KR20230015360A - Compounds, light-emitting materials and light-emitting devices - Google Patents

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Abstract

우수한 발광 재료를 제공하는 것이다. 하기 일반식으로 나타나는 화합물을 발광 재료로서 이용한다. R은 수소 원자, 중수소 원자, 아릴기 또는 탄소 원자로 결합하는 헤테로아릴기, Ar은 아릴기 또는 탄소 원자로 결합하는 헤테로아릴기, D1 및 D2는 도너성기이고, 적어도 하나는 헤테로환 축합 카바졸-9-일기이다.

Figure pct00100
It is to provide an excellent light emitting material. A compound represented by the following general formula is used as a light emitting material. R is a hydrogen atom, a deuterium atom, an aryl group or a heteroaryl group bonded to a carbon atom, Ar is an aryl group or a heteroaryl group bonded to a carbon atom, D 1 and D 2 are donor groups, and at least one is a heterocyclic condensed carbazole -9- It's a diary.
Figure pct00100

Description

화합물, 발광 재료 및 발광 소자Compounds, light-emitting materials and light-emitting devices

본 발명은, 발광 재료로서 유용한 화합물과 그것을 이용한 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a compound useful as a light emitting material and a light emitting element using the same.

유기 일렉트로 루미네선스 소자(유기 EL 소자) 등의 발광 소자의 발광 효율을 높이는 연구가 활발히 행해지고 있다. 특히, 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 구성하는 전자 수송 재료, 홀 수송 재료, 발광 재료 등을 새롭게 개발하여 조합함으로써, 발광 효율을 높이는 연구가 다양하게 이루어져 오고 있다. 그중에는, 지연 형광 재료를 이용한 유기 일렉트로 루미네선스 소자에 관한 연구도 볼 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION Research on improving the luminous efficiency of light emitting elements such as organic electroluminescence elements (organic EL elements) is being actively conducted. In particular, various studies have been conducted to increase luminous efficiency by newly developing and combining electron transport materials, hole transport materials, light emitting materials, and the like constituting organic electroluminescent devices. Among them, research on organic electroluminescent devices using delayed fluorescent materials can also be seen.

지연 형광 재료는, 여기 상태에 있어서, 여기 삼중항 상태로부터 여기 일중항 상태로의 역항간 교차를 발생시킨 후, 그 여기 일중항 상태로부터 기저 상태로 되돌아갈 때에 형광을 방사하는 재료이다. 이러한 경로에 의한 형광은, 기저 상태로부터 직접 발생한 여기 일중항 상태로부터의 형광(통상의 형광)보다 늦게 관측되기 때문에, 지연 형광이라고 칭해지고 있다. 여기에서, 예를 들면, 발광성 화합물을 캐리어의 주입에 의하여 여기한 경우, 여기 일중항 상태와 여기 삼중항 상태의 발생 확률은 통계적으로 25%:75%이기 때문에, 직접 발생한 여기 일중항 상태로부터의 형광만으로는, 발광 효율의 향상에 한계가 있다. 한편, 지연 형광 재료에서는, 여기 일중항 상태뿐만 아니라, 여기 삼중항 상태도 상기의 역항간 교차를 통한 경로에 의하여 형광 발광에 이용할 수 있기 때문에, 통상의 형광 재료에 비하여 높은 발광 효율이 얻어지게 된다.A delayed fluorescent material is a material that emits fluorescence when returning from the excited singlet state to the ground state after generating inverse intersystem crossing from the triplet excited state to the singlet excited state in an excited state. Fluorescence by this pathway is called delayed fluorescence because it is observed later than fluorescence (normal fluorescence) from an excited singlet state directly generated from the ground state. Here, for example, when a luminescent compound is excited by injection of a carrier, since the probability of occurrence of a singlet excited state and a triplet excited state is statistically 25%:75%, There is a limit to the improvement of luminous efficiency only with fluorescence. On the other hand, in the delayed fluorescent material, since not only the excited singlet state but also the triplet excited state can be used for fluorescence emission by the path through the above inverse intersystem crossing, higher luminous efficiency is obtained than that of ordinary fluorescent materials. .

이와 같은 원리가 명확해진 이후, 다양한 연구에 의하여 다양한 지연 형광 재료가 발견되기에 이르고 있다. 그러나, 지연 형광을 방사하는 재료이면, 즉시 발광 재료로서 유용한 것은 아니다. 지연 형광 재료 중에는, 역항간 교차가 비교적 발생하기 어려운 것도 있고, 지연 형광의 수명이 긴 것도 있다. 또, 고전류 밀도 영역에서 여기자가 축적하여 발광 효율이 저하되어 버리거나, 장시간 구동을 계속하면 급속히 열화되어 버리거나 하는 것도 있다. 따라서, 실용성의 점에서 개선의 여지가 있는 지연 형광 재료가 매우 많은 것이 실정이다. 이 때문에, 지연 형광 재료로서 알려져 있는 벤조나이트릴계 화합물에 있어서도, 과제가 있는 것이 지적되고 있다. 예를 들면, 하기의 구조를 갖는 화합물은 지연 형광을 방사하는 재료이지만(특허문헌 1 참조), 지연 형광의 수명이 긴 데다가, 소자 내구성이 불충분하다는 과제를 안고 있다.After this principle was clarified, various delayed fluorescent materials have been discovered through various studies. However, a material that emits delayed fluorescence is not immediately useful as a light emitting material. Among the delayed fluorescence materials, there are those in which inverse intersystem crossing is relatively difficult to occur, and there are also those with a long lifetime of delayed fluorescence. In addition, in a high current density region, excitons accumulate and the luminous efficiency decreases, or when driving is continued for a long time, it rapidly deteriorates. Therefore, in terms of practicality, there are many delayed fluorescent materials that have room for improvement. For this reason, it has been pointed out that benzonitrile-based compounds known as delayed fluorescent materials also have problems. For example, a compound having the following structure is a material that emits delayed fluorescence (refer to Patent Literature 1), but has problems in that the lifetime of the delayed fluorescence is long and the durability of the device is insufficient.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

특허문헌 1: WO2014/208698A1Patent Document 1: WO2014/208698A1

이와 같은 과제를 안고 있는 것이 지적되고 있음에도 불구하고, 지연 형광 재료의 화학 구조와 특성의 관계에 대해서는 충분한 해명이 이루어지고 있다고는 하기 어렵다. 이 때문에, 발광 재료로서 유용한 화합물의 화학 구조를 일반화하는 것은 현재는 곤란하고, 불명확한 점이 많다.Although it has been pointed out that such problems are encountered, it is difficult to say that sufficient elucidation has been made on the relationship between the chemical structure and characteristics of delayed fluorescent materials. For this reason, it is currently difficult to generalize the chemical structure of a compound useful as a light emitting material, and there are many unclear points.

이와 같은 상황하에 있어서 본 발명자들은, 발광 소자용의 발광 재료로서 보다 유용한 화합물을 제공하는 것을 목적으로 하여 연구를 거듭했다. 그리고, 발광 재료로서 보다 유용한 화합물의 일반식을 도출하여 일반화하는 것을 목적으로 하여 예의 검토를 진행시켰다.Under such circumstances, the inventors of the present invention have conducted researches for the purpose of providing more useful compounds as light emitting materials for light emitting elements. And, intensive examination was advanced with the aim of deriving and generalizing the general formula of a more useful compound as a light emitting material.

상기의 목적을 달성하기 위하여 예의 검토를 진행시킨 결과, 본 발명자들은, 아이소프탈로나이트릴 유도체 중, 특정 조건을 충족시키는 구조를 갖는 화합물이 발광 재료로서 유용한 것을 발견했다. 본 발명은, 이러한 지견(知見)에 근거하여 제안된 것이며, 구체적으로, 이하의 구성을 갖는다.As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that among isophthalonitrile derivatives, compounds having a structure satisfying specific conditions are useful as light emitting materials. The present invention has been proposed based on these findings, and specifically has the following configurations.

[1][One]

하기 일반식 (1)로 나타나는 화합물.A compound represented by the following general formula (1).

[화학식 2][Formula 2]

Figure pct00002
Figure pct00002

[일반식 (1)에 있어서,[In Formula (1),

R은, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 혹은 무치환의 아릴기, 또는 탄소 원자로 결합하는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴기이고,R is a hydrogen atom, a heavy hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group bonded to a carbon atom;

Ar은, 치환 혹은 무치환의 아릴기, 또는 탄소 원자로 결합하는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴기이며,Ar is a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heteroaryl group bonded with a carbon atom;

D1 및 D2는, 각각 독립적으로 도너성기를 나타내지만, 그 중 적어도 하나는 헤테로환 축합 카바졸-9-일기(상기 헤테로환과 상기 카바졸은 치환되어 있어도 된다)이다.]D 1 and D 2 each independently represent a donor group, and at least one of them is a heterocyclic condensed carbazol-9-yl group (the heterocyclic ring and the carbazole may be substituted).]

[2][2]

상기 화합물이 하기 일반식 (2)로 나타나는, [1]에 기재된 화합물.The compound according to [1], wherein the compound is represented by the following general formula (2).

[화학식 3][Formula 3]

Figure pct00003
Figure pct00003

[3][3]

상기 화합물이 하기 일반식 (3)으로 나타나는, [1]에 기재된 화합물.The compound according to [1], wherein the compound is represented by the following general formula (3).

[화학식 4][Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

[4][4]

D1과 D2가 동일한, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 화합물.The compound according to any one of [1] to [3], wherein D 1 and D 2 are the same.

[5][5]

D1과 D2가 상이한, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 화합물.The compound according to any one of [1] to [3], wherein D 1 and D 2 are different.

[6][6]

상기 헤테로환 축합 카바졸-9-일기의 카바졸-9-일기에 축합되어 있는 헤테로환이, 치환 혹은 무치환의 퓨란환, 치환 혹은 무치환의 싸이오펜환, 또는 치환 혹은 무치환의 피롤환이고, 상기 퓨란환, 상기 싸이오펜환 및 상기 피롤환에는 다른 환이 더 축합되어 있어도 되는, [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 화합물.The heterocyclic ring condensed with the carbazol-9-yl group of the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group is a substituted or unsubstituted furan ring, a substituted or unsubstituted thiophene ring, or a substituted or unsubstituted pyrrole ring, The compound according to any one of [1] to [5], wherein another ring may be further condensed with the furan ring, the thiophene ring, and the pyrrole ring.

[7][7]

상기 헤테로환 축합 카바졸-9-일기가 하기 중 어느 하나의 구조를 갖는, [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 화합물.The compound according to any one of [1] to [6], wherein the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group has any one of the following structures.

[화학식 5][Formula 5]

Figure pct00005
Figure pct00005

[상기의 각 구조에 있어서, 수소 원자는 치환되어 있어도 되지만, 헤테로환이 더 축합되어 있는 경우는 없다.][In each of the above structures, the hydrogen atom may be substituted, but the heterocyclic ring is not further condensed.]

[8][8]

상기 헤테로환 축합 카바졸-9-일기가 하기 중 어느 하나의 구조를 갖는, [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 화합물.The compound according to any one of [1] to [6], wherein the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group has any one of the following structures.

[화학식 6][Formula 6]

Figure pct00006
Figure pct00006

[상기의 각 구조에 있어서, 수소 원자는 치환되어 있어도 되지만, 헤테로환이 더 축합되어 있는 경우는 없다.][In each of the above structures, the hydrogen atom may be substituted, but the heterocyclic ring is not further condensed.]

[9][9]

상기 헤테로환 축합 카바졸-9-일기가 하기 중 어느 하나의 구조를 갖는, [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 화합물.The compound according to any one of [1] to [6], wherein the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group has any one of the following structures.

[화학식 7][Formula 7]

Figure pct00007
Figure pct00007

[상기의 각 구조에 있어서, 수소 원자는 치환되어 있어도 되지만, 헤테로환이 더 축합되어 있는 경우는 없다. R'은 수소 원자, 중수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.][In each of the above structures, the hydrogen atom may be substituted, but the heterocyclic ring is not further condensed. R' represents a hydrogen atom, a deuterium atom or a substituent.]

[10][10]

상기 헤테로환 축합 카바졸-9-일기의 카바졸-9-일기에, 치환 혹은 무치환의 퓨란환, 치환 혹은 무치환의 싸이오펜환, 및 치환 혹은 무치환의 피롤환(상기 퓨란환, 상기 싸이오펜환 및 상기 피롤환에는 다른 환이 더 축합되어 있어도 된다)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2개의 헤테로환이 축합되어 있는, [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 화합물.To the carbazol-9-yl group of the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group, a substituted or unsubstituted furan ring, a substituted or unsubstituted thiophene ring, and a substituted or unsubstituted pyrrole ring (the furan ring, the above The compound according to any one of [1] to [9], wherein two heterocycles selected from the group consisting of a thiophene ring and the pyrrole ring may further be condensed with other rings are condensed.

[11][11]

상기 헤테로환 축합 카바졸-9-일기가, 카바졸환의 1, 2위에 헤테로환이 축합된 구조를 갖는, [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 화합물.The compound according to any one of [1] to [10], wherein the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group has a structure in which a heterocyclic ring is condensed at the 1st and 2nd positions of the carbazole ring.

[12][12]

상기 헤테로환 축합 카바졸-9-일기가, 카바졸환의 2, 3위에 헤테로환이 축합된 구조를 갖는, [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 화합물.The compound according to any one of [1] to [10], wherein the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group has a structure in which a heterocyclic ring is condensed at the 2nd and 3rd positions of the carbazole ring.

[13][13]

상기 헤테로환 축합 카바졸-9-일기가, 카바졸환의 3, 4위에 헤테로환이 축합된 구조를 갖는, [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 화합물.The compound according to any one of [1] to [10], wherein the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group has a structure in which a heterocyclic ring is condensed at the 3rd and 4th positions of the carbazole ring.

[14][14]

R과 Ar이 상이한, [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 화합물.The compound according to any one of [1] to [13], wherein R and Ar are different.

[15][15]

R이 수소 원자 또는 중수소 원자인, [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 화합물.The compound according to any one of [1] to [13], wherein R is a hydrogen atom or a deuterium atom.

[16][16]

Ar이 치환 혹은 무치환의 페닐기, 또는 치환 혹은 무치환의 피리딜기인, [1] 내지 [15] 중 어느 하나에 기재된 화합물.The compound according to any one of [1] to [15], wherein Ar is a substituted or unsubstituted phenyl group or a substituted or unsubstituted pyridyl group.

[17][17]

탄소 원자, 수소 원자, 중수소 원자, 질소 원자, 산소 원자 및 황 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자로 이루어지는, [1] 내지 [16] 중 어느 하나에 기재된 화합물.The compound according to any one of [1] to [16], comprising an atom selected from the group consisting of a carbon atom, a hydrogen atom, a heavy hydrogen atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom.

[18][18]

[1] 내지 [17] 중 어느 하나에 기재된 화합물로 이루어지는 발광 재료.A light emitting material comprising the compound according to any one of [1] to [17].

[19][19]

[1] 내지 [17] 중 어느 하나에 기재된 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.A light-emitting device characterized by comprising the compound according to any one of [1] to [17].

[20][20]

상기 발광 소자가 발광층을 갖고 있고, 상기 발광층이 상기 화합물과 호스트 재료를 포함하는, [19]에 기재된 발광 소자.The light-emitting element according to [19], wherein the light-emitting element has a light-emitting layer, and the light-emitting layer contains the compound and a host material.

[21][21]

상기 발광 소자가 발광층을 갖고 있고, 상기 발광층이 상기 화합물과 발광 재료를 포함하며, 상기 발광 재료로부터 주로 발광하는, [20]에 기재된 발광 소자.The light-emitting element according to [20], wherein the light-emitting element has a light-emitting layer, the light-emitting layer contains the compound and a light-emitting material, and mainly emits light from the light-emitting material.

본 발명의 화합물은, 발광 재료로서 유용하다. 또, 본 발명의 화합물 중에는 지연 형광 수명이 짧은 화합물이 포함된다. 또한, 본 발명의 화합물을 이용한 유기 발광 소자는, 소자 내구성이 높고 유용하다.The compound of the present invention is useful as a light emitting material. Also, among the compounds of the present invention, compounds having a short delayed fluorescence lifetime are included. In addition, an organic light emitting device using the compound of the present invention has high device durability and is useful.

도 1은 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 층 구성예를 나타내는 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a layer configuration of an organic electroluminescent element.

이하에 있어서, 본 발명의 내용에 대하여 상세하게 설명한다. 이하에 기재하는 구성 요건의 설명은, 본 발명의 대표적인 실시형태나 구체예에 근거하여 이루어지는 경우가 있지만, 본 발명은 그와 같은 실시형태나 구체예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 있어서 "~"를 이용하여 나타나는 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다. 또, 본 발명에 이용되는 화합물의 분자 내에 존재하는 수소 원자의 일부 또는 전부는 중수소 원자(2H, 듀테륨 D)로 치환할 수 있다. 본 명세서의 화학 구조식에서는, 수소 원자는 H라고 표시하고 있거나, 그 표시를 생략하고 있다. 예를 들면 벤젠환의 환 골격 구성 탄소 원자에 결합하는 원자의 표시가 생략되어 있을 때, 표시가 생략되어 있는 개소에서는 H가 환 골격 구성 탄소 원자에 결합하고 있는 것으로 한다. 본 명세서의 화학 구조식에서는, 중수소 원자는 D라고 표시하고 있다.Below, the content of this invention is demonstrated in detail. The description of the constitutional requirements described below may be made based on typical embodiments or specific examples of the present invention, but the present invention is not limited to such embodiments or specific examples. In addition, the numerical range expressed using "-" in this specification means the range which includes the numerical value described before and after "-" as a lower limit and an upper limit. In addition, some or all of the hydrogen atoms present in the molecule of the compound used in the present invention may be replaced with deuterium atoms ( 2 H, deuterium D). In the chemical structural formula of this specification, a hydrogen atom is indicated as H or its indication is omitted. For example, when the display of the atom bonded to the ring skeleton constituent carbon atom of the benzene ring is omitted, it is assumed that H is bonded to the ring skeleton constituent carbon atom at the location where the display is omitted. In the chemical structural formula of this specification, a deuterium atom is represented by D.

[일반식 (1)로 나타나는 화합물][Compound represented by general formula (1)]

[화학식 8][Formula 8]

Figure pct00008
Figure pct00008

일반식 (1)에 있어서의 D1 및 D2 중 적어도 하나는, 헤테로환 축합 카바졸-9-일기를 나타낸다. 헤테로환 축합 카바졸-9-일기를 구성하는 헤테로환과 카바졸환은, 각각 치환되어 있어도 되고, 치환되어 있지 않아도 된다.At least one of D 1 and D 2 in General Formula (1) represents a heterocyclic condensed carbazol-9-yl group. The heterocyclic ring and the carbazole ring constituting the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group may or may not be substituted, respectively.

카바졸-9-일기에 축합되어 있는 헤테로환의 수는 1개 이상이며, 1개 또는 2개인 것이 바람직하고, 1개인 것이 보다 바람직하다. 2개 이상의 헤테로환이 축합되어 있을 때, 그들 헤테로환은 동일해도 되고, 상이해도 된다. 본 발명의 일 양태에서는, 헤테로환은 카바졸-9-일기의 1, 2위에 축합되어 있다. 본 발명의 다른 일 양태에서는, 헤테로환은 카바졸-9-일기의 2, 3위에 축합되어 있다. 본 발명의 또 다른 일 양태에서는, 헤테로환은 카바졸-9-일기의 3, 4위에 축합되어 있다.The number of heterocycles condensed with the carbazol-9-yl group is one or more, preferably one or two, more preferably one. When two or more heterocycles are condensed, those heterocycles may be the same or different. In one aspect of the present invention, the heterocycle is condensed at the 1st and 2nd positions of the carbazol-9-yl group. In another aspect of the present invention, the heterocycle is condensed at the 2nd and 3rd positions of the carbazol-9-yl group. In another aspect of the present invention, the heterocycle is condensed at the 3rd and 4th positions of the carbazol-9-yl group.

카바졸-9-일기에 축합되어 있는 헤테로환은, 헤테로 원자를 포함하는 환이다. 헤테로 원자는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 것이 바람직하고, 산소 원자, 황 원자 및 질소 원자로부터 선택되는 것이 보다 바람직하다. 바람직한 일 양태에서는, 헤테로 원자는 산소 원자이다. 다른 바람직한 일 양태에서는, 헤테로 원자는 황 원자이다. 또 다른 바람직한 일 양태에서는, 헤테로 원자는 질소 원자이다. 헤테로환의 환 골격 구성 원자로서 포함되어 있는 헤테로 원자의 수는 1개 이상이며, 1~3개가 바람직하고, 1 또는 2개가 보다 바람직하다. 바람직한 일 양태에서는 헤테로 원자의 수는 1개이다. 헤테로 원자의 수가 2개 이상일 때, 그들은 동일종의 헤테로 원자인 것이 바람직하지만, 이종(異種)의 헤테로 원자로 구성되어 있어도 된다. 예를 들면, 2개 이상의 헤테로 원자가 모두 질소 원자여도 된다. 헤테로 원자 이외의 환 골격 구성 원자는 탄소 원자이다.The heterocycle condensed with the carbazol-9-yl group is a ring containing a hetero atom. The hetero atom is preferably selected from an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, and a silicon atom, and more preferably is selected from an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. In one preferred aspect, the hetero atom is an oxygen atom. In another preferred aspect, the hetero atom is a sulfur atom. In another preferred aspect, the hetero atom is a nitrogen atom. The number of heteroatoms contained as ring skeleton constituent atoms of the heterocyclic ring is one or more, preferably 1 to 3, and more preferably 1 or 2. In a preferred aspect, the number of heteroatoms is one. When the number of heteroatoms is two or more, it is preferable that they are heteroatoms of the same kind, but they may be constituted by heteroatoms of different kinds. For example, all 2 or more heteroatoms may be nitrogen atoms. Ring skeleton constituent atoms other than heteroatoms are carbon atoms.

카바졸-9-일기에 축합되어 있는 헤테로환을 구성하는 환 골격 구성 원자수는, 4~8인 것이 바람직하고, 5~7인 것이 보다 바람직하며, 5 또는 6인 것이 더 바람직하다. 바람직한 일 양태에서는, 헤테로환을 구성하는 환 골격 구성 원자수는 5이다. 헤테로환에는 공액 이중 결합이 2개 이상 존재하고 있는 것이 바람직하고, 헤테로환이 축합됨으로써, 카바졸환의 공액계가 확장되는 것인 것이 바람직하다(방향족성을 갖는 것이 바람직하다). 헤테로환의 바람직한 예로서, 퓨란환, 싸이오펜환, 피롤환을 들 수 있다.The number of ring skeleton constituting atoms constituting the heterocyclic ring fused to the carbazol-9-yl group is preferably 4 to 8, more preferably 5 to 7, and even more preferably 5 or 6. In a preferred aspect, the number of atoms constituting the ring skeleton constituting the heterocycle is 5. It is preferable that two or more conjugated double bonds exist in the heterocyclic ring, and it is preferable that the conjugated system of the carbazole ring is expanded by condensation of the heterocyclic ring (preferably aromatic). Preferred examples of the heterocyclic ring include a furan ring, a thiophene ring, and a pyrrole ring.

카바졸-9-일기에 축합되어 있는 헤테로환에는, 다른 환이 더 축합되어 있어도 된다. 또, 축합되는 환은 단환이어도 되고 축합환이어도 된다. 축합되는 환으로서는, 방향족 탄화 수소환, 방향족 복소환, 지방족 탄화 수소환, 지방족 복소환을 들 수 있다. 방향족 탄화 수소환으로서는 벤젠환을 들 수 있다. 방향족 복소환으로서는, 피리딘환, 피리다진환, 피리미딘환, 피라진환, 트라이아진환, 피롤환, 피라졸환, 이미다졸환을 들 수 있다. 지방족 탄화 수소환으로서는, 사이클로펜테인환, 사이클로헥세인환, 사이클로헵테인환을 들 수 있다. 지방족 복소환으로서는, 피페리딘환, 피롤리딘환, 이미다졸린환을 들 수 있다. 축합환의 구체예로서, 나프탈렌환, 안트라센환, 페난트렌환, 피란환, 테트라센환, 인돌환, 아이소인돌환, 벤즈이미다졸환, 벤조트라이아졸환, 퀴놀린환, 아이소퀴놀린환, 퀴나졸린환, 퀴녹살린환, 신놀린환을 들 수 있다.Other rings may be further condensed to the heterocyclic ring condensed with the carbazol-9-yl group. In addition, the condensed ring may be a monocyclic ring or a condensed ring. Examples of the condensed ring include an aromatic hydrocarbon ring, an aromatic heterocycle, an aliphatic hydrocarbon ring, and an aliphatic heterocycle. A benzene ring is mentioned as an aromatic hydrocarbon ring. As an aromatic heterocycle, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, a pyrrole ring, a pyrazole ring, and an imidazole ring are mentioned. As an aliphatic hydrocarbon ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, and a cycloheptane ring are mentioned. As an aliphatic heterocycle, a piperidine ring, a pyrrolidine ring, and an imidazoline ring are mentioned. Specific examples of the condensed ring include a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a pyran ring, a tetracene ring, an indole ring, an isoindole ring, a benzimidazole ring, a benzotriazole ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinazoline ring, A quinoxaline ring and a cinnoline ring are mentioned.

본 발명의 바람직한 일 양태에서는, 헤테로환 축합 카바졸-9-일기는, 벤조퓨란 축합 카바졸-9-일기, 벤조싸이오펜 축합 카바졸-9-일기, 인돌 축합 카바졸-9-일기, 또는 실라인덴 축합 카바졸-9-일기이다. 본 발명의 보다 바람직한 일 양태에서는, 헤테로환 축합 카바졸-9-일기는, 벤조퓨란 축합 카바졸-9-일기, 벤조싸이오펜 축합 카바졸-9-일기, 또는 인돌 축합 카바졸-9-일기이다.In a preferred aspect of the present invention, the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group is a benzofuran condensed carbazol-9-yl group, a benzothiophene condensed carbazol-9-yl group, an indole condensed carbazol-9-yl group, or It is a silaindene condensed carbazol-9-yl group. In a more preferred aspect of the present invention, the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group is a benzofuran condensed carbazol-9-yl group, a benzothiophene condensed carbazol-9-yl group, or an indole condensed carbazol-9-yl group. am.

본 발명에서는, 벤조퓨란 축합 카바졸-9-일기로서, 치환 혹은 무치환의 벤조퓨로[2,3-a]카바졸-9-일기를 채용할 수 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조퓨로[3,2-a]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조퓨로[2,3-b]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조퓨로[3,2-b]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조퓨로[2,3-c]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조퓨로[3,2-c]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다.In the present invention, as the benzofuran condensed carbazol-9-yl group, a substituted or unsubstituted benzofuro[2,3-a]carbazol-9-yl group can be employed. In addition, a substituted or unsubstituted benzofuro[3,2-a]carbazol-9-yl group can also be employed. In addition, a substituted or unsubstituted benzofuro[2,3-b]carbazol-9-yl group can also be employed. In addition, a substituted or unsubstituted benzofuro[3,2-b]carbazol-9-yl group can also be employed. In addition, a substituted or unsubstituted benzofuro[2,3-c]carbazol-9-yl group can also be employed. In addition, a substituted or unsubstituted benzofuro[3,2-c]carbazol-9-yl group can also be employed.

바람직한 벤조퓨란 축합 카바졸-9-일기는, 벤조퓨란환이 2, 3위에서 1개만 축합되고, 그 외에 헤테로환이 축합되어 있지 않은 카바졸-9-일기이다(벤젠환은 축합되어 있어도 된다). 구체적으로는, 하기 중 어느 하나의 구조를 갖는 기이며, 하기 구조 중의 수소 원자는 치환되어 있어도 된다. 예를 들면, 하기 구조 중의 수소 원자의 일부가 중수소 원자로 치환되어 있는 것이나, 하기 구조 중의 수소 원자의 전부가 중수소 원자로 치환되어 있는 것을 바람직하게 예시할 수 있다. 무치환인 것도 바람직하게 채용할 수 있다.A preferred benzofuran condensed carbazol-9-yl group is a carbazol-9-yl group in which only one benzofuran ring is condensed at the 2nd and 3rd positions and no other heterocyclic ring is condensed (the benzene ring may be condensed). Specifically, it is a group having any one of the following structures, and the hydrogen atom in the following structures may be substituted. Preferred examples include those in which some of the hydrogen atoms in the following structure are substituted with deuterium atoms, and those in which all of the hydrogen atoms in the following structure are substituted with deuterium atoms. Unsubstituted ones can also be preferably employed.

[화학식 9][Formula 9]

Figure pct00009
Figure pct00009

벤조퓨란환이 2, 3위에서 2개 축합되고, 그 외에 헤테로환이 축합되어 있지 않은 카바졸-9-일기도 바람직하다(벤젠환은 축합되어 있어도 된다). 구체적으로는, 하기 중 어느 하나의 구조를 갖는 기이며, 하기 구조 중의 수소 원자는 치환되어 있어도 된다. 예를 들면, 하기 구조 중의 수소 원자의 일부가 중수소 원자로 치환되어 있는 것이나, 하기 구조 중의 수소 원자의 전부가 중수소 원자로 치환되어 있는 것을 바람직하게 예시할 수 있다. 무치환인 것도 바람직하게 채용할 수 있다.A carbazol-9-yl group in which two benzofuran rings are condensed at the 2nd and 3rd positions and the heterocyclic ring is not condensed is also preferable (the benzene ring may be condensed). Specifically, it is a group having any one of the following structures, and the hydrogen atom in the following structures may be substituted. Preferred examples include those in which some of the hydrogen atoms in the following structure are substituted with deuterium atoms, and those in which all of the hydrogen atoms in the following structure are substituted with deuterium atoms. Unsubstituted ones can also be preferably employed.

[화학식 10][Formula 10]

Figure pct00010
Figure pct00010

본 발명에서는, 벤조싸이오펜 축합 카바졸-9-일기로서, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[2,3-a]카바졸-9-일기를 채용할 수 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[3,2-a]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[2,3-b]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[3,2-b]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[2,3-c]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[3,2-c]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다.In the present invention, as the benzothiophene condensed carbazol-9-yl group, a substituted or unsubstituted benzothieno[2,3-a]carbazol-9-yl group can be employed. In addition, a substituted or unsubstituted benzothieno[3,2-a]carbazol-9-yl group can also be employed. In addition, a substituted or unsubstituted benzothieno[2,3-b]carbazol-9-yl group can also be employed. In addition, a substituted or unsubstituted benzothieno[3,2-b]carbazol-9-yl group can also be employed. In addition, a substituted or unsubstituted benzothieno[2,3-c]carbazol-9-yl group can also be employed. In addition, a substituted or unsubstituted benzothieno[3,2-c]carbazol-9-yl group can also be employed.

바람직한 벤조싸이오펜 축합 카바졸-9-일기는, 벤조싸이오펜환이 2, 3위에서 1개만 축합되고, 그 외에 헤테로환이 축합되어 있지 않은 카바졸-9-일기이다(벤젠환은 축합되어 있어도 된다). 구체적으로는, 하기 중 어느 하나의 구조를 갖는 기이며, 하기 구조 중의 수소 원자는 치환되어 있어도 된다. 예를 들면, 하기 구조 중의 수소 원자의 일부가 중수소 원자로 치환되어 있는 것이나, 하기 구조 중의 수소 원자의 전부가 중수소 원자로 치환되어 있는 것을 바람직하게 예시할 수 있다. 무치환인 것도 바람직하게 채용할 수 있다.A preferred benzothiophene condensed carbazol-9-yl group is a carbazol-9-yl group in which only one benzothiophene ring is condensed at the 2nd and 3rd positions and no other heterocyclic ring is condensed (the benzene ring may be condensed). Specifically, it is a group having any one of the following structures, and the hydrogen atom in the following structures may be substituted. Preferred examples include those in which some of the hydrogen atoms in the following structure are substituted with deuterium atoms, and those in which all of the hydrogen atoms in the following structure are substituted with deuterium atoms. Unsubstituted ones can also be preferably employed.

[화학식 11][Formula 11]

Figure pct00011
Figure pct00011

벤조싸이오펜환이 2, 3위에서 2개 축합되고, 그 외에 헤테로환이 축합되어 있지 않은 카바졸-9-일기도 바람직하다(벤젠환은 축합되어 있어도 된다). 구체적으로는, 하기 중 어느 하나의 구조를 갖는 기이며, 하기 구조 중의 수소 원자는 치환되어 있어도 된다. 예를 들면, 하기 구조 중의 수소 원자의 일부가 중수소 원자로 치환되어 있는 것이나, 하기 구조 중의 수소 원자의 전부가 중수소 원자로 치환되어 있는 것을 바람직하게 예시할 수 있다. 무치환인 것도 바람직하게 채용할 수 있다.A carbazol-9-yl group in which two benzothiophene rings are condensed at the 2nd and 3rd positions and the heterocyclic ring is not condensed is also preferable (the benzene ring may be condensed). Specifically, it is a group having any one of the following structures, and the hydrogen atom in the following structures may be substituted. Preferred examples include those in which some of the hydrogen atoms in the following structure are substituted with deuterium atoms, and those in which all of the hydrogen atoms in the following structure are substituted with deuterium atoms. Unsubstituted ones can also be preferably employed.

[화학식 12][Formula 12]

Figure pct00012
Figure pct00012

본 발명에서는, 인돌 축합 카바졸-9-일기로서, 치환 혹은 무치환의 인돌로[2,3-a]카바졸-9-일기를 채용할 수 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 인돌로[3,2-a]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 인돌로[2,3-b]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 인돌로[3,2-b]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 인돌로[2,3-c]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 인돌로[3,2-c]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다.In the present invention, as the indole condensed carbazol-9-yl group, a substituted or unsubstituted indolo[2,3-a]carbazol-9-yl group can be employed. In addition, a substituted or unsubstituted indolo[3,2-a]carbazol-9-yl group can also be employed. In addition, a substituted or unsubstituted indolo[2,3-b]carbazol-9-yl group can also be employed. In addition, a substituted or unsubstituted indolo[3,2-b]carbazol-9-yl group can also be employed. In addition, a substituted or unsubstituted indolo[2,3-c]carbazol-9-yl group can also be employed. A substituted or unsubstituted indolo[3,2-c]carbazol-9-yl group can also be employed.

바람직한 인돌 축합 카바졸-9-일기는, 인돌환이 2, 3위에서 1개만 축합되고, 그 외에 헤테로환이 축합되어 있지 않은 카바졸-9-일기이다(벤젠환은 축합되어 있어도 된다). 구체적으로는, 하기 중 어느 하나의 구조를 갖는 기이고, 하기 구조 중의 R'은 수소 원자, 중수소 원자 또는 치환기(바람직하게는 R'은 치환기)를 나타낸다. R'은 치환 혹은 무치환의 아릴기인 것이 바람직하다. 하기 구조 중의 수소 원자는 치환되어 있어도 된다. 예를 들면, 하기 구조 중의 수소 원자의 일부가 중수소 원자로 치환되어 있는 것이나, 하기 구조 중의 수소 원자의 전부가 중수소 원자로 치환되어 있는 것을 바람직하게 예시할 수 있다. 무치환인 것도 바람직하게 채용할 수 있다.A preferable indole condensed carbazol-9-yl group is a carbazol-9-yl group in which only one indole ring is condensed at the 2nd and 3rd positions and no other heterocyclic ring is condensed (the benzene ring may be condensed). Specifically, it is a group having any of the following structures, and R' in the following structures represents a hydrogen atom, a heavy hydrogen atom or a substituent (preferably R' is a substituent). R' is preferably a substituted or unsubstituted aryl group. The hydrogen atom in the following structure may be substituted. Preferred examples include those in which some of the hydrogen atoms in the following structure are substituted with deuterium atoms, and those in which all of the hydrogen atoms in the following structure are substituted with deuterium atoms. Unsubstituted ones can also be preferably employed.

[화학식 13][Formula 13]

Figure pct00013
Figure pct00013

헤테로환 축합 카바졸-9-일기를 구성하는 헤테로환과 카바졸환은, 각각 치환되어 있어도 된다. 치환되어 있는 경우는, 중수소 원자로 치환되어 있어도 되고, 그 이외의 치환기로 치환되어 있어도 된다. 여기에서 말하는 치환기로서는, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알콕시기, 알킬싸이오기, 아릴옥시기, 아릴싸이오기, 헤테로아릴옥시기, 헤테로아릴싸이오기, 사이아노기를 들 수 있다. 이들 치환기는, 또 다른 치환기로 치환되어 있어도 된다. 예를 들면, 중수소 원자, 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 알킬싸이오기로 치환되어 있는 양태를 들 수 있다.The heterocyclic ring and carbazole ring constituting the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group may be substituted, respectively. When substituted, it may be substituted with a deuterium atom or may be substituted with a substituent other than that. Examples of the substituent here include an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, a heteroaryl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryloxy group, an arylthio group, a heteroaryloxy group, a heteroarylthio group, and a cyano group. These substituents may be substituted with another substituent. For example, aspects substituted with a heavy hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, or an alkylthio group are exemplified.

여기에서 말하는 "알킬기"는, 직쇄상, 분기상, 환상 중 어느 것이어도 된다. 또, 직쇄 부분과 환상 부분과 분지 부분 중 2종 이상이 혼재하고 있어도 된다. 알킬기의 탄소수는, 예를 들면 1 이상, 2 이상, 4 이상으로 할 수 있다. 또, 탄소수는 30 이하, 20 이하, 10 이하, 6 이하, 4 이하로 할 수 있다. 알킬기의 구체예로서, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, tert-뷰틸기, n-펜틸기, 아이소펜틸기, n-헥실기, 아이소헥실기, 2-에틸헥실기, n-헵틸기, 아이소헵틸기, n-옥틸기, 아이소옥틸기, n-노닐기, 아이소노닐기, n-데칸일기, 아이소데칸일기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기를 들 수 있다. 치환기인 알킬기는, 중수소 원자, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 할로젠 원자로 더 치환되어 있어도 된다.The "alkyl group" used herein may be linear, branched, or cyclic. Moreover, 2 or more types of a linear part, a cyclic part, and a branch part may be mixed. The number of carbon atoms in the alkyl group can be, for example, 1 or more, 2 or more, or 4 or more. Moreover, carbon number can be 30 or less, 20 or less, 10 or less, 6 or less, or 4 or less. As specific examples of the alkyl group, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, n-hexyl group, isohexyl group , 2-ethylhexyl group, n-heptyl group, isoheptyl group, n-octyl group, isooctyl group, n-nonyl group, isononyl group, n-decanyl group, isodecanyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group , a cycloheptyl group. The alkyl group as a substituent may be further substituted with a heavy hydrogen atom, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, or a halogen atom.

"알켄일기"는, 직쇄상, 분기상, 환상 중 어느 것이어도 된다. 또, 직쇄 부분과 환상 부분과 분지 부분 중 2종 이상이 혼재하고 있어도 된다. 알켄일기의 탄소수는, 예를 들면 2 이상, 4 이상으로 할 수 있다. 또, 탄소수는 30 이하, 20 이하, 10 이하, 6 이하, 4 이하로 할 수 있다. 알켄일기의 구체예로서, 에텐일기, n-프로펜일기, 아이소프로펜일기, n-뷰텐일기, 아이소뷰텐일기, n-펜텐일기, 아이소펜텐일기, n-헥센일기, 아이소헥센일기, 2-에틸헥센일기를 들 수 있다. 치환기인 알켄일기는, 더 치환되어 있어도 된다.The "alkenyl group" may be linear, branched or cyclic. Moreover, 2 or more types of a linear part, a cyclic part, and a branch part may be mixed. The number of carbon atoms in the alkenyl group can be, for example, 2 or more or 4 or more. Moreover, carbon number can be 30 or less, 20 or less, 10 or less, 6 or less, or 4 or less. As specific examples of the alkenyl group, ethenyl group, n-propenyl group, isopropenyl group, n-butenyl group, isobutenyl group, n-pentenyl group, isopentenyl group, n-hexenyl group, isohexenyl group, 2- An ethylhexenyl group is mentioned. The alkenyl group that is a substituent may be further substituted.

"아릴기" 및 "헤테로아릴기"는, 단환이어도 되고, 2개 이상의 환이 축합된 축합환이어도 된다. 축합환인 경우, 축합되어 있는 환의 수는 2~6인 것이 바람직하고, 예를 들면 2~4 중에서 선택할 수 있다. 환의 구체예로서, 벤젠환, 피리딘환, 피리미딘환, 트라이아진환, 나프탈렌환, 안트라센환, 페난트렌환, 트라이페닐렌환, 퀴놀린환, 피라진환, 퀴녹살린환, 나프티리딘환을 들 수 있다. 아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기의 구체예로서, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트라센일기, 2-안트라센일기, 9-안트라센일기, 2-피리딜기, 3-피리딜기, 4-피리딜기를 들 수 있다."Aryl group" and "heteroaryl group" may be a monocyclic ring or a condensed ring in which two or more rings are condensed. In the case of a condensed ring, the number of condensed rings is preferably 2 to 6, and can be selected from 2 to 4, for example. Specific examples of the ring include a benzene ring, a pyridine ring, a pyrimidine ring, a triazine ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a triphenylene ring, a quinoline ring, a pyrazine ring, a quinoxaline ring, and a naphthyridine ring. . As specific examples of the arylene group or heteroarylene group, phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthracenyl group, 2-anthracenyl group, 9-anthracenyl group, 2-pyridyl group, 3-pyridyl group, 4- A pyridyl group is mentioned.

"알콕시기" 및 "알킬싸이오기"의 알킬 부분에 대해서는, 상기의 알킬기의 설명과 구체예를 참조할 수 있다. "아릴옥시기" 및 "아릴싸이오기"의 아릴 부분에 대해서는, 상기의 아릴기의 설명과 구체예를 참조할 수 있다. "헤테로아릴옥시기" 및 "헤테로아릴싸이오기"의 헤테로아릴 부분에 대해서는, 상기의 헤테로아릴기의 설명과 구체예를 참조할 수 있다.For the alkyl part of the "alkoxy group" and "alkylthio group", reference can be made to the description and specific examples of the above alkyl group. For the aryl part of the "aryloxy group" and "arylthio group", reference can be made to the description and specific examples of the above aryl group. For the heteroaryl moiety of "heteroaryloxy group" and "heteroarylthio group", the description and specific examples of the above heteroaryl group can be referred to.

헤테로환 축합 카바졸-9-일기는, 수소 원자 및 중수소 원자 이외의 원자수가 16 이상인 것이 바람직하고, 20 이상인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면 16 이상으로 할 수도 있다. 또, 80 이하인 것이 바람직하고, 50 이하인 것이 보다 바람직하며, 30 이하인 것이 더 바람직하다.The heterocyclic condensed carbazol-9-yl group preferably has 16 or more atoms, more preferably 20 or more, for example, 16 or more atoms other than hydrogen atoms and deuterium atoms. Moreover, it is preferable that it is 80 or less, it is more preferable that it is 50 or less, and it is still more preferable that it is 30 or less.

일반식 (1)에 있어서, 헤테로환 축합 카바졸-9-일기는, D1만이어도 되고, D2만이어도 된다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, D1과 D2가 모두 헤테로환 축합 카바졸-9-일기이다. 이때, D1과 D2는 동일 구조여도 되고, 서로 상이한 헤테로환 축합 카바졸-9-일기여도 된다.In the general formula (1), the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group may be only D 1 or only D 2 . In a preferred aspect of the present invention, both D 1 and D 2 are heterocyclic condensed carbazol-9-yl groups. At this time, D 1 and D 2 may have the same structure or may be heterocyclic condensed carbazol-9-yl groups different from each other.

D1과 D2의 일방만이 헤테로환 축합 카바졸-9-일기일 때, 타방은 헤테로환 축합 카바졸-9-일기 이외의 도너성기(이하 "다른 도너성기"라고 칭한다)이다. 여기에서 말하는 다른 도너성기는, 하메트의 σp값이 음인 기이다. 여기에서, "하메트의 σp값"은, L. P. 하메트에 의하여 제창된 것이며, 파라 치환 벤젠 유도체의 반응 속도 또는 평형에 미치는 치환기의 영향을 정량화한 것이다. 구체적으로는, 파라 치환 벤젠 유도체에 있어서의 치환기와 반응 속도 상수 또는 평형 상수의 사이에 성립하는 하기 식:When only one of D 1 and D 2 is a heterocyclic condensed carbazol-9-yl group, the other is a donor group other than the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group (hereinafter referred to as “another donor group”). The other donor group referred to herein is a group having a negative Hammett σp value. Here, "Hamett's σp value" was proposed by LP Hammett, and quantifies the effect of a substituent on the reaction rate or equilibrium of a para-substituted benzene derivative. Specifically, the following formula established between the substituent in the para-substituted benzene derivative and the reaction rate constant or equilibrium constant:

log(k/k0)=ρσplog(k/k 0 )=ρσp

또는or

log(K/K0)=ρσplog(K/K 0 )=ρσp

에 있어서의 치환기에 특유인 상수(σp)이다. 상기 식에 있어서, k는 치환기를 갖지 않는 벤젠 유도체의 속도 상수, k0은 치환기로 치환된 벤젠 유도체의 속도 상수, K는 치환기를 갖지 않는 벤젠 유도체의 평형 상수, K0은 치환기로 치환된 벤젠 유도체의 평형 상수, ρ는 반응의 종류와 조건에 의하여 정해지는 반응 상수를 나타낸다. 본 발명에 있어서의 "하메트의 σp값"에 관한 설명과 각 치환기의 수치에 대해서는, Hansch, C. et. al., Chem. Rev., 91, 165-195(1991)의 σp값에 관한 기재를 참조할 수 있다. 하메트의 σp값이 음인 기는 전자 공여성(도너성)을 나타내고, 하메트의 σp값이 양인 기는 전자 구인성(억셉터성)을 나타내는 경향이 있다.It is a constant (σp) specific to the substituent in . In the above formula, k is the rate constant of the benzene derivative without a substituent, k 0 is the rate constant of the benzene derivative substituted with a substituent, K is the equilibrium constant of the benzene derivative without a substituent, K 0 is the benzene substituted with a substituent The equilibrium constant of the derivative, ρ, represents the reaction constant determined by the type and conditions of the reaction. For the description of "Hamet's σp value" and the numerical value of each substituent in the present invention, Hansch, C. et. al., Chem. Rev., 91, 165-195 (1991) can be referred to the description of the σp value. Groups with a negative Hammett σp value tend to exhibit electron donating properties (donor properties), and groups with a positive Hammett σp value tend to exhibit electron withdrawing properties (acceptor properties).

본 발명에 있어서의 다른 도너성기는, 치환 아미노기를 포함하는 기인 것이 바람직하다. 아미노기의 질소 원자에 결합하는 치환기는, 치환 혹은 무치환의 알킬기, 치환 혹은 무치환의 알켄일기, 치환 혹은 무치환의 아릴기, 또는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴기인 것이 바람직하고, 치환 혹은 무치환의 아릴기, 또는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴기인 것이 보다 바람직하다. 치환 아미노기는, 특히, 치환 혹은 무치환의 다이아릴아미노기, 또는 치환 혹은 무치환의 다이헤테로아릴아미노기인 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서의 도너성기는, 치환 아미노기의 질소 원자로 결합하는 기여도 되고, 치환 아미노기가 결합한 기로 결합하는 기여도 된다. 치환 아미노기가 결합하는 기는, π 공액기인 것이 바람직하다. 보다 바람직한 것은, 치환 아미노기의 질소 원자로 결합하는 기이다. 여기에서 말하는 치환기인 알킬기, 알켄일기, 아릴기 및 헤테로아릴기에 대해서는, 방향족 탄화 수소환기와 방향족 복소환기의 치환기에 관한 상기의 대응하는 기재를 참조할 수 있다.It is preferable that another donor group in this invention is a group containing a substituted amino group. The substituent bonded to the nitrogen atom of the amino group is preferably a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, and is substituted or unsubstituted. It is more preferable that it is an aryl group of , or a substituted or unsubstituted heteroaryl group. The substituted amino group is particularly preferably a substituted or unsubstituted diarylamino group or a substituted or unsubstituted diheteroarylamino group. The donor group in the present invention may be a group bonded to a nitrogen atom of a substituted amino group, or a group bonded to a group bonded to a substituted amino group. The group to which the substituted amino group bonds is preferably a π conjugated group. More preferable is a group bonded to the nitrogen atom of the substituted amino group. For the alkyl group, alkenyl group, aryl group and heteroaryl group which are the substituents referred to herein, the above corresponding descriptions regarding substituents of aromatic hydrocarbon ring groups and aromatic heterocyclic groups can be referred to.

본 발명에 있어서의 다른 도너성기로서 특히 바람직한 것은, 치환 혹은 무치환의 카바졸-9-일기이다. 카바졸-9-일기에는, 벤젠환이나 헤테로환(단, 벤조퓨란환, 벤조싸이오펜환, 인돌환, 인덴환, 실라인덴환을 제외한다)이 더 축합되어 있어도 된다. 카바졸-9-일기의 치환기로서는, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알콕시기, 알킬싸이오기, 아릴옥시기, 아릴싸이오기, 헤테로아릴옥시기, 헤테로아릴싸이오기, 치환 아미노기를 들 수 있고, 바람직한 치환기로서, 알킬기, 아릴기, 치환 아미노기를 들 수 있다. 치환 아미노기의 설명에 대해서는, 1개 전의 단락의 기재를 참조할 수 있다. 또, 여기에서 말하는 치환 아미노기에는 치환 혹은 무치환의 카바졸일기가 포함되고, 예를 들면 치환 혹은 무치환의 카바졸-3-일기나 치환 혹은 무치환의 카바졸-9-일기가 포함된다.Particularly preferable as another donor group in the present invention is a substituted or unsubstituted carbazol-9-yl group. The carbazol-9-yl group may further condense a benzene ring or a hetero ring (except for a benzofuran ring, a benzothiophene ring, an indole ring, an indene ring, and a silaindene ring). Examples of the substituent for the carbazol-9-yl group include an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, a heteroaryl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryloxy group, an arylthio group, a heteroaryloxy group, a heteroarylthio group, and a substituted amino group. Examples of preferable substituents include an alkyl group, an aryl group, and a substituted amino group. For description of the substituted amino group, the description of the previous paragraph can be referred to. The substituted amino group referred to herein includes a substituted or unsubstituted carbazolyl group, and includes, for example, a substituted or unsubstituted carbazol-3-yl group and a substituted or unsubstituted carbazol-9-yl group.

본 발명에 있어서의 다른 도너성기는, 수소 원자 및 중수소 원자 이외의 원자수가 8 이상인 것이 바람직하고, 12 이상인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면 16 이상으로 할 수도 있다. 또, 80 이하인 것이 바람직하고, 60 이하인 것이 보다 바람직하며, 40 이하인 것이 더 바람직하다.It is preferable that the number of atoms other than a hydrogen atom and a deuterium atom of another donor group in this invention is 8 or more, and it is more preferable that it is 12 or more, and, for example, it can also be set to 16 or more. Moreover, it is preferable that it is 80 or less, it is more preferable that it is 60 or less, and it is more preferable that it is 40 or less.

이하에 있어서, 일반식 (1)의 D1과 D2가 채용할 수 있는 도너성기의 구체예를 나타낸다. D13~D78, D84~D119, D150~D161, D168~D209, D215~D268, D270~D324가 헤테로환 축합 카바졸-9-일기의 구체예이고, D1~D12, D79~83, D120~149, D162~D167, D210~D214, D269가 다른 도너성기의 구체예이다. 이하의 구조식에 있어서, Ph는 페닐기를 나타내고, *는 결합 위치를 나타낸다.Below, the specific example of the donor group which can be employ|adopted for D1 and D2 of General formula ( 1 ) is shown. D13 to D78, D84 to D119, D150 to D161, D168 to D209, D215 to D268, D270 to D324 are specific examples of heterocyclic condensed carbazol-9-yl groups, D1 to D12, D79 to 83, D120 to 149, D162 to D167, D210 to D214, and D269 are specific examples of other donor groups. In the structural formulas below, Ph represents a phenyl group, and * represents a bonding position.

[화학식 14-1][Formula 14-1]

Figure pct00014
Figure pct00014

[화학식 14-2][Formula 14-2]

Figure pct00015
Figure pct00015

[화학식 14-3][Formula 14-3]

Figure pct00016
Figure pct00016

[화학식 14-4][Formula 14-4]

Figure pct00017
Figure pct00017

[화학식 14-5][Formula 14-5]

Figure pct00018
Figure pct00018

[화학식 14-6][Formula 14-6]

Figure pct00019
Figure pct00019

[화학식 14-7][Formula 14-7]

Figure pct00020
Figure pct00020

[화학식 14-8][Formula 14-8]

Figure pct00021
Figure pct00021

[화학식 14-9][Formula 14-9]

Figure pct00022
Figure pct00022

[화학식 14-10][Formula 14-10]

Figure pct00023
Figure pct00023

[화학식 14-11][Formula 14-11]

Figure pct00024
Figure pct00024

[화학식 14-12][Formula 14-12]

Figure pct00025
Figure pct00025

[화학식 14-13][Formula 14-13]

Figure pct00026
Figure pct00026

[화학식 14-14][Formula 14-14]

Figure pct00027
Figure pct00027

일반식 (1)에 있어서의 R은, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 혹은 무치환의 아릴기, 또는 탄소 원자로 결합하는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴기이다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, R은 수소 원자 또는 중수소 원자이다. 단, R이 치환 혹은 무치환의 아릴기인 양태나, R이 탄소 원자로 결합하는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴기인 양태도 채용할 수 있다. R이 아릴기인 경우는 치환 아릴기인 것이 바람직하다. 또, R이 헤테로아릴기인 경우는 치환 헤테로아릴기인 것이 바람직하다.R in the general formula (1) is a hydrogen atom, a heavy hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group bonded to a carbon atom. In a preferred aspect of the present invention, R is a hydrogen atom or a deuterium atom. However, an aspect in which R is a substituted or unsubstituted aryl group or an aspect in which R is a substituted or unsubstituted heteroaryl group bonded to a carbon atom can also be employed. When R is an aryl group, it is preferably a substituted aryl group. Moreover, when R is a heteroaryl group, it is preferable that it is a substituted heteroaryl group.

일반식 (1)에 있어서의 Ar은, 치환 혹은 무치환의 아릴기, 또는 탄소 원자로 결합하는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴기이다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, Ar은 치환 혹은 무치환의 아릴기이다. 단, Ar이 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴기인 양태도 채용할 수 있다.Ar in the general formula (1) is a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heteroaryl group bonded with a carbon atom. In a preferred aspect of the present invention, Ar is a substituted or unsubstituted aryl group. However, an aspect in which Ar is a substituted or unsubstituted heteroaryl group can also be employed.

R과 Ar이 채용할 수 있는 아릴기와 헤테로아릴기의 설명과 바람직한 범위에 대해서는, 헤테로환 축합 카바졸-9-일기의 치환기에 있어서의 아릴기와 헤테로아릴기의 기재를 참조할 수 있다. 단, 헤테로아릴기는, 탄소 원자로 결합하는 헤테로아릴기이다. 아릴기의 치환기와 헤테로아릴기의 치환기로서는, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알콕시기, 알킬싸이오기, 아릴옥시기, 아릴싸이오기, 헤테로아릴옥시기, 헤테로아릴싸이오기, 사이아노기를 들 수 있다. 이들 치환기는, 또 다른 치환기로 치환되어 있어도 된다. 바람직한 치환기의 군으로서, 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 알킬싸이오기, 사이아노기를 들 수 있다.For descriptions and preferred ranges of the aryl and heteroaryl groups that can be used for R and Ar, the description of aryl and heteroaryl groups in the substituent of the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group can be referred to. However, a heteroaryl group is a heteroaryl group bonded with a carbon atom. As the substituent of the aryl group and the substituent of the heteroaryl group, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, a heteroaryl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryloxy group, an arylthio group, a heteroaryloxy group, a heteroarylthio group, between Anogi can be mentioned. These substituents may be substituted with another substituent. As a group of a preferable substituent, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an alkylthio group, and a cyano group are mentioned.

본 발명의 바람직한 일 양태에서는, R이 수소 원자 또는 중수소 원자이고, Ar이 치환 혹은 무치환의 페닐기(페닐기에는, 벤젠환, 피리딘환, 퓨란환, 싸이오펜환 및 피롤환으로부터 선택되는 1 이상의 환이 축합되어 있어도 된다)이다. 본 발명의 다른 바람직한 일 양태에서는, R이 수소 원자 또는 중수소 원자이고, Ar이 치환 혹은 무치환의 피리딜기(피리딜기에는, 벤젠환, 피리딘환, 퓨란환, 싸이오펜환 및 피롤환으로부터 선택되는 1 이상의 환이 축합되어 있어도 된다)이다. 본 발명의 다른 바람직한 일 양태에서는, R이 수소 원자 또는 중수소 원자이고, Ar이 치환 페닐기(페닐기에는, 치환 혹은 무치환의 페닐기, 및 치환 혹은 무치환의 피리딜기로부터 선택되는 1 이상의 기가 치환되어 있다)이다. 본 발명의 다른 바람직한 일 양태에서는, R이 수소 원자 또는 중수소 원자이고, Ar이 치환 피리딜기(피리딜기에는, 치환 혹은 무치환의 페닐기, 및 치환 혹은 무치환의 피리딜기로부터 선택되는 1 이상의 기가 치환되어 있다)이다.In a preferred aspect of the present invention, R is a hydrogen atom or a deuterium atom, Ar is a substituted or unsubstituted phenyl group (the phenyl group includes at least one ring selected from a benzene ring, a pyridine ring, a furan ring, a thiophene ring and a pyrrole ring) may be condensed). In another preferred embodiment of the present invention, R is a hydrogen atom or a deuterium atom, Ar is a substituted or unsubstituted pyridyl group (the pyridyl group is selected from a benzene ring, a pyridine ring, a furan ring, a thiophene ring and a pyrrole ring) One or more rings may be condensed). In another preferred embodiment of the present invention, R is a hydrogen atom or a deuterium atom, and Ar is a substituted phenyl group (the phenyl group is substituted with one or more groups selected from a substituted or unsubstituted phenyl group and a substituted or unsubstituted pyridyl group). )am. In another preferred embodiment of the present invention, R is a hydrogen atom or a deuterium atom, and Ar is a substituted pyridyl group (the pyridyl group includes at least one group selected from a substituted or unsubstituted phenyl group and a substituted or unsubstituted pyridyl group). is replaced).

이하에 있어서, 일반식 (1)의 R과 Ar이 채용할 수 있는 치환 혹은 무치환의 아릴기, 및 탄소 원자로 결합하는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴기의 구체예를 나타낸다. 이하의 구조식에 있어서, *는 결합 위치를 나타낸다.In the following, specific examples of substituted or unsubstituted aryl groups and substituted or unsubstituted heteroaryl groups bonded to carbon atoms that can be used for R and Ar in Formula (1) are shown. In the structural formulas below, * represents a bonding position.

[화학식 15-1][Formula 15-1]

Figure pct00028
Figure pct00028

[화학식 15-2][Formula 15-2]

Figure pct00029
Figure pct00029

[화학식 15-3][Formula 15-3]

Figure pct00030
Figure pct00030

일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 탄소 원자, 수소 원자, 중수소 원자, 질소 원자, 산소 원자 및 황 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자만으로 구성되는 화합물이어도 된다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 탄소 원자, 수소 원자, 중수소 원자, 질소 원자 및 산소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자만으로 구성된다. 또, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 탄소 원자, 수소 원자, 중수소 원자, 질소 원자 및 황 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자만으로 구성되는 화합물이어도 된다. 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 탄소 원자, 수소 원자 및 질소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자만으로 구성되는 화합물이어도 된다. 또한, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은 수소 원자를 포함하지 않고, 중수소 원자를 포함하는 화합물이어도 된다. 예를 들면, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 탄소 원자, 중수소 원자, 질소 원자, 산소 원자 및 황 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자만으로 구성되는 화합물이어도 된다.The compound represented by General Formula (1) may be a compound composed only of atoms selected from the group consisting of a carbon atom, a hydrogen atom, a deuterium atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom. In a preferred aspect of the present invention, the compound represented by the general formula (1) is composed of only atoms selected from the group consisting of a carbon atom, a hydrogen atom, a deuterium atom, a nitrogen atom, and an oxygen atom. Moreover, the compound represented by General formula (1) may be a compound comprised only of atoms selected from the group which consists of a carbon atom, a hydrogen atom, a heavy hydrogen atom, a nitrogen atom, and a sulfur atom. The compound represented by General Formula (1) may be a compound composed only of atoms selected from the group consisting of a carbon atom, a hydrogen atom and a nitrogen atom. In addition, the compound represented by General formula (1) may be a compound which does not contain a hydrogen atom but contains a deuterium atom. For example, the compound represented by General Formula (1) may be a compound composed only of atoms selected from the group consisting of a carbon atom, a deuterium atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom.

본 발명의 일 양태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은 대칭 구조를 갖는다.In one aspect of the present invention, the compound represented by the general formula (1) has a symmetrical structure.

본 발명의 바람직한 일 양태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 하기 일반식 (2)로 나타나는 구조를 갖는다.In a preferable aspect of the present invention, the compound represented by the general formula (1) has a structure represented by the following general formula (2).

[화학식 16][Formula 16]

Figure pct00031
Figure pct00031

본 발명의 바람직한 일 양태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 하기 일반식 (3)으로 나타나는 구조를 갖는다.In a preferable aspect of the present invention, the compound represented by the general formula (1) has a structure represented by the following general formula (3).

[화학식 17][Formula 17]

Figure pct00032
Figure pct00032

일반식 (2) 및 일반식 (3)에 있어서의 R, Ar, D1 및 D2의 정의와 설명에 대해서는, 일반식 (1)의 대응하는 기재를 참조할 수 있다.For definitions and descriptions of R, Ar, D 1 and D 2 in the general formulas (2) and (3), reference can be made to the corresponding description of the general formula (1).

이하에 있어서, 일반식 (1)로 나타나는 화합물의 구체예를 나타낸다. 구체예는, 화합물마다 하기 일반식의 R1~R4를 특정함으로써 나타내고 있다. 일반식 (1)의 R은 하기 일반식의 R1에 상당하고, 일반식 (1)의 D1은 하기 일반식의 R2에 상당한다. 또한, 이하의 화합물 중 회전 이성체가 존재하는 경우는, 회전 이성체의 혼합물과, 분리한 각 회전 이성체도, 본 명세서에 개시되어 있는 것으로 한다.Below, the specific example of the compound represented by General formula (1) is shown. Specific examples are shown by specifying R 1 to R 4 in the following general formula for each compound. R in the general formula (1) corresponds to R 1 in the general formula below, and D 1 in the general formula (1) corresponds to R 2 in the general formula below. In addition, when rotational isomers exist among the following compounds, the mixture of rotational isomers and each separated rotational isomer are also disclosed herein.

[화학식 18][Formula 18]

Figure pct00033
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[표 1-1][Table 1-1]

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[표 1-2][Table 1-2]

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[표 1-3][Table 1-3]

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[표 1-4][Table 1-4]

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[표 1-5][Table 1-5]

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[표 1-6][Table 1-6]

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[표 1-7][Table 1-7]

Figure pct00040
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[표 1-8][Table 1-8]

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[표 1-9][Table 1-9]

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Figure pct00042

[표 1-10][Table 1-10]

Figure pct00043
Figure pct00043

[표 1-11][Table 1-11]

Figure pct00044
Figure pct00044

[표 1-12][Table 1-12]

Figure pct00045
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[표 1-13][Table 1-13]

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Figure pct00046

[표 1-14][Table 1-14]

Figure pct00047
Figure pct00047

[표 1-15][Table 1-15]

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[표 1-16][Table 1-16]

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[표 1-17][Table 1-17]

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[표 1-18][Table 1-18]

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Figure pct00051

[표 1-19][Table 1-19]

Figure pct00052
Figure pct00052

[표 1-20][Table 1-20]

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Figure pct00053

[표 1-21][Table 1-21]

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[표 1-22][Table 1-22]

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[표 1-23][Table 1-23]

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[표 1-24][Table 1-24]

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[표 1-25][Table 1-25]

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[표 1-26][Table 1-26]

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Figure pct00059

[표 1-27][Table 1-27]

Figure pct00060
Figure pct00060

화합물 1~6300에 있어서의 R1의 H를 D로 치환한 화합물을, 순서대로 화합물 6301~12600으로서 여기에 개시한다. 화합물 1~6300에 있어서의 R1, R4를 바꿔 넣어 R4, R1로 한 것을 화합물 12601~18900으로서 여기에 개시한다. 화합물 12601~18900에 있어서의 R2의 H를 D로 치환한 화합물을, 순서대로 화합물 18901~25200으로서 여기에 개시한다. 화합물 1~6300에 있어서의 R1, R2, R3, R4를, 순서대로 R3, R1, R4, R2로 한 것을 화합물 25201~31500으로서 여기에 개시한다. 화합물 25201~31500에 있어서의 R3의 H를 D로 치환한 화합물을, 순서대로 화합물 31501~37800으로서 여기에 개시한다. 화합물 1~6300에 있어서의 R1, R2, R3, R4를, 순서대로 R4, R1, R2, R3으로 한 것을 화합물 37801~44100으로서 여기에 개시한다. 화합물 37801~44100에 있어서의 R4의 H를 D로 치환한 화합물을, 순서대로 화합물 44101~50400으로서 여기에 개시한다. 화합물 1~6300에 있어서의 R1, R3, R4를 바꿔 넣어 R3, R4, R1로 한 것을 화합물 50401~56700으로서 여기에 개시한다. 화합물 50401~56700에 있어서의 R3의 H를 D로 치환한 화합물을, 순서대로 화합물 56701~63000으로서 여기에 개시한다. 화합물 1~6300에 있어서의 R3, R4를 바꿔 넣어 R4, R3으로 한 것을 화합물 63001~69300으로서 여기에 개시한다. 화합물 63001~69300에 있어서의 R1의 H를 D로 치환한 화합물을, 순서대로 화합물 69301~75600으로서 여기에 개시한다. 이상의 화합물 901~75600은 각 구조가 개별적으로 특정되어 있고, 본 명세서에 있어서 각각 구체적인 화합물로서 기재되어 있다.Compounds in which H in R 1 in Compounds 1 to 6300 is substituted with D are sequentially disclosed herein as Compounds 6301 to 12600. Compounds 12601 to 18900 are disclosed herein as compounds 12601 to 18900, in which R 1 and R 4 in compounds 1 to 6300 were replaced to form R 4 and R 1 . Compounds in which H in R 2 in Compounds 12601 to 18900 are substituted with D are disclosed herein as Compounds 18901 to 25200 in order. Compounds 25201 to 31500, wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 in Compounds 1 to 6300 were sequentially referred to as R 3 , R 1 , R 4 , R 2 are disclosed herein. Compounds in which H in R 3 in Compounds 25201 to 31500 are substituted with D are disclosed herein as Compounds 31501 to 37800 in order. Compounds 37801 to 44100, wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 in Compounds 1 to 6300 were sequentially referred to as R 4 , R 1 , R 2 , R 3 , are disclosed herein. Compounds in which H in R 4 in Compounds 37801 to 44100 are substituted with D are disclosed herein as Compounds 44101 to 50400 in order. Compounds 50401 to 56700 are disclosed herein as compounds 50401 to 56700, wherein R 1 , R 3 , and R 4 in compounds 1 to 6300 were replaced to form R 3 , R 4 , and R 1 . Compounds in which H in R 3 in Compounds 50401 to 56700 are substituted with D are disclosed herein as Compounds 56701 to 63000 in order. R 3 and R 4 in compounds 1 to 6300 are replaced and R 4 and R 3 are disclosed herein as compounds 63001 to 69300. Compounds in which H in R 1 in Compounds 63001 to 69300 are substituted with D are disclosed herein as Compounds 69301 to 75600 in order. Each structure of the above compounds 901 to 75600 is individually specified, and each is described as a specific compound in the present specification.

일반식 (1)로 나타나는 화합물의 분자량은, 예를 들면 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 유기층을 증착법에 의하여 제막하여 이용하는 것을 의도하는 경우에는, 1500 이하인 것이 바람직하고, 1200 이하인 것이 보다 바람직하며, 1000 이하인 것이 더 바람직하고, 900 이하인 것이 보다 더 바람직하다. 분자량의 하한값은, 일반식 (1)로 나타나는 최소 화합물의 분자량이다. 바람직하게는 624 이상이다.The molecular weight of the compound represented by the general formula (1) is preferably 1500 or less, and more preferably 1200 or less, in the case of intending to use an organic layer containing the compound represented by the general formula (1) by vapor deposition, for example. It is preferably 1000 or less, more preferably 900 or less. The lower limit of the molecular weight is the molecular weight of the smallest compound represented by General Formula (1). Preferably it is 624 or more.

일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 분자량에 관계없이 도포법으로 성막해도 된다. 도포법을 이용하면, 분자량이 비교적 큰 화합물이더라도 성막하는 것이 가능하다. 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 사이아노벤젠계 화합물 중에서는 유기 용매에 용해되기 쉽다는 이점이 있다. 이 때문에, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은 도포법을 적용하기 쉽고, 정제하여 순도를 높이기 쉽다.The compound represented by the general formula (1) may be formed into a film regardless of molecular weight by a coating method. If the coating method is used, it is possible to form a film even with a compound having a relatively large molecular weight. Among cyanobenzene-based compounds, the compound represented by the general formula (1) has the advantage of being easily soluble in organic solvents. For this reason, the compound represented by General formula (1) is easy to apply a coating method and it is easy to refine|purify and raise purity.

본 발명을 응용하여, 분자 내에 일반식 (1)로 나타나는 구조를 복수 개 포함하는 화합물을, 발광 재료로서 이용하는 것도 생각할 수 있다.Applying the present invention, it is also conceivable to use a compound containing a plurality of structures represented by the general formula (1) in a molecule as a light emitting material.

예를 들면, 일반식 (1)로 나타나는 구조 중에 미리 중합성기를 존재시켜 두고, 그 중합성기를 중합시킴으로써 얻어지는 중합체를, 발광 재료로서 이용하는 것을 생각할 수 있다. 구체적으로는, 일반식 (1)의 Ar, D1, D2 중 어느 하나에 중합성 관능기를 포함하는 모노머를 준비하고, 이것을 단독으로 중합시키거나, 다른 모노머와 함께 공중합시킴으로써, 반복 단위를 갖는 중합체를 얻어, 그 중합체를 발광 재료로서 이용하는 것을 생각할 수 있다. 혹은, 일반식 (1)로 나타나는 구조를 갖는 화합물끼리를 커플링시킴으로써, 이량체나 삼량체를 얻어, 그들을 발광 재료로서 이용하는 것도 생각할 수 있다.For example, it is conceivable to make a polymeric group exist in advance in the structure represented by General formula (1), and to use the polymer obtained by polymerizing the polymerizable group as a light emitting material. Specifically, by preparing a monomer containing a polymerizable functional group in any one of Ar, D 1 , and D 2 of Formula (1), and polymerizing this alone or copolymerizing it together with other monomers, It is conceivable to obtain a polymer and use the polymer as a light emitting material. Alternatively, it is also conceivable to obtain dimers and trimers by coupling compounds having a structure represented by General Formula (1), and to use them as a light emitting material.

일반식 (1)로 나타나는 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 중합체의 예로서, 하기 일반식 (4) 또는 (5)로 나타나는 구조를 포함하는 중합체를 들 수 있다.As an example of the polymer which has a repeating unit containing the structure represented by General formula (1), the polymer containing the structure represented by following General formula (4) or (5) is mentioned.

[화학식 19][Formula 19]

Figure pct00061
Figure pct00061

일반식 (4) 또는 (5)에 있어서, Q는 일반식 (1)로 나타나는 구조를 포함하는 기를 나타내고, L1 및 L2는 연결기를 나타낸다. 연결기의 탄소수는, 바람직하게는 0~20이고, 보다 바람직하게는 1~15이며, 더 바람직하게는 2~10이다. 연결기는 -X11-L11-로 나타나는 구조를 갖는 것인 것이 바람직하다. 여기에서, X11은 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, 산소 원자인 것이 바람직하다. L11은 연결기를 나타내며, 치환 혹은 무치환의 알킬렌기, 또는 치환 혹은 무치환의 아릴렌기인 것이 바람직하고, 탄소수 1~10의 치환 혹은 무치환의 알킬렌기, 또는 치환 혹은 무치환의 페닐렌기인 것이 보다 바람직하다.In General Formula (4) or (5), Q represents a group containing a structure represented by General Formula (1), and L 1 and L 2 represent a linking group. The number of carbon atoms in the linking group is preferably 0 to 20, more preferably 1 to 15, still more preferably 2 to 10. The linking group preferably has a structure represented by -X 11 -L 11 -. Here, X 11 represents an oxygen atom or a sulfur atom, and is preferably an oxygen atom. L 11 represents a linking group, and is preferably a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group, and is a substituted or unsubstituted alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a substituted or unsubstituted phenylene group. it is more preferable

일반식 (4) 또는 (5)에 있어서, R101, R102, R103 및 R104는, 각각 독립적으로 치환기를 나타낸다. 바람직하게는, 탄소수 1~6의 치환 혹은 무치환의 알킬기, 탄소수 1~6의 치환 혹은 무치환의 알콕시기, 할로젠 원자이고, 보다 바람직하게는 탄소수 1~3의 무치환의 알킬기, 탄소수 1~3의 무치환의 알콕시기, 불소 원자, 염소 원자이며, 더 바람직하게는 탄소수 1~3의 무치환의 알킬기, 탄소수 1~3의 무치환의 알콕시기이다.In General Formula (4) or (5), R 101 , R 102 , R 103 and R 104 each independently represents a substituent. Preferably, they are a substituted or unsubstituted alkyl group of 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group of 1 to 6 carbon atoms, or a halogen atom, more preferably an unsubstituted alkyl group of 1 to 3 carbon atoms or 1 carbon atom. They are an unsubstituted alkoxy group of 3 to 3, a fluorine atom, or a chlorine atom, and more preferably an unsubstituted alkyl group of 1 to 3 carbon atoms or an unsubstituted alkoxy group of 1 to 3 carbon atoms.

L1 및 L2로 나타나는 연결기는, Q를 구성하는 일반식 (1)의 Ar, D1, D2 중 어느 하나에 결합할 수 있다. 1개의 Q에 대하여 연결기가 2개 이상 연결하여 가교 구조나 그물코 구조를 형성하고 있어도 된다.The linking group represented by L 1 and L 2 can bind to any one of Ar, D 1 , and D 2 of the general formula (1) constituting Q. Two or more linking groups may be connected to one Q to form a cross-linked structure or network structure.

반복 단위의 구체적인 구조예로서, 하기 식 (6)~(9)로 나타나는 구조를 들 수 있다.As a specific structural example of a repeating unit, the structure represented by following formula (6) - (9) is mentioned.

[화학식 20][Formula 20]

Figure pct00062
Figure pct00062

이들 식 (6)~(9)를 포함하는 반복 단위를 갖는 중합체는, 일반식 (1)의 Ar, D1, D2 중 어느 하나에 하이드록시기를 도입해 두고, 그것을 링커로서 하기 화합물을 반응시켜 중합성기를 도입하며, 그 중합성기를 중합시킴으로써 합성할 수 있다.A polymer having a repeating unit containing the formulas (6) to (9) is prepared by introducing a hydroxyl group into any one of Ar, D 1 , and D 2 of the general formula (1) and reacting the following compound as a linker. It can be synthesized by introducing a polymerizable group and polymerizing the polymerizable group.

[화학식 21][Formula 21]

Figure pct00063
Figure pct00063

분자 내에 일반식 (1)로 나타나는 구조를 포함하는 중합체는, 일반식 (1)로 나타나는 구조를 갖는 반복 단위만으로 이루어지는 중합체여도 되고, 그 이외의 구조를 갖는 반복 단위를 포함하는 중합체여도 된다. 또, 중합체 중에 포함되는 일반식 (1)로 나타나는 구조를 갖는 반복 단위는, 단일종이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 일반식 (1)로 나타나는 구조를 갖지 않는 반복 단위로서는, 통상의 공중합에 이용되는 모노머로부터 유도되는 것을 들 수 있다. 예를 들면, 에틸렌, 스타이렌 등의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머로부터 유도되는 반복 단위를 들 수 있다.The polymer containing the structure represented by General Formula (1) in the molecule may be a polymer composed only of repeating units having a structure represented by General Formula (1), or may be a polymer containing repeating units having a structure other than that. Moreover, a single type may be sufficient as the repeating unit which has the structure represented by General formula (1) contained in a polymer, and 2 or more types may be sufficient as it. As a repeating unit which does not have a structure represented by General formula (1), what is induced|guided|derived from the monomer used for normal copolymerization is mentioned. Examples include repeating units derived from monomers having ethylenically unsaturated bonds such as ethylene and styrene.

일 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은 발광 재료이다.In one embodiment, the compound represented by general formula (1) is a light emitting material.

일 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 지연 형광을 발할 수 있는 화합물이다.In one embodiment, the compound represented by general formula (1) is a compound capable of emitting delayed fluorescence.

본 개시의 일 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 열적 또는 전자적 수단으로 여기될 때, UV 영역, 가시 스펙트럼 중 청색, 녹색, 황색, 오렌지색, 적색 영역(예를 들면 약 420nm~약 500nm, 약 500nm~약 600nm 또는 약 600nm~약 700nm) 또는 근적외선 영역에서 광을 발할 수 있다.In one embodiment of the present disclosure, the compound represented by Formula (1), when excited by thermal or electronic means, in the blue, green, yellow, orange, and red regions of the UV region and the visible spectrum (for example, about 420 nm to about 420 nm) about 500 nm, about 500 nm to about 600 nm, or about 600 nm to about 700 nm) or in the near-infrared region.

본 개시의 일 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 열적 또는 전자적 수단으로 여기될 때, 가시 스펙트럼 중 적색 또는 오렌지색 영역(예를 들면 약 620nm~약 780nm, 약 650nm)에서 광을 발할 수 있다.In one embodiment of the present disclosure, the compound represented by Formula (1), when excited by thermal or electronic means, emits light in a red or orange region (eg, about 620 nm to about 780 nm, about 650 nm) of the visible spectrum. can kick off

본 개시의 일 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 열적 또는 전자적 수단으로 여기될 때, 가시 스펙트럼 중 오렌지색 또는 황색 영역(예를 들면 약 570nm~약 620nm, 약 590nm, 약 570nm)에서 광을 발할 수 있다.In one embodiment of the present disclosure, the compound represented by the general formula (1), when excited by thermal or electronic means, in the orange or yellow region of the visible spectrum (for example, about 570 nm to about 620 nm, about 590 nm, about 570 nm) can emit light from

본 개시의 일 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 열적 또는 전자적 수단으로 여기될 때, 가시 스펙트럼 중 녹색 영역(예를 들면 약 490nm~약 575nm, 약 510nm)에서 광을 발할 수 있다.In one embodiment of the present disclosure, the compound represented by Formula (1), when excited by thermal or electronic means, can emit light in the green region (eg, about 490 nm to about 575 nm, about 510 nm) of the visible spectrum. there is.

본 개시의 일 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 열적 또는 전자적 수단으로 여기될 때, 가시 스펙트럼 중 청색 영역(예를 들면 약 400nm~약 490nm, 약 475nm)에서 광을 발할 수 있다.In one embodiment of the present disclosure, the compound represented by Formula (1), when excited by thermal or electronic means, can emit light in the blue region (eg, about 400 nm to about 490 nm, about 475 nm) of the visible spectrum. there is.

본 개시의 일 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 열적 또는 전자적 수단으로 여기될 때, 자외 스펙트럼 영역(예를 들면 280~400nm)에서 광을 발할 수 있다.In one embodiment of the present disclosure, the compound represented by Formula (1) can emit light in the ultraviolet spectrum region (eg, 280 to 400 nm) when excited by thermal or electronic means.

본 개시의 일 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 열적 또는 전자적 수단으로 여기될 때, 적외 스펙트럼 영역(예를 들면 780nm~2μm)에서 광을 발할 수 있다.In one embodiment of the present disclosure, the compound represented by the general formula (1) can emit light in the infrared spectrum region (for example, 780 nm to 2 μm) when excited by thermal or electronic means.

소분자의 화학 물질 라이브러리의 전자적 특성은, 공지의 ab initio에 의한 양자 화학 계산을 이용하여 산출할 수 있다. 예를 들면, 기저로서, 6-31G*, 및 베케의 3 파라미터, Lee-Yang-Parr 하이브리드 범함수로서 알려져 있는 함수군을 이용한 시간 의존적인 밀도 범함수 이론을 사용하여 Hartree-Fock 방정식(TD-DFT/B3LYP/6-31G*)을 해석하여, 특정 임곗값 이상의 HOMO 및 특정 임곗값 이하의 LUMO를 갖는 분자 단편(부분)을 스크리닝할 수 있다.The electronic properties of the small molecule chemical substance library can be calculated using quantum chemical calculations based on known ab initio. For example, the Hartree-Fock equation (TD- By analyzing DFT/B3LYP/6-31G*), molecular fragments (parts) having a HOMO above a specific threshold and a LUMO below a specific threshold can be screened.

그로써, 예를 들면 -6.5eV 이상의 HOMO 에너지(예를 들면 이온화 퍼텐셜)가 있을 때는, 공여체 부분("D")을 선발할 수 있다. 또 예를 들면, -0.5eV 이하의 LUMO 에너지(예를 들면 전자 친화력)가 있을 때는, 수용체 부분("A")을 선발할 수 있다. 브리지 부분("B")은, 예를 들면 수용체와 공여체 부분을 특이적인 입체 구성으로 엄격하게 제한할 수 있는 강한 공액계임으로써, 공여체 및 수용체 부분의 π 공액계 사이의 중복이 발생하는 것을 방지한다.Thus, when there is a HOMO energy (eg, ionization potential) of, for example, -6.5 eV or more, the donor portion ("D") can be selected. Also, for example, when there is a LUMO energy (for example, electron affinity) of -0.5 eV or less, an acceptor moiety ("A") can be selected. The bridging moiety (“B”) is a strong conjugation system that can, for example, strictly confine the acceptor and donor moieties to specific conformations, thereby preventing overlap between the π conjugated systems of the donor and acceptor moieties from occurring. .

일 실시형태에서는, 화합물 라이브러리는, 이하의 특성 중 하나 이상을 이용하여 선별된다.In one embodiment, the compound library is screened using one or more of the following properties.

1. 특정 파장 부근에 있어서의 발광1. Light emission near a specific wavelength

2. 산출된, 특정 에너지 준위보다 위의 삼중항 상태2. Calculated triplet state above a certain energy level

3. 특정 값보다 아래의 ΔEST3. ΔE ST value below a certain value

4. 특정 값보다 위의 양자 수율4. Quantum yield above a certain value

5. HOMO 준위5. HOMO level

6. LUMO 준위6. LUMO level

일 실시형태에서는, 77K에 있어서의 최저의 여기 일중항 상태와 최저의 여기 삼중항 상태의 차(ΔEST)는, 약 0.5eV 미만, 약 0.4eV 미만, 약 0.3eV 미만, 약 0.2eV 미만 또는 약 0.1eV 미만이다. 일 실시형태에서는 ΔEST값은, 약 0.09eV 미만, 약 0.08eV 미만, 약 0.07eV 미만, 약 0.06eV 미만, 약 0.05eV 미만, 약 0.04eV 미만, 약 0.03eV 미만, 약 0.02eV 미만 또는 약 0.01eV 미만이다.In one embodiment, the difference between the lowest singlet excited state and the lowest triplet excited state (ΔE ST ) at 77 K is less than about 0.5 eV, less than about 0.4 eV, less than about 0.3 eV, less than about 0.2 eV, or less than about 0.1 eV. In one embodiment, the ΔE ST value is less than about 0.09 eV, less than about 0.08 eV, less than about 0.07 eV, less than about 0.06 eV, less than about 0.05 eV, less than about 0.04 eV, less than about 0.03 eV, less than about 0.02 eV or about It is less than 0.01eV.

일 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 25% 초과의, 예를 들면 약 30%, 약 35%, 약 40%, 약 45%, 약 50%, 약 55%, 약 60%, 약 65%, 약 70%, 약 75%, 약 80%, 약 85%, 약 90%, 약 95% 또는 그 이상의 양자 수율을 나타낸다.In one embodiment, the compound represented by formula (1) is greater than 25%, for example about 30%, about 35%, about 40%, about 45%, about 50%, about 55%, about 60% , a quantum yield of about 65%, about 70%, about 75%, about 80%, about 85%, about 90%, about 95% or more.

[일반식 (1)로 나타나는 화합물의 합성 방법][Synthesis method of compound represented by general formula (1)]

일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 신규 화합물이다.The compound represented by General Formula (1) is a novel compound.

일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 이미 알려진 반응을 조합함으로써 합성할 수 있다. 예를 들면, D1, D2를 도입하고 싶은 위치가 불소 원자로 치환된 다이플루오로아이소프탈로나이트릴에 D1-H나 D2-H를 수소화 나트륨의 존재하에서 테트라하이드로퓨란 중에서 반응시킴으로써 합성하는 것이 가능하다. D1과 D2가 서로 상이한 경우는, D1-H, D2-H와의 반응을 2단계로 행해도 된다. 반응의 구체적인 조건이나 반응 수순에 대해서는, 후술하는 합성예를 참고로 할 수 있다.The compound represented by General Formula (1) can be synthesized by combining known reactions. For example, synthesis by reacting D 1 -H or D 2 -H with difluoroisophthalonitrile in which the position where D 1 or D 2 is to be introduced is substituted with a fluorine atom in tetrahydrofuran in the presence of sodium hydride. It is possible. When D 1 and D 2 are different from each other, the reaction with D 1 -H and D 2 -H may be performed in two stages. For specific conditions and reaction procedures of the reaction, reference can be made to the synthesis example described later.

[일반식 (1)로 나타나는 화합물을 이용한 구성물][Constituent using the compound represented by the general formula (1)]

일 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물과 조합하고, 동일 화합물을 분산시켜, 동일 화합물과 공유 결합하여, 동일 화합물을 코팅하며, 동일 화합물을 담지하거나, 혹은 동일 화합물과 회합하는 1개 이상의 재료(예를 들면 소분자, 폴리머, 금속, 금속 착체 등)와 함께 이용하여, 고체상의 필름 또는 층을 형성시킨다. 예를 들면, 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 전기 활성 재료와 조합하여 필름을 형성할 수 있다. 몇 개의 경우, 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 정공 수송 폴리머와 조합해도 된다. 몇 개의 경우, 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 전자 수송 폴리머와 조합해도 된다. 몇 개의 경우, 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 정공 수송 폴리머 및 전자 수송 폴리머와 조합해도 된다. 몇 개의 경우, 일반식 (1)로 나타나는 화합물을, 정공 수송부와 전자 수송부의 양방을 갖는 코폴리머와 조합해도 된다. 이상과 같은 실시형태에 의하여, 고체상의 필름 또는 층 내에 형성되는 전자 및/또는 정공을, 일반식 (1)로 나타나는 화합물과 상호 작용시킬 수 있다.In one embodiment, the same compound is combined with the compound represented by the general formula (1), the same compound is dispersed, the same compound is covalently bonded, the same compound is coated, the same compound is supported, or one that associates with the same compound A solid film or layer is formed by using together with the above materials (for example, small molecules, polymers, metals, metal complexes, etc.). For example, a film can be formed by combining the compound represented by the general formula (1) with an electroactive material. In some cases, you may combine the compound represented by General formula (1) with a hole transport polymer. In some cases, you may combine the compound represented by General formula (1) with an electron transport polymer. In some cases, you may combine the compound represented by General formula (1) with a hole transport polymer and an electron transport polymer. In some cases, the compound represented by Formula (1) may be combined with a copolymer having both a hole transporting portion and an electron transporting portion. According to the above embodiments, electrons and/or holes formed in the solid film or layer can be made to interact with the compound represented by the general formula (1).

[필름의 형성][Formation of film]

일 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 본 발명의 화합물을 포함하는 필름은, 습식 공정에서 형성할 수 있다. 습식 공정에서는, 본 발명의 화합물을 포함하는 조성물을 용해한 용액을 면에 도포하여, 용매의 제거 후에 필름을 형성한다. 습식 공정으로서, 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 잉크젯법(스프레이법), 그라비어 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 플렉소 인쇄법을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 습식 공정에서는, 본 발명의 화합물을 포함하는 조성물을 용해할 수 있는 적절한 유기 용매를 선택하여 이용한다. 일 실시형태에서는, 조성물에 포함되는 화합물에, 유기 용매에 대한 용해성을 높이는 치환기(예를 들면 알킬기)를 도입할 수 있다.In one embodiment, the film containing the compound of the present invention represented by General Formula (1) can be formed in a wet process. In the wet process, a solution in which a composition containing the compound of the present invention is dissolved is applied to cotton, and a film is formed after the solvent is removed. Examples of the wet process include, but are not limited to, a spin coating method, a slit coating method, an inkjet method (spray method), a gravure printing method, an offset printing method, and a flexographic printing method. In the wet process, an appropriate organic solvent capable of dissolving the composition containing the compound of the present invention is selected and used. In one embodiment, a substituent (eg, an alkyl group) that increases solubility in an organic solvent may be introduced into a compound included in the composition.

일 실시형태에서는, 본 발명의 화합물을 포함하는 필름은, 건식 공정에서 형성할 수 있다. 일 실시형태에서는, 건식 공정으로서 진공 증착법을 채용할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 진공 증착법을 채용하는 경우는, 필름을 구성하는 화합물을 개별의 증착원으로부터 공증착시켜도 되고, 화합물을 혼합한 단일의 증착원으로부터 공증착시켜도 된다. 단일의 증착원을 이용하는 경우는, 화합물의 분말을 혼합한 혼합 분말을 이용해도 되고, 그 혼합 분말을 압축한 압축 성형체를 이용해도 되며, 각 화합물을 가열 용융하여 냉각한 혼합물을 이용해도 된다. 일 실시형태에서는, 단일의 증착원에 포함되는 복수의 화합물의 증착 속도(중량 감소 속도)가 일치 내지 대략 일치하는 조건에서 공증착을 행함으로써, 증착원에 포함되는 복수의 화합물의 조성비에 대응하는 조성비의 필름을 형성할 수 있다. 형성되는 필름의 조성비와 동일한 조성비로 복수의 화합물을 혼합하여 증착원으로 하면, 원하는 조성비를 갖는 필름을 간편하게 형성할 수 있다. 일 실시형태에서는, 공증착되는 각 화합물이 동일한 중량 감소율이 되는 온도를 특정하여, 그 온도를 공증착 시의 온도로서 채용할 수 있다.In one embodiment, a film containing the compound of the present invention can be formed in a dry process. In one embodiment, a vacuum deposition method can be employed as a dry process, but is not limited thereto. In the case of adopting the vacuum evaporation method, the compounds constituting the film may be co-deposited from separate evaporation sources, or may be co-deposited from a single evaporation source in which the compounds are mixed. When a single deposition source is used, a mixed powder obtained by mixing powders of compounds may be used, a compressed molded body obtained by compressing the mixed powder may be used, or a mixture obtained by heating and melting each compound and cooling may be used. In one embodiment, co-evaporation is performed under the condition that the deposition rate (weight reduction rate) of a plurality of compounds included in a single deposition source matches or approximately matches, thereby corresponding to the composition ratio of the plurality of compounds included in the deposition source. A film having a composition ratio can be formed. If a plurality of compounds are mixed at the same composition ratio as the composition ratio of the film to be formed and used as the deposition source, a film having a desired composition ratio can be easily formed. In one embodiment, the temperature at which each compound to be co-deposited has the same weight loss rate can be specified, and that temperature can be employed as the temperature at the time of co-deposition.

[일반식 (1)로 나타나는 화합물의 사용의 예][Example of use of compound represented by general formula (1)]

유기 발광 다이오드:Organic Light-Emitting Diodes:

본 발명의 일 양태는, 유기 발광 소자의 발광 재료로서의, 본 발명의 일반식 (1)로 나타나는 화합물의 사용에 관한 것이다. 일 실시형태에서는, 본 발명의 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 유기 발광 소자의 발광층에 있어서의 발광 재료로서 효과적으로 사용할 수 있다. 일 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 지연 형광을 발하는 지연 형광(지연 형광체)을 포함한다. 일 실시형태에서는, 본 발명은 일반식 (1)로 나타나는 구조를 갖는 지연 형광체를 제공한다. 일 실시형태에서는, 본 발명은 지연 형광체로서의 일반식 (1)로 나타나는 화합물의 사용에 관한 것이다. 일 실시형태에서는, 본 발명은 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 호스트 재료로서 사용할 수 있고, 또한, 1개 이상의 발광 재료와 함께 사용할 수 있으며, 발광 재료는 형광 재료, 인광 재료 또는 TADF여도 된다. 일 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 정공 수송 재료로서 사용할 수도 있다. 일 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 전자 수송 재료로서 사용할 수 있다. 일 실시형태에서는, 본 발명은 일반식 (1)로 나타나는 화합물로부터 지연 형광을 발생시키는 방법에 관한 것이다. 일 실시형태에서는, 화합물을 발광 재료로서 포함하는 유기 발광 소자는, 지연 형광을 발하여, 높은 광 방사 효율을 나타낸다.One aspect of the present invention relates to the use of a compound represented by the general formula (1) of the present invention as a light emitting material for an organic light emitting element. In one embodiment, the compound represented by the general formula (1) of the present invention can be effectively used as a light emitting material in a light emitting layer of an organic light emitting element. In one embodiment, the compound represented by Formula (1) contains delayed fluorescence (delayed phosphor) that emits delayed fluorescence. In one embodiment, the present invention provides a delayed phosphor having a structure represented by general formula (1). In one embodiment, the present invention relates to the use of a compound represented by general formula (1) as a delayed phosphor. In one embodiment, the compound represented by the general formula (1) of the present invention can be used as a host material and can be used together with one or more light emitting materials, and the light emitting material may be a fluorescent material, a phosphorescent material, or TADF. . In one embodiment, the compound represented by General Formula (1) can also be used as a hole transport material. In one embodiment, the compound represented by General formula (1) can be used as an electron transport material. In one embodiment, the present invention relates to a method for generating delayed fluorescence from a compound represented by formula (1). In one embodiment, an organic light emitting element containing a compound as a light emitting material emits delayed fluorescence and exhibits high light emission efficiency.

일 실시형태에서는, 발광층은 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하며, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 기재와 평행하게 배향된다. 일 실시형태에서는, 기재는 필름 형성 표면이다. 일 실시형태에서는, 필름 형성 표면에 대한 일반식 (1)로 나타나는 화합물의 배향은, 정렬시키는 화합물에 의하여 발해지는 광의 전파 방향으로 영향을 주거나, 혹은, 당해 방향을 결정짓는다. 일 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물에 의하여 발해지는 광의 전파 방향을 정렬시킴으로써, 발광층으로부터의 광 추출 효율이 개선된다.In one embodiment, the light emitting layer contains a compound represented by the general formula (1), and the compound represented by the general formula (1) is oriented parallel to the base material. In one embodiment, the substrate is a film forming surface. In one embodiment, the orientation of the compound represented by the general formula (1) relative to the film formation surface affects the propagation direction of light emitted by the aligning compound, or determines the direction. In one embodiment, the light extraction efficiency from the light emitting layer is improved by aligning the propagation direction of the light emitted by the compound represented by the general formula (1).

본 발명의 일 양태는, 유기 발광 소자에 관한 것이다. 일 실시형태에서는, 유기 발광 소자는 발광층을 포함한다. 일 실시형태에서는, 발광층은 발광 재료로서 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 포함한다. 일 실시형태에서는, 유기 발광 소자는 유기 광 루미네선스 소자(유기 PL 소자)이다. 일 실시형태에서는, 유기 발광 소자는, 유기 일렉트로 루미네선스 소자(유기 EL 소자)이다. 일 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 발광층에 포함되는 다른 발광 재료의 광 방사를(이른바 어시스트 도펀트로서) 보조한다. 일 실시형태에서는, 발광층에 포함되는 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 그 최저의 여기 일중항 에너지 준위에 있으며, 발광층에 포함되는 호스트 재료의 최저 여기 일중항 에너지 준위와 발광층에 포함되는 다른 발광 재료의 최저 여기 일중항 에너지 준위의 사이에 포함된다.One aspect of the present invention relates to an organic light emitting device. In one embodiment, the organic light emitting element includes a light emitting layer. In one embodiment, the light emitting layer contains a compound represented by the general formula (1) as a light emitting material. In one embodiment, the organic light emitting device is an organic light luminescence device (organic PL device). In one embodiment, the organic light emitting element is an organic electroluminescence element (organic EL element). In one embodiment, the compound represented by Formula (1) assists light emission of other light emitting materials included in the light emitting layer (as a so-called assist dopant). In one embodiment, the compound represented by the general formula (1) contained in the light-emitting layer is at the lowest singlet excitation energy level, and the lowest singlet excitation energy level of the host material contained in the light-emitting layer and other light-emitting layers contained in the light-emitting layer It is included between the lowest excitation singlet energy levels of the material.

일 실시형태에서는, 유기 광 루미네선스 소자는, 적어도 하나의 발광층을 포함한다. 일 실시형태에서는, 유기 일렉트로 루미네선스 소자는, 적어도 양극, 음극, 및 상기 양극과 상기 음극의 사이의 유기층을 포함한다. 일 실시형태에서는, 유기층은, 적어도 발광층을 포함한다. 일 실시형태에서는, 유기층은, 발광층만을 포함한다. 일 실시형태에서는, 유기층은, 발광층에 더하여 1개 이상의 유기층을 포함한다. 유기층의 예로서는, 정공 수송층, 정공 주입층, 전자 장벽층, 정공 장벽층, 전자 주입층, 전자 수송층 및 여기자 장벽층을 들 수 있다. 일 실시형태에서는, 정공 수송층은, 정공 주입 기능을 갖는 정공 주입 수송층이어도 되고, 전자 수송층은, 전자 주입 기능을 갖는 전자 주입 수송층이어도 된다. 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 예를 도 1에 나타낸다.In one embodiment, the organic light luminescence device includes at least one light emitting layer. In one embodiment, an organic electroluminescent device includes at least an anode, a cathode, and an organic layer between the anode and the cathode. In one embodiment, the organic layer contains at least a light emitting layer. In one embodiment, the organic layer includes only the light emitting layer. In one embodiment, the organic layer includes one or more organic layers in addition to the light emitting layer. Examples of the organic layer include a hole transport layer, a hole injection layer, an electron barrier layer, a hole barrier layer, an electron injection layer, an electron transport layer, and an exciton barrier layer. In one embodiment, the hole transport layer may be a hole injection and transport layer having a hole injection function, and the electron transport layer may be an electron injection and transport layer having an electron injection function. An example of an organic electroluminescence device is shown in FIG. 1 .

발광층:Emissive layer:

일 실시형태에서는, 발광층은, 양극 및 음극으로부터 각각 주입된 정공 및 전자가 재결합하여 여기자를 형성하는 층이다. 일 실시형태에서는, 층은 광을 발한다.In one embodiment, the light emitting layer is a layer in which holes and electrons respectively injected from the anode and the cathode recombine to form excitons. In one embodiment, the layer emits light.

일 실시형태에서는, 발광 재료만이 발광층으로서 이용된다. 일 실시형태에서는, 발광층은 발광 재료와 호스트 재료를 포함한다. 일 실시형태에서는, 발광 재료는, 일반식 (1)의 하나 이상의 화합물이다. 일 실시형태에서는, 유기 일렉트로 루미네선스 소자 및 유기 광 루미네선스 소자의 광 방사 효율을 향상시키기 위하여, 발광 재료에 있어서 발생하는 일중항 여기자 및 삼중항 여기자를, 발광 재료 내에 구속시킨다. 일 실시형태에서는, 발광층 중에 발광 재료에 더하여 호스트 재료를 이용한다. 일 실시형태에서는, 호스트 재료는 유기 화합물이다. 일 실시형태에서는, 유기 화합물은 여기 일중항 에너지 및 여기 삼중항 에너지를 갖고, 그 적어도 하나는, 본 발명의 발광 재료의 그들보다 높다. 일 실시형태에서는, 본 발명의 발광 재료 중에서 발생하는 일중항 여기자 및 삼중항 여기자는, 본 발명의 발광 재료의 분자 중에 구속된다. 일 실시형태에서는, 일중항 및 삼중항의 여기자는, 광 방사 효율을 향상시키기 위하여 충분히 구속된다. 일 실시형태에서는, 높은 광 방사 효율이 아직 얻어짐에도 불구하고, 일중항 여기자 및 삼중항 여기자는 충분히 구속되지 않아, 즉, 높은 광 방사 효율을 달성할 수 있는 호스트 재료는, 특별히 한정되지 않고 본 발명에서 사용될 수 있다. 일 실시형태에서는, 본 발명의 소자의 발광층 중의 발광 재료에 있어서, 광 방사가 발생한다. 일 실시형태에서는, 방사광은 형광 및 지연 형광의 양방을 포함한다. 일 실시형태에서는, 방사광은, 호스트 재료로부터의 방사광을 포함한다. 일 실시형태에서는, 방사광은, 호스트 재료로부터의 방사광으로 이루어진다. 일 실시형태에서는, 방사광은, 일반식 (1)로 나타나는 화합물로부터의 방사광과, 호스트 재료로부터의 방사광을 포함한다. 일 실시형태에서는, TADF 분자와 호스트 재료가 이용된다. 일 실시형태에서는, TADF는 어시스트 도펀트이다.In one embodiment, only the light emitting material is used as the light emitting layer. In one embodiment, the light emitting layer includes a light emitting material and a host material. In one embodiment, the light emitting material is one or more compounds of the general formula (1). In one embodiment, singlet excitons and triplet excitons generated in the light emitting material are confined within the light emitting material in order to improve the light emission efficiency of the organic electroluminescence element and the organic light luminescence element. In one embodiment, a host material is used in addition to the light emitting material in the light emitting layer. In one embodiment, the host material is an organic compound. In one embodiment, the organic compound has singlet excitation energy and triplet excitation energy, at least one of which is higher than those of the light emitting material of the present invention. In one embodiment, singlet excitons and triplet excitons generated in the light emitting material of the present invention are confined in molecules of the light emitting material of the present invention. In one embodiment, singlet and triplet excitons are sufficiently constrained to improve the light radiation efficiency. In one embodiment, even though high light radiating efficiency is still obtained, singlet excitons and triplet excitons are not sufficiently constrained, that is, the host material capable of achieving high light emitting efficiency is not particularly limited. can be used in the invention. In one embodiment, light emission occurs in the light emitting material in the light emitting layer of the device of the present invention. In one embodiment, the emitted light includes both fluorescence and delayed fluorescence. In one embodiment, the emitted light includes radiation from a host material. In one embodiment, the emitted light is composed of radiation from a host material. In one embodiment, the emitted light includes emitted light from a compound represented by General Formula (1) and emitted light from a host material. In one embodiment, TADF molecules and host materials are used. In one embodiment, TADF is an assist dopant.

일반식 (1)로 나타나는 화합물을 어시스트 도펀트로서 이용할 때, 발광 재료(바람직하게는 형광 재료)로서 다양한 화합물을 채용하는 것이 가능하다. 그와 같은 발광 재료로서는, 안트라센 유도체, 테트라센 유도체, 나프타센 유도체, 피렌 유도체, 페릴렌 유도체, 크리센 유도체, 루브렌 유도체, 쿠마린 유도체, 피란 유도체, 스틸벤 유도체, 플루오렌 유도체, 안트릴 유도체, 피로메텐 유도체, 터페닐 유도체, 터페닐렌 유도체, 플루오란텐 유도체, 아민 유도체, 퀴나크리돈 유도체, 옥사다이아졸 유도체, 말로노나이트릴 유도체, 피란 유도체, 카바졸 유도체, 줄롤리딘 유도체, 싸이아졸 유도체, 금속(Al, Zn)을 갖는 유도체 등을 이용하는 것이 가능하다. 이들 예시 골격에는 치환기를 가져도 되고, 치환기를 갖고 있지 않아도 된다. 또, 이들 예시 골격끼리를 조합해도 된다.When using the compound represented by general formula (1) as an assist dopant, it is possible to employ various compounds as a light emitting material (preferably a fluorescent material). Examples of such light-emitting materials include anthracene derivatives, tetracene derivatives, naphthacene derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, chrysene derivatives, rubrene derivatives, coumarin derivatives, pyran derivatives, stilbene derivatives, fluorene derivatives, and anthryl derivatives. , pyromethene derivatives, terphenyl derivatives, terphenylene derivatives, fluoranthene derivatives, amine derivatives, quinacridone derivatives, oxadiazole derivatives, malononitrile derivatives, pyran derivatives, carbazole derivatives, julolidine derivatives, It is possible to use thiazole derivatives, derivatives having metals (Al, Zn), and the like. These exemplary skeletons may or may not have substituents. Moreover, you may combine these exemplified skeletons.

이하에 있어서, 일반식 (1)로 나타나는 어시스트 도펀트와 조합하여 이용할 수 있는 발광 재료를 예시한다.Below, the light emitting material which can be used in combination with the assist dopant represented by General formula (1) is illustrated.

[화학식 22-1][Formula 22-1]

Figure pct00064
Figure pct00064

[화학식 22-2][Formula 22-2]

Figure pct00065
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[화학식 22-3][Formula 22-3]

Figure pct00066
Figure pct00066

[화학식 22-4][Formula 22-4]

Figure pct00067
Figure pct00067

또, WO2015/022974호의 단락 0220~0239에 기재된 화합물도, 일반식 (1)로 나타나는 어시스트 도펀트와 함께 이용하는 발광 재료로서, 특히 바람직하게 채용할 수 있다.Moreover, the compound described in Paragraph 0220 - 0239 of WO2015/022974 can also be employ|adopted especially preferably as a light emitting material used with the assist dopant represented by General formula (1).

일 실시형태에서는, 호스트 재료를 이용할 때, 발광층에 포함되는 발광 재료로서의 본 발명의 화합물의 양은, 0.1중량% 이상이다. 일 실시형태에서는, 호스트 재료를 이용할 때, 발광층에 포함되는 발광 재료로서의 본 발명의 화합물의 양은, 1중량% 이상이다. 일 실시형태에서는, 호스트 재료를 이용할 때, 발광층에 포함되는 발광 재료로서의 본 발명의 화합물의 양은, 50중량% 이하이다. 일 실시형태에서는, 호스트 재료를 이용할 때, 발광층에 포함되는 발광 재료로서의 본 발명의 화합물의 양은, 20중량% 이하이다. 일 실시형태에서는, 호스트 재료를 이용할 때, 발광층에 포함되는 발광 재료로서의 본 발명의 화합물의 양은, 10중량% 이하이다.In one embodiment, when using a host material, the amount of the compound of the present invention as a light emitting material contained in the light emitting layer is 0.1% by weight or more. In one embodiment, when using a host material, the amount of the compound of the present invention as a light emitting material contained in the light emitting layer is 1% by weight or more. In one embodiment, when using a host material, the amount of the compound of the present invention as a light emitting material contained in the light emitting layer is 50% by weight or less. In one embodiment, when using a host material, the amount of the compound of the present invention as a light emitting material contained in the light emitting layer is 20% by weight or less. In one embodiment, when using a host material, the amount of the compound of the present invention as a light emitting material contained in the light emitting layer is 10% by weight or less.

일 실시형태에서는, 발광층의 호스트 재료는, 정공 수송 기능 및 전자 수송 기능을 갖는 유기 화합물이다. 일 실시형태에서는, 발광층의 호스트 재료는, 방사광의 파장이 증가하는 것을 방지하는 유기 화합물이다. 일 실시형태에서는, 발광층의 호스트 재료는, 높은 유리 전이 온도를 갖는 유기 화합물이다.In one embodiment, the host material of the light emitting layer is an organic compound having a hole transport function and an electron transport function. In one embodiment, the host material of the light emitting layer is an organic compound that prevents the wavelength of emitted light from increasing. In one embodiment, the host material of the light emitting layer is an organic compound having a high glass transition temperature.

몇 개의 실시형태에서는, 호스트 재료는 이하로 이루어지는 군으로부터 선택된다:In some embodiments, the host material is selected from the group consisting of:

[화학식 23-1][Formula 23-1]

Figure pct00068
Figure pct00068

[화학식 23-2][Formula 23-2]

Figure pct00069
Figure pct00069

일 실시형태에서는, 발광층은 2종류 이상의 구조가 상이한 TADF 분자를 포함한다. 예를 들면, 여기 일중항 에너지 준위가 호스트 재료, 제1 TADF 분자, 제2 TADF 분자의 순서로 높은, 이들 3종의 재료를 포함하는 발광층으로 할 수 있다. 이때, 제1 TADF 분자와 제2 TADF 분자는, 모두 최저 여기 일중항 에너지 준위와 77K의 최저 여기 삼중항 에너지 준위의 차 ΔEST가 0.3eV 이하인 것이 바람직하고, 0.25eV 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.2eV 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.15eV 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.1eV 이하인 것이 더 바람직하고, 0.07eV 이하인 것이 보다 더 바람직하며, 0.05eV 이하인 것이 더 바람직하고, 0.03eV 이하인 것이 더욱 더 바람직하며, 0.01eV 이하인 것이 특히 바람직하다. 발광층에 있어서의 제1 TADF 분자의 함유량은, 제2 TADF 분자의 함유량보다 많은 것이 바람직하다. 또, 발광층에 있어서의 호스트 재료의 함유량은, 제2 TADF 분자의 함유량보다 많은 것이 바람직하다. 발광층에 있어서의 제1 TADF 분자의 함유량은, 호스트 재료의 함유량보다 많아도 되고, 적어도 되며, 동일해도 된다. 일 실시형태에서는, 발광층 내의 조성을, 호스트 재료를 10~70중량%, 제1 TADF 분자를 10~80중량%, 제2 TADF 분자를 0.1~30중량%로 해도 된다. 일 실시형태에서는, 발광층 내의 조성을, 호스트 재료를 20~45중량%, 제1 TADF 분자를 50~75중량%, 제2 TADF 분자를 5~20중량%로 해도 된다. 일 실시형태에서는, 제1 TADF 분자와 호스트 재료의 공증착막(이 공증착막에 있어서의 제1 TADF 분자의 함유율=A중량%)의 광 여기에 의한 발광 양자 수율 φPL1(A)와, 제2 TADF 분자와 호스트 재료의 공증착막(이 공증착막에 있어서의 제2 TADF 분자의 함유율=A중량%)의 광 여기에 의한 발광 양자 수율 φPL2(A)가, φPL1(A)>φPL2(A)의 관계식을 충족시킨다. 일 실시형태에서는, 제2 TADF 분자와 호스트 재료의 공증착막(이 공증착막에 있어서의 제2 TADF 분자의 함유율=B중량%)의 광 여기에 의한 발광 양자 수율 φPL2(B)와, 제2 TADF 분자의 단독막의 광 여기에 의한 발광 양자 수율 φPL2(100)이, φPL2(B)>φPL2(100)의 관계식을 충족시킨다. 일 실시형태에서는, 발광층은 3종류의 구조가 상이한 TADF 분자를 포함할 수 있다. 본 발명의 화합물은, 발광층에 포함되는 복수의 TADF 화합물 중 어느 것이어도 된다.In one embodiment, the light emitting layer includes two or more kinds of TADF molecules having different structures. For example, a light emitting layer containing three types of materials having higher excitation singlet energy levels in the order of the host material, the first TADF molecule, and the second TADF molecule can be used. At this time, in both the first TADF molecule and the second TADF molecule, the difference ΔE ST between the lowest singlet excitation energy level and the lowest triplet excitation energy level of 77K is preferably 0.3 eV or less, more preferably 0.25 eV or less, and 0.2 eV or less. It is more preferably eV or less, more preferably 0.15 eV or less, still more preferably 0.1 eV or less, even more preferably 0.07 eV or less, still more preferably 0.05 eV or less, still more preferably 0.03 eV or less, and 0.01 eV or less It is particularly preferred that it is eV or less. The content of the first TADF molecules in the light emitting layer is preferably greater than the content of the second TADF molecules. In addition, the content of the host material in the light emitting layer is preferably greater than the content of the second TADF molecule. The content of the first TADF molecules in the light emitting layer may be greater than or less than the content of the host material, or may be the same. In one embodiment, the composition in the light emitting layer may be 10 to 70% by weight of the host material, 10 to 80% by weight of the first TADF molecule, and 0.1 to 30% by weight of the second TADF molecule. In one embodiment, the composition in the light emitting layer may be 20 to 45% by weight of the host material, 50 to 75% by weight of the first TADF molecule, and 5 to 20% by weight of the second TADF molecule. In one embodiment, the light emission quantum yield φPL1 (A) by light excitation of the co-deposited film of the first TADF molecules and the host material (the content of the first TADF molecules in the co-deposited film = A% by weight), and the second TADF The light emission quantum yield φPL2(A) due to light excitation of the co-deposited film of the molecules and the host material (the content of the second TADF molecules in the co-deposited film = A% by weight) is the relational expression of φPL1(A) > φPL2(A) meets In one embodiment, the light emission quantum yield φPL2 (B) of the co-deposited film of the second TADF molecules and the host material (the content of the second TADF molecules in the co-deposited film = B% by weight), and the second TADF The light emission quantum yield φPL2(100) due to photoexcitation of a single film of molecules satisfies the relational expression of φPL2(B)>φPL2(100). In one embodiment, the light emitting layer may include three types of TADF molecules having different structures. The compound of the present invention may be any of a plurality of TADF compounds included in the light emitting layer.

일 실시형태에서는, 발광층은, 호스트 재료, 어시스트 도펀트, 및 발광 재료로 이루어지는 군으로부터 선택되는 재료로 구성할 수 있다. 일 실시형태에서는, 발광층은 금속 원소를 포함하지 않는다. 일 실시형태에서는, 발광층은 탄소 원자, 수소 원자, 중수소 원자, 질소 원자, 산소 원자 및 황 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자만으로 구성되는 재료로 구성할 수 있다. 혹은, 발광층은, 탄소 원자, 수소 원자, 중수소 원자, 질소 원자 및 산소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자만으로 구성되는 재료로 구성할 수도 있다. 혹은, 발광층은, 탄소 원자, 수소 원자, 질소 원자 및 산소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자만으로 구성되는 재료로 구성할 수도 있다.In one embodiment, the light emitting layer can be composed of a material selected from the group consisting of a host material, an assist dopant, and a light emitting material. In one embodiment, the light emitting layer does not contain a metal element. In one embodiment, the light emitting layer can be composed of a material composed of only atoms selected from the group consisting of carbon atoms, hydrogen atoms, deuterium atoms, nitrogen atoms, oxygen atoms, and sulfur atoms. Alternatively, the light emitting layer may be made of a material composed only of atoms selected from the group consisting of carbon atoms, hydrogen atoms, deuterium atoms, nitrogen atoms, and oxygen atoms. Alternatively, the light emitting layer may be made of a material composed only of atoms selected from the group consisting of carbon atoms, hydrogen atoms, nitrogen atoms, and oxygen atoms.

발광층이 본 발명의 화합물 이외의 TADF 재료를 포함할 때, 그 TADF 재료는 공지의 지연 형광 재료여도 된다. 바람직한 지연 형광 재료로서, WO2013/154064호의 단락 0008~0048 및 0095~0133, WO2013/011954호의 단락 0007~0047 및 0073~0085, WO2013/011955호의 단락 0007~0033 및 0059~0066, WO2013/081088호의 단락 0008~0071 및 0118~0133, 일본 공개특허공보 2013-256490호의 단락 0009~0046 및 0093~0134, 일본 공개특허공보 2013-116975호의 단락 0008~0020 및 0038~0040, WO2013/133359호의 단락 0007~0032 및 0079~0084, WO2013/161437호의 단락 0008~0054 및 0101~0121, 일본 공개특허공보 2014-9352호의 단락 0007~0041 및 0060~0069, 일본 공개특허공보 2014-9224호의 단락 0008~0048 및 0067~0076, 일본 공개특허공보 2017-119663호의 단락 0013~0025, 일본 공개특허공보 2017-119664호의 단락 0013~0026, 일본 공개특허공보 2017-222623호의 단락 0012~0025, 일본 공개특허공보 2017-226838호의 단락 0010~0050, 일본 공개특허공보 2018-100411호의 단락 0012~0043, WO2018/047853호의 단락 0016~0044에 기재되는 일반식에 포함되는 화합물, 특히 예시 화합물이며, 지연 형광을 방사할 수 있는 것이 포함된다. 또, 여기에서는, 일본 공개특허공보 2013-253121호, WO2013/133359호, WO2014/034535호, WO2014/115743호, WO2014/122895호, WO2014/126200호, WO2014/136758호, WO2014/133121호, WO2014/136860호, WO2014/196585호, WO2014/189122호, WO2014/168101호, WO2015/008580호, WO2014/203840호, WO2015/002213호, WO2015/016200호, WO2015/019725호, WO2015/072470호, WO2015/108049호, WO2015/080182호, WO2015/072537호, WO2015/080183호, 일본 공개특허공보 2015-129240호, WO2015/129714호, WO2015/129715호, WO2015/133501호, WO2015/136880호, WO2015/137244호, WO2015/137202호, WO2015/137136호, WO2015/146541호, WO2015/159541호에 기재되는 발광 재료이며, 지연 형광을 방사할 수 있는 것을 바람직하게 채용할 수 있다. 또한, 이 단락에 기재되는 상기의 공보는, 본 명세서의 일부로서 여기에 인용한다.When the light emitting layer contains a TADF material other than the compound of the present invention, the TADF material may be a known delayed fluorescent material. As a preferred delayed fluorescent material, paragraphs 0008 to 0048 and 0095 to 0133 of WO2013/154064, paragraphs 0007 to 0047 and 0073 to 0085 of WO2013/011954, paragraphs 0007 to 0033 and 0059 to 0066 of WO2013/011955, and paragraphs 0059 to 0066 of WO2013/08108 0008 to 0071 and 0118 to 0133, paragraphs 0009 to 0046 and 0093 to 0134 of Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-256490, paragraphs 0008 to 0020 and 0038 to 0040 of Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-116975, paragraphs 00327 to 00327 of WO2013/133359 and 0079 to 0084, paragraphs 0008 to 0054 and 0101 to 0121 of WO2013/161437, paragraphs 0007 to 0041 and 0060 to 0069 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-9352, paragraphs 0008 to 0048 and 0067 to of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-9224 0076, paragraphs 0013 to 0025 of JP 2017-119663, paragraphs 0013 to 0026 of JP 2017-119664, paragraphs 0012 to 0025 of JP 2017-222623, paragraph 2017-226838 0010 to 0050, paragraphs 0012 to 0043 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2018-100411, and paragraphs 0016 to 0044 of WO2018/047853, which are compounds included in the general formula, particularly exemplary compounds, and include those capable of emitting delayed fluorescence. . Moreover, here, Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-253121, WO2013/133359, WO2014/034535, WO2014/115743, WO2014/122895, WO2014/126200, WO2014/136758, WO2014/133121, WO2014 /136860, WO2014/196585, WO2014/189122, WO2014/168101, WO2015/008580, WO2014/203840, WO2015/002213, WO2015/016200, WO2015/019725, WO22201/07 / 108049, WO2015/080182, WO2015/072537, WO2015/080183, Japanese Patent Laid-Open No. 2015-129240, WO2015/129714, WO2015/129715, WO2015/133501, WO2015/1368815, WO2015/1368815 137244, WO2015/137202, WO2015/137136, WO2015/146541, and WO2015/159541, and those capable of emitting delayed fluorescence can be preferably employed. In addition, the said publication described in this paragraph is cited here as a part of this specification.

이하에 있어서, 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 각 부재 및 발광층 이외의 각층(各層)에 대하여 설명한다.In the following, each member of the organic electroluminescent element and each layer other than the light emitting layer will be described.

기재:write:

몇 개의 실시형태에서는, 본 발명의 유기 일렉트로 루미네선스 소자는 기재에 의하여 지지되며, 당해 기재는 특별히 한정되지 않고, 유기 일렉트로 루미네선스 소자에서 일반적으로 이용되는, 예를 들면 유리, 투명 플라스틱, 쿼츠 및 실리콘에 의하여 형성된 어느 하나의 재료를 이용하면 된다.In some embodiments, the organic electroluminescence device of the present invention is supported by a substrate, and the substrate is not particularly limited, and is generally used in organic electroluminescence devices, such as glass, transparent plastic, Any one material formed by quartz and silicon may be used.

양극:anode:

몇 개의 실시형태에서는, 유기 일렉트로 루미네선스 장치의 양극은, 금속, 합금, 도전성 화합물 또는 그들의 조합으로 제조된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기의 금속, 합금 또는 도전성 화합물은 높은 일 함수(4eV 이상)를 갖는다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 금속은 Au이다. 몇 개의 실시형태에서는, 도전성의 투명 재료는, CuI, 산화 인듐 주석(ITO), SnO2 및 ZnO로부터 선택된다. 몇 개의 실시형태에서는, IDIXO(In2O3-ZnO) 등의, 투명한 도전성 필름을 형성할 수 있는 어모퍼스 재료를 사용한다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 양극은 박막이다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 박막은 증착 또는 스퍼터링에 의하여 제작된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 필름은 포토리소그래피 방법에 의하여 패턴화된다. 몇 개의 실시형태에서는, 패턴이 고정밀도일 필요가 없는(예를 들면 약 100μm 이상) 경우, 당해 패턴은, 전극 재료에 대한 증착 또는 스퍼터링에 적합한 형상의 마스크를 이용하여 형성해도 된다. 몇 개의 실시형태에서는, 유기 도전성 화합물 등의 코팅 재료를 도포할 수 있을 때, 프린트법이나 코팅법 등의 습식 필름 형성 방법이 이용된다. 몇 개의 실시형태에서는, 방사광이 양극을 통과할 때, 양극은 10% 초과의 투과도를 갖고, 당해 양극은, 단위 면적당 수백 옴 이하의 시트 저항을 갖는다. 몇 개의 실시형태에서는, 양극의 두께는 10~1,000nm이다. 몇 개의 실시형태에서는, 양극의 두께는 10~200nm이다. 몇 개의 실시형태에서는, 양극의 두께는 이용하는 재료에 따라 변동된다.In some embodiments, the anode of the organic electroluminescence device is made of a metal, alloy, conductive compound, or combination thereof. In some embodiments, the metal, alloy or conductive compound has a high work function (4 eV or greater). In some embodiments, the metal is Au. In some embodiments, the conductive transparent material is selected from CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 and ZnO. In some embodiments, an amorphous material capable of forming a transparent conductive film is used, such as IDIXO (In 2 O 3 -ZnO). In some embodiments, the anode is a thin film. In some embodiments, the thin film is fabricated by vapor deposition or sputtering. In some embodiments, the film is patterned by a photolithographic method. In some embodiments, when the pattern does not need to be highly precise (for example, about 100 μm or more), the pattern may be formed using a mask having a shape suitable for deposition or sputtering of an electrode material. In some embodiments, when a coating material such as an organic conductive compound can be applied, a wet film forming method such as a printing method or a coating method is used. In some embodiments, when radiation passes through the anode, the anode has a transmittance of greater than 10%, and the anode has a sheet resistance of several hundred ohms per unit area or less. In some embodiments, the thickness of the anode is 10-1,000 nm. In some embodiments, the thickness of the anode is 10-200 nm. In some embodiments, the thickness of the anode varies depending on the material used.

음극:cathode:

몇 개의 실시형태에서는, 상기 음극은, 낮은 일 함수를 갖는 금속(4eV 이하)(전자 주입 금속이라고 칭해진다), 합금, 도전성 화합물 또는 그 조합 등의 전극 재료로 제작된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 전극 재료는, 나트륨, 나트륨-칼륨 합금, 마그네슘, 리튬, 마그네슘-구리 혼합물, 마그네슘-은 혼합물, 마그네슘-알루미늄 혼합물, 마그네슘-인듐 혼합물, 알루미늄-산화 알루미늄(Al2O3) 혼합물, 인듐, 리튬-알루미늄 혼합물 및 희토류 원소로부터 선택된다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 주입 금속과, 전자 주입 금속보다 높은 일 함수를 갖는 안정적인 금속인 제2 금속의 혼합물이 이용된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 혼합물은, 마그네슘-은 혼합물, 마그네슘-알루미늄 혼합물, 마그네슘-인듐 혼합물, 알루미늄-산화 알루미늄(Al2O3) 혼합물, 리튬-알루미늄 혼합물 및 알루미늄으로부터 선택된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 혼합물은 전자 주입 특성 및 산화에 대한 내성을 향상시킨다. 몇 개의 실시형태에서는, 음극은, 증착 또는 스퍼터링에 의하여 전극 재료를 박막으로 하여 형성시킴으로써 제조된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 음극은 단위 면적당 수백 옴 이하의 시트 저항을 갖는다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 음극의 두께는 10nm~5μm이다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 음극의 두께는 50~200nm이다. 몇 개의 실시형태에서는, 방사광을 투과시키기 위하여, 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 양극 및 음극 중 어느 하나는 투명 또는 반투명이다. 몇 개의 실시형태에서는, 투명 또는 반투명의 일렉트로 루미네선스 소자는 광 방사 휘도를 향상시킨다.In some embodiments, the cathode is made of an electrode material such as a metal having a low work function (4 eV or less) (referred to as an electron injecting metal), an alloy, a conductive compound, or a combination thereof. In some embodiments, the electrode material is sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium-copper mixture, magnesium-silver mixture, magnesium-aluminum mixture, magnesium-indium mixture, aluminum-aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, indium, lithium-aluminum mixtures and rare earth elements. In some embodiments, a mixture of an electron injecting metal and a second metal, which is a stable metal with a higher work function than the electron injecting metal, is used. In some embodiments, the mixture is selected from magnesium-silver mixtures, magnesium-aluminum mixtures, magnesium-indium mixtures, aluminum-aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium-aluminum mixtures and aluminum. In some embodiments, the mixture improves electron injection properties and resistance to oxidation. In some embodiments, the cathode is manufactured by forming a thin film of the electrode material by vapor deposition or sputtering. In some embodiments, the negative electrode has a sheet resistance of several hundred ohms per unit area or less. In some embodiments, the thickness of the cathode is between 10 nm and 5 μm. In some embodiments, the thickness of the cathode is 50-200 nm. In some embodiments, either the anode or cathode of the organic electroluminescence device is transparent or translucent in order to transmit radiation. In some embodiments, a transparent or translucent electroluminescent element enhances light radiant brightness.

몇 개의 실시형태에서는, 상기 음극을, 상기 양극에 관하여 상술한 도전성의 투명한 재료로 형성됨으로써, 투명 또는 반투명의 음극이 형성된다. 몇 개의 실시형태에서는, 소자는 양극과 음극을 포함하지만, 모두 투명 또는 반투명이다.In some embodiments, a transparent or translucent cathode is formed by forming the cathode from the conductive transparent material described above with respect to the anode. In some embodiments, the device includes an anode and a cathode, but both are transparent or translucent.

주입층:Injection layer:

주입층은, 전극과 유기층의 사이의 층이다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 주입층은 구동 전압을 감소시켜, 광 방사 휘도를 증강시킨다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 주입층은, 정공 주입층과 전자 주입층을 포함한다. 상기 주입층은, 양극과 발광층 또는 정공 수송층의 사이, 및 음극과 발광층 또는 전자 수송층의 사이에 배치할 수 있다. 몇 개의 실시형태에서는, 주입층이 존재한다. 몇 개의 실시형태에서는, 주입층이 존재하지 않는다.The injection layer is a layer between the electrode and the organic layer. In some embodiments, the injection layer reduces the drive voltage, enhancing the optical radiance. In some embodiments, the injection layer includes a hole injection layer and an electron injection layer. The injection layer may be disposed between the anode and the light emitting layer or hole transport layer, and between the cathode and the light emitting layer or electron transport layer. In some embodiments, an injection layer is present. In some embodiments, no injection layer is present.

이하에, 정공 주입 재료로서 이용할 수 있는 바람직한 화합물예를 든다.Examples of preferable compounds that can be used as the hole injecting material are listed below.

[화학식 24][Formula 24]

Figure pct00070
Figure pct00070

다음으로, 전자 주입 재료로서 이용할 수 있는 바람직한 화합물예를 든다.Next, examples of preferable compounds that can be used as electron injecting materials are given.

[화학식 25][Formula 25]

Figure pct00071
Figure pct00071

장벽층:barrier layer:

장벽층은, 발광층에 존재하는 전하(전자 또는 정공) 및/또는 여기자가, 발광층의 외측으로 확산되는 것을 저지할 수 있는 층이다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 장벽층은, 발광층과 정공 수송층의 사이에 존재하고, 전자가 발광층을 통과하여 정공 수송층에 도달하는 것을 저지한다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 장벽층은, 발광층과 전자 수송층의 사이에 존재하고, 정공이 발광층을 통과하여 전자 수송층에 도달하는 것을 저지한다. 몇 개의 실시형태에서는, 장벽층은, 여기자가 발광층의 외측으로 확산되는 것을 저지한다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 장벽층 및 정공 장벽층은 여기자 장벽층을 구성한다. 본 명세서에서 이용하는 용어 "전자 장벽층" 또는 "여기자 장벽층"에는, 전자 장벽층의, 및 여기자 장벽층의 기능의 양방을 갖는 층이 포함된다.The barrier layer is a layer capable of preventing the diffusion of charges (electrons or holes) and/or excitons present in the light emitting layer to the outside of the light emitting layer. In some embodiments, the electron barrier layer is present between the light emitting layer and the hole transport layer, and prevents electrons from passing through the light emitting layer and reaching the hole transport layer. In some embodiments, the hole barrier layer is present between the light emitting layer and the electron transport layer, and prevents holes from passing through the light emitting layer and reaching the electron transport layer. In some embodiments, the barrier layer prevents excitons from diffusing out of the light emitting layer. In some embodiments, the electron barrier layer and the hole barrier layer constitute an exciton barrier layer. The term "electron barrier layer" or "exciton barrier layer" used herein includes a layer having both the functions of an electron barrier layer and an exciton barrier layer.

정공 장벽층:hole barrier layer:

정공 장벽층은, 전자 수송층으로서 기능한다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자의 수송 동안, 정공 장벽층은 정공이 전자 수송층에 도달하는 것을 저지한다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 장벽층은, 발광층에 있어서의 전자와 정공의 재결합의 확률을 높인다. 정공 장벽층에 이용하는 재료는, 전자 수송층에 대하여 상술한 것과 동일한 재료여도 된다.The hole barrier layer functions as an electron transport layer. In some embodiments, during electron transport, the hole barrier layer prevents holes from reaching the electron transport layer. In some embodiments, the hole barrier layer increases the probability of recombination of electrons and holes in the light emitting layer. The material used for the hole barrier layer may be the same material as described above for the electron transport layer.

이하에, 정공 장벽층에 이용할 수 있는 바람직한 화합물예를 든다.Examples of preferable compounds usable for the hole barrier layer are given below.

[화학식 26][Formula 26]

Figure pct00072
Figure pct00072

전자 장벽층:electron barrier layer:

전자 장벽층은, 정공을 수송한다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공의 수송 동안, 전자 장벽층은 전자가 정공 수송층에 도달하는 것을 저지한다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 장벽층은, 발광층에 있어서의 전자와 정공의 재결합의 확률을 높인다. 전자 장벽층에 이용하는 재료는, 정공 수송층에 대하여 상술한 것과 동일한 재료여도 된다.The electron barrier layer transports holes. In some embodiments, during hole transport, the electron barrier layer prevents electrons from reaching the hole transport layer. In some embodiments, the electron barrier layer increases the probability of recombination of electrons and holes in the light emitting layer. The material used for the electron barrier layer may be the same material as described above for the hole transport layer.

이하에 전자 장벽 재료로서 이용할 수 있는 바람직한 화합물의 구체예를 든다.Specific examples of preferred compounds that can be used as electron barrier materials are given below.

[화학식 27][Formula 27]

Figure pct00073
Figure pct00073

여기자 장벽층:Exciton barrier layer:

여기자 장벽층은, 발광층에 있어서의 정공과 전자의 재결합을 통하여 발생한 여기자가 전자 수송층까지 확산되는 것을 저지한다. 몇 개의 실시형태에서는, 여기자 장벽층은, 발광층에 있어서의 여기자의 유효한 구속(confinement)을 가능하게 한다. 몇 개의 실시형태에서는, 장치의 광 방사 효율이 향상된다. 몇 개의 실시형태에서는, 여기자 장벽층은, 양극 측과 음극 측 중 어느 하나에서, 및 그 양측의 발광층에 인접한다. 몇 개의 실시형태에서는, 여기자 장벽층이 양극 측에 존재할 때, 당해 층은, 정공 수송층과 발광층의 사이에 존재하고, 당해 발광층에 인접해도 된다. 몇 개의 실시형태에서는, 여기자 장벽층이 음극 측에 존재할 때, 당해 층은, 발광층과 음극의 사이에 존재하고, 당해 발광층에 인접해도 된다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 주입층, 전자 장벽층 또는 동일한 층은, 양극과, 양극 측의 발광층에 인접하는 여기자 장벽층의 사이에 존재한다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 주입층, 전자 장벽층, 정공 장벽층 또는 동일한 층은, 음극과, 음극 측의 발광층에 인접하는 여기자 장벽층의 사이에 존재한다. 몇 개의 실시형태에서는, 여기자 장벽층은, 여기 일중항 에너지와 여기 삼중항 에너지를 포함하고, 그 적어도 하나가, 각각, 발광 재료의 여기 일중항 에너지와 여기 삼중항 에너지보다 높다.The exciton barrier layer prevents excitons generated through recombination of holes and electrons in the light emitting layer from diffusing to the electron transport layer. In some embodiments, the exciton barrier layer enables effective confinement of excitons in the light emitting layer. In some embodiments, the optical radiation efficiency of the device is improved. In some embodiments, the exciton barrier layer is adjacent to the light emitting layer on either the anode side or the cathode side, and on both sides. In some embodiments, when the exciton barrier layer is present on the anode side, the layer may be present between the hole transport layer and the light emitting layer and may be adjacent to the light emitting layer. In some embodiments, when the exciton barrier layer exists on the cathode side, the layer may be present between the light emitting layer and the cathode and may be adjacent to the light emitting layer. In some embodiments, a hole injection layer, an electron barrier layer, or the same layer exists between an anode and an exciton barrier layer adjacent to the light emitting layer on the anode side. In some embodiments, a hole injection layer, an electron barrier layer, a hole barrier layer, or the same layer exists between a cathode and an exciton barrier layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side. In some embodiments, the exciton barrier layer contains singlet excitation energy and triplet excitation energy, and at least one of them is higher than the singlet excitation energy and triplet excitation energy of the light emitting material, respectively.

정공 수송층:hole transport layer:

정공 수송층은, 정공 수송 재료를 포함한다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 수송층은 단층이다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 수송층은 복수의 층을 갖는다.The hole transport layer contains a hole transport material. In some embodiments, the hole transport layer is a single layer. In some embodiments, the hole transport layer has a plurality of layers.

몇 개의 실시형태에서는, 정공 수송 재료는, 정공의 주입 또는 수송 특성 및 전자의 장벽 특성 중 하나의 특성을 갖는다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 수송 재료는 유기 재료이다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 수송 재료는 무기 재료이다. 본 발명에서 사용할 수 있는 공지의 정공 수송 재료의 예로서는, 한정되지 않지만, 트라이아졸 유도체, 옥사다이아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 카바졸 유도체, 인돌로카바졸 유도체, 폴리아릴알케인 유도체, 피라졸린 유도체, 피라졸론 유도체, 페닐렌다이아민 유도체, 알릴아민 유도체, 아미노 치환 칼콘 유도체, 옥사졸 유도체, 스타이릴안트라센 유도체, 플루오렌온 유도체, 하이드라존 유도체, 스틸벤 유도체, 실라제인 유도체, 아닐린 코폴리머 및 도전성 폴리머 올리고머(특히 싸이오펜 올리고머), 또는 그 조합을 들 수 있다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 수송 재료는 포피린 화합물, 방향족 3급 아민 화합물 및 스타이릴아민 화합물로부터 선택된다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 수송 재료는 방향족 3급 아민 화합물이다. 이하에 정공 수송 재료로서 이용할 수 있는 바람직한 화합물의 구체예를 든다.In some embodiments, the hole transport material has one of hole injection or transport properties and electron barrier properties. In some embodiments, the hole transport material is an organic material. In some embodiments, the hole transport material is an inorganic material. Examples of known hole transport materials that can be used in the present invention include, but are not limited to, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, carbazole derivatives, indolocarbazole derivatives, polyarylalkane derivatives, and pyrazoline derivatives. , pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, allylamine derivatives, amino substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers and conductive polymer oligomers (particularly thiophene oligomers), or combinations thereof. In some embodiments, the hole transport material is selected from porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds. In some embodiments, the hole transport material is an aromatic tertiary amine compound. Specific examples of preferable compounds that can be used as hole transport materials are given below.

[화학식 28][Formula 28]

Figure pct00074
Figure pct00074

전자 수송층:electron transport layer:

전자 수송층은, 전자 수송 재료를 포함한다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 수송층은 단층이다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 수송층은 복수의 층을 갖는다.The electron transport layer contains an electron transport material. In some embodiments, the electron transport layer is a monolayer. In some embodiments, the electron transport layer has multiple layers.

몇 개의 실시형태에서는, 전자 수송 재료는, 음극으로부터 주입된 전자를 발광층에 수송하는 기능만 있으면 된다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 수송 재료는 또, 정공 장벽 재료로서도 기능한다. 본 발명에서 사용할 수 있는 전자 수송층의 예로서는, 한정되지 않지만, 나이트로 치환 플루오렌 유도체, 다이페닐퀴논 유도체, 싸이오피란다이옥사이드 유도체, 카보다이이미드, 플루오렌일리덴메테인 유도체, 안트라퀴노다이메테인, 안트론 유도체, 옥사다이아졸 유도체, 아졸 유도체, 아진 유도체 또는 그 조합, 또는 그 폴리머를 들 수 있다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 수송 재료는 싸이아다이아졸 유도체 또는 퀴녹살린 유도체이다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 수송 재료는 폴리머 재료이다. 이하에 전자 수송 재료로서 이용할 수 있는 바람직한 화합물의 구체예를 든다.In some embodiments, the electron transport material only needs to have a function of transporting electrons injected from the cathode to the light emitting layer. In some embodiments, the electron transport material also functions as a hole barrier material. Examples of the electron transport layer that can be used in the present invention include, but are not limited to, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyrane dioxide derivatives, carbodiimide, fluorenylidene methane derivatives, anthraquinodimethane , anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, azole derivatives, azine derivatives or combinations thereof, or polymers thereof. In some embodiments, the electron transport material is a thiadiazole derivative or a quinoxaline derivative. In some embodiments, the electron transport material is a polymeric material. Specific examples of preferable compounds that can be used as electron transport materials are given below.

[화학식 29][Formula 29]

Figure pct00075
Figure pct00075

또한, 각 유기층에 첨가 가능한 재료로서 바람직한 화합물예를 든다. 예를 들면, 안정화 재료로서 첨가하는 것 등이 생각된다.In addition, examples of compounds suitable as materials that can be added to each organic layer are given. For example, adding as a stabilizing material or the like is conceivable.

[화학식 30][Formula 30]

Figure pct00076
Figure pct00076

유기 일렉트로 루미네선스 소자에 이용할 수 있는 바람직한 재료를 구체적으로 예시했지만, 본 발명에 있어서 이용할 수 있는 재료는, 이하의 예시 화합물에 의하여 한정적으로 해석되는 경우는 없다. 또, 특정 기능을 갖는 재료로서 예시한 화합물이더라도, 그 외의 기능을 갖는 재료로서 전용(轉用)하는 것도 가능하다.Preferable materials usable for organic electroluminescence devices have been specifically exemplified, but materials usable in the present invention are not limitedly interpreted by the following exemplified compounds. In addition, even if it is a compound exemplified as a material having a specific function, it is also possible to divert it as a material having other functions.

디바이스:device:

몇 개의 실시형태에서는, 발광층은 디바이스 중에 포함된다. 예를 들면, 디바이스에는, OLED 밸브, OLED 램프, 텔레비전용 디스플레이, 컴퓨터용 모니터, 휴대 전화 및 태블릿이 포함되지만, 이들에 한정되지 않는다.In some embodiments, the light emitting layer is included in the device. For example, devices include, but are not limited to, OLED valves, OLED lamps, displays for televisions, monitors for computers, mobile phones and tablets.

몇 개의 실시형태에서는, 전자 디바이스는, 양극, 음극, 및 당해 양극과 당해 음극의 사이의 발광층을 포함하는 적어도 하나의 유기층을 갖는 OLED를 포함한다.In some embodiments, an electronic device includes an OLED having at least one organic layer including an anode, a cathode, and a light emitting layer between the anode and the cathode.

몇 개의 실시형태에서는, 본원 명세서에 기재된 구성물은, OLED 또는 광전자 디바이스 등의, 다양한 감광성 또는 광활성화 디바이스에 포함될 수 있다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 구성물은 디바이스 내의 전하 이동 또는 에너지 이동의 촉진에, 및/또는 정공 수송 재료로서 유용할 수 있다. 상기 디바이스로서는, 예를 들면 유기 발광 다이오드(OLED), 유기 집적 회선(OIC), 유기 전계 효과 트랜지스터(O-FET), 유기 박막 트랜지스터(O-TFT), 유기 발광 트랜지스터(O-LET), 유기 태양 전지(O-SC), 유기 광학 검출 장치, 유기 광 수용체, 유기 자장 ??칭(field-quench) 장치(O-FQD), 발광 연료 전지(LEC) 또는 유기 레이저 다이오드(O-레이저)를 들 수 있다.In some embodiments, the constructs described herein may be included in a variety of photosensitive or photoactivated devices, such as OLEDs or optoelectronic devices. In some embodiments, the constructs may be useful for facilitating charge transfer or energy transfer within a device, and/or as a hole transport material. As the device, for example, an organic light emitting diode (OLED), an organic integrated circuit (OIC), an organic field effect transistor (O-FET), an organic thin film transistor (O-TFT), an organic light emitting transistor (O-LET), an organic Solar cells (O-SC), organic optical detection devices, organic photoreceptors, organic field-quench devices (O-FQD), light emitting fuel cells (LEC) or organic laser diodes (O-Laser). can be heard

밸브 또는 램프:Valve or Ramp:

몇 개의 실시형태에서는, 전자 디바이스는, 양극, 음극, 당해 양극과 당해 음극의 사이의 발광층을 포함하는 적어도 하나의 유기층을 포함하는 OLED를 포함한다.In some embodiments, an electronic device includes an OLED including at least one organic layer including an anode, a cathode, and a light emitting layer between the anode and the cathode.

몇 개의 실시형태에서는, 디바이스는 색채가 상이한 OLED를 포함한다. 몇 개의 실시형태에서는, 디바이스는 OLED의 조합을 포함하는 어레이를 포함한다. 몇 개의 실시형태에서는, OLED의 상기 조합은, 3색의 조합(예를 들면 RGB)이다. 몇 개의 실시형태에서는, OLED의 상기 조합은, 적색도 녹색도 청색도 아닌 색(예를 들면 오렌지색 및 황녹색)의 조합이다. 몇 개의 실시형태에서는, OLED의 상기 조합은, 2색, 4색 또는 그 이상의 색의 조합이다.In some embodiments, the device includes OLEDs with different colors. In some embodiments, a device includes an array comprising a combination of OLEDs. In some embodiments, the combination of OLEDs is a combination of three colors (eg, RGB). In some embodiments, the combination of OLEDs is a combination of colors that are neither red nor green nor blue (eg orange and yellow green). In some embodiments, the combination of OLEDs is a combination of two, four or more colors.

몇 개의 실시형태에서는, 디바이스는,In some embodiments, the device

장착면을 갖는 제1 면과 그와 반대의 제2 면을 갖고, 적어도 하나의 개구부를 획정(劃定)하는 회로 기판과,a circuit board having a first surface having a mounting surface and a second surface opposite thereto, and defining at least one opening;

상기 장착면 상 중 적어도 하나의 OLED이며, 당해 적어도 하나의 OLED가, 양극, 음극, 및 당해 양극과 당해 음극의 사이의 발광층을 포함하는 적어도 하나의 유기층을 포함하는, 발광하는 구성을 갖는 적어도 하나의 OLED와,At least one OLED on the mounting surface, wherein the at least one OLED includes at least one organic layer including an anode, a cathode, and a light emitting layer between the anode and the cathode, and has a configuration for emitting light. of OLED,

회로 기판용의 하우징과,a housing for a circuit board;

상기 하우징의 단부(端部)에 배치된 적어도 하나의 커넥터이며, 상기 하우징 및 상기 커넥터가 조명 설비에 대한 장착에 적합한 패키지를 획정하는, 적어도 하나의 커넥터를 구비하는 OLED 라이트이다.An OLED light having at least one connector disposed at an end of the housing, wherein the housing and the connector define a package suitable for mounting to a lighting fixture.

몇 개의 실시형태에서는, 상기 OLED 라이트는, 복수의 방향으로 광이 방사되도록 회로 기판에 장착된 복수의 OLED를 갖는다. 몇 개의 실시형태에서는, 제1 방향으로 발해진 일부의 광은 편광되어 제2 방향으로 방사된다. 몇 개의 실시형태에서는, 반사기를 이용하여 제1 방향으로 발생된 광을 편광한다.In some embodiments, the OLED light has a plurality of OLEDs mounted on a circuit board so that light is emitted in a plurality of directions. In some embodiments, some of the light emitted in the first direction is polarized and emitted in the second direction. In some embodiments, a reflector is used to polarize the generated light in a first direction.

디스플레이 또는 스크린:Display or Screen:

몇 개의 실시형태에서는, 본 발명의 발광층은 스크린 또는 디스플레이에 있어서 사용할 수 있다. 몇 개의 실시형태에서는, 본 발명에 관한 화합물은, 한정되지 않지만 진공 증발, 퇴적, 증착 또는 화학 증착(CVD) 등의 공정을 이용하여 기재 상으로 퇴적시킨다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 기재는, 독특한 애스펙트비의 픽셀을 제공하는 2면 에칭에 있어서 유용한 포토 플레이트 구조이다. 상기 스크린(또한 마스크라고도 불린다)은, OLED 디스플레이의 제조 공정에서 이용된다. 대응하는 아트 워크 패턴의 설계에 의하여, 수직 방향에서는 픽셀의 사이의 매우 가파르고 좁은 타이 바의, 및 수평 방향에서는 큰 광범위의 사각(斜角) 개구부의 배치를 가능하게 한다. 이로써, TFT 백 플레인 상으로의 화학 증착을 최적화하면서, 고해상도 디스플레이에 필요해지는 픽셀의 미세한 패턴 구성이 가능해진다.In some embodiments, the light emitting layer of the present invention can be used in screens or displays. In some embodiments, the compounds of the present invention are deposited onto a substrate using a process such as, but not limited to, vacuum evaporation, deposition, vapor deposition, or chemical vapor deposition (CVD). In some embodiments, the substrate is a photo plate structure useful for two-sided etching to provide pixels of unique aspect ratio. The screen (also called a mask) is used in the manufacturing process of an OLED display. By designing the corresponding artwork pattern, it is possible to place very steep and narrow tie bars between pixels in the vertical direction and wide-ranging square openings in the horizontal direction. This enables the fine patterning of pixels required for high-resolution displays while optimizing the chemical vapor deposition onto the TFT back plane.

픽셀의 내부 패터닝에 의하여, 수평 및 수직 방향에서의 다양한 애스펙트비의 3차원 픽셀 개구부를 구성하는 것이 가능해진다. 또한, 픽셀 영역 중 화상화된 "스트라이프" 또는 하프톤 원(圓)의 사용은, 이들 특정 패턴을 언더 컷하여 기재로부터 제거될 때까지, 특정 영역에 있어서의 에칭이 보호된다. 그때, 모든 픽셀 영역은 동일한 에칭 속도로 처리되지만, 그 깊이는 하프톤 패턴에 의하여 변화한다. 하프톤 패턴의 사이즈 및 간격을 변경함으로써, 픽셀 내에서의 보호율이 다양한 상이한 에칭이 가능해져, 가파른 수직 사각을 형성하는 데 필요한 국재화(局在化)된 깊은 에칭이 가능해진다.Internal patterning of pixels makes it possible to construct three-dimensional pixel openings of various aspect ratios in the horizontal and vertical directions. Also, the use of imaged "stripes" or halftone circles in pixel areas is protected from etching in particular areas until these particular patterns are removed from the substrate by undercutting them. At that time, all pixel areas are processed with the same etching rate, but their depths are varied by halftone patterns. By changing the size and spacing of the halftone patterns, different etchings with varying degrees of protection within the pixel are possible, enabling the localized deep etching required to form steep vertical squares.

증착 마스크용의 바람직한 재료는 인바(invar)이다. 인바는, 제철소에서 긴 박형 시트상으로 냉연(冷延)된 금속 합금이다. 인바는, 니켈 마스크로서 스핀 맨드릴 상으로 전착할 수 없다. 증착용 마스크 내에 개구 영역을 형성하기 위한 적절하고 또한 저비용의 방법은, 습식 화학 에칭에 의한 방법이다.A preferred material for the deposition mask is invar. Invar is a metal alloy cold-rolled into a long thin sheet in a steel mill. Invar cannot be electrodeposited onto the spin mandrel as a nickel mask. A suitable and low-cost method for forming an opening region in a deposition mask is a method by wet chemical etching.

몇 개의 실시형태에서는, 스크린 또는 디스플레이 패턴은, 기재 상의 픽셀 매트릭스이다. 몇 개의 실시형태에서는, 스크린 또는 디스플레이 패턴은, 리소그래피(예를 들면 포토리소그래피 및 e빔 리소그래피)를 사용하여 가공된다. 몇 개의 실시형태에서는, 스크린 또는 디스플레이 패턴은, 습식 화학 에칭을 사용하여 가공된다. 가일층의 실시형태에서는, 스크린 또는 디스플레이 패턴은, 플라즈마 에칭을 사용하여 가공된다.In some embodiments, the screen or display pattern is a matrix of pixels on a substrate. In some embodiments, the screen or display pattern is fabricated using lithography (eg photolithography and e-beam lithography). In some embodiments, the screen or display pattern is processed using wet chemical etching. In a further embodiment, the screen or display pattern is processed using plasma etching.

디바이스의 제조 방법:Manufacturing method of the device:

OLED 디스플레이는, 일반적으로는, 대형의 마더 패널을 형성하고, 다음으로 당해 마더 패널을 셀 패널 단위로 절단함으로써 제조된다. 통상은, 마더 패널 상의 각 셀 패널은, 베이스 기재 상에, 활성층과 소스/드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하고, 상기 TFT에 평탄화 필름을 도포하여, 픽셀 전극, 발광층, 상대 전극 및 캡슐화층을 순서대로 경시적으로 형성하며, 상기 마더 패널로부터 절단함으로써 형성된다.An OLED display is generally manufactured by forming a large-sized mother panel and then cutting the mother panel into cell panel units. Usually, each cell panel on the mother panel forms a thin film transistor (TFT) having an active layer and a source/drain electrode on a base substrate, and a flattening film is applied to the TFT to form a pixel electrode, a light emitting layer, a counter electrode and An encapsulation layer is sequentially formed over time, and is formed by cutting from the mother panel.

OLED 디스플레이는, 일반적으로는, 대형의 마더 패널을 형성하고, 다음으로 당해 마더 패널을 셀 패널 단위로 절단함으로써 제조된다. 통상은, 마더 패널 상의 각 셀 패널은, 베이스 기재 상에, 활성층과 소스/드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하고, 상기 TFT에 평탄화 필름을 도포하여, 픽셀 전극, 발광층, 상대 전극 및 캡슐화층을 순서대로 경시적으로 형성하며, 상기 마더 패널로부터 절단함으로써 형성된다.An OLED display is generally manufactured by forming a large-sized mother panel and then cutting the mother panel into cell panel units. Usually, each cell panel on the mother panel forms a thin film transistor (TFT) having an active layer and a source/drain electrode on a base substrate, and a flattening film is applied to the TFT to form a pixel electrode, a light emitting layer, a counter electrode and An encapsulation layer is sequentially formed over time, and is formed by cutting from the mother panel.

본 발명의 다른 양태에서는, 유기 발광 다이오드(OLED) 디스플레이의 제조 방법을 제공하며, 당해 방법은,In another aspect of the present invention, a method for manufacturing an organic light emitting diode (OLED) display is provided, the method comprising:

마더 패널의 베이스 기재 상에 장벽층을 형성하는 공정과,A step of forming a barrier layer on the base substrate of the mother panel;

상기 장벽층 상에, 셀 패널 단위로 복수의 디스플레이 유닛을 형성하는 공정과,forming a plurality of display units on the barrier layer in units of cell panels;

상기 셀 패널의 디스플레이 유닛의 각각의 위에 캡슐화층을 형성하는 공정과,forming an encapsulation layer on each of the display units of the cell panel;

상기 셀 패널 간의 인터페이스부에 유기 필름을 도포하는 공정을 포함한다.and applying an organic film to the interface between the cell panels.

몇 개의 실시형태에서는, 장벽층은, 예를 들면 SiNx로 형성된 무기 필름이며, 장벽층의 단부는 폴리이미드 또는 아크릴로 형성된 유기 필름으로 피복된다. 몇 개의 실시형태에서는, 유기 필름은, 마더 패널이 셀 패널 단위로 부드럽게 절단되도록 보조한다.In some embodiments, the barrier layer is an inorganic film formed of, for example, SiNx, and ends of the barrier layer are covered with an organic film formed of polyimide or acrylic. In some embodiments, the organic film assists in smoothly cutting the mother panel into cell panel units.

몇 개의 실시형태에서는, 박막 트랜지스터(TFT)층은, 발광층과, 게이트 전극과, 소스/드레인 전극을 갖는다. 복수의 디스플레이 유닛의 각각은, 박막 트랜지스터(TFT)층과, TFT층 상에 형성된 평탄화 필름과, 평탄화 필름 상에 형성된 발광 유닛을 가져도 되고, 상기 인터페이스부에 도포된 유기 필름은, 상기 평탄화 필름의 재료와 동일한 재료로 형성되어, 상기 평탄화 필름의 형성과 동시에 형성된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 발광 유닛은, 부동태화층과, 그 사이의 평탄화 필름과, 발광 유닛을 피복하여 보호하는 캡슐화층에 의하여 TFT층과 연결된다. 상기 제조 방법 중 몇 개의 실시형태에서는, 상기 유기 필름은, 디스플레이 유닛에도 캡슐화층에도 연결되지 않는다.In some embodiments, a thin film transistor (TFT) layer has a light emitting layer, a gate electrode, and a source/drain electrode. Each of the plurality of display units may have a thin film transistor (TFT) layer, a flattening film formed on the TFT layer, and a light emitting unit formed on the flattening film, and the organic film applied to the interface portion is the flattening film. It is formed of the same material as the material of, and is formed simultaneously with the formation of the planarization film. In some embodiments, the light emitting unit is connected to the TFT layer by a passivation layer, a flattening film therebetween, and an encapsulation layer that covers and protects the light emitting unit. In some embodiments of the manufacturing method, the organic film is connected neither to the display unit nor to the encapsulation layer.

상기 유기 필름과 평탄화 필름의 각각은, 폴리이미드 및 아크릴 중 어느 하나를 포함해도 된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 장벽층은 무기 필름이어도 된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 베이스 기재는 폴리이미드로 형성되어도 된다. 상기 방법은 또한, 폴리이미드로 형성된 베이스 기재의 하나의 표면에 장벽층을 형성하기 전에, 당해 베이스 기재의 또 하나의 표면에 유리 재료로 형성된 캐리어 기재를 장착하는 공정과, 인터페이스부를 따른 절단 전에, 상기 캐리어 기재를 베이스 기재로부터 분리하는 공정을 포함해도 된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 OLED 디스플레이는 플렉시블한 디스플레이이다.Each of the organic film and the flattening film may contain any one of polyimide and acryl. In some embodiments, the barrier layer may be an inorganic film. In some embodiments, the base substrate may be formed of polyimide. The method also includes, before forming a barrier layer on one surface of a base substrate formed of polyimide, a step of mounting a carrier substrate formed of a glass material on another surface of the base substrate, and before cutting along the interface, A step of separating the carrier substrate from the base substrate may be included. In some embodiments, the OLED display is a flexible display.

몇 개의 실시형태에서는, 상기 부동태화층은, TFT층의 피복을 위하여 TFT층 상에 배치된 유기 필름이다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 평탄화 필름은, 부동태화층 상에 형성된 유기 필름이다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 평탄화 필름은, 장벽층의 단부에 형성된 유기 필름과 동일하게, 폴리이미드 또는 아크릴로 형성된다. 몇 개의 실시형태에서는, OLED 디스플레이의 제조 시, 상기 평탄화 필름 및 유기 필름은 동시에 형성된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 유기 필름은, 장벽층의 단부에 형성되어도 되고, 그로써, 당해 유기 필름의 일부가 직접 베이스 기재와 접촉하며, 당해 유기 필름의 나머지 부분이, 장벽층의 단부를 둘러싸면서, 장벽층과 접촉한다.In some embodiments, the passivation layer is an organic film disposed over the TFT layer to cover the TFT layer. In some embodiments, the planarization film is an organic film formed on the passivation layer. In some embodiments, the flattening film is formed of polyimide or acrylic, similar to the organic film formed at the end of the barrier layer. In some embodiments, in the manufacture of an OLED display, the planarization film and organic film are formed simultaneously. In some embodiments, the organic film may be formed at an end portion of the barrier layer, whereby a part of the organic film directly contacts the base substrate, and the remaining portion of the organic film surrounds the end portion of the barrier layer. , in contact with the barrier layer.

몇 개의 실시형태에서는, 상기 발광층은, 픽셀 전극과, 상대 전극과, 당해 픽셀 전극과 당해 상대 전극의 사이에 배치된 유기 발광층을 갖는다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 픽셀 전극은, TFT층의 소스/드레인 전극에 연결되어 있다.In some embodiments, the light emitting layer has a pixel electrode, a counter electrode, and an organic light emitting layer disposed between the pixel electrode and the counter electrode. In some embodiments, the pixel electrode is connected to the source/drain electrode of the TFT layer.

몇 개의 실시형태에서는, TFT층을 통하여 픽셀 전극에 전압이 인가될 때, 픽셀 전극과 상대 전극의 사이에 적절한 전압이 형성되며, 그로써 유기 발광층이 광을 방사하여, 그로써 화상이 형성된다. 이하, TFT층과 발광 유닛을 갖는 화상 형성 유닛을, 디스플레이 유닛이라고 칭한다.In some embodiments, when a voltage is applied to the pixel electrode through the TFT layer, an appropriate voltage is formed between the pixel electrode and the counter electrode, whereby the organic light emitting layer emits light, thereby forming an image. Hereinafter, an image forming unit having a TFT layer and a light emitting unit is referred to as a display unit.

몇 개의 실시형태에서는, 디스플레이 유닛을 피복하여, 외부의 수분의 침투를 방지하는 캡슐화층은, 유기 필름과 무기 필름이 교대로 적층되는 박막상의 캡슐화 구조에 형성되어도 된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 캡슐화층은, 복수의 박막이 적층된 박막상 캡슐화 구조를 갖는다. 몇 개의 실시형태에서는, 인터페이스부에 도포되는 유기 필름은, 복수의 디스플레이 유닛의 각각과 간격을 두고 배치된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 유기 필름은, 일부의 유기 필름이 직접 베이스 기재와 접촉하며, 유기 필름의 나머지 부분이 장벽층의 단부를 둘러싸는 한편 장벽층과 접촉하는 양태로 형성된다.In some embodiments, the encapsulation layer that covers the display unit and prevents permeation of external moisture may be formed on a thin-film encapsulation structure in which organic films and inorganic films are alternately laminated. In some embodiments, the encapsulation layer has a thin film encapsulation structure in which a plurality of thin films are laminated. In some embodiments, the organic film applied to the interface unit is disposed at intervals from each of the plurality of display units. In some embodiments, the organic film is formed in such a way that a portion of the organic film is in direct contact with the base substrate and a remaining portion of the organic film is in contact with the barrier layer while surrounding the ends of the barrier layer.

일 실시형태에서는, OLED 디스플레이는 플렉시블이며, 폴리이미드로 형성된 유연한 베이스 기재를 사용한다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 베이스 기재는 유리 재료로 형성된 캐리어 기재 상에 형성되고, 다음으로 당해 캐리어 기재가 분리된다.In one embodiment, the OLED display is flexible and uses a flexible base substrate formed of polyimide. In some embodiments, the base substrate is formed on a carrier substrate formed of a glass material, and then the carrier substrate is separated.

몇 개의 실시형태에서는, 장벽층은, 캐리어 기재의 반대 측의 베이스 기재의 표면에 형성된다. 일 실시형태에서는, 상기 장벽층은, 각 셀 패널의 사이즈에 따라 패턴화된다. 예를 들면, 베이스 기재가 마더 패널의 모든 표면 상에 형성되는 한편, 장벽층이 각 셀 패널의 사이즈에 따라 형성되고, 그로써, 셀 패널의 장벽층의 사이의 인터페이스부에 홈이 형성된다. 각 셀 패널은, 상기 홈을 따라 절단할 수 있다.In some embodiments, the barrier layer is formed on the surface of the base substrate on the opposite side of the carrier substrate. In one embodiment, the barrier layer is patterned according to the size of each cell panel. For example, a base substrate is formed on all surfaces of the mother panel, while a barrier layer is formed according to the size of each cell panel, whereby a groove is formed in an interface portion between the barrier layers of the cell panel. Each cell panel can be cut along the groove.

몇 개의 실시형태에서는, 상기의 제조 방법은, 추가로 인터페이스부를 따라 절단하는 공정을 포함하고, 거기에는 홈이 장벽층에 형성되며, 적어도 일부의 유기 필름이 홈에서 형성되어, 당해 홈이 베이스 기재에 침투하지 않는다. 몇 개의 실시형태에서는, 각 셀 패널의 TFT층이 형성되며, 무기 필름인 부동태화층과 유기 필름인 평탄화 필름이, TFT층 상에 배치되어, TFT층을 피복한다. 예를 들면 폴리이미드 또는 아크릴제의 평탄화 필름이 형성됨과 동시에, 인터페이스부의 홈은, 예를 들면 폴리이미드 또는 아크릴제의 유기 필름으로 피복된다. 이것은, 각 셀 패널이 인터페이스부에서 홈을 따라 절단될 때, 발생한 충격을 유기 필름에 흡수시킴으로써 금이 발생하는 것을 방지한다. 즉, 모든 장벽층이 유기 필름 없이 완전히 노출되어 있는 경우, 각 셀 패널이 인터페이스부에서 홈을 따라 절단될 때, 발생한 충격이 장벽층에 전달되며, 그로써 금이 발생하는 리스크가 증가한다. 그러나, 일 실시형태에서는, 장벽층 간의 인터페이스부의 홈이 유기 필름으로 피복되어, 유기 필름이 없으면 장벽층에 전달될 수 있는 충격을 흡수하기 위하여, 각 셀 패널을 소프트하게 절단하여, 장벽층에서 금이 발생하는 것을 방지해도 된다. 일 실시형태에서는, 인터페이스부의 홈을 피복하는 유기 필름 및 평탄화 필름은, 서로 간격을 두고 배치된다. 예를 들면, 유기 필름 및 평탄화 필름이 하나의 층으로서 서로 접속되어 있는 경우에는, 평탄화 필름과 유기 필름이 남아 있는 부분을 통하여 디스플레이 유닛에 외부의 수분이 침입할 우려가 있기 때문에, 유기 필름 및 평탄화 필름은, 유기 필름이 디스플레이 유닛으로부터 간격을 두고 배치되는 것과 같이, 서로 간격을 두고 배치된다.In some embodiments, the above manufacturing method further includes a step of cutting along the interface, wherein grooves are formed in the barrier layer, and at least a part of the organic film is formed in the grooves, so that the grooves are formed in the base substrate. do not penetrate into In some embodiments, a TFT layer of each cell panel is formed, and a passivation layer, which is an inorganic film, and a flattening film, which is an organic film, are disposed on the TFT layer to cover the TFT layer. At the same time as a flattening film made of, for example, polyimide or acrylic is formed, the grooves of the interface portion are covered with an organic film, for example, made of polyimide or acrylic. This prevents cracking by absorbing the impact generated when each cell panel is cut along the groove in the interface portion to the organic film. That is, when all the barrier layers are completely exposed without the organic film, when each cell panel is cut along the groove at the interface portion, the generated shock is transferred to the barrier layer, thereby increasing the risk of cracking. However, in one embodiment, the grooves of the interface between the barrier layers are covered with an organic film, and each cell panel is softly cut to break the barrier layer in order to absorb the impact that can be transmitted to the barrier layer without the organic film. You may prevent this from occurring. In one embodiment, the organic film and the flattening film covering the grooves of the interface portion are spaced apart from each other. For example, when the organic film and the flattening film are connected to each other as one layer, moisture from the outside may enter the display unit through a portion where the flattening film and the organic film remain, so that the organic film and the flattening film may enter the display unit. The films are spaced apart from each other, just as organic films are spaced apart from the display unit.

몇 개의 실시형태에서는, 디스플레이 유닛은, 발광 유닛의 형성에 의하여 형성되며, 캡슐화층은, 디스플레이 유닛을 피복하기 위하여 디스플레이 유닛 상에 배치된다. 이로써, 마더 패널이 완전히 제조된 후, 베이스 기재를 담지하는 캐리어 기재가 베이스 기재로부터 분리된다. 몇 개의 실시형태에서는, 레이저 광선이 캐리어 기재로 방사되면, 캐리어 기재는, 캐리어 기재와 베이스 기재의 사이의 열팽창률의 상위(相違)에 의하여, 베이스 기재로부터 분리된다.In some embodiments, the display unit is formed by forming a light emitting unit, and an encapsulation layer is disposed on the display unit to cover the display unit. Thus, after the mother panel is completely manufactured, the carrier substrate carrying the base substrate is separated from the base substrate. In some embodiments, when a laser beam is emitted to a carrier substrate, the carrier substrate is separated from the base substrate due to a difference in coefficient of thermal expansion between the carrier substrate and the base substrate.

몇 개의 실시형태에서는, 마더 패널은, 셀 패널 단위로 절단된다. 몇 개의 실시형태에서는, 마더 패널은, 커터를 이용하여 셀 패널 간의 인터페이스부를 따라 절단된다. 몇 개의 실시형태에서는, 마더 패널이 따라 절단되는 인터페이스부의 홈이 유기 필름으로 피복되어 있기 때문에, 절단 동안, 당해 유기 필름이 충격을 흡수한다. 몇 개의 실시형태에서는, 절단 동안, 장벽층에서 금이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In some embodiments, the mother panel is cut in units of cell panels. In some embodiments, the mother panel is cut along the interface between the cell panels using a cutter. In some embodiments, since the groove of the interface portion along which the mother panel is cut is covered with an organic film, the organic film absorbs impact during cutting. In some embodiments, cracking in the barrier layer can be prevented during cutting.

몇 개의 실시형태에서는, 상기 방법은 제품의 불량률을 감소시켜, 그 품질을 안정시킨다.In some embodiments, the method reduces the reject rate of a product, thereby stabilizing its quality.

다른 양태는, 베이스 기재 상에 형성된 장벽층과, 장벽층 상에 형성된 디스플레이 유닛과, 디스플레이 유닛 상에 형성된 캡슐화층과, 장벽층의 단부에 도포된 유기 필름을 갖는 OLED 디스플레이이다.Another aspect is an OLED display having a barrier layer formed on a base substrate, a display unit formed on the barrier layer, an encapsulation layer formed on the display unit, and an organic film applied to an end of the barrier layer.

실시예Example

이하에 합성예와 실시예를 들어 본 발명의 특징을 더 구체적으로 설명한다. 이하에 나타내는 재료, 처리 내용, 처리 수순 등은, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한 적절히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 의하여 한정적으로 해석되어야 하는 것은 아니다. 또한, 발광 특성의 평가는, 소스 미터(키슬리사제: 2400시리즈), 반도체 파라미터·애널라이저(애질런트·테크놀로지사제: E5273A), 광 파워미터 측정 장치(뉴 포트사제: 1930C), 광학 분광기(오션 옵틱스사제: USB2000), 분광 방사계(톱콘사제: SR-3) 및 스트리크 카메라(하마마쓰 포토닉스(주)제 C4334형)를 이용하여 행했다.The characteristics of the present invention will be described in more detail by way of synthetic examples and examples below. Materials, processing details, processing procedures, and the like described below can be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limitedly interpreted by the specific examples shown below. In addition, the evaluation of luminous properties was carried out using a source meter (Keithley: 2400 series), a semiconductor parameter analyzer (Agilent Technologies: E5273A), an optical power meter measuring device (Newport: 1930C), an optical spectrometer (Ocean Optics) It was performed using a spectroradiometer (manufactured by Topcon: SR-3) and a streak camera (model C4334 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.).

(합성예 1) 화합물 C1의 합성(Synthesis Example 1) Synthesis of Compound C1

[화학식 31][Formula 31]

Figure pct00077
Figure pct00077

질소 기류하에서, 탄산 칼륨(1.04g, 7.5mmol), 벤조퓨로[2,3-c]카바졸(1.61g, 6.3mmol) 및 4,6-다이플루오로-5-페닐아이소프탈로나이트릴(0.60mmol, 2.5mmol)을 다이메틸폼아마이드(20mL) 중, 100℃에서 9시간 반응했다. 그 후, 실온으로 되돌려, 물과 메탄올을 더하고 반응을 정지했다. 석출한 황색 고체를 여과하고, 물을 실리카젤 칼럼 크로마토그래피(톨루엔) 및 재침전(톨루엔/메탄올)으로 정제하여, 황색 고체의 화합물 C1(1.33g, 수율 76%)을 얻었다.Under a nitrogen stream, potassium carbonate (1.04 g, 7.5 mmol), benzofuro[2,3-c]carbazole (1.61 g, 6.3 mmol) and 4,6-difluoro-5-phenylisophthalonitrile (0.60 mmol, 2.5 mmol) was reacted in dimethylformamide (20 mL) at 100°C for 9 hours. Then, it returned to room temperature, water and methanol were added, and reaction was stopped. The precipitated yellow solid was filtered, and water was purified by silica gel column chromatography (toluene) and reprecipitation (toluene/methanol) to obtain compound C1 (1.33 g, yield 76%) as a yellow solid.

1H NMR(400MHz, CDCl3, δ): 8.49(s, 1H), 8.43(d, J=7.6Hz, 2H), 7.96-7.91(m, 4H), 7.70(d, J=7.6Hz, 2H), 7.47-7.36(m, 8H), 7.14-7.11(m, 2H), 7.10-7.07(m, 2H), 6.52-6.46(m, 3H), 6.37(t, J=7.6Hz, 2H).1H NMR (400MHz, CDCl 3 , δ): 8.49 (s, 1H), 8.43 (d, J=7.6Hz, 2H), 7.96-7.91 (m, 4H), 7.70 (d, J=7.6Hz, 2H) ), 7.47-7.36 (m, 8H), 7.14-7.11 (m, 2H), 7.10-7.07 (m, 2H), 6.52-6.46 (m, 3H), 6.37 (t, J=7.6 Hz, 2H).

MS(ASAP): 715.34(M+H+). Calcd for C50H26N4O2: 714.21.MS (ASAP): 715.34 (M+H + ). Calcd for C 50 H 26 N 4 O 2 : 714.21.

(합성예 2) 화합물 C2의 합성(Synthesis Example 2) Synthesis of Compound C2

[화학식 32][Formula 32]

Figure pct00078
Figure pct00078

화합물 C1(2.40g, 3.4mmol), 4-브로모벤조나이트릴(1.17g, 5.0mmol), 탄산 칼륨(0.93g, 6.7mmol), 2-에틸헥산산(0.10mg, 0.7mmol), 트라이사이클로헥실포스핀(0.10g, 0.5mmol) 및 다이클로로비스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0.20g, 0.3mmol)를 질소 기류하에서 자일렌(30mL)에 용해시켜, 120℃에서 18시간 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌려, 셀라이트 여과에 의하여 난용물을 제거했다. 감압 증류 제거에 의하여 여과액을 농축 후, 잔사를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피(클로로폼/헥세인=2/1) 및 재침전(톨루엔/메탄올)으로 정제하여, 백색 고체의 화합물 C2(1.90g, 수율 68%)를 얻었다.Compound C1 (2.40 g, 3.4 mmol), 4-bromobenzonitrile (1.17 g, 5.0 mmol), potassium carbonate (0.93 g, 6.7 mmol), 2-ethylhexanoic acid (0.10 mg, 0.7 mmol), tricyclo Hexylphosphine (0.10 g, 0.5 mmol) and dichlorobis(triphenylphosphine)palladium (0.20 g, 0.3 mmol) were dissolved in xylene (30 mL) under a nitrogen stream, and the mixture was stirred at 120°C for 18 hours. The mixture was returned to room temperature, and insoluble matter was removed by celite filtration. After concentrating the filtrate by distillation under reduced pressure, the residue was purified by silica gel column chromatography (chloroform/hexane = 2/1) and reprecipitation (toluene/methanol) to obtain compound C2 as a white solid (1.90 g, Yield 68%) was obtained.

1H NMR(400MHz, CDCl3, δ): 8.43(d, J=7.6Hz, 2H), 8.00-7.92(m, 8H), 7.70(d, J=8.0Hz, 2H), 7.48-7.36(m, 8H), 7.19(d, J=8.0Hz, 2H), 7.14(d, J=8.0Hz, 2H), 6.54-6.50(m, 3H), 6.40(t, J=7.6Hz, 2H). 1 H NMR (400 MHz, CDCl 3 , δ): 8.43 (d, J=7.6 Hz, 2H), 8.00-7.92 (m, 8H), 7.70 (d, J=8.0 Hz, 2H), 7.48-7.36 (m , 8H), 7.19 (d, J = 8.0 Hz, 2H), 7.14 (d, J = 8.0 Hz, 2H), 6.54-6.50 (m, 3H), 6.40 (t, J = 7.6 Hz, 2H).

MS(ASAP): 816.45(M+H+). Calcd for C57H29N5O2: 815.23.MS (ASAP): 816.45 (M+H + ). Calcd for C 57 H 29 N 5 O 2 : 815.23.

(합성예 3) 화합물 C3의 합성(Synthesis Example 3) Synthesis of Compound C3

[화학식 33][Formula 33]

Figure pct00079
Figure pct00079

질소 기류하에서, 탄산 칼륨(1.22g, 8.8mmol), 벤조퓨로[2,3-c]카바졸(2.00g, 7.4mmol) 및 4,6-다이플루오로-5-페닐아이소프탈로나이트릴(0.77mmol, 3.0mmol)을 다이메틸폼아마이드(36mL) 중, 80℃에서 2시간 반응했다. 그 후, 실온으로 되돌려, 물을 더하고 반응을 정지했다. 반응 혼합물에 클로로폼을 더하고 분액하여, 유기층을 황산 마그네슘으로 건조했다. 용매를 감압 증류 제거 후, 잔사를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피(톨루엔)로 정제함으로써 황색 고체의 화합물 C3(2.25g, 수율 90%)을 얻었다.Under a nitrogen stream, potassium carbonate (1.22 g, 8.8 mmol), benzofuro[2,3-c]carbazole (2.00 g, 7.4 mmol) and 4,6-difluoro-5-phenylisophthalonitrile (0.77 mmol, 3.0 mmol) was reacted in dimethylformamide (36 mL) at 80°C for 2 hours. Then, it returned to room temperature, water was added, and reaction was stopped. Chloroform was added to the reaction mixture to separate the mixture, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. After distilling off the solvent under reduced pressure, the residue was purified by silica gel column chromatography (toluene) to obtain compound C3 (2.25 g, yield 90%) as a yellow solid.

1H NMR(400MHz, CDCl3, δ): 8.44(s, 1H), 8.22(d, J=5.2Hz, 2H), 7.92(t, J=7.2Hz, 2H), 7.88-7.81(m, 2H), 7.69(d, J=8.0Hz, 2H), 7.45-7.40(m, 2H), 7.38-7.33(m, 2H), 7.27-7.26(m, 1H), 7.22(t, J=8.4Hz, 1H), 7.07-6.95(m, 4H) , 6.49-6.46(m, 3H), 6.40-6.36(m, 2H), 2.56(d, J=7.2Hz, 6H).1H NMR (400MHz, CDCl 3 , δ): 8.44 (s, 1H), 8.22 (d, J=5.2Hz, 2H), 7.92 (t, J=7.2Hz, 2H), 7.88-7.81 (m, 2H) ), 7.69(d, J=8.0Hz, 2H), 7.45-7.40(m, 2H), 7.38-7.33(m, 2H), 7.27-7.26(m, 1H), 7.22(t, J=8.4Hz, 1H), 7.07-6.95 (m, 4H), 6.49-6.46 (m, 3H), 6.40-6.36 (m, 2H), 2.56 (d, J=7.2 Hz, 6H).

MS(ASAP): 743.28[(M+H)+, cal. C52H31N4O2, 743.24].MS(ASAP): 743.28 [(M+H) + , cal. C 52 H 31 N 4 O 2 , 743.24].

(합성예 4) 화합물 C4의 합성(Synthesis Example 4) Synthesis of Compound C4

[화학식 34][Formula 34]

Figure pct00080
Figure pct00080

질소 기류하에서, 수소화 나트륨(0.30g, 7.5mmol), 11-페닐-11,12-다이하이드로인돌로[2,3-a]카바졸(2.08g, 6.3mmol)을 THF(20mL) 중, 실온에서 1시간 교반 후, 테트라하이드로퓨란(50ml)에 용해시킨 4,6-다이플루오로-5-페닐아이소프탈로나이트릴(1.50g, 6.24mmol) 적하로 더했다. 5시간 실온에서 반응한 후, 물을 더하여 반응을 정지시켰다. 반응 혼합물에 클로로폼을 더하고 분액하여, 유기층을 황산 마그네슘으로 건조했다. 용매를 감압 증류 제거 후, 잔사를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피(톨루엔)로 정제함으로써 황색 고체의 중간체 1(1.82g, 수율 53%)을 얻었다.Sodium hydride (0.30 g, 7.5 mmol) and 11-phenyl-11,12-dihydroindolo[2,3-a]carbazole (2.08 g, 6.3 mmol) were dissolved in THF (20 mL) at room temperature under a nitrogen stream. After stirring for 1 hour, 4,6-difluoro-5-phenylisophthalonitrile (1.50 g, 6.24 mmol) dissolved in tetrahydrofuran (50 ml) was added dropwise. After reacting at room temperature for 5 hours, water was added to stop the reaction. Chloroform was added to the reaction mixture to separate the mixture, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. After distilling off the solvent under reduced pressure, the residue was purified by silica gel column chromatography (toluene) to obtain intermediate 1 (1.82 g, yield 53%) as a yellow solid.

1H NMR(400MHz, CDCl3, δ): 8.10(d, J=8.4Hz, 1H), 7.99(d, J=7.6Hz, 1H), 7.78(s, 1H), 7.61(d, J=6.4Hz, 1H), 7.48-7.40(m, 4H), 7.36-7.20(m, 7H), 6.84-6.82(br, 1H), 6.70(t, J=7.6Hz, 1H), 6.40(t, J=7.6Hz, 2H), 6.06(br, 1H); MS(ASAP): 553.70[(M+H)+, cal. C38H22FN4, 553.18].1H NMR (400MHz, CDCl 3 , δ): 8.10 ( d , J=8.4Hz, 1H), 7.99 (d, J=7.6Hz, 1H), 7.78 (s, 1H), 7.61 (d, J=6.4 Hz, 1H), 7.48-7.40 (m, 4H), 7.36-7.20 (m, 7H), 6.84-6.82 (br, 1H), 6.70 (t, J=7.6Hz, 1H), 6.40 (t, J= 7.6Hz, 2H), 6.06(br, 1H); MS(ASAP): 553.70 [(M+H) + , cal. C 38 H 22 FN 4 , 553.18].

질소 기류하에서, 탄산 칼륨(0.36g, 2.6mmol), 벤조퓨로[2,3-c]카바졸(0.54g, 2.1mmol) 및 중간체 1(0.96mmol, 1.7mmol)을 다이메틸폼아마이드(17mL) 중, 실온에서 4시간 반응했다. 물을 더함으로써 반응을 정지하여, 반응 혼합물에 클로로폼을 더하고 분액하여, 유기층을 황산 마그네슘으로 건조했다. 용매를 감압 증류 제거 후, 잔사를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피(톨루엔)로 정제함으로써 황색 고체의 화합물 C4(1.36g, 수율 99%)를 얻었다.Under a nitrogen stream, potassium carbonate (0.36g, 2.6mmol), benzofuro[2,3-c]carbazole (0.54g, 2.1mmol) and intermediate 1 (0.96mmol, 1.7mmol) were mixed with dimethylformamide (17mL). ), and reacted at room temperature for 4 hours. The reaction was stopped by adding water, chloroform was added to the reaction mixture, the mixture was separated, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. After distilling off the solvent under reduced pressure, the residue was purified by silica gel column chromatography (toluene) to obtain Compound C4 (1.36 g, yield 99%) as a yellow solid.

1H NMR(400MHz, CDCl3, δ): 8.78(s, 1.00), 8.55(d, J=8.8Hz, 0.54), 8.27-8.19(m, 2.38), 8.02-7.97(m, 1.55), 7.89-7.83(m, 2.85), 7.94-7.75(m, 1.99), 7.70-7.62(m, 1.98), 7.59-7.43(m, 6.17), 7.39-7.34(m, 0.51), 7.29-7.26(m, 2.61), 7.21-7.16(m, 1.02), 7.06-6.99(m, 1.00), 6.81(br, 0.90), 6.67-6.61(m, 1.00), 6.15(t, J=7.6Hz, 0.5), 6.09(t, J=7.6Hz, 0.5), 5.91(br, 1.87), 5.57(br, 0.90), 5.29(br, 0.90); MS(ASAP): 790.31[(M+H)+, cal. C56H32N4O, 790.25]. 1 H NMR (400 MHz, CDCl 3 , δ): 8.78 (s, 1.00), 8.55 (d, J=8.8 Hz, 0.54), 8.27-8.19 (m, 2.38), 8.02-7.97 (m, 1.55), 7.89 -7.83 (m, 2.85), 7.94-7.75 (m, 1.99), 7.70-7.62 (m, 1.98), 7.59-7.43 (m, 6.17), 7.39-7.34 (m, 0.51), 7.29-7.26 (m, 2.61), 7.21-7.16(m, 1.02), 7.06-6.99(m, 1.00), 6.81(br, 0.90), 6.67-6.61(m, 1.00), 6.15(t, J=7.6Hz, 0.5), 6.09 (t, J = 7.6 Hz, 0.5), 5.91 (br, 1.87), 5.57 (br, 0.90), 5.29 (br, 0.90); MS(ASAP): 790.31 [(M+H) + , cal. C 56 H 32 N 4 O, 790.25].

(합성예 5) 화합물 C5의 합성(Synthesis Example 5) Synthesis of Compound C5

[화학식 35][Formula 35]

Figure pct00081
Figure pct00081

질소 기류하에서, 수소화 나트륨(0.30g, 7.5mmol), 5-페닐-5,12-다이하이드로인돌로[3,2-a]카바졸을 THF(50mL) 중, 실온에서 1시간 교반 후, THF(50ml)에 용해시킨 4,6-다이플루오로-5-페닐아이소프탈로나이트릴(1.49g, 6.20mmol) 적하로 더했다. 15시간 실온에서 반응한 후, 물로 반응을 정지시켰다. 반응 혼합물에 클로로폼을 더하고 분액하여, 유기층을 황산 마그네슘으로 건조했다. 용매를 감압 증류 제거 후, 잔사를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피(톨루엔)로 정제함으로써 황색 고체의 중간체 2(1.70g, 수율 50%)를 얻었다.Under a nitrogen stream, sodium hydride (0.30 g, 7.5 mmol) and 5-phenyl-5,12-dihydroindolo[3,2-a]carbazole were stirred in THF (50 mL) at room temperature for 1 hour, followed by stirring in THF 4,6-difluoro-5-phenylisophthalonitrile (1.49 g, 6.20 mmol) dissolved in (50 ml) was added dropwise. After reacting at room temperature for 15 hours, the reaction was stopped with water. Chloroform was added to the reaction mixture to separate the mixture, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. After distilling off the solvent under reduced pressure, the residue was purified by silica gel column chromatography (toluene) to obtain intermediate 2 (1.70 g, yield 50%) as a yellow solid.

1H NMR(400MHz, CDCl3, δ): 9.05(d, J=6.4Hz, 1H), 8.16(d, J=8.8Hz, 1H), 8.09-8.07(m, 1H), 7.72-7.68(m, 2H), 7.61-7.57(m, 3H), 7.37-7.29(m, 2H), 7.27-7.19(m, 4H), 7.14-7.02(m, 2H), 6.99-6.95(m, 4H), 6.21(d, J=8.0Hz, 1H).1H NMR (400MHz, CDCl 3 , δ): 9.05 ( d , J=6.4Hz, 1H), 8.16 (d, J=8.8Hz, 1H), 8.09-8.07 (m, 1H), 7.72-7.68 (m , 2H), 7.61-7.57 (m, 3H), 7.37-7.29 (m, 2H), 7.27-7.19 (m, 4H), 7.14-7.02 (m, 2H), 6.99-6.95 (m, 4H), 6.21 (d, J=8.0Hz, 1H).

MS(ASAP): 553.40[(M+H)+, cal. C38H22FN4, 553.18].MS(ASAP): 553.40 [(M+H) + , cal. C 38 H 22 FN 4 , 553.18].

질소 기류하에서, 탄산 칼륨(0.43g, 3.1mmol), 벤조퓨로[2,3-c]카바졸(0.66g, 2.6mmol) 및 중간체 2(1.30mmol, 2.4mmol)를 다이메틸폼아마이드(25mL) 중, 실온에서 4시간 반응했다. 물을 더함으로써 반응을 정지하여, 반응 혼합물에 클로로폼을 더하고 분액하여, 유기층을 황산 마그네슘으로 건조했다. 용매를 감압 증류 제거 후, 잔사를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피(톨루엔)로 정제함으로써 황색 고체의 화합물 C5(1.63g, 수율 88%)를 얻었다.Under a nitrogen stream, potassium carbonate (0.43g, 3.1mmol), benzofuro[2,3-c]carbazole (0.66g, 2.6mmol) and intermediate 2 (1.30mmol, 2.4mmol) were mixed with dimethylformamide (25mL). ), and reacted at room temperature for 4 hours. The reaction was stopped by adding water, chloroform was added to the reaction mixture, the mixture was separated, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. After distilling off the solvent under reduced pressure, the residue was purified by silica gel column chromatography (toluene) to obtain compound C5 (1.63 g, yield 88%) as a yellow solid.

1H NMR(400MHz, CDCl3, δ): 9.44(s, 1H), 8.22-8.17(m, 1H), 8.12-8.07(m, 1H), 7.76(d, J=8.0Hz, 1H), 7.69-7.26(m, 17H), 7.08(d, J=8.4Hz, 1H), 6.54-6.49(m, 1H), 6.40-6.03(m, 5H).1H NMR (400MHz, CDCl 3 , δ): 9.44 (s, 1H), 8.22-8.17 (m, 1H), 8.12-8.07 (m, 1H), 7.76 (d, J=8.0Hz, 1H), 7.69 -7.26 (m, 17H), 7.08 (d, J=8.4 Hz, 1H), 6.54-6.49 (m, 1H), 6.40-6.03 (m, 5H).

MS(ASAP): 790.37[(M+H)+, cal. C56H32N4O, 790.25].MS(ASAP): 790.37 [(M+H) + , cal. C 56 H 32 N 4 O, 790.25].

(합성예 6) 화합물 C6의 합성(Synthesis Example 6) Synthesis of Compound C6

[화학식 36][Formula 36]

Figure pct00082
Figure pct00082

질소 기류하에서, 인산 칼륨(1.74g, 8.2mmol), 5-페닐-5,12-다이하이드로인돌로[3,2-a]카바졸(2.28g, 6.8mmol) 및 4,6-다이플루오로-5-페닐아이소프탈로나이트릴(0.66g, 2.7mmol)를 다이메틸폼아마이드(30mL) 중, 110℃에서 6시간 반응했다. 반응 후, 실온에서 물을 더함으로써 반응을 정지하여, 반응 혼합물에 클로로폼을 더하고 분액하여, 유기층을 황산 마그네슘으로 건조했다. 용매를 감압 증류 제거 후, 잔사를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피(톨루엔)로 정제함으로써 황색 고체의 화합물 C6(0.97g, 수율 41%)을 얻었다.Under a nitrogen stream, potassium phosphate (1.74 g, 8.2 mmol), 5-phenyl-5,12-dihydroindolo[3,2-a]carbazole (2.28 g, 6.8 mmol) and 4,6-difluoro -5-phenylisophthalonitrile (0.66 g, 2.7 mmol) was reacted in dimethylformamide (30 mL) at 110°C for 6 hours. After the reaction, the reaction was stopped by adding water at room temperature, chloroform was added to the reaction mixture, the mixture was separated, and the organic layer was dried with magnesium sulfate. After distilling off the solvent under reduced pressure, the residue was purified by silica gel column chromatography (toluene) to obtain compound C6 (0.97 g, yield 41%) as a yellow solid.

1H NMR(400MHz, CDCl3, δ): 9.57(s, 1H), 8.01(d, J=7.6Hz, 2H), 7.91(d, J=8.4Hz, 2H), 7.64-7.60(m, 4H), 7.54-7.50(m, 4H), 7.42-7.35(m, 10H), 7.26(t, J=8.0Hz, 2H), 7.22-7.19(m, 2H), 6.91(d, J=8.4Hz, 2H), 6.52-6.49(m, 2H), 6.21(t, J=7.2Hz, 1H), 5.78(t, J=8.0Hz, 2H), 5.22(d, J=7.6Hz, 2H).1H NMR (400MHz, CDCl 3 , δ): 9.57 (s, 1H), 8.01 (d, J=7.6Hz, 2H), 7.91 (d, J=8.4Hz, 2H), 7.64-7.60 (m, 4H) ), 7.54-7.50(m, 4H), 7.42-7.35(m, 10H), 7.26(t, J=8.0Hz, 2H), 7.22-7.19(m, 2H), 6.91(d, J=8.4Hz, 2H), 6.52-6.49 (m, 2H), 6.21 (t, J=7.2 Hz, 1H), 5.78 (t, J=8.0 Hz, 2H), 5.22 (d, J=7.6 Hz, 2H).

MS(ASAP): 865.47[(M+H)+, cal. C62H37N6, 865.30].MS(ASAP): 865.47 [(M+H) + , cal. C 62 H 37 N 6 , 865.30].

(합성예 7) 화합물 C7의 합성(Synthesis Example 7) Synthesis of Compound C7

[화학식 37][Formula 37]

Figure pct00083
Figure pct00083

질소 기류하에서, 수소화 나트륨(0.19g, 4.7mmol), 벤조퓨로[3,2-c]카바졸(1.02g, 4.0mmol)을 테트라하이드로퓨란(15mL) 중, 0℃에서 30분간 교반 후, 4,6-다이플루오로-5-페닐아이소프탈로나이트릴을 더했다. 반응 용액을 40℃로 승온하여 6시간 반응한 후, 실온으로 되돌려, 물과 메탄올로 반응을 정지했다. 석출한 황색 고체를 여과하고, 물을 실리카젤 칼럼 크로마토그래피(톨루엔/헥세인=4/1) 및 재침전(톨루엔/메탄올)으로 정제하여, 황색 고체의 화합물 C7(0.98g, 수율 78%)을 얻었다.Under a nitrogen stream, sodium hydride (0.19g, 4.7mmol) and benzofuro[3,2-c]carbazole (1.02g, 4.0mmol) were stirred in tetrahydrofuran (15mL) at 0°C for 30 minutes, 4,6-difluoro-5-phenylisophthalonitrile was added. After raising the temperature of the reaction solution to 40°C and reacting for 6 hours, the temperature was returned to room temperature and the reaction was stopped with water and methanol. The precipitated yellow solid was filtered, and the water was purified by silica gel column chromatography (toluene/hexane = 4/1) and reprecipitation (toluene/methanol) to obtain compound C7 as a yellow solid (0.98 g, yield 78%) got

1H NMR(400MHz, CDCl3, δ): 8.44(d, J=8.0Hz, 2H), 7.99-7.95(m, 4H), 7.89-7.86(m, 2H), 7.73-7.63(m, 5H), 7.49-7.45(m, 4H), 7.42-7.37(m, 4H), 7.25(d, J=8.4Hz, 2H), 7.23(d,J=8.8Hz, 2H), 6.56-6.50(m, 3H), 6.40(t, J=7.6Hz, 2H). 1 H NMR (400 MHz, CDCl 3 , δ): 8.44 (d, J=8.0 Hz, 2H), 7.99-7.95 (m, 4H), 7.89-7.86 (m, 2H), 7.73-7.63 (m, 5H) , 7.49-7.45(m, 4H), 7.42-7.37(m, 4H), 7.25(d, J=8.4Hz, 2H), 7.23(d,J=8.8Hz, 2H), 6.56-6.50(m, 3H) ), 6.40 (t, J=7.6 Hz, 2H).

MS(ASAP): 791.26(M+H+). Calcd for C56H30N4O2: 790.24MS (ASAP): 791.26 (M+H + ). Calcd for C 56 H 30 N 4 O 2 : 790.24

(합성예 8) 화합물 C8의 합성(Synthesis Example 8) Synthesis of Compound C8

[화학식 38][Formula 38]

Figure pct00084
Figure pct00084

질소 기류하에서, 수소화 나트륨(0.49g, 11.8mmol), 벤조퓨로[3,2-c]카바졸(2.54g, 9.9mmol)을 테트라하이드로퓨란(20mL) 중, 0℃에서 30분간 교반 후, 4,5-다이플루오로-6-페닐아이소프탈로나이트릴을 더했다. 반응 용액을 실온으로 되돌려 6시간 실온에서 반응한 후, 물과 메탄올로 반응을 정지했다. 석출한 황색 고체를 여과하고, 물을 실리카젤 칼럼 크로마토그래피(톨루엔/클로로폼=10/1) 및 재침전(톨루엔/메탄올)으로 정제하여, 황색 고체의 화합물 C8(0.48g, 수율 17%)을 얻었다.Under a nitrogen stream, sodium hydride (0.49g, 11.8mmol) and benzofuro[3,2-c]carbazole (2.54g, 9.9mmol) were stirred in tetrahydrofuran (20mL) at 0°C for 30 minutes, 4,5-difluoro-6-phenylisophthalonitrile was added. After returning the reaction solution to room temperature and reacting at room temperature for 6 hours, the reaction was stopped with water and methanol. The precipitated yellow solid was filtered, and the water was purified by silica gel column chromatography (toluene/chloroform = 10/1) and reprecipitation (toluene/methanol) to obtain compound C8 as a yellow solid (0.48 g, yield 17%) got

1H NMR(400MHz, CDCl3, δ): (With the presence of stereoisomers in the sample, the proton number is displayed as a relative ratio.) 8.53(s, 1H), 8.12(t, J=7.6Hz, 1H), 7.97-7.94(m, 1H), 7.89-7.74(m, 2H), 7.67(d, J=8.4Hz, 0.5H), 7.59-7.50(m, 3H), 7.45(d, J=8.4Hz, 0.5H), 7.41-7.28(m, 4H), 7.22-7.17(m, 0.5H), 7.14-6.97(m, 10H), 6.90-6.84(m, 2.5H). 1 H NMR (400 MHz, CDCl 3 , δ): (With the presence of stereoisomers in the sample, the proton number is displayed as a relative ratio.) 8.53(s, 1H), 8.12(t, J=7.6Hz, 1H ), 7.97-7.94(m, 1H), 7.89-7.74(m, 2H), 7.67(d, J=8.4Hz, 0.5H), 7.59-7.50(m, 3H), 7.45(d, J=8.4Hz) , 0.5H), 7.41-7.28 (m, 4H), 7.22-7.17 (m, 0.5H), 7.14-6.97 (m, 10H), 6.90-6.84 (m, 2.5H).

MS(ASAP): 715.38(M+H+). Calcd for C50H26N4O2: 714.21MS (ASAP): 715.38 (M+H + ). Calcd for C 50 H 26 N 4 O 2 : 714.21

(합성예 9) 화합물 C9의 합성(Synthesis Example 9) Synthesis of Compound C9

[화학식 39][Formula 39]

Figure pct00085
Figure pct00085

질소 기류하, 탄산 세슘(1.30g, 4.0mmol), 5-페닐-5,11-다이하이드로인돌로[3,2-a]카바졸(0.78g, 2.3mmol) 및 4,6-다이플루오로-5-페닐아이소프탈로나이트릴(0.24g, 1.0mmol)을 다이메틸폼아마이드(20mL) 중, 80℃에서 12시간 반응했다. 반응 후, 실온에서 물을 더함으로써 반응을 정지하여, 반응 혼합물에 클로로폼을 더하고 분액하여, 유기층을 황산 마그네슘으로 건조했다. 용매를 감압 증류 제거 후, 잔사를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피(톨루엔) 및 재침전(톨루엔/메탄올)으로 정제함으로써 황색 고체의 화합물 C9(0.17g, 수율 22%)를 얻었다.Under a nitrogen stream, cesium carbonate (1.30 g, 4.0 mmol), 5-phenyl-5,11-dihydroindolo[3,2-a]carbazole (0.78 g, 2.3 mmol) and 4,6-difluoro -5-phenylisophthalonitrile (0.24 g, 1.0 mmol) was reacted in dimethylformamide (20 mL) at 80°C for 12 hours. After the reaction, the reaction was stopped by adding water at room temperature, chloroform was added to the reaction mixture, the mixture was separated, and the organic layer was dried with magnesium sulfate. After distilling off the solvent under reduced pressure, the residue was purified by silica gel column chromatography (toluene) and reprecipitation (toluene/methanol) to obtain compound C9 (0.17 g, yield 22%) as a yellow solid.

1H NMR(400MHz, CDCl3, δ): 8.53(d, J=7.6Hz, 1H), 8.21(d, J=8.0Hz, 1H), 8.15(d, J=8.0Hz, 1H), 7.89-7.96(m,4H), 7.85(s, 1H), 7.78(s, 1H), 7.07-7.66(m, 22H), 6.95(d, J=8.0Hz, 1H), 6.40-6.58(m, 3H), 6.34(t, J=8.0Hz, 2H).1H NMR (400MHz, CDCl 3 , δ): 8.53 ( d , J=7.6Hz, 1H), 8.21 (d, J=8.0Hz, 1H), 8.15 (d, J=8.0Hz, 1H), 7.89- 7.96(m,4H), 7.85(s, 1H), 7.78(s, 1H), 7.07-7.66(m, 22H), 6.95(d, J=8.0Hz, 1H), 6.40-6.58(m, 3H) , 6.34(t, J=8.0 Hz, 2H).

MS(ASAP): 865.58(M+H+). Calcd for C62H36N6: 864.30MS (ASAP): 865.58 (M+H + ). Calcd for C 62 H 36 N 6 : 864.30

(합성예 10) 화합물 C10의 합성(Synthesis Example 10) Synthesis of Compound C10

합성예 1과 동일한 수법에 의하여 화합물 C10을 합성했다(수율 84%).Compound C10 was synthesized by the same method as in Synthesis Example 1 (yield: 84%).

[화학식 40][Formula 40]

Figure pct00086
Figure pct00086

1H NMR(400MHz, CDCl3, δ): 8.62(s, 2H), 8.51(s, 1H), 7.99-7.90(m, 4H), 7.79-7.71(m, 6H), 7.69-7.64(m, 2H), 7.52-7.44(m, 6H), 7.39-7.35(m, 4H), 7.21-7.18(m, 2H), 7.09-7.06(m, 2H), 6.58-6.50(m, 3H), 6.41(t, J=8.4Hz, 2H). 1 H NMR (400 MHz, CDCl 3 , δ): 8.62 (s, 2H), 8.51 (s, 1H), 7.99-7.90 (m, 4H), 7.79-7.71 (m, 6H), 7.69-7.64 (m, 2H), 7.52-7.44(m, 6H), 7.39-7.35(m, 4H), 7.21-7.18(m, 2H), 7.09-7.06(m, 2H), 6.58-6.50(m, 3H), 6.41( t, J = 8.4 Hz, 2H).

MS(ASAP): 867.50(M+H+). Calcd for C62H34N4O2: 866.27.MS (ASAP): 867.50 (M+H + ). Calcd for C 62 H 34 N 4 O 2 : 866.27.

(합성예 11) 화합물 C11의 합성(Synthesis Example 11) Synthesis of Compound C11

합성예 1과 동일한 수법에 의하여 화합물 C11을 합성했다(수율 78%).Compound C11 was synthesized by the same method as in Synthesis Example 1 (yield: 78%).

[화학식 41][Formula 41]

Figure pct00087
Figure pct00087

1H NMR(400MHz, CDCl3, δ): 8.62(s, 2H), 8.51(s, 1H), 7.96-7.91(m, 4H), 7.72(d, J=8.2Hz, 2H), 7.70-7.64(m, 2H), 7.46-7.37(m, 2H), 7.21-7.19(m, 2H), 7.09-7.06(m, 2H),1H NMR (400MHz, CDCl 3 , δ): 8.62 (s, 2H), 8.51 (s, 1H), 7.96-7.91 (m, 4H), 7.72 (d, J=8.2Hz, 2H), 7.70-7.64 (m, 2H), 7.46-7.37 (m, 2H), 7.21-7.19 (m, 2H), 7.09-7.06 (m, 2H),

MS(ASAP): 882.21(M+H+). Calcd for C62H19D15N4O2: 881.36.MS(ASAP): 882.21(M+H + ). Calcd for C 62 H 19 D 15 N 4 O 2 : 881.36.

(합성예 12) 화합물 C12의 합성(Synthesis Example 12) Synthesis of Compound C12

합성예 1과 동일한 수법에 의하여 화합물 C12를 합성했다(수율 78%).Compound C12 was synthesized by the same method as in Synthesis Example 1 (yield: 78%).

[화학식 42][Formula 42]

Figure pct00088
Figure pct00088

1H NMR(400MHz, DMSO, δ): 9.48(s,1H), 8.51(s, 1H), 8.29(d, J=8.4Hz, 4H), 8.19(d, J=8.4Hz, 4H), 7.91(m J=8.4Hz, 4H), 7.84(t, J=6.8Hz, 4H), 7.45(t, J=6.8Hz, 4H), 6.73(t, J=7.2Hz ,2H), 6.38(t, J=7.2Hz ,3H), 1 H NMR (400 MHz, DMSO, δ): 9.48 (s, 1 H), 8.51 (s, 1 H), 8.29 (d, J = 8.4 Hz, 4 H), 8.19 (d, J = 8.4 Hz, 4 H), 7.91 (m J=8.4Hz, 4H), 7.84(t, J=6.8Hz, 4H), 7.45(t, J=6.8Hz, 4H), 6.73(t, J=7.2Hz ,2H), 6.38(t, J=7.2Hz ,3H),

MS(ASAP): 895.35(M+H+). Calcd for C62H30N4O4: 894.23MS (ASAP): 895.35 (M+H + ). Calcd for C 62 H 3 0 N 4 O 4 : 894.23

(합성예 13) 화합물 C13의 합성(Synthesis Example 13) Synthesis of Compound C13

합성예 1과 동일한 수법에 의하여 화합물 C13을 합성했다(수율 64%).Compound C13 was synthesized by the same method as in Synthesis Example 1 (yield: 64%).

[화학식 43][Formula 43]

Figure pct00089
Figure pct00089

1H NMR(400MHz, CDCl3, δ): 8.82-8.76(m, 4H), 8.45(s, 1H), 7.64-7.32(m, 22H), 7.21(d, J=9.2Hz, 2H), 7.08-7.05(m, 2H), 6.47-6.44(m, 3H), 6.32(t, J=9.2Hz,2H). 1 H NMR (400 MHz, CDCl 3 , δ): 8.82-8.76 (m, 4H), 8.45 (s, 1H), 7.64-7.32 (m, 22H), 7.21 (d, J=9.2Hz, 2H), 7.08 -7.05(m, 2H), 6.47-6.44(m, 3H), 6.32(t, J=9.2Hz,2H).

MS(ASAP): 865.27(M+H+). Calcd for C62H36N6: 864.30MS (ASAP): 865.27 (M+H + ). Calcd for C 62 H 36 N 6 : 864.30

(합성예 14) 화합물 C14의 합성(Synthesis Example 14) Synthesis of Compound C14

합성예 1과 동일한 수법에 의하여 화합물 C14를 합성했다(수율 47%).Compound C14 was synthesized by the same method as in Synthesis Example 1 (yield: 47%).

[화학식 44][Formula 44]

Figure pct00090
Figure pct00090

1H NMR(400MHz, CDCl3, δ): 8.47(s, 1H), 8.19-8.10(m, 4H), 7.68-7.51(m, 10H), 7.38-7.26(m, 6H), 7.20-7.14(m, 2H), 7.06-6.98(m, 4H), 6.74(t, J=7.6Hz, 2H), 6.47-6.44(m, 3H), 6.31(t, J=7.6Hz, 2H).1H NMR (400MHz, CDCl 3 , δ): 8.47 (s, 1H), 8.19-8.10 (m, 4H), 7.68-7.51 (m, 10H), 7.38-7.26 (m, 6H), 7.20-7.14 ( m, 2H), 7.06-6.98 (m, 4H), 6.74 (t, J=7.6 Hz, 2H), 6.47-6.44 (m, 3H), 6.31 (t, J=7.6 Hz, 2H).

MS(ASAP): 865.37(M+H+). Calcd for C62H36N6: 864.30MS (ASAP): 865.37 (M+H + ). Calcd for C 62 H 36 N 6 : 864.30

(실시예 1~9, 비교예 1~4) 박막의 제작과 평가(Examples 1 to 9, Comparative Examples 1 to 4) Fabrication and evaluation of thin films

석영 기판 상에 진공 증착법으로, 진공도 1×10-3Pa 미만의 조건에서 화합물 C1과 Host1을 상이한 증착원으로부터 증착하고, 화합물 C1의 농도가 20중량%인 박막을 100nm의 두께로 형성하여, 실시예 1의 도프 박막으로 한다.Compound C1 and Host1 were deposited from different deposition sources on a quartz substrate by a vacuum deposition method under a vacuum degree of less than 1×10 -3 Pa, and a thin film having a concentration of Compound C1 of 20% by weight was formed to a thickness of 100 nm, It is set as the doped thin film of Example 1.

화합물 C1 대신에, 화합물 C2~C9를 각각 이용하여, 순서대로 실시예 2~9의 박막을 얻었다. 또, 화합물 A와 PPF를 이용하여 동일하게 비교예 1의 박막을 얻었다. 또한, 본원 명세서 중의 실시예 및 비교예에서 발광 재료로서 이용한 각 화합물은, 사용 전에 승화 정제를 하고 나서 이용했다.Instead of compound C1, compounds C2 to C9 were used, respectively, to obtain thin films of Examples 2 to 9 sequentially. In addition, a thin film of Comparative Example 1 was similarly obtained using Compound A and PPF. In addition, each compound used as a light emitting material in Examples and Comparative Examples in the present specification was used after sublimation purification before use.

얻어진 각 박막에 300nm 여기광을 조사한 결과, 어느 박막에 대해서도 포토 루미네선스가 확인되었다. 발광의 과도 감쇠 곡선으로부터 지연 형광의 수명(τd)을 얻어, 비교예 1의 수명을 기준으로 하여 비교예 1에 대한 상댓값을 계산했다. 결과는 이하의 표에 나타내는 바와 같았다. 실시예 1~9의 지연 형광 수명(τd)이 짧은 것이 확인되었다.As a result of irradiating each obtained thin film with excitation light of 300 nm, photoluminescence was confirmed for all the thin films. The lifetime of delayed fluorescence (τ d ) was obtained from the transient decay curve of luminescence, and the relative value for Comparative Example 1 was calculated based on the lifetime of Comparative Example 1. The results were as shown in the table below. It was confirmed that the delayed fluorescence lifetime (τ d ) of Examples 1 to 9 was short.

[표 2][Table 2]

Figure pct00091
Figure pct00091

(실시예 10~14, 비교예 2) 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 제작(Examples 10 to 14, Comparative Example 2) Preparation of organic electroluminescence device

막두께 100nm의 인듐·주석 산화물(ITO)로 이루어지는 양극이 형성된 유리 기재 상에, 각 박막을 진공 증착법으로, 진공도 1×10-6Pa로 적층했다. 먼저, ITO 상에 HATCN을 10nm의 두께로 형성하고, 그 위에 NPD를 30nm의 두께로 형성했다. 이어서, 그 위에 TrisPCz를 10nm의 두께로 형성하고, 또한, 그 위에 Host1을 5nm의 두께로 형성했다. 다음으로, 화합물 C1 및 Host1을 각각 상이한 증착원으로부터 공증착하여, 30nm의 두께의 발광층을 형성했다. 이때, 화합물 C1의 농도는 35중량%로 했다. 그 위에, SF3TRZ를 10nm의 두께로 형성하고, 또한, 그 위에 SF3TRZ와 Liq를 다른 증착원으로부터 공증착하여 30nm의 두께로 형성했다. 이때, SF3TRZ:Liq(중량비)는 7:3으로 했다. 또한, Liq를 2nm의 두께로 형성하고, 이어서 알루미늄(Al)을 100nm의 두께로 증착함으로써 음극을 형성했다. 이상의 수순에 의하여, 실시예 10의 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 제작한다.Each thin film was laminated at a vacuum degree of 1×10 -6 Pa by vacuum evaporation on a glass substrate having an anode made of indium tin oxide (ITO) with a film thickness of 100 nm. First, HATCN was formed on ITO to a thickness of 10 nm, and NPD was formed thereon to a thickness of 30 nm. Subsequently, TrisPCz was formed thereon to a thickness of 10 nm, and Host1 was further formed thereon to a thickness of 5 nm. Next, compound C1 and Host1 were co-evaporated from different evaporation sources, respectively, to form a light emitting layer having a thickness of 30 nm. At this time, the concentration of compound C1 was 35% by weight. SF3TRZ was formed thereon to a thickness of 10 nm, and further, SF3TRZ and Liq were co-evaporated thereon from different deposition sources to form a thickness of 30 nm. At this time, SF3TRZ:Liq (weight ratio) was 7:3. Further, a cathode was formed by forming Liq to a thickness of 2 nm and then depositing aluminum (Al) to a thickness of 100 nm. According to the above procedure, the organic electroluminescent device of Example 10 was fabricated.

화합물 C1 대신에, 화합물 C2, 화합물 C3, 화합물 C4, 화합물 C6, 비교 화합물 A를 각각 이용하여, 순서대로 실시예 11~14, 비교예 2의 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 제작했다.Instead of compound C1, compound C2, compound C3, compound C4, compound C6, and comparative compound A were respectively used to prepare organic electroluminescence devices of Examples 11 to 14 and Comparative Example 2 in order.

(평가)(evaluation)

실시예 10의 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 발광에 대하여, CIE 색도 좌표의 x와 y를 측정한 결과, x=0.26, y=0.57로 색도가 양호한 것이 확인되었다. 또, 실시예 10과 비교예 2의 각 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 12.6mA/cm2에 있어서의 발광 강도가 95%로 저하될 때까지의 시간(LT95)을 측정하고, 비교예 2의 LT95를 1로 했을 때의 상댓값을 산출했다. 결과는 이하의 표에 나타내는 바와 같았다. 실시예 10의 유기 일렉트로 루미네선스 소자는 소자 수명(소자 내구성)이 큰 폭으로 개선되고 있었다.As a result of measuring the x and y of the CIE chromaticity coordinates for light emission of the organic electroluminescence device of Example 10, it was confirmed that the chromaticity was good, with x = 0.26 and y = 0.57. In addition, the time (LT95) until the emission intensity at 12.6 mA/cm 2 of each organic electroluminescence device of Example 10 and Comparative Example 2 decreased to 95% was measured, and the LT95 of Comparative Example 2 was measured. The relative value when is set to 1 was calculated. The results were as shown in the table below. The organic electroluminescent device of Example 10 had significantly improved device life (device durability).

[표 3][Table 3]

Figure pct00092
Figure pct00092

[화학식 45][Formula 45]

Figure pct00093
Figure pct00093

1 기재
2 양극
3 정공 주입층
4 정공 수송층
5 발광층
6 전자 수송층
7 음극
1 description
2 anode
3 hole injection layer
4 hole transport layer
5 light emitting layer
6 electron transport layer
7 cathode

Claims (21)

하기 일반식 (1)로 나타나는 화합물.
[화학식 1]
Figure pct00094

[일반식 (1)에 있어서,
R은, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 혹은 무치환의 아릴기, 또는 탄소 원자로 결합하는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴기이고,
Ar은, 치환 혹은 무치환의 아릴기, 또는 탄소 원자로 결합하는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴기이며,
D1 및 D2는, 각각 독립적으로 도너성기를 나타내지만, 그 중 적어도 하나는 헤테로환 축합 카바졸-9-일기(상기 헤테로환과 상기 카바졸은 치환되어 있어도 된다)이다.]
A compound represented by the following general formula (1).
[Formula 1]
Figure pct00094

[In Formula (1),
R is a hydrogen atom, a heavy hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group bonded to a carbon atom;
Ar is a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heteroaryl group bonded with a carbon atom;
D 1 and D 2 each independently represent a donor group, and at least one of them is a heterocyclic condensed carbazol-9-yl group (the heterocyclic ring and the carbazole may be substituted).]
청구항 1에 있어서,
상기 화합물이 하기 일반식 (2)로 나타나는, 화합물.
[화학식 2]
Figure pct00095
The method of claim 1,
A compound in which the compound is represented by the following general formula (2).
[Formula 2]
Figure pct00095
청구항 1에 있어서,
상기 화합물이 하기 일반식 (3)으로 나타나는, 화합물.
[화학식 3]
Figure pct00096
The method of claim 1,
A compound in which the compound is represented by the following general formula (3).
[Formula 3]
Figure pct00096
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
D1과 D2가 동일한, 화합물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
A compound wherein D 1 and D 2 are the same.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
D1과 D2가 상이한, 화합물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
A compound wherein D 1 and D 2 are different.
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 헤테로환 축합 카바졸-9-일기의 카바졸-9-일기에 축합되어 있는 헤테로환이, 치환 혹은 무치환의 퓨란환, 치환 혹은 무치환의 싸이오펜환, 또는 치환 혹은 무치환의 피롤환이고, 상기 퓨란환, 상기 싸이오펜환 및 상기 피롤환에는 다른 환이 더 축합되어 있어도 되는, 화합물.
The method according to any one of claims 1 to 5,
The heterocyclic ring condensed with the carbazol-9-yl group of the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group is a substituted or unsubstituted furan ring, a substituted or unsubstituted thiophene ring, or a substituted or unsubstituted pyrrole ring, , A compound in which other rings may be further condensed to the furan ring, the thiophene ring, and the pyrrole ring.
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
상기 헤테로환 축합 카바졸-9-일기가 하기 중 어느 하나의 구조를 갖는, 화합물.
[화학식 4]
Figure pct00097

[상기의 각 구조에 있어서, 수소 원자는 치환되어 있어도 되지만, 헤테로환이 더 축합되어 있는 경우는 없다.]
The method according to any one of claims 1 to 6,
A compound wherein the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group has a structure of any one of the following.
[Formula 4]
Figure pct00097

[In each of the above structures, the hydrogen atom may be substituted, but the heterocyclic ring is not further condensed.]
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
상기 헤테로환 축합 카바졸-9-일기가 하기 중 어느 하나의 구조를 갖는, 화합물.
[화학식 5]
Figure pct00098

[상기의 각 구조에 있어서, 수소 원자는 치환되어 있어도 되지만, 헤테로환이 더 축합되어 있는 경우는 없다.]
The method according to any one of claims 1 to 6,
A compound wherein the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group has a structure of any one of the following.
[Formula 5]
Figure pct00098

[In each of the above structures, the hydrogen atom may be substituted, but the heterocyclic ring is not further condensed.]
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
상기 헤테로환 축합 카바졸-9-일기가 하기 중 어느 하나의 구조를 갖는, 화합물.
[화학식 6]
Figure pct00099

[상기의 각 구조에 있어서, 수소 원자는 치환되어 있어도 되지만, 헤테로환이 더 축합되어 있는 경우는 없다. R'은 수소 원자, 중수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.]
The method according to any one of claims 1 to 6,
A compound wherein the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group has a structure of any one of the following.
[Formula 6]
Figure pct00099

[In each of the above structures, the hydrogen atom may be substituted, but the heterocyclic ring is not further condensed. R' represents a hydrogen atom, a deuterium atom or a substituent.]
청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
상기 헤테로환 축합 카바졸-9-일기의 카바졸-9-일기에, 치환 혹은 무치환의 퓨란환, 치환 혹은 무치환의 싸이오펜환, 및 치환 혹은 무치환의 피롤환(상기 퓨란환, 상기 싸이오펜환 및 상기 피롤환에는 다른 환이 더 축합되어 있어도 된다)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2개의 헤테로환이 축합되어 있는, 화합물.
The method according to any one of claims 1 to 9,
To the carbazol-9-yl group of the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group, a substituted or unsubstituted furan ring, a substituted or unsubstituted thiophene ring, and a substituted or unsubstituted pyrrole ring (the furan ring, the above A compound in which two heterocycles selected from the group consisting of a thiophene ring and the pyrrole ring may be further condensed with other rings are condensed.
청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
상기 헤테로환 축합 카바졸-9-일기가, 카바졸환의 1, 2위에 헤테로환이 축합된 구조를 갖는, 화합물.
The method according to any one of claims 1 to 10,
A compound in which the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group has a structure in which a heterocyclic ring is condensed at the 1st and 2nd positions of the carbazole ring.
청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
상기 헤테로환 축합 카바졸-9-일기가, 카바졸환의 2, 3위에 헤테로환이 축합된 구조를 갖는, 화합물.
The method according to any one of claims 1 to 10,
A compound in which the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group has a structure in which heterocyclic rings are condensed at positions 2 and 3 of the carbazole ring.
청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
상기 헤테로환 축합 카바졸-9-일기가, 카바졸환의 3, 4위에 헤테로환이 축합된 구조를 갖는, 화합물.
The method according to any one of claims 1 to 10,
A compound in which the heterocyclic condensed carbazol-9-yl group has a structure in which a heterocyclic ring is condensed at positions 3 and 4 of the carbazole ring.
청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
R과 Ar이 상이한, 화합물.
The method according to any one of claims 1 to 13,
A compound in which R and Ar are different.
청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
R이 수소 원자 또는 중수소 원자인, 화합물.
The method according to any one of claims 1 to 13,
A compound in which R is a hydrogen atom or a deuterium atom.
청구항 1 내지 청구항 15 중 어느 한 항에 있어서,
Ar이 치환 혹은 무치환의 페닐기, 또는 치환 혹은 무치환의 피리딜기인, 화합물.
The method according to any one of claims 1 to 15,
A compound in which Ar is a substituted or unsubstituted phenyl group or a substituted or unsubstituted pyridyl group.
청구항 1 내지 청구항 16 중 어느 한 항에 있어서,
탄소 원자, 수소 원자, 중수소 원자, 질소 원자, 산소 원자 및 황 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자로 이루어지는, 화합물.
The method according to any one of claims 1 to 16,
A compound comprising an atom selected from the group consisting of a carbon atom, a hydrogen atom, a deuterium atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom.
청구항 1 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 기재된 화합물로 이루어지는 발광 재료.A light emitting material comprising the compound according to any one of claims 1 to 17. 청구항 1 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.A light emitting element comprising the compound according to any one of claims 1 to 17. 청구항 19에 있어서,
상기 발광 소자가 발광층을 갖고 있고, 상기 발광층이 상기 화합물과 호스트 재료를 포함하는, 발광 소자.
The method of claim 19
The light-emitting element, wherein the light-emitting element has a light-emitting layer, and the light-emitting layer contains the compound and a host material.
청구항 20에 있어서,
상기 발광 소자가 발광층을 갖고 있고, 상기 발광층이 상기 화합물과 발광 재료를 포함하며, 상기 발광 재료로부터 주로 발광하는, 발광 소자.
The method of claim 20
The light-emitting element has a light-emitting layer, the light-emitting layer contains the compound and a light-emitting material, and emits light mainly from the light-emitting material.
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