이즈 하우징은 물리적/화학적 방식의 에칭 공정을 통해 제조되어 표면 거칠기가 크고 상대적으로 스크래치에 약하다.
본 문서에 개시되는 실시 예에 따르면, 헤이즈 효과를 제공하되 종래에 비해 밝은 유채색의 하우징, 및 이를 포함하는 전자 장치를 제공하고자 한다. 또한, 종래에 비해 스크래치에 강한 하우징, 및 이를 포함하는 전자 장치를 제공하고자 한다.
본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치는, 상기 전자 장치의 제1 면을 형성하는 디스플레이, 및 상기 전자 장치의 제2 면을 형성하는 하우징을 포함하고, 상기 하우징은, 요철 구조가 형성된 바디; 상기 하우징의 표면의 적어도 일부를 형성하며 컬럼 구조물을 포함하는 나노 컬럼 레이어; 및 상기 나노 컬럼 레이어와 상기 바디 사이에 배치되는 복수의 레이어들, 상기 복수의 레이어들은 제1 레이어, 및 상기 제1 레이어와 상기 나노 컬럼 레이어 사이에 배치되는 제2 레이어를 포함함; 을 포함할 수 있다.
본 문서에 개시되는 실시 예들에 따른 하우징은, 종래의 헤이즈 하우징에 비해 부드럽고 고운 질감을 구현할 수 있다. 또한, 상기 하우징은 종래의 헤이즈 하우징에 비해 스크래치에 강할 수 있다. 또한, 상기 하우징은 종래의 무채색 계열에 한정되지 않고, 다양한 유채색으로 형성될 수 있다.
이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.
도 1는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 전면 사시도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 후면 사시도이다.
도 3는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징의 후면 커버를 도시한 도면이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 후면 커버의 단면도를 도시한 도면이다.
도 6a, 도 6b, 도 6c, 및 도 6d는 다양한 실시 예에 따른 하우징의 단면도를 도시한 도면이다.
도 7은 일 실시 예에 따른 하우징의 표면의 현미경 사진이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징의 단면의 현미경 사진이다.
도 9은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징의 표면의 현미경 사진이다.
도 10은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징의 반사율을 도시한 그래프이다.
도 11는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 다양한 컬러의 하우징을 도시한다.
도 12은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징의 표면 거칠기를 도시한 그래프이다.
도 13은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징의 제조 공정을 도시한 도면이다.
도 14는 도 13의 제조 공정 중 S2 및 S3와 관련된 제조 장치의 개략도이다.
도 15은 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징을 도시한 단면도이다.
도 16는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징을 도시한 단면도이다.
도 17는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징을 도시한 단면도이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 다양한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 실시 예의 다양한 변경(modification), 균등물(equivalent), 및/또는 대체물(alternative)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1는 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 전면 사시도이다. 도 2는 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 후면 사시도이다. 도 3는 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 분해 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 전자 장치(100)는, 제1 면(또는 전면)(110A), 제2 면(또는 후면)(110B), 및 제1 면(110A) 및 제2 면(110B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(110C)을 포함하는 하우징(110)을 포함할 수 있다.
다른 실시 예(미도시)에서, 하우징(110)은, 제1 면(110A), 제2 면(110B) 및 측면(110C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다.
일 실시 예에서, 제1 면(110A)은 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(102)(예: 도 3의 전면 플레이트(120))에 의하여 형성될 수 있다. 전면 플레이트(102)는 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글래스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 면(110B)은 실질적으로 불투명한 후면 플레이트(111)(예: 도 3의 후면 플레이트(180))에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 플레이트(111)는, 예를 들어, 코팅 또는 착색된 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 상기 측면(110C)은, 전면 플레이트(102) 및 후면 플레이트(111)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 베젤 구조(118)에 의하여 형성될 수 있다.
다른 실시 예에서, 후면 플레이트(111) 및 측면 베젤 구조(118)는 일체로 형성될 수 있고, 동일한 물질(예: 알루미늄과 같은 금속 물질)을 포함할 수 있다.
도시된 실시 예에서, 전면 플레이트(102)는, 제1 면(110A)의 일부 영역으로부터 후면 플레이트(111) 방향으로 휘어져 심리스하게(seamless) 연장된 2개의 제1 영역(110D)들을 포함할 수 있다. 제1 영역(110D)들은 전면 플레이트(102)의 긴 엣지(long edge) 양단에 위치할 수 있다.
도시된 실시 예에서, 후면 플레이트(111)는, 제2 면(110B)의 일부 영역으로부터 전면 플레이트(102) 방향으로 휘어져 심리스하게 연장된 2개의 제2 영역(110E)들을 포함할 수 있다. 제2 영역(110E)들은 후면 플레이트(111)의 긴 엣지 양단에 포함할 수 있다.
다른 실시 예에서, 전면 플레이트(102)(또는 후면 플레이트(111))는 제1 영역(110D)들(또는 제2 영역(110E)들) 중 하나 만을 포함할 수 있다. 또한, 다른 실시 예에서, 전면 플레이트(102)(또는 후면 플레이트(111))는 제1 영역(110D)들(또는 제2 영역(110E)들) 중 일부를 포함하지 않을 수 있다.
일 실시 예에서, 측면 베젤 구조(118)는, 전자 장치(100)의 측면에서 볼 때, 상기와 같은 제1 영역(110D)들 또는 제2 영역(110E)들이 포함되지 않는 측면 방향(예: 단변)에서는 제1 두께(또는 폭)을 가지고, 상기 제1 영역(110D)들 또는 제2 영역(110E)들을 포함한 측면 방향(예: 장변)에서는 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 가질 수 있다.
일 실시 예에서, 전자 장치(100)는 디스플레이(101), 오디오 모듈(103, 104, 107), 센서 모듈(미도시), 카메라 모듈(105, 112), 키 입력 장치(117), 발광 소자(미도시), 및 커넥터 홀(108) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다른 실시 예에서, 전자 장치(100)는, 상기 구성요소들 중 적어도 하나(예: 키 입력 장치(117) 또는 발광 소자(미도시))를 생략하거나, 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 디스플레이(101)는 전면 플레이트(102)의 적어도 일부를 통하여 노출될 수 있다. 예를 들어, 디스플레이(101)의 적어도 일부는 상기 제1 면(110A), 및 상기 측면(110C)의 제1 영역(110D)들을 포함하는 전면 플레이트(102)를 통하여 노출될 수 있다.
일 실시 예에서, 디스플레이(101)의 형상은 상기 전면 플레이트(102)의 인접한 외곽 형상과 실질적으로(substantially) 동일하게 형성될 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서, 디스플레이(101)가 노출되는 면적을 확장하기 위하여, 디스플레이(101)의 외곽과 전면 플레이트(102)의 외곽 간의 간격은 대체로 동일하게 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 하우징(110)의 표면(또는 전면 플레이트(102))은 디스플레이(101)가 시각적으로 노출되고 픽셀을 통해 콘텐츠가 표시되는 표시 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 영역은, 제1 면(110A), 및 측면의 제1 영역(110D)들을 포함할 수 있다.
다른 실시 예(미도시)에서, 표시 영역(110A, 110D)은 사용자의 생체 정보를 획득하도록 구성된 센싱 영역(미도시)을 포함할 수 있다. 여기서, "표시 영역(110A, 110D)이 센싱 영역을 포함함"의 의미는 센싱 영역의 적어도 일부가 표시 영역(110A, 110D)에 겹쳐질 수 있는 것(overlapped)으로 이해될 수 있다. 예를 들어, 상기 센싱 영역(미도시)은 표시 영역(110A, 110D)의 다른 영역과 마찬가지로 디스플레이(101)에 의해 콘텐츠를 표시할 수 있고, 추가적으로 사용자의 생체 정보(예: 지문)를 획득할 수 있는 영역을 의미할 수 있다.
일 실시 예에서, 디스플레이(101)의 표시 영역(110A, 110D)은 카메라 영역(106)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 카메라 영역(106)은 피사체로부터 반사되어 제1 카메라 모듈(105)로 수신되는 광이 통과하는 영역일 수 있다. 예를 들어, 카메라 영역(106)은 제1 카메라 모듈(105)의 광 축이 통과하는 영역을 포함할 수 있다. 여기서, "표시 영역(110A, 110D)이 카메라 영역(106)을 포함함"의 의미는 카메라 영역(106)의 적어도 일부가 표시 영역(110A, 110D)에 겹쳐질 수 있는 것(overlapped)으로 이해될 수 있다. 예를 들어, 상기 카메라 영역(106)은 표시 영역(110A, 110D)의 다른 영역과 마찬가지로 디스플레이(101)에 의해 콘텐츠를 표시할 수 있다.
다양한 실시 예(미도시)에서, 디스플레이(101)의 화면 표시 영역(110A, 110D)은 제1 카메라 모듈(105)(예: 펀치 홀 카메라)이 시각적으로 노출될 수 있는 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 카메라 모듈(105)이 노출된 영역은 가장자리의 적어도 일부가 화면 표시 영역(110A, 110D)에 의해 둘러싸일 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 카메라 모듈(105)은 복수의 카메라 모듈들을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 디스플레이(101)는 화면 표시 영역(110A, 110D)의 배면에, 오디오 모듈(103, 104, 107), 센서 모듈(미도시), 카메라 모듈(예: 제1 카메라 모듈(105)), 및 발광 소자(미도시) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(100)는 제1 면(110A)(예: 전면) 및/또는 측면(110C)(예: 제1 영역(110D) 중 적어도 하나의 면)의 배면(예: -Z축 방향을 향하는 면)에, 카메라 모듈(예: 제1 카메라 모듈(105))이 제1 면(110A) 및/또는 측면(110C)를 향하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 카메라 모듈(105)은 화면 표시 영역(110A, 110D)으로 시각적으로 노출되지 않을 수 있고, 감춰진 디스플레이 배면 카메라(under display camera; UDC)를 포함할 수 있다.
다른 실시 예(미도시)에서, 디스플레이(101)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저를 포함하거나, 인접하여 배치될 수 있다.
일 실시 예에서, 오디오 모듈(103, 104, 107)은, 마이크 홀(103, 104) 및 스피커 홀(107)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 마이크 홀(103, 104)은 측면(110C)의 일부 영역에 형성된 제1 마이크 홀(103) 및 제2 면(110B)의 일부 영역에 형성된 마이크 홀(104)을 포함할 수 있다. 마이크 홀(103, 104)은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 하우징(110)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 마이크는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수개의 마이크들을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 면(110B)의 일부 영역에 형성된 제2 마이크 홀(104)은, 카메라 모듈(105, 112)에 인접하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 마이크 홀(104)은 카메라 모듈(105, 112) 실행 시 소리를 획득하거나, 다른 기능 실행 시 소리를 획득할 수 있다.
일 실시 예에서, 스피커 홀(107)은 통화용 리시버 홀(미도시)을 포함할 수 있다. 스피커 홀(107)은 전자 장치(100)의 측면(110C)의 일부에 형성될 수 있다. 다른 실시 예에서, 스피커 홀(107)은 마이크 홀(103)과 하나의 홀로 구현될 수 있다. 도시되지 않았으나, 통화용 리시버 홀(미도시)은 측면(110C)의 다른 일부에 형성될 수 있다. 예를 들어, 통화용 리시버 홀(미도시)은 스피커 홀(107)이 형성된 측면(110C)의 일부(예: -Y축 방향을 향하는 부분)와 마주보는 측면(110C)의 다른 일부(예: +Y축 방향을 향하는 부분)에 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 전자 장치(100)는, 스피커 홀(107)과 유체가 흐르도록 연결(fluidally connected)되는 스피커를 포함할 수 있다. 다른 실시 예에서, 스피커는 스피커 홀(107)이 생략된 피에조 스피커를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 센서 모듈(미도시)은, 전자 장치(100)의 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에서, 센서 모듈(미도시)은, 하우징(110)의 제1 면(110A), 제2 면(110B), 또는 측면(110C)(예: 제1 영역(110D)들 및/또는 상기 제2 영역(110E)들) 중 적어도 일부에 배치될 수 있고, 디스플레이(101)의 배면에 배치(예: 지문 센서)될 수 있다. 예를 들어, 센서 모듈(미도시)은 적어도 일부가 표시 영역(110A, 110D) 아래에 배치되어, 시각적으로 노출되지 않으며, 표시 영역(110A, 110D)의 적어도 일부에 센싱 영역(미도시)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 센서 모듈(미도시)는, 광학식 지문 센서를 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서(미도시), 지문 센서는 하우징(110)의 제1 면(110A)(예: 화면 표시 영역(110A, 110D))뿐만 아니라 제2 면(110B)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 센서 모듈은, 근접 센서, HRM 센서, 지문 센서, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 키 입력 장치(117)는 하우징(110)의 측면(110C))(예: 제1 영역(110D)들 및/또는 제2 영역(110E)들)에 배치될 수 있다. 다른 실시 예에서, 전자 장치(100)는 키 입력 장치(117) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고, 포함되지 않은 키 입력 장치(117)는 디스플레이(101) 상에 소프트 키와 같은 다른 형태로 구현될 수 있다. 다른 실시 예에서, 키 입력 장치는 표시 영역(110A, 110D)에 포함된 센싱 영역(미도시)을 형성하는 센서 모듈(미도시)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 커넥터 홀(108)은 커넥터를 수용할 수 있다. 커넥터 홀(108)은 하우징(110)의 측면(110C)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 커넥터 홀(108)은 오디오 모듈(예: 마이크 홀(103) 및 스피커 홀(107))의 적어도 일부와 인접하도록 측면(110C)에 배치될 수 있다. 다른 실시 예에서, 전자 장치(100)는 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송/수신 하기 위한 커넥터(예: USB 커넥터)를 수용할 수 있는 제1 커넥터 홀(108) 및/또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송/수신하기 위한 커넥터(예: 이어폰 잭)를 수용할 수 있는 제2 커넥터 홀(미도시)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 전자 장치(100)는 발광 소자(미도시)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자(미도시)는 하우징(110)의 제1 면(110A)에 배치될 수 있다. 상기 발광 소자(미도시)는 전자 장치(100)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시 예에서, 상기 발광 소자(미도시)는 제1 카메라 모듈(105)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자(미도시)는, LED, IR LED 및/또는 제논 램프를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 카메라 모듈(105, 112)은, 전자 장치(100)의 제1 면(110A)의 카메라 영역(106)을 통해 광을 수신하도록 구성되는 제1 카메라 모듈(105)(예: 언더 디스플레이 카메라), 제2 면(110B)의 일부 영역(예: 도 3의 후면 카메라 영역(184))를 통해 광을 수신하도록 구성되는 제2 카메라 모듈(112), 및/또는 플래시(113)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 제1 카메라 모듈(105)은 디스플레이(101)의 배면에 배치되는 언더 디스플레이 카메라(UDC, under display camera)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 카메라 모듈(105)은 디스플레이(101)의 일부 레이어에 위치하거나, 또는 렌즈의 광 축이 디스플레이의 표시 영역(110A, 110D)을 통과하도록 위치될 수 있다. 다양한 실시 예에서, 제1 카메라 모듈(105)은 표시 영역(110A, 110D)에 포함된 카메라 영역(106)을 통해 광을 수신하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 카메라 영역(106)은 제1 카메라 모듈(105)이 동작하지 않을 때, 표시 영역(110A, 110D)의 다른 영역과 마찬가지로 콘텐츠를 표시하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 카메라 모듈(105)이 동작할 때, 카메라 영역(106)은 콘텐츠를 표시하지 않고, 제1 카메라 모듈(105)은 상기 카메라 영역(106)을 통해 광을 수신할 수 있다.
다양한 실시 예(미도시)에서, 제1 카메라 모듈(105)(예: 펀치 홀 카메라)은 디스플레이(101)의 표시 영역(110A, 110D)의 일부를 통해 노출될 수 있다. 예를 들어, 제1 카메라 모듈(105)은 디스플레이(101)의 일부에 형성된 개구를 통해 화면 표시 영역(110A, 110D)의 일부 영역으로 노출될 수 있다.
일 실시 예에서, 제2 카메라 모듈(112)은 복수의 카메라 모듈들(예: 듀얼 카메라, 트리플 카메라 또는 쿼드 카메라)를 포함할 수 있다. 다만, 제2 카메라 모듈(112)이 반드시 복수의 카메라 모듈들을 포함하는 것으로 한정되는 것은 아니며, 하나의 카메라 모듈을 포함할 수도 있다.
일 실시 예에서, 제1 카메라 모듈(105) 및/또는 제2 카메라 모듈(112)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(113)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 다른 실시 예에서, 2개 이상의 렌즈들(적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(100)의 한 면(예: 제2 면(110B))이 향하는 방향을 향하도록 하우징의 내부)에 배치될 수 있다.
도 3를 참조하면, 전자 장치(100)는, 측면 베젤 구조(118), 제1 지지 부재(140)(예: 브라켓), 전면 플레이트(120)(예: 도 1의 전면 플레이트(102)), 디스플레이(130)(예: 도 1의 디스플레이(101)), 인쇄 회로 기판(150)(예: PCB(printed circuit board), FPCB(flexible PCB) 또는 RFPCB(rigid-flexible PCB)), 배터리(152), 제2 지지 부재(160)(예: 리어 케이스), 안테나(170), 및 후면 플레이트(180)(예: 도 2의 후면 플레이트(111))를 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서, 전자 장치(100)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 제1 지지 부재(140), 또는 제2 지지 부재(160))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 전자 장치(100)의 구성요소들 중 적어도 하나는, 도 1, 또는 도 2의 전자 장치(100)의 구성요소들 중 적어도 하나와 동일, 또는 유사할 수 있으며, 중복되는 설명은 이하 생략한다.
일 실시 예에서, 제1 지지 부재(140)는, 전자 장치(100) 내부에 배치되어 측면 베젤 구조(118)와 연결될 수 있거나, 측면 베젤 구조(118)와 일체로 형성될 수 있다. 제1 지지 부재(140)는, 예를 들어, 금속 재질 및/또는 비금속 (예: 폴리머) 재질로 형성될 수 있다. 제1 지지 부재(140)는, 일면에 디스플레이(130)가 결합 또는 위치되고 타면에 인쇄 회로 기판(150)이 결합 또는 위치될 수 있다.
일 실시 예에서, 인쇄 회로 기판(150)에는, 프로세서, 메모리, 및/또는 인터페이스가 배치될 수 있다. 프로세서는, 예를 들어, 중앙처리장치, 어플리케이션 프로세서, 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 메모리는, 예를 들어, 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 인터페이스는, 예를 들어, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다. 인터페이스는, 예를 들어, 전자 장치(100)를 외부 전자 장치와 전기적 또는 물리적으로 연결시킬 수 있으며, USB 커넥터, SD 카드/MMC 커넥터, 또는 오디오 커넥터를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 배터리(152)는 전자 장치(100)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급하기 위한 장치로서, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 또는 재충전 가능한 2차 전지, 또는 연료 전지를 포함할 수 있다. 배터리(152)의 적어도 일부는, 예를 들어, 인쇄 회로 기판(150)과 실질적으로 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 배터리(152)는 전자 장치(100) 내부에 일체로 배치될 수 있고, 전자 장치(100)와 탈부착 가능하게 배치될 수도 있다.
일 실시 예에서, 안테나(170)는, 후면 플레이트(180)와 배터리(152) 사이에 배치될 수 있다. 안테나(170)는, 예를 들어, NFC(near field communication) 안테나, 무선 충전 안테나, 및/또는 MST(magnetic secure transmission) 안테나를 포함할 수 있다. 안테나(170)는, 예를 들어, 외부 장치와 근거리 통신을 하거나, 충전에 필요한 전력을 무선으로 송수신 할 수 있다. 다른 실시 예에서는, 측면 베젤 구조(118) 및/또는 상기 제1 지지 부재(140)의 일부 또는 그 조합에 의하여 안테나 구조가 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 제1 카메라 모듈(105)은 전면 플레이트(120)의 카메라 영역(106)을 통해 수광하도록 디스플레이(130)의 배면에 결합될 수 있다. 예를 들어, 제1 카메라 모듈(105)의 적어도 일부는 제1 지지 부재(140)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 카메라 모듈(105)의 이미지 센서는 카메라 영역(106), 및 디스플레이(130)에 포함된 픽셀 어레이를 통과한 광을 수신할 수 있다. 예를 들어, 카메라 영역(106)은 콘텐츠가 디스플레이되는 표시 영역과 적어도 부분적으로 중첩될 수 있다. 예를 들어, 제1 카메라 모듈(105)은 제1 카메라 모듈(105)의 광 축(OA)(optical axis)이 디스플레이(130)의 일부 영역 및 전면 플레이트(120)의 카메라 영역(106)을 통과할 수 있다. 예를 들어, 상기 일부 영역은 복수의 발광 소자들을 포함하는 픽셀 어레이를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 카메라 모듈(105)과 대면하는 디스플레이(130)의 일부 영역은, 콘텐츠가 디스플레이되는 표시 영역의 일부로서 지정된 투과율을 갖는 투과 영역으로 형성될 수도 있다. 일 실시 예에서, 투과 영역은 약 5% 내지 약 25% 범위의 투과율을 갖도록 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 투과 영역은 약 25% 내지 약 50% 범위의 투과율을 갖도록 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 투과 영역은 약 50% 이상의 투과율을 갖도록 형성될 수 있다. 이러한 투과 영역은 이미지 센서로 결상되어 화상을 생성하기 위한 광이 통과하는, 제1 카메라 모듈(105)의 유효 영역(예: 화각 영역(FOV; field of view))과 중첩되는 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 디스플레이(130)의 투과 영역은 주변보다 픽셀의 밀도 및/또는 배선 밀도가 낮은 영역을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 제2 카메라 모듈(112)은 렌즈가 전자 장치(100)의 후면 플레이트(180)(예: 도 2의 후면(110B))의 후면 카메라 영역(184)으로 노출되도록 배치될 수 있다. 상기 후면 카메라 영역(184)은 후면 플레이트(180)의 표면(예: 도 2의 후면(110B))의 적어도 일부에 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 제2 카메라 영역(184)은 제2 카메라 모듈(112)이 상기 제2 카메라 영역(184)을 통해 외부 광을 수광하도록 적어도 부분적으로 투명하게 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 후면 카메라 영역(184)의 적어도 일부는 후면 플레이트(180)의 상기 표면으로부터 소정의 높이로 돌출될 수 있다. 다만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 후면 카메라 영역(184)은 후면 플레이트(180)의 상기 표면과 실질적으로 동일한 평면을 형성할 수도 있다.
도 4는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징의 후면 커버를 도시한 도면이다.
일 실시 예에서, 후면 커버(180)는 하우징(200)의 적어도 일부를 형성할 수 있다. 후면 커버(180)는 전자 장치(100)의 후면(예: 도 2의 제2 면(110B))의 적어도 일부를 형성할 수 있다. 후면 커버(180)에는 카메라 모듈(예: 도 2의 제2 카메라 모듈(112))이 위치하는 개방된 영역(189)이 형성될 수 있다. 후면 커버(180)는 평면 영역(181), 및 평면 영역(181)을 둘러싸는 커브드 영역(182)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 평면 영역(181)은 실질적으로 -z축 방향을 향하는 평면일 수 있다. 예를 들어, 커브드 영역(182)은 전자 장치(100)의 가장자리의 일부(예: 도 2의 제2 영역(110E))를 형성할 수 있다. 다양한 실시 예에서, 평면 영역(181)은 적어도 부분적으로 커브드 영역(182)과 다른 곡률을 가지는 곡면을 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에서, 개방된 영역(189)은 평면 영역(181)의 일부 및 커브드 영역(182)의 일부에 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 후면 커버(180)는 소정의 범위에 포함되는 헤이즈 값을 가지는 헤이즈 표면을 포함할 수 있다. 헤이즈 값은 국제 테스트 표준 중 적어도 하나에 따른 측정 값으로 정의될 수 있다.
도 4에는 하우징(200)의 예시로서 후면 커버(180)가 도시되나, 본 문서에 개시되는 하우징(200)은 전자 장치(100)의 외관을 형성하는 다른 구조물에도 적용될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)의 측면 부재(예: 도 3의 측면 부재(140))는 헤이즈 표면을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 디스플레이 모듈(예: 도 3의 전면 플레이트(120) 및 디스플레이(130))는 전자 장치(100)의 제1 면(예: 도 1의 제1 면(110A), 제1 영역(110D))을 형성하고, 하우징(200)은 전자 장치(100)의 나머지 면(예: 도 2의 제2 면(110B), 측면(110C))을 형성할 수 있다.
도 5는 일 실시 예에 따른 하우징의 단면도를 도시한 도면이다. 도 5는 도 4에 도시된 A-A 단면도이다.
일 실시 예에서, 하우징(200)는 바디(210), 상기 바디(210)의 표면에 배치되는 레이어 그룹(220), 및 컬럼 구조물(232)을 포함하는 나노 컬럼 레이어(230)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 바디(210)는 금속 물질을 포함할 수 있다. 바디(210)의 표면에는 요철 구조(212)가 형성될 수 있다. 요철 구조(212)는 복수의 돌출부(210P) 및 돌출부(210P) 사이에 형성되는 복수의 함몰부(210R)를 포함할 수 있다. 복수의 돌출부(210P)는 지정된 간격으로 이격될 수 있다. 복수의 돌출부(210P)는 외부의 빛을 난반사시킴으로써, 헤이즈 효과를 구현하도록 구성될 수 있다. 다양한 실시 예에서, 지정된 간격은 10 마이크로미터 내지 20 마이크로미터일 수 있다.
다양한 실시 예에서, 바디(210)의 요철 구조(212)는 습식 에칭 공정 및/또는 건식 에칭 공정을 통해 제조될 수 있다. 예를 들어, 습식 에칭 공정은 불산 또는 불화암모늄을 이용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 건식 에칭 공정은 블라스팅 공정을 통해 수행될 수 있다.
일 실시 예에서, 레이어 그룹(220)은 복수의 레이어를 포함할 수 있다. 예를 들어, 레이어 그룹(220)은 고굴절 레이어(222) 및 저굴절 레이어(221)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 저굴절 레이어(221)는 바디(210)의 표면의 요철 구조(212)를 덮도록 제공될 수 있다. 저굴절 레이어(221)는 고굴절 레이어(222)와 바디(210) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 저굴절 레이어(221)는 바디(210)의 표면에 증착될 수 있다. 일 실시 예에서, 고굴절 레이어(222)는 저굴절 레이어(221)의 표면에 증착될 수 있다. 고굴절 레이어(222)는 저굴절 레이어(221)와 나노 컬럼 레이어(230) 사이에 배치될 수 있다. 다양한 실시 예에서, 고굴절 레이어(222)는 나노 컬럼 레이어(230)와 적어도 부분적으로 접촉할 수 있다. 일 실시 예에서, 고굴절 레이어(222) 및 저굴절 레이어(221) 각각은 실리콘 물질(Si)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 고굴절 레이어(222)는 실리콘 질화물(Si3N4)를 포함할 수 있다. 저굴절 레이어(221)는 실리콘 산화물(SiO2)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 고굴절 레이어(222) 및 저굴절 레이어(221) 각각은 서로 다른 굴절률을 가지도록 제공될 수 있다. 예를 들어, 레이어 그룹(220)은 고굴절 레이어(222) 및 저굴절 레이어(221)가 교대로 적층된 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 고굴절 레이어(222)에 포함된 실리콘 질화물(Si3N4)은 저굴절 레이어(221)에 포함된 실리콘 산화물(SiO2)에 비해 상대적으로 큰 굴절률을 가질 수 있다. 이와 같이, 레이어 그룹(220)은 나노 컬럼 레이어(230)와 함께 다양한 반사율을 형성할 수 있다. 예를 들어, 레이어 그룹(220) 및 나노 컬럼 레이어(230)는 전자 장치(100)의 외관에서 요구되는 컬러의 파장 대역에서 높은 반사율을 가지도록 구성될 수 있다. 상기 반사율은 레이어 그룹(220)에 포함된 레이어들(221, 222)의 두께와 관련될 수 있다. 다양한 실시 예에서, 레이어 그룹(220)은 주로 컬러를 형성하는 점에서 컬러 레이어로 참조될 수 있다.
일 실시 예에서, 나노 컬럼 레이어(230)는 하우징(200)의 표면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 나노 컬럼 레이어(230)는 레이어 그룹(220)의 표면에 증착될 수 있다. 나노 컬럼 레이어(230)는 전자 장치(100)의 후면(예: 도 3의 후면 커버(180)) 및/또는 측면(예: 도 3의 측면 부재(140))를 형성할 수 있다.
일 실시 예에서, 나노 컬럼 레이어(230)는 실리콘 질화물(Si3N4)을 포함할 수 있다. 나노 컬럼 레이어(230)는 레이어 그룹(220)에 포함된 각 레이어들(221, 222)에 비해 상대적으로 작은 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 나노 컬럼 레이어(230)는 50나노미터 이하의 두께로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 나노 컬럼 레이어(230)는 수십 나노미터 사이즈의 컬럼 구조물들(232)을 포함할 수 있다. 컬럼 구조물들(232)은 미세한 요철들을 형성할 수 있다. 다양한 실시 예에서, 상기 미세한 요철들은 10 나노미터 내지 20 나노미터 간격을 가질 수 있다. 예를 들어, 바디의 요철 구조(212)는 비교적 거시적인 헤이즈 효과를 구현하고, 나노 컬럼 레이어(230)에 포함된 컬럼 구조물들(232)은 비교적 미시적인 헤이즈 효과를 구현할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 나노 컬럼 레이어(230)는 실리콘 질화물(Si3N4)을 포함하는 점에서, 고굴절 레이어(222)로 참조될 수 있다. 예를 들어, 나노 컬럼 레이어(230)는 저굴절 레이어(221)에 비해 큰 굴절률을 가질 수 있다.
일 실시 예에서, 나노 컬럼 레이어(230)는 레이어 그룹(220)에 포함된 레이어들(221, 222)과 함께 다양한 반사율을 형성하고, 하우징(200)의 외관 컬러를 구현할 수 있다.
일 실시 예에서, 나노 컬럼 레이어(230)에 포함된 실리콘 질화물(Si3N4)은 구조 세라믹스 물질로서, 실리콘 산화물(SiO2)에 비해 상대적으로 높은 경도와 높은 강도를 가질 수 있다. 실리콘 질화물(Si3N4)을 포함하는 나노 컬럼 레이어(230)는 하우징(200)의 표면을 형성함으로써, 스크래치 등 전자 장치(100)의 표면 손상을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 나노 컬럼 레이어(230)의 경도는 바디(210)의 요철 구조(212)의 경도에 비해 40% 이상 높을 수 있다.
일 실시 예에서, 나노 컬럼 레이어(230)에 포함된 컬럼 구조물들(232), 및 바디(210)에 포함된 요철 구조(212)는 하우징(200)의 질감을 형성할 수 있다. 예를 들어, 바디(210)에 포함된 요철 구조(212)는 거시적인 질감을 형성하고, 컬럼 구조물들(232)은 미시적인 질감을 형성할 수 있다.
도 6a, 도 6b, 도 6c, 및 도 6d는 다양한 실시 예에 따른 하우징의 단면도를 도시한 도면이다. 도 6a, 도 6b, 도 6c, 및 도 6d 각각은 도 4에 도시된 A-A 단면도이다. 도 6a 내지 도 6d를 설명함에 있어서, 도 5에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략한다.
도 6a 내지 도 6d를 참조하면, 하우징(200)(예: 후면 커버(180))는 바디(210), 상기 바디(210)의 표면에 배치되는 고굴절 레이어(222), 저굴절 레이어(221), 및 나노 컬럼 레이어(230)을 포함할 수 있다. 나노 컬럼 레이어(230)는 컬럼 구조물(232)를 포함할 수 있다.
도시된 실시 예에서, 바디(210)는 추가 레이어들을 더 포함할 수 있다. 추가 레이어들은 바디의 요철 구조(210P, 210R)가 형성된 면에 대향하는 반대면에 배치될 수 있다.
도 6a를 참조하면, 추가 레이어는 차폐 인쇄층(262)을 더 포함할 수 있다. 차폐 인쇄층(262)은 하우징(200)에 의해 형성되는 전자 장치의 내부 공간을 차폐하도록 구성될 수 있다.
도 6b를 참조하면, 추가 레이어는 차폐 인쇄층(262)과 바디(210) 사이에 배치되는 PET 필름(264)(polyethylene terephthalate film)과 투명 접착층(263)(Optically Clear Adhesive)을 더 포함할 수 있다. PET 필름(264)은 투명 접착층(263)에 의해 바디에 부착될 수 있다. PET 필름(264)의 일면에는 투명 접착층(263)이 부착되고, PET 필름(264)의 이면에는 차폐 인쇄층(262)이 부착될 수 있다.
도 6c를 참조하면, 추가 레이어는 차폐 인쇄층(262)과 PET 필름(264) 사이에 배치되는 UV 몰딩층(265), 및 증착층(266)을 더 포함할 수 있다. UV 몰딩층(265)은 소정의 패턴을 포함할 수 있다. UV 몰딩층(265)은 자외선 경화성 물질을 포함할 수 있다. UV 몰딩층(265)은 PET 필름(264)의 이면에 자외선 경화성 물질이 도포되고 자외선에 의해 경화됨으로써 형성될 수 있다. 증착층(266)은 UV 몰딩층(265)에 증착 형성되고 차폐 인쇄층(262)에 부착될 수 있다.
도 6d를 참조하면, 추가 레이어는 차폐 인쇄층(262)과 바디(210) 사이에 배치되는 강도 보강 코팅층(267) 및 증착층(266)을 더 포함할 수 있다. 강도 보강 코팅층(267)은 소정의 강도를 가지는 물질을 포함하고, 하우징(200)의 강도를 보강하도록 제공될 수 있다. 예를 들어, 강도 보강 코팅층(267)은 하우징(200)에 발생될 수 있는 찍힘(defect)를 보완하거나, 하우징(200)에 증착된 레이어들에 의해 발생되는 응력을 보강하도록 구성될 수 있다. 일 실시 예에서, 강도 보강 코팅층(267)은 바디의 요철 구조(210P, 210R)가 형성된 면에 대향하는 반대면에 부착될 수 있다. 증착층(266)은 강도 보강 코팅층(267)에 증착 형성되고 차폐 인쇄층(262)에 부착될 수 있다.
도 7은 일 실시 예에 따른 하우징의 표면의 현미경 사진이다.
도 7을 참조하면, 하우징(200)의 표면은 나노 컬럼 레이어(230)의 컬럼 구조물(232), 고굴절 레이어(222), 저굴절 레이어(221), 및 바디(210)의 요철 구조(212)에 의해 형성되고, 각 레이어들의 구체적인 특성에 따라 다양한 질감을 가지는 하우징(200)의 표면이 제공될 수 있다.
도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징의 단면의 현미경 사진이다. 도 8의(a)는 바디, 레이어 그룹 및 나노 컬럼 레이어의 단면의 현미경 사진이다. 도 8의(b)는 나노 컬럼 레이어, 및 레이어 그룹의 일부의 단면의 현미경 사진이다.
도 8의(a)를 참조하면, 하우징(200)은 바디(210), 나노 컬럼 레이어(230), 및 바디(210)와 나노 컬럼 레이어(230) 사이에 배치되는 레이어 그룹(220)을 포함할 수 있다. 레이어 그룹(220)은 바디(210)의 표면으로부터 나노 컬럼 레이어(230)까지 순차적으로 배치되는 제1 레이어 내지 제9 레이어(L1~L9)를 포함할 수 있다. 도 8의(a)에는 9개의 레이어(L1~L9)가 도시되나, 본 문서에 개시되는 레이어 그룹(220)은 다양한 개수의 레이어들을 포함할 수 있다.
도 8의(a)를 참조하면, 제1 레이어(L1), 제3 레이어(L3), 제5 레이어(L5), 제7 레이어(L7), 및 제9 레이어(L9)는 각각 실리콘 질화물(Si3N4)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 질화물(Si3N4)을 포함하는 레이어들은 고굴절 레이어(예: 도 5의 고굴절 레이어(222))로 참조될 수 있다. 다양한 실시 예에서, 고굴절 레이어들(L1, L3, L5, L7, L9) 중 표면에 인접한 고굴절 레이어(L9)에는 나노 컬럼 레이어(230)가 배치될 수 있다.
도 8의(a)를 참조하면, 제2 레이어(L2), 제4 레이어(L4), 제6 레이어(L6), 및 제8 레이어(L8)는 각각 실리콘 산화물(SiO2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 레이어들은 저굴절 레이어(예: 도 5의 저굴절 레이어(221))로 참조될 수 있다.
도 8의(a)를 참조하면, 고굴절 레이어(222)와 저굴절 레이어(221)는 교대로 적층될 수 있다. 예를 들어, 바디(210)의 표면에는 고굴절 레이어(222)인 제1 레이어(L1)가 배치되고, 제1 레이어(L1) 위에는 저굴절 레이어(221)인 제2 레이어(L2)가 배치될 수 있다. 다만, 고굴절 레이어(222)가 바디(210)의 표면에 배치되는 것으로 도시되나, 반드시 이에 한정되지 않으며, 저굴절 레이어(221)가 바디(210)의 표면에 배치되고, 저굴절 레이어(221) 위에 고굴절 레이어(222)가 배치될 수 있다.
도 8의(a)를 참조하면, 제1 레이어 내지 제9 레이어들(L1~L9) 각각은 다양한 두께를 가질 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 각 레이어들(L1~L9)의 두께는 하우징(200)의 반사율과 관련될 수 있다. 레이어 그룹(220)에 포함된 각 레이어들(L1~L9)의 두께에 따라 전체 구조의 굴절률, 및 반사율이 달라질 수 있다. 이를 통해, 하우징(200)의 외관 컬러를 형성할 수 있다.
일 실시 예에서, 나노 컬럼 레이어(230)는 레이어 그룹(220)에 포함된 레이어들(221, 222)에 비해 상대적으로 작은 두께를 가질 수 있다. 나노 컬럼 레이어(230)는 레이어 그룹(220)에 포함된 레이어들(221, 222)과 함께 지정된 굴절률 및 반사율을 형성하고, 또한, 표면 스크래치에 높은 저항성을 가지도록 구성될 수 있다. 나노 컬럼 레이어(230)는 실리콘 질화물(Si3N4)을 포함하는 점에서, 고굴절 레이어(예: 도 5의 고굴절 레이어(222)) 중 하나로 참조될 수 있다.
도 9은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징의 표면의 현미경 사진이다. 도 9의(a)는 하우징의 표면을 5,000배로 확대한 사진이고, 도 9의(b)는 하우징의 표면을 100,000배로 확대한 사진이다.
일 실시 예에서, 하우징(200)의 표면은 나노 컬럼 레이어(230)에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 9을 참조하면, 하우징(200)의 표면에는 불규칙한 나노 컬럼 구조물들(232)이 형성될 수 있다. 나노 컬럼 구조물들(232)은 불규칙한 엠보싱 패턴을 형성할 수 있다. 이와 같이 나노 컬럼 구조물들(232)이 형성하는 돌출부들과 돌출부들 사이의 함몰부들에 의해, 빛이 난반사시킬 수 있다. 난반사된 반사광들은 본 문서에 개시되는 하우징(200) 특유의 헤이즈 효과를 제공할 수 있다.
도 10은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징의 반사율을 도시한 그래프이다. 도 11는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 다양한 컬러의 하우징을 도시한다.
도 10을 참조하면, 하우징(200)은 가시광 대역(360 나노미터 내지 720 나노미터)에서, 50% 이상의 반사율을 가지도록 구성될 수 있다. 파장 대역에 따른 반사율은 하우징(200)을 구성하는 바디(210)의 요철 구조(212), 나노 컬럼 레이어(230)의 컬럼 구조물(232)이 형성하는 요철 구조, 및 레이어 그룹(220)에 포함된 레이어들의 개수와 레이어들의 두께 중 적어도 하나와 관련될 수 있다. 다시 말해, 요철의 형상, 레이어들의 개수, 및 두께를 달리함으로써, 다양한 컬러를 형성할 수 있다.
도 10을 참조하면, 하우징(200)은 400 나노미터 이상의 파장 대역에서 적어도 65% 이상의 반사율을 가지도록 구성될 수 있다.
다양한 컬러의 하우징(200)은 서로 다른 반사율을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 컬러의 하우징(200)은 제1 컬러에 대응되는 파장 대역에서 상대적으로 높은 반사율을 가지도록 구성될 수 있다.
도 11를 참조하면, 하우징(200)은 노란색 계열, 보라색 계열, 또는 붉은색 계열의 컬러로 제공될 수 있다. 예를 들어, 노란색 계열의 하우징(200a)은, 노란색 계열에 대응되는 580나노미터 내지 600나노미터를 포함하는 파장 대역에서 비교적 높은 반사율을 가지도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 보라색 계열의 하우징(200b)은, 보라색 계열에 대응되는 360나노미터 내지 440나노미터 파장 대역에서 비교적 높은 반사율을 가지도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 붉은색 계열의 하우징(200c)은, 붉은색 계열에 대응되는 660나노미터 내지 720나노미터 파장 대역에서 비교적 높은 반사율을 가지도록 구성될 수 있다.
일 실시 예에서, 제1 컬러의 하우징과 제2 컬러의 하우징은 서로 다른 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 컬러의 하우징에 포함된 레이어 그룹(220)의 레이어들(221, 222)과 제2 컬러의 하우징에 포함된 레이어 그룹(220)의 레이어들(221, 222)은, 두께 및/또는 개수가 다를 수 있다.
도 12은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징의 표면 거칠기를 도시한 그래프이다. 도 12에 도시된 그래프의 가로축은 임의의 지점으로부터 표면을 따라 측정된 거리를 의미할 수 있다.
본 문서에 개시되는 하우징(200)의 표면 거칠기는 비접촉 방식으로 측정된 값일 수 있다. 예를 들어, 표면 거칠기는 레이저 측정기를 이용하여 측정된 값일 수 있다.
도 12을 참조하면, 하우징(200)의 표면 거칠기는 평균적으로 0.33 내지 2.5 범위에 포함될 수 있다. 비교 예로서, 바디(210)만을 포함하는 하우징의 표면 거칠기는 평균적으로 0.6 내지 2.5 범위에 포함될 수 있다. 위와 같은 거칠기 차이는, 나노 컬럼 레이어(예: 도 5, 도 8, 도 9의 나노 컬럼 레이어(230))에 포함된 컬럼 구조물(예: 도 5, 도 8, 도 9의 컬럼 구조물(232))에 의한 것으로 이해될 수 있다. 본 문서에 개시되는 하우징(200)은 나노 컬럼 레이어(230)를 포함함으로써, 바디(210)만을 포함하는 경우에 비해 작은 표면 거칠기를 가지고, 이는 비교적 부드러운 질감을 제공할 수 있다.
도 13은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징의 제조 공정을 도시한 도면이다. 도 14는 도 13의 제조 공정 중 S2 및 S3와 관련된 제조 장치의 개략도이다.
도 13을 참조하면, 하우징(200)의 제조 공정(300)은 바디의 표면에 요철을 형성(S1)하고, 요철이 형성된 표면 위에 복수의 레이어들을 증착(S2)시키고, 및 증착된 레이어 위에 나노 컬럼 레이어를 증착(S3)시키는 것을 포함할 수 있다.
복수의 레이어들은 도 5 및 도 8의 레이어 그룹(220)으로 참조되고, 바디의 요철은 도 5의 바디(210)의 요철 구조(212)로 참조되고, 나노 컬럼 레이어는 도 5 및 도 8의 나노 컬럼 레이어(230)로 참조될 수 있다.
일 실시 예에서, 바디의 표면에 요철을 형성하는 것(S1)은 금속 모재에 습식 에칭 공정을 수행하는 것, 및/또는 건식 에칭 공정을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 습식 에칭 공정은 불화암모늄 및/또는 불산을 이용한 화학적 에칭을 포함할 수 있다. 예를 들어, 건식 에칭 공정은 블라스팅 공정을 포함할 수 있다. 블라스팅 공정은 세라믹 비드 및/또는 STS를 금속 모재의 표면에 분사하는 동작을 포함할 수 있다. 예를 들어, 분사되는 비드가 바디의 표면에 충돌함으로써, 바디의 요철 구조가 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 복수의 레이어들을 증착시키는 것(S2)은 요철이 형성된 바디의 표면에 실리콘 물질을 증착시키고(S21), 증착된 실리콘 물질에 제1 물질을 반응시킴으로써 제1 레이어(예: 도 5의 저굴절 레이어(221))를 형성하는 단계(S22), 및 제1 레이어의 표면에 실리콘을 증착시키고(S23), 증착된 실리콘 물질에 제2 물질을 반응시킴으로써 제2 레이어(예: 도 5의 고굴절 레이어(222))를 형성하는 것(S24)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 실리콘을 증착시키는 것(S21, S23)은, 실리콘 모재에 이온 충격을 가함으로써, 실리콘 모재로부터 떨어진 실리콘이 바디의 표면에 부착되는 스퍼터링을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 바디(210)의 표면에 저굴절 레이어(221)가 먼저 적층된 후 고굴절 레이어(222)가 적층되거나, 또는 고굴절 레이어(222)가 먼저 적층된 후 저굴절 레이어(221)가 적층될 수 있다.
예를 들어, 제1 물질은, 산소 기체 및/또는 산소 이온을 포함하고, 제1 레이어는 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 저굴절 레이어(221)일 수 있다. 제1 물질은 플라즈마 상태의 산소 이온을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제2 물질은 질소 기체 및/또는 질소 이온을 포함하고 제2 레이어는 실리콘 질화물(Si3N4)을 포함하는 고굴절 레이어(222)일 수 있다. 제2 물질은 플라즈마 상태의 질소 이온을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 복수의 레이어들을 증착시키는 것(S2)은, 지정된 파장 대역에서 요구되는 반사율을 만족하도록, 복수 회 반복 수행될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 레이어 및 제2 레이어 각각은, 지정된 파장 대역에서 요구되는 반사율을 만족하도록 지정된 두께로 증착될 수 있다.
일 실시 예에서, 나노 컬럼 레이어를 증착시키는 것(S3)은, 실리콘을 증착시키고(S31), 증착된 실리콘 물질에 질소 기체 및/또는 질소 이온을 반응시키는 것(S32)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실리콘을 증착시키는 것(S31)은, 실리콘에 이온 충격을 가함으로써, 실리콘 모재로부터 떨어진 실리콘이 바디의 표면에 부착되는 스퍼터링을 포함할 수 있다. 이를 통해, 하우징(200)의 표면에는 실리콘 질화물(Si3N4)로 이루어진 나노 컬럼 구조물(232)이 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 나노 컬럼 레이어를 증착시키는 것(S3) 및 복수의 레이어를 증착시키는 것(S2)은, 서로 상이한 온도 조건 및/또는 압력 조건에서 수행될 수 있다.
도 14를 참조하면, 하우징(200)의 제조 시스템(301)은 회전하는 드럼(310), 상기 드럼(310) 주위에 배치된 스퍼터링 모듈(320), 및 플라즈마 모듈(330)을 포함할 수 있다. 상기 드럼(310)에는 요철(예: 도 5의 요철 구조(212))이 형성된 바디(예: 도 5의 바디(210))가 위치하고, 드럼(310)이 회전함에 따라 바디(210)는 스퍼터링 모듈(320) 및 플라즈마 모듈(330)로 이동할 수 있다. 일 실시 예에서, 스퍼터링 모듈(320)은 실리콘 물질을 증착시키는 것과 관련될 수 있다. 일 실시 예에서, 플라즈마 모듈(330)은 실리콘 물질에 제1 물질(예: 산소) 또는 제2 물질(예: 질소)을 반응시키는 것과 관련될 수 있다.
일 실시 예에서, 드럼(310)이 회전하여 바디(210)가 스퍼터링 모듈(320)에 위치하면, 스퍼터링 모듈(320)은 양이온을 실리콘 모재에 충돌시켜 실리콘 물질을 떨어뜨리도록 구성될 수 있다. 떨어진 실리콘 물질(Si)은 바디(210)의 표면에 부착될 수 있다. 예를 들어, 양이온은 아르곤 1가 양이온을 포함할 수 있다/
일 실시 예에서, 플라즈마 모듈(330)은 부착된 실리콘 물질(Si)과 기체 및/또는 플라즈마 이온을 반응시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 저굴절 레이어(예: 도 5의 저굴절 레이어(221))를 제조하는 경우, 플라즈마 모듈(330)은 실리콘 물질(Si)과 산소 기체 또는 산소 이온을 반응시킬 수 있다. 예를 들어, 실리콘 질화물(Si3N4)을 포함하는 고굴절 레이어(예: 도 5의 고굴절 레이어(222)) 또는 나노 컬럼 레이어(예: 도 5의 나노 컬럼 레이어(230))를 제조하는 경우, 플라즈마 모듈은 실리콘 물질(Si)과 질소 기체 또는 질소 이온을 반응시킬 수 있다.
다양한 실시 예에서, 제조 방법(300)은 지문 및/또는 오염 방지를 위해 나노 컬럼 레이어(230)가 적층된 후 수행되는 추가적인 코팅 공정을 포함할 수 있다.
도 15은 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징을 도시한 단면도이다. 도 15은 도 4의 A-A 단면도이다.
도 15을 참조하면, 하우징(201)은 표면에 요철 구조(212)가 형성된 바디(210), 요철 구조(212)에 적층된 복수의 레이어들(220), 복수의 레이어들(220)에 적층된 나노 컬럼 레이어(230), 및 나노 컬럼 레이어(230)에 적층된 코팅 레이어(240)를 포함할 수 있다. 도 15에 도시된 바디, 복수의 레이어들(220), 및 나노 컬럼 레이어(230)는 도 5 내지 도 14에서 설명한 내용과 실질적으로 동일하다.
도 15을 참조하면, 코팅 레이어(240)는 실리콘 산화물(SiO2)을 포함할 수 있다. 코팅 레이어(240)는 폴리실라잔 물질(Polysilazane)을 포함하는 용액을 열 처리함으로써 형성될 수 있다. 상기 열 처리 과정에 의해 폴리실라잔 물질의 적어도 일부는 산소 및/또는 수분과 반응하여 실리콘 산화물(SiO2)이 생성될 수 있다.
일 실시 예에서, 코팅 레이어(240)는 실리콘 산화물(SiO2)을 포함함으로써, 코팅 레이어(240)를 포함하지 않는 하우징(예: 도 5의 하우징(200))과 다른 질감 및 반사율을 형성할 수 있다. 예를 들어, 도 15에 도시된 하우징(201)은 도 5에 도시된 하우징(200)에 비해 더 밝은 컬러를 가질 수 있다.
도 16는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징을 도시한 단면도이다. 도 17는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징을 도시한 단면도이다. 도 16의 및 도 17는 도 4의 A-A 단면도이다.
도 16 및 도 17를 참조하면, 하우징(202)은 두 개 이상의 다른 질감을 형성하도록 구성될 수 있다.
도 16 및 도 17를 참조하면, 하우징(202)은 제1 질감 또는 제1 컬러를 제공하는 제1 영역(202-1), 및 제2 질감 또는 제2 컬러를 제공하는 제2 영역(202-2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(202-1)은 요철 구조(212)가 형성된 바디(210), 레이어 그룹(220), 및 나노 컬럼 레이어(230)를 포함할 수 있다. 제1 영역(202-1)의 제1 질감 및 제1 컬러는, 바디의 요철 구조(212), 레이어 그룹(220) 및 나노 컬럼 레이어(230)가 복합적으로 작용함으로써 제공될 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(202-2)은 바디(210)의 표면에 형성된 요철 구조(212)를 포함할 수 있다. 제2 영역의 제2 질감 및 제2 컬러는, 바디(210)의 요철 구조(212)에 의해 제공될 수 있다.
도 16를 참조하면, 제1 영역(202-1)에 의한 헤이즈 효과는 제2 영역에 의한 헤이즈 효과에 비해 더 미시적일 수 있다. 제1 영역(202-1)은 제2 영역(202-2)에 비해 외부 스크래치 저항성이 높을 수 있다.
도 16를 참조하면, 제1 영역(202-1)에는 마스킹 부재(250)가 배치되고 제2 영역(202-2)에는 마스킹 부재(250)가 배치되지 않을 수 있다. 마스킹 부재(250)는 바디(210)의 표면에 도포된 박리 잉크를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(202-2)에는 바디(210)의 요철 구조(212)가 노출될 수 있다. 일 실시 예에서, 마스킹 부재(250)가 배치된 상태에서, 복수의 레이어들(220) 및 나노 컬럼 레이어(230)가 적층될 수 있다. 적층 공정이 완료된 후, 마스킹 부재(250)가 박리됨으로써, 하우징(202)의 제1 영역(202-1)이 형성될 수 있다. 다양한 실시 예에서, 마스킹 부재(250)는 규칙적인 패턴으로 배치되거나 불규칙적인 패턴으로 배치될 수 있다.
도 17를 참조하면, 하우징(202)의 제2 영역(202-2)은 복수의 레이어(220)를 증착하는 단계 전에 수행되는 스크린 인쇄 공정, 스프레이 공정, 및/또는 포토리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있다. 상기 공정들은 도 16에 도시된 방법에 비해 더 미세한 패턴을 가지는 제2 영역(202-2)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 도 17에 도시된 바와 같이 제2 영역(202-2)은 요철 구조(212)에 포함된 돌출부(210P) 단위로 구현될 수 있다.
일 실시 예에서, 제2 영역(202-2)의 표면 거칠기는 0.75 내지 0.8이고, 제1 영역(202-1)의 표면 거칠기는 0.33 내지 0.4일 수 있다.
본 문서에 개시되는 실시 예들에 따른 전자 장치는, 상기 전자 장치의 제1 면을 형성하는 디스플레이, 및 상기 전자 장치의 제2 면을 형성하는 하우징을 포함하고, 상기 하우징은, 요철 구조가 형성된 바디; 상기 하우징의 표면의 적어도 일부를 형성하며 컬럼 구조물을 포함하는 나노 컬럼 레이어; 및 상기 나노 컬럼 레이어와 상기 바디 사이에 배치되는 복수의 레이어들, 상기 복수의 레이어들은 제1 레이어, 및 상기 제1 레이어와 상기 나노 컬럼 레이어 사이에 배치되는 제2 레이어를 포함함; 을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 제1 레이어 및 상기 제2 레이어 중 어느 하나는 실리콘 질화물을 포함하고, 다른 하나는 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 제1 레이어의 굴절률은 상기 제2 레이어의 굴절률과 상이할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 제1 레이어는 실리콘 산화물을 포함하며 제1 굴절률을 가지고, 상기 제2 레이어는 실리콘 질화물을 포함하며 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가질 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 컬럼 구조물은 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 복수의 레이어들 중 상기 나노 컬럼 레이어에 접촉하는 레이어는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 컬럼 구조물은 상기 제2 레이어의 표면으로부터 실질적으로 수직한 방향으로 연장된 형태일 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 컬럼 구조물은 수십 나노미터 이하 크기의 엠보싱 패턴을 형성할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 제1 레이어 및 상기 제2 레이어는 각각 복수개로 제공되고, 상기 복수의 레이어들은 상기 제1 레이어 및 상기 제2 레이어가 교대로 배치되도록 구성될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 바디의 상기 요철 구조는 10 마이크로미터 내지 20 마이크로미터의 크기의 요철을 포함하고, 상기 컬럼 구조물은 상기 10 나노미터 내지 20 나노미터의 제2 요철을 형성할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 바디의 상기 요철 및 상기 나노 컬럼 레이어의 상기 제2 요철은 빛을 난반사시키도록 구성될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 나노 컬럼 레이어의 두께는 상기 제1 레이어 및/또는 상기 제2 레이어의 두께에 비해 작을 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 하우징의 표면 거칠기는 평균적으로 0.33 내지 0.4일 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 하우징은 가시광 대역에 걸쳐 적어도 50%의 표면 반사율을 가지고, 400 나노미터 이상의 파장 대역에서 적어도 65%의 표면 반사율을 가질 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 나노 컬럼 레이어에 적층되는 코팅 레이어를 더 포함하고, 상기 코팅 레이어는 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 하우징의 표면은 제1 표면 거칠기를 가지는 제1 영역, 및 상기 제1 표면 거칠기보다 작은 제2 표면 거칠기를 가지는 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역은 상기 바디에 의해 형성되고, 상기 제2 영역은 상기 나노 컬럼 레이어에 의해 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 복수의 레이어들 및 상기 나노 컬럼 레이어는 가시광 대역에 포함되는 지정된 대역에서 상대적으로 높은 표면 반사율을 형성할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 하우징은 상기 디스플레이에 대향하는 후면 커버, 또는 상기 후면 커버와 상기 디스플레이 사이의 공간을 둘러싸는 측면 부재를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 후면 커버는 평면 영역 및 상기 평면 영역의 가장자리의 적어도 일부를 둘러싸는 커브드 영역을 포함하고, 상기 바디의 상기 요철 구조, 상기 복수의 레이어들, 및 상기 나노 컬럼 레이어는 상기 평면 영역 및 상기 커브드 영역 각각의 적어도 일부에 연장될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 상기 후면 커버에는 상기 평면 영역 및 상기 커브드 영역 각각의 적어도 일부를 포함하는 개방된 영역을 포함하고, 상기 개방된 영역에는 상기 전자 장치에 포함된 카메라 모듈이 배치될 수 있다.

Claims (20)

  1. 전자 장치에 있어서,
    상기 전자 장치의 제1 면을 형성하는 디스플레이, 및 상기 전자 장치의 제2 면을 형성하는 하우징을 포함하고,
    상기 하우징은,
    요철 구조가 형성된 바디;
    상기 하우징의 표면의 적어도 일부를 형성하며 컬럼 구조물을 포함하는 나노 컬럼 레이어; 및
    상기 나노 컬럼 레이어와 상기 바디 사이에 배치되는 복수의 레이어들, 상기 복수의 레이어들은 제1 레이어, 및 상기 제1 레이어와 상기 나노 컬럼 레이어 사이에 배치되는 제2 레이어를 포함함; 을 포함하는 전자 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 레이어 및 상기 제2 레이어 중 어느 하나는 실리콘 질화물을 포함하고, 다른 하나는 실리콘 산화물을 포함하는 전자 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 레이어의 굴절률은 상기 제2 레이어의 굴절률과 상이한 전자 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 레이어는 실리콘 산화물을 포함하며 제1 굴절률을 가지고,
    상기 제2 레이어는 실리콘 질화물을 포함하며 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가지는
    전자 장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 컬럼 구조물은 실리콘 질화물을 포함하는 전자 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 복수의 레이어들 중 상기 나노 컬럼 레이어에 접촉하는 레이어는 실리콘 질화물을 포함하는 전자 장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 컬럼 구조물은 상기 제2 레이어의 표면으로부터 실질적으로 수직한 방향으로 연장된 형태인 전자 장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 컬럼 구조물은 수십 나노미터 이하 크기의 엠보싱 패턴을 형성하는 전자 장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 레이어 및 상기 제2 레이어는 각각 복수개로 제공되고,
    상기 복수의 레이어들은 상기 제1 레이어 및 상기 제2 레이어가 교대로 배치되도록 구성되는 전자 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 바디의 상기 요철 구조는 10 마이크로미터 내지 20 마이크로미터의 크기의 요철을 포함하고,
    상기 컬럼 구조물은 상기 10 나노미터 내지 20 나노미터의 제2 요철을 형성하는 전자 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 바디의 상기 요철 및 상기 나노 컬럼 레이어의 상기 제2 요철은 빛을 난반사시키도록 구성되는 전자 장치.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 나노 컬럼 레이어의 두께는 상기 제1 레이어 및/또는 상기 제2 레이어의 두께에 비해 작은 전자 장치.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 하우징의 표면 거칠기는 평균적으로 0.33 내지 0.4인 전자 장치.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 하우징은 가시광 대역에 걸쳐 적어도 50%의 표면 반사율을 가지고, 400 나노미터 이상의 파장 대역에서 적어도 65%의 표면 반사율을 가지는 전자 장치.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 나노 컬럼 레이어에 적층되는 코팅 레이어를 더 포함하고,
    상기 코팅 레이어는 실리콘 산화물을 포함하는 전자 장치.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 하우징의 표면은 제1 표면 거칠기를 가지는 제1 영역, 및 상기 제1 표면 거칠기보다 작은 제2 표면 거칠기를 가지는 제2 영역을 포함하고,
    상기 제1 영역은 상기 바디에 의해 형성되고,
    상기 제2 영역은 상기 나노 컬럼 레이어에 의해 형성되는 전자 장치.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 복수의 레이어들 및 상기 나노 컬럼 레이어는 가시광 대역에 포함되는 지정된 대역에서 상대적으로 높은 표면 반사율을 형성하는 전자 장치.
  18. 청구항 1에 있어서,
    상기 하우징은 상기 디스플레이에 대향하는 후면 커버, 또는 상기 후면 커버와 상기 디스플레이 사이의 공간을 둘러싸는 측면 부재를 포함하는 전자 장치.
  19. 청구항 1에 있어서,
    상기 후면 커버는 평면 영역 및 상기 평면 영역의 가장자리의 적어도 일부를 둘러싸는 커브드 영역을 포함하고,
    상기 바디의 상기 요철 구조, 상기 복수의 레이어들, 및 상기 나노 컬럼 레이어는 상기 평면 영역 및 상기 커브드 영역 각각의 적어도 일부에 연장되는 전자 장치.
  20. 청구항 1에 있어서,
    상기 후면 커버에는 상기 평면 영역 및 상기 커브드 영역 각각의 적어도 일부를 포함하는 개방된 영역을 포함하고,
    상기 개방된 영역에는 상기 전자 장치에 포함된 카메라 모듈이 배치되는 전자 장치.
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