KR20230002648A - 에어로졸 생성 장치 및 그 동작 방법 - Google Patents

Abstract

에어로졸 형성 기체의 가열을 자동적으로 개시하는 것이 가능한 유도 가열 장치를 제공한다.
서셉터(110)와 에어로졸원(112)을 포함하는 에어로졸 형성 기체(108)의 서셉터(110)를 유도 가열하기 위한 유도 가열 장치(100)는, 전원(102)과 전원(102)으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로(132)와 서셉터(110)를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로와, 제어부(118)로서, 교류 생성 회로(132)가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스에 근거하여, 서셉터(110)를 검출하고, 서셉터(110)의 검출에 응답하여, 유도 가열을 개시하도록 구성된 상기 제어부를 구비한다.

Description

유도 가열 장치 및 그 동작 방법

본개시는, 에어로졸 형성 기체의 가열을 자동적으로 개시하는 것이 가능한 유도 가열 장치에 관한 것이다.

종래, 서셉터(susceptor)를 가지는 에어로졸 형성 기체(基體)와 근접하여 배치된 인덕터를 이용하여, 유도 가열에 의해 해당 서셉터를 가열하는 것에 의하여, 에어로졸 형성 기체로부터 에어로졸을 생성하는 장치가 알려져 있다(특허문헌 1~3).

특허문헌 1: 일본 특허 제 6623175호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 제 6077145호 공보 특허문헌 3: 일본 특허 제 6653260호 공보

본 개시가 해결하려고 하는 제1 과제는, 에어로졸 형성 기체를 가열하여 에어로졸을 생성하기 위한, 개선된 유도 가열 장치를 제공하는 것이다.

본 개시가 해결하려고 하는 제2 과제는, 에어로졸 형성 기체의 가열을 자동적으로 개시하는 것이 가능한 유도 가열 장치를 제공하는 것이다.

본 개시가 해결하려고 하는 제3 과제는, 에어로졸 형성 기체의 제거에 대처 가능한 유도 가열 장치를 제공하는 것이다.

본 개시가 해결하려고 하는 제4 과제는, 보다 적절하게 에어로졸 형성 기체의 가열을 실시하는 것이 가능한 유도 가열 장치를 제공하는 것이다.

상술한 제1 과제를 해결하기 위해, 본 개시의 실시 형태에 의하면, 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체를 가열하기 위한 유도 가열 장치이며, 전원과 유도 가열에 의하여 상기 서셉터를 가열하기 위한 코일과, 상기 전원과 상기 코일과의 사이에 병렬로 배치된 제1 회로와 제2 회로를 포함한 병렬 회로이며, 상기 제1 회로는 상기 서셉터의 가열에 이용되고, 상기 제2 회로는 상기 서셉터의 전기 저항 또는 온도에 관련된 값의 취득에 이용되는, 병렬 회로와, 상기 병렬 회로와 상기 코일과의 사이 또는 상기 병렬 회로와 상기 전원과의 사이에 배치된 교류 생성 회로를 구비하는 유도 가열 장치가 제공된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 교류 생성 회로는 상기 병렬 회로와 상기 코일과의 사이에 배치되고, 상기 교류 생성 회로는 제3 스위치를 포함한다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제3 스위치는 MOSFET를 포함한다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제1 회로는 제1 스위치를 포함하고, 상기 교류 생성 회로는 제3 스위치를 포함하고, 상기 제3 스위치가 소정의 주기로 교체되고 있을 때, 상기 제1 스위치는 온(on) 상태인 채이다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제1 스위치 및 상기 제3 스위치는 MOSFET를 포함한다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제2 회로는 제2 스위치를 포함하고, 상기 교류 생성 회로는 제3 스위치를 포함하고, 상기 제3 스위치가 소정의 주기로 교체되고 있을 때, 상기 제2 스위치는 온 상태인 채이다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제2 스위치는 바이폴러 트랜지스터(bipolar transistor)를 포함하고, 상기 제3 스위치는 MOSFET를 포함한다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제1 회로는, MOSFET를 포함하는 제1 스위치를 포함하고, 상기 제2 회로는, 바이폴러 트랜지스터를 포함하는 제2 스위치를 포함한다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제1 회로는 제1 스위치를 포함하고, 상기 제2 회로는 제2 스위치를 포함하고, 상기 교류 생성 회로는 제3 스위치를 포함하고, 상기 제1 스위치와 상기 제2 스위치와의 사이에 전환이 이루어질 때, 상기 제3 스위치의 소정 주기에 의한 전환이 계속된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 유도 가열 장치는, 상기 서셉터를 포함하는 회로의 임피던스(impedance)를 측정하기 위하여 이용되는, 전류 검지 회로 및 전압 검지 회로를 한층 더 구비한다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 유도 가열 장치는, 상기 전원의 잔량을 측정하도록 구성된 잔량 측정 IC를 한층 더 구비한다. 상기 잔량 측정 IC는, 상기 전류 검지 회로 및/또는 상기 전압 검지 회로로서 이용되지 않는다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 유도 가열 장치는, 상기 전원의 전압을 조정하여, 상기 유도 가열 장치내의 구성요소에 공급되는 전압을 생성하도록 구성된 전압 조정 회로를 한층 더 구비한다. 상기 전류 검지 회로는, 상기 전원과 상기 코일과의 사이의 경로에 있어서, 상기 경로로부터 상기 전압 조정 회로에의 분기점보다 상기 코일에 가까운 위치에 배치된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 전류 검지 회로는, 상기 전원을 충전하기 위한 충전 회로와 상기 전원과의 사이의 경로에 배치되지 않는다.

상술한 제2 과제를 해결하기 위해, 본 개시의 실시 형태에 의하면, 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 장치이며, 전원과, 상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로와, 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로와 제어부이며, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스에 근거하여, 상기 서셉터를 검출하고, 상기 서셉터의 검출에 응답하여, 상기 유도 가열을 개시하도록 구성된 상기 제어부를 구비한 유도 가열 장치가 제공된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제어부는, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스에 근거하여 상기 서셉터의 온도를 취득하고, 취득한 상기 온도에 근거하여 상기 유도 가열을 제어하도록 더 구성되어 있어도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제어부는, 적어도, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스가 측정되는 제1 모드와, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스가 측정되지 않는 제2 모드를 가질 수가 있다.

일 실시 형태에 있어서, 충전 전원과 접속 가능하도록 구성된 접속부를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 접속부로부터의 상기 충전 전원의 분리를 검지하고 나서 소정 시간이 경과할 때까지, 상기 제1 모드의 처리를 실행하도록 더 구성되어 있어도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 유도 가열 장치는 버튼을 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 버튼에 소정 조작이 이루어지는 것에 응답하여 상기 제1 모드로 이행하도록 더 구성되어 있어도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 유도 가열 장치는 버튼을 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 제1 모드로 이행한 것에 응답하여, 초기치로부터 시간의 경과에 의해 값이 증가 또는 감소하도록 타이머를 기동하고, 상기 타이머의 값이 소정치에 이르는 것에 응답하여, 상기 제2 모드로 이행하고, 상기 버튼에 소정 조작이 이루어지는 것에 응답하여, 상기 타이머의 값을 초기치로 되돌리는 것과, 상기 타이머의 값을 초기치에 근접시키는 것과, 상기 소정치를 상기 타이머의 값으로부터 멀어지게 하는 것 중 1개를 실행하도록 더 구성되어 있어도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 유도 가열 장치는 충전 전원과 접속 가능하도록 구성된 접속부를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 접속부에의 상기 충전 전원의 접속을 검지하고 있는 동안, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스가 측정되지 않게 더 구성되어 있어도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제어부는, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 공진 주파수에 있어서의, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스를 측정하도록 더 구성되어 있어도 된다.

일 실시 형태에 있어서 상기 유도 가열 장치는, 상기 서셉터에 에너지를 주기 위하여 선택적으로 유효하게 되도록 구성된 제1 회로 및 제2 회로이며, 상기 제1 회로 및 상기 제1 회로보다 고저항인 상기 제2 회로를 더 구비하고 있어도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제어부는, 상기 유도 가열을 실행하고 있는 동안, 상기 제1 회로를 이용하여, 상기 유도 가열을 실행하는 한편 상기 회로의 임피던스를 측정하도록 구성되어 있어도 된다.

또, 상술한 제2 과제를 해결하기 위하여, 본 개시의 실시 형태에 의하면, 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하기 위해 유도 가열 장치의 동작 방법으로서, 상기 유도 가열 장치는, 전원과, 상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로와, 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로를 구비하고, 상기 방법은, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스에 근거하여 상기 서셉터를 검출하는 스텝과, 상기 서셉터의 검출에 응답하여, 상기 유도 가열을 개시하는 스텝을 포함하는, 방법이 제공된다.

또한, 상술한 제2 과제를 해결하기 위하여, 본 개시의 실시 형태에 의하면, 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 장치로서, 상기 에어로졸 형성 기체와, 전원과, 상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로와, 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로와, 제어부로서, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스에 근거하여, 상기 서셉터를 검출하고, 상기 서셉터의 검출에 응답하여, 상기 유도 가열을 개시하도록 구성된 상기 제어부를 구비한 유도 가열 장치가 제공된다.

상술한 제3 과제를 해결하기 위하여, 본 개시의 실시 형태에 의하면, 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하도록 구성된 유도 가열 장치를 위한 제어부로서, 상기 유도 가열을 실행하고 있는 동안에 상기 서셉터를 검출할 수 없게 되었을 경우, 상기 유도 가열을 정지하거나, 또는, 에러를 통지하도록 구성된 제어부가 제공된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제어부는, 상기 유도 가열을 실행하고 있는 동안에 상기 서셉터를 검출할 수 없게 되었을 경우, 상기 유도 가열을 정지하도록 구성되어 있어도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제어부는, 상기 유도 가열의 정지와 동시에 또는 해당 정지 후에, 에러를 통지하도록 더 구성되어 있어도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제어부는, 상기 유도 가열을 정지하고 나서 소정 시간이 경과하기까지 상기 서셉터를 다시 검출한 경우, 상기 유도 가열을 재개하도록 더 구성되어 있어도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 유도 가열은, 시간의 경과에 따른 가열 목표 온도가 적어도 정해진 가열 프로파일에 따르는 한편으로, 상기 제어부는, 상기 유도 가열의 정지로부터 상기 유도 가열의 재개까지의 사이도 시간이 경과한 것으로 하여, 상기 유도 가열을 제어하도록 구성되어 있어도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 유도 가열은, 시간의 경과에 따른 가열 목표 온도가 적어도 정해진 가열 프로파일에 따르는 한편으로, 상기 제어부는, 상기 유도 가열의 정지로부터 상기 유도 가열의 재개까지의 사이는 시간이 경과하지 않은 것으로 하여, 상기 유도 가열을 제어하도록 구성되어 있어도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제어부는, 상기 유도 가열을 실행하고 있는 동안에 상기 서셉터를 검출할 수 없게 되었을 경우, 에러를 통지하도록 구성되어 있어도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제어부는, 상기 에러 통지 후에, 상기 유도 가열을 정지하도록 더 구성되어 있어도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제어부는, 상기 에러 통지 후, 한편, 상기 유도 가열의 정지보다 전에 상기 서셉터를 재차 검출한 경우, 상기 유도 가열을 정지하지 않도록 구성되어 있어도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 유도 가열은, 시간의 경과에 따른 가열 목표 온도가 적어도 정해진 가열 프로파일에 따르고, 상기 제어부는, 상기 서셉터를 검출할 수 없게 되었을 때로부터 상기 서셉터를 재차 검출했을 때까지의 기간은, 상기 가열 프로파일의 전체 길이에 영향을 주지 않도록 구성되어 있어도 된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 유도 가열은, 시간의 경과에 따른 가열 목표 온도가 적어도 정해진 가열 프로파일에 따르고, 상기 제어부는, 상기 서셉터를 검출할 수 없게 되었을 때로부터 상기 서셉터를 재차 검출했을 때까지의 기간에 근거하여, 상기 가열 프로파일의 길이를 연장시키도록 구성되어 있어도 된다.

또, 상술한 제3 과제를 해결하기 위하여, 본 개시의 실시 형태에 의하면, 전원과, 상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로와 에어로졸 형성 기체에 포함되는 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로와 상기 제어부를 포함하는 유도 가열 장치이며, 상기 제어부는, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스에 근거하여, 상기 서셉터를 검출하도록 더 구성된, 유도 가열 장치가 제공된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 제어부는, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스에 근거하여, 상기 서셉터의 온도를 취득하고, 취득한 상기 온도에 근거하여, 상기 유도 가열을 제어하도록 더 구성되어 있어도 된다.

또, 상술한 제3 과제를 해결하기 위하여, 본 개시의 실시 형태에 의하면, 에어로졸 형성 기체가 포함하는 서셉터를 유도 가열하기 위한 전력을 공급하는 전원과 상기 제어부를 포함한 유도 가열 장치로서, 상기 제어부는, 상기 전원의 잔량에 근거하여, 상기 전원이 충전될 때까지 유도 가열 가능한 상기 에어로졸 형성 기체의 개수인 사용 가능 개수를 설정하여, 상기 유도 가열을 실행하고 있는 동안에 상기 에어로졸 형성 기체의 적어도 일부를 검출할 수 없게 되었을 경우, 상기 유도 가열을 정지하고, 한편, 상기 사용 가능 개비수를 감소시키도록 구성된, 유도 가열 장치가 제공된다.

또, 상술한 제3 과제를 해결하기 위하여, 본 개시의 실시 형태에 의하면, 에어로졸 형성 기체의 적어도 일부를 유도 가열하기 위한 전력을 공급하는 전원과 상기 제어부를 포함하는 유도 가열 장치로서, 상기 제어부는, 상기 전원의 잔량에 근거하여, 상기 전원이 충전될 때까지 유도 가열 가능한 상기 에어로졸 형성 기체의 개수인 사용 가능 개수를 설정하고, 상기 유도 가열을 실행하고 있는 동안에 상기 서셉터를 검출할 수 없게 된 후, 상기 서셉터를 재차 검출한 경우, 상기 유도 가열을 계속하고, 한편, 상기 사용 가능 개수를 감소시키지 않도록 구성된, 유도 가열 장치가 제공된다.

또, 상술한 제3 과제를 해결하기 위하여, 본 개시의 실시 형태에 의하면, 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하도록 구성된 유도 가열 장치의 동작 방법으로서, 상기 유도 가열을 실행하고 있는 동안에 상기 서셉터를 검출할 수 없게 된 경우, 상기 유도 가열을 정지하거나, 또는, 에러를 통지하는 스텝을 포함하는 방법이 제공된다.

또한, 상술한 제3 과제를 해결하기 위하여, 본 개시의 실시 형태에 의하면, 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 장치로서, 상기 에어로졸 형성 기체와 전원과, 상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로와 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로와, 제어부로서, 상기 유도 가열을 실행하고 있는 동안에 상기 서셉터를 검출할 수 없게 된 경우, 상기 유도 가열을 정지하거나, 또는, 에러를 통지하도록 구성된 상기 제어부를 구비한 상기 유도 가열 장치가 제공된다.

상술한 제4 과제를 해결하기 위하여, 본 개시의 실시 형태에 의하면, 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체를 가열하기 위한 유도 가열 장치로서, 유도 가열에 의하여 상기 서셉터를 가열하기 위한 코일을 포함하는 회로를 구비하고, 상기 서셉터는 복수의 페이즈(phase)로 이루어진 가열 모드에 의해 가열되고, 상기 복수의 페이즈의 적어도 일부에 있어서 상기 코일에 공급되는 교류 전류의 주파수가 다른, 유도 가열 장치가 제공된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 가열 모드 전에 실행되는 상기 서셉터를 예열하는 예열 모드에 있어서, 상기 교류 전류의 주파수는 상기 회로의 공진 주파수이다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 가열 모드 전에 실행되는 상기 서셉터를 예열하는 예열 모드에 있어서, 상기 가열 모드의 상기 복수의 페이즈와 비교하여 상기 교류 전류의 주파수가 상기 회로의 공진 주파수에 가장 근접하도록 구성된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 가열 모드에 있어서는 상기 교류 전류의 주파수는 상기 회로의 공진 주파수 이외의 주파수이다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 가열 모드를 구성하는 복수의 페이즈가 진행됨에 따라 상기 교류 전류의 주파수는 증가하고, 상기 교류 전류의 변화 또는 상기 회로의 임피던스의 변화에 의하여, 유저에 의한 흡인을 검출한다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 가열 모드를 구성하는 복수의 페이즈가 진행됨에 따라 상기 교류 전류의 주파수는, 상기 공진 주파수보다 높은 주파수 영역에서 증가한다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 가열 모드를 구성하는 복수의 페이즈가 진행됨에 따라 상기 교류 전류의 주파수는, 상기 공진 주파수보다 낮은 주파수 영역에서 증가한다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 가열 모드를 구성하는 복수의 페이즈가 진행됨에 따라 상기 교류 전류의 주파수는 저하된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 예열 모드와 상기 가열 모드와의 사이에 실행되는 상기 서셉터를 냉각하는 인터벌 모드에 있어서는 상기 교류 전류의 주파수는 상기 회로의 공진 주파수이다.

일 실시 형태에 있어서, 유도 가열 장치는 한층 더 전원을 포함하고, 상기 회로는, 상기 전원과 상기 코일과의 사이에 병렬로 배치된 제1 회로와 제2 회로를 포함하는 병렬 회로로서, 상기 제1 회로는 상기 서셉터의 가열에 이용되고, 상기 제2 회로는 상기 서셉터의 전기 저항 또는 온도에 관련되는 값의 취득에 이용되는, 병렬 회로를 한층 더 구비하고, 상기 인터벌 모드에 있어서는 상기 제2 회로가 이용된다.

상술한 제4 과제를 해결하기 위하여, 본 개시의 실시 형태에 의하면, 또한, 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체를 가열하기 위한 유도 가열 장치로서, 유도 가열에 의하여 상기 서셉터를 가열하기 위한 코일을 포함하는 회로를 구비하고, 상기 서셉터는 복수의 페이즈로 이루어진 가열 모드에 의해 가열되어 상기 복수의 페이즈에 걸쳐 상기 코일에 공급되는 교류 전류의 주파수가 일정한, 유도 가열 장치가 제공된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 교류 전류의 주파수는 상기 회로의 공진 주파수이다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 가열 모드 전에 실행되어 상기 서셉터를 예열한 후에 상기 서셉터를 냉각하는 인터벌 모드에 있어서 상기 교류 전류의 주파수는 상기 회로의 공진 주파수이다.

일 실시 형태에 있어서, 유도 가열 장치는 한층 더 전원을 포함하고, 상기 회로는, 상기 전원과 상기 코일과의 사이에 병렬로 배치된 제1 회로와 제2 회로를 포함하는 병렬 회로로서, 상기 제1 회로는 상기 서셉터의 가열에 이용되고, 상기 제2 회로는 상기 서셉터의 전기 저항 또는 온도에 관련되는 값의 취득에 이용되는 병렬 회로를 한층 더 구비하고, 상기 인터벌 모드에 있어서는 상기 제2 회로가 이용된다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 가열 모드에 있어서 상기 서셉터의 온도가 미리 정해진 온도 이상이 되었다고 판단한 경우에는 상기 서셉터의 가열을 중단한다.

일 실시 형태에 있어서, 유도 가열 장치는 한층 더 전원을 포함하고, 상기 회로는, 상기 전원과 상기 코일과의 사이에 병렬로 배치된 제1 회로와 제2 회로를 포함하는 병렬 회로로서, 상기 제1 회로는 상기 서셉터의 가열에 이용되고, 상기 제2 회로는 상기 서셉터의 전기 저항 또는 온도에 관련되는 값의 취득에 이용되는 병렬 회로를 한층 더 구비하고, 상기 서셉터의 가열을 중단하고 있는 동안은, 상기 제2 회로를 이용하여 상기 서셉터의 온도를 감시한다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 가열 모드에 있어서 상기 서셉터의 온도가 상기 미리 정해진 온도 미만이 되었다고 판단한 경우에는 상기 제1 회로를 이용하여 상기 서셉터의 가열을 재개한다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 가열 모드에 있어서 상기 서셉터의 온도가, 상기 미리 정해진 온도보다 소정 온도만 낮은 온도 미만이 되었다고 판단한 경우에는 상기 제1 회로를 이용하여 상기 서셉터의 가열을 재개한다.

일 실시 형태에 있어서, 상기 회로는, 상기 병렬 회로와 상기 코일과의 사이 또는 상기 병렬 회로와 상기 전원과의 사이에 배치된 교류 생성 회로를 한층 더 구비하고, 상기 교류 생성 회로는 제3 스위치를 포함하고, 상기 제3 스위치는, 상기 서셉터의 가열을 중단하고 있는 동안에 있어서 미리 정해진 주기로 스위칭된다.

[도 1] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 구성의 개략적인 블록도이다.
[도 2] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 회로 구성을 나타내는 도면이다.
[도 3] 스위치 Q₁의 게이트 단자 또는 스위치 Q₂의 베이스 단자에 인가되는 전압, 스위치 Q₃의 게이트 단자에 인가되는 전압, 전류 I_DC 및 전류 I_AC의 사이의 관계를, 횡축을 시간 t로 하여 개념적으로 나타내는 도면이다.
[도 4] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 제어부가 실행하는, SLEEP 모드의 예시 처리의 플로 차트(flow chart)를 나타내는 도면이다.
[도 5] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 제어부가 실행하는, CHARGE 모드의 예시 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다.
[도 6] 사용 가능 개비수에 관하여 설명하기 위한 의사(疑似) 그래프이다.
[도 7] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 제어부가 실행하는, ACTIVE 모드의 메인의 예시 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다.
[도 8] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 제어부가 실행하는, ACTIVE 모드의 서브의 예시 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다.
[도 9] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 제어부가 실행하는, ACTIVE 모드의 다른 서브의 예시 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다.
[도 10] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 제어부가 실행하는, PRE-HEAT 모드의 메인의 예시 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다.
[도 11] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 제어부가 실행하는, INTERVAL 모드의 메인의 예시 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다.
[도 12] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 제어부가 실행하는, HEAT 모드의 메인의 예시 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다.
[도 13a] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 제어부가 실행하는, 예시의 서셉터의 검출에 따른 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다.
[도 13b] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 제어부가 실행하는, 다른 예시의 서셉터의 검출에 따른 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다.
[도 13c] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 제어부가 실행하는, 또 다른 예시의 서셉터의 검출에 따른 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다.
[도 13d] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 제어부가 실행하는, 더욱 다른 예시의 서셉터의 검출에 따른 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다.
[도 13e] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 제어부가 실행하는, 더욱 또 다른 예시의 서셉터의 검출에 따른 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다.
[도 14] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 서셉터 온도 변화의 일례를 나타내는 그래프를 나타내는 도면이다.
[도 15] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 제어부가 실행하는, PRE-HEAT 모드, INTERVAL 모드 또는 HEAT 모드의 서브의 예시 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다.
[도 16] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 제어부가 실행하는, PRE-HEAT 모드, INTERVAL 모드 또는 HEAT 모드의 다른 서브의 예시 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다.
[도 17] RLC 직렬 회로의 등가 회로를 나타내는 도면이다.
[도 18] 공진 주파수에 있어서의 RLC 직렬 회로의 등가 회로를 나타내는 도면이다.
[도 19] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 서셉터의 온도, 교류 생성 회로의 스위칭 주파수, 및 회로의 임피던스의 변화의 일례를 각각 나타내는 그래프를 나타내는 도면이다.
[도 20] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 서셉터의 온도, 교류 생성 회로의 스위칭 주파수, 및 회로의 임피던스의 변화의 일례를 각각 나타내는 그래프를 나타내는 도면이다.
[도 21] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 제어부가, HEAT 모드일 때 주로 실행하는 예시 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다.
[도 22] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 서셉터의 온도, 교류 생성 회로의 스위칭 주파수, 및 회로의 임피던스의 변화의 일례를 각각 나타내는 그래프를 나타내는 도면이다.
[도 23] 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치의 제어부가, HEAT 모드일 때 주로 실행하는 예시 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다.
[도 24] 스텝(S2310)의 가열 처리의 상세한 일례를 나타내는 플로 차트를 나타내는 도면이다.

이하, 도면을 참조하면서 본 개시의 실시 형태에 관하여 자세하게 설명한다. 또한, 본개시에 따른 유도 가열 장치의 실시 형태는, 전자 담배용의 유도 가열 장치 및 가열식 담배용의 유도 가열 장치를 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.

도 1은, 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유도 가열 장치(100)의 구성의 개략적인 블록도이다. 도 1은, 구성 요소의 엄밀한 배치, 형상, 치수, 위치 관계 등을 나타내는 것은 아님을 유의해야 한다.

유도 가열 장치(100)는, 하우징(101), 전원(102), 회로(104) 및 코일(106)을 구비한다. 전원(102)은, 리튬 이온 2차 전지 등의 충전 가능한 전지여도 된다. 회로(104)는 전원(102)에 전기적으로 접속된다. 회로(104)는, 전원(102)을 이용하여, 유도 가열 장치(100)의 구성 요소에 전력을 공급하도록 구성된다. 회로(104)의 구체적인 구성에 관하여는 후술한다. 유도 가열 장치(100)는, 전원(102)의 충전을 위하여 유도 가열 장치(100)를 충전 전원(도시하지 않음)에 접속하기 위한 충전 전원 접속부(116)를 구비한다. 충전 전원 접속부(116)는, 유선 충전을 위한 리셉터클(Receptacle)이어도 되고, 무선 충전을 위한 수전(受電) 코일이어도 되고, 이들의 조합이어도 된다.

유도 가열 장치(100)는, 서셉터(110), 에어로졸원(112) 및 필터(114)를 포함하는 에어로졸 형성 기체(108)의 적어도 일부를 수용할 수 있도록 구성되어 있다. 에어로졸 형성 기체(108)는, 예를 들면, 흡연 물품이어도 된다.

에어로졸원(112)은, 가열되는 것에 의하여 에어로졸을 생성할 수 있는 휘발성 화합물을 포함할 수 있다. 에어로졸원(112)은 고체여도 되고, 액체여도 되고, 고체 및 액체 양쪽을 포함하여도 된다. 에어로졸원(112)은, 예를 들면, 글리세린이나 프로필렌 글리콜 등의 다가 알코올, 물 등의 액체, 또는 이들의 혼합 액체를 포함하여도 된다. 에어로졸원(112)은, 니코틴을 포함하여도 된다. 에어로졸원(112)은 또, 입자상의 담배를 응집시키는 것에 의하여 형성된 담배 재료를 포함하여도 된다. 혹은, 에어로졸원(112)은, 비담배 함유 재료를 포함하여도 된다.

코일(106)은, 하우징(101)의 근위단에 있어서, 하우징(101) 내에 채워 넣어져 있다. 코일(106)은, 에어로졸 형성 기체(108)가 유도 가열 장치(100)에 삽입되었을 때, 유도 가열 장치(100)에 수용된 에어로졸 형성 기체(108)의 부분을 둘러싸도록 구성된다. 코일(106)은, 나선상으로 감겨진 형상을 가지고 있어도 된다. 코일(106)은, 회로(104)와 전기적으로 접속되고 있고, 후술과 같이 유도 가열에 의하여 서셉터(110)를 가열하기 위하여 이용된다. 서셉터(110)를 가열하는 것에 의하여, 에어로졸원(112)으로부터 에어로졸이 발생한다. 유저는 필터(114)를 개재시켜 해당 에어로졸을 흡인할 수 있다.

도 2는, 회로(104)의 구성을 상세하게 나타낸다. 회로(104)는, 유도 가열 장치(100) 내의 구성 요소를 제어하도록 구성된 제어부(118)를 구비한다. 제어부(118)는, 마이크로 컨트롤러 유닛(MCU, Micro Controller Unit)에 의하여 구성되어도 된다. 회로(104)는 또, 전원 접속부를 개재시켜 전원(102)과 전기적으로 접속되고, 코일 접속부를 개재시켜 코일(106)과 전기적으로 접속된다. 회로(104)는, 전원(102)과 코일(106)과의 사이에 배치된 스위치 Q₁를 포함한 경로(이하, 「제1 회로」라고도 부른다)와 스위치 Q₁와 병렬로 배치된 스위치 Q₂를 포함하는 경로(이하, 「제2 회로」라고도 부른다)를 포함하는, 병렬 회로(130)를 구비한다.

제1 회로는 서셉터(110)의 가열에 이용된다. 일례로서, 스위치 Q₁는, 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET)여도 된다. 제어부(118)는, 스위치 Q₁의 게이트 단자에 가열 스위치 신호(하이 또는 로우)를 인가하는 것에 의하여, 스위치 Q₁의 온/오프를 제어한다. 예를 들면, 스위치 Q₁가 P채널형 MOSFET인 경우, 가열 스위치 신호가 로우일 때, 스위치 Q₁는 온 상태가 된다.

제2 회로는, 서셉터(110)의 전기 저항 또는 온도에 관련되는 값의 취득에 이용된다. 전기 저항 또는 온도에 관련되는 값은, 예를 들면, 임피던스, 온도 등이어도 된다. 스위치 Q₂가 온 상태일 때 스위치 Q₂를 흐르는 전류는, 후술하는 저항 R_shunt1 및 저항 R_shunt2 등에 의하여, 스위치 Q₁가 온 상태일 때 스위치 Q₁를 흐르는 전류와 비교하여 작다. 따라서, MOSFET 보다 저비용이고 소형이기는 하지만 대전류에는 적합하지 않은 바이폴러 트랜지스터를 스위치 Q₂로 하여 이용하여도 된다. 도시된 바와 같이, 제2 회로는, 저항 R_shunt1 및 저항 R_shunt2를 포함하여도 된다. 제어부(118)는, 스위치 Q₂의 베이스 단자에 모니터 스위치 신호(하이 또는 로우)를 인가하는 것에 의하여, 스위치 Q₂의 온/오프를 제어한다. 예를 들면, 스위치 Q₂가 npn형 바이폴러 트랜지스터인 경우, 모니터 스위치 신호가 로우일 때, 스위치 Q₂는 온 상태가 된다.

제어부(118)는, 스위치 Q₁의 온 상태와 스위치 Q₂의 온 상태를 전환하는 것에 의하여, 서셉터(110)를 유도 가열하여 에어로졸을 생성하는 모드와, 서셉터(110)의 전기 저항 또는 온도에 관련되는 값을 취득하는 모드와의 사이에서 전환을 실시할 수 있다. 스위치 Q₁의 온 상태와 스위치 Q₂가 온 상태와의 사이의 전환은, 임의의 타이밍으로 실시할 수 있다. 예를 들면, 유저에 의한 퍼프(puff)를 하고 있는 동안, 제어부(118)는, 스위치 Q₁를 온 상태, 스위치 Q₂를 오프 상태로 하여도 된다. 이 경우, 퍼프가 종료된 후에, 제어부(118)는, 스위치 Q₁를 오프 상태로 하고, 스위치 Q₂를 온 상태로 하여도 된다. 혹은, 유저에 의한 퍼프가 이루어지고 있는 동안, 제어부(118)는, 스위치 Q₁의 온 상태와 스위치 Q₂의 온 상태를 임의의 타이밍으로 전환하여도 된다.

회로(104)는, 스위치 Q₃ 및 콘덴서 C₁를 포함하는 교류 생성 회로(132)를 구비한다. 일례로서, 스위치 Q₃는, MOSFET여도 된다. 제어부(118)는, 스위치 Q₃의 게이트 단자에 교류(AC) 스위치 신호(하이 또는 로우)를 인가하는 것에 의하여, 스위치 Q₃의 온/오프를 제어한다. 예를 들면, 스위치 Q₃가 P채널형 MOSFET인 경우, AC 스위치 신호가 로우일 때, 스위치 Q₃는 온 상태가 된다. 도 2에 있어서, 교류 생성 회로(132)는, 병렬 회로(130)와 코일(106)과의 사이에 배치되어 있다. 다른 예로서, 교류 생성 회로(132)는, 병렬 회로(130)과 전원(102)과의 사이에 배치되어도 된다. 교류 생성 회로(132)에 의하여 생성된 교류는, 콘덴서 C₂와 코일 접속부와 코일(106)을 포함하는 유도 가열 회로에 공급된다.

도 3은, 코일(106)에 공급되는 교류 전류가 교류 생성 회로(132)에 의하여 생성될 때의, 스위치 Q₁의 게이트 단자 또는 스위치 Q₂의 베이스 단자에 인가되는 전압 V₁, 스위치 Q₃의 게이트 단자에 인가되는 전압 V₂, 스위치 Q₃의 스위칭에 의하여 생성되는 전류 I_DC 및 코일(106)에 흐르는 전류 I_AC의 관계를, 횡축을 시간 t로 하여 개념적으로 나타낸 도면이다. 설명을 간단하게 하기 위하여, 스위치 Q₁의 게이트 단자에 인가되는 전압 및 스위치 Q₂의 베이스 단자에 인가되는 전압이 V₁로서 하나의 그래프로 나타내져 있는 점에 유의해야 한다.

시각(時刻) t₁에 있어서 V₁가 로우가 되면, 스위치 Q₁ 또는 Q₂는 온 상태가 된다. V₂가 하이인 경우, 스위치 Q₃는 오프 상태가 되고, 전류 I_DC는 콘덴서 C₁으로 흘러 콘덴서 C₁에 전하가 축적된다. 시각 t₂에 있어서 V₂가 로우로 전환되면, 스위치 Q₃는 온 상태가 된다. 이 경우, 전류 I_DC의 흐름이 정지하는 한편, C₁에 축적된 전하가 방전된다. 시각 t₃ 이후, 같은 동작이 반복된다. 상기 동작의 결과로서, 도 3에 나타내는 바와 같이, 교류 전류 I_AC가 생성되어 코일(106)에로 흐른다.

도 3에 나타내는 바와 같이, 스위치 Q₃가 소정의 주기 T로 전환되고 있을 때, 스위치 Q₁는 온 상태인 채여도 된다. 또, 스위치 Q₃가 소정의 주기 T로 전환되고 있을 때, 스위치 Q₂는 온 상태인 채여도 된다. 또, 스위치 Q₁와 스위치 Q₂와의 사이에서 전환이 이루어질 때, 스위치 Q₃의 소정의 주기 T에 의한 전환이 계속되어도 된다.

교류 생성 회로(132)의 상술한 구성은 일례에 지나지 않는다. 교류 전류 I_AC를 생성하기 위한 여러 가지 소자, DC/AC 인버터와 같은 집적 회로 등을 교류 생성 회로(132)로서 이용될 수 있음을 이해해야 한다.

도 3으로부터 이해할 수 있듯이, 교류 전류 I_AC의 주파수 f는, 스위치 Q₃의 스위칭 주기(즉, AC 스위치 신호의 스위칭 주기) T에 의하여 제어된다. 스위치 Q₁가 온 상태에 있는 경우, 해당 주파수 f가, 서셉터(110)(또는, 서셉터(110)를 포함하는 회로)와 코일(106)과 콘덴서 C₂를 포함하는 RLC 직렬 회로의 공진 주파수 f₀에 가까워지는 만큼, 서셉터(110)에의 에너지 공급 효율이 높아진다. 자세한 것은 후술하지만, 하우징(101)에 에어로졸 형성 기체(108)가 삽입되어 있는 경우에는 이 RLC 직렬 회로에는 서셉터(110)가 포함되어, 하우징(101)에 에어로졸 형성 기체(108)가 삽입되어 있지 않은 경우에는 이 RLC 직렬 회로에는 서셉터(110)가 포함되지 않는 점에 유의해야 한다.

상술한 바와 같이 하여 생성된 교류 전류가 코일(106)을 흐르는 것에 의하여, 코일(106) 주위에 교번 자계(교류 자기장)가 발생한다. 발생한 교번 자계는 서셉터(110) 내에 와(eddy)전류를 야기한다. 해당 와전류와 서셉터(110)의 전기 저항에 의하여 줄 열이 발생하여, 서셉터(110)가 가열된다. 결과적으로, 서셉터(110) 주위의 에어로졸원이 가열되어 에어로졸이 생성된다.

도 2로 돌아와, 회로(104)는, R_div1및 R_div2를 가지는 분압 회로를 포함하는 전압 검지 회로(134)를 구비한다. 전압 검지 회로(134)에 의하여 전원(102)의 전압치를 측정할 수 있다. 회로(104)는 또, R_sense2를 포함하는 전류 검지 회로(136)를 구비한다. 도시된 바와 같이, 전류 검지 회로(136)는 오피 앰프(op-amp, Operational Amplifier)를 포함하여도 된다. 혹은, 해당 오피 앰프는 제어부(118) 내에 포함되어도 된다. 전류 검지 회로(136)에 의하여, 코일(106) 방향으로 흐르는 전류의 값을 측정할 수 있다. 전압 검지 회로(134) 및 전류 검지 회로(136)는, 회로의 임피던스를 측정하기 위하여 이용된다. 이 회로에는, 하우징(101)에 에어로졸 형성 기체(108)가 삽입되어 있는 경우에는 서셉터(110)가 포함되고, 하우징(101)에 에어로졸 형성 기체(108)가 삽입되어 있지 않은 경우에는 서셉터(110)가 포함되지 않는다. 바꿔 말하면, 하우징(101)에 에어로졸 형성 기체(108)가 삽입되어 있는 경우에는 측정되는 임피던스에는 서셉터(110)의 저항 성분이 포함되고, 하우징(101)에 에어로졸 형성 기체(108)가 삽입되어 있지 않은 경우에는 측정되는 임피던스에는 서셉터(110)의 저항 성분이 포함되지 않는다. 예를 들면, 도시된 바와 같이, 제어부(118)는, 전압 검지 회로(134)로부터 전압치를 취득하고, 전류 검지 회로(136)로부터 전류치를 취득한다. 제어부(118)는, 이들의 전압치 및 전류치에 근거하여, 상기 임피던스를 산출한다. 보다 구체적으로는, 제어부(118)는, 전압치의 평균치 또는 실효치를 전류치의 평균치 또는 실효치로 제산하여, 상기 임피던스를 산출한다.

스위치 Q₁가 오프 상태가 되고, 스위치 Q₂가 온 상태가 되면, 저항 R_shunt1 및 저항 R_shunt2를 포함하는 회로 및 서셉터(110)와, 코일(106)과 콘덴서 C₂에 의하여 RLC 직렬 회로가 형성된다. 해당 RLC 직렬 회로의 임피던스는 상술한 바와 같이 하여 얻을 수 있다. 얻어진 임피던스로부터 저항 R_shunt1 및 저항 R_shunt2의 저항치를 포함하는 회로의 저항치를 빼는 것으로, 서셉터(110)의 임피던스를 산출할 수 있다. 서셉터(110)의 임피던스가 온도 의존성을 가지는 경우, 산출된 임피던스에 근거하여 서셉터(110)의 온도를 추정할 수 있다.

회로(104)는, 잔량 측정 집적 회로(IC)(124)를 구비하여도 된다. 회로(104)는, 잔량 측정 IC(124)가 전원(102)에서 충방전 되는 전류의 값을 측정하기 위하여 이용되는 저항 R_sense1을 구비하여도 된다. 저항 R_sense1은, 잔량 측정 IC(124)의 SRN 단자와 SRP 단자와의 사이에 접속되어도 된다. 잔량 측정 IC(124)는, BAT 단자를 개재시켜, 전원(102)의 전압에 관한 값을 취득하여도 된다. 잔량 측정 IC(124)는, 전원(102)의 잔량을 측정할 수 있도록 구성되는 IC이다. 게다가, 잔량 측정 IC(124)는, 전원(102)의 열화 상태에 관한 정보 등을 기록하도록 구성되어도 된다. 예를 들면, 제어부(118)는, 제어부(118)의 SDA 단자로부터 잔량 측정 IC(124)의 SDA 단자로 I²C 데이터 신호를 송신하는 것에 의하여, 제어부(118)의 SCL 단자로부터 잔량 측정 IC(124)의 SCL 단자에 I²C 클록 신호를 송신하는 타이밍에 맞추어, 잔량 측정 IC(124) 내에 격납(저장)되어 있는, 전원(102)의 잔량에 관한 값, 전원(102)의 열화 상태에 관한 값 등을 취득할 수 있다.

통상, 잔량 측정 IC(124)는, 1초 주기로 데이터를 갱신하도록 구성된다. 따라서, 잔량 측정 IC(124)에 의하여 측정되는 전압치 및 전류치를 이용하여 상기 RLC 직렬 회로의 임피던스를 계산하려고 하면, 해당 임피던스가 최고 속도에서도 1초 주기로 산출된다. 따라서, 서셉터(110)의 온도가 최고 속도에서도 1초 주기로 추정되게 된다. 그러한 주기는, 서셉터(110)의 가열을 적절히 제어하는데 충분히 짧다고는 할 수 없다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 잔량 측정 IC(124)에 의하여 측정되는 전압치 및 전류치를 RLC 직렬 회로의 임피던스의 측정에 이용하지 않는 것이 바람직하다. 즉, 바람직하게는, 잔량 측정 IC(124)는, 상술과 같은 전압 검지 회로(134) 및 전류 검지 회로(136)로서 이용되지 않는다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 유도 가열 장치(100)에 있어서, 잔량 측정 IC(124)는 필수는 아니다. 다만, 잔량 측정 IC(124)를 이용하는 것으로, 전원(102) 상태를 정확하게 파악할 수 있다.

유도 가열 장치(100)는, LED 등의 발광 소자(138)를 구비하여도 된다. 회로(104)는, 발광 소자(138)를 구동하기 위한 발광 소자 구동 회로(126)를 구비하여도 된다. 발광 소자(138)는, 유도 가열 장치(100)의 상태 등 여러가지 정보를 유저에게 제공하기 위하여 이용될 수 있다. 발광 소자 구동 회로(126)는, 발광 소자(138)의 여러가지 발광 모드에 관한 정보를 격납하고 있어도 된다. 제어부(118)는, 제어부(118)의 SDA 단자로부터 I²C 데이터 신호를 발광 소자 구동 회로(126)의 SDA 단자에 송신하여 소망하는 발광 모드를 지정하는 것에 의해, 발광 소자(138)를 소망의 양태로 발광시키도록 발광 소자 구동 회로(126)를 제어할 수 있다.

회로(104)는, 충전 회로(122)를 구비하여도 된다. 충전 회로(122)는, CE 단자에 있어서 수신된 제어부(118)로부터의 충전 인에이블(enable) 신호에 응답하여, 충전 전원 접속부(116)를 개재시켜 접속된 충전 전원(도시하지 않음)으로부터 공급되는 전압(VBUS 단자와 GND 단자와의 사이의 전위차)을, 전원(102)의 충전에 적절한 전압으로 조정하도록 구성된 IC여도 된다. 조정된 전압은, 충전 회로(122)의 BAT 단자로부터 공급된다. 또한, 충전 회로(122)의 BAT 단자로부터는, 조정된 전류가 공급되어도 된다. 회로(104)는 또, 분압 회로(140)를 구비하여도 된다. 충전 전원이 접속되면, VBUS 검지 신호가 충전 회로(122)의 VBUS 단자로부터 분압 회로(140)를 개재시켜 제어부(118)에 송신된다. 충전 전원이 접속되면, VBUS 검지 신호는 충전 전원으로부터 공급되는 전압을 분압 회로(140)에서 분압한 값이 되기 때문에, VBUS 검지 신호는 하이 레벨이 된다. 충전 전원이 접속되어 있지 않으면, 분압 회로(140)를 개재시켜 그랜드에 접속되기 때문에, VBUS 검지 신호는 로우 레벨이 된다. 따라서, 제어부(118)는, 충전이 개시됐다고 판단할 수 있다. 또한, CE 단자는 정논리(positive logic)여도 되고, 부논리(negative logic)여도 된다.

회로(104)는, 버튼(128)을 구비하여도 된다. 유저가 버튼(128)을 누르면, 버튼(128)을 개재시켜 그랜드와 접속되는 것으로, 로우 레벨의 버튼 검지 신호가 제어부(118)에 송신된다. 이것에 의하여, 제어부(118)는, 버튼이 눌렸다고 판단할 수 있고, 에어로졸 생성을 개시하도록 회로(104)를 제어할 수 있다.

회로(104)는, 전압 조정 회로(120)를 구비하여도 된다. 전압 조정 회로(120)는, 전원(102)의 전압 V_BAT(예를 들면, 3.2~4.2볼트)를 조정하여, 회로(104) 내 또는 유도 가열 장치(100) 내의 구성 요소에 공급되는 전압 V_sys(예를 들면, 3볼트)를 생성하도록 구성된다. 일례로서, 전압 조정 회로(120)는, LDO(low dropout　regulator) 등의 선형 레귤레이터(linear regulator)여도 된다. 도시된 바와 같이, 전압 조정 회로(120)에 의하여 생성된 전압 V_sys은, 제어부(118)의 VDD 단자, 잔량 측정 IC(124)의 VDD 단자, 발광 소자 구동 회로(126)의 VDD 단자, 버튼(128)을 포함하는 회로 등에 공급되어도 된다.

도시된 바와 같이, 전류 검지 회로(136)는, 전원(102)과 코일(106)과의 사이의 경로에 있어서, 해당 경로로부터 전압 조정 회로(120)에의 분기점(도 2의 점A)보다 코일(106)에 가까운 위치에 배치되어도 된다. 이 구성에 의하면, 전류 검지 회로(136)는, 전압 조정 회로(120)에 공급되는 전류를 포함하지 않는, 코일(106)에 공급되는 전류의 값을 정확하게 측정할 수 있다. 따라서, 서셉터(110)의 임피던스나 온도를 정확하게 측정 또는 추정할 수 있다.

회로(104)는, 전류 검지 회로(136)가, 충전 회로(122)와 전원(102)과의 사이의 경로에 배치되지 않게 구성되어도 된다. 구체적으로는, 도시된 바와 같이, 전류 검지 회로(136)는, 전원(102)과 코일(106)과의 사이의 경로에 있어서, 해당 경로로부터 충전 회로(122)에의 분기점(도 2의 점B)보다 코일(106)에 가까운 위치에 배치되어도 된다. 이 구성에 의하여, 전원(102)의 충전 중(스위치 Q₁ 및 Q₂는 오프 상태), 충전 회로(122)로부터 공급되는 전류가 전류 검지 회로(136) 내의 저항 R_sense2을 흐르는 것을 막을 수 있다. 따라서, 저항 R_sense2이 고장 날 가능성을 저감시킬 수 있다. 또, 전원(102)의 충전 중에 전류 검지 회로(136)의 오피 앰프에 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있으므로, 소비 전력을 억제할 수 있다.

회로(104)는 또, 제어부(118)로부터 송신되는 접지 스위치 신호에 의해 온 상태와 오프 상태와의 사이에서 전환되는 스위치 Q₄를 구비하여도 된다.

다음으로, 유도 가열 장치(100)의 제어부(118)가 실행하는 예시의 처리에 관하여 설명한다. 또한, 이하, 제어부(118)는 복수의 모드, 즉, SLEEP, CHARGE, ACTIVE, PRE-HEAT, INTERVAL, HEAT 및 ERROR의 7개 모드를 적어도 가지는 것으로 가정하고 있고, 모드별로 제어부(118)가 실행하는 처리를 설명하고 있다. 또한, PRE-HEAT 모드와 INTERVAL 모드와 HEAT 모드에 의하여, 유도 가열 장치(100)에 의한 서셉터(100)의 유도 가열은 구성된다.

도 4는, SLEEP 모드일 때 제어부(118)가 실행하는 예시 처리(400)의 플로 차트이다. SLEEP 모드는, 유도 가열 장치(100)의 미사용시에 있어서 소비 전력을 저감 시키는 모드여도 된다.

S410은, 충전 전원의 충전 전원 접속부(116)에의 접속을 검지했는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 제어부(118)는, 상술한 VBUS 검지 신호에 근거하여, 충전 전원의 접속을 검지했다고 판정할 수 있다. 충전 전원의 접속을 검지했다고 판정한 경우(S410의 「Yes」), 제어부(118)는 CHARGE 모드로 이행되고, 그렇지 않은 경우(S410의 「No」), 처리는 스텝(S420)으로 진행된다. 구체적 일례로서, S410에 있어서는, VBUS 검지 신호가 하이 레벨인 경우에는 「Yes」라고 판단되고, VBUS 검지 신호가 로우 레벨인 경우에는 「No」라고 판단된다.

S420은, 유도 가열 장치(100)의 버튼(128)에 대한 소정의 조작을 검지했는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 제어부(118)는, 상술한 버튼 검지 신호에 근거하여, 버튼(128)에 대한 소정의 조작을 검지했다고 판정할 수 있다. 또한, 스텝(S420)에 있어서의 소정의 조작의 일례는, 버튼(128)의 길게 누름 또는 연타이다. 버튼(128)에 대한 소정의 조작을 검지했다고 판정한 경우(S420의 「Yes」), 제어부(118)는 ACTIVE 모드로 이행되고, 그렇지 않은 경우(S420의 「No」), 처리는 스텝(S410)으로 돌아온다.

예시 처리(400)에 의하면, 제어부(118)는, 충전 전원의 접속을 검지하는 것에 응답하여, CHARGE 모드로 이행되고, 버튼의 조작을 검지하는 것에 응답하여, ACTIVE 모드로 이행하게 된다. 바꿔 말하면, 제어부(118)는, 충전 전원의 접속과 버튼의 조작 모두 검지하지 않는 경우는, SLEEP 모드에 계속 머무른다.

도 5는, CHARGE 모드일 때 제어부(118)가 실행하는 예시 처리(500)의 플로 차트이다. 예시 처리(500)는, 제어부(118)가 CHAEGE 모드로 이행되는 것에 응답하여 개시될 수 있다.

S510은, 전원(102)의 충전을 개시하기 위한 처리를 실행하는 스텝을 나타내고 있다. 전원(102)의 충전을 개시하기 위한 처리는, 상술한 충전 인에이블 신호를 온으로 하거나 또는 해당 신호의 송신을 개시하는 처리를 포함하여도 된다. 충전 인에이블 신호를 온으로 한다는 것은, 충전 인에이블 신호의 레벨을 CE 단자의 논리에 따른 것으로 하는 것을 가리킨다. 즉, CE 단자가 정논리인 경우에는 충전 인에이블 신호를 하이 레벨로 하고, CE 단자가 부논리인 경우에는 충전 인에이블 신호를 로우 레벨로 하는 것을 가리킨다.

S520은, 충전 전원의 충전 전원 접속부(116)로부터의 분리를 검지했는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 제어부(118)는, 상술한 VBUS 검지 신호에 근거하여, 충전 전원의 충전 전원 접속부(116)로부터의 분리를 검지할 수 있다. 충전 전원의 분리를 검지했다고 판정한 경우(S520의 「Yes」), 처리는 스텝(S530)으로 진행되고, 그렇지 않은 경우(S520의 「No」), 처리는 스텝(S520)으로 돌아온다.

S530은, 전원(102)의 충전을 종료하기 위한 처리를 실행하는 스텝을 나타내고 있다. 전원(102)의 충전을 종료하기 위한 처리는, 상술한 충전 인에이블 신호를 오프로 하거나 또는 해당 신호의 송신을 정지하는 처리를 포함하여도 된다. 충전 인에이블 신호를 오프로 한다는 것은, 충전 인에이블 신호의 레벨을 CE 단자의 논리에 따르지 않는 것으로 하는 것을 가리킨다. 즉, CE 단자가 정논리인 경우에는 충전 인에이블 신호를 로우 레벨로 하고, CE 단자가 부논리인 경우에는 충전 인에이블 신호를 하이 레벨로 하는 것을 가리킨다.

S540은, 전원(102)의 충전 레벨(전원(102)에 남아 있는 전력량)에 근거하여, 에어로졸 형성 기체(108)의 사용 가능 개비수(에어로졸 형성 기체(108)로서 스틱 모양인 것을 상정하고 있지만, 에어로졸 형성 기체(108)의 형상은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 따라서, 『사용 가능 개비수』는, 『사용 가능 개수』로 일반화될 수 있음에 유의해야 한다.)를 설정하는 스텝을 나타내고 있다. 이하, 도 6을 참조하여, 사용 가능 개비수에 관하여 설명한다. 도 6은, 사용 가능 개비수에 관하여 설명하기 위한 의사 그래프이다.

610은, 아직 사용되지 않은 때(이하, 「미사용시」라고 한다.)의 전원(102)에 대응하여, 그 면적이 미사용시의 만충전 용량을 나타내고 있다. 또한, 전원(102)이 아직 사용되지 않았다는 것은, 전원(102)이 제조되고 나서의 방전 횟수가 제로이거나 또는 제1 소정의 방전 횟수 이하라고 하는 것이어도 된다. 미사용시의 전원(102)의 만충전 용량의 예는, 약 220mAh이다. 620은, 유도 가열 장치(100)에 있어서 사용되고, 정확하게는, 방전·충전이 반복되어, 어느 정도 열화가 진행되었을 때(이하, 「열화시」라고 한다.)의 전원(102)에 대응하여, 그 면적이 열화시의 만충전 용량을 나타내고 있다. 도 6으로부터 분명한 바와 같이, 미사용시의 전원(102)의 만충전 용량은, 열화시의 전원(102)의 만충전 용량보다 크다.

630은, 1개의 에어로졸 형성 기체(108)를 소비하기 위하여 필요한 전력량(에너지)에 대응하여, 그 면적이 대응되는 전력량을 나타내고 있다. 도 6에 있어서의 4개의 630은 모두 같은 면적이며, 대응하는 전력량도 대략(略) 같다. 또한, 1개의 에어로졸 형성 기체(108)를 소비하기 위하여 필요한 전력량(630)의 예는, 약 70mAh이다. 또한, 소정의 흡인 횟수의 흡인 또는 소정 시간에 걸치 가열이 행해졌을 때에, 1개의 에어로졸 형성 기체(108)가 소비되었다고 간주하여도 된다.

640 및 650은, 2개의 에어로졸 형성 기체(108)를 소비한 후의 전원(102)의 충전 레벨(이하, 「잉여 전력량」이라고 한다.)에 대응하여, 그 면적이 대응되는 전력량을 나타내고 있다. 도 6으로부터 분명한 바와 같이, 미사용시의 잉여 전력량(640)은, 열화시의 잉여 전력량(650)보다 크다.

660은, 전원(102)의 만충전시의 출력 전압을 나타내고 있고, 그 예는 약 3.64V이다. 미사용시의 전원(102)(610)과 열화시의 전원(102)(620)에서 660이 동일하도록, 전원(102)의 만충전시의 전압은, 기본적으로는, 전원(102)의 열화에 관계 없이 즉 SOH(State Of Health)에 관계없이 일정하다.

670은, 전원(102)의 방전 종지 전압을 나타내고 있고, 그 예는 약 2.40V이다. 미사용시의 전원(102)(610)과 열화시의 전원(102)(620)에서 670이 동일하도록, 전원(102)의 방전 종지 전압은, 기본적으로는, 전원(102)의 열화에 관계없이 즉 SOH에 관계없이 일정하다.

전원(102)은, 전압이 방전 종지 전압(670)에 이를 때까지, 바꿔 말하면 전원(102)의 충전 레벨이 제로가 될 때까지 사용되지 않는 것이 바람직하다. 이것은, 전원(102)의 전압이 방전 종지 전압(670) 이하가 되었을 경우 또는 전원(102)의 충전 레벨이 제로가 되었을 경우, 전원(102)의 열화가 급격하게 진행되기 때문이다. 또, 전원(102)의 전압이 방전 종지 전압(670)에 가까워지는 만큼, 전원(102)의 열화는 진행된다.

또, 상술한 것처럼, 전원(102)은, 사용되면, 정확하게는 방전·충전이 반복되면, 그 만충전 용량이 감소하여, 소정의 수(도 6에 있어서는 2)의 에어로졸 형성 기체(108)를 소비한 후의 잉여 전력량은, 미사용시(640)보다 열화시(650) 쪽이 작아진다.

따라서, 제어부(118)는, 전원(102)의 열화를 예상한 후에, 전압이 방전 종지 전압(670) 또는 그 근방에 이를 때까지, 바꿔 말하면 전원(102)의 충전 레벨이 제로 또는 그 근방이 될 때까지 사용되지 않게, 사용 가능 개비수를 설정하는 것이 바람직하다. 즉, 사용 가능 개비수는, 예를 들면 이하와 같이 설정할 수 있다.

n=int((e-S)/C)

여기서, n은 사용 가능 개비수이며, e는 전원(102)의 충전 레벨(단위는 예를 들면 mAh)이며, S는 전원(102)의 열화시의 잉여 전력량(650)에 여유를 갖게하기 위한 파라미터(단위는 예를 들면 mAh)이며, C는 1개의 에어로졸 형성 기체(108)를 소비하는데 필요한 전력량(단위는 예를 들면 mAh)이며, int()는 () 안의 소수점 이하를 버리는 함수이다. 또한, e는 변수이며, 제어부(118)가 잔량 측정 IC(124)와 통신하는 것에 의하여 취득할 수 있다. 또, S 및 C는 정수이며, 실험적으로 사전에 구하여, 제어부(118)의 메모리(도시하지 않음)에 미리 저장해 둘 수 있다. 특히, S는, 실험적으로 제2 소정의 방전 횟수(>>제1 소정의 방전 횟수) 전원(102)을 방전시켰을 때 즉 상정되는 열화가 생겼을 때에 취득된 잉여 전력량(650) 또는 해당 잉여 전력량에+α를 한 값이어도 된다. 또한, 제어부(118)는 잔량 측정 IC(124)와 통신하는 것에 의하여 취득된 SOH가 소정의 값에 이르고 있는 경우, 전원(102)의 열화가 충분히 진행되고 있다고 판단하여, 전원(102)의 충방전을 금지하여도 된다. 즉, S를 산출할 때의 열화시란, SOH가 소정의 값에는 달하지 않기는 하지만, 미사용시 보다는 열화가 진행된 상태를 가리킨다.

도 5로 돌아오면, 스텝(S540) 후, 제어부(118)는 ACTIVE 모드로 이행된다. 또한, 상술한 실시 형태에 있어서는, 스텝(S520)에 있어서, 제어부(118)가 충전 전원의 충전 전원 접속부(116)로부터의 분리를 검지했는지 아닌지를 판단했다. 이것을 대신하여, 충전 회로(122)가 전원(102)의 충전의 완료를 판단하고, 해당 판단을 I2C 통신 등에 의하여 제어부(118)가 수신했는지 아닌지를 판단하여도 된다.

도 7은, ACTIVE 모드일 때 제어부(118)가 주로 실행하는 예시 처리(이하, 「메인 처리」라고 한다.)(700)의 플로 차트이다. 메인 처리(700)은, 제어부(118)가 ACTIVE 모드로 이행되는 것에 응답하여 개시될 수 있다.

S705는, 제1 타이머를 기동하는 스텝을 나타내고 있다. 제1 타이머를 기동하는 것에 의하여, 제1 타이머의 값은 초기치로부터 시간의 경과에 따라 증가 또는 감소하게 된다. 또한, 이하, 제1 타이머의 값은 시간의 경과에 따라 증가하는 것이라고 가정하고 있다. 또, 제1 타이머는, 제어부(118)가 다른 모드로 이행될 때, 정지되어도 된다. 이에 관해서는, 후술하는 제2 타이머 및 제3 타이머에 관해서도 마찬가지이다.

S710은, 전원(102)의 충전 레벨을 유저에게 통지하는 스텝을 나타내고 있다. 충전 레벨의 통지는, 잔량 측정 IC(124)와의 통신에 의하여 취득된 전원(102)의 정보에 근거하여, 제어부(118)가 발광 소자 구동 회로(126)와 통신하여, 발광 소자(138)를 소정의 모양으로 발광시키는 것에 의하여 실현될 수 있다. 이에 관해서는, 후술하는 다른 통지에 관해서도 마찬가지이다. 충전 레벨의 통지는, 일시적으로 실시되는 것이 바람직하다.

S715는, 메인 처리(700)와 병렬로 실행되도록, 다른 처리(이하, 『서브 처리』라고 한다.)를 기동하는 스텝을 나타내고 있다. 이 스텝에 있어서 기동되는 서브 처리에 관해서는 후술한다. 또한, 서브 처리의 실행은, 제어부(118)가 다른 모드로 이행된 때, 정지되어도 된다. 이에 관해서는, 후술하는 다른 서브 처리에 관해서도 마찬가지이다.

S720은, 제1 타이머의 값에 근거하여, 소정 시간이 경과했는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 소정 시간이 경과했다고 판정한 경우(S720의 「Yes」), 제어부(118)는 SLEEP 모드로 이행되고, 그렇지 않은 경우(S720의 「No」), 처리는 스텝(S725)으로 진행된다.

S725는, 상술한 RLC 직렬 회로, 즉 에어로졸 형성 기체(108)의 적어도 일부인 서셉터(110)를 유도 가열하기 위한 회로에 비가열용 교류 전력을 공급하도록 제어하여, RLC 직렬 회로의 임피던스를 측정하는 스텝을 나타내고 있다. 비가열용 교류 전력은, 스위치 Q₁를 오프 상태로 하고, 스위치 Q₂를 온 상태로 한 후에, 스위치 Q₃를 스위칭하는 것에 의하여 생성되어도 된다. 비가열용 교류 전력의 공급에 의하여 RLC 직렬 회로에 줄 수 있는 에너지의 평균치 또는 실효치는, 후술하는 가열용 교류 전력의 공급에 의하여 RLC 직렬 회로에 부여되는 에너지의 평균치 또는 실효치 보다 작다. 또한, 비가열용 교류 전력은, RLC 직렬 회로의 공진 주파수 f₀를 가지고 있는 것이 바람직하다.

또한, 비가열용 교류 전력의 공급은 RLC 직렬 회로의 임피던스를 측정하는 것만을 위한 것이다. 그 때문에, RLC 직렬 회로의 임피던스를 측정하기 위한 데이터(예를 들면, 후술하는 전압 검지 회로(134) 및 전류 검지 회로(136)에 의하여 각각 측정된 전압의 실효치 V_RMS 및 전류의 실효치 I_RMS)가 취득된 후, 이 비가열용 교류 전력의 공급은 신속하게 정지되어도 된다. 한편, 소정의 시점까지, 예를 들면 제어부(118)가 다른 모드로 이행될 때까지 이 비가열용 교류 전력의 공급은 계속되어도 된다. 비가열용 교류 전력의 공급 정지는, 스위치 Q₂를 오프 상태로 하는 것, 및, 스위치 Q₃의 스위칭을 정지하여 오프 상태로 하는 것 중 한쪽 또는 양쪽에 의하여 실현될 수 있다. 또한, 스텝(S725)의 시점에서는, 스위치 Q₁는 애초에 오프 상태일 수 있음에 유의해야 한다.

S730은, 측정된 임피던스가 이상한지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 제어부(118)는, 스텝(S725)에 있어서 측정된 임피던스가, 유도 가열 장치(100)에 정규 에어로졸 생성 기체(108)가 적정하게 삽입되어 있는 경우에 측정되는 임피던스에 근거하여 정해지는 측정 오차를 포함한 임피던스의 범위에 포함되지 않을 때에, 측정된 임피던스가 이상하다고 판정할 수 있다. 임피던스가 이상하다고 판정된 경우(S730의 「Yes」), 처리는 스텝(S735)으로 진행되고, 그렇지 않은 경우(S730의 「No」), 처리는 스텝(S745)으로 진행된다.

S735는, 소정의 페일-세이프 액션(Fail-Safe action)을 실행하는 스텝을 나타내고 있다. 소정의 페일-세이프 액션은, 스위치 Q₁, Q₂ 및 Q₃를 모두 오프 상태로 하는 것을 포함하여도 된다.

S740은, 유저에게 소정의 에러 통지를 실시하는 스텝을 나타내고 있다. 스텝(S740) 후, 제어부(118)는, 소정의 에러 처리를 실행하기 위한 ERROR 모드로 이행된다. 또한, ERROR 모드의 구체적인 처리에 관해서는 생략한다.

S745는, 스텝(S725)에 있어서 측정한 임피던스에 근거하여, 서셉터(110)를 검출했는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 또한, 서셉터(110)의 검출은, 서셉터(110)를 포함하는 에어로졸 형성 기체(108)의 검출로 간주할 수 있다. 임피던스에 근거하는 서셉터(110)의 검출에 관해서는, 후술한다.

S750은, 사용 가능 개비수가 1 이상인지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 사용 가능 개비수가 1 이상인 경우(S750의 「Yes」), 제어부(118)는 PRE-HEAT 모드로 이행되고, 그렇지 않은 경우(S750의 「No」), 처리는 스텝(S755)으로 진행된다.

S755는, 유저에게 전원(102)의 전력량의 나머지가 적은 것을 나타내는 소정의 저잔량 통지를 실시하는 스텝을 나타내고 있다. 스텝(S755) 후, 제어부(118)는 SLEEP 모드로 이행된다.

후술하지만, 스텝(S750)으로부터 이행될 수 있는 PRE-HEAT의 처리에 의하면, 에어로졸 형성 기체(108)의 유도 가열이 이루어진다. 따라서, 메인 처리(700)에 의하면, 에어로졸 형성 기체(108)를 하우징(101)에 삽입한 후의 에어로졸 형성 기체(108)의 자동적인 유도 가열이 실현되게 된다.

도 8은, ACTIVE 모드의 메인 처리(700)에 있어서의 스텝(S715)에 있어서 기동되는, 예시의 제1 서브 처리(800)의 플로 차트이다.

S810은, 버튼(128)에 대한 소정의 조작을 검지했는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 또한, 스텝(S810)에 있어서의 소정 조작의 일례는, 버튼(128)의 짧게 누름이다. 버튼(128)에 대한 소정의 조작을 검지했다고 판정한 경우(S810의 「Yes」), 처리는 스텝(S820)으로 진행되고, 그렇지 않은 경우(S810의 「No」), 처리는 스텝(S810)으로 돌아온다.

S820은, 제1 타이머를 리셋하여 그 값을 초기치로 되돌리는 스텝을 나타내고 있다. 본 실시 형태를 대신하여, 제1 타이머의 값을 초기치에 근접시켜도 되고, 스텝(S720)에 있어서의 소정 시간을 제1 타이머의 값으로부터 멀어지게 하여도 된다.

S830은, 전원(102)의 충전 레벨을 유저에게 통지하는 스텝을 나타내고 있다. 스텝(S830) 후, 처리는 스텝(S810)으로 돌아온다.

메인 처리(700)에 의하면, 제어부(118)는, ACTIVE 모드로 이행되고 나서 소정 시간이 경과했을 때에 SLEEP 모드로 이행되는 경우가 있는 바, 서브 처리(800)에 의하면, 버튼(128)에 대한 소정의 조작에 의하여, 전원(102)의 충전 레벨을 유저에게 재차 통지하여, SLEEP 모드에의 이행을 연기할 수 있게 된다.

도 9는, ACTIVE 모드의 메인 처리(700)에 있어서의 스텝(S715)에 있어서 기동되는, 예시의 제2 서브 처리(900)의 플로 차트이다.

S910은, 충전 전원의 충전 전원 접속부(116)에의 접속을 검지했는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 충전 전원의 접속을 검지했다고 판정한 경우(S910의 「Yes」), 제어부(118)는 CHARGE 모드로 이행되고, 그렇지 않은 경우(S910의 「No」), 처리는 스텝 S910으로 돌아온다. 제어부(118)는, 스텝(S410)과 마찬가지로, 상술한 VBUS 검지 신호에 근거하여, 충전 전원의 접속을 검지했다고 판정할 수 있다. 또한, CHARGE 모드로 이행되는 경우에는, 제어부(118)는 스위치 Q₁, Q₂ 및 Q₃를 모두 오프 상태로 하는 것이 바람직하다.

제2 서브 처리(900)에 의하면, 충전 전원의 접속에 응답하여 제어부(118)는 자동적으로 CHARGE 모드로 이행되게 된다.

도 10은, PRE-HEAT 모드일 때 제어부(118)가 주로 실행되는 예시 처리(메인 처리)(1000)의 플로 차트이다. 메인 처리(1000)는, 제어부(118)가 PRE-HEAT 모드로 이행되는 것에 응답하여 개시할 수 있다.

S1010은, RLC 직렬 회로에의 가열용 교류 전력의 공급을 개시하도록 제어하는 스텝을 나타내고 있다. 가열용 교류 전력은, 스위치 Q₁를 온 상태로 하고, 스위치 Q₂를 오프 상태한 후에, 스위치 Q₃를 스위칭 하는 것에 의하여 생성되는 것이다. 가열용 교류 전력의 공급에 의하여 RLC 직렬 회로에 부여되는 에너지의 평균치 또는 실효치는, 상술한 비가열용 교류 전력의 공급에 의하여 RLC 직렬 회로에 부여되는 에너지의 평균치 또는 실효치 보다 크다.

S1020은, 메인 처리(1000)와 병렬로 실행되도록, 다른 처리(서브 처리)를 기동하는 스텝을 나타내고 있다. 이 스텝에 있어서 기동되는 서브 처리에 관해서는 후술한다.

S1030은, 서셉터(110)의 검출에 따른 처리를 실행하는 스텝을 나타내고 있다. 이 스텝에 관해서는 후술한다. 해당 스텝은, 적어도, RLC 직렬 회로의 임피던스를 측정하는 스텝을 포함한다.

S1040은, 스텝(S1030)에 있어서 측정된 임피던스로부터, 서셉터(110) 또는 에어로졸 형성 기체(108)의 적어도 일부의 온도(이하, 편의상 「서셉터 온도」라고 한다.)를 취득하는 스텝을 나타내고 있다. 임피던스에 근거하는 서셉터 온도의 취득에 관해서는 후술한다. 또한, 후술하는 스텝(S1050)에 있어서, 예열 목표 온도를 대신하여 예열 목표 온도에 대응하는 예열 목표 임피던스를 이용하는 것에 의하여, 스텝(S1040)을 생략하여도 된다. 이 경우에 있어서, 스텝(S1050)에서는 임피던스와 예열 목표 임피던스가 비교된다.

S1050은, 취득한 서셉터 온도가 소정의 예열 목표 온도에 도달했는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 서셉터 온도가 예열 목표 온도에 도달했다고 판정한 경우(S1050의 「Yes」), 처리는 스텝(S1060)으로 진행되고, 그렇지 않은 경우(S1050의 「No」), 처리는 스텝(S1030)으로 돌아온다. 또한, PRE-HEAT 모드가 개시되고 나서 소정 시간 경과한 경우에도, 예열이 완료됐다고 보아 스텝(S1050)에 있어서 「Yes」라고 판단하여도 된다.

S1060은, 유저에게 에어로졸 형성 기체(108)의 예열이 완료된 것의 통지를 실시하는 스텝을 나타내고 있다. 이 통지는 LED(138)에 의하여 실시되어도 되고, 도시되지 않은 바이브레이션 모터나 디스플레이 등으로 실시되어도 된다. 스텝(S1060) 후, 제어부(118)는 INTERVAL 모드로 이행된다.

메인 처리(1000)에 의하면, 에어로졸 형성 기체(108)의 예열을 실현할 수 있다.

도 11은, INTERVAL 모드일 때 제어부(118)가 주로 실행하는 예시 처리(메인 처리)(1100)의 플로 차트이다. 메인 처리(1100)는, 제어부(118)가 INTERVAL 모드로 이행되는 것에 응답하여 개시될 수 있다.

S1110은, RLC 직렬 회로에의 가열용 교류 전력의 공급을 정지하도록 제어하는 스텝을 나타내고 있다. 가열용 교류 전력의 공급 정지는, 스위치 Q₁를 오프 상태로 하는 것, 및, 스위치 Q₃의 스위칭을 정지하여 오프 상태로 하는 것 중 한쪽 또는 양쪽에 의하여 실현될 수 있다. 또한, 스텝(S1110)의 시점에서는, 스위치 Q₂는 애초에 오프 상태일 수 있음에 유의해야 한다.

S1120은, 메인 처리(1100)와 병렬로 실행되도록, 다른 처리(서브 처리)를 기동하는 스텝을 나타내고 있다. 이 스텝에 있어서 기동되는 서브 처리에 관해서는 후술한다.

S1130은, RLC 직렬 회로에 비가열용 교류 전력을 공급하도록 제어하여, RLC 직렬 회로의 임피던스를 측정하는 스텝을 나타내고 있다. 이 스텝은, ACTIVE 모드의 메인 처리(700)의 스텝(S725)와 마찬가지여도 된다.

S1140은, 측정된 임피던스로부터, 서셉터 온도를 취득하는 스텝을 나타내고 있다. 또한, 후술하는 스텝(S1150)에 있어서, 냉각 목표 온도를 대신하여 냉각 목표 온도에 대응하는 냉각 목표 임피던스를 이용하는 것에 의하여, 스텝(S1140)을 생략 하여도 된다. 이 경우에 있어서, 스텝(S1150)에서는 임피던스와 냉각 목표 임피던스가 비교된다.

S1150은, 취득한 서셉터 온도가 소정의 냉각 목표 온도에 도달했는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 서셉터 온도가 냉각 목표 온도에 도달했다고 판정된 경우(S1150의 「Yes」), 제어부(118)는 HEAT 모드로 이행되고, 그렇지 않은 경우(S1150의 「No」), 처리는 스텝(S1130)으로 돌아온다. 또한, INTERVAL 모드가 개시되고 나서 소정 시간 경과한 경우에도, 냉각이 완료됐다고 하여 스텝(S1150)에 있어서 「Yes」라고 판단하여도 된다.

PRE-HEAT 모드에서는, 에어로졸을 신속하게 공급할 수 있도록 서셉터는 급속하게 가열된다. 한편, 이러한 급속한 가열은 생성되는 에어로졸의 양이 과잉이 되어 버릴 우려가 있다. 거기서, HEAT 모드 전에 INTERVAL 모드를 실행하는 것에 의하여, PRE-HEAT 모드의 완료 시점으로부터 HEAT 모드의 완료 시점에 걸쳐, 생성되는 에어로졸의 양을 안정되게 할 수 있다. 바꿔 말하면, 메인 처리(1100)에 의하면, 에어로졸 생성의 안정화를 위하여, 예열된 에어로졸 형성 기체(108)를 HEAT 모드 전에 냉각할 수 있다.

도 12는, HEAT 모드일 때 제어부(118)가 주로 실행하는 예시 처리(메인 처리)(1200)의 플로 차트이다. 메인 처리(1200)는, 제어부(118)가 HEAT 모드로 이행되는 것에 응답하여 개시될 수 있다.

S1205는, 제2 타이머를 기동하는 스텝을 나타내고 있다.

S1210은, 메인 처리(1200)와 병렬로 실행되도록, 다른 처리(서브 처리)를 기동하는 스텝을 나타내고 있다. 이 스텝에 있어서 기동되는 서브 처리에 관해서는 후술한다.

S1215는, RLC 직렬 회로에의 가열용 교류 전력의 공급을 개시하도록 제어하는 스텝을 나타내고 있다.

S1220은, 서셉터(110)의 검출에 따른 처리를 실행하는 스텝을 나타내고 있다. 이 스텝에 관해서는 후술하지만, 해당 스텝은, 적어도, RLC 직렬 회로의 임피던스를 측정하는 스텝을 포함한다.

S1225는, 스텝(S1220)에 있어서 측정된 임피던스로부터, 서셉터 온도를 취득하는 스텝을 나타내고 있다. 또한, 후술하는 스텝(S1230)에 있어서, 가열 목표 온도를 대신하여 가열 목표 온도에 대응하는 가열 목표 임피던스를 이용하는 것에 의하여, 스텝(S1225)을 생략하여도 된다. 이 경우에 있어서, 스텝(S1230)에서는 임피던스와 가열 목표 임피던스가 비교된다.

S1230은, 취득한 서셉터 온도가 소정의 가열 목표 온도 이상인지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 서셉터 온도가 가열 목표 온도 이상인 경우(S1230의 「Yes」), 처리는 스텝(S1235)으로 진행되고, 그렇지 않은 경우(S1230의 「No」), 처리는 스텝(S1240)으로 진행된다.

S1235는, RLC 직렬 회로에의 가열용 교류 전력의 공급을 정지하도록 제어한 후에, 소정 시간 대기하는 스텝을 나타내고 있다. 이 스텝은, RLC 직렬 회로에의 가열용 교류 전력의 공급을 일시적으로 정지하여, 가열 목표 온도 이상이 된 서셉터 온도를 저하시키는 것을 의도한 것이다.

S1240은, 소정의 가열 종료 조건이 충족되었는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 소정의 가열 종료 조건의 예는, 제2 타이머의 값에 근거하여 소정 시간이 경과됐다고 하는 조건, 현재 사용하고 있는 에어로졸 형성 기체(108)를 이용하여 소정 횟수의 흡인이 실시되었다는 조건, 또는, 이들 조건의 OR 조건이어도 된다. 흡인의 검지 방법에 관해서는 후술한다. 가열 종료 조건이 충족되었다고 판정된 경우(S1240의 「Yes」), 처리는 스텝(S1245)으로 진행되고, 그렇지 않은 경우(S1240의 「No」), 처리는 스텝(S1220)으로 돌아온다.

S1245는, 사용 가능 개비수를 1개 감소시키는 스텝을 나타내고 있다. 스텝(S1245) 후, 제어부(118)는 SLEEP 모드로 이행된다.

메인 처리(1200)에 의하면, 소망한 양태에서의 에어로졸 생성을 위하여 서셉터 온도를 소정의 온도로 유지할 수 있다.

이하, PRE-HEAT 모드의 메인 처리(1000) 및 HEAT 모드의 메인 처리(1200)에 관련하여 상술한, 서셉터(110)의 검출에 따른 처리에 관하여 설명한다.

도 13a는, 예시의 서셉터(110)의 검출에 따른 처리(1300A)의 플로 차트이다.

S1305는, RLC 직렬 회로의 임피던스를 측정하는 스텝을 나타내고 있다. 스텝(S1305) 전에는, RLC 직렬 회로에의 가열용 교류 전력의 공급이 개시되고 있는 것에 유의해야 한다.

S1310은, 측정된 임피던스에 근거하여, 서셉터(110)를 검출했는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 임피던스에 근거하여 서셉터(110)가 검출되었을 경우(S1310의 「Yes」), 예시 처리(1300A)는 종료되고 메인 처리(1000) 또는 메인 처리(1200)로 돌아오며, 그렇지 않은 경우(S1310의 「No」), 처리는 스텝(S1315)으로 진행된다.

S1315는, RLC 직렬 회로에의 가열용 교류 전력의 공급을 정지하는 스텝을 나타내고 있다.

S1320은, 사용 가능 개비수를 1개 감소시키는 스텝을 나타내고 있다. 스텝(S1320) 후, 제어부(118)는 ACTIVE 모드로 이행된다.

예시 처리(1300A)에 의하면, 유도 가열 중에 에어로졸 형성 기체(108)가 분리되었을 경우 등에, 유도 가열을 중지할 수 있다. 이것에 의하여, 유도 가열 장치(100)의 안전성을 향상할 수 있음과 동시에, 전원(102)이 저장한 전력의 낭비를 삭감할 수 있다. 또, 예시 처리(1300A)에 의하면, 제어부(118)는, 에어로졸 형성 기체(108)가 분리되면, 사용 가능 개비수를 1개 감소시킨다. 이것에 의하여, 사용 가능 개비수를 줄이지 않은 경우에 비하여, 사용 가능 개비수를 소비해 버린 후의 전원(102)의 전압이, 방전 종지 전압 또는 방전 종지 전압의 근방까지 이르기 어려워진다. 따라서, 전원(102)의 열화의 촉진을 억제할 수도 있다.

도 13b는, 다른 예시의 서셉터(110)의 검출에 따른 처리(1300B)의 플로 차트이다. 예시 처리(1300B)가 포함하는 일부 스텝은 예시 처리(1300A)와 공통되기 때문에, 이하, 차이점에 관하여 설명한다.

예시 처리(1300B)에 있어서는, 스텝(S1315) 후, 스텝(S1325)으로 진행된다.

S1325는, 유저에게 소정의 에러 통지를 실시하는 스텝을 나타내고 있다. 이 소정의 에러 통지는, 에어로졸 형성 기체(108)가 잘못 분리되는 등에 의하여, 유도 가열 중에 서셉터(110)의 검출에 실패한 것에 대응하는 것이다. 이 소정의 에러 통지는, LED(138) 등에 의하여 행해져도 된다.

S1330은, 제3 타이머를 기동하는 스텝을 나타내고 있다.

S1335는, RLC 직렬 회로에 비가열용 교류 전력을 공급하도록 제어하여, RLC 직렬 회로의 임피던스를 측정하는 스텝을 나타내고 있다. 이 스텝은, ACTIVE 모드의 메인 처리(700)의 스텝(S725)과 마찬가지여도 된다.

S1340은, 측정한 임피던스에 근거하여, 서셉터(110)를 검출했는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 임피던스에 근거하여 서셉터(110)를 검출했다고 판정한 경우(S1340의 「Yes」), 처리는 스텝(S1350)으로 진행되고, 그렇지 않은 경우(S1340의 「No」), 처리는 스텝(S1345)으로 진행된다.

S1350은, 스텝(S1315)에 있어서 정지된, RLC 직렬 회로에의 가열용 교류 전력의 공급을 다시 개시하는 스텝을 나타내고 있다.

S1345는, 제3 타이머의 값에 근거하여 소정 시간이 경과했는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 소정 시간이 경과했다고 판정한 경우(S1345의 「Yes」), 처리는 스텝(S1320)으로 진행되고, 그렇지 않은 경우(S1345의 「No」), 처리는 스텝(S1335)으로 돌아온다.

예시 처리(1300B)에 관하여, 도 14를 참조하여 더 설명한다. 도 14는, 서셉터 온도의 변화를 나타내는 그래프이다. 이 그래프의 세로축은 온도에 대응하고, 횡축은 시간에 대응한다.

1410은, PRE-HEAT 모드의 메인 처리(700)에 관련하여 상술한 소정의 예열 목표 온도를 나타내고 있다.

1415는, INTERVAL 모드의 메인 처리(1100)에 관련하여 상술한 소정의 냉각 목표 온도를 나타내고 있다.

1420은, HEAT 모드의 메인 처리(1200)에 관련하여 상술한 소정의 가열 목표 온도를 나타내고 있다. 또한, 후술하지만, HEAT 모드는, 다른 가열 목표 온도가 적용되는 복수의 페이즈를 포함하는 가열 프로파일을 가진다. 1420은, 보다 상세하게는, HEAT 모드의 가열 프로파일에 있어서의 최초 페이즈의 가열 목표 온도를 나타내고 있다.

1430은, PRE-HEAT 모드의 기간을 나타내고 있다. 즉, PRE-HEAT 모드의 기간은, 개략, 서셉터 온도가 소정의 예열 목표 온도(1410)에 도달했을 때에 종료되고 있다.

1435는, INTERVAL 모드의 기간을 나타내고 있다. 즉, INTERVAL 모드의 기간은, 개략, 서셉터 온도가 예열 목표 온도(1410)에 도달했을 때에 개시되고, 냉각 목표 온도(1415)에 도달했을 때에 종료되고 있다.

1440은, HEAT 모드의 기간을 나타내고 있다. 즉, HEAT 모드의 기간은, 개략, 서셉터 온도가 냉각 목표 온도(1415)에 도달했을 때에 개시되고, 시점(1445)에 종료되고 있다. 1445는, 가열 종료 조건이 충족됐을 때(메인 처리(1200)의 스텝(S1240))를 나타내고 있다.

1450은, 서셉터(110)를 검출할 수 없게 되었을 때, 즉, 예시 처리(1300B)의 스텝(S1310)에 있어서, 임피던스에 근거하여 서셉터(110)를 검출했다고 판정할 수 없을 때를 나타내고 있다(스텝(S1310)의 「No」). 1455는, 서셉터(110)를 다시 검출할 수 있게 되었을 때, 즉, 예시 처리(1300B)의 스텝(S1340)에 있어서, 임피던스에 근거하여 서셉터(110)를 검출했다고 판정한 때를 나타내고 있다(스텝(S1340)의 「Yes」). S1460은, 서셉터(110)를 검출할 수 없던 기간을 나타내고 있다.

예시 처리(1300B)에 의하면, 시간의 경과에 따른 가열 목표 온도가 적어도 정해진 가열 프로파일에 따르는 한편으로, 유도 가열을 위한 처리의 정지인 스텝(S1315)로부터 유도 가열을 위한 처리의 재개인 스텝(S1350)까지의 사이도 시간이 경과한 것으로 하여, 유도 가열을 제어할 수 있다. 그 때문에, 실질적으로, 서셉터(110)를 검출할 수 없던 기간(S1460)에 상당하는 가열 프로파일을 스킵할 수 있다.

도 13c는, 또 다른 예시의 서셉터(110)의 검출에 따른 처리(1300C)의 플로 차트이다. 예시 처리(1300C)가 포함하는 일부 스텝은 예시 처리(1300A) 또는 (1300B)와 공통되기 때문에, 이하, 차이점에 관하여 설명한다.

S1355는, 측정한 임피던스에 근거하여, 서셉터(110)를 검출하는 스텝을 나타내고 있다. 이 스텝은, 스텝(S1310)과 유사한 것이지만, 서셉터(110)를 검출했다고 판정할 수 없던 경우(S1355의 「No」), 처리가 스텝(S1325)으로 진행되는 점이 상이하다.

예시 처리(1300C)에 있어서는, 스텝(S1330) 후, 처리는 스텝(S1360)으로 진행된다.

S1360은, RLC 직렬 회로의 임피던스를 측정하는 스텝을 나타내고 있다. 스텝(S1360)은 스텝(S1335)과 유사한 것이지만, 스텝(S1360)에 있어서 RLC 직렬 회로에 비가열용 교류 전력을 공급하도록 제어할 필요는 없다. 이는, 스텝(S1360)의 시점에 있어서, RLC 직렬 회로에의 가열용 교류 전력의 공급은 정지되어 있지 않기 때문이다.

S1365는, 측정된 임피던스에 근거하여, 서셉터(110)를 검출했는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 이 스텝은 스텝(S1340)과 유사한 것이지만, 임피던스에 근거하여 서셉터(110)를 검출했다고 판정한 경우(S1365의 「Yes」), 처리는 스텝(S1305)으로 돌아오고, 그렇지 않은 경우(S1365의 「No」), 처리는 스텝(S1370)으로 진행되는 점이 상이하다.

S1370은, 제3 타이머의 값에 근거하여 소정 시간이 경과됐는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 이 스텝은 스텝(S1345)과 유사한 것이지만, 소정 시간이 경과됐다고 판정한 경우(S1370의 「Yes」), 처리는 스텝(S1315)으로 진행되고, 그렇지 않은 경우(S1370의 「No」), 처리는 스텝(S1360)으로 돌아오는 점이 상이하다.

예시 처리(1300C)에 관하여 도 14를 참조하여 더 설명한다. 또한, 이하, 예시 처리(1300B)에 관하여 상술한 설명과의 차이점에 관하여 설명한다.

1450은, 서셉터(110)를 검출할 수 없게 되었을 때, 즉, 예시 처리(1300C)의 스텝(S1355)에 있어서, 임피던스에 근거하여 서셉터(110)를 검출했다고 판정할 수 없던 때를 나타내고 있다(스텝(S1355)의 「No」). 1455는, 서셉터(110)를 다시 검출할 수 있게 되었을 때, 즉, 예시 처리(1300C)의 스텝(S1365)에 있어서, 임피던스에 근거하여 서셉터(110)를 검출했다고 판정한 때를 나타내고 있다(스텝(S1365)의 「Yes」).

상술한 바와 같이, HEAT 모드는 다른 가열 목표 온도가 적용되는 복수의 페이즈를 포함하는 가열 프로파일을 가진다. 또, HEAT 모드의 처리에는, 1 이상의 타이밍에서 가열 목표 온도를 변경하는 처리(예를 들면, 후술하는 도 21의 스텝(S2115))을 포함할 수 있다. 그리고, 예시 처리(1300C)에 의하면, 서셉터(110)를 검출할 수 없던 기간(S1460)은, 해당 1 이상의 타이밍에 영향을 주지 않게 된다. 이것은 예시 처리(1300C)가, 예시 처리(1300B)에 있어서의 스텝(S1315)과 스텝(S1350)을 갖지 않기 때문이다. 즉, 예시 처리(1300C)에 의하면, 서셉터(110)를 검출할 수 없던 기간(S1460)이, 상기 가열 프로파일의 전체의 길이에 영향을 주지 않게 할 수 있다.

도 13d는, 더 다른 예시의 서셉터(110)의 검출에 따른 처리(1300D)의 플로 차트이다.

예시 처리(1300D)가 포함하는 일부 스텝은 예시 처리(1300A), (1300B) 또는 (1300C)와 공통되기 때문에, 이하, 차이점에 관하여 설명한다.

S1375는, 스텝(S1310)과 같은 스텝이지만, 임피던스에 근거하여 서셉터(110)를 검출했다고 판정한 경우, 처리가 스텝(S1385)으로 진행되는 점이 상이하다.

예시 처리(1300D)에 있어서는, 스텝(S1325) 후, 스텝(S1380)으로 진행된다.

S1380은, 기동하고 있는 제2 타이머를 정지하고, 제3 타이머를 기동하는 스텝을 나타내고 있다. 제2 타이머의 정지에 의하여, 시간의 경과에 의해 제2 타이머의 값이 증가하지 않게 된다. 바꿔 말하면, 가열 프로파일의 진행이 중단된다.

S1385는, 제2 타이머를 정지했는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 이 스텝은, 스텝(S1380)이 실행되었는지를 판정하는 스텝이어도 된다. 제2 타이머를 정지했다고 판정한 경우(S1385의 「Yes」), 처리는 스텝(S1390)으로 진행되고, 그렇지 않은 경우(S1385의 「No」), 예시 처리(1300D)는 종료되고 메인 처리(1000) 또는 메인 처리(1200)로 돌아온다.

S1390은, 정지한 제2 타이머를 재개하는 스텝을 나타내고 있다. 제2 타이머의 재개에 의하여, 제2 타이머가 정지했을 때의 값으로부터 시간의 경과에 의해 제2 타이머의 값이 다시 증가하게 된다. 바꿔 말하면, 가열 프로파일의 진행이 재개된다.

예시 처리(1300D)에 관하여 도 14를 참조하여 더 설명한다. 또한, 이하, 예시 처리(1300B)에 관하여 상술한 설명과의 차이점에 관하여 설명한다.

1450은, 서셉터(110)를 검출할 수 없게 되었을 때, 즉, 예시 처리(1300D)의 스텝(S1375)에 있어서, 임피던스에 근거하여 서셉터(110)를 검출했다고 판정할 수 없었을 때를 나타내고 있다(스텝(S1375)의 「No」).

즉, 예시 처리(1300D)에 의하면, 시간의 경과에 따른 가열 목표 온도가 적어도 정해진 가열 프로파일에 따르는 한편으로, 유도 가열을 위한 처리가 정지되는 스텝(S1315)으로부터 유도 가열을 위한 처리의 재개되는 스텝(S1350)까지의 사이는 시간이 경과하지 않은 것으로 하여 유도 가열을 제어할 수 있다. 그 때문에, 실질적으로 가열 프로파일의 진행을 중단할 수 있다.

도 13e는, 더욱 또 다른 예시의 서셉터(110)의 검출에 따른 예시 처리(1300E)의 플로 차트이다. 예시 처리(1300E)가 포함하는 일부 스텝은 예시 처리(1300A), (1300B), (1300C) 또는 (1300D)와 공통되기 때문에, 이하, 차이점에 관하여 설명한다.

S1392는, 스텝(S1310)과 같은 스텝이지만, 임피던스에 근거하여 서셉터(110)를 검출했다고 판정한 경우, 처리가 스텝(S1394)으로 진행되는 점이 상이하다.

S1394는, 제3 타이머가 기동되었는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 이 스텝은, 스텝(S1330)이 실행되었는지를 판정하는 스텝이어도 된다. 제3 타이머가 기동되었다고 판정한 경우(S1394의 「Yes」), 처리는 스텝(S1396)으로 진행되고, 그렇지 않은 경우(S1394의 「No」), 예시 처리(1300E)는 종료되고 메인 처리(1000) 또는 메인 처리(1200)로 돌아온다.

S1396는, 제3 타이머의 값에 근거하여, 소정의 처리를 실행하는 스텝을 나타내고 있다. 이 소정의 처리는, HEAT 모드에 포함되는 복수의 페이즈 중 하나를, 제3 타이머의 값 즉 서셉터(110)를 검출할 수 없던 기간의 길이만큼 연장하는 처리여도 된다. 바꿔 말하면, 이 소정의 처리는, 가열 목표 온도를 변경하는 1 이상의 타이밍 중 적어도 1개를, 서셉터(110)를 검출할 수 없던 기간의 길이만큼 지연시키는 처리여도 된다. 이것은, 예를 들면, 후술하는 도 21의 스텝(S2105)에 있어서 변경한다고 판정하는 타이밍을 지연시키는 것으로 실현될 수 있다. 또한, 페이즈의 연장 및/또는 가열 목표 온도를 변경시키는 타이밍의 지연은, 반드시 서셉터(110)를 검출할 수 없던 기간의 길이만큼 행해질 필요는 없다. 서셉터(110)를 검출할 수 없던 기간의 길이에 소정치의 가산이나 감산 등의 연산을 실시한 값이나, 서셉터(110)를 검출할 수 없던 기간의 길이에 무관계한 값만큼, 페이즈를 연장하거나 가열 목표 온도를 변경시키는 타이밍을 지연시키거나 하여도 된다.

예시 처리(1300E)에 관하여 도 14를 참조하여 더 설명한다. 또한, 이하, 예시 처리(1300C)에 관하여 상술한 설명과의 차이점에 관하여 설명한다.

1450은, 서셉터(110)를 검출할 수 없게 되었을 때, 즉, 예시 처리(1300E)의 스텝(S1392)에 있어서, 임피던스에 근거하여 서셉터(110)를 검출했다고 판정할 수 없던 때를 나타내고 있다(스텝(S1392)의 「No」).

예시 처리(1300E)에 의하면, 에어로졸 형성 기체를 검출할 수 없게 되었을 때인 스텝(S1392)으로부터 에어로졸 형성 기체를 재차 검출했을 때인 스텝(S1365)까지의 기간(1460)에 근거하여, 가열 목표 온도를 변경하는 타이밍을 지연시킬 수 있기 때문에, 해당 가열 프로파일의 페이즈를 보충 또는 연장시킬 수 있다. 즉, 예시 처리(1300E)에 의하면, 서셉터(110)를 검출할 수 없던 기간(1460)에 근거하여, 가열 프로파일의 길이를 연장할 수 있다.

도 15는, PRE-HEAT 모드의 메인 처리(1000)의 스텝(S1020), INTERVAL 모드의 메인 처리(1100)의 스텝(S1120), 또는, HEAT 모드의 메인 처리(1200)의 스텝(S1210)에 있어서 기동되는, 예시의 제1 서브 처리(1500)의 플로 차트이다.

S1510은, 버튼(128)에 대한 소정의 조작을 검지했는지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 이 소정의 조작은, 스텝(S420)이나 (S810)에 있어서의 소정의 조작과 같아도 되고, 달라도 된다. 또한, 스텝(S1510)에 있어서의 소정의 조작의 일례는, 버튼(128)의 길게 누름 또는 연타이다. 버튼의 소정의 조작을 검지했다고 판정한 경우(S1510의 「Yes」), 처리는 스텝(S1520)으로 진행되고, 그렇지 않은 경우(S1510의 「No」), 처리는 스텝(S1510)으로 돌아온다.

S1520은, 교류 전력의 공급을 정지하기 위한 제어를 실시하는 스텝을 나타내고 있다. 제1 서브 처리(1500)가 스텝(S1020) 또는 스텝(S1210)에 있어서 기동되었을 경우, 이 교류 전력은 가열용 교류 전력이며, 제1 서브 처리(1500)가 스텝(S1120)에 있어서 기동되었을 경우, 이 교류 전력은 비가열용 교류 전력일 것이다.

S1530은, 사용 가능 개비수를 1개 감소시키는 스텝을 나타내고 있다. 서브 처리(1500)에 의하면, 제어부(118)는, 유저의 조작에 의하여 교류 전력의 공급이 정지되면, 사용 가능 개비수를 1개 감소시킨다. 이것에 의하여, 사용 가능 개비수를 줄이지 않은 경우에 비하여, 사용 가능 개비수의 에어로졸 형성 기체(108)를 소비해 버린 후의 전원(102)의 전압이, 방전 종지 전압 또는 방전 종지 전압의 근방에 이르기 어려워진다. 따라서, 전원(102)의 열화의 촉진을 억제할 수도 있다.

도 16은, PRE-HEAT 모드의 메인 처리(1000)의 스텝(S1020), INTERVAL 모드의 메인 처리(1100)의 스텝(S1120), 또는, HEAT 모드의 메인 처리(1200)의 스텝(S1210)에 있어서 기동되는, 예시의 제2 서브 처리(1600)의 플로 차트이다.

S1610은, 방전 전류를 측정하는 스텝을 나타내고 있다. 방전 전류는, 전류 검지 회로(136)에 의해 측정할 수 있다.

S1620은, 측정한 방전 전류가 과대한지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 방전 전류가 과대하다고 판정한 경우(S1620의 「Yes」), 처리는 스텝(S1630)으로 진행되고, 그렇지 않은 경우(S1620의 「No」), 처리는 스텝(S1610)으로 돌아온다.

S1630은, 소정의 페일-세이프 액션을 실행하는 스텝을 나타내고 있다.

S1640은, 유저에게 소정의 에러 통지를 실시하는 스텝을 나타내고 있다. 이 소정의 에러 통지는, 방전 전류가 과대한 것에 대응하는 것이다. 스텝(S1640) 후, 제어부(118)는 ERROR 모드로 이행된다. 이 에러 통지는, LED(138)에 의해 실시되어도 된다.

도 17은, 임피던스에 근거하여 에어로졸 형성 기체(108)의 적어도 일부인 서셉터(110)를 검출하는 원리, 및, 임피던스에 근거하여 에어로졸 형성 기체(108)의 적어도 일부인 서셉터(110)의 온도를 취득하는 원리에 관하여 설명하기 위한 도면이다.

1710은, 에어로졸 형성 기체(108)가 유도 가열 장치(100)에 삽입되어 있지 않을 때의, RLC 직렬 회로의 등가 회로를 나타내고 있다.

L는 RLC 직렬 회로의 인덕턴스(inductance)의 값을 나타내고 있다. L는 엄밀하게는 RLC 직렬 회로에 포함되는 복수의 소자의 인덕턴스 성분을 합성한 값이지만, 코일(106)의 인덕턴스의 값과 동일한 것이라고 해도 된다.

C₂는 RLC 직렬 회로의 커패시턴스(capacitance)의 값을 나타내고 있다. C₂는 엄밀하게는 RLC 직렬 회로에 포함되는 복수의 소자의 커패시턴스 성분을 합성한 값이지만, 콘덴서 C₂의 커패시턴스의 값과 동일한 것이라고 해도 된다.

R_Circuit는, RLC 직렬 회로의 저항치를 나타내고 있다. R_Circuit는, RLC 직렬 회로에 포함되는 복수의 소자의 저항 성분을 합성한 값이다.

L, C₂ 및 R_Circuit의 값은, 전자 소자의 스펙 시트로부터 사전에 취득되거나 또는 실험적으로 사전에 측정하여, 제어부(118)의 메모리(도시하지 않음)에 미리 저장해 둘 수 있다.

에어로졸 형성 기체(108)가 유도 가열 장치(100)에 삽입되어 있지 않을 때의 RLC 직렬 회로의 임피던스 Z₀는, 이하의 식에 의하여 계산할 수 있다.

여기서, ω는 RLC 직렬 회로에 공급되는 교류 전력의 각주파수(ω=2πf;f는 교류 전력의 주파수)를 나타내고 있다.

한편, 1720은, 에어로졸 형성 기체(108)가 유도 가열 장치(100)에 삽입되어 있을 때의, RLC 직렬 회로의 등가 회로를 나타내고 있다. 1720에 있어서의 1710과의 차이는, 에어로졸 형성 기체(108)의 적어도 일부인 서셉터(110)에 의한 저항 성분(R_susceptor)이 존재하는 점이다. 에어로졸 형성 기체(108)가 유도 가열 장치(100)에 삽입되어 있을 때의 RLC 직렬 회로의 임피던스 Z₁는, 이하의 식에 의하여 계산할 수 있다.

즉, 에어로졸 형성 기체(108)가 유도 가열 장치(100)에 삽입되어 있을 때의 RLC 직렬 회로의 임피던스는, 삽입되어 있지 않을 때보다 커진다. 에어로졸 형성 기체(108)가 유도 가열 장치(100)에 삽입되어 있지 않을 때의 임피던스 Z₀와 삽입되어 있을 때의 임피던스 Z₀를 실험적으로 사전에 구하여 그 사이에 설정된 역치를 제어부(118)의 메모리(도시하지 않음)에 미리 저장해 둔다. 이것에 의하여, 측정한 임피던스 Z가 해당 역치보다 큰지 여부에 근거하여, 에어로졸 형성 기체(108)가 유도 가열 장치(100)에 삽입되어 있는지, 즉, 서셉터(110)가 검출되었는지를 판정하는 것이 가능하다. 상술한 바와 같이, 서셉터(110)의 검출은, 에어로졸 형성 기체(108)의 검출로 간주할 수 있다.

또한, 제어부(118)는, 전압 검지 회로(134) 및 전류 검지 회로(136)에 의하여 각각 측정한 전압의 실효치 V_RMS 및 전류의 실효치 I_RMS에 근거하여, RLC 직렬 회로의 임피던스 Z를 이하와 같이 계산할 수 있다.

또, Z₁의 상기식을 R_susceptor에 관하여 풀면, 이하의 식이 유도된다.

여기서, 음의 저항치를 제외하고, Z₁를 Z로 전환하면,

R_susceptor와 서셉터 온도와의 관계를 실험적으로 사전에 구하여 제어부(118)의 메모리(도시하지 않음)에 미리 저장해 두는 것에 의하여, RLC 직렬 회로의 임피던스 Z보다 더 계산된 R_susceptor에 근거하여 서셉터 온도를 취득하는 것이 가능하다.

도 18은, RLC 직렬 회로의 공진 주파수 f₀로 교류 전력을 공급한 경우의 RLC 직렬 회로의 등가 회로를 나타내고 있다. 1810 및 1820은, 각각, 에어로졸 형성 기체(108)가 유도 가열 장치(100)에 삽입되어 있지 않은 때 및 삽입되어 있는 때의, RLC 직렬 회로의 등가 회로를 나타내고 있다. 공진 주파수 f₀은 이하와 같이 도출할 수 있다.

또, 공진 주파수 f₀에 있어서 이하의 관계가 충족되기 때문에, RLC 직렬 회로의 임피던스에 관하여, RLC 직렬 회로의 인덕턴스 성분 및 커패시턴스 성분은 무시할 수 있게 된다.

따라서, 공진 주파수 f₀에 있어서의 에어로졸 형성 기체(108)가 유도 가열 장치(100)에 삽입되어 있지 않은 때의 RLC 직렬 회로의 임피던스 Z₀ 및 삽입되어 있는 때의 RLC 직렬 회로의 임피던스 Z₁는 이하와 같다.

또, 공진 주파수 f₀에 있어서의 에어로졸 형성 기체(108)가 유도 가열 장치(100)에 삽입되어 있는 때의 에어로졸 형성 기체(108)의 적어도 일부인 서셉터(110)에 의한 저항 성분의 값 R_susceptor는, 이하의 식에 의하여 계산할 수 있다.

이와 같이, 서셉터(110)를 검출할 때, 및, 임피던스에 근거하여 서셉터 온도를 취득할 때 한쪽 또는 양쪽에 있어서, RLC 직렬 회로의 공진 주파수 f₀를 이용하는 것은, 계산의 용이함이라고 하는 점에서 유리하다. 물론, RLC 직렬 회로의 공진 주파수 f₀를 이용하는 것은, 전원(102)에 저장된 전력을 고효율 및 고속으로 서셉터(110)에 공급하는 점에서도 유리하다.

(가열 프로파일의 구체적인 예 1)

이하, 가열 프로파일의 구체적인 예에 관하여 설명한다.

본 예에 있어서는, 유도 가열 장치(100)는, PRE-HEAT 모드, INTERVAL 모드, 및 복수의 페이즈로 이루어진 HEAT 모드에 있어서 교류 생성 회로(132)의 스위칭 주파수를 변화시키는 것에 의하여, 에어로졸 형성 기체(108)를 보다 적절히 가열할 수 있다.

도 19는, 본 예의 유도 가열 장치(100)에 있어서의 서셉터(110)의 온도, 교류 생성 회로(132)의 스위칭 주파수, 및 회로(104)의 임피던스 변화를 각각 나타내는 그래프(a), (b), 및 (c)를 나타내는 도면이다. 도 14와 마찬가지로, 도 19에 있어서, 화살표(1430)은, PRE-HEAT 모드의 기간을 나타내고, 화살표(1435)는, INTERVAL 모드의 기간을 나타내고, 화살표(1440)은, HEAT 모드의 기간을 나타낸다. 또, (a)에 있어서, 실선 그래프는 서셉터(110)의 온도를 나타내고, 파선 그래프는 각 기간에 있어서의 목표 온도(예열 목표 온도, 냉각 목표 온도, 가열 목표 온도)를 나타낸다.

또한, 도 19에 있어서는, 서셉터(110)의 온도(또는 서셉터 온도)가 가열 목표 온도에 도달하는 것과, 페이즈가 전환되는 것이 일치하는 것처럼 도시되어 있지만, 이것은 이상적인 거동을 도시하였기 때문이다. 즉, 도 19에 도시한 거동은, 후술하는 도 21에 나타내는 예시 처리로 말하면, 스위치 Q₃의 스위칭 주파수를 변경하는 타이밍과 서셉터(110)의 온도가 가열 목표 온도에 처음으로 도달한 타이밍이 일치한 경우에 상당한다. 일반적으로는, 서셉터(110)의 온도는, 가열 목표 온도에 도달한 후, 가열용 교류 전력의 일시적인 정지에 의하여 저하되고, 재차 상승하는 거동을 반복하게 된다. 따라서, 일반적으로는, 서셉터(110)의 온도가 가열 목표 온도에 도달하는 것과, 페이즈가 전환되는 것은 일치하지 않는다. 이것에 관하여는, 도 20 및 22에 관해서도 마찬가지이다.

(b)에 도시된 바와 같이, 본 예에 있어서, 교류 생성 회로(132)의 스위치 Q₃의 스위칭 주파수는, PRE-HEAT 모드의 기간(1430) 및 INTERVAL 모드의 기간(1435)에 있어서는, 공진 주파수 f₀이고, 또한 이들 기간내에 있어서는 일정하다. 그리고, HEAT 모드의 기간(1440)에 있어서는, 스위치 Q₃의 스위칭 주파수는, 각 페이즈가 진행되어감에 따라 단계적으로 상승되어 가도록 제어된다(스위치 Q₃의 스위칭 주파수를 상승시키는 타이밍은 미리 스케줄링 해 둔다. 이것에 관하여는, 후술하는 구체적인 예 2에 있어서도 마찬가지이다). 또, 스위치 Q₃의 스위칭 주파수가 변화하면 회로(104)의 임피던스도 변화한다. 스위치 Q₃의 스위칭 주파수가 단계적으로 상승하는 것에 의해, (c)에 도시된 바와 같이 회로(104)의 임피던스도 계속 증가한다. 본 예의 경우, 회로(104)의 임피던스의 변화(또는 코일(106)에 공급되는 교류 전류의 변화)에 의해, 유저가 에어로졸원(112)으로부터 발생하는 에어로졸을 흡인했을 때에 있어서의 일시적인 온도 저하를 검지하는 것이 가능하다. 즉, 온도가 저하된 것이 검출된 경우에는, 유저가 에어로졸을 흡인했다고 판단하도록 되어 있어도 된다.

또, HEAT 모드의 기간(1440)에 있어서 스위치 Q₃의 스위칭 주파수는, (b)의 실선 그래프에 의하여 나타낸 바와 같이 공진 주파수 f₀로부터 개시되고, 서서히 공진 주파수 f₀로부터 멀어지도록 제어되어도 되고, (b)의 파선 그래프에 의하여 나타낸 바와 같이 공진 주파수 f₀로부터 일단 크게 떨어지고 나서 서서히 공진 주파수 f₀에 가까워지도록 제어되어도 된다. 또, 전자의 경우, HEAT 모드(1440)을 구성하는 복수의 페이즈가 진행됨에 따라 스위치 Q₃의 스위칭 주파수는 공진 주파수보다 높은 주파수 영역에서 증가해 나가고, 후자의 경우, HEAT 모드(1440)을 구성하는 복수의 페이즈가 진행됨에 따라 스위치 Q₃의 스위칭 주파수는 공진 주파수보다 낮은 주파수 영역에서 증가해 나간다. 급속한 온도 상승이 필요한 것은 PRE-HEAT 모드뿐이고, HEAT 모드에 있어서의 단계적인 온도 상승에 있어서는 유도 가열에 의한 고효율인 가열은 오히려 적합하지 않은 경우가 있다. 거기서, 본 예에 있어서는, 스위치 Q₃의 스위칭 주파수를 공진 주파수 f₀로부터 제외하는 것에 의하여, 완만한 온도 상승을 실현할 수 있다. 이와 같이 페이즈 마다 주파수를 바꾸는 것으로, 서셉터(110)를 적절히 가열할 수 있다.

또, 도 20은, 유도 가열 장치(100)에 있어서의 서셉터(110)의 온도, 교류 생성 회로(132)의 스위칭 주파수, 및 회로(104)의 임피던스 변화의 다른 예를 나타내는 도면이다. 본 예에 있어서도, 교류 생성 회로(132)의 스위치 Q₃의 스위칭 주파수는, PRE-HEAT 모드의 기간(1430) 및 INTERVAL 모드의 기간(1435)에 있어서는, 공진 주파수 f₀이며, 또한 이들 기간내에 있어서는 일정하다. 그러나, 본 예의 HEAT 모드의 기간(1440)에 있어서는, 스위치 Q₃의 스위칭 주파수는 각 페이즈가 진행되어감에 따라 단계적으로 하강하도록 제어된다. 또, 스위치 Q₃의 스위칭 주파수를 단계적으로 떨어뜨리는 것으로, 회로(104)의 임피던스도 계속 감소한다. 유저에 의한 에어로졸의 흡인 검지를 실시하지 않는 경우에는, 본 예와 마찬가지로 HEAT 모드에 있어서의 페이즈의 진행에 따라 스위치 Q₃의 스위칭 주파수를 떨어뜨리도록 제어해도 되고, 이것에 의하여 완만한 온도 상승을 실현할 수 있다.

또, HEAT 모드의 기간(1440)에 있어서 스위치 Q₃의 스위칭 주파수는, (b)의 실선 그래프에 의하여 나타낸 바와 같이 공진 주파수 f₀로부터 일단 크게 오르고 나서 서서히 공진 주파수 f₀에 가까워지도록 제어되어도 되고, (b)의 파선 그래프에 의하여 나타낸 바와 같이 공진 주파수 f₀로부터 개시하여, 서서히 공진 주파수 f₀로부터 멀어지도록 제어되어도 된다. 또, 전자의 경우, HEAT 모드를 구성하는 복수의 페이즈가 진행됨에 따라 스위치 Q₃의 스위칭 주파수는 공진 주파수보다 높은 주파수 영역에서 감소되어 가고, 후자의 경우, HEAT 모드를 구성하는 복수의 페이즈가 진행됨에 따라 스위치 Q₃의 스위칭 주파수는 공진 주파수보다 낮은 주파수 영역에서 감소되어 간다.

도 21은, HEAT 모드일 때 제어부(118)가 주로 실행하는 예시 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다. 도 21의 플로 차트에서는, 도 12의 플로 차트에 한층 더 스텝(S2105), 스텝(S2110), 및 스텝(S2115)의 처리가 추가되어 있다. 이들 이외의 스텝에 관하여는, 도 12와 동일하기 때문에 설명을 생략한다.

스텝(S2105)는, 제2 타이머가 스위치 Q₃의 스위칭 주파수를 변경하는 타이밍인지 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 여기서 스위치 Q₃의 스위칭 주파수를 변경하는 타이밍이라고 판정되는 경우에는(스텝(S2105)의 「Yes」), 스텝(S2110)에 있어서 스위치 Q₃의 스위칭 주파수를 변경한다(증가시키거나, 또는 감소시킨다). 그리고, 스텝(S2115)에 있어서, 가열 목표 온도를 미리 정해진 값만큼 상승시킨다. 스텝(S2105)에 있어서 스위치 Q₃의 스위칭 주파수를 변경하는 타이밍이 아니라고 판정되는 경우에는(스텝(S2105)의 「No」), 스텝(S2110)과 스텝(S2115)의 처리를 스킵 한다(즉, 스위치 Q₃의 스위칭 주파수는 변경되지 않는다). 또한, 스텝(S2110)의 처리와 스텝(S2115)의 처리는 실행하는 차례가 반대여도 되고, 병행하여 실행되어도 된다.

(가열 프로파일의 구체적인 예 2)

나아가, 가열 프로파일의 다른 구체적인 예에 관하여 설명한다. 본 예에 있어서는, PRE-HEAT 모드, INTERVAL 모드, 및 복수의 페이즈로 이루어지는 HEAT 모드에 있어서 교류 생성 회로(132)의 스위칭 주파수를 변화시키지 않고 특정 주파수로 고정하고, 특히 본 예에 있어서는 공진 주파수로 고정한다.

도 22는, 본 예의 유도 가열 장치(100)에 있어서의 서셉터(110)의 온도, 교류 생성 회로(132)의 스위칭 주파수, 및 회로(104)의 임피던스의 변화를 각각 나타내는 그래프(a), (b), 및 (c)를 나타내는 도면이다. (b)에 도시된 바와 같이, 본 예에 있어서는, 유도 가열 장치(100)는, PRE-HEAT 모드, INTERVAL 모드, 및 복수의 페이즈로 이루어지는 HEAT 모드에 있어서 교류 생성 회로(132)의 스위칭 주파수를 공진 주파수로 고정한다.

도 23및 도 24는, HEAT 모드일 때 제어부(118)가 주로 실행하는 예시 처리의 플로 차트를 나타내는 도면이다. 도 23의 플로 차트는, 도 12의 스텝(S1235)을 대신하여 스텝(S2310)의 가열 제어를 실행하는 점, 및 스텝(S2320) 및 스텝(S2325)가 추가되어 있는 점이 다르다. 이들 이외의 스텝에 관하여는, 도 12와 동일하기 때문에 설명을 생략한다.

스텝(S2320)은, 제2 타이머가 가열 목표 온도를 변경하는 타이밍인지 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 여기서 가열 목표 온도를 변경하는 타이밍이라고 판정되는 경우에는(스텝(S2320)의 「Yes」), 스텝(S2325)에 있어서, 가열 목표 온도를 미리 정해진 값만큼 상승시킨다. 스텝(S2320)에 있어서 가열 목표 온도를 변경하는 타이밍이 아니라고 판정되는 경우에는(스텝(S2320)의 「No」), 스텝(S2325)의 처리를 스킵 한다(즉, 가열 목표 온도는 변경하지 않는다).

도 24는, 스텝(S2310)의 가열 제어의 상세한 일례를 나타내는 플로 차트를 나타내는 도면이다. 스텝(S23101)은, RLC 직렬 회로에의 가열용 교류 전력의 공급을 정지하도록 제어하는 스텝을 나타내고 있다. 스텝(S23102)는, RLC 직렬 회로의 임피던스를 측정하기 위하여, RLC 직렬 회로에의 비가열용 교류 전력의 공급을 개시하도록 제어하는 스텝을 나타내고 있다. 스텝(S23103)은, RLC 직렬 회로의 임피던스를 측정하는 스텝을 나타내고 있다. 스텝(S23104)는, RLC 직렬 회로에의 비가열용 교류 전력의 공급을 정지하도록 제어하는 스텝을 나타내고 있다. 스텝(S23105)은, 스텝(23103)으로 측정하고 싶은 임피던스로부터, 서셉터 온도를 취득하는 스텝을 나타내고 있다. 또한, 스텝(S23101)~(S23105)의 처리는, 전술한 플로 차트와 같은 처리여도 된다. 또, 스텝(S23106)은, 스텝(S23105)에 있어서 취득한 서셉터 온도가(소정의 가열 목표 온도-Δ) 이하인지를 판정하는 스텝을 나타내고 있다. 서셉터 온도가(소정의 가열 목표 온도-Δ) 이하인 경우, 가열 제어를 종료하고, 도 23의 스텝(S1215)으로 이행한다. 서셉터 온도가(소정의 가열 목표 온도-Δ) 보다 높은 경우, 처리는 스텝(S23102)으로 돌아온다. 즉, 서셉터 온도가(가열 목표 온도-Δ) 보다 높은 경우는, 스위치 Q₂를 포함하는 고저항의 제2 회로로 서셉터 온도를 계속 감시한다. 이 때, 스위치 Q₃는, 서셉터(110)의 가열을 중단하고 있는 동안에 있어서도 미리 정해진 주기로 전환되어 있어도 된다. 그리고, 서셉터 온도가(가열 목표 온도-Δ) 이하가 되었을 경우에는, 다시 스위치 Q₁가 ON이 되어 제1 회로에서 서셉터(110)를 재가열한다. 또, Δ가 “0”보다 큰 값인 경우에는, 가열 제어에 히스테리시스를 갖게할 수 있다. 보다 구체적으로는, Δ의 값은 최대로 5℃정도이다.

이상, 본 개시의 실시 형태가 설명하였지만, 이들은 예시에 지나지 않고, 본 개시의 범위를 한정하는 것은 아님을 이해해야 한다. 본 개시의 취지 및 범위로부터 벗어나지 않고, 실시 형태의 변경, 추가, 개량 등을 적절히 실시할 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 본 개시의 범위는, 상술한 실시 형태 중 어느 것에 의해서도 한정되어서는 안 되며, 특허 청구 범위 및 그 균등물에 의해서만 규정되어야 한다.

상술한 실시 형태에 있어서는, RLC 직렬 회로의 공진 주파수 f₀를 이용한 제어에 관하여 설명하였지만, RLC 회로를 구성하는 소자에는 제품 공차가 존재하기 때문에, 공진 주파수 f₀를 엄밀하게 이용할 필요는 없다. 예를 들면, RLC 직렬 회로를 구성하는 소자의 실제의 파라미터로부터 산출되는 공진 주파수 f₀로부터 ±5%정도의 차이가 있어도 된다.

상술한 실시 형태에 있어서는, 임피던스의 변화에 의해 유저의 흡인을 검지하였지만, 이것을 대신하여 도 2에 있어서 도시하지 않은 흡인 센서를 이용하여, 유저의 흡인을 검지하여도 된다.

상술한 실시 형태에 있어서는, 제어부(118)는, 서셉터(110)에 근거하여 에어로졸 생성 기체(108)를 검출하였지만, 이것을 대신하여 에어로졸 형성 기체(108)에 설치되는 마커나 RFID 등으로부터 에어로졸 생성 기체(108)를 검출하여도 된다. 이러한 마커나 RFID도, 에어로졸 형성 기체(108)의 적어도 일부를 구성하는 것은 분명할 것이다.

상술한 실시 형태의 변형예 1을 이하에서 설명한다.

실시 형태의 변형예 1에 의하면, 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 에어로졸 생성 장치로서, 상기 에어로졸 형성 기체를 삽입 가능한 하우징을 구비하고, 상기 하우징 내에, 전원과, 상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로와 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로와 제어부로서, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 상기 유도 가열 회로를 포함하는 회로의 전압 및 전류를 검출하여, 상기 검출한 전압 및 전류로부터 얻어지는 임피던스에 근거하여 상기 서셉터가 상기 에어로졸 생성 장치의 하우징 내에 있다고 판정되는 경우에, 상기 유도 가열을 개시하도록 구성된 상기 제어부를 구비한다.

또, 실시 형태의 변형예 1에 의하면, 상기 제어부는, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 상기 유도 가열 회로를 포함하는 회로의 임피던스에 근거하여 상기 서셉터의 온도를 취득하고, 취득한 상기 온도에 근거하여 상기 유도 가열을 제어하도록 더 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 1에 의하면, 상기 제어부는, 적어도, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스를 측정하는 제1 모드와, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스를 측정하지 않는 제2 모드의 처리를 실행하도록 더 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 1에 의하면, 충전 전원과 접속 가능하도록 구성된 접속부를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 접속부로부터의 상기 충전 전원의 분리를 검지하고 나서 소정 시간이 경과할 때까지, 상기 제1 모드의 처리를 실행하도록 더 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 1에 의하면, 버튼을 더 구비하여, 상기 제어부는, 상기 버튼에 소정 조작이 이루어지는 것에 응답하여 상기 제1 모드로 이행하도록 더 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 1에 의하면, 버튼을 더 구비하여, 상기 제어부는, 상기 제1 모드에의 이행 후에 소정 시간이 경과한 것에 따라 상기 제2 모드로 이행한 후, 상기 버튼에 소정 조작이 이루어지는 것에 따라 상기 제1 모드로 복귀한다.

또, 실시 형태의 변형예 1에 의하면, 충전 전원과 접속 가능하도록 구성된 접속부를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 접속부에의 상기 충전 전원의 접속을 검지하고 있는 동안, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 전압 및 전류가 측정되지 않도록 더 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 1에 의하면, 상기 제어부는, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 공진 주파수에 있어서의, 상기 회로의 전압 및 전류를 측정하도록 더 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 1에 의하면, 상기 서셉터에 에너지를 부여하기 위해서 선택적으로 유효하게 되도록 구성된 제1 회로 및 제2 회로로서, 상기 제1 회로 및 상기 제1 회로보다 고저항인 상기 제2 회로를 더 구비한다.

또, 실시 형태의 변형예 1에 의하면, 상기 제어부는, 상기 유도 가열을 실행하고 있는 동안, 상기 제1 회로를 이용하여, 상기 유도 가열을 실행하고 또한 상기 회로의 전압 및 전류를 측정하도록 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 1에 의하면, 상기 제어부는, 상기 검출한 전압 및 전류로부터 얻어지는 임피던스가 소정치보다 큰 경우에, 상기 유도 가열을 개시한다.

또, 실시 형태의 변형예 1에 의하면, 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하기 위해 에어로졸 생성 장치의 동작 방법으로서, 상기 에어로졸 생성 장치는, 상기 에어로졸 형성 기체를 삽입 가능한 하우징을 구비하고, 상기 하우징 내에, 전원과, 상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로와 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로를 구비하고, 상기 방법은, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 상기 유도 가열 회로를 포함하는 회로의 전압 및 전류를 검출하는 스텝과, 상기 검출되는 전압 및 전류로부터 얻어지는 임피던스에 근거하여 상기 서셉터가 상기 에어로졸 생성 장치의 하우징 내에 있는 것의 검출에 응답하여, 상기 유도 가열을 개시하는 스텝을 포함한다.

또, 실시 형태의 변형예 1에 의하면, 상기 에어로졸 생성 장치가 구비하는 접속부로서 충전 전원과 접속 가능하도록 구성된 상기 접속부로부터의 상기 충전 전원의 분리를 검지하고 나서 소정 시간이 경과할 때까지, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스가 측정되는 제1 모드와, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스가 측정되지 않는 제2 모드 중, 상기 제1 모드의 처리를 실행하는 스텝과, 상기 에어로졸 생성 장치가 구비하는 버튼에 소정 조작이 이루어지는 것에 응답하여 상기 제2 모드로부터 상기 제1 모드로 이행하는 스텝과, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 공진 주파수에 있어서의, 상기 회로의 전압 및 전류를 측정하는 스텝 주 적어도 1개를 더 포함한다.

또, 실시 형태의 변형예 1에 의하면, 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 에어로졸 생성 장치로서, 상기 에어로졸 형성 기체와, 상기 에어로졸 형성 기체를 삽입 가능한 하우징을 구비하고, 상기 하우징 내에, 전원과, 상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로와, 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로와, 제어부로서, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 상기 유도 가열 회로를 포함하는 회로의 전압 및 전류를 검출하여, 상기 검출한 전압 및 전류로부터 얻어지는 임피던스에 근거하여 상기 서셉터가 상기 에어로졸 생성 장치의 하우징 내에 있다고 판정되는 경우에, 상기 유도 가열을 개시하도록 구성된 상기 제어부를 구비한다.

상술한 실시 형태의 변형예 2를 이하에서 설명한다.

실시 형태의 변형예 2에 의하면, 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하도록 구성된 유도 가열 장치로서, 전원과, 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로와, 상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로로서, 상기 교류는 상기 유도 가열 회로에 공급되는, 교류 생성 회로와 제어부로서, 상기 유도 가열 회로를 포함하는 회로의 임피던스에 근거하여, 상기 서셉터를 검출하여, 상기 서셉터의 검출에 응ㄷ답하고, 상기 유도 가열을 개시하도록 구성된 상기 제어부를 구비한다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 상기 유도 가열 회로를 포함하는 상기 회로의 전압과 전류를 검출하는 수단을 포함하고, 상기 제어부는, 검출된 상기 전압과 전류에 근거하여 상기 회로의 상기 임피던스를 취득하도록 구성되어 있다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 상기 회로의 전압과 전류를 검출하는 수단은, 전압 검출 회로와 전류 검출 회로를 포함한다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 상기 전류 검출 회로는, 상기 유도 가열 회로에 포함되는 코일에 흐르는 전류를 검출하도록 구성되어 있다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 상기 전압 검출 회로는, 상기 전원보다 공급되는 전압을 검출하도록 구성되어 있다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 상기 제어부가 상기 서셉터를 검출하도록 구성된 것은, 상기 임피던스에 근거하여 상기 서셉터가 상기 유도 가열 장치 내에 삽입된 것을 검출하도록 구성된 것을 포함한다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 상기 서셉터는 상기 에어로졸 형성 기체에 포함되고, 상기 유도 가열 장치는 하우징을 포함하고, 상기 제어부가 상기 서셉터를 검출하도록 구성된 것은, 상기 임피던스에 근거하여 상기 에어로졸 형성 기체가 상기 하우징 내에 삽입된 것을 검출하도록 구성된 것을 포함한다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 버튼을 포함하고, 상기 제어부는 상기 버튼의 조작 후에 상기 서셉터를 검출하도록 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 상기 제어부는, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스에 근거하여 상기 서셉터의 온도를 취득하도록 더 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 상기 제어부는, 취득한 상기 온도에 근거하여 상기 유도 가열을 제어하도록 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 상기 제어부는, 적어도, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스가 측정되는 제1 모드와, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스가 측정되지 않는 제2 모드를 가진다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 충전 전원과 접속 가능하도록 구성된 접속부를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 접속부로부터의 상기 충전 전원의 분리를 검지하고 나서 소정 시간이 경과할 때까지, 상기 제1 모드의 처리를 실행하도록 더 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 버튼을 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 버튼에 소정 조작이 이루어지는 것에 응답하여 상기 제1 모드로 이행하도록 더 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 버튼을 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 제1 모드로 이행한 것에 응답하여, 초기치로부터 시간의 경과에 의하여 값이 증가 또는 감소하도록 타이머를 기동하고, 상기 타이머의 값이 소정치에 이르는 것에 응답하고, 상기 제2 모드로 이행하여, 상기 버튼에 소정 조작이 이루어지는 것에 응답하고, 상기 타이머의 값을 초기치로 되돌리는 것과, 상기 타이머의 값을 초기치로 접근시키는 것과, 상기 소정치를 상기 타이머의 값으로부터 멀어지게 하는 것 중 1개를 실행하도록 더 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 버튼을 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 제1 모드로 이행한 후에 소정 시간이 경과한 것에 따라 상기 제2 모드로 이행한 후, 상기 버튼 상에서 소정의 동작이 실행되었던 것에 따라 상기 제1 모드로 복귀한다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 충전 전원과 접속 가능하도록 구성된 접속부를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 접속부에의 상기 충전 전원의 접속을 검지하고 있는 동안, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 전압 및 전류가 측정 또는 검출되지 않도록 더 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 충전 전원과 접속 가능하도록 구성된 접속부를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 접속부에의 상기 충전 전원의 접속을 검지하고 있는 동안, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스가 측정되지 않게 더 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 상기 제어부는, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 공진 주파수에 있어서의, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스를 측정하도록 더 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 상기 제어부는, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 공진 주파수에 있어서의, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 전압 및 전류를 검출하도록 더 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 상기 서셉터에 에너지를 부여하기 위하여 선택적으로 유효하게 되도록 구성된 제1 회로 및 제2 회로로서, 상기 제1 회로 및 상기 제1 회로보다 고저항인 상기 제2 회로를 더 구비한다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 상기 제어부는, 상기 유도 가열을 실행하고 있는 동안, 상기 제1 회로를 이용하여, 상기 유도 가열을 실행하고 또한 상기 회로의 임피던스를 측정하도록 구성된다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 상기 제어부는, 검출된 상기 유도 가열 회로를 포함하는 상기 회로의 전압과 전류로부터 얻어지는 상기 임피던스가 소정치보다 큰 경우에, 상기 유도 가열을 개시한다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 상기 유도 가열 회로를 포함하는 상기 회로의 상기 임피던스를 판정하는 수단을 더 구비한다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 장치로서, 상기 에어로졸 형성 기체와, 전원과, 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로와, 상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로로서, 상기 교류는 상기 유도 가열 회로에 공급되는, 교류 생성 회로와, 제어부로서, 상기 유도 가열 회로를 포함하는 회로의 임피던스에 근거하여, 상기 서셉터를 검출하고, 상기 서셉터의 검출에 응답하여, 상기 유도 가열을 개시하도록 구성된 상기 제어부를 구비한다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하기 위해 유도 가열 장치의 동작 방법으로서, 상기 유도 가열 장치는, 전원과, 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로와, 상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로로서, 상기 교류는 상기 유도 가열 회로에 공급되는, 교류 생성 회로를 구비하고, 상기 동작 방법은, 상기 유도 가열 회로를 포함하는 회로의 임피던스에 근거하여 상기 서셉터를 검출하는 스텝과, 상기 서셉터의 검출에 응답하여, 상기 유도 가열을 개시하는 스텝을 포함한다.

또, 실시 형태의 변형예 2에 의하면, 컴퓨터에 의해 실행되면, 상술한 실시 형태의 변형예 2의 유도 가열 장치로서 기능시키는 명령군을 포함하는 컴퓨터 프로그램과 해당 컴퓨터 프로그램을 기억하는 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체가 제공된다.

100…유도 가열 장치, 101…하우징, 102…전원, 104…회로, 106…코일, 108…에어로졸 형성 기체, 110…서셉터, 112…에어로졸원, 114…필터, 116…충전 전원 접속부, 118…제어부, 120…전압 조정 회로, 122…충전 회로, 126…발광 소자 구동 회로, 128…버튼, 130…병렬 회로, 132…교류 생성 회로, 134…전압 검지 회로, 136…전류 검지 회로, 138…발광 소자, 140…분압 회로, 610…미사용시, 620…열화시, 630…1개의 에어로졸 형성 기체를 소비하기 위해서 필요한 전력량, 640…잉여 전력량(미사용시), 650…잉여 전력량(열화시), 660…만충전시의 방전 전압, 770…방전 종지 전압, 1410…예열 목표 온도, 1415…냉각 목표 온도, 1420…가열 목표 온도, 1430…PRE-HEAT 모드의 기간, 1435…INTERVAL 모드의 기간, 1440…HEAT 모드의 기간, 1445…가열 종료 조건이 충족되었을 때, 1450…서셉터를 검출할 수 없게 되었을 때, 1455…서셉터를 다시 검출할 수 있게 되었을 때, 1460…서셉터를 검출할 수 없었던 기간, 1710…에어로졸 형성 기체가 유도 가열 장치에 삽입되어 있지 않을 때의 RLC 직렬 회로의 등가 회로, 1720…에어로졸 형성 기체가 유도 가열 장치에 삽입되어 있을 때의 RLC 직렬 회로의 등가 회로, 1710…에어로졸 형성 기체가 유도 가열 장치에 삽입되어 있지 않을 때의 RLC 직렬 회로의 등가 회로(공진 주파수), 1720…에어로졸 형성 기체가 유도 가열 장치에 삽입되고 있을 때의 RLC 직렬 회로의 등가 회로(공진 주파수)

Claims (53)

1. 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 장치로서,
   전원과,
   상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로와,
   상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로와,
   제어부로서,
   상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스에 근거하여, 상기 서셉터를 검출하고,
   상기 서셉터의 검출에 응답하여, 상기 유도 가열을 개시하도록
   구성된 상기 제어부를
   구비한 유도 가열 장치.
2. 청구항 1에 기재된 유도 가열 장치로서, 상기 제어부는,
   상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스에 근거하여 상기 서셉터의 온도를 취득하고,
   취득한 상기 온도에 근거하여 상기 유도 가열을 제어하도록
   더 구성된, 유도 가열 장치.
3. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 유도 가열 장치로서, 상기 제어부는,
   적어도, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스가 측정되는 제1 모드와, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스가 측정되지 않는 제2 모드를 가지는,
   유도 가열 장치.
4. 청구항 3에 기재된 유도 가열 장치로서,
   충전 전원과 접속 가능하도록 구성된 접속부를 더 구비하고,
   상기 제어부는, 상기 접속부로부터의 상기 충전 전원의 분리를 검지하고 나서 소정 시간이 경과할 때까지, 상기 제1 모드의 처리를 실행하도록 더 구성된,
   유도 가열 장치.
5. 청구항 3에 기재된 유도 가열 장치로서,
   버튼을 더 구비하고,
   상기 제어부는, 상기 버튼에 소정 조작이 이루어지는 것에 응답하여 상기 제1 모드로 이행하도록 더 구성된,
   유도 가열 장치.
6. 청구항 3에 기재된 유도 가열 장치로서,
   버튼을 더 구비하고,
   상기 제어부는,
   상기 제1 모드로 이행한 것에 응답하여, 초기치로부터 시간의 경과에 의해 값이 증가 또는 감소하도록 타이머를 기동하여,
   상기 타이머의 값이 소정치에 이르는 것에 응답하여, 상기 제2 모드로 이행하고,
   상기 버튼에 소정 조작이 이루어지는 것에 응답하여, 상기 타이머의 값을 초기치로 되돌리는 것과, 상기 타이머의 값을 초기치에 접근시키는 것과, 상기 소정치를 상기 타이머의 값으로부터 멀어지게 하는 것 중 1개를 실행하도록
   더 구성된,
   유도 가열 장치.
7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서,
   충전 전원과 접속 가능하도록 구성된 접속부를 더 구비하고,
   상기 제어부는, 상기 접속부에의 상기 충전 전원의 접속을 검지하고 있는 동안, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스가 측정되지 않도록 더 구성된,
   유도 가열 장치.
8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서,
   상기 제어부는, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 공진 주파수에 있어서의, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스를 측정하도록 더 구성된,
   유도 가열 장치.
9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서,
   상기 서셉터에 에너지를 부여하기 위하여 선택적으로 유효하게 되도록 구성된 제1 회로 및 제2 회로로서, 상기 제1 회로 및 상기 제1 회로보다 고저항인 상기 제2 회로를 더 구비한
   유도 가열 장치.
10. 청구항 9에 기재된 유도 가열 장치로서, 상기 제어부는,
    상기 유도 가열을 실행하고 있는 동안, 상기 제1 회로를 이용하여, 상기 유도 가열을 실행하고 또한 상기 회로의 임피던스를 측정하도록 구성된,
    유도 가열 장치.
11. 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 장치의 동작 방법으로서, 상기 유도 가열 장치는,
    전원과,
    상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로와,
    상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로를
    구비하고, 상기 방법은,
    상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스에 근거하여 상기 서셉터를 검출하는 스텝과,
    상기 서셉터의 검출에 응답하여, 상기 유도 가열을 개시하는 스텝을
    포함하는, 방법.
12. 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 장치로서,
    상기 에어로졸 형성 기체와,
    전원과,
    상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로와,
    상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로와,
    제어부로서,
    상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스에 근거하여, 상기 서셉터를 검출하고,
    상기 서셉터의 검출에 응답하여, 상기 유도 가열을 개시하도록
    구성된 상기 제어부를
    구비한 유도 가열 장치.
13. 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 에어로졸 생성 장치로서,
    상기 에어로졸 형성 기체를 삽입 가능한 하우징을 구비하고, 상기 하우징 내에,
    전원과,
    상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로와,
    상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로와,
    제어부로서,
    상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 상기 유도 가열 회로를 포함하는 회로의 전압 및 전류를 검출하고,
    상기 검출한 전압 및 전류로부터 얻어지는 임피던스에 근거하여 상기 서셉터가 상기 에어로졸 생성 장치의 하우징 내에 있다고 판정되는 경우에, 상기 유도 가열을 개시하도록
    구성된 상기 제어부를
    구비한 에어로졸 생성 장치.
14. 청구항 13에 기재된 에어로졸 생성 장치로서,
    상기 제어부는,
    상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 상기 유도 가열 회로를 포함하는 회로의 임피던스에 근거하여 상기 서셉터의 온도를 취득하고,
    취득한 상기 온도에 근거하여 상기 유도 가열을 제어하도록 더 구성된, 에어로졸 생성 장치.
15. 청구항 13 또는 청구항 14에 기재된 에어로졸 생성 장치로서, 상기 제어부는,
    적어도, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스를 측정하는 제1 모드와, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스를 측정하지 않는 제2 모드의 처리를 실행하도록 더 구성된,
    에어로졸 생성 장치.
16. 청구항 15에 기재된 에어로졸 생성 장치로서,
    충전 전원과 접속 가능하도록 구성된 접속부를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 접속부로부터의 상기 충전 전원의 분리를 검지하고 나서 소정 시간이 경과할 때까지, 상기 제1 모드의 처리를 실행하도록 더 구성된,
    에어로졸 생성 장치.
17. 청구항 15에 기재된 에어로졸 생성 장치로서,
    버튼을 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 버튼에 소정 조작이 이루어지는 것에 응답하여 상기 제1 모드로 이행하도록 더 구성된,
    에어로졸 생성 장치.
18. 청구항 15에 기재된 에어로졸 생성 장치로서,
    버튼을 더 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 제1 모드에의 이행 후에 소정 시간이 경과한 것에 따라 상기 제2 모드로 이행한 후, 상기 버튼에 소정 조작이 이루어지는 것에 따라 상기 제1 모드로 복귀하는,
    에어로졸 생성 장치.
19. 청구항 13 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 기재된 에어로졸 생성 장치로서,
    충전 전원과 접속 가능하도록 구성된 접속부를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 접속부에의 상기 충전 전원의 접속을 검지하고 있는 동안, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 전압 및 전류가 측정되지 않게 더 구성된,
    에어로졸 생성 장치.
20. 청구항 13 내지 청구항 19 중 어느 한 항에 기재된 에어로졸 생성 장치로서,
    상기 제어부는, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 공진 주파수에 있어서의, 상기 회로의 전압 및 전류를 측정하도록 더 구성된,
    에어로졸 생성 장치.
21. 청구항 13 내지 청구항 20 중 어느 한 항에 기재된 에어로졸 생성 장치로서,
    상기 서셉터에 에너지를 부여하기 위해서 선택적으로 유효하게 되도록 구성된 제1 회로 및 제2 회로로서, 상기 제1 회로 및 상기 제1 회로보다 고저항인 상기 제2 회로를 더 구비한
    에어로졸 생성 장치.
22. 청구항 21에 기재된 에어로졸 생성 장치로서, 상기 제어부는,
    상기 유도 가열을 실행하고 있는 동안, 상기 제1 회로를 이용하여, 상기 유도 가열을 실행하고 또한 상기 회로의 전압 및 전류를 측정하도록 구성된,
    에어로졸 생성 장치.
23. 청구항 13 내지 청구항 22 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 검출한 전압 및 전류로부터 얻어지는 임피던스가 소정치보다 큰 경우에, 상기 유도 가열을 개시하는, 에어로졸 생성 장치.
24. 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 에어로졸 생성 장치의 동작 방법으로서, 상기 에어로졸 생성 장치는,
    상기 에어로졸 형성 기체를 삽입 가능한 하우징을 구비하고, 상기 하우징 내에,
    전원과,
    상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로와,
    상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로를
    구비하고, 상기 방법은,
    상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 상기 유도 가열 회로를 포함하는 회로의 전압 및 전류를 검출하는 스텝과,
    상기 검출한 전압 및 전류로부터 얻어지는 임피던스에 근거하여 상기 서셉터가 상기 에어로졸 생성 장치의 하우징 내에 있는 것의 검출에 응답하여, 상기 유도 가열을 개시하는 스텝을
    포함하는, 방법.
25. 청구항 24에 기재된 방법으로서,
    상기 에어로졸 생성 장치가 구비하는 접속부로서 충전 전원과 접속 가능하도록 구성된 상기 접속부로부터의 상기 충전 전원의 분리를 검지하고 나서 소정 시간이 경과할 때까지, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스가 측정되는 제1 모드와, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스가 측정되지 않는 제2 모드 중, 상기 제1 모드의 처리를 실행하는 스텝과,
    상기 에어로졸 생성 장치가 구비하는 버튼에 소정 조작이 이루어지는 것에 응답하여 상기 제2 모드로부터 상기 제1 모드로 이행하는 스텝과,
    상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 공진 주파수에 있어서의, 상기 회로의 전압 및 전류를 측정하는 스텝 중
    적어도 1개를 더 포함하는 방법.
26. 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 에어로졸 생성 장치로서,
    상기 에어로졸 형성 기체와,
    상기 에어로졸 형성 기체를 삽입 가능한 하우징을 구비하고 상기 하우징 내에,
    전원과,
    상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로와,
    상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로와,
    제어부로서,
    상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 상기 유도 가열 회로를 포함하는 회로의 전압 및 전류를 검출하고,
    상기 검출한 전압 및 전류로부터 얻어지는 임피던스에 근거하여 상기 서셉터가 상기 에어로졸 생성 장치의 하우징 내에 있다고 판정되는 경우에, 상기 유도 가열을 개시하도록
    구성된 상기 제어부를
    구비한 에어로졸 생성 장치.
27. 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하도록 구성된 유도 가열 장치로서,
    전원과,
    상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로와,
    상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로로서, 상기 교류는 상기 유도 가열 회로에 공급되는, 교류 생성 회로와,
    제어부로서,
    상기 유도 가열 회로를 포함하는 회로의 임피던스에 근거하여, 상기 서셉터를 검출하고,
    상기 서셉터의 검출에 응답하여, 상기 유도 가열을 개시하도록
    구성된 상기 제어부를
    구비한 유도 가열 장치.
28. 청구항 27에 기재된 유도 가열 장치로서,
    상기 유도 가열 회로를 포함하는 상기 회로의 전압과 전류를 검출하는 수단을 포함하고,
    상기 제어부는, 검출된 상기 전압과 전류에 근거하여 상기 회로의 상기 임피던스를 취득하도록 구성되어 있는, 유도 가열 장치.
29. 청구항 28에 기재된 유도 가열 장치로서,
    상기 회로의 전압과 전류를 검출하는 수단은, 전압 검출 회로와 전류 검출 회로를 포함하는, 유도 가열 장치.
30. 청구항 29에 기재된 유도 가열 장치로서,
    상기 전류 검출 회로는, 상기 유도 가열 회로에 포함되는 코일에 흐르는 전류를 검출하도록 구성되어 있는, 유도 가열 장치.
31. 청구항 29 또는 청구항 30에 기재된 유도 가열 장치로서,
    상기 전압 검출 회로는, 상기 전원보다 공급되는 전압을 검출하도록 구성되어 있는, 유도 가열 장치.
32. 청구항 27 내지 청구항 31 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서,
    상기 제어부가 상기 서셉터를 검출하도록 구성된 것은, 상기 임피던스에 근거하여 상기 서셉터가 상기 유도 가열 장치 내에 삽입된 것을 검출하도록 구성된 것을 포함하는, 유도 가열 장치.
33. 청구항 27 내지 청구항 32 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서,
    상기 서셉터는 상기 에어로졸 형성 기체에 포함되고,
    상기 유도 가열 장치는 하우징을 포함하고,
    상기 제어부가 상기 서셉터를 검출하도록 구성된 것은, 상기 임피던스에 근거하여 상기 에어로졸 형성 기체가 상기 하우징 내에 삽입된 것을 검출하도록 구성된 것을 포함하는, 유도 가열 장치.
34. 청구항 27 내지 청구항 33 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서,
    버튼을 포함하고,
    상기 제어부는 상기 버튼의 조작 후에 상기 서셉터를 검출하도록 구성된, 유도 가열 장치.
35. 청구항 27 내지 청구항 34 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서, 상기 제어부는,
    상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스에 근거하여 상기 서셉터의 온도를 취득하도록
    더 구성된, 유도 가열 장치.
36. 청구항 35에 기재된 유도 가열 장치로서,
    상기 제어부는, 취득한 상기 온도에 근거하여 상기 유도 가열을 제어하도록 구성된, 유도 가열 장치.
37. 청구항 27 내지 청구항 36 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서, 상기 제어부는,
    적어도, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스가 측정되는 제1 모드와, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스가 측정되지 않는 제2 모드를 가지는,
    유도 가열 장치.
38. 청구항 37에 기재된 유도 가열 장치로서,
    충전 전원과 접속 가능하도록 구성된 접속부를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 접속부로부터의 상기 충전 전원의 분리를 검지하고 나서 소정 시간이 경과할 때까지, 상기 제1 모드의 처리를 실행하도록 더 구성된,
    유도 가열 장치.
39. 청구항 37 또는 청구항 38에 기재된 유도 가열 장치로서,
    버튼을 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 버튼에 소정 조작이 이루어지는 것에 응답하여 상기 제1 모드로 이행하도록 더 구성된,
    유도 가열 장치.
40. 청구항 37 내지 청구항 39 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서,
    버튼을 더 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 제1 모드로 이행했던 것에 응답하여, 초기치로부터 시간의 경과에 의해 값이 증가 또는 감소하도록 타이머를 기동하고,
    상기 타이머의 값이 소정치에 이르는 것에 응답하여, 상기 제2 모드로 이행하고,
    상기 버튼에 소정 조작이 이루어지는 것에 응답하여, 상기 타이머의 값을 초기치로 되돌리는 것과, 상기 타이머의 값을 초기치에 근접시키는 것과, 상기 소정치를 상기 타이머의 값으로부터 멀어지게 하는 것 중 1개를 실행하도록
    더 구성된,
    유도 가열 장치.
41. 청구항 37 내지 청구항 40 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서,
    버튼을 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 제1 모드로 이행한 후에 소정 시간이 경과한 것에 따라 상기 제2 모드로 이행한 후, 상기 버튼 상에서 소정의 동작이 실행된 것에 따라 상기 제1 모드로 복귀하는, 유도 가열 장치.
42. 청구항 27 내지 청구항 41 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서,
    충전 전원과 접속 가능하도록 구성된 접속부를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 접속부에의 상기 충전 전원의 접속을 검지하고 있는 동안, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 전압 및 전류가 측정 또는 검출되지 않도록 더 구성된,
    유도 가열 장치.
43. 청구항 27 내지 청구항 42 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서,
    충전 전원과 접속 가능하도록 구성된 접속부를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 접속부에의 상기 충전 전원의 접속을 검지하고 있는 동안, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스가 측정되지 않도록 더 구성된,
    유도 가열 장치.
44. 청구항 27 내지 청구항 43 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서,
    상기 제어부는, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 공진 주파수에 있어서의, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 임피던스를 측정하도록 더 구성된,
    유도 가열 장치.
45. 청구항 27 내지 청구항 44 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서,
    상기 제어부는, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 공진 주파수에 있어서의, 상기 교류 생성 회로가 생성한 교류가 공급되는 회로의 전압 및 전류를 검출하도록 더 구성된,
    유도 가열 장치.
46. 청구항 27 내지 청구항 45 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서,
    상기 서셉터에 에너지를 부여하기 위해서 선택적으로 유효하게 되도록 구성된 제1 회로 및 제2 회로로서, 상기 제1 회로 및 상기 제1 회로보다 고저항인 상기 제2 회로를 더 구비한
    유도 가열 장치.
47. 청구항 46에 기재된 유도 가열 장치로서, 상기 제어부는,
    상기 유도 가열을 실행하고 있는 동안, 상기 제1 회로를 이용하여, 상기 유도 가열을 실행하고 또한 상기 회로의 임피던스를 측정하도록 구성된,
    유도 가열 장치.
48. 청구항 27 내지 청구항 47 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서,
    상기 제어부는, 검출된 상기 유도 가열 회로를 포함하는 상기 회로의 전압과 전류로부터 얻어지는 상기 임피던스가 소정치보다 큰 경우에, 상기 유도 가열을 개시하는, 유도 가열 장치.
49. 청구항 27 내지 청구항 48 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서,
    상기 유도 가열 회로를 포함하는 상기 회로의 상기 임피던스를 판정하는 수단을 더 구비하는, 유도 가열 장치.
50. 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 장치로서,
    상기 에어로졸 형성 기체와,
    전원과,
    상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로와,
    상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로로서, 상기 교류는 상기 유도 가열 회로에 공급되는, 교류 생성 회로와,
    제어부로서,
    상기 유도 가열 회로를 포함하는 회로의 임피던스에 근거하여, 상기 서셉터를 검출하고,
    상기 서셉터의 검출에 응답하여, 상기 유도 가열을 개시하도록
    구성된 상기 제어부를
    구비한 유도 가열 장치.
51. 서셉터와 에어로졸원을 포함하는 에어로졸 형성 기체의 상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 장치의 동작 방법으로서, 상기 유도 가열 장치는,
    전원과,
    상기 서셉터를 유도 가열하기 위한 유도 가열 회로와,
    상기 전원으로부터 공급되는 전력으로부터 교류를 생성하는 교류 생성 회로로서, 상기 교류는 상기 유도 가열 회로에 공급되는, 교류 생성 회로
    를 구비하고,
    상기 동작 방법은,
    상기 유도 가열 회로를 포함하는 회로의 임피던스에 근거하여 상기 서셉터를 검출하는 스텝과,
    상기 서셉터의 검출에 응답하여, 상기 유도 가열을 개시하는 스텝
    을 포함하는, 유도 가열 장치의 동작 방법.
52. 컴퓨터 프로그램으로서, 컴퓨터에 의해 실행되면, 상기 컴퓨터를 청구항 27 내지 청구항 50 중 어느 한 항에 기재된 유도 가열 장치로서 기능시키는 명령군을 포함하는 컴퓨터 프로그램.
53. 　청구항 52에 기재된 컴퓨터 프로그램을 기억하는, 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체.

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