KR20220159235A

KR20220159235A - Stacked patch antenna, antenna array, and antenna package

Info

Publication number: KR20220159235A
Application number: KR1020210113399A
Authority: KR
Inventors: 권택선; 박찬주; 정준기; 서정우; 이승윤; 정동진
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2021-05-25
Filing date: 2021-08-26
Publication date: 2022-12-02

Abstract

Provided is a stacked patch antenna, which includes: an upper ground plate having a first upper hole; a first feeding pad provided on the upper ground plate; a first feed line extending from the first feeding pad along a first direction; a lower antenna patch provided on the first feeding pad; an upper antenna patch provided on the lower antenna patch; a first upper pad provided in the first upper hole; and a first upper stub protruding from a side surface of the first upper pad.

Description

Stacked patch antenna, antenna array, and antenna package

본 개시는 적층형 패치 안테나, 안테나 어레이, 및 안테나 패키지에 관한 것이다. The present disclosure relates to a stacked patch antenna, an antenna array, and an antenna package.

적층형 패치 안테나는 서로 이격되어 적층된 하부 안테나 패치 및 상부 안테나 패치를 포함하는 패치 안테나이다. 적층형 패치 안테나는 직접 급전 구조 또는 간접 근접 구조를 가질 수 있다. 직접 급전 구조의 경우, 하부 안테나 패치에 비아(Via)가 직접 연결되어 하부 안테나 패치를 급전한다. 간접 급전 구조의 경우, 하부 안테나 패치 아래에 하부 안테나 패치와 이격되어 제공되는 급전 라인에 의해 하부 안테나 패치를 급전한다. A stacked patch antenna is a patch antenna including a lower antenna patch and an upper antenna patch stacked apart from each other. The stacked patch antenna may have a direct feeding structure or an indirect proximity structure. In the case of the direct power supply structure, vias are directly connected to the lower antenna patch to supply power to the lower antenna patch. In the case of the indirect feeding structure, the lower antenna patch is fed by a feeding line spaced apart from the lower antenna patch provided under the lower antenna patch.

복수의 안테나들을 포함하는 안테나 어레이의 경우, 안테나들 사이의 간격을 좁혀서 넓은 조향 범위를 확보한다. 안테나들 사이의 간격이 좁은 경우 안테나들 간의 커플링이 발생하여 임피던스 매칭의 열화가 발생되어, 안테나 어레이의 동작 대역폭이 개별 안테나의 대역폭보다 작아진다. 따라서, 개별 안테나의 동작 대역폭은 안테나 어레이에 요구되는 동작 대역폭보다 넓을 것이 요구된다. In the case of an antenna array including a plurality of antennas, a wide steering range is secured by narrowing the distance between the antennas. When the spacing between the antennas is narrow, coupling between the antennas occurs and impedance matching is deteriorated, so that the operating bandwidth of the antenna array is smaller than that of individual antennas. Therefore, the operating bandwidth of individual antennas is required to be wider than the operating bandwidth required for the antenna array.

적층형 패치 안테나의 동작 대역폭은 상부 안테나 패치와 하부 안테나 패치 사이의 크기 편차에 따라 달라진다. 상부 안테나 패치와 하부 안테나 패치 사이의 크기 편차가 클수록 적층형 패치 안테나의 동작 대역폭은 넓어지지만, 적층형 패치 안테나의 임피던스와 외부의 임피던스 사이에 임피던스 부정합이 발생할 가능성도 높아진다. The operating bandwidth of the stacked patch antenna varies depending on the size difference between the upper and lower antenna patches. As the size difference between the upper and lower antenna patches increases, the operating bandwidth of the stacked patch antenna widens, but the possibility of impedance mismatch between the impedance of the stacked patch antenna and the external impedance increases.

해결하고자 하는 과제는 광대역 특성을 갖는 적층형 패치 안테나를 제공하는 것에 있다. A problem to be solved is to provide a stacked patch antenna having broadband characteristics.

해결하고자 하는 과제는 광대역 특성을 갖는 적층형 패치 안테나를 포함하는 안테나 어레이 및 안테나 패키지를 제공하는 것에 있다.An object to be solved is to provide an antenna array and an antenna package including a stacked patch antenna having broadband characteristics.

해결하고자 하는 과제는 상부 안테나 패치와 하부 안테나 패치가 큰 크기 편차를 가지더라도 임피던스 매칭이 될 수 있는 적층형 패치 안테나를 제공하는 것에 있다. An object to be solved is to provide a stacked patch antenna capable of impedance matching even if the upper antenna patch and the lower antenna patch have a large size difference.

해결하고자 하는 과제는 상부 안테나 패치와 하부 안테나 패치가 큰 크기 편차를 가지더라도 임피던스 매칭이 될 수 있는 광대역 매칭 회로를 구현하는 적층형 패치 안테나를 포함하는 안테나 어레이 및 안테나 패키지를 제공하는 것에 있다.An object to be solved is to provide an antenna array and an antenna package including a stacked patch antenna that implements a broadband matching circuit capable of impedance matching even if an upper antenna patch and a lower antenna patch have a large size difference.

다만, 해결하고자 하는 과제는 상기 개시에 한정되지 않는다.However, the problem to be solved is not limited to the above disclosure.

일 측면에 있어서, 제1 상부 홀을 가지는 상부 접지 플레이트; 상기 상부 접지 플레이트 상에 제공되는 제1 급전 패드; 상기 제1 급전 패드로부터 제1 방향을 따라 연장하는 제1 급전 라인; 상기 제1 급전 패드 상에 제공되는 하부 안테나 패치; 상기 하부 안테나 패치 상에 제공되는 상부 안테나 패치; 상기 제1 상부 홀 내에 제공되는 제1 상부 패드; 및 상기 제1 상부 패드의 측면으로부터 돌출되는 제1 상부 스터브;를 포함하는 적층형 패치 안테나가 제공될 수 있다.In one aspect, the upper ground plate having a first upper hole; a first feeding pad provided on the upper ground plate; a first feed line extending from the first feed pad along a first direction; a lower antenna patch provided on the first feeding pad; an upper antenna patch provided on the lower antenna patch; a first upper pad provided in the first upper hole; and a first upper stub protruding from a side surface of the first upper pad.

상기 제1 방향을 따르는 상기 상부 안테나 패치의 크기는 상기 제1 방향을 따르는 상기 하부 안테나 패치의 크기보다 15 % 이상 클 수 있다.A size of the upper antenna patch along the first direction may be 15% or more larger than a size of the lower antenna patch along the first direction.

상기 상부 접지 플레이트 상에 제공되는 제2 급전 패드; 및 상기 제2 급전 패드로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연장하는 제2 급전 라인;을 더 포함하되, 상기 제2 방향을 따르는 상기 상부 안테나 패치의 크기는 상기 제2 방향을 따르는 상기 하부 안테나 패치의 크기보다 15 % 이상 클 수 있다.a second feeding pad provided on the upper ground plate; and a second feed line extending from the second feed pad along a second direction intersecting the first direction, wherein the size of the upper antenna patch along the second direction is It may be 15% or more larger than the size of the lower antenna patch.

상기 제2 급전 패드와 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 수직한 제3 방향을 따라 중첩되는 제2 상부 패드; 및 상기 제2 상부 패드의 측면으로부터 돌출되는 제2 상부 스터브;를 더 포함할 수 있다. a second upper pad overlapping the second feeding pad along a third direction perpendicular to the first and second directions; and a second upper stub protruding from a side surface of the second upper pad.

상기 제1 급전 라인은 상기 하부 안테나 패치 및 상기 상부 접지 플레이트 사이에 제공될 수 있다.The first feed line may be provided between the lower antenna patch and the upper ground plate.

상기 상부 접지 플레이트에 대해 상기 하부 안테나 패치의 반대편에 제공되는 하부 접지 플레이트; 상기 제1 하부 홀 내에 제공되는 제1 하부 패드; 및 상기 하부 패드의 측면으로부터 돌출되는 제1 하부 스터브;를 더 포함하되, 상기 제1 하부 스터브는 상기 하부 접지 플레이트로부터 이격될 수 있다.a lower ground plate provided on an opposite side of the lower antenna patch to the upper ground plate; a first lower pad provided in the first lower hole; and a first lower stub protruding from a side surface of the lower pad, wherein the first lower stub may be spaced apart from the lower ground plate.

상기 하부 패드의 측면으로부터 돌출되는 제2 하부 스터브;를 더 포함하되, 상기 제2 하부 스터브는 상기 하부 접지 플레이트로부터 이격될 수 있다.The device may further include a second lower stub protruding from a side surface of the lower pad, wherein the second lower stub may be spaced apart from the lower ground plate.

상기 하부 패드의 측면으로부터 돌출되는 제2 하부 스터브;를 더 포함하되, 상기 제2 하부 스터브는 상기 하부 접지 플레이트에 접할 수 있다.The device may further include a second lower stub protruding from a side surface of the lower pad, wherein the second lower stub may come into contact with the lower ground plate.

상기 제1 하부 스터브는 상기 하부 패드의 일측으로부터 돌출되어, 상기 하부 패드의 타측에 연결될 수 있다.The first lower stub may protrude from one side of the lower pad and be connected to the other side of the lower pad.

상기 제1 상부 스터브는 상기 상부 접지 플레이트로부터 이격될 수 있다.The first upper stub may be spaced apart from the upper ground plate.

상기 상부 접지 플레이트로부터 돌출되는 제2 상부 스터브;를 더 포함하되, 상기 제2 상부 스터브는 상기 상부 접지 플레이트에 접할 수 있다.A second upper stub protruding from the upper ground plate may be further included, wherein the second upper stub may come into contact with the upper ground plate.

상기 제1 상부 스터브에 대해 상기 제1 상부 패드의 반대편에 배치되는 제3 상부 스터브;를 더 포함하되, 상기 제3 상부 스터브는 고리 형상을 갖고, 상기 상부 접지 플레이트로부터 이격될 수 있다.The apparatus may further include a third upper stub disposed opposite the first upper pad to the first upper stub, wherein the third upper stub has a ring shape and may be spaced apart from the upper ground plate.

상기 제3 상부 스터브와 상기 상부 접지 플레이트 사이에 제공되는 제4 상부 스터브;를 더 포함하되, 상기 제4 상부 스터브는 상기 제3 상부 스터브와 상기 상부 접지 플레이트에 접할 수 있다.The apparatus may further include a fourth upper stub provided between the third upper stub and the upper ground plate, wherein the fourth upper stub may come into contact with the third upper stub and the upper ground plate.

상기 제1 급전 패드로부터 돌출되는 급전 스터브;를 더 포함할 수 있다.A power supply stub protruding from the first power supply pad may be further included.

상기 급전 스터브는 상기 제1 급전 패드의 일측으로부터 돌출되어, 상기 제1 급전 패드의 타측에 연결될 수 있다.The feed stub may protrude from one side of the first feed pad and be connected to the other side of the first feed pad.

상기 급전 스터브 및 상기 제1 급전 패드에 의해 둘러싸이는 영역에 제공되는 보조 패드;를 더 포함하되, 상기 보조 패드는 상기 급전 스터브 및 상기 제1 급전 패드로부터 이격될 수 있다. An auxiliary pad provided in an area surrounded by the power supply stub and the first power supply pad, wherein the auxiliary pad may be spaced apart from the power supply stub and the first power supply pad.

상기 제1 급전 라인에 대해 상기 제1 급전 패드의 반대편에 배치되는 연결 패드; 및 상기 연결 패드 및 상기 하부 안테나 패치 사이에 제공되는 연결 비아;를 더 포함하되, 상기 연결 비아는 상기 연결 패드 및 상기 하부 안테나 패치에 접할 수 있다. a connection pad disposed opposite to the first feed pad with respect to the first feed line; and a connection via provided between the connection pad and the lower antenna patch, wherein the connection via may contact the connection pad and the lower antenna patch.

상기 하부 안테나 패치의 측면으로부터 돌출되는 돌출 패드;를 더 포함하되, 상기 돌출 패드 및 상기 연결 패드는 서로 마주할 수 있다.A protruding pad protrudes from a side surface of the lower antenna patch, wherein the protruding pad and the connection pad may face each other.

일 측면에 있어서, 복수의 적층형 패치 안테나들을 포함하되, 상기 복수의 적층형 패치 안테나들의 각각은, 제1 상부 홀을 가지는 상부 접지 플레이트, 상기 상부 접지 플레이트 상에 제공되는 제1 급전 패드, 상기 제1 급전 패드로부터 제1 방향을 따라 연장하는 제1 급전 라인, 상기 제1 급전 패드 상에 제공되는 하부 안테나 패치, 상기 하부 안테나 패치 상에 제공되는 상부 안테나 패치, 상기 제1 상부 홀 내에 제공되는 제1 상부 패드, 및 상기 제1 상부 패드의 측면으로부터 돌출되는 제1 상부 스터브;를 포함하는 안테나 어레이가 제공될 수 있다.In one aspect, a plurality of stacked patch antennas are included, wherein each of the plurality of stacked patch antennas includes: an upper ground plate having a first upper hole; a first feeding pad provided on the upper ground plate; A first feed line extending from a feed pad along a first direction, a lower antenna patch provided on the first feed pad, an upper antenna patch provided on the lower antenna patch, and a first feed line provided in the first upper hole. An antenna array including an upper pad and a first upper stub protruding from a side surface of the first upper pad may be provided.

일 측면에 있어서, 복수의 적층형 패치 안테나들; 및 상기 복수의 적층형 패치 안테나들에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)를 제공하는 제어 칩;을 포함하되, 상기 복수의 적층형 패치 안테나들의 각각은, 제1 상부 홀을 가지는 상부 접지 플레이트, 상기 상부 접지 플레이트 상에 제공되는 제1 급전 패드, 상기 제1 급전 패드로부터 제1 방향을 따라 연장하는 제1 급전 라인, 상기 제1 급전 패드 상에 제공되는 하부 안테나 패치, 상기 하부 안테나 패치 상에 제공되는 상부 안테나 패치, 상기 제1 상부 홀 내에 제공되는 제1 상부 패드, 및 상기 제1 상부 패드의 측면으로부터 돌출되는 제1 상부 스터브;를 포함하는 안테나 패키지가 제공될 수 있다.In one aspect, a plurality of stacked patch antennas; and a control chip providing a high-frequency electrical signal (or a high-frequency feed signal) to the plurality of stacked patch antennas, wherein each of the plurality of stacked patch antennas includes an upper ground plate having a first upper hole, the upper A first feed pad provided on a ground plate, a first feed line extending from the first feed pad along a first direction, a lower antenna patch provided on the first feed pad, and a lower antenna patch provided on the lower antenna patch An antenna package including an upper antenna patch, a first upper pad provided in the first upper hole, and a first upper stub protruding from a side surface of the first upper pad may be provided.

본 개시는 광대역 특성을 갖는 적층형 패치 안테나를 제공할 수 있다.The present disclosure may provide a stacked patch antenna having broadband characteristics.

본 개시는 광대역 특성을 갖는 적층형 패치 안테나를 포함하는 안테나 어레이 및 안테나 패키지를 제공할 수 있다.The present disclosure may provide an antenna array and an antenna package including a stacked patch antenna having broadband characteristics.

본 개시는 상부 안테나 패치와 하부 안테나 패치가 큰 크기 편차를 가지더라도 임피던스 매칭이 될 수 있는 적층형 패치 안테나를 제공할 수 있다.The present disclosure can provide a stacked patch antenna capable of impedance matching even if the upper antenna patch and the lower antenna patch have a large size difference.

본 개시는 상부 안테나 패치와 하부 안테나 패치가 큰 크기 편차를 가지더라도 임피던스 매칭이 될 수 있는 광대역 매칭 회로를 구현하는 적층형 패치 안테나를 포함하는 안테나 어레이 및 안테나 패키지를 제공할 수 있다.The present disclosure may provide an antenna array including a stacked patch antenna and an antenna package implementing a broadband matching circuit capable of impedance matching even when an upper antenna patch and a lower antenna patch have a large size difference.

다만, 발명의 효과는 상기 개시에 한정되지 않는다.However, the effect of the invention is not limited to the above disclosure.

도 1은 예시적인 실시예에 따른 적층형 패치 안테나의 사시도이다.
도 2는 도 1의 적층형 패치 안테나의 분해 사시도이다.
도 3은 도 2의 AA’ 부분의 확대도이다.
도 4는 도 1의 적층형 패치 안테나의 I-I’선을 따르는 단면도이다.
도 5는 도 1의 적층형 패치 안테나의 II-II’선을 따르는 단면도이다.
도 6은 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명되는 적층형 패치 안테나에 고주파 급전 신호가 인가되는 경우, 적층형 패치 안테나의 일 부분에 대한 등가 회로도이다.
도 7은 상부 안테나 패치 및 하부 안테나 패치의 크기에 따른 적층형 패치 안테나의 반사 특성을 나타내는 그래프이다.
도 8은 예시적인 실시예에 따른 적층형 패치 안테나의 도 1의 I-I'선에 대응하는 단면도이다.
도 9는 도 8의 적층형 패치 안테나의 도 1의 II-II'선에 대응하는 단면도이다.
도 10은 예시적인 실시예에 따른 적층형 패치 안테나의 사시도이다.
도 11은 도 10의 적층형 패치 안테나의 분해 사시도이다.
도 12는 도 10의 적층형 패치 안테나의 III-III'선을 따르는 단면도이다.
도 13은 도 10의 적층형 패치 안테나의 IV-IV'선을 따르는 단면도이다.
도 14는 예시적인 실시예에 따른 적층형 패치 안테나의 사시도이다.
도 15 내지 도 17은 예시적인 실시예에 따른 급전 스터브들을 설명하기 위한 도면들이다.
도 18 내지 도 20은 예시적인 실시예에 따른 상부 스터브를 설명하기 위한 도면들이다.
도 21 및 도 22는 예시적인 실시예에 따른 하부 스터브를 설명하기 위한 도면들이다.
도 23은 예시적인 실시예에 따른 안테나 어레이의 평면도이다.
도 24는 예시적인 실시예에 따른 안테나 패키지의 단면도이다. 1 is a perspective view of a stacked patch antenna according to an exemplary embodiment.
FIG. 2 is an exploded perspective view of the stacked patch antenna of FIG. 1 .
FIG. 3 is an enlarged view of portion AA′ of FIG. 2 .
FIG. 4 is a cross-sectional view of the stacked patch antenna of FIG. 1 taken along the line II'.
FIG. 5 is a cross-sectional view of the stacked patch antenna of FIG. 1 taken along line II-II'.
FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of a portion of the stacked patch antenna when a high-frequency feed signal is applied to the stacked patch antenna described with reference to FIGS. 1 to 5 .
7 is a graph showing reflection characteristics of a stacked patch antenna according to sizes of an upper antenna patch and a lower antenna patch.
8 is a cross-sectional view corresponding to the line II′ of FIG. 1 of a stacked patch antenna according to an exemplary embodiment.
FIG. 9 is a cross-sectional view of the stacked patch antenna of FIG. 8 corresponding to line II-II' in FIG. 1 .
Fig. 10 is a perspective view of a stacked patch antenna according to an exemplary embodiment.
11 is an exploded perspective view of the stacked patch antenna of FIG. 10;
FIG. 12 is a cross-sectional view of the stacked patch antenna of FIG. 10 taken along line III-III'.
FIG. 13 is a cross-sectional view of the stacked patch antenna of FIG. 10 taken along line IV-IV'.
Fig. 14 is a perspective view of a stacked patch antenna according to an exemplary embodiment.
15 to 17 are diagrams for explaining power supply stubs according to exemplary embodiments.
18 to 20 are views for explaining an upper stub according to an exemplary embodiment.
21 and 22 are views for explaining a lower stub according to an exemplary embodiment.
23 is a plan view of an antenna array according to an exemplary embodiment.
24 is a cross-sectional view of an antenna package according to an exemplary embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다. 한편, 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다. Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following drawings, the same reference numerals denote the same components, and the size of each component in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of description. On the other hand, the embodiments described below are merely illustrative, and various modifications are possible from these embodiments.

이하에서, "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다.Hereinafter, what is described as "on" may include not only being directly on contact but also being on non-contact.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In addition, when a certain component is said to "include", this means that it may further include other components without excluding other components unless otherwise stated.

도 1은 예시적인 실시예에 따른 적층형 패치 안테나의 사시도이다. 도 2는 도 1의 적층형 패치 안테나의 분해 사시도이다. 도 3은 도 2의 AA’ 부분의 확대도이다. 도 4는 도 1의 적층형 패치 안테나의 I-I’선을 따르는 단면도이다. 도 5는 도 1의 적층형 패치 안테나의 II-II’선을 따르는 단면도이다.1 is a perspective view of a stacked patch antenna according to an exemplary embodiment. FIG. 2 is an exploded perspective view of the stacked patch antenna of FIG. 1 . FIG. 3 is an enlarged view of part AA′ of FIG. 2 . FIG. 4 is a cross-sectional view of the stacked patch antenna of FIG. 1 taken along the line II'. 5 is a cross-sectional view of the stacked patch antenna of FIG. 1 taken along line II-II'.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 하부 안테나 패치(110) 및 상부 안테나 패치(120)가 제공될 수 있다. 하부 안테나 패치(110) 및 상부 안테나 패치(120)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 연장하는 판 형상을 가질 수 있다. 하부 안테나 패치(110)와 상부 안테나 패치(120)는 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 하부 안테나 패치(110) 및 상부 안테나 패치(120)는 정사각 형상을 가질 수 있다. 다만, 하부 안테나 패치(110) 및 상부 안테나 패치(120)의 형상은 한정적인 것이 아니며, 필요에 따른 형상을 가질 수 있다. 하부 안테나 패치(110)는 상부 안테나 패치(120)로부터 제3 방향(DR3)을 따라 이격될 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)은 서로 수직할 수 있다. 상부 안테나 패치(120)와 하부 안테나 패치(110)는 제3 방향(DR3)을 따라 서로 마주할 수 있다. 예를 들어, 상부 안테나 패치(120)의 중심과 하부 안테나 패치(110)의 중심은 제3 방향(DR3)을 따라 배열될 수 있다. 하부 안테나 패치(110) 및 상부 안테나 패치(120)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하부 안테나 패치(110) 및 상부 안테나 패치(120)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 1 to 5 , a lower antenna patch 110 and an upper antenna patch 120 may be provided. The lower antenna patch 110 and the upper antenna patch 120 may have a plate shape extending along the first and second directions DR1 and DR2 . The lower antenna patch 110 and the upper antenna patch 120 may have substantially the same shape. For example, the lower antenna patch 110 and the upper antenna patch 120 may have a square shape. However, the shapes of the lower antenna patch 110 and the upper antenna patch 120 are not limited and may have shapes as needed. The lower antenna patch 110 may be spaced apart from the upper antenna patch 120 along the third direction DR3. For example, the first to third directions DR1 , DR2 , and DR3 may be perpendicular to each other. The upper antenna patch 120 and the lower antenna patch 110 may face each other along the third direction DR3. For example, the center of the upper antenna patch 120 and the center of the lower antenna patch 110 may be arranged along the third direction DR3. The lower antenna patch 110 and the upper antenna patch 120 may include an electrically conductive material. For example, the lower antenna patch 110 and the upper antenna patch 120 may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag).

상부 안테나 패치(120)의 크기는 하부 안테나 패치(110)의 크기보다 클 수 있다. 이하에서, 상부 안테나 패치(120)의 크기와 하부 안테나 패치(110)의 크기는 후술되는 X 급전 라인(221)의 길이 방향(제1 방향(DR1)) 또는 Y 급전 라인(222)의 길이 방향(제2 방향(DR2))을 따르는 크기일 수 있다. 예를 들어, 상부 안테나 패치(120)의 제1 방향(DR1)을 따르는 크기는 하부 안테나 패치(110)의 제1 방향(DR1)을 따르는 크기보다 15 % 이상 클 수 있다. 예를 들어, 상부 안테나 패치(120)의 제2 방향(DR2)을 따르는 크기는 하부 안테나 패치(110)의 제2 방향(DR2)을 따르는 크기보다 15 % 이상 클 수 있다. The size of the upper antenna patch 120 may be larger than that of the lower antenna patch 110 . Hereinafter, the size of the upper antenna patch 120 and the size of the lower antenna patch 110 are determined in the longitudinal direction (first direction DR1) of the X feed line 221 or the longitudinal direction of the Y feed line 222, which will be described later. (The size may be along the second direction DR2). For example, the size of the upper antenna patch 120 along the first direction DR1 may be larger than the size of the lower antenna patch 110 along the first direction DR1 by 15% or more. For example, the size of the upper antenna patch 120 along the second direction DR2 may be greater than the size of the lower antenna patch 110 along the second direction DR2 by 15% or more.

제3 방향(DR3)을 따라 배열되는 제1 유전층(IL1), 제2 유전층(IL2), 제3 유전층(IL3), 및 제4 유전층(IL4)이 제공될 수 있다. 제1 유전층(IL1)은 상부 안테나 패치(120)와 하부 안테나 패치(110) 사이에 제공될 수 있다. 하부 안테나 패치(110)는 제1 유전층(IL1) 및 제2 유전층(IL2) 사이에 제공될 수 있다. 제1 내지 제4 유전층들(IL1, IL2, IL3, IL4)은 유전 물질(Dielectric material)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제4 유전층들(IL1, IL2, IL3, IL4)은 고유전율 및 낮은 열팽창계수의 특성을 갖는 세라믹 계열이 유전 물질을 포함할 수 있다. A first dielectric layer IL1 , a second dielectric layer IL2 , a third dielectric layer IL3 , and a fourth dielectric layer IL4 may be provided along the third direction DR3 . The first dielectric layer IL1 may be provided between the upper antenna patch 120 and the lower antenna patch 110 . The lower antenna patch 110 may be provided between the first dielectric layer IL1 and the second dielectric layer IL2. The first to fourth dielectric layers IL1 , IL2 , IL3 , and IL4 may include a dielectric material. For example, the first to fourth dielectric layers IL1 , IL2 , IL3 , and IL4 may include a ceramic-based dielectric material having high dielectric constant and low thermal expansion coefficient.

제2 유전층(IL2)과 제3 유전층(IL3) 사이에 X 급전 패드(211), X 급전 라인(221), Y 급전 패드(212), 및 Y 급전 라인(222)이 제공될 수 있다. X 급전 패드(211), X 급전 라인(221), Y 급전 패드(212), 및 Y 급전 라인(222)은 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, X 급전 패드(211), X 급전 라인(221), Y 급전 패드(212), 및 Y 급전 라인(222)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. 일 예에서, X 급전 패드(211), X 급전 라인(221), Y 급전 패드(212), 및 Y 급전 라인(222)은 실질적으로 서로 동일한 물질을 포함할 수 있다. X 급전 패드(211) 및 Y 급전 패드(212)가 대체적으로 원 형상을 갖는 것으로 도시되었으나, 이는 예시적인 것이다. X 급전 패드(211) 및 Y 급전 패드(212)의 형상을 필요에 따라 정해질 수 있다.An X feed pad 211 , an X feed line 221 , a Y feed pad 212 , and a Y feed line 222 may be provided between the second dielectric layer IL2 and the third dielectric layer IL3 . The X feed pad 211 , the X feed line 221 , the Y feed pad 212 , and the Y feed line 222 may include an electrically conductive material. For example, the X feed pad 211, the X feed line 221, the Y feed pad 212, and the Y feed line 222 may be made of copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver. (Ag) may be included. In one example, the X feed pad 211 , the X feed line 221 , the Y feed pad 212 , and the Y feed line 222 may include substantially the same material. Although the X feed pad 211 and the Y feed pad 212 are shown as having a substantially circular shape, this is exemplary. The shapes of the X feeding pad 211 and the Y feeding pad 212 may be determined as needed.

제3 방향(DR3)을 따르는 관점에서, X 급전 패드(211)는 하부 안테나 패치(110) 및 상부 안테나 패치(120)로부터 제1 방향(DR1)의 반대 방향을 따라 이격될 수 있다. 다시 말해, X 급전 패드(211)는 하부 안테나 패치(110) 및 상부 안테나 패치(120)와 제3 방향(DR3)을 따라 중첩하지 않을 수 있다. 예를 들어, 제3 방향(DR3)을 따르는 관점에서, X 급전 패드(211)와 하부 안테나 패치(110)의 중심은 제1 방향(DR1)을 따라 서로 이격될 수 있다. From a viewpoint along the third direction DR3 , the X feeding pad 211 may be spaced apart from the lower antenna patch 110 and the upper antenna patch 120 along a direction opposite to the first direction DR1 . In other words, the X feeding pad 211 may not overlap the lower antenna patch 110 and the upper antenna patch 120 along the third direction DR3. For example, from a viewpoint along the third direction DR3 , the centers of the X feeding pad 211 and the lower antenna patch 110 may be spaced apart from each other along the first direction DR1 .

X 급전 라인(221)은 X 급전 패드(211)로부터 제1 방향(DR1)을 따라 연장할 수 있다. 예를 들어, X 급전 라인(221)은 마이크로스트립 라인(Microstrip Line)일 수 있다. X 급전 라인(221)은 하부 안테나 패치(110)와 제3 방향(DR3)을 따라 중첩할 수 있다. X 급전 라인(221)은 하부 안테나 패치(110)에 고주파 급전 신호를 전송하거나, 하부 안테나 패치(110)로부터 신호를 수신할 수 있다. The X feed line 221 may extend along the first direction DR1 from the X feed pad 211 . For example, the X feed line 221 may be a microstrip line. The X feed line 221 may overlap the lower antenna patch 110 along the third direction DR3. The X feed line 221 may transmit a high frequency feed signal to the lower antenna patch 110 or receive a signal from the lower antenna patch 110 .

Y 급전 패드(212)는 X 급전 패드(211)로부터 제4 방향(DR4)을 따라 이격될 수 있다. 예를 들어, 제4 방향(DR4)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)과 교차하고, 제3 방향(DR3)과 수직할 수 있다. 제3 방향(DR3)을 따르는 관점에서, Y 급전 패드(212)는 하부 안테나 패치(110) 및 상부 안테나 패치(120)로부터 제2 방향(DR2)의 반대 방향을 따라 이격될 수 있다. 다시 말해, Y 급전 패드(212)는 하부 안테나 패치(110) 및 상부 안테나 패치(120)와 제3 방향(DR3)을 따라 중첩하지 않을 수 있다. 예를 들어, 제3 방향(DR3)을 따르는 관점에서, Y 급전 패드(212)와 하부 안테나 패치(110)의 중심은 제2 방향(DR2)을 따라 서로 이격될 수 있다. The Y feeding pad 212 may be spaced apart from the X feeding pad 211 along the fourth direction DR4 . For example, the fourth direction DR4 may cross the first and second directions DR1 and DR2 and may be perpendicular to the third direction DR3. From a viewpoint along the third direction DR3 , the Y feeding pad 212 may be spaced apart from the lower antenna patch 110 and the upper antenna patch 120 along a direction opposite to the second direction DR2 . In other words, the Y feeding pad 212 may not overlap the lower antenna patch 110 and the upper antenna patch 120 along the third direction DR3. For example, from a viewpoint along the third direction DR3 , centers of the Y feeding pad 212 and the lower antenna patch 110 may be spaced apart from each other along the second direction DR2 .

Y 급전 라인(222)은 Y 급전 패드(212)로부터 제2 방향(DR2)을 따라 연장할 수 있다. 예를 들어, Y 급전 라인(222)은 마이크로스트립 라인일 수 있다. Y 급전 라인(222)은 하부 안테나 패치(110)와 제3 방향(DR3)을 따라 중첩할 수 있다. Y 급전 라인(222)은 하부 안테나 패치(110)에 고주파 급전 신호를 송신하거나, 하부 안테나 패치(110)로부터 신호를 수신할 수 있다. 따라서, 적층형 패치 안테나(10)는 X 급전 라인(221) 및 Y 급전 라인(222)에 의해 간접적으로 급전되는 간접 급전 구조를 가질 수 있다.The Y feed line 222 may extend along the second direction DR2 from the Y feed pad 212 . For example, the Y feed line 222 may be a microstrip line. The Y feed line 222 may overlap the lower antenna patch 110 along the third direction DR3. The Y feed line 222 may transmit a high frequency feed signal to the lower antenna patch 110 or receive a signal from the lower antenna patch 110 . Accordingly, the stacked patch antenna 10 may have an indirect feeding structure in which power is indirectly fed by the X feed line 221 and the Y feed line 222 .

제2 유전층(IL2)과 제3 유전층(IL3) 사이에 상부 접지 플레이트(GL1)가 제공될 수 있다. 상부 접지 플레이트(GL1)은 하부 안테나 패치(110) 및 상부 안테나 패치(120)에 대한 안테나 접지 층일 수 있다. 상부 접지 플레이트(GL1)에 접지 전압이 인가될 수 있다. 상부 접지 플레이트(GL1)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상부 접지 플레이트(GL1)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. An upper ground plate GL1 may be provided between the second dielectric layer IL2 and the third dielectric layer IL3. The upper ground plate GL1 may be an antenna ground layer for the lower antenna patch 110 and the upper antenna patch 120 . A ground voltage may be applied to the upper ground plate GL1. The upper ground plate GL1 may include an electrically conductive material. For example, the upper ground plate GL1 may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag).

상부 접지 플레이트(GL1)는 X 상부 홀(301) 및 Y 상부 홀(302)을 포함할 수 있다. X 상부 홀(301)은 X 상부 패드 홀(301a) 및 X 상부 스터브 홀(301b)을 포함할 수 있다. X 상부 패드 홀(301a)은 X 급전 패드(211)로부터 제3 방향(DR3)을 따라 이격될 수 있다. X 상부 패드 홀(301a)은 원 형상을 가질 수 있다. 다만, X 상부 패드 홀(301a)의 형상은 한정적인 것이 아니다. X 상부 패드 홀(301a)의 형상은 필요에 따라 정해질 수 있다. X 상부 스터브 홀(301b)은 X 상부 패드 홀(301a)로부터 돌출될 수 있다. 예를 들어, X 상부 스터브 홀(301b)은 X 상부 패드 홀(301a)로부터 제5 방향(DR5)을 따라 연장할 수 있다. 예를 들어, 제5 방향(DR5)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)과 교차하되, 제3 방향(DR3)과 수직할 수 있다. The upper ground plate GL1 may include an X upper hole 301 and a Y upper hole 302 . The X upper hole 301 may include an X upper pad hole 301a and an X upper stub hole 301b. The X upper pad hole 301a may be spaced apart from the X power supply pad 211 along the third direction DR3 . The X upper pad hole 301a may have a circular shape. However, the shape of the upper X pad hole 301a is not limited. The shape of the X upper pad hole 301a may be determined as needed. The X upper stub hole 301b may protrude from the X upper pad hole 301a. For example, the upper X stub hole 301b may extend along the fifth direction DR5 from the upper X pad hole 301a. For example, the fifth direction DR5 may cross the first and second directions DR1 and DR2 , but may be perpendicular to the third direction DR3 .

Y 상부 홀(302)은 Y 상부 패드 홀(302a) 및 Y 상부 스터브 홀(302b)을 포함할 수 있다. Y 상부 패드 홀(302a)은 Y 급전 패드(212)로부터 제3 방향(DR3)을 따라 이격될 수 있다. Y 상부 패드 홀(302a)은 원 형상을 가질 수 있다. 다만, Y 상부 패드 홀(302a)의 형상은 한정적인 것이 아니다. Y 상부 패드 홀(302a)의 형상은 필요에 따라 정해질 수 있다. Y 상부 스터브 홀(302b)은 Y 상부 패드 홀(302a)로부터 돌출될 수 있다. 예를 들어, Y 상부 스터브 홀(302b)은 Y 상부 패드 홀(302a)로부터 제5 방향(DR5)을 따라 연장할 수 있다. The upper Y hole 302 may include an upper Y pad hole 302a and an upper Y stub hole 302b. The upper Y pad hole 302a may be spaced apart from the Y feeding pad 212 along the third direction DR3 . The upper Y pad hole 302a may have a circular shape. However, the shape of the Y upper pad hole 302a is not limited. The shape of the upper Y pad hole 302a may be determined as needed. The upper Y stub hole 302b may protrude from the upper Y pad hole 302a. For example, the upper Y stub hole 302b may extend along the fifth direction DR5 from the upper Y pad hole 302a.

X 상부 홀(301) 내에 X 상부 패드(311) 및 X 상부 스터브(321)가 제공될 수 있다. X 상부 패드(311) 및 X 상부 스터브(321)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, X 상부 패드(311) 및 X 상부 스터브(321)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. X 상부 패드(311) 및 X 상부 스터브(321)가 제공되지 않은 X 상부 홀(301)의 나머지 부분은 제3 유전층(IL3)으로 채워질 수 있다. X 상부 패드(311)는 X 상부 패드 홀(301a) 내에 제공될 수 있다. X 상부 패드(311)는 X 급전 패드(211)로부터 제3 방향(DR3)을 따라 이격될 수 있다. X 상부 패드(311)는 X 상부 패드 홀(301a) 보다 작은 원 형상을 가질 수 있다. 다만, X 상부 패드(311)의 형상은 한정적인 것이 아니다. X 상부 패드(311)의 형상은 필요에 따라 정해질 수 있다. X 상부 패드(311)는 상부 접지 플레이트(GL1)로부터 이격될 수 있다. An X top pad 311 and an X top stub 321 may be provided in the X top hole 301 . The X upper pad 311 and the X upper stub 321 may include an electrically conductive material. For example, the X upper pad 311 and the X upper stub 321 may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). The remaining portion of the X upper hole 301 where the X upper pad 311 and the X upper stub 321 are not provided may be filled with the third dielectric layer IL3 . The X upper pad 311 may be provided in the X upper pad hole 301a. The X upper pad 311 may be spaced apart from the X power supply pad 211 along the third direction DR3 . The X upper pad 311 may have a smaller circular shape than the X upper pad hole 301a. However, the shape of the upper X pad 311 is not limited. The shape of the X upper pad 311 may be determined as needed. The upper X pad 311 may be spaced apart from the upper ground plate GL1.

X 상부 스터브(321)는 X 상부 패드(311)로부터 돌출될 수 있다. X 상부 스터브(321)는 X 상부 스터브 홀(301b)에 제공될 수 있다. 예를 들어, X 상부 스터브(321)는 X 상부 패드(311)로부터 제5 방향(DR5)을 따라 연장하여, 상부 접지 플레이트(GL1)에 직접 접할 수 있다. 다시 말해, X 상부 스터브(321)의 제5 방향(DR5)을 따라 배열되는 양 단부들 중 일 단부는 X 상부 패드(311)에 접하고, 다른 단부는 상부 접지 플레이트(GL1)에 접할 수 있다. X 상부 스터브(321)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, X 상부 스터브(321)는 X 상부 패드(311)와 상부 접지 플레이트(GL1)를 연결하는 인덕터일 수 있다.The X top stub 321 may protrude from the X top pad 311 . The X upper stub 321 may be provided in the X upper stub hole 301b. For example, the X upper stub 321 may extend from the X upper pad 311 along the fifth direction DR5 and directly contact the upper ground plate GL1 . In other words, one end of both ends arranged along the fifth direction DR5 of the upper X stub 321 may contact the upper X pad 311 and the other end may contact the upper ground plate GL1. When a high frequency electric signal (or high frequency power supply signal) is applied to the upper X stub 321, the upper X stub 321 may be an inductor connecting the upper X pad 311 and the upper ground plate GL1.

X 상부 패드(311) 및 X 급전 패드(211) 사이에 X 상부 비아(331)가 제공될 수 있다. X 상부 비아(331)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, X 상부 비아(331)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. X 상부 비아(331)는 제3 유전층(IL3)을 관통할 수 있다. X 상부 비아(331)는 제3 방향(DR3)을 따라 연장할 수 있다. X 상부 비아(331)는 X 상부 패드(311) 및 X 급전 패드(211)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, X 상부 비아(331)의 제3 방향(DR3)을 따라 배열되는 양 단부들 중 일 단부는 X 급전 패드(211)에 접하고, 다른 단부는 X 상부 패드(311)에 접할 수 있다. An X upper via 331 may be provided between the X upper pad 311 and the X power supply pad 211 . The X top via 331 may include an electrically conductive material. For example, the X top via 331 may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). The upper X via 331 may pass through the third dielectric layer IL3. The X upper via 331 may extend along the third direction DR3 . The X upper via 331 may be electrically connected to the X upper pad 311 and the X power supply pad 211 . For example, one end of both ends arranged along the third direction DR3 of the upper X via 331 may contact the X power supply pad 211 and the other end may contact the upper X pad 311. .

Y 상부 홀(302) 내에 Y 상부 패드(312) 및 Y 상부 스터브(322)가 제공될 수 있다. Y 상부 패드(312) 및 Y 상부 스터브(322)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, Y 상부 패드(312) 및 Y 상부 스터브(322)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. Y 상부 패드(312) 및 Y 상부 스터브(322)가 제공되지 않은 Y 상부 홀(302)의 나머지 부분은 제3 유전층(IL3)으로 채워질 수 있다. Y 상부 패드(312)는 Y 상부 패드 홀(302a) 내에 제공될 수 있다. Y 상부 패드(312)는 Y 급전 패드(212)로부터 제3 방향(DR3)을 따라 이격될 수 있다. Y 상부 패드(312)는 X 상부 패드(311)로부터 제4 방향(DR4)을 따라 이격될 수 있다. Y 상부 패드(312)는 Y 상부 패드 홀(302a) 보다 작은 원 형상을 가질 수 있다. 다만, Y 상부 패드(312)의 형상은 한정적인 것이 아니다. Y 상부 패드(312)의 형상은 필요에 따라 정해질 수 있다. Y 상부 패드(312)는 상부 접지 플레이트(GL1)로부터 이격될 수 있다. An upper Y pad 312 and an upper Y stub 322 may be provided in the upper Y hole 302 . The upper Y pad 312 and the upper Y stub 322 may include an electrically conductive material. For example, the upper Y pad 312 and the upper Y stub 322 may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). The remaining portion of the Y upper hole 302 where the Y upper pad 312 and the Y upper stub 322 are not provided may be filled with the third dielectric layer IL3 . The upper Y pad 312 may be provided in the upper Y pad hole 302a. The upper Y pad 312 may be spaced apart from the Y feeding pad 212 along the third direction DR3 . The Y upper pad 312 may be spaced apart from the X upper pad 311 along the fourth direction DR4 . The Y upper pad 312 may have a smaller circular shape than the Y upper pad hole 302a. However, the shape of the upper Y pad 312 is not limited. The shape of the upper Y pad 312 may be determined as needed. The upper Y pad 312 may be spaced apart from the upper ground plate GL1.

Y 상부 스터브(322)는 Y 상부 패드(312)로부터 돌출될 수 있다. Y 상부 스터브(322)는 Y 상부 스터브 홀(302b)에 제공될 수 있다. 예를 들어, Y 상부 스터브(322)는 Y 상부 패드(312)로부터 제5 방향(DR5)을 따라 연장하여, 상부 접지 플레이트(GL1)에 직접 접할 수 있다. 다시 말해, Y 상부 스터브(322)의 제5 방향(DR5)을 따라 배열되는 양 단부들 중 일 단부는 Y 상부 패드(312)에 접하고, 다른 단부는 상부 접지 플레이트(GL1)에 접할 수 있다. Y 상부 스터브(322)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, Y 상부 스터브(322)는 Y 상부 패드(312)와 상부 접지 플레이트(GL1)를 연결하는 인덕터일 수 있다.The upper Y stub 322 may protrude from the upper Y pad 312 . The upper Y stub 322 may be provided in the upper Y stub hole 302b. For example, the upper Y stub 322 may extend from the upper Y pad 312 along the fifth direction DR5 and directly contact the upper ground plate GL1 . In other words, one end of both ends arranged along the fifth direction DR5 of the upper Y stub 322 may contact the upper Y pad 312 and the other end may contact the upper ground plate GL1. When a high frequency electric signal (or high frequency power supply signal) is applied to the upper Y stub 322, the upper Y stub 322 may be an inductor connecting the upper Y pad 312 and the upper ground plate GL1.

Y 상부 패드(312) 및 Y 급전 패드(212) 사이에 Y 상부 비아(332)가 제공될 수 있다. Y 상부 비아(332)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, Y 상부 비아(332)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. Y 상부 비아(332)는 제3 유전층(IL3)을 관통할 수 있다. Y 상부 비아(332)는 제3 방향(DR3)을 따라 연장할 수 있다. Y 상부 비아(332)는 Y 상부 패드(312) 및 Y 급전 패드(212)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, Y 상부 비아(332)의 제3 방향(DR3)을 따라 배열되는 양 단부들 중 일 단부는 Y 급전 패드(212)에 접하고, 다른 단부는 Y 상부 패드(312)에 접할 수 있다. Y 상부 비아(332)는 X 상부 비아(331)로부터 제4 방향(DR4)을 따라 이격될 수 있다. An upper Y via 332 may be provided between the upper Y pad 312 and the Y feeding pad 212 . Y upper via 332 may include an electrically conductive material. For example, the upper Y via 332 may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). The upper Y via 332 may pass through the third dielectric layer IL3 . The Y upper via 332 may extend along the third direction DR3 . The upper Y via 332 may be electrically connected to the upper Y pad 312 and the Y feeding pad 212 . For example, one end of both ends arranged along the third direction DR3 of the upper Y via 332 may contact the Y feeding pad 212 and the other end may contact the upper Y pad 312. . The Y upper via 332 may be spaced apart from the X upper via 331 along the fourth direction DR4 .

제3 유전층(IL3)과 제4 유전층(IL4) 사이에 하부 접지 플레이트(GL2)가 제공될 수 있다. 하부 접지 플레이트(GL2)는 적층형 패치 안테나들이 복수 개로 제공될 때, 인접한 적층형 패치 안테나들 사이의 라우팅을 위한 마이크로스트립 라인(미도시) 주변에 배치되는 접지층일 수 있다. 하부 접지 플레이트(GL2)에 접지 전압이 인가될 수 있다. 하부 접지 플레이트(GL2)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하부 접지 플레이트(GL2)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. A lower ground plate GL2 may be provided between the third dielectric layer IL3 and the fourth dielectric layer IL4. The lower ground plate GL2 may be a ground layer disposed around a microstrip line (not shown) for routing between adjacent stacked patch antennas when a plurality of stacked patch antennas are provided. A ground voltage may be applied to the lower ground plate GL2. The lower ground plate GL2 may include an electrically conductive material. For example, the lower ground plate GL2 may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag).

하부 접지 플레이트(GL2)는 X 하부 홀(401) 및 Y 하부 홀(402)을 포함할 수 있다. X 하부 홀(401)은 X 하부 패드 홀(401a), 제1 X 하부 스터브 홀(401b1), 및 제2 X 하부 스터브 홀(401b2)을 포함할 수 있다. X 하부 패드 홀(401a)은 X 상부 패드 홀(301a)로부터 제3 방향(DR3)을 따라 이격될 수 있다. X 하부 패드 홀(401a)은 원 형상을 가질 수 있다. 다만, X 하부 패드 홀(401a)의 형상은 한정적인 것이 아니다. X 하부 패드 홀(401a)의 형상은 필요에 따라 정해질 수 있다. The lower ground plate GL2 may include a lower X hole 401 and a lower Y hole 402 . The X lower hole 401 may include an X lower pad hole 401a, a first X lower stub hole 401b1, and a second X lower stub hole 401b2. The X lower pad hole 401a may be spaced apart from the X upper pad hole 301a along the third direction DR3 . The X lower pad hole 401a may have a circular shape. However, the shape of the X lower pad hole 401a is not limited. The shape of the X lower pad hole 401a may be determined as needed.

제1 X 하부 스터브 홀(401b1)은 X 하부 패드 홀(401a)의 일측으로부터 돌출될 수 있다. 예를 들어, 제1 X 하부 스터브 홀(401b1)은 X 하부 패드 홀(401a)로부터 제5 방향(DR5)을 따라 연장할 수 있다. 제2 X 하부 스터브 홀(401b2)은 X 하부 패드 홀(401a)의 다른 측으로부터 돌출될 수 있다. 예를 들어, 제2 X 하부 스터브 홀(401b2)은 X 하부 패드 홀(401a)로부터 제5 방향(DR5)의 반대 방향을 따라 연장할 수 있다. The first X lower stub hole 401b1 may protrude from one side of the X lower pad hole 401a. For example, the first X lower stub hole 401b1 may extend along the fifth direction DR5 from the X lower pad hole 401a. The second X lower stub hole 401b2 may protrude from the other side of the X lower pad hole 401a. For example, the second X lower stub hole 401b2 may extend from the X lower pad hole 401a in a direction opposite to the fifth direction DR5 .

Y 하부 홀(402)은 Y 하부 패드 홀(402a), 제1 Y 하부 스터브 홀(402b1), 및 제2 Y 하부 스터브 홀(402b2)을 포함할 수 있다. Y 하부 패드 홀(402a)은 Y 상부 패드 홀(302a)로부터 제3 방향(DR3)을 따라 이격될 수 있다. Y 하부 패드 홀(402a)은 원 형상을 가질 수 있다. 다만, Y 하부 패드 홀(402a)의 형상은 한정적인 것이 아니다. Y 하부 패드 홀(402a)의 형상은 필요에 따라 정해질 수 있다. The Y lower hole 402 may include a Y lower pad hole 402a, a first Y lower stub hole 402b1, and a second Y lower stub hole 402b2. The Y lower pad hole 402a may be spaced apart from the Y upper pad hole 302a along the third direction DR3 . The Y lower pad hole 402a may have a circular shape. However, the shape of the Y lower pad hole 402a is not limited. The shape of the Y lower pad hole 402a may be determined as needed.

제1 Y 하부 스터브 홀(402b1)은 Y 하부 패드 홀(402a)의 일측으로부터 돌출될 수 있다. 예를 들어, 제1 Y 하부 스터브 홀(402b1)은 Y 하부 패드 홀(402a)로부터 제5 방향(DR5)을 따라 연장할 수 있다. 제2 Y 하부 스터브 홀(402b2)은 Y 하부 패드 홀(402a)의 다른 측으로부터 돌출될 수 있다. 예를 들어, 제2 Y 하부 스터브 홀(402b2)은 Y 하부 패드 홀(402a)로부터 제5 방향(DR5)의 반대 방향을 따라 연장할 수 있다. The first Y lower stub hole 402b1 may protrude from one side of the Y lower pad hole 402a. For example, the first Y lower stub hole 402b1 may extend along the fifth direction DR5 from the Y lower pad hole 402a. The second Y lower stub hole 402b2 may protrude from the other side of the Y lower pad hole 402a. For example, the second Y lower stub hole 402b2 may extend from the Y lower pad hole 402a in a direction opposite to the fifth direction DR5 .

X 하부 홀(401) 내에 X 하부 패드(411), 제1 X 하부 스터브(421a), 및 제2 X 하부 스터브(421b)가 제공될 수 있다. X 하부 패드(411), 제1 X 하부 스터브(421a), 및 제2 X 하부 스터브(421b)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, X 하부 패드(411), 제1 X 하부 스터브(421a), 및 제2 X 하부 스터브(421b)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. X 하부 패드(411), 제1 X 하부 스터브(421a), 및 제2 X 하부 스터브(421b)가 제공되지 않은 X 하부 홀(401)의 나머지 부분은 제4 유전층(IL4)으로 채워질 수 있다. An X lower pad 411 , a first X lower stub 421a , and a second X lower stub 421b may be provided in the X lower hole 401 . The X lower pad 411 , the first X lower stub 421a , and the second X lower stub 421b may include an electrically conductive material. For example, the X lower pad 411, the first X lower stub 421a, and the second X lower stub 421b may be made of copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). can include The remaining portion of the X lower hole 401 where the X lower pad 411, the first X lower stub 421a, and the second X lower stub 421b are not provided may be filled with the fourth dielectric layer IL4.

X 하부 패드(411)는 X 하부 패드 홀(401a) 내에 제공될 수 있다. X 하부 패드(411)는 X 급전 패드(211)로부터 제3 방향(DR3)을 따라 이격될 수 있다. X 하부 패드(411)는 X 하부 패드 홀(401a) 보다 작은 원 형상을 가질 수 있다. 다만, X 하부 패드(411)의 형상은 한정적인 것이 아니다. X 하부 패드(411)의 형상은 필요에 따라 정해질 수 있다. X 하부 패드(411)는 하부 접지 플레이트(GL2)로부터 이격될 수 있다. The X lower pad 411 may be provided in the X lower pad hole 401a. The X lower pad 411 may be spaced apart from the X power supply pad 211 along the third direction DR3 . The X lower pad 411 may have a smaller circular shape than the X lower pad hole 401a. However, the shape of the lower X pad 411 is not limited. The shape of the X lower pad 411 may be determined as needed. The lower X pad 411 may be spaced apart from the lower ground plate GL2.

제1 X 하부 스터브(421a)는 X 하부 패드(411)의 일측으로부터 돌출될 수 있다. 제1 X 하부 스터브(421a)는 제1 X 하부 스터브 홀(401b1)에 제공될 수 있다. 예를 들어, 제1 X 하부 스터브(421a)는 X 하부 패드(411)로부터 제5 방향(DR5)을 따라 연장할 수 있다. 제1 X 하부 스터브(421a)는 하부 접지 플레이트(GL2)로부터 이격될 수 있다. 제1 X 하부 스터브(421a)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, 제1 X 하부 스터브(421a)와 하부 접지 플레이트(GL2)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다. The first X lower stub 421a may protrude from one side of the X lower pad 411 . The first X lower stub 421a may be provided in the first X lower stub hole 401b1. For example, the first X lower stub 421a may extend along the fifth direction DR5 from the X lower pad 411 . The first X lower stub 421a may be spaced apart from the lower ground plate GL2 . When a high frequency electric signal (or high frequency power supply signal) is applied to the 1st X lower stub 421a, the 1st X lower stub 421a and the lower ground plate GL2 may constitute a capacitor used for impedance matching. .

제2 X 하부 스터브(421b)는 X 하부 패드(411)의 다른 측으로부터 돌출될 수 있다. 제2 X 하부 스터브(421b)는 제2 X 하부 스터브 홀(401b2)에 제공될 수 있다. 예를 들어, 제2 X 하부 스터브(421b)는 X 하부 패드(411)로부터 제5 방향(DR5)의 반대 방향을 따라 연장할 수 있다. 제2 X 하부 스터브(421b)는 하부 접지 플레이트(GL2)로부터 이격될 수 있다. 제2 X 하부 스터브(421b)는 제1 X 하부 스터브(421a)와 다른 길이를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 X 하부 스터브(421b)는 제1 X 하부 스터브(421a)보다 짧을 수 있다. 다만, 이는 한정적인 것이 아니다. 다른 예에서, 제2 X 하부 스터브(421b)의 길이는 제1 X 하부 스터브(421a)의 길이와 실질적으로 동일하거나 더 길 수 있다. 제2 X 하부 스터브(421b)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, 제2 X 하부 스터브(421b)와 하부 접지 플레이트(GL2)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다. The second X lower stub 421b may protrude from the other side of the X lower pad 411 . The second X lower stub 421b may be provided in the second X lower stub hole 401b2. For example, the second X lower stub 421b may extend from the X lower pad 411 in a direction opposite to the fifth direction DR5 . The second X lower stub 421b may be spaced apart from the lower ground plate GL2 . The second X lower stub 421b may have a different length from the first X lower stub 421a. For example, the second X lower stub 421b may be shorter than the first X lower stub 421a. However, this is not limiting. In another example, the length of the second X lower stub 421b may be substantially equal to or longer than the length of the first X lower stub 421a. When a high frequency electric signal (or high frequency power supply signal) is applied to the second X lower stub 421b, the second X lower stub 421b and the lower ground plate GL2 may constitute a capacitor used for impedance matching. .

X 하부 패드(411) 및 X 상부 패드(311) 사이에 X 하부 비아(431)가 제공될 수 있다. X 하부 비아(431)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, X 하부 비아(431)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. X 하부 비아(431)는 제4 유전층(IL4)을 관통할 수 있다. X 하부 비아(431)는 제3 방향(DR3)을 따라 연장할 수 있다. X 하부 비아(431)는 X 하부 패드(411) 및 X 상부 패드(311)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, X 하부 비아(431)의 제3 방향(DR3)을 따라 배열되는 양 단부들 중 일 단부는 X 상부 패드(311)에 접하고, 다른 단부는 X 하부 패드(411)에 접할 수 있다. An X lower via 431 may be provided between the X lower pad 411 and the X upper pad 311 . The X lower via 431 may include an electrically conductive material. For example, the X lower via 431 may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). The lower X via 431 may pass through the fourth dielectric layer IL4 . The X lower via 431 may extend along the third direction DR3 . The X lower via 431 may be electrically connected to the X lower pad 411 and the X upper pad 311 . For example, one end of both ends arranged along the third direction DR3 of the X lower via 431 may contact the X upper pad 311 and the other end may contact the X lower pad 411. .

Y 하부 홀(402) 내에 Y 하부 패드(412), 제1 Y 하부 스터브(422a), 및 제2 Y 하부 스터브(422b)가 제공될 수 있다. Y 하부 패드(412), 제1 Y 하부 스터브(422a), 및 제2 Y 하부 스터브(422b)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, Y 하부 패드(412), 제1 Y 하부 스터브(422a), 및 제2 Y 하부 스터브(422b)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. Y 하부 패드(412), 제1 Y 하부 스터브(422a), 및 제2 Y 하부 스터브(422b)가 제공되지 않은 Y 하부 홀(402)의 나머지 부분은 제4 유전층(IL4)으로 채워질 수 있다. A Y lower pad 412 , a first Y lower stub 422a , and a second Y lower stub 422b may be provided in the Y lower hole 402 . The Y lower pad 412 , the first Y lower stub 422a , and the second Y lower stub 422b may include an electrically conductive material. For example, the Y lower pad 412, the first Y lower stub 422a, and the second Y lower stub 422b may be made of copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). can include The remaining portion of the Y lower hole 402 where the Y lower pad 412, the first Y lower stub 422a, and the second Y lower stub 422b are not provided may be filled with the fourth dielectric layer IL4.

Y 하부 패드(412)는 Y 하부 패드 홀(402a) 내에 제공될 수 있다. Y 하부 패드(412)는 Y 급전 패드(212)로부터 제3 방향(DR3)을 따라 이격될 수 있다. Y 하부 패드(412)는 X 하부 패드(411)로부터 제4 방향(DR4)을 따라 이격될 수 있다. Y 하부 패드 홀(402a) 보다 작은 원 형상을 가질 수 있다. 다만, Y 하부 패드(412)의 형상은 한정적인 것이 아니다. Y 하부 패드(412)의 형상은 필요에 따라 정해질 수 있다. Y 하부 패드(412)는 하부 접지 플레이트(GL2)로부터 이격될 수 있다. The Y lower pad 412 may be provided in the Y lower pad hole 402a. The lower Y pad 412 may be spaced apart from the Y feeding pad 212 along the third direction DR3 . The Y lower pad 412 may be spaced apart from the X lower pad 411 along the fourth direction DR4 . It may have a circular shape smaller than that of the Y lower pad hole 402a. However, the shape of the lower Y pad 412 is not limited. The shape of the lower Y pad 412 may be determined as needed. The Y lower pad 412 may be spaced apart from the lower ground plate GL2 .

제1 Y 하부 스터브(422a)는 Y 하부 패드(412)의 일측으로부터 돌출될 수 있다. 제1 Y 하부 스터브(422a)는 제1 Y 하부 스터브 홀(402b1)에 제공될 수 있다. 예를 들어, 제1 Y 하부 스터브(422a)는 Y 하부 패드(412)로부터 제5 방향(DR5)을 따라 연장할 수 있다. 제1 Y 하부 스터브(422a)는 하부 접지 플레이트(GL2)로부터 이격될 수 있다. 제1 Y 하부 스터브(422a)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, 제1 Y 하부 스터브(422a)와 하부 접지 플레이트(GL2)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다. The first Y lower stub 422a may protrude from one side of the Y lower pad 412 . The first Y lower stub 422a may be provided in the first Y lower stub hole 402b1. For example, the first Y lower stub 422a may extend from the Y lower pad 412 along the fifth direction DR5 . The first Y lower stub 422a may be spaced apart from the lower ground plate GL2 . When a high frequency electrical signal (or high frequency feed signal) is applied to the first Y lower stub 422a, the first Y lower stub 422a and the lower ground plate GL2 may constitute a capacitor used for impedance matching. .

제2 Y 하부 스터브(422b)는 Y 하부 패드(412)의 다른 측으로부터 돌출될 수 있다. 제2 Y 하부 스터브(422b)는 제2 Y 하부 스터브 홀(402b2)에 제공될 수 있다. 예를 들어, 제2 Y 하부 스터브(422b)는 Y 하부 패드(412)로부터 제5 방향(DR5)의 반대 방향을 따라 연장할 수 있다. 제2 Y 하부 스터브(422b)는 하부 접지 플레이트(GL2)로부터 이격될 수 있다. 제2 Y 하부 스터브(422b)는 제1 Y 하부 스터브(422a)와 다른 길이를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 Y 하부 스터브(422b)는 제1 Y 하부 스터브(422a)보다 짧을 수 있다. 다만, 이는 한정적인 것이 아니다. 다른 예에서, 제2 Y 하부 스터브(422b)의 길이는 제1 Y 하부 스터브(422a)의 길이와 실질적으로 동일하거나 더 길 수 있다. 제2 Y 하부 스터브(422b)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, 제2 Y 하부 스터브(422b)와 하부 접지 플레이트(GL2)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다. The second Y lower stub 422b may protrude from the other side of the Y lower pad 412 . The second Y lower stub 422b may be provided in the second Y lower stub hole 402b2. For example, the second Y lower stub 422b may extend from the Y lower pad 412 in a direction opposite to the fifth direction DR5 . The second Y lower stub 422b may be spaced apart from the lower ground plate GL2 . The second Y lower stub 422b may have a different length from the first Y lower stub 422a. For example, the second Y lower stub 422b may be shorter than the first Y lower stub 422a. However, this is not limiting. In another example, the length of the second Y lower stub 422b may be substantially equal to or longer than the length of the first Y lower stub 422a. When a high frequency electrical signal (or high frequency feed signal) is applied to the second Y lower stub 422b, the second Y lower stub 422b and the lower ground plate GL2 may constitute a capacitor used for impedance matching. .

Y 하부 패드(412) 및 Y 상부 패드(312) 사이에 Y 하부 비아(432)가 제공될 수 있다. Y 하부 비아(432)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, Y 하부 비아(432)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. Y 하부 비아(432)는 제4 유전층(IL4)을 관통할 수 있다. Y 하부 비아(432)는 제3 방향(DR3)을 따라 연장할 수 있다. Y 하부 비아(432)는 Y 하부 패드(412) 및 Y 상부 패드(312)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, Y 하부 비아(432)의 제3 방향(DR3)을 따라 배열되는 양 단부들 중 일 단부는 Y 상부 패드(312)에 접하고, 다른 단부는 Y 하부 패드(412)에 접할 수 있다. Y 하부 비아(432)는 X 하부 비아(431)로부터 제4 방향(DR4)을 따라 이격될 수 있다. A Y lower via 432 may be provided between the Y lower pad 412 and the Y upper pad 312 . The Y lower via 432 may include an electrically conductive material. For example, the Y lower via 432 may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). The Y lower via 432 may pass through the fourth dielectric layer IL4 . The Y lower via 432 may extend along the third direction DR3 . The Y lower via 432 may be electrically connected to the Y lower pad 412 and the Y upper pad 312 . For example, one end of both ends arranged along the third direction DR3 of the lower Y via 432 may contact the upper Y pad 312 and the other end may contact the lower Y pad 412. . The Y lower via 432 may be spaced apart from the X lower via 431 along the fourth direction DR4 .

적층형 패치 안테나에 있어서, 상부 안테나 패치의 크기와 하부 안테나 패치의 크기 차이가 클수록 적층형 패치 안테나의 대역폭이 커질 수 있다. 하지만 동시에 급전 구조에서 발생하는 주파수 선택 특성(frequency selectivity) 및 기생 성분들로 인한 임피던스 부정합이 발생할 가능성도 높아질 수 있다. 따라서, 상부 안테나 패치의 크기는 하부 안테나 패치의 크기보다 15 % 이상 클 수 없었다. In the stacked patch antenna, the larger the difference between the size of the upper antenna patch and the lower antenna patch, the larger the bandwidth of the stacked patch antenna. However, at the same time, the possibility of occurrence of impedance mismatch due to frequency selectivity and parasitic components generated in the feed structure may also increase. Therefore, the size of the upper antenna patch could not be more than 15% larger than that of the lower antenna patch.

본 개시의 적층형 패치 안테나(10)는 임피던스 매칭을 위해, X 상부 스터브(321), Y 상부 스터브(322), 제1 X 하부 스터브(421a), 제2 X 하부 스터브(421b), 제1 Y 하부 스터브(422a), 및 제2 Y 하부 스터브(422b) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. X 급전 라인(221)의 길이 방향(제1 방향(DR1)) 또는 Y 급전 라인(222)의 길이 방향(제2 방향(DR2))을 따라서 상부 안테나 패치(120)의 크기가 하부 안테나 패치(110)의 크기보다 15 % 이상 크더라도 임피던스 매칭이 수행될 수 있다. 예를 들어, 상부 안테나 패치(120)의 크기가 및 하부 안테나 패치(110)의 크기보다 20 % 이상 클 수 있다. 따라서, 광 대역폭을 갖는 적층형 패치 안테나(10)가 제공될 수 있다. The stacked patch antenna 10 of the present disclosure includes an X upper stub 321, a Y upper stub 322, a first X lower stub 421a, a second X lower stub 421b, and a first Y stub 321 for impedance matching. At least one of a lower stub 422a and a second Y lower stub 422b may be included. The size of the upper antenna patch 120 along the longitudinal direction of the X feed line 221 (first direction DR1) or the longitudinal direction of the Y feed line 222 (second direction DR2) 110), impedance matching may be performed even if the size is greater than 15%. For example, the size of the upper antenna patch 120 may be 20% or more larger than the size of the lower antenna patch 110 . Thus, the stacked patch antenna 10 having a wide bandwidth can be provided.

도 6은 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명되는 적층형 패치 안테나에 고주파 급전 신호가 인가되는 경우, 적층형 패치 안테나의 일 부분에 대한 등가 회로도이다. 구체적으로, 도 6은 상부 안테나 패치(120), 하부 안테나 패치(110), X 급전 라인(221), X 급전 패드(211), 상부 접지 플레이트(GL1), X 상부 패드(311), X 상부 스터브(321), 하부 접지 플레이트(GL2), X 하부 패드(411), 제1 X 하부 스터브(421a), 및 제2 X 하부 스터브(421b)에 관한 등가 회로도 또는 상부 안테나 패치(120), 하부 안테나 패치(110), Y 급전 라인(222), Y 급전 패드(212), 상부 접지 플레이트(GL1), Y 상부 패드(312), Y 상부 스터브(322), 하부 접지 플레이트(GL2), Y 하부 패드(412), 제1 Y 하부 스터브(422a), 및 제2 Y 하부 스터브(422b)에 관한 등가 회로도이다. FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of a portion of the stacked patch antenna when a high-frequency feed signal is applied to the stacked patch antenna described with reference to FIGS. 1 to 5 . Specifically, FIG. 6 shows the upper antenna patch 120, the lower antenna patch 110, the X feeding line 221, the X feeding pad 211, the upper ground plate GL1, the upper X pad 311, the upper X An equivalent circuit diagram of the stub 321, the lower ground plate GL2, the X lower pad 411, the first X lower stub 421a, and the second X lower stub 421b or the upper antenna patch 120, the lower Antenna patch 110, Y feed line 222, Y feed pad 212, upper ground plate GL1, upper Y pad 312, upper Y stub 322, lower ground plate GL2, lower Y An equivalent circuit diagram of the pad 412, the first Y lower stub 422a, and the second Y lower stub 422b.

도 6을 참조하면, 적층형 패치 안테나(10)는 안테나 패치 영역(1100) 및 급전 영역(1200)을 포함할 수 있다. 안테나 패치 영역(1100)은 하부 안테나 패치(110) 및 상부 안테나 패치(120)에 대응하는 등가회로일 수 있다. 적층형 패치 안테나(10)는 적층형 패치 안테나(10) 외부의 부하 임피던스(Z₀)와 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 6 , the stacked patch antenna 10 may include an antenna patch area 1100 and a feed area 1200 . The antenna patch region 1100 may be an equivalent circuit corresponding to the lower antenna patch 110 and the upper antenna patch 120 . The stacked patch antenna 10 may be electrically connected to an external load impedance Z ₀ of the stacked patch antenna 10 .

X 급전 라인(221) 및 Y 급전 라인(222)은 인덕터일 수 있다. L_F는 X 급전 라인(221) 또는 Y 급전 라인(222)에 의해 구성되는 인덕터를 나타낼 수 있다. The X feed line 221 and the Y feed line 222 may be inductors. L _F may represent an inductor formed by the X power supply line 221 or the Y power supply line 222 .

X 급전 패드(211) 및 상부 접지 플레이트(GL1)는 커패시터를 구성할 수 있다. Y 급전 패드(212) 및 상부 접지 플레이트(GL1)는 커패시터를 구성할 수 있다. C_F는 X 급전 패드(211) 및 상부 접지 플레이트(GL1)에 의해 구성되는 커패시터 또는 Y 급전 패드(212) 및 상부 접지 플레이트(GL1)는 커패시터를 나타낼 수 있다.The X power supply pad 211 and the upper ground plate GL1 may constitute a capacitor. The Y feed pad 212 and the upper ground plate GL1 may constitute a capacitor. C _F may represent a capacitor formed by the X feed pad 211 and the upper ground plate GL1 or a capacitor formed by the Y feed pad 212 and the upper ground plate GL1.

X 상부 비아(331) 및 Y 상부 비아(332)는 인덕터일 수 있다. L_V2는 X 상부 비아(331) 또는 Y 상부 비아(332)에 의해 구성되는 인덕터를 나타낼 수 있다. The X top via 331 and the Y top via 332 may be inductors. L _V2 may indicate an inductor formed by the X top via 331 or the Y top via 332 .

X 상부 패드(311) 및 상부 접지 플레이트(GL1)는 커패시터를 구성할 수 있다. Y 상부 패드(312) 및 상부 접지 플레이트(GL1)는 커패시터를 구성할 수 있다. C_VP2는 X 상부 패드(311) 및 상부 접지 플레이트(GL1)에 의해 구성되는 커패시터 또는 Y 상부 패드(312) 및 상부 접지 플레이트(GL1)는 커패시터를 나타낼 수 있다. The upper X pad 311 and the upper ground plate GL1 may constitute a capacitor. The Y upper pad 312 and the upper ground plate GL1 may constitute a capacitor. C _VP2 may indicate a capacitor formed by the X upper pad 311 and the upper ground plate GL1 or a capacitor formed by the Y upper pad 312 and the upper ground plate GL1.

X 하부 비아(431) 및 Y 하부 비아(432)는 인덕터일 수 있다. L_V1는 X 하부 비아(431) 또는 Y 하부 비아(432)로 구성되는 인덕터를 나타낼 수 있다. The X lower via 431 and the Y lower via 432 may be inductors. L _V1 may indicate an inductor composed of the X lower via 431 or the Y lower via 432 .

X 하부 패드(411) 및 하부 접지 플레이트(GL2)는 커패시터를 구성할 수 있다. Y 하부 패드(412) 및 하부 접지 플레이트(GL2)는 커패시터를 구성할 수 있다. C_VP1은 X 하부 패드(411) 및 하부 접지 플레이트(GL2)에 의해 구성되는 커패시터 또는 Y 하부 패드(412) 및 하부 접지 플레이트(GL2)로 구성되는 커패시터를 나타낼 수 있다. The X lower pad 411 and the lower ground plate GL2 may constitute a capacitor. The Y lower pad 412 and the lower ground plate GL2 may constitute a capacitor. C _VP1 may indicate a capacitor formed by the X lower pad 411 and the lower ground plate GL2 or a capacitor formed by the Y lower pad 412 and the lower ground plate GL2 .

X 상부 스터브(321) 및 상부 접지 플레이트(GL1)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다. Y 상부 스터브(322) 및 상부 접지 플레이트(GL1)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다. C_SS는 X 상부 스터브(321) 및 상부 접지 플레이트(GL1)로 구성되는 커패시터 또는 Y 상부 스터브(322) 및 상부 접지 플레이트(GL1)로 구성되는 커패시터를 나타낼 수 있다.The X upper stub 321 and the upper ground plate GL1 may constitute a capacitor used for impedance matching. The Y upper stub 322 and the upper ground plate GL1 may constitute a capacitor used for impedance matching. C _SS may represent a capacitor composed of the X upper stub 321 and the upper ground plate GL1 or a capacitor composed of the Y upper stub 322 and the upper ground plate GL1.

L_F, L_V1,C_VP2, L_V2, 및 C_VP1는 적층형 패치 안테나 설계시 의도되지 않은 요소들로, 임피던스 부정합의 원인이 될 수 있다. L _F , L _{V1 ,} C _VP2 , L _V2 , and C _VP1 are unintended factors in designing a stacked patch antenna, and may cause impedance mismatch.

X 상부 스터브(321) 및 Y 상부 스터브(322)는 인덕터일 수 있다. L_SS는 X 상부 스터브(321) 및 Y 상부 스터브(322)에 의해 구성되는 인덕터를 나타낼 수 있다. L_SS 및 C_SS는 병렬로 연결될 수 있다. The X upper stub 321 and Y upper stub 322 may be inductors. L _SS may represent an inductor constituted by the X upper stub 321 and the Y upper stub 322 . L _SS and C _SS may be connected in parallel.

제1 X 하부 스터브(421a) 및 하부 접지 플레이트(GL2)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다. 제1 Y 하부 스터브(422a) 및 하부 접지 플레이트(GL2)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다. C_OS1은 제1 X 하부 스터브(421a) 및 하부 접지 플레이트(GL2)로 구성되는 커패시터 또는 제1 Y 하부 스터브(422a) 및 하부 접지 플레이트(GL2)로 구성되는 커패시터를 나타낼 수 있다. The first X lower stub 421a and the lower ground plate GL2 may constitute a capacitor used for impedance matching. The first Y lower stub 422a and the lower ground plate GL2 may constitute a capacitor used for impedance matching. C _OS1 may indicate a capacitor including the first X lower stub 421a and the lower ground plate GL2 or a capacitor including the first Y lower stub 422a and the lower ground plate GL2 .

제1 X 하부 스터브(421a) 및 제1 Y 하부 스터브(422a)는 임피던스 매칭에 이용되는 인덕터를 구성할 수 있다. L_OS1은 제1 X 하부 스터브(421a) 또는 제1 Y 하부 스터브(422a)로 구성되는 인덕터를 나타낼 수 있다. L_OS1와 C_OS1는 직렬로 연결될 수 있다.The first X lower stub 421a and the first Y lower stub 422a may configure an inductor used for impedance matching. L _OS1 may indicate an inductor including the first X lower stub 421a or the first Y lower stub 422a. L _OS1 and C _OS1 can be connected in series.

제2 X 하부 스터브(421b) 및 하부 접지 플레이트(GL2)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다. 제2 Y 하부 스터브(422b) 및 하부 접지 플레이트(GL2)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다. C_OS2는 제2 X 하부 스터브(421b) 및 하부 접지 플레이트(GL2)로 구성되는 커패시터 또는 제2 Y 하부 스터브(422b) 및 하부 접지 플레이트(GL2)로 구성되는 커패시터를 나타낼 수 있다. The second X lower stub 421b and the lower ground plate GL2 may constitute a capacitor used for impedance matching. The second Y lower stub 422b and the lower ground plate GL2 may constitute a capacitor used for impedance matching. C _OS2 may indicate a capacitor including the second X lower stub 421b and the lower ground plate GL2 or a capacitor including the second Y lower stub 422b and the lower ground plate GL2 .

제2 X 하부 스터브(421b) 및 제2 Y 하부 스터브(422b)는 임피던스 매칭에 이용되는 인덕터를 구성할 수 있다. L_OS2는 제2 X 하부 스터브(421b) 또는 제2 Y 하부 스터브(422b)로 구성되는 인덕터를 나타낼 수 있다. L_OS2와 C_OS2는 직렬로 연결될 수 있다. L_OS1, C_OS1,L_OS2, 및 C_OS2는 제1 매칭 요소(MC1)일 수 있다. L_SS와 C_SS는 제2 매칭 요소(MC2)일 수 있다. The second X lower stub 421b and the second Y lower stub 422b may constitute an inductor used for impedance matching. L _OS2 may represent an inductor composed of the second X lower stub 421b or the second Y lower stub 422b. L _OS2 and C _OS2 can be connected in series. L _OS1 , C _OS1 ,L _OS2 and C _OS2 may be the first matching element MC1 . L _SS and C _SS may be the second matching element MC2.

제1 매칭 요소(MC1) 및 제2 매칭 요소(MC2)는 부하 임피던스(Z₀)와 적층형 패치 안테나(10)의 임피던스를 임피던스 매칭시킬 수 있다. X 급전 라인(221)의 길이 방향(제1 방향(DR1)) 또는 Y 급전 라인(222)의 길이 방향(제2 방향(DR2))을 따르는 상부 안테나 패치(120)와 하부 안테나 패치(110)의 크기 차이가 크더라도, 제1 매칭 요소(MC1)와 제2 매칭 요소(MC2)를 이용하여 임피던스 매칭이 수행될 수 있다. 따라서, 광 대역폭 특성을 갖는 적층형 패치 안테나(10)가 제공될 수 있다. The first matching element MC1 and the second matching element MC2 may impedance match the load impedance Z ₀ and the impedance of the stacked patch antenna 10 . Upper antenna patch 120 and lower antenna patch 110 along the longitudinal direction of the X feed line 221 (first direction DR1) or the longitudinal direction of the Y feed line 222 (second direction DR2) Even if the difference in size of is large, impedance matching may be performed using the first matching element MC1 and the second matching element MC2. Thus, the stacked patch antenna 10 having wide bandwidth characteristics can be provided.

도 7은 상부 안테나 패치 및 하부 안테나 패치의 크기에 따른 적층형 패치 안테나의 반사 특성을 나타내는 그래프이다. 7 is a graph showing reflection characteristics of a stacked patch antenna according to sizes of an upper antenna patch and a lower antenna patch.

도 7에 제1 반사 특성 그래프(G1) 및 제2 반사 특성 그래프(G2)가 도시된다. 제1 반사 특성 그래프(G1) 및 제2 반사 특성 그래프(G2)에서 S 파라미터(S₁₁)가 -12 데시벨(dB)인 두 주파수 사이의 거리가 대역폭일 수 있다.7 shows a first reflection characteristic graph G1 and a second reflection characteristic graph G2. In the first reflection characteristic graph G1 and the second reflection characteristic graph G2, a distance between two frequencies at which the S parameter S ₁₁ is -12 decibels (dB) may be a bandwidth.

제1 반사 특성 그래프(G1)는 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명된 것과 달리, 스터브들(321, 322, 421a, 421b, 422a, 422b)을 포함하지 않는 적층형 패치 안테나의 반사 특성 그래프이다. 상부 안테나 패치의 크기는 하부 안테나 패치의 크기보다 2 % 컸다. 제1 반사 특성 그래프(G1)에 따른 제1 대역폭(BW1)은 약 15.9 GHz였다. Unlike those described with reference to FIGS. 1 to 5 , the first reflection characteristic graph G1 is a reflection characteristic graph of a stacked patch antenna that does not include stubs 321, 322, 421a, 421b, 422a, and 422b. The size of the upper antenna patch was 2% larger than that of the lower antenna patch. The first bandwidth BW1 according to the first reflection characteristic graph G1 was about 15.9 GHz.

제2 반사 특성 그래프(G2)는 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명된 적층형 패치 안테나(10)의 반사 특성 그래프이다. 상부 안테나 패치의 크기는 하부 안테나 패치의 크기보다 25 % 컸다. 제2 반사 특성 그래프(G2)에 따른 제2 대역폭(BW2)은 약 22.74 GHz였다.The second reflection characteristic graph G2 is a reflection characteristic graph of the stacked patch antenna 10 described with reference to FIGS. 1 to 5 . The size of the upper antenna patch was 25% larger than that of the lower antenna patch. The second bandwidth BW2 according to the second reflection characteristic graph G2 was about 22.74 GHz.

본 개시는 상부 안테나 패치(120)와 하부 안테나 패치(110)가 X 급전 라인(221)의 길이 방향(제1 방향(DR1)) 또는 Y 급전 라인(222)의 길이 방향(제2 방향(DR2))을 따라 큰 크기 차이를 가지더라도 임피던스 매칭이 가능하여, 증가된 대역폭을 갖는 적층형 패치 안테나(10)를 제공할 수 있다.According to the present disclosure, the upper antenna patch 120 and the lower antenna patch 110 are disposed in the longitudinal direction of the X feed line 221 (first direction DR1) or in the longitudinal direction of the Y feed line 222 (second direction DR2). )), impedance matching is possible even if there is a large size difference, so that the stacked patch antenna 10 having an increased bandwidth can be provided.

도 8은 예시적인 실시예에 따른 적층형 패치 안테나의 도 1의 I-I'선에 대응하는 단면도이다. 도 9는 도 8의 적층형 패치 안테나의 도 1의 II-II'선에 대응하는 단면도이다. 설명의 간결함을 위해, 본 개시는 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명된 것과의 차이점을 중심으로 설명될 수 있다.8 is a cross-sectional view corresponding to the line II′ of FIG. 1 of a stacked patch antenna according to an exemplary embodiment. FIG. 9 is a cross-sectional view of the stacked patch antenna of FIG. 8 corresponding to line II-II' in FIG. 1 . For conciseness of description, the present disclosure may be described focusing on differences from those described with reference to FIGS. 1 to 5 .

도 8 및 도 9를 참조하면, X 급전 라인(221) 및 Y 급전 라인(222)은 하부 안테나 패치(110)와 상부 안테나 패치(120) 사이에 제공될 수 있다. 하부 안테나 패치(110)는 제3 유전층(IL3)과 제2 유전층(IL2) 사이에 제공될 수 있다. X 급전 라인(221) 및 Y 급전 라인(222)은 제2 유전층(IL2)과 제1 유전층(IL1) 사이에 제공될 수 있다. X 급전 패드(211)는 제2 유전층(IL2)과 제1 유전층(IL1) 사이에 제공되어, X 급전 라인(221)과 전기적으로 연결될 수 있다. Y 급전 패드(212)는 제2 유전층(IL2)과 제1 유전층(IL1) 사이에 제공되어, Y 급전 라인(222)과 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIGS. 8 and 9 , the X feed line 221 and the Y feed line 222 may be provided between the lower antenna patch 110 and the upper antenna patch 120 . The lower antenna patch 110 may be provided between the third dielectric layer IL3 and the second dielectric layer IL2. The X feed line 221 and the Y feed line 222 may be provided between the second dielectric layer IL2 and the first dielectric layer IL1. The X feed pad 211 is provided between the second dielectric layer IL2 and the first dielectric layer IL1 and may be electrically connected to the X feed line 221 . The Y feed pad 212 may be provided between the second dielectric layer IL2 and the first dielectric layer IL1 and electrically connected to the Y feed line 222 .

X 상부 비아(331)는 X 상부 패드(311)로부터 제3 방향(DR3)을 따라 연장되어, 제3 유전층(IL3) 및 제2 유전층(IL2)을 관통하고 X 급전 패드(211)에 접할 수 있다. Y 상부 비아(332)는 Y 상부 패드(312)로부터 제3 방향(DR3)을 따라 연장되어, 제3 유전층(IL3) 및 제2 유전층(IL2)을 관통하고 Y 급전 패드(212)에 접할 수 있다.The X upper via 331 may extend from the X upper pad 311 along the third direction DR3, pass through the third dielectric layer IL3 and the second dielectric layer IL2, and contact the X feed pad 211. have. The upper Y via 332 may extend from the upper Y pad 312 along the third direction DR3, pass through the third dielectric layer IL3 and the second dielectric layer IL2, and contact the Y feeding pad 212. have.

본 개시는 X 급전 라인(221)의 길이 방향(제1 방향(DR1)) 또는 Y 급전 라인(222)의 길이 방향(제2 방향(DR2))을 따라서 상부 안테나 패치(120)의 크기가 및 하부 안테나 패치(110)의 크기보다 15 % 이상 크더라도 임피던스 매칭이 수행되고, 광 대역폭을 갖는 적층형 패치 안테나(11)를 제공할 수 있다.According to the present disclosure, the size of the upper antenna patch 120 along the longitudinal direction (first direction DR1) of the X feed line 221 or the longitudinal direction (second direction DR2) of the Y feed line 222 and Impedance matching is performed even if the size of the lower antenna patch 110 is 15% or more larger, and the stacked patch antenna 11 having a wide bandwidth can be provided.

도 10은 예시적인 실시예에 따른 적층형 패치 안테나의 사시도이다. 도 11은 도 10의 적층형 패치 안테나의 분해 사시도이다. 도 12는 도 10의 적층형 패치 안테나의 III-III'선을 따르는 단면도이다. 도 13은 도 10의 적층형 패치 안테나의 IV-IV'선을 따르는 단면도이다. 설명의 간결함을 위해, 본 개시는 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명된 것과의 차이점을 중심으로 설명된다.Fig. 10 is a perspective view of a stacked patch antenna according to an exemplary embodiment. 11 is an exploded perspective view of the stacked patch antenna of FIG. 10; FIG. 12 is a cross-sectional view of the stacked patch antenna of FIG. 10 taken along line III-III'. FIG. 13 is a cross-sectional view of the stacked patch antenna of FIG. 10 taken along line IV-IV'. For brevity of description, the present disclosure will be described focusing on differences from those described with reference to FIGS. 1 to 5 .

도 10 내지 도 13을 참조하면, 적층형 패치 안테나(12)가 제공될 수 있다. 적층형 패치 안테나(12)는 하부 안테나 패치(110)가 직접적으로 급전되는 직접 급전 구조를 가질 수 있다. Referring to FIGS. 10 to 13 , a stacked patch antenna 12 may be provided. The stacked patch antenna 12 may have a direct feeding structure in which the lower antenna patch 110 is directly fed.

하부 안테나 패치(110)의 제1 측면 상에 X 돌출 패드(111)가 제공될 수 있다. 제1 측면은 제2 방향(DR2)을 따라 연장하고, 제1 방향(DR1)의 반대 방향을 향할 수 있다. X 돌출 패드(111)는 제1 측면으로부터 제1 방향(DR1)의 반대 방향을 따라 돌출될 수 있다. X 돌출 패드(111)가 반원 형상을 갖는 것으로 도시되었으나, 이는 예시적인 것이다. X 돌출 패드(111)의 형상은 필요에 따라 정해질 수 있다. X 돌출 패드(111)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, X 돌출 패드(111)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. 일 예에서, X 돌출 패드(111)는 하부 안테나 패치(110)와 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. X 돌출 패드(111)와 하부 안테나 패치(110)는 서로 접할 수 있다. 일 예에서, X 돌출 패드(111)와 하부 안테나 패치(110)는 단일 구조체를 형성할 수 있다. 예를 들어, X 돌출 패드(111)와 하부 안테나 패치(110)는 그 사이의 경계없이 서로 연결될 수 있다.An X protruding pad 111 may be provided on the first side of the lower antenna patch 110 . The first side surface may extend along the second direction DR2 and face an opposite direction to the first direction DR1 . The X protruding pad 111 may protrude from the first side surface in a direction opposite to the first direction DR1 . Although the X protruding pad 111 is shown as having a semicircular shape, this is exemplary. The shape of the X protruding pad 111 may be determined as needed. The X protrusion pad 111 may include an electrically conductive material. For example, the X protrusion pad 111 may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). In one example, the X protruding pad 111 may include substantially the same material as the lower antenna patch 110 . The X protruding pad 111 and the lower antenna patch 110 may contact each other. In one example, the X protruding pad 111 and the lower antenna patch 110 may form a single structure. For example, the X protruding pad 111 and the lower antenna patch 110 may be connected to each other without a boundary therebetween.

하부 안테나 패치(110)의 제2 측면 상에 Y 돌출 패드(112)가 제공될 수 있다. 제2 측면은 제2 방향(DR2)을 따라 연장하고, 제2 방향(DR2)의 반대 방향을 향할 수 있다. Y 돌출 패드(112)는 제2 측면으로부터 제1 방향(DR1)의 반대 방향을 따라 돌출될 수 있다. Y 돌출 패드(112)가 반원 형상을 갖는 것으로 도시되었으나, 이는 예시적인 것이다. Y 돌출 패드(112)의 형상은 필요에 따라 정해질 수 있다. Y 돌출 패드(112)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, Y 돌출 패드(112)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. 일 예에서, Y 돌출 패드(112)는 하부 안테나 패치(110)와 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. Y 돌출 패드(112)와 하부 안테나 패치(110)는 서로 접할 수 있다. 일 예에서, Y 돌출 패드(112)와 하부 안테나 패치(110)는 단일 구조체를 형성할 수 있다. 예를 들어, Y 돌출 패드(112)와 하부 안테나 패치(110)는 그 사이의 경계없이 서로 연결될 수 있다.A Y protruding pad 112 may be provided on the second side of the lower antenna patch 110 . The second side surface may extend along the second direction DR2 and face an opposite direction to the second direction DR2 . The Y protruding pad 112 may protrude from the second side surface in a direction opposite to the first direction DR1 . Although the Y protruding pad 112 is shown as having a semicircular shape, this is exemplary. The shape of the Y protruding pad 112 may be determined as needed. The Y protrusion pad 112 may include an electrically conductive material. For example, the Y protrusion pad 112 may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). In one example, the Y protruding pad 112 may include substantially the same material as the lower antenna patch 110 . The Y protruding pad 112 and the lower antenna patch 110 may contact each other. In one example, the Y protruding pad 112 and the lower antenna patch 110 may form a single structure. For example, the Y protruding pad 112 and the lower antenna patch 110 may be connected to each other without a boundary therebetween.

제2 유전층(IL2)과 제3 유전층(IL3) 사이에 X 연결 패드(241) 및 Y 연결 패드(242)가 제공될 수 있다. X 연결 패드(241) 및 Y 연결 패드(242)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, X 연결 패드(241) 및 Y 연결 패드(242)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. 일 예에서, X 연결 패드(241) 및 Y 연결 패드(242)는 X 급전 패드(211), X 급전 라인(221), Y 급전 패드(212), 및 Y 급전 라인(222)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. X 연결 패드(241) 및 Y 연결 패드(242)가 대체적으로 원 형상을 갖는 것으로 도시되었으나, 이는 예시적인 것이다. X 연결 패드(241) 및 Y 연결 패드(242)의 형상은 필요에 따라 정해질 수 있다.An X connection pad 241 and a Y connection pad 242 may be provided between the second dielectric layer IL2 and the third dielectric layer IL3 . The X connection pad 241 and the Y connection pad 242 may include an electrically conductive material. For example, the X connection pad 241 and the Y connection pad 242 may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). In one example, the X connection pad 241 and the Y connection pad 242 are substantially the same as the X feed pad 211 , the X feed line 221 , the Y feed pad 212 , and the Y feed line 222 . may contain substances. Although the X connection pad 241 and the Y connection pad 242 are shown as having a substantially circular shape, this is exemplary. The shapes of the X connection pad 241 and the Y connection pad 242 may be determined as needed.

X 급전 패드(211), X 급전 라인(221), 및 X 연결 패드(241)는 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. X 연결 패드(241)는 X 급전 라인(221)에 전기적으로 연결될 수 있다. X 급전 라인(221)의 제1 방향(DR1)을 따르는 일단에 X 급전 패드(211)가 접하고, 제1 방향(DR1)을 따르는 타단에 X 연결 패드(241)가 접할 수 있다. 일 예에서, X 급전 패드(211), X 급전 라인(221), 및 X 연결 패드(241)는 단일 구조체를 형성할 수 있다. 예를 들어, X 급전 패드(211), X 급전 라인(221), 및 X 연결 패드(241)는 그 사이의 경계없이 서로 연결될 수 있다. X 연결 패드(241)는 하부 안테나 패치(110) 및 X 돌출 패드(111)와 제3 방향(DR3)을 따라 중첩할 수 있다. The X feeding pad 211 , the X feeding line 221 , and the X connection pad 241 may be arranged along the first direction DR1 . The X connection pad 241 may be electrically connected to the X power supply line 221 . The X feed pad 211 may come into contact with one end of the X feed line 221 along the first direction DR1, and the X connection pad 241 may come into contact with the other end along the first direction DR1. In one example, the X feed pad 211 , the X feed line 221 , and the X connection pad 241 may form a single structure. For example, the X feed pad 211, the X feed line 221, and the X connection pad 241 may be connected to each other without a boundary therebetween. The X connection pad 241 may overlap the lower antenna patch 110 and the X protruding pad 111 along the third direction DR3.

X 연결 패드(241)와 하부 안테나 패치(110) 사이에 X 연결 비아(231)가 제공될 수 있다. X 연결 비아(231)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, X 연결 비아(231)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. X 연결 비아(231)는 제2 유전층(IL2)을 관통할 수 있다. X 연결 비아(231)는 X 연결 패드(241)로부터 제3 방향(DR3)을 따라 연장할 수 있다. X 연결 비아(231)는 X 연결 패드(241) 및 하부 안테나 패치(110)와 전기적으로 연결될 수 있다. X 연결 비아(231)의 제3 방향(DR3)을 따르는 일단은 X 연결 패드(241)에 접할 수 있다. X 연결 비아(231)의 제3 방향(DR3)을 따르는 타단은 하부 안테나 패치(110) 및 X 돌출 패드(111) 중 적어도 하나에 접할 수 있다. An X connection via 231 may be provided between the X connection pad 241 and the lower antenna patch 110 . The X connection via 231 may include an electrically conductive material. For example, the X connection via 231 may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). The X connection via 231 may pass through the second dielectric layer IL2 . The X connection via 231 may extend along the third direction DR3 from the X connection pad 241 . The X connection via 231 may be electrically connected to the X connection pad 241 and the lower antenna patch 110 . One end of the X connection via 231 along the third direction DR3 may contact the X connection pad 241 . The other end of the X connection via 231 along the third direction DR3 may contact at least one of the lower antenna patch 110 and the X protruding pad 111 .

Y 급전 패드(212), Y 급전 라인(222), 및 Y 연결 패드(242)는 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. Y 연결 패드(242)는 Y 급전 라인(222)에 전기적으로 연결될 수 있다. Y 급전 라인(222)의 제2 방향(DR2)을 따르는 일단에 Y 급전 패드(212)가 접하고, 제2 방향(DR2)을 따르는 타단에 Y 연결 패드(242)가 접할 수 있다. 일 예에서, Y 급전 패드(212), Y 급전 라인(222), 및 Y 연결 패드(242)는 단일 구조체를 형성할 수 있다. 예를 들어, Y 급전 패드(212), Y 급전 라인(222), 및 Y 연결 패드(242)는 그 사이의 경계없이 서로 연결될 수 있다. Y 연결 패드(242)는 하부 안테나 패치(110) 및 Y 돌출 패드(112)와 제3 방향(DR3)을 따라 중첩할 수 있다. The Y feeding pad 212 , the Y feeding line 222 , and the Y connection pad 242 may be arranged along the second direction DR2 . The Y connection pad 242 may be electrically connected to the Y power supply line 222 . One end of the Y feed line 222 along the second direction DR2 may be in contact with the Y feed pad 212 and the other end along the second direction DR2 may be in contact with the Y connection pad 242 . In one example, the Y feed pad 212 , the Y feed line 222 , and the Y connection pad 242 may form a single structure. For example, the Y feeding pad 212, the Y feeding line 222, and the Y connection pad 242 may be connected to each other without a boundary therebetween. The Y connection pad 242 may overlap the lower antenna patch 110 and the Y protrusion pad 112 along the third direction DR3 .

Y 연결 패드(242)와 하부 안테나 패치(110) 사이에 Y 연결 비아(232)가 제공될 수 있다. Y 연결 비아(232)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, Y 연결 비아(232)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. Y 연결 비아(232)는 제2 유전층(IL2)을 관통할 수 있다. Y 연결 비아(232)는 Y 연결 패드(242)로부터 제3 방향(DR3)을 따라 연장할 수 있다. Y 연결 비아(232)는 Y 연결 패드(242) 및 하부 안테나 패치(110)와 전기적으로 연결될 수 있다. Y 연결 비아(232)의 제3 방향(DR3)을 따르는 일단은 Y 연결 패드(242)에 접할 수 있다. Y 연결 비아(232)의 제3 방향(DR3)을 따르는 타단은 하부 안테나 패치(110) 및 Y 돌출 패드(112) 중 적어도 하나에 접할 수 있다. A Y connection via 232 may be provided between the Y connection pad 242 and the lower antenna patch 110 . The Y connection via 232 may include an electrically conductive material. For example, the Y connection via 232 may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). The Y connection via 232 may pass through the second dielectric layer IL2 . The Y connection via 232 may extend along the third direction DR3 from the Y connection pad 242 . The Y connection via 232 may be electrically connected to the Y connection pad 242 and the lower antenna patch 110 . One end of the Y connection via 232 along the third direction DR3 may contact the Y connection pad 242 . The other end of the Y connection via 232 along the third direction DR3 may contact at least one of the lower antenna patch 110 and the Y protruding pad 112 .

상부 접지 플레이트(GL1)는 X 상부 홀(301) 및 Y 상부 홀(302)을 포함할 수 있다. X 상부 홀(301)은 X 상부 패드 홀(301a) 및 X 상부 스터브 홀(301b)을 포함할 수 있다. X 상부 스터브 홀(301b)은 X 상부 패드 홀(301a)로부터 제1 방향(DR1)의 반대 방향으로 돌출될 수 있다. Y 상부 홀(302)은 Y 상부 패드 홀(302a) 및 Y 상부 스터브 홀(302b)을 포함할 수 있다. Y 상부 스터브 홀(302b)은 Y 상부 패드 홀(302a)로부터 제2 방향(DR2)의 반대 방향으로 돌출될 수 있다.The upper ground plate GL1 may include an X upper hole 301 and a Y upper hole 302 . The X upper hole 301 may include an X upper pad hole 301a and an X upper stub hole 301b. The X upper stub hole 301b may protrude from the X upper pad hole 301a in a direction opposite to the first direction DR1 . The upper Y hole 302 may include an upper Y pad hole 302a and an upper Y stub hole 302b. The upper Y stub hole 302b may protrude from the upper Y pad hole 302a in a direction opposite to the second direction DR2 .

X 상부 스터브 홀(301b) 내에 X 상부 스터브(321)가 제공될 수 있다. 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명된 것과 달리, X 상부 스터브(321)는 X 상부 패드(311)로부터 제1 방향(DR1)의 반대 방향을 따라 연장하여, 상부 접지 플레이트(GL1)에 직접 접할 수 있다. 다시 말해, X 상부 스터브(321)의 제1 방향(DR1)을 따르는 양 단부들 중 일 단부는 X 상부 패드(311)에 접하고, 다른 단부는 상부 접지 플레이트(GL1)에 접할 수 있다. X 상부 스터브(321)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, X 상부 스터브(321)와 상부 접지 플레이트(GL1)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다. An X upper stub 321 may be provided in the X upper stub hole 301b. Unlike the description with reference to FIGS. 1 to 5 , the upper X stub 321 extends from the upper X pad 311 in a direction opposite to the first direction DR1 and directly contacts the upper ground plate GL1. can In other words, one end of both ends of the upper X stub 321 along the first direction DR1 may contact the upper X pad 311 and the other end may contact the upper ground plate GL1. When a high frequency electric signal (or high frequency power supply signal) is applied to the upper X stub 321, the upper X stub 321 and the upper ground plate GL1 may constitute a capacitor used for impedance matching.

Y 상부 스터브 홀(302b) 내에 Y 상부 스터브(322)가 제공될 수 있다. 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명된 것과 달리, Y 상부 스터브(322)는 Y 상부 패드(312)로부터 제2 방향(DR2)의 반대 방향을 따라 연장하여, 상부 접지 플레이트(GL1)에 직접 접할 수 있다. 다시 말해, Y 상부 스터브(322)의 제2 방향(DR2)을 따르는 양 단부들 중 일 단부는 Y 상부 패드(312)에 접하고, 다른 단부는 상부 접지 플레이트(GL1)에 접할 수 있다. Y 상부 스터브(322)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, Y 상부 스터브(322)와 상부 접지 플레이트(GL1)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다.An upper Y stub 322 may be provided in the upper Y stub hole 302b. Unlike those described with reference to FIGS. 1 to 5 , the upper Y stub 322 extends from the upper Y pad 312 in a direction opposite to the second direction DR2 and directly contacts the upper ground plate GL1. can In other words, one end of both ends of the upper Y stub 322 along the second direction DR2 may contact the upper Y pad 312 and the other end may contact the upper ground plate GL1. When a high frequency electric signal (or high frequency feed signal) is applied to the Y upper stub 322, the Y upper stub 322 and the upper ground plate GL1 may constitute a capacitor used for impedance matching.

하부 접지 플레이트(GL2)는 X 하부 홀(401) 및 Y 하부 홀(402)을 포함할 수 있다. X 하부 홀(401)은 X 하부 패드 홀(401a) 및 X 하부 스터브 홀(401b)을 포함할 수 있다. X 하부 스터브 홀(401b)은 X 하부 패드 홀(401a)로부터 제1 방향(DR1)의 반대 방향으로 돌출될 수 있다. Y 하부 홀(402)은 Y 하부 패드 홀(402a) 및 Y 하부 스터브 홀(402b)을 포함할 수 있다. Y 하부 스터브 홀(402b)은 Y 하부 패드 홀(402a)로부터 제2 방향(DR2)의 반대 방향으로 돌출될 수 있다.The lower ground plate GL2 may include a lower X hole 401 and a lower Y hole 402 . The X lower hole 401 may include an X lower pad hole 401a and an X lower stub hole 401b. The X lower stub hole 401b may protrude from the X lower pad hole 401a in a direction opposite to the first direction DR1 . The Y lower hole 402 may include a Y lower pad hole 402a and a Y lower stub hole 402b. The Y lower stub hole 402b may protrude from the Y lower pad hole 402a in a direction opposite to the second direction DR2 .

X 하부 스터브 홀(401b) 내에 X 하부 스터브(421)가 제공될 수 있다. X 하부 패드(411)로부터 제1 방향(DR1)의 반대 방향을 따라 연장하여, 하부 접지 플레이트(GL2)에 직접 접할 수 있다. 다시 말해, X 하부 스터브(421)의 제1 방향(DR1)을 따르는 양 단부들 중 일 단부는 X 하부 패드(411)에 접하고, 다른 단부는 하부 접지 플레이트(GL2)에 접할 수 있다. X 하부 스터브(421)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, X 하부 스터브(421)와 상부 접지 플레이트(GL1)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다.An X lower stub 421 may be provided in the X lower stub hole 401b. It may extend from the lower X pad 411 in a direction opposite to the first direction DR1 and directly contact the lower ground plate GL2 . In other words, one end of both ends of the X lower stub 421 along the first direction DR1 may contact the X lower pad 411 and the other end may contact the lower ground plate GL2 . When a high frequency electric signal (or high frequency feed signal) is applied to the X lower stub 421, the X lower stub 421 and the upper ground plate GL1 may constitute a capacitor used for impedance matching.

Y 하부 스터브 홀(402b) 내에 Y 하부 스터브(422)가 제공될 수 있다. Y 하부 패드(412)로부터 제2 방향(DR2)의 반대 방향을 따라 연장하여, 하부 접지 플레이트(GL2)에 직접 접할 수 있다. 다시 말해, Y 하부 스터브(422)의 제2 방향(DR2)을 따르는 양 단부들 중 일 단부는 Y 하부 패드(412)에 접하고, 다른 단부는 하부 접지 플레이트(GL2)에 접할 수 있다. Y 하부 스터브(422)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, Y 하부 스터브(422)와 상부 접지 플레이트(GL2)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다.A Y lower stub 422 may be provided in the Y lower stub hole 402b. It may extend from the Y lower pad 412 in a direction opposite to the second direction DR2 and directly contact the lower ground plate GL2 . In other words, one end of both ends of the lower Y stub 422 along the second direction DR2 may contact the lower Y pad 412 and the other end may contact the lower ground plate GL2 . When a high frequency electric signal (or high frequency feed signal) is applied to the Y lower stub 422, the Y lower stub 422 and the upper ground plate GL2 may constitute a capacitor used for impedance matching.

본 개시의 적층형 패치 안테나(12)는 임피던스 매칭을 위해, X 상부 스터브(321), Y 상부 스터브(322), X 하부 스터브(421), Y 하부 스터브(422) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이에 따라, X 급전 라인(221)의 길이 방향(제1 방향(DR1)) 또는 Y 급전 라인(222)의 길이 방향(제2 방향(DR2))을 따라서 상부 안테나 패치(120)의 크기가 및 하부 안테나 패치(110)의 크기보다 15 % 이상 크더라도 임피던스 매칭이 수행되고, 광 대역폭을 갖는 적층형 패치 안테나(12)가 제공될 수 있다. The stacked patch antenna 12 of the present disclosure may include at least one of an X upper stub 321, a Y upper stub 322, an X lower stub 421, and a Y lower stub 422 for impedance matching. . Accordingly, the size of the upper antenna patch 120 along the longitudinal direction of the X feed line 221 (first direction DR1) or the longitudinal direction of the Y feed line 222 (second direction DR2) and Impedance matching is performed even if the size of the lower antenna patch 110 is 15% or more larger, and the stacked patch antenna 12 having a wide bandwidth can be provided.

도 14는 예시적인 실시예에 따른 적층형 패치 안테나의 사시도이다. 설명의 간결함을 위해, 본 개시는 도 10 내지 도 13을 참조하여 설명된 것과의 차이점을 중심으로 설명된다.Fig. 14 is a perspective view of a stacked patch antenna according to an exemplary embodiment. For brevity of description, the present disclosure will be described focusing on differences from those described with reference to FIGS. 10 to 13 .

도 14를 참조하면, X 돌출 패든 및 Y 돌출 패드가 제공되지 않을 수 있다. X 연결 비아(231)의 제3 방향(DR3)을 따르는 일단 및 타단은 각각 X 연결 패드(241) 및 하부 안테나 패치(110)에 접할 수 있다. Y 연결 비아(232)의 제3 방향(DR3)을 따르는 일단 및 타단은 각각 Y 연결 패드(242) 및 하부 안테나 패치(110)에 접할 수 있다.Referring to FIG. 14 , an X protruding paddle and a Y protruding pad may not be provided. One end and the other end of the X connection via 231 along the third direction DR3 may contact the X connection pad 241 and the lower antenna patch 110 , respectively. One end and the other end of the Y connection via 232 along the third direction DR3 may contact the Y connection pad 242 and the lower antenna patch 110 , respectively.

본 개시는 X 급전 라인(221)의 길이 방향(제1 방향(DR1)) 또는 Y 급전 라인(222)의 길이 방향(제2 방향(DR2))을 따라서 상부 안테나 패치(120)의 크기가 및 하부 안테나 패치(110)의 크기보다 15 % 이상 크더라도 임피던스 매칭이 수행되고, 광 대역폭을 갖는 적층형 패치 안테나(13)를 제공할 수 있다.According to the present disclosure, the size of the upper antenna patch 120 along the longitudinal direction (first direction DR1) of the X feed line 221 or the longitudinal direction (second direction DR2) of the Y feed line 222 and Impedance matching is performed even if the size of the lower antenna patch 110 is 15% or more, and the stacked patch antenna 13 having a wide bandwidth can be provided.

도 15 내지 도 17은 예시적인 실시예에 따른 급전 스터브들을 설명하기 위한 도면들이다. 설명의 간결함을 위해, 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 내용은 설명되지 않을 수 있다. 15 to 17 are diagrams for explaining power supply stubs according to exemplary embodiments. For conciseness of description, content substantially the same as that described with reference to FIGS. 1 to 5 may not be described.

도 15를 참조하면, 제1 급전 스터브(251)가 제공될 수 있다. 제1 급전 스터브(251)는 제3 유전층(IL3) 상에 제공될 수 있다. 제1 급전 스터브(251)는 X 급전 패드(211)에 대해 X 급전 라인(221)의 반대편에 제공될 수 있다. 제1 급전 스터브(251)는 X 급전 패드(211)로부터 돌출될 수 있다. 제1 급전 스터브(251)는 X 급전 라인(221)의 연장 방향과 평행한 방향을 따라 연장할 수 있다. 제1 급전 스터브(251)는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 급전 스터브(251)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. 제1 급전 스터브(251)는 X 급전 패드(211), X 급전 라인(221), 및 제1 급전 스터브(251)는 단일 구조체를 구성할 수 있다. 예를 들어, X 급전 패드(211), X 급전 라인(221), 및 제1 급전 스터브(251)는 이들 사이의 경계없이 서로 연결될 수 있다. 제1 급전 스터브(251)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, 제1 급전 스터브(251)는 임피던스 매칭에 이용되는 인덕터를 구성할 수 있다.Referring to FIG. 15 , a first feed stub 251 may be provided. The first power supply stub 251 may be provided on the third dielectric layer IL3. The first feed stub 251 may be provided on the opposite side of the X feed line 221 to the X feed pad 211 . The first feed stub 251 may protrude from the X feed pad 211 . The first feed stub 251 may extend in a direction parallel to the extension direction of the X feed line 221 . The first feed stub 251 may include a conductive material. For example, the first power supply stub 251 may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). In the first feed stub 251, the X feed pad 211, the X feed line 221, and the first feed stub 251 may form a single structure. For example, the X feed pad 211, the X feed line 221, and the first feed stub 251 may be connected to each other without a boundary therebetween. When a high-frequency electrical signal (or high-frequency power supply signal) is applied to the first power supply stub 251, the first power supply stub 251 may constitute an inductor used for impedance matching.

도 15를 참조하여 설명된 내용은 Y 급전 패드 및 Y 급전 라인에 대해 실질적으로 동일하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 도 15의 X 급전 패드(211), X 급전 라인(221)은 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명되는 Y 급전 패드(212) 및 Y 급전 라인(222)으로 대체될 수 있다.The contents described with reference to FIG. 15 may be substantially equally applied to the Y feeding pad and the Y feeding line. For example, the X feeding pad 211 and the X feeding line 221 of FIG. 15 may be replaced with the Y feeding pad 212 and the Y feeding line 222 described with reference to FIGS. 1 to 5 .

도 16을 참조하면, 제2 급전 스터브(252)가 제공될 수 있다. 제2 급전 스터브(252)는 X 급전 패드(211)의 일측으로부터 타측으로 연장될 수 있다. 제2 급전 스터브(252)는 고리 형상을 가질 수 있다. 제2 급전 스터브(252)가 사각 고리 형상을 갖는 것으로 도시되었으나, 이는 예시적인 것이다. 제2 급전 스터브(252)의 형상은 필요에 따라 정해질 수 있다. 제2 급전 스터브(252)는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 급전 스터브(252)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. X 급전 패드(211), X 급전 라인(221), 및 제2 급전 스터브(252)는 단일 구조체를 구성할 수 있다. 예를 들어, X 급전 패드(211), X 급전 라인(221), 및 제2 급전 스터브(252)는 이들 사이의 경계없이 서로 연결될 수 있다. 제2 급전 스터브(252)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, 제2 급전 스터브(252)는 임피던스 매칭에 이용되는 인덕터를 구성할 수 있다.Referring to FIG. 16 , a second feed stub 252 may be provided. The second feed stub 252 may extend from one side of the X feed pad 211 to the other side. The second feed stub 252 may have a ring shape. Although the second feed stub 252 is shown as having a quadrangular ring shape, this is exemplary. The shape of the second feed stub 252 may be determined as needed. The second feed stub 252 may include a conductive material. For example, the second power supply stub 252 may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). The X feed pad 211, the X feed line 221, and the second feed stub 252 may form a single structure. For example, the X feed pad 211, the X feed line 221, and the second feed stub 252 may be connected to each other without a boundary therebetween. When a high frequency electric signal (or high frequency power supply signal) is applied to the second power supply stub 252, the second power supply stub 252 may constitute an inductor used for impedance matching.

도 16을 참조하여 설명된 내용은 Y 급전 패드 및 Y 급전 라인에 동일하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 도 16의 X 급전 패드(211), X 급전 라인(221)은 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명되는 Y 급전 패드(212) 및 Y 급전 라인(222)으로 대체될 수 있다.The contents described with reference to FIG. 16 may be equally applied to the Y feeding pad and the Y feeding line. For example, the X feeding pad 211 and the X feeding line 221 of FIG. 16 may be replaced with the Y feeding pad 212 and the Y feeding line 222 described with reference to FIGS. 1 to 5 .

도 17을 참조하면, 제3 급전 스터브(253a) 및 보조 패드(253b)가 제공될 수 있다. 제3 급전 스터브(253a)는 X 급전 패드(211)의 일측으로부터 타측으로 연장될 수 있다. 제3 급전 스터브(253a)는 고리 형상을 가질 수 있다. 제3 급전 스터브(253a)가 사각 고리 형상을 갖는 것으로 도시되었으나, 이는 예시적인 것이다. 제3 급전 스터브(253a)의 형상은 필요에 따라 정해질 수 있다. 제3 급전 스터브(253a)는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 급전 스터브(253a)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. X 급전 패드(211), X 급전 라인(221), 및 제3 급전 스터브(253a)는 단일 구조체를 구성할 수 있다. 예를 들어, X 급전 패드(211), X 급전 라인(221), 및 제3 급전 스터브(253a)는 이들 사이의 경계없이 서로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 17 , a third power supply stub 253a and an auxiliary pad 253b may be provided. The third feed stub 253a may extend from one side of the X feed pad 211 to the other side. The third feed stub 253a may have a ring shape. Although the third feed stub 253a is shown as having a quadrangular ring shape, this is exemplary. The shape of the third feed stub 253a may be determined as needed. The third feed stub 253a may include a conductive material. For example, the third power supply stub 253a may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). The X feed pad 211, the X feed line 221, and the third feed stub 253a may constitute a single structure. For example, the X feed pad 211, the X feed line 221, and the third feed stub 253a may be connected to each other without a boundary therebetween.

보조 패드(253b)는 제3 급전 스터브(253a)에 의해 둘러싸일 수 있다. 보조 패드(253b)는 X 급전 패드(211)와 제3 급전 스터브(253a)로부터 이격될 수 있다. 보조 패드(253b)가 원 형상을 갖는 것으로 도시되었으나, 이는 예시적인 것이다. 보조 패드(253b)의 형상은 필요에 따라 정해질 수 있다. 보조 패드(253b)는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 보조 패드(253b)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. The auxiliary pad 253b may be surrounded by the third power supply stub 253a. The auxiliary pad 253b may be spaced apart from the X feeding pad 211 and the third feeding stub 253a. Although the auxiliary pad 253b is shown as having a circular shape, this is exemplary. The shape of the auxiliary pad 253b may be determined as needed. The auxiliary pad 253b may include a conductive material. For example, the auxiliary pad 253b may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag).

제3 급전 스터브(253a)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, 제3 급전 스터브(253a)와 보조 패드(253b)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다. When a high frequency electric signal (or high frequency power supply signal) is applied to the third power supply stub 253a, the third power supply stub 253a and the auxiliary pad 253b may constitute a capacitor used for impedance matching.

도 17을 참조하여 설명된 내용은 Y 급전 패드 및 Y 급전 라인에 대해 실질적으로 동일하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 도 17의 X 급전 패드(211), X 급전 라인(221)은 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명되는 Y 급전 패드(212) 및 Y 급전 라인(222)으로 대체될 수 있다.The contents described with reference to FIG. 17 may be substantially equally applied to the Y feeding pad and the Y feeding line. For example, the X feeding pad 211 and the X feeding line 221 of FIG. 17 may be replaced with the Y feeding pad 212 and the Y feeding line 222 described with reference to FIGS. 1 to 5 .

도 18 내지 도 20은 예시적인 실시예에 따른 상부 스터브를 설명하기 위한 도면들이다. 설명의 간결함을 위해, 본 개시는 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명된 것과의 차이점을 중심으로 설명된다.18 to 20 are views for explaining an upper stub according to an exemplary embodiment. For brevity of description, the present disclosure will be described focusing on differences from those described with reference to FIGS. 1 to 5 .

도 18을 참조하면, 제1 A 상부 스터브(323a) 및 제2 A 상부 스터브(323b)가 제공될 수 있다. 제1 A 상부 스터브(323a) 및 제2 A 상부 스터브(323b)는 X 상부 패드(311)를 사이에 두고 서로 반대편에 제공될 수 있다. 제1 A 상부 스터브(323a) 및 제2 A 상부 스터브(323b)는 X 상부 패드(311)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다. 제1 A 상부 스터브(323a)는 상부 접지 플레이트(GL1)로부터 이격될 수 있다. 제2 A 상부 스터브(323b)는 상부 접지 플레이트(GL1)에 접할 수 있다. 제2 A 상부 스터브(323b)의 연장 방향을 따르는 일단은 X 상부 패드(311)에 접하고, 타단은 상부 접지 플레이트(GL1)에 접할 수 있다. 제2 A 상부 스터브(323b)의 연장 방향을 따르는 측면들은 상부 접지 플레이트(GL1)로부터 이격될 수 있다.Referring to FIG. 18 , a first A upper stub 323a and a second A upper stub 323b may be provided. The first A upper stub 323a and the second A upper stub 323b may be provided opposite to each other with the X upper pad 311 interposed therebetween. The first A upper stub 323a and the second A upper stub 323b may extend from the X upper pad 311 in opposite directions. The first A upper stub 323a may be spaced apart from the upper ground plate GL1. The second A upper stub 323b may contact the upper ground plate GL1. One end of the second A upper stub 323b along the extension direction may contact the X upper pad 311 and the other end may contact the upper ground plate GL1. Side surfaces of the second A upper stub 323b along the extending direction may be spaced apart from the upper ground plate GL1.

제1 A 상부 스터브(323a) 및 제2 A 상부 스터브(323b)는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 A 상부 스터브(323a) 및 제2 A 상부 스터브(323b)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. 일 예에서, 제1 A 상부 스터브(323a) 및 제2 A 상부 스터브(323b)는 X 상부 패드(311)는 단일 구조체를 구성할 수 있다. 예를 들어, 제1 A 상부 스터브(323a) 및 제2 A 상부 스터브(323b)는 X 상부 패드(311)는 이들 사이의 경계없이 서로 연결될 수 있다. The first A upper stub 323a and the second A upper stub 323b may include a conductive material. For example, the first A upper stub 323a and the second A upper stub 323b may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). In one example, the first A upper stub 323a and the second A upper stub 323b may form a single structure including the X upper pad 311 . For example, the first A upper stub 323a and the second A upper stub 323b may be connected to each other without an X upper pad 311 having a boundary therebetween.

제1 A 상부 스터브(323a)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, 제1 A 상부 스터브(323a)와 상부 접지 플레이트(GL1)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다. 제2 A 상부 스터브(323b)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, 제2 A 상부 스터브(323b)와 상부 접지 플레이트(GL1)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터 및 인덕터를 구성할 수 있다. When a high frequency electrical signal (or high frequency power supply signal) is applied to the 1st A upper stub 323a, the 1st A upper stub 323a and the upper ground plate GL1 may constitute a capacitor used for impedance matching. . When a high frequency electrical signal (or high frequency feed signal) is applied to the 2nd A upper stub 323b, the 2nd A upper stub 323b and the upper ground plate GL1 constitute a capacitor and an inductor used for impedance matching. can

도 18을 참조하여 설명된 내용은 Y 상부 패드에 대해 실질적으로 동일하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 도 18의 X 상부 패드(311)는 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명되는 Y 상부 패드(312)로 대체될 수 있다. The contents described with reference to FIG. 18 may be substantially equally applied to the Y upper pad. For example, the X upper pad 311 of FIG. 18 may be replaced with the Y upper pad 312 described with reference to FIGS. 1 to 5 .

도 19를 참조하면, 제1 B 상부 스터브(324a) 및 제2 B 상부 스터브(324b)가 제공될 수 있다. 제1 B 상부 스터브(324a)는 제2 B 상부 스터브(324b)와 X 상부 패드(311) 사이에 제공될 수 있다. X 상부 패드(311), 제1 B 상부 스터브(324a), 및 제2 B 상부 스터브(324b)는 일 방향을 따라 배열될 수 있다. 제1 B 상부 스터브(324a) 및 제2 B 상부 스터브(324b)는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 B 상부 스터브(324a) 및 제2 B 상부 스터브(324b)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. 일 예에서, 제1 B 상부 스터브(324a), 제2 B 상부 스터브(324b), 및 X 상부 패드(311)는 단일 구조체를 구성할 수 있다. 예를 들어, 제1 B 상부 스터브(324a), 제2 B 상부 스터브(324b), 및 X 상부 패드(311)는 이들 사이의 경계없이 서로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 19 , a first B upper stub 324a and a second B upper stub 324b may be provided. The first B upper stub 324a may be provided between the second B upper stub 324b and the X upper pad 311 . The X upper pad 311, the first B upper stub 324a, and the second B upper stub 324b may be arranged along one direction. The first B upper stub 324a and the second B upper stub 324b may include a conductive material. For example, the first B upper stub 324a and the second B upper stub 324b may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). In one example, the first B upper stub 324a, the second B upper stub 324b, and the X upper pad 311 may constitute a single structure. For example, the first B upper stub 324a, the second B upper stub 324b, and the X upper pad 311 may be connected to each other without a boundary therebetween.

제1 B 상부 스터브(324a)는 일 방향으로 연장할 수 있다. 제1 B 상부 스터브(324a)의 연장 방향을 따르는 일단은 X 상부 패드(311)에 접하고, 타단은 제2 B 상부 스터브(324b)에 접할 수 있다. 제1 B 상부 스터브(324a)는 상부 접지 플레이트(GL1)로부터 이격될 수 있다.The first B upper stub 324a may extend in one direction. One end along the extension direction of the first B upper stub 324a may contact the X upper pad 311 and the other end may contact the second B upper stub 324b. The first B upper stub 324a may be spaced apart from the upper ground plate GL1.

제2 B 상부 스터브(324b)는 고리 형상을 가질 수 있다. 제2 B 상부 스터브(324b)가 사각 고리 형상을 갖는 것으로 도시되었으나, 이는 예시적인 것이다. 다른 예에서, 제2 B 상부 스터브(324b)는 원형 고리 또는 사각형이 아닌 다각형 고리 형상을 가질 수 있다. 제2 B 상부 스터브(324b)는 상부 접지 플레이트(GL1)로부터 이격될 수 있다. 제1 B 상부 스터브(324a)의 내측에 제4 유전층(IL4)이 노출될 수 있다. The second B upper stub 324b may have a ring shape. Although the second B upper stub 324b is shown as having a quadrangular ring shape, this is exemplary. In another example, the second B upper stub 324b may have a circular ring shape or a polygonal ring shape other than a quadrangular shape. The second B upper stub 324b may be spaced apart from the upper ground plate GL1. The fourth dielectric layer IL4 may be exposed inside the first B upper stub 324a.

제1 B 상부 스터브(324a) 및 제2 B 상부 스터브(324b)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, 제1 B 상부 스터브(324a) 및 제2 B 상부 스터브(324b)와 상부 접지 플레이트(GL1)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다. When a high frequency electrical signal (or high frequency feed signal) is applied to the first B upper stub 324a and the second B upper stub 324b, the first B upper stub 324a and the second B upper stub 324b The upper ground plate GL1 may constitute a capacitor used for impedance matching.

도 19를 참조하여 설명된 내용은 Y 상부 패드에 대해 실질적으로 동일하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 도 19의 X 상부 패드(311)는 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명되는 Y 상부 패드(312)로 대체될 수 있다. The contents described with reference to FIG. 19 may be substantially equally applied to the Y upper pad. For example, the upper X pad 311 of FIG. 19 may be replaced with the upper Y pad 312 described with reference to FIGS. 1 to 5 .

도 20을 참조하면, 제3 B 상부 스터브(324c)가 제공될 수 있다. 제3 B 상부 스터브(324c)는 제2 B 상부 스터브(324b)와 상부 접지 플레이트(GL1) 사이에 제공될 수 있다. 제3 B 상부 스터브(324c)는 제1 B 상부 스터브(324a)의 연장 방향과 평행한 방향을 따라 연장할 수 있다. 제1 B 상부 스터브(324a)의 연장 방향을 따르는 일단은 제2 B 상부 스터브(324b)에 접하고, 타단은 상부 접지 플레이트(GL1)에 접할 수 있다. 제3 B 상부 스터브(324c)는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 B 상부 스터브(324c)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. 일 예에서, 제3 B 상부 스터브(324c) 및 제2 B 상부 스터브(324b)는 단일 구조체를 구성할 수 있다. 예를 들어, 제3 B 상부 스터브(324c) 및 제2 B 상부 스터브(324b)는 이들 사이의 경계없이 서로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 20 , a third B upper stub 324c may be provided. The third B upper stub 324c may be provided between the second B upper stub 324b and the upper ground plate GL1. The third B upper stub 324c may extend in a direction parallel to the extending direction of the first B upper stub 324a. One end along the extending direction of the first B upper stub 324a may contact the second B upper stub 324b, and the other end may contact the upper ground plate GL1. The third B upper stub 324c may include a conductive material. For example, the third B upper stub 324c may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). In one example, the third B upper stub 324c and the second B upper stub 324b may constitute a unitary structure. For example, the third B upper stub 324c and the second B upper stub 324b may be connected to each other without a boundary therebetween.

X 상부 패드(311)를 통해 제1 B 상부 스터브(324a), 제2 B 상부 스터브(324b), 및 제3 B 상부 스터브(324c)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, 제1 B 상부 스터브(324a) 및 제2 B 상부 스터브(324b)와 상부 접지 플레이트(GL1)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있고, 제3 B 상부 스터브(324c)는 임피던스 매칭에 이용되는 인덕터를 구성할 수 있다. When a high-frequency electrical signal (or high-frequency power supply signal) is applied to the first B upper stub 324a, the second B upper stub 324b, and the third B upper stub 324c through the X upper pad 311, The first B upper stub 324a, the second B upper stub 324b, and the upper ground plate GL1 may constitute a capacitor used for impedance matching, and the third B upper stub 324c is used for impedance matching. An inductor can be constructed.

도 20을 참조하여 설명된 내용은 Y 상부 패드에 대해 실질적으로 동일하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 도 20의 X 상부 패드(311)는 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명되는 Y 상부 패드(312)로 대체될 수 있다. The contents described with reference to FIG. 20 may be substantially equally applied to the Y upper pad. For example, the upper X pad 311 of FIG. 20 may be replaced with the upper Y pad 312 described with reference to FIGS. 1 to 5 .

도 21 및 도 22는 예시적인 실시예에 따른 하부 스터브를 설명하기 위한 도면들이다. 설명의 간결함을 위해, 본 개시는 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명된 것과의 차이점을 중심으로 설명된다. 21 and 22 are views for explaining a lower stub according to an exemplary embodiment. For brevity of description, the present disclosure will be described focusing on differences from those described with reference to FIGS. 1 to 5 .

도 21을 참조하면, 제1 A 하부 스터브(423a) 및 제2 A 하부 스터브(423b)가 제공될 수 있다. 제1 A 하부 스터브(423a) 및 제2 A 하부 스터브(423b)는 X 하부 패드(411)를 사이에 두고 서로 반대편에 제공될 수 있다. 제1 A 하부 스터브(423a) 및 제2 A 하부 스터브(423b)는 X 하부 패드(411)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다. 제1 A 하부 스터브(423a)는 하부 접지 플레이트(GL2)로부터 이격될 수 있다. 제2 A 하부 스터브(423b)는 하부 접지 플레이트(GL2)에 접할 수 있다. 제2 A 하부 스터브(423b)의 연장 방향을 따르는 일단은 X 하부 패드(411)에 접하고, 타단은 하부 접지 플레이트(GL2)에 접할 수 있다. 제2 A 하부 스터브(423b)의 연장 방향을 따르는 측면들은 하부 접지 플레이트(GL2)로부터 이격될 수 있다.Referring to FIG. 21 , a first A lower stub 423a and a second A lower stub 423b may be provided. The first A lower stub 423a and the second A lower stub 423b may be provided opposite to each other with the X lower pad 411 interposed therebetween. The first A lower stub 423a and the second A lower stub 423b may extend from the X lower pad 411 in opposite directions. The first A lower stub 423a may be spaced apart from the lower ground plate GL2 . The second A lower stub 423b may contact the lower ground plate GL2. One end of the second A lower stub 423b along the extending direction may contact the X lower pad 411 and the other end may contact the lower ground plate GL2 . Side surfaces of the second A lower stub 423b along the extension direction may be spaced apart from the lower ground plate GL2 .

제1 A 하부 스터브(423a) 및 제2 A 하부 스터브(423b)는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 A 하부 스터브(423a) 및 제2 A 하부 스터브(423b)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. 일 예에서, 제1 A 하부 스터브(423a) 및 제2 A 하부 스터브(423b)는 X 하부 패드(411)는 단일 구조체를 구성할 수 있다. 예를 들어, 제1 A 하부 스터브(423a) 및 제2 A 하부 스터브(423b)는 X 하부 패드(411)는 이들 사이의 경계없이 서로 연결될 수 있다. The first A lower stub 423a and the second A lower stub 423b may include a conductive material. For example, the first A lower stub 423a and the second A lower stub 423b may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). In one example, the first A lower stub 423a and the second A lower stub 423b, X lower pad 411 may form a single structure. For example, the first A lower stub 423a and the second A lower stub 423b may be connected to the X lower pad 411 without a boundary therebetween.

제1 A 하부 스터브(423a)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, 제1 A 하부 스터브(423a)와 하부 접지 플레이트(GL2)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다. 제2 A 하부 스터브(423b)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, 제2 A 하부 스터브(423b)와 하부 접지 플레이트(GL2)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터 및 인덕터를 구성할 수 있다. When a high frequency electric signal (or high frequency power supply signal) is applied to the 1st A lower stub 423a, the 1st A lower stub 423a and the lower ground plate GL2 may constitute a capacitor used for impedance matching. . When a high frequency electrical signal (or high frequency feed signal) is applied to the 2nd A lower stub 423b, the 2nd A lower stub 423b and the lower ground plate GL2 constitute a capacitor and an inductor used for impedance matching. can

도 21을 참조하여 설명된 내용은 Y 하부 패드에 대해 실질적으로 동일하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 도 21의 X 하부 패드(411)는 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명되는 Y 상부 패드(412)로 대체될 수 있다. The contents described with reference to FIG. 21 may be substantially equally applied to the Y lower pad. For example, the X lower pad 411 of FIG. 21 may be replaced with the Y upper pad 412 described with reference to FIGS. 1 to 5 .

도 22를 참조하면, 제2 하부 스터브(424)가 제공될 수 있다. 제2 하부 스터브(424)는 X 하부 패드(411)의 일측으로부터 타측으로 연장될 수 있다. 제2 하부 스터브(424)는 고리 형상을 가질 수 있다. 제2 하부 스터브(424)가 원형 고리 형상을 갖는 것으로 도시되었으나, 이는 예시적인 것이다. 제2 하부 스터브(424)의 형상은 필요에 따라 정해질 수 있다. 제2 하부 스터브(424)는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 하부 스터브(424)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. X 하부 패드(411) 및 제2 하부 스터브(424)는 단일 구조체를 구성할 수 있다. 예를 들어, X 하부 패드(411) 및 제2 하부 스터브(424)는 이들 사이의 경계없이 서로 연결될 수 있다. 제2 하부 스터브(424)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)가 인가될 때, 제2 하부 스터브(424)와 하부 접지 플레이트(GL2)는 임피던스 매칭에 이용되는 커패시터를 구성할 수 있다.Referring to FIG. 22 , a second lower stub 424 may be provided. The second lower stub 424 may extend from one side of the X lower pad 411 to the other side. The second lower stub 424 may have a ring shape. Although the second lower stub 424 is shown as having a circular ring shape, this is exemplary. The shape of the second lower stub 424 may be determined as needed. The second lower stub 424 may include a conductive material. For example, the second lower stub 424 may include copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or silver (Ag). The X lower pad 411 and the second lower stub 424 may form a single structure. For example, the X lower pad 411 and the second lower stub 424 may be connected to each other without a boundary therebetween. When a high frequency electrical signal (or high frequency feed signal) is applied to the second lower stub 424, the second lower stub 424 and the lower ground plate GL2 may constitute a capacitor used for impedance matching.

도 22를 참조하여 설명된 내용은 Y 하부 패드에 대해 실질적으로 동일하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 도 22의 X 하부 패드(411)는 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명되는 Y 상부 패드(412)로 대체될 수 있다. The contents described with reference to FIG. 22 may be substantially equally applied to the Y lower pad. For example, the X lower pad 411 of FIG. 22 may be replaced with the Y upper pad 412 described with reference to FIGS. 1 to 5 .

도 23은 예시적인 실시예에 따른 안테나 어레이의 평면도이다. 23 is a plan view of an antenna array according to an exemplary embodiment.

도 23을 참조하면, 안테나 어레이(2000)가 제공될 수 있다. 안테나 어레이(2000)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 배열되는 복수의 적층형 패치 안테나들(PA)을 포함할 수 있다. 복수의 적층형 패치 안테나들(PA)의 각각은 앞에서 설명된 적층형 패치 안테나들(10, 11, 12, 13) 중 하나일 수 있다. Referring to FIG. 23 , an antenna array 2000 may be provided. The antenna array 2000 may include a plurality of stacked patch antennas PAs arranged along the first and second directions DR1 and DR2 . Each of the plurality of stacked patch antennas PA may be one of the above-described stacked patch antennas 10, 11, 12, and 13.

상부 안테나 패치(120)는 제1 유전층(IL1) 상에 제공될 수 있다. 상부 안테나 패치(120)를 제외한 나머지 구성 요소들은 제1 유전층(IL1) 아래에 제공될 수 있다. 복수의 적층형 패치 안테나들(PA) 각각 독립적으로 작동하거나, 인접한 몇몇 적층형 패치 안테나들(PA)끼리 동일하게 작동될 수 있다. The upper antenna patch 120 may be provided on the first dielectric layer IL1. Components other than the upper antenna patch 120 may be provided under the first dielectric layer IL1. Each of the plurality of stacked patch antennas (PA) may operate independently, or several adjacent stacked patch antennas (PAs) may operate identically.

본 개시는 X 급전 라인(도 1의 221)의 길이 방향(제1 방향(DR1)) 또는 Y 급전 라인(도 1의 222)의 길이 방향(제2 방향(DR2))을 따라서 상부 안테나 패치(120)와 하부 안테나 패치(도 1의 110)가 큰 크기 편차를 가지더라도 임피던스 매칭이 될 수 있는 광대역 매칭 회로를 구현하는 적층형 패치 안테나(PA)를 포함하는 안테나 어레이(2000)를 제공할 수 있다.The present disclosure relates to an upper antenna patch along the longitudinal direction (first direction DR1) of an X feed line (221 in FIG. 1) or the longitudinal direction (second direction DR2) of a Y feed line (222 in FIG. 1) ( 120) and a lower antenna patch (110 in FIG. 1) having a large size deviation, it is possible to provide an antenna array 2000 including a stacked patch antenna (PA) implementing a broadband matching circuit capable of impedance matching. .

도 24는 예시적인 실시예에 따른 안테나 패키지의 단면도이다. Fig. 24 is a cross-sectional view of an antenna package according to an exemplary embodiment.

도 24를 참조하면, 안테나 패키지(3000)가 제공될 수 있다. 안테나 패키지(3000)는 안테나 어레이(3100) 및 제어 칩(3200)을 포함할 수 있다. 안테나 어레이(3100)는 도 23을 참조하여 설명된 안테나 어레이(2000)와 실질적으로 동일할 수 있다. 안테나 어레이(3100)는 복수의 상부 안테나 패치들(110) 및 복수의 하부 안테나 패치들(120)을 포함할 수 있다. 안테나 어레이(3100)의 하부면 상에 복수의 외부 솔더들(3320)이 제공되어, 복수의 적층형 패치 안테나들(PA)과 외부 장치를 전기적으로 연결할 수 있다. Referring to FIG. 24 , an antenna package 3000 may be provided. The antenna package 3000 may include an antenna array 3100 and a control chip 3200. The antenna array 3100 may be substantially the same as the antenna array 2000 described with reference to FIG. 23 . The antenna array 3100 may include a plurality of upper antenna patches 110 and a plurality of lower antenna patches 120 . A plurality of external solders 3320 are provided on the lower surface of the antenna array 3100 to electrically connect the plurality of stacked patch antennas PA and an external device.

제어 칩(3200)은 안테나 어레이(3100)에 인접하게 제공될 수 있다. 제어 칩(3200)이 안테나 어레이의 아래 쪽에 배치되는 것으로 도시되었으나, 이는 예시적인 것이다. 제어 칩(3200)의 위치는 필요에 따라 정해질 수 있다. 제어 칩(3200)은 안테나 어레이(3100)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어 칩(3200)은 복수의 상부 안테나 패치들(110) 및 복수의 하부 안테나 패치들(120)에 고주파 전기 신호(또는 고주파 급전 신호)를 제공할 수 있다. 제어 칩(3200)과 안테나 어레이(3100) 사이에 복수의 내부 솔더들(3310)이 제공되어, 전기 신호들을 전송할 수 있다. The control chip 3200 may be provided adjacent to the antenna array 3100 . Although the control chip 3200 is shown as being disposed below the antenna array, this is exemplary. The location of the control chip 3200 may be determined as needed. The control chip 3200 may control the antenna array 3100 . For example, the control chip 3200 may provide a high frequency electrical signal (or high frequency feed signal) to the plurality of upper antenna patches 110 and the plurality of lower antenna patches 120 . A plurality of internal solders 3310 are provided between the control chip 3200 and the antenna array 3100 to transmit electrical signals.

본 개시는 X 급전 라인(도 1의 221)의 길이 방향(도 1의 제1 방향(DR1)) 또는 Y 급전 라인(도 1의 222)의 길이 방향(도 1의 제2 방향(DR2))을 따라서 상부 안테나 패치(120)와 하부 안테나 패치(110)가 큰 크기 편차를 가지더라도 임피던스 매칭이 될 수 있는 광대역 매칭 회로를 구현하는 적층형 패치 안테나를 포함하는 안테나 패키지(3000)를 제공할 수 있다.The present disclosure is in the longitudinal direction of the X feed line (221 in FIG. 1) (the first direction DR1 in FIG. 1) or in the longitudinal direction of the Y feed line (222 in FIG. 1) (the second direction DR2 in FIG. 1). Accordingly, it is possible to provide an antenna package 3000 including a stacked patch antenna that implements a broadband matching circuit capable of impedance matching even if the upper antenna patch 120 and the lower antenna patch 110 have a large size difference. .

본 개시의 기술적 사상의 실시예들에 대한 이상의 설명은 본 개시의 기술적 사상의 설명을 위한 예시를 제공한다. 따라서 본 개시의 기술적 사상은 이상의 실시예들에 한정되지 않으며, 본 개시의 기술적 사상 내에서 당해 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 상기 실시예들을 조합하여 실시하는 등 여러 가지 많은 수정 및 변경이 가능함은 명백하다.The above description of embodiments of the technical idea of the present disclosure provides examples for explanation of the technical idea of the present disclosure. Therefore, the technical spirit of the present disclosure is not limited to the above embodiments, and many modifications and changes, such as performing a combination of the above embodiments by those skilled in the art within the technical spirit of the present disclosure It is clear that this is possible.

Claims

an upper ground plate having a first upper hole;
a first feeding pad provided on the upper ground plate;
a first feed line extending from the first feed pad along a first direction;
a lower antenna patch provided on the first feeding pad;
an upper antenna patch provided on the lower antenna patch;
a first upper pad provided in the first upper hole; and
and a first upper stub protruding from a side surface of the first upper pad.

According to claim 1,
A size of the upper antenna patch along the first direction is 15% or more larger than a size of the lower antenna patch along the first direction.

According to claim 1,
a second feeding pad provided on the upper ground plate; and
A second feed line extending from the second feed pad along a second direction crossing the first direction; further comprising,
A size of the upper antenna patch along the second direction is 15% or more larger than a size of the lower antenna patch along the second direction.

According to claim 3,
a second upper pad overlapping the second feeding pad along a third direction perpendicular to the first and second directions; and
The stacked patch antenna further comprising a second upper stub protruding from a side surface of the second upper pad.

According to claim 1,
The first feed line is provided between the lower antenna patch and the upper ground plate.

According to claim 1,
a lower ground plate provided on an opposite side of the lower antenna patch to the upper ground plate;
a first lower pad provided in the first lower hole; and
Further comprising a first lower stub protruding from a side surface of the lower pad,
The first lower stub is spaced apart from the lower ground plate.

According to claim 6,
Further comprising a second lower stub protruding from the side surface of the lower pad,
The second lower stub is spaced apart from the lower ground plate.

According to claim 6,
Further comprising a second lower stub protruding from the side surface of the lower pad,
The second lower stub is in contact with the lower ground plate.

According to claim 6,
The first lower stub protrudes from one side of the lower pad and is connected to the other side of the lower pad.

According to claim 1,
The first upper stub is spaced apart from the upper ground plate.

According to claim 10,
A second upper stub protruding from the upper ground plate; further comprising,
The second upper stub is in contact with the upper ground plate.

According to claim 10,
A third upper stub disposed opposite the first upper pad to the first upper stub;
The third upper stub has a ring shape and is spaced apart from the upper ground plate.

According to claim 12,
A fourth upper stub provided between the third upper stub and the upper ground plate; further comprising,
The fourth upper stub is in contact with the third upper stub and the upper ground plate.

According to claim 1,
The stacked patch antenna further comprising a feed stub protruding from the first feed pad.

15. The method of claim 14,
The feeding stub protrudes from one side of the first feeding pad and is connected to the other side of the first feeding pad.

According to claim 15,
An auxiliary pad provided in an area surrounded by the power supply stub and the first power supply pad,
The auxiliary pad is spaced apart from the feed stub and the first feed pad.

According to claim 1,
a connection pad disposed opposite to the first feed pad with respect to the first feed line; and
Further comprising a connection via provided between the connection pad and the lower antenna patch,
The connection via contacts the connection pad and the lower antenna patch.

18. The method of claim 17,
Further comprising a protruding pad protruding from the side of the lower antenna patch,
The multilayer patch antenna of claim 1 , wherein the protrusion pad and the connection pad face each other.

Including a plurality of stacked patch antennas,
Each of the plurality of stacked patch antennas includes an upper ground plate having a first upper hole, a first feed pad provided on the upper ground plate, and a first feed line extending from the first feed pad along a first direction. , a lower antenna patch provided on the first feeding pad, an upper antenna patch provided on the lower antenna patch, a first upper pad provided in the first upper hole, and a protrusion protruding from a side surface of the first upper pad An antenna array comprising a; first upper stub.

a plurality of stacked patch antennas; and
A control chip providing high-frequency electrical signals (or high-frequency feed signals) to the plurality of stacked patch antennas;
Each of the plurality of stacked patch antennas includes an upper ground plate having a first upper hole, a first feed pad provided on the upper ground plate, and a first feed line extending from the first feed pad along a first direction. , a lower antenna patch provided on the first feeding pad, an upper antenna patch provided on the lower antenna patch, a first upper pad provided in the first upper hole, and a protrusion protruding from a side surface of the first upper pad An antenna package including a; first upper stub.