KR20230016383A - Boat for vertical haet treatment and heat treatment method of silicon wafer using same - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a vertical heat treatment boat and a heat treatment method for a silicon wafer using the same. The vertical heat treatment boat includes a support assisting member on which a treated substrate is mounted as the support assisting member is detachably mounted on each support unit of a boat body. The support assisting member has: a guide member mounted on the support unit; and a plate-shaped substrate support member on which the treated substrate is mounted. The guide member has a hole on the upper surface, and the substrate support member is positioned by being inserted into the hole of the guide member. A height position of a mounted surface of the treated substrate is higher than the height position of an upper surface of the guide member. The substrate support member is formed of silicon carbide and the like. The guide member is formed of quartz and the like. Accordingly, the vertical heat treatment boat and the heat treatment method for a silicon wafer using the same can suppress both Fe contamination transition to a silicon wafer and surface roughening on a back surface of the silicon wafer when the heat treatment using argon and the like is executed as the treated substrate like the silicon wafer is loaded on the vertical heat treatment boat having the support assisting member.

Description

종형 열처리용 보트 및 이를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법{BOAT FOR VERTICAL HAET TREATMENT AND HEAT TREATMENT METHOD OF SILICON WAFER USING SAME}Boat for vertical heat treatment and heat treatment method of silicon wafer using the same

본 발명은, 주로 실리콘 웨이퍼 등을 열처리할 때에 사용하는 종형 열처리용 보트 및 이를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법에 관한 것이다.The present invention mainly relates to a vertical heat treatment boat used when heat treating a silicon wafer or the like and a heat treatment method for a silicon wafer using the same.

반도체 웨이퍼, 예를 들면 실리콘 웨이퍼를 이용하여 디바이스를 제작하는 경우, 웨이퍼의 가공 프로세스로부터 소자의 형성 프로세스까지 다수의 공정이 개재하고, 그 하나에 열처리 공정이 있다. 열처리 공정은, 웨이퍼의 표층에 있어서의 무결함층의 형성, 게터링, 결정화, 산화막 형성, 불순물 확산 등을 목적으로 하여 수행되는 중요한 프로세스이다.In the case of manufacturing a device using a semiconductor wafer, for example, a silicon wafer, a plurality of processes from a wafer processing process to a device formation process are intervened, and one of them includes a heat treatment process. The heat treatment process is an important process performed for the purpose of forming a defect-free layer on the surface layer of a wafer, gettering, crystallization, oxide film formation, impurity diffusion, and the like.

이러한 열처리 공정, 예를 들면, 산화나 불순물 확산에 이용되는 확산로(산화·확산 장치)로서는, 웨이퍼의 대구경화에 수반하여, 다수의 웨이퍼를 소정의 간격을 열어 수평에 지지한 상태로 열처리를 실시하는 종형의 열처리로가 주로 이용되고 있다. 그리고, 종형 열처리로를 이용하여 웨이퍼를 열처리할 때, 다수의 웨이퍼를 세트하기 위한 종형 열처리용 보트(이하, 「열처리용 보트」또는 단순히 「보트」라고 하는 경우가 있음)가 이용된다.In such a heat treatment process, for example, as a diffusion furnace (oxidation/diffusion device) used for oxidation or impurity diffusion, heat treatment is performed in a state in which a number of wafers are opened at predetermined intervals and supported horizontally as wafers become larger in diameter. A vertical heat treatment furnace is mainly used. Further, when performing heat treatment on wafers using a vertical heat treatment furnace, a vertical heat treatment boat (hereinafter sometimes referred to as a "heat treatment boat" or simply a "boat") for setting a large number of wafers is used.

도 4는 종래의 일반적인 종형 열처리용 보트의 개략을 나타내고 있다. 이 종형 열처리용 보트(101)에서는, 4개의 지주(102)(로드)의 양단부에 한 쌍의 판 형상 부재(103)(연결 부재, 혹은 천판과 저판이라고도 부름)가 연결되어 있다. 각 지주(102)에는 다수의 슬릿(105)이 형성되어, 각 슬릿(105) 간의 볼록부가 웨이퍼의 지지부(106)로서 작용한다. 웨이퍼를 열처리할 때, 도 5(A)의 평면도, 도 5(B)의 정면도에 나타낸 바와 같이, 각 지주(102)의 동일한 높이에 형성되어 있는 지지부(106)에 웨이퍼(W)의 외주부를 재치하는 것으로 웨이퍼(W)가 수평으로 지지되게 이루어진다.Figure 4 shows the outline of a conventional general vertical heat treatment boat. In this boat 101 for vertical heat treatment, a pair of plate-like members 103 (also called connecting members or a top plate and a bottom plate) are connected to both ends of four pillars 102 (rods). A plurality of slits 105 are formed in each post 102, and the convex portion between the slits 105 serves as a support portion 106 for the wafer. When the wafer is subjected to heat treatment, as shown in the plan view of FIG. 5(A) and the front view of FIG. By placing, the wafer W is supported horizontally.

도 6은 종형 열처리로의 일례를 나타내는 개략도이다. 종형 열처리로(220)의 반응실(222)의 내부에 반입된 열처리용 보트(101)에는 다수의 웨이퍼(W)가 수평에 지지되어 있다. 열처리 시에는, 웨이퍼(W)는, 반응실(222)의 주위에 설치된 히터(224)에 의해 가열되게 된다. 열처리 중, 반응실(222)에는 가스 도입관(226)을 거쳐 가스가 도입되고, 상부에서 하부로 향해 흘러 가스 배기관(228)으로부터 외부로 배출된다. 사용하는 가스는 열처리의 목적에 따라서 다르지만, 주로 H2, N2, O2, Ar 등이 이용된다. 불순물 확산의 경우에는, 이러한 가스를 불순물 화합물 가스의 캐리어 가스로서도 사용한다.6 is a schematic diagram showing an example of a vertical heat treatment furnace. A plurality of wafers W are horizontally supported by the heat treatment boat 101 carried into the reaction chamber 222 of the vertical heat treatment furnace 220 . During heat treatment, the wafer W is heated by a heater 224 installed around the reaction chamber 222 . During the heat treatment, gas is introduced into the reaction chamber 222 through a gas inlet pipe 226, flows from the top to the bottom, and is discharged to the outside through the gas exhaust pipe 228. The gas to be used differs depending on the purpose of the heat treatment, but mainly H2, N2, O2, Ar or the like is used. In the case of impurity diffusion, this gas is also used as a carrier gas for the impurity compound gas.

종형 열처리용 보트(101)에 있어서의 웨이퍼의 지지부(106)는 여러 가지의 형상이 채용되고 있으며, 도 7(A)(B)은 각각 일례를 나타내고 있다. (A)는, 원주 형상의 지주(102')에 요홈 형상의 슬릿(105')(홈)을 마련하는 것으로 반원형의 지지부(106')를 형성한 것이다. 한편, (B)는, (A)의 것보다 웨이퍼(W)의 중심으로 가까운 개소를 지지하기 위해서 폭의 넓은 각주 형상의 지주 (102＇＇)에 패여 상태의 슬릿(105'')을 마련하여 장방형의 지지부(106'')를 형성한 것이다. 그 밖에도, 슬릿 형상을 원호 형상으로 한 것이나, 구형 형상으로 한 것 등도있다.Various shapes are employed for the wafer support portion 106 in the boat 101 for vertical heat treatment, and Fig. 7 (A) (B) shows an example. In (A), a semicircular support portion 106' is formed by providing a concave slit 105' (groove) in a columnar post 102'. On the other hand, (B) provides a wide prismatic post 102'' with a slit 105'' in a recessed state in order to support a location closer to the center of the wafer W than that of (A). Thus, a rectangular support portion 106 ″ is formed. In addition, there is also a slit shape made into an arc shape or a spherical shape.

그런데, 종형 열처리용 보트를 사용하면, 특히 산화나 불순물 확산 등을 목적으로 한 고온의 열처리를 실시하는 경우, 웨이퍼의 자중에 의한 내부 응력이나 웨이퍼 내의 온도 분포의 불균일성에 의한 열왜응력(熱歪應力) 등이 생기고, 이러한 응력이 어느 일정한 임계치를 넘으면, 웨이퍼에 결정 결함인 슬립(슬립 전위)이 발생해 버린다. 이 전위 발생의 임계치는 고온이 되면 급격하게 작아지기 때문에, 고온이 되는 만큼 슬립 전위가 발생하기 쉬워지는 것으로 알려져 있다. 슬립 전위 발생 개소에 소자를 형성하면, 접합 리크 등의 원인이 되어, 디바이스 제작의 제품 비율을 현저하게 저하시키는 것이 되었다.However, when a boat for vertical heat treatment is used, especially when high-temperature heat treatment is performed for the purpose of oxidation or impurity diffusion, internal stress due to the weight of the wafer or thermal distortion stress due to non-uniformity of temperature distribution within the wafer (heat distortion stress) ) and the like occur, and when this stress exceeds a certain threshold value, a slip (slip dislocation), which is a crystal defect, occurs in the wafer. It is known that since the threshold for generating this dislocation rapidly decreases when the temperature increases, slip dislocations are more likely to occur as the temperature increases. If an element is formed at a slip dislocation generating location, it becomes a cause of junction leakage or the like, and the product ratio of device fabrication is remarkably reduced.

예를 들면, 도 7(A)(B)에 나타낸 바와 같은 지지부(106', 106'')를 형성한 종래의 보트를 이용했을 때, 지지부의 첨단과 접하는 개소에 슬립이 발생하기 쉽다. 이러한 첨단부에서 점접촉하게 되는 경우가 있기 때문이다.For example, when a conventional boat having support portions 106' and 106'' as shown in Figs. 7(A) and (B) is used, slipping is likely to occur at a location in contact with the tip of the support portion. This is because there is a case where point contact is made at such a tip.

또한, 예를 들면 단지 지지부에 CVD-SiC 코팅을 실시했을 때의 열처리용 보트에서는, 그 표면은, Ra(중심선 평균 거칠기)가 1μm 정도로 매우 거칠기 때문에, 지지부에 웨이퍼를 재치하면 웨이퍼는 미소한 융기 형상부(국부돌기)에서 점접촉으로서 지지를 받게 된다. 그 때문에, 웨이퍼의 자중에 의한 내부 응력이 국부적으로 커져, 슬립이 발생하기 쉽다고 알려져 있다.Further, for example, in a boat for heat treatment in which only a CVD-SiC coating is applied to the support, the surface is very rough with an Ra (center line average roughness) of about 1 μm. It is supported as a point contact in the shape part (local projection). Therefore, it is known that the internal stress caused by the weight of the wafer locally increases, and slip easily occurs.

이러한 슬립의 발생을 막기 위해, 지지부의 첨단을 모떼기하거나 웨이퍼 지지부의 표면을 연마함으로써 융기 형상부를 제거하는 등의 대책을 강구할 수 있다.In order to prevent the occurrence of such a slip, countermeasures such as chamfering the tip of the support portion or removing the raised portion by polishing the surface of the wafer support portion may be taken.

그러나, 열처리 보트의 지지부는 얇고 무르기 때문에, 기계 등으로 모떼기 가공이나 연마 가공할 때에 파손이 일어나기 쉬운 문제가 있다. 지지부를 1개에서도 파손하면, 보트 전체적으로 불량품이 되어 버린다. 그 때문에, 완전한 경면에 연마하려면 수작업 등을 실시할 필요가 있지만, 각 지지부의 면 거칠기에 불균형이 나오기 쉬워지므로, 모든 지지부를 경면 연마하려면 많은 노력을 필요로 하여, 매우 고가의 보트가 되어 버린다.However, since the support part of the heat treatment boat is thin and brittle, there is a problem that it is easily damaged during chamfering or polishing with a machine or the like. If even one support part is damaged, the boat as a whole will become a defective product. Therefore, manual work or the like is required to polish to a perfect mirror surface, but since unevenness in the surface roughness of each support portion is likely to occur, a lot of effort is required to mirror polish all the support portions, resulting in a very expensive boat.

또한, 지지부의 표면 거칠기나 첨단부의 모떼기 등의 최적 형상을 확립하기 위해서는, 여러 가지 표면 거칠기나 모떼기 형상으로 설정한 여러 가지의 열처리용 보트를 제작하여 수많은 사전 실험을 실시할 필요가 있다. 그러나, 열처리 보트는 고가가 되기 때문에, 다양한 열처리용 보트를 가지런히 하여 실험하는 것은 매우 비용이 들게 된다.In addition, in order to establish the optimum shape such as the surface roughness of the support part and the chamfering of the tip, it is necessary to manufacture various boats for heat treatment set to various surface roughness and chamfering shapes, and to conduct numerous preliminary experiments. However, since heat treatment boats are expensive, it is very costly to align and experiment with various heat treatment boats.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 특개 2004-241545호 공보에는, 웨이퍼 지지부에 탈착가능한 지지 보조 부재를 장착한 보트가 개시되어 있다. 이러한 보트이면, 지지 보조 부재는 탈착가능한 것이기 때문에, 웨이퍼를 재치하는 면에서, 모떼기 가공이나 연마 가공을 염가로 용이하게 소망한 것에 실시할 수 있고, 그 연마 가공 등을실시한 지지 보조 부재를 지지부에 장착하여, 웨이퍼를 재치하여 열처리를 실시하면, 슬립의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다고 여겨지고 있다.In order to solve this problem, Japanese Unexamined Publication No. 2004-241545 discloses a boat equipped with a detachable supporting member attached to a wafer support part. With such a boat, since the support auxiliary member is detachable, chamfering and polishing can be easily and cheaply performed on the desired object in terms of mounting the wafer, and the polishing and the like can be used to support the supporting member. It is believed that the occurrence of slip can be effectively suppressed by placing the wafer on the wafer and performing heat treatment thereon.

또한, 보트의 재질에 관해서는, 예를 들면 실리콘 웨이퍼용으로서는, 웨이퍼의 오염을 막기 위해, 통상, 석영(SiO2), 탄화규소(SiC), 규소(Si) 등의 재료가 사용되고 있다. 예를 들면, 1000℃을 넘는 고온 열처리 공정에서는, 석영(SiO2)제의 보트보다 내열성이 높은 SiC나 Si제의 보트가 사용되고 있다. 특히 SiC제의 보트는 CVD-SiC 코팅을 실시함으로써 열처리 중에 발생하는 금속 오염을 보다 저감시킬 수 있기 때문에 많이 사용되고있다.As for the material of the boat, materials such as quartz (SiO2), silicon carbide (SiC), and silicon (Si) are usually used in order to prevent contamination of the wafer, for example, for silicon wafers. For example, in a high-temperature heat treatment process exceeding 1000°C, boats made of SiC or Si which have higher heat resistance than boats made of quartz (SiO2) are used. In particular, boats made of SiC are widely used because metal contamination generated during heat treatment can be further reduced by applying CVD-SiC coating.

그러나, CVD-SiC 코팅에 있어서, 그 표면을 예를 들면 경면 연마를 실시함으로써, SiC막의 표층부에서 Fe의 금속 오염 농도가 높은 경우가 있어, 웨이퍼를 재치하여 열처리를 실시할 때에, Fe의 금속 오염 전사가 일어나는 일이 있다. 이 금속 오염 전사는, 열처리용 보트 표면에 산화막을 형성함으로써 막을 수 있다. 이러한 이유로 부터 상기 지지 보조 부재도 표면에 산화막이 형성된 SiC제의 것이 사용되고 있다. However, in CVD-SiC coating, when the surface is subjected to, for example, mirror polishing, the concentration of Fe metal contamination in the surface layer portion of the SiC film may be high. Warriors happen. This metal contamination transfer can be prevented by forming an oxide film on the surface of the boat for heat treatment. For this reason, the supporting auxiliary member is also made of SiC having an oxide film formed on its surface.

그렇지만, 산화막이 형성된 SiC제의 지지 보조 부재에 웨이퍼를 재치하여 아르곤 분위기 중에서 열처리를 실시하면, Fe의 금속 오염 전사량은 저감하지만, 산화막에 의해 실리콘 웨이퍼의 이면이 거칠어지는 일이 있었다.However, when a wafer is placed on a support auxiliary member made of SiC on which an oxide film is formed and subjected to heat treatment in an argon atmosphere, the amount of transfer of Fe metal contamination is reduced, but the back surface of the silicon wafer may become rough due to the oxide film.

한편, 지지 보조 부재에 산화막을 형성하지 않는 경우에는, 지지 보조 부재의 측면에서 발생한 Fe가 다음 단의 웨이퍼 표면을 오염시키는 문제가 있었다.On the other hand, when an oxide film is not formed on the support auxiliary member, there is a problem that Fe generated on the side surface of the support auxiliary member contaminates the wafer surface in the next stage.

따라서, 본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 지지 보조 부재를 구비한 종형 열처리용 보트에 실리콘 웨이퍼와 같은 피처리 기판을 재치하여 아르곤 등을 이용한 열처리를 실시할 때의, 실리콘 웨이퍼로의Fe 오염 전사와 실리콘 웨이퍼 이면의 면 거칠어짐의 양자를 억제할 수 있는 종형 열처리용 보트 및 이를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and when a processing target substrate such as a silicon wafer is placed on a vertical heat treatment boat equipped with a supporting member and heat treatment using argon or the like is performed, Fe to the silicon wafer An object of the present invention is to provide a vertical heat treatment boat capable of suppressing both contamination transfer and surface roughness on the back surface of a silicon wafer, and a silicon wafer heat treatment method using the same.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 적어도, 복수의 지주와, 각 지주의 양단부에 연결한 한 쌍의 판 형상부재와, 상기 각 지주에 피처리 기판을 수평으로 지지하기 위한 복수의 지지부를 갖는 보트 본체와, 상기 복수의 지지부 각각에 탈착가능하게 장착되어 있으며, 상기 피처리 기판이 재치되는 지지 보조 부재를 구비한 종형 열처리용 보트에 있어서, 상기 지지 보조 부재는, 상기 지지부에 장착되는 가이드 부재와, 상기 가이드 부재에 의해 위치되어 상기 피처리 기판이 재치되는 판 형상의 기판 지지 부재를 갖고 있으며, 상기 가이드 부재는 상면에 구멍이 형성되어 있고, 상기 기판 지지 부재는, 상기 가이드 부재의 구멍에 끼워 넣어져서 위치되어 있고, 상기 지지 보조 부재가 보트 본체의 지지부에 장착되었을 때, 상기피처리 기판이 재치되는 면의 높이 위치가, 상기 가이드 부재의 상면의 높이 위치보다 높고, 상기 기판 지지 부재는, 탄화규소, 규소, 탄화규소의 CVD 코팅이 실시된 탄화규소, 탄화규소의 CVD 코팅이 실시된 규소, 탄화규소의 CVD 코팅이 실시된 탄소 중 어느 것으로 이루어지며, 상기 가이드 부재는, 석영, 산화 규소막이 실시된 탄화규소, 질화 규소막이 실시된 탄화규소, 산질화 규소막이 실시된 탄화규소, 산화 규소막이 실시된 규소, 질화 규소막이 실시된 규소, 산질화 규소막이 실시된 규소 중 어느 것으로 이루어진 것인 것은 특징으로 하는 종형 열처리용 보트를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides at least a plurality of pillars, a pair of plate-like members connected to both ends of each pillar, and a plurality of supports for horizontally supporting a substrate to be processed on each of the pillars. A vertical heat treatment boat including a boat main body having a boat body and a support auxiliary member detachably attached to each of the plurality of support members and on which the processing target substrate is placed, wherein the support auxiliary member includes a guide mounted on the support member. member, and a plate-shaped substrate support member positioned by the guide member and on which the substrate to be processed is placed, wherein the guide member has a hole formed in an upper surface thereof, and the substrate support member has a hole in the guide member. When the support auxiliary member is attached to the support part of the boat body, the height position of the surface on which the processing target substrate is placed is higher than the height position of the upper surface of the guide member, and the substrate support member is made of any of silicon carbide, silicon, silicon carbide subjected to CVD coating of silicon carbide, silicon subjected to CVD coating of silicon carbide, and carbon subjected to CVD coating of silicon carbide, and the guide member is made of quartz, made of any of silicon carbide coated with a silicon oxide film, silicon carbide coated with a silicon nitride film, silicon carbide coated with a silicon oxynitride film, silicon coated with a silicon oxide film, silicon coated with a silicon nitride film, and silicon coated with a silicon oxynitride film It provides a boat for vertical heat treatment characterized in that.

전술한 바와 같이, 종래품과 같이, 예를 들면, 산화막이 형성된 SiC제의 지지 보조 부재를 구비한 것이면, 상기 산화막에 의해, 이와 접촉하는 피처리 기판의 이면이 거칠어져 버린다. 한편, 지지 보조 부재에 산화막을 형성하지 않는 경우에는, 지지 보조 부재의 측면에서의 Fe에 의해 웨이퍼 표면이 오염되어 버린다.As described above, in the case of a support auxiliary member made of, for example, SiC on which an oxide film is formed, as in conventional products, the back surface of the substrate to be processed in contact therewith is roughened by the oxide film. On the other hand, when an oxide film is not formed on the support auxiliary member, the wafer surface is contaminated by Fe on the side surface of the support auxiliary member.

그렇지만, 본 발명의 종형 열처리용 보트는, 지지 보조 부재에 있어서, 피처리 기판이 재치되는 기판 지지 부재는, 지지부에 장착되는 가이드 부재의 상면에 형성된 구멍에 끼워 넣어져서 위치되어 있고, 기판 지지 부재의 피처리 기판이 재치되는 면의 높이 위치가, 가이드 부재의 상면의 높이 위치보다 높고, 또한 기판 지지 부재는 탄화규소, 규소, 탄화규소의 CVD 코팅이 실시된 탄화규소, 탄화규소의 CVD 코팅이 실시된 규소, 탄화규소의 CVD코팅이 실시된 탄소 중 어느 것으로 이루어지므로, 실리콘 웨이퍼 등의 피처리 기판과 접촉하는 부분에 산화막이 형성되지 않고, 피처리 기판을 재치하여 열처리할 때에 피처리 기판의 이면과 산화막이 접촉할 것도 없다. 이에 의해, 피처리 기판의 이면이 거칠어지는 것을 억제하는 것이 가능하다.However, in the vertical heat treatment boat of the present invention, in the support auxiliary member, the substrate support member on which the substrate to be processed is placed is positioned by being inserted into a hole formed on the upper surface of a guide member attached to the support portion, and the substrate support member is positioned The height position of the surface on which the substrate to be processed is placed is higher than the height position of the upper surface of the guide member, and the substrate support member is silicon carbide, silicon carbide coated with silicon carbide, or CVD coated with silicon carbide. Since it is made of either silicon applied or carbon subjected to CVD coating of silicon carbide, an oxide film is not formed on a portion in contact with a target substrate such as a silicon wafer, and when the target substrate is placed and subjected to heat treatment, the target substrate There is no contact between the back surface and the oxide film. In this way, it is possible to suppress roughening of the back surface of the processing target substrate.

또한, 지지 보조 부재 중, 기판 지지 가이드 부재는 석영, 산화 규소막이 실시된 탄화규소, 질화 규소막이 실시된 탄화규소, 산질화 규소막이 실시된 탄화규소, 산화 규소막이 실시된 규소, 질화 규소막이 실시된 규소, 산질화 규소막이 실시된 규소 중 어느 것으로 이루어지기 때문에, 그만큼, 지지 보조 부재의 전체로부터 피처리 기판 표면으로의 Fe의 금속 오염 전사량을 큰 폭으로 저감하는 것이 가능하다.Further, among the support auxiliary members, the substrate support guide member is made of quartz, silicon carbide coated with a silicon oxide film, silicon carbide coated with a silicon nitride film, silicon carbide coated with a silicon oxynitride film, silicon coated with a silicon oxide film, or silicon nitride film applied. Since the film is made of either coated silicon or silicon oxynitride coated silicon, it is possible to significantly reduce the amount of metal contamination transfer of Fe from the entire support auxiliary member to the surface of the substrate to be processed.

이와 같이, 본 발명에 의해서, 종래 문제가 되고 있던 피처리 기판으로의 Fe 오염 전사와 피처리 기판 이면의 면 거칠어짐의 양쪽 모두가 동시에 억제된 열처리 기판을 제공하는 것이 가능하게 된다.In this way, according to the present invention, it is possible to provide a heat-treated substrate in which both Fe contamination transfer to the substrate to be processed and surface roughness on the back surface of the substrate to be processed, which have been problems in the past, are suppressed at the same time.

이때, 상기 보트 본체는, 석영, 산화 규소막이 실시된 탄화규소, 질화 규소막이 실시된 탄화규소, 산질화 규소막이 실시된 탄화규소, 산화 규소막이 실시된 규소, 질화 규소막이 실시된 규소, 산질화 규소막이 실시된 규소중 어느 것으로 이루어진 것으로 할 수 있다.At this time, the boat body is made of quartz, silicon carbide coated with a silicon oxide film, silicon carbide coated with a silicon nitride film, silicon carbide coated with a silicon oxynitride film, silicon coated with a silicon oxide film, silicon coated with a silicon nitride film, oxynitride The silicon film may be made of any of the applied silicon.

이와 같이, 보트 본체가, 석영, 산화 규소막이 실시된 탄화규소, 질화 규소막이 실시된 탄화규소, 산질화 규소막이 실시된 탄화규소, 산화 규소막이 실시된 규소, 질화 규소막이 실시된 규소, 산질화 규소막이 실시된 규소중 어느 것으로 이루어지므로, 보트 본체로부터의 Fe의 금속 오염 전사량도 저감할 수 있기 때문에, 피처리 기판 표면의 Fe 오염을 더욱 감소시킬 수 있다.In this way, the boat body is composed of quartz, silicon carbide coated with a silicon oxide film, silicon carbide coated with a silicon nitride film, silicon carbide coated with a silicon oxynitride film, silicon coated with a silicon oxide film, silicon coated with a silicon nitride film, oxynitride Since the silicon film is made of any of the applied silicon, the transfer amount of Fe metal contamination from the boat body can also be reduced, and therefore Fe contamination on the surface of the substrate to be processed can be further reduced.

그리고, 상기 기판 지지 부재의 피처리 기판이 재치되는 면의 높이 위치와, 상기 가이드 부재의 상면의 높이 위치의 차가, 0.05~1.0 mm인 것이 바람직하다.Further, it is preferable that the difference between the height position of the surface of the substrate support member on which the processing target substrate is placed and the height position of the upper surface of the guide member is 0.05 to 1.0 mm.

이와 같이, 기판 지지 부재의 피처리 기판이 재치되는 면의 높이 위치와, 가이드 부재의 상면의 높이 위치의 차가 0.05 mm 이상, 즉 기판 지지 부재의 피처리 기판이 재치되는 면(기판 재치면)의 높이 위치가, 가이드 부재의 상면의 높이 위치보다 0.05 mm 이상 높으면, 피처리 기판이 기판 지지 부재 상에 재치되었을 때, 피처리 기판이 가이드 부재에 직접 접촉하는 것을 피할 수 있다. 또한, 가이드 부재의 상면보다 높게 위치하는, 기판 지지 부재의 측면에서의 Fe 오염을 억제하기 위해서, 상기 높이 위치의 차의 상한은 1.0 mm로 하는 것이 바람직하다.In this way, the difference between the height position of the surface of the substrate support member on which the substrate to be processed is placed and the height position of the upper surface of the guide member is 0.05 mm or more, that is, the surface (substrate placement surface) of the substrate support member on which the substrate to be processed is placed. If the height position is higher than the height position of the upper surface of the guide member by 0.05 mm or more, when the substrate to be processed is placed on the substrate holding member, direct contact of the substrate to be processed with the guide member can be avoided. Further, in order to suppress Fe contamination on the side surface of the substrate support member, which is located higher than the upper surface of the guide member, the upper limit of the height difference is preferably set to 1.0 mm.

또한, 본 발명은, 상기의 종형 열처리용 보트를 이용하여 실리콘 웨이퍼를 열처리하는 방법에 있어서, 상기 복수의 지지부 각각에 상기 지지 보조 부재를 장착하고, 상기 지지 보조 부재의 기판 지지 부재 상에 실리콘 웨이퍼를 재치하여 열처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법을 제공한다.In addition, in the present invention, in the method of heat treating a silicon wafer using the vertical heat treatment boat, the support auxiliary member is mounted on each of the plurality of support parts, and the silicon wafer is placed on the substrate support member of the support auxiliary member. It provides a heat treatment method for a silicon wafer, characterized in that by placing a heat treatment.

이러한 열처리 방법이면, 종래와 같이 실리콘 웨이퍼의 이면을 지지 보조 부재 표면에 형성된 산화막과 접촉시키지 않고서 열처리를 실시할 수 있어, 산화막과의 접촉을 원인으로 하는 실리콘 웨이퍼의 이면의 거칠어짐을 막는 것이 가능하다.With this heat treatment method, it is possible to perform heat treatment without bringing the back surface of the silicon wafer into contact with the oxide film formed on the surface of the support auxiliary member as in the prior art, and it is possible to prevent roughness of the back surface of the silicon wafer caused by contact with the oxide film. .

또한, 동시에, 지지 보조 부재로부터 피처리 기판 표면으로의 Fe의 금속 오염 전사량을 큰 폭으로 저감하는 것이 가능하다.In addition, at the same time, it is possible to greatly reduce the amount of metal contamination transfer of Fe from the supporting member to the surface of the substrate to be processed.

이때, 상기 실리콘 웨이퍼의 열처리를, 1100~1350℃의 온도로 실시할 수 있다.At this time, heat treatment of the silicon wafer may be performed at a temperature of 1100 to 1350 ° C.

이러한 고온의 열처리의 경우, Fe 등에 의한 금속 오염이 문제가 되지만, 본 발명의 열처리 방법이면 그 금속오염을 효과적으로 억제할 수 있기 때문에, 상기 문제를 해결하기에 지극히 유효하다.In the case of such high-temperature heat treatment, metal contamination by Fe or the like is a problem, but the heat treatment method of the present invention is extremely effective in solving the above problem because the metal contamination can be effectively suppressed.

이상과 같이, 본 발명의 종형 열처리용 보트 및 이를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법에 의해, 열처리 시의 지지 보조 부재 등을 원인으로 하는 실리콘 웨이퍼 등의 피처리 기판으로의 Fe 오염 전사와 웨이퍼 이면의 면 거칠어짐의 양자를 억제한 열처리 웨이퍼를 제조할 수 있다.As described above, with the boat for vertical heat treatment of the present invention and the method for heat treatment of silicon wafers using the same, transfer of Fe contamination to substrates to be processed such as silicon wafers caused by support auxiliary members during heat treatment and the surface of the back surface of the wafer A heat-treated wafer in which both roughness is suppressed can be manufactured.

도 1은 본 발명의 종형 열처리용 보트의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 지지 보조 부재의 일례를 나타내는 설명도로서, (A)는 지지부에 지지 보조 부재가 장착되어 있는 상태, (B)는 가이드 부재의 배면측, (C)는 가이드 부재와 기판 지지 부재가 분리되어 있는 상태, (D)는 지지부에 장착되었을 때의 지지 보조 부재의 단면도.
도 3은 종래의 지지 보조 부재의 일례를 나타내는 설명도로서, (A)는 지지부에 지지 보조 부재가 장착되어 있는 상태, (B)는 지지부에 장착되었을 때의 지지 보조 부재의 단면도.
도 4는 종래의 종형 열처리용 보트의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 5는 종래의 종형 열처리용 보트에 웨이퍼를 세트한 상태를 나타내는 설명도이다.
도 6은 종형 열처리로의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 7은 종래의 종형 열처리용 보트에 있어서의 웨이퍼 지지부를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic view showing an example of a boat for vertical heat treatment of the present invention.
2 is an explanatory view showing an example of a support auxiliary member of the present invention, (A) is a state in which the support auxiliary member is attached to the support part, (B) is the back side of the guide member, (C) is the guide member and the substrate A state in which the support member is separated, (D) is a cross-sectional view of the support auxiliary member when attached to the support part.
Fig. 3 is an explanatory diagram showing an example of a conventional support auxiliary member, wherein (A) is a state in which the support auxiliary member is attached to a support part, and (B) is a cross-sectional view of the support auxiliary member when attached to the support part.
4 is a schematic view showing an example of a conventional vertical heat treatment boat.
5 is an explanatory diagram showing a state in which a wafer is set in a conventional vertical heat treatment boat.
6 is a schematic diagram showing an example of a vertical heat treatment furnace.
7 is a schematic diagram showing a wafer support part in a conventional vertical heat treatment boat.

이하에서는, 본 발명의 실시의 형태에 대해 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.In the following, embodiments of the present invention will be described, but the present invention is not limited thereto.

대구경의 반도체 웨이퍼 등의 피처리 기판에 열처리를 실시하는 경우, 다수의 웨이퍼를 소정의 간격을 열어 수평으로 지지한 상태로 열처리를 실시하는 종형의 열처리로가 주로 이용되고 있다. 그리고, 이 열처리 때에 다수의 웨이퍼를 세트하기 위한 종형 열처리용 보트가 이용되고 있지만, 종래의 보트에서는 열처리 후의 웨이퍼에 슬립이 발생하는 일이 있었다.In the case of performing heat treatment on a target substrate such as a large-diameter semiconductor wafer, a vertical heat treatment furnace in which heat treatment is performed while a plurality of wafers are horizontally supported with a predetermined gap open is mainly used. Then, at the time of this heat treatment, a vertical heat treatment boat for setting a large number of wafers is used, but in the conventional boat, slips may occur on the wafer after heat treatment.

이것은, 종래의 보트에서는, 예를 들면 CVD-SiC 코팅이 지지부에 단지 실시되어 있는 것만으로, 그 표면은 매우거칠고, 웨이퍼를 지지부 상에 재치했을 때에 점접촉하여 지지를 받는 일이 있기 때문이다. 그렇지만, 그 CVD SiC 코팅이 실시된 거친 표면을 연마한다고 해도 곤란하므로, 비용이 들게 된다.This is because, in a conventional boat, for example, only the CVD-SiC coating is applied to the support portion, and the surface thereof is very rough, and when a wafer is placed on the support portion, it may come into point contact and receive support. However, since it is difficult to polish the rough surface on which the CVD SiC coating has been applied, costs are incurred.

따라서, 이러한 국부 돌기에 의해 슬립이 발생한다는 문제에 대해, 예를 들면 특개 2004-241545호 공보에 기재되어 있는 바와 같이 웨이퍼의 지지부에, 탈착가능한 지지 보조 부재가 장착된 보트를 사용하는 것으로 슬립의 방지를 도모하고 있다.Therefore, with respect to the problem that slip occurs due to such local projections, for example, as described in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-241545, using a boat equipped with a detachable support auxiliary member on the support part of the wafer can prevent the slip. are trying to prevent

예를 들면 1100℃ 이상의 고온 열처리의 경우, 통상, 이 지지 보조 부재는, 전체가 내열성이 높은 탄화규소제의 것이 사용된다. 더욱이, 슬립 방지 때문에, 이 지지 보조 부재의 표면은 경면 가공이 실시되어, 평활한 면 상태가 되어 있다.For example, in the case of high-temperature heat treatment at 1100°C or higher, generally, as the support auxiliary member, a silicon carbide material having high heat resistance is used as a whole. Furthermore, for slip prevention, the surface of this support auxiliary member is subjected to mirror processing to become a smooth surface state.

그러나, 특히 이 경면 가공 시 등에 지지 보조 부재가 고농도의 Fe로 오염되고, 그 Fe가 지지 보조 부재로부터 웨이퍼 표면에 전사하여 웨이퍼가 Fe에 오염되는 문제가 발생했다. 이 Fe 오염은, 지지 보조 부재 표면을 산화막으로 가리는 것으로 감소시키는 것이 가능하다. 그렇지만, 열처리된 웨이퍼에 있어서, 상기 표면이 산화막으로 덮인 지지 보조 부재와의 접촉 부분이 거칠어져 버리는 새로운 문제가 발생했다.However, there is a problem that the support auxiliary member is contaminated with a high concentration of Fe, especially during this mirror finishing, and the Fe is transferred from the support auxiliary member to the wafer surface, and the wafer is contaminated with Fe. This Fe contamination can be reduced by covering the surface of the supporting auxiliary member with an oxide film. However, in the heat-treated wafer, a new problem arises in that the contact portion with the support auxiliary member whose surface is covered with an oxide film becomes rough.

따라서, 본 발명자는, 종형 열처리용 보트의 지지 보조 부재를, 피처리 기판을 지지하는 기판 지지 부재와, 보트의 지지부에 장착하는 동시에 기판 지지 부재를 위치시키는 가이드 부재로 나누었다. 또한, 기판 지지 부재를 탄화규소, 규소, 탄화규소의 CVD 코팅이 실시된 탄화규소, 탄화규소의 CVD 코팅이 실시된 규소, 탄화규소의 CVD 코팅이 실시된 탄소 중 어느 것으로 이루어진 것으로 하고, 또한 가이드 부재를 석영, 산화 규소막이 실시된 탄화규소, 질화 규소막이 실시된 탄화규소, 산질화 규소막이 실시된 탄화규소, 산화 규소막이 실시된 규소,질화 규소막이 실시된 규소, 산질화 규소막이 실시된 규소 중 어느 것으로 함으로써, 열처리 시에, 지지 보조부재로부터 웨이퍼로의 Fe 오염을 감소시키는 동시에, 산화막과의 접촉을 원인으로 하는 웨이퍼 이면의 거칠어짐도 저감할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.Accordingly, the present inventors divided the supporting member of the boat for vertical heat treatment into a substrate supporting member for supporting the substrate to be processed and a guide member for positioning the substrate supporting member while being attached to the support portion of the boat. Further, the substrate support member is made of any one of silicon carbide, silicon, silicon carbide subjected to a CVD coating of silicon carbide, silicon subjected to a CVD coating of silicon carbide, and carbon subjected to a CVD coating of silicon carbide, and a guide The material is quartz, silicon carbide coated with silicon oxide film, silicon carbide coated with silicon nitride film, silicon carbide coated with silicon oxynitride film, silicon coated with silicon oxide film, silicon coated with silicon nitride film, silicon oxynitride coated with silicon oxynitride film By using any of these methods, Fe contamination from the support auxiliary member to the wafer can be reduced during heat treatment, and the roughness of the back surface of the wafer caused by contact with the oxide film can also be reduced, thereby completing the present invention. .

이하, 본 발명의 종형 열처리용 보트 및 이를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법으로 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, a vertical heat treatment boat and a silicon wafer heat treatment method using the boat according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.

도 1에 본 발명의 종형 열처리용 보트의 일례를 나타낸다. 이 종형 열처리용 보트(1)는, 4개의 지주(2)와, 각지주(2)의 양단부에 연결한 한 쌍의 판 형상 부재(3)를 가지고 있다[이러한 구성을 보트 본체(4)로 함]. 각 지주(2)에는, 각각 동일한 높이의 위치에 복수의 슬릿(5)(홈)이 등간격으로 형성되어 있고, 슬릿(5) 간의 볼록부가 피처리 기판(여기에서는 실리콘 웨이퍼를 예로 든다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.)의 지지부(6)로서 작용한다.1 shows an example of a boat for vertical heat treatment of the present invention. This boat 1 for vertical heat treatment has four pillars 2 and a pair of plate-like members 3 connected to both ends of each pillar 2 (such a configuration as the boat main body 4). box]. In each post 2, a plurality of slits 5 (grooves) are formed at equal intervals at the same height, respectively, and the convex portion between the slits 5 is a substrate to be processed (a silicon wafer is taken as an example here. However, , the present invention is not limited thereto).

그리고, 본 발명의 열처리용 보트(1)에서는, 각 지주(2)의 지지부(6)에 지지 보조 부재(7)가 탈착가능하게 장착되어 있다. 웨이퍼를 열처리할 때, 각 지주(2)의 동일한 높이의 지지부(6)에 장착한 지지 보조 부재(7) 상에 각각 1매씩 웨이퍼가 재치된다.And in the boat 1 for heat treatment of this invention, the support auxiliary member 7 is attached to the support part 6 of each post 2 detachably. When the wafer is subjected to heat treatment, the wafers are placed one by one on each support auxiliary member 7 attached to the support portion 6 of the same height of each post 2 .

여기서 지지 보조 부재(7)에 대해 기술한다. 도 2는 본 발명에 있어서의 지지 보조 부재의 일례를 나타내는 것이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 이 지지 보조 부재(7)는, 보트(1)의 지지부(6)에 탈착가능하게 장착할 수 있도록 가이드 수단을 구비한 가이드 부재(8)와, 열처리 시에 실리콘 웨이퍼가 실제로 재치되는 판 형상의 기판지지 부재(9)를 구비하고 있다. 도 2(A)는 지지부(6)에, 지지 보조 부재(7)가 장착되어 있는 상태를 나타내고있다. 도 2(B)는 가이드 부재의 배면측을 나타내고 있다. 또한 도 2(C)는, 가이드 부재(8)와 기판 지지 부재(9)가 분리하고 있는 상태를 나타내고 있다. 도 2(D)는 지지부(6)에 장착되었을 때의 지지 보조 부재(7)의 단면도이다. 또한, 도 2(D)에서는, 지지부(6)는 탄화규소제로 표면에 산화 규소막이 실시된 것으로, 기판 지지부재(9)는 탄화규소제(표면 산화막 없음), 가이드 부재(8)는 석영제의 것을 예로 들고 있다.Here, the support auxiliary member 7 is described. 2 shows an example of a support auxiliary member in the present invention. As shown in Fig. 2, this support auxiliary member 7 includes a guide member 8 having a guide means so that it can be detachably attached to the support part 6 of the boat 1, and a silicon wafer during heat treatment. is provided with a plate-shaped substrate support member 9 on which is actually mounted. 2(A) shows a state in which the support auxiliary member 7 is attached to the support part 6. As shown in FIG. Fig. 2(B) shows the back side of the guide member. 2(C) shows a state in which the guide member 8 and the substrate support member 9 are separated. 2(D) is a sectional view of the support auxiliary member 7 when attached to the support part 6. As shown in FIG. In Fig. 2(D), the support portion 6 is made of silicon carbide with a silicon oxide film applied to the surface, the substrate support member 9 is made of silicon carbide (no surface oxide film), and the guide member 8 is made of quartz. is cited as an example of

우선, 가이드 부재(8)에 있어서, 가이드 수단으로서는, 지지부(6)에 가이드 부재(8)를 탈착가능하게 장착할 수 있으면 좋고, 특히 한정되지 않는다.First, in the guide member 8, as the guide means, the guide member 8 can be detachably attached to the support portion 6, and it is not particularly limited.

예를 들면, 도 2(B)와 같이, 가이드 부재(8)의 하면[지지부(6)에 장착되어 있는 측의 면]에 홈(10)이 형성된 것으로 할 수 있다. 이 장착을 위한 홈(10)은, 보트(1)의 지지부(6)의 형상과 끼워 맞춰지도록 형성되어 있고, 이 홈(10)에 지지부(6)를 끼움으로써 가이드 부재(8)를 지지부(6)에 장착가능하게 되어 있다. 미리 지지부(6)의 형상을 측정해 두고, 그 측정 데이터에 근거하여 가이드 부재(8)의 홈(10)을 형성하면 좋다.For example, as shown in FIG. 2(B), the groove 10 may be formed on the lower surface of the guide member 8 (the side surface attached to the support portion 6). The groove 10 for this attachment is formed so as to fit the shape of the support part 6 of the boat 1, and by fitting the support part 6 into this groove 10, the guide member 8 is installed in the support part ( 6) can be installed. What is necessary is just to measure the shape of the support part 6 in advance, and to form the groove|channel 10 of the guide member 8 based on the measurement data.

도 2(C)에 나타낸 바와 같이, 가이드 부재(8)에는, 상면(13)에 구멍(14)이 형성되어 있다. 이 구멍(14)의 형상은, 기판 지지 부재(9)가 끼워 넣어질 수 있도록 형성되어 있으면 좋고, 특히 한정되지 않는다. 가이드 부재(8)의 외형보다 작고, 열처리 시에 실리콘 웨이퍼에 의해 기판 지지 부재(9)가 완전하게 덮이는 범위의 것인 것이 바람직하고, 예를 들면 가이드 부재의 외형보다 한층 작은 유사 형상이나 장방형 형상 등으로 할 수 있다.As shown in FIG. 2(C) , a hole 14 is formed in the upper surface 13 of the guide member 8 . The shape of this hole 14 should just be formed so that the board|substrate holding member 9 can be inserted, and it is not specifically limited. It is preferable that it is smaller than the outer shape of the guide member 8 and has a range in which the substrate support member 9 is completely covered by the silicon wafer during heat treatment. For example, a similar shape one size smaller than the outer shape of the guide member It can be set as a rectangular shape etc.

또한, 구멍(14)의 깊이도 특히 한정되지 않고, 관통하고 있지 않고 홈 형상의 것으로 할 수도 있고, 도 2에 나타낸 바와 같이 하면측에 관통하고 있는 것으로 할 수도 있다. 후술하는 바와 같이, 기판 지지 부재(9)의 두께나, 가이드 부재(8)의 상면(13)의 높이 위치와 기판 지지 부재(9)의 실리콘 웨이퍼가 재치되는 면[재치면(15)]의 높이 위치와의 차를 고려하여 적절한 깊이로 형성된 것으로 할 수 있다.Further, the depth of the hole 14 is not particularly limited either, and may be groove-shaped without penetrating, or penetrating on the lower surface side as shown in FIG. 2 . As will be described later, the thickness of the substrate support member 9, the height of the upper surface 13 of the guide member 8, and the surface on which the silicon wafer is placed (the mounting surface 15) of the substrate support member 9 It can be formed with an appropriate depth in consideration of the difference with the height position.

한편, 판 형상의 기판 지지 부재(9)는, 전술한 바와 같이, 가이드 부재(8)의 상면(13)의 구멍(14)에 끼워 넣어지는 것이 가능한 형상이 되어 있다. 구멍(14)에 끼워 넣어질 수 있으면 좋고, 그 형상은 특히 한정되지 않는다.On the other hand, as described above, the plate-like substrate support member 9 has a shape capable of being fitted into the hole 14 of the upper surface 13 of the guide member 8 . As long as it can be fitted into the hole 14, the shape is not particularly limited.

또한, 가이드 부재(8) 및 기판 지지 부재(9)의 두께에 대해서는 가이드 부재(8)의 구멍(14)에 끼워 넣었을 경우에, 가이드 부재(8)의 상면(13)의 높이 위치보다, 기판 지지 부재(9)의 실리콘 웨이퍼의 재치면(15)의 높이 위치가 높아지도록 설정되어 있다[도 2(D) 참조]. 예를 들면, 이러한 상면(13)과 재치면(15)의 높이 위치의 차가 0.05~1.0 mm가 되는 가이드 부재(8) 및 기판 지지 부재(9)의 두께를 가지는 것으로 할 수 있다.Regarding the thickness of the guide member 8 and the substrate support member 9, when inserted into the hole 14 of the guide member 8, the height of the upper surface 13 of the guide member 8 is higher than that of the substrate. The height position of the silicon wafer mounting surface 15 of the support member 9 is set so as to be high (see FIG. 2(D)). For example, the thickness of the guide member 8 and the substrate support member 9 such that the difference in height between the upper surface 13 and the mounting surface 15 is 0.05 to 1.0 mm.

기판 지지 부재(9)의 재치면(15)을 가이드 부재(8)의 상면(13)보다 적어도 0.05 mm 높게 하면, 재치된 실리콘 웨이퍼가 직접 가이드 부재(8)에 접촉하는 것을 보다 효과적으로 피할 수 있다. 또한, 기계 가공 정도의 면으로부터도 이 정도의 차가 있는 편이 좋다.If the placing surface 15 of the substrate supporting member 9 is at least 0.05 mm higher than the upper surface 13 of the guide member 8, the placed silicon wafer can more effectively avoid direct contact with the guide member 8. . In addition, it is better to have a difference of this degree also from the surface of the degree of machining.

한편, 기판 지지 부재(9)가 너무 두꺼우면 상기 기판 지지 부재(9)의 측면에서의 Fe 오염이 문제가 되기 쉽기 때문에, 가능한 한 얇게 하는 편이 바람직하다. 예를 들면 상기 차를 1.0 mm 정도까지로 함으로써, 기판 지지부재(9)의 측면에서의 Fe 오염을 보다 효과적으로 막는 것이 가능하다.On the other hand, if the substrate support member 9 is too thick, Fe contamination on the side surface of the substrate support member 9 tends to become a problem, so it is preferable to make it as thin as possible. By making the difference up to about 1.0 mm, for example, it is possible to prevent Fe contamination on the side surface of the substrate support member 9 more effectively.

또한, 상기 각 부재의 각각의 재질에 관해, 기판 지지 부재(9)에 대해서는, 탄화규소, 규소, 탄화규소의 CVD 코팅이 실시된 탄화규소, 탄화규소의 CVD 코팅이 실시된 규소, 탄화규소의 CVD 코팅이 실시된 탄소 중 어느 것으로 이루어져 있다.In addition, regarding the material of each of the above members, for the substrate support member 9, silicon carbide, silicon, silicon carbide subjected to CVD coating of silicon carbide, silicon carbide subjected to CVD coating, and silicon carbide It consists of any of carbon that has been subjected to a CVD coating.

이러한 재료로 이루어지는 것이면, 내열성이 높아 가공도 쉬워지는 것이 된다. 실리콘 웨이퍼가 직접 접촉하는 재치면(15)은, 슬립 방지의 관점에서 경면 연마가 실시되어 있는 것이 바람직하고, 이 점에 있어서, 상기 가공하기 쉬움은 유효하다.If it consists of such a material, heat resistance will be high and processing will become easy. It is preferable that the mounting surface 15 in direct contact with the silicon wafer is subjected to mirror polishing from the viewpoint of slip prevention, and in this respect, the ease of processing is effective.

또한, 이러한 직접 실리콘 웨이퍼가 접촉하는 기판 지지 부재(9)를 석영 이외로 산화막 등이 없는 재료로 구성함으로써, 웨이퍼 이면의 거칠기를 저감할 수 있다.In addition, the roughness of the back surface of the wafer can be reduced by making the substrate support member 9 that the silicon wafer directly contacts with a material other than quartz and without an oxide film or the like.

또한, 실리콘 웨이퍼가 재치되었을 때에 기판 지지 부재(9)가 실리콘 웨이퍼에서 완전하게 덮이지 않고, 초과하고 있으면, 초과한 부분으로부터 분위기 중에 Fe 오염물이 방출되므로, 기판 지지 부재(9)의 형상이나 크기는, 실리콘 웨이퍼가 재치되었을 때에 실리콘 웨이퍼에 의해 완전하게 덮이는 것이 바람직하다.Also, if the substrate support member 9 is not completely covered with the silicon wafer when the silicon wafer is placed, and if it is over, Fe contaminants are released into the atmosphere from the excess portion, so the shape and size of the substrate support member 9 is preferably completely covered by the silicon wafer when the silicon wafer is placed.

이에 대해, 가이드 부재(8)의 재질은, 석영, 산화 규소막이 실시된 탄화규소, 질화 규소막이 실시된 탄화규소, 산질화 규소막이 실시된 탄화규소, 산화 규소막이 실시된 규소, 질화 규소막이 실시된 규소, 산질화 규소막이 실시된 규소 중 어느 것으로 이루어지는 것이다.In contrast, the material of the guide member 8 is quartz, silicon carbide coated with a silicon oxide film, silicon carbide coated with a silicon nitride film, silicon carbide coated with a silicon oxynitride film, silicon coated with a silicon oxide film, or silicon nitride film. It is composed of any of silicon to which a silicon oxynitride film has been applied, and silicon to which a silicon oxynitride film has been applied.

이와 같이 가이드 부재를 석영 또는 산화막 등이 형성된 재료로 하는 것으로, 가이드 부재(8)의 표면으로부터실리콘 웨이퍼 표면으로의 Fe에 의한 오염을 억제할 수 있다. 따라서, 전체적으로, 웨이퍼의 Fe 오염을 저감할 수 있다.In this way, by making the guide member made of a material formed with quartz or an oxide film or the like, contamination by Fe from the surface of the guide member 8 to the surface of the silicon wafer can be suppressed. Therefore, Fe contamination of the wafer can be reduced as a whole.

이상과 같이, 본 발명의 종형 열처리용 보트(1)에서는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 지지 보조 부재(7)에 있어서, 실리콘 웨이퍼가 직접 접촉하는 부분[기판 지지 부재(9)]만이, 웨이퍼 이면 거칠어짐 방지를 위해 산화막 등이 실시되지 않은 것인 한편, 그 이외의 부분[가이드 부재(8)]이, 실리콘 웨이퍼로의 Fe 등의 오염을 억제하기 위해서 석영이나 산화막 등이 실시된 것이 되어 있다. 이 때문에, 종래품에 비해 현저하고 실리콘 웨이퍼로의 금속 오염을 막을 수 있고, 또 열처리 후의 웨이퍼 이면의 거칠어짐도 억제하는 것이 가능하다.As described above, in the boat 1 for vertical heat treatment of the present invention, as shown in FIG. 2 , in the support auxiliary member 7, only the portion (substrate support member 9) in direct contact with the silicon wafer is the wafer. While an oxide film or the like is not applied to prevent roughness of the back surface, the other portion (guide member 8) is coated with quartz or an oxide film in order to suppress contamination of Fe or the like to the silicon wafer. there is. For this reason, it is possible to significantly prevent metal contamination of the silicon wafer compared to conventional products, and also suppress roughness on the back surface of the wafer after heat treatment.

한편, 종래품에서는, 지지 보조 부재의 전체가 산화막 등이 실시되지 않은 탄화규소로 이루어지는 것이면, 그 표면으로부터의 Fe 등에 의해 실리콘 웨이퍼가 오염되어 버린다. 또한 산화막 등을 전면에 실시한 것이면, 이와 접촉하는 웨이퍼 이면에 거칠어짐이 생겨 버리게 된다.On the other hand, in a conventional product, if the entire support auxiliary member is made of silicon carbide without an oxide film or the like, the silicon wafer is contaminated by Fe or the like from the surface. In addition, if an oxide film or the like is applied to the entire surface, roughness will occur on the back surface of the wafer in contact therewith.

또한, 4개의 지주(2)와, 각 지주(2)의 양단부에 연결한 한 쌍의 판 형상 부재(3)로 이루어지는 보트 본체(1)의 재료도 가이드 부재(8)와 같은 재료로 하면, 웨이퍼 표면의 Fe 오염을 보다 저감할 수 있으므로 바람직하다. 이러한 형상 등은, 예를 들면 종래와 같은 것으로 할 수 있다. 목적에 맞추어, 효율 좋게 실리콘 웨이퍼에 열처리를 실시할 수 있도록 적절한 것을 준비하면 좋다.In addition, if the material of the boat body 1 composed of the four pillars 2 and the pair of plate-shaped members 3 connected to both ends of each pillar 2 is also the same material as the guide member 8, This is preferable because Fe contamination on the wafer surface can be further reduced. These shapes and the like can be made conventional, for example. What is necessary is just to prepare an appropriate thing so that heat treatment can be efficiently performed to a silicon wafer according to a purpose.

다음에 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법에 대해 기술한다.Next, the silicon wafer heat treatment method of the present invention will be described.

본 발명의 열처리 방법에서는, 도 1, 2에 나타내는 본 발명의 종형 열처리용 보트(1)를 이용하여 실시한다.In the heat treatment method of the present invention, it is carried out using the boat 1 for vertical heat treatment of the present invention shown in Figs. 1 and 2 .

보트 본체(4)의 지지부(6)에 지지 보조 부재(7)를 장착하고, 지지 보조 부재(7)의 기판 지지 부재(9)의 재치면(15) 상에 실리콘 웨이퍼를 재치하여 열처리를 실시한다. 본 발명의 열처리 방법에 의해, 실리콘 웨이퍼의 이면을 거칠게 하지 않고서 Fe 오염도 억제된 열처리를 실시할 수 있다.A support auxiliary member 7 is attached to the support part 6 of the boat body 4, a silicon wafer is placed on the mounting surface 15 of the substrate support member 9 of the support auxiliary member 7, and heat treatment is performed. do. According to the heat treatment method of the present invention, heat treatment with Fe contamination suppressed can be performed without roughening the back surface of the silicon wafer.

아울러, 상기한 것 이외는 특히 한정되지 않고, 예를 들면 종래의 열처리 방법과 같은 순서로 실시할 수 있다.In addition, it is not specifically limited other than what was mentioned above, For example, it can carry out in the same order as the conventional heat treatment method.

열처리의 온도도 특히 한정되지 않지만, 예를 들면 1100~1300℃의 온도로 열처리할 수 있고, 이러한 고온의 열처리여도, 본 발명에서는, 종래에 비해 Fe 등의 금속 오염을 효과적으로 억제하는 것이 가능하다.The temperature of the heat treatment is also not particularly limited, but the heat treatment can be performed at a temperature of, for example, 1100 to 1300 ° C., and even with such a high temperature heat treatment, in the present invention, metal contamination such as Fe can be effectively suppressed compared to the prior art.

이하, 본 발명을 실시예에 의해 한층 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by examples, but the present invention is not limited thereto.

(실시예 1)(Example 1)

도 1에 나타내는 4개의 각주 형상의 지주, 각 지주의 양단부에 연결한 한 쌍의 판 형상 부재, 각 지주에 100개의 웨이퍼 지지부를 갖는 종형 열처리용의 보트 본체를 기계 가공에 의해 제조했다.A boat body for vertical heat treatment having four prismatic posts shown in FIG. 1 , a pair of plate-shaped members connected to both ends of each pillar, and 100 wafer support parts on each pillar was manufactured by machining.

또한, 이 열처리용 보트 본체의 재질은 SiC이며, 표면에는 탄화규소의 CVD 코팅을 실시하여 표면 거칠기를 Ra=1μm 정도로 한 것이다. 웨이퍼는, 1매에 대해 4개소의 지지부에 지지를 받게 되어 있고, 외측 2개소의 지지부(도 1의 앞측)는 안쪽 2개소의 지지부(도 1의 안측)보다 20 mm 정도 길어져 있다.In addition, the material of this boat main body for heat treatment is SiC, and the CVD coating of silicon carbide was applied to the surface, and surface roughness was about Ra=1 micrometer. Each wafer is supported by four support units, and the two outer support units (front side in FIG. 1) are longer than the two inner support units (inner side in FIG. 1) by about 20 mm.

지지부에 장착되는 지지 보조 부재로서는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼를 지지하는 기판 지지 부재로서의 판 형상 부품(폭 5 mm, 길이 40 mm(단)와 60 mm(장), 두께 1.0 mm)와, 이 기판 지지 부재가 종형 열처리용 보트의 지지부로부터 낙하하는 것을 방지하도록, 이면 측에 보트 본체의 지지부에 끼워 맞춰지는 홈을 형성한 가이드 부재(폭 10.0 mm, 홈부의 폭 8.0 mm, 길이 50 mm(단)와 70 mm(장), 두께 0.8 mm, 높이 2.8 mm)로 이루어지는 것을 제조했다. 또한, 기판 지지 부재에는 SiC 기판에 탄화규소의 CVD 코팅을 실시하여 경면 연마를 한 것을 이용하고, 가이드 부재에는 석영을 이용했다.As the support auxiliary member attached to the support portion, as shown in FIG. 2, a plate-shaped component (5 mm wide, 40 mm (short) and 60 mm (long), 1.0 mm thick) as a substrate support member for supporting the wafer; , a guide member (width 10.0 mm, width 8.0 mm of the groove portion, length 50 mm) formed with a groove fitted to the support portion of the boat body on the back side to prevent the substrate support member from falling from the support portion of the boat for vertical heat treatment. (short) and 70 mm (long), thickness 0.8 mm, height 2.8 mm) were manufactured. In addition, a SiC substrate subjected to CVD coating of silicon carbide and subjected to mirror polishing was used for the substrate support member, and quartz was used for the guide member.

우선, 상기 종형 열처리용 보트를 불화수소산 세정하고, 그 위에, 상기 종형 열처리용 보트의 웨이퍼 지지부에,상기 기판 지지 부재와 상기 가이드 부재로 이루어지는 지지 보조 부재를 장착했다.First, the boat for vertical heat treatment was cleaned with hydrofluoric acid, and thereon, a support auxiliary member composed of the substrate support member and the guide member was attached to the wafer support portion of the boat for vertical heat treatment.

또한, 지지 보조 부재를 장착했을 때, 기판 지지 부재의 상면은 가이드 부재의 상면보다 0.2 mm 높아졌다.Further, when the support auxiliary member was attached, the upper surface of the substrate support member was higher than the upper surface of the guide member by 0.2 mm.

그리고 피처리 기판[초크라르스키법으로 육성되어, 면방위(100), 직경 200 mm, 두께 725μm의 경면 연마된 실리콘 웨이퍼]를 재치하고, 보트를 종형 열처리로에 도입하여, 노 내에 아르곤 가스를 공급하면서 1200℃으로 1시간의 열처리를 실시했다.Then, a substrate to be processed (a silicon wafer grown by the Czochralski method and mirror-polished with a plane orientation (100), a diameter of 200 mm, and a thickness of 725 μm) is placed, a boat is introduced into a vertical heat treatment furnace, and argon gas is blown into the furnace. Heat treatment was performed at 1200°C for 1 hour while supplying.

상기 열처리된 실리콘 웨이퍼를, SPV법(Surface Photo Voltage법)에 의해 측정한 Fe 농도는, 최대치가

Figure pat00001
이며, 평균치가
Figure pat00002
로 허용 범위 내이며, 양호한 것이었다.The Fe concentration measured by the SPV method (Surface Photo Voltage method) of the heat-treated silicon wafer has a maximum value
Figure pat00001
, and the average is
Figure pat00002
It was within the permissible range and was good.

또한, 상기 열처리된 실리콘 웨이퍼의 이면의 헤이즈를 측정했다. KLA TENCOR 사제의 SP1를 이용하여 DWN 모드의 High-Throughput 조건으로 측정했는데, 상기 웨이퍼 지지 보조 부재와의 접촉부 주변의 헤이즈치는 0.06 ppm이하이며, 면거칠어짐은 발생하지 않았다.In addition, the haze of the back surface of the heat-treated silicon wafer was measured. Measurement was performed under high-throughput conditions in DWN mode using SP1 manufactured by KLA TENCOR, and the haze value around the contact portion with the wafer support auxiliary member was 0.06 ppm or less, and surface roughening did not occur.

(실시예 2)(Example 2)

실시예 1과 같은 재질이 SiC의 보트 본체를 준비하여 불화수소산 세정하고, 열산화함으로써 약 500 nm 두께의 산화 규소막을 형성했다. 그 위에, 보트 본체의 지지부에, 실시예 1과 같은 기판 지지 부재와 가이드 부재로 이루어지는 지지 보조 부재를 장착했다.A SiC boat body of the same material as in Example 1 was prepared, cleaned with hydrofluoric acid, and thermally oxidized to form a silicon oxide film with a thickness of about 500 nm. On top of that, a support auxiliary member composed of a substrate support member and a guide member similar to that in Example 1 was attached to the support portion of the boat body.

경면 연마된 실리콘 웨이퍼를 재치하고 나서, 보트를 종형 열처리로에 도입하고, 실시예 1과 같게, 노 내에 아르곤 가스를 공급하면서 1200℃으로 1시간의 열처리를 실시했다.상기 열처리된 실리콘 웨이퍼를, SPV법에 의해 측정한 Fe 농도는, 최대치가

Figure pat00003
이며, 평균치가
Figure pat00004
로 매우 낮은 값이며, Fe 오염이 지극히 억제된 고품질의 아닐 웨이퍼를 얻을 수 있었다.After placing the mirror-polished silicon wafer, the boat was introduced into a vertical heat treatment furnace, and as in Example 1, heat treatment was performed at 1200 ° C. for 1 hour while supplying argon gas into the furnace. As for the Fe concentration measured by the SPV method, the maximum
Figure pat00003
, and the average is
Figure pat00004
This is a very low value, and a high-quality anil wafer in which Fe contamination is extremely suppressed was obtained.

또한, 상기 열처리된 실리콘 웨이퍼의 이면에 있어서의, 상기 웨이퍼 지지 보조 부재와의 접촉부 주변의 헤이즈치는 0.06 ppm 이하와, 면 거칠어짐은 발생하지 않았다. In addition, the haze value around the contact portion with the wafer support auxiliary member on the rear surface of the heat-treated silicon wafer was 0.06 ppm or less, and surface roughness did not occur.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

지지 보조 부재로서, 본 발명과 같이 기판 지지 부재와 가이드 부재로 나누어져 있는 것이 아니라, 도 3과 같은 종래의 일체형의 지지 보조 부재를 준비했다. 도 3(A)은 지지부에, 지지 보조 부재가 장착되어 있는 상태를 나타내고 있다. 도 3(B)은 지지부에 장착되었을 때의 지지 보조 부재의 단면도이다. 또한, 도 3(B)에 나타낸 바와 같이, 지지부는 탄화규소제로 표면에 산화 규소막이 실시되어 있고, 지지 보조 부재는 SiC에 SiC-CVD 코팅을 하여 경면 연마가 실시되어 있다.As the support auxiliary member, a conventional integral support member as shown in FIG. 3 was prepared instead of being divided into a substrate support member and a guide member as in the present invention. Fig. 3(A) shows a state in which the support auxiliary member is attached to the support part. Fig. 3(B) is a sectional view of the support auxiliary member when attached to the support part. Further, as shown in Fig. 3(B), the supporting portion is made of silicon carbide and a silicon oxide film is applied to the surface, and the supporting auxiliary member is SiC coated with SiC-CVD and subjected to mirror polishing.

실시예 2와 같이 하여 약 500 nm 두께의 산화 규소막을 형성한 보트 본체에 있어서, 그 지지부에 상기 지지 보조 부재를 장착하고, 그 위에 실리콘 웨이퍼를 재치하고, 아르곤 가스를 공급하면서 1200℃으로 1시간의 열처리를 실시했다.In the boat body in which a silicon oxide film having a thickness of about 500 nm was formed as in Example 2, the support auxiliary member was attached to the support portion, a silicon wafer was placed thereon, and argon gas was supplied at 1200° C. for 1 hour. heat treatment was performed.

각 실시예와 같이 하여 헤이즈치, Fe 오염에 대하여 측정을 실시했다.Haze value and Fe contamination were measured in the same manner as in each Example.

열처리된 실리콘 웨이퍼 이면의 지지 보조 부재와의 접촉부 주변의 헤이즈치는 0.06 ppm 이하와, 면 거칠어짐은 발생하지 않았다. 그렇지만, SPV법에 의해 측정한 Fe 농도는, 최대치가

Figure pat00005
이며, 평균치가
Figure pat00006
로 높은 값이 되었다.The haze value around the contact portion with the support auxiliary member on the back side of the heat-treated silicon wafer was 0.06 ppm or less, and surface roughness did not occur. However, as for the Fe concentration measured by the SPV method, the maximum
Figure pat00005
, and the average is
Figure pat00006
became a high value.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

실시예 2와 같이 하여 약 500 nm 두께의 산화 규소막을 형성한 보트 본체에 있어서, 그 지지부에 지지 보조 부재를 장착하지 않고, 지지부 위에 실리콘 웨이퍼를 재치하고, 아르곤 가스를 공급하면서 1200℃으로 1시간의 열처리를 실시했다.In the boat body in which a silicon oxide film having a thickness of about 500 nm was formed as in Example 2, a silicon wafer was placed on the support portion without attaching a support auxiliary member to the support portion, and argon gas was supplied at 1200 ° C. for 1 hour. heat treatment was performed.

각 실시예와 같이 하여 헤이즈치, Fe 오염에 대하여 측정을 실시했다.Haze value and Fe contamination were measured in the same manner as in each Example.

열처리된 실리콘 웨이퍼를 SPV법에 의해 측정한 Fe 농도는, 최대치가

Figure pat00007
이며, 평균치가
Figure pat00008
로 낮은 값이었다.The Fe concentration measured by the SPV method of the heat-treated silicon wafer has the maximum value.
Figure pat00007
, and the average is
Figure pat00008
was a low value.

그렇지만, 실리콘 웨이퍼 이면의 지지부와의 접촉부 주변의 헤이즈치는 0.5 ppm 이상으로 강한 면 거칠어짐이 발생했다.However, the haze value around the contact portion with the support portion on the back side of the silicon wafer was 0.5 ppm or more, and strong surface roughness occurred.

이상, 비교예 1, 2에 나타내는 종래의 열처리 방법과는 달리, 실시예 1, 와 같이 본 발명의 종형 열처리용 보트를 이용하여 열처리를 실시하면, 웨이퍼 이면에 강한 거칠어짐이 생길 것도 없고, Fe 등의 금속 오염이 억제된 고품질의 아닐 웨이퍼를 얻는 것이 가능하다.Unlike the conventional heat treatment methods shown in Comparative Examples 1 and 2 above, when the heat treatment is performed using the vertical heat treatment boat of the present invention as in Example 1, strong roughness does not occur on the back surface of the wafer, and Fe It is possible to obtain a high-quality anil wafer in which metal contamination such as the like is suppressed.

아울러, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시예는 예시이며, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지며, 동일한 작용 효과를 상주하는 것은 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.In addition, the present invention is not limited to the above embodiment. The above embodiment is an example, and any one having substantially the same configuration as the technical concept described in the claims of the present invention and having the same operation and effect is included in the technical scope of the present invention.

Claims (1)

적어도, 복수의 지주와, 각 지주의 양단부에 연결한 한 쌍의 판 형상 부재와, 상기 각 지주에 피처리 기판을 수평으로 지지하기 위한 복수의 지지부를 갖는 보트 본체와, 상기 복수의 지지부의 각각에 탈착가능하게 장착되어있고 상기 피처리 기판이 재치되는 지지 보조 부재를 구비한 종형 열처리용 보트에 있어서,
상기 지지 보조 부재는, 상기 지지부에 장착되는 가이드 부재와, 상기 가이드 부재에 의해 위치되어 상기 피처리 기판이 재치되는 판 형상의 기판 지지 부재를 갖고 있고,
상기 가이드 부재는 상면에 구멍이 형성되어 있고,
상기 기판 지지 부재는, 상기 가이드 부재의 구멍에 끼워 넣어져서 위치되어 있고, 상기 지지 보조 부재가 보트 본체의 지지부에 장착되었을 때, 상기 피처리 기판이 재치되는 면의 높이 위치가, 상기 가이드 부재의 상면의 높이 위치보다 높은 것이며,
상기 기판 지지 부재는, 탄화규소, 규소, 탄화규소의 CVD 코팅이 실시된 탄화규소, 탄화규소의 CVD 코팅이 실시된 규소, 탄화규소의 CVD 코팅이 실시된 탄소 중 어느 것으로 이루어지며,
상기 가이드 부재는, 석영, 산화 규소막이 실시된 탄화규소, 질화 규소막이 실시된 탄화규소, 산질화 규소막이
실시된 탄화규소, 산화 규소막이 실시된 규소, 질화 규소막이 실시된 규소, 산질화 규소막이 실시된 규소 중 어느 것으로 이루어지는 것인 것을 특징으로 하는 종형 열처리용 보트.At least, a boat body having a plurality of posts, a pair of plate-like members connected to both ends of each post, and a plurality of support parts for horizontally supporting a substrate to be processed on each of the posts, each of the plurality of supports In a vertical heat treatment boat having a support auxiliary member detachably mounted on and on which the substrate to be processed is placed,
The support auxiliary member has a guide member attached to the support portion and a plate-shaped substrate support member positioned by the guide member and on which the processing target substrate is placed,
The guide member has a hole formed on the upper surface,
The substrate support member is positioned by being inserted into the hole of the guide member, and when the support auxiliary member is attached to the support part of the boat body, the height position of the surface on which the processing target substrate is placed is the height of the guide member. It is higher than the height position of the upper surface,
The substrate support member is made of any one of silicon carbide, silicon, silicon carbide subjected to a CVD coating of silicon carbide, silicon subjected to a CVD coating of silicon carbide, and carbon subjected to a CVD coating of silicon carbide,
The guide member is made of quartz, silicon carbide coated with a silicon oxide film, silicon carbide coated with a silicon nitride film, or silicon oxynitride film.
A vertical heat treatment boat characterized in that it is made of any one of silicon carbide coated with a silicon oxide film, silicon coated with a silicon nitride film, and silicon coated with a silicon oxynitride film.
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