KR20230014482A - 모니터링 pd가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법 - Google Patents

모니터링 pd가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 의한 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법은, 정원경의 일부와 타원경의 일부가 상호 결합되는 이종챔버를 지지하는 챔버 케이싱; 상기 챔버 케이싱에 결합되며, 공기 중 에어를 상기 타원경의 제1 초점으로 투입하는 에어입출부; 상기 챔버 케이싱의 일측에 연결되어 상기 이종챔버에 입력광원을 송출하는 광원부; 상기 챔버 케이싱의 상부에 결합되며, 상기 이종챔버로부터 스캐터링되는 산란광을 검출하도록 상기 이종챔버의 제2 초점에 배치되는 수광소자를 포함하는 수광부; 상기 이종챔버를 사이에 두고 상기 광원부의 반대편에 마련되며, 상기 에어 중 나노파티클의 농도에 따라 광량을 검출하는 모니터링 PD(photo diode)를 포함하는 회수 덤프부; 및 상기 모니터링 PD의 센싱신호에 따라 상기 에어입출부를 제어하는 MCU를 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법은, 나노파티클을 정밀하게 측정하여 실시간으로 오염 수치를 모니터링할 수 있으며 특히 대기 중 나노파티클의 농도 변화에 대응되어 에어입출부의 에어 인입량을 조절함으로써 파티클 간의 중첩 현상을 저지하여 검출 정확도가 향상되고 검출 수율이 확보될 수 있다.

Description

모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법{APPARATUS FOR DETECTING NANO PARTICLE HAVING MONITORING PD AND METHOD USING SAME}
본 발명은 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대기 중의 나노파티클의 농도에 따라 에어 입력을 가감 조절하여 검출 수율이 향상될 수 있는 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법에 관한 것이다.
산업이 발달함에 따라 환경이 오염되며, 차량, 산업시설 등 여러가지 오염 유발인자로부터 배출되는 수많은 입자상 물질(PM, Particulate Matter) 예컨대, 미세먼지가 인간의 건강을 위협하고 있고, 그 심각성은 갈수록 더해가고 있는 것이 현실이다
특히, 미세먼지는 눈에 보이지 않을 만큼 미세한 입자의 먼지로, 지름 10㎛ 이하의 먼지를 말하며, 크기에 따라 PM10의 미세먼지, PM2.5의 초미세먼지, PM1.0의 극초미세먼지으로 구분한다.
이중 PM2.5는 지름 2.5㎛ 이하, PM1.0은 지름 1.0㎛ 이하의 먼지를 포함하는 초미세먼지, 극초미세먼지(이하, 나노파티클이라 함)의 경우 폐포와 혈관 등의 인체 침투율이 막대하고 극심하여 문제가 되고 있다.
이에, 실내 또는 실외의 공기질 중 나노파티클을 정밀하게 측정하여 실시간으로 오염 수치를 모니터링할 수 있는 장치 개발이 시급한 실정이다.
그러나, 현재 여러가지 공기질 모니터링 장치가 개발되고 있으나 대부분의 장치는 기설정된 에어 인입량이 고정되어 있어 대기 중 나노파티클이 고농도로 변화될 때 파티클 간의 중첩에 의해 검출 정확도가 낮아지고 검출 수율이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 나노파티클을 정밀하게 측정하여 실시간으로 오염 수치를 모니터링할 수 있으며 특히 대기 중 나노파티클의 농도 변화에 대응되어 에어입출부의 에어 인입량을 조절함으로써 파티클 간의 중첩 현상을 저지하여 검출 정확도가 향상되고 검출 수율이 확보될 수 있는 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법을 제공한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 나노파티클 검출장치는, 정원경의 일부와 타원경의 일부가 상호 결합되는 이종챔버를 지지하는 챔버 케이싱; 상기 챔버 케이싱에 결합되며, 공기 중 에어를 상기 타원경의 제1 초점으로 투입하는 에어입출부; 상기 챔버 케이싱의 일측에 연결되어 상기 이종챔버에 입력광원을 송출하는 광원부; 상기 챔버 케이싱의 상부에 결합되며, 상기 이종챔버로부터 스캐터링되는 산란광을 검출하도록 상기 이종챔버의 제2 초점에 배치되는 수광소자를 포함하는 수광부; 상기 이종챔버를 사이에 두고 상기 광원부의 반대편에 마련되며, 상기 에어 중 나노파티클의 농도에 따라 광량을 검출하는 모니터링 PD(photo diode)를 포함하는 회수 덤프부; 및 상기 모니터링 PD의 센싱신호에 따라 상기 에어입출부를 제어하는 MCU를 포함할 수 있다.
상기 MCU는, 상기 모니터링 PD의 출력 전압값이 미리 설정된 기준 전압값 미만 또는 이상인 경우 상기 이종챔버로 투입되는 에어 유량을 조절할 수 있다.
상기 회수 덤프부는 원뿔형 덤프부재를 더 포함하며, 상기 모니터링 PD는 상기 원뿔형 덤프부재 내에 수용되게 마련될 수 있다.
상기 광원부는, 소자; 제1, 제2 송광렌즈; 및 상기 제1 송광렌즈 및 제2 송광렌즈 사이에 개재되는 송광필터를 포함할 수 있다.
상기 광원부의 입력광원은 UV 광원이며, 상기 입력광원의 파장 대역은 275 nm ~ 850 nm 인 단파장일 수 있다.
상기 광원부는 Laser Diode 나 LED 중 어느 하나일 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 나노파티클 검출방법은, 정원경의 일부와 타원경의 일부가 상호 결합되는 이종챔버를 지지하는 챔버 케이싱에 결합되어 공기 중 에어를 상기 타원경의 제1 초점으로 투입하는 에어입출부에 의해 에어가 인입되는 단계; 상기 챔버 케이싱의 일측에 연결되어 상기 이종챔버에 입력광원을 송출하고, 상기 이종챔버를 사이에 두고 상기 광원부의 반대편에 마련되는 모니터링 PD(photo diode)에 의해 상기 에어 중 나노파티클의 농도에 따라 광량을 검출하는 단계; 및 상기 모니터링 PD의 출력전압값이 미리 설정된 기준전압값 미만/이상인 경우 MCU가 상기 에어입출부를 제어하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제어하는 단계는, 상기 MCU가 상기 이종챔버로 투입되는 에어 유량을 조절하는 단계일 수 있다.
본 발명에 의한 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법은, 나노파티클을 정밀하게 측정하여 실시간으로 오염 수치를 모니터링할 수 있으며 특히 대기 중 나노파티클의 농도 변화에 대응되어 에어입출부의 에어 인입량을 조절함으로써 파티클 간의 중첩 현상을 저지하여 검출 정확도가 향상되고 검출 수율이 확보될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치 및 모니터링 PD의 개략적인 개념도이다.
도 3은 도 2에서 이종챔버의 정원경 및 타원경을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치의 블록도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치의 에어 유량 조절의 일례를 도시한 도면이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치를 이용한 검출방법의 플로우차트이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법의 일 실시예를 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치 및 모니터링 PD의 개략적인 개념도이다.
도 3은 도 2에서 이종챔버의 정원경 및 타원경을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치의 블록도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치의 에어 유량 조절의 일례를 도시한 도면이다.
본 발명의 실시 예에 따른 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치는 도 1 내지 도 4을 참조하면, 정원경(7)의 일부와 타원경(6)의 일부가 상호 결합되는 이종챔버(210)를 지지하는 챔버 케이싱(200); 상기 챔버 케이싱(200)에 결합되며, 공기 중 에어를 상기 타원경(6)의 제1 초점(12)으로 투입하는 에어입출부(150); 상기 챔버 케이싱(200)의 일측에 연결되어 상기 이종챔버(210)에 입력광원을 송출하는 광원부(100); 및 상기 챔버 케이싱(200)의 상부에 결합되며, 상기 이종챔버(210)로부터 스캐터링되는 산란광을 검출하도록 상기 이종챔버(210)의 제2 초점에 배치되는 수광소자(1)를 포함하는 수광부(300); 상기 이종챔버를 사이에 두고 상기 광원부의 반대편에 마련되며, 상기 에어 중 나노파티클의 농도에 따라 광량을 검출하는 모니터링 PD(photo diode)를 포함하는 회수 덤프부; 및 상기 모니터링 PD의 센싱신호에 따라 상기 에어입출부를 제어하는 MCU를 포함할 수 있다.
이종챔버(210)는 주로 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 챔버 케이싱(200) 내부에 마련될 수 있다.
상기 이종챔버(210)는 주로 도 2 및 도 3을 참조하면, 정원경(7)의 일부와 타원경(6)의 일부가 상호 결합되게 구성될 수 있다. 즉, 이종챔버(210)의 우측 부분은 2개의 초점(F1, F2)을 가지는 타원인 타원경(6)으로 마련될 수 있어, 광원부(100)로부터 입사된 입력광원이 실질적으로 타원경(6)의 제1초점(12, F1)으로 수렴될 수 있다.
그리고, 이종챔버(210)의 좌측 부분은 원 형상인 정원경(7)으로 마련되며, 타원경(6)과 정원경(7)이 상호 결합되게 구성될 수 있다. 여기서, 상기 정원경(7)의 중심은 상기 타원경(6)의 제1 초점(12)일 수 있다.
이에 따라, 에어 중 나노파티클은 광초점인 제1 초점(12)에 인입되고 마찬가지로 제1 초점(12)에 조사된 입력광원과 충돌되어 산란 및 굴절되며 산란, 굴절된 광원은 정원경(7)에 의해 다시 타원경(6)으로 집광되고 정원경(7)의 개구를 통해 상기 타원경(6)의 제2 초점(F2)을 향하여 사출될 수 있다.
상기 에어입출부(150)는 도 1에 도시된 것처럼 상기 챔버 케이싱(200)에 결합되며, 공기 중 에어는 에어입출부(150)를 통해 챔버 케이싱(200)으로 인입될 수 있다.
챔버 케이싱(200)의 일측에는 광원부(100)가 연결될 수 있다. 상기 광원부(100)는 주로 도 2를 참조하면, 광소자(1); 상기 광소자(1)에 인접 배치되는 제1 송광렌즈(2); 제2 송광렌즈(4); 및 상기 제1 송광렌즈(2) 및 제2 송광렌즈(4) 사이에 개재되는 송광필터(3)를 포함할 수 있다.
광소자(1)는 상기 이종챔버(210)에 입력광원을 송출할 수 있다. 이러한 상기 광원부(100)의 광소자(1)는 파장 대역은 275 nm ~ 850 nm 인 단파장일 수 있다.
이러한 광소자(1)는 Laser Diode 나 LED 중 어느 하나일 수 있다.
광소자(1)에 인접하게는 제1 송광렌즈(2)가 마련될 수 있다. 상기 제1 송광렌즈(2)는 광소자(1)에서 조사되는 광원을 집광하는 역할을 한다.
본 실시예에서의 제1 송광렌즈(2)의 개구수(NA, numerical aperture)는 0.15 ~ 0.25일 수 있다.
그리고 제1 송광렌즈(2)에 연이어 제2 송광렌즈(4)가 마련될 수 있다. 제2 송광렌즈(4)는, 제1 송광렌즈(2)를 거친 광원이 이종챔버(210) 내의 제1 초점(12)으로 집광되는 역할을 한다. 본 실시예에서의 상기 제2 송광렌즈(4)도 제1 송광렌즈(2)와 실질적으로 동일한 개구수(0.15 ~ 0.25)로 마련되는 것이 바람직하다.
송광필터(3)는 상기 제1 송광렌즈(2) 및 제2 송광렌즈(4) 사이에 개재될 수 있다.
이러한 구성을 통해, 광소자(1)로부터의 입력광원이 이종챔버(210)의 제1 초점(F1, 12)으로 집광될 수 있게 한다.
수광부(300)는 나노파티클의 산란광을 수광하여 나노파티클의 입자 수를 검출하는 부분이다. 이를 위해 상기 수광부(300)는 이종챔버(210)에 연결되는 수광게이트(8), 수광어페추어(9), 상기 이종챔버(210)의 제2 초점에 배치되는 수광소자(1) 및 수광소자(1)에 결합되는 수광 pcb보드(11)를 포함할 수 있다.
여기서, 수광소자(1)는 이종챔버(210) 내 타원경(6)의 제2 초점의 위치에 배치될 수 있다. 이에 따라 별도의 집광렌즈나 집광 구성이 불필요하게 되어 장치가 간소화될 수 있다.
또한, 산란광이 추가적인 장치 구성을 거치지 않고 수광부(300)에 집광됨으로써 광손실이 최소화될 수 있으며 검출 수율이 향상될 수 있다.
이와 같이 수광부(300)의 크기를 획기적으로 줄일 수 있어 설비 사이즈가 컴팩트해질 수 있으며 산란광이 직접적으로 집광되어 검출 정확도가 우수할 수 있다.
한편, 상기 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치는 상기 이종챔버(210)를 사이에 두고 상기 광원부(100)의 반대편에 마련되는 회수 덤프부(14)를 더 포함할 수 있다.
회수 덤프부(14)는 이종챔버(210)내로 입사된 주광선 중에 제1초점을 지나지 않고 난반사, 투과된 광원을 회수하는 부분이다.
즉, 회수 덤프부(14)는 이종챔버(210)로 입사된 입력광원 중에 측정 샘플의 입자와 충돌하지 않은 광원을 정지시키는 역할을 수행함으로써, 이종챔버(210) 내에서 산란광 이외의 주변광이 제2 초점으로 유입되는 것을 최소화할 수 있다.
회수 덤프부(14)는 원뿔형 덤프부재(13)를 포함할 수 있으며, 덤프부재(13)는 꼭지점이 출사되는 광의 경로를 향하도록 배치될 수 있어, 원뿔형 부재(13)에 충돌한 광이 직반사되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 회수 덤프부(14) 내벽에는 스펀지 등과 같이 광을 흡수하는 부재가 배치될 수 있으며, 요철 구조로 구현될 수도 있다.
한편, 종래 대부분의 장치는 기설정된 에어 인입량이 고정되어 있어 대기 중 나노파티클이 고농도로 변화될 때 파티클이 장치내로 폭발적으로 인입되어 파티클 간의 중첩에 의해 검출 정확도가 낮아지고 검출 수율이 저하되는 문제점이 있었다.
이에 본 실시예에서는 모니터링 PD(400, photo diode)가 마련될 수 있다. 그리고, 상기 모니터링 PD는 상기 원뿔형 덤프부재(13) 내에 수용되게 마련될 수 있다.
이러한 모니터링 PD(400)의 동작 방식을 상세 설명하면, 대기 중의 나노파티클의 농도에 따라 상기 Monitoring PD(400)에 노출되는 광량은 줄어들게 되며, 인입된 에어의 파티클 농도가 높아질수록, 상기 Monitoring PD(400)의 출력 전압값은 점점 낮아지게 되는 구조이다.
또한, 나노파티클의 농도에 따라 에어 입력을 가감 조절하는 MCU가 마련될 수 있다.
상기 MCU는 주로 도 4를 참조하면, 상기 모니터링 PD(400)의 출력 전압값이 미리 설정된 기준 전압값 이하인 경우 상기 이종챔버(210)로 투입되는 에어 유량을 줄일 수 있다.
도 5를 상세 설명하면, VPD는 모니터링 PD(400)의 출력 전압값을 말하고, V0는 정상상태의 초기 전압값, V1, V2, V3는 각각 파티클의 농도가 증가할 때의 전압값을 지칭한다.
그리고 A(0)는 에어입출부(150)가 인입하는 최대 에어 유량의 100%, A(1)은 에어 유량의 50%, A(2)는 에어 유량의 25%를 말한다.
예컨대, t12의 시간에 V2 전압값이 검출되게 되면, MCU는 에어입출부(150)를 제어하여 인입되는 에어 유량을 절반으로 줄인다(A(1)).
또한, t13의 시간에 V2 전압값이 재검출되게 되면, MCU는 에어입출부(150)를 제어하여 인입되는 에어 유량을 기존 A(1)에서 다시 절반으로 줄인다(A(2)).
반면, 상기 MCU는 상기 모니터링 PD의 출력 전압값이 미리 설정된 기준 전압값 이상일 경우 상기 이종챔버(210)로 투입되는 에어 유량을 증가시킬 수 있다.
예컨대, t14의 시간에 V1 전압값이 검출되게 되면, MCU는 에어입출부(150)를 제어하여 인입되는 에어 유량을 최대 에어 인입량으로 증가시킨다(A(0)).
이러한 구성의 모니터링 PD 및 MCU에 의해, 나노파티클을 정밀하게 측정하여 실시간으로 오염 수치를 모니터링할 수 있으며 특히 대기 중 나노파티클의 농도 변화에 대응되어 에어입출부(150)의 에어 인입량을 조절함으로써 파티클 간의 중첩 현상을 저지하여 검출 정확도가 향상되고 검출 수율이 확보될 수 있다.
또한, 나노파티클을 정밀하게 측정하여 실시간으로 오염 수치를 모니터링할 수 있으며 특히 수광소자(1)를 타원경(6)의 제2 초점 위치에 배치시켜 수광부(300)의 크기를 획기적으로 줄일 수 있어 설비 사이즈가 컴팩트해질 수 있으며 산란광이 직접적으로 집광되어 검출 정확도가 우수할 수 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치를 이용한 검출방법의 플로우차트이다.
이하, 본 실시예에 따른 나노파티클 검출 방법에 대해 도 1 내지 도 7을 참조하여 상세히 설명한다.
먼저, 도 6에 도시된 바와 같이, 정원경(7)의 일부와 타원경(6)의 일부가 상호 결합되는 이종챔버(210)를 지지하는 챔버 케이싱(200)에 결합되어 공기 중 에어를 상기 타원경(6)의 제1 초점(12)으로 투입하는 에어입출부(150)에 의해 에어가 인입되는 단계가 수행된다(S100).
에어입출부(150)를 통해 에어가 이종챔버(210) 내로 투입된다. 이때, 에어 플로우는 제1 초점(12, F1)을 지나가도록 마련될 수 있다.
다음, 이종챔버에 입력광원을 송출하고 모니터링 PD(photo diode)에 의해 상기 에어 중 나노파티클의 농도에 따라 광량을 검출하는 단계가 수행될 수 있다(S200).
먼저, 광원부(100)를 통해 입력광원이 조사된다.
그러면 이종챔버(210)의 타원경(6) 및 정원경(7)을 통해 스캐터링된 산란광은 제2 초점으로 향하게 된다.
다음, 제2 초점에 배치되는 수광소자(1)가 산란광을 검출하여 나노파티클을 용이하게 검출할 수 있으며, 검출 분해능은 100nm급의 나노 입자를 검출할 수 있게 된다.
한편, MCU는 대기 중의 나노 파티클의 농도를 실시간으로 체크한다. 즉, 대기 중의 나노파티클의 농도에 따라 상기 Monitoring PD(400)에 노출되는 광량은 줄어들게 되며, 인입된 에어의 파티클 농도가 높아질수록, 상기 Monitoring PD(400)의 출력 전압값은 점점 낮아진다.
즉, 모니터링 PD의 출력전압값이 미리 설정된 기준전압값 미만/ 이상인 경우 MCU가 상기 에어입출부(150)를 제어하는 단계가 수행될 수 있다(S300).
여기서, 제어하는 단계는, 상기 MCU가 상기 이종챔버(210)로 투입되는 에어 유량을 조절하는 단계일 수 있다.
도 7을 주로 참조하면, VPD값이 V1, V2보다 큰지 판단한다(S310, S320). VPD값이 V1, V2보다 크면 에어입출부(150)의 에어 유량(A(0))을 유지한다(S360).
VPD값이 V2보다 작으면, 즉, V2 전압값이 검출되게 되면, MCU는 에어입출부(150)를 제어하여 인입되는 에어 유량을 절반(A(1))으로 줄인다(S330).
다음, VPD값이 최소 유입량(Liter per Minute)인지 판단한다(S340). 아니라면 나노파티클을 검출하는 동작이 수행된다(S350).
다시, 임의 시간에 V2 전압값이 재검출되게 되면(S320에서 NO인 경우), MCU는 에어입출부(150)를 제어하여 인입되는 에어 유량을 기존 A(1)에서 다시 절반으로 줄인다(A(2)). 반면, 임의 시간에 V1 전압값이 재검출되게 되면 에어입출부(150)의 에어 유량(A(0))로 증가시킨다(S360).
이러한 단계에 따라 나노파티클을 정밀하게 측정하여 실시간으로 오염 수치를 모니터링할 수 있으며 특히 대기 중 나노파티클의 농도 변화에 대응되어 에어입출부(150)의 에어 인입량, 유량을 조절함으로써 파티클 간의 중첩 현상을 저지하여 검출 정확도가 향상되고 검출 수율이 확보될 수 있다.
또한, 별도의 집광렌즈나 집광 구성이 불필요하게 되어 장치가 간소화될 수 있으며 산란광이 추가적인 장치 구성을 거치지 않고 수광부(300)에 집광됨으로써 광손실이 최소화될 수 있으며 검출 수율이 향상될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
100 : 광원부 1 : 광소자
2 : 제1 송광렌즈 3 : 송광필터
4 : 제2 송광렌즈
150 : 에어입출부 200 : 챔버 케이싱
6 : 타원경 7 : 정원경
12 : 광초점, 제1 초점
300 : 수광부 8 : 수광게이트
9 : 집광에퍼추어 10 : 수광소자
11 : 수광 pcb보드
13 : 회수 덤프부
400 : 모니터링 PD

Claims (8)

  1. 정원경의 일부와 타원경의 일부가 상호 결합되는 이종챔버를 지지하는 챔버 케이싱;
    상기 챔버 케이싱에 결합되며, 공기 중 에어를 상기 타원경의 제1 초점으로 투입하는 에어입출부;
    상기 챔버 케이싱의 일측에 연결되어 상기 이종챔버에 입력광원을 송출하는 광원부;
    상기 챔버 케이싱의 상부에 결합되며, 상기 이종챔버로부터 스캐터링되는 산란광을 검출하도록 상기 이종챔버의 제2 초점에 배치되는 수광소자를 포함하는 수광부;
    상기 이종챔버를 사이에 두고 상기 광원부의 반대편에 마련되며, 상기 에어 중 나노파티클의 농도에 따라 광량을 검출하는 모니터링 PD(photo diode)를 포함하는 회수 덤프부; 및
    상기 모니터링 PD의 센싱신호에 따라 상기 에어입출부를 제어하는 MCU를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노파티클 검출장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 MCU는, 상기 모니터링 PD의 출력 전압값이 미리 설정된 기준 전압값 미만 또는 이상인 경우 상기 이종챔버로 투입되는 에어 유량을 조절하는 것을 특징으로 하는 나노파티클 검출장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 회수 덤프부는 원뿔형 덤프부재를 더 포함하며,
    상기 모니터링 PD는 상기 원뿔형 덤프부재 내에 수용되게 마련되는 것을 특징으로 하는 나노파티클 검출장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 광원부는,
    광소자;
    제1, 제2 송광렌즈; 및
    상기 제1 송광렌즈 및 제2 송광렌즈 사이에 개재되는 송광필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노파티클 검출장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 광원부의 입력광원은 UV 광원이며,
    상기 입력광원의 파장 대역은 275 nm ~ 850 nm 인 단파장인 것을 특징으로 하는 나노파티클 검출장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 광원부는 Laser Diode 나 LED 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노파티클 검출장치.
  7. 정원경의 일부와 타원경의 일부가 상호 결합되는 이종챔버를 지지하는 챔버 케이싱에 결합되어 공기 중 에어를 상기 타원경의 제1 초점으로 투입하는 에어입출부에 의해 에어가 인입되는 단계;
    상기 챔버 케이싱의 일측에 연결되어 상기 이종챔버에 입력광원을 송출하고, 상기 이종챔버를 사이에 두고 상기 광원부의 반대편에 마련되는 모니터링 PD(photo diode)에 의해 상기 에어 중 나노파티클의 농도에 따라 광량을 검출하는 단계;
    상기 모니터링 PD의 출력전압값이 미리 설정된 기준전압값 이하인 경우 MCU가 상기 에어입출부를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노파티클 검출방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제어하는 단계는, 상기 MCU가 상기 이종챔버로 투입되는 에어 유량을 조절하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노파티클 검출방법.
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