KR20220156911A - 뱃치 열 프로세스 챔버에서 웨이퍼 에지 온도 보정 - Google Patents

뱃치 열 프로세스 챔버에서 웨이퍼 에지 온도 보정 Download PDF

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카르틱 부펜드라 샤
슈베르트 에스. 추
아델 조지 타누스
알라 모라디안
니 오. 마이오
수라짓 쿠마르
주오밍 주
브라이언 헤이스 버로우스
비슈와스 쿠마르 판디
슈-콴 라우
스리니바사 랑가파
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

프로세싱 챔버(processing chamber)에서 사용하기 위한 프로세스 키트(process kit)는 외부 라이너(liner), 프로세싱 챔버의 가스 주입 조립체 및 가스 배기 조립체와 유체 연통하도록 구성된 내부 라이너, 외부 라이너와 내부 라이너 사이에 배치된 제1 링(ring) 반사기, 내부 라이너의 내부 표면에 부착되는 최상부 플레이트(plate) 및 최하부 플레이트 ― 최상부 플레이트 및 최하부 플레이트는 내부 라이너와 함께 인클로저(enclosure)를 형성함 ― , 인클로저 내에 배치된 카세트(cassette) ― 카세트는, 상부에 복수의 기판들을 보유하도록 구성된 복수의 선반들을 포함함 ― , 및 내부 라이너와 제1 링 반사기 사이에 배치된 에지(edge) 온도 보정 요소를 포함한다.

Description

뱃치 열 프로세스 챔버에서 웨이퍼 에지 온도 보정
[0001] 본 명세서에 설명된 예들은 일반적으로 반도체 프로세싱(processing)의 분야에 관한 것으로서, 보다 구체적으로, 웨이퍼(wafer)들의 에피택셜-전 베이킹(pre-epitaxial baking)에 관한 것이다.
[0002] 종래의 반도체 제조에서, 웨이퍼들은 에피택셜 프로세스들에 의해 그 위에서 박막 성장이 수행되기 전에, 산화물들과 같은 오염물들을 제거하기 위해 사전 세정된다. 웨이퍼들의 사전 세정은 단일 웨이퍼 에피택셜(Epi) 챔버(chamber) 또는 퍼니스(furnace)에서 수소 분위기에서 웨이퍼들을 베이킹함으로써 수행된다. 단일 웨이퍼 Epi 챔버들은 프로세싱 체적 내에 배치된 웨이퍼에 대해 균일한 온도 분포를 제공하고 웨이퍼 위의 가스 흐름의 정밀한 제어를 제공하도록 설계되었다. 그러나, 단일 웨이퍼 Epi 챔버는 한 번에 하나의 웨이퍼를 프로세싱하므로, 이에 따라 제조 프로세스들에서 필요한 처리량들을 제공하지 못할 수 있다. 퍼니스들은 다수의 웨이퍼들의 뱃치(batch) 프로세싱을 가능하게 한다. 그러나, 퍼니스들은 프로세싱 체적에 배치된 각 웨이퍼에 대한 및/또는 웨이퍼들 사이의 균일한 온도 분포를 제공하지 않으며, 따라서 제조된 디바이스(device)들에서 요구되는 품질들을 제공하지 않을 수 있다. 특히, 웨이퍼 에지들 부근의 열 손실은 각 웨이퍼에 대해 매우 불균일한 온도 분포를 발생시킨다.
[0003] 따라서, 웨이퍼에 대해 균일한 온도 분포를 제공하기 위해 웨이퍼 에지(edge)들 부근의 열 손실을 감소시키면서 뱃치 다중-웨이퍼 프로세스(batch multi-wafer process)를 수행할 수 있는 프로세스 및 프로세싱 장비에 대한 필요성이 존재한다.
[0004] 본 개시내용의 실시예들은 프로세싱 챔버(processing chamber)에서 사용하기 위한 프로세스 키트(process kit)를 포함한다. 프로세스 키트는 외부 라이너(liner), 내부 라이너 ― 내부 라이너는 내부 라이너의 주입 측면(side)에 배치되고 프로세싱 챔버의 가스 주입 조립체와 유체 연통하도록 구성된 복수의 제1 입구 구멍들, 및 내부 라이너의 배기 측면에 배치되고 프로세싱 챔버의 가스 배기 조립체와 유체 연통하도록 구성된 복수의 제1 출구 구멍들을 포함함 ― , 외부 라이너와 내부 라이너 사이에 배치된 제1 링(ring) 반사기, 내부 라이너의 내부 표면에 부착되는 최상부 플레이트(plate) 및 최하부 플레이트 ― 최상부 플레이트 및 최하부 플레이트는 내부 라이너와 함께 인클로저(enclosure)를 형성함 ― , 인클로저 내에 배치된 카세트(cassette) ― 카세트는, 상부에 복수의 기판들을 보유하도록 구성된 복수의 선반들을 포함함 ― , 및 내부 라이너와 제1 링 반사기 사이에 배치된 에지(edge) 온도 보정 요소를 포함한다.
[0005] 본 개시내용의 실시예들은 또한 프로세싱 챔버를 포함한다. 프로세싱 챔버는 제1 측벽 및 제1 방향으로 제1 측벽에 대향하는 제2 측벽을 갖는 하우징 구조, 제1 측벽에 결합된 가스 주입 조립체, 제2 측벽에 결합된 가스 배기 조립체, 하우징 구조 내에 배치된 석영 챔버, 석영 챔버 내에 배치된 프로세스 키트 ― 프로세스 키트는, 상부에 복수의 기판들을 보유하도록 구성된 복수의 선반들을 갖는 카세트를 포함함 ― , 석영 챔버의 제1 측면에 배치되고, 복수의 기판들에 방사열(radiative heat)을 제공하도록 구성된 복수의 상부 램프 모듈들, 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 제1 측면에 대향하는, 석영 챔버의 제2 측면에 배치되고, 복수의 기판들에 방사열을 제공하도록 구성된 복수의 하부 램프 모듈들, 및 카세트를 제2 방향으로 이동시키고 카세트를 제2 방향을 중심으로 회전시키도록 구성된 리프트-회전 기구를 포함한다. 프로세스 키트는 외부 라이너, 내부 라이너 ― 내부 라이너는 내부 라이너의 주입 측면에 배치되고, 가스 주입 조립체와 유체 연통하도록 구성된 복수의 제1 입구 구멍들 및 내부 라이너의 배기 측면에 배치되고 가스 배기 조립체와 유체 연통하도록 구성된 복수의 제1 출구 구멍들을 가짐 ― , 외부 라이너와 내부 라이너 사이에 배치된 제1 링 반사기, 내부 라이너의 내부 표면에 부착되는 최상부 플레이트 및 최하부 플레이트 ― 최상부 플레이트 및 최하부 플레이트는 내부 라이너와 함께 인클로저를 형성하고, 카세트는 인클로저 내에 배치됨 ― , 및 내부 라이너와 제1 링 반사기 사이에 배치된 에지 온도 보정 요소를 더 포함한다.
[0006] 본 개시내용의 실시예들은 프로세싱 시스템을 더 포함한다. 프로세싱 시스템은 프로세싱 챔버 및 이송 로봇을 포함하고, 프로세싱 챔버는 제1 측벽 및 제1 방향으로 제1 측벽에 대향하는 제2 측벽을 갖는 하우징 구조, 제1 측벽에 결합된 가스 주입 조립체, 제2 측벽에 결합된 가스 배기 조립체, 하우징 구조 내에 배치된 석영 챔버, 석영 챔버 내에 배치된 프로세스 키트 ― 프로세스 키트는, 상부에 복수의 기판들을 보유하도록 구성된 복수의 선반들을 갖는 카세트, 외부 라이너, 내부 라이너 ― 내부 라이너는 내부 라이너의 주입 측면에 배치되고, 가스 주입 조립체와 유체 연통하도록 구성된 복수의 제1 입구 구멍들, 및 내부 라이너의 배기 측면에 배치되고, 가스 배기 조립체와 유체 연통하도록 구성된 복수의 제1 출구 구멍들을 가짐 ― , 외부 라이너와 내부 라이너 사이에 배치된 제1 링 반사기, 내부 라이너의 내부 표면에 부착되는 최상부 플레이트 및 최하부 플레이트 ― 최상부 플레이트 및 최하부 플레이트는 내부 라이너와 함께 인클로저를 형성하고, 카세트는 인클로저 내에 배치됨 ― , 및 내부 라이너와 제1 링 반사기 사이에 배치된 에지 온도 보정 요소를 포함함 ― , 석영 챔버의 제1 측면에 배치되고, 복수의 기판들에 방사열을 제공하도록 구성된 복수의 상부 램프 모듈들, 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 제1 측면에 대향하는, 석영 챔버의 제2 측면에 배치되고, 복수의 기판들에 방사열을 제공하도록 구성된 복수의 하부 램프 모듈들, 및 카세트를 제2 방향으로 이동시키고 카세트를 제2 방향을 중심으로 회전시키도록 구성된 리프트-회전 기구를 포함하고, 이송 로봇은, 프로세싱 챔버에 배치된 프로세스 키트 내로 그리고 프로세스 키트로부터 복수의 기판들을 이송하도록 구성된다.
[0007] 본 개시내용의 위에 인용된 특징들이 상세히 이해될 수 있도록, 위에서 간략하게 요약된 보다 구체적인 설명이 예들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 이 예들 중 일부가 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 일부 예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 예들을 허용할 수 있기 때문이라는 점에 유의해야 한다.
[0008] 도 1은 하나 이상의 실시예들에 따른 뱃치 다중-챔버 프로세싱 시스템의 예의 개략적인 평면도이다.
[0009] 도 2는 하나 이상의 실시예들에 따른 뱃치 다중-웨이퍼 세정 프로세스들을 수행하기 위해 사용될 수 있는 예시적인 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도이다.
[0010] 도 3은 일 실시예에 따른 프로세스 키트의 개략적인 단면도이다.
[0011] 도 4는 일 실시예에 따른 프로세스 키트의 개략적인 단면도이다.
[0012] 도 5는 일 실시예에 따른 프로세스 키트의 개략적인 단면도이다.
[0013] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다.
[0014] 일반적으로, 여기에 설명된 예들은 일반적으로 반도체 프로세싱의 분야에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 웨이퍼들의 에피택셜-전 베이킹에 관한 것이다.
[0015] 여기에 설명된 일부 예들은 다중-웨이퍼 뱃치 프로세싱 시스템을 제공하고, 여기서 프로세싱 체적 내에 배치된 기판에 대해 그리고 기판들 사이에 균일한 온도 분포가 유지되면서 에피택셜(Epi) 챔버에서 수소 분위기에서 기판들을 베이킹함으로써 에피택셜 프로세스들에 의해 다수의 기판들 상에서 박막 성장이 수행되기 전에, 산화물들과 같은 오염물들을 제거하기 위해 다수의 기판들이 사전 세정된다. 따라서, 다중-웨이퍼 뱃치 프로세싱 시스템은 제조된 디바이스들에서 개선된 품질들 및 처리량들을 제공할 수 있다.
[0016] 다양한 상이한 예들이 아래에 설명된다. 상이한 예들의 다수의 특징들이 프로세스 흐름 또는 시스템에서 함께 설명될 수 있지만, 다수의 특징들은 각각 별도로 또는 개별적으로 및/또는 상이한 프로세스 흐름 또는 상이한 시스템에서 구현될 수 있다.
[0017] 도 1은 하나 이상의 실시예들에 따른 프로세싱 시스템(100)의 예의 개략적인 평면도이다. 프로세싱 시스템(100)은 일반적으로 팩토리 인터페이스(factory interface)(102), 로드록(load lock) 챔버들(104, 106), 각각의 이송 로봇들(110, 118)을 갖는 이송 챔버들(108, 116), 유지 챔버들(112, 114), 및 프로세싱 챔버들(120, 122, 124, 126, 128, 130)을 포함한다. 본 명세서에 상세히 설명된 바와 같이, 프로세싱 시스템(100)의 기판들은 프로세싱 시스템(100) 외부의 주변 환경에 노출되지 않고 다양한 챔버들 내에서 프로세싱되고 그리고 다양한 챔버들 사이에서 이송될 수 있다. 예를 들어, 기판들은 프로세싱 시스템(100)에서 기판들에 대해 수행되는 다양한 프로세스들 사이에서 저압 또는 진공 환경을 깨뜨리지 않고 저압(예를 들어, 약 300 Torr보다 작거나 같음) 또는 진공 환경에서 다양한 챔버들에서 프로세싱되고 그리고 다양한 챔버들 사이에서 이송될 수 있다. 따라서, 프로세싱 시스템(100)은 기판들의 일부 프로세싱을 위한 통합 솔루션(solution)을 제공할 수 있다.
[0018] 본 명세서에 제공된 교시들에 따라 적절하게 수정될 수 있는 프로세싱 시스템의 예들은 캘리포니아, 산타클라라에 위치된 Applied Materials, Inc.로부터 상업적으로 입수가능한 Endura®, Producer® 또는 Centura® 통합 프로세싱 시스템들 또는 다른 적절한 프로세싱 시스템들을 포함한다. (다른 제조자들로부터의 것들을 포함하는) 다른 프로세싱 시스템들이 본 명세서에 설명된 양태들로부터 이익을 얻도록 구성될 수 있다는 것이 고려된다.
[0019] 도 1의 예시된 예에서, 팩토리 인터페이스(102)는 기판들의 이송을 용이하게 하기 위해 도킹 스테이션(docking station)(140) 및 팩토리 인터페이스 로봇들(142)을 포함한다. 도킹 스테이션(140)은 하나 이상의 FOUP(front opening unified pod)들(144)을 수용하도록 구성된다. 일부 예들에서, 각각의 팩토리 인터페이스 로봇(142)은 일반적으로 팩토리 인터페이스(102)로부터 로드록 챔버들(104, 106)로 기판들을 이송하도록 구성된, 각각의 팩토리 인터페이스 로봇(142)의 일 단부에 배치된 블레이드(blade)(148)를 포함한다.
[0020] 로드록 챔버들(104, 106)은 팩토리 인터페이스(102)에 결합된 각각의 포트(port)들(150, 152) 및 이송 챔버(108)에 결합된 각각의 포트들(154, 156)을 갖는다. 이송 챔버(108)는 유지 챔버들(112, 114)에 결합된 각각의 포트들(158, 160) 및 프로세싱 챔버들(120, 122)에 결합된 각각의 포트들(162, 164)을 더 갖는다. 유사하게, 이송 챔버(116)는 유지 챔버들(112, 114)에 결합된 각각의 포트들(166, 168) 및 프로세싱 챔버들(124, 126, 128, 130)에 결합된 각각의 포트들(170, 172, 174, 176)을 갖는다. 포트들(154, 156, 158, 160, 162, 164, 166, 168, 170, 172, 174, 176)은 예를 들어, 이송 로봇들(110, 118)에 의해 기판들을 통과시키기 위한 그리고 가스가 각각의 챔버들 사이를 통과하는 것을 방지하도록 각각의 챔버들 사이에 시일을 제공하기 위한, 슬릿 밸브(valve)들을 갖는 슬릿 개구들일 수 있다. 일반적으로, 임의의 포트는 이를 통해 기판을 이송하기 위해 개방되어 있다; 그렇지 않으면, 포트는 폐쇄된다.
[0021] 로드록 챔버들(104, 106), 이송 챔버들(108, 116), 유지 챔버들(112, 114), 및 프로세싱 챔버들(120, 122, 124, 126, 128, 130)은 가스 및 압력 제어 시스템(도시되지 않음)에 유체 결합될 수 있다. 가스 및 압력 제어 시스템은 하나 이상의 가스 펌프(pump)들(예를 들어, 터보 펌프(turbo pump)들, 크라이오 펌프(cryo-pump)들, 러핑 펌프(roughing pump)들 등), 가스 소스들, 다양한 밸브들, 및 다양한 챔버들에 유체 결합된 도관들을 포함할 수 있다. 작동 시, 팩토리 인터페이스 로봇(142)은 FOUP(144)로부터 포트(150 또는 152)를 통해 로드록 챔버(104 또는 106)로 기판을 이송한다. 그런 다음 가스 및 압력 제어 시스템은 로드록 챔버(104 또는 106)를 펌프-다운(pump down)한다. 가스 및 압력 제어 시스템은 내부 저압 또는 진공 환경(비활성 가스를 포함할 수 있음)으로 이송 챔버들(108, 116) 및 유지 챔버들(112, 114)을 추가로 유지한다. 따라서, 로드록 챔버(104 또는 106)의 펌핑 다운은 예를 들어 팩토리 인터페이스(102)의 대기 환경과 이송 챔버(108)의 저압 또는 진공 환경 사이에서 기판을 통과시키는 것을 용이하게 한다.
[0022] 펌프-다운된 로드록 챔버(104 또는 106) 내의 기판의 경우, 이송 로봇(110)은 포트(154 또는 156)를 통해 로드록 챔버(104 또는 106)로부터 이송 챔버(108) 내로 기판을 이송한다. 그 다음, 이송 로봇(110)은 프로세싱을 위해 각각의 포트들(162, 164)을 통해 프로세싱 챔버들(120, 122) 및 추가 이송을 기다리도록 유지되기 위해 각각의 포트들(158, 160)을 통해 유지 챔버들(112, 114) 중 임의의 것으로 기판을 이송할 수 있고 및/또는 이들 사이에서 기판을 이송할 수 있다. 유사하게, 이송 로봇(118)은 포트(166 또는 168)를 통해 유지 챔버(112 또는 114) 내의 기판에 액세스할 수 있고, 프로세싱을 위해 각각의 포트들(170, 172, 174, 176)을 통해 프로세싱 챔버들(124, 126, 128, 130) 및 추가 이송을 기다리도록 유지되기 위해 각각의 포트들(166, 168)을 통해 유지 챔버들(112, 114) 중 임의의 것으로 기판을 이송할 수 있고 및/또는 이들 사이에서 기판을 이송할 수 있다. 다양한 챔버들 내에서 그리고 다양한 챔버들 사이에서 기판의 이송 및 유지는 가스 및 압력 제어 시스템에 의해 제공되는 저압 또는 진공 환경에서 이루어질 수 있다.
[0023] 프로세싱 챔버들(120, 122, 124, 126, 128, 130)은 기판을 프로세싱하기 위한 임의의 적절한 챔버일 수 있다. 일부 예들에서, 프로세싱 챔버(122)는 세정 프로세스를 수행할 수 있고; 프로세싱 챔버(120)는 에칭 프로세스를 수행할 수 있고; 프로세싱 챔버들(124, 126, 128, 130)은 각각의 에피택셜 성장 프로세스들을 수행할 수 있다. 프로세싱 챔버(122)는 캘리포니아, 산타클라라의 Applied Materials로부터 입수가능한 SiCoNi™ Preclean 챔버일 수 있다. 프로세싱 챔버(120)는 캘리포니아, 산타클라라의 Applied Materials로부터 입수가능한 Selectra™ Etch 챔버일 수 있다.
[0024] 시스템 제어기(190)는 프로세싱 시스템(100) 또는 그 구성요소들을 제어하기 위해 프로세싱 시스템(100)에 결합된다. 예를 들어, 시스템 제어기(190)는 프로세싱 시스템(100)의 챔버들(104, 106, 108, 112, 114, 116, 120, 122, 124, 126, 128, 130)의 직접 제어를 사용하여 또는 챔버들(104, 106, 108, 112, 114, 116, 120, 122, 124, 126, 128, 130)과 관련된 제어기들을 제어함으로써 프로세싱 시스템(100)의 작동을 제어할 수 있다. 작동 시, 시스템 제어기(190)는 프로세싱 시스템(100)의 성능을 코디네이팅(coordinate)하기 위해 각각의 챔버들로부터의 데이터 수집 및 피드백(feedback)을 가능하게 한다.
[0025] 시스템 제어기(190)는 일반적으로 중앙 프로세싱 유닛(CPU)(192), 메모리(194), 및 지원 회로들(196)을 포함한다. CPU(192)는 산업 설정에서 사용될 수 있는 임의의 형태의 범용 프로세서 중 하나일 수 있다. 메모리(194) 또는 비-일시적 컴퓨터 판독 가능 매체는 CPU(192)에 의해 액세스 가능하고, RAM(random access memory), ROM(read only memory), 플로피 디스크(floppy disk), 하드 디스크(hard disk), 또는 임의의 다른 형태의 디지털 스토리지(storage)(로컬 또는 원격)와 같은 메모리 중 하나 이상일 수 있다. 지원 회로들(196)은 CPU(192)에 결합되고, 캐시(cache), 클록(clock) 회로들, 입력/출력 서브시스템들, 전력 공급기들 등을 포함할 수 있다. 본 명세서에 개시된 다양한 방법들은 일반적으로 예를 들어 소프트웨어 루틴(software routine)과 같이 메모리(194)에 (또는 특정 프로세싱 챔버의 메모리에) 저장된 컴퓨터 명령 코드를 실행하는 CPU(192)에 의해 CPU(192)의 제어 하에 구현될 수 있다. 컴퓨터 명령 코드가 CPU(192)에 의해 실행될 때, CPU(192)는 다양한 방법들에 따라 프로세스들을 수행하도록 챔버들을 제어한다.
[0026] 다른 프로세싱 시스템들은 다른 구성들일 수 있다. 예를 들어, 더 많은 또는 더 적은 프로세싱 챔버들이 이송 장치에 결합될 수 있다. 예시된 예에서, 이송 장치는 이송 챔버들(108, 116) 및 유지 챔버들(112, 114)을 포함한다. 다른 예들에서, 더 많은 또는 더 적은 이송 챔버들(예를 들어, 하나의 이송 챔버) 및/또는 더 많은 또는 더 적은 유지 챔버들(예를 들어, 유지 챔버들이 없음)이 프로세싱 시스템에서 이송 장치로서 구현될 수 있다.
[0027] 도 2는 약 800 ℃의 온도에서 수소 분위기에서의 베이킹 프로세스와 같은 뱃치 다중-웨이퍼 세정 프로세스들을 수행하기 위해 사용될 수 있는 예시적인 프로세싱 챔버(200)의 개략적인 단면도이다. 프로세싱 챔버(200)는 도 1의 프로세싱 챔버들(120, 122, 124, 126, 128, 130) 중 임의의 하나일 수 있다. 본 명세서에 개시된 실시예들에 따라 수정될 수 있는 적절한 프로세싱 챔버들의 비-제한적인 예들은 RP EPI 반응기, Elvis 챔버, 및 Lennon 챔버를 포함할 수 있으며, 이들은 모두 캘리포니아, 산타클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 상업적으로 입수가능하다. 프로세싱 챔버들(200)은 캘리포니아, 산타클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 입수가능한 CENTURA® 통합 프로세싱 시스템에 추가될 수 있다. 프로세싱 챔버(200)가 본 명세서에 설명된 다양한 실시예들을 실시하기 위해 이용되도록 아래에 설명되지만, 다른 제조사들로부터의 다른 반도체 프로세싱 챔버들이 또한 본 개시내용에 설명된 실시예를 실시하기 위해 사용될 수도 있다.
[0028] 프로세싱 챔버(200)는 하우징 구조(202), 지지 시스템(204), 및 제어기(206)를 포함한다. 하우징 구조(202)는 알루미늄 또는 스테인리스강과 같은 프로세스 저항성 재료로 제조된다. 하우징 구조(202)는 상부 부분(210) 및 하부 부분(212)을 포함하는 석영 챔버(208)와 같은 프로세싱 챔버(200)의 다양한 기능 요소들을 둘러싼다. 프로세스 키트(214)는 프로세싱 체적(216)이 포함된 석영 챔버(208) 내에 다수의 기판들(W)을 수용하도록 구성된다.
[0029] 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "기판"은, 후속 프로세싱 동작들을 위한 기초부로서의 역할을 하고 그 위에 박막들을 형성하기 위해 배치되는 표면을 포함하는 재료의 층을 지칭한다. 기판은 실리콘 웨이퍼, 실리콘 산화물, 변형 실리콘, 실리콘 게르마늄, 도핑된 또는 도핑되지 않은 폴리실리콘, 도핑된 또는 도핑되지 않은 실리콘 웨이퍼들, 패터닝된 또는 비-패터닝된 웨이퍼들 SOI(silicon on insulator), 탄소 도핑된 실리콘 산화물들, 실리콘 질화물, 인화인듐, 게르마늄, 비화갈륨, 갈륨 질화물, 석영, 용융 실리카, 유리, 또는 사파이어일 수 있다. 또한, 기판은 임의의 특정 크기 또는 형상으로 제한되지 않는다. 기판은, 다른 것들 중에서도, 200 mm 직경, 300 mm 직경 또는 450 mm와 같은 다른 직경들을 갖는 원형 웨이퍼일 수 있다. 기판(W)은 또한 다각형 유리 기판과 같은 임의의 다각형, 정사각형, 직사각형, 곡선형, 또는 달리 비-원형 워크피스(workpiece)일 수 있다.
[0030] 기판들(W)의 가열은 Z-방향으로 석영 챔버(208) 위의 하나 이상의 상부 램프 모듈들(218A, 218B) 및 Z-방향으로 석영 챔버(208) 아래의 하나 이상의 하부 램프 모듈들(220A, 220B)과 같은 방사선 소스들에 의해 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 상부 램프 모듈들(218A, 218B) 및 하부 램프 모듈들(220A, 220B)은 적외선 램프들이다. 상부 램프 모듈들(218A, 218B) 및 하부 램프 모듈들(220A, 220B)로부터의 방사선은 상부 부분(210)의 상부 석영 윈도우(222)를 통해 그리고 하부 부분(212)의 하부 석영 윈도우(224)를 통해 이동한다. 일부 실시예들에서, 상부 부분(210)을 위한 냉각 가스들은 입구(226)를 통해 들어가고 출구(228)를 통해 빠져나갈 수 있다.
[0031] 하나 이상의 가스들은 가스 주입 조립체(230)에 의해 석영 챔버(208)의 프로세싱 체적(216)에 제공되고, 프로세싱 부산물들은 통상적으로 진공 소스(도시되지 않음)와 연통하는 가스 배기 조립체(232)에 의해 프로세싱 체적(216)으로부터 제거된다.
[0032] 프로세스 키트(214)는 하우징 구조(202)의 측벽들(242)로부터 프로세싱 체적(216)을 차폐하는 다수의 원통형 라이너들, 내부 라이너(234) 및 외부 라이너(236)를 더 포함한다. 내부 라이너(234)는 -X 방향으로 가스 주입 조립체(230)를 향하는 측면(이하 "주입 측면"이라 함) 상의 하나 이상의 입구 구멍들(264) 및 +X 방향으로 가스 배기 조립체(232)를 향하는 측면(이하 "배기 측면"이라 함) 상의 하나 이상의 출구 구멍들(270)을 포함한다. 외부 라이너(236)는 주입 측면 상의 하나 이상의 입구 구멍들(260) 및 배기 측면 상의 하나 이상의 출구 구멍들(272)을 포함한다. 내부 라이너(234)와 외부 라이너(236) 사이에는, 링 반사기(238)가 배치된다. 링 반사기(238)는 주입 측면 상의 하나 이상의 입구 구멍들(262) 및 배기 측면 상의 하나 이상의 출구 구멍들(274)을 포함한다. 링 반사기(238)는 일반적으로 내부 라이너(234)를 향하는 반사 표면을 갖는 원통형의 관형 구조로 되어 있다. 링 반사기(238)의 반사 표면은 내부 라이너(234)로부터의 방사열을 반사하고, 그렇지 않으면 내부 라이너(234)를 빠져나갈 수 있는 열을 내부 라이너(234) 내에 한정한다. 링 반사기(238)는 불투명(opaque) 석영 또는 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연으로 형성된다. 일부 실시예들에서, 내부 라이너(234)를 향하는 링 반사기(238)의 내부 표면은 열 손실을 방지하기 위해 금과 같은 고반사성 재료로 코팅된다. 일부 다른 실시예들에서, 내부 라이너(234)를 향하는 링 반사기(238)의 내부 표면은 실리카, 예를 들어 Heraeus Reflective Coating, HRC®와 같은 반사 재료로 코팅된다. 내부 라이너(234)는 뱃치 다중-웨이퍼 프로세스를 위해 다수의 기판들(W)을 보유하도록 복수의 선반들(248)(예를 들어, 5 개의 선반들이 도 2에 도시됨)을 갖는 카세트(246)를 수용하는 프로세싱 체적(216)에 대한 실린더 벽들로서 작용한다. 선반들(248)은 선반들(248)로 그리고 선반들(248)로부터 기판들(W)의 효율적인 기계적 이송을 허용하기 위해 선반들(248)과 기판들(W) 사이에 갭이 존재하도록 카세트(246)에 보유된 기판들(W) 사이에 삽입된다(interleaved). 기판(W)은 -Y 방향을 향하는 전면(front side) 상의 외부 라이너(236)에 형성된 슬립(slip) 개구(도시되지 않음)를 통해, 도 1에 도시된 이송 로봇들(110, 118)과 같은 이송 로봇에 의해 프로세싱 체적(216) 내로 그리고 프로세싱 체적(216)으로부터 이송될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판들(W)은 카세트(246) 내로 그리고 카세트(246)로부터 하나씩 이송된다. 일부 실시예들에서, 외부 라이너(236)의 슬릿 개구는 슬릿 밸브(도시되지 않음)를 사용하여 개방 가능하고 그리고 폐쇄 가능하다.
[0033] 프로세스 키트(214)는, 내부 라이너(234)의 내부 표면에 부착되고 프로세스 키트(214) 내의 원통형 프로세싱 체적(216)을 둘러싸는 최상부 플레이트(250) 및 최하부 플레이트(252)를 더 포함한다. 최상부 플레이트(250) 및 최하부 플레이트(252)는 선반들(248)에 보유된 기판들(W) 위의 가스 흐름을 허용하도록 선반들(248)로부터 충분한 거리에 이격되어 배치된다.
[0034] 내부 라이너(234)는 투명(clear) 석영, 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연, 흑연, 또는 실리콘 탄화물(SiC)로 형성된다. 최상부 플레이트(250) 및 최하부 플레이트(252)는 투명 석영, 불투명 석영, 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연, 흑연, 실리콘 탄화물(SiC), 또는 실리콘(Si)으로 형성되어, 최상부 플레이트(250) 및/또는 최하부 플레이트(252)를 통해 프로세싱 체적(216)으로부터의 열 손실이 감소된다. 프로세싱 체적(216) 내에 배치된 카세트(246)의 선반들(248)은 또한 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연, 흑연, 또는 실리콘 탄화물(SiC)과 같은 재료로 형성된다. 외부 라이너(236)는 불투명 석영과 같은 높은 반사율을 갖는 재료로 형성되고, 프로세스 키트(214) 내의 프로세싱 체적(216)으로부터의 열 손실을 더욱 감소시킨다. 일부 실시예들에서, 외부 라이너(236)는 중공 구조로 형성되고, 여기서 내부 라이너(234)를 향하는 외부 라이너(236)의 내부 표면과, 하우징 구조(202)의 측벽들(242)을 향하는 외부 라이너(236)의 외부 표면 사이의 진공은 외부 라이너(236)를 통한 열 전도를 감소시킨다.
[0035] 가스들은 내부 라이너(234)에 형성된 입구 구멍들(264)을 통해 가스 주입 조립체(230)의 제2 가스 소스(256)와 함께 또는 제2 가스 소스(256) 없이, 수소(H2), 질소(N2), 또는 임의의 캐리어(carrier) 가스와 같은 제1 가스 소스(254)로부터 프로세싱 체적(216)으로 주입될 수 있다. 내부 라이너(234)의 입구 구멍들(264)은 측벽(242)에 형성된 주입 플레넘(258), 외부 라이너(236)에 형성된 입구 구멍들(260), 및 링 반사기(238)에 형성된 입구 구멍들(262)을 통해 제1 가스 소스(254) 및 제2 가스 소스(256)와 유체 연통한다. 주입된 가스들은 층류 흐름 경로(266)를 따라 가스 흐름을 형성한다. 입구 구멍들(260, 262, 264)은 속도, 밀도 또는 조성과 같은 변하는 파라미터(parameter)들을 갖는 가스 흐름들을 제공하도록 구성될 수 있다.
[0036] 흐름 경로(266)를 따른 가스들은 프로세싱 체적(216)으로부터 가스 배기 조립체(232)에 의해 배기되는 측벽(242)에 형성된 배기 플레넘(268) 내로 프로세싱 체적(216)에 걸쳐 흐르도록 구성된다. 가스 배기 조립체(232)는 외부 라이너(236)에 형성된 출구 구멍들(272), 링 반사기(238)에 형성된 출구 구멍들(274), 및 배기 흐름 경로(278)에서 가스들을 정점에 이르게 하는(culminating) 배기 플레넘(268)을 통해 내부 라이너(234)에 형성된 출구 구멍들(270)과 유체 연통한다. 배기 플레넘(268)은 배기 또는 진공 펌프(도시되지 않음)에 결합된다. 적어도 주입 플레넘(258)은 주입 캡(cap)(280)에 의해 지지될 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로세싱 챔버(200)는 증착 및 에칭 프로세스들과 같은 프로세스들을 위한 하나 이상의 액체들을 공급하도록 구성된다. 또한, 2 개의 가스 소스들(254, 256)만이 도 2에 도시되어 있지만, 프로세싱 챔버(200)는 프로세싱 챔버(200)에서 실행되는 프로세스들에 필요한 만큼 많은 유체 연결들을 수용하도록 구성될 수 있다.
[0037] 지지 시스템(204)은 프로세싱 챔버(200)에서 미리 결정된 프로세스들을 실행하고 모니터링(monitor)하기 위해 사용되는 구성요소들을 포함한다. 제어기(206)는 지지 시스템(204)에 결합되고, 프로세싱 챔버(200) 및 지지 시스템(204)을 제어하도록 구성된다.
[0038] 프로세싱 챔버(200)는 하우징 구조(202)의 하부 부분(212)에 포지셔닝(position)된 리프트-회전 기구(282)를 포함한다. 리프트-회전 기구(282)는, 프로세스 키트(214)의 선반들(248)에 형성된 개구들(라벨링되지 않음)을 통해 배치된 리프트 핀들(도시되지 않음)이 결합되는 슈라우드(shroud)(286) 내에 포지셔닝된 샤프트(284)를 포함한다. 샤프트(284)는 Z-방향으로 수직으로 이동 가능하여, 도 1에 도시된 이송 로봇들(110, 118)과 같은 이송 로봇에 의해 내부 라이너(234)의 슬릿 개구(도시되지 않음) 및 외부 라이너(236)의 슬릿 개구(도시되지 않음)를 통해 선반들(248) 내로 기판들(W)을 로딩하고 선반들(248)로부터 기판들(W)을 언로딩할 수 있게 한다. 샤프트(284)는 또한 프로세싱 동안 X-Y 평면에서 프로세스 키트(214) 내에 배치된 기판들(W)의 회전을 용이하게 하기 위해 회전 가능하다. 샤프트(284)의 회전은 샤프트(284)에 결합된 액추에이터(288)에 의해 촉진된다. 슈라우드(286)는 일반적으로 제 포지션(position)에 고정되고, 따라서 프로세싱 동안 회전하지 않는다.
[0039] 석영 챔버(208)는 O-링들(294)을 사용하여 하우징 구조(202)의 측벽들(242)에 부착되어 진공 밀봉되는 주변 플랜지(flange)들(290, 292)을 포함한다. 주변 플랜지들(290, 292)은 O-링들(294)이 열 방사에 직접 노출되는 것으로부터 보호하기 위해 모두 불투명 석영으로 형성될 수 있다. 주변 플랜지들(290)은 석영과 같은 광학적으로 투명한 재료로 형성될 수 있다.
[0040] 본 명세서에 설명된 예시적인 실시예들에서, 프로세스 키트(214)는 기판들(W)의 에지들 부근에서 프로세싱 체적(216)으로부터의 열 손실을 보상하거나 또는 감소시킴으로써 프로세싱 체적(216)의 선반들(248)에 보유된 각 기판(W)에 대한 온도 균일성을 향상시키는, 내부 라이너(234)와 링 반사기(238) 사이에 배치된 에지 온도 보정 요소를 포함한다.
[0041] 도 3은 일 실시예에 따른 프로세스 키트(214)의 개략적인 단면도이다. 도 3에 도시된 예시적인 실시예에서, 에지 온도 보정 요소는 내부 라이너(234)를 둘러싸는 2 개의 히터(heater)들(302)이다. 하나의 히터(302)는 분사 측면에 배치되고, 다른 히터(302)는 배기 측면에 배치된다. 히터들(302)은 상부 램프 모듈들(218A, 218B) 및 하부 램프 모듈들(220A, 220B)에 추가하여 선반들(248)에 보유된 기판들(W)을 가열하고 내부 라이너(234) 부근의 프로세싱 체적(216)으로부터의 열 손실들을 보상하도록 구성될 수 있다.
[0042] 히터들(302)은 원통형 형상의 흑연 히터일 수 있다. 일부 실시예들에서, 히터들(302)은 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연으로 형성된다. 히터들(302)을 지지하기 위해 하나 이상의 단자들(도시되지 않음)이 제공된다. 히터들(302) 각각은 Z-방향으로 연장되는 복수의 슬릿들을 포함하여, 효율적인 열 발생 및 내부 라이너(234)를 통한 가스들의 흐름을 허용한다. 복수의 슬릿들의 공간적 배열 및 크기들은 Z-방향으로 원하는 온도 구배를 제공하도록 조정될 수 있다. 일 예에서, 히터들(302) 각각은 약 1,000 mm 내지 약 3,500 mm의 Z-방향의 길이, 약 25 mm 내지 약 125 mm의 높이, 약 4 mm 내지 약 8 mm의 두께, 및 약 4 mm 내지 약 12 mm의 폭을 갖는다. 히터들(302)은 선반들(248)에 보유된 기판들(W)을 약 1200 ℃까지 가열할 수 있다. 일부 실시예들에서, 내부 라이너(234) 부근의 기판들(W)의 온도들은 히터들(302)에 전달되는 전력의 조정에 의해 원하는 온도로 튜닝(tune)될 수 있다.
[0043] 도 4는 일 실시예에 따른 프로세스 키트(214)의 개략적인 단면도이다. 도 4에 도시된 예시적인 실시예에서, 에지 온도 보정 요소는 내부 라이너(234)를 에워싸는 히터(402)이다. 히터(402)는 상부 램프 모듈들(218A, 218B) 및 하부 램프 모듈들(220A, 220B)에 추가하여 선반들(248)에 보유된 기판들(W)을 가열하고 내부 라이너(234) 부근의 프로세싱 체적(216)으로부터의 열 손실들을 보상하도록 구성될 수 있다.
[0044] 히터(402)는 램프, 예를 들어 내부 라이너(234)와 링 반사기(238) 사이에 배치된 환상형(toroidal) 형상의 램프일 수 있고, 선반들(248)에 보유된 기판들(W)에 방사 에너지를 제공하여, 짧은 램프-업(ramp-up) 및 램프-다운(ramp-down) 시간으로 효율적인 가열을 유도할 수 있다. 내부 라이너(234)를 에워싸는 램프의 환상형 형상으로 인해, 히터(402)는 방해 없이 외부 라이너(236)의 입구 구멍들(260)과 외부 라이너의 출구 구멍들(272) 사이의 가스들의 흐름을 허용한다. 일부 실시예들에서, 히터(402)는 내부에 필라멘트(filament)가 배치된 환상형 전구이다.
[0045] 일부 실시예들에서, 링 반사기(238)는 내부 라이너(234)와 링 반사기(238) 사이에 환상형 형상의 히터(402)를 수용하기에 충분한 공간을 생성하도록 곡선형이다.
[0046] 도 5는 일 실시예에 따른 프로세스 키트(214)의 개략적인 단면도이다. 도 5에 도시된 예시적인 실시예에서, 에지 온도 보정 요소는 내부 라이너(234)를 둘러싸는 하나 이상의 추가적인 링 반사기(502)이다. 하나 이상의 추가적인 링 반사기(502)는 링 반사기(238)와 동일한 재료 또는 다른 재료로 형성될 수 있고, 내부 라이너(234) 내에서 방사/전도 열 차폐물로서 작용하도록 구성되어, 이에 따라 내부 라이너(234) 부근에서 프로세싱 체적(216)으로부터의 열 손실을 감소시킨다. 추가적인 링 반사기(506)는 또한 주입 측면 상의 하나 이상의 입구 구멍들(라벨링되지 않음) 및 하나 이상의 출구 구멍들(라벨링되지 않음)을 포함하여, 내부 라이너(234)를 통한 가스들의 흐름을 허용한다.
[0047] 여기에 설명된 예들에서는, 다중-웨이퍼 뱃치 프로세싱 시스템이 도시되어 있고, 여기서 다수의 기판들은, 프로세싱 체적 내에 배치된 기판에 대해, 특히 기판의 에지들 부근에서 균일한 온도 분포가 유지되면서, 에피택셜(Epi) 챔버에서 수소 분위기에서 기판들을 베이킹함으로써 에피택셜 프로세스들에 의해 기판 위에 박막 성장이 수행되기 전에 산화물들과 같은 오염물들을 제거하기 위해 사전 세정된다. 따라서, 다중-웨이퍼 뱃치 프로세싱 시스템은 제조된 디바이스들에서 요구되는 품질들 및 처리량들을 제공할 수 있다.
[0048] 전술한 바가 본 개시내용의 다양한 예들에 관한 것이지만, 다른 그리고 추가적인 예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 안출될 수 있고, 그 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (22)

  1. 프로세싱 챔버(processing chamber)에서 사용하기 위한 프로세스 키트(process kit)로서,
    상기 프로세스 키트는:
    내부 라이너(liner) ― 상기 내부 라이너는:
    상기 내부 라이너의 주입 측면(side)에 배치되고, 프로세싱 챔버의 가스 주입 조립체와 유체 연통하도록 구성된 복수의 제1 입구 구멍들; 및
    상기 내부 라이너의 배기 측면에 배치되고, 상기 프로세싱 챔버의 가스 배기 조립체와 유체 연통하도록 구성된 복수의 제1 출구 구멍들을 가짐 ― ;
    상기 내부 라이너의 내부 표면에 부착되는 최상부 플레이트(plate) 및 최하부 플레이트 ― 상기 최상부 플레이트 및 상기 최하부 플레이트는 상기 내부 라이너와 함께 인클로저(enclosure)를 형성함 ― ;
    상기 인클로저 내에 배치된 카세트(cassette) ― 상기 카세트는, 상부에 복수의 기판들을 보유하도록 구성된 복수의 선반들을 포함함 ― ;
    상기 내부 라이너 외측에 배치된 제1 링(ring) 반사기; 및
    상기 내부 라이너와 상기 제1 링 반사기 사이에 배치된 에지(edge) 온도 보정 요소
    를 포함하는,
    프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 프로세스 키트.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 링 반사기 외측의 외부 라이너를 더 포함하고,
    상기 외부 라이너는 불투명 석영 및 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연으로부터 선택된 재료를 포함하는,
    프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 프로세스 키트.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 내부 라이너는 투명(clear) 석영 및 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연으로부터 선택된 재료를 포함하고,
    상기 최상부 플레이트 및 상기 최하부 플레이트는 투명 석영, 불투명 석영, 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연으로부터 선택된 재료를 포함하는,
    프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 프로세스 키트.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 링 반사기는 불투명 석영 또는 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연으로부터 선택된 재료를 포함하고,
    상기 복수의 선반들은 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연을 포함하는,
    프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 프로세스 키트.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 에지 온도 보정 요소는 상기 내부 라이너를 둘러싸는 2 개의 흑연 히터(heater)들을 포함하는,
    프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 프로세스 키트.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 에지 온도 보정 요소는 상기 내부 라이너와 상기 제1 링 반사기 사이에 램프(lamp)를 포함하는,
    프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 프로세스 키트.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 에지 온도 보정 요소는 상기 내부 라이너를 에워싸는 환상형(toroidal) 램프를 포함하는,
    프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 프로세스 키트.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 에지 온도 보정 요소는 상기 내부 라이너를 둘러싸는 제2 링 반사기를 포함하고,
    상기 제2 링 반사기는 불투명 석영 또는 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연으로부터 선택된 재료를 포함하는,
    프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 프로세스 키트.
  9. 프로세싱 챔버로서,
    제1 측벽 및 제1 방향으로 상기 제1 측벽에 대향하는 제2 측벽을 갖는 하우징 구조;
    상기 제1 측벽에 결합된 가스 주입 조립체;
    상기 제2 측벽에 결합된 가스 배기 조립체;
    상기 하우징 구조 내에 배치된 석영 챔버;
    상기 석영 챔버 내에 배치된 프로세스 키트 ― 상기 프로세스 키트는, 상부에 복수의 기판들을 보유하도록 구성된 복수의 선반들을 갖는 카세트를 포함함 ― ;
    상기 석영 챔버의 제1 측면에 배치되고, 상기 복수의 기판들에 방사열(radiative heat)을 제공하도록 구성된 복수의 상부 램프 모듈들;
    상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 상기 제1 측면에 대향하는, 상기 석영 챔버의 제2 측면에 배치되고, 상기 복수의 기판들에 방사열을 제공하도록 구성된 복수의 하부 램프 모듈들; 및
    상기 카세트를 상기 제2 방향으로 이동시키고 상기 카세트를 상기 제2 방향을 중심으로 회전시키도록 구성된 리프트-회전 기구(lift-rotation mechanism)
    를 포함하고,
    상기 프로세스 키트는:
    내부 라이너 ― 상기 내부 라이너는:
    상기 내부 라이너의 주입 측면에 배치되고, 상기 가스 주입 조립체와 유체 연통하도록 구성된 복수의 제1 입구 구멍들; 및
    상기 내부 라이너의 배기 측면에 배치되고, 상기 가스 배기 조립체와 유체 연통하도록 구성된 복수의 제1 출구 구멍들을 가짐 ― ;
    상기 내부 라이너의 내부 표면에 부착되는 최상부 플레이트 및 최하부 플레이트 ― 상기 최상부 플레이트 및 상기 최하부 플레이트는 상기 내부 라이너와 함께 인클로저를 형성하고, 상기 카세트는 상기 인클로저 내에 배치됨 ― ;
    상기 내부 라이너 외측에 배치된 제1 링 반사기; 및
    상기 내부 라이너와 상기 제1 링 반사기 사이에 배치된 에지 온도 보정 요소
    를 더 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 프로세스 키트는 외부 라이너를 더 포함하고,
    상기 외부 라이너는 불투명 석영 및 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연으로부터 선택된 재료를 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 내부 라이너는 투명 석영 및 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연으로부터 선택된 재료를 포함하고,
    상기 최상부 플레이트 및 상기 최하부 플레이트는 투명 석영, 불투명 석영, 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연으로부터 선택된 재료를 포함하고,
    상기 제1 링 반사기는 불투명 석영 또는 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연으로부터 선택된 재료를 포함하고,
    상기 복수의 선반들은 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연을 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  12. 제9 항에 있어서,
    상기 에지 온도 보정 요소는 상기 내부 라이너를 둘러싸는 2 개의 흑연 히터들을 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  13. 제9 항에 있어서,
    상기 에지 온도 보정 요소는 상기 내부 라이너와 상기 제1 링 반사기 사이에 램프를 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  14. 제9 항에 있어서,
    상기 에지 온도 보정 요소는 상기 내부 라이너를 에워싸는 환상형 램프를 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  15. 제9 항에 있어서,
    상기 에지 온도 보정 요소는 상기 내부 라이너를 둘러싸는 제2 링 반사기를 포함하고,
    상기 제2 링 반사기는 불투명 석영 또는 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연으로부터 선택된 재료를 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  16. 프로세싱 시스템으로서:
    프로세싱 챔버; 및
    이송 로봇(robot)
    을 포함하고,
    상기 프로세싱 챔버는:
    제1 측벽 및 제1 방향으로 상기 제1 측벽에 대향하는 제2 측벽을 갖는 하우징 구조;
    상기 제1 측벽에 결합된 가스 주입 조립체;
    상기 제2 측벽에 결합된 가스 배기 조립체;
    상기 하우징 구조 내에 배치된 석영 챔버;
    상기 석영 챔버 내에 배치된 프로세스 키트 ― 상기 프로세스 키트는:
    상부에 복수의 기판들을 보유하도록 구성된 복수의 선반들을 갖는 카세트;
    내부 라이너 ― 상기 내부 라이너는:
    상기 내부 라이너의 주입 측면에 배치되고, 상기 가스 주입 조립체와 유체 연통하도록 구성된 복수의 제1 입구 구멍들; 및
    상기 내부 라이너의 배기 측면에 배치되고, 상기 가스 배기 조립체와 유체 연통하도록 구성된 복수의 제1 출구 구멍들을 가짐 ― ; 및
    상기 내부 라이너의 내부 표면에 부착되는 최상부 플레이트 및 최하부 플레이트 ― 상기 최상부 플레이트 및 상기 최하부 플레이트는 상기 내부 라이너와 함께 인클로저를 형성하고, 상기 카세트는 상기 인클로저 내에 배치됨 ― ;
    상기 내부 라이너 외측에 배치된 제1 링 반사기; 및
    상기 내부 라이너와 상기 제1 링 반사기 사이에 배치된 에지 온도 보정 요소를 포함함 ― ;
    상기 석영 챔버의 제1 측면에 배치되고, 상기 복수의 기판들에 방사열을 제공하도록 구성된 복수의 상부 램프 모듈들;
    상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 상기 제1 측면에 대향하는, 상기 석영 챔버의 제2 측면에 배치되고, 상기 복수의 기판들에 방사열을 제공하도록 구성된 복수의 하부 램프 모듈들; 및
    상기 카세트를 상기 제2 방향으로 이동시키고 상기 카세트를 상기 제2 방향을 중심으로 회전시키도록 구성된 리프트-회전 기구
    를 포함하고,
    상기 이송 로봇은, 상기 프로세싱 챔버에 배치된 상기 프로세스 키트 내로 그리고 상기 프로세스 키트로부터 복수의 기판들을 이송하도록 구성되는,
    프로세싱 시스템.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 프로세스 키트는 상기 제1 링 반사기 외측의 외부 라이너를 더 포함하고,
    상기 외부 라이너는 불투명 석영 및 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연으로부터 선택된 재료를 포함하는,
    프로세싱 시스템.
  18. 제16 항에 있어서,
    상기 내부 라이너는 투명 석영 및 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연으로부터 선택된 재료를 포함하고,
    상기 제1 링 반사기는 불투명 석영 또는 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연으로부터 선택된 재료를 포함하고,
    상기 복수의 선반들은 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연을 포함하는,
    프로세싱 시스템.
  19. 제16 항에 있어서,
    상기 에지 온도 보정 요소는 상기 내부 라이너를 둘러싸는 2 개의 흑연 히터들을 포함하는,
    프로세싱 시스템.
  20. 제16 항에 있어서,
    상기 에지 온도 보정 요소는 상기 내부 라이너와 상기 제1 링 반사기 사이에 램프를 포함하는,
    프로세싱 시스템.
  21. 제16 항에 있어서,
    상기 에지 온도 보정 요소는 상기 내부 라이너를 에워싸는 환상형 램프를 포함하는,
    프로세싱 시스템.
  22. 제16 항에 있어서,
    상기 에지 온도 보정 요소는 상기 내부 라이너를 둘러싸는 제2 링 반사기를 포함하고,
    상기 제2 링 반사기는 불투명 석영 또는 실리콘 탄화물(SiC) 코팅된 흑연으로부터 선택된 재료를 포함하는,
    프로세싱 시스템.
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