KR20230016129A

KR20230016129A - Focus Ring and plasma device including the same

Info

Publication number: KR20230016129A
Application number: KR1020210097298A
Authority: KR
Inventors: 최왕기; 이은영; 한태건; 유제근; 김영민
Original assignee: 하나머티리얼즈(주)
Priority date: 2021-07-23
Filing date: 2021-07-23
Publication date: 2023-02-01

Abstract

The present invention relates to a focus ring and a plasma device including the same. More specifically, the present invention relates to a focus ring which comprises: a first ring made of a first material; a second ring made of a second material different from the first material; and a coupling member. The second ring is arranged on the first ring. The first ring provides a first insertion recess indented downwards from an upper surface of the first ring. The second ring provides a second insertion recess indented upwards from a lower surface of the second ring. The coupling member is inserted into the first insertion recess and the second insertion recess to couple the first ring and the second ring. The first insertion recess includes: a first outer recess extended from an outer side surface of the first ring towards an inner side; and a first extension recess extended from the first outer recess further towards an inner side, and having a broader width than the width of the first outer recess. The second insertion recess includes: a second outer recess extended from an outer side surface of the second ring towards an inner side; and a second extension recess extended from the second outer recess further towards an inner side, and having a broader width than the width of the second outer recess. Therefore, the costs can be reduced.

Description

Focus ring and plasma device including the same {Focus Ring and plasma device including the same}

본 발명은 포커스 링 및 그를 포함하는 플라즈마 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 플라즈마 식각 장치에 이용되는 포커스 링 및 그를 포함하는 플라즈마 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a focus ring and a plasma device including the same, and more particularly, to a focus ring used in a semiconductor plasma etching device and a plasma device including the same.

일반적으로 반도체소자는 실리콘 웨이퍼 상에 제조공정을 반복적으로 진행하여 완성된다. 반도체 제조공정은 그 소재가 되는 웨이퍼에 대한 산화, 마스킹, 포토레지스트 도포, 식각, 확산 및 적층 공정들을 포함한다. 또한, 상기 공정들의 전, 후에서 보조적으로 세척, 건조 및 검사 등의 공정들이 수행되어야 한다. 특히, 식각공정은 실질적으로 웨이퍼 상에 패턴을 형성시키는 중요한 공정이다. 식각공정은 크게 습식식각과 건식식각으로 구분될 수 있다.In general, a semiconductor device is completed by repeatedly performing a manufacturing process on a silicon wafer. A semiconductor manufacturing process includes oxidation, masking, photoresist coating, etching, diffusion, and lamination processes for a wafer that is the material. In addition, processes such as washing, drying, and inspection should be performed before and after the above processes. In particular, the etching process is an important process for substantially forming a pattern on a wafer. The etching process can be largely divided into wet etching and dry etching.

건식 식각 공정은 포토 공정 이후 형성된 포토레지스트 패턴의 노출된 부위를 제거하기 위한 공정이다. 밀폐된 내부공간에 소정 간격 이격되어 설치된 상부전극 및 하부전극에 고주파 전력을 인가하여 전기장을 형성하고, 상기 전기장으로 밀폐공간 내부로 공급된 반응가스를 활성화시켜 플라즈마 상태로 만든 후, 플라즈마 상태의 이온이 하부전극 위에 위치한 웨이퍼를 식각하는 것이다.The dry etching process is a process for removing exposed portions of the photoresist pattern formed after the photo process. After applying high-frequency power to the upper electrode and the lower electrode installed at a predetermined distance apart in the sealed inner space to form an electric field, and activating the reaction gas supplied into the sealed space with the electric field to make it into a plasma state, ions in the plasma state The wafer positioned on the lower electrode is etched.

플라즈마는 웨이퍼의 상면 전체 영역으로 집중되도록 하는 것이 바람직하다. 이를 위해 하부전극 상부에 있는 척 본체의 둘레를 감싸도록 포커스 링이 배치된다.Preferably, the plasma is concentrated over the entire top surface area of the wafer. To this end, a focus ring is disposed to surround the circumference of the chuck body above the lower electrode.

포커스 링은 척 본체 상부에서 형성되는 고주파 전력 인가에 의한 전기장 형성 영역을 웨이퍼가 위치되는 영역으로 집중시키고, 웨이퍼는 플라즈마가 형성되는 영역의 중심에 놓여져 전체적으로 균일하게 식각된다.The focus ring concentrates an electric field formation area formed on the chuck body by application of high-frequency power to an area where a wafer is located, and the wafer is placed in the center of the area where plasma is formed and etched uniformly as a whole.

본 발명은 결합이 용이한 포커스 링 및 그를 포함하는 플라즈마 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a focus ring that is easily coupled and a plasma device including the same.

본 발명의 다른 개념에 따른 포커스 링은 제1 소재로 이루어진 제1 링; 상기 제1 소재와는 다른 제2 소재로 이루어진 제2 링; 및 결합 부재를 포함하고, 상기 제2 링은 상기 제1 링 상에 위치하며, 상기 제1 링은 상기 제1 링의 상면으로부터 아래로 함입된 제1 삽입 리세스를 제공하되, 상기 제2 링은 상기 제2 링의 하면으로부터 위로 함입된 제2 삽입 리세스를 제공하고, 상기 결합 부재는 상기 제1 삽입 리세스 및 상기 제2 삽입 리세스에 삽입되어 상기 제1 링과 상기 제2 링을 결합시키며, 상기 제1 삽입 리세스는: 상기 제1 링의 외측면에서 내측으로 연장되는 제1 외측 리세스; 및 상기 제1 외측 리세스로부터 내측으로 더 연장되되, 상기 제1 외측 리세스의 폭보다 넓은 폭을 갖는 제1 연장 리세스를 포함하되, 상기 제2 삽입 리세스는: 상기 제2 링의 외측면에서 내측으로 연장되는 제2 외측 리세스; 및 상기 제2 외측 리세스로부터 내측으로 더 연장되되, 상기 제2 외측 리세스의 폭보다 넓은 폭을 갖는 제2 연장 리세스를 포함할 수 있다.A focus ring according to another concept of the present invention includes a first ring made of a first material; a second ring made of a second material different from the first material; and a coupling member, wherein the second ring is positioned on the first ring, and the first ring provides a first insertion recess recessed downward from an upper surface of the first ring; provides a second insertion recess recessed upward from the lower surface of the second ring, and the coupling member is inserted into the first insertion recess and the second insertion recess to connect the first ring and the second ring. and the first insertion recess includes: a first outer recess extending inwardly from an outer surface of the first ring; and a first extending recess further extending inwardly from the first outer recess and having a width greater than a width of the first outer recess, wherein the second insertion recess: a second outer recess extending inwardly from a side surface; and a second extension recess further extending inwardly from the second outer recess and having a width wider than that of the second outer recess.

본 발명의 다른 개념에 따른 플라즈마 장치는 기판이 배치될 수 있는 지지판; 및 상기 지지판의 가장 자리를 둘러싸도록 제공된 에지 링을 포함하되, 상기 에지 링은: 포커스 링; 및 상기 포커스 링의 외측에 제공된 차폐 링을 포함하고, 상기 포커스 링은: 제1 소재로 이루어진 제1 링; 상기 제1 소재와는 다른 제2 소재로 이루어진 제2 링; 및 결합 부재를 포함하고, 상기 제2 링은 상기 제1 링 상에 위치하며, 상기 제1 링은 상기 제1 링의 상면으로부터 아래로 함입된 제1 삽입 리세스를 제공하며, 상기 제2 링은 상기 제2 링의 하면으로부터 위로 함입된 제2 삽입 리세스를 제공하되, 상기 제1 삽입 리세스는 상기 제1 링을 상하로 관통하여 상기 제1 링의 하면에 연결되고, 상기 제2 삽입 리세스는 상기 제2 링의 상면으로부터 밑으로 일정 거리 이격되며, 상기 결합 부재는 상기 제1 삽입 리세스 및 상기 제2 삽입 리세스에 삽입되어 상기 제1 링과 상기 제2 링을 결합시킬 수 있다.Plasma apparatus according to another concept of the present invention includes a support plate on which a substrate can be disposed; and an edge ring provided to surround an edge of the support plate, wherein the edge ring comprises: a focus ring; and a shielding ring provided outside the focus ring, wherein the focus ring includes: a first ring made of a first material; a second ring made of a second material different from the first material; and a coupling member, wherein the second ring is positioned on the first ring, the first ring provides a first insertion recess recessed downward from an upper surface of the first ring, and wherein the second ring provides a second insertion recess recessed upward from the lower surface of the second ring, wherein the first insertion recess vertically penetrates the first ring and is connected to the lower surface of the first ring; The recess is spaced apart from the upper surface of the second ring by a predetermined distance, and the coupling member is inserted into the first insertion recess and the second insertion recess to couple the first ring and the second ring. there is.

본 발명의 실시 예들에 따른 포커스 링은 제1 링과 제2 링의 결합이 신속하고 용이할 수 있다.In the focus ring according to example embodiments of the present invention, the first ring and the second ring may be coupled quickly and easily.

본 발명의 실시 예들에 따른 포커스 링은 제1 링과 제2 링을 접착제 없이 결합할 수 있다.In the focus ring according to example embodiments, the first ring and the second ring may be coupled without an adhesive.

본 발명의 실시 예들에 따른 포커스 링은 제1 링과 제2 링 중 하나를 교체하여 사용할 수 있다.In the focus ring according to example embodiments, one of the first ring and the second ring may be used interchangeably.

본 발명의 실시 예들에 따른 포커스 링은 수명을 증가시키고 비용을 절감할 수 있다.The focus ring according to embodiments of the present invention can increase lifespan and reduce cost.

도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 플라즈마 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예들에 따른 에지 링을 설명하기 위한 것으로, 도 1의 X 영역을 확대한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예들에 따른 포커스 링을 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 4는 도 3의 포커스 링을 나타낸 평면도이다.
도 5 및 도 6의 각각은 도 3의 I-I'을 따라 절단한 단면도들이다.
도 7은 도 3의 II-II'을 따라 절단한 단면도이다.1 is a diagram schematically illustrating a plasma apparatus according to embodiments of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of an area X of FIG. 1 for explaining an edge ring according to embodiments of the present invention.
3 is an exploded perspective view illustrating a focus ring according to example embodiments.
FIG. 4 is a plan view illustrating the focus ring of FIG. 3 .
Each of FIGS. 5 and 6 are cross-sectional views taken along line II′ of FIG. 3 .
FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 3 .

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them, will become clear with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various different forms, but only the present embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the common knowledge in the art to which the present invention belongs It is provided to fully inform the holder of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numbers designate like elements throughout the specification.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 장치는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 장치의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 이하 본 발명의 실시 예들에 대해 상세히 설명한다.Terms used in this specification are for describing embodiments and are not intended to limit the present invention. In this specification, singular forms also include plural forms unless specifically stated otherwise in a phrase. As used herein, 'comprises' and/or 'comprising' refers to the presence of one or more other elements, steps, operations and/or devices mentioned. or do not rule out additions. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

본 발명의 실시 예로, 유도결합형 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma) 방식으로 플라즈마를 생성하여 기판을 처리하는 플라즈마 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 용량결합형 플라즈마(CCP: Conductively Coupled Plasma) 방식 또는 리모트 플라즈마 방식 등 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.As an embodiment of the present invention, a plasma apparatus for processing a substrate by generating plasma in an inductively coupled plasma (ICP) method will be described. However, the present invention is not limited thereto, and can be applied to various types of devices for processing substrates using plasma, such as a capacitively coupled plasma (CCP) method or a remote plasma method.

또한 본 발명의 실시 예에서는 지지 유닛으로 정전척을 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 지지 유닛은 기계적 클램핑에 의해 기판을 지지하거나, 진공에 의해 기판을 지지할 수 있다.In addition, in the embodiment of the present invention, an electrostatic chuck will be described as an example as a support unit. However, the present invention is not limited thereto, and the support unit may support the substrate by mechanical clamping or by vacuum.

도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 플라즈마 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating a plasma apparatus according to embodiments of the present invention.

이하에서, 도 1의 D1을 제1 방향, 제1 방향(D1)에 교차되는 D2를 제2 방향, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)의 각각에 교차되는 D3를 제3 방향이라 칭할 수 있다. 제1 방향(D1)은 상측, 제1 방향(D1)의 반대 방향은 하측이라 칭할 수도 있다. 또한, 제2 방향(D2) 및 제3 방향(D3)의 각각은 수평 방향이라 칭할 수도 있다.Hereinafter, D1 of FIG. 1 is a first direction, D2 crossing the first direction D1 is a second direction, and D3 crossing each of the first and second directions D1 and D2 is a third direction. can be called The first direction D1 may be referred to as an upper side, and a direction opposite to the first direction D1 may be referred to as a lower side. Also, each of the second direction D2 and the third direction D3 may be referred to as a horizontal direction.

도 1을 참조하면, 플라즈마 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 장치(10)는 기판(W)에 대하여 플라즈마를 이용한 식각 공정을 수행할 수 있다. 플라즈마 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400) 및 배기 유닛(500)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the plasma apparatus 10 may process a substrate W using plasma. For example, the plasma apparatus 10 may perform an etching process using plasma on the substrate W. The plasma apparatus 10 may include a chamber 100 , a support unit 200 , a gas supply unit 300 , a plasma source 400 and an exhaust unit 500 .

챔버(100)는 내부에 기판(W)을 처리하는 처리 공간을 가질 수 있다. 챔버(100)는 하우징(110) 및 커버(120)를 포함할 수 있다.The chamber 100 may have a processing space for processing the substrate W therein. The chamber 100 may include a housing 110 and a cover 120 .

하우징(110)은 상면이 개방될 수 있다. 즉, 하우징(110)의 내부 공간은 개방될 수 있다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간으로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 금속 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하우징(110)은 알루미늄을 포함할 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다.A top surface of the housing 110 may be open. That is, the inner space of the housing 110 may be open. The inner space of the housing 110 may serve as a processing space in which a substrate processing process is performed. The housing 110 may include a metal material. For example, the housing 110 may include aluminum. Housing 110 may be grounded.

하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 제공될 수 있다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결될 수 있다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징(110)의 내부 공간에 잔류하는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압될 수 있다.An exhaust hole 102 may be provided on the bottom surface of the housing 110 . The exhaust hole 102 may be connected to the exhaust line 151 . Reaction by-products generated during the process and gas remaining in the inner space of the housing 110 may be discharged to the outside through the exhaust line 151 . The inside of the housing 110 may be reduced to a predetermined pressure by the exhausting process.

커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮을 수 있다. 커버(120)는 판 형상을 가지며, 하우징(110)의 내부 공간을 밀폐시킬 수 있다. 커버(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.The cover 120 may cover the open upper surface of the housing 110 . The cover 120 has a plate shape and can seal the inner space of the housing 110 . The cover 120 may include a dielectric substance window.

라이너(130)가 하우징(110) 내부에 제공될 수 있다. 라이너(130)는 상면 및 바닥면이 개방된 내부 공간을 가질 수 있다. 다시 말하면, 라이너(130)는 원통 형상을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 아래로 연장될 수 있다.A liner 130 may be provided inside the housing 110 . The liner 130 may have an inner space with open top and bottom surfaces. In other words, the liner 130 may have a cylindrical shape. The liner 130 may have a radius corresponding to the inner surface of the housing 110 . The liner 130 may extend downward along the inner surface of the housing 110 .

라이너(130)는, 그의 상부에 지지 링(131)을 포함할 수 있다. 지지 링(131)은 링 형태를 가지며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출될 수 있다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상부에 제공되어, 라이너(130)를 지지할 수 있다.The liner 130 may include a support ring 131 on top thereof. The support ring 131 has a ring shape and may protrude outward from the liner 130 along the circumference of the liner 130 . The support ring 131 may be provided on the top of the housing 110 to support the liner 130 .

라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 라이너(130)는 알루미늄을 포함할 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호할 수 있다. 예를 들면, 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킬 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 반응 부산물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지할 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이할 수 있다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 손상된 라이너(130)는 새로운 라이너(130)로 교체될 수 있다.The liner 130 may include the same material as the housing 110 . For example, the liner 130 may include aluminum. The liner 130 may protect the inner surface of the housing 110 . For example, an arc discharge may be generated inside the chamber 100 while the process gas is excited. Arc discharges can damage peripheral devices. The liner 130 may protect the inner surface of the housing 110 from being damaged by an arc discharge. In addition, reaction by-products generated during the substrate treatment process may be prevented from being deposited on the inner wall of the housing 110 . The liner 130 is cheaper than the housing 110 and can be easily replaced. Accordingly, when the liner 130 is damaged due to arc discharge, the damaged liner 130 may be replaced with a new liner 130 .

지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부의 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 예를 들면, 지지 유닛(200)은 하우징(110)의 내부에 배치될 수 있다. 지지 유닛(200)은 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전척 방식으로 제공될 수 있다. 다른 예로, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전척 방식으로 제공된 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.The support unit 200 may support the substrate W within the processing space inside the chamber 100 . For example, the support unit 200 may be disposed inside the housing 110 . The support unit 200 may be provided in an electrostatic chuck method that adsorbs the substrate W using electrostatic force. As another example, the support unit 200 may support the substrate W in various ways such as mechanical clamping. Hereinafter, the support unit 200 provided in an electrostatic chuck method will be described.

지지 유닛(200)은 척(220, 230, 250) 및 에지 링(240)을 포함할 수 있다. 척(220, 230, 250)은 공정 수행 시 기판(W)을 지지할 수 있다. 척(220, 230, 250)은 지지판(220), 유로 형성판(230) 및 절연 플레이트(250)를 포함할 수 있다.The support unit 200 may include chucks 220 , 230 , and 250 and an edge ring 240 . The chucks 220 , 230 , and 250 may support the substrate W during the process. The chucks 220 , 230 , and 250 may include a support plate 220 , a passage forming plate 230 , and an insulating plate 250 .

지지판(220)은 지지 유닛(200)의 상부에 위치할 수 있다. 지지판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다. 예를 들어, 지지판(220)은 쿼츠를 포함할 수 있다. 지지판(220)의 상면에는 기판(W)이 배치될 수 있다. 지지판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 지지판(220)에는, 기판(W)의 바닥면으로 열 전달 가스가 공급되는 통로로 이용되는 제1 공급 유로(221)가 제공될 수 있다. 지지판(220) 내에는 정전 전극(223)과 히터(225)가 매립될 수 있다.The support plate 220 may be positioned above the support unit 200 . The support plate 220 may be provided with a disk-shaped dielectric substance. For example, the support plate 220 may include quartz. A substrate W may be disposed on an upper surface of the support plate 220 . The upper surface of the support plate 220 may have a radius smaller than that of the substrate (W). A first supply passage 221 used as a passage through which heat transfer gas is supplied to the bottom surface of the substrate W may be provided on the support plate 220 . The electrostatic electrode 223 and the heater 225 may be buried in the support plate 220 .

정전 전극(223)은 히터(225) 상에 위치할 수 있다. 정전 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 정전 전극(223)에 인가된 전류에 의해 정전 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 지지판(220)에 흡착될 수 있다.The electrostatic electrode 223 may be positioned on the heater 225 . The electrostatic electrode 223 may be electrically connected to the first lower power source 223a. An electrostatic force acts between the electrostatic electrode 223 and the substrate W by the current applied to the electrostatic electrode 223 , and the substrate W may be adsorbed to the support plate 220 by the electrostatic force.

히터(225)는 제2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 히터(225)는 제2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킬 수 있다. 발생된 열은 지지판(220)을 통해 기판(W)으로 전달될 수 있다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 설정 온도로 유지될 수 있다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다.The heater 225 may be electrically connected to the second lower power source 225a. The heater 225 may generate heat by resisting a current applied from the second lower power source 225a. The generated heat may be transferred to the substrate W through the support plate 220 . The substrate W may be maintained at a set temperature by heat generated by the heater 225 . The heater 225 may include a spiral coil.

지지판(220)의 아래에 유로 형성판(230)이 제공될 수 있다 지지판(220)의 바닥면과 유로 형성판(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 서로 접착될 수 있다. 유로 형성판(230) 내에 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232), 및 제2 공급 유로(233)가 제공될 수 있다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 서로 연결할 수 있다. 예를 들어, 유로 형성판(230)은 쿼츠를 포함할 수 있다.A flow path forming plate 230 may be provided below the support plate 220 . A bottom surface of the support plate 220 and an upper surface of the flow path forming plate 230 may be bonded to each other by an adhesive 236 . A first circulation passage 231 , a second circulation passage 232 , and a second supply passage 233 may be provided in the passage forming plate 230 . The first circulation passage 231 may serve as a passage through which heat transfer gas circulates. The second circulation passage 232 may serve as a passage through which the cooling fluid circulates. The second supply passage 233 may connect the first circulation passage 231 and the first supply passage 221 to each other. For example, the passage forming plate 230 may include quartz.

일 실시 예로, 제1 순환 유로(231)는 유로 형성판(230) 내부에 나선 형상으로 제공될 수 있다. 다른 실시 예로, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들을 포함할 수 있다. 상기 링 형상의 유로들은 동일한 중심축을 갖도록 배치될 수 있다.As an example, the first circulation passage 231 may be provided in a spiral shape inside the passage forming plate 230 . As another embodiment, the first circulation passage 231 may include ring-shaped passages having different radii. The ring-shaped passages may be arranged to have the same central axis.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결될 수 있다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장될 수 있다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함할 수 있다. 일 실시 예로, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함할 수 있다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W)의 바닥면으로 공급될 수 있다. 헬륨 가스는 기판(W)과 지지판(220) 간에 열 교환을 돕는 매개체 역할을 수행할 수 있다. 따라서 기판(W)은 전체적으로 온도가 균일할 수 있다.The first circulation passage 231 may be connected to the heat transfer medium storage unit 231a through a heat transfer medium supply line 231b. A heat transfer medium may be stored in the heat transfer medium storage unit 231a. The heat transfer medium may contain an inert gas. As an example, the heat transfer medium may include helium (He) gas. The helium gas is supplied to the first circulation passage 231 through the supply line 231b and sequentially passed through the second supply passage 233 and the first supply passage 221 to be supplied to the bottom surface of the substrate W. can The helium gas may serve as a medium to help heat exchange between the substrate W and the support plate 220 . Accordingly, the temperature of the entire substrate W may be uniform.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장될 수 있다 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킬 수 있다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수도 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 유로 형성판(230)을 냉각할 수 있다. 유로 형성판(230)은 냉각되면서 지지판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킬 수 있다. 상술한 바와 같은 이유로, 일반적으로, 에지 링(240)의 하부는 상부에 비해 온도가 낮을 수 있다.The second circulation passage 232 may be connected to the cooling fluid storage unit 232a through a cooling fluid supply line 232c. A cooling fluid may be stored in the cooling fluid storage unit 232a. A cooler 232b may be provided in the cooling fluid storage unit 232a. The cooler 232b may cool the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 232b may be installed on the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid supplied to the second circulation passage 232 through the cooling fluid supply line 232c may circulate along the second circulation passage 232 and cool the passage forming plate 230 . While the passage forming plate 230 is cooled, the support plate 220 and the substrate W may be cooled together to maintain the substrate W at a predetermined temperature. For the reasons described above, in general, the lower portion of the edge ring 240 may have a lower temperature than the upper portion.

유로 형성판(230)의 아래에 절연 플레이트(250)가 제공될 수 있다. 절연 플레이트(250)는 절연 물질을 포함할 수 있으며, 유로 형성판(230)과 하부 커버(270)를 서로 전기적으로 절연시킬 수 있다.An insulating plate 250 may be provided under the passage forming plate 230 . The insulating plate 250 may include an insulating material, and may electrically insulate the passage forming plate 230 and the lower cover 270 from each other.

지지 유닛(200)의 아래에 하부 커버(270)가 제공될 수 있다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥으로부터 수직적으로 이격되어 배치될 수 있다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 내부 공간을 가질 수 있다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮일 수 있다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 전달받아 지지판(220)으로 안착시키는 리프트 핀이 위치할 수 있다.A lower cover 270 may be provided under the support unit 200 . The lower cover 270 may be vertically spaced apart from the bottom of the housing 110 . The lower cover 270 may have an inner space with an open upper surface. An upper surface of the lower cover 270 may be covered by the insulating plate 250 . Therefore, the outer radius of the cross section of the lower cover 270 may be provided with the same length as the outer radius of the insulating plate 250 . Lift pins may be located in the inner space of the lower cover 270 to receive the transported substrate W from an external transport member and place it on the support plate 220 .

하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 포함할 수 있다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 서로 연결할 수 있다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 지지 유닛(200)을 지지할 수 있다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 접지(grounding)되도록 할 수 있다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장될 수 있다.The lower cover 270 may include a connecting member 273 . The connecting member 273 may connect the outer surface of the lower cover 270 and the inner wall of the housing 110 to each other. A plurality of connection members 273 may be provided on the outer surface of the lower cover 270 at regular intervals. The connection member 273 may support the support unit 200 . In addition, the connecting member 273 may be connected to the inner wall of the housing 110 so that the lower cover 270 is grounded. A first power line 223c connected to the first lower power supply 223a, a second power line 225c connected to the second lower power supply 225a, and a heat transfer medium supply line connected to the heat transfer medium storage unit 231a ( 231b) and the cooling fluid supply line 232c connected to the cooling fluid storage unit 232a may extend into the lower cover 270 through the inner space of the connecting member 273.

가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부의 처리 공간에 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함할 수 있다. 가스 공급 노즐(310)은 커버(120)의 중앙부에 제공될 수 있다. 가스 공급 노즐(310)의 바닥면에는 분사구가 형성될 수 있다. 분사구를 통해 챔버(100) 내부로 공정 가스가 공급될 수 있다.The gas supply unit 300 may supply process gas to a processing space inside the chamber 100 . The gas supply unit 300 may include a gas supply nozzle 310 , a gas supply line 320 , and a gas storage unit 330 . The gas supply nozzle 310 may be provided in the central portion of the cover 120 . An injection hole may be formed on the bottom surface of the gas supply nozzle 310 . A process gas may be supplied into the chamber 100 through the injection hole.

가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 서로 연결할 수 있다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 제공될 수 있다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절할 수 있다.The gas supply line 320 may connect the gas supply nozzle 310 and the gas storage unit 330 to each other. The gas supply line 320 may supply process gas stored in the gas storage unit 330 to the gas supply nozzle 310 . A valve 321 may be provided in the gas supply line 320 . The valve 321 opens and closes the gas supply line 320 and can adjust the flow rate of process gas supplied through the gas supply line 320 .

플라즈마 소스(400)는, 챔버(100) 내에 공급된 공정 가스로부터 플라즈마를 생성할 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 챔버(100)의 처리 공간의 외부에 제공될 수 있다. 일 실시 예로, 플라즈마 소스(400)로 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나 실(410), 안테나(420), 그리고 플라즈마 전원(430)을 포함할 수 있다.The plasma source 400 may generate plasma from a process gas supplied into the chamber 100 . The plasma source 400 may be provided outside the processing space of the chamber 100 . As an example, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used as the plasma source 400 . The plasma source 400 may include an antenna room 410, an antenna 420, and a plasma power source 430.

안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가질 수 있다. 안테나 실(410)의 하단은 커버(120)에 탈착 가능하도록 제공될 수 있다.The antenna chamber 410 may have a cylindrical shape with an open bottom. The antenna chamber 410 may have a diameter corresponding to that of the chamber 100 . The lower end of the antenna chamber 410 may be detachably provided from the cover 120 .

안테나(420)는 안테나 실(410)의 내부에 배치될 수 있다. 안테나(420)는 나선 형상의 코일 형태를 가질 수 있다. 안테나(420)는 플라즈마 전원(430)과 연결될 수 있다. 안테나(420)는 플라즈마 전원(430)으로부터 전력을 인가 받을 수 있다. 플라즈마 전원(430)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 전력이 인가된 안테나(420)는 챔버(100)의 처리 공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정 가스는 전자기장에 의해 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.The antenna 420 may be disposed inside the antenna room 410 . The antenna 420 may have a spiral coil shape. The antenna 420 may be connected to the plasma power source 430 . The antenna 420 may receive power from the plasma power source 430 . The plasma power source 430 may be located outside the chamber 100 . The antenna 420 to which power is applied may form an electromagnetic field in the processing space of the chamber 100 . The process gas may be excited into a plasma state by an electromagnetic field.

배기 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 제공될 수 있다. 배기 유닛(500)은 관통홀(511)이 형성된 배기판(510)을 포함할 수 있다. 배기판(510)은 환형의 링 형태를 가질 수 있다. 배기판(510)에는 복수의 관통홀들(511)이 제공될 수 있다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배기판(510)의 관통홀들(511)을 통과하여 배기홀(102)로 배기될 수 있다. 배기판(510)의 형상 및 관통홀들(511)의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.The exhaust unit 500 may be provided between the inner wall of the housing 110 and the support unit 200 . The exhaust unit 500 may include an exhaust plate 510 in which a through hole 511 is formed. The exhaust plate 510 may have an annular ring shape. A plurality of through holes 511 may be provided in the exhaust plate 510 . The process gas provided in the housing 110 may pass through the through holes 511 of the exhaust plate 510 and be exhausted to the exhaust hole 102 . The flow of processing gas may be controlled according to the shape of the exhaust plate 510 and the through holes 511 .

도 2는 본 발명의 실시 예들에 따른 에지 링을 설명하기 위한 것으로, 도 1의 X 영역을 확대한 단면도이다.FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of an area X of FIG. 1 for explaining an edge ring according to embodiments of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 에지 링(240)은 지지 유닛(200)의 가장자리 영역 상에 배치될 수 있다. 에지 링(240)은 링 형상을 가질 수 있고, 지지판(220)의 가장 자리를 둘러싸도록 제공될 수 있다. 예를 들면, 에지 링(240)은 지지판(220)의 둘레를 따라 배치될 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2 , the edge ring 240 may be disposed on an edge area of the support unit 200 . The edge ring 240 may have a ring shape and may be provided to surround an edge of the support plate 220 . For example, the edge ring 240 may be disposed along the circumference of the support plate 220 .

에지 링(240)은 쉬스(Sheath) 및/또는 플라즈마의 계면을 조절할 수 있다. 에지 링(240)은 포커스 링(7) 및 차폐 링(SHR)을 포함할 수 있다.The edge ring 240 may control an interface between a sheath and/or plasma. The edge ring 240 may include a focus ring 7 and a shield ring SHR.

포커스 링(7)은 제1 링(71) 및 제2 링(73)을 포함할 수 있다. 제1 링(71)은 유로 형성판(230) 상에 위치할 수 있다. 제2 링(73)은 제1 링(71) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 포커스 링(7)의 최대 두께는 2mm 내지 20mm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The focus ring 7 may include a first ring 71 and a second ring 73 . The first ring 71 may be positioned on the passage forming plate 230 . The second ring 73 may be positioned on the first ring 71 . For example, the maximum thickness of the focus ring 7 may be 2 mm to 20 mm, but is not limited thereto.

제2 링(73)은 상면이 노출될 수 있다. 제2 링(73)의 상면은 지지면 및 최상면을 포함할 수 있다. 지지면은 지지판(220)의 상면과 동일한 높이로 제공되어, 기판(W)의 가장자리의 바닥면과 접할 수 있다. 다른 실시 예로, 제2 링(73)의 지지면은 지지판(220)의 상면보다 소정의 치수만큼 낮게 제공될 수 있고, 이로써 기판(W)의 가장자리의 바닥면과 지지면이 소정의 간격으로 서로 이격될 수도 있다.An upper surface of the second ring 73 may be exposed. The upper surface of the second ring 73 may include a support surface and an uppermost surface. The support surface is provided at the same height as the upper surface of the support plate 220 and may come into contact with the bottom surface of the edge of the substrate W. As another embodiment, the support surface of the second ring 73 may be provided lower than the upper surface of the support plate 220 by a predetermined dimension, whereby the bottom surface of the edge of the substrate W and the support surface are mutually separated by a predetermined interval. may be separated.

제2 링(73)의 최상면은 지지면보다 더 높을 수 있다. 지지면과 최상면 간의 높이 차이로 인해, 쉬스, 플라즈마의 계면 및 전기장이 조절될 수 있다. 결과적으로 포커스 링(7)은 플라즈마가 기판(W) 상으로 집중되도록 유도할 수 있다.The uppermost surface of the second ring 73 may be higher than the support surface. Due to the height difference between the support surface and the top surface, the sheath, plasma interface and electric field can be adjusted. As a result, the focus ring 7 can induce the plasma to be concentrated onto the substrate W.

제1 링(71)은 포커스 링(7)의 하부 구조를 구성할 수 있다. 제1 링(71)은 제2 링(73)과 다른 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 링(71)은 제1 소재를 포함하고, 제2 링(73)은 제2 소재를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 제2 링(73)은 제2 소재로서 실리콘 카바이드(SiC)를 포함할 수 있고, 제1 링(71)은 제1 소재로서 실리콘(Si)을 포함할 수 있다. 실리콘(Si)은 실리콘 카바이드(SiC)에 비해 비용이 저렴하다. 포커스 링(7) 전체가 실리콘 카바이드(SiC)로 이루어진 것에 비해, 본 발명의 포커스 링(7)은 외부로 노출된 제2 링(73)만이 실리콘 카바이드(SiC)로 이루어지므로 경제적일 수 있다.The first ring 71 may constitute a lower structure of the focus ring 7 . The first ring 71 may include a material different from that of the second ring 73 . For example, the first ring 71 may include a first material, and the second ring 73 may include a second material. More specifically, the second ring 73 may include silicon carbide (SiC) as a second material, and the first ring 71 may include silicon (Si) as a first material. Silicon (Si) is less expensive than silicon carbide (SiC). Compared to the entire focus ring 7 made of silicon carbide (SiC), the focus ring 7 of the present invention can be economical because only the second ring 73 exposed to the outside is made of silicon carbide (SiC).

포커스 링(7)의 외측에 차폐 링(SHR)이 제공될 수 있다. 차폐 링(SHR)은 포커스 링(7)의 외측을 둘러싸는 링 형상을 가질 수 있다. 차폐 링(SHR)은 포커스 링(7)의 측면이 플라즈마에 직접 노출되거나, 포커스 링(7)의 측면으로 플라즈마가 유입되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 차폐 링(SHR)은 쿼츠를 포함할 수 있다.A shield ring SHR may be provided outside the focus ring 7 . The shield ring SHR may have a ring shape surrounding the outside of the focus ring 7 . The shielding ring SHR may prevent direct exposure of the side surface of the focus ring 7 to plasma or plasma from being introduced into the side surface of the focus ring 7 . For example, the shield ring SHR may include quartz.

본 발명의 다른 실시 예로, 도시되진 않았지만, 에지 링(240)의 아래에 커플러가 더 제공될 수 있다. 커플러는 유로 형성판(230) 상에 에지 링(240)을 고정시킬 수 있다. 커플러는 열 전도성이 높은 소재를 포함할 수 있다. 일 예로, 커플러는 알루미늄과 같은 금속을 포함할 수 있다. 커플러는 열전도 접착제에 의해 유로 형성판(230)의 상면에 접합될 수 있다. 에지 링(240)은 열전도 접착제에 의해 커플러의 상면에 접합될 수 있다. 일 예로, 상기 열전도 접착제는 실리콘 패드를 포함할 수 있다.As another embodiment of the present invention, although not shown, a coupler may be further provided under the edge ring 240 . The coupler may fix the edge ring 240 on the flow path forming plate 230 . The coupler may include a material having high thermal conductivity. As an example, the coupler may include a metal such as aluminum. The coupler may be bonded to the upper surface of the passage forming plate 230 by using a thermally conductive adhesive. The edge ring 240 may be bonded to the upper surface of the coupler using a thermally conductive adhesive. For example, the thermally conductive adhesive may include a silicon pad.

이하에서, 도 3 내지 도 7을 참고하여 도 2의 포커스 링(7)에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, the focus ring 7 of FIG. 2 will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 7 .

도 3은 본 발명의 실시 예들에 따른 포커스 링을 설명하기 위한 분해 사시도이고, 도 4는 도 3의 포커스 링을 나타낸 평면도이다.FIG. 3 is an exploded perspective view illustrating a focus ring according to example embodiments, and FIG. 4 is a plan view illustrating the focus ring of FIG. 3 .

도 3 및 도 4를 참고하면, 포커스 링(7)은 전체적으로 중심 축(C-C')을 둘러싼 링 형상을 가질 수 있다. 도 4의 평면도 상에서, 포커스 링(7)의 중심 축(C-C')은 중심점(CP)으로 표현될 수 있다.Referring to FIGS. 3 and 4 , the focus ring 7 may have a ring shape surrounding the central axis C-C′ as a whole. On the plan view of FIG. 4 , the central axis C-C′ of the focus ring 7 may be expressed as a central point CP.

포커스 링(7)은 결합 부재(75)를 더 포함할 수 있다. 제1 링(71)과 제2 링(73)은 결합 부재(75)에 의해 결합될 수 있다. 즉, 결합 부재(75)는 제1 링(71)과 제2 링(73)을 결합시킬 수 있다.The focus ring 7 may further include a coupling member 75 . The first ring 71 and the second ring 73 may be coupled by a coupling member 75 . That is, the coupling member 75 may couple the first ring 71 and the second ring 73 .

제1 링(71)은 제1 몸체(711)를 포함할 수 있다. 제1 몸체(711)는 중심 축(C-C')을 둘러싼 링 형상을 가질 수 있다. 제1 몸체(711)는 제1 삽입 리세스(71h)를 제공할 수 있다. 제1 삽입 리세스(71h)는 제1 링(71)의 상면으로부터 아래로 함입되어 형성된 공간일 수 있다. 실시 예들에서, 제1 삽입 리세스(71h)는 제1 몸체(711)를 상하로 관통할 수 있다. 제1 삽입 리세스(71h)는 제1 외측 리세스(71ha) 및 제1 연장 리세스(71hb)를 포함할 수 있다. 제1 외측 리세스(71ha)는 제1 몸체(711)의 외측면에서 내측으로 함입되어 형성될 수 있다. 본 명세서에서 사용하는 내측이라는 용어는, 중심 축(C-C')을 향하는 방향을 의미할 수 있다. 제1 외측 리세스(71ha)는 원주 방향으로 일정 길이 연장될 수 있다. 본 명세서에서 사용하는 원주 방향이라는 용어는, 제1 링(71) 및/또는 제2 링(73)의 원주를 따라 이동하는 방향을 의미할 수 있다. 제1 연장 리세스(71hb)는 제1 외측 리세스(71ha)로부터 내측으로 더 연장될 수 있다. 제1 연장 리세스(71hb)는 원주 방향으로 일정 길이 연장될 수 있다. 제1 연장 리세스(71hb)의 폭은 제1 외측 리세스(71ha)의 폭보다 넓을 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 연장 리세스(71hb)의 원주 방향으로의 길이는, 제1 외측 리세스(71ha)의 원주 방향으로의 길이보다 길 수 있다. 제1 삽입 리세스(71h)는 복수 개가 제공될 수 있다. 복수 개의 제1 삽입 리세스(71h)는 원주 방향을 따라 서로 이격 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 삽입 리세스(71h)는 4개가 제공될 수 있다. 4개의 제1 삽입 리세스(71h)는 서로 90도 간격으로 이격 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 제1 삽입 리세스(71h)의 개수와 배치 형태는 구체적 설계 적용에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The first ring 71 may include a first body 711 . The first body 711 may have a ring shape surrounding the central axis C-C'. The first body 711 may provide a first insertion recess 71h. The first insertion recess 71h may be a space formed by being recessed downward from the upper surface of the first ring 71 . In example embodiments, the first insertion recess 71h may vertically penetrate the first body 711 . The first insertion recess 71h may include a first outer recess 71ha and a first extension recess 71hb. The first outer recess 71ha may be formed by being recessed inward from the outer surface of the first body 711 . The term "inside" used herein may refer to a direction toward the central axis C-C'. The first outer recess 71ha may extend a predetermined length in the circumferential direction. The term circumferential direction used herein may mean a direction in which the first ring 71 and/or the second ring 73 move along the circumference. The first extension recess 71hb may further extend inward from the first outer recess 71ha. The first extension recess 71hb may extend a predetermined length in the circumferential direction. The width of the first extension recess 71hb may be greater than that of the first outer recess 71ha. More specifically, the length of the first extension recess 71hb in the circumferential direction may be longer than the length of the first outer recess 71ha in the circumferential direction. A plurality of first insertion recesses 71h may be provided. The plurality of first insertion recesses 71h may be spaced apart from each other in the circumferential direction. For example, four first insertion recesses 71h may be provided. The four first insertion recesses 71h may be spaced apart from each other at intervals of 90 degrees. However, it is not limited thereto, and the number and arrangement of the first insertion recesses 71h may be variously changed according to specific design applications.

제2 링(73)은 제2 몸체(731) 및 제1 돌출부(733)를 포함할 수 있다.The second ring 73 may include a second body 731 and a first protrusion 733 .

제2 몸체(731)는 중심 축(C-C')을 둘러싼 링 형상을 가질 수 있다. 제2 몸체(731)는 제2 삽입 리세스(73h)를 제공할 수 있다. 제2 삽입 리세스(73h)는 제2 링(73)의 하면으로부터 위로 함입되어 형성된 공간일 수 있다. 실시 예들에서, 제2 삽입 리세스(73h)의 두께는 제2 몸체(711)의 두께보다 작을 수 있다. 즉, 제2 삽입 리세스(73h)는 제2 몸체(711)의 상면으로부터 밑으로 이격될 수 있다. 따라서 제1 삽입 리세스(73h)는 포커스 링(7)의 윗 공간에 노출되지 않을 수 있다. 제2 삽입 리세스(73h)는 제2 외측 리세스(73ha) 및 제2 연장 리세스(73hb)를 포함할 수 있다. 제2 외측 리세스(73ha)는 제2 몸체(731)의 외측면에서 내측으로 함입되어 형성될 수 있다. 제2 외측 리세스(73ha)는 원주 방향으로 일정 길이 연장될 수 있다. 제2 연장 리세스(73hb)는 제2 외측 리세스(73ha)로부터 내측으로 더 연장될 수 있다. 제2 연장 리세스(73hb)는 원주 방향으로 일정 길이 연장될 수 있다. 제2 연장 리세스(73hb)의 폭은 제2 외측 리세스(73ha)의 폭보다 넓을 수 있다. 보다 구체적으로, 제2 연장 리세스(73hb)의 원주 방향으로의 길이는, 제2 외측 리세스(73ha)의 원주 방향으로의 길이보다 길 수 있다. 제2 삽입 리세스(73h)는 복수 개가 제공될 수 있다. 복수 개의 제2 삽입 리세스(73h)는 원주 방향을 따라 서로 이격 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 삽입 리세스(73h)는 4개가 제공될 수 있다. 4개의 제2 삽입 리세스(73h)는 서로 90도 간격으로 이격 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 제2 삽입 리세스(73h)의 개수와 배치 형태는 구체적 설계 적용에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The second body 731 may have a ring shape surrounding the central axis C-C′. The second body 731 may provide a second insertion recess 73h. The second insertion recess 73h may be a space formed by indenting from the lower surface of the second ring 73 upward. In embodiments, the thickness of the second insertion recess 73h may be smaller than that of the second body 711 . That is, the second insertion recess 73h may be spaced downward from the upper surface of the second body 711 . Accordingly, the first insertion recess 73h may not be exposed to the upper space of the focus ring 7 . The second insertion recess 73h may include a second outer recess 73ha and a second extension recess 73hb. The second outer recess 73ha may be formed by being recessed inward from the outer surface of the second body 731 . The second outer recess 73ha may extend a predetermined length in the circumferential direction. The second extension recess 73hb may further extend inward from the second outer recess 73ha. The second extension recess 73hb may extend a predetermined length in the circumferential direction. A width of the second extension recess 73hb may be greater than that of the second outer recess 73ha. More specifically, the length of the second extension recess 73hb in the circumferential direction may be longer than the length of the second outer recess 73ha in the circumferential direction. A plurality of second insertion recesses 73h may be provided. The plurality of second insertion recesses 73h may be spaced apart from each other in the circumferential direction. For example, four second insertion recesses 73h may be provided. The four second insertion recesses 73h may be spaced apart from each other at intervals of 90 degrees. However, it is not limited thereto, and the number and arrangement of the second insertion recesses 73h may be variously changed according to specific design applications.

제1 돌출부(733)는 제2 몸체(731)의 하면에서 밑으로 돌출된 구조일 수 있다. 제1 돌출부(733)는 원주 방향을 따라 일정 길이 연장될 수 있다. 제1 돌출부(733)는, 반경 방향으로 제2 삽입 리세스(73h)와 중첩되지 아니할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 제1 돌출부(733)는 복수 개가 제공될 수 있다. 복수 개의 제1 돌출부(733)는 원주 방향을 따라 서로 이격 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 돌출부(733)는 4개가 제공될 수 있다. 4개의 제1 돌출부(733)는 서로 90도 간격으로 이격 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 제1 돌출부(733)의 개수와 배치 형태는 구체적 설계 적용에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 제1 돌출부(733)의 보다 구체적인 형태에 대해서는, 도 5 및 도 6을 참고하여 후술하도록 한다.The first protrusion 733 may have a structure protruding downward from the lower surface of the second body 731 . The first protrusion 733 may extend a predetermined length along the circumferential direction. The first protrusion 733 may not overlap the second insertion recess 73h in the radial direction, but is not limited thereto. A plurality of first protrusions 733 may be provided. The plurality of first protrusions 733 may be spaced apart from each other along the circumferential direction. For example, four first protrusions 733 may be provided. The four first protrusions 733 may be spaced apart from each other at intervals of 90 degrees. However, it is not limited thereto, and the number and arrangement of the first protrusions 733 may be variously changed according to specific design applications. A more specific form of the first protrusion 733 will be described later with reference to FIGS. 5 and 6 .

결합 부재(75)는 제1 삽입 리세스(71h) 및 제2 삽입 리세스(73h)의 각각에 삽입되어 제1 링(71)과 제2 링(73)을 결합시킬 수 있다. 보다 구체적으로, 결합 부재(75)는 억지 끼움 방식으로 제1 삽입 리세스(71h) 및 제2 삽입 리세스(73h)의 각각에 삽입되어 제1 링(71)과 제2 링(73)을 결합시킬 수 있다. 이를 위해 결합 부재(75)는 탄성이 있는 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 결합 부재(75)는 폴리이미드(polyimide) 기반의 고분자 물질을 포함할 수 있다. 결합 부재(75)가 제1 삽입 리세스(71h) 및 제2 삽입 리세스(73h)에 억지 끼움 삽입되면, 탄성 복원력에 의해 결합 부재(75)는 제1 삽입 리세스(71h) 및 제2 삽입 리세스(73h)로부터 빠져나오지 않도록 고정될 수 있다.The coupling member 75 may be inserted into each of the first insertion recess 71h and the second insertion recess 73h to couple the first ring 71 and the second ring 73 . More specifically, the coupling member 75 is inserted into each of the first insertion recess 71h and the second insertion recess 73h in an interference fitting manner to form the first ring 71 and the second ring 73. can be combined. To this end, the coupling member 75 may be formed of an elastic material. For example, the coupling member 75 may include a polyimide-based polymer material. When the coupling member 75 is forcibly inserted into the first insertion recess 71h and the second insertion recess 73h, the coupling member 75 moves through the first insertion recess 71h and the second insertion recess 71h by an elastic restoring force. It can be secured so as not to come out of the insertion recess 73h.

결합 부재(75)는 외측 부재(751) 및 내측 부재(753)를 포함할 수 있다. 외측 부재(751)는 제1 외측 리세스(71ha) 및 제2 외측 리세스(73ha)에 삽입될 수 있다. 내측 부재(753)는 제1 내측 리세스(71hb) 및 제2 내측 리세스(73hb)에 삽입될 수 있다. 내측 부재(753)는 외측 부재(751)의 내측에 결합될 수 있다. 내측 부재(753)의 폭은 외측 부재(751)의 폭보다 클 수 있다. 보다 구체적으로, 내측 부재(753)의 원주 방향으로의 폭은, 제1 외측 리세스(71ha) 및 제2 외측 리세스(73ha)의 각각의 원주 방향으로의 폭과 실질적으로 동일 또는 유사하거나, 그보다 약간 클 수 있다. 외측 부재(751)의 원주 방향으로의 폭은, 제1 내측 리세스(71hb) 및 제2 내측 리세스(73hb)의 각각의 원주 방향으로의 폭과 실질적으로 동일 또는 유사하거나, 그보다 약간 클 수 있다.The coupling member 75 may include an outer member 751 and an inner member 753 . The outer member 751 may be inserted into the first outer recess 71ha and the second outer recess 73ha. The inner member 753 may be inserted into the first inner recess 71hb and the second inner recess 73hb. The inner member 753 may be coupled to the inner side of the outer member 751 . A width of the inner member 753 may be greater than that of the outer member 751 . More specifically, the width of the inner member 753 in the circumferential direction is substantially the same as or similar to the width of each of the first outer recess 71ha and the second outer recess 73ha in the circumferential direction; It may be slightly larger than that. The width of the outer member 751 in the circumferential direction may be substantially the same as, similar to, or slightly larger than the respective widths of the first inner recess 71hb and the second inner recess 73hb in the circumferential direction. there is.

결합 부재(75)는 복수 개가 제공될 수 있다. 복수 개의 결합 부재(75)는 원주 방향을 따라 서로 이격 배치될 수 있다. 예를 들어, 결합 부재(75)는 4개가 제공될 수 있다. 4개의 결합 부재(75)는 서로 90도 간격으로 이격 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 결합 부재(75)의 개수와 배치 형태는 구체적 설계 적용에 따라 다양하게 변경될 수 있다.A plurality of coupling members 75 may be provided. A plurality of coupling members 75 may be spaced apart from each other along the circumferential direction. For example, four coupling members 75 may be provided. The four coupling members 75 may be spaced apart from each other at 90 degree intervals. However, it is not limited thereto, and the number and arrangement of coupling members 75 may be variously changed according to specific design applications.

도 5 및 도 6의 각각은 도 3의 I-I'을 따라 절단한 단면도들이다.Each of FIGS. 5 and 6 are cross-sectional views taken along line II′ of FIG. 3 .

도 5 및 도 6을 참고하면, 제1 몸체(711)는 제1 상면(71u), 제1 하면(71b) 및 제1 외측면(71s)을 포함할 수 있다. 제1 상면(71u)은 제2 링(73)과 접할 수 있다. 제1 하면(71b)은 제1 상면(71u)의 반대 쪽에 위치할 수 있다. 제1 외측면(71s)은 제1 몸체(711)의 외측에 위치한 곡면을 의미할 수 있다. 제1 몸체(711)는 제1 하부 리세스(71R)를 제공할 수 있다. 제1 하부 리세스(71R)는 제1 링(71)의 제1 상면(71u)으로부터 아래로 함입된 공간일 수 있다. 즉, 제1 상면(71u)의 가운데 일부가 밑으로 함몰되어, 제1 하부 리세스(71R)를 제공할 수 있다. 제1 하부 리세스(71R)의 바닥면(71Ru)의 레벨은, 제1 상면(71u)의 레벨보다 낮을 수 있다.Referring to FIGS. 5 and 6 , the first body 711 may include a first upper surface 71u, a first lower surface 71b, and a first outer surface 71s. The first upper surface 71u may contact the second ring 73 . The first lower surface 71b may be located on the opposite side of the first upper surface 71u. The first outer surface 71s may refer to a curved surface located outside the first body 711 . The first body 711 may provide a first lower recess 71R. The first lower recess 71R may be a space recessed downward from the first upper surface 71u of the first ring 71 . That is, a central part of the first upper surface 71u may be depressed to provide a first lower recess 71R. The level of the bottom surface 71Ru of the first lower recess 71R may be lower than the level of the first upper surface 71u.

제2 몸체(731)는 제2 상면(73u), 제2 하면(73b) 및 제2 외측면(73s)을 포함할 수 있다. 제2 상면(73u)은 도 2를 참고하여 설명한 지지면 및 최상면을 포함할 수 있다. 제2 하면(73b)은 제2 상면(73u)의 반대 쪽에 위치할 수 있다. 제2 외측면(73s)은 제2 몸체(731)의 외측에 위치한 곡면을 의미할 수 있다. 제2 외측면(73s)은, 제1 외측면(71s)과 동일한 곡면 상에 위치할 수 있다. 즉, 중심 축(C-C', 도 3 참고)과 제2 외측면(73s) 간의 수평 거리는, 제1 외측면(71s)과 중심 축(C-C') 간의 수평 거리와 실질적으로 동일 또는 유사할 수 있다. 제1 돌출부(733)는 제2 하면(73b)으로부터 밑으로 돌출된 부분일 수 있다. 제1 돌출부(733)의 제1 돌출 하면(733b)의 레벨은, 제2 하면(73b)의 레벨보다 낮을 수 있다. 제1 돌출부(733)는 제1 하부 리세스(71R)에 삽입될 수 있다.The second body 731 may include a second upper surface 73u, a second lower surface 73b, and a second outer surface 73s. The second upper surface 73u may include the support surface and the uppermost surface described with reference to FIG. 2 . The second lower surface 73b may be located on the opposite side of the second upper surface 73u. The second outer surface 73s may refer to a curved surface located outside the second body 731 . The second outer surface 73s may be positioned on the same curved surface as the first outer surface 71s. That is, the horizontal distance between the central axis C-C′ (see FIG. 3) and the second outer surface 73s is substantially the same as the horizontal distance between the first outer surface 71s and the central axis C-C′, or can be similar The first protrusion 733 may be a portion protruding downward from the second lower surface 73b. A level of the first protruding lower surface 733b of the first protruding portion 733 may be lower than a level of the second lower surface 73b. The first protrusion 733 may be inserted into the first lower recess 71R.

제1 링(71)과 제2 링(73)이 결합된 상태에서, 제1 상면(71u)은 제2 하면(73b)과 접할 수 있다. 실시 예들에서, 제1 링(71)과 제2 링(73)이 결합된 상태에서 제1 돌출 하면(733b)은 제1 하부 리세스(71R)의 바닥면(71Ru)과 접할 수 있다. 즉, 제1 링(71)과 제2 링(73)은 별도의 접착층 없이 직접 접할 수 있다. 특히, 제1 돌출부(733)가 제1 하부 리세스(71R)에 삽입되어, 제1 돌출 하면(733b)은 제1 하부 리세스(71R)의 바닥면(71Ru)과 접할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 제1 링(71)과 제2 링(73) 사이에 접착제가 위치할 수도 있다.In a state where the first ring 71 and the second ring 73 are coupled, the first upper surface 71u may contact the second lower surface 73b. In example embodiments, in a state in which the first ring 71 and the second ring 73 are coupled, the first protruding lower surface 733b may contact the bottom surface 71Ru of the first lower recess 71R. That is, the first ring 71 and the second ring 73 may directly contact each other without a separate adhesive layer. In particular, when the first protrusion 733 is inserted into the first lower recess 71R, the first protruding lower surface 733b may come into contact with the bottom surface 71Ru of the first lower recess 71R. However, it is not limited thereto, and an adhesive may be positioned between the first ring 71 and the second ring 73 .

도 7은 도 3의 II-II'을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 3 .

도 7을 참고하면, 결합 부재(75)가 제1 삽입 리세스(71h) 및 제2 삽입 리세스(73h)에 삽입되어, 제1 링(71)과 제2 링(73)을 결합시킬 수 있다. 전술한 바와 같이, 제2 삽입 리세스(73h)는 제2 링(73)의 제2 상면(73u)으로부터 밑으로 이격되므로, 결합 부재(75) 역시 제2 상면(73u)으로부터 밑으로 제1 높이(h1)만큼 이격될 수 있다. 따라서 결합 부재(75)는 포커스 링(7)의 윗 공간에 노출되지 아니할 수 있다. 또한, 결합 부재(75)의 외측면(75s)과 중심 축(C-C', 도 3 참고) 간의 수평 거리는, 제2 외측면(73s)과 중심 축(C-C') 간의 수평 거리보다 작거나 같을 수 있다. 따라서 결합 부재(75)의 외측면(75s)은 제2 외측면(73s)과 실질적으로 동일한 곡면 상에 위치하거나, 제2 외측면(73s)으로부터 내측으로 함입될 수 있다.Referring to FIG. 7 , a coupling member 75 may be inserted into the first insertion recess 71h and the second insertion recess 73h to couple the first ring 71 and the second ring 73. there is. As described above, since the second insertion recess 73h is spaced downward from the second upper surface 73u of the second ring 73, the coupling member 75 is also formed downward from the second upper surface 73u. They may be spaced apart by the height h1. Accordingly, the coupling member 75 may not be exposed to the upper space of the focus ring 7 . In addition, the horizontal distance between the outer surface 75s of the coupling member 75 and the central axis C-C′ (see FIG. 3) is greater than the horizontal distance between the second outer surface 73s and the central axis C-C′. can be less than or equal to Accordingly, the outer surface 75s of the coupling member 75 may be located on substantially the same curved surface as the second outer surface 73s, or may be recessed inward from the second outer surface 73s.

본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 포커스 링 및 이를 포함하는 플라즈마 장치에 의하면, 제1 링과 제2 링을 구분하여 제조한 후, 이를 조립하여 하나의 포커스 링을 만들 수 있다. 따라서 플라즈마에 노출이 잦은 제2 링과, 제1 링을 서로 다른 재질로 만들 수 있다. 특히, 제1 링은 비교적 저렴한 재질로 만들 수 있어, 제조 비용을 절감할 수 있다. 동시에, 제2 링은 플라즈마 식각에 강한 물질로 만들어, 포커스 링의 수명을 증가시킬 수 있다.According to the focus ring and the plasma device including the focus ring according to exemplary embodiments of the present disclosure, a first ring and a second ring may be separately manufactured and then assembled to form one focus ring. Accordingly, the second ring, which is frequently exposed to plasma, and the first ring may be made of different materials. In particular, since the first ring can be made of a relatively inexpensive material, manufacturing costs can be reduced. At the same time, the second ring may be made of a material resistant to plasma etching, thereby increasing the lifespan of the focus ring.

본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 포커스 링 및 이를 포함하는 플라즈마 장치에 의하면, 접착제를 사용하지 않고 제1 링과 제2 링을 결합시킬 수 있다. 즉, 결합 부재를 사용해 양자를 결합시킬 수 있다. 따라서 포커스 링의 조립 과정이 간단하고 신속할 수 있다. 또한, 접착제를 사용하지 않아 제조 단가를 낮출 수 있다. 나아가, 결합 부재의 위치가 특정되므로, 결합의 정확성이 담보될 수 있다. 또한, 제1 돌출부와 제1 하부 리세스를 사용해 제1 링과 제2 링의 결합 위치를 특정하므로, 더 신속하고 정확한 조립이 가능할 수 있다. 접착제가 아닌 결합 부재에 의한 조립 방식이므로, 사용 후 제1 링과 제2 링의 용이한 분리가 가능할 수도 있다.According to the focus ring and the plasma device including the focus ring according to exemplary embodiments of the present disclosure, the first ring and the second ring may be coupled without using an adhesive. That is, the two can be coupled using a coupling member. Therefore, the assembly process of the focus ring can be simple and quick. In addition, it is possible to lower the manufacturing cost by not using an adhesive. Furthermore, since the position of the coupling member is specified, the accuracy of coupling can be ensured. In addition, since the coupling position of the first ring and the second ring is specified using the first protrusion and the first lower recess, more rapid and accurate assembly may be possible. Since it is an assembly method using a coupling member rather than an adhesive, it may be possible to easily separate the first ring and the second ring after use.

본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 포커스 링 및 이를 포함하는 플라즈마 장치에 의하면, 결합 부재의 삽입을 위한 제2 삽입 리세스가 제2 링의 상면으로부터 밑으로 이격되어 있으므로, 결합 부재가 공정 중에 포커스 링의 상부 공간에 노출되지 아니할 수 있다. 따라서 공정 중에 플라즈마에 의한 결합 부재의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 결합 부재의 외측면이 제1 외측면 및 제2 외측면과 동일 곡면 상에 위치하거나, 혹은 그보다 더 내측으로 함입되어 있으므로, 결합 부재를 사용한 포커스 링을 배치하기 위해 차폐 링 등의 형상을 변형시킬 필요가 없을 수 있다. 따라서 다른 부품은 기존의 장비를 그대로 사용하면서, 포커스 링만 교체할 수 있다.According to the focus ring and the plasma device including the focus ring according to exemplary embodiments of the present invention, since the second insertion recess for inserting the coupling member is spaced downward from the upper surface of the second ring, the coupling member is focused during the process. It may not be exposed to the upper space of the ring. Therefore, it is possible to prevent damage to the coupling member by plasma during the process. In addition, since the outer surface of the coupling member is located on the same curved surface as the first outer side surface and the second outer side surface or is recessed inward more than that, the shape of the shield ring or the like is changed to dispose the focus ring using the coupling member. It may not be necessary to transform. Therefore, only the focus ring can be replaced while using the existing equipment as it is for other parts.

이상, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art can implement the present invention in other specific forms without changing its technical spirit or essential features. You will understand that there is Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.

Claims

A first ring made of a first material;
a second ring made of a second material different from the first material; and
Including a coupling member,
The second ring is located on the first ring,
The first ring provides a first insertion recess recessed downward from the upper surface of the first ring,
The second ring provides a second insertion recess recessed upward from the lower surface of the second ring,
The coupling member is inserted into the first insertion recess and the second insertion recess to couple the first ring and the second ring;
The first insertion recess is:
a first outer recess extending inward from an outer surface of the first ring; and
A first extending recess extending further inward from the first outer recess and having a width wider than that of the first outer recess;
The second insertion recess is:
a second outer recess extending inward from an outer surface of the second ring; and
and a second extension recess extending further inward from the second outer recess and having a width wider than that of the second outer recess.

According to claim 1,
The first insertion recess vertically penetrates the first ring and is connected to a lower surface of the first ring.

According to claim 1,
The second insertion recess is spaced apart from the upper surface of the second ring downward by a predetermined distance.

According to claim 1,
The joining member is:
an outer member inserted into the first outer recess and the second outer recess; and
and an inner member extending inwardly from the outer member and inserted into the first extension recess and the second extension recess.

According to claim 4,
A focus ring wherein a horizontal distance between an outer surface of the outer member and a central axis of the second ring is less than or equal to a horizontal distance between an outer surface of the second ring and a central axis of the second ring.

According to claim 1,
The first ring includes silicon (Si),
The second ring is a focus ring including silicon carbide (SiC).

According to claim 1,
The coupling member is a focus ring comprising a polyimide-based polymer.

According to claim 1,
The second insertion recess extends a certain length along the circumferential direction of the second ring,
A plurality of second insertion recesses are provided,
The plurality of second insertion recesses are spaced apart from each other in a circumferential direction of the second ring.

According to claim 8,
The focus ring is provided with four second insertion recesses.

According to claim 1,
The first ring provides a first lower recess recessed downward from an upper surface of the first ring,
The second ring includes a first protrusion protruding downward from the lower surface of the second ring,
The first protrusion is inserted into the first lower recess of the focus ring.

According to claim 10,
The first lower recess extends a predetermined length along the circumferential direction of the first ring,
A plurality of the first lower recesses are provided,
The plurality of first lower recesses are spaced apart from each other in a circumferential direction of the first ring.

a support plate on which a substrate can be placed; and
Including an edge ring provided to surround the edge of the support plate,
The edge ring is:
focus ring; and
a shielding ring provided outside the focus ring;
The focus ring is:
A first ring made of a first material;
a second ring made of a second material different from the first material; and
Including a coupling member,
The second ring is located on the first ring,
The first ring provides a first insertion recess recessed downward from an upper surface of the first ring,
The second ring provides a second insertion recess recessed upward from the lower surface of the second ring,
The first insertion recess penetrates the first ring vertically and is connected to the lower surface of the first ring;
The second insertion recess is spaced a certain distance downward from the upper surface of the second ring,
The coupling member is inserted into the first insertion recess and the second insertion recess to couple the first ring and the second ring.

According to claim 12,
The first insertion recess is:
a first outer recess extending inward from an outer surface of the first ring; and
a first extending recess extending further inward from the first outer recess and having a width wider than that of the first outer recess;
The second insertion recess is:
a second outer recess extending inward from an outer surface of the second ring; and
and a second extending recess further extending inward from the second outer recess and having a width wider than that of the second outer recess.