KR20230016732A - 전자 장치 - Google Patents

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KR20230016732A
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최재욱
김윤호
김철
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

일 실시예에 따른 전자 장치는 표시 패널, 상기 표시 패널 상에 배치되고, 복수의 감지 전극들 및 상기 복수의 감지 전극들에 연결된 복수의 감지 라인들을 포함하는 입력 센서 및 상기 입력 센서를 구동하고, 상기 입력 센서에 수신된 입력의 종류를 기초로 제어 신호를 생성하는 구동 회로를 포함하고, 상기 복수의 감지 라인들은, 상기 복수의 감지 전극들 중 서로 인접한 감지 전극들을 일단에서 서로 전기적으로 연결하는 제1 감지 라인 및 상기 일단과 반대되는 타단에서 상기 인접한 감지 전극들 중 적어도 하나의 감지 전극을 상기 구동 회로에 연결하고, 나머지 감지 전극들을 상기 제어 신호를 기초로 상기 구동 회로 또는 기준 전위에 선택적으로 연결하는 제2 감지 라인을 포함한다.

Description

전자 장치 {ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 전자 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 센싱 감도가 향상된 전자 장치에 관한 것이다.
텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 내비게이션, 게임기 등과 같은 멀티미디어 전자 장치들은 영상을 표시하기 위한 전자 장치를 구비한다. 전자 장치들은 버튼, 키보드, 마우스 등의 통상적인 입력 방식 외에 사용자가 손쉽게 정보 혹은 명령을 직관적이고 편리하게 입력할 수 있도록 해주는 터치 기반의 입력 방식을 제공할 수 있는 입력 센서를 구비할 수 있다.
입력 센서는 사용자의 신체를 이용한 터치나 압력을 감지할 수 있다. 한편 필기구를 이용한 정보 입력이 익숙한 사용자 또는 특정 응용 프로그램(예를 들면, 스케치 또는 드로잉을 위한 응용 프로그램)을 위한 세밀한 터치 입력을 위한 펜의 사용 요구가 증가하고 있다.
본 발명은 센싱 감도가 향상된 전자 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 감지 전극의 일부를 특정 기준 전압으로 바이어스(bias)하여 입력 센서에 흐르는 유도 전류의 크기가 저항에 따라 감쇄되는 것을 감소시키는 것을 목적으로 한다.
일 실시예에 따른 전자 장치는 표시 패널, 상기 표시 패널 상에 배치되고, 복수의 감지 전극들 및 상기 복수의 감지 전극들에 연결된 복수의 감지 라인들을 포함하는 입력 센서 및 상기 입력 센서를 구동하고, 상기 입력 센서에 수신된 입력의 종류를 기초로 제어 신호를 생성하는 구동 회로를 포함하고, 상기 복수의 감지 라인들은, 상기 복수의 감지 전극들 중 서로 인접한 감지 전극들을 일단에서 서로 전기적으로 연결하는 제1 감지 라인 및 상기 일단과 반대되는 타단에서 상기 인접한 감지 전극들 중 적어도 하나의 감지 전극을 상기 구동 회로에 연결하고, 나머지 감지 전극들을 상기 제어 신호를 기초로 상기 구동 회로 또는 기준 전위에 선택적으로 연결하는 제2 감지 라인을 포함한다.
상기 구동 회로는 상기 입력이 사용자의 터치에 해당하는 경우 제1 제어 신호를 생성하고, 상기 입력이 입력 장치를 포함하는 입력 장치에 해당하는 경우 제2 제어 신호를 생성할 수 있다.
상기 제2 감지 라인은 상기 제1 제어 신호가 수신되면 상기 나머지 감지 전극들을 상기 구동 회로와 연결하고, 상기 제2 제어 신호가 수신되면 상기 나머지 감지 전극들을 상기 기준 전위에 연결할 수 있다.
상기 입력 센서는 상기 표시 패널 상에 직접 배치될 수 있다.
상기 입력 센서는 상기 인접한 감지 전극들로 각각 구성된 복수의 감지 전극 그룹들을 포함하고, 상기 복수의 감지 전극 그룹들 각각은 상기 인접한 감지 전극들, 상기 제1 감지 라인 및 상기 제2 감지 라인으로 정의되는 폐루프를 형성할 수 있다.
상기 입력 센서는 복수의 감지 단위들을 포함하고, 상기 감지 전극 그룹들 각각은 상기 복수의 감지 단위들에 각각 배치될 수 있다.
상기 복수의 감지 전극 그룹들은 각각이 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열되는 제1 감지 전극 그룹들 및 상기 제1 방향으로 배열되고 각각이 상기 제2 방향으로 연장되는 제2 감지 전극 그룹들을 포함할 수 있다.
상기 복수의 감지 단위들은 상기 제1 감지 전극 그룹들과 상기 제2 감지 전극 그룹들이 교차하는 영역으로 정의될 수 있다.
상기 제1 감지 전극 그룹들 각각은 n개의 인접한 감지 전극들을 포함하고, 상기 제2 감지 전극 그룹들 각각은 m개의 인접한 감지 전극들을 포함할 수 있다.
상기 n과 상기 m은 동일한 자연수일 수 있다.
상기 제2 감지 라인은 스위치 모듈을 포함하고, 상기 스위치 모듈은 상기 제어 신호를 수신하고 수신된 상기 제어 신호를 기초로 상기 구동 회로 또는 기준 전위와 선택적으로 연결될 수 있다.
상기 구동 회로가 배치되고 상기 입력 센서에 연결된 연성회로기판을 더 포함하고, 상기 스위치 모듈은 상기 연성회로기판 상에 배치될 수 있다.
상기 표시 패널은 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하고, 상기 입력 센서는 상기 표시 영역에 대응하는 감지 영역 및 상기 비표시 영역에 대응하는 주변 영역을 포함하며, 상기 복수의 감지 전극들은 상기 감지 영역에 배치되고 상기 복수의 감지 라인들은 상기 주변 영역에 배치될 수 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치는 표시 패널, 상기 표시 패널 상에 배치되고, 복수의 감지 전극들 및 상기 복수의 감지 전극들에 연결된 복수의 감지 라인들을 포함하는 입력 센서 및 상기 입력 센서를 구동하고, 상기 입력 센서에 수신된 입력의 종류를 기초로 제1 제어 신호 또는 제2 제어 신호를 생성하는 구동 회로를 포함하고, 상기 복수의 감지 라인들은, 상기 복수의 감지 전극들 중 서로 인접한 제1 감지 전극 및 제2 감지 전극을 일단에서 서로 전기적으로 연결하는 제1 감지 라인 및 상기 일단과 반대되는 타단에서 상기 제1 감지 전극을 상기 구동 회로와 연결하고, 상기 제1 제어 신호가 수신되면 상기 제2 감지 전극을 상기 구동 회로에 연결하고 상기 제2 제어 신호가 수신되면 상기 제2 감지 전극을 기준 전위에 연결하는 스위치 모듈을 포함하는 제2 감지 라인을 포함한다.
상기 구동 회로는 상기 입력이 사용자의 터치에 해당하는 경우 상기 제1 제어 신호를 생성하고, 상기 입력이 입력 장치를 포함하는 입력 장치에 해당하는 경우 상기 제2 제어 신호를 생성할 수 있다.
상기 입력 센서는 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극을 각각 포함하는 복수의 감지 전극 그룹들을 포함하고, 상기 복수의 감지 전극 그룹들은 각각이 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열되는 제1 감지 전극 그룹들 및 상기 제1 방향으로 배열되고 각각이 상기 제2 방향으로 연장되는 제2 감지 전극 그룹들을 포함할 수 있다.
상기 입력 센서는 상기 제1 감지 전극 그룹들과 상기 제2 감지 전극 그룹들이 교차하는 영역으로 각각 정의되는 복수의 감지 단위들을 포함할 수 있다.
상기 복수의 감지 전극 그룹들 각각은 상기 제1 감지 라인 및 상기 제2 감지 라인에 의해 정의되는 폐루프를 형성할 수 있다.
상기 입력 센서에는 상기 복수의 감지 전극들이 배치된 감지 영역 및 상기 감지 영역에 인접한 주변 영역이 정의되고, 상기 스위치 모듈은 상기 입력 센서의 상기 주변 영역 또는 상기 구동 회로가 배치된 회로 기판 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치는 표시 패널, 상기 표시 패널 상에 배치되고 감지 전극 및 상기 감지 전극에 연결된 감지 라인을 포함하는 입력 센서 및 상기 입력 센서를 구동하는 구동 회로를 포함하고, 상기 감지 전극은 서로 인접한 제1 감지 전극 및 제2 감지 전극을 포함하고, 상기 감지 라인은, 상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 중 어느 하나를 상기 구동 회로와 연결시키는 제1 감지 라인 및 상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 중 다른 하나를 상기 구동 회로 또는 기준 전위에 선택적으로 연결시키는 제2 감지 라인을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 감지 전극의 일부를 특정 기준 전압으로 바이어스(bias)하여, 입력 센서에 흐르는 유도 전류의 크기가 저항에 따라 감쇄되는 것을 감소시키고 입력 센서의 센싱 감도를 향상시킬 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈의 단면도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 평면도이다.
도 5b 내지 도 5d는 도 5a에 도시된 감지 단위 내의 감지 전극들을 확대하여 보여주는 도면들이다.
도 5e 및 도 5f는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 평면도를 입력 장치와 함께 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치의 블록도이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 라인들을 보여주는 도면들이다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 동작을 나타내는 도면들이다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 감지 라인들을 보여주는 도면들이다.
도 11a 내지 도 11c는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 감지 전극들 및 감지 라인들을 보여주는 도면들이다.
도 12a 및 도 12d는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 감지 전극들 및 감지 라인들을 보여주는 도면들이다.
도 13은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 감지 전극들 및 감지 라인들을 보여주는 도면들이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도들이다. 도 1a는 전자 장치(ED)의 펼쳐진 상태(또는 언폴딩 상태)를, 도 1b는 전자 장치(ED)의 폴딩 상태를 도시하였다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 전자 장치(ED)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(ED)는 휴대폰, 폴더블 휴대폰, 태블릿, 자동차 내비게이션, 게임기, 또는 웨어러블 장치일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 도 1a 및 도 1b에서는 전자 장치(ED)가 폴더블 휴대폰인 것을 예시적으로 도시하였으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 실시예에 따른 전자 장치(ED)는 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)이 정의하는 표시면(DS)을 포함할 있다. 전자 장치(ED)는 표시면(DS)을 통해 이미지(IM)를 사용자에게 제공할 수 있다.
표시면(DS)은 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA) 주변의 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 이미지(IM)를 표시하고, 비표시 영역(NDA)은 이미지(IM)를 표시하지 않을 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 에워쌀 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 표시 영역(DA)의 형상과 비표시 영역(NDA)의 형상은 변형될 수 있다.
이하, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면과 실질적으로 수직하게 교차하는 방향은 제3 방향(DR3)으로 정의된다. 또한, 본 명세서에서 "평면 상에서"는 제3 방향(DR3)에서 바라본 상태로 정의될 수 있다.
전자 장치(ED)는 폴딩 영역(FA, 또는 폴더블 영역) 및 복수 개의 비폴딩 영역들(NFA1, NFA2)을 포함할 수 있다. 비폴딩 영역들(NFA1, NFA2)은 제1 비폴딩 영역(NFA1) 및 제2 비폴딩 영역(NFA2)을 포함할 수 있다. 폴딩 영역(FA)은 제1 비폴딩 영역(NFA1) 및 제2 비폴딩 영역(NFA2) 사이에 배치될 수 있다. 제1 비폴딩 영역(NFA1), 폴딩 영역(FA), 및 제2 비폴딩 영역(NFA2)은 제2 방향(DR2)을 따라 순차적으로 전자 장치(ED)에 정의될 수 있다.
도 1b에 도시된 것과 같이, 폴딩 영역(FA)은 제1 방향(DR1)에 평행한 폴딩축(FX)을 기준으로 폴딩될 수 있다. 폴딩 영역(FA)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장할 수 있다. 폴딩 영역(FA)은 소정의 곡률 및 곡률반경을 갖도록 폴딩될 수 있다. 제1 비폴딩 영역(NFA1) 및 제2 비폴딩 영역(NFA2)은 서로 마주보고, 전자 장치(ED)는 표시면(DS)이 외부에 노출되지 않도록 인-폴딩(inner-folding)될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 전자 장치(ED)는 표시면(DS)이 외부에 노출되도록 아웃-폴딩(outer-folding)될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 전자 장치(ED)는 펼침 동작으로부터 인-폴딩 또는 아웃-폴딩 동작이 상호 반복되도록 구성될 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 본 발명의 일 실시예에서 전자 장치(ED)는 펼침 동작, 인-폴딩 동작, 및 아웃-폴딩 동작 중 어느 하나를 선택할 수 있도록 구성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 2를 참조하면, 전자 장치(ED)는 표시 장치(DD), 전자 모듈(EM), 전원 모듈(PSM) 및 케이스(EDC1, EDC2)를 포함할 수 있다. 별도로 도시하지 않았으나, 전자 장치(ED)는 표시 장치(DD)의 폴딩 동작을 제어하기 위한 기구 구조물을 더 포함할 수 있다.
표시 장치(DD)는 이미지를 생성하고 외부입력을 감지한다. 표시 장치(DD)는 윈도우 모듈(WM) 및 표시 모듈(DM)을 포함한다. 윈도우 모듈(WM)은 전자 장치(ED)의 전면을 제공한다.
표시 모듈(DM)은 적어도 표시 패널(DP)을 포함할 수 있다. 도 2에서 표시 모듈(DM)은 표시 패널(DP)과 동일한 것으로 도시하였으나, 실질적으로 표시 모듈(DM)은 복수 개의 구성이 적층된 적층 구조물일 수 있다. 표시 모듈(DM)의 적층 구조에 대한 상세한 설명은 후술한다.
표시 패널(DP)은 전자 장치(ED)의 표시 영역(DA, 도 1a 참조) 및 비표시 영역(NDA, 도 1a 참조)에 대응하는 표시 영역(DP-DA) 및 비표시 영역(DP-NDA)을 포함한다. 본 명세서에서 “영역/부분과 영역/부분이 대응한다”는 것은 중첩한다는 것을 의미하며 동일한 면적으로 제한되지 않는다. 표시 모듈(DM)은 비표시 영역(DP-NDA) 상에 배치된 구동칩(DIC)을 포함할 수 있다. 표시 모듈(DM)은 비표시 영역(DP-NDA)에 결합된 연성회로기판(FCB)을 더 포함할 수 있다.
구동칩(DIC)은 표시 패널(DP)의 화소를 구동하기 위한 구동 소자들 예를 들어, 데이터 구동회로를 포함할 수 있다. 도 2에서는 구동칩(DIC)이 표시 패널(DP) 상에 실장된 구조를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 구동칩(DIC)은 연성회로기판(FCB) 상에 실장될 수도 있다.
전자 모듈(EM)은 적어도 메인 구동부를 포함한다. 전자 모듈(EM)은 무선통신모듈, 카메라모듈, 근접센서모듈, 영상입력모듈, 음향입력모듈, 음향출력모듈, 메모리, 및 외부 인터페이스모듈 등을 포함할 수 있다. 전자 모듈(EM)은 전원 모듈(PSM)과 전기적으로 연결된다.
메인 구동부(또는 메인 컨트롤러)는 전자 장치(ED)의 전반적인 동작을 제어한다. 예를 들어 메인 구동부는 사용자 입력에 부합하게 표시 장치(DD)를 활성화 시키거나, 비활성화 시킨다. 메인 구동부는 표시 장치(DD) 및 다른 모듈들의 동작을 제어할 수 있다. 메인 구동부는 적어도 하나의 마이크로 프로세서를 포함할 수 있다.
케이스(EDC1, EDC2)는 표시 모듈(DM), 전자 모듈(EM), 및 전원 모듈(PSM)을 수용한다. 서로 분리된 2개의 케이스(EDC1, EDC2)를 예시적으로 도시하였으나 이에 제한되지 않는다. 미-도시하였으나, 전자 장치(ED)는 2개의 케이스(EDC1, EDC2)를 연결하기 위한 힌지 구조물을 더 포함할 수 있다. 케이스(EDC1, EDC2)는 윈도우 모듈(WM)과 결합될 수 있다. 케이스(EDC1, EDC2)는 표시 모듈(DM), 전자 모듈(EM), 및 전원 모듈(PSM) 등 케이스(EDC1, EDC2)에 수용된 구성들을 보호한다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈의 단면도이다.
도 3a를 참조하면, 표시 모듈(DM)은 표시 패널(DP), 표시 패널(DP) 위에 배치된 광학 필름(LF), 및 표시 패널(DP) 아래에 배치된 하측 부재(LM)를 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 표시 패널(DP) 및 표시 패널(DP) 위에 배치된 입력 센서(IS)를 포함할 수 있다. 상기 부재들 사이에는 필요에 따라 접착층이 배치될 수 있다.
표시 패널(DP)은 영상을 실질적으로 생성하는 구성일 수 있다. 표시 패널(DP)은 발광형 표시층일 수 있으며, 예를 들어, 표시 패널(DP)은 유기발광 표시층, 퀀텀닷 표시층, 마이크로 엘이디 표시층, 또는 나노 엘이디 표시층일 수 있다.
입력 센서(IS)는 표시 패널(DP) 위에 배치될 수 있다. 입력 센서(IS)는 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 입력 센서(IS)는 표시 패널(DP)에 부착된 외장형 센서일 수도 있고, 입력 센서(IS)는 표시 패널(DP)의 제조 공정 중에 연속하여 형성된 일체형 센서일 수 있다.
광학 필름(LF)은 외부로부터 입사된 광의 반사율을 낮출 수 있다. 광학 필름(LF)은 위상 지연자(retarder) 및/또는 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 광학 필름(LF)은 적어도 편광필름을 포함할 수 있다.
또는, 광학 필름(LF)은 컬러필터들을 포함할 수 있다. 컬러필터들은 소정의 배열을 가질 수 있다. 표시 패널(DP)에 포함된 화소들(PX)의 발광 컬러들을 고려하여 컬러필터들의 배열이 결정될 수 있다. 또한, 광학 필름(LF)은 컬러필터들에 인접한 블랙매트릭스를 더 포함할 수 있다.
또는, 광학 필름(LF)은 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 예컨대, 상쇄간섭 구조물은 서로 다른 층 상에 배치된 제1 반사층과 제2 반사층을 포함할 있다. 제1 반사층 및 제2 반사층에서 각각 반사된 제1 반사광과 제2 반사광은 상쇄간섭될 수 있고, 그에 따라 외부광 반사율이 감소될 수 있다.
하측 부재(LM)는 다양한 기능성 부재를 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)에 입사되는 광을 차단하는 차광층, 외부 충격을 흡수하는 충격흡수층, 표시 패널(DP)을 지지하는 지지층, 및 표시 패널(DP)에서 발생한 열을 방출하는 방열층 등을 포함할 수 있다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 3b를 참조하면, 표시 패널(DP)은 베이스층(110), 회로층(120), 발광 소자층(130), 및 봉지층(140)을 포함할 수 있다.
베이스층(110)은 회로층(120)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(110)은 유리 기판, 금속 기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스층(110)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.
베이스층(110)은 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스층(110)은 제1 합성 수지층, 상기 제1 합성 수지층 위에 배치된 실리콘 옥사이드(SiOx)층, 상기 실리콘 옥사이드층 위에 배치된 아몰퍼스 실리콘(a-Si)층, 및 상기 아몰퍼스 실리콘층 위에 배치된 제2 합성 수지층을 포함할 수 있다. 상기 실리콘 옥사이드층 및 상기 아몰퍼스 실리콘층은 베이스 배리어층이라 지칭될 수 있다.
상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 아크릴(acrylate)계 수지, 메타크릴(methacrylate)계 수지, 폴리아이소프렌(polyisoprene)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 셀룰로오스(cellulose)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지 및 페릴렌(perylene)계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 “~~” 계 수지는 “~~” 의 작용기를 포함하는 것을 의미한다.
베이스층(110)의 상면에 적어도 하나의 무기층이 형성된다. 무기층은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기층은 다층으로 형성될 수 있다. 다층의 무기층들은 배리어층 및/또는 버퍼층을 구성할 수 있다. 본 실시예에서 표시 패널(DP)은 버퍼층(BFL)을 포함하는 것으로 도시되었다.
버퍼층(BFL)은 베이스층(110)과 반도체 패턴 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다. 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 및 살리콘옥시나이트라이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드층과 실리콘나이트라이드층이 교대로 적층된 구조를 포함할 수 있다.
반도체 패턴은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 반도체 패턴은 비정질실리콘, 저온다결정실리콘, 또는 산화물반도체를 포함할 수도 있다.
도 3b는 일부의 반도체 패턴을 도시한 것일 뿐이고, 다른 영역에 반도체 패턴이 더 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 화소들에 걸쳐 특정한 규칙으로 배열될 수 있다. 반도체 패턴은 도핑 여부에 따라 전기적 성질이 다를 수 있다. 반도체 패턴은 전도율이 높은 제1 영역과 전도율이 낮은 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함하고, N타입의 트랜지스터는 N형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함할 수 있다. 제2 영역은 비-도핑 영역이거나, 제1 영역 대비 낮은 농도로 도핑된 영역일 수 있다.
제1 영역의 전도성은 제2 영역의 전도성보다 크고, 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 할 수 있다. 제2 영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브(또는 채널)에 해당할 수 있다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결 전극 또는 연결 신호라인일 수 있다.
화소들 각각은 7개의 트랜지스터들, 하나의 커패시터, 및 발광 소자를 포함하는 등가회로를 가질 수 있으며, 화소의 등가회로도는 다양한 형태로 변형될 수 있다. 도 3b에서는 화소에 포함되는 하나의 트랜지스터(100PC) 및 발광 소자(100PE)를 예시적으로 도시하였다.
트랜지스터(100PC)의 소스(SC), 액티브(AL, 또는 액티브 영역, 활성 영역), 및 드레인(DR)이 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스(SC) 및 드레인(DR)은 단면 상에서 액티브(AL)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다. 도 3b에는 반도체 패턴으로부터 형성된 연결 신호 배선(SCL)의 일부분을 도시하였다. 별도로 도시하지 않았으나, 연결 신호 배선(SCL)은 평면 상에서 트랜지스터(100PC)의 드레인(DR)에 연결될 수 있다.
제1 절연층(10)은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 제1 절연층(10)은 복수 개의 화소들에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(10)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 회로층(120)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
트랜지스터(100PC)의 게이트(GT)는 제1 절연층(10) 위에 배치된다. 게이트(GT)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(GT)는 액티브(AL)에 중첩한다. 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(GT)는 마스크로 기능할 수 있다.
제2 절연층(20)은 제1 절연층(10) 위에 배치되며, 게이트(GT)를 커버할 수 있다. 제2 절연층(20)은 화소들에 공통으로 중첩할 수 있다. 제2 절연층(20)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제2 절연층(20)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 및 실리콘옥시나이트라이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 절연층(20)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 위에 배치될 수 있다. 제3 절연층(30)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 절연층(30)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1, 제2, 및 제3 절연층(10, 20, 30)을 관통하는 컨택홀(CNT-1)을 통해 연결 신호 배선(SCL)에 접속될 수 있다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제4 절연층(40)은 단층의 실리콘 옥사이드층일 수 있다. 제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 위에 배치될 수 있다. 제5 절연층(50)은 유기층일 수 있다.
제2 연결 전극(CNE2)은 제5 절연층(50) 위에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 절연층(40) 및 제5 절연층(50)을 관통하는 컨택홀(CNT-2)을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 접속될 수 있다.
제6 절연층(60)은 제5 절연층(50) 위에 배치되며, 제2 연결 전극(CNE2)을 커버할 수 있다. 제6 절연층(60)은 유기층일 수 있다.
발광 소자층(130)은 회로층(120) 위에 배치될 수 있다. 발광 소자층(130)은 발광 소자(100PE)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자층(130)은 유기 발광 물질, 퀀텀닷, 퀀텀 로드, 마이크로 엘이디, 또는 나노 엘이디를 포함할 수 있다. 이하에서, 발광 소자(100PE)가 유기 발광 소자인 것을 예로 들어 설명하나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
발광 소자(100PE)는 제1 전극(AE), 발광층(EL), 및 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다.
제1 전극(AE)은 제6 절연층(60) 위에 배치될 수 있다. 제1 전극(AE)은 제6 절연층(60)을 관통하는 컨택홀(CNT-3)을 통해 제2 연결 전극(CNE2)에 접속될 수 있다.
화소 정의막(70)은 제6 절연층(60) 위에 배치되며, 제1 전극(AE)의 일부분을 커버할 수 있다. 화소 정의막(70)에는 개구부(70-OP)가 정의된다. 화소 정의막(70)의 개구부(70-OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다.
표시 영역(DA, 도 1a 참조)은 발광 영역(PXA)과 발광 영역(PXA)에 인접한 비발광 영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 비발광 영역(NPXA)은 발광 영역(PXA)을 에워쌀 수 있다. 본 실시예에서 발광 영역(PXA)은 개구부(70-OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일부 영역에 대응하게 정의되었다.
발광층(EL)은 제1 전극(AE) 위에 배치될 수 있다. 발광층(EL)은 개구부(70-OP)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EL)은 화소들 각각에 분리되어 형성될 수 있다. 발광층(EL)이 화소들 각각에 분리되어 형성된 경우, 발광층들(EL) 각각은 청색, 적색, 및 녹색 중 적어도 하나의 색의 광을 발광할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 발광층(EL)은 화소들에 연결되어 공통으로 제공될 수도 있다. 이 경우, 발광층(EL)은 청색 광을 제공하거나, 백색 광을 제공할 수도 있다.
제2 전극(CE)은 발광층(EL) 위에 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 일체의 형상을 갖고, 복수 개의 화소들에 공통적으로 배치될 수 있다.
도시되지 않았으나, 제1 전극(AE)과 발광층(EL) 사이에는 정공 제어층이 배치될 수 있다. 정공 제어층은 발광 영역(PXA)과 비발광 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EL)과 제2 전극(CE) 사이에는 전자 제어층이 배치될 수 있다. 전자 제어층은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층과 전자 제어층은 오픈 마스크를 이용하여 복수 개의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다.
봉지층(140)은 발광 소자층(130) 위에 배치될 수 있다. 봉지층(140)은 순차적으로 적층된 무기층, 유기층, 및 무기층을 포함할 수 있으나, 봉지층(140)을 구성하는 층들이 이에 제한되는 것은 아니다.
무기층들은 수분 및 산소로부터 발광 소자층(130)을 보호하고, 유기층은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(130)을 보호할 수 있다. 무기층들은 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
입력 센서(IS)는 베이스층(201), 제1 도전층(202), 감지 절연층(203), 제2 도전층(204), 및 커버 절연층(205)을 포함할 수 있다.
베이스층(201)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 무기층일 수 있다. 또는 베이스층(201)은 에폭시 수지, 아크릴 수지, 또는 이미드 계열 수지를 포함하는 유기층일 수도 있다. 베이스층(201)은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 도전층(202) 및 제2 도전층(204) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
단층구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 산화아연(zinc oxide, ZnO), 또는 인듐아연주석산화물(indium zinc tin oxide, IZTO) 등과 같은 투명한 전도성산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
다층구조의 도전층은 금속층들을 포함할 수 있다. 금속층들은 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다.
감지 절연층(203) 및 커버 절연층(205) 중 적어도 어느 하나는 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
감지 절연층(203) 및 커버 절연층(205) 중 적어도 어느 하나는 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 4를 참조하면, 표시 패널(DP)에는 표시 영역(DP-DA) 및 표시 영역(DP-DA) 주변의 비표시 영역(DP-NDA)이 정의될 수 있다. 표시 영역(DP-DA)과 비표시 영역(DP-NDA)은 화소(PX)의 배치 유무에 의해 구분될 수 있다. 표시 영역(DP-DA)에 화소(PX)가 배치된다. 비표시 영역(DP-NDA)에 주사 구동부(SDV), 데이터 구동부, 및 발광 구동부(EDV)가 배치될 수 있다. 데이터 구동부는 구동칩(DIC)에 구성된 일부 회로일 수 있다.
표시 패널(DP)은 제2 방향(DR2)을 따라 정의된 제1 패널 영역(AA1), 벤딩 영역(BA), 및 제2 패널 영역(AA2)을 포함할 수 있다. 제2 패널 영역(AA2) 및 벤딩 영역(BA)은 비표시 영역(DP-NDA)의 일부 영역일 수 있다. 벤딩 영역(BA)은 제1 패널 영역(AA1)과 제2 패널 영역(AA2) 사이에 배치된다.
제1 패널 영역(AA1)은 도 1a의 표시면(DS)에 대응하는 영역이다. 제1 패널 영역(AA1)은 제1 비폴딩 영역(NFA10), 제2 비폴딩 영역(NFA20), 및 폴딩 영역(FA0)을 포함할 수 있다. 제1 비폴딩 영역(NFA10), 제2 비폴딩 영역(NFA20), 및 폴딩 영역(FA0)은 도 1a 및 도 1b의 제1 비폴딩 영역(NFA1), 제2 비폴딩 영역(NFA2), 및 폴딩 영역(FA)에 각각 대응한다.
제1 방향(DR1)과 나란한 벤딩 영역(BA)의 폭 및 제2 패널 영역(AA2)의 폭(또는 길이)은 제1 방향(DR1)과 나란한 제1 패널 영역(AA1)의 폭(또는 길이)보다 작을 수 있다. 벤딩축 방향의 길이가 짧은 영역은 좀 더 쉽게 벤딩될 수 있다.
표시 패널(DP)은 복수 개의 화소들(PX), 복수 개의 주사 라인들(SL1-SLm), 복수 개의 데이터 라인들(DL1-DLn), 복수 개의 발광 라인들(EL1-ELm), 제1 및 제2 제어 라인들(CSL1, CSL2), 전원 라인(PL), 및 복수 개의 패드들(PD)을 포함할 수 있다. 여기서, m 및 n은 자연수이다. 화소들(PX)은 주사 라인들(SL1-SLm), 데이터 라인들(DL1-DLn), 및 발광 라인들(EL1-ELm)에 연결될 수 있다.
주사 라인들(SL1-SLm)은 제1 방향(DR1)으로 연장되어 주사 구동부(SDV)에 전기적으로 연결될 수 있다. 데이터 라인들(DL1-DLn)은 제2 방향(DR2)으로 연장되고, 벤딩 영역(BA)을 경유하여 구동칩(DIC)에 전기적으로 연결될 수 있다. 발광 라인들(EL1-ELm)은 제1 방향(DR1)으로 연장되어 발광 구동부(EDV)에 전기적으로 연결될 수 있다.
전원 라인(PL)은 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분과 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분을 포함할 수 있다. 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분과 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분은 서로 다른 층 상에 배치될 수 있다. 전원 라인(PL) 중 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분은 벤딩 영역(BA)을 경유하여 제2 패널 영역(AA2)으로 연장될 수 있다. 전원 라인(PL)은 제1 전압을 화소들(PX)에 제공할 수 있다.
제1 제어 라인(CSL1)은 주사 구동부(SDV)에 연결되고, 벤딩 영역(BA)을 경유하여 제2 패널 영역(AA2)의 하단을 향해 연장될 수 있다. 제2 제어 라인(CSL2)은 발광 구동부(EDV)에 연결되고, 벤딩 영역(BA)을 경유하여 제2 패널 영역(AA2)의 하단을 향해 연장될 수 있다.
평면 상에서 봤을 때, 패드들(PD)은 제2 패널 영역(AA2)의 하단에 인접하게 배치될 수 있다. 구동칩(DIC), 전원 라인(PL), 제1 제어 라인(CSL1), 및 제2 제어 라인(CSL2)은 패드들(PD)에 전기적으로 연결될 수 있다. 연성회로기판(FCB)은 이방성 도전 접착층을 통해 패드들(PD)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 평면도이다. 도 5b 내지 도 5d는 도 5a에 도시된 감지 단위 내의 감지 전극들을 확대하여 보여주는 도면들이다. 도 5b 내지 도 5d는 도 5a에 도시된 AA’ 영역을 확대한 평면도들이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 입력 센서(IS)에는 감지 영역(IS-A) 및 주변 영역(IS-NA)이 정의될 수 있다. 감지 영역(IS-A)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 감지 영역(IS-A)은 외부 입력을 감지하는 영역일 수 있다. 주변 영역(IS-NA)은 감지 영역(IS-A)에 인접하며, 감지 영역(IS-A)을 에워쌀 수 있다.
입력 센서(IS)는 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3), 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3), 제1 감지 라인들(230) 및 제2 감지 라인들(240)을 포함할 수 있다.
제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 및 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)은 감지 영역(IS-A)에 배치되고, 제1 감지 라인들(230) 및 제2 감지 라인들(240)은 주변 영역(IS-NA)에 배치될 수 있다. 입력 센서(IS)는 서로 교차하는 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3)과 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3) 사이의 상호정전용량의 변화를 통해 외부 입력에 대한 정보를 획득할 수 있다.
일 실시예에서, 입력 센서(IS)는 제1 감지 전극 그룹들(210G) 및 제2 감지 전극 그룹들(220G)을 포함할 수 있다. 제1 감지 전극 그룹들(210G)은 각각이 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다. 및 제2 감지 전극 그룹들(220G)은 각각이 제2 방향(DR2)으로 연장되고, 제1 방향(DR1)으로 배열될 수 있다. 제1 감지 전극 그룹들(210G) 각각은 복수의 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3)을 포함할 수 있다. 제2 감지 전극 그룹들(220G) 각각은 복수의 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)을 포함할 수 있다.
입력 센서(IS)는 복수의 감지 단위들(SU)을 포함할 수 있다. 복수의 감지 단위들(SU) 각각은 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3)과 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)이 교차하는 영역으로 정의될 수 있다. 본 실시예에서, 하나의 감지 단위(SU) 내에는 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3)과 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)이 각각 3개씩 교차하고 있으나, 이에 반드시 한정되지 않는다. 예를 들어, 하나의 감지 단위(SU) 내에는 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3)과 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)이 각각 2개씩 교차할 수도 있다. 제1 감지 전극 그룹들(210G) 및 제2 감지 전극 그룹들(220G)은 감지 단위(SU) 내에서 교차하게 배치될 수 있다.
제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장되고, 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 각각은 제1 부분(211) 및 제2 부분(212)을 포함할 수 있다. 제2 부분(212)은 서로 인접한 2 개의 제1 부분들(211)의 사이에 위치할 수 있다.
제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열되고, 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 연장될 수 있다. 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)은 패턴들(221) 및 연결 패턴들(222, 또는 브릿지 패턴들)을 포함할 수 있다. 연결 패턴들(222)은 서로 인접한 2 개의 패턴들(221)을 전기적으로 연결할 수 있다. 서로 인접한 2 개의 패턴들(221)은 2 개의 연결 패턴들(222)에 의해 서로 연결될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제2 부분(212)은 2 개의 연결 패턴들(222)과 절연 교차될 수 있다.
패턴들(221), 제1 부분들(211), 및 제2 부분들(212)은 서로 동일한 층 상에 배치될 수 있고, 연결 패턴들(222)은 패턴들(221), 제1 부분들(211), 및 제2 부분들(212)과 상이한 층 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 패턴들(221), 제1 부분들(211), 및 제2 부분들(212)은 제2 도전층(204, 도 3b 참조)에 포함될 수 있고, 연결 패턴들(222)은 제1 도전층(202, 도 3a 참조)에 포함될 수 있으며, 이 구조는 바텀 브릿지 구조라 지칭될 수 있다. 하지만, 본 발명이 특별히 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 패턴들(221), 제1 부분들(211), 및 제2 부분들(212)은 제1 도전층(202, 도 3b 참조)에 포함될 수 있고, 연결 패턴들(222)은 제2 도전층(204, 도 3b 참조)에 포함될 수 있으며, 이 구조는 탑 브릿지 구조라 지칭될 수 있다. 일 실시예에 따른 입력 센서(IS)의 단면 구조와 관련된 구체적 설명은 도 5e 및 도 5f를 참조한다.
도 5b에 도시된 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 및 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)의 다이아몬드 형상 및 배열 관계는 일 예로 도시된 것일 뿐, 입력 센서(IS)를 구성하는 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 및 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)의 형상 및 배열 관계가 도 5b에 도시된 것에 제한되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 제1 감지 전극 그룹들(210G) 각각은 n개의 인접한 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3)을 포함하고, 제2 감지 전극 그룹들(220G) 각각은 m개의 인접한 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)을 포함할 수 있다. 여기에서, n과 m은 서로 동일한 자연수이거나 서로 다른 자연수일 수 있다. 즉, 제1 감지 전극 그룹들(210G) 각각에 포함된 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3)의 개수와 제2 감지 전극 그룹들(220G) 각각에 포함된 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)의 개수는 서로 다를 수 있다.
제1 감지 라인들(230) 각각은 인접한 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3)을 서로 전기적으로 연결시킬 수 있다. 제1 감지 라인들(230) 각각은 인접한 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)을 서로 전기적으로 연결시킬 수 있다. 제1 감지 라인들(230) 각각은 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 및 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)의 일단에 연결될 수 있다. 제1 감지 라인들(230)은 주변 영역(IS-NA)에 배치될 수 있다. 제1 감지 라인들(230)은 제1 감지 전극 그룹들(210G)과 일대일 연결될 수 있다. 즉, 제1 감지 라인들(230)은 제1 감지 전극 그룹들(210G)에 배치되는 복수의 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3)을 일단에서 서로 전기적으로 연결 시킬 수 있다.
제1 감지 라인들(230)은 제2 감지 전극 그룹들(220G)과 일대일 연결될 수 있다. 즉, 제1 감지 라인들(230)은 제2 감지 전극 그룹들(220G)에 배치되는 복수의 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)을 일단에서 서로 전기적으로 연결 시킬 수 있다. 도 5a에서는 제1 감지 라인들(230) 중 하나만을 도시하였다. 그러나, 제1 감지 라인들(230)은 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 및 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3) 각각의 양 끝 단들 중에서 제2 감지 라인들(240)이 연결된 일 끝단의 반대편 끝 단에 전부 연결될 수 있다.
제2 감지 라인들(240)은 주변 영역(IS-NA)에 배치될 수 있다. 제2 감지 라인들(240)은 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 및 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)의 타단에 각각 연결될 수 있다. 타단은 제1 감지 라인들(230)이 연결된 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 및 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)의 상기 일단의 반대편일 수 있다.
예를 들어, 제1 방향(DR1)으로 연장된 제1 감지 전극 그룹들(210G) 각각의 일단은 제1 감지 라인(230)과 연결되고, 타단은 제2 감지 라인(240)과 연결될 수 있다. 또한, 제2 방향(DR2)으로 연장된 제2 감지 전극 그룹들(220G) 각각의 일단은 제1 감지 라인(230)과 연결되고, 타단은 제2 감지 라인(240)과 연결될 수 있다.
제2 감지 라인들(240)은 패드들(PD) 중 대응하는 패드들에 전기적으로 각각 연결될 수 있다. 제2 라인들(240)은 제1 감지 전극 그룹들(210G) 및 제2 감지 전극 그룹들(220G)을 패드를 통해 구동 회로(T-IC)에 연결시킬 수 있다. 제2 감지 라인들(240)은 스위치 모듈을 포함할 수 있다. 자세한 설명은 도 8a 내지 도 9b를 참조하여 설명한다.
구동 회로(T-IC)는 입력 센서(IS)를 구동할 수 있다. 구동 회로(T-IC)는 입력 센서(IS)에 전기적으로 연결되어 입력 센서(IS)에 구동 신호를 제공하고, 외부 입력으로부터 좌표를 산출할 수 있다. 구동 회로(T-IC)는 연성회로기판(FCB)에 실장될 수 있다.
구동 회로(T-IC)는 입력 센서(IS)에 입력되는 입력의 종류를 기초로 제어 신호를 생성할 수 있다. 일 실시예에서, 구동 회로(T-IC)는 입력 센서(IS)에 사용자의 터치가 감지되는 경우 제1 제어 신호를 생성하고, 전자 펜 등의 입력 장치가 감지되는 경우에 제2 제어 신호를 생성할 수 있다. 생성된, 제1 제어 신호 및 제2 제어 신호는 입력 센서(IS)에 다시 제공될 수 있다. 제2 감지 라인들(240)은 제1 제어 신호 및 제2 제어 신호를 기초로 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 및 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)을 구동 회로(T-IC) 또는 기준 전위에 연결시킬 수 있다. 자세한 설명은 후술한다.
일 실시예에서, 제1 감지 전극 그룹들(210G) 각각은 제1 감지 라인(230), 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3), 및 제2 감지 라인(240)에 의해서 폐루프(closed-loop)를 형성할 수 있다. 제2 감지 전극 그룹들(220G) 각각은 제1 감지 라인(230), 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3), 및 제2 감지 라인(240)에 의해 폐루프(closed-loop)를 형성할 수 있다. 즉, 입력 장치(PN, 도 6 참조)에 의해서 유도되는 전류는 폐루프 상에서 흐를 수 있다. 유도 전류는 구동 회로(T-IC) 또는 기준 전위를 통해 흐를 수 있다.
도 5c 및 도 5d는 도 5a에 도시된 AA’ 영역을 확대한 평면도이다. 도 5c 및 도 5d는 도 5b와 다른 형상을 갖는 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 및 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)을 예시적으로 도시하였다. 도 5c에서, 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 및 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)은 막대(bar) 형상을 가질 수 있다. 도 5d에서, 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 및 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)은 복합적인 형상을 가질 수 있다. 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 및 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)의 형상은 도 5b 내지 도 5d에 한정되지 않는다.
도 5c 및 도 5d에서, 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장되고, 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열되고, 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 연장될 수 있다.
도 5c에서, 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)은 패턴들(221) 및 연결 패턴들(222, 또는 브릿지 패턴들)을 포함할 수 있다. 연결 패턴들(222)은 서로 인접한 2 개의 패턴들(221)을 전기적으로 연결할 수 있다. 서로 인접한 2 개의 패턴들(221)은 2 개의 연결 패턴들(222)에 의해 서로 연결될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 중 하나는 2 개의 연결 패턴들(222)과 절연 교차될 수 있다. 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3)과 패턴들(221)이 맞물리는 형상을 갖는 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 도 5d에서, 제1 및 제2 부분들(211, 212)과 패턴들(221) 및 연결 패턴들(222)에 관한 설명은 도 5b와 중복되므로 생략한다.
도 5b 내지 도 5d를 참조하여 설명된 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 및 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3) 각각은 메쉬 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 및 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3) 각각에는 개구가 정의될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 및 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3) 각각은 개구가 정의되지 않은 투명한 전극일 수도 있다.
도 5e 및 도 5f는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 단면도들이다.
도 5e 및 도 5f는 도 5d의 II 내지 II'를 자른 절단면을 각각 도시한다. 도 5e는 바텀 브릿지 구조를, 도 5f는 탑 브릿지 구조를 나타낼 수 있다. 일 실시예에 따라, 도 5d를 포함하여 이하에서 설명되는 입력 센서(IS)의 평면도들이 탑 브릿지 구조로 도시되었으나, 이에 반드시 제한되지 않고, 입력 센서(IS)의 구조는 도 5e의 바텀 브릿지 구조를 포함할 수 있다.
도 5e에서, 제1 도전층(202)은 연결 패턴(222)을 포함할 수 있다. 제2 도전층(204)은 패턴들(221) 및 제2 부분(212)을 포함할 수 있다. 연결 패턴(222)은 컨택홀(CNT-4)을 통해 패턴들(221)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 5f에서, 제1 도전층(202)은 패턴들(221) 및 제2 부분(212)을 포함할 수 있다. 제2 도전층(204)은 연결 패턴(222)을 포함할 수 있다. 연결 패턴(222)은 컨택홀(CNT-4)을 통해 패턴들(221)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 평면도를 입력 장치와 함께 도시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 전자 장치(ED)는 전자 시스템, 터치 시스템, 입출력 시스템, 디지타이저 시스템, 펜 태블릿, 또는 펜 단말기로 지칭될 수 있다.
입력 장치(PN)는 소정의 공진 주파수의 자기장을 생성하는 입력 장치일 수 있다. 입력 장치(PN)는 전자기 공명 방식에 기반한 출력 신호를 송신하도록 구성될 수 있다. 입력 장치(PN)는 입력 장치, 스타일러스 펜, 또는 전자기공명식 펜으로 지칭될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 입력 장치(PN)는 내부에 교류 전원을 생성하는 신호 생성부를 포함할 수 있다. 이 경우, 입력 장치(PN)는 외부로부터 제공되는 외부 자기장이 없더라도 내부의 신호 생성부에 의해 유도 전류가 발생될 수 있다. 따라서, 전자 장치(ED)가 자기장을 형성하는 디지타이저를 포함하지 않더라도, 전자 장치(ED)는 자기장을 출력하는 입력 장치(PN)의 입력을 감지할 수 있다.
입력 장치(PN)는 전자 장치(ED)의 디지타이저 포함 유무에 따라, 액티브 타입 또는 패시브 타입 중 하나로 선택되어 동작될 수 있다. 따라서, 다양한 환경에서 사용 가능한 성능이 향상된 입력 장치가 제공될 수 있다.
전자기공명 방식에 의한 입력 장치(PN)는 능동정전기 방식의 펜(이하, AES 펜)보다 출력 효율이 더 좋다. 예를 들어, 동일한 주파수(예, 1.8MHz) 및 동일한 입력 전압(예, 17V)의 Tx 신호가 제공되었을 때, 입력 장치(PN)에서 출력된 신호의 세기는 상기 AES 펜에서 출력된 신호의 세기보다 약 40배 강할 수 있다. 또한, 1.8MHz의 주파수, 1V의 전압의 Tx 신호가 제공되었을 때의 입력 장치(PN)의 출력 신호의 세기는 1.8MHz의 주파수, 17V의 전압의 Tx 신호가 제공되었을 때의 AES 펜의 출력 신호의 세기와 유사할 수 잇다. 따라서, 액티브 타입으로 동작하는 입력 장치(PN)는 상기 AES 펜보다 배터리 소모 양이 더 적을 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 입력 장치(PN)가 적용되는 경우, 전자 장치(ED)는 디지타이저를 포함하지 않을 수 있다. 따라서, 디지타이저 추가에 따른 전자 장치(ED)의 두께, 무게 증가 및 디지타이저 추가에 따른 유연성 저하가 발생되지 않을 수 있다. 디지타이저가 생략된 전자 장치(ED)는 입력 센서(IS, 도 3a 참조)을 이용하여 입력 장치(PN)의 입력을 감지할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 장치의 블록도이다.
도 7을 참조하면, 입력 장치(PN)는 하우징(PNH), 펜 팁(PNT), 공진 회로부(PN100), 신호 생성부(PN200), 및 전원부(PN300)를 포함할 수 있다.
하우징(PNH)은 펜 형상을 가질 수 있고, 내부에는 수용 공간에 형성될 수 있다. 하우징(PNH) 내부에 정의된 수용 공간에는 공진 회로부(PN100), 신호 생성부(PN200), 및 전원부(PN300)가 수용될 수 있다. 펜 팁(PNT)은 하우징(PNH)의 단부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 펜 팁(PNT)의 일부분은 하우징(PNH) 외부로 노출되고, 펜 팁(PNT)의 나머지 부분은 하우징(PNH) 내부에 삽입될 수 있다.
공진 회로부(PN100)는 인덕터와 커패시터를 포함하는 공진 회로일 수 있다. 커패시터는 신호(또는, Tx 신호)에 의한 전류의 흐름을 전기장으로 저장할 수 있고, 인덕터는 상기 신호에 의한 전류의 흐름을 자기장으로 저장할 수 있다. 인덕터는 자성체 및 자성체에 감긴 코일을 포함할 수 있다.
신호 생성부(PN200)는 신호(또는, Tx 신호)를 생성하는 구성일 수 있다. 신호 생성부(PN200)는 특정 용도 집적 회로 또는 오실레이터를 포함할 수 있다. 신호 생성부(PN200)는 소정의 값을 갖는 주파수의 교류 신호를 출력할 수 있다. 예를 들어, 신호 생성부(PN200)에서 생성된 신호는 고정된 주파수 신호일 수 있고, 예를 들어, 상기 신호는 560kHz의 사인파일 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
공진 회로부(PN100)는 신호 생성부(PN200)에 의해 충전될 수 있다. 따라서, 신호 생성부(PN200)는 공진 회로부(PN100)를 충전시킨 후 신호의 전달을 중지할 수 있다. 공진 회로부(PN100)에는 상기 신호에 의해 유도 전류가 생성되고, 공진 회로부(PN100)는 유도 전류에 의해 공진하여 자기장을 방출할 수 있다.
전원부(PN300)는 신호 생성부(PN200)에 전원을 공급할 수 있다. 전원부(PN300)는 배터리 또는 고용량 커패시터를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 입력 장치(PN)는 내부에 신호 생성부(PN200)를 포함하기 때문에, 패시브 타입뿐 아니라 액티브 타입으로 동작할 수 있다. 따라서, 전자 장치(ED, 도 6 참조)가 자기장을 형성하는 디지타이저를 포함하지 않더라도, 전자 장치(ED)는 자기장을 출력하는 입력 장치(PN)의 입력을 감지할 수 있다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 라인들을 보여주는 도면들이다.
도 8a 내지 도 8c에서 제1 감지 전극 그룹(210G)은 두 개의 제1 감지 전극들(210-1, 210-2)을 포함하고, 제2 감지 전극 그룹(220G)은 두 개의 제2 감지 전극들(220-1, 220-2)을 포함할 수 있다. 제1 감지 전극 그룹(210G)과 제2 감지 전극 그룹(220G)은 바 형상으로 간략히 도시하였다. 도 8a 내지 도 8c는 서로 교차하는 제1 감지 전극 그룹(210G) 및 제2 감지 전극 그룹(220G)을 포함하는 하나의 감지 단위(SU)를 보여준다.
도 8a는 도 5a의 XX' 영역을 확대한 도면이다. 도 8a는 일 실시예에 따른 제2 감지 라인들(240)을 보여준다.
도 8a에서, 제2 감지 라인들(240)은 제1 감지 전극 그룹(210G) 및 제2 감지 전극 그룹(220G)의 끝 단에 각각 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 감지 전극 그룹(210G) 및 제2 감지 전극 그룹(220G) 각각은 구동 회로(T-IC)에 연결될 수 있다. 또는 제1 감지 전극 그룹(210G) 및 제2 감지 전극 그룹(220G) 각각은 구동 회로(T-IC) 및 기준 전위(Vref)와 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 감지 전극 그룹(210G)은 서로 인접한 제1 인접 감지 전극(210-1) 및 제2 인접 감지 전극(210-2)을 포함할 수 있다. 제2 감지 전극 그룹(220G)은 서로 인접한 제1 인접 감지 전극(220-1) 및 제2 인접 감지 전극(220-2)을 포함할 수 있다. 이하, 제1 감지 전극 그룹(210G)을 기준으로 설명한다. 제2 감지 전극 그룹(220G)의 경우에도 동일하게 설명 가능하다.
도 8c를 참조할 때, 제1 인접 감지 전극(210-1)과 제2 인접 감지 전극(210-2)은 제1 감지 라인(230, 도 5a 참조)을 통해서 반대편 끝 단에서 서로 전기적으로 연결되어 있다.
제2 감지 라인(240)은 제1 라인(241) 및 제2 라인(242)을 포함할 수 있다. 제1 라인(241)은 제1 인접 감지 전극(210-1)에 연결되고, 제2 라인(242)은 제2 인접 감지 전극(210-2)에 연결될 수 있다. 제1 라인(241)은 제1 인접 감지 전극(210-1)을 구동 회로(T-IC)와 연결시킬 수 있다. 제2 라인(242)은 제2 인접 감지 전극(210-2)을 구동 회로(T-IC) 또는 기준 전위(Vref)와 선택적으로 연결 시킬 수 있다. 일 실시예에서, 제2 감지 라인(240)은 제2 라인(242) 상에 스위치 모듈(SW)을 포함할 수 있다. 스위치 모듈(SW)은 제2 인접 감지 전극(210-2)을 구동 회로(T-IC) 또는 기준 전위(Vref)에 선택적으로 연결시킬 수 있다. 여기에서, 기준 전위(Vref)는 미리 결정된 특정 전위에 해당하고 접지 전위보다 클 수 있다.
일 실시예에서, 입력 센서(IS)가 입력 장치(PN, 도 6 참조)를 감지하여 구동 회로(T-IC)로부터 제1 제어 신호가 생성되는 경우, 제2 감지 라인(240)의 제2 라인(242)은 스위치 모듈(SW)을 통해서 제2 인접 감지 전극(210-2)을 기준 전위(Vref)와 연결시킬 수 있다. 입력 센서(IS)가 사용자 터치를 감지하여 구동 회로(T-IC)로부터 제2 제어 신호가 생성되는 경우, 제2 라인(242)의 스위치 모듈(SW)은 제2 인접 감지 전극(210-2)을 구동 회로(T-IC)에 연결시킬 수 있다.
일 실시예에서, 스위치 모듈(SW)은 주변 영역(IS-NA)에 배치될 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않고, 스위치 모듈(SW)은 구동 회로(T-IC)와 인접하도록 연성회로기판(FPC, 도 5a 참조) 상에 배치될 수 있다.
도 8b는 도 5a의 YY' 영역을 확대한 도면이다. 도 8b는 일 실시예에 따른 제1 감지 라인들(230)을 보여준다.
도 8b에서, 제1 감지 전극 그룹(210G)과 제2 감지 전극 그룹(220G) 각각은 제1 인접 감지 전극(210-1, 220-1) 및 제2 인접 감지 전극(210-2, 220-2)을 포함할 수 있다. 제1 인접 감지 전극(210-1, 220-1) 및 제2 인접 감지 전극(210-2, 220-2)은 제1 감지 라인(230)에 의해서 전기적으로 연결될 수 있다.
도 5a, 도 8a 및 도 8b를 참조하여 설명하면, 제2 감지 전극 그룹(220G)은 일 단에서 제1 감지 라인(230)에 의해서 전기적으로 연결된 제1 인접 감지 전극(220-1) 및 제2 인접 감지 전극(220-2)을 포함한다. 제1 인접 감지 전극(220-1)과 제2 인접 감지 전극(220-2)은 제1 감지 라인(230)이 연결된 일단과 반대편인 타 단에서 제2 감지 라인(240)과 연결될 수 있다. 제2 감지 라인(240)은 제1 인접 감지 전극(210-1) 및 제2 인접 감지 전극(210-2) 중 어느 하나를 구동 회로(T-IC)에 확정적으로 연결시키고, 다른 하나를 구동 회로(T-IC) 또는 기준 전위(Vref)에 선택적으로 연결시킬 수 있다.
제2 감지 전극 그룹(220G)은 제1 인접 감지 전극(220-1), 제2 인접 감지 전극(220-2), 제1 감지 라인(230) 및 제2 감지 라인(240)으로 정의되는 폐루프(closed-loop)를 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 감지 라인(240)은 구동 회로(T-IC) 및 기준 전위(Vref)와 연결되고, 폐루프는 구동 회로(T-IC) 및 기준 전위(Vref)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 입력 센서(IS)에서 입력 장치(PN)가 감지되면, 입력 장치(PN)의 자기장에 의해 유도된 유도 전류는 기준 전위(Vref)와 연결된 폐루프 상에 발생할 수 있다. 사용자 터치가 감지되면, 유도 전류는 구동 회로(T-IC)에만 연결된 폐루프 상에서 흐를 수 있다. 입력 장치(PN)가 감지된 경우, 상대적으로 입력 센서(IS)의 저항 성분이 줄어 들고 입력 장치(PN)가 느끼는 저항이 줄어들 수 있다.
도 8c는 도 5a의 ZZ' 영역을 확대한 도면이다. 도 8c는 일 실시예에 따른 제1 감지 라인들(230) 및 제2 감지 라인들(240)을 보여준다.
도 8c는 도 8a의 제1 감지 전극 그룹(210G)의 반대편 일단을 도시한다. 도 5a, 도 8a 및 도 8c를 참조하면, 제1 감지 전극 그룹(210G)은 일 단에서 제1 감지 라인(230)으로 서로 연결된 제1 인접 감지 전극(210-1) 및 제2 인접 감지 전극(210-2)을 포함할 수 있다. 제1 인접 감지 전극(210-1)과 제2 인접 감지 전극(210-2)은 타 단에서 제2 감지 라인(240)에 의해서 구동 회로(T-IC) 및 기준 전위(Vref)와 연결될 수 있다.
즉, 제1 감지 전극 그룹(210G)은 제1 감지 라인(230), 제1 인접 감지 전극(210-1), 제2 인접 감지 전극(210-2), 및 제2 감지 라인(240)으로 정의된 폐루프를 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 사용자 터치가 감지되는 경우, 구동 회로(T-IC)와 연결된 폐루프를 형성하고, 입력 장치(PN)가 감지되는 경우, 구동 회로(T-IC) 및 기준 전위(Vref)와 연결된 폐루프가 형성될 수 있다. 입력 장치(PN)가 감지된 경우, 제2 인접 감지 전극(210-2)dl 기준 전위(Vref)와 연결되어 입력 센서(IS)의 저항 성분이 줄어들고 입력 장치(PN)가 느끼는 저항이 상대적으로 줄어들 수 있다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 동작을 나타내는 도면들이다. 도 7을 참조하여 도 9a 및 도 9b를 설명한다.
도 9a는 입력 장치(PN)에 의한 입력을 감지하는 펜 감지 모드에서의 동작을 나타낸다. 도 9b는 사용자 터치(UTI)에 의한 입력을 감지하는 터치 모드에서의 동작을 나타낸다.
도 9a 및 도 9b에서, 제1 감지 전극 그룹(210G)은 입력 장치(PN) 또는 사용자 터치(UTI) 입력을 감지할 수 있다. 제1 감지 전극 그룹(210G)은 일 예로 도시되었다. 구동 회로(T-IC)는 제1 감지 전극 그룹(210G)의 제1 인접 감지 전극(210-1)과 제2 인접 감지 전극(210-2)으로부터 입력 장치(PN) 또는 사용자 터치(UTI)에 의해 야기된 감지 신호를 수신할 수 있다.
차지 앰프(CA)는 사용자 터치(UTI) 또는 입력 장치(PN)에 의한 입력 여부에 따라 변화하는 전기적인 신호를 제공받아 감지 신호로 출력할 수 있다. 차지 앰프(CA)의 반전 입력은 제1 인접 감지 전극(210-1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 차지 앰프(CA)의 비반전 입력에는 기준 전위(Vref)가 제공될 수 있다. 차지 앰프(CA)의 반전 입력과 차지 앰프(CA)의 출력에는 커패시터(Cfb)가 연결될 수 있다.
도 9a에서, 입력 장치(PN)가 접근하면, 입력 장치(PN)에서 출력되는 자기장(B-field)에 의해 제1 감지 전극 그룹(210G)에는 유도 전류(i)가 흐를 수 있다. 유도 전류(i)는 제1 감지 라인(230)에 의해 전기적으로 연결된 제1 인접 감지 전극(210-1) 및 제2 인접 감지 전극(210-2)을 통해 흐를 수 있다.
L2는 전극(210a)에 발생된 기생 인덕턴스일 수 있다. R2는 전극(210a)의 터치 이벤트 발생 지점과 패드들(PD) 중 유도 전류(i)가 출력되는 패드(PD3) 사이의 저항일 수 있다. R2의 크기는 전자 펜입력 장치(PN)의 입력 위치에 따라 상이할 수 있다. 예를 들어, 펜입력 장치(PN)의 입력 위치가 구동 회로(T-IC)로부터 멀어지는 경우 저항의 크기가 클 수 있다. 저항(R2)의 크기는 입력의 감도를 감소시킬 수 있다. 커패시터(Cfb)는 유도 전류(i)를 제공받고, 이를 근거로 전압 신호를 출력할 수 있다.
일 실시예에서, 입력 장치(PN)가 접근하면, 구동 회로(T-IC)는 스위치 모듈(SW)에 제2 제어 신호를 제공할 수 있다. 스위치 모듈(SW)은 제2 인접 감지 전극(210-2)을 기준 전위(Vref)에 연결시킬 수 있다. 즉, 제1 인접 감지 전극(210-1)은 구동 회로(T-IC)에 연결되고, 제2 인접 감지 전극(210-2)은 기준 전위(Vref)에 연결될 수 있다. 제1 감지 전극 그룹(210G)이 형성하는 폐루프를 따라 유도 전류(i)가 흐를 수 있다. 이에 따라, 입력 센서(IS)의 저항(R2)이 줄어들고 입력 장치(PN)가 받는 저항이 작아지며, 입력의 감도가 향상될 수 있다.
도 9b에서, 사용자 터치(UTI)가 접근하면, 구동 회로(T-IC)는 제1 감지 전극 그룹(210G)으로 검출 신호를 송신하고, 제2 감지 전극 그룹(220G, 도 8a 참조)으로부터 감지 신호를 수신할 수 있다. 즉, 사용자 터치 지점의 전극들 사이에 정의된 상호 정전용량에 변화가 발생한다. 이 대, 정전용량의 변화량을 통해 사용자 터치(UTI)에 의한 입력을 감지할 수 있다.
일 실시예에서, 사용자 터치(UTI)가 접근하면, 구동 회로(T-IC)는 스위치 모듈(SW)에 제1 제어 신호를 제공할 수 있다. 제1 제어 신호에 따라서, 스위치 모듈(SW)은 제2 인접 감지 전극(210-2)을 구동 회로(T-IC)에 연결시킬 수 있다. 즉, 스위치 모듈(SW)은 제2 감지 라인(240)의 제2 라인(242)과 제1 라인(241)을 연결시킬 수 있다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 감지 라인들을 보여주는 도면들이다. 도 11a 내지 도 11c는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 감지 전극들 및 감지 라인들을 보여주는 도면들이다. 도 12a 내지 도 12d는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 감지 전극들 및 감지 라인들을 보여주는 도면들이다. 도 13은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 감지 전극들 및 감지 라인들을 보여주는 도면들이다. 도 10a 내지 도 13에서, 복수의 감지 전극들의 형상은 도 5d에서와 같은 형상으로 도시하였다. 이는 일 예로서 도시한 것이고, 감지 전극들의 형상은 도 5a, 도 5b를 포함하여 다양한 형상으로 설계될 수 있다.
도 10a 및 도 10b는 3개의 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3)을 포함하는 제1 감지 전극 그룹(210G)과 3개의 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)을 포함하는 제2 감지 전극 그룹(220G)이 교차하는 하나의 감지 단위(SU)를 보여준다. 본 실시예에서, 하나의 감지 단위(SU)에는 서로 전기적으로 연결된 3개의 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3)과 서로 전기적으로 연결된 3개의 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)이 교차하여 배치될 수 있다. 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 각각 및 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3) 각각은 제1 감지 라인(230, 도 8b 참조)에 의해서 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3) 및 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)은 제2 감지 라인(240)에 의해서 구동 회로(T-IC) 또는 기준 전위(Vref)와 연결될 수 있다.
도 10a에서, 제2 감지 라인(240)은 복수의 제1 라인들(241-1, 241-2) 및 제2 라인(242)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 라인들(241-1, 241-2)은 구동 회로(T-IC)와 확정적으로 연결되고, 제2 라인(242)은 구동 회로(T-IC) 또는 기준 전위(Vref)와 선택적으로 연결될 수 있다.
제1 인접 감지 전극(220-1) 제2 인접 감지 전극(220-2)은 제1 라인들(241-1, 241-2)을 통해 구동 회로(T-IC)와 연결될 수 있다. 제3 인접 감지 전극(220-3)은 제2 라인(242)을 통해 구동 회로(T-IC) 또는 기준 전위(Vref)에 선택적으로 연결할 수 있다.
제2 라인(242)은 스위치 모듈(SW)을 포함할 수 있다. 스위치 모듈(SW)은 구동 회로(T-IC)로부터 사용자 터치의 접근을 알리는 제1 제어 신호를 수신하면 제3 인접 감지 전극(220-3)을 구동 회로(T-IC)에 연결시키고, 입력 장치의 접근을 알리는 제2 제어 신호를 수신하면 제3 인접 감지 전극(220-3)을 기준 전위(Vref)에 연결 시키는 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
도 10b에서, 제2 감지 라인(240)은 제1 라인(241)과 복수의 제2 라인들(242-1, 242-2)을 포함할 수 있다. 제1 인접 감지 전극(220-1)은 구동 회로(T-IC)에 확정적으로 연결되고, 제2 인접 감지 전극(220-2) 및 제3 인접 감지 전극(220-3)은 제2 라인들(242-1, 242-2)에 연결된 스위칭 모듈(SW)을 통해 제1 및 제2 제어신호들을 기초로 구동 회로(T-IC) 또는 기준 전위(Vref)에 선택적으로 연결될 수 있다.
도 11a 내지 도 11c는 4개의 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3, 210-4)을 포함하는 제1 감지 전극 그룹(210G)과 4개의 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3, 220-4)을 포함하는 제2 감지 전극 그룹(220G)이 교차하는 하나의 감지 단위(SU)를 보여준다. 본 실시예에서, 하나의 감지 단위(SU)에는 제1 감지 라인(230, 도 8b 참조)에 의해 서로 전기적으로 연결된 4개의 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3, 210-4)과 제1 감지 라인(230, 도 8b 참조)에 의해 서로 전기적으로 연결된 4개의 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3, 220-4)이 교차하여 배치될 수 있다.
도 11a에서, 제2 감지 라인(240)은 제1 라인(241)과 복수의 제2 라인들(242-1, 242-2, 242-3)을 포함할 수 있다. 제1 인접 감지 전극(220-1)은 구동 회로(T-IC)에 확정적으로 연결되고, 제2 인접 감지 전극(220-2), 제3 인접 감지 전극(220-3) 및 제4 인접 감지 전극(220-4)은 제2 라인들(242-1, 242-2, 242-3)에 연결된 스위칭 모듈(SW)을 통해 제1 및 제2 제어신호들을 기초로 구동 회로(T-IC) 또는 기준 전위(Vref)에 선택적으로 연결될 수 있다.
도 11b에서, 제2 감지 라인(240)은 복수의 제1 라인들(241-1, 242-2)과 복수의 제2 라인들(242-1, 242-2)을 포함할 수 있다. 제1 인접 감지 전극(220-1) 및 제2 인접 감지 전극(220-2)은 구동 회로(T-IC)에 확정적으로 연결되고, 제3 인접 감지 전극(220-3) 및 제4 인접 감지 전극(220-4)은 제2 라인들(242-1, 242-2)에 연결된 스위칭 모듈(SW)을 통해 제1 및 제2 제어신호들을 기초로 구동 회로(T-IC) 또는 기준 전위(Vref)에 선택적으로 연결될 수 있다.
도 11c에서, 제2 감지 라인(240)은 복수의 제1 라인들(241-1, 241-2, 241-3)과 제2 라인 (242)을 포함할 수 있다. 제1 인접 감지 전극(220-1), 제2 인접 감지 전극(220-2) 및 제3 인접 감지 전극(220-3)은 구동 회로(T-IC)에 확정적으로 연결되고, 제4 인접 감지 전극(220-4)은 제2 라인(242)에 연결된 스위칭 모듈(SW)을 통해 제1 및 제2 제어신호들을 기초로 구동 회로(T-IC) 또는 기준 전위(Vref)에 선택적으로 연결될 수 있다.
도 12a 및 도 12d는 5개의 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3, 210-4, 210-5)을 포함하는 제1 감지 전극 그룹(210G)과 5개의 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3, 220-4, 220-5)을 포함하는 제2 감지 전극 그룹(220G)이 교차하는 하나의 감지 단위(SU)를 보여준다. 본 실시예에서, 하나의 감지 단위(SU)에는 제1 감지 라인(230, 도 8b 참조)에 의해 서로 전기적으로 연결된 5개의 제1 감지 전극들(210-1, 210-2, 210-3, 210-4, 210-5)과 제1 감지 라인(230, 도 8b 참조)에 의해 서로 전기적으로 연결된 5개의 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3, 220-4, 220-5)이 교차하여 배치될 수 있다.
도 12a에서, 제2 감지 라인(240)은 제1 라인(241)과 복수의 제2 라인들(242-1, 242-2, 242-3, 242-4)을 포함할 수 있다. 제1 인접 감지 전극(220-1)은 제1 라인(241)을 통해 구동 회로(T-IC)에 확정적으로 연결되고, 제2 인접 감지 전극(220-2), 제3 인접 감지 전극(220-3), 제4 인접 감지 전극(220-4) 및 제5 인접 감지 전극(220-5)은 제2 라인들(242-1, 242-2, 242-3, 242-4)에 연결된 스위칭 모듈(SW)을 통해 제1 및 제2 제어신호들을 기초로 구동 회로(T-IC) 또는 기준 전위(Vref)에 선택적으로 연결될 수 있다.
도 12b에서, 제2 감지 라인(240)은 복수의 제1 라인들(241-1, 241-2)과 복수의 제2 라인들(242-1, 242-2, 242-3)을 포함할 수 있다. 제1 인접 감지 전극(220-1) 및 제2 인접 감지 전극(220-2)은 제1 라인들(241-1, 241-2)을 통해 구동 회로(T-IC)에 확정적으로 연결되고, 제3 인접 감지 전극(220-3), 제4 인접 감지 전극(220-4) 및 제5 인접 감지 전극(220-5)은 제2 라인들(242-1, 242-2, 242-3)에 연결된 스위칭 모듈(SW)을 통해 제1 및 제2 제어신호들을 기초로 구동 회로(T-IC) 또는 기준 전위(Vref)에 선택적으로 연결될 수 있다.
도 12c에서, 제2 감지 라인(240)은 복수의 제1 라인들(241-1, 241-2, 241-3)과 복수의 제2 라인들(242-1, 242-2)을 포함할 수 있다. 제1 인접 감지 전극(220-1), 제2 인접 감지 전극(220-2) 및 제3 인접 감지 전극(220-3)은 제1 라인들(241-1, 241-2, 241-3)을 통해 구동 회로(T-IC)에 확정적으로 연결되고, 제4 인접 감지 전극(220-4) 및 제5 인접 감지 전극(220-5)은 제2 라인들(242-1, 242-2)에 연결된 스위칭 모듈(SW)을 통해 제1 및 제2 제어신호들을 기초로 구동 회로(T-IC) 또는 기준 전위(Vref)에 선택적으로 연결될 수 있다.
도 12d에서, 제2 감지 라인(240)은 복수의 제1 라인들(241-1, 241-2, 241-3, 241-4)과 제2 라인(242)을 포함할 수 있다. 제1 인접 감지 전극(220-1), 제2 인접 감지 전극(220-2), 제3 인접 감지 전극(220-3) 및 제4 인접 감지 전극(220-4)은 제1 라인들(241-1, 241-2, 241-3, 241-4)을 통해 구동 회로(T-IC)에 확정적으로 연결되고, 제5 인접 감지 전극(220-5)은 제2 라인(242)에 연결된 스위칭 모듈(SW)을 통해 제1 및 제2 제어신호들을 기초로 구동 회로(T-IC) 또는 기준 전위(Vref)에 선택적으로 연결될 수 있다.
도 12a 내지 도 12d에서 제2 감지 전극 그룹(220G)의 제1 인접 감지 전극 내지 제5 인접 감지 전극(220-1, 220-2, 220-3, 220-4, 220-5)을 가지고 설명하였으나, 제1 감지 전극 그룹(210G)의 경우에도 동일하게 설명이 가능할 것이다.
도 13은 2개의 제1 감지 전극들(210-1, 210-2)을 포함하는 제1 감지 전극 그룹(210G)과 3개의 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)을 포함하는 제2 감지 전극 그룹(220G)이 교차하는 하나의 감지 단위(SU)를 보여준다.
본 실시예에서, 하나의 감지 단위(SU)에는 제1 감지 라인(230, 도 8b 참조)에 의해 서로 전기적으로 연결된 2개의 제1 감지 전극들(210-1, 210-2)과 제1 감지 라인(230, 도 8b 참조)에 의해 서로 전기적으로 연결된 3개의 제2 감지 전극들(220-1, 220-2, 220-3)이 교차하여 배치될 수 있다.
도 13에서, 제2 감지 전극 그룹(220G)과 연결된 제2 감지 라인(240)은 복수의 제1 라인들(241-1, 241-2)과 제2 라인(242)을 포함할 수 있다. 제1 인접 감지 전극(220-1) 및 제2 인접 감지 전극(220-2)은 제1 라인들(241-1, 241-2)을 통해 구동 회로(T-IC)에 확정적으로 연결되고, 제3 인접 감지 전극(220-3)은 제2 라인(242)에 연결된 스위칭 모듈(SW)을 통해 제1 및 제2 제어신호들을 기초로 구동 회로(T-IC) 또는 기준 전위(Vref)에 선택적으로 연결될 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
ED: 전자 장치
DP: 표시 패널
IS: 입력 센서
T-IC: 구동 회로
230: 제1 감지 라인
240: 제2 감지 라인
Vref: 기준 전위

Claims (20)

  1. 표시 패널;
    상기 표시 패널 상에 배치되고, 복수의 감지 전극들 및 상기 복수의 감지 전극들에 연결된 복수의 감지 라인들을 포함하는 입력 센서; 및
    상기 입력 센서를 구동하고, 상기 입력 센서에 수신된 입력의 종류를 기초로 제어 신호를 생성하는 구동 회로를 포함하고,
    상기 복수의 감지 라인들은,
    상기 복수의 감지 전극들 중 서로 인접한 감지 전극들을 일단에서 서로 전기적으로 연결하는 제1 감지 라인; 및
    상기 일단과 반대되는 타단에서 상기 인접한 감지 전극들 중 적어도 하나의 감지 전극을 상기 구동 회로에 연결하고, 나머지 감지 전극들을 상기 제어 신호를 기초로 상기 구동 회로 또는 기준 전위에 선택적으로 연결하는 제2 감지 라인을 포함하는 전자 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 구동 회로는 상기 입력이 사용자의 터치에 해당하는 경우 제1 제어 신호를 생성하고, 상기 입력이 입력 장치를 포함하는 입력 장치에 해당하는 경우 제2 제어 신호를 생성하는 전자 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2 감지 라인은 상기 제1 제어 신호가 수신되면 상기 나머지 감지 전극들을 상기 구동 회로와 연결하고, 상기 제2 제어 신호가 수신되면 상기 나머지 감지 전극들을 상기 기준 전위에 연결하는 전자 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 입력 센서는 상기 표시 패널 상에 직접 배치되는 전자 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 입력 센서는 상기 인접한 감지 전극들로 각각 구성된 복수의 감지 전극 그룹들을 포함하고,
    상기 복수의 감지 전극 그룹들 각각은 상기 인접한 감지 전극들, 상기 제1 감지 라인 및 상기 제2 감지 라인으로 정의되는 폐루프를 형성하는 전자 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 입력 센서는 복수의 감지 단위들을 포함하고, 상기 감지 전극 그룹들 각각은 상기 복수의 감지 단위들에 각각 배치되는 전자 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 복수의 감지 전극 그룹들은 각각이 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열되는 제1 감지 전극 그룹들 및 상기 제1 방향으로 배열되고 각각이 상기 제2 방향으로 연장되는 제2 감지 전극 그룹들을 포함하는 전자 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 복수의 감지 단위들은 상기 제1 감지 전극 그룹들과 상기 제2 감지 전극 그룹들이 교차하는 영역으로 정의되는 전자 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제1 감지 전극 그룹들 각각은 n개의 인접한 감지 전극들을 포함하고, 상기 제2 감지 전극 그룹들 각각은 m개의 인접한 감지 전극들을 포함하는 전자 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 n과 상기 m은 동일한 자연수인 전자 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제2 감지 라인은 스위치 모듈을 포함하고, 상기 스위치 모듈은 상기 제어 신호를 수신하고 수신된 상기 제어 신호를 기초로 상기 구동 회로 또는 기준 전위와 선택적으로 연결되는 전자 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 구동 회로가 배치되고 상기 입력 센서에 연결된 연성회로기판을 더 포함하고,
    상기 스위치 모듈은 상기 연성회로기판 상에 배치되는 전자 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 표시 패널은 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하고,
    상기 입력 센서는 상기 표시 영역에 대응하는 감지 영역 및 상기 비표시 영역에 대응하는 주변 영역을 포함하며,
    상기 복수의 감지 전극들은 상기 감지 영역에 배치되고 상기 복수의 감지 라인들은 상기 주변 영역에 배치되는 전자 장치.
  14. 표시 패널;
    상기 표시 패널 상에 배치되고, 복수의 감지 전극들 및 상기 복수의 감지 전극들에 연결된 복수의 감지 라인들을 포함하는 입력 센서; 및
    상기 입력 센서를 구동하고, 상기 입력 센서에 수신된 입력의 종류를 기초로 제1 제어 신호 또는 제2 제어 신호를 생성하는 구동 회로를 포함하고,
    상기 복수의 감지 라인들은,
    상기 복수의 감지 전극들 중 서로 인접한 제1 감지 전극 및 제2 감지 전극을 일단에서 서로 전기적으로 연결하는 제1 감지 라인; 및
    상기 일단과 반대되는 타단에서 상기 제1 감지 전극을 상기 구동 회로와 연결하고, 상기 제1 제어 신호가 수신되면 상기 제2 감지 전극을 상기 구동 회로에 연결하고 상기 제2 제어 신호가 수신되면 상기 제2 감지 전극을 기준 전위에 연결하는 스위치 모듈을 포함하는 제2 감지 라인을 포함하는 전자 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 구동 회로는 상기 입력이 사용자의 터치에 해당하는 경우 상기 제1 제어 신호를 생성하고, 상기 입력이 입력 장치를 포함하는 입력 장치에 해당하는 경우 상기 제2 제어 신호를 생성하는 전자 장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 입력 센서는 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극을 각각 포함하는 복수의 감지 전극 그룹들을 포함하고,
    상기 복수의 감지 전극 그룹들은 각각이 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열되는 제1 감지 전극 그룹들 및 상기 제1 방향으로 배열되고 각각이 상기 제2 방향으로 연장되는 제2 감지 전극 그룹들을 포함하는 전자 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 입력 센서는 상기 제1 감지 전극 그룹들과 상기 제2 감지 전극 그룹들이 교차하는 영역으로 각각 정의되는 복수의 감지 단위들을 포함하는 전자 장치.
  18. 제16항에 있어서, 상기 복수의 감지 전극 그룹들 각각은 상기 제1 감지 라인 및 상기 제2 감지 라인에 의해 정의되는 폐루프를 형성하는 전자 장치.
  19. 제14항에 있어서, 상기 입력 센서에는 상기 복수의 감지 전극들이 배치된 감지 영역 및 상기 감지 영역에 인접한 주변 영역이 정의되고,
    상기 스위치 모듈은 상기 입력 센서의 상기 주변 영역 또는 상기 구동 회로가 배치된 회로 기판 상에 배치되는 전자 장치.
  20. 표시 패널;
    상기 표시 패널 상에 배치되고 감지 전극 및 상기 감지 전극에 연결된 감지 라인을 포함하는 입력 센서; 및
    상기 입력 센서를 구동하는 구동 회로를 포함하고,
    상기 감지 전극은 서로 인접한 제1 감지 전극 및 제2 감지 전극을 포함하고,
    상기 감지 라인은,
    상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 중 어느 하나를 상기 구동 회로와 연결시키는 제1 감지 라인; 및
    상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 중 다른 하나를 상기 구동 회로 또는 기준 전위에 선택적으로 연결시키는 제2 감지 라인을 포함하는 전자 장치.
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