KR20230015037A - Display panel compensation circuit and display device including same - Google Patents

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KR20230015037A
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심다혜
김성훈
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a display panel and a display device including the same, which can reduce the number of transistors in a compensation circuit (CC) in a pixel to have a large area, high resolution, narrow bezel, and low power performance. According to one embodiment of the present invention, the display panel comprises a first to a fourth switching element (T1-T4), a sixth to an eighth switching element (T6-T8), and a storage capacitor (Cst) for a compensation circuit (CC) compensating for a threshold voltage change of a driving element (DT) adjusting a current flowing through a light emitting element. Therefore, the present invention has the effect of securing a layout region by removing a switching element initializing the storage capacitor (Cst) in the compensation circuit in a pixel to reduce the number of switching elements.

Description

표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치{Display panel compensation circuit and display device including same}Display panel and display device including same {Display panel compensation circuit and display device including same}

본 발명은 대면적, 고해상도, 네로우 베젤(Narrow Bezel), 저전력 성능을 갖출 수 있도록 하는 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display panel having a large area, high resolution, narrow bezel, and low power consumption, and a display device including the same.

평판표시장치(flat panel display: FPD) 중 하나인 유기발광다이오드(organic light emitting diode: OLED) 표시장치는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다.An organic light emitting diode (OLED) display device, which is one of flat panel displays (FPDs), has characteristics of high luminance and low operating voltage.

이러한 OLED 표시장치는 스스로 빛을 내는 자체 발광형이기 때문에 대조비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(micro second) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.Since this OLED display device is a self-luminous type that emits light by itself, the contrast ratio is large, it is possible to implement an ultra-thin display, and the response time is about several microseconds, so it is easy to implement moving pictures, and the viewing angle is not limited. It is stable even at low temperature, and it is easy to manufacture and design a driving circuit because it is driven with a low voltage of 5 to 15V DC.

또한, OLED 표시장치의 제조공정은 증착(deposition) 및 인캡슐레이션(encapsulation)이 전부라고 할 수 있기 때문에, 제조공정이 매우 단순하다.In addition, since the manufacturing process of the OLED display device can be said to be all of deposition and encapsulation, the manufacturing process is very simple.

이러한 OLED 표시장치의 각 화소 영역에는 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터, 센싱 박막트랜지스터 등 다수의 박막트랜지스터가 형성된다.A plurality of thin film transistors such as a switching thin film transistor, a driving thin film transistor, and a sensing thin film transistor are formed in each pixel area of the OLED display device.

그런데, OLED 표시장치는 구동 전원(VDD), 임계 전원(Vth)의 보상 등을 위해 각 서브 화소 내 박막트랜지스터의 개수가 많이 증가될 수 있다. 8T1C 구조의 표시 패널인 경우, 1 수평(H) 기간 동안 초기화(Initial) 동작, 1 수평(H) 기간 동안 샘플링(Sampling) 동작 후 발광(Emission) 동작이 이루어지는 2Scan 1EM 방식으로 구동될 수 있으며, 스토리지 캐패시터(Cst)를 초기화(Initial) 시키기 위한 박막트랜지스터가 더 추가 될 수 있다.However, in the OLED display device, the number of thin film transistors in each sub-pixel may be greatly increased to compensate for driving power VDD and threshold power Vth. In the case of a display panel having an 8T1C structure, it can be driven in a 2-scan 1EM method in which an emission operation is performed after an initial operation for one horizontal (H) period, a sampling operation for one horizontal (H) period, and A thin film transistor for initializing the storage capacitor Cst may be further added.

따라서, 전술한 구조로는 High-End급 IT OLED 모델을 위한 고해상도, Narrow Bezel 구현을 위한 표시 영역 내 게이트 구동 회로(AAGIP), 및 MTO 적용을 하기에는 설계를 위한 레이아웃(Layout) 영역의 확보가 어렵다는 문제점이 존재한다.Therefore, with the above-described structure, it is difficult to secure a layout area for design to apply high-resolution, narrow bezel gate driving circuit (AAGIP) in the display area for high-end IT OLED models, and MTO application. A problem exists.

이에, 본 명세서의 발명자들은 전술한 문제점을 해결하기 위하여, 트랜지스터의 개수를 줄임으로써 설계를 위한 레이아웃 영역을 확보할 수 있도록 하는 표시 패널을 발명하였다.Accordingly, the inventors of the present specification invented a display panel capable of securing a layout area for design by reducing the number of transistors in order to solve the above-described problem.

또한, 본 명세서의 발명자들은, OLED 표시장치에서 트랜지스터의 개수를 줄일 뿐만 아니라 2Scan 1EM 방식에서 사용하는 구동 타이밍을 변경하여 구동 전원의 드롭(VDD IR Drop)을 보상할 수 있도록 하는 표시 장치를 발명하였다.In addition, the inventors of the present specification invented a display device capable of compensating for a drop in driving power (VDD IR Drop) by changing the driving timing used in the 2Scan 1EM method as well as reducing the number of transistors in the OLED display device. .

상기한 본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.The above objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects and advantages of the present invention not mentioned above can be understood by the following description and will be more clearly understood by the examples of the present invention. will be. It will also be readily apparent that the objects and advantages of the present invention may be realized by means of the instrumentalities and combinations indicated in the claims.

본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 패널을 제공할 수 있다. 상기 표시 패널은, 발광 소자에 흐르는 전류를 조절하는 구동 소자(DT)의 문턱 전압 변화를 보상하는 보상 회로(CC)에 대하여, 제1 내지 제4 스위칭 소자(T1~T4), 제6 내지 제8 스위칭 소자(T6~T8) 및 스토리지 캐패시터(Cst)로 구성되고, 제2 스위칭 소자(T2)를 통한 데이터 전원(Vdata)과, 제3 스위칭 소자(T3)를 통한 구동 전원(VDD)을 구동 소자에 인가하고, 제8 스위칭 소자(T8)를 통한 기준 전원(Vref)을 스토리지 캐패시터에 인가하며, 제6 스위칭 소자(T6)를 통한 초기화 전원(Vini)을 발광 소자에 인가할 수 있다.A display panel according to an embodiment of the present invention may be provided. The display panel includes first to fourth switching elements T1 to T4 and sixth to fourth switching elements T1 to T4 for a compensation circuit CC that compensates for a threshold voltage change of a driving element DT that controls a current flowing through a light emitting element. It consists of 8 switching elements T6 to T8 and a storage capacitor Cst, and drives the data power supply Vdata through the second switching element T2 and the driving power supply VDD through the third switching element T3. device, the reference power Vref through the eighth switching element T8 may be applied to the storage capacitor, and the initialization power Vini may be applied to the light emitting element through the sixth switching element T6.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 장치를 제공할 수 있다. 상기 표시 장치는, 상기한 구조의 표시 패널과, 표시 패널에 스캔 신호를 인가하는 스캔 구동부, 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동부, 각종 전원을 제공하는 전원부, 및 스캔 구동부와 데이터 구동부를 제어하는 타이밍 제어부를 포함할 수 있다.In addition, a display device according to an embodiment of the present invention may be provided. The display device includes a display panel having the above structure, a scan driver for applying a scan signal to the display panel, a data driver for applying data signals, a power supply for providing various types of power, and a timing controller for controlling the scan driver and the data driver. can include

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 패널은, 행마다 배치된 복수의 스캔 배선(SL1~SLn)과 열마다 배치된 복수의 데이터 배선(DL1~DLn)이 교차하고, 각 교차점에 서브 화소들이 배치된 표시 영역; 적어도 둘 이상의 열마다 배치된 적어도 하나 이상의 GIP부; 상기 각 서브 화소에 배치된 발광 소자; 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되고, 상기 발광 소자에 흐르는 전류를 조절하는 구동 소자(DT)의 문턱 전압 변화를 보상하는 보상 회로(CC)를 포함하고, 상기 보상 회로는 제1 내지 제4 스위칭 소자(T1~T4), 제6 내지 제8 스위칭 소자(T6~T8) 및 스토리지 캐패시터(Cst)로 구성되고, 제2 스위칭 소자(T2)를 통한 데이터 전원(Vdata)과, 제3 스위칭 소자(T3)를 통한 구동 전원(VDD)을 구동 소자에 인가하고, 제8 스위칭 소자(T8)를 통한 기준 전원(Vref)을 스토리지 캐패시터에 인가하며, 제6 스위칭 소자(T6)를 통한 초기화 전원(Vini)을 발광 소자에 인가할 수 있다.In addition, in the display panel according to an exemplary embodiment of the present invention, a plurality of scan lines SL1 to SLn disposed in each row and a plurality of data lines DL1 to DLn disposed in each column intersect, and sub-pixels are intersected at respective intersections. a display area in which they are arranged; at least one or more GIP units arranged in at least two or more columns; a light emitting element disposed in each of the sub-pixels; and a compensation circuit (CC) electrically connected to the light emitting element and compensating for a threshold voltage change of a driving element (DT) controlling a current flowing through the light emitting element, wherein the compensation circuit comprises first to fourth switching elements. (T1 to T4), sixth to eighth switching elements (T6 to T8), and a storage capacitor (Cst), and a data power supply (Vdata) through the second switching element (T2) and a third switching element (T3). ) is applied to the drive element, the reference power Vref is applied to the storage capacitor through the eighth switching element T8, and the initialization power supply Vini is applied through the sixth switching element T6. may be applied to the light emitting device.

본 발명의 실시예에 따르면, 8T1C 구조의 표시 패널 각 서브 화소 내 보상 회로에서 스토리지 캐패시터(Cst)를 초기화(Initial) 시키는 스위칭 소자를 제거하여 스위칭 소자의 개수를 줄임으로써 표시 패널의 레이아웃(Layout) 영역을 확보하는 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, the number of switching elements is reduced by removing the switching element for initializing the storage capacitor (Cst) in the compensation circuit in each sub-pixel of the display panel having the 8T1C structure, thereby reducing the layout of the display panel. It has the effect of securing an area.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 2Scan 1EM 방식에서 사용하는 구동 타이밍을 변경함으로써 구동 전원의 드롭(VDD IR Drop)을 보상할 수 있으며, AAGIP 적용에 용이할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, by changing the driving timing used in the 2Scan 1EM scheme, a drop in driving power (VDD IR Drop) can be compensated for, and AAGIP can be easily applied.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 스토리지 캐패시터(Cst)의 플로팅(Floating) 구간을 삭제함으로써 기준 전압이 흔들려 발생하는 불량을 방지할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, by deleting a floating section of the storage capacitor Cst, defects caused by shaking of the reference voltage can be prevented.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 제3 및 제7 스위칭 소자(T3, T7)에 인가되는 발광 제어 신호(EM)에 대하여 n번째 발광제어 신호(EM(n))에서 n-1번째 발광제어 신호(EM(n-1))로 변경함으로써 초기화(Initial) 타이밍을 확보할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the n-1th light emission from the nth light emission control signal EM(n) with respect to the light emission control signal EM applied to the third and seventh switching elements T3 and T7. Initial timing can be secured by changing to the control signal EM(n-1).

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 2Scan 1EM 방식에서 신호(Signal) 배선의 증가 없이 샘플링 타임(Sampling Time)을 8H 이상 확보할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, in the 2Scan 1EM method, a sampling time of 8H or more can be secured without an increase in signal wiring.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 본 발명의 실시예에 따르면, 8T1C 기반 MTO 적용이 가능하고 고해상도 AAGIP 표시 장치를 구현할 수 있으며, 제1 스위칭 소자(T1)에 옥사이드 트랜지스터(Oxide TR)를 사용할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, an 8T1C-based MTO can be applied and a high-resolution AAGIP display device can be implemented, and an oxide transistor (Oxide TR) can be used for the first switching element (T1). can

그리고, 본 발명의 실시예에 따르면, 대면적, 고해상도, 네로우 베젤(Narrow Bezel), 저전력 성능을 갖춘 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a display panel having a large area, high resolution, narrow bezel, and low power consumption and a display device including the same may be provided.

본 명세서의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present specification are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

상술한 효과와 더불어 본 발명의 구체적인 효과는 이하 발명을 실시하기 위한 구체적인 사항을 설명하면서 함께 기술한다.In addition to the effects described above, specific effects of the present invention will be described together while explaining specific details for carrying out the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 화소(PX)의 보상 회로를 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 보상 회로를 구동하는 제어 신호의 타이밍을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널에서 보상 회로의 초기화 기간 동작을 나타낸 회로도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널에서 보상 회로의 샘플링 기간 동작을 나타낸 회로도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널에서 보상 회로의 발광 기간 동작을 나타낸 회로도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 보상 회로에서 초기화 기간, 샘플링 기간 및 발광 기간에 신호 입력 및 출력을 나타낸 신호 파형도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널에서 MTO 활용을 위한 화소 보상 회로를 나타낸 도면이다.
도 10은 도 9의 화소 보상 회로를 구동하는 제어 신호들의 타이밍을 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 AAGIP 표시패널의 표시 영역 구성도를 나타낸 도면이다.
도 12는 도 11의 표시패널의 표시 영역 및 베젤 영역을 도시한 구성도이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시패널이 AAGIP 방식에 의해 베젤 영역을 더 확보하는 예를 나타낸 도면이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 GIP부의 스캔 구동을 위한 스캔 회로도를 나타낸 도면이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 AAGIP에 각 트랜지스터와 배선들을 배치한 예를 나타낸 도면이다.
1 is a configuration diagram schematically illustrating a configuration of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a compensation circuit of a pixel PX according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing timing of control signals driving the compensation circuit of FIG. 2 .
4 is a circuit diagram illustrating an initialization period operation of a compensation circuit in a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
5 is a circuit diagram illustrating a sampling period operation of a compensation circuit in a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
6 is a circuit diagram illustrating an operation of a light emitting period of a compensation circuit in a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
7 and 8 are signal waveform diagrams illustrating signal input and output during an initialization period, a sampling period, and an emission period in a compensation circuit according to an embodiment of the present invention.
9 is a diagram illustrating a pixel compensation circuit for using MTO in a display panel according to another embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a diagram illustrating timing of control signals for driving the pixel compensation circuit of FIG. 9 .
11 is a diagram showing the configuration of a display area of an AAGIP display panel according to another embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a configuration diagram illustrating a display area and a bezel area of the display panel of FIG. 11 .
13 is a diagram illustrating an example in which a display panel according to another embodiment of the present invention further secures a bezel area by an AAGIP method.
14 is a diagram showing a scan circuit diagram for scan driving of a GIP unit according to another embodiment of the present invention.
15 is a diagram showing an example of arranging transistors and wires in an AAGIP according to another embodiment of the present invention.

본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시 예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시 예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시 예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다.For the embodiments of the present invention disclosed in the text, specific structural or functional descriptions are only exemplified for the purpose of describing the embodiments of the present invention, and the embodiments of the present invention can be implemented in various forms, and It should not be construed as limited to the described embodiments.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can have various changes and various forms, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to a specific form disclosed, and should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. The above objects, features and advantages will be described later in detail with reference to the accompanying drawings, and accordingly, those skilled in the art to which the present invention belongs will be able to easily implement the technical spirit of the present invention.

본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. In describing the present invention, if it is determined that the detailed description of the known technology related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소를 가리키는 것으로 사용된다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to indicate the same or similar components.

또한 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 상기 구성요소들은 서로 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성요소 사이에 다른 구성요소가 "개재"되거나, 각 구성요소가 다른 구성요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있는 것으로 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 없는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.In addition, when a component is described as "connected", "coupled" or "connected" to another component, the components may be directly connected or connected to each other, but other components may be "interposed" between each component. ", or each component may be "connected", "coupled" or "connected" through other components. On the other hand, when an element is referred to as being “directly connected” or “directly connected” to another element, it should be understood that there are no intervening elements. Other expressions describing the relationship between elements, such as "between" and "directly between" or "adjacent to" and "directly adjacent to", etc., should be interpreted similarly.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함한다" 또는 "가진다" 등의 용어는 개시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms used in this application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "having" are intended to indicate that the disclosed feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof exists, but that one or more other features or numbers, It should be understood that the presence or addition of steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in this specification may be used in a meaning commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In addition, terms defined in commonly used dictionaries are not interpreted ideally or excessively unless explicitly specifically defined.

한편, 어떤 실시 예가 달리 구현 가능한 경우에 특정 블록 내에 명기된 기능 또는 동작이 흐름도에 명기된 순서와 다르게 일어날 수도 있다. 예를 들어, 연속하는 두 블록이 실제로는 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 관련된 기능 또는 동작에 따라서는 상기 블록들이 거꾸로 수행될 수도 있다.Meanwhile, when a certain embodiment can be implemented differently, functions or operations specified in a specific block may occur in a different order from the order specified in the flowchart. For example, two successive blocks may actually be performed substantially concurrently, or the blocks may be performed backwards depending on the function or operation involved.

소자(element) 또는 층이 다른 소자 또는 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않는 것을 나타낸다.When an element or layer is referred to as “on” or “on” another element or layer, it includes both cases where another element or layer is intervening as well as directly on another element or layer. do. On the other hand, when an element is referred to as “directly on” or “directly on”, it indicates that no other element or layer is intervening.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below, beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓일 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.The spatially relative terms "below, beneath", "lower", "above", "upper", etc., refer to one element or component as shown in the drawing. It can be used to easily describe the correlation between and other elements or components. Spatially relative terms should be understood as encompassing different orientations of elements in use or operation in addition to the orientations shown in the figures. For example, when flipping elements shown in the figures, elements described as “below” or “beneath” other elements may be placed “above” the other elements. Thus, the exemplary term “below” may include directions of both below and above.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다.Also, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used in describing the components of the present invention. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, order, or number of the corresponding component is not limited by the term.

이하에서는, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 설명하기로 한다.Hereinafter, an organic light emitting diode display and a manufacturing method thereof according to an exemplary embodiment of the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 화소(PX)의 보상 회로를 나타낸 도면이며, 도 3은 도 2의 보상 회로를 구동하는 제어 신호의 타이밍을 도시한 도면이다.1 is a configuration diagram schematically illustrating a configuration of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram illustrating a compensation circuit of a pixel PX according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. It is a diagram showing the timing of the control signal that drives the compensation circuit.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 휘도 제어부(10), 표시패널(20), 스캔 구동부(30), 데이터 구동부(40), 발광 제어부(50), 전원부(60) 및 타이밍 제어부(70) 등을 포함한다.1 to 3 , the display device 100 according to an embodiment of the present invention includes a luminance controller 10, a display panel 20, a scan driver 30, a data driver 40, a light emitting controller ( 50), a power supply unit 60 and a timing control unit 70, and the like.

휘도 제어부(10)는 복수의 감마 데이터들을 각각 포함하는 복수의 감마 세트들 중에서 선택되는 하나의 감마 세트를 데이터 구동부(40)에 제공하고, 선택된 감마 세트에 대응하는 디밍 데이터를 발광 제어부(50)에 제공할 수 있다.The luminance controller 10 provides one gamma set selected from among a plurality of gamma sets each including a plurality of gamma data to the data driver 40, and transmits dimming data corresponding to the selected gamma set to the light emitting controller 50. can be provided to

표시패널(20)은 표시 영역(Active Area; AA)과 비표시 영역(Non-Active Area; NA)을 포함할 수 있다.The display panel 20 may include an active area (AA) and a non-active area (NA).

표시영역(AA)은 행마다 배치된 복수의 스캔 배선(Scan Line; SL1~SLn)과 열마다 배치된 복수의 데이터 배선(Data Line; DL1~DLn)이 교차하고, 각 교차점에 각 화소(Pixel; PX)를 정의할 수 있다. 각 화소(PX)는 적어도 하나 이상의 서브 화소(R, G, B 등)를 포함할 수 있다. 따라서, 각 교차점에 서브 화소들이 배치될 수 있다.In the display area AA, a plurality of scan lines (SL1 to SLn) disposed in each row and a plurality of data lines (DL1 to DLn) disposed in each column intersect, and each pixel is formed at each intersection. ; PX) can be defined. Each pixel PX may include at least one sub-pixel (R, G, B, etc.). Accordingly, sub-pixels may be disposed at each intersection.

예를 들면, 표시패널(20)은 유기 기판 또는 플라스틱 기판 상에 복수의 스캔 배선(SL1~SLn) 및 복수의 데이터 배선(DL1~DLn)이 교차하여 형성되고, 스캔 배선(SL) 및 데이터 배선(DL)이 교차하는 지점에 각각 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)에 해당하는 서브 화소(R, G, B)들이 정의될 수 있다. 하나 이상의 서브 화소(R, G, B, W 등)를 포함하는 하나의 화소(PX)를 '단위 화소'라 칭할 수 있다.For example, the display panel 20 is formed by crossing a plurality of scan lines SL1 to SLn and a plurality of data lines DL1 to DLn on an organic or plastic substrate, and the scan lines SL and the data lines Sub-pixels R, G, and B corresponding to red, green, and blue, respectively, may be defined at points where (DL) intersects. One pixel PX including one or more sub-pixels (R, G, B, W, etc.) may be referred to as a 'unit pixel'.

이 때, 서브 화소들 각각은 유기전계 발광 다이오드(OLED)를 구비할 수 있다. 복수의 스캔 배선(SL1~SLn)은 복수의 서브 화소에 행마다 배치될 수 있고, 복수의 데이터 배선(DL1~DLn)은 복수의 서브 화소에 열마다 배치될 수 있다. 따라서, 복수의 서브 화소는 발광 다이오드(OLED)가 행과 열로 배치될 수 있다.In this case, each of the sub-pixels may include an organic light emitting diode (OLED). A plurality of scan lines SL1 to SLn may be arranged in each row of a plurality of sub-pixels, and a plurality of data lines DL1 to DLn may be arranged in each column of a plurality of sub-pixels. Accordingly, in the plurality of sub-pixels, the light emitting diodes OLED may be arranged in rows and columns.

표시패널(20)은 예를 들어, 2,160 3,840의 해상도를 가지는 경우에는, 2,160 개의 스캔 배선(SL)과 3,840 개의 데이터 배선(DL)이 구비될 수 있으며, 이들 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차되는 지점에 각각 서브 화소(G, G, B)가 배치될 수 있다.When the display panel 20 has, for example, a resolution of 2,160 3,840, 2,160 scan lines (SL) and 3,840 data lines (DL) may be provided, and these scan lines (SL) and data lines ( Sub-pixels G, G, and B may be disposed at points where DLs intersect.

표시패널(20)의 각 배선(SL, DL)들은 표시패널(20)의 외곽에 형성된 스캔 구동부(30) 및 데이터 구동부(40)와 연결될 수 있다. 또한, 표시패널(20)에는 데이터 배선(DL)과 평행한 방향으로 형성되는 전원전압 공급배선(VDD, Vini, VSS)이 더 형성되어 각 화소들(PX)과 연결될 수 있다.Each of the wires SL and DL of the display panel 20 may be connected to the scan driver 30 and the data driver 40 formed outside the display panel 20 . Further, power voltage supply lines VDD, Vini, and VSS formed in a direction parallel to the data line DL may be further formed in the display panel 20 to be connected to the respective pixels PX.

또한, 각 화소(PX)들은 적어도 하나의 유기전계 발광다이오드(OLED), 스토리지 캐패시터(Cst), 스위칭 박막트랜지스터(T1, T2, T6, T8) 및 구동 박막트랜지스터(DT)를 포함할 수 있다. 여기서, 유기전계 발광다이오드(OLED)는 제 1 전극(정공주입 전극)과 유기 화합물층 및 제 2 전극(전자주입 전극)으로 이루어질 수 있다.Also, each pixel PX may include at least one organic light emitting diode (OLED), a storage capacitor Cst, switching thin film transistors T1, T2, T6, and T8, and a driving thin film transistor DT. Here, the organic light emitting diode (OLED) may include a first electrode (hole injection electrode), an organic compound layer, and a second electrode (electron injection electrode).

유기 화합물층은 실제 발광이 이루어지는 발광층 이외에 정공 또는 전자의 캐리어를 발광층까지 효율적으로 전달하기 위한 다양한 유기층들을 더 포함할 수 있다. 이러한 유기층들은 제 1 전극과 발광층 사이에 위치하는 정공 주입층 및 정공 수송층, 제 2 전극과 발광층 사이에 위치하는 전자 주입층 및 전자 수송층일 수 있다.The organic compound layer may further include various organic layers for efficiently transferring hole or electron carriers to the light emitting layer in addition to the light emitting layer in which light is actually emitted. These organic layers may be a hole injection layer and a hole transport layer positioned between the first electrode and the light emitting layer, and an electron injection layer and electron transport layer positioned between the second electrode and the light emitting layer.

또한, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터들(T1, T2, T6, T8, TD)은 스캔 배선(SL) 및 제어신호 공급배선(EL)과 데이터 배선(DL)에 연결되며, 스캔 배선(SL)에 입력되는 게이트 전압에 따라 스위칭 박막트랜지스터들(T1, T2, T6, T8)이 도통되고, 동시에 데이터 배선(DL)에 입력되는 데이터 전압을 구동 박막트랜지스터(TD)로 전송한다. 스토리지 캐패시터(Cst)는 박막트랜지스터와 전원공급배선 사이에 연결되며, 박막트랜지스터로부터 전송되는 데이터 전압으로 충전되어 1 프레임(Frame) 동안 유지하게 된다.In addition, the switching and driving thin film transistors T1, T2, T6, T8, and TD are connected to the scan line SL, the control signal supply line EL, and the data line DL, and are input to the scan line SL. The switching thin film transistors (T1, T2, T6, T8) are conducted according to the gate voltage, and at the same time, the data voltage input to the data line (DL) is transmitted to the driving thin film transistor (TD). The storage capacitor Cst is connected between the thin film transistor and the power supply line, and is charged with the data voltage transmitted from the thin film transistor and maintained for one frame.

그리고, 구동 박막트랜지스터(TD)는 전원공급배선과 스토리지 캐패시터(Cst)에 연결되고, 게이트-소스 간 전압에 대응하는 드레인 전류를 유기전계 발광다이오드(OLED)로 공급한다. 이에 따라 유기전계 발광다이오드(OLED)는 드레인 전류에 의해 발광하게 된다. 여기서, 구동 박막트랜지스터(TD)는 게이트 전극과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 유기전계 발광다이오드(OLED)의 애노드 전극은 구동 박막트랜지스터(TD)의 일 전극에 연결된다.Also, the driving thin film transistor TD is connected to the power supply line and the storage capacitor Cst, and supplies a drain current corresponding to the gate-source voltage to the organic light emitting diode OLED. Accordingly, the organic light emitting diode (OLED) emits light by the drain current. Here, the driving thin film transistor (TD) includes a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and an anode electrode of the organic light emitting diode (OLED) is connected to one electrode of the driving thin film transistor (TD).

스캔 구동부(30)는 복수의 스캔 배선(SL)에 스캔 신호를 인가할 수 있다. 예를 들면, 스캔 구동부(30)는 게이트 제어 신호(GCS)에 대응하여 각 화소들(PX)에 게이트 전압을 하나의 수평선 단위씩 순차적으로 인가할 수 있다. 이러한 스캔 구동부(30)는 1 수평(H) 기간마다 하이레벨의 게이트 전압을 순차적으로 출력하는 다수의 스테이지를 갖는 쉬프트 레지스터로 구현될 수 있다.The scan driver 30 may apply scan signals to the plurality of scan lines SL. For example, the scan driver 30 may sequentially apply a gate voltage to each pixel PX in units of horizontal lines in response to the gate control signal GCS. The scan driver 30 may be implemented as a shift register having a plurality of stages for sequentially outputting high-level gate voltages for each horizontal (H) period.

데이터 구동부(40)는 복수의 데이터 배선(DL)에 데이터 신호를 인가할 수 있다. 예를 들면, 데이터 구동부(40)는 타이밍 제어부(70)로부터 인가되는 디지털 파형의 영상 신호를 입력받아 화소(PX)가 처리할 수 있는 계조값을 갖는 아날로그 전압 형태의 데이터 전압으로 변환하고, 또한 입력되는 데이터 제어 신호(DCS)에 대응하여 데이터 배선(DL)을 통해 각 화소(PX)에 데이터 전압을 공급할 수 있다. 여기서, 데이터 구동부(40)는 기준전압 공급부(미도시)로부터 공급되는 다수의 기준 전압을 이용하여 영상 신호를 데이터 전압으로 변환할 수 있다.The data driver 40 may apply data signals to the plurality of data lines DL. For example, the data driver 40 receives an image signal of a digital waveform applied from the timing controller 70 and converts it into a data voltage in the form of an analog voltage having a grayscale value that can be processed by the pixel PX. A data voltage may be supplied to each pixel PX through the data line DL in response to the input data control signal DCS. Here, the data driver 40 may convert an image signal into a data voltage using a plurality of reference voltages supplied from a reference voltage supply unit (not shown).

또한, 데이터 구동부(40)는, 저속 구동 모드 시의 저전위 전압(VSS) 및 초기화 전압(Vini)과, 고속 구동 모드 시의 저전위 전압(VSS) 및 초기화 전압(Vini)을 서로 다른 값으로 표시 패널(20)에 인가할 수 있다. 예를 들면, 데이터 구동부(40)는 60Hz 구동 모드 시에는 서로 동일한 값을 갖는 저전위 전압(VSS)과 초기화 전압(Vini)을 표시 패널(20)에 제공할 수 있다. 그러나, 데이터 구동부(40)는 90Hz 구동 모드 시에는 60Hz 구동 모드 시의 저전위 전압(VSS) 및 초기화 전압(Vini)과 서로 다른 값을 갖는 저전위 전압(VSS)과 초기화 전압(Vini)을 표시 패널(20)에 제공할 수 있다. In addition, the data driver 40 sets the low potential voltage VSS and the initialization voltage Vini in the low-speed driving mode to different values from the low potential voltage VSS and the initialization voltage Vini in the high-speed driving mode. It can be applied to the display panel 20 . For example, the data driver 40 may provide the low potential voltage VSS and the initialization voltage Vini, which have the same values, to the display panel 20 in the 60Hz driving mode. However, in the 90Hz driving mode, the data driver 40 displays a low potential voltage (VSS) and an initialization voltage (Vini) having different values from the low potential voltage (VSS) and the initialization voltage (Vini) in the 60Hz driving mode. It can be provided to the panel 20.

또한, 데이터 구동부(40)는, 휘도 제어부(10)로부터 선택된 하나의 감마 세트를 제공받으면, 룩업 테이블(look-up Table)에 근거하여 선택된 하나의 감마 세트에 대응하는 저전위 전압(VSS) 및 초기화 전압(Vini)을 표시 패널(20)에 제공할 수 있다.In addition, when the data driver 40 receives the selected gamma set from the luminance controller 10, the low potential voltage VSS corresponding to the selected gamma set based on the look-up table and The initialization voltage Vini may be provided to the display panel 20 .

발광 제어부(50)는 발광 제어 신호(EM)를 복수의 화소들에 인가할 수 있다.The emission controller 50 may apply the emission control signal EM to a plurality of pixels.

전원부(60)는 고전위 전압(VDD), 저전위 전압(VSS), 기준 전압(Vref) 및 초기화 전압(Vini)을 각 화소들에 제공할 수 있다.The power supply unit 60 may provide a high potential voltage VDD, a low potential voltage VSS, a reference voltage Vref, and an initialization voltage Vini to each pixel.

타이밍 제어부(70)는 스캔 구동부(30) 및 데이터 구동부(40)를 제어할 수 있다. 예를 들면, 타이밍 제어부(70)는 외부로부터 인가되는 영상 신호와, 클럭 신호, 수직 및 수평 동기신호 등의 타이밍 신호를 인가받아, 게이트 제어 신호(GCS) 및 데이터 제어 신호(DCS)를 생성하여 스캔 구동부(30) 및 데이터 구동부(40)에 제공할 수 있다.The timing controller 70 may control the scan driver 30 and the data driver 40 . For example, the timing control unit 70 receives timing signals such as a video signal, a clock signal, and vertical and horizontal synchronization signals applied from the outside to generate a gate control signal (GCS) and a data control signal (DCS), It can be provided to the scan driving unit 30 and the data driving unit 40 .

여기서, 수평 동기신호는 화면의 한 라인을 표시하는 데 걸리는 시간을 나타내고, 수직 동기신호는 한 프레임의 화면을 표시하는 데 걸리는 시간을 나타낸다. 또한, 클록 신호는 게이트 및 각 구동부의 제어신호의 생성 기준이 되는 신호이다.Here, the horizontal synchronization signal represents the time taken to display one line of the screen, and the vertical synchronization signal represents the time taken to display the screen of one frame. In addition, the clock signal is a signal serving as a reference for generating control signals of the gate and each driver.

한편, 타이밍 제어부(70)는 외부의 시스템과 소정의 인터페이스를 통해 연결되어 그로부터 출력되는 영상 관련 신호와 타이밍 신호를 잡음 없이 고속으로 수신할 수 있다. 이러한 인터페이스로는 LVDS(Low Voltage Differential Signal) 방식 또는 TTL(Transistor-Transistor Logic) 인터페이스 방식 등이 이용될 수 있다.Meanwhile, the timing controller 70 is connected to an external system through a predetermined interface and can receive video-related signals and timing signals output therefrom at high speed without noise. As such an interface, a low voltage differential signal (LVDS) method or a transistor-transistor logic (TTL) interface method may be used.

또한, 본 명세서의 실시예에 따른 타이밍 제어부(70)는 각 화소의 전류 편차에 따른 데이터 전압의 보상값을 생성하는 보상 모델이 탑재된 마이크로 칩(미도시)을 내장할 수 있으며, 이를 통해 데이터 구동부(40)에 제공하는 영상 신호에 전압 보상값을 적용하여, 이후 데이터 구동부(40)에 의해 공급되는 데이터 전압에 전압 보상값이 반영되도록 제어할 수 있다.In addition, the timing controller 70 according to an embodiment of the present specification may embed a microchip (not shown) equipped with a compensation model for generating a compensation value of a data voltage according to a current deviation of each pixel. A voltage compensation value may be applied to an image signal provided to the driving unit 40 so that the voltage compensation value may be reflected in a data voltage supplied by the data driving unit 40 thereafter.

본 발명은 하부발광(bottom-emission) 방식의 유기발광 표시장치를 실시할 수 있으나, 이에 한정되지 않고 필요에 따라서 상부발광(top-emission) 또는 양면발광(dual-emission) 방식의 유기발광 표시장치에도 적용될 수 있다.The present invention may implement a bottom-emission type organic light emitting display device, but is not limited thereto, and a top-emission or dual-emission type organic light emitting display device as needed. may also be applied.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널(20)은, 발광 소자(OLED), 구동 소자(DT), 스토리지 캐패시터(Cst) 및 보상 회로를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the display panel 20 according to an exemplary embodiment of the present invention may include a light emitting element OLED, a driving element DT, a storage capacitor Cst, and a compensation circuit.

발광 소자(OLED)는 예를 들면, 유기전계 발광 다이오드(OLED)이고, 제1 전극의 애노드 전극과, 제2 전극의 캐소드 전극을 구비할 수 있다.The light emitting element OLED is, for example, an organic light emitting diode (OLED), and may include an anode electrode of the first electrode and a cathode electrode of the second electrode.

구동 소자(DT)는 예를 들면, 구동 박막트랜지스터(DT)이고, 발광 소자와 전기적으로 연결되고, 발광 소자에 흐르는 전류를 조절한다.The driving element DT is, for example, a driving thin film transistor DT, is electrically connected to the light emitting element, and controls current flowing through the light emitting element.

스토리지 캐패시터(Cst)는 일 전극이 구동 소자(DT)에 전기적으로 연결될 수 있다.One electrode of the storage capacitor Cst may be electrically connected to the driving element DT.

보상 회로는 구동 소자(DT)의 문턱 전압 변화를 보상할 수 있다. 이를 위해, 보상 회로는 제1 내지 제4 스위칭 소자(T1~T4), 제6 내지 제8 스위칭 소자(T6~T8)를 포함할 수 있다.The compensation circuit may compensate for a change in the threshold voltage of the driving element DT. To this end, the compensation circuit may include first to fourth switching elements T1 to T4 and sixth to eighth switching elements T6 to T8.

제1 내지 제4 스위칭 소자(T1~T4), 제6 내지 제8 스위칭 소자(T6~T8) 및 구동 소자(DT)는 N 타입 또는 P 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 TFT로 구현될 수 있다. 이하의 실시예에서 P 타입 TFT를 예시하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. TFT는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. TFT 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 TFT에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. N 타입 MOSFET(NMOS)의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. N 타입 MOSFET에서 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. P 타입 TFT(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. P 타입 TFT에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. MOSFET의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, MOSFET의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 이하의 실시예에서 GIP 회로와 화소 회로를 구성하는 트랜지스터들을 P 타입 TFT로 예시되었지만, 이에 한정되지 않는다. 따라서, 이하의 설명에서 TFT의 소스와 드레인으로 인하여 발명이 제한되어서는 안된다.The first to fourth switching elements T1 to T4, the sixth to eighth switching elements T6 to T8, and the driving element DT are TFTs having an N-type or P-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) structure. can be implemented Although the P-type TFT is exemplified in the following embodiments, the present invention is not limited thereto. A TFT is a three-electrode device including a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. Within the TFT, carriers start flowing from the source. The drain is an electrode through which carriers exit from the TFT. That is, the flow of carriers in the MOSFET flows from the source to the drain. In the case of an N-type MOSFET (NMOS), since carriers are electrons, the source voltage has a voltage lower than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain. Since electrons flow from the source to the drain in an N-type MOSFET, the direction of current flows from the drain to the source. In the case of a P-type TFT (PMOS), since the carrier is a hole, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. Since holes flow from the source to the drain side in the P-type TFT, current flows from the source to the drain side. It should be noted that the source and drain of a MOSFET are not fixed. For example, the source and drain of a MOSFET can be changed depending on the applied voltage. In the following embodiments, the transistors constituting the GIP circuit and the pixel circuit are exemplified as P-type TFTs, but are not limited thereto. Therefore, the invention should not be limited by the sources and drains of TFTs in the following description.

보상 회로는 구동 소자(DT)의 게이트 전극과 제2 전극 사이에 제1 스위칭 소자(T1)가 연결되고, 데이터 전원(Vdata)이 제2 스위칭 소자(T2)를 통해 구동 소자의 제1 전극에 인가되고, 구동 전원(VDD)이 제3 스위칭 소자(T3)를 통해 구동 소자에 인가되고, 구동 전원(VDD)이 제7 스위칭 소자(T7)를 통해 스토리지 캐패시터(Cst)에 인가되고, 기준 전원(Vref)이 제8 스위칭 소자(T8)를 통해 스토리지 캐패시터(Cst)에 인가되며, 초기화 전원(Vini)이 제6 스위칭 소자(T6)를 통해 발광 소자(OLED)에 인가될 수 있다.In the compensation circuit, the first switching element T1 is connected between the gate electrode and the second electrode of the driving element DT, and the data power supply Vdata is connected to the first electrode of the driving element through the second switching element T2. The driving power VDD is applied to the driving element through the third switching element T3, the driving power VDD is applied to the storage capacitor Cst through the seventh switching element T7, and the reference power Vref may be applied to the storage capacitor Cst through the eighth switching element T8, and initialization power supply Vini may be applied to the light emitting element OLED through the sixth switching element T6.

이때, 제1 내지 제4 스위칭 소자(T1~T4), 제6 내지 제8 스위칭 소자(T6~T8)는 각각 박막트랜지스터일 수 있다.In this case, each of the first to fourth switching elements T1 to T4 and the sixth to eighth switching elements T6 to T8 may be a thin film transistor.

제1 스위칭 소자(T1)는, 제1 전극과 제2 전극 중 하나가 구동 소자(DT)의 게이트 전극에 연결되고, 다른 하나는 구동 소자의 제2 전극(N3)에 연결되며, 게이트 전극은 n번째 제2 스캔 배선(S2(n))에 연결될 수 있다. 여기서, 제1 전극은 소스 전극이고, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않고 서로 바뀔 수 있다.In the first switching element T1, one of the first electrode and the second electrode is connected to the gate electrode of the driving element DT, the other is connected to the second electrode N3 of the driving element, and the gate electrode is It may be connected to the nth second scan line S2(n). Here, the first electrode may be a source electrode and the second electrode may be a drain electrode, but is not limited thereto and may be interchanged.

제2 스위칭 소자(T2)는, 제1 전극과 제2 전극 중 하나가 데이터 전원(Vdata)에 연결되고, 다른 하나는 구동 소자의 제1 전극(N1)에 연결되며, 게이트 전극은 n번째 제1 스캔 배선(S1(n))에 연결될 수 있다. 여기서, 제1 전극은 소스 전극이고, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않고 서로 바뀔 수 있다.In the second switching element T2, one of the first electrode and the second electrode is connected to the data power supply Vdata, the other is connected to the first electrode N1 of the driving element, and the gate electrode has an n-th electrode. It can be connected to 1 scan wire (S1(n)). Here, the first electrode may be a source electrode and the second electrode may be a drain electrode, but is not limited thereto and may be interchanged.

제3 스위칭 소자(T3)는, 제1 전극과 제2 전극 중 하나가 구동 소자의 제1 전극(N1)에 연결되고, 다른 하나는 구동 전원 배선(VDD)에 연결되며, 게이트 전극은 n-1번째 발광제어 배선(EM(n-1))에 연결될 수 있다. 여기서, 제1 전극은 소스 전극이고, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않고 서로 바뀔 수 있다.In the third switching element T3, one of the first electrode and the second electrode is connected to the first electrode N1 of the driving element, the other is connected to the driving power line VDD, and the gate electrode is n- It may be connected to the first emission control line EM(n-1). Here, the first electrode may be a source electrode and the second electrode may be a drain electrode, but is not limited thereto and may be interchanged.

제4 스위칭 소자(T4)는, 제1 전극과 제2 전극 중 하나가 발광 소자(OLED)의 제1 전극(N4)에 연결되고, 다른 하나는 구동 소자(DT)의 제2 전극(N3)에 연결되며, 게이트 전극은 n번째 발광제어 배선(EM(n))에 연결될 수 있다. 여기서, 제1 전극은 소스 전극이고, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않고 서로 바뀔 수 있다.In the fourth switching element T4, one of the first electrode and the second electrode is connected to the first electrode N4 of the light emitting element OLED, and the other is connected to the second electrode N3 of the driving element DT. , and the gate electrode may be connected to the n-th emission control line EM(n). Here, the first electrode may be a source electrode and the second electrode may be a drain electrode, but is not limited thereto and may be interchanged.

제6 스위칭 소자(T6)는, 제1 전극과 제2 전극 중 하나가 초기화 전원 배선(Vini)에 연결되고, 다른 하나는 발광 소자의 제1 전극(N4)에 연결되며, 게이트 전극은 n번째 제2 스캔 배선(S2(n))에 연결될 수 있다. 여기서, 제1 전극은 소스 전극이고, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않고 서로 바뀔 수 있다.In the sixth switching element T6, one of the first electrode and the second electrode is connected to the initialization power line Vini, the other is connected to the first electrode N4 of the light emitting element, and the gate electrode has an nth electrode. It may be connected to the second scan line S2(n). Here, the first electrode may be a source electrode and the second electrode may be a drain electrode, but is not limited thereto and may be interchanged.

제7 스위칭 소자(T7)는, 제1 전극과 제2 전극 중 하나가 구동 전원 배선(VDD)에 연결되고, 다른 하나는 스토리지 캐패시터(Cst)의 제1 전극에 연결되며, 게이트 전극은 n-1번째 발광제어 배선(EM(n-1))에 연결될 수 있다. 여기서, 제1 전극은 소스 전극이고, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않고 서로 바뀔 수 있다.In the seventh switching element T7, one of the first electrode and the second electrode is connected to the driving power line VDD, the other is connected to the first electrode of the storage capacitor Cst, and the gate electrode has n- It may be connected to the first emission control line EM(n-1). Here, the first electrode may be a source electrode and the second electrode may be a drain electrode, but is not limited thereto and may be interchanged.

제8 스위칭 소자(T8)는, 제1 전극과 제2 전극 중 하나가 기준 전원 배선(Vref)에 연결되고, 다른 하나는 스토리지 캐패시터의 제1 전극에 연결되며, 게이트 전극은 n번째 제2 스캔 배선(S2(n))에 연결될 수 있다. 여기서, 제1 전극은 소스 전극이고, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않고 서로 바뀔 수 있다.In the eighth switching element T8, one of the first electrode and the second electrode is connected to the reference power line Vref, the other is connected to the first electrode of the storage capacitor, and the gate electrode is connected to the n-th second scan. It may be connected to the wire S2(n). Here, the first electrode may be a source electrode and the second electrode may be a drain electrode, but is not limited thereto and may be interchanged.

한편, 보상 회로는, 제1 내지 제4 스위칭 소자(T1~T4)에 대하여, 구동 소자의 게이트 전극과 제2 전극 사이에 제1 스위칭 소자(T1)가 연결되고, 구동 소자의 제1 전극과 데이터 전원 배선(Vdata) 사이에 제2 스위칭 소자(T2)가 연결되고, 구동 소자의 제1 전극과 구동 전원 배선(VDD) 사이에 제3 스위칭 소자(T3)가 연결되고, 발광 소자의 제1 전극과 구동 소자의 제2 전극 사이에 제4 스위칭 소자(T4)가 연결될 수 있다.On the other hand, in the compensation circuit, for the first to fourth switching elements T1 to T4, the first switching element T1 is connected between the gate electrode and the second electrode of the driving element, and the first electrode and The second switching element T2 is connected between the data power line Vdata, the third switching element T3 is connected between the first electrode of the driving element and the driving power line VDD, and the first switching element T3 of the light emitting element A fourth switching element T4 may be connected between the electrode and the second electrode of the driving element.

또한, 보상 회로는, 제6 내지 제8 스위칭 소자(T6~T8)에 대하여, 발광 소자의 제1 전극과 초기화 전원 배선(Vini) 사이에 제6 스위칭 소자(T6)가 연결되고, 스토리지 캐패시터(Cst)와 구동 전원 배선(VDD) 사이에 제7 스위칭 소자(T7)가 연결되고, 스토리지 캐패시터(Cst)와 기준 전원 배선(Vref) 사이에 제8 스위칭 소자(T8)가 연결될 수 있다.In addition, in the compensation circuit, with respect to the sixth to eighth switching elements T6 to T8, the sixth switching element T6 is connected between the first electrode of the light emitting element and the initialization power line Vini, and the storage capacitor ( A seventh switching element T7 may be connected between Cst and the driving power line VDD, and an eighth switching element T8 may be connected between the storage capacitor Cst and the reference power line Vref.

제1 스위칭 소자(T1)는 n번째 제2 스캔 신호(S2(n))에 의해 스위칭 되고, 제2 스위칭 소자(T2)는 n번째 제1 스캔 신호(S1(n))에 의해 스위칭 되고, 제3 스위칭 소자(T3)는 n-1번째 발광제어 신호(EM(n-1))에 의해 스위칭 되고, 제4 스위칭 소자(T4)는 n번째 발광제어 신호(EM(n))에 의해 스위칭 되고, 제6 스위칭 소자(T6)는 n번째 제2 스캔 신호(S2(n))에 의해 스위칭 되고, 제7 스위칭 소자(T7)는 n-1번째 발광제어 신호(EM(n-1))에 의해 스위칭 되고, 제8 스위칭 소자(T8)는 n번째 제2 스캔 신호(S2(n))에 의해 스위칭 될 수 있다.The first switching element T1 is switched by the n-th second scan signal S2(n), the second switching element T2 is switched by the n-th first scan signal S1(n), The third switching element T3 is switched by the n-1th light emission control signal EM(n-1), and the fourth switching element T4 is switched by the nth light emission control signal EM(n). The sixth switching element T6 is switched by the n-th second scan signal S2(n), and the seventh switching element T7 generates the n-1th light emission control signal EM(n-1). , and the eighth switching element T8 can be switched by the n-th second scan signal S2(n).

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널(20)은, 초기화 기간(Initial), 샘플링 기간(Sampling), 및 발광 기간(Emission)으로 나뉘어 구동될 수 있다.Referring to FIG. 3 , the display panel 20 according to an exemplary embodiment of the present invention may be driven by dividing into an initialization period (Initial), a sampling period (Sampling), and an emission period (Emission).

여기서, 샘플링 기간(Sampling)은 감지 및 초기화 기간(Sensing & Initial)이라 칭할 수 있고, 경우에 따라서는'프로그래밍 기간'이라 칭할 수 있다.Here, the sampling period (Sampling) may be referred to as a sensing and initialization period (Sensing & Initial), and may be referred to as a 'programming period' in some cases.

또한, 표시 패널(20)은 샘플링 기간(Sampling)과 발광 기간(Emission) 사이에 홀딩 기간의 구동 타이밍을 가질 수 있다.Also, the display panel 20 may have a driving timing of a holding period between the sampling period (Sampling) and the emission period (Emission).

도 3에서, 초기화 기간(Initial)은 1 수평 기간(1H)과 동일하거나 그 보다 짧게 설정될 수 있다.In FIG. 3 , the initialization period (Initial) may be set equal to or shorter than one horizontal period (1H).

도 3에서, n번째 제1 스캔 신호(S1(n))는 초기화 기간에 하이(High) 신호이고, 샘플링 기간에 1H 동안 로우(Low) 신호이고, 발광 기간에 하이 신호일 수 있다.In FIG. 3 , the n-th first scan signal S1(n) may be a high signal in an initialization period, a low signal in a sampling period for 1H, and a high signal in an emission period.

n번째 제2 스캔 신호(S2(n))는 초기화 기간에 로우 신호이고, 샘플링 기간에 2H 동안 로우 신호이고, 발광 기간에 하이 신호일 수 있다.The nth second scan signal S2(n) may be a low signal during an initialization period, a low signal during a 2H sampling period, and a high signal during an emission period.

n-1번째 발광제어 신호(EM(n-1))는 초기화 기간 및 샘플링 기간에 하이 신호이고, 발광 기간 및 나머지 기간에 하이 신호일 수 있다.The n−1 th light emission control signal EM(n−1) may be a high signal during the initialization period and the sampling period, and may be a high signal during the light emission period and the remaining periods.

n번째 발광제어 신호(EM(n))는 샘플링 기간 및 발광 기간의 일부에 하이 신호이고, 나머지 기간에 로우 신호일 수 있다.The n-th emission control signal EM(n) may be a high signal during a part of the sampling period and a light emission period, and may be a low signal during the remaining period.

도 3에서, 구동 소자(DT)의 소스 전극(DRS)에 인가되는 데이터 전압 신호(Vdata)는, 샘플링 기간 1H 동안 로우 신호이고, 나머지 기간에 하이 신호일 수 있다.In FIG. 3 , the data voltage signal Vdata applied to the source electrode DRS of the driving element DT may be a low signal during the sampling period 1H and a high signal during the remaining period.

도 3에서, 구동 소자(DT)의 게이트 전극(DRG)에 인가되는 데이터 전압 신호는, 초기화 기간 1H 동안 로우 신호이고, 샘플링 기간에 로우 신호에서 (Vdata-Vth) 신호로 상승되고, 발광 기간에 하이 신호일 수 있다.In FIG. 3 , the data voltage signal applied to the gate electrode DRG of the driving element DT is a low signal during the initialization period 1H, rises from a low signal to a (Vdata-Vth) signal during the sampling period, and It could be a high signal.

도 3에서, 스토리지 캐패시터(Cst)의 접점 노드(STR)에 인가되는 기준 전압 신호(Vref)는, 초기화 기간 및 샘플링 기간에 로우 신호이고, 발광 기간에 하이 신호일 수 있다.In FIG. 3 , the reference voltage signal Vref applied to the contact node STR of the storage capacitor Cst may be a low signal during an initialization period and a sampling period, and may be a high signal during an emission period.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널에서 보상 회로의 초기화 기간 동작을 나타낸 회로도이고, 도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 보상 회로에서 초기화 기간, 샘플링 기간 및 발광 기간에 신호 입력 및 출력을 나타낸 신호 파형도이다.4 is a circuit diagram illustrating an operation of a compensation circuit in an initialization period in a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. It is a signal waveform diagram showing input and output.

도 2 내지 도 4, 도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널(20)에서, 초기화 기간(Initial)에, 제2 스캔 신호(SCAN2(N)/S2(n))와 발광 신호(EM(n))는 턴-온 레벨인 게이트 로우 전압(VGL)으로 입력되고, 제1 스캔 신호(SCAN1(N)/S1(n))는 턴-오프 레벨인 게이트 하이 전압(VGH)으로 입력된다.2 to 4, 7 and 8 , in the display panel 20 according to the exemplary embodiment of the present invention, in the initialization period Initial, the second scan signal SCAN2(N)/S2(n) ) and the emission signal EM(n) are input as gate low voltage VGL, which is a turn-on level, and the first scan signal SCAN1(N)/S1(n) is input as a gate high voltage, which is a turn-off level. (VGH).

초기화 기간(Initial)에, 턴-온 레벨의 제2 스캔 신호(SCAN2(N)/S2(n))에 응답하여 제1, 제6 및 제8 스위칭 소자(T1, T6, T8)가 턴-온 되고, 턴-온 레벨(ON)의 n번째 발광제어 신호(EM(n))에 응답하여 제4 스위칭 소자(T4)가 턴-온 된다. During the initialization period (Initial), the first, sixth and eighth switching elements T1, T6 and T8 turn-on in response to the turn-on level of the second scan signal SCAN2(N)/S2(n). Turned on, the fourth switching element T4 is turned on in response to the nth light emission control signal EM(n) of the turn-on level ON.

따라서, 기준 전압(Vref)이 제8 스위칭 소자(T8)를 통해 스토리지 캐패시터(Cst)의 접속 노드(STR)로 인가되고, 초기화 전압(Vini)이 제6 스위칭 소자(T6), 제4 스위칭 소자(T4), 제1 스위칭 소자(T1)를 통해 각각 노드 N4, 노드 N3, 노드 N2로 인가된다.Accordingly, the reference voltage Vref is applied to the connection node STR of the storage capacitor Cst through the eighth switching element T8, and the initialization voltage Vini is applied to the sixth switching element T6 and the fourth switching element. (T4), and is applied to the node N4, node N3, and node N2 through the first switching element T1, respectively.

그 결과, 노드들(STR, N2, N3, N4)이 모두 기준 전압(Vref)으로 초기화된다. 이러한 초기화 동작은 샘플링(프로그래밍) 동작에 앞서 노드들(STR, N2, N3, N4)의 전위를 일정한 값으로 리셋(Reset) 시킴으로써, 내부 보상의 신뢰성을 높이기 위한 것이다.As a result, all of the nodes STR, N2, N3, and N4 are initialized to the reference voltage Vref. This initialization operation is to increase the reliability of internal compensation by resetting the potentials of the nodes STR, N2, N3, and N4 to a constant value prior to the sampling (programming) operation.

기준 전압(Vref)은 고전위 전원 전압(VDD)보다 낮은 전압이고, 발광 다이오드(OLED)의 동작점 전압(Voled)보다 낮도록 저전위 전원 전압(VSS) 근처에서 설정된다. 따라서, 초기화 기간(Initial)에 발광 다이오드(OLED)는 발광하지 않는다.The reference voltage Vref is a voltage lower than the high potential power supply voltage VDD, and is set near the low potential power supply voltage VSS to be lower than the operating point voltage Voled of the light emitting diode OLED. Accordingly, the light emitting diode OLED does not emit light during the initialization period Initial.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널에서 보상 회로의 샘플링 기간 동작을 나타낸 회로도이다.5 is a circuit diagram illustrating a sampling period operation of a compensation circuit in a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2, 도 3, 도 5, 도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널(20)에서, 샘플링(Sampling) 기간에, 제1 스캔 신호(SCAN1(N)/S1(n)) 및 제2 스캔 신호(SCAN2(N)/S2(n))는 턴-온 레벨인 게이트 로우 전압(VGL)으로 입력되고, 발광 신호(EM(N))는 턴-오프 레벨인 게이트 하이 전압(VGH)으로 입력된다.Referring to FIGS. 2, 3, 5, 7, and 8 , in the display panel 20 according to the exemplary embodiment of the present invention, during a sampling period, a first scan signal SCAN1(N)/S1 (n)) and the second scan signal SCAN2(N)/S2(n) are input as gate low voltage VGL, which is a turn-on level, and the emission signal EM(N) is a turn-off level. It is input as the gate high voltage (VGH).

여기서, 초기화 기간(Initial)은 1 수평 기간(1H) 내에 이뤄졌지만, 샘플링(Smapling) 기간은 2 수평 기간(2H) 이상으로 이뤄질 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널(20)은 초기화 기간 보다 2 배 이상으로 샘플링 기간을 추가로 확보할 수 있다.Here, the initialization period (Initial) is made within one horizontal period (1H), but the sampling (Smapping) period may be made up of two horizontal periods (2H) or more. That is, the display panel 20 according to an exemplary embodiment of the present invention may additionally secure a sampling period twice or more than the initialization period.

감지 및 초기화 기간(Sensing & Initial)도 1 수평 기간(1H)과 동일하거나 그 보다 짧게 설정될 수 있다. 이 때 제1 스캔 신호(SCAN1)는 2 수평 기간과 동일하거나 그 보다 짧게 설정될 수 있다. 또한, 도 13에서 홀딩 기간(th)은 1 수평 기간과 동일하거나 그 보다 더 짧게 설정될 수도 있다.The sensing and initialization period (Sensing & Initial) may also be set equal to or shorter than 1 horizontal period (1H). At this time, the first scan signal SCAN1 may be set equal to or shorter than 2 horizontal periods. In addition, in FIG. 13, the holding period th may be set equal to or shorter than one horizontal period.

샘플링(Smapling) 기간, 제2 스캔 신호(SCAN2(N)/S2(n))가 턴-온 레벨을 유지하고 제1 스캔 신호(SCAN1(N)/S1(n))도 턴-온 레벨로 바뀌어 제2 및 구동 소자(T2, DT)가 턴-온 상태이고, 발광 신호(EM(n))가 턴-오프 레벨로 반전되어 제4 스위칭 소자(T4)가 턴-오프 된다.During the sampling period, the second scan signal SCAN2(N)/S2(n) maintains the turn-on level and the first scan signal SCAN1(N)/S1(n) also maintains the turn-on level. In turn, the second and driving elements T2 and DT are in a turn-on state, and the light emitting signal EM(n) is inverted to a turn-off level, so that the fourth switching element T4 is turned off.

초기화 기간(Initial)에서 설정된 구동 소자(DT)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)인 전압(VDD-Vref=Vdata+Vth)은 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)보다 크므로, 샘플링(Smapling) 기간 동안 구동 소자(DT)에는 구동 전류가 흐른다. Since the voltage (VDD-Vref=Vdata+Vth), which is the gate-source voltage Vgs of the driving element DT set in the initialization period Initial, is greater than the threshold voltage Vth of the driving element DT, the sampling ( During the smapping period, a driving current flows through the driving element DT.

이때, 제2 스위칭 소자(T2)의 턴-온에 의해 데이터 전압(Vdata)이 제2 스위칭 소자(T2)를 경유해 구동 소자(DT)에 인가되고, 제1 스위칭 소자(T1)의 턴-온에 의해 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 드레인 전극이 서로 연결되어 구동 소자(DT)가 다이오드 결선(Diode-connection)되고, 제4 스위칭 소자(T4)의 턴-오프에 의해 구동 전류가 다이오드 결선 경로를 따라 흐른다. 이러한 다이오드 결선 경로를 따라 흐르는 구동 전류에 의해 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)이 샘플링 되어 노드 N2 및 노드 N3에 저장된다.At this time, the data voltage Vdata is applied to the driving element DT via the second switching element T2 by the turn-on of the second switching element T2, and the turn-on of the first switching element T1 When turned on, the gate electrode and the drain electrode of the driving transistor DT are connected to each other so that the driving element DT is diode-connected, and when the fourth switching element T4 is turned off, the driving current is converted to a diode. It flows along the runoff path. The threshold voltage Vth of the driving element DT is sampled by the driving current flowing along the diode connection path and stored in nodes N2 and N3.

샘플링(Smapling) 기간 동안에, 제8 스위칭 소자(T8)의 턴-온에 의해 노드 STR에 계속해서 기준 전압(Vref)이 인가되고, OLED는 발광되지 않는다.During the sampling period, the reference voltage Vref is continuously applied to the node STR by turning on the eighth switching element T8, and the OLED does not emit light.

샘플링(Smapling) 기간에, 노드 STR의 전위는 기준 전압(Vref)으로 설정되고, 노드 N2 및 노드 N3의 전위는 Vdata+Vth로 설정되고, 노드 N4의 전위는 초기화 전압(Vini)으로 설정된다.During the sampling period, the potential of the node STR is set to the reference voltage Vref, the potentials of the nodes N2 and N3 are set to Vdata+Vth, and the potential of the node N4 is set to the initialization voltage Vini.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널에서 보상 회로의 발광 기간 동작을 나타낸 회로도이다.6 is a circuit diagram illustrating an operation of a light emitting period of a compensation circuit in a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2, 도 3, 도 6, 도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널(20)에서, 발광 기간(Emission)에, 제1 및 제2 스캔 신호(SCAN1(N), SCAN2(N))는 턴-오프 레벨인 게이트 하이 전압(VGH)으로 입력되고, 발광제어 신호(EM(N))는 턴-온 레벨인 게이트 로우 전압(VGL)으로 입력된다.Referring to FIGS. 2, 3, 6, 7, and 8 , in the display panel 20 according to the exemplary embodiment of the present invention, during the emission period, first and second scan signals SCAN1(N ), SCAN2(N)) is input as the gate high voltage VGH, which is a turn-off level, and the emission control signal EM(N) is input as a gate low voltage VGL, which is a turn-on level.

이때, 발광 기간(Emission)에, N-1번째 발광제어 신호(EM(N-1))는 턴-온 레벨인 게이트 로우 전압(VGL)으로 입력되고, N번째 발광제어 신호(EM(N))도 턴-온 레벨인 게이트 로우 전압(VGL)으로 입력된다. At this time, during the emission period (Emission), the N-1 th emission control signal EM(N-1) is input as the gate low voltage VGL, which is a turn-on level, and the N th emission control signal EM(N) ) is also input as the gate low voltage (VGL), which is the turn-on level.

그에 따라 제3, 제7 및 제4 스위칭 소자(T3, T7, T4)는 턴 온(Turn On) 된다. Accordingly, the third, seventh, and fourth switching elements T3, T7, and T4 are turned on.

따라서, 구동 전원(VDD)이 제7 스위칭 소자(T7) 및 스토리지 캐패시터(Cst)를 경유해 구동 소자(DT)의 게이트 전극에 인가됨과 더불어, 제3 스위칭 소자(T3)를 통해 구동 소자(DT)의 제1 전극에 인가된다.Accordingly, the driving power supply VDD is applied to the gate electrode of the driving element DT via the seventh switching element T7 and the storage capacitor Cst, and the driving element DT via the third switching element T3. ) is applied to the first electrode of

구동 소자(DT)는 게이트 전극에 인가된 구동 전원(VDD)에 의해 턴 온 된다. 이에, 구동 소자(DT)는 제1 전극으로 인가된 구동 전원(VDD)을 제2 전극을 통해 제4 스위칭 소자(T4)로 출력한다.The driving element DT is turned on by the driving voltage VDD applied to the gate electrode. Accordingly, the driving element DT outputs the driving power VDD applied to the first electrode to the fourth switching element T4 through the second electrode.

제4 스위칭 소자(T4)는 구동 소자(DT)로부터 인가받은 구동 전원(VDD)을 발광 소자(OLED)에 인가함으로써 발광 소자(OLED)가 발광 구동된다.The fourth switching element T4 applies the driving power VDD received from the driving element DT to the light emitting element OLED so that the light emitting element OLED is driven to emit light.

발광 기간(Emission) 동안 구동 소자(DT)의 게이트 전극에 대한 전위는 (VDD-Vref)+(Vdata+Vref)로 설정된다. During the emission period, the potential of the gate electrode of the driving element DT is set to (VDD-Vref)+(Vdata+Vref).

이를 통해, 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth) 변화를 보상할 수 있는 구동 소자(DT)의 게이트-소스 전압(Vgs)이 설정되고, 구동 소자(DT)에는 아래의 수학식 1과 같이 게이트-소스 전압(Vgs)에 대응되는 구동 전류(Ioled)가 흐르게 된다.Through this, the gate-source voltage (Vgs) of the driving element (DT) capable of compensating for a change in the threshold voltage (Vth) of the driving element (DT) is set, and the driving element (DT) is set as shown in Equation 1 below. A driving current Ioled corresponding to the gate-source voltage Vgs flows.

이러한 구동 전류(Ioled)에 의해 노드 N3, N4의 전위는 발광 다이오드(OLED)의 동작점 전압(Voled)으로 상승하여 발광 다이오드(OLED)가 턴-온 되고, 그 결과 발광 다이오드(OLED)가 구동 전류(Ioled)에 의해 발광한다.The potential of the nodes N3 and N4 rises to the operating point voltage Voled of the light emitting diode OLED by the driving current Ioled, and the light emitting diode OLED is turned on, and as a result, the light emitting diode OLED is driven. Light is emitted by the current (Ioled).

Figure pat00001
Figure pat00001

여기서, K는 구동 소자(DT)의 이동도, 채널 비, 기생 용량 등에 의해 결정되는 상수 값이고, Vth는 구동 소자(DT)의 문턱 전압이다.Here, K is a constant value determined by the mobility, channel ratio, parasitic capacitance, etc. of the driving element DT, and Vth is the threshold voltage of the driving element DT.

수학식 1에서 알 수 있듯이, 발광 다이오드(OLED)의 구동 전류(Ioled)는 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)뿐만 아니라 구동 전원인 고전위 전압 전원(VDD)에 영향을 받지 않게 된다.As can be seen from Equation 1, the driving current Ioled of the light emitting diode OLED is not affected by the high potential voltage power supply VDD as a driving power source as well as the threshold voltage Vth of the driving element DT.

이 명세서에서는, 픽셀을 초기화하고 문턱 전압을 센싱하는 동작에 사용되는 스캔 신호가 이웃하는 표시 라인에 서로 일정 기간 중첩하여 공급될 때, 적은 개수의 클럭과 간단한 회로 구성으로 서로 중첩하는 스캔 신호를 생성하는 게이트 구동 회로가 제시될 수 있다.In this specification, when scan signals used for initializing pixels and sensing threshold voltages are supplied to neighboring display lines while overlapping each other for a certain period of time, overlapping scan signals are generated with a small number of clocks and a simple circuit configuration. A gate driving circuit may be presented.

본 발명의 실시예에 따른 표시 패널(20)은 보상 회로에 대한 출력 신호들을 확인한 결과, 도 8에 도시된 바와 같이, 데이터 전압에 따른 255G부터 블랙(Black) 색상까지 출력 신호에 이상이 없음을 확인할 수 있었다.As a result of checking the output signals of the compensation circuit in the display panel 20 according to an embodiment of the present invention, as shown in FIG. I was able to confirm.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널에서 MTO 활용을 위한 화소 보상 회로를 나타낸 도면이다.9 is a diagram illustrating a pixel compensation circuit for using MTO in a display panel according to another embodiment of the present invention.

도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 MTO(Middle Temperature Oxide) 활용을 위한 화소 보상 회로는, 도 2에 도시된 화소의 보상 회로와 동일한 구조에서 제1 스위칭 소자(T1), 제6 스위칭 소자(T6) 또는 제8 스위칭 소자(T8) 중 적어도 하나를 옥사이드 박막 트랜지스터(Oxide TFT)로 구성할 수 있다.As shown in FIG. 9, a pixel compensation circuit for utilizing MTO (Middle Temperature Oxide) according to another embodiment of the present invention has the same structure as the pixel compensation circuit shown in FIG. 2, and includes a first switching element T1. , At least one of the sixth switching element T6 and the eighth switching element T8 may be configured as an oxide thin film transistor (Oxide TFT).

즉, 본 발명에 따른 MTO 활용을 위한 화소 보상 회로는, 도 2의 화소 보상 회로에서 제1 스위칭 소자(T1), 제6 스위칭 소자(T6) 또는 제8 스위칭 소자(T8) 중 적어도 하나가 옥사이드 TFT로 대체된다는 점에서 차이가 있다. 서브 화소의 나머지 TFT들은 LTPS TFT일 수 있다. That is, in the pixel compensation circuit for using the MTO according to the present invention, at least one of the first switching element T1, the sixth switching element T6, or the eighth switching element T8 in the pixel compensation circuit of FIG. 2 is oxide. There is a difference in that it is replaced by TFT. The remaining TFTs of the sub-pixel may be LTPS TFTs.

본 발명에 따른 표시패널(20)은 주사율을 낮춰 소비전력을 저감시키기 위해 옥사이드 TFT를 이용하는 MTO 방식에 활용할 수 있다.The display panel 20 according to the present invention can be utilized in an MTO method using an oxide TFT to reduce power consumption by lowering the scan rate.

옥사이드 TFT는 저온 다결정 실리콘(LTPS: Low-Temperature Polycrystalline Silicon) TFT 대비 전자 이동도(Electric Mobility)가 낮아서 LTPS TFT 대비 넓은 폭(Width)으로 설계해 주어야 한다.Oxide TFTs have lower electron mobility than low-temperature polycrystalline silicon (LTPS) TFTs, so they should be designed with a wider width than LTPS TFTs.

도 10은 도 9의 화소 보상 회로를 구동하는 제어 신호들의 타이밍을 나타낸 도면이다.FIG. 10 is a diagram illustrating timing of control signals for driving the pixel compensation circuit of FIG. 9 .

도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소 보상 회로에 대한 제어 신호들의 구동 타이밍은, N번째 제2 스캔 신호(SCAN2(N))가 초기화 기간(Initial)에 1 수평 기간(1H) 동안 하이(High) 신호이고, 샘플링 기간(Sampling)에 2 수평 기간(2H) 동안 하이(High) 신호이다.Referring to FIG. 10 , the driving timing of the control signals for the pixel compensation circuit according to another embodiment of the present invention is that the N-th second scan signal SCAN2(N) is 1 horizontal period (1H) in the initialization period (Initial). ), and is a high signal during 2 horizontal periods (2H) in the sampling period (Sampling).

즉, 도 9의 화소 보상 회로에 대한 제어 신호들의 구동 타이밍은, 도 3에 도시된 구동 타이밍과 대부분 동일하지만, 옥사이드 TFT의 구동을 위한 N번째 제2 스캔 신호(SCAN2(N))가 초기화 기간 및 샘플링 기간 동안 모두 하이 신호인 점에서 도 3에 도시된 구동 타이밍과 다르다.That is, the drive timing of the control signals for the pixel compensation circuit of FIG. 9 is mostly the same as the drive timing shown in FIG. and a high signal during the sampling period, different from the driving timing shown in FIG. 3 .

따라서, 도 9에 도시된 화소 보상 회로의 제어 신호들에 대한 구동 타이밍에서, N번째 제2 스캔 신호(SCAN2(N))를 제외한 나머지 제어 신호들의 구동 타이밍에 대한 설명은 도 3과 동일하므로 생략한다.Therefore, in the driving timing of the control signals of the pixel compensation circuit shown in FIG. 9, the description of the driving timing of the control signals other than the N-th second scan signal SCAN2(N) is the same as that of FIG. 3 and thus omitted. do.

즉, 도 9에 도시된 N번째 제1 스캔 신호(SCAN1(N)), N-1번째 발광제어 신호(EM(N-1)), n번째 발광제어 신호(EM(N)), 구동 소자(DT)의 소스 전극 신호(DRS), 구동 소자(DT)의 게이트 전극 신호(DRG), 스토리지 캐패시터(Cst)의 접점 노드(STR)에 인가되는 기준 전압 신호(Vref)의 구동 타이밍은 도 3에 도시된 제어 신호들의 구동 타이밍과 동일하다.That is, the Nth first scan signal SCAN1(N) shown in FIG. 9, the N−1th light emission control signal EM(N−1), the nth light emission control signal EM(N), and the driving element The driving timings of the source electrode signal DRS of DT, the gate electrode signal DRG of driving element DT, and the reference voltage signal Vref applied to the contact node STR of storage capacitor Cst are shown in FIG. 3 . It is the same as the driving timing of the control signals shown in .

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 AAGIP 표시패널의 표시 영역 구성도를 나타낸 것이고, 도 12는 도 11의 표시패널의 표시 영역 및 베젤 영역을 도시한 구성도이다.11 is a configuration diagram of a display area of an AAGIP display panel according to another embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a configuration diagram showing a display area and a bezel area of the display panel of FIG. 11 .

도 11 및 도 12에서는 단위 화소는 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 및 백색(W) 서브 화소들로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소들로 구성될 수 있다.In FIGS. 11 and 12 , the unit pixel may be composed of red (R), green (G), blue (B), and white (W) sub-pixels, but is not limited thereto, and red (R), green ( G) and blue (B) sub-pixels.

본 발명에 따른 표시패널(20)에서 표시 영역(AA)은, 행마다 배치된 복수의 스캔 배선(SL1~SL2160)과 열마다 배치된 복수의 데이터 배선이 교차하고, 각 교차점에 서브 화소(1133)들이 배치될 수 있다. 각 서브 화소(1133)에는 발광 소자(OLED)가 배치될 수 있다.In the display panel 20 according to the present invention, in the display area AA, a plurality of scan wires SL1 to SL2160 disposed in each row and a plurality of data wires disposed in each column intersect, and sub-pixels 1133 are disposed at each intersection. ) can be placed. A light emitting device OLED may be disposed in each sub-pixel 1133 .

본 발명에 따른 표시패널(20)의 표시 영역(AA)의 단위 화소 영역은 적어도 하나 이상의 서브 화소부(1133), 적어도 하나 이상의 GIP부(1131), 및 적어도 하나 이상의 GIP 내부 연결 배선부(1132) 등으로 구분될 수 있다.The unit pixel area of the display area AA of the display panel 20 according to the present invention includes at least one sub-pixel unit 1133, at least one GIP unit 1131, and at least one GIP internal connection wiring unit 1132. ) can be distinguished.

하나의 GIP부(1131)는 적어도 둘 이상의 열마다 배치될 수 있다. 예컨대, 각 GIP부(1131)는 두 개의 서브 화소 열마다 배치되거나, 세 개의 서브 화소 열마다 배치되거나, 네 개의 서브 화소 열마다 배치될 수 있다. 여기서, GIP부(1131)는 복수 개로 일정 간격으로 표시 영역(AA) 내에 배치되어 있으므로 AAGIP(1131)라 칭할 수 있다.One GIP unit 1131 may be disposed in at least two or more columns. For example, each GIP unit 1131 may be disposed every two sub-pixel columns, every three sub-pixel columns, or every four sub-pixel columns. Here, since a plurality of GIP units 1131 are arranged in the display area AA at regular intervals, they may be referred to as AAGIP units 1131.

단위 화소 영역은 적어도 3 개의 서브 화소(1133)를 포함하고, 적어도 3 개의 서브 화소에는 각각 구동 소자(DT)가 배치될 수 있다.A unit pixel area may include at least three sub-pixels 1133 , and driving elements DT may be disposed in each of the at least three sub-pixels.

GIP부(1131)는 표시 영역(AA) 내의 각 게이트 배선에 의해 구동되는 단위 화소 영역들에 분산 배치되어 해당 게이트 배선에 스캔 신호(예, Gate Pulse)를 공급하는 복수 개의 스테이지(Stage; 미도시)를 포함할 수 있다.The GIP unit 1131 is distributed in unit pixel areas driven by each gate line in the display area AA, and supplies a scan signal (eg, gate pulse) to the corresponding gate line (Stage; not shown). ) may be included.

GIP부(1131)는 스테이지를 구성하는 GIP 소자(트랜지스터 또는 캐패시터)에 해당될 수 있다. 즉, 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 및 백색(W) 서브 화소들로 구성되는 단위 화소 영역에, 스테이지(미도시)를 구성하는 GIP 소자(트랜지스터 또는 커패시터)가 분산 배치될 수 있다. 각 GIP부(1131)에는 GIP TFT가 배치될 수 있다.The GIP unit 1131 may correspond to a GIP element (transistor or capacitor) constituting a stage. That is, in a unit pixel area composed of red (R), green (G), blue (B), and white (W) sub-pixels, GIP elements (transistors or capacitors) constituting a stage (not shown) are distributed. can be placed. A GIP TFT may be disposed in each GIP unit 1131.

하나의 스캔 배선을 구동하기 위한 하나의 스테이지는 해당 스캔 배선에 의해 구동되는 복수 개의 단위 화소 영역에 분산되어 배치될 수 있다. 물론, 하나의 스캔 배선을 구동하기 위한 스테이지를 2개 이상 복수 개의 단위 화소 영역에 분산 배치할 수도 있다.One stage for driving one scan line may be disposed in a distributed manner in a plurality of unit pixel areas driven by the corresponding scan line. Of course, two or more stages for driving one scan line may be distributedly arranged in a plurality of unit pixel areas.

만약, 하나의 스캔 배선에 의해 구동되는 복수 개의 단위 화소 영역에 하나의 스테이지를 분산 배치할 경우, 해당 스캔 배선에 의해 구동되는 복수 개의 단위 화소 영역들 중 가운데 부분의 복수 개의 단위 화소 영역에 스테이지를 구성하는 GIP 소자들(트랜지스터 또는 커패시터)을 분산 배치할 수 있다.If one stage is distributed and arranged in a plurality of unit pixel areas driven by one scan line, the stage is placed in a plurality of unit pixel areas in the middle of the plurality of unit pixel areas driven by the corresponding scan line. Constituting GIP elements (transistors or capacitors) can be distributedly arranged.

또한, 하나의 스캔 배선을 구동하기 위한 스테이지를 해당 스캔 배선에 의해 구동되는 복수 개의 단위 화소 영역에 2개 배치할 경우, 해당 스캔 배선에 의해 구동되는 복수 개의 단위 화소들 중 양쪽 가장자리 부분의 복수 개의 단위 화소 영역에 각각 스테이지를 구성하는 GIP 소자들(트랜지스터 또는 캐패시터)을 분산 배치할 수 있다.In addition, when two stages for driving one scan wire are disposed in a plurality of unit pixel areas driven by the corresponding scan wire, a plurality of unit pixels driven by the corresponding scan wire are located at both edges of the plurality of unit pixels. GIP elements (transistors or capacitors) constituting each stage may be distributedly arranged in the unit pixel area.

또한, 도 11 및 도 12에서는 모든 단위 화소 영역에 GIP부(1131)가 배치됨을 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다.11 and 12 show that the GIP units 1131 are disposed in all unit pixel areas, but are not limited thereto.

도 12에 도시된 바와 같이, GIP부(1131)는 스캔 GIP부(AAGIP SCAN)와 발광 GIP부(AAGIP EM)를 포함할 수 있다. 따라서 표시 영역(AA)에서 일정 간격으로 스캔 GIP부(AAGIP SCAN)를 배치(①, ②, ③)하고, 이어 일정 간격으로 발광 GIP부(AAGIP EM)를 배치(①, ②, ③)할 수 있다.As shown in FIG. 12 , the GIP unit 1131 may include a scan GIP unit (AAGIP SCAN) and an emitting GIP unit (AAGIP EM). Therefore, it is possible to arrange (①, ②, ③) scan GIP parts (AAGIP SCAN) at regular intervals in the display area (AA), and then arrange (①, ②, ③) light emitting GIP parts (AAGIP EM) at regular intervals. there is.

예를 들어, 단위 화소(Pixel)마다 스캔 GIP부(AAGIP SCAN)와 발광 GIP부(AAGIP EM)를 배치하되, 3 개의 단위 화소에는 스캔 GIP부(AAGIP SCAN)를 배치(①, ②, ③)하고, 이어 다음 3 개의 단위 화소에는 발광 GIP부(AAGIP EM)를 배치(①, ②, ③)할 수 있다. 물론, 이러한 배치에 한정되는 것은 아니다.For example, a scan GIP unit (AAGIP SCAN) and a light emitting GIP unit (AAGIP EM) are arranged for each unit pixel (Pixel), but a scan GIP unit (AAGIP SCAN) is placed in three unit pixels (①, ②, ③) Then, the light emitting GIP unit (AAGIP EM) may be disposed (①, ②, ③) in the next three unit pixels. Of course, it is not limited to this arrangement.

도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, GIP부(1131)를 표시 영역(AA)에 배치함으로써 기존의 비표시 영역에 존재하던 게이트 구동회로를 제거함에 따라 표시패널(20)의 양측에 있는 비표시 영역의 베젤 영역(Bezel)을 더 넓게 확보할 수 있다.As shown in FIGS. 11 and 12, by arranging the GIP unit 1131 in the display area AA, the gate driving circuit existing in the non-display area is removed, and thus the non-display area on both sides of the display panel 20 is removed. A wider bezel area of the display area may be secured.

GIP 내부 연결 배선부(1132)는 스테이지를 구성하는 GIP 소자들 간을 연결하는 연결 배선들(클럭 신호 라인, Q 노드, QB 노드, 소자와 소자 연결 라인 등)이 배치되는 영역이다.The GIP internal connection wiring unit 1132 is an area where connection wires (clock signal line, Q node, QB node, element-to-element connection line, etc.) connecting GIP elements constituting the stage are disposed.

서브 화소부(1133)는 예컨대, 제1 서브 화소(R), 제2 서브 화소(G), 제3 서브 화소(B), 및 제4 서브 화소(W) 등을 포함할 수 있다. 각 서브 화소는 적어도 하나 이상의 부 서브 화소(예, R1, R2, , Rn)를 포함할 수 있다.The sub-pixel unit 1133 may include, for example, a first sub-pixel R, a second sub-pixel G, a third sub-pixel B, and a fourth sub-pixel W. Each sub-pixel may include at least one or more sub-sub-pixels (eg, R1, R2, Rn).

서브 화소부(1133)는 복수 개의 데이터 배선(DL1~DLm), 복수 개의 기준 전압 배선(Vref) 및 제 1 및 제 2 정전압 배선(VDD, VSS)들이 수직 방향으로 배열되고, 복수 개의 스캔 배선(SL)이 수평 방향으로 배열되어 구성될 수 있다.In the sub-pixel unit 1133, a plurality of data lines DL1 to DLm, a plurality of reference voltage lines Vref, and first and second constant voltage lines VDD and VSS are vertically arranged, and a plurality of scan lines ( SL) may be arranged in a horizontal direction.

또한, 적어도 3개의 서브 화소부(1133)와, GIP부(1131), 및 GIP 내부 연결 배선부(1132)의 배치 위치를 다양하게 할 수 있다.In addition, the arrangement positions of at least three sub-pixel units 1133, the GIP unit 1131, and the GIP internal connection wiring unit 1132 may be varied.

이와 같이, 게이트 구동 회로의 스테이지를 구성하는 GIP 소자들을 표시 영역(AA)에 분산 배치하여, 하나의 스캔 배선에 의해 구동되는 단위 화소들 내에 적어도 하나의 스테이지를 배치하므로, 표시패널(20)의 좌우 베젤 영역(Bezel)을 최소화 할 수 있다.In this way, since the GIP elements constituting the stages of the gate driving circuit are distributedly arranged in the display area AA and at least one stage is arranged within unit pixels driven by one scan line, the display panel 20 The left and right bezel area can be minimized.

따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시패널(20)은, 도 13에 도시된 바와 같이, 표시 영역(AA)의 좌우에 있는 베젤(Bezel) 영역을 더 확보할 수 있다. 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시패널이 AAGIP 방식에 의해 베젤 영역을 더 확보하는 예를 나타낸 도면이다. 즉, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시패널(20)은, 표시 영역(AA)에서 하나의 단위 화소에 제어 블록(CTRL)이 배치되고, 다음 단위 화소에 AAGIP가 배치되는 방식으로 AAGIP가 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 단위 화소의 제1 내지 제3 서브 화소(R, G, B)에 제어 블록(CTRL)이 배치되고, 이어지는 다음 제2 단위 화소의 제1 내지 제3 서브 화소(R, G, B)에 AAGIP가 배치되는 것이다. 이때, 하나의 단위 화소는 서브 화소(Sub-PXL) 3 개(R, G, B)로 이루어지는 경우이다. 스캔(Scan) 배선, 발광(EM) 배선 및 모든 GIP(Gate In Panel)를 표시 영역(AA)의 내부에 배치함에 따라, 기존의 베젤 영역에 있던 게이트 구동 회로를 제거하는 효과를 얻게 되고, 그에 따라 베젤 영역을 더 확보할 수 있다.Accordingly, the display panel 20 according to another embodiment of the present invention, as shown in FIG. 13 , may further secure a bezel area on the left and right of the display area AA. 13 is a diagram illustrating an example in which a display panel according to another embodiment of the present invention further secures a bezel area by an AAGIP method. That is, in the display panel 20 according to another exemplary embodiment of the present invention, the AAGIP is arranged in such a manner that the control block CTRL is arranged in one unit pixel and the AAGIP is arranged in the next unit pixel in the display area AA. It can be. For example, the control block CTRL is disposed in the first to third sub-pixels R, G, and B of the first unit pixel, and the first to third sub-pixels R, AAGIP is placed in G and B). In this case, one unit pixel is composed of three (R, G, and B) sub-pixels (Sub-PXL). As scan wiring, EM wiring, and all GIP (Gate In Panel) are placed inside the display area (AA), the effect of removing the gate driving circuit in the existing bezel area is obtained, and accordingly Accordingly, more bezel area can be secured.

도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 GIP부의 스캔 구동을 위한 스캔 회로도를 나타낸 도면이다.14 is a diagram showing a scan circuit diagram for scan driving of a GIP unit according to another embodiment of the present invention.

도 14를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 GIP부(1131)는, 제1 노드(Q 노드)를 제어하는 제1 스위칭부(T1, Tbv), 제2 노드(QB 노드)를 제어하는 제2 스위칭부(T4) 및 제1 및 제2 노드의 신호를 출력하는 출력부(T6, T7)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 14, the GIP unit 1131 according to another embodiment of the present invention controls the first switching units T1 and Tbv that control the first node (Q node) and the second node (QB node). It may include a second switching unit (T4) and output units (T6, T7) for outputting the signals of the first and second nodes.

또한, GIP부(1131)는 제1 노드를 안정화 시키는 제1 안정화부(T3), 제2 노드를 안정화 시키는 제2 안정화부(T5, T8)를 더 포함할 수 있다.In addition, the GIP unit 1131 may further include a first stabilization unit T3 for stabilizing the first node and second stabilization units T5 and T8 for stabilizing the second node.

GIP부(1131)는 스캔 신호(예, Gate Pulse)를 출력하는 복수 개의 스테이지(Stage)를 포함하고, k번째 스테이지는 제1 스위칭부(T1, Tbv), 제2 스위칭부(T4), 제1 안정화부(T3), 제2 안정화부(T5, T8) 및 출력부(T6, T7)를 포함할 수 있다.The GIP unit 1131 includes a plurality of stages that output scan signals (eg, Gate Pulse), and the k-th stage includes a first switching unit T1 and Tbv, a second switching unit T4, and a second switching unit T4. It may include a first stabilization unit T3, second stabilization units T5 and T8, and output units T6 and T7.

또한, GIP부(1131)에 대한 스캔 회로도는 각 트랜지스터(T1~T8)와 캐패시터들(CQ, CQB), 배선들(GVST, VGL, VGH) 및 클럭신호 배선들(GCLK1, GCLK3)을 도 15에 도시된 바와 같이 GIP부(1131) 내에 배치할 수 있다. 도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 AAGIP에 각 트랜지스터와 배선들을 배치한 예를 나타낸 도면이다. 도 15를 참조하면, GIP부(1131)는 스캔 GIP부(AAGIP SCAN)와 발광 GIP부(AAGIP EM)를 포함하고, 3 개의 화소(Pixel)에 각각 스캔 GIP부(AAGIP SCAN)가 배치될 수 있다. 스캔 GIP부(AAGIP SCAN)는 제1 AAGIP SCAN(①), 제2 AAGIP SCAN(②), 제3 AAGIP SCAN(③)을 포함할 수 있다. 제1 AAGIP SCAN(①)에는 소자로서 제1 트랜지스터(T1)와, 노드 분리 트랜지스터(Tbv), 제6 트랜지스터(T6) 및 Q노드 캐패시터(CQ)가 배치될 수 있다. 또한, 제1 AAGIP SCAN(①)에는 배선으로서 게이트 로우 전압 배선(VGL)과 제1 게이트 클럭신호 배선(GCLK1), 제6 TR-Q 연결 배선(T6_Q), 제1 TR-Q 연결 배선(T1_Q) 등이 배치될 수 있다. 또한, 제2 AAGIP SCAN(②)에는 배선으로서 게이트 로우 전압 배선(VGL)과 게이트 하이 전압 배선(VGH)이 배치될 수 있다. 또한, 제3 AAGIP SCAN(③)에는 소자로서 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 제5 트랜지스터(T5), 제7 트랜지스터(T7), 제8 트랜지스터(T8) 및 QB노드 캐패시터(CQB)가 배치될 수 있다. 또한, 제3 AAGIP SCAN(③)에는 배선으로서 게이트 하이 전압 배선(VGH)이 배치될 수 있다. 그리고, 제1 AAGIP SCAN(①), 제2 AAGIP SCAN(②), 및 제3 AAGIP SCAN(③)을 가로질러 출력 배선(SRO), 제1 TR-Q 연결 배선(T1_Q), 및 게이트 로우 전압 배선(VGL) 등이 배치될 수 있다.In addition, the scan circuit diagram of the GIP unit 1131 is shown in FIG. 15 including transistors T1 to T8, capacitors CQ and CQB, wires GVST, VGL, and VGH, and clock signal wires GCLK1 and GCLK3. As shown in, it can be placed in the GIP unit 1131. 15 is a diagram showing an example of arranging transistors and wires in an AAGIP according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 15, the GIP unit 1131 includes a scan GIP unit (AAGIP SCAN) and a light emitting GIP unit (AAGIP EM), and the scan GIP unit (AAGIP SCAN) can be disposed in each of three pixels. there is. The scan GIP unit (AAGIP SCAN) may include a first AAGIP SCAN (①), a second AAGIP SCAN (②), and a third AAGIP SCAN (③). A first transistor T1, a node separation transistor Tbv, a sixth transistor T6, and a Q node capacitor CQ may be disposed in the first AAGIP SCAN ① as elements. In addition, the first AAGIP SCAN (①) includes a gate low voltage line (VGL), a first gate clock signal line (GCLK1), a sixth TR-Q connection line (T6_Q), and a first TR-Q connection line (T1_Q). ) and the like can be placed. In addition, a gate low voltage line (VGL) and a gate high voltage line (VGH) may be disposed in the second AAGIP SCAN (②). In addition, the third AAGIP SCAN (③) includes a third transistor (T3), a fourth transistor (T4), a fifth transistor (T5), a seventh transistor (T7), an eighth transistor (T8) and a QB node capacitor as elements. (CQB) may be placed. In addition, a gate high voltage wire (VGH) may be disposed as a wire in the third AAGIP SCAN (③). And, the output line (SRO), the first TR-Q connection line (T1_Q), and the gate low voltage across the first AAGIP SCAN (①), the second AAGIP SCAN (②), and the third AAGIP SCAN (③) A wiring VGL or the like may be disposed.

한편, GIP부(1131)는 전술한 각 트랜지스터(T1~T8)와 캐패시터들(CQ, CQB), 배선들(GVST, VGL, VGH) 및 클럭신호 배선들(GCLK1, GCLK3)을 포함하여 레이아웃(Layout)을 설계할 수 있다. 즉, GIP부(1131)에 대하여, 전술한 각 트랜지스터(T1~T8)와 캐패시터들(CQ, CQB), 배선들(GVST, VGL, VGH) 및 클럭신호 배선들(GCLK1, GCLK3) 이외에, N번째 제1 스캔신호 인가배선(S1(N)), N번째 제2 스캔신호 인가배선(S2(N)), N번째 발광신호 인가배선(EM(N)), N+1번째 제1 스캔신호 인가배선(S1(N+1)), N+1번째 제2 스캔신호 인가배선(S2(N+1)), N+1번째 발광신호 인가배선(EM(N+1)) 등도 배치하여 레이아웃을 설계할 수 있다.Meanwhile, the GIP unit 1131 has a layout (including the above-described transistors T1 to T8, capacitors CQ and CQB, wires GVST, VGL, and VGH, and clock signal wires GCLK1 and GCLK3). layout) can be designed. That is, for the GIP unit 1131, in addition to the aforementioned transistors T1 to T8, capacitors CQ and CQB, wires GVST, VGL, and VGH, and clock signal wires GCLK1 and GCLK3, N 1st scan signal applying wire (S1(N)), Nth 2nd scan signal applying wire (S2(N)), Nth light emitting signal applying wire (EM(N)), N+1 1st scan signal Applied wire (S1(N+1)), N+1st 2nd scan signal applied wire (S2(N+1)), N+1th light emitting signal applied wire (EM(N+1)), etc. are arranged and laid out can design

다시 도 14를 참조하면, 제1 스위칭부(T1, Tbv)는 제1 트랜지스터(T1)와 노드 분리 트랜지스터(Tbv)를 포함할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 게이트 전극에 스타트 신호 인가 배선(GVST, SRO_N-1)이 연결되고, 제1 전극에 게이트 로우 전압 배선(VGL)이 연결되고, 제2 전극에 제1 노드(Q 노드)가 연결된다. 노드 분리 트랜지스터(Tbv)는 게이트 전극에 게이트 로우 전압 배선(VGL)이 연결되고, 제1 전극에 제1 노드(Q)를 통해 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극이 연결된다.Referring back to FIG. 14 , the first switching units T1 and Tbv may include a first transistor T1 and a node separation transistor Tbv. In the first transistor T1, the start signal applying line (GVST, SRO_N-1) is connected to the gate electrode, the gate low voltage line (VGL) is connected to the first electrode, and the first node (Q node) is connected to the second electrode ) is connected. The gate electrode of the node separation transistor Tbv is connected to the gate low voltage line VGL, and the second electrode of the first transistor T1 is connected to the first electrode through the first node Q.

제2 스위칭부(T4)는 제4 트랜지스터(T4)를 포함할 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 게이트 전극에 N-2번째 클럭신호 인가배선(GCLK_N-2)이 연결되고, 제1 전극에 게이트 로우 전압 배선(VGL)이 연결되고, 제2 전극에 제2 노드(QB)가 연결된다.The second switching unit T4 may include a fourth transistor T4. In the fourth transistor T4, the N−2 clock signal application line GCLK_N-2 is connected to the gate electrode, the gate low voltage line VGL is connected to the first electrode, and the second node ( QB) is connected.

출력부(T6, T7)는 제1 노드(Q)의 전압을 출력하는 제6 트랜지스터(T6)와, 제2 노드(QB)의 전압을 출력하는 제7 트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)는 게이트 전극에 노드 분리 트랜지스터(Tbv)의 제2 전극이 연결되고, 제1 전극에 N번째 클럭신호(GCLK_N)을 인가받는 배선이 연결되며, 제2 전극에 출력 배선(SRO)이 연결될 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)는 게이트 전극에 제2 노드(QB)가 연결되고, 제1 전극에 출력 배선(SRO)이 연결되며, 제2 전극에 게이트 하이 전압 배선(VGH)이 연결될 수 있다.The output units T6 and T7 may include a sixth transistor T6 outputting the voltage of the first node Q and a seventh transistor T7 outputting the voltage of the second node QB. In the sixth transistor T6, the second electrode of the node separation transistor Tbv is connected to the gate electrode, the wire receiving the Nth clock signal GCLK_N is connected to the first electrode, and the output wire ( SRO) can be connected. In the seventh transistor T7 , the second node QB is connected to the gate electrode, the output line SRO is connected to the first electrode, and the gate high voltage line VGH is connected to the second electrode.

제1 안정화부(T3)는 제3 트랜지스터(T3)를 포함할 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 게이트 전극에 제2 노드(QB)가 연결되고, 제1 전극에 제1 노드(Q)가 연결되며, 제2 전극에 게이트 하이 전압 배선(VGH)이 연결될 수 있다.The first stabilization unit T3 may include a third transistor T3. In the third transistor T3 , a gate electrode may be connected to a second node QB, a first electrode may be connected to a first node Q, and a second electrode may be connected to a gate high voltage line VGH.

제2 안정화부(T5, T8)는 제5 트랜지스터(T5) 및 제8 트랜지스터(T8)를 포함할 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는 게이트 전극에 스타트 신호 인가 배선(GVST, SRO_N-1)이 연결되고, 제1 전극에 제2 노드(QB)가 연결되며, 제2 전극에 게이트 하이 전압 배선(VGH)이 연결될 수 있다. 제8 트랜지스터(T8)는 게이트 전극에 노드 분리 트랜지스터(Tbv)의 제1 전극이 연결되고, 제1 전극에 제2 노드(QB)가 연결되며, 제2 전극에 게이트 하이 전압 배선(VGH)이 연결될 수 있다.The second stabilization units T5 and T8 may include a fifth transistor T5 and an eighth transistor T8. In the fifth transistor T5, the start signal applying line (GVST, SRO_N-1) is connected to the gate electrode, the second node (QB) is connected to the first electrode, and the gate high voltage line (VGH) is connected to the second electrode. this can be connected. The eighth transistor T8 has a gate electrode connected to the first electrode of the node separation transistor Tbv, a second node QB connected to the first electrode, and a gate high voltage line VGH connected to the second electrode. can be connected

제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극과 출력 배선(SRO) 사이에 Q 노드 캐패시터(QC)가 연결되고, 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극과 제2 전극 사이에는 QB 노드 캐패시터(CQB)가 연결될 수 있다.A Q node capacitor QC is connected between the gate electrode of the sixth transistor T6 and the output line SRO, and a QB node capacitor CQB is connected between the gate electrode and the second electrode of the seventh transistor T7. can

도 14에서, 제1 트랜지스터(T1), 노드 분리 트랜지스터(Tbv), 제3 내지 제8 트랜지스터(T3-T8)에서, 제1 전극은 소스 전극이고, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있고, 반대로 제1 전극이 드레인 전극이고, 제2 전극이 소스 전극일 수 있다.14, in the first transistor T1, the node separation transistor Tbv, and the third to eighth transistors T3 to T8, the first electrode may be a source electrode and the second electrode may be a drain electrode, and vice versa. The first electrode may be a drain electrode, and the second electrode may be a source electrode.

도 12 내지 도 15에 도시된 바와 같이, GIP부(1131)를 표시 영역(AA) 내에 일정 간격마다 배치하여, 표시 영역(AA)의 외곽에 있는 베젤 영역을 더욱 확보할 수 있다.As shown in FIGS. 12 to 15 , the GIP unit 1131 is arranged at regular intervals within the display area AA, so that a bezel area outside the display area AA can be further secured.

전술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 트랜지스터의 개수를 줄임으로써 설계를 위한 레이아웃 영역을 확보할 수 있도록 하는 표시 패널을 실현할 수 있다.As described above, according to the present invention, a display panel capable of securing a layout area for design can be realized by reducing the number of transistors.

그리고, 본 발명에 의하면, OLED 표시장치에서 트랜지스터의 개수를 줄일 뿐만 아니라 2Scan 1EM 방식에서 사용하는 구동 타이밍을 변경하여 구동 전원 드롭(VDD IR Drop)을 보상할 수 있도록 하는 표시 장치를 실현할 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to realize a display device capable of compensating for driving power drop (VDD IR Drop) by changing the driving timing used in the 2Scan 1EM method as well as reducing the number of transistors in an OLED display device.

이상과 같이 본 발명에 대해서 예시한 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시 예와 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 통상의 기술자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 자명하다. 아울러 앞서 본 발명의 실시 예를 설명하면서 본 발명의 구성에 따른 작용 효과를 명시적으로 기재하여 설명하지 않았을 지라도, 해당 구성에 의해 예측 가능한 효과 또한 인정되어야 함은 당연하다.As described above, the present invention has been described with reference to the drawings illustrated, but the present invention is not limited by the embodiments and drawings disclosed in this specification, and various modifications are made by those skilled in the art within the scope of the technical idea of the present invention. It is obvious that variations can be made. In addition, although the operational effects according to the configuration of the present invention have not been explicitly described and described while describing the embodiments of the present invention, it is natural that the effects predictable by the corresponding configuration should also be recognized.

10 : 휘도 제어부 20 : 표시 패널
30 : 스캔 구동부 40 : 데이터 구동부
50 : 발광 제어부 60 : 전원부
70 : 타이밍 제어부 100 : 표시 장치
PX : 화소 OLED : 발광 소자
T1~T4, T6~T8 : 스위칭 소자 DT : 구동 소자
Cst : 스토리지 커패시터 AA : 표시 영역
1131 : GIP부 1132 : GIP 내부 연결 배선부
1133 : 서브 화소부
10: luminance controller 20: display panel
30: scan driving unit 40: data driving unit
50: light emitting control unit 60: power supply unit
70: timing controller 100: display device
PX: pixel OLED: light emitting element
T1~T4, T6~T8: switching element DT: driving element
Cst: storage capacitor AA: display area
1131: GIP part 1132: GIP internal connection wiring part
1133: sub pixel unit

Claims (21)

발광 소자;
상기 발광 소자와 전기적으로 연결되고, 상기 발광 소자에 흐르는 전류를 조절하는 구동 소자;
상기 구동 소자에 연결된 스토리지 캐패시터; 및
상기 구동 소자의 문턱 전압 변화를 보상하는 보상 회로를 포함하고,
상기 보상 회로는 상기 구동 소자의 게이트 전극과 제2 전극 사이에 제1 스위칭 소자가 연결되고, 데이터 전원이 제2 스위칭 소자를 통해 상기 구동 소자의 제1 전극에 인가되고, 구동 전원이 제3 스위칭 소자를 통해 상기 구동 소자에 인가되고, 구동 전원이 제7 스위칭 소자를 통해 상기 스토리지 캐패시터에 인가되고, 기준 전원이 제8 스위칭 소자를 통해 상기 스토리지 캐패시터에 인가되고, 초기화 전원이 제6 스위칭 소자를 통해 상기 발광 소자에 인가되는, 표시 패널.
light emitting device;
a drive element electrically connected to the light emitting element and controlling a current flowing through the light emitting element;
a storage capacitor coupled to the driving element; and
A compensation circuit compensating for a change in the threshold voltage of the driving element;
In the compensation circuit, a first switching element is connected between the gate electrode and the second electrode of the driving element, data power is applied to the first electrode of the driving element through the second switching element, and driving power is supplied to the third switching element. driving power is applied to the storage capacitor through a seventh switching element, reference power is applied to the storage capacitor through an eighth switching element, and initialization power is applied to the sixth switching element. applied to the light emitting element through a display panel.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 스위칭 소자는, 제1 전극과 제2 전극 중 하나가 상기 구동 소자의 게이트 전극에 연결되고, 다른 하나는 상기 구동 소자의 제2 전극에 연결되며, 게이트 전극은 n번째 제2 스캔 배선에 연결된, 표시 패널.
According to claim 1,
In the first switching element, one of the first electrode and the second electrode is connected to the gate electrode of the driving element, the other is connected to the second electrode of the driving element, and the gate electrode is an n-th second scan wire. connected to the display panel.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 스위칭 소자는, 제1 전극과 제2 전극 중 하나는 데이터 전원에 연결되고, 다른 하나는 상기 구동 소자의 제1 전극에 연결되며, 게이트 전극은 n번째 제1 스캔 배선에 연결된, 표시 패널.
According to claim 1,
In the second switching element, one of the first electrode and the second electrode is connected to the data power supply, the other is connected to the first electrode of the driving element, and the gate electrode is connected to the n-th first scan wire. panel.
제 1 항에 있어서,
상기 제3 스위칭 소자는, 제1 전극과 제2 전극 중 하나는 상기 구동 소자의 제1 전극에 연결되고, 다른 하나는 구동 전원 배선에 연결되며, 게이트 전극은 n-1번째 발광제어 배선에 연결된, 표시 패널.
According to claim 1,
In the third switching element, one of the first electrode and the second electrode is connected to the first electrode of the driving element, the other is connected to the driving power supply line, and the gate electrode is connected to the n-1 th light emitting control line. , display panel.
제 1 항에 있어서,
상기 제4 스위칭 소자는, 제1 전극과 제2 전극 중 하나는 상기 발광 소자의 제1 전극에 연결되고, 다른 하나는 상기 구동 소자의 제2 전극에 연결되며, 게이트 전극은 n번째 발광제어 배선에 연결된, 표시 패널.
According to claim 1,
In the fourth switching element, one of the first electrode and the second electrode is connected to the first electrode of the light emitting element, the other is connected to the second electrode of the driving element, and a gate electrode is an n-th light emitting control wire. connected to the display panel.
제 1 항에 있어서,
상기 제6 스위칭 소자는, 제1 전극과 제2 전극 중 하나는 초기화 전원 배선에 연결되고, 다른 하나는 상기 발광 소자의 제1 전극에 연결되며, 게이트 전극은 n번째 제2 스캔 배선에 연결된, 표시 패널.
According to claim 1,
In the sixth switching element, one of the first electrode and the second electrode is connected to the initialization power supply line, the other is connected to the first electrode of the light emitting element, and the gate electrode is connected to the nth second scan line, display panel.
제 1 항에 있어서,
상기 제7 스위칭 소자는, 제1 전극과 제2 전극 중 하나는 구동 전원 배선에 연결되고, 다른 하나는 상기 스토리지 캐패시터의 상기 제1 전극에 연결되며, 게이트 전극은 n-1번째 발광제어 배선에 연결된, 표시 패널.
According to claim 1,
In the seventh switching element, one of the first electrode and the second electrode is connected to a driving power line, the other is connected to the first electrode of the storage capacitor, and a gate electrode is connected to the n-1th light emitting control line. connected, display panel.
제 1 항에 있어서,
상기 제8 스위칭 소자는, 제1 전극과 제2 전극 중 하나는 기준 전원 배선에 연결되고, 다른 하나는 상기 스토리지 캐패시터의 상기 제1 전극에 연결되며, 게이트 전극은 n번째 제2 스캔 배선에 연결된, 표시 패널.
According to claim 1,
In the eighth switching element, one of a first electrode and a second electrode is connected to a reference power line, the other is connected to the first electrode of the storage capacitor, and a gate electrode is connected to an n-th second scan line. , display panel.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 스위칭 소자, 상기 제6 내지 제8 스위칭 소자 및 상기 구동 소자는 각각 P 타입 MOSFET 박막트랜지스터인, 표시 패널.
According to claim 1,
wherein the first to fourth switching elements, the sixth to eighth switching elements, and the driving element are P-type MOSFET thin film transistors, respectively.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 스위칭 소자, 상기 제6 스위칭 소자 및 상기 제8 스위칭 소자는 N 타입 MOSFET 박막트랜지스터인, 표시 패널.
According to claim 1,
wherein the first switching element, the sixth switching element, and the eighth switching element are N-type MOSFET thin film transistors.
발광 소자가 행과 열로 배치된 복수의 서브 화소; 상기 복수의 서브 화소에 행마다 배치된 복수의 스캔 배선, 상기 복수의 서브 화소에 열마다 배치된 복수의 데이터 배선, 상기 발광 소자에 흐르는 전류를 조절하는 구동 소자; 상기 구동 소자에 연결된 스토리지 캐패시터; 및 상기 구동 소자의 문턱 전압 변화를 보상하는 보상 회로를 포함하고, 상기 보상 회로는 상기 구동 소자의 게이트 전극과 제3 전극 사이에 제1 스위칭 소자가 연결되고, 데이터 전원이 제2 스위칭 소자를 통해 상기 구동 소자의 제1 전극에 인가되고, 구동 전원이 제3 스위칭 소자를 통해 상기 구동 소자에 인가되고, 구동 전원이 제7 스위칭 소자를 통해 상기 스토리지 캐패시터에 인가되고, 기준 전원이 제8 스위칭 소자를 통해 상기 스토리지 캐패시터에 인가되고, 초기화 전원이 제6 스위칭 소자를 통해 상기 발광 소자에 인가되는 표시 패널;
상기 복수의 게이트 배선에 스캔 신호를 인가하는 스캔 구동부;
상기 복수의 데이터 배선에 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동부;
상기 표시 패널에 고전위 전원, 저전위 전원, 기준 전원 및 초기화 전원을 인가하는 전원부; 및
상기 스캔 구동부 및 상기 데이터 구동부를 제어하는 타이밍 제어부;
를 포함하는 표시 장치.
a plurality of sub-pixels in which light emitting elements are arranged in rows and columns; a plurality of scan wires disposed in each row of the plurality of sub-pixels, a plurality of data wires disposed in each column of the plurality of sub-pixels, and a driving element controlling a current flowing through the light emitting element; a storage capacitor coupled to the driving element; and a compensation circuit compensating for a change in threshold voltage of the driving element, wherein the compensation circuit has a first switching element connected between a gate electrode and a third electrode of the driving element, and data power is supplied through a second switching element. is applied to the first electrode of the driving element, driving power is applied to the driving element through a third switching element, driving power is applied to the storage capacitor through a seventh switching element, and reference power is applied to the eighth switching element. a display panel to which initialization power is applied to the storage capacitor and to the light emitting element through a sixth switching element;
a scan driver applying a scan signal to the plurality of gate wires;
a data driver to apply data signals to the plurality of data wires;
a power supply unit for applying high potential power, low potential power, reference power, and initialization power to the display panel; and
a timing controller controlling the scan driver and the data driver;
A display device comprising a.
제 11 항에 있어서,
상기 보상 회로는,
상기 구동 소자의 게이트 전극과 제2 전극 사이에 제1 스위칭 소자가 연결되고, 상기 구동 소자의 제1 전극과 데이터 전원 배선 사이에 제2 스위칭 소자가 연결되고, 상기 구동 소자의 제1 전극과 구동 전원 배선 사이에 제3 스위칭 소자가 연결되고, 상기 발광 소자의 제1 전극과 상기 구동 소자의 제2 전극 사이에 제4 스위칭 소자가 연결되고,
상기 발광 소자의 제1 전극과 초기화 전원 배선 사이에 제6 스위칭 소자가 연결되고, 상기 스토리지 캐패시터와 상기 구동 전원 배선 사이에 제7 스위칭 소자가 연결되고, 상기 스토리지 캐패시터와 기준 전원 배선 사이에 제8 스위칭 소자가 연결된 표시 장치.
According to claim 11,
The compensation circuit,
A first switching element is connected between a gate electrode and a second electrode of the driving element, a second switching element is connected between the first electrode of the driving element and a data power line, and the first electrode and the driving element are connected. A third switching element is connected between power lines, and a fourth switching element is connected between the first electrode of the light emitting element and the second electrode of the driving element;
A sixth switching element is connected between the first electrode of the light emitting element and an initialization power line, a seventh switching element is connected between the storage capacitor and the driving power line, and an eighth switching element is connected between the storage capacitor and the reference power line. A display device to which a switching element is connected.
제 12 항에 있어서,
상기 제1 스위칭 소자는 n번째 제2 스캔 신호에 의해 스위칭되고,
상기 제2 스위칭 소자는 n번째 제1 스캔 신호에 의해 스위칭되고,
상기 제3 스위칭 소자는 n-1번째 발광제어 신호에 의해 스위칭되고,
상기 제4 스위칭 소자는 n번째 발광제어 신호에 의해 스위칭되고,
상기 제6 스위칭 소자는 n번째 제2 스캔 신호에 의해 스위칭되고,
상기 제7 스위칭 소자는 n-1번째 발광제어 신호에 의해 스위칭되고,
상기 제8 스위칭 소자는 n번째 제2 스캔 신호에 의해 스위칭되는, 표시 장치.
According to claim 12,
The first switching element is switched by the n-th second scan signal,
The second switching element is switched by the n-th first scan signal,
The third switching element is switched by the n-1th light emission control signal,
The fourth switching element is switched by an n-th light emission control signal,
The sixth switching element is switched by the n-th second scan signal,
The seventh switching element is switched by the n-1th light emission control signal,
The eighth switching element is switched by an n-th second scan signal.
제 13 항에 있어서,
상기 표시 패널은, 초기화 기간(Initial), 샘플링 기간(Sampling), 및 발광 기간(Emission)으로 나뉘어 구동되는, 표시 장치.
According to claim 13,
The display device is driven by dividing the display panel into an initialization period (Initial), a sampling period (Sampling), and an emission period (Emission).
제 13 항에 있어서,
상기 n번째 제1 스캔 신호는 초기화 기간에 하이(High) 신호이고, 샘플링 기간에 1H 동안 로우(Low) 신호이고, 발광 기간에 하이 신호이며,
상기 n번째 제2 스캔 신호는 초기화 기간에 로우 신호이고, 샘플링 기간에 2H 동안 로우 신호이고, 발광 기간에 하이 신호이며,
상기 n-1번째 발광제어 신호는 초기화 기간 및 샘플링 기간에 하이 신호이고, 발광 기간 및 나머지 기간에 하이 신호이며,
상기 n번째 발광제어 신호는 샘플링 기간 및 발광 기간의 일부에 하이 신호이고, 나머지 기간에 로우 신호인, 표시 장치.
According to claim 13,
The n-th first scan signal is a high signal in an initialization period, a low signal for 1H in a sampling period, and a high signal in an emission period;
The n-th second scan signal is a low signal in an initialization period, a low signal for 2H in a sampling period, and a high signal in an emission period;
The n-1 th light emission control signal is a high signal during an initialization period and a sampling period, and a high signal during a light emission period and remaining periods;
The n-th light emission control signal is a high signal during a sampling period and a part of the light emission period, and a low signal during the remaining period.
제 13 항에 있어서,
상기 n번째 제1 스캔 신호는 초기화 기간에 하이(High) 신호이고, 샘플링 기간에 1H 동안 로우(Low) 신호이고, 발광 기간에 하이 신호이며,
상기 n번째 제2 스캔 신호는 초기화 기간에 하이(High) 신호이고, 샘플링 기간에 2H 동안 하이 신호이고, 발광 기간에 로우(Low) 신호이며,
상기 n-1번째 발광제어 신호는 초기화 기간 및 샘플링 기간에 하이 신호이고, 발광 기간 및 나머지 기간에 하이 신호이며,
상기 n번째 발광제어 신호는 샘플링 기간 및 발광 기간의 일부에 하이 신호이고, 나머지 기간에 로우 신호인, 표시 장치.
According to claim 13,
The n-th first scan signal is a high signal in an initialization period, a low signal for 1H in a sampling period, and a high signal in an emission period;
The n-th second scan signal is a high signal in an initialization period, a high signal for 2H in a sampling period, and a low signal in an emission period;
The n-1 th light emission control signal is a high signal during an initialization period and a sampling period, and a high signal during a light emission period and remaining periods;
The n-th light emission control signal is a high signal during a sampling period and a part of the light emission period, and a low signal during the remaining period.
제 12 항에 있어서,
상기 구동 소자의 소스 전극에 인가되는 데이터 전압 신호는, 샘플링 기간 1H 동안 로우 신호이고, 나머지 기간에 하이 신호이며,
상기 구동 소자의 게이트 전극에 인가되는 데이터 전압 신호는, 초기화 기간 1H 동안 로우 신호이고, 샘플링 기간에 로우 신호에서 신호로 상승되고, 발광 기간에 하이 신호인, 표시 장치.
According to claim 12,
The data voltage signal applied to the source electrode of the driving element is a low signal during a sampling period of 1H and a high signal during the remaining period;
The data voltage signal applied to the gate electrode of the driving element is a low signal during an initialization period of 1H, rises from a low signal to a signal during a sampling period, and is a high signal during an emission period.
제 12 항에 있어서,
상기 스토리지 캐패시터의 접점 노드에 인가되는 기준 전압 신호는, 초기화 기간 및 샘플링 기간에 로우 신호이고, 발광 기간에 하이 신호인, 표시 장치.
According to claim 12,
The reference voltage signal applied to the contact node of the storage capacitor is a low signal during an initialization period and a sampling period, and a high signal during an emission period.
행마다 배치된 복수의 스캔 배선과 열마다 배치된 복수의 데이터 배선이 교차하고, 각 교차점에 서브 화소들이 배치된 표시 영역;
적어도 둘 이상의 열마다 배치된 적어도 하나 이상의 GIP부;
상기 각 서브 화소에 배치된 발광 소자;
상기 발광 소자와 전기적으로 연결되고, 상기 발광 소자에 흐르는 전류를 조절하는 구동 소자;
상기 구동 소자에 연결된 스토리지 캐패시터; 및
상기 구동 소자의 문턱 전압 변화를 보상하는 보상 회로를 포함하고,
상기 보상 회로는 상기 구동 소자의 게이트 전극과 제2 전극 사이에 제1 스위칭 소자가 연결되고, 데이터 전원이 제2 스위칭 소자를 통해 상기 구동 소자의 제1 전극에 인가되고, 구동 전원이 제3 스위칭 소자를 통해 상기 구동 소자에 인가되고, 구동 전원이 제7 스위칭 소자를 통해 상기 스토리지 캐패시터에 인가되고, 기준 전원이 제8 스위칭 소자를 통해 상기 스토리지 캐패시터에 인가되고, 초기화 전원이 제6 스위칭 소자를 통해 상기 발광 소자에 인가되는, 표시 패널.
a display area in which a plurality of scan wires disposed in each row and a plurality of data wires disposed in each column intersect, and sub-pixels are disposed at each intersection;
at least one or more GIP units arranged in at least two or more columns;
a light emitting element disposed in each of the sub-pixels;
a drive element electrically connected to the light emitting element and controlling a current flowing through the light emitting element;
a storage capacitor coupled to the driving element; and
A compensation circuit compensating for a change in the threshold voltage of the driving element;
In the compensation circuit, a first switching element is connected between the gate electrode and the second electrode of the driving element, data power is applied to the first electrode of the driving element through the second switching element, and driving power is supplied to the third switching element. driving power is applied to the storage capacitor through a seventh switching element, reference power is applied to the storage capacitor through an eighth switching element, and initialization power is applied to the sixth switching element. applied to the light emitting element through a display panel.
제 19 항에 있어서,
상기 GIP부는, 상기 표시 영역 내의 각 게이트 배선에 의해 구동되는 단위 화소 영역들에 분산 배치되어 해당 게이트 배선에 스캔 펄스를 공급하는 복수 개의 스테이지;
를 포함하는 표시 패널.
According to claim 19,
The GIP unit may include a plurality of stages which are distributed in unit pixel areas driven by each gate line in the display area and supply scan pulses to the corresponding gate lines;
A display panel comprising a.
제 20 항에 있어서,
상기 단위 화소 영역은 적어도 3 개의 서브 화소를 포함하고,
상기 적어도 3 개의 서브 화소에는 각각 상기 구동 소자가 배치되고,
상기 GIP부에는 GIP TFT가 배치되는, 표시 패널.
21. The method of claim 20,
The unit pixel area includes at least three sub-pixels,
The driving element is disposed in each of the at least three sub-pixels,
A display panel wherein a GIP TFT is disposed in the GIP unit.
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