KR20220167803A - 발광 소자 및 발광 소자용 아민 화합물 - Google Patents

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KR20220167803A
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Abstract

일 실시예의 발광 소자는 제1 전극, 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 복수의 유기층들을 포함하고, 복수의 유기층들 중 적어도 하나의 유기층은 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하여 개선된 발광 효율 특성을 나타낼 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00317

Description

발광 소자 및 발광 소자용 아민 화합물{LIGHT EMITTING DEVICE AND AMINE COMPOUND FOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광 소자 및 이에 사용되는 아민 화합물에 관한 것이며, 보다 상세하게는 정공 수송 재료로 사용되는 신규한 아민 화합물을 포함하는 발광 소자에 관한 것이다.
최근, 영상 표시 장치로서, 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Electroluminescence Display)의 개발이 왕성하게 이루어져 왔다. 유기 전계 발광 표시 장치는 액정 표시 장치 등과는 다르고, 제1 전극 및 제2 전극으로부터 주입된 정공 및 전자를 발광층에 있어서 재결합시킴으로써, 발광층에 있어서 유기 화합물을 포함하는 발광 재료를 발광시켜서 표시를 실현하는 소위 자발광형의 표시 장치이다.
유기 전계 발광 소자를 표시 장치에 응용함에 있어서는, 유기 전계 발광 소자의 저 구동 전압화, 고 발광 효율화 및 장수명화가 요구되고 있으며, 이를 안정적으로 구현할 수 있는 유기 전계 발광 소자용 재료 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
또한, 고효율 유기 전계 발광 소자를 구현하기 위해 정공 수송층의 재료에 대한 개발이 진행되고 있다.
본 발명의 목적은 발광 효율 및 수명이 개선된 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 발광 소자의 발광 효율 및 소자 수명을 개선할 수 있는 아민 화합물을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 복수의 유기층들을 포함하고, 상기 복수의 유기층들 중 적어도 하나의 유기층은 아민 화합물을 포함하고, 상기 아민 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서, L은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기이고, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, m은 1 또는 2 이고, M은 하기 화학식 2로 표시되고, Ar1 및 Ar2 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 3으로 표시된다.
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 화학식 2에서, Ra 내지 Rh는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, 단, Ra 내지 Rh 중 적어도 어느 하나는 수소 원자가 아닌 치환기이고, Ra 내지 Rh 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L과 연결되는 위치이다.
[화학식 3]
Figure pat00003
상기 화학식 3에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, 단, R1 및 R2 각각이 비치환된 페닐기인 경우는 제외되고,
Figure pat00004
는 상기 화학식 1의 N과 연결되는 위치이고, n1 내지 n3은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고, n4는 0 이상 5 이하의 정수이고, 상기 화학식 1의 L이 p-페닐렌기이고, 상기 화학식 3이 하기 화학식 3-a로 표시되고, 상기 화학식 2의 Ra가 상기 화학식 1의 L과 연결되는 경우, 상기 화학식 2의 Rb는 비치환된 페닐기가 아니다.
[화학식 3-a]
Figure pat00005
상기 복수의 유기층들은 상기 제1 전극 상에 배치된 정공 수송 영역, 상기 정공 수송 영역 상에 배치된 발광층, 및 상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역을 포함하고, 상기 정공 수송 영역은 상기 아민 화합물을 포함할 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 상기 제1 전극 상에 배치된 정공 주입층, 및 상기 정공 주입층 상에 배치된 정공 수송층을 포함하고, 상기 정공 수송층은 상기 아민 화합물을 포함할 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 복수의 정공 수송 유기층들을 포함하고, 상기 정공 수송 영역의 상기 복수의 정공 수송 유기층들 중 상기 발광층에 인접한 정공 수송 유기층은 상기 아민 화합물을 포함할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 모노아민 화합물일 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화학식 4-1 또는 화학식 4-2로 표시될 수 있다.
[화학식 4-1]
Figure pat00006
[화학식 4-2]
Figure pat00007
상기 화학식 4-1 및 화학식 4-2에서, Ar1, Ar2, L, Ra 내지 Rh, 및 m은 상기 화학식 1 및 화학식 2에서 정의한 바와 동일한 설명이 적용될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 5-1]
Figure pat00008
[화학식 5-2]
Figure pat00009
[화학식 5-3]
Figure pat00010
상기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3에서, X1은 NR10, O, 또는 S이고, R5 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, n5 내지 n9는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고, 단, n8과 n9의 합은 6 이하이다.
상기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3에서, M, Ar1 및 Ar2는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일한 설명이 적용될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화학식 6-1 내지 화학식 6-5 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 6-1]
Figure pat00011
[화학식 6-2]
Figure pat00012
[화학식 6-3]
Figure pat00013
[화학식 6-4]
Figure pat00014
[화학식 6-5]
Figure pat00015
상기 화학식 6-1 내지 화학식 6-5에서, n8-1은 0 이상 2 이하의 정수이다.
상기 화학식 6-1 내지 화학식 6-5에서, Ar1, Ar2, M, X1, R5 내지 R9, n5 내지 n7, 및 n9는 상기 화학식 1 및 상기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3에서 정의한 바와 동일한 설명이 적용될 수 있다.
상기 Ar1은 상기 화학식 3으로 표시되고, 상기 Ar2는 하기 화학식 7-1 내지 화학식 7-5 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 7-1]
Figure pat00016
[화학식 7-2]
Figure pat00017
[화학식 7-3]
Figure pat00018
[화학식 7-4]
Figure pat00019
[화학식 7-5]
Figure pat00020
상기 화학식 7-1 내지 화학식 7-5에서, Y1은 NR11, O, 또는 S이고, Ra1 내지 Ra6, 및 R11은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, Ra7은 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고, n10은 0 이상 5 이하의 정수이고, n11 및 n16은 각각 독립적으로 0 이상 7이하의 정수이고, n12는 0 이상 9 이하의 정수이고, n13은 0 이상 3 이하의 정수이고, n14 및 n15는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
Figure pat00021
는 상기 화학식 1의 N과 연결되는 위치이다.
상기 Ra 내지 Rh는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 피리딘기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기일 수 있다.
상기 Ar1 및 Ar2 중 화학식 3으로 표시되는 적어도 하나는 하기 화학식 8-1 내지 화학식 8-9 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 8-1]
Figure pat00022
[화학식 8-2]
Figure pat00023
[화학식 8-3]
Figure pat00024
[화학식 8-4]
Figure pat00025
[화학식 8-5]
Figure pat00026
[화학식 8-6]
Figure pat00027
[화학식 8-7]
Figure pat00028
[화학식 8-8]
Figure pat00029
[화학식 8-9]
Figure pat00030
상기 화학식 8-1 내지 화학식 8-9에서, R1 내지 R4, n1 내지 n4, 및
Figure pat00031
는 상기 화학식 3에서 정의한 바와 동일한 설명이 적용될 수 있다.
상기 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기일 수 있다.
상기 화학식 1의 L이 상기 화학식 2의 Ra에 연결되는 경우, 상기 Rb 내지 Rh 중 적어도 어느 하나는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 피리딘기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기이고, 상기 화학식 1의 L이 상기 화학식 2의 Rb에 연결되는 경우, 상기 Ra, 및 Rc 내지 Rh 중 적어도 어느 하나는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화합물군 1의 화합물들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 아민 화합물은 상기 화학식 1로 표시될 수 있다.
일 실시예의 발광 소자는 고효율 및 장수명의 개선된 소자 특성을 나타낼 수 있다.
일 실시예의 함질소 화합물은 발광 소자의 정공 수송 영역에 포함되어 발광 소자의 고효율화 및 장수명화에 기여할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7 및 도 8은 각각 일 실시예에 따른 표시 장치에 대한 단면도들이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 출원에서, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 또는 "상부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하에" 또는 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, 본 출원에서 "상에" 배치된다고 하는 것은 상부뿐 아니라 하부에 배치되는 경우도 포함하는 것일 수 있다.
본 명세서에서, "치환 또는 비치환된"은 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 실릴기, 옥시기, 티오기, 설피닐기, 설포닐기, 카보닐기, 붕소기, 포스핀 옥사이드기, 포스핀 설파이드기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 탄화수소 고리기, 아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미할 수 있다. 또한, 상기 예시된 치환기 각각은 치환 또는 비치환된 것일 수 있다. 예를 들어, 바이페닐기는 아릴기로 해석될 수도 있고, 페닐기로 치환된 페닐기로 해석될 수도 있다.
본 명세서에서, "인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성"한다는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리를 형성하는 것을 의미할 수 있다. 탄화수소 고리는 지방족 탄화수소 고리 및 방향족 탄화수소 고리를 포함한다. 헤테로 고리는 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리를 포함한다. 탄화수소 고리 및 헤테로 고리는 단환 또는 다환일 수 있다. 또한, 서로 결합하여 형성된 고리는 다른 고리와 연결되어 스피로 구조를 형성하는 것일 수도 있다.
본 명세서에서, "인접하는 기"는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기, 또는 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 인접한 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 1,2-디메틸벤젠(1,2-dimethylbenzene)에서 2개의 메틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있고, 1,1-디에틸시클로펜테인(1,1-diethylcyclopentane)에서 2개의 에틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있다. 또한, 4,5-디메틸페난트렌(4,5-dimethylphenanthrene)에서 2개의 메틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있다.
본 명세서에서, 할로겐 원자의 예로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자가 있다.
본 명세서에서, 알킬기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 알킬기의 탄소수는 1 이상 50 이하, 1 이상 30 이하, 1 이상 20 이하, 1 이상 10 이하 또는 1 이상 6 이하이다. 알킬기의 예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, i-부틸기, 2- 에틸부틸기, 3, 3-디메틸부틸기, n-펜틸기, i-펜틸기, 네오펜틸기, t-펜틸기, 시클로펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-에틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, n-헥실기, 1-메틸헥실기, 2-에틸헥실기, 2-부틸헥실기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4-t-부틸시클로헥실기, n-헵틸기, 1-메틸헵틸기, 2,2-디메틸헵틸기, 2-에틸헵틸기, 2-부틸헵틸기, n-옥틸기, t-옥틸기, 2-에틸옥틸기, 2-부틸옥틸기, 2-헥실옥틸기, 3,7-디메틸옥틸기, 시클로옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 아다만틸기, 2-에틸데실기, 2-부틸데실기, 2-헥실데실기, 2-옥틸데실기, n-운데실기, n-도데실기, 2-에틸도데실기, 2-부틸도데실기, 2-헥실도데실기, 2-옥틸도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, 2-에틸헥사데실기, 2-부틸헥사데실기, 2-헥실헥사데실기, 2-옥틸헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-이코실기, 2-에틸이코실기, 2-부틸이코실기, 2-헥실이코실기, 2-옥틸이코실기, n-헨이코실기, n-도코실기, n-트리코실기, n-테트라코실기, n-펜타코실기, n-헥사코실기, n-헵타코실기, n-옥타코실기, n-노나코실기, 및 n-트리아콘틸기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 알킬기는 직쇄, 또는 분지쇄형일 수 있다. 알킬기의 탄소수는 1 이상 50 이하, 1 이상 30 이하, 1 이상 20 이하, 1 이상 10 이하 또는 1 이상 6 이하이다. 알킬기의 예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, i-부틸기, 2- 에틸부틸기, 3, 3-디메틸부틸기, n-펜틸기, i-펜틸기, 네오펜틸기, t-펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-에틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, n-헥실기, 1-메틸헥실기, 2-에틸헥실기, 2-부틸헥실기, n-헵틸기, 1-메틸헵틸기, 2,2-디메틸헵틸기, 2-에틸헵틸기, 2-부틸헵틸기, n-옥틸기, t-옥틸기, 2-에틸옥틸기, 2-부틸옥틸기, 2-헥실옥틸기, 3,7-디메틸옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 아다만틸기, 2-에틸데실기, 2-부틸데실기, 2-헥실데실기, 2-옥틸데실기, n-운데실기, n-도데실기, 2-에틸도데실기, 2-부틸도데실기, 2-헥실도데실기, 2-옥틸도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, 2-에틸헥사데실기, 2-부틸헥사데실기, 2-헥실헥사데실기, 2-옥틸헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-이코실기, 2-에틸이코실기, 2-부틸이코실기, 2-헥실이코실기, 2-옥틸이코실기, n-헨이코실기, n-도코실기, n-트리코실기, n-테트라코실기, n-펜타코실기, n-헥사코실기, n-헵타코실기, n-옥타코실기, n-노나코실기, 및 n-트리아콘틸기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 시클로알킬기는 고리형 알킬기를 의미할 수 있다. 시클로알킬기의 탄소수는 3 이상 50 이하, 3 이상 30 이하, 또는 3 이상 20 이하, 3 이상 10 이다. 시클로알킬기의 예로는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4-t-부틸시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기, 시클로데실기, 노르보르닐기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 이소보르닐기, 바이사이클로헵틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 알케닐기는, 탄소수 2이상의 알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 이중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미한다. 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하 또는 2 이상 10 이하이다. 알케닐기의 예로는 비닐기, 1-부테닐기, 1-펜테닐기, 1,3-부타디에닐 아릴기, 스티레닐기, 스티릴비닐기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 아릴기는 방향족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 아릴기의 고리 형성 탄소수는 6 이상 30 이하, 6 이상 20 이하, 또는 6 이상 15 이하일 수 있다. 아릴기의 예로는 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 퀸크페닐기(quinquephenyl), 섹시페닐기, 트리페닐에닐기, 피레닐기, 벤조 플루오란테닐기, 크리세닐기 등을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수도 있다. 플루오레닐기가 치환되는 경우의 예시는 하기와 같다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00032
Figure pat00033
Figure pat00034
Figure pat00035
본 명세서에서, 헤테로아릴기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 것일 수 있다. 헤테로아릴기가 헤테로 원자를 2개 이상 포함할 경우, 2개 이상의 헤테로 원자는 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 헤테로아릴기는 단환식 헤테로고리기 또는 다환식 헤테로고리기일 수 있다. 헤테로아릴기의 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하, 또는 2 이상 10 이하일 수 있다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 트리아졸기, 피리딘기, 비피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 페녹사진기, 프탈라진기, 피리도 피리미딘기, 피리도 피라진기, 피라지노 피라진기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, N-아릴카바졸기, N-헤테로아릴카바졸기, N-알킬카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 티에노티오펜기, 벤조퓨란기, 페난트롤린기, 티아졸기, 이소옥사졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 티아디아졸기, 페노티아진기, 디벤조실롤기 및 디벤조퓨란기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 헤테로아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에서, 아민기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 이상 30 이하일 수 있다. 아민기는 알킬 아민기 및 아릴 아민기를 포함할 수 있다. 아민기의 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 페닐아민기, 디페닐아민기, 나프틸아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 직접 결합(direct linkage)은 단일 결합을 의미하는 것일 수 있다.
한편, 본 명세서에서 "
Figure pat00036
" 는 연결되는 위치를 의미한다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 표시 장치(DD)의 일 실시예를 나타낸 평면도이다. 도 2는 일 실시예의 표시 장치(DD)의 단면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다.
표시 장치(DD)는 표시 패널(DP) 및 표시 패널(DP) 상에 배치된 광학층(PP)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)를 포함한다. 표시 장치(DD)는 복수 개의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 포함할 수 있다. 광학층(PP)은 표시 패널(DP) 상에 배치되어 외부광에 의한 표시 패널(DP)에서의 반사광을 제어할 수 있다. 광학층(PP)은 예를 들어, 편광층을 포함하는 것이거나 또는 컬러필터층을 포함하는 것일 수 있다. 한편, 도면에 도시된 바와 달리 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 광학층(PP)은 생략될 수 있다.
광학층(PP) 상에는 베이스 기판(BL)이 배치될 수 있다. 베이스 기판(BL)은 광학층(PP)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스 기판(BL)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스 기판(BL)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다. 또한, 도시된 것과 달리 일 실시예에서 베이스 기판(BL)은 생략될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치(DD)는 충전층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 충전층(미도시)은 표시 소자층(DP-ED)과 베이스 기판(BL) 사이에 배치되는 것일 수 있다. 충전층(미도시)은 유기물층일 수 있다. 충전층(미도시)은 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 및 에폭시계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
표시 패널(DP)은 베이스층(BS), 베이스층(BS) 상에 제공된 회로층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-ED)을 포함하는 것일 수 있다. 표시 소자층(DP-ED)은 화소 정의막(PDL), 화소 정의막(PDL) 사이에 배치된 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3), 및 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 상에 배치된 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다.
베이스층(BS)은 표시 소자층(DP-ED)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(BS)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스층(BS)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.
일 실시예에서 회로층(DP-CL)은 베이스층(BS) 상에 배치되고, 회로층(DP-CL)은 복수의 트랜지스터들(미도시)을 포함하는 것일 수 있다. 트랜지스터들(미도시)은 각각 제어 전극, 입력 전극, 및 출력 전극을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 회로층(DP-CL)은 표시 소자층(DP-ED)의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 구동하기 위한 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함하는 것일 수 있다.
발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 후술하는 도 3 내지 도 6에 따른 일 실시예의 발광 소자(ED)의 구조를 갖는 것일 수 있다. 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML-R, EML-G, EML-B), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다.
도 2에서는 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내에 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광층(EML-R, EML-G, EML-B)이 배치되며, 정공 수송 영역(HTR), 전자 수송 영역(ETR) 및 제2 전극(EL2)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 전체에서 공통층으로 제공되는 실시예를 도시하였다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 도 2에 도시된 것과 달리 일 실시예에서 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내부에 패턴닝 되어 제공되는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)의 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML-R, EML-G, EML-B), 및 전자 수송 영역(ETR) 등은 잉크젯 프린팅법으로 패턴닝되어 제공되는 것일 수 있다.
봉지층(TFE)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 커버하는 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 표시 소자층(DP-ED)을 밀봉하는 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 박막 봉지층일 수 있다. 봉지층(TFE)은 하나의 층 또는 복수의 층들이 적층된 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 절연층을 포함한다. 일 실시예에 따른 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 무기막(이하, 봉지 무기막)을 포함할 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기막(이하, 봉지 유기막) 및 적어도 하나의 봉지 무기막을 포함할 수 있다.
봉지 무기막은 수분/산소로부터 표시 소자층(DP-ED)을 보호하고, 봉지 유기막은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시 소자층(DP-ED)을 보호한다. 봉지 무기막은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 티타늄옥사이드, 또는 알루미늄옥사이드 등을 포함할 수 있고, 이에 특별히 제한되지 않는다. 봉지 유기막은 아크릴계 화합물, 에폭시계 화합물 등을 포함하는 것일 수 있다. 봉지 유기막은 광중합 가능한 유기물질을 포함하는 것일 수 있으며 특별히 제한되지 않는다.
봉지층(TFE)은 제2 전극(EL2) 상에 배치되고, 개구부(OH)를 채우고 배치될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(DD)는 비발광 영역(NPXA) 및 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 포함할 수 있다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각에서 생성된 광이 방출되는 영역일 수 있다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 평면 상에서 서로 이격된 것일 수 있다.
발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 화소 정의막(PDL)으로 구분되는 영역일 수 있다. 비발광 영역들(NPXA)은 이웃하는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이의 영역들로 화소 정의막(PDL)과 대응하는 영역일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 화소(Pixel)에 대응하는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 구분하는 것일 수 있다. 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광층(EML-R, EML-G, EML-B)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH)에 배치되어 구분될 수 있다.
발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)에서 생성되는 광의 컬러에 따라 복수 개의 그룹으로 구분될 수 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에는 적색광, 녹색광, 및 청색광을 발광하는 3개의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 예시적으로 도시하였다. 예를 들어, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 서로 구분되는 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에서 복수 개의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 서로 상이한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 표시 장치(DD)는 적색광을 방출하는 제1 발광 소자(ED-1), 녹색광을 방출하는 제2 발광 소자(ED-2), 및 청색광을 방출하는 제3 발광 소자(ED-3)를 포함할 수 있다. 즉, 표시 장치(DD)의 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)은 각각 제1 발광 소자(ED-1), 제2 발광 소자(ED-2), 및 제3 발광 소자(ED-3)에 대응할 수 있다.
하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 동일한 파장 영역의 광을 방출하는 것이거나, 또는 적어도 하나가 상이한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 모두 청색광을 방출하는 것일 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에서의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 스트라이프 형태로 배열된 것일 수 있다. 도 1을 참조하면, 복수 개의 적색 발광 영역들(PXA-R), 복수 개의 녹색 발광 영역들(PXA-G), 및 복수 개의 청색 발광 영역들(PXA-B)이 각각 제2 방향축(DR2)을 따라 정렬된 것일 수 있다. 또한, 제1 방향축(DR1)을 따라 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)의 순서로 번갈아 가며 배열된 것일 수 있다.
도 1 및 도 2에서는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적이 모두 유사한 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 발광 영역들(PXA-R PXA-G, PXA-B)의 면적은 방출하는 광의 파장 영역에 따라 서로 상이할 수 있다. 한편, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면 상에서 보았을 때의 면적을 의미할 수 있다.
한편, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 형태는 도 1에 도시된 것에 한정되지 않으며, 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)이 배열되는 순서는 표시 장치(DD)에서 요구되는 표시 품질의 특성에 따라 다양하게 조합되어 제공될 수 있다. 예를 들어, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 형태는 펜타일(pentile) 배열 형태이거나, 다이아몬드 배열 형태를 갖는 것일 수 있다.
또한, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적은 서로 상이한 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 녹색 발광 영역(PXA-G)의 면적이 청색 발광 영역(PXA-B)의 면적 보다 작을 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
이하, 도 3 내지 도 6은 일 실시예에 따른 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 일 실시예에 따른 발광 소자(ED)는 순차적으로 적층된 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다.
도 4는 도 3과 비교하여, 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 포함하고, 전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 포함하는 일 실시예의 발광 소자(ED)의 단면도를 나타낸 것이다. 또한, 도 5는 도 3과 비교하여 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 및 전자 저지층(EBL)을 포함하고, 전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL), 전자 수송층(ETL), 및 정공 저지층(HBL)을 포함하는 일 실시예의 발광 소자(ED)의 단면도를 나타낸 것이다. 도 6은 도 4와 비교하여 제2 전극(EL2) 상에 배치된 캡핑층(CPL)을 포함하는 일 실시예의 발광 소자(ED)의 단면도를 나타낸 것이다.
제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 금속재료, 금속합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제1 전극(EL1)은 애노드(anode) 또는 캐소드(cathode)일 수 있다. 하지만 실시예가 이에 한정되지 않는다. 또한, 제1 전극(EL1)은 화소 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)이 투과형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등을 포함할 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, W 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 제1 전극(EL1)은 상기의 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 전극(EL1)은 상술한 금속재료, 상술한 금속재료들 중 선택된 2종 이상의 금속재료들의 조합, 또는 상술한 금속재료들의 산화물 등을 포함하는 것일 수 있다. 제1 전극(EL1)의 두께는 약 700Å 내지 약 10000Å일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)의 두께는 약 1000Å 내지 약 3000Å일 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 제공된다. 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 버퍼층 또는 발광보조층(미도시), 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)의 두께는 예를 들어, 약 50Å 내지 약 15,000Å인 것일 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층, 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 또는 정공 수송층(HTL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 정공 주입 물질 및 정공 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 정공 수송 영역(HTR)은 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL), 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/버퍼층(미도시), 정공 주입층(HIL)/버퍼층(미도시), 정공 수송층(HTL)/버퍼층(미도시), 또는 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/전자 저지층(EBL)의 구조를 가질 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
일 실시예의 발광 소자(ED)에서 정공 수송 영역(HTR)은 일 실시예의 아민 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예의 아민 화합물은 정공 수송 영역(HTR) 중 정공 수송층(HTL)에 포함될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 일 실시예의 아민 화합물은 정공 주입층(HIL), 또는 전자 저지층(EBL) 등에 포함될 수 도 있다. 일 실시예의 아민 화합물은 정공 수송 영역(HTR)에 포함된 복수의 유기층들(정공 수송 유기층들) 중 발광층(EML)에 인접한 유기층에 포함될 수 있다.
일 실시예의 아민 화합물은 쿼터페닐(quaterphenyl)기 및 나프틸(naphthyl)기를 치환기로 포함한다. 일 실시예의 아민 화합물은 아민기를 포함하고, 아민기에 치환된 쿼터페닐기 및 나프틸기를 포함한다. 쿼터페닐기는 네 개의 페닐기가 서로 선형으로 연결된 쿼터페닐 골격을 가지고, 쿼터페닐 골격의 한 쪽 말단 벤젠 고리는 일 실시예의 아민 화합물의 아민기와 연결된다. 나프틸기는 아민기에 직접 결합되지 않고, 링커를 통해 아민기의 질소 원자와 결합할 수 있다.
일 실시예의 아민 화합물은 모노아민 화합물일 수 있다. 아민 화합물은 화합물 구조 내에 하나의 아민기를 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예의 아민 화합물은 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00037
화학식 1에서, L은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기이다. 일 실시예에서, L은 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 2가의 비페닐기, 또는 치환 또는 비치환된 2가의 디벤조퓨란기일 수 있다. 예를 들어, L은 비치환된 페닐렌기, 비치환된 2가의 비페닐기, 또는 비치환된 2가의 디벤조퓨란기일 수 있다.
화학식 1에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이다. 일 실시예에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 나프틸페닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기일 수 있다.
화학식 1에서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이한 것일 수 있다. 일 실시예에서, Ar1은 후술할 화학식 3으로 표시되고, Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 나프틸페닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 치환 또는 비치환된 나프토[1,2-b]벤조퓨란기, 또는 치환 또는 비치환된 벤조[b]나프토[2,1-d]티오펜기일 수 있다.
화학식 1에서, m은 1 또는 2이다. 한편, m이 2 일 경우, 복수의 L은 서로 동일하거나 상이하다.
화학식 1에서, M은 하기 화학식 2로 표시된다.
[화학식 2]
Figure pat00038
화학식 2에서, Ra 내지 Rh는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이다. 일 실시예에서, Ra 내지 Rh는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 피리딘기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기일 수 있다.
화학식 2에서, Ra 내지 Rh 중 적어도 어느 하나는 수소 원자가 아닌 치환기이다. 예를 들어, Ra 내지 Rh 중 적어도 어느 하나는 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기일 수 있다. 예를 들어, Ra 내지 Rh 중 적어도 어느 하나는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기일 수 있다. Ra 내지 Rh 중 적어도 어느 하나는 공액 구조를 확장하는 치환기일 수 있다.
화학식 2에서, Ra 내지 Rh 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L과 연결되는 위치이다. 한편, 화학식 2의 Ra 내지 Rh에서 화학식 1로 표시되는 아민 화합물의 질소 원자에 결합되는 치환기를 제외한 나머지 치환기들은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기일 수 있다. 화학식 2의 Ra 내지 Rh에서 화학식 1로 표시되는 아민 화합물의 질소 원자에 결합되는 치환기를 제외한 나머지 치환기 중 적어도 어느 하나는 수소 원자가 아닌 치환기이다. 일 실시예에서, 화학식 1의 L이 상기 화학식 2의 Ra에 연결되는 경우, 상기 Rb 내지 Rh 중 적어도 어느 하나는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 피리딘기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기일 수 있다. 화학식 1의 L이 상기 화학식 2의 Rb에 연결되는 경우, 상기 Ra, 및 Rc 내지 Rh 중 적어도 어느 하나는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다.
한편, 화학식 1에서, Ar1 및 Ar2 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 3으로 표시된다.
[화학식 3]
Figure pat00039
화학식 3에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이다. 한편, R1 및 R2 각각이 비치환된 페닐기인 경우는 제외된다. 일 실시예에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기일 수 있다. 예를 들어, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 이소프로필기, 또는 치환 또는 비치환된 t-부틸기일 수 있다.
화학식 3에서,
Figure pat00040
는 상기 화학식 1의 N과 연결되는 위치이다.
화학식 3에서, n1 내지 n3은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다. n1 내지 n3 각각이 0일 경우, 일 실시예의 아민 화합물은 R1 내지 R3 각각으로 치환되지 않은 것을 의미할 수 있다. n1 내지 n3 각각이 4이고, R1 내지 R3 각각이 모두 수소 원자인 경우, 화학식 3에서 n1 내지 n3 각각이 0인 경우와 동일할 수 있다. n1 내지 n3 각각이 2 이상의 정수일 경우, 복수로 제공되는 R1 내지 R3 각각은 모두 동일한 것이거나, 또는 복수의 R1 내지 R3 중 적어도 하나는 상이한 것일 수 있다.
화학식 3에서, n4는 0 이상 5 이하의 정수이다. n4가 0일 경우, 일 실시예의 아민 화합물은 R4로 치환되지 않은 것을 의미할 수 있다. n4가 5이고, R4가 모두 수소 원자인 경우, 화학식 3에서 n4가 0인 경우와 동일할 수 있다. n4가 2 이상의 정수일 경우, 복수로 제공되는 R4는 모두 동일한 것이거나, 또는 복수의 R4 중 적어도 하나는 상이한 것일 수 있다.
한편, 화학식 1의 L이 p-페닐렌기이고, 화학식 3이 하기 화학식 3-a로 표시되고, 화학식 2의 Ra가 화학식 1의 L과 연결되는 경우, 화학식 2의 Rb는 비치환된 페닐기가 아니다.
[화학식 3-a]
Figure pat00041
.
화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화학식 4-1 또는 화학식 4-2로 표시될 수 있다.
[화학식 4-1]
Figure pat00042
[화학식 4-2]
Figure pat00043
화학식 4-1은 상기 화학식 1 및 화학식 2에서, Ra가 L과 연결되는 위치일 경우에 해당한다. 화학식 4-2는 상기 화학식 1 및 화학식 2에서, Rb가 L과 연결되는 위치일 경우에 해당한다.
한편, 화학식 4-1 및 화학식 4-2에서, Ar1, Ar2, L, Ra 내지 Rh, 및 m은 상기 화학식 1 및 화학식 2에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 5-1]
Figure pat00044
[화학식 5-2]
Figure pat00045
[화학식 5-3]
Figure pat00046
화학식 5-1 내지 화학식 5-3에서, X1은 NR10, O, 또는 S이다.
화학식 5-1 내지 화학식 5-3에서, R5 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이다. 일 실시예에서, R5 내지 R9는 각각 수소 원자일 수 있다. 일 실시예에서, X1이 NR10 일 때, R10은 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다.
화학식 5-1 내지 화학식 5-3에서, n5 내지 n9는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고, 단, n8과 n9의 합은 6 이하이다. n5 내지 n9 각각이 0일 경우, 일 실시예에 따른 아민 화합물은 R5 내지 R9 각각으로 치환되지 않은 것일 수 있다. n5 내지 n9 각각이 4이고, R5 내지 R9 각각이 모두 수소 원자인 경우, n5 내지 n9 각각이 0일 경우와 동일할 수 있다. n5 내지 n9 각각이 2 이상의 정수일 경우, 복수로 제공되는 R5 내지 R9 각각은 모두 동일한 것이거나, 또는 복수의 R5 내지 R9 중 적어도 하나는 상이한 것일 수 있다.
한편, 화학식 5-1 내지 화학식 5-3에서, M, Ar1 및 Ar2는 상기 화학식 1에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화학식 6-1 내지 화학식 6-5 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 6-1]
Figure pat00047
[화학식 6-2]
Figure pat00048
[화학식 6-3]
Figure pat00049
[화학식 6-4]
Figure pat00050
[화학식 6-5]
Figure pat00051
화학식 6-1은 화학식 5-1에서 아민기의 질소 원자와 나프틸기가 페닐렌 링커의 파라 위치에서 연결되는 경우이다. 화학식 6-2는 화학식 5-1에서 아민기의 질소 원자와 나프틸기가 페닐렌 링커의 메타 위치에서 연결되는 경우이다. 화학식 6-3은 화학식 5-2에서 아민기의 질소 원자와 나프틸기가 (2가의) 비페닐 링커의 파라 위치에서 연결되는 경우이다. 화학식 6-4는 화학식 5-2에서 아민기의 질소 원자와 나프틸기가 2가의 비페닐 링커의 메타 위치에서 연결되는 경우이다. 화학식 6-4에서 아민기의 질소 원자는 2가의 비페닐 링커의 파라 위치에 연결되고, 나프틸기는 2가의 비페닐 링커의 메타 위치에 연결된다. 화학식 6-5는 화학식 5-3에서 아민기의 질소 원자와 나프틸기가 헤테로 축합 고리 중 하나의 벤젠 고리를 개재하여 연결되는 경우이다. 화학식 6-5에서 아민기의 질소 원자는 X1에 대하여 메타 위치에 연결되고, 나프틸기는 X1에 대하여 오르쏘 위치에 연결된다. 화학식 6-5에서 M은 아민기의 질소 원자에 대하여 파라 위치에 연결된다.
화학식 6-1 내지 화학식 6-5에서, n8-1은 0 이상 2 이하의 정수이다. 화학식n8-1이 0일 경우, 일 실시예에 따른 아민 화합물은 R8로 치환되지 않은 것일 수 있다. n8-1이 2이고, R8이 모두 수소 원자인 경우, n8-1이 0일 경우와 동일할 수 있다. n8-1이 2일 경우, 복수로 제공되는 R8은 모두 동일한 것이거나, 또는 복수의 R8 중 적어도 하나는 상이한 것일 수 있다.
한편, 화학식 6-1 내지 화학식 6-5에서, Ar1, Ar2, M, X1, R5 내지 R9, n5 내지 n7, 및 n9는 상기 화학식 1 및 상기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
일 실시예에서, Ar1은 상기 화학식 3으로 표시되고, Ar2는 하기 화학식 7-1 내지 화학식 7-5 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 7-1]
Figure pat00052
[화학식 7-2]
Figure pat00053
[화학식 7-3]
Figure pat00054
[화학식 7-4]
Figure pat00055
[화학식 7-5]
Figure pat00056
화학식 7-1 내지 화학식 7-5에서, Y1은 NR11, O, 또는 S이다.
화학식 7-1 내지 화학식 7-5에서, Ra1 내지 Ra6, 및 R11은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이다. 일 실시예에서, Ra1 내지 Ra6, 및 R11은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기일 수 있다.
화학식 7-5에서, Ra7은 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이다. 또는 Ra7은 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다. 예를 들어, Ra7은 모두 수소 원자일 수 있다. 또는, Ra7은 복수로 제공되며, 인접하는 복수의 Ra7이 서로 결합하여 추가적인 탄화수소 축합 고리 또는 헤테로 축합 고리를 형성할 수 있다.
화학식 7-1 내지 화학식 7-5에서, n10은 0 이상 5 이하의 정수이고, n11 및 n16은 각각 독립적으로 0 이상 7이하의 정수이고, n12는 0 이상 9 이하의 정수이고, n13은 0 이상 3 이하의 정수이고, n14 및 n15는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다.
화학식 7-1에서, n10이 0일 경우, 일 실시예의 아민 화합물은 Ra1으로 치환되지 않은 것일 수 있다. 화학식 7-1에서 n10이 5이고, Ra1이 모두 수소 원자인 경우, 화학식 7-1에서 n10이 0일 경우와 동일할 수 있다. n10이 2 이상의 정수일 경우, 복수로 제공되는 Ra1은 모두 동일한 것이거나, 또는 복수의 Ra1 중 적어도 하나는 상이한 것일 수 있다.
화학식 7-1 및 화학식 7-5에서, n11 및 n16 각각이 0일 경우, 일 실시예의 아민 화합물은 Ra2 및 Ra7 각각으로 치환되지 않은 것일 수 있다. n11 및 n16 각각이 7이고, Ra2 및 Ra7 각각이 모두 수소 원자인 경우, n11 및 n16 각각이 0인 경우와 동일할 수 있다. n11 및 n16 각각이 2 이상의 정수일 경우, 복수로 제공되는 Ra2 및 Ra7 각각은 모두 동일한 것이거나, 또는 복수의 Ra2 및 Ra7 중 적어도 하나는 상이한 것일 수 있다.
화학식 7-3에서, n12가 0일 경우, 일 실시예의 아민 화합물은 Ra3으로 치환되지 않은 것일 수 있다. n12가 9이고, Ra3이 모두 수소 원자인 경우, n12가 0인 경우와 동일할 수 있다. n12가 2 이상의 정수일 경우, 복수로 제공되는 Ra3은 모두 동일한 것이거나, 또는 복수의 Ra3 중 적어도 하나는 상이한 것일 수 있다.
화학식 7-4에서, n13이 0일 경우, 일 실시예의 아민 화합물은 Ra4로 치환되지 않은 것일 수 있다. n13이 3이고, Ra4가 모두 수소 원자인 경우, n13이 0인 경우와 동일할 수 있다. n13이 2 이상의 정수일 경우, 복수로 제공되는 Ra4는 모두 동일한 것이거나, 또는 복수의 Ra4 중 적어도 하나는 상이한 것일 수 있다.
화학식 7-4에서, n14 및 n15 각각이 0일 경우, 일 실시예의 아민 화합물은 Ra5 및 Ra6 각각으로 치환되지 않은 것일 수 있다. n14 및 n15 각각이 4이고, Ra5 및 Ra6 각각이 모두 수소 원자인 경우, n14 및 n15 각각이 0인 경우와 동일할 수 있다. n14 및 n15 각각이 2 이상의 정수일 경우, 복수로 제공되는 Ra5 및 Ra6 각각은 모두 동일한 것이거나, 또는 복수의 Ra5 및 Ra6 중 적어도 하나는 상이한 것일 수 있다.
화학식 7-1 내지 화학식 7-5에서,
Figure pat00057
는 화학식 1의 N과 연결되는 위치이다.
Ar1 및 Ar2 중 화학식 3으로 표시되는 적어도 하나는 하기 화학식 8-1 내지 화학식 8-9 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 8-1]
Figure pat00058
[화학식 8-2]
Figure pat00059
[화학식 8-3]
Figure pat00060
[화학식 8-4]
Figure pat00061
[화학식 8-5]
Figure pat00062
[화학식 8-6]
Figure pat00063
[화학식 8-7]
Figure pat00064
[화학식 8-8]
Figure pat00065
[화학식 8-9]
Figure pat00066
상기 화학식 8-1 내지 화학식 8-9에서, R1 내지 R4, n1 내지 n4, 및
Figure pat00067
는 상기 화학식 3에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화합물군 1의 화합물들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[화합물군 1]
Figure pat00068
Figure pat00069
Figure pat00070
Figure pat00071
Figure pat00072
Figure pat00073
Figure pat00074
Figure pat00075
Figure pat00076
Figure pat00077
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Figure pat00079
Figure pat00080
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Figure pat00083
Figure pat00084
Figure pat00085
Figure pat00086
Figure pat00087
Figure pat00088
Figure pat00089
Figure pat00090
Figure pat00091
Figure pat00092
.
일 실시예의 아민 화합물은 쿼터페닐기 및 나프틸기를 치환기로 포함한다. 쿼터페틸기는 선형 쿼터페닐기로 4개의 페닐기가 서로 선형으로 연결된 구조를 가지고, 한 쪽 말단 페닐기가 아민기의 질소 원자에 치환된다. 나프틸기는 링커를 개재하여 아민기의 질소 원자에 결합되고, 공액 구조를 확장하는 치환기를 적어도 하나 이상 포함할 수 있다. 이에 따라, 일 실시예의 아민 화합물은 질소 원자를 중심으로 화합물 전체의 공액 구조가 신장될 수 있어 전자 수송성이 증대될 수 있으므로 발광 소자의 발광 효율이 향상될 수 있다. 더하여, 일 실시예의 아민 화합물은 나프틸기와 쿼터페닐기를 동시에 치환기로 포함함으로써 발광층에서 이동되어 오는 전자를 적절히 제어하는 능력이 향상될 수 있어 발광 소자에 적용되었을 때 발광 소자의 수명 및 발광 소자의 효율이 더욱 개선될 수 있다. 한편, 본 명세서에서 "공액 구조를 확장하는 치환기"는 파이-공액 구조(π-conjugated structure)를 가지는 화합물에 연결되어 공액될 수 있는 적어도 하나 이상의 파이 결합을 갖는 치환기를 의미할 수 있다.
다시 도 3 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자(ED)에 대하여 설명한다.
전술한 바와 같이, 정공 수송 영역(HTR)은 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 아민 화합물을 포함한다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함한다.
정공 수송 영역(HTR)이 복수의 층을 갖는 다층 구조인 경우, 복수의 층 중 어느 하나의 층이 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 배치된 정공 주입층(HIL) 및 정공 주입층(HIL) 상에 배치된 정공 수송층(HTL)을 포함하고, 정공 수송층(HTL)이 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 정공 주입층(HIL)이 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하는 것일 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 1종 또는 2종 이상 포함할 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 전술한 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
화학식 1로 표시되는 일 실시예의 아민 화합물 외에, 정공 수송 영역(HTR)은 하기 화학식 H-1로 표시되는 화합물을 더 포함하는 것일 수 있다.
[화학식 H-1]
Figure pat00093
상기 화학식 H-1에서, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. a 및 b는 각각 독립적으로 0 이상 10 이하의 정수일 수 있다. 한편, a 또는 b가 2 이상의 정수인 경우 복수의 L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
화학식 H-1에서 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. 또한, 화학식 H-1에서 Ar3은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기일 수 있다.
상기 화학식 H-1로 표시되는 화합물은 모노아민 화합물일 수 있다. 또는, 상기 화학식 H-1로 표시되는 화합물은 Ar-1 내지 Ar3 중 적어도 하나가 아민기를 치환기로 포함하는 디아민 화합물일 수 있다. 또한, 상기 화학식 H-1로 표시되는 화합물은 Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나에 치환 또는 비치환된 카바졸기를 포함하는 카바졸계 화합물, 또는 Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나에 치환 또는 비치환된 플루오렌기를 포함하는 플루오렌계 화합물일 수 있다.
화학식 H-1로 표시되는 화합물은 하기 화합물군 H의 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하지만, 하기 화합물군 H에 나열된 화합물들은 예시적인 것으로 화학식 H-1로 표시되는 화합물이 하기 화합물군 H에 표시된 것에 한정되는 것은 아니다.
[화합물군 H]
Figure pat00094
Figure pat00095
Figure pat00096
Figure pat00097
Figure pat00098
정공 수송 영역(HTR)은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물, DNTPD(N1,N1'-([1,1'-biphenyl]-4,4'-diyl)bis(N1-phenyl-N4,N4-di-m-tolylbenzene-1,4-diamine)), m-MTDATA(4,4',4"-[tris(3-methylphenyl)phenylamino] triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris[N(2-naphthyl)-N-phenylamino]-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS(Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate)), NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), 트리페닐아민을 포함하는 폴리에테르케톤(TPAPEK), 4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium [Tetrakis(pentafluorophenyl)borate], HATCN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) 등을 더 포함할 수도 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene) 등을 더 포함할 수도 있다.
또한, 정공 수송 영역(HTR)은, CzSi(9-(4-tert-Butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole), CCP(9-phenyl-9H-3,9'-bicarbazole), 또는 mDCP(1,3-bis(1,8-dimethyl-9H-carbazol-9-yl)benzene)등을 더 포함할 수도 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 상술한 정공 수송 영역의 화합물들을 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나에 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들어, 약 100Å 내지 약 5000Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL)을 포함하는 경우, 정공 주입층(HIL)의 두께는 예를 들어 약 30Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)이 정공 수송층(HTL)을 포함하는 경우, 정공 수송층(HTL)의 두께는 약 30Å 내지 약 1000Å 일 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)이 전자 저지층(EBL)을 포함하는 경우 전자 저지층(EBL)의 두께는 약 10Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL) 및 전자 저지층(EBL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(HTR) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 할로겐화 금속 화합물, 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트는 CuI 및 RbI 등의 할로겐화 금속 화합물, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7'8,8-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물, HATCN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) 및 NDP9(4-[[2,3-bis[cyano-(4-cyano-2,3,5,6-tetrafluorophenyl)methylidene]cyclopropylidene]-cyanomethyl]-2,3,5,6-tetrafluorobenzonitrile)과 같은 시아노기 함유 화합물 등을 들 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
전술한 바와 같이, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL) 외에, 버퍼층(미도시) 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 버퍼층(미도시)은 발광층(EML)에서 방출되는 광의 파장에 따른 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시킬 수 있다. 버퍼층(미도시)에 포함되는 물질로는 정공 수송 영역(HTR)에 포함될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 전자 저지층(EBL)은 전자 수송 영역(ETR)으로부터 정공 수송 영역(HTR)으로의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 제공된다. 발광층(EML)은 예를 들어 약 100Å 내지 약 1000Å 또는, 약 100Å 내지 약 300Å의 두께를 갖는 것일 수 있다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예의 발광 소자(ED)에서 발광층(EML)은 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 플루오란텐 유도체, 크리센 유도체, 디하이드로벤즈안트라센 유도체, 또는 트리페닐렌 유도체를 포함하는 것일 수 있다. 구체적으로, 발광층(EML)은 안트라센 유도체 또는 피렌 유도체를 포함하는 것일 수 있다.
도 3 내지 도 6에 도시된 일 실시예의 발광 소자(ED)에서 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있고, 발광층(EML)은 하기 화학식 E-1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 하기 화학식 E-1로 표시되는 화합물은 형광 호스트재료로 사용될 수 있다.
[화학식 E-1]
Figure pat00099
화학식 E-1에서, R31 내지 R40은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. 한편, R31 내지 R40은 인접하는 기와 서로 결합하여 포화탄화수소 고리, 불포화탄화수소 고리, 포화헤테로 고리 또는 불포화헤테로 고리를 형성할 수 있다.
화학식 E-1에서 c 및 d는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수일 수 있다.
화학식 E-1은 하기 화합물 E1 내지 화합물 E19 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다.
Figure pat00100
Figure pat00101
Figure pat00102
Figure pat00103
Figure pat00104
Figure pat00105
Figure pat00106
일 실시예에서 발광층(EML)은 하기 화학식 E-2a 또는 화학식 E-2b로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 하기 화학식 E-2a 또는 화학식 E-2b로 표시되는 화합물은 인광 호스트재료로 사용될 수 있다.
[화학식 E-2a]
Figure pat00107
화학식 E-2a에서, a는 0 이상 10 이하의 정수이고 La는 직접 결합, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. 한편, a가 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 La는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또한, 화학식 E-2a에서 A1 내지 A5는 각각 독립적으로 N 또는 CRi일 수 있다. Ra 내지 Ri는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. Ra 내지 Ri는 인접하는 기와 서로 결합하여 탄화수소 고리 또는 N, O, S 등을 고리 형성 원자로 포함하는 헤테로 고리를 형성할 수 있다.
한편, 화학식 E-2a에서 A1 내지 A5 중 선택되는 두 개 또는 세 개는 N이고 나머지는 CRi일 수 있다.
[화학식 E-2b]
Figure pat00108
화학식 E-2b에서 Cbz1 및 Cbz2는 각각 독립적으로 비치환된 카바졸기, 또는 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기로 치환된 카바졸기일 수 있다. Lb는 직접 결합, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. b는 0 이상 10 이하의 정수이고, b가 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 Lb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
화학식 E-2a 또는 화학식 E-2b로 표시되는 화합물은 하기 화합물군 E-2의 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하지만, 하기 화합물군 E-2에 나열된 화합물들은 예시적인 것으로 화학식 E-2a 또는 화학식 E-2b로 표시되는 화합물이 하기 화합물군 E-2에 표시된 것에 한정되는 것은 아니다.
[화합물군 E-2]
Figure pat00109
Figure pat00110
Figure pat00111
Figure pat00112
Figure pat00113
발광층(EML)은 호스트 물질로 당 기술분야에 알려진 일반적인 재료를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)은 호스트 물질로 BCPDS (bis (4-(9H-carbazol-9-yl) phenyl) diphenylsilane), POPCPA ((4-(1-(4-(diphenylamino) phenyl) cyclohexyl) phenyl) diphenyl-phosphine oxide), DPEPO(Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl] ether oxide), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl),mCP(1,3-Bis(carbazol-9-yl)benzene), PPF (2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine) 및 TPBi(1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole-2-yl)benzene) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TBADN(2-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), CP1(Hexaphenyl cyclotriphosphazene), UGH2 (1,4-Bis(triphenylsilyl)benzene), DPSiO3 (Hexaphenylcyclotrisiloxane), DPSiO4 (Octaphenylcyclotetra siloxane), 등을 호스트 재료로 사용할 수 있다.
발광층(EML)은 하기 화학식 M-a 또는 화학식 M-b로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 하기 화학식 M-a 또는 화학식 M-b로 표시되는 화합물은 인광 도펀트 재료로 사용될 수 있다.
[화학식 M-a]
Figure pat00114
상기 화학식 M-a에서, Y1 내지 Y4, 및 Z1 내지 Z4는 각각 독립적으로 CR1 또는 N이고, R1 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. 화학식 M-a에서, m은 0 또는 1이고, n은 2 또는 3이다. 화학식 M-a에서 m이 0일 때, n은 3이고, m이 1일 때, n은 2 이다.
화학식 M-a로 표시되는 화합물은 인광 도펀트로 사용될 수 있다.
화학식 M-a로 표시되는 화합물은 하기 화합물 M-a1 내지 M-a25 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하지만, 하기 화합물 M-a1 내지 M-a25은 예시적인 것으로 화학식 M-a로 표시되는 화합물이 하기 화합물 M-a1 내지 M-a25로 표시된 것에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00115
Figure pat00116
Figure pat00117
Figure pat00118
Figure pat00119
Figure pat00120
Figure pat00121
화합물 M-a1 및 화합물 M-a2는 적색 도펀트 재료로 사용될 수 있고, 화합물 M-a3 내지 화합물 M-a7은 녹색 도펀트 재료로 사용될 수 있다.
[화학식 M-b]
Figure pat00122
화학식 M-b에서, Q1 내지 Q4는 각각 독립적으로 C 또는 N이며, C1 내지 C4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 5 이상 30 이하의 탄화수소고리, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리이다. L21 내지 L24는 각각 독립적으로 직접 결합,
Figure pat00123
,
Figure pat00124
,
Figure pat00125
,
Figure pat00126
,
Figure pat00127
,
Figure pat00128
, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 2가의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이고, e1 내지 e4는 각각 독립적으로 0 또는 1이다. R31 내지 R39는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하고, d1 내지 d4는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다.
화학식 M-b로 표시되는 화합물은 청색 인광 도펀트 또는 녹색 인광 도펀트로 사용될 수 있다.
화학식 M-b로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하지만, 하기 화합물들은 예시적인 것으로 화학식 M-b로 표시되는 화합물이 하기 화합물들로 표시된 것에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00129
Figure pat00130
상기 화합물들에서, R, R38, 및 R39는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다.
발광층(EML)은 하기 화학식 F-a 내지 화학식 F-c 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 하기 화학식 F-a 내지 화학식 F-c로 표시되는 화합물은 형광 도펀트재료로 사용될 수 있다.
[화학식 F-a]
Figure pat00131
상기 화학식 F-a에서, Ra 내지 Rj 중 선택되는 두 개는 각각 독립적으로
Figure pat00132
로 치환되는 것일 수 있다. Ra 내지 Rj
Figure pat00133
로 치환되지 않은 나머지들은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다.
Figure pat00134
에서 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. 예를 들어, Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 고리 형성 원자로 O 또는 S를 포함하는 헤테로아릴기일 수 있다.
[화학식 F-b]
Figure pat00135
상기 화학식 F-b에서, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다.
화학식 F-b에서 U 및 V는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 탄화수소고리, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리일 수 있다.
화학식 F-b에서 U 및 V로 표시되는 고리의 개수는 각각 독립적으로 0 또는 1일 수 있다. 예를 들어, 화학식 F-b에서 U 또는 V의 개수가 1인 경우 U 또는 V로 기재된 부분에 하나의 고리가 축합환을 구성하며, U 또는 V의 개수가 0인 경우는 U 또는 V가 기재되어 있는 고리는 존재하지 않는 것을 의미한다. 구체적으로 U의 개수가 0이고 V의 개수가 1인 경우, 또는 U의 개수가 1이고 V의 개수가 0인 경우 화학식 F-b의 플루오렌 코어를 갖는 축합환은 4환의 고리화합물일 수 있다. 또한, U 및 V의 개수가 모두 0인 경우 화학식 F-b의 축합환은 3환의 고리화합물일 수 있다. 또한, U 및 V의 개수가 모두 1인 경우 화학식 F-b의 플루오렌 코어를 갖는 축합환은 5환의 고리 화합물일 수 있다.
[화학식 F-c]
Figure pat00136
화학식 F-c에서, A1 및 A2는 각각 독립적으로, O, S, Se, 또는 NRm이고, Rm은 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. R1 내지 R11는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 보릴기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다.
화학식 F-c에서 A1 및 A2는 각각 독립적으로 이웃하는 고리의 치환기들과 결합하여 축합고리를 형성할 수 있다. 예를 들어, A1 및 A2가 각각 독립적으로 NRm일 때, A1은 R4 또는 R5와 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. 또한, A2는 R7 또는 R8과 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다.
일 실시예에서 발광층(EML)은 공지의 도펀트 재료로, 스티릴 유도체(예를 들어, 1, 4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene(BCzVB), 4-(di-p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene(DPAVB), N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi)), 4,4'-bis[2-(4-(N,N-diphenylamino)phenyl)vinyl]biphenyl(DPAVBi) , 페릴렌 및 그 유도체(예를 들어, 2, 5, 8, 11-Tetra-t-butylperylene(TBP)), 피렌 및 그 유도체(예를 들어, 1, 1-dipyrene, 1, 4-dipyrenylbenzene, 1, 4-Bis(N, N-Diphenylamino)pyrene) 등을 포함할 수 있다.
발광층(EML)은 공지의 인광 도펀트 물질을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 인광 도펀트는 이리듐(Ir), 백금(Pt), 오스뮴(Os), 금(Au), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 터븀(Tb) 또는 툴륨(Tm)을 포함하는 금속 착체가 사용될 수 있다. 구체적으로, FIrpic(iridium(III) bis(4,6-difluorophenylpyridinato-N,C2')picolinate), Fir6(Bis(2,4-difluorophenylpyridinato)-tetrakis(1-pyrazolyl)borate iridium(Ⅲ)), 또는 PtOEP(platinum octaethyl porphyrin)가 인광 도펀트로 사용될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
발광층(EML)은 양자점(Quantum dot) 물질을 포함하는 것일 수 있다. 양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-VI족 화합물, I-III-VI족 화합물, III-V족 화합물, III- II-V족 화합물, I IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-VI족 화합물은 In2S3, In2Se3 등과 같은 이원소 화합물, InGaS 3 , InGaSe3 등과 같은 삼원소 화합물, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
I-III-VI족 화합물은 AgInS, AgInS2, CuInS, CuInS2, AgGaS2, CuGaS2 CuGaO2, AgGaO2, AgAlO2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 또는 AgInGaS2, CuInGaS2 등의 사원소 화합물로부터 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 한편, III-V족 화합물은 II족 금속을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, III- II-V족 화합물로 InZnP 등이 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어/쉘 구조에서, 쉘에 존재하는 원소의 농도가 코어로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다.
도 3 내지 도 6에 도시된 일 실시예의 발광 소자(ED)에서, 전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 제공된다. 전자 수송 영역(ETR)은, 정공 저지층(HBL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 전자 주입층(EIL) 또는 전자 수송층(ETL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 전자 주입 물질과 전자 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 전자 수송 영역(ETR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 발광층(EML)으로부터 차례로 적층된 전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL), 정공 저지층(HBL)/전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL) 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송 영역(ETR)의 두께는 예를 들어, 약 1000Å 내지 약 1500Å인 것일 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 하기 화학식 ET-1로 표시되는 화합물을 포함하는 것일 수 있다.
[화학식 ET-1]
Figure pat00137
화학식 ET-1에서, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N이고 나머지는 CRa이다. Ra는 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. Ar1 내지 Ar3 은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다
화학식 ET-1에서, a 내지 c는 각각 독립적으로 0 내지 10 이하의 정수일 수 있다. 화학식 ET-1에서 L1 내지 L3은 각각 독립적으로 직접 결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. 한편, a 내지 c가 2 이상의 정수인 경우 L1 내지 L3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 안트라센계 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 전자 수송 영역(ETR)은 예를 들어, Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazol-1-yl)phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), BmPyPhB(1,3-Bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene) 및 이들의 혼합물을 포함하는 것일 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 하기 화합물 ET1 내지 ET36 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
Figure pat00138
Figure pat00139
Figure pat00140
Figure pat00141
Figure pat00142
Figure pat00143
Figure pat00144
또한, 전자 수송 영역(ETR)은 LiF, NaCl, CsF, RbCl, RbI, CuI, KI와 같은 할로겐화 금속, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또한 상기의 할로겐화 금속과 란타넘족 금속의 공증착 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 공증착 재료로 KI:Yb, RbI:Yb 등을 포함할 수 있다. 한편, 전자 수송 영역(ETR)은 Li2O, BaO 와 같은 금속 산화물, 또는 Liq(8-hydroxyl-Lithium quinolate) 등이 사용될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송 영역(ETR)은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 앞서 언급한 재료 이외에 BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)은 상술한 전자 수송 영역의 화합물들을 전자 주입층(EIL), 전자 수송층(ETL), 및 정공 저지층(HBL) 중 적어도 하나에 포함할 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 수송층(ETL)을 포함하는 경우, 전자 수송층(ETL)의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들어 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 전자 수송층(ETL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL)을 포함하는 경우, 전자 주입층(EIL)의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 전자 주입층(EIL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 캐소드(cathode) 또는 애노드(anode)일 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)이 애노드인 경우 제2 전극(EL2)은 캐소드일 수 있고, 제1 전극(EL1)이 캐소드인 경우 제2 전극(EL2)은 애노드일 수 있다.
제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)이 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, Yb, W 또는 이들을 포함하는 화합물이나 혼합물(예를 들어, AgMg, AgYb, 또는 MgAg)을 포함할 수 있다. 또는 제2 전극(EL2)은 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(EL2)은 상술한 금속재료, 상술한 금속재료들 중 선택된 2종 이상의 금속재료들의 조합, 또는 상술한 금속재료들의 산화물 등을 포함하는 것일 수 있다.
도시하지는 않았으나, 제2 전극(EL2)은 보조 전극과 연결될 수 있다. 제2 전극(EL2)이 보조 전극과 연결되면, 제2 전극(EL2)의 저항을 감소 시킬 수 있다.
한편, 일 실시예의 발광 소자(ED)의 제2 전극(EL2) 상에는 캡핑층(CPL)이 더 배치될 수 있다. 캡핑층(CPL)은 다층 또는 단층을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 캡핑층(CPL)은 유기층 또는 무기층일 수 있다. 예를 들어, 캡핑층(CPL)이 무기물을 포함하는 경우, 무기물은 LiF 등의 알칼리금속 화합물, MgF2 등의 알칼리토금속 화합물, SiON, SiNX, SiOy 등을 포함하는 것일 수 있다.
예를 들어, 캡핑층(CPL)이 유기물을 포함하는 경우, 유기물은 α-NPD, NPB, TPD, m-MTDATA, Alq3, CuPc, TPD15(N4,N4,N4',N4'-tetra (biphenyl-4-yl) biphenyl-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"- Tris (carbazol sol-9-yl) triphenylamine) 등을 포함하거나, 에폭시 수지, 또는 메타크릴레이트와 같은 아크릴레이트를 포함할 수 있다. 다만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니며 캡핑층(CPL)은 하기와 같은 화합물 P1 내지 P5 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure pat00145
Figure pat00146
Figure pat00147
Figure pat00148
Figure pat00149
한편, 캡핑층(CPL)의 굴절률은 1.6 이상일 수 있다. 구체적으로, 550nm 이상 660nm 이하의 파장 범위의 광에 대해서 캡핑층(CPL)의 굴절률은 1.6 이상일 수 있다.
도 7 및 도 8은 각각 일 실시예에 따른 표시 장치에 대한 단면도이다. 이하 도 7 및 도 8을 참조하여 설명하는 일 실시예에 대한 표시 장치에 대한 설명에 있어서 상술한 도 1 내지 도 6에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며 차이점을 위주로 설명한다.
도 7을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)는 표시 소자층(DP-ED)을 포함하는 표시 패널(DP), 표시 패널(DP) 상에 배치된 광제어층(CCL) 및 컬러필터층(CFL)을 포함하는 것일 수 있다.
도 7에 도시된 일 실시예에서 표시 패널(DP)은 베이스층(BS), 베이스층(BS) 상에 제공된 회로층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-ED)을 포함하고, 표시 소자층(DP-ED)은 발광 소자(ED)를 포함하는 것일 수 있다.
발광 소자(ED)는 제1 전극(EL1), 제1 전극(EL1) 상에 배치된 정공 수송 영역(HTR), 정공 수송 영역(HTR) 상에 배치된 발광층(EML), 발광층(EML) 상에 배치된 전자 수송 영역(ETR), 및 전자 수송 영역(ETR) 상에 배치된 제2 전극(EL2)을 포함하는 것일 수 있다. 한편, 도 7에 도시된 발광 소자(ED)의 구조는 상술한 도 3 내지 도 6의 발광 소자의 구조가 동일하게 적용될 수 있다.
도 7을 참조하면, 발광층(EML)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내에 배치되는 것일 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)에 의해 구분되어 각 발광 영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응하여 제공된 발광층(EML)은 동일한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 발광층(EML)은 청색광을 방출하는 것일 수 있다. 한편, 도시된 것과 달리 일 실시예에서 발광층(EML)은 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 전체에 공통층으로 제공되는 것일 수 있다.
광제어층(CCL)은 표시 패널(DP) 상에 배치될 수 있다. 광제어층(CCL)은 광변환체를 포함하는 것일 수 있다. 광변환체는 양자점 또는 형광체 등일 수 있다. 광변환체는 제공받은 광을 파장 변환하여 방출하는 것일 수 있다. 즉, 광제어층(CCL)은 양자점을 포함하는 층이거나 또는 형광체를 포함하는 층일 수 있다.
광제어층(CCL)은 복수 개의 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)을 포함하는 것일 수 있다. 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)은 서로 이격된 것일 수 있다.
도 7을 참조하면, 서로 이격된 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3) 사이에 분할패턴(BMP)이 배치될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 도 7에서 분할패턴(BMP)은 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)과 비중첩하는 것으로 도시되었으나, 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)의 엣지는 분할패턴(BMP)과 적어도 일부가 중첩할 수 있다.
광제어층(CCL)은 발광 소자(ED)에서 제공되는 제1 색광을 제2 색광으로 변환하는 제1 양자점(QD1)을 포함하는 제1 광제어부(CCP1), 제1 색광을 제3 색광을 변환하는 제2 양자점(QD2)을 포함하는 제2 광제어부(CCP2), 및 제1 색광을 투과시키는 제3 광제어부(CCP3)를 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예에서 제1 광제어부(CCP1)는 제2 색광인 적색광을 제공하고, 제2 광제어부(CCP2)는 제3 색광인 녹색광을 제공하는 것일 수 있다. 제3 광제어부(CCP3)는 발광 소자(ED)에서 제공된 제1 색광인 청색광을 투과시켜 제공하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 양자점(QD1)은 적색 양자점이고 제2 양자점(QD2)은 녹색 양자점일 수 있다. 양자점(QD1, QD2)에 대하여는 상술한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
또한, 광제어층(CCL)은 산란체(SP)를 더 포함하는 것일 수 있다. 제1 광제어부(CCP1)는 제1 양자점(QD1)과 산란체(SP)를 포함하고, 제2 광제어부(CCP2)는 제2 양자점(QD2)과 산란체(SP)를 포함하며, 제3 광제어부(CCP3)는 양자점을 미포함하고 산란체(SP)를 포함하는 것일 수 있다.
산란체(SP)는 무기 입자일 수 있다. 예를 들어, 산란체(SP)는 TiO2, ZnO, Al2O3, SiO2, 및 중공 실리카 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 산란체(SP)는 TiO2, ZnO, Al2O3, SiO2, 및 중공 실리카 중 어느 하나를 포함하는 것이거나, TiO2, ZnO, Al2O3, SiO2, 및 중공 실리카 중 선택되는 2종 이상의 물질이 혼합된 것일 수 있다.
제1 광제어부(CCP1), 제2 광제어부(CCP2), 및 제3 광제어부(CCP3) 각각은 양자점(QD1, QD2) 및 산란체(SP)를 분산시키는 베이스 수지(BR1, BR2, BR3)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 광제어부(CCP1)는 제1 베이스 수지(BR1) 내에 분산된 제1 양자점(QD1)과 산란체(SP)를 포함하고, 제2 광제어부(CCP2)는 제2 베이스 수지(BR2) 내에 분산된 제2 양자점(QD2)과 산란체(SP)를 포함하고, 제3 광제어부(CCP3)는 제3 베이스 수지(BR3) 내에 분산된 산란체(SP)를 포함하는 것일 수 있다. 베이스 수지(BR1, BR2, BR3)는 양자점(QD1, QD2) 및 산란체(SP)가 분산되는 매질로서, 일반적으로 바인더로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 베이스수지(BR1, BR2, BR3)는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 등일 수 있다. 베이스수지(BR1, BR2, BR3)는 투명 수지일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 베이스 수지(BR1), 제2 베이스 수지(BR2), 및 제3 베이스 수지(BR3) 각각은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
광제어층(CCL)은 배리어층(BFL1)을 포함하는 것일 수 있다. 배리어층(BFL1)은 수분 및/또는 산소(이하, '수분/산소'로 칭함)의 침투를 막는 역할을 하는 것일 수 있다. 배리어층(BFL1)은 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3) 상에 배치되어 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)이 수분/산소에 노출되는 것을 차단할 수 있다. 한편, 배리어층(BFL1)은 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)을 커버하는 것일 수 있다. 또한, 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)과 컬러필터층(CFL) 사이에도 배리어층(BFL2)이 제공될 수도 있다.
배리어층(BFL1, BFL2)은 적어도 하나의 무기층을 포함하는 것일 수 있다. 즉, 배리어층(BFL1, BFL2)은 무기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 배리어층(BFL1, BFL2)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물이나 광투과율이 확보된 금속 박막 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 한편, 배리어층(BFL1, BFL2)은 유기막을 더 포함할 수 있다. 배리어층(BFL1, BFL2)은 단일층 또는 복수의 층으로 구성되는 것일 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DD)에서 컬러필터층(CFL)은 광제어층(CCL) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 컬러필터층(CFL)은 광제어층(CCL) 상에 직접 배치될 수 있다. 이 경우 배리어층(BFL2)은 생략될 수 있다.
컬러필터층(CFL)은 차광부(BM) 및 필터들(CF1, CF2, CF3)을 포함하는 것일 수 있다. 컬러필터층(CFL)은 제2 색광을 투과시키는 제1 필터(CF1), 제3 색광을 투과시키는 제2 필터(CF2), 및 제1 색광을 투과시키는 제3 필터(CF3)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 필터(CF1)는 적색 필터, 제2 필터(CF2)는 녹색 필터이고, 제3 필터(CF3)는 청색 필터일 수 있다. 필터들(CF1, CF2, CF3) 각각은 고분자 감광수지와 안료 또는 염료를 포함하는 것일 수 있다. 제1 필터(CF1)는 적색 안료 또는 염료를 포함하고, 제2 필터(CF2)는 녹색 안료 또는 염료를 포함하며, 제3 필터(CF3)는 청색 안료 또는 염료를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제3 필터(CF3)는 안료 또는 염료를 포함하지 않는 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 고분자 감광수지를 포함하고 안료 또는 염료를 미포함하는 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 투명한 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 투명 감광수지로 형성된 것일 수 있다.
또한, 일 실시예에서 제1 필터(CF1)와 제2 필터(CF2)는 황색(yellow) 필터일 수 있다. 제1 필터(CF1)와 제2 필터(CF2)는 서로 구분되지 않고 일체로 제공될 수도 있다.
차광부(BM)는 블랙 매트릭스일 수 있다. 차광부(BM)는 흑색 안료 또는 흑색염료를 포함하는 유기 차광 물질 또는 무기 차광 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 차광부(BM)는 빛샘 현상을 방지하고, 인접하는 필터들(CF1, CF2, CF3) 사이의 경계를 구분하는 것일 수 있다. 또한, 일 실시예에서 차광부(BM)는 청색 필터로 형성되는 것일 수 있다.
제1 내지 제3 필터(CF1, CF2, CF3) 각각은 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B) 각각에 대응하여 배치될 수 있다.
컬러필터층(CFL) 상에는 베이스 기판(BL)이 배치될 수 있다. 베이스 기판(BL)은 컬러필터층(CFL) 및 광제어층(CCL) 등이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스 기판(BL)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스 기판(BL)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다. 또한, 도시된 것과 달리 일 실시예에서 베이스 기판(BL)은 생략될 수 있다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다. 도 8에서는 도 7의 표시 패널(DP)에 대응하는 일 부분의 단면도를 도시하였다. 일 실시예의 표시 장치(DD-TD)에서 발광 소자(ED-BT)는 복수 개의 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3)을 포함하는 것일 수 있다. 발광 소자(ED-BT)는 서로 마주하는 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2), 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에서 두께 방향으로 순차적으로 적층되어 제공되는 복수 개의 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3)을 포함하는 것일 수 있다. 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 각각은 발광층(EML, 도 7), 발광층(EML, 도7)을 사이에 두고 배치된 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함하는 것일 수 있다.
즉, 일 실시예의 표시 장치(DD-TD)에 포함된 발광 소자(ED-BT)는 복수의 발광층들을 포함하는 탠덤(Tandem) 구조의 발광 소자일 수 있다.
도 8에 도시된 일 실시예에서 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 각각에서 방출되는 광은 모두 청색광일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 각각에서 방출되는 광의 파장 영역은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 서로 다른 파장 영역의 광을 방출하는 복수 개의 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3)을 포함하는 발광 소자(ED-BT)는 백색광을 방출할 수 있다.
이웃하는 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 사이에는 전하생성층(CGL1, CGL2)이 배치될 수 있다. 전하생성층(CGL1, CGL2)은 p형 전하생성층 및/또는 n형 전하생성층을 포함하는 것일 수 있다.
이하에서는, 실시예 및 비교예를 참조하면서, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 함질소 화합물 및 일 실시예의 발광 소자에 대해서 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 일 예시이며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
1. 아민 화합물의 합성
먼저, 본 실시 형태에 따른 아민 화합물의 합성 방법에 대해서, 화합물 5, 8, 16, 37, 43, 112, 114, 121, 122, 198, 185, 54, 57, 92, 111, 및 220의 합성 방법을 예시하여 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 아민 화합물의 합성법은 일 실시예로서, 본 발명의 실시형태에 따른 아민 화합물의 합성법이 하기의 실시예에 한정되지 않는다.
(1) 중간체 A 내지 중간체 N의 합성
(중간체 A의 합성)
Figure pat00150
Ar 분위기하, 2 L의 3구 Flask에, 2-Biphenylboronic acid (20.0 g), 4-Bromo-4'-chloro-1,1'-biphenyl (27.0 g), Tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (Pd(PPh3)4, 5.8 g), Potassium carbonate (K2CO3, 30 g)를 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 500 mL)에 용해해, 80°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 A를 27.5 g (수율 80%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 A의 분자량은 340이었다.
(중간체 B의 합성)
Figure pat00151
Ar 분위기하, 2 L의 3구 Flask에, 3-Biphenylboronic acid (20.0 g), 4-Bromo-4'-chloro-1,1'-biphenyl (27.0 g), Tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (Pd(PPh3)4, 5.8 g), Potassium carbonate (K2CO3, 30 g)를 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 500 mL)에 용해해, 80°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 B를 26.8 g (수율 78%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 B의 분자량은 340이었다.
(중간체 C의 합성)
Figure pat00152
Ar 분위기하, 2 L의 3구 Flask에, 2-Biphenylboronic acid (20.0 g), 3-Bromo-4'-chloro-1,1'-biphenyl (27.0 g), Tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (Pd(PPh3)4, 5.8 g), Potassium carbonate (K2CO3, 30 g)를 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 500 mL)에 용해해, 80°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 C를 29.3 g (수율 85%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 C의 분자량은 340이었다.
(중간체 D의 합성)
Figure pat00153
Ar 분위기하, 1 L의 3구 Flask에, 1-Bromo-2-iodobenzene (25.0 g), 4-Chlorophenylboronic acid (13.8 g), Pd(PPh3)4 (5.1 g), K2CO3 (24.4 g)을 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 350 mL)에 용해해, 80°C에서 4시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해 중간체 D를 22.1 g (수율 94%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 D의 분자량은 267이었다.
(중간체 E의 합성)
Figure pat00154
Ar 분위기하, 1 L의 3구 Flask에, 중간체 D (15.0 g), 2-Biphenylboronic acid (11.1 g), Pd(PPh3)4 (6.5 g), K2CO3 (15.5 g)을 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 280 mL)에 용해해, 80°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해 중간체 E를 12.4 g (수율 65%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 E의 분자량은 340이었다.
(중간체 F의 합성)
Figure pat00155
Ar 분위기하, 1 L의 3구 Flask에, 8-Amino-2-naphthol (10.0 g), Triethylamine (12.0 mL)을 넣고 Dioxane (200 mL)에 용해해, N-Phenylbis(trifluoromethanesulfonimide) (25.1 g)의 Dioxane 용액 (80 mL) 을 적하했다. 실온에서 4시간 교반한 후, Hexane을 더하여 석출한 고체를 여취해, 중간체 F를 15.9 g (수율 87%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 F의 분자량은 291이었다.
(중간체 G의 합성)
Figure pat00156
Ar 분위기하, 500 mL의 3구 Flask에, 중간체 F (3.0 g), Phenylboronic acid (1.67 g), Pd(PPh3)4 (0.4 g), K2CO3 (2.85 g)을 넣고, THF, 물의 혼합 용매 (8:2, 110 mL)에 용해해, 70°C에서 5시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 G를 1.83 g (수율 81%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 G의 분자량은 219였다.
(중간체 H의 합성)
Figure pat00157
대기하, 300 mL의 3구 Flask에, 중간체 G (1.5 g)를 넣고 Acetonitrile / 물 (1:1, 13 mL)에 용해했다. 농염산 (5.2 mL)과 Sodium nitrite (0.8 g)를 더하여, 0°C에서 15분 교반했다. Potassium Iodide (9.4 g) 의 수용액(26 mL)을 서서히 더한 후, 0°C에서 2시간 교반했다. 그 다음, CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 H를 1.29 g (수율 57%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 H의 분자량은 330이었다.
(중간체 I의 합성)
Figure pat00158
Ar 분위기하, 300 mL의 3구 Flask에, 중간체 H (5.0 g), 4-Chlorophenylboronic acid (2.37 g), Pd(PPh3)4 (0.9 g), K2CO3 (4.2 g)을 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 100 mL)에 용해해, 80°C에서 6시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 I를 3.62 g (수율 76%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 I의 분자량은 314였다.
(중간체 J의 합성)
Figure pat00159
Ar 분위기하, 1 L의 3구 Flask에, 1,8-Dibromonaphthalene (20.0 g), Phenylboronic acid (8.52 g), Pd(PPh3)4 (4.0 g), Sodium carbonate (Na2CO3, 15 g)를 넣고, THF과 물의 혼합 용매 (8:2, 350 mL)에 용해해, 70°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 J를 14.8 g (수율 75%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 J의 분자량은 283이었다.
(중간체 K의 합성)
Figure pat00160
Ar 분위기하, 300 mL의 3구 Flask에, 중간체 J (5.0 g), 4-Chlorophenylboronic acid (2.76 g), Pd(PPh3)4 (1.0 g), K2CO3 (4.9 g)을 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 100 mL)에 용해해, 80°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 K를 3.17 g (수율 57%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 K의 분자량은 314였다.
(중간체 L의 합성)
Figure pat00161
Ar 분위기하, 300 mL의 3구 Flask에, 중간체 K (5.0 g), 4-(4,4,5,5-Tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)aniline (3.48 g), Pd(PPh3)4 (1.0 g), K2CO3 (4.9 g)을 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 100 mL)에 용해해, 80°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 L을 3.17 g (수율 57%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 L의 분자량은 371이었다.
(중간체 M의 합성)
Figure pat00162
Ar 분위기하, 300 mL의 3구 Flask에, 중간체 J (5.0 g), 3-(4,4,5,5-Tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)aniline (3.87 g), Pd(PPh3)4 (1.0 g), K2CO3 (4.9 g)을 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 100 mL)에 용해해, 80°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 M을 2.87 g (수율 55%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 M의 분자량은 295였다.
(중간체 N의 합성)
Figure pat00163
Ar 분위기하, 300 mL의 3구 Flask에, 중간체 J (5.0 g), 4-(4,4,5,5-Tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)aniline (3.8 g), Pd(PPh3)4 (1.0 g), K2CO3 (4.9 g)을 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 100 mL)에 용해해, 80°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 N을 2.09 g (수율 40%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 N의 분자량은 295였다.
(2) 화합물 5의 합성
(중간체 O의 합성)
Figure pat00164
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, Aniline (1.0 g), 중간체 I (3.38 g), Pd(dba)2 (0.3 g), NaOtBu (1.1 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.5 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 O를 3.39 g (수율 85%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 O의 분자량은 371이었다.
(화합물 5의 합성)
Figure pat00165
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 O (1.5 g), 중간체 A (1.51 g), Pd(dba)2 (0.1 g), NaOtBu (0.6 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.2 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 화합물 5를 2.16 g (수율 79%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 5의 분자량은 675였다.
(3) 화합물 8의 합성
(중간체 P의 합성)
Figure pat00166
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 3-Aminobiphenyl (1.5 g), 중간체 K (2.79 g), Pd(dba)2 (0.3 g), NaOtBu (1.1 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.5 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 P를 2.74 g (수율 69%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 P의 분자량은 447이었다.
(화합물 8의 합성)
Figure pat00167
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 P (1.5 g), 중간체 A (1.25 g), Pd(dba)2 (0.1 g), NaOtBu (0.6 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.2 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 화합물 8을 2.12 g (수율 84%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 8의 분자량은 751이었다.
(4) 화합물 16의 합성
(중간체 Q의 합성)
Figure pat00168
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 N (1.5 g), 중간체 E (1.73 g), Pd(dba)2 (0.3 g), NaOtBu (1.1 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.5 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 Q를 1.98 g (수율 65%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 Q의 분자량은 599였다.
(화합물 16의 합성)
Figure pat00169
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 Q (1.5 g), 4-Bromobiphenyl (0.64 g), Pd(dba)2 (0.1 g), NaOtBu (0.6 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.2 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 화합물 16을 1.58 g (수율 84%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 16의 분자량은 751이었다.
(5) 화합물 37의 합성
(중간체 R의 합성)
Figure pat00170
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, Bromobenzene (1.0 g), 중간체 L (2.36 g), Pd(dba)2 (0.3 g), NaOtBu (1.1 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.5 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 R을 1.57 g (수율 55%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 R의 분자량은 447이었다.
(화합물 37의 합성)
Figure pat00171
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 R (1.5 g), 중간체 E (1.25 g), Pd(dba)2 (0.1 g), NaOtBu (0.6 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.2 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 화합물 37을 2.02 g (수율 80%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 37의 분자량은 751이었다.
(6) 화합물 43의 합성
(중간체 S의 합성)
Figure pat00172
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 M (1.5 g), 4-Bromobiphenyl (1.19 g), Pd(dba)2 (0.3 g), NaOtBu (1.1 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.5 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 S를 1.57 g (수율 59%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 S의 분자량은 447이었다.
(화합물 43의 합성)
Figure pat00173
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 S (1.5 g), 중간체 B (1.26 g), Pd(dba)2 (0.1 g), NaOtBu (0.6 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.2 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 화합물 43을 1.99 g (수율 79%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 43의 분자량은 751이었다.
(7) 화합물 112의 합성
(중간체 T의 합성)
Figure pat00174
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 3-Aminodibenzofuran (1.5 g), 중간체 K (2.58 g), Pd(dba)2 (0.3 g), NaOtBu (1.1 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.5 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 T를 2.68 g (수율 71%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 T의 분자량은 461이었다.
(화합물 112의 합성)
Figure pat00175
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 T (1.5 g), 중간체 A (1.22 g), Pd(dba)2 (0.1 g), NaOtBu (0.6 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.2 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 화합물 112를 1.99 g (수율 80%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 112의 분자량은 765였다.
(8) 화합물 114의 합성
Figure pat00176
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 T (1.5 g), 중간체 E (1.22 g), Pd(dba)2 (0.1 g), NaOtBu (0.6 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.2 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 화합물 114를 2.07 g (수율 83%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 114의 분자량은 765였다.
(9) 화합물 121의 합성
(중간체 U의 합성)
Figure pat00177
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 N (1.5 g), 4-Bromodibenzothiophene (1.34 g), Pd(dba)2 (0.3 g), NaOtBu (1.1 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.5 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 U를 1.87 g (수율 77%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 U의 분자량은 477이었다.
(화합물 121의 합성)
Figure pat00178
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 U(1.5 g), 중간체 C (1.18 g), Pd(dba)2 (0.1 g), NaOtBu (0.6 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.2 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 화합물 121을 1.89 g (수율 77%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 121의 분자량은 782였다.
(10) 화합물 122의 합성
Figure pat00179
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 U(1.5 g), 중간체 E (1.18 g), Pd(dba)2 (0.1 g), NaOtBu (0.6 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.2 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 화합물 122를 1.96 g (수율 80%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 122의 분자량은 782였다.
(11) 화합물 198의 합성
(중간체 V의 합성)
Figure pat00180
Ar 분위기하, 1 L의 3구 Flask에, 8-Iodo-2-bromonaphthalene (25.0 g), Phenylboronic acid (10.1 g), Pd(PPh3)4 (4.3 g), K2CO3 (22 g)을 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 350 mL)에 용해해, 80°C에서 4시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 V를 16.0 g (수율 75%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 V의 분자량은 283이었다.
(중간체 W의 합성)
Figure pat00181
Ar 분위기하, 1 L의 3구 Flask에, 중간체 V (13.0 g), 4-Chlorophenylboronic acid (7.9 g), Pd(PPh3)4 (2.7 g), K2CO3 (13 g)을 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 280 mL)에 용해해, 80°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 W를 11.7 g (수율 81%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 W의 분자량은 314였다.
(중간체 X의 합성)
Figure pat00182
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 W (1.5 g), 3-Aminodibenzofuran (0.87 g), Pd(dba)2 (0.3 g), NaOtBu (1.1 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.5 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 X를 1.54 g (수율 70%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 X의 분자량은 461이었다.
(화합물 198의 합성)
Figure pat00183
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 X(1.5 g), 중간체 E (1.11 g), Pd(dba)2 (0.1 g), NaOtBu (0.6 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.2 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 화합물 198을 2.09 g (수율 84%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 198의 분자량은 765였다.
(12) 화합물 185의 합성
(중간체 Y의 합성)
Figure pat00184
Ar 분위기하, 1 L의 3구 Flask에, 2-Bromo-1-phenylnaphthalene (5.0 g), 4-Chlorophenylboronic acid (2.76 g), Pd(PPh3)4 (2.7 g), K2CO3 (13 g)을 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 280 mL)에 용해해, 80°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 Y를 4.06 g (수율 73%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 Y의 분자량은 314였다.
(중간체 Z의 합성)
Figure pat00185
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, Aniline (0.9 g), 중간체 Y (3.0 g), Pd(dba)2 (0.3 g), NaOtBu (1.1 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.5 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 Z를 2.58 g (수율 73%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 Z의 분자량은 371이었다.
(화합물 185의 합성)
Figure pat00186
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 Z (1.5 g), 중간체 E (1.37 g), Pd(dba)2 (0.1 g), NaOtBu (0.6 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.2 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 화합물 185를 2.18 g (수율 80%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 185의 분자량은 675였다.
(13) 화합물 54의 합성
(중간체 AA의 합성)
Figure pat00187
Ar 분위기하, 300 mL의 3구 Flask에, 1-Bromo-4-phenylnaphthalene (10.0 g), 4-(4,4,5,5-Tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)aniline (7.73 g), Pd(PPh3)4 (1.0 g), K2CO3 (4.9 g)을 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 100 mL)에 용해해, 80°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 AA를 6.68 g (수율 64%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 AA의 분자량은 295였다.
(중간체 AB의 합성)
Figure pat00188
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 AA (3.0 g), 4-Bromobiphenyl (2.37 g), Pd(dba)2 (0.3 g), NaOtBu (1.1 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.5 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 AB를 3.45 g (수율 76%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 AB의 분자량은 447이었다.
(화합물 54의 합성)
Figure pat00189
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 AB(1.5 g), 중간체 E (1.14 g), Pd(dba)2 (0.1 g), NaOtBu (0.6 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.2 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 화합물 54를 2.02 g (수율 80%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 54의 분자량은 751이었다.
(14) 화합물 57의 합성
(중간체 AC의 합성)
Figure pat00190
Ar 분위기하, 1 L의 3구 Flask에, 1,5-Dibromonaphthalene (20.0 g), Phenylboronic acid (17.05 g), Pd(PPh3)4 (8.1 g), K2CO3 (39 g)을 넣고 toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 500 mL)에 용해해, 80°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해 중간체 AC를 15.7 g (수율 80%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 AC의 분자량은 280이었다.
(중간체 AD의 합성)
Figure pat00191
Ar 분위기하, 500 mL의 3구 Flask에, 중간체 AC (15.0 g)를 넣고 CH2Cl2 (100 mL)에 용해해 0°C에서 교반했다. Br2 (9.4 g)를 CH2Cl2 (50 mL)에 녹인 용액을 서서히 더했다. 실온에서 3시간 교반한 후, NaHCO3 수용액을 더하여 CH2Cl2로 추출했다. 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 Acetone으로 세정해, 중간체 AD를 17.3 g (수율 90%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 AD의 분자량은 359였다.
(중간체 AE의 합성)
Figure pat00192
Ar 분위기하, 1 L의 3구 Flask에, 중간체 AD (5.0 g), 4-Chlorophenylboronic acid (2.18 g), Pd(PPh3)4 (2.7 g), K2CO3 (13 g)을 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 280 mL)에 용해해, 80°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 AE를 4.24 g (수율 78%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 AE의 분자량은 390이었다.
(중간체 AF의 합성)
Figure pat00193
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, Aniline (0.71 g), 중간체 AE (3.0 g), Pd(dba)2 (0.3 g), NaOtBu (1.1 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.5 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 AF를 2.40 g (수율 70%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 AF의 분자량은 447이었다.
(화합물 57의 합성)
Figure pat00194
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 AF(1.5 g), 중간체 C (1.14 g), Pd(dba)2 (0.1 g), NaOtBu (0.6 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.2 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 화합물 57을 2.07 g (수율 82%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 57의 분자량은 751이었다.
(15) 화합물 92의 합성
(중간체 AG의 합성)
Figure pat00195
Ar 분위기하, 1 L의 3구 Flask에, 1,8-Dibromonaphthalene (10.0 g), Dibenzothiophen-4-ylboronic acid (7.97 g), Pd(PPh3)4 (4.0 g), Sodium carbonate (Na2CO3, 15 g)를 넣고, THF과 물의 혼합 용매 (8:2, 350 mL)에 용해해, 70°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 AG를 9.12 g (수율 67%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 AG의 분자량은 389였다.
(중간체 AH의 합성)
Figure pat00196
Ar 분위기하, 1 L의 3구 Flask에, 중간체 AG (5.0 g), 4-Chlorophenylboronic acid (2.01 g), Pd(PPh3)4 (2.7 g), K2CO3 (13 g)을 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 280 mL)에 용해해, 80°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 AH를 3.14 g (수율 58%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 AH의 분자량은 420이었다.
(중간체 AI의 합성)
Figure pat00197
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, Aniline (0.66 g), 중간체 AH (3.0 g), Pd(dba)2 (0.3 g), NaOtBu (1.1 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.5 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 AI를 2.66 g (수율 78%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 AI의 분자량은 477이었다.
(화합물 92의 합성)
Figure pat00198
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 AI (1.5 g), 중간체 A (1.07 g), Pd(dba)2 (0.1 g), NaOtBu (0.6 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.2 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 화합물 92를 1.79 g (수율 73%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 92의 분자량은 782였다.
(16) 화합물 111의 합성
(중간체 AJ의 합성)
Figure pat00199
Ar 분위기하, 500 mL의 3구 Flask에, 중간체 J (10.0 g)를 넣고, THF (100 mL)에 용해해, -78°C로 냉각한 후, n-BuLi Hexane 용액(1.6 M, 33 mL)을 적하해 1시간 교반한 후, B(OMe)3 (19.8 g)을 더하여 -78°C에서 1시간 교반하고, 실온에서 3시간 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 Hexane으로 세정해, 중간체 AJ를 6.22 g (수율 71%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 AJ의 분자량은 248이었다.
(중간체 AK의 합성)
Figure pat00200
Ar 분위기하, 1 L의 3구 Flask에, 중간체 AJ (5.0 g), 1-Bromo-4-iododibenzofuran (7.52 g), Pd(PPh3)4 (2.7 g), K2CO3 (13 g)을 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 280 mL)에 용해해, 80°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 AK를 5.89 g (수율 65%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 AK의 분자량은 449였다.
(중간체 AL의 합성)
Figure pat00201
Ar 분위기하, 1 L의 3구 Flask에, 1-Bromo-2-iodobenzene (10.0 g), 3-Biphenylboronic acid (7.00 g), Pd(PPh3)4 (5.1 g), K2CO3 (24.4 g)을 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 350 mL)에 용해해, 80°C에서 4시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해 중간체 AL을 8.74 g (수율 80%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 AL의 분자량은 309였다.
(중간체 AM의 합성)
Figure pat00202
Ar 분위기하, 300 mL의 3구 Flask에, 중간체 AL (8.0 g), 4-(4,4,5,5-Tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)aniline (5.67 g), Pd(PPh3)4 (1.0 g), K2CO3 (4.9 g)을 넣고, toluene, 물, Ethanol의 혼합 용매 (10:2:1, 100 mL)에 용해해, 80°C에서 10시간 가열 교반했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 AM을 4.41 g (수율 53%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 AM의 분자량은 321이었다.
(중간체 AN의 합성)
Figure pat00203
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 4-Bromobiphenyl (2.18 g), 중간체 AM (3.0 g), Pd(dba)2 (0.3 g), NaOtBu (1.1 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.5 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 AN을 3.27 g (수율 74%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 AN의 분자량은 473이었다.
(화합물 111의 합성)
Figure pat00204
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 AN (1.5 g), 중간체 AK (1.42 g), Pd(dba)2 (0.1 g), NaOtBu (0.6 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.2 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 화합물 111을 2.16 g (수율 81%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 111의 분자량은 842였다.
(17) 화합물 220의 합성
(중간체 AO의 합성)
Figure pat00205
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 3-Bromodibenzofuran (3.0 g), 중간체 M (3.58 g), Pd(dba)2 (0.3 g), NaOtBu (1.1 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.5 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 중간체 AO를 4.54 g (수율 81%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 중간체 AO의 분자량은 461이었다.
(화합물 220의 합성)
Figure pat00206
Ar 분위기하, 200 mL의 3구 Flask에, 중간체 AO (1.5 g), 중간체 E (1.10 g), Pd(dba)2 (0.1 g), NaOtBu (0.6 g)를 넣고 Toluene (50 mL)에 용해해, P(tBu)3 (2.0 M in toluene, 0.2 mL)을 더하여, 6시간 가열 환류했다. 물을 더하여 CH2Cl2로 추출해, 유기층을 합하여 MgSO4로 건조한 후, 용매를 감압 유거했다. 얻어진 조생성물을 silica gel column chromatography로 정제해, 화합물 220을 1.97 g (수율 79%) 얻었다. FAB-MS 측정에 의해 측정된 화합물 220의 분자량은 765였다.
1. 아민 화합물을 포함하는 발광 소자의 제작 및 평가
(1) 아민 화합물을 정공 수송층 재료로 이용한 발광 소자 제작 및 평가
(발광 소자의 제작)
상술한 화합물 5, 8, 16, 37, 43, 112, 114, 121, 122, 198, 185, 54, 57, 92, 111, 및 220을 정공수송층 재료로 사용하여 실시예 1 내지 16의 발광 소자를 제작하였다.
[실시예 화합물]
Figure pat00207
Figure pat00208
Figure pat00209
Figure pat00210
Figure pat00211
하기 비교예 화합물 X-1 내지 X-7을 비교예 소자 작성에 사용하였다.
[비교예 화합물]
Figure pat00212
Figure pat00213
일 실시예의 아민 화합물을 정공 수송층에 포함하는 일 실시예의 발광 소자를 아래의 방법으로 제조하였다. 실시예 1 내지 실시예 16은 상술한 실시예 화합물인 화합물 5, 8, 16, 37, 43, 112, 114, 121, 122, 198, 185, 54, 57, 92, 111, 및 220을 정공 수송층 재료로 사용하여 제작된 발광 소자에 해당한다. 비교예 1 내지 비교예 7은 비교예 화합물 X-1 내지 비교예 화합물 X-7을 정공 수송층 재료로 사용하여 제작된 발광 소자에 해당한다.
ITO로 150nm 두께의 제1 전극을 형성하고, 2-TNATA(4,4',4"-tris[N(2-naphthyl)-N-phenylamino]-triphenylamine)으로 60nm 두께의 정공 주입층을 형성하고, 실시예 화합물 또는 비교예 화합물로 30nm 두께의 정공 수송층을 형성하고, ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene)에 TBP(2,5,8,11-Tetra-t-butylperylene)를 3% 도프한 25nm 두께의 발광층을 형성하고, Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)로 25nm 두께의 전자 수송층을 형성하고, LiF로 1nm 두께의 전자 주입층을 형성하고, Al로 100nm 두께의 제2 전극을 형성하였다. 각 층은 진공 분위기 하에서 증착법에 의해 형성하였다.
실시예 및 비교예의 발광 소자 제작에 사용된 화합물들은 아래에 개시하였다. 하기 물질들은 공지된 물질이며, 시판품을 승화 정제하여 소자 제작에 사용하였다.
Figure pat00214
(실험예)
상술한 실험예 화합물 5, 8, 16, 37, 43, 112, 114, 121, 122, 198, 185, 54, 57, 92, 111, 및 220, 및 비교예 화합물 X-1 내지 비교예 화합물 X-7로 제작한 발광 소자의 소자 효율을 평가하였다. 평가 결과를 하기 표 1에 나타낸다. 소자 평가에 있어서, 전류 밀도 10mA/cm2 에서의 발광 소자의 발광 효율 및 소자 수명을 측정하여 표기하였다. 또한, 발광 효율 및 소자 수명은 비교예 1의 발광 효율 및 소자 수명을 100%로 했을 때, 비교값을 나타내었다. 발광 소자의 발광 효율 및 소자 수명 평가에 있어서, 하마마츠포토닉스 제품 C9920-11 휘도 배향 특성 측정 장치를 이용하였다.
소자작성예 정공 수송층 화합물 발광 효율(%) 소자 수명(LT50, %)
실시예 1 실시예 화합물 5 110% 110%
실시예 2 실시예 화합물 8 107% 120%
실시예 3 실시예 화합물 16 103% 180%
실시예 4 실시예 화합물 37 103% 170%
실시예 5 실시예 화합물 43 108% 130%
실시예 6 실시예 화합물 112 103% 150%
실시예 7 실시예 화합물 114 103% 190%
실시예 8 실시예 화합물 121 110% 150%
실시예 9 실시예 화합물 122 111% 160%
실시예 10 실시예 화합물 198 103% 170%
실시예 11 실시예 화합물 185 110% 120%
실시예 12 실시예 화합물 54 105% 150%
실시예 13 실시예 화합물 57 103% 120%
실시예 14 실시예 화합물 92 108% 130%
실시예 15 실시예 화합물 111 111% 120%
실시예 16 실시예 화합물 220 110% 170%
비교예 1 비교예 화합물 X-1 100% 100%
비교예 2 비교예 화합물 X-2 95% 110%
비교예 3 비교예 화합물 X-3 98% 90%
비교예 4 비교예 화합물 X-4 97% 100%
비교예 5 비교예 화합물 X-5 96% 100%
비교예 6 비교예 화합물 X-6 100% 50%
비교예 7 비교예 화합물 X-7 99% 80%
표 1의 결과를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 아민 화합물을 정공 수송층 재료로 사용한 발광 소자의 실시예들의 경우 비교예와 비교하여 발광 효율 및 소자 수명이 향상된 것을 확인할 수 있다.실시예 화합물들의 경우 아민기의 질소 원자에 나프틸기 및 쿼터페닐기가 연결된 구조를 가진다. 쿼터페닐기는 한 쪽 말단 벤젠 고리 중 하나의 탄소 원자 위치에서 아민기의 질소 원자와 연결된 구조를 가질 수 있다. 나프틸기는 링커를 통해서 아민기의 질소 원자와 연결되고, 나프틸기의 공액 구조를 확장하는 치환기를 적어도 하나 이상 포함할 수 있다. 이러한 구조를 가지는 실시예 화합물들은 분자 전체의 정공 수송능이 향상되며, 전자 내성 특성이 증대될 수 있어, 발광 소자에 적용되었을 때 발광 소자의 효율 및 수명이 향상된다. 특히, 일 실시예의 발광 소자는 일 실시예의 아민 화합물을 발광 소자의 정공 수송층 재료로 포함함으로써, 발광 소자의 효율 및 수명이 향상될 수 있다.
비교예 1에 포함된 비교예 화합물 X-1의 경우 Z형의 쿼터페닐기를 치환기로 포함하고, p-페닐렌을 개재하여 나프틸기의 1번 탄소와 아민기의 질소 원자가 연결된 구조를 포함하나, 나프틸기의 2번 탄소 위치에 페닐기가 치환됨에 따라 발광 소자의 발광 효율 및 수명이 모두 저하했다. 이는 비교예 1과 실시예 6의 결과를 보면 확인할 수 있는데, 비교예 화합물 X-1의 경우 나프틸기의 2번 탄소에 페닐기가 치환되면서 나프틸기와 링커 사이의 결합각이 증가하여 공액이 상대적으로 확장되기 어려운 구조를 가지게 되고, 이로 인해 정공 수송 능력이 저하되어 발광층 내의 전하 균형이 저하되어 나타나는 결과라 판단한다.
비교예 2 내지 비교예 4에 포함된 비교예 화합물 X-2 내지 비교예 화합물 X-4의 경우 나프틸기 및 쿼터페닐기를 모두 치환기로 포함하지 않아 정공 수송성 및 전자 내성이 충분하지 않으므로 실시예들에 비해 발광 효율 및 소자 수명이 떨어지는 것을 확인할 수 있다.
비교예 5 및 비교예 6에 포함된 비교예 화합물 X-5 및 비교예 화합물 X-6의 경우 아민기의 치환기로 나프틸기 및 쿼터페닐기를 포함하고, 나프틸기가 페닐렌을 개재하여 아민기의 질소 원자와 연결된 구조를 가지나, 선형 쿼터페닐기가 아닌 분지형 쿼터페닐기를 치환기로 포함하여 분자 전체 부피가 부족하여 전자 및 여기자에 대한 내성 특성이 저하되어 실시예들에 비해 발광 효율 및 소자 수명이 모두 저하했다. 특히, 비교예 화합물 X-6와 같이 질소 원자 주변 부피만을 크게 한 경우, 분자 내에서의 입체 반발이 높아져 재료 안정성이 감소되어 소자 수명 특성이 현저하게 낮아진 것을 확인할 수 있다.
비교예 7에 포함된 비교예 화합물 X-7의 경우 아민기의 치환기로 쿼터페닐기를 포함하나, 다른 치환기로 나프틸기가 아닌 4차 탄소를 포함하는 9,9-디메틸플루오렌기를 포함하여 실시예 화합물들에 비해 재료 안정성이 저하되고, 이에 따라 비교예 7의 소자가 실시예들에 비해 발광 효율 및 소자 수명이 저하한 것을 확인할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DD, DD-TD : 표시 장치
ED: 발광 소자 EL1 : 제1 전극
EL2 : 제2 전극 HTR : 정공 수송 영역
EML : 발광층 ETR : 전자 수송 영역

Claims (20)

  1. 제1 전극;
    상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극; 및
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 복수의 유기층들을 포함하고,
    상기 복수의 유기층들 중 적어도 하나의 유기층은 아민 화합물을 포함하고,
    상기 아민 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 발광 소자:
    [화학식 1]
    Figure pat00215

    상기 화학식 1에서,
    L은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기이고,
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고,
    m은 1 또는 2 이고,
    M은 하기 화학식 2로 표시되고,
    Ar1 및 Ar2 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 3으로 표시되고:
    [화학식 2]
    Figure pat00216

    상기 화학식 2에서,
    Ra 내지 Rh는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, 단, Ra 내지 Rh 중 적어도 어느 하나는 수소 원자가 아닌 치환기이고,
    Ra 내지 Rh 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L과 연결되는 위치이고:
    [화학식 3]
    Figure pat00217

    상기 화학식 3에서,
    R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고,
    단, R1 및 R2 각각이 비치환된 페닐기인 경우는 제외되고,
    Figure pat00218
    는 상기 화학식 1의 N과 연결되는 위치이고,
    n1 내지 n3은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
    n4는 0 이상 5 이하의 정수이고,
    상기 화학식 1의 L이 p-페닐렌기이고, 상기 화학식 3이 하기 화학식 3-a로 표시되고, 상기 화학식 2의 Ra가 상기 화학식 1의 L과 연결되는 경우, 상기 화학식 2의 Rb는 비치환된 페닐기가 아니다:
    [화학식 3-a]
    Figure pat00219
    .
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 유기층들은
    상기 제1 전극 상에 배치된 정공 수송 영역;
    상기 정공 수송 영역 상에 배치된 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역을 포함하고,
    상기 정공 수송 영역은 상기 아민 화합물을 포함하는 발광 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 정공 수송 영역은
    상기 제1 전극 상에 배치된 정공 주입층; 및
    상기 정공 주입층 상에 배치된 정공 수송층을 포함하고,
    상기 정공 수송층은 상기 아민 화합물을 포함하는 발광 소자.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 정공 수송 영역은 복수의 정공 수송 유기층들을 포함하고,
    상기 정공 수송 영역의 상기 복수의 정공 수송 유기층들 중 상기 발광층에 인접한 정공 수송 유기층은 상기 아민 화합물을 포함하는 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 모노아민 화합물인 발광 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화학식 4-1 또는 화학식 4-2로 표시되는 발광 소자:
    [화학식 4-1]
    Figure pat00220

    [화학식 4-2]
    Figure pat00221

    상기 화학식 4-1 및 화학식 4-2에서,
    Ar1, Ar2, L, Ra 내지 Rh, 및 m은 상기 화학식 1 및 화학식 2에서 정의한 바와 동일하다.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자:
    [화학식 5-1]
    Figure pat00222

    [화학식 5-2]
    Figure pat00223

    [화학식 5-3]
    Figure pat00224

    상기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3에서,
    X1은 NR10, O, 또는 S이고,
    R5 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고,
    n5 내지 n9는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
    단, n8과 n9의 합은 6 이하이고,
    M, Ar1 및 Ar2는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화학식 6-1 내지 화학식 6-5 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자:
    [화학식 6-1]
    Figure pat00225

    [화학식 6-2]
    Figure pat00226

    [화학식 6-3]
    Figure pat00227

    [화학식 6-4]
    Figure pat00228

    [화학식 6-5]
    Figure pat00229

    상기 화학식 6-1 내지 화학식 6-5에서,
    n8-1은 0 이상 2 이하의 정수이고,
    Ar1, Ar2, M, X1, R5 내지 R9, n5 내지 n7, 및 n9는 상기 화학식 1 및 상기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3에서 정의한 바와 동일하다.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1은 상기 화학식 3으로 표시되고,
    상기 Ar2는 하기 화학식 7-1 내지 화학식 7-5 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자:
    [화학식 7-1]
    Figure pat00230

    [화학식 7-2]
    Figure pat00231

    [화학식 7-3]
    Figure pat00232

    [화학식 7-4]
    Figure pat00233

    [화학식 7-5]
    Figure pat00234

    상기 화학식 7-1 내지 화학식 7-5에서,
    Y1은 NR11, O, 또는 S이고,
    Ra1 내지 Ra6, 및 R11은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고,
    Ra7은 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고,
    n10은 0 이상 5 이하의 정수이고,
    n11 및 n16은 각각 독립적으로 0 이상 7 이하의 정수이고,
    n12는 0 이상 9 이하의 정수이고,
    n13은 0 이상 3 이하의 정수이고,
    n14 및 n15는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
    Figure pat00235
    는 상기 화학식 1의 N과 연결되는 위치이다.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 Ra 내지 Rh는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 피리딘기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기인 발광 소자.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1 및 Ar2 중 화학식 3으로 표시되는 적어도 하나는 하기 화학식 8-1 내지 화학식 8-9 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자:
    [화학식 8-1]
    Figure pat00236

    [화학식 8-2]
    Figure pat00237

    [화학식 8-3]
    Figure pat00238

    [화학식 8-4]
    Figure pat00239

    [화학식 8-5]
    Figure pat00240

    [화학식 8-6]
    Figure pat00241

    [화학식 8-7]
    Figure pat00242

    [화학식 8-8]
    Figure pat00243

    [화학식 8-9]
    Figure pat00244

    상기 화학식 8-1 내지 화학식 8-9에서,
    R1 내지 R4, n1 내지 n4, 및
    Figure pat00245
    는 상기 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기인 발광 소자.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1의 L이 상기 화학식 2의 Ra에 연결되는 경우, 상기 Rb 내지 Rh 중 적어도 어느 하나는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 피리딘기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기이고,
    상기 화학식 1의 L이 상기 화학식 2의 Rb에 연결되는 경우, 상기 Ra, 및 Rc 내지 Rh 중 적어도 어느 하나는 치환 또는 비치환된 페닐기인 발광 소자.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화합물군 1의 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자:
    [화합물군 1]
    Figure pat00246

    Figure pat00247

    Figure pat00248

    Figure pat00249

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    Figure pat00269

    Figure pat00270
    .
  15. 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00271

    상기 화학식 1에서,
    L은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기이고,
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고,
    m은 1 또는 2 이고,
    M은 하기 화학식 2로 표시되고,
    Ar1 및 Ar2 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 3으로 표시되고:
    [화학식 2]
    Figure pat00272

    상기 화학식 2에서,
    Ra 내지 Rh는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, 단, Ra 내지 Rh 중 적어도 어느 하나는 수소 원자가 아닌 치환기이고,
    Ra 내지 Rh 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L과 연결되는 위치이고:
    [화학식 3]
    Figure pat00273

    상기 화학식 3에서,
    R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고,
    단, R1 및 R2 각각이 비치환된 페닐기인 경우는 제외되고,
    Figure pat00274
    는 상기 화학식 1의 N과 연결되는 위치이고,
    n1 내지 n3은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
    n4는 0 이상 5 이하의 정수이고,
    상기 화학식 1의 L이 p-페닐렌기이고, 상기 화학식 3이 하기 화학식 3-a로 표시되고, 상기 화학식 2의 Ra가 상기 화학식 1의 L과 연결되는 경우, 상기 화학식 2의 Rb는 비치환된 페닐기가 아니다:
    [화학식 3-a]
    Figure pat00275
    .
  16. 제15항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화학식 4-1 또는 화학식 4-2로 표시되는 아민 화합물:
    [화학식 4-1]
    Figure pat00276

    [화학식 4-2]
    Figure pat00277

    상기 화학식 4-1 및 화학식 4-2에서,
    Ar1, Ar2, L, Ra 내지 Rh, 및 m은 상기 화학식 1 및 화학식 2에서 정의한 바와 동일하다.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3 중 어느 하나로 표시되는 아민 화합물:
    [화학식 5-1]
    Figure pat00278

    [화학식 5-2]
    Figure pat00279

    [화학식 5-3]
    Figure pat00280

    상기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3에서,
    X1은 NR10, O, 또는 S이고,
    R5 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고,
    n5 내지 n9는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
    단, n8과 n9의 합은 6 이하이고,
    M, Ar1 및 Ar2는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화학식 6-1 내지 화학식 6-5 중 어느 하나로 표시되는 아민 화합물:
    [화학식 6-1]
    Figure pat00281

    [화학식 6-2]
    Figure pat00282

    [화학식 6-3]
    Figure pat00283

    [화학식 6-4]
    Figure pat00284

    [화학식 6-5]
    Figure pat00285

    상기 화학식 6-1 내지 화학식 6-5에서,
    n8-1은 0 이상 2 이하의 정수이고,
    Ar1, Ar2, M, X1, R5 내지 R9, n5 내지 n7, 및 n9는 상기 화학식 1 및 상기 화학식 5-1 내지 화학식 5-3에서 정의한 바와 동일하다.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 Ar1은 상기 화학식 3으로 표시되고,
    상기 Ar2는 하기 화학식 7-1 내지 화학식 7-5 중 어느 하나로 표시되는 아민 화합물:
    [화학식 7-1]
    Figure pat00286

    [화학식 7-2]
    Figure pat00287

    [화학식 7-3]
    Figure pat00288

    [화학식 7-4]
    Figure pat00289

    [화학식 7-5]
    Figure pat00290

    상기 화학식 7-1 내지 화학식 7-5에서,
    Y1은 NR11, O, 또는 S이고,
    Ra1 내지 Ra6, 및 R11은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고,
    Ra7은 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고,
    n10은 0 이상 5 이하의 정수이고,
    n11 및 n16은 각각 독립적으로 0 이상 7 이하의 정수이고,
    n12는 0 이상 9 이하의 정수이고,
    n13은 0 이상 3 이하의 정수이고,
    n14 및 n15는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
    Figure pat00291
    는 상기 화학식 1의 N과 연결되는 위치이다.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화합물군 1의 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 아민 화합물:
    [화합물군 1]
    Figure pat00292

    Figure pat00293

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    .
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