KR20230014057A - 웨이퍼의 처리 방법 - Google Patents

웨이퍼의 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230014057A
KR20230014057A KR1020220084716A KR20220084716A KR20230014057A KR 20230014057 A KR20230014057 A KR 20230014057A KR 1020220084716 A KR1020220084716 A KR 1020220084716A KR 20220084716 A KR20220084716 A KR 20220084716A KR 20230014057 A KR20230014057 A KR 20230014057A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
liquid resin
resin
viscosity
grinding
Prior art date
Application number
KR1020220084716A
Other languages
English (en)
Inventor
마사루 나카무라
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20230014057A publication Critical patent/KR20230014057A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31058—After-treatment of organic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

(과제) 웨이퍼의 표면에 돌기형물이 존재하고 있어도, 웨이퍼를 파손, 또는 손상을 주지 않고, 디바이스 칩의 표면측에 직접 데브리가 부착되어 품질을 저하시킨다는 문제를 해결할 수 있는 웨이퍼의 처리 방법을 제공한다.
(해결 수단) 복수의 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼의 처리 방법에 있어서, 웨이퍼의 표면에 점성이 낮은 제1 액상 수지를 도포하여 복수의 디바이스가 형성된 영역을 덮는 저점성 수지 피복 공정과, 상기 저점성 수지 피복 공정 후, 웨이퍼의 표면에 제1 액상 수지보다 점성이 높은 제2 액상 수지를 도포하여 상기 제1 액상 수지에 중첩하는 고점성 수지 피복 공정과, 피복된 제1 액상 수지 및 제2 액상 수지를 경화시키는 수지 경화 공정과, 경화된 수지를 평탄화하는 평탄화 공정을 포함한다.

Description

웨이퍼의 처리 방법{METHOD OF PROCESSING WAFER}
본 발명은, 복수의 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼의 처리 방법에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 복수의 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼는, 다이싱 장치에 의해 개개의 디바이스 칩으로 분할되고, 분할된 디바이스 칩은 휴대 전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기에 이용된다.
또한, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 분할 예정 라인에 대응하는 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여, 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하고, 그 후, 이면을 연삭하여 원하는 두께로 형성함과 함께, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 기술이 제안되어 있다(특허문헌 1을 참조).
또한, 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 분할 예정 라인에 위치시키고 어블레이션 가공을 실시하여 웨이퍼에 홈을 형성하여 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 기술도 제안되고 있다(특허문헌 2를 참조).
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2014-078569호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2004-188475호
그런데, 디바이스의 표면에 요철, 예를 들어 범프라고 칭해지는 돌기형의 전극이 형성된 웨이퍼에 대해, 상기 특허문헌 1에 기재된 기술을 적용하여 처리하고, 범프를 매설하는 보호막을 피복하여 웨이퍼의 이면을 연삭하면, 개개의 디바이스 칩으로 분할된 디바이스와 그 보호막의 간극으로부터 연삭 부스러기가 진입하여, 범프를 오염시킨다는 문제가 있다.
또한, 상기와 같은 범프가 형성된 웨이퍼에 대하여, 상기한 특허문헌 2에 기재된 기술을 적용하여, 표면에 액상 수지로 이루어지는 보호막을 피복하고, 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 웨이퍼의 표면으로부터 분할 예정 라인에 위치시켜 어블레이션 가공을 실시하면, 상기 보호막이 박리되어, 디바이스 칩의 표면에 직접 데브리가 부착되어 품질을 저하시킨다는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 웨이퍼의 표면에 돌기형물이 존재하고 있어도, 웨이퍼를 파손, 또는 손상을 주지 않고, 디바이스 칩의 표면측에 직접 데브리가 부착되어 품질이 저하된다는 문제를 해결할 수 있는 웨이퍼의 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 복수의 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼의 처리 방법에 있어서, 웨이퍼의 표면에 점성이 낮은 제1 액상 수지를 도포하여 복수의 디바이스가 형성된 영역을 덮는 저점성 수지 피복 공정과, 그 저점성 수지 피복 공정 후, 상기 웨이퍼의 표면에 제1 액상 수지보다도 점성이 높은 제2 액상 수지를 도포하여 상기 제1 액상 수지에 중첩하는 고점성 수지 피복 공정과, 피복된 제1 액상 수지 및 제2 액상 수지를 경화시키는 수지 경화 공정과, 경화한 수지를 평탄화하는 평탄화 공정을 구비한 웨이퍼의 처리 방법이 제공된다.
바람직하게는, 상기 평탄화 공정은, 척 테이블에 상기 웨이퍼의 이면을 유지하여, 상기 웨이퍼의 표면을 노출하고, 바이트를 구비한 절삭 유닛에 의해 수지를 절삭하여 평탄화한다.
바람직하게는, 웨이퍼의 처리 방법은, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 분할 예정 라인에 대응하는 웨이퍼의 이면으로부터 내부에 위치시켜 조사하여 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과, 웨이퍼의 이면을 연삭 지석으로 연삭하여, 웨이퍼를 미리 정해진 두께로 마무리함과 함께, 개질층으로부터 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정을 더 구비한다. 바람직하게는, 웨이퍼의 처리 방법은, 웨이퍼의 이면을 연삭 지석으로 연삭하여, 웨이퍼를 미리 정해진 두께로 마무리하는 연삭 공정과, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 분할 예정 라인에 대응하는 웨이퍼의 이면으로부터 내부에 위치시켜 조사하여 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과, 웨이퍼에 외력을 부여하여, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정을 더 구비한다.
바람직하게는, 웨이퍼의 처리 방법은, 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 분할 예정 라인에 대응하는 웨이퍼의 표면에 위치시켜 조사하여 분할 예정 라인을 따라 어블레이션 가공을 실시하는 어블레이션 가공 공정을 더 구비한다. 바람직하게는, 웨이퍼의 처리 방법은, 상기 저점성 수지 피복 공정 전에, 웨이퍼의 표면에 형성된 분할 예정 라인에 대하여 홈을 형성하는 홈 형성 공정을 더 구비하고, 상기 홈 형성 공정 후, 저점성 수지 피복 공정, 고점성 수지 피복 공정, 수지 경화 공정, 및 상기 평탄화 공정을 실시하고, 그 후, 웨이퍼의 이면을 연삭 지석으로 연삭하여, 웨이퍼를 미리 정해진 두께로 마무리함과 함께, 상기 홈을 노출시켜, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정을 실시한다.
본 발명의 웨이퍼의 처리 방법에 의하면, 웨이퍼의 표면에 돌기형물이 존재하고 있어도, 웨이퍼를 파손, 또는 손상을 주지 않고 개개의 디바이스 칩으로 분할할 수 있어, 디바이스 칩의 표면에 직접 데브리가 부착되어 품질이 저하된다는 문제를 해소할 수 있다.
도 1(a)는 피가공물인 웨이퍼와, 액상 수지 피복 장치의 사시도이고, 도 1(b)는 저점성 수지 피복 공정의 실시 양태를 나타내는 사시도이고, 도 1(c)는 고점성 수지 피복 공정의 실시 양태를 나타내는 사시도이다.
도 2는 수지 경화 공정의 실시 양태를 나타내는 사시도이다.
도 3은 평탄화 공정의 실시 양태를 나타내는 사시도이다.
도 4(a)는 레이저 가공 장치의 사시도이고, 도 4(b)는 개질층 형성 공정의 실시 양태를 나타내는 사시도이고, 도 4(c)는 도 4(b)에 나타내는 웨이퍼의 단면도이다.
도 5(a)는 개질층으로부터 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정의 실시 양태를 나타내는 사시도이고, 도 5(b)는 도 5(a)의 분할 공정에 의해 개개의 디바이스 칩으로 분할된 웨이퍼를 나타내는 사시도이다.
도 6은 웨이퍼의 이면을 연삭 지석으로 연삭하는 연삭 공정의 실시 양태를 나타내는 사시도이다.
도 7(a)는 도 6의 연삭 공정에 의해 연삭된 웨이퍼에 대하여 실시되는 개질층 형성 공정의 실시 양태를 도시한 사시도이고, 도 7(b)는 도 7(a)에 도시한 웨이퍼의 단면도이다.
도 8은 도 7에 나타내는 개질층 형성 공정을 거친 웨이퍼를 프레임으로 유지하는 양태를 나타내는 사시도이다.
도 9는 웨이퍼에 외력을 부여하여 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정의 실시 양태를 나타내는 사시도이다.
도 10(a)는 어블레이션 가공 공정의 실시 양태를 나타내는 사시도이고, 도 10(b)는 도 10(a)에 나타내는 어블레이션 가공에 의해 개개의 디바이스 칩으로 분할된 웨이퍼를 나타내는 사시도이고, 도 10(c)는 도 10(b)에 나타내는 웨이퍼로부터 보호막을 제거한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 11(a)는 홈 형성 공정의 실시 양태를 나타내는 사시도이고, 도 11(b)는 도 11(a)에 나타내는 웨이퍼의 단면도이고, 도 11(c)는 홈 형성 공정에 의해 홈이 형성된 웨이퍼의 사시도이다.
도 12는 웨이퍼의 이면을 연삭 지석으로 연삭하여 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정의 실시 양태를 나타내는 사시도이다.
도 13(a)는 개개의 디바이스 칩으로 분할된 웨이퍼를 프레임에 의해 지지하는 양태를 나타내는 사시도이고, 도 13(b)는 웨이퍼로부터 보호막을 제거하는 양태를 나타내는 사시도이다.
이하, 본 발명 실시 형태의 웨이퍼의 처리 방법에 대해서, 첨부 도면을 참조하면서, 상세하게 설명한다.
도 1(a)에는, 본 실시 형태의 웨이퍼의 처리 방법에 의해 처리되는 웨이퍼(10)와, 액상 수지 피복 장치(20)(일부만을 도시하고 있음)가 도시되어 있다. 웨이퍼(10)는, 예컨대 실리콘 웨이퍼이다. 웨이퍼(10)는, 복수의 디바이스(12)가 교차하는 복수의 분할 예정 라인(14)에 의해 구획되어 표면(10a)에 형성된 것이며, 각 디바이스(12)에는, 도면 중 상방에 일부를 확대하여 나타내는 바와 같이, 복수의 범프(16)가 형성되어 있다. 범프(16)는, 디바이스(12)를 전기적으로 외부에 접속하기 위한 돌기형의 전극이며, 예를 들면, 납과 주석을 주성분으로 하는 합금 전극이다.
본 실시 형태의 웨이퍼의 처리 방법에서는, 우선, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에, 이하에 설명하는 제1 액상 수지(L1)를 도포하여 복수의 디바이스(12)가 형성된 영역을 덮는 저점성 수지 피복 공정과, 그 저점성 수지 피복 공정 후, 웨이퍼(19)의 표면(10a)에 제1 액상 수지(L1)보다 점성이 높은 제2 액상 수지(L2)를 도포하여 상기 제1 액상 수지(L1)에 중첩하는 고점성 수지 피복 공정을 실시한다.
보다 구체적으로는, 우선, 상기 웨이퍼(10)를, 도면에 나타내는 액상 수지 피복 장치(20)에 반송한다. 액상 수지 피복 장치(20)는, 척 테이블(21)과, 지지 베이스(23)를 적어도 구비하고, 척 테이블(21)의 유지면(22)은, 통기성을 갖는 다공성 부재에 의해 형성되어 있다. 척 테이블(21)에는, 도시를 생략하는 흡인 수단에 접속되고, 그 흡인 수단을 작동시킴으로써, 유지면(22)에 흡인 부압을 생성한다. 지지 베이스(23)의 내부에는, 도시를 생략하는 전동 모터가 배치되어, 회전축(24)과 함께, 척 테이블(21)을 회전시키는 것이 가능하게 되어 있다.
액상 수지 피복 장치(20)에 반송된 웨이퍼(10)의 표면(10a) 측을 상방으로, 이면(10b) 측을 하방을 향하게 하여, 액상 수지 피복 장치(20)의 척 테이블(21)에 재치하고, 상기한 흡인 수단을 작동시켜, 유지면(22) 상에 흡인 유지한다.
도 1(b)에 도시된 바와 같이, 척 테이블(21)에 웨이퍼(10)를 흡인 유지했다면, 액상 수지 공급 노즐(25)을, 웨이퍼(10)의 중심의 바로 위에 위치시킨다. 상기 액상 수지 공급 노즐(25)에는, 2종류의 액상 수지 공급원이 접속되어 있다. 보다 구체적으로는, 점성이 낮은 제1 액상 수지(L1)를 공급하는 제1 액상 수지 공급원(도시는 생략함)과, 상기 제1 액상 수지(L1)보다 점성이 높은 제2 액상 수지(L2)를 공급하는 제2 액상 수지 공급원(도시는 생략함)이 접속되어 있다. 제1 액상 수지(L1) 및 제2 액상 수지(L2)로서는, 예컨대 자외선을 조사함으로써 경화하는 에폭시 수지가 채용되고, 제1 액상 수지(L1)에는, 제2 액상 수지(L2)에 대하여 높은 비율로 용제가 혼합되어 있고, 제1 액상 수지(L1)는, 제2 액상 수지(L2)에 대하여 끈기가 없는, 소위 점성이 낮은 상태의 액상 수지이다.
웨이퍼(10)를 척 테이블(21)에 흡인 유지한 후, 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 상기 지지 베이스(23)의 전동 모터를 작동시켜, 회전축(24)과 함께 척 테이블(21)을 화살표(R1)로 나타내는 방향으로 회전시킨다. 액상 수지 공급 노즐(25)의 분사구(25a)로부터 소정량의 제1 액상 수지(L1)를 공급하여, 웨이퍼(10)의 표면(10a) 상에 도포한다. 상기 분사구(25a)로부터의 제1 액상 수지(L1)의 공급량은, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 제1 액상 수지(L1)를 도포하여 디바이스(12)를 구성하는 부위를 덮는 양으로 설정된다. 이상에 의해, 저점성 수지 피복 공정이 완료된다.
상기한 바와 같이, 제1 액상 수지 피복 공정을 실시했다면, 액상 수지 공급 노즐(25)에 도시를 생략하는 제2 액상 수지 공급원을 접속하고, 도 1(c)에 도시된 바와 같이, 회전축(24)과 함께 척 테이블(21)을 화살표(R1)로 나타내는 방향으로 회전시켜, 액상 수지 공급 노즐(25)의 분사구(25a)로부터 소정량의 제2 액상 수지(L2)를 공급하여, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 먼저 도포된 제1 액상 수지(L1)에 중첩하도록 도포한다. 상기 분사구(25a)로부터의 제2 액상 수지(L2)의 공급량은, 웨이퍼(10)의 표면(10a) 상에 도포된 제1 액상 수지(L1)의 전체를 덮는 양으로 설정된다. 이상에 의해, 고점성 수지 피복 공정이 완료된다.
상기한 저점성 수지 피복 공정에서는, 도포된 제1 액상 수지(L1)의 점성이 낮기 때문에, 범프 등의 미세한 볼록부를 감싸도록 액상 수지가 돌아 들어가, 웨이퍼(10)의 표면(10a)이 간극 없이 피복된다. 또한, 상기한 바와 같이, 제1 액상 수지(L1)에 중첩하도록 제1 액상 수지(L1)보다 점성이 높은 액상 수지로 이루어지는 제2 액상 수지(L2)를 도포함으로써, 점성이 낮은 제1 액상 수지(L1)와 잘 융합하면서, 웨이퍼(10)의 표면(10a)이 제1 액상 수지(L1), 제2 액상 수지(L2)에 의해 간극 없이 피복된다.
이어서, 웨이퍼(10)에 피복된 제1 액상 수지(L1) 및 제2 액상 수지(L2)를 경화시키는 수지 경화 공정을 실시한다. 그 수지 경화 공정을 실시할 때에는, 예컨대, 도 2의 좌측에 도시된 바와 같이, 상기한 액상 수지 피복 장치(20)에 유지된 웨이퍼(10)의 바로 위에, 자외선 조사 수단(26)을 위치시킨다. 계속해서, 상기 자외선 조사 수단(26)으로부터, 웨이퍼(10)에 피복된 제1 액상 수지(L1) 및 제2 액상 수지(L2)를 향해, 자외선(UV)을 조사한다. 이에 의해, 제1 액상 수지(L1) 및 제2 액상 수지(L2)가 경화되어, 도 2의 우측에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)의 표면(10a) 상에, 제1 액상 수지(L1) 및 제2 액상 수지(L2)가 경화된 보호막(L)이 형성되어, 수지 경화 공정이 완료된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 피복하는 제1 액상 수지(L1) 및 제2 액상 수지(L2)로서, 자외선(UV)을 조사함으로써 경화하는 수지를 선택하였으나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 제1 액상 수지(L1), 제2 액상 수지(L2)로서, 시간 경과와 함께 경화하는 수지 등이라도 좋고, 그 경우의 수지 경화 공정은, 수지 피복 공정이 끝난 후, 웨이퍼(10) 상에 도포한 제1 액상 수지(L1) 및 제2 액상 수지(L2)가 경화하여 보호막(L)이 될 때까지 소정 시간 대기하는 공정이, 수지 경화 공정에 상당한다. 또한, 제1 액상 수지(L1) 및 제2 액상 수지(L2)를 수용성의 액상 수지로 생성하는 경우는, 고점성의 제2 액상 수지(L2)에 대하여 물을 첨가하여 저점성의 액상 수지(L1)를 생성하는 것이 가능하다.
상기한 보호막(L)은, 디바이스(12)에 형성되어 있는 범프(16)를 흡수할 정도의 두께로 형성되어 있지만, 전체적으로 보면, 웨이퍼(10)의 표면(10a)의 요철의 영향을 받거나, 경화할 때의 수축 등의 영향을 받거나 함으로써, 도 2의 우측에 도시된 바와 같이, 보호막(L)의 막 두께가 불균일해져, 요철(18)이 형성된다. 이러한 상태에서, 웨이퍼(10)의 표면(10a) 측에 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 조사하여 실시되는 어블레이션 가공에 의해, 분할 예정 라인(14)을 따라 분할 홈을 형성하려고 해도, 홈의 깊이가 일정하게 되지 않아, 가공 불량이 될 우려가 있다. 또한, 보호막(L) 측을 유지하고, 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭하여 박화하려고 해도, 상기 요철(18)의 영향에 의해, 웨이퍼(10)가 손상되거나 파손되거나 할 우려가 있다. 그래서, 본 실시 형태에서는, 상기와 같이 액상 수지가 경화된 보호막(L)을 평탄화하는 평탄화 공정을 실시한다.
도 3에는, 본 실시 형태의 평탄화 공정을 실시하는 데 적합한 절삭 장치(30)(일부만을 도시함)가 도시되어 있다. 절삭 장치(30)는, 상하 방향으로 이동 가능하게 장착된 절삭 유닛(31)을 구비하고 있다. 절삭 유닛(31)은, 도시를 생략하는 절입 이송 기구에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 베이스(32)와, 이동 베이스(32)에 장착된 스핀들 유닛(33)을 구비하고 있다. 이동 베이스(32)의 전방면에는 지지 부재(32a)가 장착되고, 스핀들 유닛(33)은, 지지 부재(32a)에 의해 지지되어 있다.
스핀들 유닛(33)은, 지지 부재(32a)에 장착된 스핀들 하우징(33a)과, 스핀들 하우징(33a)에 회전 가능하게 배치된 회전 스핀들(33b)과, 회전 스핀들(33b)을 회전 구동하기 위한 구동원으로서의 서보 모터(33c)를 구비하고 있다. 회전 스핀들(33b)의 하단부는 스핀들 하우징(33a)의 하단을 넘어 하방으로 돌출되고, 그 하단측에는 원판 형상의 바이트 공구(single point cutting tool) 장착 부재(33d)가 설치되어 있다.
바이트 공구 장착 부재(33d)에는, 회전 축심으로부터 편심된 외주부의 일부에 상하 방향으로 관통하는 바이트 장착 구멍(33e)이 형성되어 있다. 바이트 장착 구멍(33e)에 바이트(single point cutting tool)(34)를 삽입하고, 바이트 공구 장착 부재(33d)의 측방에 형성된 암나사 구멍으로부터 체결 볼트(35)를 나사 결합하여 체결 고정한다. 또한, 바이트(34)는, 본 실시 형태에 있어서는 초강 합금 등의 공구강에 의해 막대 형상으로 형성되고, 바이트(34)의 하방 선단부에는, 다이아몬드 등으로 형성된 절삭 날이 구비되어 있다. 바이트 공구 장착 부재(33d)에 장착되는 바이트(34)는, 상기한 서보 모터(33c)에 의해 구동되는 회전 스핀들(33b)이 회전함으로써, 바이트 공구 장착 부재(33d)와 함께 회전된다.
절삭 장치(30)에는, 척 테이블 기구(36)가 배치되어 있다. 척 테이블 기구(36)는, 회전 가능하게 배치된 원판 형상의 척 테이블(36a)을 구비하고 있다. 척 테이블(36a)의 유지면은 통기성을 갖는 부재에 의해 형성되고, 도시되지 않은 흡인원에 접속되어 있다. 척 테이블 기구(36)는, 절삭 장치(30)의 내부에 수용된 도시를 생략하는 이동 기구를 구비하고 있고, 화살표(R3)로 나타내는 방향으로 척 테이블(36a)을 커버 부재(36b)와 함께 이동시킬 수 있다. 또한, 도 3에 도시된 절삭 장치(30)는, 척 테이블(36a) 상에 액상 수지 피복 장치(20)로부터 반송된 웨이퍼(10)를 흡인 유지하고 있다.
도 3에 도시된 절삭 장치(30)는, 대략 이상과 같이 구성되어 있고, 이하에, 상기한 절삭 장치(30)를 사용하여 실시되는 본 실시 형태의 평탄화 공정에 대해 설명한다.
도 3에 나타내는 절삭 장치(30)의 척 테이블(36a) 상에는, 보호막(L)이 형성된 측을 상측을 향하게 하여 재치된 웨이퍼(10)가 흡인 유지된다. 상기한 서보 모터(33c)를 구동하여, 바이트 공구 장착 부재(33d)를 화살표(R2)로 나타내는 방향으로 회전시키고, 또한 도시를 생략하는 절입 이송 기구를 작동하여, 웨이퍼(10) 상의 보호막(L)의 요철(18)을 제거하는 소정의 높이로 하강시킨다. 도시를 생략하는 이동 수단을 작동시켜 척 테이블 기구(36)를, 도 3에 화살표(R3)로 나타내는 방향으로 이동시키고, 웨이퍼(10)를 유지한 척 테이블(36a)을 바이트 공구 장착 부재(33d)의 하방의 가공 영역을 통과시킨다. 이와 같이 하여 웨이퍼(10)를 유지한 척 테이블(36a)이 가공 영역을 통과함으로써, 도 3의 하방측에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)에 형성된 보호막(L) 상으로부터 요철(18)이 제거되고 평탄화되어, 평탄화 공정이 완료된다.
또한, 본 발명의 평탄화 공정은, 상기 절삭 장치(30)에 의해 평탄화하는 것에 한정되지 않고, 예를 들어 연마 장치 등에 의해 평탄화하는 것이라도 좋다.
상기한 저점성 수지 피복 공정과, 고점성 수지 피복 공정과, 수지 경화 공정과, 평탄화 공정을 포함하여 구성되는 웨이퍼의 처리 방법을 채용함으로써, 이하에 설명하는 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 여러 가지 분할 가공이 양호하게 실시된다. 도 4, 도 5, 및 도 13을 참조하면서, 제1 분할 가공의 실시 양태에 대해 설명한다.
도 4(a)에는, 상기 웨이퍼의 처리 방법에 기초하여 평탄한 보호막(L)이 형성된 웨이퍼(10)와 함께, 제1 분할 가공에 적합한 레이저 가공 장치(40)의 전체 사시도가 도시되어 있다. 레이저 가공 장치(40)는, 베이스(40a) 상에 배치되고, 가공 대상인 웨이퍼(10)에 대하여 레이저 광선을 조사하는 레이저 조사 유닛(41)과, 웨이퍼(10)를 유지하는 유지 유닛(42)과, 유지 유닛(42)에 유지된 웨이퍼(10)를 촬상하는 촬상 유닛(43)과, 레이저 조사 유닛(41)과 유지 유닛(42)을 상대적으로 가공 이동함과 함께, 촬상 유닛(43)과 유지 유닛(42)을 상대적으로 이동시키는 이송 기구(44)와, 베이스(40a) 상의 이송 기구(4)의 안쪽에 세워 설치되는 수직 벽부(45a) 및 수직 벽부(45a)의 상단부로부터 수평 방향으로 연장되는 수평 벽부(450b)로 이루어지는 프레임(45)을 구비하고 있다.
프레임(45)의 수평 벽부(45b)의 내부에는, 레이저 조사 유닛(41)을 구성하는 광학계(도시는 생략)가 수용된다. 수평 벽부(45b)의 선단부 하면측에는, 레이저 조사 유닛(41)의 일부를 구성하는 집광기(41a)가 배치된다. 또한, 본 실시 형태의 레이저 조사 유닛(41)은, 웨이퍼(10)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선과, 웨이퍼(10)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 전환하여 조사할 수 있는 것으로서 이하의 설명을 행한다. 촬상 유닛(43)은, 집광기(41a)에 대해 도면 중 화살표(X)로 나타내는 X축 방향에서 인접하는 위치에 배치되어 있다. 촬상 유닛(43)은, 가시광선에 의해 촬상하는 통상의 촬상 소자(CCD)와, 피가공물에 적외선을 조사하는 적외선 조사 수단과, 적외선 조사 수단에 의해 조사된 적외선을 포착하는 광학계와, 그 광학계가 포착한 적외선에 대응하는 전기 신호를 출력하는 촬상 소자(적외선 CCD)를 포함한다.
유지 유닛(42)은, 도 4(a)에 도시된 바와 같이, X축 방향에 있어서 이동 가능하게 베이스(4a)에 탑재된 직사각 형상의 X축 방향 가동판(42a)과, X축 방향과 직교하는 Y축 방향에 있어서 이동 가능하게 X축 방향 가동판(42a)에 탑재된 직사각 형상의 Y축 방향 가동판(42b)과, Y축 방향 가동판(42b)의 상면에 고정된 원통형의 지주(42c)와, 지주(42c)의 상단에 고정된 직사각 형상의 커버판(42d)을 포함한다. 커버판(42d)에는 커버판(42d) 상에 형성된 긴 구멍을 통과하여 상방으로 연장되는 척 테이블(42e)이 배치되어 있다. 척 테이블(42e)은, 지주(42c) 내에 수용된 도시하지 않는 회전 구동 수단에 의해 회전 가능하게 구성된다. 척 테이블(42e)에는, 통기성을 갖는 다공질 재료로 형성되어 실질상 수평으로 연장되는 원 형상의 흡착 척(42f)이 배치되어 있다. 흡착 척(42f)은, 지주(42c)를 통과하는 유로에 의해 도시하지 않은 흡인 수단에 접속되어 있다.
이송 기구(44)는, X축 이송 기구(46)와, Y축 이송 기구(47)를 포함한다. X축 이송 기구(47)는, 모터(47a)의 회전 운동을, 볼 나사(47b)를 통하여 직선 운동으로 변환하여 X축 방향 가동판(42a)에 전달하고, 베이스(40a) 상에 X축 방향을 따라 배치된 한 쌍의 안내 레일(40b, 40b)을 따라 X축 방향 가동판(42a)을 X축 방향에 있어서 진퇴시킨다. Y축 이송 기구(47)는, 모터(47a)의 회전 운동을, 볼 나사(47b)를 통하여 직선 운동으로 변환하여, Y축 방향 가동판(42b)에 전달하고, X축 방향 가동판(42a) 상에 있어서 Y축 방향을 따라 배치된 한 쌍의 안내 레일(42g, 42g)을 따라 Y축 방향 가동판(42b)을 Y축 방향에 있어서 진퇴시킨다.
도 4(a)에 나타내는 레이저 가공 장치(40)는, 대략 상기한 바와 같은 구성을 구비하고 있고, 이 레이저 가공 장치(40)를 사용하여 실행되는, 제1 분할 가공의 개질층 형성 공정에 관해, 보다 구체적으로 설명한다.
먼저, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 보호막(L) 측을 하방으로, 웨이퍼(10)의 이면(10b) 측을 상방으로 향하게 하여, 척 테이블(42e)의 흡착 척(42f) 상에 재치하여 흡인 유지한다.
척 테이블(42e)에 의해 유지된 웨이퍼(10)는, 상기한 이송 기구(44)를 작동시킴으로써, 촬상 유닛(43)의 바로 아래로 이동되어 촬상된다. 촬상 유닛(43)은, 도시를 생략하는 제어 유닛, 및 표시 유닛에 접속되고, 웨이퍼(10)의 이면(10b) 측으로부터 적외선을 조사하여 촬상함으로써, 웨이퍼(10)의 보호막(L)이 형성된 측에 형성되어 레이저 광선을 조사하여야 하는 분할 예정 라인(14)을 검출한다. 검출한 분할 예정 라인(14)의 위치 정보인 X 좌표, Y 좌표를 상기 제어 유닛에 기억함과 함께, 척 테이블(42e)을 회전시켜, 소정의 분할 예정 라인(14)을 X축 방향에 정합시킨다(얼라인먼트).
상기한 얼라인먼트를 실시했다면, 이송 기구(44)를 작동시켜, 척 테이블(42e)을 X축 방향으로 이동하여, 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)를 레이저 조사 유닛(41)의 집광기(41a)의 바로 아래에 위치시킨다. 이어서, 상기의 이송 기구(44)를 작동시킴과 함께, 집광기(41a)를 도면 중 화살표(Z)로 나타내는 Z 축 방향(상하 방향)으로 이동시킴으로써, 도 4(c)에 나타내는 바와 같이, 레이저 조사 유닛(41)에 의해 조사되는 웨이퍼(10)에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선(LB1)의 집광점(P1)을, 웨이퍼(10)의 이면(10b) 측으로부터 제1 방향으로 신장되는 소정의 분할 예정 라인(14)에 대응하는 위치의 내부에 위치시켜 조사하여, 개질층(100)을 형성한다. 상기 소정의 분할 예정 라인(14)을 따라 개질층(100)을 형성하였다면, 웨이퍼(10)를 Y축 방향으로 분할 예정 라인(14)의 간격만큼 인덱싱 이송하여, Y축 방향에서 인접하는 미가공의 분할 예정 라인(14)을 집광기(41a)의 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 상기한 것과 동일하게 하여 레이저 광선(LB1)의 집광점(P1)을 웨이퍼(10)의 제1 방향으로 신장하는 분할 예정 라인(14)에 대응하는 위치의 내부에 위치시켜 조사하여, 웨이퍼(10)를 X축 방향으로 가공 이송하여 개질층(100)을 형성한다.
상기한 레이저 가공을 반복하여, 웨이퍼(10)를 X축 방향, 및 Y축 방향으로 가공 이송하여, 제1 방향으로 신장하는 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 개질층(100)을 형성한다. 계속해서, 웨이퍼(10)를 90도 회전시켜, 이미 개질층(100)을 형성한 제1 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(14)에 직교하는 제2 방향의 미가공의 분할 예정 라인(14)을 X축 방향에 정합시킨다. 그리고, 나머지의 제2 방향으로 신장되는 각 분할 예정 라인(14)에 대해서도, 상기한 것과 동일하게 하여 레이저 광선(LB1)의 집광점(P1)을 위치시켜 조사하여, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 형성된 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 웨이퍼(10)의 내부에 개질층(100)을 형성한다(개질층 형성 공정).
또한, 상기한 개질층 형성 공정에 있어서 실시되는 레이저 가공의 가공 조건은, 예를 들어, 이하와 같이 설정된다.
파장: 1342nm
평균 출력: 1.0W
반복 주파수: 90kHz
이송 속도: 700mm/초
상기한 개질층 형성 공정을 실시했다면, 웨이퍼(10)를 도 5(a)에 도시된 연삭 장치(50)(일부만을 나타냄)에 반송한다. 연삭 장치(50)는, 도시를 생략하는 회전 구동 수단에 의해 회전 가능한 척 테이블(51)과, 연삭 유닛(52)을 구비하고 있다. 연삭 유닛(52)은, 도시를 생략하는 회전 구동 수단에 의해 회전되는 회전 스핀들(52a)과, 회전 스핀들(52a)의 하단에 장착된 휠 마운트(52b)와, 휠 마운트(52b)의 하면에 장착되는 연삭 휠(52c)을 구비하고, 연삭 휠(52c)의 하면에는 복수의 연삭 지석(52d)이 환형으로 배치되어 있다.
도 5(a)에 도시된 바와 같이, 연삭 장치(50)에 반송된 웨이퍼(10)를, 보호막(L)이 형성된 측을 하방으로, 이면(10b) 측을 상방으로 향하게 하여, 척 테이블(51) 상에 흡인 유지했다면, 연삭 유닛(52)의 회전 스핀들(52a)을 화살표(R4)로 나타내는 방향으로, 예컨대 6000 rpm으로 회전시킴과 함께, 척 테이블(51)을 화살표(R5)로 나타내는 방향으로, 예컨대 300 rpm으로 회전시킨다. 그리고, 도시를 생략하는 연삭 이송 기구를 작동시켜, 연삭 지석(52d)을 화살표(R6)로 나타내는 방향으로 하강시켜, 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 접촉시키고, 예컨대 1 ㎛/초의 연삭 이송 속도로 연삭 이송한다. 이 때, 도시하지 않은 접촉식의 측정 게이지에 의해 웨이퍼(10)의 두께를 측정하면서 연삭을 진행시킬 수 있고, 상기 소정의 마무리 두께가 될 때까지 연삭함으로써, 웨이퍼(10)에 대하여 외력이 부여되어, 도 5(b)에 도시된 바와 같이, 분할 예정 라인(14)을 따라 형성된 개질층(100)을 따라 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할된다(분할 공정). 이상에 의해, 제1 분할 가공이 완료된다.
상기한 바와 같이, 제1 분할 가공에 의해 웨이퍼(10)가 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할되었다면, 필요에 따라, 도시를 생략하는 픽업 공정에 보내진다. 그 때에는, 예컨대, 도 13(a)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)를 수용 가능한 개구(Fa)를 갖는 환형 프레임(F)을 준비하고, 웨이퍼(10)를 반전시켜, 보호막(L) 측을 상방으로, 웨이퍼(10)의 이면(10b) 측을 하방을 향하게 하여 상기 개구(Fa)의 중앙에 위치시켜, 점착 테이프(T)를 통해 유지시킨다. 그리고, 도 13(b)에 도시된 바와 같이, 보호막(L)을 제거함으로써, 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할된 웨이퍼(10)의 표면(10a) 측이 노출되어, 용이하게 디바이스 칩(12')을 픽업하는 것이 가능한 상태가 된다.
상기한 제1 분할 가공은, 미리, 상기한 저점성 수지 피복 공정, 고점성 수지 피복 공정, 수지 경화 공정, 및 평탄화 공정이 실시되어 있기 때문에, 범프 등의 돌기물의 둘레에 점성이 낮은 제1 액상 수지(L1)가 돌아 들어가 상기 돌기물을 감싸도록 간극 없이 피복하고, 또한, 상기 제1 액상 수지(L1)에 잘 융합되는 점성이 높은 제2 액상 수지(L2)를 도포하고 경화하여 보호막(L)을 형성하는 것이기 때문에, 개질층 형성 공정 후, 웨이퍼(10)의 이면(10b) 측을 연삭하여, 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할하는 상기한 분할 공정을 실시한 경우라도, 분할된 디바이스 칩(12')과 보호막(L)의 간극으로부터 연삭 부스러기가 진입하지 않고, 범프가 오염되는 되는 것이 방지된다. 또한, 상기 평탄화 공정이 실시되어 보호막(L)의 두께가 균일하게 되어 있기 때문에, 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭 지석으로 연삭하여, 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할하는 분할 공정을 실시해도, 웨이퍼(10)가 파손되는 것이 방지된다.
다음에, 상기한 저점성 수지 피복 공정과, 고점성 수지 피복 공정과, 수지 경화 공정과, 평탄화 공정을 포함하여 구성되는 웨이퍼의 처리 방법과 조합하여 실시되는 제2 분할 가공에 대해, 도 6 내지 도 9를 참조하면서 이하에 설명한다.
제2 분할 가공에 있어서도, 웨이퍼(10)에 대하여, 상기한 저점성 수지 피복 공정과, 고점성 수지 피복 공정과, 수지 경화 공정과, 평탄화 공정을 포함하는 웨이퍼의 처리 방법이 실시된다. 계속해서, 상기 개질층 형성 공정을 실시하지 않고, 보호막(L)이 형성된 웨이퍼(10)를, 상기한 연삭 장치(50)(도 5를 참조)에 반송한다. 그리고, 도 6에 도시된 바와 같이, 연삭 장치(50)에 반송한 웨이퍼(10)를, 보호막(L)이 형성된 측을 하방으로, 이면(10b) 측을 상방으로 향하게 하여, 척 테이블(51) 상에 흡인 유지하고, 연삭 유닛(52)의 회전 스핀들(52a)을 화살표(R4)로 나타내는 방향으로, 예컨대 6000 rpm으로 회전시킴과 함께, 척 테이블(51)을 화살표(R5)로 나타내는 방향으로, 예컨대 300 rpm으로 회전시킨다. 그리고, 상기한 연삭 이송 기구를 작동시켜, 연삭 지석(52d)을 화살표(R6)로 나타내는 방향으로 하강시켜 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 접촉시키고, 예컨대 1㎛/초의 연삭 이송 속도로 연삭 이송한다. 이 때, 도시되지 않은 접촉식의 측정 게이지에 의해 웨이퍼(10)의 두께를 측정하면서 연삭을 진행시킬 수 있고, 웨이퍼(10)가 소정의 마무리 두께가 될 때까지 연삭한다(연삭 공정).
상기한 연삭 공정을 실시하여, 웨이퍼(10)의 두께를 마무리 두께로 한 후, 도 4에 기초하여 설명한 레이저 가공 장치(40)에 반송한다. 그리고, 레이저 가공 장치(40)의 척 테이블(42e)에, 웨이퍼(10)의 이면(10b) 측을 상방을 향하게 재치하여 흡인 유지한 후, 상기한 얼라인먼트를 거쳐, 웨이퍼(10)를 X축 방향으로 이동하여, 도 7(a)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(10)를 레이저 조사 유닛(41)의 집광기(41a)의 바로 아래에 위치시킨다. 계속해서, 상기 이송 기구(44)를 작동시킴과 함께, 도 7(b)에 도시된 바와 같이, 레이저 조사 유닛(41)에 의해 웨이퍼(10)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선(LB2)의 집광점(P2)을, 웨이퍼(10)의 이면(10b) 측으로부터 제1 방향으로 신장되는 소정의 분할 예정 라인(14)에 대응하는 내부에 위치시켜 조사하여, 개질층(110)을 형성한다. 상기 소정의 분할 예정 라인(14)을 따라 개질층(110)을 형성했다면, 웨이퍼(10)를 Y축 방향으로 분할 예정 라인(14)의 간격만큼 인덱싱 이송하여, Y축 방향에서 인접하는 미가공의 분할 예정 라인(14)을 집광기(41a)의 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 상기한 것과 동일하게 하여 레이저 광선(LB2)의 집광점(P2)을 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(14)에 대응하는 위치의 내부에 위치시켜 조사하여, 웨이퍼(10)를 X축 방향으로 가공 이송하여 개질층(110)을 형성한다.
상기한 가공을 반복함으로써, 웨이퍼(10)를 X축 방향, 및 Y축 방향으로 가공 이송하여, 제1 방향으로 신장하는 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 개질층(110)을 형성한다. 계속해서, 웨이퍼(10)를 90도 회전시켜, 이미 개질층(110)을 형성한 제1 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(14)에 직교하는 제2 방향의 미가공의 분할 예정 라인(14)을 X축 방향에 정합시킨다. 그리고, 나머지의 제2 방향으로 신장하는 각 분할 예정 라인(14)에 대해서도, 상기한 것과 동일하게 하여 레이저 광선(LB2)의 집광점(P2)을 위치시켜 조사하여, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 형성된 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 웨이퍼(10)의 내부에 개질층(110)을 형성한다(개질층 형성 공정).
또한, 상기 제2 분할 가공에 있어서의 개질층 형성 공정에 있어서 실시되는 레이저 가공의 가공 조건은, 예를 들어, 이하와 같이 설정된다.
파장: 1064nm
평균 출력: 1.0W
반복 주파수: 80kHz
이송 속도: 300mm/초
상기한 바와 같이, 개질층 형성 공정을 실시하였다면, 레이저 가공 장치(40)로부터 웨이퍼(10)를 반출하여, 도 8에 나타내는 바와 같이, 미리 준비한 웨이퍼(10)를 수용 가능한 개구(Fa)를 갖는 환형 프레임(F)의 그 개구(Fa)의 중앙에, 보호막(L) 측을 상방으로, 웨이퍼(10)의 이면(10b) 측을 하방을 향하게 위치시키고, 점착 테이프(T)를 통해 유지시킨다. 계속해서, 프레임(F)에 웨이퍼(10)를 유지했다면, 도 9에 도시된 바와 같이, 보호막(L)을 제거한다. 보호막(L)을 제거했다면, 웨이퍼(10)를 중심으로 하여, 점착 테이프(T)를 외측 방향으로 방사형으로 인장하도록 외력(G)을 부여하여, 웨이퍼(10)의 상기 개질층(110)을 분할 기점으로 하여 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할한다(분할 공정).
상기한 제2 분할 가공을 실시하는 것에 의해서도, 상기한 저점성 수지 피복 공정, 고점성 수지 피복 공정, 수지 경화 공정, 평탄화 공정이 실시되어 있기 때문에, 상기한 제1 분할 가공과 동일한 작용 효과를 발휘할 수 있어, 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩(12')으로 양호하게 분할할 수 있다.
또한, 상기한 저점성 수지 피복 공정과, 고점성 수지 피복 공정과, 수지 경화 공정과, 평탄화 공정을 포함하여 구성되는 웨이퍼의 처리 방법과 조합하여 실시되는, 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 제3 분할 가공의 실시 양태에 대해, 도 10을 참조하면서 설명한다.
제3 분할 가공에 있어서는, 상기한 저점성 수지 피복 공정, 고점성 수지 피복 공정, 수지 경화 공정, 및 평탄화 공정을 실시한 후, 도 10(a)에 나타내는 바와 같이, 보호막(L)이 형성된 웨이퍼(10)를, 웨이퍼(10)를 수용 가능한 개구(Fa)를 갖는 환형 프레임(F)의 개구(Fa)의 중앙에 위치시키고, 그 보호막(L) 측을 상방을 향하게 하여, 점착 테이프(T)를 통해 유지시킨다. 보호막(L)은, 상기한 바와 같이, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 형성되어 있기 때문에, 도 10(a)에 도시된 웨이퍼(10)는, 표면(10a) 측이 상방으로 이면(10b)이 하방으로 향해진 상태로 유지되어 있다.
상기한 웨이퍼(10)는, 도 4에 기초하여 설명한 레이저 가공 장치(40)에 반송되어, 척 테이블(42e)에 흡인 유지된다. 레이저 가공 장치(40)에 반송된 웨이퍼(10)는, 보호막(L)이 피복된 표면(10a) 측이 상방으로 향해져 상기 척 테이블(42e)에 흡인 유지된다. 척 테이블(42)에 유지된 웨이퍼(10)는, 레이저 가공 장치(40)에 배치된 촬상 유닛(43)을 이용하여 상기와 같이 얼라인먼트가 실시되고, 표면(10a)에 형성된 분할 예정 라인(14)의 위치가 검출됨과 함께, 척 테이블(42e)을 회전시키는 회전 구동 수단에 의해 웨이퍼(10)를 회전하여, 소정의 분할 예정 라인(14)을 X축 방향에 정합시킨다. 검출된 분할 예정 라인(14)의 위치의 정보는, 도시하지 않는 제어 유닛에 기억된다.
상기한 얼라인먼트에 의해 검출된 위치 정보에 기초하여, 도 10(a)에 도시된 바와 같이, 제1 방향으로 신장되는 소정 방향의 분할 예정 라인(14) 상에 레이저 조사 유닛(41)의 집광기(41a)를 위치시키고, 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(14)에 대응하는 표면(10a) 상에, 웨이퍼(10)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선(LB3)의 집광점을 위치시켜 조사함과 함께, 상기 척 테이블(42e)과 함께 웨이퍼(10)를 X축 방향으로 가공 이송하여, 웨이퍼(10)의 제1 방향으로 신장되는 소정의 분할 예정 라인(14)을 따라 어블레이션 가공을 실시하여, 보호막(L)과 웨이퍼(10)를 파단하는 분할 홈(120)을 형성한다. 소정의 분할 예정 라인(14)을 따라 분할 홈(120)을 형성하였다면, 웨이퍼(10)를 Y축 방향으로 분할 예정 라인(14)의 간격만큼 인덱싱 이송하여, Y축 방향에서 인접하는 미가공의 분할 예정 라인(14)을 집광기(41a)의 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 상기한 것과 동일하게 하여 레이저 광선(LB3)의 집광점을 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(14)에 위치시켜 조사하고, 웨이퍼(10)를 X축 방향으로 가공 이송하여 분할 홈(120)을 형성한다. 마찬가지로 하여, 웨이퍼(10)를 X축 방향 및 Y축 방향으로 가공 이송하여, 제1 방향으로 신장되는 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 분할 홈(120)을 형성한다. 계속해서, 웨이퍼(10)를 90도 회전시켜, 이미 분할 홈(120)을 형성한 제1 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(14)에 직교하는 제2 방향의 미가공의 분할 예정 라인(14)을 X축 방향에 정합시킨다. 그리고, 나머지의 제2 방향으로 신장되는 각 분할 예정 라인(14)에 대응하여, 상기한 것과 동일하게 하여 레이저 광선(LB3)의 집광점을 위치시켜 조사하여, 도 10(b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 형성된 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 분할 홈(120)을 형성한다. 이상에 의해, 어블레이션 가공 공정이 완료된다.
또한, 상기한 제3 분할 가공에서의 어블레이션 가공 공정에 있어서 실시되는 레이저 가공의 가공 조건은, 예컨대, 이하와 같이 설정된다.
파장: 355nm
평균 출력: 3.0W
반복 주파수: 50kHz
가공 이송 속도: 10mm/초
도 10(b)에 도시된 바와 같이, 분할 홈(120)은, 보호막(L)과 웨이퍼(10)를 파단하여, 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할하는 것이기 때문에, 필요에 따라 보호막(L)을 제거하여, 도 10(c)에 도시된 바와 같이 웨이퍼(10)의 표면(10a)을 노출시켜, 디바이스 칩(12')을 픽업하기에 적합한 상태로 한다. 보호막(L)의 제거는, 적절한 방법에 의해 실시할 수 있고, 예컨대, 보호막(L)을 녹이는 용제를 표면에 공급하거나, 보호막(L)이 형성된 면에, 적절한 점착력을 갖는 점착 테이프를 접착하여 박리함으로써 제거하거나 할 수 있다.
또한, 상기한 저점성 수지 피복 공정과, 고점성 수지 피복 공정과, 수지 경화 공정과, 평탄화 공정을 포함하여 구성되는 웨이퍼의 처리 방법과 조합하여 실시되는, 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 제4 분할 가공의 실시 양태에 대해, 도 11∼도 13을 참조하면서 설명한다.
제4 분할 가공을 실시할 때에는, 웨이퍼(10)에 대하여, 상기한 수지 피복 공정을 실시하기 전에, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 형성된 분할 예정 라인(14)에 대하여 홈을 형성하는 홈 형성 공정을 실시한다. 보다 구체적으로는, 우선, 웨이퍼(10)를, 도 11에 나타내는 절삭 장치(60)에 반송한다. 절삭 장치(60)는, 웨이퍼(10)를 흡인 유지하는 척 테이블(도시는 생략함)과, 그 척 테이블에 흡인 유지된 웨이퍼(10)를 절삭하는 절삭 유닛(62)을 구비한다. 상기 척 테이블은, 회전 가능하게 구성되고, 도면 중 화살표(X)로 나타내는 방향으로 척 테이블과 함께 웨이퍼(10)를 가공 이송하는 이동 수단(도시는 생략함)을 구비하고 있다. 또한, 절삭 유닛(62)은, 스핀들 하우징(63)과, 그 스핀들 하우징(63)에 도면 중 화살표(Y)로 나타내는 Y축 방향으로 배치되어 유지된 스핀들(64)과, 스핀들(64)의 선단에 유지된 환형의 절삭 블레이드(65)(예컨대 직경 50mm)와, 절삭 블레이드(65)를 덮는 블레이드 커버(66)를 구비하고, 절삭 블레이드(65)를 Y축 방향으로 인덱싱 이송하는 Y축 이동 수단(도시는 생략함)을 구비하고 있다. 스핀들(64)은 도시를 생략하는 스핀들 모터에 의해 회전 구동된다.
본 실시 형태의 홈 형성 공정을 실시할 때에, 우선, 웨이퍼(10)의 표면(10a)을 상방을 향해 절삭 장치(60)의 척 테이블에 재치하여 흡인 유지하고, 웨이퍼(10)의 제1 방향으로 신장되는 소정의 분할 예정 라인(14)을 X축 방향에 정합시킴과 함께, 절삭 블레이드(65)와의 위치 맞춤을 실시한다. 계속해서, X축 방향에 정합시킨 분할 예정 라인(14)에, 화살표(R7)로 나타내는 방향으로 고속 회전(예컨대 30000 rpm)시킨 절삭 블레이드(65)를 위치시켜, 표면(10a) 측으로부터 이면(10b)에 도달하지 않고 디바이스(12)의 적어도 마무리 두께에 도달하는 깊이로 절입시킴과 함께, 절삭수를 공급(예컨대 2리터/분)하면서, 척 테이블을 X축 방향으로 가공 이송(예컨대 50mm/초)하여, 도 11(b)에 도시된 바와 같은 홈(130)을 형성한다. 또한, 홈(130)을 형성한 분할 예정 라인(14)에 Y축 방향에서 인접하고, 홈(130)이 형성되어 있지 않은 제1 방향으로 신장하는 분할 예정 라인(14) 상에, 절삭 유닛(62)의 절삭 블레이드(65)를 인덱싱 이송하여, 상기와 마찬가지로 하여 홈(130)을 형성하는 절삭 가공을 실시한다. 이들을 반복함으로써, 제1 방향으로 신장되는 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 홈(130)을 형성한다. 이어서, 척 테이블을 90도 회전하고, 먼저 홈(130)을 형성한 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 X축 방향에 정합시키고, 상기한 절삭 가공을 새롭게 X축 방향에 정합시킨 제2 방향으로 신장되는 모든 분할 예정 라인(14)에 대해 실시하고, 도 11(c)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)에 형성된 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 홈(130)을 형성하여, 홈 형성 공정이 완료된다.
상기 홈 형성 공정을 실시했다면, 상기한 저점성 수지 피복 공정과, 고점성 수지 피복 공정과, 수지 경화 공정과, 평탄화 공정을 실시하고, 상기 평탄화 공정 후에, 보호막(L)이 형성된 웨이퍼(10)를, 도 12에 나타내는 연삭 장치(50)로 반송한다. 연삭 장치(50)는, 도 6에 기초하여 설명한 연삭 장치(50)와 동일한 장치이며, 상세에 대한 설명은 생략한다. 상기 연삭 장치(50)의 척 테이블(51)에 웨이퍼(10)의 보호막(L)이 형성된 측을 재치하여 흡인 유지하고, 도 12에 도시된 바와 같이, 이면(10b)을 연삭 지석(52d)에 의해 연삭하여, 상기 홈(130)을 노출시켜, 웨이퍼(10)가 디바이스(12)의 마무리 두께가 되도록 마무리한다. 그 결과, 도 13(a)의 상방에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(10)가 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할되어, 분할 공정이 완료된다.
상기한 바와 같이, 웨이퍼(10)가 디바이스 칩(12')으로 분할된 상태에서는, 보호막(L)에 의해 웨이퍼(10)의 형태가 유지되어 있기 때문에, 도면에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(10)를 수용 가능한 개구(Fa)를 갖는 환형 프레임(F)을 준비하고, 웨이퍼(10)를 반전시켜, 보호막(L) 측을 상방으로, 웨이퍼(10)의 이면(10b) 측을 하방을 향하게 하여, 상기 개구(Fa)의 중앙에 위치시켜, 점착 테이프(T)를 통해 유지시킨다. 그리고, 도 13(b)에 나타내는 바와 같이, 보호막(L)을 제거함으로써, 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할된 웨이퍼(10)의 표면(10a) 측이 노출되어, 용이하게 픽업하는 것이 가능한 상태가 된다. 이와 같이 하여, 제4 분할 가공을 실시하는 경우라도, 상기한 저점성 수지 피복 공정, 고점성 수지 피복 공정, 수지 경화 공정, 및 평탄화 공정을 조합하여 실시함으로써, 보호막(L)의 두께가 균일하게 되어 있기 때문에, 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭 지석으로 연삭하여, 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할하는 분할 공정을 실시하는 경우라도, 웨이퍼(10)가 파손되는 것이 방지된다.
10: 웨이퍼
10a: 표면
10b: 이면
12: 디바이스
12': 디바이스 칩
14: 분할 예정 라인
16: 범프
18: 요철
20: 액상 수지 피복 장치
21: 척 테이블
22: 유지면
23: 지지 베이스
24: 회전 축
25: 액상 수지 공급 노즐
25a: 분사구
26: 자외선 조사 수단
30: 절삭 장치
31: 절삭 유닛
32: 이동 베이스
32a: 지지 부재
33: 스핀들 유닛
33a: 스핀들 하우징
33b: 회전 스핀들
33c: 서보 모터
33d: 바이트 공구 장착 부재
33e: 바이트 장착 구멍
34: 바이트
35: 볼트
36: 척 테이블 기구
36a: 척 테이블
36b: 커버 부재
40: 레이저 가공 장치
41: 레이저 조사 유닛
42: 유지 유닛
42a: X축 방향 가동판
42b: Y축 방향 가동판
42c: 지주
42d: 커버판
42e: 척 테이블
42f: 흡착 척
42g: 안내 레일
43: 촬상 유닛
44: 이송 기구
45: 프레임
45a: 수직 벽부
45b: 수평 벽부
50: 연삭 장치
51: 척 테이블
52: 연삭 유닛
52a: 회전 스핀들
52b: 휠 마운트
52c: 연삭 휠
52d: 연삭 지석
60: 절삭 장치
62: 절삭 유닛
63: 스핀들 하우징
64: 스핀들
65: 절삭 블레이드
66: 블레이드 커버
100, 110: 개질층
120: 분할 홈
130: 홈
L1: 저점성 수지
L2: 고점성 수지
L: 보호막

Claims (6)

  1. 복수의 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼의 처리 방법에 있어서,
    웨이퍼의 표면에 점성이 낮은 제1 액상 수지를 도포하여 복수의 디바이스가 형성된 영역을 덮는 저점성 수지 피복 공정과,
    상기 저점성 수지 피복 공정 후, 상기 웨이퍼의 표면에 제1 액상 수지보다도 점성이 높은 제2 액상 수지를 도포하여 상기 제1 액상 수지에 중첩하는 고점성 수지 피복 공정과,
    피복된 제1 액상 수지 및 제2 액상 수지를 경화시키는 수지 경화 공정과,
    경화한 수지를 평탄화하는 평탄화 공정
    을 구비한 웨이퍼의 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 평탄화 공정은, 척 테이블에 상기 웨이퍼의 이면을 유지하여, 상기 웨이퍼의 표면을 노출하고, 바이트를 구비한 절삭 유닛에 의해 수지를 절삭하여 평탄화하는 웨이퍼의 처리 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 평탄화 공정 후, 상기 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 상기 분할 예정 라인에 대응하는 상기 웨이퍼의 이면으로부터 내부에 위치시켜 조사하여 상기 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과,
    상기 웨이퍼의 이면을 연삭 지석으로 연삭하여, 상기 웨이퍼를 미리 정해진 두께로 마무리함과 함께, 상기 개질층으로부터 상기 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정을 더 구비한, 웨이퍼의 처리 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 평탄화 공정 후, 상기 웨이퍼의 이면을 연삭 지석으로 연삭하여, 상기 웨이퍼를 미리 정해진 두께로 마무리하는 연삭 공정과,
    상기 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 상기 분할 예정 라인에 대응하는 상기 웨이퍼의 이면으로부터 내부에 위치시켜 조사하여 상기 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과,
    상기 웨이퍼에 외력을 부여하여, 상기 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정을 더 구비한 웨이퍼의 처리 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 평탄화 공정 후, 상기 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 상기 분할 예정 라인에 대응하는 상기 웨이퍼의 표면에 위치시켜 조사하여 상기 분할 예정 라인을 따라 어블레이션 가공을 실시하는 어블레이션 가공 공정을 더 구비한 웨이퍼의 처리 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 저점성 수지 피복 공정 전에, 상기 웨이퍼의 표면에 형성된 상기 분할 예정 라인에 대하여 홈을 형성하는 홈 형성 공정을 더 구비하고,
    상기 홈 형성 공정 후, 상기 저점성 수지 피복 공정, 상기 고점성 수지 피복 공정, 상기 수지 경화 공정, 및 상기 평탄화 공정을 실시하고, 그 후, 상기 웨이퍼의 이면을 연삭 지석으로 연삭하여, 상기 웨이퍼를 미리 정해진 두께로 마무리함과 함께, 상기 홈을 노출시켜, 상기 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정을 실시하는, 웨이퍼의 처리 방법.
KR1020220084716A 2021-07-20 2022-07-11 웨이퍼의 처리 방법 KR20230014057A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2021-119467 2021-07-20
JP2021119467A JP2023015593A (ja) 2021-07-20 2021-07-20 ウエーハの処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230014057A true KR20230014057A (ko) 2023-01-27

Family

ID=84784488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220084716A KR20230014057A (ko) 2021-07-20 2022-07-11 웨이퍼의 처리 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230025741A1 (ko)
JP (1) JP2023015593A (ko)
KR (1) KR20230014057A (ko)
CN (1) CN115642105A (ko)
DE (1) DE102022207160A1 (ko)
TW (1) TW202305904A (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004188475A (ja) 2002-12-13 2004-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法
JP2014078569A (ja) 2012-10-09 2014-05-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004188475A (ja) 2002-12-13 2004-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法
JP2014078569A (ja) 2012-10-09 2014-05-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023015593A (ja) 2023-02-01
CN115642105A (zh) 2023-01-24
US20230025741A1 (en) 2023-01-26
TW202305904A (zh) 2023-02-01
DE102022207160A1 (de) 2023-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102505700B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
US9640420B2 (en) Wafer processing method
CN108122837B (zh) 晶片的加工方法
KR20170030035A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
TW201626447A (zh) 晶圓之加工方法
WO2007091670A1 (ja) ウェーハ加工装置及び方法
KR20150140215A (ko) 웨이퍼 가공 방법
JP2017028160A (ja) ウエーハの加工方法
KR20170053115A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
TW201624557A (zh) 晶圓之加工方法
JP2017022162A (ja) ウエーハの加工方法
KR20230014057A (ko) 웨이퍼의 처리 방법
KR20230012980A (ko) 웨이퍼의 처리 방법
KR20230014635A (ko) 웨이퍼의 처리 방법
US20230282486A1 (en) Wafer processing method
KR20220131832A (ko) 적층 웨이퍼의 가공 방법
JP2024065409A (ja) ウェーハの加工方法
JP2018190833A (ja) ウェーハの加工方法
KR20200053427A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
CN117810168A (zh) 贴合晶片的加工方法和加工装置
JP2018088438A (ja) ウェーハの加工方法