KR20230011137A - 리프트 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치 - Google Patents

리프트 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230011137A
KR20230011137A KR1020210091801A KR20210091801A KR20230011137A KR 20230011137 A KR20230011137 A KR 20230011137A KR 1020210091801 A KR1020210091801 A KR 1020210091801A KR 20210091801 A KR20210091801 A KR 20210091801A KR 20230011137 A KR20230011137 A KR 20230011137A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lift
carrier bracket
plate
substrate
hoop
Prior art date
Application number
KR1020210091801A
Other languages
English (en)
Inventor
정호경
최철환
박환열
송지윤
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020210091801A priority Critical patent/KR20230011137A/ko
Publication of KR20230011137A publication Critical patent/KR20230011137A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23QDETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25JMANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095Manipulators transporting wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 리프트 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치를 개시한다. 그의 어셈블리는 복수개의 리프트 핀들, 상기 복수개의 리프트 핀들을 지지하는 리프트 후프, 상기 리프트 후프의 일측 아래에 제공되는 캐리어 브라켓, 및 상기 캐리어 브라켓과 상기 리프트 후프 사이에 제공되어 상기 복수개의 리프트 핀들의 기울기를 조절하는 기울기 조절부를 포함한다.

Description

리프트 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치 {lift assembly and manufacturing apparatus of semiconductor device including the same}
본 발명은 반도체 소자의 제조 장치에 관한 것으로, 상세하게는 기판을 승강 및 하강시키는 리프트 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조 장치는 박막 증착 장치, 포토리소그래피 장치, 식각 장치, 및 세정 장치를 포함할 수 있다. 그 중에 박막 증착 장치 및 식각 장치는 진공 내의 플라즈마를 이용하여 기판 상에 박막을 증착하고 상기 기판 또는 상기 박막을 식각할 수 있다. 플라즈마는 공정 챔버 내에서 생성될 수 있다. 공정 챔버는 기판을 고정하는 척과 상기 척 상에 기판을 안착시키거나 이탈시키는 리프트 핀들을 포함할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 과제는 기판의 후면 불량을 최소화할 수 있는 리프트 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 리프트 어셈블리를 개시한다. 그의 어셈블리는 복수개의 리프트 핀들; 상기 복수개의 리프트 핀들을 지지하는 리프트 후프; 상기 리프트 후프의 일측 아래에 제공되는 캐리어 브라켓; 및 상기 캐리어 브라켓과 상기 리프트 후프 사이에 제공되어 상기 복수개의 리프트 핀들의 기울기를 조절하는 기울기 조절부를 포함한다. 여기서, 상기 기울기 조절부는: 상기 리프트 후프의 일측에 연결되는 플레이트; 및 상기 플레이트 및 상기 캐리어 브라켓 사이에 제공되고, 상기 플레이트의 모서리들과 상기 캐리어 브라켓의 모서리들 사이의 거리를 개별적으로 조절하여 상기 리프트 핀들의 기울기를 조절하는 높이 조절 스크류들을 포함한다.
본 발명의 일 예에 따른 반도체 소자의 제조 장치는, 기판을 탑재하는 캐리어를 수납하는 로드 포트; 상기 로드 포트에 인접하여 배치되고, 상기 캐리어 내의 상기 기판을 취출하는 제 1 반송 암을 갖는 EFEM; 상기 EFEM에 연결된 로드락 챔버; 상기 로드락 챔버에 연결되고, 상기 기판을 이송하는 제 2 반송 암을 갖는 트랜스퍼 챔버; 및 상기 트랜스퍼 챔버에 연결되고 상기 기판의 단위 공정을 수행하는 공정 챔버를 포함한다. 여기서, 상기 공정 챔버는: 챔버 하우징; 상기 챔버 하우징의 하부 내에 제공되는 정전 척; 및 상기 정전 척을 관통하여 상기 기판을 상기 정전 척 상에 제공하는 리프트 어셈블리를 포함할 수 있다. 상기 리프트 어셈블리는: 복수개의 리프트 핀들; 상기 복수개의 리프트 핀들을 지지하는 리프트 후프; 상기 리프트 후프의 일측 아래에 제공되는 캐리어 브라켓; 및 상기 캐리어 브라켓과 상기 리프트 후프 사이에 제공되어 상기 복수개의 리프트 핀들의 기울기를 조절하는 기울기 조절부를 포함할 수 있다. 상기 기울기 조절부는: 상기 리프트 후프의 일측에 연결되는 플레이트; 및 상기 플레이트 및 상기 캐리어 브라켓 사이에 제공되고, 상기 플레이트의 모서리들과 상기 캐리어 브라켓의 모서리들 사이의 거리를 개별적으로 조절하여 상기 리프트 핀들의 기울기를 조절하는 높이 조절 스크류들을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시에 따른 리프트 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치는 상기 복수개의 리프트 핀들의 기울기를 조절하는 기울기 조절부를 이용하여 기판과 리프트 핀들의 충격 및 마찰을 감소시켜 상기 기판의 후면 불량을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 반도체 소자의 제조 장치의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 2도 1의 공정 챔버의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3도 4도 2의 리프트 어셈블리의 일 예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 5도 3도 4의 기울기 조절부의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 6도 3의 리프트 핀의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 반도체 소자의 제조 장치(100)의 일 예를 보여준다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 반도체 소자의 제조 장치(100)는 로드 포트들(10), EFEM(Equipment Front-End Module, 20), 로드락 챔버들(30), 트랜스퍼 챔버(40), 및 공정 챔버들(50)을 포함할 수 있다.
로드 포트들(10)은 캐리어(12), 또는 풉(FOUP)을 수납할 수 있다. 캐리어(12)는 기판들(W)을 탑재할 수 있다. 반송 장치(ex, 호이스트 장치)는 캐리어(12)를 로드 포트들(10) 상에 제공할 수 있다. 기판들(W)의 제조 공정이 완료되면, 반송 장치는 캐리어(12)를 다른 위치로 반송할 수 있다. .
EFEM(20)은 로드 포트들(10)과 로드락 챔버들(30) 사이에 제공될 수 있다. EFEM(20)은 제 1 반송 암(22)을 가질 수 있다. 제 1 반송 암(22)은 캐리어(12) 내의 기판들(W)을 취출(unload)하여 로드락 챔버들(30) 내에 제공할 수 있다. 반대로, 제 1 반송 암(22)은 기판들(W)을 로드락 챔버들(30)에서 캐리어(12)로 제공할 수 있다. 제 1 반송 암(22)은 기판(W)을 EFEM(20) 내에서 일시적으로 저장시킬 수 있다.
로드락 챔버들(30)은 EFEM(20) 및 트랜스퍼 챔버(40) 사이에 제공될 수 있다. 로드락 챔버들(30)은 기판(W)의 외부 압력을 변화시킬 수 있다. 로드락 챔버들(30)은 기판(W)에 대해 대기압 및 진공 압력을 제공할 수 있다. 기판(W)이 EFEM(20)에서 로드락 챔버들(30)에 제공되면, 로드락 챔버(30)는 진공 압력으로 펌핑될 수 있다. 기판(W)이 트랜스퍼 챔버(40)에서 로드락 챔버들(30)에 제공되면, 로드락 챔버(30)는 퍼지 가스(ex, N2)에 의해 퍼징되어 대기압을 가질 수 있다.
트랜스퍼 챔버(40)는 로드락 챔버들(30)과 공정 챔버들(50) 사이에 제공될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(40) 및 공정 챔버들(50)은 진공 압력을 가질 수 있다. 트랜스퍼 챔버(40)는 제 2 반송 암(42)을 포함할 수 있다. 제 2 반송 암(42)은 트랜스퍼 챔버(40)의 중심 내에 제공될 수 있다. 제 2 반송 암(42)은 기판(W)을 로드락 챔버들(30)과 공정 챔버들(50) 내에 제공할 수 있다. 반대로, 제 2 반송 암(42)은 기판(W)을 로드락 챔버들(30)과 공정 챔버들(50로부터 회수할 수 있다.
공정 챔버들(50) 및 로드락 챔버들(30)은 트랜스퍼 챔버(40)의 둘레에 클러스터 타입(cluster type)으로 연결될 수 있다. 공정 챔버들(50)은 기판(W)의 단위 공정(ex, 박막 증착 공정, 또는 식각 공정)을 수행할 수 있다.
도 2도 1의 공정 챔버(50)의 일 예를 보여준다.
도 2를 참조하면, 공정 챔버(50)는 박막 증착 챔버 또는 식각 챔버일 수 있다. 일 예로, 공정 챔버(50)는 챔버 하우징(52), 정전 척(54), 및 리프트 어셈블리(56)를 포함할 수 있다.
챔버 하우징(52)은 기판(W)에 대해 외부로부터 밀폐된 공간을 제공할 수 있다. 챔버 하우징(52)은 슬릿 밸브(51)를 가질 수 있다. 슬릿 밸브(51)는 챔버 하우징(52)의 측벽에 제공될 수 있다. 슬릿 밸브(51)가 오픈되면, 제 2 반송 암(42)은 슬릿 밸브(51)를 통해 기판(W)을 챔버 하우징(52) 내에 제공하거나 트랜스퍼 챔버(40) 내에 회수할 수 있다. 제 2 반송 암(42)이 챔버 하우징(52) 내에서 배출되면, 슬릿 밸브(51)는 닫힐(closed) 수 있다.
정전 척(54)은 챔버 하우징(52)의 하부 내에 제공될 수 있다. 정전 척(54)은 기판(W)을 수납할 수 있다. 정전 척(54)은 기판(W)을 정전기력 및/또는 존슨-라벡 힘으로 고정할 수 있다. 전 척(54)은 기판(W)의 외주면을 둘러싸는 에지 링(미도시)을 가질 수 있다.
도시되지는 않았지만, 고주파 파워 공급부가 상기 정전 척(54)에 고주파 파워를 공급할 수 있다. 정전 척(54)은 고주파 파워를 이용하여 기판(W) 상에 플라즈마를 유도할 수 있다. 또한, 가스 공급부가 챔버 하우징(52) 상부의 샤워헤드에 연결될 수 있다. 가스 공급부는 공정 가스를 기판(W) 상에 제공할 수 있다. 공정 가스는 기판(W) 상에 박막을 증착하거나, 상기 기판(W) 또는 상기 박막을 식각할 수 있다.
리프트 어셈블리(56)는 정전 척(54)을 관통하여 제공될 수 있다. 제 2 반송 암(42)이 기판(W)을 정전 척(54) 상에 제공하면, 리프트 어셈블리(56)는 기판(W)의 가장자리를 지지할 수 있다. 제 2 반송 암(42)이 트랜스퍼 챔버(40)로 복귀하면, 리프트 어셈블리(56)는 기판(W)을 하강시켜 정전 척(54) 상에 안착시킬 수 있다. 기판(W)의 단위 공정이 완료되면, 리프트 어셈블리(56)는 기판(W)을 상승시켜 정전 척(54)으로부터 분리할 수 있다. 제 2 반송 암(42)은 기판(W)을 공정 챔버(50)에서 트랜스퍼 챔버(40)로 이동시킬 수 있다.
도 3도 4도 2의 리프트 어셈블리(56)의 일 예를 보여준다.
도 3도 4를 참조하면, 리프트 어셈블리(56)는 승강부(562), 캐리어 브라켓(564), 기울기 조절부(566), 벨로우즈 튜브(568), 커플링 지지부(570), 리프트 후프(572), 및 리프트 핀들(574)을 포함할 수 있다.
승강부(562)는 캐리어 브라켓(564)의 아래에 제공될 수 있다. 승강부(562)는 캐리어 브라켓(564)을 승강 및/또는 하강시킬 수 있다. 예를 들어, 승강부(562)는 전동기 및 실린더를 포함할 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
캐리어 브라켓(564)은 승강부(562) 상에 제공될 수 있다. 캐리어 브라켓(564)은 기울기 조절부(566), 벨로우즈 튜브(568), 리프트 후프(572), 및 리프트 핀들(574)을 지지할 수 있다. 캐리어 브라켓(564)은 ㄱ자, Γ자, L자 또는 T자 모양을 가질 수 있다. 캐리어 브라켓(564)의 상부는 평평하고, 그의 하부는 상부보다 좁을 수 있다. 캐리어 브라켓(564)은 평면적 관점에서 정사각형 또는 직사각형의 모양을 가질 수 있다.
기울기 조절부(566)는 캐리어 브라켓(564) 상에 제공될 수 있다. 기울기 조절부(566)는 벨로우즈 튜브(568) 및 커플링 지지부(570) 아래에 제공될 수 있다. 기울기 조절부(566)는 벨로우즈 튜브(568), 리프트 후프(572) 및 리프트 핀들(574)을 제 2 반송 암(42)을 따라 기울일 수 있다. 제 2 반송 암(42)이 제 1 기울기(θ1)를 갖도록 기울어지면, 기울기 조절부(566)는 벨로우즈 튜브(568), 리프트 후프(572) 및 리프트 핀들(574)을 제 2 기울기(θ2)를 갖도록 기울어질 수 있다. 제 2 기울기(θ2)는 제 1 기울기(θ1)와 동일할 수 있다. 기울기 조절부(566)는 기판(W)의 후면과 리프트 핀들(574)의 접촉 면적을 증가시키고, 충격 량을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 리프트 어셈블리(56)는 기울기 조절부(566)를 이용하여 기판(W)의 후면 불량을 감소 및/또는 최소화할 수 있다.
벨로우즈 튜브(568)는 기울기 조절부(566) 상에 제공될 수 있다. 벨로우즈 튜브(568)는 리프트 후프(572)의 일부 및 커플링 지지부(570)를 둘러쌀 수 있다. 벨로우즈 튜브(568)는 챔버 하우징(52)의 포트에 결합하여 상기 챔버 하우징(52) 내의 진공 압력을 유지시킬 수 있다.
커플링 지지부(570)는 벨로우즈 튜브(568) 내에 제공될 수 있다. 커플링 지지부(570)는 기울기 조절부(566) 및 리프트 후프(572) 사이에 제공될 수 있다. 커플링 지지부(570)는 리프트 후프(572)의 일측을 기울기 조절부(566)에 연결시킬 수 있다.
리프트 후프(572)는 커플링 지지부(570) 상에 제공될 수 있다. 리프트 후프(572)는 말굽 또는 링의 모양을 가질 수 있다. 리프트 후프(572)는 리프트 핀들(574)을 지지할 수 있다. 리프트 후프(572)는 제 2 반송 암(42)과 평행할 수 있다.
리프트 핀들(574)은 리프트 후프(572) 상에 제공될 수 있다. 리프트 핀들(574)은 정전 척(54)을 관통할 수 있다. 리프트 핀들(574)은 세라믹(Al2O3)를 포함할 수 있다. 제 2 반송 암(42)이 기판(W)을 정전 척(54) 상에 제공하면, 리프트 핀들(574)은 기판(W)의 하부 면을 지지할 수 있다. 다음, 리프트 핀들(574)은 하강하여 기판(W)을 정전 척(54) 상에 안착시킬 수 있다. 기판(W)의 제조 공정이 완료되면, 리프트 핀들(574)은 기판(W)을 상승시켜 상기 기판(W)을 정전 척(54)으로부터 분리할 수 있다. 제 2 반송 암(42)은 기판(W)을 공정 챔버(50)의 외부로 배출시킬 수 있다. 리프트 핀들(574)은 리프트 후프(572) 및 제 2 반송 암(42)에 수직할 수 있다. 제 2 반송 암(42)이 제 1 기울기(θ1)를 가지면, 리프트 핀들(574)은 제 1 기울기(θ1)와 동일한 제 2 기울기(θ2)를 가질 수 있다. 제 2 기울기(θ2)는 수직면을 기준으로 리프트 핀들(574)의 기울어진 각도 이거나, 수평면을 기준으로 리프트 후프(572)의 기울어진 각도일 수 있다.
도 5도 3도 4의 기울기 조절부(566)의 일 예를 보여준다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 기울기 조절부(566)는 플레이트(563), 높이 조절 스크류들(565), 클램핑 스크류들(567), 록킹 셋 스크류들(569), 및 스프링(561)을 포함할 수 있다.
플레이트(563)는 캐리어 브라켓(564)의 평탄면 상에 제공될 수 있다. 플레이트(563)는 캐리어 브라켓(564)의 평탄면과 동일한 모양을 가질 수 있다. 플레이트(563)는 평면적 관점에서 정사각형 또는 직사각형의 모양을 가질 수 있다. 플레이트(563)는 제 2 반송 암(42)과 평행할 수 있다. 제 2 반송 암(42)이 제 1 기울기(θ1)를 가지면, 플레이트(563)는 제 1 기울기(θ1)와 동일한 제 2 기울기(θ2)를 가질 수 있다.
높이 조절 스크류들(565)은 캐리어 브라켓(564) 및 플레이트(563)의 제 1 대각선 방향(602)으로 마주보는 모서리들(corners)에 제공될 수 있다. 높이 조절 스크류들(565)은 캐리어 브라켓(564)과 플레이트(563) 사이의 거리를 조절할 수 있다. 또한, 높이 조절 스크류들(565)은 캐리어 브라켓(564)에 대한 플레이트(563)의 제 1 대각선 방향(602)의 제 2 기울기(θ2)를 조절할 수 있다.
클램핑 스크류들(567)은 캐리어 브라켓(564) 및 플레이트(563)의 제 2 대각선 방향(604)으로 마주보는 모서리들에 제공될 수 있다. 클램핑 스크류들(567)은 캐리어 브라켓(564)을 관통하여 플레이트(563)의 하부 면에 접촉될 수 있다. 클램핑 스크류들(567)은 플레이트(563)를 제 2 대각선 방향(604)으로 캐리어 브라켓(564)의 상부에 고정시킬 수 있다. 또한, 클램핑 스크류들(567)은 플레이트(563)의 제 2 기울기(θ2)를 제 2 대각선 방향(604)으로 조절할 수 있다.
록킹 셋 스크류들(569)은 캐리어 브라켓(564)의 상부에 제공될 수 있다. 록킹 셋 스크류들(569)은 캐리어 브라켓(564)의 상부 측벽에 체결되어 높이 조절 스크류들(565)을 고정시킬 수 있다.
스프링(561)은 클램핑 스크류들(567)의 외주면 상에 제공될 수 있다. 스프링(561)은 스프링(561)은 클램핑 스크류들(567)의 헤드와 캐리어 브라켓(564) 사이에 제공될 수 있다. 스프링(561)은 클램핑 스크류들(567)을 캐리어 브라켓(564)에 고정(clamp)시킬 수 있다. 이와 달리, 스프링(561)은 상기 클램핑 스크류들(567)의 풀림 회전을 최소화하거나 방지할 수 있다.
도시되지는 않았지만, 높이 조절 스크류들(565) 및 클램핑 스크류들(567)은 높이 조절 모터들에 연결될 수 있다. 높이 조절 모터들은 제 2 반송 암(42)의 제 1 기울기(θ1)에 근거하여 플레이트(563) 및 리프트 핀들(574)의 제 2 기울기(θ2)를 제 1 기울기(θ1)와 동일하게 조절할 수 있다.
도 6도 3의 리프트 핀(574)의 일 예를 보여준다.
도 6을 참조하면, 리프트 핀(574)은 탄성 부재(576) 및 스크래치 방지 층(578)을 가질 수 있다.
탄성 부재(576)는 리프트 핀(574)의 팁 상에 제공될 수 있다. 탄성 부재(576)는 플라스틱 캡핑을 포함할 수 있다. 이와 달리, 탄성 부재(576)는 고무 또는 스프링을 포함할 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
스크래치 방지 층(578)은 탄성 부재(576) 상에 제공될 수 있다. 스크래치 방지 층(578)은 기판(W)의 하부 면의 스크래치를 최소화 또는 방지할 수 있다. 예를 들어, 스크래치 방지 층(578)은 탄화물, 질화물, 산화물, 또는 나노 복합 화합물을 포함할 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (10)

  1. 복수개의 리프트 핀들;
    상기 복수개의 리프트 핀들을 지지하는 리프트 후프;
    상기 리프트 후프의 일측 아래에 제공되는 캐리어 브라켓; 및
    상기 캐리어 브라켓과 상기 리프트 후프 사이에 제공되어 상기 복수개의 리프트 핀들의 기울기를 조절하는 기울기 조절부를 포함하되,
    상기 기울기 조절부는:
    상기 리프트 후프의 일측에 연결되는 플레이트; 및
    상기 플레이트 및 상기 캐리어 브라켓 사이에 제공되고, 상기 플레이트의 모서리들과 상기 캐리어 브라켓의 모서리들 사이의 거리를 개별적으로 조절하여 상기 리프트 핀들의 기울기를 조절하는 높이 조절 스크류들을 포함하는 리프트 어셈블리.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 사각형의 모양을 갖고,
    상기 높이 조절 스크류들은 상기 사각형의 상기 모서리들에 제 1 대각선 방향으로 제공되고, 상기 플레이트와 상기 캐리어 브라켓 사이의 거리를 조절하는 리프트 어셈블리.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 기울기 조절부는:
    상기 사각형의 상기 모서리들에 제 2 대각선 방향으로 제공되고, 상기 플레이트를 상기 캐리어 브라켓에 고정하는 클램핑 스크류들; 및
    상기 클램핑 스크류들의 외주면 상에 제공되고, 상기 클램핑 스크류들을 상기 캐리어 브라켓에 고정하는 스프링을 더 포함하는 리프트 어셈블리.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 기울기 조절부는:
    상기 높이 조절 스크류들에 인접하는 상기 캐리어 브라켓의 측벽에 제공되고, 상기 높이 조절 스크류들을 상기 캐리어 브라켓에 고정하는 록킹 셋 스크류들을 더 포함하는 리프트 어셈블리.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트 핀들의 각각은 그의 팁에 제공되는 탄성 부재를 갖는 리프트 어셈블리.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트 핀들의 각각은 상기 탄성 부재 상에 제공되는 스크래치 방지 층을 더 갖는 리프트 어셈블리.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트 후프를 상기 기울기 조절부의 상기 플레이트에 연결하는 커플링 지지부; 및
    상기 커플링 지지부를 둘러싸는 벨로우즈 튜브를 더 포함하는 리프트 어셈블리.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐리어 브라켓 아래에 제공되어 상기 캐리어 브라켓을 승강 및 하강시키는 승강부를 더 포함하는 리프트 어셈블리.
  9. 기판을 탑재하는 캐리어를 수납하는 로드 포트;
    상기 로드 포트에 인접하여 배치되고, 상기 캐리어 내의 상기 기판을 취출하는 제 1 반송 암을 갖는 EFEM;
    상기 EFEM에 연결된 로드락 챔버;
    상기 로드락 챔버에 연결되고, 상기 기판을 이송하는 제 2 반송 암을 갖는 트랜스퍼 챔버; 및
    상기 트랜스퍼 챔버에 연결되고 상기 기판의 단위 공정을 수행하는 공정 챔버를 포함하되,
    상기 공정 챔버는:
    챔버 하우징;
    상기 챔버 하우징의 하부 내에 제공되는 정전 척; 및
    상기 정전 척을 관통하여 상기 기판을 상기 정전 척 상에 제공하는 리프트 어셈블리를 포함하되,
    상기 리프트 어셈블리는:
    복수개의 리프트 핀들;
    상기 복수개의 리프트 핀들을 지지하는 리프트 후프;
    상기 리프트 후프의 일측 아래에 제공되는 캐리어 브라켓; 및
    상기 캐리어 브라켓과 상기 리프트 후프 사이에 제공되어 상기 복수개의 리프트 핀들의 기울기를 조절하는 기울기 조절부를 포함하되,
    상기 기울기 조절부는:
    상기 리프트 후프의 일측에 연결되는 플레이트; 및
    상기 플레이트 및 상기 캐리어 브라켓 사이에 제공되고, 상기 플레이트의 모서리들과 상기 캐리어 브라켓의 모서리들 사이의 거리를 개별적으로 조절하여 상기 리프트 핀들의 기울기를 조절하는 높이 조절 스크류들을 포함하는 반도체 소자의 제조 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 반송 암이 제 1 기울기를 가질 때, 상기 플레이트 및 상기 리프트 후프는 상기 제 1 기울기와 동일한 제 2 기울기를 갖는 상기 반도체 소자의 제조 장치.

    .
KR1020210091801A 2021-07-13 2021-07-13 리프트 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치 KR20230011137A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210091801A KR20230011137A (ko) 2021-07-13 2021-07-13 리프트 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210091801A KR20230011137A (ko) 2021-07-13 2021-07-13 리프트 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230011137A true KR20230011137A (ko) 2023-01-20

Family

ID=85108649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210091801A KR20230011137A (ko) 2021-07-13 2021-07-13 리프트 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230011137A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7160392B2 (en) Method for dechucking a substrate
US8382088B2 (en) Substrate processing apparatus
US7690881B2 (en) Substrate-processing apparatus with buffer mechanism and substrate-transferring apparatus
US8197636B2 (en) Systems for plasma enhanced chemical vapor deposition and bevel edge etching
US20090179366A1 (en) Apparatus for supporting a substrate during semiconductor processing operations
US11948816B2 (en) Transfer apparatus
US20220208576A1 (en) Substrate processing apparatus
US6860711B2 (en) Semiconductor-manufacturing device having buffer mechanism and method for buffering semiconductor wafers
CN116034180A (zh) 粘贴处理期间使用保护盘的基板保持件替换
KR20230011137A (ko) 리프트 어셈블리 및 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치
US11183411B2 (en) Method of pre aligning carrier, wafer and carrier-wafer combination for throughput efficiency
US11189467B2 (en) Apparatus and method of attaching pad on edge ring
CN111742403A (zh) 用于处理缩小尺寸的基板的处理套件
US20220319800A1 (en) Plasma processing system, transfer arm, and method of transferring annular member
US20230128473A1 (en) Method of transporting workpiece and processing apparatus
US20230290656A1 (en) Apparatus for transferring member to be disposed in substrate processing chamber, substrate processing system, and method for transferring member
US20220157570A1 (en) Plasma processing apparatus and method of adjusting the same
US20220319819A1 (en) Substrate processing system and substrate processing method
TW202236548A (zh) 對背側晶圓支撐件使用控制的氣體壓力
CN117253838A (zh) 半导体制造用零件载体及半导体制造用零件搬运装置
CN118016583A (zh) 基板支撑单元、包括基板支撑单元的用于处理基板的设备以及环传送方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination