KR20230005356A - Curable resin composition, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device - Google Patents

Curable resin composition, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
KR20230005356A
KR20230005356A KR1020227042236A KR20227042236A KR20230005356A KR 20230005356 A KR20230005356 A KR 20230005356A KR 1020227042236 A KR1020227042236 A KR 1020227042236A KR 20227042236 A KR20227042236 A KR 20227042236A KR 20230005356 A KR20230005356 A KR 20230005356A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
formula
compound
preferable
resin composition
Prior art date
Application number
KR1020227042236A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
아츠야스 노자키
Original Assignee
후지필름 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지필름 가부시키가이샤 filed Critical 후지필름 가부시키가이샤
Publication of KR20230005356A publication Critical patent/KR20230005356A/en

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B32B15/088Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin comprising polyamides
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/16Layered products comprising a layer of synthetic resin specially treated, e.g. irradiated
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B32B27/26Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives using curing agents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/34Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyamides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/22Polybenzoxazoles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/16Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/16Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3467Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having more than two nitrogen atoms in the ring
    • C08K5/3472Five-membered rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/16Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3467Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having more than two nitrogen atoms in the ring
    • C08K5/3472Five-membered rings
    • C08K5/3475Five-membered rings condensed with carbocyclic rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/54Silicon-containing compounds
    • C08K5/541Silicon-containing compounds containing oxygen
    • C08K5/5415Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one Si—O bond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C08L101/02Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/037Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyamides or polyimides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 폴리이미드 및 폴리벤즈옥사졸로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 수지, 및, 중합성기 및 아졸기를 갖는 화합물인 화합물 B를 포함하는 경화성 수지 조성물, 상기 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막, 상기 경화막을 포함하는 적층체, 상기 경화막의 제조 방법, 및, 상기 경화막 또는 상기 적층체를 포함하는 반도체 디바이스.A curable resin composition comprising at least one resin selected from the group consisting of a polyimide precursor, a polybenzoxazole precursor, polyimide and polybenzoxazole, and Compound B, which is a compound having a polymerizable group and an azole group, the curable resin composition A cured film formed by curing, a laminate comprising the cured film, a method for producing the cured film, and a semiconductor device comprising the cured film or the laminate.

Description

경화성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 경화막의 제조 방법, 및, 반도체 디바이스Curable resin composition, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device

본 발명은, 경화성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 경화막의 제조 방법, 및, 반도체 디바이스에 관한 것이다.The present invention relates to a curable resin composition, a cured film, a laminate, a method for producing a cured film, and a semiconductor device.

폴리이미드 또는 폴리벤즈옥사졸은, 내열성 및 절연성 등이 우수하기 때문에, 다양한 용도에 적용되고 있다. 상기 용도로서는 특별히 한정되지 않지만, 실장용의 반도체 디바이스를 예로 들면, 절연막이나 밀봉재의 재료, 또는, 보호막으로서의 이용을 들 수 있다. 또, 플렉시블 기판의 베이스 필름이나 커버 레이 등으로서도 이용되고 있다.Since polyimide or polybenzoxazole is excellent in heat resistance, insulation, etc., it is applied to various uses. Although it does not specifically limit as said use, If the semiconductor device for mounting is given as an example, the material of an insulating film or sealing material, or use as a protective film is mentioned. Moreover, it is also used as a base film or cover lay of a flexible substrate.

예를 들면 상술한 용도에 있어서, 폴리이미드 또는 폴리벤즈옥사졸은, 폴리이미드, 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸, 및, 폴리벤즈옥사졸 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 수지를 포함하는 경화성 수지 조성물의 형태로 이용된다.For example, in the use described above, the polyimide or polybenzoxazole includes at least one resin selected from the group consisting of polyimide, polyimide precursor, polybenzoxazole, and polybenzoxazole precursor. It is used in the form of a curable resin composition.

이와 같은 경화성 수지 조성물을, 예를 들면 도포 등에 의하여 기재(基材)에 적용하여 수지막을 형성하고, 그 후, 필요에 따라 노광, 현상, 가열 등을 행함으로써, 경화막을 기재 상에 형성할 수 있다.A cured film can be formed on the substrate by applying such a curable resin composition to a substrate by, for example, coating to form a resin film, and then performing exposure, development, heating, etc. as necessary. there is.

상기 폴리이미드 전구체, 상기 폴리벤즈옥사졸 전구체는, 예를 들면 가열에 의하여 환화되어, 경화막 중에서 각각 폴리이미드, 폴리벤즈옥사졸이 된다.The said polyimide precursor and the said polybenzoxazole precursor are cyclized by heating, for example, and become polyimide and polybenzoxazole in a cured film, respectively.

경화성 수지 조성물은, 공지의 도포 방법 등에 의하여 적용 가능하기 때문에, 예를 들면, 적용되는 경화성 수지 조성물의 적용 시의 형상, 크기, 적용 위치 등의 설계의 자유도가 높은 등, 제조상의 적응성이 우수하다고 할 수 있다. 폴리이미드, 폴리벤즈옥사졸 등이 갖는 높은 성능에 더하여, 이와 같은 제조상의 적응성이 우수한 관점에서, 상술한 경화성 수지 조성물의 산업상의 응용 전개가 점차 기대되고 있다.Since the curable resin composition can be applied by a known coating method or the like, it is said that the curable resin composition to be applied is excellent in manufacturing adaptability, for example, with a high degree of freedom in designing the shape, size, application position, etc. at the time of application. can do. In addition to the high performance possessed by polyimide, polybenzoxazole, etc., industrial application development of the curable resin composition described above is gradually expected from the viewpoint of excellent adaptability in manufacturing.

예를 들면, 특허문헌 1에는, (A) 폴리이미드 전구체, (B) pka가 8.30~8.80인, 질소 원자를 포함하는 복소환 구조를 포함하는, 화합물, 및 (C) 5-아미노-1H-테트라졸을 포함하는 수지 조성물이 기재되어 있다.For example, in Patent Document 1, (A) a polyimide precursor, (B) a compound containing a nitrogen atom-containing heterocyclic structure having a pka of 8.30 to 8.80, and (C) 5-amino-1H- A resin composition comprising a tetrazole is described.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2012-002281호Patent Document 1: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-002281

경화성 수지 조성물로 이루어지는 경화막이며, 금속과 접하는 경화막의 제조에 있어서, 상기 경화막과 금속의 밀착성의 향상이 요구되고 있다.It is a cured film made of a curable resin composition, and in the production of a cured film in contact with a metal, improvement in the adhesion between the cured film and the metal is required.

상기 금속으로서는, 예를 들면, 도전층 등의 금속층으로서 포함되는 금속을 들 수 있으며, 구리, 알루미늄, 니켈, 바나듐, 타이타늄, 크로뮴, 코발트, 금 및 텅스텐이 예시되며, 구리, 알루미늄, 및, 이들 금속을 포함하는 합금이 바람직하고, 구리 또는 구리를 포함하는 합금이 보다 바람직하며, 구리가 더 바람직하다.Examples of the metal include metals contained as metal layers such as conductive layers, and examples thereof include copper, aluminum, nickel, vanadium, titanium, chromium, cobalt, gold, and tungsten. Alloys containing metals are preferred, copper or alloys containing copper are more preferred, and copper is more preferred.

예를 들면, 금속층 및 금속층과 접하는 경화막을 포함하는 적층체에 있어서, 상기 금속층과 상기 경화막의 밀착성의 향상이 요구되고 있다.For example, in a laminate comprising a metal layer and a cured film in contact with the metal layer, improvement in adhesion between the metal layer and the cured film is desired.

본 발명은, 금속과의 밀착성이 우수한 경화막이 얻어지는 경화성 수지 조성물, 상기 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막, 상기 경화막을 포함하는 적층체, 상기 경화막의 제조 방법, 및, 상기 경화막 또는 상기 적층체를 포함하는 반도체 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention provides a curable resin composition from which a cured film having excellent adhesion to metal is obtained, a cured film obtained by curing the curable resin composition, a laminate comprising the cured film, a method for producing the cured film, and the cured film or the laminate. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device including a sieve.

본 발명의 대표적인 실시형태의 예를 이하에 나타낸다.Examples of representative embodiments of the present invention are shown below.

<1> 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 폴리이미드 및 폴리벤즈옥사졸로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 수지, 및,<1> at least one resin selected from the group consisting of a polyimide precursor, a polybenzoxazole precursor, a polyimide, and a polybenzoxazole, and

중합성기 및 아졸기를 갖는 화합물인 화합물 B를 포함하는 경화성 수지 조성물.A curable resin composition comprising compound B, which is a compound having a polymerizable group and an azole group.

<2> 상기 화합물 B가, 아마이드기, 유레테인기 및 유레아기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 갖는, <1>에 기재된 경화성 수지 조성물.<2> The curable resin composition according to <1>, wherein the compound B has at least one group selected from the group consisting of an amide group, a urethane group, and a urea group.

<3> 상기 화합물 B가 상기 중합성기로서, 라디칼 중합성기, 및, 알콕시실릴기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 포함하는, <1> 또는 <2>에 기재된 경화성 수지 조성물.<3> The curable resin composition according to <1> or <2>, wherein the compound B contains, as the polymerizable group, at least one group selected from the group consisting of a radical polymerizable group and an alkoxysilyl group.

<4> 상기 화합물 B에 있어서의 아졸기가, 하기 식 (B-1) 또는 하기 식 (B-2)로 나타나는 기인, <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물;<4> The curable resin composition according to any one of <1> to <3>, in which the azole group in the compound B is a group represented by the following formula (B-1) or the following formula (B-2);

[화학식 1][Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

식 (B-1) 중, RB1은 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위, 수소 원자 또는 중합성기를 갖지 않는 1가의 유기기를 나타내고, ZB1~ZB4는 각각 독립적으로, =CRB7- 또는 질소 원자를 나타내며, RB7은 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위, 수소 원자 또는 중합성기를 갖지 않는 1가의 유기기를 나타내고, 식 (B-1)에 포함되는 RB1 및 RB7 중, 적어도 하나는 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타낸다;In formula (B-1), R B1 represents a bonding site with a structure having a polymerizable group, a hydrogen atom, or a monovalent organic group having no polymerizable group, and Z B1 to Z B4 are each independently =CR B7 - or represents a nitrogen atom, R B7 represents a bonding site to a structure having a polymerizable group, a hydrogen atom or a monovalent organic group having no polymerizable group, and at least one of R B1 and R B7 contained in formula (B-1) represents a bonding site with a structure having a polymerizable group;

식 (B-2) 중, RB2~RB6은 각각 독립적으로, 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위, 수소 원자 또는 중합성기를 갖지 않는 1가의 유기기를 나타내고, ZB5 및 ZB6은 각각 독립적으로, =CRB8- 또는 질소 원자를 나타내며, RB8은 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위, 수소 원자, 또는, 중합성기를 갖지 않는 1가의 유기기를 나타내고, 식 (B-2)에 포함되는 RB2~RB6 및 RB8 중, 적어도 하나는 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타낸다.In formula (B-2), R B2 to R B6 each independently represent a bonding site to a structure having a polymerizable group, a hydrogen atom, or a monovalent organic group having no polymerizable group, and Z B5 and Z B6 are each independently where =CR B8 - or represents a nitrogen atom, R B8 represents a bonding site to a structure having a polymerizable group, a hydrogen atom, or a monovalent organic group having no polymerizable group, and is included in the formula (B-2) Among R B2 to R B6 and R B8 , at least one represents a bonding site with a structure having a polymerizable group.

<5> 상기 화합물 B로서, 분자량이 2,000 미만인 화합물 B를 포함하는, <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물.<5> The curable resin composition according to any one of <1> to <4>, which contains a compound B having a molecular weight of less than 2,000 as the compound B.

<6> 상기 화합물 B로서, 수지인 화합물 B를 포함하는, <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물.<6> The curable resin composition according to any one of <1> to <5>, containing compound B which is a resin as the compound B.

<7> 중합성기를 갖지 않고 아졸기를 갖는 화합물인 화합물 C를 더 포함하는, <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물.<7> The curable resin composition according to any one of <1> to <6>, further comprising compound C which is a compound having an azole group without having a polymerizable group.

<8> 상기 화합물 C가, 하기 식 (C-1) 또는 하기 식 (C-2)로 나타나는 화합물인, <7>에 기재된 경화성 수지 조성물;<8> The curable resin composition according to <7>, wherein the compound C is a compound represented by the following formula (C-1) or the following formula (C-2);

[화학식 2][Formula 2]

Figure pct00002
Figure pct00002

식 (C-1) 중, Z1~Z4는 각각 독립적으로, =CR7- 또는 질소 원자를 나타내며, R1은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R7은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, 식 (C-1)로 나타나는 구조 중에 중합성기는 포함하지 않는다;In formula (C-1), each of Z 1 to Z 4 independently represents =CR 7 - or a nitrogen atom, R 1 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and R 7 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. and does not contain a polymerizable group in the structure represented by formula (C-1);

식 (C-2) 중, Z5~Z6은 각각 독립적으로, =CR8- 또는 질소 원자를 나타내며, R2~R6은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, 식 (C-2)로 나타나는 구조 중에 중합성기는 포함하지 않는다.In formula (C-2), Z 5 to Z 6 each independently represent =CR 8 - or a nitrogen atom, R 2 to R 6 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, and R 8 is It represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and a polymerizable group is not included in the structure represented by formula (C-2).

<9> 상기 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 폴리이미드 및 폴리벤즈옥사졸로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 수지가, 상기 화합물 B에 있어서의 중합성기와 중합 가능한 중합성기를 갖는, <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물.<9> wherein at least one resin selected from the group consisting of the polyimide precursor, polybenzoxazole precursor, polyimide, and polybenzoxazole has a polymerizable group polymerizable with the polymerizable group in the compound B, <1 The curable resin composition according to any one of > to <8>.

<10> 알콕시실릴기와는 상이한 중합성기를 갖고, 아졸기를 갖지 않는 실레인 커플링제인 화합물 D를 더 포함하는, <1> 내지 <9> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물.<10> The curable resin composition according to any one of <1> to <9>, further comprising Compound D, which is a silane coupling agent having a polymerizable group different from an alkoxysilyl group and not having an azole group.

<11> 상기 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 폴리이미드 및 폴리벤즈옥사졸로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 수지가, 상기 화합물 D에 있어서의 중합성기와 중합 가능한 중합성기를 갖는, <10>에 기재된 경화성 수지 조성물.<11> wherein at least one resin selected from the group consisting of the polyimide precursor, polybenzoxazole precursor, polyimide, and polybenzoxazole has a polymerizable group polymerizable with the polymerizable group in the compound D, <10 The curable resin composition described in >.

<12> 알콕시실릴기와는 상이한 중합성기 및 아졸기를 모두 갖지 않는 실레인 커플링제인 화합물 E를 더 포함하는, <1> 내지 <11> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물.<12> The curable resin composition according to any one of <1> to <11>, further comprising compound E which is a silane coupling agent having neither a polymerizable group different from an alkoxysilyl group nor an azole group.

<13> 재배선층용 층간 절연막의 형성에 이용되는, <1> 내지 <12> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물.<13> The curable resin composition according to any one of <1> to <12>, which is used for forming an interlayer insulating film for a redistribution layer.

<14> <1> 내지 <13> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막.<14> A cured film formed by curing the curable resin composition according to any one of <1> to <13>.

<15> <14>에 기재된 경화막을 2층 이상 포함하고, 상기 경화막끼리 중 어느 하나의 사이에 금속층을 포함하는 적층체.<15> A laminate containing two or more layers of the cured film according to <14> and including a metal layer between any of the cured films.

<16> <1> 내지 <13> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물을 기판에 적용하여 막을 형성하는 막형성 공정을 포함하는, 경화막의 제조 방법.<16> A method for producing a cured film including a film formation step of applying the curable resin composition according to any one of <1> to <13> to a substrate to form a film.

<17> 상기 막을 노광하는 노광 공정 및 상기 막을 현상하는 현상 공정을 포함하는, <16>에 기재된 경화막의 제조 방법.<17> The method for producing a cured film according to <16>, including an exposure step of exposing the film and a developing step of developing the film.

<18> 상기 막을, 50~450℃에서 가열하는 가열 공정을 포함하는, <16> 또는 <17>에 기재된 경화막의 제조 방법.<18> The method for producing a cured film according to <16> or <17>, including a heating step of heating the film at 50 to 450°C.

<19> <14>에 기재된 경화막 또는 <15>에 기재된 적층체를 포함하는, 반도체 디바이스.<19> A semiconductor device comprising the cured film according to <14> or the laminate according to <15>.

본 발명에 의하면, 금속과의 밀착성이 우수한 경화막이 얻어지는 경화성 수지 조성물, 상기 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막, 상기 경화막을 포함하는 적층체, 상기 경화막의 제조 방법, 및, 상기 경화막 또는 상기 적층체를 포함하는 반도체 디바이스가 제공된다.According to the present invention, a curable resin composition from which a cured film having excellent adhesion to metal is obtained, a cured film formed by curing the curable resin composition, a laminate comprising the cured film, a method for producing the cured film, and the cured film or the above A semiconductor device including a laminate is provided.

이하, 본 발명의 주요한 실시형태에 대하여 설명한다. 그러나, 본 발명은, 명시한 실시형태에 한정되는 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the main embodiment of this invention is described. However, the present invention is not limited to the specific embodiments.

본 명세서에 있어서 "~"라는 기호를 이용하여 나타나는 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 각각 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.In this specification, the numerical range represented by the symbol "-" means the range which includes the numerical value described before and after "-" as a lower limit value and an upper limit value, respectively.

본 명세서에 있어서 "공정"이라는 말은, 독립적인 공정뿐만 아니라, 그 공정의 소기의 작용을 달성할 수 있는 한에 있어서, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 공정도 포함하는 의미이다.In this specification, the word "process" is meant to include not only an independent process but also a process that cannot be clearly distinguished from other processes as long as the intended action of the process can be achieved.

본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하고 있지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않는 기(원자단)와 함께 치환기를 갖는 기(원자단)도 포함한다. 예를 들면, "알킬기"란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함한다.In the notation of a group (atomic group) in this specification, the notation that does not describe substitution and unsubstitution includes a group (atomic group) having a substituent as well as a group (atomic group) having no substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

본 명세서에 있어서 "노광"이란, 특별히 설명하지 않는 한, 광을 이용한 노광뿐만 아니라, 전자선, 이온빔 등의 입자선을 이용한 노광도 포함한다. 또, 노광에 이용되는 광으로서는, 수은등의 휘선 스펙트럼, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, 극자외선(EUV광), X선, 전자선 등의 활성광선 또는 방사선을 들 수 있다.In this specification, "exposure" includes not only exposure using light but also exposure using particle beams such as electron beams and ion beams, unless otherwise specified. Further, examples of light used for exposure include bright line spectrum of a mercury lamp, far ultraviolet rays represented by an excimer laser, extreme ultraviolet rays (EUV light), active rays such as X-rays and electron beams, or radiation.

본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는, "아크릴레이트" 및 "메타크릴레이트"의 양방, 또는, 어느 하나를 의미하고, "(메트)아크릴"은, "아크릴" 및 "메타크릴"의 양방, 또는, 어느 하나를 의미하며, "(메트)아크릴로일"은, "아크릴로일" 및 "메타크릴로일"의 양방, 또는, 어느 하나를 의미한다.In the present specification, "(meth)acrylate" means either or both of "acrylate" and "methacrylate", and "(meth)acryl" refers to "acryl" and "methacryl". “(meth)acryloyl” means either or both of “acryloyl” and “methacryloyl”.

본 명세서에 있어서, 구조식 중의 Me는 메틸기를 나타내고, Et는 에틸기를 나타내며, Bu는 뷰틸기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타낸다.In the present specification, Me in the structural formula represents a methyl group, Et represents an ethyl group, Bu represents a butyl group, and Ph represents a phenyl group.

본 명세서에 있어서, 전고형분이란, 조성물의 전체 성분으로부터 용제를 제외한 성분의 총 질량을 말한다. 또 본 명세서에 있어서, 고형분 농도란, 조성물의 총 질량에 대한, 용제를 제외한 다른 성분의 질량 백분율이다.In this specification, the total solid content refers to the total mass of the components excluding the solvent from all components of the composition. Moreover, in this specification, solid content concentration is the mass percentage of other components except a solvent with respect to the total mass of a composition.

본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 특별히 설명하지 않는 한, 젤 침투 크로마토그래피(GPC 측정)에 따라, 폴리스타이렌 환산값으로서 정의된다. 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 예를 들면, HLC-8220GPC(도소(주)제)를 이용하며, 칼럼으로서 가드 칼럼 HZ-L, TSKgel Super HZM-M, TSKgel Super HZ4000, TSKgel Super HZ3000, TSKgel Super HZ2000(도소(주)제)을 이용함으로써 구할 수 있다. 그들의 분자량은 특별히 설명하지 않는 한, 용리액으로서 THF(테트라하이드로퓨란)를 이용하여 측정한 것으로 한다. 또, GPC 측정에 있어서의 검출은 특별히 설명하지 않는 한, UV선(자외선)의 파장 254nm 검출기를 사용한 것으로 한다.In this specification, the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) are defined as values in terms of polystyrene according to gel permeation chromatography (GPC measurement) unless otherwise specified. In this specification, the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) are, for example, using HLC-8220GPC (manufactured by Tosoh Co., Ltd.), and as a column, guard column HZ-L, TSKgel Super HZM- It can obtain|require by using M, TSKgel Super HZ4000, TSKgel Super HZ3000, and TSKgel Super HZ2000 (made by Tosoh Corporation). These molecular weights shall be measured using THF (tetrahydrofuran) as an eluent unless otherwise specified. In addition, detection in the GPC measurement assumes that a detector with a wavelength of 254 nm of UV rays (ultraviolet rays) is used unless otherwise specified.

본 명세서에 있어서, 적층체를 구성하는 각층(各層)의 위치 관계에 대하여, "상(上)" 또는 "하(下)"라고 기재했을 때에는, 주목하고 있는 복수의 층 중 기준이 되는 층의 상측 또는 하측에 다른 층이 있으면 된다. 즉, 기준이 되는 층과 상기 다른 층의 사이에, 추가로 제3의 층이나 요소가 개재하고 있어도 되고, 기준이 되는 층과 상기 다른 층은 접하고 있을 필요는 없다. 또, 특별히 설명하지 않는 한, 기재에 대하여 층이 적층되어 가는 방향을 "상"이라고 칭하고, 또는, 감광층이 있는 경우에는, 기재로부터 감광층을 향하는 방향을 "상"이라고 칭하며, 그 반대 방향을 "하"라고 칭한다. 또한, 이와 같은 상하 방향의 설정은, 본 명세서 중에 있어서의 편의를 위함이며, 실제의 양태에 있어서는, 본 명세서에 있어서의 "상"방향은, 연직 상향과 상이한 경우도 있을 수 있다.In this specification, when the positional relationship of each layer constituting the laminate is described as "upper" or "lower", the reference layer among a plurality of layers of interest It is only necessary if there is another layer on the upper or lower side. That is, a third layer or element may be further interposed between the layer serving as the standard and the other layer, and the layer serving as the standard and the other layer need not be in contact with each other. In addition, unless otherwise specified, the direction in which layers are laminated with respect to the substrate is referred to as "upper", or, in the case of a photosensitive layer, the direction from the substrate to the photosensitive layer is referred to as "upper", and the opposite direction is called "Ha". Note that the setting of such a vertical direction is for convenience in this specification, and in an actual aspect, there may be cases where the “upper” direction in this specification is different from vertically upward.

본 명세서에 있어서, 특별한 기재가 없는 한, 조성물은, 조성물에 포함되는 각 성분으로서, 그 성분에 해당하는 2종 이상의 화합물을 포함해도 된다. 또, 특별한 기재가 없는 한, 조성물에 있어서의 각 성분의 함유량이란, 그 성분에 해당하는 모든 화합물의 합계 함유량을 의미한다.In this specification, as long as there is no special description, a composition may also contain two or more types of compounds corresponding to the component as each component contained in a composition. In addition, unless otherwise specified, the content of each component in the composition means the total content of all the compounds corresponding to the component.

본 명세서에 있어서, 특별히 설명하지 않는 한, 온도는 23℃, 기압은 101,325Pa(1기압), 상대 습도는 50%RH이다.In this specification, unless otherwise specified, the temperature is 23°C, the air pressure is 101,325 Pa (1 atmosphere), and the relative humidity is 50% RH.

본 명세서에 있어서, 바람직한 양태의 조합은, 보다 바람직한 양태이다.In this specification, a combination of preferable aspects is a more preferable aspect.

(경화성 수지 조성물)(curable resin composition)

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 폴리이미드 및 폴리벤즈옥사졸로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 수지(이하, "특정 수지"라고도 한다.), 및, 중합성기 및 아졸기를 갖는 화합물인 화합물 B를 포함한다.The curable resin composition of the present invention includes at least one resin selected from the group consisting of a polyimide precursor, a polybenzoxazole precursor, a polyimide, and a polybenzoxazole (hereinafter, also referred to as “specific resin”), and a polymerizable group. and Compound B, which is a compound having an azole group.

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 네거티브형의 경화성 수지 조성물이어도 되고 포지티브형의 경화성 수지 조성물이어도 되지만, 네거티브형의 경화성 수지 조성물인 것이 바람직하다.The curable resin composition of the present invention may be either a negative curable resin composition or a positive curable resin composition, but is preferably a negative curable resin composition.

네거티브형의 경화성 수지 조성물이란, 경화성 수지 조성물로 형성된 층을 노광한 경우에, 노광되어 있지 않은 부분(비노광부)이 현상액에 의하여 제거되는 조성물을 말한다.A negative curable resin composition refers to a composition in which, when a layer formed of the curable resin composition is exposed, an unexposed portion (non-exposed portion) is removed by a developing solution.

포지티브형의 경화성 수지 조성물이란, 경화성 수지 조성물로 형성된 층을 노광한 경우에, 노광된 부분(노광부)이 현상액에 의하여 제거되는 조성물을 말한다.A positive curable resin composition refers to a composition in which an exposed portion (exposed portion) is removed by a developing solution when a layer formed of the curable resin composition is exposed.

본 발명의 경화성 수지 조성물에 의하면, 금속과의 밀착성이 우수한 경화막이 얻어진다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the curable resin composition of this invention, the cured film excellent in adhesiveness with metal is obtained.

상기 효과가 얻어지는 메커니즘은 불명확하지만, 하기와 같이 추측된다.Although the mechanism by which the said effect is obtained is unknown, it is guessed as follows.

본 발명의 경화성 조성물은, 중합성기 및 아졸기를 갖는 화합물 B를 포함함으로써, 얻어지는 경화막의 금속과의 밀착성이 우수하다.The curable composition of the present invention contains the compound B having a polymerizable group and an azole group, so that the resulting cured film has excellent adhesion to metal.

상기 화합물 B에 있어서의 아졸기가 금속의 표면에 배위하고, 또, 경화막에 있어서 상기 화합물 B에 있어서의 중합성기가 중합함으로써, 경화막 내의 금속 측의 표면에는, 상기 화합물 B의 중합체가 존재한다고 생각된다.It is believed that the polymer of the compound B exists on the surface of the metal side in the cured film when the azole group in the compound B coordinates to the metal surface and the polymerizable group in the compound B polymerizes in the cured film. I think.

상기 중합체가 존재함으로써, 폴리이미드 등의 경화 후의 수지에 대한 앵커 효과가 발휘되어, 밀착성이 향상된다고 생각된다.It is thought that the presence of the above polymer exhibits an anchor effect to resin after curing such as polyimide, and improves adhesion.

상기 밀착성의 향상이라는 효과는, 폴리이미드 등의 특정 수지가 중합성기를 갖는 경우, 또는, 경화성 수지 조성물이 실레인 커플링제를 포함하는 경우에 의하여 현저해진다.The effect of the said adhesive improvement becomes remarkable when specific resin, such as a polyimide, has a polymeric group, or when curable resin composition contains a silane coupling agent.

이것은, 경화막 중에서 특정 수지와 화합물 B의 사이에서도 중합이 형성되는 것, 또는, 실레인 커플링제와 화합물 B의 사이에서도 중합이 형성되는 것에 의한 것이라고 추측된다.It is estimated that this is because polymerization is formed also between specific resin and compound B in a cured film, or polymerization is formed also between a silane coupling agent and compound B.

또, 경화성 수지 조성물로 이루어지는 막을 포함하는 적층체의 제조에 있어서, 예를 들면, 경화성 수지 조성물로 이루어지는 경화막 상에 금속층을 형성하고, 상기 금속층 상에 경화성 수지 조성물로 이루어지는 다른 경화막을 형성하는 등과 같이, 금속층과 경화막을 적층하여 형성하는 경우가 있다.In addition, in the production of a laminate comprising a film made of a curable resin composition, for example, a metal layer is formed on a cured film made of a curable resin composition, and another cured film made of a curable resin composition is formed on the metal layer. Similarly, there are cases in which a metal layer and a cured film are laminated and formed.

본 발명의 경화성 수지 조성물에 의하면, 이와 같은 적층체에 있어서도, 수지층/수지층 사이, 및, 금속층/수지층 사이에 있어서의 층간의 박리가 억제된다고 생각된다.It is thought that according to the curable resin composition of the present invention, peeling between layers between resin layers/resin layers and between metal layers/resin layers is suppressed also in such a laminate.

이것은, 또, 단단한 폴리이미드 등의 수지 및 단단한 금속의 사이에, 비교적 부드러운 상술한 화합물 B의 중합체가 존재하는 것에 의한 것이라고 추측된다.This is presumed to be due to the existence of the relatively soft polymer of the above-described compound B between a hard metal and a resin such as hard polyimide.

본 발명에 있어서, 적층체에 있어서의 수지층/수지층 사이, 및, 금속층/수지층 사이에 있어서의 층간의 박리가 억제되는 것을, "다층 적층 시의 밀착성이 우수하다"라고도 한다.In the present invention, suppression of peeling between resin layers/resin layers and between metal layers/resin layers in a laminate is also referred to as "excellent adhesion during multilayer lamination".

여기에서, 특허문헌 1에는, 중합성기 및 아졸기를 갖는 화합물 B를 포함하는 경화성 수지 조성물에 대해서는 기재도 시사도 없다.Here, in Patent Document 1, there is neither description nor suggestion about the curable resin composition containing the compound B having a polymerizable group and an azole group.

이하, 본 발명의 경화성 수지 조성물에 포함되는 성분에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, components included in the curable resin composition of the present invention will be described in detail.

<특정 수지><specific resin>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 폴리이미드, 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 및 폴리벤즈옥사졸 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 수지(특정 수지)를 포함한다.The curable resin composition of the present invention contains at least one resin (specific resin) selected from the group consisting of polyimide, polyimide precursor, polybenzoxazole, and polybenzoxazole precursor.

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 특정 수지로서, 폴리이미드 또는 폴리이미드 전구체를 포함하는 것이 바람직하고, 폴리이미드 전구체를 포함하는 것이 보다 바람직하다.It is preferable that curable resin composition of this invention contains a polyimide or a polyimide precursor as a specific resin, and it is more preferable that a polyimide precursor is included.

또, 특정 수지는 중합성기를 갖는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that specific resin has a polymeric group.

특정 수지에 있어서의 중합성기로서는, 라디칼 중합성기, 에폭시기, 옥세탄일기, 메틸올기, 알콕시메틸기 등의 공지의 중합성기를 들 수 있다.As a polymerizable group in a specific resin, well-known polymerizable groups, such as a radical polymerizable group, an epoxy group, an oxetanyl group, a methylol group, and an alkoxymethyl group, are mentioned.

상기 라디칼 중합성기로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기가 바람직하다.As the radical polymerizable group, a group having an ethylenically unsaturated bond is preferable.

에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기로서는, 바이닐기, 알릴기, 바이닐페닐기 등의 방향환에 직접 결합한, 치환되어 있어도 되는 바이닐기를 갖는 기, (메트)아크릴아마이드기, (메트)아크릴로일옥시기 등을 들 수 있으며, (메트)아크릴로일옥시기가 바람직하다.Examples of the group having an ethylenically unsaturated bond include a group having an optionally substituted vinyl group bonded directly to an aromatic ring such as a vinyl group, an allyl group, and a vinylphenyl group, a (meth)acrylamide group, a (meth)acryloyloxy group, and the like. and a (meth)acryloyloxy group is preferable.

특정 수지는, 중합성기로서, 후술하는 화합물 B에 있어서의 중합성기와 중합 가능한 중합성기를 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that specific resin has, as a polymeric group, the polymeric group in the compound B mentioned later, and the polymeric group which can superpose|polymerize.

중합 가능한 중합성기의 조합으로서는, 특정 수지가 라디칼 중합성기를 갖고, 또한, 화합물 B가 라디칼 중합성기를 갖거나, 또는, 특정 수지가 에폭시기를 가지며, 또한, 화합물 B가 에폭시기를 갖는 등의 조합을 들 수 있다.As a combination of polymerizable groups capable of polymerization, a specific resin has a radical polymerizable group and compound B has a radical polymerizable group, or a specific resin has an epoxy group and compound B has an epoxy group. can be heard

상기 양태에 의하면, 경화막 중에서 특정 수지에 있어서의 중합성기와, 화합물 B에 있어서의 중합성기가 중합하여, 특정 수지와 화합물 B의 사이의 결합이 강고해져, 얻어지는 경화막의 금속과의 밀착성이 보다 향상된다고 생각된다.According to the above aspect, in the cured film, the polymerizable group in the specific resin and the polymerizable group in the compound B polymerize, so that the bond between the specific resin and the compound B is strengthened, and the adhesion of the obtained cured film to the metal is higher. it is thought to improve

또, 경화성 수지 조성물이 후술하는 화합물 D를 포함하는 경우, 특정 수지는, 화합물 D에 있어서의 중합성기와 중합 가능한 중합성기를 갖는 것이 바람직하다.Moreover, when curable resin composition contains compound D mentioned later, it is preferable that specific resin has a polymerizable group in compound D and a polymerizable group polymerizable.

중합 가능한 중합성기의 조합으로서는, 특정 수지가 라디칼 중합성기를 갖고, 또한, 화합물 D가 라디칼 중합성기를 갖거나, 또는, 특정 수지가 에폭시기를 가지며, 또한, 화합물 D가 에폭시기를 갖는 등의 조합을 들 수 있다.As a combination of polymerizable groups capable of polymerization, a specific resin has a radical polymerizable group and compound D has a radical polymerizable group, or a specific resin has an epoxy group and compound D has an epoxy group. can be heard

상기 양태에 의하면, 경화막 중에서 특정 수지에 있어서의 중합성기와, 화합물 D에 있어서의 중합성기가 중합하여, 특정 수지와 화합물 D의 사이의 결합이 강고해져, 얻어지는 경화막의 금속과의 밀착성이 보다 향상된다고 생각된다.According to the above aspect, the polymerizable group in the specific resin and the polymerizable group in the compound D polymerize in the cured film, so that the bond between the specific resin and the compound D is strengthened, and the adhesion of the obtained cured film to the metal is higher. it is thought to improve

또한, 상기 양태에 있어서, 화합물 B는 알콕시실릴기를 갖는 것이 바람직하다.Moreover, in the said aspect, it is preferable that compound B has an alkoxysilyl group.

상기 양태에 의하면, 경화막 중에서 특정 수지에 있어서의 중합성기와, 화합물 D에 있어서의 중합성기가 중합하여, 화합물 B에 있어서의 알콕시실릴기와, 실레인 커플링제인 화합물 D가 축합되기 때문에, 각 화합물 간에서의 결합이 강고해져, 얻어지는 경화막의 금속과의 밀착성이 보다 향상된다고 생각된다.According to the above aspect, since the polymerizable group in the specific resin and the polymerizable group in the compound D polymerize in the cured film, the alkoxysilyl group in the compound B and the compound D as the silane coupling agent condense, respectively It is thought that the bond between the compounds becomes strong and the adhesiveness with the metal of the cured film obtained is further improved.

또, 특정 수지는 라디칼 중합성기를 포함하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that specific resin contains a radical polymerizable group.

특정 수지가 라디칼 중합성기를 갖는 경우, 경화성 수지 조성물은, 감광제로서 후술하는 광라디칼 중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하고, 감광제로서 후술하는 광라디칼 중합 개시제를 포함하며, 또한, 후술하는 라디칼 가교제를 포함하는 것이 보다 바람직하고, 감광제로서 후술하는 광라디칼 중합 개시제를 포함하며, 후술하는 라디칼 가교제를 포함하고, 또한, 후술하는 증감제를 포함하는 것이 더 바람직하다. 이와 같은 경화성 수지 조성물로부터는, 예를 들면, 네거티브형 감광층이 형성된다.When a specific resin has a radical polymerizable group, the curable resin composition preferably contains a radical photopolymerization initiator described later as a photosensitizer, and further includes a radical photopolymerization initiator described later as a photosensitizer, and further includes a radical crosslinking agent described later. It is more preferable to include a radical photopolymerization initiator described later as a photosensitizer, a radical crosslinking agent described later, and further preferably a sensitizer described later. A negative photosensitive layer is formed from such a curable resin composition, for example.

또, 특정 수지는, 산분해성기 등의 극성 변환기를 갖고 있어도 된다.Moreover, specific resin may have a polarity converter, such as an acid-decomposable group.

특정 수지가 산분해성기를 갖는 경우, 경화성 수지 조성물은, 감광제로서 후술하는 광산발생제를 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 경화성 수지 조성물로부터는, 예를 들면, 화학 증폭형인 포지티브형 감광층 또는 네거티브형 감광층이 형성된다.When specific resin has an acid-decomposable group, it is preferable that curable resin composition contains the photo-acid generator mentioned later as a photosensitizer. From such a curable resin composition, a chemically amplified positive photosensitive layer or negative photosensitive layer is formed, for example.

〔폴리이미드 전구체〕[Polyimide precursor]

본 발명에서 이용하는 폴리이미드 전구체는, 그 종류 등 특별히 정하는 것은 아니지만, 하기 식 (2)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다.The polyimide precursor used in the present invention is not particularly defined such as its kind, but preferably contains a repeating unit represented by the following formula (2).

식 (2)Equation (2)

[화학식 3][Formula 3]

Figure pct00003
Figure pct00003

식 (2) 중, A1 및 A2는, 각각 독립적으로, 산소 원자 또는 NH를 나타내고, R111은, 2가의 유기기를 나타내며, R115는, 4가의 유기기를 나타내고, R113 및 R114는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.In formula (2), A 1 and A 2 each independently represent an oxygen atom or NH, R 111 represents a divalent organic group, R 115 represents a tetravalent organic group, and R 113 and R 114 represent , respectively independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group.

식 (2)에 있어서의 A1 및 A2는, 각각 독립적으로, 산소 원자 또는 NH를 나타내고, 산소 원자가 바람직하다.A 1 and A 2 in Formula (2) each independently represent an oxygen atom or NH, and an oxygen atom is preferable.

식 (2)에 있어서의 R111은, 2가의 유기기를 나타낸다. 2가의 유기기로서는, 직쇄 또는 분기의 지방족기, 환상의 지방족기 및 방향족기를 포함하는 기가 예시되며, 탄소수 2~20의 직쇄 또는 분기의 지방족기, 탄소수 6~20의 환상의 지방족기, 탄소수 6~20의 방향족기, 또는, 이들의 조합으로 이루어지는 기가 바람직하고, 탄소수 6~20의 방향족기를 포함하는 기가 보다 바람직하다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태로서 -Ar-L-Ar-로 나타나는 기인 것이 예시된다. 단, Ar은, 각각 독립적으로, 방향족기이며, L은, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 지방족 탄화 수소기, -O-, -CO-, -S-, -SO2- 또는 NHCO-, 혹은, 상기의 2개 이상의 조합으로 이루어지는 기이다. 이들의 바람직한 범위는, 상술한 바와 같다.R 111 in Formula (2) represents a divalent organic group. Examples of the divalent organic group include a straight-chain or branched aliphatic group, a cyclic aliphatic group, and a group containing an aromatic group, and a straight-chain or branched aliphatic group of 2 to 20 carbon atoms, a cyclic aliphatic group of 6 to 20 carbon atoms, and a group containing 6 carbon atoms. An aromatic group of ~20 or a group comprising a combination thereof is preferable, and a group containing an aromatic group having 6 to 20 carbon atoms is more preferable. As a particularly preferred embodiment of the present invention, a group represented by -Ar-L-Ar- is exemplified. However, Ar is each independently an aromatic group, and L is an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 - or NHCO -, or a group consisting of a combination of two or more of the above. These preferred ranges are as described above.

R111은, 다이아민으로부터 유도되는 것이 바람직하다. 폴리이미드 전구체의 제조에 이용되는 다이아민으로서는, 직쇄 또는 분기의 지방족, 환상의 지방족 또는 방향족 다이아민 등을 들 수 있다. 다이아민은, 1종만 이용해도 되고, 2종 이상 이용해도 된다.R 111 is preferably derived from diamine. As diamine used for manufacture of a polyimide precursor, linear or branched aliphatic, cyclic aliphatic, or aromatic diamine, etc. are mentioned. As for diamine, only 1 type may be used and 2 or more types may be used.

구체적으로는, 탄소수 2~20의 직쇄 또는 분기의 지방족기, 탄소수 6~20의 환상의 지방족기, 탄소수 6~20의 방향족기, 또는, 이들의 조합으로 이루어지는 기를 포함하는 다이아민인 것이 바람직하고, 탄소수 6~20의 방향족기로 이루어지는 기를 포함하는 다이아민인 것이 보다 바람직하다. 방향족기의 예로서는, 하기를 들 수 있다.Specifically, it is preferably diamine containing a group consisting of a straight-chain or branched aliphatic group having 2 to 20 carbon atoms, a cyclic aliphatic group having 6 to 20 carbon atoms, an aromatic group having 6 to 20 carbon atoms, or a combination thereof, It is more preferable that it is a diamine containing the group which consists of a C6-C20 aromatic group. As an example of an aromatic group, the following is mentioned.

[화학식 4][Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

식 중, A는, 단결합, 또는, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 지방족 탄화 수소기, -O-, -C(=O)-, -S-, -SO2-, NHCO-, 또는, 이들의 조합으로부터 선택되는 기인 것이 바람직하고, 단결합, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~3의 알킬렌기, -O-, -C(=O)-, -S-, 또는, -SO2-로부터 선택되는 기인 것이 보다 바람직하며, -CH2-, -O-, -S-, -SO2-, -C(CF3)2-, 또는, -C(CH3)2-인 것이 더 바람직하다.In the formula, A is a single bond or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -C(=O)-, -S-, -SO 2 -, NHCO- , or, preferably a group selected from combinations thereof, a single bond, an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -C(=O)-, -S-, or - SO 2 - is more preferably a group selected from -CH 2 -, -O-, -S-, -SO 2 -, -C(CF 3 ) 2 -, or -C(CH 3 ) 2 -. it is more preferable

식 중, *는 다른 구조와의 결합 부위를 나타낸다.In the formula, * represents a binding site with another structure.

다이아민으로서는, 구체적으로는, 1,2-다이아미노에테인, 1,2-다이아미노프로페인, 1,3-다이아미노프로페인, 1,4-다이아미노뷰테인 및 1,6-다이아미노헥세인; 1,2- 또는 1,3-다이아미노사이클로펜테인, 1,2-, 1,3- 또는 1,4-다이아미노사이클로헥세인, 1,2-, 1,3- 또는 1,4-비스(아미노메틸)사이클로헥세인, 비스-(4-아미노사이클로헥실)메테인, 비스-(3-아미노사이클로헥실)메테인, 4,4'-다이아미노-3,3'-다이메틸사이클로헥실메테인 및 아이소포론다이아민; m- 또는 p-페닐렌다이아민, 다이아미노톨루엔, 4,4'- 또는 3,3'-다이아미노바이페닐, 4,4'-다이아미노다이페닐에터, 3,3-다이아미노다이페닐에터, 4,4'- 및 3,3'-다이아미노다이페닐메테인, 4,4'- 및 3,3'-다이아미노다이페닐설폰, 4,4'- 및 3,3'-다이아미노다이페닐설파이드, 4,4'- 또는 3,3'-다이아미노벤조페논, 3,3'-다이메틸-4,4'-다이아미노바이페닐, 2,2'-다이메틸-4,4'-다이아미노바이페닐, 3,3'-다이메톡시-4,4'-다이아미노바이페닐, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로페인, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(3-하이드록시-4-아미노페닐)프로페인, 2,2-비스(3-하이드록시-4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인, 비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)설폰, 비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)설폰, 4,4'-다이아미노파라터페닐, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)바이페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]설폰, 비스[4-(2-아미노페녹시)페닐]설폰, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 3,3'-다이메틸-4,4'-다이아미노다이페닐설폰, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 3,3'-다이에틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 3,3'-다이메틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 4,4'-다이아미노옥타플루오로바이페닐, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로페인, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 9,9-비스(4-아미노페닐)-10-하이드로안트라센, 3,3',4,4'-테트라아미노바이페닐, 3,3',4,4'-테트라아미노다이페닐에터, 1,4-다이아미노안트라퀴논, 1,5-다이아미노안트라퀴논, 3,3-다이하이드록시-4,4'-다이아미노바이페닐, 9,9'-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 4,4'-다이메틸-3,3'-다이아미노다이페닐설폰, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 2,4- 및 2,5-다이아미노큐멘, 2,5-다이메틸-p-페닐렌다이아민, 아세토구아나민, 2,3,5,6-테트라메틸-p-페닐렌다이아민, 2,4,6-트라이메틸-m-페닐렌다이아민, 비스(3-아미노프로필)테트라메틸다이실록세인, 2,7-다이아미노플루오렌, 2,5-다이아미노피리딘, 1,2-비스(4-아미노페닐)에테인, 다이아미노벤즈아닐라이드, 다이아미노벤조산의 에스터, 1,5-다이아미노나프탈렌, 다이아미노벤조트라이플루오라이드, 1,3-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 1,4-비스(4-아미노페닐)옥타플루오로뷰테인, 1,5-비스(4-아미노페닐)데카플루오로펜테인, 1,7-비스(4-아미노페닐)테트라데카플루오로헵테인, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 2,2-비스[4-(2-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)-3,5-다이메틸페닐]헥사플루오로프로페인, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)-3,5-비스(트라이플루오로메틸)페닐]헥사플루오로프로페인, p-비스(4-아미노-2-트라이플루오로메틸페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노-2-트라이플루오로메틸페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(4-아미노-3-트라이플루오로메틸페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(4-아미노-2-트라이플루오로메틸페녹시)다이페닐설폰, 4,4'-비스(3-아미노-5-트라이플루오로메틸페녹시)다이페닐설폰, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-트라이플루오로메틸페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-다이아미노바이페닐, 4,4'-다이아미노-2,2'-비스(트라이플루오로메틸)바이페닐, 2,2',5,5',6,6'-헥사플루오로톨리딘 및 4,4'-다이아미노쿼터페닐로부터 선택되는 적어도 1종의 다이아민을 들 수 있다.As diamine, specifically, 1,2-diaminoethane, 1,2-diaminopropane, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, and 1,6-diaminohexyl three; 1,2- or 1,3-diaminocyclopentane, 1,2-, 1,3- or 1,4-diaminocyclohexane, 1,2-, 1,3- or 1,4-bis (Aminomethyl)cyclohexane, bis-(4-aminocyclohexyl)methane, bis-(3-aminocyclohexyl)methane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethylcyclohexylmethane phosphorus and isophoronediamine; m- or p-phenylenediamine, diaminotoluene, 4,4'- or 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3-diaminodiphenyl Ether, 4,4'- and 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'- and 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'- and 3,3'-di Aminodiphenylsulfide, 4,4'- or 3,3'-diaminobenzophenone, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4 '-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (4-aminophenyl ) Hexafluoropropane, 2,2-bis (3-hydroxy-4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (3-hydroxy-4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2, 2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl) )sulfone, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)sulfone, 4,4'-diaminoparaterphenyl, 4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4 -aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(2-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 1,4-bis(4-aminophenoxy) ) Benzene, 9,10-bis (4-aminophenyl) anthracene, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylsulfone, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1 ,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenyl)benzene, 3,3'-diethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3' -Dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminooctafluorobiphenyl, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2 ,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 9,9-bis(4-aminophenyl)-10-hydroanthracene, 3,3',4,4'-tetra Aminobiphenyl, 3,3',4,4'-tetraaminodiphenyl ether, 1,4-diaminoanthraquinone, 1,5-diaminoanthraquinone, 3,3-dihydroxy-4,4 '-Diamino Biphenyl, 9,9'-bis(4-aminophenyl)fluorene, 4,4'-dimethyl-3,3'-diaminodiphenylsulfone, 3,3',5,5'-tetramethyl- 4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,4- and 2,5-diaminocumene, 2,5-dimethyl-p-phenylenediamine, acetoguanamine, 2,3,5,6 -Tetramethyl-p-phenylenediamine, 2,4,6-trimethyl-m-phenylenediamine, bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane, 2,7-diaminofluorene, 2 ,5-diaminopyridine, 1,2-bis(4-aminophenyl)ethane, diaminobenzanilide, diaminobenzoic acid ester, 1,5-diaminonaphthalene, diaminobenzotrifluoride, 1,3 -Bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 1,4-bis(4-aminophenyl)octafluorobutane, 1,5-bis(4-aminophenyl)decafluoropentane, 1, 7-bis (4-aminophenyl) tetradecafluoroheptane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (2- Aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)-3,5-dimethylphenyl]hexafluoropropane, 2,2-bis[4-( 4-aminophenoxy) -3,5-bis (trifluoromethyl) phenyl] hexafluoropropane, p-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) benzene, 4,4'- Bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4-amino-3-trifluoromethylphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4- Amino-2-trifluoromethylphenoxy)diphenylsulfone, 4,4'-bis(3-amino-5-trifluoromethylphenoxy)diphenylsulfone, 2,2-bis[4-(4- Amino-3-trifluoromethylphenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 3,3', 5,5'-tetramethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diamino- At least 1 selected from 2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl, 2,2',5,5',6,6'-hexafluorotolidine and 4,4'-diaminoquaterphenyl species of diamines.

또, 국제 공개공보 제2017/038598호의 단락 0030~0031에 기재된 다이아민 (DA-1)~(DA-18)도 바람직하다.Moreover, Paragraph 0030 of International Publication No. 2017/038598 - the diamine (DA-1) of 0031 - (DA-18) are also preferable.

그 외에 이하의 다이아민도 적합하게 사용할 수 있다.In addition, the following diamines can also be used suitably.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pct00005
Figure pct00005

또, 국제 공개공보 제2017/038598호의 단락 0032~0034에 기재된 2개 이상의 알킬렌글라이콜 단위를 주쇄에 갖는 다이아민도 바람직하게 이용된다.Moreover, the diamine which has 2 or more alkylene glycol units of Paragraph 0032 of International Publication No. 2017/038598 - 0034 in a main chain is also used preferably.

R111은, 얻어지는 유기막의 유연성의 관점에서, -Ar-L-Ar-로 나타나는 것이 바람직하다. 단, Ar은, 각각 독립적으로, 방향족기이며, L은, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 지방족 탄화 수소기, -O-, -CO-, -S-, -SO2- 또는 NHCO-, 혹은, 상기의 2개 이상의 조합으로 이루어지는 기이다. Ar은, 페닐렌기가 바람직하고, L은, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 또는 2의 지방족 탄화 수소기, -O-, -CO-, -S- 또는 SO2-가 바람직하다. 여기에서의 지방족 탄화 수소기는, 알킬렌기가 바람직하다.R 111 is preferably represented by -Ar-L-Ar- from the viewpoint of flexibility of the resulting organic film. However, Ar is each independently an aromatic group, and L is an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 - or NHCO -, or a group consisting of a combination of two or more of the above. Ar is preferably a phenylene group, and L is preferably an aliphatic hydrocarbon group having 1 or 2 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -CO-, -S- or SO 2 -. The aliphatic hydrocarbon group here is preferably an alkylene group.

또, R111은, i선 투과율의 관점에서, 하기 식 (51) 또는 식 (61)로 나타나는 2가의 유기기인 것이 바람직하다. 특히, i선 투과율, 입수의 용이성의 관점에서, 식 (61)로 나타나는 2가의 유기기인 것이 보다 바람직하다.Further, from the viewpoint of i-line transmittance, R 111 is preferably a divalent organic group represented by the following formula (51) or formula (61). In particular, it is more preferably a divalent organic group represented by formula (61) from the viewpoint of i-line transmittance and availability.

식 (51)formula (51)

[화학식 5][Formula 5]

Figure pct00006
Figure pct00006

식 (51) 중, R50~R57은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 불소 원자 또는 1가의 유기기이며, R50~R57 중 적어도 하나는, 불소 원자, 메틸기 또는 트라이플루오로메틸기이다.In Formula (51), R 50 to R 57 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or a monovalent organic group, and at least one of R 50 to R 57 is a fluorine atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.

R50~R57의 1가의 유기기로서는, 탄소수 1~10(바람직하게는 탄소수 1~6)의 무치환의 알킬기, 탄소수 1~10(바람직하게는 탄소수 1~6)의 불화 알킬기 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent organic group for R 50 to R 57 include an unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (preferably 1 to 6 carbon atoms), a fluorinated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (preferably 1 to 6 carbon atoms), and the like. can

[화학식 6][Formula 6]

Figure pct00007
Figure pct00007

식 (61) 중, R58 및 R59는, 각각 독립적으로, 불소 원자 또는 트라이플루오로메틸기이다.In Formula (61), R 58 and R 59 are each independently a fluorine atom or a trifluoromethyl group.

식 (51) 또는 (61)의 구조를 부여하는 다이아민 화합물로서는, 2,2'-다이메틸벤지딘, 2,2'-비스(트라이플루오로메틸)-4,4'-다이아미노바이페닐, 2,2'-비스(플루오로)-4,4'-다이아미노바이페닐, 4,4'-다이아미노옥타플루오로바이페닐 등을 들 수 있다. 이들은 1종으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.Examples of the diamine compound giving the structure of Formula (51) or (61) include 2,2'-dimethylbenzidine, 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-bis(fluoro)-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminooctafluorobiphenyl, etc. are mentioned. You may use these by 1 type or in combination of 2 or more types.

또, R111은 중합성기를 포함하는 구조여도 된다.Moreover, the structure containing a polymeric group may be sufficient as R111 .

예를 들면, R111은 중합성기를 갖는 다이아민 화합물에서 유래하는 구조로 할 수도 있다.For example, R 111 can also be made into a structure derived from a diamine compound having a polymerizable group.

중합성기를 갖는 다이아민 화합물은, 특별히 한정되지 않지만, 방향환 구조를 포함하는 화합물인 것이 바람직하고, 방향환 구조에, 아미노기 및 중합성기를 포함하는 구조가 직결된 구조를 갖는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The diamine compound having a polymerizable group is not particularly limited, but is preferably a compound containing an aromatic ring structure, and more preferably a compound having a structure in which a structure containing an amino group and a polymerizable group is directly connected to the aromatic ring structure Do.

중합성기로서는, 에틸렌성 불포화기, 환상 에터기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기를 포함하는 기가 바람직하고, 바이닐기, (메트)알릴기, (메트)아크릴아마이드기, (메트)아크릴옥시기, 말레이미드기, 바이닐페닐기, 에폭시기, 옥세탄일기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기가 보다 바람직하며, (메트)아크릴옥시기, (메트)아크릴아마이드기, 에폭시기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기가 더 바람직하다.As the polymerizable group, a group containing an ethylenically unsaturated group, a cyclic ether group, a methylol group or an alkoxymethyl group is preferable, and a vinyl group, a (meth)allyl group, a (meth)acrylamide group, a (meth)acryloxy group, and a maleimide group. group, vinylphenyl group, epoxy group, oxetanyl group, methylol group or alkoxymethyl group is more preferred, and (meth)acryloxy group, (meth)acrylamide group, epoxy group, methylol group or alkoxymethyl group is more preferred.

또, R111이 중합성기를 포함하는 구조인 경우, R111은 하기 식 (1-1)로 나타나는 구조인 것이 바람직하다.Moreover, when R 111 is a structure containing a polymerizable group, it is preferable that R 111 is a structure represented by the following formula (1-1).

[화학식 7][Formula 7]

Figure pct00008
Figure pct00008

식 (1-1) 중, Y1은, 방향족 탄화 수소기를 포함하는 n+2가의 기를 나타내고, P1은 중합성기를 포함하는 기를 나타내며, n은 1 이상의 정수를 나타내고, *는 각각, 식 (2) 중의 R111이 결합하는 질소 원자와의 결합 부위를 나타낸다.In formula (1-1), Y 1 represents an n+2 valent group containing an aromatic hydrocarbon group, P 1 represents a group containing a polymerizable group, n represents an integer greater than or equal to 1, and * represents the formula ( 2) shows the bonding site to the nitrogen atom to which R 111 in 2) is bonded.

-Y1--Y 1 -

식 (1-1) 중, Y1은 방향족 탄화 수소기를 포함하는 n+2가의 기를 나타낸다.In Formula (1-1), Y 1 represents an n+2 valent group containing an aromatic hydrocarbon group.

Y1에 있어서의 방향족 탄화 수소기는, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기인 것이 바람직하고, 탄소수 6~20의 방향족 탄화 수소기인 것이 보다 바람직하며, 벤젠환으로부터 2 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 더 바람직하고, 벤젠환으로부터 3 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 특히 바람직하다.The aromatic hydrocarbon group for Y 1 is preferably an aromatic hydrocarbon group of 6 to 30 carbon atoms, more preferably an aromatic hydrocarbon group of 6 to 20 carbon atoms, and still more preferably a group obtained by removing two or more hydrogen atoms from the benzene ring. and a group obtained by removing three or more hydrogen atoms from the benzene ring is particularly preferred.

식 (1-1) 중, Y1에 있어서의, 식 (1-1)에 기재된 2개의 *와의 결합 부위는, 모두 방향족 탄화 수소기인 것이 바람직하다. 즉, 식 (1-1)에 기재된 2개의 *는, Y1에 포함되는 방향족 탄화 수소환 구조와, 직접 결합하는 것이 바람직하다.In formula (1-1), it is preferable that all of the bonding sites with two * described in formula (1-1) in Y 1 are aromatic hydrocarbon groups. That is, it is preferable that the two * described in Formula (1-1) bond directly with the aromatic hydrocarbon ring structure contained in Y 1 .

또, 식 (1-1) 중, Y1에 있어서의, P1과의 결합 부위는, 모두 방향족 탄화 수소기인 것이 바람직하다. 즉, P1은, Y1에 포함되는 방향족 탄화 수소환 구조와, 직접 결합하는 것이 바람직하다.Moreover, in formula (1-1), it is preferable that all of the bonding sites with P 1 in Y 1 are aromatic hydrocarbon groups. That is, P 1 is preferably directly bonded to the aromatic hydrocarbon ring structure included in Y 1 .

Y1은, 하기 식 (A2-1)~식 (A2-5)로 나타나는 구조로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 구조를 포함하는 것이 바람직하고, 상술한 식 (A2-1)~식 (A2-5)로 나타나는 구조로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 구조인 것이 보다 바람직하다.Y 1 preferably contains at least one structure selected from the group consisting of structures represented by the following formulas (A2-1) to (A2-5), and the above formulas (A2-1) to (A2-5) It is more preferable that it is at least 1 sort(s) of structure selected from the group which consists of structures represented by -5).

[화학식 8][Formula 8]

Figure pct00009
Figure pct00009

식 (A2-1)~(A2-5) 중, RA211~RA214, RA221~RA224, RA231~RA238, RA241~RA248 및 RA251~RA258은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 환상 알킬기, 알콕시기, 하이드록시기, 사이아노기, 할로젠화 알킬기, 또는, 할로젠 원자를 나타내고, LA231 및 LA241은 각각 독립적으로, 단결합, 카보닐기, 설폰일기, 2가의 포화 탄화 수소기, 2가의 불포화 탄화 수소기, 헤테로 원자, 헤테로환기, 또는, 할로젠화 알킬렌기를 나타내며, RA211~RA214 중 적어도 하나, RA221~RA224 중 적어도 하나, RA231~RA238 중 적어도 하나, RA241~RA248 중 적어도 하나, 및, RA251~RA258 중 적어도 하나가 상기 식 (1-1) 중의 P1과의 결합 부위여도 되고, *는 각각 독립적으로, 다른 구조와의 결합 부위를 나타낸다.In formulas (A2-1) to (A2-5), R A211 to R A214 , R A221 to R A224 , R A231 to R A238 , R A241 to R A248 and R A251 to R A258 are each independently a hydrogen atom , represents an alkyl group, a cyclic alkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group, a cyano group, a halogenated alkyl group, or a halogen atom, and L A231 and L A241 are each independently a single bond, a carbonyl group, a sulfonyl group, 2 It represents a valent saturated hydrocarbon group, a divalent unsaturated hydrocarbon group, a heteroatom, a heterocyclic group, or a halogenated alkylene group, and at least one of R A211 to R A214 , at least one of R A221 to R A224 , R A231 to At least one of R A238 , at least one of R A241 to R A248 , and at least one of R A251 to R A258 may be a binding site to P 1 in the formula (1-1), and * is each independently Indicates the binding site with the structure.

이들 중에서도, 용제 용해성의 관점에서, Y1은 식 (A2-1)~식 (A2-4) 중 어느 하나로 나타나는 구조를 포함하는 것이 바람직하고, 식 (A2-2) 또는 식 (A2-4) 중 어느 하나로 나타나는 구조를 포함하는 것이 보다 바람직하다.Among these, from a viewpoint of solvent solubility, it is preferable that Y1 contains the structure represented by any of formula (A2-1) - formula (A2-4), and formula (A2-2) or formula (A2-4) It is more preferable to include a structure represented by any of the above.

식 (A2-1)~(A2-5) 중, RA211~RA214, RA221~RA224, RA231~RA238, RA241~RA248 및 RA251~RA258은, 상기 식 (1-1) 중의 카보닐기와의 결합 부위를 포함하지 않고, RA211~RA214 중 적어도 하나, RA221~RA224 중 적어도 하나, RA231~RA238 중 적어도 하나, RA241~RA248 중 적어도 하나, 및, RA251~RA258 중 적어도 하나가 상기 식 (1-1) 중의 P1과의 결합 부위여도 된다.In formulas (A2-1) to (A2-5), R A211 to R A214 , R A221 to R A224 , R A231 to R A238 , R A241 to R A248 and R A251 to R A258 are 1) at least one of R A211 to R A214 , at least one of R A221 to R A224 , at least one of R A231 to R A238 , at least one of R A241 to R A248 , And at least one of R A251 to R A258 may be a binding site with P 1 in the formula (1-1).

식 (A2-1) 중, RA211~RA214가 P1과의 결합 부위가 아닌 경우, RA211~RA214는 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 3~12의 환상 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 하이드록시기, 사이아노기, 탄소수 1~3의 할로젠화 알킬기, 또는, 할로젠 원자를 나타내는 것이 바람직하고, 용제 용해성의 관점에서는, 수소 원자, 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 탄소수 1~3의 할로젠화 알킬기가 보다 바람직하며, 수소 원자 또는 탄소수 1~6의 알킬기가 보다 바람직하다.In formula (A2-1), when R A211 to R A214 are not bonding sites to P 1 , R A211 to R A214 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a cyclic group having 3 to 12 carbon atoms. An alkyl group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxy group, a cyano group, a halogenated alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or a halogen atom is preferably represented, and from the viewpoint of solvent solubility, a hydrogen atom or a carbon number 1 An alkyl group of 6 to 6, an alkoxy group of 1 to 6 carbon atoms, and a halogenated alkyl group of 1 to 3 carbon atoms are more preferred, and a hydrogen atom or an alkyl group of 1 to 6 carbon atoms is more preferred.

상기 RA211~RA214에 있어서의 상기 할로젠화 알킬기에 있어서의 할로젠 원자, 또는, 상기 할로젠 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자 등을 들 수 있으며, 염소 원자 또는 브로민 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom in the halogenated alkyl group in R A211 to R A214 or the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, and the like, and a chlorine atom or a bromine atom is preferred.

식 (A2-2) 중, RA221~RA224는 식 (A2-1)에 있어서의 RA211~RA214와 각각 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.In formula (A2-2), R A221 to R A224 have the same meanings as R A211 to R A214 in formula (A2-1), and preferred embodiments are also the same.

식 (A2-3) 중, RA231~RA238은 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 3~12의 환상 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 하이드록시기, 사이아노기, 탄소수 1~3의 할로젠화 알킬기, 또는, 할로젠 원자를 나타내는 것이 바람직하고, 용제 용해성의 관점에서는, 수소 원자, 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 또는, 탄소수 1~3의 할로젠화 알킬기가 보다 바람직하며, 수소 원자 또는 탄소수 1~6의 알킬기가 보다 바람직하다.In formula (A2-3), R A231 to R A238 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cyclic alkyl group having 3 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyl group, or a cyano group. It is preferable to represent a group, a halogenated alkyl group of 1 to 3 carbon atoms, or a halogen atom, and from the viewpoint of solvent solubility, a hydrogen atom, an alkyl group of 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group of 1 to 6 carbon atoms, or a carbon atom A halogenated alkyl group of 1 to 3 is more preferable, and a hydrogen atom or an alkyl group of 1 to 6 carbon atoms is more preferable.

상기 RA231~RA238에 있어서의 상기 할로젠화 알킬기에 있어서의 할로젠 원자, 또는, 상기 할로젠 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자 등을 들 수 있으며, 염소 원자 또는 브로민 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom or the halogen atom in the halogenated alkyl group for R A231 to R A238 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, and the like, and a chlorine atom or a bromine atom is preferred.

식 (A2-3) 중, LA231은, 단결합, 탄소수 1~6의 2가의 포화 탄화 수소기, 탄소수 5~24의 2가의 불포화 탄화 수소기, -O-, -S-, -NRN-, 헤테로환기, 또는, 탄소수 1~6의 할로젠화 알킬렌기를 나타내는 것이 바람직하고, 단결합, 탄소수 1~6의 포화 탄화 수소기, -O- 또는 헤테로환기를 나타내는 것이 바람직하며, 단결합 또는 -O-를 나타내는 것이 더 바람직하다.In formula (A2-3), L A231 is a single bond, a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a divalent unsaturated hydrocarbon group having 5 to 24 carbon atoms, -O-, -S-, -NR N -, a heterocyclic group, or preferably representing a halogenated alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, and preferably representing a single bond, a saturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, -O- or a heterocyclic group, and a single bond or -O- is more preferred.

상기 RN은 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내고, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기가 보다 바람직하며, 수소 원자 또는 알킬기가 더 바람직하고, 수소 원자가 특히 바람직하다.R N represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, more preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, still more preferably a hydrogen atom or an alkyl group, and particularly preferably a hydrogen atom.

상기 2가의 불포화 탄화 수소기는, 2가의 지방족 불포화 탄화 수소기여도 되고, 2가의 방향족 탄화 수소기여도 되지만, 2가의 방향족 탄화 수소기인 것이 바람직하다.The divalent unsaturated hydrocarbon group may be a divalent aliphatic unsaturated hydrocarbon group or a divalent aromatic hydrocarbon group, but is preferably a divalent aromatic hydrocarbon group.

상기 헤테로환기로서는, 예를 들면, 지방족 또는 방향족 헤테로환으로부터 2개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 지방족 또는 방향족 헤테로환으로부터 2개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하며, 피롤리딘환, 테트라하이드로퓨란환, 테트라하이드로싸이오펜환, 피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 피페리딘환, 테트라하이드로피란환, 피리딘환, 모폴린환 등의 환 구조로부터 2개의 수소 원자를 제거한 기가 보다 바람직하다. 이들 헤테로환은, 또 다른 헤테로환 또는 탄화 수소환과 축합환을 형성하고 있어도 된다.As the heterocyclic group, for example, a group in which two hydrogen atoms have been removed from an aliphatic or aromatic heterocyclic ring is preferable, and a group in which two hydrogen atoms have been removed from an aliphatic or aromatic heterocyclic ring is preferable, and a pyrrolidine ring, tetrahydrofuran ring, A group obtained by removing two hydrogen atoms from a ring structure such as a tetrahydrothiophene ring, a pyrrole ring, a furan ring, a thiophene ring, a piperidine ring, a tetrahydropyran ring, a pyridine ring, and a morpholine ring is more preferable. These heterocycles may form condensed rings with other heterocycles or hydrocarbon rings.

상기 헤테로환의 환원수는, 5~10인 것이 바람직하고, 5 또는 6인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 5-10, and, as for the number of reduction of the said heterocyclic ring, it is more preferable that it is 5 or 6.

또, 상기 헤테로환기에 있어서의 헤테로 원자로서는, 산소 원자, 질소 원자, 또는, 황 원자인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that it is an oxygen atom, a nitrogen atom, or a sulfur atom as a hetero atom in the said heterocyclic group.

상기 할로젠화 알킬렌기에 있어서의 할로젠 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자 등을 들 수 있으며, 염소 원자 또는 브로민 원자가 바람직하다.As a halogen atom in the said halogenated alkylene group, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A chlorine atom or a bromine atom is preferable.

식 (A2-4) 중, RA241~RA248, LA241은 식 (A2-3)에 있어서의 RA231~RA238, LA231과 각각 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.In the formula (A2-4), R A241 to R A248 and L A241 have the same meaning as R A231 to R A238 and L A231 in the formula (A2-3), and the preferred embodiments are also the same.

식 (A2-5) 중, RA251~RA258은 식 (A2-1)에 있어서의 RA211~RA214와 각각 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.In formula (A2-5), R A251 to R A258 have the same meanings as R A211 to R A214 in formula (A2-1), and preferred embodiments are also the same.

식 (A2-1) 중, RA211~RA214 중 적어도 하나가, 식 (1-1) 중의 P1과의 결합 부위인 것이 바람직하고, RA211~RA214 중 하나가 상기 P1과의 결합 부위인 것이 보다 바람직하며, RA213이 상기 P1과의 결합 부위인 것이 바람직하다.In formula (A2-1), at least one of R A211 to R A214 is preferably a binding site to P 1 in formula (1-1), and one of R A211 to R A214 binds to P 1 It is more preferably a site, and it is preferable that R A213 is a binding site with P 1 above.

식 (A2-2) 중, RA221~RA224 중 적어도 하나가, 식 (1-1) 중의 P1과의 결합 부위인 것이 바람직하고, RA221~RA224 중 하나가 상기 P1과의 결합 부위인 것이 보다 바람직하며, RA223이 상기 P1과의 결합 부위인 것이 바람직하다.In formula (A2-2), at least one of R A221 to R A224 is preferably a binding site to P 1 in formula (1-1), and one of R A221 to R A224 binds to P 1 It is more preferably a site, and it is preferable that R A223 is a binding site with P 1 .

식 (A2-3) 중, RA231~RA238 중 적어도 하나가, 식 (1-1) 중의 P1과의 결합 부위인 것이 바람직하고, RA231~RA238 중 2개가, 상기 P1과의 결합 부위인 것이 보다 바람직하며, RA231~RA234 중 1개와, RA235~RA238 중 1개의 합계 2개가 상기 P1과의 결합 부위인 것이 더 바람직하고, RA231 및 RA238의 2개가, 상기 P1과의 결합 부위인 것이 특히 바람직하다.In formula (A2-3), at least one of R A231 to R A238 is preferably a binding site to P 1 in formula ( 1-1 ), and two of R A231 to R A238 are It is more preferably a binding site, and a total of two of one of R A231 to R A234 and one of R A235 to R A238 is more preferably a binding site to P 1 , and two of R A231 and R A238 , Particularly preferred is a binding site with the aforementioned P 1 .

식 (A2-4) 중, RA241~RA248 중 적어도 하나가, 식 (1-1) 중의 P1과의 결합 부위인 것이 바람직하고, RA241~RA248 중 2개가, 상기 P1과의 결합 부위인 것이 보다 바람직하며, RA241~RA244 중 1개와, RA245~RA248 중 1개의 합계 2개가 상기 P1과의 결합 부위인 것이 더 바람직하고, RA241 및 RA248의 2개가, 상기 P1과의 결합 부위인 것이 특히 바람직하다.In formula (A2-4), at least one of R A241 to R A248 is preferably a binding site to P 1 in formula ( 1-1 ), and two of R A241 to R A248 are It is more preferably a binding site, and a total of two of one of R A241 to R A244 and one of R A245 to R A248 is more preferably a binding site to P 1 , and two of R A241 and R A248 , Particularly preferred is a binding site with the aforementioned P 1 .

식 (A2-5) 중, RA251~RA258 중 적어도 1개가, 식 (1-1) 중의 P1과의 결합 부위인 것이 바람직하고, RA251~RA258 중 2개가, 상기 P1과의 결합 부위인 것이 보다 바람직하며, RA251~RA254 중 1개와, RA255~RA258 중 1개의 합계 2개가 상기 P1과의 결합 부위인 것이 더 바람직하고, RA253 및 RA257의 2개가, 상기 P1과의 결합 부위인 것이 특히 바람직하다.In formula (A2-5), at least one of R A251 to R A258 is preferably a binding site to P 1 in formula ( 1-1 ), and two of R A251 to R A258 are It is more preferably a binding site, and a total of two of one of R A251 to R A254 and one of R A255 to R A258 is more preferably a binding site to P 1 , and two of R A253 and R A257 , Particularly preferred is a binding site with the aforementioned P 1 .

식 (A2-1)~식 (A2-5) 중, 2개의 *는 각각, 식 (1-1) 중의 *인 것이 바람직하다. 즉, 식 (2) 중의 R111이 결합하는 2개의 질소 원자는, 식 (A2-1)~식 (A2-5) 중의 2개의 *로 나타나는 위치와 직접 결합하는 것이 바람직하다.In formulas (A2-1) to (A2-5), each of the two * is preferably * in formula (1-1). That is, it is preferable that the two nitrogen atoms to which R 111 in Formula (2) bonds are bonded directly to positions indicated by two * in Formulas (A2-1) to (A2-5).

이들 중에서도, Y1은, 하기 식 (Y-1) 또는 (Y-2)로 나타나는 기인 것이 바람직하다.Among these, Y 1 is preferably a group represented by the following formula (Y-1) or (Y-2).

[화학식 9][Formula 9]

Figure pct00010
Figure pct00010

식 (Y-1) 중, RY11, RY12, RY13은 각각, 식 (A2-1)에 있어서의 RA211, RA212 및 RA214와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.In formula (Y-1), R Y11 , R Y12 , and R Y13 have the same meanings as R A211 , R A212 and R A214 in formula (A2-1), and preferred embodiments are also the same.

식 (Y-2) 중, RY21~RY26은 각각, 식 (A2-4)에 있어서의 RA242~RA247과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.In formula (Y-2), R Y21 to R Y26 each have the same meaning as R A242 to R A247 in formula (A2-4), and preferred embodiments are also the same.

식 (Y-1) 또는 식 (Y-2) 중, *는 각각, 식 (2) 중의 R111이 결합하는 2개의 질소 원자와의 결합 부위를, #은 각각, 식 (1-1) 중의 P1과의 결합 부위를, 각각 나타내고 있다.In formula (Y-1) or formula (Y-2), * represents a bonding site to two nitrogen atoms to which R 111 in formula (2) bonds, respectively, and # represents a bonding site to two nitrogen atoms in formula (1-1), respectively. Binding sites to P 1 are shown respectively.

-P1--P 1 -

식 (1-1) 중, P1은 중합성기를 포함하는 기를 나타낸다.In Formula (1-1), P 1 represents a group containing a polymerizable group.

중합성기로서는, 에틸렌성 불포화기, 환상 에터기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기를 포함하는 기가 바람직하고, 바이닐기, (메트)알릴기, (메트)아크릴아마이드기, (메트)아크릴옥시기, 말레이미드기, 바이닐페닐기, 에폭시기, 옥세탄일기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기가 보다 바람직하며, (메트)아크릴옥시기, (메트)아크릴아마이드기, 에폭시기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기가 더 바람직하다.As the polymerizable group, a group containing an ethylenically unsaturated group, a cyclic ether group, a methylol group or an alkoxymethyl group is preferable, and a vinyl group, a (meth)allyl group, a (meth)acrylamide group, a (meth)acryloxy group, and a maleimide group. group, vinylphenyl group, epoxy group, oxetanyl group, methylol group or alkoxymethyl group is more preferred, and (meth)acryloxy group, (meth)acrylamide group, epoxy group, methylol group or alkoxymethyl group is more preferred.

P1에 포함되는 중합성기의 수는, 1개 이상이며, 1~15개인 것이 바람직하고, 1~10개인 것이 보다 바람직하며, 1~5개인 것이 더 바람직하고, 1 또는 2개인 것이 특히 바람직하며, 1개인 것이 가장 바람직하다.The number of polymerizable groups contained in P 1 is 1 or more, preferably 1 to 15, more preferably 1 to 10, still more preferably 1 to 5, particularly preferably 1 or 2, , most preferably one.

또, P1은 하기 식 (P-1)로 나타나는 기인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that P1 is a group represented by the following formula (P- 1 ).

[화학식 10][Formula 10]

Figure pct00011
Figure pct00011

식 (P-1) 중, L1은 단결합 또는 m+1가의 연결기를 나타내고, A2는 중합성기를 나타내며, m은 1 이상의 정수를 나타내고, *는 Y1과의 결합 부위를 나타낸다.In formula (P-1), L 1 represents a single bond or an m+1 valent linking group, A 2 represents a polymerizable group, m represents an integer greater than or equal to 1, and * represents a bonding site with Y 1 .

식 (P-1) 중, L1은 단결합, 또는, 탄화 수소기, 에터 결합, 카보닐기, 싸이오에터 결합, 설폰일기, -NRN-, 혹은, 이들이 2 이상 결합한 기가 바람직하고, 단결합, 또는, 탄화 수소기, 에터 결합, 카보닐기, -NRN-, 혹은, 이들이 2 이상 결합한 기가 보다 바람직하다.In formula (P-1), L 1 is preferably a single bond, a hydrocarbon group, an ether bond, a carbonyl group, a thioether bond, a sulfonyl group, -NR N -, or a group in which two or more of these are bonded together, provided A bond, or a hydrocarbon group, an ether bond, a carbonyl group, -NR N -, or a group in which two or more of these are bonded is more preferable.

상기 RN은 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내고, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기가 보다 바람직하며, 수소 원자 또는 알킬기가 더 바람직하고, 수소 원자가 특히 바람직하다.R N represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, more preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, still more preferably a hydrogen atom or an alkyl group, and particularly preferably a hydrogen atom.

상기 L1에 있어서의 탄화 수소기로서는, 탄소수 1~30의 포화 지방족 탄화 수소기, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기, 또는, 이들의 조합에 의하여 나타나는 기가 바람직하고, 탄소수 1~10의 포화 지방족 탄화 수소기, 벤젠환으로부터 2 이상의 수소 원자를 제거한 기, 또는, 이들의 결합에 의하여 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.The hydrocarbon group for L 1 is preferably a saturated aliphatic hydrocarbon group of 1 to 30 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group of 6 to 30 carbon atoms, or a group represented by a combination thereof, and a saturated carbon atom of 1 to 10 carbon atoms. More preferred is an aliphatic hydrocarbon group, a group in which two or more hydrogen atoms have been removed from the benzene ring, or a group represented by a bond thereof.

식 (P-1) 중, A2는 바이닐기, (메트)알릴기, (메트)아크릴아마이드기, (메트)아크릴옥시기, 말레이미드기, 바이닐페닐기, 에폭시기, 옥세탄일기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기가 바람직하고, (메트)아크릴옥시기, (메트)아크릴아마이드기, 에폭시기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기가 보다 바람직하다.In formula (P-1), A 2 is a vinyl group, a (meth)allyl group, a (meth)acrylamide group, a (meth)acryloxy group, a maleimide group, a vinylphenyl group, an epoxy group, an oxetanyl group, a methylol group, or An alkoxymethyl group is preferable, and a (meth)acryloxy group, a (meth)acrylamide group, an epoxy group, a methylol group, or an alkoxymethyl group is more preferable.

식 (P-1) 중, m은 1~15의 정수인 것이 바람직하고, 1~10의 정수인 것이 보다 바람직하며, 1~5의 정수인 것이 더 바람직하고, 1 또는 2인 것이 특히 바람직하며, 1인 것이 가장 바람직하다.In formula (P-1), m is preferably an integer of 1 to 15, more preferably an integer of 1 to 10, still more preferably an integer of 1 to 5, particularly preferably 1 or 2, and 1 is most preferable

또, P1은 하기 식 (P-2) 또는 식 (P-3)으로 나타나는 기인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that P1 is a group represented by the following formula (P - 2) or formula (P-3).

[화학식 11][Formula 11]

Figure pct00012
Figure pct00012

식 (P-2) 중, A2는 중합성기를 나타내고, *는 Y1과의 결합 부위를 나타낸다.In formula (P-2), A 2 represents a polymerizable group, and * represents a bonding site with Y 1 .

식 (P-2) 중, A2는 식 (P-1)에 있어서의 A2와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.In formula (P-2), A 2 has the same meaning as A 2 in formula (P-1), and the preferable aspect is also the same.

식 (P-3) 중, A2는 중합성기를 나타내고, L2는 탄화 수소기, 또는, 탄화 수소기와, 에터 결합, 카보닐기, 싸이오에터 결합, 설폰일기, -NRN-, 혹은, 이들이 2 이상 결합한 기를 나타내며, Z1은 에터 결합, 에스터 결합, 유레테인 결합, 유레아 결합, 아마이드 결합, 또는, 카보네이트 결합을 나타내고, *는 Y1과의 결합 부위를 나타낸다. RN은 상술한 바와 같다.In formula (P-3), A 2 represents a polymerizable group, L 2 represents a hydrocarbon group, or a hydrocarbon group, an ether bond, a carbonyl group, a thioether bond, a sulfonyl group, -NR N -, or Represents a group in which two or more of these are bonded together, Z 1 represents an ether bond, an ester bond, a urethane bond, a urea bond, an amide bond, or a carbonate bond, and * represents a bonding site with Y 1 . R N is as described above.

식 (P-3) 중, A2는 식 (P-1)에 있어서의 A2와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.In formula (P-3), A 2 has the same meaning as A 2 in formula (P-1), and the preferable aspect is also the same.

식 (P-3) 중, L2는 탄화 수소기, (폴리)알킬렌옥시기, 또는, 이들의 조합에 의하여 나타나는 기가 바람직하다. 상기 탄화 수소기로서는, 알킬렌기, 2가의 방향족 탄화 수소기, 또는 이들의 조합에 의하여 나타나는 기인 것이 바람직하고, 알킬렌기인 것이 보다 바람직하다.In formula (P-3), L 2 is preferably a hydrocarbon group, a (poly)alkyleneoxy group, or a group represented by a combination thereof. As the hydrocarbon group, an alkylene group, a divalent aromatic hydrocarbon group, or a group represented by a combination thereof is preferable, and an alkylene group is more preferable.

본 명세서에 있어서, (폴리)알킬렌옥시기란, 알킬렌옥시기 또는 폴리알킬렌옥시기를 의미한다. 또, 본 발명에 있어서, 폴리알킬렌옥시기란, 알킬렌옥시기가 2 이상 직접 결합한 기를 말한다. 폴리알킬렌옥시기에 포함되는 복수의 알킬렌옥시기에 있어서의 알킬렌기는, 각각 동일해도 되고 상이해도 된다. 폴리알킬렌옥시기가, 알킬렌기가 상이한 복수 종의 알킬렌옥시기를 포함하는 경우, 폴리알킬렌옥시기에 있어서의 알킬렌옥시기의 배열은, 랜덤인 배열이어도 되고, 블록을 갖는 배열이어도 되며, 교호 등의 패턴을 갖는 배열이어도 된다.In this specification, a (poly)alkyleneoxy group means an alkyleneoxy group or a polyalkyleneoxy group. In the present invention, a polyalkyleneoxy group refers to a group in which two or more alkyleneoxy groups are directly bonded. The alkylene groups in the plurality of alkyleneoxy groups contained in the polyalkyleneoxy group may be the same or different. When the polyalkyleneoxy group includes a plurality of types of alkyleneoxy groups from which the alkylene groups differ, the arrangement of the alkyleneoxy groups in the polyalkyleneoxy group may be random arrangement, block arrangement, alternating arrangement, etc. It may be an array having a pattern of

상기 알킬렌기로서는, 탄소수 1~30의 알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 1~20의 알킬렌기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~10의 알킬렌기가 더 바람직하다.As said alkylene group, a C1-C30 alkylene group is preferable, a C1-C20 alkylene group is more preferable, and a C1-C10 alkylene group is still more preferable.

상기 방향족 탄화 수소기로서는, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기가 바람직하고, 탄소수 6~20의 방향족 탄화 수소기가 보다 바람직하며, 페닐렌기 또는 나프틸렌기가 더 바람직하고, 페닐렌기가 특히 바람직하다.As the aromatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms is preferable, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms is more preferable, a phenylene group or a naphthylene group is more preferable, and a phenylene group is particularly preferable.

상기 (폴리)알킬렌옥시기에 있어서의 알킬렌기로서는, 탄소수 2~10의 알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 2~4의 알킬렌기가 보다 바람직하며, 에틸렌기 또는 프로필렌기가 보다 바람직하고, 에틸렌기가 더 바람직하다.The alkylene group in the (poly)alkyleneoxy group is preferably an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms, more preferably an ethylene group or a propylene group, and even more preferably an ethylene group Do.

또, 폴리알킬렌옥시기에 포함되는 알킬렌옥시기의 수(폴리알킬렌옥시기의 반복수)는, 2~20이 바람직하고, 2~10이 보다 바람직하며, 2~5가 더 바람직하고, 2~4가 특히 바람직하다.The number of alkyleneoxy groups contained in the polyalkyleneoxy group (repeat number of polyalkyleneoxy groups) is preferably from 2 to 20, more preferably from 2 to 10, still more preferably from 2 to 5, and from 2 to 20. 4 is particularly preferred.

식 (P-3) 중, Z1은 에터 결합, 에스터 결합, 유레테인 결합, 유레아 결합, 아마이드 결합, 또는, 카보네이트 결합을 나타내고, 에스터 결합, 유레테인 결합, 유레아 결합, 또는, 아마이드 결합이 보다 바람직하다.In formula (P-3), Z 1 represents an ether bond, an ester bond, a urethane bond, a urea bond, an amide bond, or a carbonate bond, and an ester bond, a urethane bond, a urea bond, or an amide bond. more preferable than this

본 발명에 있어서, 간단히 "에스터 결합", "유레테인 결합", "아마이드 결합" 등으로 기재한 경우, 이들의 결합의 방향은 한정되지 않는 것으로 한다. 예를 들면, 상기 Z1이 에스터 결합인 경우, Z1에 있어서의 L2와의 결합 부위는, 에스터 결합에 있어서의 탄소 원자여도 되고, 산소 원자여도 된다.In the present invention, when simply described as "ester bond", "urethane bond", "amide bond" or the like, the directions of these bonds are not limited. For example, when Z 1 is an ester bond, the bonding site with L 2 in Z 1 may be a carbon atom or an oxygen atom in the ester bond.

식 (2)에 있어서의 R115는, 4가의 유기기를 나타낸다. 4가의 유기기로서는, 방향환을 포함하는 4가의 유기기가 바람직하고, 하기 식 (5) 또는 식 (6)으로 나타나는 기가 보다 바람직하다.R 115 in Formula (2) represents a tetravalent organic group. As the tetravalent organic group, a tetravalent organic group containing an aromatic ring is preferable, and a group represented by the following formula (5) or formula (6) is more preferable.

식 (5) 또는 식 (6) 중, *는 각각 독립적으로, 다른 구조와의 결합 부위를 나타낸다.In formula (5) or formula (6), * each independently represents a binding site with another structure.

[화학식 12][Formula 12]

Figure pct00013
Figure pct00013

식 (5) 중, R112는, 단결합, 또는, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 지방족 탄화 수소기, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, 및 NHCO-, 및, 이들의 조합으로부터 선택되는 기인 것이 바람직하고, 단결합, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~3의 알킬렌기, -O-, -CO-, -S- 및 SO2-로부터 선택되는 기인 것이 보다 바람직하며, -CH2-, -C(CF3)2-, -C(CH3)2-, -O-, -CO-, -S- 및 SO2-로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 기인 것이 더 바람직하다.In Formula (5), R 112 is a single bond or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, and NHCO It is preferably a group selected from -, and combinations thereof, and is selected from a single bond, an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -CO-, -S- and SO 2 - It is more preferably a group, and is selected from the group consisting of -CH 2 -, -C(CF 3 ) 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -O-, -CO-, -S- and SO 2 - A divalent group is more preferable.

R115는, 구체적으로는, 테트라카복실산 이무수물로부터 무수물기의 제거 후에 잔존하는 테트라카복실산 잔기 등을 들 수 있다. 테트라카복실산 이무수물은, 1종만 이용해도 되고, 2종 이상 이용해도 된다.Specific examples of R 115 include tetracarboxylic acid residues remaining after removal of the anhydride group from tetracarboxylic dianhydride. As for tetracarboxylic dianhydride, only 1 type may be used, and 2 or more types may be used.

테트라카복실산 이무수물은, 하기 식 (O)로 나타나는 것이 바람직하다.Tetracarboxylic dianhydride is preferably represented by the following formula (O).

[화학식 13][Formula 13]

Figure pct00014
Figure pct00014

식 (O) 중, R115는, 4가의 유기기를 나타낸다. R115의 바람직한 범위는 식 (2)에 있어서의 R115와 동일한 의미이며, 바람직한 범위도 동일하다.In Formula (O), R 115 represents a tetravalent organic group. The preferred range of R 115 has the same meaning as that of R 115 in Formula (2), and the preferred range is also the same.

테트라카복실산 이무수물의 구체예로서는, 파이로멜리트산 이무수물(PMDA), 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-다이페닐설파이드테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-다이페닐설폰테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-다이페닐메테인테트라카복실산 이무수물, 2,2',3,3'-다이페닐메테인테트라카복실산 이무수물, 2,3,3',4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 2,3,3',4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 4,4'-옥시다이프탈산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,7-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)프로페인 이무수물, 2,2-비스(2,3-다이카복시페닐)프로페인 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)헥사플루오로프로페인 이무수물, 1,3-다이페닐헥사플루오로프로페인-3,3,4,4-테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,6-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 2,2',3,3'-다이페닐테트라카복실산 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카복실산 이무수물, 1,2,4,5-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,8,9,10-페난트렌테트라카복실산 이무수물, 1,1-비스(2,3-다이카복시페닐)에테인 이무수물, 1,1-비스(3,4-다이카복시페닐)에테인 이무수물, 1,2,3,4-벤젠테트라카복실산 이무수물, 및, 이들의 탄소수 1~6의 알킬 및 탄소수 1~6의 알콕시 유도체를 들 수 있다.Specific examples of tetracarboxylic dianhydride include pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, and 3,3',4,4'-diphenylsulfide tetracarboxylic dianhydride. Water, 3,3',4,4'-diphenylsulfotetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-diphenylmethane Intertetracarboxylic dianhydride, 2,2',3,3'-diphenylmethanetetracarboxylic dianhydride, 2,3,3',4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3',4 '-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2, 2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)propane dianhydride, 2,2-bis(2,3-dicarboxyphenyl)propane dianhydride, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl) Hexafluoropropane dianhydride, 1,3-diphenylhexafluoropropane-3,3,4,4-tetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,2 ',3,3'-diphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8 -Naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,8,9,10-phenanthrenetetracarboxylic dianhydride, 1,1-bis(2,3-dicarboxyphenyl)ethane dianhydride, 1,1-bis(3,4- dicarboxyphenyl)ethane dianhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic acid dianhydride, and C1-C6 alkyl and C1-C6 alkoxy derivatives thereof.

또, 국제 공개공보 제2017/038598호의 단락 0038에 기재된 테트라카복실산 이무수물 (DAA-1)~(DAA-5)도 바람직한 예로서 들 수 있다.Moreover, tetracarboxylic dianhydride (DAA-1) of Paragraph 0038 of International Publication No. 2017/038598 - (DAA-5) are also mentioned as a preferable example.

R111과 R115 중 적어도 일방이 OH기를 갖는 것도 바람직하다. 보다 구체적으로는, R111로서, 비스아미노페놀 유도체의 잔기를 들 수 있다.It is also preferable that at least one of R 111 and R 115 has an OH group. More specifically, as R 111 , residues of bisaminophenol derivatives are exemplified.

R113 및 R114는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, R113 및 R114 중 적어도 일방이 중합성기를 포함하는 것이 바람직하고, 양방이 중합성기를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 중합성기로서는, 열, 라디칼 등의 작용에 의하여, 가교 반응하는 것이 가능한 기이며, 라디칼 중합성기가 바람직하다. 특정 수지에 있어서의 중합성기의 구체예로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기, 알콕시메틸기, 하이드록시메틸기, 아실옥시메틸기, 에폭시기, 옥세탄일기, 벤즈옥사졸일기, 블록 아이소사이아네이트기, 메틸올기, 아미노기를 들 수 있다. 폴리이미드 전구체 등이 갖는 라디칼 중합성기로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기가 바람직하다.R 113 and R 114 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, and preferably at least one of R 113 and R 114 contains a polymerizable group, and more preferably both contain a polymerizable group. As the polymerizable group, it is a group capable of undergoing a crosslinking reaction by the action of heat, a radical, or the like, and a radical polymerizable group is preferable. As specific examples of the polymerizable group in specific resin, a group having an ethylenically unsaturated bond, an alkoxymethyl group, a hydroxymethyl group, an acyloxymethyl group, an epoxy group, an oxetanyl group, a benzoxazolyl group, a block isocyanate group, a methylol group , an amino group. As the radical polymerizable group that the polyimide precursor or the like has, a group having an ethylenically unsaturated bond is preferable.

에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기로서는, 바이닐기, (메트)알릴기, 하기 식 (III)으로 나타나는 기 등을 들 수 있으며, 하기 식 (III)으로 나타나는 기가 바람직하다.Examples of the group having an ethylenically unsaturated bond include a vinyl group, a (meth)allyl group, and a group represented by the following formula (III), with the group represented by the following formula (III) being preferred.

[화학식 14][Formula 14]

Figure pct00015
Figure pct00015

식 (III)에 있어서, R200은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 수소 원자가 바람직하다.In Formula (III), R 200 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom.

식 (III)에 있어서, *는 다른 구조와의 결합 부위를 나타낸다.In formula (III), * represents a binding site with another structure.

식 (III)에 있어서, R201은, 탄소수 2~12의 알킬렌기, -CH2CH(OH)CH2- 또는 폴리알킬렌옥시기를 나타낸다.In Formula (III), R 201 represents an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, -CH 2 CH(OH)CH 2 - or a polyalkyleneoxy group.

적합한 R201의 예는, 에틸렌기, 프로필렌기, 트라이메틸렌기, 테트라메틸렌기, 1,2-뷰테인다이일기, 1,3-뷰테인다이일기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 옥타메틸렌기, 도데카메틸렌기, -CH2CH(OH)CH2-, 폴리알킬렌옥시기를 들 수 있고, 에틸렌기, 프로필렌기, 트라이메틸렌기, -CH2CH(OH)CH2-, 폴리알킬렌옥시기가 보다 바람직하며, 폴리알킬렌옥시기가 더 바람직하다.Examples of suitable R 201 include ethylene group, propylene group, trimethylene group, tetramethylene group, 1,2-butanediyl group, 1,3-butanediyl group, pentamethylene group, hexamethylene group, octamethylene group , dodecamethylene group, -CH 2 CH(OH)CH 2 -, polyalkyleneoxy group, ethylene group, propylene group, trimethylene group, -CH 2 CH(OH)CH 2 -, polyalkylene An oxy group is more preferable, and a polyalkyleneoxy group is still more preferable.

본 발명에 있어서, 폴리알킬렌옥시기란, 알킬렌옥시기가 2 이상 직접 결합한 기를 말한다. 폴리알킬렌옥시기에 포함되는 복수의 알킬렌옥시기에 있어서의 알킬렌기는, 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.In the present invention, the polyalkyleneoxy group refers to a group in which two or more alkyleneoxy groups are directly bonded. The alkylene groups in the plurality of alkyleneoxy groups contained in the polyalkyleneoxy group may be the same or different.

폴리알킬렌옥시기가, 알킬렌기가 상이한 복수 종의 알킬렌옥시기를 포함하는 경우, 폴리알킬렌옥시기에 있어서의 알킬렌옥시기의 배열은, 랜덤인 배열이어도 되고, 블록을 갖는 배열이어도 되며, 교호 등의 패턴을 갖는 배열이어도 된다.When the polyalkyleneoxy group includes a plurality of types of alkyleneoxy groups from which the alkylene groups differ, the arrangement of the alkyleneoxy groups in the polyalkyleneoxy group may be random arrangement, block arrangement, alternating arrangement, etc. It may be an array having a pattern of

상기 알킬렌기의 탄소수(알킬렌기가 치환기를 갖는 경우, 치환기의 탄소수를 포함한다)는, 2 이상인 것이 바람직하고, 2~10인 것이 보다 바람직하며, 2~6인 것이 보다 바람직하고, 2~5인 것이 더 바람직하며, 2~4인 것이 한층 바람직하고, 2 또는 3인 것이 특히 바람직하며, 2인 것이 가장 바람직하다.The number of carbon atoms in the alkylene group (including the number of carbon atoms in the substituent when the alkylene group has a substituent) is preferably 2 or more, more preferably 2 to 10, more preferably 2 to 6, and 2 to 5 More preferably, 2 to 4 is more preferable, 2 or 3 is particularly preferable, and 2 is most preferable.

또, 상기 알킬렌기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 바람직한 치환기로서는, 알킬기, 아릴기, 할로젠 원자 등을 들 수 있다.Moreover, the said alkylene group may have a substituent. As a preferable substituent, an alkyl group, an aryl group, a halogen atom, etc. are mentioned.

또, 폴리알킬렌옥시기에 포함되는 알킬렌옥시기의 수(폴리알킬렌옥시기의 반복수)는, 2~20이 바람직하고, 2~10이 보다 바람직하며, 2~6이 더 바람직하다.Moreover, 2-20 are preferable, as for the number of alkyleneoxy groups (repeating number of polyalkyleneoxy groups) contained in a polyalkyleneoxy group, 2-10 are more preferable, and 2-6 are still more preferable.

폴리알킬렌옥시기로서는, 용제 용해성 및 내용제성의 관점에서는, 폴리에틸렌옥시기, 폴리프로필렌옥시기, 폴리트라이메틸렌옥시기, 폴리테트라메틸렌옥시기, 또는, 복수의 에틸렌옥시기와 복수의 프로필렌옥시기가 결합한 기가 바람직하고, 폴리에틸렌옥시기 또는 폴리프로필렌옥시기가 보다 바람직하며, 폴리에틸렌옥시기가 더 바람직하다. 상기 복수의 에틸렌옥시기와 복수의 프로필렌옥시기가 결합한 기에 있어서, 에틸렌옥시기와 프로필렌옥시기는 랜덤으로 배열되어 있어도 되고, 블록을 형성하여 배열되어 있어도 되며, 교호 등의 패턴상으로 배열되어 있어도 된다. 이들 기에 있어서의 에틸렌옥시기 등의 반복수의 바람직한 양태는 상술한 바와 같다.As the polyalkyleneoxy group, from the viewpoint of solvent solubility and solvent resistance, a polyethyleneoxy group, a polypropyleneoxy group, a polytrimethyleneoxy group, a polytetramethyleneoxy group, or a group in which a plurality of ethyleneoxy groups and a plurality of propyleneoxy groups are bonded It is preferable, a polyethyleneoxy group or a polypropyleneoxy group is more preferable, and a polyethyleneoxy group is still more preferable. In the group in which a plurality of ethyleneoxy groups and a plurality of propyleneoxy groups are bonded, the ethyleneoxy groups and propyleneoxy groups may be arranged randomly, may be arranged in blocks, or may be arranged in patterns such as alternation. Preferred aspects of the number of repeats such as ethyleneoxy groups in these groups are as described above.

R113 및 R114는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기이다. 1가의 유기기로서는, 아릴기를 구성하는 탄소 중 1개, 2개 또는 3개에, 바람직하게는 1개에 산성기를 결합하고 있는, 방향족기 및 아랄킬기 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 산성기를 갖는 탄소수 6~20의 방향족기, 산성기를 갖는 탄소수 7~25의 아랄킬기를 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 산성기를 갖는 페닐기 및 산성기를 갖는 벤질기를 들 수 있다. 산성기는, OH기가 바람직하다.R 113 and R 114 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group. Examples of the monovalent organic group include an aromatic group and an aralkyl group having an acidic group bonded to one, two or three, preferably one, of the carbons constituting the aryl group. Specifically, an aromatic group having 6 to 20 carbon atoms having an acidic group and an aralkyl group having 7 to 25 carbon atoms having an acidic group are exemplified. More specifically, a phenyl group having an acidic group and a benzyl group having an acidic group are exemplified. The acidic group is preferably an OH group.

R113 또는 R114가, 수소 원자, 2-하이드록시벤질, 3-하이드록시벤질 및 4-하이드록시벤질인 것도 보다 바람직하다.It is more preferable that R 113 or R 114 is a hydrogen atom, 2-hydroxybenzyl, 3-hydroxybenzyl or 4-hydroxybenzyl.

유기 용제에 대한 용해도의 관점에서는, R113 또는 R114는, 1가의 유기기인 것이 바람직하다. 1가의 유기기로서는, 직쇄 또는 분기의 알킬기, 환상 알킬기, 방향족기를 포함하는 것이 바람직하고, 방향족기로 치환된 알킬기가 보다 바람직하다.From the viewpoint of solubility in organic solvents, R 113 or R 114 is preferably a monovalent organic group. The monovalent organic group preferably includes a straight-chain or branched alkyl group, a cyclic alkyl group, or an aromatic group, and more preferably an alkyl group substituted with an aromatic group.

알킬기의 탄소수는 1~30이 바람직하다. 알킬기는 직쇄, 분기, 환상 중 어느 것이어도 된다. 직쇄 또는 분기의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기, 테트라데실기, 옥타데실기, 아이소프로필기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, t-뷰틸기, 1-에틸펜틸기, 2-에틸헥실기, 2-(2-(2-메톡시에톡시)에톡시)에톡시기, 2-(2-(2-에톡시에톡시)에톡시)에톡시)에톡시기, 2-(2-(2-(2-메톡시에톡시)에톡시)에톡시)에톡시기, 및 2-(2-(2-(2-에톡시에톡시)에톡시)에톡시)에톡시기를 들 수 있다. 환상의 알킬기는, 단환의 환상의 알킬기여도 되고, 다환의 환상의 알킬기여도 된다. 단환의 환상의 알킬기로서는, 예를 들면, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기 및 사이클로옥틸기를 들 수 있다. 다환의 환상의 알킬기로서는, 예를 들면, 아다만틸기, 노보닐기, 보닐기, 캄펜일기, 데카하이드로나프틸기, 트라이사이클로데칸일기, 테트라사이클로데칸일기, 캄포로일기, 다이사이클로헥실기 및 피넨일기를 들 수 있다. 그중에서도, 고감도화와의 양립의 관점에서, 사이클로헥실기가 가장 바람직하다. 또, 방향족기로 치환된 알킬기로서는, 후술하는 방향족기로 치환된 직쇄 알킬기가 바람직하다.As for carbon number of an alkyl group, 1-30 are preferable. Alkyl groups may be straight-chain, branched, or cyclic. Examples of the straight-chain or branched alkyl group include methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, dodecyl, tetradecyl, octadecyl, Isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, 1-ethylpentyl group, 2-ethylhexyl group, 2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy group, 2 -(2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy group, 2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy group, and 2-( and a 2-(2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy group. The cyclic alkyl group may be a monocyclic cyclic alkyl group or a polycyclic cyclic alkyl group. As a monocyclic cyclic alkyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group are mentioned, for example. Examples of the polycyclic cyclic alkyl group include adamantyl group, norbornyl group, bornyl group, camphenyl group, decahydronaphthyl group, tricyclodecanyl group, tetracyclodecanyl group, camphoroyl group, dicyclohexyl group and pinenyl group. can be heard Among them, a cyclohexyl group is most preferable from the viewpoint of coexistence with high sensitivity. Moreover, as an aromatic group substituted alkyl group, the aromatic group substituted linear alkyl group mentioned later is preferable.

방향족기로서는, 구체적으로는, 치환 또는 무치환의 벤젠환, 나프탈렌환, 펜탈렌환, 인덴환, 아줄렌환, 헵탈렌환, 인다센환, 페릴렌환, 펜타센환, 아세나프텐환, 페난트렌환, 안트라센환, 나프타센환, 크리센환, 트라이페닐렌환, 플루오렌환, 바이페닐환, 피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 이미다졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환, 피리다진환, 인돌리진환, 인돌환, 벤조퓨란환, 벤조싸이오펜환, 아이소벤조퓨란환, 퀴놀리진환, 퀴놀린환, 프탈라진환, 나프티리딘환, 퀴녹살린환, 퀴녹사졸린환, 아이소퀴놀린환, 카바졸환, 페난트리딘환, 아크리딘환, 페난트롤린환, 싸이안트렌환, 크로멘환, 잔텐환, 페녹사싸이인환, 페노싸이아진환 또는 페나진환이다. 벤젠환이 가장 바람직하다.As the aromatic group, specifically, a substituted or unsubstituted benzene ring, naphthalene ring, pentalene ring, indene ring, azulene ring, heptalene ring, indacene ring, perylene ring, pentacene ring, acenaphthene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, Naphthacene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluorene ring, biphenyl ring, pyrrole ring, furan ring, thiophene ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, pyr Dajin ring, indolizine ring, indole ring, benzofuran ring, benzothiophene ring, isobenzofuran ring, quinolizine ring, quinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, quinoxaline ring, quinoxazoline ring, isoquinoline ring, carbazole ring, phenanthridine ring, acridine ring, phenanthroline ring, cyantrene ring, chromen ring, xanthene ring, phenoxacyine ring, phenothiazine ring or phenazine ring. A benzene ring is most preferred.

식 (2)에 있어서, R113이 수소 원자인 경우, 또는, R114가 수소 원자인 경우, 폴리이미드 전구체는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 3급 아민 화합물과 상대염을 형성하고 있어도 된다. 이와 같은 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 3급 아민 화합물의 예로서는, N,N-다이메틸아미노프로필메타크릴레이트를 들 수 있다.In formula (2), when R 113 is a hydrogen atom or when R 114 is a hydrogen atom, the polyimide precursor may form a relative salt with the tertiary amine compound having an ethylenically unsaturated bond. As an example of the tertiary amine compound which has such an ethylenically unsaturated bond, N,N- dimethylaminopropyl methacrylate is mentioned.

R113 및 R114 중 적어도 일방이, 산분해성기 등의 극성 변환기여도 된다. 산분해성기로서는, 산의 작용으로 분해되어, 페놀성 하이드록시기, 카복시기 등의 알칼리 가용성기를 발생시키는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 아세탈기, 케탈기, 실릴기, 실릴에터기, 제3급 알킬에스터기 등이 바람직하고, 노광 감도의 관점에서는, 아세탈기가 보다 바람직하다.At least one of R 113 and R 114 may be a polarity converter such as an acid decomposable group. The acid-decomposable group is not particularly limited as long as it decomposes under the action of an acid to generate an alkali-soluble group such as a phenolic hydroxyl group or a carboxy group. Acetal group, ketal group, silyl group, silylether group, tertiary alkyl An ester group or the like is preferable, and an acetal group is more preferable from the viewpoint of exposure sensitivity.

산분해성기의 구체예로서는, tert-뷰톡시카보닐기, 아이소프로폭시카보닐기, 테트라하이드로피란일기, 테트라하이드로퓨란일기, 에톡시에틸기, 메톡시에틸기, 에톡시메틸기, 트라이메틸실릴기, tert-뷰톡시카보닐메틸기, 트라이메틸실릴에터기 등을 들 수 있다. 노광 감도의 관점에서는, 에톡시에틸기, 또는, 테트라하이드로퓨란일기가 바람직하다.Specific examples of acid decomposable groups include tert-butoxycarbonyl group, isopropoxycarbonyl group, tetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group, ethoxyethyl group, methoxyethyl group, ethoxymethyl group, trimethylsilyl group, tert-bu A toxycarbonylmethyl group, a trimethylsilyl ether group, etc. are mentioned. From the viewpoint of exposure sensitivity, an ethoxyethyl group or a tetrahydrofuranyl group is preferable.

또, 폴리이미드 전구체는, 구조 단위 중에 불소 원자를 갖는 것도 바람직하다. 폴리이미드 전구체 중의 불소 원자 함유량은, 10질량% 이상이 바람직하고, 또, 20질량% 이하가 바람직하다.Moreover, it is also preferable that a polyimide precursor has a fluorine atom in a structural unit. The fluorine atom content in the polyimide precursor is preferably 10% by mass or more, and is preferably 20% by mass or less.

또, 기판과의 밀착성을 향상시킬 목적으로, 폴리이미드 전구체는, 실록세인 구조를 갖는 지방족기와 공중합되어 있어도 된다. 구체적으로는, 다이아민 성분으로서, 비스(3-아미노프로필)테트라메틸다이실록세인, 비스(p-아미노페닐)옥타메틸펜타실록세인 등을 들 수 있다.Moreover, for the purpose of improving adhesion to a substrate, the polyimide precursor may be copolymerized with an aliphatic group having a siloxane structure. Specifically, as a diamine component, bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, bis (p-aminophenyl) octamethylpentasiloxane, etc. are mentioned.

식 (2)로 나타나는 반복 단위는, 식 (2-A)로 나타나는 반복 단위인 것이 바람직하다. 즉, 본 발명에서 이용하는 폴리이미드 전구체 등의 적어도 1종이, 식 (2-A)로 나타나는 반복 단위를 갖는 전구체인 것이 바람직하다. 이와 같은 구조로 함으로써, 노광 래티튜드의 폭을 보다 확장시키는 것이 가능해진다.It is preferable that the repeating unit represented by Formula (2) is a repeating unit represented by Formula (2-A). That is, it is preferable that at least 1 sort(s), such as the polyimide precursor used by this invention, is a precursor which has a repeating unit represented by Formula (2-A). By setting it as such a structure, it becomes possible to further expand the width|variety of exposure latitude.

식 (2-A)Formula (2-A)

[화학식 15][Formula 15]

Figure pct00016
Figure pct00016

식 (2-A) 중, A1 및 A2는, 산소 원자를 나타내고, R111 및 R112는, 각각 독립적으로, 2가의 유기기를 나타내며, R113 및 R114는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R113 및 R114 중 적어도 일방은, 중합성기를 포함하는 기이며, 양방이 중합성기인 것이 바람직하다.In formula (2-A), A 1 and A 2 represent oxygen atoms, R 111 and R 112 each independently represent a divalent organic group, and R 113 and R 114 each independently represent a hydrogen atom. Alternatively, it represents a monovalent organic group, and at least one of R 113 and R 114 is a group containing a polymerizable group, and it is preferable that both are polymerizable groups.

A1, A2, R111, R113 및 R114는, 각각 독립적으로, 식 (2)에 있어서의 A1, A2, R111, R113 및 R114와 동일한 의미이며, 바람직한 범위도 동일하다.A 1 , A 2 , R 111 , R 113 and R 114 each independently have the same meaning as A 1 , A 2 , R 111 , R 113 and R 114 in Formula (2), and the preferred ranges are also the same. Do.

R112는, 식 (5)에 있어서의 R112와 동일한 의미이며, 바람직한 범위도 동일하다.R 112 has the same meaning as R 112 in Formula (5), and the preferred range is also the same.

폴리이미드 전구체는, 식 (2)로 나타나는 반복 구조 단위를 1종 포함하고 있어도 되지만, 2종 이상으로 포함하고 있어도 된다. 또, 식 (2)로 나타나는 반복 단위의 구조 이성체를 포함하고 있어도 된다. 또, 폴리이미드 전구체는, 상기 식 (2)의 반복 단위 외에, 다른 종류의 반복 구조 단위도 포함해도 되는 것은 말할 필요도 없다.The polyimide precursor may contain one type of repeating structural unit represented by Formula (2) or may include two or more types. Moreover, structural isomers of the repeating unit represented by Formula (2) may be included. In addition, it goes without saying that the polyimide precursor may also contain other types of repeating structural units in addition to the repeating units of the formula (2).

본 발명에 있어서의 폴리이미드 전구체의 일 실시형태로서, 전체 반복 단위의 50몰% 이상, 나아가서는 70몰% 이상, 특히 90몰% 이상이 식 (2)로 나타나는 반복 단위인 폴리이미드 전구체가 예시된다.As an embodiment of the polyimide precursor in the present invention, a polyimide precursor in which 50 mol% or more, furthermore 70 mol% or more, particularly 90 mol% or more of all repeating units is a repeating unit represented by Formula (2) is exemplified. do.

폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 18,000~30,000이고, 보다 바람직하게는 20,000~27,000이며, 더 바람직하게는 22,000~25,000이다. 또, 수평균 분자량(Mn)은, 바람직하게는 7,200~14,000이고, 보다 바람직하게는 8,000~12,000이며, 더 바람직하게는 9,200~11,200이다.The weight average molecular weight (Mw) of the polyimide precursor is preferably 18,000 to 30,000, more preferably 20,000 to 27,000, still more preferably 22,000 to 25,000. Moreover, the number average molecular weight (Mn) is preferably 7,200 to 14,000, more preferably 8,000 to 12,000, still more preferably 9,200 to 11,200.

상기 폴리이미드 전구체의 분자량의 분산도는, 2.5 이상이 바람직하고, 2.7 이상이 보다 바람직하며, 2.8 이상인 것이 더 바람직하다. 폴리이미드 전구체의 분자량의 분산도의 상한값은 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면, 4.5 이하가 바람직하고, 4.0 이하가 보다 바람직하며, 3.8 이하가 더 바람직하고, 3.2 이하가 한층 바람직하며, 3.1 이하가 보다 한층 바람직하고, 3.0 이하가 더 한층 바람직하며, 2.95 이하가 특히 바람직하다.The degree of dispersion of the molecular weight of the polyimide precursor is preferably 2.5 or more, more preferably 2.7 or more, and still more preferably 2.8 or more. The upper limit of the degree of dispersion of the molecular weight of the polyimide precursor is not particularly set, but is, for example, preferably 4.5 or less, more preferably 4.0 or less, still more preferably 3.8 or less, still more preferably 3.2 or less, and 3.1 or less. It is even more preferable, 3.0 or less is even more preferable, and 2.95 or less is particularly preferable.

본 명세서에 있어서, 분자량의 분산도란, 중량 평균 분자량/수평균 분자량에 의하여 산출되는 값이다.In this specification, the degree of dispersion of molecular weight is a value calculated by weight average molecular weight/number average molecular weight.

〔폴리이미드〕[Polyimide]

본 발명에 이용되는 폴리이미드는, 알칼리 가용성 폴리이미드여도 되고, 유기 용제를 주성분으로 하는 현상액에 대하여 가용인 폴리이미드여도 된다.The polyimide used in the present invention may be an alkali-soluble polyimide or a soluble polyimide with respect to a developing solution containing an organic solvent as a main component.

본 명세서에 있어서, 알칼리 가용성 폴리이미드란, 100g의 2.38질량% 테트라메틸암모늄 수용액에 대하여, 23℃에서 0.1g 이상 용해하는 폴리이미드를 말하며, 패턴 형성성의 관점에서는, 0.5g 이상 용해하는 폴리이미드인 것이 바람직하고, 1.0g 이상 용해하는 폴리이미드인 것이 더 바람직하다. 상기 용해량의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 100g 이하인 것이 바람직하다.In this specification, the alkali-soluble polyimide refers to a polyimide that dissolves 0.1 g or more at 23 ° C. with respect to 100 g of a 2.38% by mass tetramethylammonium aqueous solution, and is a polyimide that dissolves 0.5 g or more from the viewpoint of pattern formation. It is preferable, and it is more preferable that it is a polyimide which dissolves 1.0 g or more. Although the upper limit of the amount of dissolution is not particularly limited, it is preferably 100 g or less.

또, 폴리이미드는, 얻어지는 유기막의 막 강도 및 절연성의 관점에서는, 복수 개의 이미드 구조를 주쇄에 갖는 폴리이미드인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that a polyimide is a polyimide which has a several imide structure in a main chain from a viewpoint of the film|membrane strength and insulating property of the organic film obtained.

본 명세서에 있어서, "주쇄"란, 수지를 구성하는 고분자 화합물의 분자 중에서 상대적으로 가장 긴 결합쇄를 말하며, "측쇄"란 그 이외의 결합쇄를 말한다.In the present specification, "main chain" refers to a relatively longest bonded chain among molecules of a polymer compound constituting a resin, and "side chain" refers to other bonded chains.

-불소 원자--Fluorine atom-

얻어지는 유기막의 막 강도의 관점에서는, 폴리이미드는, 불소 원자를 갖는 것이 바람직하다.From the viewpoint of the film strength of the resulting organic film, it is preferable that the polyimide has a fluorine atom.

불소 원자는, 예를 들면, 후술하는 식 (4)로 나타나는 반복 단위에 있어서의 R132, 또는, 후술하는 식 (4)로 나타나는 반복 단위에 있어서의 R131에 포함되는 것이 바람직하고, 후술하는 식 (4)로 나타나는 반복 단위에 있어서의 R132, 또는, 후술하는 식 (4)로 나타나는 반복 단위에 있어서의 R131에 불화 알킬기로서 포함되는 것이 보다 바람직하다.The fluorine atom is preferably included in R 132 in the repeating unit represented by formula (4) described later or R 131 in the repeating unit represented by formula (4) described later, for example. It is more preferably included as an alkyl fluoride group in R 132 in the repeating unit represented by formula (4) or in R 131 in the repeating unit represented by formula (4) described later.

폴리이미드의 전체 질량에 대한 불소 원자의 양은, 1~50mol/g인 것이 바람직하고, 5~30mol/g인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 1-50 mol/g, and, as for the quantity of fluorine atoms with respect to the total mass of polyimide, it is more preferable that it is 5-30 mol/g.

-규소 원자--silicon atom-

얻어지는 유기막의 막 강도의 관점에서는, 폴리이미드는, 규소 원자를 갖는 것이 바람직하다.From the viewpoint of the film strength of the resulting organic film, the polyimide preferably has a silicon atom.

규소 원자는, 예를 들면, 후술하는 식 (4)로 나타나는 반복 단위에 있어서의 R131에 포함되는 것이 바람직하고, 후술하는 식 (4)로 나타나는 반복 단위에 있어서의 R131에 후술하는 유기 변성 (폴리)실록세인 구조로서 포함되는 것이 보다 바람직하다.For example, a silicon atom is preferably contained in R 131 in the repeating unit represented by formula (4) described later, and an organic modification described later in R 131 in the repeating unit represented by formula (4) described later. It is more preferable to be included as a (poly)siloxane structure.

또, 상기 규소 원자 또는 상기 유기 변성 (폴리)실록세인 구조는 폴리이미드의 측쇄에 포함되어 있어도 되지만, 폴리이미드의 주쇄에 포함되는 것이 바람직하다.Moreover, although the said silicon atom or the said organic modified (poly)siloxane structure may be contained in the side chain of polyimide, it is preferable that it is contained in the main chain of polyimide.

폴리이미드의 전체 질량에 대한 규소 원자의 양은, 0.01~5mol/g인 것이 바람직하고, 0.05~1mol/g인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 0.01-5 mol/g, and, as for the quantity of silicon atoms with respect to the total mass of polyimide, it is more preferable that it is 0.05-1 mol/g.

-에틸렌성 불포화 결합--ethylenically unsaturated bonds-

얻어지는 유기막의 막 강도의 관점에서는, 폴리이미드는, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 것이 바람직하다.From the viewpoint of the film strength of the resulting organic film, the polyimide preferably has an ethylenically unsaturated bond.

폴리이미드는, 에틸렌성 불포화 결합을 주쇄 말단에 갖고 있어도 되고, 측쇄에 갖고 있어도 되지만, 측쇄에 갖는 것이 바람직하다.The polyimide may have an ethylenically unsaturated bond in the main chain terminal or in the side chain, but it is preferable to have it in the side chain.

상기 에틸렌성 불포화 결합은, 라디칼 중합성을 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the said ethylenically unsaturated bond has radical polymerizability.

에틸렌성 불포화 결합은, 후술하는 식 (4)로 나타나는 반복 단위에 있어서의 R132, 또는, 후술하는 식 (4)로 나타나는 반복 단위에 있어서의 R131에 포함되는 것이 바람직하고, 후술하는 식 (4)로 나타나는 반복 단위에 있어서의 R132, 또는, 후술하는 식 (4)로 나타나는 반복 단위에 있어서의 R131에 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기로서 포함되는 것이 보다 바람직하다.The ethylenically unsaturated bond is preferably included in R 132 in the repeating unit represented by formula (4) described later or R 131 in the repeating unit represented by formula (4) described later, and the formula ( It is more preferable to be included as a group having an ethylenically unsaturated bond in R 132 in the repeating unit represented by 4) or R 131 in the repeating unit represented by formula (4) described later.

이들 중에서도, 에틸렌성 불포화 결합은, 후술하는 식 (4)로 나타나는 반복 단위에 있어서의 R131에 포함되는 것이 바람직하고, 후술하는 식 (4)로 나타나는 반복 단위에 있어서의 R131에 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기로서 포함되는 것이 보다 바람직하다.Among these, the ethylenically unsaturated bond is preferably contained in R 131 in the repeating unit represented by formula (4) described later, and ethylenically unsaturated in R 131 in the repeating unit represented by formula (4) described later It is more preferable to be included as a group having a bond.

에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기로서는, 바이닐기, 알릴기, 바이닐페닐기 등의 방향환에 직접 결합한, 치환되어 있어도 되는 바이닐기를 갖는 기, (메트)아크릴아마이드기, (메트)아크릴로일옥시기, 하기 식 (IV)로 나타나는 기 등을 들 수 있다.Examples of the group having an ethylenically unsaturated bond include a group having an optionally substituted vinyl group bonded directly to an aromatic ring such as a vinyl group, an allyl group, and a vinylphenyl group, a (meth)acrylamide group, a (meth)acryloyloxy group, the following Group represented by Formula (IV), etc. are mentioned.

[화학식 16][Formula 16]

Figure pct00017
Figure pct00017

식 (IV) 중, R20은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 메틸기가 바람직하다.In Formula (IV), R 20 represents a hydrogen atom or a methyl group, and a methyl group is preferable.

식 (IV) 중, R21은, 탄소수 2~12의 알킬렌기, -O-CH2CH(OH)CH2-, -C(=O)O-, -O(C=O)NH-, 탄소수 2~30의 (폴리)알킬렌옥시기(알킬렌기의 탄소수는 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2 또는 3이 특히 바람직하다; 반복수는 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 특히 바람직하다), 또는 이들을 2 이상 조합한 기를 나타낸다.In formula (IV), R 21 is an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, -O-CH 2 CH(OH)CH 2 -, -C(=O)O-, -O(C=O)NH-, A (poly)alkyleneoxy group having 2 to 30 carbon atoms (the number of carbon atoms in the alkylene group is preferably 2 to 12, more preferably 2 to 6, particularly preferably 2 or 3; the number of repeats is preferably 1 to 12, 1 to 6 are more preferable, and 1 to 3 are particularly preferable), or a group in which two or more of these are combined.

이들 중에서도, R21은 하기 식 (R1)~식 (R3) 중 어느 하나로 나타나는 기인 것이 바람직하고, 식 (R1)로 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.Among these, R 21 is preferably a group represented by any one of formulas (R1) to (R3) below, and more preferably a group represented by formula (R1).

[화학식 17][Formula 17]

Figure pct00018
Figure pct00018

식 (R1)~(R3) 중, L은 단결합, 또는, 탄소수 2~12의 알킬렌기, 탄소수 2~30의 (폴리)알킬렌옥시기 혹은 이들을 2 이상 결합한 기를 나타내고, X는 산소 원자 또는 황 원자를 나타내며, *는 다른 구조와의 결합 부위를 나타내고, ●는 식 (III) 중의 R201이 결합하는 산소 원자와의 결합 부위를 나타낸다.In the formulas (R1) to (R3), L represents a single bond, an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, a (poly)alkyleneoxy group having 2 to 30 carbon atoms, or a group in which two or more of these are bonded together, and X is an oxygen atom or sulfur represents an atom, * represents a bonding site to another structure, and ● represents a bonding site to an oxygen atom to which R 201 in formula (III) is bonded.

식 (R1)~(R3) 중, L에 있어서의 탄소수 2~12의 알킬렌기, 또는, 탄소수 2~30의 (폴리)알킬렌옥시기의 바람직한 양태는, 상술한 R21에 있어서의, 탄소수 2~12의 알킬렌기, 또는, 탄소수 2~30의 (폴리)알킬렌옥시기의 바람직한 양태와 동일하다.In the formulas (R1) to (R3), a preferable embodiment of the alkylene group having 2 to 12 carbon atoms or the (poly)alkyleneoxy group having 2 to 30 carbon atoms in L is the carbon number 2 in R 21 described above It is the same as the preferable aspect of the alkylene group of -12 or the (poly)alkyleneoxy group of 2-30 carbon atoms.

식 (R1) 중, X는 산소 원자인 것이 바람직하다.In formula (R1), X is preferably an oxygen atom.

식 (R1)~(R3) 중, *는 식 (IV) 중의 *와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.In formulas (R1) to (R3), * has the same meaning as * in formula (IV), and preferred embodiments are also the same.

식 (R1)로 나타나는 구조는, 예를 들면, 페놀성 하이드록시기 등의 하이드록시기를 갖는 폴리이미드와, 아이소사이아네이토기 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물(예를 들면, 2-아이소사이아네이토에틸메타크릴레이트 등)을 반응시킴으로써 얻어진다.The structure represented by formula (R1) is, for example, polyimide having a hydroxyl group such as a phenolic hydroxyl group, and a compound having an isocyanate group and an ethylenically unsaturated bond (for example, 2-isocyanate It is obtained by reacting Itoethyl methacrylate etc.).

식 (R2)로 나타나는 구조는, 예를 들면, 카복시기를 갖는 폴리이미드와, 하이드록시기 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물(예를 들면, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 등)을 반응시킴으로써 얻어진다.The structure represented by Formula (R2) is obtained, for example, by reacting a polyimide having a carboxyl group with a compound having a hydroxyl group and an ethylenically unsaturated bond (for example, 2-hydroxyethyl methacrylate) lose

식 (R3)으로 나타나는 구조는, 예를 들면, 페놀성 하이드록시기 등의 하이드록시기를 갖는 폴리이미드와, 글리시딜기 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물(예를 들면, 글리시딜메타크릴레이트 등)을 반응시킴으로써 얻어진다.The structure represented by Formula (R3) is, for example, a polyimide having a hydroxy group such as a phenolic hydroxy group, a compound having a glycidyl group and an ethylenically unsaturated bond (for example, glycidyl methacrylate etc.) is obtained by reacting.

폴리알킬렌옥시기로서는, 용제 용해성 및 내용제성의 관점에서는, 폴리에틸렌옥시기, 폴리프로필렌옥시기, 폴리트라이메틸렌옥시기, 폴리테트라메틸렌옥시기, 또는, 복수의 에틸렌옥시기와 복수의 프로필렌옥시기가 결합한 기가 바람직하고, 폴리에틸렌옥시기 또는 폴리프로필렌옥시기가 보다 바람직하며, 폴리에틸렌옥시기가 더 바람직하다. 상기 복수의 에틸렌옥시기와 복수의 프로필렌옥시기가 결합한 기에 있어서, 에틸렌옥시기와 프로필렌옥시기는 랜덤으로 배열되어 있어도 되고, 블록을 형성하여 배열되어 있어도 되며, 교호 등의 패턴상으로 배열되어 있어도 된다. 이들 기에 있어서의 에틸렌옥시기 등의 반복수의 바람직한 양태는 상술한 바와 같다.As the polyalkyleneoxy group, from the viewpoint of solvent solubility and solvent resistance, a polyethyleneoxy group, a polypropyleneoxy group, a polytrimethyleneoxy group, a polytetramethyleneoxy group, or a group in which a plurality of ethyleneoxy groups and a plurality of propyleneoxy groups are bonded It is preferable, a polyethyleneoxy group or a polypropyleneoxy group is more preferable, and a polyethyleneoxy group is still more preferable. In the group in which a plurality of ethyleneoxy groups and a plurality of propyleneoxy groups are bonded, the ethyleneoxy groups and propyleneoxy groups may be arranged randomly, may be arranged in blocks, or may be arranged in patterns such as alternation. Preferred aspects of the number of repeats such as ethyleneoxy groups in these groups are as described above.

식 (IV) 중, *는 다른 구조와의 결합 부위를 나타내고, 폴리이미드의 주쇄와의 결합 부위인 것이 바람직하다.In formula (IV), * represents a bonding site with another structure, and is preferably a bonding site with the main chain of polyimide.

폴리이미드의 전체 질량에 대한 에틸렌성 불포화 결합의 양은, 0.05~10mol/g인 것이 바람직하고, 0.1~5mol/g인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 0.05-10 mol/g, and, as for the quantity of ethylenically unsaturated bonds with respect to the total mass of polyimide, it is more preferable that it is 0.1-5 mol/g.

또, 제조 적성의 관점에서는, 폴리이미드의 전체 질량에 대한 에틸렌성 불포화 결합의 양은, 0.0001~0.1mol/g인 것이 바람직하고, 0.0005~0.05mol/g인 것이 보다 바람직하다.Moreover, from a viewpoint of manufacturing suitability, it is preferable that it is 0.0001-0.1 mol/g, and, as for the quantity of ethylenically unsaturated bonds with respect to the total mass of polyimide, it is more preferable that it is 0.0005-0.05 mol/g.

-에틸렌성 불포화 결합 이외의 가교성기--Crosslinkable groups other than ethylenically unsaturated bonds-

폴리이미드는, 에틸렌성 불포화 결합 이외의 가교성기를 갖고 있어도 된다.The polyimide may have a crosslinkable group other than an ethylenically unsaturated bond.

에틸렌성 불포화 결합 이외의 가교성기로서는, 에폭시기, 옥세탄일기 등의 환상 에터기, 메톡시메틸기 등의 알콕시메틸기, 메틸올기 등을 들 수 있다.Examples of crosslinkable groups other than ethylenically unsaturated bonds include cyclic ether groups such as epoxy groups and oxetanyl groups, alkoxymethyl groups such as methoxymethyl groups, and methylol groups.

에틸렌성 불포화 결합 이외의 가교성기는, 예를 들면, 후술하는 식 (4)로 나타나는 반복 단위에 있어서의 R131에 포함되는 것이 바람직하다.A crosslinkable group other than an ethylenically unsaturated bond is preferably included in R 131 in the repeating unit represented by formula (4) described below, for example.

폴리이미드의 전체 질량에 대한 에틸렌성 불포화 결합 이외의 가교성기의 양은, 0.05~10mol/g인 것이 바람직하고, 0.1~5mol/g인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 0.05-10 mol/g, and, as for the quantity of crosslinkable groups other than an ethylenically unsaturated bond with respect to the total mass of polyimide, it is more preferable that it is 0.1-5 mol/g.

또, 제조 적성의 관점에서는, 폴리이미드의 전체 질량에 대한 에틸렌성 불포화 결합 이외의 가교성기의 양은, 0.0001~0.1mol/g인 것이 바람직하고, 0.001~0.05mol/g인 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of production aptitude, the amount of crosslinkable groups other than ethylenically unsaturated bonds relative to the total mass of polyimide is preferably 0.0001 to 0.1 mol/g, and more preferably 0.001 to 0.05 mol/g.

-극성 변환기--Polar Transducer-

폴리이미드는, 산분해성기 등의 극성 변환기를 갖고 있어도 된다. 폴리이미드에 있어서의 산분해성기는, 상술한 식 (2)에 있어서의 R113 및 R114에 있어서 설명한 산분해성기와 동일하며, 바람직한 양태도 동일하다.The polyimide may have a polarity converter such as an acid decomposable group. The acid-decomposable group in the polyimide is the same as the acid-decomposable group described for R 113 and R 114 in the formula (2) described above, and the preferred embodiments are also the same.

-산가--Acid value-

폴리이미드가 알칼리 현상에 제공되는 경우, 현상성을 향상시키는 관점에서는, 폴리이미드의 산가는, 30mgKOH/g 이상인 것이 바람직하고, 50mgKOH/g 이상인 것이 보다 바람직하며, 70mgKOH/g 이상인 것이 더 바람직하다.When the polyimide is subjected to alkali development, the acid value of the polyimide is preferably 30 mgKOH/g or more, more preferably 50 mgKOH/g or more, and still more preferably 70 mgKOH/g or more, from the viewpoint of improving developability.

또, 상기 산가는 500mgKOH/g 이하인 것이 바람직하고, 400mgKOH/g 이하인 것이 보다 바람직하며, 200mgKOH/g 이하인 것이 더 바람직하다.Further, the acid value is preferably 500 mgKOH/g or less, more preferably 400 mgKOH/g or less, and still more preferably 200 mgKOH/g or less.

또, 폴리이미드가 유기 용제를 주성분으로 하는 현상액을 이용한 현상(예를 들면, 후술하는 "용제 현상")에 제공되는 경우, 폴리이미드의 산가는, 2~35mgKOH/g이 바람직하고, 3~30mgKOH/g이 보다 바람직하며, 5~20mgKOH/g이 더 바람직하다.Further, when the polyimide is subjected to development using a developing solution containing an organic solvent as a main component (for example, "solvent development" described later), the acid value of the polyimide is preferably 2 to 35 mgKOH/g, and 3 to 30 mgKOH /g is more preferable, and 5-20 mgKOH/g is more preferable.

상기 산가는, 공지의 방법에 의하여 측정되며, 예를 들면, JIS K 0070:1992에 기재된 방법에 의하여 측정된다.The acid value is measured by a known method, for example, by the method described in JIS K 0070:1992.

또, 폴리이미드에 포함되는 산기로서는, 보존 안정성 및 현상성의 양립의 관점에서, pKa가 0~10인 산기가 바람직하고, 3~8인 산기가 보다 바람직하다.Moreover, as an acidic radical contained in a polyimide, from a viewpoint of both storage stability and developability, an acidic radical with a pKa of 0-10 is preferable, and an acidic radical with 3-8 is more preferable.

pKa란, 산으로부터 수소 이온이 방출되는 해리 반응을 생각하고, 그 평형 상수 Ka를 그 음의 상용 대수 pKa에 의하여 나타낸 것이다. 본 명세서에 있어서, pKa는, 특별히 설명하지 않는 한, ACD/ChemSketch(등록 상표)에 의한 계산값으로 한다. 또는, 일본 화학회 편 "개정 5판 화학 편람 기초편"에 게재된 값을 참조해도 된다.The pKa is a dissociation reaction in which hydrogen ions are released from an acid, and the equilibrium constant Ka is expressed by the negative common logarithm pKa. In this specification, unless otherwise specified, pKa is a calculated value by ACD/ChemSketch (registered trademark). Alternatively, you may refer to the values published in the "Basic Edition of the 5th Edition Chemistry Handbook" edited by the Chemical Society of Japan.

또, 산기가 예를 들면 인산 등의 다가의 산인 경우, 상기 pKa는 제1 해리 상수이다.In the case where the acid group is, for example, a polyvalent acid such as phosphoric acid, the pKa is the first dissociation constant.

이와 같은 산기로서, 폴리이미드는, 카복시기, 및, 페놀성 하이드록시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하고, 페놀성 하이드록시기를 포함하는 것이 보다 바람직하다.As such an acidic radical, the polyimide preferably contains at least one selected from the group consisting of a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group, and more preferably contains a phenolic hydroxyl group.

-페놀성 하이드록시기--Phenolic hydroxyl group-

알칼리 현상액에 의한 현상 속도를 적절한 것으로 하는 관점에서는, 폴리이미드는, 페놀성 하이드록시기를 갖는 것이 바람직하다.From the viewpoint of making the development rate with an alkali developer appropriate, the polyimide preferably has a phenolic hydroxyl group.

폴리이미드는, 페놀성 하이드록시기를 주쇄 말단에 가져도 되고, 측쇄에 가져도 된다.A polyimide may have a phenolic hydroxyl group in the main chain terminal, or may have it in a side chain.

페놀성 하이드록시기는, 예를 들면, 후술하는 식 (4)로 나타나는 반복 단위에 있어서의 R132, 또는, 후술하는 식 (4)로 나타나는 반복 단위에 있어서의 R131에 포함되는 것이 바람직하다.The phenolic hydroxyl group is preferably included in R 132 in the repeating unit represented by formula (4) described later or R 131 in the repeating unit represented by formula (4) described later.

폴리이미드의 전체 질량에 대한 페놀성 하이드록시기의 양은, 0.1~30mol/g인 것이 바람직하고, 1~20mol/g인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 0.1-30 mol/g, and, as for the quantity of the phenolic hydroxyl group with respect to the total mass of polyimide, it is more preferable that it is 1-20 mol/g.

본 발명에서 이용하는 폴리이미드로서는, 이미드환을 갖는 고분자 화합물이면, 특별히 한정은 없지만, 하기 식 (4)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하고, 식 (4)로 나타나는 반복 단위를 포함하며, 중합성기를 갖는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The polyimide used in the present invention is not particularly limited as long as it is a high molecular compound having an imide ring, but preferably contains a repeating unit represented by the following formula (4), including a repeating unit represented by the formula (4), and polymerization It is more preferable that it is a compound with a sexual group.

식 (4)Equation (4)

[화학식 18][Formula 18]

Figure pct00019
Figure pct00019

식 (4) 중, R131은, 2가의 유기기를 나타내고, R132는, 4가의 유기기를 나타낸다.In Formula (4), R 131 represents a divalent organic group, and R 132 represents a tetravalent organic group.

중합성기를 갖는 경우, 중합성기는, R131 및 R132 중 적어도 일방에 위치하고 있어도 되고, 하기 식 (4-1) 또는 식 (4-2)에 나타내는 바와 같이 폴리이미드의 말단에 위치하고 있어도 된다.In the case of having a polymerizable group, the polymerizable group may be located at at least one of R 131 and R 132 , and may be located at the terminal of the polyimide as shown in the following formula (4-1) or formula (4-2).

식 (4-1)Formula (4-1)

[화학식 19][Formula 19]

Figure pct00020
Figure pct00020

식 (4-1) 중, R133은 중합성기이며, 다른 기는 식 (4)와 동일한 의미이다.In formula (4-1), R 133 is a polymerizable group, and other groups have the same meaning as in formula (4).

식 (4-2)Formula (4-2)

[화학식 20][Formula 20]

Figure pct00021
Figure pct00021

R134 및 R135 중 적어도 일방은 중합성기이며, 중합성기가 아닌 경우는 유기기이고, 다른 기는 식 (4)와 동일한 의미이다.At least one of R 134 and R 135 is a polymerizable group, and when it is not a polymerizable group, it is an organic group, and the other group has the same meaning as Formula (4).

중합성기는, 상기의 폴리이미드 전구체 등이 갖고 있는 중합성기로 설명한 중합성기와 동일한 의미이다.The polymerizable group has the same meaning as the polymerizable group described as the polymerizable group possessed by the above polyimide precursor or the like.

R131은, 2가의 유기기를 나타낸다. 2가의 유기기로서는, 식 (2)에 있어서의 R111과 동일한 것이 예시되며, 바람직한 범위도 동일하다.R 131 represents a divalent organic group. As a divalent organic group, the same thing as R111 in Formula (2) is illustrated, and the preferable range is also the same.

또, R131로서는, 다이아민의 아미노기의 제거 후에 잔존하는 다이아민 잔기를 들 수 있다. 다이아민으로서는, 지방족, 환식 지방족 또는 방향족 다이아민 등을 들 수 있다. 구체적인 예로서는, 폴리이미드 전구체의 식 (2) 중의 R111의 예를 들 수 있다.Moreover, as R131 , the diamine residue which remains after the removal of the amino group of diamine is mentioned. As diamine, aliphatic, cyclic aliphatic, or aromatic diamine, etc. are mentioned. As a specific example, the example of R111 in Formula (2) of a polyimide precursor is mentioned.

R131은, 적어도 2개의 알킬렌글라이콜 단위를 주쇄에 갖는 다이아민 잔기인 것이, 소성 시에 있어서의 휨의 발생을 보다 효과적으로 억제하는 점에서 바람직하다. 보다 바람직하게는, 에틸렌글라이콜쇄, 프로필렌글라이콜쇄 중 어느 하나 또는 양방을 1분자 중에 합하여 2개 이상 포함하는 다이아민 잔기이며, 더 바람직하게는 방향환을 포함하지 않는 다이아민 잔기이다.R 131 is preferably a diamine residue having at least two alkylene glycol units in the main chain, from the viewpoint of more effectively suppressing the occurrence of warping during firing. More preferably, it is a diamine residue containing two or more of ethylene glycol chains and propylene glycol chains, or both in combination in one molecule, and more preferably, it is a diamine residue that does not contain an aromatic ring.

에틸렌글라이콜쇄, 프로필렌글라이콜쇄 중 어느 하나 또는 양방을 1분자 중에 합하여 2개 이상 포함하는 다이아민으로서는, 제파민(등록 상표) KH-511, ED-600, ED-900, ED-2003, EDR-148, EDR-176, D-200, D-400, D-2000, D-4000(이상 상품명, HUNTSMAN(주)제), 1-(2-(2-(2-아미노프로폭시)에톡시)프로폭시)프로판-2-아민, 1-(1-(1-(2-아미노프로폭시)프로판-2-일)옥시)프로판-2-아민 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.Examples of diamines containing two or more of ethylene glycol chains and propylene glycol chains in combination or both in one molecule include Jeffamine (registered trademark) KH-511, ED-600, ED-900, ED-2003, EDR-148, EDR-176, D-200, D-400, D-2000, D-4000 (above trade names, manufactured by HUNTSMAN Co., Ltd.), 1-(2-(2-(2-aminopropoxy) oxy)propoxy)propan-2-amine, 1-(1-(1-(2-aminopropoxy)propan-2-yl)oxy)propan-2-amine, etc., but are not limited thereto. .

R132는, 4가의 유기기를 나타낸다. 4가의 유기기로서는, 식 (2)에 있어서의 R115와 동일한 것이 예시되며, 바람직한 범위도 동일하다.R 132 represents a tetravalent organic group. As a tetravalent organic group, the same thing as R115 in Formula (2) is illustrated, and the preferable range is also the same.

예를 들면, R115로서 예시되는 4가의 유기기의 4개의 결합자가, 상기 식 (4) 중의 4개의 -C(=O)-의 부분과 결합하여 축합환을 형성한다.For example, four linkages of a tetravalent organic group exemplified by R 115 combine with four -C(=O)- moieties in the formula (4) to form a condensed ring.

또, R132는, 테트라카복실산 이무수물로부터 무수물기의 제거 후에 잔존하는 테트라카복실산 잔기 등을 들 수 있다. 구체적인 예로서는, 폴리이미드 전구체의 식 (2) 중의 R115의 예를 들 수 있다. 유기막의 강도의 관점에서, R132는 1~4개의 방향환을 갖는 방향족 다이아민 잔기인 것이 바람직하다.Moreover, examples of R 132 include tetracarboxylic acid residues remaining after removal of the anhydride group from tetracarboxylic dianhydride. As a specific example, the example of R115 in Formula (2) of a polyimide precursor is mentioned. From the viewpoint of the strength of the organic film, R 132 is preferably an aromatic diamine residue having 1 to 4 aromatic rings.

R131과 R132 중 적어도 일방에 OH기를 갖는 것도 바람직하다. 보다 구체적으로는, R131로서, 2,2-비스(3-하이드록시-4-아미노페닐)프로페인, 2,2-비스(3-하이드록시-4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인, 상기의 (DA-1)~(DA-18)을 바람직한 예로서 들 수 있으며, R132로서, 상기의 (DAA-1)~(DAA-5)를 보다 바람직한 예로서 들 수 있다.It is also preferable to have an OH group in at least one of R 131 and R 132 . More specifically, as R 131 , 2,2-bis(3-hydroxy-4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(3-hydroxy-4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane, the above (DA-1) to ( DA-18) can be cited as a preferable example, and as R 132 , the above (DAA-1) to (DAA-5) can be cited as more preferable examples.

또, 폴리이미드는, 구조 단위 중에 불소 원자를 갖는 것도 바람직하다. 폴리이미드 중의 불소 원자의 함유량은 10질량% 이상이 바람직하고, 또, 20질량% 이하가 바람직하다.Moreover, it is also preferable that a polyimide has a fluorine atom in a structural unit. The content of fluorine atoms in the polyimide is preferably 10% by mass or more, and is preferably 20% by mass or less.

또, 기판과의 밀착성을 향상시킬 목적으로, 폴리이미드는, 실록세인 구조를 갖는 지방족의 기를 공중합해도 된다. 구체적으로는, 다이아민 성분으로서, 비스(3-아미노프로필)테트라메틸다이실록세인, 비스(p-아미노페닐)옥타메틸펜타실록세인 등을 들 수 있다.Moreover, polyimide may copolymerize the aliphatic group which has a siloxane structure for the purpose of improving adhesiveness with a board|substrate. Specifically, as a diamine component, bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, bis (p-aminophenyl) octamethylpentasiloxane, etc. are mentioned.

또, 조성물의 보존 안정성을 향상시키기 위하여, 폴리이미드는 주쇄 말단을 모노아민, 산무수물, 모노카복실산, 모노산 클로라이드 화합물, 모노 활성 에스터 화합물 등의 말단 밀봉제로 밀봉하는 것이 바람직하다. 이들 중, 모노아민을 이용하는 것이 보다 바람직하며, 모노아민의 바람직한 화합물로서는, 아닐린, 2-에타인일아닐린, 3-에타인일아닐린, 4-에타인일아닐린, 5-아미노-8-하이드록시퀴놀린, 1-하이드록시-7-아미노나프탈렌, 1-하이드록시-6-아미노나프탈렌, 1-하이드록시-5-아미노나프탈렌, 1-하이드록시-4-아미노나프탈렌, 2-하이드록시-7-아미노나프탈렌, 2-하이드록시-6-아미노나프탈렌, 2-하이드록시-5-아미노나프탈렌, 1-카복시-7-아미노나프탈렌, 1-카복시-6-아미노나프탈렌, 1-카복시-5-아미노나프탈렌, 2-카복시-7-아미노나프탈렌, 2-카복시-6-아미노나프탈렌, 2-카복시-5-아미노나프탈렌, 2-아미노벤조산, 3-아미노벤조산, 4-아미노벤조산, 4-아미노살리실산, 5-아미노살리실산, 6-아미노살리실산, 2-아미노벤젠설폰산, 3-아미노벤젠설폰산, 4-아미노벤젠설폰산, 3-아미노-4,6-다이하이드록시피리미딘, 2-아미노페놀, 3-아미노페놀, 4-아미노페놀, 2-아미노싸이오페놀, 3-아미노싸이오페놀, 4-아미노싸이오페놀 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 이용해도 되고, 복수의 말단 밀봉제를 반응시킴으로써, 복수의 상이한 말단기를 도입해도 된다.Further, in order to improve the storage stability of the composition, the main chain terminals of the polyimide are preferably sealed with a terminal blocker such as a monoamine, an acid anhydride, a monocarboxylic acid, a monoacid chloride compound, or a monoactive ester compound. Among these, it is more preferable to use monoamines, and examples of preferred monoamine compounds include aniline, 2-ethynylaniline, 3-ethynylaniline, 4-ethynylaniline, and 5-amino-8-hydroxy. Quinoline, 1-hydroxy-7-aminonaphthalene, 1-hydroxy-6-aminonaphthalene, 1-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-hydroxy-4-aminonaphthalene, 2-hydroxy-7-amino Naphthalene, 2-hydroxy-6-aminonaphthalene, 2-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-carboxy-7-aminonaphthalene, 1-carboxy-6-aminonaphthalene, 1-carboxy-5-aminonaphthalene, 2 -Carboxy-7-aminonaphthalene, 2-carboxy-6-aminonaphthalene, 2-carboxy-5-aminonaphthalene, 2-aminobenzoic acid, 3-aminobenzoic acid, 4-aminobenzoic acid, 4-aminosalicylic acid, 5-aminosalicylic acid , 6-aminosalicylic acid, 2-aminobenzenesulfonic acid, 3-aminobenzenesulfonic acid, 4-aminobenzenesulfonic acid, 3-amino-4,6-dihydroxypyrimidine, 2-aminophenol, 3-aminophenol , 4-aminophenol, 2-aminothiophenol, 3-aminothiophenol, 4-aminothiophenol and the like. Two or more types of these may be used, and a plurality of different terminal groups may be introduced by reacting a plurality of terminal blocking agents.

-이미드화율(폐환율)--Imidization rate (closing rate)-

폴리이미드의 이미드화율("폐환율"이라고도 한다)은, 얻어지는 유기막의 막 강도, 절연성 등의 관점에서는, 70% 이상인 것이 바람직하고, 80% 이상인 것이 보다 바람직하며, 90% 이상인 것이 보다 바람직하다.The imidation rate (also referred to as “circulation closure rate”) of polyimide is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and even more preferably 90% or more from the viewpoint of film strength, insulation, etc. of the obtained organic film. .

상기 이미드화율의 상한은 특별히 한정되지 않으며, 100% 이하이면 된다.The upper limit of the said imidization rate is not specifically limited, What is necessary is just 100% or less.

상기 이미드화율은, 예를 들면 하기 방법에 의하여 측정된다.The said imidation rate is measured, for example by the following method.

폴리이미드의 적외 흡수 스펙트럼을 측정하고, 이미드 구조 유래의 흡수 피크인 1377cm-1 부근의 피크 강도 P1을 구한다. 다음으로, 그 폴리이미드를 350℃에서 1시간 열처리한 후, 재차, 적외 흡수 스펙트럼을 측정하고, 1377cm-1 부근의 피크 강도 P2를 구한다. 얻어진 피크 강도 P1, P2를 이용하며, 하기 식에 근거하여, 폴리이미드의 이미드화율을 구할 수 있다.The infrared absorption spectrum of the polyimide is measured, and the peak intensity P1 around 1377 cm −1 , which is an absorption peak derived from the imide structure, is determined. Next, after heat-processing the polyimide at 350°C for 1 hour, the infrared absorption spectrum is measured again, and the peak intensity P2 around 1377 cm -1 is determined. Using the obtained peak intensities P1 and P2, the imidation rate of polyimide can be obtained based on the following formula.

이미드화율(%)=(피크 강도 P1/피크 강도 P2)×100Imidization rate (%) = (peak intensity P1 / peak intensity P2) × 100

폴리이미드는, 모두가 1종의 R131 또는 R132를 포함하는 상기 식 (4)의 반복 구조 단위를 포함하고 있어도 되고, 2개 이상의 상이한 종류의 R131 또는 R132를 포함하는 상기 식 (4)의 반복 단위를 포함하고 있어도 된다. 또, 폴리이미드는, 상기 식 (4)의 반복 단위 외에, 다른 종류의 반복 구조 단위도 포함하고 있어도 된다.The polyimide may contain repeating structural units of the above formula (4), all of which contain one kind of R 131 or R 132 , and the above formula (4) containing two or more different kinds of R 131 or R 132 ) may be included. Moreover, a polyimide may also contain other types of repeating structural units other than the repeating unit of said Formula (4).

폴리이미드는, 예를 들면, 저온 중에서 테트라카복실산 이무수물과 다이아민 화합물(일부를 모노아민인 말단 밀봉제로 치환)을 반응시키는 방법, 저온 중에서 테트라카복실산 이무수물(일부를 산무수물 또는 모노산 클로라이드 화합물 또는 모노 활성 에스터 화합물인 말단 밀봉제로 치환)과 다이아민 화합물을 반응시키는 방법, 테트라카복실산 이무수물과 알코올에 의하여 다이에스터를 얻고, 그 후 다이아민(일부를 모노아민인 말단 밀봉제로 치환)과 축합제의 존재하에서 반응시키는 방법, 테트라카복실산 이무수물과 알코올에 의하여 다이에스터를 얻고, 그 후 나머지 다이카복실산을 산 클로라이드화하여, 다이아민(일부를 모노아민인 말단 밀봉제로 치환)과 반응시키는 방법 등의 방법을 이용하여, 폴리이미드 전구체를 얻고, 이것을, 이미 알려진 이미드화 반응법을 이용하여 완전 이미드화시키는 방법, 또는, 도중에 이미드화 반응을 정지하고, 일부 이미드 구조를 도입하는 방법, 나아가서는, 완전 이미드화한 폴리머와, 그 폴리이미드 전구체를 블렌딩함으로써, 일부 이미드 구조를 도입하는 방법을 이용하여 합성할 수 있다.The polyimide can be obtained, for example, by reacting tetracarboxylic dianhydride and diamine compound (partly substituted with a monoamine terminal blocker) at low temperature, or by reacting tetracarboxylic dianhydride (partly acid anhydride or monoacid chloride compound) at low temperature. or a method of reacting a diamine compound) with a diamine compound, obtaining a diester by tetracarboxylic dianhydride and an alcohol, and then condensing with diamine (partially substituted with a monoamine terminal blocker) A method of reacting in the presence of an agent, a method of obtaining a diester by using tetracarboxylic dianhydride and alcohol, then acid chlorideing the remaining dicarboxylic acid, and reacting with diamine (partially substituted with a monoamine terminal blocker), etc. A method of obtaining a polyimide precursor using the method of, and completely imidating this using a known imidation reaction method, or a method of stopping the imidation reaction in the middle and introducing a part of the imide structure, and furthermore , It can be synthesized using a method of introducing a part of the imide structure by blending a completely imidized polymer and the polyimide precursor.

폴리이미드의 시판품으로서는, Durimide(등록 상표) 284(후지필름(주)제), Matrimide5218(HUNTSMAN(주)제)이 예시된다.As a commercial item of polyimide, Durimide (registered trademark) 284 (manufactured by Fujifilm Co., Ltd.) and Matrimide 5218 (manufactured by HUNTSMAN Co., Ltd.) are exemplified.

폴리이미드의 중량 평균 분자량(Mw)은, 4,000~100,000을 들 수 있으며, 5,000~70,000이 바람직하고, 8,000~50,000이 보다 바람직하며, 10,000~30,000이 더 바람직하다. 중량 평균 분자량을 5,000 이상으로 함으로써, 경화 후의 막의 내절곡성을 향상시킬 수 있다. 기계 특성이 우수한 유기막을 얻기 위하여, 중량 평균 분자량은, 20,000 이상이 특히 바람직하다. 또, 폴리이미드를 2종 이상 함유하는 경우, 적어도 1종의 폴리이미드의 중량 평균 분자량이 상기 범위인 것이 바람직하다.As for the weight average molecular weight (Mw) of polyimide, 4,000-100,000 are mentioned, 5,000-70,000 are preferable, 8,000-50,000 are more preferable, and 10,000-30,000 are more preferable. By setting the weight average molecular weight to 5,000 or more, the bending resistance of the film after curing can be improved. In order to obtain an organic film excellent in mechanical properties, the weight average molecular weight is particularly preferably 20,000 or more. Moreover, when containing 2 or more types of polyimides, it is preferable that the weight average molecular weight of at least 1 type of polyimide is the said range.

〔폴리벤즈옥사졸 전구체〕[Polybenzoxazole precursor]

본 발명에서 이용하는 폴리벤즈옥사졸 전구체는, 그 구조 등에 대하여 특별히 정하는 것은 아니지만, 바람직하게는 하기 식 (3)으로 나타나는 반복 단위를 포함한다.The polybenzoxazole precursor used in the present invention is not particularly defined for its structure or the like, but preferably contains a repeating unit represented by the following formula (3).

식 (3)Equation (3)

[화학식 21][Formula 21]

Figure pct00022
Figure pct00022

식 (3) 중, R121은, 2가의 유기기를 나타내고, R122는, 4가의 유기기를 나타내며, R123 및 R124는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.In Formula (3), R 121 represents a divalent organic group, R 122 represents a tetravalent organic group, and R 123 and R 124 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group.

식 (3)에 있어서, R123 및 R124는, 각각, 식 (2)에 있어서의 R113과 동일한 의미이며, 바람직한 범위도 동일하다. 즉, 적어도 일방은, 중합성기인 것이 바람직하다.In Formula (3), R 123 and R 124 each have the same meaning as R 113 in Formula (2), and the preferred ranges are also the same. That is, it is preferable that at least one is a polymeric group.

식 (3)에 있어서, R121은, 2가의 유기기를 나타낸다. 2가의 유기기로서는, 지방족기 및 방향족기 중 적어도 일방을 포함하는 기가 바람직하다. 지방족기로서는, 직쇄의 지방족기가 바람직하다. R121은, 다이카복실산 잔기가 바람직하다. 다이카복실산 잔기는, 1종만 이용해도 되고, 2종 이상 이용해도 된다.In Formula (3), R 121 represents a divalent organic group. As the divalent organic group, a group containing at least one of an aliphatic group and an aromatic group is preferable. As the aliphatic group, a straight-chain aliphatic group is preferable. R 121 is preferably a dicarboxylic acid residue. As for the dicarboxylic acid residue, only one type may be used, or two or more types may be used.

다이카복실산 잔기로서는, 지방족기를 포함하는 다이카복실산 및 방향족기를 포함하는 다이카복실산 잔기가 바람직하고, 방향족기를 포함하는 다이카복실산 잔기가 보다 바람직하다.As the dicarboxylic acid residue, a dicarboxylic acid residue containing an aliphatic group and a dicarboxylic acid residue containing an aromatic group are preferable, and a dicarboxylic acid residue containing an aromatic group is more preferable.

지방족기를 포함하는 다이카복실산으로서는, 직쇄 또는 분기(바람직하게는 직쇄)의 지방족기를 포함하는 다이카복실산이 바람직하고, 직쇄 또는 분기(바람직하게는 직쇄)의 지방족기와 2개의 -COOH로 이루어지는 다이카복실산이 보다 바람직하다. 직쇄 또는 분기(바람직하게는 직쇄)의 지방족기의 탄소수는, 2~30인 것이 바람직하고, 2~25인 것이 보다 바람직하며, 3~20인 것이 더 바람직하고, 4~15인 것이 한층 바람직하며, 5~10인 것이 특히 바람직하다. 직쇄의 지방족기는 알킬렌기인 것이 바람직하다.As the dicarboxylic acid containing an aliphatic group, a dicarboxylic acid containing a straight-chain or branched (preferably straight-chain) aliphatic group is preferable, and a dicarboxylic acid composed of a straight-chain or branched (preferably straight-chain) aliphatic group and two -COOH is more preferred. desirable. The number of carbon atoms in the straight-chain or branched (preferably straight-chain) aliphatic group is preferably 2 to 30, more preferably 2 to 25, still more preferably 3 to 20, still more preferably 4 to 15, , 5 to 10 are particularly preferred. It is preferable that a linear aliphatic group is an alkylene group.

직쇄의 지방족기를 포함하는 다이카복실산으로서는, 말론산, 다이메틸말론산, 에틸말론산, 아이소프로필말론산, 다이-n-뷰틸말론산, 석신산, 테트라플루오로석신산, 메틸석신산, 2,2-다이메틸석신산, 2,3-다이메틸석신산, 다이메틸메틸석신산, 글루타르산, 헥사플루오로글루타르산, 2-메틸글루타르산, 3-메틸글루타르산, 2,2-다이메틸글루타르산, 3,3-다이메틸글루타르산, 3-에틸-3-메틸글루타르산, 아디프산, 옥타플루오로아디프산, 3-메틸아디프산, 피멜산, 2,2,6,6-테트라메틸피멜산, 수베르산, 도데카플루오로수베르산, 아젤라산, 세바스산, 헥사데카플루오로세바스산, 1,9-노네인 이산, 도데케인 이산, 트라이데케인 이산, 테트라데케인 이산, 펜타데케인 이산, 헥사데케인 이산, 헵타데케인 이산, 옥타데케인 이산, 노나데케인 이산, 아이코세인 이산, 헨아이코세인 이산, 도코세인 이산, 트리코세인 이산, 테트라코세인 이산, 펜타코세인 이산, 헥사코세인 이산, 헵타코세인 이산, 옥타코세인 이산, 노나코세인 이산, 트라이아콘테인 이산, 헨트라이아콘테인 이산, 도트라이아콘테인 이산, 다이글라이콜산, 또한 하기 식으로 나타나는 다이카복실산 등을 들 수 있다.Examples of dicarboxylic acids containing a straight-chain aliphatic group include malonic acid, dimethylmalonic acid, ethylmalonic acid, isopropylmalonic acid, di-n-butylmalonic acid, succinic acid, tetrafluorosuccinic acid, methylsuccinic acid, 2, 2-dimethylsuccinic acid, 2,3-dimethylsuccinic acid, dimethylmethylsuccinic acid, glutaric acid, hexafluoroglutaric acid, 2-methylglutaric acid, 3-methylglutaric acid, 2,2 -Dimethylglutaric acid, 3,3-dimethylglutaric acid, 3-ethyl-3-methylglutaric acid, adipic acid, octafluoroadipic acid, 3-methyladipic acid, pimelic acid, 2, 2,6,6-tetramethylpimelic acid, suberic acid, dodecafluorosuberic acid, azelaic acid, sebacic acid, hexadecafluorosebacic acid, 1,9-nonane diacid, dodecane diacid, tridecane Caine Diacid, Tetradecane Diacid, Pentadecane Diacid, Hexadecaine Diacid, Heptadecaine Diacid, Octadecaine Diacid, Nonadecaine Diacid, Eicosane Diacid, Henaicosane Diacid, Docosane Diacid, Tricosane Diacid, Tetracosane Diacid, Pentacosane Diacid, Hexacosane Diacid, Heptacosane Diacid, Octacosane Diacid, Nonacoseine Diacid, Triacontane Diacid, Hentriacontane Diacid, Dotriacontane Diacid, Digly Cholic acid, dicarboxylic acid represented by the following formula, and the like are exemplified.

[화학식 22][Formula 22]

Figure pct00023
Figure pct00023

(식 중, Z는 탄소수 1~6의 탄화 수소기이며, n은 1~6의 정수이다.)(In the formula, Z is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and n is an integer of 1 to 6.)

방향족기를 포함하는 다이카복실산으로서는, 이하의 방향족기를 갖는 다이카복실산이 바람직하고, 이하의 방향족기와 2개의 -COOH만으로 이루어지는 다이카복실산이 보다 바람직하다.As the dicarboxylic acid containing an aromatic group, the dicarboxylic acid having the following aromatic group is preferable, and the dicarboxylic acid consisting only of the following aromatic group and two -COOH is more preferable.

[화학식 23][Formula 23]

Figure pct00024
Figure pct00024

식 중, A는 -CH2-, -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -NHCO-, -C(CF3)2-, 및, -C(CH3)2-로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 기를 나타내고, *는 각각 독립적으로, 다른 구조와의 결합 부위를 나타낸다.In the formula, A is -CH 2 -, -O-, -S-, -SO 2 -, -CO-, -NHCO-, -C(CF 3 ) 2 -, and -C(CH 3 ) 2 - represents a divalent group selected from the group consisting of, and * each independently represents a binding site with another structure.

방향족기를 포함하는 다이카복실산의 구체예로서는, 4,4'-카보닐다이벤조산 및 4,4'-다이카복시다이페닐에터, 테레프탈산을 들 수 있다.Specific examples of the dicarboxylic acid containing an aromatic group include 4,4'-carbonyl dibenzoic acid, 4,4'-dicarboxydiphenyl ether, and terephthalic acid.

식 (3)에 있어서, R122는, 4가의 유기기를 나타낸다. 4가의 유기기로서는, 상기 식 (2)에 있어서의 R115와 동일한 의미이며, 바람직한 범위도 동일하다.In Formula (3), R 122 represents a tetravalent organic group. The tetravalent organic group has the same meaning as R 115 in the formula (2), and the preferred range is also the same.

R122는, 또, 비스아미노페놀 유도체 유래의 기인 것이 바람직하고, 비스아미노페놀 유도체 유래의 기로서는, 예를 들면, 3,3'-다이아미노-4,4'-다이하이드록시바이페닐, 4,4'-다이아미노-3,3'-다이하이드록시바이페닐, 3,3'-다이아미노-4,4'-다이하이드록시다이페닐설폰, 4,4'-다이아미노-3,3'-다이하이드록시다이페닐설폰, 비스-(3-아미노-4-하이드록시페닐)메테인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로페인, 2,2-비스-(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스-(4-아미노-3-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인, 비스-(4-아미노-3-하이드록시페닐)메테인, 2,2-비스-(4-아미노-3-하이드록시페닐)프로페인, 4,4'-다이아미노-3,3'-다이하이드록시벤조페논, 3,3'-다이아미노-4,4'-다이하이드록시벤조페논, 4,4'-다이아미노-3,3'-다이하이드록시다이페닐에터, 3,3'-다이아미노-4,4'-다이하이드록시다이페닐에터, 1,4-다이아미노-2,5-다이하이드록시벤젠, 1,3-다이아미노-2,4-다이하이드록시벤젠, 1,3-다이아미노-4,6-다이하이드록시벤젠 등을 들 수 있다. 이들 비스아미노페놀은, 단독으로, 혹은 혼합하여 사용해도 된다.R 122 is also preferably a group derived from a bisaminophenol derivative, and examples of the group derived from a bisaminophenol derivative include 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4 ,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenylsulfone, 4,4'-diamino-3,3' -Dihydroxydiphenylsulfone, bis-(3-amino-4-hydroxyphenyl)methane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, 2,2-bis-( 3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis-(4-amino-3-hydroxyphenyl)hexafluoropropane, bis-(4-amino-3-hydroxy Phenyl) methane, 2,2-bis- (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybenzophenone, 3,3'-di Amino-4,4'-dihydroxybenzophenone, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenyl ether, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxy Diphenyl ether, 1,4-diamino-2,5-dihydroxybenzene, 1,3-diamino-2,4-dihydroxybenzene, 1,3-diamino-4,6-dihydroxy Roxybenzene etc. are mentioned. These bisaminophenols may be used alone or in combination.

비스아미노페놀 유도체 중, 하기 방향족기를 갖는 비스아미노페놀 유도체가 바람직하다.Among the bisaminophenol derivatives, the bisaminophenol derivatives having the following aromatic groups are preferred.

[화학식 24][Formula 24]

Figure pct00025
Figure pct00025

식 중, X1은, -O-, -S-, -C(CF3)2-, -CH2-, -SO2-, -NHCO-를 나타내고, * 및 #은 각각, 다른 구조와의 결합 부위를 나타낸다. R은 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타내며, 수소 원자 또는 탄화 수소기가 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기가 보다 바람직하다. 또, R122는, 상기 식에 의하여 나타나는 구조인 것도 바람직하다. R122가, 상기 식에 의하여 나타나는 구조인 경우, 합계 4개의 * 및 # 중, 어느 2개가 식 (3) 중의 R122가 결합하는 질소 원자와의 결합 부위이며, 또한, 다른 2개가 식 (3) 중의 R122가 결합하는 산소 원자와의 결합 부위인 것이 바람직하고, 2개의 *가 식 (3) 중의 R122가 결합하는 산소 원자와의 결합 부위이며, 또한, 2개의 #이 식 (3) 중의 R122가 결합하는 질소 원자와의 결합 부위이거나, 또는, 2개의 *가 식 (3) 중의 R122가 결합하는 질소 원자와의 결합 부위이고, 또한, 2개의 #이 식 (3) 중의 R122가 결합하는 산소 원자와의 결합 부위인 것이 보다 바람직하며, 2개의 *가 식 (3) 중의 R122가 결합하는 산소 원자와의 결합 부위이고, 또한, 2개의 #이 식 (3) 중의 R122가 결합하는 질소 원자와의 결합 부위인 것이 더 바람직하다.In the formula, X 1 represents -O-, -S-, -C(CF 3 ) 2 -, -CH 2 -, -SO 2 -, or -NHCO-, and * and # are each associated with another structure. indicates the binding site. R represents a hydrogen atom or a monovalent substituent, preferably a hydrogen atom or a hydrocarbon group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group. Moreover, it is also preferable that R 122 has a structure represented by the above formula. When R 122 has a structure represented by the above formula, any two of the total four * and # are bonding sites to the nitrogen atom to which R 122 in formula (3) is bonded, and the other two are in the formula (3 ) is preferably a bonding site to an oxygen atom to which R 122 in ) is bonded, two * are bonding sites to an oxygen atom to which R 122 in formula (3) is bonded, and two # are bonding sites to an oxygen atom to which R 122 is bonded in formula (3) is a bonding site to a nitrogen atom to which R 122 in formula (3) is bonded, or two * is a bonding site to a nitrogen atom to which R 122 in formula (3) is bonded, and two # is a bonding site to a nitrogen atom to which R 122 in formula (3) is bonded. It is more preferable that 122 is a bonding site to an oxygen atom to which R 122 is bonded, two * in Formula (3) is a bonding site to an oxygen atom to which R 122 is bonded, and two # is R in Formula (3). It is more preferable that 122 is a binding site with a nitrogen atom to which it is bonded.

[화학식 25][Formula 25]

Figure pct00026
Figure pct00026

식 (A-s) 중, R1은, 수소 원자, 알킬렌, 치환 알킬렌, -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -NHCO-, 단결합, 또는 하기 식 (A-sc)의 군으로부터 선택되는 유기기이다. R2는, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 아실옥시기, 환상의 알킬기 중 어느 하나이며, 동일해도 되고 상이해도 된다. R3은 수소 원자, 직쇄 또는 분기의 알킬기, 알콕시기, 아실옥시기, 환상의 알킬기 중 어느 하나이며, 동일해도 되고 상이해도 된다.In formula (As), R 1 is a hydrogen atom, an alkylene, a substituted alkylene, -O-, -S-, -SO 2 -, -CO-, -NHCO-, a single bond, or the following formula (A- It is an organic group selected from the group of sc). R 2 is any one of a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an acyloxy group, and a cyclic alkyl group, and may be the same or different. R 3 is any one of a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group, an alkoxy group, an acyloxy group, or a cyclic alkyl group, and may be the same or different.

[화학식 26][Formula 26]

Figure pct00027
Figure pct00027

(식 (A-sc) 중, *는 상기 식 (A-s)로 나타나는 비스아미노페놀 유도체의 아미노페놀기의 방향환에 결합하는 것을 나타낸다.)(In the formula (A-sc), * indicates bonding to the aromatic ring of the aminophenol group of the bisaminophenol derivative represented by the formula (A-s).)

상기 식 (A-s) 중, 페놀성 수산기의 오쏘위, 즉, R3에도 치환기를 갖는 것이, 아마이드 결합의 카보닐 탄소와 수산기의 거리를 보다 접근시킨다고 생각되며, 저온에서 경화했을 때에 고환화율이 되는 효과가 더 높아지는 점에서, 특히 바람직하다.In the above formula (As), it is considered that having a substituent at the ortho position of the phenolic hydroxyl group, that is, R 3 also brings the distance between the carbonyl carbon of the amide bond and the hydroxyl group closer, resulting in a high conversion rate when cured at a low temperature. It is particularly preferable in that the effect is further enhanced.

또, 상기 식 (A-s) 중, R2가 알킬기이며, 또한 R3이 알킬기인 것이, i선에 대한 고투명성과 저온에서 경화했을 때에 고환화율이라는 효과를 유지할 수 있어, 바람직하다.Moreover, in the said Formula (As), it is preferable that R< 2 > is an alkyl group and R< 3 > is an alkyl group, since it can maintain high transparency with respect to i line and the effect of a high cyclization rate when hardening|curing at low temperature.

또, 상기 식 (A-s) 중, R1이 알킬렌 또는 치환 알킬렌인 것이, 더 바람직하다. R1에 관한 알킬렌 및 치환 알킬렌의 구체적인 예로서는, 탄소수 1~8의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기를 들 수 있지만, 그중에서도 -CH2-, -CH(CH3)-, -C(CH3)2-가, i선에 대한 고투명성과 저온에서 경화했을 때의 고환화율이라는 효과를 유지하면서, 용제에 대하여 충분한 용해성을 갖는, 밸런스가 우수한 폴리벤즈옥사졸 전구체를 얻을 수 있는 점에서, 보다 바람직하다.Moreover, in the formula (As), it is more preferable that R 1 is an alkylene or a substituted alkylene. Specific examples of the alkylene and substituted alkylene for R 1 include linear or branched alkyl groups having 1 to 8 carbon atoms, among which -CH 2 -, -CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2- is more preferable from the viewpoint that a polybenzoxazole precursor having sufficient solubility in solvents and excellent balance can be obtained while maintaining the effect of high transparency to i-line and high conversion rate when cured at low temperature Do.

상기 식 (A-s)로 나타나는 비스아미노페놀 유도체의 제조 방법으로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2013-256506호의 단락 번호 0085~0094 및 실시예 1(단락 번호 0189~0190)을 참고로 할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.As a method for producing the bisaminophenol derivative represented by the formula (A-s), for example, paragraphs 0085 to 0094 and Example 1 (paragraphs 0189 to 0190) of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-256506 can be referred to. , these contents are incorporated herein by reference.

상기 식 (A-s)로 나타나는 비스아미노페놀 유도체의 구조의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2013-256506호의 단락 번호 0070~0080에 기재된 것을 들 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다. 물론, 이들에 한정되는 것은 아닌 것은 말할 필요도 없다.As a specific example of the structure of the bisaminophenol derivative represented by the said formula (A-s), Paragraph No. 0070 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-256506 - what was described in 0080 are mentioned, These content is integrated in this specification. Of course, it goes without saying that it is not limited to these.

폴리벤즈옥사졸 전구체는 상기 식 (3)의 반복 단위 외에, 다른 종류의 반복 구조 단위도 포함해도 된다.A polybenzoxazole precursor may also contain other types of repeating structural units other than the repeating unit of said Formula (3).

폐환에 따른 휨의 발생을 억제할 수 있는 점에서, 하기 식 (SL)로 나타나는 다이아민 잔기를 다른 종류의 반복 구조 단위로서 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable to contain a diamine residue represented by the following formula (SL) as another type of repeating structural unit from the viewpoint of being able to suppress the occurrence of curvature due to ring closure.

[화학식 27][Formula 27]

Figure pct00028
Figure pct00028

식 (SL) 중, Z는, a 구조와 b 구조를 가지며, R1s는, 수소 원자 또는 탄소수 1~10의 탄화 수소기이고, R2s는 탄소수 1~10의 탄화 수소기이며, R3s, R4s, R5s, R6s 중 적어도 하나는 방향족기이고, 나머지는 수소 원자 또는 탄소수 1~30의 유기기이며, 각각 동일해도 되고 상이해도 된다. a 구조 및 b 구조의 중합은, 블록 중합이어도 되고 랜덤 중합이어도 된다. Z 부분의 몰%는, a 구조는 5~95몰%, b 구조는 95~5몰%이며, a+b는 100몰%이다.In Formula (SL), Z has a structure a and a structure b, R 1s is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, R 2s is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, R 3s , At least one of R 4s , R 5s , and R 6s is an aromatic group, and the others are hydrogen atoms or organic groups having 1 to 30 carbon atoms, which may be the same or different. The polymerization of structure a and structure b may be block polymerization or random polymerization. The mol% of the Z portion is 5 to 95 mol% for the a structure, 95 to 5 mol% for the b structure, and 100 mol% for a+b.

식 (SL)에 있어서, 바람직한 Z로서는, b 구조 중의 R5s 및 R6s가 페닐기인 것을 들 수 있다. 또, 식 (SL)로 나타나는 구조의 분자량은, 400~4,000인 것이 바람직하고, 500~3,000이 보다 바람직하다. 상기 분자량을 상기 범위로 함으로써, 보다 효과적으로, 폴리벤즈옥사졸 전구체의 탈수 폐환 후의 탄성률을 낮추어, 휨을 억제할 수 있는 효과와 용제 용해성을 향상시키는 효과를 양립시킬 수 있다.In the formula (SL), examples of preferred Z include those in which R 5s and R 6s in b structure are phenyl groups. Moreover, it is preferable that it is 400-4,000, and, as for the molecular weight of the structure represented by Formula (SL), 500-3,000 are more preferable. By setting the molecular weight within the above range, the effect of lowering the elastic modulus after dehydration ring closure of the polybenzoxazole precursor and suppressing warpage and the effect of improving solvent solubility can be achieved more effectively.

다른 종류의 반복 구조 단위로서 식 (SL)로 나타나는 다이아민 잔기를 포함하는 경우, 테트라카복실산 이무수물로부터 무수물기의 제거 후에 잔존하는 테트라카복실산 잔기를 반복 구조 단위로서 더 포함하는 것도 바람직하다. 이와 같은 테트라카복실산 잔기의 예로서는, 식 (2) 중의 R115의 예를 들 수 있다.When the diamine residue represented by formula (SL) is included as the other type of repeating structural unit, it is also preferable to further include a tetracarboxylic acid residue remaining after removal of the anhydride group from the tetracarboxylic acid dianhydride as the repeating structural unit. As an example of such a tetracarboxylic acid residue, the example of R115 in Formula (2) is mentioned.

폴리벤즈옥사졸 전구체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 예를 들면, 후술하는 조성물에 이용하는 경우, 바람직하게는 18,000~30,000이고, 보다 바람직하게는 20,000~29,000이며, 더 바람직하게는 22,000~28,000이다. 또, 수평균 분자량(Mn)은, 바람직하게는 7,200~14,000이고, 보다 바람직하게는 8,000~12,000이며, 더 바람직하게는 9,200~11,200이다.The weight average molecular weight (Mw) of the polybenzoxazole precursor is preferably 18,000 to 30,000, more preferably 20,000 to 29,000, still more preferably 22,000 to 28,000, when used in a composition described later, for example. . Moreover, the number average molecular weight (Mn) is preferably 7,200 to 14,000, more preferably 8,000 to 12,000, still more preferably 9,200 to 11,200.

상기 폴리벤즈옥사졸 전구체의 분자량의 분산도는, 1.4 이상인 것이 바람직하고, 1.5 이상이 보다 바람직하며, 1.6 이상인 것이 더 바람직하다. 폴리벤즈옥사졸 전구체의 분자량의 분산도의 상한값은 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면, 2.6 이하가 바람직하고, 2.5 이하가 보다 바람직하며, 2.4 이하가 더 바람직하고, 2.3 이하가 한층 바람직하며, 2.2 이하가 보다 한층 바람직하다.The degree of dispersion of the molecular weight of the polybenzoxazole precursor is preferably 1.4 or more, more preferably 1.5 or more, and still more preferably 1.6 or more. The upper limit of the degree of dispersion of the molecular weight of the polybenzoxazole precursor is not particularly set, but is, for example, preferably 2.6 or less, more preferably 2.5 or less, still more preferably 2.4 or less, still more preferably 2.3 or less, and 2.2 or less. The following is more preferable.

〔폴리벤즈옥사졸〕[Polybenzoxazole]

폴리벤즈옥사졸로서는, 벤즈옥사졸환을 갖는 고분자 화합물이면, 특별히 한정은 없지만, 하기 식 (X)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하고, 하기 식 (X)로 나타나는 화합물이며, 중합성기를 갖는 화합물인 것이 보다 바람직하다. 상기 중합성기로서는, 라디칼 중합성기가 바람직하다. 또, 하기 식 (X)로 나타나는 화합물이며, 산분해성기 등의 극성 변환기를 갖는 화합물이어도 된다.The polybenzoxazole is not particularly limited as long as it is a polymer compound having a benzoxazole ring, but is preferably a compound represented by the following formula (X), and is a compound represented by the following formula (X) and has a polymerizable group. more preferable As said polymerizable group, a radical polymerizable group is preferable. Moreover, it is a compound represented by the following formula (X), and a compound having a polarity converter such as an acid decomposable group may be used.

[화학식 28][Formula 28]

Figure pct00029
Figure pct00029

식 (X) 중, R133은, 2가의 유기기를 나타내고, R134는, 4가의 유기기를 나타낸다.In formula (X), R 133 represents a divalent organic group, and R 134 represents a tetravalent organic group.

중합성기 또는 산분해성기 등의 극성 변환기를 갖는 경우, 중합성기 또는 산분해성기 등의 극성 변환기는, R133 및 R134 중 적어도 일방에 위치하고 있어도 되고, 하기 식 (X-1) 또는 식 (X-2)에 나타내는 바와 같이 폴리벤즈옥사졸의 말단에 위치하고 있어도 된다.In the case of having a polarity converter such as a polymerizable group or an acid decomposable group, the polarity converter such as a polymerizable group or an acid decomposable group may be located at least one of R 133 and R 134 , and the following formula (X-1) or formula (X As shown in -2), you may be located at the terminal of polybenzoxazole.

식 (X-1)Formula (X-1)

[화학식 29][Formula 29]

Figure pct00030
Figure pct00030

식 (X-1) 중, R135 및 R136 중 적어도 일방은, 중합성기 또는 산분해성기 등의 극성 변환기이고, 중합성기 또는 산분해성기 등의 극성 변환기가 아닌 경우는 유기기이며, 다른 기는 식 (X)와 동일한 의미이다.In formula (X-1), at least one of R 135 and R 136 is a polarity converter such as a polymerizable group or an acid decomposable group, and when it is not a polarity converter such as a polymerizable group or acid decomposable group, it is an organic group, and the other group is It has the same meaning as Formula (X).

식 (X-2)Formula (X-2)

[화학식 30][Formula 30]

Figure pct00031
Figure pct00031

식 (X-2) 중, R137은 중합성기 또는 산분해성기 등의 극성 변환기이고, 이외에는 치환기이며, 다른 기는 식 (X)와 동일한 의미이다.In formula (X-2), R 137 is a polarity converter such as a polymerizable group or an acid decomposable group, and other groups are substituents, and other groups have the same meaning as in formula (X).

중합성기 또는 산분해성기 등의 극성 변환기는, 상기의 폴리이미드 전구체 등이 갖고 있는 중합성기로 설명한 중합성기와 동일한 의미이다.A polarity converter such as a polymerizable group or an acid decomposable group has the same meaning as the polymerizable group described as the polymerizable group possessed by the polyimide precursor or the like.

R133은, 2가의 유기기를 나타낸다. 2가의 유기기로서는, 지방족 또는 방향족기를 들 수 있다. 구체적인 예로서는, 폴리벤즈옥사졸 전구체의 식 (3) 중의 R121의 예를 들 수 있다. 또, 그 바람직한 예는 R121과 동일하다.R 133 represents a divalent organic group. As a divalent organic group, an aliphatic or aromatic group is mentioned. As a specific example, the example of R121 in Formula (3) of a polybenzoxazole precursor is mentioned. Further, preferred examples thereof are the same as those for R 121 .

R134는, 4가의 유기기를 나타낸다. 4가의 유기기로서는, 폴리벤즈옥사졸 전구체의 식 (3) 중의 R122의 예를 들 수 있다. 또, 그 바람직한 예는 R122와 동일하다.R 134 represents a tetravalent organic group. As a tetravalent organic group, the example of R122 in Formula (3) of a polybenzoxazole precursor is mentioned. Further, preferred examples thereof are the same as those for R 122 .

예를 들면, R122로서 예시되는 4가의 유기기의 4개의 결합자가, 상기 식 (X) 중의 질소 원자, 산소 원자와 결합하여 축합환을 형성한다. 예를 들면, R134가, 하기 유기기인 경우, 하기 구조를 형성한다.For example, four bonded groups of a tetravalent organic group exemplified as R 122 combine with a nitrogen atom and an oxygen atom in the formula (X) to form a condensed ring. For example, when R 134 is the following organic group, the following structure is formed.

[화학식 31][Formula 31]

Figure pct00032
Figure pct00032

폴리벤즈옥사졸은 옥사졸화율이 85% 이상인 것이 바람직하고, 90% 이상인 것이 보다 바람직하다. 옥사졸화율이 85% 이상임으로써, 가열에 의하여 옥사졸화될 때에 일어나는 폐환에 근거하는 막수축이 작아져, 휨의 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.The polybenzoxazole preferably has an oxazolization rate of 85% or more, more preferably 90% or more. When the oxazolization rate is 85% or more, film shrinkage based on ring closure that occurs during oxazolization by heating is reduced, and generation of warping can be more effectively suppressed.

폴리벤즈옥사졸은, 모두가 1종의 R131 또는 R132를 포함하는 상기 식 (X)의 반복 구조 단위를 포함하고 있어도 되고, 2개 이상의 상이한 종류의 R131 또는 R132를 포함하는 상기 식 (X)의 반복 단위를 포함하고 있어도 된다. 또, 폴리벤즈옥사졸은, 상기 식 (X)의 반복 단위 외에, 다른 종류의 반복 구조 단위도 포함하고 있어도 된다.The polybenzoxazole may contain repeating structural units of the formula (X), all of which contain one type of R 131 or R 132 , and the formula (X) containing two or more different types of R 131 or R 132 . It may contain the repeating unit of (X). Moreover, polybenzoxazole may also contain other types of repeating structural units other than the repeating unit of said formula (X).

폴리벤즈옥사졸은, 예를 들면, 비스아미노페놀 유도체와, R133을 포함하는 다이카복실산 또는 상기 다이카복실산의, 다이카복실산 다이클로라이드 및 다이카복실산 유도체 등으로부터 선택되는 화합물을 반응시켜, 폴리벤즈옥사졸 전구체를 얻고, 이것을 이미 알려진 옥사졸화 반응법을 이용하여 옥사졸화시킴으로써 얻어진다.Polybenzoxazole is obtained, for example, by reacting a bisaminophenol derivative with a dicarboxylic acid containing R 133 or a compound selected from dicarboxylic acid dichlorides and dicarboxylic acid derivatives of the dicarboxylic acid, and the like. It is obtained by obtaining a precursor and oxazolizing it using a known oxazolization reaction method.

또한, 다이카복실산의 경우에는 반응 수율 등을 높이기 위하여, 1-하이드록시-1,2,3-벤조트라이아졸 등을 미리 반응시킨 활성 에스터형의 다이카복실산 유도체를 이용해도 된다.In addition, in the case of dicarboxylic acid, in order to increase the reaction yield or the like, an active ester type dicarboxylic acid derivative obtained by reacting 1-hydroxy-1,2,3-benzotriazole or the like in advance may be used.

폴리벤즈옥사졸의 중량 평균 분자량(Mw)은, 5,000~70,000이 바람직하고, 8,000~50,000이 보다 바람직하며, 10,000~30,000이 더 바람직하다. 중량 평균 분자량을 5,000 이상으로 함으로써, 경화 후의 막의 내절곡성을 향상시킬 수 있다. 기계 특성이 우수한 유기막을 얻기 위하여, 중량 평균 분자량은, 20,000 이상이 특히 바람직하다. 또, 폴리벤즈옥사졸을 2종 이상 함유하는 경우, 적어도 1종의 폴리벤즈옥사졸의 중량 평균 분자량이 상기 범위인 것이 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the polybenzoxazole is preferably 5,000 to 70,000, more preferably 8,000 to 50,000, still more preferably 10,000 to 30,000. By setting the weight average molecular weight to 5,000 or more, the bending resistance of the film after curing can be improved. In order to obtain an organic film excellent in mechanical properties, the weight average molecular weight is particularly preferably 20,000 or more. Moreover, when 2 or more types of polybenzoxazoles are contained, it is preferable that the weight average molecular weight of at least 1 type of polybenzoxazole is the said range.

〔폴리이미드 전구체 등의 제조 방법〕[Method for Producing Polyimide Precursors, etc.]

폴리이미드 전구체 등은, 다이카복실산 또는 다이카복실산 유도체와 다이아민을 반응시켜 얻어진다. 바람직하게는, 다이카복실산 또는 다이카복실산 유도체를, 할로젠화제를 이용하여 할로젠화시킨 후, 다이아민과 반응시켜 얻어진다.Polyimide precursors and the like are obtained by reacting dicarboxylic acids or dicarboxylic acid derivatives with diamines. Preferably, it is obtained by halogenating a dicarboxylic acid or a dicarboxylic acid derivative using a halogenating agent and then reacting with diamine.

폴리이미드 전구체 등의 제조 방법에서는, 반응 시에, 유기 용제를 이용하는 것이 바람직하다. 유기 용제는 1종이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.In the manufacturing method of a polyimide precursor etc., it is preferable to use an organic solvent in the case of reaction. 1 type may be sufficient as an organic solvent, and 2 or more types may be sufficient as it.

유기 용제로서는, 원료에 따라 적절히 정할 수 있지만, 피리딘, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터(다이글라임), N-메틸피롤리돈 및 N-에틸피롤리돈이 예시된다.Although it can determine suitably according to a raw material as an organic solvent, pyridine, diethylene glycol dimethyl ether (diglyme), N-methylpyrrolidone, and N-ethylpyrrolidone are illustrated.

폴리이미드는, 폴리이미드 전구체를 합성하고 나서, 열 이미드화, 화학 이미드화(예를 들면, 촉매를 작용시키는 것에 의한 환화 반응의 촉진) 등의 방법에 의하여 환화시켜 제조해도 되고, 직접, 폴리이미드를 합성해도 된다.Polyimide may be manufactured by synthesizing a polyimide precursor and then cyclizing by a method such as thermal imidation or chemical imidation (for example, accelerating the cyclization reaction by activating a catalyst). may be synthesized.

또, 상기 할로젠화제를 이용하지 않고, 비할로젠계 촉매를 이용하여 합성하는 것도 바람직하다. 상기 비할로젠계 촉매로서는, 할로젠 원자를 포함하지 않는 공지의 아마이드화 촉매를 특별히 제한 없이 사용하는 것이 가능하지만, 예를 들면, 보록신 화합물, N-하이드록시 화합물, 3급 아민, 인산 에스터, 아민염, 유레아 화합물 등, 카보다이이미드 화합물을 들 수 있다. 상기 카보다이이미드 화합물로서는, N,N'-다이아이소프로필카보다이이미드, N,N'-다이사이클로헥실카보다이이미드 등을 들 수 있다.Moreover, it is also preferable to synthesize|combine using a non-halogen type catalyst, without using the said halogenating agent. As the non-halogen catalyst, it is possible to use a known amidation catalyst that does not contain a halogen atom without particular limitation, but examples thereof include boroxine compounds, N-hydroxy compounds, tertiary amines, phosphate esters, Carbodiimide compounds, such as an amine salt and a urea compound, are mentioned. Examples of the carbodiimide compounds include N,N'-diisopropylcarbodiimide and N,N'-dicyclohexylcarbodiimide.

-말단 밀봉제--end sealant-

폴리이미드 전구체 등의 제조 시에, 조성물의 보존 안정성을 보다 향상시키기 위하여, 산무수물, 모노카복실산, 모노산 클로라이드 화합물, 모노 활성 에스터 화합물 등의 말단 밀봉제로, 폴리이미드 전구체 등의 말단을 밀봉하는 것이 바람직하다. 말단 밀봉제로서는, 모노아민을 이용하는 것이 보다 바람직하며, 모노아민의 바람직한 화합물로서는, 아닐린, 2-에타인일아닐린, 3-에타인일아닐린, 4-에타인일아닐린, 5-아미노-8-하이드록시퀴놀린, 1-하이드록시-7-아미노나프탈렌, 1-하이드록시-6-아미노나프탈렌, 1-하이드록시-5-아미노나프탈렌, 1-하이드록시-4-아미노나프탈렌, 2-하이드록시-7-아미노나프탈렌, 2-하이드록시-6-아미노나프탈렌, 2-하이드록시-5-아미노나프탈렌, 1-카복시-7-아미노나프탈렌, 1-카복시-6-아미노나프탈렌, 1-카복시-5-아미노나프탈렌, 2-카복시-7-아미노나프탈렌, 2-카복시-6-아미노나프탈렌, 2-카복시-5-아미노나프탈렌, 2-아미노벤조산, 3-아미노벤조산, 4-아미노벤조산, 4-아미노살리실산, 5-아미노살리실산, 6-아미노살리실산, 2-아미노벤젠설폰산, 3-아미노벤젠설폰산, 4-아미노벤젠설폰산, 3-아미노-4,6-다이하이드록시피리미딘, 2-아미노페놀, 3-아미노페놀, 4-아미노페놀, 2-아미노싸이오페놀, 3-아미노싸이오페놀, 4-아미노싸이오페놀, 4-아미노스타이렌 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 이용해도 되고, 복수의 말단 밀봉제를 반응시킴으로써, 복수의 상이한 말단기를 도입해도 된다.In order to further improve the storage stability of the composition during production of the polyimide precursor, it is preferable to seal the end of the polyimide precursor or the like with an end capping agent such as an acid anhydride, a monocarboxylic acid, a monoacid chloride compound, or a monoactive ester compound. desirable. As the end capping agent, it is more preferable to use a monoamine, and as a preferable monoamine compound, aniline, 2-ethynylaniline, 3-ethynylaniline, 4-ethynylaniline, 5-amino-8- Hydroxyquinoline, 1-hydroxy-7-aminonaphthalene, 1-hydroxy-6-aminonaphthalene, 1-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-hydroxy-4-aminonaphthalene, 2-hydroxy-7 -Aminonaphthalene, 2-hydroxy-6-aminonaphthalene, 2-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-carboxy-7-aminonaphthalene, 1-carboxy-6-aminonaphthalene, 1-carboxy-5-aminonaphthalene , 2-carboxy-7-aminonaphthalene, 2-carboxy-6-aminonaphthalene, 2-carboxy-5-aminonaphthalene, 2-aminobenzoic acid, 3-aminobenzoic acid, 4-aminobenzoic acid, 4-aminosalicylic acid, 5- Aminosalicylic acid, 6-aminosalicylic acid, 2-aminobenzenesulfonic acid, 3-aminobenzenesulfonic acid, 4-aminobenzenesulfonic acid, 3-amino-4,6-dihydroxypyrimidine, 2-aminophenol, 3- Aminophenol, 4-aminophenol, 2-aminothiophenol, 3-aminothiophenol, 4-aminothiophenol, 4-aminostyrene, etc. are mentioned. Two or more types of these may be used, and a plurality of different terminal groups may be introduced by reacting a plurality of terminal blocking agents.

-고체 석출--solid precipitation-

폴리이미드 전구체 등의 제조 시에, 고체를 석출하는 공정을 포함하고 있어도 된다. 구체적으로는, 반응액 중의 폴리이미드 전구체 등을, 수중에 침전시키고, 테트라하이드로퓨란 등의 폴리이미드 전구체 등이 가용인 용제에 용해시킴으로써, 고체 석출할 수 있다.In the case of manufacture of a polyimide precursor etc., you may include the process of depositing solid. Specifically, solid precipitation can be achieved by precipitating the polyimide precursor or the like in the reaction solution in water and dissolving the polyimide precursor or the like, such as tetrahydrofuran, in a soluble solvent.

그 후, 폴리이미드 전구체 등을 건조하여, 분말상의 폴리이미드 전구체 등을 얻을 수 있다.After that, the polyimide precursor or the like can be dried to obtain a powdery polyimide precursor or the like.

〔함유량〕〔content〕

본 발명의 조성물에 있어서의 특정 수지의 함유량은, 조성물의 전고형분에 대하여 20질량% 이상인 것이 바람직하고, 30질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 40질량% 이상인 것이 더 바람직하고, 50질량% 이상인 것이 한층 바람직하다. 또, 본 발명의 조성물에 있어서의 수지의 함유량은, 조성물의 전고형분에 대하여, 99.5질량% 이하인 것이 바람직하고, 99질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 98질량% 이하인 것이 더 바람직하고, 97질량% 이하인 것이 한층 바람직하며, 95질량% 이하인 것이 보다 한층 바람직하다.The content of the specific resin in the composition of the present invention is preferably 20 mass% or more, more preferably 30 mass% or more, still more preferably 40 mass% or more, and 50 mass% or more with respect to the total solid content of the composition. more preferable Further, the content of the resin in the composition of the present invention is preferably 99.5% by mass or less, more preferably 99% by mass or less, still more preferably 98% by mass or less, and 97% by mass with respect to the total solid content of the composition. It is more preferable that it is less than or equal to, and it is still more preferable that it is 95% by mass or less.

본 발명의 조성물은, 특정 수지를 1종만 포함하고 있어도 되고, 2종 이상 포함하고 있어도 된다. 2종 이상 포함하는 경우, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.The composition of this invention may contain only 1 type of specific resin, and may contain 2 or more types. When including 2 or more types, it is preferable that a total amount becomes the said range.

또, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 적어도 2종의 수지를 포함하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that curable resin composition of this invention contains at least 2 types of resin.

구체적으로는, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 특정 수지와, 후술하는 다른 수지를 합계로 2종 이상 포함해도 되고, 특정 수지를 2종 이상 포함하고 있어도 되지만, 특정 수지를 2종 이상 포함하는 것이 바람직하다.Specifically, the curable resin composition of the present invention may contain 2 or more types of specific resin and other resins described later in total, or may contain 2 or more types of specific resin, but containing 2 or more types of specific resin desirable.

본 발명의 경화성 수지 조성물이 특정 수지를 2종 이상 포함하는 경우, 예를 들면, 폴리이미드 전구체여도 되고, 이무수물 유래의 구조(상술한 식 (2)에서 말하는 R115)가 상이한 2종 이상의 폴리이미드 전구체를 포함하는 것이 바람직하다.When the curable resin composition of the present invention contains two or more types of specific resin, it may be, for example, a polyimide precursor, and two or more types of polyisides having different dianhydride-derived structures (R 115 in the above formula (2)) are different. It is preferable to include a mid precursor.

<다른 수지><Other resins>

본 발명의 조성물은, 상술한 특정 수지와, 특정 수지와는 상이한, 다른 수지(이하, 간단히 "다른 수지"라고도 한다.)를 포함해도 된다.The composition of the present invention may also contain the specific resin described above and another resin different from the specific resin (hereinafter, simply referred to as “other resin”).

다른 수지로서는, 폴리아마이드이미드, 폴리아마이드이미드 전구체, 페놀 수지, 폴리아마이드, 에폭시 수지, 폴리실록세인, 실록세인 구조를 포함하는 수지, 아크릴 수지 등을 들 수 있다.Examples of other resins include polyamideimide, polyamideimide precursors, phenol resins, polyamides, epoxy resins, polysiloxanes, resins containing a siloxane structure, and acrylic resins.

예를 들면, 아크릴 수지를 더 더함으로써, 도포성이 우수한 조성물이 얻어지고, 또, 내용제성이 우수한 유기막이 얻어진다.For example, by further adding an acrylic resin, a composition excellent in applicability is obtained, and an organic film excellent in solvent resistance is obtained.

예를 들면, 후술하는 가교제(중합성 화합물이라고도 한다) 대신에, 또는, 후술하는 중합성 화합물에 더하여, 중량 평균 분자량이 20,000 이하인 중합성기가가 높은 아크릴계 수지를 조성물에 첨가함으로써, 조성물의 도포성, 유기막의 내용제성 등을 향상시킬 수 있다.For example, by adding an acrylic resin having a high polymerizable value of 20,000 or less in weight average molecular weight to the composition in place of the crosslinking agent (also referred to as a polymerizable compound) described later or in addition to the polymerizable compound described later, the coating property of the composition is improved. , the solvent resistance of the organic film can be improved.

본 발명의 조성물이 다른 수지를 포함하는 경우, 다른 수지의 함유량은, 조성물의 전고형분에 대하여, 0.01질량% 이상인 것이 바람직하고, 0.05질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 1질량% 이상인 것이 더 바람직하고, 2질량% 이상인 것이 한층 바람직하며, 5질량% 이상인 것이 보다 한층 바람직하고, 10질량% 이상인 것이 더 한층 바람직하다.When the composition of the present invention contains other resins, the content of the other resins is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, and even more preferably 1% by mass or more, based on the total solid content of the composition. , It is more preferably 2% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and still more preferably 10% by mass or more.

또, 본 발명의 조성물에 있어서의, 다른 수지의 함유량은, 조성물의 전고형분에 대하여, 80질량% 이하인 것이 바람직하고, 75질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 70질량% 이하인 것이 더 바람직하고, 60질량% 이하인 것이 한층 바람직하며, 50질량% 이하인 것이 보다 한층 바람직하다.In addition, the content of the other resin in the composition of the present invention is preferably 80% by mass or less, more preferably 75% by mass or less, still more preferably 70% by mass or less, and 60% by mass or less with respect to the total solid content of the composition. It is further more preferable that it is mass % or less, and it is even more preferable that it is 50 mass % or less.

또, 본 발명의 조성물의 바람직한 일 양태로서, 다른 수지의 함유량이 저함유량인 양태로 할 수도 있다. 상기 양태에 있어서, 다른 수지의 함유량은, 조성물의 전고형분에 대하여, 20질량% 이하인 것이 바람직하고, 15질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 10질량% 이하인 것이 더 바람직하고, 5질량% 이하인 것이 한층 바람직하며, 1질량% 이하인 것이 보다 한층 바람직하다. 상기 함유량의 하한은 특별히 한정되지 않으며, 0질량% 이상이면 된다.In addition, as a preferable aspect of the composition of the present invention, an aspect in which the content of other resins is low is also possible. In the above aspect, the content of the other resin is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, still more preferably 10% by mass or less, and even more preferably 5% by mass or less with respect to the total solids of the composition. It is preferable, and it is more preferable that it is 1 mass % or less. The lower limit of the content is not particularly limited, and may be 0% by mass or more.

본 발명의 조성물은, 다른 수지를 1종만 포함하고 있어도 되고, 2종 이상 포함하고 있어도 된다. 2종 이상 포함하는 경우, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.The composition of this invention may contain only 1 type of other resin, and may contain 2 or more types. When including 2 or more types, it is preferable that a total amount becomes the said range.

<화합물 B><Compound B>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 중합성기 및 아졸기를 갖는 화합물인 화합물 B를 포함한다.The curable resin composition of the present invention contains compound B which is a compound having a polymerizable group and an azole group.

〔중합성기〕[polymerizable group]

화합물 B에 있어서의 중합성기로서는, 라디칼 중합성기, 알콕시실릴기, 에폭시기, 옥세탄일기, 메틸올기, 알콕시메틸기, (블록)아이소사이아네이트기 등의 공지의 중합성기를 들 수 있다.Examples of the polymerizable group in the compound B include known polymerizable groups such as a radical polymerizable group, an alkoxysilyl group, an epoxy group, an oxetanyl group, a methylol group, an alkoxymethyl group, and a (block) isocyanate group.

이들 중에서도, 경화막의 금속과의 밀착성의 관점에서, 화합물 B는 중합성기로서, 라디칼 중합성기, 및, 알콕시실릴기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 포함하는 것이 바람직하다.Among these, it is preferable that compound B contains at least 1 sort(s) of group selected from the group which consists of a radical polymerizable group and an alkoxysilyl group as a polymerizable group from an adhesive viewpoint with the metal of a cured film.

상기 알콕시실릴기는, 모노알콕시실릴기, 다이알콕시실릴기, 트라이알콕시실릴기 중 어느 것이어도 되지만, 경화막의 금속과의 밀착성의 관점에서는, 트라이알콕시실릴기가 바람직하다.Although any of a monoalkoxysilyl group, a dialkoxysilyl group, and a trialkoxysilyl group may be sufficient as the said alkoxysilyl group, From an adhesive viewpoint with the metal of a cured film, a trialkoxysilyl group is preferable.

상기 알콕시실릴기에 있어서의 알콕시기로서는, 탄소수 1~4의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기 또는 에톡시기가 보다 바람직하며, 에톡시기가 더 바람직하다.As an alkoxy group in the said alkoxysilyl group, a C1-C4 alkoxy group is preferable, a methoxy group or an ethoxy group is more preferable, and an ethoxy group is still more preferable.

상기 라디칼 중합성기로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기가 바람직하다.As the radical polymerizable group, a group having an ethylenically unsaturated bond is preferable.

에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기로서는, 바이닐기, 알릴기, 바이닐페닐기 등의 방향환에 직접 결합한, 치환되어 있어도 되는 바이닐기를 갖는 기, (메트)아크릴아마이드기, (메트)아크릴로일옥시기 등을 들 수 있으며, (메트)아크릴로일옥시기가 바람직하다.Examples of the group having an ethylenically unsaturated bond include a group having an optionally substituted vinyl group bonded directly to an aromatic ring such as a vinyl group, an allyl group, and a vinylphenyl group, a (meth)acrylamide group, a (meth)acryloyloxy group, and the like. and a (meth)acryloyloxy group is preferable.

화합물 B는, 중합성기를 1개만 갖고 있어도 되고, 2개 이상 갖고 있어도 된다.Compound B may have only one polymerizable group, or may have two or more.

또, 화합물 B는, 중합성기를 1종만 갖고 있어도 되고, 2종 이상 갖고 있어도 된다. 예를 들면, 라디칼 중합성기와, 알콕시실릴기를 갖고 있어도 된다.Moreover, compound B may have only 1 type of polymeric groups, and may have 2 or more types. For example, you may have a radical polymerizable group and an alkoxysilyl group.

〔아졸기〕[azole group]

화합물 B에 있어서의 아졸기로서는, 환원으로서 질소 원자를 하나 이상 포함하는 복소 5원환 화합물이고, 치환기 또는 축합환 구조를 갖고 있어도 되는 복소 5원환 화합물로부터 수소 원자를 하나 이상 제거한 구조를 갖는 기이면 되지만, 환원으로서 1 이상의 질소 원자 및 1 또는 복수의 탄소 원자만을 포함하는 복소 5원환 화합물이며, 치환기를 갖고 있어도 되는 복소 5원환 화합물로부터 수소 원자를 하나 이상 제거한 구조를 갖는 기인 것이 바람직하다.The azole group in the compound B may be a 5-membered heterocyclic compound containing at least one nitrogen atom as a reduction, and a group having a structure in which one or more hydrogen atoms are removed from a 5-membered heterocyclic compound which may have a substituent or condensed ring structure. , It is a hetero 5-membered ring compound containing only one or more nitrogen atoms and one or more carbon atoms as a reduction, and a group having a structure in which one or more hydrogen atoms are removed from the hetero 5-membered ring compound which may have a substituent is preferable.

경화막의 금속과의 밀착성의 관점에서, 아졸기로서는, 피롤환, 피라졸환, 인다졸환, 이미다졸환, 벤즈이미다졸환, 1,2,3-트라이아졸환, 1,2,4-트라이아졸환, 벤조트라이아졸환, 또는, 테트라졸환으로부터 수소 원자를 하나 이상 제거한 구조를 갖는 기인 것이 바람직하고, 이미다졸환, 벤즈이미다졸환, 1,2,4-트라이아졸환, 또는, 벤조트라이아졸환으로부터 수소 원자를 하나 이상 제거한 구조를 갖는 기인 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of the adhesiveness of the cured film to the metal, examples of the azole group include a pyrrole ring, a pyrazole ring, an indazole ring, an imidazole ring, a benzimidazole ring, a 1,2,3-triazole ring, and a 1,2,4-triazole ring. A ring, a benzotriazole ring, or a group having a structure in which one or more hydrogen atoms are removed from the tetrazole ring is preferable, and an imidazole ring, a benzimidazole ring, a 1,2,4-triazole ring, or a benzotriazole ring. More preferred is a group having a structure in which one or more hydrogen atoms are removed from the ring.

또, 화합물 B에 있어서의 아졸기는, 하기 식 (B-1) 또는 하기 식 (B-2)로 나타나는 기인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the azole group in compound B is a group represented by the following formula (B-1) or the following formula (B-2).

[화학식 32][Formula 32]

Figure pct00033
Figure pct00033

식 (B-1) 중, RB1은 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위, 수소 원자 또는 중합성기를 갖지 않는 1가의 유기기를 나타내고, ZB1~ZB4는 각각 독립적으로, =CRB7- 또는 질소 원자를 나타내며, RB7은 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위, 수소 원자 또는 중합성기를 갖지 않는 1가의 유기기를 나타내고, 식 (B-1)에 포함되는 RB1 및 RB7 중, 적어도 하나는 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타낸다;In formula (B-1), R B1 represents a bonding site with a structure having a polymerizable group, a hydrogen atom, or a monovalent organic group having no polymerizable group, and Z B1 to Z B4 are each independently =CR B7 - or represents a nitrogen atom, R B7 represents a bonding site to a structure having a polymerizable group, a hydrogen atom or a monovalent organic group having no polymerizable group, and at least one of R B1 and R B7 contained in formula (B-1) represents a bonding site with a structure having a polymerizable group;

식 (B-2) 중, RB2~RB6은 각각 독립적으로, 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위, 수소 원자 또는 중합성기를 갖지 않는 1가의 유기기를 나타내고, ZB5 및 ZB6은 각각 독립적으로, =CRB8- 또는 질소 원자를 나타내며, RB8은 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위, 수소 원자, 또는, 중합성기를 갖지 않는 1가의 유기기를 나타내고, 식 (B-2)에 포함되는 RB2~RB6 및 RB8 중, 적어도 하나는 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타낸다.In formula (B-2), R B2 to R B6 each independently represent a bonding site to a structure having a polymerizable group, a hydrogen atom, or a monovalent organic group having no polymerizable group, and Z B5 and Z B6 are each independently where =CR B8 - or represents a nitrogen atom, R B8 represents a bonding site to a structure having a polymerizable group, a hydrogen atom, or a monovalent organic group having no polymerizable group, and is included in the formula (B-2) Among R B2 to R B6 and R B8 , at least one represents a bonding site with a structure having a polymerizable group.

식 (B-1) 중, RB1은 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위, 수소 원자 또는 중합성기를 갖지 않는 1가의 유기기를 나타내고, 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위인 것이 보다 바람직하다.In formula (B-1), R B1 represents a bonding site to a structure having a polymerizable group, a hydrogen atom, or a monovalent organic group having no polymerizable group, and is more preferably a bonding site to a structure having a polymerizable group.

상기 RB1에 있어서의 1가의 유기기로서는, 특별히 한정되지 않으며, 본 발명의 효과가 얻어지는 한에 있어서 공지의 유기기를 사용하는 것이 가능하지만, 탄화 수소기 또는 아미노기인 것이 바람직하고, 알킬기 또는 아미노기인 것이 보다 바람직하다. 상기 탄화 수소기 또는 알킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 1~10인 것이 바람직하고, 1~4인 것이 보다 바람직하다.The monovalent organic group for R B1 is not particularly limited, and it is possible to use a known organic group as long as the effect of the present invention is obtained, but it is preferably a hydrocarbon group or an amino group, and an alkyl group or an amino group it is more preferable Although the number of carbon atoms in the hydrocarbon group or alkyl group is not particularly limited, it is preferably 1 to 10, and more preferably 1 to 4.

상기 아미노기는, 치환 아미노기여도 되고, 무치환 아미노기여도 된다.The amino group may be a substituted amino group or an unsubstituted amino group.

식 (B-1) 중, ZB1~ZB4는 각각 독립적으로, =CRB7- 또는 질소 원자를 나타낸다.In formula (B-1), each of Z B1 to Z B4 independently represents =CR B7 - or a nitrogen atom.

그중에서도, ZB1~ZB4 중 2개가 질소 원자이고, 2개가 =CRB7-인 양태, ZB1~ZB4 중 1개가 질소 원자이며, 3개가 =CRB7-인 양태, 또는, ZB1~ZB4 중 3개가 질소 원자이고, 1개가 =CRB7-인 양태가 바람직하다.Among them, two of Z B1 to Z B4 are nitrogen atoms, two of which are =CR B7 -, one of Z B1 to Z B4 are nitrogen atoms, and three of them are =CR B7 -, or Z B1 to Z An aspect in which three of B4 are nitrogen atoms and one is =CR B7 - is preferable.

또, 이들 중에서도, ZB1 및 ZB3이 질소 원자이고, ZB2 및 ZB4가 =CRB7-인 양태, ZB1 및 ZB2가 질소 원자이며, ZB3 및 ZB4가 =CRB7-인 양태, ZB2가 질소 원자이고, ZB1, ZB3 및 ZB4가 =CRB7-인 양태, 또는, ZB1, ZB2 및 ZB3이 질소 원자이며, ZB4가 =CRB7-인 양태가 바람직하고, ZB1 및 ZB3이 질소 원자이며, ZB2 및 ZB4가 =CRB7-인 양태가 보다 바람직하다.Also, among these, Z B1 and Z B3 are nitrogen atoms, Z B2 and Z B4 are =CR B7 -, Z B1 and Z B2 are nitrogen atoms, and Z B3 and Z B4 are =CR B7 -. , Z B2 is a nitrogen atom, Z B1 , Z B3 and Z B4 are =CR B7 -, or, Z B1 , Z B2 and Z B3 are nitrogen atoms, Z B4 is =CR B7 - is preferred and Z B1 and Z B3 are nitrogen atoms, and Z B2 and Z B4 are =CR B7 -.

상기 RB7은 수소 원자 또는 1가의 유기기인 것이 바람직하다.R B7 is preferably a hydrogen atom or a monovalent organic group.

또, ZB1, ZB2 및 ZB3이 질소 원자이며, ZB4가 =CRB7-인 경우, RB7은 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위인 것이 바람직하다.Further, when Z B1 , Z B2 and Z B3 are nitrogen atoms and Z B4 is =CR B7 -, R B7 is preferably a bonding site with a structure having a polymerizable group.

RB7에 있어서의 1가의 유기기의 바람직한 양태는, 상술한 RB1에 있어서의 1가의 유기기의 바람직한 양태와 동일하다.The preferable aspect of the monovalent organic group for R B7 is the same as the preferable aspect of the monovalent organic group for R B1 described above.

식 (B-1)에 포함되는 RB1 및 RB7 중, 적어도 하나는 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타내고, 적어도 RB1이 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타내는 것이 바람직하다. 또, 식 (B-1)에 있어서, RB1만이 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타내고, RB7은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내는 양태도, 본 발명의 바람직한 양태 중 하나이다.It is preferable that at least one of R B1 and R B7 contained in Formula (B-1) represents a bonding site to a structure having a polymerizable group, and at least R B1 represents a bonding site to a structure having a polymerizable group. Further, in the formula (B-1), an aspect in which only R B1 represents a bonding site to a structure having a polymerizable group and each of R B7 independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group is also one of the preferred embodiments of the present invention. .

식 (B-2) 중, ZB5 및 ZB6은 각각 독립적으로, =CRB8- 또는 질소 원자를 나타낸다.In formula (B-2), Z B5 and Z B6 each independently represent =CR B8 - or a nitrogen atom.

그중에서도, ZB5 및 ZB6이 모두 질소 원자를 나타내는 양태, 또는, ZB5가 질소 원자를, ZB6이 =CRB8-을 각각 나타내는 양태가 바람직하다.Among them, an aspect in which both Z B5 and Z B6 represent a nitrogen atom or an aspect in which Z B5 represents a nitrogen atom and Z B6 represents =CR B8 - are preferred.

식 (B-2)에 있어서, ZB5 및 ZB6이 모두 질소 원자를 나타내는 경우, RB6이 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타내는 것이 바람직하다. 또, 식 (B-2)에 있어서, ZB5 및 ZB6이 모두 질소 원자를 나타내고, 또한, RB6만이 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타내는 양태도, 본 발명의 바람직한 양태 중 하나이다.In the formula (B-2), when both Z B5 and Z B6 represent a nitrogen atom, it is preferable that R B6 represents a bonding site with a structure having a polymerizable group. Further, in the formula (B-2), an embodiment in which both Z B5 and Z B6 represent a nitrogen atom and only R B6 represents a bonding site to a structure having a polymerizable group is also one of the preferred embodiments of the present invention.

식 (B-2)에 있어서, ZB5가 질소 원자를, ZB6이 =CRB8-을 각각 나타내는 경우, RB8이 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타내는 것이 바람직하다. 또, 식 (B-2)에 있어서, ZB5가 질소 원자를, ZB6이 =CRB8-을 각각 나타내고, 또한, RB8만이 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타내는 양태도, 본 발명의 바람직한 양태 중 하나이다.In the formula (B-2), when Z B5 represents a nitrogen atom and Z B6 represents =CR B8 -, it is preferable that R B8 represents a bonding site with a structure having a polymerizable group. Further, in the formula (B-2), Z B5 represents a nitrogen atom, Z B6 represents =CR B8 -, and only R B8 represents a bonding site with a structure having a polymerizable group, according to the present invention. is one of the preferred aspects of

식 (B-2) 중, RB2~RB5는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 중합성기를 갖지 않는 1가의 유기기를 나타내는 것이 바람직하다. RB2~RB5에 있어서의 1가의 유기기의 바람직한 양태는, 상술한 RB1에 있어서의 1가의 유기기의 바람직한 양태와 동일하다.In formula (B-2), it is preferable that each of R B2 to R B5 independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having no polymerizable group. The preferable aspect of the monovalent organic group in R B2 to R B5 is the same as the preferable aspect of the monovalent organic group in R B1 described above.

식 (B-2) 중, ZB5가 질소 원자를, ZB6이 =CRB8-을 각각 나타내는 경우, RB6은 수소 원자 또는 중합성기를 갖지 않는 1가의 유기기를 나타내는 것이 바람직하다. RB6에 있어서의 1가의 유기기의 바람직한 양태는, 상술한 RB1에 있어서의 1가의 유기기의 바람직한 양태와 동일하다.In formula (B-2), when Z B5 represents a nitrogen atom and Z B6 represents =CR B8 -, R B6 preferably represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having no polymerizable group. The preferable aspect of the monovalent organic group in R B6 is the same as the preferable aspect of the monovalent organic group in R B1 described above.

다른 경우에는, RB6은 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타내는 것이 바람직하다. 특히, ZB5가 질소 원자를, ZB6이 =CRB8-을 각각 나타내는 경우, RB8이 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타내는 것이 바람직하다.In other cases, R B6 preferably represents a bonding site with a structure having a polymerizable group. In particular, when Z B5 represents a nitrogen atom and Z B6 represents =CR B8 -, it is preferable that R B8 represents a bonding site with a structure having a polymerizable group.

식 (B-2) 중, RB8은 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타내는 것이 바람직하다.In formula (B-2), R B8 preferably represents a bonding site with a structure having a polymerizable group.

ZB5 및 ZB6이 모두 =CRB8-을 나타내는 경우, 일방의 RB8이 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타내고, 타방이 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내는 것이 바람직하다. RB8에 있어서의 1가의 유기기의 바람직한 양태는, 상술한 RB1에 있어서의 1가의 유기기의 바람직한 양태와 동일하다.When both Z B5 and Z B6 represent =CR B8 -, it is preferable that one R B8 represents a bonding site to a structure having a polymerizable group and the other represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. The preferable aspect of the monovalent organic group in R B8 is the same as the preferable aspect of the monovalent organic group in R B1 described above.

식 (B-2)에 포함되는 RB2~RB6 및 RB8 중, 적어도 하나는 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타내고, 적어도 RB6 또는 RB8이 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타내는 것이 바람직하다. 또, 식 (B-2)에 있어서, RB6 및 RB8 중 일방만이 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타내고, RB6 및 RB8 중 타방 및 RB2~RB5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내는 양태도, 본 발명의 바람직한 양태 중 하나이다.At least one of R B2 to R B6 and R B8 in Formula (B-2) represents a bonding site with a structure having a polymerizable group, and at least R B6 or R B8 is a bonding site with a structure having a polymerizable group. It is desirable to indicate In formula (B-2), only one of R B6 and R B8 represents a bonding site with a structure having a polymerizable group, and the other of R B6 and R B8 and R B2 to R B5 are each independently hydrogen. An aspect showing an atom or a monovalent organic group is also one of the preferable aspects of the present invention.

이들 중에서도, 아졸기는, 하기 식 (B-3)~식 (B-6) 중 어느 하나로 나타나는 기인 것이 바람직하다.Among these, the azole group is preferably a group represented by any of the following formulas (B-3) to (B-6).

[화학식 33][Formula 33]

Figure pct00034
Figure pct00034

식 (B-3)~식 (B-6) 중, RB9~RB20은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 중합성기를 갖지 않는 1가의 유기기를 나타내고, *는 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타낸다.In formulas (B-3) to (B-6), R B9 to R B20 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group having no polymerizable group, and * is a bonding site to a structure having a polymerizable group. indicates

식 (B-3)~식 (B-6) 중, RB9~RB20에 있어서의 1가의 유기기의 바람직한 양태는, 상술한 RB1에 있어서의 1가의 유기기의 바람직한 양태와 동일하다.In formulas (B-3) to (B-6), preferred embodiments of the monovalent organic group for R B9 to R B20 are the same as those described above for the monovalent organic group for R B1 .

얻어지는 경화막의 금속과의 밀착성의 관점에서, 화합물 B는, 아마이드기, 유레테인기 및 유레아기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that compound B has at least 1 sort(s) of group selected from the group which consists of an amide group, a urethane group, and a urea group from an adhesive viewpoint with the metal of the cured film obtained.

화합물 B가 아마이드기, 유레테인기 및 유레아기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 가짐으로써, 화합물 B와 특정 수지의 상호 작용이 촉진되어, 경화막과 금속의 밀착성이 향상된다고 추측된다.When compound B has at least one group selected from the group consisting of amide group, urethane group and urea group, interaction between compound B and specific resin is promoted, and it is estimated that the adhesion between the cured film and metal is improved.

상기 아마이드기, 유레테인기 및 유레아기는, 아졸기와 직접 결합하고 있어도 되고, 연결기를 개재하여 결합하고 있어도 된다.The amide group, urethane group and urea group may be directly bonded to the azole group or may be bonded through a linking group.

상기 연결기로서는, 탄화 수소기, 또는, 탄화 수소기와, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O)2- 및 -NRN-으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 기의 결합에 의하여 나타나는 기가 바람직하고, 탄화 수소기가 보다 바람직하다.As the linking group, at least one selected from the group consisting of a hydrocarbon group, a hydrocarbon group, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O) 2 -, and -NR N - A group represented by a bond of a group of is preferable, and a hydrocarbon group is more preferable.

상기 RN은 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내고, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기가 보다 바람직하며, 수소 원자 또는 알킬기가 더 바람직하고, 수소 원자가 특히 바람직하다.R N represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, more preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, still more preferably a hydrogen atom or an alkyl group, and particularly preferably a hydrogen atom.

상기 탄화 수소기로서는, 포화 지방족 탄화 수소기가 바람직하고, 알킬렌기가 보다 바람직하다.As said hydrocarbon group, a saturated aliphatic hydrocarbon group is preferable and an alkylene group is more preferable.

상기 탄화 수소기 또는 알킬렌기의 탄소수는, 2~20이 바람직하고, 2~10이 보다 바람직하다.2-20 are preferable and, as for carbon number of the said hydrocarbon group or alkylene group, 2-10 are more preferable.

화합물 B가 아마이드기, 유레테인기 또는 유레아기를 갖는 경우, 화합물 B는, 상기 아졸기와, 아마이드기, 유레테인기 또는 유레아기를 포함하는 구조로서, 하기 식 (B-7), (B-8) 또는 식 (B-9)로 나타나는 구조를 갖는 것이 바람직하다.When compound B has an amide group, urethane group or urea group, compound B has a structure containing the azole group and an amide group, urethane group or urea group, and is represented by the following formulas (B-7) and (B-8) Or what has a structure represented by Formula (B-9) is preferable.

[화학식 34][Formula 34]

Figure pct00035
Figure pct00035

식 (B-7) 중, X1은 아졸기를 나타내고, L1은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내며, RB21은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, *는 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타낸다.In formula (B-7), X 1 represents an azole group, L 1 represents a single bond or a divalent linking group, R B21 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and * is a bonding site with a structure having a polymerizable group. indicates

식 (B-8) 중, X2는 아졸기를 나타내고, L2는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내며, RB22는 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, *는 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타낸다.In formula (B-8), X 2 represents an azole group, L 2 represents a single bond or a divalent linking group, R B22 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and * is a bonding site with a structure having a polymerizable group. indicates

식 (B-9) 중, X3은 아졸기를 나타내고, L3은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내며, RB23 및 RB24는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, *는 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타낸다.In formula (B-9), X 3 represents an azole group, L 3 represents a single bond or a divalent linking group, R B23 and R B24 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, and * represents a polymerizable group. represents a binding site with a structure having

식 (B-7) 중, X1에 있어서의 아졸기의 바람직한 양태는 상술한 바와 같다. 상술한 아졸기에 있어서의 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위가, 식 (B-7) 중의 L1과의 결합 부위에 해당한다.In formula (B-7), the preferred aspect of the azole group for X 1 is as described above. The above-mentioned bonding site with the structure having a polymerizable group in the azole group corresponds to the bonding site with L 1 in formula (B-7).

식 (B-7) 중, L1에 있어서의 2가의 연결기로서는, 탄화 수소기, 또는, 탄화 수소기와, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O)2- 및 -NRN-으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 기의 결합에 의하여 나타나는 기가 바람직하고, 탄화 수소기가 보다 바람직하다.In formula (B-7), as the divalent linking group for L 1 , a hydrocarbon group or a hydrocarbon group, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O) A group formed by bonding of at least one group selected from the group consisting of 2- and -NR N- is preferable, and a hydrocarbon group is more preferable.

상기 RN은 상술한 바와 같다.The R N is as described above.

상기 탄화 수소기로서는, 포화 지방족 탄화 수소기가 바람직하고, 알킬렌기가 보다 바람직하다.As said hydrocarbon group, a saturated aliphatic hydrocarbon group is preferable and an alkylene group is more preferable.

상기 탄화 수소기 또는 알킬렌기의 탄소수는, 2~20이 바람직하고, 2~10이 보다 바람직하다.2-20 are preferable and, as for carbon number of the said hydrocarbon group or alkylene group, 2-10 are more preferable.

식 (B-7) 중, RB21은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, 수소 원자가 바람직하다. RB21에 있어서의 1가의 유기기의 바람직한 양태는, 상술한 RB1과 동일하다.In formula (B-7), R B21 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and is preferably a hydrogen atom. Preferred aspects of the monovalent organic group in R B21 are the same as those for R B1 described above.

식 (B-8) 중, X2는 식 (B-7) 중의 X1과, L2는 식 (B-7) 중의 L1과, RB22는 식 (B-7) 중의 RB21과 각각 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.In formula (B-8), X 2 is X 1 in formula (B-7), L 2 is L 1 in formula (B-7), and R B22 is R B21 in formula (B-7), respectively. It is the same meaning, and a preferable aspect is also the same.

식 (B-9) 중, X3은 식 (B-7) 중의 X1과, L3은 식 (B-7) 중의 L1과, RB23 및 RB24는 각각 독립적으로, 식 (B-7) 중의 RB21과 각각 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.In formula (B-9), X 3 is X 1 in formula (B-7), L 3 is L 1 in formula (B-7), R B23 and R B24 are each independently It has the same meaning as R B21 in 7), and the preferred embodiment is also the same.

화합물 B는, 분자량 2,000 미만의 화합물(이하, "저분자 화합물 B"라고도 한다.)이어도 되고, 수지(이하, "수지 B"라고도 한다.)여도 된다.Compound B may be a compound having a molecular weight of less than 2,000 (hereinafter also referred to as "low molecular weight compound B") or a resin (hereinafter also referred to as "resin B").

또, 경화막의 금속과의 밀착성의 관점에서는, 경화성 수지 조성물은, 저분자 화합물 B와, 수지 B의 양방을 포함하는 것도 바람직하다.Moreover, it is also preferable that curable resin composition contains both the low molecular weight compound B and resin B from an adhesive viewpoint with the metal of a cured film.

〔저분자 화합물 B〕[Low Molecular Compound B]

저분자 화합물 B의 분자량은, 2,000 미만이며, 1,500 이하인 것이 바람직하고, 1,000 이하인 것이 보다 바람직하다.The molecular weight of the low molecular weight compound B is less than 2,000, preferably 1,500 or less, and more preferably 1,000 or less.

저분자 화합물 B에 있어서의 중합성기의 수는, 특별히 한정되지 않지만, 1~10인 것이 바람직하고, 1~4인 것이 보다 바람직하며, 1 또는 2인 것이 더 바람직하다.The number of polymerizable groups in the low molecular compound B is not particularly limited, but is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 4, and even more preferably 1 or 2.

저분자 화합물 B에 있어서의 아졸기의 수는, 특별히 한정되지 않지만, 1~10인 것이 바람직하고, 1~4인 것이 보다 바람직하며, 1 또는 2인 것이 더 바람직하고, 1인 것이 더 바람직하다.The number of azole groups in the low molecular weight compound B is not particularly limited, but is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 4, still more preferably 1 or 2, still more preferably 1.

저분자 화합물 B는, 하기 식 (BL-1)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.It is preferable that the low molecular weight compound B is a compound represented by the following formula (BL-1).

[화학식 35][Formula 35]

Figure pct00036
Figure pct00036

식 (BL-1) 중, XLA는 아졸기를 나타내고, LLA는 단결합 또는 m+1가의 연결기를 나타내며, XLB는 중합성기를 나타내고, n은 1 이상의 정수를 나타내며, m은 1 이상의 정수를 나타낸다.In formula (BL-1), X LA represents an azole group, L LA represents a single bond or an m+1 valent linking group, X LB represents a polymerizable group, n represents an integer greater than or equal to 1, and m represents an integer greater than or equal to 1 indicates

식 (BL-1) 중, XLA에 있어서의 아졸기의 바람직한 양태는, 상술한 바와 같다.In formula (BL-1), the preferred aspect of the azole group in X LA is as described above.

식 (BL-1) 중, LLA는 단결합, 탄화 수소기, 또는, 탄화 수소기와, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O)2- 및 -NRN-으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 기의 결합에 의하여 나타나는 기가 바람직하다.In formula (BL-1), L LA is a single bond, a hydrocarbon group, or a hydrocarbon group, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O) 2 - and - A group represented by bonding of at least one group selected from the group consisting of NR N - is preferred.

상기 RN은 상술한 바와 같다.The R N is as described above.

상기 탄화 수소기로서는, 포화 지방족 탄화 수소기가 바람직하고, 알킬렌기가 보다 바람직하다.As said hydrocarbon group, a saturated aliphatic hydrocarbon group is preferable and an alkylene group is more preferable.

상기 탄화 수소기 또는 알킬렌기의 탄소수는, 2~20이 바람직하고, 2~10이 보다 바람직하다.2-20 are preferable and, as for carbon number of the said hydrocarbon group or alkylene group, 2-10 are more preferable.

또, 식 (BL-1) 중, LLA가 하기 식 (L-1) 또는 식 (L-2)로 나타나는 기인 양태도, 본 발명의 바람직한 양태 중 하나이다.Moreover, in formula (BL-1), an aspect in which L LA is a group represented by the following formula (L-1) or formula (L-2) is also one of the preferred aspects of the present invention.

[화학식 36][Formula 36]

Figure pct00037
Figure pct00037

식 (L-1) 중, L1은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, RB21은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, L3은 n1+1가의 연결기를 나타내고, n1은 1 이상의 정수를 나타내며, #은 아졸기와의 결합 부위를 나타내고, *는 중합성기와의 결합 부위를 나타낸다.In formula (L-1), L 1 represents a single bond or a divalent linking group, R B21 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, L 3 represents an n1+monovalent linking group, and n1 represents an integer greater than or equal to 1. , # represents a bonding site with an azole group, and * represents a bonding site with a polymerizable group.

식 (L-2) 중, L2는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, RB22 및 RB23은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, L4는 n2+1가의 연결기를 나타내고, n2는 1 이상의 정수를 나타내며, #은 아졸기와의 결합 부위를 나타내고, *는 중합성기와의 결합 부위를 나타낸다.In formula (L-2), L 2 represents a single bond or a divalent linking group, R B22 and R B23 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, L 4 represents an n2+ monovalent linking group, n2 represents an integer greater than or equal to 1, # represents a bonding site with an azole group, and * represents a bonding site with a polymerizable group.

식 (L-1) 중, L1 및 RB21은 각각, 식 (B-7) 중의 L1 및 RB21과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.In formula (L-1), L 1 and R B21 each have the same meaning as L 1 and R B21 in formula (B-7), and preferred embodiments are also the same.

식 (L-1) 중, L3은 탄화 수소기, 또는, 탄화 수소기와, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O)2- 및 -NRN-으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 기의 결합에 의하여 나타나는 기가 바람직하다.In formula (L-1), L 3 is a hydrocarbon group, or a hydrocarbon group, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O) 2 - and -NR N - A group formed by bonding of at least one group selected from the group consisting of is preferred.

상기 RN은 상술한 바와 같다.The R N is as described above.

상기 탄화 수소기로서는, 포화 지방족 탄화 수소기가 바람직하고, 알킬렌기가 보다 바람직하다.As said hydrocarbon group, a saturated aliphatic hydrocarbon group is preferable and an alkylene group is more preferable.

상기 탄화 수소기 또는 알킬렌기의 탄소수는, 2~20이 바람직하고, 2~10이 보다 바람직하다.2-20 are preferable and, as for carbon number of the said hydrocarbon group or alkylene group, 2-10 are more preferable.

식 (L-1) 중, n1은 1~10의 정수인 것이 바람직하고, 1~4의 정수가 보다 바람직하며, 1 또는 2가 더 바람직하고, 1이 특히 바람직하다.In formula (L-1), n1 is preferably an integer of 1 to 10, more preferably an integer of 1 to 4, still more preferably 1 or 2, particularly preferably 1.

식 (L-2) 중, L2, RB22 및 RB23은 각각, 식 (B-8) 중의 L2, RB22 및 RB23과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.In formula (L-2), L 2 , R B22 and R B23 have the same meanings as L 2 , R B22 and R B23 in formula (B-8), and preferred embodiments are also the same.

식 (L-2) 중, L4는 식 (L-1) 중의 L3과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.In formula (L-2), L 4 has the same meaning as L 3 in formula (L-1), and the preferable aspect is also the same.

식 (L-2) 중, n2는 1~10의 정수인 것이 바람직하고, 1~4의 정수가 보다 바람직하며, 1 또는 2가 더 바람직하고, 1이 특히 바람직하다.In formula (L-2), n2 is preferably an integer of 1 to 10, more preferably an integer of 1 to 4, still more preferably 1 or 2, particularly preferably 1.

식 (BL-1) 중, XLB에 있어서의 중합성기의 바람직한 양태는, 상술한 바와 같다.In Formula (BL-1), the preferable aspect of the polymeric group in X LB is as the above-mentioned.

식 (BL-1) 중, n은 1~10의 정수인 것이 바람직하고, 1~4의 정수가 보다 바람직하며, 1 또는 2가 더 바람직하고, 1이 특히 바람직하다.In formula (BL-1), n is preferably an integer of 1 to 10, more preferably an integer of 1 to 4, still more preferably 1 or 2, particularly preferably 1.

n이 2 이상인 경우, 식 (BL-1)에 복수 포함되는 LLA 및 XLB는, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.When n is 2 or more, a plurality of L LA and X LB contained in the formula (BL-1) may be the same or different.

식 (BL-1) 중, m은 1~10의 정수인 것이 바람직하고, 1~4의 정수가 보다 바람직하며, 1 또는 2가 더 바람직하고, 1이 특히 바람직하다.In Formula (BL-1), m is preferably an integer of 1 to 10, more preferably an integer of 1 to 4, still more preferably 1 or 2, particularly preferably 1.

m이 2 이상인 경우, 식 (BL-1)에 복수 포함되는 XLB는, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.When m is 2 or more, a plurality of X LBs contained in formula (BL-1) may be the same or different.

〔수지 B〕[Resin B]

수지 B는, 아졸기를 포함하는 반복 단위와, 중합성기를 포함하는 반복 단위를 갖는 수지이거나, 또는, 아졸기 및 중합성기를 포함하는 반복 단위를 갖는 수지인 것이 바람직하고, 아졸기를 포함하는 반복 단위와, 중합성기를 포함하는 반복 단위를 갖는 수지인 것이 보다 바람직하다.The resin B is preferably a resin having a repeating unit containing an azole group and a repeating unit containing a polymerizable group, or a resin having a repeating unit containing an azole group and a polymerizable group, and a repeating unit containing an azole group. And it is more preferable that it is resin which has a repeating unit containing a polymeric group.

수지 B의 중량 평균 분자량은, 2,000~100,000인 것이 바람직하고, 3,000~70,000인 것이 보다 바람직하며, 5,000~50,000인 것이 더 바람직하다.The weight average molecular weight of Resin B is preferably 2,000 to 100,000, more preferably 3,000 to 70,000, still more preferably 5,000 to 50,000.

또, 수지 B는, 아크릴 수지인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that resin B is an acrylic resin.

수지 B는, 아졸기를 포함하는 반복 단위로서 하기 식 (BA-1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that resin B contains the repeating unit represented by following formula (BA-1) as a repeating unit containing an azole group.

[화학식 37][Formula 37]

Figure pct00038
Figure pct00038

식 (BA-1) 중, L3은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, X3은 아졸기를 나타내며, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In formula (BA-1), L 3 represents a single bond or a divalent linking group, X 3 represents an azole group, and R represents a hydrogen atom or a methyl group.

식 (BA-1) 중, L3은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.In Formula (BA-1), L 3 represents a single bond or a divalent linking group.

상기 2가의 연결기로서는, 탄화 수소기, 또는, 탄화 수소기와, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O)2- 및 -NRN-으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 기의 결합에 의하여 나타나는 기가 바람직하고, 탄화 수소기가 보다 바람직하다.The divalent linking group is selected from the group consisting of a hydrocarbon group, a hydrocarbon group, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O) 2 - and -NR N - A group represented by bonding of at least one group is preferred, and a hydrocarbon group is more preferred.

상기 RN은 상술한 바와 같다.The R N is as described above.

상기 탄화 수소기로서는, 포화 지방족 탄화 수소기가 바람직하고, 알킬렌기가 보다 바람직하다.As said hydrocarbon group, a saturated aliphatic hydrocarbon group is preferable and an alkylene group is more preferable.

상기 탄화 수소기 또는 알킬렌기의 탄소수는, 2~20이 바람직하고, 2~10이 보다 바람직하다.2-20 are preferable and, as for carbon number of the said hydrocarbon group or alkylene group, 2-10 are more preferable.

이들 중에서도, L3은 단결합, 하기 식 (BA-1-1)로 나타나는 기 또는 하기 식 (BA-1-2)로 나타나는 기가 바람직하다.Among these, L 3 is preferably a single bond, a group represented by the following formula (BA-1-1), or a group represented by the following formula (BA-1-2).

[화학식 38][Formula 38]

Figure pct00039
Figure pct00039

식 (BA-1-1) 또는 식 (BA-1-2) 중, L4는 2가의 연결기를 나타내고, L5는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내며, L6은 2가의 연결기를 나타내고, L7은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내며, *는 식 (BA-1) 중의 카보닐기와의 결합 부위를 나타내고, A1 및 A2는 -O- 또는 -NRN-을 나타내며, #은 (BA-1) 중의 X3과의 결합 부위를 나타낸다.In formula (BA-1-1) or formula (BA-1-2), L 4 represents a divalent linking group, L 5 represents a single bond or a divalent linking group, L 6 represents a divalent linking group, and L 7 represents a single bond or a divalent linking group, * represents a bonding site with a carbonyl group in formula (BA-1), A 1 and A 2 represent -O- or -NR N -, # represents (BA -1) shows the binding site with X 3 .

식 (BA-1-1) 중, L4는 탄화 수소기, 또는, 탄화 수소기와, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O)2- 및 -NRN-으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 기의 결합에 의하여 나타나는 기가 바람직하고, 탄화 수소기가 보다 바람직하다.In formula (BA-1-1), L 4 is a hydrocarbon group, or a hydrocarbon group, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O) 2 - and -NR A group formed by bonding of at least one group selected from the group consisting of N - is preferable, and a hydrocarbon group is more preferable.

상기 RN은 상술한 바와 같다.The R N is as described above.

상기 탄화 수소기로서는, 포화 지방족 탄화 수소기가 바람직하고, 알킬렌기가 보다 바람직하다.As said hydrocarbon group, a saturated aliphatic hydrocarbon group is preferable and an alkylene group is more preferable.

상기 탄화 수소기 또는 알킬렌기의 탄소수는, 2~20이 바람직하고, 2~10이 보다 바람직하다.2-20 are preferable and, as for carbon number of the said hydrocarbon group or alkylene group, 2-10 are more preferable.

식 (BA-1-1) 중, L5는 단결합인 것이 바람직하다. L5가 2가의 연결기인 경우, L5의 바람직한 양태는 상술한 식 (B-7)에 있어서의 L1이 2가의 연결기인 경우의 바람직한 양태와 동일하다.In formula (BA-1-1), L 5 is preferably a single bond. When L 5 is a divalent linking group, the preferable aspect of L 5 is the same as the preferable aspect when L 1 is a divalent linking group in the above formula (B-7).

식 (BA-1-2) 중, L6은 식 (BA-1-1) 중의 L4와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.In formula (BA-1-2), L 6 has the same meaning as L 4 in formula (BA-1-1), and the preferable aspect is also the same.

식 (BA-1-2) 중, L7은 2가의 연결기인 것이 바람직하다. L7이 2가의 연결기인 경우, L7의 바람직한 양태는 상술한 식 (B-8)에 있어서의 L2가 2가의 연결기인 경우의 바람직한 양태와 동일하다.In formula (BA-1-2), L 7 is preferably a divalent linking group. When L 7 is a divalent linking group, the preferable aspect of L 7 is the same as the preferable aspect when L 2 is a divalent linking group in the above formula (B-8).

식 (BA-1-1) 또는 식 (BA-1-2) 중, A1 및 A2는 -O- 또는 -NRN-을 나타내고, -O-가 바람직하다. RN은 상술한 바와 같다.In formula (BA-1-1) or formula (BA-1-2), A 1 and A 2 represent -O- or -NR N -, and -O- is preferable. R N is as described above.

식 (BA-1) 중, X3에 있어서의 아졸기의 바람직한 양태는 상술한 바와 같다. 상술한 아졸기에 있어서의 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위가, 식 (BA-1) 중의 L3과의 결합 부위에 해당한다.In formula (BA-1), the preferred aspect of the azole group for X 3 is as described above. The bonding site with the structure having a polymerizable group in the azole group described above corresponds to the bonding site with L 3 in formula (BA-1).

수지 B는, 식 (BA-1)로 나타나는 반복 단위를 1종만 포함해도 되고, 2종 이상 포함해도 된다.Resin B may contain only 1 type of repeating unit represented by Formula (BA-1), and may also contain 2 or more types.

수지 B는, 중합성기를 포함하는 반복 단위로서 하기 식 (BA-2)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that resin B contains the repeating unit represented by the following formula (BA-2) as a repeating unit containing a polymeric group.

[화학식 39][Formula 39]

Figure pct00040
Figure pct00040

식 (BA-2) 중, A3은 -O- 또는 -NRN-을 나타내고, LP1은 2가의 연결기를 나타내며, XP1은 중합성기를 나타내고, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In formula (BA-2), A 3 represents -O- or -NR N -, L P1 represents a divalent linking group, X P1 represents a polymerizable group, and R represents a hydrogen atom or a methyl group.

식 (BA-2) 중, A3은 -O- 또는 -NRN-을 나타내고, -O-가 바람직하다. RN은 상술한 바와 같다.In formula (BA-2), A 3 represents -O- or -NR N -, and -O- is preferable. R N is as described above.

식 (BA-2) 중, LP1은 2가의 연결기를 나타내고, 탄화 수소기, 또는, 탄화 수소기와, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O)2- 및 -NRN-으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 기의 결합에 의하여 나타나는 기가 바람직하고, 탄화 수소기가 보다 바람직하다.In formula (BA-2), L P1 represents a divalent linking group, a hydrocarbon group, or a hydrocarbon group, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O) 2 A group formed by bonding of at least one group selected from the group consisting of - and -NR N - is preferable, and a hydrocarbon group is more preferable.

상기 RN은 상술한 바와 같다.The R N is as described above.

상기 탄화 수소기로서는, 포화 지방족 탄화 수소기가 바람직하고, 알킬렌기가 보다 바람직하다.As said hydrocarbon group, a saturated aliphatic hydrocarbon group is preferable and an alkylene group is more preferable.

상기 탄화 수소기 또는 알킬렌기의 탄소수는, 2~20이 바람직하고, 2~10이 보다 바람직하다.2-20 are preferable and, as for carbon number of the said hydrocarbon group or alkylene group, 2-10 are more preferable.

XP1은 중합성기를 나타내며, 알콕시실릴기, 에폭시기, 옥세탄일기 또는 라디칼 중합성기가 바람직하고, 알콕시실릴기가 보다 바람직하다. 알콕시실릴기 및 라디칼 중합성기의 바람직한 양태는 상술한 바와 같다.X P1 represents a polymerizable group, preferably an alkoxysilyl group, an epoxy group, an oxetanyl group or a radical polymerizable group, more preferably an alkoxysilyl group. Preferred embodiments of the alkoxysilyl group and the radical polymerizable group are as described above.

수지 B는, 식 (BA-2)로 나타나는 반복 단위를 1종만 포함해도 되고, 2종 이상 포함해도 된다.Resin B may contain only 1 type of repeating unit represented by Formula (BA-2), and may also contain 2 or more types.

특히, 수지 B가, 중합성기가 상이한 복수 종의 식 (BA-2)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 것도 본 발명의 바람직한 양태 중 하나이다. 상기 양태에 있어서, 수지 B는, 중합성기로서 알콕시실릴기를 포함하는 식 (BA-2)로 나타나는 반복 단위와, 중합성기로서 알콕시실릴기와는 상이한 기를 포함하는 식 (BA-2)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다.In particular, it is one of the preferable aspects of this invention that resin B contains the repeating unit represented by multiple types of formula (BA-2) with different polymerizable groups. In the above aspect, the resin B is a repeating unit represented by formula (BA-2) containing an alkoxysilyl group as a polymerizable group and a repeating unit represented by formula (BA-2) containing a group different from an alkoxysilyl group as a polymerizable group It is preferable to include

또, 수지 B는, 상술한 식 (BA-1) 또는 식 (BA-2)로 나타나는 반복 단위와는 상이한, 다른 반복 단위를 더 가져도 된다.Moreover, resin B may further have another repeating unit different from the repeating unit represented by Formula (BA-1) or Formula (BA-2) mentioned above.

〔구체예〕[specific example]

화합물 B의 구체예로서는, 실시예에서 사용된 화합물을 들 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of compound B include, but are not limited to, compounds used in Examples.

〔함유량〕〔content〕

화합물 B의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여 0.05~10질량%인 것이 바람직하고, 0.10~5질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.15~2질량%인 것이 더 바람직하다.The content of compound B is preferably 0.05 to 10% by mass, more preferably 0.10 to 5% by mass, and even more preferably 0.15 to 2% by mass with respect to the total solid content of the curable resin composition of the present invention.

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 화합물 B를 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 화합물 B를 2종 이상 함유하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.Curable resin composition of this invention may contain only 1 type of compound B, and may contain 2 or more types. When containing 2 or more types of compound B, it is preferable that the total amount is the said range.

<화합물 C><Compound C>

얻어지는 경화막의 금속과의 밀착성의 관점에서는, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 중합성기를 갖지 않고 아졸기를 갖는 화합물인 화합물 C를 더 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the curable resin composition of this invention further contains compound C which is a compound which has an azole group without having a polymerizable group from an adhesive viewpoint with the metal of the cured film obtained.

화합물 C에 있어서의 아졸기의 바람직한 양태는, 상술한 화합물 B에 있어서의 아졸기의 바람직한 양태와 동일하다.The preferable aspect of the azole group in compound C is the same as the preferable aspect of the azole group in compound B mentioned above.

또, 화합물 C는 중합성기를 갖지 않는 화합물이지만, 중합성기의 상세는, 상술한 화합물 B에 있어서의 중합성기와 동일한 의미이다.In addition, although the compound C is a compound which does not have a polymerizable group, the detail of a polymerizable group has the same meaning as the polymerizable group in compound B mentioned above.

화합물 C는, 하기 식 (C-1) 또는 하기 식 (C-2)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.Compound C is preferably a compound represented by the following formula (C-1) or the following formula (C-2).

[화학식 40][Formula 40]

Figure pct00041
Figure pct00041

식 (C-1) 중, Z1~Z4는 각각 독립적으로, =CR7- 또는 질소 원자를 나타내며, R1은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R7은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, 식 (C-1)로 나타나는 구조 중에 중합성기는 포함하지 않는다;In formula (C-1), each of Z 1 to Z 4 independently represents =CR 7 - or a nitrogen atom, R 1 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and R 7 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. and does not contain a polymerizable group in the structure represented by formula (C-1);

식 (C-2) 중, Z5~Z6은 각각 독립적으로, =CR8- 또는 질소 원자를 나타내며, R2~R6은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, 식 (C-2)로 나타나는 구조 중에 중합성기는 포함하지 않는다.In formula (C-2), Z 5 to Z 6 each independently represent =CR 8 - or a nitrogen atom, R 2 to R 6 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, and R 8 is It represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and a polymerizable group is not included in the structure represented by formula (C-2).

식 (C-1) 중, Z1~Z4는 각각 독립적으로, =CR7- 또는 질소 원자를 나타낸다.In Formula (C-1), Z 1 to Z 4 each independently represents =CR 7 - or a nitrogen atom.

그중에서도, Z1~Z4 중 1개가 질소 원자이고, 3개가 =CR7-인 양태, Z1~Z4 중 2개가 질소 원자이며, 2개가 =CR7-인 양태, 또는, Z1~Z4 중 3개가 질소 원자이고, 1개가 =CR7-인 양태가 바람직하다.Among them, one of Z 1 to Z 4 is a nitrogen atom, three of which are =CR 7 -, an aspect in which two of Z 1 to Z 4 are nitrogen atoms, and two of which are =CR 7 -, or Z 1 to Z An aspect in which 3 of 4 are nitrogen atoms and 1 is =CR 7 - is preferable.

또, 이들 중에서도, Z1 및 Z3이 질소 원자이며, Z2 및 Z4가 =CR7-인 양태, Z1 및 Z2가 질소 원자이고, Z3 및 Z4가 =CR7-인 양태, 또는, Z1, Z2 및 Z3이 질소 원자이며, Z4가 =CR7-인 양태가 바람직하고, Z1 및 Z3이 질소 원자이며, Z2 및 Z4가 =CRB7-인 양태, 또는, Z1, Z2 및 Z3이 질소 원자이고, Z4가 =CR7-인 양태가 보다 바람직하다.Also, among these, Z 1 and Z 3 are nitrogen atoms, Z 2 and Z 4 are =CR 7 -, Z 1 and Z 2 are nitrogen atoms, and Z 3 and Z 4 are =CR 7 -. , or, preferably, Z 1 , Z 2 and Z 3 are nitrogen atoms, Z 4 is =CR 7 -, Z 1 and Z 3 are nitrogen atoms, and Z 2 and Z 4 are =CR B7 - An aspect or an aspect in which Z 1 , Z 2 and Z 3 are nitrogen atoms and Z 4 is =CR 7 - is more preferable.

식 (C-1) 중, R1은 수소 원자 또는 탄화 수소기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하며, 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.In formula (C-1), R 1 is preferably a hydrogen atom or a hydrocarbon group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group, and particularly preferably a hydrogen atom.

상기 탄화 수소기 또는 알킬기의 탄소수는, 1~20인 것이 바람직하고, 1~10인 것이 보다 바람직하며, 1~4인 것이 더 바람직하다.As for carbon number of the said hydrocarbon group or alkyl group, it is preferable that it is 1-20, it is more preferable that it is 1-10, and it is still more preferable that it is 1-4.

식 (C-1) 중, R7의 바람직한 양태는 R1과 동일하다.In formula (C-1), the preferred aspect of R 7 is the same as that of R 1 .

식 (C-2) 중, Z5 및 Z6은 각각 독립적으로, =CR8- 또는 질소 원자를 나타낸다.In formula (C-2), Z 5 and Z 6 each independently represents =CR 8 - or a nitrogen atom.

그중에서도, Z5 및 Z6이 모두 질소 원자를 나타내는 양태, 또는, Z5가 질소 원자를, Z6이 =CR8-을 각각 나타내는 양태가 바람직하다.Among them, an aspect in which both Z 5 and Z 6 represent a nitrogen atom or an aspect in which Z 5 represents a nitrogen atom and Z 6 represents =CR 8 - are preferred.

식 (C-2) 중, R2~R6, R8은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄화 수소기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하며, 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.In formula (C-2), R 2 to R 6 and R 8 are each independently preferably a hydrogen atom or a hydrocarbon group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group, and particularly preferably a hydrogen atom.

〔분자량〕〔Molecular Weight〕

화합물 C의 분자량은, 67~500인 것이 바람직하고, 68~300인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 67-500, and, as for the molecular weight of compound C, it is more preferable that it is 68-300.

〔구체예〕[specific example]

화합물 C의 구체예로서는, 실시예에서 사용된 화합물을 들 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of Compound C include, but are not limited to, compounds used in Examples.

〔함유량〕〔content〕

화합물 C의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여 0.05~10질량%인 것이 바람직하고, 0.10~5질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.15~2질량%인 것이 더 바람직하다.The content of compound C is preferably 0.05 to 10% by mass, more preferably 0.10 to 5% by mass, and even more preferably 0.15 to 2% by mass with respect to the total solid content of the curable resin composition of the present invention.

경화성 수지 조성물은 화합물 C를 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 화합물 C를 2종 이상 함유하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.Curable resin composition may contain only 1 type of compound C, and may contain 2 or more types. When 2 or more types of compound C are contained, it is preferable that the total amount is the said range.

<화합물 D><Compound D>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 알콕시실릴기와는 상이한 중합성기를 갖고, 아졸기를 갖지 않는 실레인 커플링제인 화합물 D를 더 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the curable resin composition of this invention further contains compound D which is a silane coupling agent which has a polymeric group different from an alkoxysilyl group and does not have an azole group.

화합물 D는, 알콕시실릴기와, 알콕시실릴기와는 상이한 중합성기를 포함하는 화합물인 것이 바람직하다.It is preferable that compound D is a compound containing an alkoxysilyl group and a polymeric group different from an alkoxysilyl group.

화합물 D에 있어서의 알콕시실릴기의 바람직한 양태는, 상술한 화합물 B에 있어서의 알콕시실릴기의 바람직한 양태와 동일하다.The preferable aspect of the alkoxysilyl group in compound D is the same as the preferable aspect of the alkoxysilyl group in compound B mentioned above.

또, 화합물 D는 아졸기를 갖지 않는 화합물이지만, 아졸기의 상세는, 상술한 화합물 B에 있어서의 아졸기와 동일한 의미이다.In addition, although compound D is a compound which does not have an azole group, the detail of an azole group has the same meaning as the azole group in compound B mentioned above.

화합물 D에 있어서의 알콕시실릴기와는 상이한 중합성기로서는, 라디칼 중합성기, 에폭시기, 옥세탄일기, 메틸올기, 알콕시메틸기, (블록)아이소사이아네이트기 등의 공지의 중합성기를 들 수 있으며, 라디칼 중합성기 또는 에폭시기가 바람직하다.Examples of the polymerizable group different from the alkoxysilyl group in the compound D include known polymerizable groups such as a radical polymerizable group, an epoxy group, an oxetanyl group, a methylol group, an alkoxymethyl group, and a (block) isocyanate group. A polymerizable group or an epoxy group is preferred.

화합물 D에 있어서의 라디칼 중합성기의 바람직한 양태는, 상술한 화합물 B에 있어서의 라디칼 중합성기의 바람직한 양태와 동일하다.The preferable aspect of the radical polymerizable group in the compound D is the same as the preferable aspect of the radical polymerizable group in the compound B described above.

화합물 D로서는, 하기 식 (DA-1)로 나타나는 구조의 화합물이 바람직하다.As the compound D, a compound having a structure represented by the following formula (DA-1) is preferable.

[화학식 41][Formula 41]

Figure pct00042
Figure pct00042

식 (DA-1) 중, RD1~RD3은 각각 독립적으로, 알킬기를 나타내고, LD1은 2가의 연결기를 나타내며, XD1은 중합성기를 나타낸다.In formula (DA-1), R D1 to R D3 each independently represent an alkyl group, L D1 represents a divalent linking group, and X D1 represents a polymerizable group.

식 (DA-1) 중, RD1~RD3은 각각 독립적으로, 탄소수 1~4의 알킬기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하며, 에틸기가 보다 바람직하다.In formula (DA-1), each of R D1 to R D3 is independently preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, preferably a methyl group or an ethyl group, and more preferably an ethyl group.

식 (DA-1) 중, LD1은 2가의 연결기를 나타내고, 탄화 수소기, 또는, 탄화 수소기와, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O)2- 및 -NRN-으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 기의 결합에 의하여 나타나는 기가 바람직하고, 탄화 수소기가 보다 바람직하다.In formula (DA-1), L D1 represents a divalent linking group, a hydrocarbon group, or a hydrocarbon group, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O) 2 A group formed by bonding of at least one group selected from the group consisting of - and -NR N - is preferable, and a hydrocarbon group is more preferable.

상기 RN은 상술한 바와 같다.The R N is as described above.

또, LD1 중에 아마이드기 및 유레아기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 갖는 양태도, 본 발명의 바람직한 양태 중 하나이다.An aspect having at least one group selected from the group consisting of an amide group and an urea group in L D1 is also one of the preferred aspects of the present invention.

식 (DA-1) 중, XD1은 중합성기를 나타내고, 중합성기의 바람직한 양태는 상술한 바와 같다.In formula (DA-1), X D1 represents a polymerizable group, and preferred aspects of the polymerizable group are as described above.

화합물 D는, 분자량 2,000 미만의 화합물(이하, "저분자 화합물 D"라고도 한다.)이어도 되고, 수지(이하, "수지 D"라고도 한다.)여도 된다.The compound D may be a compound having a molecular weight of less than 2,000 (hereinafter also referred to as “low molecular weight compound D”) or a resin (hereinafter also referred to as “resin D”).

또, 경화막의 금속과의 밀착성의 관점에서는, 경화성 수지 조성물은, 저분자 화합물 D와, 수지 D의 양방을 포함하는 것도 바람직하다.Moreover, it is also preferable that curable resin composition contains both the low molecular weight compound D and resin D from an adhesive viewpoint with the metal of a cured film.

〔저분자 화합물 D〕[Low Molecular Compound D]

저분자 화합물 D의 분자량은, 2,000 미만이며, 1,500 이하인 것이 바람직하고, 1,000 이하인 것이 보다 바람직하다.The molecular weight of the low molecular weight compound D is less than 2,000, preferably 1,500 or less, and more preferably 1,000 or less.

저분자 화합물 D에 있어서의 알콕시실릴기와는 상이한 중합성기의 수는, 특별히 한정되지 않지만, 1~10인 것이 바람직하고, 1~4인 것이 보다 바람직하며, 1 또는 2인 것이 더 바람직하다.The number of polymerizable groups different from the alkoxysilyl group in the low molecular weight compound D is not particularly limited, but is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 4, still more preferably 1 or 2.

저분자 화합물 D는, 상술한 식 (DA-1)로 나타나는 화합물이며, 분자량이 상술한 범위 내인 화합물인 것이 바람직하다.The low molecular weight compound D is a compound represented by the formula (DA-1) described above, and is preferably a compound having a molecular weight within the range described above.

〔수지 D〕[Resin D]

수지 D는, 알콕시실릴기를 포함하는 반복 단위와, 알콕시실릴기와는 상이한 중합성기를 포함하는 반복 단위를 갖는 수지이거나, 또는, 알콕시실릴기 및 알콕시실릴기와는 상이한 중합성기를 포함하는 반복 단위를 갖는 수지인 것이 바람직하고, 알콕시실릴기를 포함하는 반복 단위와, 알콕시실릴기와는 상이한 중합성기를 포함하는 반복 단위를 갖는 수지인 것이 보다 바람직하다.The resin D is a resin having a repeating unit containing an alkoxysilyl group and a repeating unit containing a polymerizable group different from the alkoxysilyl group, or having a repeating unit containing an alkoxysilyl group and a polymerizable group different from the alkoxysilyl group. It is preferable that it is resin, and it is more preferable that it is resin which has a repeating unit containing an alkoxysilyl group, and a repeating unit containing a polymeric group different from an alkoxysilyl group.

수지 D의 중량 평균 분자량은, 2,000~100,000인 것이 바람직하고, 3,000~70,000인 것이 보다 바람직하며, 5,000~50,000인 것이 더 바람직하다.The weight average molecular weight of Resin D is preferably 2,000 to 100,000, more preferably 3,000 to 70,000, still more preferably 5,000 to 50,000.

또, 수지 D는, 아크릴 수지인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that resin D is an acrylic resin.

수지 D에 있어서의, 알콕시실릴기를 포함하는 반복 단위, 및, 알콕시실릴기와는 상이한 중합성기를 포함하는 반복 단위로서는, 상술한 식 (BA-2)로 나타나는 반복 단위를 바람직하게 들 수 있다.As a repeating unit containing an alkoxysilyl group in resin D, and a repeating unit containing a polymerizable group different from an alkoxysilyl group, the repeating unit represented by Formula (BA-2) mentioned above is mentioned preferably.

또, 수지 D는, 상술한 식 (BA-2)로 나타나는 반복 단위와는 상이한, 다른 반복 단위를 더 가져도 된다.Moreover, resin D may further have another repeating unit different from the repeating unit represented by Formula (BA-2) mentioned above.

〔구체예〕[specific example]

화합물 D의 구체예로서는, 실시예에서 사용된 화합물을 들 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of compound D include, but are not limited to, compounds used in Examples.

〔함유량〕〔content〕

화합물 D의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여 0.05~10질량%인 것이 바람직하고, 0.10~5질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.15~2질량%인 것이 더 바람직하다.The content of compound D is preferably 0.05 to 10% by mass, more preferably 0.10 to 5% by mass, and even more preferably 0.15 to 2% by mass with respect to the total solid content of the curable resin composition of the present invention.

경화성 수지 조성물은 화합물 D를 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 화합물 D를 2종 이상 함유하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.Curable resin composition may contain only 1 type of compound D, and may contain 2 or more types. When containing 2 or more types of compound D, it is preferable that the total amount is the said range.

<화합물 E><Compound E>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 알콕시실릴기와는 상이한 중합성기 및 아졸기를 모두 갖지 않는 실레인 커플링제인 화합물 E를 더 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the curable resin composition of this invention further contains compound E which is a silane coupling agent which has neither a polymeric group nor an azole group different from an alkoxysilyl group.

화합물 E로서는, 알콕시실릴기를 갖고, 또한, 알콕시실릴기와는 상이한 중합성기 및 아졸기를 갖지 않는 화합물이 바람직하다.As the compound E, a compound having an alkoxysilyl group and not having a polymerizable group different from the alkoxysilyl group and an azole group is preferable.

화합물 E는 알콕시실릴기와는 상이한 중합성기를 갖지 않는 화합물이지만, 알콕시실릴기와는 상이한 중합성기의 상세는, 상술한 화합물 D에 있어서의 알콕시실릴기와는 상이한 중합성기와 동일한 의미이다.Compound E is a compound having no polymerizable group different from the alkoxysilyl group, but the details of the polymerizable group different from the alkoxysilyl group are synonymous with the polymerizable group different from the alkoxysilyl group in the above-mentioned compound D.

화합물 E는 아졸기를 갖지 않는 화합물이지만, 아졸기의 상세는, 상술한 화합물 B에 있어서의 아졸기와 동일한 의미이다.Although compound E is a compound which does not have an azole group, the detail of an azole group has the same meaning as the azole group in compound B mentioned above.

화합물 E의 예로서는, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0167에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2014-191002호의 단락 0062~0073에 기재된 화합물, 국제 공개공보 제2011/080992호의 단락 0063~0071에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2014-191252호의 단락 0060~0061에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2014-041264호의 단락 0045~0052에 기재된 화합물, 국제 공개공보 제2014/097594호의 단락 0055에 기재된 화합물 중, 알콕시실릴기와는 상이한 중합성기 및 아졸기를 모두 갖지 않는 화합물을 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 2011-128358호의 단락 0050~0058에 기재된 바와 같이 상이한 2종 이상의 실레인 커플링제를 이용하는 것도 바람직하다.As an example of compound E, the compound described in Paragraph 0167 of International Publication No. 2015/199219, the compound described in Paragraphs 0062 to 0073 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2014-191002, and the compound described in Paragraphs 0063 to 0071 of International Publication No. 2011/080992 Among the compounds described in Paragraphs 0060 to 0061 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-191252, the compounds described in Paragraphs 0045 to 0052 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2014-041264, and the compounds described in Paragraph 0055 of International Publication No. 2014/097594, alkoxysilyl Compounds having neither a polymerizable group nor an azole group different from the group are exemplified. Moreover, it is also preferable to use 2 or more types of silane coupling agents different as Paragraph 0050 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-128358 - 0058 describe.

또, 화합물 E로서는, 하기 화합물을 이용하는 것도 바람직하다. 이하의 식 중, Et는 에틸기를 나타낸다.Moreover, as compound E, it is also preferable to use the following compound. In the formulas below, Et represents an ethyl group.

[화학식 42][Formula 42]

Figure pct00043
Figure pct00043

〔함유량〕〔content〕

화합물 E의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여 0.05~10질량%인 것이 바람직하고, 0.10~5질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.15~2질량%인 것이 더 바람직하다.The content of compound E is preferably 0.05 to 10% by mass, more preferably 0.10 to 5% by mass, and still more preferably 0.15 to 2% by mass with respect to the total solid content of the curable resin composition of the present invention.

경화성 수지 조성물은 화합물 E를 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 화합물 E를 2종 이상 함유하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.Curable resin composition may contain only 1 type of compound E, and may contain 2 or more types. When containing 2 or more types of compound E, it is preferable that the total amount is the said range.

<용제><Solvent>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 용제를 함유하는 것이 바람직하다. 용제는, 공지의 용제를 임의로 사용할 수 있다. 용제는 유기 용제가 바람직하다. 유기 용제로서는, 에스터류, 에터류, 케톤류, 환식 탄화 수소류, 설폭사이드류, 아마이드류, 유레아류, 알코올류 등의 화합물을 들 수 있다.Curable resin composition of this invention preferably contains a solvent. A well-known solvent can be used arbitrarily as a solvent. The solvent is preferably an organic solvent. Examples of the organic solvent include compounds such as esters, ethers, ketones, cyclic hydrocarbons, sulfoxides, amides, ureas, and alcohols.

에스터류로서, 예를 들면, 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 아세트산 아이소뷰틸, 아세트산 헥실, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, γ-뷰티로락톤, ε-카프로락톤, δ-발레로락톤, 알킬옥시아세트산 알킬(예를 들면, 알킬옥시아세트산 메틸, 알킬옥시아세트산 에틸, 알킬옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예를 들면, 3-알킬옥시프로피온산 메틸, 3-알킬옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예를 들면, 2-알킬옥시프로피온산 메틸, 2-알킬옥시프로피온산 에틸, 2-알킬옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸 등, 헥산산 에틸, 헵탄산 에틸, 말론산 다이메틸, 말론산 다이에틸을 적합한 것으로서 들 수 있다.As esters, for example, ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, hexyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, Ethyl lactate, γ-butyrolactone, ε-caprolactone, δ-valerolactone, alkyloxyacetate (e.g. methyl alkyloxyacetate, ethyl alkyloxyacetate, butyl alkyloxyacetate (e.g. methoxy methyl acetate, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, etc.), 3-alkyloxypropionate alkyl esters (e.g., 3-alkyloxymethylpropionate, 3-alkyloxy Ethyl propionate and the like (eg, 3-methoxymethylpropionate, 3-methoxyethylpropionate, 3-ethoxymethylpropionate, 3-ethoxyethylpropionate, etc.), 2-alkyloxypropionate alkyl esters (eg For example, 2-alkyloxymethylpropionate, 2-alkyloxyethylpropionate, 2-alkyloxypropylpropionate, etc. (e.g., 2-methoxymethylpropionate, 2-methoxyethylpropionate, 2-methoxypropylpropionate, 2 -methyl ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate)), 2-alkyloxy-2-methylmethylpropionate and 2-alkyloxy-2-methylethylpropionate (e.g. 2-methoxy-2-methylpropionate) methyl, 2-ethoxy-2-methylethylpropionate, etc.), methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl 2-oxobutanoate, ethyl 2-oxobutanoate, etc., ethyl hexanoate , ethyl heptanoate, dimethyl malonate and diethyl malonate are mentioned as suitable ones.

에터류로서, 예를 들면, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 에틸렌글라이콜모노뷰틸에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜에틸메틸에터, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.As ethers, for example, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve Acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate , Propylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monopropyl ether acetate, etc. can be cited as suitable.

케톤류로서, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, 3-메틸사이클로헥산온, 레보글루코센온, 다이하이드로레보글루코센온 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.Suitable ketones include, for example, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 3-methylcyclohexanone, levoglucosenone, dihydrolevoglucosenone, and the like. can

환상 탄화 수소류로서, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌, 아니솔 등의 방향족 탄화 수소류, 리모넨 등의 환식 터펜류를 적합한 것으로 하여 들 수 있다.Examples of the cyclic hydrocarbons include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and anisole, and cyclic terpenes such as limonene.

설폭사이드류로서, 예를 들면, 다이메틸설폭사이드를 적합한 것으로 하여 들 수 있다.As the sulfoxides, for example, dimethyl sulfoxide can be cited as a suitable one.

아마이드류로서, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N,N-다이메틸아세트아마이드, N,N-다이메틸폼아마이드, N,N-다이메틸아이소뷰틸아마이드, 3-메톡시-N,N-다이메틸프로피온아마이드, 3-뷰톡시-N,N-다이메틸프로피온아마이드, N-폼일모폴린, N-아세틸모폴린 등을 적합한 것으로 하여 들 수 있다.As amides, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylisobutyl Amide, 3-methoxy-N,N-dimethylpropionamide, 3-butoxy-N,N-dimethylpropionamide, N-formylmorpholine, N-acetylmorpholine, etc. are mentioned as suitable ones.

유레아류로서, N,N,N',N'-테트라메틸유레아, 1,3-다이메틸-2-이미다졸리딘온 등을 적합한 것으로 하여 들 수 있다.Examples of ureas include N,N,N',N'-tetramethylurea, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, and the like as suitable ones.

알코올류로서, 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-뷰탄올, 1-펜탄올, 1-헥산올, 벤질알코올, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 1-메톡시-2-프로판올, 2-에톡시에탄올, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노헥실에터, 트라이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노에틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 폴리에틸렌글라이콜모노메틸에터, 폴리프로필렌글라이콜, 테트라에틸렌글라이콜, 에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 에틸렌글라이콜모노벤질에터, 에틸렌글라이콜모노페닐에터, 메틸페닐카비놀, n-아밀알코올, 메틸아밀알코올, 및, 다이아세톤알코올 등을 들 수 있다.As alcohols, methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 1-pentanol, 1-hexanol, benzyl alcohol, ethylene glycol monomethyl ether, 1-methoxy-2- Propanol, 2-ethoxyethanol, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol Colmonomethyl ether, polyethylene glycol monomethyl ether, polypropylene glycol, tetraethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monobenzyl ether, ethylene glycol mono Phenyl ether, methylphenyl carbinol, n-amyl alcohol, methyl amyl alcohol, diacetone alcohol, etc. are mentioned.

용제는, 도포면 성상의 개량 등의 관점에서, 2종 이상을 혼합하는 형태도 바람직하다.As for the solvent, a form in which two or more types are mixed is also preferable from the viewpoint of improving the properties of the coated surface.

본 발명에서는, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 락트산 에틸, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 아세트산 뷰틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 2-헵탄온, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, γ-뷰티로락톤, 다이메틸설폭사이드, 에틸카비톨아세테이트, 뷰틸카비톨아세테이트, N-메틸-2-피롤리돈, 프로필렌글라이콜메틸에터, 및 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트로부터 선택되는 1종의 용제, 또는, 2종 이상으로 구성되는 혼합 용제가 바람직하다. 다이메틸설폭사이드와 γ-뷰티로락톤의 병용이 특히 바람직하다. 또, N-메틸-2-피롤리돈과 락트산 에틸, N-메틸-2-피롤리돈과 락트산 에틸, 다이아세톤알코올과 락트산 에틸, 사이클로펜탄온과 γ-뷰티로락톤의 조합도 바람직하다.In the present invention, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl cellosolve acetate, ethyl lactate, diethylene glycol dimethyl ether, butyl acetate, methyl 3-methoxypropionate, 2-heptane one, cyclohexanone, cyclopentanone, γ-butyrolactone, dimethyl sulfoxide, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, N-methyl-2-pyrrolidone, propylene glycol methyl ether, and 1 type of solvent chosen from propylene glycol methyl ether acetate, or the mixed solvent comprised of 2 or more types is preferable. Combination use of dimethyl sulfoxide and γ-butyrolactone is particularly preferred. Also preferred are combinations of N-methyl-2-pyrrolidone and ethyl lactate, N-methyl-2-pyrrolidone and ethyl lactate, diacetone alcohol and ethyl lactate, and cyclopentanone and γ-butyrolactone.

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 이들 중에서도, 에스터류를 포함하는 것이 바람직하고, 락톤계 용제를 포함하는 것이 보다 바람직하다.Among these, the curable resin composition of the present invention preferably contains esters, and more preferably contains a lactone solvent.

락톤계 용제란, 락톤 구조를 포함하는 용제를 말하며, γ-뷰티로락톤, ε-카프로락톤, δ-발레로락톤 등을 들 수 있다.The lactone solvent refers to a solvent containing a lactone structure, and examples thereof include γ-butyrolactone, ε-caprolactone, and δ-valerolactone.

용제의 전체 질량에 대한 락톤계 용제의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 30~100질량%인 것이 바람직하고, 40~95질량%인 것이 보다 바람직하며, 50~90질량%인 것이 더 바람직하다.The content of the lactone solvent relative to the total mass of the solvent is not particularly limited, but is preferably 30 to 100% by mass, more preferably 40 to 95% by mass, and still more preferably 50 to 90% by mass.

용제의 함유량은, 도포성의 관점에서, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분 농도가 5~80질량%가 되는 양으로 하는 것이 바람직하고, 5~75질량%가 되는 양으로 하는 것이 보다 바람직하며, 10~70질량%가 되는 양으로 하는 것이 더 바람직하고, 40~70질량%가 되도록 하는 것이 한층 바람직하다. 용제 함유량은, 도막의 원하는 두께와 도포 방법에 따라 조절하면 된다.The content of the solvent is preferably an amount such that the total solid concentration of the curable resin composition of the present invention is 5 to 80% by mass, and more preferably 5 to 75% by mass, from the viewpoint of applicability, It is more preferable to set it as 10-70 mass %, and it is still more preferable to set it as 40-70 mass %. What is necessary is just to adjust solvent content according to the desired thickness of a coating film, and a coating method.

용제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 용제를 2종 이상 함유하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The solvent may contain only 1 type, and may contain 2 or more types. When containing 2 or more types of solvents, it is preferable that the sum total is the said range.

<감광제><Photosensitizer>

본 발명의 조성물은, 감광제를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the composition of this invention contains a photosensitizer.

감광제로서는, 광중합 개시제가 바람직하다.As the photosensitizer, a photopolymerization initiator is preferable.

〔광중합 개시제〕[Photoinitiator]

본 발명의 조성물은, 감광제로서, 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the composition of this invention contains a photoinitiator as a photosensitizer.

광중합 개시제는, 광라디칼 중합 개시제인 것이 바람직하다. 광라디칼 중합 개시제로서는, 특별히 제한은 없으며, 공지의 광라디칼 중합 개시제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 자외선 영역으로부터 가시 영역의 광선에 대하여 감광성을 갖는 광라디칼 중합 개시제가 바람직하다. 또, 광 여기된 증감제와 어떠한 작용을 발생시켜, 활성 라디칼을 생성하는 활성제여도 된다.The photopolymerization initiator is preferably a radical photopolymerization initiator. The photo-radical polymerization initiator is not particularly limited, and can be appropriately selected from known photo-radical polymerization initiators. For example, photoradical polymerization initiators having photosensitivity to light rays in the visible range from the ultraviolet range are preferred. Moreover, it may be an activator that generates an active radical by generating some kind of action with a photoexcited sensitizer.

또, 상기 광라디칼 중합 개시제로서는, 후술하는 옥심 화합물이 바람직하다.Moreover, as said radical photopolymerization initiator, the oxime compound mentioned later is preferable.

광라디칼 중합 개시제는, 약 300~800nm(바람직하게는 330~500nm)의 범위 내에서 적어도 약 50L·mol-1·cm-1의 몰 흡광 계수를 갖는 화합물을, 적어도 1종 함유하고 있는 것이 바람직하다. 화합물의 몰 흡광 계수는, 공지의 방법을 이용하여 측정할 수 있다. 예를 들면, 자외 가시 분광 광도계(Varian사제 Cary-5 spectrophotometer)로, 아세트산 에틸 용제를 이용하여, 0.01g/L의 농도로 측정하는 것이 바람직하다.The radical photopolymerization initiator preferably contains at least one compound having a molar extinction coefficient of at least about 50 L·mol -1· cm -1 within a range of about 300 to 800 nm (preferably 330 to 500 nm). Do. The molar extinction coefficient of a compound can be measured using a known method. For example, it is preferable to measure at a concentration of 0.01 g/L using an ultraviolet and visible spectrophotometer (Cary-5 spectrophotometer manufactured by Varian) using an ethyl acetate solvent.

광라디칼 중합 개시제로서는, 공지의 화합물을 임의로 사용할 수 있다. 예를 들면, 할로젠화 탄화 수소 유도체(예를 들면, 트라이아진 골격을 갖는 화합물, 옥사다이아졸 골격을 갖는 화합물, 트라이할로메틸기를 갖는 화합물 등), 아실포스핀옥사이드 등의 아실포스핀 화합물, 헥사아릴바이이미다졸, 옥심 유도체 등의 옥심 화합물, 유기 과산화물, 싸이오 화합물, 케톤 화합물, 방향족 오늄염, 케톡심에터, 아미노아세토페논 화합물, 하이드록시아세토페논, 아조계 화합물, 아자이드 화합물, 메탈로센 화합물, 유기 붕소 화합물, 철 아렌 착체 등을 들 수 있다. 이들의 상세에 대해서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0165~0182, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0138~0151의 기재를 참조할 수 있으며, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.As an optical radical polymerization initiator, a known compound can be used arbitrarily. For example, acylphosphine compounds such as halogenated hydrocarbon derivatives (for example, compounds having a triazine skeleton, compounds having an oxadiazole skeleton, compounds having a trihalomethyl group, etc.) and acylphosphine oxides. , hexaarylbiimidazole, oxime compounds such as oxime derivatives, organic peroxides, thio compounds, ketone compounds, aromatic onium salts, ketoxime ethers, aminoacetophenone compounds, hydroxyacetophenones, azo compounds, azide compounds , metallocene compounds, organic boron compounds, iron arene complexes, and the like. About these details, Paragraph 0165 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2016-027357 - 0182 and Paragraph 0138 of International Publication No. 2015/199219 - description of 0151 can be considered into consideration, and this content is integrated in this specification.

케톤 화합물로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2015-087611호의 단락 0087에 기재된 화합물이 예시되며, 이 내용은 본 명세서에 원용된다. 시판품에서는, 카야 큐어 DETX(닛폰 가야쿠(주)제)도 적합하게 이용된다.As a ketone compound, the compound of Paragraph 0087 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2015-087611 is illustrated, for example, This content is integrated in this specification. In commercial products, Kaya Cure DETX (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) is also suitably used.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 광라디칼 중합 개시제로서는, 하이드록시아세토페논 화합물, 아미노아세토페논 화합물, 및, 아실포스핀 화합물을 적합하게 이용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 평10-291969호에 기재된 아미노아세토페논계 개시제, 일본 특허공보 제4225898호에 기재된 아실포스핀옥사이드계 개시제를 이용할 수 있다.In one embodiment of the present invention, as the photoradical polymerization initiator, a hydroxyacetophenone compound, an aminoacetophenone compound, and an acylphosphine compound can be suitably used. More specifically, for example, an aminoacetophenone-based initiator described in Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-291969 or an acylphosphine oxide-based initiator described in Japanese Patent Publication No. 4225898 can be used.

하이드록시아세토페논계 개시제로서는, IRGACURE 184(IRGACURE는 등록 상표), DAROCUR 1173, IRGACURE 500, IRGACURE-2959, IRGACURE 127(상품명: 모두 BASF사제)을 이용할 수 있다.As the hydroxyacetophenone-based initiator, IRGACURE 184 (IRGACURE is a registered trademark), DAROCUR 1173, IRGACURE 500, IRGACURE-2959, and IRGACURE 127 (trade names: all manufactured by BASF) can be used.

아미노아세토페논계 개시제로서는, 시판품인 IRGACURE 907, IRGACURE 369, 및, IRGACURE 379(상품명: 모두 BASF사제)를 이용할 수 있다.As the aminoacetophenone-based initiator, commercially available products such as IRGACURE 907, IRGACURE 369, and IRGACURE 379 (trade names: all manufactured by BASF) can be used.

아미노아세토페논계 개시제로서, 365nm 또는 405nm 등의 파장 광원에 흡수 극대 파장이 매칭된 일본 공개특허공보 2009-191179호에 기재된 화합물도 이용할 수 있다.As an aminoacetophenone system initiator, the compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-191179 in which absorption maximum wavelength was matched with wavelength light sources, such as 365 nm or 405 nm, can also be used.

아실포스핀계 개시제로서는, 2,4,6-트라이메틸벤조일-다이페닐-포스핀옥사이드 등을 들 수 있다. 또, 시판품인 IRGACURE-819나 IRGACURE-TPO(상품명: 모두 BASF사제)를 이용할 수 있다.Examples of the acylphosphine initiator include 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide. In addition, commercially available IRGACURE-819 and IRGACURE-TPO (trade names: both manufactured by BASF) can be used.

메탈로센 화합물로서는, IRGACURE-784, IRGACURE-784EG(모두 BASF사제) 등이 예시된다.As a metallocene compound, IRGACURE-784, IRGACURE-784EG (both BASF Corporation make), etc. are illustrated.

광라디칼 중합 개시제로서, 보다 바람직하게는 옥심 화합물을 들 수 있다. 옥심 화합물을 이용함으로써, 노광 래티튜드를 보다 효과적으로 향상시키는 것이 가능해진다. 옥심 화합물은, 노광 래티튜드(노광 마진)가 넓고, 또한, 광경화 촉진제로서도 작용하기 때문에, 특히 바람직하다.As an optical radical polymerization initiator, an oxime compound is mentioned more preferably. By using an oxime compound, it becomes possible to improve exposure latitude more effectively. The oxime compound is particularly preferred because it has a wide exposure latitude (exposure margin) and also acts as a photocuring accelerator.

옥심 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2001-233842호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2000-080068호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2006-342166호에 기재된 화합물을 이용할 수 있다.As a specific example of an oxime compound, the compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-233842, the compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-080068, and the compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-342166 can be used.

바람직한 옥심 화합물로서는, 예를 들면, 하기의 구조의 화합물이나, 3-벤조일옥시이미노뷰탄-2-온, 3-아세톡시이미노뷰탄-2-온, 3-프로피온일옥시이미노뷰탄-2-온, 2-아세톡시이미노펜탄-3-온, 2-아세톡시이미노-1-페닐프로판-1-온, 2-벤조일옥시이미노-1-페닐프로판-1-온, 3-(4-톨루엔설폰일옥시)이미노뷰탄-2-온, 및 2-에톡시카보닐옥시이미노-1-페닐프로판-1-온 등을 들 수 있다. 본 발명의 조성물에 있어서는, 특히 광라디칼 중합 개시제로서 옥심 화합물(옥심계의 광중합 개시제)을 이용하는 것이 바람직하다. 옥심계의 광중합 개시제는, 분자 내에 >C=N-O-C(=O)-의 연결기를 갖는다.Preferable examples of the oxime compound include compounds having the following structures, 3-benzoyloxyiminobutan-2-one, 3-acetoxyiminobutan-2-one, 3-propionyloxyiminobutan-2-one, 2-acetoxyiminopentan-3-one, 2-acetoxyimino-1-phenylpropan-1-one, 2-benzoyloxyimino-1-phenylpropan-1-one, 3-(4-toluenesulfonyloxy ) iminobutan-2-one, and 2-ethoxycarbonyloxyimino-1-phenylpropan-1-one. In the composition of this invention, it is preferable to use an oxime compound (oxime type photoinitiator) especially as a photoradical polymerization initiator. An oxime-based photopolymerization initiator has a linking group of >C=N-O-C(=O)- in its molecule.

[화학식 43][Formula 43]

Figure pct00044
Figure pct00044

시판품에서는 IRGACURE OXE 01, IRGACURE OXE 02, IRGACURE OXE 03, IRGACURE OXE 04(이상, BASF사제), 아데카 옵토머 N-1919((주)ADEKA제, 일본 공개특허공보 2012-014052호에 기재된 광라디칼 중합 개시제 2)도 적합하게 이용된다. 또, TR-PBG-304(창저우 강력 전자 신재료 유한공사제(Changzhou Tronly New Electronic Materials Co., Ltd.)), 아데카 아클즈 NCI-831 및 아데카 아클즈 NCI-930((주)ADEKA제)도 이용할 수 있다. 또, DFI-091(다이토 케믹스(주)제)을 이용할 수 있다. 또, 하기의 구조의 옥심 화합물을 이용할 수도 있다.Commercially available products include IRGACURE OXE 01, IRGACURE OXE 02, IRGACURE OXE 03, IRGACURE OXE 04 (above, manufactured by BASF), Adeka Optomer N-1919 (manufactured by ADEKA Co., Ltd., an optical radical described in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-014052 The polymerization initiator 2) is also suitably used. In addition, TR-PBG-304 (Changzhou Trolly New Electronic Materials Co., Ltd.), Adeka Arcles NCI-831 and Adeka Arcles NCI-930 (Co., Ltd.) ADEKA) can also be used. Also, DFI-091 (manufactured by Daito Chemicals Co., Ltd.) can be used. Moreover, the oxime compound of the following structure can also be used.

[화학식 44][Formula 44]

Figure pct00045
Figure pct00045

광중합 개시제로서는, 플루오렌환을 갖는 옥심 화합물을 이용할 수도 있다. 플루오렌환을 갖는 옥심 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2014-137466호에 기재된 화합물, 일본 특허공보 06636081호에 기재된 화합물을 들 수 있다.As the photopolymerization initiator, an oxime compound having a fluorene ring can also be used. As a specific example of the oxime compound which has a fluorene ring, the compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 2014-137466 and the compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 06636081 are mentioned.

광중합 개시제로서는, 카바졸환의 적어도 하나의 벤젠환이 나프탈렌환이 된 골격을 갖는 옥심 화합물을 이용할 수도 있다. 그와 같은 옥심 화합물의 구체예로서는, 국제 공개공보 제2013/083505호에 기재된 화합물을 들 수 있다.As the photopolymerization initiator, an oxime compound having a skeleton in which at least one benzene ring of a carbazole ring is a naphthalene ring can also be used. As a specific example of such an oxime compound, the compound of international publication 2013/083505 is mentioned.

또, 불소 원자를 갖는 옥심 화합물을 이용하는 것도 가능하다. 그와 같은 옥심 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2010-262028호에 기재되어 있는 화합물, 일본 공표특허공보 2014-500852호의 단락 0345에 기재되어 있는 화합물 24, 36~40, 일본 공개특허공보 2013-164471호의 단락 0101에 기재되어 있는 화합물 (C-3) 등을 들 수 있다.Moreover, it is also possible to use the oxime compound which has a fluorine atom. As a specific example of such an oxime compound, the compound described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-262028, the compound 24, 36-40 described in Paragraph 0345 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2014-500852, and Unexamined-Japanese-Patent No. 2013- and the compound (C-3) described in paragraph 0101 of No. 164471.

가장 바람직한 옥심 화합물로서는, 일본 공개특허공보 2007-269779호에 나타나는 특정 치환기를 갖는 옥심 화합물이나, 일본 공개특허공보 2009-191061호에 나타나는 싸이오아릴기를 갖는 옥심 화합물 등을 들 수 있다.As the most preferable oxime compound, the oxime compound which has a specific substituent shown in Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-269779, the oxime compound which has a thioaryl group shown in Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-191061, etc. are mentioned.

광라디칼 중합 개시제는, 노광 감도의 관점에서, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, 벤질다이메틸케탈 화합물, α-하이드록시케톤 화합물, α-아미노케톤 화합물, 아실포스핀화합물, 포스핀옥사이드 화합물, 메탈로센 화합물, 옥심 화합물, 트라이아릴이미다졸 다이머, 오늄염 화합물, 벤조싸이아졸 화합물, 벤조페논 화합물, 아세토페논 화합물 및 그 유도체, 사이클로펜타다이엔-벤젠-철 착체 및 그 염, 할로메틸옥사다이아졸 화합물, 3-아릴 치환 쿠마린 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물이 바람직하다.Radical photopolymerization initiators, from the viewpoint of exposure sensitivity, are trihalomethyltriazine compounds, benzyldimethylketal compounds, α-hydroxyketone compounds, α-aminoketone compounds, acylphosphine compounds, phosphine oxide compounds, metal Rosene compounds, oxime compounds, triarylimidazole dimers, onium salt compounds, benzothiazole compounds, benzophenone compounds, acetophenone compounds and their derivatives, cyclopentadiene-benzene-iron complexes and their salts, halomethyloxa Compounds selected from the group consisting of diazole compounds and 3-aryl-substituted coumarin compounds are preferred.

더 바람직한 광라디칼 중합 개시제는, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, α-아미노케톤 화합물, 아실포스핀화합물, 포스핀옥사이드 화합물, 메탈로센 화합물, 옥심 화합물, 트라이아릴이미다졸 다이머, 오늄염 화합물, 벤조페논 화합물, 아세토페논 화합물이며, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, α-아미노케톤 화합물, 옥심 화합물, 트라이아릴이미다졸 다이머, 벤조페논 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물이 한층 바람직하고, 메탈로센 화합물 또는 옥심 화합물을 이용하는 것이 보다 한층 바람직하며, 옥심 화합물이 더 한층 바람직하다.More preferable photoradical polymerization initiators are trihalomethyltriazine compounds, α-amino ketone compounds, acylphosphine compounds, phosphine oxide compounds, metallocene compounds, oxime compounds, triarylimidazole dimers, and onium salt compounds. , A benzophenone compound, an acetophenone compound, at least one compound selected from the group consisting of a trihalomethyltriazine compound, an α-amino ketone compound, an oxime compound, a triarylimidazole dimer, and a benzophenone compound It is preferable, and it is more preferable to use a metallocene compound or an oxime compound, and an oxime compound is still more preferable.

또, 광라디칼 중합 개시제는, 벤조페논, N,N'-테트라메틸-4,4'-다이아미노벤조페논(미힐러 케톤) 등의 N,N'-테트라알킬-4,4'-다이아미노벤조페논, 2-벤질-2-다이메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-뷰탄온-1,2-메틸-1-[4-(메틸싸이오)페닐]-2-모폴리노-프로판온-1 등의 방향족 케톤, 알킬안트라퀴논 등의 방향환과 축환된 퀴논류, 벤조인알킬에터 등의 벤조인에터 화합물, 벤조인, 알킬벤조인 등의 벤조인 화합물, 벤질다이메틸케탈 등의 벤질 유도체 등을 이용할 수도 있다. 또, 하기 식 (I)로 나타나는 화합물을 이용할 수도 있다.In addition, the photoradical polymerization initiator is N,N'-tetraalkyl-4,4'-diamino, such as benzophenone and N,N'-tetramethyl-4,4'-diaminobenzophenone (Michler's ketone). Benzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1,2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholyl Aromatic ketones such as no-propanone-1, quinones condensed with aromatic rings such as alkylanthraquinone, benzoin ether compounds such as benzoin alkyl ether, benzoin compounds such as benzoin and alkylbenzoin, and benzyldi Benzyl derivatives, such as methyl ketal, etc. can also be used. Moreover, the compound represented by following formula (I) can also be used.

[화학식 45][Formula 45]

Figure pct00046
Figure pct00046

식 (I) 중, RI00은, 탄소수 1~20의 알킬기, 1개 이상의 산소 원자에 의하여 중단된 탄소수 2~20의 알킬기, 탄소수 1~12의 알콕시기, 페닐기, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~12의 알콕시기, 할로젠 원자, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 탄소수 2~12의 알켄일기, 1개 이상의 산소 원자에 의하여 중단된 탄소수 2~18의 알킬기 및 탄소수 1~4의 알킬기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 또는 바이페닐이며, RI01은, 식 (II)로 나타나는 기이거나, RI00과 동일한 기이고, RI02~RI04는 각각 독립적으로 탄소수 1~12의 알킬, 탄소수 1~12의 알콕시기 또는 할로젠이다.In formula (I), R I00 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkyl group having 2 to 20 carbon atoms interrupted by one or more oxygen atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, Alkoxy groups of 1 to 12 carbon atoms, halogen atoms, cyclopentyl groups, cyclohexyl groups, alkenyl groups of 2 to 12 carbon atoms, alkyl groups of 2 to 18 carbon atoms interrupted by one or more oxygen atoms, and alkyl groups of 1 to 4 carbon atoms a phenyl group substituted with at least one of, or biphenyl, R I01 is a group represented by formula (II) or the same group as R I00 , and R I02 to R I04 are each independently an alkyl having 1 to 12 carbon atoms or 1 carbon atom ~12 alkoxy groups or halogen.

[화학식 46][Formula 46]

Figure pct00047
Figure pct00047

식 중, RI05~RI07은, 상기 식 (I)의 RI02~RI04와 동일하다.In the formula, R I05 to R I07 are the same as R I02 to R I04 in the formula (I).

또, 광라디칼 중합 개시제는, 국제 공개공보 제2015/125469호의 단락 0048~0055에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.Moreover, as an optical radical polymerization initiator, Paragraph 0048 of International Publication No. 2015/125469 - the compound of 0055 can also be used.

광중합 개시제를 포함하는 경우, 그 함유량은, 본 발명의 조성물의 전고형분에 대하여 0.1~30질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~20질량%이며, 더 바람직하게는 0.5~15질량%이고, 한층 바람직하게는 1.0~10질량%이다. 광중합 개시제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 2종 이상 함유하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.When a photopolymerization initiator is included, the content thereof is preferably 0.1 to 30% by mass, more preferably 0.1 to 20% by mass, still more preferably 0.5 to 15% by mass, based on the total solid content of the composition of the present invention. and more preferably 1.0 to 10% by mass. The photoinitiator may contain only 1 type, and may contain 2 or more types. When containing 2 or more types of photoinitiators, it is preferable that the total amount is the said range.

〔광산발생제〕[mine generator]

또, 본 발명의 조성물은, 감광제로서, 광산발생제를 포함하는 것도 바람직하다.Moreover, it is also preferable that the composition of this invention contains a photo-acid generator as a photosensitizer.

광산발생제를 함유함으로써, 예를 들면, 조성물층의 노광부에 산이 발생하여, 상기 노광부의 현상액(예를 들면, 알칼리 수용액)에 대한 용해성이 증대하고, 노광부가 현상액에 의하여 제거되는 포지티브형의 패턴을 얻을 수 있다.By containing a photoacid generator, for example, acid is generated in the exposed portion of the composition layer, the solubility of the exposed portion in the developing solution (eg, aqueous alkali solution) is increased, and the exposed portion is removed by the developing solution. pattern can be obtained.

또, 조성물이, 광산발생제와, 후술하는 라디칼 중합성 화합물 이외의 중합성 화합물을 함유함으로써, 예를 들면, 노광부에 발생한 산에 의하여 상기 중합성 화합물의 가교 반응이 촉진되어, 노광부가 비노광부보다 현상액에 의하여 제거되기 어려워지는 양태로 할 수도 있다. 이와 같은 양태에 의하면, 네거티브형의 패턴을 얻을 수 있다.In addition, when the composition contains a photoacid generator and a polymerizable compound other than a radical polymerizable compound described later, a crosslinking reaction of the polymerizable compound is promoted by an acid generated in the exposed portion, for example, and the exposed portion is exposed to the acid. It can also be set as an aspect in which it is more difficult to be removed by the developer than by the miner. According to such an aspect, a negative pattern can be obtained.

광산발생제로서는, 노광에 의하여 산을 발생시키는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 퀴논다이아자이드 화합물, 다이아조늄염, 포스포늄염, 설포늄염, 아이오도늄염 등의 오늄염 화합물, 이미드설포네이트, 옥심설포네이트, 다이아조다이설폰, 다이설폰, o-나이트로벤질설포네이트 등의 설포네이트 화합물 등을 들 수 있다.The photoacid generator is not particularly limited as long as it generates an acid by exposure, but onium salt compounds such as quinonediazide compounds, diazonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts and iodonium salts, imide sulfonates, oximes and sulfonate compounds such as sulfonate, diazodisulfone, disulfone, and o-nitrobenzylsulfonate.

퀴논다이아자이드 화합물로서는, 폴리하이드록시 화합물에 퀴논다이아자이드의 설폰산이 에스터로 결합한 것, 폴리아미노 화합물에 퀴논다이아자이드의 설폰산이 설폰아마이드로 결합한 것, 폴리하이드록시폴리아미노 화합물에 퀴논다이아자이드의 설폰산이 에스터 결합 및 설폰아마이드 결합 중 적어도 일방에 의하여 결합한 것 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는, 예를 들면, 이들 폴리하이드록시 화합물이나 폴리아미노 화합물의 관능기 전체의 50몰% 이상이 퀴논다이아자이드로 치환되어 있는 것이 바람직하다.Examples of the quinonediazide compound include those in which sulfonic acid of quinonediazide is bonded to a polyhydroxy compound as an ester, those in which sulfonic acid of quinonediazide is bonded to a polyamino compound as sulfonamide, and sulfone of quinonediazide to a polyhydroxypolyamino compound. and those in which an acid is bonded by at least one of an ester bond and a sulfonamide bond. In the present invention, it is preferable that, for example, 50 mol% or more of all the functional groups of these polyhydroxy compounds and polyamino compounds are substituted with quinonediazide.

본 발명에 있어서, 퀴논다이아자이드는 5-나프토퀴논다이아자이드설폰일기, 4-나프토퀴논다이아자이드설폰일기 모두 바람직하게 이용된다. 4-나프토퀴논다이아자이드설폰일에스터 화합물은 수은등의 i선 영역에 흡수를 갖고 있으며, i선 노광에 적합하다. 5-나프토퀴논다이아자이드설폰일에스터 화합물은 수은등의 g선 영역까지 흡수가 뻗어 있으며, g선 노광에 적합하다. 본 발명에 있어서는, 노광하는 파장에 따라 4-나프토퀴논다이아자이드설폰일에스터 화합물, 5-나프토퀴논다이아자이드설폰일에스터 화합물을 선택하는 것이 바람직하다. 또, 동일 분자 중에 4-나프토퀴논다이아자이드설폰일기, 5-나프토퀴논다이아자이드설폰일기를 갖는 나프토퀴논다이아자이드설폰일에스터 화합물을 함유해도 되고, 4-나프토퀴논다이아자이드설폰일에스터 화합물과 5-나프토퀴논다이아자이드설폰일에스터 화합물을 함유해도 된다.In the present invention, both 5-naphthoquinonediazide sulfonyl group and 4-naphthoquinonediazide sulfonyl group are preferably used as quinonediazide. The 4-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound has absorption in the i-line region of a mercury lamp, and is suitable for i-line exposure. The 5-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound has absorption extending to the g-line region of a mercury lamp, and is suitable for g-line exposure. In this invention, it is preferable to select a 4-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound and a 5-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound according to the exposure wavelength. Alternatively, a naphthoquinonediazidesulfonyl ester compound having a 4-naphthoquinonediazidesulfonyl group or a 5-naphthoquinonediazidesulfonyl group may be contained in the same molecule, and 4-naphthoquinonediazidesulfonylester You may contain a compound and a 5-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound.

상기 나프토퀴논다이아자이드 화합물은, 페놀성 하이드록시기를 갖는 화합물과, 퀴논다이아자이드 설폰산 화합물의 에스터화 반응에 의하여 합성 가능하고, 공지의 방법에 의하여 합성할 수 있다. 이들 나프토퀴논다이아자이드 화합물을 사용함으로써 해상도, 감도, 잔막률이 보다 향상된다.The naphthoquinonediazide compound can be synthesized by an esterification reaction between a compound having a phenolic hydroxyl group and a quinonediazide sulfonic acid compound, and can be synthesized by a known method. By using these naphthoquinone diazide compounds, the resolution, sensitivity, and remaining film rate are further improved.

상기 나프토퀴논다이아자이드 화합물로서는, 예를 들면, 1,2-나프토퀴논-2-다이아자이드-5-설폰산 또는 1,2-나프토퀴논-2-다이아자이드-4-설폰산, 이들 화합물의 염 또는 에스터 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the naphthoquinonediazide compound include 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonic acid or 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid, these A salt or ester compound of a compound, etc. are mentioned.

오늄염 화합물, 또는, 설포네이트 화합물로서는, 일본 공개특허공보 2008-013646호의 단락 0064~0122에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.As an onium salt compound or a sulfonate compound, Paragraph 0064 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-013646 - the compound of 0122, etc. are mentioned.

광산발생제는, 옥심설포네이트기를 포함하는 화합물(이하, 간단히 "옥심설포네이트 화합물"이라고도 한다)인 것도 바람직하다.It is also preferable that the photoacid generator is a compound containing an oxime sulfonate group (hereinafter, simply referred to as "oxime sulfonate compound").

옥심설포네이트 화합물은, 옥심설포네이트기를 갖고 있으면 특별히 제한은 없지만, 하기 식 (OS-1), 후술하는 식 (OS-103), 식 (OS-104), 또는, 식 (OS-105)로 나타나는 옥심설포네이트 화합물인 것이 바람직하다.The oxime sulfonate compound is not particularly limited as long as it has an oxime sulfonate group, but is represented by the following formula (OS-1), the later-described formula (OS-103), the formula (OS-104), or the formula (OS-105). It is preferable that it is an oxime sulfonate compound shown.

[화학식 47][Formula 47]

Figure pct00048
Figure pct00048

식 (OS-1) 중, X3은, 알킬기, 알콕실기, 또는, 할로젠 원자를 나타낸다. X3이 복수 존재하는 경우는, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 상기 X3에 있어서의 알킬기 및 알콕실기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 상기 X3에 있어서의 알킬기로서는, 탄소수 1~4의, 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다. 상기 X3에 있어서의 알콕실기로서는, 탄소수 1~4의 직쇄상 또는 분기상 알콕실기가 바람직하다. 상기 X3에 있어서의 할로젠 원자로서는, 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.In Formula (OS-1), X 3 represents an alkyl group, an alkoxyl group, or a halogen atom. When a plurality of X 3 are present, they may be the same or different. The alkyl group and alkoxyl group in X 3 may have a substituent. As the alkyl group for X 3 , a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable. As the alkoxyl group for X 3 , a straight-chain or branched alkoxyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable. As a halogen atom in said X< 3 >, a chlorine atom or a fluorine atom is preferable.

식 (OS-1) 중, m3은, 0~3의 정수를 나타내며, 0 또는 1이 바람직하다. m3이 2 또는 3일 때, 복수의 X3은 동일해도 되고 상이해도 된다.In Formula (OS-1), m3 represents an integer of 0 to 3, and 0 or 1 is preferable. When m3 is 2 or 3, a plurality of X 3 may be the same or different.

식 (OS-1) 중, R34는, 알킬기 또는 아릴기를 나타내며, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~10의 알콕실기, 탄소수 1~5의 할로젠화 알킬기, 탄소수 1~5의 할로젠화 알콕실기, W로 치환되어도 되는 페닐기, W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기인 것이 바람직하다. W는, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~10의 알콕실기, 탄소수 1~5의 할로젠화 알킬기 또는 탄소수 1~5의 할로젠화 알콕실기, 탄소수 6~20의 아릴기, 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴기를 나타낸다.In formula (OS-1), R 34 represents an alkyl group or an aryl group, and is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogen having 1 to 5 carbon atoms. It is preferably an alkoxyl group, a phenyl group which may be substituted with W, a naphthyl group which may be substituted with W, or an anthranyl group which may be substituted with W. W is a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkoxyl group having 1 to 5 carbon atoms. , an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a halogenated aryl group having 6 to 20 carbon atoms.

식 (OS-1) 중, m3이 3이고, X3이 메틸기이며, X3의 치환 위치가 오쏘위이며, R34가 탄소수 1~10의 직쇄상 알킬기, 7,7-다이메틸-2-옥소노보닐메틸기, 또는, p-톨릴기인 화합물이 특히 바람직하다.In formula (OS-1), m3 is 3, X 3 is a methyl group, the substitution position of X 3 is an ortho position, R 34 is a linear alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and 7,7-dimethyl-2- A compound having an oxonobonylmethyl group or a p-tolyl group is particularly preferred.

식 (OS-1)로 나타나는 옥심설포네이트 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2011-209692호의 단락 번호 0064~0068, 일본 공개특허공보 2015-194674호의 단락 번호 0158~0167에 기재된 이하의 화합물이 예시되며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.As a specific example of the oxime sulfonate compound represented by Formula (OS-1), the following compounds described in Paragraph Nos. 0064-0068 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-209692 and Paragraph No. 0158-0167 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2015-194674 are illustrated. and these contents are incorporated herein.

[화학식 48][Formula 48]

Figure pct00049
Figure pct00049

식 (OS-103)~식 (OS-105) 중, Rs1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 복수 존재하는 경우가 있는 Rs2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로젠 원자를 나타내며, 복수 존재하는 경우가 있는 Rs6은 각각 독립적으로, 할로젠 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설폰일기 또는 알콕시설폰일기를 나타내고, Xs는 O 또는 S를 나타내며, ns는 1 또는 2를 나타내고, ms는 0~6의 정수를 나타낸다.In formulas (OS-103) to (OS-105), R s1 represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, and R s2 , which may be present in a plurality thereof, is each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a Represents a rosen atom, R s6 , which may exist in plural numbers, each independently represents a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group, or an alkoxysulfonyl group, Xs represents O or S, ns represents 1 or 2, and ms represents an integer from 0 to 6.

식 (OS-103)~식 (OS-105) 중, Rs1로 나타나는 알킬기(탄소수 1~30이 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~30이 바람직하다) 또는 헤테로아릴기(탄소수 4~30이 바람직하다)는, 치환기 T를 갖고 있어도 된다.In formulas (OS-103) to (OS-105), an alkyl group (preferably 1 to 30 carbon atoms), an aryl group (preferably 6 to 30 carbon atoms), or a heteroaryl group (preferably 4 to 30 carbon atoms) represented by R s1 This is preferable) may have a substituent T.

식 (OS-103)~식 (OS-105) 중, Rs2는, 수소 원자, 알킬기(탄소수 1~12가 바람직하다) 또는 아릴기(탄소수 6~30이 바람직하다)인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다. 화합물 중에 2 이상 존재하는 경우가 있는 Rs2 중, 1개 또는 2개가 알킬기, 아릴기 또는 할로젠 원자인 것이 바람직하고, 1개가 알킬기, 아릴기 또는 할로젠 원자인 것이 보다 바람직하며, 1개가 알킬기이고, 또한 나머지가 수소 원자인 것이 특히 바람직하다. Rs2로 나타나는 알킬기 또는 아릴기는, 치환기 T를 갖고 있어도 된다.In formulas (OS-103) to (OS-105), R s2 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group (preferably 1 to 12 carbon atoms), or an aryl group (preferably 6 to 30 carbon atoms), and hydrogen It is more preferably an atom or an alkyl group. Among R s2 that may exist in two or more in a compound, one or two are preferably an alkyl group, an aryl group, or a halogen atom, more preferably one is an alkyl group, an aryl group, or a halogen atom, and one is an alkyl group , and it is particularly preferred that the remainder are hydrogen atoms. The alkyl group or aryl group represented by R s2 may have a substituent T.

식 (OS-103), 식 (OS-104), 또는, 식 (OS-105) 중, Xs는 O 또는 S를 나타내며, O인 것이 바람직하다. 상기 식 (OS-103)~(OS-105)에 있어서, Xs를 환원으로서 포함하는 환은, 5원환 또는 6원환이다.In Formula (OS-103), Formula (OS-104), or Formula (OS-105), Xs represents O or S, and is preferably O. In the above formulas (OS-103) to (OS-105), the ring containing Xs as a reduction is a 5- or 6-membered ring.

식 (OS-103)~식 (OS-105) 중, ns는 1 또는 2를 나타내며, Xs가 O인 경우, ns는 1인 것이 바람직하고, 또, Xs가 S인 경우, ns는 2인 것이 바람직하다.In formulas (OS-103) to (OS-105), ns represents 1 or 2, and when Xs is O, ns is preferably 1, and when Xs is S, ns is 2 desirable.

식 (OS-103)~식 (OS-105) 중, Rs6으로 나타나는 알킬기(탄소수 1~30이 바람직하다) 및 알킬옥시기(탄소수 1~30이 바람직하다)는, 치환기를 갖고 있어도 된다.In formulas (OS-103) to (OS-105), the alkyl group (preferably 1 to 30 carbon atoms) and the alkyloxy group (preferably 1 to 30 carbon atoms) represented by R s6 may have a substituent.

식 (OS-103)~식 (OS-105) 중, ms는 0~6의 정수를 나타내며, 0~2의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1인 것이 보다 바람직하며, 0인 것이 특히 바람직하다.In formulas (OS-103) to (OS-105), ms represents an integer of 0 to 6, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, particularly preferably 0.

또, 상기 식 (OS-103)으로 나타나는 화합물은, 하기 식 (OS-106), 식 (OS-110) 또는 식 (OS-111)로 나타나는 화합물인 것이 특히 바람직하고, 상기 식 (OS-104)로 나타나는 화합물은, 하기 식 (OS-107)로 나타나는 화합물인 것이 특히 바람직하며, 상기 식 (OS-105)로 나타나는 화합물은, 하기 식 (OS-108) 또는 식 (OS-109)로 나타나는 화합물인 것이 특히 바람직하다.In addition, the compound represented by the formula (OS-103) is particularly preferably a compound represented by the following formula (OS-106), formula (OS-110) or formula (OS-111), and the formula (OS-104 ) is particularly preferably a compound represented by the following formula (OS-107), and the compound represented by the formula (OS-105) is represented by the following formula (OS-108) or formula (OS-109) Compounds are particularly preferred.

[화학식 49][Formula 49]

Figure pct00050
Figure pct00050

식 (OS-106)~식 (OS-111) 중, Rt1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, Rt7은, 수소 원자 또는 브로민 원자를 나타내며, Rt8은 수소 원자, 탄소수 1~8의 알킬기, 할로젠 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, Rt9는 수소 원자, 할로젠 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내며, Rt2는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In formulas (OS-106) to (OS-111), R t1 represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, R t7 represents a hydrogen atom or a bromine atom, and R t8 represents a hydrogen atom and 1 to 10 carbon atoms. 8 represents an alkyl group, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group or a chlorophenyl group, R t9 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and R t2 is represents a hydrogen atom or a methyl group.

식 (OS-106)~식 (OS-111) 중, Rt7은, 수소 원자 또는 브로민 원자를 나타내며, 수소 원자인 것이 바람직하다.In formulas (OS-106) to (OS-111), R t7 represents a hydrogen atom or a bromine atom, and is preferably a hydrogen atom.

식 (OS-106)~식 (OS-111) 중, Rt8은, 수소 원자, 탄소수 1~8의 알킬기, 할로젠 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내며, 탄소수 1~8의 알킬기, 할로젠 원자 또는 페닐기인 것이 바람직하고, 탄소수 1~8의 알킬기인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1~6의 알킬기인 것이 더 바람직하고, 메틸기인 것이 특히 바람직하다.In formulas (OS-106) to (OS-111), R t8 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group, or Represents a chlorophenyl group, preferably an alkyl group, a halogen atom or a phenyl group having 1 to 8 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and particularly a methyl group desirable.

식 (OS-106)~식 (OS-111) 중, Rt9는, 수소 원자, 할로젠 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내며, 수소 원자인 것이 바람직하다.In formulas (OS-106) to (OS-111), R t9 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and is preferably a hydrogen atom.

Rt2는, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내며, 수소 원자인 것이 바람직하다.R t2 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom.

또, 상기 옥심설포네이트 화합물에 있어서, 옥심의 입체 구조(E, Z)에 대해서는, 어느 일방이어도 되고, 혼합물이어도 된다.Moreover, in the said oxime sulfonate compound, about the three-dimensional structure (E, Z) of an oxime, either one may be sufficient and a mixture may be sufficient as it.

상기 식 (OS-103)~식 (OS-105)로 나타나는 옥심설포네이트 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2011-209692호의 단락 번호 0088~0095, 일본 공개특허공보 2015-194674호의 단락 번호 0168~0194에 기재된 화합물이 예시되며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.As a specific example of the oxime sulfonate compound represented by the said Formula (OS-103) - Formula (OS-105), Paragraph No. 0088 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-209692 - 0095, Paragraph No. 0168 - of Unexamined-Japanese-Patent No. 2015-194674 - The compounds described in 0194 are exemplified, and these contents are incorporated herein by reference.

옥심설포네이트기를 적어도 하나를 포함하는 옥심설포네이트 화합물의 적합한 다른 양태로서는, 하기 식 (OS-101), 식 (OS-102)로 나타나는 화합물을 들 수 있다.As another suitable aspect of the oxime sulfonate compound containing at least one oxime sulfonate group, the compound represented by the following formula (OS-101) and formula (OS-102) is mentioned.

[화학식 50][Formula 50]

Figure pct00051
Figure pct00051

식 (OS-101) 또는 식 (OS-102) 중, Ru9는, 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 알콕실기, 알콕시카보닐기, 아실기, 카바모일기, 설파모일기, 설포기, 사이아노기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타낸다. Ru9가 사이아노기 또는 아릴기인 양태가 보다 바람직하며, Ru9가 사이아노기, 페닐기 또는 나프틸기인 양태가 더 바람직하다.In Formula (OS-101) or Formula (OS-102), R u9 is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxyl group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a carbamoyl group, a sulfamoyl group, a sulfo group, or a cyano group. group, aryl group or heteroaryl group. An aspect in which R u9 is a cyano group or an aryl group is more preferable, and an aspect in which R u9 is a cyano group, a phenyl group or a naphthyl group is still more preferable.

식 (OS-101) 또는 식 (OS-102) 중, Ru2a는, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.In formula (OS-101) or formula (OS-102), R u2a represents an alkyl group or an aryl group.

식 (OS-101) 또는 식 (OS-102) 중, Xu는, -O-, -S-, -NH-, -NRu5-, -CH2-, -CRu6H- 또는 CRu6Ru7-을 나타내며, Ru5~Ru7은 각각 독립적으로, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.In Formula (OS-101) or Formula (OS-102), Xu is -O-, -S-, -NH-, -NR u5 -, -CH 2 -, -CR u6 H- or CR u6 R u7 -, and R u5 to R u7 each independently represent an alkyl group or an aryl group.

식 (OS-101) 또는 식 (OS-102) 중, Ru1~Ru4는 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 알킬기, 알켄일기, 알콕실기, 아미노기, 알콕시카보닐기, 알킬카보닐기, 아릴카보닐기, 아마이드기, 설포기, 사이아노기 또는 아릴기를 나타낸다. Ru1~Ru4 중 2개가 각각 서로 결합하여 환을 형성해도 된다. 이때, 환이 축환하여 벤젠환과 함께 축합환을 형성하고 있어도 된다. Ru1~Ru4로서는, 수소 원자, 할로젠 원자 또는 알킬기가 바람직하고, 또, Ru1~Ru4 중 적어도 2개가 서로 결합하여 아릴기를 형성하는 양태도 바람직하다. 그중에서도, Ru1~Ru4가 모두 수소 원자인 양태가 바람직하다. 상기한 치환기는, 모두, 치환기를 더 갖고 있어도 된다.In Formula (OS-101) or Formula (OS-102), R u1 to R u4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxyl group, an amino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, represents an arylcarbonyl group, an amide group, a sulfo group, a cyano group or an aryl group. Two of R u1 to R u4 may be bonded to each other to form a ring. At this time, the ring may be condensed to form a condensed ring together with the benzene ring. As R u1 to R u4 , a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group is preferable, and an aspect in which at least two of R u1 to R u4 bond to each other to form an aryl group is also preferable. Among them, an aspect in which all of R u1 to R u4 are hydrogen atoms is preferable. All of the substituents described above may further have a substituent.

상기 식 (OS-101)로 나타나는 화합물은, 식 (OS-102)로 나타나는 화합물인 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that the compound represented by the formula (OS-101) is a compound represented by the formula (OS-102).

또, 상기 옥심설포네이트 화합물에 있어서, 옥심이나 벤조싸이아졸환의 입체 구조(E, Z 등)에 대해서는 각각, 어느 일방이어도 되고, 혼합물이어도 된다.Moreover, in the said oxime sulfonate compound, about the steric structure (E, Z, etc.) of an oxime and a benzothiazole ring, either one may be sufficient respectively, and a mixture may be sufficient as it.

식 (OS-101)로 나타나는 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2011-209692호의 단락 번호 0102~0106, 일본 공개특허공보 2015-194674호의 단락 번호 0195~0207에 기재된 화합물이 예시되며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.As a specific example of the compound represented by formula (OS-101), Paragraph No. 0102 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-209692 - 0106, and Paragraph No. 0195 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2015-194674 - the compound of 0207 are illustrated, These contents are incorporated herein by reference.

상기 화합물 중에서도, b-9, b-16, b-31, b-33이 바람직하다.Among the above compounds, b-9, b-16, b-31 and b-33 are preferable.

그 외에, 광산발생제로서는 시판품을 사용해도 된다. 시판품으로서는, WPAG-145, WPAG-149, WPAG-170, WPAG-199, WPAG-336, WPAG-367, WPAG-370, WPAG-443, WPAG-469, WPAG-638, WPAG-699(모두 후지필름 와코 준야쿠(주)제), Omnicat 250, Omnicat 270(모두 IGM Resins B. V. 사제), Irgacure 250, Irgacure 270, Irgacure 290(모두 BASF사제), MBZ-101(미도리 가가쿠(주)제) 등을 들 수 있다.In addition, you may use a commercial item as a photo-acid generator. As commercial products, WPAG-145, WPAG-149, WPAG-170, WPAG-199, WPAG-336, WPAG-367, WPAG-370, WPAG-443, WPAG-469, WPAG-638, WPAG-699 (all Fujifilm Wako Junyaku Co., Ltd.), Omnicat 250, Omnicat 270 (all made by IGM Resins B.V.), Irgacure 250, Irgacure 270, Irgacure 290 (all made by BASF), MBZ-101 (made by Midori Chemical Co., Ltd.), etc. can be heard

또, 하기 구조식으로 나타나는 화합물도 바람직한 예로서 들 수 있다.Moreover, the compound represented by the following structural formula is also mentioned as a preferable example.

[화학식 51][Formula 51]

Figure pct00052
Figure pct00052

광산발생제로서는, 유기 할로젠화 화합물도 적용할 수 있다. 유기 할로젠화 화합물로서는, 구체적으로는, 와카바야시 등 "Bull Chem. Soc Japan" 42, 2924(1969), 미국 특허공보 제3,905,815호 명세서, 일본 공고특허공보 소46-4605호, 일본 공개특허공보 소48-36281호, 일본 공개특허공보 소55-32070호, 일본 공개특허공보 소60-239736호, 일본 공개특허공보 소61-169835호, 일본 공개특허공보 소61-169837호, 일본 공개특허공보 소62-58241호, 일본 공개특허공보 소62-212401호, 일본 공개특허공보 소63-70243호, 일본 공개특허공보 소63-298339호, M. P. Hutt "Jurnal of Heterocyclic Chemistry" 1 (No3), (1970) 등에 기재된 화합물을 들 수 있으며, 특히, 트라이할로메틸기가 치환한 옥사졸 화합물: S-트라이아진 화합물을 들 수 있다.As a photoacid generator, an organic halogenated compound can also be applied. Specifically, as an organic halogenated compound, Wakabayashi et al. "Bull Chem. Soc Japan" 42, 2924 (1969), US Patent Publication No. 3,905,815 Specification, Japanese Patent Publication No. 46-4605, Japanese Unexamined Patent Publication Japanese Laid-Open Patent Publication No. 48-36281, Japanese Laid-Open Patent Publication 55-32070, Japanese Laid-Open Patent Publication 60-239736, Japanese Laid-Open Patent Publication 61-169835, Japanese Laid-Open Patent Publication 61-169837, Japanese Laid-Open Patent Publication 62-58241, Japanese Laid-Open Patent Publication 62-212401, 63-70243, 63-298339, M. P. Hutt "Jurnal of Heterocyclic Chemistry" 1 (No3), ( 1970) and the like, and in particular, an oxazole compound in which a trihalomethyl group is substituted: an S-triazine compound.

보다 적합하게는, 적어도 하나의 모노, 다이, 또는 트라이할로젠 치환 메틸기가 s-트라이아진환에 결합한 s-트라이아진 유도체, 구체적으로는, 예를 들면, 2,4,6-트리스(모노클로로메틸)-s-트라이아진, 2,4,6-트리스(다이클로로메틸)-s-트라이아진, 2,4,6-트리스(트라이클로로메틸)-s-트라이아진, 2-메틸-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트라이아진, 2-n-프로필-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트라이아진, 2-(α,α,β-트라이클로로에틸)-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트라이아진, 2-페닐-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트라이아진, 2-(p-메톡시페닐)-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트라이아진, 2-(3,4-에폭시페닐)-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트라이아진, 2-(p-클로로페닐)-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트라이아진, 2-〔1-(p-메톡시페닐)-2,4-뷰타다이엔일〕-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트라이아진, 2-스타이릴-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트라이아진, 2-(p-메톡시스타이릴)-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트라이아진, 2-(p-i-프로필옥시스타이릴)-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트라이아진, 2-(p-톨릴)-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트라이아진, 2-(4-나프톡시나프틸)-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트라이아진, 2-페닐싸이오-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트라이아진, 2-벤질싸이오-4,6-비스(트라이클로로메틸)-s-트라이아진, 2,4,6-트리스(다이브로모메틸)-s-트라이아진, 2,4,6-트리스(트라이브로모메틸)-s-트라이아진, 2-메틸-4,6-비스(트라이브로모메틸)-s-트라이아진, 2-메톡시-4,6-비스(트라이브로모메틸)-s-트라이아진 등을 들 수 있다.More preferably, s-triazine derivatives in which at least one mono, di, or trihalogen substituted methyl group is bonded to the s-triazine ring, specifically, for example, 2,4,6-tris (monochloro Methyl) -s-triazine, 2,4,6-tris (dichloromethyl) -s-triazine, 2,4,6-tris (trichloromethyl) -s-triazine, 2-methyl-4, 6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-n-propyl-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(α,α,β-trichloroethyl)- 4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-phenyl-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(p-methoxyphenyl)-4,6- Bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(3,4-epoxyphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(p-chlorophenyl)-4, 6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-[1-(p-methoxyphenyl)-2,4-butadienyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-s- Triazine, 2-styryl-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(p-methoxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine , 2-(p-i-propyloxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(p-tolyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-tri Azine, 2-(4-naphthoxynaphthyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-phenylthio-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine , 2-benzylthio-4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2,4,6-tris (dibromomethyl) -s-triazine, 2,4,6-tris (tribe lomomethyl)-s-triazine, 2-methyl-4,6-bis(tribromomethyl)-s-triazine, 2-methoxy-4,6-bis(tribromomethyl)-s-triazine, etc. can be heard

광산발생제로서는, 유기 붕산염 화합물도 적용할 수 있다. 유기 붕산염 화합물로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 소62-143044호, 일본 공개특허공보 소62-150242호, 일본 공개특허공보 평9-188685호, 일본 공개특허공보 평9-188686호, 일본 공개특허공보 평9-188710호, 일본 공개특허공보 2000-131837, 일본 공개특허공보 2002-107916, 일본 특허공보 제2764769호, 일본 특허출원 2000-310808호, 등의 각 공보, 및, Kunz, Martin "Rad Tech '98. Proceeding April 19-22, 1998, Chicago" 등에 기재되는 유기 붕산염, 일본 공개특허공보 평6-157623호, 일본 공개특허공보 평6-175564호, 일본 공개특허공보 평6-175561호에 기재된 유기 붕소 설포늄 착체 혹은 유기 붕소 옥소 설포늄 착체, 일본 공개특허공보 평6-175554호, 일본 공개특허공보 평6-175553호에 기재된 유기 붕소 아이오도늄 착체, 일본 공개특허공보 평9-188710호에 기재된 유기 붕소 포스포늄 착체, 일본 공개특허공보 평6-348011호, 일본 공개특허공보 평7-128785호, 일본 공개특허공보 평7-140589호, 일본 공개특허공보 평7-306527호, 일본 공개특허공보 평7-292014호 등의 유기 붕소 천이 금속 배위 착체 등을 구체예로서 들 수 있다.As a photoacid generator, organic borate compounds are also applicable. As an organic borate compound, Unexamined-Japanese-Patent No. 62-143044, Unexamined-Japanese-Patent No. 62-150242, Unexamined-Japanese-Patent No. 9-188685, Unexamined-Japanese-Patent No. 9-188686, Japan, for example Japanese Patent Laid-open No. 9-188710, Japanese Laid-open Patent No. 2000-131837, Japanese Laid-Open Patent No. 2002-107916, Japanese Patent No. 2764769, Japanese Patent Application No. 2000-310808, and Kunz, Martin Organic borates described in "Rad Tech '98. Proceeding April 19-22, 1998, Chicago", etc., Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 6-157623, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 6-175564, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 6-175561 The organic boron sulfonium complex or organoboron oxo sulfonium complex described in Japanese Patent Laid-Open No. 6-175554, the organoboron iodonium complex described in Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 6-175553, Japanese Patent Laid-Open No. Hei 9 Organoboron phosphonium complexes described in No. -188710, Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-348011, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 7-128785, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 7-140589, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 7-306527 , organoboron transition metal coordination complexes, such as Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-292014, etc. are mentioned as a specific example.

광산발생제로서는, 다이설폰 화합물도 적용할 수 있다. 다이설폰 화합물로서는, 일본 공개특허공보 소61-166544호, 일본 특허출원 2001-132318 공보 등에 기재되어 있는 화합물 및 다이아조다이설폰 화합물을 들 수 있다.As a photo-acid generator, a disulfone compound is also applicable. As a disulfone compound, the compound and diazodisulfone compound described in Unexamined-Japanese-Patent No. 61-166544, Japanese Patent Application No. 2001-132318, etc. are mentioned.

상기 오늄염 화합물로서는, 예를 들면, S. I. Schlesinger, Photogr. Sci. Eng., 18,387(1974), T. S. Bal et al, Polymer, 21,423(1980)에 기재된 다이아조늄염, 미국 특허공보 제4,069,055호 명세서, 일본 공개특허공보 평4-365049호 등에 기재된 암모늄염, 미국 특허공보 제4,069,055호, 동 4,069,056호의 각 명세서에 기재된 포스포늄염, 유럽 특허공보 제104,143호, 미국 특허공보 제339,049호, 동 제410,201호의 각 명세서, 일본 공개특허공보 평2-150848호, 일본 공개특허공보 평2-296514호에 기재된 아이오도늄염, 유럽 특허공보 제370,693호, 동 390,214호, 동 233,567호, 동 297,443호, 동 297,442호, 미국 특허공보 제4,933,377호, 동 161,811호, 동 410,201호, 동 339,049호, 동 4,760,013호, 동 4,734,444호, 동 2,833,827호, 독일 특허공보 제2,904,626호, 동 3,604,580호, 동 3,604,581호의 각 명세서에 기재된 설포늄염, J. V. Crivello et al, Macromolecules, 10(6), 1307(1977), J. V. Crivello et al, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 1047(1979)에 기재된 셀레노늄염, C. S. Wen et al, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct(1988)에 기재된 아르소늄염, 피리디늄염 등의 오늄염 등을 들 수 있다.As the onium salt compound, for example, S. I. Schlesinger, Photogr. Sci. Eng., 18,387 (1974), T. S. Bal et al, Polymer, 21,423 (1980) diazonium salts, US Patent Publication No. 4,069,055, ammonium salts described in Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 4-365049, US Patent Publication No. 4,069,055 and 4,069,056 phosphonium salts, European Patent No. 104,143, US Patent No. 339,049 and 410,201, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2-150848, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei Iodonium salts described in 2-296514, European Patent Nos. 370,693, 390,214, 233,567, 297,443, 297,442, US Patent Nos. 4,933,377, 161,811, 410,201, 339,049 J. V. Crivello et al, Macromolecules, 10(6), 1307 (1977) ), J. V. Crivello et al, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 1047 (1979) selenium salts, C. S. Wen et al, Teh, Proc. Conf. Rad. and onium salts such as arsonium salts and pyridinium salts described in Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct (1988).

오늄염으로서는, 하기 일반식 (RI-I)~(RI-III)으로 나타나는 오늄염을 들 수 있다.Examples of the onium salt include onium salts represented by the following general formulas (RI-I) to (RI-III).

[화학식 52][Formula 52]

Figure pct00053
Figure pct00053

식 (RI-I) 중, Ar11은 치환기를 1~6 갖고 있어도 되는 탄소수 20 이하의 아릴기를 나타내며, 바람직한 치환기로서는 탄소수 1~12의 알킬기, 탄소수 1~12의 알켄일기, 탄소수 1~12의 알카인일기, 탄소수 1~12의 아릴기, 탄소수 1~12의 알콕시기, 탄소수 1~12의 아릴옥시기, 할로젠 원자, 탄소수 1~12의 알킬아미노기, 탄소수 1~12의 다이알킬아미노기, 탄소수 1~12의 알킬아마이드기 또는 아릴아마이드기, 카보닐기, 카복실기, 사이아노기, 설폰일기, 탄소수 1~12의 싸이오알킬기, 탄소수 1~12의 싸이오아릴기를 들 수 있다. Z11-은 1가의 음이온을 나타내며, 할로젠 이온, 과염소산 이온, 헥사플루오로포스페이트 이온, 테트라플루오로보레이트 이온, 설폰산 이온, 설핀산 이온, 싸이오설폰산 이온, 황산 이온이고, 안정성의 면에서 과염소산 이온, 헥사플루오로포스페이트 이온, 테트라플루오로보레이트 이온, 설폰산 이온, 설핀산 이온이 바람직하다. 식 (RI-II) 중, Ar21, Ar22는 각각 독립적으로 치환기를 1~6 갖고 있어도 되는 탄소수 20 이하의 아릴기를 나타내며, 바람직한 치환기로서는 탄소수 1~12의 알킬기, 탄소수 1~12의 알켄일기, 탄소수 1~12의 알카인일기, 탄소수 1~12의 아릴기, 탄소수 1~12의 알콕시기, 탄소수 1~12의 아릴옥시기, 할로젠 원자, 탄소수 1~12의 알킬아미노기, 탄소수 1~12의 다이알킬아미노기, 탄소수 1~12의 알킬아마이드기 또는 아릴아마이드기, 카보닐기, 카복실기, 사이아노기, 설폰일기, 탄소수 1~12의 싸이오알킬기, 탄소수 1~12의 싸이오아릴기를 들 수 있다. Z21-은 1가의 음이온을 나타내며, 할로젠 이온, 과염소산 이온, 헥사플루오로포스페이트 이온, 테트라플루오로보레이트 이온, 설폰산 이온, 설핀산 이온, 싸이오설폰산 이온, 황산 이온이고, 안정성, 반응성의 면에서 과염소산 이온, 헥사플루오로포스페이트 이온, 테트라플루오로보레이트 이온, 설폰산 이온, 설핀산 이온, 카복실산 이온이 바람직하다. 식 (RI-III) 중, R31, R32, R33은 각각 독립적으로 치환기를 1~6 갖고 있어도 되는 탄소수 20 이하의 아릴기 또는 알킬기, 알켄일기, 알카인일기를 나타내며, 바람직하게는 반응성, 안정성의 면에서, 아릴기인 것이 바람직하다. 바람직한 치환기로서는 탄소수 1~12의 알킬기, 탄소수 1~12의 알켄일기, 탄소수 1~12의 알카인일기, 탄소수 1~12의 아릴기, 탄소수 1~12의 알콕시기, 탄소수 1~12의 아릴옥시기, 할로젠 원자, 탄소수 1~12의 알킬아미노기, 탄소수 1~12의 다이알킬아미노기, 탄소수 1~12의 알킬아마이드기 또는 아릴아마이드기, 카보닐기, 카복실기, 사이아노기, 설폰일기, 탄소수 1~12의 싸이오알킬기, 탄소수 1~12의 싸이오아릴기를 들 수 있다. Z31-은 1가의 음이온을 나타내며, 할로젠 이온, 과염소산 이온, 헥사플루오로포스페이트 이온, 테트라플루오로보레이트 이온, 설폰산 이온, 설핀산 이온, 싸이오설폰산 이온, 황산 이온이고, 안정성, 반응성의 면에서 과염소산 이온, 헥사플루오로포스페이트 이온, 테트라플루오로보레이트 이온, 설폰산 이온, 설핀산 이온, 카복실산 이온이 바람직하다.In formula (RI-I), Ar11 represents an aryl group having 20 or less carbon atoms which may have 1 to 6 substituents, and preferred substituents include an alkyl group of 1 to 12 carbon atoms, an alkenyl group of 1 to 12 carbon atoms, and an alkane group of 1 to 12 carbon atoms. Phosphorus group, aryl group of 1 to 12 carbon atoms, alkoxy group of 1 to 12 carbon atoms, aryloxy group of 1 to 12 carbon atoms, halogen atom, alkylamino group of 1 to 12 carbon atoms, dialkylamino group of 1 to 12 carbon atoms, and an alkylamide group of 1 to 12, an arylamide group, a carbonyl group, a carboxyl group, a cyano group, a sulfonyl group, a thioalkyl group of 1 to 12 carbon atoms, and a thioaryl group of 1 to 12 carbon atoms. Z11 - represents a monovalent anion, and is a halogen ion, a perchlorate ion, a hexafluorophosphate ion, a tetrafluoroborate ion, a sulfonate ion, a sulfinate ion, a thiosulfonate ion, a sulfate ion, and in terms of stability, perchloric acid ions, hexafluorophosphate ions, tetrafluoroborate ions, sulfonic acid ions, and sulfinic acid ions are preferred. In formula (RI-II), Ar21 and Ar22 each independently represent an aryl group having 20 or less carbon atoms which may have 1 to 6 substituents, and preferred substituents include an alkyl group of 1 to 12 carbon atoms, an alkenyl group of 1 to 12 carbon atoms, and Alkynyl group of 1 to 12 carbon atoms, aryl group of 1 to 12 carbon atoms, alkoxy group of 1 to 12 carbon atoms, aryloxy group of 1 to 12 carbon atoms, halogen atom, alkylamino group of 1 to 12 carbon atoms, A dialkylamino group, an alkylamide group or arylamide group having 1 to 12 carbon atoms, a carbonyl group, a carboxyl group, a cyano group, a sulfonyl group, a thioalkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or a thioaryl group having 1 to 12 carbon atoms. there is. Z21 - represents a monovalent anion, and is a halogen ion, a perchlorate ion, a hexafluorophosphate ion, a tetrafluoroborate ion, a sulfonate ion, a sulfinate ion, a thiosulfonate ion, a sulfate ion, and stability and reactivity In , perchlorate ion, hexafluorophosphate ion, tetrafluoroborate ion, sulfonic acid ion, sulfinic acid ion, and carboxylic acid ion are preferred. In formula (RI-III), R31, R32 and R33 each independently represent an aryl group or an alkyl group having 20 or less carbon atoms, which may have 1 to 6 substituents, an alkenyl group, or an alkynyl group, and is preferably reactive and stable. In terms of aspect, it is preferable that it is an aryl group. Preferred substituents include an alkyl group of 1 to 12 carbon atoms, an alkenyl group of 1 to 12 carbon atoms, an alkynyl group of 1 to 12 carbon atoms, an aryl group of 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group of 1 to 12 carbon atoms, and an aryloxy group of 1 to 12 carbon atoms. Group, halogen atom, C1-12 alkylamino group, C1-12 dialkylamino group, C1-12 alkylamide or arylamide group, carbonyl group, carboxyl group, cyano group, sulfonyl group, carbon number A thioalkyl group of 1-12 and a thioaryl group of 1-12 carbon atoms are mentioned. Z31 - represents a monovalent anion and is a halogen ion, a perchlorate ion, a hexafluorophosphate ion, a tetrafluoroborate ion, a sulfonate ion, a sulfinate ion, a thiosulfonate ion, a sulfate ion, and stability and reactivity In , perchlorate ion, hexafluorophosphate ion, tetrafluoroborate ion, sulfonic acid ion, sulfinic acid ion, and carboxylic acid ion are preferred.

구체예로서는, 이하의 것을 들 수 있다.As a specific example, the following are mentioned.

[화학식 53][Formula 53]

Figure pct00054
Figure pct00054

[화학식 54][Formula 54]

Figure pct00055
Figure pct00055

[화학식 55][Formula 55]

Figure pct00056
Figure pct00056

[화학식 56][Formula 56]

Figure pct00057
Figure pct00057

광산발생제를 포함하는 경우, 그 함유량은, 본 발명의 조성물의 전고형분에 대하여 0.1~30질량%인 것이 바람직하고, 0.1~20질량%인 것이 보다 바람직하며, 2~15질량%인 것이 더 바람직하다. 광산발생제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 광산발생제를 2종 이상 함유하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.When a photoacid generator is included, the content thereof is preferably 0.1 to 30% by mass, more preferably 0.1 to 20% by mass, and still more preferably 2 to 15% by mass, based on the total solid content of the composition of the present invention. desirable. A photoacid generator may contain only 1 type, and may contain 2 or more types. When two or more types of photoacid generators are contained, it is preferable that the total is within the above range.

〔광염기 발생제〕[photobase generator]

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 감광제로서, 광염기 발생제를 포함해도 된다.Curable resin composition of this invention may also contain a photobase generator as a photosensitizer.

경화성 수지 조성물이, 광염기 발생제와, 후술하는 가교제를 함유함으로써, 예를 들면, 노광부에 발생한 염기에 의하여 특정 수지의 환화가 촉진되거나, 가교제의 가교 반응이 촉진되는 등의 작용에 의하여, 노광부가 비노광부보다 현상액에 의하여 제거되기 어려워지는 양태로 할 수도 있다. 이와 같은 양태에 의하면, 네거티브형의 릴리프 패턴을 얻을 수 있다.When the curable resin composition contains a photobase generator and a crosslinking agent to be described later, for example, cyclization of a specific resin is promoted by a base generated in an exposed area or a crosslinking reaction of a crosslinking agent is promoted. It is also possible to make the exposed portion more difficult to remove with the developing solution than the non-exposed portion. According to such an aspect, a negative relief pattern can be obtained.

광염기 발생제로서는, 노광에 의하여 염기를 발생하는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 공지의 것을 이용할 수 있다.The photobase generator is not particularly limited as long as it generates a base by exposure, and a known one can be used.

예를 들면, M. Shirai, and M. Tsunooka, Prog. Polym. Sci., 21, 1(1996); 쓰노오카 마사히로, 고분자 가공, 46, 2(1997); C. Kutal, Coord. Chem. Rev., 211, 353(2001); Y. Kaneko, A. Sarker, and D. Neckers, Chem. Mater., 11, 170(1999); H. Tachi, M. Shirai, and M. Tsunooka, J. Photopolym. Sci. Technol., 13, 153(2000); M. Winkle, and K. Graziano, J. Photopolym. Sci. Technol., 3, 419(1990); M. Tsunooka, H. Tachi, and S. Yoshitaka, J. Photopolym. Sci. Technol., 9, 13(1996); K. Suyama, H. Araki, M. Shirai, J. Photopolym. Sci. Technol., 19, 81(2006)에 기재되어 있는 바와 같이, 천이 금속 화합물 착체나, 암모늄염 등의 구조를 갖는 것이나, 아미딘 부분이 카복실산과 염 형성함으로써 잠재화된 것과 같이, 염기 성분이 염을 형성함으로써 중화된 이온성의 화합물이나, 카바메이트 유도체, 옥심에스터 유도체, 아실 화합물 등의 유레테인 결합이나 옥심 결합 등에 의하여 염기 성분이 잠재화된 비이온성의 화합물을 들 수 있다.For example, M. Shirai, and M. Tsunooka, Prog. Polym. Sci., 21, 1 (1996); Masahiro Tsunooka, Polymer Processing, 46, 2 (1997); C. Kutal, Coord. Chem. Rev., 211, 353 (2001); Y. Kaneko, A. Sarker, and D. Neckers, Chem. Mater., 11, 170 (1999); H. Tachi, M. Shirai, and M. Tsunooka, J. Photopolym. Sci. Technol., 13, 153 (2000); M. Winkle, and K. Graziano, J. Photopolym. Sci. Technol., 3, 419 (1990); M. Tsunooka, H. Tachi, and S. Yoshitaka, J. Photopolym. Sci. Technol., 9, 13 (1996); K. Suyama, H. Araki, M. Shirai, J. Photopolym. Sci. As described in Technol., 19, 81 (2006), a transition metal compound complex, one having a structure such as an ammonium salt, or an amidine moiety that is latent by forming a salt with a carboxylic acid, a basic component forms a salt. An ionic compound neutralized by formation and a nonionic compound in which a basic component is latent by urethane bonds or oxime bonds such as carbamate derivatives, oxime ester derivatives, and acyl compounds are exemplified.

본 발명에서는, 광염기 발생제로서, 카바메이트 유도체, 아마이드 유도체, 이미드 유도체, α 코발트 착체류, 이미다졸 유도체, 신남산 아마이드 유도체, 옥심 유도체 등을 보다 바람직한 예로서 들 수 있다.In the present invention, more preferable examples of the photobase generator include carbamate derivatives, amide derivatives, imide derivatives, α-cobalt complexes, imidazole derivatives, cinnamic acid amide derivatives, and oxime derivatives.

광염기 발생제로부터 발생하는 염기성 물질로서는, 특별히 한정되지 않지만, 아미노기를 갖는 화합물, 특히 모노아민이나, 다이아민 등의 폴리아민, 또, 아미딘 등을 들 수 있다.The basic substance generated from the photobase generator is not particularly limited, but includes compounds having an amino group, particularly polyamines such as monoamines and diamines, and amidines.

이미드화율의 관점에서는, 상기 염기성 물질은, 공액산의 DMSO(다이메틸설폭사이드) 중 pKa가 큰 것인 것이 바람직하다. 상기 pKa는, 1 이상인 것이 바람직하고, 3 이상인 것이 보다 바람직하다. 상기 pKa의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 20 이하인 것이 바람직하다.From the viewpoint of the imidation rate, it is preferable that the basic substance has a large pKa in DMSO (dimethyl sulfoxide) as a conjugate acid. As for the said pKa, it is preferable that it is 1 or more, and it is more preferable that it is 3 or more. Although the upper limit of the said pKa is not specifically limited, It is preferable that it is 20 or less.

여기에서, 상기 pKa란, 산의 제1 해리 상수의 역수의 대수를 나타내고, Determination of Organic Structures by Physical Methods(저자: Brown, H. C., McDaniel, D. H., Hafliger, O., Nachod, F. C.; 편찬: Braude, E. A., Nachod, F. C.; Academic Press, New York, 1955)나, Data for Biochemical Research(저자: Dawson, R.M.C.et al; Oxford, Clarendon Press, 1959)에 기재된 값을 참조할 수 있다. 이들 문헌에 기재가 없는 화합물에 대해서는, ACD/pKa(ACD/Labs제)의 소프트웨어를 이용하여 구조식으로부터 산출한 값을 pKa로서 이용하는 것으로 한다.Here, the pKa represents the logarithm of the reciprocal of the first dissociation constant of an acid, Determination of Organic Structures by Physical Methods (author: Brown, H. C., McDaniel, D. H., Hafliger, O., Nachod, F. C.; Compilation: Braude , E. A., Nachod, F. C.; Academic Press, New York, 1955) or Data for Biochemical Research (authors: Dawson, R.M.C. et al; Oxford, Clarendon Press, 1959). For compounds not described in these literatures, the value calculated from the structural formula using ACD/pKa (manufactured by ACD/Labs) software is used as pKa.

경화성 수지 조성물의 보존 안정성의 관점에서는, 광염기 발생제로서는, 구조 중에 염을 포함하지 않는 광염기 발생제인 것이 바람직하고, 광염기 발생제에 있어서 발생하는 염기 부분의 질소 원자 상에 전하가 없는 것이 바람직하다. 광염기 발생제로서는, 발생하는 염기가 공유 결합을 이용하여 잠재화되어 있는 것이 바람직하고, 염기의 발생 기구가, 발생하는 염기 부분의 질소 원자와 인접하는 원자의 사이의 공유 결합이 절단되어 염기가 발생하는 것인 것이 바람직하다. 구조 중에 염을 포함하지 않는 광염기 발생제이면, 광염기 발생제를 중성으로 할 수 있기 때문에, 용제 용해성이 보다 양호하고, 포트 라이프가 향상된다. 이와 같은 이유에서, 본 발명에서 이용되는 광염기 발생제로부터 발생하는 아민은, 1급 아민 또는 2급 아민이 바람직하다.From the viewpoint of the storage stability of the curable resin composition, the photobase generator is preferably a photobase generator that does not contain a salt in the structure, and a photobase generator that does not have an electric charge on the nitrogen atom of the base moiety generated in the photobase generator desirable. As the photobase generator, it is preferable that the base to be generated is latent using a covalent bond, and the mechanism for generating the base is that the covalent bond between the nitrogen atom and the adjacent atom of the base part to be generated is cleaved to form a base. It is desirable that it occurs. Since the photobase generator can be made neutral if it is a photobase generator which does not contain a salt in a structure, solvent solubility is more favorable and a pot life improves. For this reason, the amine generated from the photobase generator used in the present invention is preferably a primary amine or a secondary amine.

또, 패턴의 내약품성의 관점에서는, 광염기 발생제로서는, 구조 중에 염을 포함하는 광염기 발생제인 것이 바람직하다.Moreover, from a viewpoint of the chemical-resistance of a pattern, as a photobase generator, it is preferable that it is a photobase generator containing a salt in a structure.

또, 상기와 같은 이유에서 광염기 발생제로서는, 상술한 바와 같이 발생하는 염기가 공유 결합을 이용하여 잠재화되어 있는 것이 바람직하고, 발생하는 염기가 아마이드 결합, 카바메이트 결합, 옥심 결합을 이용하여 잠재화되어 있는 것이 바람직하다.In addition, for the above reason, as a photobase generator, it is preferable that the base generated as described above is latent using a covalent bond, and the generated base uses an amide bond, a carbamate bond, or an oxime bond. It is desirable to be latent.

본 발명에 관한 광염기 발생제로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2009-080452호 및 국제 공개공보 제2009/123122호로 개시된 바와 같은 신남산 아마이드 구조를 갖는 광염기 발생제, 일본 공개특허공보 2006-189591호 및 일본 공개특허공보 2008-247747호로 개시된 바와 같은 카바메이트 구조를 갖는 광염기 발생제, 일본 공개특허공보 2007-249013호 및 일본 공개특허공보 2008-003581호로 개시된 바와 같은 옥심 구조, 카바모일옥심 구조를 갖는 광염기 발생제 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않고, 그 외에도 공지의 광염기 발생제의 구조를 이용할 수 있다.As the photobase generator according to the present invention, for example, a photobase generator having a cinnamic acid amide structure as disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-080452 and International Publication No. 2009/123122, Japanese Unexamined Patent Publication 2006 Photobase generators having a carbamate structure as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-247747 and oxime structure as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2007-249013 and Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-003581 Although the photobase generator etc. which have an oxime structure are mentioned, It is not limited to these, In addition, the structure of a well-known photobase generator can be used.

그 외에, 광염기 발생제로서는, 일본 공개특허공보 2012-093746호의 단락 번호 0185~0188, 0199~0200 및 0202에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2013-194205호의 단락 번호 0022~0069에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2013-204019호의 단락 번호 0026~0074에 기재된 화합물, 및, 국제 공개공보 제2010/064631호의 단락 번호 0052에 기재된 화합물을 예로서 들 수 있다.In addition, as a photobase generator, the compound of Paragraph No. 0185-0188, 0199-0200, and 0202 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2012-093746, the compound of Paragraph No. 0022-0069 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-194205, Japan The compound of Paragraph No. 0026 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-204019 - 0074, and the compound of Paragraph No. 0052 of International Publication No. 2010/064631 are mentioned as an example.

그 외에, 광염기 발생제로서는 시판품을 사용해도 된다. 시판품으로서는, WPBG-266, WPBG-300, WPGB-345, WPGB-140, WPBG-165, WPBG-027, WPBG-018, WPGB-015, WPBG-041, WPGB-172, WPGB-174, WPBG-166, WPGB-158, WPGB-025, WPGB-168, WPGB-167, WPBG-082(모두 후지필름 와코 준야쿠(주)제), A2502, B5085, N0528, N1052, O0396, O0447, O0448(도쿄 가세이 고교(주)제) 등을 들 수 있다.In addition, you may use a commercial item as a photobase generator. As commercial products, WPBG-266, WPBG-300, WPGB-345, WPGB-140, WPBG-165, WPBG-027, WPBG-018, WPGB-015, WPBG-041, WPGB-172, WPGB-174, WPBG-166 , WPGB-158, WPGB-025, WPGB-168, WPGB-167, WPBG-082 (all manufactured by Fujifilm Wako Junyaku Co., Ltd.), A2502, B5085, N0528, N1052, O0396, O0447, O0448 (Tokyo Kasei High School) Co., Ltd.) and the like.

광염기 발생제를 포함하는 경우, 그 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여 0.1~30질량%인 것이 바람직하고, 0.1~20질량%인 것이 보다 바람직하며, 2~15질량%인 것이 더 바람직하다. 광염기 발생제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 광염기 발생제를 2종 이상 함유하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.When a photobase generator is included, the content thereof is preferably 0.1 to 30% by mass, more preferably 0.1 to 20% by mass, and 2 to 15% by mass, based on the total solid content of the curable resin composition of the present invention. It is more preferable to be The photobase generator may contain only 1 type, or may contain 2 or more types. When 2 or more types of photobase generators are contained, it is preferable that the sum total is the said range.

<열중합 개시제><Thermal polymerization initiator>

본 발명의 조성물은, 열중합 개시제를 포함해도 되고, 특히 열라디칼 중합 개시제를 포함해도 된다. 열라디칼 중합 개시제는, 열의 에너지에 의하여 라디칼을 발생하여, 중합성을 갖는 화합물의 중합 반응을 개시 또는 촉진시키는 화합물이다. 열라디칼 중합 개시제를 첨가함으로써, 후술하는 가열 공정에 있어서, 수지 및 중합성 화합물의 중합 반응을 진행시킬 수도 있기 때문에, 보다 내용제성을 향상시킬 수 있다.The composition of the present invention may contain a thermal polymerization initiator, and particularly may contain a thermal radical polymerization initiator. A thermal radical polymerization initiator is a compound that generates radicals by thermal energy to initiate or accelerate a polymerization reaction of a polymerizable compound. Since the polymerization reaction of resin and a polymeric compound can also advance in the heating process mentioned later by adding a thermal radical polymerization initiator, solvent resistance can be improved more.

열라디칼 중합 개시제로서, 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2008-063554호의 단락 0074~0118에 기재되어 있는 화합물을 들 수 있다.As a thermal radical polymerization initiator, specifically, the compound described in Paragraph 0074 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-063554 - 0118 is mentioned.

열중합 개시제를 포함하는 경우, 그 함유량은, 본 발명의 조성물의 전고형분에 대하여 0.1~30질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~20질량%이며, 더 바람직하게는 5~15질량%이다. 열중합 개시제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 열중합 개시제를 2종 이상 함유하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.When a thermal polymerization initiator is included, the content thereof is preferably 0.1 to 30% by mass, more preferably 0.1 to 20% by mass, and even more preferably 5 to 15% by mass based on the total solid content of the composition of the present invention. %to be. The thermal polymerization initiator may contain only 1 type, and may contain 2 or more types. When containing 2 or more types of thermal polymerization initiators, it is preferable that the total amount is the said range.

<열산발생제><Thermal acid generator>

본 발명의 조성물은, 열산발생제를 포함해도 된다.The composition of the present invention may also contain a thermal acid generator.

열산발생제는, 가열에 의하여 산을 발생시켜, 하이드록시메틸기, 알콕시메틸기 또는 아실옥시메틸기를 갖는 화합물, 에폭시 화합물, 옥세테인 화합물 및 벤즈옥사진 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물의 가교 반응을 촉진시키는 효과가 있다.The thermal acid generator generates an acid by heating and causes a crosslinking reaction of at least one compound selected from compounds having a hydroxymethyl group, an alkoxymethyl group or an acyloxymethyl group, an epoxy compound, an oxetane compound, and a benzoxazine compound. has a stimulating effect.

열산발생제의 열 분해 개시 온도는, 50℃~270℃가 바람직하고, 50℃~250℃가 보다 바람직하다. 또, 조성물을 기판에 도포한 후의 건조(프리 베이크: 약 70~140℃) 시에는 산을 발생시키지 않고, 그 후의 노광, 현상으로 패터닝한 후의 최종 가열(큐어: 약 100~400℃) 시에 산을 발생시키는 것을 열산발생제로서 선택하면, 현상 시의 감도 저하를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.The thermal decomposition start temperature of the thermal acid generator is preferably 50°C to 270°C, and more preferably 50°C to 250°C. In addition, acid is not generated during drying (pre-baking: about 70 to 140° C.) after coating the composition on a substrate, and at the time of final heating (curing: about 100 to 400° C.) after patterning by exposure and development thereafter. Selecting an acid-generating agent as the thermal acid generator is preferable because the decrease in sensitivity during development can be suppressed.

열 분해 개시 온도는, 열산발생제를 내압 캡슐 중 5℃/분으로 500℃까지 가열한 경우에, 가장 온도가 낮은 발열 피크의 피크 온도로서 구해진다.The thermal decomposition start temperature is obtained as the peak temperature of the exothermic peak having the lowest temperature when the thermal acid generator is heated up to 500°C at 5°C/min in a pressure resistant capsule.

열 분해 개시 온도를 측정할 때에 이용되는 기기로서는, Q2000(TA 인스트루먼츠사제) 등을 들 수 있다.As a device used when measuring the thermal decomposition start temperature, Q2000 (manufactured by TA Instruments) and the like are exemplified.

열산발생제로부터 발생하는 산은 강산이 바람직하며, 예를 들면, p-톨루엔설폰산, 벤젠설폰산 등의 아릴설폰산, 메테인설폰산, 에테인설폰산, 뷰테인설폰산 등의 알킬설폰산, 혹은 트라이플루오로메테인설폰산 등의 할로알킬설폰산 등이 바람직하다. 이와 같은 열산발생제의 예로서는, 일본 공개특허공보 2013-072935호의 단락 0055에 기재된 것을 들 수 있다.The acid generated from the thermal acid generator is preferably a strong acid, and examples thereof include arylsulfonic acids such as p-toluenesulfonic acid and benzenesulfonic acid, alkylsulfonic acids such as methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid and butanesulfonic acid, or Haloalkylsulfonic acids, such as trifluoromethanesulfonic acid, etc. are preferable. As an example of such a thermal acid generator, the thing of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-072935 Paragraph 0055 is mentioned.

그중에서도, 유기막 중의 잔류가 적고 유기막 물성을 저하시키기 어렵다는 관점에서, 탄소수 1~4의 알킬설폰산이나 탄소수 1~4의 할로알킬설폰산을 발생시키는 것이 보다 바람직하며, 메테인설폰산(4-하이드록시페닐)다이메틸설포늄, 메테인설폰산(4-((메톡시카보닐)옥시)페닐)다이메틸설포늄, 메테인설폰산 벤질(4-하이드록시페닐)메틸설포늄, 메테인설폰산 벤질(4-((메톡시카보닐)옥시)페닐)메틸설포늄, 메테인설폰산(4-하이드록시페닐)메틸((2-메틸페닐)메틸)설포늄, 트라이플루오로메테인설폰산(4-하이드록시페닐)다이메틸설포늄, 트라이플루오로메테인설폰산(4-((메톡시카보닐)옥시)페닐)다이메틸설포늄, 트라이플루오로메테인설폰산 벤질(4-하이드록시페닐)메틸설포늄, 트라이플루오로메테인설폰산 벤질(4-((메톡시카보닐)옥시)페닐)메틸설포늄, 트라이플루오로메테인설폰산(4-하이드록시페닐)메틸((2-메틸페닐)메틸)설포늄, 3-(5-(((프로필설폰일)옥시)이미노)싸이오펜-2(5H)-일리덴)-2-(o-톨릴)프로페인나이트릴, 2,2-비스(3-(메테인설폰일아미노)-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인이, 열산발생제로서 바람직하다.Among them, it is more preferable to generate an alkylsulfonic acid having 1 to 4 carbon atoms or a haloalkylsulfonic acid having 1 to 4 carbon atoms from the viewpoint of less residual in the organic film and less difficulty in reducing the physical properties of the organic film, and methanesulfonic acid (4- Hydroxyphenyl)dimethylsulfonium, methanesulfonic acid (4-((methoxycarbonyl)oxy)phenyl)dimethylsulfonium, methanesulfonic acid benzyl (4-hydroxyphenyl)methylsulfonium, methanesulfonic acid benzyl (4-((methoxycarbonyl)oxy)phenyl)methylsulfonium, methanesulfonic acid (4-hydroxyphenyl)methyl((2-methylphenyl)methyl)sulfonium, trifluoromethanesulfonic acid (4-hydroxy oxyphenyl)dimethylsulfonium, trifluoromethanesulfonic acid (4-((methoxycarbonyl)oxy)phenyl)dimethylsulfonium, trifluoromethanesulfonic acid benzyl(4-hydroxyphenyl)methylsulfonium , trifluoromethanesulfonic acid benzyl (4-((methoxycarbonyl)oxy)phenyl)methylsulfonium, trifluoromethanesulfonic acid (4-hydroxyphenyl)methyl ((2-methylphenyl)methyl)sulfonium , 3-(5-(((propylsulfonyl)oxy)imino)thiophene-2(5H)-ylidene)-2-(o-tolyl)propanenitrile, 2,2-bis(3- (Methanesulfonylamino)-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane is preferred as the thermal acid generator.

또, 일본 공개특허공보 2013-167742호의 단락 0059에 기재된 화합물도 열산발생제로서 바람직하다.Moreover, the compound of Paragraph 0059 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-167742 is also preferable as a thermal acid generator.

열산발생제의 함유량은, 특정 수지 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상이 바람직하고, 0.1질량부 이상이 보다 바람직하다. 0.01질량부 이상 함유함으로써, 가교 반응이 촉진되기 때문에, 유기막의 기계 특성 및 내용제성을 보다 향상시킬 수 있다. 또, 유기막의 전기 절연성의 관점에서, 20질량부 이하가 바람직하고, 15질량부 이하가 보다 바람직하며, 10질량부 이하가 더 바람직하다.The content of the thermal acid generator is preferably 0.01 part by mass or more, and more preferably 0.1 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of the specific resin. Since the crosslinking reaction is accelerated by containing 0.01 part by mass or more, the mechanical properties and solvent resistance of the organic film can be further improved. Moreover, from a viewpoint of the electrical insulating property of an organic film, 20 mass parts or less is preferable, 15 mass parts or less is more preferable, and 10 mass parts or less are still more preferable.

<오늄염><Onium Salt>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 오늄염을 더 포함해도 된다.The curable resin composition of the present invention may further contain an onium salt.

특히, 본 발명의 경화성 수지 조성물이 특정 수지로서 폴리이미드 전구체 또는 폴리벤즈옥사졸 전구체를 포함하는 경우, 오늄염을 포함하는 것이 바람직하다.In particular, when the curable resin composition of the present invention contains a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor as a specific resin, it is preferable to contain an onium salt.

오늄염의 종류 등은 특별히 정하는 것은 아니지만, 암모늄염, 이미늄염, 설포늄염, 아이오도늄염 또는 포스포늄염을 바람직하게 들 수 있다.Although the type of onium salt is not particularly determined, ammonium salts, iminium salts, sulfonium salts, iodonium salts, or phosphonium salts are preferred.

이들 중에서도, 열안정성이 높은 관점에서는 암모늄염 또는 이미늄염이 바람직하고, 폴리머와의 상용성의 관점에서는 설포늄염, 아이오도늄염 또는 포스포늄염이 바람직하다.Among these, an ammonium salt or an iminium salt is preferable from a viewpoint of high thermal stability, and a sulfonium salt, an iodonium salt, or a phosphonium salt is preferable from a compatibility viewpoint with a polymer.

또, 오늄염은 오늄 구조를 갖는 양이온과 음이온의 염이며, 상기 양이온과 음이온은, 공유 결합을 통하여 결합하고 있어도 되고, 공유 결합을 통하여 결합하고 있지 않아도 된다.An onium salt is a salt of a cation and an anion having an onium structure, and the cation and anion may or may not be bonded via a covalent bond.

즉, 오늄염은, 동일한 분자 구조 내에, 양이온부와, 음이온부를 갖는 분자 내 염이어도 되고, 각각 별개 분자인 양이온 분자와, 음이온 분자가 이온 결합한 분자 간 염이어도 되지만, 분자 간 염인 것이 바람직하다. 또, 본 발명의 경화성 수지 조성물에 있어서, 상기 양이온부 또는 양이온 분자와, 상기 음이온부 또는 음이온 분자는 이온 결합에 의하여 결합되어 있어도 되고, 해리되어 있어도 된다.That is, the onium salt may be an intramolecular salt having a cation moiety and an anion moiety in the same molecular structure, or may be an intermolecular salt in which a cation molecule and an anion molecule, which are separate molecules, are ionically bonded, but an intermolecular salt is preferable. Further, in the curable resin composition of the present invention, the cation moiety or cation molecule and the anion moiety or anion molecule may be bonded by ionic bonding or may be dissociated.

오늄염에 있어서의 양이온으로서는, 암모늄 양이온, 피리디늄 양이온, 설포늄 양이온, 아이오도늄 양이온 또는 포스포늄 양이온이 바람직하고, 테트라알킬암모늄 양이온, 설포늄 양이온 및 아이오도늄 양이온으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 양이온이 보다 바람직하다.As the cation in the onium salt, an ammonium cation, a pyridinium cation, a sulfonium cation, an iodonium cation or a phosphonium cation is preferable, and is selected from the group consisting of tetraalkylammonium cations, sulfonium cations and iodonium cations. At least one cation is more preferred.

본 발명에 있어서 이용되는 오늄염은, 후술하는 열염기 발생제여도 된다.The onium salt used in the present invention may be a thermobase generator described later.

열염기 발생제란, 가열에 의하여 염기를 발생시키는 화합물을 말하며, 예를 들면, 40℃ 이상으로 가열하면 염기를 발생시키는 화합물 등을 들 수 있다.A thermal base generator refers to a compound that generates a base when heated, and includes, for example, a compound that generates a base when heated to 40°C or higher.

오늄염으로서는, 예를 들면, 국제 공개공보 제2018/043262호의 단락 0122~0138에 기재된 오늄염 등을 들 수 있다. 또, 그 외에, 폴리이미드 전구체의 분야에서 사용되는 오늄염을, 특별히 제한 없이 사용하는 것이 가능하다.As an onium salt, Paragraph 0122 of International Publication No. 2018/043262 - the onium salt of 0138, etc. are mentioned, for example. In addition, it is possible to use onium salts used in the field of polyimide precursors without particular limitation.

본 발명의 경화성 수지 조성물이 오늄염을 포함하는 경우, 오늄염의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.1~50질량%가 바람직하다. 하한은, 0.5질량% 이상이 보다 바람직하며, 0.85질량% 이상이 더 바람직하고, 1질량% 이상이 한층 바람직하다. 상한은, 30질량% 이하가 보다 바람직하며, 20질량% 이하가 더 바람직하고, 10질량% 이하가 한층 바람직하며, 5질량% 이하여도 되고, 4질량% 이하여도 된다.When the curable resin composition of the present invention contains an onium salt, the content of the onium salt is preferably 0.1 to 50% by mass with respect to the total solid content of the curable resin composition of the present invention. The lower limit is more preferably 0.5% by mass or more, more preferably 0.85% by mass or more, and still more preferably 1% by mass or more. The upper limit is more preferably 30% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, still more preferably 10% by mass or less, and may be 5% by mass or less, or may be 4% by mass or less.

오늄염은, 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다. 2종 이상을 이용하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.1 type or 2 or more types can be used for an onium salt. When using 2 or more types, it is preferable that the total amount is the said range.

<열염기 발생제><thermal base generator>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 열염기 발생제를 더 포함해도 된다.The curable resin composition of the present invention may further contain a heat base generator.

특히, 본 발명의 경화성 수지 조성물이 특정 수지로서 폴리이미드 전구체 또는 폴리벤즈옥사졸 전구체를 포함하는 경우, 열염기 발생제를 포함하는 것이 바람직하다.In particular, when the curable resin composition of the present invention contains a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor as a specific resin, it is preferable to include a heat base generator.

다른 열염기 발생제는, 상술한 오늄염에 해당하는 화합물이어도 되고, 상술한 오늄염 이외의 열염기 발생제여도 된다.The other thermal base generator may be a compound corresponding to the above-mentioned onium salt or a thermal base generator other than the above-mentioned onium salt.

상술한 오늄염 이외의 열염기 발생제로서는, 비이온계 열염기 발생제를 들 수 있다.Examples of thermal base generators other than the onium salts described above include nonionic thermal base generators.

비이온계 열염기 발생제로서는, 식 (B1) 또는 식 (B2)로 나타나는 화합물을 들 수 있다.As a nonionic heat base generator, the compound represented by Formula (B1) or Formula (B2) is mentioned.

[화학식 57][Formula 57]

Figure pct00058
Figure pct00058

식 (B1) 및 식 (B2) 중, Rb1, Rb2 및 Rb3은 각각 독립적으로, 제3급 아민 구조를 갖지 않는 유기기, 할로젠 원자 또는 수소 원자이다. 단, Rb1 및 Rb2가 동시에 수소 원자가 되는 경우는 없다. 또, Rb1, Rb2 및 Rb3은 모두 카복시기를 갖는 경우는 없다. 또한, 본 명세서에서 제3급 아민 구조란, 3가의 질소 원자의 3개의 결합손이 모두 탄화 수소계의 탄소 원자와 공유 결합하고 있는 구조를 가리킨다. 따라서, 결합한 탄소 원자가 카보닐기를 이루는 탄소 원자인 경우, 즉 질소 원자와 함께 아마이드기를 형성하는 경우는 이에 한정되는 것은 아니다.In formulas (B1) and (B2), Rb 1 , Rb 2 and Rb 3 are each independently an organic group without a tertiary amine structure, a halogen atom or a hydrogen atom. However, there is no case where Rb 1 and Rb 2 simultaneously become a hydrogen atom. In addition, none of Rb 1 , Rb 2 and Rb 3 have a carboxy group. In this specification, the tertiary amine structure refers to a structure in which all three bonds of a trivalent nitrogen atom are covalently bonded to a hydrocarbon-based carbon atom. Therefore, when the bonded carbon atom is a carbon atom constituting a carbonyl group, that is, when an amide group is formed together with a nitrogen atom, it is not limited thereto.

식 (B1), (B2) 중, Rb1, Rb2 및 Rb3은, 이들 중 적어도 1개가 환상 구조를 포함하는 것이 바람직하고, 적어도 2개가 환상 구조를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 환상 구조로서는, 단환 및 축합환 중 어느 것이어도 되고, 단환 또는 단환이 2개 축합된 축합환이 바람직하다. 단환은, 5원환 또는 6원환이 바람직하고, 6원환이 바람직하다. 단환은, 사이클로헥세인환 및 벤젠환이 바람직하고, 사이클로헥세인환이 보다 바람직하다.In formulas (B1) and (B2), as for Rb 1 , Rb 2 and Rb 3 , it is preferable that at least one of these includes a cyclic structure, and it is more preferable that at least two of these include a cyclic structure. As the cyclic structure, either a monocycle or a condensed ring may be used, and a monocycle or a condensed ring in which two monocycles are condensed is preferable. A 5-membered ring or a 6-membered ring is preferable, and, as for a monocyclic ring, a 6-membered ring is preferable. As for a monocyclic ring, a cyclohexane ring and a benzene ring are preferable, and a cyclohexane ring is more preferable.

보다 구체적으로 Rb1 및 Rb2는, 수소 원자, 알킬기(탄소수 1~24가 바람직하고, 2~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~24가 바람직하고, 2~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다), 또는 아릴알킬기(탄소수 7~25가 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~12가 더 바람직하다)인 것이 바람직하다. 이들 기는, 본 발명의 효과를 나타내는 범위에서 치환기를 갖고 있어도 된다. Rb1과 Rb2는 서로 결합되어 환을 형성하고 있어도 된다. 형성되는 환으로서는, 4~7원의 함질소 복소환이 바람직하다. Rb1 및 Rb2는 특히, 치환기를 가져도 되는 직쇄, 분기, 또는 환상의 알킬기(탄소수 1~24가 바람직하고, 2~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다)인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 되는 사이클로알킬기(탄소수 3~24가 바람직하고, 3~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다)인 것이 보다 바람직하며, 치환기를 가져도 되는 사이클로헥실기가 더 바람직하다.More specifically, Rb 1 and Rb 2 are a hydrogen atom, an alkyl group (preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 2 to 18 carbon atoms, still more preferably 3 to 12 carbon atoms), an alkenyl group (preferably 2 to 24 carbon atoms, , 2 to 18 are more preferred, 3 to 12 are more preferred), an aryl group (6 to 22 carbon atoms are preferred, 6 to 18 are more preferred, and 6 to 10 are more preferred), or an arylalkyl group ( It is preferably 7 to 25 carbon atoms, more preferably 7 to 19, more preferably 7 to 12). These groups may have a substituent within the range of exhibiting the effect of the present invention. Rb 1 and Rb 2 may be bonded to each other to form a ring. As the ring formed, a 4- to 7-membered nitrogen-containing heterocycle is preferable. Rb 1 and Rb 2 are particularly preferably a straight-chain, branched, or cyclic alkyl group which may have a substituent (preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 2 to 18, and even more preferably 3 to 12). , It is more preferably a cycloalkyl group (preferably 3 to 24 carbon atoms, more preferably 3 to 18, and still more preferably 3 to 12) which may have a substituent, and a cyclohexyl group that may have a substituent is more preferable Do.

Rb3으로서는, 알킬기(탄소수 1~24가 바람직하고, 2~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~24가 바람직하고, 2~12가 보다 바람직하며, 2~6이 더 바람직하다), 아릴알킬기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~12가 더 바람직하다), 아릴알켄일기(탄소수 8~24가 바람직하고, 8~20이 보다 바람직하며, 8~16이 더 바람직하다), 알콕실기(탄소수 1~24가 바람직하고, 2~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다), 아릴옥시기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~12가 더 바람직하다), 또는 아릴알킬옥시기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~12가 더 바람직하다)를 들 수 있다. 그중에서도, 사이클로알킬기(탄소수 3~24가 바람직하고, 3~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다), 아릴알켄일기, 아릴알킬옥시기가 바람직하다. Rb3에는 본 발명의 효과를 나타내는 범위에서 치환기를 더 갖고 있어도 된다.As Rb 3 , an alkyl group (preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 2 to 18, and still more preferably 3 to 12), an aryl group (preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18, 6-10 are more preferable), an alkenyl group (C2-24 are preferable, 2-12 are more preferable, 2-6 are more preferable), an arylalkyl group (C7-23 are preferable, 7-12 are more preferable) 19 is more preferable, and 7 to 12 are more preferable), an arylalkenyl group (C 8 to 24 is preferable, 8 to 20 are more preferable, and 8 to 16 are more preferable), an alkoxyl group (C 1 to C 16 is preferable) 24 is preferable, 2 to 18 are more preferable, 3 to 12 are more preferable), aryloxy group (C6 to 22 are preferable, 6 to 18 are more preferable, 6 to 12 are still more preferable) , or an arylalkyloxy group (preferably having 7 to 23 carbon atoms, more preferably having 7 to 19 carbon atoms, and even more preferably having 7 to 12 carbon atoms). Especially, a cycloalkyl group (C3-C24 is preferable, 3-18 are more preferable, and 3-12 are still more preferable), an arylalkenyl group, and an arylalkyloxy group are preferable. Rb 3 may further have a substituent within the range showing the effect of the present invention.

식 (B1)로 나타나는 화합물은, 하기 식 (B1-1) 또는 하기 식 (B1-2)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.It is preferable that the compound represented by Formula (B1) is a compound represented by the following formula (B1-1) or the following formula (B1-2).

[화학식 58][Formula 58]

Figure pct00059
Figure pct00059

식 중, Rb11 및 Rb12, 및, Rb31 및 Rb32는, 각각, 식 (B1)에 있어서의 Rb1 및 Rb2와 동일하다.In the formula, Rb 11 and Rb 12 , and Rb 31 and Rb 32 are the same as Rb 1 and Rb 2 in the formula (B1), respectively.

Rb13은 알킬기(탄소수 1~24가 바람직하고, 2~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~24가 바람직하고, 2~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~12가 더 바람직하다), 아릴알킬기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~12가 더 바람직하다)이며, 본 발명의 효과를 나타내는 범위에서 치환기를 갖고 있어도 된다. 그중에서도, Rb13은 아릴알킬기가 바람직하다.Rb 13 is an alkyl group (preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 2 to 18 carbon atoms, and still more preferably 3 to 12 carbon atoms), an alkenyl group (preferably 2 to 24 carbon atoms, more preferably 2 to 18 carbon atoms, and 3 -12 is more preferable), aryl group (C6-22 is preferable, 6-18 are more preferable, 6-12 are still more preferable), arylalkyl group (C7-23 is preferable, 7-19 is more preferable, and 7 to 12 are more preferable), and may have a substituent within the range showing the effect of the present invention. Among them, Rb 13 is preferably an arylalkyl group.

Rb33 및 Rb34는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~8이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~8이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다), 아릴알킬기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~11이 더 바람직하다)이며, 수소 원자가 바람직하다.Rb 33 and Rb 34 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group (preferably 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, still more preferably 1 to 3 carbon atoms), an alkenyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms) and, more preferably 2 to 8, more preferably 2 to 3), an aryl group (preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18, more preferably 6 to 10), an arylalkyl group ( 7-23 carbon atoms are preferable, 7-19 are more preferable, and 7-11 are still more preferable), and a hydrogen atom is preferable.

Rb35는, 알킬기(탄소수 1~24가 바람직하고, 1~12가 보다 바람직하며, 3~8이 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~10이 보다 바람직하며, 3~8이 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~12가 더 바람직하다), 아릴알킬기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~12가 더 바람직하다)이며, 아릴기가 바람직하다.Rb 35 is an alkyl group (preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 1 to 12, more preferably 3 to 8 carbon atoms), an alkenyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 10 carbon atoms, 3-8 are more preferable), aryl group (C6-22 are preferable, 6-18 are more preferable, 6-12 are more preferable), arylalkyl group (C7-23 are preferable, 7-18 are more preferable) 19 is more preferable, and 7 to 12 are more preferable), and an aryl group is preferable.

식 (B1-1)로 나타나는 화합물은, 식 (B1-1a)로 나타나는 화합물도 또한 바람직하다.As for the compound represented by formula (B1-1), the compound represented by formula (B1-1a) is also preferable.

[화학식 59][Formula 59]

Figure pct00060
Figure pct00060

Rb11 및 Rb12는 식 (B1-1)에 있어서의 Rb11 및 Rb12와 동일한 의미이다.Rb 11 and Rb 12 have the same meaning as Rb 11 and Rb 12 in Formula (B1-1).

Rb15 및 Rb16은 수소 원자, 알킬기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다), 아릴알킬기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~11이 더 바람직하다)이며, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.Rb 15 and Rb 16 are a hydrogen atom, an alkyl group (preferably 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and still more preferably 1 to 3 carbon atoms), an alkenyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms and 2 to 6 carbon atoms) More preferably, 2 to 3 are more preferable), an aryl group (preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18, and still more preferably 6 to 10), an arylalkyl group (7 to 23 carbon atoms) preferably, 7 to 19 are more preferable, and 7 to 11 are still more preferable), and a hydrogen atom or a methyl group is preferable.

Rb17은 알킬기(탄소수 1~24가 바람직하고, 1~12가 보다 바람직하며, 3~8이 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~10이 보다 바람직하며, 3~8이 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~12가 더 바람직하다), 아릴알킬기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~12가 더 바람직하다)이며, 그중에서도 아릴기가 바람직하다.Rb 17 is an alkyl group (preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 1 to 12, and even more preferably 3 to 8), an alkenyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 10 carbon atoms, and 3 -8 is more preferable), aryl group (C6-22 is preferable, 6-18 are more preferable, 6-12 are still more preferable), arylalkyl group (C7-23 is preferable, 7-19 is more preferable, and 7 to 12 are more preferable), and among them, an aryl group is preferable.

비이온계 열염기 발생제의 분자량은, 800 이하인 것이 바람직하고, 600 이하인 것이 보다 바람직하며, 500 이하인 것이 더 바람직하다. 하한으로서는, 100 이상인 것이 바람직하고, 200 이상인 것이 보다 바람직하며, 300 이상인 것이 더 바람직하다.The molecular weight of the nonionic thermal base generator is preferably 800 or less, more preferably 600 or less, and still more preferably 500 or less. As a lower limit, it is preferably 100 or more, more preferably 200 or more, and still more preferably 300 or more.

상술한 오늄염 중, 열염기 발생제인 화합물의 구체예, 또는, 상술한 오늄염 이외의 열염기 발생제의 구체예로서는, 이하의 화합물을 들 수 있다.Among the above-mentioned onium salts, specific examples of compounds that are thermal base generators or specific examples of thermal base generators other than the above-mentioned onium salts include the following compounds.

[화학식 60][Formula 60]

Figure pct00061
Figure pct00061

[화학식 61][Formula 61]

Figure pct00062
Figure pct00062

[화학식 62][Formula 62]

Figure pct00063
Figure pct00063

다른 열염기 발생제의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.1~50질량%가 바람직하다. 하한은, 0.5질량% 이상이 보다 바람직하며, 1질량% 이상이 더 바람직하다. 상한은, 30질량% 이하가 보다 바람직하며, 20질량% 이하가 더 바람직하다. 열염기 발생제는, 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다. 2종 이상을 이용하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.The content of the other heat base generator is preferably 0.1 to 50% by mass with respect to the total solid content of the curable resin composition of the present invention. The lower limit is more preferably 0.5% by mass or more, and more preferably 1% by mass or more. As for an upper limit, 30 mass % or less is more preferable, and 20 mass % or less is still more preferable. 1 type or 2 or more types can be used for a heat base generator. When using 2 or more types, it is preferable that the total amount is the said range.

<가교제><Crosslinking agent>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 가교제를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that curable resin composition of this invention contains a crosslinking agent.

가교제로서는, 라디칼 가교제, 또는, 다른 가교제를 들 수 있다.As a crosslinking agent, a radical crosslinking agent or another crosslinking agent is mentioned.

<라디칼 가교제><Radical crosslinking agent>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 라디칼 가교제를 더 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that curable resin composition of this invention further contains a radical crosslinking agent.

라디칼 가교제는, 라디칼 중합성기를 갖는 화합물이다. 라디칼 중합성기로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 기가 바람직하다. 상기 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 기로서는, 바이닐기, 알릴기, 바이닐페닐기, (메트)아크릴로일기 등의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기를 들 수 있다.A radical crosslinking agent is a compound having a radical polymerizable group. As the radical polymerizable group, a group containing an ethylenically unsaturated bond is preferable. As a group containing the said ethylenically unsaturated bond, group which has an ethylenically unsaturated bond, such as a vinyl group, an allyl group, a vinylphenyl group, and a (meth)acryloyl group, is mentioned.

이들 중에서도, 상기 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 기로서는, (메트)아크릴로일기가 바람직하고, 반응성의 관점에서는, (메트)아크릴옥시기가 보다 바람직하다.Among these, as a group containing the said ethylenically unsaturated bond, a (meth)acryloyl group is preferable, and a (meth)acryloxy group is more preferable from a reactive viewpoint.

라디칼 가교제는, 에틸렌성 불포화 결합을 1개 이상 갖는 화합물이면 되지만, 2 이상 갖는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The radical crosslinking agent may be a compound having one or more ethylenically unsaturated bonds, but more preferably a compound having two or more.

에틸렌성 불포화 결합을 2개 갖는 화합물은, 상기 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 기를 2개 갖는 화합물인 것이 바람직하다.It is preferable that the compound which has two ethylenically unsaturated bonds is a compound which has two groups containing the said ethylenically unsaturated bond.

또, 얻어지는 패턴(경화막)의 막 강도의 관점에서는, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 라디칼 가교제로서, 에틸렌성 불포화 결합을 3개 이상 갖는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 에틸렌성 불포화 결합을 3개 이상 갖는 화합물로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 3~15개 갖는 화합물이 바람직하고, 에틸렌성 불포화 결합을 3~10개 갖는 화합물이 보다 바람직하며, 3~6개 갖는 화합물이 더 바람직하다.Moreover, from a viewpoint of the film|membrane strength of the pattern (cured film) obtained, it is preferable that the curable resin composition of this invention contains the compound which has 3 or more ethylenically unsaturated bonds as a radical crosslinking agent. As the compound having 3 or more ethylenically unsaturated bonds, compounds having 3 to 15 ethylenically unsaturated bonds are preferable, compounds having 3 to 10 ethylenically unsaturated bonds are more preferable, and compounds having 3 to 6 this is more preferable

또, 상기 에틸렌성 불포화 결합을 3개 이상 갖는 화합물은, 상기 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 기를 3개 이상 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 3~15개 갖는 화합물인 것이 보다 바람직하며, 3~10개 갖는 화합물인 것이 더 바람직하고, 3~6개 갖는 화합물인 것이 특히 바람직하다.In addition, the compound having 3 or more ethylenically unsaturated bonds is preferably a compound having 3 or more groups containing the ethylenically unsaturated bonds, more preferably a compound having 3 to 15, and 3 to 10 It is more preferable that it is a compound having, and it is particularly preferable that it is a compound having 3 to 6.

또, 얻어지는 패턴(경화막)의 막 강도의 관점에서는, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 에틸렌성 불포화 결합을 2개 갖는 화합물과, 상기 에틸렌성 불포화 결합을 3개 이상 갖는 화합물을 포함하는 것도 바람직하다.Further, from the viewpoint of the film strength of the obtained pattern (cured film), the curable resin composition of the present invention preferably contains a compound having two ethylenically unsaturated bonds and a compound having three or more ethylenically unsaturated bonds Do.

라디칼 가교제의 분자량은, 2,000 이하가 바람직하고, 1,500 이하가 보다 바람직하며, 900 이하가 더 바람직하다. 라디칼 가교제의 분자량의 하한은, 100 이상이 바람직하다.The molecular weight of the radical crosslinking agent is preferably 2,000 or less, more preferably 1,500 or less, and still more preferably 900 or less. As for the lower limit of the molecular weight of a radical crosslinking agent, 100 or more are preferable.

라디칼 가교제의 구체예로서는, 불포화 카복실산(예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 아이소크로톤산, 말레산 등)이나 그 에스터류, 아마이드류를 들 수 있으며, 바람직하게는, 불포화 카복실산과 다가 알코올 화합물의 에스터, 및 불포화 카복실산과 다가 아민 화합물의 아마이드류이다. 또, 하이드록시기나 아미노기, 설판일기 등의 구핵성(求核性) 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 또는 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능 아이소사이아네이트류 또는 에폭시류의 부가 반응물이나, 단관능 혹은 다관능의 카복실산의 탈수 축합 반응물 등도 적합하게 사용된다. 또, 아이소사이아네이트기나 에폭시기 등의 친전자성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 또는 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능의 알코올류, 아민류, 싸이올류의 부가 반응물, 또한, 할로제노기나 토실옥시기 등의 탈리성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 또는 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능의 알코올류, 아민류, 싸이올류의 치환 반응물도 적합하다. 또, 다른 예로서, 상기의 불포화 카복실산 대신에, 불포화 포스폰산, 스타이렌 등의 바이닐벤젠 유도체, 바이닐에터, 알릴에터 등으로 치환한 화합물군을 사용하는 것도 가능하다. 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0113~0122의 기재를 참조할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.Specific examples of the radical crosslinking agent include unsaturated carboxylic acids (eg, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid, etc.) and esters and amides thereof, preferably unsaturated These are esters of carboxylic acids and polyhydric alcohol compounds, and amides of unsaturated carboxylic acids and polyhydric amine compounds. In addition, an addition reaction product of an unsaturated carboxylic acid ester or amide having a nucleophilic substituent such as a hydroxyl group, an amino group, or a sulfanyl group with monofunctional or polyfunctional isocyanates or epoxies, monofunctional or A dehydration condensation product of polyfunctional carboxylic acid is also suitably used. In addition, an addition reaction product of an unsaturated carboxylic acid ester or amide having an electrophilic substituent such as an isocyanate group or an epoxy group with monofunctional or polyfunctional alcohols, amines, or thiols, furthermore, a halo xeno group, a tosyloxy group, etc. Also suitable are substitution reactants of unsaturated carboxylic acid esters or amides having a leaving substituent with monofunctional or polyfunctional alcohols, amines, or thiols. As another example, it is also possible to use a group of compounds substituted with unsaturated phosphonic acids, vinylbenzene derivatives such as styrene, vinyl ethers, allyl ethers and the like instead of the above unsaturated carboxylic acids. As a specific example, Paragraph 0113 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2016-027357 - description of 0122 can be considered into consideration, and these content is integrated in this specification.

또, 라디칼 가교제는, 상압하에서 100℃ 이상의 비점을 갖는 화합물도 바람직하다. 그 예로서는, 폴리에틸렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올에테인트라이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 헥세인다이올(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인트라이(아크릴로일옥시프로필)에터, 트라이(아크릴로일옥시에틸)아이소사이아누레이트, 글리세린이나 트라이메틸올에테인 등의 다관능 알코올에 에틸렌옥사이드나 프로필렌옥사이드를 부가시킨 후, (메트)아크릴레이트화한 화합물, 일본 공고특허공보 소48-041708호, 일본 공고특허공보 소50-006034호, 일본 공개특허공보 소51-037193호 각 공보에 기재되어 있는 바와 같은 유레테인(메트)아크릴레이트류, 일본 공개특허공보 소48-064183호, 일본 공고특허공보 소49-043191호, 일본 공고특허공보 소52-030490호 각 공보에 기재되어 있는 폴리에스터아크릴레이트류, 에폭시 수지와 (메트)아크릴산의 반응 생성물인 에폭시아크릴레이트류 등의 다관능의 아크릴레이트나 메타크릴레이트 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 2008-292970호의 단락 0254~0257에 기재된 화합물도 적합하다. 또, 다관능 카복실산에 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 환상 에터기와 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 다관능 (메트)아크릴레이트 등도 들 수 있다.Moreover, the radical crosslinking agent is also preferably a compound having a boiling point of 100°C or higher under normal pressure. Examples thereof include polyethylene glycol di(meth)acrylate, trimethylolethane tri(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, and pentaerythritol. Tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, hexanediol(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(acryloyloxy Compound obtained by adding ethylene oxide or propylene oxide to polyfunctional alcohol such as propyl) ether, tri(acryloyloxyethyl) isocyanurate, glycerin or trimethylolethane, and then (meth)acrylated compound, Japanese Public Notice Urethane (meth)acrylates as described in Japanese Patent Publication No. 48-041708, Japanese Patent Publication No. 50-006034, and Japanese Unexamined Patent Publication No. 51-037193, Japanese Unexamined Patent Publication No. Polyester acrylates described in Japanese Publication No. 48-064183, Japanese Publication No. 49-043191, Japanese Publication No. 52-030490, and epoxy acrylate, which is a reaction product of epoxy resin and (meth)acrylic acid. Polyfunctional acrylates and methacrylates, such as molasses, and mixtures thereof are exemplified. Moreover, Paragraph 0254 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-292970 - the compound of 0257 are also suitable. Moreover, the polyfunctional (meth)acrylate obtained by making the compound which has a cyclic ether group, such as glycidyl (meth)acrylate, and an ethylenically unsaturated bond react with polyfunctional carboxylic acid, etc. are mentioned.

또, 상술한 것 이외의 바람직한 라디칼 가교제로서, 일본 공개특허공보 2010-160418호, 일본 공개특허공보 2010-129825호, 일본 특허공보 제4364216호 등에 기재되는, 플루오렌환을 갖고, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기를 2개 이상 갖는 화합물이나, 카도 수지도 사용하는 것이 가능하다.In addition, as a preferred radical crosslinking agent other than the above, it has a fluorene ring and is described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-160418, Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-129825, Unexamined-Japanese-Patent No. 4364216 etc., and has an ethylenically unsaturated bond It is also possible to use a compound having two or more groups having , and a cardo resin.

또한, 그 외의 예로서는, 일본 공고특허공보 소46-043946호, 일본 공고특허공보 평01-040337호, 일본 공고특허공보 평01-040336호에 기재된 특정 불포화 화합물이나, 일본 공개특허공보 평02-025493호에 기재된 바이닐포스폰산계 화합물 등도 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 소61-022048호에 기재된 퍼플루오로알킬기를 포함하는 화합물을 이용할 수도 있다. 또한 일본 접착 협회지 vol. 20, No. 7, 300~308페이지(1984년)에 광중합성 모노머 및 올리고머로서 소개되어 있는 것도 사용할 수 있다.In addition, as other examples, the specific unsaturated compounds described in Japanese Patent Publication No. 46-043946, Japanese Patent Publication No. Hei 01-040337, and Japanese Patent Publication Hei 01-040336, and Japanese Unexamined Patent Publication Hei 02-025493 and the vinylphosphonic acid-based compounds described in No. Moreover, the compound containing the perfluoroalkyl group of Unexamined-Japanese-Patent No. 61-022048 can also be used. Also, Journal of the Japan Adhesion Association vol. 20, no. Those introduced as photopolymerizable monomers and oligomers on pages 7, 300 to 308 (1984) can also be used.

상기 외에, 일본 공개특허공보 2015-034964호의 단락 0048~0051에 기재된 화합물, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0087~0131에 기재된 화합물도 바람직하게 이용할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.In addition to the above, the compound of Paragraph 0048 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2015-034964 - 0051, and the compound of Paragraph 0087 of International Publication No. 2015/199219 - 0131 can also be used preferably, These content is integrated in this specification.

또, 일본 공개특허공보 평10-062986호에 있어서 식 (1) 및 식 (2)로서 그 구체예와 함께 기재된, 다관능 알코올에 에틸렌옥사이드나 프로필렌옥사이드를 부가시킨 후에 (메트)아크릴레이트화한 화합물도, 라디칼 가교제로서 이용할 수 있다.In addition, after adding ethylene oxide or propylene oxide to the polyfunctional alcohol described with specific examples as formula (1) and formula (2) in Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-062986, (meth)acrylated A compound can also be used as a radical crosslinking agent.

또한, 일본 공개특허공보 2015-187211호의 단락 0104~0131에 기재된 화합물도 라디칼 가교제로서 이용할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.In addition, Paragraph 0104 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2015-187211 - the compound of 0131 can also be used as a radical crosslinking agent, These content is integrated in this specification.

라디칼 가교제로서는, 다이펜타에리트리톨트라이아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-330; 닛폰 가야쿠(주)제), 다이펜타에리트리톨테트라아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-320; 닛폰 가야쿠(주)제, A-TMMT: 신나카무라 가가쿠 고교(주)제), 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-310; 닛폰 가야쿠(주)제), 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD DPHA; 닛폰 가야쿠(주)제, A-DPH; 신나카무라 가가쿠 고교(주)제), 및 이들의 (메트)아크릴로일기가 에틸렌글라이콜 잔기 또는 프로필렌글라이콜 잔기를 개재하여 결합하고 있는 구조가 바람직하다. 이들의 올리고머 타입도 사용할 수 있다.As a radical crosslinking agent, dipentaerythritol triacrylate (as a commercial item, KAYARAD D-330; manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), dipentaerythritol tetraacrylate (as a commercial item, KAYARAD D-320; manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) , A-TMMT: Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd. product), dipentaerythritol penta(meth)acrylate (as a commercial product, KAYARAD D-310; Nippon Kayaku Co., Ltd. product), dipentaerythritol hexa (meth) ) Acrylates (as commercial products, KAYARAD DPHA; manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., A-DPH; manufactured by Shin-Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd.), and their (meth)acryloyl groups are ethylene glycol residues or propylene glycol A structure bonded via a lycol residue is preferable. These oligomeric types can also be used.

라디칼 가교제의 시판품으로서는, 예를 들면 사토머사제의 에틸렌옥시쇄를 4개 갖는 4관능 아크릴레이트인 SR-494, 에틸렌옥시쇄를 4개 갖는 2관능 메타크릴레이트인 사토머사제의 SR-209, 231, 239, 닛폰 가야쿠(주)제의 펜틸렌옥시쇄를 6개 갖는 6관능 아크릴레이트인 DPCA-60, 아이소뷰틸렌옥시쇄를 3개 갖는 3관능 아크릴레이트인 TPA-330, 유레테인 올리고머 UAS-10, UAB-140(닛폰 세이시사제), NK 에스터 M-40G, NK 에스터 4G, NK 에스터 M-9300, NK 에스터 A-9300, UA-7200(신나카무라 가가쿠 고교(주)제), DPHA-40H(닛폰 가야쿠(주)제), UA-306H, UA-306T, UA-306I, AH-600, T-600, AI-600(교에이샤 가가쿠사제), 블렘머 PME400(니치유(주)제) 등을 들 수 있다.As a commercially available product of the radical crosslinking agent, for example, SR-494, which is a tetrafunctional acrylate having four ethyleneoxy chains, manufactured by Sartomer, and SR-209, manufactured by Sartomer, which is a bifunctional methacrylate having four ethyleneoxy chains, 231, 239, DPCA-60, a 6-functional acrylate having 6 pentyleneoxy chains manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., TPA-330, a trifunctional acrylate having 3 isobutyleneoxy chains, urethane Oligomer UAS-10, UAB-140 (manufactured by Nippon Seishi Co., Ltd.), NK ester M-40G, NK ester 4G, NK ester M-9300, NK ester A-9300, UA-7200 (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd.) , DPHA-40H (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), UA-306H, UA-306T, UA-306I, AH-600, T-600, AI-600 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), Blemmer PME400 ( Nichiyu Co., Ltd. product) etc. are mentioned.

라디칼 가교제로서는, 일본 공고특허공보 소48-041708호, 일본 공개특허공보 소51-037193호, 일본 공고특허공보 평02-032293호, 일본 공고특허공보 평02-016765호에 기재되어 있는 바와 같은 유레테인아크릴레이트류나, 일본 공고특허공보 소58-049860호, 일본 공고특허공보 소56-017654호, 일본 공고특허공보 소62-039417호, 일본 공고특허공보 소62-039418호에 기재된 에틸렌옥사이드계 골격을 갖는 유레테인 화합물류도 적합하다. 또한, 라디칼 가교제로서, 일본 공개특허공보 소63-277653호, 일본 공개특허공보 소63-260909호, 일본 공개특허공보 평01-105238호에 기재되는, 분자 내에 아미노 구조나 설파이드 구조를 갖는 화합물을 이용할 수도 있다.Examples of the radical crosslinking agent include those described in Japanese Patent Publication No. 48-041708, Japanese Patent Application Publication No. 51-037193, Japanese Patent Publication No. Hei 02-032293, and Japanese Patent Publication No. Hei 02-016765. Retane acrylates, ethylene oxide systems described in Japanese Publication No. 58-049860, Japanese Publication No. 56-017654, Japanese Publication No. 62-039417, Japanese Publication No. 62-039418 Urethane compounds having a skeleton are also suitable. In addition, as a radical crosslinking agent, compounds having an amino structure or a sulfide structure in the molecule described in Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-277653, Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-260909, and Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 01-105238 can be used. can also be used

라디칼 가교제는, 카복시기, 인산기 등의 산기를 갖는 라디칼 가교제여도 된다. 산기를 갖는 라디칼 가교제는, 지방족 폴리하이드록시 화합물과 불포화 카복실산의 에스터가 바람직하고, 지방족 폴리하이드록시 화합물의 미반응의 하이드록시기에 비방향족 카복실산 무수물을 반응시켜 산기를 갖게 한 라디칼 가교제가 보다 바람직하다. 특히 바람직하게는, 지방족 폴리하이드록시 화합물의 미반응의 하이드록시기에 비방향족 카복실산 무수물을 반응시켜 산기를 갖게 한 라디칼 가교제에 있어서, 지방족 폴리하이드록시 화합물이 펜타에리트리톨 또는 다이펜타에리트리톨인 화합물이다. 시판품으로서는, 예를 들면, 도아 고세이(주)제의 다염기산 변성 아크릴 올리고머로서, M-510, M-520 등을 들 수 있다.The radical crosslinking agent may be a radical crosslinking agent having an acid group such as a carboxy group or a phosphoric acid group. The radical crosslinking agent having an acid group is preferably an ester of an aliphatic polyhydroxy compound and an unsaturated carboxylic acid, and more preferably a radical crosslinking agent obtained by reacting an unreacted hydroxy group of an aliphatic polyhydroxy compound with a non-aromatic carboxylic acid anhydride to have an acid group Do. Particularly preferably, in a radical crosslinking agent obtained by reacting a non-aromatic carboxylic acid anhydride with an unreacted hydroxy group of an aliphatic polyhydroxy compound to have an acid group, the aliphatic polyhydroxy compound is pentaerythritol or dipentaerythritol. to be. As a commercial item, M-510, M-520 etc. are mentioned, for example as a Toagosei Co., Ltd. product polybasic acid modified acrylic oligomer.

산기를 갖는 라디칼 가교제의 바람직한 산가로서는, 0.1~40mgKOH/g이며, 특히 바람직하게는 5~30mgKOH/g이다. 라디칼 가교제의 산가가 상기 범위이면, 제조상의 취급성이 우수하고, 나아가서는, 현상성이 우수하다. 또, 중합성이 양호하다. 한편, 알칼리 현상하는 경우의 현상 속도의 관점에서는, 산기를 갖는 라디칼 가교제의 바람직한 산가는, 0.1~300mgKOH/g이며, 특히 바람직하게는 1~100mgKOH/g이다. 상기 산가는, JIS K 0070:1992의 기재에 준거하여 측정된다.A preferable acid value of the radical crosslinking agent having an acid group is 0.1 to 40 mgKOH/g, and particularly preferably 5 to 30 mgKOH/g. When the acid value of the radical crosslinking agent is in the above range, the handleability in production is excellent, and furthermore, the developability is excellent. Moreover, polymerizability is good. On the other hand, from the viewpoint of the development rate in the case of alkaline development, the radical crosslinking agent having an acid group has a preferable acid value of 0.1 to 300 mgKOH/g, particularly preferably 1 to 100 mgKOH/g. The said acid value is measured based on description of JISK0070:1992.

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 패턴의 해상성과 막의 신축성의 관점에서, 2관능의 메타크릴레이트 또는 아크릴레이트를 이용하는 것이 바람직하다. 구체적인 화합물로서는, 트라이에틸렌글라이콜다이아크릴레이트, 트라이에틸렌글라이콜다이메타크릴레이트, 테트라에틸렌글라이콜다이메타크릴레이트, 테트라에틸렌글라이콜다이아크릴레이트, PEG200 다이아크릴레이트, PEG200 다이메타크릴레이트, PEG600 다이아크릴레이트, PEG600 다이메타크릴레이트, 폴리테트라에틸렌글라이콜다이아크릴레이트, 폴리테트라에틸렌글라이콜다이메타크릴레이트, 네오펜틸글라이콜다이아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜다이메타크릴레이트, 3-메틸-1,5-펜테인다이올다이아크릴레이트, 1,6-헥세인다이올다이아크릴레이트, 1,6-헥세인다이올다이메타크릴레이트, 다이메틸올-트라이사이클로데케인다이아크릴레이트, 다이메틸올-트라이사이클로데케인다이메타크릴레이트, 비스페놀 A의 EO 부가물 다이아크릴레이트, 비스페놀 A의 EO 부가물 다이메타크릴레이트, 비스페놀 A의 PO 부가물 다이아크릴레이트, 비스페놀 A의 PO 부가물 다이메타크릴레이트, 2-하이드록시-3-아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 아이소사이아누르산 EO 변성 다이아크릴레이트, 아이소사이아누르산 변성 다이메타크릴레이트, 그 외 유레테인 결합을 갖는 2관능 아크릴레이트, 유레테인 결합을 갖는 2관능 메타크릴레이트를 사용할 수 있다. 이들은 필요에 따라, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.In the curable resin composition of the present invention, it is preferable to use a bifunctional methacrylate or acrylate from the viewpoint of pattern resolution and film stretchability. Specific compounds include triethylene glycol diacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, PEG200 diacrylate, and PEG200 dimethacrylate. Acrylate, PEG600 Diacrylate, PEG600 Dimethacrylate, Polytetraethylene Glycol Diacrylate, Polytetraethylene Glycol Dimethacrylate, Neopentyl Glycol Diacrylate, Neopentyl Glycol Diacrylate Methacrylate, 3-methyl-1,5-pentanedioldiacrylate, 1,6-hexanedioldiacrylate, 1,6-hexanedioldimethacrylate, dimethylol-tri Cyclodecane diacrylate, dimethylol-tricyclodecane dimethacrylate, EO adduct diacrylate of bisphenol A, EO adduct dimethacrylate of bisphenol A, PO adduct diacrylate of bisphenol A , PO adduct dimethacrylate of bisphenol A, 2-hydroxy-3-acryloyloxypropyl methacrylate, isocyanuric acid EO modified diacrylate, isocyanuric acid modified dimethacrylate, In addition, bifunctional acrylate having a urethane bond and bifunctional methacrylate having a urethane bond can be used. These can mix and use 2 or more types as needed.

또, 패턴(경화막)의 탄성률 제어에 따른 휨 억제의 관점에서, 라디칼 가교제로서, 단관능 라디칼 가교제를 바람직하게 이용할 수 있다. 단관능 라디칼 가교제로서는, n-뷰틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 뷰톡시에틸(메트)아크릴레이트, 카비톨(메트)아크릴레이트, 사이클로헥실(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸(메트)아크릴레이트, N-메틸올(메트)아크릴아마이드, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글라이콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글라이콜모노(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산 유도체, N-바이닐피롤리돈, N-바이닐카프로락탐 등의 N-바이닐화합물류, 알릴글리시딜에터, 다이알릴프탈레이트, 트라이알릴트라이멜리테이트 등의 알릴 화합물류 등이 바람직하게 이용된다. 단관능 라디칼 가교제로서는, 노광 전의 휘발을 억제하기 위하여, 상압하에서 100℃ 이상의 비점을 갖는 화합물도 바람직하다.Moreover, as a radical crosslinking agent, a monofunctional radical crosslinking agent can be preferably used from a viewpoint of curvature suppression by control of the modulus of elasticity of a pattern (cured film). As a monofunctional radical crosslinking agent, n-butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, carbitol (meth) Acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, phenoxyethyl (meth)acrylate, N-methylol (meth)acrylamide, glycidyl (meth)acrylate, polyethylene glycol (meth)acrylic acid derivatives such as mono(meth)acrylate and polypropylene glycol mono(meth)acrylate, N-vinyl compounds such as N-vinylpyrrolidone and N-vinylcaprolactam, allylglycidyl Allyl compounds, such as ether, diallyl phthalate, and triallyl trimellitate, etc. are used preferably. As the monofunctional radical crosslinking agent, in order to suppress volatilization before exposure, a compound having a boiling point of 100°C or higher under normal pressure is also preferable.

라디칼 가교제를 함유하는 경우, 그 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0질량% 초과 60질량% 이하인 것이 바람직하다. 하한은 5질량% 이상이 보다 바람직하다. 상한은, 50질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 30질량% 이하인 것이 더 바람직하다.When containing a radical crosslinking agent, it is preferable that the content is more than 0 mass % and 60 mass % or less with respect to the total solids of curable resin composition of this invention. As for a lower limit, 5 mass % or more is more preferable. As for an upper limit, it is more preferable that it is 50 mass % or less, and it is still more preferable that it is 30 mass % or less.

라디칼 가교제는 1종을 단독으로 이용해도 되지만, 2종 이상을 혼합하여 이용해도 된다. 2종 이상을 병용하는 경우에는 그 합계량이 상기의 범위가 되는 것이 바람직하다.A radical crosslinking agent may be used individually by 1 type, but may mix and use 2 or more types. When using 2 or more types together, it is preferable that the total amount becomes said range.

<다른 가교제><Other crosslinking agents>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 상술한 라디칼 가교제와는 상이한, 다른 가교제를 포함하는 것도 바람직하다.Curable resin composition of this invention also preferably contains another crosslinking agent different from the radical crosslinking agent mentioned above.

본 발명에 있어서, 다른 가교제란, 상술한 라디칼 가교제 이외의 가교제를 말하며, 상술한 감광제의 감광에 의하여, 조성물 중의 다른 화합물 또는 그 반응 생성물과의 사이에서 공유 결합을 형성하는 반응이 촉진되는 기를 분자 내에 복수 개 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 조성물 중의 다른 화합물 또는 그 반응 생성물과의 사이에서 공유 결합을 형성하는 반응이 산 또는 염기의 작용에 의하여 촉진되는 기를 분자 내에 복수 개 갖는 화합물이 바람직하다.In the present invention, the other crosslinking agent refers to a crosslinking agent other than the above-mentioned radical crosslinking agent, and a group that promotes a reaction of forming a covalent bond between other compounds in the composition or a reaction product thereof by photosensitization of the above-mentioned photosensitizer is a molecule. A compound having a plurality of groups within the molecule is preferable, and a compound having a plurality of groups in the molecule in which a reaction for forming a covalent bond with other compounds in the composition or reaction products thereof is promoted by the action of an acid or base is preferable.

상기 산 또는 염기는, 노광 공정에 있어서, 감광제인 광산발생제 또는 광염기 발생제로부터 발생하는 산 또는 염기인 것이 바람직하다.The acid or base is preferably an acid or base generated from a photoacid generator or a photobase generator that is a photosensitizer in the exposure step.

다른 가교제로서는, 메틸올기 및 알콕시메틸기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 갖는 화합물이 바람직하고, 메틸올기 및 알콕시메틸기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기가 질소 원자에 직접 결합한 구조를 갖는 화합물이 보다 바람직하다.As another crosslinking agent, a compound having at least one group selected from the group consisting of a methylol group and an alkoxymethyl group is preferable, and a compound having a structure in which at least one group selected from the group consisting of a methylol group and an alkoxymethyl group is directly bonded to a nitrogen atom is more preferable

다른 가교제로서는, 예를 들면, 멜라민, 글라이콜우릴, 요소, 알킬렌 요소, 벤조구아나민 등의 아미노기 함유 화합물에 폼알데하이드 또는 폼알데하이드와 알코올을 반응시켜, 상기 아미노기의 수소 원자를 메틸올기 또는 알콕시메틸기로 치환한 구조를 갖는 화합물을 들 수 있다. 이들 화합물의 제조 방법은 특별히 한정되지 않으며, 상기 방법에 의하여 제조된 화합물과 동일한 구조를 갖는 화합물이면 된다. 또, 이들 화합물의 메틸올기끼리가 자기 축합하여 이루어지는 올리고머여도 된다.As another crosslinking agent, for example, formaldehyde or formaldehyde and alcohol are reacted with an amino group-containing compound such as melamine, glycoluril, urea, alkylene urea, benzoguanamine, etc., and the hydrogen atom of the amino group is converted to a methylol group or an alkoxymethyl group. Compounds having a structure substituted with are exemplified. The manufacturing method of these compounds is not specifically limited, Any compound having the same structure as the compound manufactured by the said method is sufficient. Moreover, the oligomer formed by self-condensation of the methylol groups of these compounds may be sufficient.

상기의 아미노기 함유 화합물로서, 멜라민을 이용한 가교제를 멜라민계 가교제, 글라이콜우릴, 요소 또는 알킬렌 요소를 이용한 가교제를 요소계 가교제, 알킬렌 요소를 이용한 가교제를 알킬렌 요소계 가교제, 벤조구아나민을 이용한 가교제를 벤조구아나민계 가교제라고 한다.As the amino group-containing compound, a crosslinking agent using melamine is a melamine crosslinking agent, glycoluril, a crosslinking agent using urea or an alkylene urea is a urea crosslinking agent, a crosslinking agent using alkylene urea is an alkylene urea crosslinking agent, benzoguanamine A crosslinking agent using is called a benzoguanamine-based crosslinking agent.

이들 중에서도, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 요소계 가교제 및 멜라민계 가교제로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 후술하는 글라이콜우릴계 가교제 및 멜라민계 가교제로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물을 포함하는 것이 보다 바람직하다.Among these, the curable resin composition of the present invention preferably contains at least one compound selected from the group consisting of a urea-based crosslinking agent and a melamine-based crosslinking agent, and the group consisting of a glycoluril-based crosslinking agent and a melamine-based crosslinking agent described later. It is more preferable to include at least one compound selected from

멜라민계 가교제의 구체예로서는, 헥사메톡시메틸멜라민, 헥사에톡시메틸멜라민, 헥사프로폭시메틸멜라민, 헥사뷰톡시뷰틸멜라민 등을 들 수 있다.Specific examples of the melamine-based crosslinking agent include hexamethoxymethylmelamine, hexaethoxymethylmelamine, hexapropoxymethylmelamine, and hexabutoxybutylmelamine.

요소계 가교제의 구체예로서는, 예를 들면 모노하이드록시메틸화 글라이콜우릴, 다이하이드록시메틸화 글라이콜우릴, 트라이하이드록시메틸화 글라이콜우릴, 테트라하이드록시메틸화 글라이콜우릴, 모노메톡시메틸화 글라이콜우릴, 다이메톡시메틸화 글라이콜우릴, 트라이메톡시메틸화 글라이콜우릴, 테트라메톡시메틸화 글라이콜우릴, 모노메톡시메틸화 글라이콜우릴, 다이메톡시메틸화 글라이콜우릴, 트라이메톡시메틸화 글라이콜우릴, 테트라에톡시메틸화 글라이콜우릴, 모노프로폭시메틸화 글라이콜우릴, 다이프로폭시메틸화 글라이콜우릴, 트라이프로폭시메틸화 글라이콜우릴, 테트라프로폭시메틸화 글라이콜우릴, 모노뷰톡시메틸화 글라이콜우릴, 다이뷰톡시메틸화 글라이콜우릴, 트라이뷰톡시메틸화 글라이콜우릴, 또는, 테트라뷰톡시메틸화 글라이콜우릴 등의 글라이콜우릴계 가교제;Specific examples of the urea-based crosslinking agent include monohydroxymethylation glycoluril, dihydroxymethylation glycoluril, trihydroxymethylation glycoluril, tetrahydroxymethylation glycoluril, and monomethoxymethylation. Glycoluril, dimethoxymethylated glycoluril, trimethoxymethylated glycoluril, tetramethoxymethylated glycoluril, monomethoxymethylated glycoluril, dimethoxymethylated glycoluril, Trimethoxymethylated Glycoluril, Tetraethoxymethylated Glycoluril, Monopropoxymethylated Glycoluril, Dipropoxymethylated Glycoluril, Tripropoxymethylated Glycoluril, Tetrapropoxymethylated Glycoluril glycoluril type crosslinking agents such as lycoluril, monobutoxymethylation glycoluril, dibutoxymethylation glycoluril, tributoxymethylation glycoluril, or tetrabutoxymethylation glycoluril;

비스메톡시메틸 요소, 비스에톡시메틸 요소, 비스프로폭시메틸 요소, 비스뷰톡시메틸 요소 등의 요소계 가교제,urea-based crosslinking agents such as bismethoxymethyl urea, bisethoxymethyl urea, bispropoxymethyl urea, and bisbutoxymethyl urea;

모노하이드록시메틸화 에틸렌 요소 또는 다이하이드록시메틸화 에틸렌 요소, 모노메톡시메틸화 에틸렌 요소, 다이메톡시메틸화 에틸렌 요소, 모노에톡시메틸화 에틸렌 요소, 다이에톡시메틸화 에틸렌 요소, 모노프로폭시메틸화 에틸렌 요소, 다이프로폭시메틸화 에틸렌 요소, 모노뷰톡시메틸화 에틸렌 요소, 또는, 다이뷰톡시메틸화 에틸렌 요소 등의 에틸렌 요소계 가교제,monohydroxymethylated ethylene urea or dihydroxymethylated ethylene urea, monomethoxymethylated ethylene urea, dimethoxymethylated ethylene urea, monoethoxymethylated ethylene urea, diethoxymethylated ethylene urea, monopropoxymethylated ethylene urea, di Ethylene urea-based crosslinking agents such as propoxymethylated ethylene urea, monobutoxymethylated ethylene urea, or dibutoxymethylated ethylene urea;

모노하이드록시메틸화 프로필렌 요소, 다이하이드록시메틸화 프로필렌 요소, 모노메톡시메틸화 프로필렌 요소, 다이메톡시메틸화 프로필렌 요소, 모노다이에톡시메틸화 프로필렌 요소, 다이에톡시메틸화 프로필렌 요소, 모노프로폭시메틸화 프로필렌 요소, 다이프로폭시메틸화 프로필렌 요소, 모노뷰톡시메틸화 프로필렌 요소, 또는, 다이뷰톡시메틸화 프로필렌 요소 등의 프로필렌 요소계 가교제,monohydroxymethylated propylene urea, dihydroxymethylated propylene urea, monomethoxymethylated propylene urea, dimethoxymethylated propylene urea, monodiethoxymethylated propylene urea, diethoxymethylated propylene urea, monopropoxymethylated propylene urea, propylene urea-based crosslinking agents such as dipropoxymethylated propylene urea, monobutoxymethylated propylene urea, or dibutoxymethylated propylene urea;

1,3-다이(메톡시메틸)-4,5-다이하이드록시-2-이미다졸리딘온, 1,3-다이(메톡시메틸)-4,5-다이메톡시-2-이미다졸리딘온 등을 들 수 있다.1,3-di(methoxymethyl)-4,5-dihydroxy-2-imidazolidinone, 1,3-di(methoxymethyl)-4,5-dimethoxy-2-imidazoli dinone etc. are mentioned.

벤조구아나민계 가교제의 구체예로서는, 예를 들면 모노하이드록시메틸화 벤조구아나민, 다이하이드록시메틸화 벤조구아나민, 트라이하이드록시메틸화 벤조구아나민, 테트라하이드록시메틸화 벤조구아나민, 모노메톡시메틸화 벤조구아나민, 다이메톡시메틸화 벤조구아나민, 트라이메톡시메틸화 벤조구아나민, 테트라메톡시메틸화 벤조구아나민, 모노메톡시메틸화 벤조구아나민, 다이메톡시메틸화 벤조구아나민, 트라이메톡시메틸화 벤조구아나민, 테트라에톡시메틸화 벤조구아나민, 모노프로폭시메틸화 벤조구아나민, 다이프로폭시메틸화 벤조구아나민, 트라이프로폭시메틸화 벤조구아나민, 테트라프로폭시메틸화 벤조구아나민, 모노뷰톡시메틸화 벤조구아나민, 다이뷰톡시메틸화 벤조구아나민, 트라이뷰톡시메틸화 벤조구아나민, 테트라뷰톡시메틸화 벤조구아나민 등을 들 수 있다.Specific examples of the benzoguanamine-based crosslinking agent include monohydroxymethylated benzoguanamine, dihydroxymethylated benzoguanamine, trihydroxymethylated benzoguanamine, tetrahydroxymethylated benzoguanamine, and monomethoxymethylated benzoguanamine. Namine, dimethoxymethylated benzoguanamine, trimethoxymethylated benzoguanamine, tetramethoxymethylated benzoguanamine, monomethoxymethylated benzoguanamine, dimethoxymethylated benzoguanamine, trimethoxymethylated benzoguanamine, Tetraethoxymethylated Benzoguanamine, Monopropoxymethylated Benzoguanamine, Dipropoxymethylated Benzoguanamine, Tripropoxymethylated Benzoguanamine, Tetrapropoxymethylated Benzoguanamine, Monobutoxymethylated Benzoguanamine, Dibu Toxymethylation benzoguanamine, tributoxymethylation benzoguanamine, tetrabutoxymethylation benzoguanamine, etc. are mentioned.

그 외에, 메틸올기 및 알콕시메틸기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 갖는 화합물로서는, 방향환(바람직하게는 벤젠환)에 메틸올기 및 알콕시메틸기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기가 직접 결합한 화합물도 적합하게 이용된다.In addition, as a compound having at least one group selected from the group consisting of a methylol group and an alkoxymethyl group, a compound in which at least one group selected from the group consisting of a methylol group and an alkoxymethyl group is directly bonded to an aromatic ring (preferably a benzene ring). are also suitably used.

이와 같은 화합물의 구체예로서는, 벤젠다이메탄올, 비스(하이드록시메틸)크레졸, 비스(하이드록시메틸)다이메톡시벤젠, 비스(하이드록시메틸)다이페닐에터, 비스(하이드록시메틸)벤조페논, 하이드록시메틸벤조산 하이드록시메틸페닐, 비스(하이드록시메틸)바이페닐, 다이메틸비스(하이드록시메틸)바이페닐, 비스(메톡시메틸)벤젠, 비스(메톡시메틸)크레졸, 비스(메톡시메틸)다이메톡시벤젠, 비스(메톡시메틸)다이페닐에터, 비스(메톡시메틸)벤조페논, 메톡시메틸벤조산 메톡시메틸페닐, 비스(메톡시메틸)바이페닐, 다이메틸비스(메톡시메틸)바이페닐, 4,4',4''-에틸리덴트리스[2,6-비스(메톡시메틸)페놀], 5,5'-[2,2,2-트라이플루오로-1-(트라이플루오로메틸)에틸리덴]비스[2-하이드록시-1,3-벤젠다이메탄올], 3,3',5,5'-테트라키스(메톡시메틸)-1,1'-바이페닐-4,4'-다이올 등을 들 수 있다.Specific examples of such compounds include benzenedimethanol, bis(hydroxymethyl)cresol, bis(hydroxymethyl)dimethoxybenzene, bis(hydroxymethyl)diphenyl ether, bis(hydroxymethyl)benzophenone, Hydroxymethylbenzoic acid Hydroxymethylphenyl, bis(hydroxymethyl)biphenyl, dimethylbis(hydroxymethyl)biphenyl, bis(methoxymethyl)benzene, bis(methoxymethyl)cresol, bis(methoxymethyl) Dimethoxybenzene, bis(methoxymethyl)diphenyl ether, bis(methoxymethyl)benzophenone, methoxymethylbenzoic acid methoxymethylphenyl, bis(methoxymethyl)biphenyl, dimethylbis(methoxymethyl) Biphenyl, 4,4',4''-ethylidentris[2,6-bis(methoxymethyl)phenol], 5,5'-[2,2,2-trifluoro-1-(tri Fluoromethyl) ethylidene] bis [2-hydroxy-1,3-benzenedimethanol], 3,3 ', 5,5'-tetrakis (methoxymethyl) -1,1'-biphenyl-4 , 4'-diol, etc. are mentioned.

다른 가교제로서는 시판품을 이용해도 되며, 적합한 시판품으로서는, 46DMOC, 46DMOEP(이상, 아사히 유키자이 고교사제), DML-PC, DML-PEP, DML-OC, DML-OEP, DML-34X, DML-PTBP, DML-PCHP, DML-OCHP, DML-PFP, DML-PSBP, DML-POP, DML-MBOC, DML-MBPC, DML-MTrisPC, DML-BisOC-Z, DML-BisOCHP-Z, DML-BPC, DMLBisOC-P, DMOM-PC, DMOM-PTBP, DMOM-MBPC, TriML-P, TriML-35XL, TML-HQ, TML-BP, TML-pp-BPF, TML-BPE, TML-BPA, TML-BPAF, TML-BPAP, TMOM-BP, TMOM-BPE, TMOM-BPA, TMOM-BPAF, TMOM-BPAP, HML-TPPHBA, HML-TPHAP, HMOM-TPPHBA, HMOM-TPHAP(이상, 혼슈 가가쿠 고교사제), 니카락(등록 상표, 이하 동일) MX-290, 니카락 MX-280, 니카락 MX-270, 니카락 MX-279, 니카락 MW-100LM, 니카락 MX-750LM(이상, 산와 케미컬사제) 등을 들 수 있다.Commercially available products may be used as other crosslinking agents, and suitable commercially available products include 46DMOC, 46DMOEP (above, manufactured by Asahi Yukizai Kogyo Co., Ltd.), DML-PC, DML-PEP, DML-OC, DML-OEP, DML-34X, DML-PTBP, DML-PCHP, DML-OCHP, DML-PFP, DML-PSBP, DML-POP, DML-MBOC, DML-MBPC, DML-MTrisPC, DML-BisOC-Z, DML-BisOCHP-Z, DML-BPC, DMLBisOC- P, DMOM-PC, DMOM-PTBP, DMOM-MBPC, TriML-P, TriML-35XL, TML-HQ, TML-BP, TML-pp-BPF, TML-BPE, TML-BPA, TML-BPAF, TML- BPAP, TMOM-BP, TMOM-BPE, TMOM-BPA, TMOM-BPAF, TMOM-BPAP, HML-TPPHBA, HML-TPHAP, HMOM-TPPHBA, HMOM-TPHAP (above, made by Honshu Kagaku Kogyo), Nikarak ( (registered trademark, hereinafter the same) MX-290, Nikarak MX-280, Nikarak MX-270, Nikarak MX-279, Nikarak MW-100LM, Nikarak MX-750LM (above, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), etc. there is.

또, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 다른 가교제로서, 에폭시 화합물, 옥세테인 화합물, 및, 벤즈옥사진 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물을 포함하는 것도 바람직하다.Moreover, it is also preferable that the curable resin composition of this invention contains at least 1 sort(s) of compound selected from the group which consists of an epoxy compound, an oxetane compound, and a benzoxazine compound as another crosslinking agent.

〔에폭시 화합물(에폭시기를 갖는 화합물)〕[Epoxy compound (compound having an epoxy group)]

에폭시 화합물로서는, 1분자 중에 에폭시기를 2 이상 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 에폭시기는, 200℃ 이하에서 가교 반응하며, 또한, 가교에서 유래하는 탈수 반응이 일어나지 않기 때문에 막수축이 일어나기 어렵다. 이 때문에, 에폭시 화합물을 함유하는 것은, 경화성 수지 조성물의 저온 경화 및 휨의 억제에 효과적이다.As an epoxy compound, it is preferable that it is a compound which has 2 or more epoxy groups in 1 molecule. The epoxy group undergoes a crosslinking reaction at 200°C or less, and since the dehydration reaction resulting from the crosslinking does not occur, film shrinkage is unlikely to occur. For this reason, containing an epoxy compound is effective for low-temperature curing of curable resin composition and suppression of curvature.

에폭시 화합물은, 폴리에틸렌옥사이드기를 함유하는 것이 바람직하다. 이로써, 보다 탄성률이 저하되고, 또 휨을 억제할 수 있다. 폴리에틸렌옥사이드기는, 에틸렌옥사이드의 반복 단위수가 2 이상인 것을 의미하고, 반복 단위수가 2~15인 것이 바람직하다.It is preferable that the epoxy compound contains a polyethylene oxide group. Thereby, the modulus of elasticity is lowered and the warpage can be suppressed. A polyethylene oxide group means that the number of repeating units of ethylene oxide is 2 or more, and it is preferable that the number of repeating units is 2-15.

에폭시 화합물의 예로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지; 비스페놀 F형 에폭시 수지; 프로필렌글라이콜다이글리시딜에터, 네오펜틸글라이콜다이글리시딜에터, 에틸렌글라이콜다이글리시딜에터, 뷰틸렌글라이콜다이글리시딜에터, 헥사메틸렌글라이콜다이글리시딜에터, 트라이메틸올프로페인트라이글리시딜에터 등의 알킬렌글라이콜형 에폭시 수지 또는 다가 알코올 탄화 수소형 에폭시 수지; 폴리프로필렌글라이콜다이글리시딜에터 등의 폴리알킬렌글라이콜형 에폭시 수지; 폴리메틸(글리시딜옥시프로필)실록세인 등의 에폭시기 함유 실리콘 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 구체적으로는, 에피클론(등록 상표) 850-S, 에피클론(등록 상표) HP-4032, 에피클론(등록 상표) HP-7200, 에피클론(등록 상표) HP-820, 에피클론(등록 상표) HP-4700, 에피클론(등록 상표) EXA-4710, 에피클론(등록 상표) HP-4770, 에피클론(등록 상표) EXA-859CRP, 에피클론(등록 상표) EXA-1514, 에피클론(등록 상표) EXA-4880, 에피클론(등록 상표) EXA-4850-150, 에피클론 EXA-4850-1000, 에피클론(등록 상표) EXA-4816, 에피클론(등록 상표) EXA-4822, 에피클론(등록 상표) EXA-830LVP, 에피클론(등록 상표) EXA-8183, 에피클론(등록 상표) EXA-8169, 에피클론(등록 상표) N-660, 에피클론(등록 상표) N-665-EXP-S, 에피클론(등록 상표) N-740, 리카레진(등록 상표) BEO-20E(이상 상품명, DIC(주)제), 리카레진(등록 상표) BEO-60E, 리카레진(등록 상표) HBE-100, 리카레진(등록 상표) DME-100, 리카레진(등록 상표) L-200(상품명, 신니혼 리카(주)), EP-4003S, EP-4000S, EP-4088S, EP-3950S(이상 상품명, (주)ADEKA제), 셀록사이드 2021P, 2081, 2000, 3000, EHPE3150, 에폴리드 GT400, 셀비너스 B0134, B0177(이상 상품명, (주)다이셀제), NC-3000, NC-3000-L, NC-3000-H, NC-3000-FH-75M, NC-3100, CER-3000-L, NC-2000-L, XD-1000, NC-7000L, NC-7300L, EPPN-501H, EPPN-501HY, EPPN-502H, EOCN-1020, EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, CER-1020, EPPN-201, BREN-S, BREN-10S(이상 상품명, 닛폰 가야쿠(주)제) 등을 들 수 있다.As an example of an epoxy compound, it is bisphenol-A epoxy resin; bisphenol F-type epoxy resin; Propylene glycol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, ethylene glycol diglycidyl ether, butylene glycol diglycidyl ether, hexamethylene glycol alkylene glycol type epoxy resins or polyhydric alcohol hydrocarbon type epoxy resins such as diglycidyl ether and trimethylolpropane triglycidyl ether; polyalkylene glycol type epoxy resins such as polypropylene glycol diglycidyl ether; Epoxy group-containing silicones, such as polymethyl (glycidyloxypropyl) siloxane, etc. are mentioned, but are not limited to these. Specifically, Epiclon (registered trademark) 850-S, Epiclon (registered trademark) HP-4032, Epiclon (registered trademark) HP-7200, Epiclon (registered trademark) HP-820, Epiclon (registered trademark) HP-4700, Epiclon (registered trademark) EXA-4710, Epiclon (registered trademark) HP-4770, Epiclon (registered trademark) EXA-859CRP, Epiclon (registered trademark) EXA-1514, Epiclon (registered trademark) EXA-4880, Epiclon (registered trademark) EXA-4850-150, Epiclon (registered trademark) EXA-4850-1000, Epiclon (registered trademark) EXA-4816, Epiclon (registered trademark) EXA-4822, Epiclon (registered trademark) EXA-830LVP, Epiclon (registered trademark) EXA-8183, Epiclon (registered trademark) EXA-8169, Epiclon (registered trademark) N-660, Epiclon (registered trademark) N-665-EXP-S, Epiclon (registered trademark) (registered trademark) N-740, Rika Resin (registered trademark) BEO-20E (above product names, manufactured by DIC Co., Ltd.), Rika Resin (registered trademark) BEO-60E, Rika Resin (registered trademark) HBE-100, Rika Resin (registered trademark) DME-100, Rika Resin (registered trademark) L-200 (trade name, New Nippon Rica Co., Ltd.), EP-4003S, EP-4000S, EP-4088S, EP-3950S (above product names, Co., Ltd.) ADEKA), Celloxide 2021P, 2081, 2000, 3000, EHPE3150, Epolide GT400, Cellvenus B0134, B0177 (above trade names, manufactured by Daicel Co., Ltd.), NC-3000, NC-3000-L, NC-3000 -H, NC-3000-FH-75M, NC-3100, CER-3000-L, NC-2000-L, XD-1000, NC-7000L, NC-7300L, EPPN-501H, EPPN-501HY, EPPN-502H , EOCN-1020, EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, CER-1020, EPPN-201, BREN-S, BREN-10S (above brand name, Nippon Kayaku Co., Ltd. product), etc. are mentioned.

〔옥세테인 화합물(옥세탄일기를 갖는 화합물)〕[Oxetane compound (compound having an oxetanyl group)]

옥세테인 화합물로서는, 1분자 중에 옥세테인환을 2개 이상 갖는 화합물, 3-에틸-3-하이드록시메틸옥세테인, 1,4-비스{[(3-에틸-3-옥세탄일)메톡시]메틸}벤젠, 3-에틸-3-(2-에틸헥실메틸)옥세테인, 1,4-벤젠다이카복실산-비스[(3-에틸-3-옥세탄일)메틸]에스터 등을 들 수 있다. 구체적인 예로서는, 도아 고세이(주)제의 아론옥세테인 시리즈(예를 들면, OXT-121, OXT-221, OXT-191, OXT-223)를 적합하게 사용할 수 있으며, 이들은 단독으로, 또는 2종 이상 혼합해도 된다.As the oxetane compound, a compound having two or more oxetane rings in one molecule, 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane, 1,4-bis{[(3-ethyl-3-oxetanyl)methoxy ]methyl}benzene, 3-ethyl-3-(2-ethylhexylmethyl)oxetane, 1,4-benzenedicarboxylic acid-bis[(3-ethyl-3-oxetanyl)methyl] ester, and the like. . As a specific example, Aronoxetane series (for example, OXT-121, OXT-221, OXT-191, OXT-223) manufactured by Toagosei Co., Ltd. can be suitably used, and these can be used singly or in combination of two or more. You may mix.

〔벤즈옥사진 화합물(벤즈옥사졸일기를 갖는 화합물)〕[benzoxazine compound (compound having a benzoxazolyl group)]

벤즈옥사진 화합물은, 개환 부가 반응에서 유래하는 가교 반응 때문에, 경화 시에 탈가스가 발생하지 않고, 또한 열수축을 작게 하여 휨의 발생이 억제되는 점에서 바람직하다.The benzoxazine compound is preferable in that it does not generate degassing during curing due to a crosslinking reaction derived from a ring-opening addition reaction, and suppresses occurrence of warpage by reducing heat shrinkage.

벤즈옥사진 화합물의 바람직한 예로서는, B-a형 벤즈옥사진, B-m형 벤즈옥사진, P-d형 벤즈옥사진, F-a형 벤즈옥사진(이상, 상품명, 시코쿠 가세이 고교사제), 폴리하이드록시스타이렌 수지의 벤즈옥사진 부가물, 페놀 노볼락형 다이하이드로벤즈옥사진 화합물을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용하거나, 또는 2종 이상 혼합해도 된다.Preferred examples of the benzoxazine compound include B-a-type benzoxazine, B-m-type benzoxazine, P-d-type benzoxazine, F-a-type benzoxazine (above, trade name, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.), and polyhydroxystyrene resin benzene. oxazine adducts and phenol novolak-type dihydrobenzoxazine compounds. These may be used independently or may mix 2 or more types.

다른 가교제의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여 0.1~30질량%인 것이 바람직하고, 0.1~20질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.5~15질량%인 것이 더 바람직하고, 1.0~10질량%인 것이 특히 바람직하다. 다른 가교제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 다른 가교제를 2종 이상 함유하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The content of the other crosslinking agent is preferably 0.1 to 30% by mass, more preferably 0.1 to 20% by mass, still more preferably 0.5 to 15% by mass, and 1.0% by mass to the total solid content of the curable resin composition of the present invention. ~ 10% by mass is particularly preferred. Another crosslinking agent may contain only 1 type, and may contain 2 or more types. When 2 or more types of other crosslinking agents are contained, it is preferable that the sum total is the said range.

<설폰아마이드 구조를 갖는 화합물, 싸이오유레아 구조를 갖는 화합물><Compound having a sulfonamide structure, compound having a thiourea structure>

얻어지는 패턴(경화막)의 기재에 대한 밀착성을 향상시키는 관점에서는, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 설폰아마이드 구조를 갖는 화합물 및 싸이오유레아 구조를 갖는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물을 더 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of improving the adhesion of the obtained pattern (cured film) to the substrate, the curable resin composition of the present invention contains at least one compound selected from the group consisting of a compound having a sulfonamide structure and a compound having a thiourea structure. It is preferable to include more.

〔설폰아마이드 구조를 갖는 화합물〕[Compound having a sulfonamide structure]

설폰아마이드 구조란, 하기 식 (S-1)로 나타나는 구조이다.The sulfonamide structure is a structure represented by the following formula (S-1).

[화학식 63][Formula 63]

Figure pct00064
Figure pct00064

식 (S-1) 중, R은 수소 원자 또는 유기기를 나타내며, R은 다른 구조와 결합하여 환 구조를 형성해도 되고, *는 각각 독립적으로, 다른 구조와의 결합 부위를 나타낸다.In formula (S-1), R represents a hydrogen atom or an organic group, R may combine with another structure to form a ring structure, and * each independently represents a bonding site with another structure.

상기 R은, 하기 식 (S-2)에 있어서의 R2와 동일한 기인 것이 바람직하다.It is preferable that said R is the same group as R2 in the following formula (S- 2 ).

설폰아마이드 구조를 갖는 화합물은, 설폰아마이드 구조를 2 이상 갖는 화합물이어도 되지만, 설폰아마이드 구조를 1개 갖는 화합물인 것이 바람직하다.The compound having a sulfonamide structure may be a compound having two or more sulfonamide structures, but is preferably a compound having one sulfonamide structure.

설폰아마이드 구조를 갖는 화합물은, 하기 식 (S-2)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.It is preferable that the compound which has a sulfonamide structure is a compound represented by following formula (S-2).

[화학식 64][Formula 64]

Figure pct00065
Figure pct00065

식 (S-2) 중, R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R1, R2 및 R3 중 2개 이상이 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 된다.In formula (S-2), R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, and two or more of R 1 , R 2 and R 3 bond to each other to form a ring structure. You can do it.

R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로, 1가의 유기기인 것이 바람직하다.It is preferable that each of R 1 , R 2 and R 3 independently represents a monovalent organic group.

R1, R2 및 R3의 예로서는, 수소 원자, 또는, 알킬기, 사이클로알킬기, 알콕시기, 알킬에터기, 알킬실릴기, 알콕시실릴기, 아릴기, 아릴에터기, 카복시기, 카보닐기, 알릴기, 바이닐기, 복소환기, 혹은 이들을 2 이상 조합한 기 등을 들 수 있다.Examples of R 1 , R 2 and R 3 include a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkyl ether group, an alkylsilyl group, an alkoxysilyl group, an aryl group, an aryl ether group, a carboxy group, a carbonyl group, and an allyl group. group, a vinyl group, a heterocyclic group, or a group in which two or more of these are combined.

상기 알킬기로서는, 탄소수 1~10의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~6의 알킬기가 보다 바람직하다. 상기 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 아이소프로필기, 2-에틸헥실기 등을 들 수 있다.As said alkyl group, a C1-C10 alkyl group is preferable, and a C1-C6 alkyl group is more preferable. As said alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, an isopropyl group, 2-ethylhexyl group etc. are mentioned, for example.

상기 사이클로알킬기로서는, 탄소수 5~10의 사이클로알킬기가 바람직하고, 탄소수 6~10의 사이클로알킬기가 보다 바람직하다. 상기 사이클로알킬기로서는, 예를 들면, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기 및 사이클로헥실기 등을 들 수 있다.As said cycloalkyl group, a C5-C10 cycloalkyl group is preferable, and a C6-C10 cycloalkyl group is more preferable. As said cycloalkyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, etc. are mentioned, for example.

상기 알콕시기로서는, 탄소수 1~10의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1~5의 알콕시기가 보다 바람직하다. 상기 알콕시기로서는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 뷰톡시기 및 펜톡시기 등을 들 수 있다.As said alkoxy group, a C1-C10 alkoxy group is preferable, and a C1-C5 alkoxy group is more preferable. As said alkoxy group, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a pentoxy group, etc. are mentioned.

상기 알콕시실릴기로서는, 탄소수 1~10의 알콕시실릴기가 바람직하고, 탄소수 1~4의 알콕시실릴기가 보다 바람직하다. 상기 알콕시실릴기로서는, 메톡시실릴기, 에톡시실릴기, 프로폭시실릴기 및 뷰톡시실릴기 등을 들 수 있다.As said alkoxysilyl group, a C1-C10 alkoxysilyl group is preferable, and a C1-C4 alkoxysilyl group is more preferable. As said alkoxysilyl group, a methoxysilyl group, an ethoxysilyl group, a propoxysilyl group, a butoxysilyl group, etc. are mentioned.

상기 아릴기로서는, 탄소수 6~20의 아릴기가 바람직하고, 탄소수 6~12의 아릴기가 보다 바람직하다. 상기 아릴기는, 알킬기 등의 치환기를 갖고 있어도 된다. 상기 아릴기로서는, 페닐기, 톨릴기, 자일릴기 및 나프틸기 등을 들 수 있다.As said aryl group, a C6-C20 aryl group is preferable, and a C6-C12 aryl group is more preferable. The said aryl group may have substituents, such as an alkyl group. As said aryl group, a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a naphthyl group, etc. are mentioned.

상기 복소환기로서는, 트라이아졸환, 피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 이미다졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피라졸환, 아이소옥사졸환, 아이소싸이아졸환, 테트라졸환, 피리딘환, 피리다진환, 피리미딘환, 피라진환, 피페리딘환, 피페리딘, 피페라진환, 모폴린환, 다이하이드로피란환, 테트라하이드로피란기, 트라이아진환 등의 복소환 구조로부터 수소 원자를 1개 제거한 기 등을 들 수 있다.Examples of the heterocyclic group include a triazole ring, a pyrrole ring, a furan ring, a thiophene ring, an imidazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a pyrazole ring, an isoxazole ring, an isothiazole ring, a tetrazole ring, a pyridine ring, and a pyridine ring. One hydrogen atom from a heterocyclic structure such as a multijin ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a piperidine ring, a piperidine ring, a piperazine ring, a morpholine ring, a dihydropyran ring, a tetrahydropyran group, and a triazine ring. Removed group etc. are mentioned.

이들 중에서도, R1이 아릴기이며, 또한, R2 및 R3이 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 알킬기인 화합물이 바람직하다.Among these, compounds in which R 1 is an aryl group and R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group are preferable.

설폰아마이드 구조를 갖는 화합물의 예로서는, 벤젠설폰아마이드, 다이메틸벤젠설폰아마이드, N-뷰틸벤젠설폰아마이드, 설판일아마이드, o-톨루엔설폰아마이드, p-톨루엔설폰아마이드, 하이드록시나프탈렌설폰아마이드, 나프탈렌-1-설폰아마이드, 나프탈렌-2-설폰아마이드, m-나이트로벤젠설폰아마이드, p-클로로벤젠설폰아마이드, 메테인설폰아마이드, N,N-다이메틸메테인설폰아마이드, N,N-다이메틸에테인설폰아마이드, N,N-다이에틸메테인설폰아마이드, N-메톡시메테인설폰아마이드, N-도데실메테인설폰아마이드, N-사이클로헥실-1-뷰테인설폰아마이드, 2-아미노에테인설폰아마이드 등을 들 수 있다.Examples of the compound having a sulfonamide structure include benzenesulfonamide, dimethylbenzenesulfonamide, N-butylbenzenesulfonamide, sulfanylamide, o-toluenesulfonamide, p-toluenesulfonamide, hydroxynaphthalenesulfonamide, naphthalene- 1-sulfonamide, naphthalene-2-sulfonamide, m-nitrobenzenesulfonamide, p-chlorobenzenesulfonamide, methanesulfonamide, N,N-dimethylmethanesulfonamide, N,N-dimethylethane Sulfonamide, N,N-diethylmethanesulfonamide, N-methoxymethanesulfonamide, N-dodecylmethanesulfonamide, N-cyclohexyl-1-butanesulfonamide, 2-aminoethanesulfonamide etc. can be mentioned.

〔싸이오유레아 구조를 갖는 화합물〕[Compound having a thiourea structure]

싸이오유레아 구조란, 하기 식 (T-1)로 나타나는 구조이다.The thiourea structure is a structure represented by the following formula (T-1).

[화학식 65][Formula 65]

Figure pct00066
Figure pct00066

식 (T-1) 중, R4 및 R5는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R4 및 R5는 결합하여 환 구조를 형성해도 되며, R4는 *가 결합하는 다른 구조와 결합하여 환 구조를 형성해도 되고, R5는 *가 결합하는 다른 구조와 결합하여 환 구조를 형성해도 되며, *는 각각 독립적으로, 다른 구조와의 결합 부위를 나타낸다.In formula (T-1), R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, R 4 and R 5 may be bonded to form a ring structure, and R 4 is another group to which * is bonded. A ring structure may be formed by combining with a structure, R 5 may combine with another structure to which * is bonded to form a ring structure, and * each independently represents a binding site with another structure.

R4 및 R5는 각각 독립적으로, 수소 원자인 것이 바람직하다.It is preferable that each of R 4 and R 5 independently represents a hydrogen atom.

R4 및 R5의 예로서는, 수소 원자, 또는, 알킬기, 사이클로알킬기, 알콕시기, 알킬에터기, 알킬실릴기, 알콕시실릴기, 아릴기, 아릴에터기, 카복시기, 카보닐기, 알릴기, 바이닐기, 복소환기, 혹은, 이들을 2 이상 조합한 기 등을 들 수 있다.Examples of R 4 and R 5 include a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkyl ether group, an alkylsilyl group, an alkoxysilyl group, an aryl group, an aryl ether group, a carboxy group, a carbonyl group, an allyl group, and a vinyl group. group, a heterocyclic group, or a group in which two or more of these are combined.

상기 알킬기로서는, 탄소수 1~10의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~6의 알킬기가 보다 바람직하다. 상기 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 아이소프로필기, 2-에틸헥실기 등을 들 수 있다.As said alkyl group, a C1-C10 alkyl group is preferable, and a C1-C6 alkyl group is more preferable. As said alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, an isopropyl group, 2-ethylhexyl group etc. are mentioned, for example.

상기 사이클로알킬기로서는, 탄소수 5~10의 사이클로알킬기가 바람직하고, 탄소수 6~10의 사이클로알킬기가 보다 바람직하다. 상기 사이클로알킬기로서는, 예를 들면, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기 및 사이클로헥실기 등을 들 수 있다.As said cycloalkyl group, a C5-C10 cycloalkyl group is preferable, and a C6-C10 cycloalkyl group is more preferable. As said cycloalkyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, etc. are mentioned, for example.

상기 알콕시기로서는, 탄소수 1~10의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1~5의 알콕시기가 보다 바람직하다. 상기 알콕시기로서는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 뷰톡시기 및 펜톡시기 등을 들 수 있다.As said alkoxy group, a C1-C10 alkoxy group is preferable, and a C1-C5 alkoxy group is more preferable. As said alkoxy group, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a pentoxy group, etc. are mentioned.

상기 알콕시실릴기로서는, 탄소수 1~10의 알콕시실릴기가 바람직하고, 탄소수 1~4의 알콕시실릴기가 보다 바람직하다. 상기 알콕시실릴기로서는, 메톡시실릴기, 에톡시실릴기, 프로폭시실릴기 및 뷰톡시실릴기 등을 들 수 있다.As said alkoxysilyl group, a C1-C10 alkoxysilyl group is preferable, and a C1-C4 alkoxysilyl group is more preferable. As said alkoxysilyl group, a methoxysilyl group, an ethoxysilyl group, a propoxysilyl group, a butoxysilyl group, etc. are mentioned.

상기 아릴기로서는, 탄소수 6~20의 아릴기가 바람직하고, 탄소수 6~12의 아릴기가 보다 바람직하다. 상기 아릴기는, 알킬기 등의 치환기를 갖고 있어도 된다. 상기 아릴기로서는, 페닐기, 톨릴기, 자일릴기 및 나프틸기 등을 들 수 있다.As said aryl group, a C6-C20 aryl group is preferable, and a C6-C12 aryl group is more preferable. The said aryl group may have substituents, such as an alkyl group. As said aryl group, a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a naphthyl group, etc. are mentioned.

상기 복소환기로서는, 트라이아졸환, 피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 이미다졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피라졸환, 아이소옥사졸환, 아이소싸이아졸환, 테트라졸환, 피리딘환, 피리다진환, 피리미딘환, 피라진환, 피페리딘환, 피페리딘, 피페라진환, 모폴린환, 다이하이드로피란환, 테트라하이드로피란기, 트라이아진환 등의 복소환 구조로부터 수소 원자를 1개 제거한 기 등을 들 수 있다.Examples of the heterocyclic group include a triazole ring, a pyrrole ring, a furan ring, a thiophene ring, an imidazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a pyrazole ring, an isoxazole ring, an isothiazole ring, a tetrazole ring, a pyridine ring, and a pyridine ring. One hydrogen atom from a heterocyclic structure such as a multijin ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a piperidine ring, a piperidine ring, a piperazine ring, a morpholine ring, a dihydropyran ring, a tetrahydropyran group, and a triazine ring. Removed group etc. are mentioned.

싸이오유레아 구조를 갖는 화합물은, 싸이오유레아 구조를 2 이상 갖는 화합물이어도 되지만, 싸이오유레아 구조를 1개 갖는 화합물인 것이 바람직하다.The compound having a thiourea structure may be a compound having two or more thiourea structures, but is preferably a compound having one thiourea structure.

싸이오유레아 구조를 갖는 화합물은, 하기 식 (T-2)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.The compound having a thiourea structure is preferably a compound represented by the following formula (T-2).

[화학식 66][Formula 66]

Figure pct00067
Figure pct00067

식 (T-2) 중, R4~R7은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R4~R7 중 적어도 2개는 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 된다.In formula (T-2), R 4 to R 7 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, and at least two of R 4 to R 7 may be bonded to each other to form a ring structure.

식 (T-2) 중, R4 및 R5는 식 (T-1) 중의 R4 및 R5와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.In formula (T-2), R 4 and R 5 have the same meanings as R 4 and R 5 in formula (T-1), and preferred embodiments are also the same.

식 (T-2) 중, R6 및 R7은 각각 독립적으로, 1가의 유기기인 것이 바람직하다.In formula (T-2), it is preferable that each of R 6 and R 7 independently represents a monovalent organic group.

식 (T-2) 중, R6 및 R7에 있어서의 1가의 유기기의 바람직한 양태는, 식 (T-1) 중의 R4 및 R5에 있어서의 1가의 유기기의 바람직한 양태와 동일하다.In the formula (T-2), preferred embodiments of the monovalent organic group for R 6 and R 7 are the same as preferred embodiments of the monovalent organic group for R 4 and R 5 in the formula (T-1). .

싸이오유레아 구조를 갖는 화합물의 예로서는, N-아세틸싸이오유레아, N-알릴싸이오유레아, N-알릴-N'-(2-하이드록시에틸)싸이오유레아, 1-아다만틸싸이오유레아, N-벤조일싸이오유레아, N,N'-다이페닐싸이오유레아, 1-벤질-페닐싸이오유레아, 1,3-다이뷰틸싸이오유레아, 1,3-다이아이소프로필싸이오유레아, 1,3-다이사이클로헥실싸이오유레아, 1-(3-(트라이메톡시실릴)프로필)-3-메틸싸이오유레아, 트라이메틸싸이오유레아, 테트라메틸싸이오유레아, N,N-다이페닐싸이오유레아, 에틸렌싸이오유레아(2-이미다졸린싸이온), 카비마졸, 1,3-다이메틸-2-싸이오하이단토인 등을 들 수 있다.Examples of compounds having a thiourea structure include N-acetylthiourea, N-allylthiourea, N-allyl-N'-(2-hydroxyethyl)thiourea, and 1-adamantylthiourea. , N-benzoylthiourea, N,N'-diphenylthiourea, 1-benzyl-phenylthiourea, 1,3-dibutylthiourea, 1,3-diisopropylthiourea, 1 ,3-dicyclohexylthiourea, 1-(3-(trimethoxysilyl)propyl)-3-methylthiourea, trimethylthiourea, tetramethylthiourea, N,N-diphenylthio Ourea, ethylenethiourea (2-imidazoline thione), carbimazole, 1,3-dimethyl-2-thiohydantoin, etc. are mentioned.

〔함유량〕〔content〕

본 발명의 경화성 수지 조성물의 전체 질량에 대한, 설폰아마이드 구조를 갖는 화합물 및 싸이오유레아 구조를 갖는 화합물의 합계 함유량은, 0.05~10질량%인 것이 바람직하고, 0.1~5질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.2~3질량%인 것이 더 바람직하다.The total content of the compound having a sulfonamide structure and the compound having a thiourea structure with respect to the total mass of the curable resin composition of the present invention is preferably 0.05 to 10% by mass, and more preferably 0.1 to 5% by mass. And, it is more preferably 0.2 to 3% by mass.

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 설폰아마이드 구조를 갖는 화합물 및 싸이오유레아 구조를 갖는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물을, 1종만 포함해도 되고, 2종 이상을 포함해도 된다. 1종만 포함하는 경우에는 그 화합물의 함유량이, 2종 이상을 포함하는 경우에는 그 합계량이, 상기의 범위가 되는 것이 바람직하다.The curable resin composition of the present invention may contain only one or two or more compounds selected from the group consisting of compounds having a sulfonamide structure and compounds having a thiourea structure. When containing only 1 type, when content of the compound contains 2 or more types, it is preferable that the total amount becomes said range.

<중합 금지제><Polymerization inhibitor>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 중합 금지제를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that curable resin composition of this invention contains a polymerization inhibitor.

중합 금지제로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, o-메톡시페놀, 메톡시하이드로퀴논, p-메톡시페놀, 다이-tert-뷰틸-p-크레졸, 파이로갈롤, p-tert-뷰틸카테콜(t-뷰틸카테콜), 1,4-벤조퀴논, 다이페닐-p-벤조퀴논, 4,4'-싸이오비스(3-메틸-6-tert-뷰틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-tert-뷰틸페놀), N-나이트로소-N-페닐하이드록시아민알루미늄염, 페노싸이아진, N-나이트로소다이페닐아민, N-페닐나프틸아민, 에틸렌다이아민 사아세트산, 1,2-사이클로헥세인다이아민 사아세트산, 글라이콜에터다이아민 사아세트산, 2,6-다이-tert-뷰틸-4-메틸페놀, 5-나이트로소-8-하이드록시퀴놀린, 1-나이트로소-2-나프톨, 2-나이트로소-1-나프톨, 2-나이트로소-5-(N-에틸-N-설포프로필아미노)페놀, N-나이트로소페닐하이드록시아민 제1 세륨염, N-나이트로소-N-(1-나프틸)하이드록시아민암모늄염, 비스(4-하이드록시-3,5-tert-뷰틸)페닐메테인, N,N'-다이페닐-p-페닐렌다이아민, 2,4-다이-tert-뷰틸페놀, 다이-t-뷰틸하이드록시톨루엔, 1,4-나프토퀴논, 1,3,5-트리스(4-t-뷰틸-3-하이드록시-2,6-다이메틸벤질)-1,3,5-트라이아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트라이온, 4-­하이드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼, 페노싸이아진, 1,1-다이페닐-2-피크릴하이드라질, 다이뷰틸다이싸이오카바네이트 구리(II), 나이트로벤젠, N-나이트로소-N-페닐하이드록실아민알루미늄염, N-나이트로소-N-페닐하이드록실아민암모늄염 등이 적합하게 이용된다. 또, 일본 공개특허공보 2015-127817호의 단락 0060에 기재된 중합 금지제, 및, 국제 공개공보 제2015/125469호의 단락 0031~0046에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.Examples of the polymerization inhibitor include hydroquinone, o-methoxyphenol, methoxyhydroquinone, p-methoxyphenol, di-tert-butyl-p-cresol, pyrogallol, and p-tert-butylcatechol. (t-butylcatechol), 1,4-benzoquinone, diphenyl-p-benzoquinone, 4,4'-thiobis(3-methyl-6-tert-butylphenol), 2,2'-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), N-nitroso-N-phenylhydroxyamine aluminum salt, phenothiazine, N-nitrosodiphenylamine, N-phenylnaphthylamine, ethylenediamine Tetraacetic acid, 1,2-cyclohexanediamine tetraacetic acid, glycoletherdiamine tetraacetic acid, 2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol, 5-nitroso-8-hydroxyquinoline , 1-nitroso-2-naphthol, 2-nitroso-1-naphthol, 2-nitroso-5-(N-ethyl-N-sulfopropylamino)phenol, N-nitrosophenylhydroxy Amine monobasic cerium salt, N-nitroso-N-(1-naphthyl)hydroxyamine ammonium salt, bis(4-hydroxy-3,5-tert-butyl)phenylmethane, N,N'-di Phenyl-p-phenylenediamine, 2,4-di-tert-butylphenol, di-t-butylhydroxytoluene, 1,4-naphthoquinone, 1,3,5-tris(4-t-butyl -3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 4-hydroxy-2,2, 6,6-tetramethylpiperidine 1-oxyl free radical, phenothiazine, 1,1-diphenyl-2-picrylhydrazyl, dibutyldithiocarbanate copper(II), nitrobenzene, N - Nitroso-N-phenylhydroxylamine aluminum salt, N-nitroso-N-phenylhydroxylamine ammonium salt, etc. are used suitably. Moreover, the polymerization inhibitor of Paragraph 0060 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2015-127817, and Paragraph 0031 of International Publication No. 2015/125469 - the compound of 0046 can also be used.

또, 하기 화합물을 이용할 수 있다(Me는 메틸기이다).In addition, the following compounds can be used (Me is a methyl group).

[화학식 67][Formula 67]

Figure pct00068
Figure pct00068

본 발명의 경화성 수지 조성물이 중합 금지제를 갖는 경우, 중합 금지제의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.01~20.0질량%를 들 수 있으며, 0.01~5질량%인 것이 바람직하고, 0.02~3질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.05~2.5질량%인 것이 더 바람직하다.When curable resin composition of this invention has a polymerization inhibitor, content of polymerization inhibitor is 0.01-20.0 mass % with respect to the total solids of curable resin composition of this invention, and it is 0.01-5 mass % It is preferable, it is more preferable that it is 0.02-3 mass %, and it is still more preferable that it is 0.05-2.5 mass %.

중합 금지제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 중합 금지제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.1 type of polymerization inhibitor may be sufficient as it, and 2 or more types may be sufficient as it. When there are 2 or more types of polymerization inhibitors, it is preferable that the sum total is the said range.

<금속 접착성 개량제><Metal Adhesion Improver>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 전극이나 배선 등에 이용되는 금속 재료와의 접착성을 향상시키기 위한 금속 접착성 개량제를 포함하고 있는 것이 바람직하다. 금속 접착성 개량제로서는, 알루미늄계 접착 조제(助劑), 타이타늄계 접착 조제, 설폰아마이드 구조를 갖는 화합물 및 싸이오유레아 구조를 갖는 화합물, 인산 유도체 화합물, β 케토에스터 화합물, 아미노 화합물 등을 들 수 있다.The curable resin composition of the present invention preferably contains a metal adhesion improving agent for improving adhesion to metal materials used for electrodes, wiring, and the like. Examples of the metal adhesion improving agent include aluminum-based adhesive aids, titanium-based adhesive aids, compounds having a sulfonamide structure, compounds having a thiourea structure, phosphoric acid derivative compounds, β-ketoester compounds, amino compounds, and the like. there is.

〔알루미늄계 접착 조제〕[Aluminum-based adhesive aid]

알루미늄계 접착 조제로서는, 예를 들면, 알루미늄트리스(에틸아세토아세테이트), 알루미늄트리스(아세틸아세토네이트), 에틸아세토아세테이트알루미늄다이아이소프로필레이트 등을 들 수 있다.Examples of aluminum-based adhesive aids include aluminum tris (ethylacetoacetate), aluminum tris (acetylacetonate), and ethylacetoacetate aluminum diisopropylate.

금속 접착성 개량제로서는, 일본 공개특허공보 2014-186186호의 단락 0046~0049에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2013-072935호의 단락 0032~0043에 기재된 설파이드계 화합물을 이용할 수 있다.As a metal adhesion improver, the compound of Paragraph 0046 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2014-186186 - 0049, and the sulfide type compound of Paragraph 0032 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-072935 - 0043 can be used.

금속 접착성 개량제의 함유량은 특정 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1~30질량부이고, 보다 바람직하게는 0.5~15질량부의 범위이며, 더 바람직하게는 0.5~5질량부의 범위이다. 상기 하한값 이상으로 함으로써 패턴과 금속층의 접착성이 양호해지고, 상기 상한값 이하로 함으로써 패턴의 내열성, 기계 특성이 양호해진다. 금속 접착성 개량제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 2종 이상 이용하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The content of the metal adhesion improving agent is preferably 0.1 to 30 parts by mass, more preferably 0.5 to 15 parts by mass, and still more preferably 0.5 to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the specific resin. By using the above lower limit or more, the adhesion between the pattern and the metal layer becomes good, and by using the above upper limit or less, the heat resistance and mechanical properties of the pattern become good. The metal adhesion improver may be one type or two or more types. When using 2 or more types, it is preferable that the sum total is the said range.

<그 외의 첨가제><Other additives>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 본 발명의 효과가 얻어지는 범위에서, 필요에 따라, 각종 첨가물, 예를 들면, 증감제, 연쇄 이동제, 계면활성제, 고급 지방산 유도체, 무기 입자, 경화제, 경화 촉매, 충전제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 응집 방지제 등을 배합할 수 있다. 이들 첨가제를 배합하는 경우, 그 합계 배합량은 경화성 수지 조성물의 고형분의 3질량% 이하로 하는 것이 바람직하다.Curable resin composition of the present invention, as necessary, various additives such as sensitizers, chain transfer agents, surfactants, higher fatty acid derivatives, inorganic particles, curing agents, curing catalysts, fillers, as necessary, within the range where the effects of the present invention are obtained. , antioxidants, ultraviolet absorbers, anti-aggregation agents and the like can be blended. When blending these additives, the total blending amount is preferably 3% by mass or less of the solid content of the curable resin composition.

〔증감제〕[sensitizer]

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 증감제를 포함하고 있어도 된다. 증감제는, 특정 활성 방사선을 흡수하여 전자 여기 상태가 된다. 전자 여기 상태가 된 증감제는, 열경화 촉진제, 열라디칼 중합 개시제, 광라디칼 중합 개시제 등과 접촉하여, 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 발생한다. 이로써, 열경화 촉진제, 열라디칼 중합 개시제, 광라디칼 중합 개시제는 화학 변화를 일으켜 분해되어, 라디칼, 산 또는 염기를 생성한다.Curable resin composition of this invention may contain the sensitizer. A sensitizer absorbs specific actinic radiation and becomes an electronic excited state. The sensitizer in an electronically excited state comes into contact with a thermal curing accelerator, a thermal radical polymerization initiator, an optical radical polymerization initiator, and the like, and actions such as electron transfer, energy transfer, and heat generation occur. As a result, the thermal curing accelerator, thermal radical polymerization initiator, and photoradical polymerization initiator are decomposed by chemical change to generate radicals, acids, or bases.

증감제로서는, 예를 들면, 미힐러케톤, 4,4'-비스(다이에틸아미노)벤조페논, 2,5-비스(4'-다이에틸아미노벤잘)사이클로펜테인, 2,6-비스(4'-다이에틸아미노벤잘)사이클로헥산온, 2,6-비스(4'-다이에틸아미노벤잘)-4-메틸사이클로헥산온, 4,4'-비스(다이메틸아미노)칼콘, 4,4'-비스(다이에틸아미노)칼콘, p-다이메틸아미노신나밀리덴인단온, p-다이메틸아미노벤질리덴인단온, 2-(p-다이메틸아미노페닐바이페닐렌)-벤조싸이아졸, 2-(p-다이메틸아미노페닐바이닐렌)벤조싸이아졸, 2-(p-다이메틸아미노페닐바이닐렌)아이소나프토싸이아졸, 1,3-비스(4'-다이메틸아미노벤잘)아세톤, 1,3-비스(4'-다이에틸아미노벤잘)아세톤, 3,3'-카보닐-비스(7-다이에틸아미노쿠마린), 3-아세틸-7-다이메틸아미노쿠마린, 3-에톡시카보닐-7-다이메틸아미노쿠마린, 3-벤질옥시카보닐-7-다이메틸아미노쿠마린, 3-메톡시카보닐-7-다이에틸아미노쿠마린, 3-에톡시카보닐-7-다이에틸아미노쿠마린, N-페닐-N'-에틸에탄올아민, N-페닐다이에탄올아민, N-p-톨릴다이에탄올아민, N-페닐에탄올아민, 4-모폴리노벤조페논, 다이메틸아미노벤조산 아이소아밀, 다이에틸아미노벤조산 아이소아밀, 2-머캅토벤즈이미다졸, 1-페닐-5-머캅토테트라졸, 2-머캅토벤조싸이아졸, 2-(p-다이메틸아미노스타이릴)벤즈옥사졸, 2-(p-다이메틸아미노스타이릴)벤조싸이아졸, 2-(p-다이메틸아미노스타이릴)나프토(1,2-d)싸이아졸, 2-(p-다이메틸아미노벤조일)스타이렌, 다이페닐아세트아마이드, 벤즈아닐라이드, N-메틸아세트아닐라이드, 3',4'-다이메틸아세트아닐라이드 등을 들 수 있다.Examples of the sensitizer include Michler's ketone, 4,4'-bis(diethylamino)benzophenone, 2,5-bis(4'-diethylaminobenzal)cyclopentane, 2,6-bis( 4'-diethylaminobenzal)cyclohexanone, 2,6-bis(4'-diethylaminobenzal)-4-methylcyclohexanone, 4,4'-bis(dimethylamino)chalcone, 4,4 '-bis(diethylamino)chalcone, p-dimethylaminocinnamylideneindanone, p-dimethylaminobenzylideneindanone, 2-(p-dimethylaminophenylbiphenylene)-benzothiazole, 2 -(p-dimethylaminophenylvinylene)benzothiazole, 2-(p-dimethylaminophenylvinylene)isonaphthothiazole, 1,3-bis(4'-dimethylaminobenzal)acetone, 1 ,3-bis(4'-diethylaminobenzal)acetone, 3,3'-carbonyl-bis(7-diethylaminocoumarin), 3-acetyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-ethoxycarbonyl -7-dimethylaminocoumarin, 3-benzyloxycarbonyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-methoxycarbonyl-7-diethylaminocoumarin, 3-ethoxycarbonyl-7-diethylaminocoumarin, N-phenyl-N'-ethylethanolamine, N-phenyldiethanolamine, N-p-tolyldiethanolamine, N-phenylethanolamine, 4-morpholinobenzophenone, dimethylaminobenzoic acid isoamyl, diethylaminobenzoic acid Isoamyl, 2-mercaptobenzimidazole, 1-phenyl-5-mercaptotetrazole, 2-mercaptobenzothiazole, 2-(p-dimethylaminostyryl)benzoxazole, 2-(p- Dimethylaminostyryl) benzothiazole, 2-(p-dimethylaminostyryl)naphtho(1,2-d)thiazole, 2-(p-dimethylaminobenzoyl)styrene, diphenylacetamide , benzanilide, N-methylacetanilide, 3',4'-dimethylacetanilide, and the like.

증감제로서는, 증감 색소를 이용해도 된다.As a sensitizer, you may use a sensitizing dye.

증감 색소의 상세에 대해서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0161~0163의 기재를 참조할 수 있으며, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.About the detail of a sensitizing dye, Paragraph 0161 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2016-027357 - description of 0163 can be considered into consideration, and this content is integrated in this specification.

본 발명의 경화성 수지 조성물이 증감제를 포함하는 경우, 증감제의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.01~20질량%인 것이 바람직하고, 0.1~15질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.5~10질량%인 것이 더 바람직하다. 증감제는, 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.When the curable resin composition of the present invention contains a sensitizer, the content of the sensitizer is preferably 0.01 to 20% by mass, and more preferably 0.1 to 15% by mass with respect to the total solid content of the curable resin composition of the present invention. It is preferable, and it is more preferable that it is 0.5-10 mass %. A sensitizer may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

〔연쇄 이동제〕[Chain transfer agent]

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 연쇄 이동제를 함유해도 된다. 연쇄 이동제는, 예를 들면 고분자 사전 제3판(고분자 학회 편, 2005년) 683-684페이지에 정의되어 있다. 연쇄 이동제로서는, 예를 들면, 분자 내에 SH, PH, SiH, 및 GeH를 갖는 화합물군이 이용된다. 이들은, 저활성의 라디칼에 수소를 공여하여, 라디칼을 생성하거나, 혹은, 산화된 후, 탈프로톤함으로써 라디칼을 생성할 수 있다. 특히, 싸이올 화합물을 바람직하게 이용할 수 있다.Curable resin composition of this invention may contain a chain transfer agent. The chain transfer agent is defined, for example, on pages 683-684 of the Polymer Dictionary, 3rd edition (ed., 2005). As the chain transfer agent, for example, a group of compounds having SH, PH, SiH, and GeH in the molecule are used. These can generate radicals by donating hydrogen to radicals with low activity to generate radicals, or by deprotonating after being oxidized. In particular, a thiol compound can be preferably used.

또, 연쇄 이동제는, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0152~0153에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.Moreover, as a chain transfer agent, Paragraph 0152 of International Publication No. 2015/199219 - the compound of 0153 can also be used.

본 발명의 경화성 수지 조성물이 연쇄 이동제를 갖는 경우, 연쇄 이동제의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분 100질량부에 대하여, 0.01~20질량부가 바람직하고, 1~10질량부가 보다 바람직하며, 1~5질량부가 더 바람직하다. 연쇄 이동제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 연쇄 이동제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.When the curable resin composition of the present invention has a chain transfer agent, the content of the chain transfer agent is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total solids of the curable resin composition of the present invention. , 1 to 5 parts by mass are more preferable. 1 type of chain transfer agent may be sufficient as it, and 2 or more types may be sufficient as it. When there are 2 or more types of chain transfer agents, it is preferable that the sum total is the said range.

〔계면활성제〕〔Surfactants〕

본 발명의 경화성 수지 조성물에는, 도포성을 보다 향상시키는 관점에서, 계면활성제를 첨가해도 된다. 계면활성제로서는, 불소계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등의 각 종류의 계면활성제를 사용할 수 있다. 또, 하기 계면활성제도 바람직하다. 하기 식 중, 주쇄의 반복 단위를 나타내는 괄호는 각 반복 단위의 함유량(몰%)을, 측쇄의 반복 단위를 나타내는 괄호는 각 반복 단위의 반복수를 각각 나타낸다.You may add surfactant to curable resin composition of this invention from a viewpoint of further improving applicability. As surfactant, each kind of surfactant, such as a fluorochemical surfactant, a nonionic surfactant, a cationic surfactant, anionic surfactant, and a silicone type surfactant, can be used. Moreover, the following surfactants are also preferable. In the following formula, parentheses indicating the repeating unit of the main chain indicate the content (mol%) of each repeating unit, and parentheses indicating the repeating unit of the side chain indicate the repeating number of each repeating unit.

[화학식 68][Formula 68]

Figure pct00069
Figure pct00069

또, 계면활성제는, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0159~0165에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.Moreover, Paragraph 0159 of International Publication No. 2015/199219 - the compound of 0165 can also be used for surfactant.

불소계 계면활성제는, 에틸렌성 불포화기를 측쇄에 갖는 함불소 중합체를 불소계 계면활성제로서 이용할 수도 있다. 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2010-164965호의 단락 0050~0090 및 단락 0289~0295에 기재된 화합물, 예를 들면 DIC(주)제의 메가팍 RS-101, RS-102, RS-718K 등을 들 수 있다.As the fluorochemical surfactant, a fluoropolymer having an ethylenically unsaturated group in the side chain may be used as the fluorochemical surfactant. Specific examples include the compounds described in paragraphs 0050 to 0090 and paragraphs 0289 to 0295 of JP-A-2010-164965, for example, DIC Co., Ltd. Megafac RS-101, RS-102, RS-718K, etc. there is.

불소계 계면활성제 중의 불소 함유율은, 3~40질량%가 적합하고, 보다 바람직하게는 5~30질량%이며, 특히 바람직하게는 7~25질량%이다. 불소 함유율이 이 범위 내인 불소계 계면활성제는, 도포막의 두께의 균일성이나 액 절감성의 점에서 효과적이며, 조성물 중에 있어서의 용해성도 양호하다.The fluorine content in the fluorine-based surfactant is preferably 3 to 40% by mass, more preferably 5 to 30% by mass, and particularly preferably 7 to 25% by mass. A fluorine-based surfactant having a fluorine content within this range is effective in terms of the uniformity of the thickness of the coating film and liquid saving, and has good solubility in the composition.

실리콘계 계면활성제로서는, 예를 들면, 도레이 실리콘 DC3PA, 도레이 실리콘 SH7PA, 도레이 실리콘 DC11PA, 도레이 실리콘 SH21PA, 도레이 실리콘 SH28PA, 도레이 실리콘 SH29PA, 도레이 실리콘 SH30PA, 도레이 실리콘 SH8400(이상, 도레이·다우코닝(주)제), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4460, TSF-4452(이상, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈사제), KP341, KF6001, KF6002(이상, 신에쓰 실리콘(주)제), BYK307, BYK323, BYK330(이상, 빅케미(주)제) 등을 들 수 있다.As the silicone surfactant, for example, Toray Silicone DC3PA, Toray Silicone SH7PA, Toray Silicone DC11PA, Toray Silicone SH21PA, Toray Silicone SH28PA, Toray Silicone SH29PA, Toray Silicone SH30PA, Toray Silicone SH8400 (above, Toray Dow Corning Co., Ltd.) product), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4460, TSF-4452 (above, manufactured by Momentive Performance Materials Co., Ltd.), KP341, KF6001, KF6002 (above, manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) ), BYK307, BYK323, BYK330 (above, manufactured by Big Chemie Co., Ltd.), and the like.

탄화 수소계 계면활성제로서는, 예를 들면, 파이오닌 A-76, 뉴칼젠 FS-3PG, 파이오닌 B-709, 파이오닌 B-811-N, 파이오닌 D-1004, 파이오닌 D-3104, 파이오닌 D-3605, 파이오닌 D-6112, 파이오닌 D-2104-D, 파이오닌 D-212, 파이오닌 D-931, 파이오닌 D-941, 파이오닌 D-951, 파이오닌 E-5310, 파이오닌 P-1050-B, 파이오닌 P-1028-P, 파이오닌 P-4050-T(이상, 다케모토 유시사제) 등을 들 수 있다.Examples of hydrocarbon-based surfactants include Pionin A-76, Newcalzen FS-3PG, Pionin B-709, Pionin B-811-N, Pionin D-1004, Pionin D-3104, Pionin Pionin D-3605, Pionin D-6112, Pionin D-2104-D, Pionin D-212, Pionin D-931, Pionin D-941, Pionin D-951, Pionin E-5310, Pionin Pionin P-1050-B, Pionin P-1028-P, Pionin P-4050-T (above, Takemoto Yushi Co., Ltd.), etc. are mentioned.

비이온형 계면활성제로서는, 글리세롤, 트라이메틸올프로페인, 트라이메틸올에테인 및 그들의 에톡실레이트 및 프로폭실레이트(예를 들면, 글리세롤프로폭실레이트, 글리세롤에톡실레이트 등), 폴리옥시에틸렌라우릴에터, 폴리옥시에틸렌스테아릴에터, 폴리옥시에틸렌올레일에터, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에터, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에터, 폴리에틸렌글라이콜다이라우레이트, 폴리에틸렌글라이콜다이스테아레이트, 소비탄 지방산 에스터, 플루로닉 L10, L31, L61, L62, 10R5, 17R2, 25R2(BASF사제), 테트로닉 304, 701, 704, 901, 904, 150R1(BASF사제), 솔스퍼스 20000(니혼 루브리졸(주)제), NCW-101, NCW-1001, NCW-1002(와코 준야쿠 고교(주)제), 파이오닌 D-6112, D-6112-W, D-6315(다케모토 유시(주)제), 올핀 E1010, 서피놀 104, 400, 440(닛신 가가쿠 고교(주)제) 등을 들 수 있다.Examples of nonionic surfactants include glycerol, trimethylolpropane, trimethylolethane and their ethoxylates and propoxylates (for example, glycerol propoxylate and glycerol ethoxylate), polyoxyethylene lauryl Ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octylphenyl ether, polyoxyethylene nonylphenyl ether, polyethylene glycol dilaurate, polyethylene glycol distearate , Sorbitan fatty acid ester, Pluronic L10, L31, L61, L62, 10R5, 17R2, 25R2 (manufactured by BASF), Tetronic 304, 701, 704, 901, 904, 150R1 (manufactured by BASF), Solsperse 20000 (Nippon) Lubrizol Co., Ltd.), NCW-101, NCW-1001, NCW-1002 (Wako Junyaku Kogyo Co., Ltd.), Pionein D-6112, D-6112-W, D-6315 (Takemoto Yushi ( Co., Ltd.), Olfin E1010, Surfynol 104, 400, 440 (Nisshin Chemical Industry Co., Ltd.), etc. are mentioned.

양이온형 계면활성제로서 구체적으로는, 오가노실록세인폴리머 KP341(신에쓰 가가쿠 고교(주)제), (메트)아크릴산계 (공)중합체 폴리플로 No. 75, No. 77, No. 90, No. 95(교에이샤 가가쿠(주)제), W001(유쇼(주)제) 등을 들 수 있다.Specifically, as the cationic surfactant, organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.), (meth)acrylic acid-based (co)polymer Polyflow No. 75, no. 77, no. 90, no. 95 (made by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), W001 (made by Yusho Co., Ltd.), etc. are mentioned.

음이온형 계면활성제로서 구체적으로는, W004, W005, W017(유쇼(주)제), 산뎃 BL(산요 가세이(주)제) 등을 들 수 있다.Specifically as anionic surfactant, W004, W005, W017 (made by Yusho Co., Ltd.), Sandet BL (made by Sanyo Kasei Co., Ltd.), etc. are mentioned.

본 발명의 경화성 수지 조성물이 계면활성제를 갖는 경우, 계면활성제의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.001~2.0질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.005~1.0질량%이다. 계면활성제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 계면활성제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.When the curable resin composition of the present invention has a surfactant, the content of the surfactant is preferably 0.001 to 2.0% by mass, more preferably 0.005 to 1.0% by mass with respect to the total solid content of the curable resin composition of the present invention. to be. 1 type of surfactant may be sufficient as it, and 2 or more types may be sufficient as it. When there are 2 or more types of surfactants, it is preferable that the sum total is the said range.

〔고급 지방산 유도체〕[Higher Fatty Acid Derivatives]

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 산소에 기인하는 중합 저해를 방지하기 위하여, 베헨산이나 베헨산 아마이드와 같은 고급 지방산 유도체를 첨가하여, 도포 후의 건조의 과정에서 경화성 수지 조성물의 표면에 편재시켜도 된다.In the curable resin composition of the present invention, in order to prevent inhibition of polymerization due to oxygen, a higher fatty acid derivative such as behenic acid or behenic acid amide may be added and unevenly distributed on the surface of the curable resin composition during drying after application.

또, 고급 지방산 유도체는, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0155에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.Moreover, the compound of Paragraph 0155 of International Publication No. 2015/199219 can also be used for a higher fatty acid derivative.

본 발명의 경화성 수지 조성물이 고급 지방산 유도체를 갖는 경우, 고급 지방산 유도체의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.1~10질량%인 것이 바람직하다. 고급 지방산 유도체는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 고급 지방산 유도체가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.When the curable resin composition of the present invention has a higher fatty acid derivative, the content of the higher fatty acid derivative is preferably 0.1 to 10% by mass with respect to the total solid content of the curable resin composition of the present invention. 1 type of higher fatty acid derivative may be sufficient as it, and 2 or more types may be sufficient as it. When two or more types of higher fatty acid derivatives are used, it is preferable that the total is within the above range.

〔열중합 개시제〕[Thermal polymerization initiator]

본 발명의 수지 조성물은, 열중합 개시제를 포함해도 되고, 특히 열라디칼 중합 개시제를 포함해도 된다. 열라디칼 중합 개시제는, 열의 에너지에 의하여 라디칼을 발생하여, 중합성을 갖는 화합물의 중합 반응을 개시 또는 촉진시키는 화합물이다. 열라디칼 중합 개시제를 첨가함으로써 수지 및 중합성 화합물의 중합 반응을 진행시킬 수도 있으므로, 보다 내용제성을 향상시킬 수 있다.The resin composition of the present invention may contain a thermal polymerization initiator, and particularly may contain a thermal radical polymerization initiator. A thermal radical polymerization initiator is a compound that generates radicals by thermal energy to initiate or accelerate a polymerization reaction of a polymerizable compound. Since the polymerization reaction of resin and a polymeric compound can also advance by adding a thermal radical polymerization initiator, solvent resistance can be improved more.

열라디칼 중합 개시제로서, 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2008-063554호의 단락 0074~0118에 기재되어 있는 화합물을 들 수 있다.As a thermal radical polymerization initiator, specifically, the compound described in Paragraph 0074 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-063554 - 0118 is mentioned.

열중합 개시제를 포함하는 경우, 그 함유량은, 본 발명의 수지 조성물의 전고형분에 대하여 0.1~30질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~20질량%이며, 더 바람직하게는 0.5~15질량%이다. 열중합 개시제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 열중합 개시제를 2종 이상 함유하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.When a thermal polymerization initiator is included, the content thereof is preferably 0.1 to 30% by mass, more preferably 0.1 to 20% by mass, and further preferably 0.5 to 15% by mass with respect to the total solid content of the resin composition of the present invention. is mass %. The thermal polymerization initiator may contain only 1 type, and may contain 2 or more types. When containing 2 or more types of thermal polymerization initiators, it is preferable that the total amount is the said range.

〔무기 입자〕[Inorganic Particles]

본 발명의 수지 조성물은, 무기 입자를 포함해도 된다. 무기 입자로서, 구체적으로는, 탄산 칼슘, 인산 칼슘, 실리카, 카올린, 탤크, 이산화 타이타늄, 알루미나, 황산 바륨, 불화 칼슘, 불화 리튬, 제올라이트, 황화 몰리브데넘, 유리 등을 포함할 수 있다.The resin composition of the present invention may also contain inorganic particles. Specific examples of inorganic particles include calcium carbonate, calcium phosphate, silica, kaolin, talc, titanium dioxide, alumina, barium sulfate, calcium fluoride, lithium fluoride, zeolite, molybdenum sulfide, glass and the like.

상기 무기 입자의 평균 입자경으로서는, 0.01~2.0μm가 바람직하고, 0.02~1.5μm가 보다 바람직하며, 0.03~1.0μm가 더 바람직하고, 0.04~0.5μm가 특히 바람직하다.The average particle diameter of the inorganic particles is preferably 0.01 to 2.0 μm, more preferably 0.02 to 1.5 μm, still more preferably 0.03 to 1.0 μm, and particularly preferably 0.04 to 0.5 μm.

상기 평균 입자경의 무기 입자를 함유시킴으로써, 경화막의 기계 특성과 노광광의 산란 억제를 양립시킬 수 있다.By containing the inorganic particles having the above-mentioned average particle size, the mechanical properties of the cured film and scattering suppression of exposure light can be made compatible.

〔자외선 흡수제〕[Ultraviolet rays absorber]

본 발명의 조성물은, 자외선 흡수제를 포함하고 있어도 된다. 자외선 흡수제로서는, 살리실레이트계, 벤조페논계, 벤조트라이아졸계, 치환 아크릴로나이트릴계, 트라이아진계 등의 자외선 흡수제를 사용할 수 있다.The composition of the present invention may contain a ultraviolet absorber. As the ultraviolet absorber, ultraviolet absorbers such as salicylate type, benzophenone type, benzotriazole type, substituted acrylonitrile type, and triazine type can be used.

살리실레이트계 자외선 흡수제의 예로서는, 페닐살리실레이트, p-옥틸페닐살리실레이트, p-t-뷰틸페닐살리실레이트 등을 들 수 있으며, 벤조페논계 자외선 흡수제의 예로서는, 2,2'-다이하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2,2'-다이하이드록시-4,4'-다이메톡시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2-하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2,4-다이하이드록시벤조페논, 2-하이드록시-4-옥톡시벤조페논 등을 들 수 있다. 또, 벤조트라이아졸계 자외선 흡수제의 예로서는, 2-(2'-하이드록시-3',5'-다이-tert-뷰틸페닐)-5-클로로벤조트라이아졸, 2-(2'-하이드록시-3'-tert-뷰틸-5'-메틸페닐)-5-클로로벤조트라이아졸, 2-(2'-하이드록시-3'-tert-아밀-5'-아이소뷰틸페닐)-5-클로로벤조트라이아졸, 2-(2'-하이드록시-3'-아이소뷰틸-5'-메틸페닐)-5-클로로벤조트라이아졸, 2-(2'-하이드록시-3'-아이소뷰틸-5'-프로필페닐)-5-클로로벤조트라이아졸, 2-(2'-하이드록시-3',5'-다이-tert-뷰틸페닐)벤조트라이아졸, 2-(2'-하이드록시-5'-메틸페닐)벤조트라이아졸, 2-[2'-하이드록시-5'-(1,1,3,3-테트라메틸)페닐]벤조트라이아졸 등을 들 수 있다.Examples of salicylate-based ultraviolet absorbers include phenyl salicylate, p-octylphenyl salicylate, and p-t-butylphenyl salicylate. Examples of benzophenone-based ultraviolet absorbers include 2,2'-dihydride Roxy-4-methoxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenone, 2,2',4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2-hydroxy- 4-methoxy benzophenone, 2,4-dihydroxy benzophenone, 2-hydroxy-4-octoxy benzophenone, etc. are mentioned. In addition, examples of benzotriazole-based ultraviolet absorbers include 2-(2'-hydroxy-3',5'-di-tert-butylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-(2'-hydroxy- 3'-tert-butyl-5'-methylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-(2'-hydroxy-3'-tert-amyl-5'-isobutylphenyl)-5-chlorobenzotriazole , 2-(2'-hydroxy-3'-isobutyl-5'-methylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-(2'-hydroxy-3'-isobutyl-5'-propylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2-(2'-hydroxy-3',5'-di-tert-butylphenyl)benzotriazole, 2-(2'-hydroxy-5'-methylphenyl)benzotriazole azoles, 2-[2'-hydroxy-5'-(1,1,3,3-tetramethyl)phenyl]benzotriazole, and the like.

치환 아크릴로나이트릴계 자외선 흡수제의 예로서는, 2-사이아노-3,3-다이페닐아크릴산 에틸, 2-사이아노-3,3-다이페닐아크릴산 2-에틸헥실 등을 들 수 있다. 또한, 트라이아진계 자외선 흡수제의 예로서는, 2-[4-[(2-하이드록시-3-도데실옥시프로필)옥시]-2-하이드록시페닐]-4,6-비스(2,4-다이메틸페닐)-1,3,5-트라이아진, 2-[4-[(2-하이드록시-3-트라이데실옥시프로필)옥시]-2-하이드록시페닐]-4,6-비스(2,4-다이메틸페닐)-1,3,5-트라이아진, 2-(2,4-다이하이드록시페닐)-4,6-비스(2,4-다이메틸페닐)-1,3,5-트라이아진 등의 모노(하이드록시페닐)트라이아진 화합물; 2,4-비스(2-하이드록시-4-프로필옥시페닐)-6-(2,4-다이메틸페닐)-1,3,5-트라이아진, 2,4-비스(2-하이드록시-3-메틸-4-프로필옥시페닐)-6-(4-메틸페닐)-1,3,5-트라이아진, 2,4-비스(2-하이드록시-3-메틸-4-헥실옥시페닐)-6-(2,4-다이메틸페닐)-1,3,5-트라이아진 등의 비스(하이드록시페닐)트라이아진 화합물; 2,4-비스(2-하이드록시-4-뷰톡시페닐)-6-(2,4-다이뷰톡시페닐)-1,3,5-트라이아진, 2,4,6-트리스(2-하이드록시-4-옥틸옥시페닐)-1,3,5-트라이아진, 2,4,6-트리스[2-하이드록시-4-(3-뷰톡시-2-하이드록시프로필옥시)페닐]-1,3,5-트라이아진 등의 트리스(하이드록시페닐)트라이아진 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the substituted acrylonitrile-based ultraviolet absorber include ethyl 2-cyano-3,3-diphenyl acrylate, 2-ethylhexyl 2-cyano-3,3-diphenyl acrylate and the like. Further, as an example of the triazine-based ultraviolet absorber, 2-[4-[(2-hydroxy-3-dodecyloxypropyl)oxy]-2-hydroxyphenyl]-4,6-bis(2,4-di Methylphenyl) -1,3,5-triazine, 2-[4-[(2-hydroxy-3-tridecyloxypropyl)oxy]-2-hydroxyphenyl]-4,6-bis(2,4 -Dimethylphenyl)-1,3,5-triazine, 2-(2,4-dihydroxyphenyl)-4,6-bis(2,4-dimethylphenyl)-1,3,5-triazine, etc. Mono (hydroxyphenyl) triazine compounds of; 2,4-bis(2-hydroxy-4-propyloxyphenyl)-6-(2,4-dimethylphenyl)-1,3,5-triazine, 2,4-bis(2-hydroxy-3 -Methyl-4-propyloxyphenyl)-6-(4-methylphenyl)-1,3,5-triazine, 2,4-bis(2-hydroxy-3-methyl-4-hexyloxyphenyl)-6 bis(hydroxyphenyl)triazine compounds such as -(2,4-dimethylphenyl)-1,3,5-triazine; 2,4-bis(2-hydroxy-4-butoxyphenyl)-6-(2,4-dibutoxyphenyl)-1,3,5-triazine, 2,4,6-tris(2- Hydroxy-4-octyloxyphenyl)-1,3,5-triazine, 2,4,6-tris[2-hydroxy-4-(3-butoxy-2-hydroxypropyloxy)phenyl]- and tris(hydroxyphenyl)triazine compounds such as 1,3,5-triazine.

본 발명에 있어서는, 상기 각종 자외선 흡수제는 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.In this invention, the said various ultraviolet absorbers may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

본 발명의 조성물은, 자외선 흡수제를 포함해도 되고 포함하지 않아도 되지만, 포함하는 경우, 자외선 흡수제의 함유량은, 본 발명의 조성물의 전고형분 질량에 대하여, 0.001질량% 이상 1질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.01질량% 이상 0.1질량% 이하인 것이 보다 바람직하다.The composition of the present invention may or may not contain a ultraviolet absorber, but when it is included, the content of the ultraviolet absorber is preferably 0.001% by mass or more and 1% by mass or less with respect to the total solid mass of the composition of the present invention, It is more preferable that it is 0.01 mass % or more and 0.1 mass % or less.

〔유기 타이타늄 화합물〕[organic titanium compound]

본 실시형태의 수지 조성물은, 유기 타이타늄 화합물을 함유해도 된다. 수지 조성물이 유기 타이타늄 화합물을 함유함으로써, 저온에서 경화한 경우이더라도 내약품성이 우수한 수지층을 형성할 수 있다.The resin composition of the present embodiment may contain an organic titanium compound. By containing the organic titanium compound in the resin composition, a resin layer having excellent chemical resistance can be formed even when cured at a low temperature.

사용 가능한 유기 타이타늄 화합물로서는, 타이타늄 원자에 유기기가 공유 결합 또는 이온 결합을 통하여 결합하고 있는 것을 들 수 있다.Examples of usable organic titanium compounds include those in which an organic group is bonded to a titanium atom through a covalent bond or an ionic bond.

유기 타이타늄 화합물의 구체예를, 이하의 I)~VII)로 나타낸다:Specific examples of the organic titanium compound are shown in the following I) to VII):

I) 타이타늄킬레이트 화합물: 그중에서도, 네거티브형 감광성 수지 조성물의 보존 안정성이 우수하고, 양호한 경화 패턴이 얻어지는 점에서, 알콕시기를 2개 이상 갖는 타이타늄킬레이트 화합물이 보다 바람직하다. 구체적인 예는, 타이타늄비스(트라이에탄올아민)다이아이소프로폭사이드, 타이타늄다이(n-뷰톡사이드)비스(2,4-펜테인다이오네이트), 타이타늄다이아이소프로폭사이드비스(2,4-펜테인다이오네이트), 타이타늄다이아이소프로폭사이드비스(테트라메틸헵테인다이오네이트), 타이타늄다이아이소프로폭사이드비스(에틸아세토아세테이트) 등이다.I) Titanium chelate compound: Especially, the titanium chelate compound which has 2 or more alkoxy groups is more preferable at the point which is excellent in the storage stability of a negative photosensitive resin composition, and a favorable curing pattern is obtained. Specific examples include titanium bis(triethanolamine) diisopropoxide, titanium di(n-butoxide)bis(2,4-pentanedionate), titanium diisopropoxide bis(2,4-phen theindionate), titanium diisopropoxide bis(tetramethylheptanedionate), titanium diisopropoxide bis(ethylacetoacetate), and the like.

II) 테트라알콕시타이타늄 화합물: 예를 들면, 타이타늄테트라(n-뷰톡사이드), 타이타늄테트라에톡사이드, 타이타늄테트라(2-에틸헥소옥사이드), 타이타늄테트라아이소뷰톡사이드, 타이타늄테트라아이소프로폭사이드, 타이타늄테트라메톡사이드, 타이타늄테트라메톡시프로폭사이드, 타이타늄테트라메틸페녹사이드, 타이타늄테트라(n-노닐옥사이드), 타이타늄테트라(n-프로폭사이드), 타이타늄테트라스테아릴옥사이드, 타이타늄테트라키스[비스{2,2-(아릴옥시메틸)뷰톡사이드}] 등이다.II) Tetraalkoxytitanium compounds: For example, titanium tetra(n-butoxide), titanium tetraethoxide, titanium tetra(2-ethylhexoxide), titanium tetraisobutoxide, titanium tetraisopropoxide, titanium Tetramethoxide, titanium tetramethoxypropoxide, titanium tetramethylphenoxide, titanium tetra(n-nonyloxide), titanium tetra(n-propoxide), titanium tetrastearyl oxide, titanium tetrakis[bis{2] ,2-(aryloxymethyl)butoxide}] and the like.

III) 타이타노센 화합물: 예를 들면, 펜타메틸사이클로펜타다이엔일타이타늄트라이메톡사이드, 비스(η5-2,4-사이클로펜타다이엔-1-일)비스(2,6-다이플루오로페닐)타이타늄, 비스(η5-2,4-사이클로펜타다이엔-1-일)비스(2,6-다이플루오로-3-(1H-피롤-1-일)페닐)타이타늄 등이다.III) titanocene compounds: eg pentamethylcyclopentadienyltitanium trimethoxide, bis(η5-2,4-cyclopentadien-1-yl)bis(2,6-difluorophenyl ) titanium, bis(η5-2,4-cyclopentadien-1-yl)bis(2,6-difluoro-3-(1H-pyrrol-1-yl)phenyl)titanium, and the like.

IV) 모노알콕시타이타늄 화합물: 예를 들면, 타이타늄트리스(다이옥틸포스페이트)아이소프로폭사이드, 타이타늄트리스(도데실벤젠설포네이트)아이소프로폭사이드 등이다.IV) Monoalkoxy titanium compounds: For example, titanium tris (dioctyl phosphate) isopropoxide, titanium tris (dodecylbenzenesulfonate) isopropoxide and the like.

V) 타이타늄옥사이드 화합물: 예를 들면, 타이타늄옥사이드비스(펜테인다이오네이트), 타이타늄옥사이드비스(테트라메틸헵테인다이오네이트), 프탈로사이아닌타이타늄옥사이드 등이다.V) Titanium oxide compounds: For example, titanium oxide bis(pentanedionate), titanium oxide bis(tetramethylheptanedionate), phthalocyanine titanium oxide and the like.

VI) 타이타늄테트라아세틸아세토네이트 화합물: 예를 들면, 타이타늄테트라아세틸아세토네이트 등이다.VI) Titanium tetraacetylacetonate compounds: For example, titanium tetraacetylacetonate and the like.

VII) 타이타네이트 커플링제: 예를 들면, 아이소프로필트라이도데실벤젠설폰일타이타네이트 등이다.VII) Titanate coupling agent: For example, isopropyl tridodecylbenzenesulfonyl titanate and the like.

그중에서도, 유기 타이타늄 화합물로서는, 상기 I) 타이타늄킬레이트 화합물, II) 테트라알콕시타이타늄 화합물, 및 III) 타이타노센 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인 것이, 보다 양호한 내약품성을 나타낸다는 관점에서 바람직하다. 특히, 타이타늄다이아아이소프로폭사이드비스(에틸아세토아세테이트), 타이타늄테트라(n-뷰톡사이드), 및 비스(η5-2,4-사이클로펜타다이엔-1-일)비스(2,6-다이플루오로-3-(1H-피롤-1-일)페닐)타이타늄이 바람직하다.Among them, the viewpoint that the organic titanium compound is at least one compound selected from the group consisting of the above-mentioned I) titanium chelate compound, II) tetraalkoxytitanium compound, and III) titanocene compound, which exhibits better chemical resistance. preferred in In particular, titanium diisopropoxide bis(ethylacetoacetate), titanium tetra(n-butoxide), and bis(η5-2,4-cyclopentadien-1-yl)bis(2,6-difluoro Rho-3-(1H-pyrrol-1-yl)phenyl)titanium is preferred.

유기 타이타늄 화합물을 배합하는 경우, 그 배합량은, 환화 수지의 전구체 100질량부에 대하여, 0.05~10질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~2질량부이다. 배합량이 0.05질량부 이상인 경우, 얻어지는 경화 패턴에 양호한 내열성 및 내약품성이 발현하며, 한편 10질량부 이하인 경우, 조성물의 보존 안정성이 우수하다.When blending the organotitanium compound, the compounding amount is preferably 0.05 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 2 parts by mass, based on 100 parts by mass of the precursor of the cyclized resin. When the compounding amount is 0.05 parts by mass or more, good heat resistance and chemical resistance are exhibited in the resulting cured pattern, while when it is 10 parts by mass or less, the storage stability of the composition is excellent.

〔산화 방지제〕[Antioxidant]

본 발명의 조성물은, 산화 방지제를 포함하고 있어도 된다. 첨가제로서 산화 방지제를 함유함으로써, 경화 후의 막의 신도 특성이나, 금속 재료와의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 산화 방지제로서는, 페놀 화합물, 아인산 에스터 화합물, 싸이오에터 화합물 등을 들 수 있다. 페놀 화합물로서는, 페놀계 산화 방지제로서 알려진 임의의 페놀 화합물을 사용할 수 있다. 바람직한 페놀 화합물로서는, 힌더드 페놀 화합물을 들 수 있다. 페놀성 하이드록시기에 인접하는 부위(오쏘위)에 치환기를 갖는 화합물이 바람직하다. 상술한 치환기로서는 탄소수 1~22의 치환 또는 무치환의 알킬기가 바람직하다. 또, 산화 방지제는, 동일 분자 내에 페놀기와 아인산 에스터기를 갖는 화합물도 바람직하다. 또, 산화 방지제는, 인계 산화 방지제도 적합하게 사용할 수 있다. 인계 산화 방지제로서는 트리스[2-[[2,4,8,10-테트라키스(1,1-다이메틸에틸)다이벤조[d,f][1,3,2]다이옥사포스페핀-6-일]옥시]에틸]아민, 트리스[2-[(4,6,9,11-테트라-tert-뷰틸다이벤조[d,f][1,3,2]다이옥사포스페핀-2-일)옥시]에틸]아민, 아인산 에틸비스(2,4-다이-tert-뷰틸-6-메틸페닐) 등을 들 수 있다. 산화 방지제의 시판품으로서는, 예를 들면, 아데카 스타브 AO-20, 아데카 스타브 AO-30, 아데카 스타브 AO-40, 아데카 스타브 AO-50, 아데카 스타브 AO-50F, 아데카 스타브 AO-60, 아데카 스타브 AO-60G, 아데카 스타브 AO-80, 아데카 스타브 AO-330(이상, (주)ADEKA제) 등을 들 수 있다. 또, 산화 방지제는, 일본 특허공보 제6268967호의 단락 번호 0023~0048에 기재된 화합물을 사용할 수도 있다. 또, 본 발명의 조성물은, 필요에 따라, 잠재 산화 방지제를 함유해도 된다. 잠재 산화 방지제로서는, 산화 방지제로서 기능하는 부위가 보호기로 보호된 화합물이며, 100~250℃에서 가열하거나, 또는 산/염기 촉매 존재하에서 80~200℃에서 가열함으로써 보호기가 탈리되어 산화 방지제로서 기능하는 화합물을 들 수 있다. 잠재 산화 방지제로서는, 국제 공개공보 제2014/021023호, 국제 공개공보 제2017/030005호, 일본 공개특허공보 2017-008219호에 기재된 화합물을 들 수 있다. 잠재 산화 방지제의 시판품으로서는, 아데카 아클즈 GPA-5001((주)ADEKA제) 등을 들 수 있다. 바람직한 산화 방지제의 예로서는, 2,2-싸이오비스(4-메틸-6-t-뷰틸페놀), 2,6-다이-t-뷰틸페놀 및 일반식 (3)으로 나타나는 화합물을 들 수 있다.The composition of the present invention may contain an antioxidant. By containing an antioxidant as an additive, elongation characteristics of the film after curing and adhesion to a metal material can be improved. As an antioxidant, a phenol compound, a phosphite compound, a thioether compound, etc. are mentioned. As the phenolic compound, any phenolic compound known as a phenolic antioxidant can be used. As a preferable phenol compound, a hindered phenol compound is mentioned. A compound having a substituent at a site adjacent to the phenolic hydroxy group (ortho position) is preferred. As the substituent described above, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 22 carbon atoms is preferable. Further, the antioxidant is also preferably a compound having a phenol group and a phosphite ester group in the same molecule. Moreover, a phosphorus antioxidant can also be used suitably as an antioxidant. As the phosphorus antioxidant, tris[2-[[2,4,8,10-tetrakis(1,1-dimethylethyl)dibenzo[d,f][1,3,2]dioxaphosphepine-6- yl]oxy]ethyl]amine, tris[2-[(4,6,9,11-tetra-tert-butyldibenzo[d,f][1,3,2]dioxaphosphepin-2-yl) oxy]ethyl]amine, phosphorous acid ethylbis(2,4-di-tert-butyl-6-methylphenyl), and the like. As a commercial item of an antioxidant, Adeka Stab AO-20, Adeka Stab AO-30, Adeka Stab AO-40, Adeka Stab AO-50, Adeka Stab AO-50F, for example, Adeka Stab AO-60, Adeka Stab AO-60G, Adeka Stab AO-80, Adeka Stab AO-330 (above, made by ADEKA Co., Ltd.), etc. are mentioned. Moreover, the compound of Paragraph No. 0023 - 0048 of Unexamined-Japanese-Patent No. 6268967 can also be used as an antioxidant. Moreover, the composition of this invention may contain a latent antioxidant as needed. As the latent antioxidant, the site functioning as an antioxidant is a compound protected by a protecting group, and the protecting group is released by heating at 100 to 250° C. or heating at 80 to 200° C. in the presence of an acid/base catalyst to function as an antioxidant. compounds can be mentioned. Examples of the latent antioxidant include compounds described in International Publication No. 2014/021023, International Publication No. 2017/030005, and Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-008219. As a commercial item of a latent antioxidant, Adeka Akles GPA-5001 (made by ADEKA Corporation) etc. are mentioned. Examples of preferable antioxidants include compounds represented by 2,2-thiobis(4-methyl-6-t-butylphenol), 2,6-di-t-butylphenol, and General Formula (3).

[화학식 69][Formula 69]

Figure pct00070
Figure pct00070

일반식 (3) 중, R5는 수소 원자 또는 탄소수 2 이상의 알킬기를 나타내고, R6은 탄소수 2 이상의 알킬렌기를 나타낸다. R7은, 탄소수 2 이상의 알킬렌기, O 원자, 및 N 원자 중 적어도 어느 하나를 포함하는 1~4가의 유기기를 나타낸다. k는 1~4의 정수를 나타낸다.In general formula (3), R5 represents a hydrogen atom or a C2 or more alkyl group, and R6 represents a C2 or more alkylene group. R7 represents a monovalent to tetravalent organic group containing at least any one of an alkylene group having 2 or more carbon atoms, an O atom, and an N atom. k represents an integer from 1 to 4;

일반식 (3)으로 나타나는 화합물은, 수지의 지방족기나 페놀성 수산기의 산화 열화를 억제한다. 또, 금속 재료에 대한 방청 작용에 의하여, 금속 산화를 억제할 수 있다.The compound represented by the general formula (3) suppresses oxidative deterioration of the aliphatic group or phenolic hydroxyl group of the resin. In addition, metal oxidation can be suppressed by the rust-preventive effect on the metal material.

수지와 금속 재료에 동시에 작용할 수 있기 때문에, k는 2~4의 정수가 보다 바람직하다. R7로서는, 알킬기, 사이클로알킬기, 알콕시기, 알킬에터기, 알킬실릴기, 알콕시실릴기, 아릴기, 아릴에터기, 카복실기, 카보닐기, 알릴기, 바이닐기, 복소환기, -O-, -NH-, -NHNH-, 그들을 조합한 것 등을 들 수 있으며, 치환기를 더 갖고 있어도 된다. 이 중에서도, 현상액에 대한 용해성이나 금속 밀착성의 점에서, 알킬에터, -NH-를 갖는 것이 바람직하고, 수지와의 상호 작용과 금속 착형성에 의한 금속 밀착성의 점에서 -NH-가 보다 바람직하다.Since it can act simultaneously on the resin and the metal material, k is more preferably an integer of 2 to 4. As R7, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkyl ether group, an alkylsilyl group, an alkoxysilyl group, an aryl group, an aryl ether group, a carboxyl group, a carbonyl group, an allyl group, a vinyl group, a heterocyclic group, -O-, - NH-, -NHNH-, what combined them, etc. are mentioned, You may have a substituent further. Among these, from the viewpoint of solubility in a developing solution and metal adhesion, those having alkyl ether and -NH- are preferable, and -NH- is more preferable from the viewpoint of interaction with resin and metal adhesion due to metal complexation. .

하기 일반식 (3)으로 나타나는 화합물은, 예로서는 이하의 것을 들 수 있지만, 하기 구조에 한정되지 않는다.Although the following are mentioned as an example of the compound represented by following General formula (3), It is not limited to the following structure.

[화학식 70][Formula 70]

Figure pct00071
Figure pct00071

[화학식 71][Formula 71]

Figure pct00072
Figure pct00072

[화학식 72][Formula 72]

Figure pct00073
Figure pct00073

[화학식 73][Formula 73]

Figure pct00074
Figure pct00074

산화 방지제의 첨가량은, 수지에 대하여, 0.1~10질량부가 바람직하고, 0.5~5질량부가 보다 바람직하다. 첨가량이 0.1질량부보다 적은 경우는, 신뢰성 후의 신도 특성이나 금속 재료에 대한 밀착성 향상의 효과가 얻어지기 어렵고, 또 10질량부보다 많은 경우는, 감광제와의 상호 작용에 의하여, 수지 조성물의 감도 저하를 초래할 우려가 있다. 산화 방지제는 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 이용해도 된다. 2종 이상을 이용하는 경우는, 그들의 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.The addition amount of the antioxidant is preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 5 parts by mass, based on the resin. When the addition amount is less than 0.1 parts by mass, it is difficult to obtain the effect of improving elongation characteristics after reliability and adhesion to metal materials, and when it is more than 10 parts by mass, the sensitivity of the resin composition decreases due to interaction with the photosensitizer. may cause Antioxidant may use only 1 type, and may use 2 or more types. When using 2 or more types, it is preferable that those total amounts become the said range.

<그 외의 함유 물질에 대한 제한><Restrictions on other substances contained>

본 발명의 경화성 수지 조성물의 수분 함유량은, 도포면 성상의 관점에서, 5질량% 미만이 바람직하고, 1질량% 미만이 보다 바람직하며, 0.6질량% 미만이 더 바람직하다. 수분의 함유량을 유지하는 방법으로서는, 보관 조건에 있어서의 습도의 조정, 수용 용기의 공극률 저감 등을 들 수 있다.The water content of the curable resin composition of the present invention is preferably less than 5% by mass, more preferably less than 1% by mass, and even more preferably less than 0.6% by mass, from the viewpoint of coated surface properties. As a method of maintaining the water content, humidity adjustment in storage conditions, reduction of the porosity of the storage container, and the like are exemplified.

본 발명의 경화성 수지 조성물의 금속 함유량은, 절연성의 관점에서, 5질량ppm(parts per million) 미만이 바람직하고, 1질량ppm 미만이 보다 바람직하며, 0.5질량ppm 미만이 더 바람직하다. 금속으로서는, 나트륨, 칼륨, 마그네슘, 칼슘, 철, 크로뮴, 니켈 등을 들 수 있다. 금속을 복수 포함하는 경우는, 이들 금속의 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.From an insulating viewpoint, the metal content of the curable resin composition of the present invention is preferably less than 5 ppm by mass (parts per million), more preferably less than 1 ppm by mass, and still more preferably less than 0.5 ppm by mass. As a metal, sodium, potassium, magnesium, calcium, iron, chromium, nickel, etc. are mentioned. When a plurality of metals are included, it is preferable that the sum of these metals is within the above range.

또, 본 발명의 경화성 수지 조성물에 의도치 않게 포함되는 금속 불순물을 저감시키는 방법으로서는, 본 발명의 경화성 수지 조성물을 구성하는 원료로서 금속 함유량이 적은 원료를 선택하거나, 본 발명의 경화성 수지 조성물을 구성하는 원료에 대하여 필터 여과를 행하거나, 장치 내를 폴리테트라플루오로에틸렌 등으로 라이닝하여 컨태미네이션을 가능한 한 억제한 조건하에서 증류를 행하는 등의 방법을 들 수 있다.In addition, as a method for reducing metal impurities unintentionally contained in the curable resin composition of the present invention, a raw material having a low metal content is selected as a raw material constituting the curable resin composition of the present invention, or the curable resin composition of the present invention is constituted A method of filtering the raw material to be treated, lining the inside of the apparatus with polytetrafluoroethylene or the like, and distilling under conditions in which contamination is suppressed as much as possible can be cited.

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 반도체 재료로서의 용도를 고려하면, 할로젠 원자의 함유량이, 배선 부식성의 관점에서, 500질량ppm 미만이 바람직하고, 300질량ppm 미만이 보다 바람직하며, 200질량ppm 미만이 더 바람직하다. 그중에서도, 할로젠 이온의 상태로 존재하는 것은, 5질량ppm 미만이 바람직하고, 1질량ppm 미만이 보다 바람직하며, 0.5질량ppm 미만이 더 바람직하다. 할로젠 원자로서는, 염소 원자 및 브로민 원자를 들 수 있다. 염소 원자 및 브로민 원자, 또는 염소 이온 및 브로민 이온의 합계가 각각 상기 범위인 것이 바람직하다.In the curable resin composition of the present invention, considering the use as a semiconductor material, the content of halogen atoms is preferably less than 500 ppm by mass, more preferably less than 300 ppm by mass, and less than 200 ppm by mass, from the viewpoint of wiring corrosiveness. this is more preferable Especially, as for what exists in the state of a halogen ion, less than 5 mass ppm is preferable, less than 1 mass ppm is more preferable, and less than 0.5 mass ppm is still more preferable. As a halogen atom, a chlorine atom and a bromine atom are mentioned. It is preferable that the sum of chlorine atoms and bromine atoms, or chlorine ions and bromine ions, respectively is within the above range.

할로젠 원자의 함유량을 조절하는 방법으로서는, 이온 교환 처리 등을 바람직하게 들 수 있다.As a method of adjusting the content of halogen atoms, ion exchange treatment or the like is preferably used.

본 발명의 경화성 수지 조성물의 수용 용기로서는 종래 공지의 수용 용기를 이용할 수 있다. 또, 수용 용기로서는, 원재료나 경화성 수지 조성물 중으로의 불순물 혼입을 억제하는 것을 목적으로, 용기 내벽을 6종 6층의 수지로 구성한 다층 보틀이나, 6종의 수지를 7층 구조로 한 보틀을 사용하는 것도 바람직하다. 이와 같은 용기로서는 예를 들면 일본 공개특허공보 2015-123351호에 기재된 용기를 들 수 있다.A conventionally well-known container can be used as a container for the curable resin composition of the present invention. In addition, as the storage container, a multi-layered bottle in which the inner wall of the container is composed of 6 types of 6-layered resins or a bottle in which 6 types of resins are used in a 7-layer structure is used for the purpose of suppressing the mixing of impurities into the raw materials and curable resin composition. It is also desirable to As such a container, the container of Unexamined-Japanese-Patent No. 2015-123351 is mentioned, for example.

<경화성 수지 조성물의 용도><Use of Curable Resin Composition>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 재배선층용 층간 절연막의 형성에 이용되는 것이 바람직하다.The curable resin composition of the present invention is preferably used for forming an interlayer insulating film for a redistribution layer.

또, 그 외에, 반도체 디바이스의 절연막의 형성, 또는, 스트레스 버퍼막의 형성 등에도 이용할 수 있다.In addition, it can also be used for forming an insulating film of a semiconductor device or forming a stress buffer film.

<경화성 수지 조성물의 조제><Preparation of Curable Resin Composition>

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 상기 각 성분을 혼합하여 조제할 수 있다. 혼합 방법은 특별히 한정은 없으며, 종래 공지의 방법으로 행할 수 있다.Curable resin composition of this invention can be prepared by mixing each said component. The mixing method is not particularly limited, and a conventionally known method can be used.

또, 경화성 수지 조성물 중의 분진이나 미립자 등의 이물을 제거할 목적으로, 필터를 이용한 여과를 행하는 것이 바람직하다. 필터 구멍 직경은, 1μm 이하가 바람직하고, 0.5μm 이하가 보다 바람직하며, 0.1μm 이하가 더 바람직하다. 한편, 생산성의 관점에서는, 5μm 이하가 바람직하고, 3μm 이하가 보다 바람직하며, 1μm 이하가 더 바람직하다. 필터의 재질은, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌 또는 나일론이 바람직하다. 필터는, 유기 용제로 미리 세정한 것을 이용해도 된다. 필터 여과 공정에서는, 복수 종의 필터를 직렬 또는 병렬로 접속하여 이용해도 된다. 복수 종의 필터를 사용하는 경우는, 구멍 직경 또는 재질이 상이한 필터를 조합하여 사용해도 된다. 또, 각종 재료를 복수 회 여과해도 된다. 복수 회 여과하는 경우는, 순환 여과여도 된다. 또, 가압하여 여과를 행해도 된다. 가압하여 여과를 행하는 경우, 가압하는 압력은 0.05MPa 이상 0.3MPa 이하가 바람직하다. 한편, 생산성의 관점에서는, 0.01MPa 이상 1.0MPa 이하가 바람직하고, 0.03MPa 이상 0.9MPa 이하가 보다 바람직하며, 0.05MPa 이상 0.7MPa 이하가 더 바람직하다.Moreover, it is preferable to perform filtration using a filter for the purpose of removing foreign substances such as dust and fine particles in the curable resin composition. The filter hole diameter is preferably 1 μm or less, more preferably 0.5 μm or less, and still more preferably 0.1 μm or less. On the other hand, from the viewpoint of productivity, it is preferably 5 μm or less, more preferably 3 μm or less, and even more preferably 1 μm or less. The material of the filter is preferably polytetrafluoroethylene, polyethylene or nylon. As the filter, one previously washed with an organic solvent may be used. In the filter filtration process, you may connect and use multiple types of filters in series or parallel. In the case of using a plurality of types of filters, filters having different pore diameters or materials may be used in combination. Moreover, you may filter various materials multiple times. When filtering multiple times, circulation filtration may be sufficient. Moreover, you may perform filtration by pressurizing. When filtration is performed by pressurization, the pressurized pressure is preferably 0.05 MPa or more and 0.3 MPa or less. On the other hand, from the viewpoint of productivity, 0.01 MPa or more and 1.0 MPa or less are preferable, 0.03 MPa or more and 0.9 MPa or less are more preferable, and 0.05 MPa or more and 0.7 MPa or less are still more preferable.

필터를 이용한 여과 외에, 흡착재를 이용한 불순물의 제거 처리를 행해도 된다. 필터 여과와 흡착재를 이용한 불순물 제거 처리를 조합해도 된다. 흡착재로서는, 공지의 흡착재를 이용할 수 있다. 예를 들면, 실리카 젤, 제올라이트 등의 무기계 흡착재, 활성탄 등의 유기계 흡착재를 들 수 있다.In addition to filtration using a filter, an impurity removal treatment using an adsorbent may be performed. Filter filtration and impurity removal treatment using an adsorbent may be combined. As the adsorbent, a known adsorbent can be used. Examples thereof include inorganic adsorbents such as silica gel and zeolite, and organic adsorbents such as activated carbon.

(수지막, 경화막, 적층체, 반도체 디바이스, 및 그들의 제조 방법)(Resin film, cured film, laminate, semiconductor device, and their manufacturing method)

다음으로, 수지막, 경화막, 적층체, 반도체 디바이스, 및 그들의 제조 방법에 대하여 설명한다.Next, a resin film, a cured film, a laminate, a semiconductor device, and their manufacturing method are described.

본 발명의 경화막은, 본 발명의 경화성 수지 조성물, 또는, 본 발명의 수지막을 경화하여 이루어진다. 본 발명의 경화막의 막두께는, 예를 들면, 0.5μm 이상으로 할 수 있으며, 1μm 이상으로 할 수 있다. 또, 상한값으로서는, 100μm 이하로 할 수 있으며, 30μm 이하로 할 수도 있다.The cured film of the present invention is obtained by curing the curable resin composition of the present invention or the resin film of the present invention. The film thickness of the cured film of the present invention can be, for example, 0.5 μm or more, or 1 μm or more. Moreover, as an upper limit, it can be 100 micrometers or less, and can also be 30 micrometers or less.

본 발명의 경화막을 2층 이상, 나아가서는, 3~7층 적층하여 적층체로 해도 된다. 본 발명의 적층체는, 경화막을 2층 이상 포함하고, 상기 경화막끼리 중 어느 하나의 사이에 금속층을 포함하는 양태가 바람직하다. 예를 들면, 제1 경화막, 금속층, 제2 경화막의 3개의 층이 이 순서로 적층된 층 구조를 적어도 포함하는 적층체를 바람직한 것으로서 들 수 있다. 상기 제1 경화막 및 상기 제2 경화막은, 모두 본 발명의 경화막이며, 예를 들면, 상기 제1 경화막 및 상기 제2 경화막 모두가, 본 발명의 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 막인 양태를 바람직한 것으로서 들 수 있다. 상기 제1 경화막의 형성에 이용되는 본 발명의 경화성 수지 조성물과, 상기 제2 경화막의 형성에 이용되는 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 조성이 동일한 조성물이어도 되고, 조성이 상이한 조성물이어도 된다. 본 발명의 적층체에 있어서의 금속층은, 재배선층 등의 금속 배선으로서 바람직하게 이용된다.It is good also as a laminated body by laminating the cured film of this invention in 2 or more layers, and also 3-7 layers. It is preferable that the layered product of the present invention includes two or more layers of cured films and includes a metal layer between any one of the cured films. For example, a laminated body containing at least a layered structure in which three layers of a first cured film, a metal layer, and a second cured film are laminated in this order is mentioned as a preferable one. The first cured film and the second cured film are both cured films of the present invention, and, for example, both the first cured film and the second cured film are films obtained by curing the curable resin composition of the present invention. can be mentioned as a preferable thing. The curable resin composition of the present invention used for forming the first cured film and the curable resin composition of the present invention used for forming the second cured film may be compositions having the same composition or different compositions. The metal layer in the laminate of the present invention is preferably used as metal wiring such as a redistribution layer.

본 발명의 경화막의 적용 가능한 분야로서는, 반도체 디바이스의 절연막, 재배선층용 층간 절연막, 스트레스 버퍼막 등을 들 수 있다. 그 외에, 밀봉 필름, 기판 재료(플렉시블 프린트 기판의 베이스 필름이나 커버 레이, 층간 절연막), 또는 상기와 같은 실장 용도의 절연막을 에칭으로 패턴 형성하는 것 등을 들 수 있다. 이들의 용도에 대해서는, 예를 들면, 사이언스&테크놀로지(주) "폴리이미드의 고기능화와 응용 기술" 2008년 4월, 가키모토 마사아키/감수, CMC 테크니컬 라이브러리 "폴리이미드 재료의 기초와 개발" 2011년 11월 발행, 일본 폴리이미드·방향족계 고분자 연구회/편 "최신 폴리이미드 기초와 응용" 엔·티·에스, 2010년 8월 등을 참조할 수 있다.Examples of applicable fields of the cured film of the present invention include insulating films for semiconductor devices, interlayer insulating films for redistribution layers, and stress buffer films. In addition, pattern formation of a sealing film, a substrate material (a base film or cover lay of a flexible printed circuit board, an interlayer insulating film), or an insulating film for mounting use as described above by etching may be used. Regarding their applications, for example, Science & Technology Co., Ltd. "Highly functional polyimide and application technology" April 2008, Masaaki Kakimoto/Supervisor, CMC Technical Library "Fundamentals and development of polyimide materials" 2011 Published in November, Japanese Polyimide and Aromatic Polymer Research Association/edition "Latest Polyimide Basics and Applications" N.T.S, August 2010, etc. can be referenced.

또, 본 발명에 있어서의 경화막은, 오프셋 판면 또는 스크린 판면 등의 판면의 제조, 성형 부품의 에칭에의 사용, 일렉트로닉스, 특히, 마이크로일렉트로닉스에 있어서의 보호 래커 및 유전층의 제조 등에도 이용할 수도 있다.In addition, the cured film in the present invention can also be used for the production of a plate surface such as an offset plate surface or a screen plate surface, use for etching of molded parts, manufacture of protective lacquer and dielectric layer in electronics, particularly microelectronics.

본 발명의 경화막의 제조 방법(이하, 간단히 "본 발명의 제조 방법"이라고도 한다.)은, 본 발명의 경화성 수지 조성물을 기재에 적용하여 막(수지막)을 형성하는 막형성 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The method for producing a cured film of the present invention (hereinafter also simply referred to as "the production method of the present invention") includes a film formation step of forming a film (resin film) by applying the curable resin composition of the present invention to a substrate. desirable.

본 발명의 경화막의 제조 방법은, 상기 막형성 공정, 및, 상기 막을 노광하는 노광 공정 및 상기 막을 현상하는 현상 공정을 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the manufacturing method of the cured film of this invention includes the said film formation process, the exposure process of exposing the said film, and the developing process of developing the said film.

또, 본 발명의 경화막의 제조 방법은, 상기 막형성 공정, 및, 필요에 따라 상기 현상 공정을 포함하고, 또한, 상기 막을 50~450℃에서 가열하는 가열 공정을 포함하는 것이 보다 바람직하다.Moreover, it is more preferable that the manufacturing method of the cured film of this invention includes the said film formation process and the said developing process as needed, and also includes the heating process of heating the said film at 50-450 degreeC.

구체적으로는, 이하의 (a)~(d)의 공정을 포함하는 것도 바람직하다.Specifically, it is also preferable to include the following steps (a) to (d).

(a) 경화성 수지 조성물을 기재에 적용하여 막(경화성 수지 조성물층)을 형성하는 막형성 공정(a) film formation step of forming a film (curable resin composition layer) by applying a curable resin composition to a substrate

(b) 막형성 공정 후, 막을 노광하는 노광 공정(b) exposure step of exposing the film to light after the film formation step

(c) 노광된 상기 막을 현상하는 현상 공정(c) a developing step of developing the exposed film

(d) 현상된 상기 막을 50~450℃에서 가열하는 가열 공정(d) a heating step of heating the developed film at 50 to 450 ° C.

상기 가열 공정에 있어서 가열함으로써, 노광으로 경화한 수지층을 더 경화시킬 수 있다. 이 가열 공정에서, 예를 들면 상술한 열염기 발생제가 분해되어, 충분한 경화성이 얻어진다.By heating in the said heating process, the resin layer hardened by exposure can be further hardened. In this heating step, for example, the heat base generator described above is decomposed, and sufficient curability is obtained.

본 발명의 바람직한 실시형태에 관한 적층체의 제조 방법은, 본 발명의 경화막의 제조 방법을 포함한다. 본 실시형태의 적층체의 제조 방법은, 상기의 경화막의 제조 방법에 따라, 경화막을 형성한 후, 재차, (a)의 공정, 또는 (a)~(c)의 공정, 또는 (a)~(d)의 공정을 더 행한다. 특히, 상기 각 공정을 순서대로, 복수 회, 예를 들면, 2~5회(즉, 합계로 3~6회) 행하는 것이 바람직하다. 이와 같이 경화막을 적층함으로써, 적층체로 할 수 있다. 본 발명에서는 특히 경화막을 마련한 부분의 위 또는 경화막의 사이, 또는 그 양자에 금속층을 마련하는 것이 바람직하다. 또한, 적층체의 제조에 있어서는, (a)~(d)의 공정을 모두 반복할 필요는 없으며, 상기와 같이, 적어도 (a), 바람직하게는 (a)~(c) 또는 (a)~(d)의 공정을 복수 회 행함으로써 경화막의 적층체를 얻을 수 있다.The method for producing a laminate according to a preferred embodiment of the present invention includes the method for producing a cured film of the present invention. The manufacturing method of the laminated body of this embodiment, after forming a cured film according to the manufacturing method of the said cured film, the process of (a) again, or the process of (a) - (c), or (a) - The process of (d) is further performed. In particular, it is preferable to perform each of the above steps in order, plural times, for example, 2 to 5 times (ie, 3 to 6 times in total). By laminating the cured film in this way, it can be set as a laminated body. In this invention, it is preferable to provide a metal layer especially on the part where the cured film was provided, or between cured films, or both. In addition, in the manufacture of the laminate, it is not necessary to repeat all of the steps (a) to (d), and as described above, at least (a), preferably (a) to (c) or (a) to A layered product of a cured film can be obtained by performing the process of (d) a plurality of times.

<막형성 공정(층형성 공정)><Film formation process (layer formation process)>

본 발명의 바람직한 실시형태에 관한 제조 방법은, 경화성 수지 조성물을 기재에 적용하여 막(층상)으로 하는, 막형성 공정(층형성 공정)을 포함한다.A manufacturing method according to a preferred embodiment of the present invention includes a film formation step (layer formation step) in which the curable resin composition is applied to a base material to form a film (layer form).

기재의 종류는, 용도에 따라 적절히 정할 수 있지만, 실리콘, 질화 실리콘, 폴리실리콘, 산화 실리콘, 어모퍼스 실리콘 등의 반도체 제작 기재, 석영, 유리, 광학 필름, 세라믹 재료, 증착막, 자성(磁性)막, 반사막, Ni, Cu, Cr, Fe 등의 금속 기재, 종이, SOG(Spin On Glass), TFT(박막 트랜지스터) 어레이 기재, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 전극판 등 특별히 제약되지 않는다. 또, 이들 기재에는 표면에 밀착층이나 산화층 등의 층이 마련되어 있어도 된다. 본 발명에서는, 특히, 반도체 제작 기재가 바람직하고, 실리콘 기재, Cu 기재 및 몰드 기재가 보다 바람직하다.The type of base material can be appropriately determined depending on the application, but semiconductor manufacturing base materials such as silicon, silicon nitride, polysilicon, silicon oxide, and amorphous silicon, quartz, glass, optical films, ceramic materials, vapor deposition films, magnetic films, A reflective film, a metal substrate such as Ni, Cu, Cr, Fe, paper, SOG (Spin On Glass), a TFT (Thin Film Transistor) array substrate, an electrode plate of a plasma display panel (PDP), and the like are not particularly limited. Moreover, layers, such as an adhesive layer and an oxide layer, may be provided on the surface of these base materials. In the present invention, semiconductor fabrication substrates are particularly preferred, and silicon substrates, Cu substrates, and mold substrates are more preferred.

또, 이들 기재에는 헥사메틸다이실라제인(HMDS) 등에 의한 밀착층이나 산화층 등의 층이 표면에 마련되어 있어도 된다.In addition, layers such as an adhesion layer or an oxide layer by hexamethyldisilazane (HMDS) or the like may be provided on the surface of these substrates.

또, 기재로서는, 예를 들면 판상의 기재(기판)가 이용된다.Moreover, as a base material, a plate-shaped base material (substrate) is used, for example.

기재의 형상은 특별히 한정되지 않으며, 원형상이어도 되고 직사각형상이어도 되지만, 직사각형상인 것이 바람직하다.The shape of the substrate is not particularly limited, and may be circular or rectangular, but a rectangular shape is preferred.

기재의 사이즈로서는, 원형상이면, 예를 들면 직경이 100~450mm이고, 바람직하게는 200~450mm이다. 직사각형상이면, 예를 들면 단변의 길이가 100~1000mm이고, 바람직하게는 200~700mm이다.As for the size of the substrate, if it is circular, the diameter is, for example, 100 to 450 mm, preferably 200 to 450 mm. If it is a rectangular shape, the length of a short side is 100-1000 mm, for example, Preferably it is 200-700 mm.

또, 수지층의 표면이나 금속층의 표면에 경화성 수지 조성물층을 형성하는 경우는, 수지층이나 금속층이 기재가 된다.Moreover, when forming a curable resin composition layer on the surface of a resin layer or the surface of a metal layer, a resin layer or a metal layer serves as a base material.

경화성 수지 조성물을 기재에 적용하는 수단으로서는, 도포가 바람직하다.As a means of applying the curable resin composition to the substrate, application is preferable.

구체적으로는, 적용하는 수단으로서는, 딥 코트법, 에어 나이프 코트법, 커튼 코트법, 와이어 바 코트법, 그라비어 코트법, 익스트루전 코트법, 스프레이 코트법, 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 및 잉크젯법 등이 예시된다. 경화성 수지 조성물층의 두께의 균일성의 관점에서, 보다 바람직하게는 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 스프레이 코트법, 잉크젯법이다. 방법에 따라 적절한 고형분 농도나 도포 조건을 조정함으로써, 원하는 두께의 수지층을 얻을 수 있다. 또, 기재의 형상에 따라서도 도포 방법을 적절히 선택할 수 있으며, 웨이퍼 등의 원형 기재이면 스핀 코트법이나 스프레이 코트법, 잉크젯법 등이 바람직하고, 직사각형 기재이면 슬릿 코트법이나 스프레이 코트법, 잉크젯법 등이 바람직하다. 스핀 코트법의 경우는, 예를 들면, 500~2,000rpm의 회전수로, 10초~1분 정도 적용할 수 있다.Specifically, as applied means, dip coating method, air knife coating method, curtain coating method, wire bar coating method, gravure coating method, extrusion coating method, spray coating method, spin coating method, slit coating method, and An inkjet method etc. are illustrated. From the viewpoint of the uniformity of the thickness of the curable resin composition layer, spin coating method, slit coating method, spray coating method, and inkjet method are more preferable. A resin layer having a desired thickness can be obtained by appropriately adjusting the solid content concentration and application conditions according to the method. In addition, the coating method can be appropriately selected depending on the shape of the substrate. For circular substrates such as wafers, spin coating, spray coating, or ink jetting are preferable, and for rectangular substrates, slit coating, spray coating, or inkjet methods are preferred. etc. are preferred. In the case of spin coating, it can be applied for about 10 seconds to 1 minute at a rotational speed of 500 to 2,000 rpm, for example.

또 감광성 수지 조성물의 점도나 설정하는 막두께에 따라서는, 300~3,500rpm의 회전수로, 10~180초 적용하는 것도 바람직하다. 또 막두께의 균일성을 얻기 위하여, 복수의 회전수를 조합하여 도포할 수도 있다.Moreover, it is also preferable to apply for 10 to 180 second at the rotation speed of 300-3,500 rpm depending on the viscosity of the photosensitive resin composition or the film thickness to set. Moreover, in order to obtain uniformity of film thickness, it is also possible to apply by combining a plurality of rotation speeds.

또, 미리 가(假)지지체 상에 상기 부여 방법에 따라 부여하여 형성한 도막을, 기재 상에 전사(轉寫)하는 방법을 적용할 수도 있다.In addition, a method of transferring a coating film formed by applying on a temporary support in advance according to the above application method onto a base material can also be applied.

전사 방법에 관해서는 일본 공개특허공보 2006-023696호의 단락 0023, 0036~0051이나, 일본 공개특허공보 2006-047592호의 단락 0096~0108에 기재된 제작 방법을 본 발명에 있어서도 적합하게 이용할 수 있다.Regarding the transfer method, the production methods described in paragraphs 0023 and 0036 to 0051 of JP2006-023696 and paragraphs 0096 to 0108 of JP2006-047592 can be suitably used in the present invention.

또, 기재의 단부에 있어서 여분의 막의 제거를 행하는 공정을 행해도 된다. 이와 같은 공정의 예에는, 에지 비드 린스(EBR), 에어 나이프, 백 린스 등을 들 수 있다.Moreover, you may perform the process of removing an excess film|membrane at the edge part of a base material. Examples of such a process include edge bead rinse (EBR), air knife, bag rinse, and the like.

또 수지 조성물을 기재에 도포하기 전에 기재에 다양한 용제를 도포하여, 기재의 젖음성을 향상시킨 후에 수지 조성물을 도포하는 프리웨트 공정을 채용해도 된다.Alternatively, a pre-wet process may be employed in which various solvents are applied to the substrate before the resin composition is applied to the substrate to improve wettability of the substrate, and then the resin composition is applied.

<건조 공정><Drying process>

본 발명의 제조 방법은, 막형성 공정(층형성 공정) 후에, 용제를 제거하기 위하여 건조하는 공정을 포함하고 있어도 된다. 바람직한 건조 온도는 50~150℃이고, 70℃~130℃가 보다 바람직하며, 90℃~110℃가 더 바람직하다. 건조 시간으로서는, 30초~20분이 예시되며, 1분~10분이 바람직하고, 3분~7분이 보다 바람직하다.The manufacturing method of this invention may include the process of drying in order to remove a solvent after a film formation process (layer formation process). A preferred drying temperature is 50 to 150°C, more preferably 70°C to 130°C, still more preferably 90°C to 110°C. As drying time, 30 seconds - 20 minutes are illustrated, 1 minute - 10 minutes are preferable, and 3 minutes - 7 minutes are more preferable.

<노광 공정><Exposure process>

본 발명의 제조 방법은, 상기 막(경화성 수지 조성물층)을 노광하는 노광 공정을 포함해도 된다. 노광량은, 경화성 수지 조성물을 경화할 수 있는 한 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면, 파장 365nm에서의 노광 에너지 환산으로 100~10,000mJ/cm2 조사하는 것이 바람직하고, 200~8,000mJ/cm2 조사하는 것이 보다 바람직하다.The production method of the present invention may also include an exposure step of exposing the film (curable resin composition layer). The exposure amount is not particularly determined as long as the curable resin composition can be cured, but is preferably 100 to 10,000 mJ/cm 2 irradiation, and 200 to 8,000 mJ/cm 2 irradiation, in terms of exposure energy at a wavelength of 365 nm, for example. It is more preferable to

노광 파장은, 190~1,000nm의 범위에서 적절히 정할 수 있으며, 240~550nm가 바람직하다.The exposure wavelength can be appropriately determined in the range of 190 to 1,000 nm, and is preferably 240 to 550 nm.

노광 파장은, 광원과의 관계로 말하면, (1) 반도체 레이저(파장 830nm, 532nm, 488nm, 405nm etc.), (2) 메탈할라이드 램프, (3) 고압 수은등, g선(파장 436nm), h선(파장 405nm), i선(파장 365nm), 브로드(g, h, i선의 3파장), (4) 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저(파장 248nm), ArF 엑시머 레이저(파장 193nm), F2 엑시머 레이저(파장 157nm), (5) 극단 자외선; EUV(파장 13.6nm), (6) 전자선, (7) YAG 레이저의 제2 고조파 532nm, 제3 고조파 355nm 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화성 수지 조성물에 대해서는, 특히 고압 수은등에 의한 노광이 바람직하고, 그중에서도, i선에 의한 노광이 바람직하다. 이로써, 특히 높은 노광 감도가 얻어질 수 있다.Regarding the exposure wavelength, in relation to the light source, (1) semiconductor laser (wavelength 830 nm, 532 nm, 488 nm, 405 nm etc.), (2) metal halide lamp, (3) high pressure mercury lamp, g-ray (wavelength 436 nm), h ray (wavelength 405nm), i-ray (wavelength 365nm), broad (three wavelengths of g, h, i-ray), (4) excimer laser, KrF excimer laser (wavelength 248nm), ArF excimer laser (wavelength 193nm), F2 excimer laser (wavelength 157 nm), (5) extreme ultraviolet; EUV (wavelength: 13.6 nm), (6) electron beam, (7) YAG laser second harmonic 532 nm, third harmonic 355 nm, and the like. Regarding the curable resin composition of the present invention, exposure by a high-pressure mercury lamp is particularly preferred, and exposure by i-line is particularly preferred. In this way, a particularly high exposure sensitivity can be obtained.

또 취급과 생산성의 관점에서는, 고압 수은등의 브로드(g, h, i선의 3파장) 광원이나 반도체 레이저 405nm도 적합하다.Further, from the viewpoint of handling and productivity, a high-pressure mercury lamp's broad (three wavelengths of g, h, and i lines) light sources or semiconductor lasers of 405 nm are also suitable.

<현상 공정><Development process>

본 발명의 제조 방법은, 노광된 막(경화성 수지 조성물층)에 대하여, 현상을 행하는(상기 막을 현상하는) 현상 공정을 포함해도 된다. 현상을 행함으로써, 노광되어 있지 않은 부분(비노광부)이 제거된다. 현상 방법은, 원하는 패턴을 형성할 수 있으면 특별히 제한은 없고, 예를 들면 노즐로부터의 현상액의 토출, 스프레이 분무, 기재의 현상액 침지 등을 들 수 있으며, 노즐로부터의 토출이 바람직하게 이용된다. 현상 공정에는, 현상액이 연속적으로 기재에 계속 공급되는 공정, 기재 상에서 현상액이 대략 정지 상태로 유지되는 공정, 현상액을 초음파 등으로 진동시키는 공정 및 그들을 조합한 공정 등이 채용 가능하다.The manufacturing method of the present invention may also include a developing step of performing development (developing the film) on the exposed film (curable resin composition layer). By developing, the unexposed part (unexposed part) is removed. The developing method is not particularly limited as long as a desired pattern can be formed, and examples thereof include ejection of a developing solution from a nozzle, spray spraying, and immersion of a substrate in a developing solution, and ejection from a nozzle is preferably used. As the developing step, a step in which the developing solution is continuously supplied to the substrate, a step in which the developing solution is maintained in a substantially stationary state on the substrate, a step in which the developing solution is vibrated by ultrasonic waves or the like, and a step in which they are combined are employable.

현상은 현상액을 이용하여 행한다.Development is performed using a developing solution.

현상액으로서는, 특별히 한정되지 않으며 공지의 것을 사용할 수 있지만, 유기 용제를 포함하는 현상액, 또는, 알칼리 수용액을 이용할 수 있다.The developing solution is not particularly limited and a known developer can be used, but a developing solution containing an organic solvent or an aqueous alkali solution can be used.

본 발명에서는, 현상액은, ClogP값이 -1~5인 유기 용제를 포함하는 것이 바람직하고, ClogP값이 0~3인 유기 용제를 포함하는 것이 보다 바람직하다. ClogP값은, ChemBioDraw에서 구조식을 입력하여 계산값으로서 구할 수 있다.In the present invention, the developing solution preferably contains an organic solvent having a ClogP value of -1 to 5, and more preferably contains an organic solvent having a ClogP value of 0 to 3. The ClogP value can be obtained as a calculated value by inputting a structural formula in ChemBioDraw.

현상액이 유기 용제를 포함하는 현상액인 경우, 유기 용제는, 에스터류로서, 예를 들면, 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 아세트산 아이소뷰틸, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, γ-뷰티로락톤, ε-카프로락톤, δ-발레로락톤, 알킬옥시아세트산 알킬(예: 알킬옥시아세트산 메틸, 알킬옥시아세트산 에틸, 알킬옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-알킬옥시프로피온산 메틸, 3-알킬옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-알킬옥시프로피온산 메틸, 2-알킬옥시프로피온산 에틸, 2-알킬옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸 등, 및, 에터류로서, 예를 들면, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등, 및, 케톤류로서, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈 등, 및, 환식 탄화 수소류로서, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌, 아니솔, 리모넨 등, 설폭사이드류로서 다이메틸설폭사이드를 적합하게 들 수 있으며, 또, 그들의 유기 용제의 혼합물도 적합하게 들 수 있다.When the developer is a developer containing an organic solvent, the organic solvent is esters, for example, ethyl acetate, n-butyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, isobutyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate , ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, ethyl lactate, γ-butyrolactone, ε-caprolactone, δ-valerolactone, alkyloxyacetate alkyl (e.g., alkyloxymethyl methyl acetate, alkyloxyacetate ethyl, alkyl butyl oxyacetate (e.g. methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, etc.), 3-alkyloxypropionic acid alkyl esters (e.g. 3-alkyl Methyl oxypropionate, 3-alkyloxyethylpropionate, etc. (e.g., 3-methoxymethylpropionate, 3-methoxyethylpropionate, 3-ethoxymethylpropionate, 3-ethoxyethylpropionate, etc.), 2-alkyl Alkyl oxypropionate (e.g., 2-alkyloxymethylpropionate, 2-alkyloxyethylpropionate, 2-alkyloxypropyl oxypropionate, etc. (e.g., 2-methoxymethylpropionate, 2-methoxyethylpropionate, 2- Propyl methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate)), 2-alkyloxy-2-methylmethylpropionate and 2-alkyloxy-2-methylethylpropionate (e.g. 2-methylpropionate) Toxy-2-methylmethylpropionate, 2-ethoxy-2-methylethylpropionate, etc.), methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl 2-oxobutanoate, 2-oxobutanoic acid Ethyl, etc., and as ethers, for example, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate , ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol Monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, etc., and ketones As the class, for example, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, 3-heptanone, N-methyl-2-pyrrolidone, etc., and as cyclic hydrocarbons, for example For example, toluene, xylene, anisole, limonene, etc. As sulfoxides, dimethyl sulfoxide is suitably mentioned, Moreover, the mixture of these organic solvents is also mentioned suitably.

현상액이 유기 용제를 포함하는 현상액인 경우, 본 발명에서는, 특히 사이클로펜탄온, γ-뷰티로락톤이 바람직하고, 사이클로펜탄온이 보다 바람직하다. 또 현상액이 유기 용제를 포함하는 경우, 유기 용제는 1종 또는, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.When the developing solution is a developing solution containing an organic solvent, in the present invention, cyclopentanone and γ-butyrolactone are particularly preferred, and cyclopentanone is more preferred. Moreover, when a developing solution contains an organic solvent, organic solvent can also be used 1 type or in mixture of 2 or more types.

현상액이 유기 용제를 포함하는 현상액인 경우, 현상액은, 50질량% 이상이 유기 용제인 것이 바람직하고, 70질량% 이상이 유기 용제인 것이 보다 바람직하며, 90질량% 이상이 유기 용제인 것이 더 바람직하다. 또, 현상액은, 100질량%가 유기 용제여도 된다.When the developer is a developer containing an organic solvent, the developer preferably contains 50% by mass or more of an organic solvent, more preferably 70% by mass or more of an organic solvent, and still more preferably 90% by mass or more of an organic solvent. Do. Moreover, 100 mass % of a developing solution may be an organic solvent.

현상액은, 다른 성분을 더 포함해도 된다.The developing solution may further contain other components.

다른 성분으로서는, 예를 들면, 공지의 계면활성제나 공지의 소포제 등을 들 수 있다.As another component, a well-known surfactant, a well-known antifoaming agent, etc. are mentioned, for example.

현상액이 알칼리 수용액인 경우, 알칼리 수용액이 포함할 수 있는 염기성 화합물로서는, TMAH(수산화 테트라메틸암모늄하이드록사이드), KOH(수산화 칼륨), 탄산 나트륨 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 TMAH이다. 현상액에 있어서의 염기성 화합물의 함유량은, 예를 들면 TMAH를 이용하는 경우, 현상액 전체 질량 중 0.01~10질량%가 바람직하고, 0.1~5질량%가 보다 바람직하며, 0.3~3질량%가 더 바람직하다.When the developing solution is an aqueous alkali solution, basic compounds that can be contained in the aqueous alkali solution include TMAH (tetramethylammonium hydroxide), KOH (potassium hydroxide), sodium carbonate, and the like, and TMAH is preferable. The content of the basic compound in the developing solution is preferably 0.01 to 10% by mass, more preferably 0.1 to 5% by mass, and even more preferably 0.3 to 3% by mass, based on the total mass of the developing solution, for example, when TMAH is used. .

〔현상액의 공급 방법〕[Supply Method of Developer]

현상액의 공급 방법은, 원하는 패턴을 형성할 수 있으면 특별히 제한은 없고, 기재를 현상액에 침지하는 방법, 기재 상에 노즐을 이용하여 현상액을 공급하는 퍼들 현상, 또는, 현상액을 연속 공급하는 방법이 있다. 노즐의 종류는 특별히 제한은 없고, 스트레이트 노즐, 샤워 노즐, 스프레이 노즐 등을 들 수 있다.The method of supplying the developer is not particularly limited as long as a desired pattern can be formed, and there are a method of immersing the substrate in the developer, a puddle phenomenon of supplying the developer onto the substrate using a nozzle, or a method of continuously supplying the developer. . The type of nozzle is not particularly limited, and examples thereof include straight nozzles, shower nozzles, and spray nozzles.

현상액의 침투성, 비화상부의 제거성, 제조상의 효율의 관점에서, 현상액을 스트레이트 노즐로 공급하는 방법, 또는 스프레이 노즐로 연속 공급하는 방법이 바람직하고, 화상부에 대한 현상액의 침투성의 관점에서는, 스프레이 노즐로 공급하는 방법이 보다 바람직하다.From the viewpoints of penetrability of the developer, removability of the non-image portion, and manufacturing efficiency, a method of supplying the developer through a straight nozzle or a method of continuously supplying the developer through a spray nozzle is preferable, and from the viewpoint of penetrability of the developer into the image portion, the spray The method of supplying with a nozzle is more preferable.

또, 현상액을 스트레이트 노즐로 연속 공급 후, 기재를 스핀하여 현상액을 기재 상으로부터 제거하고, 스핀 건조 후에 재차 스트레이트 노즐로 연속 공급 후, 기재를 스핀하여 현상액을 기재 상으로부터 제거하는 공정을 채용해도 되며, 이 공정을 복수 회 반복해도 된다.Alternatively, after continuously supplying the developing solution with a straight nozzle, the base material is spun to remove the developing solution from the base material, and after spin drying, a step of continuously supplying the developing solution with the straight nozzle again and then spinning the base material to remove the developing solution from the base material may be employed. , You may repeat this process multiple times.

또 현상 공정에 있어서의 현상액의 공급 방법으로서는, 현상액이 연속적으로 기재에 계속 공급되는 공정, 기재 상에서 현상액이 대략 정지 상태로 유지되는 공정, 기재 상에서 현상액을 초음파 등으로 진동시키는 공정 및 그들을 조합한 공정 등이 채용 가능하다.Further, as a method of supplying the developing solution in the developing step, a step in which the developing solution is continuously supplied to the substrate, a step in which the developing solution is maintained on the substrate in a substantially stationary state, a step in which the developing solution is vibrated on the substrate with ultrasonic waves or the like, and a process in which they are combined. etc. can be employed.

현상 시간으로서는, 5초~10분간이 바람직하고, 10초~5분이 보다 바람직하다. 현상 시의 현상액의 온도는, 특별히 정하는 것은 아니지만, 통상, 10~45℃, 바람직하게는, 20~40℃에서 행할 수 있다.As development time, 5 seconds - 10 minutes are preferable, and 10 seconds - 5 minutes are more preferable. The temperature of the developing solution at the time of development is not particularly determined, but is usually 10 to 45°C, preferably 20 to 40°C.

현상액을 이용한 처리 후, 추가로, 린스를 행해도 된다. 또, 패턴 상에 접하는 현상액이 완전히 건조되기 전에 린스액을 공급하는 등의 방법을 채용해도 된다. 린스는, 현상액과는 상이한 용제로 행하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 경화성 수지 조성물에 포함되는 용제를 이용하여 린스할 수 있다.You may further rinse after the process using a developing solution. Moreover, you may employ|adopt the method of supplying a rinse liquid before the developing solution which touches on a pattern is completely dried. It is preferable to rinse with a solvent different from the developing solution. For example, it can rinse using the solvent contained in curable resin composition.

현상액이 유기 용제를 포함하는 현상액인 경우, 린스액으로서는, PGMEA(프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트), IPA(아이소프로판올) 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 PGMEA이다. 또, 알칼리 수용액을 포함하는 현상액에 의한 현상에 대한 린스액으로서는, 물이 바람직하다.When the developing solution is a developing solution containing an organic solvent, examples of the rinsing solution include PGMEA (propylene glycol monoethyl ether acetate) and IPA (isopropanol), and PGMEA is preferable. Moreover, as a rinse liquid for image development with a developing solution containing an aqueous alkali solution, water is preferable.

린스 시간은, 10초~10분간이 바람직하고, 20초~5분간이 보다 바람직하며, 5초~1분이 더 바람직하다. 린스 시의 린스액의 온도는, 특별히 정하는 것은 아니지만, 바람직하게는, 10~45℃, 보다 바람직하게는, 18℃~30℃에서 행할 수 있다.The rinse time is preferably 10 seconds to 10 minutes, more preferably 20 seconds to 5 minutes, and still more preferably 5 seconds to 1 minute. The temperature of the rinsing liquid at the time of rinsing is not particularly determined, but is preferably 10 to 45°C, more preferably 18°C to 30°C.

린스액이 유기 용제를 포함하는 경우의 유기 용제로서는, 에스터류로서, 예를 들면, 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 아세트산 아이소뷰틸, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, γ-뷰티로락톤, ε-카프로락톤, δ-발레로락톤, 알킬옥시아세트산 알킬(예: 알킬옥시아세트산 메틸, 알킬옥시아세트산 에틸, 알킬옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-알킬옥시프로피온산 메틸, 3-알킬옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-알킬옥시프로피온산 메틸, 2-알킬옥시프로피온산 에틸, 2-알킬옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸 등, 및, 에터류로서, 예를 들면, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터(PGME), 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트(PGMEA), 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등, 및, 케톤류로서, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈 등, 및, 방향족 탄화 수소류로서, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌, 아니솔, 리모넨 등, 설폭사이드류로서 다이메틸설폭사이드, 및 알코올류로서, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 아이소프로판올, 뷰탄올, 펜탄올, 옥탄올, 다이에틸렌글라이콜, 프로필렌글라이콜, 메틸아이소뷰틸카비놀, 트라이에틸렌글라이콜 등, 및 아마이드류로서, N-메틸피롤리돈, N-에틸피롤리돈, 다이메틸폼아마이드 등을 적합하게 들 수 있다.Examples of the organic solvent in case the rinse liquid contains an organic solvent include esters such as ethyl acetate, n-butyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, isobutyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, Ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, ethyl lactate, γ-butyrolactone, ε-caprolactone, δ-valerolactone, alkyloxyacetate (e.g., methyl alkyloxyacetate, ethyl alkyloxyacetate, alkyloxy butyl acetate (e.g. methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, etc.), 3-alkyloxypropionic acid alkyl esters (e.g. 3-alkyloxy Methyl propionate, 3-alkyloxyethylpropionate, etc. (eg, 3-methoxymethylpropionate, 3-methoxyethylpropionate, 3-ethoxymethylpropionate, 3-ethoxyethylpropionate, etc.), 2-alkyloxy Alkyl esters of propionic acid (e.g., 2-alkyloxymethylpropionate, 2-alkyloxyethylpropionate, 2-alkyloxypropylpropionate, etc. (e.g., 2-methoxymethylpropionate, 2-methoxyethylpropionate, 2-methoxypropionate, Propyl oxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate)), 2-alkyloxy-2-methylmethylpropionate and 2-alkyloxy-2-methylethylpropionate (e.g. 2-methoxy -2-methylmethylpropionate, 2-ethoxy-2-methylethylpropionate, etc.), methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl 2-oxobutanoate, ethyl 2-oxobutanoate etc., and, as ethers, for example, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, Ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether (PGME), propylene glycol Lycol Monomethyl Ether Acetate (PGMEA), Propylene Glycol Monoethyl Ether Acetate, Propylene Glycol Monopropyl Ether Acetate etc., and as ketones, for example, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, 3-heptanone, N-methyl-2-pyrrolidone, etc., and aromatic hydrocarbons As a small group, for example, toluene, xylene, anisole, limonene, etc., as sulfoxides, dimethyl sulfoxide, and as alcohols, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, pentanol, octanol, Diethylene glycol, propylene glycol, methyl isobutyl carbinol, triethylene glycol, etc., and as amides, N-methylpyrrolidone, N-ethylpyrrolidone, dimethylformamide, etc. are suitable. can hear

린스액이 유기 용제를 포함하는 경우, 유기 용제는 1종 또는, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 본 발명에서는 특히 사이클로펜탄온, γ-뷰티로락톤, 다이메틸설폭사이드, N-메틸피롤리돈, 사이클로헥산온, PGMEA, PGME가 바람직하고, 사이클로펜탄온, γ-뷰티로락톤, 다이메틸설폭사이드, PGMEA, PGME가 보다 바람직하며, 사이클로헥산온, PGMEA가 더 바람직하다.When the rinse liquid contains an organic solvent, the organic solvent can be used alone or in combination of two or more. In the present invention, cyclopentanone, γ-butyrolactone, dimethylsulfoxide, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone, PGMEA, and PGME are particularly preferred, and cyclopentanone, γ-butyrolactone, dimethylsulfoxide Side, PGMEA, and PGME are more preferable, and cyclohexanone and PGMEA are still more preferable.

린스액이 유기 용제를 포함하는 경우, 린스액은, 50질량% 이상이 유기 용제인 것이 바람직하고, 70질량% 이상이 유기 용제인 것이 보다 바람직하며, 90질량% 이상이 유기 용제인 것이 더 바람직하다. 또, 린스액은, 100질량%가 유기 용제여도 된다.When the rinsing liquid contains an organic solvent, the rinsing liquid preferably contains 50% by mass or more of an organic solvent, more preferably 70% by mass or more of an organic solvent, and more preferably 90% by mass or more of an organic solvent Do. Moreover, 100 mass % of the rinse liquid may be an organic solvent.

린스액은, 다른 성분을 더 포함해도 된다.The rinse liquid may further contain other components.

다른 성분으로서는, 예를 들면, 공지의 계면활성제나 공지의 소포제 등을 들 수 있다.As another component, a well-known surfactant, a well-known antifoaming agent, etc. are mentioned, for example.

〔린스액의 공급 방법〕[How to supply rinse liquid]

린스액의 공급 방법은, 원하는 패턴을 형성할 수 있으면 특별히 제한은 없고, 기재를 린스액에 침지하는 방법, 기재 상에 린스액을 액 융기에 의하여 공급하는 방법, 기재에 린스액을 샤워로 공급하는 방법, 기재 상에 스트레이트 노즐 등의 수단에 의하여 린스액을 연속 공급하는 방법이 있다.The method of supplying the rinsing liquid is not particularly limited as long as a desired pattern can be formed, and a method of immersing the substrate in the rinsing liquid, a method of supplying the rinsing liquid onto the substrate by a liquid rise, and supplying the rinsing liquid to the substrate by showering There is a method of continuously supplying the rinsing liquid onto the substrate by means such as a straight nozzle.

린스액의 침투성, 비화상부의 제거성, 제조상의 효율의 관점에서, 린스액을 샤워 노즐, 스트레이트 노즐, 스프레이 노즐 등으로 공급하는 방법이 있으며, 스프레이 노즐로 연속 공급하는 방법이 바람직하고, 화상부에 대한 린스액의 침투성의 관점에서는, 스프레이 노즐로 공급하는 방법이 보다 바람직하다. 노즐의 종류는 특별히 제한은 없고, 스트레이트 노즐, 샤워 노즐, 스프레이 노즐 등을 들 수 있다.From the viewpoint of permeability of the rinse liquid, removability of the non-image area, and manufacturing efficiency, there is a method of supplying the rinse liquid to a shower nozzle, a straight nozzle, a spray nozzle, etc., and a method of continuously supplying the rinse liquid to the spray nozzle is preferable, and the image area From the viewpoint of permeability of the rinsing liquid to the water, a method of supplying through a spray nozzle is more preferable. The type of nozzle is not particularly limited, and examples thereof include straight nozzles, shower nozzles, and spray nozzles.

즉, 린스 공정은, 린스액을 상기 노광 후의 막에 대하여 스트레이트 노즐에 의하여 공급, 또는, 연속 공급하는 공정인 것이 바람직하고, 린스액을 스프레이 노즐에 의하여 공급하는 공정인 것이 보다 바람직하다.That is, the rinsing step is preferably a step of supplying a rinsing liquid to the film after exposure through a straight nozzle or continuously supplying the rinsing liquid to the film after exposure, and more preferably a process of supplying the rinsing liquid through a spray nozzle.

또 린스 공정에 있어서의 린스액의 공급 방법으로서는, 린스액이 연속적으로 기재에 계속 공급되는 공정, 기재 상에서 린스액이 대략 정지 상태로 유지되는 공정, 기재 상에서 린스액을 초음파 등으로 진동시키는 공정 및 그들을 조합한 공정 등이 채용 가능하다.Further, as a method of supplying the rinsing liquid in the rinsing step, a process in which the rinsing liquid is continuously supplied to the substrate, a process in which the rinsing liquid is maintained on the substrate in a substantially stationary state, a process in which the rinsing liquid is vibrated on the substrate with ultrasonic waves, and A process or the like combining them is employable.

<가열 공정><Heating process>

본 발명의 제조 방법은, 현상된 상기 막을 50~450℃에서 가열하는 공정(가열 공정)을 포함하는 것이 바람직하다.The manufacturing method of the present invention preferably includes a step of heating the developed film at 50 to 450°C (heating step).

가열 공정은, 막형성 공정(층형성 공정), 건조 공정, 및 현상 공정 후에 포함되는 것이 바람직하다. 가열 공정에서는, 예를 들면 상술한 열염기 발생제가 분해됨으로써 염기가 발생하여, 특정 수지인 전구체의 환화 반응이 진행된다. 또, 본 발명의 경화성 수지 조성물은 특정 수지인 전구체 이외의 라디칼 중합성 화합물을 포함하고 있어도 되지만, 미반응의 특정 수지인 전구체 이외의 라디칼 중합성 화합물의 경화 등도 이 공정에서 진행시킬 수 있다. 가열 공정에 있어서의 층의 가열 온도(최고 가열 온도)로서는, 50℃ 이상인 것이 바람직하고, 80℃ 이상인 것이 보다 바람직하며, 140℃ 이상인 것이 더 바람직하고, 150℃ 이상인 것이 한층 바람직하며, 160℃ 이상인 것이 보다 한층 바람직하고, 170℃ 이상인 것이 더 한층 바람직하다. 상한으로서는, 500℃ 이하인 것이 바람직하고, 450℃ 이하인 것이 보다 바람직하며, 350℃ 이하인 것이 더 바람직하고, 250℃ 이하인 것이 한층 바람직하며, 220℃ 이하인 것이 보다 한층 바람직하다.The heating process is preferably included after the film formation process (layer formation process), the drying process, and the developing process. In the heating step, a base is generated by decomposition of the above-mentioned thermal base generator, for example, and the cyclization reaction of the precursor, which is a specific resin, proceeds. Further, the curable resin composition of the present invention may contain radical polymerizable compounds other than specific resin precursors, but curing of unreacted radical polymerizable compounds other than specific resin precursors can also proceed in this step. The heating temperature (maximum heating temperature) of the layer in the heating step is preferably 50°C or higher, more preferably 80°C or higher, still more preferably 140°C or higher, still more preferably 150°C or higher, and 160°C or higher It is more preferable, and it is still more preferable that it is 170 degreeC or more. The upper limit is preferably 500°C or less, more preferably 450°C or less, still more preferably 350°C or less, still more preferably 250°C or less, and even more preferably 220°C or less.

가열은, 가열 개시 시의 온도부터 최고 가열 온도까지 1~12℃/분의 승온 속도로 행하는 것이 바람직하고, 2~10℃/분이 보다 바람직하며, 3~10℃/분이 더 바람직하다. 승온 속도를 1℃/분 이상으로 함으로써, 생산성을 확보하면서, 아민의 과잉된 휘발을 방지할 수 있으며, 승온 속도를 12℃/분 이하로 함으로써, 경화막의 잔존 응력을 완화시킬 수 있다. 또한, 급속 가열 가능한 오븐의 경우, 가열 개시 시의 온도부터 최고 가열 온도까지 1~8℃/초의 승온 속도로 행하는 것이 바람직하고, 2~7℃/초가 보다 바람직하며, 3~6℃/초가 더 바람직하다.Heating is preferably carried out at a heating rate of 1 to 12°C/minute from the temperature at the start of heating to the highest heating temperature, more preferably 2 to 10°C/minute, and still more preferably 3 to 10°C/minute. By setting the temperature increase rate to 1 ° C./min or more, excessive volatilization of amine can be prevented while securing productivity, and by setting the temperature increase rate to 12 ° C./min or less, the residual stress of the cured film can be relaxed. Further, in the case of an oven capable of rapid heating, heating is performed at a heating rate of 1 to 8°C/sec from the temperature at the start of heating to the maximum heating temperature, more preferably 2 to 7°C/sec, and even more preferably 3 to 6°C/sec. desirable.

가열 개시 시의 온도는, 20℃~150℃가 바람직하고, 20℃~130℃가 보다 바람직하며, 25℃~120℃가 더 바람직하다. 가열 개시 시의 온도는, 최고 가열 온도까지 가열하는 공정을 개시할 때의 온도를 말한다. 예를 들면, 경화성 수지 조성물을 기재 상에 적용한 후, 건조시키는 경우, 이 건조 후의 막(층)의 온도이며, 예를 들면, 경화성 수지 조성물에 포함되는 용제의 비점보다, 30~200℃ 낮은 온도에서부터 서서히 승온시키는 것이 바람직하다.The temperature at the start of heating is preferably 20°C to 150°C, more preferably 20°C to 130°C, still more preferably 25°C to 120°C. The temperature at the start of heating refers to the temperature at the time of starting the process of heating to the highest heating temperature. For example, when drying after applying curable resin composition on a base material, it is the temperature of the film (layer) after this drying, for example, the temperature 30-200 degreeC lower than the boiling point of the solvent contained in curable resin composition. It is preferable to gradually increase the temperature from there.

가열 시간(최고 가열 온도에서의 가열 시간)은, 10~360분인 것이 바람직하고, 20~300분인 것이 보다 바람직하며, 30~240분인 것이 더 바람직하다.The heating time (heating time at the highest heating temperature) is preferably 10 to 360 minutes, more preferably 20 to 300 minutes, and still more preferably 30 to 240 minutes.

특히 다층의 적층체를 형성하는 경우, 경화막의 층간의 밀착성의 관점에서, 가열 온도는 180℃~320℃에서 가열하는 것이 바람직하고, 180℃~260℃에서 가열하는 것이 보다 바람직하다. 그 이유는 명확하지 않지만, 이 온도로 함으로써, 층간의 특정 수지의 에타인일기끼리가 가교 반응을 진행하고 있기 때문이라고 생각된다.In particular, in the case of forming a multi-layered laminate, the heating temperature is preferably from 180°C to 320°C, more preferably from 180°C to 260°C, from the viewpoint of the interlayer adhesion of the cured film. Although the reason is not clear, it is thought that it is because the crosslinking reaction between the ethynyl groups of the specific resin between layers is advancing by setting it as this temperature.

가열은 단계적으로 행해도 된다. 예로서, 25℃부터 180℃까지 3℃/분으로 승온시켜, 180℃에서 60분 유지하고, 180℃부터 200℃까지 2℃/분으로 승온시켜, 200℃에서 120분 유지함과 같은 전처리 공정을 행해도 된다. 전처리 공정으로서의 가열 온도는 100~200℃가 바람직하고, 110~190℃인 것이 보다 바람직하며, 120~185℃인 것이 더 바람직하다. 이 전처리 공정에 있어서는, 미국 특허공보 제9159547호에 기재된 바와 같이 자외선을 조사하면서 처리하는 것도 바람직하다. 이와 같은 전처리 공정에 의하여 막의 특성을 향상시키는 것이 가능하다. 전처리 공정은 10초간~2시간 정도의 짧은 시간에 행하면 바람직하고, 15초~30분간이 보다 바람직하다. 전처리는 2단계 이상의 스텝으로 해도 되며, 예를 들면 100~150℃의 범위에서 전처리 공정 1을 행하고, 그 후에 150~200℃의 범위에서 전처리 공정 2를 행해도 된다.Heating may be performed stepwise. For example, a pretreatment step such as raising the temperature from 25 ° C to 180 ° C at 3 ° C / min and holding at 180 ° C for 60 minutes, raising the temperature from 180 ° C to 200 ° C at 2 ° C / min and holding at 200 ° C for 120 minutes You can do it. The heating temperature as a pretreatment step is preferably 100 to 200°C, more preferably 110 to 190°C, and still more preferably 120 to 185°C. In this pretreatment process, it is also preferable to process while irradiating ultraviolet rays as described in US Patent Publication No. 9159547. It is possible to improve the properties of the film by such a pretreatment process. The pretreatment step is preferably performed in a short time of about 10 seconds to 2 hours, and more preferably 15 seconds to 30 minutes. The pretreatment may be carried out in two or more steps, for example, the pretreatment step 1 may be performed in the range of 100 to 150°C, and then the pretreatment step 2 may be performed in the range of 150 to 200°C.

또한, 가열 후 냉각해도 되고, 이 경우의 냉각 속도로서는, 1~5℃/분인 것이 바람직하다.Moreover, you may cool after heating, and as a cooling rate in this case, it is preferable that it is 1-5 degrees C/min.

가열 공정은, 질소, 헬륨, 아르곤 등의 불활성 가스를 흘려보내는 등에 의하여, 저산소 농도의 분위기에서 행하는 것이 특정 수지의 분해를 방지하는 점에서 바람직하다. 산소 농도는, 50ppm(체적비) 이하가 바람직하고, 20ppm(체적비) 이하가 보다 바람직하다.The heating step is preferably performed in an atmosphere with a low oxygen concentration by flowing an inert gas such as nitrogen, helium, or argon to prevent decomposition of the specific resin. The oxygen concentration is preferably 50 ppm (volume ratio) or less, and more preferably 20 ppm (volume ratio) or less.

가열 수단으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 핫플레이트, 적외로(爐), 전열식 오븐, 열풍식 오븐 등을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a heating means, For example, a hot plate, an infrared furnace, an electrothermal type oven, a hot air type oven, etc. are mentioned.

<금속층 형성 공정><Metal layer formation process>

본 발명의 제조 방법은, 현상 후의 막(경화성 수지 조성물층)의 표면에 금속층을 형성하는 금속층 형성 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The manufacturing method of the present invention preferably includes a metal layer forming step of forming a metal layer on the surface of the film (curable resin composition layer) after development.

금속층으로서는, 특별히 한정 없이, 기존의 금속종(種)을 사용할 수 있으며, 구리, 알루미늄, 니켈, 바나듐, 타이타늄, 크로뮴, 코발트, 금 및 텅스텐이 예시되고, 구리, 알루미늄, 및, 이들 금속을 포함하는 합금이 보다 바람직하며, 구리가 더 바람직하다.As the metal layer, without particular limitation, existing metal species can be used, and copper, aluminum, nickel, vanadium, titanium, chromium, cobalt, gold, and tungsten are exemplified, and copper, aluminum, and these metals are included. alloys are more preferred, and copper is more preferred.

금속층의 형성 방법은, 특별히 한정 없이, 기존의 방법을 적용할 수 있다. 예를 들면, 일본 공개특허공보 2007-157879호, 일본 공표특허공보 2001-521288호, 일본 공개특허공보 2004-214501호, 일본 공개특허공보 2004-101850호에 기재된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 포토리소그래피, 리프트 오프, 전해 도금, 무전해 도금, 에칭, 인쇄, 및 이들을 조합한 방법 등이 생각된다. 보다 구체적으로는, 스퍼터링, 포토리소그래피 및 에칭을 조합한 패터닝 방법, 포토리소그래피와 전해 도금을 조합한 패터닝 방법을 들 수 있다.The method of forming the metal layer is not particularly limited, and an existing method can be applied. For example, the method described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-157879, Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-521288, Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-214501, and Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-101850 can be used. For example, photolithography, lift-off, electrolytic plating, electroless plating, etching, printing, and methods combining these may be considered. More specifically, a patterning method in which sputtering, photolithography and etching are combined, and a patterning method in which photolithography and electrolytic plating are combined are exemplified.

금속층의 두께로서는, 가장 후육부(厚肉部)에서, 0.01~100μm가 바람직하고, 0.1~50μm가 보다 바람직하며, 1~10μm가 더 바람직하다.The thickness of the metal layer is preferably 0.01 μm to 100 μm, more preferably 0.1 μm to 50 μm, and still more preferably 1 μm to 10 μm in the thickest part.

<적층 공정><Laminating process>

본 발명의 제조 방법은, 적층 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the manufacturing method of this invention further includes a lamination process.

적층 공정이란, 경화막(수지층) 또는 금속층의 표면에, 재차, (a) 막형성 공정(층형성 공정), (b) 노광 공정, (c) 현상 공정, (d) 가열 공정을, 이 순서로 행하는 것을 포함하는 일련의 공정이다. 단, (a)의 막형성 공정만을 반복하는 양태여도 된다. 또, (d) 가열 공정은 적층의 마지막 또는 중간에 일괄적으로 행하는 양태로 해도 된다. 즉, (a)~(c)의 공정을 소정의 횟수 반복하여 행하고, 그 후에 (d)의 가열을 함으로써, 적층된 경화성 수지 조성물층을 일괄적으로 경화하는 양태로 해도 된다. 또, (c) 현상 공정 후에는 (e) 금속층 형성 공정을 포함해도 되고, 이때마다 (d)의 가열을 행해도 되며, 소정 횟수 적층시킨 후에 일괄적으로 (d)의 가열을 행해도 된다. 적층 공정에는, 추가로, 상기 건조 공정이나 가열 공정 등을 적절히 포함하고 있어도 되는 것은 말할 필요도 없다.The lamination process is, again, (a) film formation process (layer formation process), (b) exposure process, (c) development process, (d) heating process on the surface of the cured film (resin layer) or metal layer. It is a series of steps that involve performing in sequence. However, the aspect which repeats only the film formation process of (a) may be sufficient. Further, (d) the heating step may be performed collectively at the end or in the middle of the lamination. That is, it is good also as an aspect in which the laminated curable resin composition layer is collectively cured by repeating the steps (a) to (c) a predetermined number of times and then heating in (d). Further, after the (c) developing step, the metal layer forming step (e) may be included, and the heating in (d) may be performed at each time, or the heating in (d) may be performed collectively after laminating a predetermined number of times. It goes without saying that the lamination process may further include the aforementioned drying process, heating process, and the like as appropriate.

적층 공정 후, 적층 공정을 더 행하는 경우에는, 상기 가열 공정 후, 상기 노광 공정 후, 또는, 상기 금속층 형성 공정 후에, 추가로, 표면 활성화 처리 공정을 행해도 된다. 표면 활성화 처리로서는, 플라즈마 처리가 예시된다.When the lamination process is further performed after the lamination process, a surface activation treatment process may be further performed after the heating process, the exposure process, or the metal layer forming process. As the surface activation treatment, plasma treatment is exemplified.

상기 적층 공정은, 2~20회 행하는 것이 바람직하고, 2~5회 행하는 것이 보다 바람직하며, 3~5회 행하는 것이 더 바람직하다.The lamination step is preferably performed 2 to 20 times, more preferably 2 to 5 times, and even more preferably 3 to 5 times.

또, 적층 공정에 있어서의 각층은, 조성, 형상, 막두께 등이 동일한 층이어도 되고, 상이한 층이어도 된다.In addition, each layer in the lamination process may be a layer having the same composition, shape, film thickness, and the like, or may be a layer different from each other.

예를 들면, 수지층/금속층/수지층/금속층/수지층/금속층과 같은, 수지층이 3층 이상 7층 이하인 구성이 바람직하고, 3층 이상 5층 이하가 더 바람직하다.For example, a resin layer/metal layer/resin layer/metal layer/resin layer/metal layer is preferably composed of 3 or more layers and 7 or less layers, more preferably 3 or more and 5 layers or less.

본 발명에서는 특히, 금속층을 마련한 후, 추가로, 상기 금속층을 덮도록, 상기 경화성 수지 조성물의 경화막(수지층)을 형성하는 양태가 바람직하다. 구체적으로는, (a) 막형성 공정, (b) 노광 공정, (c) 현상 공정, (e) 금속층 형성 공정, (d) 가열 공정의 순서로 반복하는 양태, 또는, (a) 막형성 공정, (b) 노광 공정, (c) 현상 공정, (e) 금속층 형성 공정의 순서로 반복하고, 마지막 또는 중간에 일괄적으로 (d) 가열 공정을 마련하는 양태를 들 수 있다. 경화성 수지 조성물층(수지층)을 적층하는 적층 공정과, 금속층 형성 공정을 번갈아 행함으로써, 경화성 수지 조성물층(수지층)과 금속층을 번갈아 적층할 수 있다.In this invention, after providing a metal layer especially, the aspect of forming the cured film (resin layer) of the said curable resin composition so that the said metal layer may be further covered is preferable. Specifically, (a) film formation process, (b) exposure process, (c) development process, (e) metal layer formation process, and (d) heating process are repeated in this order, or (a) film formation process , (b) exposure process, (c) development process, and (e) metal layer formation process are repeated in this order, and an aspect in which (d) heating process is provided collectively at the end or in the middle is exemplified. By alternately performing the lamination step of laminating the curable resin composition layer (resin layer) and the metal layer forming step, the curable resin composition layer (resin layer) and the metal layer can be alternately laminated.

(표면 활성화 처리 공정)(Surface activation treatment process)

본 발명의 적층체의 제조 방법은, 상기 금속층 및 감광성 수지 조성물층의 적어도 일부를 표면 활성화 처리하는, 표면 활성화 처리 공정을 포함해도 된다.The method for producing a laminate of the present invention may also include a surface activation treatment step of subjecting at least a part of the metal layer and the photosensitive resin composition layer to a surface activation treatment.

표면 활성화 처리 공정은, 통상, 금속층 형성 공정 후에 행하지만, 상기 노광 현상 공정 후, 감광성 수지 조성물층에 표면 활성화 처리 공정을 행하고 나서, 금속층 형성 공정을 행해도 된다.Although the surface activation treatment step is usually performed after the metal layer formation step, the metal layer formation step may be performed after performing the surface activation treatment step on the photosensitive resin composition layer after the above exposure and development step.

표면 활성화 처리는, 금속층의 적어도 일부에만 행해도 되고, 노광 후의 감광성 수지 조성물층의 적어도 일부에만 행해도 되며, 금속층 및 노광 후의 감광성 수지 조성물층의 양방에 대하여, 각각, 적어도 일부에 행해도 된다. 표면 활성화 처리는, 금속층의 적어도 일부에 대하여 행하는 것이 바람직하고, 금속층 중, 표면에 감광성 수지 조성물층을 형성하는 영역의 일부 또는 전부에 표면 활성화 처리를 행하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 금속층의 표면에 표면 활성화 처리를 행함으로써, 그 표면에 마련되는 수지층과의 밀착성을 향상시킬 수 있다.The surface activation treatment may be performed on at least a portion of the metal layer, at least a portion of the photosensitive resin composition layer after exposure, or at least a portion of both the metal layer and the photosensitive resin composition layer after exposure. The surface activation treatment is preferably performed on at least a part of the metal layer, and it is preferable to perform the surface activation treatment on a part or all of a region in which the photosensitive resin composition layer is formed on the surface of the metal layer. In this way, by performing surface activation treatment on the surface of the metal layer, adhesion to the resin layer provided on the surface can be improved.

또, 표면 활성화 처리는, 노광 후의 감광성 수지 조성물층(수지층)의 일부 또는 전부에 대해서도 행하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 감광성 수지 조성물층의 표면에 표면 활성화 처리를 행함으로써, 표면 활성화 처리한 표면에 마련되는 금속층이나 수지층과의 밀착성을 향상시킬 수 있다.In addition, it is preferable to perform surface activation treatment also on a part or all of the photosensitive resin composition layer (resin layer) after exposure. In this way, by subjecting the surface of the photosensitive resin composition layer to surface activation treatment, adhesion to the metal layer or resin layer provided on the surface of the surface activation treatment can be improved.

표면 활성화 처리로서는, 구체적으로는, 각종 원료 가스(산소, 수소, 아르곤, 질소, 질소/수소 혼합 가스, 아르곤/산소 혼합 가스 등)의 플라즈마 처리, 코로나 방전 처리, CF4/O2, NF3/O2, SF6, NF3, NF3/O2에 의한 에칭 처리, 자외선(UV) 오존법에 의한 표면 처리, 염산 수용액에 침지하여 산화 피막을 제거한 후에 아미노기와 싸이올기를 적어도 1종 갖는 화합물을 포함하는 유기 표면 처리제에 대한 침지 처리, 브러시를 이용한 기계적인 조면화 처리로부터 선택되며, 플라즈마 처리가 바람직하고, 특히 원료 가스에 산소를 이용한 산소 플라즈마 처리가 바람직하다. 코로나 방전 처리의 경우, 에너지는, 500~200,000J/m2가 바람직하고, 1000~100,000J/m2가 보다 바람직하며, 10,000~50,000J/m2가 가장 바람직하다.As the surface activation treatment, specifically, plasma treatment of various source gases (oxygen, hydrogen, argon, nitrogen, nitrogen/hydrogen mixture gas, argon/oxygen mixture gas, etc.), corona discharge treatment, CF 4 /O 2 , NF 3 /O 2 , SF 6 , NF 3 , NF 3 After etching treatment by /O 2 , surface treatment by ultraviolet (UV) ozone method, and immersion in an aqueous hydrochloric acid solution to remove the oxide film, having at least one amino group and thiol group It is selected from an immersion treatment for an organic surface treatment agent containing a compound and a mechanical roughening treatment using a brush, and a plasma treatment is preferred, and an oxygen plasma treatment using oxygen as a raw material gas is particularly preferred. In the case of corona discharge treatment, the energy is preferably 500 to 200,000 J/m 2 , more preferably 1000 to 100,000 J/m 2 , and most preferably 10,000 to 50,000 J/m 2 .

본 발명은, 본 발명의 경화막 또는 적층체를 포함하는 반도체 디바이스도 개시한다. 본 발명의 경화성 수지 조성물을 재배선층용 층간 절연막의 형성에 이용한 반도체 디바이스의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0213~0218의 기재 및 도 1의 기재를 참조할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.The present invention also discloses a semiconductor device comprising the cured film or laminate of the present invention. As a specific example of a semiconductor device in which the curable resin composition of the present invention is used to form an interlayer insulating film for a redistribution layer, the description in paragraphs 0213 to 0218 of Japanese Patent Laid-Open No. 2016-027357 and the description in FIG. 1 can be referred to. incorporated herein by reference.

실시예Example

이하에 실시예를 들어 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 수순 등은, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한, 적절히, 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 한정되는 것은 아니다. "부", "%"는 특별히 설명하지 않는 한, 질량 기준이다.The present invention will be described in more detail by way of examples below. The materials, usage amount, ratio, processing content, processing procedure, etc. shown in the following examples can be appropriately changed as long as they do not deviate from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the specific examples shown below. "Part" and "%" are based on mass unless otherwise specified.

<합성예 B-1: 화합물 B-1의 합성><Synthesis Example B-1: Synthesis of Compound B-1>

교반기, 콘덴서를 장착한 플라스크 중에서, 1,2,4-트라이아졸(도쿄 가세이 고교(주)제) 7.25g(105밀리몰), 카렌즈 MOI(쇼와 덴코(주)제) 15.52g(100밀리몰), 네오스탄 U-600(닛토 가세이(주)제) 0.01g을 테트라하이드로퓨란(도쿄 가세이 고교(주)제) 70mL에 용해하고, 25℃에서 1시간 교반했다. 이어서, 45℃에서 2시간 교반한 후, 600mL의 아세트산 에틸에 용해하고, 분액 깔때기로 옮겼다. 이어서, 이것을 100mL의 물로 2회, 150mL의 포화 식염수로 2회 세정하고, 황산 나트륨으로 건조했다. 이것을 여과지로 여과하면서 1구 플라스크로 옮기고, 이배퍼레이터로 용매를 제거하여, B-1을 18g 얻었다. B-1의 구조는, 하기 식 (B-1)로 나타나는 구조라고 추정된다. B-1인 것은, 1H-NMR 스펙트럼으로부터 확인했다.In a flask equipped with a stirrer and a condenser, 7.25 g (105 mmol) of 1,2,4-triazole (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) and 15.52 g (100 mmol) of Karenz MOI (manufactured by Showa Denko Co., Ltd.) ) and Neostan U-600 (manufactured by Nitto Kasei Co., Ltd.) 0.01 g was dissolved in 70 mL of tetrahydrofuran (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.), and stirred at 25°C for 1 hour. Then, after stirring at 45°C for 2 hours, it was dissolved in 600 mL of ethyl acetate and transferred to a separatory funnel. Subsequently, this was washed twice with 100 mL of water and twice with 150 mL of saturated brine, and dried over sodium sulfate. It was transferred to a one-necked flask, filtering this with filter paper, and the solvent was removed with an evaporator to obtain 18 g of B-1. The structure of B-1 is presumed to be a structure represented by the following formula (B-1). It was confirmed from the 1 H-NMR spectrum that it was B-1.

1H-NMR 데이터를 이하에 나타낸다. 1 H-NMR data are shown below.

1H-NMR 데이터: (중(重)다이메틸설폭사이드, 400MHz, 내부 표준: 테트라메틸실레인) δ(ppm)=1.85(s, 3H), 3.54~3.58(q, 2H), 4.24~4.26(t, 2H), 5.66(s, 1H), 6.03(s, 1H), 8.27(s, 1H), 8.86~8.90(t, 1H), 9.16(s, 1H) 1 H-NMR data: (heavy dimethyl sulfoxide, 400 MHz, internal standard: tetramethylsilane) δ (ppm) = 1.85 (s, 3H), 3.54 to 3.58 (q, 2H), 4.24 to 4.26 (t, 2H), 5.66(s, 1H), 6.03(s, 1H), 8.27(s, 1H), 8.86~8.90(t, 1H), 9.16(s, 1H)

[화학식 74][Formula 74]

Figure pct00075
Figure pct00075

<합성예 B-2: 화합물 B-2의 합성><Synthesis Example B-2: Synthesis of Compound B-2>

교반기, 콘덴서를 장착한 플라스크 중에서, 1,2,4-트라이아졸 15.2g(0.22몰)을 염화 메틸렌 150mL와 혼합하고, 10℃ 이하가 될 때까지 냉각했다. 계속해서, 메타크릴산 클로라이드 10.5g(0.1몰)을 1시간 동안 적하하고, 20~25℃로 승온시켰다. 20~25℃에서 3시간 교반한 후, 염화 메틸렌을 200mL 더하여, 발생한 염을 여과지로 여과하고, 여과액을 회수했다. 여과액을 분액 깔때기로 옮겨, 물 50mL로 2회, 150mL의 포화 식염수로 2회 세정하고, 황산 나트륨으로 건조했다. 이것을 여과지로 여과하면서 1구 플라스크로 옮기고, 이배퍼레이터로 용매를 제거하여, B-2를 12g 얻었다. B-2의 구조는, 하기 식 (B-2)로 나타나는 구조라고 추정된다. B-2인 것은, 1H-NMR 스펙트럼으로부터 확인했다.In a flask equipped with a stirrer and a condenser, 15.2 g (0.22 mol) of 1,2,4-triazole was mixed with 150 mL of methylene chloride and cooled to 10°C or lower. Subsequently, 10.5 g (0.1 mol) of methacrylic acid chloride was added dropwise over 1 hour, and the temperature was raised to 20 to 25°C. After stirring at 20 to 25°C for 3 hours, 200 mL of methylene chloride was added, the generated salt was filtered with filter paper, and the filtrate was collected. The filtrate was transferred to a separatory funnel, washed twice with 50 mL of water and twice with 150 mL of saturated brine, and dried over sodium sulfate. It was transferred to a one-necked flask while filtering this with a filter paper, and the solvent was removed with an evaporator to obtain 12 g of B-2. The structure of B-2 is presumed to be a structure represented by the following formula (B-2). It was confirmed from the 1 H-NMR spectrum that it was B-2.

1H-NMR 데이터를 이하에 나타낸다. 1 H-NMR data are shown below.

1H-NMR 데이터: (중클로로폼, 400MHz, 내부 표준: 테트라메틸실레인) 1 H-NMR data: (deuterated chloroform, 400 MHz, internal standard: tetramethylsilane)

δ(ppm)=2.17(s, 3H), 6.09(s, 1H), 6.44(s, 1H), 8.06(s, 1H), 8.95(s, 1H)δ (ppm) = 2.17 (s, 3H), 6.09 (s, 1H), 6.44 (s, 1H), 8.06 (s, 1H), 8.95 (s, 1H)

[화학식 75][Formula 75]

Figure pct00076
Figure pct00076

<합성예 B-3: 화합물 B-3의 합성><Synthesis Example B-3: Synthesis of Compound B-3>

교반기, 콘덴서를 장착한 플라스크 중에서, 1,2,4-트라이아졸(도쿄 가세이 고교(주)제) 7.25g(105밀리몰), 아이소사이안산 3-(트라이에톡시실릴)프로필(도쿄 가세이 고교(주)제) 24.7g(100밀리몰), 네오스탄 U-600(닛토 가세이(주)제) 0.02g을 테트라하이드로퓨란(도쿄 가세이 고교(주)제) 100mL에 용해하고, 25℃에서 1시간 교반했다. 이어서, 45℃에서 2시간 교반한 후, 800mL의 아세트산 에틸에 용해하고, 분액 깔때기로 옮겼다. 이어서, 이것을 100mL의 물로 2회, 150mL의 포화 식염수로 2회 세정하고, 황산 나트륨으로 건조했다. 이것을 여과지로 여과하면서 1구 플라스크로 옮기고, 이배퍼레이터로 용매를 제거하여, B-3을 26g 얻었다. B-3의 구조는, 하기 식 (B-3)으로 나타나는 구조라고 추정된다. B-3인 것은, 1H-NMR 스펙트럼으로부터 확인했다.In a flask equipped with a stirrer and a condenser, 7.25 g (105 mmol) of 1,2,4-triazole (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.), 3-(triethoxysilyl)propyl isocyanate (Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) Co., Ltd.) 24.7 g (100 mmol), Neostan U-600 (manufactured by Nitto Kasei Co., Ltd.) 0.02 g was dissolved in 100 mL of tetrahydrofuran (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.), stirred at 25 ° C. for 1 hour did. Subsequently, after stirring at 45°C for 2 hours, the mixture was dissolved in 800 mL of ethyl acetate and transferred to a separatory funnel. Subsequently, this was washed twice with 100 mL of water and twice with 150 mL of saturated brine, and dried over sodium sulfate. It was transferred to a one-necked flask, filtering this with a filter paper, and the solvent was removed with an evaporator to obtain 26 g of B-3. The structure of B-3 is presumed to be a structure represented by the following formula (B-3). It was confirmed from the 1 H-NMR spectrum that it was B-3.

1H-NMR 데이터를 이하에 나타낸다. 1 H-NMR data are shown below.

1H-NMR 데이터: (중클로로폼, 400MHz, 내부 표준: 테트라메틸실레인) 1 H-NMR data: (deuterated chloroform, 400 MHz, internal standard: tetramethylsilane)

δ(ppm)=0.67~0.72(t, 2H), 1.21~1.25(t, 9H), 1.74~1.82(M, 2H), 3.43~3.48(q, 2H), 3.81~3.86(q, 6H), 7.19(s, 1H), 7.97(s, 1H), 8.86(s, 1H)δ (ppm) = 0.67 to 0.72 (t, 2H), 1.21 to 1.25 (t, 9H), 1.74 to 1.82 (M, 2H), 3.43 to 3.48 (q, 2H), 3.81 to 3.86 (q, 6H), 7.19(s, 1H), 7.97(s, 1H), 8.86(s, 1H)

[화학식 76][Formula 76]

Figure pct00077
Figure pct00077

<합성예 B-4~B-10: 화합물 B-4~B-10의 합성><Synthesis Examples B-4 to B-10: Synthesis of Compounds B-4 to B-10>

합성예 B-1~B-3과 동일한 방법에 의하여, 하기 B-4~B-10을 합성했다.The following B-4 to B-10 were synthesized in the same manner as in Synthesis Examples B-1 to B-3.

B-4~B-10이 추정되는 구조를, 각각, 하기 식 (B-4)~식 (B-10)에 나타낸다.Structures B-4 to B-10 are estimated are shown in the following formulas (B-4) to formulas (B-10), respectively.

[화학식 77][Formula 77]

Figure pct00078
Figure pct00078

<합성예 AP-1: 화합물 AP-1의 합성><Synthesis Example AP-1: Synthesis of Compound AP-1>

플라스크에, 프로필렌글라이콜모노메틸에터를 15g 첨가하고, 질소를 흘려보내면서, 80℃로 승온시켜, 교반했다.15 g of propylene glycol monomethyl ether was added to the flask, and the temperature was raised to 80°C and stirred while passing nitrogen.

이어서, 삼각 플라스크에, 메타크릴산 3-(트라이에톡시실릴)프로필(도쿄 가세이 고교(주)제) 14.52g(50밀리몰), 상술한 B-4를 6.16g(50밀리몰), 프로필렌글라이콜모노메틸에터를 50g, 중합 개시제 V-601(후지필름 와코(주)제) 0.46g을 첨가하고, 용해시켜, 3시간 동안, 플라스크에 적하했다. 이어서, 85℃로 승온시켜, 3시간 교반한 후, 실온까지 냉각하여, AP-1 용액을 얻었다. AP-1 용액의 고형분 농도(고형분량/용액의 전체 질량×100)는 24.1질량%이며, AP-1의 중량 평균 분자량(Mw)은 12,500이었다.Next, to an Erlenmeyer flask, 14.52 g (50 mmol) of 3-(triethoxysilyl)propyl methacrylate (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.), 6.16 g (50 mmol) of the above-mentioned B-4, propylene glycol 50 g of colmonomethyl ether and 0.46 g of polymerization initiator V-601 (manufactured by Fujifilm Wako Co., Ltd.) were added, dissolved, and added dropwise to the flask over 3 hours. Then, after raising the temperature to 85°C and stirring for 3 hours, the mixture was cooled to room temperature to obtain an AP-1 solution. The solid content concentration (solid content/total mass of solution × 100) of the AP-1 solution was 24.1% by mass, and the weight average molecular weight (Mw) of AP-1 was 12,500.

[화학식 78][Formula 78]

Figure pct00079
Figure pct00079

<합성예 AP-2~AP-4: 화합물 AP-2~AP-4의 합성><Synthesis Examples AP-2 to AP-4: Synthesis of Compounds AP-2 to AP-4>

합성예 AP-1과 동일한 방법에 의하여, 화합물 AP-2~AP-4를 합성했다.Compounds AP-2 to AP-4 were synthesized in the same manner as in Synthesis Example AP-1.

AP-2~AP-4가 추정되는 구조를, 각각, 하기 식 (AP-2)~식 (AP-4)에 나타낸다. 각 구조 중, 괄호의 첨자는 각 반복 단위의 몰비를 나타낸다.Structures in which AP-2 to AP-4 are estimated are shown in the following formulas (AP-2) to (AP-4), respectively. In each structure, subscripts in parentheses indicate the molar ratio of each repeating unit.

AP-2의 Mw는 15,800, AP-3의 Mw는 25,000, AP-4의 Mw는 8,500이었다.The Mw of AP-2 was 15,800, the Mw of AP-3 was 25,000, and the Mw of AP-4 was 8,500.

[화학식 79][Formula 79]

Figure pct00080
Figure pct00080

<합성예 BP-1~BP-2: 화합물 BP-1~BP-2의 합성><Synthesis Examples BP-1 to BP-2: Synthesis of Compounds BP-1 to BP-2>

합성예 AP-1과 동일한 방법에 의하여, 화합물 BP-1~BP-2를 합성했다.Compounds BP-1 to BP-2 were synthesized in the same manner as in Synthesis Example AP-1.

BP-1~BP-2가 추정되는 구조를, 각각, 하기 식 (BP-1)~식 (BP-2)에 나타낸다. 각 구조 중, 괄호의 첨자는 각 반복 단위의 몰비를 나타낸다.Structures in which BP-1 to BP-2 are estimated are shown in the following formulas (BP-1) to (BP-2), respectively. In each structure, subscripts in parentheses indicate the molar ratio of each repeating unit.

BP-1의 Mw는 19,100, BP-2의 Mw는 32,800이었다.The Mw of BP-1 was 19,100 and the Mw of BP-2 was 32,800.

[화학식 80][Formula 80]

Figure pct00081
Figure pct00081

<합성예 CP-1~CP-3: 화합물 CP-1~CP-3의 합성><Synthesis Examples CP-1 to CP-3: Synthesis of Compounds CP-1 to CP-3>

합성예 AP-1과 동일한 방법에 의하여, 화합물 CP-1~CP-3을 합성했다.Compounds CP-1 to CP-3 were synthesized in the same manner as in Synthesis Example AP-1.

CP-1~CP-3이 추정되는 구조를, 각각, 하기 식 (CP-1)~식 (CP-3)에 나타낸다. 각 구조 중, 괄호의 첨자는 각 반복 단위의 몰비를 나타낸다.Structures in which CP-1 to CP-3 are estimated are shown in the following formulas (CP-1) to (CP-3), respectively. In each structure, subscripts in parentheses indicate the molar ratio of each repeating unit.

CP-1의 Mw는 15,300, CP-2의 Mw는 20,600, CP-3의 Mw는 28,700이었다.The Mw of CP-1 was 15,300, the Mw of CP-2 was 20,600, and the Mw of CP-3 was 28,700.

[화학식 81][Formula 81]

Figure pct00082
Figure pct00082

<합성예 A-1: 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인, 4,4'-옥시다이벤조일 클로라이드로부터의 폴리벤즈옥사졸 전구체 A-1의 합성><Synthesis Example A-1: of polybenzoxazole precursor A-1 from 2,2'-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane, 4,4'-oxydibenzoyl chloride synthesis>

2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인 28.0g(76.4밀리몰)을 N-메틸피롤리돈 200g에 교반 용해했다. 계속해서, 피리딘 12.1g(153밀리몰)을 더하여, 온도를 -10~0℃로 유지하면서, N-메틸피롤리돈 75g에 4,4'-옥시다이벤조일 클로라이드 20.7g(70.1밀리몰)을 용해시킨 용액을 1시간 동안 적하했다. 30분간 교반한 후, 염화 아세틸 1.00g(12.7밀리몰)을 더하여, 다시 60분간 교반했다. 이어서, 6리터의 수중에서 폴리벤즈옥사졸 전구체 수지를 침전시키고, 물-폴리벤즈옥사졸 전구체 수지 혼합물을 500rpm의 속도로 15분간 교반했다. 폴리벤즈옥사졸 전구체 수지를 여과하여 제거하고, 6리터의 수중에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 이어서, 얻어진 폴리벤즈옥사졸 전구체 수지를 감압하에서, 45℃에서 3일간 건조하여, 폴리벤즈옥사졸 전구체 A-1을 얻었다. 이 폴리벤즈옥사졸 전구체 A-1은, Mw=21500, Mn=9500이었다.28.0 g (76.4 mmol) of 2,2'-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane was stirred and dissolved in 200 g of N-methylpyrrolidone. Subsequently, 12.1 g (153 mmol) of pyridine was added, and 20.7 g (70.1 mmol) of 4,4'-oxydibenzoyl chloride was dissolved in 75 g of N-methylpyrrolidone while maintaining the temperature at -10 to 0 ° C. The solution was dripped over 1 hour. After stirring for 30 minutes, 1.00 g (12.7 mmol) of acetyl chloride was added, followed by stirring for another 60 minutes. Then, the polybenzoxazole precursor resin was precipitated in 6 liters of water, and the water-polybenzoxazole precursor resin mixture was stirred at a speed of 500 rpm for 15 minutes. The polybenzoxazole precursor resin was removed by filtration, stirred again for 30 minutes in 6 liters of water, and filtered again. Next, the obtained polybenzoxazole precursor resin was dried under reduced pressure at 45°C for 3 days to obtain polybenzoxazole precursor A-1. This polybenzoxazole precursor A-1 was Mw=21500 and Mn=9500.

폴리벤즈옥사졸 전구체 A-1의 구조는, 하기 식 (A-1)로 나타나는 구조라고 추측된다.The structure of the polybenzoxazole precursor A-1 is estimated to be a structure represented by the following formula (A-1).

[화학식 82][Formula 82]

Figure pct00083
Figure pct00083

<합성예 A-2: 파이로멜리트산 이무수물, 4,4'-다이아미노다이페닐에터 및 2-하이드록시에틸메타크릴레이트로부터의 폴리이미드 전구체(A-2: 라디칼 중합성기를 갖는 폴리이미드 전구체)의 합성><Synthesis Example A-2: Polyimide precursor from pyromellitic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenyl ether and 2-hydroxyethyl methacrylate (A-2: polyi having a radical polymerizable group) Synthesis of Mead Precursor)>

14.06g(64.5밀리몰)의 파이로멜리트산 이무수물(140℃에서 12시간 건조한 것)과, 16.8g(129밀리몰)의 2-하이드록시에틸메타크릴레이트와, 0.05g의 하이드로퀴논과, 20.4g(258밀리몰)의 피리딘과, 100g의 다이글라임(다이에틸렌글라이콜다이메틸에터)을 혼합하고, 60℃의 온도로 18시간 교반하여, 파이로멜리트산과 2-하이드록시에틸메타크릴레이트의 다이에스터를 제조했다. 이어서, 얻어진 다이에스터를 SOCl2에 의하여 염소화한 후, 합성예 A-5와 동일한 방법으로 4,4'-다이아미노다이페닐에터로 폴리이미드 전구체로 변환하고, 합성예 A-5와 동일한 방법으로 폴리이미드 전구체 A-2를 얻었다. 이 폴리이미드 전구체 A-2의 중량 평균 분자량은, 21,000이었다.14.06 g (64.5 mmol) of pyromellitic dianhydride (dried at 140 ° C for 12 hours), 16.8 g (129 mmol) of 2-hydroxyethyl methacrylate, 0.05 g of hydroquinone, 20.4 g of (258 mmol) of pyridine and 100 g of diglyme (diethylene glycol dimethyl ether) were mixed and stirred at a temperature of 60 ° C. for 18 hours to obtain pyromellitic acid and 2-hydroxyethyl methacrylate. of diesters were prepared. Subsequently, the resulting diester was chlorinated with SOCl 2 , and then converted into a polyimide precursor with 4,4′-diaminodiphenyl ether in the same manner as in Synthesis Example A-5, followed by the same method as in Synthesis Example A-5. As a result, polyimide precursor A-2 was obtained. The weight average molecular weight of this polyimide precursor A-2 was 21,000.

폴리이미드 전구체 A-2의 구조는, 하기 식 (A-2)로 나타나는 구조라고 추측된다.The structure of the polyimide precursor A-2 is estimated to be a structure represented by the following formula (A-2).

[화학식 83][Formula 83]

Figure pct00084
Figure pct00084

<합성예 A-3: 4,4'-옥시다이프탈산 이무수물, 4,4'-다이아미노다이페닐에터 및 2-하이드록시에틸메타크릴레이트로부터의 폴리이미드 전구체(A-3: 라디칼 중합성기를 갖는 폴리이미드 전구체)의 합성><Synthesis Example A-3: Polyimide precursor from 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenyl ether and 2-hydroxyethyl methacrylate (A-3: radical polymerization Synthesis of Polyimide Precursor with Sexual Groups>

20.0g(64.5밀리몰)의 4,4'-옥시다이프탈산 이무수물(140℃에서 12시간 건조한 것)과, 16.8g(129밀리몰)의 2-하이드록시에틸메타크릴레이트와, 0.05g의 하이드로퀴논과, 20.4g(258밀리몰)의 피리딘과, 100g의 다이글라임을 혼합하고, 60℃의 온도에서 18시간 교반하여, 4,4'-옥시다이프탈산과 2-하이드록시에틸메타크릴레이트의 다이에스터를 제조했다. 이어서, 얻어진 다이에스터를 SOCl2에 의하여 염소화한 후, 합성예 A-5와 동일한 방법으로 4,4'-다이아미노다이페닐에터로 폴리이미드 전구체로 변환하고, 합성예 A-5와 동일한 방법으로 폴리이미드 전구체 A-3을 얻었다. 이 폴리이미드 전구체 A-3의 중량 평균 분자량은, 19,600이었다.20.0 g (64.5 mmol) of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (dried at 140 ° C for 12 hours), 16.8 g (129 mmol) of 2-hydroxyethyl methacrylate, and 0.05 g of hydroquinone Rice paddy, 20.4 g (258 mmol) of pyridine, and 100 g of diglyme were mixed, and stirred at a temperature of 60 ° C. for 18 hours to obtain dihydrogenation of 4,4'-oxydiphthalic acid and 2-hydroxyethyl methacrylate. Esters were prepared. Subsequently, the resulting diester was chlorinated with SOCl 2 , and then converted into a polyimide precursor with 4,4′-diaminodiphenyl ether in the same manner as in Synthesis Example A-5, followed by the same method as in Synthesis Example A-5. As a result, polyimide precursor A-3 was obtained. The weight average molecular weight of this polyimide precursor A-3 was 19,600.

폴리이미드 전구체 A-3의 구조는, 하기 식 (A-3)으로 나타나는 구조라고 추측된다.The structure of the polyimide precursor A-3 is estimated to be a structure represented by the following formula (A-3).

[화학식 84][Formula 84]

Figure pct00085
Figure pct00085

<합성예 A-4: 4,4'-옥시다이프탈산 이무수물, 4,4'-다이아미노-2,2'-다이메틸바이페닐(오쏘톨리딘) 및 2-하이드록시에틸메타크릴레이트로부터의 폴리이미드 전구체(A-4: 라디칼 중합성기를 갖는 폴리이미드 전구체)의 합성><Synthesis Example A-4: from 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, 4,4'-diamino-2,2'-dimethylbiphenyl (orthotolidine) and 2-hydroxyethyl methacrylate Synthesis of polyimide precursor (A-4: polyimide precursor having a radical polymerizable group) of

20.0g(64.5밀리몰)의 4,4'-옥시다이프탈산 이무수물(140℃에서 12시간 건조한 것)과, 16.8g(129밀리몰)의 2-하이드록시에틸메타크릴레이트와, 0.05g의 하이드로퀴논과, 20.4g(258밀리몰)의 피리딘과, 100g의 다이글라임을 혼합하고, 60℃의 온도에서 18시간 교반하여, 4,4'-옥시다이프탈산과 2-하이드록시에틸메타크릴레이트의 다이에스터를 제조했다. 이어서, 얻어진 다이에스터를 SOCl2에 의하여 염소화한 후, 합성예 A-5와 동일한 방법으로 4,4'-다이아미노-2,2'-다이메틸바이페닐로 폴리이미드 전구체로 변환하고, 합성예 A-5와 동일한 방법으로 폴리이미드 전구체 A-4를 얻었다. 이 폴리이미드 전구체 A-4의 중량 평균 분자량은, 23,500이었다.20.0 g (64.5 mmol) of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (dried at 140 ° C for 12 hours), 16.8 g (129 mmol) of 2-hydroxyethyl methacrylate, 0.05 g of hydroquinone Rice paddy, 20.4 g (258 mmol) of pyridine, and 100 g of diglyme were mixed and stirred at a temperature of 60 ° C. for 18 hours to obtain dihydrogenation of 4,4'-oxydiphthalic acid and 2-hydroxyethyl methacrylate. Esters were prepared. Subsequently, after chlorination of the obtained diester with SOCl 2 , it was converted into a polyimide precursor with 4,4'-diamino-2,2'-dimethylbiphenyl in the same manner as Synthesis Example A-5, and Synthesis Example A polyimide precursor A-4 was obtained in the same manner as in A-5. The weight average molecular weight of this polyimide precursor A-4 was 23,500.

폴리이미드 전구체 A-4의 구조는, 하기 식 (A-4)로 나타나는 구조라고 추측된다.The structure of the polyimide precursor A-4 is estimated to be a structure represented by the following formula (A-4).

[화학식 85][Formula 85]

Figure pct00086
Figure pct00086

<합성예 A-5: 옥시다이프탈산 이무수물, 4,4'-바이프탈산 무수물, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 및 4,4'-다이아미노다이페닐에터로부터의 폴리이미드 전구체 수지 A-5의 합성><Synthesis Example A-5: Polyimide precursor resin A- from oxydiphthalic dianhydride, 4,4'-biphthalic anhydride, 2-hydroxyethyl methacrylate and 4,4'-diaminodiphenyl ether Synthesis of 5>

교반기, 콘덴서 및 내부 온도계를 장착한 평저(平底) 조인트를 구비한 건조 반응기 중에서 수분을 제거하면서, 4,4'-바이프탈산 무수물 9.49g(32.25밀리몰), 옥시다이프탈산 이무수물 10.0g(32.25밀리몰)을 다이글라임 140mL 중에 현탁시켰다. 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 16.8g(129밀리몰), 하이드로퀴논 0.05g, 순수 0.05g 및 피리딘 10.7g(135밀리몰)을 계속해서 첨가하고, 60℃의 온도에서 18시간 교반했다. 이어서, 혼합물을 -20℃까지 냉각한 후, 염화 싸이오닐 16.1g(135.5밀리몰)을 90분 동안 적하했다. 피리디늄하이드로 클로라이드의 백색 침전이 얻어졌다. 이어서, 혼합물을 실온까지 따뜻하게 하여, 2시간 교반한 후, 피리딘 9.7g(123밀리몰) 및 N-메틸피롤리돈(NMP) 25mL를 첨가하여, 투명 용액을 얻었다. 이어서, 얻어진 투명 용액에, 4,4'-다이아미노다이페닐에터 11.8g(58.7밀리몰)을 NMP 100mL 중에 용해시킨 것을, 1시간 동안 적하에 의하여 첨가했다. 이어서, 메탄올 5.6g(17.5밀리몰)과 3,5-다이-tert-뷰틸-4-하이드록시톨루엔 0.05g을 더하여, 혼합물을 2시간 교반했다. 이어서, 4리터의 수중에서 폴리이미드 전구체 수지를 침전시키고, 물-폴리이미드 전구체 수지 혼합물을 500rpm의 속도로 15분간 교반했다. 폴리이미드 전구체 수지를 여과하여 취득하고, 4리터의 수중에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 이어서, 얻어진 폴리이미드 전구체 수지를 감압하, 45℃에서 3일간 건조하여, 폴리이미드 전구체 A-5를 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 A-5의 중량 평균 분자량은 23,800, 수평균 분자량은 10,400이었다.9.49 g (32.25 mmol) of 4,4'-biphthalic anhydride and 10.0 g (32.25 mmol) of oxydiphthalic dianhydride were removed while removing water in a drying reactor equipped with a flat bottom joint equipped with an agitator, condenser and internal thermometer. ) was suspended in 140 mL of diglyme. 16.8 g (129 mmol) of 2-hydroxyethyl methacrylate, 0.05 g of hydroquinone, 0.05 g of pure water, and 10.7 g (135 mmol) of pyridine were successively added, and the mixture was stirred at a temperature of 60°C for 18 hours. Then, after cooling the mixture to -20°C, 16.1 g (135.5 mmol) of thionyl chloride was added dropwise over 90 minutes. A white precipitate of pyridinium hydrochloride was obtained. Then, after warming the mixture to room temperature and stirring for 2 hours, 9.7 g (123 mmol) of pyridine and 25 mL of N-methylpyrrolidone (NMP) were added to obtain a clear solution. Subsequently, a solution of 11.8 g (58.7 mmol) of 4,4'-diaminodiphenyl ether in 100 mL of NMP was added dropwise over 1 hour to the resulting transparent solution. Next, 5.6 g (17.5 mmol) of methanol and 0.05 g of 3,5-di-tert-butyl-4-hydroxytoluene were added, and the mixture was stirred for 2 hours. Then, the polyimide precursor resin was precipitated in 4 liters of water, and the water-polyimide precursor resin mixture was stirred at a speed of 500 rpm for 15 minutes. The polyimide precursor resin was obtained by filtration, stirred again in 4 liters of water for 30 minutes, and filtered again. Next, the obtained polyimide precursor resin was dried at 45°C for 3 days under reduced pressure to obtain polyimide precursor A-5. The weight average molecular weight of the obtained polyimide precursor A-5 was 23,800, and the number average molecular weight was 10,400.

폴리이미드 전구체 A-5의 구조는, 하기 식 (A-5)로 나타나는 구조라고 추측된다.The structure of the polyimide precursor A-5 is estimated to be a structure represented by the following formula (A-5).

[화학식 86][Formula 86]

Figure pct00087
Figure pct00087

<합성예 A-6: 4,4'-옥시다이프탈산 이무수물, 4,4'-다이아미노다이페닐에터, 및 2-하이드록시에틸메타크릴레이트로부터의 폴리이미드 전구체 A-6의 합성><Synthesis Example A-6: Synthesis of Polyimide Precursor A-6 from 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenyl ether, and 2-hydroxyethyl methacrylate>

4,4'-옥시다이프탈산 이무수물(ODPA) 155.1g을 세퍼러블 플라스크에 넣고, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트(HEMA) 134.0g 및 γ-뷰티로락톤 400mL를 더했다. 실온하에서 교반하면서, 피리딘 79.1g을 더함으로써, 반응 혼합물을 얻었다. 반응에 의한 발열의 종료 후, 실온까지 방랭하고, 16시간 더 정치했다.155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA) was placed in a separable flask, and 134.0 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 400 mL of γ-butyrolactone were added. A reaction mixture was obtained by adding 79.1 g of pyridine while stirring at room temperature. After completion of heat generation by the reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature and left still for further 16 hours.

다음으로, 빙랭하에 있어서, 반응 혼합물에, 다이사이클로헥실카보다이이미드(DCC) 206.3g을 γ-뷰티로락톤 180mL에 용해한 용액을, 교반하면서 40분 동안 더했다. 계속해서, 4,4'-다이아미노다이페닐에터 93.0g을 γ-뷰티로락톤 350mL에 현탁한 현탁액을, 교반하면서 60분 동안 더했다. 실온에서 2시간 더 교반한 후, 에틸알코올 30mL를 더하여 1시간 교반했다. 그 후, γ-뷰티로락톤 400mL를 더했다. 반응 혼합물에 발생한 침전물을, 여과에 의하여 제거하고, 반응액을 얻었다.Next, under ice-cooling, a solution obtained by dissolving 206.3 g of dicyclohexylcarbodiimide (DCC) in 180 mL of γ-butyrolactone was added to the reaction mixture over 40 minutes while stirring. Subsequently, a suspension obtained by suspending 93.0 g of 4,4'-diaminodiphenyl ether in 350 mL of γ-butyrolactone was added over 60 minutes while stirring. After stirring at room temperature for another 2 hours, 30 mL of ethyl alcohol was added and stirred for 1 hour. After that, 400 mL of γ-butyrolactone was added. A precipitate generated in the reaction mixture was removed by filtration to obtain a reaction liquid.

얻어진 반응액을 3리터의 에틸알코올에 더하여, 조(粗)폴리머로 이루어지는 침전물을 생성했다. 생성한 조폴리머를 여과 채취하고, 테트라하이드로퓨란 1.5리터에 용해하여 조폴리머 용액을 얻었다. 얻어진 조폴리머 용액을 28리터의 물에 적하하여 폴리머를 침전시키고, 얻어진 침전물을 여과 채취한 후에 진공 건조함으로써, 분말상의 폴리이미드 전구체 A-6을 얻었다. 이 폴리이미드 전구체 A-6의 중량 평균 분자량(Mw)을 측정한 결과, 24,000이었다.The obtained reaction liquid was added to 3 liters of ethyl alcohol to produce a precipitate composed of a crude polymer. The resulting crude polymer was collected by filtration and dissolved in 1.5 liters of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution. The obtained crude polymer solution was dropped into 28 liters of water to precipitate the polymer, and the obtained precipitate was collected by filtration and vacuum dried to obtain a powdery polyimide precursor A-6. It was 24,000 as a result of measuring the weight average molecular weight (Mw) of this polyimide precursor A-6.

<합성예 A-7: 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 4,4'-다이아미노다이페닐에터, 및 2-하이드록시에틸메타크릴레이트로부터의 폴리이미드 전구체 A-7의 합성><Synthesis Example A-7: Polyimide precursor from 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenyl ether, and 2-hydroxyethyl methacrylate Synthesis of A-7>

합성예 6에 있어서, 4,4'-옥시다이프탈산 이무수물 155.1g 대신에, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물 147.1g을 이용한 것 이외에는, 합성예 6에 기재된 방법과 동일하게 하여 반응을 행함으로써, 폴리머 A-7을 얻었다. 이 폴리머 A-7의 중량 평균 분자량(Mw)을 측정한 결과, 22,900이었다.In Synthesis Example 6, the method described in Synthesis Example 6 except for using 147.1 g of 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride instead of 155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride. Polymer A-7 was obtained by reacting in the same manner as above. It was 22,900 as a result of measuring the weight average molecular weight (Mw) of this polymer A-7.

<합성예 PBI-1: 폴리이미드 PBI-1의 합성><Synthesis Example PBI-1: Synthesis of Polyimide PBI-1>

콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크 중에서, 수분을 제거하면서, 4,4'-(헥사플루오로아이소프로필리덴)다이프탈산 무수물(도쿄 가세이 고교(주)제) 22.2g(50밀리몰), 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이힌 고교(주)제) 0.02g을 N-메틸피롤리돈(NMP) 100.0g에 용해했다. 이어서, 후술하는 다이아민 (AA-1) 11.9g(45밀리몰)을 첨가하고, 25℃에서 3시간 교반하며, 45℃에서 다시 3시간 교반했다. 이어서, 피리딘 15.8g(200밀리몰), 무수 아세트산 12.8g(125밀리몰), N-메틸피롤리돈(NMP) 50g을 첨가하고, 80℃에서, 3시간 교반하며, N-메틸피롤리돈(NMP) 50g을 더하여, 희석했다.In a flask equipped with a condenser and a stirrer, 22.2 g (50 mmol) of 4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.), 2,2, 0.02 g of 6,6-tetramethylpiperidine 1-oxyl free radical (manufactured by Tokyo Kaseihin Kogyo Co., Ltd.) was dissolved in 100.0 g of N-methylpyrrolidone (NMP). Subsequently, 11.9 g (45 mmol) of diamine (AA-1) described later was added, and the mixture was stirred at 25°C for 3 hours and stirred at 45°C for another 3 hours. Subsequently, 15.8 g (200 mmol) of pyridine, 12.8 g (125 mmol) of acetic anhydride, and 50 g of N-methylpyrrolidone (NMP) were added, stirred at 80 ° C. for 3 hours, and N-methylpyrrolidone (NMP ) 50 g was added and diluted.

이 반응액을, 1리터의 메탄올 중에서 침전시키고, 3000rpm의 속도로 15분간 교반했다. 수지를 여과하여 제거하고, 1리터의 메탄올 중에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 얻어진 수지를 감압하에서, 40℃에서 1일 건조하여, 폴리이미드 PBI-1을 얻었다. PBI-1의 분자량은, Mw=19,000, Mn=8,100이었다.This reaction liquid was precipitated in 1 liter of methanol and stirred for 15 minutes at a speed of 3000 rpm. The resin was removed by filtration, stirred again for 30 minutes in 1 liter of methanol, and filtered again. The obtained resin was dried under reduced pressure at 40°C for one day to obtain polyimide PBI-1. The molecular weight of PBI-1 was Mw = 19,000 and Mn = 8,100.

폴리이미드 PBI-1의 구조는 하기 식 (PBI-1)에 의하여 나타나는 구조라고 추측된다.It is estimated that the structure of polyimide PBI-1 is a structure represented by the following formula (PBI-1).

[화학식 87][Formula 87]

Figure pct00088
Figure pct00088

<합성예 AA-1: 다이아민 AA-1의 합성><Synthesis Example AA-1: Synthesis of Diamine AA-1>

콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크 중에서, 메타크릴산 2-하이드록시에틸(후지필름 와코 준야쿠(주)제) 26.0g(0.2몰), 탈수 피리딘(후지필름 와코 준야쿠(주)제) 17.4g(0.22몰)을 78g의 아세트산 에틸에 용해하고, 5℃ 이하로 냉각했다. 이어서, 3,5-다이나이트로벤조일 클로라이드(도쿄 가세이 고교(주)제) 48.4g(0.21몰)을 145g의 아세트산 에틸에 용해하고, 이 용액을 적하 깔때기를 사용하여, 1시간 동안 플라스크 중에 적하했다. 적하 종료 후, 10℃ 이하에서 30분 교반하며, 25℃로 승온시켜, 3시간 교반했다. 이어서, 반응액을 아세트산 에틸(CH3COOEt) 600mL로 희석하고, 분액 깔때기로 옮겨, 물 300mL, 포화 중조수(重曹水) 300mL, 희(希)염산 300mL, 포화 식염수 300mL로 순서대로 세정했다. 분액 세정 후, 황산 마그네슘 30g으로 건조 후, 이배퍼레이터를 이용하여 농축, 진공 건조하여, 다이나이트로체 (A-1)을 61.0g 얻었다.In a flask equipped with a condenser and a stirrer, 26.0 g (0.2 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate (manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and 17.4 g of dehydrated pyridine (manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (0.22 mol) was dissolved in 78 g of ethyl acetate and cooled to 5°C or less. Then, 48.4 g (0.21 mol) of 3,5-dinitrobenzoyl chloride (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) was dissolved in 145 g of ethyl acetate, and this solution was added dropwise into the flask for 1 hour using a dropping funnel. did. After completion of the dropping, the mixture was stirred at 10°C or less for 30 minutes, heated to 25°C, and stirred for 3 hours. Then, the reaction solution was diluted with 600 mL of ethyl acetate (CH 3 COOEt), transferred to a separatory funnel, and washed with 300 mL of water, 300 mL of saturated sodium bicarbonate water, 300 mL of dilute hydrochloric acid, and 300 mL of saturated brine in this order. After liquid separation and washing, drying with 30 g of magnesium sulfate, concentration using an evaporator and vacuum drying were carried out to obtain 61.0 g of a dinitro body (A-1).

콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 환원 철(후지필름 와코 준야쿠(주)제) 27.9g(500밀리몰), 염화 암모늄(후지필름 와코 준야쿠(주)제) 5.9g(110밀리몰), 아세트산(후지필름 와코 준야쿠(주)제) 3.0g(50밀리몰), 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이 고교(주)제) 0.03g을 칭량하고, 아이소프로필알코올(IPA) 200mL, 순수 30mL를 첨가하며, 교반했다.In a flask equipped with a condenser and stirrer, 27.9 g (500 mmol) of reduced iron (manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), 5.9 g (110 mmol) of ammonium chloride (manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), acetic acid (Fujifilm Wako Junyaku Co., Ltd.) 3.0 g (50 mmol) and 2,2,6,6-tetramethylpiperidine 1-oxyl free radical (Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) 0.03 g were weighed, , 200 mL of isopropyl alcohol (IPA) and 30 mL of pure water were added and stirred.

이어서, 상기 다이나이트로체 (A-1) 16.2g을 소량씩 1시간 동안 첨가하고, 30분 교반했다. 다음으로, 외온(外溫)을 85℃로 승온시켜, 2시간 교반하며, 25℃ 이하로 냉각한 후, 셀라이트(등록 상표)를 사용하여 여과했다. 여과액을 로터리 이배퍼레이터로 농축하고, 아세트산 에틸 800mL에 용해했다. 이것을 분액 깔때기로 옮겨, 포화 중조수 300mL로 2회 세정하고, 물 300mL, 포화 식염수 300mL로 순서대로 세정했다. 분액 세정 후, 황산 마그네슘 30g으로 건조 후, 이배퍼레이터를 이용하여 농축, 진공 건조하여, 다이아민 (AA-1)을 11.0g 얻었다.Subsequently, 16.2 g of the dinitro body (A-1) was added in small portions over 1 hour, followed by stirring for 30 minutes. Next, the external temperature was raised to 85°C, stirred for 2 hours, cooled to 25°C or lower, and filtered using Celite (registered trademark). The filtrate was concentrated with a rotary evaporator and dissolved in 800 mL of ethyl acetate. This was transferred to a separatory funnel and washed twice with 300 mL of saturated sodium bicarbonate, followed by washing with 300 mL of water and 300 mL of saturated saline in that order. After liquid separation and washing, drying with 30 g of magnesium sulfate, concentration and vacuum drying were performed using an evaporator to obtain 11.0 g of diamine (AA-1).

[화학식 88][Formula 88]

Figure pct00089
Figure pct00089

<실시예 및 비교예><Examples and Comparative Examples>

각 실시예에 있어서, 각각, 하기 표에 기재된 성분을 혼합하여, 각 경화성 수지 조성물을 얻었다. 또, 각 비교예에 있어서, 각각, 하기 표에 기재된 성분을 혼합하여, 각 비교용 조성물을 얻었다.In each Example, each curable resin composition was obtained by mixing the components described in the table below, respectively. Moreover, in each comparative example, each component for comparison was obtained by mixing the components described in the table below, respectively.

구체적으로는, 표에 기재된 용제 이외의 성분의 함유량은, 표의 각 "첨가량"란에 기재된 양(질량부)으로 했다.Specifically, the contents of components other than the solvents described in the tables were set to the amounts (parts by mass) described in each "additional amount" column in the tables.

또한, AP-1~AP-4, BP-1~BP-2, CP-1~CP-3에 대해서는, 용액 중의 고형분량이 표의 각 "첨가량"에 기재된 양(질량부)이 되도록 첨가했다.In addition, for AP-1 to AP-4, BP-1 to BP-2, and CP-1 to CP-3, the solid content in the solution was added so as to be the amount (part by mass) described in each "addition amount" in the table.

얻어진 경화성 수지 조성물 및 비교용 조성물을, 미세 구멍의 폭이 0.8μm인 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 통과시켜 가압 여과했다.The obtained curable resin composition and the comparative composition were filtered under pressure through a polytetrafluoroethylene filter having a fine pore width of 0.8 μm.

또, 표 중, "-"의 기재는 해당하는 성분을 조성물이 함유하고 있지 않은 것을 나타내고 있다.In addition, in the table|surface, description of "-" shows that the composition does not contain the component concerned.

[표 1][Table 1]

Figure pct00090
Figure pct00090

[표 2][Table 2]

Figure pct00091
Figure pct00091

표에 기재한 각 성분의 상세는 하기와 같다.The detail of each component described in the table|surface is as follows.

〔수지〕〔Suzy〕

·A-1~A-7, PBI-1: 상술한 합성예로 합성한 폴리벤즈옥사졸 전구체 A-1, 폴리이미드 전구체 A-2~A-7, 폴리이미드 PBI-1A-1 to A-7, PBI-1: polybenzoxazole precursors A-1 synthesized in the above-described synthesis examples, polyimide precursors A-2 to A-7, polyimide PBI-1

〔화합물 B〕[Compound B]

·B-1~B-10: 상술한 합성예로 합성한 B-1~B-10B-1 to B-10: B-1 to B-10 synthesized in the synthesis example described above

·AP-1~AP-4: 상술한 합성예로 합성한 AP-1~AP-4AP-1 to AP-4: AP-1 to AP-4 synthesized in the synthesis example described above

·CP-1~CP-3: 상술한 합성예로 합성한 CP-1~CP-3CP-1 to CP-3: CP-1 to CP-3 synthesized in the above-described synthesis example

B-1~B-10은, 상술한 저분자 화합물 B에 해당하는 화합물이다.B-1 to B-10 are compounds corresponding to the low molecular weight compound B described above.

AP-1~AP-4 및 CP-1~CP-3은, 상술한 수지 B에 해당하는 화합물이다.AP-1 to AP-4 and CP-1 to CP-3 are compounds corresponding to Resin B described above.

〔화합물 C〕[Compound C]

·C-1~C-7: 하기 식 (C-1)~(C-7)로 나타나는 화합물C-1 to C-7: Compounds represented by the following formulas (C-1) to (C-7)

[화학식 89][Formula 89]

Figure pct00092
Figure pct00092

〔화합물 D〕[Compound D]

·D-1~D-6: 하기 식 (D-1)~(D-6)으로 나타나는 화합물D-1 to D-6: Compounds represented by the following formulas (D-1) to (D-6)

·BP-1~BP-2: 상술한 합성예로 합성한 BP-1~BP-2BP-1 to BP-2: BP-1 to BP-2 synthesized in the synthesis example described above

D-1~D-6은, 상술한 저분자 화합물 D에 해당하는 화합물이다.D-1 to D-6 are compounds corresponding to the low molecular weight compound D described above.

BP-1~BP-2는, 상술한 수지 D에 해당하는 화합물이다.BP-1 to BP-2 are compounds corresponding to Resin D described above.

[화학식 90][Formula 90]

Figure pct00093
Figure pct00093

〔화합물 E〕[Compound E]

·E-1~E-3: 하기 식 (E-1)~(E-3)으로 나타나는 화합물E-1 to E-3: Compounds represented by the following formulas (E-1) to (E-3)

[화학식 91][Formula 91]

Figure pct00094
Figure pct00094

〔광중합 개시제(모두 상품명)〕[Photoinitiator (all brand names)]

·OXE-01: IRGACURE OXE 01(BASF사제)・OXE-01: IRGACURE OXE 01 (manufactured by BASF)

·OXE-02: IRGACURE OXE 02(BASF사제)・OXE-02: IRGACURE OXE 02 (manufactured by BASF)

〔중합성 화합물(모두 상품명)〕[Polymerizable compound (all brand names)]

·SR-209: SR-209(사토머사제)SR-209: SR-209 (manufactured by Sartomer)

·SR-231: SR-231(사토머사제)SR-231: SR-231 (manufactured by Sartomer)

·SR-239: SR-239(사토머사제)SR-239: SR-239 (manufactured by Sartomer)

·A-DPH: 다이펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(신나카무라 가가쿠 고교(주)제)A-DPH: dipentaerythritol hexaacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd.)

〔중합 금지제〕[Polymerization inhibitor]

·F-1: 1,4-벤조퀴논F-1: 1,4-benzoquinone

·F-2: 4-메톡시페놀F-2: 4-methoxyphenol

·F-3: 1,4-다이하이드록시벤젠F-3: 1,4-dihydroxybenzene

·F-4: 하기 구조의 화합물F-4: a compound having the following structure

[화학식 92][Formula 92]

Figure pct00095
Figure pct00095

〔염기 발생제〕[base generator]

·I-1~I-3: 하기 구조의 화합물I-1 to I-3: Compounds with the following structures

·I-4: WPBG-27(후지필름 와코 준야쿠(주))・I-4: WPBG-27 (Fujifilm Wako Junyaku Co., Ltd.)

[화학식 93][Formula 93]

Figure pct00096
Figure pct00096

〔첨가제〕〔additive〕

·J-1: N-페닐다이에탄올아민(도쿄 가세이 고교(주)제)J-1: N-phenyldiethanolamine (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.)

〔용제〕〔solvent〕

·DMSO: 다이메틸설폭사이드DMSO: dimethyl sulfoxide

·GBL: γ-뷰티로락톤GBL: γ-butyrolactone

·NMP: N-메틸피롤리돈NMP: N-methylpyrrolidone

표 중, "DMSO/GBL"의 기재는 DMSO와 GBL을 80:20의 혼합비(질량비)로 혼합한 것을 이용한 것을 나타내고 있다.In the table, the description of "DMSO/GBL" indicates that a mixture of DMSO and GBL at a mixing ratio (mass ratio) of 80:20 was used.

<평가><evaluation>

〔구리 밀착성의 평가〕[Evaluation of Copper Adhesion]

상기 여과 후의 각 경화성 수지 조성물 또는 비교용 조성물을, 구리 기판 상에 스핀 코트법에 의하여 층상으로 적용하여, 경화성 수지 조성물층을 형성했다. 얻어진 경화성 수지 조성물층을 적용한 구리 기판을 핫플레이트 상에서, 100℃에서 5분간 건조하여, 구리 기판 상에 20μm의 두께의 균일한 경화성 수지 조성물층으로 했다. 구리 기판 상의 경화성 수지 조성물층을, 스테퍼(Nikon NSR 2005 i9C)를 이용하여, 500mJ/cm2의 노광 에너지로 한 변이 100μm인 정사각형상의 비마스크부가 형성된 포토마스크를 사용하여 노광하고, 그 후 사이클로펜탄온으로 60초간 현상하여, 한 변이 100μm인 정사각형의 수지층을 얻었다. 또한, 질소 분위기하에서, 10℃/분의 승온 속도로 승온시켜, 표 중의 "경화 온도(℃)"란에 기재된 온도에 도달한 후, 이 온도를 3시간 유지하여 수지막 2를 얻었다.Each of the curable resin compositions or comparative compositions after the filtration was applied in layers on a copper substrate by a spin coating method to form a curable resin composition layer. The copper substrate to which the obtained curable resin composition layer was applied was dried on a hot plate at 100°C for 5 minutes to obtain a uniform curable resin composition layer having a thickness of 20 µm on the copper substrate. The curable resin composition layer on the copper substrate was exposed to light using a stepper (Nikon NSR 2005 i9C) at an exposure energy of 500 mJ/cm 2 using a photomask having a square-shaped non-mask portion having a side of 100 μm, and then cyclopentane. It was developed for 60 seconds by heating to obtain a square resin layer with a side of 100 µm. Further, in a nitrogen atmosphere, the temperature was raised at a heating rate of 10 ° C./min to reach the temperature described in the “curing temperature (° C.)” column in the table, and then maintained at this temperature for 3 hours to obtain a resin film 2.

단, 염기 발생제로서 I-4를 이용한 예에 있어서는, 상기 "경화 온도(℃)"란에 기재된 온도에 도달한 후, 이 온도를 3시간 유지하면서, 500mJ/cm2의 노광량으로 패턴의 전체면에 i선 노광을 행했다.However, in the case of using I-4 as the base generator, after reaching the temperature described in the above “curing temperature (°C)” column, the entire pattern was cured at an exposure amount of 500 mJ/cm 2 while maintaining this temperature for 3 hours. i-line exposure was performed on the surface.

구리 기판 상의 한 변이 100μm인 정사각형의 수지막 2에 대하여, 25℃, 65% 상대 습도(RH)의 환경하에서, 본드 테스터(XYZTEC사제, CondorSigma)를 이용하여, 전단력을 측정했다. 전단력이 크면 클수록 밀착력이 크고, 금속과 경화막의 밀착성이 우수하다고 할 수 있어, 바람직한 결과가 된다.The shear force was measured for the square resin film 2 having a side of 100 μm on a copper substrate in an environment of 25° C. and 65% relative humidity (RH) using a bond tester (manufactured by XYZTEC, CondorSigma). The greater the shear force, the greater the adhesion, and it can be said that the adhesion between the metal and the cured film is excellent, resulting in a preferable result.

평가는 하기 평가 기준에 따라 행하며, 평가 결과는 표 중의 "구리 밀착성"란에 기재했다.Evaluation was performed according to the following evaluation criteria, and the evaluation results were described in the "copper adhesion" column in the table.

-평가 기준--Evaluation standard-

A: 전단력이 40gf를 초과했다A: The shear force exceeded 40 gf

B: 전단력이 35gf 초과 40gf 이하B: Shear force greater than 35 gf and less than 40 gf

C: 전단력이 30gf 초과 35gf 이하C: Shear force greater than 30 gf and less than 35 gf

D: 전단력이 25gf 초과 30gf 이하D: Shear force greater than 25 gf and less than 30 gf

E: 전단력이 25gf 이하E: Shear force less than 25gf

1gf는 9.80665×10-3N이다.1gf is 9.80665×10 -3 N.

〔다층 적층 시의 밀착성의 평가〕[Evaluation of adhesion during multi-layer lamination]

-적층체의 제조--Manufacture of laminated body-

각 경화성 수지 조성물 또는 비교용 조성물을, 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코트법에 의하여 층상으로 적용하고, 핫플레이트를 이용하여 100℃에서 5분간 건조하여 경화성 수지 조성물층을 형성했다. 다음으로, 경화성 수지 조성물층에 대하여, 스테퍼(Nikon NSR 2005 i9C)를 이용하여, 직경 10μm의 원형상의 비노광부가 형성된 포토마스크를 통하여 500mJ/cm2의 노광 에너지로 노광했다. 다음으로, 노광 후의 경화성 수지 조성물층을 사이클로펜탄온을 이용하여 60초간 현상하여, 직경 10μm의 홀을 형성했다. 다음으로, 질소 분위기하에서 표 중의 "경화 온도(℃)"란에 기재된 온도로 3시간 가열하여 수지층(패턴)을 형성했다. 단, 염기 발생제로서 I-4를 이용한 예에 있어서는, 상기 "경화 온도(℃)"란에 기재된 온도에 도달한 후, 이 온도를 3시간 유지하면서, 500mJ/cm2의 노광량으로 패턴의 전체면에 i선 노광을 행했다. 다음으로, 가열 후의 수지층(패턴)을 실온까지 냉각하고, 구리 도금 처리를 행하여, 수지층 상에 두께 5μm의 구리 박막을 형성하여, 적층체 1을 형성했다.Each curable resin composition or comparative composition was applied layer by layer on a silicon wafer by spin coating, and dried at 100° C. for 5 minutes using a hot plate to form a curable resin composition layer. Next, the curable resin composition layer was exposed with exposure energy of 500 mJ/cm 2 using a stepper (Nikon NSR 2005 i9C) through a photomask having a circular non-exposed portion having a diameter of 10 μm. Next, the curable resin composition layer after exposure was developed for 60 seconds using cyclopentanone to form a hole with a diameter of 10 μm. Next, a resin layer (pattern) was formed by heating in a nitrogen atmosphere at the temperature described in the "curing temperature (°C)" column in the table for 3 hours. However, in the case of using I-4 as the base generator, after reaching the temperature described in the above “curing temperature (°C)” column, the entire pattern was cured at an exposure amount of 500 mJ/cm 2 while maintaining this temperature for 3 hours. i-line exposure was performed on the surface. Next, the resin layer (pattern) after heating was cooled to room temperature, copper plating was performed, a copper thin film having a thickness of 5 μm was formed on the resin layer, and laminate 1 was formed.

다음으로, 적층체 1의 구리 박막에 대하여, 산소 플라즈마를 조사한 후, 재차, 경화성 수지 조성물의 적용, 노광, 현상, 및 가열을 행한 후, 구리 도금 처리를 행하여, 수지층 상에 두께 5μm의 구리 박막을 형성하여 적층체 2를 얻었다.Next, after irradiating oxygen plasma to the copper thin film of layered product 1, application of curable resin composition, exposure, development, and heating are performed again, followed by copper plating treatment, and copper having a thickness of 5 μm on the resin layer. A thin film was formed to obtain laminate 2.

다음으로, 적층체 2의 구리 박막에 대하여, 산소 플라즈마를 조사한 후, 재차, 경화성 수지 조성물의 적용, 노광, 현상, 및 가열을 행한 후, 구리 도금 처리를 행하여, 수지층 상에 두께 5μm의 구리 박막을 형성하여 적층체 3을 얻었다.Next, after irradiating oxygen plasma to the copper thin film of layered product 2, application of curable resin composition, exposure, development, and heating are performed again, followed by copper plating treatment, and copper having a thickness of 5 μm on the resin layer. A thin film was formed to obtain laminate 3.

-박리 결함의 평가--Evaluation of Peeling Defects-

적층체 3을, 수직 방향으로 절단하여 폭 5mm의 단면을 관찰하여, 수지층/수지층 사이, 및, 구리/수지층 사이에서의 박리의 유무 및 개수를 확인했다. 박리의 발생이 적을수록, 다층 적층 시에 있어서, 우수한 밀착성을 갖고 있는 것을 나타내, 바람직한 결과가 된다.The layered product 3 was cut in the vertical direction, and a cross section having a width of 5 mm was observed, and the presence or absence of peeling between resin layers/resin layers and between copper/resin layers and the number of pieces were confirmed. The smaller the occurrence of peeling, the more excellent adhesion is exhibited during multilayer lamination, resulting in a preferable result.

평가는 하기 평가 기준에 따라 행하며, 평가 결과는 표 중의 "다층 적층 시의 밀착성"란에 기재했다.Evaluation was performed according to the following evaluation criteria, and the evaluation results were described in the "adhesiveness at the time of multilayer lamination" column in the table.

-평가 기준--Evaluation standard-

A: 박리의 발생 없음A: No occurrence of peeling

B: 박리의 발생이 1~2개B: 1 to 2 occurrences of peeling

C: 박리의 발생이 3~5개C: 3 to 5 occurrences of peeling

D: 박리의 발생이 6개 이상D: 6 or more occurrences of peeling

<실시예 101><Example 101>

실시예 1에 있어서 사용한 경화성 수지 조성물을, 표면에 구리 박층이 형성된 수지 기재의 구리 박층의 표면에 스핀 코트법에 의하여 층상으로 적용하여, 100℃에서 4분간 건조하여, 막두께 20μm의 경화성 수지 조성물층을 형성한 후, 스테퍼((주)니콘제, NSR1505 i6)를 이용하여 노광했다. 노광은 마스크(패턴이 1:1 라인 앤드 스페이스이며, 선폭이 10μm인 바이너리 마스크)를 통하여, 파장 365nm로 행했다. 노광 후, 100℃에서 4분간 가열했다. 상기 가열 후, 사이클로헥산온으로 2분간 현상하고, PGMEA로 30초간 린스하여, 층의 패턴을 얻었다.The curable resin composition used in Example 1 was applied layer by layer to the surface of a thin copper layer of a resin base material having a thin copper layer formed thereon by a spin coating method, dried at 100°C for 4 minutes, and curable resin composition having a film thickness of 20 μm. After forming the layer, it was exposed using a stepper (manufactured by Nikon Corporation, NSR1505i6). Exposure was performed at a wavelength of 365 nm through a mask (a binary mask with a 1:1 line-and-space pattern and a line width of 10 μm). After exposure, it heated at 100 degreeC for 4 minutes. After the heating, development was carried out with cyclohexanone for 2 minutes and rinsed with PGMEA for 30 seconds to obtain a layer pattern.

이어서, 질소 분위기하에서, 10℃/분의 승온 속도로 승온시켜, 230℃에 도달한 후, 230℃에서 3시간 유지하여, 재배선층용 층간 절연막을 형성했다. 이 재배선층용 층간 절연막은, 절연성이 우수했다.Then, in a nitrogen atmosphere, the temperature was raised at a heating rate of 10°C/min to reach 230°C, and then maintained at 230°C for 3 hours to form an interlayer insulating film for a redistribution layer. This interlayer insulating film for the redistribution layer was excellent in insulating properties.

또, 이들 재배선층용 층간 절연막을 사용하여 반도체 디바이스를 제조한 결과, 문제없이 동작하는 것을 확인했다.In addition, as a result of manufacturing semiconductor devices using these interlayer insulating films for redistribution layers, it was confirmed that they operated without problems.

Claims (19)

폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 폴리이미드 및 폴리벤즈옥사졸로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 수지, 및,
중합성기 및 아졸기를 갖는 화합물인 화합물 B를 포함하는 경화성 수지 조성물.
At least one resin selected from the group consisting of polyimide precursors, polybenzoxazole precursors, polyimides, and polybenzoxazoles, and
A curable resin composition comprising compound B, which is a compound having a polymerizable group and an azole group.
청구항 1에 있어서,
상기 화합물 B가, 아마이드기, 유레테인기 및 유레아기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 갖는, 경화성 수지 조성물.
The method of claim 1,
Curable resin composition in which the said compound B has at least 1 sort(s) of group selected from the group which consists of an amide group, a urethane group, and a urea group.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 화합물 B가 상기 중합성기로서, 라디칼 중합성기, 및, 알콕시실릴기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 포함하는, 경화성 수지 조성물.
According to claim 1 or claim 2,
Curable resin composition in which the said compound B contains at least 1 sort(s) of group selected from the group which consists of a radical polymerizable group and an alkoxysilyl group as said polymeric group.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 화합물 B에 있어서의 아졸기가, 하기 식 (B-1) 또는 하기 식 (B-2)로 나타나는 기인, 경화성 수지 조성물;
[화학식 1]
Figure pct00097

식 (B-1) 중, RB1은 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위, 수소 원자 또는 중합성기를 갖지 않는 1가의 유기기를 나타내고, ZB1~ZB4는 각각 독립적으로, =CRB7- 또는 질소 원자를 나타내며, RB7은 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위, 수소 원자 또는 중합성기를 갖지 않는 1가의 유기기를 나타내고, 식 (B-1)에 포함되는 RB1 및 RB7 중, 적어도 하나는 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타낸다;
식 (B-2) 중, RB2~RB6은 각각 독립적으로, 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위, 수소 원자 또는 중합성기를 갖지 않는 1가의 유기기를 나타내고, ZB5 및 ZB6은 각각 독립적으로, =CRB8- 또는 질소 원자를 나타내며, RB8은 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위, 수소 원자, 또는, 중합성기를 갖지 않는 1가의 유기기를 나타내고, 식 (B-2)에 포함되는 RB2~RB6 및 RB8 중, 적어도 하나는 중합성기를 갖는 구조와의 결합 부위를 나타낸다.
The method according to any one of claims 1 to 3,
curable resin composition in which the azole group in the compound B is a group represented by the following formula (B-1) or the following formula (B-2);
[Formula 1]
Figure pct00097

In formula (B-1), R B1 represents a bonding site with a structure having a polymerizable group, a hydrogen atom, or a monovalent organic group having no polymerizable group, and Z B1 to Z B4 are each independently =CR B7 - or represents a nitrogen atom, R B7 represents a bonding site to a structure having a polymerizable group, a hydrogen atom or a monovalent organic group having no polymerizable group, and at least one of R B1 and R B7 contained in formula (B-1) represents a bonding site with a structure having a polymerizable group;
In formula (B-2), R B2 to R B6 each independently represent a bonding site to a structure having a polymerizable group, a hydrogen atom, or a monovalent organic group having no polymerizable group, and Z B5 and Z B6 are each independently where =CR B8 - or represents a nitrogen atom, R B8 represents a bonding site to a structure having a polymerizable group, a hydrogen atom, or a monovalent organic group having no polymerizable group, and is included in the formula (B-2) Among R B2 to R B6 and R B8 , at least one represents a bonding site with a structure having a polymerizable group.
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 화합물 B로서, 분자량이 2,000 미만인 화합물 B를 포함하는, 경화성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 4,
A curable resin composition comprising a compound B having a molecular weight of less than 2,000 as the compound B.
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 화합물 B로서, 수지인 화합물 B를 포함하는, 경화성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 5,
Curable resin composition containing compound B which is a resin as said compound B.
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
중합성기를 갖지 않고 아졸기를 갖는 화합물인 화합물 C를 더 포함하는, 경화성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 6,
A curable resin composition further comprising compound C, which is a compound having an azole group without having a polymerizable group.
청구항 7에 있어서,
상기 화합물 C가, 하기 식 (C-1) 또는 하기 식 (C-2)로 나타나는 화합물인, 경화성 수지 조성물;
[화학식 2]
Figure pct00098

식 (C-1) 중, Z1~Z4는 각각 독립적으로, =CR7- 또는 질소 원자를 나타내며, R1은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R7은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, 식 (C-1)로 나타나는 구조 중에 중합성기는 포함하지 않는다;
식 (C-2) 중, Z5~Z6은 각각 독립적으로, =CR8- 또는 질소 원자를 나타내며, R2~R6은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, 식 (C-2)로 나타나는 구조 중에 중합성기는 포함하지 않는다.
The method of claim 7,
Curable resin composition in which the said compound C is a compound represented by following formula (C-1) or following formula (C-2);
[Formula 2]
Figure pct00098

In formula (C-1), each of Z 1 to Z 4 independently represents =CR 7 - or a nitrogen atom, R 1 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and R 7 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. and does not contain a polymerizable group in the structure represented by formula (C-1);
In formula (C-2), Z 5 to Z 6 each independently represent =CR 8 - or a nitrogen atom, R 2 to R 6 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, and R 8 is It represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and a polymerizable group is not included in the structure represented by formula (C-2).
청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 폴리이미드 및 폴리벤즈옥사졸로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 수지가, 상기 화합물 B에 있어서의 중합성기와 중합 가능한 중합성기를 갖는, 경화성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 8,
A curable resin composition wherein at least one resin selected from the group consisting of the polyimide precursor, polybenzoxazole precursor, polyimide, and polybenzoxazole has a polymerizable group in the compound B and a polymerizable group capable of polymerization.
청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
알콕시실릴기와는 상이한 중합성기를 갖고, 아졸기를 갖지 않는 실레인 커플링제인 화합물 D를 더 포함하는, 경화성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 9,
A curable resin composition further comprising Compound D, which is a silane coupling agent having a polymerizable group different from an alkoxysilyl group and not having an azole group.
청구항 10에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 폴리이미드 및 폴리벤즈옥사졸로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 수지가, 상기 화합물 D에 있어서의 중합성기와 중합 가능한 중합성기를 갖는, 경화성 수지 조성물.
The method of claim 10,
A curable resin composition wherein at least one resin selected from the group consisting of the polyimide precursor, polybenzoxazole precursor, polyimide, and polybenzoxazole has a polymerizable group in the compound D and a polymerizable group capable of polymerization.
청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,
알콕시실릴기와는 상이한 중합성기 및 아졸기를 모두 갖지 않는 실레인 커플링제인 화합물 E를 더 포함하는, 경화성 수지 조성물.
According to any one of claims 1 to 11,
A curable resin composition further comprising a compound E which is a silane coupling agent having neither a polymerizable group nor an azole group different from an alkoxysilyl group.
청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
재배선층용 층간 절연막의 형성에 이용되는, 경화성 수지 조성물.
According to any one of claims 1 to 12,
A curable resin composition used for forming an interlayer insulating film for a redistribution layer.
청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 기재된 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막.A cured film formed by curing the curable resin composition according to any one of claims 1 to 13. 청구항 14에 기재된 경화막을 2층 이상 포함하고, 상기 경화막끼리 중 어느 하나의 사이에 금속층을 포함하는 적층체.A laminate comprising two or more layers of the cured film according to claim 14 and including a metal layer between any of the cured films. 청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 기재된 경화성 수지 조성물을 기판에 적용하여 막을 형성하는 막형성 공정을 포함하는, 경화막의 제조 방법.A method for producing a cured film including a film formation step of applying the curable resin composition according to any one of claims 1 to 13 to a substrate to form a film. 청구항 16에 있어서,
상기 막을 노광하는 노광 공정 및 상기 막을 현상하는 현상 공정을 포함하는, 경화막의 제조 방법.
The method of claim 16
A method for producing a cured film comprising an exposure step of exposing the film and a developing step of developing the film.
청구항 16 또는 청구항 17에 있어서,
상기 막을, 50~450℃에서 가열하는 가열 공정을 포함하는, 경화막의 제조 방법.
According to claim 16 or claim 17,
The manufacturing method of the cured film including the heating process of heating the said film at 50-450 degreeC.
청구항 14에 기재된 경화막 또는 청구항 15에 기재된 적층체를 포함하는, 반도체 디바이스.A semiconductor device comprising the cured film according to claim 14 or the laminate according to claim 15.
KR1020227042236A 2020-06-03 2021-06-02 Curable resin composition, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device KR20230005356A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020097007 2020-06-03
JPJP-P-2020-097007 2020-06-03
PCT/JP2021/021067 WO2021246457A1 (en) 2020-06-03 2021-06-02 Curable resin composition, cured film, laminate, method for manufacturing cured film, and semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230005356A true KR20230005356A (en) 2023-01-09

Family

ID=78831198

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227042236A KR20230005356A (en) 2020-06-03 2021-06-02 Curable resin composition, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2021246457A1 (en)
KR (1) KR20230005356A (en)
CN (1) CN115667404B (en)
TW (1) TW202215154A (en)
WO (1) WO2021246457A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023189126A1 (en) * 2022-03-29 2023-10-05 富士フイルム株式会社 Resin composition, cured product, layered product, method for producing cured product, method for producing layered product, method for producing semiconductor device, and semiconductor device
WO2024070963A1 (en) * 2022-09-30 2024-04-04 富士フイルム株式会社 Film production method, photosensitive resin composition, cured product production method, cured product, and laminate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012002281A (en) 2010-06-16 2012-01-05 Plas-Tech Corp Night airglow hose

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6523942B2 (en) * 2014-12-19 2019-06-05 四国化成工業株式会社 Surface treatment liquid of inorganic material or resin material, surface treatment method and use thereof
TWI634135B (en) * 2015-12-25 2018-09-01 日商富士軟片股份有限公司 Resin, composition, cured film, method for producing cured film, and semiconductor element
JP6561019B2 (en) * 2016-07-29 2019-08-14 四国化成工業株式会社 Surface treatment agent, resin composition and use thereof
KR20220012889A (en) * 2019-06-26 2022-02-04 후지필름 가부시키가이샤 Curable resin composition, cured film, laminated body, manufacturing method of a cured film, and semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012002281A (en) 2010-06-16 2012-01-05 Plas-Tech Corp Night airglow hose

Also Published As

Publication number Publication date
CN115667404B (en) 2024-05-03
JPWO2021246457A1 (en) 2021-12-09
WO2021246457A1 (en) 2021-12-09
CN115667404A (en) 2023-01-31
TW202215154A (en) 2022-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20220134583A (en) A curable resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device
KR20230112132A (en) Resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device
TW202136420A (en) Curable resin composition, cured film, laminate, production method for cured film, and semiconductor device
CN115667404B (en) Curable resin composition, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device
KR20230004846A (en) Photosensitive resin composition, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device
KR20230005971A (en) Curable resin composition, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device
KR20230044484A (en) Photosensitive resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device
KR102648552B1 (en) Method for producing a cured film, a photocurable resin composition, a method for producing a laminate, and a method for producing a semiconductor device
KR20230051684A (en) Resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device
KR20230043166A (en) Curable resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device
KR20220123434A (en) A resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device
KR20220107008A (en) A curable resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device
KR20230057444A (en) Resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device
KR20230045608A (en) Curable resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, semiconductor device, and photobase generator
KR20230113584A (en) Resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, semiconductor device, and compound
KR20220123540A (en) A curable resin composition, a resin film, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device
KR20230048124A (en) A method for producing a cured product, a method for producing a laminate, and a method for manufacturing a semiconductor device
KR20230043155A (en) A method for producing a cured product, a method for producing a laminate, and a method for manufacturing a semiconductor device
KR20230047461A (en) A method for producing a cured product, a method for producing a laminate, and a method for manufacturing an electronic device
KR20220086621A (en) A pattern formation method, a photocurable resin composition, the manufacturing method of a laminated body, and the manufacturing method of an electronic device
KR20230008114A (en) Curable resin composition, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device
KR20230044259A (en) Curable resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, semiconductor device, and compound
KR20230054708A (en) Resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device
KR20230005972A (en) Resin composition, manufacturing method thereof, and manufacturing method of composition for pattern formation
KR20230056034A (en) Resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal