KR20230016382A - Silicon single crystal ingot growth and manufacturing apparatus for semiconductor and manufacturing method - Google Patents

Silicon single crystal ingot growth and manufacturing apparatus for semiconductor and manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
KR20230016382A
KR20230016382A KR1020210097817A KR20210097817A KR20230016382A KR 20230016382 A KR20230016382 A KR 20230016382A KR 1020210097817 A KR1020210097817 A KR 1020210097817A KR 20210097817 A KR20210097817 A KR 20210097817A KR 20230016382 A KR20230016382 A KR 20230016382A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
crucible
single crystal
crystal ingot
vacuum chamber
heat
Prior art date
Application number
KR1020210097817A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이득우
Original Assignee
주식회사 피케이씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 피케이씨 filed Critical 주식회사 피케이씨
Priority to KR1020210097817A priority Critical patent/KR20230016382A/en
Publication of KR20230016382A publication Critical patent/KR20230016382A/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20Controlling or regulating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10Crucibles or containers for supporting the melt
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14Heating of the melt or the crystallised materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

The present invention relates to a silicon single crystal ingot growing and manufacturing device for a semiconductor and a manufacturing method thereof. The invention improves the quality of a single crystal ingot by enabling the ingot to reach a set temperature inside a crucible in a short time when growing the single crystal ingot, and cooling the ingot after maintaining heat for a certain period of time. The present invention includes a crucible, a crucible rotating plate, a vacuum chamber, a heating member, a heat insulating member, a single crystal ingot lifting member, a heat holding member, and a cooling member.

Description

반도체용 실리콘 단결정 잉곳 성장 제조장치 및 그 제조방법{SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT GROWTH AND MANUFACTURING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD}Silicon single crystal ingot growth manufacturing device for semiconductors and its manufacturing method

본 발명은 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 성장 제조장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 초크랄스키(Czochralski: CZ라 약칭함)법에 의한 단결정 잉곳 성장 시 도가니 내부의 설정온도에 단시간에 도달할 수 있도록 함과 아울러 단결정 잉곳의 성장 시간을 단축시킬 수 있도록 하고, 단결정 잉곳의 성장 후 일정시간 동안 열유지구간을 지난 후에 냉각할 수 있도록 함으로써 단결정 잉곳의 품질을 향상시키도록 하는 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 성장 제조장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for growing a silicon single crystal ingot for semiconductors and a method for manufacturing the same, and more particularly, when growing a single crystal ingot by the Czochralski (abbreviated as CZ) method, the set temperature inside the crucible is reached in a short time Silicon single crystal for semiconductors to improve the quality of the single crystal ingot by allowing the growth time of the single crystal ingot to be shortened, and cooling after passing through a heat holding period for a certain period of time after the growth of the single crystal ingot It relates to an ingot growth manufacturing device and a manufacturing method thereof.

일반적으로 반도체 단결정의 일 예인 실리콘 단결정은, 기밀(氣密)하게 보존된 챔버 내의 도가니에 수용된 다결정 실리콘 원료를 히터로 가열하여 실리콘 융액으로 하고, CZ법(초크랄스키법)에 의해 실리콘 융액으로부터 실리콘 단결정을 인상하면서 성장시킴으로써 제조된다. 실리콘 웨이퍼는, 상기의 방법으로 제조된 실리콘 단결정을 슬라이스(절단)함으로써 제조되고, 이 실리콘 웨이퍼 상에, 예를 들면 집적회로 등이 형성된다.In general, a silicon single crystal, which is an example of a semiconductor single crystal, heats a polycrystalline silicon raw material contained in a crucible in a chamber kept airtight with a heater to form a silicon melt, and from the silicon melt by the CZ method (Czochralski method). It is manufactured by growing a silicon single crystal while pulling it up. A silicon wafer is manufactured by slicing (cutting) a silicon single crystal manufactured by the above method, and an integrated circuit or the like is formed on the silicon wafer, for example.

이러한 실리콘 단결정의 제조공정에서는, 종결정에 포함되어 있는 전위나, 착액시의 열 쇼크 등에 의해 발생하는 전위를 제거하기 위하여, 대쉬 네킹(dash necking) 공정으로 일단 직경을 3~4mm 정도까지 얇게 좁혀서 네크부를 형성하고, 그 후, 서서히 원하는 직경까지 증경시키는 콘(cone) 공정을 거쳐, 제품이 되는 직동부를 형성하며, 마지막은 실리콘 융액으로부터 분리할 때에 발생하는 열 쇼크에 의한 전위의 영향을 줄이기 위하여, 직경을 감경하는 테일부를 형성한 다음, 실리콘 용액으로부터 분리한다.In the manufacturing process of such a silicon single crystal, in order to remove dislocations contained in the seed crystal or dislocations generated by thermal shock during liquid contact, the diameter is once narrowed to about 3 to 4 mm in a dash necking process, After forming the neck part, and then going through a cone process that gradually increases the diameter to the desired diameter, the straight body part to be the product is formed, and finally, the effect of dislocation due to thermal shock generated when separating from the silicon melt is reduced. To do this, a tail portion having a reduced diameter is formed and then separated from the silicone solution.

실리콘 단결정 등의 반도체 잉곳을 제조하는 방법으로는, CZ법(초크랄스키법) 외에, 부유대역 용융법(FZ법)등도 알려져 있지만, 근래, 반도체 웨이퍼의 대구경화가 진행되고 있어, 예를 들어 직경 300mm이상에 달하는 실리콘As a method for producing semiconductor ingots such as silicon single crystals, in addition to the CZ method (Czochralski method), a floating zone melting method (FZ method) and the like are also known, but in recent years, semiconductor wafers are becoming larger in diameter, and for example Silicon over 300mm in diameter

단결정 잉곳을 육성하는 경우에는 CZ법이 이용된다.In the case of growing a single crystal ingot, the CZ method is used.

상기한 CZ법에 의해 실리콘 단결정 잉곳을 육성하는 경우, 원료가 되는 실리콘 융액을 수용하는 용기로 석영 도가니가 사용되지만, 실리콘을 용융시키기 위한 도가니의 가열 시, 통상은 도가니의 외측으로 이격설치된 가열히터에 의해 간접가열되어지므로 가열시간이 오래 걸리게 되고, 단결정 잉곳의 성장 시간이 길 뿐 아니라, 단결정 잉곳의 성장 후 바로 냉각공정을 수행하기 때문에 단결정 잉곳의 품질이 저하될 수 밖에 없는 문제점이 있었다.In the case of growing a silicon single crystal ingot by the CZ method described above, a quartz crucible is used as a container for accommodating the silicon melt as a raw material, but when heating the crucible to melt the silicon, usually a heater spaced apart from the outside of the crucible Since it is indirectly heated by, the heating time takes a long time, the growth time of the single crystal ingot is long, and the quality of the single crystal ingot is inevitably reduced because the cooling process is performed immediately after the growth of the single crystal ingot. There was a problem.

이에 본 발명은 상기한 문제점을 일소하기 위해 창안한 것으로서, 초크랄스키(Czochralski: CZ라 약칭함)법에 의한 단결정 잉곳 성장 시 도가니 내부의 설정온도에 단시간에 도달할 수 있도록 함과 아울러 단결정 잉곳의 성장 시간을 단축시킬 수 있도록 하고, 단결정 잉곳의 성장 후 일정시간 동안 열유지구간을 지난 후에 냉각할 수 있도록 함으로써 단결정 잉곳의 품질을 향상시키도록 하는 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 성장 제조장치 및 그 제조방법에 주안점을 두고 그 기술적 과제로서 완성한 것이다.Accordingly, the present invention was invented to eliminate the above problems, and when growing a single crystal ingot by the Czochralski (abbreviated as CZ) method, the set temperature inside the crucible can be reached in a short time, and the single crystal ingot A silicon single crystal ingot growth manufacturing apparatus for semiconductors and a manufacturing method therefor to improve the quality of a single crystal ingot by reducing the growth time of the single crystal ingot and cooling it after passing through a heat holding period for a certain period of time after the growth of the single crystal ingot It was completed as the technical task with a focus on

위 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, 폴리실리콘이 고온으로 용융된 폴리실리콘용액(12)이 수용되는 함체 형태의 도가니(10); 상기 도가니(10)의 바닥부에 밀착되며, 상기 도가니(10)의 하부측에 설치된 구동축(22)에 연결되어 도가니(10)를 회전시키는 도가니회전판(20); 상기 도가니(10)의 외측에 이격 형성되어 도가니(10) 및 도가니회전판(20)을 포함한 내측공간부(32)를 진공상태로 변화되게 하는 상부뚜껑(35)과 하부몸체(37)로 된 진공챔버(30); 상기 도가니(10)의 외주면과 진공챔버(30)의 내주면 사이에 각각 이격 구비되어 도가니(10)를 1400∼1500℃로 가열하여 도가니(10) 내부의 폴리실리콘을 폴리실리콘용액(12)으로 용융함과 아울러 1400∼1500℃의 고온을 유지시키는 가열부재(40); 상기 진공챔버(30)의 내주면에 밀착 구비되어 가열부재(40)로부터 발생 되는 열의 외부유출을 방지하는 단열부재(50); 상기 단열부재(50)는 그라파이트 단열재와 몰리브덴 단열재를 이중으로 설치하되, 상기 상부뚜껑(35)과 하부몸체(37)의 전체 내측면에 설치되도록 하고, 상기 도가니(10)에 수용된 폴리실리콘용액(12)으로부터 단결정 잉곳(2)을 형성토록 인상하는 단결정 잉곳 인상부재(60); 상기 인상부재(60)의 하단부에는 단결정 잉곳(2)을 형성하기 위한 시드(62)가 구비되고, 상기 시드(62)는 시드(62)의 상단부에 구비된 척(63)에 고정되어 단결정 잉곳 인상부재(60)에 의해 0.1∼6㎜/min 의 속도와, 2∼30rpm의 회전수로 회전 상승되면서 시드(62) 상에서 단결정 잉곳(2)이 형성되도록 하고, 상기 단결정 잉곳 인상부재(60)에 의해 인상되면서 형성되는 단결정 잉곳(2)으로부터 외측으로 방출되는 열을 흡수하여 일정시간 동안 열유지토록단결정 잉곳(2)의 외측면에 이격 구비되며, 상기 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)의 내측면으로부터 다수 지지대(79)에 의해 연결 고정되는 관 형태의 열유지부재(70); 상기 열유지부재(70)에 의해 열을 반사흡수하여 고온유지되는 단결정 잉곳(2)을 냉각토록 단결정 잉곳(2)의 외측면에 이격 구비되며, 상기 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)의 중앙부에 상부외측과 연통되도록 고정되는 관 형태의 냉각부재(80); 상기 냉각부재(80)는 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)에 형성된 돌출관부(36)의 내측면에 밀착 고정되며, 상기 열유지부재(70) 및 냉각부재(80)는 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)의 중앙부에 상부외측과 수직 일직선상에 연통되도록 동일 내경 및 외경을 갖는 관형태로 형성되며, 상기 열유지부재(70)와 냉각부재(80)는 다수의 핀부재(92)에 의해 연결 고정되도록 구성하는 포함하여 이루어지고, 상기 도가니회전판(20)의 상부면에 판상가열체(29)가 밀착 구비되어 도가니(10)의 바닥부에 밀착되게 함으로써 상기 판상가열체(29)에 의해 도가니(10)의 바닥부 가열이 이루어지도록 구성되며, 상기 가열부재(40)는 도가니(10)의 측벽을 따라 설치되는 다수의 히터파이프로 구성되며, 상기 다수의 히터파이프와 도가니(10)의 측벽 사이에 미세망체로 형성된 열전달체(42)를 구비함으로써 다수의 히터파이프로 된 가열부재(40)로부터 발생되는 고온의 열이 도가니(10)의 측벽으로 균일하게 전달되도록 구성하고, 상기 냉각부재(80)의 내부에는 단결정 잉곳(2)의 냉각을 위해 파이프 형태의 냉각수단이 구비되고, 상기 냉각수단은 진공챔버(30)의 외측에 구비된 냉각수공급부(81) 및 냉각수배출부(82)에 연결 설치되도록 구성하되, 상기 냉각부재(80)를 거쳐 제조된 단결정 잉곳(2)은 단결정 잉곳 인상부재(60)에 의해 진공챔버(30)의 상부측으로 상승 이동되어, 상기 진공챔버(30)의 상부측에 구비된 수직관 형태의 보호관(68)에 삽입되고, 상기 보호관(68)은 보호관(68)의 일측편에 이격 설치된 회전축(69a)과, 상기 회전축(69a)을 승하강시키는 실린더(69b)와, 상기 회전축(69a)과 보호관(68)을 연결하는 연결지지체(69c)에 의해 회전 및 승하강되면서 진공챔버(30)의 측편으로 단결정 잉곳(2)을 이동시키도록 구성하며, 상기 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)은 상부뚜껑(35)의 일측편에 이격 설치된 회전축(34b)과, 상기 회전축(34b)을 승하강시키는 실린더(34a)와, 상기 회전축(34b)과 상부뚜껑(35)을 연결하는 연결지지체(34c)에 의해 회전 및 승하강되면서 진공챔버(30)의 하부몸체(37) 상에서 상부뚜껑(35)을 이탈시키도록 구성하고, 상기 열유지부재(70)의 내부에는 단결정 잉곳(2)의 열유지를 위해 가열수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 성장 제조장치를 제공한다.The present invention for achieving the above technical problem, the crucible 10 in the form of a housing in which the polysilicon solution 12 in which the polysilicon is melted at a high temperature is accommodated; a crucible rotating plate 20 that is closely attached to the bottom of the crucible 10 and is connected to the driving shaft 22 installed on the lower side of the crucible 10 to rotate the crucible 10; A vacuum consisting of an upper lid 35 and a lower body 37 that are spaced apart from the outside of the crucible 10 and change the inner space 32 including the crucible 10 and the crucible rotating plate 20 to a vacuum state. chamber 30; A space is provided between the outer circumferential surface of the crucible 10 and the inner circumferential surface of the vacuum chamber 30, respectively, and the crucible 10 is heated to 1400 to 1500° C. to melt the polysilicon inside the crucible 10 into the polysilicon solution 12. In addition, a heating member 40 for maintaining a high temperature of 1400 ~ 1500 ℃; a heat insulating member 50 provided in close contact with an inner circumferential surface of the vacuum chamber 30 to prevent heat generated from the heating member 40 from leaking to the outside; The heat insulating member 50 is installed with a graphite heat insulating material and a molybdenum heat insulating material in double, so that they are installed on the entire inner surface of the upper lid 35 and the lower body 37, and the polysilicon solution accommodated in the crucible 10 ( 12) a single crystal ingot pulling member 60 for pulling up to form the single crystal ingot 2; A seed 62 for forming the single crystal ingot 2 is provided at the lower end of the lifting member 60, and the seed 62 is fixed to a chuck 63 provided at the upper end of the seed 62 to form a single crystal ingot The single crystal ingot 2 is formed on the seed 62 while being rotated and raised by the pulling member 60 at a speed of 0.1 to 6 mm/min and a rotational speed of 2 to 30 rpm, and the single crystal ingot pulling member 60 It is spaced apart from the outer surface of the single crystal ingot 2 to absorb the heat emitted to the outside from the single crystal ingot 2 formed while being pulled up and maintain the heat for a certain time, and the upper cover 35 of the vacuum chamber 30 ) A tubular heat holding member 70 connected and fixed by a plurality of supports 79 from the inner surface of the; It is spaced apart from the outer surface of the single crystal ingot 2 to cool the single crystal ingot 2 maintained at a high temperature by reflecting and absorbing heat by the heat holding member 70, and the upper cover 35 of the vacuum chamber 30 A cooling member 80 in the form of a tube fixed to the central portion so as to communicate with the upper and outer sides of the; The cooling member 80 is closely fixed to the inner surface of the protruding tube part 36 formed on the upper lid 35 of the vacuum chamber 30, and the heat holding member 70 and the cooling member 80 are placed in the vacuum chamber ( 30) is formed in a tubular shape having the same inner and outer diameters so as to communicate with the upper outer side on a vertical straight line at the center of the upper lid 35, and the heat holding member 70 and the cooling member 80 are a plurality of fin members It is made by including a configuration to be connected and fixed by (92), and the plate-shaped heating body 29 is provided in close contact with the upper surface of the crucible rotating plate 20 so that it adheres to the bottom of the crucible 10, so that the plate-shaped heating body (29) is configured to heat the bottom of the crucible 10, the heating member 40 is composed of a plurality of heater pipes installed along the sidewall of the crucible 10, the plurality of heater pipes and By providing a heat carrier 42 formed of a fine mesh between the side walls of the crucible 10, the high-temperature heat generated from the heating member 40 made of a plurality of heater pipes is uniformly transmitted to the side walls of the crucible 10. And, a cooling means in the form of a pipe is provided inside the cooling member 80 to cool the single crystal ingot 2, and the cooling means includes a cooling water supply unit 81 provided outside the vacuum chamber 30 and cooling water It is configured to be connected to the discharge unit 82, but the single crystal ingot 2 manufactured through the cooling member 80 is moved upward to the upper side of the vacuum chamber 30 by the single crystal ingot lifting member 60, It is inserted into a protective tube 68 in the form of a vertical tube provided on the upper side of the vacuum chamber 30, and the protective tube 68 includes a rotating shaft 69a spaced apart from one side of the protective tube 68 and the rotating shaft 69a. Moves the single crystal ingot 2 to the side of the vacuum chamber 30 while being rotated and moved up and down by the cylinder 69b for raising and lowering and the connecting support 69c connecting the rotating shaft 69a and the protective tube 68 The upper lid 35 of the vacuum chamber 30 has a rotating shaft 34b spaced apart from one side of the upper lid 35 and a cylinder for raising and lowering the rotating shaft 34b The upper cover 35 is moved on the lower body 37 of the vacuum chamber 30 while being rotated and moved up and down by the further 34a and the connection support 34c connecting the rotating shaft 34b and the upper cover 35. It provides a silicon single crystal ingot growth manufacturing apparatus for semiconductors, characterized in that it is configured to separate, and a heating means is further provided for heat retention of the single crystal ingot (2) inside the heat holding member (70).

또 다른 본 발명은, 폴리실리콘이 고온으로 용융된 폴리실리콘용액(12)이 수용되는 함체 형태의 도가니(10)를 준비하고, 상기 도가니(10)의 바닥부에 밀착되며, 상기 도가니(10)의 하부측에 설치된 구동축(22)에 연결되어 도가니(10)를 회전시키는 도가니회전판(20)을 준비하며, 상기 도가니(10)의 외측에 이격 형성되어 도가니(10) 및 도가니회전판(20)을 포함한 내측공간부(32)를 진공상태로 변화되게 하는 상부뚜껑(35)과 하부몸체(37)로 된 진공챔버(30)를 준비하고, 상기 도가니(10)의 외주면과 진공챔버(30)의 내주면 사이에 각각 이격 구비되어 도가니(10)를 1400∼1500℃로 가열하여 도가니(10) 내부의 폴리실리콘을 폴리실리콘용액(12)으로 용융함과 아울러 1400∼1500℃의 고온을 유지시키는 가열부재(40)를 준비하며, 상기 진공챔버(30)의 내주면에 밀착 구비되어 가열부재(40)로부터 발생되는 열의 외부유출을 방지하는 단열부재(50)를 준비하고, 상기 단열부재(50)는 그라파이트 단열재와 몰리브덴 단열재를 이중으로 설치하되, 상기 상부뚜껑(35)과 하부몸체(37)의 전체 내측면에 설치되도록 하며, 상기 도가니(10)에 수용된 폴리실리콘용액(12)으로부터 단결정 잉곳(2)을 형성토록 인상하는 단결정잉곳 인상부재(60)를 준비하고, 상기 인상부재(60)의 하단부에는 단결정 잉곳(2)을 형성하기 위한 시드(62)가구비되고, 상기 시드(62)는 시드(62)의 상단부에 구비된 척(63)에 고정되어 단결정 잉곳 인상부재(60)에 의해0.1∼6㎜/min 의 속도와, 2∼30rpm의 회전수로 회전 상승되면서 시드(62) 상에서 단결정 잉곳(2)이 형성되도록 하며, 상기 단결정 잉곳 인상부재(60)에 의해 인상되면서 형성되는 단결정 잉곳(2)으로부터 외측으로 방출되는 열을 흡수하여 일정시간 동안 열유지토록 단결정 잉곳(2)의 외측면에 이격 구비되며, 상기 진공챔버(30)의 상부 뚜껑(35)의 내측면으로부터 다수 지지대(79)에 의해 연결 고정되는 관 형태의 열유지부재(70)를 준비하고, 상기 열유지부재(70)에 의해 열을 반사흡수하여 고온유지되는 단결정 잉곳(2)을 냉각토록 단결정 잉곳(2)의 외측면에 이격 구비되며, 상기 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)의 중앙부에 상부외측과 연통되도록 고정되는 관 형태의 냉각부재(80)를 준비한 다음, 상기 냉각부재(80)는 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)에 형성된 돌출관부(36)의 내측면에 밀착 고정되도록 하고, 상기 열유지부재(70) 및 냉각부재(80)는 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)의 중앙부에 상부 외측과 수직 일직선상에 연통되도록 동일 내경 및 외경을 갖는 관 형태로 형성되게 하고, 상기 열유지부재(70)와 냉각부재(80)는 다수의 핀부재(92)에 의해 연결 고정되도록 하며, 상기 도가니회전판(20)의 상부면에 판상가 열체(29)가 밀착 구비되어 도가니(10)의 바닥부에 밀착되게 함으로써 상기 판상가열체(29)에 의해 도가니(10)의 바닥부 가열이 이루어지도록 하는 것을 포함하여 이루어지며, 상기 가열부재(40)는 도가니(10)의 측벽을 따라 설치되는 다수의 히터파이프로 구성되게 하며, 상기 다수의 히터파이프와 도가니(10)의 측벽 사이에 미세망체로 형성된 열전달체(42)를 구비함으로써 다수의 히터파이프로 된 가열부재(40)로부터 발생되는 고온의 열이 도가니(10)의 측벽으로 균일하게 전달되도록 하고, 상기 냉각부재(80)의 내부에는 단결정 잉곳(2)의 냉각을 위해 파이프 형태의 냉각수단이 구비되고, 상기 냉각수단은 진공챔버(30)의 외측에 구비된 냉각수공급부(81) 및 냉각수배출부(82)에 연결 설치되도록 하되, 상기 냉각부재(80)를 거쳐 제조된 단결정 잉곳(2)은 단결정 잉곳 인상부재(60)에 의해 진공챔버(30)의 상부측으로 상승 이동되어, 상기 진공챔버(30)의 상부측에 구비된 수직관 형태의 보호관(68)에 삽입되고, 상기 보호관(68)은 보호관(68)의 일측편에 이격 설치된 회전축(69a)과, 상기 회전축(69a)을 승하강시키는 실린더(69b)와, 상기 회전축(69a)과 보호관(68)을 연결하는 연결지지체(69c)에 의해 회전 및 승하강되면서 진공챔버(30)의 측편으로 단결정 잉곳(2)을 이동시키도록 하고, 상기 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)은 상부뚜껑(35)의 일측편에 이격 설치된 회전축(34b)과, 상기 회전축(34b)을 승하강시키는 실린더(34a)와, 상기 회전축(34b)과 상부뚜껑(35)을 연결하는 연결지지체(34c)에 의해 회전 및 승하강되면서 진공챔버(30)의 하부몸체(37) 상에서 상부뚜껑(35)을 이탈시키도록 하며, 상기 열유지부재(70)의 내부에는 단결정 잉곳(2)의 열유지를 위해 가열수단을 더 구비하도록 함을 특징으로 하는 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 성장 제조방법을 제공한다.Another present invention is to prepare a crucible 10 in the form of a housing in which a polysilicon solution 12 in which polysilicon is melted at a high temperature is accommodated, adhered to the bottom of the crucible 10, and the crucible 10 A crucible rotating plate 20 is connected to the drive shaft 22 installed on the lower side of the crucible 10 to rotate the crucible 10, and is spaced apart from the crucible 10 to form the crucible 10 and the crucible rotating plate 20. Prepare a vacuum chamber 30 composed of an upper lid 35 and a lower body 37 to change the inner space 32 including the vacuum state, and the outer circumferential surface of the crucible 10 and the vacuum chamber 30 A heating member that is spaced between the inner circumferential surfaces and heats the crucible 10 to 1400 to 1500 ° C. to melt the polysilicon inside the crucible 10 into the polysilicon solution 12 and maintains a high temperature of 1400 to 1500 ° C. 40 is prepared, and a heat insulating member 50 is provided in close contact with the inner circumferential surface of the vacuum chamber 30 to prevent the heat generated from the heating member 40 from leaking to the outside. The heat insulating member 50 is made of graphite Insulator and molybdenum insulator are installed in double, so that they are installed on the entire inner surface of the upper lid 35 and the lower body 37, and the polysilicon solution 12 contained in the crucible 10 Single crystal ingot 2 Prepare a single crystal ingot lifting member 60 for pulling up to form, and a seed 62 for forming a single crystal ingot 2 is provided at the lower end of the pulling member 60, and the seed 62 is a seed ( 62) is fixed to the chuck 63 provided at the upper end of the single crystal ingot on the seed 62 while being rotated and raised at a speed of 0.1 to 6 mm/min and a rotational speed of 2 to 30 rpm by the single crystal ingot pulling member 60 (2) is formed, and the outer surface of the single crystal ingot 2 absorbs heat emitted to the outside from the single crystal ingot 2 formed while being pulled by the single crystal ingot pulling member 60 and maintains the heat for a certain period of time It is spaced apart from the inner surface of the upper lid 35 of the vacuum chamber 30 and connected and fixed by a plurality of supports 79 A tubular heat holding member 70 is prepared, and is spaced apart from the outer surface of the single crystal ingot 2 to cool the single crystal ingot 2 maintained at a high temperature by reflecting and absorbing heat by the heat holding member 70 After preparing a tubular cooling member 80 fixed to the central portion of the upper lid 35 of the vacuum chamber 30 so as to communicate with the upper outside, the cooling member 80 is placed on the upper lid of the vacuum chamber 30. The heat holding member 70 and the cooling member 80 are attached to the inner surface of the protruding tube part 36 formed in (35), and the heat holding member 70 and the cooling member 80 are placed in the central part of the upper lid 35 of the vacuum chamber 30 and It is formed in the form of a tube having the same inner and outer diameters so as to communicate on a straight vertical line, and the heat holding member 70 and the cooling member 80 are connected and fixed by a plurality of pin members 92, and the crucible rotating plate The plate-shaped heating element 29 is provided in close contact with the upper surface of the crucible 10 so that the bottom of the crucible 10 is heated by the plate-shaped heating element 29 by making it adhere to the bottom of the crucible 10. Including, the heating member 40 is composed of a plurality of heater pipes installed along the sidewall of the crucible 10, and heat transfer formed of a fine mesh between the plurality of heater pipes and the sidewall of the crucible 10 By providing the sieve 42, the high-temperature heat generated from the heating member 40 made of a plurality of heater pipes is uniformly transferred to the sidewall of the crucible 10, and the inside of the cooling member 80 is a single crystal ingot ( For cooling in 2), a cooling means in the form of a pipe is provided, and the cooling means is installed connected to the cooling water supply unit 81 and the cooling water discharge unit 82 provided outside the vacuum chamber 30, and the cooling member The single crystal ingot 2 manufactured through step 80 is moved upward to the upper side of the vacuum chamber 30 by the single crystal ingot pulling member 60, and is formed in the form of a vertical tube provided on the upper side of the vacuum chamber 30. It is inserted into the protective tube 68, and the protective tube 68 has a rotating shaft 69a spaced apart from one side of the protective tube 68, and a cylinder 69 that moves the rotating shaft 69a up and down. b) and the single crystal ingot 2 is moved to the side of the vacuum chamber 30 while being rotated and moved up and down by the connection support 69c connecting the rotating shaft 69a and the protective tube 68, and the vacuum The upper lid 35 of the chamber 30 includes a rotating shaft 34b spaced apart from one side of the upper lid 35, a cylinder 34a for raising and lowering the rotating shaft 34b, and an upper portion of the rotating shaft 34b. The upper lid 35 is separated from the lower body 37 of the vacuum chamber 30 while being rotated and moved up and down by the connection support 34c connecting the lid 35, and the heat holding member 70 Inside, it provides a method for growing a silicon single crystal ingot for semiconductors, characterized in that it further includes a heating means for maintaining the heat of the single crystal ingot (2).

상기한 본 발명에 의하면 초크랄스키(Czochralski: CZ라 약칭함)법에 의한 단결정 잉곳 성장 시 도가니 내부의 설정온도에 단시간에 도달할 수 있도록 함과 아울러 단결정 잉곳의 성장 시간을 단축시킬 수 있도록 하고, 단결정 잉곳의 성장 후 일정시간 동안 열유지구간을 지난 후에 냉각할 수 있도록 함으로써 단결정 잉곳의 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention described above, when growing a single crystal ingot by the Czochralski (abbreviated as CZ) method, the set temperature inside the crucible can be reached in a short time, and the growth time of the single crystal ingot can be shortened, , there is an effect of improving the quality of the single crystal ingot by allowing it to cool after passing through the heat holding period for a certain time after the growth of the single crystal ingot.

도 1은 본 발명에 의한 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 성장 제조장치의 일측면 예시도
도 2는 도 1의 타측면 예시도
도 3은 도 1의 상부에서 바라 본 예시도
도 4는 본 발명에 의한 진공챔버, 도가니 등의 구성을 나타낸 단면 예시도
도 5는 본 발명에 의한 단결정 잉곳이 제조된 상태를 나타낸 단면 예시도
1 is an exemplary view of one side of a silicon single crystal ingot growth manufacturing apparatus for semiconductors according to the present invention
Figure 2 is an exemplary view of the other side of Figure 1
Figure 3 is an exemplary view viewed from the top of Figure 1
Figure 4 is a cross-sectional view showing the configuration of a vacuum chamber, crucible, etc. according to the present invention
5 is a cross-sectional view showing a state in which a single crystal ingot is manufactured according to the present invention;

이하 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부한 도면을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, specific details for the implementation of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 초크랄스키(Czochralski: CZ라 약칭함)법에 의한 단결정 잉곳 성장 시 도가니 내부의 설정온도에 단시간에 도달할 수 있도록 함과 아울러 단결정 잉곳의 성장 시간을 단축시킬 수 있도록 하고, 단결정 잉곳의 성장 후 일정시간 동안 열유지구간을 지난 후에 냉각할 수 있도록 함으로써 단결정 잉곳의 품질을 향상시키도록 하는 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 성장 제조장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 도 1 내지 도 5를 참조하여 보면 도가니(10), 도가니회전판(20), 진공챔버(30), 가열부재(40), 단열부재(50), 단결정 잉곳 인상부재(60), 열유지부재(70), 냉각부재(80)를 포함하여 이루어진다.The present invention enables to reach the set temperature inside the crucible in a short time when growing a single crystal ingot by the Czochralski (abbreviated as CZ) method and shortens the growth time of the single crystal ingot, and single crystal ingot It relates to a silicon single crystal ingot growth manufacturing apparatus for semiconductors and a manufacturing method thereof, which improve the quality of a single crystal ingot by enabling cooling after passing through a heat holding period for a certain period of time after growth, with reference to FIGS. 1 to 5 Looking at the crucible 10, the crucible rotating plate 20, the vacuum chamber 30, the heating member 40, the heat insulating member 50, the single crystal ingot pulling member 60, the heat holding member 70, the cooling member 80 made including

본 발명을 구현하기 위한 상기 도가니(10)는 도 4에서와 같이 폴리실리콘이 고온으로 용융된 폴리실리콘용액(12)이 수용되는 함체 형태로 형성된다. 도가니(10)는 폴리실리콘을 녹이는 함체로서 통상 단단한 흙이나 흑연 따위로 제조된다.As shown in FIG. 4, the crucible 10 for implementing the present invention is formed in the form of a housing in which the polysilicon solution 12 in which polysilicon is melted at a high temperature is accommodated. The crucible 10 is a housing for melting polysilicon and is usually made of hard soil or graphite.

상기 도가니(10)의 바닥부에는 도가니회전판(20)이 밀착 설치된다. 도가니회전판(20)은 도 4에서와 같이 그 하부측에 설치된 구동축(22)에 연결되어 회전되도록 구성된다.A crucible rotating plate 20 is installed in close contact with the bottom of the crucible 10 . As shown in FIG. 4 , the crucible rotating plate 20 is configured to rotate while being connected to a drive shaft 22 installed at a lower side thereof.

이때, 상기 도가니회전판(20)의 상부면에는 판상가열체(29)를 밀착 구비하여 도가니(10)의 바닥부에 밀착되게 함으로써 상기 판상가열체(29)에 의해 도가니(10)의 바닥부 가열이 이루어지도록 구성할 수 있다.At this time, a plate-shaped heating element 29 is closely attached to the upper surface of the crucible rotating plate 20 so as to adhere to the bottom of the crucible 10, thereby heating the bottom of the crucible 10 by the plate-shaped heating element 29. It can be configured to do this.

이러한 판상가열체(29)의 구성에 더하여 후술될 도가니(10)의 외주면과 진공챔버(30)의 내주면 사이에 구비되는 가열부재(40)에 의해 도가니(10)의 측면 및 바닥부가 동시에 가열되게 함으로써 폴리실리콘용액(12)을 형성하고, 그 후 단결정 잉곳(2)을 형성하기 위한 설정온도인 1400∼1500℃에 종래 도가니(10)의 측면에서만 가열하는 구조에 비해 단시간에 도달할 수 있게 된다.In addition to the structure of the plate-shaped heating element 29, the side surface and bottom of the crucible 10 are simultaneously heated by a heating member 40 provided between the outer circumferential surface of the crucible 10 and the inner circumferential surface of the vacuum chamber 30, which will be described later. By doing so, the polysilicon solution 12 is formed, and then the set temperature for forming the single crystal ingot 2, 1400 to 1500 ° C., can be reached in a shorter time than the conventional structure in which heating is performed only on the side of the crucible 10 .

상기한 도가니(10)의 외측에는 진공챔버(30)가 이격 형성된다. 진공챔버(30)는 도 4에서와 같이 도가니(10) 및 도가니회전판(20)을 포함한 내측공간부(32)를 진공상태로 변화되게 하도록 구성되며, 이때 진공챔버(30)는 상부 뚜껑(35)과 하부몸체(37)로 구성된다.A vacuum chamber 30 is spaced apart from the outside of the crucible 10 . As shown in FIG. 4, the vacuum chamber 30 is configured to change the inner space 32 including the crucible 10 and the crucible rotating plate 20 into a vacuum state. At this time, the vacuum chamber 30 has an upper lid 35 ) and a lower body 37.

이때, 상기 상부뚜껑(35)과 하부몸체(37)의 결합시에는 진공 밀폐성을 확보하기 위해 밀폐수단이 확고하게 구비되도록 하는 것은 자명하다.At this time, it is obvious that when the upper lid 35 and the lower body 37 are coupled, the sealing means is firmly provided to ensure vacuum sealing.

상기 하부몸체(37)의 내측에 도가니(10) 등의 구조체가 구비되기 때문에 이들의 설치, 수리 등을 위해 하부몸체(37) 상에서 상부뚜껑(35)을 이탈시켜야 하는데, 이를 위해 본 발명에서는 도 1 및 도 3에서와 같이 상기 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)은 상부뚜껑(35)의 일측편에 이격 설치된 회전축(34b)과, 상기 회전축(34b)을 승하강시키는 실린더(34a)와, 상기 회전축(34b)과 상부뚜껑(35)을 연결하는 연결지지체(34c)에 의해 회전 및 승하강되면서 진공챔버(30)의 하부몸체(37) 상에서 상부뚜껑(35)을 이탈시키도록 구현하였다.Since structures such as the crucible 10 are provided on the inside of the lower body 37, the upper lid 35 must be removed from the lower body 37 for installation, repair, etc. For this purpose, the present invention also 1 and 3, the upper lid 35 of the vacuum chamber 30 includes a rotating shaft 34b spaced apart from one side of the upper lid 35, and a cylinder 34a that moves the rotating shaft 34b up and down. And, the upper lid 35 is separated from the lower body 37 of the vacuum chamber 30 while being rotated and raised and lowered by the connection support 34c connecting the rotation shaft 34b and the upper lid 35. did

상기 도가니(10)의 외주면과 진공챔버(30)의 내주면 사이에는 도 4에서와 같이 가열부재(40)가 구비된다. 상기 가열부재(40)는 상술된 바처럼 도가니(10)의 외측을 가열하기 위한 부재로서, 상기 도가니(10)의 외주면과 진공챔버(30)의 내주면 사이에 각각 이격 구비되어 도가니(10)를 1400∼1500℃로 가열하여 도가니(10) 내부의 폴리 실리콘을 폴리실리콘용액(12)으로 용융함과 아울러 1400∼1500℃의 고온을 유지시키도록 구성된다.A heating member 40 is provided between the outer circumferential surface of the crucible 10 and the inner circumferential surface of the vacuum chamber 30 as shown in FIG. 4 . As described above, the heating member 40 is a member for heating the outside of the crucible 10, and is provided separately between the outer circumferential surface of the crucible 10 and the inner circumferential surface of the vacuum chamber 30 to heat the crucible 10. It is configured to maintain a high temperature of 1400 to 1500°C while melting the polysilicon inside the crucible 10 into the polysilicon solution 12 by heating to 1400 to 1500°C.

이때, 상기 가열부재(40)는 일실시예로서 도가니(10)의 측벽을 따라 설치되는 다수의 히터파이프로 구성되게 할수 있고, 다른 실시예로서 도 5에서와 같이 상기 다수의 히터파이프와 도가니(10)의 측벽 사이에 판체 또는 미세망체로 형성된 열전달체(42)를 구비함으로써 다수의 히터파이프로 된 가열부재(40)로부터 발생되는 고온의 열이 도가니(10)의 측벽으로 균일하게 전달되도록 구성할 수 있다.At this time, the heating member 40 may be composed of a plurality of heater pipes installed along the sidewall of the crucible 10 as an embodiment, and as shown in FIG. 5 as another embodiment, the plurality of heater pipes and the crucible ( 10) by providing a heat carrier 42 formed of a plate body or a fine mesh between the side walls of the crucible 10 so that the high-temperature heat generated from the heating member 40 made of a plurality of heater pipes is uniformly transmitted to the side walls of the crucible 10 can do.

상기 가열부재(40)로부터 발생되는 열의 외부유출을 방지하도록 하기 위해 진공챔버(30)의 내주면에 단열부재(50)가 밀착 구비된다. 단열부재(50)는 일실시예로서 그라파이트 단열재와 몰리브덴 단열재를 이중으로 설치할 수 있으며, 이러한 단열부재(50)는 진공챔버(30)를 구성하는 상부뚜껑(35) 및 하부몸체(37)의 전체 내측면에 설치되도록 함이 바람직하다.In order to prevent the heat generated from the heating member 40 from leaking to the outside, a heat insulating member 50 is closely attached to the inner circumferential surface of the vacuum chamber 30 . As an embodiment, the heat insulating member 50 may be double installed with a graphite heat insulating material and a molybdenum heat insulating material. It is preferable to install it on the inner side.

한편, 상기 도가니(10)에 수용된 폴리실리콘용액(12)으로부터 단결정 잉곳(2)을 형성토록 인상하는 단결정 잉곳 인상부재(60)가 도 2, 도 4 및 도 5에서와 같이 구비된다. 상기 단결정 잉곳 인상부재(60)의 하단부에는 단결정 잉곳(2)을 형성하기 위한 시드(62, seed)가 구비되며, 상기 시드(62)는 그 시드(62)의 상단부에 구비된 척(63)에 고정되어 단결정 잉곳 인상부재(60)에 의해 0.1∼6㎜/min 의 속도와, 2∼30rpm의 회전수로 회전 상승되면서시드(62) 상에서 단결정 잉곳(2)을 형성하게 된다. 이때 단결정 잉곳(2)은 그 크기가 다양하지만, 통상 직경이 250∼350㎜이고, 길이가 1∼1.5m 정도의 크기로 형성된다. 이러한 단결정 잉곳(2)은 통상의 기술에서와 같이 네크(neck)부, 직동부, 테일(tail)부로 연속 형성되며, 직동부에 해당하는 실리콘 단결정을 슬라이스(절단)하여 실리콘 웨이퍼를 제조한다.On the other hand, a single crystal ingot lifting member 60 for pulling up the single crystal ingot 2 from the polysilicon solution 12 accommodated in the crucible 10 is provided as shown in FIGS. 2, 4 and 5. A seed 62 for forming the single crystal ingot 2 is provided at the lower end of the single crystal ingot pulling member 60, and the seed 62 is a chuck 63 provided at the upper end of the seed 62 The single crystal ingot 2 is formed on the seed 62 while being rotated and raised by the single crystal ingot pulling member 60 at a speed of 0.1 to 6 mm/min and a rotational speed of 2 to 30 rpm. At this time, the single crystal ingot 2 has various sizes, but usually has a diameter of 250 to 350 mm and a length of about 1 to 1.5 m. The single crystal ingot 2 is continuously formed into a neck portion, a straight body portion, and a tail portion as in the conventional technique, and a silicon wafer is manufactured by slicing (cutting) a silicon single crystal corresponding to the straight body portion.

이러한 상기 단결정 잉곳 인상부재(60)는 본 발명의 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 성장 제조장치 분야에서 통상의 것에 해당되므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.Since the single crystal ingot lifting member 60 corresponds to a common one in the field of a silicon single crystal ingot growth manufacturing apparatus for semiconductors of the present invention, a detailed description thereof will be omitted.

상기 단결정 잉곳 인상부재(60)에 의해 인상되면서 형성되는 단결정 잉곳(2)으로부터 외측으로 방출되는 열을 흡수하여 일정시간 동안 열유지토록 도 5에서와 같이 단결정 잉곳(2)의 외측면에 관 형태의 열유지부재(70)를 구비한다.A tubular shape on the outer surface of the single crystal ingot 2 as shown in FIG. It is provided with a heat holding member 70 of.

상기 열유지부재(70)는 도 4에서와 같이 상기 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)의 내측면으로부터 다수 지지대(79)에 의해 연결 고정되도록 구성하며, 미도시되었으나, 상기 열유지부재(70)의 내부에는 단결정 잉곳(2)의 열유지를 위해 가열수단을 더 구비할 수 있다.As shown in FIG. 4, the heat holding member 70 is configured to be connected and fixed by multiple supports 79 from the inner surface of the upper lid 35 of the vacuum chamber 30, and although not shown, the heat holding member A heating means may be further provided inside the 70 to maintain heat of the single crystal ingot 2.

상기한 열유지부재(70)에 의해 단결정 잉곳(2)으로부터 외측으로 방출되는 열을 흡수하여 일정시간 동안 열유지토록 한 다음, 후술되는 냉각부재(80)를 통해 냉각되게 함으로써 단결정 잉곳의 품질을 향상시킬 수 있게 된다.By absorbing the heat emitted outward from the single crystal ingot 2 by the heat holding member 70, maintaining the heat for a certain time, and then cooling it through the cooling member 80 described later, the quality of the single crystal ingot is improved. be able to improve

상기 열유지부재(70)의 상부측에는 냉각부재(80)를 구비한다. 상기 냉각부재(80)는 상기 열유지부재(70)에 의해 열을 반사흡수하여 고온유지되는 단결정 잉곳(2)을 냉각토록 단결정 잉곳(2)의 외측면에 이격 구비되며, 도 5에서와 같이 상기 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)의 중앙부에 상부외측과 연통 고정되되는 관 형태로서, 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)에 형성된 돌출관부(36)의 내측면에 밀착 고정되도록 구성한다.A cooling member 80 is provided on the upper side of the heat holding member 70 . The cooling member 80 is spaced apart from the outer surface of the single crystal ingot 2 to cool the single crystal ingot 2 maintained at a high temperature by reflecting and absorbing heat by the heat holding member 70, as shown in FIG. It is in the form of a tube fixed in communication with the upper outer side of the central part of the upper lid 35 of the vacuum chamber 30, and is closely fixed to the inner surface of the protruding tube part 36 formed on the upper lid 35 of the vacuum chamber 30. configure it so that

이때, 상기 냉각부재(80)의 내부에는 미도시되었으나, 단결정 잉곳(2)의 냉각을 위해 파이프 형태의 냉각수단이 구비되고, 상기 냉각수단은 도 3에서와 같이 진공챔버(30)의 외측에 구비된 냉각수공급부(81) 및 냉각수배출부(82)에 연결 설치되도록 구성하는 것이 바람직하다.At this time, although not shown inside the cooling member 80, a cooling means in the form of a pipe is provided for cooling the single crystal ingot 2, and the cooling means is outside the vacuum chamber 30 as shown in FIG. It is preferable to be configured to be connected to the provided cooling water supply unit 81 and the cooling water discharge unit 82.

상기한 열유지부재(70) 및 냉각부재(80)는 바람직한 실시예로서, 도 5에서와 같이 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)의 중앙부에 상부외측과 수직 일직선상에 연통되도록 동일 내경 및 외경을 갖는 관 형태로 형성되며, 상기 열 유지부재(70)와 냉각부재(80)는 다수의 핀부재(92)에 의해 연결 고정되도록 구성하는 것이 바람직하다.As a preferred embodiment, the heat holding member 70 and the cooling member 80 described above are of the same inner diameter so as to communicate vertically and in a straight line with the upper outer portion of the central portion of the upper lid 35 of the vacuum chamber 30 as shown in FIG. And it is formed in the form of a tube having an outer diameter, and the heat holding member 70 and the cooling member 80 are preferably configured to be connected and fixed by a plurality of fin members 92.

그리고, 상기 냉각부재(80)를 거쳐 제조된 단결정 잉곳(2)은 진공챔버(30)의 측편으로 이동시켜서 수거해야 하는데, 이를 위해 도 1에서와 같이 냉각부재(80)를 거쳐 제조된 단결정 잉곳(2)은 단결정 잉곳 인상부재(60)에 의해 진공챔버(30)의 상부측으로 상승 이동되어, 상기 진공챔버(30)의 상부측에 구비된 수직관 형태의 보호관(68)에 삽입되고, 상기 보호관(68)은 보호관(68)의 일측편에 이격 설치된 회전축(69a)과, 상기 회전축(69a)을 승하강시키는 실린더(69b)와, 상기 회전축(69a)과 보호관(68)을 연결하는 연결지지체(69c)에 의해 회전 및 승하강되면서 진공챔버(30)의 측편으로 단결정 잉곳(2)을 이동시키도록 구성하는 것이 바람직하다.In addition, the single crystal ingot 2 manufactured through the cooling member 80 needs to be moved to the side of the vacuum chamber 30 and collected. For this purpose, as shown in FIG. 1, the single crystal ingot manufactured through the cooling member 80 (2) is moved upward to the upper side of the vacuum chamber 30 by the single crystal ingot pulling member 60 and is inserted into the vertical tube-shaped protective tube 68 provided on the upper side of the vacuum chamber 30, The protective tube 68 is a connection connecting a rotating shaft 69a spaced apart from one side of the protective tube 68, a cylinder 69b for raising and lowering the rotating shaft 69a, and connecting the rotating shaft 69a and the protective tube 68. It is preferable to move the single crystal ingot 2 to the side of the vacuum chamber 30 while being rotated and moved up and down by the support 69c.

상기한 바와 같은 본 발명의 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 성장 제조장치에 의한 단결정 잉곳 성장 제조방법에 대한 설명은 하기와 같다.A description of the single crystal ingot growth manufacturing method by the silicon single crystal ingot growth manufacturing apparatus for semiconductors of the present invention as described above is as follows.

먼저, 폴리실리콘이 고온으로 용융된 폴리실리콘용액(12)이 수용되는 도가니(10)를 준비하고, 상기 도가니(10)의 바닥부에 밀착되며, 구동축(22)에 연결되어 도가니(10)를 회전시키는 도가니회전판(20)을 준비하며, 상기 도가니(10)의 외측에 이격 형성되어 도가니(10) 및 도가니회전판(20)을 포함한 내측공간부(32)를 진공상태로 변화 되게 하는 상부뚜껑(35)과 하부몸체(37)로 된 진공챔버(30)를 준비하고, 상기 도가니(10)의 외주면과 진공챔버(30)의 내주면 사이에 각각 이격 구비되어 도가니(10)를 1400∼1500℃로 가열하여 도가니(10) 내부의 폴리실리콘을 폴리실리콘용액(12)으로 용융함과 아울러 1400∼1500℃의 고온을 유지시키는 가열부재(40)를 준비하며, 상기 진공챔버(30)의 내주면에 밀착 구비되어 가열부재(40)로부터 발생되는 열의 외부유출을 방지하는 단열부재(50)를 준비하고, 상기 도가니(10)에 수용된 폴리실리콘용액(12)으로부터 단결정 잉곳(2)을 형성토록 인상하는 단결정 잉곳 인상부재(60)를 준비하며, 상기 단결정 잉곳 인상부재(60)에 의해 인상되면서 형성되는 단결정 잉곳(2)으로부터 외측으로 방출되는 열을 흡수하여 일정시간 동안 열유지토록 단결정 잉곳(2)의 외측면에 이격 구비되며, 상기 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)의 내측면으로부터 다수 지지대(79)에 의해 연결 고정되는 관 형태의 열유지부재(70)를 준비하고, 상기 열유지부재(70)에 의해 열을 반사흡수하여 고온유지되는 단결정 잉곳(2)을 냉각토록 단결정 잉곳(2)의 외측면에 이격 구비되며, 상기 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)의 중앙부에 상부외측과 연통되도록 고정되는 관 형태의 냉각부재(80)를 준비한 다음, 상기 열유지부재(70) 및 냉각부재(80)는 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)의 중앙부에 상부외측과 수직 일직선상에 연통되도록 동일 내경 및 외경을 갖는 관 형태로 형성되게 하고, 상기 열유지부재(70)와 냉각부재(80)는 다수의 핀부재(92)에 의해 연결 고정되도록 하며, 상기First, a crucible 10 accommodating a polysilicon solution 12 in which polysilicon is melted at a high temperature is prepared, adhered to the bottom of the crucible 10, and connected to a driving shaft 22 to operate the crucible 10. Prepare a crucible rotating plate 20 for rotation, and the upper lid ( 35) and a lower body 37, a vacuum chamber 30 is prepared, and a space is provided between the outer circumferential surface of the crucible 10 and the inner circumferential surface of the vacuum chamber 30 to heat the crucible 10 to 1400 to 1500 ° C. Heating to melt the polysilicon inside the crucible 10 into the polysilicon solution 12 and preparing a heating member 40 that maintains a high temperature of 1400 to 1500° C., and adheres to the inner circumferential surface of the vacuum chamber 30 Prepare a heat insulating member 50 that is provided to prevent heat generated from the heating member 40 from leaking to the outside, and pull up to form a single crystal ingot 2 from the polysilicon solution 12 accommodated in the crucible 10 Single crystal An ingot lifting member 60 is prepared, and heat emitted to the outside from the single crystal ingot 2 formed while being pulled by the single crystal ingot pulling member 60 is absorbed to maintain heat for a certain period of time. Prepare a tubular heat holding member 70 spaced apart from the outer surface and connected and fixed from the inner surface of the upper lid 35 of the vacuum chamber 30 by multiple supports 79, It is spaced apart from the outer surface of the single crystal ingot 2 to cool the single crystal ingot 2 maintained at a high temperature by reflecting and absorbing heat by the 70, and the upper part of the upper lid 35 of the vacuum chamber 30 After preparing the cooling member 80 in the form of a tube fixed to be in communication with the outside, the heat holding member 70 and the cooling member 80 are placed in the center of the upper cover 35 of the vacuum chamber 30 perpendicular to the upper outside. It is formed in the form of a tube having the same inner and outer diameters so as to communicate in a straight line, and the heat holding member 70 and the cooling member 80 are a plurality of fin members 92 so that the connection is fixed by

도가니회전판(20)의 상부면에 판상가열체(29)가 밀착 구비되어 도가니(10)의 바닥부에 밀착되게 함으로써 상기 판상가열체(29)에 의해 도가니(10)의 바닥부 가열이 이루어지도록 한다.A plate-shaped heating element 29 is closely attached to the upper surface of the crucible rotating plate 20 so that the bottom part of the crucible 10 is heated by the plate-shaped heating element 29 by bringing it into close contact with the bottom of the crucible 10. do.

이때, 상기 열유지부재(70)의 내부에는 단결정 잉곳(2)의 열유지를 위해 가열수단을 더 구비하고, 상기 냉각부재(80)의 내부에는 단결정 잉곳(2)의 냉각을 위해 파이프 형태의 냉각수단이 구비되고, 상기 냉각수단은 진공챔버(30)의 외측에 구비된 냉각수공급부(81) 및 냉각수배출부(82)에 연결 설치되도록 하는 것이 바람직하고, 또한, 상기 냉각부재(80)를 거쳐 제조된 단결정 잉곳(2)은 단결정 잉곳 인상부재(60)에 의해 진공챔버(30)의 상부측으로 상승 이동되어, 상기 진공챔버(30)의 상부측에 구비된 수직관 형태의 보호관(68)에 삽입되고, 상기 보호관(68)은 보호관(68)의 일측편에 이격 설치된 회전축(69a)과, 상기 회전축(69a)을 승하강시키는 실린더(69b)와, 상기 회전축(69a)과 보호관(68)을 연결하는 연결지지체(69c)에 의해 회전 및 승하강되면서 진공챔버(30)의 측편으로 단결정 잉곳(2)을 이동시키도록 하고, 상기 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)은 상부뚜껑(35)의 일측편에 이격 설치된 회전축(34b)과, 상기 회전축(34b)을 승하강시키는 실린더(34a)와, 상기 회전축(34b)과 상부뚜껑(35)을 연결하는 연결지지체(34c)에 의해 회전 및 승하강되면서 진공챔버(30)의 하부몸체(37) 상에서 상부뚜껑(35)을 이탈시키도록 하는 것이 바람직하다.At this time, the inside of the heat holding member 70 is further provided with a heating means for heat retention of the single crystal ingot 2, and the inside of the cooling member 80 has a pipe shape for cooling the single crystal ingot 2. A cooling means is provided, and it is preferable that the cooling means be installed in connection with the cooling water supply unit 81 and the cooling water discharge unit 82 provided outside the vacuum chamber 30, and also, the cooling member 80 The single-crystal ingot 2 produced through the single-crystal ingot lifting member 60 is moved upward to the upper side of the vacuum chamber 30, and the protective tube 68 in the form of a vertical tube provided on the upper side of the vacuum chamber 30 The protective tube 68 includes a rotating shaft 69a spaced apart from one side of the protective tube 68, a cylinder 69b for raising and lowering the rotating shaft 69a, and the rotating shaft 69a and the protective tube 68 ) to move the single crystal ingot 2 to the side of the vacuum chamber 30 while being rotated and raised and lowered by the connection support 69c connecting the vacuum chamber 30, the upper lid 35 of the vacuum chamber 30 is the upper lid A rotation shaft (34b) spaced apart from one side of (35), a cylinder (34a) for raising and lowering the rotation shaft (34b), and a connection support (34c) connecting the rotation shaft (34b) and the upper lid (35) It is preferable to separate the upper lid 35 on the lower body 37 of the vacuum chamber 30 while being rotated and raised and lowered by the vacuum chamber 30.

상술된 바와 같은 본 발명에 의한 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 성장 제조장치 및 그 제조방법에 의하면 초크랄스키(Czochralski: CZ라 약칭함)법에 의한 단결정 잉곳 성장 시 도가니 내부의 설정온도에 단시간에 도달할 수 있도록 함과 아울러 단결정 잉곳의 성장 시간을 단축시킬 수 있도록 하고, 단결정 잉곳의 성장 후 일정시간 동안 열유지구간을 지난 후에 냉각할 수 있도록 함으로써 단결정 잉곳의 품질을 향상시킬 수 있게 된다.As described above, according to the apparatus for growing and manufacturing a single crystal ingot for semiconductors according to the present invention, the set temperature inside the crucible can be reached in a short time when the single crystal ingot is grown by the Czochralski (abbreviated as CZ) method. In addition, the growth time of the single crystal ingot can be shortened, and the quality of the single crystal ingot can be improved by allowing the single crystal ingot to be cooled after passing through a heat holding period for a certain time after the growth of the single crystal ingot.

이상에서 설명한 본 발명은, 도면에 도시된 일실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 명확히 하여야 할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The present invention described above has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, but this is only exemplary, and those skilled in the art can make various modifications and equivalent other embodiments therefrom. will have to be clarified. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be construed by the appended claims, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.

2 : 단결정 잉곳 10 : 도가니
12 : 폴리실리콘용액 20 : 도가니회전판
30 : 진공챔버 32 : 내측공간부
35 : 상부뚜껑 37 : 하부몸체
40 : 가열부재 50 : 단열부재
60 : 단결정 잉곳 인상부재 70 : 열유지부재
80 : 냉각부재
2: single crystal ingot 10: crucible
12: polysilicon solution 20: crucible rotating plate
30: vacuum chamber 32: inner space
35: upper lid 37: lower body
40: heating member 50: insulation member
60: single crystal ingot lifting member 70: heat holding member
80: cooling member

Claims (1)

폴리실리콘이 고온으로 용융된 폴리실리콘용액(12)이 수용되는 함체 형태의 도가니(10);
상기 도가니(10)의 바닥부에 밀착되며, 상기 도가니(10)의 하부측에 설치된 구동축(22)에 연결되어 도가니(10)를 회전시키는 도가니회전판(20);
상기 도가니(10)의 외측에 이격 형성되어 도가니(10) 및 도가니회전판(20)을 포함한 내측공간부(32)를 진공상태로 변화되게 하는 상부뚜껑(35)과 하부몸체(37)로 된 진공챔버(30);
상기 도가니(10)의 외주면과 진공챔버(30)의 내주면 사이에 각각 이격 구비되어 도가니(10)를 1400∼1500℃로 가열하여 도가니(10) 내부의 폴리실리콘을 폴리실리콘용액(12)으로 용융함과 아울러 1400∼1500℃의 고온을 유지시키는 가열부재(40);
상기 진공챔버(30)의 내주면에 밀착 구비되어 가열부재(40)로부터 발생되는 열의 외부유출을 방지하는 단열부재(50);
상기 단열부재(50)는 그라파이트 단열재와 몰리브덴 단열재를 이중으로 설치하되, 상기 상부뚜껑(35)과 하부몸체(37)의 전체 내측면에 설치되도록 하고,
상기 도가니(10)에 수용된 폴리실리콘용액(12)으로부터 단결정 잉곳(2)을 형성토록 인상하는 단결정 잉곳 인상부재(60);
상기 인상부재(60)의 하단부에는 단결정 잉곳(2)을 형성하기 위한 시드(62)가 구비되고, 상기 시드(62)는 시드(62)의 상단부에 구비된 척(63)에 고정되어 단결정 잉곳 인상부재(60)에 의해 0.1∼6㎜/min 의 속도와, 2∼30rpm의 회전수로 회전 상승되면서 시드(62) 상에서 단결정 잉곳(2)이 형성되도록 하고,
상기 단결정 잉곳 인상부재(60)에 의해 인상되면서 형성되는 단결정 잉곳(2)으로부터 외측으로 방출되는 열을 흡수하여 일정시간 동안 열유지토록 단결정 잉곳(2)의 외측면에 이격 구비되며, 상기 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)의 내측면으로부터 다수 지지대(79)에 의해 연결 고정되는 관 형태의 열유지부재(70);
상기 열유지부재(70)에 의해 열을 반사흡수하여 고온유지되는 단결정 잉곳(2)을 냉각토록 단결정 잉곳(2)의 외측면에 이격 구비되며, 상기 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)의 중앙부에 상부외측과 연통되도록 고정되는 관 형태의 냉각부재(80);
상기 냉각부재(80)는 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)에 형성된 돌출관부(36)의 내측면에 밀착 고정되며,
상기 열유지부재(70) 및 냉각부재(80)는 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)의 중앙부에 상부외측과 수직 일직선상에 연통되도록 동일 내경 및 외경을 갖는 관 형태로 형성되며, 상기 열유지부재(70)와 냉각부재(80)는 다수의 핀부재(92)에 의해 연결 고정되도록 구성하는 포함하여 이루어지고,
상기 도가니회전판(20)의 상부면에 판상가열체(29)가 밀착 구비되어 도가니(10)의 바닥부에 밀착되게 함으로써 상기 판상가열체(29)에 의해 도가니(10)의 바닥부 가열이 이루어지도록 구성되며,
상기 가열부재(40)는 도가니(10)의 측벽을 따라 설치되는 다수의 히터파이프로 구성되며, 상기 다수의 히터파이프와 도가니(10)의 측벽 사이에 미세망체로 형성된 열전달체(42)를 구비함으로써 다수의 히터파이프로 된 가열부재(40)로부터 발생되는 고온의 열이 도가니(10)의 측벽으로 균일하게 전달되도록 구성하고, 상기 냉각부재(80)의 내부에는 단결정 잉곳(2)의 냉각을 위해 파이프 형태의 냉각수단이 구비되고, 상기 냉각수단은 진공챔버(30)의 외측에 구비된 냉각수공급부(81) 및 냉각수배출부(82)에 연결 설치되도록 구성하되, 상기 냉각부재(80)를 거쳐 제조된 단결정 잉곳(2)은 단결정 잉곳 인상부재(60)에 의해 진공챔버(30)의 상부측으로 상
승 이동되어, 상기 진공챔버(30)의 상부측에 구비된 수직관 형태의 보호관(68)에 삽입되고, 상기 보호관(68)은 보호관(68)의 일측편에 이격 설치된 회전축(69a)과, 상기 회전축(69a)을 승하강시키는 실린더(69b)와, 상기 회전축(69a)과 보호관(68)을 연결하는 연결지지체(69c)에 의해 회전 및 승하강되면서 진공챔버(30)의 측편으로 단결정 잉곳(2)을 이동시키도록 구성하며, 상기 진공챔버(30)의 상부뚜껑(35)은 상부뚜껑(35)의 일측편에 이격 설치된 회전축(34b)과, 상기 회전축(34b)을 승하강시키는 실린더(34a)와, 상기 회전축(34b)과 상부뚜껑(35)을 연결하는 연결지지체(34c)에 의해 회전 및 승하강되면서 진공챔버(30)의 하부몸체(37) 상에서 상부뚜껑(35)을 이탈시키도록 구성하고, 상기 열유지부재(70)의 내부에는 단결정 잉곳(2)의 열유지를 위해 가열수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 성장 제조장치.
a crucible 10 in the form of a housing in which a polysilicon solution 12 in which polysilicon is melted at a high temperature is accommodated;
a crucible rotating plate 20 that is closely attached to the bottom of the crucible 10 and is connected to the driving shaft 22 installed on the lower side of the crucible 10 to rotate the crucible 10;
A vacuum consisting of an upper lid 35 and a lower body 37 that are spaced apart from the outside of the crucible 10 and change the inner space 32 including the crucible 10 and the crucible rotating plate 20 to a vacuum state. chamber 30;
A space is provided between the outer circumferential surface of the crucible 10 and the inner circumferential surface of the vacuum chamber 30, respectively, and the crucible 10 is heated to 1400 to 1500° C. to melt the polysilicon inside the crucible 10 into the polysilicon solution 12. In addition, a heating member 40 for maintaining a high temperature of 1400 ~ 1500 ℃;
a heat insulating member 50 provided in close contact with an inner circumferential surface of the vacuum chamber 30 to prevent heat generated from the heating member 40 from leaking to the outside;
The heat insulating member 50 is double installed with a graphite heat insulating material and a molybdenum heat insulating material, so that it is installed on the entire inner surface of the upper lid 35 and the lower body 37,
a single crystal ingot pulling member 60 that pulls up the single crystal ingot 2 from the polysilicon solution 12 accommodated in the crucible 10;
A seed 62 for forming the single crystal ingot 2 is provided at the lower end of the lifting member 60, and the seed 62 is fixed to a chuck 63 provided at the upper end of the seed 62 to form a single crystal ingot The single crystal ingot 2 is formed on the seed 62 while being rotated and raised by the pulling member 60 at a speed of 0.1 to 6 mm/min and a rotational speed of 2 to 30 rpm,
The vacuum chamber A tubular heat holding member 70 connected and fixed by a plurality of supports 79 from the inner surface of the upper lid 35 of (30);
It is spaced apart from the outer surface of the single crystal ingot 2 to cool the single crystal ingot 2 maintained at a high temperature by reflecting and absorbing heat by the heat holding member 70, and the upper cover 35 of the vacuum chamber 30 A cooling member 80 in the form of a tube fixed to the central portion so as to communicate with the upper and outer sides of the;
The cooling member 80 is tightly fixed to the inner surface of the protruding tube part 36 formed on the upper lid 35 of the vacuum chamber 30,
The heat holding member 70 and the cooling member 80 are formed in the form of a tube having the same inner and outer diameters so as to communicate vertically with the outer side of the central portion of the upper lid 35 of the vacuum chamber 30, The heat holding member 70 and the cooling member 80 are configured to be connected and fixed by a plurality of pin members 92,
A plate heating element 29 is provided in close contact with the upper surface of the crucible rotating plate 20 to adhere to the bottom of the crucible 10, so that the bottom part of the crucible 10 is heated by the plate heating element 29. It is composed of
The heating member 40 is composed of a plurality of heater pipes installed along the sidewall of the crucible 10, and a heat transfer member 42 formed of a fine mesh is provided between the plurality of heater pipes and the sidewall of the crucible 10. By doing so, the high-temperature heat generated from the heating member 40 made of a plurality of heater pipes is uniformly transferred to the sidewall of the crucible 10, and the cooling member 80 cools the single crystal ingot 2 In order to do so, a cooling means in the form of a pipe is provided, and the cooling means is configured to be connected and installed to the cooling water supply unit 81 and the cooling water discharge unit 82 provided outside the vacuum chamber 30, and the cooling member 80 The single-crystal ingot 2 produced through the process is raised to the upper side of the vacuum chamber 30 by the single-crystal ingot pulling member 60.
It is moved up and inserted into a protective tube 68 in the form of a vertical tube provided on the upper side of the vacuum chamber 30, and the protective tube 68 has a rotating shaft 69a spaced apart from one side of the protective tube 68, Single crystal ingot to the side of the vacuum chamber 30 while being rotated and moved up and down by the cylinder 69b for raising and lowering the rotary shaft 69a and the connection support 69c connecting the rotary shaft 69a and the protective tube 68 (2) is configured to move, and the upper lid 35 of the vacuum chamber 30 has a rotating shaft 34b spaced apart from one side of the upper lid 35, and a cylinder that moves the rotating shaft 34b up and down. (34a) and the rotational shaft (34b) connected to the upper lid (35) rotated and moved up and down by the connection support (34c), leaving the upper lid (35) on the lower body (37) of the vacuum chamber (30). Silicon single crystal ingot growth manufacturing apparatus for semiconductors, characterized in that the inside of the heat holding member (70) further includes a heating means for heat retention of the single crystal ingot (2).
KR1020210097817A 2021-07-26 2021-07-26 Silicon single crystal ingot growth and manufacturing apparatus for semiconductor and manufacturing method KR20230016382A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210097817A KR20230016382A (en) 2021-07-26 2021-07-26 Silicon single crystal ingot growth and manufacturing apparatus for semiconductor and manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210097817A KR20230016382A (en) 2021-07-26 2021-07-26 Silicon single crystal ingot growth and manufacturing apparatus for semiconductor and manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230016382A true KR20230016382A (en) 2023-02-02

Family

ID=85225493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210097817A KR20230016382A (en) 2021-07-26 2021-07-26 Silicon single crystal ingot growth and manufacturing apparatus for semiconductor and manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230016382A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8231727B2 (en) Crystal growth apparatus and method
CN113322510B (en) SiC single crystal growth device and liquid phase epitaxy SiC single crystal growth method
CN102220628A (en) Device for growing semiconductor crystals
CN1646736A (en) Method for producing silicon single crystal and, silicon single crystal and silicon wafer
EP2045372A2 (en) Method for growing silicon ingot
JP4450118B2 (en) Method for producing silicon carbide single crystal
US11255023B2 (en) Silicon supply part, and device and method for growing silicon monocrystalline ingot comprising same
KR20230016382A (en) Silicon single crystal ingot growth and manufacturing apparatus for semiconductor and manufacturing method
KR20100056640A (en) Single crystal growth apparatus
KR101934474B1 (en) Manufacturing apparatus and method of ingot
CN219099384U (en) Silicon carbide crystal growth device
KR102355248B1 (en) Apparatus and method for growing silicon single crystal ingot
JP2012236755A (en) Apparatus for growing single crystal silicon ingot having reusable dual crucible for silicon melting
WO2011043777A1 (en) Crystal growth apparatus and method
JPH0315550Y2 (en)
KR102443802B1 (en) Manufacturing apparatus of semiconductor ring and manufacturing method of semiconductor ring using the same
KR20190100653A (en) Method for correcting shape of silicon single crystal ingot
KR20070028114A (en) Apparatus for growing silicon single crystal ingot
JPH1129398A (en) Apparatus for producing compound semiconductor single crystal
JPH11130579A (en) Production of compound semiconductor single crystal and apparatus for producing the same
JPS5983995A (en) Growth of single crystal
JP4155085B2 (en) Method for producing compound semiconductor single crystal
JP2005075670A (en) Manufacturing method for compound semiconductor single crystal
JP6249757B2 (en) Single crystal silicon pulling device
JP4207783B2 (en) Method for producing compound semiconductor single crystal