KR20230027917A - 사선 엣지를 포함하는 패턴 레이아웃의 설계 방법 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 - Google Patents

사선 엣지를 포함하는 패턴 레이아웃의 설계 방법 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 Download PDF

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Abstract

패턴 레이아웃 설계 방법은 마스크 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 수행하여 수정 레이아웃을 생성하는 것을 포함하고, 상기 수정 레이아웃을 생성하는 것은, 그리드 레이아웃 상에 설계된 마스크 레이아웃의 사선 엣지에 대한 그리드 스냅핑을 통해 제1 수정 레이아웃을 생성하는 것; 및 상기 제1 수정 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 수행하여 제2 수정 레이아웃을 생성하는 것을 포함하며, 상기 제1 수정 레이아웃을 생성하는 것은, 상기 사선 엣지 또는 잔여 엣지에 대한 제1 분할점을 생성하는 것; 및 상기 제1 분할점을 인접한 4개의 기준점들 중 어느 하나 상으로 이동시켜 제1 변경 분할점을 생성하는 것을 포함한다.

Description

사선 엣지를 포함하는 패턴 레이아웃의 설계 방법 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법{METHOD FOR DESIGNING A PATTERN LAYOUT INCLUDING OBLIQUE EDGES AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME}
광 근접 보정을 이용하는 패턴 레이아웃 설계 방법 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법에 관한 것이다.
패턴의 레이아웃이 그려진 레티클을 사용하여 포토리소그래피 공정이 수행될 수 있다. 포토리소그래피 공정은 레티클을 사용하여 포토레지스트막에 패턴의 레이아웃을 전사시키는 노광 공정을 포함할 수 있다. 노광 공정에서 패턴의 레이아웃을 전사시킬 때 광학 효과에 의해 패턴의 레이아웃이 변형되어 전사되어 레티클에 그려진 패턴의 레이아웃과는 다른 형상이 형성될 수 있다. 이에 따라, 노광 공정에서의 패턴의 레이아웃 변형을 고려하여, 패턴의 레이아웃을 설계한 후 레티클을 제작하기 이전에 광 근접 보정(Optical Proximity Correction, 이하 OPC)을 수행할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 과제는 사선 엣지를 갖는 패턴 레이아웃을 설계하는 방법을 제공하는 것이다.
본 개시의 일 실시예에 따른 과제는 상기 패턴 레이아웃을 설계하는 방법을 이용하여 반도체 장치를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 개시의 패턴 레이아웃 설계 방법은 그리드 레이아웃 상에 설계된 마스크 레이아웃의 사선 엣지에 대한 그리드 스냅핑을 통해 제1 수정 레이아웃을 생성하는 것; 및 상기 제1 수정 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 수행하여 제2 수정 레이아웃을 생성하는 것을 포함하되, 상기 제1 수정 레이아웃을 생성하는 것은, 상기 사선 엣지를 분할하는 제1 분할점을 생성하는 것; 상기 제1 분할점이 기준점들 중 어느 하나와 중첩되는지 판별하는 것; 상기 제1 분할점이 상기 기준점들과 중첩되지 않는 경우, 상기 제1 분할점을 그리드 스냅핑하여 제1 수정 엣지 및 제1 잔여 엣지를 생성하는 것; 생성된 분할점의 개수가 미리 설정된 개수인지 판별하는 것; 생성된 분할점의 개수가 미리 설정된 개수가 아닌 경우, 상기 제1 잔여 엣지를 분할하는 제2 분할점을 생성하는 것; 상기 제2 분할점이 상기 기준점들 중 어느 하나와 중첩되는지 판별하는 것; 및 상기 제2 분할점이 상기 기준점들과 중첩되지 않는 경우, 상기 제2 분할점을 그리드 스냅핑하여 제2 수정 엣지 및 제2 잔여 엣지를 생성하는 것을 포함할 수 있다.
본 개시의 패턴 레이아웃 설계 방법은 그리드 레이아웃 상에 설계된 마스크 레이아웃의 사선 엣지에 대한 그리드 스냅핑을 통해 제1 수정 레이아웃을 생성하는 것; 및 상기 제1 수정 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 수행하여 제2 수정 레이아웃을 생성하는 것을 포함하되, 상기 제1 수정 레이아웃을 생성하는 것은, 상기 사선 엣지를 분할하는 분할점을 생성하는 것; 상기 분할점이 기준점들 중 어느 하나와 중첩되는지 판별하는 것; 상기 분할점이 상기 기준점들 중 어느 하나와 중첩되는지 여부에 따라 수정 엣지 및 잔여 엣지를 생성하는 것; 및 생성된 분할점들의 개수가 미리 설정한 임의의 개수가 될 때까지, 잔여 엣지를 분할하는 분할점을 생성하는 것, 상기 잔여 엣지를 분할하는 분할점이 상기 기준점들 중 어느 하나와 중첩되는지 판별하는 것, 및 상기 잔여 엣지를 분할하는 분할점이 상기 기준점들 중 어느 하나와 중첩되는지 여부에 따라 수정 엣지 및 잔여 엣지를 생성하는 것을 반복하는 것을 포함하며, 상기 수정 엣지 및 상기 잔여 엣지를 생성하는 것은, 상기 분할점이 상기 기준점들과 중첩되지 않는 경우, 상기 분할점과 인접한 4개의 기준점들 각각을 상기 사선 엣지의 시작점과 연결하여 제1 내지 제4 예비선을 생성하고, 상기 제1 내지 제4 예비선 각각과 상기 사선 엣지가 이루는 각도들을 계산하고, 상기 4개의 기준점들 중 상기 사선 엣지와 이루는 각도가 가장 작은 예비선의 기준점으로 상기 분할점을 이동시키는 것을 포함할 수 있다.
본 개시의 반도체 장치 제조 방법은 마스크 레이아웃을 디자인 하는 것; 마스크 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 수행하여 수정 레이아웃을 생성하는 것; 상기 수정 레이아웃을 이용하여 마스크를 제조하는 것; 및 상기 마스크를 이용하여 반도체 장치를 제조하는 것을 포함하되, 상기 수정 레이아웃을 생성하는 것은, 그리드 레이아웃 상에 설계된 마스크 레이아웃의 사선 엣지에 대한 그리드 스냅핑을 통해 제1 수정 레이아웃을 생성하는 것; 및 상기 제1 수정 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 수행하여 제2 수정 레이아웃을 생성하는 것을 포함하며, 상기 제1 수정 레이아웃을 생성하는 것은, 상기 사선 엣지 또는 잔여 엣지에 대한 제1 분할점을 생성하는 것; 및 상기 제1 분할점을 인접한 4개의 기준점들 중 어느 하나 상으로 이동시켜 제1 변경 분할점을 생성하는 것을 포함할 수 있다.
본 개시는, 본 개시의 일 실시예에 의한 패턴 레이아웃 설계 방법을 컴퓨터에서 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체를 포함할 수 있다.
본 개시는, 본 개시의 일 실시예에 의한 패턴 레이아웃 설계 방법을 컴퓨터에서 실행시키기 위하여 매체에 저장된 프로그램을 포함할 수 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 마스크 레이아웃이 포함하는 원본 패턴이 기준선에 대해 0도, 45도, 또는 90도 이외의 각도를 이루는 사선 엣지들을 포함하는 경우에도, 광 근접 보정이 가능한 수정 레이아웃을 먼저 생성함으로써, 컴퓨터 프로그램을 통해 광 근접 보정(OPC) 작업을 수행할 수 있다. 수정 레이아웃은 원본 패턴의 사선 엣지들이 최소한으로 수정된 수정 엣지들을 포함할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 2는 도 1의 S200 단계를 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 도 2의 S210 단계를 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 도 3의 S213 단계를 설명하기 위한 순서도이다.
도 5 내지 도 13은 도 3 및 도 4를 설명하기 위한 개념도들이다.
도 14는 도2의 S220 단계를 설명하기 위한 순서도이다.
도 15 내지 도 19는 도 14를 설명하기 위한 개념도들이다.
도 20은 본 개시의 패턴 레이아웃 설계 방법을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템을 나타내는 개략도이다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 장치의 제조 방법은 반도체 장치의 마스크 레이아웃을 디자인 하는 것(S100), 마스크 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 수행하는 것(S200), 보정된 마스크 레이아웃을 이용하여 마스크를 제조하는 것(S300), 및 마스크를 이용하여 반도체 장치를 제조하는 것(S400)을 포함할 수 있다.
반도체 장치의 마스크 레이아웃을 디자인하는 것(S100)은, 웨이퍼 상에 형성하고자 하는 반도체 장치의 회로 패턴에 대응하는 마스크 레이아웃이 반도체 제조 설비의 호스트 컴퓨터 또는 서버로부터 제공되는 것을 포함할 수 있다. 구체적으로, 마스크 레이아웃은 반도체 장치에 대해 디자인된 회로가 웨이퍼 상으로 전사될 수 있는 물리적인 표시로서, 다수의 패턴들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 패턴들은 동일한 형상이 반복되는 반복 패턴들을 포함할 수 있으며, 패턴들은 삼각형 및/또는 사각형과 같은 다각형들의 조합의 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 마스크 레이아웃은 CAD 시스템으로부터 마스크 레이아웃을 이루는 패턴들의 윤곽의 좌표 값으로 제공될 수 있다. 마스크 레이아웃은 (예를 들어, CAD 시스템과 같은 컴퓨터 프로그램이 제공하는) 그리드(grid) 형상으로 배열되는 기준점들을 포함하는 그리드 레이아웃 상에서 벡터 그래픽 형식(vector graphics format)으로 표현될 수 있다.
광근 접 효과를 포함하는 다양한 광학적 효과에 의해 마스크 레이아웃의 패턴들이 웨이퍼 상에 정확하게 전사되지 못하여 발생하는 오차가 발생할 수 있다. 마스크 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 수행하는 것(S200)은 그러한 오차를 반영하여 마스크 레이아웃에 포함되는 패턴들을 변경하는 보정을 의미한다. 광 근접 보정을 수행하는 것은 마스크 레이아웃으로부터 웨이퍼 상에 형성될 이미지를 예측하고, 예측된 결과를 기초로 마스크 레이아웃을 보정하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 광 근접 보정은 마스크 레이아웃을 이루는 패턴들의 전체적인 크기를 확장하고 코너(corner) 부분을 처리하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 광 근접 보정은 각 패턴의 엣지들을 이동시키거나 추가적인 다각형들을 부가하는 것을 포함할 수 있다. 광 근접 보정에 의해 노광 시에 발생하는 빛의 회절, 간섭 등에 의한 패턴의 왜곡 현상을 보정하고, 패턴 밀도에 의해 기인한 오차를 보정할 수 있다. 본 발명의 광 근접 보정(OPC)은 패턴의 엣지들을 이동시키는 방법을 사용하며, 본 발명의 마스크 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 수행하는 것(S200)에 대한 구체적인 설명은 후술한다. 본 명세서에서 언급되는 패턴 레이아웃 설계 방법은 마스크 레이아웃을 디자인하고(S100), 마스크 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 수행하는 것(S200)을 지칭할 수 있다.
보정된 마스크 레이아웃을 이용하여 마스크를 제조하는 것(S300)은 보정된 마스크 레이아웃을 이용하여 마스크 기판 상에 노광, 현상, 식각, 세정, 및 베이크 등 공정을 수행하여 마스크를 형성하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 마스크를 형성하는 것은 쿼츠(Quarts) 기판 상에 금속막 및 감광막이 형성된 블랑크 마스크(blank mask)를 제공하는 것, 블랑크 마스크의 감광막에 보정된 마스크 레이아웃을 이용하여 노광 공정을 수행하는 것, 감광막에 현상 공정을 수행하여 보정된 마스크 레이아웃에 대응하는 패턴들을 포함하는 감광막 패턴들을 형성하는 것, 및 감광막 패턴들을 식각 마스크로 블랑크 마스크의 금속막을 식각하는 것을 포함할 수 있다.
마스크를 이용하여 반도체 장치를 제조하는 것(S400)은 마스크를 이용하여 리소그래피 공정을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 반도체 장치는 리소그래피 공정 외에 증착, 식각, 이온, 세정 공정 등을 더 수행함으로써 최종적으로 제조될 수 있다. 반도체 장치는 DRAM(dynamic random access memory), SRAM(static random access memory) 등과 같은 휘발성 메모리, 또는 플래시 메모리 등과 같은 비휘발성 메모리를 포함할 수 있으며, 마이크로 프로세서(micro-processor)와 같은 로직 반도체 소자, 예를 들어 중앙처리장치(central processing unit, CPU), 컨트롤러(controller), 또는 주문형 반도체(application specific integrated circuit, ASIC) 등을 포함할 수 있다.
도 2는 도 1의 S200 단계를 설명하기 위한 순서도이다. 도 3은 도 2의 S210 단계를 설명하기 위한 순서도이다. 도 4는 도 3의 S213 단계를 설명하기 위한 순서도이다. 도 5 내지 도 13은 도 3 및 도 4를 설명하기 위한 개념도들이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 마스크 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 수행하는 것(S200)은 마스크 레이아웃의 사선 엣지에 대한 그리드 스냅핑을 통해 제1 수정 레이아웃을 생성하는 것(S210) 및 제1 수정 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 통해 제2 수정 레이아웃을 생성하는 것(S220)을 포함할 수 있다.
전술하였듯이, 본 발명의 마스크 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)은 마스크 레이아웃이 포함하는 원본 패턴의 엣지들을 이동시키는 방법을 사용한다. 마스크 레이아웃이 포함하는 원본 패턴은 격자(grid) 형상으로 배열되는 기준점들(GP, 도 5 참조)을 포함하는 그리드 레이아웃 상에 제공될 수 있으며, 원본 패턴의 꼭지점들은 각각 기준점들 상에 배치될 수 있다. 이에, 원본 패턴을 이루는 엣지들의 양 단은 각각 기준점들 상에 배치될 수 있다.
도 5를 참조하면, 그리드 레이아웃 상에 제공된 원본 패턴(10)의 예시를 도시된다. 도 5에서는 그리드 레이아웃 상에 제공된 원본 패턴(10)의 일부(상부) 영역만을 도시하였다. 기준점들(GP)이 제1 방향(X)과 제2 방향(Y)을 따라 일정한 간격으로 이격되어 그리드(grid) 형상으로 배열되는 것을 확인할 수 있다. 제1 방향(X)과 제2 방향(Y)은 동일 평면상에서 서로 수직을 이룰 수 있다. 예를 들어, 기준점들(GP)의 간격은 원본 패턴(10)의 크기에 따라 달라질 수 있다. 원본 패턴(10)은 제1 꼭지점(1), 제2 꼭지점(2), 제3 꼭지점(3) 및 제4 꼭지점(4)을 포함할 수 있다. 도 5에서, 원본 패턴(10)의 제1 내지 제4 꼭지점(1, 2, 3, 4)이 모두 기준점들(GP) 상에 배치되는 것을 확인할 수 있다.
광 근접 보정(OPC)을 위해 엣지들을 이동시킬 때에는 원본 패턴을 이루는 엣지를 그대로 이동시키는 것이 아니라, 엣지를 여러 세그먼트로 분할한 후, 각 세그먼트들을 이동시킨다. 예를 들어, 분할된 세그먼트들은 서로 동일한 길이를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 방향(X)과 제2 방향(Y) 각각으로 동일한 간격으로 이격되는 기준점들을 포함하는 그리드 레이아웃은 제1 방향(X)을 따라 연장되어 기준점들을 통과하는 임의의 기준선을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기준선에 대해 0도 또는 90도를 이루는 엣지들이나, 기준선에 대해 45도를 이루는 엣지들을 여러 세그먼트로 분할하는 것은, 엣지들을 분할하는 분할점들을 기준점들 상에 형성함으로써 수행될 수 있다. 이에 세그먼트들의 양 단은 기준점들 상에 배치될 수 있으며, 광 근접 보정(OPC)을 위해 세그먼트들을 이동시킬 때에는 세그먼트들의 양 단의 위치(또는 분할점들의 위치)를 양 단이 위치한 기준점들에서(또는 분할점들의 위치한 기준점들에서) 다른 기준점들 상으로 옮김으로써 수행될 수 있다.
반면, 기준선에 대해 0도, 45도, 또는 90도를 이루지 않는 사선 엣지(이하, 사전 엣지라 부른다)를 여러 세그먼트로 분할하는 경우, 사선 엣지를 분할하는 분할점들 중 적어도 하나는 기준점들 상에 위치하지 않을 수 있다. 이 경우, (예를 들어, 컴퓨터 프로그램 상에서) 세그먼트의 이동이 불가능하다. 이에, 마스크 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 수행하는 것(S200)은 마스크 레이아웃의 원본 패턴이 사선 엣지를 포함하는 경우, 사선 엣지에 대한 그리드 스냅핑을 수행하는 것(S210)을 포함할 수 있다. 사선 엣지에 대한 그리드 스냅핑(S210)은 사선 엣지에 대한 분할점들을 생성하되, 기준점들 상에 위치하지 않은 분할점들을 기준점들 상으로 이동시키는 것을 포함할 수 있다. 사선 엣지에 대해 그리드 스냅핑을 수행하는 것(S210)에 대한 구체적인 내용은 후술한다.
도 5를 참조하면, 예를 들어, 마스크 레이아웃이 포함하는 원본 패턴(10)은 제1 엣지(S1), 제2 엣지(S2), 및 제3 엣지(S3)를 포함할 수 있다. 제1 엣지(S1)와 제3 엣지(S3)는 기준선(RF)에 대해 0도, 45도 또는 90도를 이루지 않는 사선 엣지일 수 있다. 제1 엣지(S1)의 양 단은 제1 꼭지점(1)과 제2 꼭지점(2)이며, 제2 엣지(S2)의 양 단은 제2 꼭지점(2)과 제3 꼭지점(3)이고, 제3 엣지(S3)의 양 단은 제3 꼭지점(3)과 제4 꼭지점(4)일 수 있다.
도 3 및 도 5를 참조하면, 사선 엣지에 대한 그리드 스냅핑을 수행하기 위해(S210), 원본 패턴의 사선 엣지를 분할하는 분할점을 생성할 수 있다(S211). 사선 엣지의 양 단 중 하나를 시작점으로 지정하고, 다른 하나를 끝점으로 지정한 후, 시작점으로부터 소정의 길이를 갖는 세그먼트가 생성되도록 사선 엣지 상에 분할점을 생성할 수 있다.
예를 들어, 사선 엣지인 제1 엣지(S1)에 대해서 제1 꼭지점(1)을 시작점으로 지정하고 제2 꼭지점(S)을 끝점으로 지정할 수 있다. 제1 꼭지점(1)으로부터 소정의 길이를 갖는 세그먼트가 생성되도록 제1 엣지(S1) 상에 제1 분할점(D1)이 생성될 수 있다. 세그먼트의 양 단이 제1 꼭지점(1)과 제1 분할점(D1)이 될 수 있다. 예를 들어, 세그먼트의 소정의 길이는 사용자에 의해 임의로 지정될 수 있거나, 패턴의 크기, 패턴들의 간격 등 광 근접 보정(OPC)을 수행하는데 고려되는 조건에 따라 결정될 수 있다.
분할점을 생성한 후에는, 생성된 분할점이 기준점들 중 어느 하나와 중첩되는지 여부를 판별할 수 있다(S212). 분할점과 기준점이 중첩되는 것의 의미는 분할점의 중심점과 기준점의 중심점이 중첩되는 것을 의미할 수 있다.
도 3 및 도 6을 참조하면, 일 실시예에 있어서, 분할점이 기준점들 중 어느 하나와 중첩되는 경우, 즉 분할점이 기준점들 중 어느 하나와 위치가 동일한 경우, 해당 분할점을 기준으로 수정 엣지와 잔여 엣지를 구분할 수 있다(S214). 예를 들어, 마스크 레이아웃의 원본 패턴(10-1)은 제1 엣지(S1-1), 제2 엣지(S2-1), 및 제3 엣지(S3-1)를 포함할 수 있다. 원본 패턴(10-1)은 제1 꼭지점(1-1), 제2 꼭지점(2-1), 제3 꼭지점(3-1), 및 제4 꼭지점(4-1)을 포함할 수 있다. 제1 분할점(D1-1)이 제1 엣지(1-1) 상에서 기준점 상에 중첩하여 생성될 수 있다. 이 경우, 제1 꼭지점(1)과 제1 분할점(D1-1)을 양 끝으로 하는 엣지(C1-1)가 수정 엣지가 되고, 제1 분할점(D1)과 제2 꼭지점(2)을 양 끝으로 하는 엣지(R1-1)가 잔여 엣지가 될 수 있다.
도 3 및 도 5를 참조하면, 분할점이 기준점들과 중첩되지 않는 경우, 분할점을 그리드 스냅핑하여 수정 엣지와 잔여 엣지를 생성할 수 있다(S213).
일 실시예에 있어서, 분할점이 기준점들과 중첩되지 않은 경우에 분할점을 그리드 스냅핑하여 수정 엣지와 잔여 엣지를 생성하는 것(S213)은 분할점을 분할점과 인접한 4개의 기준점들 중 어느 하나와 중첩하도록 이동시키는 것을 포함할 수 있다. 분할점과 인접한 4개의 기준점들은 그리드(grid) 형상을 형성하는 기준점들에 의해 형성되는 사각형들 중 가장 작은 크기의 사각형을 이루는 기준점들이며, 분할점은 인접한 4개의 기준점들에 의해 형성되는 사각형 내에 위치할 수 있다. 예를 들어, 도 5에서 제1 분할점(D1)과 인접한 4개의 기준점들은 제1 기준점(a1), 제2 기준점(a2), 제3 기준점(a3), 및 제4 기준점(a4)을 포함할 수 있으며, 제1 내지 제4 기준점(a1, a2, a3, a4)을 연결하면 기준점들로 형성할 수 있는 가장 작은 크기의 사각형이 형성되며, 제1 분할점(D1)은 해당 사각형 내에 배치된다.
일 실시예에 있어서, 분할점과 인접한 4개의 기준점들 중 임의의 어느 하나와 중첩하도록 이동시키는 것은 4개의 기준점들 중 임의의 어느 하나의 기준점으로 분할점을 이동시키는 것을 포함할 수 있다. 임의의 어느 하나의 기준점은 사용자에 의해 선택될 수 있다. 또는, 임의의 어느 하나의 기준점은 미리 설정된 소정의 조건에 따라 선택될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 분할점을 분할점과 인접한 4개의 기준점들 중 어느 하나와 중첩하도록 이동시키는 것은 도 4에 도시된 순서도에 따라 수행될 수 있다.
도 7은 도 5의 P1 영역에 대한 확대도이다. 도 4 및 도 7을 참조하면, 분할점 주변의 4개의 기준점들 각각을 사선 엣지의 시작점과 연결하여 제1 내지 제4 예비선을 생성할 수 있다(S213a). 예를 들어, 사선 엣지인 제1 엣지(S1)의 시작점인 제1 꼭지점(1)과 제1 기준점(a1)을 연결하여 제1 예비선(PR1)을 생성하고, 제1 꼭지점(1)과 제2 기준점(a2)을 연결하여 제2 예비선(PR2)을 생성하고, 제1 꼭지점(1)과 제3 기준점(a3)을 연결하여 제3 예비선(PR3)을 생성하고, 및 제1 꼭지점(1)과 제4 기준점(a4)을 연결하여 제4 예비선(PR4)을 생성할 수 있다.
제1 내지 제4 예비선(PR1, PR2, PR3, PR4) 각각과 사선 엣지(또는 세그먼트)가 이루는 각도들을 계산할 수 있다(S213b). 예를 들어, 사선 엣지인 제1 엣지(S1)와 제1 예비선(PR1)이 이루는 제1 각도(θ1)를 계산하고, 제1 엣지(S1)와 제2 예비선(PR2)이 이루는 제2 각도(θ2)를 계산하고, 제1 엣지(S1)와 제3 예비선(PR3)이 이루는 제3 각도(θ3)를 계산하고, 및 제1 엣지(S1)와 제4 예비선(PR4)이 이루는 제4 각도(θ4)를 계산할 수 있다.
예비선과 사선 엣지가 이루는 각도를 계산하는 것은 예비선을 대각선으로 하는 직각 삼각형에서 직각을 이루는 두 변의 길이를 이용하여 기준선(RF)에 대한 예비선의 각도를 계산하는 것, 사선 엣지를 대각선으로 하는 직각 삼각형에서 직각을 이루는 두 변의 길이를 이용하여 기준선(RF)에 대한 사선 엣지의 각도를 계산하는 것, 및 기준선(RF)에 대한 예비선의 각도와 기준선(RF)에 대한 사선 엣지의 각도의 차이를 계산하는 것을 포함할 수 있다.
예비선을 대각선으로 하는 직각 삼각형에서 직각을 이루는 두 변의 길이를 이용하여 기준선(RF)에 대한 예비선의 각도(θP)를 계산하는 것은 다음의 식에 따른다.
[수학식 1]
Figure pat00001
여기서, Δx는 직각 삼삭형에서 직각을 이루는 두 변 중 기준선(RF)에 평행한 변의 길이를 의미하고, Δy는 직각 삼각형에서 직각을 이루는 두 변 중 기준선(RF)과 수직을 이루는 변의 길이를 의미한다. 사선 엣지와 예비선들의 양 단은 모두 기준점들 상에 배치되기 때문에 Δx 및 Δy는 당해 분야의 통상의 기술자에게 용이하게 구해질 수 있다.
직각 삼각형에서 직각을 이루는 두 변의 길이를 이용하여 기준선(RF)에 대한 사선 엣지의 각도를 계산하는 것 또한 상기 예비선의 각도를 구하는 것과 동일한 방식으로 수행될 수 있다.
예를 들어, 제1 예비선(PR1)과 제1 엣지(S1)가 이루는 제1 각도(θ1)를 구하는 것은 다음과 같다. 제1 예비선(PR1)을 대각선으로 하는 직각 삼각형에서 직각을 이루는 두 변의 길이를 이용하여 기준선(RF)에 대한 제1 예비선(RP1)의 각도(θPR1)를 계산하면 아래의 수학식 2와 같다.
[수학식 2]
Figure pat00002
제1 엣지(S1)를 대각선으로 하는 직각 삼각형에서 직각을 이루는 두 변의 길이를 이용하여 기준선(RF)에 대한 제1 엣지(S1)의 각도(θS1)를 계산하면 아래의 수학식 3과 같다.
[수학식 3]
Figure pat00003
상기과 같이 계산된 기준선(RF)에 대한 제1 예비선(PR1)의 각도(θPR1)와 기준선(RF)에 대한 제1 엣지(S1)의 각도(θS1)의 차이를 계산하여 제1 예비선(PR1)과 제1 엣지(S1)가 이루는 제1 각도(θ1)를 계산할 수 있다. 전술한 내용과 동일한 방식으로 제2 내지 제4 각도(θ2, θ3, θ4)를 계산할 수 있다.
도 4, 도 7, 및 도 8을 참조하면, 4개의 기준점들 중 사선 엣지와 각도 차이가 가장 작은 예비선의 기준점으로 분할점을 이동시킬 수 있다(S213c). 예를 들어, 제1 내지 제4 각도(θ1, θ2, θ3, θ4) 중에서는 제3 각도(θ3)가 가장 작을 수 있다. 즉, 제1 내지 제4 예비선(PR1, PR2, RP3, PR4) 중 사선 엣지인 제1 엣지(S1)와 이루는 각도가 가장 작은 것은 제3 예비선(PR3)일 수 있다. 이 경우, 제1 분할점(D1)을 제3 예비선(PR3)을 이루는 제3 기준점(a3) 상으로 이동시킬 수 있다. 즉, 제1 분할점(D1)을 제3 기준점(a3)과 중첩시킬 수 있다. 제3 기준점(a3)으로 이동된 분할점(D1')은 변경 분할점(또는, 제1 변경 분할점)으로 지칭될 수 있다.
사선 엣지의 시작점과 변경 분할점을 연결하여 수정 엣지를 생성하고, 변경 분할점과 사선 엣지의 끝점을 연결하여 잔여 엣지를 생성할 수 있다(S213d). 예를 들어, 사선 엣지인 제1 엣지(S1)의 시작점인 제1 꼭지점(1)과 변경 분할점(D1')을 연결하여 제1 수정 엣지(C1)를 생성할 수 있다. 변경 분할점(D1')과 제1 엣지(S1)의 끝점인 제2 꼭지점(2)을 연결하여 제1 잔여 엣지(R1)를 생성할 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 생성된 분할점의 개수가 미리 설정된 개수인지 판별할 수 있다(S215). 또는, 생성된 총 엣지의 수가 미리 설정된 개수인지 판별할 수 있다. 총 엣지의 수는 수정 엣지들과 잔여 엣지의 전체 수를 의미할 수 있다. 예를 들어, 총 엣지의 미리 설정된 개수가 n개인 경우, 분할점의 미리 설정된 개수는 n-1개일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 생성된 분할점의 개수가 미리 설정된 개수인 경우, 해당 사선 엣지에 대한 그리드 스냅핑을 종료할 수 있다. 예를 들어, 도 8을 참조하면, 분할점에 대한 미리 설정된 개수가 1개인 경우, 하나의 변경 분할점(D1')이 생성되었으므로 제1 엣지(S1)에 대한 그리드 스냅핑을 종료할 수 있다. 또는, 총 엣지 수에 대한 미리 설정된 개수가 2개인 경우, 제1 수정 엣지(C1)와 제1 잔여 엣지(R1)가 생성되었으므로 제1 엣지(S1)에 대한 그리드 스냅핑을 종료할 수 있다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 제1 엣지(S1)에 대해서만 도 3에 도시된 순서도에 따라 그리스 스냅핑하는 것을 설명하였으나, 제1 엣지(S1)에 대한 그리드 스냅핑 이전 또는 이후에, 또는 제1 엣지(S1)에 대한 그리드 스냅핑이 수행되는 것과 동시에 제3 엣지(S3)에 대해서도 그리드 스냅핑이 수행될 수 있다.
마스크 레이아웃이 포함하는 원본 패턴이 포함하는 사선 엣지들에 대한 그리드 스냅핑이 모두 종료되면 (예를 들어, 도 8의 수정 패턴(10')을 포함하는) 제1 수정 레이아웃이 생성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 일 실시예에 있어서, 생성된 분할점들의 개수가 미리 설정된 개수가 아닌 경우, 생성된 분할점들의 개수가 미리 설정된 개수가 될 때까지, 도 3의 순서도를 반복하는 것을 포함할 수 있다. 즉, 생성된 분할점들의 개수가 미리 설정된 개수가 될 때까지(S215), 잔여 엣지를 분할하는 분할점을 생성하는 것(S211), 잔여 엣지를 분할하는 분할점이 기준점들 중 어느 하나와 중첩되는지 판별하는 것(S212), 및 잔여 엣지를 분할하는 분할점이 기준점들 중 어느 하나와 중첩되는지 여부에 따라 수정 엣지 및 잔여 엣지를 생성(또는 구분)하는 것(S213, S214)을 반복할 수 있다.
도 3 및 도 9를 참조하면, 생성된 분할점들의 개수가 미리 설정된 개수가 아닌 경우, 잔여 엣지에 대한 분할점을 생성하는 것은(S211), 잔여 엣지의 양 단 중 하나를 시작점으로 지정하고, 다른 하나를 끝점으로 지정한 후, 시작점으로부터 소정의 길이를 갖는 세그먼트가 생성되도록 잔여 엣지 상에 분할점을 생성하는 것을 포함할 수 있다. 여기서 잔여 엣지의 시작점은 직전에 생성된 변경 분할점(제1 변경 분할점)으로 지정될 수 있다.
예를 들어, 제1 잔여 엣지(R1)에 대해서 제1 변경 분할점(D1')을 시작점으로 지정하고, 제2 꼭지점(2)을 끝점으로 지정할 수 있다. 제1 변경 분할점(D1')으로부터 소정의 길이를 갖는 세그먼트가 생성되도록 제1 잔여 엣지(R1) 상에 제2 분할점(D2)이 생성될 수 있다. 세그먼트의 양 단이 제1 변경 분할점(D1')과 제2 분할점(D2)일 수 있다. 세그먼트의 길이는 도 5에서 제1 꼭지점(1)과 제1 분할점(D1)에 의해 생성되었던 세그먼트의 길이와 동일할 수도 있고 다를 수도 있다. 예를 들어, 세그먼트의 길이는 제1 잔여 엣지(R1)의 길이와 미리 설정된 분할점의 개수 등에 따라 결정될 수 있다.
도 10은 도 9의 P2 영역에 대한 확대도이다. 도 4 및 도 10을 참조하면, 분할점 주변의 4개의 기준점들 각각을 잔여 엣지의 시작점과 연결하여 제1 내지 제4 예비선을 생성할 수 있다(S213a). 예를 들어, 제1 잔여 엣지(R1)의 시작점인 제1 변경 분할점(D1')과 제1 기준점(b1)을 연결하여 제1 예비선(PR1)을 생성하고, 제1 변경 분할점(D1')과 제2 기준점(b2)을 연결하여 제2 예비선(PR2)을 생성하고, 제1 변경 분할점(D1')과 제3 기준점(b3)을 연결하여 제3 예비선(PR3)을 생성하고, 및 제1 변경 분할점(D1')과 제4 기준점(b4)을 연결하여 제4 예비선(PR4)을 생성할 수 있다.
제1 내지 제4 예비선(PR1, PR2, PR3, RP4) 각각과 제1 잔여 엣지(또는 세그먼트)가 이루는 각도들을 계산할 수 있다(S213b). 예를 들어, 제1 잔여 엣지(R1)와 제1 예비선(PR1)이 이루는 제1 각도를 계산하고, 제1 잔여 엣지(R1)와 제2 예비선(PR2)이 이루는 제2 각도를 계산하고, 제1 잔여 엣지(R1)와 제3 예비선(PR3)이 이루는 제3 각도를 계산하고, 및 제1 잔여 엣지(R1)와 제4 예비선(PR4)이 이루는 제4 각도를 계산할 수 있다. 제1 내지 제4 각도를 계산하는 것은 도 7과 함께 설명한 제1 내지 제4 각도(θ1, θ2, θ3, θ4)를 구하는 방식과 동일한 방식으로 수행될 수 있다.
도 4, 도 10, 및 도 11을 참조하면, 4개의 기준점들 중 잔여 엣지와 각도 차이가 가장 작은 예비선의 기준점으로 분할점을 이동시킬 수 있다(S213c). 예를 들어, 제1 내지 제4 예비선(PR1, PR2, RP3, PR4) 각각이 제1 잔여 엣지(R1)와 이루는 제1 내지 제4 각도 중에서는 제1 예비선(PR1)과 제1 잔여 엣지(R1)가 이루는 제1 각도가 가장 작을 수 있다. 이 경우, 제2 분할점(D2)을 제1 예비선(PR1)을 이루는 제1 기준점(b1) 상으로 이동시킬 수 있다. 즉, 도 11과 같이, 제2 분할점(D2)을 제1 기준점(b1)과 중첩시킬 수 있다. 제1 기준점(b1)으로 이동된 분할점(D2')은 변경 분할점(또는 제2 변경 분할점)으로 지칭될 수 있다.
잔여 엣지의 시작점과 변경 분할점을 연결하여 수정 엣지를 생성하고, 변경 분할점과 잔여 엣지의 끝점을 연결하여 잔여 엣지를 생성할 수 있다(S213d). 예를 들어, 제1 잔여 엣지(R1)의 시작점(즉, 제1 변경 분할점(D1'))과 제2 변경 분할점(D2')을 연결하여 제2 수정 엣지(C2)를 생성할 수 있다. 제2 변경 분할점(D2')과 제1 잔여 엣지(R1)의 끝점인 제2 꼭지점(2)을 연결하여 제2 잔여 엣지(R2)를 생성할 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 생성된 분할점의 개수가 미리 설정된 개수인지 판별할 수 있다(S215). 일 실시예에 있어서, 생성된 분할점의 개수가 미리 설정된 개수인 경우, 해당 사선 엣지(또는 잔여 엣지)에 대한 그리드 스냅핑을 종료할 수 있다. 도 11을 참조하면, 예를 들어, 분할점에 대한 미리 설정 된 개수가 2개인 경우, 2개의 분할 변경점(D1', D2')이 생성되었으므로 제1 엣지(S1)에 대한 그리드 스냅핑을 종료할 수 있다.
마스크 레이아웃이 포함하는 원본 패턴이 포함하는 사선 엣지들에 대산 그리드 스냅핑이 모두 종료되면 제1 수정 레이아웃이 생성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 생성된 분할점들의 개수가 미리 설정된 개수가 아닌 경우(S215), 다시 S211, S212, 및 S213 단계 또는 S211, S212, 및 S214 단계를 수행할 수 있다. 도 3, 도 11 및 12을 참조하면, 예를 들어, 생성된 분할점들의 개수가 미리 설정된 개수가 아닌 경우, 제2 잔여 엣지(R2)에 대해 S211, S212, 및 S213 단계를 수행하여 변경 분할점(D3')을 생성하고, 제3 수정 엣지(C3) 및 제3 잔여 엣지(R2)를 생성할 수 있다.
도 13에서는, 제3 엣지(S3)에 대해서도 그리드 스냅핑이 완료된 것을 도시한다. 원본 패턴(10)이 포함하는 모든 사선 엣지들에 대한 그리드 스냅핑이 완료된 경우에 제1 수정 레이아웃이 생성될 수 있다. 예를 들어, 도 13의과 같이 사선 엣지들(제1 엣지(S1) 및 제3 엣지(S3))에 대한 그리드 스냅핑이 완료되어 수정 패턴(10')이 생성됨에 따라 수정 패턴(10')을 포함하는 제1 수정 레이아웃이 생성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 수정 레이아웃을 생성하는 것(S210)은 사선 엣지 외의 다른 엣지들에 대해서 분할점들을 생성하는 것을 더 포함할 수 있다. 사선 엣지 외의 다른 엣지들이란 기준선(RF)에 대해 0도, 45도 또는 90도를 이루는 엣지들을 의미할 수 있다. 예를 들어, 도 13에서는, 제2 엣지(S2)에 대해 분할점들(DS1, DS2)을 생성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 분할점들(DS1, DS2)은 기준점들 상에 위치할 수 있다.
도 14는 도2의 S220 단계를 설명하기 위한 순서도이다. 도 15 내지 도 19는 도 14를 설명하기 위한 개념도들이다.
도 2 및 도 14를 참조하면, 제1 수정 레이아웃을 생성하는 것(S210) 이후에, 제1 수정 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 통해 제2 수정 레이아웃을 생성할 수 있다(S220). 제1 수정 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 통해 제2 수정 레이아웃을 생성하는 것(S220)은 기준선과 0도 또는 90도를 이루면서 수정 엣지 또는 잔여 엣지와 이루는 각이 최소인 직선에 대한 법선 방향으로 수정 엣지 또는 잔여 엣지를 이동시키는 것(S221) 및 연결선을 생성하는 것(S222)을 포함할 수 있다.
수정 엣지 또는 잔여 엣지를 이동시키는 것(S221)은 수정 엣지 또는 잔여 엣지의 양 단이 기준점들 상에 위치하면서 이동하는 것일 수 있다. 즉, 수정 엣지 또는 잔여 엣지의 양 단은 광 근접 보정(OPC)에 의해 이동하더라도 기준점들 상에 위치할 수 있다. 또한, 수정 엣지 또는 잔여 엣지는 기준선(RF)에 대한 각도가 유지되면서 이동될 수 있다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 예를 들어, 수정 패턴(10')을 포함하는 제1 수정 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 수행하는 것은 제1 수정 엣지(C1)를 기준선(RF)과 0도 또는 90도를 이루면서 제1 수정 엣지(C1)와 이루는 각이 최소인 제1 직선(v1)에 대한 법선 방향(vr)으로 이동시켜 제1 이동 수정 엣지(C1')를 생성하는 것을 포함할 수 있다. 제1 이동 수정 엣지(C1')의 양 단은 기준점들 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 제1 수정 엣지(C1)가 이동되는 거리는 광 근접 보정(OPC)이 수행되지 않은 마스크 레이아웃을 이용하여 마스크를 제조하고 반도체 장치를 제조하였을 때 마스크 레이아웃의 패턴들이 웨이퍼 상에 정확하게 전사되지 못하여 발생하는 오차에 따라 결정될 수 있다. 도 16에서는 제1 수정 엣지(C1)가 기준점들 간의 최소 거리만큼 이동하는 것으로 도시하였으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 수정 엣지(C1)는 각도가 유지되면서 이동되므로, 제1 수정 엣지(C1)와 제1 이동 수정 엣지(C1')는 서로 평행할 수 있다.
도 17에서는, 도 14의 S221에 따라 제2 수정 엣지(C2), 제3 수정 엣지(C3) 및 제3 잔여 엣지(R3)를 각각 이동시켜, 제2 이동 수정 엣지(C2'), 제3 이동 수정 엣지(C3') 및 이동 잔여 엣지(R3')를 생성한 것을 도시한다. 예를 들어, 제2 수정 엣지(C2)는 기준선(RF)과 0도 또는 90도를 이루면서 제2 수정 엣지(C2)와 이루는 각이 최소인 제2 직선(v2)에 대한 법선 방향(vr)으로 이동되어 제2 이동 수정 엣지(C2')가 생성될 수 있다.
도 14, 도 17 및 도 18을 참조하면, 수정 엣지들 및 잔여 엣지들에 대한 이동이 완료된 이후에, 연결선을 생성할 수 있다(S222). 인접한 수정 엣지들 간의 이동 거리가 다른 경우, 이동 수정 엣지들이 서로 연결되지 않고 서로 이격될 수 있다. 또한, 인접한 수정 엣지와 잔여 엣지 간의 이동 거리가 다를 경우, 이동 수정 엣지와 이동 잔여 엣지가 서로 연결되지 않고 이격될 수 있다. 예를 들어, 도 17에 도시된 것과 같이, 제1 이동 수정 엣지(C1')와 제2 이동 수정 엣지(C2')가 서로 이격될 수 있다. 이 경우, 제1 이동 수정 엣지(C1')와 제2 이동 수정 엣지(C2')를 연결하는 연결선(h1)을 생성할 수 있다. 연결선(h1)은 제1 이동 수정 엣지(C1')의 끝점과 제2 이동 수정 엣지(C2')의 시작점을 연결할 수 있다. 연결선(h1)은 제1 수정 엣지(C1)의 이동 방향 또는 제2 수정 엣지(C2)의 이동 방향을 따라 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 잔여 엣지들에 대한 이동이 완료된 이후에, 잔여 엣지들과 인접한 주변 엣지들이 서로 연결되지 않고 이격될 수 있다. 예를 들어, 도 17과 같이, 이동 잔여 엣지(R3')와 제2 엣지(S2)가 서로 연결되지 않고 이격될 수 있다. 이 경우, 도 18에 도시된 것과 같이 이동 잔여 엣지(R3')와 제2 엣지(S2)를 연결하는 연결선(h1)을 생성할 수 있다. 연결선(h1)은 이동 잔여 엣지(R3')의 끝점과 제2 엣지(S2)의 시작점(즉, 제2 꼭지점(2))을 연결할 수 있다. 연결선(h1)은 이동 잔여 엣지(R3')의 끝점과 제2 엣지(S2)의 끝점(즉, 제3 꼭지점(3))을 연결할 수 있다.
연결선들(h1)의 생성에 의해 수정 패턴(10')은 폐쇄된 폴리곤이 될 수 있다. (도면 도시의 편의상 수정 패턴(10')의 하부를 도시하지 않았기 때문에 수정 패턴(10')이 개방된 것처럼 도시되었으나, 수정 패턴(10') 전체를 도시하면 수정 패턴(10')은 폐쇄된 폴리곤일 수 있다.) 연결선들(h1)의 생성에 의해 폐쇄된 폴리곤인 수정 패턴(20)이 형성됨으로써, 제2 수정 레이아웃이 생성될 수 있다.
도 2, 도 17 및 도 19를 참조하면, 제1 수정 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 통해 제2 수정 레이아웃을 생성하는 것(S200)은 사선 엣지가 아닌 엣지들이 포함하는 세그먼트들을 이동시키는 것을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 꼭지점(2)과 분할점(DS1)을 양 단으로 하는 제1 세그먼트, 분할점들(DS1, DS2)을 각각 양 단으로 하는 제2 세그먼트, 및 분할점(DS2)과 제3 꼭지점(3)을 양 단으로 하는 제3 세그먼트가 각각 이동될 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 세그먼트는 각각에 대한 법선 방향으로 이동할 수 있다. 도 19에서는 제2 엣지(S2)의 세그먼트들이 모두 동일한 간격으로 이동되어 하나의 이동 엣지(S2')가 생성된 것을 도시하였으나, 이에 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 제1 내지 제3 세그먼트 중 적어도 하나는 나머지와 다른 간격으로 이동될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 수정 엣지들과 잔여 엣지들이 이동되고, 사선 엣지가 아닌 엣지들이 포함하는 세그먼트들까지 이동이 완료된 후에, 이동 엣지(또는 이동된 세그먼트)가 인접한 수정 엣지 또는 인접한 잔여 엣지와 이격되어 폐쇄된 폴리곤이 형성되지 않는 경우, 이동 엣지(또는 이동된 세그먼트)와 인접한 수정 엣지 또는 인접한 잔여 엣지를 연결하는 연결선을 생성할 수 있다. 또는, 인접한 세그먼트들이 서로 연결되지 않아 폐쇄된 폴리곤이 형성되지 않는 경우, 인접한 세그먼트들 연결하는 연결선을 생성할 수 있다. 연결선을 생성함으로써 폐쇄된 폴리곤을 형성할 수 있다.
예를 들어, 도 19를 참조하면, 이동 잔여 엣지(R3')와 이동 엣지(S2')가 서로 연결되지 않는 경우, 연결선(h2)을 생성할 수 있다. 연결선(h2)의 생성에 의해 폐쇄된 폴리곤이 생성되어 수정 패턴(30)을 포함하는 제2 수정 레이아웃이 생성될 수 있다. 다만, 도 19에서 도시된 연결선(h2)은 일 실시예일뿐이며, 이동 잔여 엣지(R3')와 이동 엣지(S2)를 연결하는 방법은 다양할 수 있다. 예를 들어, 이동 잔여 엣지(R3')와 이동 엣지(S2)를 연결하는 방법은 종래에 알려진 광 근접 보정 방법(OPC)에서 사용되었던 코너 처리 방법에 따라 수행될 수 있다.
도 1을 다시 참조하면, 마스크를 제조하는 것(S300)은 상기와 같은 과정을 통해 생성된 제2 수정 레이아웃을 이용하여 마스크를 형성하는 것일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 본 개시의 패턴 레이아웃 설계 방법은 마스크 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 수행하기 이전에(S200), 기준점들의 간격을 다운 스케일링 하는 것을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 기준점들의 간격은 패턴의 크기, 패턴들의 간격 및/또는 엣지가 분할되어 생성되는 세그먼트의 크기 등에 따라 결정될 수 있다.
도 20은 본 개시의 패턴 레이아웃 설계 방법을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템을 나타내는 개략도이다.
도 20을 참조하면, 컴퓨터 시스템(500)은 다양한 데이터를 처리하는 제어부(570)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제어부(570)는 시뮬레이션부(510), 그리드 스냅핑부(520), 및 보정부(530)를 포함할 수 있다. 시뮬레이션부(510)는 그리드(grid) 형상의 기준점들을 포함하는 그리드 레이아웃 상에 마스크 레이아웃의 패턴, 제1 수정 레이아웃의 패턴, 및/또는 제2 수정 레이아웃의 패턴을 제공할 수 있다. 그리드 스냅핑부(520)는 마스크 레이아웃의 사선 엣지에 대한 그리드 스냅핑을 수행하여 제1 수정 레이아웃을 생성할 수 있다. 보정부(530)는 제1 수정 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 통해 제2 수정 레이아웃을 생성할 수 있다.
컴퓨터 시스템(500)은 다양한 데이터를 저장할 수 있는 저장 장치(540)를 더 포함할 수 있다. 저장 장치(540)는 하드디스크 및/또는 비휘발성 반도체 기억 소자(예를 들어, 플래쉬 메모리 소자, 상변화 기억 소자, 및/또는 자기 기억 소자 등)을 포함할 수 있다. 컴퓨터 시스템(500)은 입출력부(I/O, 550) 및 인터페이스부(560)를 더 포함할 수 있다. 입출력부(550)는 키보드(keyboard), 키패드(keypad), 및/또는 디스플레이 장치(display device)를 포함할 수 있다. 외부로부터 제공되는 다양한 데이터는 인터페이스부(560)를 통해 컴퓨터 시스템(500)으로 전달될 수 있고, 컴퓨터 시스템(500)에 의해 처리된 다양한 데이터도 인터페이스부(560)를 통해 외부로 전달될 수 있다. 인터페이스부(560)는 유선 요소, 무선 요소, 및/또는 USB(universal serial bus) 포트 등을 포함할 수 있다. 제어부(570), 저장 장치(540), 입출력부(I/O, 550), 및 인터페이스부(560)는 데이터 버스(data bus)를 통하여 서로 결합될 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해하여야 한다.
1, 2, 3, 4: 제1 내지 제4 꼭지점
10: 원본 패턴
20, 30: 수정 패턴
S1, S2, S3: 제1 내지 제3 엣지

Claims (10)

  1. 그리드 레이아웃 상에 설계된 마스크 레이아웃의 사선 엣지에 대한 그리드 스냅핑을 통해 제1 수정 레이아웃을 생성하는 것; 및
    상기 제1 수정 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 수행하여 제2 수정 레이아웃을 생성하는 것을 포함하되,
    상기 제1 수정 레이아웃을 생성하는 것은,
    상기 사선 엣지를 분할하는 제1 분할점을 생성하는 것;
    상기 제1 분할점이 기준점들 중 어느 하나와 중첩되는지 판별하는 것;
    상기 제1 분할점이 상기 기준점들과 중첩되지 않는 경우, 상기 제1 분할점을 그리드 스냅핑하여 제1 수정 엣지 및 제1 잔여 엣지를 생성하는 것;
    생성된 분할점의 개수가 미리 설정된 개수인지 판별하는 것;
    생성된 분할점의 개수가 미리 설정된 개수가 아닌 경우, 상기 제1 잔여 엣지를 분할하는 제2 분할점을 생성하는 것;
    상기 제2 분할점이 상기 기준점들 중 어느 하나와 중첩되는지 판별하는 것; 및
    상기 제2 분할점이 상기 기준점들과 중첩되지 않는 경우, 상기 제2 분할점을 그리드 스냅핑하여 제2 수정 엣지 및 제2 잔여 엣지를 생성하는 것을 포함하는 패턴 레이아웃 설계 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 그리드 레이아웃은 그리드(grid) 형상으로 배열되는 상기 기준점들을 포함하며, 상기 마스크 레이아웃이 포함하는 상기 사선 엣지의 시작점과 끝점은 각각 상기 기준점들에 중첩되는, 패턴 레이아웃 설계 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 그리드 레이아웃은 상기 기준점들을 통과하면서 제1 방향으로 연장되는 기준선을 포함하고,
    상기 사선 엣지는 상기 기준선에 대해 0도, 45도, 및 90도를 이루지 않는, 패턴 레이아웃 설계 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 분할점을 그리드 스냅핑하는 것은,
    상기 제1 분할점을 상기 제1 분할점과 인접한 4개의 기준점들 중 어느 하나로 이동시키는 것을 포함하는, 패턴 레이아웃 설계 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 분할점을 그리드 스냅핑 하는 것은,
    상기 제1 분할점과 인접한 4개의 기준점들 각각을 상기 사선 엣지의 시작점과 연결하여 제1 내지 제4 예비선을 생성하는 것; 및
    상기 제1 내지 제4 예비선 각각과 상기 사선 엣지가 이루는 각도들을 계산하는 것을 포함하는, 패턴 레이아웃 설계 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 분할점을 상기 제1 분할점과 인접한 4개의 기준점들 중 어느 하나로 이동시키는 것은,
    상기 4개의 기준점들 중 사선 엣지와 이루는 각도가 가장 작은 예비선의 기준점으로 상기 제1 분할점을 이동시키는 것을 포함하는, 패턴 레이아웃 설계 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 분할점이 상기 기준점들과 중첩되는 경우, 상기 제1 분할점을 기준으로 제1 수정 엣지 및 제1 잔여 엣지를 구분하는 것을 포함하는, 패턴 레이아웃 설계 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 생성된 분할점의 개수가 미리 설정된 개수인 경우 상기 제1 수정 레이아웃이 생성되어 상기 제2 수정 레이아웃을 생성하는 것으로 이동하며, 상기 제1 수정 레이아웃은 상기 제1 수정 엣지 및 상기 제1 잔여 엣지를 포함하는, 패턴 레이아웃 설계 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 수정 레이아웃을 생성하는 것은,
    상기 기준점들을 통과하면서 제1 방향으로 연장되는 기준선과 0도 또는 90도를 이루면서 상기 제1 수정 엣지와 이루는 각이 최소인 제1 직선에 대한 법선 방향으로 상기 제1 수정 엣지를 이동시키되, 상기 제1 수정 엣지의 각도를 유지하며,
    상기 기준선과 0도 또는 90도의 각을 이루면서 상기 제1 잔여 엣지와 이루는 각이 최소인 제2 직선에 대한 법선 방향으로 상기 제1 잔여 엣지를 이동시키되, 상기 제1 잔여 엣지의 각도를 유지하는, 패턴 레이아웃 설계 방법.
  10. 마스크 레이아웃을 디자인 하는 것;
    마스크 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 수행하여 수정 레이아웃을 생성하는 것;
    상기 수정 레이아웃을 이용하여 마스크를 제조하는 것; 및
    상기 마스크를 이용하여 반도체 장치를 제조하는 것을 포함하되,
    상기 수정 레이아웃을 생성하는 것은,
    그리드 레이아웃 상에 설계된 마스크 레이아웃의 사선 엣지에 대한 그리드 스냅핑을 통해 제1 수정 레이아웃을 생성하는 것; 및
    상기 제1 수정 레이아웃에 대한 광 근접 보정(OPC)을 수행하여 제2 수정 레이아웃을 생성하는 것을 포함하며,
    상기 제1 수정 레이아웃을 생성하는 것은,
    상기 사선 엣지 또는 잔여 엣지에 대한 제1 분할점을 생성하는 것; 및
    상기 제1 분할점을 인접한 4개의 기준점들 중 어느 하나 상으로 이동시켜 제1 변경 분할점을 생성하는 것을 포함하는, 반도체 장치 제조 방법.
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