KR20220155430A - 기하학적으로 복잡한 피스를 비용 효율적으로 얻기 위한 방법 - Google Patents

기하학적으로 복잡한 피스를 비용 효율적으로 얻기 위한 방법 Download PDF

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KR20220155430A
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앙글레스 이삭 발스
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로발마, 에쎄.아
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Abstract

본 발명은 기하학적으로 복잡한 조각 및/또는 구성요소들을 포함하는 금속을 생산하는 방법과 관계가 있다. 해당 방법은 고성능 구성요소에 대해 특별히 표시된다. 복잡한 기하학, 그리고 심지어 비용효율적인 방법으로 구성요소를 포함하는 크고 성능이 우수한 금속의 생산을 위한 방법이 공개되었다. 해당 방법은 또한 내부 피처들과 공극들이 있는 구성요소의 시공에 대해 표시된다. 해당 방법은 또한 가벼운 시공에 있어서 유리하다.
해당 방법은 위상학적 성능 최적화를 위해 생체모방 구조와 다른 고급 구조를 재현할 수 있다.

Description

기하학적으로 복잡한 구조의 조각들을 비용 효과적으로 얻기 위한 방법
본 발명은 기하학적으로 복잡한 조각 및/또는 부분을 (구성요소들) 포함하는 금속을 생산하기 위한 방법에 관한 것이다. 해당 방법은 고성능 부품에 대하여 특히 기술되어 있다. 또한 해당 방법은 매우 큰 부품에 관해서도 나타낸다. 또한 해당 방법은 내부 피처(features)와 공극을 가진 부품의 구조에 대해서도 표시된다. 해당 방법은 가벼운 구조에 있어서도 도움이 될 수 있다. 해당 방법을 통해 위상 성능 최적화를 위한 생체 모방 구조 및 기타 고급 구조를 재현할 수 있다.
기술적 발전은 주어진 효용을 최대로 활용하기 위해 제공될 수 있는 가용 원료와 설계에 의해 크게 영향을 받는다. 인류 혁신의 역사에서, 두 주제와 관련된 특허 출원의 방대한 양에 의해서도 인정될 수 있듯이, 생산이나 구현 방법을 실현하기 위한 개선된 특성을 가진 원료의 발달과 새로운 설계에 많은 노력이 기울여져 왔다. 도달가능한 설계는 발명자와 설계자의 통찰력뿐만 아니라 예상 설계의 구현을 가능케 하는 제조 능력에 의해서도 제한된다.
최근 몇 년 동안, 몇 가지 적층 제조(AM) 방법과 같은 뛰어난 설계 유연성을 제공하는 첨단 제작 방법론의 개발과 함께, 위상적으로 최적화된 설계 개발에 큰 진전을 이루었으며 특히 자연에서 눈에 띄는 미세구조 연구의 진전과 함께 미소규모에서도 마찬가지였다. 또한, 생체모방 구조를 벗어나, 속성을 추가적으로 최적화하기 위한 더 나아간 최적화도 뒤따랐으며 속성은 일부 적용에 따라 절충된다.
원료 개발은 특히 금속과 원료를 구성하는 금속의 경우 다소 뒤쳐지는 듯 보이며, 현재 가공된(wrought) 재료가 가지는 모든 관련된 속성 내에서 우수한 재료를 찾는 것은 여전히 어려운 일이고, 금속에 대한 대부분의 AM 방법의 내재된 이방성(anisotropy) 경향과 같은 몇 가지 추가적인 과제가 대두되고 있다. 성능 외에도, AM용 금속은 가공된 구성 등가물보다 몇 배는 더 훨씬 비싸고, 또한 기존의 금속용 AM 방법은 매우 비용 집약적이다. 현재, 고성능의 대형 AM 금속 부품의 구축은 매우 기술적이고 경제적인 과제이다. 대부분의 기존 AM 기술은 대형의 복잡한 기하학적 구조를 취하려고 할 경우, 과도한 잔류응력과 심지어 균열까지 일으킨다.
본 발명은 성능과 비용 두가지 관점에서 설계의 유리한 유연성을 유지하면서 금속 AM과 관련한 많은 과제들을 해결하는데 도움을 준다. 그러므로 본 발명은 특히 복잡한 기하학적 구조를 가진 고성능 부품의 제조, 복잡한 기하학적 구조를 가진 대형 부품의 제조, 그리고 일반적으로 저비용 고성능의 설계 유연성으로부터 이점을 얻는 모든 부품의 제조에 대해 기술하고 있다. 본 발명은 금속성 혹은 적어도 금속으로 구성되는 부품에 적합하지만, 다른 원료 유형 또한 해당 발명으로부터 도움을 얻을 수 있다.
특히 AM 기술의 번영 이후 금속으로 복잡한 기하학적 형상을 얻는 것과 관련한 많은 발명들이 있다. 해당 기술들 중 대다수에서, 특히 구성요소의 크기가 큰 경우, 등방적이고 균열이 거의 없는 복잡한 기하 구성요소를 얻는 것이 거의 불가능하다. 또한, 기존의 AM 방식의 대부분은 매우 비용 집약적이며 큰 치수의 구성요소를 생산하는 것이 불가능하다. 복잡한 기하학적 형상을 얻기 위한 기술 중 AM으로 간주되지 않는 기술들은 균열 없는 내부 피처를 갖는 구성요소를 얻는데 심각한 어려움을 보인다.
특허 출원 번호 PCT/EP2019/075743은 구성요소의 제조방법을 설명한다. 본 발명은 개선된 기계적 특성을 갖는 구성요소를 얻기 위한 몇 가지 새로운 개발과 제조방법과 결합될 수 있는 새로운 설계 전략을 공개한다.
그1. 메인 채널, 2차 채널, 세부 채널이 있는 냉각 회로 디테일.
그림2. 컬렉터 역할을 하는 분기된 메인 채널과 그 사이에 세부 채널이 있는 냉각 회로 디테일.
그림3. 모서리가 둥근 미세 채널의 사각 프로파일이 있는 컬렉터 역할을 하는 원통형의 메인 채널을 갖는 냉각 회로 디테일.
그림 4. 공극이 있는 구성요소의 두 가지 예.
그림5. 냉각 회로와 공극을 갖는 다이의 단면, 미세 채널 중 일부 모서리가 둥근 직사각형 단면 뿐만 아니라 온도 조절 표면까지의 거리를 볼 수 있다.
그림 6. 냉각 채널과 공극이 9개의 접합 세그먼트로 이루어진 다이의 조감도로, 각각 해당 문서에서 설명하는 기술 중 서로 다른 기술로 제조되었으며 통합 단계 이후 해당 문서에서 서술된 것처럼 접합됨. 상부 3개의 세그먼트는 유기물 뿐만 아니라 입자 형태의 금속성의 재료를 포함하는 적층 제조 기술 (additive manufacturing methods)을 사용하여 제조되었다. 3개의 중간선 세그먼트는 입자 형태의 금속성 재료로 채워진 적층 제조 주형을 사용하여 제조되었다. 하부 3개의 세그먼트는 입자 형태 혹은 와이어 형태의 금속성 재료를 포함하는 적층 제조 기술을 사용하여 제조되었다.
그림7. 입자 형태의 재료를 포함하는 금속으로 채워질 준비가 되어 조립된 여러 개의 서로 다른 적층 제조된 작은 조각들로 만들어진 유기물 주형.
그림8. 공극이 있는 주어진 구성요소 (a), 직사각형 입방체 (b), 직사각형 입방체 (b)의 가장 큰 직사각형 면, 단면 백분위수 (c), 80번째 백분위수에 대한 단면- 76.5cm2-(c), 가장 큰 단면의 20%와 가장 작은 단면의 20%를 고려하지 않았을 때 얻어진 평균 단면- 56.91cm2 -(c), 보다 나은 이해를 위해, 단면을 갖는 구성요소 (d)의 가공 표면으로 형상화된 입방체 (e).
그림9. 이해를 목적으로 하는 복셀(VOXEL) 개념의 표현.
발명에 대한 세부 설명
현재 금속 구성요소에 대한 적층 제조 방식은 이방성을 띄며, 상당히 느리고 따라서 비용이 많이 들어, 설계의 유연성으로 보상되거나 초과된다 하더라도, 대부분의 재료 대응물에 대한 모든 특성을 얻는 것은 매우 어렵다. 또한, 이러한 방법들은 매우 국부적인 에너지 적용으로 인해 높은 수준의 잔류 응력을 통합하려는 경향이 있으므로, 대형 구성요소를 제조할 경우 더욱 어려워진다. 잔류응력 문제는 비용을 추가하고 제한을 주는 지지대(supporting structure)의 사용으로 해결될 수 있다. 반면, 플라스틱 재료를 활용한 AM기술은 훨씬 더 빠르고 비용 효율적인데, 특히 제조되는 구성요소의 기계적 성능이 주요한 관심사가 아닐 때 그러하며, 치수 공차가 너무 엄격하지 않을 때 그 효과는 더욱 커진다. 직접적인 에너지 조사(Direct Energy Deposition, DeD) 로 분류될 수 있는 AM 기술은 보통 비용 효율적이고 더 큰 구성요소를 제조할 수 있지만, 일반적으로 기본 재료에 조사함으로서, 특정한 두께의 스크래치 구성요소로부터 구성될 때, 잔류응력은 관리가 불가능하게 되고 거의 모든 처리에서 가공재의 성능과 유사한 정도의 성능을 얻을 수 있는 재료의 스펙트럼은 매우 제한적이다.
금속성의 재료와 같은 재료를 활용하여 복잡한 기하 구성요소를 제조하는 다른 방법이 있다:
- 금속사출 성형(Metal injection molding, MIM): 상당히 높은 지수 정확성, 합리적인 비용과 성능이 매우 뛰어나지는 않지만 충분히 수용 가능하다. 해당 방식은 매우 스마트한 구성요소로 제한된다.
- 통조림 형태의 분말(canned powders)의 열간 등압 성형(Hot Isostatic Pressing, HIP): 대형 구성요소의 제조가 가능하지만, 내부 기능이 없는 단순한 기하학적 구조만 해당된다. 비용은 합리적이나 여전히 많은 어플리케이션들에 있어서 높은 비용이 요구된다.
- 고무 주형(rubber molds)의 냉간 등방압 성형(Cold Isostatic Pressing, CIP): 합리적인 비용 그 이상이지만, 치수 정확도가 낮으며, 복잡한 기하구조에 있어서 종종 내부 분열 문제가 발생하고 대형 구성요소에서는 더욱 자주 발생하며, 많은 산업용 합금 시스템 내에서는 높은 성능을 얻기가 매우 어렵다. 특수 코어를 활용하여 매우 간단한 기하학적 구조에서만 가능한 내부 성능은 비용을 상당히 증가시킨다.
일 실시 예에서, "미만", "초과", "이상", "로부터", "까지", "로까지", "적어도", "보다 큰", "보다 높은", "보다 많은", "보다 적은" 등과 같은 용어의 사용은 공개 내용 전반에 걸쳐 인용된 숫자를 포함한다.
본 발명자는, 일부 어플리케이션들들의 경우, 구성요소를 제조하기 위해 특정한 기하학적 설계 전략의 사용이 유리함을 발견했다. 적절한 기하학적 설계 전략으로부터 이점을 얻을 수 있는 일부 구성요소는 다음을 포함하지만 이에 국한되지는 아니한다: 조각, 주형, 다이, 플라스틱 사출 성형 혹은 다이 사출 성형, 다이 압력 주조(다이 캐스팅, die casting), 경합금 다이 압력 주조, 알루미늄 다이 압력 주조, 드로잉 다이 혹은 주형, 커팅 다이 혹은 주형, 밴딩 다이 및/혹은 주형. 본 발명자는, 주어진 어플리케이션의 경우, 구성요소의 특정 설계의 선택이 매우 중요할 수 있음을 발견했다. 이와 관련하여, 본 발명자는 놀랍게도 몇몇의 툴링 어플리케이션들의 경우, 공기를 혼합한 금속 혼합물로 구성요소를 제조하는 것이 매우 유리함을 발견했다. 일 실시 예에서, 제조된 구성요소는 툴링 어플리케이션들에 대한 것이다. 일 실시 예에서, 툴링 어플리케이션들은 플라스틱 사출을 의미한다. 추가 실시 예에서, 툴링 어플리케이션들은 압력 주조를 의미한다. 추가 실시 예에서, 툴링 어플리케이션들은 경합금 압력 주조를 의미한다. 추가 실시 예에서, 툴링 어플리케이션들은 알루미늄 압력 주조를 의미한다. 추가 실시 예에서, 툴링 어플리케이션들은 드로잉 어플리케이션들을 의미한다. 추가 실시 예에서, 툴링 어플리케이션들은 커팅 어플리케이션들을 의미한다. 추가 실시 예에서, 툴링 어플리케이션들은 밴딩 어플리케이션들을 의미한다. 본 발명자는 다음 단락에서 공개되는 적절한 기하학적 설계 전략이 다른 구성요소의 적어도 일부분을 제조하는데 유리하게 사용될 수 있음을 발견했다. 일 실시 예에서, 구성요소는 다이다. 추가 실시 예에서 구성요소는 플라스틱 사출 다이다. 추가 실시 예에서, 구성요소는 압력 주조 다이다. 추가 실시 예에서, 구성요소는 경합금 압력 주조 다이다. 추가 실시 예에서, 구성요소는 알루미늄 압력 주조 다이다. 추가 실시 예에서, 구성요소는 드로잉 다이다. 추가 실시 예에서, 구성요소는 커팅 다이다. 추가 실시 예에서, 구성요소는 밴딩 다이다. 추가 실시 예에서, 구성요소는 주형이다. 추가 실시 예에서, 구성요소는 드로잉 몰드(주형, mold)다. 추가 실시 예에서, 구성요소는 커팅 몰드다. 추가 실시 예에서, 구성요소는 밴딩 몰드다. 본 발명자는, 일부 어플리케이션들들의 경우, 적절한 기하학적 설계 전략이 제조된 구성요소의 부피 및/혹은 중량의 상당한 감소를 포함할 수 있음을 발견했다. 앞서 공개된 바와 같이, 몇몇의 어플리케이션들의 경우, 공기를 혼합한 금속 혼합물을 포함하는 구성요소의 제조가 유리하다. 특별한 언급이 없는 한, 특성 "적절한 기하학적 설계 전략"은 다음에 상세히 설명된 다른 대안들의 형태로 현재 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 일 실시 예에서, 적절한 기하학적 설계 전략은 특정 함량의 공극을 가지는 구성요소의 제조를 포함한다. 일부 어플리케이션들들의 경우, 제조된 구성요소의 공극 비율을 계산하는 것이 특히 흥미롭다. 이 점에 있어서, 제조된 구성요소를 포함하여 가능한 최소 부피를 갖는 직사각형 입방체는 비교 목적으로 사용될 수 있다. 별도로 명시되지 않는 한, 용어 "직사각형 입방체"는 구성요소를 포함하는 가장 작은 부피를 갖는 직사각형 입방체로 현재 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 이 문서 내 용어 의미에 있어서, 직사각형 입방체 혹은 직사각형 육면체는 여섯 개의 직사각형 측면으로 둘러싸인 볼록 다면체이다 (따라서 인접한 측면의 한 쌍은 직각으로 만난다). 다른 실시 예들에서, 공극인 직사각형 입방체의 부피 비율은 52% 초과, 62% 초과, 76% 초과, 86% 초과, 92% 초과, 그리고 심지어 96%를 초과한다. 특정 어플리케이션들의 경우, 공극인 직사각형 입방체의 부피 비율은 제한되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 공극인 직사각형 입방체의 부피 비율은 99% 미만, 94% 미만, 그리고 심지어 89% 미만이다. 일 실시 예에서, 공극인 직사각형 입방체의 부피 비율은 구성요소가 차지하지 않는 직사각형 입방체의 부피 비율을 의미한다. 앞서 설명한 것과 같이, 공극 부피 비율을 계산하는데 사용되는 직사각형 입방체는 구성요소를 포함하여 가능한 최소한의 부피를 갖는 직사각형 입방체이다. 일 실시 예에서, 제조된 구성요소는 공극을 포함한다. 일 실시 예에서, "공극"의 특성은 기하학적 측면을 의미하는데 이는 구성요소의 내부 용적에 위치하며, 구성요소의 외부 표면에 정의되는 적어도 하나의 외부 개구를 통해 최소 하나의 외부 표면과 직접 통하거나 직접 통하지 않을 수 있는 기하학적 측면을 의미한다. 일 실시 예에서, 공극은 구성요소 설계의 일부인 기하학적 측면을 제외하며, 이는 예를 들어, 구성요소가 구성요소 설계의 일부인 쿨링 채널, 공극, 혹은 공동을 포함할 경우, 해당 기하학적 측면은 공극을 계산하는데 고려되지 아니함을 의미한다. 본 발명자는 놀랍게도 일부 어플리케이션들들의 경우, 적어도 일부 공극이 상호 연결될 때, 구성요소의 성능이 유리하게 개선됨을 발견했다. 일 실시 예에서, 구성요소는 상호 연결된 공극을 포함한다. 일 실시 예에서, 적어도 일부의 공극은 상호 연결되어 있다. 다른 실시 예들에서, 일부 공극은 2개 이상, 11개 이상, 51개 이상, 120개 이상, 그리고 심지어 520개 이상의 공극을 의미한다. 일부 어플리케이션들들의 경우, 제한된 수의 상호 연결된 공극이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 일부 공극은 10000개 미만, 4000개 미만, 990개 미만, 490개 미만, 34개 미만, 그리고 심지어 19개 미만의 공극을 의미한다. 일부 어플리케이션들들의 경우, 일부 공극은 공극의 특정 비율을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 일부 공극은 적어도 6%, 적어도 12%, 적어도 46%, 적어도 26%, 그리고 심지어 적어도 56%의 공극을 가리킨다. 일부 어플리케이션들들의 경우, 비율이 높을 수록 유리하다. 다른 실시 예들에서, 일부 공극은 적어도 66%, 적어도 76%,적어도 86%,적어도 91%, 그리고 심지어 적어도 97%의 공극을 가리킨다. 일부 어플리케이션들들의 경우, 일부 공극은 구성요소의 모든 공극을 의미한다. 일부 어플리케이션들들의 경우, 상호 연결된 공극의 비율은 제한되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 일부 공극은 99% 미만, 96% 미만, 94% 미만, 84% 미만, 79% 미만, 54% 미만, 그리고 심지어 44% 미만의 공극을 의미한다. 일부 실시 예들에서, 공극의 적어도 일부는 구성요소의 외부와 연결되어 있다. 일 실시 예에서, 제조된 구성요소는 구성요소의 외부와 연결된 공극을 포함한다. 일 실시 예에서, "구성요소의 외부와 연결된 공극"의 특성은 구성요소의 내부 용적에 위치하고, 구성요소의 외부 표면에 정의된 외부 개구를 통해 적어도 하나의 구성요소 외부 표면과 직접 통하고 있는 기하학적 측면을 의미한다. 일 실시 예에서, 구성요소의 외부와 연결된 공극은 구성요소의 설계의 일부분인 기하학적 측면을 제외하는데, 이는 예를 들어, 구성요소 설계의 일부인 구성요소의 외부 표면과 직접적으로 연결된 쿨링 채널, 공극, 혹은 공동을 포함하는 경우, 해당 기하학적 측면은 구성요소 외부와 연결된 공극을 계산하는데 고려되지 아니함을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 구성요소 외부와 연결된 공극의 비율은 적어도 6%, 적어도 11%, 적어도 21%, 적어도 41%, 그리고 심지어 적어도 61% 이다. 일부 어플리케이션들들의 경우, 비율은 높을 수록 유리하다. 다른 실시 예들에서, 구성요소 외부와 연결된 공극의 비율은 적어도 76%, 적어도 81%, 적어도 86%, 적어도 91%, 그리고 심지어 적어도 98% 이다. 일부 특정 실시 예들에서, 심지어 모든 공극은 구성요소의 외부와 연결되어 있다. 일부 어플리케이션들들의 경우, 구성요소 외부와 연결된 공극의 비율은 제한되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 구성요소 외부와 연결된 공극의 비율은 99% 미만, 94% 미만, 89% 미만, 74% 미만, 64% 미만, 그리고 심지어 49% 미만이다. 일 실시 예에서, 공극은 기공(porosity)을 포함한다. 추가 실시 예에서, 공극은 오로지 기공 만을 포함한다. 일 실시 예에서, 구성요소와 관련하여 앞서 공개된 내용은 제조된 구성요소를 의미한다. 위의 공개된 모든 실시 예들은 상호 배타적이지 아니하면 어떠한 조합으로도 결합될 수 있는데, 예를 들어, 구성요소는 10000개 미만의 공극을 포함하며, 여기서 적어도 41%의 공극이 구성요소의 표면과 연결되어 있다. 공기는 매우 우수한 절연체로 알려져 있으나, 적절한 합금 시스템과 공극으로 가득 찬 스마트 설계(대체로 공기로 가득 찬 것을 의미함)를 선택할 때, 매우 놀랍게도 제조된 구성요소의 열 성능이 향상될 수 있다. 일 실시 예에서, 제조된 구성요소는 뛰어난 열 성능을 보인다. 본 발명자는 일부 어플리케이션들의 경우 제조된 구성요소의 경화능(hardenability)을 향상시키기 위하여 합금 시스템에 설계를 적용하는 것이 특히 흥미롭다는 것을 발견했다. 현재, 균질하고, 높은 기계적 특성을 가지는 대형 구성요소의 제조가 달성되기 매우 어렵다. 게다가, 특정 열반응(예를 들어, 특히 낮은 열 전도율, 높은 열 전도율 혹은 낮은 열 용량) 또한 요구될 때, 해당 제조는 불가능해진다. 일부 어플리케이션들의 경우, 기계적 특성이 인성(toughness)을 포함할 때, 특히 어렵다. 본 발명자는 놀랍게도, 일부 어플리케이션들의 경우, 적절한 기하학적 설계 전략이 신중하게 선택될 경우, 균질하고 높은 기계적 특성을 가지며 심지어 높은 열 성능을 갖는 대형 구성요소 제조의 문제가 해결될 수 있음을 발견했다. 일 실시 예에서, 적절한 기하학적 설계 전략은 특정 중요 단면(cross-section)을 갖는 구성요소의 제조를 포함한다. 특별한 언급이 없는 한, "구성요소의 중요 단면"의 특징은 아래에 자세히 설명되는 다양한 대안의 형태로 본 문서 전체에 걸쳐 정의된다. 일 실시 예에서, 중요 단면은 구성요소의 가장 큰 단면이다. 대안적 일 실시 예에서, 구성요소의 중요 단면은 평균 단면도(mean cross-section)이다. 추가 대안적 일 실시 예에서, 구성요소의 중요 단면은 평균 단면도 계산 시 단면의 상위 20%와 하위 20%가 고려되지 않을 때 얻어지는 평균 단면도이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 가장 큰 단면의 적어도 일부는 중요 단면을 계산하는데 고려되지 않아야 한다. 일 실시 예에서, 구성요소의 중요 단면은 단면의 상위 10% (이는 가장 작은 단면적(백분위수 0%)부터 가장 큰 단면적(백분위수 100%)까지의 정돈된 분포에서, 10%는 100%-10%= 백분위수 90%에 해당함을 의미함)를 제외한 후 얻어지는 가장 큰 단면이다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 중요 단면은 가장 큰 단면의 15%를 제외한 후 얻어지는 가장 큰 단면이다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 중요 단면은 가장 큰 단면의 20%를 제외한 후 얻어지는 가장 큰 단면이다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 중요 단면은 가장 큰 단면의 30%를 제외한 후 얻어지는 가장 큰 단면이다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 중요 단면은 가장 큰 단면의 40%를 제외한 후 얻어지는 가장 큰 단면이다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 중요 단면은 가장 큰 단면의 50%를 제외한 후 얻어지는 가장 큰 단면이다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 중요 단면은 백분위 수의 90번 째에 해당하는 단면 값과 동일하다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 중요 단면은 백분위 수의 80번 째에 해당하는 단면 값과 동일하다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 중요 단면은 백분위 수의 70번 째에 해당하는 단면 값과 동일하다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 중요 단면은 백분위 수의 60번 째에 해당하는 단면 값과 동일하다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 중요 단면은 백분위 수의 50번 째에 해당하는 단면 값과 동일하다. 일 실시 예에서, 적어도 단면의 20%가 범위 내에 있을 때, 단면은 유의하다. 추가 실시 예에서, 적어도 단면의 40%가 범위 내에 있을 때, 단면은 유의하다. 추가 실시 예에서, 적어도 단면의 60%가 범위 내에 있을 때, 단면은 유의하다. 추가 실시 예에서, 적어도 단면의 80%가 범위 내에 있을 때, 단면은 유의하다. 추가 실시 예에서, 모든 단면이 범위 내에 있을 때, 단면은 유의하다. 일부 어플리케이션들의 경우, 적절한 기하학적 설계 전략은 제조된 구성요소의 중요 단면의 유의한 감소를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 적절한 기하학적 설계 전략은 (앞서 정의된 바와 같은) 구성요소의 중요 단면과 (앞서 정의된 바와 같은) 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형 면의 단면 사이의 특정한 관계를 포함한다. 다른 실시 예들에서, 구성요소의 중요 단면은 (앞서 정의된 바와 같은) 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형 면의 단면의 0.79배 이하, 0.69배 이하, 0.59배 이하, 0.49배 이하, 0.39배 이하, 0.29배 이하, 0.19배 이하, 그리고 심지어 0.09배 이하이다. 일부의 경우에서, 극히 낮은 값이 특히 중요하다. 다른 실시 예들에서, 구성요소의 중요 단면은 (앞서 정의된 바와 같은) 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형 면의 단면의 0.04배 이하, 0.019배 이하, 0.009배 이하, 0.0009배 이하, 그리고 심지어 0.0002배 이하이다. 일부 어플리케이션들의 경우, (앞서 정의된 바와 같은) 구성요소의 중요 단면과 (앞서 정의된 바와 같은) 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형 면의 단면 사이의 특정한 관계가 선호된다. 다른 실시 예들에서, 구성요소의 중요 단면은 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형 면의 단면의 49% 미만, 19% 미만, 9% 미만, 그리고 심지어 4% 미만이다. 특정 어플리케이션들의 경우, 특히 높은 기계적 특성 및/혹은 낮은 중량, 더 낮은 값을 요구하는 구성요소가 선호된다. 다른 실시 예들에서, 구성요소의 중요 단면은 (앞서 정의된 바의) 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형 면의 단면의 1.9% 미만, 0.9% 미만, 그리고 심지어 0.09% 미만이다. 본 문서의 의미에 있어서, 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형 면의 단면은 (만약 직사각형 입방체의 치수가 a, b, c일 경우, 가장 큰 직사각형 면의 면적은 a*b, a*c, 그리고 b*c 값 중에서 가장 큰 값을 의미한다) 직사각형 입방체의 직사각형 면의 모든 단면 사이의 가장 큰 단면이다. 일 실시 예에서, 단면은 단면적(cross-sectional area)을 의미한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 구성요소의 단면은 구성요소에 완전히 포함되는 복셀 (이는 적어도 부분적으로 구성요소 외부에 있는 복셀은 단면을 계산하는데 고려되지 않음을 의미하고 이에 따라, 오로지 구성요소 전체를 차지하는 복셀만 고려됨을 의미함)과 관련된 구성요소의 최소한의 면적을 활용하여 계산될 수 있다. 대안적 일 실시 예에서, 구성요소 내부에 없는 기하학적 중심을 갖는 복셀은 제외된다. 일부 실시 예들에 있어서, 해당 문서 전체에 걸쳐 복셀의 기하학적 중심에 대한 참조는 복셀의 무게 중심으로 대체될 수 있다. 일 실시 예에서, 복셀의 무게 중심은 균일한 밀도를 고려하여 계산된다. 일 실시 예에서, 밀도는 구성요소의 평균 밀도를 의미한다.일 실시 예에서, 복셀은 입방체 기하(cubic geometry, 이하 "입방 복셀(cubic voxel)"이라 칭함)를 갖는 다면체(polyhedron)를 가리킨다. 특별한 언급이 없는 한, 용어 "입방 복셀"은 본 문서 내내 입방체 기하를 갖는 다면체로 정의된다. 일 실시 예에서, (앞서 정의된 바와 같은) 직사각형 입방체의 기하학 중심과 일치하는 기하학 중심을 갖는 적어도 하나의 입방 복셀이 있다. 일부 실시 예들에서, 본 문서에 있어 (앞서 정의된 바와 같은) 직사각형 입방체의 기하학 중심에 대한 참조는 (앞서 정의된 바와 같은) 직사각형 입방체의 무게 중심으로 대체될 수 있다. 일 실시 예에서, (앞서 정의된 바와 같은) 직사각형 입방체의 무게 중심은 균일한 밀도를 고려하여 계산된다. 일 실시 예에서, 밀도는 구성요소의 평균 밀도이다. 일 실시 예에서, 입방 복셀과 (앞서 정의된 바와 같은) 직사각형 입방체는 평행한 면을 갖는다. 일 실시 예에서, 직사각형 입방체와 평행하면서 (앞서 정의된 바와 같은) 직사각형 입방체의 기하 중심과 일치하는 기하 중심을 갖고 정의된 가장자리 길이를 갖는 적어도 하나의 입방 복셀이 있다. 다른 실시 예들에서 입방체 복셀의 가장자리 길이는 1mm, 0.9mm, 0.09mm, 0.04mm, 0.01mm, 그리고 심지어 0.001mm이다. 일 실시 예에서, 각 입방 복셀을 계산할 수 있는 구성요소의 최소 단면이 있다. 일 실시 예에서, 입방 복셀이 포함하는 임의의 점과 관련한 구성요소의 최소 단면은 입방 복셀과 관련한 구성요소의 최소 단면으로 정의된다. 일 실시 예에서, 입방 복셀과 관련한 구성요소의 최소 단면은 입방 복셀의 기하 중심을 포함하는 구성요소의 최소 단면이다. 추가 실시 예에서, 입방 복셀과 관련된 구성요소의 최소 단면은 입방 복셀의 무게 중심을 포함하는 구성요소의 최소 단면이다. 추가 실시 예에서, 입방 복셀과 관련한 구성요소의 최소 단면은 밀도가 구성요소의 평균 밀도라는 점에서 균일한 밀도를 고려하면서 입방 복셀의 무게 중심을 포함하는 구성요소의 최소 단면이다. 일 실시 예에서, 주어진 점을 포함하는 단면은 구성요소와 구성요소를 절단하고 주어진 점(가능한 무한 평면(infinite plane)이 있지만 오직 하나의 최대/최소 단면을 가짐)을 포함하는 무한 평면으로 정의된 기하학적 도형의 영역이다. 일 실시 예에서, 구성요소의 단면은 구성요소에 완전히 포함되는 입방 복셀과 연관된 최소 단면이다. 일 실시 예에서, 단면을 계산하는데 사용되는 입방 복셀은 구성요소에 완전히 포함되는 입방 복셀이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 직사각형 입방 기하학적 구조를 갖는 복셀의 사용이 선호된다. 특별한 언급이 없는 한, "직사각형 입방 복셀"은 본 문서 전체에 걸쳐 직사각형 입방 기하학적 구조를 갖는 다면체로 정의된다. 대안적 일 실시 예에서, 복셀은 직사각형 입방 기하학적 구조(이하 "직사각형 입방 복셀"을 의미함)를 가지며 (앞서 정의된 바와 같은) 직사각형 입방체에 대해 크기가 축소된 다면체를 의미한다. 일 실시 예에서, 모든 직사각형 입방 복셀은 직사각형 입방체 내에 포함된다. 일 실시 예에서, 직사각형 입방체는 직사각형 입방 복셀로 가득 차 있다. 일 실시 예에서, 모든 직사각형 입방 복셀은 동일한 부피를 갖는다. 일 실시 예에서, 직사각형 입방 복셀의 부피(Vrc)와 (앞서 정의된 바와 같은) 직사각형 입방체의 부피 사이에 특정한 관계가 있으며, 이는 다음의 수식을 따른다: Vrc=V/n3, 여기서 Vrc는 단위 m3으로 나타낸 직사각형 입방 복셀의 부피이며, V는 (앞서 정의된 바와 같은) 단위 m3로 나타낸 직사각형 입방체의 부피이고, n3은 (앞서 정의된) 직사각형 입방체 내에 포함된 직사각형 입방 복셀의 수다. 일 실시 예에서, n은 자연수이다. 다른 실시 예들에서, n은 11보다 크고, 110보다 크고, 560보다 크고, 1050보다 크고, 5600보다 크고, 그리고 심지어 10500보다 크다. 일부 어플리케이션들의 경우, n은 제한되어야 한다. 다른 실시 예들에서, n은990000보다 작고, 94000보다 작고, 44000보다 작고, 19400보다 작고, 94000보다 작고, 그리고 심지어 4800보다 작다. 앞서 공개된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 어떠한 조합으로도 결합될 수 있는데, 예를 들어n은110보다 크고 990000보다 작다. 일 실시 예에서, n은 12다. 추가 실시 예에서, n은 120이다. 추가 실시 예에서, n은 580이다. 추가 실시 예에서, n은 1060이다. 추가 실시 예에서, n은 4400이다. 추가 실시 예에서, n은 5800이다. 추가 실시 예에서, n은 9100이다. 추가 실시 예에서, n은 10600이다. 추가 실시 예에서, n은 19100이다. 추가 실시 예에서, n은 41000이다. 추가 실시 예에서, n은91000이다. 추가 실시 예에서, n은 980000이다. 일 실시 예에서, 각각의 직사각형 입방 복셀을 계산할 수 있는 최소한의 단면이 존재한다. 일 실시 예에서, 직사각형 입방 복셀이 포함하는 임의의 점과 관련한 구성요소의 최소 단면은 직사각형 입방 복셀과 관련한 구성요소의 최소 단면으로 정의된다. 일 실시 예에서, 직사각형 입방 복셀과 관련한 구성요소의 최소 단면은 직사각형 입방 복셀의 기하 중심을 포함하는 구성요소의 최소 단면이다. 추가 실시 예에서, 직사각형 입방 복셀과 관련한 구성요소의 최소 단면은 직사각형 입방 복셀의 무게 중심을 포함하는 구성요소의 최소단면이다. 추가 실시 예에서, 직사각형 입방 복셀과 관련한 구성요소의 최소 단면은 밀도가 구성요소의 평균밀도라는 사실 하에 균일한 밀도를 고려하면서, 직사각형 입방 복셀의 무게 중심을 포함하는 구성요소의 최소 단면이다. 일 실시 예에서, 주어진 점을 포함하는 단면은 구성요소와 구성요소를 가르고 주어진 점을 포함하는 무한 평면(가능한 무한 평면이 있으나 최대/최소 단면을 갖는 것은 하나 뿐임)으로 정의되는 기하학적 특성의 영역을 의미한다. 일 실시 예에서, 구성요소의 단면은 구성요소에 완전히 포함된 직사각형 입방 복셀과 관련한 최소 단면이다. 일 실시 예에서, 단면을 계산하는데 사용되는 직사각형 입방 복셀은 구성요소에 완전히 포함되는 직사각형 입방 복셀이다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된 것처럼) 구성요소의 중요 단면은 0.2mm2 초과, 2mm2 초과, 20mm2 초과, 200mm2 초과, 그리고 심지어 2000mm2를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 중요 단면은 특정 값 미만으로 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) 구성요소의 중요 단면은 2900000mm2 미만, 900000mm2 미만, 400000mm2 미만, 90000mm2 미만, 40000mm2 미만, 그리고 심지어 29000mm2 미만이다. 본 발명자는 일부 설계의 경우, 특히 높은 기계적 특성을 요구하는 구성요소에 있어서, 더 작은 중요 단면이 선호됨을 발견했다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) 구성요소의 중요 단면은 9000mm2 미만, 4900mm2 미만, 2400mm2 미만, 900mm2 미만, 400mm2 미만, 190mm2 미만, 90mm2 미만, 그리고 심지어 40mm2 미만이다. 일 실시 예에서, 중요 단면은 중요 단면적(significant cross-sectional area)을 의미한다. 본 발명자는 일부 어플리케이션들의 경우, 적절한 기하학적 설계 전략이 특정한 단면을 갖는 구성요소의 제조를 포함함을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 구성요소의 단면은 0.2mm2 초과, 2mm2 초과, 20mm2 초과, 200mm2 초과, 그리고 심지어 2000mm2를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 단면은 특정 값 미만으로 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 구성요소의 단면은 2900000mm2 미만, 900000mm2 미만, 400000mm2 미만, 90000mm2 미만, 40000mm2 미만, 그리고 심지어 29000mm2 미만이다. 본 발명자는 일부 설계에서, 특히 높은 기계적 특성을 요구하는 구성요소에 대해, 더 작은 단면이 선호됨을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 구성요소의 단면은 9000mm2 미만, 4900mm2 미만, 2400mm2 미만, 그리고 심지어 900mm2 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 심지어 더 작은 단면이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 구성요소의 단면은 400mm2 미만, 190mm2 미만, 90mm2 미만, 그리고 심지어 40mm2 미만이다. 일 실시 예에서, 단면은 평균 단면이다. 일 실시 예에서, 단면은 단면적을 의미한다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 어떤 조합으로든 결합될 수 있으며, 예는 이러하다: 일 실시 예에서, 구성요소의 평균 단면은 0.2mm2를 초과하고 구성요소를 포함하여 가능한 최소 부피를 갖는 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형 면적의 49% 미만이거나, 혹은 예를 들어: 일 실시 예에서, 구성요소의 평균 단면이 0.2mm2 초과, 2900000mm2 미만, 혹은 예를 들어: 추가 실시 예에서, 각 입방체 복셀과 관련한 구성요소의 최소 단면이 입방 복셀의 기하 중심을 포함하는 구성요소의 최소 단면이고 직사각형 입방체의 기하 중심과 일치하는 기하 중심을 갖는 적어도 하나의 입방 복셀이 존재하며 입방 복셀의 면과 직사각형 입방체의 면이 평행한다는 조건 하에, 구성요소의 가장 큰 단면이 0.2mm2를 초과하면서 구성요소를 포함하여 가능한 최소 부피를 갖는 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형 면적의 49% 미만인 구성요소의 단면이 구성요소 내 완전하게 포함되는 가장자리 길이가 1mm인 각 입방 복셀로부터 계산된 구성요소 각각의 최소 단면이라는 점에서, 구성요소의 가장 큰 단면의 40%를 제외하고 얻어진 가장 큰 단면이다. 대안적 일 실시 예에서, 기하중심은 무게 중심으로 대체된다; 혹은 예를 들어: 추가 실시 예에서, 구성요소의 가장 큰 단면은 0.2mm2 초과, 구성요소를 포함하는 가능한 최소 부피를 갖는 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형 면적의 49% 미만이고 구성요소의 단면이 구성요소 내 완전히 포함되는 각각의 직사각형 입방체 복셀로부터 계산된 구성요소 각각의 최소 단면이라는 점에서, 구성요소의 가장 큰 단면의 40%를 제외한 후 얻어지는 가장 큰 단면이며, 여기서 구성요소 내 구성되는 직사각형 입방체 복셀의 수는 Vrc=V/n3 으로부터 계산되고, 해당 수식에서 Vrc는 직사각형 입방체 복셀의 부피를 m3 단위로 나타낸 것이고 V는 m3 단위의 직사각형 입방체의 부피, n3은 직사각형 입방체 내에 포함되는 직사각형 입방체 복셀의 수이고, 여기서 각각의 직사각형 입방체 복셀과 연관된 구성요소의 최소 단면은 직사각형 입방체 복셀의 기하 중심을 포함하는 구성요소의 최소 단면이라는 조건에서, n은 11 보다 크고 990000 보다 작다. 대안적 일 실시 예에서, 기하 중심은 무게 중심으로 대체된다; 혹은 예를 들어: 추가 실시 예에서, 구성요소의 가장 큰 단면은 0.2mm2 초과, 구성요소를 포함하는 가능한 최소 부피를 갖는 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형 면적의 49% 미만이고 구성요소의 단면이 구성요소 내 완전히 포함되는 각각의 직사각형 입방체 복셀로부터 계산된 구성요소 각각의 최소 단면이라는 점에서, 구성요소의 가장 큰 단면의 40%를 제외한 후 얻어지는 가장 큰 단면이며, 여기서 구성요소 내 구성되는 직사각형 입방체 복셀의 수는 Vrc=V/n3 으로부터 계산되고, 해당 수식에서 Vrc는 m3 단위로 나타낸 직사각형 입방체 복셀의 부피이며V는 m3 단위의 직사각형 입방체의 부피, n3은 직사각형 입방체 내에 포함되는 직사각형 입방체 복셀의 수이고, 여기서 각각의 직사각형 입방체 복셀과 연관된 구성요소의 최소 단면은 직사각형 입방체 복셀의 기하 중심을 포함하는 구성요소의 최소 단면이라는 조건에서, n은 1060이다. 대안적 일 실시 예에서, 기하 중심은 무게 중심으로 치환된다. 일 실시 예에서, 적절한 기하학적 설계 전략은 특정 유의한 두께를 갖는 구성요소의 제조를 포함한다. 특별한 언급이 없는 한, "구성요소의 유의한 두께" 특성은 해당 문서 전반에 걸쳐 다른 대안들의 형태로 정의되며, 이는 아래에 상세히 설명된다. 일 실시 예에서, 유의한 두께는 구성요소의 가장 큰 두께이다. 대안적 일 실시 예에서, 구성요소의 유의한 두께는 두께 평균이다. 추가 대안적 실시 예에서, 유의한 두께는 입방체 복셀의 기하 중심을 포함하는 구성요소의 최소 단면의 제곱근이다. 추가 대안적 실시 예에서, 유의한 두께는 직사각형 입방체 복셀의 기하 중심을 포함하는 구성요소의 최소 단면의 제곱근이다. 추가 대안적 실시 예에서, 유의한 두께는 입방체 복셀의 무게 중심을 포함하는 구성요소의 최소 단면의 제곱근이다. 추가 대안적 실시 예에서, 유의한 두께는 직사각형 입방체 복셀의 무게 중심을 포함하는 구성요소의 최소 단면의 제곱근이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 가장 큰 두께 중 적어도 일부는 유의한 두께를 계산하는데 고려되지 않아야 한다. 일 실시 예에서, 구성요소의 유의한 두께는 가장 큰 두께의 10%를 제외한 후 (이는 가장 작은 두께(백분위수 0%)부터 가장 큰 두께 (백분위수 100%)까지의 정돈된 분포에서, 10%는 100%-10%= 백분위수 90%를 의미함) 얻어지는 가장 큰 두께이다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 유의한 두께는 가장 큰 두께의 15%를 제외한 후 얻어지는 가장 큰 두께이다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 유의한 두께는 가장 큰 두께의 20%를 제외한 후 얻어지는 가장 큰 두께이다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 유의한 두께는 가장 큰 두께의 30%를 제외한 후 얻어지는 가장 큰 두께이다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 유의한 두께는 가장 큰 두께의 40%를 제외한 후 얻어지는 가장 큰 두께이다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 유의한 두께는 가장 큰 두께의50%를 제외한 후 얻어지는 가장 큰 두께이다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 유의한 두께는 백분위수 90번 째에 해당하는 두께 값과 동일하다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 유의한 두께는 백분위수 80번 째에 해당하는 두께 값과 동일하다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 유의한 두께는 백분위수 70번 째에 해당하는 두께 값과 동일하다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 유의한 두께는 백분위수 60번 째에 해당하는 두께 값과 동일하다. 추가 실시 예에서, 구성요소의 유의한 두께는 백분위수 50번 째에 해당하는 두께 값과 동일하다. 일 실시 예에서, 두께의 적어도 20%가 범위 내에 있을 때 두께는 유의하다. 추가 실시 예에서, 두께의 적어도 40%가 범위 내에 있을 때 두께는 유의하다. 추가 실시 예에서, 두께의 적어도 60%가 범위 내에 있을 때 두께는 유의하다. 추가 실시 예에서, 두께의 적어도 80%가 범위 내에 있을 때 두께는 유의하다. 추가 실시 예에서, 모든 두께가 범위 내에 있을 때 두께는 유의하다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된 바와 같은) 구성요소의 유의한 두께는 0.12mm 초과, 1.2mm 초과, 12mm 초과, 22mm 초과, 그리고 심지어 112mm를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 너무 두꺼운 두께는 불리하다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된 바와 같은) 구성요소의 유의한 두께는 1900mm 미만, 900mm 미만, 580mm 미만, 380mm 미만, 그리고 심지어 180mm 미만이다. 일부 특정 어플리케이션의 경우, 더 작은 두께가 선호된다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된 바와 같은) 구성요소의 유의한 두께는 80mm 미만, 40mm미만, 19mm미만, 9mm미만, 그리고 심지어 0.9mm 미만이다. 일 실시 예에서, 적절한 기하학적 설계 전략은 특정 두께를 갖는 구성요소의 제조를 포함한다. 다른 실시 예들에서, 구성요소의 두께는 0.12mm초과, 1.2mm초과, 12mm초과, 22mm초과, 그리고 심지어 112mm를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 너무 두꺼운 두께는 불리하다. 다른 실시 예들에서, 구성요소의 두께는 1900mm미만, 900mm미만, 580mm 미만, 380mm 미만, 그리고 심지어 180mm 미만이다. 일부 특정 어플리케이션의 경우, 더 작은 두께가 선호된다. 다른 실시 예들에서, 구성요소의 두께는 80mm미만, 40mm미만, 19mm미만, 9mm미만, 그리고 심지어 0.9mm미만이다. 일 실시 예에서, 두께는 두께 평균이다. 일 실시 예에서, 적절한 기하학적 설계 전략은 특정 값을 갖는 구성요소의 제조를 포함한다. 일 실시 예에서, 제조된 구성요소의 부피와 직사각형 입방체(앞서 설명된 바와 같은, 구성요소를 포함하는 가장 최소한의 부피를 갖는 직사각형 입방체)의 부피 사이의 특정한 관계가 있다. 다른 실시 예들에서, 구성요소의 부피는 (앞서 설명된 바와 같은) 직사각형 입방체 부피의 89% 미만, 74% 미만, 68% 미만, 49% 미만, 39% 미만, 그리고 심지어 19% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 부피는 너무 작지 않아야 한다. 다른 실시 예들에서, 구성요소는 (앞서 정의된) 직사각형 입방체 부피의 2% 초과, 6% 초과, 12% 초과, 22% 초과, 44% 초과, 49% 초과, 그리고 심지어 55%를 초과한다. 추가 실시 예에서, 해당 부피 비교는 구성요소의 가공 표면(working surface)으로 형성된 입방체로 행해진다. 이러한 맥락에서, 구성요소의 가공 표면으로 형성된 입방체는 구성요소를 포함하는 가장 최소한의 부피를 갖는 직사각형 입방체로 정의되며, 여기서 구성요소의 가공 표면과 맞닿는 직사각형 입방체의 표면은 구성요소의 가공 표면의 기하학적 형상과 일치하고 가능한 최소 면적을 갖는 기하학적 형상을 갖는 표면으로 대체된다. 다른 실시 예들에서, 구성요소의 부피는 (앞서 정의된) 구성요소의 가공 표면으로 형성된 입방체 부피의 89% 미만, 74% 미만, 68% 미만, 49% 미만, 39% 미만, 그리고 심지어 19% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 부피가 너무 작아서는 안된다. 다른 실시 예들에서, 구성요소의 부피는 (앞서 정의된) 구성요소의 가공 표면으로 형성된 최대 입방체의 부피의 2% 초과, 6% 초과, 12% 초과, 22% 초과, 44% 초과, 49% 초과, 그리고 심지어 55%를 초과한다. 일 실시 예에서, 가공 표면은 활성 표면(active surface)을 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 가공 표면은 관련된 활성 표면을 의미한다. 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 않다면, 어떤 조합으로든 결합될 수 있는데, 예를 들어: 일 실시 예에서, 구성요소의 유의한 두께는 구성요소의 최소 단면의 제곱근이고, 여기서 구성요소의 단면은 각각의 입방체 복셀과 관련된 구성요소의 최소 단면이 입방체 복셀의 기하 중심을 포함하는 구성요소의 최소 단면이고 직사각형 입방체의 기하 중심과 일치하는 무게 중심을 갖는 입방체 복셀이 적어도 하나 존재하며 입방체 복셀의 단면과 직사각형 입방체가 평행한다는 조건에서, 구성요소에 완전히 포함된 가장자리 길이가 0.04mm인 입방체 복셀 각각으로부터 계산된 구성요소의 최소 단면 각각이고, 여기서 직사각형 입방체는 앞서 정의된 것을 따른다; 혹은 예를 들어: 추가 실시 예에서, 제조된 구성요소의 부피는 구성요소를 포함하는 가능한 최소 부피를 갖는 직사각형 입방체 부피의 2%를 초과하고 89% 미만이다; 혹은 예를 들어: 추가 실시 예에서, 구성요소의 유의한 두께는 구성요소의 최소 단면의 제곱근이고, 여기서 구성요소의 단면은 구성요소 내 완전히 포함되는 직사각형 입방체 복셀 각각으로부터 계산된 구성요소의 최소 단면 각각이며, 구성요소 내 포함되는 직사각형 입방체 복셀의 수는 Vrc=V/n3로 계산되는데, 여기서 Vrc는 m3 단위의 직사각형 입방체 복셀의 부피이고, V는 m3 단위의 직사각형 입방체의 부피, 그리고 n3는 직사각형 입방체 내 포함되는 직사각형 입방체 복셀의 수이며, 여기서 n은 각각의 직사각형 입방체 복셀과 연관된 구성요소의 최소 단면이 직사각형 입방체 복셀의 기하 중심을 포함하는 구성요소의 최소 단면이라는 점에서, 41000이며, 직사각형 입방체는 기존에 정의된 바를 따른다.
일부 어플리케이션들에서, 채널을 포함하는 구성요소의 제조가 특히 흥미롭다. 일 실시 예에서, 적절한 기하학적 설계 전략은 채널을 포함하는 구성요소의 제조를 포함한다. 채널과 구성요소의 열조절 표면 사이 거리가 멀 때, 달성될 수 있는 열조절의 효과는 매우 떨어진다. 일부 어플리케이션들에서, 채널의 표면이 너무 크거나 채널이 열조절 구성요소의 표면과 너무 가까이 위치할 때, 기계적 고장의 가능성이 매우 높아진다. 해당 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 인체의 혈액 수송을 모사하는 결합 시스템을 제안한다. 같은 방법으로, 제안된 시스템에서, (열조절 기능에 따라 냉간 혹은 고온의) 열조절 유체가 메인 채널을 통해 구성요소로 들어가고 열조절 유체가 열조절 표면에 매우 가까이 위치한 미세하고 너무 길지 않은 채널(미세 채널 혹은 모세관 채널)로 도달할 때까지, 메인 채널로부터 2차 채널(2차 채널의 다른 수준이 존재할 수 있는데, 이는 3차 채널, 4차 채널 등을 의미함)로 수송된다. 여기까지 메인 채널 시스템은 열조절 유체를 미세(모세관)채널까지 가져오는 "입부(inlet)" 메인 채널 시스템으로 작동하는 것으로 설명되었으며, 비록 미세(모세관) 채널까지 메인(1차(primary) / 2차(secondary) / 3차(tertiary) / 4차(quaternary) / ...) 채널 시스템의 다른 설정이 "입부"시스템에 적용되거나 해당 채널들로부터 메인(1차/2차/3차/4차/...) 채널 시스템의 다른 설정이 "출구(outlet)" 메인 채널 시스템이 적용될 수 있음에도 불구하고, 미세(모세관) 채널로부터 열조절 유체를 가져오는 "출구" 메인 채널 시스템에 대해 동일하게 적용된다. 본 문서의 확장을 최소화하기 위해 오로지 "입부" 메인(1차/2차/3차/4차/...) 채널 시스템의 설정만이 제공될 것이며, 이는 이미 언급된 "입부" 메인 채널 시스템이 서술된 메인(1차/2차/3차/4차/...) 채널 시스템 중 하나를 가질 수 있거나 "출구" 메인 채널 시스템이 [예시 중 하나에서 볼 수 있듯이 "입부", "출구" 시스템 둘이 동일한 설정을 가질 수 있음에도 불구하고 메인 (1차/2차/3차/4차/...) 채널 시스템의 설정이 "입구" 또는 "출구"를 의미할 수 있으며, 이는 예를 들어, 하나의 메인 채널을 갖는 "입부" 시스템과 12개의 메인 채널을 갖는 "출구" 시스템, 혹은 "입부" 시스템과 "출구" 시스템 둘이 하나의 메인 채널을 갖는 설정을 의미함] 다른 것을 가질 수 있는 "입부" 및 "출구" 채널 시스템 설정 모두에 적용될 수 있다는 사실을 기반으로 한다. 많은 어플리케이션에서 사용되는 열조절 유체가 물이라 하더라도, 수용액, 수용액 현탁액 혹은 다른 유체 또한 일부 실시 예들에서 사용될 수 있다. 주어진 어플리케이션의 경우, 유한 원소 시뮬레이션은 채널의 가장 유리한 구성을 얻는데 사용될 수 있다. 일 실시 예에서, 시스템은 유한 원소 시뮬레이션을 사용하여 최적화 된다. 일 실시 예에서, 열조절 시스템의 설계는 유한 원소 시뮬레이션 (시뮬레이션은 채널의 단면, 길이, 위치, 흐름, 유체, 압력 등을 선택하는데 사용될 수 있음)을 포함한다. 기존의 시스템과 비교하여, 제안된 시스템의 특징은 구성요소로의 열조절 유체 입구와 출구가 주로 비교적 작은 개별 단면의 채널과 연결된 서로 다른 채널을 통해 구성된다는 것이다. 일 실시 예에서, 유체의 입구와 출구는 구성요소 내 위치한 서로 다른 채널을 통해 형성된다. 일부 어플리케이션들에서, 열조절 유체는 메인 채널 (혹은 여러 메인 채널들)을 통해 구성요소로 흘러 들어가고 난 후, 열조절 유체는 차례차례 미세 채널에 연결된 2차 채널로 나누어진다. 일 실시 예에서, 메인 채널은 입부 채널이다. 일부 어플리케이션들에서, 메인 채널의 수가 중요할 수 있다. 일부 어플리케이션들에서, 구성요소는 둘 이상의 메인 채널을 포함한다. 다른 실시 예들에서, 구성요소는 적어도 2개, 적어도 4개, 적어도 5개, 적어도 8개, 적어도 11개, 그리고 심지어 적어도 16개의 메인 채널을 포함한다. 일부 어플리케이션들에서, 메인 채널의 수는 너무 많지 않아야 한다. 다른 실시 예들에서, 구성요소는 39개 미만, 29개 미만, 24개 미만, 19개 미만, 그리고 심지어 9개 미만의 메인 채널을 포함한다. 일 실시 예에서, 메인 채널(혹은 메인 입부 채널)은 몇몇의 분기(branch)를 포함한다. 일부 어플리케이션들에서, 분기의 수가 중요할 수 있다. 일부 어플리케이션들에서, 메인 채널(혹은 메인 입부 채널)은 여러 개의 분기를 포함한다. 다른 실시 예들에서, 메인 채널은 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상, 6개 이상, 12개 이상, 22개 이상, 그리고 심지어 110개 이상의 분기를 포함한다. 반면에, 일부 어플리케이션들에서, 과도한 분할은 오히려 해롭다. 다른 실시 예들에서, 메인 채널은 280개 이하, 88개 이하, 18개 이하, 8개 이하, 4개 이하, 그리고 심지어 3개 이하의 분기를 포함한다. 일 실시 예에서, 분기는 메인 채널의 출구에 위치한다. 일부 어플리케이션들에서, 메인 채널의 단면이 중요할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 메인 채널의 단면은 온도조절이 필요한 구성요소 영역 내 모든 채널 중 가장 작은 채널 단면의 적어도 3배보다 크고, 적어도 6배보다 크고, 적어도 11배보다 크고, 그리고 심지어 적어도 110배보다 크다. 일 실시 예에서, 모든 미세 채널 중 가장 작은 채널은 가장 작은 단면을 갖는 미세 채널이다. 일 실시 예에서, 메인 채널은 오로지 하나만 존재한다. 일부 실시 예들에서, 둘 이상의 메인 채널이 있을 수 있다. 일부 어플리케이션들에서, 메인 채널의 지름이 중요할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 메인 채널의 지름은 348mm 이하, 294mm 이하, 244mm 이하, 194mm 이하, 그리고 심지어 144mm 이하다. 일부 어플리케이션들의 경우, 메인 채널의 지름이 너무 작아서는 안된다. 다른 실시 예들에서, 메인 채널의 지름은 11mm 이상, 21mm 이상, 57mm 이상, 그리고 심지어 111mm이상이다. 다른 실시 예들에서, 모든 메인 채널의 지름은 348mm 이하, 294mm 이하, 244mm 이하, 194mm 이하, 그리고 심지어 144mm 이하이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 메인 채널의 지름이 너무 작아서는 안된다. 다른 실시 예들에서, 메인 채널의 지름은 11mm 이상, 21mm 이상, 57mm 이상, 그리고 심지어 111mm이상이다. 일 실시 예에서, 지름은 평균 지름이다. 대안적 일 실시 예에서, 지름은 등가 지름(equivalent diameter)이다. 일 실시 예에서, 등가 지름은 등가 면적(equivalent area)의 원의 지름이다. 대안적 일 실시 예에서, 등가 지름은 등가 부피(equivalent volume)의 구체의 지름이다. 추가 대안적 실시 예에서, 등가 지름은 등가 부피의 실린더의 지름이다. 일 실시 예에서, 메인 채널이 서로 다른 지름을 가질 때, 지름은 모든 채널의 지름의 평균이다. 일부 어플리케이션들에서, 메인 채널의 단면이 중요할 수 있다. 일 실시 예에서, 메인 채널의 단면은 모든 미세 채널 중 가장 작은 채널 단면의 최소 3배보다 크고, 6배 보다 크고, 11배 보다 크고, 그리고 심지어 110배보다 크다. 일부 어플리케이션들에서, 작은 단면을 가진 메인 채널을 갖는 것이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, 메인 채널의 단면은 95115mm2이하, 2550mm2이하, 2041.8mm2이하, 1661.1mm2이하, 1194mm2이하, 572.3mm2이하, 283.4mm2이하, 그리고 심지어 213.0mm2이하이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 심지어 가장 작은 단면이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 메인 채널의 단면은 149mm2이하, 108mm2이하, 42mm2이하, 37mm2이하, 31mm2이하, 28mm2이하, 21mm2이하, 그리고 심지어 14mm2이하이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 압력 강하를 최소화하기 위해 에인 채널의 단면이 너무 작아서는 안된다. 다른 실시 예들에서, 메인 채널의 단면은 3.8mm2이상, 9mm2이상, 14mm2이상, 21mm2이상, 그리고 심지어 38mm2이상이다. 일부 어플리케이션들에서, 심지어 더 큰 단면을 가지는 메인 채널이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 메인 채널의 단면은 126mm2이상, 206mm2이상, 306mm2이상, 그리고 심지어 406mm2이상이다. 일 실시 예에서, 메인 채널의 단면은 원형(circular)이다. 대안적 실시 예들에서, 메인 채널의 단면은 정사각형, 직사각형, 타원형, 역 물방울형, 및/혹은 반원형일 수 있다. 추가 대안적 실시 예에서, 메인 채널의 단면은 가장자리가 챔퍼처리(chamfered)되거나 둥근 정사각형 혹은 직사각형일 수 있다. 일 실시 예에서, 메인 채널의 프로파일은 원통형(cylindrical)이다. 일 실시 예에서, 메인 채널의 프로파일은 타원형(elliptical)이다. 일 실시 예에서, 메인 채널의 프로파일은 원통형이다. 일 실시 예에서, 메인 채널의 프로파일은 모서리가 둥근 정사각형이다. 일 실시 예에서, 메인 채널의 프로파일은 역 물방울형이다. 일 실시 예에서, 메인 채널의 단면은 일정하다. 대안적 일 실시 예에서, 메인 채널은 일정한 단면을 갖지 않는다. 일 실시 예에서, 메인 채널의 단면이 일정하지 않을 때, 앞서 공개된 값은 메인 채널의 최소 단면을 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 메인 채널의 단면이 일정하지 않을 때, 앞서 공개된 값은 메인 채널의 단면 평균을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 메인 채널의 단면이 일정하지 않을 때, 앞서 공개된 값은 메인 채널의 최대 단면을 의미한다. 일 실시 예에서, 단면은 단면적을 의미한다. 일 실시 예에서, 메인 채널은 입부 채널이다. 추가 실시 예에서, 메인 채널은 출구 채널이다. 일부 어플리케이션들에서, 메인 채널은 둘 이상의 2차 채널과 연결된다. 다른 실시 예들에서, 메인 채널은 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상, 6개 이상, 12개 이상, 22개 이상, 그리고 심지어 110개 이상의 2차 채널과 연결된다. 본 발명자는 일부 어플리케이션들에서, 메인 채널에 연결된 2차 채널의 수가 지나치게 많으면 해로울 수 있음을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 메인 채널은 280개 이하, 88개 이하, 18개 이하, 8개 이하, 4개 이하, 그리고 심지어 3개 이하의 2차 채널과 연결된다. 다른 실시 예들에서, 구성요소는 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상, 6개 이상, 12개 이상, 22개 이상, 그리고 심지어 110개 이상의 2차 채널과 연결된 적어도 하나의 메인 채널로 구성된다. 본 발명자는 일부 어플리케이션들에서 과도한 분할이 해로울 수 있음을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 구성요소는 280개 이하, 88개 이하, 18개 이하, 8개 이하, 4개 이하, 그리고 심지어 3개 이하의 2차 채널과 연결된 적어도 하나의 메인 채널로 구성된다. 다른 실시 예들에서, 2차 채널의 단면은 122.3mm2미만, 82.1mm2미만, 68.4mm2미만, 43.1mm2미만, 26.4mm2미만, 23.2mm2미만, 그리고 심지어 18.3mm2미만이다. 일부 어플리케이션들에서, 심지어 더 작은 단면이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 2차 채널의 단면은 14.1mm2미만, 11.2mm2미만, 9.3mm2미만, 7.8mm2미만, 7.2mm2미만, 6.4mm2미만, 5.8mm2미만, 5.2mm2미만, 4.8mm2미만, 4.2mm2미만, 그리고 심지어 3.8mm2미만이다. 일부 어플리케이션들들에서, 2차 채널의 단면이 너무 작아서는 아니 된다. 다른 실시 예들에서, 2차 채널의 단면은 0.18mm2이상, 3.8mm2이상, 5.3mm2이상, 그리고 심지어 6.6mm2이상이다. 일부 어플리케이션들들에서, 심지어 더 큰 단면이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 2차 채널의 단면은 18.4mm2이상, 26mm2이상, 42mm2이상, 그리고 심지어 66mm2이상이다. 일 실시 예에서, 2차 채널의 단면은 원형이다. 대안적 실시 예들에서, 2차 채널의 단면은 정사각형, 직사각형, 타원형, 역 물방울형, 및/혹은 반원형이다. 추가 대안적 실시 예들에서, 2차 채널의 단면은 모서리가 챔퍼처리되거나 둥근 정사각형 혹은 직사각형일 수 있다. 일 실시 예에서, 2차 채널의 프로파일은 원통형이다. 일 실시 예에서, 2차 채널의 프로파일은 타원형이다. 일 실시 예에서, 2차 채널의 프로파일은 원통형이다. 일 실시 예에서, 2차 채널의 프로파일은 모서리가 둥근 정사각형이다. 일 실시 예에서, 2차 채널의 프로파일은 역 물방울형이다. 일 실시 예에서, 2차 채널의 단면은 일정하다. 대안적 일 실시 예에서, 2차 채널은 일정한 단면을 가지지 않는다. 일 실시 예에서, 2차 채널은 최소 단면과 최대 단면을 갖는다. 일 실시 예에서, 2차 채널의 단면이 일정하지 않을 때, 앞서 공개된 값은 2차 채널의 최소 단면을 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 2차 채널의 단면이 일정하지 않을 때, 앞서 설명된 값은 2차 채널의 단면 평균을 의미한다. 대안적 실시 예에서, 2차 채널의 단면이 일정하지 않을 때, 앞서 설명된 값은 2차 채널의 최대 단면을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 2차 채널의 단면은 등가 지름의 1.4배 미만, 0.9배 미만, 0.7배 미만, 0.5배 미만, 그리고 심지어 0.18배 미만이다. 앞서 공개된 것처럼, 2차 채널은 여러 개의 분할(3차 채널, 4차 채널, ...)을 가질 수 있다. 일 실시 예에서, 2차 채널은 미세 채널과 연결된다. 다른 실시 예들에서, 2차 채널은 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상, 6개 이상, 12개 이상, 22개 이상, 110개 이상, 310개 이상, 그리고 심지어 510개 이상의 미세 채널과 연결된다. 반면, 다른 어플리케이션의 경우, 2차 채널의 과도한 분할이 해로울 수 있다. 다른 실시 예들에서, 2차 채널은 4900개 이하, 680개 이하, 390개 이하, 140개 이하, 90개 이하, 48개 이하, 그리고 심지어 2개 이하와 연결된다. 다른 실시 예들에서, 구성요소는 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상, 6개 이상, 12개 이상, 22개 이상, 110개 이상, 310개 이상, 그리고 심지어 510개 이상의 미세 채널과 연결된 적어도 하나의 2차 채널을 포함한다. 반면에, 다른 어플리케이션의 경우, 과도한 분할이 해로울 수 있다. 다른 실시 예들에서, 구성요소는 4900개 이하, 680개 이하, 390개 이하, 140개 이하, 90개 이하, 48개 이하, 그리고 심지어 2개 이하의 미세 채널과 연결된 적어도 하나의 2차 채널을 포함한다. 일 실시 예에서, 2차 채널과 연결된 모든 미세 채널의 최소 단면의 합계는 연결된 2차 채널의 단면과 동일해야 한다. 대안적 일 실시 예에서, 2차 채널과 연결된 모든 미세 채널의 최대 단면의 합계는 연결된 2차 채널의 단면과 동일해야 한다. 추가 실시 예에서, 2차 채널과 연결된 모든 미세 채널의 최소 단면의 합계는 연결된 2차 채널의 단면보다 적어도 1.2배 커야 한다. 추가 실시 예에서, 2차 채널과 연결된 모든 미세 채널의 최대 단면의 합계는 연결된 2차 채널의 단면보다 커야 한다. 추가 실시 예에서, 2차 채널과 연결된 모든 미세 채널의 최대 단면의 합은 연결된 2차 채널의 단면보다 적어도 1.2배 커야 한다. 일 실시 예에서, 단면은 단면적을 의미한다. 일 실시 예에서, 2차 채널은 존재하지 않는다. 일 실시 예에서, 2차 채널은 존재하지 않고 메인 채널이 미세 채널과 직접적으로 연결된다. 일 실시 예에서, 메인 채널은 미세 채널과 직접적으로 연결된다. 대안적 일 실시 예에서, 메인 채널은 존재하지 않는다. 추가 대안적 실시 예에서, 구성요소는 오로지 미세 채널 만을 포함한다. 일 실시 예에서, 미세 채널의 단면은 원형이다. 대안적 실시 예에서, 미세 채널의 단면은 정사각형, 직사각형, 타원형, 역 물방울형, 및/혹은 반원형일 수 있다. 추가 대안적 실시 예에서, 미세 채널의 단면은 정사각형이거나 모서리가 챔퍼처리 되었거나 혹은 둥근 직사각형일 수 있다. 일 실시 예에서, 미세 채널의 프로파일은 원통형(cylindrical)이다. 일 실시 예에서, 미세 채널의 프로파일은 타원형(elliptical)이다. 일 실시 예에서, 미세 채널의 프로파일은 원통형이다. 일 실시 예에서, 미세 채널의 프로파일은 둥근 모서리를 가진 정사각형이다. 일 실시 예에서, 미세 채널의 프로파일은 역 물방울형이다. 일 실시 예에서, 미세 채널의 단면은 일정하다. 대안적 일 실시 예에서, 미세 채널은 일정한 단면을 갖지 아니한다. 앞서 공개된 바와 같이, 일부 어플리케이션들에서, 원하는 균일한 열 교환을 달성하기 위해 온도조절 표면과 근접하고 그들 사이에 가까이 있는 미세 채널을 가지는 것이 바람직하다. 일 실시 예에서, 미세 채널은 온도조절이 요구되는 구성요소 단면에 위치한 채널이다. 기계적 요구가 높은 어플리케이션에서, 작은 단면을 가진 미세 채널이 선호된다. 압력 강하는 채널의 단면이 작을 때 증가하므로, 일부 어플리케이션들에서 너무 길지 않은 채널이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널의 길이는 1.8m 이하, 450mm 이하, 180mm 이하, 98mm 이하, 84mm 이하, 그리고 심지어 70mm 이하이다 일부 어플리케이션들에서, 심지어 더 짧은 미세 채널이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널의 길이는 48mm 이하, 39mm 이하, 18mm 이하, 8mm 이하, 4.8mm 이하, 1.8mm 이하, 그리고 심지어 0.8mm 이하이다. 일부 어플리케이션들에서, 미세 채널의 길이가 너무 짧아서는 아니 된다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널의 길이는 0.6mm 이상, 1.2mm 이상, 6mm 이상, 12mm 이상, 16mm 이상, 21mm 이상, 32mm 이상, 41mm 이상, 52mm 이상, 61mm 이상, 그리고 심지어 110mm 이상이다. 일 실시 예에서, 미세 채널의 길이는 미세 채널의 길이 평균을 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 미세 채널의 길이는 효과적인 온도조절이 요구되는 활성표면 하부 단면의 미세 채널의 길이 평균을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 미세 채널의 길이는 효과적인 온도조절이 요구되는 활성 표면 하부 단면의 미세 채널의 최소 길이를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 미세 채널의 길이는 2차 채널로부터, 결국 또한 메인 채널로부터, 활성 표면을 갖는 열 교환이 효율적인 단면까지 온도조절 유체를 운반하는 채널의 단면을 고려하지 않으면서, 효과적인 온도 조절이 요구되는 활성 표면 하부 단면의 길이를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 미세 채널의 길이는 미세 채널의 전체 길이를 의미한다. 일부 어플리케이션들에서, 활성 표면 하부 미세 채널의 밀도가 높은 구성요소가 선호된다. 일 실시 예에서, 미세 채널의 표면 밀도는 온도조절되는 표면적 내에서 평가된다. 미세 채널이 온도조절되는 표면적 위로 투과될 때, 그 결과로 각 미세 채널의 최대 단면적의 투사(projection)를 얻는다. 미세 채널의 표면 밀도는 미세 채널의 프로젝션(projection)/온도조절되는 표면 전체에 의해 채워지는 표면적으로 계산된다. 일 실시 예에서, 온도조절되는 면적은 미세 채널의 올바른 표면 밀도(해당 경우, 미세 채널의 표면 밀도는 미세 채널 프로젝션으로 채워지는 표면/미세 채널의 프로젝션을 포함하는 온도조절되는 표면 내 최소 면적으로 계산됨)를 갖는 적어도 하나의 면적으로 구성된다. 일 실시 예에서, 미세 채널의 표면 밀도는 미세 채널 프로젝션으로 채워진 표면/미세채널의 프로젝션을 포함하는 온도조절되는 표면 내 최소 면적으로 계산된다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널의 올바른 표면 밀도는 12% 이상, 27% 이상, 42% 이상, 그리고 심지어 52% 이상이다. 다른 어플리케이션은 더 강도 높고 균일한 열 교환을 요구한다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널의 올바른 표면 밀도는 62% 이상, 72% 이상, 77% 이상, 그리고 심지어 86% 이상이다. 일부 어플리케이션들에서, 미세 채널의 과한 표면 밀도는 다양한 문제들 중 구성요소의 기계적 고장을 유발할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널의 올바른 표면 밀도는 57% 이하, 47% 이하, 23% 이하, 그리고 심지어 14% 이하다. 본 발명자는 일부 어플리케이션들에서, H 비율을 제어하는 것이 중요함을 발견했는데, 여기서 H= 미세 채널의 전체 길이(전체 미세 채널의 길이의 합)/미세 채널의 평균길이이다. 다른 실시 예들에서, 선호되는 H 비율은 12보다 크고, 110보다 크고, 1100보다 크고, 그리고 심지어 11000보다 크다. 일부 어플리케이션들에서 과도한H 비율은 해로울 수 있다. 다른 실시 예들에서, H 비율은 1098 미만, 998 미만, 900 미만, 230 미만, 90 미만, 그리고 심지어 45 미만이다. 일부 어플리케이션들에서, 구성요소 표면의 제곱 미터 당 미세 채널의 개수가 너무 작아서는 안된다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널의 바람직한 개수는 제곱 미터 당 미세 채널 21개 이상, 제곱 미터 당 미세 채널 46개 이상, 제곱 미터 당 미세 채널 61개 이상, 제곱 미터 당 미세 채널 86개 이상이다. 일부 어플리케이션들에서, 더 높은 값이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널의 개수는 제곱 미터 당 미세 채널 110개 이상, 제곱 미터 당 미세 채널 1100개 이상, 제곱 미터 당 미세 채널 11000개 이상, 그리고 심지어 제곱 미터 당 미세 채널 52000개 이상이다. 일부 어플리케이션들에서, 표면적 별 미세 채널의 개수가 너무 많아서는 안된다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널의 개수는 제곱 미터 당 미세 채널 14000개 이하, 제곱 미터 당 미세 채널 9000개 이하, 제곱 미터 당 미세 채널 4000개 이하, 그리고 심지어 제곱 미터 당 미세 채널 1600개 이하이다. 일부 어플리케이션들에서, 더욱 낮은 값이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널의 개수는 제곱 미터 당 미세 채널 1200개 이하, 제곱 미터 당 미세 채널 900개 이하, 제곱 미터 당 미세 채널 400개 이하, 그리고 심지어 제곱 미터 당 미세 채널 94개 이하다. 일 실시 예에서, 구성요소의 표면은 온도 조절이 되는 표면을 의미한다. 일 실시 예에서, 구성요소의 표면은 활성 표면을 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 구성요소의 표면은 작업 표면을 의미한다. 열 조절 시스템에 관해서, 특히 열조절이 유체 보조로 시행될 때, 온도 조절 시스템의 가장 중요한 이점은 열 조절되는 구성요소의 표면에 매우 가까운 온도 조절 유체의 균일한 분포이다. 일부 어플리케이션들에서, 구성요소 표면까지의 미세 채널의 거리가 중요할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 표면까지의 미세 채널 거리는 32mm 이하, 18mm이하, 8mm이하, 4.8mm이하, 1.8mm이하, 그리고 심지어 0.8mm 이하이다. 일부 어플리케이션들에서, 너무 짧은 거리는 역효과를 낼 수 있다. 다른 실시 예들에서, 표면까지의 미세 채널의 평균 거리는 0.6 mm 이상, 1.2mm 이상, 6mm 이상, 그리고 심지어 16mm 이상이다. 일 실시 예에서, 표면까지의 미세 채널의 길이는 모든 미세 채널의 표면까지의 모든 거리들의 거리 평균이다. 대안적 일 실시 예에서, 표면까지의 미세 채널의 거리는 모든 미세 채널의 표면까지의 모든 거리 중 최소 거리이다. 일 실시 예에서, 표면까지의 미세 채널의 거리는 모든 미세 채널의 표면까지의 거리 중 최대 거리이다. 일 실시 예에서, 표면은 열 조절되는 표면적을 의미한다. 일 실시 예에서, 각 미세 채널의 표면까지 거리는 해당 채널 내 열 조절되는 표면적 어느 지점까지의 임의의 점의 최소 거리이다. 대안적 일 실시 예에서, 각 표면까지의 미세 채널의 거리는 다음의 방식으로 계산된다: 온도 조절되는 표면적과 직교하는 동시에 미세 채널 내 순환하는 유체의 최고 속도 벡터인 모든 평면에 대해, 미세 채널에 속하는 평면 내 어떤 임의의 점의 열 조절되는 표면까지의 최소 거리가 고려되고, 모든 고려된 거리의 평균값이 취해진다. 대안적 일 실시 예에서, 각 미세 채널의 표면까지의 거리는 다음의 방식으로 계산된다: 열 조절되는 표면적과 직교하는 동시에 미세 채널 내 순환하는 유체의 최대 속도 벡터인 모든 평면에 대해, 미세 채널에 속하는 평면 내 어느 임의의 점의 열 조절되는 표면까지의 최소 거리가 고려되고, 모든 고려되는 거리의 최대 값이 취해진다. 대안적 일 실시 예에서, 각 미세 채널의 표면까지의 거리는 다음의 방식으로 계산된다: 온도 조절되는 표면적과 직교하는 동시에 미세 채널 내 순환하는 유체의 최대 속도 벡터인 모든 평면에 대해, 최대 속도 지점으로부터 미세 채널에 속하는 평면 내 어느 임의의 점의 열 조절되는 표면까지의 거리가 고려되며, 모든 고려되는 거리의 평균 값이 취해진다. 일부 어플리케이션들에서, 서로 인접한 미세 채널이 선호되며, 미세 채널들 사이의 거리가 과해서는 안된다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널은 18mm이하, 9mm 이하, 4.5mm 이하, 그리고 심지어 1.8mm 이하의 간격을 두고 서로 분리되어 있다. 일부 어플리케이션들에서, 미세 채널 사이 거리가 너무 작아서는 안된다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널은 0.2mm 이상, 0.9mm 이상, 1.2mm 이상, 2.6mm 이상, 6mm 이상, 12mm 이상, 22mm 이상의 거리를 두고 분리되어 있다. 일 실시 예에서, 거리는 거리 평균이다. 대안적 일 실시 예에서, 거리는 최소 거리다. 추가 대안적 실시 예에서, 거리는 최대 거리다. 일부 어플리케이션들에서, 미세 채널의 지름이 중요할 수 있다. 일부 어플리케이션들에서, 미세 채널의 지름이 너무 커서는 아니된다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널의 지름은 128mm 이하, 38mm 이하, 18mm 이하, 8mm 이하, 2.8mm 이하, 그리고 심지어 0.8mm 이하다. 일부 어플리케이션들에서, 미세 채널의 지름이 너무 작아서는 아니된다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널의 지름은 0.1mm 이상, 0.6mm 이상, 1.2mm 이상, 6mm 이상, 12mm 이상, 그리고 심지어22mm 이상이다. 일부 어플리케이션들에서, 심지어 더 높은 값이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널의 지름은 56mm 이상, 그리고 심지어 108mm 이상이다. 일 실시 예에서, 지름은 지름 평균값이다. 대안적 일 실시 예에서, 지름은 지름 최소값이다. 추가 대안적 실시 예에서, 지름은 지름 최대값이다. 추가 대안적 실시 예에서, 지름은 등가 지름이다. 추가 대안적 실시 예에서, 지름은 등가 지름의 평균값이다. 일 실시 예에서, 등가 지름은 등가 면적의 원지름이다. 대안적 일 실시 예에서, 등가 지름은 등가 부피의 구의 지름이다. 추가 대안적 실시 예에서, 등가 지름은 등가 부피의 실린더 지름이다. 일부 어플리케이션들에서, 미세 채널의 단면이 중요할 수 있다. 일부 어플리케이션들에서, 미세 채널의 단면이 너무 커서는 안된다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널의 단면은 12868mm2 이하, 3900mm2 이하, 1134mm2 이하, 255mm2 이하, 50mm2 이하, 6.2mm2 이하, 그리고 심지어 5mm2 이하다. 일부 어플리케이션들들에서, 미세 채널의 단면이 너무 작아서는 안된다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널의 단면은 0.008mm2 이상, 0.28mm2 이상, 1.13mm2 이상, 310mm2 이상, 1100mm2 이상, 2500mm2 이상, 그리고 심지어 9100mm2 이상이다. 대안적 실시 예들에서, 미세 채널의 단면은 원형, 정사각형, 직사각형, 타원형, 역 물방울형, 및/혹은 반원형일 수 있다. 추가 대안적 실시 예에서, 미세 채널의 단면은 정사각형이거나 모서리가 챔버처리되거나 둥근 직사각형일수 있다. 일 실시 예에서, 미세 채널의 단면은 일정하다. 대안적 일 실시 예에서, 미세 채널은 일정한 단면을 갖지 않는다. 일 실시 예에서, 미세 채널의 단면이 일정하지 않을 때, 앞서 공개된 값은 미세 채널의 단면 최소값을 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 미세 채널의 단면이 일정하지 않을 때, 앞서 공개된 값은 미세 채널의 평균 단면 값을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 미세 채널의 단면이 일정하지 않을 때, 앞서 공개된 값은 미세채널 단면 최대값을 의미한다. 일 실시 예에서, 단면은 단면적을 의미한다. 구성요소가 중요한 기계적 요구의 대상인 열 조절 시스템 내에서, 항상 채널의 단면과 근접성 사이의 딜레마가 존재한다. 채널의 단면이 작을 경우, 압력 강하가 상승하고 열 조절 용량은 감소한다. 일부 어플리케이션들에서, 총 압력 강하가 중요할 수 있다. 이는 일부 어플리케이션들에서 발견되었는데, 열 조절 시스템 내에서 총 압력강하가 너무 높아서는 안된다는 점이다. 다른 실시 예들에서, 열 조절 시스템 내 총 압력 강하는 7.9 bar 미만, 3.8 bar 미만, 2.4 bar 미만, 1.8 bar 미만, 0.8 bar 미만, 그리고 심지어 0.3 bar 미만이다. 일부 어플리케이션들에서, 열 조절 시스템 내 총 압력 강하가 너무 낮아서는 안된다. 다른 실시 예들에서, 열 조절 시스템 내 총 압력 강하는 적어도 0.01 bar, 적어도 0.1 bar, 적어도 0.6 bar, 적어도 1.6 bar, 적어도 2.1 bar, 그리고 심지어 적어도 3.1 bar 이다. 일부 어플리케이션들에서, 미세 채널 내 총 압력 강하가 중요할 수 있다. 일부 어플리케이션들에서, 미세 채널 내 총 압력 강하가 너무 높아서는 안된다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널 내 총 압력 강하는 5.9 bar 미만, 2.8 bar 미만, 1.4 bar 미만, 0.8 bar 미만, 0.5 bar 미만, 그리고 심지어 0.1 bar 미만이다. 일부 어플리케이션들에서, 미세 채널 내 총 압력 강하가 너무 낮아서는 안된다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널 내 총 압력 강하는 적어도 0.01 bar, 적어도 0.09 bar, 적어도 0.2 bar, 적어도 1.1 bar, 그리고 심지어 적어도 2.1 bar 이다. 일 실시 예에서, 압력 강하는 상온(23℃)에서 발생한다. 일부 어플리케이션들에서, 채널 내 주름(rugosity, Ra)이 매우 중요하며 흐름을 설명하는데 사용될 수 있다. 일부 어플리케이션들에 서, Ra가 너무 높아서는 안된다. 다른 실시 예들에서, Ra는 198 microns미만, 98 microns미만, 49.6 microns미만, 18.7 microns미만, 9.7 microns미만, 4.6 microns미만, 그리고 심지어 1.3 microns미만이다. 다른 실시 예들에서, Ra는 적어도 0.2 microns, 적어도 0.9 microns, 적어도 1.6 microns, 적어도 2.1 microns, 적어도 10.2 microns, 적어도 22 microns, 그리고 심지어 적어도 42 microns이다. 이 같은 어플리케이션들의 일부에서, 채널에 소위 Slippery effect를 주는 것이 흥미롭다. 일 실시 예에서, 채널의 주름은 의도적으로 증가되며 그 후 채널에 오일이 가득 스며든다. 일 실시 예에서, 주입에 활용된 오일은 불소화 오일(fluorated oil)이다. 일 실시 예에서, 채널 내 주름은 채널 내의 공격적인 유체 순환을 통해 증가된다. 일 실시 예에서, 공격적인 유체는 산을 포함한다. 일부 어플리케이션들에서, 레이놀즈 값(Reynolds number, 층류 혹은 난류 흐름의 정도를 설명함)가 중요할 수 있다. 일 실시 예에서, 미세 채널 내 평균 레이놀즈 값이 (아래에 설명되는) 올바른 레이놀즈 값이 되도록 유입 압력(inlet pressure), 미세 채널의 길이, 미세 채널의 단면이 선택된다. 일 실시 예에서, 미세 채널 내 레이놀즈 최소값이 (아래에 설명되는) 올바른 레이놀즈 값이 되도록 유입 압력, 미세 채널의 길이, 미세 채널의 단면이 선택된다. 일 실시 예에서, 미세 채널 내 평균 레이놀즈 값이 (아래에 설명되는) 올바른 레이놀즈 값이 되도록 유입 압력, 메인 채널의 길이, 메인 채널의 단면, 2차 채널의 길이, 2차 채널의 단면, 미세 채널의 길이, 미세 채널의 단면이 선택된다. 일 실시 예에서, 미세 채널 내 레이놀즈 최소값이 (아래에 정의되는) 올바른 레이놀즈 값이 되도록 유입 압력, 메인 채널의 길이, 메인 채널의 단면, 2차 채널의 길이, 2차 채널의 단면, 미세 채널의 길이, 미세 채널의 단면은 선택될 수 있다. 일 실시 예에서, 레이놀즈 평균값이 (아래에 설명되는) 올바른 레이놀즈 값이 되도록 유입 압력과 열조절 채널의 설정이 엄선될 수 있다. 일 실시 예에서, 상황에 따라, 레이놀즈 최소값이 (아래에 설명되는) 올바른 레이놀즈 값이 되도록 유입 압력과 열조절 채널의 설정이 엄선될 수 있다. 일 실시 예에서, 유체는 레이놀즈 값이 올바른 레이놀즈 값인 방식으로 채널 내에서 흐른다. 별도로 명시 되지 않는 한, "올바른 레이놀즈 값"은 아래에 상세히 설명되는 다양한 대안의 형태로 해당 문서 전체에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, 올바른 레이놀즈 값은 810보다 크고, 2800보다 크고, 4200보다 크고, 8600보다 크고, 12000보다 크고, 그리고 심지어 22000보다 크다. 일부 어플리케이션들에서, 더 작은 값이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 올바른 레이놀즈 값은 89000 미만, 26000 미만, 14000 미만, 4900 미만, 그리고 심지어 34000 미만이다. 일부 어플리케이션들에서, 채널 내 유체의 속도가 중요할 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 높은 속도는 열 조절에 도움을 줄 수 있다. 다른 실시 예들에서, 유체의 평균 속도는 0.7m/s 보다 빠르고, 1.6m/s 보다 빠르고, 2.2m/s 보다 빠르고, 3.5m/s 보다 빠르고, 그리고 심지어 5.6m/s 보다 빠르다. 일부 어플리케이션들의 경우, 매우 높은 속도는 해로울 수 있다. 다른 실시 예들에서, 유체의 평균 속도는 14m/s 미만, 9m/s 미만, 4.9m/s 미만, 그리고 심지어 3.9m/s 미만이다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 그들 내부에서 혹은 앞서 공개된 다른 실시 예와 어떤 조합으로든 결합될 수 있다.
일부 어플리케이션들의 경우, 아래에 설명된 구성이 매우 유리하며 열교환을 개선하고 제조된 구성요소의 효과적인 템퍼링을 가능케 하는 것으로 밝혀졌다. 해당 구성에서, 메인/2차 채널의 적어도 일부(여기서 2차 채널은 다양한 레벨이 있을 수 있으며, 이는 3차, 4차 채널 등을 의미함)는 콜렉터로서 사용되며 미세채널의 적어도 일부는 이러한 콜렉터 중 2개 사이에 배치된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성요소는 둘 이상의 미세 채널로 연결된 적어도 하나의 "입구(inlet)"콜렉터와 하나의 "출구(outlet)" 콜렉터로 구성된다. 해당 콜렉터는 다소 균일한 내부 온도를 특징으로 하지만, "입구" 콜렉터와 이에 상응하는 "출구" 콜렉터 중 하나 사이에 주목할 만한 열구배(thermal gradient)를 가진다. 일 실시 예에서, "입구" 콜렉터는 적어도 하나의 메인/2차 채널을 포함한다. 일 실시 예에서, "입구" 콜렉터는 적어도 하나의 메인/2차 채널을 포함한다. 일 실시 예에서, "입구" 콜렉터와 "출구" 콜렉터와 연결된 몇몇의 미세 채널이 있다. 다른 실시 예들에서, "입구" 콜렉터와 "출구" 콜렉터와 연결된 적어도 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상, 6개 이상, 12개 이상, 22개 이상, 110개 이상, 310개 이상, 그리고 심지어 510개 이상의 미세 채널이 있다. 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 수의 미세 채널은 해로울 수 있다. 다른 실시 예들에서, "입구" 콜렉터와 "출구" 콜렉터와 연결된 미세 채널이 4900개 이하, 680개 이하, 390개 이하, 140개 이하, 90개 이하, 48개 이하, 그리고 심지어 2개 이하로 존재한다. 일 실시 예에서, 콜렉터들과 연결된 그들의 미세 채널을 갖는 "입구" 및/혹은 "출구" 콜렉터가 둘 이상 있다. 다른 실시 예들에서, 콜렉터("입구" 콜렉터 및/혹은 "출구" 콜렉터) 내 온도 구배(temperature gradient)는 39℃ 미만, 9℃ 미만, 4℃ 미만, 0.9℃ 미만, 0.4℃ 미만, 그리고 심지어 0.09℃ 미만이다. 일 실시 예에서, 온도 구배는 콜렉터의 일부인 메인/2차 채널로의 미세 채널의 삽입 섹션에 상응하는 평균 온도를 활용하여 계산된다. 다른 실시 예들에서, 콜렉터의 온도 구배는 콜렉터 내 최소 구배를 도출하는 삽입 섹션의 12%, 20%, 50%, 80%, 그리고 심지어 100%으로 계산된다. 일부 어플리케이션들에서, 미세 채널의 배치 뿐만 아니라 그들의 구성, 메인 "입구"와 "출구" 채널 시스템의 설정, 온도 조절 유체 특성, 이들의 온도가 구성요소의 온도 조절 효율에 중요한 역할을 함이 밝혀졌고, 최적화된 구성은 전문가의 지식과 심지어 적은 노고로 시뮬레이션을 통해 선택된다. 본 발명자는 놀랍게도 콜렉터의 온도를 미세(모세) 채널의 관련 부분에 대한 삽입 포인트에서 시뮬레이션하거나 모니터링 하는 것을 통해 구성이 현재 발명의 본 측면을 준수하는지 여부를 결정하기 위한 노고를 더욱 줄일 수 있음을 발견했다. 일 실시 예에서, 템퍼링 회로는 각 콜렉터와 함께 2개의 삽입 포인트 사이의 0.2℃ 이상의 온도 구배를 나타내는 2개의 콜렉터와 연결된 미세 채널의 유의미한 분율을 갖는 것을 특징(특별히 표시되지 않는 한, 미세 채널이 콜렉터로의 삽입 채널을 3개 이상 가질 경우, 더 높은 구배를 도출하는 2개의 삽입 포인트가 선택됨)으로 한다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널의 유의미한 분율에 대해서, 미세 채널의 콜렉터로의 삽입 포인트 2개 사이의 온도 구배는 1.1℃ 초과, 2.6℃, 4.2℃, 8.2℃, 11℃, 22℃, 그리고 심지어 52℃이다. 대부분 몇몇의 어플리케이션에서, 과도한 구배를 갖지 않는 것이 중요하다. 다른 실시 예들에서, 미세채널의 유의미한 분율에 대해서, 미세 채널의 콜렉터로의 삽입 포인트 2개 사이의 온도 구배는 199℃ 미만, 94℃, 48℃, 24℃, 14℃, 8℃, 그리고 심지어 1.8℃이다. 몇몇의 어플리케이션에서, 올바른 구배를 갖는 것이 중요하다. 일 실시 예에서, 템퍼링 회로는 상한 및 하한 범위 내 온도 구배를 표시하는 2개의 콜렉터를 연결하는 미세 채널의 유의미한 분율을 갖는 것으로 특징으로 한다. 다른 실시 예들에서, 미세 채널의 유의미한 분율은 두 삽입 지점 사이의 온도 구배가 더 큰(백분율은 전체 미세 채널의 값에서 반올림됨) 미세 채널의 12%, 20%, 50%, 80%, 그리고 심지어 100%를 의미한다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 그들 내부에서 혹은 앞서 공개된 다른 실시 예와 어떤 조합으로든 결합될 수 있다.
일 실시 예에서, 제조된 구성요소는 (구성요소 표면의 구멍을 통해) 액체를 구성요소 표면으로 옮기기 위해 구성요소의 표면에 연결된 채널을 포함한다. 일부 어플리케이션들에서, 특히 증기화 열을 사용하는 것이 흥미롭다. 본 발명자는 제어된 온도 조절에 효과적으로 달성하기 위해, 액체를 구성요소 표면으로 운반하는 채널의 거리가 너무 커서는 안된다는 점을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 액체를 구성요소 표면으로 운반하는 채널의 거리는 19mm 미만, 14mm 미만, 9mm 미만, 4mm 미만, 2mm 미만, 1.5mm 미만, 1mm 미만, 그리고 심지어 0.9mm 미만이다. 일부 어플리케이션들에서 이 거리가 너무 짧아서도 안된다. 다른 실시 예들에서, 액체를 구성요소 표면으로 운반하는 채널의 거리는 0.6mm 이상, 0.9mm 이상, 1.6mm 이상, 2.6mm 이상, 4.6mm 이상, 6.1mm 이상, 그리고 심지어 10.2mm 이상이다. 다른 실시 예들에서, 구성요소 표면의 구멍의 지름은 1mm 미만, 490 microns 미만, 290 microns 미만, 190 microns 미만, 그리고 심지어 90microns 미만이다. 일부 어플리케이션들에서 해당 지름이 너무 작아서는 안된다. 다른 실시 예들에서, 구성요소 표면의 구멍의 지름은 2 microns 이상, 12 microns 이상, 52 microns 이상, 102 microns 이상, 그리고 심지어 202 microns 이상이다. 본 발명자는 또한 구성요소 표면의 구멍을 수행하기 위한 유리한 방법은 레이저 절단법(laser cutting method) 혹은 방전가공(electro discharge machining, EDM)과 같은 방법을 통한 것임을 발견했다. 일 실시 예에서, 구멍은 방전가공(EDM)에 의해 만들어 진다. 추가 실시 예에서, 해당 구멍은 레이저를 사용하여 만들어진다. 일 실시 예에서, 구멍은 레이저 드릴링에 의해 만들어 진다. 일 실시 예에서, 레이저 드릴링 기법은 단일 펄스 드릴링이다. 추가 실시 예에서, 레이저 드릴링 기법은 타진 드릴링(percussion drilling)이다. 추가 실시 예에서, 레이저 드릴링 기법은 트레패닝(trepanning)이다. 추가 실시 예에서, 레이저 드릴링 기법은 나선형 드릴링(helical drilling)이다. 대안적 일 실시 예에서, 구멍은 방전가공(EDM)을 통해 만들어진다. 다른 실시 예들에서, 구성요소 표면의 구멍의 길이는 19mm 미만, 9mm 미만, 그리고 심지어 4mm 미만이다. 일부 어플리케이션들에서 이 길이가 너무 짧아서는 안된다. 다른 실시 예들에서, 구성요소 표면의 구멍의 길이는 0.1mm 이상, 0.6mm 이상, 1.1mm 이상, 1.6mm 이상, 2.1mm 이상, 그리고 심지어 4.1mm 이상이다. 다른 실시 예들에서, 액체를 구성요소 표면으로 운반하는 채널의 지름은 19mm 미만, 9mm 미만, 그리고 심지어 4mm 미만이다. 일부 어플리케이션들에서 해당 지름이 너무 짧아서는 안된다. 다른 실시 예들에서, 액체를 구성요소 표면으로 운반하는 채널의 지름은 0.6mm 이상, 1.1mm 이상, 2.1mm 이상, 4.1mm 이상, 그리고 심지어 6.2mm 이상이다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 그들 내부에서 혹은 앞서 공개된 다른 실시 예와 어떤 조합으로든 결합될 수 있다.
일부 실시 예들에서, 전체 구성요소는 이전 문단에서 공개된 적절한 기하학적 설계 전략을 적용하여 제조된다. 여타 다른 실시 예들에서, 오로지 구성요소의 일부분만이 이전 문단에서 공개된 적절한 기하학적 설계 전략을 적용하여 제조된다. 일부 실시 예들에서, 오직 구성요소의 일부만 제조되는 경우, 구성요소에 대해 공개된 상기 사실은 적어도 적절한 기하학적 설계 전략을 적용하여 제조된 구성요소의 일부에 적용된다.
이전 문단에서 공개된 "적절한 기하학적 설계 전략"은 해당 문서 내 공개된 방법 및/혹은 구성에 따라 제조된 구성요소의 디자인에 적용될 수 있을 뿐더러, 다른 방법이나 구성에도 적용될 수 있고 따라서 자체적으로 발명 또한 가능하다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 그들 내부에서 혹은 앞서 공개된 다른 실시 예와 어떤 조합으로든 결합될 수 있다.
현재 발명에 이르는 수년간의 연구에서, 본 발명자는 구성과 형태학적 측면에 있어서 서로 다른 성질의 분말의 특정한 조합이 전혀 예기치 못한 결과를 야기할 수 있음을 깨달았다. 비록 대부분의 관찰이 본 발명의 방법을 개발하는 와중에 발견되었으나, 많은 관찰은 놀랍게도 몇몇의 적층 제조 방식(additive manufacturing methods)으로 충분히 다른 제조 방법으로의 확장이 가능하다. 이러한 관찰의 대부분은 어느정도 관련성을 띄지만, 본 발명자는 이들을 합성하거나 분류할 수 있는 이해하기 쉬운 방법을 쉽게 발견하지 못했고, 특별한 순서 없이 이들을 나열하기로 했다.
일부 MAM (금속 적층 가공, Metal Additive Manufacturing) 방식은 접착제와 같은 역할을 하는 고분자 재료를 사용함으로서 금속의 용융과 관련된 높은 에너지를 기피하고 금속의 작은 입자들을 선택적으로 결합하고자 한다. 또한, 본 발명의 방식은 금속과 비교했을 때 훨씬 낮은 에너지를 활용하는데 이는 폴리머 혹은 엘라스토머 적층 방식을 수반한다. 결합 재료를 활용하는 많은 MAM 방식은 높은 용융점을 가진 금속으로 구성된 대형 구성요소를 다룰 때 어려움을 겪는다 (또한 밀도가 높은 경우 더욱 그러함). 이는 대형 구성요소가 자체 중량만으로도 상당한 하중을 받기 때문인데, 그 중에서도 특히 밀도가 중간 또는 높은 경우, 더욱 그러하다. 초대형 구성요소의 자체 중량을 견딜 수 있을 정도의 충분한 강도를 제공할 수 있는 결합 시스템을 찾는 동안, 사용되는 대부분의 결합제는 다소 낮은 온도(500℃ 미만)에서 강도를 잃으며 높은 용융점 금속을 다룰 경우, 이정도 낮은 온도에서는 소결(sintering)이 시작되지 않는다. 따라서, 오직 입자가 서로 맞물릴(interlocking) 때 강도가 제공되는 구성요소의 탈지와 소결 사이에 온도 격차가 발생한다. 전통적으로 인터락킹을 향상시키는 방법은 불규칙한 입자 또는 매우 작은 구형 입자를 사용하는 것이지만, 둘다 낮은 충진 밀도를 보여 왜곡을 예상하기 매우 어렵고 또한 그 중에서도 쉽게 산화되는 경향(인터락킹을 향상시키려는 이유는 단위 중량당 더 많은 표면량을 갖기 위함 때문이지만, 인터락킹 표면은 산화 표면과 동일함) 때문에 낮은 성능을 보인다. 불규칙적인 구형 입자와 혼합할 경우, 충진 밀도와 관련 왜곡은 향상되지만 인터락킹은 더 이상 이전만큼 좋지 않고 기계적 특성은 심각하게 손상된다. 고성능이면서도 대형 구성요소를 구현하려는 경우, 단위 중량당 표면량과 관련된 역설에 직면하게 된다. 본 발명자는 놀랍게도, 둘 이상의 분말 타입의 분율 뿐만 아니라 그 성질과 형태를 매우 신중하게 선택하는 것을 포함한 특정 방법으로 진행하면 그 역설을 해결할 수 있음을 발견했다. 해당 문서에서 서술된 각 시스템은 나머지와 독립적이며, 각각의 경우에서 발생하는 효과는 다른 경우에서 추정될 수 없음에도 불구하고 본 발명자는 일반화가 서술된 특정 시스템내에서 (심지어 인터락킹 효과만 있는 경우에도) 발생하는 놀라운 효과들 중 오직 작은 부분만을 설명한다는 것을 알면서도 일부를 공식화하려고 노력했다. 본 발명자는 소개된 역설이 중간 혹은 고성능의 어플리케이션의 경우 적어도 두 개 이상의 분말의 혼합을 통해 부분적으로 해결될 수 있음을 발견했다. 고성능에서 초고성능 어플리케이션의 경우에 있어서, 세 개 이상의 분말이 요구된다. 특정 어플리케이션들의 경우, 또한 분말의 사용이 유리하다. 이러한 혼합 전략이 문헌에서 설명되어 있지 않았기 때문에, 본 발명자는 두 개 이상의 다른 성질을 가진 분말을 포함하는 고성능 및 높은 인터락킹이 가능한 분말의 혼합을 주장한다. 별도로 명시되지 않는 한, "혼합 전략"은 아래에 상세히 설명되는 다양한 대안의 형태로 해당 문서 전체에 걸쳐서 정의된다. 일 실시 예에서, 분말 혼합은 적어도 두 개의 서로 다른 성질의 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 서로 다른 성질의 분말은 서로 다른 조성을 갖는 분말을 의미한다. 추가 실시 예에서, 서로 다른 성질의 분말은 서로 다른 형태를 갖는 분말을 의미한다. 추가 실시 예에서, 서로 다른 성질의 분말은 서로 다른 크기를 갖는 분말을 의미한다. 추가 실시 예에서, 서로 다른 성질의 분말은 서로 다른 크기와 형태를 갖는 분말을 의미한다. 추가 실시 예에서, 서로 다른 성질의 분말은 서로 다른 화학적 조성과 서로 다른 크기를 갖는 분말을 의미한다. 추가 실시 예에서, 서로 다른 성질의 분말은 서로 다른 형태와 서로 다른 화학적 조성을 갖는 분말을 의미한다. 추가 실시 예에서, 서로 다른 성질의 분말은 서로 다른 크기, 서로 다른 화학적 조성과 서로 다른 형태를 갖는 분말을 의미한다. 본 발명자는 일부 어플리케이션들의 경우, 동일한 염기 내에 있지만 하나가 다른 하나보다 더 크고 더 불규칙적인, 적어도 두 개의 분말을 포함하는 분말 혼합의 사용이 유리함을 발견했다. 일 실시 예에서, 분말 혼합은 동일한 염기 내에 있는 두 개의 분말을 포함한다. 동일한 염기 내에 있다는 것은 이들이 동일한 주원소(major element)를 공유한다는 것을 의미한다. 일 실시 예에서, 주원소는 분말 혼합에서 가장 높은 중량 백분율을 차지하는 원소이다. 일 실시 예에서, 염기는 Fe이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Ni이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Co이다. 추가 실시 예에서, 염기는Zn이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Cu이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Ti이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Mg이다.추가 실시 예에서, 염기는 Al이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Cr이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Mo이다. 추가 실시 예에서, 염기는 W이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Ta이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Zr이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Sn이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Li이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Mn이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Nb이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Si이다. 일부 예시에서, 염기는 비슷한 비율의 두 개의 지배적인 원소를 사용할 수 있다. 일 실시 예에서, 염기는 비슷한 비율의 두 가지 주원소를 가진다. 다른 실시 예들에서, 비슷한 비율은 중량 백분율 차이가 39wt% 미만, 10wt% 미만, 6wt% 미만, 그리고 심지어 3wt% 미만을 의미한다. 일 실시 예에서, 주원소는 해당 분말에서 가장 높은 중량 백분율을 갖는 두 개의 원소이다. 추가 실시 예에서, 염기는 비슷한 비율을 차지하는 3개의 주원소를 갖는다. 일 실시 예에서, 주원소는 해당 분말에서 가장 높은 중량 백분율을 갖는 세 개의 원소다. 일 실시 예에서, 염기는 Fe와 Ni이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Fe와 Cr이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Fe, Cr, 그리고 Ni이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Fe와 Co이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Fe, Co, 그리고 Ni이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Fe, Cr, 그리고 Co이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Cr와 Ni이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Cr와 Co이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Co와 Ni이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Cr, Co, 그리고 Ni이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Mo와 W이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Al와 Ni이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Al와 Cr이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Al와 Mg이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Ti와 Ni이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Cu와 Ni이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Cu와 Al이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Cu와 Sn이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Cu와 Zn이다. 추가 실시 예에서, 염기는 Al와 Ti이다. 일 실시 예에서, 화학적 조성이 다른 두 개 이상의 분말의 혼합이 사용된다. 추가 실시 예에서, 화학적 조성이 다른 세 개 이상의 분말의 혼합이 사용된다. 추가 실시 예에서, 화학적 조성이 다른 네 개 이상의 분말의 혼합이 사용된다. 추가 실시 예에서, 화학적 조성이 다른 다섯 개 이상의 분말의 혼합이 사용된다. 일부 어플리케이션들에서, 주어진 조성에서 둘 이상의 최종 재료를 갖는 것이 흥미로울 수 있다. 그 원인은 여러가지 이유가 있을 수 있는데, 예를 들어 맞춤형 열 추출을 위한 다이의 활성 표면 위 낮은 열 전도성 재료 옆에 높은 열 전도성 재료를 두는 것, 중요한 활성 영역으로부터 멀리 떨어진 저렴한 재료를 갖는 것, 높은 마모 영역에 매우 높은 마모 저항성 재료를 두는 것 및 구성요소에 균열이 발생하기 쉬운 영역 내 손상에 강한 재료를 두는 것이 있다. 이는 많은 방법으로 달성될 수 있는데, 다른 것들 중에서도 서로 다른 재료 레이어를 활용한 계층화 방식으로 주형을 채우는 방법이 있다. 일 실시 예에서, 최종 구성요소는 몇 가지 재료를 갖는다. 일 실시 예에서, 최종 구성요소에서 주어진 재료는 주형 혹은 그 일부 혹은 진동 혹은 다른 수단을 이용하여 주형 내에서 수행된 혼합물을 채우기 전에 만들어진 분말 혼합이다. 일 실시 예에서, 최종 구성요소의 주어진 재료는 주형 혹은 그 일부를 채우기 전에 함께 혼합되는 분말 혼합물의 첨가이다. 일 실시 예에서, 최종 구성요소의 재료로 언급되는 것은 최종 구성요소의 재료 중 하나에 반드시 적용되어야 한다. 일 실시 예에서, 최종 구성요소의 재료로 언급되는 것은 최종 구성요소의 모든 재료에 적용되어야 한다. 일 실시 예에서, 최종 구성요소의 재료로 언급되는 것은 최종 구성요소의 상당한 부분을 차지하는 최종 구성요소의 재료 1개 이상에 적용되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 상당한 부분은 2% 이상, 16% 이상, 36% 이상, 56% 이상, 그리고 심지어 86% 이상이다. 일 실시 예에서, 해당 백분율은 부피(vol%) 기준이다. 대안적 일 실시 예에서, 해당 백분율은 중량 (wt%)기준이다. 일 실시 예에서, 적어도 하나의 임계 원소(critical element) 함량에서 유의한 차이로 혼합되는 적어도 두 개의 분말이 있다. 일 실시 예에서, 임계 원소 함량에서 유의한 차이로 혼합되는 적어도 두 개의 분말이 있다. 일 실시 예에서, 적어도 두 개의 임계 원소 함량에서 유의한 차이로 혼합되는 두 개 이상의 분말이 있다. 일 실시 예에서, 적어도 3개의 임계 원소 함량에서 유의한 차이로 혼합되는 적어도 두 개의 분말이 있다. 일 실시 예에서, 적어도 4개의 중요 임계 함량에서 유의한 차이로 혼합되는 적어도 두 개의 분말이 있다. 일 실시 예에서, 적어도 5개의 임계 원소 함량에서 유의한 차이로 혼합되는 적어도 두 개의 분말이 있다. 일 실시 예에서, 두 개의 분말은 같은 재료에서 혼합된다. 일 실시 예에서, Cr은 임계 원소이다. 일 실시 예에서, Mn은 임계 원소이다. 일 실시 예에서, Ni은 임계 원소이다. 일 실시 예에서, V은 임계 원소이다. 일 실시 예에서, Ti은 임계 원소이다. 일 실시 예에서, Mo은 임계 원소이다. 일 실시 예에서, W은 임계 원소이다. 일 실시 예에서, Al은 임계 원소이다. 일 실시 예에서, Zr은 임계 원소이다. 일 실시 예에서, Si은 임계 원소이다. 일 실시 예에서, Sn은 임계 원소이다. 일 실시 예에서, Mg은 임계 원소이다. 일 실시 예에서, Cu은 임계 원소이다. 일 실시 예에서, C은 임계 원소이다. 일 실시 예에서, B은 임계 원소이다. 일 실시 예에서, N은 임계 원소이다. 일 실시 예에서, 함량에서의 유의한 차이는 함량이 높은 분말 내 임계 원소의 중량 함량이 임계 원소의 함량이 낮은 분말에서보다보다 적어도 50%보다 높음(명확성을 위해 설명하자면, 만약 임계 원소의 함량이 낮은 분말이 임계 원소의 0.8wt%를 가질 경우, 임계 원소의 함량이 높은 분말은 임계 원소의 1.2wt% 이상을 가짐을 의미)을 의미한다. 일 실시 예에서, 함량에서의 유의한 차이는 함량이 높은 분말에서의 임계 원소의 중량 함량이 임계 원소의 함량이 낮은 분말에서의 중량 함량의 적어도 2배만큼 높음을 의미한다. 추가 실시 예에서, 함량에서의 유의한 차이는 함량이 높은 분말에서의 임계 원소의 중량 함량이 임계 원소의 함량이 낮은 분말에서의 중량 함량의 적어도 3배보다 높음을 의미한다. 추가 실시 예에서, 함량에서의 유의한 차이는 함량이 높은 분말에서의 임계 원소의 중량 함량이 임계 원소의 함량이 낮은 분말에서의 중량 함량의 적어도 4배보다 높음을 의미한다. 추가 실시 예에서, 함량에서의 유의한 차이는 함량이 높은 분말에서의 임계 원소의 중량 함량이 임계 원소의 함량이 낮은 분말에서의 중량 함량의 적어도 5배보다 높음을 의미한다. 추가 실시 예에서, 함량에서의 유의한 차이는 함량이 높은 분말에서의 임계 원소의 중량 함량이 임계 원소의 함량이 낮은 분말에서의 중량 함량의 적어도 10배보다 높음을 의미한다. 일부 어플리케이션들에서, 중요한 것은 두 분말의 임계 원소의 함량이다. 일부 어플리케이션들에서, 중요한 것은 두 분말의 일부 임계 원소의 합의 함량이다. 일 실시 예에서, 혼합물 내 적어도 하나의 분말은 충분히 높은 임계 원소 함량을 갖는 반면, 동일한 혼합물 내 적어도 다른 하나의 분말은 충분히 낮은 함량을 갖는다. 다른 실시 예들에서, 충분히 높은 함량은 0.2wt% 이상, 0.6wt% 이상, 1.2wt% 이상, 3.2wt% 이상, 5.2wt% 이상, 12wt% 이상, 16wt% 이상이다. 다른 실시 예들에서, 충분히 높은 함량은 49wt% 이하, 19wt% 이하, 9wt% 이하, 3.8wt% 이하, 1.9wt% 이하, 0.9wt% 이하, 그리고 심지어 0.09wt% 이하다. 일 실시 예에서, 혼합물의 적어도 하나의 분말에서의 원소들의 총합 %V+%Cr+%Mo+%W+%Ta+%Zr+%Hf의 함량(앞서 서술된 용어로)이 충분히 높아야 하는 반면, 혼합물의 적어도 다른 하나의 분말에서의 해당 원소들의 총합의 함량(앞서 서술된 용어로)은 충분히 낮아야 한다. 일 실시 예에서, 혼합물의 적어도 하나의 분말에서의 원소들의 총합 %V+%Cr+%Mo의 함량(앞서 서술된 용어로)이 충분히 높아야 하는 반면, 혼합물의 적어도 다른 하나의 분말에서의 해당 원소들의 총합의 함량(앞서 서술된 용어로)은 충분히 낮아야 한다. 일 실시 예에서, 혼합물의 적어도 하나의 분말에서의 원소들의 총합 %Ni+%Cr+%Mn+%Mo의 함량(앞서 서술된 용어로)이 충분히 높아야 하는 반면, 혼합물의 적어도 다른 하나의 분말에서의 해당 원소들의 총합의 함량(앞서 서술된 용어로)은 충분히 낮아야 한다. 일 실시 예에서, 혼합물의 적어도 하나의 분말에서의 원소들의 총합 %V+%Al+%Sn의 함량(앞서 서술된 용어로)이 충분히 높아야 하는 반면, 혼합물의 적어도 다른 하나의 분말에서의 해당 원소들의 총합의 함량(앞서 서술된 용어로)은 충분히 낮아야 한다. 일 실시 예에서, 혼합물의 적어도 하나의 분말에서의 원소들의 총합 %V+%Al의 함량(앞서 서술된 용어로)이 충분히 높아야 하는 반면, 혼합물의 적어도 다른 하나의 분말에서의 해당 원소들의 총합의 함량(앞서 서술된 용어로)은 충분히 낮아야 한다. 일 실시 예에서, 혼합물의 적어도 하나의 분말에서의 원소들의 총합 %Si+%Mn+%Mg+%Zn+%Sc+%Zr의 함량(앞서 서술된 용어로)이 충분히 높아야 하는 반면, 혼합물의 적어도 다른 하나의 분말에서의 해당 원소들의 총합의 함량(앞서 서술된 용어로)은 충분히 낮아야 한다. 일 실시 예에서, 최종 구성요소가 주로 철(iron, 아래에 서술된 용어로)로 구성될 때 혼합물의 적어도 하나의 분말에서의 원소들의 총합 %V+%Cr+%Mo+%W+%Ta+%Zr+%Hf+ %Ti의 함량(아래에 서술된 용어로)이 충분히 높아야 하는 반면, 혼합물의 적어도 다른 하나의 분말에서의 해당 원소들의 총합의 함량(아래에 서술된 용어로)은 충분히 낮아야 한다. 다른 실시 예들에서, 충분히 높은 함량은 0.6wt% 이상, 1.2wt% 이상, 2.6wt% 이상, 4.6wt% 이상, 그리고 심지어 10.6wt% 이상이다. 다른 실시 예들에서, 충분히 낮은 함량은 36wt% 이하, 9wt% 이하, 4wt% 이하, 2wt% 이하, 0.9wt% 이하, 그리고 심지어 0.09wt% 이하이다. 일 실시 예에서, 최종 구성요소가 주로 철(아래에 서술된 용어로)로 구성될 때 혼합물의 적어도 하나의 분말에서의 원소들의 총합 %Ni+%Cr+%Mn+%Ti의 함량(아래에 서술된 용어로)이 충분히 높아야 하는 반면, 혼합물의 적어도 다른 하나의 분말에서의 해당 원소들의 총합의 함량(아래에 서술된 용어로)은 충분히 낮아야 한다. 다른 실시 예들에서, 충분히 높은 함량은 0.6wt% 이상, 6wt% 이상, 12.6wt% 이상, 16wt% 이상, 그리고 심지어 26wt% 이상이다. 다른 실시 예들에서, 충분히 낮은 함량은 66wt% 이하, 24wt% 이하, 9wt% 이하, 4wt% 이하, 0.9wt% 이하, 그리고 심지어 0.09wt% 이하이다. 일 실시 예에서, 최종 구성요소가 주로 티타늄(Titanium, 아래에 서술된 용어로)으로 구성될 때 혼합물의 적어도 하나의 분말에서의 원소들의 총합 %Al+%Sn+%Cr+%V+%Mo+%Ni+%Pd의 함량(아래에 서술된 용어로)이 충분히 높아야 하는 반면, 혼합물의 적어도 다른 하나의 분말에서의 해당 원소들의 총합의 함량(아래에 서술된 용어로)은 충분히 낮아야 한다. 다른 실시 예들에서, 충분히 높은 함량은 0.6wt% 이상, 6wt% 이상, 12.6wt% 이상, 16wt% 이상, 그리고 심지어 22wt% 이상이다. 다른 실시 예들에서, 충분히 낮은 함량은 39wt% 이하, 19wt% 이하, 9wt% 이하, 4wt% 이하, 0.9wt% 이하, 그리고 심지어 0.09wt% 이하이다. 일 실시 예에서, 최종 구성요소가 주로 티타늄(아래에 서술된 용어로)으로 구성될 때 혼합물의 적어도 하나의 분말에서의 원소들의 총합 %Al+%Sn+%V의 함량(아래에 서술된 용어로)이 충분히 높아야 하는 반면, 혼합물의 적어도 다른 하나의 분말에서의 해당 원소들의 총합의 함량(아래에 서술된 용어로)은 충분히 낮아야 한다. 다른 실시 예들에서, 충분히 높은 함량은 0.6wt% 이상, 6wt% 이상, 12.6wt% 이상, 16wt% 이상, 그리고 심지어 22wt% 이상이다. 다른 실시 예들에서, 충분히 낮은 함량은 39wt% 이하, 19wt% 이하, 9wt% 이하, 4wt% 이하, 0.9wt% 이하, 그리고 심지어 0.09wt% 이하다. 일 실시 예에서, 최종 구성요소가 주로 알루미늄(Aluminium, 아래에 서술된 용어로)으로 구성될 때 혼합물의 적어도 하나의 분말에서의 원소들의 총합 %Cu+%Mn+%Mg+%Si의 함량이 충분히 높아야 하는 반면, 혼합물의 적어도 다른 하나의 분말에서의 해당 원소들의 총합의 함량(아래 서술된 용어로)은 충분히 낮아야 한다. 다른 실시 예들에서, 충분히 높은 함량은 0.2wt% 이상, 0.6wt% 이상, 1.2wt% 이상, 2.6wt% 이상, 5.2wt% 이상, 그리고 심지어 11wt% 이상이다. 다른 실시 예들에서, 충분히 낮은 함량은 19wt% 이하, 9wt% 이하, 4wt% 이하, 1.9wt% 이하, 0.9wt% 이하, 그리고 심지어 0.09wt% 이하다. 일 실시 예에서, 최종 구성요소가 주로 알루미늄(아래에 서술된 용어로)으로 구성될 때 혼합물의 적어도 하나의 분말에서의 원소들의 총합 %Cu+%Mn+%Mg+%Si+%Fe+%Zn의 함량이 충분히 높아야 하는 반면, 혼합물의 적어도 다른 하나의 분말에서의 해당 원소들의 총합의 함량(아래 서술된 용어로)은 충분히 낮아야 한다. 다른 실시 예들에서, 충분히 높은 함량은 0.2wt% 이상, 0.6wt% 이상, 1.2wt% 이상, 2.6wt% 이상, 5.2wt% 이상, 그리고 심지어 11wt% 이상이다. 일 실시 예에서, 충분히 낮은 함량은 19wt% 이하, 9wt% 이하, 4wt% 이하, 1.9wt% 이하, 0.9wt% 이하, 그리고 심지어 0.09wt% 이하다. 일 실시 예에서, 최종 구성요소가 주로 니켈(Nickel, 아래에 서술된 용어로)로 구성될 때, 혼합물의 적어도 하나의 분말에서의 원소들의 총합 %Cr+%Co+%Mo+%Ti의 함량(아래에 서술된 용어로)이 충분히 높아야 하는 반면, 적어도 다른 하나의 분말에서의 해당 원소들의 총합의 함량(아래에 서술된 용어로)은 충분히 낮아야 한다. 다른 실시 예들에서, 충분히 높은 함량은 1.2wt% 이상, 16wt% 이상, 22wt% 이상, 32wt% 이상, 36wt% 이상, 그리고 심지어 42wt% 이상이다. 다른 실시 예들에서, 충분히 낮은 함량은 65wt% 이하, 29wt% 이하, 14wt% 이하, 9wt% 이하, 0.9wt% 이하, 그리고 심지어 0.09wt% 이하다. 일 실시 예에서, 최종 구성요소가 주로 니켈(아래에 서술된 용어로)로 구성될 때, 혼합물의 적어도 하나의 분말에서의 원소들의 총합 %Cr+%Co의 함량(아래에 서술된 용어로)이 충분히 높아야 하는 반면, 적어도 다른 하나의 분말에서의 해당 원소들의 총합의 함량(아래에 서술된 용어로)은 충분히 낮아야 한다. 다른 실시 예들에서, 충분히 높은 함량은 1.2wt% 이상, 16wt% 이상, 22wt% 이상, 32wt% 이상, 36wt% 이상, 그리고 심지어 42wt% 이상이다. 다른 실시 예들에서, 충분히 낮은 함량은 65wt% 이하, 29wt% 이하, 14wt% 이하, 9wt% 이하, 9wt% 이하, 그리고 심지어 0.09wt% 이하다. 대안적 일 실시 예에서, 앞서 공개된 백분율은 부피 기준이다. 일 실시 예에서, 임계 원소(혹은 임계 원소 합)의 함량이 낮은 분말은 가장 큰 분말이 아니다. 일 실시 예에서, 하나의 분말이 가장 큰 분말이 되기 위해서는, 해당 분말의 D50이 가장 높아야 한다. 대안적 일 실시 예에서, 하나의 분말이 가장 큰 분말이 되기 위해서는, 해당 분말의 부피 백분율이 가장 높아야 한다. 추가 대안적 실시 예에서, 하나의 분말이 가장 큰 분말이 되기 위해서는, 해당 분말의 중량 백분율이 가장 높아야 한다. 일 실시 예에서, 적어도 하나의 임계 원소(혹은 임계 원소 합)의 함량이 높은 분말은 크기에 있어서 적어도 하나의 임계 원소(혹은 임계 원소의 합)의 함량이 낮은 분말보다 상당히 크다. 일 실시 예에서, 적어도 하나의 임계 원소(혹은 임계 원소 합)의 함량이 높은 분말은 크기에 있어서 모든 임계 원소(혹은 임계 원소의 합)의 함량이 낮은 분말보다 그 크기가 상당히 크다. 일 실시 예에서, 임계 원소(혹은 임계 원소의 합)의 함량이 높고 크기에 있어서의 상당히 그 크기가 상당히 큰 분말이 적정량(해당량의 정의는 아래에서 찾을 수 있음)으로 존재한다. 일 실시 예에서, 높은 함량은 (이전에 정의된 바와 같이) 충분히(enough) 높은 함량을 의미한다.대안적 일 실시 예에서, 높은 함량은 (앞서 정의된 바와 같은) 충분히(sufficient) 높은 함량을 의미한다. 일 실시 예에서, 낮은 함량은 (앞서 정의된 바와 같은) 충분히(enough) 낮은 함량을 말한다. 일 실시 예에서, 낮은 함량은 (앞서 정의된 바와 같은) 충분히(sufficient) 낮은 함량을 말한다. 대안적 일 실시 예에서, 크기에 있어서 충분히 크다는 것은 D50이 적어도 52%, 적어도 152%, 적어도 252%, 적어도 352%,적어도 452%, 그리고 심지어 적어도 752% 크다는 것을 의미한다. 일 실시 예에서, D50은 입자 크기의 누적 분포에 있어서 샘플 부피의 50%가 더 작은 입자로 구성될 때의 입자 크기를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, D50은 입자 크기의 누적 분포에 있어서 샘플 질량의 50%가 더 작은 입자로 구성될 때의 입자 크기를 의미한다. 일 실시 예에서, 입자 크기는 ISO 13320-2009에 따라 레이저 회절(laser diffraction)로 측정된다. 일 실시 예에서, 3개 이상의 분말 혼합물의 경우, 적어도 하나의 분말은 최소 하나의 임계 원소에 있어서 균형 잡힌 조성을 가진다. 일 실시 예에서, 3개 이상의 분말 혼합물의 경우, 적어도 하나의 분말은 최소 두 개의 임계 원소에 있어서 균형 잡힌 조성을 가진다. 일 실시 예에서, 3개 이상의 분말 혼합물의 경우, 적어도 하나의 분말은 최소 세 개의 임계 원소에 있어서 균형 잡힌 조성을 가진다. 일 실시 예에서, 3개 이상의 분말 혼합물의 경우, 적어도 하나의 분말은 최소 네 개의 임계 원소에 있어서 균형 잡힌 조성을 가진다. 일 실시 예에서, 3개 이상의 분말 혼합물의 경우, 적어도 하나의 분말은 최소 다섯 개의 임계 원소에 있어서 균형 잡힌 조성을 가진다. 일 실시 예에서, 3개 이상의 분말 혼합물의 경우, 적어도 하나의 분말은 앞서 서술된 임계 원소의 총합들 중 최소 하나에 있어서 균형 잡힌 조성을 가진다. 일 실시 예에서, 임계 원소 혹은 임계 원소의 합에 대한 균형 잡힌 조성은 다음의 (임계 원소 혹은 임계 원소 합의)구성을 갖는 것으로 이해된다: PACE*%PpCE = f1*%P1CE + f2*%P2CE +.... + fx*%PxCE+.... fp*%PpCE, 매개변수 PACE, 균형 조성을 갖는 분말의 혼합물 내 중량 분율 fp이며, %PpCE는 임계 원소 혹은 임계 원소의 합에 대한 조성이고 이는 균형잡힌 조성을 갖는 다음의 분말에 대한 것이다;는 혼합물 내 다른 분말의 중량 분율인 f1, f2, …, fx, ... 임계 원소 혹은 임계 원소의 합에 대해 상응하는 조성인 %P1CE, P2CE,..., PxCE...., 일 실시 예에서, 임계 원소 혹은 임계 원소의 합에 대한 균형 잡힌 조성은 다음의 (임계 원소 혹은 임계 원소 합의)조성을 갖는 것으로 이해된다: PACE*%PpCE = f1*%P1CE + f2*%P2CE +... + fx*%PxCE+.... 여기서 PACE는 매개변수, %PpCE는 균형 잡힌 조성을 갖는 다음의 분말의 임계 원소 혹은 임계 원소 합에 대한 조성이다: 혼합물 내 다른 분말의 중량 분율인 f1, f2, …, fx, …, 그리고 임계 원소 혹은 임계 원소의 합에 대해 상응하는 조성인 %P1CE, P2CE,..., PxCE,... 일 실시 예에서, PACE는 상한 및 하한을 갖는다. 다른 실시 예들에서, PACE의 상한은 2.9, 1.9, 1.48, 1.19, 그리고 심지어 1.08이다. 다른 실시 예들에서, PACE의 하한은 0.2, 0.55, 0.69, 0.79, 0.89, 그리고 심지어 0.96이다. 일 실시 예에서, 임계 원소 혹은 임계 원소의 합에 대해 균형 잡힌 조성을 갖는 분말 중 최소 하나는 임계 원소(혹은 임계 원소 합)의 함량이 적은 분말 중 적어도 하나에 비해 상당히 크기가 크다. 일 실시 예에서, 임계 원소 혹은 임계 원소 합에 대해 균형 잡힌 조성을 갖는 분말 중 최소 하나는 임계 원소(혹은 임계 원소 합)의 함량이 많은 분말 중 적어도 하나에 비해 상당히 크기가 크다. 일 실시 예에서, 임계 원소 혹은 임계 원소 합에 대해 균형 잡힌 조성을 갖는 분말 중 적어도 하나는 (위에서 설명된 용어로) 혼합물의 다른 분말들 중 적어도 하나에 대해 임계 원소 (혹은 임계 원소 합) 고함량 분말로 고려될 수 있다. 일 실시 예에서, 임계 원소 혹은 임계 원소 합에 대해 균형 잡힌 조성을 갖는 분말 중 적어도 하나는 (위에서 설명된 용어로) 임계 원소 (혹은 임계 원소 합) 고함량 분말로 고려될 수 있고 (앞서 설명된 용어로) 혼합물의 다른 분말들 중 적어도 하나에 있어서 그 크기가 상당히 크다. 일 실시 예에서, 임계 원소 혹은 임계 원소 합에 대해 균형 잡힌 조성을 갖는 분말 중 적어도 하나는 (앞서 설명된 용어로) 혼합물의 다른 분말 중 적어도 하나에 대해 임계 원소(혹은 임계 원소 합) 저함량 분말로 고려될 수 있다. 일 실시 예에서, 임계 원소 혹은 임계 원소 합에 대해 균형 잡힌 조성을 갖는 분말 중 적어도 하나는 (앞서 설명된 용어로) 임계 원소(혹은 임계 원소 합) 저함량 분말로 고려될 수 있고 (앞서 설명된 용어로) 혼합물의 분말 중 다른 분말 중 적어도 하나에 대해 그 크기가 상당히 크다. 일 실시 예에서, 혼합물의 분말은 가장 부드러운 분말과 견고한 분말 사이의 경도에 상당한 차이가 있도록 선택된다. 다른 실시 예들에서, 상당한 차이는 6HV 이상, 12HV 이상, 26HV 이상, 52HV 이상, 78HV 이상, 105HV 이상, 160HV 이상, 그리고 심지어 205HV 이상이다. 일부 어플리케이션들에서, 분말 사이의 경도에 있어서의 차이는 최종 구성요소보다 상당히 낮은 경도를 갖도록 적어도 하나의 분말을 선택하는 것만큼 중요하지 않다. 일 실시 예에서, 주형을 채우는 데 사용되는 혼합물 내 적어도 하나의 분말의 경도와 최종 구성요소의 적어도 하나의 분말의 경도 사이에 상당한 차이가 존재한다. 일 실시 예에서, 혼합물의 초기 분말 중 적어도 하나는 해당 분말과 현재 서술된 방법의 완벽한 어플리케이션 이후의 최종 구성요소의 경도 사이의 (앞서 설명된 용어로) 상당한 차이가 있도록 선택된다. 일 실시 예에서, 경도 측정 전에 최종 구성요소로부터 임의의 표면 코팅이 제거된다. 일부 어플리케이션들에서, 낮은 경도를 갖는 적어도 하나의 분말을 선택하는 것이 중요함이 드러났다. 일 실시 예에서, 혼합물의 분말 중 적어도 하나는 저경도 분말로 선택된다. 일 실시 예에서, 혼합물의 적절한 분말 중 적어도 하나는 저경도를 갖는 분말로 선택된다. 일 실시 예에서, 혼합물의 중간 정도로 적절한 분말 중 적어도 하나는 저경도를 갖는 분말로 선택된다. 다른 실시 예들에서, 현재 맥락에서, 저경도는 289HV 이하, 189HV 이하, 148HV 이하, 119HV 이하, 89HV 이하, 그리고 심지어 49HV 이하이다. 다른 실시 예들에서, 분말이 적절하기 위해서는 최소 1.6wt% 이상, 2.6wt% 이상, 5.6wt% 이상, 8.6wt% 이상, 12wt% 이상, 16wt% 이상, 그리고 심지어 21wt% 이상이 존재(문서의 나머지 부분과 같이, 특별히 표시되지 않는 경우 백분율 수는 중량 퍼센트를 의미함)해야 한다. 다른 실시 예들에서, 분말의 양이 중간 정도로 적절하기 위해서, 선택된 특성을 갖는 분말은 다음에 서술된 바와 같이 적절하게 존재해야 하지만, 86wt%, 59wt%, 29wt%, 19wt%, 49wt%, 그리고 심지어 9wt%를 초과하여 존재할 수 없다. 다른 실시 예들에서, 현재 문맥에서, 분말이 주로 티타늄일 때, 저경도는 288HV 이하, 248HV 이하, 188HV 이하, 148HV 이하, 128HV 이하, 그리고 심지어 98HV 이하이다. 다른 실시 예들에서, 현재 문맥에서, 최종 구성요소가 주로 티타늄일 때, 저경도는 288HV 이하, 248HV 이하, 188HV 이하, 148HV 이하, 128HV 이하, 그리고 심지어 98HV 이하이다. 다른 실시 예들에서, 분말 혹은 최종 재료가 주로 특정 원소가 되기 위해서는, 해당 원소가 33wt% 이상, 52wt% 이상, 76wt% 이상, 86wt% 이상, 92wt% 이상, 96wt% 이상, 그리고 심지어 99wt% 이상 존재해야 한다. 다른 실시 예들에서, 해당 문맥에서, 분말이 주로 철일 때, 저경도는 288HV 이하, 248HV 이하, 188HV 이하, 148HV 이하, 98HV 이하, 그리고 심지어 48HV 이하이다. 일 실시 예에서, 분말이 주로 철일 때 분말의 저경도에 관해 언급된 것은 언급된 경도의 분말이 주로 철일 필요는 없지만 최종 구성요소는 주로 철인 분말로 확장될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 해당 문맥에서, 분말이 주로 알루미늄이 때, 저경도는 128HV 이하, 98HV 이하, 88HV 이하, 68HV 이하, 48HV 이하, 그리고 심지어 28HV이하이다. 일 실시 예에서, 분말이 주로 알루미늄일 때 분말의 저경도에 관해 언급된 것은 언급된 경도의 분말이 주로 알루미늄일 필요는 없지만 최종 구성요소는 주로 알루미늄인 분말로 확장될 수 있다. 대안적 일 실시 예에서, 앞에서 알루미늄에 관해 언급된 모든 내용은 마그네슘으로 확장될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 현재 문맥에서 분말이 주로 니켈일 때 저경도는 288HV 이하, 248HV 이하, 188HV 이하, 148HV 이하, 118HV 이하, 98HV 이하, 그리고 심지어 48HV 이하다. 대안적 일 실시 예에서, 분말이 주로 니켈일 때 분말의 저경도에 관해 언급된 모든 내용은 언급된 경도의 분말이 주로 니켈일 필요는 없지만 최종 구성요소가 주로 니켈인 분말로 확장될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 해당 문맥에서, 분말이 주로 코발트일 때 저경도는 348HV 이하, 288HV 이하, 248HV 이하, 188HV 이하, 148HV 이하, 98HV 이하, 그리고 심지어 48HV 이하다. 추가 실시 예에서, 분말이 주로 코발트일 때 분말의 저경도에 관해 언급된 내용은 언급된 경도의 분말이 주로 코발트일 필요는 없지만 최종 구성요소는 주로 코발트인 분말로 확장될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 현재 맥락에서, 분말이 주로 크롬(Chromium)일 때 저경도는 348HV 이하, 288HV 이하, 248HV 이하, 188HV 이하, 148HV 이하, 98HV 이하, 그리고 심지어 48HV 이하다. 추가 실시 예에서, 분말이 주로 크롬일 때, 분말의 저경도와 관련해 언급된 내용은 언급된 경도의 분말이 주로 크롬일 필요는 없지만 최종 구성요소는 주로 크롬인 분말로 확장될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 현재 문맥에서, 분말이 주로 구리일 때, 저경도는 288HV 이하, 248HV 이하, 188HV 이하, 148HV 이하, 98HV 이하, 그리고 심지어 48HV 이하이다. 대안적 일 실시 예에서, 분말이 주로 구리일 때 분말의 저경도와 관해 언급된 내용은 언급된 경도의 분말이 주로 구리일 필요는 없지만 최종 구성요소는 주로 구리인 분말까지 확장될 수 있다. 일 실시 예에서, 연질 분말은 가장 큰 분말이 아니다. 일 실시 예에서, 분말이 가장 큰 분말이 되기 위해서는, D50이 가장 높아야 한다. 대안적 일 실시 예에서, 분말이 가장 큰 분말이 되기 위해서는, 그 부피 백분율이 가장 높아야 한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말이 가장 큰 분말이 되기 위해서는, 중량 백분율이 가장 높아야 한다. 일 실시 예에서, (앞서 기재된) 저경도를 갖도록 선택된 혼합물의 적절한 분말의 (앞서 기재된) 경도와 그 크기가 상당히 큰, 적어도 하나의 분말 사이에 상당한 차이가 존재한다. 일 실시 예에서, (앞서 기재된) 저경도를 갖도록 선택된 혼합물의 중간 정도 적당한 양의 분말의 (앞서 기재된) 경도와 크기가 상당히 큰 적어도 하나의 분말 사이에 상당한 차이가 존재한다. 일 실시 예에서, 상당히 높은 경도를 가지면서 크기가 상당히 큰 분말은 적당한 양(앞서 연질 분말에 적용된 정의와 동일함)으로 존재한다. 다른 실시 예들에서, 상당히 큰 크기는 D50이 적어도 52%, 적어도 152%, 적어도 252%,적어도 352%,적어도 452%, 그리고 심지어 적어도 752% 큰 크기를 의미한다. 일 실시 예에서, 경도는 ISO 6507-1에 따라 측정된 HV10이다. 대안적 일 실시 예에서, 경도는 ASTM E384-17에 따라 측정된 HV10이다. 추가 대안적 실시 예에서, 경도는 ISO 6507-1에 따라 측정된 HV5이다. 추가 대안적 실시 예에서, 경도는 ASTM E384-17에 따라 측정된 HV5이다. 일 실시 예에서, 혼합물 내 적어도 두 개의 분말의 구형도 사이에 상당한 차이가 존재한다. 다른 실시 예들에서, 혼합물 내 적어도 두 개의 분말의 구형도 사이의 상당한 차이는 5% 이상, 12% 이상, 22% 이상, 그리고 심지어 52% 이상이다. 다른 실시 예들에서, 혼합물 내 적어도 하나의 분말은 90% 초과, 92% 초과, 95% 초과, 그리고 심지어 99% 초과의 구형도를 갖는다. 다른 실시 예들에서, 혼합물 내 적어도 하나의 분말은 89% 미만, 83% 미만, 79% 미만, 그리고 심지어 69% 미만의 구형도를 갖는다. 일부 어플리케이션들에서, 혼합물 내 적어도 두 개의 분말의 구형도 사이의 특정한 차이가 선호된다. 일 실시 예에서, 분말은 (앞서 공개된 바와 같이) 혼합물 내 적절한 분말이다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 적어도 하나의 비구형 분말을 포함한다. 별도로 명시되지 않는 한, "비구형 분말"은 본 문서 전체에 걸쳐 아래에 상세히 설명되는 다양한 대안적 형태로 정의된다. 다른 실시 예들에서, 비구형 분말은 구형도가 99% 미만, 89% 미만, 79% 미만, 74% 미만, 그리고 심지어 69% 미만인 분말이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 너무 낮은 구형도를 갖는 분말의 사용은 불리할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 비구형 분말은 구형도가 22% 초과, 36% 초과, 51% 초과, 그리고 심지어 64% 초과인 분말이다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 적어도 하나의 구형 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 가스 분무법(gas atomization)에 의해 얻어진 적어도 하나의 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 원심 분무법(centrifugal atomization)에 의해 얻어진 적어도 하나의 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물은 플라즈마 처리된 적어도 하나의 분말을 포함한다. 별도로 명시되지 않는 한, "구형 분말"은 본 문서에 걸쳐 아래에 자세히 설명되는 다양한 대안의 형태로 정의된다. 일 실시 예에서, 구형 분말은 가스 분무법, 원심 분무법 또는/혹은 플라즈마 처리된 분말로 얻어진 분말을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 구형 분말은 구형도가 76% 초과, 82% 초과, 92%, 초과, 96% 초과, 그리고 심지어 100%인 분말이다. 일 실시 예에서, 분말의 구형도는 입자의 표면적과 입자와 동일한 부피를 갖는 구체의 표면적 사이의 비로 정의되는 무차원 매개변수를 의미한다. 일 실시 예에서, 구형도(Ψ)는 다음의 공식을 활용해 계산된다: Ψ=[ㅠ1/3*(6*Vp)2/3]/Ap. 상기 공식에서, ㅠ는 일반적으로 원의 둘레와 지름의 비율로 정의되는 수학적 상수를 의미하고, Vp는 입자의 부피를, Ap는 입자의 표면적을 의미한다. 일 실시 예에서, 입자의 구형도는 동적 이미지 분석(dynamic image analysis)에 의해 결정된다. 일 실시 예에서, 구형도는 광산란 회절(light scattering diffraction)에 의해 계산된다. 특정 어플리케이션의 경우, 높은 함량의 대형 분말(LP)을 포함하는 분말 혼합물이 매우 유리하다. 다른 실시 예들에서, 분말 혼합물 내 LP의 부피 백분율(부피 백분율은 분말 혼합물에 포함되는 분말로 이루어진 금속 만을 고려하여 계산됨)은 85vol % 이상, 92vol % 이상, 96vol% 이상, 98.2vol% 이상, 99.4vol% 이상, 그리고 심지어 100vol %이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 혼합물 내 다른 분말의 존재가 선호된다. 다른 실시 예들에서, 분말 혼합물 내 LP 부피 백분율은 7vol% 이상, 12vol% 이상, 21vol% 이상, 46vol% 이상, 51vol% 이상, 61vol% 이상, 71vol% 이상, 그리고 심지어 81vol% 이상이다. 특정 어플리케이션들에서, 부피 백분율은 제한되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 분말 혼합물 내 LP의 부피 백분율(부피 백분율은 분말 혼합물 내에 포함되는 분말로 이루어진 금속 만을 고려하여 계산됨)은 89vol% 이하, 79vol% 이하, 69vol% 이하, 49vol% 이하, 그리고 심지어 19vol% 이하이다. 특정 어플리케이션들의 경우, 높은 구형도의 LP가 유리하다. 일 실시 예들에서, LP가 (앞서 정의된) 구형 분말일 때, 분말 혼합물 내 LP의 부피 백분율은 구형 LP의 적절한 부피 백분율이다. 다른 실시 예들에서, 구형LP의 적절한 부피 백분율(부피 백분율은 혼합물 내의 분말로 이루어진 금속 만을 고려하여 계산됨)은 52vol% 이상, 61vol% 이상, 66vol% 이상, 그리고 심지어 71vol% 이상이다. 특정 어플리케이션들에서, 부피 백분율은 제한되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 구형 LP의 적절한 부피 백분율(부피 백분율은 분말 혼합물 내 포함되는 분말로 이루어진 금속 만을 고려하여 계산됨)은 84vol% 이하, 79vol% 이하, 그리고 심지어 69vol% 이하이다. 특정 어플리케이션들의 경우, 낮은 구형도를 갖는 LP가 유리하다. 일 실시 예에서, LP가 (앞서 정의된) 비구형 분말일 때, 분말 혼합물 내 LP의 부피 백분율은 비구형LP의 적절한 부피 백분율이다. 다른 실시 예들에서, 비구형LP의 올바른 부피 백분율(부피 백분율은 분말 혼합물 내 포함된 분말로 이루어진 금속 만을 고려하여 계산됨)은 41vol% 이상, 51vol% 이상, 56vol% 이상, 그리고 심지어 61vol% 이상이다. 특정 어플리케이션들에서, 부피 백분율은 제한되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 비구형 LP의 올바른 부피 백분율(부피 백분율은 분말 혼합물 내 포함된 분말로 이뤄진 금속 만을 고려하여 계산됨)은 79vol% 이하, 70vol% 이하, 64vol% 이하, 그리고 심지어 59vol% 이하이다. 일 실시 예에서, 분말을 포함하는 금속 중 세라믹이 포함된다. 이미 언급된 바와 같이, 해당 문맥에서 서술된 분말 혼합물과 이웃된 분말 혼합물은 유기 물질의 도움을 받아 형태가 만들어지는 MAM 어플리케이션의 경우 매우 흥미롭다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 유기 물질의 조력으로 형성된다. 추가 실시 예에서, 분말 혼합물은 고분자물질(polymeric material)의 도움으로 형성된다. 추가 실시 예에서, 분말 혼합물은 접합 물질(binder material)의 도움으로 형성된다. 추가 실시 예에서, 분말 혼합물은 성형 금형으로서의 유기 물질의 조력으로 형성된다. 추가 실시 예에서, 분말 혼합물은 성형 금형으로서의 고분자 물질의 조력으로 형성된다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 또한 유기 물질(분말 형태일 필요는 없음)을 포함한다. 추가 실시 예에서, 분말 혼합물은 또한 고분자 물질(분말 형태일 필요는 없음)을 포함한다. 추가 실시 예에서, 분말 혼합물은 또한 금속성 입자의 일부를 함께 접합시키는 접합 물질을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 서로 다른 크기의 최소 두 개의 분말을 포함한다. "더 큰"에 관한 정량화에 있어서, 다른 어플리케이션은 서로 다른 정의로부터 이점을 갖는다. 다른 실시 예들에서, "더 큰"은 분말 크기 임계 측정값이 1.5배 이상, 2배 이상, 4배 이상, 8배 이상, 그리고 심지어 10.5배 이상만큼 크다는 것을 의미한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 분말 크기 간의 과도한 차이는 해로울 수 있다는 점이 발견되었다. 다른 실시 예들에서, "더 큰"은 분말 크기 임계 측정값이 최대 900배, 400배, 90배, 45배, 그리고 심지어 19배까지 더 크다는 것을 의미한다. 특별한 언급이 없는 한, "분말 크기 임계 측정값"은 본 문서 전체에 걸쳐 아래에 상세히 설명되는 다양한 대안적 형태로 정의된다. 일 실시 예에서, 분말 크기 임계 측정값은 D50이다. 대안적 일 실시 예에서, 분말 크기 임계 측정값은 D10이다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 크기 임계 측정값은 D90이다. 일 실시 예에서, D50은 입자 크기의 누적 분포에서 샘플 부피의 50%가 더 작은 입자로 구성된 입자 크기를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, D50은 입자 크기의 누적 분포에서 샘플 질량의 50%가 더 작은 입자로 구성된 입자 크기를 의미한다. 일 실시 예에서, D10은 입자 크기의 누적 분포에서 샘플 부피의 10%가 더 작은 입자로 구성된 입자 크기를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, D10은 입자 크기의 누적 분포에서 샘플 질량의 10%가 더 작은 입자로 구성된 입자 크기를 의미한다. 일 실시 예에서, D90은 입자 크기의 누적 분포에서 샘플 부피의 90%가 더 작은 입자로 구성된 입자 크기를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, D90은 입자 크기의 누적 분포에서 샘플 질량의 90%가 더 작은 입자로 구성된 입자 크기를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 크기 임계 측정값은 평균 크기이다. 일 실시 예에서, 입자 크기는 ISO 13320-2009에 따라 레이저 회절법(laser diffraction)에 의해 측정된다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 크기 임계 측정값은 분말의 오로지 10%만이 유지되도록 하는 가장 작은 메쉬이다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 크기 임계 측정값은 분말의 50%만 통과하도록 하는 가장 작은 메쉬이다. 위에서 공개된 모든 실시 예들은 상호 배타적이지 않은 경우, 이들 사이에서 혹은 "분말 크기 임계 측정값"과 관련된 문서 내 공개된 다른 실시 예와 어떠한 조성으로라도 결합될 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 큰 분말과의 차이뿐만 아니라 더 작은 분말의 크기 또한 중요하다. 다른 실시 예들에서, 더 작은 분말은 88microns(마이크론) 이하, 38microns 이하, 28microns 이하, 18microns 이하, 8microns 이하, 그리고 심지어 0.8microns 이하의 크기 임계 측정값을 나타낸다. 일부 어플리케이션들의 경우, 혼합물에 심지어 더 작은 분말이 존재할 수 있지만, 소위 말하는 더 작은 분말의 크기가 너무 작아서는 안된다. 다른 실시 예들에서, 더 작은 분말은 0.8nanometers(나노미터) 이상, 80nanometers 이상, 600nanometers 이상, 그리고 심지어 1050nanometers 이상의 크기 임계 측정값을 나타낸다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 서로 다른 형태를 갖는 적어도 두 개의 분말을 포함하는데, 여기서 분말 중 하나는 다른 하나보다 더 불규칙적이다. 다른 실시 예들에서, 더 불규칙적이라는 말은 구형도가 11% 이하, 21% 이하, 41% 이하, 52% 이하, 61% 이하, 그리고 심지어 81% 이하를 의미한다. 다른 실시 예들에서, 더 불규칙적이라는 말은 구형도 값이 덜 불규칙적인 분말의 구형도 값을 1.1, 1.6, 그리고 심지어 2.1로 나눈 값보다 작음을 의미한다. 일 실시 예에서, 분말의 구형도는 입자와 동일한 부피를 갖는 구의 표면적과 입자의 표면적 사이의 비율로 정의되는 무차원 매개변수를 의미한다. 일 실시 예에서, 구형도(Ψ)는 다음의 공식을 활용하여 계산된다: Ψ=[ㅠ1/3*(6*Vp)2/3]/Ap. 해당 공식에서, ㅠ는 일반적으로 원의 둘레와 지름의 비율로 정의되는 수학적 상수를 의미하고, Vp는 입자의 부피를, 그리고 Ap는 입자의 표면적을 의미한다. 일 실시 예에서, 입자의 구형도는 동적 이미지 분석에 의해 결정된다. 대안적 일 실시 예에서, 구형도는 광산란 회절법에 의해 측정된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 활성 표면/중량 측면에서의 불규칙성을 측정하는 것이 이롭다. 다른 실시 예들에서, 더 불규칙적인 분말의 단위 중량 당 평균 활성 표면을 덜 불규칙적인 분말의 단위 중량당 평균 활성 표면으로 나눈 결과값은 적어도 1.1, 적어도 1.23, 적어도 1.6, 적어도 2.1을 산출한다. 다른 실시 예들에서, 적절한 비율은 더 작은 분말의 부피 비율을 더 큰 분말의 부피 비율로 나눈 값이 4.9 이하, 1.9 이하, 1.4 이하, 그리고 심지어 0.98 이하를 산출함을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 적절한 비율은 더 작은 분말의 부피 비율을 더 큰 분말의 부피 비율로 나눈 값이 0.05 이상, 0.12 이상, 0.26 이상, 0.44 이상, 그리고 심지어 0.61 이상을 산출함을 의미한다. 몇 가지 어플리케이션은 또한 불규칙성의 차이 없이 작동하기도 하며, 이는 비슷한 불규칙성을 갖는 분말을 사용함을 의미한다. 일 실시 예에서, 동일한 염기 내에 있지만 하나가 다른 하나보다 크면서 서로 간 적절한 비율로 존재하는 적어도 두 개의 분말을 포함하고 고 인터락킹 및 고성능이 가능한 분말 혼합물이 요구된다. 몇몇의 어플리케이션의 경우, 분말들 중 적어도 두 개의 분말이 화학적 조성 측면에서 다른 성질을 갖는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 형태학적으로 서로 다른 두 개의 분말은 또한 서로 다른 화학적 조성을 갖는다. 일 실시 예에서, 분말 중 하나는 적어도 하나의 원소에 있어서 유의미한 차이를 보인다. 일 실시 예에서, 분말 중 하나는 적어도 두 개의 원소에 있어서 유의미한 차이를 보인다. 일 실시 예에서, 분말들 중 하나는 적어도 세 개의 원소에 있어서 유의미한 차이를 갖는다. 일 실시 예에서, 분말 중 하나는 적어도 네 개의 원소에 있어서 유의미한 차이를 보인다. 일 실시 예에서, 분말 중 하나는 적어도 다섯 개의 원소에 있어서 유의미한 차이를 갖는다. 일 실시 예에서, 유의미한 차이는 최소 20wt% 이상을 의미한다. 추가 실시 예에서, 유의미한 차이는 최소 60wt% 이상을 의미한다. 추가 실시 예에서, 유의미한 차이는 적어도 두 배 만큼을 의미한다. 일 실시 예에서, 유의미한 차이는 적어도 네 배 이상을 의미한다. 일 실시 예에서, 유의미한 차이는 20배 이하를 의미한다. 추가 실시 예에서, 유의미한 차이는 10배 이하를 의미한다. 추가 실시 예에서, 유의미한 차이는 99wt% 이하를 의미한다. 추가 실시 예에서, 유의미한 차이는 90wt% 이하를 의미한다. 추가 실시 예에서, 유의미한 차이는 80wt% 이하를 의미한다. 일 실시 예에서, 오직 현재의 원소만이 유의미하게 고려된다. 다른 실시 예들에서, 유의미한 현재의 원소는 0.012wt% 이상, 0.12wt% 이상, 0.32wt% 이상, 0.62wt% 이상, 1.2wt% 이상, 그리고 심지어 5.2wt% 이상의 양으로 존재하는 원소들을 말한다. 일 실시 예에서, 더 작은 분말은 적어도 하나의 원소에 있어서 더 낮은 수준의 합금을 갖고 이는 유의미한 차이로 존재한다. 추가 실시 예에서, 더 작은 분말은 적어도 두 개의 원소에 있어서 더 낮은 수준의 합금을 갖고 이는 유의미한 차이로 존재한다. 추가 실시 예에서, 더 작은 분말은 적어도 세 개의 원소에 있어서 더 낮은 수준의 합금을 갖고 이는 유의미한 차이로 존재한다. 추가 실시 예에서, 더 작은 분말은 적어도 다섯 개의 원소에 있어서 더 낮은 수준의 합금을 갖고 이는 유의미한 차이로 존재한다. 일 실시 예에서, 용어 원소/원소들은 주기율표의 임의의 원소를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 용어 원소/원소들은 주기율표에서 원소번호 5에서 95 사이의 임의의 원소를 의미한다. 추가 대안적 에서, 용어 원소/원소들은 주기율표에서 원소번호 12에서 88 사이의 임의의 원소를 의미한다. 추가 대안적 에서, 용어 원소/원소들은 주기율표에서 원소번호 22에서 43 사이의 임의의 원소를 의미한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 작은 분말에 있어서 몇 가지 특성들이 관찰될 때 이는 특히 흥미롭다. 일 에서, 더 작은 분말은 카보닐 공정(carbonyl process)을 통해 제조된다. 일 에서, 더 작은 분말은 특히 낮은 수준의 간극(interstitials)을 갖는다. 일 에서, 더 작은 분말은 특히 낮은 수준의 산소를 갖는다. 일 에서, 더 작은 분말은 특히 낮은 수준의 질소를 갖는다. 일 에서, 더 작은 분말은 특히 낮은 수준의 탄소를 갖는다. 다른 실시 예들에서, 특히 낮은 수준은 1900ppm 이하, 900ppm 이하, 400ppm 이하, 190ppm 이하, 90ppm 이하, 그리고 심지어 19ppm 이하를 의미한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도하게 낮은 수준은 유리하게 작용하지 않는다. 다른 실시 예들에서, 특히 낮은 수준은 0.1ppm 미만, 1.1ppm 미만, 11ppm 미만, 21ppm 미만, 그리고 심지어 100ppm 미만이 되어서는 아니된다. 일 실시 예에서, 간극들 중 최소 일부의 수준은 특정 대기와 분말의 상호작용으로 인해 바람직한 수준까지 끌어올려진다. 일 실시 예에서, 간극들 중 최소 일부의 수준은 분말 환원으로 인해 바람직한 수준까지 끌어올려진다. 일 실시 예에서, 간극들 중 적어도 일부의 수준은 본 문서 내 서술된 극초단파(microwaves)의 도움으로 분말을 처리하는 방법을 사용함으로써 바람직한 수준까지 끌어올려진다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 큰 분말 내 간극의 적어도 일부 수준을 통제하는 것이 흥미롭다. 일 실시 예에서, 더 작은 분말에 있어서 간극의 특정 유형에 관해 위에서 언급된 내용은 더 큰 분말에 또한 적용된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 매우 까다로운 어플리케이션에 있어서, 분말 혼합물의 단 두 개의 분말 만을 통제하는 것으로는 충분하지 않으며 적어도 제3분말이 엄격하게 모니터링되어야 한다. 일 실시 예에서, 제3분말은 기준 분말과 비교하여 적어도 하나의 원소에 있어서 유의미한 차이를 보여야 한다. 추가 실시 예에서, 분말 중 하나는 기준 분말과 비교해서 적어도 두 개의 원소에 있어서 유의미한 차이를 보여야 한다. 추가 실시 예에서, 분말 중 하나는 기준 분말과 비교하여 적어도 세 개의 원소에 있어서 유의미한 차이를 보여야한다. 추가 실시 예에서, 분말 중 하나는 기준 분말과 비교해 적어도 네 개의 원소에 있어서 유의미한 차이를 보여야한다. 추가 실시 예에서, 분말 중 하나는 기준 분말과 비교해 적어도 다섯 개의 원소에 있어서 유의미한 차이를 보여야한다. 일 실시 예에서, 기준 분말은 더 작은 분말이다. 일 실시 예에서, 기준 분말은 더 큰 분말이다. 일 실시 예에서, 기준 분말은 더 작은 분말과 더 큰 분말이다. 일 실시 예에서, 더 큰 분말은 제3분말보다 (앞서 언급된 용어로) 더 "크다". 일 실시 예에서, 더 작은 분말은 제3분말보다 (앞서 언급된 용어로) 더 "크다". 일 실시 예에서, 적어도 제4분말 유형은 엄격히 통제되어야 하고, 제4분말과 제3분말이 지정된 범위 내에 있으나 특징적인 하나 혹은 여러 개의 특성에 대해 서로 다를 수 있음에도 불구하고, 앞서 제3분말에 대해 언급된 부분들은 제4분말에도 또한 적용이 가능하다. 일 실시 예에서, 적어도 제5분말 유형은 엄격하게 통제되어야 하며, 제3분말과 제5분말이 지정된 범위 내에 있으나 특징적인 하나 혹은 여러 개의 특성에 대해 서로 다를 수 있음에도 불구하고, 앞서 제3분말에 대해 언급된 부분들은 제5분말에도 또한 적용이 가능하다. 일 실시 예에서, 적어도 제6분말 유형은 엄격히 통제되어야 하고, 제3분말과 제6분말이 지정된 범위 내에 있으나 특징적인 하나 혹은 여러 개의 특성에 대해 서로 다를 수 있음에도 불구하고, 앞서 제3분말에 대해 언급된 부분들은 제6분말에도 또한 적용이 가능하다. 일부 어플리케이션들의 경우, 합금이 첨가된 분말들 중 적어도 하나를 갖는 것이 흥미롭다. 일 실시 예에서, 분말 중 하나는 확산 접합 합금(diffusion bonded alloying)을 갖는다. 일 실시 예에서, 더 큰 분말은 확산 접합 합금을 갖는다. 일 실시 예에서, 분말 중 하나는 균질하게 합금된다. 일 실시 예에서, 더 큰 분말은 균질하게 합금된다. 일 실시 예에서, 균질하게 합금됨의 의미는 적어도 하나의 합금 원소의 함량에 있어서 (앞서 언급된 바와 같이) 유의미한 차이를 보이는 두 개의 임계 부피를 찾을 수 없음(유의미한 차이가 발생하는 일부 원소가 있을 수 있지만, 해당 차이를 보이지 않는 적어도 하나의 원소가 존재함)이다. 일 실시 예에서, 균질하게 합금됨의 의미는 적어도 두 개의 합금 원소의 함량에 있어서 유의미한 차이를 보이는 두 개의 임계 부피를 찾을 수 없음을 말한다. 추가 실시 예에서, 균질하게 합금됨의 의미는 적어도 세 개의 합금 원소의 함량에 있어서 유의미한 차이를 보이는 두 개의 임계 부피를 찾을 수 없음을 말한다. 추가 실시 예에서, 균질하게 합금됨의 의미는 적어도 네 개의 합금 원소의 함량에 있어서 유의미한 차이를 보이는 두 개의 임계 부피를 찾을 수 없음을 말한다. 추가 실시 예에서, 균질하게 합금됨의 의미는 적어도 다섯 개의 합금 원소의 함량에 있어서 유의미한 차이를 보이는 두 개의 임계 부피를 찾을 수 없음을 말한다. 일 실시 예에서, 임계 부피는 분말 입자의 총 부피의 50%이다. 추가 실시 예에서, 임계 부피는 분말 입자의 총 부피의 30%이다. 추가 실시 예에서, 임계 부피는 분말 입자의 총 부피의 25%이다. 추가 실시 예에서, 임계 부피는 분말 입자의 총 부피의 10%이다. 일 실시 예에서, 임계 부피는 분말의 총 부피의 50%이다. 추가 실시 예에서, 임계 부피는 분말의 총 부피의 25%이다. 추가 실시 예에서, 임계 부피는 분말의 총 부피의 10%이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 큰 분말의 유의미한 합금 중 일부가 더 작은 분말의 평균 합금과 적어도 일부 유의미하게 현존하는 원소에 있어서 일치한다는 점이 흥미롭다. 일 실시 예에서, 더 큰 분말은 적어도 두 개의 더 작은 분말의 평균과 비교할 때 적어도 하나의 유의미하게 현존하는 원소에 대해 비슷한 합금 수준을 제시한다. 추가 실시 예에서, 적어도 세 개의 유의미하게 현존하는 원소에 대해 동일하게 적용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 네 개의 유의미하게 현존하는 원소에 대해 동일하게 적용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 다섯 개의 유의미하게 현존하는 원소에 대해 동일하게 적용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 여섯 개의 유의미하게 현존하는 원소에 대해 동일하게 적용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 세 개의 더 작은 분말의 평균에 대해 동일하게 적용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 더 작은 분말과 제3분말의 평균에 대해 동일하게 적용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 더 작은 분말의 평균과 제3분말, 제4분말에 대해 동일하게 적용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 더 작은 분말의 평균과 제 3분말, 제4분말, 그리고 제5분말에 대해 동일하게 적용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 더 작은 분말의 평균과 대형 분말이 아닌 적어도 다른 하나의 분말에 대해 동일하게 적용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 더 작은 분말의 평균과 대형 분말이 아닌 적어도 두 개 이상의 분말에 대해 동일하게 적용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 더 작은 분말의 평균과 대형 분말이 아닌 적어도 세 개 이상의 분말에 대해 동일하게 적용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 더 작은 분말의 평균과 대형 분말이 아닌 적어도 네 개 이상의 분말에 대해 동일하게 적용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 더 작은 분말의 평균과 대형 분말이 아닌 적어도 다섯 개 이상의 분말에 대해 동일하게 적용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 더 작은 분말의 평균과 대형 분말이 아닌 적어도 여섯 개 이상의 분말에 대해 동일하게 적용된다. 일 실시 예에서, 비슷한 합금 수준은 관심 원소의 평균 합금 수준이1.9 x LEV와 0.2 x LEV 사이임을 의미하며, 여기서LEV는 해당 원소에 대한 더 큰 분말의 합금 수준이다. 추가 실시 예에서, 1.74 x LEV와 0.6 x LEV 사이일 때 동일하게 적용된다. 추가 실시 예에서, 1.44 x LEV와 0.7 x LEV 사이일 때 동일하게 적용된다. 추가 실시 예에서, 1.19 x LEV와 0.81 x LEV 사이일 때 동일하게 적용된다. 추가 실시 예에서, 1.09 x LEV와 0.91 x LEV 사이일 때 동일하게 적용된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 큰 분말이 전체 합금에 대해 적어도 2개의 유의미하게 존재하는 일부 원소에 있어서 비슷한 합금 수준(소결 이후의 합금화 수준 및 분말 혼합물의 소결 및 HIP을 말함)을 보인다는 점이 흥미롭다. 일 실시 예에서, 더 큰 분말은 전체 합금에 대해 최소 하나의 유의미하게 존재하는 원소에 있어서 비슷한 합금 수준을 보인다. 일 실시 예에서, 더 큰 분말은 전체 합금에 대해 최소 두 개의 유의미하게 존재하는 원소에 있어서 비슷한 합금 수준을 보인다. 일 실시 예에서, 더 큰 분말은 전체 합금에 대해 최소 세 개의 유의미하게 존재하는 원소에 있어서 비슷한 합금 수준을 보인다. 일 실시 예에서, 더 큰 분말은 전체 합금에 대해 최소 네 개의 유의미하게 존재하는 원소에 있어서 비슷한 합금 수준을 보인다. 일 실시 예에서, 더 큰 분말은 전체 합금에 대해 최소 다섯 개의 유의미하게 존재하는 원소에 있어서 비슷한 합금 수준을 보인다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 현재 발명의 방법이 적용되는 일부 어플리케이션들에 있어서, 간극이 아닌 유의미하게 존재하는 여러 원소와 합금된 대형 분말을 갖는 것이 유리한 것으로 밝혀졌다. 일 실시 예에서, 더 큰 분말은 유의미하게 존재하는 원소의 일부에서 전체 합금과 유사한 합금 수준을 갖지만, 낮은 %C를 보인다. 일 실시 예에서, 더 큰 분말은 유의미하게 존재하는 원소의 일부에서 전체 합금과 유사한 수준의 합금 수준을 갖지만, 낮은 %N를 보인다. 일 실시 예에서, 더 큰 분말은 유의미하게 존재하는 원소의 일부에서 전체 합금과 유사한 수준의 합금 수준을 갖지만, 낮은 % B를 보인다. 일부 어플리케이션들의 경우, %B의 경우 더 큰 분말의 합금 수준이 전체 합금과 비슷한 수준이거나 심지어 약간 더 높다는 흥미로운 사실이 발견되었다. 일 실시 예에서, 더 큰 분말은 %B에 있어서 전체 합금과 비슷한 합금 수준을 갖는다. 일 실시 예에서, 더 큰 분말은1.06*%B보다 큰 %B에 있어서 전체 합금과 비슷한 수준의 합금 수준을 보인다. 일 실시 예에서, 더 큰 분말은1.12*%B보다 큰 %B에 있어서 전체 합금과 비슷한 수준의 합금 수준을 보인다. 일 실시 예에서, 더 큰 분말은1.26*%B보다 큰 %B에 있어서 전체 합금과 비슷한 수준의 합금 수준을 보인다. 일 실시 예에서, 전체 합금과 비교하여 더 큰 분말의 누락된 %C의 적어도 일부분은 흑연으로 도입된다. 일 실시 예에서, 전체 합금과 비교하여 더 큰 분말의 누락된 %C의 적어도 일부분은 더 작은 분말과 함께 도입된다. 일 실시 예에서, 전체 합금과 비교하여 더 큰 분말의 누락된 %C의 적어도 일부분은 다른 분말 중 하나와 함께 도입된다. 일 실시 예에서, 전체 합금과 비교해서 더 큰 분말의 누락된 %C의 적어도 일부는 제3분말로 도입된다. 일 실시 예에서, 일 실시 예에서, 전체 합금과 비교해서 더 큰 분말의 누락된 %N의 적어도 일부는 질화물(nitride)로 도입된다. 일 실시 예에서, 전체 합금과 비교해서 더 큰 분말의 누락된 %N의 적어도 일부는 프로세싱 대기에서 가스로 도입된다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %Mo이다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %Mn이다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %Ni이다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %V이다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %Al이다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %Ti이다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %Cr이다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %Nb이다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %Si이다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %W이다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %Ta이다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %Fe이다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %Co이다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %Zr이다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %Be이다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %Sn이다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %Zn이다. 일 실시 예에서, 합금 원소 중 하나는 %B이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 바람직한 인터락킹 효과에 도달하기 위해서는 충진 밀도 및 패킹 밀도를 올바르게 선택하는 것이 중요하다. 일 실시 예에서, 충진 밀도는 모든 분말의 상대 밀도이다. 대안적 일 실시 예에서, 충진 밀도는 금속성 분말의 상대 밀도이다. 추가 대안적 실시 예에서, 충진 밀도는 분말들이 압축되기 직전에 측정된다. 추가 대안적 실시 예에서, 충진 밀도는 분말들이 압력을 받기 직전에 측정된다. 추가 대안적 실시 예에서, 충진 밀도는 점결제에 의해 분말들이 결합된 직후 측정된다. 추가 대안적 실시 예에서, 충진 밀도는 점결제가 제거된 직후 갈색 구성요소에서 측정된다. 다른 실시 예들에서, 올바른 충진 밀도는 42% 이상, 52% 이상, 62% 이상, 66% 이상, 70.5% 이상, 72% 이상, 74% 이상, 그리고 심지어 76% 이상이다. 몇몇의 어플리케이션에서, 과도한 충진 밀도는 인터락킹 효과에 불균일성을 초래한다. 다른 실시 예들에서, 올바른 충진 밀도는 89% 이하, 84% 이하, 79% 이하, 그리고 심지어 74.5% 이하다. 일 실시 예에서, 올바른 충진 밀도를 달성하기 위한 과정에는 진동이 포함된다. 일 실시 예에서, 올바른 충진 밀도를 달성하기 위한 과정에는 탭핑이 포함된다. 일 실시 예에서, 혼합물의 분말 중 적어도 하나는 %Y, %Sc, 및/혹은 %REE를 포함한다. 일 실시 예에서, 조성에 관한 언급 사항일 때, "미만", "초과", "이상", "이하", "로부터", "까지", "만큼", "적어도", "그 이상", "보다 큰", "보다 작은", "더 이상"과 같은 용어의 사용은 그 다음에 하위 범위로 분할될 수 있고 서로 상호 배타적이지 않은 경우 모든 임의의 조성에 있어서 다른 보다 크고/크거나 작은 한계값과 결합될 수 있음을 의미한다. 일 실시 예에서, 혼합물의 분말 중 적어도 하나는 %Y를 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 %Y를 포함한다. 다른 실시 예들에서, %Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Y는 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Y는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일 실시 예에서, 혼합물의 분말 중 적어도 하나는 %Sc를 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 %Sc를 포함한다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc는 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 %Sc+%Y를 포함한다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Y+%Sc는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일 실시 예에서, 혼합물의 분말들 중 적어도 하나는 %REE를 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 %REE를 포함한다. 다른 실시 예들에서, %REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt% 초과다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %REE는 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %REE는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 %Sc+%Y+%REE을 포함한다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y+%REE는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, Sc+%Y+%REE는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 특별한 언급이 없는 한, "%REE"는 본 문서 전체에 걸쳐 아래에 상세히 설명되는 다양한 대안의 형태로 정의된다. 일 실시 예에서, %REE는 임의의 액티나이드 원소(actinide element)이다. 대안적 일 실시 예에서, %REE는 임의의 란타나이드 원소(lanthanide element)이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %La + %Ce + %Pr + %Nd + %Pm + %Sm + %Eu + %Gd + %Tb + %Dy + %Ho + %Er + %Tm + %Yb + %Lu의 총합이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %Ac + %Th + %Pa + %U + %Np + %Pu + %Am +% Cm + %Bk +%Cf + %Es + %Fm + %Md + %No + %Lr의 총합이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 란타나이드와 액티나이드의 합이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %La이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %Ac이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %Ce이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %Nd이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %Gd이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %Sm이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %Pr이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %Pm이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %Eu이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %Tb이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %Dy이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %Ho이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %Er이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %Tm이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %Yb이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %Lu이다. 추가 대안적 실시 예에서, %REE는 %Cs로 부분적으로 혹은 전체적으로 대체된다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 않는다면, %REE와 관련된 본 문서 내에 공개된 다른 실시 예와 어떤 조성으로든 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 %O를 포함한다. 다른 실시 예들에서, 혼합물의 %O는 8ppm, 22ppm, 110ppm, 210ppm, 510ppm, 그리고 심지어 1010ppm을 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %O는 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, 혼합물의 %O 함량은 2900ppm, 1900ppm, 900ppm, 그리고 심지어 490ppm 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O와 %Y+%Sc 혹은 대안적으로 %Y 혹은 대안적으로 %Y+%Sc+%REE와의 관계는 최종 구성요소의 최적의 기계적 특성(해당 경우, 백분율은 원자 백분율을 의미함)을 위해 통제되어야 한다는 사실이 발견되었다. 일 실시 예에서, KYO1*atm%O＜atm%Y＜KYO2*atm%O 가 충족되어야 하며, 여기서 atm%O는 산소의 원자 백분율을 의미하고 atm%Y은 이트륨의 원자 백분율을 의미한다. 추가 실시 예의 경우, KYO1*atm%O＜atm%Y+atm%Sc＜KYO2*atm%O 이다. 추가 실시 예에서, KYO1*atm%O＜atm%Y+atm%Sc+atm%REE＜KYO2*atm%O 이며, 여기서 %REE는 앞서 정의된 바와 동일하다. 다른 실시 예들에서, KYO1는 0.01, 0.1, 0.2, 0.4, 0.6, 그리고 심지어 0.7이다. 다른 실시 예들에서, KYO2는 0.5, 0.66, 0.75, 0.85, 1, 그리고 심지어 5이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 염기가 Ti가 아닐 때, %Y는 부분적으로 %Ti로 대체될 수 있다. 일 실시 예에서, %Y의 적어도 12wt%가 %Ti로 대체된다. 추가 실시 예에서, %Y의 적어도 22wt%가 %Ti로 대체된다. 추가 실시 예에서, %Y의 적어도 42wt%가 %Ti로 대체된다. 추가 실시 예에서, %Y의 적어도 62wt%가 %Ti로 대체된다. 추가 실시 예에서, %Y의 적어도 82wt%가 %Ti로 대체된다. 몇가지 어플리케이션에서, %Y는 %Ti로 완전히 대체될 수 있다. 일 실시 예에서, %Y는 %Ti로 대체된다. 그러나 대부분의 어플리케이션은 이러한 전체 교체로 인해 어려움을 겪는다. 일 실시 예에서, %Y의 92wt%를 초과해서는 %Ti로 대체되지 않는다. 추가 실시 예에서, %Y의 82wt%를 초과해서는 %Ti로 대체되지 않는다. 추가 실시 예에서, %Y의 62wt%를 초과해서는 %Ti로 대체되지 않는다. 추가 실시 예에서, %Y의 42wt%를 초과해서는 %Ti로 대체되지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 염기가 Fe, Ti, Ni, Cu 또는 Al일 때, 더 큰 분말이 %Y, %Sc, %REE 및/또는 %Ti을 포함하는 분말인 경우 상당히 흥미롭다. 일 실시 예에서, 적어도 더 큰 분말은 해당 문단에서 서술된 용어로서의 %Y, %Sc, %REE 및/혹은 %Ti을 포함한다. 추가 실시 예에서, 오로지 더 큰 분말만이 해당 문단에서 서술된 용어로서의 %Y, %Sc, %REE 및/혹은 %Ti을 포함한다. 추가 실시 예에서, 적어도 더 큰 분말은 사전 합금화된 형태로 해당 문단에서 서술된 용어로서의 %Y, %Sc, %REE 및/혹은 %Ti을 포함한다. 추가 실시 예에서, 적어도 더 큰 분말은 사전 합금화된 형태로 해당 문단에서 서술된 용어로서의 %Y, %Sc, %REE 및/혹은 %Ti을 포함하고 모든 분말(모든 분말의 평균 조성)의 가중치 합은 (해당 문단에서 서술된 관점에서) 해당 원소들의 합금 수준과 비슷하다. 추가 실시 예에서, 적어도 더 큰 분말은 사전 합금화된 형태로 해당 분맥에서 서술된 용어로서의 %Y, %Sc, %REE 및/혹은 %Ti을 포함하고 적어도 다른 분말(혼합물 내 존재하는 다른 분말들 중 일부의 평균 조성) 중 일부의 가중치 합은 해당 원소들의 합금 수준과 비슷하다. 이 단락에 기술된 분말 혼합물에 대한 수천 가지 예와 추가적인 제한들이 다양한 어플리케이션에 관심을 갖고 있으며, 광범위한 목록은 합리적이지 않아 보이기 때문에, 본 발명자는 다음 단락(하나의 그러한 예가 포함된 각 단락은 함량과 결합력 측면에서 본 단락의 연속으로 간주되어야 하지만, 가독성을 위해 분리됨)에 기술되는 실례를 제시하기 위해 일부만을 선별했다. 또한, 해당 단락에서 다음의 명명법이 선택되었다: LP - 큰 분말; SP - 작은 분말; AP1, AP2, AP3, AP4… - (앞서 서술된 바와 같은) 다른 유의미한 분말, APx - SP 및 LP 외의 유의미한 분말을 총칭함. 일 실시 예에서, SP 및 LP는 동일한 분말이다. 일 실시 예에서, SP 및 LP는 동일한 조성을 갖는다.
대부분의 플라스틱 사출 주형을 포함한 일부 어플리케이션들의 경우, 열전도성이 최대한 높고 특히 인성과 충분한 항복 강도 측면에서 기계적 특성이 우수한 강을 갖는 것이 흥미로우며, 여기서 마찰 성능은 종종 문제가 되지 않는다. 반면 분말 혼합에 대비된 공식화는 그 자체로 발명을 구성할 수 있다. 어떤 경우에는, 또한 최종 전반의 조성이 독자적인 발명을 구성할 수도 있다. 이러한 일부 어플리케이션들의 경우, 본 발명자는 다음의 분말 혼합물(최소 LP와 SP을 포함함)에 흥미가 있다는 것을 발견했다:
LP는 다음의 조성을 포함하는 분말이며, 모든 백분율은 가중치로 표시되었다: %Mo: 0 - 3.9; %W: 0 - 3.9; %Moeq: 0.6 - 3.9; %Ceq: 0 - 0.49; %C: 0 - 0.49; %N: 0 - 0.2; %B: 0 - 0.8; %Si: 0 - 2.5 ; %Mn: 0 - 2.9 ; %Ni: 0 - 2.9 ; %Mn+2*%Ni: 0 -3.8 ; %Cr: 0 - 2.9; %V: 0 - 2.9; %Nb: 0 - 2.9; %Zr: 0 - 3.9; %Hf: 0 - 2.9; %Ta: 0 - 2.9; %S: 0 - 0.8; %P: 0 - 0.8; %Pb: 0 - 1.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.8; %Se: 0 - 0.8; %Co: 0 - 3.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 - 0.299; 철과　미량　원소들로 구성된　나머지;　여기서　%Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B　이고　%Moeq=%Mo+1/2*%W그리고　여기서　%REE　는　앞서　정의된　바와　동일하다. 일 실시 예에서, 미량 원소는 H, He, Xe, F, Ne, Na, Cl, Ar, K, Br, Kr, Sr, Tc, Ru, Rh, Ti, Pd, Ag, I, Ba, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Po, At, Rn, Fr, Ra, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Li, Be, Mg, Ca, Rb, Zn, Cd, Al, Ga, In, Ge, Sn, Sb, As, Te, Ds, Rg, Cn, Nh, Fl, Mc, Lv, Ts, Og, 그리고 Mt를 포함하지만 해당 원소로만 제한되지는 않는 여러 원소를 의미한다. 일 실시 예에서, 미량 원소는 위에 나열된 원소들 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 예들에서, 임의의 미량 원소의 함량은 1.8wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만으로 선호된다. 미량 원소는 생산 비용을 줄이는 것과 같은 특정한 기능을 달성하기 위해 의도적으로 강에 추가되기도 하고/하거나 그 존재는 의도되지 않을 수 있으며 대개 합금 원소 내 불순물과 강 생산에 사용되는 스크랩의 존재와 연관되어 있다. 미량 원소의 존재가 강의 전반적인 특성을 저하시키는 몇몇의 어플리케이션이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 2.0wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.06wt% 미만이다. 주어진 어플리케이션에 있어서 강에 미량 원소가 없는 것이 선호되는 일부 실시 예들이 있다. 반면에, 미량 원소의 존재가 선호되는 몇몇의 어플리케이션들이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 0.0012wt% 초과, 0.012wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.55wt% 초과이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Y의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Y의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Y는0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.18wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 그리고 심지어0.18wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc+%Y의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, (앞서 정의된) %REE의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %REE의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %REE는1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 원소에서 발생하는 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특정 함량의 %Sc+%Y+%REE가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y+%REE 는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일부 실시 예들에서, 앞서 공개된 %O, %Cs, %Y, %Sc, %REE 및/혹은 %Ti의 함량은 또한 LP 조성에 적용될 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 원자 함량과 %Y+%Sc 혹은 대안적으로 %Y 혹은 대안적으로 %Y+%Sc+%REE 사이의 관계는 앞서 공개된 공식에 따라 최적의 기계적 특성을 위해 통제되어야 한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %O는 8 ppm 초과, 22 ppm 초과, 110 ppm 초과, 210 ppm 초과, 510 ppm 초과, 그리고 심지어 1010 ppm을 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %O는 2990 ppm 미만, 1900 ppm 미만, 900 ppm 미만, 그리고 심지어 490 ppm 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.01wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.11wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.21wt% 초과, 그리고 심지어0.26wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %C의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.28wt% 초과, 그리고 심지어 0.31wt% 초과, 0.34wt% 초과, 0.36wt% 초과, 그리고 심지어0.416wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리한 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %C는0.44wt% 미만, 0.39wt% 미만, 0.29wt% 미만, 그리고 심지어 0.24wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들은 이미 노출된 일반화된 방법으로 낮은 격자간 함량 수준(interstitial content level)에서 이익을 얻지만, 일부 어플리케이션들은 격자간 수준을 다소 다르게 통제함으로써 훨씬 더 나은 결과를 제공한다. 다른 실시 예들에서, %C는 2890 ppm 미만, 890 ppm 미만, 490 ppm 미만, 196 ppm 미만, 그리고 심지어 96 ppm 미만으로 유지된다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ceq의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.19wt% 초과, 0.23wt% 초과, 그리고 심지어0.26wt%를 초과한다.일부 어플리케이션들의 경우, 높은 내마멸성(wear resistance) 혹은 미세한 베이나이트(bainite)가 바람직한 경우에 대해 %Ceq 함량이 높은 것이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.28wt% 초과, 0.32wt% 초과, 0.37wt% 초과, 그리고 심지어0.42wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 너무 높은 %Ceq 수준은 적용되는 열 처리와 관계없이 요구되는 성질 및 탄화물(carbides: 질화물 nitrides, 붕화물 borides, 산화물 oxides, 혹은 조합 combinations)의 완전성을 달성하는 것을 불가능하게 한다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.44wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.17wt% 미만, 그리고 심지어 0.1wt% 미만이다. 앞서 공개된 바와 같이, 일부 어플리케이션들은 낮은 격자간 함량 수준으로부터 이점을 얻는다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 890 ppm 미만, 490 ppm 미만, 90 ppm 미만, 그리고 심지어 40 ppm 미만으로 유지된다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %N의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.009wt% 초과, 0.09wt% 초과,그리고 심지어0.01wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %N의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.06wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어 0.13wt%를 초과한다. 앞서 공개된 바와 같이, 일부 엎플리케이션은 낮은 격자간 함량 수준으로부터 이점을 얻는다. 다른 실시 예들에서, %N는 1900 ppm 미만, 900 ppm 미만, 490 ppm 미만, 190 ppm 미만, 90 ppm 미만, 그리고 심지어 40 ppm 미만으로 유지된다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 0.3wt% 초과, 0.6wt% 초과, 1.1wt% 초과,그리고 심지어1.4wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 높은 열 전도도를 위해 더 높은 %Mo이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 1.6wt% 초과, 1.8wt% 초과, 2.1wt% 초과,그리고 심지어3.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리한 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Mo는2.9wt% 미만, 2.4wt% 미만, 1.7wt% 미만, 1.3wt% 미만, 0.94wt% 미만, 그리고 심지어 0.49wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 실시 예들에서, %Mo는 부분적으로 %W로 대체될 수 있다. 해당 치환은 %Moeq의 측면에서 이루어진다. 다른 실시 예들에서, %Mo의 %W로의 치환은 74wt%보다 낮고, 59wt%보다 낮고, 39wt%보다 낮고, 또 심지어 14wt%보다 낮다. 열전도도가 최대화되어야 하지만 열피로는 조절되어야 하는 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo가 %W보다 1.2배에서 3배 더 큰 것이 선호되며, %W의 부재는 허용되지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, 높은 열 전도도를 위해 더 높은 %Moeq이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 1.3wt% 초과, 1.6wt% 초과, 1.8wt% 초과, 2.1wt% 초과, 그리고 심지어 2.6wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Moeq의 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 3.4wt% 미만, 2.9wt% 미만, 2.6wt% 미만, 2.4wt% 미만, 2.2wt% 미만, 그리고 심지어 1.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Moeq가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 1.6wt% 미만, 1.4wt% 미만, 1.1wt% 미만, 0.9wt% 미만, 그리고 심지어 0.74wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %W의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.26wt% 초과, 0.86wt% 초과, 1.16wt% 초과, 그리고 심지어1.66wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %W의 함량은 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, % W는 2.4wt% 미만, 1.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %W가 선호된다. 다른 실시 예들에서, % W는 0.8wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.39wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %V의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %V는 0.06wt% 초과, 0.17wt% 초과, 0.21wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어 0.76wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %V의 함량은 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %V는 2.3wt% 미만, 1.8wt% 미만, 1.3wt% 미만, 그리고 심지어 0.98wt% 미만이다. 본 발명자는 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %V가 선호됨을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %V는 0.89wt% 미만, 0.49wt% 미만, 0.19wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 놀랍게도, (앞서 정의된) "적절한 기하학적 설계 전략"을 사용할 때, 의도된 LP에서 통제된 수준의 %B를 가짐으로써 엄청난 결과를 달성할 수 있다는 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, %B는1 ppm 초과, 11 ppm 초과, 21 ppm 초과, 31 ppm 초과, 그리고 심지어 51 ppm을 초과하여 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 놀랍게도 구성요소의 최종 특성이 LP 내 오히려 높은 함량의 %B를 사용함으로써 향상될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, %B는 61 ppm 초과, 111 ppm 초과, 221 ppm 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어 0.6wt% 초과로 유지된다. 심지어 이러한 어플리케이션 중 일부에서도, 결국 과도한 함량의 %B는 해롭다. 다른 실시 예들에서, %B는 0.4wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt%미만으로 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %B는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %B는 400 ppm 미만, 190 ppm 미만, 90 ppm 미만, 40 ppm 미만, 그리고 심지어 9 ppm 미만으로 유지된다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cr의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다.다른 실시 예들에서, %Cr는 0.16wt% 초과, 0.56wt% 초과, 0.86wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어 1.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 만약 매우 높은 열전도도가 요구된다면, 종종 과도한 함량의 %Cr을 피하는 것이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Cr은 2.1wt% 미만, 1.7wt% 미만, 1.3wt% 미만, 그리고 심지어 0.8wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Cr가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr은 0.7wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.19wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ni의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ni는 0.12wt% 초과, 0.31wt% 초과, 0.61wt% 초과, 1.16wt% 초과, 그리고 심지어 1.7wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량의 %Ni는 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ni는 2.4wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.94wt 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.1wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 본 발명가가 페라이트(ferritic/perlitic) 구역에서 조합 내에서 사용되거나 %Ni의 대체물으로서 사용될 수 있는 경화능(hardenability)에 기여하는 것만큼 강력하거나 적어도 정미적이라고 발견한 다른 원소들이 있다, 가장 중요한 것은 %Cu 및 %Mn이며, 더 적은 정도의 %Si이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Si의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Si는 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.51wt% 초과, 그리고 심지어 0.76wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Si의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Si는 1.1wt% 초과, 1.4wt% 초과, 1.6wt% 초과, 1.8wt% 초과, 그리고 심지어 2.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Si는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Si는 1.94wt% 미만, 1.6wt% 미만, 1.2wt% 미만, 그리고 심지어 0.84wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Si가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Si는 0.64wt% 미만, 0.49wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mn의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다.다른 실시 예들에서, %Mn는 0.1wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.56wt% 초과, 0.86wt% 초과, 그리고 심지어 1.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량의 %Mn는 기계적 특성에 불리한 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 2.4wt% 미만, 1.7wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.94wt% 미만, 그리고 심지어 0.79wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Mn가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Co의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Co는 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.51wt% 초과, 그리고 심지어 1.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Co는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Co는 2.4wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.19wt% 미만, 그리고 심지어 0.02wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Pb의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.0006wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어 0.52wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Pb는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 1.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.02wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Bi의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Bi 는 0.0002wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.14wt% 초과, 그리고 심지어 0.51wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Bi는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Bi는 0.4wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.01wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Se의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다.다른 실시 예들에서, %Se 는 0.0006wt% 초과, 0.05wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어 0.51wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Se는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Se는 0.44wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.13wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Hf의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Hf는 0.08wt% 초과, 0.25wt% 초과, 0.51wt% 초과, 그리고 심지어0.76wt%를 초과한다. 본 발명자는 높은 인성 수준을 요구하는 어플리케이션의 경우, %Hf 및/혹은 %Zr의 함량이 너무 높으면 안된다는 것을 발견했는데, 이는 응력 상승제로서 작용을 하는 크고 다각형의 1차 탄화물을 형성하는 경향이 있기 때문이다. 다른 실시 예들에서, %Hf는1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.98wt% 미만, 0.49wt% 미만, 그리고 심지어 0.4wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Hf가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Hf는 0.24wt% 미만, 0.12wt% 미만, 0.08wt% 미만, 그리고 심지어 0.002wt% 미만이다. 강탄화물 성형제의 존재가 유리하지만 제조 비용이 중요한 일부 어플리케이션들의 경우, %Zr의 존재가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Zr는 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어0.52wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr는2.8wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.5wt% 미만, 0.94wt% 미만, 그리고 심지어 0.44wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Zr가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Zr는0.3wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.004wt% 미만이다. 일부 실시 예들의 경우, %Zr 및/또는 %Hf는 부분적으로 혹은 전체적으로 %Ta로 치환이 가능하다. 다른 실시 예들에서, %Hf 및/또는 %Zr 양의 26wt% 이상이 %Ta로 대체될 수 있고, %Hf 및/또는 %Zr 양의 56wt% 이상이 %Ta로 대체될 수 있으며, 심지어 %Hf 및/또는 %Zr 양의 76wt% 이상이 %Ta로 대체될 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는 0.0009wt% 초과, 0.009wt% 초과, 0.01wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어 0.11wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ta+%Zr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는 2.4wt% 미만, 0.94wt% 미만, 0.44wt% 미만, 그리고 심지어 0.24wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 내마멸성에 대해 %Hf 및/또는 %Zr의 존재가 긍정적인 영향을 미칠 수 있다, 만약 이 값이 크게 증가하면, %Ta 혹은 심지어 %Nb와 같은 다른 강탄화물 성형제 또한 사용될 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 0.1wt% 초과, 0.56wt% 초과, 0.76wt% 초과, 그리고 심지어 1.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 1.9wt% 미만, 0.94wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.14wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %P의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %P는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.009wt% 초과, 0.01wt% 초과,그리고 심지어0.12wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %P는 높은 열전도도를 위해 가능한 낮게 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %P는0.6wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.08wt% 미만, 0.04wt% 미만, 0.009wt% 미만, 그리고 심지어 0.004wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %P가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %P는0.0009wt% 미만, 0.0007wt% 미만, 그리고 심지어 0.0004wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %S의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %S는 0.006wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어 0.15wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %S는 높은 열전도도를 위해 가능한 낮게 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %S는0.4wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.04wt% 미만, 그리고 심지어 0.009wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %S가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %S는0.0008wt% 미만, 0.0006wt% 미만, 0.0004wt% 미만, 그리고 심지어 0.0001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mn+2*%Ni의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Mn+2*%Ni는 0.06wt% 이상, 0.12wt% 이상, 0.21wt% 이상, 0.56wt% 이상, 0.76wt% 이상, 1.2wt% 이상, 1.56wt% 이상, 그리고 심지어, 2.16wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mn+2*%Ni는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mn+2*%Ni는 3.4wt% 이하, 2.9wt% 이하, 1.4wt% 이하, 1.2wt% 이하, 0.89wt% 이하, 0.74wt% 이하이며, 그리고 심지어0.48wt% 이하다. 놀랍게도, 통제된 %B의 존재는 일부 어플리케이션들의 경우 바람직한 %Mn+2*%Ni 수준에 강한 영향을 미치는 것으로 보이며, 일부 어플리케이션들은 그러한 존재로부터 큰 이익을 얻고 일부 어플리케이션들은 반대로 그로 인해 어려움을 겪는다. 다른 실시 예들에서, %B가 12ppm을 초과하는 양으로 존재할 때, %Mn+2*%Ni는0.01wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.46wt% 초과, 0.86wt% 초과, 그리고 심지어 1.56wt%를 초과하여 유지된다. 언급된 바와 같이, 일부 어플리케이션들(열전달을 수반하는 일부 어플리케이션들을 포함함)은 높은 수준의 %Mn+2*%Ni와 %B의 동시발생 실재성으로부터 이득을 얻지 못한다. 다른 실시 예들에서, %B가 12ppm을 초과하여 존재할 때, %Mn+2*%Ni는 1.96wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.46wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만으로 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cu+%Ni의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Cu+%Ni는 0.26wt% 초과, 0.56wt% 초과, 0.76wt% 초과, 그리고 심지어 1.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cu+%Ni는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Cu+%Ni는 3.9wt% 미만, 2.4wt% 미만, 1.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.9wt% 미만이다. 앞서 공개된 모든 상한 및 하한은 상호 배타적이지 않는 한, 임의의 어떤 조합으로도 결합될 수 있다: 예를 들어, 일 실시 예에서, %C=0 - ＜0.39, 혹은 예를 들어, 일 실시 예에서, %Sc+%Y+%REE =0 -＜ 0.96, 여기서 %REE는 란탄계열 원소(lanthanides) 및 악티늄 원소(actinides)의 합이다; 혹은 예를 들어, 일 실시 예에서, %Mn+2*%Ni=0.06-3.4wt%, 혹은 예를 들어, 일 실시 예에서, %Mn+2*%Ni=0.21-1.2wt% 이다. 대부분의 어플리케이션은 앞서 언급된 더 큰 분말의 일반적인 크기 범위로부터 이점을 얻지만, 일부 어플리케이션들에서는 다소 다른 크기 분포로부터 이점을 얻는다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) LP에 대한 "분말 크기 임계 측정값"는 2 microns이상, 22 microns이상, 42 microns이상, 52 microns이상, 102 microns이상, 그리고 심지어 152 microns이상 이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도하게 큰 크기의 임계 측정값은 특히 일부 미세한 세부 기하학에 대해 처리하기 어렵다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) LP에 대한 "분말 크기 임계 측정값"은 1990 microns이하, 1490 microns이하, 990 microns이하, 490 microns이하, 290 microns이하, 190 microns이하, 그리고 심지어 90 microns이하다. 일부 어플리케이션들의 경우 더 큰 분말 제조법은 최종 구성요소의 달성 가능한 특성에 대해 현저한 영향을 미치는 것으로 드러났다. 일 실시 예에서, LP는 (앞서 정의된) 비구형 분말이다. 일 실시 예에서, LP는 물 분무된다. 일 실시 예에서, LP는 물 분무된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, LP는 (앞서 정의된) 구형 분말이다. 일 실시 예에서, LP는 원심 분무된다. 일 실시 예에서, LP는 원심 분무된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, LP는 기계적으로 파쇄(crushed)된다. 일 실시 예에서, LP는 파쇄된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, LP는 환원된다. 일 실시 예에서, LP는 환원된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, LP는 가스 분무된다. 일 실시 예에서, LP는 가스 분무된 분말을 포함한다.
SP는 다음의 조성을 갖는 분말이고, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %Mo: 0 - 0.9; %W: 0 - 0.9; %Moeq: 0 - 0.9; %Ceq: 0 - 2.9; %C: 0 - 2.9; %N: 0 - 0.2; %B: 0 - 0.8; %Si: 0 - 0.9 ; %Mn: 0 - 1.9 ; %Ni: 0 - 2.9 ; %Mn+2*%Ni: 0 -3.8 ; %Cr: 0 - 1.9; %V: 0 - 0.9; %Nb: 0 - 0.9; %Zr: 0 - 0.4; %Hf: 0 - 0.4; %Ta: 0 - 0.4; %S: 0 - 0.2; %P: 0 - 0.09; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 1.9; %Bi: 0 - 0.2; %Se: 0 - 0.2; %Co: 0 - 1.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 - 0.299; 철과　미량　원소들로 구성된　나머지;　여기서　%Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B　이고　%Moeq=%Mo+1/2*%W;　그리고　여기서　%REE　는　앞서　정의된　바와　동일하다. 일 실시예에서, 미량원소는 별도로 명확히 지시하지 않는 경우, H, He, Xe, F, Ne, Na, Cl, Ar, K, Br, Kr, Sr, Tc, Ru, Rh, Ti, Pd, Ag, I, Ba, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Po, At, Rn, Fr, Ra, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Li, Be, Mg, Ca, Rb, Zn, Cd, Al, Ga, In, Ge, Sn, Sb, As, Te, Ds, Rg, Cn, Nh, Fl, Mc, Lv, Ts, Og 및 Mt을 포함하지만 해당 원소만으로 제한되지는 않는 수 개의 원소를 의미한다. 일 실시 예에서, 미량 원소는 위에 나열된 원소들 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 예들에서, 임의의 미량 원소의 함량은 1.8wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만으로 선호된다. 미량 원소는 생산 비용을 줄이는 것과 같은 특정한 기능을 달성하기 위해 의도적으로 강에 추가되기도 하고/하거나 그 존재는 의도되지 않을 수 있으며 대개 합금 원소 내 불순물과 강 생산에 사용되는 스크랩의 존재와 연관되어 있다. 미량 원소의 존재가 강의 전반적인 특성을 저하시키는 몇몇의 어플리케이션이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 2.0wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.06wt% 미만이다. 주어진 어플리케이션에 있어서 강에 미량 원소가 없는 것이 선호되는 일부 실시 예들이 있다. 반면에, 미량 원소의 존재가 선호되는 몇몇의 어플리케이션들이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 0.0012wt% 초과, 0.012wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.55wt% 초과이다. 그리고 여기서 %REE 는 앞서 정의된 바와 동일하다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Y의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Y는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Y는 0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.18wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt% 혹은 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 원소에서 발생할 수 있는 원소의 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc는0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 심지어 0.18wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc+%Y의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, (앞서 정의된) %REE의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %REE는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %REE는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 원소에서 발생할 수 있는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc+%Y+%REE의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y+%REE는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다.일부 실시 예들에서, %O, %Cs, %Y, %Sc, %REE 및/혹은 %Ti의 함량에 대해 앞서 언급된 내용은 SP의 조성에도 또한 적용될 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O와 %Y+%Sc 혹은 대안적으로 %Y 혹은 대안적으로 %Y+%Sc+%REE의 원자 함량 사이의 관계는 앞서 공개된 공식에 따라 최적의 기계적 특성을 위해 제어되어야 한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %O는 8ppm 초과, 22ppm초과, 110ppm 초과, 210ppm초과, 510ppm 초과, 그리고 심지어1010ppm를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %O는 기계적 성능을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %O는 2990 ppm 미만, 1900 ppm 미만, 900 ppm 미만, 그리고 심지어 490 ppm미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.001wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.07wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어 0.12wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 탄화물 성형제 함량이 증가할 때, 이 원소들과 결합하기 위해 %C 또한 증가되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.14wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.21wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.28wt% 초과, 그리고 심지어0.56wt%를 초과한다. 개선된 내마멸성을 요구하는 일부 어플리케이션들의 경우 훨씬 더 높은 %C의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.66wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.52wt% 초과, 그리고 심지어 1.9wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %C는1.94wt% 미만, 1.48wt% 미만, 1.44wt% 미만, 심지어 0.94wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %C가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %C는0.7wt% 미만, 0.32wt% 미만, 0.28wt% 미만, 0.23wt% 미만, 0.14wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ceq의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.001wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.21wt% 초과, 그리고 심지어 0.23wt%를 초과한다. 본 발명자는 본 발명 내 높은 인성과 함께 양호한 내마멸성을 요구하는 일부 어플리케이션들의 경우 더 높은 함량의 %Ceq가 선호된다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.26wt% 초과, 0.29wt% 초과, 0.31wt% 초과, 그리고 심지어 0.51wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Ceq 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.61wt% 초과, 0.91wt% 초과, 1.3wt% 초과, 그리고 심지어 1.8wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 너무 높은 수준의 %Ceq는 적용된 열처리에 관계없이 요구된 성질과 탄화물(질화물, 붕화물, 산화물 혹은 해당 조합)의 완전성을 달성하는 것을 불가능하게 한다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 2.3wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 1.2wt% 미만, 그리고 심지어 0.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Ceq가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.49wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.29wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.13wt% 미만, 그리고 심지어 0.07wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %N의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.0002wt% 초과, 0.0009wt% 초과, 0.002wt% 초과, 0.008wt% 초과, 그리고 심지어 0.02wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %N의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.07wt% 초과, 0.08wt% 초과, 0.096wt% 초과, 0.11wt% 초과, 그리고 심지어0.12wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %N는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %N는0.19wt% 미만, 0.15wt% 미만, 0.08wt% 미만, 0.02wt% 미만, 그리고 심지어 0.002wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Mo 는 0.001wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어 0.31wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 높은 열전도도를 위해 더 높은 함량의 %Mo가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 0.36wt% 초과, 0.41wt% 초과, 0.48wt% 초과, 그리고 심지어 0.51wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mo는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 0.74wt% 미만, 0.59wt% 미만, 0.49wt% 미만, 0.29wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.1wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 실시 예들에서, %Mo는 부분적으로 %W로 치환될 수 있다. 해당 치환은 %Moeq의 측면에서 이루어진다. 다른 실시 예들에서, %Mo의 %W로의 치환은 69wt%보다 낮고, 54wt%보다 낮고, 34wt%보다 낮고, 또 심지어 12wt%보다 낮다. 열전도도가 최대화되어야 하지만 열피로는 조절되어야 하는 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo가 %W보다 1.2배에서 3배 더 큰 것이 선호되며, %W의 부재는 허용되지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Moeq의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 해당 치환은 %Moeq의 측면에서 발생한다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.009wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.3wt% 초과, 0.46wt% 초과, 그리고 심지어 0.6wt%를 초과한다. 반면, 너무 높은 수준의 %Moeq는 열전도도에 부정적인 영향을 미칠 수 있는 상황을 초래한다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.84wt% 미만, 0.74wt% 미만, 0.59wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.29wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 %Moeq의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.24wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 원소에 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %W의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %W 는 0.001wt% 초과, 0.03wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어 0.36wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량의 %W는 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.84wt% 미만, 0.64wt% 미만, 그리고 심지어 0.49wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %W가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.38wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.09wt% 미만이거나 심지어 의도된 %W가 전혀 없다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %V의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %V는 0.001wt% 초과, 0.04wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어 0.26wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %V는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %V는 0.8wt% 미만, 0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만이고, 그리고 심지어 0.3wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %V가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %V는 0.24wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 본 발명가는 놀랍게도 일부 어플리케이션들의 경우, 소량의 %B가 열전도도를 높이는데 긍정적인 영향을 미친다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %B는 2ppm 초과, 16ppm 초과, 61ppm 초과, 그리고 심지어86ppm를 초과한다. 본 발명가는 일부 어플리케이션들의 경우, 달성 가능한 베이나이트 미세 구조에 눈에 띄는 영향을 미치기 위해서는 %B가 페라이트 구역에서 경화능을 증가시키는데 요구되는 함량보다 다소 높은 함량으로 존재해야함을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %B는 90ppm 초과, 126ppm 초과, 206ppm 초과, 그리고 심지어326ppm를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %B의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %B는 0.09wt% 초과, 0.11wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어0.4wt%를 초과한다. 반면, 과도한 붕화물이 형성되면, 인성에 미치는 영향은 상당히 해로울 수 있다. 다른 실시 예들에서, %B는0.74wt% 미만, 0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.12wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %B가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %B는740ppm 미만, 490ppm 미만, 140ppm 미만, 80ppm 미만, 그리고 심지어 40ppm 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cr의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Cr는 0.0009wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.56wt% 초과, 0.86wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어1.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 만약 매우 높은 열전도도가 요구된다면, 과도한 함량의 %Cr을 피하는 것이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Cr는 1.8wt% 미만, 1.6wt% 미만, 1.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Cr가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr는 0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.14wt% 미만, 그리고 심지어 0.08wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ni의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ni는 0.001wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.51wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어1.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ni의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ni는1.9wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.94wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.14wt% 미만, 그리고 심지어 0.009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 본 발명자가 페라이트 구역에서 조합 내에서 사용되거나 %Ni의 대체물로서 사용될 수 있는 경화능에 기여하는 것만큼 강력하거나 적어도 정미적이라고 발견한 다른 원소들이 있는데, 가장 중요한 것은 %Cu 및 %Mn이며, 더 적은 정도의 %Si이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Si의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Si는 0.0009wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.31wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어 0.71wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량의 %Si는 기계적 특성에 불리한 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Si는 0.8wt% 미만, 0.6wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.2wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정한 어플리케이션의 경우 모든 선택적 원소에서 일어날 수 있는 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mn의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 0.001wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.36wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어 1.2wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mn는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 1.6wt% 미만, 1.4wt% 미만, 1.1wt% 미만, 0.9wt% 미만, 그리고 심지어 0.7wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Mn가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 0.5wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Co의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Co는 0.0009wt% 초과, 0.05wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.21wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어 1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Co는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Co는 1.2wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.01wt% 미만, 그리고 심지어 0.004wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Pb의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.0002wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어 0.56wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Pb는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.04wt% 미만, 그리고 심지어 0.0009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Bi의 존재가 바람직하나, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Bi는 0.0009wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어 0.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Bi는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Bi는 0.14wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.009wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Se의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Se는 0.0001wt% 초과, 0.005wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.08wt% 초과, 그리고 심지어 0.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Se는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Se는 0.12wt% 미만, 0.07wt% 미만, 0.009wt% 미만, 그리고 심지어 0.0009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 강탄화물 성형제의 존재가 유리하지만 제조 비용이 중요한 일부 어플리케이션들의 경우, %Zr의 존재가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Zr는 0.006wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어 0.12wt%를 초과한다. 본 발명자는 높은 인성 수준을 요구하는 어플리케이션의 경우, %Hf 및/혹은 %Zr의 함량이 너무 높으면 안된다는 것을 발견했는데, 이는 응력 상승제로서 작용을 하는 크고 다각형의 1차 탄화물을 형성하는 경향이 있기 때문이다. 다른 실시 예들에서, %Zr는 0.28wt% 미만, 0.18wt% 미만, 0.13wt% 미만, 0.08wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Hf의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Hf는 0.008wt% 초과, 0.05wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어0.11wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량의 %Hf는 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Hf는 0.29wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Zr 및/혹은 %Hf은 부분적으로 혹은 전체적으로 %Ta로 치환될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 25wt%을 초과하는 %Hf 및/혹은 %Zr은 %Ta로 치환되고 50wt%을 초과하는 %Hf 및/혹은 %Zr은 %Ta로 치환되며, 그리고 심지어 75wt%을 초과하는 %Hf 및/혹은 %Zr은 %Ta로 치환된다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는 0.012wt% 초과, 0.0009wt% 초과, 0.009wt% 초과, 0.01wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어 0.11wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ta+%Zr은 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는 0.4wt% 미만, 0.18wt% 미만, 0.004wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 내마멸성과 관련해서 %Hf 및/혹은 %Zr의 존재는 긍정적인 효과가 있다. 만약 이 값이 크게 증가하면 %Ta 혹은 심지어 %Nb와 같은 다른 강탄화물 형성제 또한 사용될 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 0.001wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.36wt% 초과, 0.46wt% 초과, 그리고 심지어 0.76wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한%Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는0.9wt% 미만, 0.46wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.16wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %P의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %P는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.008wt%, 그리고 심지어0.01wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %P 및/혹은 %S은 높은 열전도도를 위해 최대한 낮게 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %P는 0.08wt% 미만, 0.04wt% 미만, 0.02wt% 미만, 그리고 심지어 0.002wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %S의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %S는 0.006wt% 초과, 0.016wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.18wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량의 %S는 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %S는 0.14wt% 미만, 0.08wt% 미만, 0.04wt% 미만, 0.03wt% 미만, 0.01wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mn+2*%Ni의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Mn+2*%Ni는 0.08wt% 이상, 0.16wt% 이상, 0.23wt% 이상, 0.58wt% 이상, 0.81wt% 이상, 1.26wt% 이상, 1.56wt% 이상, 그리고 심지어 2.16wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mn+2*%Ni는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mn+2*%Ni는 3.2wt% 이하, 2.7wt% 이하, 1.6wt% 이하, 1.26wt% 이하, 0.78wt% 이하, 0.69wt% 이하, 0.44wt% 이하이며, 그리고 심지어0.09wt% 이하다. 다른 실시 예들에서 공개된 모든 상한 및 하한은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 서로간 임의의 조성으로 결합될 수 있으며 그 예로는 다음이 있다: 일 실시 예에서, %Mn+2*%Ni= 0.08 - 3.2wt%; 혹은 예를 들어 추가 실시 예에서, %Mn+2*%Ni=0.23-1.26wt%. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cu+%Ni의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Cu+%Ni는 0.001wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.36wt% 초과, 0.51wt% 초과, 0.66wt%를 초과한다.일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cu+%Ni는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Cu+%Ni는 2.4wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 앞서 공개된 모든 상한 및 하한은 서로 상호 배타적이지 않는 한, 서로간 임의의 조성으로 결합될 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, SP가 LP와 유사한 조성을 갖는 경우 훨씬 더 잘 작동한다. 일 실시 예에서, LP와 SP는 동일한 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 LP에 대해 앞서 서술한 조성 범위 내에 속하는 조성을 가진다. 일 실시 예에서, LP와 SP는 동일한 조성을 갖는다. 일 실시 예에서, SP는 (앞서 정의된) 구형이다. 일 실시 예에서, SP는 가스 분무된 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 가스 분무화를 포함하는 시스템으로 분무된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, SP는 원심 분무된 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 원심 분무화를 포함하는 시스템으로 분무된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, SP는 가스 카보닐 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 카보닐 공정을 통해 얻어진 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, SP는 산화물 환원을 통해 얻어진 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 환원된 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 카보닐 철 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 카보닐 철 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, SP는 (앞서 정의된) 비구형 분말이다. 비록 대부분의 어플리케이션의 경우 SP에 관해 서술된 일반적인 규율이 적용되지만, 일부 구체적인 어플리케이션의 경우, 본 조성의 SP에 대해 다소 다른 크기 제약을 사용하는 것이 더 낫다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) SP에 대한 "분말 크기 임계 측정값"은 0.6 nanometers 이상, 52 nanometers 이상, 602 nanometers 이상, 1.2 microns 이상, 6 microns 이상, 12 microns 이상, 그리고 심지어 32 microns 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 일부 미세 정밀 기하학의 경우 지나치게 큰 크기의 임계 측정값은 처리하기 어렵다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) SP에 대한 "분말 크기 임계 측정값"은 990 microns 이하, 490 microns 이하, 190 microns 이하, 90 microns 이하, 19 microns 이하, 9 microns 이하, 890 nanometers 이하, 그리고 심지어 490 nanometers 이하다.
일 실시 예에서, SP 및 LP의 혼합물은 다음의 조성을 갖는 분말 AP1을 추가로 포함한다:
AP1은 다음의 조성을 갖는 분말로, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %Moeq: 40 - 99.999; %Mo: 0 - 99.999; %W: 0 - 99.9; %Ceq: 0 - 2.99; %C: 0 - 2.99; %N: 0 - 2.2; %B: 0 - 2.9; %O: 0 - 8; %Cr: 0 - 9; %V: 0 - 5; %Mn+%Ni+%Si: 0 - 12; 철과　미량원소들로　구성된　나머지;　여기서　%Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B이고, %Moeq=%Mo+1/2*%W이다. 일 실시예에서, 미량원소는 별도로 명확히 지시하지 않는 경우, H, He, Xe, F, S, P, Pb, Cu, Co, Ta, Zr, Nb, Hf, Cs, Y, Sc, Ne, Na, Cl, Ar, K, Br, Kr, Sr, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, I, Ba, Re, Os, Ir, Ti, Pt, Au, Hg, Tl, Po, At, Rn, Fr, Ra, Ac, Th, Pa, U, Np, Pu, Am, Cm, Bk, Cf, Es, Fm, Md, No, Lr, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Li, Be, Mg, Ca, Rb, Zn, Cd, Al, Ga, In, Ge, Sn, Bi, Sb, As, Se, Te, Ds, Rg, Cn, Nh, Fl, Mc, Lv, Ts, Og 및 Mt 을 포함하지만 해당 원소만으로 제한되지는 않는 수 개의 원소를 의미한다. 일 실시 예에서, 미량 원소는 위에 나열된 원소들 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 예들에서, 임의의 미량 원소의 함량은 1.8wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만으로 선호된다. 미량 원소는 생산 비용을 줄이는 것과 같은 특정한 기능을 달성하기 위해 의도적으로 강에 추가되기도 하고/하거나 그 존재는 의도되지 않을 수 있으며 대개 합금 원소 내 불순물과 강 생산에 사용되는 스크랩의 존재와 연관되어 있다. 미량 원소의 존재가 강의 전반적인 특성을 저하시키는 몇몇의 어플리케이션이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 2.0wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.06wt% 미만이다. 주어진 어플리케이션에 있어서 강에 미량 원소가 없는 것이 선호되는 일부 실시 예들이 있다. 반면에, 미량 원소의 존재가 선호되는 몇몇의 어플리케이션들이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 0.0012wt% 초과, 0.012wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.55wt% 초과이다. 일 실시 예에서, AP1는 존재하지 않는다. 일 실시 예에서, AP1의 %는 존재하는 %Moeq와 함수 관계에 있으며, AP1의 %에 대해 주어진 값은 AP1의 %Moeq가 기여하는 값을 의미하기 때문에 %AP1의 실제 함량은 그보다 더 높다. 다른 실시 예들에서, %Mo은 52wt% 이상, 56wt% 이상, 61wt% 이상, 71wt% 이상, 81wt% 이상, 그리고 심지어 91wt%이상 높다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Mo는84wt% 미만, 74wt% 미만, 54wt% 미만, 39wt% 미만, 그리고 심지어 24wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 다른 실시 예들에서, %Moeq은 51wt% 이상, 53wt% 이상, 57wt% 이상, 63wt% 이상, 72wt% 이상, 82wt% 이상, 그리고 심지어 93wt%이상 높다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Moeq의 함량은 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 89wt% 미만, 79wt% 미만, 69wt% 미만, 59wt% 미만이고, 그리고 심지어 49wt%.미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %W의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %W은 0.011wt% 이상, 1.6wt% 이상, 6.1wt% 이상, 21.6wt% 이상, 그리고 심지어 51wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %W는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %W는 84wt% 미만, 44wt% 미만, 24wt% 미만, 9wt% 미만, 그리고 심지어 4.9wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mn+%Ni+%Si의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Mn+%Ni+%Si은 0.001wt% 이상, 0.12wt% 이상, 0.8wt% 이상, 1.58wt% 이상, 2.6wt% 이상, 3.26wt% 이상, 4.56wt% 이상, 그리고 심지어 6.16wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mn+%Ni+%Si는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mn+%Ni+%Si는6.4wt% 미만, 3.4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ceq의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.01wt% 초과, 0.21wt% 초과, 0.51wt% 초과, 1.2wt% 초과, 그리고 심지어1.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ceq의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는2.5wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 그리고 심지어 0.4wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.006wt% 초과, 0.01wt% 초과, 0.11wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어1.16wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %C는2.49wt% 미만, 1.89wt% 미만, 1.39wt% 미만, 0.89wt% 미만, 그리고 심지어 0.39wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %N의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %N은 0.009wt% 이상, 0.21wt% 이상, 0.41wt% 이상, 1.1wt% 이상, 그리고 심지어 1.56wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %N는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %N는1.49wt% 미만, 0.89wt% 미만, 0.39wt% 미만, 0.14wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %B의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %B은 0.0009wt% 이상, 0.01wt% 이상, 0.31wt% 이상, 1.06wt% 이상, 그리고 심지어 1.56wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %B는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %B는1.9wt% 미만, 0.79wt% 미만, 0.29wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %O은 0.0006wt% 이상, 0.001wt% 이상, 0.12wt% 이상, 1.26wt% 이상, 그리고 심지어 1.6wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %O의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %O은 2.1wt% 이상, 2.56wt% 이상, 3.12wt% 이상, 4.1wt% 이상, 그리고 심지어 5.1wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %O는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %O는4.9wt% 미만, 0.79wt% 미만, 0.29wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %O가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %O는149ppm미만, 99ppm 미만, 49ppm 미만, 29ppm 미만, 그리고 심지어 4ppm 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cr의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Cr은 0.1wt% 이상, 0.51wt% 이상, 0.81wt% 이상, 1.21wt% 이상, 그리고 심지어 1.56wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Cr의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr은 2.1wt% 이상, 2.51wt% 이상, 3.1wt% 이상, 4.1wt% 이상, 그리고 심지어 6.1wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Cr는7.9wt% 미만, 5.9wt% 미만, 4.4wt% 미만, 3.1wt% 미만, 그리고 심지어 2.49wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Cr가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr는1.89wt% 미만, 1.49wt% 미만, 0.98wt% 미만, 0.19wt% 미만, 그리고 심지어 0.1wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %V의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %V은 0.0006wt% 이상, 0.01wt% 이상, 0.21wt% 이상, 0.81wt% 이상, 그리고 심지어 1.06wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %V는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %V는3.9wt% 미만, 2.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.89wt% 미만, 그리고 심지어 0.39wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 올바른 AP1 크기를 선택하는 것은 중요하다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) AP1에 대한 "분말 크기 임계 측정값"은 0.6 nanometers 이상, 2 nanometers 이상, 52 nanometers 이상, 202 nanometers 이상, 그리고 심지어 32 microns 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도하게 큰 크기의 임계 측정값은 특히 일부 미세 정밀 기하학에서 다루기 어렵다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) AP1에 대한 분말 크기 임계 측정값은 990 microns 이하, 490 microns 이하, 190 microns 이하, 90 microns 이하, 19 microns 이하, 그리고 심지어 490 nanometers 이하다. 일부 어플리케이션들의 경우, 상기 실시 예들 중 하나에서 정의된 분말 AP1의 조성은 본 문서 전반에 걸쳐 공개된 다른 분말 혼합물 혹은 특히 각각에 유리하게 첨가될 수 있으며, 본 문서 전반에 걸쳐 서술된 LP와 SP의 혼합물 중 하나에 첨가될 수 있다. 따라서, 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 서로간 또는 본 문서에서 공개된 분말 AP1과 관련된 다른 실시 예와 결합될 수 있다.
일 실시 예에서, LP와 SP의 혼합물은 분말 AP2를 추가로 포함한다. 일 실시 예에서, %C의 함량이 높은 분말 AP2 또한 있다. 일 실시 예에서, AP2의 %C 함량은 최소 33wt%이다. 일 실시 예에서, AP2의 %C 함량은 최소 66wt%이다. 일 실시 예에서, AP2의 %C 함량은 최소 86wt%이다. 일 실시 예에서, AP2의 %C 함량은 최소 93wt%이다. 일 실시 예에서, AP2는 %C와 미량 원소들이다. 일 실시 예에서, AP2의 %C는 최소 52%의 흑연으로 구성된다. 일 실시 예에서, AP2의 %C는 최소 52%의 합성 흑연으로 구성된다. 일 실시 예에서, AP2의 %C는 최소 52%의 천연 흑연으로 구성된다. 일 실시 예에서, AP2의 %C는 최소 52%의 풀러렌 탄소로 구성된다. 일 실시 예에서, AP2는 존재하지 않는다. 일 실시 예에서, AP1의 분말 크기 임계 측정값에 관해 언급된 내용은 AP2에 또한 적용된다. 일 실시 예에서, AP2는 %C와 미량 원소들을 포함한다. 일 실시예에서, 미량원소는 별도로 명확히 지시하지 않는 경우, H, He, Xe, F, S, P, B, Mo, W, N, Si, Mn, Ni, Cr, V, Pb, Cu, Co, Fe, O, Ta, Zr, Nb, Hf, Cs, Y, Sc, Ne, Na, Cl, Ar, K, Br, Kr, Sr, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, I, Ba, Re, Os, Ir, Ti, Pt, Au, Hg, Tl, Po, At, Rn, Fr, Ra, Ac, Th, Pa, U, Np, Pu, Am, Cm, Bk, Cf, Es, Fm, Md, No, Lr, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Li, Be, Mg, Ca, Rb, Zn, Cd, Al, Ga, In, Ge, Sn, Bi, Sb, As, Se, Te, Ds, Rg, Cn, Nh, Fl, Mc, Lv, Ts, Og 및 Mt 을 포함하지만 해당 원소만으로 제한되지는 않는 수 개의 원소를 의미한다. 일 실시 예에서, 미량 원소는 위에 나열된 원소들 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 예들에서, 임의의 미량 원소의 함량은 1.8wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만으로 선호된다. 미량 원소는 생산 비용을 줄이는 것과 같은 특정한 기능을 달성하기 위해 의도적으로 강에 추가되기도 하고/하거나 그 존재는 의도되지 않을 수 있으며 대개 합금 원소 내 불순물과 강 생산에 사용되는 스크랩의 존재와 연관되어 있다. 미량 원소의 존재가 강의 전반적인 특성을 저하시키는 몇몇의 어플리케이션이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 2.0wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.06wt% 미만이다. 주어진 어플리케이션에 있어서 강에 미량 원소가 없는 것이 선호되는 일부 실시 예들이 있다. 반면에, 미량 원소의 존재가 선호되는 몇몇의 어플리케이션들이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 0.0012wt% 초과, 0.012wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.55wt% 초과이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 상기 실시 예들 중에서 정의된 분말 AP2의 조성은 본 문서 전반에 걸쳐 공개된 다른 분말 혼합물 혹은 특히 각각에 유리하게 첨가될 수 있으며, 본 문서 전반에 걸쳐 서술된 LP와 SP의 혼합물 중 하나에 첨가될 수 있다. 따라서, 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 서로간 또는 본 문서에서 공개된 분말 AP2과 관련된 다른 실시 예와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, AP2는 카보닐 철 분말을 포함한다. 다른 실시 예들에서, 분말 혼합물 내 카보닐 철 분말의 부피 백분율은 10vol% 이상, 20% 이상, 그리고 심지어 30vol% 이상이다. 특정 어플리케이션의 경우, 혼합물 내 카보닐 철 분말의 부피 백분율은 통제되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 분말 혼합물 내 카보닐 철 분말의 부피 백분율은 60vol% 이하, 50vol% 이하, 40vol% 이하, 그리고 심지어 30vol% 이하다.
일 실시 예에서, SP와 LP의 혼합물은 분말 AP3을 추가로 포함한다.
AP3은 다음의 조성을 갖는 분말로, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %Mn+%Ni+%Si: 22 - 99.999; %Moeq: 0 - 9.0; %Mo: 0 - 9.0; %W: 0 - 9.0; %Ceq: 0 - 2.99; %C: 0 - 2.99; %N: 0 - 2.2; %B: 0 - 2.9; %O: 0 - 8; %Cr: 0 - 9; %V: 0 - 5; 철과　미량원소들로　구성된　나머지;　여기서　%Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B이고, %Moeq=%Mo+1/2*%W이다. 일 실시예에서, 미량원소는 별도로 명확히 지시하지 않는 경우, H, He, Xe, F, S, P, Cu, Pb, Co, Ta, Zr, Nb, Hf, Cs, Y, Sc, Ne, Na, Cl, Ar, K, Br, Kr, Sr, Tc, Ru, Rh, Ti, Pd, Ag, I, Ba, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Po, At, Rn, Fr, Ra, Ac, Th, Pa, U, Np, Pu, Am, Cm, Bk, Cf, Es, Fm, Md, No, Lr, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Li, Be, Mg, Ca, Rb, Zn, Cd, Al, Ga, In, Ge, Sn, Bi, Sb, As, Se, Te, Ds, Rg, Cn, Nh, Fl, Mc, Lv, Ts, Og 및 Mt 을 포함하지만 해당 원소만으로 제한되지는 않는 수 개의 원소를 의미한다. 일 실시 예에서, 미량 원소는 위에 나열된 원소들 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 예들에서, 임의의 미량 원소의 함량은 1.8wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만으로 선호된다. 미량 원소는 생산 비용을 줄이는 것과 같은 특정한 기능을 달성하기 위해 의도적으로 강에 추가되기도 하고/하거나 그 존재는 의도되지 않을 수 있으며 대개 합금 원소 내 불순물과 강 생산에 사용되는 스크랩의 존재와 연관되어 있다. 미량 원소의 존재가 강의 전반적인 특성을 저하시키는 몇몇의 어플리케이션이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 2.0wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.06wt% 미만이다. 주어진 어플리케이션에 있어서 강에 미량 원소가 없는 것이 선호되는 일부 실시 예들이 있다. 반면에, 미량 원소의 존재가 선호되는 몇몇의 어플리케이션들이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 0.0012wt% 초과, 0.012wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.55wt% 초과이다. 일 실시 예에서, AP3는 존재하지 않는다. 일 실시 예에서, AP3의 %는 존재하는 %Moeq와 함수 관계에 있으며, AP3의 %에 대해 주어진 값은 AP3의 %Moeq가 기여하는 값을 의미하기 때문에, %AP3의 실제 함량은 그보다 더 높다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 0.009wt% 이상, 1.2wt% 이상, 2.6wt% 이상, 3.1wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우 더 높은 함량의 %Mo가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo은 4.1wt% 이상, 5.1wt% 이상, 그리고 심지어 7.1wt%이상 높다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mo는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mo는7.9wt% 미만, 4.9wt% 미만, 3.4wt% 미만, 2.49wt% 미만, 1.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.89wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Mn+%Ni+%Si의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn+%Ni+%Si은 31wt% 이상, 42wt% 이상, 51wt% 이상, 71wt% 이상, 그리고 심지어 86wt%이상 높다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mn+%Ni+%Si는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mn+%Ni+%Si는94wt% 미만, 79wt% 미만, 64wt% 미만, 49wt% 미만, 그리고 심지어 34wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Moeq의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Moeq은 0.001wt% 이상, 0.12wt% 이상, 0.8wt% 이상, 1.58wt% 이상, 2.6wt% 이상, 3.26wt% 이상, 4.56wt% 이상, 그리고 심지어 6.16wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Moeq는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는8.4wt% 미만, 6.4wt% 미만, 3.4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ceq의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.02wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.56wt% 초과, 1.26wt% 초과, 그리고 심지어1.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ceq는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는2.5wt% 미만, 1.8wt% 미만, 1.3wt% 미만, 0.8wt% 미만, 그리고 심지어 0.3wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.01wt% 초과, 0.21wt% 초과, 0.51wt% 초과, 1.21wt% 초과, 그리고 심지어1.56wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %C는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %C는2.4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.74wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.29wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %N의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %N은 0.009wt% 이상, 0.21wt% 이상,0.41wt% 이상, 1.1wt% 이상, 그리고 심지어 1.56wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %N는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %N는1.49wt% 미만, 0.89wt% 미만, 0.39wt% 미만, 0.14wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %B의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %B은 0.0009wt% 이상, 0.01wt% 이상, 0.31wt% 이상, 1.06wt% 이상, 그리고 심지어 1.56wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %B는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %B는1.9wt% 미만, 0.79wt% 미만, 0.29wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %O은 0.0006wt% 이상, 0.001wt% 이상, 0.12wt% 이상, 1.26wt% 이상, 그리고 심지어 1.6wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %O의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %O은 2.1wt% 이상, 2.56wt% 이상, 3.12wt% 이상, 4.1wt% 이상, 그리고 심지어 5.1wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %O는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %O는4.9wt% 미만, 0.79wt% 미만, 0.29wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %O가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %O는149ppm 미만, 99ppm 미만, 49ppm 미만, 29ppm 미만, 그리고 심지어 4ppm 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cr의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Cr은 0.1wt% 이상, 0.51wt% 이상, 0.81wt% 이상, 1.21wt% 이상, 그리고 심지어 1.56wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Cr의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr은2.1wt% 이상, 2.51wt% 이상, 3.1wt% 이상, 4.1wt% 이상, 그리고 심지어 6.1wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Cr는7.9wt% 미만, 5.9wt% 미만, 4.4wt% 미만, 3.1wt% 미만, 그리고 심지어 2.49wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Cr가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr는1.89wt% 미만, 1.49wt% 미만, 0.98wt% 미만, 0.19wt% 미만, 그리고 심지어 0.1wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %V의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %V은 0.0006wt% 이상, 0.01wt% 이상, 0.21wt% 이상, 0.81wt% 이상, 그리고 심지어 1.06wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %V는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %V는3.9wt% 미만, 2.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.89wt% 미만, 그리고 심지어 0.39wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일 실시 예에서, AP1의 분말 크기 임계 측정값에 대해 언급된 내용은 또한 AP3에도 적용이 가능하다. 일부 어플리케이션들의 경우, 상기 실시 예들 중에 정의된 분말 AP3의 조성은 본 문서 전체에 걸쳐 공개된 다른 분말 혼합물 혹은 특히 각각에 유리하게 첨가될 수 있으며, 본 문서 전반에 걸쳐 서술된 LP와 SP의 혼합물 중 임의의 하나에 첨가될 수 있다. 따라서, 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 않는 한, 서로간 혹은 본 문서에서 공개된 분말 AP3과 관련한 다른 실시 예와 결합될 수 있다.
일 실시 예에서, LP와 SP의 혼합물은 분말 AP4를 추가적으로 포함한다.
AP4는 다음의 조성을 갖는 분말로, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %V+%Moeq+%Mn+%Ni+%Si : 40 - 99.999; %Mo: 0 - 99.999; %W: 0 - 99.9; %Ceq: 0 - 2.99; %C: 0 - 2.99; %N: 0 - 2.2; %B: 0 - 2.9; %O: 0 - 8; %Cr: 0 - 9; %V: 0 - 99.99; %Mn+%Ni+%Si: 0 - 82; 철과　미량원소들로　구성된　나머지;　여기서　%Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B이고, %Moeq=%Mo+1/2*%W이다. 일 실시예에서, 미량원소는 별도로 명확히 지시하지 않는 경우, H, He, Xe, F, S, P, Cu, Co, Pb, Ta, Zr, Nb, Hf, Cs, Y, Sc, Ne, Na, Cl, Ar, K, Br, Kr, Sr, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, I, Ba, Re, Os, Ir, Ti, Pt, Au, Hg, Tl, Po, At, Rn, Fr, Ra, Ac, Th, Pa, U, Np, Pu, Am, Cm, Bk, Cf, Es, Fm, Md, No, Lr, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Li, Be, Mg, Ca, Rb, Zn, Cd, Al, Ga, In, Ge, Sn, Bi, Sb, As, Se, Te, Ds, Rg, Cn, Nh, Fl, Mc, Lv, Ts, Og 및 Mt 을 포함하지만 해당 원소만으로 제한되지는 않는 수 개의 원소를 의미한다. 일 실시 예에서, 미량 원소는 위에 나열된 원소들 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 예들에서, 임의의 미량 원소의 함량은 1.8wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만으로 선호된다. 미량 원소는 생산 비용을 줄이는 것과 같은 특정한 기능을 달성하기 위해 의도적으로 강에 추가되기도 하고/하거나 그 존재는 의도되지 않을 수 있으며 대개 합금 원소 내 불순물과 강 생산에 사용되는 스크랩의 존재와 연관되어 있다. 미량 원소의 존재가 강의 전반적인 특성을 저하시키는 몇몇의 어플리케이션이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 2.0wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.06wt% 미만이다. 주어진 어플리케이션에 있어서 강에 미량 원소가 없는 것이 선호되는 일부 실시 예들이 있다. 반면에, 미량 원소의 존재가 선호되는 몇몇의 어플리케이션들이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 0.0012wt% 초과, 0.012wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.55wt% 초과이다. 일 실시 예에서, AP4는 존재하지 않는다. 일 실시 예에서, AP4의 %는 존재하는 %V+%Moeq+%Mn+%Ni+%Si와 함수 관계에 있으며, AP4의 %에 대해 주어진 값은 AP4의 %V+%Moeq+%Mn+%Ni+%Si가 기여하는 값을 의미하기 때문에, %AP4의 실제 함량은 그보다 더 높다. 다른 실시 예들에서, %Mo은 52wt% 이상, 56wt% 이상, 61wt% 이상, 71wt% 이상, 81wt% 이상, 그리고 심지어 91wt%이상 높다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mo는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mo는96wt% 미만, 89wt% 미만, 69wt% 미만, 49wt% 미만, 39wt% 미만, 그리고 심지어 24wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %W의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.01wt% 초과, 10.1wt% 초과, 31wt% 초과, 51wt% 초과, 그리고 심지어 61wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %W는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %W는89wt% 미만, 64wt% 미만, 44wt% 미만, 24wt% 미만, 11.9wt% 미만, 그리고 심지어 7.9wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %V+%Moeq+%Mn+%Ni+%Si의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %V+%Moeq+%Mn+%Ni+%Si은 51wt% 이상, 57wt% 이상, 62wt% 이상, 71wt% 이상, 82wt% 이상, 그리고 심지어 92wt%이상 높다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %V+%Moeq+%Mn+%Ni+%Si는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %V+%Moeq+%Mn+%Ni+%Si는96wt% 미만, 89wt% 미만, 74wt% 미만, 70wt% 미만, 64wt% 미만, 그리고 심지어 49wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Mn+%Ni+%Si의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn+%Ni+%Si은 11wt% 이상, 32wt% 이상, 41wt% 이상, 53wt% 이상, 그리고 심지어 66wt%이상 높다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mn+%Ni+%Si는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mn+%Ni+%Si는68wt% 미만, 59wt% 미만, 44wt% 미만, 39wt% 미만, 24wt% 미만, 그리고 심지어 11.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ceq의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.009wt% 초과, 0.27wt% 초과, 0.6wt% 초과, 1.2wt% 초과, 그리고 심지어1.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ceq는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는1.9wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.7wt% 미만, 그리고 심지어 0.4wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.01wt% 초과, 0.21wt% 초과, 0.51wt% 초과, 1.21wt% 초과, 그리고 심지어1.56wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %C는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %C는2.4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.74wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.29wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %N의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.009wt% 초과, 0.21wt% 초과, 0.41wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어1.56wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %N는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %N는1.49wt% 미만, 0.89wt% 미만, 0.39wt% 미만, 0.14wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %B의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %B은 0.0009wt% 이상, 0.01wt% 이상, 0.31wt% 이상, 1.06wt% 이상, 그리고 심지어 1.56wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %B는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %B는1.9wt% 미만, 0.79wt% 미만, 0.29wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %O은 0.0006wt% 이상, 0.001wt% 이상, 0.12wt% 이상, 1.26wt% 이상, 그리고 심지어 1.6wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %O의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %O은 2.1wt% 이상, 2.56wt% 이상, 3.12wt% 이상, 4.1wt% 이상, 그리고 심지어 5.1wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %O는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %O는4.9wt% 미만, 0.79wt% 미만, 0.29wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %O가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %O는149ppm 미만, 99ppm 미만, 49ppm 미만, 29ppm 미만, 그리고 심지어 4ppm 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cr의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Cr은 0.1wt% 이상, 0.51wt% 이상, 0.81wt% 이상, 1.21wt% 이상, 그리고 심지어 1.56wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Cr의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr은 2.1wt% 이상, 2.51wt% 이상, 3.1wt% 이상, 4.1wt% 이상, 그리고 심지어 6.1wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Cr는7.9wt% 미만, 5.9wt% 미만, 4.4wt% 미만, 3.1wt% 미만, 그리고 심지어 2.49wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Cr가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr는1.89wt% 미만, 1.49wt% 미만, 0.98wt% 미만, 0.19wt% 미만, 그리고 심지어 0.1wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %V의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %V은 0.006wt% 이상, 0.12wt% 이상, 0.26wt% 이상, 0.91wt% 이상, 그리고 심지어 1.26wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %V의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %V은 2.6wt% 이상, 6.1wt% 이상, 12.6wt% 이상, 25.6wt% 이상, 그리고 심지어 51wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %V는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %V는89wt% 미만, 74wt% 미만, 54wt% 미만, 44wt% 미만, 그리고 심지어 39wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %V가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %V는24wt% 미만, 14wt% 미만, 8wt% 미만, 4wt% 미만, 그리고 심지어 1.9wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일 실시 예에서, AP1의 분말 크기 임계 측정값에 관해 언급된 내용은 AP4에 또한 적용된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 상기 실시 예들 중에 적용된 분말 AP4의 조성은 본 문서 전체에 걸쳐 공개된 다른 분말 혼합물 혹은 특히 각각에 유리하게 첨가될 수 있으며, 본 문서 전반에 걸쳐 서술된 LP와 SP의 혼합물 중 임의의 하나에 첨가될 수 있다. 따라서, 앞서 공개된 모든 실시 예들는 서로 상호 배타적이지 않는다는 고려 하에, 서로간 혹은 본 문서 내 공개된 분말 AP4와 관련된 실시 예와 결합될 수 있다.
특히 대형 구성요소를 제조하도록 만들어질 때, 이러한 유형의 분말 혼합물에 관해 매우 흥미로운 점이 관찰되었다. 관찰은 또한 경화능이 제한된 본 발명의 다른 분말 혼합물로도 확장이 가능하며, 일반적으로 합금계의 경화능보다 큰 구성요소를 제조해야하는 경우다. 전통적으로, 대형 구성요소를 제조하기 위해서, 선택된 합금계는 양호한 경화능을 보여야 한다. 구성요소가 클수록 선택된 합금계의 경화능은 더 뛰어나야 한다. 불행히도, 경화능을 증가시키는 대부분의 전략은 열전도도 약화로 이어지는데, 이는 앞에서 언급한 바와 같이 분말 혼합물의 어플리케이션의 경우 주요 성능 변수 중 하나이다. 해당 관찰은 구성요소 설계(베이나이트의 현명한 사용)에 있어서 일부 엄격한 지침을 따르는 한, 경화능이 다소 낮은 합금계가 (인성과 명백한 열전도도를 포함하는 기계적 특성 측면에서) 가공할 결과를 가져올 수 있다는 것을 보는 것을 포함한다.
대부분의 열간가공 툴링을 포함하는 몇몇의 어플리케이션의 경우, 열전도도가 가능한 한 높고 특히 상온과 고온 모두에서의 인성과 충분한 항복 강도 측면에서 양호한 기계적 특성을 띄는 철을 가지는 것이 흥미롭다. 반면 분말 혼합에 대해 제공된 제형은 그 자체로 발명을 구성할 수 있다. 경우에 따라, 또한 최종 전체 조성은 독립된 발명을 포함할 수 있다. 이러한 일부 어플리케이션들의 경우, 본 발명자는 다음의 분말 혼합물(최소 LP와 SP을 포함함)에 흥미가 있다는 것을 발견했다:
LP는 다음의 조성을 포함하는 분말이며, 모든 백분율은 가중치로 표시되었다: %Mo: 0 - 8.9; %W: 0 - 3.9; %Moeq: 1.6 - 8.9; %Ceq: 0 - 1.49; %C: 0 - 1.49; %N: 0 - 0.2; %B: 0 - 0.8; %Si: 0 - 2.5 ; %Mn: 0 - 2.9 ; %Ni: 0 - 2.9 ; %Mn+2*%Ni: 0 -6.8 ; %Cr: 0 - 2.9; %V: 0 - 3.9; %Nb: 0 - 2.9; %Zr: 0 - 3.9; %Hf: 0 - 2.9; %Ta: 0 - 2.9; %S: 0 - 0.8; %P: 0 - 0.8; %Pb: 0 - 1.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.8; %Se: 0 - 0.8; %Co: 0 - 3.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 - 0.299; 철과　미량　원소들로 구성된　나머지;　여기서　%Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B　이고　%Moeq=%Mo+1/2*%W그리고　여기서　%REE　는　앞서　정의된　바와　동일하다. 일 실시예에서, 미량원소는 별도로 명확히 지시하지 않는 경우, H, He, Xe, F, Ne, Na, Cl, Ar, K, Br, Kr, Sr, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, I, Ba, Re, Os, Ir, Ti, Pt, Au, Hg, Tl, Po, At, Rn, Fr, Ra, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Li, Be, Mg, Ca, Rb, Zn, Cd, Al, Ga, In, Ge, Sn, Sb, As, Te, Ds, Rg, Cn, Nh, Fl, Mc, Lv, Ts, Og 및 Mt 을 포함하지만 해당 원소만으로 제한되지는 않는 수 개의 원소를 의미한다. 일 실시 예에서, 미량 원소는 위에 나열된 원소들 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 예들에서, 임의의 미량 원소의 함량은 1.8wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만으로 선호된다. 미량 원소는 생산 비용을 줄이는 것과 같은 특정한 기능을 달성하기 위해 의도적으로 강에 추가되기도 하고/하거나 그 존재는 의도되지 않을 수 있으며 대개 합금 원소 내 불순물과 강 생산에 사용되는 스크랩의 존재와 연관되어 있다. 미량 원소의 존재가 강의 전반적인 특성을 저하시키는 몇몇의 어플리케이션이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 2.0wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.06wt% 미만이다. 주어진 어플리케이션에 있어서 강에 미량 원소가 없는 것이 선호되는 일부 실시 예들이 있다. 반면에, 미량 원소의 존재가 선호되는 몇몇의 어플리케이션들이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 0.0012wt% 초과, 0.012wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.55wt% 초과이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Y의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Y는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Y는0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.18wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc는0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 그리고 심지어 0.18wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc+%Y의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, (앞서 정의된) %REE의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %REE는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %REE는1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc+%Y+%REE의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y+%REE는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만,그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일부 실시 예들에서, 앞서 공개된 %O, %Cs, %Y, %Sc, %REE 및/혹은 %Ti의 함량은 또한 LP 조성에 적용될 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 원자 함량과 %Y+%Sc 혹은 대안적으로 %Y 혹은 대안적으로 %Y+%Sc+%REE 사이의 관계는 앞서 공개된 공식에 따라 최적의 기계적 특성을 위해 통제되어야 한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %O는 8ppm 초과, 22ppm 초과, 110ppm 초과, 210ppm 초과, 510ppm 초과, 그리고 심지어1010ppm를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %O는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %O는2990ppm 미만, 1900ppm 미만, 900ppm 미만, 그리고 심지어 490ppm 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.01wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.11wt% 초과, 그리고 심지어0.16wt%를 초과한다. 잘 알려진 바와 같이, %C 함량은 마르텐사이트 변태(martensitic transformation)가 시작되는 온도를 줄이는데 강한 효과를 보인다. 일부 어플리케이션들의 경우, 높은 내마멸성(wear resistance) 혹은 미세한 베이나이트(bainite)가 바람직한 경우에 대해 %Ceq 함량이 높은 것이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.21wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.31wt% 초과, 그리고 심지어0.33wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 탄화물 성형제 함량이 증가할 때, 이 원소들과 결합하기 위해 %C 또한 증가되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.34wt% 초과, 0.36wt% 초과, 그리고 심지어0.416wt%를 초과한다. 개선된 내마멸성을 요구하는 일부 어플리케이션들의 경우 훨씬 더 높은 %C의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.64wt% 초과, 0.86wt% 초과, 1.06wt% 초과, 그리고 심지어1.16wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %C는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %C는1.2wt% 미만, 0.94wt% 미만, 0.79wt% 미만, 그리고 심지어 0.64wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %C가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %C는0.44wt% 미만, 0.39wt% 미만, 0.29wt% 미만, 그리고 심지어 0.24wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %C이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %C는0.19wt% 미만, 0.12wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들은 이미 노출된 일반화된 방법으로 낮은 격자간 함량 수준(interstitial content level)에서 이익을 얻지만, 일부 어플리케이션들은 격자간 수준을 다소 다르게 통제함으로써 훨씬 더 나은 결과를 제공한다. 다른 실시 예들에서, %C는 2890 ppm 미만, 890 ppm 미만, 490 ppm 미만, 196 ppm 미만, 그리고 심지어 96 ppm 미만으로 유지된다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ceq의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.19wt% 초과, 0.23wt% 초과, 그리고 심지어0.26wt%를 초과한다. 본 발명자는 본 발명 내 높은 인성과 함께 양호한 내마멸성을 요구하는 일부 어플리케이션들의 경우 더 높은 함량의 %Ceq가 선호된다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.28wt% 초과, 0.32wt% 초과, 0.37wt% 초과, 그리고 심지어0.42wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Ceq 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.66wt% 초과, 0.82wt% 초과, 0.91wt% 초과, 그리고 심지어1.16wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 너무 높은 %Ceq 수준은 적용되는 열 처리와 관계없이 요구되는 성질 및 탄화물(carbides: 질화물 nitrides, 붕화물 borides, 산화물 oxides, 혹은 조합 combinations)의 완전성을 달성하는 것을 불가능하게 한다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 1.3wt% 미만, 0.98wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.57wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Ceq가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.44wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.17wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 낮은%Ceq 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는0.14wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.08wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들은 이미 노출된 일반화된 방법으로 낮은 격자간 함량 수준(interstitial content level)에서 이익을 얻지만, 일부 어플리케이션들은 격자간 수준을 다소 다르게 통제함으로써 훨씬 더 나은 결과를 제공한다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는890ppm 미만, 490ppm 미만, 90ppm 미만, 그리고 심지어 40ppm미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %N의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.009wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어0.01wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %N의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.06wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어0.13wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %N는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %N는0.18wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.01wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들은 이미 노출된 일반화된 방법으로 낮은 격자간 함량 수준(interstitial content level)에서 이익을 얻지만, 일부 어플리케이션들은 격자간 수준을 다소 다르게 통제함으로써 훨씬 더 나은 결과를 제공한다. 다른 실시 예들에서, %N는 1900 ppm 미만, 900 ppm 미만, 490 ppm 미만, 190 ppm 미만, 90 ppm 미만, 그리고 심지어 40 ppm 미만으로 유지된다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 높은 열 전도도를 위해 더 높은 %Mo이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 0.3wt% 초과, 0.6wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어1.4wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Mo의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 1.6wt% 초과, 1.8wt% 초과, 2.1wt% 초과, 그리고 심지어3.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Mo 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 4.2wt% 초과, 4.7wt% 초과, 6.1wt% 초과, 그리고 심지어7.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Mo는7.9wt% 미만, 6.4wt% 미만, 5.7wt% 미만, 4.3wt% 미만, 3.9wt% 미만, 그리고 심지어 3.4wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 몰리브덴(Mo) 의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Mo는2.9wt% 미만, 2.4wt% 미만, 1.7wt% 미만, 1.3wt% 미만, 0.94wt% 미만, 그리고 심지어 0.49wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 실시 예들에서, %Mo는 부분적으로 %W로 대체될 수 있다. 해당 치환은 %Moeq의 측면에서 이루어진다. 다른 실시 예들에서, %Mo의 %W로의 치환은 74wt%보다 낮고, 59wt%보다 낮고, 39wt%보다 낮고, 또 심지어 14wt%보다 낮다. 열전도도가 최대화되어야 하지만 열피로는 조절되어야 하는 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo가 %W보다 1.2배에서 3배 더 큰 것이 선호되며, %W의 부재는 허용되지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, 높은 열 전도도를 위해 더 높은 %Moeq이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 1.8wt% 초과, 2.1wt% 초과, 그리고 심지어2.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Moeq의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 3.1wt% 초과, 3.7wt% 초과, 4.8wt% 초과, 5.1wt% 초과, 그리고 심지어6.2wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우 너무 높은 수준의 %Moeq은 열전도도에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는8.4wt% 미만, 7.9wt% 미만, 6.9wt% 미만, 5.4wt% 미만, 4.4wt% 미만, 그리고 심지어 3.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Moeq가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는3.4wt% 미만, 2.9wt% 미만, 2.6wt% 미만, 2.4wt% 미만, 2.2wt% 미만, 그리고 심지어 1.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 열처리 과정에서의 변형 제어가 중요한 경우, %W가 없는 것이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.26wt% 초과, 0.86wt% 초과, 1.16wt% 초과, 1.66wt% 초과, 그리고 심지어2.2wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %W는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %W는2.94wt% 미만, 2.4wt% 미만, 1.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %W가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.8wt% 미만, 0.74wt% 미만, 0.39wt% 미만이거나 심지어 의도된 %W가 전혀 없다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %V의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %V는 0.06wt% 초과, 0.17wt% 초과, 0.21wt% 초과, 그리고 심지어0.26wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %V 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %V는 0.56wt% 초과, 0.87wt% 초과, 1.21wt% 초과, 그리고 심지어1.56wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %V는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %V는 2.9wt% 미만, 2.3wt% 미만, 1.8wt% 미만, 1.3wt% 미만, 그리고 심지어 0.98wt% 미만이다. 본 발명자는 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %V가 선호됨을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %V는0.89wt% 미만, 0.49wt% 미만, 0.19wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 놀랍게도, (앞서 정의된) "적절한 기하학적 설계 전략"을 사용할 때, 의도된 LP에서 통제된 수준의 %B를 가짐으로써 엄청난 결과를 달성할 수 있다는 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, %B는1 ppm 초과, 11 ppm 초과, 21 ppm 초과, 31 ppm 초과, 그리고 심지어 51 ppm을 초과하여 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 놀랍게도 구성요소의 최종 특성이 LP 내 오히려 높은 함량의 %B를 사용함으로써 향상될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, %B는 61 ppm 초과, 111 ppm 초과, 221 ppm 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어 0.6wt% 초과로 유지된다. 심지어 이러한 어플리케이션 중 일부에서도, 결국 과도한 함량의 %B는 해롭다. 다른 실시 예들에서, %B는 0.4wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt%미만으로 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %B는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %B는 400 ppm 미만, 190 ppm 미만, 90 ppm 미만, 40 ppm 미만, 그리고 심지어 9 ppm 미만으로 유지된다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cr의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Cr는 0.09wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.56wt% 초과, 0.86wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.6wt% 초과, 그리고 심지어2.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 만약 매우 높은 열전도도가 요구된다면, 종종 과도한 함량의 %Cr을 피하는 것이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Cr은 2.4wt% 미만, 2.1wt% 미만, 1.7wt% 미만, 1.3wt% 미만, 그리고 심지어 0.8wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Cr가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr은 0.7wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.19wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ni의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ni는 0.09wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.31wt% 초과, 0.61wt% 초과, 1.16wt% 초과, 그리고 심지어1.7wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량의 %Ni는 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ni는 2.4wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.94wt 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.1wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 본 발명가가 페라이트(ferritic/perlitic) 구역에서 조합 내에서 사용되거나 %Ni의 대체물으로서 사용될 수 있는 경화능(hardenability)에 기여하는 것만큼 강력하거나 적어도 정미적이라고 발견한 다른 원소들이 있다, 가장 중요한 것은 %Cu 및 %Mn이며, 더 적은 정도의 %Si이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Si의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다.다른 실시 예들에서, %Si는 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.51wt% 초과, 그리고 심지어 0.76wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Si의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Si는 1.1wt% 초과, 1.4wt% 초과, 1.6wt% 초과, 1.8wt% 초과, 그리고 심지어 2.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Si는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Si는 2.2wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 1.2wt% 미만, 그리고 심지어 1wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Si가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Si는 0.84wt% 미만, 0.64wt% 미만, 0.49wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mn의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 0.1wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.56wt% 초과, 0.86wt% 초과, 그리고 심지어1.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Mn의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 1.4wt% 초과, 1.7wt% 초과, 1.9wt% 초과, 그리고 심지어2.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mn는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mn는2.4wt% 미만, 1.7wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.94wt% 미만, 그리고 심지어 0.79wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Mn가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn는0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Co의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Co는 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.51wt% 초과, 그리고 심지어1.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Co는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Co는2.8wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.19wt% 미만, 그리고 심지어 0.02wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Pb의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.0006wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어0.52wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Pb 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.76wt% 초과, 0.9wt% 초과, 1.2wt% 초과, 그리고 심지어1.4wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Pb는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Pb는1.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.02wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Bi의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Bi는 0.0002wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.14wt% 초과, 그리고 심지어0.51wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Bi는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Bi는0.64wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.01wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Se의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Se는 0.0006wt% 초과, 0.05wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어0.51wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Se는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Se는0.44wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.13wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Hf의 존재가 유리하다. 다른 실시 예들에서, %Hf는 0.08wt% 초과, 0.25wt% 초과, 0.51wt% 초과, 0.76wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어1.6wt%를 초과한다. 본 발명자는 높은 인성 수준을 요구하는 어플리케이션의 경우, %Hf 및/혹은 %Zr의 함량이 너무 높으면 안된다는 것을 발견했는데, 이는 응력 상승제로서 작용을 하는 크고 다각형의 1차 탄화물을 형성하는 경향이 있기 때문이다. 다른 실시 예들에서, %Hf는 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.98wt% 미만, 그리고 심지어 0.49wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Hf가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Hf는 0.4wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.12wt% 미만, 0.08wt% 미만, 그리고 심지어 0.002wt% 미만이다. 강탄화물 성형제의 존재가 유리하지만 제조 비용이 중요한 일부 어플리케이션들의 경우, %Zr의 존재가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Zr는 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어0.52wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr는2.8wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.5wt% 미만, 그리고 심지어 0.94wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Zr가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Zr는0.44wt% 미만, 0.12wt% 미만, 0.04wt% 미만, 그리고 심지어 0.002wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Zr 및/혹은 %Hf은 부분적으로 혹은 전체적으로 %Ta로 치환될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 26wt%을 초과하는 %Hf 및/혹은 %Zr은 %Ta로 치환되고 56wt%을 초과하는 %Hf 및/혹은 %Zr은 %Ta로 치환되며, 그리고 심지어 76wt%을 초과하는 %Hf 및/혹은 %Zr은 %Ta로 치환된다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는 0.0009wt% 초과, 0.009wt% 초과, 0.01wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어0.11wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ta+%Zr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는2.4wt% 미만, 0.94wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 내마멸성과 관련해서 %Hf 및/혹은 %Zr의 존재는 긍정적인 효과가 있다. 만약 이 값이 크게 증가하면 %Ta 혹은 심지어 %Nb와 같은 다른 강탄화물 형성제 또한 사용될 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 0.1wt% 초과, 0.56wt% 초과, 0.76wt% 초과, 그리고 심지어1.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는1.9wt% 미만, 0.94wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.14wt% 미만, 그리고 심지어 0.08wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %P의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %P는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.009wt% 초과, 그리고 심지어0.01wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %P 및/혹은 %S은 높은 열전도도를 위해 최대한 낮게 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %P는0.6wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.2wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %P가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %P는0.1wt% 미만, 0.08wt% 미만, 0.04wt% 미만, 0.009wt% 미만, 그리고 심지어 0.004wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 낮은%P 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %P는0.0009wt% 미만, 0.0007wt% 미만, 그리고 심지어 0.0004wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %S의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %S는 0.006wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.15wt% 초과, 그리고 심지어0.36wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %S는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %S는0.64wt% 미만, 0.39wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.04wt% 미만, 그리고 심지어 0.009wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %S가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %S는0.0008wt% 미만, 0.0006wt% 미만, 0.0004wt% 미만, 그리고 심지어 0.0001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mn+2*%Ni의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Mn+2*%Ni는 0.06wt% 이상, 0.12wt% 이상, 0.21wt% 이상, 0.56wt% 이상, 0.76wt% 이상, 1.2wt% 이상, 1.56wt% 이상, 그리고 심지어 2.16wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Mn+2*%Ni함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn+2*%Ni은 2.6wt% 이상, 3.1wt% 이상, 3.6wt% 이상, 그리고 심지어 4.1wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mn+2*%Ni는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mn+2*%Ni는 3.4wt% 이하, 2.9wt% 이하, 1.4wt% 이하, 1.2wt% 이하, 0.89wt% 이하, 0.74wt% 이하이며, 그리고 심지어0.48wt% 이하다. 놀랍게도, 통제된 %B의 존재는 일부 어플리케이션들의 경우 바람직한 %Mn+2*%Ni 수준에 강한 영향을 미치는 것으로 보이며, 일부 어플리케이션들은 그러한 존재로부터 큰 이익을 얻고 일부 어플리케이션들은 반대로 그로 인해 어려움을 겪는다. 다른 실시 예들에서, %B가 12ppm을 초과하는 양으로 존재할 때, %Mn+2*%Ni는0.01wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.46wt% 초과, 0.86wt% 초과, 그리고 심지어 1.56wt%를 초과하여 유지된다. 언급된 바와 같이, 일부 어플리케이션들(열전달을 수반하는 일부 어플리케이션들을 포함함)은 높은 수준의 %Mn+2*%Ni와 %B의 동시발생 실재성으로부터 이득을 얻지 못한다. 다른 실시 예들에서, %B가 12ppm을 초과하여 존재할 때, %Mn+2*%Ni는 1.96wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.46wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만으로 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cu+%Ni의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Cu+%Ni는 0.26wt% 초과, 0.56wt% 초과, 0.76wt% 초과, 그리고 심지어 1.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cu+%Ni는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Cu+%Ni는3.9wt% 미만, 2.4wt% 미만, 1.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.9wt% 미만이다. 다른 실시 예들에서 공개된 모든 상한 및 하한은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 서로간 임의의 조성으로 결합될 수 있으며 그 예로는 다음이 있다: 일 실시 예에서, %Mn+2*%Ni= 0.06 - 3.4wt%; 혹은 예를 들어 추가 실시 예에서, %Mn+2*%Ni=0.21-1.2wt%.대부분의 어플리케이션은 앞서 언급된 더 큰 분말의 일반적인 크기 범위로부터 이점을 얻지만, 일부 어플리케이션들에서는 다소 다른 크기 분포로부터 이점을 얻는다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) LP에 대한 "분말 크기 임계 측정값"는 2 microns이상, 22 microns이상, 42 microns이상, 52 microns이상, 102 microns이상, 그리고 심지어 152 microns이상 이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도하게 큰 크기의 임계 측정값은 특히 일부 미세한 세부 기하학에 대해 처리하기 어렵다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) LP에 대한 "분말 크기 임계 측정값"은 1990 microns이하, 1490 microns이하, 990 microns이하, 490 microns이하, 290 microns이하, 190 microns이하, 그리고 심지어 90 microns이하다. 일부 어플리케이션들의 경우 더 큰 분말 제조법은 최종 구성요소의 달성 가능한 특성에 대해 현저한 영향을 미치는 것으로 드러났다. 일 실시 예에서, LP는 (앞서 정의된) 비구형 분말이다. 일 실시 예에서, LP는 물 분무된다. 일 실시 예에서, LP는 물 분무된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, LP는 (앞서 정의된) 구형 분말이다. 일 실시 예에서, LP는 원심 분무된다. 일 실시 예에서, LP는 원심 분무된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, LP는 기계적으로 파쇄(crushed)된다. 일 실시 예에서, LP는 파쇄된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, LP는 환원된다. 일 실시 예에서, LP는 환원된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, LP는 가스 분무된다. 일 실시 예에서, LP는 가스 분무된 분말을 포함한다.
SP는 다음의 조성을 갖는 분말이고, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %Mo: 0 - 2.9; %W: 0 - 2.9; %Moeq: 0 - 2.9; %Ceq: 0 - 2.99; %C: 0 - 2.99; %N: 0 - 0.2; %B: 0 - 0.8; %Si: 0 - 0.9 ; %Mn: 0 - 1.9 ; %Ni: 0 - 2.9 ; %Mn+2*%Ni: 0 -6.8 ; %Cr: 0 - 1.9; %V: 0 - 0.9; %Nb: 0 - 0.9; %Zr: 0 - 0.4; %Hf: 0 - 0.4; %Ta: 0 - 0.4; %S: 0 - 0.2; %P: 0 - 0.09; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 1.9; %Bi: 0 - 0.2; %Se: 0 - 0.2; %Co: 0 - 1.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 - 0.299; 철과　미량　원소들로 구성된　나머지;　여기서　%Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B　이고　%Moeq=%Mo+1/2*%W그리고　여기서　%REE　는　앞서　정의된　바와　동일하다. 일 실시예에서, 미량원소는 별도로 명확히 지시하지 않는 경우, H, He, Xe, F, Ne, Na, Cl, Ar, K, Br, Kr, Sr, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, I, Ba, Re, Os, Ir, Ti, Pt, Au, Hg, Tl, Po, At, Rn, Fr, Ra, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Li, Be, Mg, Ca, Rb, Zn, Cd, Al, Ga, In, Ge, Sn, Sb, As, Te, Ds, Rg, Cn, Nh, Fl, Mc, Lv, Ts, Og 및 Mt 을 포함하지만 해당 원소만으로 제한되지는 않는 수 개의 원소를 의미한다. 일 실시 예에서, 미량 원소는 위에 나열된 원소들 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 예들에서, 임의의 미량 원소의 함량은 1.8wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만으로 선호된다. 미량 원소는 생산 비용을 줄이는 것과 같은 특정한 기능을 달성하기 위해 의도적으로 강에 추가되기도 하고/하거나 그 존재는 의도되지 않을 수 있으며 대개 합금 원소 내 불순물과 강 생산에 사용되는 스크랩의 존재와 연관되어 있다. 미량 원소의 존재가 강의 전반적인 특성을 저하시키는 몇몇의 어플리케이션이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 2.0wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.06wt% 미만이다. 주어진 어플리케이션에 있어서 강에 미량 원소가 없는 것이 선호되는 일부 실시 예들이 있다. 반면에, 미량 원소의 존재가 선호되는 몇몇의 어플리케이션들이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 0.0012wt% 초과, 0.012wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.55wt% 초과이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Y의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Y는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Y는0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.18wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc는0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 그리고 심지어 0.18wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc+%Y의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, (앞서 정의된) %REE의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %REE의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %REE는1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 원소에서 발생하는 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc+%Y+%REE의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y+%REE는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다.일부 실시 예들에서, %O, %Cs, %Y, %Sc, %REE 및/혹은 %Ti의 함량에 대해 앞서 언급된 내용은 SP의 조성에도 또한 적용될 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O와 %Y+%Sc 혹은 대안적으로 %Y 혹은 대안적으로 %Y+%Sc+%REE의 원자 함량 사이의 관계는 앞서 공개된 공식에 따라 최적의 기계적 특성을 위해 제어되어야 한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %O는 8ppm 초과, 22ppm초과, 110ppm 초과, 210ppm 초과, 510ppm 초과, 그리고 심지어1010ppm를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %O는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %O는2990ppm 미만, 1900ppm 미만, 900ppm 미만, 그리고 심지어 490ppm 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.001wt% 초과, 0.002wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.07wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어0.12wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 탄화물 성형제 함량이 증가할 때, 이 원소들과 결합하기 위해 %C 또한 증가되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.14wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.21wt% 초과, 그리고 심지어0.28wt%를 초과한다. 개선된 내마멸성을 요구하는 일부 어플리케이션들의 경우 훨씬 더 높은 %C의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.56wt% 초과, 0.76wt% 초과, 1.16wt% 초과, 1.56wt% 초과, 그리고 심지어2.26wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %C는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %C는2.4wt% 미만, 1.98wt% 미만, 1.48wt% 미만, 0.98wt% 미만, 그리고 심지어 0.69wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %C가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %C는0.49wt% 미만, 0.32wt% 미만, 0.28wt% 미만, 0.23wt% 미만, 0.14wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ceq의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.001wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.21wt% 초과, 0.23wt% 초과, 그리고 심지어0.31wt%를 초과한다. 본 발명자는 본 발명 내 높은 인성과 함께 양호한 내마멸성을 요구하는 일부 어플리케이션들의 경우 더 높은 함량의 %Ceq가 선호된다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.81wt% 초과, 1.2wt% 초과, 1.6wt% 초과, 1.9wt% 초과,그리고 심지어2.1wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 너무 높은 %Ceq 수준은 적용되는 열 처리와 관계없이 요구되는 성질 및 탄화물(carbides: 질화물 nitrides, 붕화물 borides, 산화물 oxides, 혹은 조합 combinations)의 완전성을 달성하는 것을 불가능하게 한다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는2.3wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 그리고 심지어 0.64wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Ceq가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.43wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.29wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.13wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %N의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.0002wt% 초과, 0.0009wt% 초과, 0.002wt% 초과, 0.008wt% 초과, 0.08wt% 초과, 그리고 심지어0.02wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %N의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.07wt% 초과, 0.096wt% 초과, 0.11wt% 초과, 그리고 심지어0.12wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %N는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %N는0.19wt% 미만, 0.15wt% 미만, 0.08wt% 미만, 0.02wt% 미만, 그리고 심지어 0.002wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 높은 열전도도를 위해 더 높은 함량의 %Mo가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 0.003wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어 0.31wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Mo의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 0.36wt% 초과, 0.41wt% 초과, 0.48wt% 초과, 0.86wt% 초과, 그리고 심지어1.56wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mo는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mo는1.4wt% 미만, 0.74wt% 미만, 0.59wt% 미만, 0.49wt% 미만, 0.29wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.1wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 실시 예들에서, %Mo는 부분적으로 %W로 치환될 수 있다. 해당 치환은 %Moeq의 측면에서 이루어진다. 다른 실시 예들에서, %Mo의 %W로의 치환은 69wt%보다 낮고, 54wt%보다 낮고, 34wt%보다 낮고, 또 심지어 12wt%보다 낮다. 열전도도가 최대화되어야 하지만 열피로는 조절되어야 하는 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo가 %W보다 1.2배에서 3배 더 큰 것이 선호되며, %W의 부재는 허용되지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Moeq의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.002wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어0.3wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 높은 열전도도를 위해 더 높은 함량의 %Moeq가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.46wt% 초과, 0.6wt% 초과, 1.3wt% 초과, 그리고 심지어1.9wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 본 발명가는 %Moeq의 총량을 제어해야 하며, 과도해서는 아니됨을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는2.4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.5wt% 미만, 그리고 심지어 1.2wt% 미만이다. 반면, 너무 높은 수준의 %Moeq는 열전도도에 부정적인 영향을 미칠 수 있는 상황을 초래한다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는0.84wt% 미만, 0.74wt% 미만, 0.59wt% 미만, 0.49wt% 미만, 그리고 심지어 0.29wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들은 낮은 함량의 %Moeq로부터 이점을 얻는다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는0.24wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 열처리 과정에서의 변형 제어가 중요한 경우, %W가 없는 것이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.006wt% 초과, 0.03wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어0.36wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %W의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.4wt% 초과, 0.66wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어1.8wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %W는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %W는1.4wt% 미만, 0.84wt% 미만, 0.64wt% 미만, 그리고 심지어 0.49wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들은 낮은 함량의 %W로부터 이점을 얻는다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.38wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.09wt% 미만이거나 심지어 의도된 %W가 전혀 없다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %V의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %V는 0.006wt% 초과, 0.04wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어0.26wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %V의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %V는0.8wt% 미만, 0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.3wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %V가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %V는0.24wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 본 발명가는 놀랍게도 일부 어플리케이션들의 경우, 소량의 %B가 열전도도를 높이는데 긍정적인 영향을 미친다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %B는 2ppm 초과, 16ppm 초과, 61ppm초과, 그리고 심지어86ppm를 초과한다. 본 발명가는 일부 어플리케이션들의 경우, 달성 가능한 베이나이트 미세 구조에 눈에 띄는 영향을 미치기 위해서는 %B가 페라이트 구역에서 경화능을 증가시키는데 요구되는 함량보다 다소 높은 함량으로 존재해야함을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %B는 90ppm 초과, 126ppm 초과, 206ppm 초과, 그리고 심지어326ppm를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %B의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %B는 0.09wt% 초과, 0.11wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어0.4wt%를 초과한다. 반면, 과도한 붕화물이 형성되면, 인성에 미치는 영향은 상당히 해로울 수 있다. 반면, 과도한 붕화물이 형성되면, 인성에 미치는 영향은 상당히 해로울 수 있다. 다른 실시 예들에서, %B는0.74wt% 미만, 0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.12wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %B가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %B는740ppm 미만, 490ppm 미만, 140ppm 미만, 80ppm 미만, 그리고 심지어 40ppm 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cr의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Cr는 0.001wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.56wt% 초과, 0.86wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어1.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 만약 매우 높은 열전도도가 요구된다면, 과도한 함량의 %Cr을 피하는 것이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Cr는 1.8wt% 미만, 1.6wt% 미만, 1.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Cr가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr는 0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.14wt% 미만, 그리고 심지어 0.08wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ni의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ni는 0.001wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.51wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어1.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ni의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ni는2.4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.94wt% 미만, 0.44wt% 미만, 그리고 심지어 0.19wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Ni가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ni는0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.009wt% 미만, 0.003wt% 미만,그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 본 발명자가 페라이트 구역에서 조합 내에서 사용되거나 %Ni의 대체물로서 사용될 수 있는 경화능에 기여하는 것만큼 강력하거나 적어도 정미적이라고 발견한 다른 원소들이 있는데, 가장 중요한 것은 %Cu 및 %Mn이며, 더 적은 정도의 %Si이다. 가장 중요한 것은 %Cu 및 %Mn이며, 더 적은 정도의 %Si이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Si의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Si는 0.0009wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.31wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어 0.71wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량의 %Si는 기계적 특성에 불리한 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Si는 0.6wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.004wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정한 어플리케이션의 경우 모든 선택적 원소에서 일어날 수 있는 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mn의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 0.001wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.36wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어 1.2wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mn는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 1.6wt% 미만, 1.4wt% 미만, 1.1wt% 미만, 0.9wt% 미만, 그리고 심지어 0.7wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Mn가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 0.5wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Co의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Co는 0.001wt% 초과, 0.05wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.21wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어 1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Co는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Co는 1.2wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.01wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Pb의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.0002wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어 0.56wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Pb는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.04wt% 미만, 그리고 심지어 0.004wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Bi의 존재가 바람직하나, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Bi는 0.0009wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어 0.11wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Bi는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Bi는 0.14wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.009wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Se의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Se는 0.0001wt% 초과, 0.005wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.08wt% 초과, 그리고 심지어 0.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Se는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Se는 0.12wt% 미만, 0.07wt% 미만, 0.009wt% 미만, 그리고 심지어 0.0009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Hf의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Hf는 0.001wt% 초과, 0.008wt% 초과, 0.05wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어0.11wt%를 초과한다. 본 발명자는 높은 인성 수준을 요구하는 어플리케이션의 경우, %Hf 및/혹은 %Zr의 함량이 너무 높으면 안된다는 것을 발견했는데, 이는 응력 상승제로서 작용을 하는 크고 다각형의 1차 탄화물을 형성하는 경향이 있기 때문이다. 다른 실시 예들에서, %Hf는 0.29wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 강탄화물 성형제의 존재가 유리하지만 제조 비용이 중요한 일부 어플리케이션들의 경우, %Zr의 존재가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Zr는 0.0009wt% 초과, 0.006wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어0.12wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr는0.28wt% 미만, 0.18wt% 미만, 0.13wt% 미만, 0.08wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Zr 및/혹은 %Hf은 부분적으로 혹은 전체적으로 %Ta로 치환될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 25wt%을 초과하는 %Hf 및/혹은 %Zr은 %Ta로 치환되고 50wt%을 초과하는 %Hf 및/혹은 %Zr은 %Ta로 치환되며, 그리고 심지어 75wt%을 초과하는 %Hf 및/혹은 %Zr은 %Ta로 치환된다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는 0.0009wt% 초과, 0.009wt% 초과, 0.01wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어0.11wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ta+%Zr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는0.4wt% 미만, 0.18wt% 미만, 0.06wt% 미만, 그리고 심지어 0.0008wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 내마멸성과 관련해서 %Hf 및/혹은 %Zr의 존재는 긍정적인 효과가 있다. 만약 이 값이 크게 증가하면 %Ta 혹은 심지어 %Nb와 같은 다른 강탄화물 형성제 또한 사용될 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 0.001wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.36wt% 초과, 0.46wt% 초과,그리고 심지어0.76wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는0.9wt% 미만, 0.46wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.16wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %P의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %P는 0.0008wt% 초과, 0.008wt% 초과, 0.01wt% 초과, 그리고 심지어0.03wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %P 및/혹은 %S은 높은 열전도도를 위해 최대한 낮게 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %P는0.08wt% 미만, 0.04wt% 미만, 0.02wt% 미만, 그리고 심지어 0.002wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %S의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %S는 0.006wt% 초과, 0.016wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어0.18wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %S는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %S는0.14wt% 미만, 0.08wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %S가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %S는0.01wt% 미만, 0.009wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mn+2*%Ni의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Mn+2*%Ni는 0.001wt% 이상, 0.08wt% 이상, 0.16wt% 이상, 0.23wt% 이상, 0.58wt% 이상, 0.81wt% 이상, 1.26wt% 이상, 1.56wt% 이상, 그리고 심지어, 2.16wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mn+2*%Ni는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mn+2*%Ni는 4.8wt% 이하, 2.7wt% 이하, 1.6wt% 이하, 1.26wt% 이하, 0.78wt% 이하, 0.69wt% 이하, 0.44wt% 이하이며, 그리고 심지어0.12wt% 이하다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cu+%Ni의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Cu+%Ni는 0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.36wt% 초과, 0.51wt% 초과, 그리고 심지어0.66wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cu+%Ni는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Cu+%Ni는3.4wt% 미만, 2.4wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 그리고 심지어 0.4wt% 미만이다. 다른 실시 예들에서 공개된 모든 상한 및 하한은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 서로간 임의의 조성으로 결합될 수 있으며 그 예로는 다음이 있다: 일 실시 예에서, %Mn+2*%Ni= 0.08 - 4.8wt%; 혹은 예를 들어 추가 실시 예에서, %Mn+2*%Ni=0.23-1.26wt%.일부 어플리케이션들의 경우, SP가 LP와 유사한 조성을 갖는 경우 훨씬 더 잘 작동한다. 일 실시 예에서, LP와 SP는 동일한 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 LP에 대해 앞서 서술한 조성 범위 내에 속하는 조성을 가진다. 일 실시 예에서, LP와 SP는 동일한 조성을 갖는다. 일 실시 예에서, SP는 (앞서 정의된) 구형이다. 일 실시 예에서, SP는 가스 분무된 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 가스 분무화를 포함하는 시스템으로 분무된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, SP는 원심 분무된 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 원심 분무화를 포함하는 시스템으로 분무된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, SP는 가스 카보닐 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 카보닐 공정을 통해 얻어진 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, SP는 산화물 환원을 통해 얻어진 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 환원된 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 카보닐 철 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 카보닐 철 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, SP는 (앞서 정의된) 비구형 분말이다. 비록 대부분의 어플리케이션의 경우 SP에 관해 서술된 일반적인 규율이 적용되지만, 일부 구체적인 어플리케이션의 경우, 본 조성의 SP에 대해 다소 다른 크기 제약을 사용하는 것이 더 낫다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) SP에 대한 "분말 크기 임계 측정값"은 0.6 nanometers 이상, 52 nanometers 이상, 602 nanometers 이상, 1.2 microns 이상, 6 microns 이상, 12 microns 이상, 그리고 심지어 32 microns 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 일부 미세 정밀 기하학의 경우 지나치게 큰 크기의 임계 측정값은 처리하기 어렵다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) SP에 대한 "분말 크기 임계 측정값"은 990 microns 이하, 490 microns 이하, 190 microns 이하, 90 microns 이하, 19 microns 이하, 9 microns 이하, 890 nanometers 이하, 그리고 심지어 490 nanometers 이하다.
일 실시 예에서, LP와 SP의 혼합물은 AP1, AP2, AP3, AP4로 구성된 리스트에서, 개별적으로 혹은 임의의 결합으로, 선택된 분말을 추가로 포함하며, 여기서 AP1, AP2, AP3, AP4는 앞서 정의된 바와 동일하다.
여러가지 툴링을 포함하는 몇몇의 어플리케이션의 경우, 특히 인성과 항복 강도 측면에서 매우 높은 기계적 특성과 결합된 높은 내식성을 갖는 철을 가지는 것이 흥미롭다. 높은 항복강도와 인성의 조합은 항상 재료과학의 패러다임 중 하나였으며, 혼합물에 내식성을 추가하는 것은 전체 도전 과제를 더욱 어렵게 만든다. 경우에 따라 분말 혼합에 대해 제공된 제형은 그 자체로 발명을 구성할 수 있지만 최종 전체 조성 또한 독립된 발명을 구성할 수 있다. 이러한 일부 어플리케이션들의 경우, 본 발명자는 다음의 분말 혼합물(최소 LP와 SP을 포함함)에 흥미가 있다는 것을 발견했다:
LP는 다음의 조성을 포함하는 분말이며, 모든 백분율은 가중치로 표시되었다: %Mo: 0 - 4.9; %W: 0 - 4.9; %Moeq: 0 - 4.9; %Ceq: 0.15 - 2.49; %C: 0.15 - 2.49; %N: 0 - 0.9; %B: 0 - 0.08; %Si: 0 - 2.5 ; %Mn: 0 - 2.9 ; %Ni: 0 - 3.9; %Cr: 11.5 - 19.5; %V: 0 - 3.9; %Nb: 0 - 2.9; %Zr: 0 - 3.9; %Hf: 0 - 2.9; %Ta: 0 - 2.9; %S: 0 - 0.8; %P: 0 - 0.8; %Pb: 0 - 1.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.8; %Se: 0 - 0.8; %Co: 0 - 3.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 - 0.299; 철과　미량　원소들로 구성된　나머지;　여기서　%Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B　이고　%Moeq=%Mo+1/2*%W그리고　여기서　%REE　는　앞서　정의된　바와　동일하다. 일 실시예에서, 미량원소는 별도로 명확히 지시하지 않는 경우, H, He, Xe, F, Ne, Na, Cl, Ar, K, Br, Kr, Sr, Tc, Ru, Rh, Ti, Pd, Ag, I, Ba, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Po, At, Rn, Fr, Ra, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Li, Be, Mg, Ca, Rb, Zn, Cd, Al, Ga, In, Ge, Sn, Sb, As, Te, Ds, Rg, Cn, Nh, Fl, Mc, Lv, Ts, Og 및 Mt 을 포함하지만 해당 원소만으로 제한되지는 않는 수 개의 원소를 의미한다. 일 실시 예에서, 미량 원소는 위에 나열된 원소들 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 예들에서, 임의의 미량 원소의 함량은 1.8wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만으로 선호된다. 미량 원소는 생산 비용을 줄이는 것과 같은 특정한 기능을 달성하기 위해 의도적으로 강에 추가되기도 하고/하거나 그 존재는 의도되지 않을 수 있으며 대개 합금 원소 내 불순물과 강 생산에 사용되는 스크랩의 존재와 연관되어 있다. 미량 원소의 존재가 강의 전반적인 특성을 저하시키는 몇몇의 어플리케이션이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 2.0wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.06wt% 미만이다. 주어진 어플리케이션에 있어서 강에 미량 원소가 없는 것이 선호되는 일부 실시 예들이 있다. 반면에, 미량 원소의 존재가 선호되는 몇몇의 어플리케이션들이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 0.0012wt% 초과, 0.012wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.55wt% 초과이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Y의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Y의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Y는0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.18wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 그리고 심지어0.18wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc+%Y의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, (앞서 정의된) %REE의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %REE의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %REE는1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 원소에서 발생하는 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특정 함량의 %Sc+%Y+%REE가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y+%REE 는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일부 실시 예들에서, 앞서 공개된 %O, %Cs, %Y, %Sc, %REE 및/혹은 %Ti의 함량은 또한 LP 조성에 적용될 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 원자 함량과 %Y+%Sc 혹은 대안적으로 %Y 혹은 대안적으로 %Y+%Sc+%REE 사이의 관계는 앞서 공개된 공식에 따라 최적의 기계적 특성을 위해 통제되어야 한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %O는 8 ppm 초과, 22 ppm 초과, 110 ppm 초과, 210 ppm 초과, 510 ppm 초과, 그리고 심지어 1010 ppm을 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %O는 2990 ppm 미만, 1900 ppm 미만, 900 ppm 미만, 그리고 심지어 490 ppm 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.19wt% 초과, 0.21wt% 초과, 0.31wt% 초과, 0.36wt% 초과, 0.46wt% 초과, 그리고 심지어0.76wt%를 초과한다. 개선된 내마멸성을 요구하는 일부 어플리케이션들의 경우 훨씬 더 높은 %C의 함량이 선호된다.실시 예들에서, %C는 0.86wt% 초과, 그리고 심지어1.26wt% 초과, 1.51wt% 초과, 그리고 심지어2.06wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리한 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %C는1.9wt% 미만, 1.8wt% 미만, 1.4wt% 미만, 그리고 심지어 1.2wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %C가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %C는0.98wt% 미만, 0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 그리고 심지어 0.3wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들은 이미 노출된 일반화된 방법으로 낮은 격자간 함량 수준(interstitial content level)에서 이익을 얻지만, 일부 어플리케이션들은 격자간 수준을 다소 다르게 통제함으로써 훨씬 더 나은 결과를 제공한다. 다른 실시 예들에서, %C는 2890 ppm 미만, 890 ppm 미만, 490 ppm 미만, 196 ppm 미만, 그리고 심지어 96 ppm 미만으로 유지된다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 본 발명자는 본 발명 내 높은 인성과 함께 양호한 내마멸성을 요구하는 일부 어플리케이션들의 경우 더 높은 함량의 %Ceq가 선호된다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.21wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.41wt% 초과, 0.61wt% 초과, 그리고 심지어 0.81wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Ceq 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.61wt% 초과, 0.91wt% 초과, 1.36wt% 초과, 1.6 초과, 그리고 심지어 1.86wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 너무 높은 수준의 %Ceq는 적용된 열처리에 관계없이 요구된 성질과 탄화물(질화물, 붕화물, 산화물 혹은 해당 조합)의 완전성을 달성하는 것을 불가능하게 한다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 2.1wt% 미만, 1.94wt% 미만, 1.6wt% 미만, 그리고 심지어 1.3wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Ceq가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 1.1wt% 미만, 0.84wt% 미만, 0.64wt% 미만, 그리고 심지어 0.44wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 일부 어플리케이션들은 이미 노출된 일반화된 방법으로 낮은 격자간 함량 수준(interstitial content level)에서 이익을 얻지만, 일부 어플리케이션들은 격자간 수준을 다소 다르게 통제함으로써 훨씬 더 나은 결과를 제공한다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 890 ppm 미만, 490 ppm 미만, 90 ppm 미만, 그리고 심지어 40 ppm 미만으로 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, %N의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.0002wt% 초과, 0.0006wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.006wt% 초과, 그리고 심지어0.01wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %N의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.04wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어 0.36wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %N는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %N는0.6wt% 미만, 0.35wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.01wt% 미만, 그리고 심지어 0.0009wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들은 이미 노출된 일반화된 방법으로 낮은 격자간 함량 수준(interstitial content level)에서 이익을 얻지만, 일부 어플리케이션들은 격자간 수준을 다소 다르게 통제함으로써 훨씬 더 나은 결과를 제공한다. 다른 실시 예들에서, %N는 1900 ppm 미만, 900 ppm 미만, 490 ppm 미만, 190 ppm 미만, 90 ppm 미만, 그리고 심지어 40 ppm 미만으로 유지된다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 놀랍게도, (앞서 정의된) "적절한 기하학적 설계 전략"을 사용할 때, 의도된 LP에서 통제된 수준의 %B를 가짐으로써 엄청난 결과를 달성할 수 있다는 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, %B는1 ppm 초과, 11 ppm 초과, 21 ppm 초과, 31 ppm 초과, 그리고 심지어 51 ppm을 초과하여 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 놀랍게도 구성요소의 최종 특성이 LP 내 오히려 높은 함량의 %B를 사용함으로써 향상될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, %B는 61 ppm 초과, 111 ppm 초과, 221 ppm 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어 0.6wt% 초과로 유지된다. 심지어 이러한 어플리케이션 중 일부에서도, 결국 과도한 함량의 %B는 해롭다. 다른 실시 예들에서, %B는 0.4wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt%미만으로 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %B는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %B는 400 ppm 미만, 190 ppm 미만, 90 ppm 미만, 40 ppm 미만, 그리고 심지어 9 ppm 미만으로 유지된다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Mo 는 0.001wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.21wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어 0.81wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 높은 열전도도를 위해 더 높은 함량의 %Mo가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 1.16wt% 초과, 1.51wt% 초과, 2.1wt% 초과, 2.6wt% 초과, 3.1wt% 초과, 그리고 심지어 3.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mo는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 4.4wt% 미만, 3.9wt% 미만, 3.4wt% 미만, 2.9wt% 미만, 2.4wt% 미만, 그리고 심지어 1.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 수준이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는1.4wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.94wt% 미만, 0.49wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.1wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 실시 예들에서, %Mo는 부분적으로 %W로 치환될 수 있다. 해당 치환은 %Moeq의 측면에서 이루어진다. 다른 실시 예들에서, %Mo의 %W로의 치환은 72wt%보다 낮고, 54wt%보다 낮고, 36wt%보다 낮고, 또 심지어 14wt%보다 낮다. 열전도도가 최대화되어야 하지만 열피로는 조절되어야 하는 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo가 %W보다 1.2배에서 3배 더 큰 것이 선호되며, %W의 부재는 허용되지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Moeq의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 해당 치환은 %Moeq의 측면에서 발생한다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.01wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어 0.51wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 높은 열 전도도를 위해 더 높은 %Moeq이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.76wt% 초과, 0.96wt% 초과, 1.16wt% 초과, 그리고 심지어1.51wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Moeq 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 2.1wt% 초과, 2.56wt% 초과, 3.1wt% 초과, 그리고 심지어3.56wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 본 발명가는 %Moeq의 총량을 제어해야 하며, 과도해서는 아니됨을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는4.6wt% 미만, 4.1wt% 미만, 3.8wt% 미만, 그리고 심지어 3.2wt% 미만이다. 반면, 너무 높은 수준의 %Moeq는 열전도도에 부정적인 영향을 미칠 수 있는 상황을 초래한다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는2.8wt% 미만, 2.2wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 그리고 심지어 0.3wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들은 낮은 함량의 %Moeq로부터 이점을 얻는다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는0.19wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.01wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 열처리 과정에서의 변형 제어가 중요한 경우, %W가 없는 것이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어0.86wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %W의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %W는 1.26wt% 초과, 1.6wt% 초과, 2.1wt% 초과, 2.7wt% 초과, 3.2wt% 초과, 그리고 심지어3.7wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 W는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %W는4.49wt% 미만, 3.7wt% 미만, 3.3wt% 미만, 2.8wt% 미만, 그리고 심지어 2.4wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %W가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %W는1.84wt% 미만, 1.4wt% 미만, 1.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.8wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 수준이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %W는1.2wt% 미만, 1wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.64wt% 미만, 0.39wt% 미만, 그리고 심지어 0.14wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %V의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %V는 0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.21wt% 초과, 그리고 심지어0.28wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %V의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %V는 0.86wt% 초과, 1.16wt% 초과, 1.6wt% 초과, 2.1wt% 초과, 2.6wt% 초과, 그리고 심지어3.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %V의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %V는3.4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.94wt% 미만이다. 본 발명자는 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %V가 선호됨을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %V는 0.79wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.19wt% 미만, 그리고 심지어 0.08wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ni의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ni는 0.006wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.56wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어1.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Ni의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ni는 1.86wt% 초과, 2.16wt% 초과, 2.6wt% 초과, 2.86wt% 초과, 3.1wt% 초과, 그리고 심지어3.3wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ni의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ni는3.4wt% 미만, 2.9wt% 미만, 2.2wt% 미만, 1.94wt% 미만, 1.44wt% 미만, 그리고 심지어 1.19wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Ni가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ni는0.84wt% 미만, 0.49wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Si의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Si는 0.009wt% 초과, 0.01wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.51wt% 초과, 그리고 심지어0.76wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Si의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Si는 1.06wt% 초과, 1.3wt% 초과, 1.56wt% 초과, 1.76wt% 초과, 그리고 심지어2.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Si의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Si는2.2wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 1.2wt% 미만, 그리고 심지어 0.98wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Si가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Si는0.84wt% 미만, 0.6wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.2wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mn의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 0.001wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어0.86wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Mn의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 1.1wt% 초과, 1.6wt% 초과, 1.9wt% 초과, 그리고 심지어2.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mn는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mn는2.4wt% 미만, 1.8wt% 미만, 1.3wt% 미만, 0.94wt% 미만, 그리고 심지어 0.79wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Mn가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn는0.6wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Cr의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr은 11.8wt% 이상, 12.1wt% 이상, 12.6wt% 이상, 13.1wt% 이상, 그리고 심지어 13.6wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Cr 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr은 14.1wt% 이상, 14.6wt% 이상, 15.1wt% 이상, 15.6wt% 이상, 16.1wt% 이상, 16.6wt% 이상, 그리고 심지어 19.1% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, Cr는18.9wt% 미만, 18.4wt% 미만, 17.9wt% 미만, 17.4wt% 미만, 그리고 심지어 16.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Cr가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr는16.4wt% 미만, 15.9wt% 미만, 14.9wt% 미만, 14.9wt% 미만, 그리고 심지어 14.4wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Hf의 존재가 유리하다. 다른 실시 예들에서, %Hf는 0.08wt% 초과, 0.25wt% 초과, 0.51wt% 초과, 그리고 심지어0.76wt%를 초과한다. 본 발명자는 높은 인성 수준을 요구하는 어플리케이션의 경우, %Hf 및/혹은 %Zr의 함량이 너무 높으면 안된다는 것을 발견했는데, 이는 응력 상승제로서 작용을 하는 크고 다각형의 1차 탄화물을 형성하는 경향이 있기 때문이다. 다른 실시 예들에서, %Hf는 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.98wt% 미만, 0.49wt% 미만, 그리고 심지어 0.4wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Hf가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Hf는0.24wt% 미만, 0.12wt% 미만, 0.08wt% 미만, 그리고 심지어 0.002wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 강탄화물 성형제의 존재가 유리하지만 제조 비용이 중요한 일부 어플리케이션들의 경우, %Zr의 존재가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Zr는 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어0.52wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr는2.8wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.5wt% 미만, 0.94wt% 미만, 그리고 심지어 0.44wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Zr가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Zr는0.3wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.004wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 실시 예들의 경우, %Zr 및/또는 %Hf는 부분적으로 혹은 전체적으로 %Ta로 치환이 가능하다. 다른 실시 예들에서, %Hf 및/또는 %Zr 양의 26wt% 이상이 %Ta로 대체될 수 있고, %Hf 및/또는 %Zr 양의 56wt% 이상이 %Ta로 대체될 수 있으며, 그리고 심지어 %Hf 및/또는 %Zr 양의 76wt% 이상이 %Ta로 대체될 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는 0.0009wt% 초과, 0.009wt% 초과, 0.01wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어 0.11wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ta+%Zr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는 2.4wt% 미만, 0.94wt% 미만, 0.44wt% 미만, 그리고 심지어 0.24wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Nb의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Nb는 0.001wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어0.86wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Nb 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Nb는1.02wt% 초과, 1.6wt% 초과, 1.9wt% 초과, 그리고 심지어2.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Nb는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Nb는2.4wt% 미만, 1.8wt% 미만, 1.3wt% 미만, 0.94wt% 미만, 그리고 심지어 0.79wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Nb가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Nb는0.6wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 내마멸성에 대해 %Hf 및/또는 %Zr의 존재가 긍정적인 영향을 미칠 수 있다, 만약 이 값이 크게 증가하면, %Ta 혹은 심지어 %Nb와 같은 다른 강탄화물 성형제 또한 사용될 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 0.1wt% 초과, 0.56wt% 초과, 0.76wt% 초과, 그리고 심지어 1.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 1.9wt% 미만, 0.94wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.12wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %P의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %P는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.009wt% 초과, 0.01wt% 초과, 그리고 심지어0.12wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %P 및/혹은 %S은 높은 열전도도를 위해 최대한 낮게 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %P는0.6wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.08wt% 미만, 0.04wt% 미만, 0.009wt% 미만, 그리고 심지어 0.004wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %P가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %P는0.0009wt% 미만, 0.0007wt% 미만, 그리고 심지어 0.0004wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %S의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %S는 0.0001wt% 초과, 0.002wt% 초과, 0.006wt% 초과, 0.01wt% 초과, 그리고 심지어 0.11wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %S는 높은 열전도도를 위해 가능한 낮게 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %S는0.64wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.04wt% 미만, 그리고 심지어 0.009wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %S가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %S는0.0008wt% 미만, 0.0006wt% 미만, 0.0004wt% 미만, 그리고 심지어 0.0001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Pb의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.0006wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어 0.52wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Pb 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.76wt% 초과, 0.9wt% 초과, 1.2wt% 초과, 그리고 심지어1.4wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Pb는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 1.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.02wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cu의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Cu는2.6wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.18wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Cu가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cu는0.14wt% 미만, 0.08wt% 미만, 0.009wt% 미만, 0.004wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cu+%Ni의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Cu+%Ni는 0.26wt% 초과, 0.56wt% 초과, 0.76wt% 초과, 그리고 심지어 1.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cu+%Ni는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Cu+%Ni는 3.9wt% 미만, 2.4wt% 미만, 1.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Bi의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다.다른 실시 예들에서, %Bi 는 0.0002wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.14wt% 초과, 그리고 심지어 0.51wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Bi는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Bi는 0.64wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.01wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Se의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다.다른 실시 예들에서, %Se 는 0.0006wt% 초과, 0.05wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어 0.31wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Se는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Se는 0.6wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.009wt% 미만이다. 분명히, 일부 어플리케이션들의 경우, %Co의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Co는 0.01wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.51wt% 초과, 그리고 심지어 1.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Co는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Co는 2.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.19wt% 미만, 그리고 심지어 0.02wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다.바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 놀랍게도, 통제된 %B의 존재는 일부 어플리케이션들의 경우 바람직한 %Mn+2*%Ni 수준에 강한 영향을 미치는 것으로 보이며, 일부 어플리케이션들은 그러한 존재로부터 큰 이익을 얻고 일부 어플리케이션들은 반대로 그로 인해 어려움을 겪는다. 다른 실시 예들에서, %B가 12ppm을 초과하는 양으로 존재할 때, %Mn+2*%Ni는0.01wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.46wt% 초과, 0.86wt% 초과, 그리고 심지어 1.56wt%를 초과하여 유지된다. 언급된 바와 같이, 일부 어플리케이션들(열전달을 수반하는 일부 어플리케이션들을 포함함)은 높은 수준의 %Mn+2*%Ni와 %B의 동시발생 실재성으로부터 이득을 얻지 못한다. 다른 실시 예들에서, %B가 12ppm을 초과하여 존재할 때, %Mn+2*%Ni는 1.96wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.46wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만으로 유지된다. 앞서 공개된 모든 상한 및 하한은 서로 상호 배타적이지 않는 한, 서로간 임의의 조성으로 결합될 수 있다. 대부분의 어플리케이션은 앞서 언급된 더 큰 분말의 일반적인 크기 범위로부터 이점을 얻지만, 일부 어플리케이션들에서는 다소 다른 크기 분포로부터 이점을 얻는다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) LP에 대한 "분말 크기 임계 측정값"는 2 microns이상, 22 microns이상, 42 microns이상, 52 microns이상, 102 microns이상, 그리고 심지어 152 microns이상 이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도하게 큰 크기의 임계 측정값은 특히 일부 미세한 세부 기하학에 대해 처리하기 어렵다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) LP에 대한 "분말 크기 임계 측정값"은 1990 microns이하, 1490 microns이하, 990 microns이하, 490 microns이하, 290 microns이하, 190 microns이하, 그리고 심지어 90 microns이하다. 일부 어플리케이션들의 경우 더 큰 분말 제조법은 최종 구성요소의 달성 가능한 특성에 대해 현저한 영향을 미치는 것으로 드러났다. 일 실시 예에서, LP는 (앞서 정의된) 비구형 분말이다. 일 실시 예에서, LP는 물 분무된다. 일 실시 예에서, LP는 물 분무된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, LP는 (앞서 정의된) 구형 분말이다. 일 실시 예에서, LP는 원심 분무된다. 일 실시 예에서, LP는 원심 분무된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, LP는 기계적으로 파쇄(crushed)된다. 일 실시 예에서, LP는 파쇄된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, LP는 환원된다. 일 실시 예에서, LP는 환원된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, LP는 가스 분무된다. 일 실시 예에서, LP는 가스 분무된 분말을 포함한다.
SP는 다음의 조성을 갖는 분말이고, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %Mo: 0 - 2.9; %W: 0 - 2.9; %Moeq: 0 - 2.9; %Ceq: 0 - 2.99; %C: 0 - 2.99; %N: 0 - 0.2; %B: 0 - 0.8; %Si: 0 - 1.9 ; %Mn: 0 - 2.9 ; %Ni: 0 - 3.9 ; %Cr: 0 - 19; %V: 0 - 1.9; %Nb: 0 - 0.9; %Zr: 0 - 0.4; %Hf: 0 - 0.4; %Ta: 0 - 0.4; %S: 0 - 0.2; %P: 0 - 0.09; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 1.9; %Bi: 0 - 0.2; %Se: 0 - 0.2; %Co: 0 - 1.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 - 0.299; 철과　미량　원소들로 구성된　나머지;　여기서　%Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B　이고　%Moeq=%Mo+1/2*%W그리고　여기서　%REE　는　앞서　정의된　바와　동일하다. 일 실시예에서, 미량원소는 별도로 명확히 지시하지 않는 경우, H, He, Xe, F, Ne, Na, Cl, Ar, K, Br, Kr, Sr, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, I, Ba, Re, Os, Ir, Ti, Pt, Au, Hg, Tl, Po, At, Rn, Fr, Ra, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Li, Be, Mg, Ca, Rb, Zn, Cd, Al, Ga, In, Ge, Sn, Sb, As, Te, Ds, Rg, Cn, Nh, Fl, Mc, Lv, Ts, Og 및 Mt 을 포함하지만 해당 원소만으로 제한되지는 않는 수 개의 원소를 의미한다. 일 실시 예에서, 미량 원소는 위에 나열된 원소들 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 예들에서, 임의의 미량 원소의 함량은 1.8wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만으로 선호된다. 미량 원소는 생산 비용을 줄이는 것과 같은 특정한 기능을 달성하기 위해 의도적으로 강에 추가되기도 하고/하거나 그 존재는 의도되지 않을 수 있으며 대개 합금 원소 내 불순물과 강 생산에 사용되는 스크랩의 존재와 연관되어 있다. 미량 원소의 존재가 강의 전반적인 특성을 저하시키는 몇몇의 어플리케이션이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 2.0wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.06wt% 미만이다. 주어진 어플리케이션에 있어서 강에 미량 원소가 없는 것이 선호되는 일부 실시 예들이 있다. 반면에, 미량 원소의 존재가 선호되는 몇몇의 어플리케이션들이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 0.0012wt% 초과, 0.012wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.55wt% 초과이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Y의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Y는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Y는0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.18wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 그리고 심지어0.18wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc+%Y의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, (앞서 정의된) %REE의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %REE의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %REE는1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 원소에서 발생하는 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특정 함량의 %Sc+%Y+%REE가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y+%REE 는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일부 실시 예들에서, 앞서 공개된 %O, %Cs, %Y, %Sc, %REE 및/혹은 %Ti의 함량은 또한 SP 조성에 적용될 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 원자 함량과 %Y+%Sc 혹은 대안적으로 %Y 혹은 대안적으로 %Y+%Sc+%REE 사이의 관계는 앞서 공개된 공식에 따라 최적의 기계적 특성을 위해 통제되어야 한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %O는 8 ppm 초과, 22 ppm 초과, 110 ppm 초과, 210 ppm 초과, 510 ppm 초과, 그리고 심지어 1010 ppm을 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %O는 2990 ppm 미만, 1900 ppm 미만, 900 ppm 미만, 그리고 심지어 490 ppm 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.001wt% 초과, 0.002wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.07wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어0.12wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 탄화물 성형제 함량이 증가할 때, 이 원소들과 결합하기 위해 %C 또한 증가되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.14wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.21wt% 초과, 그리고 심지어0.28wt%를 초과한다. 개선된 내마멸성을 요구하는 일부 어플리케이션들의 경우 훨씬 더 높은 %C의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.56wt% 초과, 0.76wt% 초과, 1.16wt% 초과, 1.56wt% 초과, 그리고 심지어2.26wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %C는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %C는2.4wt% 미만, 1.98wt% 미만, 1.48wt% 미만, 0.98wt% 미만, 그리고 심지어 0.69wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %C가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %C는0.49wt% 미만, 0.32wt% 미만, 0.28wt% 미만, 0.23wt% 미만, 0.14wt% 미만,그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ceq의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.001wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.21wt% 초과, 0.23wt% 초과, 그리고 심지어 0.31wt%를 초과한다. 본 발명자는 본 발명 내 높은 인성과 함께 양호한 내마멸성을 요구하는 일부 어플리케이션들의 경우 더 높은 함량의 %Ceq가 선호된다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.81wt% 초과, 1.2wt% 초과, 1.6wt% 초과, 1.9wt% 초과, 그리고 심지어 2.1wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 너무 높은 수준의 %Ceq는 적용된 열처리에 관계없이 요구된 성질과 탄화물(질화물, 붕화물, 산화물 혹은 해당 조합)의 완전성을 달성하는 것을 불가능하게 한다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 2.44wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 그리고 심지어 0.64wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Ceq가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.44wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.29wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.13wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %N의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.0002wt% 초과, 0.0009wt% 초과, 0.002wt% 초과, 0.008wt% 초과, 0.08wt% 초과, 그리고 심지어0.02wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %N의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.07wt% 초과, 0.096wt% 초과, 0.11wt% 초과, 그리고 심지어0.12wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %N는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %N는0.19wt% 미만, 0.15wt% 미만, 0.08wt% 미만, 0.02wt% 미만, 그리고 심지어 0.002wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 0.003wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어0.31wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 높은 열전도도를 위해 더 높은 함량의 %Mo가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 0.36wt% 초과, 0.41wt% 초과, 0.48wt% 초과, 0.86wt% 초과, 1.56wt% 초과, 그리고 심지어 2.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mo는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 2.4wt% 미만, 2.1wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.74wt% 미만, 1.59wt% 미만, 그리고 심지어 1.49wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Mo가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는1.4wt% 미만, 0.74wt% 미만, 0.59wt% 미만, 0.49wt% 미만, 0.29wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.1wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 실시 예들에서, %Mo는 부분적으로 %W로 치환될 수 있다. 해당 치환은 %Moeq의 측면에서 이루어진다. 다른 실시 예들에서, %Mo의 %W로의 치환은 69wt%보다 낮고, 54wt%보다 낮고, 34wt%보다 낮고, 또 심지어 12wt%보다 낮다. 열전도도가 최대화되어야 하지만 열피로는 조절되어야 하는 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo가 %W보다 1.2배에서 3배 더 큰 것이 선호되며, %W의 부재는 허용되지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Moeq의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.002wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어 0.3wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 높은 열전도도를 위해 더 높은 함량의 %Moeq가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.46wt% 초과, 0.6wt% 초과, 1.3wt% 초과, 그리고 심지어 1.9wt%를 초과한다. 반면, 너무 높은 수준의 %Moeq는 열전도도에 부정적인 영향을 미칠 수 있는 상황을 초래한다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 2.4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.5wt% 미만, 그리고 심지어 1.2wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 %Moeq의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.84wt% 미만, 0.74wt% 미만, 0.59wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.29wt% 미만이다. 일부　어플리케이션들의　경우,　훨씬　더 낮은　%Moeq　함량이　선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는0.24wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 원소에 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 열처리 과정에서의 변형 제어가 중요한 경우, %W가 없는 것이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.006wt% 초과, 0.03wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어0.36wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %W의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.4wt% 초과, 0.66wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어1.8wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %W는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %W는2.1wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.84wt% 미만, 0.64wt% 미만, 그리고 심지어 0.49wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들은 낮은 함량의 %W로부터 이점을 얻는다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.38wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.09wt% 미만이거나 심지어 의도된 %W가 전혀 없다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 본 발명가는 놀랍게도 일부 어플리케이션들의 경우, 소량의 %B가 열전도도를 높이는데 긍정적인 영향을 미친다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %B는 2ppm 초과, 16ppm 초과, 61ppm 초과, 그리고 심지어86ppm를 초과한다. 본 발명가는 일부 어플리케이션들의 경우, 달성 가능한 베이나이트 미세 구조에 눈에 띄는 영향을 미치기 위해서는 %B가 페라이트 구역에서 경화능을 증가시키는데 요구되는 함량보다 다소 높은 함량으로 존재해야함을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %B는 90ppm 초과, 126ppm 초과, 206ppm 초과, 그리고 심지어326ppm를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %B의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %B는 0.09wt% 초과, 0.11wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어0.4wt%를 초과한다. 반면, 과도한 붕화물이 형성되면, 인성에 미치는 영향은 상당히 해로울 수 있다. 다른 실시 예들에서, %B는0.74wt% 미만, 0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.12wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %B가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %B는740ppm 미만, 490ppm 미만, 140ppm 미만, 80ppm 미만, 그리고 심지어 40ppm 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Si의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Si는 0.009wt% 초과, 0.01wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.51wt% 초과, 그리고 심지어0.76wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Si의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Si는 0.91wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.36wt% 초과, 1.56wt% 초과, 그리고 심지어1.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Si의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Si는1.6wt% 미만, 1.4wt% 미만, 1.2wt% 미만, 1wt% 미만, 그리고 심지어 0.98wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Si가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Si는0.84wt% 미만, 0.6wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.2wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mn의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 0.001wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.36wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어 1.2wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Mn가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 1.4wt% 초과, 1.6wt% 초과, 1.8wt% 초과, 그리고 심지어2.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mn는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 2.6wt% 미만, 2.2wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.98wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Mn가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 0.8wt% 미만, 0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.19wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ni의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ni는 0.006wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.56wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어1.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Ni의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ni는 1.86wt% 초과, 2.16wt% 초과, 2.6wt% 초과, 2.86wt% 초과, 3.1wt% 초과, 그리고 심지어3.3wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ni의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ni는3.4wt% 미만, 2.9wt% 미만, 2.2wt% 미만, 1.94wt% 미만, 1.44wt% 미만, 그리고 심지어 1.19wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Ni가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ni는0.84wt% 미만, 0.49wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cr의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Cr은 0.1wt% 이상, 1.1wt% 이상, 2.6wt% 이상, 3.1wt% 이상, 그리고 심지어 5.1wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Cr의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr은7.1wt% 이상, 8.6wt% 이상, 10.1wt% 이상, 12.6wt% 이상, 14.1wt% 이상, 그리고 심지어 16.1wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Cr는18.9wt% 미만, 16.4wt% 미만, 13.9wt% 미만, 11.4wt% 미만, 그리고 심지어 9.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Cr가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr는7.4wt% 미만, 5.9wt% 미만, 4.4wt% 미만, 3.9wt% 미만, 그리고 심지어 2.4wt% 미만이다. 일부　어플리케이션들의　경우,　훨씬　더 낮은　%Cr　함량이　선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr는1.8wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.94wt% 미만, 0.49wt% 미만, 그리고 심지어 0.01wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %V의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %V은 0.0006wt% 이상, 0.01wt% 이상, 0.21wt% 이상, 0.81wt% 이상, 그리고 심지어 1.06wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %V는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %V는1.44wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.59wt% 미만, 그리고 심지어 0.19wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Nb의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Nb는 0.001wt% 초과, 0.006wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어0.26wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Nb는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Nb는0.4wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.009wt% 미만, 그리고 심지어 0.0009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Hf의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Hf는 0.008wt% 초과, 0.05wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어0.11wt%를 초과한다. 본 발명자는 높은 인성 수준을 요구하는 어플리케이션의 경우, %Hf 및/혹은 %Zr의 함량이 너무 높으면 안된다는 것을 발견했는데, 이는 응력 상승제로서 작용을 하는 크고 다각형의 1차 탄화물을 형성하는 경향이 있기 때문이다. 다른 실시 예들에서, %Hf는0.29wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 강탄화물 성형제의 존재가 유리하지만 제조 비용이 중요한 일부 어플리케이션들의 경우, %Zr의 존재가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Zr는 0.006wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어0.12wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr는0.28wt% 미만, 0.18wt% 미만, 0.13wt% 미만, 0.08wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만이다. 일부 실시 예들의 경우, %Zr 및/또는 %Hf는 부분적으로 혹은 전체적으로 %Ta로 치환이 가능하다. 다른 실시 예들에서, %Hf 및/또는 %Zr 양의 25wt% 이상이 %Ta로 대체될 수 있고, %Hf 및/또는 %Zr 양의 50wt% 이상이 %Ta로 대체될 수 있으며, 심지어 %Hf 및/또는 %Zr 양의 75wt% 이상이 %Ta로 대체될 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는 0.0009wt% 초과, 0.009wt% 초과, 0.01wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어 0.11wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ta+%Zr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는 0.4wt% 미만, 0.18wt% 미만, 그리고 심지어 0.004wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 내마멸성에 대해 %Hf 및/또는 %Zr의 존재가 긍정적인 영향을 미칠 수 있다, 만약 이 값이 크게 증가하면, %Ta 혹은 심지어 %Nb와 같은 다른 강탄화물 성형제 또한 사용될 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 0.001wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.36wt% 초과, 0.46wt% 초과, 그리고 심지어 0.76wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 0.9wt% 미만, 0.46wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.16wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %P의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %P는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.008wt% 초과, 그리고 심지어0.01wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %S가 선호된다. 일부 어플리케이션들의 경우, %P 및/혹은 %S은 높은 열전도도를 위해 최대한 낮게 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %P는 0.08wt% 미만, 0.04wt% 미만, 0.02wt% 미만, 그리고 심지어 0.002wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %S의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %S는 0.006wt% 초과, 0.016wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.18wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %S는 높은 열전도도를 위해 가능한 낮게 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %S는0.14wt% 미만, 0.08wt% 미만, 0.04wt% 미만, 0.03wt% 미만, 0.01wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Pb의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.0002wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어 0.56wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Pb는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.04wt% 미만, 그리고 심지어 0.0009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Bi의 존재가 바람직하나, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Bi는 0.0009wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어 0.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Bi는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Bi는 0.14wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.009wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Se의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Se는 0.0001wt% 초과, 0.005wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.08wt% 초과, 그리고 심지어 0.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Se는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Se는 0.12wt% 미만, 0.07wt% 미만, 0.009wt% 미만, 그리고 심지어 0.0009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Co의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Co는 0.0009wt% 초과, 0.05wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.21wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어 1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Co는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Co는 1.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.01wt% 미만, 그리고 심지어 0.004wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cu의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Cu는1.6wt% 미만, 1.4wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.18wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Cu가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cu는0.14wt% 미만, 0.08wt% 미만, 0.009wt% 미만, 0.004wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cu+%Ni의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Cu+%Ni는 0.16wt% 초과, 0.56wt% 초과, 0.76wt% 초과, 1.1wt%를 초과한다.일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cu+%Ni는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Cu+%Ni는 3.9wt% 미만, 2.4wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 그리고 심지어 0.4wt% 미만이다. 앞서 공개된 모든 상한 및 하한은 서로 상호 배타적이지 않는 한, 서로간 임의의 조성으로 결합될 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, SP가 LP와 유사한 조성을 갖는 경우 훨씬 더 잘 작동한다. 일 실시 예에서, LP와 SP는 동일한 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 LP에 대해 앞서 서술한 조성 범위 내에 속하는 조성을 가진다. 일 실시 예에서, LP와 SP는 동일한 조성을 갖는다. 일 실시 예에서, SP는 (앞서 정의된) 구형이다. 일 실시 예에서, SP는 가스 분무된 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 가스 분무화를 포함하는 시스템으로 분무된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, SP는 원심 분무된 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 원심 분무화를 포함하는 시스템으로 분무된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, SP는 가스 카보닐 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 카보닐 공정을 통해 얻어진 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, SP는 산화물 환원을 통해 얻어진 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 환원된 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 카보닐 철 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 카보닐 철 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, SP는 (앞서 정의된) 비구형 분말이다. 비록 대부분의 어플리케이션의 경우 SP에 관해 서술된 일반적인 규율이 적용되지만, 일부 구체적인 어플리케이션의 경우, 본 조성의 SP에 대해 다소 다른 크기 제약을 사용하는 것이 더 낫다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) SP에 대한 "분말 크기 임계 측정값"은 0.6 nanometers 이상, 52 nanometers 이상, 602 nanometers 이상, 1.2 microns 이상, 6 microns 이상, 12 microns 이상, 그리고 심지어 32 microns 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 일부 미세 정밀 기하학의 경우 지나치게 큰 크기의 임계 측정값은 처리하기 어렵다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) SP에 대한 "분말 크기 임계 측정값"은 990 microns 이하, 490 microns 이하, 190 microns 이하, 90 microns 이하, 19 microns 이하, 9 microns 이하, 890 nanometers 이하, 그리고 심지어 490 nanometers 이하다.
일 실시 예에서, LP와 SP의 혼합물은 AP1, AP2, AP3, AP4로 구성된 리스트에서, 개별적으로 혹은 임의의 결합으로, 선택된 분말을 추가로 포함하며, 여기서 AP1, AP2, AP3, AP4는 앞서 정의된 바와 동일하다.
여러가지 툴링을 포함하는 몇몇의 어플리케이션의 경우, 특히 인성과 항복 강도 측면에서 매우 높은 기계적 특성과 결합된 높은 내식성을 갖는 철을 가지는 것이 흥미롭다. 높은 항복강도와 인성의 조합은 항상 재료과학의 패러다임 중 하나였으며, 혼합물에 내식성을 추가하는 것은 전체 도전 과제를 더욱 어렵게 만든다. 경우에 따라 분말 혼합에 대해 제공된 제형은 그 자체로 발명을 구성할 수 있지만 최종 전체 조성 또한 독립된 발명을 구성할 수 있다. 이러한 일부 어플리케이션들의 경우, 본 발명자는 다음의 분말 혼합물(최소 LP와 SP을 포함함)에 흥미가 있다는 것을 발견했다:
LP는 다음의 조성을 포함하는 분말이며, 모든 백분율은 가중치로 표시되었다: %Mo: 0.05 - 2.9; %W: 0 - 3.9; %Moeq: 0.05 - 2.9; %Ceq: 0.002 - 0.14; %C: 0.002 - 0.09; %N: 0 - 2.0; %B: 0 - 0.08; %Si: 0.05 - 1.5 ; %Mn: 0.05 - 1.5 ; %Ni: 9.5 - 11.9; %Cr: 10.5 - 13.5; %Ti: 0.5 - 2.4; %Al: 0.001 - 1.5; %V: 0 - 0.4; %Nb: 0 - 0.9; %Zr: 0 - 0.9; %Hf: 0 - 0.9; %Ta: 0 - 0.9; %S: 0 - 0.08; %P: 0 - 0.08; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.08; %Se: 0 - 0.08; %Co: 0 - 3.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 - 0.299 %Y+%Sc+%REE: 0.006 - 1.9%; 철과　미량　원소들로 구성된　나머지;　여기서　%Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B　이고　%Moeq=%Mo+1/2*%W그리고　여기서　%REE　는　앞서　정의된　바와　동일하다. 일 실시예에서, 미량원소는 별도로 명확히 지시하지 않는 경우, H, He, Xe, F, Ne, Na, Cl, Ar, K, Br, Kr, Sr, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, I, Ba, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Po, At, Rn, Fr, Ra, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Li, Be, Mg, Ca, Rb, Zn, Cd, Ga, In, Ge, Sn, Sb, As, Te, Ds, Rg, Cn, Nh, Fl, Mc, Lv, Ts, Og 및 Mt 을 포함하지만 해당 원소만으로 제한되지는 않는 수 개의 원소를 의미한다. 일 실시 예에서, 미량 원소는 위에 나열된 원소들 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 예들에서, 임의의 미량 원소의 함량은 1.8wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만으로 선호된다. 미량 원소는 생산 비용을 줄이는 것과 같은 특정한 기능을 달성하기 위해 의도적으로 강에 추가되기도 하고/하거나 그 존재는 의도되지 않을 수 있으며 대개 합금 원소 내 불순물과 강 생산에 사용되는 스크랩의 존재와 연관되어 있다. 미량 원소의 존재가 강의 전반적인 특성을 저하시키는 몇몇의 어플리케이션이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 2.0wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.06wt% 미만이다. 주어진 어플리케이션에 있어서 강에 미량 원소가 없는 것이 선호되는 일부 실시 예들이 있다. 반면에, 미량 원소의 존재가 선호되는 몇몇의 어플리케이션들이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 0.0012wt% 초과, 0.012wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.55wt% 초과이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Y의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Y의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Y는0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.18wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 그리고 심지어0.18wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc+%Y의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, (앞서 정의된) %REE의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %REE의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %REE는1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 원소에서 발생하는 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특정 함량의 %Sc+%Y+%REE가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y+%REE 는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일부 실시 예들에서, 앞서 공개된 %O, %Cs, %Y, %Sc, %REE 및/혹은 %Ti의 함량은 또한 LP 조성에 적용될 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 원자 함량과 %Y+%Sc 혹은 대안적으로 %Y 혹은 대안적으로 %Y+%Sc+%REE 사이의 관계는 앞서 공개된 공식에 따라 최적의 기계적 특성을 위해 통제되어야 한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %O는 8 ppm 초과, 22 ppm 초과, 110 ppm 초과, 210 ppm 초과, 510 ppm 초과, 그리고 심지어 1010 ppm을 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %O는 2990 ppm 미만, 1900 ppm 미만, 900 ppm 미만, 그리고 심지어 490 ppm 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 본 발명자는 개선된 내마멸성을 요구하는 어플리케이션의 경우, 훨씬 더 높은 %C 함량이 선호됨을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.009wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.021wt% 초과, 0.03wt% 초과, 0.05wt% 초과, 0.06wt% 초과, 그리고 심지어0.07wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리한 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %C는0.08wt% 미만, 0.05wt% 미만, 0.02wt% 미만, 0.01wt% 미만, 그리고 심지어 0.009wt% 미만이다. 앞서 공개된 바와 같이, 일부 어플리케이션들은 이미 노출된 일반화된 방법으로 낮은 격자간 함량 수준(interstitial content level)에서 이익을 얻지만, 일부 어플리케이션들은 격자간 수준을 다소 다르게 통제함으로써 훨씬 더 나은 결과를 제공한다. 다른 실시 예들에서, %C는 990 ppm 미만, 890 ppm 미만, 490 ppm 미만, 196 ppm 미만, 그리고 심지어 96 ppm 미만으로 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Ceq의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.006wt% 초과, 0.01wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.021wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어0.11wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ceq의 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는0.12wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.02wt% 미만, 그리고 심지어 0.009wt% 미만이다. 앞서 공개된 바와 같이, 일부 어플리케이션들은 이미 노출된 일반화된 방법으로 낮은 격자간 함량 수준(interstitial content level)에서 이익을 얻지만, 일부 어플리케이션들은 격자간 수준을 다소 다르게 통제함으로써 훨씬 더 나은 결과를 제공한다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 890 ppm 미만, 490 ppm 미만, 90 ppm 미만, 그리고 심지어 40 ppm 미만으로 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, %N의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.0002wt% 초과, 0.005wt% 초과, 0.025wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.15wt% 초과, 그리고 심지어0.2wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %N의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.26wt% 초과, 0.31wt% 초과, 0.4wt% 초과, 0.46wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어0.71wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %N 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.81wt% 초과, 0.91wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.31wt% 초과, 그리고 심지어1.56wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %N는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %N는1.79wt% 미만, 1.49wt% 미만, 1.19wt% 미만, 0.98wt% 미만, 0.9wt% 미만, 심지어 0.84wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %N가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %N는0.79wt% 미만, 0.74wt% 미만, 0.69wt% 미만, 0.59wt% 미만, 0.49wt% 미만, 그리고 심지어 0.39wt% 미만이다. 일부　어플리케이션들의　경우,　훨씬　더 낮은　%N　함량이　선호된다. 다른 실시 예들에서, %N는0.29wt% 미만, 0.12wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.08wt% 미만, 0.02wt% 미만, 그리고 심지어 0.002wt% 미만이다. 앞서 공개된 바와 같이, 일부 어플리케이션들은 이미 노출된 일반화된 방법으로 낮은 격자간 함량 수준(interstitial content level)에서 이익을 얻지만, 일부 어플리케이션들은 격자간 수준을 다소 다르게 통제함으로써 훨씬 더 나은 결과를 제공한다. 다른 실시 예들에서, %N는 1900 ppm 미만, 900 ppm 미만, 490 ppm 미만, 190 ppm 미만, 90 ppm 미만, 그리고 심지어40 ppm 미만으로 유지된다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 놀랍게도, 적절한 기하학적 설계 전략 을 사용할 때, 의도된 LP에서 통제된 수준의 %B를 가짐으로써 엄청난 결과를 달성할 수 있다는 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, %B는1 ppm 초과, 11 ppm 초과, 21 ppm 초과, 31 ppm 초과, 그리고 심지어 51 ppm을 초과하여 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 놀랍게도 구성요소의 최종 특성이 LP 내 오히려 높은 함량의 %B를 사용함으로써 향상될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, %B는 61 ppm 초과, 111 ppm 초과, 221 ppm 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어 0.6wt% 초과로 유지된다. 심지어 이러한 어플리케이션 중 일부에서도, 결국 과도한 함량의 %B는 해롭다. 다른 실시 예들에서, %B는 0.4wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt%미만으로 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %B는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %B는 400 ppm 미만, 190 ppm 미만, 90 ppm 미만, 40 ppm 미만, 그리고 심지어 9 ppm 미만으로 유지된다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Si의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Si는 0.06wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.39wt% 초과, 0.51wt% 초과, 그리고 심지어0.76wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Si의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Si는0.8wt% 초과, 0.86wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.16wt% 초과, 그리고 심지어1.26wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 Si는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Si는1.4wt% 미만, 1.2wt% 미만, 1.1wt% 미만, 0.98wt% 미만, 그리고 심지어 0.8wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Si가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Si는0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.39wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Mn가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 0.06wt% 초과, 0.07wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.5wt% 초과,그리고 심지어0.66wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Mn 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 0.51wt% 초과, 0.65wt% 초과, 0.76wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어1.26wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mn는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mn는1.4wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.69wt% 미만, 그리고 심지어 0.5wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Mn가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn는0.49wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 놀랍게도, 본 발명자는 일부 실시 예들에서, 더 높은 함량의 %Ni가 기계적 특성에 긍정적인 효과를 미친다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %Ni는 10.0wt% 초과, 10.1wt% 초과, 10.5wt% 초과, 10.6wt% 초과, 11.1wt% 초과, 그리고 심지어11.3wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ni는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ni는11.4wt% 미만, 10.9wt% 미만, 10.6wt% 미만, 10.5wt% 미만, 10wt% 미만, 그리고 심지어 9.9wt% 미만이다. 놀랍게도, 통제된 %B의 존재는 일부 어플리케이션들의 경우 바람직한 %Mn+2*%Ni 수준에 강한 영향을 미치는 것으로 보이며, 일부 어플리케이션들은 그러한 존재로부터 큰 이익을 얻고 일부 어플리케이션들은 반대로 그로 인해 어려움을 겪는다. 다른 실시 예들에서, %B가 12ppm을 초과하는 양으로 존재할 때, %Mn+2*%Ni는0.01wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.46wt% 초과, 0.86wt% 초과, 그리고 심지어 1.56wt%를 초과하여 유지된다. 언급된 바와 같이, 일부 어플리케이션들(열전달을 수반하는 일부 어플리케이션들을 포함함)은 높은 수준의 %Mn+2*%Ni와 %B의 동시발생 실재성으로부터 이득을 얻지 못한다. 다른 실시 예들에서, %B가 12ppm을 초과하여 존재할 때, %Mn+2*%Ni는 1.96wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.46wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만으로 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Cr의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr는 10.6wt% 초과, 10.8wt% 초과, 11.1wt% 초과, 11.6wt% 초과, 12.0wt% 초과, 그리고 심지어12.2wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Cr 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr는 12.6wt% 초과, 13.0wt% 초과, 13.1wt% 초과, 13.2wt% 초과, 그리고 심지어13.3wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Cr는13.0wt% 미만, 12.9wt% 미만, 12.4wt% 미만, 12.2wt% 미만, 그리고 심지어 12.0wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Cr가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr는11.9wt% 미만, 11.6wt% 미만, 11.4wt% 미만, 11.2wt% 미만, 그리고 심지어 10.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Ti의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ti는 0.6wt% 초과, 0.9wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.5wt% 초과, 1.6wt% 초과, 1.9wt% 초과, 그리고 심지어2.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ti는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ti는2.1wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.5wt% 미만, 1.3wt% 미만, 1.0wt% 미만, 0.98wt% 미만,그리고 심지어 0.79wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Al의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Al는 0.06wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.39wt% 초과, 그리고 심지어0.5wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Al 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Al는 0.68wt% 초과, 0.86wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.16wt% 초과, 그리고 심지어1.26wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Al는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Al는1.4wt% 미만, 1.2wt% 미만, 1.1wt% 미만, 0.98wt% 미만, 그리고 심지어 0.8wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Al가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Al는0.6wt% 미만, 0.5wt% 미만, 0.49wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %V의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %V은 0.0006wt% 이상, 0.01wt% 이상, 0.02wt% 이상, 0.1wt% 이상, 그리고 심지어 0.16wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %V는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %V는0.34wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Nb의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Nb는 0.001wt% 초과, 0.006wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어0.26wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Nb는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Nb는0.4wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.009wt% 미만, 그리고 심지어 0.0009wt% 미만이다.분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Hf의 존재가 유리하다. 다른 실시 예들에서, %Hf는 0.008wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어0.31wt%를 초과한다. 본 발명자는 높은 인성 수준을 요구하는 어플리케이션의 경우, %Hf 및/혹은 %Zr의 함량이 너무 높으면 안된다는 것을 발견했는데, 이는 응력 상승제로서 작용을 하는 크고 다각형의 1차 탄화물을 형성하는 경향이 있기 때문이다. 다른 실시 예들에서, %Hf는0.69wt% 미만, 0.39wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 강탄화물 성형제의 존재가 유리하지만 제조 비용이 중요한 일부 어플리케이션들의 경우, %Zr의 존재가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Zr는 0.006wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.21wt% 초과, 그리고 심지어0.36wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr는0.58wt% 미만, 0.38wt% 미만, 0.13wt% 미만, 0.08wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 실시 예들의 경우, %Zr 및/또는 %Hf는 부분적으로 혹은 전체적으로 %Ta로 치환이 가능하다. 다른 실시 예들에서, %Hf 및/또는 %Zr 양의 25wt% 이상이 %Ta로 대체될 수 있고, %Hf 및/또는 %Zr 양의 50wt% 이상이 %Ta로 대체될 수 있으며, 심지어 %Hf 및/또는 %Zr 양의 75wt% 이상이 %Ta로 대체될 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는 0.0009wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.41wt% 초과, 그리고 심지어 0.61wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ta+%Zr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는 0.9wt% 미만, 0.28wt% 미만, 0.14wt% 미만, 그리고 심지어 0.004wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 내마멸성에 대해 %Hf 및/또는 %Zr의 존재가 긍정적인 영향을 미칠 수 있다, 만약 이 값이 크게 증가하면, %Ta 혹은 심지어 %Nb와 같은 다른 강탄화물 성형제 또한 사용될 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 0.001wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.36wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어 1.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 0.9wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.29wt% 미만, 0.14wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %P의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %P는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.008wt% 초과, 그리고 심지어0.01wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %P 및/혹은 %S은 높은 열전도도를 위해 최대한 낮게 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %P는0.06wt% 미만, 0.04wt% 미만, 0.02wt% 미만, 그리고 심지어 0.002wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %S의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %S는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.008wt% 초과, 그리고 심지어 0.01wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %S는 높은 열전도도를 위해 가능한 낮게 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %S는0.07wt% 미만, 0.05wt% 미만, 0.04wt% 미만, 0.03wt% 미만, 0.01wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cu의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Cu는 0.0006wt% 초과, 0.05wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어0.16wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Cu의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cu은 0.56wt% 이상, 0.91wt% 이상, 1.26wt% 이상, 1.81wt% 이상, 그리고 심지어 2.16wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cu는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Cu는3.4wt% 미만, 2.9wt% 미만, 2.4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.98wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Cu가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cu는0.64wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.05wt% 미만, 0.04wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Pb의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.0006wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어 0.52wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Pb는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.8wt% 미만, 0.64wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.01wt% 미만,그리고 심지어 0.004wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Bi의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다.다른 실시 예들에서, %Bi 는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.009wt% 초과, 0.01wt% 초과, 그리고 심지어 0.03wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Bi는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Bi는 0.06wt% 미만, 0.04wt% 미만, 0.02wt% 미만, 0.009wt% 미만, 0.001wt% 미만,그리고 심지어 0.0001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Se의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Se 는 0.0001wt% 초과, 0.0009wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.009wt% 초과, 0.01wt% 초과, 그리고 심지어 0.04wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Se는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Se는 0.06wt% 미만, 0.03wt% 미만, 0.009wt% 미만, 0.001wt% 미만, 그리고 심지어 0.0009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Co의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Co는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.51wt% 초과, 그리고 심지어0.81wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Co의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Co는1.1wt% 초과, 1.6wt% 초과, 1.8wt% 초과, 2.1wt% 초과, 그리고 심지어2.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Co는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Co는wt% 미만, 3.4wt% 미만, 2.4wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.19wt% 미만, 그리고 심지어 0.02wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Mo의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 0.09wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.5wt% 초과, 그리고 심지어0.51wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Mo 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 0.66wt% 초과, 0.81wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어1.5wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Mo 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 1.51wt% 초과, 1.8wt% 초과, 2.1wt% 초과, 그리고 심지어2.3wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mo는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mo는2.4wt% 미만, 1.94wt% 미만, 1.5wt% 미만, 1.19wt% 미만, 0.9wt% 미만, 그리고 심지어 0.5wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Mo가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는0.49wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 일부 실시 예들에서, %Mo는 부분적으로 %W로 치환될 수 있다. 해당 치환은 %Moeq의 측면에서 이루어진다. 다른 실시 예들에서, %Mo의 %W로의 치환은 69wt%보다 낮고, 54wt%보다 낮고, 34wt%보다 낮고, 또 심지어 12wt%보다 낮다. 열전도도가 최대화되어야 하지만 열피로는 조절되어야 하는 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo가 %W보다 1.2배에서 3배 더 큰 것이 선호되며, %W의 부재는 허용되지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Moeq의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.09wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.31wt% 초과, 그리고 심지어 0.5wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Moeq의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.51wt% 초과, 0.81wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.3wt% 초과, 그리고 심지어1.5wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Moeq 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 1.51wt% 초과, 1.8wt% 초과, 2.1wt% 초과, 그리고 심지어2.3wt%를 초과한다. 반면, 너무 높은 수준의 %Moeq는 열전도도에 부정적인 영향을 미칠 수 있는 상황을 초래한다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 2.4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.5wt% 미만, 그리고 심지어 1.2wt% 미만이다. 반면, 너무 높은 수준의 %Moeq는 열전도도에 부정적인 영향을 미칠 수 있는 상황을 초래한다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.84wt% 미만, 0.5wt% 미만, 0.49wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.29wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.006wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.36wt% 초과, 그리고 심지어0.4wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %W의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.66wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.6wt% 초과, 1.86wt% 초과, 2.1wt% 초과, 그리고 심지어2.8wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %W는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %W는3.4wt% 미만, 2.84wt% 미만, 2.4wt% 미만, 1.98wt% 미만, 그리고 심지어 1.49wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들은 낮은 함량의 %W로부터 이점을 얻는다.다른 실시 예들에서, %W는 0.98wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.09wt% 미만이거나 심지어 의도된 %W가 전혀 없다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 앞서 공개된 모든 상한 및 하한은 서로 상호 배타적이지 않는 한, 서로간 임의의 조성으로 결합될 수 있다. 대부분의 어플리케이션은 앞서 언급된 더 큰 분말의 일반적인 크기 범위로부터 이점을 얻지만, 일부 어플리케이션들에서는 다소 다른 크기 분포로부터 이점을 얻는다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) LP에 대한 "분말 크기 임계 측정값"는 2 microns이상, 22 microns이상, 42 microns이상, 52 microns이상, 102 microns이상, 그리고 심지어 152 microns이상 이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도하게 큰 크기의 임계 측정값은 특히 일부 미세한 세부 기하학에 대해 처리하기 어렵다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) LP에 대한 "분말 크기 임계 측정값"은 1990 microns이하, 1490 microns이하, 990 microns이하, 490 microns이하, 290 microns이하, 190 microns이하, 그리고 심지어 90 microns이하다. 일부 어플리케이션들의 경우 더 큰 분말 제조법은 최종 구성요소의 달성 가능한 특성에 대해 현저한 영향을 미치는 것으로 드러났다. 일 실시 예에서, LP는 (앞서 정의된) 비구형 분말이다. 일 실시 예에서, LP는 물 분무된다. 일 실시 예에서, LP는 물 분무된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, LP는 (앞서 정의된) 구형 분말이다. 일 실시 예에서, LP는 원심 분무된다. 일 실시 예에서, LP는 원심 분무된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, LP는 기계적으로 파쇄(crushed)된다. 일 실시 예에서, LP는 파쇄된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, LP는 환원된다. 일 실시 예에서, LP는 환원된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, LP는 가스 분무된다. 일 실시 예에서, LP는 가스 분무된 분말을 포함한다.
SP는 다음의 조성을 갖는 분말이고, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %Mo: 0 - 2.9; %W: 0 - 2.9; %Moeq: 0 - 2.9; %Ceq: 0 - 2.99; %C: 0 - 2.99; %N: 0 - 0.2; %B: 0 - 0.8; %Si: 0 - 1.9 ; %Mn: 0 - 2.9 ; %Ni: 0 - 3.9 ; %Cr: 0 - 19; %V: 0 - 1.9; %Nb: 0 - 0.9; %Zr: 0 - 0.4; %Hf: 0 - 0.4; %Ta: 0 - 0.4; %S: 0 - 0.2; %P: 0 - 0.09; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 1.9; %Bi: 0 - 0.2; %Se: 0 - 0.2; %Co: 0 - 1.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 - 0.299; 철과　미량　원소들로 구성된　나머지;　여기서　%Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B　이고　%Moeq=%Mo+1/2*%W그리고　여기서　%REE　는　앞서　정의된　바와　동일하다. 일 실시예에서, 미량원소는 별도로 명확히 지시하지 않는 경우, H, He, Xe, F, Ne, Na, Cl, Ar, K, Br, Kr, Sr, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, I, Ba, Re, Os, Ir, Ti, Pt, Au, Hg, Tl, Po, At, Rn, Fr, Ra, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Li, Be, Mg, Ca, Rb, Zn, Cd, Al, Ga, In, Ge, Sn, Sb, As, Te, Ds, Rg, Cn, Nh, Fl, Mc, Lv, Ts, Og 및 Mt 을 포함하지만 해당 원소만으로 제한되지는 않는 수 개의 원소를 의미한다. 일 실시 예에서, 미량 원소는 위에 나열된 원소들 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 예들에서, 임의의 미량 원소의 함량은 1.8wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만으로 선호된다. 미량 원소는 생산 비용을 줄이는 것과 같은 특정한 기능을 달성하기 위해 의도적으로 강에 추가되기도 하고/하거나 그 존재는 의도되지 않을 수 있으며 대개 합금 원소 내 불순물과 강 생산에 사용되는 스크랩의 존재와 연관되어 있다. 미량 원소의 존재가 강의 전반적인 특성을 저하시키는 몇몇의 어플리케이션이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 2.0wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.06wt% 미만이다. 주어진 어플리케이션에 있어서 강에 미량 원소가 없는 것이 선호되는 일부 실시 예들이 있다. 반면에, 미량 원소의 존재가 선호되는 몇몇의 어플리케이션들이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 0.0012wt% 초과, 0.012wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.55wt% 초과이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Y의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Y의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Y는0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.18wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 그리고 심지어0.18wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc+%Y의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, (앞서 정의된) %REE의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %REE의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %REE는1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 원소에서 발생하는 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특정 함량의 %Sc+%Y+%REE가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y+%REE 는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일부 실시 예들에서, 앞서 공개된 %O, %Cs, %Y, %Sc, %REE 및/혹은 %Ti의 함량은 또한 SP 조성에 적용될 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 원자 함량과 %Y+%Sc 혹은 대안적으로 %Y 혹은 대안적으로 %Y+%Sc+%REE 사이의 관계는 앞서 공개된 공식에 따라 최적의 기계적 특성을 위해 통제되어야 한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %O는 8 ppm 초과, 22 ppm 초과, 110 ppm 초과, 210 ppm 초과, 510 ppm 초과, 그리고 심지어 1010 ppm을 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %O는 2990 ppm 미만, 1900 ppm 미만, 900 ppm 미만, 그리고 심지어 490 ppm 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.001wt% 초과, 0.002wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.07wt% 초과, 0.1wt% 초과,그리고 심지어0.12wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 탄화물 성형제 함량이 증가할 때, 이 원소들과 결합하기 위해 %C 또한 증가되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.14wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.21wt% 초과, 그리고 심지어0.28wt%를 초과한다. 개선된 내마멸성을 요구하는 일부 어플리케이션들의 경우 훨씬 더 높은 %C의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.56wt% 초과, 0.76wt% 초과, 1.16wt% 초과, 1.56wt% 초과, 그리고 심지어 2.26wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %C는2.4wt% 미만, 1.98wt% 미만, 1.48wt% 미만, 0.98wt% 미만, 심지어 0.69wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %C가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %C는0.49wt% 미만, 0.32wt% 미만, 0.28wt% 미만, 0.23wt% 미만, 0.14wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ceq의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.001wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.21wt% 초과, 0.23wt% 초과, 그리고 심지어 0.31wt%를 초과한다. 본 발명자는 본 발명 내 높은 인성과 함께 양호한 내마멸성을 요구하는 일부 어플리케이션들의 경우 더 높은 함량의 %Ceq가 선호된다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.81wt% 초과, 1.2wt% 초과, 1.6wt% 초과, 1.9wt% 초과,그리고 심지어2.1wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 너무 높은 %Ceq 수준은 적용되는 열 처리와 관계없이 요구되는 성질 및 탄화물(carbides: 질화물 nitrides, 붕화물 borides, 산화물 oxides, 혹은 조합 combinations)의 완전성을 달성하는 것을 불가능하게 한다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는2.4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 그리고 심지어 0.64wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Ceq가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.44wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.29wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.13wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %N의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.0002wt% 초과, 0.0009wt% 초과, 0.002wt% 초과, 0.008wt% 초과, 0.08wt% 초과, 그리고 심지어 0.02wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %N의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.07wt% 초과, 0.096wt% 초과, 0.11wt% 초과, 그리고 심지어0.12wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %N는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %N는0.19wt% 미만, 0.15wt% 미만, 0.08wt% 미만, 0.02wt% 미만, 그리고 심지어 0.002wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Mo 는 0.003wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어 0.31wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 높은 열전도도를 위해 더 높은 함량의 %Mo가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 0.36wt% 초과, 0.41wt% 초과, 0.48wt% 초과, 0.86wt% 초과, 그리고 심지어 1.56wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mo는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 2.44wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.4wt%, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.59wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 수준이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는0.49wt% 미만, 0.29wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.1wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 실시 예들에서, %Mo는 부분적으로 %W로 치환될 수 있다. 해당 치환은 %Moeq의 측면에서 이루어진다. 다른 실시 예들에서, %Mo의 %W로의 치환은 69wt%보다 낮고, 54wt%보다 낮고, 34wt%보다 낮고, 또 심지어 12wt%보다 낮다. 열전도도가 최대화되어야 하지만 열피로는 조절되어야 하는 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo가 %W보다 1.2배에서 3배 더 큰 것이 선호되며, %W의 부재는 허용되지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Moeq의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.002wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어 0.3wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 높은 열 전도도를 위해 더 높은 %Moeq이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.46wt% 초과, 0.6wt% 초과, 1.3wt% 초과, 그리고 심지어1.9wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 본 발명가는 %Moeq의 총량을 제어해야 하며, 과도해서는 아니됨을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 2.4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.5wt% 미만, 그리고 심지어 1.2wt% 미만이다. 반면, 너무 높은 수준의 %Moeq는 열전도도에 부정적인 영향을 미칠 수 있는 상황을 초래한다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.84wt% 미만, 0.74wt% 미만, 0.59wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.29wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들은 낮은 함량의 %Moeq로부터 이점을 얻는다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는0.24wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 원소에 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 열처리 과정에서의 변형 제어가 중요한 경우, %W가 없는 것이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.006wt% 초과, 0.03wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어0.36wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %W의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.4wt% 초과, 0.66wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어1.8wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %W는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %W는2.34wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.4wt%, 0.84wt% 미만, 0.64wt% 미만, 그리고 심지어 0.49wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들은 낮은 함량의 %W로부터 이점을 얻는다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.38wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.09wt% 미만이거나 심지어 의도된 %W가 전혀 없다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 본 발명가는 놀랍게도 일부 어플리케이션들의 경우, 소량의 %B가 열전도도를 높이는데 긍정적인 영향을 미친다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %B는 2ppm 초과, 16ppm 초과, 61ppm 초과, 그리고 심지어86ppm를 초과한다. 본 발명가는 일부 어플리케이션들의 경우, 달성 가능한 베이나이트 미세 구조에 눈에 띄는 영향을 미치기 위해서는 %B가 페라이트 구역에서 경화능을 증가시키는데 요구되는 함량보다 다소 높은 함량으로 존재해야함을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %B는 90ppm 초과, 126ppm 초과, 206ppm 초과, 그리고 심지어326ppm를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %B의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %B는 0.09wt% 초과, 0.11wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어0.4wt%를 초과한다. 반면, 과도한 붕화물이 형성되면, 인성에 미치는 영향은 상당히 해로울 수 있다. 다른 실시 예들에서, %B는0.74wt% 미만, 0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.12wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %B가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %B는740ppm 미만, 490ppm 미만, 140ppm 미만, 80ppm 미만, 그리고 심지어 40ppm 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Si의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Si는 0.009wt% 초과, 0.01wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.51wt% 초과, 그리고 심지어0.76wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Si의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Si는 0.91wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.36wt% 초과, 1.56wt% 초과, 그리고 심지어1.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Si의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Si는1.6wt% 미만, 1.4wt% 미만, 1.2wt% 미만, 1wt% 미만,그리고 심지어 0.98wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Si가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Si는0.84wt% 미만, 0.6wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.2wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mn의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 0.001wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.36wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어 1.2wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Mn의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 1.4wt% 초과, 1.6wt% 초과, 1.8wt% 초과, 그리고 심지어2.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mn는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 2.6wt% 미만, 2.2wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.98wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Mn가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 0.8wt% 미만, 0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.19wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ni의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ni는 0.006wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.56wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어1.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Ni의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ni는 1.86wt% 초과, 2.16wt% 초과, 2.6wt% 초과, 2.86wt% 초과, 3.1wt% 초과, 그리고 심지어3.3wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ni의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ni는3.4wt% 미만, 2.9wt% 미만, 2.2wt% 미만, 1.94wt% 미만, 1.44wt% 미만, 그리고 심지어 1.19wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Ni가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ni는0.84wt% 미만, 0.49wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09t% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cr의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Cr은 0.1wt% 이상, 1.1wt% 이상, 2.6wt% 이상, 3.1wt% 이상, 그리고 심지어 5.1wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Cr의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr은7.1wt% 이상, 8.6wt% 이상, 10.1wt% 이상, 12.6wt% 이상, 14.1wt% 이상, 그리고 심지어 16.1wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Cr는18.9wt% 미만, 16.4wt% 미만, 13.9wt% 미만, 11.4wt% 미만, 그리고 심지어 9.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Cr가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr는7.4wt% 미만, 5.9wt% 미만, 4.4wt% 미만, 3.9wt% 미만,그리고 심지어 2.4wt% 미만이다. 일부　어플리케이션들의　경우,　훨씬　더 낮은　%Cr　함량이　선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr는1.8wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.94wt% 미만, 0.49t% 미만, 그리고 심지어 0.01wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %V의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %V은 0.0006wt% 이상, 0.01wt% 이상, 0.21wt% 이상, 0.81wt% 이상, 그리고 심지어 1.06wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %V는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %V는1.44wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.59wt% 미만, 그리고 심지어 0.19wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Nb의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Nb는 0.0001wt% 초과, 0.006wt% 초과, 0.01wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어0.26wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Nb는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Nb는0.5wt% 미만, 0.29wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.001wt% 미만, 그리고 심지어 0.0009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Hf의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Hf는 0.008wt% 초과, 0.05wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어0.11wt%를 초과한다. 본 발명자는 높은 인성 수준을 요구하는 어플리케이션의 경우, %Hf 및/혹은 %Zr의 함량이 너무 높으면 안된다는 것을 발견했는데, 이는 응력 상승제로서 작용을 하는 크고 다각형의 1차 탄화물을 형성하는 경향이 있기 때문이다. 다른 실시 예들에서, %Hf는 0.29wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 강탄화물 성형제의 존재가 유리하지만 제조 비용이 중요한 일부 어플리케이션들의 경우, %Zr의 존재가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Zr는 0.006wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어0.12wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr는0.28wt% 미만, 0.18wt% 미만, 0.13wt% 미만, 0.08wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Zr 및/혹은 %Hf은 부분적으로 혹은 전체적으로 %Ta로 치환될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 25wt%을 초과하는 %Hf 및/혹은 %Zr은 %Ta로 치환되고 50wt%을 초과하는 %Hf 및/혹은 %Zr은 %Ta로 치환되며, 그리고 심지어 75wt%을 초과하는 %Hf 및/혹은 %Zr은 %Ta로 치환된다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는 0.0009wt% 초과, 0.009wt% 초과, 0.01wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어0.11wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ta+%Zr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는0.4wt% 미만, 0.18wt% 미만, 그리고 심지어 0.004wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 내마멸성과 관련해서 %Hf 및/혹은 %Zr의 존재는 긍정적인 효과가 있다. 만약 이 값이 크게 증가하면 %Ta 혹은 심지어 %Nb와 같은 다른 강탄화물 형성제 또한 사용될 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 0.001wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.36wt% 초과, 0.46wt% 초과,그리고 심지어0.76wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는0.9wt% 미만, 0.46wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.16wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %P의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %P는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.008wt% 초과, 그리고 심지어0.01wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %P 및/혹은 %S은 높은 열전도도를 위해 최대한 낮게 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %P는0.08wt% 미만, 0.04wt% 미만, 0.02wt% 미만, 그리고 심지어 0.002wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %S의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %S는 0.006wt% 초과, 0.016wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.18wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %S는 높은 열전도도를 위해 가능한 낮게 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %S는0.14wt% 미만, 0.08wt% 미만, 0.04wt% 미만, 0.03wt% 미만, 0.01wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Pb의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.0002wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어 0.56wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Pb는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.04wt% 미만, 그리고 심지어 0.0009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Bi의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다.다른 실시 예들에서, %Bi 는 0.0009wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어 0.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Bi는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Bi는 0.14wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.009wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Se의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다.다른 실시 예들에서, %Se 는 0.0001wt% 초과, 0.005wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.08wt% 초과, 그리고 심지어 0.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Se는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Se는 0.12wt% 미만, 0.07wt% 미만, 0.009wt% 미만, 그리고 심지어 0.0009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Co의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Co는 0.0009wt% 초과, 0.05wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.21wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어 1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Co는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Co는 1.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.01wt% 미만, 그리고 심지어 0.004wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생할 수 있는 공칭 함량이 없는 경우가 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cu는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Cu는1.6wt% 미만, 1.4wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.18wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Cu가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cu는0.14wt% 미만, 0.08wt% 미만, 0.009wt% 미만, 0.004wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cu+%Ni의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Cu+%Ni는 0.16wt% 초과, 0.56wt% 초과, 0.76wt% 초과, 1.1wt%를 초과한다.일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cu+%Ni는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Cu+%Ni는 3.9wt% 미만, 2.4wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 그리고 심지어 0.4wt% 미만이다. 앞서 공개된 모든 상한 및 하한은 서로 상호 배타적이지 않는 한, 서로간 임의의 조성으로 결합될 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, SP가 LP와 유사한 조성을 갖는 경우 훨씬 더 잘 작동한다. 일 실시 예에서, LP와 SP는 동일한 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 LP에 대해 앞서 서술한 조성 범위 내에 속하는 조성을 가진다. 일 실시 예에서, LP와 SP는 동일한 조성을 갖는다. 일 실시 예에서, SP는 (앞서 정의된) 구형이다. 일 실시 예에서, SP는 가스 분무된 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 가스 분무화를 포함하는 시스템으로 분무된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, SP는 원심 분무된 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 원심 분무화를 포함하는 시스템으로 분무된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, SP는 가스 카보닐 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 카보닐 공정을 통해 얻어진 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, SP는 산화물 환원을 통해 얻어진 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 환원된 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 카보닐 철 분말이다. 일 실시 예에서, SP는 카보닐 철 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, SP는 (앞서 정의된) 비구형 분말이다. 비록 대부분의 어플리케이션의 경우 SP에 관해 서술된 일반적인 규율이 적용되지만, 일부 구체적인 어플리케이션의 경우, 본 조성의 SP에 대해 다소 다른 크기 제약을 사용하는 것이 더 낫다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) SP에 대한 "분말 크기 임계 측정값"은 0.6 nanometers 이상, 52 nanometers 이상, 602 nanometers 이상, 1.2 microns 이상, 6 microns 이상, 12 microns 이상, 그리고 심지어 32 microns 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 일부 미세 정밀 기하학의 경우 지나치게 큰 크기의 임계 측정값은 처리하기 어렵다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) SP에 대한 "분말 크기 임계 측정값"은 990 microns 이하, 490 microns 이하, 190 microns 이하, 90 microns 이하, 19 microns 이하, 9 microns 이하, 890 nanometers 이하, 그리고 심지어 490 nanometers 이하다.
일 실시 예에서, LP와 SP의 혼합물은 AP1, AP2, AP3, AP4로 구성된 리스트에서, 개별적으로 혹은 임의의 결합으로, 선택된 분말을 추가로 포함하며, 여기서 AP1, AP2, AP3, AP4는 앞서 정의된 바와 동일하다.
일부 어플리케이션들의 경우, 앞서 임의의 실시 예들에서 정의된 혼합 전략은 본 문서 전반에 걸쳐 공개된 분말 혹은 분말 혼합물에 유리하게 적용될 수 있다. 따라서, 앞서 공개된 모든 실시 예들은 상호 배타적이지 않다면, 서로간 혹은 본 문서 내 공개된 다른 실시 예와 임의의 조합으로 결합될 수 있다.
일 실시 예에서, 현재 문서 전반에 걸쳐 서술된 분말인 LP와 SP를 최소한 포함하는 혼합물 중 임의의 하나를 사용하여 얻어진 강은 적어도 26%의 베이나이트, 적어도 46%의 베이나이트, 적어도 62%의 베이나이트, 적어도 76%의 베이나이트, 적어도 82%의 베이나이트, 그리고 심지어 적어도 92%의 베이나이트를 포함하는 미세조직을 보인다. 일 실시 예에서, 앞서 공개된 베이나이트의 백분율은 부피 기준(vol%)이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 고열의 베이나이트를 포함하는 미세 조직을 갖는 강이 선호된다. 본 문서에서 고열 베이나이트는 TTT 조직도 내 베이나이트 노즈(bainite nose)에 해당하는 온도보다 높지만 페라이트 변태(ferritic/perlitic transformation)가 끝나는 지점에서의 온도보다 낮은 온도에서 형성된 임의의 미세조직을 언급하지만, 본 문서에서 언급된 바와 같이 하부 베이나이트는 제외하며, 이는 때때로 베이나이트 노즈 중 하나에서의 온도보다 높은 온도에서의 등온 처리과정에서도 소량으로 형성될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 고온 베이나이트는 최소 20%, 최소 31%,최소 41%, 최소 51%, 그리고 심지어 최소 66%이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 베이나이트 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 고온 베이나이트는 최소 76%, 최소 86%, 최소 91%, 최소 96%, 그리고 심지어 100%이다. 일 실시 예에서, 모든 베이나이트는 고온 베이나이트이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 고온 베이나이트의 백분율은 제한되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 고온 베이나이트는 98% 미만, 79% 미만, 69% 미만, 59% 미만, 그리고 심지어 49% 미만이다. 일 실시 예에서, 앞서 공개된 고온 베이나이트의 백분율은 부피(vol%)를 기준으로 한다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 어떤 조합으로도 서로간 결합이 가능하며, 예를 들어, 분말 LP와 분말 SP를 포함하는 분말 혼합물을 사용하여 얻어진 강으로, 해당 미세조직은 적어도 20vol% 고온 베이나이트를 포함한다.
특정 어플리케이션들의 경우, 마르텐사이트 미세조직(martensitic microstructure)의 강이 선호된다. 추가 실시 예에서, 본 문서 전반에서 서술된 분말 LP와 SP를 적어도 포함하는 혼합물 중 임의의 하나를 사용하여 얻어진 강은 최소 26%의 마르텐사이트, 최소 46%의 마르텐사이트, 최소 62%의 마르텐사이트, 최소 76%의 마르텐사이트, 최소 82%의 마르텐사이트, 그리고 심지어 최소 92%의 마르텐사이트를 포함하는 미세조직을 보인다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 어떤 임의의 조합으로 서로간 결합이 가능하며, 예를 들어, 분말 LP와 분말 SP를 포함하는 분말 혼합물을 사용하여 얻어진 강이며, 해당 미세조직은 적어도 20vol%의 마르텐사이트를 포함한다.
특정 어플리케이션들의 경우, 더 적절한 것은 분말 혹은 분말 혼합물(앞서 공개된 바와 동일하게, 일부 실시 예들에서, LP와 SP는 동일한 분말이며/분말이거나 동일한 조성을 갖는 두 분말임)의 이론적 조성이다. 일 실시 예에서 이전 단락에서 정의된 바와 같은 혼합 전략은 분말 혹은 분말 혼합물(이는 형태, 구형도, 크기…에 관해 LP, SP, AP1, AP2, AP3 및/또는 AP4 각각 혹은 임의의 것에 대해 앞서 공개된 것이 또한 분말 혹은 아래에 공개되는 분말 혼합물의 이론적 조성에 적용될 수 있음을 의미함)의 이론적 조성에 또한 적용될 수 있다. 일 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물(분말 혼합물 내 함유된 모든 분말의 조성의 합)의 이론적 조성은 다음의 원소와 제약을 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %C: 0.25-0.8; Mn: 0-1.15; %Si: 0-0.35; Cr: 0.1 최대; %Mo: 1.5-6.5; %V: 0-0.6; %W: 0-4; Ni: 0-4; %Co: 0-3; 나머지 Fe와 미량원소들. 본 단락 전반에서, 용어 "미량 원소"는 다음의 목록에 포함되는 임의의 원소를 지칭한다: H, He, Xe, F, S, P, Cu, Pb, Co, Ta, Zr, Nb, Hf, Cs, Y, Sc, Mn, Ni, Mo, W, C, N, B, O, Cr, Fe, Ne, Na, Cl, Ar, K, Br, Kr, Sr, Tc, Ru, Rh, Ti, Pd, Ag, I, Ba, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Po, At, Rn, Fr, Ra, Ac, Th, Pa, U, Np, Pu, Am, Cm, Bk, Cf, Es, Fm, Md, No, Lr, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Li, Be, Mg, Ca, Rb, Zn, Cd, Al, Ga, In, Ge, Sn, Bi, Sb, As, Se, Te, Ds, Rg, Cn, Nh, Fl, Mc, Lv, Ts, Og, 그리고 Mt. 일 실시 예에서, 주어진 합금에 대해, 미량 원소는 주어진 합금의 조성에 열거된 원소를 제외한 상기 리스트의 원소 모두를 포함한다. 일 실시 예에서, 미량 원소는 위에 나열된 원소들 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 예들에서, 임의의 미량 원소의 함량은 1.8wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만으로 선호된다. 미량 원소는 생산 비용을 줄이는 것과 같은 특정한 기능을 달성하기 위해 의도적으로 강에 추가되기도 하고/하거나 그 존재는 의도되지 않을 수 있으며 대개 합금 원소 내 불순물과 강 생산에 사용되는 스크랩의 존재와 연관되어 있다. 미량 원소의 존재가 강의 전반적인 특성을 저하시키는 몇몇의 어플리케이션이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 2.0wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.06wt% 미만이다. 주어진 어플리케이션에 있어서 강에 미량 원소가 없는 것이 선호되는 일부 실시 예들이 있다. 반면에, 미량 원소의 존재가 선호되는 몇몇의 어플리케이션들이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 0.0012wt% 초과, 0.012wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.55wt% 초과이다. 일 실시 예에서, %C는 0.31wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.36wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.69wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %C는 0.48wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.21wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 1.18wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.94wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.01wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.52wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.27wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr은 0.0016wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr은 0.0021wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr은 0.09wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr은 0.04wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 1.86wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 2.1wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 4.9wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 3.4wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %V는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 0.21wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 0.48wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %V는 0.23wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %W는 0.28wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %W는 0.66wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %W는 3.4wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %W는 2.9wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 0.32wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 0.56wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 3.9wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 3.4wt% 미만이다. 추가 실시 예에서, %Co는 0.08wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Co는 0.16wt%를 초과한다. 추가 실시 예에서, %Co는 2.4wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Co는 1.9wt% 미만이다. 추가 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물(분말 혼합물 내 함유된 모든 분말의 조성의 합)의 이론적 조성은 다음의 원소와 제약을 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %C: 0.25-0.55; %Mn: 0.10-1.2; %Si: 0.10-1.20; %Cr: 2.5-5.50; %Mo: 1.00-3.30; %V: 0.30-1.20; 나머지 Fe와 미량원소들(해당 단락에서 앞서 정의된 바와 동일함). 일 실시 예에서, %C는 0.31wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.36wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.49wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %C는 0.28wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.26wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.96wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.46wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.22wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.94wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.48wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 2.86wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 3.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 4.9wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 3.4wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 1.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 1.66wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 2.9wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 2.4wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %V는 0.42wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 0.61wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 0.98wt% 미만이다. 일 실시 예에서, 일 실시 예에서, %V는 0.64wt% 미만이다. 추가 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물(분말 혼합물 내 함유된 모든 분말의 조성의 합)의 이론적 조성은 다음의 원소와 제약을 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %C: 0.15-2.35; %Mn: 0.10-2.5; %Si: 0.10-1.0; %Cr: 0.2-17.50; %Mo: 0-1.4; %V: 0-1; %W: 0-2.2; %Ni: 0-4.3; 나머지 Fe와 미량원소들(해당 단락에서 앞서 정의된 바와 동일함). 일 실시 예에서, %C는 0.21wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.42wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 1.94wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %C는 1.48wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.18wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.26wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 1.96wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 1.46wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.22wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.94wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.48wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 0.56wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 1.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 9.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 6.4wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 0.17wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 0.56wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 0.9wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 0.68wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %V는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 0.21wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 0.94wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %V는 0.59wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %W는 0.18wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %W는 0.56wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %W는 1.92wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %W는 1.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 0.02wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 0.26wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 3.9wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 3.4wt% 미만이다. 추가 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물(분말 혼합물 내 함유된 모든 분말의 조성의 합)의 이론적 조성은 다음의 원소와 제약을 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다:%C: 0-0.4; %Mn: 0.1-1; %Si: 0-0.8; %Cr: 0-5.25; %Mo: 0-1.0; %V: 0-0.25; %Ni: 0-4.25; %Al: 0-1.25; 나머지 Fe와 미량원소들(해당 단락에서 앞서 정의된 바와 동일함). 일 실시 예에서, %C는 0.08wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.34wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %C는 0.29wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.18wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.26wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.96wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.46wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.006wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.02wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.64wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 0.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 0.62wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 4.96wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 3.94wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 0.07wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 0.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 0.84wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 0.64wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %V는 0.02wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 0.09wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 0.14wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %V는 0.09wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 0.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 3.9wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 3.4wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Al는 0.02wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Al는 0.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Al는 0.94wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Al는 0.46wt% 미만이다. 추가 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물(분말 혼합물 내 함유된 모든 분말의 조성의 합)의 이론적 조성은 다음의 원소와 제약을 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %C: 0.77-1.40; %Si: 0-0.70; %Cr: 3.5-4.5; %Mo: 3.2-10; %V: 0.9-3.60; %W: 0-18.70; %Co: 0-10.50; 나머지 Fe와 미량원소들(해당 단락에서 앞서 정의된 바와 동일함). 일 실시 예에서, %C는 0.91wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 1.06wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 1.24wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %C는 0.94wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.06wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.34wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 3.86wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 4.06wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 4.34wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 4.24wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 3.6wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 4.2wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 8.4wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 7.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %V는 1.08wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 1.21wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 2.94wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %V는 2.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %W는 0.31wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %W는 0.56wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %W는 14.4wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %W는 9.4wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Co는 0.01wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Co는 0.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Co는 8.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Co는 6.4wt% 미만이다. 추가 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물(분말 혼합물 내 함유된 모든 분말의 조성의 합)의 이론적 조성은 다음의 원소와 제약을 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %C: 0.03 최대; %Mn:0.1 최대; %Si:0.1 최대; %Mo:3.0-5.2; %Ni:18-19; %Co:0-12.5; %Ti: 0-2; 나머지 Fe와 미량원소들(해당 단락에서 앞서 정의된 바와 동일함). 일 실시 예에서, %C는 0.0001wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.0003wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.01wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %C는 0.001wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.00001wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.0003wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.01wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.008wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.00002wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.0004wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.011wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.004wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 3.52wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 4.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 4.94wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 4.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 18.26wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 18.56wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 18.87wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 18.73wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Co는 0.01wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Co는 0.26wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Co는 9.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Co는 7.4wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ti는 0.08wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ti는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ti는 1.84wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ti는 1.44wt% 미만이다. 추가 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물(분말 혼합물 내 함유된 모든 분말의 조성의 합)의 이론적 조성은 다음의 원소와 제약을 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %C: 1.5-1.85; %Mn: 0.15-0.5; %Si: 0.15-0.45; %Cr:3.5-5.0; %Mo:0-6.75; %V:4.5-5.25; %W:11.5-13.00; %Co:0-5.25; 나머지 Fe와 미량원소들(해당 단락에서 앞서 정의된 바와 동일함). 일 실시 예에서, %C는 1.56wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 1.66wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 1.78wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %C는 1.74wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.21wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.26wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.41wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.29wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.18wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.21wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.39wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.34wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 3.66wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 3.86wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 4.92wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 3.92wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %V는 4.62wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 4.86wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 5.18wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %V는 4.94wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %W는 11.61wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %W는 11.86wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %W는 12.94wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %W는 12.48wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Co는 0.1wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Co는 0.26wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Co는 4.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Co는 3.4wt% 미만이다. 추가 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물(분말 혼합물 내 함유된 모든 분말의 조성의 합)의 이론적 조성은 다음의 원소와 제약을 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %C: 0-0.6; %Mn: 0-1.5; %Si: 0-1; %Cr:11.5-17.5; % Mo:0-1.5; %V:0-0.2; %Ni: 0-6.0; 나머지 Fe와 미량원소들(해당 단락에서 앞서 정의된 바와 동일함). 일 실시 예에서, %C는 0.02wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.48wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %C는 0.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.01wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 1.22wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.93wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.08wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.11wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.89wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.46wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 11.86wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 12.56wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 16.94wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 14.96wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 0.09wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 0.28wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 1.22wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 0.94wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %V는 0.0018wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 0.009wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 0.14wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %V는 0.09wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 0.09wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 0.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 4.48wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 3.92wt% 미만이다. 추가 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물(분말 혼합물 내 함유된 모든 분말의 조성의 합)의 이론적 조성은 다음의 원소와 제약을 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된: C: 0.015 최대; Mn: 0.5-1.25; Si: 0.2-1; Cr:11-18; Mo:0-3.25; Ni:3.0-9.5; Ti:0-1.40; Al:0-1.5; Cu:0-5; 나머지 Fe와 미량원소들(해당 단락에서 앞서 정의된 바와 동일함). 일 실시 예에서, %C는 0.002wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.0036wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.001wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %C는 0.003wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.61wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.77wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 1.18wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.96wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.28wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.31wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.89wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.46wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 11.58wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 12.62wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 16.92wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 14.92wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 0.19wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 0.28wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 2.82wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 1.88wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 3.64wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 5.62wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 8.82wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 8.21wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ti는 0.08wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ti는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ti는 1.34wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ti는 1.22wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Al는 0.06wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Al는 0.14wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Al는 1.24wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Al는 1.12wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cu는 0.09wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cu는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cu는 4.38wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cu는 3.82wt% 미만이다. 추가 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물(분말 혼합물 내 함유된 모든 분말의 조성의 합)의 이론적 조성은 다음의 원소와 제약을 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %Mg : 0.006-10.6; %Si: 0.006-23; %Ti: 0.002-0.35; %Cr: 0.01-0.40; %Mn - 0.002-1.8; %Fe: 0.006-1.5; %Ni: 0-3.0; %Cu: 0.006-10.7; %Zn: 0.006-7.8; %Sn: 0-7; %Zr :0-0.5; 나머지 알루미늄(Al)과 미량원소들(해당 단락에서 앞서 정의된 바와 동일함). 일 실시 예에서, %Mg는 0.009wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mg는 1.62wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mg는 8.38wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mg는 4.82wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.02wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 1.64wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 19.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 9.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ti는 0.008wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ti는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ti는 0.29wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ti는 0.24wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 0.03wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 0.34wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 0.23wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.01wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.21wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 1.38wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.96wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Fe는 0.01wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Fe는 0.57wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Fe는 1.38wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Fe는 0.96wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 0.01wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 0.41wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 2.46wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 1.92wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cu는 0.08wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cu는 0.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cu는 8.38wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cu는 4.82wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Zn는 0.09wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Zn는 0.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Zn는 6.38wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Zn는 3.82wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Sn는 0.001wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Sn는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Sn는 4.38wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Sn는 3.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Zr는 0.009wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Zr는 0.06wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Zr는 0.38wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Zr는 0.24wt% 미만이다. 추가 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물(분말 혼합물 내 함유된 모든 분말의 조성의 합)의 이론적 조성은 다음의 원소와 제약을 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: Zn:0-40; Ni:0-31; Al:0-13; Sn:0-10; Fe:0-5.5; Si:0-4; Pb:0-4; Mn:0-3; Co:0-2.7; Be:0-2.75; Cr:0-1; 나머지 구리(%Cu)와 미량원소들(해당 단락에서 앞서 정의된 바와 동일함). 일 실시 예에서, %Zn는 0.29wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Zn는 1.26wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Zn는 26.38wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Zn는 13.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 0.1wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 2.61wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 24.46wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 16.92wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Al는 0.6wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Al는 2.14wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Al는 8.24wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Al는 5.12wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Sn는 0.01wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Sn는 0.32wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Sn는 6.38wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Sn는 4.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Fe는 0.1wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Fe는 0.67wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Fe는 3.38wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Fe는 2.96wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.2wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.64wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 2.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 1.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Pb는 0.002wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Pb는 0.4wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Pb는 2.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Pb는 1.4wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.001wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.26wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 2.38wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.94wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Co는 0.0001wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Co는 0.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Co는 2.18wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Co는 0.84wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Be는 0.0006wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Be는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Be는 1.84wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Be는 0.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 0.003wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 0.22wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 0.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 0.19wt% 미만이다. 추가 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물(분말 혼합물 내 함유된 모든 분말의 조성의 합)의 이론적 조성은 다음의 원소와 제약을 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %Be :0.15-3.0; %Co: 0-3; %Ni: 0-2.2; % Pb: 0-0.6; %Fe: 0-0.25; %Si: 0-0.35; %Sn: 0-0.25, %Zr 0-0.5; 나머지 구리(Cu)와 미량원소들(해당 단락에서 앞서 정의된 바와 동일함). 일 실시 예에서, %Be는 0.21wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Be는 0.52wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Be는 2.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Be는 1.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Co는 0.001wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Co는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Co는 2.18wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Co는 0.84wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 0.001wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 0.61wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 1.46wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 0.92wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Pb는 0.009wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Pb는 0.26wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Pb는 0.48wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Pb는 0.29wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Fe는 0.001wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Fe는 0.09wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Fe는 0.19wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Fe는 0.14wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.002wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.04wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.24wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.09wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Sn는 0.001wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Sn는 0.03wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Sn는 0.23wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Sn는 0.08wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Zr는 0.009wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Zr는 0.08wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Zr는 0.38wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Zr는 0.19wt% 미만이다. 추가 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물(분말 혼합물 내 함유된 모든 분말의 조성의 합)의 이론적 조성은 다음의 원소와 제약을 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %Cr: 9-33; %W: 0-26; %Mo: 0-29; %C: 0-3.5; %Fe: 0-9; %Ni: 0-35; %Si: 0-3.9; Mn: 0-2.5; %B: 0-1; %V: 0-4.2; %Nb/%Ta: 0-5.5; 나머지 코발트(Co)와 미량원소들(해당 단락에서 앞서 정의된 바와 동일함). 일 실시 예에서, %Cr는 12.6wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 16.6wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 24.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 14.9wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %W는 2.64wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %W는 8.6wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %W는 19.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %W는 12.9wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 3.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 10.6wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 19.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 13.9wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %C는 0.001wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.02wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 1.88wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %C는 0.88wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Fe는 0.1wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Fe는 0.59wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Fe는 6.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Fe는 4.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ni는 0.01wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 1.26wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ni는 18.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, Ni는 9.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.02wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.09wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 1.94wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.94wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.0001wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 2.18wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.88wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %B는 0.0001wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %B는 0.006wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %B는 0.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %B는 0.18wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %V는 0.01wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 0.26wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 2.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %V는 1.48wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Nb/%Ta는 0.01wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, Nb/%Ta는 0.26wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, Nb/%Ta는 1.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, Nb/%Ta는 0.88wt% 미만이다. 추가 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물(분말 혼합물 내 함유된 모든 분말의 조성의 합)의 이론적 조성은 다음의 원소와 제약을 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %Fe:0-42; %Cu:0-34; %Cr:0-31; %Mo:0-24; %Co:0-18; %W:0-14; %Nb:0-5.5; %Mn:0-5.25; % Al:0-5; Ti:0-3; %Zn:0-1; %Si:0-1; %C:0-0.3; %S:0.01 최대; 나머지 니켈(Ni)과 미량원소들(해당 단락에서 앞서 정의된 바와 동일함). 일 실시 예에서, %Fe는 1.64wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Fe는 4.58wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Fe는 26.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Fe는 14.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cu는 1.14wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cu는 2.58wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cu는 16.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cu는 9.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 0.64wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 3.58wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 14.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 6.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 1.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 4.58wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 12.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 4.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Co는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Co는 1.58wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Co는 9.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Co는 3.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %W는 0.22wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %W는 1.58wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %W는 9.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %W는 4.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Nb는 0.002wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Nb는 0.58wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Nb는 3.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Nb는 1.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Al는 0.002wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Al는 0.28wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Al는 3.4wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Al는 1.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ti는 0.006wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ti는 0.18wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ti는 3.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ti는 1.22wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Zn는 0.009wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Zn는 0.08wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Zn는 0.68wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Zn는 0.19wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.09wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.14wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.48wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.19wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %C는 0.02wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.09wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.19wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %C는 0.12wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %S는 0.0002wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %S는 0.0004wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %S는 0.009wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %S는 0.0009wt% 미만이다. 추가 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물(분말 혼합물 내 함유된 모든 분말의 조성의 합)의 이론적 조성은 다음의 원소와 제약을 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %V:0-14.5; %Mo:0-13; %Cr:0-12; %Sn:0-11.5; %Al:0-8; %Mn:0-8; %Zr:0-7.5; %Cu:0-3; %Nb:0-2.5; %Fe: 0-2.5; %Ta:0-1.5; %Si:0-0.5; %C:0.1 최대; %N:0.05 최대; %O: 0.2 최대; %H:0.03 최대; 나머지 티타늄(Ti)과 미량원소들(해당 단락에서 앞서 정의된 바와 동일함). 일 실시 예에서, %V는 0.02wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 0.68wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %V는 9.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %V는 4.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 0.36wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 2.68wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mo는 8.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mo는 6.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 0.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 3.68wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cr는 9.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cr는 4.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Sn는 0.06wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Sn는 0.62wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Sn는 6.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Sn는 2.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Al는 0.006wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Al는 0.42wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Al는 4.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Al는 2.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.02wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 6.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 4.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Zr는 0.008wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Zr는 0.02wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Zr는 4.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Zr는 2.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cu는 0.0008wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cu는 0.06wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cu는 1.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cu는 0.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Nb는 0.0009wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Nb는 0.02wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Nb는 0.64wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Nb는 0.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Fe는 0.009wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Fe는 0.04wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Fe는 1.64wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Fe는 0.92wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ta는 0.0007wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ta는 0.002wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ta는 0.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ta는 0.19wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.0001wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.02wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.34wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.09wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %C는 0.00001wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.002wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %C는 0.03wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %C는 0.09wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %N는 0.000001wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %N는 0.0002wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %N는 0.003wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %N는 0.008wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %O는 0.00002wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %O는 0.001wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %O는 0.04wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %O는 0.09wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %H는 0.000001wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %H는 0.0002wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %H는 0.003wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %H는 0.008wt% 미만이다. 일 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물(분말 혼합물 내 함유된 모든 분말의 조성의 합)의 이론적 조성은 다음의 원소와 제약을 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %Al:0-10; %Zn: 0-6; %Y:0-5.2; %Cu:0-3; %Ag: 0-2.5, %Th:0-3.3; Si:0-1.1; %Mn:0-0.75; 나머지 마그네슘(Mg)과 미량원소들(해당 단락에서 앞서 정의된 바와 동일함). 일 실시 예에서, %Al는 0.2wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Al는 1.68wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Al는 7.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Al는 4.42wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Zn는 0.04wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Zn는 0.16wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Zn는 4.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Zn는 2.34wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Y는 0.26wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Y는 0.56wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Y는 3.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Y는 2.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cu는 0.06wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cu는 0.12wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Cu는 1.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Cu는 1.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ag는 0.008wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ag는 0.009wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Ag는 0.8wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Ag는 0.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Th는 0.006wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Th는 0.02wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Th는 0.84wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Th는 0.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.06wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.2wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Si는 0.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Si는 0.24wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.004wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.02wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.44wt% 미만이다. 일 실시 예에서, %Mn는 0.14wt% 미만이다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 어떠한 임의의 조합으로 서로간 결합이 가능하다.
일부 어플리케이션들의 경우 금속이 부피 백분율의 주요 원소가 아닌 재료에 대한 본 어플리케이션을 사용하는 것이 흥미롭다는 점을 발견했다. 매우 높은 내마멸성을 요구하는 일부 어플리케이션들은 고농도의 내마입자를 포함하는 분말 혼합물로부터 이점을 얻을 수 있다. 일 실시 예에서, 본 발명의 분말 혼합물은 높은 함량의 내마입자를 포함한다. 일 실시 예에서, 내마모성이 높은 입자는 탄화물을 포함한다. 일 실시 예에서, 내마모성이 높은 입자는 질화물을 포함한다. 일 실시 예에서, 내마모성이 높은 입자는 산화물을 포함한다. 일 실시 예에서, 내마모성이 높은 입자는 탄화텅스텐을 포함한다. 일 실시 예에서, 내마모성이 높은 입자는 탄화탄탈을 포함한다. 일 실시 예에서, 내마모성이 높은 입자는 탄화몰리브덴을 포함한다. 일 실시 예에서, 내마모성이 높은 입자는 탄화니오븀을 포함한다. 일 실시 예에서, 내마모성이 높은 입자는 크롬 탄화물을 포함한다. 일 실시 예에서, 내마모성이 높은 입자는 탄화바나듐을 포함한다. 일 실시 예에서, 내마모성이 높은 입자는 질화티탄을 포함한다. 일 실시 예에서, 내마모성이 높은 입자는 탄화규소를 포함한다. 일 실시 예에서, 내마모성이 높은 입자는 탄화붕소를 포함한다. 일 실시 예에서, 내마모성이 높은 입자는 다이아몬드를 포함한다. 일 실시 예에서, 내마모성이 높은 입자는 산화알루미늄을 포함한다. 일 실시 예에서, 내마입자의 고농도는 62vol% 이상이다. 일 실시 예에서, 내마입자의 고농도는 72vol% 이상이다. 일 실시 예에서, 내마입자의 고농도는 82vol% 이상이다. 일 실시 예에서, 내마입자의 고농도는 93vol% 이상이다. 일 실시 예에서, 내마입자의 고농도는 98vol% 이하다. 일 실시 예에서, 내마입자의 고농도는 94vol% 이하다. 일 실시 예에서, 내마입자의 고농도는 88vol% 이하다. 일 실시 예에서, 내마입자의 고농도는 78vol% 이하다. 일 실시 예에서, 나머지는 본 문서 내 서술된 금속성 합금 중 하나이다. 일 실시 예에서, 나머지는 저합금 금속이다. 일 실시 예에서, 저합금 금속은 주원소의 함량이 높은 금속이다. 일 실시 예에서, 주원소의 높은 함량은 72wt% 이상이다. 일 실시 예에서, 주원소의 높은 함량은 72wt% 이상이다. 일 실시 예에서, 주원소의 높은 함량은 82wt% 이상이다. 일 실시 예에서, 주원소의 높은 함량은 92wt% 이상이다. 일 실시 예에서, 주원소의 높은 함량은 96wt% 이상이다. 일 실시 예에서, 주원소는 코발트(Co)이다. 일 실시 예에서, 주원소는 니켈(Ni)이다. 일 실시 예에서, 주 원소는 몰리브덴(Mo)이다. 일 실시 예에서, 주원소는 철(Fe)이다. 일 실시 예에서, 주원소는 구리(Cu)이다. 일 실시 예에서, 내마입자는 15 microns 이하의 D50을 갖는다. 일 실시 예에서, 내마입자는 9 microns 이하의 D50을 갖는다. 일 실시 예에서, 내마입자는 4.8 microns 이하의 D50을 갖는다. 일 실시 예에서, 내마입자는 1.8 microns 이하의 D50을 갖는다. 일 실시 예에서, 내마입자는 0.01 microns 이상의 D50을 갖는다. 일 실시 예에서, 내마입자는 0.1 microns 이상의 D50을 갖는다. 일 실시 예에서, 내마입자는 0.5 microns 이상의 D50을 갖는다. 일 실시 예에서, 내마입자는 1.2 microns 이상의 D50을 갖는다. 일 실시 예에서, 내마입자는 3.2 microns 이상의 D50을 갖는다. 일 실시 예에서, D50는 샘플 부피의 50%가 입자 크기의 누적 분포에서의 더 작은 입자로 구성된 입자 크기를 나타낸다. 대안적 실시 예에서, D50는 샘플 질량의 50%가 입자 크기의 누적 분포에서의 더 작은 입자로 구성된 입자 크기를 나타낸다.
여러 툴링을 포함한 몇몇의 어플리케이션의 경우, 특히 인성과 항복강도의 측면에서 매우 높은 기계적 특성과 결합한 내식성이 높은 강을 갖는 것이 흥미롭다. 높은 항복강도와 인성의 조합은 항상 재료과학의 패러다임 중 하나였으며, 혼합물에 내식성을 추가하는 것은 전체 도전 과제를 더욱 어렵게 만든다. 이러한 어플리케이션의 경우 항상 마르텐사이트 미세조직이 사용(탄화물 강화 AISI 4XX 시리즈 또는 석출 강화 AISI 6XX 시리즈 중 하나)되지만, 본 발명자는 일부 극단적인 어플리케이션이 경우 놀랍게도, 높은 수준의 항복 강도에 달성하기 위해 %Cr의 함량이 다소 낮을 필요가 있는 마르텐사이트와 석출 경화 스테인리스 강의 일반적인 부족을 극복하는 과정에서 오스테나이트(austenitic) 혹은 적어도 부분적으로 오스테나이트 미세조직이 작업에 적합할 수 있다는 것을 발견했다. 경우에 따라, 분말 혼합물에 대해 제공된 제형은 그 자체로 발명을 구성할 수 있지만 최종 전체 조성 또한 독립된 발명을 구상할 수 있다. 이러한 어플리케이션과 일부 단일 파우더 특성이 유리한 경우 혹은 분말 혼합물의 경우, 분말 혼합물의 평균 조성을 고려하여, 다음의 조성 범위(또한 질소 오스테나이트 강이라고도 함)가 선호되며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %Mo: 0 - 6.8; %W: 0 - 6.9; %Moeq: 0 - 6.8; %Ceq: 0.16 - 1.8; %C: 0 - 1.29; %N: 0.11 - 2.09; %B: 0 - 0.14; %Si: 0 - 1.5 ; %Mn: 0 - 24 ; %Ni: 0 - 18.9; %Cr: 12.1 - 38; %Ti: 0 - 2.4; %Al: 0 - 14; %V: 0 - 4; %Nb: 0 - 4; %Zr: 0 - 3; %Hf: 0 - 3; %Ta: 0 - 3; %S: 0 - 0.098; %P: 0 - 0.098; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.08; %Se: 0 - 0.08; %Co: 0 - 14; %REE: 0 - 4; %Y: 0 - 1.86; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0.00012 - 0.899; %Y+%Sc+%REE: 0.0022 - 3.9%; 철과　미량　원소들로 구성된　나머지;　여기서　%Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B　이고　%Moeq=%Mo+1/2*%W그리고　여기서　%REE　는　앞서　정의된　바와　동일하다. 일 실시예에서, 미량원소는 별도로 명확히 지시하지 않는 경우, H, He, Xe, F, Ne, Na, Cl, Ar, K, Br, Kr, Sr, Tc, Ru, Rh, Ti, Pd, Ag, I, Ba, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Po, At, Rn, Fr, Ra, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Li, Be, Mg, Ca, Rb, Zn, Cd, Al, Ga, In, Ge, Sn, Sb, As, Te, Ds, Rg, Cn, Nh, Fl, Mc, Lv, Ts, Og 및 Mt 을 포함하지만 해당 원소만으로 제한되지는 않는 수 개의 원소를 의미한다. 일 실시 예에서, 미량 원소는 위에 나열된 원소들 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 예들에서, 임의의 미량 원소의 함량은 1.8wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만으로 선호된다. 미량 원소는 생산 비용을 줄이는 것과 같은 특정한 기능을 달성하기 위해 의도적으로 강에 추가되기도 하고/하거나 그 존재는 의도되지 않을 수 있으며 대개 합금 원소 내 불순물과 강 생산에 사용되는 스크랩의 존재와 연관되어 있다. 미량 원소의 존재가 강의 전반적인 특성을 저하시키는 몇몇의 어플리케이션이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 2.0wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.06wt% 미만이다. 주어진 어플리케이션에 있어서 강에 미량 원소가 없는 것이 선호되는 일부 실시 예들이 있다. 반면에, 미량 원소의 존재가 선호되는 몇몇의 어플리케이션들이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 0.0012wt% 초과, 0.012wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.55wt% 초과이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 0.16wt% 초과, 0.51wt% 초과, 1.6wt% 초과, 2.1wt% 초과, 2.6wt% 초과, 그리고 심지어 4.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mo는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 5.9wt% 미만, 5.4wt% 미만, 4.4wt% 미만, 그리고 심지어 2.9wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %W의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.09wt% 초과, 0.21wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.56wt% 초과, 2.1wt% 초과, 그리고 심지어 2.56wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %W는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %W는 5.8wt% 미만, 5.2wt% 미만, 4.2wt% 미만, 2.8wt% 미만, 그리고 심지어 1.4wt%미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo는 부분적으로 %W로 대체될 수 있다. 해당 치환은 %Moeq의 측면에서 이루어진다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Moeq의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서, 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.5wt% 초과, 1.6wt% 초과, 1.8wt% 초과, 2.1wt% 초과, 그리고 심지어 4.1wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우 너무 높은 수준의 %Moeq는 기계적 특성을 얻을 수 없는 상황을 야기할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 6.2wt% 미만, 5.7wt% 미만, 4.7wt% 미만, 3.8wt% 미만, 3.4wt% 미만, 그리고 심지어 2.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ceq의 더 높은 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.26wt% 초과, 0.51wt% 초과, 0.89wt% 초과, 1.06wt% 초과, 그리고 심지어 1.26wt%를 초과한다. 반면, 특정 어플리케이션들의 경우, %Ceq의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 1.4wt% 미만, 1.24wt% 미만, 0.94wt% 미만, 0.7wt% 미만, 그리고 심지어 0.47wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.12wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.36wt% 초과, 0.52wt% 초과, 0.72wt% 초과, 0.92wt% 초과, 그리고 심지어 1.06wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %C는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %C는 1.1wt% 미만, 0.98wt% 미만, 0.64wt% 미만, 0.48wt% 미만, 그리고 심지어 0.01wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %N의 더 높은 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.16wt% 초과, 0.21wt% 초과, 0.91wt% 초과, 1.26wt% 초과, 그리고 심지어 1.61wt%를 초과한다. 반면, 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량의 %N은 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %N은1.9wt% 미만, 1.44wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.24wt% 미만이다. 본 발명자는 특정 어플리케이션들의 경우, 특정 함량의 %Mn과 %C과 함께 더 낮은 수준의 %N이 사용될 수 있다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, %N ＜ 0.11wt%, %Mn ＞ 16%-48wt% 및 %C ＞ 0.4wt% 이다. 추가 실시 예에서, %N ＜ 0.0019wt%, %Mn＞ 21%-39wt% 및 %C ＞ 0.52wt%이다. 본 발명자는 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 %N 0.4일 때, (30*%C+%Ni+2*%Mn/3+%Cu/3+20*(%N-0.4))의 함량을 통제하는 것이 중요하다는 점을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 30*%C+%Ni+2*%Mn/3+%Cu/3+20*(%N-0.4)는 7.2보다 크고, 11.6보다 크고, 12.2보다 크고, 그리고 심지어 16보다 크다. 반면, 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량이 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 30*%C+%Ni+2*%Mn/3+%Cu/3+20*(%N-0.4)는 99보다 작고, 79보다 작고, 64보다 작고, 59보다 작고, 그리고 심지어 44보다 작다. 일부 어플리케이션들의 경우, %B의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %B는 0.0002wt% 초과, 0.0006wt% 초과, 0.006wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어 0.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %B는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %B는 0.12wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.04wt% 미만, 그리고 심지어 0.009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Si는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Si는 1.9wt% 이하, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 그리고 심지어 0.19wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 낮은 수준이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Si는0.09wt% 미만, 0.03wt% 미만, 0.009wt% 미만, 그리고 심지어 0.003wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Mn의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 0.2wt% 초과, 0.6wt% 초과, 2.6wt% 초과, 5.1wt% 초과, 8.1wt% 초과, 10.6wt% 초과, 그리고 심지어18.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mn는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mn는17.9wt% 미만, 14wt% 미만, 9.4wt% 미만, 그리고 심지어 6.9wt% 미만이다. 특정 어플리케이션들의 경우, 훨씬 낮은 %Mn 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn는4.9wt% 미만, 3.9wt% 미만, 2.4wt% 미만, 그리고 심지어 1.4wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ni의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ni는 0.1wt% 초과, 0.6wt% 초과, 2.1wt% 초과, 3.6wt% 초과, 5.1wt% 초과, 그리고 심지어10.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ni는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ni는14wt% 미만, 11.9wt% 미만, 7.4wt% 미만, 그리고 심지어 5.9wt% 미만이다. 특정 어플리케이션들의 경우, 훨씬 낮은 %Ni 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ni는4.9wt% 미만, 3.9wt% 미만, 2.2wt% 미만, 그리고 심지어 1.2wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특정 함량의 %Ni+%Mn이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Ni+%Mn는 1.2wt% 초과, 2.1wt% 초과, 3.2wt% 초과, 그리고 심지어4.2wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ni+%Mn는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ni+%Mn는29wt% 미만, 24wt% 미만, 19wt% 미만, 16wt% 미만, 그리고 심지어 14wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 수준의 %Cr이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr는 12.5wt% 초과, 15.1wt% 초과, 18.6wt% 초과, 20.6wt% 초과, 26wt% 초과, 그리고 심지어30.6t%를 초과한다. 반면, 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량의 %Cr는 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Cr는34wt% 미만, 29wt% 미만, 26wt% 미만, 24wt% 미만, 그리고 심지어 19.6wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보이고 훨씬 더 낮은 수준이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr는18.4wt% 미만, 16.9wt% 미만, 16.2wt% 미만, 15.4wt% 미만, 그리고 심지어 14.9wt% 미만이다. 본 발명자는 일부 어플리케이션들의 경우, 특정 수준의 %Mn과 %C이 조성 내에 존재할 때 %Cr과 %N이 부분적으로 대체될 수 있음을 발견했다. 일 실시 예에서, %Cr ＜ 9.9wt%이고, %Mn ＞ 22wt%이며, %N ＜ 0.4wt%이고, %C ＞ 0.52wt%이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Ti의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Ti는 0.12wt% 초과, 0.51wt% 초과, 0.81wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.6wt% 초과, 그리고 심지어1.8wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ti는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ti는 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.5wt% 미만, 그리고 심지어 0.14wt%미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Al의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Al는 0.001wt% 초과, 0.16wt% 초과, 1.1wt% 초과, 2.6wt% 초과, 5.1wt% 초과, 그리고 심지어10.6t%를 초과한다. 반면, 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량의 %Al은 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Al는12wt% 미만, 9.4wt% 미만, 7.4wt% 미만, 5.9wt% 미만, 그리고 심지어 4.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Al가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Al는3.4wt% 미만, 2.9wt% 미만, 2.2wt% 미만, 1.5wt% 미만, 그리고 심지어 0.9wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %V는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %V는2.94wt% 미만, 1.48wt% 미만, 0.94wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.19wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특정 함량의 %Al+%Ti+%V이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Al+%Ti+%V는 0.001wt% 초과, 0.52wt% 초과, 그리고 심지어1.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Al+%Ti+%V는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Al+%Ti+%V은 5.9wt% 미만, 4wt% 미만, 그리고 심지어 2.4wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Nb의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, Nb는 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.6wt% 초과, 1.6wt% 초과, 그리고 심지어2.1wt%를 초과한다. 반면, 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량의 %Nb는 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Nb는2.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.1wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 기계적 강도 관련 특성을 개선하기 위해 %Cr+%Mo+1.5*%Si+0.5*%Nb+5*%V+3*%Al의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Cr+%Mo+1.5*%Si+0.5*%Nb+5*%V+3*%Al는 11.6wt% 초과, 13.1wt% 초과, 16wt% 초과, 그리고 심지어21wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cr+%Mo+1.5*%Si+0.5*%Nb+5*%V+3*%Al는 인성의 심각한 저하를 야기할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Cr+%Mo+1.5*%Si+0.5*%Nb+5*%V+3*%Al는 99wt% 미만, 69wt% 미만, 59wt% 미만, 49wt% 미만, 그리고 심지어 34wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Zr의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Zr는 0.09wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.36wt% 초과, 0.6wt% 초과, 그리고 심지어 1.6wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr는 2.4wt% 미만, 1.8wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.08wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Hf는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Hf는 2.2wt% 미만, 1.8wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.08wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ta는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ta는 2.2wt% 미만, 1.8wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.08wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특정 함량의 %Zr+%Hf+%Ta가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Ta는 0.001wt% 초과, 0.16wt% 초과, 1.26wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr+%Hf+% Ta는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+% Ta는 5.4wt% 미만, 4wt% 미만, 그리고 심지어 2.4wt%미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cu의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Cu는 0.1wt% 초과, 0.29wt% 초과, 0.6wt% 초과, 1.2wt% 초과, 그리고 심지어1.6wt%를 초과한다. 반면, 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량의 %Cu는 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Cu는2.8wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.9wt% 미만, 그리고 심지어 0.39wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특정 함량의 %Ni+%Co+%Cu가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Ni+%Co+%Cu는 1.2wt% 초과, 2.1wt% 초과, 3.2wt% 초과, 그리고 심지어4.2wt%를 초과한다. 반면, 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ni+%Co+%Cu는 24wt% 미만, 16wt% 미만, 14wt% 미만, 그리고 심지어 9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Bi는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Bi는0.05wt% 미만, 0.02wt% 미만, 0.009wt% 미만, 0.005wt% 미만, 그리고 심지어 0.0009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Se는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Se는0.04wt% 미만, 0.01wt% 미만, 0.009wt% 미만, 0.004wt% 미만, 그리고 심지어 0.0008wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 본 발명가는 일부 어플리케이션들의 경우, %Se는 적어도 부분적으로 %Te로 대체될 수 있음을 발견했다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Pb의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.001wt% 초과, 0.009wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어0.26wt%를 초과한다. 반면, 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량의 %Pb는 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Pb는0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특정 함량의 %Pb+%Bi+%Se가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Pb+%Bi+%Se는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 그리고 심지어0.06wt%를 초과한다. 반면, 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Pb+%Bi+%Se는0.44wt% 미만, 0.19wt% 미만, 그리고 심지어 0.15wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %P는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %P는0.02wt% 미만, 0.008wt% 미만, 0.005wt% 미만, 0.0004wt% 미만, 그리고 심지어 0.00008wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특정 함량의 %Pb+%Bi+%Se+%Cu+%P가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Pb+%Bi+%Se+%Cu+%P는 0.0001wt% 초과, 0.09wt% 초과, 그리고 심지어0.12wt%를 초과한다. 반면, 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Pb+%Bi+%Se+%Cu+%P는 0.94wt%, 0.4wt% 미만, 0.3wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %S는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %S는0.04wt% 미만, 0.009wt% 미만, 0.004wt% 미만, 0.0008wt% 미만, 그리고 심지어 0.00009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특정 함량의 %P+%S가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %P+%S는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 그리고 심지어0.009wt%를 초과한다. 반면, 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %P+%S는 0.1wt%, 0.04wt% 미만, 그리고 심지어 0.015wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Co의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Co는 0.1wt% 초과, 0.6wt% 초과, 2.1wt% 초과, 4.1wt% 초과, 5.6wt% 초과, 그리고 심지어 10.6wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Co는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Co는 11.4wt% 미만, 9.9wt% 미만, 4.9wt% 미만, 3.4wt% 미만, 그리고 심지어 2.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Co가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Co는 2.4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.8wt% 미만, 그리고 심지어 0.38wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 기계적 특성을 개선하기 위해 특정 함량의 %Ni+%Co+%Cu+%Mn이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Ni+%Co+%Cu+%Mn는 1.2wt% 초과, 2.1wt% 초과, 3.2wt% 초과, 그리고 심지어 4.2wt%를 초과한다. 반면, 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ni+%Co+%Cu+%Mn는 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ni+%Co+%Cu+%Mn는 29wt% 미만, 24wt% 미만, 19wt% 미만, 16wt% 미만, 그리고 심지어 14wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Y의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Y는 0.009wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.6wt% 초과, 그리고 심지어 1.26wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Y는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Y는 1.4wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.2wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.001wt% 초과, 0.04wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.21wt% 초과, 그리고 심지어 0.6wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.74wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.18wt% 미만, 0.02wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt%미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cs는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Cs는 0.94wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.004wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 함량의 %O가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %O는 0.006wt% 초과, 0.01wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어 0.41wt%를 초과한다. 반면, 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량의 %O는 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %O는 0.49wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.04wt% 미만, 그리고 심지어 0.0024wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, (앞서 정의된) %REE의 존재가 바람직하나, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %REE는 0.09wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.21wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어 1.6wt%를 초과하다. 반면, 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 %REE는 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %REE는 2.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션들의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특정 함량의 %Sc+%Y+%REE이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Y+%Sc+%REE는 0.21wt% 초과, 0.56wt% 초과, 1.26wt% 초과, 2.1wt% 초과, 그리고 심지어 2.56wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Y+%Sc+%REE는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Y+%Sc+%REE는 2.9wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.4wt% 미만이다 는일부 특정 어플리케이션들에서, 훨씬 낮은 수준의 %Y+%Sc +%REE이 선호된다. 일부 특정 어플리케이션들에서, 훨씬 낮은 수준의 %Y+%Sc +%REE이 선호된다. 일 실시 예에서, %Y+%Sc+%REE＜ 0.0022wt%이다. 덧붙여, 문서 내 모든 곳에서의 ＜ 는 원소가 존재하지 않는 경우를 포함한다는 점을 유의해야 한다.일부 실시 예들에서, 앞서 공개된 %O, %Cs, %Y, %Sc, %REE 및/혹은 %Ti의 함량은 또한 조성에도 적용될 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 원자 함량과 %Y+%Sc 혹은 대안적으로 %Y 혹은 대안적으로 %Y+%Sc+%REE 사이의 관계는 앞서 공개된 공식에 따라 최적의 기계적 특성을 위해 통제되어야 한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 다음의 매개변수 PARD-1=(%Ni+%Mn)/(%Y+%Sc+%REE)를 제어하는 것이 중요한 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, PARD-1는 0.6보다 크고, 2보다 크고, 6보다 크고, 13보다 크며, 22보다 크며, 52보다 크며, 102보다 크며, 그리고 심지어 502보다 크다. 일부 어플리케이션들의 경우, PARD-1는 특정 값보다 낮은 값이 선호된다. 다른 실시 예들에서, PARD-1는 4900보다 작고, 2900보다 작고, 1998보다 작고, 1490보다 작고, 990보다 작고, 그리고 심지어 590보다 작다. PARD-1이 중요한 경우, %Y, %Sc, 그리고 %REE이 존재하지 않거나 아주 소량으로 존재할 때, 해당 매개변수는 아주 큰 값을 취할 수 있으며, 해당 값들은 앞서 공개된 PARD-1에 대해 선호되는 범위를 벗어난다 - 예를 들어 %Ni =8.1wt%; %Mn =6.7wt%를 포함하는 재료로 본문의 %Y, %Sc 혹은 %REE를 포함하지 않으며, 여기서PARD-1=(8.1+6.7)/0를 의미하고, 이는PARD-1의 선호되는 범위를 명백히 벗어난다. 해당 문서에서 정의로서의 분절(division)을 포함하고 분모가 매우 작은 값이거나 심지어 0일 수 있는 다른 임의의 매개변수에도 동일하게 적용된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 다음의 매개변수 PARD-2 = (%Ni+%Mn)/%N를 통제하는 것이 중요한 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, PARD-2는1.2보다 크고, 2.6보다 크며, 4.1보다 크며, 5.2보다 크며, 6.2보다 크고,그리고 심지어 8.2보다 크다. 일부 어플리케이션들의 경우, PARD-2는 특정 값보다 낮은 값이 선호된다. 다른 실시 예들에서, PARD-2는 199보다 작고, 99보다 작고, 49보다 작고, 39보다 작고, 24보다 작고, 그리고 심지어 19보다 작다. 일부 어플리케이션들의 경우, 다음의 매개변수 PARD-3=%Cr/%N를 통제하는 것이 중요한 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, PARD-3는 2.1보다 크고, 5.2보다 크고, 8.6보다 크고, 12.5보다 크며, 16.2보다 크며, 그리고 심지어 20.2보다 크다. 일부 어플리케이션들의 경우, PARD-3은 특정 값보다 낮은 값이 선호된다. 다른 실시 예들에서, PARD-3는 249보다 작고, 149보다 작고, 99보다 작고, 89보다 작고, 74보다 작고, 64보다 작고, 그리고 심지어 48보다 작다. 일부 어플리케이션들의 경우, 다음의 매개변수 PARD-4= %Cr/(%Y+%Sc+%REE)를 통제하는 것이 중요한 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, PARD-4는 0.2보다 크고, 1.2보다 크고, 3.1보다 크고, 3.3보다 크며, 4.1보다 크며, 22보다 크며, 41보다 크며, 그리고 심지어 56보다 크다. 일부 어플리케이션들의 경우, PARD-4은 특정 값보다 낮은 값이 선호된다. 다른 실시 예들에서, PARD-4는 7900보다 작고, 4900보다 작고, 2990보다 작고, 1400보다 작고, 그리고 심지어 990보다 작다. 일부 어플리케이션들의 경우, 다음의 매개변수 PARD-5=(%Ni+%Mn)/(%N+%Y+%Sc+%REE)를 통제하는 것이 중요한 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, PARD-5는 0.1보다 크고, 0.6보다 크고, 0.9보다 크고, 1.2보다 크며, 2.2보다 크며, 3.2보다 크며, 그리고 심지어 5.2보다 크다. 일부 어플리케이션들의 경우, PARD-5는 특정 값보다 낮은 값이 선호된다. 다른 실시 예들에서, PARD-5는 199보다 작고, 99보다 작고, 74보다 작고, 59보다 작고, 49보다 작고, 38보다 작고, 그리고 심지어 24보다 작다. 일부 어플리케이션들의 경우, 다음의 매개변수PARD-6= %Cr/(%N+%Y+%Sc+%REE)를 통제하는 것이 중요한 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, PARD-6는 0.7보다 크고, 1.2보다 크고, 2.6보다 크고, 3.6보다 크며, 9.6보다 크며, 12보다 크며, 그리고 심지어 16보다 크다. 일부 어플리케이션들의 경우, PARD-6는 특정 값보다 작은 값이 선호된다. 다른 실시 예들에서, PARD-6는 199보다 작고, 99보다 작고, 74보다 작고, 59보다 작고, 49보다 작고, 38보다 작고, 그리고 심지어 24보다 작다. 일부 어플리케이션들의 경우, 다음의 매개변수PARD-7= ABS (%Cr/%N-(%Ni+%Mn)/(%Y+%Sc+%REE))를 통제하는 것이 중요한 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, PARD-7는2보다 크고, 4.6보다 크고, 7.6보다 크고, 10.5보다 크며, 12보다 크며, , 그리고 심지어 18보다 크다. 일부 어플리케이션들의 경우, PARD-7는 특정 값보다 작은 값이 선호된다. 다른 실시 예들에서, PARD-7는 199보다 작고, 99보다 작고, 74보다 작고, 59보다 작고, 49보다 작고, 38보다 작고, 그리고 심지어 24보다 작다. 일 실시 예에서, 산화가 촉진되어 특정 합금 원소와 결합되는 일정 수준에서 산소가 안정화 된다. 일 실시 예에서, 산화는 산소를 포함하는 대기에 의해 수행된다. 일 실시 예에서, 산화는 제어된 산소 분압을 포함하는 대기에 의해 수행된다. 일 실시 예에서, 산화는 산화철에서 다음 원소들 중 하나 이상으로의 이동에 의해 적어도 부분적으로 수행된다: %Ti, %Sc, %Y, %V, %REE (여기서 %REE는 앞서 정의된 바와 동일함) - 산화철은 부분적으로 환원되고, 재료 내 산화철의 함량은 감소하는 반면, 산화티타늄, 산화스칸듐, 산화이트륨, 산화바나듐, 혹은 다른 희토류 중 하나의 산화물은 증가함을 의미함 -. 일 실시 예에서, 산화는 산화철에서 다음 원소들 중 하나 이상으로의 이동에 의해서 적어도 부분적으로 수행된다: %Ti, %Sc, %Y. 일 실시 예에서, 산화는 산화철에서 다음 원소들 중 하나 이상으로의 이동에 의해서 적어도 부분적으로 수행된다: %Sc, %Y. 일 실시 예에서, 산화는 산화크로뮴에서 다음 원소들 중 하나 이상으로의 이동에 의해서 적어도 부분적으로 수행된다: %Ti, %Sc, %Y, %V, %REE(여기서 %REE는 이전에 정의된 바와 동일함). 일 실시 예에서, 산화는 산화크로뮴에서 다음 원소들 중 하나 이상으로의 이동에 의해서 적어도 부분적으로 수행된다: %Ti, %Sc, %Y. 일 실시 예에서, 산화는 산화크로뮴에서 다음 원소들 중 하나 이상으로의 이동에 의해서 적어도 부분적으로 수행된다: %Sc, %Y. 일 실시 예에서, 다량의 (앞서 정의된) %REE가 사용되고 산화가 촉진된다. 일 실시 예에서, %O*OC1 ＞ %Y+%Sc +%REE ＞ %O*OC2이다. 다른 실시 예들에서, OC1는 0.2, 1.2, 2.1, 3.1, 3.2, 3.4, 그리고 심지어 3.6이다. 다른 실시 예들에서, OC2는 3.8, 3.9, 4.3, 5.3, 6.9, 9.8, 그리고 심지어 14이다. 일 실시 예에서, 적어도 분말 표면의 일부에서의 산화가 촉진되며, 이어서 분말 결정립 내의 산소를 게터링하면서 표면 산화물의 제자리 퇴화(in situ-reduction) 및 압축이 이루어진다. 기계적 합금을 통한 산화물의 첨가는 대부분의 어플리케이션의 경우 상당히 해로운 것으로 밝혀졌으나, 감소된 어플리케이션이 이 과정에 대처할 수 있다. 일 실시 예에서, 산화물은 재료 분말 혼합물에 도입된다. 일 실시 예에서, 산화물은 재료 분말 혼합물에 도입되고 기계적으로 합금된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 본 발명자는 강의 미세조직 내 오스테나이트가 존재하는 것이 유리할 수 있음을 발견했다. 일 실시 예에서, 단일 분말 혹은 위에서 공개된 분말 혼합물을 사용하여 얻어진 강은 오스테나이트를 포함하는 미세조직을 나타낸다. 다른 실시 예들에서, 미세조직 내 오스테나이트의 백분율은 적어도 42%, 적어도 52%, 적어도 76%, 적어도 82%, 적어도 94%, 그리고 심지어 적어도 99.2%이다. 일 실시 예에서, 위에서 공개된 오스테나이트의 백분율은 부피(vol%)를 기준으로 한다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 어떠한 임의의 조합으로 서로간 결합이 가능하다.
작업 표면 냉각 채널에 가까이 있고 공격적인 등각 냉각 전략으로부터 이점을 얻는 열역학적 로딩(thermo-mechanical loading)이 높은 일부 어플리케이션들 뿐만 아니라, 내식성이 기계적 강도 및/혹은 파괴 인성과 결합되어야 하는 어플리케이션의 경우, 인성, 내식성이 높고 동시에 내마멸성이 탁월한 철기합금이 다음의 전체 조성을 갖는 재료로 달성될 수 있으며, 모든 백분율은 중량 퍼센트(wt%)로 표시된다:
%Cr: 10 - 14; %Ni: 5.6 - 12.5; %Ti: 0.4 - 2.8; %Mo: 0 - 4.4;
%B: 0 - 4; %Co: 0 - 12; %Mn: 0 - 2; %Cu: 0 - 2;
%Al: 0 -1; %Nb: 0 - 0.5; %Ce: 0 - 0.3; %Si: 0 - 2;
%C, %N, %P, %S, %O, 각각은 0.09% 가 최대;
%C + %N + %P + %S + %O : 0 - 0.3;
%La+%Cs+%Nd+%Gd+%Pr+%Ac+%Th+%Tb+%Dy+%Ho+%Er+%Tm+%Yb+%Y+%Lu+ %Sc +%Zr+%Hf: 0 - 0.4;
%V+%Ta+%W: 0 - 0.8;
철과 미량원소들로 구성된 나머지.
일 실시 예에서, 미량 원소는 다음을 포함하나 이에 한정된 것은 아닌 여러 원소를 의미한다: H, He, Xe, F, Ne, Na, Cl, Ar, K, Br, Kr, Sr, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, I, Ba, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Po, At, Rn, Fr, Ra, Ac, Pa, U, Np, Pu, Am, Cm, Bk, Cf, Es, Fm, Md, No, Lr, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Li, Be, Mg, Ca, Rb, Zn, Cd, Ga, In, Ge, Sn, Pb, Bi, Sb, As, Se, Te, Th, Ds, Rg, Cn, Nh, Fl, Mc, Lv, Ts, Og, Ta, Sm, Pm, Ho, Eu그리고 Mt. 일 실시 예에서, 미량 원소는 앞서 열거된 원소들 중 적어도 하나를 포함한다. 미량 원소는 강에 대해 생산 비용 감소와 같은 특정 기능을 달성하기 위해 의도적으로 첨가될 수 있고/있거나 그 존재가 의도되지 않은 것일 수 있으며 이는 주로 합금 원소와 강 생산에 사용되는 합금 스크랩 내 불순물의 존재와 연관된다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 1.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 다른 실시 예들에서, 각 미량 원소는 개별적으로 1.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.9wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 0.0012wt% 초과, 0.012wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.55wt% 초과이다. 반면, 미량 원소의 존재가 선호되는 몇몇의 어플리케이션이 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 크로뮴의 함량은 매우 중요하다. %Cr이 너무 과하면 파괴 인성이 낮아지고, %Cr이 너무 낮으면 내식성 저하를 야기한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 응력부식균열에 대한 %Cr의 효과 또한 뚜렷하지만, 다른 합금 원소들과 급간상관 관계에 있다. 다른 실시 예들에서, %Cr는 10.6wt% 보다 높고, 11.2wt% 보다 높고, 11.6wt% 보다 높고, 12.1wt% 보다 높고, 12.6wt% 보다 높고, 그리고 심지어 13.2wt% 보다 높다. 다른 실시 예들에서, %Cr는 13.4wt% 보다 낮고, 12.9wt% 보다 낮고, 12.4wt% 보다 낮고, 그리고 심지어 11.9wt% 보다 낮다. 일부 어플리케이션들의 경우, 붕소의 함량이 매우 중요하다. %B이 너무 과하면 파괴 인성 저하를 야기하고, %B이 너무 낮으면 내마멸성이 저하된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 고온 산출에 대한 %B의 효과 또한 뚜렷하지만, 다른 합금 원소들과 급간상관 관계에 있다. 다른 실시 예들에서, %B는 35 ppm 보다 높고, 120 ppm 보다 높고, 0.02wt% 보다 높고, 0.12wt% 보다 높고, 0.6wt% 보다 높고, 그리고 심지어 1.2wt% 보다 높다. 다른 실시 예들에서, %B는 1.9wt% 보다 낮고, 0.9wt% 보다 낮고, 0.4wt% 보다 낮고, 그리고 심지어 0.09wt% 보다 낮다. 일부 어플리케이션들의 경우, 티타늄 함량이 매우 중요하다. %Ti이 너무 과하면 파괴 인성이 저하되고 %Ti이 너무 낮으면 항복 강도가 저하된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 내식성에 대한 %Ti의 효과 또한 뚜렷하지만, 다른 합금 원소들과 급간상관관계에 있다. 다른 실시 예들에서, %Ti는 0.7wt% 보다 높고, 1.6wt% 보다 높고, 1.8wt% 보다 높고, 2.1wt% 보다 높고, 그리고 심지어 2.55wt% 보다 높다. 다른 실시 예들에서, %Ti는 2.4wt% 보다 낮고, 1.9wt% 보다 낮고, 1.4wt% 보다 낮고, 그리고 심지어 0.9wt% 보다 낮다. 일부 어플리케이션들의 경우, 니켈의 함량이 매우 중요하다. %Ni이 너무 과하면 항복 강도가 저하되고 %Ni이 너무 낮으면 파단 연신율이 낮아진다. 일부 어플리케이션들의 경우, 응력 부식 균열에 대한 %Ni의 효과 또한 뚜렷하지만, 다른 합금 원소들과 급간상관 관계에 있다. 다른 실시 예들에서, %Ni는 6.1wt% 보다 높고, 7.1wt% 보다 높고, 8.6wt% 보다 높고, 10.6wt% 보다 높고, 11.1wt% 보다 높고,그리고 심지어 11.5wt% 보다 높다. 다른 실시 예들에서, %Ni는 11.9wt% 보다 낮고, 11.4wt% 보다 낮고, 10.9wt% 보다 낮고, 그리고 심지어 9.9wt% 보다 낮다. 일부 어플리케이션들의 경우, 몰리브덴의 함량이 매우 중요하다. %Mo이 너무 과하면 파괴 인성을 저하시키고, %Mo이 너무 낮으면 항복 강도가 저하된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 응력 부식 균열에 대한 %Mo의 효과 또한 뚜렷하나, 다른 합금 원소들과 급간상관 관계에 있다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 0.26wt% 보다 높고, 0.76wt% 보다 높고, 1.2wt% 보다 높고, 1.6wt% 보다 높고, 2.1wt% 보다 높고,그리고 심지어 3.2wt% 보다 높다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 3.9wt% 보다 낮고, 2.9wt% 보다 낮고, 1.9wt% 보다 낮고, 그리고 심지어 0.9wt% 보다 낮다. 추가 실시 예에서, %Mo는 의도적으로 존재하지 않거나 오로지 미량 원소로서 존재한다. 추가 실시 예에서, %Mo는 존재하지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, 코발트의 함량이 매우 중요하다. %Co가 너무 과하면 항복 강도가 저하되고 %Co가 너무 낮으면 내식성/파괴인성 조합이 저하된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 응력부식균열에 대한 %Co의 효과 또한 뚜렷하지만, 다른 합금 원소들과 급간상관 관계에 있다. 다른 실시 예들에서, %Co는0.6wt% 보다 높고, 2.2wt% 보다 높고, 3.6wt% 보다 높고, 6.1wt% 보다 높고, 7.6wt% 보다 높고,그리고 심지어 10.2wt% 보다 높다. 다른 실시 예들에서, %Co는 9.9wt% 보다 낮고, 8.9wt% 보다 낮고, 7.9wt% 보다 낮고, 그리고 심지어 3.9wt% 보다 낮다. 추가 실시 예에서, %Co는 의도적으로 존재하지 않거나 오로지 미량원소로서만 존재한다. 추가 실시 예에서, %Co는 존재하지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, 망간이 첨가될 수 있다. 미량의 %Mn이 특정 기계적 특성을 개선할 수 있는 반면 너무 많은 %Mn은 기계적 특성 약화를 야기한다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 0.12wt% 보다 높고, 0.31wt% 보다 높고, 0.52wt% 보다 높고, 0.61wt% 보다 높고, 0.76wt% 보다 높고, 그리고 심지어 1.2wt% 보다 높다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 1.4wt% 보다 낮고, 0.9wt% 보다 낮고, 0.29wt% 보다 낮고, 그리고 심지어 0.09wt% 보다 낮다. 추가 실시 예에서, %Mn은 의도적으로 존재하지 않거나 오로지 미량원소로서만 존재한다. 추가 실시 예에서, %Mn는 존재하지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, 구리가 첨가될 수 있다. 미량의 %Cu가 항복 강도를 개선할 수 있는 반면, 너무 많은 %Cu는 기계적 특성 약화를 야기한다. 다른 실시 예들에서, %Cu는 0.12wt% 보다 높고, 0.31wt% 보다 높고, 0.52wt% 보다 높고, 0.61wt% 보다 높고, 0.76wt% 보다 높고, 그리고 심지어 1.2wt% 보다 높다. 다른 실시 예들에서, %Cu는 1.4wt% 보다 낮고, 0.9wt% 보다 낮고, 0.29wt% 보다 낮고, 그리고 심지어 0.09wt% 보다 낮다. 추가 실시 예에서, %Cu는 의도적으로 존재하지 않거나 오로지 미량원소로서만 존재한다. 추가 실시 예에서, %Cu는 존재하지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, 실리콘이 추가될 수 있다. 미량의 %Si이 기계적 특성을 개선시킬 수 있는 반면 너무 많은 %Si은 기계적 특성의 저하를 야기한다. 다른 실시 예들에서, %Si는 0.12wt% 보다 높고, 0.31wt% 보다 높고, 0.52wt% 보다 높고, 0.61wt% 보다 높고, 0.76wt% 보다 높고, 그리고 심지어 1.2wt% 보다 높다. 다른 실시 예들에서, %Si는 1.4wt% 보다 낮고, 0.9wt% 보다 낮고, 0.29wt% 보다 낮고, 그리고 심지어 0.09wt% 보다 낮다. 추가 실시 예에서, %Si은 의도적으로 존재하지 않거나 오로지 미량원소로서만 존재한다. 추가 실시 예에서, %Si은 존재하지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, 알루미늄이 첨가될 수 있다. 미량의 %Al이 항복 강도를 개선시킬 수 있는 반면 너무 많은 %Al은 파괴 인성의 약화를 야기한다. 다른 실시 예들에서, %Al는 0.01wt% 보다 높고, 0.06wt% 보다 높고, 0.12wt% 보다 높고, 0.22wt% 보다 높고, 0.31wt% 보다 높고, 그리고 심지어 0.51wt% 보다 높다. 다른 실시 예들에서, %Al는 0.4wt% 보다 낮고, 0.24wt% 보다 낮고, 0.09wt% 보다 낮고, 그리고 심지어 0.04wt% 보다 낮다. 추가 실시 예에서, %Al은 의도적으로 존재하지 않거나 오로지 미량원소로서만 존재한다. 추가 실시 예에서, %Al은 존재하지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, 니오븀이 추가될 수 있다. 미량의 %Nb이 항복 강도를 개선할 수 있는 반면 너무 많은 %Nb은 파괴 인성의 약화를 야기한다. 다른 실시 예들에서, %Nb는 0.01wt% 보다 높고, 0.04wt% 보다 높고, 0.06wt% 보다 높고, 0.12wt% 보다 높고, 0.22wt% 보다 높고, 그리고 심지어 0.31wt% 보다 높다. 다른 실시 예들에서, %Nb는 0.29wt% 보다 낮고, 0.14wt% 보다 낮고, 0.09wt% 보다 낮고, 그리고 심지어 0.04wt% 보다 낮다. 추가 실시 예에서, %Nb은 의도적으로 존재하지 않거나 오로지 미량원소로서만 존재한다. 추가 실시 예에서, %Nb은 존재하지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, 세륨이 첨가될 수 있다. 미량의 %Ce은 일부 유해한 산화물의 함량을 낮추어 인성 관련 특성을 개선할 수 있는 반면, 너무 많은 %Ce은 정확히 그 반대를 초래한다. 추가 실시 예에서, %Ce은 의도적으로 존재하지 않거나 오로지 미량원소로서만 존재한다. 다른 실시 예들에서, %Ce는 0.01wt% 보다 높고, 0.0006wt% 보다 높고, 0.001wt% 보다 높고, 0.006wt% 보다 높고, 0.01wt% 보다 높고, 그리고 심지어 0.12wt% 보다 높다. 다른 실시 예들에서, %Ce는 0.09wt% 보다 낮고, 0.04wt% 보다 낮고, 0.009wt% 보다 낮고, , 0.004wt% 보다 낮고, 그리고 심지어 0.0009wt% 보다 낮다. 추가 실시 예에서, %Ce은 존재하지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, %La+%Cs+%Nd+%Gd+%Pr+%Ac+%Th+%Tb+%Dy+%Ho+%Er+%Tm+%Yb+%Y+%Lu+%Sc+%Zr+%Hf 합의 특정 함량이 유리할 수 있다. 미량의 %La+%Cs+%Nd+%Gd+%Pr+%Ac+%Th+%Tb+%Dy+%Ho+%Er+%Tm+%Yb+%Y+%Lu+%Sc+%Zr+%Hf 합이 일부 유해한 산화물의 함량을 줄여 인성 관련 특성을 개선할 수 있는 반면, 너무 많은 %La+%Cs+%Nd+%Gd+%Pr+%Ac+%Th+%Tb+%Dy+%Ho+%Er+%Tm+%Yb+%Y+%Lu+%Sc+%Zr+%Hf 합은 정확히 그 반대를 초래한다. 다른 실시 예들에서, %La+%Cs +%Nd+%Gd+%Pr+%Ac+%Th+%Tb+%Dy+%Ho+%Er+%Tm+%Yb+%Y+%Lu+%Sc+%Zr+%Hf합은 0.01wt% 보다 높고, 0.0006wt% 보다 높고, 0.001% 보다 높고, 0.006wt% 보다 높고, 0.01wt% 보다 높고, 그리고 심지어 0.12wt% 보다 높다. 다른 실시 예들에서, %La + %Cs+%Nd+%Gd+%Pr+%Ac+%Th+%Tb+%Dy+%Ho+%Er+%Tm+%Yb+%Y+%Lu+%Sc+%Zr+%Hf의 합은 0.09wt% 보다 낮고, 0.04% 보다 낮고, 0.009wt% 보다 낮고, 0.004wt% 보다 낮고, 그리고 심지어 0.0009wt% 보다 낮다. 추가 실시 예에서, %La + %Cs+%Nd+%Gd+%Pr+%Ac+%Th+%Tb+%Dy+%Ho+%Er+%Tm+%Yb+%Y+%Lu+%Sc+%Zr+%Hf의 합은 의도적으로 존재하지 않거나 미량원소로서만 존재한다. 추가 실시 예에서, %La + %Cs+%Nd+%Gd+%Pr+%Ac+%Th+%Tb+%Dy+%Ho+%Er+%Tm+%Yb+%Y+%Lu+%Sc+%Zr+%Hf의 합은 존재하지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, 원소 %C, %N, %P, %S, %O는 매우 유해하며 가능한 한 낮게 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %C, %N, %P, %S, %O 중 적어도 하나는 0.04wt% 보다 낮고, 0.009wt% 보다 낮고, 0.004wt% 보다 낮고, 0.0019wt% 보다 낮고, 0.0009wt% 보다 낮고, 그리고 심지어 0.0004wt% 보다 낮다. 추가 실시 예에서, %C, %N, %P, %S, %O 중 적어도 하나는 의도적으로 존재하지 않거나 오로지 미량원소로서만 존재한다. 추가 실시 예에서, %C, %N, %P, %S, %O 중 적어도 하나는 존재하지 않는다. 일 실시 예에서, %C는 조성에 존재하지 않는다. 추가 실시 예에서, %C는 미량 원소이다. 일 실시 예에서, %O는 조성에 존재하지 않는다. 추가 실시 예에서, %O는 미량 원소이다. 일 실시 예에서, %N는 조성에 존재하지 않는다. 추가 실시 예에서, %N는 미량 원소이다. 일 실시 예에서, %P는 조성에 존재하지 않는다. 추가 실시 예에서, %P는 미량 원소이다. 일 실시 예에서, %S는 조성에 존재하지 않는다. 추가 실시 예에서, %S는 미량 원소이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 원소 %C, %N, %P, %S, %O는 매우 유해하며 가능한 한 낮게 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %C, %N, %P, %S, %O 중 적어도 하나는 0.04wt% 보다 낮고, 0.009wt% 보다 낮고, 0.004wt% 보다 낮고, 0.0019wt% 보다 낮고, 0.0009wt% 보다 낮고, 그리고 심지어 0.0004wt% 보다 낮다. 추가 실시 예에서, %C, %N, %P, %S, %O 중 적어도 하나는 의도적으로 존재하지 않거나 오로지 미량원소로서만 존재한다. 추가 실시 예에서, %C, %N, %P, %S, %O 중 적어도 하나는 존재하지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C+%N+%P+%S+%O의 합이 의도적으로 추가될 수 있다. 미량의 %C+%N+%P+%S+%O의 합이 기계적 강도 관련 특성을 개선할 수 있는 반면, 너무 많은 %C+%N+%P+%S+%O의 합은 파괴 인성을 크게 저하시킬 수 있다. 다른 실시 예들에서, %C+ %N+%P+%S+%O의 합은 0.0006wt% 보다 높고, 0.001wt% 보다 높고, 0.006wt% 보다 높고, 0.01wt% 보다 높고, 그리고 심지어 0.12wt% 보다 높다. 다른 실시 예들에서, %C+ %N+%P+%S+%O의 합은0.09wt% 보다 낮고, 0.04wt% 보다 낮고, 0.009wt% 보다 낮고, 0.004wt% 보다 낮고, 그리고 심지어 0.0009wt% 보다 낮다. 추가 실시 예에서, %C+ %N+%P+%S+%O의 합은 의도적으로 존재하지 않거나 오로지 미량 원소로만 존재한다. 일 실시 예에서, %C+ %N+%P+%S+%O의 합은 존재하지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, %V+%Ta+%W의 합의 특정 함량이 유리할 수 있다. 미량의 %V+%Ta+%W의 합은 내마멸성 관련 특성을 개선할 수 있지만, 너무 많은 %V+%Ta+%W의 합은 인성 관련 특성의 저하를 야기할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %V+%Ta+%W의 합은 0.06wt% 보다 높고, 0.12wt% 보다 높고, 0.32wt% 보다 높고, 0.42wt% 보다 높고, 그리고 심지어 0.52wt% 보다 높다. 다른 실시 예들에서, %V+%Ta+%W의 합은 0.49wt% 보다 낮고, 0.24wt% 보다 낮고, 0.14wt% 보다 낮고, 0.09wt% 보다 낮고, 그리고 심지어 0.009wt% 보다 낮다. 추가 실시 예에서, %V+%Ta+%W의 합은 의도적으로 존재하지 않거나 오로지 미량원소로만 존재한다. 추가 실시 예에서, %V+%Ta+%W의 합은 존재하지 않는다. 일 실시 예에서, %V는 조성 내 존재하지 않는다. 일 실시 예에서, %V는 미량원소다. 일 실시 예에서, %Ta는 조성 내 존재하지 않는다. 일 실시 예에서, %Ta는 미량원소다. 일 실시 예에서, %W는 조성 내 존재하지 않는다. 일 실시 예에서, %W는 미량원소다.
일 실시 예에서, 재료는 980℃ ±TOL의 온도로 가열되어 충분한 시간 동안 유지되고 급속 냉각(담금질, quenching)됨으로써 열풀림 된 용액이다. 다른 실시 예들에서, TOL은 5℃, 10℃, 15℃, 25℃, 그리고 심지어 35℃*이다. 다른 실시 예들에서, 충분한 시간은 10분 이상, 30분 이상, 1시간 이상, 2시간 이상, 그리고 심지어 4시간 이상이다. 일 실시 예에서, 재료는 충분히 낮은 온도에서 충분히 긴 시간 동안 급속 냉각된 이후 심랭 처리(sub-zero treated)된다. 다른 실시 예들에서, 충분히 낮은 온도는 -25℃ 이하, -50℃ 이하, -75℃ 이하, 그리고 심지어 -100℃ 이하다. 다른 실시 예들에서, 충분히 긴 시간은 10분 이상, 1시간 이상, 4시간 이상, 8시간 이상, 그리고 심지어 16시간 이상이다. 일 실시 예에서, 재료는 적절한 시간 동안 적절한 온도에서 유지된 다음 쿨링 됨으로써 시효 경화(age hardened)된다. 다른 실시 예들에서, 적절한 온도는 480℃ ±TOL, 510℃± TOL, 540℃± TOL, 590℃ ± TOL, 그리고 심지어 620℃ ± TOL이다. 다른 실시 예들에서, TOL은 2℃, 5℃, 7℃, 그리고 심지어 12℃ 이다. 다른 실시 예들에서, 적절한 시간은 1시간 이상, 2시간 이상, 4시간 이상, 6시간 이상, 그리고 심지어 8시간 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우 과도한 시효 시간은 권장되지 않는다. 다른 실시 예들에서, 적절한 시간은 12시간 이하, 10시간 이하, 8시간 이하, 그리고 심지어 6시간 이하다. 다른 실시 예들에서, 재료는 앞서 서술된 시료 처리 이전에 22% 이상 환원, 31% 이상 환원, 그리고 심지어 71% 이상 환원으로 냉간 가공된다. 일 실시 예에서, 재료는 제조된 성분이다. 일 실시 예에서, 재료는 본 문서 전체에 걸쳐 공개된 방법 중 임의의 하나로 제조된 성분이다.
일 실시 예에서, 앞서 서술된 재료는 국부적으로 분리되는데 이는 조성과 크기가 신중하게 선택되고 의도적으로 완전한 균질화를 위한 충분한 시간을 허용하지 않은 채 상이한 조성의 분말 혼합물을 통해 제조된 결과이다. 일반적으로 재료의 결함으로 간주되는 이것은 놀랍게도 일부 어플리케이션들에서, 특히 연마 입자에 대한 대응물을 수반하는 경우, 더 높은 성능의 재료를 제공했다. 일 실시 예에서, 중요한 원소의 충분히 큰 영역에서의 유의미한 편석이 있다. 중요 원소 내 농축 영역의 중량 백분율을 중요 원소 내 빈약한 영역의 중량 백분율로 나눌 때 해당 편석이 유의미한 다른 실시 예들에서, 1.06 초과, 1.12 초과, 1.26 초과, 1.56 초과, 2.12 초과의 값이 얻어진다. 다른 실시 예들에서, 충분히 큰 영역은 26 제곱microns 초과, 56 제곱microns 초과, 86 제곱microns 초과, 126 제곱microns 초과, 그리고 심지어 260 제곱 microns을 초과하는 임의의 영역이다. 일 실시 예에서, 중요 원소는 %Cr이다. 일 실시 예에서, 중요 원소는 %Ni이다. 일 실시 예에서, 중요 원소는 %Ti이다. 일 실시 예에서, 중요 원소는 %Co이다. 일 실시 예에서, 중요 원소는 %Mo이다. 분명히, 일부 어플리케이션들은 재료 내 유의미한 분리가 없을 때 이점을 얻는다. 다른 실시 예들에서, 중요 원소의 농축 영역은 원소가 적어도 2.3wt% 이상, 적어도 5.3wt% 이상, 그리고 심지어10.4wt% 이상인 영역이다. 다른 실시 예들에서, 중요 원소의 빈약한 영역은 중요 원소가 1.29wt% 이하, 0.59wt% 이하, 그리고 심지어 0.29wt% 이하인 영역이다.
일 실시 예에서, 본 문서 내 서술된 임의의 재료는 국부적으로 분리되는데, 이는 조성과 크기가 신중하게 선택되고 완전한 균질화를 위한 충분한 시간을 의도적으로 허용하지 않은 채 상이한 조성의 분말 혼합물을 통해 제조된 결과이다. 일반적으로 재료의 결함으로 간주되는 이것은 놀랍게도 일부 어플리케이션들에서 더 높은 성능의 재료를 제공했다. 일 실시 예에서, 중요 원소의 충분히 큰 영역에서의 유의미한 편석이 있다. 중요 원소 내 농축 영역의 중량 백분율을 중요 원소 내 빈약한 영역의 중량 백분율로 나눌 때 해당 편석이 유의미한 다른 실시 예들에서, 1.06 초과, 1.12 초과, 1.26 초과, 1.56 초과, 그리고 심지어 2.12 초과의 값이 얻어진다. 다른 실시 예들에서, 충분히 큰 영역은 26 제곱 microns을 초과하는 영역이다. 추가 실시 예에서, 충분히 큰 영역은 56 제곱 microns을 초과, 86제곱 microns을 초과, 126제곱 microns을 초과, 그리고 심지어 260제곱 microns을 초과하는 영역이다. 다른 실시 예들에서, 중요 원소는 0.3wt% 이상, 0.6wt% 이상, 1.3wt% 이상, 2.3wt% 이상, 5.3wt% 이상, 그리고 심지어 10.3wt% 이상의 양으로 존재하는 모든 원소 중에서 선택된 원소이다. 분명히, 일부 어플리케이션들은 재료 내 유의미한 분리가 없을 때 이점을 얻는다.
본 문서 전체에서 원소에 대한 값이나 조성 범위가 0 [예시: %Ti: 0- 3.4]에서 시작하거나, 원소 함량이 특정 값 "＜" [예시: %C ＜ 0.29]보다 작은 값으로 표현될 때, 두 경우 모두 일부 실시 예들에서 숫자 0이 예상 되어야 한다. 일부 실시 예들에서, 공칭 "0"은 바람직하지 않은 미량원소 혹은 불순물로 존재할 수 있는 원소를 의미한다. 일부 실시 예들에서, 원소는 또한 존재하지 않을 수 있다. 이는 또다른 중요한 측면을 야기하는데, 해당 문헌 내 많은 문서들에서 특정 원소가 특정 임계 문턱 값 아래에 있을 때 기술적 효과를 알지 못하기 때문에, 그 원소를 잠재적으로 "0" 혹은 "＜"로 언급하지만, 실제 함량은 측정되지 않는데, 그 이유는 특별히 낮은 수준으로 존재할 때의 그 기술적 효과에 대한 무지 때문이며, 그게 아니라면, 측정될 때 항상 다소 높은 값으로 측정(공칭 "0"과 부재의 차이, 혹은 낮은 수준으로 존재할 때 기술적 효과를 갖는 도핑 원소에 대한 임계 문턱 값)된다.
기술 용어에 대해 특정 정의가 사용되는 본 문서의 모든 실시 예들에서, 동일하지만 용어의 문헌적 정의가 사용되는 추가적인 실시 예(이는 확대를 기하기 위해 모든 기술 용어적 정의에서가 아닌 여기서 참조됨)가 있다.
이전 단락에서 공개된 분말과 분말 혼합물은 본 문서 전체에 걸쳐 공개된 방법에서 유리하게 사용될 수 있다. 따라서, 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조합을 통해 본 문서 전체에 걸쳐 공개된 임의의 방법과 결합될 수 있다.
다음 단락에서 공개되는 발명의 관점은 본 문서 전체에 걸쳐 공개된 분말 혹은 분말 혼합물에 적용이 가능하지만 다른 분말 혹은 분말 혼합물에도 적용이 가능하므로 그 자체로 발명을 구성할 수 있기도 하다.
본 발명자는 일부 어플리케이션들의 경우, 산소 함량의 매우 낮은 분말 혹은 분말 혼합물에서 벗어나는 것이 유리함을 발견했다. 압력 및/혹은 (본 문서에서 후술하는 바와 동일하게 )열처리를 적용한 직후 매우 낮은 기공률에 달성하는 본 발명의 일부 예시를 사용할 때 특히 그러하다. 본 발명자는 이러한 경우, 특히 인성과 관련한 특성의 측면에서, 높은 최종 기계적 특성에 도달하는 것은 분말 혹은 분말 혼합물의 산소 수준과 강하게 관련되어 있고 때때로 질화물 수준과도 강하게 관련되어 있음을 발견했다. 이러한 발견은 발명자가 적절하게 설계된 대기에 포함된 분말을 열하기 위한 주요 분말원으로서 극초단파를 적용함으로써 시스템 내 분말의 산소 함량 수준을 낮추기 위해 노력한 결과이다. 별도로 명시되지 않는 한, "적절하게 설계된 대기상태"는 아래에 상세히 설명되는 여러 대안적 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 진공대기상태가 유리하다. 일 실시 예에서, 해당 방법은 분말 혹은 분말 혼합물의 산소 및/혹은 질소 수준을 감소시키기 위해 극초단파를 사용하는 것을 포함한다. 일 실시 예에서, 해당 방법은 적절하게 설계된 대기 상태를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 진공 대기상태다. 다른 실시 예들에서, 적절하게 설계된 대기상태는 590 mbar 보다 낫고, 99 mbar 보다 낫고, 9 mbar 보다 낫고, 0.9 mbar 보다 낫고, 0.9*10-2 mbar 보다 낫고, 0.9*10-3 mbar 보다 낫고, 0.9*10-4 mbar 보다 낫고, 그리고 심지어 0.9*10-5 mbar 보다 나은 진공 수준을 의미한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도하게 낮은 진공은 도움이 되지 않는다. 다른 실시 예들에서, 적절하게 설계된 대기상태는 1.2*10-10 mbar 보다 못하고, 1.2*10-8 mbar 보다 못하고, 1.2*10-6 mbar 보다 못하고, 그리고 심지어 1.2*10-4 mbar 보다 못한 진공 수준을 의미한다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 불활성 기체(noble gas)를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 주로 불활성 기체를 포함하는 대기상태를 의미한다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 %Ar을 포함하는 대기상태를 의미한다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 주로 %Ar를 포함하는 대기상태를 의미한다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 %He을 포함하는 대기상태를 의미한다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 주로 %He를 포함하는 대기상태를 의미한다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 %N2을 포함하는 대기상태를 의미한다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 주로 %N2를 포함하는 대기상태를 의미한다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 %H2을 포함하는 대기상태를 의미한다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 주로 %H2를 포함하는 대기상태를 의미한다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 유기가스(organic gas)를 포함하는 대기상태를 의미한다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 주로 유기가스를 포함하는 대기상태를 의미한다. 다른 실시 예들에서, 주로 포함한다는 의미는 55wt% 이상, 75wt% 이상, 85wt% 이상, 95.5wt% 이상, 99.1wt% 이상, 그리고 심지어 99.92wt% 이상을 말한다. 추가 실시 예에서, 주로 포함한다는 의미는 오로지 불가피한 불순물만이 존재함을 말한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 앞서 언급된 대기의 혼합물이 바람직하다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 전술된 기체들 중 적어도 두 개를 포함하는 대기상태를 의미한다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 전술된 기체들 중 적어도 두 개를 포함하는 대기상태를 의미하고 그 중 하나는 %H2이다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 전술된 기체들 중 적어도 두 개를 포함하는 대기상태를 의미하고 그 중 하나는 %Ar이다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 전술된 기체들 중 적어도 두 개를 포함하는 대기상태를 의미하고 그 중 하나는 유기가스이다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 전술된 기체들 중 적어도 두 개를 포함하는 대기상태를 의미하고 그 중 하나는 %N2이다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 올바른 카본 포텐셜(carbon potential)을 포함하는 대기상태를 의미한다. 다른 실시 예들에서, 올바른 카본 포텐셜은 0.0001% 초과, 0.006% 초과, 0.11% 초과, 0.22% 초과, 0.31% 초과, 0.46% 초과, 0.81% 초과, 그리고 심지어 1.1%를 초과한다. 특정 어플리케이션들의 경우, 카본 포텐셜은 특정 값 미만으로 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 올바른 카본 포텐셜은 5.9% 미만, 2.9% 미만, 1.9% 미만, 1.58% 미만, 0.98% 미만, 0.69% 미만, 0.49% 미만, 0.19% 미만, 0.09% 미만이다. 일 실시 예에서, 올바른 카본 포센셜은 용선로(furnace) 또는 압력 용기의 대기상태 내 카본 포텐셜을 측정한 결과이다. 대안적 실시 예에서, 올바른 카본 포텐셜은 산소 및 카본 프로브(carbon probes)를 이용하여 용선로 또는 압력 용기의 대기상태 내 카본 포텐셜을 측정하고 계산한 결과이다. 추가 대안적 실시 예에서, 올바른 카본 포텐셜은 NDIR (비분산형 적외선 분석계, Non-Dispersive Infrared analyzer)을 활용하여 용선로 또는 압력 용기의 대기상태 내 카본 포텐셜을 측정한 결과이다. 추가 대안적 실시 예에서, 올바른 카본 포텐셜은 ThermoCalc (버전 2020b)을 활용한 시뮬레이션에 의해 결정된다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 올바른 원자 질소 함량을 포함한 대기상태를 의미한다. 다른 실시 예들에서, 올바른 원자 질소 함량은 0.078mol% 이상, 0.78mol% 이상, 1.17mol% 이상, 1.56mol% 이상, 2.34mol% 이상, 3.55mol% 이상, 그리고 심지어 4.68mol% 이상이다. 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량은 유해하다. 다른 실시 예들에서, 올바른 원자 질소 함량은 46.8mol% 이하, 15.21mol% 이하, 11.31mol% 이하, 7.91mol% 이하, 5.46mol% 이하, 그리고 심지어 3.47mol% 이하다. 특정 어플리케이션들의 경우, 더 높은 원자 질소 함량을 포함하는 대기상태가 선호된다. 다른 실시 예들에서, 올바른 원자 질소 함량은 2.14mol% 이상, 4.29mol% 이상, 6.24mol% 이상, 8.19mol% 이상, 10.14mol% 이상, 21.45mol% 이상, 그리고 심지어 39.78mol% 이상이다. 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량은 유해하다. 다른 실시 예들에서, 올바른 원자 질소 함량은 89mol% 이하, 69mol% 이하, 49mol% 이하, 29mol% 이하, 19mol% 이하, 14mol% 이하, 그리고 심지어 9mol% 이하다. 일부 어플리케이션들의 경우, 원자 질소 함량은 백분율로 표현할 때(percentual) 동일한 양의 원자 질소를 제공하는 임의의 대안적 대기상태에 의해 대체될 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 원자 질소는 암모니아(NH3)를 사용하여 도입된다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 올바른 질소 함량을 포함하는 대기상태를 의미한다. 다른 실시 예들에서, 올바른 질소 함량을 갖는 대기상태는 질소 함량이 0.02wt% 이상, 0.2wt% 이상, 0.3wt% 이상, 0.4wt% 이상, 0.6wt% 이상, 0.91wt% 이상, 그리고 심지어 1.2wt% 이상인 대기상태이다. 특정 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량의 질소는 유해하다. 다른 실시 예들에서, 올바른 질소 함량의 대기상태는 질소 함량이 3.9wt% 이하, 2.9wt% 이하, 1.9wt% 이하, 1.4wt% 이하, 그리고 심지어 0.89wt% 이하인 대기상태다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 대기상태는 암모니아를 포함하는 대기상태를 의미한다. 다른 실시 예들에서, 암모니아 함량은 0.1vol% 초과, 0.11vol% 초과, 2.2vol% 초과, 5.2vol% 초과, 그리고 심지어 10.2vol%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 함량의 암모니아는 유해할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 암모니아의 함량은 89vol% 미만, 49% 미만, 19% 미만, 14% 미만, 9% 미만, 그리고 심지어 4vol% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, pO2(산소 분압)을 통제하는 것이 좋다. 다른 실시 예들에서, 적절하게 설계된 대기상태는 pO2이 4*10-1 atm 보다 낮고, 4*10-3 atm 보다 낮고, 4*10-4 atm 보다 낮고, 4*10-10 atm 보다 낮고, 4*10-14 atm 보다 낮고, 4*10-18 atm 보다 낮고, 그리고 심지어 4*10-24 atm 보다 낮은 대기상태를 의미한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 놀랍게도 과도하게 낮은 pO2은 불리하다. 다른 실시 예들에서, 적절하게 설계된 대기상태는 pO2이 4*10-38 atm 보다 높고, 4*10-32 atm 보다 높고, 4*10-28 atm 보다 높고, 4*10-24 atm 보다 높고, 그리고 심지어 4*10-19 atm 보다 높은 대기상태를 의미한다. 일부 어플리케이션들의 경우, pCO/pCO2를 통제하는 것이 더 효율적임이 드러났다. 다른 실시 예들에서, 적절하게 설계된 대기상태는 pCO/pCO2가 2*10-12 보다 높고, 2*10-4 보다 높고, 2*10-1 보다 높고, 2*101 보다 높고, 2*103 보다 높고, 2*105 보다 높고, 2*107 보다 높고, 그리고 심지어 2*1012 보다 높은 대기상태를 의미한다. 다시, 때때로 과도하게 높은 수준의 pCO/pCO2가 유해할 수 있음이 놀랍게도 드러났다. 다른 실시 예들에서, 적절하게 설계된 대기상태는 pCO/pCO2가 2*1014 보다 낮고, 2*1012 보다 낮고, 2*109 보다 낮고, 그리고 심지어 2*106 보다 낮은 대기상태를 의미한다. 일부 어플리케이션들의 경우, pH2/pH2O를 제어하는 것이 더 효율적임이 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, 적절하게 설계된 대기상태는 pH2/pH2O가 2*10-8 보다 높고, 2*10-5 보다 높고, 2*10-2 보다 높고, 2*101 보다 높고, 2*102 보다 높고, 2*104 보다 높고, 2*106 보다 높고, 그리고 심지어 2*1011 보다 높은 대기상태를 의미한다. 다시, 때때로 과도하게 높은 수준의 pH2/pH2O가 유해할 수 있음이 놀랍게도 드러났다. 다른 실시 예들에서, 적절하게 설계된 대기상태는 pH2/pH2O가 2*1013 보다 낮고, 2*1011 보다 낮고, 2*108 보다 낮고, 그리고 심지어 2*105 보다 낮은 대기상태를 의미한다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 그들 내부에서 혹은 앞서 공개된 다른 실시 예와 어떤 조합으로든 결합될 수 있다. 상기 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 서로간 및 본 문서 내 공개된 "적절하게 설계된 대기상태"와 관련한 임의의 실시 예와 어떤 조합으로든 결합될 수 있다. 별도로 명시되지 않는 한, 용어 "극초단파를 활용한 분말 처리 방법"은 아래에 상세히 설명되는 다양한 대안의 형태로 본 문서 전체에 걸쳐 정의된다. 본 발명자에 의해 진전된 시스템에서, 분말은 적절한 주파수 범위의 극초단파에 노출되는 동안 유동 상태(분말 입자 상호간의 상대적 이동)를 유지하고 분말이 (앞서 정의된 바와 같은) 적절하게 설계된 대기상태에 노출되는 동안 적절한 전력 수준을 지속한다. 본 발명자는 그러한 시스템의 존재를 알지 못하기 때문에, 금속성 분말의 산소 수준을 감소시키기 위한 시스템이 요구되며, 여기서 분말 입자는 (충분한 시간 동안) 상호간 상대적 움직임을 유지하고 적절한 전력 수준으로 적절한 주파수 범위의 극초단파가 조사되는 동안 적절하게 설계된 대기상태로 노출되는 것이 요구된다. 다른 실시 예들에서, 적절한 전력 수준은 12 W 이상, 120 W 이상, 520 W 이상, 1.2 KW 이상, 6 KW 이상, 12 KW 이상, 그리고 심지어 42 KW 이상을 의미한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 전력은 유해할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 적절한 전력 수준은 900 KW 이하, 400 KW 이하, 90 KW 이하, 49 KW 이하, 그리고 심지어 19 KW이하를 의미한다. 대안적으로, 일부 어플리케이션들의 경우, 적절한 전력 수준은 극초단파 전력/가공 분말의 중량을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 적절한 전력 수준은 0.0002 W/Kg 이상, 0.02 W/Kg 이상, 0.2 W/Kg 이상, 2 W/Kg 이상, 20 W/Kg 이상, 200 W/Kg 이상, 그리고 심지어 2000 W/Kg 이상을 의미한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 전력은 유해할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 적절한 전력 수준은 90 KW/Kg 이하, 20 KW/Kg 이하, 9 KW/Kg 이하, 그리고 심지어 0.9 KW/Kg 이하를 의미한다. 일 실시 예에서, 전력은 발생기의 정격이다. 일 실시 예에서, 전력은 발생기를 떠나는 실제 전력이다. 일 실시 예에서, 전력은 처리된 분말이 함유되는 챔버 내 도입되는 전력이다. 일 실시 예에서, 세라믹 구성요소는 극초단파 어플리케이터와 분말 사이에 위치한다. 일 실시 예에서, 세라믹은 열 절연재(heat insulator)로서 작용한다. 일 실시 예에서, 세라믹은 원통형 형태를 띈다. 일 실시 예에서, 세라믹은 (본 문서에 서술된 관점과 값에서) 낮은 유전 손실을 보인다. 일 실시 예에서, 세라믹은 2.45 GHz에서 낮은 유전 손실을 보인다. 대안적 일 실시 예들에서, 세라믹은 915 MHz에서 낮은 유전 손실을 보인다. 일 실시 예들에서, 세라믹 구성요소 중 적어도 하나는 분말 입자 사이의 상대적 변위를 확보하기 위해 유동 상태가 유지된다. 일 실시 예들에서, 세라믹은 분말 입자 사이의 상대적 변위를 더 잘 강제하기 위해 페일(pales) 또는 날개(vanes)를 포함한다. 일 실시 예들에서, 분말 입자 사이의 상대적 변위를 확보하는 것에 도움이 되는 세라믹은 내부 돌기(분말이 함유된 방향으로 진행된다는 의미에서의 내부를 의미함)를 포함한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 이동 상태는 분말의 산소 함량이 눈에 띌 정도로 줄어들 때까지 충분한 시간 동안 적용된다. 일 실시 예에서, "충분한 시간 동안"의 의미는 분말의 삼소 함량이 현저히 감소될 때까지의 시간을 말한다. 일 실시 예에서, 분말의 산소 함량이 현저히 감소의 의미는 공정 이후 산소 함량이 공정 전 산소 함량에 인자 RF를 곱한 값과 동일함을 의미한다. 다른 실시 예들에서, RF는 0.98보다 작고, 0.74보다 작고, 0.44보다 작고, 0.24보다 작고, 0.04보다 작고, 0.004보다 작고, 그리고 심지어 0.00004보다 작다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도하게 낮은 값의 RF는 적절하지 못하다. 다른 실시 예들에서, RF는 1.2*10-12보다 크고, 1.2*10-10보다 크고, 1.2*10-8보다 크고, 1.2*10-6보다 크고, 1.2*10-4보다 크고, 1.2*10-2보다 크고, 그리고 심지어 0.79보다 크다. 일부 어플리케이션들의 경우, "충분한 시간 동안"을 직접적으로 측정하는 것이 더욱 편리하다. 다른 실시 예들에서, "충분한 시간은" 1분 이상, 35분 이상, 70분 이상, 125분 이상, 6시간 이상, 그리고 심지어 18시간 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 지나치게 긴 시간은 불리하다. 다른 실시 예들에서, 충분한 시간은 4000시간 이하, 400시간 이하, 40시간 이하, 19시간 이하, 그리고 심지어 9시간 이하다. 일 실시 예에서, 적절한 주파수 범위가 적용되어야 한다. 일 실시 예에서, 적절한 주파수 범위는 2.45 GHz +/- 250 MHz이다. 추가 실시 예에서, 적절한 주파수 범위는 5.8 GHz +/- 1050 MHz이다. 추가 실시 예에서, 적절한 주파수 범위는 915 MHz +/- 250 MHz이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 임의의 실시 예들에서 정의된 극초단파를 활용한 분말의 처리 방법은 본 문서 전체에 걸쳐 공개된 분말 혹은 분말 혼합물에 유리하게 적용될 수 있다. 따라서, 앞서 공개된 모든 실시 예들은 상호 배타적이지 않다면, 서로간 혹은 본 문서 내 공개된 다른 실시 예와 임의의 조합으로 결합될 수 있다. 매우 놀랍고 주목할 만한 관찰은 해당 단락에서 서술된 방식으로 산소 함량이 감소된 분말을 사용할 때 낮은 온도에서의 소결 이후 더 적은 기공이 나타난다는 점이다. 본 발명자는 공개 문헌에서 이러한 종류의 관찰을 발견하지 못했으므로, 제조 공정이 소결을 포함하고 또한 공정을 통해 (해당 본문에서 앞서 서술된 용어로) 산소 함량이 현저히 감소한 금속성 분말의 사용을 포함하는 구성요소를 주장하며 여기서 공정은 적절한 주파수 범위 내에서 극초단파 가열을 포함하는 시스템으로 분말을 가열하는 것을 수반한다. 일 실시 예에서, 사용된 금속성 분말은 본 발명의 분말들을 포함한다. 일 실시 예에서, 구성요소는 소결 단계 이전에 본 발명의 방법으로 성형된다. 일 실시 예에서, 사용된 금속성 구성요소는 본 발명의 분말 중 서로 다른 특성을 갖는 적어도 두 개의 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 소결 단계는 낮은 유효온도에서의 휴지(dwell)를 포함한다. 다른 실시 예들에서, 휴지는 최소 32분 동안, 최소 62분 동안, 최소 122분 동안, 그리고 심지어 최소 3.5시간 동안 이루어진다. 다른 실시 예들에서, 휴지는 최대 38시간 동안, 최대 18시간 동안, 최대 9시간 동안, 그리고 심지어 최대 2.9시간 동안 이뤄진다. 다른 실시 예들에서, 소결을 위한 낮은 유효 온도는 655℃ 이상, 705℃ 이상, 755℃ 이상, 805℃ 이상, 그리고 심지어 855℃ 이상이다. 다른 실시 예들에서, 소결을 위한 낮은 유효 온도는 0.51*Tm 이상, 0.56*Tm 이상, 0.61*Tm 이상, 그리고 심지어 0.64*Tm 이상이다. 다른 실시 예들에서, 소결을 위한 낮은 유효 온도는 1190℃ 이하, 1140℃ 이하, 1090℃ 이하, 1040℃ 이하, 그리고 심지어 990℃ 이하다. 다른 실시 예들에서, 소결을 위한 낮은 유효 온도는 0.83*Tm 이하, 0.79*Tm 이하, 0.74*Tm 이하, 그리고 심지어 0.69*Tm 이하다. 본 문서 내, 특별한 언급이 없는 때, 제1의 액체가 형성되는 온도를 재료의 용융온도(Tm)로 이해한다. 일 실시 예에서, Tm은 부피 분율이 가장 높은 금속성 분말종의 용융온도를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, Tm은 중량 분율이 가장 높은 금속성 분말종의 용융온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 용융온도가 가장 높은 금속성 분말종의 용융온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 용융온도가 가장 낮은 금속성 분말종의 용융온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 모든 금속성 분말종의 용융온도 중량 계수 평균(질량 가중 산술 평균)을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물의 용융온도를 의미한다. 특별한 언급이 없는 한, 용어 "분말 혼합물의 용융온도"는 아래에 자세히 설명되는 상이한 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물 내 부피 분율이 가장 높은 분말의 용융온도를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물 내 중량 분율이 가장 높은 분말의 용융온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물 내 부피 분율이 가장 낮은 분말의 용융온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물 내 중량 분율이 가장 낮은 분말의 용융온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물 내 용융점이 가장 높은 분말의 용융온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물 내 (아래에 정의되는) 적어도 두 개의 임계 분말의 평균 용융온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물(질량 가중 산술 평균, 여기서 중량은 중량 분율임)을 포함하는 금속의 용융온도의 평균을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물 내 용융점이 가장 낮은 임계 분말(아래에 정의된 바와 동일함)의 용융온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물(질량 가중 산술 평균, 여기서 중량은 중량 분율임) 내 용융점이 가장 낮은 두 개의 (아래에 정의된) 임계 분말의 용융온도 평균을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물(질량 가중 산술 평균, 여기서 중량은 중량 분율임) 내 용융점이 가장 낮은 세 개의 (아래에 정의된) 임계 분말의 용융온도 평균을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 중량은 부피 분율임) 내 용융점이 가장 낮은 두 개의 (아래에 정의된) 임계 분말의 용융온도 평균을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 중량은 부피 분율임) 내 용융점이 가장 낮은 세 개의 (아래에 정의된) 임계 분말의 용융온도 평균을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물 내 용융점이 가장 높은 (아래에 정의된) 임계 분말의 용융온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물(질량 가중 산술 평균, 여기서 중량은 중량 분율임) 내 용융점이 가장 높은 두 개의 (아래에 정의된) 임계 분말의 용융온도 평균을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물(질량 가중 산술 평균, 여기서 중량은 중량 분율임) 내 용융점이 가장 높은 세 개의 (아래에 정의된) 임계 분말의 용융온도 평균을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 중량은 부피 분율임) 내 용융점이 가장 높은 두 개의 (아래에 정의된) 임계 분말의 용융온도 평균을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 중량은 부피 분율임) 내 용융점이 가장 높은 세 개의 (아래에 정의된) 임계 분말의 용융온도 평균을 의미한다. 일 실시 예에서, (아래에 정의된) 임계 분말은 금속성 분말이다. 별도의 언급이 없는 한, 용어 "임계 분말"은 아래에 상세히 설명되는 여러 대안의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 임계 분말은 분말 혼합물 내 특정한 중량 백분율로 존재하는 분말이다. 다른 실시 예들에서, 임계 분말은 분말 혼합물의 최소 0.06wt%, 최소 0.6wt%, 최소 1.2wt%, 최소 2.6wt%, 최소 6wt%, 최소 11wt%, 최소 21wt%, 최소 36wt%, 그리고 심지어 최소 52wt%로 존재하는 분말이다. 대안적 일 실시 예에서, 앞서 공개된 백분율은 총 중량(고분자(polymer) 및/혹은 점결제(binder)의 중량을 포함)에 대한 것이다. 대안적으로, 일부 어플리케이션들의 경우, 임계 분말은 분말 혼합물 내 특정한 부피 백분율로 존재하는 분말이다. 다른 실시 예들에서, 임계 분말은 분말 혼합물의 최소 0.06vol%, 최소 0.6wt%, 최소 1.2vol%, 최소 2.6vol%, 최소 6vol%, 최소 11vol%, 최소 21vol%, 최소 36vol%, 그리고 최소 52vol%로 존재하는 분말이다. 추가 대안적 실시 예에서, 앞서 공개된 백분율은 총 부피(고분자 및/혹은 점결제의 부피를 포함)에 대한 것이다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은, 서로 상호 배타적이지 아니하는 한, 서로간 결합될 수 있으며 본 문서에서 공개된 "임계 분말"과 관련한 다른 실시 예와 임의의 조합으로 결합이 가능하다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 (아래에 정의되는) 분말 혼합물 내 용융점이 가장 낮은 유의미한 분말의 용융온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물(질량 가중 산술 평균, 여기서 중량은 중량 분율임) 내 용융점이 가장 낮은 두 개의 (아래에 정의된) 유의미한 분말의 용융온도 평균을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물(질량 가중 산술 평균, 여기서 중량은 중량 분율임) 내 용융점이 가장 낮은 세 개의 (아래에 정의된) 유의미한 분말의 용융온도 평균을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 중량은 부피 분율임) 내 용융점이 가장 낮은 두 개의 (아래에 정의된) 유의미한 분말의 용융온도 평균을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 중량은 부피 분율임) 내 용융점이 가장 낮은 세 개의 (아래에 정의된) 유의미한 분말의 용융온도 평균을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물 내 용융점이 가장 높은 (아래에 정의되는) 유의미한 분말의 용융온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물(질량 가중 산술 평균, 여기서 중량은 중량 분율임) 내 용융점이 가장 높은 두 개의 (아래에 설명되는) 유의미한 분말의 용융온도 평균을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물(질량 가중 산술 평균, 여기서 중량은 중량 분율임) 내 용융점이 가장 높은 세 개의 (아래에 설명되는) 유의미한 분말의 용융온도 평균을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 중량은 부피 분율임) 내 용융점이 가장 높은 두 개의 (아래에 설명되는) 유의미한 분말의 용융온도 평균을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 중량은 부피 분율임) 내 용융점이 가장 높은 세 개의 (아래에 설명되는) 유의미한 분말의 용융온도 평균을 의미한다. 일 실시 예에서, (아래에 설명된) 유의미한 분말은 금속성 분말이다. 별도로 명시되지 않는 한, 용어 "유의미한 분말"은 아래에 자세히 설명되는 여러 대안의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, 해당 분말의 중량에 따른 백분율이 2wt% 이상, 5.5wt% 이상, 10.5wt% 이상, 15.5wt% 이상, 25.5wt% 이상, 그리고 심지어 55.5wt% 이상(모든 금속성 분말을 고려함)일 때 분말은 유의미하다고 고려된다. 추가 대안적 실시 예에서, 중량 퍼센트가 가장 높은 오로지 하나의 유의미한 분말만이 존재한다. 추가 대안적 실시 예에서 유의미한 분말은 본 문서 전체에 걸쳐 공개된 임의의 분말 혹은 분말 혼합물을 의미한다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조합으로 서로간 및 "유의미한 분말"과 관련한 본 문서에서 공개된 다른 실시 예와 결합이 가능하다. 추가 대안적 실시 예에서, 분말 혼합물의 용융온도는 분말 혼합물의 용융온도 평균을 의미한다. 일 실시 예에서, 분말은 금속성 분말이다. 일 실시 예에서, 소결을 위해 앞서 공개된 내용은 다른 강화 처리로도 확장이 가능하다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조합으로 서로간 및 "분말 혼합물의 용융온도"와 관련한 본 문서에서 공개된 다른 실시 예와 결합이 가능하다.
기하학적으로 매우 복잡하고 높은 기계적 성질을 가진 금속 부품을 저비용으로 생산 시, 기존의 가공 공정은 우수한 기계적 성질에 이르렀지만 기하학적 신축성(특히 내부 특징의 경우)과 기하학적 복합성에 있어서는 심각한 제한과 더불어 높은 비용이 든다. 또한, 자원 효율성이 낮아 환경에 미치는 영향이 크다. 기존의 Powder Bed AM 기술을 포함한 다른 제조 기술들은 적절한 기계적 성질에 이르렀고 냉각 채널의 적은 제한사항과 지지대의 필요성이 있어 양호한 기하학적 신축성을 가지고 있다. 그러나 매우 높은 비용과 환경적 영향에서 저온 MAM 방법은 만족스러운 기하학적 신축성으로 적용될 수 있으며 비용 및 환경적 영향 측면에서 우수하지만, 이 기술은 디바인딩(debinding) 시 붕괴되는 경향이 있고 제조된 부품들의 기계적 성질이 좋지 않다.
발명가는 다음 문단에 기재된 단계들이 적용되었을 때 기계적 성질이 높은 부품들, 특히 기계의 강도, 연신율과 인성이 유기 물질(예를 들어, 고분자 및/또는 이들의 혼합물)을 포함하는 일부 저온 MAM 방법을 사용하여 환경에 적은 영향을 미치며 고수준으로 설계된 유연성으로 생산될 수 있다는 것을 발견했다.
일 실시 예에서, 적어도 일부 부품으로 구성된 금속을 제조하는 방법은 다음과 같은 단계를 포함함:
-적어도 금속 또는 금속 합금으로 이루어진 분말 또는 분말 혼합물을 분말 형태로 제공;
- 금속 적층 가공 (metal additive manufacturing, MAM)방법을 사용하여 분말 형태의 금속 또는 금속 합금으로 이루어진 분말 또는 분말 혼합물로부터 성분을 형성한다. 여기서 MAM 방법은 고분자 및/또는 바인더를 사용하는 것을 포함함;
-적어도 고분자 및/또는 바인더 일부를 제거하기 위해 디바인딩 적용;
-보기에 올바른 밀도를 만들기 위해 압밀법(consolidation method) 적용;
-고온, 고압 처리, 그리고
선택적으로,
-열처리 및/또는 가공 적용함.
본 방법(제조법이라고도 함)의 일부 구현도 논의될 것이다. 일부 적용의 경우, 금속 적층 가공 (MAM) 방법을 대신 사용하여, 분말 또는 분말 혼합물로 이루어진 금속으로 이루어진 금속 또는 금속 합금으로 채워진 틀을 사용하여 구성부품 또는 일부를 유리하게 형성할 수 있다. 본 발명가는 본 문서에 언급된 방법 단계를 따른다면 제조하고자 하는 부품의 형태를 가진 주형에서 만들어질 수 있고 (주형은 본 발명에 기재된 제조과정에서 발생하는 수축률을 고려하여 주형을 채우는 분말이 원하는 형태가 되도록 요구되는 형태를 갖는다. 또한, 가공과 같은 절삭가공이나 본 발명에 기술된 것 이외의 다른 적층 제조를 통해 종종 최종 기하학이 달성된다는 것을 고려해야 한다) 분말로 채워질 수 있다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 적어도 일부 부품으로 구성된 금속을 제조하는 방법은 다음과 같은 단계를 포함함:
-부분적으로라도 적층 제조를 통해 제조된 금형 제공;
-분말 형태의 금속 또는 금속 합금으로 이루어진 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채움;
-압력 및/또는 온도를 가하여 구성 요소 형성;
-금형의 일부라도 제거하기 위해 디바인딩 적용;
-보기에 올바른 밀도를 만들기 위해 압밀법 적용;
-고온, 고압 처리, 그리고
선택적으로,
-열처리 및/또는 가공 적용함.
일부 적용의 경우, 특히 디바인딩 적용 후 구성 요소 내 질소 및/또는 산소 함량이 압밀 처리 적용 후 도달할 수 있는 기계적 성질에 영향을 미칠 수 있다. 따라서 압밀 처리를 적용하기 전에 부품의 금속성 부분의 산소 및/또는 질소 수준을 설정하기 위한 고정 단계의 적용하면 제작 구성품에 필요한 기계적 성질에 도달하는 데 도움을 줄 수 있다.
일 실시 예에서, 적어도 일부 부품으로 구성된 금속을 제조하는 방법은 다음과 같은 단계를 포함함:
-적어도 금속 또는 금속 합금으로 이루어진 분말 또는 분말 혼합물을 분말 형태로 제공;
-금속 적층 가공 (MAM)방법을 사용하여 분말 형태의 금속 또는 금속 합금으로 이루어진 분말 또는 분말 혼합물로부터 성분을 형성한다. 여기서 MAM 방법은 고분자 및/또는 바인더를 사용하는 것을 포함함;
-적어도 고분자 및/또는 바인더 일부를 제거하기 위해 디바인딩 적용;
- 구성 요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준 설정;
- 압밀법 적용
-고온, 고압 처리, 그리고
-선택적으로,
-열처리 및/또는 가공 적용함.
이 고정 단계는 앞서 밝혀진 방법 단계를 따라 분말 또는 분말 혼합물로 이루어진 금속 또는 금속 합금으로 채워진 금형을 사용한 성분을 만들 때에도 유리하게 적용할 수 있다.
일 실시 예에서, 적어도 일부 부품으로 구성된 금속을 제조하는 방법은 다음과 같은 단계를 포함함:
-부분적으로라도 적층 제조를 통해 제조된 금형 제공;
-분말 형태의 금속 또는 금속 합금으로 이루어진 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채움;
-압력 및/또는 온도를 가하여 구성 요소 형성;
-금형의 일부라도 제거하기 위해 디바인딩 적용;
-부품의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준을 설정;
- 압밀법 적용
-고온, 고압 처리, 그리고
선택적으로,
-열처리 및/또는 가공 적용함.
일부 적용의 경우 고온, 고압 처리(고 밀화 단계라고도 함)는 선택 사항이기 때문에 하지 않아도 된다. 일 실시 예에서 고온, 고압 처리는 생략되었다. 특정 적용의 경우, 방법에 많은 추가 단계를 포함할 수 있으며, 그중 일부는 아래에서 자세히 논의될 것이다.
가장 먼저 언급되어야 할 것은 이 방법이 크랙 없이 좋은 치수 정확도와 높은 수준의 성능을 가진 복잡한 기하학 부품들(복잡한 내부 특징을 가진 구성 요소 포함)에도 작동된다는 것이 매우 놀랍다는 것이다. 특히 HIP와 CIP, 그리고 MIM 방법의 한계들을 고려할 때.
일부 적용의 경우, 매우 놀랍게도, 함께 조립될 수 있는 다른 부분들의 부품을 제조하기에 좋다. 일 실시 예에서, 적어도 일부 부품으로 구성된 금속은 부품의 일부를 뜻한다. 반면에, 일부 적용의 경우, 상기에 밝혀진 방법들을 이용하여 부품 전체를 유리하게 제조한다. 일 실시 예에서, 부픔의 전체를 제조하는 경우, 부품의 일부에 대해 밝혀진 상기 내용이 부품 전체에 적용된다. 그러므로 일부 실시 예에서, "적어도 일부 부품으로 구성된 금속"이라는 말은 "부품으로 구성된 금속"으로 대체될 수 있다. 특정 적용의 경우, 다른 재료들을 사용하여 부품(또는 적어도 위에 언급한 방법들을 사용해 제조한 부품의 일부)을 제조하는 것이 좋다. 일 실시 예로, 제조된 부품은 적어도 두 개의 서로 다른 재료를 포함한다. 추가 실시 예에서, 제조된 부품은 적어도 세 개의 서로 다른 재료를 포함한다. 추가 실시 예에서, 제조된 부품은 적어도 4개의 서로 다른 재료를 포함한다.
발명자는 일부 적용의 경우, 위에 밝혀진 방법과 본 문서의 "밝혀진 적절한 기하학적 설계 전략"을 결합하는 것이 특히 유리하다는 것을 발견했다. 이에 따라, 본 문서에 밝혀진 "적절한 기하학적 설계 전략"과 관련된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 상기 밝혀진 방법들과 결합될 수 있다.
일부 적용의 경우, 분말 또는 분말 혼합물의 제조에 사용되는 방법은 부품에서 달성될 수 있는 기계적 성질에 큰 관련성을 갖는다. 발명자는 놀랍게도 위에 언급된 방법 단계를 따를 경우, 성분 제조에 사용되는 분말 또는 분말 혼합물이, 예를 들어 물이 원자화된 분말 및/또는 산화물 환원에 의해 얻어진 분말 같은 저비용 분말을 포함하는 경우에도, 매우 높은 성능의 성분을 얻을 수 있다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 분말은 물 원자화에 의해 얻어진 분말이다. 추가 실시 예에서, 상기 분말은 산화물 환원에 의해 얻어진 분말이다. 일 실시 예에서, 상기 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 물 원자화에 의해 얻어진 분말이다. 일 실시 예에서, 상기 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 산화물 환원에 의해 얻어진 분말이다. 상기 분말 또는 적어도 상기 분말 혼합물에 포함된 분말을 얻기 위해서는 다른 기술도 유리할 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 분말은 기계적 작용에 의해 얻어진다. 추가 실시 예에서, 분말은 기계적으로 분쇄된다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 기계적 작용에 의해 얻어진다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 기계적으로 으스러진다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 소모로 의해 얻어진다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 밀링으로 얻어진다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 볼 밀링으로 얻어진다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 운동 에너지 파괴로 얻어진다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 제어된 분쇄를 통해 얻어진다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 분쇄를 통해 얻어진다. 특정 적용의 경우에서는 고르지 못한 분말을 사용하는 것이 선호된다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 고르지 못한 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말은 고르지 못한 분말이다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 고르지 못한 분말 하나를 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 2개의 불규칙한 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 불규칙 분말은 비구형의 분말이다. 다른 실시 예들에서, 비구형 분말은 구형도가 99% 미만, 89% 미만, 79% 미만, 74% 미만, 그리고 심지어 69% 미만인 분말이다. 일부 적용에서는 구형도가 매우 낮은 분말을 사용하는 것은 이롭지 않다. 다른 실시 예들에서, 비구형 분말은 22% 초과, 36% 초과, 51% 초과, 그리고 심지어 64% 초과의 구형도를 갖는 분말이다. 본 발명가는 일부 적용에서는 구형 분말을 사용하는 것이 특히 이롭다는 것도 발견했다. 일 실시 예에서, 분말 또는 분말 혼합물은 구형 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 구형 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 구형 분말은 가스 분무, 원심 원자화 및/또는 플라즈마 처리로 라운딩 된 분말을 뜻한다. 일 실시 예에서, 분말 또는 분말 혼합물은 가스 분무에 의해 얻어진 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 또는 분말 혼합물은 원심 원자화에 의해 얻어진, 적어도 하나의, 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 또는 분말 혼합물은 플라즈마 처리로 라운딩 된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 가스 분무에 의해 얻어진, 적어도 하나의, 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 원심 분무에 의해 얻어진, 적어도 하나의, 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 플라즈마 처리로 라운딩 된, 적어도 하나의, 분말을 포함한다. 다른 실시 예들에서, 구형 분말은 76% 초과, 82% 초과, 92% 초과, 96% 초과, 그리고 심지어 100% 이상의 구형도를 갖는 분말이다. 분말의 구형도는 동일한 부피의 구체 표면과 입자 표면의 비율로 정의되는 무차원 인자(dimensionless parameter)를 의미한다. 일 실시 예에서, 구형도(Ψ)는 다음의 공식을 활용해 계산된다: Ψ=[ㅠ1/3*(6*Vp)2/3]/Ap. 상기 공식에서, ㅠ는 일반적으로 원의 둘레와 지름의 비율로 정의되는 수학적 상수를 의미하고, Vp는 입자의 부피를, Ap는 입자의 표면적을 의미한다. 일 실시 예에서, 입자의 구형도는 동적 이미지 분석(dynamic image analysis)에 의해 결정된다. 대안적 일 실시 예에서, 구형도는 광산란 회절(light scattering diffraction)에 의해 계산된다. 일 실시 예에서, 위에 언급된 것은 몰드를 채우기 위해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물을 의미한다. 일 실시 예에서, 상기 언급된 것은 성분을 형성하기 위해 MAM에 의해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물을 의미한다.
일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 아래의 분말 형태의 금속 또는 금속 합금 중 적어도 하나를 포함 하나 이에 한정된 것은 아니다: 철 또는 철계 합금, 강철, 스테인리스강, 니켈 또는 니켈계 합금, 구리 또는 구리계 합금, 크롬 또는 크롬계 합금, 코발트 또는 코발트계 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴계 합금, 망간 또는 망간계 합금, 알루미늄 또는 알루미늄계 합금, 텅스텐 또는 텅스텐계 합금, 티타늄계 합금 또는 티타늄계 합금, 리튬 또는 리튬계 합금, 마그네슘 또는 마그네슘계 합금, 니오브 또는 니오브계 합금, 지르코늄 또는 지르코늄계 합금, 실리콘 또는 실리콘계 합금, 주석 또는 주석계 합금, 탄탈룸 또는 탄탈룸계 합금 및/또는 이들의 혼합물. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 금속 또는 금속계 합금 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 금속계 합금 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 하나의 금속계 합금 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 하나의 금속 또는 금속계 합금 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 금속계 합금 분말인 임계 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 금속 또는 금속계 합금 분말인 임계 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 금속계 합금 분말인 관련 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 금속 또는 금속계 합금 분말인 관련 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 포함한다. 특정 용도의 경우, 금속 합금에 전체적으로 상응하는 구성을 가진 금속 합금 분말을 사용하는 것이 선호된다. 일 실시 예에서, 상기 분말은 금속계 합금 분말이다. 일 실시 예에서, 상기 분말은 금속 또는 금속계 합금 분말이다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 금속계 합금에 상응하는 평균 구성을 갖는다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 금속 또는 금속계 합금에 상응하는 평균 조성을 갖는다. 일 실시 예에서 상기 금속은 철이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 티타늄이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 알루미늄이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 마그네슘이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 니켈이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 구리이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 니오브이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 지르코늄이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 실리콘이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 크롬이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 코발트이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 몰리브덴이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 망간이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 텅스텐이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 리튬이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 주석이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 탄탈룸이다. 특정 용도의 경우, 상기 언급된 금속 또는 금속계 합금의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다. 다만, 이러한 금속 또는 금속계 합금 사용에 한정된 것은 아니다. 이에, 적어도 금속 또는 금속계 합금을 포함하는 다른 분말 또는 분말 혼합물도 사용될 수 있다. 일부 적용의 경우, 본 문서 전반에 걸쳐 언급된 분말 또는 분말 혼합물의 사용이 특히 유리하다. 이 점에 있어서 본 발명자는 일부 적용의 경우 분말 형태의 질소 오스테나이트 강철(기존에 언급된 구성을 갖는 질소 오스테나이트 강철)을 사용하는 것이 이외로 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 질소 오스테나이트 강철 분말을 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 적어도 하나의 질소 오스테나이트 강철 분말을 포함한다. 특정 적용의 경우 질소 오스테나이트 강철 분말 또는 질소 오스테나이트 강철과 상응하는 전체 구성을 갖는 분말 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다. 일 실시 예에서 상기 분말은 질소 오스테나이트 강철 분말이다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 질소 오스테나이트 강철과 대응하는 평균 구성을 갖는다. 일부 실시 예에서 본 문서에서 앞서 정의한 혼합 전략에 따라 분말 또는 분말 혼합물을 사용한다. 이에, 상기 혼합 전략에서 설명된 분말 또는 분말 혼합물과 관련된 모든 실시 예는 본 방법과 임의의 조합으로 조합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 LP 및 SP 분말 (기존에 정의된 바와 같이)을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 (기존에 정의된 바와 같이) LP 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 (기존에 정의된 바와 같이) SP 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 (기존에 정의된 바와 같이) 적어도 분말 P1, P2, P3 및/또는 P4를 포함한다. 일부 실시 예에서, 특허 출원 번호 PCT/EP2019/075743에 공개된 분말 및/또는 분말 혼합물은, 내용 전체가 참조에 의해 본 문서에 통합되는 것이 유리하게 사용될 수 있다. 일부 적용에서는 %Y, %Sc, %REE, %Al 및/또는 %Ti로 구성된 분말을 사용하는 것이 의외로 유리하다. 일부 실시 예에서, %Y, %Sc, 및/또는 %REE(본 문서 전반에 걸쳐 공개된 %Y, %Sc, 및/또는 %REE 내용 포함)를 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 사용하는 것이 특히 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 %Y+%Sc+%REE의 적정 함량을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 올바른 함량의 %Y+%Sc+%REE 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 일부 용도에서는 %Y, %Sc, %REE, 및/또는 %Al로 구성된 분말 또는 분말 혼합물을 사용하는 것이 선호된다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 %Al+%Y+%Sc+%REE의 적정 함량을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 함량이 %Al+%Y+%Sc+%REE인 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 일부 적용에서는 %Y, %Sc, %REE 및/또는 %Ti로 구성된 분말 또는 분말 혼합물을 사용하는 것이 선호된다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은, 앞서 정의된 바와 같이, %REE인 %Ti+%Y+%Sc+%REE의 적정 함량을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 %REE가 앞서 정의된 바와 같고 올바른 함량의 %Ti+%Y+%Sc+%REE 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 일부 용도에서는 %Y, %Sc, %REE, %Al 및/또는 %Ti로 구성된 분말 또는 분말 혼합물을 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은, %REE가 앞서 정의된 바와 같고 %Al+%Ti+%Y+%Sc+%REE의 적정 함량을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 %REE가 앞서 정의된 바와 같고, 올바른 함량의 %Al+%Ti+%Y+%Sc+%REE 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 따로 명시되지 않는 한, "올바른 함량"은 본 문서 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 정의된다. 다른 실시 예들에서, 올바른 함량은 0.012wt% 이상, 0.052wt% 이상, 0.12wt% 이상, 0.22wt% 이상, 0.42wt% 이상, 그리고 심지어 0.82wt% 이상이다. 특정 적용의 경우, 과도한 함량은 기계적 성질에 해가 된다. 다른 실시 예들에서,올바른 함량은 6.8wt% 이하, 3.9wt% 이하, 1.4wt% 이하, 0.96wt% 이하, 0.74wt% 이하, 그리고 심지어 0.48wt% 이하다. 놀랍게도, 일부 적용의 경우 %Y, %Sc, %REE 및/또는 %Ti로 구성된 분말로 구성된 시스템을 사용하여 특별한 기계적 성질을 달성할 수 있다. 일부 적용의 경우, 매우 정확한 수준의 %Ti, %Y, %Sc 및/또는 %REE를 선택하는 것이 매우 중요하며, 이러한 적용의 경우, 이트륨 당량 개념이 매우 흥미롭다. 달리 명시되지 않는 한, "Yeq(1)의 올바른 수준"은 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전체에서 정의된다. 일 실시 예에서 이트륨 당량 개념은 다음과 같다: %REE가 앞서 정의된 바와 같을 때, %Yeq(1)=%Y+1.55*(%Sc+%Ti)+0.68*%REE. 다른 실시 예들에서, %Yeq(1)의 올바른 수준은 0.03wt%보다 높아야 하며, 0.06wt%보다 높아야, 0.12wt%보다 높아야, 0.6wt%보다 높아야, 1.2wt%보다 높아야, 2.1wt%보다 높아야, 나아가 심지어 3.55wt%보다 더 높아야 한다. 특정 적용의 경우, %Yeq(1)의 함량이 너무 많으면 기계적 성질에 해가 된다. 다른 실시 예들에서, %Yeq(1)의 올바른 수준은 8.9wt%보다 낮고, 4.9wt%보다 낮아야 하며, 3.9wt%보다 낮아야 하며, 2.9wt%보다 낮아야 하며, 2.4wt%보다 낮아야 하며, 1.9wt%보다 낮아야 하며, 1.4wt%보다 낮아야 하며, 0.9wt%보다 낮아야 하며, 나아가 심지어 0.4wt%보다 낮아야 한다. 대안적 일 실시 예에서, %Yeq(1)의 정의뿐만 아니라 본 항에서 언급된 내용은 %Ti를 무시하도록 수정되어, 재료에 포함된 %Ti는 %Yeq(1)의 계산에 포함되지 않는다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 적절한 수준의 %Yeq(1)를 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물의 분말 중 적어도 하나는 적정한 수준의 %Yeq(1)를 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 부품의 금속 부분은 상기 방법을 적용하는 동안 어느 시점에 적절한 수준의 %Yeq(1)를 포함한다. 추가 실시 예에서, 제조된 부품의 금속 부분은 올바른 수준의 %Yeq(1)를 포함한다. 추가 실시 예에서, 제조된 부품에 포함되는 재료 중 적어도 하나는 적절한 레벨의 %Yeq(1)를 포함한다. 일부 적용에서는 산소 함량과 %Y, %Sc, %Ti 및 %REE 함량의 특정 관계가 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 %O함량은, %REE가 앞서 정의된 바와 같을 때, 아래의 화학식 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE)를 따르도록 선택된다. 추가 실시 예에서, 상기 %O 함량은, %REE가 앞서 정의된 바와 같을 때, 아래의 화학식 KYI*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE) ＜ %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE)를 따르도록 선택된다. 다른 실시 예들에서, KYI는 3800, 2900, 2700, 2650, 2600, 2400, 2200, 2000, 그리고 심지어 1750이다. 다른 실시 예들에서, KYS는 2100, 2350, 2700, 2750, 2800, 3000, 3500, 4000, 4500 그리고 심지어 8000이다. 대안적 일 실시 예에서, 본 항에서 위에 공개된 내용은 %Ti를 무시하도록 수정되어, 재료에 포함된 %Ti는 허용 가능한 %O의 계산에 고려되지 않는다. 일 실시 예에서, %O, %Y, %Sc, %Ti 및 %REE의 함량은 분말 또는 분말 혼합물에서의 %O, %Y, %Sc, %Ti 및 %REE 함량을 의미한다. 추가 실시 예에서, %O, %Y, %Sc, %Ti 및 %REE의 함량은 분말 혼합물의 적어도 하나의 분말에서의 %O, %Y, %Sc, %Ti 및 %REE 함량을 의미한다. 본 발명자는 일부 적용의 경우, 특히 분말 혼합물이 적정 수준의 %V, %Nb, %Ta, %Ti, %Mn, %Al, %Si, %Moeq 및/또는 %Cr(이하에 서술된 바와 같은 특성 수준)의 분말을 하나 이상 포함하는 경우, 연신율과 항복 강도 측면에서 매우 높은 기계적 성질에 도달할 수 있다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 수준의 %V, %Nb, %Ta 및/또는 %Ti 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물을 적정 수준의 %Mn 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 수준의 %Al 및/또는 %Si 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적정 수준의 %Moeq(%Moeq=%Mo+1/2*%W)인 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적정 수준의 %Cr인 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 다른 실시 예들에서, 적정 수준은 8wt% 초과, 21wt% 초과, 41wt% 초과, 나아가 심지어 51wt%를 초과한다. 특정 적용의 경우, 지나치게 높은 수준은 유해하다. 다른 실시 예들에서, 적정 수준은 89wt% 미만, 79wt% 미만, 나아가심지어 69wt% 미만이다. 특정 적용의 경우, 분말 또는 분말 혼합물의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb 함량은 구성 요소에서 달성할 수 있는 기계적 성질과 관련이 있다. 별도의 언급이 없는 한, "적절한 수준 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb"는 본 문서 전반에 걸쳐 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 정의된다. 다른 실시 예들에서, 올바른 수준의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb는 0.12wt% 이상, 0.6wt% 이상, 1.1wt% 이상, 2.1wt% 이상, 3.1wt% 이상, 5.6wt% 이상, 그리고 심지어 11wt% 이상이다. 특정 적용의 경우 과도한 함량은 기계적 성질에 해가 된다. 다른 실시 예들에서, 올바른 수준의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb는 34wt% 이하, 29wt% 이하, 19wt% 이하, 9wt% 이하, 그리고 심지어 4wt% 이하이다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 적절한 수준의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb를 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 올바른 수준의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 본 발명자는 일부 적용이 순철, 카르보닐 철, 흑연 및/또는 이들의 혼합물을 포함하는 분말 혼합물의 사용으로부터 이익을 얻는다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 탄소를 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 흑연 형태의 탄소를 포함한다. 일 실시 예에서 상기 탄소는 적어도 52%의 흑연으로 구성되어 있다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 합성 흑연을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 탄소는 적어도 52%의 합성 흑연으로 구성된다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 천연 흑연 형태의 탄소를 포함한다. 일 실시 예에서 상기 탄소는 적어도 52%의 천연 흑연으로 구성되어 있다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 풀러린 형태의 탄소를 포함한다. 일 실시 예에서 상기 탄소는 적어도 52%의 풀러린 탄소로 구성된다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 카르보닐 철을 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 순철의 분말을 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 원자화된 순철을 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 주로 구형인 원자화된 순철 분말을 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 구형인 원자화된 순철 분말을 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 가스 분무법에 의해 얻어진 순철 분말을 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 원심 원자화에 의해 얻어진 순철의 분말을 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 순철 분말을 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 철과 불순물의 분말을 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 철, 탄소 및 불순물의 분말을 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 철, 탄소, 질소 및 불순물의 분말을 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 철 및 미량 원소 분말을 포함한다. 다른 실시 예들에서, 미량 원소는 0.9wt% 이하, 0.4wt%이하, 0.18 wt% 이하, 그리고 심지어 0.08wt% 이하이다. 일 실시 예에서, 위에 언급된 것은 몰드를 채우기 위해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물을 의미한다. 일 실시 예에서, 상기 언급된 것은 성분을 형성하기 위해 MAM에 의해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물을 의미한다.
본 발명자는 놀랍게도 일부 용도, 특히 사용된 분말이 강철의 전체 구성을 갖는 강철 분말 또는 분말 혼합물인 경우, %Moeq(%Moeq=%Mo+1/2*%W)의 특정 함량과 %C 또는 %Ceq의 특정 함량이 있으면 구성 요소의 금속 부분에서 산소 및/또는 질소의 올바른 수준을 설정하는 데 도움이 될 수 있다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 %Moeq와 일정 함량의 %C를 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 일정 함량의 %Moeq 및 일정 함량의 %Ceq를 포함한다. 달리 명시되지 않는 한, "%Moeq의 특정 함량"은 번 문서 전체에 걸쳐 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 정의된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq의 특정 함량은 0.11wt% 초과, 0.21wt% 초과, 0.51wt% 초과, 1.05wt% 초과, 나아가 심지어 2.05wt%를 초과한다. 반명 %Moeq 함량이 너무 높으면 기계적 성질에 부정적인 영향을 미칠 수 있는 상황이 발생한다. 다른 실시 예에서, %Moeq의 특정 함량은 14wt% 미만, 9.6wt% 미만, 4.8wt% 미만, 심지어 3.9wt% 미만이다. 달리 명시되지 않는 한, "%C의 특정 함량"은 본 문서 전체에 걸쳐 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 정의된다. 다른 실시 예들에서, %C의 특정 함량은 0.11wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.21wt% 초과, 심지어 0.31wt% 초과이다. 반면 일부 적용의 경우, %C의 함량은 통제되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %C의 특정 함량은 0.98wt% 미만, 0.78wt% 미만, 0.58wt% 미만, 0.48wt% 미만, 그리고 심지어 0.39wt% 미만이다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 %C의 명시된 함량은 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B일 때 %Ceq 함량을 의미한다. 명시된 모든 실시 예들은, 예를 들어 %Moeq가 0.11wt%를 초과하고 %C가 0.98wt% 미만인 강철 분말, 또는 %Moeq가 14wt% 미만이고 %Ceq가 0.11wt% 초과인 강철 분말 등, 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 조합이 가능하다. 특정 적용의 경우, 분말 혼합물에 포함된 분말 중 적어도 하나에서 특정 함량 %C 또는 %Ceq와 특정 함량의 %Moeq(기존에 정의된 바와 같이)이 존재하는 것이 더 관련이 있다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 일정 함량의 %Moeq이고 일정 함량의 %C 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 하나 이상의 일정 함량의 %Moeq 및 일정 함량의 %Ceq 분말을 포함한다. 일 실시 예에서 일정 함량이 %C 와 %Ceq, 그리고 일정 함량의 %Moeq 분말은 (기존에 정의된 바와 같이) 임계 분말이다. 추가 실시 예에서, 일 실시 예에서 일정 함량이 %C 와 %Ceq, 그리고 일정 함량의 %Moeq 분말은 (기존에 정의된 바와 같이) 관련 분말이다. 특정 용도의 경우, 제조된 부품(또는 적어도 제조된 부품으로 구성된 재료)에 %C 또는 %Ceq의 특정 함량과 %Moeq(%Moeq는 이전에 정의된 대로)의 특정 함량이 존재하는 것이 더 관련이 있다. 일 실시 예에서, 제조된 부품은 일정 함량의 %Moeq와 일정 함량의 %C로 구성된다. 추가 실시 예에서, 제조된 구성요소는 특정 함량의 %Moeq 및 특정 함량의 %Ceq를 포함한다. 특정 용도의 경우, %Cr함량이 충분이 낮으면 부품의 금속 부분에 산소 및/또는 질소의 적절한 수준을 설정하는 데 도움이 될 수 있다. 일부 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 %Cr의 충분히 낮은 함량을 더 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 일정 함량의 %C, 일정 함량의 %Moeq 및 충분히 낮은 함량의 %Cr을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 일정 함량의 %Ceq, 일정 함량의 %Moeq 및 충분히 낮은 함량의 %Cr을 포함한다. 달리 명시되지 않는 한, "%Cr의 충분히 낮은 함량"은 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, %Cr의 충분히 낮은 함량은 2.9wt% 미만, 1.9wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.28wt% 미만, 나아가 심지어 0.09wt% 미만이다. 명시된 모든 실시 예는, 예를 들어 %Moeq가 0.11wt% 초과이고, %C가 0.98wt% 미만이고, %Cr이 2.9wt% 미만인 강철 분말; 또는 %Moeq가 14wt% 미만이고, %Ceq가 0.11wt% 초과, %Cr이 1.9wt% 미만인 강철 분말이라면, 임의의 조합으로 조합이 가능하다. 특정 적용의 경우, 특정 함량의 %Cr+%V+%Ti+%Ta+%Si 는 구성 요소의 산소 및/또는 질소의 적정 수준을 달성하는 데 도움이 될 수 있다. 일부 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 일정 함량의 %Cr+%V+%Ti+%Ta+%Si를 더 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 일정 함량의 %Moeq, 일정 함량의 %C 및 일정 함량의 %Cr+%V+%Ti+%Ta+%Si을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 일정 함량의 %Moeq, 일정 함량의 %Ceq 및 일정 함량의 %Cr+%V+%Ti+%Ta+%Si를 포함한다. 특별한 언급이 없는 한, "%Cr+%V+%Ti+%Ta+%Si의 특정 함량"은 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전체에 정의된다. 다른 실시 예들에서, %Cr+%V+%Ti+%Ta+%Si의 특정 함량은 2.9wt% 미만, 1.9wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.28wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 서술한 모든 실시 예는, 예를 들어 강철 분말의 %Moeq가 0.11wt% 초과, %C가 0.98wt% 미만이고 %Cr+%V+%Ti+%Ta+%Si가 2.9wt% 미만일 때; 또는 예를 들어 강철 분말의 %Moeq가 14wt% 미만이고 %Ceq가 0.11wt% 초과, %Cr+%V+%Ti+%Ta+%Si가 1.9wt% 미만일 경우, 임의의 조합으로 조합이 가능하다. 일 실시 예에서, 위에 언급된 것은 몰드를 채우기 위해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물을 의미한다. 일 실시 예에서, 상기 언급된 것은 성분을 형성하기 위해 MAM에 의해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물을 의미한다.
본 발명자는 놀랍게도 일부 용도, 특히 사용된 분말이 강철의 전체 조성을 갖는 강철 분말 또는 분말 혼합인 경우, %C 또는 %Ceq(%Ceq는 이 문서에서 이전에 정의된 바와 같음)의 특정 함량과 %Cr의 특정 함량이 필요한 기계적 성질을 달성하는 데 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예로, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 일정 함량의 %C 및 일정 함량의 %Cr을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 일정 함량의 %Ceq 및 일정 함량의 %Cr을 포함한다. 특별히 명시되지 않는 한, "%Cr의 특정 함량"은 본 문서 전반에 걸쳐 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 정의된다. 다른 실시 예들에서, %Cr의 특정 함량은 4.4wt% 미만, 3.9wt% 미만, 3.4wt%, 그리고 심지어 2.9wt% 미만이다. 특정 적용의 경우, 특정 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr의 특정 함량은 2.6wt% 초과, 3.1wt% 초과, 3.6wt% 초과, 나아가 심지어 4.1wt% 초과이다. 서술한 모든 실시 예는, 예를 들어 %Cr이 2.6wt% 초과, %C가 0.98wt% 미만인 강분말; 또는 예를 들어 %Cr이 4.4wt% 미만, %Ceq가 0.11wt% 초과인 강분말 등, 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 조합할 수 있다. 특정 용도에서는 %Mo+%V+%W의 특정 함량이 있으면 필요한 기계적 성질을 달성하는 데 도움이 될 수 있다. 일부 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 일정 함량의 %Mo+%V+%W를 더 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 일정 함량의 %C, 일정 함량의 %Cr 및 일정 함량의 %Mo+%V+%W를 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 일정 함량의 %Ceq, 일정 함량의 %Cr 및 일정 함량의 %Mo+%V+%W를 포함한다. 특별한 언급이 없는 한, "%Mo+%V+%W의 특정 함량"은 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, %Mo+%V+%W의 특정 함량은 0.22wt% 초과, 0.52wt% 초과, 그리고 심지어 1.1wt%를 초과한다. 특정 응용의 경우, 지나치게 높은 함량은 사용하지 않아야 한다. 다른 실시 예들에서, %Mo+%V+%W의 특정 함량은 4.8wt% 미만, 3.8wt% 미만, 2.8wt% 미만, 그리고 심지어 1.8wt% 미만이다. 위에 언급된 모든 실시 예는, 예를 들어 %Cr이 2.6wt% 초과, %C가 0.98% 미만이고 %Mo+%V+%W가 0.22wt% 초과인 강분말; 또는 예를 들어 %Cr이 4.4wt% 미만, %Ceq가 0.11wt% 초과, %Mo+%V+%W가 4.8wt% 미만인 강분말 등, 상호 배타적이지 않는 한 임의의 조합으로 조합이 가능하다. 일 실시 예에서, 위에 언급된 것은 몰드를 채우기 위해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물을 의미한다. 일 실시 예에서, 상기 언급된 것은 성분을 형성하기 위해 MAM에 의해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물을 의미한다.
본 발명자는 놀랍게도 일부 적용, 특히 사용된 분말이 강철의 전체 조성을 갖는 강철 분말 또는 분말 혼합물인 경우, 필요한 기계적 성질을 달성하기 위해 올바른 함량의 %C및 올바른 함량의 %Cr이 존재하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 %C의 적정 함량 및 %Cr의 적정 함량을 포함한다. 달리 명시되지 않는 한, "%C의 올바른 함량"은 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, %C의 올바른 함량은 0.46wt% 초과, 0.65wt% 초과, 0.86wt% 초과, 1.05wt% 초과, 그리고 심지어 1.25wt% 초과이다. 일부 적용의 경우 기계적 성질이 저하되지 않도록 %C의 함량을 제어해야 한다. 다른 실시 예들에서, %C의 적정 함량은 2.9wt% 미만, 2.4wt% 미만, 심지어 1.9wt% 미만이다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 %C의 알려진 함량은 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B일 때, %Ceq의 함량을 의미한다. 달리 명시되지 않는 한, "%Cr의 올바른 함량"은 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, %Cr의 올바른 함량은 9.4wt% 미만, 8.9wt% 미만, 8.4% 미만, 7.9wt% 미만, 그리고 심지어 6.4wt% 미만이다. 특정 응용의 경우, 특정 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr의 적정 함량은 4.1wt% 초과, 4.6wt% 초과, 5.1wt% 초과, 5.6wt% 초과, 그리고 심지어 6.1wt%를 초과한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 %Ceq의 적정 함량 및 %Cr의 적정 함량을 포함한다. 언급된 모든 실시 예는, 예를 들어 %Cr이 4.1wt% 초과하고 %C가 2.9wt% 미만인 강분말; 또는 예를 들어 %Cr이 9.4wt% 미만이고 %Ceq가 0.46wt% 초과인 강분말 등, 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 조합할 수 있다. 특정 적용의 경우, 특정 함량의 %Mo+%V+%W+%Ta가 존재하면 필요한 기계적 성질에 달성하는데 도움이 될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 %C의 적정 함량, %Cr의 적정 함량 및 %Mo+%V+%W+%Ta의 일정 함량을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 %C의 적정 함량, %Cr의 적정 함량 및 %Mo+%V+%W+%Ta의 적정 함량을 포함한다. 달리 명시되지 않는 한, "특정 함량 %Mo+%V+%W+%Ta"은 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, 특정 함량 %Mo+%V+%W+%Ta는 0.6wt%초과, 1.2wt% 초과, 2.1wt% 초과, 2.6wt%초과, 3.1wt%초과, 그리고 심지어 4.1wt% 초과이다. 특정 적용의 경우, 지나치게 높은 함량은 사용하지 않아야 한다. 다른 실시 예에서, %Mo+%V+%W+%Ta의 특정 함량은 19.9wt% 미만, 14.9wt% 미만, 심지어 9.9wt% 미만이다. 언급된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 예를 들어 %Cr이 4.1wt% 초과, %C가 2.9wt% 미만이고 %Mo+%V+%W+%Ta가 0.6wt%초과인 강철 분말; 또는 %Cr이 9.4wt% 미만, %Ceq가 0.46wt%초과이고 %Mo+%V+%W+%Ta가 19.9wt% 미만인 강철 분말인 경우, 임의의 조합으로 조합이 가능하다. 본 발명자는 놀랍게도 일부 적용의 경우, 상기 분말이 스테인리스 강 분말 또는 스테인리스 강의 전체 구성을 갖는 분말 혼합물인 경우, 크롬 함량이 높은 것이 바람직하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물 내에서의 %Cr 함량은 10.6wt%를 초과한다. 특정 용도의 경우, %Cr은 특정 값 이하로 유지되어야 한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물 내에서의 %Cr 함량은 49wt% 미만이다. 본 발명자는 놀랍게도 일부 적용의 경우, 상기 분말이 스테인리스 강 분말 또는 스테인리스 강의 전체 구성을 갖는 분말 혼합물인 경우, 크롬 함량이 10.6wt%를 초과하는 것이 특히 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 스테인리스 강 분말 또는 강철의 전체 구성을 갖는 분말 혼합물의 %Cr 함량은 49wt% 미만이다. 일 실시 예에서, 위에 언급된 것은 몰드를 채우기 위해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물을 의미한다. 일 실시 예에서, 상기 언급된 것은 성분을 형성하기 위해 MAM에 의해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물을 의미한다.
대안적 일 실시 예에서, 상기 원소들과 상기 전 항에 밝혀진 함량의 조합은 분말 혼합물의 전체적인 구성 대신, 상기 분말 혼합물 중 적어도 하나의 분말 구성을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 상기 원소들과 상기 전 항에서 개시된 함량의 조합은, 앞서 정의된 바와 같은 관련 분말로서, 상기 분말 혼합물 내의 관련 분말의 조성을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 상기 단락들에서 개시된 내용들과 요소들의 조합은 (기존에 정의된 바와 같이) 임계 분말의 조성을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 요소들의 조합과 상기 문단들에서 개시된 언급된 요소들의 내용은 제조된 요소의 구성을 의미한다.
발명자에 의해 이루어진 매우 놀라운 관찰을 했는데, 즉 최종 부품의 재료에서 동일한 수준의 산소 및/또는 질소의 경우, 일부 용도의 경우에서 시작 분발 또는 적어도 고정 단계 이전의 분말이 높은 산 및/또는 질소 함량을 가질 때 눈에 띄게 더 나은 열역학적 특성이 달성될 수 있다는 것이었다. 이는 산소 및/또는 질소의 특정 값에 대한 한계를 발견하는 것으로 보이며, 이를 초과하면 정확히 반대의 효과가 발행한다. 일부 적용의 경우, 겉보기 밀도와 경우에 따라서는 비금속 공극률이 이 효과에 중요한 역할을 하는 것으로 보인다. 일부 적용에서는 고정 단계에서 사용되는 환경도 한몫을 하는 것으로 보인다. 여러 응용 분야에서는 고정 단계 중 외관 밀도의 특정한 변화도 한몫하는 것으로 보인다(이 문서의 가르침에 따르면, 이 변화는, 특히 겉보기 밀도는 전문가에 의해 쉽게 조정될 수 있으며, 종종 몇 가지 다른 관련 측면을 수용하거나 최적화할 수 있는 기회를 제공하면서 한 가지 이상의 방법으로 달성될 수 있다). 일 실시 예에서, 위에 언급된 것은 몰드를 채우기 위해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물을 의미한다. 일 실시 예에서, 상기 언급된 것은 성분을 형성하기 위해 MAM에 의해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물을 의미한다.
놀랍게도 본 발명자는, 사용되는 분말 또는 분말 혼합물이 적절한 산소(%O) 함량을 가질 ? 기계적 성질이 좋고 높은 수준의 성능을 갖는 성분이 달성될 수 있다는 것을 발견했다. 달리 명시되지 않는 한, "적절한 산소 함량"은 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, 적정 산소 함량은 250ppm 초과, 410ppm 초과, 620ppm 초과, 1100ppm 초과, 1550ppm 초과, 그리고 심지어 2100ppm 초과의 산소 함량을 의미한다. 모두 wt%로 표기된다. 다른 실시 예들에서, 적정 산소 함량은 2550ppm 초과, 4500ppm 초과, 5100ppm 초과, 그리고 심지어 6100ppm 초과의 산소 함량을 의미한다. 모두 wt%로 표기된다. 일부 적용의 경우, 적어도 조금의 분말이 선택되는데 산소 함량이 높지만 극단적으로 높지는 않은 분말이 선택된다. 일부 적용의 경우, 과도한 산소 함량은 제조된 부품의 기계적 성질에 해가 된다. 다른 실시 예들에서, 적정 산소 함량은 48000ppm 미만, 19000ppm 미만, 14000ppm 미만, 그리고 심지어 9900ppm 미만의 산소 함량이다. 모두 wt%로 표시된다. 일부 적용의 경우, 낮은 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 적정 산소 함량은 9000ppm 미만, 6900ppm 미만, 4900ppm 미만, 2900ppm 미만, 그리고 심지어 900ppm 미만의 산소 함량이다. 모두 wt%로 표시된다. 일 실시 예에서, 상기 분말은 적절한 산소 함량을 갖는다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 산소 함량을 갖는 적어도 하나의 분말을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 산소 함량을 갖는 분말을 적어도 2개 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 산소 함량을 갖는 분말을 적어도 3개 이상 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 산소 함량을 갖는다. 일부 실시 예에서, 제공된 분말(또는 제공된 분말 혼합물에 포함된 분말 중 적어도 하나)이 적절한 산소 함량을 갖는 물 원자화에 의해 얻어진 분말인 경우(기존에 정의된 바와 같이) 특히 유리하다. 또는, 일부 실시 예에서, 제공된 분말(또는 제공된 분말 혼합물에 포함된 분말 중 적어도 하나)이 적절한 산소 함량을 갖는 산화물 환원에 의해 얻어진 분말인 경우(기존에 정의된 바와 같이) 특히 유리하다. 앞서 공개된 바와 같이, 일부 적용의 경우, 제공된 분말 또는 분말 혼합물(시작 분말)에서 질소(%N)의 수준은 매우 관련이 있다. 본 발명자는 사용되는 분말 또는 분말 혼합물이 적절한 질소(%N) 함량을 가질 때 기계적 성질이 우수하고 높은 수준의 성능을 갖는 성분이 달성될 수 있다는 것을 발견했다. 달리 명시되지 않는 한, "적절한 질소 함량"은 아래에 상세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, 적정 질소 함량은 12ppm 초과, 55ppm 초과, 110ppm 초과, 그리고 심지어 220ppm 초과의 질소 함량을 의미한다. 일부 적용에서는 과도한 양의 질소를 피해야 한다. 다른 실시 예들에서, 적정 질소 함량은 9000ppm 미만, 900ppm 미만, 490ppm 미만, 190ppm 미만, 그리고 심지어 90ppm 미만의 질소 함량이다. 일 실시 예에서, 상기 분말은 적절한 질소 함량을 갖는 분말이다. 추가 실시 예에서,상기 분말 혼합물은 적절한 질소 함량을 갖는 적어도 하나의 분말을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 질소 함량을 갖는 적어도 2개의 분말을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 질소 함량을 갖는 적어도 3개의 분말을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 질소 함량을 갖는다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예로는: 분말 내의 질소 함량이 55ppm 초과 99000ppm 미만일 경우; 또는 분말 내의 산소 함량이 6ppm 초과 99000ppm 미만일 경우; 또는 상기 분말 혼합물의 질소 함량이 적어도 12ppm 초과 9000ppm 미만인 분말을 포함하거나; 또는 상기 분말 혼합물이 적어도 250ppm 초과 48000ppm 미만인 분말을 포함할 경우; 또는 분말의 산소 함량이 250ppm 이상 9000ppm 이하일 경우가 있다. 일 실시 예에서, 위에 언급된 것은 몰드를 채우기 위해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물을 의미한다. 일 실시 예에서, 상기 언급된 것은 성분을 형성하기 위해 MAM에 의해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물을 의미한다.
일부 적용의 경우, 분말 또는 분말 혼합물에 질소를 포함하는 재료를 혼합하는 것이 유리하다는 것이 밝혀졌다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물에 질소를 포함하는 재료가 혼합된다. 일 실시 예에서, 재료를 포함하는 질소의 양은 제조된 성분 중 질소의 총 중량%면에서 선택된다. 추가 실시 예에서, 재료를 포함하는 질소의 양은 제조된 성분 중 적어도 하나의 재료에서 질소의 총 중량%에 대해 선택된다. 추가 실시 예에서, 재료를 포함하는 질소의 양은 혼합 후 재료 내 질소 총 중량%의 관점에서 선택된다. 다른 실시 예들에서, 질소를 포함하는 재료의 양은 질소 0.02wt% 이상, 질소 0.12wt% 이상, 질소 0.22wt% 이상, 질소 0.41wt% 이상, 질소 0.52wt% 이상, 질소 0.76wt% 이상, 질소 1.1wt% 이상, 그리고 심지어 질소 2.1wt% 이상이 되도록 선택된다. 특정 적용의 경우, 지나치게 높은 함량은 사용하지 않아야 한다. 다른 실시 예들에서, 질소를 포함하는 재료의 양은 3.9wt% 이하, 2.9wt% 이하, 1.9wt% 이하, 1.4wt% 이하, 0.9wt% 이하, 0.69wt% 이하, 그리고 심지어 0.49wt% 이하가 되도록 선택된다. 일부 적용의 경우, 더 높은 질소 함량의 사용이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 질소 함량이 높다는 것은 설명된 것보다 10% 이상, 15% 이상, 20% 이상, 50% 이상, 그리고 심지어 200% 이상의 함량을 의미한다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 재료는 질소화물 및/또는 질소화물 혼합물이다. 일부 적용의 경우, 탄소질소화물, 크롬질소화물, 질화철, 질화몰리브덴, 질화텅스텐, 질화바나듐, 니오븀질화물, 질화탄탈륨, 질화티탄 및/또는 이들의 혼합물을 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 질소를 포함하는 물질은 탄소질소화물이다. 일 실시 예에서, 질소를 포함하는 물질은 카보-보로-옥소-질소화물(carbo-boro-oxo-nitride)을 포함한다. 일 실시 예에서, 질소를 포함하는 물질은 탄소질소화물을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질소화물을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소 함유 물질은 표준 조건에서 안정적인 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질화물을 포함한다. 일 실시 예에서, 질소 함유 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 탄소-붕소-옥소-질화물을 포함하며, 이는 0.5ppm 산소가 포함된 아르곤 대기의 표준 압력 하에 800℃ 에서 안정적이다. 일 실시 예에서, 질소 함유 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 탄소-붕소-옥소-질화물을 포함하며, 이는 0.5ppm 산소가 포함된 아르곤 대기의 표준 압력 하에 900℃ 에서 안정적이다. 일 실시 예에서, 질소 함유 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 탄소-붕소-옥소-질화물을 포함하며, 이는 0.5ppm 산소가 포함된 아르곤 대기의 표준 압력 하에 1000℃ 에서 안정적이다. 일 실시 예에서, 질소 함유 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 탄소-붕소-옥소-질화물을 포함하며, 이는 0.5ppm 산소가 포함된 아르곤 대기의 표준 압력 하에 1100℃ 에서 안정적이다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질소화물을 포함하며, %Cr을 포함한다. 일 실시 예에서, 질소를 포함하는 물질은 표준 조건 하에 안정된 질화크롬을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 산소가 0.5ppm인 아르곤 대기에서 표준 압력하에 800℃ 에서 안정된 질화크롬을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 산소가 0.5ppm인 아르곤 대기에서 표준 압력하에 900℃ 에서 안정된 질화크롬을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 산소가 0.5ppm인 아르곤 대기에서 표준 압력하에 1000℃ 에서 안정된 질화크롬을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 산소가 0.5ppm인 아르곤 대기에서 표준 압력하에 1100℃ 에서 안정된 질화크롬을 포함한다. 일 실시 예에서, 질소를 포함하는 물질은 올바른 질화크롬 함량을 포함한다. 다른 실시 예들에서, 올바른 질화크롬의 함량은 0.094wt% 이상, 0.94wt% 이상, 1.4wt% 이상, 1.9wt% 이상, 2.9wt% 이상, 4.3wt% 이상, 그리고 심지어 5.6wt% 이상이다. 특정 적용에서는 질화크롬의 과도한 함량은 해가 된다. 다른 실시 예들에서, 올바른 질화크롬의 함량은 18.3wt% 이하, 13.6wt% 이하, 8.9wt% 이하, 6.6wt% 이하, 그리고 심지어 4.2wt% 이하이다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질화물을 포함하며, %Fe를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질화물을 포함하며, %Fe를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소 함유 물질은 표준 조건하에 안정된 질화철 (iron nitride) 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질화물을 포함하며, %Mo를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소 함유 물질은 표준 조건하에 안정된 질화몰리브덴 (molybdenum nitride) 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질화물을 포함하며, %W를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소 함유 물질은 표준 조건하에 안정된 텅스텐 질화물 (tungsten nitride) 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질화물을 포함하며, %V를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소 함유 물질은 표준 조건하에 안정된 질화바나듐 (vanadium nitride) 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질화물을 포함하며, %Nb를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소 함유 물질은 표준 조건하에 안정된 니오븀 질화물 (niobium nitride) 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질화물을 포함하며, %Ti를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소 함유 물질은 표준 조건하에 안정된 질화티타늄을 (titanium nitride) 포함한다. 일 실시 예에서, 위에 언급된 것은 몰드를 채우기 위해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물을 의미한다. 일 실시 예에서, 상기 언급된 것은 성분을 형성하기 위해 MAM에 의해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물을 의미한다.
일부 적용의 경우, 금형 제조에 사용되는 기술이 관련된다. 일부 실시 예에서, 금형은 사출 성형, 고분자 사출 성형(PIM)과 같은 기존의 고분자 성형 기술을 포함하여 사용 가능한 임의의 기술을 사용하여 제조될 수 있다...일 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 시술은 고분자 성형 기술이다. 일 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 고분자 사출 성형(PIM)이다. 일 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 적층 가공(AM) 기술을 사용하는 것을 포함한다. 일 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 AM 기술을 통해 제조된 모델에 금형 재료를 주조(casting), 디핑(dipping), 브러싱(brushing), 또는 분무(spraying)하는 것이다. 일 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 AM 기술을 포함한다. 일 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 AM 기술을 통해 제조된 모델에 금형 재료를 주조, 디핑, 브러싱, 또는 분무하는 것이다. 일 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 AM 기술을 통해 제조된 모델에 금형 재료를 주조하는 것을 포함한다. 일 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 AM 기술을 통해 제조된 모델에 금형 재료를 디핑하는 것을 포함한다. 일 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 AM 기술을 통해 제조된 모델에 금형 재료를 브러싱하는 것을 포함한다. 일 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 AM 기술을 통해 제조된 모델에 금형 재료를 분무하는 것을 포함한다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 AM 기술을 통해 제조된 모델에 금형 재료를 주조, 디핑, 브러싱, 또는 분무하는 것이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 AM 기술을 통해 제조된 모델에 금형 재료를 주조하는 것이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 AM 기술을 통해 제조된 모델에 금형 재료를 디핑하는 것이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 AM 기술을 통해 제조된 모델에 금형 재료를 브러싱하는 것이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 AM 기술을 통해 제조된 모델에 금형 물질을 분사하는 것이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 AM 기술이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 재료 합출(예: 3D프린팅 기술의 기초(융합 증착 모델링 기술, Fused deposition modeling, FDM), 응용 수지 압출 적층 기술(Fused filament fabrication, FFF)등)에 기반한 AM 기술이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 수조광경화, vat photo-polymerization,(예를 들어 광경화조형(입체인쇄기술, SLA, Stereolithography), 디지털 광원 처리 기술(digital light processing, DLP), 연속 디지털 광원 처리 기술(continuous digital light processing, CDLP), 디지털 광합성 기술(DLS: digital light synthesis), 클립기법(Continuous Liquid Interface Production, CLIP)을 기반으로 한 기술, 등) 기반의 AM 기술이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하기 위해 사용되는 기술은 SLA이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하기 위해 사용되는 기술은 DLP이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하기 위해 사용되는 기술은 CDLP이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하기 위해 사용되는 기술은 DLS이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하기 위해 사용되는 기술은 CLIP 기반이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 CLIP 기반의 DLS이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 소재분사방식(Material Jetting, MJ, 단일 분사 기술(Drop on Demand, DOD) 등)을 기반으로 하는 AM 기술이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 MJ이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 DOD이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 멀티젯 퓨전 방식(Multi Jet Fusion(MJF), 접착제 분사 기술(Binder Jetting, BJ) 등)에 기초한 AM 기술이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 MJF이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 BJ이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 Powder Bed Fusion, 분말 소결방식,(선택적 레이저 소결 기술(SLS), 선택적 열 소결 기술(Selective Heat Sintering, SHS) 등) 기반의 AM 기술이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 SLS이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 SHS이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 직접 에너지 조사 기술(Direct energy Deposition, DeD 등)을 기반으로 하는 AM 기술이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 DeD이다. 일부 적용의 경우, 이 단락에서 언급한 기술의 일부 헤드를 BAAM용 매우 큰 프린터에 장착할 수 있다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 대면적 적층제조 기술(Big area additive manufacturing, BAAM)이다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 수조광경화 및 분말소결방식 중에서 선택된다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 수조광경화와 유사하지만 열경화가 포함된다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 산화환원반응(Redox reaction)에 기초한 AM 기술이다. 일 실시 예에서, 금형 제작에 사용되는 AM 기술은 SLS, MJ, MJF, BJ, DOD, FDM, FFF, SHS, DeD, BAAM, SLA, DLP, DLS, CDLP, CLIP 및/또는 이들의 조합을 기반으로 하는 기술 중에서 선택되지만 이에 한정되는 것은 아니다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 SLA, DLP, CDLP, MJ, MJF, BJ, DOD 및 SLS 또는 유사한 개념을 가진 기술 중에서 선택된다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 복잡한 기하학적 구조를 제조하기 위해 지지대를 사용할 필요가 없는 AM 기술 중에서 선택된다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 MJ, BJ, MJF 및 SLS 중에서 선택된다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 MJ, MJF 및 SLS 중에서 선택된다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 MJF 및 SLS 중에서 선택된다. 추가 실시 예에서, 금형을 제공하는 데 사용되는 기술은 이미 구축된 조각과 접촉하지 않고 구축된 층에 특징을 인쇄할 수 있는 모든 기술 중에서 선택된다. 일 실시 예에서, 채택된 AM 시스템은 부동하는 특성을 지지하기 위해 압밀되지 않은 동일한 건축 자재를 사용한다. 추가 실시 예에서, 채용된 AM 시스템은 부동 특성을 지지하기 위해 완전히 압밀되지 않은 입자 물질을 사용한다. 추가 실시 예에서, 채용된 AM 시스템은 부동 특성을 지지하기 위해 제조된 재료와는 다른 재료를 사용한다. 추가 실시 예에서, 채용된 AM 시스템은 부동 특성을 지지하기 위해 제조된 재료와 다른 재료를 사용하며, 부품이 제작되면 제작 부품을 손상시키지 않고 지지하는 재료를 제거할 수 있다. 일부 실시 예에서, 적어도 2개의 다른 AM 방법들을 사용하는 것이 선호된다. 일부 용도에서는 금형을 제공하는 데 어떤 제조 기술을 사용하는지는 중요하지 않다.
본 발명자는 금형을 제조하기 위해 사용되는 유기 물질 (예를 들어 고분자 및/또는 고분자 물질, 그러나 이에 한정되지는 않음)이 금형이 제조할 구성 요소의 형상을 제공할 수 있는 한 중요하지 않다는 것을 발견했다. 금형 제조에는 상이한 재료가 유리하게 사용될 수 있다. 일부 적용에서는 금형을 제작하는 데 사용되는 재료가 매우 중요하다. 일부 용도의 경우 금형은 고분자를 포함하지 않는 재료로 제조될 수 있다. 일 실시 예에서, 금형 제조에 사용되는 재료는 고분자를 포함하지 않는다. 추가 실시 예에서, 금형 제조에 사용되는 물질은 20℃ 와 250℃ 에서 측정했을 때 점도의 적절한 차이를 갖는 물질이다. 추가 실시 예에서, 금형 제조에 사용되는 물질은 20℃ 와 250℃ 에서 점도가 다른 물질이다. 추가 실시 예에서, 금형 제조에 사용되는 물질은 점도가 20℃ 점도의 절반 이하인 250℃ 점도를 갖는 재료이다. 추가 실시 예에서는 10배 적다. 추가 실시 예에서는 100배 적다. 일 실시 예에서 금형은 유기 물질을 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 고분자(polymer)를 포함한다. 일 실시 예에서, 금형은 고분자 물질을 포함한다. 일 실시 예에서, 금형은 탄성중합체(elastomer)를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 바이턴(Viton)을 포함한다. 일 실시 예에서, 금형은 고분자 물질을 포함하는 물질로 이루어진다. 일 실시 예에서 금형은 고분자 물질로 이루어진 물질로 이루어져 있다. 일 실시 예에서, 상기 고분자 물질은 고분자이다. 일 실시 예에서 금형은 탄성중합체로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 바이턴으로 이루어진다. 일부 실시 예에서, 고분자 물질은 적어도 2개의 상이한 고분자를 포함한다. 일부 응용은 열경화성 고분자의 치수 안정성으로부터 이익을 얻는다. 추가 실시 예에서, 금형은 열경화성 고분자로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 페놀 수지(PF)로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 우레틱 수지(UF)로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 멜라민 수지(MF)로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 금형은 폴리에스테르 수지(UP)로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 에폭시 수지(EP)로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 금형은 열경화성 고분자로 이루어져 있으며, 수조광경화 기반의 AM 기술로 제조된다. 일 실시 예에서 금형은 열경화성 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PF를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 UF를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 MF를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 UP를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 EP를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 금형은 열경화성 고분자를 포함하며, 수조광경화 기반의 AM 기술로 제조된다. 많은 적용은 열가소성 고분자의 재형성 가능성으로부터 이익을 얻을 수 있다. 일 실시 예에서 금형은 열가소성 고분자로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 폴리페닐렌 설파이드(PPS)로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 에테르 케톤(PEEK)으로 이루어진다. 일 실시 예에서 금형은 폴리이미드(PI)로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 열가소성 고분자로 이루어지며, 소재분사방식 기반의 AM 기술로 제조된다. 추가 실시 예에서, 상기 금형은 열가소성 분자로 이루어지며, 분말 소결방식에 기초한 AM 기술로 제조된다. 일부 적용은 준결정성 고분자(열경화성 과 열가소성)의 우수한 치수 정확도로부터 이익을 얻을 수 있다. 일부 응용은 준결정성 열가소성 수지의 재형성 가능성과 우수한 치수 정확도로부터 이익을 얻을 수 있다. 일 실시 예에서 금형은 준결정성 중합체로 이루어져 있다. 추가 실시 예에서, 금형은 준결정성 열가소성 수지 고분자로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 폴리스티렌으로 이루어진다. 다른 실시 에에서, 금형은 폴리스티렌 공중합체로 이루어진다. 본 문서에 달리 명시되지 않은 경우, 중합체는 공중합체를 포함한다. 추가 실시 예에서, 금형은 폴리메타크릴산 메틸로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 아크릴로니트릴을 포함하는 공중합체로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 스티렌을 포함하는 공중합페로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 금형은 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌(ABS)으로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 스티렌-아크릴로니트릴(SAN)으로 이루어져 있다. 추가 실시 예에서, 상기 금형은 폴리카보네이트(PC)로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 금형은 폴리페닐렌-옥사이드(PPO)로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 몰드는 비닐계 고분자(비닐 및 관련 고분자)로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 폴리염화비닐(PVC)로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 아크릴계 고분자로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 금형은 폴리메타크릴산 메틸(PMMA)오 이루어진다. 일 실시 예에서 금형은 폴리카프로락톤(PCL)으로 이루어져 있다. 일 실시 예에서 상기 금형은 다공성 폴리카프로락톤(PCL)으로 이루어져 있다. 추가 실시 예에서, 상기 금형은 폴리 초산 비닐(PVA)로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 Kollidon VA64로 제조된다. 추가 실시 예에서, 금형은 Kollidon 12PF로 제조된다. 여러 적용의 경우 반결정성 열가소성 수지의 우수한 연신율로부터 이익을 얻을 수 있다. 추가 실시 예에서, 금형은 반결정성 열가소성 수지로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 금형은 폴리부틸렌 텔레프탈레이트(PBT)로 아루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 금형은 폴리옥시메틸렌(POM)으로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 금형은 폴리에틸렌 테레프탈레이트로 이루어진다. 여러 적용의 경우 반결정 열가소성 수지는 보다 분명히 나타난 용해점으로부터 이익을 얻을 수 있다. 일 실시 예에서 금형은 폴리올레핀 고분자로 이루어져 있다. 일 실시 예에서 상기 금형은 에틸렌 단량체를 포함하는 고분자로 이루어진다. 일 실시 예에서 상기 금형은 폴리에틸렌(PE)로 이루어져 있다. 추가 실시 예에서, 상기 금형은 고밀도 폴리에틸렌(HDPE)으로 이루어져 있다. 추가 실시 예에서, 상기 금형은 저밀도 폴리에틸렌(LDPE)으로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 금형은 프로필렌 단량체를 포함하는 고분자로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 폴리프로필렌(PP)으로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 금형은 아미드 결합네 의해 연결된 단량체를 포함하는 고분자로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 폴리아미드(PA)로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 PA11 집단 물질로 이루어져 있다. 추가 실시 예에서, 금형은 PA12 집단 물질로 만들어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 PA12로 만들어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 PA6로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 금형은 PA6 집단 물질로 이루어져 있다. 추가 실시 예에서, 금형은 열가소성 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PPS를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PEEK를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PI를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 열가소성 고분자를 포함하며 소재분사방식 기반의 AM 기술로 제조된다. 일 실시 예에서 상기 금형은 열가소성 고분자를 포함하며 분말소결방식에 기초한 AM 기술로 제조된다. 일부 적용의 경우 비정질 고분자(열경화성 및 열가소설)의 우수한 치수 정확도로부터 이익을 얻을 수 있다. 일부 적용의 경우 비정질 열가소성 플라스틱의 재형성 가능성과 우수한 치수 정확도로부터 이익을 얻을 수 있다. 일 실시 예에서 금형은 비정질 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서, 금형은 비정질 열가소성 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PS를 포함한다. 일 실시 예에서, 금형은 폴리스티렌 공중합체를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PCL을 포함한다. 일 실시 예에서, 금형은 다공성 PCL을 포함한다. 일 실시 예에서, 금형은 PVA를 포함한다. 일 실시 예에서, 금형은 VA64를 포함한다. 일 실시 예에서, 금형은 Kollidon 12PF를 포함한다. 본 문서에 달리 명시되지 않은 경우, 고분자는 공중합체를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 방향족기(aromatic group)을 포함하는 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 폴리메타크릴산 메틸을 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 아크릴로니트릴을 포함하는 공중합체를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 스티렌을 포함하는 공중합체를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 ABS를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 SAN를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PC를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PPO를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 비닐 고분자(비닐 및 관련 고분자)를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PVC를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 아크릴 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PMMA를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PP를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 반결정 열가소성 수지를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 폴리부틸렌 PBT를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 POM을 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PET를 포함한다. 일 실시 예에서, 금형은 폴리에스테르 계열의 열가소성 고분자 수지(thermoplastic polymer resin)를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 폴리올레핀 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 에틸렌 단량체를 포함하는 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PE를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 HDPE를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 LDPE를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 프로필렌 단량체를 포함하는 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PP를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 아미드 결합에 의해 연결된 단량체를 포함하는 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PA를 포함한다. 일 실시 예에서, 금형은 지방족 폴리아미드를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 나일론을 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PA11 집단 물질을 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PA12 집단 물질을 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PA12를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PA6을 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 PA6 집단 물질을 포함한다. 일 실시 예에서 상기 금형은 준결정성 열가소성 고분자를 포함하며, 소재분사방식, 결합제분사방식, 분말소결방식에 기초한 AM 기술로 제조된다. 일 실시 예에서 상기 금형은 준결정성 열가소성 고분자를 포함하며 SLS 기반의 AM 기술로 제조된다. 일 실시 예에서 상기 금형은 폴리올레핀계 고분자를 포함하며 SLS 기반의 AM기술로 제조된다. 일 실시 예에서 상기 금형은 폴리아미드계 고분자를 포함하며 SLS 기반의 AM기술로 제조된다. 일 실시 예에서 상기 금형은 PA12타입의 고분자를 포함하며 SLS 기반의 AM기술로 제조된다. 일 실시 예에서 상기 금형은 PP계 고분자를 포함하며 SLS 기반의 AM기술로 제조된다. 일 실시 예에서 상기 금형은 폴리올레핀계 고분자를 포함하며 MJF 기반의 AM기술로 제조된다. 일 실시 예에서 상기 금형은 폴리아미드계 고분자를 포함하며 MJF 기반의 AM기술로 제조된다. 일 실시 예에서 상기 금형은 PA12타입의 고분자를 포함하며 MJF 기반의 AM기술로 제조된다. 일 실시 예에서 상기 금형은 PP계 고분자를 포함하며 MJF 기반의 AM기술로 제조된다. 일 실시 예에서 금형은 생분해성 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 농업용 고분자(농업자원으로부터의 생물 질량)를 포함한다. 일 실시 예에서 미생물(PHA, PHB 등)로부터 생분해성 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 생명 공학에서 나온 생분해성 고분자(볼리 유산, 폴리액티드 등)를 포함한다. 일 실시 예에서 금형은 석유 화학 제품(폴리카프로락톤, PEA, 방향족 폴리에스터 등)으로부터 생분해성 고분자를 포함한다. 실시 예들의 집합에서, 본 항(이 선 위 및 아래)에서 금형이 특정 종류의 고분자를 포함하고 있다고 할 때, 상기 언급된 물질로 금형의 고분자 물질의 상당량이 제조된 것을 의미한다. 실시 예들의 집합에서, 본 항에서 금형이 특정 종류의 고분자를 포함하고 있다고 할 때, 금형의 고분자 물질의 상당량이 참조된 물질 또는 이와 관련된 물질로 이루어진다는 것을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 고분자 물질의 적정량은 6% 이상, 26% 이상, 56% 이상, 76% 이상, 96% 이상, 그리고 심지어 100%를 의미한다. 일 실시 예에서, 이러한 백분율은 부피 기준이다. 대안적 일 실시 예에서, 이러한 백분율은 중량 기준이다. 일부 용도의 경우, 금형이 준결정 열가소성 수지를 포함한다는 사실 외에도, 준결정 열가소성 수지는 아래에서 설명하는 바와 같이 적절한 용융 온도(Tm)를 갖도록 선택되는 것이 중요하다. 분명히, 달리 명시되지 않은 경우 문서의 나머지 부분에서 발생하는 것처럼, 언급된 유형의 재료(이 경우 준결정성 열가소성 수지)가 금형의 주요 재료인 구성이나 전체 금형이 이러한 재료로 제조된 경우에도 마찬가지로 적용된다. 다른 실시 예들에서, 적절한 융해 온도는 290℃ 미만, 190℃ 미만, 168℃ 미만, 144℃ 미만, 119℃ 미만, 그리고 심지어 98℃ 미만이다. 일부 용도의 경우, 너무 낮은 융점은 변형 위험 없이 실행할 수 없다. 다른 실시 예들에서, 적절한 융해 온도는 28℃ 초과, 55℃ 초과, 105℃ 초과, 122℃ 초과, 155℃ 초과, 그리고 심지어 175℃ 초과한다. 일 실시예에서, 본 문서 내 폴리머의 용융점은 ISO 11357-1／-3:2016에 따라 측정된다. 일 실시예에서, 본 문서 내 폴리머의 용융점은 20℃／min의 가열속도를 적용하여 측정된다. 일 실시예에서, 제공되는 주형은 무극성 폴리머(non-polar polymer)로 구성된다. 일부 적용에서, 제공되는 주형은 반결정성 열가소성 수지로 구성되는 사실 외에도, 반결정성 열가소성 수지를 올바른 결정도 수준으로 선택하는 것이 중요하다. 다른 실시 예들에서, 올바른 결정도 수준은 12% 초과, 32% 초과, 52% 초과, 76% 초과, 82% 이상, 그리고 심지어 96% 초과의 결정도를 의미한다. 일 실시예에서, 앞서 공개된 결정도의 값은 X-ray회절(XRD)기법을 이용하여 측정된다. 대안적 실시예에서, 앞서 공개된 결정도의 값은 시차 주사 열량측정법(DSC)을 사용하여 얻어진다. 일 실시예에서, 결정도는 10℃／min 의 가열속도를 적용하여 측정된다. 일부 적용에서, 되는 주형이 폴리머로 구성된다는 사실 외에, 해당 폴리머는 적절한 수준의 분자량을 가진 폴리머로 선택되어야 한다는 점도 중요하다. 일 실시예에서, 제공되는 주형의 재료는 중합체 원료로 구성되고, 그 중 적절한 부분은 충분히 큰 분자량을 가진다. 달리 명시되지 않는 한, “관련 부분”은 아래에 상세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전체에 정의된다. 다른 실시 예들에서, 관련 부분은 16% 이상, 36% 이상, 56% 이상, 76% 이상, 86% 이상, 96% 이상, 그리고 심지어 100%이다. 일 실시 예에서, 상기 개시된 백분율은 부피에 따른 것이다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 개시된 백분율은 중량 기준이다. 다른 실시 예들에서, 충분히 큰 분자량은 8500 이상, 12000 이상, 45000 이상, 65000 이상, 85000 이상, 105000 이상, 그리고 심지어 285000 이상이다. 직관적인 결과와는 달리,　일부 적용의 경우, 큰 분자량으로부터 이익을 얻지 못한다. 한 세트의 실시 예에서, 금형 재료의 고분자 대부분에 대한 분자량은 충분히 낮은 분자량으로 유지된다. 다른 실시 예들에서, 대다수는 55% 이상, 66% 이상, 78% 이상, 86% 이상, 96% 이상, 그리고 심지어 100%를 의미한다. 일 실시 예에서, 상기 개시된 백분율은 부피별이다. 대안적 일 실시 예에서, 이러한 백분율은 부피 기준이다. 다른 실시 예들에서, 충분히 낮은 분자량은 4900000 이하, 900000 이하, 190000 이하, 90000 이하, 그리고 심지어 74000 이하이거나 더 낮다. 일부 용도의 경우, 금형이 고분자를 포함한다는 사실 외에도, 고분자가 적절한 열변형 온도(HDT)를 갖도록 선택되는 것이 중요하다. 일 실시 예에서, 금형의 재료는 고분자 물질을 포함하며, 그 관련 부분(상기 정의된 바와 같이)은 1.82 MPa(이하 1.82 MPa HDT)의 양으로 측정될 만큼 충분히 낮은 열변형 온도를 갖는다. 다른 실시 예들에서, 충분히 낮다는 것은 380℃ 이하, 280℃ 이하, 190℃ 이하, 148℃ 이하를 의미한다. 다른 실시 예에서, 충분히 낮다는 것은 118℃ 이하, 98℃ 이하, 그리고 심지어 58℃ 이하를 의미한다. 추가 실시 예에서, 금형의 재료는 고분자 물질을 포함하며, 그 관련 부분(상기 정의된 바와 같이)은 0.455 MPa(이하, 0.455 MPa HDT)의 양으로 측정될 만큼 충분히 낮은 열변형 온도를 갖는다. 다른 실시 예들에서, 충분히 낮다는 것은 440℃ 이하, 340℃ 이하, 240℃ 이하, 190℃ 이하, 159℃ 이하, 119℃ 이하, 그리고 심지어 98℃ 이하를 의미한다. 많은 응용의 경우, 지나치게 낮은 열변형 온도는 적절하지 않다. 일 실시 예에서, 금형의 재료는 고분자 물질을 포함하며, 관련 부분(상기 정의된 바와 같이)은 충분히 높은 1.82 MPa HDT를 갖는다. 다른 실시 예들에서, 충분히 높다는 것은 32℃ 이상, 52℃ 이상, 72℃ 이상, 106℃ 이상, 132℃ 이상, 152℃ 이상, 204℃ 이상, 나아가 심지어 250℃ 이상을 의미한다. 일 실시 예에서, 금형의 재료는 고분자 물질을 포함하며, 관련 부분(상술한 바와 같이)은 충분히 높은 0.455 MPa HDT를 갖는다. 일 실시 예에서, HDT의 값은 ASTM D648-07 표준 시험 방법에 따라 결정된다. 대체 실시 예에서 HDT는 ISO 75-1:2013 표준에 따라 결정된다. 일 실시 예에서, HDT는 50℃／h의 가열 속도로 결정된다. 추가 대안적 실시 예에서는 ULIDES Prospector Plastic Database에서 29／01／2018에 가장 가까운 소재에 대해 보고된 HDT가 사용된다. 본 발명의 다른 모든 부분들과 마찬가지로, 그리고 달리 명시되지 않은 경우, 일부 적용에서 금형 제작에 사용되는 재료의 HDT는 문제가 되지 않는다. 일부 용도의 경우, 금형이 고분자를 포함한다는 사실 이외에도, 고분자가 올바른 비카트 연화점(Vicat softening point)을 갖도록 선택되는 것이 중요하다. 다른 실시 예들에서, 충분히올바른 비카트 연화점은 314℃ 이하, 248℃ 이하, 166℃ 이하, 123℃ 이하, 106℃ 이하, 74℃ 이하, 그리고 심지어 56℃ 이하이다. 일부 용도의 경우, 특정 비카트 연화점을 갖는 물질을 포함하는 금형이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, 올바른 비카트 연화점은 36℃ 이상, 56℃ 이상, 76℃ 이상, 86℃ 이상, 106℃ 이상, 126℃ 이상, 156℃ 이상, 그리고 심지어 216℃ 이상이다. 일 실시 예에서, 비카트 연화점은 ISO 306 표준에 따라 결정된다. 일 실시 예에서, 상기 비카트 연화점은 50℃／h의 가열 속도로 결정된다. 일 실시 예에서, 비카트 연화점은 50N의 하중으로 결정된다. 대안적 일 실시 예에서, 비카트 연화점은 ASTM D1525 표준에 따라 결정된다. 추가 대안적 실시 예에서,　비카트 연화점은 B50 방법에 의해 결정된다. 추가 대안적 실시 예에서, 비카트 연화점은 A120 방법에 의해 결정되며, 18 는 측정된 값으로부터 감산된다. 추가 대안적 실시 예에서,　비카트 연화점은 B50방법을 사용하여 ISO 10350-1 표준과 일치하여 결정된다. 추가 대안적 실시 예에서는 ULIDES Prospector Plastic Database에서 29／01／2018에 가장 가까운 물질에 대해 보고된 비카트 경도가 사용된다. 일부 용도의 경우 금형이 고분자를 포함한다는 사실 외에도 산업용 수지(engineering plastics)에 대한 Ensinger　매뉴얼(Ensinger　manual)에서 고분자를 올바른 분류로 선택하는 것이 중요하다. 일 실시 예에서 21 January 2018에 이용 가능한 최신 버전이 사용된다. 추가 실시 예에서는 10／12 E9911075A011GB 버전이 사용된다. 일 실시 예에서는 고성능 플라스틱의 분류를 갖는 고분자가 사용된다. 일 실시 예에서는 엔지니어링 플라스틱의 분류를 갖는 고분자가 사용된다. 일 실시 예에서, 스탠다드 플라스틱의 분류를 갖는 고분자가 사용된다. 일부 적용의 경우, 특히 연화점이 낮은 재료를 금형의 최소 부분에 사용하는 것이 특히 유리하다는 것이 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, 특히 연화점이 낮은 물질은 190℃ 미만, 130℃ 미만, 98℃ 미만, 79℃ 미만, 69℃ 미만, 그리고 심지어 49℃ 미만인 물질을 의미한다. 일부 용도의 경우, 특정 용해 온도를 갖는 물질을 포함하는 금형이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, -20℃ 이상, 28℃ 이상, 42℃ 이상, 52℃ 이상, 그리고 심지어 62℃를 초과하는 용해온도를 갖는 재료를 사용한다. 일 실시 예에서, 상기 물질은 고분자이다. 다른 실시 예들에서, 유리 전이 온도(Tg)가 169℃ 미만, 109℃ 미만, 69℃ 미만, 49℃ 미만, 9℃ 미만, -11℃ 미만, -32℃ 미만, 그리고 심지어 -51℃ 미만인 물질을 사용한다. 일부 용도의 경우, 특정 Tg를 갖는 물질을 포함하는 금형이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, Tg가 -260℃ 이상, -230℃ 이상, -190℃ 이상, 그리고 심지어 -90℃를 초과하는 물질을 사용한다. 일 실시 예에서, 본 문서에서 어느 고분자의 유리 전이 온도(Tg)는 ASTM D3418-12에 따라 시차 주사 열량측정법(DSC)에 의해 측정된다.
일 실시 예에서, 금형은 앞서 설명한 바와 같이 낮은 Tg를 갖는 물질 및 (본 문서의 후술에서 설명하는 바와 같이) 압력 및/또는 온도 처리 단계 i)를 적용하기 전의 일부 단계에서 밀봉 및 충진된 금형을 과냉각하는 것을 포함한다. 다른 실시 예들에서, 과냉각은 금형을 10분 이상, 30분 이상, 2시간 이상, 그리고 심지어 10시간 이상 저온에서 유지함으로써 이루어진다. 다른 실시 예들에서, 상기 과냉각에 대한 저온은 19℃이하, 9℃ 이하, -1℃ 이하, -11℃ 이하, 그리고 심지어 -20℃ 이하이다. 일부 용도의 경우, 연화점이 낮은 금형 소재의 연화점에 맞춰 저냉 온도를 조절하는 것이 더 편리하다. 다른 실시 예들에서, 상기 과냉각에 대한 저온은 Tg+60℃ 이하, Tg+50℃ 이하, Tg+40℃ 이하, Tg+20℃ 이하, 그리고 심지어 Tg+10℃ 이하이다. 또한 일부 적용의 경우 과도한 과냉각은 압력 및/또는 온도 처리에서 서로 다른 적용(예: i), ii) 및 iii)에서 서로 다른 단점(예: 금형의 미세한 디테일의 파손)을 초래하는 음의 경우도 있는 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, 과소 냉각은 최대 온도 -273℃, -140℃, -90℃, -50℃, Tg-50℃ Tg-20℃ Tg-10℃, Tg, 및 심지어 Tg+20℃로 제한되어야 한다. 일부 적용의 경우, 과소 냉각을 사용할 경우 본 문서의 뒷부분에 설명된 바와 같이 압력 및/또는 온도 처리 단계 ii) 및/또는 iii)에서 적용되는 최대 관련 온도가 다소 낮아야 한다는 것이 놀랍게도 발견되었다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/또는 온도 처리 단계 ii) 및/또는 iii) 사이에 과소 냉각을 사용하는 경우(본 문서의 뒷부분에서 설명한 바와 같이), 최대 관련 온도는 18℃ , 10℃ 및 심지어 8℃ 에서 감소해야 한다. 일부 실시 예에서, 상기 금형 제조에 사용되는 물질이 PCL을 포함하는 경우, 과냉각에 대해 밝혀진 상기 내용은 특히 흥미롭다. 추가 실시 예에서, 상기 금형 제조에 사용되는 물질이 다공성 PCL을 포함하는 경우, 과냉각에 대해 밝혀진 상기 내용은 특히 흥미롭다. 추가 실시 예에서, 상기 금형 제조에 사용되는 물질이 PVA를 포함하는 경우, 과냉각에 대해 개시된 상기 내용은 특히 흥미롭다. 추가 실시 예에서, 금형 제조에 사용된 물질이 Kollidon VA64를 포함하는 경우, 과냉각에 대해 개시된 것이 특히 흥미롭고, 일부 실시 예에서도 금형 제조에 사용된 물질이 Kollidon 12PF를 포함하는 경우, 과냉각에 대해 개시된 것이 특히 흥미롭다.
금형을 얻기 위해 SLS 기술을 사용하는 경우에는 융점이 낮은 3원계 또는 더 높은 차수의 폴리아미드계 신규 고분자 파우더를 사용하는 것이 흥미롭다는 것이 밝혀졌다. 이는 분자 분말을 기반으로 하는 다른 AM 방법에도 사용될 수 있다. 일 실시 예에서, 삼원계 폴리아미드 공중합체를 갖는 분말이 사용된다. 일 실시 예에서, 4차 폴리아미드 공중합체를 갖는 분말이 사용된다. 일 실시 예에서, 우수한 차수의 폴리아미드 공중합체를 갖는 분말이 사용된다. 다른 실시 예들에서, 융해 온도가 169℃ 미만, 159℃ 미만, 149℃ 미만, 144℃ 미만, 139℃ 미만, 129℃ 미만, 그리고 심지어 109℃ 미만인 PA12/PA66/PA6의 삼원계 폴리아미드 공중합체가 사용된다. 특정 용도의 경우 특정 융해 온도가 선호된다. 다른 실시 예들에서, 융해 온도가 82℃ 초과, 92℃ 초과, 102℃ 초과, 그리고 심지어 122℃를 초과하는 PA12/PA66/PA6의 삼원계 폴리아미드 공중합체가 사용된다. 다른 실시 예들에서,폴리아미드 공중합체는 42% 이상, 52% 이상, 62% 이상, 그리고 심지어 66% 이상의 PA12를 갖는다. 일 실시 예에서, 공중합체 폴리아미드는 짙은 색 색소를 포함한다. 일 실시 예에서, 공중합체 폴리아미드는 흑색 색소를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 폴리아미드 공중합체 분말은 침전을 통해 직접 얻어진다. 다른 실시 예들에서, 폴리아미드 공중합체 분말은 12microns 이상, 22microns 이상, 32microns 이상, 그리고 심지어 52microns 이상의 D50을 가진다. 특정 용도의 경우 지나치게 높은 D50 값은 피해야 한다. 다른 실시 예들에서, 폴리아미드 공중합체 분말은 D50이 118microns 이하, 98microns 이하, 88microns 이하, 그리고 심지어 68microns 이하이다.
일부 용도의 경우, 몰드에 포함된 고분자 물질 중 적어도 일부에 보강재가 있는 것이 흥미롭다. 일 실시 예에서, 몰드에 포함된 고분자 물질의 적어도 관련 부분(기존에 정의된 바와 같이)은 충분한 양의 보강재을 포함한다. 다른 실시 예들에서, 충분한 압밀량은 2.2% 이상, 6% 이상, 12% 이상, 22% 이상, 42% 이상, 52% 이상, 그리고 심지어 62% 이상이다. 특정 적용의 경우, 과도한 양은 피해야 한다. 다른 실시 예들에서, 충분한 압밀량은 78% 이하, 68% 이하, 48% 이하, 28% 이하, 심지어 18% 이하이다. 일 실시 예에서, 위에 밝혀진 압밀 비율은 부피 기준이다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 개시된 압밀 비율은 중량 기준이다. 일 실시 예에서, 상기 보강재는 무기 섬유를 포함한다. 일 실시 예에서, 충분한 양으로 존재하는 보강재(또는 둘 이상의 보강재를 채용하는 경우의 보강재 중 하나)는 무기 섬유이다. 일 실시 예에서, 보강재는 유리 섬유를 포함한다. 일 실시 예에서, 충분한 양으로 존재하는 보강재는 유리 섬유이다. 일 실시 예에서, 상기 보강재는 탄소 섬유를 포함한다. 일 실시 예에서, 충분한 양으로 존재하는 보강재는 탄소 섬유이다. 일 실시 예에서, 상기 보강재는 현무암 섬유를 포함한다. 일 실시 예에서, 충분한 양으로 존재하는 보강재는 현무암 섬유이다. 일 실시 예에서, 보강재는 석면 섬유를 포함한다.　 일 실시 예에서, 충분한 양으로 존재하는 보강재는 석면 섬유이다. 일 실시 예에서, 보강재는 세라믹 섬유를 포함한다.　일 실시 예에서, 충분한 양으로 존재하는 보강재는 세라믹 섬유이다. 일 실시 예에서, 상기 세라믹 섬유는 적어도 50%의 산화물이다.　일 실시 예에서, 상기 세라믹 섬유는 적어도 50%의 탄화물이다.　일 실시 예에서, 상기 세라믹 섬유는 적어도 50%의 보라이드이다.　일 실시 예에서, 세라믹 섬유는 적어도 50%의 질화물이다.　일 실시 예에서, 이러한 백분율은 부피 기준이다. 대안적 일 실시 예에서, 이러한 백분율은 중량 기준이다. 일 실시 예에서, 세라믹 섬유는 실리콘 탄화물을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 보강재는 무기 필러를 포함한다. 일　실시 예에서, 충분한 양으로 존재하는 보강재는 무기 충진제이다.　일 실시 예에서, 보강재는 미네랄 필러를 포함한다.　일 실시 예에서, 충분한 양으로 존재하는 보강재는 미네랄 필러이다. 일 실시 예에서, 상기 보강재는 유기 섬유를 포함한다.　일 실시 예에서, 충분한 양으로 존재하는 보강재는 유기 섬유이다. 일 실시 예에서, 상기 보강재는 천연 섬유를 포함한다. 일 실시 예에서, 충분한 양으로 존재하는 보강재는 천연 섬유이다. 일부 용도에서는 금형에 포함된 고분자 물질의 관련 부분에 보강재를 사용하는 것이 매우 유해하다. 일 실시 예에서, 상기 개시된 것은 하나 이상의 보강재를 채용하는 경우의 보강재 중 적어도 하나를 의미한다. 일 실시 예에서, 금형에 포함되는 고분자 물질의 관련 부분(기존에 정의된 바와 같이)에는 보강이 없다. 다른 실시 예들에서, 모든 보강재는 48% 미만, 28% 미만, 18% 미만, 8% 미만, 2% 미만, 그리고 심지어 0%까지 유지된다. 일 실시 예에서, 개시된 보강 비율은 부피에 의한 것이다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 개시된 보강 비율은 중량 기준이다. 일부 용도의 경우, 금형이 고분자를 포함한다는 사실 이외에도, 적절한 변형 속도로 특징지을 때, 고분자가 상온에서 적절한 인장 강도를 갖도록 선택되는 것이 중요하다. 일 실시 예에서, 상기 몰드는 적절한 변형 속도로 특징지을 때 상온에서 적절한 인장 강도를 갖는 고분자를 포함한다. 다른 실시 예들에서, 올바른 인장 강도는 2 MPa 이상, 6 MPa 이상, 12 MPa 이상, 26 MPa 이상, 52 MPa 이상, 그리고 심지어 82 MPa 이상이다. 일부 용도에서는 인장 강도가 너무 높으면 안 된다. 다른 실시 예들에서, 올바른 인장강도는 288 MPa 이하, 248 MPa 이하, 188 MPa 이하, 그리고 심지어 148 MPa 이하이다. 달리 명시되지 않는 한, "적절한 변형 속도"은 아래에 상세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전체에 정의된다. 다른 실시 예들에서, 적절한 변형 속도는 2500 s-1, 500 s-1, 50 s-1, 1.0 s-1, 1*10-2 s-1, 및 심지어 1*10-3 s-1 이다. 일부 적용의 경우 ii) 및 ii) 단계의 압력 및/또는 온도 처리를 건너뛰거나 크게 단순화하는 여러 응용에 대해 특별히 언급하면 의도적인 불량 특성을 가진 재료로부터 매우 놀라운 이점을 얻을 수 있다. 다른 실시 예들에서, 올바른 인장 강도는 99 MPa 이상, 69 MPa 이하, 49 MPa 이하, 29 MPa 이하, 19 MPa 이하, 그리고 심지어 9 MPa 이하이다. 일 실시 예에서, 상기 개시된 인장 강도의 값은 ASTM D638-14에 따라 측정된다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 개시된 인장 강도의 값은 ASTM D3039/D3039M-17에 따라 측정된다. 일부 실시 예에서, ASTM D3039/D3039M-17의 사용은 고배향성 및/또는 높은 인장 탄성률로 압밀된 고분자 그리고 ASTM D638-14는 낮은 부피의 보강재를 포함하거나 또는 낮은 인장 낮은 부피의 보강재를 포함하거나 또는 낮은 인장 강도를 갖는 비강화 또는 랜덤 배향성 또는 불연속적인 고분자 등에 선호된다. 일부 용도의 경우, 고분자의 인장 탄성률이 영향을 미친다. 실시 예에서, 상기 몰드는 적절한 변형률(상기 정의된 바와 같이)로 특징지을 때 상온에서 올바른 인장 탄성률을 갖는 고분자를 포함한다. 다른 실시 예들에서, 올바른 인장 탄성률은 105 MPa 이상, 505 MPa 이상, 1005 MPa 이상, 1200 MPa 이상, 1850 MPa 이상, 그리고 심지어 2505 MPa 이상이다. 일부 용도의 경우　인장 탄성률이 과도하면 안 된다. 다른 실시 예들에서, 올바른 인장 탄성률은 5900 MPa 이하, 3900 MPa 이하, 2900 MPa 이하, 2400 MPa 이하, 1900 MPa 이하, 그리고 심지어 900 MPa 이하이다. 실시 예에서, 상기 개시된 인장 탄성률은 ASTM D638-14에 따라 측정된다. 대안적 일 실시 예에서, 앞서 언급된 인장강도의 값은 ASTM D3039/D3039M-17에 따라 측정된다. 일부 일 실시예에서, 고배향(highly oriented) 및/또는 고강도 모듈러스(modulus) 강화 폴리머에 대해 ASTM D3039/D3039M-17의 사용이 선호되고, 낮은 함량의 보강재로 구성되거나 낮은 인장 탄성률(tensile modulus)을 가지면서 비보강 또는 무작위 배향 또는 불연속적인 폴리머에 대해서는 ASTM D638-14의 사용이 선호된다. 일 실시예에서, 실온은 23℃이다. 내부 특징에 과도한 치수 정확도가 필요하지 않거나 심지어 치수 정확도가 없는 일부　적용의 경우, 낮은 인장 탄성률을 갖는 것이 흥미로울 수 있다. 실시 예에서, 상기 몰드는 적절한 변형 속도(상기 정의된 바와 같이)로 특성화될 때 상온에서 적절한 휨 모듈러스를 갖는 고분자를 포함한다. 다른 실시 예들에서, 적절한 휨 모듈러스는 3900 MPa 이하, 1900 MPa 이하, 1400 MPa 이하, 990 MPa 이하, 그리고 심지어 490 MPa 이하이다. 일부 용도의 경우 휨모듈러스가 너무 낮으면 안 된다. 다른 실시 예들에서, 적절한 휨 모듈러스는 120 MPa 이상, 320 MPa 이상, 그리고 심지어 520 MPa 이상이다. 일 실시 예에서, 상기에 개시된 휨모듈러스의 값은 ASTM D790-17에 따라 측정된다. 본 발명자는 특히 내부 미세 균열 측면에서 제조된 부품의 품질에 상당한 영향을 미치는 일부 용도의 경우, 금형에 사용되는 재료의 변형률 민감성이라는 사실을 매우 흥미롭게 발견했다. 다른 실시 예들에서, 금형은 높은 변형률로 측정할 때보다 낮은 변형률로 측정할 때 압축 실제 강도가 6% 이상, 16% 이상, 26% 이상, 56% 이상, 그리고 심지어 76% 이상 떨어지는 물질을 포함한다. 다른 실시 예들에서, 압축 실제 강도의 감소는 적어도 2 MPa, 적어도 6 MPa, 적어도 12 MPa, 적어도 22 MPa, 그리고 심지어 52 MPa이다. 일부 적용의 경우, 특히 내부 특징에서 과도한 정확도가 요구되지 않는 경우 금형의 재료에 대해 변형률에 대한 민감도가 매우 낮은 재료를 사용하는 것이 흥미롭다. 다른 실시 예들에서, 금형은 높은 변형률로 측정하는 경우에 비해 낮은 변형률로 측정하는 경우, 압축 진강도의 89% 이하, 48% 이하, 18% 이하, 그리고 심지어 9% 이하의 감소를 나타내는 물질을 포함한다. 일 실시 예에서, 압축 진강도는 압축 강도를 의미한다. 실시 예에서, 낮은 변형률 및 높은 변형률에서의 압축 진강도는 ASTM D695-15에 따라 측정된다. 대안적 일 실시 예에서, 낮은 변형률 및 높은 변형률에서의 압축 진강도는 ASTM D3410/D3410M-16에 따라 측정된다. 일 실시 예에서, 압축 실 강도의 값은 상온이다. 일부 적용의 경우, 인장 탄성률 변형률 민감도가 중요하다. 다른 실시 예에서, 금형은 높은 변형률로 측정할 때 대비 낮은 변형률로 측정할 때 인장모듈러스가 6% 이상, 12% 이상, 16% 이상, 22% 이상, 그리고 심지어 42% 이상의 저하를 나타내는 물질을 포함한다. 내부 특징 정확도가 매우 중요한 적용의 경우, 변형률에 대한 둔감도가 다소 높은 금형 재료를 사용하는 것이 종종 중요하다. 다른 실시 예에서, 금형은 높은 변형률로 측정할 때 대비 낮은 변형률로 측정할 때 인장모듈러스의 저하가 72% 이하, 49% 이하, 19% 이하, 그리고 심지어 9% 이하를 나타내는 물질을 포함한다. 일 실시 예에서, 저변형율 및 고변형율에서의 인장계수는 ASTM D638-14에 따라 측정된다. 대안적 일 실시 예에서, 인장 탄성률(tensile modulus)은 ASTM D3039/D3039M-17에 따라 측정된다. 일부 일 실시예에서, 고배향 및/또는 고인장 탄성률 강화 폴리머에 대해 ASTM D3039/D3039M-17의 사용이 선호되고, 낮은 함량의 보강재를 포함하거나 낮은 인장 탄성률(tensile modulus)을 가지면서 비보강 혹은 무작위 배향 혹은 불연속 폴리머에 대해서는 ASTM D638-14가 선호된다. 다른 실시 예들에서, 높은 변형률은 6 s-1 이상, 55 s-1 이상, 550 s-1 이상, 1050 s-1 이상, 2050 s-1 이상, 그리고 심지어 2550 s-1 이상이다. 다른 실시 예들에서, 낮은 변형률은 9 s-1 이하, 0.9 s-1 이하, 0.9*10-2 s-1 이하, 0.9*10-3 s-1 이하, 그리고 심지어 0.9*10-4 s-1 이하이다. 일부 용도의 경우, 매우 놀랍게도, 함께 조립되는 다른 조각으로 금형을 제작하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 금형은 함께 조립되는 상이한 조각들로 제조된다. 일 실시 예에서, 금형은 함께 조립된 유의미한 양의 상이한 조각들에 의해 제조된다. 달리 명시되지 않는 한, "유의미한 양"은 아래에 상세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, 유의미한 양은 3 이상, 4 이상, 6 이상, 8 이상, 12 이상, 18 이상, 그리고 심지어 22 이상이다. 일 실시 예에서, 금형을 제작하기 위해 조립되는 유의미한 양의 조각은, 이들이 조립되는 조각 중 적어도 하나에 대해 배향을 고정하는 가이드 기구를 포함한다(방향이 고정된 참조 피스는 고려되는 각 피스에 대해 서로 다를 수 있다). 일 실시 예에서, 금형을 제작하기 위해 조립되는 유의미한 양(상기 정의된 바와 같이)의 조각은 기준 조각이라 할 수 있는, 적어도 하나의 금형에 대한 배향을 고정하는 안내 기구를 포함한다(당연히, 참조 조각은 두 개 이상일 수 있다). 일 실시 예에서, 금형을 제작하기 위해 조립되는 유의미한 양의 조각들은, 조립되는 조각들 중 적어도 하나에 부착되도록 하는 고정 기구를 포함한다.　일 실시 예에서, 금형을 제작하기 위해 조립되는 유의미한 양(위에서 정의된 바와 같이)의 조각들은 일단 금형이 완성되면 다른 하중 방향에서 준수에 차이가 큰, 그들이 조립되는 조각들 중 적어도 하나에 부착되도록 유지하는 고정 메커니즘을 포함한다. 다른 실시 예들에서, 유의한 준수 차이는 6% 이상, 16% 이상, 36% 이상, 56% 이상, 86% 이상, 128% 이상, 그리고 심지어 302% 이상이다.　일 실시 예에서, 준수도의 차이는 측정되는 가장 큰 값을 측정하여 백분율로 나타낸 최소값으로 나눈 값으로 측정되며, 적용되는 하중은 동일하고, 하중이 적용되는 방향에서 발생하는 차이이다. 다른 실시 예들에서, 사용되는 하중은 10 N, 100 N, 1000 N 및 심지어 10000 N이다. 다른 실시 예에서, 사용된 하중은 최대 강연도 방향으로 1 MPa, 10 MPa 및 심지어 30 MPa의 최대 강연도를 발생시키는 하중이다. 일 실시 예에서, 고정 및 가이던스는 금형을 제조하기 위해 조립되는 상당한 양(위에서 정의된 바와 같이)의 조각들에 대해 하나의 방법으로 이루어진다. 일 실시 예에서, 금형을 제작하기 위해 조립되는 피스 중 적어도 2개는 다른 방법으로 제조된다. 일 실시 예에서, 금형을 제작하기 위해 조립되는 피스 중 적어도 2개는 다른 방법으로 제조되며, 그 중 하나는 SLS이다. 일 실시 예에서, 금형을 제작하기 위해 조립되는 피스 중 적어도 2개는 다른 방법으로 제조되며, 그 중 하나는 MJF이다. 일 실시 예에서, 금형을 제조하기 위해 조립된 조각들을 제조하기 위해 적어도 세 가지의 상이한 제조 방법이 사용된다. 일부 적용의 경우 금형에서 내부 기능을 어떻게 제조하는지가 매우 중요하다. 일 실시 예에서, 금형은 공극인 내부 특징과 공극인 내부 특징, 그리고 외부 또는 외부와 연결된 다른 공극 내부 특징들을 포함한다. 일 실시 예에서, 금형은 공극이며, 외부 또는 외부와 연결된 다른 공극 내부 특징들에 연결되는 내부 특징들을 포함한다. 앞 단락에서 설명한 바와 같이, 금형의 재료는 매우 자주 고분자 성질이므로 부드러우며 강성이 거의 없다.　따라서　현재 방법이 복잡한 지오메트리 구성 요소(복잡한 내부 특징을 가진 구성 요소 포함)에 대해 균열이 없고 치수 정확도가 좋게 작동 및 수행된다는 것은 매우 놀라운 일이다. 직감적으로 고분자 물질이 압력의 영향을 받아 짜여질 것으로 예상할 수 있는데, 이는 본 문서의 지시가 엄격하게 지켜지지 않으면 실제로 일어나는 일이다. 불행하게도, 서로 다른 재료 시스템들과 기하학들은 서로 다른 표시들을 요구하므로, 본 발명의 혜택을 받는 광범위한 잠재적 응용들을 고려할 때, 포괄적인 명령들의 집합이 제공되기는 쉽지 않다.
일부 용도에서는 금형을 채우기 위해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물이 매우 중요하다. 이전에 개시된 바와 같이, 발명자는 본 문서 전반에 걸쳐 개시된 분말 또는 분말 혼합물의 사용이 일부 적용의 경우 특히 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 질소 오스테나이트 강철 분말을 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 적어도 하나의 질소 오스테나이트 강철 분말을 포함한다. 특정 적용의 경우 질소 오스테나이트 강철 분말 또는 질소 오스테나이트 강철과 상응하는 전체 구성을 갖는 분말 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다. 일 실시 예에서 상기 분말은 질소 오스테나이트 강철 분말이다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 질소 오스테나이트 강철과 대응하는 평균 구성을 갖는다. 일부 실시 예에서 본 문서에서 앞서 정의한 혼합 전략에 따라 분말 또는 분말 혼합물을 사용한다. 이에, 상기 혼합 전략에서 설명된 분말 또는 분말 혼합물과 관련된 모든 실시 예는 본 방법과 임의의 조합으로 조합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 LP 및 SP 분말 (기존에 정의된 바와 같이)을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 (기존에 정의된 바와 같이) LP 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 (기존에 정의된 바와 같이) SP 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 (기존에 정의된 바와 같이) 적어도 분말 P1, P2, P3 및/또는 P4를 포함한다. 일부 실시 예에서, 특허 출원 번호 PCT/EP2019/075743에 개시된 분말 및/또는 분말 혼합물은, 그 내용 전체가 본 명세서에 참조에 의해 혼입된 분말 및/또는 분말 혼합물이 금형을 채우는데 유리하게 사용될 수도 있다. 일부 용도에서는 주형을 채우기 위해 사용되는 분말의 형태가 매우 중요하다. 일부 실시 예에서, 몰드를 채우기 위해 사용되는 분말 및 분말 혼합물에 마이크로파(기존에 정의된 바와 같이)로 분말을 처리하는 방법을 적용하는 것이 특히 유리하다. 일 실시 예에서, 마이크로파(기존에 정의된 바와 같이)로 분말을 처리하는 방법은 분말 혼합물 내의 분말 중 적어도 하나에 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물의 분말 중 적어도 2개는 마이크로파(기존에 정의된 바와 같이)로 처리하는 방법이 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물의 분말 중 적어도 3개는 마이크로파(기존에 정의된 바와 같이)로 처리하는 방법이 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물의 분말 중 적어도 4개는 마이크로파(기존에 정의된 바와 같이)로 처리하는 방법이 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물의 분말 중 적어도 5개는 마이크로파(기존에 정의된 바와 같이)로 처리하는 방법이 적용된다. 일 실시 예에서, 마이크로파(기존에 정의된 바와 같이)로 분말을 처리하는 방법은 분말 혼합물 내의 모든 분말에 적용된다.
특정 용도의 경우, 이 충전 방법이나 겉보기 밀도에 관계없이 금형을 채우기 위해 사용되는 분말의 충전 밀도가 매우 중요한 반면, 다른 용도의 경우 가장 중요한 특정 충전 밀도를 달성하기 위해 사용되는 방법이다. 일 실시 예에서, 금형은 적어도 부분적으로 안정된 겉보기 밀도로 채워진다. 일 실시 예에서, 금형은 안정된 겉보기 밀도로 채워진다. 일부 적용의 경우 겉보기 밀도가 지나치게 낮으면 내부 결함 없이 복잡한 기하학적 구조를 얻는 것이 불가능하지는 않더라도 매우 어렵다는 것이 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, 균형 잡힌 겉보기 밀도는 52% 이상, 62% 이상, 66% 이상, 72% 이상, 74% 이상, 76% 이상, 78% 이상, 그리고 심지어 81% 이상이다. 일부 적용의 경우, 겉보기 밀도가 지나치게 높으면 복잡한 기하학 구성 요소를 얻는 것이 불가능하지는 않더라도 매우 어렵다는 것이 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서,균형 잡힌 겉보기 밀도는 94% 이하, 89% 이하, 87% 이하, 84% 이하, 82% 이하, 그리고 심지어 79.5% 이하이다. 일 실시 예에서, 균형 잡힌 겉보기 밀도는 겉보기 충진 밀도이다. 일 실시 예에서, 겉보기 충진 밀도는 분말이 차지하는 몰드의 부피 백분율이다. 일 실시 예에서, 상기 겉보기 밀도의 값은 상온이다. 일 실시 예에서, 겉보기 밀도는 ASTM B329-06에 따라 측정된다. 일부 적용의 경우, 충진 겉보기 밀도는 압력 및/또는 온도 처리 단계 i), ii) 및/또는 iii)에서 금형에 가해지는 최대 압력으로 잘 조정되어야 한다는 것이 확인되었다(이 문서의 뒷부분에서 설명된 것 같이). 일 실시 예에서, APPDEN * PADMP1 ＜ 3√MaxPres ＜ APPDEN * PADMP2 일 때, PADM1 및 PADM2는 파라미터이며, APPDEN는 겉보기 충진 밀도(백분율로 나누어 100으로 나눈 값)이고, Max-Pres는 단계 i), ii) 및/또는 iii)에서 가해지는 최대 압력 및/또는 온도이다(이 문서의 뒷부분에서 설명된 것 같이). 일 실시 예에서, Max-Pres는 압력 및/또는 온도 처리의 i) 단계에서 최대 압력이다. 대안적 일 실시 예에서, Max-Pres는 압력 및/또는 온도 처리 단계 ii)의 최대 압력이다(본 문서의 후술된 것 같이). 다른 실시 예들에서, PADM1은 5.0, 5.8, 6.0, 6.25, 6.6, 7.0, 7.2, 그리고 심지어 7.6이다. 다른 실시 예들에서, PADM2는 8.0, 8.8, 10.0, 10.6, 11.4, 12.1, 12.6, 그리고 심지어 13.6이다.
일부 용도에서는 금형을 채우기 전에 재료를 혼합하는 방법이 중요하다. 일 실시 예에서, 다른 분말들이 믹서기에서 함께 혼합된다. 일 실시 예에서, 회전하는 용기에 서로 다른 분말을 적시에 혼합한다. 일 실시예에서, 모든 분말은 동시에 혼합되지 않고, 일부가 먼저 혼합된 후 나머지 분말이 회전 컨테이너에 추가된다. 일 실시예에서, 회전 컨테이너는 회전운동이 아닌 복잡한 반복형 움직임을 갖는다. 일 실시예에서, 회전 컨테이너는 분말혼합기이다. 다른 실시예에서, 회전 컨테이너는 튜블러(turbula)분말혼합기(혹은 블렌더)이다. 다른 실시예에서, 회전 컨테이너는 V타입 분말혼합기(혹은 블렌더)이다. 다른 실시예에서, 회전 컨테이너는 Y타입 분말혼합기(혹은 블렌더)이다. 다른 실시예에서, 회전 컨테이너는 단일 원추형 분말혼합기(혹은 블렌더)이다. 다른 실시예에서, 회전 컨테이너는 겹뿔혼합기(혹은 블렌더)이다. 일 실시예에서, 회전 컨테이너는 움직이는 내부 피처를 갖는다. 일 실시예에서, 회전 컨테이너는 움직이지 않고, 움직이는 내부 피처를 갖는다. 일 실시예에서, 회전 컨테이너는 강으로 만들어지며 움직이는 내부 피처를 갖는다. 일 실시예에서, 적시는 분말 혹은 가장 오랫동안 혼합되는 재료에 대한 총 혼합 시간을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 적절한 시간은 30초 이상, 3분 이상, 15분 이상, 32분 이상, 65분 이상, 2시간 이상, 6시간 이상, 12시간 이상, 그리고 심지어 32시간 이상이다. 특정 용도에서는 과도한 혼합 시간이 해로울 수 있다. 다른 실시 예들에서, 적절한 시간은 2000시간 이하, 200시간 이하, 9시간 이하, 2.5시간 이하, 74분 이하, 54분 이하, 그리고 심지어 28분 이하이다.
일부 용도의 경우 금형의 필링이 어떻게 영향을 미치는지가 중요하다. 일 실시 예에서, 상기 금형은, 적어도 분말로 충진되어 있는 일부는, 진동한다. 일 실시 예에서, 금형의 충전은 분말의 주입과 금형이 밀봉될 때까지의 모든 작용을 포함한다. 일 실시 예에서, 금형의 충전은 금형 내에 분말을 도입하는 동안 및/또는 그 이후에 분말을 금형 내에 올바르게 안착시키기 위해 수행되는 조치 동안의 진동 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 진동 과정은 적절한 가속도에서 충분히 긴 진동 단계를 포함한다. 추가 실시 예에서, 진동 단계의 시간은 다른 가속도 값에 주기가 있을 수 있거나 심지어 그 사이에 진동이 없을 때(시간을 합산할 때 무시됨)에도 올바른 가속도 값 내에서 진동하는 총 시간이다. 다른 실시 예들에서, 충분히 긴 진동 단계는 2초 이상, 11초 이상, 31초 이상, 62초 이상, 6분 이상, 12분 이상, 26분 이상, 그리고 심지어 125분 이상을 의미한다. 일부 적용의 경우, 과도한 진동 시간은 결함이 없는 구성 요소를 얻는 데 부정적이다. 다른 실시 예에서, 충분한 진동 시간은 119분 미만, 58분 미만, 심지어 29분 미만을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 올바른 가속도는 0.006g 이상, 0.012g 이상, 0.6g 이상, 1.2g 이상, 6g 이상, 11g 이상, 그리고 심지어 60g 이상이다. 일부　적용의 경우, 과도한 가속은 위험할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 올바른 가속도는 600g 이하, 90g 이하, 40g 이하, 19g 이하, 9g 이하, 4g 이하, 0.9g 이하, 그리고 심지어 0.09g 이하이다. 일 실시 예에서, g는 지구의 중력, 9.8 m/s2 이다.　일 실시 예에서, 상기 진동 과정은 적절한 진동 주파수에서 충분히 긴 진동 단계(가속도의 경우 상술한 용어)를 포함한다. 일 실시 예에서, 진동 단계의 시간은 다른 진동 주파수 값에서 주기가 있을 수 있거나 그 사이에 진동이 없을 수 있는 경우에도(시간을 합산할 때 무시됨) 올바른 진동 주파수 값 내에서 진동하는 총 시간이다. 다른 실시 예들에서, 올바른 진동 주파수는 0.1 Hz 이상, 1.2 Hz 이상, 12 Hz 이상, 26 Hz 이상, 36 Hz 이상, 56 Hz 이상, 그리고 심지어 102 Hz 이상이다. 특정 적용의 경우 지나치게 높은 주파수는 위험할 수 있다. 다른 실시 예들에서,　올바른 진동 주파수는 390 Hz 이하, 190 Hz 이하, 90 Hz 이하, 69 Hz 이하, 49 Hz 이하, 그리고 심지어 39 Hz 이하이다. 일 실시 예에서, 진동 과정은 적절한 진폭에서 충분히 긴(가속도의 경우 위에서 설명한 용어로) 진동 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 진동 단계의 시간은 다른 진폭 값에 주기가 있을 수 있거나 심지어 그 사이에 진동이 없을 때(시간을 합산할 때 무시됨)에도 올바른 진폭 값 내에서 진동하는 총 시간이다. 일 실시 예에서 진폭은 "peak - to - peak" 진폭이다. 다른 실시 예들에서, 올바른 진폭은 0.006mm 이상, 0.016mm 이상, 0.06mm 이상, 0.12mm 이상, 0.6mm 이상, 6mm 이상, 그리고 심지어 16mm 이상이다. 일 실시 예에서, 상술한 바와 같이 가속도를 선택된 후, 진동 주파수는 모든 관련(기존에 정의된 바와 같이) 분말 중 가장 작은 분말의 입도(D50)에 따라 선택된다: LLF * D50 ＜ 진동 주파수 ＜ ULF *D50이며, 진폭은 가속도= x (주파수)2.일 실시 예에서, 상기 혼합물 내의 모든 관련 분말(기존에 정의된 바와 같이) 중 가장 작은 분말의 D50은, 상기 혼합물 내의 관련 분말(기존에 정의된 바와 같이) 중 가장 작은 D50이다. 다른 실시 예들에서, LLF는 0.01, 0.1, 0.6, 1.0, 6 및 심지어 10이다. 다른 실시 예들에서, ULF는 19, 9, 7, 4 및 심지어 2이다. 일 실시예에서, D50은 샘플 부피의 50%가 입자 크기의 누적 분포에서 더 작은 입자들로 구성될 때의 입자 크기를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, D50은 샘플 질량의 50%가 입자 크기의 누적 분포에서 더 작은 입자들로 구성될 때의 입자 크기를 의미한다. 일 실시 예에서, 입자 크기는 ISO 13320-2009에 따라 레이저 회절로 측정된다. 일 실시 예에서, 상기 식에서 진동 주파수는 Hz 단위이다. 일 실시 예에서, 상기 식에서 D50은 미크론 단위이다. 본 발명자는 일부 용도의 경우 분말이 진동할 때 주형 내의 분말에 압력을 가하는 것이 매우 흥미롭다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기　올바른 평균 압력은 상기 몰드 내의 분말 중 적어도 일부에 적용된다. 일 실시 예에서,　올바른 평균 압력은 몰드 내의 분말에 적용된다. 일 실시 예에서, 올바른 평균 압력은 금형 내의 관련 분말(기존에 정의된 바와 같이)에 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 올바른 평균 압력은 몰드 내에서 적어도 하나의 관련 분말(기존에 정의된 바와 같이)에 적용된다. 일 실시 예에서, 평균 압력은 가해지는 힘을 가하는 방향과 직각으로 하는 최소 단면으로 나눈 값으로 계산된다. 일 실시 예에서, 평균 압력은 가해지는 힘을 가하는 방향과 직교하는 평균 단면으로 나눈 값으로 계산된다. 다른 실시 예들에서, 올바른 평균 압력은 0.1MPa 이상, 0.6MPa 이상, 1.1MPa 이상, 5.1MPa 이상, 10.4MPa 이상, 15MPa 이상, 22MPa 이상, 그리고 심지어 52MPa 이상이다. 특정 적용의 경우 과도한 압력을 가하면 위험할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 올바른 평균 압력은 190 MPa 이하, 90 MPa 이하, 49 MPa 이하, 29 MPa 이하, 19 MPa 이하, 그리고 심지어 9 MPa 이하이다. 일 실시 예에서, 상기 압력의 적용을 위해 뚜껑이 제조되어, 금형의 열린 표면에 끼워 맞춘다. 일 실시 예에서, 가압 리드는 금형의 뚜껑과 동일한 형상을 가지지만, 더 긴 경로(최소한 2배 이상의 두께)를 통해 돌출되어 있다. 일 실시 예에서, 압력 적용 리드는 AM 기술로 제조된다. 일 실시 예에서, 압력은 기계적 시스템에 의해 적용된다. 일 실시 예에서, 압력은 서보-기계 시스템(servo-mechanical system)으로 인가된다. 일 실시 예에서, 압력은 유압 장치로 적용된다. 일 실시 예에서, 압력의 적용과 진동의 적용은 어느 시점에 일치한다.
본 발명자는 일부 용도의 경우 금형의 실링이 제조된 구성 요소의 기계적 성질을 개선하는 데 도움이 될 수 있다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 금형을 채우는 단계는 상기 분말 또는 분말 혼합물로 채운 후, 상기 금형을 밀봉하는 단계를 포함한다.
일부 용도의 경우 고압이 가해지더라도 액체가 금형으로 침투하지 않도록 금형을 밀봉하는 것이 매우 중요하다. 일 실시 예에서, 금형은 접착제를 사용하여 밀봉된다. 추가 실시 예에서, 금형은 코크를 사용하여 밀봉된다. 추가 실시 예에서, 금형은 열원을 이용하여 밀봉되며, 금형과 그 뚜껑을 함께 녹인다. 추가 실시 예에서, 금형은 열원을 이용하여 밀봉되며, 금형과 그 뚜껑을 함께 녹이고 추가적인 고분자 물질을 접합할 영역으로 유입시킨다. 일 실시 예에서, 열원은 연소에 기초한다. 추가 실시 예에서, 열원은 전기 가열에 기초한다. 본 발명자는 일부 용도의 경우 튜브와 유사한 연장부를 가진 금형을 제공하는 것이 매우 흥미롭다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서 금형은 연장부를 포함한다. 일 실시 예에서, 금형의 재료 및 그 연장부는 고분자이다. 일 실시 예에서, 상기 금형과 상기 연장부는 동일한 소재로 제조된다. 이러한 연장부는 금형을 채우는 데 사용될 수 있으며, 충전 후, 연장부를 통해 금형을 진공청소하여 밀봉할 수 있다. 일 실시 예에서, 금형은 연장부 주위에 밀봉된다. 일 실시 예에서, 금형은 연장부를 통해 채워진다. 일 실시 예에서, 금형은 그것의 확장을 통해 진공 처리된다. 일 실시 예에서, 금형은 연장부 주위에 밀봉된다. 일 실시 예에서, 금형은 압력을 이용하여 그것의 연장부 주위에 밀봉된다. 추가 실시 예에서, 금형은 열원을 이용하여 연장부 주위에 밀봉된다. 추가 실시 예에서, 금형은 금형과 그 연장부를 함께 녹이는 열원을 사용하여 연장부 둘레를 밀봉한다. 추가 실시 예에서, 금형은 코크를 사용하여 연장부 주위에 밀봉된다. 추가 실시 예에서, 금형은 접착제를 사용하여 연장부 주위에 밀봉된다. 일부 실시 예에서, 추가적인 고분자 물질은 결합될 영역으로 유입될 수 있다. 일 실시 예에서, 충전된 금형은 밀봉된 금형 외부의 어떠한 유체와의 접촉으로도 누출이 없는 방식으로 밀봉된다. 일 실시 예에서, 충진된 금형은 밀봉된 금형 외부의 어떠한 액체와의 접촉으로도 누출이 없는 방식으로 밀봉된다. 일 충진된 금형은 고압이 적용되는 경우에도 밀봉된 금형 외부의 어떠한 유체와의 접촉으로도 누출이 없는 방식으로 밀봉된다. 이러한 맥락에서 고압은 6 MPa 이상, 56 MPa 이상, 76 MPa 이상, 106 MPa 이상, 그리고 심지어 166 MPa 이상의 압력을 의미한다. 일 실시 예에서, 충진된 금형은 매우 높은 압력이 가해지는 경우에도 밀봉된 금형 외부의 어떠한 유체와의 접촉으로도 누출이 없는 방식으로 밀봉된다. 이러한 맥락에서 매우 높은 압력은 206 MPa 이상, 266 MPa 이상, 306 MPa 이상, 506 MPa 이상, 606 MPa 이상, 그리고 심지어 706 MPa 이상의 압력이다. 일 실시 예에서, 충전된 금형은 수밀 방식으로 밀봉된다. 추가 실시 예에서, 충전된 금형은 증기 기밀 방식으로 밀봉된다. 추가 실시 예에서, 충전된 금형은 유밀 방식으로 밀봉된다. 추가 실시 예에서, 충전된 금형은 가스 밀착 방식으로 밀봉된다. 추가 실시 예에서, 충전된 금형은 절대 밀착 방식으로 밀봉된다.　추가 실시 예에서, 충전된 금형은 박테리아 밀착 방식으로 밀봉된다. 추가 실시 예에서, 충전된 금형은 폭스 바이러스(pox-virus-tight) 밀착 방식으로 밀봉된다. 추가 실시 예에서, 충전된 금형은 박테리오파지-바이러스-밀착(bacteriophages-virus-tight) 방식으로 밀봉된다. 추가 실시 예에서, 채워진 금형은 RNA-바이러스 밀착 방식으로 밀봉된다. 일 실시 예에서, 기밀성의 정의는 Leybold GmbH의 Cat. No. 199 79_VA.02에 따른다. 일 실시 예에서, 누설률 및/또는 진공 밀도는 DIN-EN 1330-8에 따라 결정된다. 대안적 일 실시 예에서, 누설률 및/또는 진공 밀도는 DIN-EN 13185에 따라 결정된다. 추가 대안적 실시 예에서, 누설률 및/또는 진공 기밀도는 DIN-EN 1779에 따라 결정된다. 일 실시 예에서, 충진 금형은 낮은 누설률로 진공 밀착 방식으로 밀봉된다. 다른 실시 예들에서, 낮은 누설률은 0.9 mbar l/s 이하, 0.08 mbar* l/s 이하, 0.008 mbar* l/s 이하, 0.0008 mbar*l /s 이하, 0.00009 mbar* l/s 이하, 그리고 심지어 0.000009 mbar* l/s 이하이다. 매우 놀랍게도, 본 발명가는 일부 용도의 경우 과도한 진공 기밀이 역효과를 내고, 달성 가능한 최종 기계적 성질에 부정적인 영향을 미친다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 낮은 누설률은 1.2* 10-9 mbar* l/s 이상, 1.2* 10-7 mbar* l/s 이상, 1.2* 10-6 mbar* l/s 이상, 1.2 *10-5 mbar* l/s 이상, 그리고 심지어 1.2* 10-4 mbar* l/s 이상이다. 일 실시 예에서, 이 문서에 기술된 낮은 누출률은 물질의 누출량(예: 환경이 공기일 경우 공기, 환경이 물, 기름일 경우 물 등)을 가리킨다. 실시 예에서, 상기 물질이 액체인 경우, mbar*l/s 로 기재된 누설률은 5.27을 곱한 후 mg/s로 표현된다. 일 실시 예에서, 본 문서에 기술된 누설률은 DIN EN 1330-8의 정의에 따른 헬륨 표준 누설률을 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 누설률 및/또는 진공 기밀 값은 DIN-EN 13185:2001에 따라 측정된다. 추가 대안적 실시 예에서, 누설률 및/또는 진공 기밀 값은 DIN-EN 1779:2011에 따라 측정된다. 대안적 일 실시 예에서, mbar*l/s에 기술된 누설률에 대해 제공된 값은 mbar*l/s He Std를 읽어야 한다. 특정 용도에서는 금형을 덮는 압력 전달 용기(고분자 필름, 백, 진공 백, 컨포멀 코팅, 금형 등)를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 적어도 일부의 충전 몰드에는 유기 코팅이 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 코팅은 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서, 코팅은 엘라스토머를 포함한다. 일 실시 예에서, 코팅은 고무 재질을 포함한다. 일 실시 예에서, 코팅은 고무를 포함한다. 일 코팅은 라텍스 유도체를 포함한다.　일 실시 예에서, 코팅은 라텍스를 포함한다.　일 실시 예에서, 코팅은 천연 고무를 포함한다.　일 실시 예에서, 코팅은 합성 탄성체를 포함한다. 일 실시 예에서, 코팅은 실리콘 유도체를 포함한다. 일 실시 예에서, 코팅은 실리콘을 포함한다. 일 실시 예에서, 코팅은 불소 고무를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 코팅은 ASTM D-1418 정의에 따른 M-Class 고무 재질을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 코팅은 엘라스토머 물질을 포함하는 에틸렌프로필렌을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 코팅은 에틸렌 엘라스토머 물질을 포함하는 3량체를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 코팅은 프로필렌 엘라스토머 물질을 포함하는 3량체를 포함한다. 일 실시 예에서, 코팅은 EPDM 재료를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 코팅은 ASTM 정의(ASTM D1418-17)에 따른 FKM 물질을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 코팅은 과불화탄성체(FFKM)를 포함한다. 일 실시 예에서, 코팅은 EPDM 유도체를 포함한다. 일 실시 예에서, 코팅은 FKM 유도체를 포함한다. 일 실시 예에서, 코팅은 FFKM 유도체를 포함한다. 일부 용도에서는 코팅의 작동 온도가 중요하다. 일 실시 예에서, 상기 코팅은 충분히 높은 최대 작업 온도를 갖는다. 일 실시 예에서, 최대 작업 온도는 물질의 열화 온도이다. 대안적 일 실시 예에서, 최대 작업 온도는 물질이 0.05% 중량 감소된 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, 최대 작업 온도는 위에 설명한 용어로 물질이 낮은 누출률을 나타내지 않는 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, 최대 작업 온도는 문헌 정의에 따른다. 다른 실시 예들에서, 충분히 높은 최대 작업 온도는 52℃ 이상, 82℃ 이상, 102℃ 이상, 152℃ 이상, 202℃ 이상, 252℃ 이상, 그리고 심지어 302℃ 이상이다. 일 실시 예에서, 코팅은 연속적인 층들을 포함한다.　일 실시 예에서, 코팅은 여러 층으로 구성된다. 일 실시 예에서, 상기 코팅은 상이한 물질들의 여러 층으로 구성된다. 일 실시 예에서, 코팅은 몰드 전체를 덮는다. 일 실시 예에서, 상기 코팅은 건조 또는 경화되는 액체로 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 코팅은 건조 또는 경화되는 반죽으로 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 코팅의 적어도 일부는 충진된 몰드를 상기 코팅 물질에 침지하여 도포된다. 일 실시 예에서, 상기 코팅의 적어도 일부는 상기 코팅 물질로 채워진 몰드를 브러싱하여 도포된다. 일 실시 예에서, 상기 코팅의 적어도 일부는 상기 코팅 물질이 충진된 몰드의 분무에 의해 도포된다. 일 실시 예에서, 분말로 채워지지 않고 공극(몰드 물질과 완전히 고체화되지 않음)을 갖는 몰드의 내부 특징 중 적어도 일부가 코팅된다. 일 실시 예에서, 분말로 채워지지 않고 공극(금형 물질과 완전히 고체화되지 않음)을 갖는 금형의 내부 특징이 모두 코팅되어 있다. 일 실시 예에서, 상기 외부와 연결된 내부 특징 중 적어도 일부가 코팅된다. 일 실시 예에서, 외부와 연결된 내부 특징들은 모두 코팅된다. 일 실시 예에서, 외부와 연결된 내부 특징들을 코팅할 때, 이러한 내부 특징들이 분말의 반대편에서 상호 연결된 내부 특징들의 벽에 압력이 적용될 수 있도록 코팅 후에도 외부와 연결된 상태를 유지하도록 각별한 주의를 기울인다. 일 실시 예에서, 상기 코팅은 채워진 몰드 위에 배치되는 미리 제조된 용기일 뿐이다. 일 실시 예에서, 상기 코팅은 채워진 몰드 위에 위치하는 탄성체 물질을 포함하는 미리 제조된 용기일 뿐이다. 일 실시 예에서, 상기 코팅은 충전된 몰드 위에 배치되는 진공 봉투일 뿐이다. 일 실시 예에서, 상기 코팅을 진공 용기로 사용하여 충전된 금형 내에 진공이 형성되도록 하는 시스템이 제공된다. 일 실시 예에서는, 상기 코팅을 진공 용기로 사용한 후 밀봉하여 충전된 금형 내에 진공을 형성하여 금형 내에 진공을 유지하는 시스템이 제공된다. 다른 실시 예들에서, 상기 코팅은 진공 용기로서 사용되며, 790 mbar 이상, 490 mbar 이상, 90 mbar 이상, 40 mbar 이상, 그리고 심지어 9 mbar 이상의 진공이 이루어진다. 일부 용도의 경우, 다음의 방법 단계에서 금형 내 고진공 레벨을 제어하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 코팅을 진공 밀폐 용기로 사용하여 충전 몰드에 제어된 고진공을 적용한다. 다른 실시 예들에서, 제어된 고진공 레벨은 0.9 mbar 이하, 0.09 mbar 이하, 0.04 mbar 이하, 0.009 mbar 이하, 0.0009 mbar 이하, 그리고 심지어 0.00009 mbar 이하이다. 특정 용도의 경우 과도한 진공이 위험할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 제어된 고진공 레벨은 10-10 mbar 이상, 10-8 mbar 이상, 10-6 mbar 이상, 그리고 심지어 10-4 mbar 이상이다. 일 실시 예에서, 상기 i) 단계의 압력 및/또는 온도 처리(본 문서에서 후술하는 바와 같이)가 적용될 때,　코팅이 밀봉되고 충전된 금형 내에 도포된 진공의 적어도 일부를 유지하기 위해 고분자 파스너가 사용된다. 일 실시 예에서, 금속 파스너는 코팅을 밀봉하고 압력 및/또는 온도 처리(이 문서의 뒷부분에서 설명됨)의 단계 i)가 적용될 때 채워진 주형에 적용된 진공의 적어도 일부를 유지하는 데 사용된다. 다른 실시 예들에서, 적용되는 진공의 일부는 190 mbar 이상, 9 mbar 이상, 0.9 mbar 이상, 0.09 mbar 이상, 0.009 mbar 이상, 그리고 심지어 0.0009 mbar 이상이다. 일 실시 예에서, 진공은 채워진 몰드 속, 분말로 채워진 영역에서만 유지된다. 일 실시 예에서, 충진된 몰드 속, 분말로 충진된 영역과 연결된 영역에서만　진공이 유지되므로, 내부 특징의 공극 영역은 제외된다.
일부 용도의 경우, 충진 몰드를 직접 또는 충진 몰드를 코팅으로 밀봉하거나 진공작업이 된 코팅 후 코팅이 밀봉된 몰드를 폴리메릭 필름(고분자 필름)으로 밀봉하는 것이 흥미롭다. 일부 용도에서는 가스 및 증기에 대한 투과성이 낮은 고분자 필름을 사용하는 것이 흥미롭다. 다른 실시 예들에서, 기체 및 증기에 대한 낮은 투과도는 190000 ml/(m2*24h*MPa) 이하, 79000 ml/(m2*24h*MPa) 이하, 49000 ml/(m2*24h*MPa) 이하, 19000 ml/(m2*24h*MPa) 이하, 그리고 심지어 9000 ml/(m2*24h*MPa) 이하이며, 여기서 ml은 밀리리터를 의미한다. 일부 적용의 경우, 가스에 대한 투과성이 매우 낮다는 것이 흥미롭다. 일부 용도에서는 가스 및 증기에 대한 투과성이 매우 낮은 고분자 필름을 사용하는 것이 흥미롭다. 다른 실시 예들에서, 기체 및 증기에 대한 매우 낮은 투과도는 1900 ml/(m2*24h*MPa) 이하, 990 ml/(m2*24h*MPa) 이하, 490 ml/(m2*24h*MPa) 이하, 290 ml/(m2*24h*MPa) 이하, 그리고 심지어 94 ml/(m2*24h*MPa) 이하이다. 일 실시 예에서, 증기에 대한 투과도는 g/(m2*24h) 로 측정한 후 1000을 곱한 후 ml/(m2*24h*MPa)로 표시하여 앞선 문장에서 정의된 가스 및 증기에 대한 낮은 투과도와/또는 매우 낮은 투과도에 적합한지 평가한다. 놀랍게도, 일부 적용은 필름의 지나치게 낮은 투과성으로 인해 이익을 얻지 못한다. 다른 실시 예들에서, 필름의 기체 및 증기에 대한 투과도는 0.012 ml/(m2*24h*MPa) 이상, 0.12 ml/(m2*24h*MPa) 이상, 1.2 ml/(m2*24h*MPa) 이상, 12 ml/(m2*24h*MPa) 이상, 56 ml/(m2*24h*MPa) 이상, 그리고 심지어 220 ml/(m2*24h*MPa) 이상이다. 일 실시 예에서, 낮은 투과성 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과성은 이산화탄소를 의미한다. 추가 실시 예에서, 낮은 투과성 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과성은 산소를 의미한다. 추가 실시 예에서, 낮은 투과성 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과성은 수소를 의미한다. 추가 실시 예에서, 낮은 투과성 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과성은 질소를 의미한다. 추가 실시 예에서, 낮은 투과성 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과성은 헬륨을 의미한다. 추가 실시 예에서, 낮은 투과성 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과성은 수증기를 의미한다. 추가 실시 예에서, 가스 및 증기에 대한 낮은 투과성 및/또는 매우 낮은 투과성은 이산화탄소, 산소, 수소, 질소, 헬륨 및/또는 수증기를 의미한다. 일 실시예에서, 가스에 대한 투과성은 ASTM D-1434 (1988)에 따라 측정된다. 대안적 일 실시 예에서, 앞서 공개된 가스에 대한 투과성 값은 산소에 대해 ASTM D-3985-17을 따라 측정된다. 일 실시예에서, 가스에 대한 투과성은 75ºF에서 측정된다. 다른 대안적 실시예에서, 앞서 공개된 증기에 대한 투과성은 ASTM E-96/E96M-16에 따라 측정된다. 일 실시 예에서, 낮은 투과성 및/또는 가스 및 증기에 대한 투과성이 매우 낮은 고분자 필름은 폴리에스테르를 포함한다. 일 낮은 투과성 및/또는 가스 및 증기에 대한 투과성이 매우 낮은 고분자 필름은 MYLAR를 포함한다. 일 실시 예에서, 낮은 투과성 및/또는 가스 및 증기에 대한 투과성이 매우 낮은 고분자 필름은 폴리이미드를 포함한다. 일 실시 예에서, 낮은 투과성 및/또는 가스 및 증기에 대한 투과성이 매우 낮은 고분자 필름은 KAPTON을 포함한다. 일 실시 예에서, 낮은 투과성 및/또는 가스 및 증기에 대한 투과성이 매우 낮은 고분자 필름은 플루오르화비닐을 포함한다. 일 실시 예에서 낮은 투과성 및/또는 가스 및 증기에 대한 투과성이 매우 낮은 고분자 필름은 TEDLAR을 포함한다. 일 실시 예에서, 낮은 투과성 및/또는 가스 및 증기에 대한 투과성이 매우 낮은 고분자 필름은 폴리에틸렌을 포함한다. 일 실시 예에서, 낮은 투과성 및/또는 가스 및 증기에 대한 투과성이 매우 낮은 고분자 필름은 HDPE를 포함한다.　일 실시 예에서, 고분자 필름은 PPS를 포함한다. 일 실시 예에서, 고분자 필름은 PEEK를 포함한다. 일 실시 예에서, 고분자 필름은 PI를 포함한다. 일 실시 예에서, 고분자 필름은 엘라스토머를 포함한다. 일 실시 예에서, 고분자 필름은 바이턴을 포함한다. 일 실시 예에서, 고분자 필름은 EPDM을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 고분자 필름은 이러한 고분자 물질로 이루어진다. 다만, 고분자 필름의 소재가　이들 소재의 용도에 한정되는 것은 아니다. 일부 용도에서는 고분자 필름의 적절한 두께가 중요하다. 일 적당한 두께의 한 고분자 필름을 사용한다. 다른 실시 예들에서, 올바른 두께는 2microns 이상, 22microns 이상, 52microns 이상, 102microns 이상, 202microns 이상, 그리고 심지어 402microns 이상이다. 특정 용도에서 과도한 두께는 해로울 수 있다. 다른 실시 예에서, 올바른 막 두께는 9 mm 이하, 4 mm 이하, 0.9 mm 이하, 0.4 mm 이하, 심지어 0.09 mm 이하이다. 일부 용도에서는 고분자 필름의 강도가 중요하다. 다른 실시 예들에서, 상기 고분자 필름은 6 MPa 이상, 26 MPa 이상, 56 MPa 이상, 106 MPa 이상, 156 MPa 이상, 그리고 심지어 206 MPa 이상의 인장 강도(UTS)를 갖는 것을 선택한다. 일 실시 예에서, 상기 고분자 필름의 궁극적인 인장강도는 ASTM D-882-18에 따라 결정된다. 일 실시 예에서, 상기 밝혀진 인장 강도의 값은 75°F 이다. 일부 용도에서는 고분자 필름의 5% 연신율에서의 강도가 과도하면 안 된다. 다른 실시 예들에서, 상기 고분자 필름은 1900 MPa 이하, 490 MPa 이하, 290 MPa 이하, 190 MPa 이하, 140 MPa 이하, 그리고 심지어 98 MPa 이하의 5% 연신율에서의 강도를 갖는 것을 선택한다. 일 실시 예에서, 필름의 5% 연신율에서의 강도는 ASTM D-882-18에 따라 결정된다. 일 실시 예에서, 상기 개시된 필름의 5% 연신율에서의 강도 값은 75ºF이다. 일부 용도에서는 필름의 최대 작동 온도가 중요하다. 일 실시 예에서, 상기 필름은 충분히 높은 최대 작동 온도를 갖는다.　일 실시 예에서, 최대 작업 온도는 물질의 열화 온도이다. 일 실시 예에서, 최대 작업 온도는 물질의 저하 온도이다. 대안적 일 실시 예에서, 최대 작업 온도는 물질이 0.05% 중량 감소된 온도이다. 일 실시 예에서, 질량 손실은 ASTM E1131-08에 따라 측정될 수 있다. 추가 실시 예에서, 질량 손실은 열 중량 분석에 의해 측정될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 저하 온도는 ASTM E1131-08의 시험 조건에 따라 얻어진 10wt%, 20%, 25wt%, 45wt%, 65wt%, 그리고 심지어 65wt%를 초과하는 물질의 질량손실에 해당하는 온도를 의미한다. 추가 실시 예에서, 최대 작업 온도는 산소에 대한 물질의 투과도가 6%, 26%, 그리고 심지어 100% 증가하는 온도이다. 다른 실시 예들에서, 최대 작업 온도는 75ºF에서 물질의 인장 강도 값의 80%, 50%, 그리고 심지어 30%인 온도이다. 다른 실시 예들에서, 충분히 높은 최대 작업 온도는 52℃ 이상,　82℃ 이상, 102℃ 이상, 152℃ 이상, 202℃ 이상, 252℃ 이상, 그리고 심지어 302℃ 이상이다.
일 실시 예에서, 낮은 투과율 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과율 고분자 필름은 사용 전에 하나의 개구부를 갖는 봉투에 밀봉된다. 일 실시 예에서, 낮은 투과율 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과율 고분자 필름은 충진 몰드에 대해 정각의 형상으로 밀봉된다. 일 실시 예에서, 낮은 투과율 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과율 고분자 필름은 접착제로 밀봉된다. 일 실시 예에서, 낮은 투과율 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과율 필름은 열접착된다. 일 실시 예에서, 낮은 투과율 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과율 필름은　접착제를 사용하여 밀봉된다. 일 실시 예에서, 낮은 투과율 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과율 고분자 필름은 열원을 이용하여 밀봉된다. 일 실시 예에서, 열원은 연소에 기초한다. 추가 실시 예에서, 열원은 전기 가열에 기초한다. 일 실시 예에서, 낮은 투과율 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과율 고분자 필름은 압력을 이용하여 밀봉된다. 추가 실시 예에서,　낮은 투과율 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과율 고분자 필름은 코크를 이용하여 밀봉한다. 일부 실시 예에서, 추가적인 고분자 물질은 결합될 영역으로 유입될 수 있다. 일 실시 예에서,　낮은 투과율 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과율 고분자 필름은 최종 실링 전에 진공된다.
다른 실시 예들에서, 상기 고분자 필름은 진공 용기로서 사용되며, 890 mbar 이상, 790 mbar 이상, 490 mbar 이상, 140 mbar 이상, 90 mbar 이상의 진공이 이루어진다. 일부 용도의 경우, 다음의 방법 단계에서 금형 내 고진공 레벨을 제어하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 고분자 필름을 진공 밀폐 용기로 사용하여 충전 몰드에 제어된 고진공을 적용한다. 일 실시 예에서, 상기 코팅을 진공밀봉 용기로 사용하여 진공밀봉된 충전 몰드는,　상기 고분자 필름을 진공밀봉 용기로 하여 패키지로써 진공처리된다. 다른 실시 예들에서, 제어된 고진공 레벨은 40 mbar 이하, 4 mbar 이하, 0.9 mbar 이하, 0.4 mbar 이하, 0.09 bar 이하, 그리고 심지어 0.0009 mbar 이하이다. 특정 용도에서는 과도한 진공이 해로울 수 있다. 다른 실시 예들에서, 제어된 고진공 레벨은 10-8 mbar 이상, 10-6 mbar 이상, 10-3 mbar 이상, 그리고 심지어 10-2 mbar 이상이다. 일 실시 예에서, 상기 고분자 필름은 진공을 실현한 후에 밀봉된다. 일 실시 예에서, 상기 고분자 필름은 진공 상태를 실현한 후 열적으로 밀봉된다. 일 실시 예에서, 상기 고분자 필름은 진공을 실현한 후 접착제로 밀봉된다. 일부 적용의 경우, 진공화된 낮은 투과율 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과율 고분자 필름은 금형의 보이드 내부 특징에 도달하기 위한 압력 및/또는 온도 처리 단계 i), ii) 및 ii) 중 적어도 하나에서 가해지는 압력에 대해 장해물이 작용하는 것은 바람직하지 않다. 일 실시 예에서, 낮은 투과율 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과율 고분자 필름진공 밀봉은 압력 및/또는 온도 처리 단계(본 문서의 후술에서 설명하는 바와 같이) 단계 i), ii) 및/또는 iii) 중 적어도 하나에서 압력을 가하여 금형의 보이드 내부 특징에 도달하는 것은 어렵지 않다. 일 실시 예에서, 낮은 투과율 및/또는 가스 및 증기에 대한 매우 낮은 투과율 필름의 진공 실링은 몰드의 공극 내부 특징에 도달하기 위한 압력 및/또는 온도 처리(본 문서의 후술에서 설명하는 바와 같이)의 i), ii) 및 iii) 단계 중 적어도 하나에서 가해지는 압력을 방해하지 않는다. 일 실시 예에서, 몰드 보이드 내부 특징들은 본 문서의 다른 부분에서 설명한 바와 같이 외부와 연결된다. 일 실시 예에서, 외부로의 연결은 연장된다. 일 실시 예에서, 외부로의 연결부는 고분자 물질로 연장된다. 일 실시 예에서, 외부와의 연결부는 진공 타이트하게 연장된다. 일 실시 예에서, 외부와의 연결부는 접착제의 도움을 받아 진공 타이트하게 연장된다. 일 실시 예에서, 외부와의 연결부는 접착제로 구성된 에폭시의 도움을 받아 진공 타이트하게 연장된다. 일 실시 예에서, 상기 고분자 필름은 외부 및/또는 그 연장부와의 연결부 주위에 밀봉된다. 일 실시 예에서, 상기 고분자 필름은 외부 및/또는 그 연장부와의 연결부 주위에 진공화되어 밀봉된다. 일 실시 예에서, 상기 고분자 필름 및 상기 외부 및/또는 그 연장부와의 연결부는 서로 결합되어 있다. 일 일 실시 예에서, 상기 고분자 필름 및 상기 외부 및/또는 그 연장부와의 연결부는 진공 조밀하게 결합되어 있다.　일 실시 예에서, 상기 고분자 필름 및 상기 외부 및/또는 그 연장부와의 연결부는 접착제로 함께 결합되어 있다. 일 실시 예에서, 상기 고분자 필름 및 상기 외부 및/또는 그 연장부와의 연결부는 접착제를 포함하는 에폭시에 의해 함께 결합된다. 일 실시 예에서, 고분자 필름 내의 진공을 방해하지 않으면서 금형의 공극 내부 특징의 외부 및/또는 그것의 연장부에 대한 연결을 통해 압력이 흐를 수 있도록 홀을 수행한다.　일 실시 예에서, 코팅의 진공을 방해하지 않으면서 금형의 공극 내부 특징의 외부 및/또는 그것의 연장부에 대한 연결을 통해 압력이 흐를 수 있도록 홀을 수행한다. 일 실시 예에서, 구멍은 압력 및/또는 온도 처리 (본 문서의 후술에서 설명하는 바와 같이)의 i) 단계가 시작되기 직전에 형성된다. 다른 실시 예들에서, 짧은 시간은 10초 미만, 1분 미만, 9분 미만, 24분 미만, 1시간 미만, 1주일 미만, 그리고 심지어 1개월 미만이다.
일 실시 예에서, 설명한 단계 중 적어도 하나는 2회 이상 반복된다.　일 실시 예에서, 기체 및 증기에 대한 투과도가 낮고/또는 매우 낮은 고분자 필름에 의한 실링이 하나 이상 수행된다.
일부 특정 실시 예에서, 상기 몰드의 실링은 상기 분말 또는 분말 혼합물을 포함하는 몰드의 클로징으로 매우 단순화 및 축소될 수 있다. 일 실시 예에서, 금형의 실링은 충진된 금형을 뚜껑으로 닫는 형태로 이루어진다. 일 실시 예에서, 금형의 실링은 진공 도포를 필요로 하지 않는다. 일 실시 예에서, 금형의 실링에는 상기와 같이 코팅이 도포되어 진공에 노출되지 않는다.　일 실시 예에서, 금형의 실링에서, 금형은 고분자를 포함하는 물질로 감싸진다.
본 발명자는 일부 실시 예에서, 상기 제조방법이 금형의 사용을 포함하는 경우, 후술하는 바와 같은 압력 및/또는 온도처리를 적용하면 제조된 부품의 기계적 물성을 향상시키는 데 도움이 될 수 있다는 것을 발견했다. 상기 성분을 가압 및/또는 온도를 가하는 단계도 본 방법 전반에 걸쳐 형성 단계라고 한다.
앞서 개시된 바와 같이, 특정 용도의 경우, 압력 전달 용기(고분자 필름, 백, 진공 백, 코팅, 금형 등)의 사용이 유리하다. 추가 실시 예에서, 압력 전달 용기는 충전 및 밀봉된 금형 위에 배치된다. 일 실시 예에서, 상기 압력은 상기 압력 전달 용기에 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 압력은 상기 고분자 필름에 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 압력은 금형에 적용된다.
일부 실시 예에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에 사용되는 압력은 제조된 구성 요소의 기계적 성질과 관련될 수 있다. 다른 실시 예들에서,상기 가압 및/또는 온도 처리에서 가해지는 압력은 6 MPa 이상, 60 MPa 이상, 110 MPa 이상, 220 MPa 이상, 340 MPa 이상, 560 MPa 이상, 860 MPa 이상, 그리고 심지어 1060 MPa 이상이다. 일부 적용 경우, 과도한 압력을 가하면 제조된 구성 요소의 기계적 성질이 저하되는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에 가해지는 압력은 2100 MPa 이하, 1600 MPa 이하, 1200 MPa 이하, 990 MPa 이하, 790 MPa 이하, 640 MPa 이하, 590 MPa 이하, 그리고 심지어 390 MPa 이하이다. 일 실시 예에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에서 가해지는 압력은 상기 압력 및/또는 온도 처리에서 가해지는 평균 압력을 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에서 가해지는 압력은 상기 압력 및/또는 온도 처리에서 가해지는 최소 압력을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에서 가해지는 압력은 임계 시간 미만으로 가해지는 압력을 제외한 평균 압력을 의미한다. 일부 적용의 경우, 압력 및/또는 온도 처리에 적용되는 최대 압력이 관련될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에서의 최대 압력은 105 MPa 이상, 210 MPa 이상, 310 MPa 이상, 405 MPa 이상, 640 MPa 이상, 1260 MPa 이상, 나아가 심지어 2600 MPa 이상이다. 다른 실시 예들에서, 상기 가압 및/또는 온도 처리에 가해지는 최대 압력은 2100 MPa 이하, 1200 MPa 이하, 990 MPa 이하, 790 MPa 이하, 640 MPa 이하, 590 MPa 이하, 490 MPa 이하, 그리고 심지어 390 MPa 이하이다. 달리 명시되지 않는 한, "임계 시간"은 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전체에 정의된다. 다른 실시 예들에서, 임계 시간은 50초, 29초, 14초, 9초, 그리고 심지어 3초이다. 일부 적용의 경우, 본 문서 전체에서 사용되는 용어 "임계 시간"은 위에서 설명한 실시 예 중 하나에 따라 정의된다. 따라서, 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 이들 사이에 결합될 수 있으며, 이 문서에서 개시된 임의의 다른 실시 예와 임의의 조합에서 "임계 시간"과 관련될 수 있다. 일 실시 예에서, 임계 시간보다 적게 유지되는 압력은 최대 압력으로 간주되지 않는다.　일 실시 예에서, 최대 압력은 관련 시간 동안 적용된다. 달리 명시되지 않는 한, 특징 "관련 시간"은 아래에 상세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전체에 정의된다. 다른 실시 예들에서, 관련 시간은 적어도 1초, 적어도 4초, 적어도 12초, 적어도 19초, 적어도 56초, 적어도 4분, 그리고 심지어 적어도 6분이다. 일부 적용의 경우, 지나치게 긴 시간은 바람직하지 않다. 다른 실시 예들에서, 관련 시간은 60분 미만, 30분 미만, 24분 미만, 9분 미만, 1분 미만, 24초 미만, 그리고 심지어 9초보다 작다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 이들 사이에 결합될 수 있으며, 이 문서에서 개시된 임의의 "관련 시간"과 관련되는 다른 실시 예와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 압력은 연속적으로 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 압력은 관련 시간(기존에 정의된 바와 같이) 동안 연속적으로 적용된다. 일 실시 예에서, 유체의 압력 중 적어도 일부는 구성 요소 위에 직접 적용된다. 일 실시 예에서, 유체의 압력은 구성 요소 위에 직접 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 구성요소가 내부 특징을 포함하는 경우, 유체의 압력의 적어도 일부가 내부 특징 위에 직접 적용된다. 일 실시 예에서, 구성 요소가 내부 특징을 포함하는 경우, 유체의 압력이 내부 특징 위에 직접 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 구성요소가 내부 특징을 포함하는 경우, 입자 유동층의 압력이 내부 특징 위로 직접 적용된다.
일부 적용의 경우, 압력 및/또는 온도 처리에 적용되는 온도는 제조된 구성 요소의 기계적 성질과 관련이 있을 수 있다. 본 발명자는 일부 용도의 경우, 성분 제조에 사용되는 분말 또는 분말 혼합물의 용융 온도와 압력 및/또는 온도 처리에 수반되는 온도 사이의 특정 관계가 유리할 수 있음을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 가압 및/또는 온도 처리 시 적용되는 온도는 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도인 0.94*Tm 미만, 0.84*Tm 미만, 0.74*Tm 미만, 0.64*Tm 미만, 0.44*Tm 미만, 0.34*Tm 미만, 0.29*Tm 미만, 및 심지어 0.24*Tm 미만이다. 대안적 일 실시 예에서, Tm은 임계 분말(기존에 정의된 바와 같다)인 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융해 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은　관련 분말(기존에 정의된 바와 같이)인 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 가중치는 부피 분율)을 포함하는 금속의 평균 용융 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물(기존에 정의된 바와 같이)의 용융 온도를 의미한다. 일부 용도의 경우, 하나의 분말만을 사용하는 경우, Tm은 분말의 용융 온도이다. 이러한 맥락에서, 위에 공개된 온도는 켈빈 단위이다. 일부 적용의 경우, 온도가 특정 값 이상으로 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 가압 및/또는 온도 처리에 적용되는 온도는 0.16*Tm 초과, 0.19*Tm 초과, 0.26*Tm 초과, 0.3*Tm 초과, 0.45*Tm 초과, 0.61*Tm 초과, 0.69*Tm 초과, 0.74*Tm 초과, 및 심지어 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도인 0.86*Tm 초과이다. 대안적 일 실시 예에서, Tm은 임계 분말인 분말 혼합물(기존에 정의된 바와 같이)에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융해 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 관련 분말(기존에 정의된 바와 같이)　인 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 가중치는 부피 분율)을 포함하는 금속의 평균 용융 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물(기존에 정의된 바와 같이)의 용융 온도를 의미한다. 일부 용도의 경우, 금속 분말을 하나만 사용하는 경우, Tm은 금속 분말의 용융 온도이다. 이러한 맥락에서, 위에 공개된 온도는 켈빈 단위이다. 일부 용도의 경우 압력 및/또는 온도 처리에 적용되는 온도를 절대 명사로 정의하는 것이 좋다. 다른 실시 예들에서, 가압 및/또는 온도 처리에 적용되는 온도는 -14℃ 초과, 9℃ 초과, 31℃ 초과, 46℃ 초과, 86℃초과, 110℃ 초과, 156℃ 초과, 210℃ 초과, 270℃ 초과, 및 심지어 310℃ 초과이다. 일부 적용의 경우, 지나치게 높은 온도는 해로울 수 있다. 다른 실시 예들에서, 가압 및/또는 온도 처리에 적용되는 온도는 649℃ 미만, 440℃ 미만, 298℃ 미만, 249℃ 미만, 149℃ 미만, 90℃ 미만, 49℃ 미만, 및 심지어 29℃ 미만이다. 일 실시 예에서, 상기 가압 및/또는 온도 처리에서 적용되는 온도는 상기 가압 및/또는 온도 처리에서 적용되는 최대 온도를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 가압 및/또는 온도 처리에서 적용되는 온도는 상기 가압 및/또는 온도 처리에서 적용되는 평균 온도를 의미한다. 일 실시 예에서, 평균 온도는 "임계 시간"(기존에 정의된 바와 같이)보다 적게 유지되는 온도를 제외하고 계산된다. 일부 적용의 경우, 압력 및/또는 온도 처리에 적용되는 최대 온도는 제조된 구성 요소의 기계적 성질과 관련이 있을 수 있다. 다른 실시 예들에서, 상기 가압 및/또는 온도 처리에 적용되는 최대 온도는 995℃ 미만, 495℃ 미만, 245℃ 미만, 145℃ 미만, 및 심지어 85℃ 미만이다. 일부 적용의 경우, 적용되는 최대 온도는 특정 값 이상이어야 한다. 다른 실시 예들에서, 상기 가압 및/또는 온도 처리에 적용되는 최대 온도는 적어도 26℃ 적어도 46℃ 적어도 76℃ 적어도 106℃ 적어도 260℃ 적어도 460℃ 적어도 600℃ 및 심지어 860℃ 이다. 일 실시 예에서, 최대 온도는 "관련 시간"(이전에 정의된 바와 같이) 동안 유지된다. 일 실시 예에서, "임계 시간"(기존에 정의된 바와 같이) 보다 낮게 유지되는 온도는 최대 온도로 간주되지 않는다. 일부 적용의 경우, 적용되는 최소 온도가 적절할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/또는 온도 처리에 적용되는 최소 온도는 - 29℃,- 2℃, 9℃, 16℃, 26℃ 및 심지어 76℃ 이다. 일부 적용의 경우, 적용되는 최소 온도가 특정 값보다 낮아야 한다. 다른 실시 예들에서, 가압 및/또는 온도 처리에 적용되는 최소 온도는 99℃ 미만, 49℃ 미만, 19℃ 미만, 1℃ 미만, -6℃ 미만, 및 심지어 -26℃ 미만이다.일부 적용의 경우, 적용되는 최소 온도는 특정 값 이상이어야 한다. 다른 실시 예들에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에서의 최소 온도는 적어도 -51℃ 적어도 -16℃ 적어도 0.1℃ 적어도 11℃ 적어도 26℃ 적어도 51℃ 그리고 심지어 적어도 91℃ 이다.일 실시 예에서, 최소 온도는 "관련 시간"(이전에 정의된 바와 같이) 동안 유지된다.　일 실시 예에서, "임계 시간"(이전에 정의된 바와 같이)보다 적게 유지되는 온도는 최소 온도로 간주되지 않는다. 일 실시 예에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에서의 온도는 압력 및/또는 온도 처리에서 압력을 가하기 위해 사용되는 가압 유체의 온도를 의미한다. 본 발명자는 일부 용도의 경우 압력 및/또는 온도 처리 중 가압 유체의 온도의 상당한 변화가 유리하다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 가압 유체의 가압 및/또는 온도 처리 시 최대 온도 변화도는 6℃ 초과, 11℃ 초과, 16℃ 초과, 21℃ 초과, 55℃ 초과, 105℃ 초과, 및 심지어 145℃ 초과이다. 일부 적용의 경우, 최대 온도 구배가 특정 값 이하로 제한되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 가압 유체의 가압 및/또는 온도 처리 시 최대 온도 구배는 380℃ 보다 낮고, 290℃ 보다 낮고, 245℃ 보다 낮고, 149℃ 보다 낮고, 94℃ 보다 낮고, 49℃ 보다 낮고, 24.4℃ 보다 낮고, 23℃ 보다 낮고, 및 심지어 19℃ 보다 낮다. 일부 적용의 경우, 최대 온도 구배가 일정 시간 동안 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 특정 시간은 적어도 1초, 적어도 21초, 그리고 심지어 적어도 51초이다. 일부 적용의 경우, 최대 온도 구배의 적용을 제한해야 한다. 다른 실시 예들에서, 특정 시간은 4분 미만, 1분 미만, 39초 미만, 19초 미만이다. 일 실시 예에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에서 달성되는 최대 압력 및 온도는 동시에 이루어진다.
상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다.
일부 적용의 경우, 최소 처리 시간이 필요하다. 다른 실시 예들에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리 시간은 적어도 1분, 적어도 6분, 적어도 25분, 적어도 246분, 적어도 410분, 및 심지어 적어도 1200분이다. 일부 적용의 경우, 과도한 처리 시간은 제조된 구성 요소의 기계적 성질을 악화시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/또는 온도 처리 시간은 119시간 미만, 47시간 미만, 23.9시간 미만, 12시간 미만, 2시간 미만, 54분 미만, 34분 미만, 24.9분 미만, 21분 미만, 14분 미만, 그리고 심지어 8분 미만이다.
일부 적용의 경우, 아래에 개시된 단계를 포함하는 압력 및/또는 온도 처리를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리는 다음과 같은 단계를 포함한다:
단계 i) 금형에 고압을 가한다;
단계 ii) 높은 압력 수준을 유지하면서 금형의 온도를 높인다;
단계 iii) 충분한 온도를 유지하면서 몰드에 가해진 압력 중 적어도 일부를 방출한다.
일부 특정 실시 예에서, ii) 및 ii) 단계는 선택적이므로 피할 수 있다. 일 실시 예에서, ii) 단계는 생략된다. 일 실시 예에서, iii) 단계는 생략된다.
일부 적용의 경우, i) 단계가 매우 중요하다. 어떤 용도에서는 압력을 가하기 위해 어떤 수단을 사용하는지가 중요하며, 어떤 방법은 압력 인가 속도에서 민감하며, 어떤 방법은 도달한 최대 압력 수준에서 민감하다. 발명자는 일부 응용 분야에서 그러한 변수들의 광범위한 결과에 놀랐다. 반면에,　어떤 적용들은 압력이 어떻게 가해지고 심지어 압력 수준에 도달했는지에 따라 다소 둔감하다. 일 실시 예에서, 압력은 입자 유동층을 통해 몰드에 적용된다. 일 실시 예에서, 압력은 유체를 통해 적용된다. 일 실시 예에서, 압력은 물을 포함하는 유체를 통해 적용된다.　일 실시 예에서, 압력은 유기재를 포함하는 유체를 통해 적용된다. 일 실시 예에서, 압력은 오일을 포함하는 유체를 통해 적용된다. 일 실시 예에서, 압력은 식물성 기름을 포함하는 유체를 통해 적용된다.　일 실시 예에서, 압력은 광물 오일을 포함하는 유체를 통해 적용된다.　일 실시 예에서, 압력은 액체를 통해 적용된다. 일 실시 예에서, 압력은 가스를 통해 적용된다.　일 실시 예에서, 압력은 액체를 포함하는 유체를 통해 적용된다. 일 실시 예에서, 압력은 가스를 포함하는 유체를 통해 적용된다. 일 실시 예에서, 금형에 고압을 가하는 것은 적절한 양의 최대 압력을 가하는 것을 의미한다. 일 실시 예에서, 충진 및 밀봉된 금형에 적절한 양의 최대 압력이 적용된다. 일 실시 예에서, 충진 및 밀봉된 금형에 적절한 양의 최대 압력이 관련 시간(기존에 정의된 바와 같이) 동안 적용된다. 일 실시 예에서, 용해로 또는 압력 용기 분위기의 적절한 탄소 전위는 "SGTE 케이스북 (제2판)"의 제II.15장 (강철의 열처리 중 탄소 전위)에서 Torsten Holm과 John Agren에 의해 수행된 것과 동일한 방법으로 시뮬레이션에 의해 결정된다. Woodhead Publishing.s의 Thermodynamics At Work는 일부 적용에서 ii) 및 iii) 단계를 건너뛸 수 있다고 설명했다. 일 실시 예에서, ii) 및 iii)단계를 생략할 때 일반적으로 더 높은 압력이 요구되지만, 이를 생략하지 않을 때도 일부 적용의 경우 더 높은 외관 밀도를 얻기 위해 더 높은 압력을 사용하는 것이 흥미롭다. 다른 실시 예들에서, 적정 최대 압력량은 410 MPa 이상, 510 MPa 이상, 601 MPa 이상, 655 MPa 이상, 그리고 심지어 820 MPa 이상이다. 놀랍게도, 일부 적용에서　i) 단계의 과도한 압력은 내부 결함을 초래하며, 복잡하고 큰 기하학적 구조의 경우 더욱 그러하다. 다른 실시 예들에서, 적정 최대 압력량은 1900 MPa 이하, 900 MPa 이하, 690 MPa 이하, 490 MPa 이하, 390 MPa 이하, 그리고 심지어 290 MPa 이하이다. 이러한 낮은 수준의 압력이 본 발명의 일부 분말 혼합물에 대해 견실한 최종 성분으로 이어진다는 것은 매우 놀라운 일이다. 일부 적용의 경우, 압력이 적용되는 방법은 얻어진 구성 요소의 견실성에 영향을 미친다. 달리 명시되지 않는 한, "단계적 방식으로 압력을 가하는 것"은 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전체에 정의된다. 일 실시 예에서, 상기 압력은 단계적인 방식으로 적용된다. 다른 실시 예들에서, 상기 제1 단계는 적정 최대 압력량의 최초 20%, 최초 15%, 최초 10% 및 심지어 최초 5% 내에서 수행된다. 다른 실시 예들에서, 상기 제1 단계 유지 시간은 적어도 2초, 적어도 5초, 적어도 15초, 적어도 55초, 그리고 심지어 적어도 5분이다. 다른 실시 예들에서, 첫 번째 단계 유지 시간 동안 인가된 압력은 ±5% 이하, ±15% 이하, ±55이하 및 심지어 ±75% 이하의 변화가 있다. 일 실시 예에서, 적어도 2개의 단계가 있다. 추가 실시 예에서는 적어도 3개의 단계가 있다. 일부 적용은 압력이 너무 빠르게 가해지면 어려움을 겪는다. 일 실시 예에서, i) 단계에서 충분히 낮은 속도로 압력이 적용된다. 달리 명시되지 않는 한, "충분히 낮은 비율"은 아래에 상세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전체에 정의된다. 일 실시 예에서, 압력은 적어도 초기 스트레치 내에서 충분히 낮은 속도로　적용된다. 다른 실시 예들에서, 충분히 낮은 비율은 980 MPa/s 이하, 98 MPa/s 이하, 9.8 MPa/s 이하, 0.98 MPa/s 이하, 0.098 MPa/s 이하, 그리고 심지어 0.009 MPa/s 이하이다. 낮은 속도가 필요한 일부 적용은 지나치게 낮은 속도를 받아들일 수 없다. 다른 실시 예들에서, 충분히 낮은 속도는 0.9 MPa/h 보다 높고, 9 MPa/h 보다 높고, 90 MPa/h 보다 높고, 900 MPa/h 보다 높고, 그리고 심지어 9000 MPa/h 보다 높다. 다른 실시 예들에서, 초기 스트레치는 적정 최대 압력량의 최초 5%, 최초 10%, 최초 25%, 최초 55% 및 심지어 최초 100%이다. 다른 실시 예들에서, 초기 스트레치는 첫 5 MPa, 첫 10 MPa, 첫 15 MPa, 첫 25 MPa, 및 심지어 첫 55 MPa이다. 실제로 일부 적용은 특히 첫 번째 스트레치에서 빠른 압력 속도 애플리케이션의 이점을 활용한다. 일 실시 예에서, 적어도 초기 스트레치(상술한 바와 동일한 의미) 내에서 충분히 높은 속도로 압력이 적용된다. 다른 실시 예들에서, 충분히 높은 비율은 0.09 MPa/s 이상, 0.9 MPa/s 이상, 9 MPa/s 이상, 그리고 심지어 90 MPa/s 이상이다. 일부 적용의 경우, 압력을 가하는 데 사용되는 유체가 뜨거울 때 압력 적용 장치에 밀봉되고 채워진 금형을 도입하는 것이 흥미로울 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 밀폐 및 충진 금형은 상기 압력을 가하기 위해 사용되는 유체가 뜨거울 때 상기 가압 적용 장치에 도입된다. 추가 실시 예에서, 상기 밀폐 및 충진 금형은 압력을 가하기 위해 사용되는 유체가 뜨거울 때 압력 적용 장치에 도입되지만, 몰드 내의 분말이 뜨거워지기 전에 압력의 적어도 일부가 적용되도록 한다. 추가 실시 예에서, 상기 밀폐 및 충진 금형은 압력을 가하기 위해 사용되는 유체가 뜨거우나, 금형 내의 분말이 뜨거워지기 전에 i) 단계에서 압력을 가하는 것을 확인할 때, 가압 적용 장치에 도입된다. 일 실시 예에서, 상기 압력 적용 장치는 적용된 압력을 적정량의 최대 압력까지 적절한 속도로 상승시킬 수 있고, 상기 ii) 단계에서 소망하는 온도에 도달할 수 있는 임의의 장치이다. 일 실시 예에서, 상기 압력 적용 장치는 적용된 압력을 적정량의 최대 압력으로 상승시킬 수 있는 임의의 장치이다. 다른 실시 예들에서, 상기 유체가 뜨겁다는 것은 35℃ 이상, 45℃ 이상, 55℃ 이상, 75℃ 이상, 105℃ 이상, 그리고 심지어 155℃ 이상의 온도를 갖는 것을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 상기 분말이 뜨거워지지 않는 것은 평균 온도가 145℃ 이하, 95℃ 이하, 45℃ 이하, 그리고심지어 35이하인 것을 의미한다. 일부 용도에서는 특정 온도가 선호된다. 다른 실시 예들에서, 상기 분말이 뜨거워지는 것은 35℃ 초과, 45℃ 초과, 95℃ 초과, 그리고 심지어 145℃ 이상의 평균 온도를 갖는 것을 의미한다.
일부 응용에서 충전 겉보기 밀도는 i) 단계의 금형에 가해지는 최대 압력과 분말의 평균 온도로 잘 조절되어야 한다는 것이 발견되었다. 일 실시 예에서 다음 규칙은 단계 i 내의 어떤 지점에서 적용된다: MPID＜ LLMPI일 때, MAD + RFT1 * MTI ＜ LADT1 또는 MAD - RFP1 * MPID＜ LPT1; LLMPI ≤MPID ＜ HLMPI일 때: MAD + RFT2 * MTI ＜ LADT2 또는 MAD - RFP2 * MPID ＜ LPT2; HLMPI≤ MPID일 때: MAD + RFT3 * MTI ＜ LADT3 또는 MAD + RFP3 * MPID ＜ LPT3; 여기서 LLMPI, HLMPI, RFT1, LADT1, RFP1, LPT1, RFT2, LADT2, RFP2, LPT2, RFT3, LADT3, RFP3와 LPT3가 파라미터다; MPID = 3√MaxPresD- 5.84803548, 그리고 Max-PresD는　i) 단계에서 가해지는 최대 압력이다; MAD = 1/ (AD)3, 여기서 AD는 금형 내 분말의 평균 겉보기 충전 밀도이다. MTI = 3√TP - 6.83990379와 TP는 분말의 평균 절대 온도이다. 다른 실시 예들에서, LLMPI는 -1.367, -1.206, -0.916, -0.476 및 심지어 -0.308이다. 다른 실시 예들에서, HLMPI는 0.366, 0.831, 1.458, 2.035, 2.539, 그리고 심지어 2.988이다. 다른 실시 예들에서, RFT1는 0.3, 0.8, 1.0, 2.3 그리고 심지어 4.3이다. 다른 실시 예들에서, LADT1는 6.0, 3.5, 3.0, 2.8, 2.5, 2.0 그리고 심지어 1.5이다. 다른 실시 예들에서, RFP1는 0.2, 0.9, 1.6, 2.2, 그리고 심지어 3.0이다. 다른 실시 예들에서, LPT1는 8.0, 5.0, 4.0, 3.0, 2.5, 그리고 심지어 2.0이다. 다른 실시 예들에서, RFT2는 0.3, 0.8, 1.0, 2.3, 3.3, 4.5, 그리고 심지어 6.3이다. 다른 실시 예들에서, LADT2는 5.5, 3.5, 3.25, 3.0, 2.8, 2.5, 2.0, 1.5 그리고 심지어 1.0이다. 다른 실시 예들에서, RFP2는 0.2, 1.0, 1.6, 2.2, 3.0, 5.0 그리고 심지어 7.0이다. 다른 실시 예들에서, LPT2는 7.4, 7.0, 5.0, 4.1, 3.5, 2.0, 1.0, 그리고 심지어 0.0이다. 다른 실시 예들에서, RFT3는 0.3, 0.8, 1.0, 2.3 그리고 심지어 4.3이다. 다른 실시 예들에서, LADT3는 6.0, 3.5, 3.0, 2.8, 2.5, 2.0 그리고 심지어 1.5이다. 다른 실시 예들에서, RFP3는 0.4, 1.1, 2.0, 3.2, 그리고 심지어 4.5이다. 다른 실시 예들에서, LPT3는 20.0, 16.5, 14.0, 10.0, 7.2, 6.0, 5.2, 그리고 심지어 3.0이다. 일 실시 예에서, AD는 몰드 내의 분말의 겉보기 충진 밀도이다. 추가 실시 예에서, AD는 균형 잡힌 겉보기 밀도이다. 일 실시 예에서, TP는 단계 i)의 분말의 평균 온도이다. 추가 실시 예에서, TP는 i) 단계에서 분말의 최대 온도이다. 일 실시 예에서, 이전 규칙에서 MPID의 다음 값은 허용되지 않는다: HLMPI≤ MPID. 일 실시 예에서, 이전 규칙에서 MPID의 다음 값은 허용되지 않는다: MPID＜ LLMPI. 일 실시 예에서, 이전 규칙에서 MPID의 다음 값은 허용되지 않는다: HLMPI≤ MPID＜ LLMPI.
그 발명가는 i) 단계가 많은 응용 분야에서 놀라울 정도로 캐피탈(capital)이라는 것을 발견했다. 사실, 그것은 매우 반-직관적이다. 금형의 온도가 상승한 후 압력이 가해지는 시퀀스가 훨씬 더 잘 작동하기를 기대하지만, ii) 및 i) 단계를 전환하면 금형이 구성 요소 자체에 유입되기 때문에 내부 결함이 있는 구성 요소가 발생한다는 사실을 발견했다. 적어도 일부 간단한 기하학적 구조의 경우 보호 중간 레이어를 도입하여 수정한 사례이지만 내부 결함 중 몇 가지만 방지하고 어떠한 견실한 구성 요소도 달성할 수 없다. 일부 적용의 경우, 특히 구성 요소들이 작을 때, 이러한 안전성의 부족은 때때로 해롭지 않지만, 물론 본 발명에서 추구하는 대부분의 적용들에 있어서는 허용할 수 없을 정도로 해롭다.
일부 적용의 경우, ii) 단계가 매우 중요하며 관련 파라미터의 값을 적절하게 제어해야 한다. 일 실시 예에서, ii) 단계에서 적절한 압력 레벨을 유지하면서 금형의 온도를 상승시킨다. 일 실시 예에서, 몰드의 온도는 압력을 가하는 유체를 가열함으로써 상승한다. 일 실시 예에서, 온도는 적어도 방사선을 통해 상승한다. 일 실시 예에서, 온도는 적어도 대류를 통해 상승한다. 일 실시 예에서, 온도는 적어도 전도를 통해 상승한다. 달리 명시되지 않는 한, 특징 "금형의 온도"는 아래에서 자세히 설명하는 다른 대안들의 형태로 압력 및/또는 온도 처리 전반에 걸쳐 정의된다. 일 실시 예에서, 금형의 온도는 제공되는 금형의 평균 온도를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 금형의 온도는 금형에 포함된 분말의 평균 온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 금형의 온도는 금형에 압력을 가하는 유체의 평균 온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 금형의 온도는 금형에 압력을 가하는 유체의 평균 온도 및 금형 또는 금형 실링으로부터 5 mm 이내를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 금형의 온도는 금형에 압력을 가하는 유체의 평균 온도 및 금형 또는 금형 밀봉으로부터 25 mm 이내를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 금형의 온도는 충진된 금형의 무게 중심에서의 온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 금형의 온도는 충전된 금형의 기하학적 중심부의 온도를 의미한다. 다른 실시 예들에서, 금형의 온도는 320K 이상, 350K 이상, 380K 이상, 400K 이상, 430K 이상, 나아가 심지어 480K 이상으로 상승한다. 일부 용도에서는 금형의 온도가 과도하지 않도록 하는 것이 중요한다. 다른 실시 예들에서,, ii) 단계의 금형의 온도는 690K 미만, 660K 미만, 560K 미만, 510K 미만, 470K 미만, 및 심지어 420K 미만으로 유지된다. 일부 용도의 경우 ii) 단계에서 금형을 상승시키는 온도를 금형의 제조에 사용되는 재료와 관련시키는 것이 중요하다. 다른 실시 예들에서, 금형의 온도는 금형 재료의 0.6*1.82 MPa HDT 이상으로 상승하고, 1.2*1.82 MPa HDT 이상으로 상승하며, 나아가 앞서 정의한 바와 같이 금형 재료의 1.6*1.82 MPa HDT 이상으로 상승하며, 이때 1.82 MPa HDT는 이전에 정의한 것과 같다. 다른 실시 예들에서, 금형의 온도는 금형 재료의 0.6*0.455 MPa HDT 이상으로 상승하고, 1.4*0.455 MPa HDT 이상으로 상승하며, 나아가 앞서 정의한 바와 같이 금형 재료의 2.2*0.455 MPa HDT 이상으로 상승하며, 이때 0.455 MPa HDT는 이전에 정의한 것과 같다. 일 실시 예에서, HDT를 사용한 계산은 섭씨도로 표현된 온도로 수행된다. 대안적 일 실시 예에서, HDT를 사용한 계산은 켈빈도로 표현된 온도로 수행된다. 일 실시 예에서, HDT가 다른 둘 이상의 상을 가진 금형 재료의 경우,　관련 부품(이전에 정의된 바와 같이) 중 가장 낮은 값을 취한다. 대안적 일 실시 예에서 HDT가 다른 둘 이상의 상을 가진 금형 재료의 경우, 관련 부품(기존에 정의된 바와 같이) 중 가장 높은 값을 취한다. 추가 대안적 실시 예에서는 HDT가 다른 둘 이상의 상을 가진 금형 재료의 경우 모든 관련 부품(기존에 정의된 바와 같이)의 평균값을 취한다. 추가 대안적 실시 예에서, HDT가 다른 둘 이상의 상을 갖는 금형 재료의 경우, HDT가 가장 낮은 금형의 고분자 상의 대부분(기존에 정의된 바와 같이)을 구성하는 모든 부분의 평균값을 취한다. 추가 대안적 실시 예에서, HDT가 다른 둘 이상의 상을 갖는 금형 재료의 경우, HDT가 가장 높은 금형의 고분자 상의 대부분(기존에 정의된 바와 같이)을 구성하는 모든 부분의 평균값을 취한다. 이 맥락에서 달리 명시되지 않는 한, 평균값은 이 맥락에서 달리 명시되지 않는 한, 평균값은 가중 산술 평균을 의미하며, 여기서 가중치는 부피 분율이다. 대안적 일 실시 예에서 HDT는 결정성 또는 준결정성 고분자의 용융 온도로 대체된다. 다른 실시 예들에서, ii)단계의 금형의 온도는 0.73*Tm 미만, 0.48*Tm 미만, 0.38*Tm 미만, 그리고 심지어 0.24*Tm 미만으로 유지되며, 이때 Tm은 녹는점이 가장 낮은 해당 분말의 녹는 온도이다. 다른 실시 예들에서, ii)단계의 금형의 온도는 0.68*Tm 이하, 0.48*Tm 이하, 0.42*Tm 이하, 0.34*Tm 이하, 그리고 심지어 0.24*Tm 미만으로 유지되며, 이때 Tm은 녹는점이 가장 높은 관련 분말(앞서 정의한 바와 같이)의 녹는 온도이다. 일 실시 예에서, 관련 분말은 LP 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 의미한다. 일 실시 예에서, 관련 분말은 SP 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 의미한다.　일 실시 예에서, 관련 분말은 P1, P2, P3 및/또는 P4 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 의미한다. 일 실시 예에서, 관련 분말은 경도가 낮은 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 의미한다. 일 실시 예에서, 관련 분말은 경도가 높은 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 의미한다. 일부 적용의 경우, ii) 단계에서 달성한 최대 관련 온도와 관련이 있다.일 실시 예에서, ii) 단계에서 달성되는 최대 관련 온도는 190℃ 이하, 140℃ 이하, 120℃ 이하, 90℃ 이하, Tm+50℃ 이하, Tm+30℃ 이하, Tm+10℃ 이하, Tm 이하, 그리고 심지어 Tm-20℃ 이하이다. 일 실시 예에서, 상기 Tm은 상기 성분을 형성하기 위해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물의 용융 온도이다. 대안적 일 실시 예에서, Tm은 금형에 포함된 물질의 용융 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 금형의 관련 부분(기존에 정의된 바와 같이)의 용융 온도이다. 대안적 일 실시 예에서, Tm은 금형의 용융 온도이다. 달리 명시되지 않는 한, 특징 "관련 온도"는 아래에 상세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전체에 정의된다. 다른 실시 예들에서, 관련 온도는 1초 초과, 20초 초과, 2분 초과, 11분 초과, 그리고 심지어 1시간 10분 초과 유지되는 온도를 의미한다. 일부 실시 예에서, ii) 단계에서 적용되는 최대 관련 온도는 ii) 단계에서 적용되는 최대 온도이다.
앞서 밝혀진 바와 같이, ii) 단계에서 적정 압력 수준을 유지하면서 금형의 온도를 상승시킨다. 일 실시 예에서, 올바른 압력 레벨은 ii) 단계에서 금형에 가해지는 최소 압력을 의미한다. 추가 실시 예에서, 올바른 압력 레벨은 ii) 단계에서 금형에 가해지는 최대 압력을 의미한다. 추가 실시 예에서,　올바른 압력 레벨은 ii) 단계에서 금형에 가해지는 압력을 의미한다. 추가 실시 예에서,　올바른 압력 레벨은 단계 ii)에서 금형에 가해지는 평균 압력(시간 가중치)을 의미한다. 다른 실시 예들에서, ii) 단계의 적정 압력 레벨은 0.5 MPa 이상, 5.5 MPa 이상, 10.5 MPa 이상, 21 MPa 이상, 105 MPa 이상, 160 MPa 이상, 그리고 심지어 215 MPa 이상이다. 일부 적용의 경우, 이 단계에서 과도한 압력이 바람직하지 않은 왜곡을 초래하는 것으로 확인되었다. 다른 실시 예들에서, ii) 단계의 적정 압력 레벨은 1300 MPa 이하, 990 MPa 이하, 860 MPa 이하, 790 MPa 이하, 490 MPa 이하, 390 MPa 이하, 290 MPa 이하, 190 MPa 이하, 90 MPa 이하, 그리고 심지어 39 MPa 이하이다. 일부 용도의 경우 ii) 단계 내에서 금형의 최대 온도와 올바른 압력 수준 사이에 특정 관계가 유지된다는 점이 흥미롭다. 일 실시 예에서, 올바른 압력 수준은 MSELP*[℃로 표시되는 단계 i)의 금형 최대 온도]와 MSEHP*[℃로 표시되는 단계 i)의 금형 최대 온도] 사이에 유지된다. 다른 실시 예들에서, MSELP는 0.005, 0.02, 0.1, 0.25 및 심지어 0.5이다. 다른 실시 예들에서, MSEHP는 0.6이다. 다른 실시 예에서, MSEHP는 1.0, 2.0, 4.0 및 심지어 7.0이다.
본 발명이 복잡한 기하학적 구조를 얻는데 효과가 있다는 것은 매우 놀라운 사실이며, 이미 노출된 이유로 내부 특징을 구성하는 경우에는 더욱 그러하다. 당연히, 프로세스 윈도우(process window)는 상당히 작으며 종종 기하학에 따라 달라진다. 복잡한 기하학적 구조의 경우 i) 및 ii) 단계에 표시된 압력 및 온도 수준을 달성할 때 복잡한 전략을 적용하는 것이 균열 없는 구성 요소의 획득에 종종 도움이 되는 것으로 확인되었다. 실제 수준 외에 압력과 온도가 적용되는 방법은 최종 구성 요소에서 달성할 수 있는 정확도와 일부 기하학적 구조의 결점 부족 모두에 놀랄 만큼 강력한 영향을 미치는 것으로 밝혀졌다. 이러한 전략 중 하나는 계단 방식에 압력 및 온도를 적용하는 것으로 구성되며, 계단 방식은 금형에 사용되는 고분자 물질 중 적어도 하나의 고유 특성과 관련이 있다. 일 실시 예에서, 다음의 단계들이 사용된다:
단계 A1: 온도를 충분히 낮게 유지하면서 충분히 높은 레벨에서 압력을 높인다;
단계 B1: 온도를 특정 레벨로 올리고 주어진 시간 동안 온도를 해당 레벨로 유지한다;
단계 C1: 압력을 특정 레벨로 올리고 주어진 시간 동안 해당 레벨로 유지한다;
단계 D1(선택): 단계 B1, C1 또는 두 단계를 모두 다른 압력 및 온도 수준에서 한 번 이상 반복한다;
단계 E1(선택): 일반 단계 ii)을 진행하기 전에 압력과 온도가 일반 단계 i)에 대해 정의된 수준인지 확인한다.
다른 실시 예들에서, 단계 A1에서의 충분히 높은 압력 레벨은 55 bar 이상, 105 bar 이상, 155 bar 이상, 455 bar 이상, 그리고 심지어 655 bar 이상이다. 일부 적용의 경우, 고압 레벨을 제한해야 한다. 다른 실시 예들에서, 단계 A1에서의 충분히 높은 압력 레벨은 6400 bar 이하, 2900 bar 이하, 1900 bar 이하, 1600 bar 이하, 1200 bar 이하, 990 bar 이하, 그리고 심지어 840 bar 이하이다. 일 실시 예에서, 상기 A1단계에서 충분히 낮은 온도 레벨은 금형 이하의 고분자의 임계 온도이다. 추가 실시 예에서, 상기 A1단계에서 충분히 낮은 온도 레벨은 몰드 고분자의 임계 온도의 84% 이하이다. 추가 실시 예에서, 상기 A1단계에서 충분히 낮은 온도 레벨은 몰드 고분자의 임계 온도의 75% 이하이다. 달리 명시되지 않는 한, 특징 "임계 온도"는 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 단락 전체에 걸쳐 정의된다. 일 실시 예에서, 상기 고분자의 임계 온도는 1.82 MPa HDT(기존에 정의된 바와 같이)를 의미한다. 추가 실시 예에서, 상기 고분자의 임계 온도는 0.455 MPa HDT(기존에 정의된 바와 같이)를 의미한다. 추가 실시 예에서, 상기 고분자의 임계 온도는 금형의 고분자의 Tg 또는 그 이하이다. 추가 실시 예에서, 상기 고분자의 임계 온도는 금형의 고분자의 Vicat 온도 또는 그 이하이다. 일 실시 예에서, 금형의 고분자는, 하나 이상 존재하는 경우, 부피 분율이 더 높은 고분자이다. 대안적 일 실시 예에서, 금형의 고분자는, 하나 이상이 존재하는 경우, 더 높은 중량 분율을 갖는 고분자이다. 추가 대안적 실시 예에서, 금형의 고분자는 하나 이상이 존재할 때, 부피 분율을 중량 인자로 사용하여 가중평균은 부피분율이다. 다른 실시 예들에서, 단계 B1의 온도에 대한 상위는 임계 온도의 2.4배, 1.4배, 1배, 그리고 심지어 0.8배이다. 다른 실시 예에서, 단계 B1의 온도에 대한 낮은 레벨은 0.2배, 임계 온도 0.4배, 임계 온도 0.8배, 심지어 임계온도(기존에 정의된 바와 같이)이다. 다른 실시 예들에서, 단계 B1에서 원하는 수준으로 온도를 유지하는 시간은 3분 이상, 16분 이상, 32분 이상, 65분 이상, 그리고 심지어 160분 이상이다. 일부 적용의 경우, 지나치게 긴 시간은 불리하다. 다른 실시 예들에서, 상기 B1단계에서 원하는 수준으로 온도를 유지하는 시간은 27시간 미만, 9시간 미만, 심지어 6시간 미만이다. 다른 실시 예들에서, 단계 C1에 대한 압력의 상부 레벨은 6400 bar, 2900 bar, 2400 bar, 1900 bar, 및 심지어 990 bar이다. 다른 실시 예들에서, 단계 C1의 낮은 압력 레벨은 310 bar 이상, 610 bar 이상, 1100 bar 이상, 1600 bar 이상, 및 심지어 2100 bar 이상이다. 다른 실시 예들에서, 단계 B1에서 압력을 원하는 수준으로 유지하는 시간은 3분 이상, 16분 이상, 32분 이상, 65분 이상, 심지어 160분 이상이다. 일부 적용의 경우, 지나치게 긴 시간은 불리하다. 다른 실시 예들에서, 단계 B1에서 압력을 원하는 수준으로 유지하는 시간은 26시간 이하, 12시간 이하, 8시간 이하, 5시간 이하, 심지어 2시간 이하이다. 일부 적용의 경우, 층계의 단계를 정의하기 위해 온도 값으로 작업하는 것이 더 바람직하며, 금형 구성에 사용되는 고분자의 고유 특성과 관련되지 않는 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, 상기 단계 A1의 충분히 낮은 온도 레벨은 190℃ 이하, 140℃ 이하, 90℃ 이하, 그리고 심지어 40℃ 이하이다. 다른 실시 예들에서, 단계 B1의 온도에 대한 높은 레벨은 190℃ , 159℃, 139℃ 및 심지어 119℃이다. 다른 실시 예들에서, 단계 B1의 온도에 대한 낮은 레벨은 35℃, 45℃, 64℃, 84℃ 및 심지어 104℃ 이다.
일부 적용의 경우, iii) 단계는 제조된 구성 요소의 내부 결함을 방지하기 위해 매우 중요하다. 일 실시 예에서, 충분한 온도를 유지하면서, 상기 iii) 단계에서 몰드에 가해지는 압력의 적어도 일부가 방출된다. 일 실시 예에서, 금형의 온도는 ii) 단계와 동일한 의미를 갖는다. 다른 실시 예들에서, 상기 iii)단계에서 충분히 높은 온도는 320K 이상, 350K 이상, 380K 이상, 400K 이상, 500K 이상을 의미한다. 일부 용도에서는 금형의 온도가 과도하지 않도록 하는 것이 중요하다. 다른 실시 예들에서, iii) 단계의 금형의 온도는 690K 미만, 660K 미만, 560K 미만, 510K 미만, 470K 미만, 및 심지어 420K 미만으로 유지된다. 일부 용도의 경우 iii) 단계에서 금형이 유지되는 온도를 금형의 제조에 사용되는 재료와 관련시키는 것이 중요하다. 일 실시 예에서, 금형의 온도는 앞서 정의한 바와 같이 1.82 MPa H DT로, 금형 재료의 0.58*1.82 MPa HDT 이상으로 유지된다. 추가 실시 예에서, 금형의 온도는 앞서 정의한 바와 같이 1.82 MPa H DT로, 금형 재료의 1.15*1.82 MPa HDT 이상으로 유지된다. 추가 실시 예에서, 금형의 온도는 앞서 정의한 바와 같이 1.82 MPa H DT로, 금형 재료의 1.55*1.82 MPa HDT 이상으로 유지된다. 일 실시 예에서, 금형의 온도는 앞서 정의한 바와 같이 0.455 MPa HDT인 몰드 물질의 0.6*0.455 MPa HDT이다. 추가 실시 예에서, 금형의 온도는 앞서 정의한 바와 같이 0.455 MPa HDT인 몰드 물질의 1.4*0.455 MPa HDT이다. 추가 실시 예에서, 금형의 온도는 앞서 정의한 바와 같이 0.455 MPa HDT인 몰드 물질의 2.2*0.455 MPa HDT이다. 일 실시 예에서, 본 발명의 이러한 면에서, HDT를 이용한 계산은 섭씨도로 표현되는 온도로 이루어진다. 일 실시 예에서, 본 발명의 이러한 면에서, HDT를 이용한 계산은 켈빈도로 표현되는 온도로 이루어진다. 일 실시 예에서, HDT가 다른 하나 이상의 단계를　가진 금형 재료의 경우, 관련 부품(이전에 정의된 바와 같이) 중 가장 낮은 값을 취한다. 일 실시 예에서, HDT가 다른 하나 이상의 단계를 가진 금형 재료의 경우, (기존에 정의된 바와 같이) 관련 부품 중 가장 높은 값을 취한다. 일 실시 예에서, HDT가 다른 하나 이상의 단계를 가진 금형 재료의 경우, 모든 관련 부품(이전에 정의된 대로)의 평균 값을 취한다. 이 측면에서 평균값은 가중 산술 평균을 의미하며, 여기서 가중치는 부피 분율이다. 일 실시 예에서, HDT가 다른 하나 이상의 단계를 가진 금형 재료의 경우, HDT가 가장 낮은 금형의 고분자 상의 대다수(기존에 정의된 바와 같이)를 구성하는 모든 부분의 평균값을 취한다. 일 실시 예에서, HDT가 다른 하나 이상의 단계를 가진 금형 재료의 경우, HDT가 가장 높은 금형의 고분자 상의 대다수(기존에 정의된 바와 같이)를 구성하는 모든 부분의 평균값을 취한다. 일 실시 예에서, HDT는 ISO 75-1:2013 표준에 따라 결정된다.대안적 일 실시 예에서, HDT의 값은 ASTM D648-07 표준 시험 방법에 따라 결정된다.일 실시 예에서, HDT는 50℃/h의 가열 속도로 결정된다. 추가 대안적 실시 예에서, ULIDES Prospector Plastic Database에서 29/01/2018에 가장 가까운 소재에 대해 보고된 HDT가 사용된다. 대안적 일 실시 예에서, HDT는 결정성 또는 준결정성 고분자의 용융 온도로 대체된다. 다른 실시 예에서, 금형의 온도는 녹는점이 가장 낮은 관련 분말(기존에 정의된 바와 같이)의 0.73*Tm 미만, 0.48*Tm 미만, 0.38*Tm 미만, 0.24*Tm 미만으로 유지된다. 다른 실시 예에서, 금형의 온도는 녹는점이 가장 높은 관련 분말(기존에 정의된 바와 같이)의 0.68*Tm 미만, 0.48*Tm 미만, 0.42*Tm 미만, 0.34*Tm 미만, 및 심지어0.24*Tm 미만으로 유지된다. 이 맥락에서 Tm은 켈빈 단위의 절대적 용해 온도이다. 일 실시 예에서, 관련 분말은 LP 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 의미한다. 일 실시 예에서, 관련 분말은 SP 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 의미한다. 일 실시 예에서, 관련 분말은 P1, P2, P3 및/또는 P4 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 의미한다. 일 실시 예에서, 관련 분말은 가장 단단한 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 의미한다. 일 실시 예에서, 관련 분말은 가장 부드러운 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 의미한다. 일 실시 예에서, 관련 분말은 경도가 낮은 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 의미한다. 일 실시 예에서, 관련 분말은 경도가 높은 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 의미한다. 일부 적용의 경우, iii) 단계에서 달성한 최대 관련 온도와 더 관련이 있다. 일 실시 예에서, 상기 단계 iii)에서 달성되는 최대 관련 온도(기존에 정의된 바와 같이)는 190℃ 이하, 140℃ 이하, 120℃ 이하, 90℃ 이하, Tm+50℃ 이하, Tm+30℃ 이하, Tm+10℃ 이하, Tm 이하, 그리고 심지어 Tm-20℃ 이하이다.일 실시 예에서, 상기 Tm은 상기 성분을 형성하기 위해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물의 용융 온도이다. 일 실시 예에서, Tm은 금형에 포함된 물질의 용융 온도이다. 대안적 일 실시 예에서, Tm은 금형의 관련 부분(기존에 정의된 바와 같이)의 용융 온도이다. 대안적 일 실시 예에서, Tm은 금형의 용융 온도이다. 일부 실시 예에서, iii) 단계에서 적용되는 최대 관련 온도는 iii) 단계에서 적용되는 최대 온도이다. 달리 명시되지 않는 한, "iii) 단계의 몰드 가압력에 대한 적어도 일부를 방출"은 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전체에 정의된다. 다른 실시 예들에서, 상기 iii) 단계에서 몰드 가압력에 대한 적어도 일부를 방출하는 것은, 상기 i) 단계에서 달성되는 최고값에 대하여 압력이 적어도 5% 이상, 10% 이상, 20% 이상, 40% 이상, 60% 이상, 심지어 80% 이상 낮아지는 것을 의미한다. 일 실시 예에서, 윗줄에서 기재된 압력의 저하율은 i) 단계뿐만 아니라 i), ii) 단계 또는 iii) 단계 중 어느 하나, 따라서 이들 중 어느 하나에서 달성되는 최고 압력을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 상기 압력은 상기 i) 단계에서 달성되는 최고값에 대하여 0.6 MPa 이상, 2 MPa 이상, 10 MPa 이상, 그리고 심지어 60 MPa 이상 낮아진다. 일부 적용의 경우, iii) 단계에서 달성되는 압력 수준이 백분율 감소보다 중요하다. 일 실시 예에서 iii) 단계는 다음과 같이 읽어야 한다: 압력 수준이 390 MPa 미만, 90 MPa 미만, 19 MPa 미만, 9 MPa 미만, 4 MPa 미만, 0.4 MPa 미만, 및 심지어0.2 MPa 미만이 되도록 충분히 높은 온도를 유지하면서 적어도 일부의 압력을 금형에 가해야 한다. 일 실시 예에서, 모든 압력은 iii) 단계 내에서 제거된다. 일부 적용은 특히 구성 요소의 내부 결함에 있어 iii) 단계의 압력을 방출하기 위해 사용되는 비율에 상당히 민감하다. 일 실시 예에서, 압력은 적어도 최종 스트레치 내에서 충분히 낮은 속도(기존에 정의된 바와 같이)로 방출된다. 일 실시 예에서, 최종 스트레치는 최종 2%, 최종 8%, 최종 12%, 최종 18%, 심지어 최종 48%와 관련이 있다. [i), ii) 또는 iii) 단계에서 금형에 가해지는 최고 압력과 iii) 단계에서 금형에 가해지는 최소 압력을 초기 포인트로 취한다.] 일 실시 예에서, 최종 스트레치는 최종 0.1 MPa, 최종 0.4 MPa, 최종 0.9 MPa, 최종 1.9 MPa, 및 심지어 최종 9 MPa와 관련이 있다[iii 단계에서 금형에 적용되는 최소 압력에 도달하기 전].
일 실시 예에서, 상기 iii) 단계 이후에, 상기 iii) 단계에서 아직 실시하지 않은 경우, 몰드에 가해진 압력이 완전히 해제된다. 일 실시 예에서, 상기 iii) 단계 이후, 상기 iii) 단계에서 설명한 바와 같은 압력 방출 속도로 동일한 주의를 기울여 금형에 가해진 압력을 완전히 방출한다. 일 실시 예에서, 상기 iii) 단계 이후, 상기 iii) 단계에서 설명한 바와 같은 압력 방출 단계와 동일한 방식으로 몰드에 가해진 압력을 완전히 방출한다. 일 실시 예에서, 상기 iii) 단계 이후에, 상기 iii) 단계에서 아직 수행되지 않은 경우, 몰드의 온도는 주변 값에 근접하도록 떨어지게 한다. 일 실시 예에서, 상기 iii) 단계 이후에, 상기 iii) 단계에서 아직 실시하지 않은 경우, 상기 금형은 98℃ 이하로 떨어지게 한다. 추가 실시 예에서는, 상기 iii) 단계 이후에, 상기 iii) 단계에서 아직 실시하지 않은 경우, 몰드의 온도를 48℃ 미만으로 떨어뜨린다. 추가 실시 예에서는, 상기 iii) 단계 이후에, 상기 iii) 단계에서 아직 실시하지 않은 경우, 몰드의 온도를 38℃ 미만으로 떨어뜨린다. 일 상기 iii) 단계 이후, 상기 iii) 단계에서 아직 실시하지 않은 경우, 상기 금형의 온도는 하기 방법 단계를 수행하기에 편리한 값까지 떨어지도록 한다.
본 발명에 요구되는 i)단계부터 iii)단계의 공정이 다른 기존의 고압-중온(0.5*Tm이하 및 매우 자주 0.3*Tm 이하) 공정보다 훨씬 긴 것에 놀랄 필요가 있다. 일 실시 예에서, i)단계부터 iii) 단계의 총 시간은 22분 이상, 190분 이상, 410분 이상이다. 일부 적용의 경우, 그다지 긴 시간이 선호되지 않는다. 다른 실시 예들에서, 상기 i) 내지 iii) 단계의 총 시간은 47시간 미만, 12시간 미만, 그리고 심지어 7시간 미만이다. i)단계부터 iii) 단계에 사용되는 공정의 또 다른 유일한 전반적인 특성은 공정 내에서 발생하는 가압 유체의 온도 변화가 크다는 것이다. 공정 중에　가압 유체의 온도가 크게 변동되는 WIP 또는 CIP는 보고되지 않는다. 동일한 WIP 장비는 120℃ 의 가압 유체 온도와 90℃ 의 가압 유체 온도의 두 가지 다른 작업을 같은 날에 수행할 수 있지만 각 작업 내에서 가압 유체의 온도 변화는 무시할 수 있다. 다른 실시 예들에서, i) 단계부터 iii) 단계의 가압 유체 최대 온도 구배는 25℃ 이상, 55℃ 이상, 105℃ 이상이다. 일부 적용의 경우, 지나치게 높은 온도 구배를 피해야 한다. 다른 실시 예들에서, i)단계부터 iii) 단계의 가압 유체 최대 온도 구배는 245℃ 이하, 195℃ 이하, 그리고 심지어 145℃ 이하이다.
일부 적용의 경우, 금형을 채우는 데 사용되는 분말 혼합물과 금형 제조에 사용되는 물질에 대해 매우 정밀한 선택이 이루어진다면, 경우에 따라서는 방법 단계 ii) 및 iii)를 피할 수 있다. 경우에 따라 특히 방법 단계　ii)과 단계 iii)을 건너뛰었을 때 방법 단계　i) 후 압력 방출 방법, 특히 압력 방출 속도에 대해 각별한 주의를 기울여야 한다. 일부 적용의 경우, ii) 및 iii)단계를 건너뛸 때 금형의 보이드 내부 기능이 i)단계에서 금형에 가해지는 압력을 받도록 각별히 주의해야한다. 일 실시 예에서, ii) 및 iii) 단계는 존재하지 않는다. 일 실시 예에서, 상기 ii)단계 및 iii)단계는 상기 i)단계에서 몰드에 가해지는 압력의 적어도 일부에 대한 방출로 제한된다. 일 실시 예에서, 본 항에서 설명된 조건 중 적어도 일부가 충족되는 경우, ii) 및 iii) 단계는 설명된 바와 같이 존재하지 않는다.　AM을 통해 얻은 재료의 특성을 개선하기 위해 지난 몇 년 동안 여러 가지 노력이 적용되었다. 본 발명자는 본 항에서 논의된 본 발명의 양상에서 놀랍게도, 금형을 제조할 때, 의도적으로 매우 성능이 떨어지는 재료를 선택하거나 기계적 성질이 좋지 않은 공극과 건설적인 결함까지도 의도적으로 겨냥하는 것이 편리하다는 것을 발견했다. 사실, 본 항에서 논의되는 본 발명의 측면에서는, 금형에 고성능 재료를 사용하는 경우, i) 단계에서 금형에 가해지는 압력을 금형에 가하는 보이드 내부 특징이 받도록 더욱 주의를 기울여야 하고, 압력이 방출되는 방법, 적절한 충전(filling) 속도 및/또는 특수 분말 혼합물을 사용하는 방법에 각별히 주의해야 한다. 일 실시 예에서, 본 발명의 방법은 아래에 개시된 바와 같은 단계를 더 포함한다.　일 실시 예에서, ii) 및 iii) 단계를 생략할 경우, 다음 중 적어도 하나가 발생해야 한다:
I. 금형의 인장 강도가 낮다;
II. 금형의 탄성 계수가 높다;
III. 변형률이 낮아지면 금형의 인장 강도가 크게 떨어진다;
IV. 금형의 충전재는 높은 충전 밀도로 제조된다;
V. 금형의 보이드 내부 특징은 금형에 압력을 가할 수 있다;
VI. 혼합물은 SP형 분말의 함량이 높아야 한다;
VII. 압력이 iii) 단계에 설명된 대로 방출된다.
위에서 설명한 기능의 의미 및 관련 수치는 이 문서의 다른 부분에 설명되어 있다. 다른 실시 예들에서, 낮은 인장강도는 99 MPa 이하, 49 MPa 이하, 34 MPa 이하, 29 MPa 이하, 19 MPa 이하, 14 MPa 이하, 그리고 심지어 9 MPa 이하이다. 다른 실시 예들에서, 높은 탄성계수는 1.06 GPa 초과, 1.12 GPa 초과, 1.28 GPa 초과, 1.46 GPa 초과, 1.77 GPa 초과, 그리고 심지어 2.08 GPa 초과한다. 일부 용도에서는 높은 탄성 계수를 제한해야 한다. 다른 실시 예들에서, 높은 탄성 계수는 6 GPa 미만, 4 GPa 미만, 3.2 GPa 미만, 2.9 GPa 미만, 그리고 심지어 1.9 GPa 미만이다. 일 실시 예에서, 낮은 인장 강도의 값은 적절한 변형률로 측정된다. 다른 실시 예들에서,적절한 변형률은2500 s-1, 500 s-1, 50 s-1, 1.0 s-1, 1*10-2 s-1, 및 심지어1*10-3 s-1이다. 일 실시 예에서, 상기 개시된 인장 강도의 값은 상온이다. 일 실시 예에서 포인트 (II)은: 금형이 낮은 탄성 계수를 갖는 것으로 대체된다. 다른 실시 예들에서, 낮은 탄성계수는 0.96 GPa 이하, 0.79 GPa 이하, 0.74 GPa 이하, 0.68 GPa 이하, 0.48 GPa 이하, 그리고 심지어 0.24 GPa 이하이다. 일 실시 예에서, 상기 개시된 탄성 계수 값은 상온이다. 다른 실시 예들에서, 인장 강도의 유의미한 감소는 6% 이상, 12% 이상, 16% 이상, 22% 이상, 그리고 심지어 42% 이상이다. 다른 실시 예에서, 변형률이 적어도 0.1%, 적어도 1.1%, 적어도 3.2%, 적어도 18%, 적어도 26%, 심지어 적어도 41% 낮아졌을 때 인장강도의 유의미한 감소가 발생한다. 다른 실시 예들에서, 낮아지는 변형률은 2500 s-1, 500 s-1, 50 s-1, 1.0 s-1, 1*10-2 s-1, 그리고 심지어 1*10-3 s-1이다. 다른 실시 예들에서, 분말 P2의 다량 함유량은 1.2wt% 이상, 16wt% 이상, 22wt% 이상, 32wt% 이상, 36wt% 이상, 그리고 심지어 42wt% 이상이다. 일 실시 예에서는 I, II, III, V 및 VII만 고려된다. 추가 실시 예에서는 I, III, IV 및 V만 고려된다. 일 실시 예에서, V는 고려되지 않는다. 일 실시 예에서, VI는 고려되지 않는다. 일 실시 예에서, IV는 고려되지 않는다. 일 실시 예에서, III는 고려되지 않는다. 일 실시 예에서, II는 고려되지 않는다. 일 실시 예에서, I는 고려되지 않는다. 일 실시 예에서, VII는 고려되지 않는다. 일 실시 예에서, 포인트 중 적어도 2개는 발생해야 한다. 추가 실시 예에서, 상기 포인트 중 적어도 3개가 발생해야 한다. 추가 실시 예에서, 상기 포인트 중 적어도 4개가 발생해야 한다.
특정 적용의 경우, 온도를 적용하는 방법은 제조된 구성 요소에서 달성할 수 있는 정확도와 일부 기하학적 구조의 결점 부족 모두에 놀랄 만큼 강력한 영향을 미친다. 전체 공정을 경제적으로 더욱 유리하게 만드는 한 가지 방법은 ii) 단계(특정 경우, 단계) ii 및 iii))에서 가열 시간을 줄이는 것이다. 일 실시 예에서, ii) 및/또는 iii) 단계의 가열은 마이크로파로 이루어진다. 이러한 목적을 달성하기 위한 한 가지 방법은 마이크로파 가열 방법을 사용하는 것인데, 이는 고압실에서 수행해야 한다는 점을 고려할 때 매우 어려운 일이다. 일 실시 예에서, 상기 고압실은 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 바와 같이)를 포함한다. 일 실시 예에서, ii) 단계의 가열은 적어도 부분적으로 마이크로파로 이루어진다. 일 실시 예에서, iii) 단계의 가열은 적어도 부분적으로 마이크로파로 이루어진다. 일 실시 예에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리는 마이크로파 가열하는 것을 포함한다. 달리 명시되지 않는 한, "마이크로파 가열"은 아래에 상세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전체에 정의된다. 일 실시 예에서, 마이크로파 가열은 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 바와 같이)를 사용하는 것을 포함한다. 일 실시 예에서, 마이크로파로 가열할 때, 주요 주파수는 2.45 GHz +/- 250 MHz이다.　일 실시 예에서, 마이크로파로 가열할 때, 주요 주파수는 5.8 GHz +/- 1050 MHz이다. 일 실시 예에서, 마이크로파로 가열할 때, 주요 주파수는 915 MHz +/- 250 MHz이다. 일 실시 예에서, 마이크로파로 가열할 때, 주요 주파수는 2.45 MHz +/- 250 MHz이다. 일부　적용의 경우, 사용되는 마이크로파 발전기의 총 전력이 중요하다. 다른 실시 예들에서, 총 사용 전력은 55 W 이상, 155 W 이상, 355 W 이상, 555 W 이상, 1055 W 이상, 그리고 심지어 3055 W 이상이다. 일부 적용의 경우, 총 사용 전력을 제어하는 것이 더 효율적이라는 것이 입증되었다. 다른 실시 예들에서, 총 채용 전력은 55000 W 이하, 19000 W 이하, 9000 W 이하, 3900 W 이하, 그리고 심지어 900 W 이하이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 마이크로파 발생기의 총 사용 전력은 55 W과 55000 W사이이다. 본 발명자가 아는 바로는, 본 발명에서 채용된 주파수 및 출력으로 마이크로파 가열이 가능한 본 발명에서 채용된 고압실의 예는 없다. 다른 실시 예들에서, 고압실은 1200 bars 이상, 2100 bars 이상, 2600 bars 이상, 3010 bars 이상, 3800 bars 이상, 그리고 심지어 4200 bars 이상으로 유체로 가압된 챔버를 의미한다. 일 실시 예에서, 유체가 1200 bars 이상으로 가압되고 적절한 유전 감수율을 갖는 일부 조각들을 포함하는 챔버는, 상기 표시된 주파수 내에서 마이크로파로 가열된다. 추가 실시 예에서,　유체가 1200 bars 이상으로 가압되고 적절한 유전 감수율을 갖는 일부 조각들을 포함하는 챔버는, 마이크로파 발생기의 총 출력에 대하여 상술한 범위 내에서 챔버 내의 전력으로 마이크로파로 가열된다. 추가 실시 예에서, 고압실이란 유체가 2100 bars 이상으로 가압되고 적절한 유전 감수율을 갖는 일부 조각들을 포함하는 챔버를 상기 표시된 주파수 내에서 마이크로파로 가열하는 것을 의미한다. 추가 실시 예에서, 2100 bars 이상으로 유체로 가압되고 적절한 유전 감수율을 갖는 일부 조각들로 구성된 챔버는　마이크로파 발생기의 총 출력에 대하여 상술한 범위 내에서 챔버 내의 전력으로 마이크로파로 가열된다. 추가 실시 예에서, 고압실이란 유체가 2600 bars 이상으로 가압되고 적절한 유전 감수율을 갖는 일부 조각들을 포함하는 챔버를 상기 표시된 주파수 내에서 마이크로파로 가열하는 것을 의미한다. 추가 실시 예에서, 2600 bars 이상으로 유체로 가압되고 적절한 유전 감수율을 갖는 일부 조각들로 구성된 챔버는　마이크로파 발생기의 총 출력에 대하여 상술한 범위 내에서 챔버 내의 전력으로 마이크로파로 가열된다. 추가 실시 예에서, 고압실이란 유체가 3010 bars 이상으로 가압되고 적절한 유전 감수율을 갖는 일부 조각들을 포함하는 챔버를 상기 표시된 주파수 내에서 마이크로파로 가열하는 것을 의미한다. 추가 실시 예에서, 3010 bars 이상으로 유체로 가압되고 적절한 유전 감수율을 갖는 일부 조각들로 구성된 챔버는　마이크로파 발생기의 총 출력에 대하여 상술한 범위 내에서 챔버 내의 전력으로 마이크로파로 가열된다. 추가 실시 예에서, 고압실이란 유체가 3800 bars 이상으로 가압되고 적절한 유전 감수율을 갖는 일부 조각들을 포함하는 챔버를 상기 표시된 주파수 내에서 마이크로파로 가열하는 것을 의미한다. 추가 실시 예에서, 3800 bars 이상으로 유체로 가압되고 적절한 유전 감수율을 갖는 일부 조각들로 구성된 챔버는　마이크로파 발생기의 총 출력에 대하여 상술한 범위 내에서 챔버 내의 전력으로 마이크로파로 가열된다. 추가 실시 예에서, 고압실이란 유체가 4200 bars 이상으로 가압되고 적절한 유전 감수율을 갖는 일부 조각들을 포함하는 챔버를 상기 표시된 주파수 내에서 마이크로파로 가열하는 것을 의미한다. 추가 실시 예에서, 4200 bars 이상으로 유체로 가압되고 적절한 유전 감수율을 갖는 일부 조각들로 구성된 챔버는　마이크로파 발생기의 총 출력에 대하여 상술한 범위 내에서 챔버 내의 전력으로 마이크로파로 가열된다. 일 실시 예에서, 적절한 유전 감수율을 갖는 물질은 고분자 금형을 채우는 분말의 적어도 일부를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한　유전 감수율을 갖는 물질은 고분자 금형을 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한　유전 감수율을 갖는 물질은 고분자 금형을 채우는 분말의 적어도 일부에 구속된다. 추가 실시 예에서, 적절한 유전 감수율을 갖는 물질은 고분자 금형을 채우는 분말로 제한된다. 많은 응용 분야에서 고분자 금형이 적절한 유전 감수율보다 적절한 수준의 극성을 가질 때 더 잘 작동한다는 사실이 다소 놀라운 것으로 밝혀졌다. 일 실시 예에서, 상기 분말을 포함하는 고분자 금형은 적절한 수준의 극성을 나타낸다. 추가 실시 예에서, 챔버 내의 가압 유체는 적절한 수준의 극성을 갖는 적어도 하나의 유체를 포함한다. 추가 실시 예에서, 가압 챔버의 모든 유체는 적절한 수준의 극성을 나타낸다. 추가 실시 예에서, 챔버 내의 가압 유체 중 적어도 하나는 적절한 수준의 점도를 갖는 유체이다. 추가 실시 예에서, 챔버 내의 모든 가압 유체는 적절한 수준의 점도를 갖는 유체이다. 일 실시 예에서, 챔버 내의 가압 유체 중 적어도 하나는 적절한 온도 저항(기존에 정의된 바와 같이)을 갖는 유체이다. 추가 실시 예에서, 챔버 내의 모든 가압 유체는 적절한 온도 저항을 갖는 유체이다. 일 실시 예에서, 유전율 및 유전 손실은 상온에서 측정된다. 일 실시 예에서, 유전율 및 유전 손실은 2.45 GHz에서 측정된다. 대안적 일 실시 예에서, 유전율 및 유전 손실은 915 MHz에서 측정된다. 다른 실시 예들에서, 적절한 유전체 감수율은 2.09 이상, 4.09 이상, 10.49 이상, 20.97 이상, 40.9 이상, 그리고 심지어 80.2 이상의 유전체 손실을 의미한다. 일부 적용의 경우, 2.45GHz 마이크로파 가열이 사용되더라도 지나치게 높은 유전체 손실은 의외로 잘 작동하지 않는다. 다른 실시 예들에서, 관련 유전체 감수율은 199 이하, 99 이하, 49 이하, 그리고 심지어 19 이하의 유전체 손실을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 관련 유전체 감수율은 2.4 이상, 6 이상, 11 이상, 51 이상, 그리고 심지어 11000 이상의 유전율을 의미한다. 일부 적용의 경우, 과도한 유전율이 문제를 일으킬 수 있다. 다른 실시 예들에서, 적절한 유전체 감수율은 24000 이하, 999 이하, 499 이하, 그리고 심지어 99 이하의 유전율을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 적정 수준의 극성은 3.99 이하, 1.99 이하, 1.49 이하, 0.97 이하, 0.09 이하, 그리고 심지어 0.009 이하의 유전 손실을 의미한다. 일부 적용의 경우, 2.45GHz 마이크로파 가열이 사용되더라도 지나치게 낮은 유전 손실은 놀랍게도 잘 일어나지 않는다. 다른 실시 예들에서, 적정 수준의 극성은 0.006 이상, 0.011 이상, 0.051 이상, 그리고 심지어 0.12 이상의 유전 손실을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 적절한 극성 수준은 1000 이하, 48 이하, 9 이하, 그리고 심지어 3.9 이하의 유전율을 의미한다.　일부 적용의 경우, 지나치게 낮은 유전율은 놀랍게도 문제를 일으킨다. 다른 실시 예들에서, 적정 수준의 극성은 1.1 이상, 1.6 이상, 2.1 이상, 2.4 이상, 그리고 심지어 2.6 이상의 유전율을 의미한다. 일 가압실은 채용된 마이크로파 파장에 대한 공진기로 작용한다. 일 실시 예에서, 챔버는 원통형이다. 추가 실시 예에서, 상기 챔버는 원통형이며, 공진을 향상시키기 위해 일부 금속 플레이트가 육면체에 위치한다. 추가 실시 예에서, 상기 챔버는 원통형이며, 공진을 향상시키기 위해 일부 금속 플레이트가 7면체에 위치한다. 추가 실시 예에서, 상기 챔버는 원통형이며, 공진을 향상시키기 위해 일부 금속 플레이트가 팔면체에 위치한다. 추가 실시 예에서, 상기 챔버는 원통형이며, 공진을 향상시키기 위해 일부 금속 플레이트가 정십면체에 위치한다. 추가 실시 예에서, 상기 챔버는 원통형이며, 공진을 향상시키기 위해 일부 금속 플레이트가 다각형으로 위치한다. 추가 실시 예에서, 상기 챔버는 원통형이며, 공진을 향상시키기 위해 일부 금속 플레이트가 삼각형으로 위치한다. 그 시스템이 고압의 액체에 담가 작동한다는 것은 발명가에게는 꽤 놀라운 일이었다. 일부 적용의 경우, 마이크로파를 가압실에 도입하는 방법은 상당히 어렵다. 일 실시 예에서, 고내압 마그네트론이 챔버에 도입된다. 일 실시 예에서, 마그네트론의 안테나만이 챔버에 도입되고, 챔버는 내압 차폐가 구비되며, 적절히 밀봉된다. 일 실시 예에서, 마그네트론의 음극과 안테나 사이의 연결은 피드스루에 의해 차단되어 고압 영역에 안테나가, 외부로 나머지 마그네트론이 가압실로 들어간다. 일 실시 예에서는 마이크로파 발생기가 사용된다. 일 실시 예에서, 고체 마이크로파 발생기가 사용된다. 일 실시 예에서, 마이크로파 발생기는 동축 케이블을 통해 압력 챔버의 벽들 중 하나의 동축 피드스루에 연결된다. 일 실시 예에서, 안테나 또는 어플리케이터는 동축 피드스루의 고압 측에 연결된다. 일 실시 예에서, 동축 케이블은 적절한 규모를 갖는다. 일 실시 예에서, 동축 피드 스루는 적절한 치수를 갖는다. 일 실시 예에서, 동축 피드 스루는 적절한 임피던스를 갖는다. 일 실시 예에서, 동축 케이블은 적절한 임피던스를 갖는다. 다른 실시 예들에서, 동축 케이블 또는 동축 피드 스루를 위한 적절한 치수는 7/32" 이상, 7/16" 이상, 7/8" 이상, 그리고 심지어 1-5/8" 이상의 공칭 외경(OD)을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 적정 치수는 4-1/16" 인치 이하, 3-1/8" 인치 이하, 그리고 심지어 1-5/8" 인치 이하를 의미한다. 다른 실시 예에서, 적절한 임피던스는 199 Ohms 이하, 150 Ohms 이하, 99 Ohms 이하, 69 Ohms 이하 및 심지어 49 Ohms 이하를 의미한다. 일부 적용의 경우, 최소한의 적정 임피던스가 선호된다. 다른 실시 예에서, 적절한 임피던스는 1.1 Ohms 이상, 11 Ohms 이상, 21 Ohms 이상, 심지어 41 Ohms 이상을 의미한다. 발명가는 놀랍게도 마이크로파 발전기를 위해 조금 더 높은 전력을 사용할 때, 그 조각들이 초기 소결로 인해 훨씬 더 높은 습태강도로 나온다는 것을 관찰했다. 이 소결은 또한 조각의 표면보다 표면에서 더 강렬하며,　가장 놀라운 것은 구성 요소에 압력을 가하는 유체의 대규모 악화와 함께 오지 않는다. 일 분말이 소결을 시작할 수 있도록 충분한 마이크로파 에너지가 공급된다. 일부 적용의 경우, 마이크로파원으로 하나 이상의　어플리케이터를 사용하는 것이 특히 흥미로울 수 있다. 발명자는 일부 적용의 경우 하나 이상의 마이크로파 어플리케이터를 사용하면 제조된 구성 요소의 왜곡이 놀라울 정도로 감소한다는 것을 발견했다. 발명자는 일부 적용의 경우 마이크로파 어플리케이터를 하나 이상 사용하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에, 서는 적어도 2개의 마이크로파 어플리케이터가 사용된다.　추가 실시 예에서, 적어도 3개의 마이크로파 어플리케이터가 사용된다.　추가 실시 예에서, 적어도 4개의 마이크로파 어플리케이터가 사용된다. 일부 적용의 경우 마이크로파 어플리케이터의 수가 제한되어야 한다. 일 실시 예에서, 990개 미만의 마이크로파 어플리케이터가 사용된다. 추가 실시 예에서, 90개 미만의 마이크로파 어플리케이터가 사용된다.　추가 실시 예에서, 59개 미만의 마이크로파 어플리케이터가 사용된다.　추가 실시 예에서, 19개 미만의 마이크로파 어플리케이터가 사용된다.　상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예로는, 일 실시 예에서: 마이크로파 어플리케이터의 수는 2에서 990 사이이다. 일 실시 예에서, 마이크로파 어플리케이터는 가압실 내부에 위치한다. 일 실시 예에서, 가압실의 내부에는 적어도 2개의 마이크로파 어플리케이터가 위치한다. 추가 실시 예에서, 가압실의 내부에는 적어도 3개의 마이크로파 어플리케이터가 위치한다. 추가 실시 예에서, 가압실의 내부에는 적어도 4개의 마이크로파 어플리케이터가 위치한다. 일부 적용의 경우, 가압실 내부의 마이크로파　어플리케이터 수를 제한해야 한다. 일 실시 예에서, 가압실 내부에는 990개 미만의 마이크로파 어플리케이터가 배치되어 있다. 추가 실시 예에서, 가압실 내부에는 90개 미만의 마이크로파 어플리케이터가 배치되어 있다. 추가 실시 예에서, 가압실 내부에는59개 미만의 마이크로파 어플리케이터가 배치되어 있다. 추가 실시 예에서, 가압실 내부에는 19개 미만의 마이크로파 어플리케이터가 배치되어 있다. 일 실시 예에서, 마이크로파 어플리케이터는 안테나를 포함한다. 일 실시 예에서, 마이크로파 어플리케이터는 안테나이다. 일부 적용의 경우, 발전기당 여러 마이크로파　어플리케이터를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 발전기는 적어도 2개의 마이크로파 어플리케이터를 포함한다. 추가 실시 예에서, 발전기는 적어도 4개의 마이크로파 어플리케이터를 포함한다. 추가 실시 예에서, 발전기는 적어도 6개의 마이크로파 어플리케이터를 포함한다. 추가 실시 예에서, 발전기는 적어도 8개의 마이크로파　어플리케이터를 포함한다. 일부 적용의 경우, 발전기에 포함된 마이크로파 어플리케이터의 수를 제한해야 한다. 일 실시 예에서, 발전기는 19개 미만의 마이크로파 어플리케이터를 포함한다. 추가 실시 예에서, 발전기는 14개 미만의 마이크로파 어플리케이터를 포함한다. 추가 실시 예에서, 발전기는 9개 미만의 마이크로파 어플리케이터를 포함한다. 추가 실시 예에서, 발전기는 4개 미만의 마이크로파 어플리케이터를 포함한다. 일 실시 예에서, 발전기는 가압실 내부에 위치한다. 추가 실시 예에서, 발전기는 가압실 외부에 위치한다. 일 실시 예에서, 발전기는 마그네트론이다. 일부 적용의 경우, 다수의 마이크로파 발생기를 사용하는 것이 유리할 수 있다. 일 실시 예에서, 적어도 2개의 마이크로파 발생기가 사용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 4개의 마이크로파 발생기가 사용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 6개의 마이크로파 발생기가 사용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 8개의 마이크로파 발생기가 사용된다. 일부 적용의 경우 마이크로파 발생기의 수가 제한되어야 한다. 일 실시 예에서, 19개 미만의 마이크로파 발생기가 사용된다. 추가 실시 예에서, 14개 미만의 마이크로파 발생기가 사용된다. 추가 실시 예에서, 9개 미만의 마이크로파 발생기가 사용된다. 추가 실시 예에서, 4개 미만의 마이크로파 발생기가 사용된다. 일부 적용에서는 가압실에 대한 진입점을 통해 여러 개의 동축 피드스루를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 가압실은 진입점을 통해 2개 이상의 동축 피드스루를 포함한다. 추가 실시 예에서, 가압실은 진입점을 통해 4개 이상의 동축 피드스루를 포함한다. 추가 실시 예에서, 가압실은 진입점을 통해 6개 이상의 동축 피드스루를 포함한다. 추가 실시 예에서, 가압실은 진입점을 통해 8개 이상의 동축 피드스루를 포함한다. 일부 적용의 경우, 가압실로 들어가는 동축 피드스루의 수를 제한해야 한다.　일 실시 예에서, 가압실은 진입점을 통해 19개 미만의 동축 피드스루를 포함한다. 추가 실시 예에서, 가압실은 진입점을 통해 14개 미만의 동축 피드스루를 포함한다. 추가 실시 예에서, 가압실은 진입점을 통해 9개 미만의 동축 피드스루를 포함한다. 추가 실시 예에서, 가압실은 진입점을 통해 4개 미만의 동축 피드스루를 포함한다. 본 발명자는 일부 용도의 경우 높은 전위 피드스루를 사용하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 고전위는 600 V 초과, 1200 V 초과, 2200 V 초과, 4200 V 초과, 5200 V 초과, 그리고 심지어 11200 V 초과이다.　일부 적용의 경우, 높은 전위는 제한되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 고전위는 190000 V 미만, 140000 V 미만, 110000 V 미만, 90000 V 미만, 49000 V 미만, 19000 V 미만, 그리고 심지어 9000 V 미만이다. 본 발명자는 일부 적용의 경우, 높은 외관상의 전력 피드 스루를 사용하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 높은 겉보기 출력은 1200 VA 초과, 6200 VA 초과, 11000 VA 초과, 26000 VA 초과, 52000 VA 초과, 그리고 심지어 110000 VA 초과이다. 일부 적용의 경우 겉보기 전력은 제한되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 높은 겉보기 출력은 990000VA 미만, 440000VA 미만, 240000VA 미만, 190000VA 미만, 110000VA 미만, 89000VA 미만, 그리고 심지어 49000VA 미만이다.　본 발명자는 일부 적용의 경우 고출력 피드스루를 사용하는 것이 유리할 수 있다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 고출력은 1100W 초과, 5600W 초과, 10100W 초과, 23600W 초과, 46800W 초과, 그리고 심지어 960000W 초과이다. 일부 적용의 경우 전력이 제한되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 고출력은 890000 W 미만, 394000 W 미만, 214000 W 미만, 169000 W 미만, 79000 W 미만, 그리고 심지어 44000 W 미만이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다. 본 발명자는 일부 용도의 경우　가열될 요소를 치환하는 메커니즘을 사용하면 제조된 구성 요소의 왜곡이 놀라울 정도로 감소한다는 것을 발견했다. 가열될 요소를 대체하는 메커니즘을 사용하면 제조된 구성 요소의 왜곡이 놀라울 정도로 감소한다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 가열되는 요소들은 제조되는 구성요소를 포함한다. 일 실시 예에서, 가압실은 모바일 시스템(본 문서의 의미에 따르면, 모바일 시스템은 이동을 생성하기 위해 사용되는 메커니즘을 지칭한다)을 포함한다. 일 실시 예에서, 모바일 시스템은 전기 엔진을 포함한다. 일 실시 예에서, 모바일 시스템은 수평면에서 움직임을 생성한다. 일 실시 예에서, 모바일 시스템은 수직면에서 움직임을 생성한다. 일 실시 예에서, 모바일 시스템은 회전 운동을 생성한다. 일부 적용의 경우 복잡한 이동이 선호된다. 일 실시 예에서, 모바일 시스템은 하나 이상의 평면에서 움직임을 생성한다. 일 실시 예에서, 구성 요소는 가압실 내에서 변위된다. 일 실시 예에서, 구성요소의 이동은 수평면에서 이루어진다. 일 실시 예에서, 구성요소의 이동은 수직면에서 이루어진다. 추가 실시 예에서, 구성 요소의 이동은 회전한다.　 일 실시 예에서, 구성요소의 이동은 하나 이상의 평면에서 이루어진다. 일부 적용의 경우 모바일 시스템은 가압실 내부에 위치한다. 발명가는 일부 적용은 전자파를 반사하기 위한 요소의 사용으로부터 이익을 얻는다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 모바일 시스템은 화면을 포함한다.　일 실시 예에서, 모바일 시스템은 마이크로파를 반사하는 화면을 포함한다.　일 실시 예에서, 화면은 시트이다. 일 실시 예에서, 모바일 시스템은 마이크로파를 반사하는 시트를 포함한다.　일 실시 예에서, 시트는 금속 시트이다.　일 실시 예에서, 시트는 광택을 낸 금속 시트이다. 일부 적용의 경우 발광 재료를 사용하는 것이 유리할 수 있다. 일 실시 예에서, 가압실은 발광 물질을 포함한다. 일 실시 예에서, 발광 물질(glowing materials)는 가압 실에 포함된 요소에 적용된다(이하, 발광 물질을 지지하는 요소라 한다). 일 실시 예에서, 상기 발광 물질은 상기 발광 물질을 지지하는 요소의 내면에 적용된다. 발광 재료는 사용 가능한 모든 기술을 사용하여 적용될 수 있다. 일 실시 예에서, 발광 물질은 분말 형태로 도포된다. 일 실시 예에서, 발광 물질은 분무된다. 일 실시 예에서, 발광 물질은 분말 형태로 분사된다. 일 실시 예에서, 상기 발광 물질을 지지하는 원소의 적어도 일부 내면에 상기 발광 물질이 분사된다. 본 발명자는 일부 용도의 경우 적어도 금속을 포함하는 발광 물질을 사용하는 것이 바람직하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 발광 재료는 합금을 포함한다. 일 실시 예에서, 발광 재료는 금속 합금을 포함한다. 일 실시 예에서, 발광 물질은 몰리브덴 합금을 포함한다. 일 실시 예에서, 발광 재료는 텅스텐 합금을 포함한다. 일 실시 예에서, 발광 재료는 텅스텐 합금을 포함한다.　 일 실시 예에서, 발광 재료는 탄탈 합금을 포함한다. 일 실시 예에서, 발광 재료는 지르코늄 합금을 포함한다.　일 실시 예에서, 발광 재료는 니켈 합금을 포함한다.　일 실시 예에서, 발광 재료는 철기 합금을 포함한다. 일 실시 예에서, 발광 재료는 흥미로운 주파수 범위에서 유전체 손실이 큰 재료를 포함한다. 일부 용도의 경우, 탄화물을 포함하는 발광 물질의 사용이 바람직하다. 일 실시 예에서, 발광 물질은 탄화 티타늄(TiC)을 포함한다. 일부 적용의 경우, 붕소화물을 포함하는 발광 물질의 사용이 바람직하다. 일 실시 예에서, 상기 발광 물질은 티탄산 바륨(BaTiO3)을 포함한다. 일 실시 예에서, 발광 물질은 티탄산 스트론튬(SrTiO3)을 포함한다. 일 실시 예에서, 발광 물질은 바륨 스트론튬 티탄산염(Ba, Sr (TiO3)을 포함한다. 발광 물질을 지지하는 요소는 서로 다른 기하학적 형태를 가질 수 있다. 일 실시 예에서, 가압실은 발광 물질을 지지하는 요소를 포함한다. 일 실시 예에서, 발광 물질을 지지하는 요소는 원통형이다. 추가 실시 예에서, 상기 발광 물질을 지지하는 원소는 정사각형 형상을 갖는다. 추가 실시 예에서, 발광 물질을 지지하는 요소는 직사각형 형상을 갖는다. 추가 실시 예에서, 상기 발광 물질을 지지하는 원소는 구형이다. 추가 실시 예에서, 발광 물질을 지지하는 요소는 원뿔 형상을 갖는다. 추가 실시 예에서, 발광 물질을 지지하는 요소는 불규칙한 기하학적 형상을 갖는다. 일부 용도의 경우, 마이크로파 어플리케이터 및/또는 안테나는 발광 물질을 지지하는 요소 내부에 위치할 수 있다. 일 실시 예에서, 마이크로파 어플리케이터는 발광 물질을 지지하는 요소 내부에 있다.　일 실시 예에서, 안테나는 발광 물질을 지지하는 요소 내부에 있다. 발전기는 일부 용도의 경우 발광 물질을 지지하는 요소 내부에 위치할 수도 있지만, 일부 용도의 경우 가압실 외부에 위치하는 발전기가 바람직하다. 일부 용도에서는 내고온성 물질로 이루어진 발열성 물질을 지지하는 요소를 사용하는 것이 유리하다. 일부 용도의 경우, 발광 물질을 지지하는 요소는 합금을 포함하는 물질로 이루어진다. 일 실시 예에서, 발광 물질을 지지하는 요소는 금속 합금을 포함하는 물질로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 발광 물질을 지지하는 원소는 몰리브덴 합금을 포함하는 물질로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 발광 물질을 지지하는 원소는 텅스텐 합금을 포함하는 물질로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 발광 물질을 지지하는 요소는 탄탈 합금을 포함하는 물질로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 발광 물질을 지지하는 원소는 지르코늄 합금을 포함하는 물질로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 발광 물질을 지지하는 요소는 세라믹을 포함하는 물질로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 발광 물질을 지지하는 요소는 니켈 합금을 포함하는 물질로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 발광 물질을 지지하는 원소는 철기 합금을 포함하는 물질로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 발광 물질을 지지하는 요소는 원하는 주파수 범위에서 유전체 손실이 큰 물질로 이루어진다. 일부 용도의 경우, 탄화물을 포함하는 물질의 사용이 바람직하다. 일 실시 예에서, 상기 발광 물질을 지지하는 원소는 탄화 티타늄(TiC)을 포함하는 물질로 이루어진다. 일부 용도의 경우, 붕소화물을 포함하는 물질의 사용이 바람직하다.　일 실시 예에서, 상기 발광 물질을 지지하는 원소는 티탄산 바륨(BaTiO3)을 포함하는 물질로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 발광 물질을 지지하는 원소는 티탄산 스트론튬(SrTiO3)을 포함하는 물질로 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 발광 물질을 지지하는 원소는 티탄산 바륨 스트론튬(Ba, Sr (TiO3)을 포함하는 물질로 이루어진다. 일부 적용의 경우, 전술한 2종 이상의 물질을 포함하는 혼합물, 예를 들어 텅스텐 합금 및 몰리브덴 합금을 포함하는 물질로 이루어진 발열 물질을 지지하는 원소의 사용도 유리할 수 있다. 본 발명자는 일부 용도의 경우 방사선 차폐물을 사용하는 것이 유리할 수 있다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 가압실은 방사선 차폐를 포함한다. 방사선 차폐는 서로 다른 기하학적 형태를 가질 수 있으며, 일부 용도에서는 방사선 차폐를 하나 이상 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 방사선 차폐와 상기 발광 물질을 지지하는 원소는 동일한 기하학적 형상을 갖는다. 일 실시 예에서, 상기 방사 실드와 상기 발광 물질을 지지하는 원소는 기하학적 형상은 동일하나 크기는 다르다. 일 실시 예에서, 상기 방사선 차폐체는 원통 형상을 갖는다. 추가 실시 예에서, 방사선 차폐는 정사각형 형상을 갖는다. 추가 실시 예에서, 방사선 차폐는 직사각형 형상을 갖는다. 추가 실시 예에서, 상기 방사선 차폐는 구형 형상을 갖는다. 추가 실시 예에서, 방사선 차폐는 원뿔 형상을 갖는다. 추가 실시 예에서, 방사선 차폐는 불규칙한 기하학적 형상을 갖는다. 일 실시 예에서, 상기 방사 실드와 상기 발광 물질을 지지하는 원소는 서로에 대해 동심원적으로 배치된다. 일 실시 예에서, 상기 방사 실드와 상기 발광 물질을 지지하는 원소는 상기 수직 축을 중심으로 동심원적으로 배치된다. 일 실시 예에서, 가압실은 하나 이상의 방사선 차폐를 포함한다. 추가 실시 예에서, 가압실은 적어도 2개의 방사선 차폐를 포함한다. 추가 실시 예에서, 가압실은 적어도 4개의 방사선 차폐를 포함한다. 추가 실시 예에서, 가압실은 적어도 6개의 방사선 차폐를 포함한다. 일부 적용의 경우 방사선 차폐물의 수를 제한해야　한다. 일 실시 예에서, 가압실은 99개 미만의 방사선 차폐를 포함한다. 추가 실시 예에서, 가압실은 49개 미만의 방사선 차폐를 포함한다. 추가 실시 예에서, 가압실은 19개 미만의 방사선 차폐를 포함한다. 추가 실시 예에서, 가압실은 9개 미만의 방사선 차폐를 포함한다.일 실시 예에서, 방사선 차폐물은 서로에 대해 동심원상으로 배치된다. 일 실시 예에서, 방사선 차폐물은 수직 축 주위에 동심원상으로 배치된다. 발명자는 일부 용도의 경우 금속 물질로 만들어진 방사선 차폐물을 사용하는 것이 유리할 수 있다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 방사선 차폐는 합금을 포함하는 물질로 이루어진다.　 일 실시 예에서, 상기 방사선 차폐는 금속 합금을 포함하는 물질로 이루어진다.　일 실시 예에서, 상기 방사선 차폐체는 텅스텐 합금을 포함하는 물질로 이루어진다.　일 실시 예에서 상기 방사선 차폐는 몰리브덴 합금을 포함하는 물질로 이루어진다.　일 실시 예에서, 상기 방사선 차폐는 탄탈 합금을 포함하는 물질로 이루어진다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 이들 사이에 결합될 수 있으며, 본 문서에 개시된 다른 실시 예와 임의의 조합에서 "마이크로파 가열"에 관한 것이다.
본 발명자는 특히 성분을 포함하는 금속의 제조에서 인가된 압력이 균일하게 분포될 때 분말의 응고도가 개선될 수 있다는 것을 발견했다. 일부 적용의 경우, 인가 압력의 균질한 분포는 공극률 수준이 낮고 내부 결점이 있는 구성 요소를 얻는 데 기여한다. 또한 일부 적용은 균질한 밀도 분포의 이점을 크게 활용한다. 본 문서에 개시된 압력의 적용을 위해 개발된 전략들 중 일부는 새롭고, 독창적이며, 다른 부품 제조 방법에 큰 관심을 가지고 있으므로, 그 자체로 발명을 구성할 수 있다. 일부 용도의 경우 압력을 가하는 데 사용되는 유체는 특히 복잡한 기하학적 구조 및/또는 내부 공극을 가진 구성 요소를 제조하는 데 매우 중요하다. 일 실시 예에서, 압력 및/또는 온도 처리는 균일한 방식으로 압력을 인가하는 것을 포함한다. 달리 명시되지 않는 한, "동일한 방식으로 압력을 가하기 위해 개발된 전략"은 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전체에 정의된다. 본 발명자는 일부 응용에서 금형 또는 고분자 필름 전체에 균질하게 압력을 가하는 문제는 적절한 수준의 점도를 가진 유체를 사용함으로써 해결할 수 있다는 것을 발견했다. 일부 적용의 경우, 금형에 압력을 가하는 유체가 적절한 수준의 점도를 가질 뿐만 아니라 적절한 온도 저항성을 갖는 것이 유리하다는 것이 밝혀졌다. 일부 용도의 경우 금형에 압력을 가하는 유체가 소수성일 때 유리하다는 것이 밝혀졌다. 일부 적용의 경우 금형에 압력을 가하는 유체가 적절한 극성을 나타낼 때 유리하다는 것이 밝혀졌다. 일 실시 예에서, 압력은 적절한 수준의 점도를 갖는 유체를 통해 인가된다. 일부 적용에서는 적절한 수준의 점도를 가진 유체를 사용하여 금형에 직접 압력을 가할 수 있다. 사용 가능한 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 특별히 제한되지 않는다.　일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 실리콘계 물질을 포함한다.　일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 실리콘 유체를 포함한다.　일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 적어도 하나의 실록산 관능기를 갖는 유체를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 폴리다이메틸실록산(polydimethylsiloxane)을 포함한다.　일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 선형 폴리다이메틸실록산 유체를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 실리콘 오일을 포함한다.　일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 과불화 오일을 포함한다.　일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 과불화 폴리에테르 오일(PFPE)을 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 과불화 폴리에테르 고체 윤활제를 포함한다.　일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 리튬 기반 고체 윤활제를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 적어도 하나의 올레핀 관능기를 갖는 유체를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 적어도 하나의 알파올레핀 관능기를 갖는 유체를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 폴리알파올레핀(polyalphaolefin)을 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 메탈로센 폴리알파올레핀(metallocene polyalphaolefin)을 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 오일을 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 미네랄 오일을 포함한다.　일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 식물성 그리스를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 천연 오일을 포함한다. 일　실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 그리스(grease)를 포함한다.　일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 동물성 그리스 또는 지방을 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 과불화 폴리에테르 오일(PFPE)을 포함하는 그리스를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 실리콘 오일을 포함하는 그리스를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 과불화 폴리에테르 고체 윤활제를 포함하는 그리스를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 리튬 기반 고체 윤활제를 포함하는 그리스를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 NLGI 지수가 000보다 큰 그리스를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 NLGI 지수가 00보다 큰 그리스를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 NLGI 지수(DIN 51818에 따름)가 0보다 큰 그리스를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 NLGI 지수가 1보다 큰 그리스를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 NLGI 지수가 2보다 큰 그리스를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 NLGI 지수가 3보다 큰 그리스를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 NLGI 지수가 4보다 큰 그리스를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 NLGI 지수가 00보다 작거나 같은 그리스를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 NLGI 지수가 0보다 작거나 같은 그리스를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 NLGI 지수가 1 이하인 그리스를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 NLGI 지수가 2 이하인 그리스를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 NLGI 지수가 3 이하인 그리스를 포함한다. 일 실시 예에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 NLGI 지수가 4 이하인 그리스를 포함한다. 일　실시 예에서, NLGI 지수는 DIN 51818에 따라 결정된다. 다른 실시 예들에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 1.1 cSt 이상, 1.6 cSt 이상, 6 cSt 이상, 26 cSt 이상, 106 cSt 이상, 그리고 심지어 255 cSt 이상의 점도를 갖는다. 일부 용도의 경우 금형에 압력을 가하는 유체의 훨씬 높은 수준의 점도를 적절한 점도로서 사용하는 것이 흥미로운 것으로 밝혀졌으며, 그 중에서도, 제조 방법이 금형의 사용으로 구성되는 경우, 금형의 밀봉에 있어 일부 결함이 있을 수 있다. 다른 실시 예들에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 1006 cSt 이상, 10016 cSt 이상, 100026 cSt 이상, 1000600 cSt 이상, 그리고 심지어 1006000 cSt 이상의 점도를 갖는다. 일부 용도의 경우 점도가 높은 유체를 사용해야 한다. 다른 실시 예들에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 점도가 1560000 cSt 이상, 11001000 cSt 이상, 20001000 cSt 이상, 그리고 심지어 100001000 cSt 이상이다. 일부 용도의 경우, 적절한 수준의 점도를 가진 유체의 점도가 너무 높으면 소결 단계 전에 구성 요소의 균열이 발생한다는 것을 발명자가 발견했다. 다른 실시 예들에서, 적절한 수준의 점도를 갖는 유체는 점도가 490000000 cSt 미만, 94000000 cSt 미만, 49000000 cSt 미만, 19000000 cSt 미만, 9000000 cSt 미만, 940000 cSt 미만, 그리고 심지어 440000 cSt 미만이다. 일 실시 예에서, 점도는 상온 및 1 atm에서 측정된다. 일 실시 예에서, 점도는 상온 및 1 atm에서 JISZ8803-2011에 따라 측정된다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 이들 사이에 및 본 문서에 개시된 임의의 다른 실시 예와 조합될 수 있다; 예를 들어, 점도가 100026 cSt 이상 94000000 cSt 미만인 적어도 하나의 실록산 관능기를 포함하는 소수성 유체를 통해 압력이 인가되는 복잡한 기하학 성분을 포함하는 금속의 제조 방법이 있다. 일 실시 예에서, 압력은 적절한 수준의 극성을 가진 유체를 통해 인가된다. 일부 적용의 경우 적절한 수준의 점도를 가진 유체의 이론적인 극성보다 더 큰 적용의 경우, 유전체 손실과 유전체 상수이다. 일 실시 예에서, 유전 상수와 유전 손실은 상온에서 측정된다.　일 실시 예에서, 유전 상수와 유전 손실은 2.45 GHz로 측정된다. 대안적 일 실시 예에서, 유전 상수와 유전 손실은 상온에서 측정된다. 일 실시 예에서, 유전 상수와 유전 손실은 915 MHz로 측정된다. 다른 실시 예들에서, 적정 수준의 극성은 3.99 이하, 1.99 이하, 1.49 이하, 0.97이하, 0.09 이하, 그리고 심지어 0.009 이하의 유전체 손실을 의미한다. 일부 적용의 경우, 2.45GHz 마이크로파 가열이 사용되더라도 지나치게 낮은 유전체 손실은 놀랍게도 잘 작동하지 않는다. 다른 실시 예들에서, 적정 수준의 극성은 0.006 이상, 0.011 이상, 0.051 이상, 그리고 심지어 0.12 이상의 유전체 손실을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 적정 수준의 극성은 48 이하, 18 이하, 9 이하, 그리고 심지어 3.9 이하의 유전율을 의미한다. 일부 적용의 경우, 지나치게 낮은 유전 상수는 놀랍게도 문제를 일으킨다. 다른 실시 예들에서, 적정 수준의 극성은 1.1 이상, 1.6 이상, 2.1 이상, 그리고 심지어 2.6 이상의 유전율을 의미한다. 일부 적용에서는 적절한 수준의 점도를 가진 유체의 열화 온도가 적절한 수준으로 유지되는 것이 중요하다. 일 실시 예에서, 압력은 적절한 온도 저항을 갖는 유체를 통해 인가된다. 일 실시 예에서, 적정 온도 저항은 적절한 수준의 점도를 갖는 유체의 열화 온도를 의미한다. 일부 용도에서는 적절한 수준의 점도를 가진 유체의 끓는점이 적절한 수준에 있어야 한다. 일 실시 예에서, 적정 온도 저항은 적절한 수준의 점도를 갖는 유체의 비등점을 의미한다.일 실시 예에서, 적절한 온도 저항은 1 atm의 압력에서 측정된다. 다른 실시 예들에서, 적절한 내온성은 56℃ 이상, 92℃ 이상, 156℃ 이상, 206℃ 이상, 그리고 심지어 356℃ 이상이다. 일부 적용의 경우, 과도한 온도 저항은 적절한 수준의 점도를 가진 유체의 점도의 변화에 대한 인가 온도의 영향과 관련되는 경우가 많다. 다른 실시 예들에서, 적절한 내온성은 588℃ 이하, 498℃ 이하, 448℃ 이하, 387℃ 이하, 349℃ 이하, 297℃ 이하, 그리고 심지어 119℃ 이하이다. 일부 용도에서는 적어도 두 개의 서로 다른 유체를 사용하여 압력을 고분자 몰드로 전달하는 것이 유리하다는 것이 확인되었다. 일부 용도의 경우 서로 다른 유체(한 개 이상의 기체와 하나 이상의 액체)를 혼합하는 것이 흥미롭다. 일부 적용에서 발견되었듯이, 유체를 고체 입자의 유동층으로 대체하는 것은 흥미롭다. 또한, 어떤 용도의 경우, 압력을 전달하는 유체에 고체 입자를 혼합하는 것은 흥미롭다. 본 단락의 나머지 부분과 본 문서의 나머지 부분의 단순성을 위해, 금형에 직접 또는 간접적으로 압력을 전달하기 위해 사용되는 유체를 언급할 때 달리 지시되지 않는 한 용어 "유체"는 위에 표시된 모든 예외를 포함한다(유체, 고체 입자의 유동층, 유체에 혼합된 고체 입자 등). 일부 적용의 경우, 적어도 2개의 상이한 유체 또는 이들의 혼합물을 서로 분리하는 것이 흥미롭다. 일 실시 예에서, 서로 분리된 적어도 두 개의 상이한 유체가 사용된다. 일 실시 예에서, 금형과 직접 접촉하는 유체는 다른 유체로부터 압력 전달 용기와 분리된다. 고분자 몰드와 직접 접촉하는 유체에는 내부 유체 이름을 붙일 수 있고, 내부 유체에는 압력을 전달하는 유체(또는 유체)에는 외부 유체 이름을 붙일 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 내부 유체는 적어도 하나의 외부 유체보다 높은 운동학적 점도를 갖는다. 다른 실시 예들에서, 차이는 적어도 20 cSt, 적어도 206 cSt, 1020 cSt, 12000 cSt, 그리고 심지어 2200000 cSt이다. 일부 적용의 경우, 상이한 압력 전달 유체의 점도의 과도한 차이는 본 발명의 방법의 기하학적 정밀도 저하로 이어지는 것으로 밝혀졌다. 일 실시 예에서, 내부 유체와 외부 유체의 운동학적 점도의 최대 차이는 제한된다. 일 실시 예에서, 상기 내부 유체와 상기 외부 유체 중 적어도 하나의 유체 사이의 운동학적 점도의 최대 차이는 제한된다. 다른 실시 예들에서, 제한은 89000000 cSt 미만, 19000000 cSt 미만, 1900000 cSt 미만, 나아가 심지어 90000 cSt 미만을 의미한다. 일 실시 예에서, 운동학적 점도는 상온 및 1 atm에서 측정된다. 일 실시 예에서, 운동학적 점도는 JISZ8803-2011에 따라 측정된다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기는 고분자 필름이다. 추가 실시 예에서, 압력 전달 용기는 가방이다. 사용할 수 있는 압력 전달 용기의 재질은 특별히 제한되지 않는다. 일 실시 예에서, 압력 전달 용기의 재료는 엘라스토머를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 물질은 수소화 니트릴(Hydrogenized nitrile, HNBR)을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 폴리아크릴레이트(ACM)를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 에틸렌아크릴산 에스테르(AEM)를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 플루오로실리콘(FVMQ)을 포함한다. 일 실시 예에서, 압력 전달 용기의 재료는 실리콘(VMQ)을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 플루오르화 탄소(FKM)를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 TFE/프로필렌(FEPM)을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 과불소화 엘라스토머(FFKM)를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 폴리테트라플루오레에틸렌(PTFE)을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 폴리페닐렌 설파이드(PPS)를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 폴리에텔에텔 케톤(PEEK)을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 폴리이미드(PI)를 포함한다. 일 실시 예에서, 압력 전달 용기의 재료는 엘라스토머를 포함한다. 일 실시 예에서, 압력 전달 용기의 재료는 바이턴을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 에틸렌-프로필렌-디엔 모노머 고무(EPDM)를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 물질은 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 적층된(laminated) 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 적어도 2개의 적층된 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 서로 적층된 적어도 2개의 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 적층된 고분자 및 호일을 포함하는 금속을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 적층된 고분자 및 금속 호일을 포함한다. 일　실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 라미네이션 고분자 및 라미네이션으로 결합된 금속 호일을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 적층된 고분자 및 접착 밴드를 포함하는 금속을 포함한다. 일부 실시 예에서, 특허 출원 번호 PCT/EP2019/075743에 개시된 고분자 물질은 그 내용 전체가 참조에 의해 본 명세서에 편입된 것을 유리하게 사용할 수 있다. 다만, 상기 압력 전달 용기의 재질이 이들 재질로 한정되는 것은 아니다. 앞서 개시된 바와 같이, 일부 용도의 경우, 상기 압력은 적절한 수준의 점도를 갖는 유체 대신 고체 입자로 이루어진 유동층을 통해 인가될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 압력은 금속 볼로 구성된 유동층을 통해 인가된다. 그 발명가는 일부 용도의 경우 적절한 수준의 탄성 한계를 가진 금속으로 만들어진 공을 사용하는 것이 특히 흥미롭다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 압력은 금속 볼로 이루어진 유동층을 통해 인가되며, 상기 금속은 적절한 탄성 한계를 갖는다. 다른 실시 예들에서, 올바른 탄성 한계를 갖는 금속은 탄성 한계가 153 MPa 이상, 210 MPa 이상, 360 MPa 이상, 440 MPa 이상, 620 MPa 이상, 1020 MPa 이상, 1520 MPa 이상, 그리고 심지어 2020 MPa 이상인 금속이다. 일부 적용의 경우 탄성 한계는 특정 값보다 작아야 한다. 다른 실시 예들에서, 올바른 탄성 한계를 갖는 금속은 탄성 한계가 4940 MPa 미만, 3940 MPa 미만, 2940 MPa 미만, 2480 MPa 미만, 그리고 심지어 1980 MPa 미만인 금속이다. 일부 용도의 경우, 탄성 한계가 낮은 금속으로 이루어진 금속 볼을 사용하는 것이 바람직하다. 일 실시 예에서, 상기 압력은 금속 볼로 이루어진 유동층을 통해 인가되며, 상기 금속은 탄성 한계가 낮다. 다른 실시 예들에서, 낮은 탄성 한계는 190 MPa 이하, 140 MPa 이하, 그리고 심지어 94 MPa 이하이다. 일부 적용의 경우 지나치게 낮은 탄성 한계는 도움이 되지 않는다. 다른 실시 예들에서, 낮은 탄성 한계는 16 MPa 이상, 106 MPa 이상, 그리고 심지어 160 MPa 이상이다. 일 실시 예에서, 상기 탄성 한계치는 상온에서 ASTM E8/E89M-16a에 따라 측정된다. 또는, 일부 용도의 경우,　플라스틱 볼, 고분자 볼 세라믹 볼, 고분자 분말 및/또는 이들의 혼합물과 같은 다른 물질의 볼로 구성된 유동화 침대를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 압력은 세라믹 볼로 구성된 유동층을 통해 인가된다. 일 실시 예에서, 상기 압력은 고분자 볼을 포함하는 유동층을 통해 인가된다. 특정 용도의 경우, 적어도 두 가지 다른 재료의 볼로 구성된 볼의 혼합물을 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 압력은 서로 다른 재료의 볼 혼합물로 구성된 유동층을 통해 인가된다. 일부 실시 예에서는 구형 볼을 사용하는 것이 바람직하다. 그 발명가는 특정 용도의 경우 공의 크기가 적절할 수 있다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 볼의 크기는 98 mm 이하, 19 mm 이하, 9.4 mm 이하, 4.4 mm 이하, 0.9 mm 이하, 그리고 심지어 0.42 mm 이하이다. 일부 적용의 경우, 지나치게 낮은 크기의 볼을 사용하는 것은 도움이 되지 않는다. 다른 실시 예들에서, 볼의 크기는 0.0016 mm 이상, 0.012 mm 이상, 0.12 mm 이상, 1.1 mm 이상, 그리고 심지어 11 mm 이상이다. 일 실시 예에서, 볼의 크기는 볼의 평균 크기를 의미한다. 일부 실시 예에서는 동일하거나 유사한 크기의 볼을 사용하는 것이 바람직하다. 반면에, 일부 실시 예에서는, 보다 나은 압축력을 얻고, 압력의 균질한 전달을 확보하기 위해, 적어도 2개의 크기 분율로 구성된 볼의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다. 특정 용도의 경우, 큰 공과 작은 공의 지름 사이의 비율로 정의되는 볼 크기 비율을 제어해야 한다. 다른 실시 예들에서, 크기비는 5.1 이상, 7.1 이상, 9.6 이상, 10.2 이상, 그리고 심지어 15.6 이상이다. 특정 용도의 경우, 크기 비율이 특정 값 이하로 유지되어야 더 나은 압축이 가능하다. 다른 실시 예들에서, 크기비는 24.4 이하, 19.4 이하, 9.4 이하, 4.4 이하, 그리고 심지어 2.4 이하이다. 일 실시 예에서, 압력을 가하는 유체는 볼의 일부를 포함한다. 다른 실시 예들에서, 볼의 분율은 적어도 3vol%, 적어도 6vol%, 적어도 11vol%, 적어도 16vol%, 및 심지어 36vol%이다. 특정 용도의 경우, 압력은 고분자 분말의 혼합물을 통해서도 유리하게 적용될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 압력은 분말을 포함하는 유동층을 통해 인가된다. 일 실시 예에서, 상기 압력은 세라믹 분말을 포함하는 유동층을 통해 인가된다. 일 실시 예에서, 상기 압력은 MgO 분말을 포함하는 유동층을 통해 인가된다. 일 실시 예에서, 상기 압력은 파이로필라이트 분말을 포함하는 유동층을 통해 인가된다. 일 실시 예에서, 상기 압력은 소금 분말을 포함하는 유동층을 통해 인가된다. 일부 실시 예에서, 볼의 혼합물에 대해 개시된 상기 내용은 고분자 분말의 혼합물로도 확장될 수 있다. 일부 적용의 경우, 고분자 물질의 미립자를 포함하는 유동층을 사용하는 것이 유리하다. 본 발명자는 놀랍게도 일부 용도의 경우 낮은 융점을 갖는 고분자 물질의 미립자를 포함하는 유동층의 사용이 특히 흥미롭다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 저융점 온도 고분자 물질은 공정의 초기 단계, 즉 고압이 가해지기 전에 용융되도록 한다. 추가 실시 예에서, 상기 저융점 고분자 물질은 최고 압력이 가해지기 전에 용융되도록 한다. 다른 실시 예들에서, 상기 압력은 용융 온도가 249℃ 미만, 194 미만, 123℃ 미만, 93℃ 미만, 그리고 심지어 59℃ 미만인 적어도 부분적으로 용융된 고분자를 통해 적어도 부분적으로 인가된다. 일부 용도에서는 용해 온도가 지나치게 낮은 고분자 물질은 도움이 되지 않는다. 다른 실시 예들에서, 상기 압력은 용융 온도가 26℃ 초과, 57℃ 초과, 그리고 심지어 103℃ 초과인 적어도 부분적으로 용융된 고분자를 통해 적어도 부분적으로 인가된다. 일부 용도의 경우, 용해되지 않거나 적어도 완전하지 않은 고분자 물질의 미립자로 구성된 유동층을 통해 압력을 가하는 것이 흥미롭다. 다른 실시 예들에서, 고분자 물질의 용융 온도는 110℃ 초과, 170℃ 초과, 220℃ 초과, 310℃ 초과, 그리고 심지어 350 초과이다. 일 실시 예에서, 용융 온도는 ISO 11357-1/-3:2016에 따라 측정된다. 일 실시 예에서, 용융 온도는 20℃ /min의 가열 속도를 적용하여 측정한다. 일부 적용의 경우, 고분자 물질의 크기는 관련이 있을 수 있다. 다른 실시 예들에서, 고분자 물질의 크기는 26microns 이상, 56microns 이상, 76microns 이상, 그리고 심지어 96microns 이상이다. 일부 적용의 경우, 과도한 크기를 갖는 고분자 물질을 사용하면 인가된 압력이 불균일하게 분포될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 고분자 물질의 크기는 143microns 이하, 93microns 이하, 68microns 이하, 그리고 심지어 44microns 이하이다. 이 맥락에서 크기는 D50 값을 가리킨다. 일 실시예에서, D50은 샘플 부피의 50%가 입자 크기의 누적 분포에서 더 작은 입자들로 구성될 때의 입자 크기를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, D50은 샘플 질량의 50%가 입자 크기의 누적 분포에서 더 작은 입자들로 구성될 때의 입자 크기를 의미한다. 일 실시 예에서, 입자 크기는 ISO 13320-2009에 따라 레이저 회절로 측정된다.매우 다양한 고분자 물질이 사용될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 고분자 물질은 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 폴리에켈에켈 케톤(PEEK), 폴리이미드(PI), 폴리카프로락톤(PCL), 다공성 폴리카프로락톤(PCL), 폴리에켈에켈 케톤(PEEK)을 포함하나 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시 예에서, 상기 고분자 물질은 폴리이미드(PI) 및/또는 이들의 혼합물을 포함한다. 일 실시 예에서, 고분자 물질은 PPS를 포함한다. 일 실시 예에서, 고분자 물질은 PEEK를 포함한다. 일 실시 예에서, 고분자 물질은 PCL을 포함한다. 일 실시 예에서, 고분자 물질은 PI를 포함한다.　일 실시 예에서, 고분자 물질은 다공성 PCL을 포함한다. 일부 실시 예에서, 특허 출원 번호 PCT/EP2019/075743에 개시된 고분자 물질은 그 내용 전체가 참조에 의해 본 명세서에 편입된 것을 유리하게 사용할 수 있다. 다만, 상기 고분자 물질은 이들 물질에 한정되는 것은 아니다. 일 실시 예에서, 소결을 위해 개시된 상기 내용은 다른 압밀 처리로도 확장될 수 있다. 모두, 위에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 "동일한 방식으로 압력을 가하기 위해 개발된 전략"과 관련된 본 문서에 개시된 다른 실시 예와 결합될 수 있다.
특정 적용의 경우, 여러 사이클을 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 가압 및/또는 온도 처리의 사이클은 적어도 2회 이상 적용된다. 추가 실시 예에서는, 상기 가압 및/또는 온도 처리의 사이클이 적어도 3회 이상 적용된다.
일부 실시 예에서, 상기와 같은 "압력 및/또는 온도 처리"는 디바인딩 단계를 적용한 후 얻어진 성분에도 적용될 수 있으며, 이 경우, 성분 또는 성분 위에 놓인 압력 전달 용기(고분자 필름, 가방, 진공백, 컨포멀 코팅, 금형 등)에 가압 및/또는 온도를 적용할 수 있다. 일부 특정 실시 예에서, 압력 및/또는 온도를 인가하는 성분을 형성하는 단계는 생략될 수 있다. 또는, 일부 실시 예에서, 상기와 같은 "압력 및/또는 온도 처리"는 디바인딩 단계를 적용한 후에 얻어진 성분에만 적용된다. 일 실시 예에서, 성분을 포함하는 금속의 적어도 일부를 제조하는 방법은 다음과 같은 단계를 포함한다;
- 적층 제조에 의해 부분적으로만 제조된 금형을 제공한다;
- 적어도 분말 형태의 금속 또는 금속 합금으로 구성된 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채워야 한다;
- 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하는 구성 요소 형성;
- 금형의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩 적용;
- 선택적으로 압력 및/또는 온도 처리 적용;
- 구성 요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준 설정;
- 통합 처리 적용;
- 고온 고압 처리 적용; 그리고
- 선택적으로, 열처리 및/또는 가공을 적용한다.
일부 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 MAM 기술을 사용하여 형성된다. 상기 단계: 금속 적층 가공MAM법을 이용하여 적어도 금속 또는 금속 합금을 분말 형태로 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로부터 성분을 형성하는 단계로서, 상기 MAM 방법은 고분자 및/또는 바인더의 사용을 포함하는 것을 본 방법 전반에 걸쳐 형성 단계라고도 한다. 일 실시 예에서, 채용되는 MAM 기술은 금속 입자 또는 분말 및 유기 물질(예를 들어, 고분자, 바인더 및/또는 이들의 혼합물에 한정되지 않음)의 사용을 포함하는 임의의 AM 기술을 포함한다. 일 실시 예에서, MAM 기술은 구성요소 층을 층별로 형성하는 것을 포함한다. 일 실시 예에서, MAM 기술은 고분자 및/또는 바인더를 중합시키기 위해 방사선을 사용하는 것을 포함한다. 부품을 제조하기 위해 몇 가지 MAM 기술이 사용될 수 있다. 채용될 수 있는 MAM 기술의 비제한적인 예로는: 융합 증착(FDM), 용융 수지 압출 적층(FFF), 스테레오 리소그래피(SLA), 디지털 광처리(DLP), 연속 디지털 광처리(CDLP), 디지털 광합성(DLS), 연속 액체 인터페이스 생산(CLIP), 재료 분사(MJ), 드롭 온 디맨드(DOD), 멀티 제트 융합(MJF), 바인더 분사(BJ), 레이저 소결(SLS), 선택적 열 소결(SHS), 직접 에너지 증착(DeD), 적층 제조(BAAM) 및/또는 이들의 조합이 있다. 일 실시 예에서, MAM 기술은 유기 물질과 분말 또는 분말 혼합물의 혼합물을 포함하는 필라멘트 또는 와이어의 사용을 포함한다. 일 실시 예에서, MAM 기술은 필라멘트 또는 와이어에서 유기 물질의 적어도 일부를 융합하는 것을 포함한다. 일 실시 예에서, MAM 기술은 필라멘트 또는 와이어에서 금속 물질의 적어도 일부를 융합하는 것을 포함한다. 일 실시 예에서, MAM 방법은 DLS이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 CLIP에 기초한 기술이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 CLIP 기반의 DLS이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 SLA이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 DLP이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 SHS이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은SLS이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 DOD이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 MJF이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 CDLP이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 MJ이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 BJ이다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 BJ이며, 바인더는 각 층에 도포된다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 FDM이다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 FDM이며, 상기 금속 합금을 분말 형태 또는 분말 혼합물로 포함하는 고분자를 노즐을 통해 압출하여 상기 층들을 플랫폼 상에 증착시킨다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 사용되는 필라멘트 또는 와이어가 유기 물질과 분말 또는 분말 혼합물의 혼합물을 포함하는 FDM 방법이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 사용되는 필라멘트 또는 와이어가 유기물 및 분말 또는 분말 혼합물의 혼합물을 포함하는 FFF 방법이다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 분말 또는 분말 혼합물을 포함하는 금속이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 DeD이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 용해원이 레이저인 DeD이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 용해원이 전자 빔인 DeD이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 용해원이 전기 아크인 DeD이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 BAAM이다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 FDM과 유사한 시스템을 통해 증착이 이루어지며, 상기 필라멘트 또는 와이어가 유기 물질과 분말 또는 분말 혼합물의 혼합물인 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 FDM과 유사한 시스템을 통해 증착이 이루어지며, 상기 필라멘트 또는 와이어가 유기 물질과 금속 분말 또는 분말 혼합물을 포함하는 금속의 혼합물인 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 상기 성분 제조 공정이 상기 유기 물질의 접착 결합에 의해 이루어지는 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 상기 성분 빌드 공정이 금속 입자의 융착을 수반하지 않는 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 분말 또는 분말 혼합물과 유기 물질을 투사하는 적어도 프린터 헤드를 통해 증착이 이루어지는 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 분말 또는 분말 혼합물과 유기물을 별도로 투영하는 적어도 하나의 프린터 헤드를 통해 증착이 이루어지는 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 BAAM 방법으로서, 증착은 콜드 스프레이 시스템과 유사한 시스템을 통해 달성된다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 분말 또는 분말 혼합물의 고속 투영에 의해 증착이 달성되는 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 유기 입자와 금속 및/또는 세라믹 입자의 혼합물의 고속 투영에 의해 증착이 달성되는 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 상기 성분 빌드 과정에서 금속 입자의 적어도 일부가 융착되는 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 상기 성분 빌드 과정에서 모든 금속 입자가 융착되는 BAAM 방법이다. 일 실시 예에서, 상기 금속 입자는 분말 형태로 첨가된다. 추가 실시 예에서, 금속 입자는 와이어 형태로 첨가된다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 열원이 방사선인 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 상기 열원이 적외선 열원인 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 상기 열원이 초음파 소스인 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 열원이 레이저인 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 상기 열원이 마이크로파 방사원/마이크로파 발생기인 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 열원이 전자 빔인 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 MAM 방법은 열원이 전기 아크인 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, MAM 방법은 열원이 플라즈마인 BAAM 방법이다. 또는, 일부 실시 예에서, 상기 성분을 형성하기 위해 비첨가제 제조 방법이 적용될 수 있다. 일부 실시 예에서, 적어도 2개의 상이한 MAM 방법을 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명자는 MAM법에 사용되는 유기물(예컨대, 고분자, 바인더 및/또는 이들의 혼합물)이 성형 단계를 적용한 후 적용되는 상이한 단계를 통해 형상을 유지할 수 있는 한, 일부 용도의 경우 중요하지 않다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 유기 물질은 열가소성 고분자를 포함한다. 일 실시 예에서, 유기 물질은 열경화성 고분자를 포함한다. 일부 실시 예에서, 본 문서 전반에 걸쳐 개시된 유기 물질이 유리하게 사용될 수 있다.
본 발명자는 성형 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 외관 밀도가 관련이 있다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 상기 성형 단계를 적용한 후의 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도는 21%보다 높고, 31%보다 높고, 41%보다 높고, 51%보다 높고, 71%보다 높고, 81%보다 높고, 그리고 심지어86%보다 높다. 일부 적용의 경우, 겉보기 밀도는 특정 값 이하로 유지해야 한다. 다른 실시 예들에서, 성형 단계를 적용한 후의 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도는 99.8% 미만, 89.8% 미만, 79.8% 미만, 69% 미만, 그리고 심지어 59% 미만이다. 일 실시 예에서, 겉보기 밀도 = (실제 밀도/이론 밀도)*100이다. 일 실시 예에서, 성분의 실제 밀도는 아르키메데스의 원리에 의해 측정된다. 대안적 일 실시 예에서, 구성 요소의 실제 밀도는 ASTM B962-08에 따라 아르키메데스 원리에 의해 측정된다. 일 실시 예에서, 밀도 값은 20℃ 및 1 atm이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 성형 단계를 적용한 후, 구성 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도는 21% 이상 99.98% 미만이다; 혹은 예를 들어; 일 실시 예에서, 상기 성형 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분의 외관 밀도는 31%보다 크고 99.98%보다 작은 것을 특징으로 한다.
일부 용도의 경우, 성형 단계를 적용한 후 구성부품의 표면(이하 %NMVS라 한다)에 접근한 비금속 공극의 비율은 관련이 있다. 본 방법 전반에 걸쳐 표면에 접근하는 비결정성 공극의 비율은 %NMVS=(NMVS의 부피/NMVT의 부피)*100으로 계산되며, 여기서 NMVT의 부피는 성분 내 비결정성 공극의 총 부피이다. 이러한 맥락에서 볼륨은 m3이다. 일 실시 예에서, 상기 구성 요소의 비금속 공극은 구성 요소의 금속 부분에 포함된 공기 및/또는 고분자 및/또는 바인더와 같은 공극을 의미하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시 예에서, NMVS의 부피는 금속 부분을 가로지르지 않고 구성 요소의 표면에 직접 접근하여 구성 요소의 금속 부분 내부에 위치하는 공극(예를 들면, 공기 및/또는 고분자 및/또는 바인더)의 부피를 의미한다. 일 실시 예에서, "금속 부분을 가로지르지 않고 구성 요소의 표면에 직접 접근할 수 있는 구성 요소 내부에 위치한 공극"은 부품의 내부 체적 내에 위치하며, 부품의 외부 표면에 정의된 하나의 외부 개구부를 통해 부품의 적어도 하나의 외부 표면과 직접 연통되는 기하학적 측면을 의미한다. 일 실시 예에서 세라믹은 공극의 부피를 계산하기 위해 제외된다. 추가 실시 예에서, 공극의 부피를 계산하기 위해 금속간은 제외된다. 추가 실시 예에서, 공극은 구성 요소 설계의 일부인 기하학적 측면을 배제하며, 이는 예를 들어 구성 요소가 구성 요소 설계의 일부인 냉각 채널, 공극 또는 공동으로 구성되는 경우, 이러한 기하학적 측면은 공극의 부피를 계산하는 것으로 간주되지 않는다는 것을 의미한다. 일 실시 예에서, 공극은 다공성을 포함한다. 추가 실시 예에서, 공극은 단지 다공성만을 포함한다. 일부 실시 예들에서, 공극의 부피는 관련이 있다. 일 실시 예에서, 성분 * 10-2 의 부피보다 큰 부피를 갖는 공극은 공극의 부피를 계산하기 위해 고려되지 않는다. 추가 실시 예에서, 성분 * 10-3의 부피보다 큰 부피를 갖는 공극은 공극의 부피를 계산하기 위해 고려되지 않는다. 추가 실시 예에서, 성분 * 10-4의 부피보다 큰 부피를 갖는 공극은 공극의 부피를 계산하기 위해 고려되지 않는다. 추가 실시 예에서, 성분 * 10-5의 부피보다 큰 부피를 갖는 공극은 공극의 부피를 계산하기 위해 고려되지 않는다. 추가 실시 예에서, 성분 * 10-6의 부피보다 큰 부피를 갖는 공극은 공극의 부피를 계산하기 위해 고려되지 않는다. 일 실시 예에서, 본 문서 전반에 걸쳐, NMVS의 부피 및 NMVT의 부피는 Pure & Appl. Chern., Vol. 66, No. 8, pp. 1739-1758, 1994에 따라 측정된다.
일부 용도의 경우 성형 단계를 적용한 후 구성 요소의 표면에 접근할 수 있는 비금속 공극의 백분율이 적절하다. 본 발명자는 일부 용도의 경우, 성형 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에 일부 NMVS가 존재하는 것이 특히 구성 요소 내의 산소 및/또는 질소 수준을 제어할 때 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 포밍 단계를 적용한 후, 상기 구성 성분의 금속 부분에서의 %NMVS는 적정 레벨인 %NMVS이다. 달리 명시되지 않는 한, 특징 "적정 수준의 %NMVS"는 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 방법 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예에서, %NMVS의 적정 수준은 0.02% 초과, 6% 초과, 21% 초과, 31% 초과, 51% 초과, 76% 초과, 그리고 심지어 86% 초과이다. 일부 용도에서는 %NMVS가 지나치게 높은 레벨을 방지하도록 제어해야 한다. 다른 실시 예들에서, %NMVS의 적정 수준은 99.98% 이하, 99.8% 이하, 98% 이하, 74% 이하, 49% 이하, 그리고 심지어 24% 이하이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 성형 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분에서의 %NMVS는 6% 이상 99.98% 이하이다.
본 발명자는 일부 적용의 경우, 보다 관련성이 높은 것은 NMVS(이전에 정의된 바와 같이 금속 부분을 교차하지 않고 부품의 표면에 직접 접근할 수 있는 구성 요소의 금속 부분 내부에 위치한 공극의 부피)의 부피와 구성 요소의 총 부피 사이의 관계이며, %NMVC = (NMVS의 부피/구성 요소의 총 부피)*100으로 정의된다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 포밍 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분에서의 %NMVC는 적절한 %NMVC 레벨이다. 달리 명시되지 않는 한, 특징 "적정 수준의 %NMVC"는 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 방법 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, %NMVC의 적정 수준은 0.3% 초과, 1.2% 초과, 3.2% 초과, 6.2% 초과, 12% 초과, 그리고 심지어 22% 초과이다. 일부 용도의 경우 성형 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVC를 제어하여 지나치게 높은 레벨을 방지해야 한다. 다른 실시 예들에서, %NMVC의 적정 수준은 64% 미만, 49% 미만, 24% 미만, 18% 미만, 9% 이하, 그리고 심지어 4% 미만이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 성형 단계를 적용한 후, 상기 구성 성분의 금속 부분에서의 %NMVC는 0.3% 이상 64% 이하이다.
일부 적용의 경우, 성형된 부품에 대한 가공 단계의 적용이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 상기 성형 단계 이후에 얻어진 부품에 가공을 적용하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시 예에서, MAM 방법을 사용하여 구성 요소를 형성하는 방법은 다음 단계를 더 포함한다; 탈착 단계 전 및/또는 후에 "압력 및/또는 온도 처리"를 적용한다; 이러한 경우, 압력 및/또는 온도는 구성 요소 또는 구성 요소 위에 배치된 압력 전달 용기(고분자 필름, 가방, 진공백, 컨포멀 코팅, 금형 등)에 인가된다. 일 실시 예에서, 성분을 포함하는 금속의 적어도 일부를 제조하는 방법은 다음과 같은 단계를 포함한다:
- 분말 형태의 금속 또는 금속 합금으로 구성된 분말 또는 분말 혼합물을 제공;
- 금속 적층 가공 (MAM) 방법을 사용하여 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로부터 부품을 형성하고, 여기서 MAM 방법은 고분자 및/또는 바인더의 사용을 포함;
- 선택적으로, 압력 및/또는 온도 처리를 적용
- 고분자 및/또는 바인더의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용;
- 선택적으로 압력 및/또는 온도 처리 적용;
- 정확한 겉보기 밀도를 달성하기 위한 통합 처리 적용;
- 고온 고압 처리 적용; 그리고
선택적으로,
-열처리 및/또는 가공을 수행한다.
일 실시 예에서, 상기 방법은 상기 고분자 및/또는 바인더 또는 금형의 적어도 일부를 제거하는 단계를 포함한다. 상기 디바인딩을 적용하여 상기 고분자 및/또는 바인더의 적어도 일부를 제거하는 단계를 본 방법 전반에 걸쳐 상기 디바인딩 단계라고도 한다. 금형의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계를 본 방법 전반에 걸쳐 디바인딩 단계라고도 한다. 일부 특정 적용의 경우, 디바인딩 단계는 선택 사항이기 때문에 피할 수 있다. 일 실시 예에서, 디바인딩 단계는 생략된다. 일부 응용 프로그램의 경우, 디바인딩 시 구성 요소가 붕괴되지 않는 한 디바인딩 단계는 중요하지 않다. 일부 적용의 경우, 본 문서 전반에 걸쳐 개시된 방법에서 적용되는 바인딩 조건도 상호 배타적이지 않은 경우, 위에서 개시된 방법들과 임의의 조합으로 적용될 수 있다. 사용 가능한 디바인딩 방법은 원하는 양의 유기물이 제거된 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 채용될 수 있으나 이에 한정되지 않는 탈착 방법의 예로는 열 탈착, 비열 탈착(촉매, 윅킹, 건조, 초임계 추출, 유기 용매 추출, 수계 용매 추출 또는 동결 건조...)화학적 탈착 및/또는 이들의 조합을 들 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 탈착 단계는 비열 탈착을 포함한다. 일 실시 예에서, 탈착 단계는 화학적 탈착을 포함한다. 일 실시 예에서, 탈착 단계는 열 탈착을 포함한다. 일부 적용의 경우, 탈착 단계에서 적용되는 온도를 올바르게 선택하는 것이 중요하다. 일부 적용의 경우, 탈착 단계에서 적용되는 온도를 올바르게 선택하는 것이 중요하다. 다른 실시 예들에서, 디바인딩 단계의 온도는 51℃ 이상, 110℃ 이상, 255℃ 이상, 355℃ 이상, 455℃ 이상, 그리고 심지어 610℃ 이상이다. 일부 적용의 경우, 탈착 단계에서 지나치게 높은 온도를 피하는 것이 특히 중요하다. 다른 실시 예들에서, 디바인딩 단계의 온도는 1390℃ 이하, 890℃ 이하, 690℃ 이하, 590℃ 이하, 490℃ 이하, 그리고 심지어 190℃ 이하이다.
일부 적용의 경우, 디바인딩 단계가 수행되는 용해로 또는 압력 용기에서 사용되는 환경은 관련이 있다. 이에, 일부 실시 예에서, 제조된 성분의 바람직한 성능을 달성하기 위해서는 디바인딩 단계에서 분위기를 올바르게 선택하는 것이 중요하다. 일 실시 예에서, 디바인딩 단계는 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 바와 같이)의 사용을 포함한다. 특정 용도의 경우, 탈착 단계 동안 사용되는 분위기를 변경하는 것이 유리하다(예: 탈착 단계의 일부에서만 적절하게 설계된 분위기를 사용하거나 탈착 단계에서 적절하게 설계된 분위기를 적어도 두 개 이상 사용하는 것 등에 한정되지 않는다). 일 실시 예에서, 디바인딩 단계의 적어도 일부를 수행하기 위해 적절하게 설계된 분위기가 사용된다. 따라서, 본 문서에 개시된 적절하게 설계된 분위기와 관련된 어떠한 실시 예도 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 탈착 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 탈착 단계는 적어도 2개의 서로 다른 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 추가 실시 예에서, 탈착 단계는 적어도 3개의 서로 다른 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 추가 실시 예에서, 탈착 단계는 적어도 4개의 서로 다른 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 특정 용도의 경우, 탈착 단계에서 구성 요소 표면의 카본 포텐셜(기존에 정의된 바와 같이)과 관련하여 올바른 카본 포텐셜의 용해로 또는 압력 용기 분위기를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 탈착 단계는 (기존에 정의된 바와 같이) 성분 표면의 카본 포텐셜과 관련하여 올바른 카본 포텐셜의 용광로 또는 압력 용기 분위기를 사용하는 단계를 포함한다. 이에, 본 문서에 개시된 성분의 표면의 카본 포텐셜과 관련하여 올바른 카본 포텐셜의 용광로와 또는 압력 용기 분위기에 관한 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 디바인딩 단계와 결합될 수 있다. 특정 용도의 경우, 디바인딩 단계를 적용한 후, 성분(기존에 정의된 바와 같이)의 금속 부분에 탄소 함량과 관련하여 용광로의 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 디바인딩 단계는 디바인딩 단계를 적용한 후, 성분(기존에 정의된 바와 같이)의 금속 부분의 탄소 함량에 대한 용광로의 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기를 이용하는 것을 포함한다. 디바인딩 단계 적용 후 구성부품의 금속부 내 탄소 함량에 대한 용해로 또는 압력용기 분위기의 카본 포텐셜은 [(디바인딩 단계 적용 후 구성부품의 금속부 탄소함유량 - 용해로 또는 압력용기 분위기의 카본 포텐셜) / 용해로 또는 압력용기 분위기의 카본 포텐셜]*100. 이에, 본 문서에 개시된 성분의 금속 부분에서의 탄소 함량과 관련하여 용해로의 올바른 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기에 관한 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 디바인딩 단계와 결합될 수 있다. 특정 용도의 경우, 디바인딩 단계에서 (기존에 정의된 바와 같이) 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 디바인딩 단계는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 이에, 본 문서에 개시된 올바른 질화 분위기와 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 디바인딩 단계와 결합될 수 있다. 본 발명자는 일부 용도의 경우 디바인딩 단계에서 과압 및/또는 특정 진공(기존에 정의된 바와 같이)의 적용과 함께 높은 질화 온도를 적용하는 것을 포함하는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다는 것을 발견했다. 일부 적용의 경우, 디바인딩 단계를 적용한 후 구성 요소 표면의 질소 중량 백분율이 더 적절하다. 분말의 주어진 조성에 대하여, 당업자는 온도, 질화 전위 및 기타 관련 변수들의 선택 방법을 알고 있으므로, 시뮬레이션에 따르면, 디바인딩 단계를 적용한 후 표면에서의 질소(%N)의 중량 백분율이 (기존에 정의된 바와 같이) 올바른 질소 함량이 된다. 일 실시 예에서, 시뮬레이션은 ThermoCal (버전 2020b)로 수행된다. 일 실시 예에서, 디바인딩 단계를 적용한 후의 표면에서의 질소 중량 퍼센트는 (기존에 정의된 바와 같이) 적절한 질소 함량이다. 따라서, 본 문서에 개시된 올바른 질소 함량과 관련된 어떠한 실시 예도 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 디바인딩 단계와 결합될 수 있다. 특정 용도에서는 디바인딩 단계에서 적절한 시간(기존에 정의된 대로) 동안 적절한 온도의 대기로 구성된 %O2 를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 디바인딩 단계는 적절한 온도의 분위기를 적절한 시간 동안 포함하는 %O2 를 사용하는 것을 포함한다. 이에, 본 문서에 개시된 적정한 시간 동안 적절한 온도의 분위기로 구성된 %O2 와 관련된 어떠한 실시 예도 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 디바인딩 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 디바인딩 단계에서 사용되는 분위기는 (기존에 정의된 바와 같이) 높은 진공 레벨을 적용하는 것을 포함한다. 이에, 본 문서에 개시된 고진공 수준에 관한 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 디바인딩 단계와 결합될 수 있다. 일부 적용의 경우, 디바인딩 단계에서 높은 진공 수준(기존에 정의된 대로)의 적용을 포함하는 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 대로)를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 관련하여, 본 문서에 개시된 고진공 수준에 관한 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 디바인딩 단계와 결합될 수 있다.
본 발명자는 제본 단계를 적용한 후 얻어진 부품에 가공 단계를 적용함으로써 일부 응용이 이익을 얻는다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 디바인딩 후 가공을 적용하는 단계를 더 포함한다.
앞서 개시된 바와 같이, 일부 실시 예의 경우, 디바인딩 후 압력 및/또는 온도 처리(기존에 정의된 바와 같이)를 적용하면 제조된 부품의 기계적 물성을 향상시키는 데 도움이 될 수 있으며, 이 경우 부품 또는 부품 위에 배치된 압력 전달 용기(고분자 필름, 가방, 진공백, 컨포멀 코팅, 금형 등)에 압력 및/또는 온도가 인가된다. 일부 실시 예에서, 상기 "압력 및/또는 온도 처리"(기존에 정의된 바와 같이)는 상기 디바인딩 단계를 적용한 후 얻어진 성분에도 적용될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 상기 디바인딩 단계를 적용한 후, 압력 및/또는 온도 처리(기존에 정의된 바와 같이)를 적용하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시 예에서는, 가압 및/또는 온도 처리 후의 가공 단계의 적용이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 상기 가압 및/또는 온도 처리를 적용한 후 가공을 적용하는 단계를 더 포함한다.
앞서 개시된 바와 같이, 일부 용도의 경우, 구성 요소의 금속 부분(또는 제조된 구성 요소의 일부)에서 질소 및/또는 산소 함량은 제조된 구성 요소에서 도달할 수 있는 기계적 성질에 영향을 미칠 수 있다. 이에, 일부 실시 예에서, 상기 방법은 구성 요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 레벨을 설정하는 단계를 더 포함한다. 상기 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 레벨을 설정하는 단계를 본 방법 전반에 걸쳐 고정 단계라고도 한다. 본 발명자는 일부 용도의 경우 탈착 단계와 고정 단계를 동시에 및/또는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 디바인딩 단계와 상기 고정 단계는 동시에 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 디바인딩 단계와 상기 고정 단계는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행된다.
일부 용도에서는 고정 단계가 수행되는 용해로 또는 압력 용기에서 사용되는 분위기가 적절하다. 이에, 일부 실시 예에서, 제조된 부품의 바람직한 성능을 달성하기 위해서는 고정 단계에서 분위기를 올바르게 선택하는 것이 중요하다. 일 실시 예에서, 고정 단계는 적절하게 설계된 분위기를 사용하는 것(예: 고정 단계의 일부에서만 적절하게 설계된 분위기를 사용하는 것 및/또는 고정 단계에서 적절하게 설계된 두 가지 이상의 다른 분위기를 사용하는 것)을 포함한다. 일 실시 예에서, 고정 단계의 적어도 일부를 수행하기 위해 적절하게 설계된 분위기가 사용된다. 따라서, 본 문서에 개시된 적절하게 설계된 분위기와 관련된 어떠한 실시 예도 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 고정 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 고정 단계는 적어도 2개의 상이한 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 고정 단계는 적어도 3개의 상이한 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 고정 단계는 적어도 4개의 상이한 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 특정 용도의 경우, 고정 단계에서 성분 표면(기존에 정의된 바와 같이)의 카본 포텐셜과 관련하여 용해로의 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 고정 단계는 성분 표면(기존에 정의된 바와 같이)의 카본 포텐셜과 관련하여 용해로의 올바른 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기를 사용하는 단계를 포함한다. 이에, 본 문서에 개시된 구성 요소 표면의 카본 포텐셜과 관련하여 용해로의 올바른 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기에 관한 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 고정 단계와 결합될 수 있다. 특정 용도의 경우, 고정 단계를 적용한 후, 성분(기존에 정의된 바와 같이)의 금속 부분에서의 탄소 함량과 관련하여 용해로의 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기를 이용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 고정 단계는 상기 고정 단계를 적용한 후, 상기 성분(기존에 정의된 바와 같이)의 금속 부분에 탄소 함량에 대한 용해로의 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기를 이용하는 것을 포함한다. 고정단계 적용 후 구성부품의 금속부 탄소함량에 대한 용해로 또는 압력용기 분위기의 카본 포텐셜은 [(고정 단계 적용 후 구성부품의 금속 부분의 탄소 함량 - 용해로 또는 압력 용기 분위기의 카본 포텐셜) / 용해로 또는 압력 용기 분위기의 카본 포텐셜]*100의 절대값으로 정의된다. 이에, 본 문서에 개시된 성분의 금속 부분에서의 탄소 함량과 관련하여 용해로의 올바른 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기에 관한 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 고정 단계와 조합될 수 있다. 특정 용도의 경우 고정 단계에서 올바른 질화 분위기(이전에 정의된 바와 같이)를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 고정 단계는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 이에, 본 문서에 개시된 올바른 질화 분위기와 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 고정 단계와 결합될 수 있다. 본 발명자는 일부 적용의 경우 고정 단계에서 과압 및/또는 특정 진공(기존에 정의된 바와 같이)의 적용과 함께 높은 질화 온도를 적용하는 것을 포함하는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다는 것을 발견했다. 제공된 분말 또는 분말 혼합물이 질소 오스테나이트계 강철 분말(기존에 정의된 바와 같이) 또는 질소 오스테나이트계 강철의 평균 조성을 갖는 분말 혼합물(기존에 정의된 바와 같이)을 포함하는 경우, 적절한 원자 질소 함량을 갖는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 제조된 구성요소가 질소 오스테나이트강(기존에 정의된 바와 같이)의 조성을 갖는 경우, 적절한 원자 질소 함량을 갖는 적절한 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 제공된 분말 또는 분말 혼합물이 본 문서에서 이전에 정의된 적절한 수준의 %Yeq(1)를 포함하는 경우, 적절한 원자 질소 함량을 갖는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 올바른 질화 온도를 적용하는 것을 포함하는 올바른 원자 질소 함량을 갖는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것은 제조된 구성 요소가 본 문서에서 이전에 정의된 올바른 레벨의 %Yeq(1)로 구성될 때 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 제조된 구성 요소에 포함된 물질 중 적어도 하나가 본 문서에서 이전에 정의된 %Yeq(1)의 적정 수준을 가질 때, 적절한 원자 질소 함량을 갖는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 제공된 분말 또는 분말 혼합물이 %Y+%Sc+%REE, %Al+%Y+%Sc+%REE, %Ti+%Y+%Sc+%REE 및/또는 %Al+%Ti+%Y+%Sc+%REE(기존에 정의된 바와 같이)의 적절한 함량을 포함하는 경우, 적절한 원자 질소 함량을 갖는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 올바른 질화 온도를 적용하는 것을 포함하는 올바른 원자 질소 함량을 갖는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것은 제조된 구성 요소가 %Y+%Sc+%REE, %Al+%Y+%Sc+%REE, %Ti+%Y+%Sc+%REE 및/또는 %Al+%Ti+%Y+%Sc+%REE(기존에 정의된 바와 같이)의 올바른 함량을 포함할 때 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 제공된 분말 또는 분말 혼합물이 적절한 수준의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb(기존에 정의된 바와 같이)의 강철 분말을 포함하는 경우, 적정한 질화 온도를 가하는 것을 포함하는 적정한 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 성분의 금속 부분이 질화 분위기를 제거할 때, 적정한 수준의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb(기존에 정의된 바와 같이)를 포함하는 경우, 적정한 질화 온도를 인가하는 것을 포함하는 적정한 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 제조된 성분이 적절한 수준의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb(기존에 정의된 바와 같이)를 포함하는 경우, 낮은 질화 온도를 적용하는 것을 포함하는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 상기 개시된 것은 상기 디바인딩 단계, 압밀 단계 및/또는 고밀화 단계가 올바른 질화 분위기를 이용하는 단계를 포함하는 경우에도 적용된다. 일부 용도의 경우 고정 단계를 적용한 후 구성 요소 표면의 질소 중량 백분율이 더 적절하다. 분말의 주어진 조성에 대하여, 당업자는 온도, 질화 전위 및 기타 관련 변수들의 선택 방법을 알고 있으므로, 시뮬레이션에 따르면, 고정 단계를 적용한 후 표면에서의 질소(%N)의 중량 백분율이 적절한 질소 함량(기존에 정의된 바와 같이)이 된다. 일 실시 예에서, 시뮬레이션은 ThermoCal (버전 2020b)로 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 고정 단계를 적용한 후 표면에서 질소의 중량 백분율은 적절한 질소 함량(기존에 정의된 바와 같이)이다. 따라서, 본 문서에 개시된 올바른 질소 함량과 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 고정 단계와 결합될 수 있다. 특정 용도에서는 고정 단계에서 적절한 시간(기존에 정의된 대로) 동안 적절한 온도의 대기로 구성된 %O2 를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 고정 단계는 적절한 온도에서 적절한 시간 동안 분위기를 포함하는 %O2 를 사용하는 것을 포함한다. 이에, 본 문서에 개시된 적정한 시간 동안 적절한 온도의 분위기로 구성된 %O2 와 관련된 어떠한 실시 예도 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 고정 단계와 결합될 수 있다. 일부 실시 예에서, 상기 개시된 바와 같이 분위기를 구성하는 %O2 의 사용은 %NMVS 및/또는 %NMVC를 보존하기 위해 고정 단계를 세심하게 수행할 때 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 적절한 온도에서 분위기를 구성하는 %O2 의 사용은 산소 함량이 높지만 극단적으로 높지 않은(기존에 정의된 바와 같이) 일부 분말을 선택할 때 유리하다. 일부 적용에서는 산소 수준을 고정하는 것이 자본이지만, 산소 함량과 다른 원소의 함량과의 관계가 더욱 중요하다. 일 실시 예에서, 상기 %O 함량은 전술한 바와 같이 %REE인 다음 식 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE)을 따르도록 선택된다. 추가 실시 예에서, 상기 %O 함량은 전술한 바와 같이 　%REE인, 다음 식 KYI*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE) ＜ %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE)를 따르도록 선택된다. 다른 실시 예들에서, KYI는 3800, 2900, 2700, 2650, 2600, 2400, 2200, 2000 그리고 심지어 1750이다. 다른 실시 예들에서, KYS는 2100, 2350, 2700, 2750, 2800, 3000, 3500, 4000, 4500 그리고 심지어 8000이다. 대체 실시 예에서, 본 항에서 위에 공개된 내용은 %Ti를 무시하도록 수정되어, 재료에 포함된 %Ti는 허용 가능한 %O의 계산에 고려되지 않는다. 일 실시 예에서, %O, %Y, %Sc, %Ti 및 %REE는 고정 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에 이러한 요소들의 함량을 의미한다. 또는, 일부 실시 예에서, 발명자는 제조된 성분(또는 제조된 성분으로 구성된 물질 중 적어도 하나에서)의 %O 함량이 전술한 공식을 준수하도록 선택되는 것이 특히 유리하다는 것을 발견했다. 대안적 일 실시 예에서, %O, %Y, %Sc, %Ti 및 %REE는 제조된 구성 요소에서 이러한 요소의 함량을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, %O, %Y, %Sc, %Ti 및 %REE는 제조된 구성 요소에 포함된 적어도 하나의 물질에서 이러한 요소의 함량을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, %O, %Y, %Sc, %Ti 및 %REE는 방법을 적용하는 동안 어느 시점에서 이러한 요소들의 함량을 의미한다. 일부 실시 예에서, 제공된 분말 또는 분말 혼합물이 질소 오스테나이트계 강철 분말(기존에 정의된 바와 같이) 또는 질소 오스테나이트계 강철의 평균 조성(기존에 정의된 바와 같이)을 갖는 분말 혼합물을 포함하는 경우 적절한 온도의 분위기를 포함하는 %O2 를 사용하는 것이 유리하다. 일부 실시 예에서, 적절한 온도에서 적절한 시간 동안 분위기를 구성하는 %O2 의 사용은 제조된 구성 요소가 질소 오스테나이트강의 조성(기존에 정의된 바와 같이)을 갖는 경우에 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 제공된 분말 또는 분말 혼합물이 적절한 수준의 %Yeq(1) (기존에 정의된 바와 같이)을 포함하는 경우, 적절한 온도의 분위기를 포함하는 %O2 를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 적절한 시간 동안 적절한 온도의 대기를 구성하는 %O2 의 사용은 제조된 구성 요소가 올바른 레벨의 %Yeq(1)(기존에 정의된 바와 같이)을 포함할 때 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 제공된 분말 또는 분말 혼합물이 %Y+%Sc+%REE, %Al+%Y+%Sc+%REE, %Ti+%Y+%Sc+%REE 및/또는
%Al+%Ti+%Y+%Sc+%REE(기존에 정의된 바와 같이)의 적절한 함량을 포함하는 경우, 적절한 온도에서 적절한 시간 동안 분위기를 포함하는 %O2 를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 제조된 성분이 %Y+%Sc+%REE, %Al+%Y+%Sc+%REE, %Ti+%Y+%Sc+%REE 및/또는
%Al+%Ti+%Y+%Sc+%REE(기존에 정의된 바와 같이)의 적절한 함량을 포함하는 경우, 적절한 온도에서 적절한 시간 동안 분위기를 구성하는 %O2 를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 상기 개시된 것은 디바인딩 단계, 통합 단계 및/또는 고밀화 단계가 분위기를 포함하는 %O2 의 사용을 포함하는 경우에도 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 고정 단계에서 사용되는 분위기는 높은 진공 레벨(기존에 정의된 바와 같이)을 적용하는 것을 포함한다. 이에, 본 문서에 개시된 고진공 수준에 관한 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 고정 단계와 결합될 수 있다. 일부 적용의 경우 고정 단계에서 높은 진공 수준(기존에 정의된 대로)의 적용을 포함하는 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 대로)를 사용하는 것이 바람직하다. 이에, 본 문서에 개시된 고진공 수준에 관한 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 고정 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 고정 단계가 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 바와 같이)를 사용하는 것으로 구성되는 경우, 구성 요소의 금속 부분에서 산소 레벨이 적정 수준으로 달성되도록 하기 위해서는 %Moeq의 일정 함량과 %C 또는 %Ceq(기존에 정의된 바와 같이)의 일정 함량이 존재하는 것이 특히 유리하다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않다면, 이들 사이에 및 본 문서에 개시된 다른 실시 예와 어떠한 조합으로도 결합될 수 있다. 예를 들어, %Moeq가 0.11wt% 이상이고 %C가 0.98wt%, 미만인 강철 분말은 대부분 Ar을 포함하는 분위기에서 고정 단계를 수행한다; 또는 예를 들어, %Moeq가 14wt% 미만이고 %Ceq가 0.11wt% 이상인 강철 분말일 때 고정 단계는 대부분 %H2(기존에 정의된 바와 같이)로 구성된 분위기에서 수행된다.
일부 적용의 경우, %Moeq의 특정 함량과 %C 또는 %Ceq의 특정 함량(이전에 정의된 대로)을 조합하면 구성 요소에서 적절한 수준의 질소를 얻는 데 도움이 될 수 있다. 일부 용도의 경우,　분말이 스테인리스강 분말 또는 분말 혼합물로, 이전에 공개된 %Cr 함량의 스테인리스강의 전체 조성을 가지는 경우, 고정 단계에서 사용되는 분위기가 이전에 정의된 바와 같이 적절하게 설계된 분위기일 경우 구성 요소의 금속 부분에서 적절한 수준의 산소를 달성하는 것이 특히 유리하다. 따라서, 적절히 설계된 분위기와 관련된 어떠한 실시 예도 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 고정 단계에 적용될 수 있다. 예를 들어, %Cr이 10.6wt% 이상인 스테인리스 분말이며, 여기서 고정 단계는 55wt% 이상의 %H2를 포함하는 분위기에서 수행된다; 또는, 예를 들어, %Cr이 49wt% 미만인 스테인리스강 분말로서, 고정 단계는 55wt% 이상의 %H2를 포함하는 분위기에서 수행된다. 일부 적용의 경우, 고정 단계는 %H2를 4wt% 이상 포함하는 분위기에서 수행하는 것이 특히 유리하다.
본 발명자는 일부 용도의 경우, 고정 단계에서 적절한 온도를 사용하는 것이 특히 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 고정 단계는 적절한 온도를 인가하는 단계를 포함한다. 다른 실시 예들에서, 적정 온도는 220℃ 초과, 420℃ 초과, 610℃ 초과, 920℃ 초과, 1020℃ 초과, 그리고 심지어 1120℃ 초과 온도를 의미한다. 일부 적용의 경우, 적절한 온도를 제어하고 특정 값 이하로 유지해야 한다. 다른 실시 예들에서, 적정 온도는 1490℃ 미만, 1440℃ 미만, 1398℃ 미만, 1348℃ 미만, 및 심지어 1295℃ 미만 온도를 의미한다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 고정 단계는 220℃ 초과 및 1490℃ 미만의 온도를 인가하는 단계를 포함한다.
일부 실시 예에서, 고정 단계에서 적절한 온도가 채용될 때, 구성 요소의 금속 부분에서 적절한 수준의 산소를 달성하기 위해서는, 특히, %Moeq의 특정 함량과 %C 또는 %Ceq의 특정 함량의 조합이 유리하다. 상술한 모든 실시 예는, 예를 들어, 고정 단계의 적정 온도가 1490℃ 미만인 경우, Moeq가 0.11wt% 를 초과하고, %C가 0.98wt% 미만인 강분말과, 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 조합할 수 있다; 또는 예를 들어 %Moeq가 14wt% 미만이고 %Ceq가 0.11wt% 이상이며, 고정 단계의 적절한 온도가 220℃ 이상인 강철 분말을 예로 들 수 있다.
전술한 바와 같이, 일부 용도의 경우, 구성 요소의 금속 부분의 산소 레벨을 설정하는 것이 특히 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 구성 요소의 금속 부분은 상기 고정 단계를 적용한 후 적절한 수준의 산소를 갖는다. 달리 명시되지 않는 한, 특징 "적정 수준의 산소"는 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, 적절한 산소 수준은 390 ppm 미만, 140 ppm 미만, 90 ppm 미만, 49 ppm 미만, 19 ppm 미만, 9 ppm 미만, 그리고 심지어 4 ppm 미만이다. 모두 wt%로 표시된다. 반면에, 일부 적용의 경우, 상기 고정 단계를 적용한 후, 상기 구성 요소의 금속 부분에 일정 산소 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 적정 수준의 산소는 0.02 ppm 이상, 0.2 ppm 이상, 1.2 ppm 이상, 6 ppm 이상, 12 ppm 이상이다. 모두 wt%로 표시된다. 본 문서의 다른 부분에 개시된 바와 같이, 일부 적용의 경우, 고정 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에 매우 높은 산소 함량이 존재하는 것이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 적정 수준의 산소는 260 ppm 이상, 520 ppm 이상, 1100 ppm 이상, 2500 ppm 이상, 4100 ppm 이상, 5200 ppm 이상, 그리고 심지어 8400 ppm 이상이다. 모두 wt%로 표시된다. 특정 적용의 경우, 지나치게 높은 수준은 해로울 수 있다. 다른 실시 예들에서, 적절한 수준의 산소는 19000 ppm 이하, 14000 ppm 이하, 9000 ppm 이하, 7900 ppm 이하, 4800 ppm 이하, 그리고 심지어 900 ppm 이하이다. 모두 wt%로 표시된다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 고정 단계를 적용한 후 상기 성분의 금속 부분의 산소 농도는 0.02 ppm 이상, 390 ppm 이하이다. 또는, 예를 들어 추가 실시 예에서, 고정단계 적용 후 구성 요소의 금속부위의 산소농도는 260 ppm에서 19000 ppm사이이다. 일부 적용의 경우, 고정 단계를 적용한 후의 질소 함량은 관련성이 있고 일정 수준 이하로 감소시켜야 한다. 일 실시 예에서, 상기 구성 요소의 금속 부분은 상기 고정 단계를 적용한 후 적절한 수준의 질소를 갖는다. 달리 명시되지 않는 한, 특징 "적정 수준의 질소"는 아래에 상세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, 적절한 수준의 질소는 99 ppm　미만, 49 ppm 미만, 19 ppm 미만, 9 ppm 미만, 4 ppm 미만, 그리고 심지어 0.9 ppm 미만이다. 모두 wt%로 표시된다. 반면에, 일부　적용의 경우, 구성 요소의 금속 부분에서의 특정 질소 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 적정 수준의 질소는 0.01 ppm 이상, 0.06 ppm 이상, 1.2 ppm 이상, 그리고 심지어 5 ppm 이상이다. 본 문서의 다른 부분에 개시된 바와 같이, 일부 적용의 경우, 고정 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에 질소 함량이 매우 높은 것이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 적절한 수준의 질소는 0.02wt% 이상, 0.2wt% 이상, 0.3wt% 이상, 0.4wt% 이상, 0.6wt% 이상, 0.91wt% 이상, 그리고 심지어 1.2wt% 이상이다. 특정 적용의 경우, 지나치게 높은 수준은 해로울 수 있다. 다른 실시 예들에서, 적절한 수준의 질소는 3.9wt% 이하, 2.9wt% 이하, 1.9wt% 이하, 1.4wt% 이하, 그리고 심지어 0.89wt% 이하이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 고정 단계 적용 후 구성부품의 금속 부분의 질소 농도는 0.01 ppm 이상 99 ppm이하이다; 또는, 예를 들어, 추가 실시 예에서, 고정 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준은 0.02wt%에서 3.9wt% 사이이다.
일부 적용의 경우, 고정 단계는 고정 단계에서 구성 요소의 금속 부분에 %NMVS 및/또는 %NMVC 레벨이 유지되도록 세심하게 주의를 기울인다. 일 실시 예에서, 상기 부품의 금속 부분은 고정 단계를 적용한 후 적정 레벨 %NMVS(기존에 정의된 바와 같이 적정 레벨의 %NMVS)를 갖는다. 일 실시 예에서, 상기 부품의 금속 부분은 고정 단계를 적용한 후 적정 레벨 %NMVC(기존에 정의된 바와 같이 적정 레벨의 %NMVC)를 갖는다. 본 발명자는 특정 적용, 특히 적절한 시간(앞서 정의한 대로) 동안 적절한 온도의 대기로 구성된 %O2가 고정 단계의 적어도 일부에 적용될 경우 구성 요소의 금속 부분에 %NMVC 레벨이 매우 관련될 수 있다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 고정 단계 적용 후 구성 요소의 금속 부분에서의 %NMVC는 0.4% 초과, 2.1% 초과, 4.2% 초과, 6% 초과, 11% 초과, 16% 초과, 그리고 심지어 22% 초과이다. 일부 적용의 경우, %NMVC가 특정 레벨 이하로 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 고정 단계 적용 후 구성 요소의 금속 부분에서의 %NMVC는 64% 미만, 49% 미만, 39% 미만, 14% 미만, 9% 미만, 그리고 심지어 4% 미만이다. 대안적 일 실시 예에서, 위에 공개된 %NMVC 레벨은 적절한 시간(기존에 정의된 바와 같이), 적절한 온도의 대기로 구성된 %O2가 제거될 때 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVC 레벨을 의미한다. 종종, 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVS 및/또는 %NMVC를 측정하기 위해 이 방법이 중단될 수 있으며, 레벨이 요구된 수준인지 확인할 수 있다.
발명자는 고정 단계 후 가공 단계를 적용함으로써 일부 적용은 이득을 얻는다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 고정 단계를 적용한 후 얻어진 부품에 가공을 적용하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시 예에서, 디바인딩 또는 압력 및/또는 온도 처리 또는 고정 단계(수행된 방법 단계에 따라) 후에 얻어진 성분은 그 후 통합된다. 압밀 처리를 적용하는 단계 또한 본 방법들 전체에서는 압밀 단계라고 칭한다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 처리는 소결을 적용하는 것을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 처리는 소결이다. 일부 실시 예에서 사용되는 소결 기술은 스파크 플라즈마 소결이다(이것은 또한 소결과 관련하여 언급될 때 문서의 다른 부분에도 적용될 수 있다). 일부 특정 실시 예에서,　압밀 처리 단계는 "사이클 동안 압력이 강하게 변화하여 서로 다른 두 시기에 최소 두 번의 고압 기간을 나타내는 고압, 고온 사이클"의 적용으로 구성된다 (이 문서에 정의된 것처럼). 일부 실시 예에서,　유기 물질의 적어도 일부의 제거는 압밀 단계에서 이루어진다. 일부 실시 예들에서, 압밀 단계는 디바인딩 및 소결을 포함한다. 심지어, 일부 특정 실시 예에서, 상기 압밀 단계는 매우 단순화되어 디바인딩 단계로 축소될 수 있다. 일부 실시 예에서, 상기 디바인딩 및 압밀 단계는 동시에 및/또는 동일한 장비(용광로 및/또는 압력 용기)에서 수행될 수 있다. 일 실시 예에서, 디바인딩 및 압밀 단계는 동시에 수행된다. 일 실시 예에서, 디바인딩 및 압밀 단계는 동일한 장비에서 수행된다. 일부 실시 예에서, 상기 고정 단계 및 상기 압밀 단계는 동시에 및/또는 동일한 용광로 또는 압력 용기에서 수행될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 고정 단계와 상기 압밀 단계는 동시에 수행된다. 추가 실시 예에서, 상기 고정 단계 및 상기 압밀 단계는 동일한 용광로 또는 압력 용기에서 수행된다. 일부 실시 예에서, 상기 디바인딩, 고정 단계 및 압밀 단계는 동시에 및/또는 동일한 용광로 또는 압력 용기에서 수행될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 디바인딩, 상기 고정 단계 및 상기 압밀 단계는 동시에 수행된다. 추가 실시 예에서, 상기 디바인딩, 고정 단계 및 압밀 단계는 동일한 용광로 또는 압력 용기에서 수행된다. 일 실시 예에서, 고정단계와 통합단계(이하 결합단계)를 동시에 수행할 경우, 고정단계 적용 후 구성부품의 금속부위 %NMVS, 고정단계 적용 후 구성부품의 금속부위 %NMVC,　고정단계 적용 후 구성부품의 금속부위 외관 밀도,　고정단계 적용 후 구성부품의 금속부분에서 적정 수준의 산소 및 고정단계(기존의 정의) 적용 후 구성부품의 금속부분에서 적정 수준의 질소가 결합단계 어느 지점에서 도달하게 된다. 일부 적용의 경우, 상기 결합 단계에 대해 개시된 상술은 다른 실시 예로도 확장될 수 있으며, 여기서 다른 방법 단계(예로는, 그러나 한정되지는 않음: 디바인딩 단계 및/또는 밀도화 단계)는 고정 단계 및/또는 압밀 단계와 동시에 수행된다; 이러한 실시 예에서,　고정단계 적용 후 구성부품 금속부위의 %NMVS, 고정단계 적용 후 구성부품 금속부위의 %NMVC, 고정단계 적용 후 구성부품 금속부위의 외관밀도, 고정단계 적용 후 구성부품 금속부위의 적정 산소수준 및 고정 단계(기존에 정의된 대로)를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서 적절한 수준의 질소가 해당 결합 단계의 어느 지점에서 도달한다.
일부 적용에서는 압밀 단계가 수행되는 용해로 또는 압력 용기에서 사용되는 분위기는 관련이 있다. 따라서, 일부 실시 예에서 제조된 구성 요소의 바람직한 성능을 달성하기 위해서는 압밀 단계에서 분위기를 올바르게 선택하는 것이 중요하다. 일 실시 예에서, 압밀 단계는 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 바와 같이)의 사용을 포함한다. 특정 적용의 경우, 압밀 단계에서 사용되는 분위기를 변경하는 것이 유리하다(예를 들어, 하지만 이에 한정되지 않고, 압밀 단계의 일부에서만 적절하게 설계된 분위기의 사용 및/또는 압밀 단계에서 적절하게 설계된 적어도 두 가지 다른 분위기의 사용). 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 분위기는 압밀 단계의 적어도 일부를 수행하기 위해 사용된다. 따라서, 본 문서에 개시된 적절하게 설계된 분위기와 관련된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 연결 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계는 적어도 2개의 상이한 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 압밀 단계는 적어도 3개의 상이한 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 압밀 단계는 적어도 4개의 상이한 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 특정 적용의 경우, 상기 압밀 단계에서, 상기 성분 표면(기존에 정의된 바와 같이)의　카본 포텐셜과 관련하여, 용광로 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기를 이용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서,　상기 압밀 단계는 상기 성분 표면의 카본 포텐셜에 대한 용광로의 적절한 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기를 사용하는 단계를 포함한다(기존에 정의된 바와 같이). 이에, 본 문서에 개시된 구성 요소 표면의 카본 포텐셜에 관련하여 용광로의 적절한 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기와 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 압밀 단계와 결합될 수 있다. 특정 적용의 경우,　상기 압밀 단계를 적용한 후, 상기 성분(기존에 정의된 바와 같이)의 금속부 내 탄소 함량에 대하여 용광로의 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기의 올바른 카본 포텐셜을 사용하는 것이 바람직하다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계는 상기 압밀 단계를 적용한 후, 상기 성분(기존에 정의된 바와 같이)의 금속 부분에 탄소 함량에 대한 용광로의 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기를 이용하는 것을 포함한다. 상기 응고 단계를 적용한 후, 성분의 금속 부분에서의 카본 포텐셜에 대한 용광로 또는 압력 용기 분위기의 카본 포텐셜은 [(압밀 단계 적용 후 구성부품의 금속 부분의 탄소 함량 - 용해로 또는 압력 용기 분위기의 카본 포텐셜)　/　용해로 또는 압력 용기 분위기의 카본 포텐셜 ]*100의 절대값으로 정의된다. 따라서, 본 문서에 개시된 구성 요소의 금속 부분에 포함된 탄소 함량과 관련하여 용광로의 올바른 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기와 관련된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 압밀 단계와 결합될 수 있다. 특정 적용의 경우, 압밀 단계에서 올바른 질화 분위기(이전에 정의된 바와 같이)를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 따라서, 본 문서에 개시된 올바른 질화 분위기와 관련된 어떠한 실시 예도 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 압밀 단계와 결합될 수 있다. 본 발명자는 일부 적용의 경우,　특히 높은 질화 온도를 가하는 것을 포함하는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 상기 적용 단계에서 과압 및/또는 특정 진공(기존에 정의된 바와 같이)의 적용과 함께 사용하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 일부 적용의 경우, 보다 관련성이 높은 것은 압밀 단계를 적용한 후, 구성 요소 표면의 질소 중량 백분율이다. 분말의 주어진 조성에 대하여, 당업자는 온도, 질화 포텐셜 및 기타 관련 변수들의 선택 방법을 알고 있으므로, 시뮬레이션에 따르면, 압밀 단계를 적용한 후 표면의 질소 중량 백분율(%N)이 올바른 질소 함량이다(이전에 정의된 대로). 일 실시 예에서, 시뮬레이션은ThermoCal (버전 2020b)로 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계를 적용한 후, 표면의 질소 중량 퍼센트는 적절한 질소 함량이다(기존에 정의된 바와 같이). 따라서, 본 문서에 개시된 올바른 질소 함량과 관련된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 압밀 단계와 결합될 수 있다. 특정 적용의 경우, 압밀 단계에서 적절한 시간(앞서 정의한 대로), 적절한 온도의 대기로 구성된 %O2를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기　압밀 단계는 적절한 시간동안 적절한 온도에서의 분위기를 포함하는 %O2를 사용하는 것을 포함한다. 따라서, 본 문서에 개시된 적절한 시간 동안 적절한 온도의 분위기를 구성하는 %O2와 관련된 어떠한 실시 예도 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 압밀 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계에서 사용되는 분위기는 높은 진공 레벨(기존에 정의된 바와 같이)을 적용하는 것을 포함한다. 따라서, 본 문서에 개시된 고진공 수준에 관한 어떠한 실시 예도 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 압밀 단계와 결합될 수 있다. 일부 적용의 경우, 압밀 단계에서 높은 진공 수준(기존에 정의된 대로)의 적용을 포함하는 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 대로)를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 관련하여, 본 문서에 개시된 고진공 수준에 관한 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 압밀 단계와 결합될 수 있다. 일부 적용의 경우, 일부 용도의 경우, 분말이 스테인리스강 분말 또는 분말 혼합물로, 이전에 개시된 %Cr 함량을 갖는 스테인리스강의 전체 조성을 갖는 경우, 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 바와 같이)에서 압밀 단계를 수행하는 것이 특히 유리하다. 따라서, 적절하게 설계된 분위기와 관련된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 어떤 조합에서도 연결 단계에 적용될 수 있다. 예를 들어 %Cr이 10.6wt% 이상인 스테인리스강 분말로서,　상기 압밀 단계의 적어도 일부가 H2를 95.5wt% 이상 포함하는 분위기에서 수행된다. 일부 적용의 경우, H2 함량이 4wt%이상인 분위기에서 압밀 단계를 수행하는 것이 특히 유리하다.
일부 적용 분야에서 압밀 단계는 제조된 구성 요소의 최종 특성, 특히 기계적 및 열전 특성에서 강력한 기여를 할 수 있기 때문에 매우 중요하다. 또한, 상기 압밀 단계는, 적어도 일부는, 본 발명의 방법들로 제조되어 함께 결합되는 (본 문서에서 설명한 바와 같이) 소형 구성요소들의 결합에 따른 매끄럽고 매우 고성능의 대형 구성요소들을 필요로 하는 일부　적용의 경우에서 중요할 수 있다. 가끔, 서로 다른 부품을 접합하여 더 큰 구성 요소를 만드는 단계까지 구성 요소는 공동 조직을 가지며 때로는 압밀 단계에서 구성 요소를 줄이거나 심지어 제거할 수 있다.
일부 적용의 경우, 압력 하에서 압밀 단계를 수행하는 것이 매우 높은 밀도와, 심지어 최대 밀도(최대 이론 밀도)를 달성하는 데 도움이 될 수 있다는 것이 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 압력은 적어도1 mbar, 적어도 10 mbar, 적어도 0.1 bar, 적어도 1.6 bar, 적어도 10.1 bar, 적어도 21 bar, 그리고 심지어 적어도 61 bar이다. 일부 적용의 경우, 압밀 단계의 압력이 특정 값 이하로 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 압력은 4900 bar 보다 낮고, 790 bar 보다 낮고, 89 bar 보다 낮고, 8 bar 보다 낮고, 1.4 bar 보다 낮고, 그리고 심지어 800mbar 보다 낮다. 본 발명자는 일부 적용의 경우, 압밀 단계가 대기압 하의 압력에서 유리하게 수행된다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계의 압력은 압밀 단계에서 가해지는 최대 압력을 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계에서의 압력은 압밀 단계에서 가해지는 평균 압력을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 평균 압력은 "임계 시간"(기존에 정의된 바와 같이)보다 적게 유지되는 압력을 제외하고 계산된다.
일부 적용의 경우, 압밀 단계에서 적용되는 온도를 올바르게 선택하는 것이 중요하다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 온도는 0.36*Tm 이상, 0.46*Tm 이상, 0.54*Tm 이상, 0.66*Tm 이상으로, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 일부 적용에서는, 더 높은 온도가 선호된다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 온도는 0.72*Tm 이상, 0.76*Tm 이상, 0.85*Tm 이상, 그리고 심지어0.89*Tm 이상이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 일부 적용의 경우, 의외로 압밀 단계에서의 온도를 다소 낮게 유지하는 것이 유리하다는 것이 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 온도는 0.96*Tm 이하, 0.88*Tm 이하, 0.78*Tm 이하, 0.68*Tm 이하, 그리고 심지어 0.63*Tm 이하이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 대안적 일 실시 예에서,　Tm은 임계 분말인 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다(기존에 정의된 바와 같다). 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 관련 분말인 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다(기존에 정의된 바와 같다). 추가 대안적 실시 예에서,　Tm은 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 가중치는 부피 분율)을 포함하는 금속의 평균 용해 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물(기존에 정의된 바와 같이)의 용해 온도를 의미한다. 일부 적용의 온도 금속 분말을 하나만 사용하는 경우, Tm은 금속 분말의 용해 온도이다. 이러한 맥락에서, 위에 공개된 온도는 켈빈 단위이다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계의 온도는 압밀 단계의 최대 온도를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계의 온도는 압밀 단계의 평균 온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서,　평균 온도는 "임계 시간" (기존에 정의된 바와 같이) 이하로 유지되는 온도를 제외하고 계산된다.
일부 적용의 경우, 압밀 단계에서 이는 허용될 수 있으며,　심지어 압밀 단계에서 특정 액체상의 존재도 유리하다. 이러한 경우, 압밀 단계에서 심지어 더 높은 온도를 적용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 온도는 0.96*Tm 이상, Tm 또는 그 이상, 1.02*Tm 이상, 1.06*Tm 이상, 1.12*Tm 이상, 1.25*Tm 이상, 그리고 심지어 1.3*Tm이상이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 일부 적용의 경우, 과열 조건으로 압밀 단계의 온도를 정의하는 것이 좋다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 온도는 Tm+1 이상, Tm 또는 그 이상, Tm+11 이상, Tm+22이상, Tm+51 이상, Tm+105 이상, Tm+205 이상, 그리고 심지어 Tm+405이상이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 일부 적용의 경우, 상기 압밀 단계에서의 온도는 일정 값 이하로 유지하는 것이 유리하다는 것이 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 온도는 1.9*Tm 이하, 1.49*Tm 이하, 1.29*Tm 이하, 그리고 심지어 1.19*Tm이하이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 온도는 Tm+890 이하, Tm+450 이하, Tm+290 이하, Tm+190 이하, 그리고 심지어Tm+90이하이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 대안적 일 실시 예에서,　Tm은 임계 분말(기존에 정의된 바와 같다)인 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융해 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서,　Tm은 관련 분말(기존에 정의된 바와 같다)인 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서,　Tm은 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 가중치는 부피 분율)을 포함하는 금속의 평균 용해 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물(기존에 정의된 바와 같이)의 용융 온도를 의미한다. 일부 적용의 경우, 금속 분말을 하나만 사용하는 경우, Tm은 금속 분말의 용해 온도이다. 이러한 맥락에서, 위에 공개된 온도는 켈빈 단위이다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계의 온도는 압밀 단계의 최대 온도를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계의 온도는 압밀 단계의 평균 온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서,　평균 온도는 "임계 시간" (기존에 정의된 바와 같이) 이하로 유지되는 온도를 제외하고 계산된다. 이러한 적용들의 경우, 더 관련이 있는 것은 액체상의 비율이다. 다른 실시 예들에서, 압밀 단계 중 최대 액체상은 0.2vol% 초과, 1.2vol% 초과, 3.6vol% 초과, 6vol% 초과, 11vol% 초과, 심지어 21vol% 초과이다. 일부 적용의 경우, 특히 특정 액체상의 존재가 선호될 때,　형성된 액체상은 특정 값 이하로 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서,　압밀 단계 중 액체상은 39vol% 미만, 29vol% 미만, 19vol% 미만, 9vol% 미만, 그리고 심지어 4vol% 미만으로 유지된다.
경우에 따라서는 제조된 부품들이 압밀 단계에서 밀도를 감소시키는 것으로 나타났다. 이것은 일부 적용에게 매우 해로운데, 이는 적용에서 매우 중요한 속성을 떨어뜨리기 때문이다. 경우에 따라 이러한 밀도 감소는 압밀 단계 프로세스 동안 구성 요소 내에 구멍이 형성되는 것과 연관될 수 있다. 많은 요인들이 이러한 행동에 영향을 미치는 것으로 보이는데,　그 중에서도 압밀 단계가 일어나는 순간에 원래 분말의 크기들이 큰 것으로 보인다. 화학적 성질이 다른 분말 타입이 적어도 두 개 이상 사용되고 최종 성분이 심하게 적재되는 일부 적용의 경우, 압밀 단계를 통한 밀도의 손실을 방지하기 위한 노력을 기울여야 한다. 일부 적용의 경우, 적절한 분말 크기 선택에 기초한 전략이 유리할 수 있다는 것이 밝혀졌다. 일 실시 예에서, 모든 유의하게 합금화된 관련 분말은 충분히 작은 평균 입자 크기를 갖는다. 일 실시 예에서, 유의하게 합금화된 모든 관련 분말은 충분히 작은 D90을 갖는다. 추가 실시 예에서, 유의하게 합금화된 모든 관련 분말은 지배적인 분말보다 눈에 띄게 작은 평균 입자 크기를 갖는다. 추가 실시 예에서, 유의하게 합금화된 모든 관련 분말은 지배적인 분말보다 눈에 띄게 작은 D90을 갖는다. 일 실시 예에서, 상기 유의하게 합금화된 관련 분말 중 적어도 하나는 충분히 작은 평균 입자 크기를 갖는다. 추가 실시 예에서, 유의하게 합금화된 관련 분말 중 적어도 하나는 충분히 작은 D90을 갖는다. 추가 실시 예에서, 유의하게 합금화된 관련 분말 중 적어도 하나는 지배적인 분말보다 눈에 띄게 작은 평균 입자 크기를 갖는다. 추가 실시 예에서, 유의하게 합금화된 관련 분말 중 적어도 하나는 지배적인 분말보다 눈에 띄게 작은 D90을 갖는다. 이러한 맥락에서, 분말이 유의하게 합금화되기 위해서는 합금화 원소의 양이 충분히 높아야 한다. 다른 실시 예들에서, 분말이 유의적으로 합금화되려면, 모든 합금화 원소의 합계가 6wt% 이상, 12wt% 이상, 22wt% 이상, 46wt% 이상, 나아가 심지어66wt% 이상이 되어야 한다. 일 실시 예에서, 상기 합금화 원소들은 존재하지만 의도적으로 첨가되지 않은 원소들도 포함하므로, 모두 합금화 원소를 제시한다. 일 실시 예에서, 상기 합금화 원소는 오직 존재하며 의도적으로 첨가된 것만 포함하므로, 피할 수 없는 불순물은 제외된다. 일 실시 예에서, 합금화를 셀 때 제외되는 기초는 주요 요소이다. 일부 적용의 경우, 현저하게 합금화된 분말의 과도한 합금화는 불리하다. 다른 실시 예들에서, 유의합금 분말의 경우, 모든 합금 원소의 합계는 94wt% 이하, 89wt% 이하, 84wt% 이하, 그리고 심지어 64wt% 이하이어야 한다. 이러한 맥락에서 분말은 충분히 높은 양으로 존재할 때 관련이 있으므로 부피 분율이 매우 낮은 분말은 관련이 없는 것으로 간주한다. 다른 실시 예들에서, 본 분말의 부피분율이 1.2% 이상, 4.2% 이상, 6% 이상, 12% 이상, 그리고 심지어 22% 이상일 때, 분말은 적절하다고 여겨진다. 이 맥락에서 충분히 작은 것은 크기를 가리킨다. 다른 실시 예들에서, 분말은 89 microns, 49 microns, 19 microns, 14 microns, 그리고 심지어 9 microns보다 작을 때 충분히 작은 것으로 간주된다. 일부 적용의 경우, 분말은 크기가 특정 값 이상일 때 충분히 작은 것으로 간주된다. 다른 실시 예들에서, 분말은 0.9 microns보다 높고, 2 microns보다 높고, 6 microns보다 높고, 그리고 심지어 8 microns보다 높을 때 충분히 작은 것으로 간주된다. 본 단락의 맥락에서 눈에 띄게 작은 것은　언급된 분말들 간의 크기 차이를 의미한다. 일 실시 예에서, 눈에 띄게 작다는 것은 크기가 12% 이상 작다는 것을 의미한다. 추가 실시 예에서, 눈에 띄게 작다는 것은 크기가 20% 이상 작다는 것을 의미한다. 추가 실시 예에서, 눈에 띄게 작다는 것은 크기가 40% 이상 작다는 것을 의미한다. 일부 적용의 경우, 눈에 띄게 작은 크기는 특정 값보다 작음을 의미한다. 일 실시 예에서, 눈에 띄게 작다는 것은 크기가 240% 이하임을 의미한다. 추가 실시 예에서, 눈에 띄게 작다는 것은 크기가 180% 이하임을 의미한다. 추가 실시 예에서, 눈에 띄게 작다는 것은 크기가 110% 이하임을 의미한다. 추가 실시 예에서, 눈에 띄게 작다는 것은 크기가 90% 이하임을 의미한다. 일부 적용의 경우, 크기 차이가 더 커야 하며 시간에 따라 이를 참조하는 것이 더 실용적이다. 일 실시 예에서, 눈에 띄게 작은 것은 1에서 2.1 이상의 크기 관계를 의미한다.　추가 실시 예에서, 눈에 띄게 작은 것은 1에서 3.2 이상의 크기 관계를 의미한다.　추가 실시 예에서, 눈에 띄게 작은 것은 1에서 5.2 이상의 크기 관계를 의미한다.　추가 실시 예에서, 눈에 띄게 작은 것은 1에서 7.1 이상의 크기 관계를 의미한다.　이러한 맥락에서 주요 분말은 더 많은 양이 존재하는 분말이다. 일 실시 예에서, 지배적인 분말은 더 높은 부피 비율로 존재하는 분말이다. 일 실시 예에서, 지배적인 분말은 보다 높은 부피분율로 존재하는 분말로, 분말은 그 조성에 따라 종류별로 분류된다. 일 실시 예에서, 지배적인 분말은 더 높은 중량 비율로 존재하는 분말이다.
일부 적용의 경우, 압밀 단계 중 밀도 손실을 방지하기 위한 좋은 전략은 압밀 전략 자체를 기반으로 할 수 있는 것으로 확인되었다. 일부 적용의 경우, 압밀 단계의 적어도 일부가 압력 하에서 수행될 경우 부정적인 효과를 크게 줄일 수 있는 것으로 확인되었다. 단계 변환이 없는 한 최고의 밀도가 가장 높은 압밀 온도에서 제공될 것으로 예상할 수 있다. 또한, 부분 용해의 경우, 압밀은 일부 적용에 대해 훨씬 더 높은 밀도를 달성하기 위해 더욱 도움이 될 수 있다. 압력에 의한　압밀은 일부 적용에서 매우 높은 밀도, 심지어 최대 이론적 밀도를 달성하는데 도움이 될 수 있다는 것이 발견되었다. 그러나 매우 놀랍게도,　일부 적용의 경우, 압력이 가해질 때, 매우 높은 밀도를 얻기 위한 온도 프로세스 윈도우는 다소 작고, 예상된 낮은 온도를 포함한다는 것이 발견되었다. 달리 명시되지 않는 한, "고밀도에 대한 압밀" 기능은 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 일 실시 예에서, 고밀도에 대한 압밀은 다음과 같은 단계를 포함하는 과정을 통해 달성될 수 있다:
단계 1i: 낮은 압력을 유지하면서 온도를 올린다.
단계 2i: 충분한 시간 동안 압력을 낮은 수준으로 유지하면서 온도를 높은 수준으로 유지한다.
단계 3i: 압력을 높은 수준으로 높인다.
단계 4i: 충분한 시간 동안 고압과 고온을 유지한다.
일 실시 예에서, 모든 단계는 동일한 용해로/압력 용기에서 수행된다. 일 실시 예에서, 모든 단계는 HIP(Hot Isostatic Pressure) 장비에서 수행된다. 일 실시 예에서, 적어도 두 개의 장비가 모든 단계 1i-4i를 실행하기 위해 사용된다. 일 실시 예에서, 적어도 2개의 용해로/압력 용기는 단계 1i-4i를 실행하기 위해 포함된다. 다른 실시 예들에서, 단계 1i의 압력은 900 bar 이하, 90 bar 이하, 9 bar 이하, 1.9 bar 이하, 0.9 bar 이하, 그리고 심지어 900 mbar 이하이다. 일부 적용의 경우, 단계 1i의 압력이 특정 값 이상으로 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 단계 1i의 압력은 0.9 mbar 이상, 9 mbar 이상, 90 mbar 이상, 그리고 심지어 0.09 bar 이상이다. 다른 실시 예들에서,　단계 1i의 온도는 0.36*Tm 이상, 0.46*Tm 이상, 0.54*Tm 이상, 0.66*Tm 이상, 0.72*Tm 이상, 그리고 심지어 0.76*Tm 이상으로 상승하고, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 전술한 바와 같이, 일부 적용의 경우, 단계 1i의 온도를 다소 낮게 유지하는 것이 유리하다는 것이 놀랍게도 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, 상기 단계 1i의 온도를 0.89*Tm 이하, 0.79*Tm 이하, 0.74*Tm 이하, 0.69*Tm 이하, 그리고 심지어 0.64*Tm 이하로 올리고, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 대안적 일 실시 예에서,　Tm은 Tm은 임계 분말(기존에 정의된 바와 같이)인 분말 혼합물에서 용해점이 가장 낮은 금속 분말의 용해 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 관련 분말(기존에 정의된 바와 같이)인 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서,　Tm은 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 가중치는 부피 분율)을 포함하는 금속의 평균 용해 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서,　Tm은 분말 혼합물의 용해 온도를 의미한다. 일 실시 예에서, 단계 2i의 압력 레벨은 단계 1i의 압력 레벨과 동일하다. 일 실시 예에서, 단계 1i 및 단계 2i에서 실제 압력 값이 다를 수 있지만 단계 2i에 대해 위에서 설명한 압력에 대한 동일한 한계가 적용된다. 일 실시 예에서, 단계 2i의 온도 레벨은 단계 1i의 온도 레벨과 동일하다. 일 실시 예에서, 단계 1i 및 단계 2i에서는 실제 온도 값이 다를 수 있지만, 단계 2i에서는 단계 1i에 대해 상술한 동일한 온도 제한이 적용된다. 다른 실시 예들에서,　단계 2i에서 충분한 시간은 6분 이상, 12분 이상, 32분 이상, 62분 이상, 122분 이상, 그리고 심지어 240분 이상이다. 또 다른 흥미롭고 놀라운 관찰은 일부 적용의 경우, 2i 단계에서 너무 오랜 시간이 지나면 밀도가 낮아진다는 것이다. 다른 실시 예들에서,　상기 단계 2i에서의 충분한 시간은 590분 미만, 390분 미만, 290분 미만, 240분 미만, 110분 미만, 그리고 심지어 40분 미만이다.　다른 실시 예들에서,　단계 3i에서의 높은 압력 레벨은 210 bar 이상, 510 bar 이상, 810 bar 이상, 1010 bar 이상, 1520 bar 이상, 심지어 2220 bar 이상이다. 특정 적용에서는, 과도한 압력이 위험할 수 있다. 다른 실시 예에서, 단계 3i의 높은 압력 레벨은 6400 bar 이하, 2900 bar 이하, 심지어 1900 bar 이하이다. 추가 실시 예에서, 단계 4i의 압력 레벨은 단계 3i의 압력 레벨과 동일하다. 추가 실시 예에서, 상기 단계 3i 및 4i에서는 실제 압력값이 다를 수 있지만, 상기 단계 3i에 대해 상술한 압력에 대한 동일한 한계가 단계 4i에 적용된다. 다른 실시 예들에서,　단계 4i의 온도는 0.76*Tm 이상, 0.82*Tm 이상, 0.86*Tm 이상, 0.91*Tm 이상, 0.96*Tm 이상, 나아가 심지어1.05*Tm 이상으로 상승한다. 다른 실시 예에서, 단계 4i에서 충분한 시간은 16분 이상, 66분 이상, 125분 이상, 178분 이상, 250분 이상, 그리고 심지어 510분 이상이다. 일부 적용의 경우, 지나치게 긴 시간은 불리하다. 다른 실시 예들에서,　상기 단계 4i의 충분한 시간은 590분 미만, 390분 미만, 290분 미만, 240분 미만, 110분 미만, 그리고 심지어 40분 미만이다. 일 실시 예에서, 1i-4i 단계에 추가적으로 디바인딩 단계도 포함된다. 일부 적용은 카르보닐 분말을 적절한 양으로 사용할 때 본 전략으로부터 이익을 얻는다는 것이 밝혀졌다. 일 실시 예에서, 사용되는 금속 분말 혼합물은 카르보닐 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 사용되는 금속 분말 혼합물은 카르보닐 철 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 사용되는 금속 분말 혼합물은 카르보닐 니켈 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 사용되는 금속 분말 혼합물은 카보닐 티타늄 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 사용되는 금속 분말 혼합물은 카보닐 코발트 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 카보닐 분말은 상기 카보닐의 분해에 따른 언급된 금속 원소의 고순도 분말이다. 일 실시 예에서, 상기 카보닐 분말은 상기 정제된 카보닐의 분해에 따른 언급된 금속 원소의 고순도 분말이다(예를 들어: 정제된 철 펜타카르보닐의 화학 분해로 인한 매우 순수한 카르보닐 철). 다른 실시 예들에서,　상기 카보닐 분말은 전체 금속 또는 금속 합금 분말 중 6wt% 초과, 16wt% 초과, 21wt% 초과, 36wt% 초과, 52wt% 초과, 그리고 심지어 66wt% 초과로 존재한다. 일부 적용의 경우, 과도한 카르보닐 함량이 바람직하지 않다. 다른 실시 예들에서,　상기 카르보닐 분말은 79wt% 이하, 69wt% 이하, 49wt% 이하, 39wt% 이하, 그리고 심지어 29wt% 이하의 양으로 존재한다. 본 발명의 이러한 양태는 본 문서에 기재된 새로운 AM 방법들뿐만 아니라 참신함 및 독창적인 단계를 제시하는 다른 AM 방법들에도 적용 가능하며, 따라서 독립형 발명으로도 설 수 있다. 일 실시 예에서, 본 항에서 설명된 처리들은 AM 단계를 포함하는 구성요소에 적용된다. 일 실시 예에서, 본 항에서 설명된 처리들은 제조가 금속 AM 단계를 포함하는 구성요소에 적용된다. 일 실시 예에서, 본 항에서 설명하는 처리는 AM 단계 중 분말의 제조를 위한 바인딩에 관여하는 온도가 0.49*Tm 미만인 금속 AM 단계를 포함하는 구성 요소에 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 처리들은 또한 카르보닐 금속 분말을 첨가하는 것을 포함한다. 일 실시 예에서, 저온 금속 AM 방법에 대해 경제적인 방법으로 매우 높은 밀도 및 성능을 얻기 위해 다음과 같은 방법이 사용된다:
단계 1ii: 카르보닐 금속 분말을 포함하는 분말을 제공한다.
단계 2ii: 금속 분말의 0.49*Tm 미만의 온도를 사용하는 방법으로 금속 분말의 첨가제 제조를 통하여 물체를 제조한다.
단계 3ii: 본 항에서 위에서 설명한 방법의 최소 4단계를 진행한다.
상기에 개시된 방법의 단계 2ii는 금속 분말의 0.49*Tm 미만의 온도를 이용하여 금속 분말을 첨가제 제조하는 단계를 포함한다. 일부 적용의 경우, 상기 첨가제 제조 공정에서 접착제 사용 등 온도와 무관한 공정이나 방사선을 통해 바인딩이 이루어질 수 있다. 본 발명자는 분말 중 적어도 하나가 %Y, %Sc, 및/또는 REE(기존에 정의된 바와 같이)를 포함하는 분말 혼합물의 사용은 위에 개시된 방법으로 적용하는 것이 흥미로울 수 있다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 혼합물의 분말 중 적어도 하나는 %Y를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 혼합물의 분말 중 적어도 하나는 %Sc를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 혼합물의 분말 중 적어도 하나는 %REE를 포함한다. 일 실시 예에서, 적어도 하나의 분말은 90wt%를 초과하는 %Fe 함량인 %Y, %Sc 및/또는 REE를 포함한다.
일부 적용의 경우, 압밀 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준은 기계적 성질과 관련이 있다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 금속 부분은 압밀 단계를 적용한 후 적절한 수준의 산소를 가지며, 이때 적절한 수준의 산소는 앞서 정의한 바와 같다. 일 실시 예에서,　구성 요소의 금속 부분은 압밀 단계를 적용한 후 적절한 수준의 질소를 갖고, 이때 적절한 수준의 질소는 앞서 정의한 바와 같다.
본 발명자는 놀랍게도 압밀 단계를 적용한 후, 바른 겉보기 밀도 수준에 도달하면 제조된 구성 요소의 일부 관련 성질에 예상치 못한 효과가 있다는 것을 발견했고 일부 경우에는 특정 %NMVS 및/또는 %NMVC도 마찬가지이다. 일 실시 예에서,　상기 압밀 단계는 구성 요소의 금속 부분의 올바른 겉보기 밀도를 달성하기 위해 적용된다. 본 발명자는 일부 적용의 경우, 채용되는 MAM 방법 및 제조하고자 하는 부품의 구성에 따라 열전도율에 예상치 못한 영향을 미칠 수 있다. 일부 적용의 경우, 이러한 예상치 못한 효과는 항복 강도에서도 발견될 수 있으며 심지어 일부 경우에는 파괴 인성에서도 발견될 수 있다. 이와 관련하여, 일부 적용의 경우, 상기 압밀 단계를 적용한 후 부품의 금속 부분의 외관 밀도는 요구되는 기계적 성질을 달성하기 위해 적절하게 제어되어야 한다. 다른 실시 예들에서,　상기 압밀 단계를 적용한 후 구성성분의 금속 부분의 겉보기 밀도가 81%보다 높고, 86%보다 높으며, 91%보다 높고, 94.2%보다 높고, 96.4%보다 높고, 99.4%보다 높고, 그리고 심지어 완전 밀도이다. 일부 적용의 경우, 겉보기 밀도는 특정 값 이하로 유지해야 한다. 다른 실시 예들에서,　상기 압밀 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도는 99.8% 보다 낮고, 99.6% 보다 낮고, 99.4% 보다 낮고, 98.9% 보다 낮고, 97.4% 보다 낮고, 93.9% 보다 낮고, 나아가 심지어89% 보다 낮다. 일 실시 예에서, 상기　밝혀진 겉보기 밀도의 값은 올바른 겉보기 밀도 값을 의미한다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계를 적용한 후,　상기 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81%보다 크고 99.8%보다 작다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 개시된 겉보기 밀도의 값은 압밀 단계의 어느 지점에서 도달한다. 추가 대안적 실시 예에서,　상기 치밀화 단계를 적용한 후, 상기 개시된 겉보기 밀도의 값에 도달한다. 특정 적용의 경우,　보다 관련성이 높은 것은 압밀 단계 적용 후, 구성 요소 중 금속 부분의 외관 밀도 증가율이며, 이때 증가율은 [(압밀 단계 적용 후 겉보기 밀도 증가 - 성형 단계 적용 후 겉보기 밀도) / 성형 단계 적용 후 겉보기 밀도]*100의 절대값으로 정의한다. 대안적으로, 일부 실시 예에서, 압밀 단계 적용 후 구성부품의 금속부분에서 외관 밀도가 증가하는 비율을 [(압밀 단계 적용 후 겉보기 밀도 - 디바인딩 단계 적용 후 외관밀도) / 압밀 단계 적용 후 외관 밀도] *100의 절대값으로 정의한다. 일 실시 예에서, 겉보기 밀도는 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도를 의미한다. 다른 실시 예들에서,　상기 압밀 단계를 적용한 후,　성분의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율은 29% 미만, 19% 미만, 14% 미만, 9% 미만, 4% 미만, 2% 미만, 그리고 심지어 0.9% 미만이다. 발명자는 일부 적용의 경우 일정한 증가가 선호된다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서,　상기 압밀 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도의 증가율은 6% 초과, 11% 초과, 16% 초과, 22% 초과, 32% 초과, 그리고 심지어 42% 초과이다. 이러한 일부 적용의 경우, 압밀 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율은 일정 값 이하로 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서,　압밀 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율은 69% 이하, 59% 이하, 49% 이하, 그리고 심지어 34% 이하이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분의 외관 밀도의 증가율은 6% 초과 69% 미만이다. 대안적 일 실시 예에서,　상기 개시된 겉보기 밀도의 증가 백분율 값은 압밀 단계의 어느 지점에서 도달한다. 추가 대안적 실시 예에서, 상기 치밀화 단계를 적용한 후, 상기 개시된 겉보기 밀도의 증가 백분율 값에 도달한다.
일부 적용의 경우, 압밀 단계를 적용한 후 특정 %NMVS를 달성하는 것이 특히 유리하다. 본 발명자는 일부 적용의 경우, 압밀 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분(기존에 정의된 대로)에서 %NMVS가 적절히 제어되어야 한다는 사실을 발견했다. 다른 실시 예들에서,　압밀 단계 적용 후 구성 요소의 금속 부분 내 %NMVS는 39% 미만, 24% 미만, 14% 미만, 9% 미만, 4% 미만, 그리고 심지어 2% 미만이다. 일부 적용의 경우, 낮은 값이 선호되며 값이 없을 수도 있다(%NMVS=0). 반면, 일부　적용은 특정 %NMVS의 존재로부터 이익을 얻는다. 다른 실시 예들에서,　상기 압밀 단계를 적용한 후의 성분의 금속 면적에서 %NMVS는 0.02% 초과, 0.06% 초과, 0.2% 초과, 0.6% 초과, 1.1% 초과, 그리고 심지어 3.1% 초과이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계를 적용한 후, 구성 성분의 금속 부분에서의 %NMVS는 0.02% 이상 39% 이하이다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 개시된 %NMVS 값은 압밀 단계의 어느 지점에서 도달한다. 　추가 대안적 실시 예에서, 상기 치밀화 단계를 적용한 후, 상기 개시된 %NMVS의 값에 도달한다. 일부 적용의 경우, 보다 관련성이 높은 것은 압밀 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서 NMVS 감소 비율이다. 이에 대해, NMVS의 감소율 = [(압밀 단계 적용 후 구성 요소 내 총 %NMVT * 압밀 단계 적용 후 구성 요소 내 %NMVS) / (성형 단계 적용 후 구성 요소 내 총 %NMVT * 성형 단계 적용 후 구성 요소 내 %NMVS)] * 100 이다. 이때 구성 요소의 총 %NMVT = 100% - 겉보기 밀도 (백분율에서의 겉보기 밀도)이다. 또는, 일부 실시 예에서, NMVS의 감소율 = [(압밀 단계 적용 후 구성 요소 내 총 %NMVT * 압밀 단계 적용 후 구성 요소 내 총 %NMVS) / (디바인딩 단계 적용 후 총 %NMVT * 디바인딩 단계 적용 후 총 %NMVS)] * 100이고, 구성 요소의 총 %NMVT = 100% - 겉보기 밀도 (백분율에서의 겉보기 밀도)이다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 %NMVT는 구성 요소의 금속 부분에서의 %NMVT를 나타낸다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 %NMVS는 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVS를 나타낸다. 일 실시 예에서, 겉보기 밀도는 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도를 의미한다. 다른 실시 예들에서,　상기 압밀 단계 적용 후 성분의 금속 면적에서 NMVS의 감소율은 2.1% 초과, 6% 초과, 11% 초과, 26% 초과, 51% 초과, 81% 초과, 그리고 심지어 96% 초과이다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 개시된 NMVS의 감소율 값은 압밀 단계의 어느 지점에서 도달한다. 추가 대안적 실시 예에서,　상기 치밀화 단계를 적용한 후, 상기 개시된 NMVS의 감소율 값에 도달한다.
일부 적용의 경우, 압밀 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVC를 적절하게 제어해야 한다 (%NMVC는 이전에 정의한 것과 같음). 다른 실시 예들에서,　압밀 단계 적용 후 구성 요소의 금속 부분 내 %NMVC는 9% 이하, 4% 이하, 0.9% 이하, 0.4% 이하 및 심지어0.09% 이하이다. 일부 적용의 경우, 낮은 값이 선호되며 값이 없을 수도 있다(%NMVC=0). 반면, 일부　적용은 특정 %NMVC의 존재로부터 이익을 얻는다. 다른 실시 예들에서,　 상기 압밀 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분에서의 %NMVC는 0.002% 초과, 0.006% 초과, 0.02% 초과, 0.6% 초과, 1.1% 초과, 그리고 심지어 3.1% 초과이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계를 적용한 후, 구성 성분의 금속 부분에서의 %NMVC는 0.002% 초과 9% 미만이다. 대안적 일 실시 예에서,　상기 개시된 %NMVC의 값은 압밀 단계의 어느 지점에서 도달한다. 추가 대안적 실시 예에서, 상기 치밀화 단계를 적용한 후, 상기 개시된 %NMVC의 값은 도달한다.
본 발명자는 일부　적용이 압밀 단계 이후 가공 단계의 적용으로부터 이익을 얻는다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 상기 압밀 단계를 적용한 후 얻어진 부품에 가공을 적용하는 단계를 더 포함한다.
발명자는 일부 적용의 경우, 압밀 단계를 적용한 후 다른 부품을 접합하는 데 추가 단계를 적용하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 치밀화 단계 이전에 더 큰 성분을 만들기 위해 서로 다른 부분들을 접합하는 단계를 더 포함한다.
여러 적용에서 이 단계는 매우 흥미롭고 특히 크고 매우 큰 구성 요소를 제조하는 데 매우 유용하다. 달리 명시되지 않는 한, "더 큰 구성 요소를 만들기 위해 서로 다른 부품을 접합"하는 기능은 아래에서 자세히 설명하는 서로 다른 대안들의 형태로 본 문서 전체에 정의된다. 일 실시 예에서, 금속을 포함하는 적어도 2개의 부분이 접합되어 보다 큰 구성 요소가 제조된다. 추가 실시 예에서는, 금속을 포함하는 적어도 3개의 부분이 접합되어 보다 큰 구성 요소가 제조된다. 추가 실시 예에서는, 본 발명에 따라 적어도 하나가 제조된 적어도 2개의 부분을 접합하여 보다 큰 성분을 제조한다. 일 실시 예에서는, 본 발명에 따라 적어도 하나가 제조된 적어도 3개의 부분을 접합하여 보다 큰 성분을 제조한다. 일 실시 예에서는, 본 발명에 따라 적어도 2개가 제조된 적어도 3개의 부분을 접합하여 보다 큰 성분을 제조한다. 일 실시 예에서는, 본 발명에 따라 제조된 적어도 2개의 부품이 서로 접합되어 보다 큰 구성부품이 제조된다. 일 실시 예에서는, 본 발명에 따라 제조된 적어도 3개의 부품이 서로 접합되어 보다 큰 구성부품이 제조된다. 일 실시 예에서는, 본 발명에 따라 제조된 적어도 5개의 부품이 함께 접합되어 보다 큰 구성부품이 제조된다. 일 실시 예에서, 부품들의 접합은 용접을 통해 이루어진다. 일 실시 예에서, 부품들의 결합은 플라즈마- 아아크 가열을 포함한다. 일 실시 예에서, 부품들의 결합은 전기-아아크 가열을 포함한다. 일 실시 예에서, 부품들의 결합은 레이저 가열을 포함한다. 일 실시 예에서, 부품들의 결합은 전자 빔 가열로 구성된다. 일 실시 예에서, 부품들의 결합은 산소 연료 가열로 구성된다.　일 실시 예에서, 부품들의 결합은 저항 가열로 구성된다. 일 실시 예에서, 부품들의 결합은 유도 가열을 포함한다.　일 실시 예에서, 부품들의 결합은 초음파 가열을 포함한다. 일부 적용에서는 특성이 다른 용접 라인을 사용할 수 없다. 이러한 경우 가능한 해결책은 접합 표면에서 부품을 함께 유지하여 밀도 처리 시 확산 용접할 수 있도록 하는 것이 유일한 목적인 얇은 용접을 만드는 것이다. 일 실시 예에서, 접합은 고온 접착제로 수행된다.　 일 실시 예에서,　서로 결합되는 부분들은 서로에 대해 올바른 기준으로 위치하도록 가이드 기구를 갖는다. 일 실시 예에서, 모든 접합부를 갖는 최종 구성요소에 요구되는 대각선은 520 mm이거나 그 이상이다. 일 실시 예에서　요구되는 대각선은 모든 부품을 포함하는 가장 작은 직사각형 직육면체의 길이에 직각을 이루는 직사각형 단면의 대각선이다. 대안적 일 실시 예에서,　요구되는 대각선은 접합된 모든 부품을 포함하는 가장 작은 반경을 가진 실린더의 직경이다. 추가 대안적 실시 예에서,　요구되는 대각선은 접합된 모든 부분을 포함하는 부피가 가장 작은 실린더의 직경이다. 다른 실시 예들에서,　모든 접합부를 갖는 최종 구성요소에 요구되는 대각선은 620 mm 이상, 720 mm 이상, 1020 mm 이상, 2120 mm 이상, 그리고 심지어 4120 mm 이상이다. 일 실시 예에서, 서로 다른 부품의 표면 중 적어도 일부는 접합 전에　산화물로부터 제거된다. 일 실시 예에서,　적어도 결합하기 전에 서로 다른 부품의 표면 중 일부는 유기농 제품으로부터 제거된다. 일 실시 예에서, 서로 결합되는 상이한 부분들의 적어도 일부 표면은 접합 전에 먼지로부터 제거된다. 다른 실시 예에서, 상기 표면 중 일부는 적어도 하나의 표면, 적어도 2개의 표면, 적어도 3개의 표면, 적어도 4개의 표면, 적어도 5개의 표면 및 심지어 8개의 표면이다. 일 실시 예에서, 서로 결합되는 상이한 부분들의 적어도 일부 표면은 접합 전에 먼지로부터 제거된다. 일 실시 예에서,　상기 용접 리세스는 접합부가 서로 접합된 부품의 면들을 서로 끌어당기도록 설계된다. 일 실시 예에서, 용접 리세스는 용접(또는 접합)이 서로 접합된 부품의 표면을 충분히 강하게 당길 수 있도록 설계되었다. 다른 실시 예들에서,　충분히 강하다는 것은 함께 모인 - 함께 조립된 - 다른 부품의 표면에서 명목상 압축 응력이란 것을 의미한다 (용접 후 최종 부품의 서로 접촉하는 두 부분의 표면)은 0.01 MPa 이상, 0.12 MPa 이상, 1.2 MPa 이상, 2.6 MPa 이상, 그리고 심지어 5.12 MPa 이상이다. 일 실시 예에서,　상기 값은 ASTM E9-09-2018에 따라 측정된 압축 강도 값이다. 일 실시 예에서, 상기 개시된 값은 상온이다.　일 실시 예에서, 접합은 진공 환경에서 이루어진다. 다른 실시 예들에서,　진공 환경은 900 mbar 이하, 400 mbar 이하, 90 mbar 이하, 9 mbar 이하, 0.9 mbar 이하, 0.09 mbar 이하, 9*10-3 mbar 이하, 9*10-5 mbar 이하, 그리고 심지어 9*10-7 mbar 이하를 의미한다. 특정 적용의 경우에서는 과도한 진공이 발생하지 않도록 해야한다. 다른 실시 예들에서,　진공 환경은 10-11 mbar 이상, 10-9 mbar 이상, 10-7 mbar 이상, 10-5 mbar 이상, 10-4 mbar 이상, 10-2 mbar 이상, 그리고 심지어 1.1 mbar 이상이다. 일 실시 예에서, 결합은 산소가 없는 환경에서 이루어진다.　다른 실시 예에서,　산소가 없는 환경은 9% 이하, 4% 이하, 0.9% 이하, 90ppm 이하, 심지어 9ppm 이하를 의미한다. 일 실시 예에서, 상기 개시된 산소 백분율은 부피에 의한 것이다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 개시된 산소　백분율은 중량 기준이다. 일 실시 예에서, 상기 접합은 적어도 2개의 구성요소가 서로 접촉하는 면들의 주변부 모두에 가스 밀착 방식으로 결합된다. 일 실시 예에서,　가스 밀착 방식은 조인된 구성 요소가 유체 내에 유입되고 고압이 적용될 때, 이 유체는 서로 마주보는 두 개 사이의 공간 및/또는 미세 공간들에서 흐를 수 없으며 함께 조립된 두 구성 요소의 모든 주변 표면을 통해 결합된다. 다른 실시 예들에서,　고압은 52 MPa 이상, 152 MPa 이상, 202 MPa 이상, 252 MPa 이상, 그리고 심지어 555 MPa 이상이다. 일 실시 예에서, 적어도 일부 영역에서는 용접의 임계 깊이가 충분히 작다. 다른 실시 예들에서,　용접의 임계 깊이는 두 면의 주변 용접 라인의 최소 6%, 최소 16%, 최소 26%, 최소 56%, 그리고 심지어 76% 충분히 작다. 일 실시 예에서,　용접의 임계 깊이는 고려된 길이의 용접 깊이의 평균값을 의미한다. 추가 실시 예에서, 용접의 임계 깊이는 고려된 길이에서 용접 깊이의 가중-길이를 통한- 평균값을 의미한다. 추가 실시 예에서, 용접의 임계 깊이는 고려된 길이의 용접 깊이의 최대값을 의미한다. 추가 실시 예에서, 용접의 임계 깊이는 고려된 길이의 용접 깊이의 최소값을 의미한다. 추가 실시 예에서, 용접의 임계 깊이는　용접의 녹은 영역의 깊이에서의 확장을 의미한다. 추가 실시 예에서, 용접의 임계 깊이는 단면에서 평가되는 용접의 녹은 영역의 깊이에서의 확장을 의미한다. 추가 실시 예에서, 용접의 임계 깊이는 용접의 열영향부(HAZ) 깊이의 확장을 의미한다. 추가 실시 예에서, 용접의 임계 깊이는 단면에서 평가된 용접의 HAZ 깊이에서의 확장을 의미한다. 일 실시 예에서, HAZ는 오스테나이트화 물질만 포함한다.　추가 실시 예에서, HAZ는 부분적으로 오스테나이트화된 물질만을 포함한다. 추가 실시 예에서, HAZ는 완전히 오스테나이트화된 물질만을 포함한다. 추가 실시 예에서, HAZ는 용접 작용 물질에 의해 오스테나이트화, 어닐화 및 담금질을 포함한다. 추가 실시 예에서, HAZ는 용접 작용을 통해 미세 구조적으로 변형된 물질만 포함한다. 다른 실시 예들에서,　용접의 임계 깊이가 충분히 작은 것은 19 mm 이하, 14 mm 이하, 9 mm 이하, 3.8 mm 이하, 1.8 mm 이하, 0.9 mm 이하, 그리고 심지어 0.4 mm 이하이다. 일부 적용에서, 열원의 전력 밀도가 역할을 한다. 다른 실시 예들에서,　출력밀도는 900 W/mm3미만, 390 W/mm3미만, 90 W/mm3미만, 9 W/mm3미만, 그리고 심지어 0.9 W/mm3미만으로 유지된다. 일 실시 예에서, 함께 조립된 적어도 2개의 부품 중 서로 접촉하는 면은, 치밀화 단계에서 확산 용접을 거친다. 일 실시 예에서, 함께 조립된 적어도 2개의 부품들 중 서로 접촉하는 면들은 치밀화 단계에서 확산 용접을 거치고, 접합 라인은 적어도 부분적으로 제거된다. 일 실시 예에서, 함께 조립된 적어도 2개의 부품들 중 서로 접촉하는 면들은 치밀화 단계에서 확산 용접을 거치고, 접합 라인은 적어도 부분적으로(접합 라인 길이 측면에서) 제거되지만, (용접 임계 깊이 측면에서) 기초 가공에서 최종 구성 요소의 기능 표면에서 완전히 제거된다. 자주, 상기와 같이 더 큰 구성요소를 만들기 위해 서로 다른 부분을 결합하는 것은 압밀 단계 이후에 특히 유리하지만, 일부 실시 예에서는 압밀 단계 전에도 유리하게 적용될 수 있다(이 경우, 확산 용접은 압밀 단계 및/또는 밀도화 단계에서 이루어진다). 일 실시 예에서, 이 방법은 압밀 처리를 적용하기 전에 더 큰 구성요소를 만들기 위해(위에서 정의한 바와 같이) 서로 다른 부품을 접합하는 단계를 더 포함한다. 일 실시 예에서, 압밀 처리를 적용하기 전에 더 큰 구성 요소를 만들기 위해 서로 다른 부품을 접합하는 단계를 수행할 때, 확산 용접은 압밀 처리 및/또는 고온 고압 처리에서 이루어진다.
일부 실시 예에서,　상기 구성요소는 고온 및/또는 고압의 적용을 포함하는 치밀화 단계를 거칠 수 있다. 일 실시 예에서,　상기 압밀 단계를 적용한 후 얻어진 성분은 고온 고압 처리를 거치게 된다. 상기 고온 고압 처리를 적용하는 단계는 본 방법 전반에 걸쳐 치밀화 단계로 일컫기도 한다. 일 실시 예에서,　상기 압밀 단계는 상기 밀도화 단계와 동시에 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계 및 치밀화 단계는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 고정 단계는 상기 압밀 단계 및 상기 치밀화 단계와 동시에 수행된다. 일 실시 예에서,　상기 고정 단계, 압밀 단계 및 치밀화 단계는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행된다. 일부 적용의 경우, 압밀 단계는 압밀 단계는 선택 사항이므로 피할 수 있다. 일 실시 예에서, 압밀 단계는 생략된다. 일 실시 예에서, 상기 치밀화 단계는 상기 압밀 단계 대신 적용된다. 본 발명자는 본 문서에서 이전에 정의한 바와 같이 압력을 균일하게 가하면 일부 적용이 이점을 얻을 수 있다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서 밀도화 단계는 "동일한 방식으로 압력을 가하기 위해 개발된 전략"을 적용하는 것을 포함한다. 본 발명자는 또한 일부 적용의 경우 마이크로파를 이용하여 가열의 적어도 일부를 수행하는 것이 특히 유리하다. 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 "고온 가열"을 적용하는 단계를 포함한다(이전에 정의된 바와 같이). 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 압력을 가하기 전에 높은 진공 수준에서 진공의 적용을 포함한다. 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 HIP를 적용하는 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 밀도화 단계 처리는 HIP이다. 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 "2개의 서로 다른 시간에 최소 2개의 고압 기간을 나타내는 사이클 동안 압력이 강하게 변화하는 고압, 고온 사이클"의 적용을 포함한다(이 문서에 정의된 대로). 일 실시 예에서, 이런 사이클과 치밀화 단계는 동시에 수행된다. 일 실시 예에서, 본 사이클, 압밀 단계 및 치밀화 단계는 동시에 수행된다. 본 발명자는 일부　적용의 경우, 밀도화 단계에서 충분히 빠른 냉각(이 문서에 정의된 대로)을 적용하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 충분히 빠른 냉각을 포함한다. 따라서,　본 문서에 개시된 충분히 빠른 냉각과 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합의 밀도화 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 충분히 빠른 냉각과 치밀화 단계는 동시에 수행된다. 일 실시 예에서, 충분히 빠른 냉각, 압밀 단계 및 치밀화 단계는 동시에 수행된다.
일 실시 예에서, 상기 밀도화 단계는 두 번 이상 적용된다. 일 실시 예에서는, 적어도 2개의 고온, 고압 처리가 적용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 3개의 고온, 고압 처리가 적용된다.
일부 적용의 경우, 밀도화 단계가 수행되는 용해로 또는 압력 용기에서 사용되는 분위기는 관련이 있다. 따라서, 일부 실시 예에서, 제조된 부품의 바람직한 성능을 달성하기 위해서는 밀도화 단계에서 분위기를 올바르게 선택하는 것이 중요하다. 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 바와 같이)를 사용하는 것을 포함한다. 특정 적용의 경우, 밀도화 단계에서 사용되는 분위기를 변경하는 것이 유리하다(예를 들어, 이에 국한되지 않지만, 밀도화 단계의 일부에서만 적절하게 설계된 대기의 사용 및/또는 밀도화 단계에서 적절하게 설계된 최소 2개의 다른 대기의 사용). 일 실시 예에서, 밀도화 단계의 적어도 일부를 수행하기 위해 적절하게 설계된 분위기가 사용된다. 따라서, 본 문서에 개시된 적절하게 설계된 분위기와 관련된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 밀도화 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 밀도화 단계는 적어도 2개의 다른 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 밀도화 단계는 적어도 3개의 다른 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 밀도화 단계는 적어도 4개의 다른 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 특정 적용의 경우, 치밀화 단계에서　구성 요소 표면의 카본 포텐셜(기존에 정의된 바와 같이)에 대한 용해로 또는 압력 용기 대기의 올바른 카본 포텐셜을 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 구성 요소 표면의 카본 포텐셜(기존에 정의된 바와 같이)과 관련하여 용해로 또는 압력 용기 대기의 올바른 카본 포텐셜을 사용하는 단계를 포함한다. 따라서, 본 문서에 개시된 구성 요소 표면의 카본 포텐셜과 관련하여 노의 올바른 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기와 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 치밀화 단계와 결합될 수 있다. 특정 적용의 경우, 상기 밀도화 단계를 적용한 후, 상기 성분(기존에 정의된 바와 같이)의 금속부 내 탄소 함량에 대하여 용해로의 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기를 이용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 치밀화 단계는 상기 치밀화 단계를 적용한 후, 상기 성분(기존에 정의된 바와 같이)의 금속부 내 탄소 함량에 대한 용해로의 올바른 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기의 사용을 포함한다. 치밀화 단계 적용 후 구성부품의 금속부 내 탄소 함량에 대한 용해로 또는 압력용기 분위기의 탄소 전위는 [(치밀화 단계 적용 후 구성부품의 금속부 탄소함유량 - 용해로 또는 압력용기 분위기의 카본 포텐셜) / 용해로 또는 압력용기 분위기의 카본 포텐셜]*100의 절대값으로 정의된다. 따라서, 상기 치밀화 단계는 본 문서에 개시된 성분의 금속 부분에서의 탄소 함량과 관련하여 용해로의 몰바른 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기와 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 조합될 수 있다. 특정 적용의 경우, 밀도화 단계에서 올바른 질화 분위기(기존에 정의된 바와 같이)를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 따라서, 본 문서에 개시된 올바른 질화 분위기와 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 치밀화 단계와 조합될 수 있다. 본 발명자는 일부 적용의 경우, 치밀화 단계에서 과압 및/또는 특정 진공(기존에 정의된 바와 같이)의 적용과 함께 높은 질화 온도를 적용하는 것을 포함하는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 적용의 경우, 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소 표면에서의 질소 중량 백분율이 더 관련이 있다. 분말의 주어진 조성에 대하여, 당업자는 온도, 질화 포텐셜 및 기타 관련 변수들의 선택 방법을 알고 있으므로, 시뮬레이션에 따르면,　밀도화 단계를 적용한 후 표면에서 질소의 중량 백분율(%N)이 올바른 질소 함량이다(이전에 정의된 대로). 일 실시 예에서, 시뮬레이션은 ThermoCal (버전 2020b)로 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 치밀화 단계를 적용한 후의 표면에서의 질소의 중량 퍼센트는 적절한 질소 함량(기존에 정의된 바와 같이)이다. 따라서, 본 문서에 개시된 올바른 질소 함량과 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 치밀화 단계와 결합될 수 있다. 특정 적용의 경우, 밀도화 단계에서 적절한 시간(기존에 정의된 대로) 적절한 온도의 대기로 구성된 %O2 를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 적절한 시간에 적절한 온도의 대기로 구성된 %O2를 사용하는 것으로 구성된다. 따라서, 본 문서에 개시된 적정한 시간 동안 적절한 온도의 대기를 포함하는 %O2 와 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 치밀화 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 치밀화 단계에서 사용되는 분위기는 높은 진공 레벨(기존에 정의된 바와 같이)을 적용하는 것을 포함한다. 따라서, 본 문서에 개시된 고진공 수준에 관한 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 치밀화 단계와 결합될 수 있다. 일부 적용의 경우, 밀도화 단계에서 높은 진공 수준(기존에 정의된 대로)의 적용을 포함하는 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 대로)를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 관련하여, 본 문서에 개시된 고진공 수준에 관한 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 치밀화 단계와 결합될 수 있다.
일부 적용의 경우, 밀도화 단계에서 적용되는 압력을 올바르게 선택하는 것이 중요하다. 다른 실시 예들에서,　고온, 고압 처리에서의 압력은 160 bar 이상, 320 bar 이상, 560 bar 이상, 1050 bar 이상, 그리고 심지어 1550 bar 이상이다. 일부 적용의 경우, 밀도화 단계의 압력은 특정 값 이하로 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서,　고온, 고압 처리의 압력은 4900 bar 보다 낮고, 2800 bar 보다 낮고, 2200 bar 보다 낮고, 1800 bar 보다 낮고, 1400 bar 보다 낮고, 900 bar 보다 낮고, 그리고 심지어 490 bar 보다 낮다. 일 실시 예로, 고온 고압 처리는 고온 고압 처리 시 가해지는 최대 압력을 말한다. 대안적 일 실시 예에서, 고온 고압 처리에서의 압력은 고온 고압 처리에서의 압력에 가해지는 평균 압력을 의미한다. 일부 적용의 경우, 밀도화 단계에서 적용되는 온도를 올바르게 선택하는 것이 중요하다. 다른 실시 예들에서,　고온 고압 처리에서의 온도는0.45*Tm 이상, 0.55*Tm 이상, 0.65*Tm 이상, 0.70*Tm 이상, 0.75*Tm 이상, 0.8*Tm 이상, 나아가 심지어0.86*Tm 이상이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 전술한 바와 같이,　일부 적용의 경우, 온도를 다소 낮게 유지하는 것이 유리하다는 것이 의외로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서,　고온 고압처리의 온도는 0.92*Tm 이하, 0.88*Tm 이하, 0.78*Tm 이하, 0.75*Tm 이하, 그리고 심지어 0.68*Tm 이하이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 대안적 일 실시 예에서, Tm은 임계 분말인 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융해 온도이다(기존에 정의된 바와 같다). 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 관련 분말인 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다(기존에 정의된 바와 같다). 추가 대안적 실시 예에서,　Tm은 분말 혼합물을 포함하는 금속의 평균 용해 온도이다(부피 가중 산술 평균, 가중치가 부피 분율인 경우). 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물의 용해 온도(기존에 정의된 바와 같이)를 가리킨다. 일부 적용의 경우, 금속 분말을 하나만 사용하는 경우, Tm은 금속 분말의 용해 온도이다. 이러한 맥락에서, 위에 공개된 온도는 켈빈 단위이다. 일　실시 예에서, 고온 고압 처리에서의 온도는 고온 고압 처리 시 적용되는 최대 온도를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 고온 고압 처리에서의 온도는 고온 고압 처리에서 적용되는 평균 온도를 의미한다.
일부 적용의 경우, 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준은 기계적 성질과 관련이 있다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 금속 부분은 밀도화 단계를 적용한 후 적절한 수준의 산소를 갖고, 이때 적절한 수준의 산소는 앞서 정의한 바와 같다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 금속 부분은 밀도화 단계를 적용한 후 적절한 수준의 질소를 갖고, 이때 적절한 수준의 질소는 앞서 정의한 바와 같다.
일부 적용의 경우, 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소에 도달한 겉보기 밀도는 기계적 성질에 큰 관련성을 갖는다. 본 발명자는 일부 적용의 경우,　밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도가 적절하게 제어되어야 한다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서,　상기 밀도화 단계를 적용한 후, 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96%보다 높고, 98.2%보다 높으며, 99.2%보다 높고, 99.6%보다 높고, 99.82%보다 높고, 99.96%보다 높고, 그리고 심지어 완전한 밀도이다. 반면에, 특정 적용의 경우, 겉보기 밀도를 특정 값 이하로 유지하는 것이 유리하다. 다른 실시 예들에서,　치밀화 단계를 적용한 후의 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도는 99.98% 보다 낮고, 99.94% 보다 낮고, 99.89% 보다 낮고, 99.4% 보다 낮고, 나아가 심지어98.9% 보다 낮다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 겉보기 밀도는 최대 밀도이다; 또는 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 밀도화 단계를 적용한 후 상기 성분의 금속 부분의 외관 밀도는 96% 이상 99.98% 이하이다. 특정 적용의 경우,　보다 관련성이 높은 것은 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도가 증가한 비율이며, 이때 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가의 백분율은 = [(치밀화 단계 적용 후 성분의 겉보기 밀도 - 성형 단계 적용 후 성분의 겉보기 밀도) / 치밀화 단계 적용 후 성분의 겉보기 밀도]*100의 절대값이다. 대안적으로, 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서의 겉보기 밀도 증가 비율은 [(치밀화 단계 적용 후 겉보기 밀도 - 디바인딩 단계 적용 후 겉보기 밀도 / 치밀화 단계 적용 후 겉보기 밀도] *100의 절대값으로 정의한다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 겉보기 밀도는 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도를 나타낸다. 다른 실시 예에서,　상기 밀도화 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 비율은 6% 초과, 11% 초과, 16% 초과, 22% 초과, 32% 초과, 그리고 심지어 42% 초과이다. 이러한 일부 적용의 경우,　밀도화 단계를 적용한 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율은 일정 값 이하로 유지되어야 한다. 다른 실시 예에서,　상기 밀도화 단계를 적용한 후, 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 비율은 69% 미만, 59% 미만, 49% 미만, 심지어 34% 미만이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 밀도화 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도의 증가 비율은 6% 이상 69% 이하이다.
본 발명자는 일부　적용이 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분(이전에 정의한대로)에 특정 %NMVS가 존재함으로써 이점을 얻는다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서,　치밀화 단계 적용 후 구성부품의 금속부위 %NMVS가 0.002% 초과, 0.01% 초과, 0.06% 초과, 0.1% 초과, 그리고 심지어 2.1% 초과이다. 일부 적용의 경우, %NMVS를 제어해야 한다. 다른 실시 예들에서,　밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분 내 %NMVS가 29% 미만, 19% 미만, 9% 미만, 4% 미만, 그리고 심지어 2% 미만이다. 일부 적용의 경우, 낮은 값이 선호되며 값이 없을 수도 있다(%NMVS=0). 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 밀도화 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분에서의 %NMVS는 0.002% 초과 29% 미만이다. 대안적으로, 일부 실시 예에서, 압밀 단계 적용 후(기존에 정의된 바와 같이) 구성 요소의 금속 부분 내 %NMVS 수준은 치밀화 단계를 적용한 후 도달한다.
특정 적용의 경우,　관련된 것은 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율이다. 이때 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율 = [(치밀화 단계 적용 후 요소 내 총 %NMVT * 치밀화 단계 적용 후 요소 내 %NMVS) / (성형 단계 적용 후 요소 내 총 %NMVT * 성형 단계 적용 후 요소 내 %NMVS] * 100 이다. 여기서 구성 요소의 총 %NMVT = 100% - 겉보기 밀도(백분율에서의 겉보기 밀도). 대안적으로, 일부 실시 예에서,　치밀화 단계 적용 후 구성부품의 금속 부분에서 NMVS의 감소율 = [(치밀화 단계 적용 후 구성 요소 내 총 %NMVT * 치밀화 단계 적용 후 구성 요소 내 %NMVS) / (디바인딩 단계 적용 후 총 %NMVT * 디바인딩 후 구성 요소 내 %NMVS)] * 100이다. 여기서　구성 요소의 총 %NMVT = 100% - 겉보기 밀도이다(백분율에서의 겉보기 밀도). 일 실시 예에서, 구성 요소의 %NMVT는 구성 요소의 금속 부분에서의 %NMVT를 나타낸다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 %NMVS는 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVS를 나타낸다. 일 실시 예에서, 겉보기 밀도는 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도를 의미한다. 다른 실시 예들에서,　상기 치밀화 단계를 적용한 후　성분의 금속 면적에서 NMVS의 감소율은 3.6% 이상, 8% 이상, 16% 이상, 32% 이상, 51% 이상, 86% 이상, 그리고 심지어 96% 이상이다. 대안적으로, 일부 실시 예에서, 압밀 단계 적용 후(기존에 정의된 바와 같이) 상기 성분의 금속 부분에서 NMVS 수준의 감소율은 치밀화 단계를 적용한 후 도달한다.
본 발명자는 밀도화 단계(이전에 정의한 %NMVC)를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에 특정 %NMVC가 존재함으로써 일부 적용이 이득을 얻는다는 것을 발견했다. 다른 실시 예에서, 상기 밀도화 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분에서의 %NMVC는 0.002% 초과, 0.006% 초과, 0.01% 초과, 0.02% 초과, 심지어 2.2% 초과이다. 일부 적용의 경우, %NMVC를 제어해야 한다. 다른 실시 예에서, 치밀화 단계를 적용한 후 구성성분의 금속부 내 %NMVC는 9% 미만, 1.9% 미만, 0.8% 이하 및 심지어0.09% 미만이다. 일부 적용의 경우, 낮은 값이 선호되며 값이 없을 수도 있다(%NMVC=0). 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 밀도화 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분에서의 %NMVC는 0.002% 초과 9% 미만이다. 대안적으로, 일부 실시 예에서, 압밀 단계 적용 후(기존에 정의된 바와 같이) 구성 요소의 금속 부분에서 %NMVC 수준은 치밀화 단계를 적용한 후 도달한다. 특정 적용의 경우, 보다 관련성이 있는 것은 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서 NMVC의 감소율이다. 이때 치밀화 단계 적용 후 구성부품의 금속 부분에서 NMVC의 감소율 = [(치밀화 단계 적용 후 구성 요소 내 총 %NMVT * 치밀화 단계 적용 후 구성 요소 내 %NMVC) / (성형 단계 적용 후 구성 요소 내 총 %NMVT * 성형 단계 적용 후 구성 요소 내 %NMVC)] * 100이다. 여기서, 구성 요소 내 총 %NMVT = 100% - 겉보기 밀도 (백분율에서의 겉보기 밀도). 대안적으로, 일부 실시 예에서, 치밀화 단계 적용 후 구성부품의 금속 부분에서 NMVC의 감소율 = [(치밀화 단계 적용 후 구성 요소 내 총 %NMVT * 치밀화 단계 적용 후 구성 요소 내 %NMVC) / (디바인딩 단계 적용 후 구성 요소 내 총 %NMVT * 디바인딩 단계 적용 후 구성 요소 내 %NMVC)]*100이다. 여기서 구성 요소 내 총 %NMVT = 100% = 겉보기 밀도 (백분율에서의 겉보기 밀도). 일 실시 예에서, 구성 요소의 %NMVT는 구성 요소의 금속 부분에서의 %NMVT를 나타낸다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 %NMVS는 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVS를 나타낸다. 일 실시 예에서, 겉보기 밀도는 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도를 의미한다. 다른 실시 예들에서,　상기 밀도화 단계를 적용한 후 구성성분의 금속 부분에서 NMVC의 감소율은 3.6% 초과, 8% 초과, 16% 초과, 36% 초과, 56% 초과, 86% 초과, 그리고 심지어 96% 초과이다.
일부 적용의 경우, 치밀화 단계를 적용한 후, "2개의 서로 다른 시간에 최소 2개의 고압 기간을 나타내는 사이클 동안 압력이 강하게 변화하는 고압, 고온 사이클"(이 문서에 정의된 바와 같이)을 적용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 이러한 사이클과 치밀화 단계는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행된다.
본 발명자는 일부 실시 예에서　압밀 단계 및 심지어 밀도화 단계까지 선택적으로 적용되므로 회피할 수 있음을 발견했다. 일 실시 예에서, 압밀 단계 및/또는　밀도화 단계는 생략된다.
상기 전 항에서 개시된 방법 단계를 이용하여 얻어진 성분은 치밀화 단계를 적용한 후, 선택적으로 "2개의 서로 다른 시간에 적어도 2개의 고압 기간을 제시하는 사이클 동안 압력이 강하게 변동되는 고압, 고온 사이클"(본 문서에서 정의한 바와 같이)을 실시할 수 있다. 일 실시 예에서, 이 사이클은 치밀화 단계 대신에 적용된다.
상기 제조된 부품의 기계적 성질을 향상시키기 위하여, 앞서 언급한 방법 단계를 이용하여 얻어진 구성부품은 선택적으로 열처리를 할 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 열처리를 적용하는 단계를 더 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 밀도화 단계와 상기 열처리는 동시에 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 치밀화 단계 및 상기 열처리는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 열처리는 열역학적 처리를 포함한다. 일 실시 예에서, 열처리는 제조된 부품들에 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 적어도 하나의 상변화를 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 적어도 2개의 상변화를 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 적어도 3개의 상변화를 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 오스테나이트화를 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 가용화로 구성된 열처리는 제조된 구성 요소에 적용된다. 일 실시 예에서, 가용화로 구성된 열처리는 제조된 구성 요소에 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 부품에는 상 가용화로 이루어진 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 부품에는 금속간 상의 가용화를 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서,　제조된 구성 요소에는 탄화물의 가용화를 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 고온 노출을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서 고온은 0.52*Tm 이상을 의미한다. 일 실시 예에서, 제조된 부품에는 제어된 냉각을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 퀀치(quench)를 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 부분적인 상변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 마르텐자이트 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 베이나이트 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 침전(precipitation) 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 금속간 상변환의 침전을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 탄화물 침전 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 에이징(aging) 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 재결정화(recrystallization) 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서,　제조된 구성 요소들에는 구상화 처리 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서,　제조된 구성 요소에는 어닐 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 템퍼링 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 열처리는 충분히 빠른 냉각을 포함한다(이 문서에 정의된 바와 같다). 따라서, 본 문서에 개시된 충분히 빠른 냉각과 관련된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 열처리와 결합될 수 있다.
일부 적용의 경우, 가공 단계 및/또는 표면 처리의 적용도 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 가공을 적용하는 단계를 더 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 표면 처리를 수행하는 단계를 더 포함한다.
여러 응용 분야에서 표면 처리의 추가는 매우 흥미로운데, 사실 발명가는 몇몇 응용분야에 대한 유익한 영향에 대한 영향력 때문에 이 분야에서 철저한 연구를 하는 경향이 있었다. 이는 본 발명의 범위를 넘어서까지 확장되는 새로운 기여로 이어졌고, 따라서 스스로 발명을 구성할 수 있다. 일부 다른 적용은 표면 처리 없이 더 잘 수행되며 앞의 모든 사례와 마찬가지로 모든 적용에 대해 필수적이지 않은 추가적 방법 단계로 통합되는 이유이다. 달리 명시되지 않는 한, 특징 "표면 처리"는 아래에 상세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전체에 정의된다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 제조된 구성 요소의 표면의 적어도 일부를 화학적으로 수정하는 것을 포함한다. 일 실시 예에서, 이전 방법 단계에서 제조된 구성 요소의 표면의 적어도 일부는 화학적 조성이 변화하는 방식으로 변경된다. 일 실시 예에서, 조성 변화는 분위기에 대한 반응에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 카보레이션(carburation)에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 질화에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 산화에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 보로라이징(borurizing)에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 설포닌화(sulfonizing)에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 %C에 영향을 미친다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 %N에 영향을 미친다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 %B에 영향을 미친다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 %O에 영향을 미친다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 %S에 영향을 미친다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 %B, %C, %N, %S 및 %O 중 적어도 두 가지에 영향을 미친다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 %B, %C, %N, %S 및 %O 중 적어도 세 가지에 영향을 미친다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 %C, %N, %B, %O 및/또는 %S 중 적어도 하나에 영향을 미친다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 원자의 주입에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 이온 충격을 통해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 층의 증착에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 층의 성장에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 CVD(Chemical Vapor Deposition)에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 하드 도금(hard plating)을 통한 층의 성장에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 하드 크로밍(hard-chroming)에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 전기 도금에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 하드 크로밍에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 전해 증착에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 물리적 증기 증착(PVD)에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 밀도 높은 코팅에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 HIPIMS(high power Impulse magnetron sputtering)에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 고에너지 아크 플라즈마 가속 증착에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 두꺼운 코팅에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 표면에 맞선 입자의 가속을 통해 층의 증착에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 열분사에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 콜드 스프레이에 의해 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 도료의 화학반응을 통해 층을 증착함으로써 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 분무의 화학반응을 통해 층이 증착됨으로써 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 도포된 도료 또는 분무의 건조로 달성된다. 추가 실시 예에서, 조성 변화는 졸-겔 반응을 통해 달성된다. 일 실시 예에서, 조성 변화를 일으키는 아표층은 세라믹 성질의 것이다. 추가 실시 예에서,조성 변화를 일으키는 아표층은 세라믹 물질을 포함한다. 일 실시 예에서, 조성 변화를 일으키는 아표층은 산화물을 포함한다. 일 실시 예에서, 조성 변화를 일으키는 아표층은 탄화물을 포함한다. 일 실시 예에서, 조성 변화를 일으키는 아표층은 질화물을 포함한다. 일 실시 예에서, 조성 변화를 일으키는 아표층은 붕소화물를 포함한다. 일 실시 예에서, 조성 변화를 일으키는 아표층은 금속간 성질을 갖는다. 일 실시 예에서, 조성 변화를 일으키는 표면층은 금속간 물질을 포함한다. 일 실시 예에서, 조성의 변화를 일으키는 아표층은 그 어떤 기초 물질보다 높은 %Ti를 포함한다. 일 실시 예에서, 조성의 변화를 일으키는 아표층은 그 어떤 기초 물질보다 높은 %Cr를 포함한다. 일 실시 예에서, 조성의 변화를 일으키는 아표층은 그 어떤 기초 물질보다 높은 %Al를 포함한다. 일 실시 예에서, 조성의 변화를 일으키는 아표층은 그 어떤 기초 물질보다 높은 %Si를 포함한다. 일 실시 예에서, 조성의 변화를 일으키는 아표층은 그 어떤 기초 물질보다 높은 %Ba를 포함한다. 일 실시 예에서, 조성의 변화를 일으키는 아표층은 그 어떤 기초 물질보다 높은 %Sr를 포함한다. 일 실시 예에서, 조성의 변화를 일으키는 아표층은 그 어떤 기초 물질보다 높은 %Ni를 포함한다. 일 실시 예에서, 조성의 변화를 일으키는 아표층은 그 어떤 기초 물질보다 높은 %V를 포함한다. 일 기본 재료를 참조할 때, 층과 직접 접촉하는 모든 재료로 제한된다. 추가 실시 예에서, 기초 물질은 제조된 구성 요소에 포함된 모든 물질이다. 일 실시 예에서, 조성 변화를 일으키는 아표층은 코팅이다. 일 실시 예에서, 산화 코팅은 알루미늄, 지르코늄, 란타넘, 칼슘 및 기타 백색 산화물과 같이 사용된다. 일 실시 예에서, 예를 들어 티타늄과 같은 어두운 산화물이 사용된다. 일 실시 예에서는 산소 및 %Cr, %Al, %Si, %Ti, %Y, %La, %Ca, %Zr, %Hf, %Ba, %Sr 중 적어도 하나의 요소로 구성된 코팅이 사용된다. 일 실시 예에서는 산소 및 %Cr, %Al, %Si, %Ti, %Y, %La, %Ca, %Zr, %Hf, %Ba, %Sr 중 적어도 2개의 원소를 포함하는 코팅을 사용한다. 일 실시 예에서 질화물 코팅이 사용된다. 추가 실시 예에서, 붕소화물 코팅이 사용된다. 일 실시 예에서는 질소 및 %Cr, %Al, %Si, %Ti, %V 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 코팅을 사용한다. 일 실시 예에서는 질소 및 %Cr, %Al, %Si, %Ti, %V 중 적어도 2개의 원소를 포함하는 코팅을 사용한다. 일 실시 예에서는 탄소와 %Cr, %Al, %Si, %Ti, %V 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 코팅을 사용한다. 일 실시 예에서는 탄소와 %Cr, %Al, %Si, %Ti, %V 중 적어도 2종의 원소를 포함하는 코팅을 사용한다. 일 실시 예에서는 붕소와 %Cr, %Al, %Si, %Ti, %V 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 코팅을 사용한다. 일 실시 예에서는 붕소와 %Cr, %Al, %Si, %Ti, %V 중 적어도 2종의 원소를 포함하는 코팅을 사용한다. 일 실시 예에서, 상기 코팅은 바륨 또는 스트론튬 티탄산염과 같은 티탄산염에 기초한다. 일 실시 예에서,　작업면의 적어도 일부는 티탄산바륨으로 코팅된다. 일 실시 예에서, 작업 표면의 적어도 일부는 스트론튬 티탄산염으로 코팅된다. 일 실시 예에서,　상기 작업면의 적어도 일부는 티탄산바륨-스트론튬으로 코팅되어 있다(화학량론의 스트론튬(strontium stoichiometric)과 바륨의 혼합물 또는 표면상 화학량론의 티탄산염(quasi- stoichiometric titanate). 일 실시 예에서,　형태학적으로 유사한 코팅이 사용된다. 일 실시 예에서, 기능적으로 유사한 코팅 물질이 사용된다. 일 실시 예에서, 기능적으로 유사한 재료는 코팅의 다음 특성 중 적어도 두 가지인 재료이다: 탄성 계수, 파괴 인성, 공구 재료가 150℃ 로 유지되고 주조 합금이 용융 온도보다 50℃ 높은 상태에서 선택한 공구 재료에 적용된 코팅에 대한 주조 합금의 습윤성 각도, 공구 재료가 150℃로 유지되고 주조 합금이 용융 온도 및 전기 저항보다 50℃ 이상인 상태에서 선택된 공구 재료에 적용된 코팅 상의 주조 합금의 접촉각 이력, 다른 실시 예들에서,　티탄산바륨에 대해 얻은 값의 +/-45% 범위 내에서, +/-28% 범위 내에서, +/-18% 범위 내에서, +/-8% 범위 내에서, 그리고 심지어 +/-4% 범위 내에서 유지된다. 일 실시 예에서, 그것은 적어도 세 가지 특성이다. 추가 실시 예에서, 그것은 모두 네 가지 특성이다. 일 실시 예에서, 티탄산 바륨 대신에 티탄산 스트론튬과 유사하게 특성이 유지된다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 제조된 구성 요소의 표면 중 적어도 일부를 물리적으로 수정하는 것을 포함한다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 표면 거칠기의 변화를 포함한다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 의도된 레벨로의 표면 거칠기의 변화를 포함한다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 표면에서의 기계적 작동을 포함한다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 광택 작업을 포함한다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 래핑 작업을 포함한다. 일 실시 예에서, 표면　처리는 전해 연마 작업을 포함한다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 표면에 잔류 응력을 남기는 표면에 기계적 동작을 포함한다. 일 실시 예에서, 잔류 응력 중 적어도 일부는 압축적이다. 일 실시 예에서, 표면　처리는 숏-패닝(shot-penning) 작업을 포함한다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 볼 블라스팅 작업(ball-blasting operation)을 포함한다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 텀블링 작업(tumbling operation)을 포함한다. 본 발명자가　표면 처리에서　발견한, 독립적인 발명을 구성할 수 있는 보다 참신한 측면 중 하나는 표면 텍스처 재단(surface texture tailoring)과 관련된 측면이다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 표면에 하는 텍스처링 작업(texturing operation)을 포함한다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 표면에 대한 맞춤형 텍스처링 작업(tailored texturing operation)을 포함한다. 일 시 예에서, 표면 처리는 표면의 서로 다른 영역에 적어도 두 개의 서로 다른 텍스처 패턴을 제공하는 표면에 대한 텍스처링 작업을 포함한다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 에칭 작업(etching operation)을 포함한다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 화학적 에칭 작업(chemical etching operation)을 포함한다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 빔 에칭 작업(beam etching operation)을 포함한다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 전자 빔 에칭 작업(electron-beam etching operation)을 포함한다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 레이저 빔 에칭 작업(laser-beam etching operation)을 포함한다. 일 실시 예에서 텍스처링은 레이저 조각(laser engraving)에 의해 수행된다. 일 실시 예에서, 텍스처링은 전자 빔 조각(electron-beam engraving)에 의해 수행된다. 일 실시 예에서,　표면 처리는 제조된 구성 요소의 적어도 일부 표면의 물리적 및 화학적 수정을 모두 포함한다. 일 실시 예에서, 표면 처리는 코팅 및 그에 대한 텍스처링 작업(texturing operation)을 포함한다. 일 실시 예에서,　텍스처링은 화학적으로 수정된 표면 상에 만들어진다. 일 실시 예에서, 텍스처링은 적용된 코팅 위에 만들어진다. 일 실시 예에서,　조각(engraving)은 적용된 코팅 위에 만들어진다. 일 실시 예에서, 에칭은 적용된 코팅 위에 이루어진다.
일부 실시 예에서,　제조된 구성 요소가 세라믹 상이 내장된 금속 성분인 경우, 이러한 세라믹 상을 %NMVS, NMVS의 감소율, %NMVC, NMVC의 감소율, 겉보기 밀도 및 겉보기 밀도 증가율에 대해 금속 부분으로 고려하는 것이 흥미롭다. 일부 실시 예에서,　제조된 구성 요소가 세라믹 상을 포함하는 금속 성분인 경우, 이러한 세라믹 상을 %NMVS, NMVS의 감소율, %NMVC, NMVC의 감소율, 겉보기 밀도 및 겉보기 밀도 증가율에 대해 금속 부분으로 고려하는 것이 흥미롭다. 따라서, 일부 실시 예에서, 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVS, 구성 요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소율, 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVC, 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVS, 구성 요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소율, 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVC, 구성 요소의 금속 부분에서 NMVC의 감소율, 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 및/또는 구성 요소 중 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율 및/또는 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율을 참조할 경우, "구성 요소의 금속 부분"라는 문구는 "구성 요소의 무기물 부분"으로 대체될 수 있다.
전술한 바와 같이, 특정 적용의 경우, 상이한 재료를 사용하여 부품을 제조하는 것(또는 적어도 이전 단락에 공개된 방법을 사용하여 제조된 구성 요소의 일부)이 유리하다. 이러한 경우에,　일부 실시 예에서, 구성 요소의 금속 부분에 있는 특정 요소의 내용을 참조하는 경우, "구성 요소의 금속 부분에 있는"이라는 문구는 "구성 요소에 포함된 적어도 하나의 재료에 있는"으로 대체될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기에 개시된 방법들로 얻어진 성분은 복잡한 기하학적 구조를 갖는다. 일 실시 예에서, 구성요소는 도구이다. 추가 실시 예에서, 구성 요소는 강철로 이루어진 도구이다. 추가 실시 예에서, 구성요소는 강철을 포함하는 도구이다. 추가 실시 예에서, 구성 요소는 다이(die)이다. 추가 실시 예에서, 구성 요소는 다이 캐스팅 다이(die casting die)이다. 추가 실시 예에서, 구성 요소는 플라스틱 사출 금형이다. 추가 실시 예에서, 구성 요소는 열 스탬핑 다이(hot stamping die)이다. 추가 실시 예에서, 상기 구성요소는 압출 다이(extrusion die)이다. 추가 실시 예에서, 구성 요소는 상온 가공 다이(cold work die)이다. 추가 실시 예에서, 상기 구성요소는 드로우잉 및/또는 벤딩 다이(drawing and/or bending die)이다. 추가 실시 예에서, 상기 구성 요소는　시트 형성 다이이다. 추가 실시 예에서, 상기 구성요소는 절단 다이이다. 추가 실시 예에서, 상기 구성요소는 섬유 드로우잉 다이이다. 추가 실시 예에서, 상기 구성요소는 합성 드로우잉 다이(composite drawing die)이다. 추가 실시 예에서, 상기 구성요소는 합성 성형 다이이다. 추가 실시 예에서,　상기 성분은 탄소 섬유 압밀 고분자(CFRP)를 맞추는 다이이다.
앞 단락에 공개된 방법으로 제조된 구성 요소 또는 구성 요소의 부품은 높은 기계적 강도 값에 도달할 수 있다. 다른 실시 예들에서,　구성 요소의 기계적 강도는 730 MPa 이상, 1055 MPa 이상, 1355 MPa 이상, 그리고 심지어2010 MPa 이상이다. 일 실시 예에서, 기계적 강도의 값은 상온이다. 일 실시 예에서, 기계적 강도는 ASTM E8/8M-16a에 따라 측정된다. 연신율과 관련하여, 높은 값에도 도달할 수 있다. 다른 실시 예들에서,　연신율은 4%보다 높고, 10.1%보다 높고, 그리고 심지어 21%보다 높다. 일 실시 예에서, 연신율 값은 실온에서 측정된 파단 연신율 값이다. 일 실시 예에서, 연신율은 ASTM E8/8M-16a에 따라 측정된 파단 연신율이다. 일부 적용의 인성이 높은 구성 요소도 얻을 수 있다. 다른 실시 예들에서,　구성 요소의 인성은 11 J CVN보다 높고, 16 J CVN보다 높으며, 26 J CVN보다 높고, 55 J CVN보다 높으며, 그리고 심지어 116 J CVN보다 높다. 일 실시 예에서, 상기에 개시된 인성 값은 상온에서 측정된다. 일 실시 예에서 인성은 ASTM E23 - 18 Standard Test Methods for Notched Bar Impact에 따라 측정된다. 일 실시 예에서, 인성 값은 구성 요소의 표면으로부터 적어도 20 mm 이내이다.
이전에 공개된 바와 같이, 일부 적용의 경우, 위에 공개된 방법은 이 문서에서 이전에 정의한 "적절한 기하학적 설계 전략"과 결합하는 것이 특히 유리하다. 따라서, 본 문서에 개시된 "적절한 기하학적 설계 전략"과 관련된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우 위에서 개시된 방법과 조합될 수 있다.
선행 문단에서 개시된 방법은 전술한 목적을 충족할 수 있는 전술한 실시 예들에 대한 변형으로 구현될 수 있다. 상기에서 개시된 특징들을 대체할 수 있는 동일하거나 동등하거나 유사한 목적을 제공하는 이러한 실시 예들은 특별한 언급이 없는 한 모두 본 방법의 기술적 범위에 포함된다.
일부 적용의 경우, 적층 제조 방법에서 높은 인성 관련 특성을 얻는 것은 상당히 어려울 수 있다. 추가적으로, 불규칙한 분말을 사용할 때 높은 인성과 관련된 특성을 얻는 것도 어려울 수 있다. 본 발명자는 일부 적용의 경우,　이 어려움이 올바른 분말 또는 분말 혼합물을 사용하고 제조 단계를 적용하는 것을 극복할 수 있다는 것을 발견했다. 여기서, 성형 단계에서 달성되는 성분의 겉보기 밀도는 약간 낮다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 다음과 같은 단계를 포함한다:
- 분말 또는 분말 혼합물 제공;
- 적층 제조 방법 적용;
- 압밀 방법 적용;
그리고 선택적으로:
-고온, 고압 처리를 한다.
특정 적용의 경우, 방법에 많은 추가 단계를 포함할 수 있으며, 그중 일부는 아래에서 자세히 논의될 것이다.
본 발명자는 상기에 개시된 방법을 따를 때 구성 요소를 포함하는 고성능 금속을 얻을 수 있다는 것을 발견했다. 일부 적용의 경우, 조립이 가능한 부품을 서로 다른 부품으로 제조하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기에 개시된 방법은 부품의 적어도 일부를 제조하기 위해 사용된다. 반면에, 일부 실시 예에서는 상기에 개시된 방법을 이용하여 부품 전체를 제조하는 것이 유리하다. 특정 용도의 경우,　상기 성분(또는 상기에 개시된 방법을 이용하여 제조된 성분 중 적어도 일부)은 서로 다른 재료를 사용하여 제조하는 것이 유리하다. 일 실시 예로, 제조된 부품은 적어도 두 개의 서로 다른 재료를 포함한다. 추가 실시 예에서, 제조된 부품은 적어도 세 개의 서로 다른 재료를 포함한다. 추가 실시 예에서, 제조된 부품은 적어도 4개의 서로 다른 재료를 포함한다.
본 발명자는 일부 적용의 경우, 이 방법이 본 문서에서 이전에 정의한 "적절한 기하학적 설계 전략"과 결합하는 것이 특히 유리하다는 것을 발견했다. 따라서, 본 문서에 개시된 "적절한 기하학적 설계 전략"과 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 본 방법과 결합될 수 있다.
일부 적용의 경우, 제공된 분말 또는 분말 혼합물의 제조에 사용되는 방법은 성분에서 달성될 수 있는 기계적 성질에 큰 관련성을 갖는다. 발명자는 놀랍게도 위에 언급된 방법 단계를 따를 경우, 성분 제조에 사용되는 분말 또는 분말 혼합물이, 예를 들어 물이 원자화된 분말 및/또는 산화물 환원에 의해 얻어진 분말 같은 저비용 분말을 포함하는 경우에도, 매우 높은 성능의 성분을 얻을 수 있다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 분말은 물 원자화에 의해 얻어진 분말이다. 추가 실시 예에서, 상기 분말은 산화물 환원에 의해 얻어진 분말이다. 일 실시 예에서, 상기 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 물 원자화에 의해 얻어진 분말이다. 일 실시 예에서, 상기 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 산화물 환원에 의해 얻어진 분말이다. 상기 분말 또는 적어도 상기 분말 혼합물에 포함된 분말을 얻기 위해서는 다른 기술도 유리할 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 분말은 기계적 작용에 의해 얻어진다. 추가 실시 예에서, 분말은 기계적으로 분쇄된다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 기계적 작용에 의해 얻어진다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 기계적으로 으스러진다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 소모로 의해 얻어진다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 밀링으로 얻어진다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 볼 밀링으로 얻어진다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 운동 에너지 파괴로 얻어진다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 제어된 분쇄를 통해 얻어진다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 분쇄를 통해 얻어진다. 발명가는 일부 적용의 경우 적어도 하나의 불규칙한 분말을 사용하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 적어도 분말을 포함한 분말 혼합물은 고르지 못한 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말은 고르지 못한 분말이다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 고르지 못한 분말 하나를 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 2개의 불규칙한 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 불규칙 분말은 비구형의 분말이다. 다른 실시 예들에서, 비구형 분말은 구형도가 99% 미만, 89% 미만, 79% 미만, 74% 미만, 그리고 심지어 69% 미만인 분말이다. 일부 적용에서는 구형도가 매우 낮은 분말을 사용하는 것은 이롭지 않다. 다른 실시 예들에서, 비구형 분말은 22% 초과, 36% 초과, 51% 초과, 그리고 심지어 64% 초과의 구형도를 갖는 분말이다. 본 발명가는 일부 적용에서는 구형 분말을 사용하는 것이 특히 이롭다는 것도 발견했다. 일 실시 예에서, 분말 또는 분말 혼합물은 구형 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 구형 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 구형 분말은 가스 분무, 원심 원자화 및/또는 플라즈마 처리로 라운딩 된 분말을 뜻한다. 일 실시 예에서, 분말 또는 분말 혼합물은 가스 분무에 의해 얻어진 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 또는 분말 혼합물은 원심 원자화에 의해 얻어진, 적어도 하나의, 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 또는 분말 혼합물은 플라즈마 처리로 라운딩 된 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 가스 분무에 의해 얻어진, 적어도 하나의, 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 원심 분무에 의해 얻어진, 적어도 하나의, 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 플라즈마 처리로 라운딩 된, 적어도 하나의, 분말을 포함한다. 다른 실시 예들에서, 구형 분말은 76% 초과, 82% 초과, 92% 초과, 96% 초과, 그리고 심지어 100% 이상의 구형도를 갖는 분말이다. 분말의 구형도는 동일한 부피의 구체 표면과 입자 표면의 비율로 정의되는 무차원 인자(dimensionless parameter)를 의미한다. 일 실시 예에서, 구형도(Ψ)는 다음의 공식을 활용해 계산된다: Ψ=[ㅠ1/3*(6*Vp)2/3]/Ap. 상기 공식에서, ㅠ 는 일반적으로 원의 둘레와 지름의 비율로 정의되는 수학적 상수를 의미하고, Vp는 입자의 부피를, Ap는 입자의 표면적을 의미한다. 일 실시 예에서, 입자의 구형도는 동적 이미지 분석(dynamic image analysis)에 의해 결정된다. 대안적 일 실시 예에서, 구형도는 광산란 회절(light scattering diffraction)에 의해 계산된다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물에 대해 개시된 것은 제공되는 분말 또는 분말 혼합물을 의미한다.
일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 금속 분말을 포함한다.　일 실시 예에서, 상기 분말은 분말을 포함하는 금속이다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 분말 혼합물을 포함하는 금속이다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 적어도 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 또는 분말 혼합물은 분말 형태의 다음 금속 또는 금속 합금 중 적어도 하나를 포함한다: 철 또는 철기 합금, 강철, 스테인리스 강, 티타늄 또는 티타늄 기반 합금, 알루미늄 또는 알루미늄 기반 합금, 마그네슘 또는 마그네슘 기반 합금, 니켈 또는 니켈계 합금, 구리 또는 구리 기반 합금, 니오븀 또는 니오븀계 합금, 지르코늄 또는 지르코늄계 합금, 실리콘 또는 실리콘 기반 합금, 크롬 또는 크롬계 합금, 코발트 또는 코발트계 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴계 합금, 망간 또는 망간계 합금, 텅스텐 또는 텅스텐 기반 합금, 리튬 또는 리튬계 합금, 주석 또는 주석 기반 합금, 탄탈 또는 탄탈계 합금 및/또는 이들의 혼합물. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 금속 또는 금속계 합금 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 금속계 합금 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 하나의 금속계 합금 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 하나의 금속 또는 금속계 합금 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 금속계 합금 분말인 임계 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 금속 또는 금속계 합금 분말인 임계 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 금속계 합금 분말인 관련 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 금속 또는 금속계 합금 분말인 관련 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 포함한다. 특정 용도의 경우, 금속 합금에 전체적으로 상응하는 구성을 가진 금속 합금 분말을 사용하는 것이 선호된다. 일 실시 예에서, 상기 분말은 금속계 합금 분말이다. 일 실시 예에서, 상기 분말은 금속 또는 금속계 합금 분말이다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 금속계 합금에 상응하는 평균 구성을 갖는다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 금속 또는 금속계 합금에 상응하는 평균 조성을 갖는다. 일 실시 예에서 상기 금속은 철이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 티타늄이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 알루미늄이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 마그네슘이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 니켈이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 구리이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 니오브이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 지르코늄이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 실리콘이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 크롬이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 코발트이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 몰리브덴이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 망간이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 텅스텐이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 리튬이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 주석이다. 일 실시 예에서 상기 금속은 탄탈룸이다. 특정 용도의 경우, 상기 언급된 금속 또는 금속계 합금의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다. 다만, 상기 분말 또는 분말 혼합물의 조성은 이들 금속 또는 금속 합금의 용도에 한정되는 것은 아니다. 이에, 적어도 금속 또는 금속계 합금을 포함하는 다른 분말 또는 분말 혼합물도 사용될 수 있다. 일부 실시 예에서, 특허 출원 번호 PCT/EP2019/075743에 공개된 분말 및/또는 분말 혼합물은, 내용 전체가 참조에 의해 본 문서에 통합되는 것이 유리하게 사용될 수 있다. 일부 적용의 경우, 본 문서 전반에 걸쳐 언급된 분말 또는 분말 혼합물의 사용이 특히 유리하다. 이 점에 있어서 본 발명자는 일부 적용의 경우 분말 형태의 질소 오스테나이트 강철(기존에 언급된 구성을 갖는 질소 오스테나이트 강철)을 사용하는 것이 이외로 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 질소 오스테나이트 강철 분말을 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 적어도 하나의 질소 오스테나이트 강철 분말을 포함한다. 특정 적용의 경우 질소 오스테나이트 강철 분말 또는 질소 오스테나이트 강철과 상응하는 전체 구성을 갖는 분말 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다. 일 실시 예에서 상기 분말은 질소 오스테나이트 강철 분말이다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 질소 오스테나이트 강철과 대응하는 평균 구성을 갖는다. 일부 실시 예에서 본 문서에서 앞서 정의한 혼합 전략에 따라 분말 또는 분말 혼합물을 사용한다. 이에, 상기 혼합 전략에서 설명된 분말 또는 분말 혼합물과 관련된 모든 실시 예는 본 방법과 임의의 조합으로 조합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적어도 LP 및 SP 분말(상기 혼합 전략에서 정의된 바와 같다)을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 (기존에 정의된 바와 같이) LP 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 (기존에 정의된 바와 같이) SP 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 (기존에 정의된 바와 같이) 적어도 분말 P1, P2, P3 및/또는 P4를 포함한다. 일부 적용에서는 %Y, %Sc, %REE, %Al 및/또는 %Ti로 구성된 분말을 사용하는 것이 의외로 유리하다. 일부 실시 예에서, %Y, %Sc, 및/또는 %REE(본 문서 전반에 걸쳐 공개된 %Y, %Sc, 및/또는 %REE 내용 포함)를 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 사용하는 것이 특히 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은, %REE가 앞서 정의된 바와 같고 %Y+%Sc+%REE의 적정 함량을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 %REE가 앞서 정의된 바와 같고, 올바른 함량의 %Y+%Sc+%REE 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 일부 용도에서는 %Y, %Sc, %REE, 및/또는 %Al로 구성된 분말 또는 분말 혼합물을 사용하는 것이 선호된다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은, %REE가 앞서 정의된 바와 같고 %Al+%Y+%Sc+%REE의 적정 함량을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 %REE가 앞서 정의된 바와 같고, 올바른 함량의 %Al+%Y+%Sc+%REE 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 일부 적용에서는 %Y, %Sc, %REE 및/또는 %Ti로 구성된 분말 또는 분말 혼합물을 사용하는 것이 선호된다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은, %REE가 앞서 정의된 바와 같고 %Ti+%Y+%Sc+%REE의 적정 함량을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 %REE가 앞서 정의된 바와 같고, 올바른 함량의 %Ti+%Y+%Sc+%REE 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 일부 용도에서는 %Y, %Sc, %REE, %Al 및/또는 %Ti로 구성된 분말 또는 분말 혼합물을 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은, %REE가 앞서 정의된 바와 같고 %Al+%Ti+%Y+%Sc+%REE의 적정 함량을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 %REE가 앞서 정의된 바와 같고, 올바른 함량의 %Al+%Ti+%Y+%Sc+%REE 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 따로 명시되지 않는 한, "올바른 함량"은 본 문서 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 정의된다. 다른 실시 예들에서, 올바른 함량은 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt% 초과이다. 특정 적용의 경우, 과도한 함량은 기계적 성질에 해가 된다. 다른 실시 예들에서,올바른 함량은 6.8wt% 미만, 3.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 놀랍게도, 일부 적용의 경우 %Y, %Sc, %REE 및/또는 %Ti로 구성된 분말로 구성된 시스템을 사용하여 특별한 기계적 성질을 달성할 수 있다. 일부 적용의 경우, 매우 정확한 수준의 %Ti, %Y, %Sc 및/또는 %REE를 선택하는 것이 매우 중요하며, 이러한 적용의 경우, 이트륨 당량 개념이 매우 흥미롭다. 달리 명시되지 않는 한, "Yeq(1)의 올바른 수준"은 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전체에서 정의된다. 일 실시 예에서 이트륨 당량 개념은 다음과 같다: %REE가 앞서 정의된 바와 같을 때, %Yeq(1)=%Y+1.55*(%Sc+%Ti)+0.68*%REE. 다른 실시 예들에서, %Yeq(1)의 올바른 수준은 0.03wt%보다 높아야 하며, 0.06wt%보다 높아야, 0.12wt%보다 높아야, 0.6wt%보다 높아야, 1.2wt%보다 높아야, 2.1wt%보다 높아야, 나아가 심지어 3.55wt%보다 더 높아야 한다. 특정 적용의 경우, %Yeq(1)의 함량이 너무 많으면 기계적 성질에 해가 된다. 다른 실시 예들에서, %Yeq(1)의 올바른 수준은 8.9wt%보다 낮고, 4.9wt%보다 낮아야 하며, 3.9wt%보다 낮아야 하며, 2.9wt%보다 낮아야 하며, 2.4wt%보다 낮아야 하며, 1.9wt%보다 낮아야 하며, 1.4wt%보다 낮아야 하며, 0.9wt%보다 낮아야 하며, 나아가 심지어 0.4wt%보다 낮아야 한다. 대안적 일 실시 예에서, %Yeq(1)의 정의뿐만 아니라 본 항에서 언급된 내용은 %Ti를 무시하도록 수정되어, 재료에 포함된 %Ti는 %Yeq(1)의 계산에 포함되지 않는다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 적절한 수준의 %Yeq(1)를 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물의 분말 중 적어도 하나는 적정한 수준의 %Yeq(1)를 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 부품의 금속 부분은 상기 방법을 적용하는 동안 어느 시점에 적절한 수준의 %Yeq(1)를 포함한다. 추가 실시 예에서, 제조된 부품의 금속 부분은 올바른 수준의 %Yeq(1)를 포함한다. 추가 실시 예에서, 제조된 부품에 포함되는 재료 중 적어도 하나는 적절한 레벨의 %Yeq(1)를 포함한다. 일부 적용에서는 산소 함량과 %Y, %Sc, %Ti 및 %REE 함량의 특정 관계가 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 %O함량은, %REE가 앞서 정의된 바와 같을 때, 아래의 화학식 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE)를 따르도록 선택된다. 추가 실시 예에서, 상기 %O 함량은, %REE가 앞서 정의된 바와 같을 때, 아래의 화학식 KYI*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE) ＜ %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE)를 따르도록 선택된다. 다른 실시 예들에서, KYI는 3800, 2900, 2700, 2650, 2600, 2400, 2200, 2000, 그리고 심지어 1750이다. 다른 실시 예들에서, KYS는 2100, 2350, 2700, 2750, 2800, 3000, 3500, 4000, 4500 그리고 심지어 8000이다. 대안적 일 실시 예에서, 본 항에서 위에 공개된 내용은 %Ti를 무시하도록 수정되어, 재료에 포함된 %Ti는 허용 가능한 %O의 계산에 고려되지 않는다. 일 실시 예에서, %O, %Y, %Sc, %Ti 및 %REE의 함량은 분말 또는 분말 혼합물에서의 %O, %Y, %Sc, %Ti 및 %REE 함량을 의미한다. 추가 실시 예에서, %O, %Y, %Sc, %Ti 및 %REE의 함량은 분말 혼합물의 적어도 하나의 분말에서의 %O, %Y, %Sc, %Ti 및 %REE 함량을 의미한다. 본 발명자는 일부 적용의 경우, 특히 분말 혼합물이 적정 수준의 %V, %Nb, %Ta, %Ti, %Mn, %Al, %Si, %Moeq 및/또는 %Cr(이하에 서술된 바와 같은 특성 수준)의 분말을 하나 이상 포함하는 경우, 연신율과 항복 강도 측면에서 매우 높은 기계적 성질에 도달할 수 있다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 수준의 %V, %Nb, %Ta 및/또는 %Ti 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물을 적정 수준의 %Mn 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 수준의 %Al 및/또는 %Si 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적정 수준의 %Moeq(%Moeq=%Mo+1/2*%W)인 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적정 수준의 %Cr인 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 다른 실시 예들에서, 적정 수준은 8wt% 이상, 21wt% 이상, 41wt% 이상, 그리고 심지어 51wt% 이상이다. 특정 적용의 경우, 지나치게 높은 수준은 유해하다. 다른 실시 예들에서, 적정 수준은 89wt% 미만, 79wt% 미만, 심지어 69wt% 미만이다. 특정 적용의 경우, 분말 또는 분말 혼합물의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb 함량은 구성 요소에서 달성할 수 있는 기계적 성질과 관련이 있다. 다른 실시 예들에서, 올바른 수준의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb는 0.12wt% 이상, 0.6wt% 이상, 1.1wt% 이상, 2.1wt% 이상, 3.1wt% 이상, 5.6wt% 이상, 그리고 심지어 11wt% 이상이다. 특정 경우의 경우, 지나치게 높은 수준이 해로울 수 있다. 다른 실시 예들에서, 올바른 수준의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb는 34wt% 미만, 29wt% 미만, 19wt% 미만, 9wt% 미만, 그리고 심지어 4wt% 미만이다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 적절한 수준의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb를 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 올바른 수준의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb 분말을 적어도 하나 이상 포함한다. 본 발명자는 일부 적용이 순철, 카르보닐 철, 흑연 및/또는 이들의 혼합물을 포함하는 분말 혼합물의 사용으로부터 이익을 얻는다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 탄소를 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 흑연 형태의 탄소를 포함한다. 일 실시 예에서 상기 탄소는 적어도 52%의 흑연으로 구성되어 있다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 합성 흑연을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 탄소는 적어도 52%의 합성 흑연으로 구성된다. 일 실시 예에서 상기 분말 혼합물은 천연 흑연 형태의 탄소를 포함한다. 일 실시 예에서 상기 탄소는 적어도 52%의 천연 흑연으로 구성되어 있다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 풀러린 형태의 탄소를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 탄소는 적어도 52%의 풀러린 탄소로 구성된다. 일 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 카르보닐 철을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 순철의 분말을 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 원자화된 순철을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 주로 구형인 원자화된 순철 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 구형인 원자화된 순철 분말을 포함한다. 일 실시 예에서 상기 분말 또는 분말 혼합물은 가스 분무법에 의해 얻어진 순철 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 원심 원자화에 의해 얻어진 순철의 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 순철 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 철과 불순물의 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 철, 탄소 및 불순물의 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 철, 탄소, 질소 및 불순물의 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물은 철 및 미량 원소 분말을 포함한다. 다른 실시 예들에서, 미량 원소는 0.9wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.18wt% 미만, 그리고 심지어 0.08wt% 미만이다. 놀랍게도 본 발명자는, 사용되는 분말 또는 분말 혼합물이 적절한 산소(%O) 함량을 가질 ? 기계적 성질이 좋고 높은 수준의 성능을 갖는 성분이 달성될 수 있다는 것을 발견했다. 달리 명시되지 않는 한, "적절한 산소 함량"은 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, 적정 산소 함량은 250ppm 초과, 410ppm 초과, 620ppm 초과, 1100ppm 초과, 1550ppm 초과, 그리고 심지어 2100ppm 초과의 산소 함량을 의미한다. 모두 wt%로 표기된다. 다른 실시 예들에서, 적정 산소 함량은 2550ppm 초과, 4500ppm 초과, 5100ppm 초과, 그리고 심지어 6100ppm 초과의 산소 함량을 의미한다. 모두 wt%로 표기된다. 특정 적용의 경우, 지나치게 높은 레벨은 기계적 성질에 해로울 수 있다. 다른 실시 예들에서, 적정 산소 함량은 48000ppm 미만, 19000ppm 미만, 14000ppm 미만, 그리고 심지어 9900ppm 미만의 산소 함량이다. 모두 wt%로 표시된다. 일부 적용의 경우, 낮은 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 적정 산소 함량은 9000ppm 미만, 6900ppm 미만, 4900ppm 미만, 2900ppm 미만, 그리고 심지어 900ppm 미만의 산소 함량이다. 모두 wt%로 표시된다. 일 실시 예에서, 상기 분말은 적절한 산소 함량을 갖는다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 산소 함량을 갖는 적어도 하나의 분말을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 산소 함량을 갖는 분말을 적어도 2개 포함한다. 추가 실시 예에서,상기 분말 혼합물은 적절한 산소 함량을 갖는 분말을 적어도 3개 이상 포함한다. 일부 적용의 경우, 과도한 산소 함량은 제조된 구성 요소의 기계적 성질에 해를 끼칠 수 있다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 산소 함량을 갖는다. 일부 실시 예에서,　상기 분말(또는 분말 혼합물의 분말 중 적어도 하나)은 적절한 산소 함량을 갖는 물 분사법에 의해 얻어진 분말인 경우에 특히 유리하다(이전에 정의한 대로). 또는, 일부 실시 예에서,　상기 분말(또는 상기 분말 혼합물에서 분말 중 적어도 하나)이 적절한 산소 함량을 갖는 산화물 환원에 의해 얻어진 분말인 경우(기존에 정의된 바와 같이)에는 특히 유리하다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다. 예를 들어, 일 실시 예에서, 분말 또는 분말 혼합물의 산소 함량은 250ppm 초과 48000ppm 미만이다. 또는 예를 들어, 추가 실시 예에서, 상기 분말의 산소 함량은 410 ppm 초과 14000 ppm 미만이다. 일부 적용의 경우, 분말 또는 분말 혼합물의 질소 수준(%N)이 매우 중요하다. 앞서 공개된 바와 같이, 일부 적용의 경우, 제공된 분말 또는 분말 혼합물(시작 분말)에서 질소(%N)의 수준은 매우 관련이 있다. 본 발명자는 사용되는 분말 또는 분말 혼합물이 적절한 질소(%N) 함량을 가질 때 기계적 성질이 우수하고 높은 수준의 성능을 갖는 성분이 달성될 수 있다는 것을 발견했다. 달리 명시되지 않는 한, "적절한 질소 함량"은 아래에 상세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, 적정 질소 함량은 12ppm 초과, 55ppm 초과, 110ppm 초과, 그리고 심지어 220ppm 이상의 질소 함량을 의미한다. 일부 적용에서는 과도한 양의 질소를 피해야 한다. 다른 실시 예들에서, 적정 질소 함량은 9000ppm 미만, 900ppm 미만, 490ppm 미만, 190ppm 미만, 그리고 심지어 90ppm 미만의 질소 함량이다. 일 실시 예에서, 상기 분말은 적절한 질소 함량을 갖는 분말이다. 추가 실시 예에서,상기 분말 혼합물은 적절한 질소 함량을 갖는 적어도 하나의 분말을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 질소 함량을 갖는 적어도 2개의 분말을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 질소 함량을 갖는 적어도 3개의 분말을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 분말 혼합물은 적절한 질소 함량을 갖는다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 분말 또는 분말 혼합물의 질소 함량은 12 ppm 초과 9000 ppm 미만이다; 또는 예를 들어, 추가 실시 예에서, 상기 분말의 질소 함량은 12 ppm 초과 및 900 ppm 미만이다. 일부 적용의 경우, 분말 또는 분말 혼합물에 질소를 포함하는 재료를 혼합하는 것이 유리하다는 것이 밝혀졌다. 일 실시 예에서, 상기 분말 또는 분말 혼합물에 질소를 포함하는 재료가 혼합된다. 일 실시 예에서, 재료를 포함하는 질소의 양은 제조된 성분 중 질소의 총 중량%면에서 선택된다. 추가 실시 예에서, 재료를 포함하는 질소의 양은 제조된 성분 중 적어도 하나의 재료에서 질소의 총 중량%에 대해 선택된다. 추가 실시 예에서, 재료를 포함하는 질소의 양은 혼합 후 재료 내 질소 총 중량%의 관점에서 선택된다. 일 실시 예에서, 물질을 구성하는 질소의 양은 0.02wt% 이상이 되도록 선택된다. 추가 실시 예에서, 물질을 구성하는 질소의 양은 0.12wt% 이상이 되도록 선택된다. 추가 실시 예에서, 물질을 구성하는 질소의 양은 0.22wt% 이상이 되도록 선택된다. 추가 실시 예에서, 물질을 구성하는 질소의 양은 0.41wt% 이상이 되도록 선택된다. 추가 실시 예에서, 물질을 구성하는 질소의 양은 0.52wt% 이상이 되도록 선택된다. 추가 실시 예에서, 물질을 구성하는 질소의 양은 0.76wt% 이상이 되도록 선택된다. 추가 실시 예에서, 물질을 구성하는 질소의 양은 1.1wt% 이상이 되도록 선택된다. 추가 실시 예에서, 물질을 구성하는 질소의 양은 2.1wt% 이상이 되도록 선택된다. 특정 적용의 경우, 지나치게 높은 함량은 사용하지 않아야 한다. 일 실시 예에서, 물질을 구성하는 질소의 양은 3.9wt% 이하로 선택되어야 한다. 추가 실시 예에서, 물질을 구성하는 질소의 양은 2.9wt% 이하로 선택되어야 한다. 추가 실시 예에서, 물질을 구성하는 질소의 양은 1.9wt% 이하로 선택되어야 한다. 추가 실시 예에서, 물질을 구성하는 질소의 양은 1.4wt% 이하로 선택되어야 한다. 추가 실시 예에서, 물질을 구성하는 질소의 양은 0.9wt% 이하로 선택되어야 한다. 추가 실시 예에서, 물질을 구성하는 질소의 양은 0.69wt% 이하로 선택되어야 한다. 추가 실시 예에서, 물질을 구성하는 질소의 양은 0.49wt% 이하로 선택되어야 한다. 일부 적용의 경우, 더 높은 질소 함량의 사용이 선호된다. 추가 실시 예에서, 높은 질소 함량은 적어도 10% 이상, 적어도 15% 이상, 적어도 20% 이상, 적어도 50% 이상, 그리고 심지어 적어도 200% 이상의 함량을 의미한다. 특정 적용의 경우, 지나치게 높은 함량은 유해할 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 재료는 질소화물 및/또는 질소화물 혼합물이다. 일부 적용의 경우, 탄소질소화물, 크롬질소화물, 질화철, 질화몰리브덴, 질화텅스텐, 질화바나듐, 니오븀질화물, 질화탄탈륨, 질화티탄 및/또는 이들의 혼합물을 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 질소를 포함하는 물질은 탄소질소화물이다. 일 실시 예에서, 질소를 포함하는 물질은 카보-보로-옥소-질소화물(carbo-boro-oxo-nitride)을 포함한다. 일 실시 예에서, 질소를 포함하는 물질은 탄소질소화물을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질소화물을 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소 함유 물질은 표준 조건에서 안정적인 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질화물을 포함한다. 일 실시 예에서, 질소 함유 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 탄소-붕소-옥소-질화물을 포함하며, 이는 0.5ppm 산소가 포함된 아르곤 대기의 표준 압력 하에 800℃ 에서 안정적이다. 일 실시 예에서, 질소 함유 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 탄소-붕소-옥소-질화물을 포함하며, 이는 0.5ppm 산소가 포함된 아르곤 대기의 표준 압력 하에 900℃ 에서 안정적이다. 일 실시 예에서, 질소 함유 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 탄소-붕소-옥소-질화물을 포함하며, 이는 0.5ppm 산소가 포함된 아르곤 대기의 표준 압력 하에 1000℃ 에서 안정적이다. 일 실시 예에서, 질소 함유 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 탄소-붕소-옥소-질화물을 포함하며, 이는 0.5ppm 산소가 포함된 아르곤 대기의 표준 압력 하에 1100℃ 에서 안정적이다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질소화물을 포함하며, %Cr을 포함한다. 일 실시 예에서, 질소를 포함하는 물질은 표준 조건 하에 안정된 질화크롬을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 산소가 0.5ppm인 아르곤 대기에서 표준 압력하에 800℃ 에서 안정된 질화크롬을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 산소가 0.5ppm인 아르곤 대기에서 표준 압력하에 900℃ 에서 안정된 질화크롬을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 산소가 0.5ppm인 아르곤 대기에서 표준 압력하에 1000℃ 에서 안정된 질화크롬을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 산소가 0.5ppm인 아르곤 대기에서 표준 압력하에 1100℃ 에서 안정된 질화크롬을 포함한다. 일 실시 예에서, 질소를 포함하는 물질은 올바른 질화크롬 함량을 포함한다.다른 실시 예들에서, 올바른 질화크롬의 함량은 0.094wt% 이상, 0.94wt% 이상, 1.4wt% 이상, 1.9wt% 이상, 2.9wt% 이상, 4.3wt% 이상, 그리고 심지어 5.6wt% 이상이다. 특정 적용에서는 질화크롬의 과도한 함량은 해가 된다. 다른 실시 예들에서, 올바른 질화크롬의 함량은 18.3wt% 이하, 13.6wt% 이하, 8.9wt% 이하, 6.6wt% 이하, 그리고 심지어 4.2wt% 이하이다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질화물을 포함하며, %Fe를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질화물을 포함하며, %Fe를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소 함유 물질은 표준 조건하에 안정된 질화철 (iron nitride) 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질화물을 포함하며, %Mo를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소 함유 물질은 표준 조건하에 안정된 질화몰리브덴 (molybdenum nitride) 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질화물을 포함하며, %W를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소 함유 물질은 표준 조건하에 안정된 텅스텐 질화물 (tungsten nitride) 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질화물을 포함하며, %V를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소 함유 물질은 표준 조건하에 안정된 질화바나듐 (vanadium nitride) 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질화물을 포함하며, %Nb를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소 함유 물질은 표준 조건하에 안정된 니오븀 질화물 (niobium nitride) 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소를 포함하는 물질은 탄소, 붕소 및/또는 산소가 누락될 수 있는 카보-보로-옥소-질화물을 포함하며, %Ti를 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 질소 함유 물질은 표준 조건하에 안정된 질화티타늄을 (titanium nitride) 포함한다.
상기 분말 또는 분말 혼합물은 적층 가공(AM) 기술을 적용하여 형성된다. 또는, 일부 실시 예에서,　비적층 제조 기술(non-additive manufacturing technology)을 적용하여 구성 요소를 형성할 수 있다. 일 실시 예에서, AM 기술은 구성요소 층을 층별(layer-by-layer)로 형성하는 것을 포함한다. 일부 실시 예에서,　상기 형성 단계에서 사용되는 AM 기술은 유기물(예를 들어, 고분자 및/또는 바인더 및/또는 이들의 혼합물 등)의 사용을 포함한다. 사용될 수 있는 유기 재료는 특별히 제한되지 않는다. 일 실시 예에서, 유기 물질은 열경화성 고분자(thermosetting polymer)를 포함한다. 일 실시 예에서, 유기 물질은 열가소성 고분자(thermoplastic polymer)를 포함한다. 일부 실시 예에서,　본 문서 전반에 걸쳐 개시된 유기 물질의 사용 또한 이로울 수 있다. 사용할 수 있는 AM 방법의 비제한적인 예는 다음과 같다: 융합 증착 모델링 기술(FDM), 용융수지 압출 적층 기술(FFF), 입체인쇄기술(SLA), 디지털 광원 처리 기술(DLP), 연속 디지털 광원 처리 기술(CDLP), 디지털 광합성 기술(DLS), 클립 기법(CLIP)을 기반으로 한 기술, 소재분사방식(MJ), 단일분사 기술(DOD), 멀티젯 퓨전 방식(MJF), 접착제 분사 기술(BJ), 선택적 레이저 소결 기술(SLS), 선택적 열 소결 기술(SHS), 직접 에너지 조사 기술(DeD), 대면적 적층제조 기술(BAAM), 직접 금속 레이저 용해(DMLS), 선택 레이저 용해(SLM), 전자 빔 용해(EBM), 줄 프린팅(Joule printing), 및/또는 이들의 조합. 일 실시 예에서, 성형 단계에서 적용되는 AM 방법은 다음에서 선택된다: 융합 증착 모델링 기술(FDM), 용융수지 압출 적층 기술(FFF), 입체인쇄기술(SLA), 디지털 광원 처리 기술(DLP), 연속 디지털 광원 처리 기술(CDLP), 디지털 광합성 기술(DLS), 클립 기법(CLIP)을 기반한 기술, 소재분사방식(MJ), 단일분사 기술(DOD), 멀티젯 퓨전 방식(MJF), 접착제 분사 기술(BJ), 선택적 레이저 소결 기술(SLS), 선택적 열 소결 기술(SHS), 직접 에너지 조사 기술(DeD), 대면적 적층제조 기술(BAAM) 및/또는 이들의 조합. 추가 실시 예에서,　성형 단계에서 적용되는 AM 방법은 다음에서 선택된다: 직접 금속 레이저 용해(DMLS), 선택 레이저 용해(SLM), 전자 빔 용해(EBM), 선택적 레이저 소결 기술(SLS), 직접 에너지 조사 기술(DeD), 대면적 적층제조 기술(BAAM), 줄 프린팅(Joule printing), 및/또는 이들의 조합. 일 실시 예에서, AM 방법은 구성 요소를 층별(layer by layer)로 형성하는 것을 포함한다. 일 실시 예에서, AM 기술은 금속 필라멘트 또는 와이어의 사용을 포함한다. 일 실시 예에서, AM 방법은 유기 물질과 분말 또는 분말 혼합물의 혼합물을 포함하는 필라멘트 또는 와이어를 사용하는 것을 포함한다. 일 실시 예에서, AM 방법은 필라멘트 또는 와이어에 있는 유기 물질의 적어도 일부를 퓨즈로 구성한다. 일 실시 예에서, AM 방법은 필라멘트 또는 와이어에 있는 금속 물질의 적어도 일부를 퓨즈로 구성한다. 일 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 SLS이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 DLS이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 CLIP 기반의 기술이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 CLIP 기반의 DLS이다. 추가 실시 예에서, 상기 성형 단계에서 적용되는 AM 방법은 DMLS이다. 추가 실시 예에서, 상기 성형 단계에서 적용되는 AM 방법은 줄 프린팅이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 SLM이다.　추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 MJ이다.　추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 MJF이다.　추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 BJ이다.　추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 DOD이다.　추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 SLA이다.　추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 DLP이다.　추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 CDLP이다.　추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 FDM이다.　추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 FFF이다.　추가 실시 예에서, 상기 성형 단계에서 적용되는 AM 방법은 사용되는 필라멘트 또는 와이어가 유기물과 분말 혼합물의 혼합물을 포함하는 FDM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 사용되는 필라멘트 또는 와이어가 유기물과 분말 혼합물의 혼합물을 포함하는 FFF 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 SHS이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은　EBM이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 DeD이다.　추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 줄 프린팅이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 용해원이 레이저인 DeD 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 용해원이 전자 빔인 DeD 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 용해원이 전기 아크인 DeD 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 BAAM이다. 추가 실시 예에서, 상기 성형 단계에서 적용되는 AM 방법은 BAAM 방법으로, FDM과 유사한 시스템을 통해 증착이 이루어지며, 필라멘트 또는 와이어가 유기 물질과 분말 또는 분말 혼합물의 혼합물인 것이다. 추가 실시 예에서, 상기 성형 단계에서 적용되는 AM 방법은 BAAM 방법으로, FDM과 유사한 시스템을 통해 증착이 이루어지며, 필라멘트 또는 와이어가 유기 물질과 금속 분말 또는 분말 혼합물을 포함하는 금속의 혼합물인 것이다. 추가 실시 예에서, 상기 성형 단계에서 적용되는 AM 방법은 BAAM 방법으로,　구성 요소 제조 공정은 유기 재료의 접착 결합을 통해 이루어진다. 추가 실시 예에서, 상기 성형 단계에서 적용되는 AM 방법은 상기 성분 제조 공정이 금속 입자의 융합을 수반하지 않는 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 성형 단계에서 적용되는 AM 방법은 분말 또는 분말 혼합물과 유기물을 별도로 투영하는 적어도 하나의 프린터 헤드를 통해 증착이 이루어지는 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 BAAM 방법으로서, 상기 증착은 콜드 스프레이 시스템과 유사한 시스템을 통해 달성된다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 분말 또는 분말 혼합물의 고속 투사에 의해 증착이 이루어지는 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 BAAM 방법으로서, 유기 입자와 금속 및/또는 세라믹 입자의 혼합물의 고속 투사에 의해 증착이 달성된다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 상기 성분 제조 과정에서 금속 입자의 적어도 일부가 융착되는 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 성형 단계에서 적용되는 AM 방법은 성분 제조 과정에서 금속 입자가 모두 융착되는 BAAM 방법이다.　일 실시 예에서, 상기 금속 입자는 분말 형태로 첨가된다. 추가 실시 예에서, 금속 입자는 필라멘트 또는 와이어 형태로 첨가된다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 열원이 방사인 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 상기 열원이 적외선 열원인 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 상기 열원이 초음파원인 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 열원이 레이저인 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은, 상기 열원이 마이크로파 방사원/마이크로파 발전기인 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 열원이 전자 빔인 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 열원이 전기 아크인 BAAM 방법이다. 추가 실시 예에서, 상기 형성 단계에서 적용되는 AM 방법은 열원이 플라즈마인 BAAM 방법이다. 그러나, 이 방법은 이러한 AM 방법의 사용에 제한되지 않는다. 일부 실시 예들에서, 적어도 2개의 상이한 AM 방법들의 사용이 바람직하다.
본 발명자는 매우 놀랍게도, 일부 적용의 경우, 성형 단계에서 AM법을 적용한 후 부품의 금속 부분이 예측 가능한 것보다 약간 낮은 겉보기 밀도를 갖는 경우, 제조된 부품의 기계적 성능이 크게 향상될 수 있음을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 상기 성형 단계를 적용한 후의 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도는 99.98% 보다 낮고, 99.8% 보다 낮고, 98.4% 보다 낮고, 96.9% 보다 낮고, 그리고 심지어 93.9% 보다 낮다. 일부 적용의 경우, 심지어 더 낮은 겉보기 밀도가 선호된다.　다른 실시 예들에서, 상기 성형 단계를 적용한 후의 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도는 91.8% 보다 낮고, 89.8% 보다 낮고, 79.8% 보다 낮고, 69% 보다 낮고, 그리고 심지어 59% 보다 낮다. 일부 적용의 경우, 겉보기 밀도가 지나치게 낮으면 종종 제조된 구성 요소의 기계적 성능이 만족스럽지 못하게 된다. 다른 실시 예들에서, 상기 성형 단계를 적용한 후, 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도는 21%보다 높고, 31%보다 높고, 41%보다 높고, 51%보다 높고, 71%보다 높고, 그리고 심지어 81%보다 높다. 일부 적용의 경우, 겉보기 밀도가 더 높으면 이롭다. 다른 실시 예들에서, 상기 성형 단계를 적용한 후, 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도는 86%보다 높고, 91%보다 높고, 94%보다 높고, 97%보다 높고, 그리고 심지어 99.1%보다 높다. 본 발명자는 일부　적용의 경우, 성형 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도와 성형 단계에서 채용된 AM 공정 온도 사이에 특정 관계가 있음을 발견했다. 달리 명시되지 않는 한, 특징 "AM 온도"는 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전체에 정의된다. 일 실시 예에서, AM 공정 온도는 최대 온도이다. 대안적 일 실시 예에서, AM 공정 온도는 평균 성형 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, AM 공정 온도는 평균 인쇄 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, AM 공정 온도는 최소 인쇄/형성 온도이다. 일부 적용의 경우, 본 문서 전체에서 사용되는 특징 "AM 공정 온도"는 위에서 설명한 실시 예에 따라 정의된다. 따라서, 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 이들 사이에 결합될 수 있으며, 본 문서에서 개시된 임의의 "AM 공정 온도"와 관련된 다른 실시 예와 결합될 수 있다. 일부 적용의 경우, 성형 단계에서 사용되는 AM 공정 온도는 기준 온도(reference temperature)보다 낮은 것이 바람직하다. 달리 명시되지 않는 한, 특징 "기준 온도"는 아래에 상세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전체에 정의된다. 다른 실시 예들에서, 기준 온도는 0.36*Tm, 0.41*Tm, 0.46*Tm, 0.59*Tm, 및 심지어 0.64*Tm이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다.대안적 일 실시 예에서,　Tm은 임계 분말인 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융해 온도이다(기존에 정의된 바와 같다). 추가 대안적 실시 예에서, 상기 Tm은 관련 분말(기존에 정의된 바와 같이)인 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서,　Tm은 분말 혼합물(기존에 정의된 바와 같이)의 용융 온도를 의미한다. 일부 적용의 경우, 금속 분말을 하나만 사용하는 경우, Tm은 금속 분말의 용해 온도이다. 이러한 맥락에서, 위에 공개된 온도는 켈빈 단위이다. 일부 적용의 경우, 본 문서 전체에서 사용되는 특징 "기준 온도"는 위에서 설명한 실시 예에 따라 정의된다. 따라서, 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 이들 사이에 결합될 수 있으며, 본 문서에서 개시된 임의의 "기준 온도"와 관련된 다른 실시 예와 결합될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 성형 단계에서 사용되는 AM 공정 온도가 기준 온도 이하일 때, 성형 단계를 적용한 후 구성 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도는 99.8% 보다 낮고, 89.8% 보다 낮고, 79.8% 보다 낮고, 69% 보다 낮고, 그리고 심지어 59% 보다 낮다. 일부 적용의 경우, 겉보기 밀도가 지나치게 낮으면 종종 제조된 구성 요소의 기계적 성능이 만족스럽지 못하게 된다. 다른 실시 예들에서, 형성 단계에서 사용되는 "AM 공정 온도"(이전에 정의된 바와 같이)가 "기준 온도"(이전에 정의된 바와 같이)보다 낮을 때, 성형 단계를 적용한 후 구성 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도가 21%보다 높고, 31%보다 높으며, 41%보다 높으며, 51%보다 높으며, 71%보다 높으며, 81%보다 높으며, 그리고 심지어86%보다 더 높다. 상기 성형 단계에서 채용된 "AM 공정 온도"(기존 정의된 바와 같이)가 "기준 온도"(기존 정의된 바와 같이) 미만일 때, 성형 단계를 적용한 후 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도에 대해 개시된 것은 유기 물질의 사용을 포함하는 AM 방법에도 적용될 수 있다. 일부 다른 적용에서는, 형성 단계에서 사용되는 "AM 공정 온도"(이전에 정의된 바와 같이)는 "기준 온도"(이전에 정의된 바와 같이)와 같거나 그 이상인 것이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, 형성 단계에서 사용되는 "AM 공정 온도"(이전에 정의된 바와 같이)가 "기준 온도"(이전에 정의된 바와 같이) 와 같거나 이상일 때, 성형 단계를 적용한 후 구성 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도는 99.98% 보다 낮고, 98.4% 보다 낮고, 96.9% 보다 낮고, 93.9% 보다 낮고, 91.8% 보다 낮고, 그리고 심지어 89.8% 보다 낮다. 일부 적용의 경우, 겉보기 밀도가 지나치게 낮으면 종종 제조된 구성 요소의 기계적 성능이 만족스럽지 못하게 된다. 다른 실시 예들에서, 형성 단계에서 사용되는 "AM 공정 온도"(이전에 정의된 바와 같이)가 "기준 온도"(이전에 정의된 바와 같이) 와 같거나 이상일 때, 상기 성형 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분의 외관 밀도가 71%보다 높고, 86%보다 높고, 91%보다 높고, 94%보다 높고, 97%보다 높고, 그리고 심지어99.1%보다 높다. 일 실시 예에서, 겉보기 밀도 = (실제 밀도/이론 밀도)*100이다. 일 실시 예에서, 성분의 실제 밀도는 아르키메데스의 원리에 의해 측정된다. 대안적 일 실시 예에서, 구성 요소의 실제 밀도는 ASTM B962-08에 따라 아르키메데스 원리에 의해 측정된다. 일 실시 예에서, 밀도 값은 20℃ 및 1 atm이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 성형 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도는 21% 이상 99.98% 이하이다; 또는 예를 들어: 일 실시 예에서, 성형 단계를 적용한 후, 구성 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 이상 99.98% 이하이다; 또는 예를 들어: 추가 실시 예에서, 상기 성형 단계에서 채용된 AM 최대 온도는 0.36*Tm 과 같거나 이상으로, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이며, 성형 단계를 적용한 후 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도는 71% 이상 99.98%　이하이다; 또는 예를 들어: 추가 실시 예에서,　성형 단계에서 사용되는 AM 평균 성형 온도는 0.64*Tm이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이며, 성형 단계를 적용한 후 구성 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 이상, 99.8% 이하이다; 또는 예를 들어: 추가 실시 예에서,　성형 단계에서 사용되는 AM 최대 온도는 0.59*Tm 이하이며, 이때 Tm은 제공된 금속 분말의 용해 온도이며 상기 성형 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분의 외관 밀도는 31% 이상 99.8% 이하이다.
일부 용도의 경우, 성형 단계를 적용한 후 구성부품의 표면(이하 %NMVS라 한다)에 접근한 비금속 공극의 비율은 관련이 있다. 본 방법 전반에 걸쳐 표면에 접근하는 비결정성 공극의 비율은 %NMVS=(NMVS의 부피/NMVT의 부피)*100으로 계산되며, 여기서 NMVT의 부피는 성분 내 비결정성 공극의 총 부피이다. 이러한 맥락에서 볼륨은 m3이다. 일 실시 예에서, 상기 구성 요소의 비금속 공극은 구성 요소의 금속 부분에 포함된 공기 및/또는 고분자 및/또는 바인더와 같은 공극을 의미하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시 예에서, NMVS의 부피는 금속 부분을 가로지르지 않고 구성 요소의 표면에 직접 접근하여 구성 요소의 금속 부분 내부에 위치하는 공극(예를 들면, 공기 및/또는 고분자 및/또는 바인더)의 부피를 의미한다. 일 실시 예에서, "금속 부분을 가로지르지 않고 구성 요소의 표면에 직접 접근할 수 있는 구성 요소 내부에 위치한 공극"은 부품의 내부 체적 내에 위치하며, 부품의 외부 표면에 정의된 하나의 외부 개구부를 통해 부품의 적어도 하나의 외부 표면과 직접 연통되는 기하학적 측면을 의미한다. 일 실시 예에서 세라믹은 공극의 부피를 계산하기 위해 제외된다. 추가 실시 예에서, 공극의 부피를 계산하기 위해 금속간은 제외된다. 추가 실시 예에서, 공극은 구성 요소 설계의 일부인 기하학적 측면을 배제하며, 이는 예를 들어 구성 요소가 구성 요소 설계의 일부인 냉각 채널, 공극 또는 공동으로 구성되는 경우, 이러한 기하학적 측면은 공극의 부피를 계산하는 것으로 간주되지 않는다는 것을 의미한다. 일 실시 예에서, 공극은 다공성을 포함한다. 추가 실시 예에서, 공극은 단지 다공성만을 포함한다. 일부 실시 예들에서, 공극의 부피는 관련이 있다. 일 실시 예에서, 성분 * 10-2 의 부피보다 큰 부피를 갖는 공극은 공극의 부피를 계산하기 위해 고려되지 않는다. 추가 실시 예에서, 성분 * 10-3의 부피보다 큰 부피를 갖는 공극은 공극의 부피를 계산하기 위해 고려되지 않는다. 추가 실시 예에서, 성분 * 10-4의 부피보다 큰 부피를 갖는 공극은 공극의 부피를 계산하기 위해 고려되지 않는다. 추가 실시 예에서, 성분 * 10-5의 부피보다 큰 부피를 갖는 공극은 공극의 부피를 계산하기 위해 고려되지 않는다. 추가 실시 예에서, 성분 * 10-6의 부피보다 큰 부피를 갖는 공극은 공극의 부피를 계산하기 위해 고려되지 않는다. 일 실시 예에서, 본 문서 전반에 걸쳐, NMVS의 부피 및 NMVT의 부피는 Pure & Appl. Chern., Vol. 66, No. 8, pp. 1739-1758, 1994에 따라 측정된다.
일부 적용의 경우, 성형 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에 특정 %NMVS(기존에 정의된 바와 같이)가 존재하는 것이 유리할 수 있다. 본 발명자는 일부 용도의 경우 성형 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에 특정 %NMVS가 존재하는 것이 유리하며, 특히 구성 요소의 산소 및/또는 질소 수준을 제어할 때 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 성형 단계 적용 후 구성 요소 금속 부분의 %NMVS는 적정 수준의 %NMVS이다. 달리 명시되지 않는 한, 특징 "적정 수준의 %NMVS"는 본 방법 전반에 걸쳐 아래에 자세히 설명되어 있는 다른 대안들의 형태로 정의된다. 다른 실시 예들에서, %NMVS의 적정 수준은 0.02%초과, 0.2% 초과, 1.1% 초과, 6% 초과, 그리고 심지어 12% 초과이다. 특정 적용의 경우, 더 높은 값이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %NMVS의 적정 수준은 21% 초과, 31% 초과, 51% 초과, 76% 초과, 그리고 심지어 86% 초과이다. 이러한 적용에서는, 성형 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에 %NMVS가 과도하게 높은 수준이 되지 않도록 제어해야　한다. 다른 실시 예들에서, %NMVS의 적정 수준은 99.98% 미만, 99.8% 미만, 98% 미만, 74% 미만, 49% 미만, 그리고 심지어 39% 미만이다. 특정 적용의 경우, 낮은 값이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %NMVS의 적정 수준은 29% 미만, 24% 미만, 14% 미만, 9% 미만, 그리고 심지어 4% 미만이다. 일부 적용의 경우, 낮은 값이 선호되며 값이 없을 수도 있다 (%NMVS=0). 본 발명자는 일부 적용의 경우, 성형 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVS와 성형 단계에서 채용된 AM 공정 온도(기존에 정의된 바와 같이) 사이에는 특정 관계가 있다. 다른 실시 예들에서, 성형 단계에서 사용되는 AM 공정 온도(기존에 정의된 바와 같이)가 기준 온도(기존에 정의된 바와 같이) 이하일 때, 성형 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서 %NMVS가 0.02% 초과, 6% 초과, 31% 초과, 51% 초과, 76% 초과, 그리고 심지어 86% 초과이다. 일부 적용의 경우, 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVS를 특정 값 이하로 유지하는 것이 유리하다. 다른 실시 예들에서, 성형 단계에서 사용되는 AM 공정 온도(기존에 정의된 바와 같이)가 기준 온도(기존에 정의된 바와 같이) 이하일 때, 성형 단계 적용 후 구성 요소의 금속 부분 내 %NMVS는 99.98% 미만, 99.8% 미만, 98% 미만, 74% 미만, 49% 미만, 그리고 심지어 24% 미만이다. 상기 성형 단계를 채용한 AM 공정 온도(기존에 정의된 바와 같이)가 기준 온도(기존에 정의된 바와 같이) 미만인 경우, 상기 성분 중 금속 부분에서의 %NMVS에 대해 개시된 것은 유기물을 사용하는 것을 포함하는 AM 방법에도 적용될 수 있다. 이전에 공개된 바와 같이, 일부 적용의 경우, 기준 온도(기존에 정의된 바와 같이)와 같거나 이상의 AM 공정 온도(기존에 정의된 바와 같이)가 선호된다. 다른 실시 예들에서, 성형 단계에서 사용되는 AM 공정 온도(기존에 정의된 바와 같이)가 기준 온도(기존에 정의된 바와 같이)와 같거나 이상일 때,　성형 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서의 %NMVS는 99.8% 미만, 29% 미만, 24% 미만, 9% 미만, 4% 미만, 그리고 심지어 0% 미만이다. 일부 적용의 경우, 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVS를 일정 값 이상으로 유지하는 것이 유리하다. 다른 실시 예들에서, 성형 단계에서 사용되는 AM 공정 온도(기존에 정의된 바와 같이)가 기준 온도(기존에 정의된 바와 같이)와 같거나 이상일 때,　성형단계 적용 후 구성부품의 금속부분에서 %NMVS는 0.02% 초과, 0.2% 초과, 1.1% 초과, 6% 초과, 그리고 심지어 12% 초과이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 성형 단계 적용 후 구성 요소의 금속 부분에서 %NMVS가 6% 초과 98%　미만이다; 또는 예를 들어: 추가 실시 예에서, AM 방법에 사용되는 최대 온도가 0.36*Tm과 같거나 이상일 때, 여기서 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이고 성형 단계 적용 후 구성 요소의 금속 부분에서 %NMVS가 0.02% 초과99.8% 미만이다; 또는 예를 들어: 추가 실시 예에서, AM 방법에 사용되는 평균 성형 온도는 0.64*Tm 이하이며 여기서 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이고 성형단계 적용 후 구성부품의 금속부분에서 %NMVS가 6% 초과 99.98% 미만이다.
본 발명자는 일부 적용의 경우, NMVS(이전에 정의한 바와 같이 금속 부분을 교차하지 않고 부품의 표면에 직접 접근할 수 있는 구성 요소의 금속 부분 내부에 위치한 공극의 부피)의 부피와 구성 요소의 총 부피 사이의 관계가 더 관련이 있다는 것을 발견했다. 이와 관련하여, 일부 적용의 경우, 성형 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에 특정 레벨의 %NMVC가 유리하며 여기서 %NMVC = (NMVS의 부피/구성 요소의 총 부피)*100으로 정의된다. 이러한 맥락에서 부피는 m3 이다. 일 실시 예에서, 상기 포밍 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분에서의 %NMVC는 적절한 %NMVC 레벨이다. 달리 명시되지 않는 한, 특징 "적정 수준의 %NMVC"는 아래에 자세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 방법 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, %NMVC의 적정 수준은 0.3% 초과, 1.2% 초과, 3.2% 초과, 6.2% 초과, 12% 초과, 그리고 심지어 22% 초과이다. 일부 용도의 경우 성형 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVC를 제어하여 지나치게 높은 레벨을 방지해야 한다. 다른 실시 예들에서, %NMVC의 적정 수준은 64% 미만, 49% 미만, 24% 미만, 18% 미만, 9% 미만, 그리고 심지어 4% 미만이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 성형 단계를 적용한 후, 상기 구성 성분의 금속 부분에서의 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이다.
본 발명자는 일부 적용의 경우, 성형 단계를 적용한 후 얻어진 첨가제 제조 부품에 가공 단계를 적용하는 것이 유리하다는 것을 알게 되었다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 상기 성형 단계를 적용한 후 얻어진 부품에 가공을 적용하는 단계를 더 포함한다.
이전에 전술한 바와 같이,　상기 형성 단계에서 상기 성분을 형성하기 위해 채용될 수 있는 AM 방법 중 일부는 고분자 및/또는 바인더와 같은 유기물을 사용하는 것을 포함하나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 실시 예들 중 일부에서,　상기 형성 단계를 적용한 후 얻어진 첨가제 제조된 성분은 디바인딩 단계를 거쳐 유기물의 적어도 일부를 제거할 수 있다. 일 실시 예에서, 이 방법은 디바인딩을 적용하는 단계를 더 포함한다. 디바인딩을 적용하는 단계는 본 방법 전반에 걸쳐 디바인딩 단계라고도 한다. 일 실시 예에서,　상기 방법은 다음과 같은 단계를 포함한다:
- 분말 또는 분말 혼합물 제공;
- 구성 요소를 형성하기 위한 첨가제 제조 방법 적용;
- 디바인딩 적용;
- 압밀 처리 적용; 그리고
- 선택적으로, 고온 고압 처리 적용.
일부 적용의 경우, 디바인딩 단계가 수행되는 용해로 또는 압력 용기에서 사용되는 분위기는 관련이 있을 수 있다. 따라서, 일부 실시 예에서, 제조된 부품의 바람직한 성능을 달성하기 위해서는 디바인딩 단계에서 분위기를 올바르게 선택하는 것이 중요하다. 일 실시 예에서, 디바인딩 단계는 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 대로)에서 일어난다. 일 실시 예에서, 디바인딩 단계는 적절하게 설계된 대기(기존에 정의된 대로)의 사용을 포함한다. 특정 적용의 경우, 디바인딩 단계에서 사용되는 분위기를 바꾸는 것이 유리하다(예를 들어, 이에 한정되지는 않으나, 디바인딩 단계의 일부에서만 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 대로) 사용 및/또는 디바인딩 단계에서 적절하게 설계된 최소 2개의 다른 분위기(기존에 정의된 대로) 사용). 일 실시 예에서, 디바인딩 단계의 적어도 일부를 수행하기 위해 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 바와 같이)가 사용된다. 따라서, 본 문서에 개시된 적절하게 설계된 분위기와 관련된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 탈착 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 디바인딩 단계는 적어도 2개의 상이한 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 탈착 단계는 적어도 3개의 상이한 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 탈착 단계는 적어도 4개의 상이한 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 일부 적용의 경우, 또한, 고정 단계의 후반부에서 개시되는 임의의 분위기를 이용하는 것이 유리하다. 특정 용도의 경우, 디바인딩 단계에서 구성 요소 표면의 카본 포텐셜과 관련하여 용해로 또는 압력 용기 분위기의 카본 포텐셜을 사용하는 것이 유리하다(나중에 정의된 바와 같이). 일 실시 예에서, 상기 탈착 단계는 (나중에 정의된 바와 같이) 성분 표면의 카본 포텐셜과 관련하여 올바른 카본 포텐셜의 용광로 또는 압력 용기 분위기를 사용하는 단계를 포함한다. 이에, 본 문서에 개시된 성분의 표면의 카본 포텐셜과 관련하여 올바른 카본 포텐셜의 용광로와 또는 압력 용기 분위기에 관한 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 디바인딩 단계와 결합될 수 있다. 특정 용도의 경우, 디바인딩 단계를 적용한 후, 성분(나중에 정의된 바와 같이)의 금속 부분에 탄소 함량과 관련하여 용광로의 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 디바인딩 단계는 디바인딩 단계를 적용한 후, 성분(나중에 정의된 바와 같이)의 금속 부분의 탄소 함량에 대한 용광로의 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기를 이용하는 것을 포함한다. 디바인딩 단계 적용 후 구성부품의 금속부 내 탄소 함량에 대한 용해로 또는 압력용기 분위기의 카본 포텐셜은 [(디바인딩 단계 적용 후 구성부품의 금속부 탄소함유량 - 용해로 또는 압력용기 분위기의 카본 포텐셜) / 용해로 또는 압력용기 분위기의 카본 포텐셜]*100. 이에, 본 문서에 개시된 성분의 금속 부분에서의 탄소 함량과 관련하여 용해로의 올바른 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기에 관한 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 디바인딩 단계와 결합될 수 있다. 특정 용도의 경우, 디바인딩 단계에서 (나중에 정의된 바와 같이) 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 디바인딩 단계는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 이에, 본 문서에 개시된 올바른 질화 분위기와 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 디바인딩 단계와 결합될 수 있다. 본 발명자는 일부 용도의 경우 디바인딩 단계에서 과압 및/또는 특정 진공(나중에 정의된 바와 같이)의 적용과 함께 높은 질화 온도를 적용하는 것을 포함하는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다는 것을 발견했다. 일부 적용의 경우, 디바인딩 단계를 적용한 후 구성 요소 표면의 질소 중량 백분율이 더 적절하다. 분말의 주어진 조성에 대하여, 당업자는 온도, 질화 전위 및 기타 관련 변수들의 선택 방법을 알고 있으므로, 시뮬레이션에 따르면, 디바인딩 단계를 적용한 후 표면에서의 질소(%N)의 중량 백분율이 (나중에 정의된 바와 같이) 올바른 질소 함량이 된다. 일 실시 예에서, 시뮬레이션은 ThermoCal (버전 2020b)로 수행된다. 일 실시 예에서, 디바인딩 단계를 적용한 후의 표면에서의 질소 중량 퍼센트는 (나중에 정의된 바와 같이) 적절한 질소 함량이다. 따라서, 본 문서에 개시된 올바른 질소 함량과 관련된 어떠한 실시 예도 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 디바인딩 단계와 결합될 수 있다. 특정 용도에서는 디바인딩 단계에서 적절한 시간(이 문서에 정의된 것처럼) 동안 적절한 온도의 대기로 구성된 %O2 를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 디바인딩 단계는 적절한 온도의 분위기를 적절한 시간 동안 포함하는 %O2 를 사용하는 것을 포함한다. 이에, 본 문서에 개시된 적정한 시간 동안 적절한 온도의 분위기로 구성된 %O2 와 관련된 어떠한 실시 예도 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 디바인딩 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 디바인딩 단계에서 사용되는 분위기는 (이 문서에 정의된 것처럼) 높은 진공 레벨을 적용하는 것을 포함한다. 이에, 본 문서에 개시된 고진공 수준에 관한 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 디바인딩 단계와 결합될 수 있다. 일부 적용의 경우, 디바인딩 단계에서 높은 진공 수준(기존에 정의된 대로)의 적용을 포함하는 적절하게 설계된 분위기(나중에 정의된 바와 같이)를 사용하는 것이 바람직하다.
사용 가능한 디바인딩 방법은 원하는 양의 유기물이 제거된 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 채용될 수 있으나 이에 한정되지 않는 탈착 방법의 예로는 열 탈착, 비열 탈착(촉매, 윅킹, 건조, 초임계 추출, 유기 용매 추출, 수계 용매 추출 또는 동결 건조.... ), 화학적 탈착 및/또는 이들의 조합을 들 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 탈착 단계는 비열 탈착을 포함한다. 일 실시 예에서, 탈착 단계는 화학적 탈착을 포함한다. 일 실시 예에서, 탈착 단계는 열 탈착을 포함한다. 일부 적용의 경우, 탈착 단계에서 적용되는 온도를 올바르게 선택하는 것이 중요하다. 다른 실시 예들에서, 디바인딩 단계의 온도는 51℃ 이상, 110℃ 이상, 255℃ 이상, 355℃ 이상, 455℃ 이상, 그리고 심지어 610℃ 이상이다. 일부 적용의 경우, 탈착 단계에서 지나치게 높은 온도를 피하는 것이 특히 중요하다. 다른 실시 예들에서, 디바인딩 단계의 온도는 1390℃ 이하, 890℃ 이하, 690℃ 이하, 590℃ 이하, 490℃ 이하, 그리고 심지어 190℃ 이하이다.
본 발명자는 일부 적용의 경우,　유기 물질의 적어도 일부를 제거한 후에 얻어진 부품에 가공 단계를 적용하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 상기 디바인딩 단계를 적용한 후 얻어진 부품에 가공을 적용하는 단계를 더 포함한다.
본 발명자는 일부 실시 예의 경우,　디바인딩을 적용하기 전 및/또는 적용한 후에 구성 요소에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하는 것이 제조된 구성 요소의 기계적 성질을 개선하는 데 도움이 될 수 있다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 상기 디바인딩 단계를 적용하기 전에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하는 단계를 더 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 상기 디바인딩 단계를 적용한 후 압력 및/또는 온도 처리를 적용하는 단계를 더 포함한다.
일부 적용에서, 압력을 가하기 위해 어떤 수단을 사용하는지가 중요하다. 반면에, 어떤 적용들은 압력이 어떻게 적용되고 심지어 압력 수준에 도달했는지에 다소 둔감하다. 이와 관련하여, 발명자는 일부　적용이 본 문서에서 이전에 정의한 바와 같이 동일 방식으로 압력을 가함으로써 이득을 얻는다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서 압력 및/또는 온도 처리는 "동일한 방법으로 압력을 가하기 위해 개발된 전략"을 적용하는 것으로 구성된다. 본 발명자는 또한 일부 적용의 경우,　본 문서에서 이전에 정의된 바와 같이 마이크로파를 사용하여 가열의 적어도 일부를 수행하는 것이 특히 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리는 "마이크로파 가열"(기존에 정의된 바와 같이)을 적용하는 것을 포함한다.
일부 실시 예에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에 사용되는 압력은 제조된 구성 요소의 기계적 성질과 관련될 수 있다. 다른 실시 예들에서,상기 가압 및/또는 온도 처리에서 가해지는 압력은 6 MPa 이상, 60 MPa 이상, 110 MPa 이상, 220 MPa 이상, 340 MPa 이상, 560 MPa 이상, 860 MPa 이상, 그리고 심지어 1060 MPa 이상이다. 일부 적용 경우, 과도한 압력을 가하면 제조된 구성 요소의 기계적 성질이 저하되는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에 가해지는 압력은 2100 MPa 이하, 1600 MPa 이하, 1200 MPa 이하, 990 MPa 이하, 790 MPa 이하, 640 MPa 이하, 590 MPa 이하, 그리고 심지어 390 MPa 이하이다. 일 실시 예에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에서 가해지는 압력은 상기 압력 및/또는 온도 처리에서 가해지는 평균 압력을 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에서 가해지는 압력은 상기 압력 및/또는 온도 처리에서 가해지는 최소 압력을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에서 가해지는 압력은 임계 시간 (기존에 정의된 바와 같이) 미만으로 가해지는 압력을 제외한 평균 압력을 의미한다. 일부 적용의 경우, 압력 및/또는 온도 처리에 적용되는 최대 압력이 관련될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에서의 최대 압력은 105 MPa 이상, 210 MPa 이상, 310 MPa 이상, 405 MPa 이상, 640 MPa 이상, 1260 MPa 이상, 그리고 심지어 2600 MPa 이상이다. 다른 실시 예들에서, 상기 가압 및/또는 온도 처리에 가해지는 최대 압력은 2100 MPa 이하, 1200 MPa 이하, 990 MPa 이하, 790 MPa 이하, 640 MPa 이하, 590 MPa 이하, 490 MPa 이하, 그리고 심지어 390 MPa 이하이다. 일 실시 예에서, 임계 시간(기존에 정의된 바와 같이)보다 적게 유지되는 압력은 최대 압력으로 간주되지 않는다. 일 실시 예에서,　최대 압력은 "관련 시간" (이전에 정의된 바와 같이) 동안 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 압력은 연속적으로 적용된다. 일 실시 예에서, 압력은 "관련 시간"(이전에 정의된 바와 같이) 동안 연속적으로 적용된다. 일 실시 예에서, 유체의 압력의 적어도 일부는 몰드 위에 직접 적용된다. 일 실시 예에서,　유체의 압력은 금형 위에 직접 가해진다. 일 실시 예에서, 상기 구성요소가 내부 특징을 포함하는 경우, 유체의 압력의 적어도 일부가 내부 특징 위에 직접 적용된다. 일 실시 예에서, 구성 요소가 내부 특징을 포함하는 경우, 유체의 압력이 내부 특징 위에 직접 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 구성요소가 내부 특징을 포함하는 경우, 입자 유동층의 압력이 내부 특징 위로 직접 적용된다.
일부 적용의 경우, 압력 및/또는 온도 처리에 적용되는 온도는 제조된 구성 요소의 기계적 성질과 관련이 있을 수 있다. 본 발명자는 일부 용도의 경우, 성분 제조에 사용되는 분말 또는 분말 혼합물의 용융 온도와 압력 및/또는 온도 처리에 수반되는 온도 사이의 특정 관계가 유리할 수 있음을 발견했다. 대안적 일 실시 예에서, 가압 및/또는 온도 처리 시 적용되는 온도는 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도인 0.94*Tm 미만, 0.84*Tm 미만, 0.74*Tm 미만, 0.64*Tm 미만, 0.44*Tm 미만, 0.34*Tm 미만, 0.29*Tm 미만, 그리고 심지어 0.24*Tm 미만이다. 대안적 일 실시 예에서, Tm은 임계 분말(기존에 정의된 바와 같다)인 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융해 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은　관련 분말(기존에 정의된 바와 같이)인 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 가중치는 부피 분율)을 포함하는 금속의 평균 용융 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물(기존에 정의된 바와 같이)의 용융 온도를 의미한다. 일부 용도의 경우, 하나의 분말만을 사용하는 경우, Tm은 분말의 용융 온도이다. 이러한 맥락에서, 위에 공개된 온도는 켈빈 단위이다. 일부 적용의 경우, 온도가 특정 값 이상으로 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 가압 및/또는 온도 처리에 적용되는 온도는 0.16*Tm 초과, 0.19*Tm 초과, 0.26*Tm 초과, 0.3*Tm 초과, 0.45*Tm 초과, 0.61*Tm 초과, 0.69*Tm 초과, 0.74*Tm 초과, 및 심지어 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도인 0.86*Tm 초과이다. 대안적 일 실시 예에서, Tm은 임계 분말인 분말 혼합물(기존에 정의된 바와 같이)에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융해 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 관련 분말(기존에 정의된 바와 같이)　인 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 가중치는 부피 분율)을 포함하는 금속의 평균 용융 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물(기존에 정의된 바와 같이)의 용융 온도를 의미한다. 일부 용도의 경우, 금속 분말을 하나만 사용하는 경우, Tm은 금속 분말의 용융 온도이다. 이러한 맥락에서, 위에 공개된 온도는 켈빈 단위이다. 일부 용도의 경우 압력 및/또는 온도 처리에 적용되는 온도를 절대 명사로 정의하는 것이 좋다. 다른 실시 예들에서, 가압 및/또는 온도 처리에 적용되는 온도는 649℃ 미만, 440℃ 미만, 298℃ 미만, 249℃ 미만, 149℃ 미만, 90℃ 미만, 49℃ 미만, 그리고 심지어 29℃ 미만이다. 일부 적용의 경우, 적용되는 온도가 특정 값 이상으로 유지되어야　한다. 다른 실시 예들에서, 가압 및/또는 온도 처리에 적용되는 온도는 -14℃ 초과, 9℃ 초과, 31℃ 초과, 46℃ 초과, 86℃ 초과, 110℃ 초과, 156℃ 초과, 210℃ 초과, 270℃ 초과, 그리고 심지어 310℃ 초과이다. 일 실시 예에서, 상기 가압 및/또는 온도 처리에서 적용되는 온도는 상기 가압 및/또는 온도 처리에서 적용되는 최대 온도를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 가압 및/또는 온도 처리에서 적용되는 온도는 상기 가압 및/또는 온도 처리에서 적용되는 평균 온도를 의미한다. 일 실시 예에서, 평균 온도는 "임계 시간"(기존에 정의된 바와 같이)보다 적게 유지되는 온도를 제외하고 계산된다. 일부 적용의 경우, 압력 및/또는 온도 처리에 적용되는 최대 온도는 제조된 구성 요소의 기계적 성질과 관련이 있을 수 있다. 다른 실시 예들에서, 상기 가압 및/또는 온도 처리에 적용되는 최대 온도는 995℃ 미만, 495℃ 미만, 245℃ 미만, 145℃ 미만, 그리고 심지어 85℃ 미만이다. 일부 적용의 경우, 적용되는 최대 온도는 특정 값 이상이어야 한다. 다른 실시 예들에서, 상기 가압 및/또는 온도 처리에 적용되는 최대 온도는 적어도 26℃, 적어도 46℃, 적어도 76℃, 적어도 106℃, 적어도 260℃, 적어도 460℃, 적어도 600℃, 그리고 심지어 860℃ 이다.일 실시 예에서, 최대 온도는 "관련 시간"(이전에 정의된 바와 같이) 동안 유지된다. 일 실시 예에서, "임계 시간"(기존에 정의된 바와 같이) 보다 낮게 유지되는 온도는 최대 온도로 간주되지 않는다. 일부 적용의 경우, 적용되는 최소 온도가 적절할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/또는 온도 처리에 적용되는 최소 온도는 - 29℃, - 2℃, 9℃, 16℃, 26℃, 그리고 심지어 76℃이다. 일부 적용의 경우, 적용되는 최소 온도가 특정 값보다 낮아야 한다. 다른 실시 예들에서, 가압 및/또는 온도 처리에 적용되는 최소 온도는 99℃ 미만, 49℃ 미만, 19℃ 미만, 1℃ 미만, -6℃ 미만, 그리고 심지어 -26℃ 미만이다. 일부 적용의 경우, 적용되는 최소 온도는 특정 값 이상이어야 한다. 다른 실시 예들에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에서의 최소 온도는 적어도 -51℃, 적어도 -16℃, 적어도 0.1℃, 적어도 11℃, 적어도 26℃, 적어도 51℃, 그리고 심지어 적어도 91℃이다. 일 실시 예에서, 최소 온도는 "관련 시간"(이전에 정의된 바와 같이) 동안 유지된다.　일 실시 예에서, "임계 시간"(이전에 정의된 바와 같이)보다 적게 유지되는 온도는 최소 온도로 간주되지 않는다. 일 실시 예에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에서의 온도는 압력 및/또는 온도 처리에서 압력을 가하기 위해 사용되는 가압 유체의 온도를 의미한다. 본 발명자는 일부 용도의 경우 압력 및/또는 온도 처리 중 가압 유체의 온도의 상당한 변화가 유리하다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 가압 유체의 가압 및/또는 온도 처리 시 최대 온도 변화도는 6℃ 초과, 11℃ 초과, 16℃ 초과, 21℃ 초과, 55℃ 초과, 105℃ 초과, 그리고 심지어 145℃ 초과이다. 일부 적용의 경우, 최대 온도 구배가 특정 값 이하로 제한되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 가압 유체의 가압 및/또는 온도 처리 시 최대 온도 구배는 380℃ 보다 낮고, 290℃ 보다 낮고, 245℃ 보다 낮고, 149℃ 보다 낮고, 94℃ 보다 낮고, 49℃ 보다 낮고, 24.4℃ 보다 낮고, 23℃ 보다 낮고, 그리고 심지어 19℃ 보다 낮다. 일부 적용의 경우, 최대 온도 구배가 일정 시간 동안 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 특정 시간은 적어도 1초, 적어도 21초, 그리고 심지어 적어도 51초이다. 일부 적용의 경우, 과도한 유지 시간은 해로울 수 있다. 일부 적용의 경우, 최대 온도 구배의 적용을 제한해야 한다. 다른 실시 예들에서, 특정 시간은 4분 미만, 1분 미만, 39초 미만, 19초 미만이다. 일 실시 예에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리에서 달성되는 최대 압력 및 온도는 동시에 이루어진다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다.
일부 적용의 경우, 최소 처리 시간이 필요하다. 다른 실시 예들에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리 시간은 적어도 1분, 6분, 25분, 246분, 410분, 그리고 심지어 적어도 1200분이다. 일부 적용의 경우, 과도한 처리 시간은 제조된 구성 요소의 기계적 성질을 악화시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/또는 온도 처리 시간은 119시간 미만, 47시간 미만, 23.9시간 미만, 12시간 미만, 2시간 미만, 54분 미만, 34분 미만, 24.9분 미만, 21분 미만, 14분 미만, 그리고 심지어 8분 미만이다.
일부 적용의 경우, 아래에 개시된 단계를 포함하는 압력 및/또는 온도 처리를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 압력 및/또는 온도 처리는 다음과 같은 단계를 포함한다:
단계 i) 구성 요소에 고압을 가한다;
단계 ii) 구성 요소의 온도를 높이면서 고압 레벨을 유지한다;
단계 iii) 충분한 온도를 유지하면서 구성 요소에 가해진 적어도 일부의 압력을　방출한다.
일부 특정 실시 예에서, 단계 ii) 및 iii)는 선택 사항이므로 피할 수 있다. 일 실시 예에서, 단계 ii) 및/또는 iii)는 생략된다.
일부 적용의 경우, 단계 i)는 매우 중요하다. 일 실시 예에서,　구성 요소에 고압을 가하는 것은 구성 요소에 적절한 양의 최대 압력을 가하는 것을 의미한다. 일 실시 예에서, 구성 요소에 적절한 양의 최대 압력이 가해진다. 일 실시 예에서, 적절한 양의 최대 압력이 관련 시간 동안 적용된다. 다른 실시 예들에서, 적정 최대 압력량은 12 MPa 이상, 105 MPa 이상, 155 MPa 이상, 170 MPa 이상, 185 MPa 이상, 205 MPa 이상, 260 MPa 이상, 그리고 심지어 302 MPa 이상이다. 일부 적용의 경우, 단계 ii) 및/또는 iii)는 건너 뛸 수 있다. 일부 실시 예에서, 일반적으로 ii) 및 iii) 단계를 건너뛸 때 더 높은 압력이 필요하지만, 이를 건너뛰지 않을 때도 일부 적용의 경우, 심지어 더 높은 압력을 사용하여 더 높은 겉보기 밀도를 얻는 것이 흥미롭다. 다른 실시 예들에서, 적정 최대 압력량은 410 MPa 이상, 510 MPa 이상, 601 MPa 이상, 655 MPa 이상, 그리고 심지어 820 MPa 이상이다. 놀랍게도 일부　적용의 경우, i) 단계의 과도한 압력은 내부 결점을 초래하며, 복잡하고 큰 기하학적 구조의 경우 더욱 그러하다. 다른 실시 예들에서, 적정 최대 압력량은 1900 MPa 이하, 900 MPa 이하, 690 MPa 이하, 490 MPa 이하, 390 MPa 이하, 그리고 심지어 290 MPa 이하이다. 일 실시 예에서,　단계 i)는 단계적(기존에 정의된 바와 같이) 방식으로 압력을 인가하는 것을 포함한다. 일 실시 예에서, 단계 i)는 충분히 낮은 속도(기존에 정의된 바와 같이)로 압력을 가하는 것을 포함한다. 일부 적용의 경우, 압력을 가하는 데 사용되는 유체가 뜨거울 때 압력 인가 장치에 구성 요소를 도입하는 것이 흥미로울 수 있다. 일 압력 인가 장치는 인가된 압력을 적정량의 최대 압력으로 적절한 속도로 상승시킬 수 있고, ii) 단계에서 원하는 온도에 도달할 수 있는 임의의 장치이다. 일 실시 예에서, 상기 압력 인가 장치는 인가된 압력을 적정량의 최대 압력으로 상승시킬 수 있는 임의의 장치이다. 다른 실시 예들에서, 유체가 뜨겁다는 것은 35℃ 이상, 45℃ 이상, 55℃ 이상, 75℃ 이상, 105℃ 이상, 155℃ 이상이다.
일부 적용의 경우, 단계 ii)는 매우 중요하며 관련 파라미터 값을 적절하게 제어해야 한다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 온도(이전에 정의한 대로)는 ii) 단계에서 올바른 압력 레벨을 유지하면서 상승한다. 일 실시 예에서,　구성 요소의 온도(이전에 정의된 대로)는 압력을 가하는 유체를 가열하여 상승한다. 일 실시 예에서, 온도는 적어도 방사선을 통해 상승한다.　일 실시 예에서, 온도는 적어도 대류를 통해 상승한다. 일 실시 예에서, 온도는 적어도 전도를 통해 상승한다.　다른 실시 예들에서, ii) 단계의 성분 온도는 320K 이상, 350K 이상, 380K 이상, 400K 이상, 430K 이상, 그리고 심지어 480K 이상으로 상승한다. 일부 적용의 경우, ii) 단계에서 구성 요소의 온도가 과도하지 않음을 확인하는 것이 중요하다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 온도(앞서 정의한 대로)는 690K 미만, 660K 미만, 560K 미만, 510K 미만, 470K 미만, 그리고 심지어 420K 미만로 유지된다. 일부 적용의 경우, 보다 관련성이 높은 것은 ii) 단계에서 달성한 최대 관련 온도이다. 일 실시 예에서,　단계 ii)에서 달성한 최대 관련 온도(기존의 정의와 같이)는 190℃ 이하, 140℃ 이하, 120℃ 이하, 90℃ 이하, Tm+50℃ 이하, Tm+30℃ 이하, Tm+10℃ 이하, Tm 이하, 그리고 심지어 Tm-20℃ 이하이다. 일 실시 예에서, 상기 Tm은 상기 성분을 형성하기 위해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물의 용해 온도이다. 일부 실시 예에서,　ii) 단계에서 적용되는 최대 관련 온도는 ii) 단계에서 적용되는 최대 온도이다. 앞서 개시된 바와 같이, ii) 단계에서 적정 압력 수준을 유지하면서　요소의 온도를 상승시킨다. 일 실시 예에서, 올바른 압력 레벨은 ii) 단계에서 구성요소에 가해지는 최소 압력을 의미한다. 추가 실시 예에서,　올바른 압력 레벨은 ii) 단계에서 구성요소에 가해지는 최대 압력을 의미한다. 추가 실시 예에서,　올바른 압력 레벨은 ii) 단계의 구성요소에 가해지는 압력을 의미한다. 추가 실시 예에서,　올바른 압력 레벨은 단계 ii)에서 구성요소에 가해지는 평균 압력(시간 가중치)을 의미한다. 다른 실시 예들에서, ii) 단계의 적정 압력 레벨은 0.5 MPa 이상, 5.5 MPa 이상, 10.5 MPa 이상, 21 MPa 이상, 105 MPa 이상, 160 MPa 이상, 그리고 심지어 215 MPa 이상이다. 일부 적용의 경우, 이 단계에서 과도한 압력이 바람직하지 않은 왜곡을 초래하는 것으로 확인되었다. 다른 실시 예들에서, ii) 단계의 적정 압력 레벨은 1300 MPa 이하, 860 MPa 이하, 790 MPa 이하, 490 MPa 이하, 390 MPa 이하, 290 MPa 이하, 190 MPa 이하, 90 MPa 이하, 그리고 심지어 39 MPa 이하이다.
일부 적용의 경우, iii) 단계는 제조된 구성 요소의 내부 결함을 방지하기 위해 매우 중요하다. 일 실시 예에서, 충분한 온도를 유지하면서 구성 요소에 가해지는 압력 중 적어도 일부가 iii) 단계에서 방출된다. 일 실시 예에서, 구성요소의 온도는 이전에 정의된 바와 같다. 다른 실시 예들에서, 상기 iii)단계에서 충분히 높은 온도는 320K 이상, 350K 이상, 380K 이상, 400K 이상, 500K 이상을 의미한다. 일부 적용의 경우, 구성 요소의 온도가 과도하지 않음을 확인하는 것이 중요하다. 다른 실시 예들에서, 방법 iii) 단계의 성분의 온도는 690K 이하, 660K 이하, 560K 이하, 510K 이하, 470K 이하, 그리고 심지어 420K 이하로 유지된다. 일부 적용의 경우, iii) 단계에서 달성한 최대 관련 온도와 더 관련이 있다. 일 실시 예에서, 상기 단계 ii)에서 달성한 최대 관련 온도(이전에 정의된 바와 같이)는190℃ 이하, 140℃ 이하, 120℃ 이하, 90℃ 이하, Tm+50℃ 이하, Tm+30℃ 이하, Tm+10℃ 이하, Tm 이하, 그리고 심지어 Tm-20℃ 이하이다. 일 실시 예에서, 상기 Tm은 상기 성분을 형성하기 위해 사용되는 분말 또는 분말 혼합물의 용해 온도이다. 일부 실시 예에서, 단계 iii)에서 적용되는 최대 관련 온도는 단계 iii)에서 적용되는 최대 온도이다. 일 실시 예에서, iii) 단계는 이전에 정의된 바와 같이 iii) 단계에서 가해진 압력을 최소한 일부 방출하는 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 압력의 백분율 감소는 i) 단계뿐만 아니라 i), ii) 또는 iii) 단계 중 하나라도 뜻하므로 이들 중 어느 하나에서 달성되는 가장 높은 압력을 가리킨다. 추가 실시 예에서, 압력은 i) 단계에서 달성된 최고 값에 대해 최소 0.6 MPa, 최소 2 MPa, 최소 10 MPa 및 심지어 최소 60 MPa까지 낮아진다. 일부 적용의 경우, iii) 단계에서 달성되는 압력 수준은 백분율 감소보다 더 중요하다. 일 실시 예에서, iii) 단계는 다음을 읽어야 한다: 390 MPa 이하, 90 MPa 미만, 19 MPa 미만, 9 MPa 미만, 4 MPa 미만, 0.4 MPa 미만, 및 심지어 0.2 MPa 미만의 도달할 수 있도록 구성 요소 인가 압력의 적어도 일부를 방출할 수 있을 만큼 충분히 높은 온도를 유지한다. 일 실시 예에서, 모든 압력은 iii) 단계 내에서 제거된다. 일부 적용은 특히 구성 요소의 내부 결함에 있어 iii) 단계의 압력을 방출하기 위해 사용되는 비율에 상당히 민감하다. 일 실시 예에서, 압력은 적어도 최종 스트레치 내에서 충분히 낮은 속도(이전에 정의된 바와 같이)로 방출된다. 일 실시 예에서, 최종 스트레치는 최종 2%, 최종 8%, 최종 12%, 최종 18%, 그리고 심지어 최종 48%와 관련이 있다.　[i), ii) 또는 iii) 단계에서 구성 요소에 가해지는 최고 압력을 초기 포인트로,　iii) 단계에서 구성 요소에 가해지는 최소 압력을 최종 포인트로 취한다]. 일 실시 예에서, 최종 스트레치는 최종 0.1 MPa, 최종 0.4 MPa, 최종 0.9 MPa, 최종 1.9 MPa, 그리고 심지어 최종 9 MPa와 관련이 있다[iii) 단계에서 구성 요소에 가해지는 최소 압력에 도달하기 전에].
일 실시 예에서, iii) 단계 이후에 구성 요소에 가해진 압력이 iii) 단계에서 아직 해제되지 않은 경우 완전히 해제된다. 일 실시 예에서, iii) 단계 이후 구성 요소에 가해지는 압력은 iii) 단계에 대해 위에서 설명한 것과 동일한 압력 방출 속도에 대한 주의와 함께 완전히 방출된다. 일 실시 예에서, iii) 단계 이후 구성 요소에 가해지는 압력은 iii) 단계에 대해 위에서 설명한 것과 동일한 방식으로 완전히 방출된다. 일 실시 예에서, iii) 단계 이후, iii) 단계에서 아직 수행하지 않은 경우 구성 요소의 온도가 주변 값(ambient values)에 근접하도록 한다. 일 실시 예에서,　iii) 단계 이후, iii) 단계에서 아직 수행하지 않은 경우 구성 요소를 98℃ 이하로 떨어뜨린다. 추가 실시 예에서,　iii) 단계 이후에,　iii) 단계에서 아직 수행하지 않은 경우 구성 요소의 온도를 48℃ 이하로 떨어뜨린다. 추가 실시 예에서,　iii) 단계 이후에, iii) 단계에서 아직 수행하지 않은 경우 구성 요소의 온도를 38℃ 이하로 떨어뜨린다. 일 실시 예에서, iii) 단계 이후에, 구성부품의 온도는 iii)단계에서 아직 수행하지 않은 경우 다음 방법 단계를 수행하기에 편리한 값으로 떨어지도록 한다.
상기 i) 내지 iii) 단계에서 본 발명에 필요한 공정의 길이에, 놀랄 것이다. 이는 다른 고압 중온(0.5*Tm이하, 그리고 아주 자주 0.3*Tm 이하)의 기존 공정에 관련된 것보다 훨씬　높다. 일 실시 예에서, i) 내지 iii) 단계의 총 시간은 22분 이상, 190분 이상, 410분 이상이다. 일부 적용의 경우, 지나치게 긴 시간이 이롭지 않다. 다른 실시 예들에서, 상기 i) 내지 iii) 단계의 총 시간은 47시간 미만, 12시간 미만, 그리고 심지어 7시간 미만이다. i)단계부터 iii) 단계에 사용되는 공정의 또 다른 유일한 전반적인 특성은 공정 내에서 발생하는 가압 유체의 온도 변화가 크다는 것이다. 다른 실시 예들에서, i) 단계부터 iii) 단계의 가압 유체 최대 온도 구배는 25℃ 이상, 55℃ 이상, 105℃ 이상이다. 일부 적용의 경우, 지나치게 높은 온도 구배를 피해야 한다. 다른 실시 예들에서, i)단계부터 iii) 단계의 가압 유체 최대 온도 구배는 245℃ 이하, 195℃ 이하, 그리고 심지어 145℃ 이하이다.
일부 적용의 경우, 여러 사이클을 사용하는 것이 이롭다. 일 실시 예에서는, 적어도 2 사이클의 압력 및/또는 온도 처리가 적용된다. 추가 실시 예에서는, 적어도 3 사이클의 압력 및/또는 온도 처리가 적용된다.
본 발명자는 일부 적용의 경우 압력 및/또는 온도 처리 후 가공 단계를 적용하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 상기 압력 및/또는 온도 처리를 적용한 후 얻어진 구성 요소에 가공을 적용하는 단계를 더 포함한다.
본 발명자는 일부 적용의 경우 구성 요소의 금속 부분에 특정 수준의 산소 및/또는 질소를 고정하는 것이 제조된 구성 요소에 도달할 수 있는 기계적 성질을 개선하는 데 도움이 될 수 있다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 상기 압밀 단계를 적용하기 전에 상기 구성 요소의 금속 부분의 질소 및/또는 산소 레벨을 설정하는 단계를 더 포함한다. 상기 구성요소의 금속 부분의 질소 및/또는 산소 레벨을 설정하는 단계를 본 방법 전반에 걸쳐 고정 단계라고도 한다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 다음과 같은 단계를 포함한다: - 분말 또는 분말 혼합물 제공; - 구성 요소를 형성하기 위한 첨가제 제조 방법 적용; - 선택적으로 압력 및/또는 온도 처리 적용; - 선택적으로, 디바인딩을 적용;
- 선택적으로 압력 및/또는 온도 처리 적용; - 구성 요소의 금속 부분의 질소 및/또는 산소 수준 설정; - 압밀 처리 적용; 그리고 - 선택적으로, 고온 고압 처리를 적용한다.
일부 적용의 경우, 고정 단계 및 압밀 단계는 동시에 및/또는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 고정 단계와 상기 압밀 단계는 동시에 수행된다. 일 실시 예에서, 고정 단계와 압밀 단계는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행된다.
본 발명자는 일부 적용의 경우, 고정 단계를 적용하기 전에 적어도 유기 물질의 일부를 제거하기 위해 디바인딩 단계(기존에 정의된 바와 같이)를 적용하는 것이 유리하다는 것을 발견했다(일부 적용의 경우, 유기 물질의 완전한 제거는 유리할 수 있다). 일 실시 예에서, 방법은 다음 단계로 구성된다: - 분말 또는 분말 혼합물 제공; - 구성 요소를 형성하기 위한 첨가제 제조 방법 적용; - 선택적으로, 압력 및/또는 온도 처리 적용; - 디바인딩 적용; - 선택적으로, 압력 및/또는 온도 처리 적용; - 구성 요소의 금속 부분의 질소 및/또는 산소 수준 설정; - 압밀 처리 적용; 그리고 - 선택적으로, 고온 고압 처리를 적용한다.
본 발명자는 일부 용도의 경우 탈착 단계와 고정 단계를 동시에 및/또는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 디바인딩 단계와 상기 고정 단계는 동시에 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 디바인딩 단계와 상기 고정 단계는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행된다. 일부 적용의 경우, 디바인딩 단계, 고정 단계 및 압밀 단계를 동시에 및/또는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 디바인딩 단계, 상기 고정 단계 및 상기 압밀 단계는 동시에 수행된다. 일 실시 예에서, 디바인딩 단계와 고정 단계는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행된다. 앞서 특정 적용에 대하여 개시된 바와 같이,　보다 유리한 것은 고정 단계와 압밀 단계를 동시에 그리고/또는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행하는 것이다. 일 실시 예에서, 상기 고정 단계와 상기 압밀 단계는 동시에 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 고정 단계 및 상기 압밀 단계는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행된다.
일부 적용의 경우, 고정 단계가 수행되는 용해로 또는 압력 용기에서 사용되는 분위기는 관련이 있다. 발명자는 일부 적용의 경우 고정 단계에서 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 대로)를 사용하는 것이 특히 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 고정 단계는 적절하게 설계된 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 특정 적용의 경우, 고정 단계에서 사용되는 분위기를 바꾸는 것이 유리하다(예를 들어,　이에 한정되지 않으나, 고정 단계의 일부에서만 적절하게 설계된 분위기 사용 및/또는 고정 단계에서 적절하게 설계된 최소 2개의 다른 분위기 사용). 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 바와 같이)를 사용하여 고정 단계의 적어도 일부를 수행한다. 따라서, 본 문서에 개시된 적절하게 설계된 분위기와 관련된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 고정 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 고정 단계는 적어도 두 가지 다른 분위기를 사용하는 단계를 포함한다. 추가 실시 예에서, 고정 단계는 적어도 3개의 상이한 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 추가 실시 예에서, 고정 단계는 적어도 4개의 상이한 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 구성 요소를 제조하기 위해 통합되므로 자체적으로 발명을 구성할 수 있기에 적절하게 설계된 분위기에서의 고정단계(기존에 정의된 바와 같이)는 본 방법 내에서뿐만 아니라, 적절한 산소 및/또는 질소 함량을 갖는 다른 분말 또는 분말 혼합물에도 적용될 수 있다(기존에 정의된 바와 같이). 특정 적용의 경우, 고진공 수준을 적용하는 것을 포함하여 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 대로)를 사용하는 것이 바람직하다. 일 실시 예에서, 상기 고정 단계에서 사용되는 분위기는 고진공 수준을 적용하는 것을 포함한다. 달리 명시되지 않는 한, 특징 "고진공 수준"은 아래에 상세히 설명된 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, 고진공 수준은 0.9*10-3 mbar 이상, 0.9*10-4 mbar 이상, 0.9*10-5 mbar 이상, 0.9*10-6 mbar 이상, 그리고 심지어 0.9*10-7 mbar 이상이다. 일부 적용의 경우, 지나치게 낮은 진공 수준은 도움이 되지 않는다. 다른 실시 예들에서, 높은 진공 레벨은 0.9*10-12 mbar 이상, 0.9*10-11 mbar 이상, 0.9*10-10 mbar 이상, 0.9*10-9 mbar 이상, 그리고 심지어 0.9*10-8 mbar 이하의 진공 레벨을 의미한다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 이들 사이에 결합될 수 있으며, 본 문서에 개시된 다른 실시 예와 어떠한 조합에서도 "고진공 수준"과 관련될 수 있다. 일 실시 예에서, 제공된 분말 또는 분말 혼합물이 적어도 적절한 레벨의 %V, %Nb, %Ta 및/또는 %Ti의 분말을 포함하는 경우(기존에 정의된 바와 같이) 높은 진공 레벨의 적용을 포함하는 적절하게 설계된 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일 실시 예에서, 제공된 분말 또는 분말 혼합물이 적어도 적절한 수준 %Mn의 분말을 포함할 때(기존에 정의된 바와 같이) 높은 진공 레벨의 적용을 포함하는 적절하게 설계된 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일 실시 예에서, 제공된 분말 또는 분말 혼합물이 적어도 적절한 수준의 %Al 및/또는 %Si(기존에 정의된 바와 같이)의 분말을 포함하는 경우 높은 진공 레벨의 적용을 포함하는 적절하게 설계된 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일 실시 예에서, 제공된 분말 또는 분말 혼합물이 적어도 적절한 수준 %Moeq의 분말을 포함할 때(기존에 정의된 바와 같이) 높은 진공 레벨의 적용을 포함하는 적절하게 설계된 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일 실시 예에서, 제공된 분말 또는 분말 혼합물이 적어도 적절한 수준 %Cr의 분말을 포함할 때(기존에 정의된 바와 같이) 높은 진공 레벨의 적용을 포함하는 적절하게 설계된 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 다른 적용도 높은 진공 레벨의 적용을 포함하는 적절하게 설계된 분위기를 사용함으로써 이익을 얻을 수 있다. 일 실시 예에서, 제공된 분말 또는 분말 혼합물이 분말 형태의 철 또는 철 기반 합금, 강철, 스테인리스강, 티타늄 또는 티타늄 기반 합금, 알루미늄 또는 알루미늄 기반 합금, 마그네슘 또는 마그네슘 기반 합금, 니켈 또는 니켈계 합금, 구리 또는 구리 기반 합금, 니오븀 또는 니오븀계 합금, 지르코늄 또는 지르코늄계 합금, 실리콘 또는 실리콘 기반 합금, 크롬 또는 크롬계 합금, 코발트 또는 코발트계 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴계 합금, 망간 또는 망간계 합금, 텅스텐 또는 텅스텐 기반 합금, 리튬 또는 리튬계 합금, 주석 또는 주석 기반 합금, 탄탈 또는 탄탈계 합금 및/또는 이들의 혼합물과 같은 금속 또는 금속 합금 중 적어도 하나를 포함하는 경우, 높은 진공 레벨의 적용을 포함하는 적절하게 설계된 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 제공된 분말 혼합물은 %V 함량이 8wt% 초과 89wt% 미만인 분말을 포함하고, 상기 고정 단계는 0.9*10-12 mbar 내지 0.9*10-3 mbar의 진공 도포를 포함하는 분위기에서 수행된다.
특정 적용의 경우, 고정 단계에서 성분 표면의 카본 포텐셜과 관련하여 올바른 카본 포텐셜의 용해로 또는 압력 용기 분위기를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 고정 단계는 구성 요소 표면의 카본 포텐셜과 관련하여 올바른 카본 포텐셜의 용해로의 또는 압력 용기의 올바른 분위기를 사용하는 단계를 포함한다. 고정 단계에서 구성 요소 표면의 카본 포텐셜에 대한 용해로 또는 압력 용기 분위기의 카본 포텐셜은 [(구성 요소 표면의 카본 포텐셜 - 용해로 또는 압력 용기 분위기의 카본 포텐셜) / 용해로 또는 압력 용기 대기의 카본 포텐셜]*100의 절대값으로 정의된다. 일부 적용의 경우, 이 관계는 특정 값보다 낮은 값으로 선호된다. 다른 실시 예들에서, 구성 요소 표면의 카본 포텐셜에 대한 용해로 또는 압력 용기 분위기의 올바른 카본 포텐셜은 69% 미만, 49% 미만, 24% 미만, 14% 미만, 4% 미만, 그리고 심지어 0.9% 미만이다. 반면에,　성분 표면의 카본 포텐셜과 관련하여 용해로 또는 압력 용기 분위기의 올바른 카본 포텐셜의 특정 차이가 바람직하게 적용되는 경우가 있다. 다른 실시 예들에서, 구성 요소 표면의 카본 포텐셜에 대한 용해로 또는 압력 용기 분위기의 올바른 카본 포텐셜은 0.0001% 초과, 0.002% 초과, 0.01% 초과, 2% 초과, 그리고 심지어 11% 초과이다. 일부 적용의 경우,　상기 실시 예들 중 어느 하나에서 정의된 바와 같은 구성 요소 표면의 카본 포텐셜에 대한 용해로 또는 압력 용기 분위기의 올바른 카본 포텐셜은 본 문서 전반에 걸쳐 개시된 다른 방법 또는 방법 단계들, 특히 본 문서 전반에 걸쳐 기재된 디바인딩, 고정, 압밀 및/또는 치밀화 단계들 중 어느 하나에 유리하게 적용될 수 있다. 따라서, 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 이들 사이에 결합될 수 있으며, 이 문서에서 개시된 임의의 조합에서 "구성 요소 표면의 카본 포텐셜에 대한 올바른 카본 포텐셜의 용해로 또는 압력 용기 분위기"와 관련된 다른 실시 예와 결합될 수 있다. 특정 적용의 경우,　상기 고정단계 적용 후, 상기 성분의 금속부 내 탄소 함량에 대하여 올바른 카본 포텐셜의 용해로 또는 압력용기 분위기를 이용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 고정단계는 상기 고정단계 적용 후 상기 구성부품의 금속부 내 탄소함량에 대한 올바른 카본 포텐셜의 용해로 또는 압력 용기 분위기를 사용하는 단계를 포함한다. 고정 단계를 적용한 후 금속 부분에 포함된 탄소 함량과 관련하여용해로 또는 압력 용기 분위기의 카본 포텐셜은 [(고정 단계 적용 후 구성 요소의 금속 부분에 포함된 탄소 함량 - 용해로 또는 압력 용기 분위기의 카본 포텐셜) / 용해로 또는 압력 용기 분위기의 카본 포텐셜]*100의 절대값으로 정의된다. 일부 적용의 경우, 구성 요소의 금속 부분은 탄소의 함량이 다른 서로 다른 영역을 가질 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 성분의 금속부 내 탄소 함량은 탄소 함량이 가장 낮은 성분의 금속부 영역 내 탄소 함량을 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 성분의 금속부 내 탄소 함량은 탄소 함량이 가장 높은 성분의 금속부 영역 내 탄소 함량을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서,　상기 성분의 금속 부분에서의 탄소 함량은 상기 성분의 금속 부분에서의 가중 평균 탄소 함량을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서,　상기 성분의 금속부 내 탄소 함량은 탄소 함량이 상이한 성분의 금속부 영역 중 적어도 하나의 탄소 함량을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 상기 성분의 금속부 내 탄소 함량은 탄소 함량이 상이한 성분의 금속부 영역 중 하나 이상의 탄소 함량을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 구성 요소의 금속 부분에 포함된 탄소 함량과 관련하여 용해로 또는 압력 용기 분위기의 적절한 카본 포텐셜은 69% 미만, 49% 미만, 24% 미만, 14% 미만, 4% 미만, 그리고 심지어 0.9% 미만이다. 반면에,　일부 적용에서는 구성 성분 중 탄소 함량과 관련하여 용해로의 올바른 탄소 포텐셜 또는 압력 용기 분위기에서 일정한 차이가 선호된다. 다른 실시 예들에서, 구성 요소 내 탄소 함량과 관련하여 용해로 또는 압력 용기 분위기의 적절한 카본 포텐셜은 0.0001% 초과, 0.002% 초과, 0.01% 초과, 2% 초과, 그리고 심지어 11% 초과이다. 일 실시 예에서,　적절한 카본 포텐셜은 용해로 또는 압력 용기의 분위기 중 카본 포텐셜을 측정한 결과이다. 대안적 일 실시 예에서,　적절한 카본 포텐셜은 산소 및 탄소 프로브 센서(probe)를 사용하여 용해로 또는 압력 용기의 대기 중 카본 포텐셜을 측정하고 카본 포텐셜을 계산한 결과이다. 추가 대안적 실시 예에서,　적절한 카본 포텐셜은 NDIR (Non-Dispersive Infrared analyzer)를 사용하여 용해로 또는 압력 용기 대기 중의 카본 포텐셜을 측정한 결과이다. 추가 대안적 실시 예에서는 ThermoCalc (버전 2020b)를 이용한 시뮬레이션에 의해　올바른 카본 포텐셜이 결정된다. 일 실시 예에서 용해로 또는 압력 용기 분위기의 적절한 카본 포텐셜과 구성 요소 표면의 카본 포텐셜을 모두 ThermoCalc (버전 2020b)를 이용한 시뮬레이션에 의해 결정된다. 대안적 일 실시 예에서,　용해로 또는 압력 용기 분위기의 적절한 카본 포텐셜 및 구성 요소 표면의 카본 포텐셜은 Torsten Holm과 John Agren이 Woodhead에서 출판한 " The SGTE Casebook (두번째 에디션)" Thermodinamics At Work의 II.15장(철재 열처리 중 카본 포텐셜) 수행한 것과 동일한 방식의 시뮬레이션으로 결정된다.　일부 적용의 경우, 상기 실시 예들 중 어느 하나에서 정의된 바와 같이 구성 요소의 금속 부분에서의 탄소 함량과 관련하여 용해로의 올바른 카본 포텐셜을 갖는 분위기 또는 압력 용기 분위기는 본 문서 전반에 걸쳐 개시된 다른 방법 또는 방법 단계 및 특히 본 문서 전반에 걸쳐 설명된 디바인딩, 고정, 압밀 및/또는 조밀화 단계 중 어느 하나에 유리하게 적용될 수 있다. 따라서, 상기 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 한, 이들 중 및 임의의 조합으로 "부품의 금속 부분에 포함된 탄소 함량과 관련하여 용해로의 올바른 카본 포텐셜이 있는 분위기 또는 압력 용기 분위기"와 관련된 본 문서에 개시된 다른 실시 예와 결합될 수 있다. 특정 적용에서는 고정 단계에서 질화 분위기를 사용하는 것이 유리하다. 암모니아로 철 기반 물질을 질화시키기 위한 최적의 온도는 원자 질소(N) 5.5에서 12%의 대기에서 500℃~ 550℃ 사이라는 것은 잘 알려져 있지만, 본 발명자는 놀랍게도, 가공된 물질의 %N을 높이는 것이 바람직한 본 발명의 여러 적용에 대하여(성형 단계 적용 직후 부품의 금속 부분 %N과 제조된 부품의 금속 부분 %N을 비교했을 때), 훨씬 높은 온도를 적용하고 훨씬 낮은 원자 질소 함량을 갖는 분위기를 채용함으로써 상당히 유리한 특성을 달성할 수 있다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 고정 단계는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것으로 구성된다. 달리 명시되지 않는 한, 특징인 "올바른 질화 분위기"는 아래에서 상세히 설명되는 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 일 실시 예에서, 올바른 질화 분위기는 올바른 원자 질소 함량을 포함하는 분위기를 의미한다. 일부 실시 예에서, 상기 적정 원자 질소 함량은 특정 몰비율(mol%)을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 올바른 원자 질소 함량은 0.078mol% 이상, 0.78mol% 이상, 1.17mol% 이상, 1.56mol% 이상, 2.34mol% 이상, 3.55mol% 이상, 그리고 심지어 4.68mol% 이상이다. 특정 적용의 경우, 과도한 함량은 해롭다. 다른 실시 예들에서, 올바른 원자 질소 함량은 46.8mol% 이하, 15.21mol% 이하, 11.31mol% 이하, 7.91mol% 이하, 5.46mol% 이하, 그리고 심지어 3.47mol% 이하이다. 특정 적용에서는 더 높은 원자 질소 함량을 포함하는 대기의 사용이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 적정 원자 질소 함량은 2.14mol% 이상, 4.29mol% 이상, 6.24mol% 이상, 8.19mol% 이상, 10.14mol% 이상, 21.45mol% 이상, 그리고 심지어 39.78mol% 이상이다. 특정 적용의 경우, 과도한 함량은 유해하다.　다른 실시 예들에서, 올바른 원자 질소 함량은 89mol% 이하, 69mol% 이하, 49mol% 이하, 29mol% 이하, 19mol% 이하, 14mol% 이하, 그리고 심지어 9mol% 이하이다. 일부 적용에서, 원자 질소 함량은 동일한 비율의 원자 질소를 제공하는 어떤 대안적인 분위기로도 대체될 수 있다. 일부 적용에서는, 암모니아(NH3)를 사용하여 원자 질소를 도입한다. 일 실시 예에서, 올바른 질화 분위기는 적절한 질소 함량을 포함하는 분위기를 의미한다. 다른 실시 예들에서, 적정 질소 함량을 갖는 분위기는 질소 함량이 0.02wt% 이상, 0.2wt% 이상, 0.3wt% 이상, 0.4wt% 이상, 0.6wt% 이상, 0.91wt% 이상, 그리고 심지어 1.2wt% 이상인 분위기이다. 일부 적용에서는 질소의 과다 함량은 유해하다. 다른 실시 예들에서, 적정 질소 함량을 갖는 분위기는 질소 함량이 3.9wt% 이하, 2.9wt% 이하, 1.9wt% 이하, 1.4wt% 이하, 그리고 심지어 0.89wt% 이하인 분위기이다. 일부 적용의 경우, 질화는 암모니아 기반 가스 혼합물에 노출되어 수행된다. 일 실시 예에서, 올바른 질화 분위기는 암모니아를 포함하는 분위기를 의미한다. 다른 실시 예들에서, 암모니아 함량은 0.1 vol% 초과, 0.11 vol% 초과, 2.2 vol% 초과, 5.2 vol% 초과, 그리고 심지어 10.2 vol% 초과이다. 일부 적용에서는 과다한 암모니아 함량은 유해하다. 다른 실시 예들에서, 암모니아 함량은 89 vol% 미만, 49% 미만, 19% 미만, 14% 미만, 9% 미만, 그리고 심지어 4 vol% 미만이다. 일부 적용의 경우, 보다 관련성이 높은 것은 고정 단계를 적용한 후 구성 요소의 표면에 있는 질소의 중량 백분율이다. 분말의 주어진 조성에 대하여, 당업자는 온도, 질화 포텐셜 및 기타 관련 변수의 선택 방법을 알고 있으므로,　시뮬레이션에 따르면, 고정 단계를 적용한 후 표면의 질소 중량 백분율(%N)이 올바른 질소 함량이다. 일 실시 예에서, 시뮬레이션은 ThermoCal (버전 2020b)로 수행된다. 일 실시 예에서,　상기 고정 단계를 적용한 후 표면에서의 질소의 중량 비율은 올바른 질소 함량이다. 다른 실시 예들에서, 적정 질소 함량은 0.02% 이상, 0.2% 이상, 0.3% 이상, 0.4% 이상, 0.6% 이상, 0.91% 이상, 그리고 심지어 1.2% 이상이다. 특정 적용의 경우, 질소의 과다 함량은 유해하다. 다른 실시 예들에서, 적정 질소 함량은 3.9% 이하, 2.9% 이하, 1.9% 이하, 1.4% 이하, 그리고 심지어 0.89% 이하이다. 일부 적용의 경우, 발명자는 다소 복잡한 방법이 매우 예외적인 기계적 성질을 얻기 위해 유용하다는 것을 발견했다. 이는 특히 미세 산화물 입자가 혼합되거나 기계적으로 합금화된 합금의 경우에 해당된다. 본 발명에서 설명하는 일부 다른 단계 이외에도, 이 경우 고정 단계는 %NMVS 및/또는 %NMVC(앞서 정의한 바와 같이 %NMVS 및/또는 %NMVC의 적절한 수준)를 보존하기 위해 세심하게 수행된다. 일부 실시 예에서, 적절하게 설계된 분위기는 적절한 질화 포텐셜을 갖는 분위기로 변화한다. 여기서 의외로 온도를 예상보다 훨씬 높은 수준으로 유지하는 것이 유리하다는 것이 밝혀졌다. 따라서, 특정 적용에서는, 고정 단계에서 질화 포텐셜(Kn)이 적절한 분위기를 이용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 올바른 질화 분위기는 올바른 질화 포텐셜을 갖는 분위기를 의미한다. 질화 포텐셜,　Kn은 pNH3/pH2 3/2로 계산되며, 이때 pNH3는 NH3의 분압이고 pH2는 H2의 분압이다. 이러한 맥락에서, 위에서 개시된 부분 압력은 바 안에 있다. 다른 실시 예들에서, 올바른 질화 포텐셜은 0.002 bar-1/2초과, 0.012 bar-1/2초과, 0.35 bar-1/2초과, 0.2 bar-1/2초과, 0.6 bar-1/2초과, 2 bar-1/2초과, 4.2 bar-1/2초과, 그리고 심지어 10.2 bar-1/2초과의 Kn을 의미한다. 일부 적용의 경우, 지나치게 높은 질화 포텐셜은 도움이 되지 않는다. 다른 실시 예들에서, 올바른 질화 포텐셜은 89 bar-1/2미만, 19 bar-1/2미만, 9 bar-1/2미만, 0.4 bar-1/2미만, 0.098 bar-1/2미만, 그리고 심지어 0.049 bar-1/2미만의 Kn을 의미한다. 일 실시 예에서, 질화 포텐셜은 DIN 17 022-4에 따라 측정된다. 대안적 일 실시 예에서,　질화 포텐셜은 SAE AMS 2759/10 B에 따라 측정된다. 앞서 공개된 바와 같이, 특정 적용의 경우, 예외적으로 높은 질화 온도를 사용하는 것이 매우 유리하다. 일 실시 예에서,　올바른 질화 분위기는 높은 질화 온도의 적용을 포함한다. 일 실시 예에서, 올바른 질화 분위기는 올바른 질화 온도의 적용을 포함한다. 다른 실시 예들에서, 올바른 질화 온도는 580℃ 초과, 655℃ 초과, 755℃ 초과, 855℃ 초과, 910℃ 초과, 그리고 심지어 955℃ 초과의 온도를 의미한다. 일부 적용의 경우, 온도가 특정 값보다 낮은 것이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 올바른 질화 온도는 1440℃ 미만, 1290℃ 미만, 1190℃ 미만, 1090℃ 미만, 990℃ 미만, 그리고 심지어 790℃ 미만 온도를 의미한다. 특정 적용의 경우, 과도한 압력을 가하는 것이 특히 유리하다. 일 실시 예에서, 올바른 질화 분위기는 과압의 적용을 포함한다. 다른 실시 예들에서, 인가되는 과압은 적어도 0.0012 bar, 적어도 0.012 bar, 적어도 1.7 bar, 적어도 10.2 bar, 적어도 20.6 bar, 그리고 심지어 적어도 62 bar이다. 특정 적용의 경우, 가해지는 과압은 특정 값 이하로 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 인가되는 과압은 4800bar 이하, 740bar 이하, 84bar 이하, 6.9bar　이하, 1.3bar　이하, 그리고 심지어 0.74bar 이하이다. 일부 실시 예들에서, 특정 진공의 적용이 바람직하다. 일 실시 예에서,　올바른 질화 분위기는 특정 진공의 적용을 포함한다. 다른 실시 예들에서, 특정 진공은 590 mbar 이상, 99 mbar 이상, 9 mbar 이상, 0.9 mbar 이상, 0.9*10-2 mbar 이상, 그리고 심지어 0.9*10-5 mbar 이상을 의미한다. 일부 적용의 경우, 진공이 지나치게 낮으면 도움이 되지 않는다. 다른 실시 예들에서, 특정 진공은 1.2*10-7 mbar 이하, 1.2*10-5 mbar 이하, 1.2*10-3 mbar 이하, 나아가 심지어0.12 mbar 이하를 의미한다. 일부 적용의 경우, 과압 및/또는 특정 진공의 적용과 함께 적절한 질화 온도를 적용하는 것으로 구성된 적절한 질소 함량을 가진 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 유리하다. 일부 실시 예에서,　분말 또는 분말 혼합물이 질소 오스테나이트계 강철 분말(앞에서 정의한 대로) 또는 질소 오스테나이트계 강철(앞에서 정의한 대로)의 평균 조성을 갖는 분말 혼합물을 포함하는 경우, 적절한 원자 질소 함량의 적절한 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 올바른 질화 온도의 적용을 포함하는 적절한 원자 질소 함량을 갖는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것은 제조된 성분이 질소 오스테나이트 강(기존에 정의된 바와 같이)의 조성을 갖는 경우에 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 제공된 분말 또는 분말 혼합물이 본 문서에서 이미 정의된 %Yeq(1)의 적정 수준을 포함하는 경우, 적절한 원자 질소 함량을 포함하는 적절한 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 제조된 구성요소가 본 문서에서 이미 정의된 %Yeq(1)의 올바른 수준을 포함하는 경우, 올바른 원자 질소 함량을 포함하는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 올바른 질화 온도의 적용을 포함하는 올바른 원자 질소 함량을 갖는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것은 제조된 구성 요소에 포함된 적어도 하나의 재료에서 본 문서에서 이미 정의된 올바른 수준의 %Yeq(1)를 갖는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 분말 또는 분말 혼합물이 %Y+%Sc+%REE, %Al+%Y+%Sc+%REE, %Ti+%Y+%Sc+%REE 및/또는 %Al+%Ti+%Y+%Sc+%REE (기존에 정의된 바와 같이)의 올바른 함량을 포함하는 경우, 적절한 원자 질소 함량을 포함하는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 제조된 구성요소가 %Y+%Sc+%REE, %Al+%Y+%Sc+%REE, %Ti+%Y+%Sc+%REE 및/또는 %Al+%Ti+%Y+%Sc+%REE(앞에서 정의한 바와 같이)의 올바른 함량을 포함하는 경우, 올바른 원자 질소 함량을 포함하는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 반면에, 어떤 경우에는 관습적으로 낮은 온도와 높은 원자 질소를 사용하는 것이 유리하다. 일부 적용의 경우, 제공되는 분말 또는 분말 혼합물이 적정 수준 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb (앞서 정의한 바와 같이)의 강철 분말을 포함하는 경우에 특히 그렇다. 일 실시 예에서, 올바른 질화 분위기는 낮은 질화 온도의 적용을 포함한다. 일 실시 예에서, 올바른 질화 분위기는 올바른 질화 온도의 적용을 포함한다. 다른 실시 예들에서, 올바른 질화 온도는 220℃ 초과, 310℃ 초과, 460℃ 초과, 510℃ 초과, 610℃ 초과, 그리고 심지어 760℃ 초과인 온도를 의미한다. 일부 적용의 경우, 온도가 특정 값보다 낮은 것이 선호된다. 다른 실시 예들에서, 적정 질화 온도는 980℃ 미만, 790℃ 미만, 640℃ 미만, 590℃ 미만, 540℃ 미만, 490℃ 미만, 그리고 심지어 390℃ 미만인 온도를 의미한다. 일부 실시 예에서, 제공된 분말 또는 분말 혼합물이 적정 수준의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb (기존에 정의된 바와 같이)의 강분말을 포함하는 경우, 적정 질화 온도의 적용을 포함하는 적정 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 올바른 질화 온도의 적용을 포함하는 올바른 질화 분위기의 사용은 질화 분위기가 제거되는 시점에 구성 요소의 금속 부분이 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb (기존에 정의된 바와 같이)의 올바른 수준을 포함하는 경우에 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 낮은 질화 온도의 적용을 포함하는 올바른 질화 분위기의 사용은 제조된 성분이 적정 수준의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb (기존에 정의된 바와 같이)을 포함하는 경우에 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 상기 개시된 내용은 상기 디바인딩 단계, 압밀 단계 및/또는 밀도화 단계가 올바른 질화 분위기 사용을 포함하는 경우에도 적용된다. 일부 적용의 경우,　상기 실시 예들 중 어느 하나에서 정의된 바와 같은 올바른 질화 분위기는 본 문서 전반에 걸쳐 개시된 다른 방법 또는 방법 단계, 특히 본 문서 전반에 걸쳐 설명된 디바인딩, 압밀, 밀도화 단계 중 각각 및/또는 어느 하나에 유리하게 적용될 수 있다. 따라서, 상기에서 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않다면, 이들 중 및 본 문서에 개시된 임의의 다른 실시 예와 임의의 조합으로 "올바른 질화 분위기"와 관련된 임의의 실시 예와 결합될 수 있다. 일부 적용의 경우, 고정 단계에서 분위기를 구성하는 %O2를 사용하는 것이 유리하다. 일부 실시 예에서, 적절한 시간에 적절한 온도에서 분위기를 포함하는 %O를 선택하는 방법에 의해 제공되는 분말 또는 분말 혼합물의 적어도 일부의 %O2함량이 증가할 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 고정 단계는 적정한 온도의 분위기를 적절한 시간에 포함하는 %O2를 사용하는 것을 포함한다. 달리 명시되지 않는 한, "적절한 시간에 적절한 온도에서 대기를 구성하는 "%O2" 기능은 아래에서 자세히 설명하는 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 특정 적용의 경우, 대기를 구성하는 %O2의 O2 함량이 관련이 있다. 다른 실시 예들에서, %O2는 0.002 vol% 이상, 0.02 vol% 이상, 0.11 vol% 이상, 0.22 vol% 이상, 1.2 vol% 이상, 6 vol% 이상, 12 vol% 이상, 그리고 심지어 42 vol% 이상이다. 일부 특정 실시 예에서, 순수한 O2의 사용이 유리할 수 있다. 반대로, 일부 적용의 경우, %O2는 일정 수준 이하로 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 상기 %O2는 89 vol% 이하, 49 vol% 이하, 19 vol% 이하, 4 vol% 이하, 그리고 심지어 0.9 vol% 이하이다. 또한 본 발명자는 일부 적용에서 Ar, N2 또는 기타 불활성 기체의 존재가 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 대기를 포함하는 %O2는 주로 Ar인 가스를 더 포함한다. 일 실시 예에서, 대기를 포함하는 %O2는 주로 불활성 가스인 가스를 더 포함한다. 추가 실시 예에서, 대기를 포함하는 %O2는 주로 N2인 가스를 더 포함한다. 추가 실시 예에서, 분위기를 포함하는 %O2는 주로 불활성 가스의 혼합물인 가스를 더 포함한다. 다른 실시 예들에서, 적정 온도는 55℃ 보다 높고, 105℃ 보다 높으며, 155℃ 보다 높으며, 176℃ 보다 높으며, 210℃ 보다 높으며, 그리고 심지어 260℃ 보다 더 높은 온도이다. 일부 적용에서는 과도한 온도는 유해할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 적정 온도는 890℃ 보다 낮고, 590℃ 보다 낮으며, 490℃ 보다 낮으며, 390℃ 보다 낮으며, 345℃ 보다 낮으며, 290℃ 보다 낮으며, 그리고 심지어 240℃ 보다 더 낮은 온도이다. 다른 실시 예들에서, 적절한 시간은 1시간 이상, 2.5시간 이상, 6시간 이상, 8시간 이상, 그리고 심지어 11시간 이상이다. 일부 적용의 경우, 지나치게 긴 시간은 불리하다. 다른 실시 예들에서, 적절한 시간은 90시간 이하, 49시간 이하, 29시간 이하, 19시간 이하, 14시간 이하, 그리고 심지어 9시간 이하이다. 일부 실시 예에서, 전술한 바와 같이, 분위기를 포함하는 %O2의 사용은, %NMVS 및/또는 %NMVC를 보존하기 위해 주의 깊게 고정 단계가 이루어질 때 특히 유리하다. 일부 실시 예에서 적정 온도에서의 분위기를 포함하는 %O2의 사용은 산소 함량이 높지만 극단적으로 높지는 않은 일부 분말(기존에 정의된 바와 같이)을 선택할 때 유리하다. 일부 적용에서, 산소 수준의 고정은 중요하지만 다른 원소의 함량에 대한 산소 함량과의 관계는 더욱 중요한 것으로 밝혀졌다. 일 실시 예에서, %O 함량은 다음의 공식 %O ≤KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE)를 준수하도록 선택되며, 이때 %REE는 기존에 정의한 바와 같다. 추가 실시 예에서, %O 함량은 다음 공식 KYI*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE) ＜ %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE)를 준수하도록 선택되며, 이때 %REE는 기존에 정의한 바와 같다. 다른 실시 예들에서, KYI는 3800, 2900, 2700, 2650, 2600, 2400, 2200, 2000, 그리고 심지어 1750이다. 다른 실시 예들에서, KYS는 2100, 2350, 2700, 2750, 2800, 3000, 3500, 4000, 4500,그리고 심지어 8000이다. 대안적 일 실시 예에서,　이 단락에서 위에 공개된 내용은 %Ti를 무시하도록 수정되어 재료에 포함된 %Ti가 허용 가능한 %O의 계산에 고려되지 않는다. 일 실시 예에서, 상기 %O, %Y, %Sc, %Ti 및 %REE는 상기 고정 단계를 적용한 후, 상기 구성요소의 금속 부분에서 이들 원소의 함량을 의미한다. 또는, 일부 실시 예에서,　발명자는 제조 구성요소(또는 제조 구성요소에 포함된 재료 중 적어도 하나)의 %O 함량이 상기 공개된 공식을 준수하도록 선택되었을 때 특히 유리하다는 것을 발견했다. 대안적 일 실시 예에서,　상기 %O, %Y, %Sc, %Ti 및 %REE는 제조된 구성요소 내 이들 요소의 함량을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서,　상기 %O, %Y, %Sc, %Ti 및 %REE는 제조된 구성 요소에 포함된 물질 중 적어도 하나에서 이들 원소의 함량을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 상기 %O, %Y, %Sc, %Ti 및 %REE는 상기 방법의 적용 중 어느 시점에서의 이들 요소의 함량을 의미한다. 일부 실시 예에서,　제공된 분말 또는 분말 혼합물이 질소 오스테나이트계 강철 분말(기존에 정의된 바와 같이) 또는 질소 오스테나이트계 강철의 평균 조성(기존에 정의된 바와 같이)을 포함하는 분말 혼합물로 구성된 경우 적절한 시간에 적절한 온도의 분위기를 구성하는 %O2를 사용하는 것이 유리하다. 일부 실시 예에서,　적정 온도의 대기로 구성된 %O2를 적절한 시간에 사용하는 것은 제조된 구성 요소가 질소 오스테나이트 강(앞서 정의한 바와 같이)의 조성을 가질 때 특히 유리하다. 일부 실시 예에서,　적절한 온도의 분위기로 구성된 %O2를 적절한 시간에 사용하는 것은 제공된 분말 또는 분말 혼합물이 이전에 정의된 %Yeq(1) 수준을 포함할 때 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 적정 온도에서의 분위기를 적절한 시간에 포함하는 %O2의 사용은 제조된 구성요소가 이전에 정의된 %Yeq(1) 수준을 가질 때 특히 유리하다. 일부 실시 예에서,　분말 또는 분말 혼합물이 %Y+%Sc+%REE, %Al+%Y+%Sc+%REE, %Ti+%Y+%Sc+%REE 및/또는 %Al+%Ti+%Y+%Sc+%REE(앞서 정의한 바와 같이)의 적절한 함량을 포함하는 경우 적절한 온도에서 적절한 시간 동안 분위기를 구성하는 %O2를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 적정 온도에서의 분위기를 적절한 시간에 포함하는 %O2의 사용은 제조된 구성요소가 적절한 함량의 %Y+%Sc+%REE, %Al+%Y+%Sc+%REE, %Ti+%Y+%Sc+%REE 및/또는 %Al+%Ti+%Y+%Sc+%REE(기존에 정의된 바와 같이)을 포함하는 경우에 특히 유리하다. 일부 실시 예에서, 상기 개시된 내용은 디바인딩 단계, 압밀 단계 및/또는 고온 고압 처리가 대기를 포함하는 %O2의 사용을 포함하는 경우에도 적용된다. 상기 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 한, 이들 중 및 본 문서에 개시된 "분위기를 포함하는 %O2"와 관련된 다른 실시 예와 조합될 수 있다.
본 발명자는 일부 적용의 경우, 본 발명자는 고정 단계를 적용하기 전에 부품의 금속 부분의 평균 조성이 %V, %Nb, %Ta, %Ti, %Mn, %Si, %Al, %Mo 및/또는 %Cr의 특정 수준(본 항에서 아래에 공개된 적정 수준)을 포함할 때, 특히 연신율과 결합된 항복 강도의 측면에서 매우 높은 기계적 물성에 도달할 수 있음을 발견했다. 이러한 적용들 중 일부에서 이러한 효과는 이 효과는 특히 고정 단계(또는 적어도 고정 단계의 일부)가 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 대로)에서 수행될 때 관련이 있다. 일부 적용의 경우, 고정 단계에서 높은 진공 수준의 적용을 포함하는 적절하게 설계된 분위기를 사용하는 것이 유리하다. 일부 적용의 경우, 매우 높은 기계적 특성, 특히 연신율과 결합된 항복 강도의 측면에서 고정 단계를 적용하기 전에 구성 요소의 금속 부분의 평균 조성이 %V의 올바른 수준을 구성할 때 도달할 수 있다. 일 실시 예에서, 부품의 금속 부분의 평균 조성은 고정 단계를 적용하기 전에 %V의 적정 레벨을 포함한다. 다른 실시 예들에서, %V의 적정 수준은 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.22wt% 초과, 그리고 심지어 0.32wt% 초과이다. 특정 적용의 경우, 원하는 효과를 얻으려면 %V의 내용을 특정 수준 이하로 유지해야 한다. 다른 실시 예들에서, %V의　적정 수준은 8.4wt% 미만, 3.9wt% 미만, 2.8wt% 미만, 2.4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 그리고 심지어 0.9wt% 미만이다. 일부 적용의 경우, 매우 높은 기계적 특성, 특히 연신율과 결합된 항복 강도의 측면에서 고정 단계를 적용하기 전에 구성 요소의 금속 부분의 평균 조성이 올바른 수준의 %Nb, %Ta 및/또는 %Ti를 포함할 때 도달할 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 구성요소의 금속 부분의 평균 조성은 고정 단계를 적용하기 전, 적정 수준의 %Nb, %Ta 및/또는 %Ti를 포함한다. 다른 실시 예들에서, %Nb, %Ta 및/또는 %Ti의 적정 수준은 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.22wt% 초과, 그리고 심지어 0.32wt% 초과이다. 특정 적용의 경우, 원하는 효과를 얻으려면 %Nb, %Ta 및/또는 %Ti의 올바른 수준을 특정 내용 아래로 유지해야　한다. 다른 실시 예들에서, %Nb, %Ta 및/또는 %Ti의 적정 수준은 8.4wt% 미만, 3.9wt% 미만, 2.8wt% 미만, 2.4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 그리고 심지어 0.9wt% 미만이다. 일부 적용의 경우, 매우 높은 기계적 특성, 특히 연신율과 결합된 항복 강도의 측면에서 고정 단계를 적용하기 전에 구성 요소의 금속 부분의 평균 조성이 %Mn의 적절한 수준을 포함할 때 도달할 수 있다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 금속 부품의 평균 구성은 고정 단계를 적용하기 전에 %Mn의 적절한 수준으로 구성된다. 다른 실시 예들에서, %Mn의 적정 수준은　0.12wt 초과, 0.32wt% 초과, 0.52wt% 초과, 그리고 심지어 1.2wt% 초과이다. 특정 적용의 경우, 원하는 효과를 얻으려면 %Mn의 올바른 수준을 특정 함량 이하로 유지해야 한다. 다른 실시 예들에서, %Mn의 적정 수준은 3.8wt% 미만, 2.8wt% 미만, 1.8wt% 미만, 그리고 심지어 0.8wt% 미만이다. 일부 적용의 경우, 매우 높은 기계적 특성, 특히 연신율과 결합된 항복 강도의 측면에서 고정 단계를 적용하기 전에 구성 요소의 금속 부분의 평균 조성이 %Al 및/또는 %Si의 적절한 수준을 포함할 때 도달할 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 구성요소의 금속 부분의 평균 조성은 고정 단계를 적용하기 전의 적정 수준의 %Si 및/또는 %Al을 포함한다. 다른 실시 예들에서, %Si 및/또는 %Al의 적정 수준은 0.003wt% 초과, 0.01wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.9wt% 초과, 1.2wt% 초과, 그리고 심지어 5.1wt% 초과이다. 특정 적용의 경우, 원하는 효과를 얻으려면 %Si 및/또는 %Al의 올바른 수준을 특정 함량 이하로 유지해야 한다. 다른 실시 예들에서, %Si 및/또는 %Al의 적정 수준은 14wt% 미만, 9wt% 미만, 4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 그리고 심지어0.8wt% 미만이다. 일부 적용의 경우, 매우 높은 기계적 특성, 특히 연신율과 결합된 항복 강도의 측면에서 고정 단계를 적용하기 전에 구성 요소의 금속 부분의 평균 조성이 %Moeq (%Moeq=%Mo+1/2*%W)의 적절한 수준을 포함할 때 도달할 수 있다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 금속 부품의 평균 구성은 고정 단계를 적용하기 전에 %Moeq의 적절한 수준으로 구성된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq의 적정 수준은　0.6wt 초과, 0.8wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.6wt% 초과, 2.1wt% 초과, 3.1wt% 초과, 4.1wt% 초과, 그리고 심지어 5.1wt% 초과이다. 특정 적용의 경우, 원하는 효과를 얻으려면 %Moeq의 올바른 수준을 특정 함량 미만로 유지해야 한다. 다른 실시 예들에서, %Moeq의 적정 수준은 19wt% 미만, 14wt% 미만, 9wt% 미만, 5.4wt% 미만, 그리고 심지어 3.9wt% 미만이다. 일부 적용의 경우, 매우 높은 기계적 특성, 특히 연신율과 결합된 항복 강도의 측면에서 고정 단계를 적용하기 전에 구성 요소의 금속 부분의 평균 조성이 %Cr의 적절한 수준을 포함할 때 도달할 수 있다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 금속 부품의 평균 구성은 고정 단계를 적용하기 전에 %Cr의 적절한 수준으로 구성된다. 다른 실시 예들에서, %Cr의 적정 수준은　0.6wt 초과, 1.1wt% 초과, 3.1wt% 초과, 4.1wt% 초과, 11.2wt% 초과, 그리고 심지어 16.2wt% 초과이다. 특정 적용의 경우, 원하는 효과를 얻으려면 %Cr의 올바른 수준을 특정 함량 미만로 유지해야 한다. 다른 실시 예들에서, %Cr의 적정 수준은 39wt% 미만, 28wt% 미만, 24wt% 미만, 18wt% 미만, 그리고 심지어 9wt% 미만이다. %Cr의　적정 수준이 심지어 4wt% 이하인 특정 적용의 경우도 있다. 일부 적용의 경우, 고정 단계를 적용하기 전에 구성 요소의 금속 부분의 평균 조성이 %V+%Mn+%Cr+%Moeq의 적절한 수준을 포함할 때, 특히 연신율과 결합된 항복 강도의 측면에서 매우 높은 기계적 특성에 도달할 수 있다. 일 실시 예에서, 요소의 금속 부분의 평균 조성은 고정 단계를 적용하기 전에 %V+%Mn+%Cr+%Moeq의 적정 수준으로 구성된다. 상기 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않다면, 어떠한 조합으로도 조합될 수 있다. 다른 실시 예들에서, %V+%Mn+%Cr+%Moeq의 적정 수준은　0.08wt% 초과, 1.6wt% 초과, 4.1wt% 초과, 6.1wt% 초과, 15.2wt% 초과, 그리고 심지어 5.6wt% 초과이다. 특정 적용의 경우, 원하는 효과를 얻으려면 %V+%Mn+%Cr+%Moeq의 올바른 수준을 특정 함량 이하로 유지해야 한다. 다른 실시 예들에서, %V+%Mn+%Cr+%Moeq의 적정 수준은 49wt% 미만, 34wt% 미만, 14wt% 미만, 6.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.8wt% 미만이다. 일부 적용의 경우, 고정 단계를 적용하기 전에 구성 요소의 금속 부분의 평균 조성이 %Nb+%Ta+%Ti+%Si+%Al의 적절한 수준을 포함할 때, 특히 연신율과 결합된 항복 강도의 측면에서 매우 높은 기계적 특성에 도달할 수 있다. 일 실시 예에서, 요소의 금속 부분의 평균 조성은 고정 단계를 적용하기 전에 %Nb+%Ta+%Ti+%Si+%Al의 적정 수준으로 구성된다. 상기 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않다면, 어떠한 조합으로도 조합될 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Nb+%Ta+%Ti+%Si+%Al의 적정 수준은　0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.31wt% 초과, 1.76wt% 초과, 그리고 심지어 5.6wt% 초과이다. 특정 적용의 경우, 원하는 효과를 얻으려면 %Nb+%Ta+%Ti+%Si+%Al의 올바른 수준을 특정 함량 이하로 유지해야 한다. 다른 실시 예들에서, %Nb+%Ta+%Ti+%Si+%Al의 적정 수준은 16wt% 미만, 6.4wt% 미만, 2.9wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.7wt% 미만이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 구성요소의 금속 부분의 평균 조성은 고정 단계를 적용하기 전에 %V 함량이 0.06wt% 초과 8.4wt% 미만이다.
본 발명자는 일부 용도의 경우, 고정 단계에서 적절한 온도를 사용하는 것이 특히 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 고정 단계는 적절한 온도를 인가하는 단계를 포함한다. 다른 실시 예들에서, 적정 온도는 220℃ 초과, 420℃ 초과, 610℃ 초과, 920 초과, 1020℃ 초과, 그리고 심지어 1120℃ 초과 온도를 의미한다. 일부 적용의 경우, 적절한 온도를 제어하고 특정 값 이하로 유지해야 한다. 다른 실시 예들에서, 적정 온도는 1490℃ 미만, 1440℃ 미만, 1398℃ 미만, 1348℃ 미만, 및 심지어 1295℃ 미만 온도를 의미한다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 고정 단계는 220℃ 초과 및 1490℃ 미만의 온도를 인가하는 단계를 포함한다.
본 발명자는 놀랍게도 일부 적용에서, 구성 요소의 금속 부분의 질소 함량을 적절한 수준으로 고정하는 것이 특히 구성 요소가 복잡한 기하학적 형상을 가지고 있고/또는 크기가 클 때 제조된 구성 요소에서 달성할 수 있는 기계적 성질의 향상에 큰 영향을 미친다는 것을 발견했 다(예를 들어,　이에 국한되지는 않으나, 본 문서에 공개된 방법으로 제조된 구성 요소 중 일부). 특히 일부 적용의 경우, 적절한 질소 함량을 가진 분말 또는 분말 혼합물에서 시작하여 적절한 수준의 질소가 달성될 때만 이러한 효과가 달성된다는 것은 놀라운 사실이다. 일부 적용의 경우, 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 설정하는 고정 단계를 포함하는 방법은 이 문서에서 이전에 정의한 "적절한 기하학적 설계 전략"과 함께 특히 유리하다. 일 실시 예에서, 구성요소의 금속 부분은 고정 단계를 적용한 후 적정 수준의 질소를 갖는다. 달리 명시되지 않는 한, 특징 "질소의 적정 수준"은 아래에 상세히 설명되는 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, 질소의 적정 수준은 0.01 ppm 이상, 0.06 ppm 이상, 1.2 ppm 이상, 심지어 5 ppm 이상이다. 모두 wt%로 표시된다. 일부 적용의 경우, 지나치게 높은 수준은 피해야 한다. 다른 실시 예들에서, 질소의 적정 수준은 99 ppm 미만, 49 ppm 미만, 19 ppm 미만, 9 ppm 미만, 4 ppm 미만, 심지어 0.9 ppm 미만이다. 모두 wt%로 표시된다. 본 문서의 다른 부분에 개시된 바와 같이, 일부 적용에서는 구성 요소의 금속 부분에 매우 높은 질소 함량이 존재하는 것이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, 질소의 적정 수준은 0.02wt% 이상, 0.2wt% 이상, 0.3wt% 이상, 0.4wt% 이상, 0.6wt% 이상, 0.91wt% 이상, 심지어 1.2wt% 이상이다. 특정 적용의 경우, 지나치게 높은 수준은 해롭다. 다른 실시 예들에서, 질소의 적정 수준은 3.9wt% 이하, 2.9wt% 이하, 1.9wt% 이하, 1.4wt% 이하, 심지어 0.89wt% 이하이다. 일 실시 예에서,　질소의 적정 수준은 구성 요소의 금속 부분에서 적정 수준의 질소를 의미한다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 일 실시 예에서, 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준은 0.01ppm 이상 99ppm 이하로 설정되어야 한다. 또는 예를 들어: 추가 실시 예에서, 상기 성분의 금속 부분의 질소 수준은 0.02wt%에서 3.9wt% 사이로 설정된다. 산소 함량과 관련하여, 발명자는 놀랍게도 구성 요소의 금속 부분의 산소 함량이 적절한 수준으로 고정될 때, 특히 매우 높은 기계적 특성과 결합된 높은 내마모성을 얻을 수 있을 때, 특히 인성과 항복 강도 측면에서, 제조된 구성 요소의 기계적 특성에서 좋은 타협에 도달할 수 있다는 것을 발견했다. 특히 일부 적용의 경우, 이러한 효과는 적절한 산소 함량(기존에 정의된 바와 같이)을 갖는 분말 또는 분말 혼합물로부터 출발하여 적절한 수준의 산소가 달성되어야만 달성된다는 것은 특히 놀라운 사실이다. 일부 적용에서는 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 제조된 구성 요소에서 도달할 수 있는 열 전도도에 영향을 미칠 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 구성요소의 금속 부분은 상기 고정 단계를 적용한 후 적정 수준의 산소를 갖는다. 달리 명시되지 않는 한, 특징 "산소의 적정 수준"은 아래에 자세히 설명되는 다른 대안들의 형태로 본 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 다른 실시 예들에서, 산소의 적정 수준은 0.02 ppm 초과, 0.2 ppm 초과, 1.2 ppm 초과, 6 ppm 초과, 그리고심지어 12 ppm 초과이다. 모두　wt%으로 표시된다. 일부 적용의 경우, 지나치게 높은 수준은 피해야 한다. 다른 실시 예들에서, 산소의 적정 수준은 390ppm 미만, 140ppm 미만, 90ppm 미만, 49ppm 미만, 19ppm 미만, 9ppm 미만, 그리고심지어 4ppm 미만이다. 모두　wt%으로 표시된다. 본 문서의 다른 부분에 개시된 바와 같이, 일부　적용에서는 구성 요소의 금속 부분 산소 함량이 매우 높은 것이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, 산소의 적정 수준은 260 ppm 이상, 520 ppm 이상, 1100 ppm 이상, 2500 ppm 이상, 4100 ppm 이상, 5200 ppm 이상, 그리고 심지어 8400 ppm 이상이다. 모두　wt%으로 표시된다. 특정 적용의 경우 지나치게 높은 수준은 해롭다. 다른 실시 예들에서, 산소의 적정 수준은 19000 ppm 이하, 14000 ppm 이하, 9000 ppm 이하, 7900 ppm 이하, 4800 ppm 이하, 그리고 심지어 900 ppm 이하이다. 모두　wt%으로 표시된다. 일 실시 예에서, 산소의 적정 수준은 구성 요소의 금속 부분에서 적정 산소 수준을 의미한다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 일 실시 예에서, 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준은 0.02 ppm 이상 390 ppm 이하로 설정된다; 예를 들어: 추가 실시 예에서, 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준은 260ppm과 19000ppm 사이에 설정된다; 또는 예를 들어: 추가 실시 예에서, 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준은 0.02 ppm 초과 390 ppm 미만로 설정되고, 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준은 0.01 ppm　초과 99 ppm　미만로 설정된다.
일부 적용의 경우, 고정 단계에서는 구성 요소의 금속 부분에 %NMVS 및/또는 %NMVC를 보존되도록 주의하여 고정한다. 일 실시 예에서, 상기 구성요소의 금속 부분은 상기 고정 단계를 적용한 후 적정 수준의 %NMVS (앞에서 정의한 %NMVS의 적절한 수준)를 갖는다. 일 실시 예에서, 상기 구성요소의 금속 부분은 상기 고정 단계를 적용한 후 적정 수준의 %NMVC(앞에서 정의한 %NMVC의 적정 수준)를 갖는다. 본 발명자는 특정 적용의 경우, 특히 적시에 적절한 온도의 분위기(앞에서 정의한 대로)로 구성된 %O2가 적어도 고정 단계의 일부에 적용될 경우 구성 요소의 금속 부분의 %NMVC 수준이 매우 관련될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 고정 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.4% 초과, 2.1% 초과, 4.2% 초과, 6% 초과, 11% 초과, 16% 초과, 그리고 심지어 22% 초과이다. 일부 적용의 경우, %NMVC는 일정 수준 이하로 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 고정 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서 %NMVC는 64% 미만, 49% 미만, 39% 미만, 14% 미만, 9% 이하, 그리고 심지어4% 미만이다. 대안적 일 실시 예에서,　위에 공개된 %NMVC 레벨은 적정한 시간 동안 적절한 온도에서 대기를 구성하는 %O2가 제거될 때 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVC 레벨을 참조한다. 종종 이 방법을 중단하여 구성 요소의 금속 부분에서 %NMVS 및/또는 %NMVC를 측정하고 레벨이 필요한 수준인지 확인할 수 있다.
본 발명자는 일부 적용의 경우, 고정 단계를 적용한 후 가공 단계를 적용하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 상기 고정 단계를 적용한 후 얻어진 부품에 가공을 적용하는 단계를 더 포함한다.
발명자는 일부 적용의 경우, 더 큰 구성 요소를 만들기 위해 추가 단계를 적용하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 이 방법은 연결 단계를 적용하기 전에 서로 다른 부품들을 접합하여 더 큰 구성요소(기존에 정의된 바와 같이)를 만드는 단계를 더 포함한다.
일부 실시 예들에서, 획득된 구성요소는 그 후　압밀 처리를 받는다. 압밀 방법을 적용하는 단계를 압밀 단계라고도 한다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계에서 적용되는 압밀 방법은 소결을 적용하는 단계를 포함한다. 일부 실시 예에서 사용되는 소결 기술은 스파크 플라즈마 소결이다(이것은 또한 소결을 참조할 때 문서 전체에 적용될 수 있다). 일부 특정 실시 예에서,　압밀 단계는 "사이클 중에 압력이 강하게 변화하여 두 개의 다른 순간에 적어도 두 개의 고압 주기를 나타내는 고압, 고온 사이클"의 적용으로 구성되어 있다(본 문서에 정의된 대로). 일부 적용의 경우, 상기 포밍 단계에서 채용되는 AM 방법이 고분자 및/또는 바인더 등의 유기물 사용을 포함하는 경우, 상기 압밀 단계는 상기 유기물의 적어도 일부를 제거하기 위한 디바인딩 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시 예에서, 상기 유기물의 제거의 적어도 일부는 상기 압밀 단계에서 이루어진다. 일부 적용의 경우, 디바인딩 단계 및 압밀 단계는 동시에 또는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 디바인딩 및 압밀 단계는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행된다. 일 실시 예에서, 상기　디바인딩 및 상기 압밀 단계는 동시에 수행된다. 일부 실시 예에서, 상기 압밀 단계에서 적용되는 압밀 처리는 디바인딩 및 소결을 포함한다. 심지어, 일부 특정 실시 예에서,　압밀 단계는 매우 단순화되고 디바인딩 단계로 축소될 수 있다.
앞서 개시한 바와 같이,　발명자는 일부 적용의 경우 고정 단계와 압밀 단계를 동시에 또는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 고정 단계와 상기 압밀 단계는 동일한 용해로 또는 압력용기 내에서 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 고정 단계와 상기 압밀 단계는 동시에 수행된다 (이하, 상기 결합 단계라 한다). 일 실시 예에서, 고정 단계와 압밀 단계를 동시에 수행할 경우, 고정 단계를 적용한 후 구성 요소 금속 부분의 %NMVS, 고정 단계 적용 후 구성 요소 금속 부분의 %NMVC, 고정 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도, 고정 단계를 적용한 후 구성 요소 금속 부분의 산소 적정 수준과 고정 단계(기존에 정의된 바와 같이)를 적용한 후 구성요소 금속 부분에 있는 질소 적정 수준은 결합된 단계의 어느 시점에 도달한다. 일부 적용의 경우, 다른 방법 단계(예로, 그러나 이에 한정되지는 않은, 제본 단계 및/또는 밀도화 단계)가 고정 단계 및/또는 압밀 단계와 동시에 수행되는 경우, 결합 단계에 대해 개시된 상기 내용은 다른 실시 예로도 확장될 수 있다; 이러한 실시 예에서,　고정 단계 적용 후 구성 요소 금속 부분의 %NMVS, 고정 단계 적용 후 구성 요소 금속 부분의 %NMVC, 고정 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도와 고정 단계(기존에 정의된 바와 같이)를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에 있는 질소 적정 수준은 해당 결합된 단계의 어느 지점에서 도달한다.
일부 적용의 경우, 용해로 또는 압력 용기에서 사용되는 분위기는 압밀 단계가 수행되는 것과 관련이 있다. 이에, 일부 실시 예에서는, 제조된 부품의 바람직한 성능을 얻기 위해서는 압밀 단계에서 분위기를 올바르게 선택하는 것이 중요하다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계는 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 바와 같이)에서 이루어진다. 일 실시 예에서, 압밀 단계는 적절하게 설계된 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 특정 적용의 경우, 압밀 단계에서 사용되는 분위기를 변경하는 것이 유리하다. 이에 국한되지는 않으나, 예를 들어, 압밀 단계의 일부에서만 적절하게 설계된 대기 사용 및/또는 압밀 단계에서 적절하게 설계된 최소 두 개의 다른 대기 사용이 있다. 일 실시 예에서, 적절하게 설계된 분위기는 압밀 단계의 적어도 일부를 수행하기 위해 사용된다. 따라서,　본 문서에 개시된 적절하게 설계된 분위기와 관련된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않다면, 어떠한 조합에서도 압밀 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계는 적어도 2개의 상이한 분위기의 사용을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기　압밀 단계는 적어도 3개의 상이한 분위기의 사용을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 압밀 단계는 적어도 4개의 상이한 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 특정 적용의 경우, 상기 압밀 단계에서, 상기 성분 표면(기존에 정의된 바와 같이)의　카본 포텐셜과 관련하여, 용광로 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기를 이용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서,　상기 압밀 단계는 상기 성분 표면의 카본 포텐셜에 대한 용광로의 적절한 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기를 사용하는 단계를 포함한다(기존에 정의된 바와 같이). 이에, 본 문서에 개시된 구성 요소 표면의 카본 포텐셜에 관련하여 용광로의 적절한 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기와 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 압밀 단계와 결합될 수 있다. 특정 적용의 경우,　상기 압밀 단계를 적용한 후, 상기 성분(기존에 정의된 바와 같이)의 금속부 내 탄소 함량에 대하여 용광로의 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기의 올바른 카본 포텐셜을 사용하는 것이 바람직하다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계는 상기 압밀 단계를 적용한 후, 상기 성분(기존에 정의된 바와 같이)의 금속 부분에 탄소 함량에 대한 용광로의 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기를 이용하는 것을 포함한다. 상기 응고 단계를 적용한 후, 성분의 금속 부분에서의 카본 포텐셜에 대한 용광로 또는 압력 용기 분위기의 카본 포텐셜은 [(압밀 단계 적용 후 구성부품의 금속 부분의 탄소 함량 - 용해로 또는 압력 용기 분위기의 카본 포텐셜)　/　용해로 또는 압력 용기 분위기의 카본 포텐셜 ]*100의 절대값으로 정의된다. 따라서, 본 문서에 개시된 구성 요소의 금속 부분에 포함된 탄소 함량과 관련하여 용광로의 올바른 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기와 관련된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 압밀 단계와 결합될 수 있다. 특정 적용에서는 적절한 질화 분위기(기존에 정의된 바와 같이)를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계는 적절한 질화 분위기(기존에 정의된 바와 같이)의 사용을 포함한다. 따라서, 본 문서에 개시된 적절한 질화 분위기와 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않다면 압밀 단계와 결합될 수 있다. 발명가는 일부 적용의 경우, 고질화 온도(앞에서 정의한 대로)를 과압(앞에서 정의한 대로) 및/또는 특정 진공(앞에서 정의한 대로)의 적용과 함께 적용하는 것으로 구성된 적절한 질화 분위기(앞에서 정의한 대로)를 사용하는 것이 특히 유리하다는 것을 발견했다. 본 발명자는 일부 적용의 경우, 특히 높은 질화 온도를 가하는 것을 포함하는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 상기 적용 단계에서 과압 및/또는 특정 진공(기존에 정의된 바와 같이)의 적용과 함께 사용하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 일부 적용의 경우, 보다 관련성이 높은 것은 압밀 단계를 적용한 후, 구성 요소 표면의 질소 중량 백분율이다. 분말의 주어진 조성에 대하여, 당업자는 온도, 질화 포텐셜 및 기타 관련 변수들의 선택 방법을 알고 있으므로, 시뮬레이션에 따르면, 압밀 단계를 적용한 후 표면의 질소 중량 백분율(%N)이 올바른 질소 함량이다(이전에 정의된 대로). 일 실시 예에서, 시뮬레이션은ThermoCal (버전 2020b)로 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계를 적용한 후, 표면의 질소 중량 퍼센트는 적절한 질소 함량이다(기존에 정의된 바와 같이). 따라서, 본 문서에 개시된 올바른 질소 함량과 관련된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 압밀 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계는 적정한 시간(기존에 정의된 바와 같이) 동안 적정한 온도의 분위기를 포함하는 %O2를 사용하는 것을 포함한다. 따라서, 본 문서에 개시된 적정한 시간 동안 적정한 온도에서의 분위기를 포함하는 %O2에 관한 일 실시 예는 상호 배타적이지 않다면, 어떠한 조합으로도 압밀 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계는 높은 진공 수준 (기존에 정의된 바와 같이)의 적용을 포함한다. 이에, 본 문서에 개시된 고진공 레벨과 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않다면, 어떠한 조합에서도 압밀 단계와 결합될 수 있다. 전체적으로 설명한 바와 같이, 일부 적용의 경우, 어떤 경우에는 높은 밀도와 심지어 전체 밀도(최대 이론 밀도)로 이어질 수 있는 진공의 적용을 포함하는 적절하게 설계된 분위기를 사용하는 것이 바람직하다. 일부 적용의 경우, 압밀 단계에서 높은 진공 수준(기존에 정의된)을 적용하는 것으로 구성된 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된)를 사용하는 것이 유리하다. 이와 관련하여, 본 문서에 개시된 고진공 수준에 관한 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 압밀 단계와 결합될 수 있다.
일부 적용의 경우, 압력 하에서 압밀 단계를 수행하는 것이 매우 높은 밀도와, 심지어 최대 밀도(최대 이론 밀도)를 달성하는 데 도움이 될 수 있다는 것이 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 압력은 적어도1 mbar, 적어도 10 mbar, 적어도 0.1 bar, 적어도 1.6 bar, 적어도 10.1 bar, 적어도 21 bar, 그리고 심지어 적어도 61 bar이다. 일부 적용의 경우, 압밀 단계의 압력이 특정 값 이하로 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 압력은 4900 bar 보다 낮고, 790 bar 보다 낮고, 89 bar 보다 낮고, 8 bar 보다 낮고, 1.4 bar 보다 낮고, 그리고 심지어 800mbar 보다 낮다. 본 발명자는 일부 적용의 경우, 압밀 단계가 대기압 하의 압력에서 유리하게 수행된다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계의 압력은 압밀 단계에서 가해지는 최대 압력을 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계에서의 압력은 압밀 단계에서 가해지는 평균 압력을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 평균 압력은 "임계 시간"(기존에 정의된 바와 같이)보다 적게 유지되는 압력을 제외하고 계산된다.
일부 적용의 경우, 압밀 단계에서 적용되는 온도를 올바르게 선택하는 것이 중요하다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 온도는 0.36*Tm 이상, 0.46*Tm 이상, 0.54*Tm 이상, 0.66*Tm 이상으로, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 일부 적용에서는, 더 높은 온도가 선호된다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 온도는 0.72*Tm 이상, 0.76*Tm 이상,그리고 심지어0.89*Tm 이상이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 일부 적용의 경우, 의외로 압밀 단계에서의 온도를 다소 낮게 유지하는 것이 유리하다는 것이 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 온도는 0.96*Tm 이하, 0.88*Tm 이하, 0.78*Tm 이하, 0.68*Tm 이하, 그리고 심지어 0.63*Tm 이하이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 대안적 일 실시 예에서,　Tm은 임계 분말인 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다(기존에 정의된 바와 같다). 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 관련 분말인 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다(기존에 정의된 바와 같다). 추가 대안적 실시 예에서,　Tm은 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 가중치는 부피 분율)을 포함하는 금속의 평균 용해 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물(기존에 정의된 바와 같이)의 용해 온도를 의미한다. 일부 적용의 온도 금속 분말을 하나만 사용하는 경우, Tm은 금속 분말의 용해 온도이다. 이러한 맥락에서, 위에 공개된 온도는 켈빈 단위이다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계의 온도는 압밀 단계의 최대 온도를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계의 온도는 압밀 단계의 평균 온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서,　평균 온도는 "임계 시간" (기존에 정의된 바와 같이) 이하로 유지되는 온도를 제외하고 계산된다.
일부 적용의 경우, 압밀 단계에서 이는 허용될 수 있으며,　심지어 압밀 단계에서 특정 액체상의 존재도 유리하다. 이러한 경우, 압밀 단계에서 심지어 더 높은 온도를 적용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 온도는 0.96*Tm 이상, Tm 또는 그 이상, 1.02*Tm 이상, 1.06*Tm 이상, 1.12*Tm 이상, 1.25*Tm 이상, 그리고 심지어 1.3*Tm이상이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 일부 적용의 경우, 과열 조건으로 압밀 단계의 온도를 정의하는 것이 좋다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 온도는 Tm+1 이상, Tm 또는 그 이상, Tm+11 이상, Tm+22이상, Tm+51 이상, Tm+105 이상, Tm+205 이상, 그리고 심지어 Tm+405이상이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 일부 적용의 경우, 상기 압밀 단계에서의 온도는 일정 값 이하로 유지하는 것이 유리하다는 것이 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 온도는 1.9*Tm 이하, 1.49*Tm 이하, 1.29*Tm 이하, 그리고 심지어 1.19*Tm이하이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 다른 실시 예들에서, 상기 압밀 단계의 온도는 Tm+890 이하, Tm+450 이하, Tm+290 이하, Tm+190 이하, 그리고 심지어Tm+90이하이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 대안적 일 실시 예에서,　Tm은 임계 분말(기존에 정의된 바와 같다)인 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융해 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서,　Tm은 관련 분말(기존에 정의된 바와 같다)인 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서,　Tm은 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 가중치는 부피 분율)을 포함하는 금속의 평균 용해 온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물(기존에 정의된 바와 같이)의 용융 온도를 의미한다. 일부 적용의 경우, 금속 분말을 하나만 사용하는 경우, Tm은 금속 분말의 용해 온도이다. 이러한 맥락에서, 위에 공개된 온도는 켈빈 단위이다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계의 온도는 압밀 단계의 최대 온도를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계의 온도는 압밀 단계의 평균 온도를 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서,　평균 온도는 "임계 시간" (기존에 정의된 바와 같이) 이하로 유지되는 온도를 제외하고 계산된다. 이러한 적용들의 경우, 더 관련이 있는 것은 액체상의 비율이다. 다른 실시 예들에서, 압밀 단계 중 최대 액체상은 0.2vol% 초과, 1.2vol% 초과, 3.6vol% 초과, 6vol% 초과, 11vol% 초과, 심지어 21vol% 초과이다. 일부 적용의 경우, 특히 특정 액체상의 존재가 선호될 때,　형성된 액체상은 특정 값 이하로 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서,　압밀 단계 중 액체상은 39vol% 미만, 29vol% 미만, 19vol% 미만, 9vol% 미만, 그리고 심지어 4vol% 미만로 유지된다.
발명자는 일부 적용의 경우, 앞서 정의한 "고밀도로의 압밀" 처리를 사용하는 것도 유리할 수 있다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 압밀 단계는 "고밀도로의 압밀"을 적용하는 것으로 구성된다(앞서 정의한 대로).
일부 적용의 경우, 압밀 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준은 기계적 성질과 관련이 있다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 금속 부분은 압밀 단계를 적용한 후 적절한 수준의 산소를 가지며, 이때 적절한 수준의 산소는 앞서 정의한 바와 같다. 일 실시 예에서,　구성 요소의 금속 부분은 압밀 단계를 적용한 후 적절한 수준의 질소를 갖고, 이때 적절한 수준의 질소는 앞서 정의한 바와 같다.
일부 적용의 경우, 특히 압밀 단계를 적용한 후 특정 겉보기 밀도를 달성하는 것이 유리하다. 다른 실시 예들에서, 상기　압밀 단계를 적용한 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81%보다 높고, 86%보다 높으며, 91%보다 높으며, 94.2%보다 높으며, 96.4%보다 높으며, 99.4%보다 높으며, 그리고 심지어 전체 밀도이다. 놀랍게도, 일부　적용의 경우, 지나치게 높은 겉보기 밀도가 해로울 수 있다는 것이 발견되었다. 다른 실시 예에서, 상기 압밀 단계를 적용한 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도는 99.8% 보다 낮고, 99.6% 보다 낮고, 99.4% 보다 낮고, 98.9% 보다 낮고, 97.4% 보다 낮고, 93.9% 보다 낮고, 그리고 심지어 89% 보다 낮다. 특정 적용의 경우, 보다 관련성이 높은 것은　압밀 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 외관 밀도 증가 비율이다. 이때 증가율은 [(압밀 단계 적용 후 겉보기 밀도 - 성형 단계 적용 후 겉보기 밀도) / 압밀 단계 적용 후 겉보기 밀도]*100의 절대값으로 정의된다. 일 실시 예에서, 겉보기 밀도는 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도를 의미한다. 다른 실시 예에서, 상기 압밀 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율은 29% 미만, 19% 미만, 14% 미만, 9% 미만, 4% 미만, 2% 미만, 그리고 심지어 0.9% 미만이다. 발명자는 일부　적용의 경우, 외관 밀도의 일정 증가가 선호된다는 것을 발견했다. 다른 실시 예에서, 상기 압밀 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율은 6% 초과, 11% 초과, 16% 초과, 22% 초과, 32% 초과, 그리고 심지어 42% 초과이다. 이러한 일부 적용의 경우, 압밀 단계를 적용한 후 구성요소의 금속 부분의 외관 밀도 증가율은 일정 값 이하로 유지되어야 한다. 다른 실시 예에서, 상기 압밀 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율은 69% 이하, 59% 이하, 49% 이하, 심지어 34% 이하이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계를 적용한 후 상기 구성요소의 금속 부분의 외관 밀도 증가율은 6% 초과 69% 미만이다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 개시된 겉보기 밀도의 증가 비율의 값은 압밀 단계의 어느 시점에 도달한다. 추가 대안적 실시 예에서, 상기 개시된 외관 밀도의 증가율 값은 밀도화 단계를 적용한 후에 도달한다.
일부 적용의 경우, 압밀 단계를 적용한 후 특정 %NMVS를 달성하는 것이 특히 유리하다. 본 발명자는 일부 적용의 경우, 압밀 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분(기존에 정의된 대로)에서 %NMVS가 적절히 제어되어야 한다는 사실을 발견했다. 다른 실시 예들에서,　압밀 단계 적용 후 구성 요소의 금속 부분 내 %NMVS는 39% 미만, 24% 미만, 14% 미만, 9% 미만, 4% 미만, 그리고 심지어 2% 미만이다. 일부 적용의 경우, 낮은 값이 선호되며 값이 없을 수도 있다(%NMVS=0). 반면, 일부　적용은 특정 %NMVS의 존재로부터 이익을 얻는다. 다른 실시 예들에서,　상기 압밀 단계를 적용한 후의 성분의 금속 면적에서 %NMVS는 0.02% 초과, 0.06% 초과, 0.2% 초과, 0.6% 초과, 1.1% 초과, 그리고 심지어 3.1% 초과이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계를 적용한 후, 구성 성분의 금속 부분에서의 %NMVS는 0.02% 초과 39% 미만이다. 대안적 일 실시 예에서, 상기 개시된 %NMVS 값은 압밀 단계의 어느 지점에서 도달한다. 　추가 대안적 실시 예에서, 상기 치밀화 단계를 적용한 후, 상기 개시된 %NMVS의 값에 도달한다. 일부 적용의 경우, 압밀 단계 적용 후 NMVS 감소율이 더 중요하다. 이와 관련하여,　압밀 단계 적용 후 부품의 금속 부분에서의 NMVS 감소율 = [(압밀 단계 적용 후 구성요소의 총 %NMVT * 압밀 단계 적용 후 구성 요소 내 %NMVS) / (성형 단계 적용 후 구성 요소의 총 %NMVT * 성형 단계 적용 후 구성 요소의 %NMVS)]*100이다. 이때 구성 요소의 총 %NMVT = 100% - 겉보기 밀도(이때 겉보기 밀도 백분율이다). 일 실시 예에서, 구성 요소의 %NMVT는 구성 요소의 금속 부분에서의 %NMVT를 나타낸다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 %NMVS는 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVS를 나타낸다. 다른 실시 예에서, 상기 압밀 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 0.12% 초과, 0.6% 초과, 2.1% 초과, 6% 초과, 11% 초과, 26% 초과, 51% 초과, 81% 초과, 그리고 심지어 96% 초과이다. 본 발명자는 일부　적용의 경우, 압밀 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서 NMVS가 감소되는 비율과 성형 단계에서 채용된 AM 공정 온도(기존에 정의된 바와 같이) 사이에는 특정 관계가 있음을 발견했다. 다른 실시 예에서,　성형 단계에서 사용되는 AM 공정 온도가 기준 온도 이하일 때, 압밀 단계 적용 후 구성 요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 비율은 2.1% 초과, 6% 초과, 11% 초과, 26% 초과, 51% 초과, 81% 초과, 그리고 심지어 96% 초과이다. 상기 포밍 단계에서 채용된 AM 공정 온도(앞서 정의한 바와 같이)가 기준 온도(앞서 정의한 바와 같이) 이하일 때, 상기 압밀 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분에서 NMVS의 감소 비율에 대하여 개시된 것은 유기물 사용을 포함하는 AM 방법에도 적용될 수 있다. 앞서 개시된 바와 같이, 일부 적용의 경우, AM 공정 온도가 기준 온도(기존에 정의된 바와 같다)와 같거나 그 이상인 것이 바람직하다. 다른 실시 예에서,　상기 포밍 단계에서 채용된 AM 공정 온도가 기준 온도 이상일 때, 상기 압밀 단계를 적용한 후 상기 구성 요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 비율은 0.12% 초과, 0.6% 초과, 2.1% 초과, 6% 초과, 11% 초과, 51% 초과, 그리고 심지어 81% 초과이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 일 실시 예에서, 압밀 단계 적용 후 구성 요소 금속 부분에서의 NMVS 감소율은 0.12% 초과이다; 또는 예를 들어, 추가 실시 예에서, AM 방법에 사용되는 최대 온도는 0.36*Tm 이상이며, 이때 Tm은 분말 혼합물 중 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 융해 온도이며, 상기 압밀 단계를 적용한 후 구성 요소 금속 부분에서의 NMVS의 감소율이 0.12% 이상이다; 또는 예를 들어: 추가 실시 예에서, AM 방법에 사용되는 평균 성형 온도는 0.64*Tm 이하이며, 이때 Tm은 분말 혼합물 중 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 융해 온도로, 상기 압밀 단계를 적용한 후 상기 성분의 금속 부분에서 NMVS의 감소율이 2.1% 초과이다. 대안적 일 실시 예에서,　위에 개시된 감소율은 압밀 단계의 어느 시점에서 도달한다. 추가 대안적 실시 예에서, 상기 개시된 NMVS의 감소율은 밀도화 단계를 적용한 후 도달한다.
일부 적용의 경우, 압밀 단계를 적용한 후 특정 %NMVC를 달성하는 것이 특히 유리하다. 발명자는 일부　적용의 경우, 압밀 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVC(앞에서 정의한 %NMVC)를 적절히 제어해야 한다는 사실을 발견했다. 다른 실시 예에서,　상기 압밀 단계를 적용한 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 9% 미만, 4% 미만, 0.9% 미만, 0.4% 미만, 심지어 0.09% 미만이다. 일부 적용의 경우, 낮은 값이 선호되고 값이 없는 경우도 있다(%NMVC=0). 반면, 일부　적용의 경우, 압밀 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에 특정 %NMVC가 있으면 이점을 얻을 수 있다. 다른 실시 예들에서,　 상기 압밀 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분에서의 %NMVC는 0.002% 초과, 0.006% 초과, 0.02% 초과, 0.6% 초과, 1.1% 초과, 그리고 심지어 3.1% 초과이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계를 적용한 후, 구성 성분의 금속 부분에서의 %NMVC는 0.002% 초과 9% 미만이다. 대안적 일 실시 예에서,　상기 개시된 %NMVC의 값은 압밀 단계의 어느 지점에서 도달한다. 추가 대안적 실시 예에서, 상기 치밀화 단계를 적용한 후, 상기 개시된 %NMVC의 값은 도달한다.
발명자는 일부 적용의 경우, 압밀 단계를 적용한 후 기계 가공을 적용하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 상기 압밀 단계를 적용한 후 얻어진 부품에 기계 가공을 적용하는 단계를 더 포함한다.
발명자는 일부 적용의 경우, 압밀 단계를 적용한 후 더 큰 구성 요소를 만들기 위해 추가 단계를 적용하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 이 방법은 밀도화 단계를 적용하기 전에　더 큰 구성요소 (기존에 정의된 바와 같이)를 만들기 위해 서로 다른 부품을 접합하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시 예에서, 상기 구성요소는 고온 및/또는 고압의 적용을 포함하는 밀도화 단계를 거칠 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계에서 얻어진 성분은 고온, 고압 처리를 더 받게 된다. 고온, 고압 처리를 하는 단계도 본 방법 전반에 걸쳐 밀도화 단계로서 언급된다. 일 실시 예에서, 방법은 다음과 같은 단계를 포함한다: - 분말 또는 분말 혼합물을 제공한다; - 구성 요소를 형성하기 위해 첨가제 제조 방법(AM)을 적용한다; - 선택적으로, 압력 및/또는 온도 처리 적용; - 디바인딩 적용; - 선택적으로, 압력 및/또는 온도 처리 적용; - 구성 요소의 금속 부품의 질소 및/또는 산소 수준 설정; - 압밀 처리 적용; 그리고 - 고온 고압 처리 적용한다.
일 실시 예에서, 상기 고정 단계는 상기 압밀 단계 및 상기 치밀화 단계와 동시에 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 고정 단계, 압밀 단계 및 치밀화 단계는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계는 상기 밀도화 단계와 동시에 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 압밀 단계 및 치밀화 단계는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행된다. 일부 적용의 경우, 압밀 단계는 압밀 단계는 선택 사항이므로 피할 수 있다. 일 실시 예에서, 압밀 단계는 생략된다. 일 실시 예에서, 상기 치밀화 단계는 상기 압밀 단계 대신 적용된다. 본 발명자는 본 문서에서 이전에 정의한 바와 같이 압력을 균일하게 가하면 일부 적용이 이점을 얻을 수 있다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서 밀도화 단계는 "동일한 방식으로 압력을 가하기 위해 개발된 전략"을 적용하는 것을 포함한다. 본 발명자는 또한 일부 적용의 경우 마이크로파를 이용하여 가열의 적어도 일부를 수행하는 것이 특히 유리하다. 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 "고온 가열"을 적용하는 단계를 포함한다(이전에 정의된 바와 같이). 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 압력을 가하기 전에 높은 진공 수준에서 진공의 적용을 포함한다. 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 열간 정수압 소결법(HIP)의 적용을 포함한다. 추가 실시 예에서,　상기 밀도화 단계는 열간 정수압 소결법(HIP)이다. 또는, 일부 적용의 경우, 밀도화 단계에서 다른 밀도화 방법이 적용될 수 있다. 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 "주기 동안 압력이 강하게 변화하여 두 개의 서로 다른 순간에 적어도 두 개의 고압 주기를 나타내는 고압, 고온 사이클"(본 문서에 정의됨)의 적용을 포함한다. 일 실시 예에서, 이 사이클과 밀도화 단계는 동시에 수행된다. 일 실시 예에서, 이러한 사이클과 압밀 단계는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행된다. 일 실시 예에서, 이 사이클, 압밀 단계 및 치밀화 단계가 동시에 수행된다. 일 실시 예에서, 이 사이클, 압밀 단계 및 치밀화 단계는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행된다. 일 실시 예에서, 이런 사이클과 치밀화 단계는 동시에 수행된다. 일 실시 예에서, 본 사이클, 압밀 단계 및 치밀화 단계는 동시에 수행된다. 본 발명자는 일부　적용의 경우, 밀도화 단계에서 충분히 빠른 냉각(이 문서에 정의된 대로)을 적용하는 것이 유리하다는 것을 발견했다. 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 충분히 빠른 냉각을 포함한다. 따라서,　본 문서에 개시된 충분히 빠른 냉각과 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합의 밀도화 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 충분히 빠른 냉각과 치밀화 단계는 동시에 수행된다. 일 실시 예에서, 충분히 빠른 냉각, 압밀 단계 및 치밀화 단계는 동시에 수행된다.
일 실시 예에서, 높은 온도, 높은 압력의 처리를 한 번 이상 적용하는 방법 단계를 포함한다. 일 실시 예에서는, 적어도 2개의 고온, 고압 처리가 적용된다. 추가 실시 예에서, 적어도 3개의 고온, 고압 처리가 적용된다.
일부 적용의 경우, 밀도화 단계가 수행되는 용해로 또는 압력 용기에서 사용되는 분위기는 관련이 있다. 따라서, 일부 실시 예에서, 제조된 부품의 바람직한 성능을 달성하기 위해서는 밀도화 단계에서 분위기를 올바르게 선택하는 것이 중요하다. 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 바와 같이)를 사용하는 것을 포함한다. 특정 적용의 경우, 밀도화 단계에서 사용되는 분위기를 변경하는 것이 유리하다(예를 들어, 이에 국한되지 않지만, 밀도화 단계의 일부에서만 적절하게 설계된 대기의 사용 및/또는 밀도화 단계에서 적절하게 설계된 최소 2개의 다른 대기의 사용). 일 실시 예에서, 밀도화 단계의 적어도 일부를 수행하기 위해 적절하게 설계된 분위기가 사용된다. 따라서, 본 문서에 개시된 적절하게 설계된 분위기와 관련된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 밀도화 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 밀도화 단계는 적어도 2개의 다른 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 밀도화 단계는 적어도 3개의 다른 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 추가 실시 예에서, 상기 밀도화 단계는 적어도 4개의 다른 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 특정 적용의 경우, 치밀화 단계에서　구성 요소 표면의 카본 포텐셜(기존에 정의된 바와 같이)에 대한 용해로 또는 압력 용기 대기의 올바른 카본 포텐셜을 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 구성 요소 표면의 카본 포텐셜(기존에 정의된 바와 같이)과 관련하여 용해로 또는 압력 용기 대기의 올바른 카본 포텐셜을 사용하는 단계를 포함한다. 따라서, 본 문서에 개시된 구성 요소 표면의 카본 포텐셜과 관련하여 노의 올바른 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기와 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 치밀화 단계와 결합될 수 있다. 특정 적용의 경우, 상기 밀도화 단계를 적용한 후, 상기 성분(기존에 정의된 바와 같이)의 금속부 내 탄소 함량에 대하여 용해로의 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기를 이용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 치밀화 단계는 상기 치밀화 단계를 적용한 후, 상기 성분(기존에 정의된 바와 같이)의 금속부 내 탄소 함량에 대한 용해로의 올바른 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기의 사용을 포함한다. 치밀화 단계 적용 후 구성부품의 금속부 내 탄소 함량에 대한 용해로 또는 압력용기 분위기의 탄소 전위는 [(치밀화 단계 적용 후 구성부품의 금속부 탄소함유량 - 용해로 또는 압력용기 분위기의 카본 포텐셜) / 용해로 또는 압력용기 분위기의 카본 포텐셜]*100의 절대값으로 정의된다. 따라서, 상기 치밀화 단계는 본 문서에 개시된 성분의 금속 부분에서의 탄소 함량과 관련하여 용해로의 몰바른 카본 포텐셜 또는 압력 용기 분위기와 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 조합될 수 있다. 특정 적용의 경우, 밀도화 단계에서 올바른 질화 분위기(기존에 정의된 바와 같이)를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것을 포함한다. 따라서, 본 문서에 개시된 올바른 질화 분위기와 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 치밀화 단계와 조합될 수 있다. 본 발명자는 일부 적용의 경우, 치밀화 단계에서 과압 및/또는 특정 진공(기존에 정의된 바와 같이)의 적용과 함께 높은 질화 온도를 적용하는 것을 포함하는 올바른 질화 분위기를 사용하는 것이 특히 유리하다. 일부 적용의 경우, 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소 표면에서의 질소 중량 백분율이 더 관련이 있다. 분말의 주어진 조성에 대하여, 당업자는 온도, 질화 포텐셜 및 기타 관련 변수들의 선택 방법을 알고 있으므로, 시뮬레이션에 따르면,　밀도화 단계를 적용한 후 표면에서 질소의 중량 백분율(%N)이 올바른 질소 함량이다(이전에 정의된 대로). 일 실시 예에서, 시뮬레이션은 ThermoCal (버전 2020b)로 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 치밀화 단계를 적용한 후의 표면에서의 질소의 중량 퍼센트는 적절한 질소 함량(기존에 정의된 바와 같이)이다. 따라서, 본 문서에 개시된 올바른 질소 함량과 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 치밀화 단계와 결합될 수 있다. 특정 적용의 경우, 밀도화 단계에서 적절한 시간(기존에 정의된 대로) 적절한 온도의 대기로 구성된 %O2를 사용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 밀도화 단계는 적절한 시간에 적절한 온도의 대기로 구성된 %O2를 사용하는 것으로 구성된다. 따라서, 본 문서에 개시된 적정한 시간 동안 적절한 온도의 대기를 포함하는 %O2와 관련된 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 치밀화 단계와 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 치밀화 단계에서 사용되는 분위기는 높은 진공 레벨(기존에 정의된 바와 같이)을 적용하는 것을 포함한다. 따라서, 본 문서에 개시된 고진공 수준에 관한 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 치밀화 단계와 결합될 수 있다. 일부 적용의 경우, 밀도화 단계에서 높은 진공 수준(기존에 정의된 대로)의 적용을 포함하는 적절하게 설계된 분위기(기존에 정의된 대로)를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 관련하여, 본 문서에 개시된 고진공 수준에 관한 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 치밀화 단계와 결합될 수 있다.
일부 적용의 경우, 밀도화 단계에서 적용되는 압력을 올바르게 선택하는 것이 중요하다. 다른 실시 예들에서,　고온, 고압 처리에서의 압력은 160 bar 이상, 320 bar 이상, 560 bar 이상, 1050 bar 이상, 그리고 심지어 1550 bar 이상이다. 일부 적용의 경우, 밀도화 단계의 압력은 특정 값 이하로 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서,　고온, 고압 처리의 압력은 4900 bar 보다 낮고, 2800 bar 보다 낮고, 2200 bar 보다 낮고, 1800 bar 보다 낮고, 1400 bar 보다 낮고, 900 bar 보다 낮고, 그리고 심지어 490 bar 보다 낮다. 일 실시 예로, 고온 고압 처리는 고온 고압 처리 시 가해지는 최대 압력을 말한다. 대안적 일 실시 예에서, 고온 고압 처리에서의 압력은 고온 고압 처리에서의 압력에 가해지는 평균 압력을 의미한다. 일부 적용의 경우, 밀도화 단계에서 적용되는 온도를 올바르게 선택하는 것이 중요하다. 다른 실시 예들에서,　고온 고압 처리에서의 온도는0.45*Tm 이상, 0.55*Tm 이상, 0.65*Tm 이상, 0.70*Tm 이상, 0.75*Tm 이상, 0.8*Tm 이상, 그리고 심지어0.86*Tm 이상이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 전술한 바와 같이,　일부 적용의 경우, 온도를 다소 낮게 유지하는 것이 유리하다는 것이 의외로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서,　고온 고압처리의 온도는 0.92*Tm 이하, 0.88*Tm 이하, 0.78*Tm 이하, 0.75*Tm 이하, 그리고 심지어 0.68*Tm 이하이며, 이때 Tm은 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다. 대안적 일 실시 예에서, Tm은 임계 분말인 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융해 온도이다(기존에 정의된 바와 같다). 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 관련 분말인 분말 혼합물에서 녹는점이 가장 낮은 금속 분말의 녹는 온도이다(기존에 정의된 바와 같다). 추가 대안적 실시 예에서,　Tm은 분말 혼합물을 포함하는 금속의 평균 용해 온도이다(부피 가중 산술 평균, 가중치가 부피 분율인 경우). 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물의 용해 온도(기존에 정의된 바와 같이)를 가리킨다. 일부 적용의 경우, 금속 분말을 하나만 사용하는 경우, Tm은 금속 분말의 용해 온도이다. 이러한 맥락에서, 위에 공개된 온도는 켈빈 단위이다. 일　실시 예에서, 고온 고압 처리에서의 온도는 고온 고압 처리 시 적용되는 최대 온도를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 고온 고압 처리에서의 온도는 고온 고압 처리에서 적용되는 평균 온도를 의미한다. 일부 적용의 경우, 본 문서에 전체적으로 개시된 고온 고압 처리도 본 방법에서 적용될 수 있다.
일부 적용의 경우, 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준은 기계적 성질과 관련이 있다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 금속 부분은 밀도화 단계를 적용한 후 적절한 수준의 산소를 갖고, 이때 적절한 수준의 산소는 앞서 정의한 바와 같다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 금속 부분은 밀도화 단계를 적용한 후 적절한 수준의 질소를 갖고, 이때 적절한 수준의 질소는 앞서 정의한 바와 같다.
일부 적용의 경우, 상기 치밀화 단계를 적용한 후에 상기 구성요소의 금속 부분의 일정한 겉보기 밀도를 달성하는 것이 특히 유리하다. 다른 실시 예에서, 상기 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96% 보다 높고, 98.2% 보다 높고, 99.2% 보다 높고, 99.6% 보다 높고, 99.82% 보다 높고, 99.96% 보다 높고, 그리고 심지어 전체 밀도이다. 놀랍게도, 일부 적용의 경우, 지나치게 높은 겉보기 밀도가 해로울 수 있다는 것이 발견되었다. 다른 실시 예에서, 상기 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도는 99.98% 보다 낮고, 99.94% 보다 낮고, 99.89% 보다 낮고, 99.4% 보다 낮고, 그리고 심지어 98.9% 보다 낮다. 상기 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않다면, 어떠한 조합으로도 조합될 수 있다. 예를 들어: 일 실시 예에서, 상기 치밀화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96% 이상, 99.98% 이하이다. 또는, 일부 실시 예에서,　압밀 단계(기존에 정의된 바와 같이)를 적용한 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 수준은 치밀화 단계를 적용한 후에 도달한다. 특정 적용의 경우,　보다 관련성이 높은 것은 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도가 증가한 비율이며, 이때 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가의 백분율은 = [(치밀화 단계 적용 후 성분의 겉보기 밀도 - 성형 단계 적용 후 성분의 겉보기 밀도) / 치밀화 단계 적용 후 성분의 겉보기 밀도]*100의 절대값이다. 대안적으로, 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서의 겉보기 밀도 증가 비율은 [(치밀화 단계 적용 후 겉보기 밀도 - 디바인딩 단계 적용 후 겉보기 밀도 / 치밀화 단계 적용 후 겉보기 밀도] *100의 절대값으로 정의한다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 겉보기 밀도는 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도를 나타낸다. 다른 실시 예에서,　상기 밀도화 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 비율은 6% 초과, 11% 초과, 16% 초과, 22% 초과, 32% 초과, 그리고 심지어 42% 초과이다. 이러한 일부 적용의 경우,　밀도화 단계를 적용한 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율은 일정 값 이하로 유지되어야 한다. 다른 실시 예에서,　상기 밀도화 단계를 적용한 후, 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 비율은 69% 미만, 59% 미만, 49% 미만, 그리고 심지어 34% 미만이다. 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 밀도화 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분의 겉보기 밀도의 증가 비율은 6% 초과 69% 이하이다.
본 발명자는 일부　적용이 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분(이전에 정의한대로)에 특정 %NMVS가 존재함으로써 이점을 얻는다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서,　치밀화 단계 적용 후 구성부품의 금속부위 %NMVS가 0.002% 초과, 0.01% 초과, 0.06% 초과, 0.1% 초과, 그리고 심지어 2.1% 초과이다. 일부 적용의 경우, %NMVS를 제어해야 한다. 다른 실시 예들에서,　밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분 내 %NMVS가 29% 미만, 19% 미만, 9% 미만, 4% 미만, 그리고 심지어 2% 미만이다. 일부 적용의 경우, 낮은 값이 선호되며 값이 없을 수도 있다(%NMVS=0). 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 상기 밀도화 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분에서의 %NMVS는 0.002% 초과 29% 미만이다. 대안적으로, 일부 실시 예에서, 압밀 단계 적용 후(기존에 정의된 바와 같이) 구성 요소의 금속 부분 내 %NMVS 수준은 치밀화 단계를 적용한 후 도달한다. 특정 적용의 경우,　관련된 것은 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율이다. 이때 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율 = [(치밀화 단계 적용 후 요소 내 총 %NMVT * 치밀화 단계 적용 후 요소 내 %NMVS) / (성형 단계 적용 후 요소 내 총 %NMVT * 성형 단계 적용 후 요소 내 %NMVS] * 100 이다. 여기서 구성 요소의 총 %NMVT = 100% - 겉보기 밀도(백분율에서의 겉보기 밀도). 일 실시 예에서, 구성 요소의 %NMVT는 구성 요소의 금속 부분에서의 %NMVT를 나타낸다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 %NMVS는 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVS를 나타낸다. 일 실시 예에서, 겉보기 밀도는 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도를 의미한다. 일부 적용의 경우, 압밀 단계 후 구성 요소 금속 부분의 NMVS 감소율은 치밀화 단계를 적용한 후 도달한다. 다른 실시 예에서, 상기 밀도화 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분에서 NMVS의　감소율은 0.02% 초과, 0.22% 초과, 2.6% 초과, 3.6% 초과, 8% 초과, 그리고 심지어 12% 초과이다. 특정　적용의 경우, 더 높은 값이 선호된다. 다른 실시 예에서, 상기 밀도화 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분에서 NMVS의　감소율은 16% 초과, 32% 초과, 51% 초과, 61% 초과, 86% 초과, 그리고 심지어 96% 초과이다. 발명가는 일부 적용의 경우, 조밀화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소율과 형성 단계에서 채용된 AM 공정 온도(기존에 정의된 바와 같이) 사이에는 특정 관계가 있다는 것을 발견했다. 다른 실시 예에서, 상기 포밍 단계에서 채용된 AM 공정 온도(기존에 정의된 바와 같이)가 기준 온도(기존에 정의된 바와 같이) 이하이면, 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소율은 3.6% 초과, 8% 초과, 16% 초과, 32% 초과, 51% 초과, 86% 초과, 그리고 심지어96% 초과이다. 상기 포밍 단계에서 채용된 AM 공정 온도(앞에서 정의한 대로)가 기준 온도(앞에서 정의한 대로) 이하일 때 치밀화 단계를 적용한 후의 상기 성분의 금속 부분에서 NMVS의 감소율에 대해 개시된 것은 유기물 사용을 포함하는 AM 방법에도 적용될 수 있다. 앞서 개시된 바와 같이, 일부 적용의 경우, AM 프로세스 온도는 기준 온도(기존에 정의된 온도)와 같거나 그 이상인 것이 바람직하다. 다른 실시 예에서,　포밍 단계에서 채용된 AM 공정 온도(기존에 정의됨)가 기준 온도(기존에 정의됨) 이상인 경우,　치밀화 단계 적용 후 구성 요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소율은 0.02% 초과,　0.22% 초과, 2.6% 초과, 12% 초과, 그리고 심지어 61% 초과이다.
본 발명자는 일부 적용들이 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에 특정 %NMVC(앞서 정의한 %NMVC)의 존재로부터 이점을 얻는다는 것을 발견했다. 다른 실시 예에서,　밀도화 단계 적용 후 구성 요소의 금속 부분에서 %NMVC가 0.002% 초과, 0.006% 초과, 0.01% 초과, 0.02% 초과, 그리고 심지어 2.2%　초과이다. 일부 적용의 경우, %NMVC는 제어되어야 한다. 다른 실시 예에서,　밀도화 단계 적용 후 구성 요소의 금속 부분에서 %NMVC가 9%　미만, 1.9% 미만, 0.8% 미만, 심지어 0.09% 미만이다. 일부 적용의 경우, 낮은 값이 선호되며 값이 없을 수도 있다(%NMVC=0). 상기에 개시된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합으로 이들 사이에 조합될 수 있다, 예를 들어, 일 실시 예에서, 밀도화 단계를 적용한 후, 상기 성분의 금속 부분에서의 %NMVC는 0.002% 초과 9% 미만이다. 대안적으로, 일부 실시 예에서, 압밀 단계 적용 후(기존에 정의된 바와 같이) 구성 요소의 금속 부분에서 %NMVC 수준은 치밀화 단계를 적용한 후 도달한다.
특정 적용의 경우, 보다 관련성이 있는 것은 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서 NMVC의 감소율이다. 이때 치밀화 단계 적용 후 구성부품의 금속 부분에서 NMVC의 감소율 = [(치밀화 단계 적용 후 구성 요소 내 총 %NMVT * 치밀화 단계 적용 후 구성 요소 내 %NMVC) / (성형 단계 적용 후 구성 요소 내 총 %NMVT * 성형 단계 적용 후 구성 요소 내 %NMVC)] * 100이다. 여기서, 구성 요소 내 총 %NMVT = 100% - 겉보기 밀도 (백분율에서의 겉보기 밀도). 일 실시 예에서, 구성 요소의 %NMVT는 구성 요소의 금속 부분에서의 %NMVT를 나타낸다. 일 실시 예에서, 구성 요소의 %NMVS는 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVS를 나타낸다. 다른 실시 예에서, 밀도화 단계 적용 후 구성 요소의 금속 부분에서 NMVC의 감소율은 0.06% 초과, 0.12% 초과, 0.6% 초과, 3.6% 초과, 6% 초과, 그리고 심지어 8% 초과이다. 특정 적용의 경우, 더 높은 값이 선호된다. 다른 실시 예에서, 밀도화 단계 적용 후 구성 요소의 금속 부분에서 NMVC의 감소율은 16% 초과, 36% 초과, 56% 초과, 86% 초과, 그리고 심지어 96% 초과이다. 일부 적용의 경우, 치밀화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서 NMVC의 감소율과 성형 단계에서 사용된 "AM 프로세스 온도" (앞서 정의한 바와 같이) 사이에는 특정 관계가 있다. 다른 실시 예에서,　성형 단계에서 채용된 AM 공정 온도(기존에 정의된 바와 같이)가 "기준 온도"(기존에 정의된 바와 같이)　이하일 때, 치밀화 단계 적용 후 부품의 금속 부분에서 NMVC의 감소율은 3.6% 초과, 8% 초과, 16% 초과, 36% 초과, 56% 초과, 86% 초과, 그리고96% 초과이다. 상기에서 개시한 바와 같이, 상기 형성 단계에서 채용된 "AM 공정 온도"(기존에 정의된 바와 같이)가 "기준 온도"(기존에 정의된 바와 같이) 이하일 때,　상기 성분의 금속 부분에서 NMVC의 감소율 또한 유기물 사용을 포함하는 AM 방법에 적용할 수 있다. 앞서 개시한 바와 같이, 일부 적용의 경우, "AM 프로세스 온도"가 "기준 온도"(기존에 정의된 온도) 이상인 것이 바람직하다. 다른 실시 예에서,　성형 단계에서 사용되는 "AM 프로세스 온도"(기존에 정의된 온도)가 기준 온도(기존에 정의된 온도)와 같거나 그 이상일 때, 밀도화 단계를 적용한 후 구성 요소의 금속 부분에서 NMVC의 감소율은 0.06% 초과, 0.12% 초과, 0.6% 초과, 6% 초과, 16% 초과, 56% 초과, 그리고심지어 86% 초과이다.
일부 적용의 경우, 치밀화 단계를 적용한 후, "2개의 서로 다른 시간에 최소 2개의 고압 기간을 나타내는 사이클 동안 압력이 강하게 변화하는 고압, 고온 사이클"(이 문서에 정의된 바와 같이)을 적용하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 이러한 사이클과 치밀화 단계는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행된다.
본 발명자는 일부 실시 예에서, 특히 포밍 단계에서 채용된 AM 공정 온도(기존에 정의된 바와 같이)가 기준 온도와 같거나 그 이상인 경우(기존에 정의된 바와 같이)　압밀 단계 및 심지어 밀도화 단계가 선택적으로 적용된다는 것을 발견했다.
상기 전 항에서 개시된 방법 단계를 이용하여 얻어진 성분은 치밀화 단계를 적용한 후, 선택적으로 "2개의 서로 다른 시간에 적어도 2개의 고압 기간을 제시하는 사이클 동안 압력이 강하게 변동되는 고압, 고온 사이클"(본 문서에서 정의한 바와 같이)을 실시할 수 있다. 일 실시 예에서, 이 사이클은 치밀화 단계 대신에 적용된다.
상기 제조된 부품의 기계적 성질을 향상시키기 위하여, 앞서 언급한 방법 단계를 이용하여 얻어진 구성부품은 선택적으로 열처리를 할 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 열처리를 적용하는 단계를 더 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 밀도화 단계와 상기 열처리는 동시에 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 치밀화 단계 및 상기 열처리는 동일한 용해로 또는 압력 용기에서 수행된다. 일 실시 예에서, 상기 열처리는 열역학적 처리를 포함한다. 일부 적용에서는 제조된 구성 요소에 열처리를 적용하는 것이 흥미롭다. 일 실시 예에서, 열처리는 제조된 부품들에 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 적어도 하나의 상변화를 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 적어도 2개의 상변화를 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 적어도 3개의 상변화를 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 오스테나이트화를 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 가용화로 구성된 열처리는 제조된 구성 요소에 적용된다. 일 실시 예에서, 가용화로 구성된 열처리는 제조된 구성 요소에 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 부품에는 상 가용화로 이루어진 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 부품에는 금속간 상의 가용화를 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서,　제조된 구성 요소에는 탄화물의 가용화를 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 고온 노출을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서 고온은 0.52*Tm 이상을 의미한다. 일 실시 예에서, 제조된 부품에는 제어된 냉각을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 퀀치(quench)를 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 부분적인 상변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 마르텐자이트 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 베이나이트 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 침전(precipitation) 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 금속간 상변환의 침전을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 탄화물 침전 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 에이징(aging) 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 재결정화(recrystallization) 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서,　제조된 구성 요소들에는 구상화 처리 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서,　제조된 구성 요소에는 어닐 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 제조된 구성 요소에는 템퍼링 변환을 포함하는 열처리가 적용된다. 일 실시 예에서, 상기 열처리는 충분히 빠른 냉각을 포함한다(이 문서에 정의된 바와 같다). 따라서, 본 문서에 개시된 충분히 빠른 냉각과 관련된 모든 실시 예는 상호 배타적이지 않은 경우, 임의의 조합에서 열처리와 결합될 수 있다.
일부 적용의 경우, 가공 단계 및/또는 표면 처리의 적용도 유리하다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 가공을 적용하는 단계를 더 포함한다. 일 실시 예에서, 상기 방법은 표면 처리를 수행하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시 예에서,　제조된 구성 요소가 세라믹 상이 내장된 금속 성분인 경우, 이러한 세라믹 상을 %NMVS, NMVS의 감소율, %NMVC, NMVC의 감소율, 겉보기 밀도 및 겉보기 밀도 증가율에 대해 금속 부분으로 고려하는 것이 흥미롭다. 일부 실시 예에서,　제조된 구성 요소가 세라믹 상을 포함하는 금속 성분인 경우, 이러한 세라믹 상을 %NMVS, NMVS의 감소율, %NMVC, NMVC의 감소율, 겉보기 밀도 및 겉보기 밀도 증가율에 대해 금속 부분으로 고려하는 것이 흥미롭다. 따라서, 일부 실시 예에서, 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVS, 구성 요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소율, 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVC, 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVS, 구성 요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소율, 구성 요소의 금속 부분에 있는 %NMVC, 구성 요소의 금속 부분에서 NMVC의 감소율, 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 및/또는 구성 요소 중 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율 및/또는 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율을 참조할 경우, "구성 요소의 금속 부분"라는 문구는 "구성 요소의 무기물 부분"으로 대체될 수 있다.
앞서 개시한 바와 같이, 특정　적용에서는 서로 다른 재료를 사용하여 부품을 제조하는 것이 유리하다. 이러한 경우에, 일부 실시 예에서, 구성 요소의 금속 부분에 있는 특정 요소의 내용을 참조하는 경우, "구성 요소의 금속 부분에 있는"이라는 문구는 "구성 요소에 포함된 적어도 하나의 재료에 있는"으로 대체될 수 있다.
이전 단락들에서 개시된 방법은 상이한 구성요소들의 적어도 일부를 제조하는데 유리하게 사용될 수 있다. 일 실시 예에서, 상술한 방법을 적용하여 얻어진 성분은 복잡한 기하학을 갖는 성분이다. 일부 실시 예들에서, 전체 구성요소는 앞선 문단들에서 개시된 방법을 사용하여 제조된다. 추가 실시 예에서는, 상기 구성요소의 일부만이 앞선 단락들에 개시된 방법을 이용하여 제조된다. 일부 실시 예에서,　구성요소의 일부만 전 항에서 공시한 방법으로 제조하는 경우, 구성요소에 대해 공시된 내용은 적어도 제조된 구성요소의 일부에 적용된다. 따라서, 일부 실시 예들에서, "구성요소"라는 문구는 "구성요소의 일부"로 대체될 수 있다.
본 방법은 전술한 목적을 충족할 수 있는 전술한 실시 예들을 변형하여 구현될 수 있다. 상기 개시된 특징들을 대체할 수 있는 동일, 등가 또는 유사한 목적을 제공하는 이러한 실시 예들은 별도의 언급이 없는 한 모두 본 방법의 기술적 범위에 포함된다.
현재, 대형, 고성능의 적층 제조 금속의 설계는 매우 기술적이고 경제적인 도전 과제이다. 대부분의 기존 AM 기술은 크고 복잡한 기하학 구조를 만들려고 할 때 과도한 잔류 응력과 심지어 균열을 나타낸다. 여러 툴링을 포함하여 몇몇의 구성요소의 경우, 특히 인성과 항복 강도의 측면에서 높은 기계적 특성과 결합된 내식성이 높은 강을 갖는 것이 흥미롭다. 요구되는 기계적 특성에 달성하는 것은 금속 혹은 레이어 별로 제조된 구성요소로 구성된 금속에 대해서 특히 도전적이다. 이와 관련하여, 본 발명자는 특히 인성과 항복 강도의 측면에서 높은 기계적 특성과 결합된 내식성이 높은 구성요소를 포함하는 금속이 단일 분말 혹은 아래에 공개되는 전체 조성을 갖는 분말 혼합물을 이용할 때 적층 제조될 수 있음을 발견했다. 본 발명의 양상은 적층 제조(AM)에 활용하기 위한 아래의 조성을 갖는 분말 혹은 분말 혼합물을 지칭하며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다: %Mo: 0.05 - 2.9; %W: 0 - 3.9; %Moeq: 0.05 - 2.9; %Ceq: 0.002 - 0.14; %C: 0.002 - 0.09; %N: 0 - 2.0; %B: 0 - 0.08; %Si: 0.05 - 1.5 ; %Mn: 0.05 - 1.5 ; %Ni: 9.5 - 11.9; %Cr: 10.5 - 13.5; %Ti: 0.5 - 2.4; %Al: 0.001 - 1.5; %V: 0 - 0.4; %Nb: 0 - 0.9; %Zr: 0 - 0.9; %Hf: 0 - 0.9; %Ta: 0 - 0.9; %S: 0 - 0.08; %P: 0 - 0.08; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.08; %Se: 0 - 0.08; %Co: 0 - 3.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 - 0.299 %Y+%Sc +%REE: 0.006 - 1.9%; 철과　미량　원소들로 구성된　나머지;　여기서　%Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B　이고　%Moeq=%Mo+1/2*%W;　그리고　여기서　%REE　는　앞서　정의된　바와　동일하다. 일 실시예에서, 미량원소는 별도로 명확히 지시하지 않는 경우, H, He, Xe, F, Ne, Na, Cl, Ar, K, Br, Kr, Sr, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, I, Ba, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Po, At, Rn, Fr, Ra, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Li, Be, Mg, Ca, Rb, Zn, Cd, Ga, In, Ge, Sn, Sb, As, Te, Ds, Rg, Cn, Nh, Fl, Mc, Lv, Ts, Og 및 Mt 을 포함하지만 해당 원소만으로 제한되지는 않는 수 개의 원소를 의미한다. 일 실시 예에서, 미량 원소는 위에 나열된 원소들 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 예들에서, 임의의 미량 원소의 함량은 1.8wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.3wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만으로 선호된다. 미량 원소는 생산 비용을 줄이는 것과 같은 특정한 기능을 달성하기 위해 의도적으로 강에 추가되기도 하고/하거나 그 존재는 의도되지 않을 수 있으며 대개 합금 원소 내 불순물과 강 생산에 사용되는 스크랩의 존재와 연관되어 있다. 미량 원소의 존재가 강의 전반적인 특성을 저하시키는 몇몇의 어플리케이션이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 2.0wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.2wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.06wt% 미만이다. 주어진 어플리케이션에 있어서 강에 미량 원소가 없는 것이 선호되는 일부 실시 예들이 있다. 반면에, 미량 원소의 존재가 선호되는 몇몇의 어플리케이션들이 있다. 다른 실시 예들에서, 모든 미량 원소의 합은 0.0012wt% 초과, 0.012wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 그리고 심지어 0.55wt% 초과이다. 개선된 내마멸성을 요구하는 일부 어플리케이션들의 경우 더 높은 %C함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %C는 0.009wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.021wt% 초과, 0.03wt% 초과, 0.05wt% 초과, 0.06wt% 초과, 그리고 심지어0.07wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %C의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %C는0.08wt% 미만, 0.05wt% 미만, 0.02wt% 미만, 0.01wt% 미만, 그리고 심지어 0.009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 일부 어플리케이션들은 이미 노출된 일반화된 방법으로 낮은 격자간 함량 수준(interstitial content level)에서 이익을 얻지만, 일부 어플리케이션들은 격자간 수준을 다소 다르게 통제함으로써 훨씬 더 나은 결과를 제공한다. 다른 실시 예들에서, %C는 990 ppm 미만, 890 ppm 미만, 490 ppm 미만, 196 ppm 미만, 그리고 심지어 96 ppm 미만으로 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Ceq의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 0.006wt% 초과, 0.01wt% 초과, 0.02wt% 초과, 0.021wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어0.11wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ceq의 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는0.12wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.02wt% 미만, 0.009wt% 미만, 그리고 심지어 0.0009wt% 미만이다. 앞서 공개된 바와 같이, 일부 어플리케이션들은 이미 노출된 일반화된 방법으로 낮은 격자간 함량 수준(interstitial content level)에서 이익을 얻지만, 일부 어플리케이션들은 격자간 수준을 다소 다르게 통제함으로써 훨씬 더 나은 결과를 제공한다. 다른 실시 예들에서, %Ceq는 890 ppm 미만, 490 ppm 미만, 90 ppm 미만, 그리고 심지어 40 ppm 미만으로 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, %N의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.0002wt% 초과, 0.005wt% 초과, 0.025wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.15wt% 초과, 그리고 심지어0.2wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %N의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.26wt% 초과, 0.31wt% 초과, 0.4wt% 초과, 0.46wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어0.71wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %N 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %N는 0.81wt% 초과, 0.91wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.31wt% 초과, 그리고 심지어1.56wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %N는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %N는1.79wt% 미만, 1.49wt% 미만, 1.19wt% 미만, 0.98wt% 미만, 0.9wt% 미만, 심지어 0.84wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %N가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %N는0.79wt% 미만, 0.74wt% 미만, 0.69wt% 미만, 0.59wt% 미만, 0.49wt% 미만, 그리고 심지어 0.39wt% 미만이다. 일부　어플리케이션들의　경우,　훨씬　더 낮은　%N　함량이　선호된다. 다른 실시 예들에서, %N는0.29wt% 미만, 0.12wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.08wt% 미만, 0.02wt% 미만, 그리고 심지어 0.002wt% 미만이다. 앞서 공개된 바와 같이, 일부 어플리케이션들은 이미 노출된 일반화된 방법으로 낮은 격자간 함량 수준(interstitial content level)에서 이익을 얻지만, 일부 어플리케이션들은 격자간 수준을 다소 다르게 통제함으로써 훨씬 더 나은 결과를 제공한다. 다른 실시 예들에서, %N는 1900 ppm 미만, 900 ppm 미만, 490 ppm 미만, 190 ppm 미만, 그리고 심지어40 ppm 미만으로 유지된다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 본 발명가는 놀랍게도 일부 어플리케이션들의 경우, 소량의 %B가 열전도도를 높이는데 긍정적인 영향을 미친다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %B는 2ppm 초과, 16ppm 초과, 61ppm 초과, 86ppm 초과,그리고 심지어126ppm를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %B의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %B는 156ppm 초과, 206ppm 초과, 326ppm 초과, 그리고 심지어0.04wt%를 초과한다. 반면, 과도한 붕화물이 형성되면, 인성에 미치는 영향은 상당히 해로울 수 있다. 다른 실시 예들에서, %B는0.06wt% 미만, 0.04wt% 미만, 0.03wt% 미만, 0.02wt% 미만, 그리고 심지어 0.01wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %B가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %B는74ppm 미만, 49ppm % 미만, 14ppm 미만, 8ppm 미만, 그리고 심지어 4ppm 미만이다. 놀랍게도, 적절한 기하학적 설계 전략 을 사용할 때, 의도된 통제된 수준의 %B를 가짐으로써 엄청난 결과를 달성할 수 있다는 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, %B는1 ppm 초과, 11 ppm 초과, 21 ppm 초과, 31 ppm 초과, 그리고 심지어 51 ppm을 초과하여 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 놀랍게도 구성요소의 최종 특성이 오히려 높은 함량의 %B를 사용함으로써 향상될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, %B는 61 ppm 초과, 111 ppm 초과, 221 ppm 초과, 0.06wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.26wt% 초과, 그리고 심지어 0.6wt% 초과로 유지된다. 심지어 이러한 어플리케이션 중 일부에서도, 결국 과도한 함량의 %B는 해롭다. 다른 실시 예들에서, %B는 0.4wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt%미만으로 유지된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %B는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %B는 400 ppm 미만, 190 ppm 미만, 90 ppm 미만, 40 ppm 미만, 그리고 심지어 9 ppm 미만으로 유지된다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Si의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Si는 0.06wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.39wt% 초과, 0.51wt% 초과, 그리고 심지어0.76wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Si 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Si는0.8wt% 초과, 0.86wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.16wt% 초과, 그리고 심지어1.26wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 Si는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Si는1.4wt% 미만, 1.2wt% 미만, 1.1wt% 미만, 0.98wt% 미만, 그리고 심지어 0.8wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Si가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Si는0.6wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.39wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 놀랍게도, 본 발명자는 일부 실시 예들에서, 더 낮은 함량의 %Mn가 기계적 특성에 긍정적인 효과를 미친다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 0.06wt% 초과, 0.07wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.5wt% 초과, 그리고 심지어0.66wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Mn 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn는 0.51wt% 초과, 0.65wt% 초과, 0.76wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어1.26wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mn는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mn는1.4wt% 미만, 1.2wt% 미만, 0.9wt% 미만, 0.69wt% 미만, 그리고 심지어 0.5wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Mn가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mn는0.49wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.1wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ni는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ni는11.4wt% 미만, 10.9wt% 미만, 10.6wt% 미만, 10.5wt% 미만, 10wt% 미만, 그리고 심지어 9.9wt% 미만이다. 놀랍게도, 본 발명자는 일부 실시 예들에서, 더 높은 함량의 %Ni가 기계적 특성에 긍정적인 효과를 미친다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %Ni는 10.0wt% 초과, 10.1wt% 초과, 10.5wt% 초과, 10.6wt% 초과, 11.1wt% 초과, 그리고 심지어11.3wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Cr의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr는 10.6wt% 초과, 10.8wt% 초과, 11.1wt% 초과, 11.6wt% 초과, 12.0wt% 초과, 그리고 심지어12.2wt%를 초과한다. 놀랍게도, 본 발명자는 일부 실시 예들에서, 더 높은 함량의 %Cr가 기계적 특성에 긍정적인 효과를 미친다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %Cr는 12.6wt% 초과, 13.0wt% 초과, 13.1wt% 초과, 13.2wt% 초과, 그리고 심지어13.3wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Cr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Cr는13.0wt% 미만, 12.9wt% 미만, 12.4wt% 미만, 12.2wt% 미만, 그리고 심지어 12.0wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Cr가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cr는11.9wt% 미만, 11.6wt% 미만, 11.4wt% 미만, 11.2wt% 미만, 그리고 심지어 10.9wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 함량의 %Ti가 기계적 특성에 긍정적인 효과를 미친다는 것을 발견했다. 다른 실시 예들에서, %Ti는 0.6wt% 초과, 0.9wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.5wt% 초과, 1.6wt% 초과, 1.9wt% 초과, 그리고 심지어2.1wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ti는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ti는2.1wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.5wt% 미만, 1.3wt% 미만, 1.0wt% 미만, 0.98wt% 미만,그리고 심지어 0.79wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Al의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Al는 0.06wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.39wt% 초과, 그리고 심지어0.5wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Al 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Al는 0.68wt% 초과, 0.86wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.16wt% 초과, 그리고 심지어1.26wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Al는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Al는1.4wt% 미만, 1.2wt% 미만, 1.1wt% 미만, 0.98wt% 미만, 그리고 심지어 0.8wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Al가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Al는0.6wt% 미만, 0.5wt% 미만, 0.49wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %V의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %V은 0.0006wt% 이상, 0.01wt% 이상, 0.02wt% 이상, 0.1wt% 이상, 그리고 심지어 0.16wt% 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %V는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %V는0.34wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Nb의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Nb는 0.001wt% 초과, 0.006wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어0.26wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Nb는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Nb는0.4wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.009wt% 미만, 그리고 심지어 0.0009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Hf의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Hf는 0.008wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어0.31wt%를 초과한다. 본 발명자는 높은 인성 수준을 요구하는 어플리케이션의 경우, %Hf 및/혹은 %Zr의 함량이 너무 높으면 안된다는 것을 발견했는데, 이는 응력 상승제로서 작용을 하는 크고 다각형의 1차 탄화물을 형성하는 경향이 있기 때문이다. 다른 실시 예들에서, %Hf는0.69wt% 미만, 0.39wt% 미만, 0.14wt% 미만, 0.09wt% 미만, 그리고 심지어 0.04wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 강탄화물 성형제의 존재가 유리하지만 제조 비용이 중요한 일부 어플리케이션들의 경우, %Zr의 존재가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Zr는 0.006wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.21wt% 초과, 그리고 심지어0.36wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr는0.58wt% 미만, 0.38wt% 미만, 0.13wt% 미만, 0.08wt% 미만, 그리고 심지어 0.03wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 실시 예들의 경우, %Zr 및/또는 %Hf는 부분적으로 혹은 전체적으로 %Ta로 치환이 가능하다. 다른 실시 예들에서, %Hf 및/또는 %Zr 양의 25wt% 이상이 %Ta로 대체될 수 있고, %Hf 및/또는 %Zr 양의 50wt% 이상이 %Ta로 대체될 수 있으며, 심지어 %Hf 및/또는 %Zr 양의 75wt% 이상이 %Ta로 대체될 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는 0.0009wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.41wt% 초과, 그리고 심지어 0.61wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Ta+%Zr는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Ta+%Zr는 0.9wt% 미만, 0.28wt% 미만, 0.14wt% 미만, 그리고 심지어 0.004wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 내마멸성에 대해 %Hf 및/또는 %Zr의 존재가 긍정적인 영향을 미칠 수 있다, 만약 이 값이 크게 증가하면, %Ta 혹은 심지어 %Nb와 같은 다른 강탄화물 성형제 또한 사용될 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 0.001wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.36wt% 초과, 0.56wt% 초과, 그리고 심지어 1.1wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Zr+%Hf+%Nb+%Ta는 0.9wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.29wt% 미만, 0.14wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %P의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %P는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.008wt% 초과, 그리고 심지어0.01wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %P는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %P는0.06wt% 미만, 0.04wt% 미만, 0.02wt% 미만, 그리고 심지어 0.002wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %S의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %S는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.008wt% 초과, 그리고 심지어 0.01wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %S는 높은 열전도도를 위해 가능한 낮게 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, %S는0.07wt% 미만, 0.05wt% 미만, 0.04wt% 미만, 0.03wt% 미만, 0.01wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Cu의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Cu는 0.0006wt% 초과, 0.05wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.1wt% 초과, 그리고 심지어0.16wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Cu의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cu은 0.56wt% 이상, 0.91wt% 이상, 1.26wt% 이상, 1.81wt% 이상, 그리고 심지어 2.16wt% 이상이다. 일부　어플리케이션들의　경우, 과도한 함량은 유해하다. 다른 실시 예들에서, %Cu는3.4wt% 미만, 2.9wt% 미만, 2.4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.4wt% 미만, 그리고 심지어 0.98wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Cu가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Cu는0.64wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.05wt% 미만, 0.04wt% 미만, 그리고 심지어 0.001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Pb의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.0006wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.16wt% 초과, 그리고 심지어 0.52wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Pb는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Pb는 0.8wt% 미만, 0.64wt% 미만, 0.44wt% 미만, 0.24wt% 미만, 0.09wt% 미만, 0.01wt% 미만,그리고 심지어 0.004wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Bi의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다.다른 실시 예들에서, %Bi 는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.009wt% 초과, 0.01wt% 초과, 그리고 심지어 0.03wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Bi는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Bi는 0.06wt% 미만, 0.04wt% 미만, 0.02wt% 미만, 0.009wt% 미만, 0.001wt% 미만,그리고 심지어 0.0001wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Se의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Se 는 0.0001wt% 초과, 0.0009wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.009wt% 초과, 0.01wt% 초과, 그리고 심지어 0.04wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Se는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Se는 0.06wt% 미만, 0.03wt% 미만, 0.009wt% 미만, 0.001wt% 미만, 그리고 심지어 0.0009wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Co의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Co는 0.0001wt% 초과, 0.001wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.51wt% 초과, 그리고 심지어0.81wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Co의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Co는1.1wt% 초과, 1.6wt% 초과, 1.8wt% 초과, 2.1wt% 초과, 그리고 심지어2.6wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Co는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Co는wt% 미만, 3.4wt% 미만, 2.4wt% 미만, 1.4wt% 미만, 0.8wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.19wt% 미만, 그리고 심지어 0.02wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Mo의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 0.09wt% 초과, 0.1wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.5wt% 초과, 그리고 심지어0.51wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 %Mo 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 0.66wt% 초과, 0.81wt% 초과, 1.1wt% 초과, 그리고 심지어1.5wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는 1.51wt% 초과, 1.8wt% 초과, 2.1wt% 초과, 그리고 심지어2.3wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Mo는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Mo는2.4wt% 미만, 1.94wt% 미만, 1.5wt% 미만, 1.19wt% 미만, 0.9wt% 미만,그리고 심지어 0.5wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Mo가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Mo는0.49wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.19wt% 미만, 0.1wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 일부 실시 예들에서, %Mo는 부분적으로 %W로 치환될 수 있다. 해당 치환은 %Moeq의 측면에서 이루어진다. 다른 실시 예들에서, %Mo의 %W로의 치환은 69wt%보다 낮고, 54wt%보다 낮고, 34wt%보다 낮고, 또 심지어 12wt%보다 낮다. 열전도도가 최대화되어야 하지만 열피로는 조절되어야 하는 일부 어플리케이션들의 경우, %Mo가 %W보다 1.2배에서 3배 더 큰 것이 선호되며, %W의 부재는 허용되지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Moeq의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.09wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.31wt% 초과, 그리고 심지어 0.5wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %Moeq의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.51wt% 초과, 0.81wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.3wt% 초과, 그리고 심지어1.5wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 1.51wt% 초과, 1.8wt% 초과, 2.1wt% 초과, 그리고 심지어2.3wt%를 초과한다. 반면, 너무 높은 수준의 %Moeq는 열전도도에 부정적인 영향을 미칠 수 있는 상황을 초래한다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 2.4wt% 미만, 1.9wt% 미만, 1.5wt% 미만, 그리고 심지어 1.2wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 낮은 함량의 %Moeq가 선호된다. 다른 실시 예들에서, %Moeq는 0.84wt% 미만, 0.5wt% 미만, 0.49wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.29wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 텅스텐은 또한 달성 가능한 열처리 중 변형에 영향을 미친다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.006wt% 초과, 0.09wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.36wt% 초과, 그리고 심지어0.4wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 더 높은 %W의 함량이 선호된다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.66wt% 초과, 1.1wt% 초과, 1.6wt% 초과, 1.86wt% 초과, 2.1wt% 초과, 그리고 심지어2.8wt%를 초과한다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %W는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %W는3.4wt% 미만, 2.84wt% 미만, 2.4wt% 미만, 1.98wt% 미만, 그리고 심지어 1.49wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들은 낮은 함량의 %W로부터 이점을 얻는다. 다른 실시 예들에서, %W는 0.98wt% 미만, 0.4wt% 미만, 0.09wt% 미만이거나 심지어 의도된 %W가 전혀 없다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %O는 8 ppm 초과, 22 ppm 초과, 110 ppm 초과, 210 ppm 초과, 510 ppm 초과, 그리고 심지어 1010 ppm을 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %O는 2990 ppm 미만, 1900 ppm 미만, 900 ppm 미만, 그리고 심지어 490 ppm 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Y의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Y의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Y는0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 0.18wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, %Sc는 0.74wt% 미만, 0.48wt% 미만, 0.34wt% 미만, 그리고 심지어0.18wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 요소에서 발생하는 원소의 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, %Sc+%Y의 특정 함량이 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, (앞서 정의된) %REE의 존재가 바람직하지만, 다른 어플리케이션에서 이는 오히려 불순물이다. 다른 실시 예들에서, %REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 심지어 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, %REE의 과도한 함량은 기계적 특성에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 다른 실시 예들에서, %REE는1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 분명히, 바람직한 공칭 함량이 0wt%이거나 특정 어플리케이션의 경우 모든 선택적 원소에서 발생하는 공칭 함량이 없는 경우도 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특정 함량의 %Sc+%Y+%REE가 바람직하다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 0.012wt% 초과, 0.052wt% 초과, 0.12wt% 초과, 0.22wt% 초과, 0.42wt% 초과, 그리고 0.82wt%를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 %Sc+%Y+%REE 는 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, %Sc+%Y+%REE는 1.4wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.74wt% 미만, 그리고 심지어 0.48wt% 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, %O와 %Y+%Sc 혹은 대안적으로 %Y 혹은 대안적으로 %Y+%Sc+%REE와의 관계는 최종 구성요소의 최적의 기계적 특성(해당 경우, 백분율은 원자 백분율을 의미함)을 위해 통제되어야 한다는 사실이 발견되었다. 일 실시 예에서, KYO1*atm%O ＜ atm%Y ＜ KYO2*atm%가 충족되어야 하며, 여기서 atm%O는 산소의 원자 백분율을 의미하고 atm%Y은 이트륨의 원자 백분율을 의미한다. 추가 실시 예의 경우, KYO1*atm%O ＜ atm%Y+atm%Sc ＜ KYO2*atm%O 이다. 추가 실시 예에서, KYO1*atm%O ＜ atm%Y+atm%Sc+atm%REE ＜ KYO2*atm%O 이며, 여기서 %REE는 앞서 정의된 바와 동일하다. 다른 실시 예들에서, KYO1는 0.01, 0.1, 0.2, 0.4, 0.6, 그리고 심지어 0.7이다. 다른 실시 예들에서, KYO2는 0.5, 0.66, 0.75, 0.85, 1, 그리고 심지어 5이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 특히 염기가 Ti가 아닐 때, %Y는 부분적으로 %Ti로 대체될 수 있다. 일 실시 예에서, %Y의 적어도 12wt%가 %Ti로 대체된다. 추가 실시 예에서, %Y의 적어도 22wt%가 %Ti로 대체된다. 추가 실시 예에서, %Y의 적어도 42wt%가 %Ti로 대체된다. 추가 실시 예에서, %Y의 적어도 62wt%가 %Ti로 대체된다. 추가 실시 예에서, %Y의 적어도 82wt%가 %Ti로 대체된다. 몇가지 어플리케이션에서, %Y는 %Ti로 완전히 대체될 수 있다. 일 실시 예에서, %Y는 %Ti로 대체된다. 그러나 대부분의 어플리케이션은 이러한 전체 교체로 인해 어려움을 겪는다. 일 실시 예에서, %Y의 92wt%를 초과해서는 %Ti로 대체되지 않는다. 추가 실시 예에서, %Y의 82wt%를 초과해서는 %Ti로 대체되지 않는다. 추가 실시 예에서, %Y의 62wt%를 초과해서는 %Ti로 대체되지 않는다. 추가 실시 예에서, %Y의 42wt%를 초과해서는 %Ti로 대체되지 않는다. 놀랍게도, 통제된 %B의 존재는 일부 어플리케이션들의 경우 바람직한 %Mn+2*%Ni 수준에 강한 영향을 미치는 것으로 보이며, 일부 어플리케이션들은 그러한 존재로부터 큰 이익을 얻고 일부 어플리케이션들은 반대로 그로 인해 어려움을 겪는다. 다른 실시 예들에서, %B가 12ppm을 초과하는 양으로 존재할 때, %Mn+2*%Ni는0.01wt% 초과, 0.06wt% 초과, 0.16wt% 초과, 0.26wt% 초과, 0.46wt% 초과, 0.86wt% 초과, 그리고 심지어 1.56wt%를 초과하여 유지된다. 언급된 바와 같이, 일부 어플리케이션들(열전달을 수반하는 일부 어플리케이션들을 포함함)은 높은 수준의 %Mn+2*%Ni와 %B의 동시발생 실재성으로부터 이득을 얻지 못한다. 다른 실시 예들에서, %B가 12ppm을 초과하여 존재할 때, %Mn+2*%Ni는 1.96wt% 미만, 0.96wt% 미만, 0.46wt% 미만, 0.24wt% 미만, 그리고 심지어 0.09wt% 미만으로 유지된다. 앞서 공개된 모든 상한 및 하한은 서로 상호 배타적이지 않는 한, 서로간 임의의 조성으로 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 개시된 조성물은 단일 분말의 조성을 의미한다. 추가 실시 예에서, 상기 개시된 조성물은 분말 혼합물의 평균 조성을 의미한다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) 대한 "분말 크기 임계 측정값" 적절하며 최종 구성요소의 달성 가능한 특성에 현저한 영향을 미친다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된)대한 "분말 크기 임계 측정값"는 2 microns이상, 22 microns이상, 42 microns이상, 52 microns이상, 102 microns이상, 그리고 심지어 152 microns이상 이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도하게 큰 크기의 임계 측정값은 특히 일부 미세한 세부 기하학에 대해 처리하기 어렵다. 다른 실시 예들에서, (앞서 정의된) LP에 대한 "분말 크기 임계 측정값"은 1990 microns이하, 1490 microns이하, 990 microns이하, 490 microns이하, 290 microns이하, 190 microns이하, 그리고 심지어 90 microns이하다. 일부 어플리케이션들의 경우 더 큰 분말 제조법은 최종 구성요소의 달성 가능한 특성에 대해 현저한 영향을 미치는 것으로 드러났다. 일 실시 예에서, 분말 는 물 분무된다. 추가 실시 예에서, 분말 는 물 분무된 분말을 포함한다. 추가 실시 예에서, 분말 는 원심 분무된다. 추가 실시 예에서, 분말 는 원심 분무된 분말을 포함한다. 추가 실시 예에서, 분말 는 기계적으로 파쇄(crushed)된다. 추가 실시 예에서, 분말 는 파쇄된 분말을 포함한다. 추가 실시 예에서, 분말 는 환원된다. 추가 실시 예에서, 분말 는 환원된 분말을 포함한다. 추가 실시 예에서, 분말 는 가스 분무된다. 추가 실시 예에서, 분말 는 가스 분무된 분말을 포함한다.
일부 어플리케이션들의 경우, 앞서 공개된 조성은 구성요소의 적층 제조 방법에 유리하게 활용될 수 있으며, 여기서 재료의 연속적인 레이어는, 레이어 별로, 3차원 구성요소를 빌드업(노괴, build-up) 하기 위해 서로간 제공된다. 일 실시 예는 금속성 구성요소를 적층 제조하는 방법에 관한 것으로 다음을 포함한다: 분말 형태의 철기합금을 제공하며 다음을 포함함: %Mo: 0.05 - 2.9; %W: 0 - 3.9; %Moeq: 0.05 - 2.9; %Ceq: 0.002 - 0.14; %C: 0.002 - 0.09; %N: 0 - 2.0; %B: 0 - 0.08; %Si: 0.05 - 1.5 ; %Mn: 0.05 - 1.5 ; %Ni: 9.5 - 11.9; %Cr: 10.5 - 13.5; %Ti: 0.5 - 2.4; %Al: 0.001 - 1.5; %V: 0 - 0.4; %Nb: 0 - 0.9; %Zr: 0 - 0.9; %Hf: 0 - 0.9; %Ta: 0 - 0.9; %S: 0 - 0.08; %P: 0 - 0.08; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.08; %Se: 0 - 0.08; %Co: 0 - 3.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 - 0.299 %Y+%Sc+%REE: 0.006 - 1.9%; 철과 미량원소들로 구성된 나머지; 여기서 모든 백분율은 중량 퍼센트로 나타남; 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B 이고 %Moeq=%Mo+1/2*%W임; 그리고 여기서 %REE는 이전에 정의된 바와 동일함; 그리고 철기합금을 용융상태로 녹이고 냉각시키고 철기합금의 응고층을 형성함으로써, 합금 중 적어도 하나의 레이어를 형성함. 구성요소를 제조하는데 다른 기술들이 사용될 수 있다. 비제한적인 AM 기법의 활용 가능한 예로는 다음이 있다: 직접 금속 레이저 용융 기술(DMLS), 선택적 레이저 용융 기술(SLM), 전자빔 용융 기술(EBM), 선택적 레이저 소결 기술(SLS), 직접 에너지 조사 기술(DeD), 대면적 적층제조 기술(BAAM), 줄 프린팅 기술(Joule printing) 및/혹은 앞에 언급된 것의 조합. 일 실시 예에서, AM기법은 SLS이다. 추가 실시 예에서, AM기법은 SLM이다. 추가 실시 예에서, AM기법은 DeD이다. 추가 실시 예에서, AM기법은 EBM이다. 추가 실시 예에서, AM기법은 BAAM이다. 추가 실시 예에서, AM기법은 줄 프린팅이다. 추가 실시 예에서, AM기법은 DMLS이다. 특정 어플리케이션의 경우, 적어도 두 가지의 서로 다른 AM기법의 활용이 유리할 수 있다. 추가 실시 예는 다음을 포함하는 금속성의 구성요소를 적층 제조하는 방법에 관한 것이다: 다음을 포함하는 분말 형태의 철기합금을 제공: %Mo: 0.05 - 2.9; %W: 0 - 3.9; %Moeq: 0.05 - 2.9; %Ceq: 0.002 - 0.14; %C: 0.002 - 0.09; %N: 0 - 2.0; %B: 0 - 0.08; %Si: 0.05 - 1.5 ; %Mn: 0.05 - 1.5 ; %Ni: 9.5 - 11.9; %Cr: 10.5 - 13.5; %Ti: 0.5 - 2.4; %Al: 0.001 - 1.5; %V: 0 - 0.4; %Nb: 0 - 0.9; %Zr: 0 - 0.9; %Hf: 0 - 0.9; %Ta: 0 - 0.9; %S: 0 - 0.08; %P: 0 - 0.08; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.08; %Se: 0 - 0.08; %Co: 0 - 3.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 - 0.299 %Y+%Sc +%REE: 0.006 - 1.9%; 철과 미량원소들로 구성된 나머지; 여기서 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시됨; 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B이고 %Moeq=%Mo+1/2*%W임; 그리고 %REE는 앞서 정의된 바와 동일하며 유기 물질임; 그리고 3차원의 구성요소를 레이어 별로 빌드업함. 비제한적인 AM기법의 활용 가능한 예시로는 다음이 있다: 융합 증착 모델링 기술(FDM), 용융수지 압출 적층 기술(FFF), 입체인쇄기술(SLA), 디지털 광원 처리 기술(DLP), 연속 디지털 광원 처리 기술(CDLP), 디지털 광합성 기술(DLS), 클립 기법(CLIP)을 기반으로 한 기술, 소재분사방식(MJ), 단일분사 기술(DOD), 멀티젯 퓨전 방식(MJF), 접착제 분사 기술(BJ), 선택적 레이저 소결 기술(SLS), 선택적 열 소결 기술(SHS), 직접 에너지 조사 기술(DeD), 대면적 적층제조 기술(BAAM), 및/혹은 앞에 언급된 것의 조합. 일 실시 예에서, AM기법은 SLS이다. 추가 실시 예에서, AM기법은 SHS이다. 추가 실시 예에서, AM기법은 DLS이다. 추가 실시 예에서, AM기법은 CLIP 기술을 기반으로 한 기법이다. 추가 실시 예에서, AM기법은 CLIP을 기반으로 한 DLS 기법이다. 추가 실시 예에서, AM기법은 MJF이다. 추가 실시 예에서, AM기법은 BJ이다. 추가 실시 예에서, AM기법은 DOD이다. 추가 실시 예에서, AM기법은 SLA이다. 추가 실시 예에서, 성형 단계에 적용된 AM 기법은 DLP이다. 추가 실시 예에서, AM기법은 CDLP이다. 추가 실시 예에서, AM 기법은 FDM이다. 추가 실시 예에서, AM 기법은 FDM이다. 추가 실시 예에서, AM 기법은 사용된 수지 혹은 와이어가 분말 혹은 분말 혼합물과 유기물질과의 혼합물을 포함하는 FDM기법이다. 추가 실시 예에서, AM 기법은 FFF기법이다. 추가 실시 예에서, AM 기법은 사용된 수지 혹은 와이어가 유기 물질과 분말 혹은 분말 혼합물의 혼합물을 포함하는 FFF기법이다. 추가 실시 예에서, AM 기법은 DeD기법이다. 추가 실시 예에서, AM 기법은 용융원이 레이저(laser)인 DeD이다. 추가 실시 예에서, AM 기법은 용융원이 전자빔(electron beam)인 DeD기법이다. 추가 실시 예에서, AM 기법은 용융원이 전기아아크(electric arc)인 DeD기법이다. 추가 실시 예에서, AM 기법은 BAAM기법이다. 특정 어플리케이션들의 경우, 적어도 두 개의 서로 다른 AM 기법을 사용하는 것이 유리할 수 있다. 대안적으로 앞서 공개된 조성은 제조되고 분말 형태의 철기합금으로 충전될 구성요소의 바람직한 형태의 주형의 사용을 포함하는 제조법에 사용될 수 있다. AM단계 혹은 주형 단계에 적용된 후 얻어지는 적층적으로 제조된 구성요소는 그 중에서도 특히 탈지 단계, 고정 단계, 압력 및/혹은 온도 처리, 통합 단계, 고밀화 단계, 열 처리, 기계가공 및/혹은 표면 컨디셔닝을 포함하되 이에 한정되지만은 않는 본 문서 전반에 걸쳐 공개된 임의의 처리의 대상이 될 수 있다. 추가 실시 예는 다음으로 구성된 적어도 하나의 철기합금 레이어를 포함하는 적층 제조된 구성요소의 대상이다: %Mo: 0.05 - 2.9; %W: 0 - 3.9; %Moeq: 0.05 - 2.9; %Ceq: 0.002 - 0.14; %C: 0.002 - 0.09; %N: 0 - 2.0; %B: 0 - 0.08; %Si: 0.05 - 1.5 ; %Mn: 0.05 - 1.5 ; %Ni: 9.5 - 11.9; %Cr: 10.5 - 13.5; %Ti: 0.5 - 2.4; %Al: 0.001 - 1.5; %V: 0 - 0.4; %Nb: 0 - 0.9; %Zr: 0 - 0.9; %Hf: 0 - 0.9; %Ta: 0 - 0.9; %S: 0 - 0.08; %P: 0 - 0.08; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.08; %Se: 0 - 0.08; %Co: 0 - 3.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 - 0.299 %Y+%Sc +%REE: 0.006 - 1.9%; 철과 미량원소들로 구성된 나머지; 여기서 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시됨; 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B이고, %Moeq=%Mo+1/2*%W와 %REE는 악티늄 원소(actinides)와 란탄계열 원소(lanthanides)의 합이다. 일 실시 예에서, 제조된 구성요소는 조각이다. 추가 실시 예에서, 제조된 구성요소는 주형이다. 추가 실시 예에서, 제조된 구성요소는 다이다. 추가 실시 예에서, 제조된 구성요소는 플라스틱 사출 주형이다. 추가 실시 예에서, 제조된 구성요소는 플라스틱 사출 다이다. 추가 실시 예에서, 제조된 구성요소는 압력 주조 다이다. 추가 실시 예에서, 제조된 구성요소는 경합금 압력 주조 다이다. 추가 실시 예에서, 제조된 구성요소는 알루미늄 압력 주조 다이다. 추가 실시 예에서, 제조된 구성요소는 드로잉 다이다. 추가 실시 예에서, 제조된 구성요소는 밴딩 다이다. 추가 실시 예에서, 제조된 구성요소는 커팅 다이다. 일 실시 예에서, 앞서 공개된 기법은 적어도 일부분의 구성요소를 제조하는데 사용된다. 반면, 일부 실시 예들에서, 앞서 공개된 기법을 활용하여 전체 구성요소를 제조하는 것이 유리하다. 특정 어플리케이션들의 경우, 다른 재료들을 활용하여 구성요소(혹은 앞서 공개된 기법을 사용하여 제조된 구성요소의 적어도 일부분)를 제조하는 것이 유리하다. 일 실시 예에서, 제조된 구성요소는 적어도 두 개의 다른 재료들을 포함한다. 추가 실시 예에서, 제조된 구성요소는 적어도 세 개의 다른 재료들을 포함한다. 추가 실시 예에서, 제조된 구성요소는 적어도 네 개의 다른 재료들을 포함한다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조합으로 서로간 결합될 수 있으며, 예를 들어: 다음 조성을 가지면서 적층 제조용으로 사용되는 분말이 있으며 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시됨: %Mo: 0.05 - 2.9; %W: 0 - 3.9; %Moeq: 0.05 - 2.9; %Ceq: 0.002 - 0.14; %C: 0.002 - 0.09; %N: 0 - 2.0; %B: 0 - 0.08; %Si: 0.05 - 1.5 ; %Mn: 0.05 - 1.5 ; %Ni: 9.5 - 11.9; %Cr: 10.5 - 13.5; %Ti: 0.5 - 2.4; %Al: 0.001 - 1.5; %V: 0 - 0.4; %Nb: 0 - 0.9; %Zr: 0 - 0.9; %Hf: 0 - 0.9; %Ta: 0 - 0.9; %S: 0 - 0.08; %P: 0 - 0.08; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.08; %Se: 0 - 0.08; %Co: 0 - 3.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 - 0.299 %Y+%Sc +%REE: 0.006 - 1.9% 철과 미량원소들로 구성된 나머지, 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B이며; %Moeq=%Mo+1/2*%W이다; 여기서 %REE는 앞서 정의된 바와 동일하다; 여기서 모든 미량원소들의 합은 2.0wt% 미만임; 혹은 예를 들어: 다음을 포함하는 구성요소를 적층 제조하기 위한 방법: 다음의 평균 조성을 갖는 분말 혼합물을 제공하고, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시됨: %Mo: 0.05 - 2.9; %W: 0 - 3.9; %Moeq: 0.05 - 2.9; %Ceq: 0.002 - 0.14; %C: 0.002 - 0.09; %N: 0 - 2.0; %B: 0 - 0.08; %Si: 0.05 - 1.5 ; %Mn: 0.05 - 1.5 ; %Ni: 9.5 - 11.9; %Cr: 10.5 - 13.5; %Ti: 0.5 - 2.4; %Al: 0.001 - 1.5; %V: 0 - 0.4; %Nb: 0 - 0.9; %Zr: 0 - 0.9; %Hf: 0 - 0.9; %Ta: 0 - 0.9; %S: 0 - 0.08; %P: 0 - 0.08; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.08; %Se: 0 - 0.08; %Co: 0 - 3.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 - 0.299 %Y+%Sc +%REE: 0.006 - 1.9% 철과 미량원소들로 구성된 나머지, 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B이고; %Moeq=%Mo+1/2%W임; 여기서 %REE는 앞서 정의된 바와 동일함; 또한 여기서 모든 미량원소들의 합은 1.4wt% 미만임, 합금의 적어도 하나의 레이어를 형성, 철기 합금을 용융 상태로 녹이고 냉각하고 철기 합금의 응고된 레이어를 형성함으로써, 여기서 AM기법은 DeD, BAAM, SLS, SLM, DMLS, 줄 프린팅 기법, 그리고 EBM로부터 선택됨, 여기서 적층 제조된 구성요소는 최소 압축 및/혹은 온도 처리, 통합 단계, 고밀화 단계 및/혹은 열처리(예를 들어 본 문서에 서술된 바와 동일한 처리들)의 대상이다.
특히 고합금된 분말 혹은 분말 혼합물을 수반하는 일부 어플리케이션들의 경우, 예상되는 고성능에 달성하는 것이 상당히 어려울 수 있다. 본 문서에 정의되었던 바와 동일하게, 몇몇의 전략들은 별도로 명시되지 않는 한 부가적으로 사용될 수 있는 해당 어려움을 극복하기 위해 발전되어왔다. 그러한 전략 중 추가된 하나는 적시에 두 번의 다른 모멘트에서 최소 두 번의 고압 기간을 나타내는 사이클 동안 압력이 크게 변하는 고압, 고온 사이클을 사용하는데 있다. 별도로 명시되지 않는 한, 용어 "적시에 두 번의 다른 모멘트에서 최소 두 번의 고압 기간을 나타내는 사이클 동안 압력이 크게 변하는 고압, 고온 사이클"은 아래에 상세히 설명되는 여러 대안의 형태로 본 문서 전체에 걸쳐 정의된다. 이러한 기법은 본 발명자에 의해 공개 문헌에서 발견되지 않았기 때문에, 결정된 겉보기 밀도를 갖는 구성요소가 다음의 단계들을 포함하는 처리의 대상이 되는 기법을 주장한다:
단계 1: 고압 및 고온 처리,
단계 2: 중압 고온 처리 그리고
단계 3: 고압 및 고온 처리.
일반적으로 단계 2와 특히 단계3은 중복되고 처리된 구성요소의 특성에 거의 기여하지 않을 것이라고 예상하지만, 일부 재료들의 경우 서술된 방법은 기계적 특성에 있어서 이례적인 개선을 가져온다. 일 실시 예에서, 세 단계들 모두는 동일한 용선로(furnace)에서 수행된다. 일 실시 예에서, 세 단계 모두는 고온에서 압력을 낮추는 것을 포함하여 동일한 용선로에서 수행된다. 일 실시 예에서, 단계들 중 적어도 둘은 고온에서 압력의 유의미한 변화를 포함하여 동일한 용선로에서 수행된다. 이 처리를 시작할 때 낮은 겉보기 밀도들이 종종 불만족스러운 기계적 성능을 야기하지만, 사실 일부 어플리케이션들의 경우 예상할 수 있는 더 낮은 겉보기 밀도들이 해당 기법으로 성공적으로 처리될 수 있음이 관찰되었고 더욱 예상치 못하게 나타났다. 다른 실시 예들에서, 본 기법에 따라 처리의 대상이 되는 구성요소의 결정된 겉보기 밀도는 32% 보다 높고, 52% 보다 높고, 66% 보다 높고, 71% 보다 높고, 75% 보다 높고, 그리고 심지어 81% 보다 높게 선택되어야 한다. 과도하게 결정된 겉보기 밀도가 성능과 경제적 측면 모두에서 바람직하지 못한 결과들 역시 야기한다는 훨씬 더 놀라운 사실이 관찰되었다. 다른 실시 예들에서, 본 기법에 따라 처리의 대상이 되는 구성요소의 결정된 겉보기 밀도는 99.4% 보다 낮고, 94% 보다 낮고, 88% 보다 낮고, 84% 보다 낮고, 그리고 심지어 78% 보다 낮게 선택되어야 한다. 해당 문맥에서, 결정된 겉보기 밀도는 =[실제 밀도(real density)/이론적 밀도(theoretical density)]*100) 이다. 일 실시 예에서, 구성요소의 실제 밀도는 Archimedes Principe에 의해 측정된다. 대안적 일 실시 예에서, 구성요소의 실제 밀도는 ASTM B962-08에 따라 Archimedes Principe에 의해 측정된다. 일 실시 예에서, 밀도들은 20℃ 에서 1 atm에 있다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 어떠한 임의의 조합으로 서로간 결합이 가능하다. 또한, 예상대로, 선택된 압력은 최종적으로 얻어지는 특성들에 입사(incidence)를 가지므로 올바른 수준의 압력이 선택되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 고압은 22 MPa 이상, 52 MPa 이상, 72 MPa 이상, 102 MPa 이상, 202 MPa 이상, 그리고 심지어 402 MPa 이상을 의미한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도하게 높은 압력들을 피해야 한다. 다른 실시 예들에서, 높은 압력은 1900 MPa 이하, 890 MPa 이하, 390 MPa 이하, 290 MPa 이하, 그리고 심지어 190 MPa 이하를 의미한다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조합으로 서로간 결합될 수 있으며, 예를 들어: 일 실시 예에서, 고압은 22 MPa에서 1900 MPa사이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 중압들을 피해야 한다. 다른 실시 예들에서, 중압은 90 MPa 이하, 19 MPa 이하, 9 MPa 이하, 0.9 MPa 이하, 1900 mbar이하, 900 mbar이하, 그리고 심지어 90 mbar이하를 의미한다. 너무 낮은 중압 역시 선호되지 않는 어플리케이션들 또한 있다. 다른 실시 예들에서, 중압은 1e-9 mbar 이상, 1e-5 mbar 이상, 0.01 mbar 이상, 10 mbar 이상, 600 mbar 이상, 1200 mbar 이상, 그리고 심지어 250 bar 이상을 의미한다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조합으로 서로간 결합될 수 있으며, 예를 들어: 일 실시 예에서, 중압은 1e-12 bar에서 90 MPa사이다. 동일한 가마 혹은 용선로에서 둘 이상의 단계가 수행될 때와 둘 사이의 온도가 강하게 환원되지 않고 처리될 때, 적용되는 압력의 유의미한 변화는 적절하게 통제되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 압력의 유의미한 변화는 0.2 MPa 이상, 52 MPa 이상, 82 MPa 이상, 102 MPa 이상, 202 MPa 이상, 그리고 심지어 402 MPa 이상을 의미한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 압력의 과도하게 유의미한 변화는 권장되지 아니한다. 다른 실시 예들에서, 압력의 유의미한 변화는 890 MPa 이하, 380 MPa 이하, 290 MPa 이하, 그리고 심지어 190 MPa 이하를 의미한다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조합으로 서로간 결합될 수 있으며, 예를 들어: 일 실시 예에서, 압력의 유의미한 변화는 0.2 MPa 에서 890 MPa 사이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 임계 용융온도(Tcm)의 면에서 본 기법에서의 고온 처리가 의미하는 바를 정의하는 것이 더 낫다. 다른 실시 예들에서, 고온은 0.36*Tcm 이상, 0.46*Tcm 이상, 0.52*Tcm 이상, 0.66*Tcm 이상, 0.76*Tcm 이상, 그리고 심지어 0.82*Tcm 이상을 의미하고, 여기서 Tcm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 용융점을 갖는 분말의 용융온도이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도하게 높은 온도들을 피해야 한다. 일 실시 예에서, 높은 온도는 2.9*Tcm 이하, 1.9*Tcm 이하, 0.99*Tcm 이하, 0.89*Tcm 이하, 그리고 심지어 0.79*Tcm 이하를 의미하며, 여기서 Tcm은 분말 혼합물 내 용융점이 가장 낮은 분말의 용융온도다. 해당 문서에서, 별도의 언급이 없다면, 용융온도는 평형 조건들에서 제1액체가 형성되는 온도를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, Tcm은 (앞서 정의된 바와 같은) 임계 분말인 분말 혼합물 내 용융점이 가장 낮은 금속성 분말의 용융온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tcm은 (앞서 정의된 바와 같은) 유의미한 분말인 분말 혼합물 내 용융점이 가장 낮은 금속성 분말의 용융온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tcm은 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 중량은 부피 분율임)을 포함하는 금속의 용융온도 평균이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tcm은 (앞서 정의된 바와 같은) 분말 혼합물의 용융온도를 의미한다. 일부 실시 예들에서, 오로지 하나의 금속성 분말이 사용될 때, Tcm은 금속성 분말의 용융온도이다. 해당 문맥에서, 앞서 공개된 온도들은 kelvin을 단위로 한다. 일 실시 예에서, 용융 및 결정화 온도에 대한 ASTM E794-06(2012) 표준 시험 방법에 따라 열 분석에 의해 측정된다. 일 실시 예에서, 용융온도는 시차주사 열량분석법 (DSC)에 의해 측정된다. 대안적 일 실시 예에서, 용융온도는 시차 열분석 (DTA)에 의해 측정된다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조성으로 서로간 결합될 수 있으며, 예를 들어: 일 실시 예에서, Tcm은 적어도 분말 혼합물의 0.06wt%로 분말 혼합물 내 용융점이 가장 낮은 분말의 용융온도이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 절대명사로 고온 처리가 의미하는 바를 정의하는 것이 낫다. 다른 실시 예들에서, 고온은 255℃ 이상, 555℃ 이상, 855℃ 이상, 955℃ 이상, 1055℃ 이상, 1155℃ 이상, 1255℃ 이상, 그리고 심지어 1455℃ 이상을 의미한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도하게 높은 온도들을 피해야 한다. 다른 실시 예들에서, 고온은 3900℃ 이하, 2900℃ 이하, 2400℃ 이하, 1900℃ 이하, 1490℃ 이하, 1290℃이하, 1190℃ 이하, 그리고 심지어 900℃ 이하를 의미한다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조성으로 서로간 결합될 수 있으며, 예를 들어: 일 실시 예에서, 고온은 255℃ 와 3900℃ 사이의 온도다. 일부 어플리케이션들의 경우, 온도가 고온 범위 이내에서 유지되는 휴지(dwell) 시간이 중요하다. 다른 실시 예들에서, 온도가 고온 범위 이내에서 유지되는 휴지 시간은 0.1 h 이상, 0.52 h 이상, 1.02 h 이상, 2.52 h 이상, 5.52 h 이상, 15.2 h 이상, 그리고 심지어 152 h 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도하게 긴 휴지 시간은 권장되지 않는다. 다른 실시 예들에서, 온도가 고온 범위 이내에서 유지되는 휴지 시간은 1900 h 이하, 192 h 이하, 42 h 이하, 19 h 이하, 4 h 이하, 그리고 심지어 0.9 h 이하다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조성으로 결합될 수 있으며, 예를 들어: 일 실시 예에서, 온도가 고온 범위 이내에서 유지되는 휴지 시간은 0.1 h에서 1900 h 사이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 압력이 고압 범위 이내에서 유지되는 휴지 시간이 중요하다. 다른 실시 예들에서, 압력이 고압 범위 이내에서 유지되는 휴지 시간은 0.01 h 이상, 0.12 h 이상, 0.52 h 이상, 1.02 h 이상, 2.52 h 이상, 5.22 h 이상, 15.2 h 이상, 그리고 심지어 142 h 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도하게 긴 휴지 시간은 권장되지 않는다. 다른 실시 예들에서, 압력이 고압 범위 이내에서 유지되는 휴지 시간은 1700 h 이하, 182 h 이하, 42 h 이하, 19 h 이하, 4 h 이하, 0.9 h 이하다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조성으로 서로간 결합될 수 있으며, 예를 들어: 일 실시 예에서, 압력이 고압 범위 이내에서 유지되는 휴지 시간은 0.01 h에서 1700 h사이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 압력이 중압 범위 이내에서 유지되는 휴지 시간이 중요하다. 다른 실시 예들에서, 압력이 중압 범위 이내에서 유지되는 휴지 시간은 0.01 h 이상, 0.12 h 이상, 0.52 h 이상, 1.02 h 이상, 2.52 h 이상, 5.22 h 이상,그15.2 h 이상, 리고 심지어 142 h 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도하게 긴 휴지 시간은 권장되지 않는다. 다른 실시 예들에서, 압력이 중압 범위 이내에서 유지되는 휴지 시간은 1800 h 이하, 172 h 이하, 42 h 이하, 19 h 이하, 4 h 이하, 그리고 심지어 0.8 h 이하다. 앞서 공개된 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조성으로 서로간 결합될 수 있으며, 예를 들어: 일 실시 예에서, 압력이 중압 범위 이내에서 유지되는 지속 시간은 0.01 h에서 1800 h 사이다. 따라서, 앞서 공개된 모든 실시 예들은 상호 배타적이지 않다면, 서로간 혹은 본 문서 내 공개된 다른 실시 예와 임의의 조합으로 결합될 수 있다. 실시 예들의 일부 조성들은 예를 들면 다음과 같다: 겉보기 밀도가 32%에서 99.4% 사이인 구성요소가 다음의 단계들을 포함하는 처리의 대상이 되는 기법: 단계 1: 22 MPa에서 1900 MPa 사이의 고압과, 255℃ 에서 3900℃ 사이의 고온에서의 처리를 적용함; 단계 2: 1±e-12 bar 에서 90 MPa 사이의 중압과, 255℃ 에서 3900℃ 사이의 고온에서의 처리를 적용함; 단계 3: 22 MPa에서 1900 MPa 사이의 고압과, 255℃ 에서 3900℃ 사이의 고온에서의 처리를 적용함; 여기서 온도가 고온 범위 이내에서 유지되는 휴지 시간은 0.1 h에서 1900 h 사이임; 그리고 여기서 압력이 중압 범위 이내에서 유지되는 휴지 시간은 0.01 h 이상 1700 h 이하임; 혹은 예를 들어: 내부기공들(internal porosities)을 포함하는 분말 혼합물을 활용하여 제조된 구성요소가 다음의 단계들을 포함하는 처리의 대상이 되는 방법임: 단계 1: 22 MPa에서 1900 MPa 사이의 고압과, 0.36*Tcm에서 2.9*Tcm사이의 고온에서의 처리를 적용함; 단계 2: 1e-12 bar에서 90 MPa사이의 중압과, 0.36*Tcm에서 2.9*Tcm 사이의 고온에서의 처리를 적용함; 단계 3: 22 MPa에서 1900 MPa 사이의 고압과, 0.36*Tcm에서 2.9*Tcm 사이의 고온에서의 처리를 적용함; 여기서 Tcm은 구성요소를 제조하는데 사용되는 분말 혼합물 내 용융점이 가장 낮은 분말의 용융온도임; 여기서 압력이 고압 범위 이내에서 유지되는 휴지 시간은 0.1 h에서 1900 h 사이임; 그리고 여기서 압력이 중압 범위 이내에서 유지되는 휴지 시간은 0.01 h에서 1700 h 사이임. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조합으로 서로간 및 "적시에 두 번의 다른 모멘트에서 최소 두 번의 고압 기간을 나타내는 사이클 동안 압력이 크게 변하는 고압, 고온 사이클"에 대한 어플리케이션과 관련한 본 문서에서 공개된 다른 실시 예와 결합될 수 있다.
바람직한 특성들을 달성하기 위한 열 처리에 의존하는 합금 개념들로부터, 일부 합금 개념들은 선호된 특성들에 달성하기 위해 급속 쿨링을 필요로 하는 반면 다른 개념들은 반대로 오로지 느리게 냉각될 때만 바람직한 특성들에 달성할 수 있다. 급속 쿨링은 종종 균열, 형태 보형성, 비균직 특성들 등과 연관된 비용 측면에서의 다른 바람직하지 못한 부작용들을 초래한다. 본 발명자는 일부 합금 개념들이 급속 쿨링을 통해 언급된 부정적인 부작용들 없이 혹은 적어도 비용과 성능 모두에서 매우 작은 입사만으로 매우 바람직한 특성들을 달성할 수 있음을 놀랍게도 발견했다. 일부 어플리케이션들의 경우, 충분히 빠른 냉각을 포함하는 열 처리는 본 문서에서 앞서 정의된 "적절한 기하학적 설계 전략"과 결합하여 유리하게 적용될 수 있다. 일 실시 예에서, 본 문서에서 앞서 정의된 "적절한 기하학적 설계 전략"은 본 문서에서 제시된 합금 전략들 중 적어도 하나를 포함하는 재료와 아래에 설명되는 바와 같이 충분히 빠른 냉각을 포함하는 열 처리에 사용된다. 일부 어플리케이션들의 경우 충분히 빠른 냉각이 구현되는 방식이 달성된 특성들에 대해 입사를 가진다는 점이 밝혀졌다. 별도로 명시되지 않는 한, 용어 "충분히 빠른 냉각"은 아래에 자세히 설명되는 여러 대안들의 형태로 현재 문서 전반에 걸쳐 정의된다. 일 실시 예에서, 충분히 빠른 냉각은 더 차가운 유체와의 대류에 의해 구현된다. 일 실시 예에서, 더 차가운 유체는 가스를 포함한다. 일 실시 예에서, 더 차가운 유체는 주로(50vol% 초과) 가스다. 일 실시 예에서, 더 차가운 유체는 액체를 포함한다. 일 실시 예에서, 더 차가운 유체는 주로(50vol% 초과) 액체다. 일 실시 예에서, 더 차가운 유체는 Ar을 포함한다. 일 실시 예에서, 더 차가운 유체는 He를 포함한다. 일 실시 예에서, 더 차가운 유체는 질소를 포함한다. 일 실시 예에서, 더 차가운 유체는 수소를 포함한다. 일 실시 예에서, 더 차가운 유체는 용융염을 포함한다. 일 실시 예에서, 더 차가운 유체는 물을 포함한다. 일 실시 예에서, 더 차가운 유체는 수증기를 포함한다. 일 실시 예에서, 더 차가운 유체는 메탄을 포함한다. 일 실시 예에서, 더 차가운 유체는 유기 구성요소를 포함한다. 일 실시 예에서, 더 차가운 유체는 적어도 부분적으로 고체 입자들의 유동층으로 대체된다. 다른 실시 예들에서, 더 차가운 입자는 평균 온도가 열 처리되는 구성요소에 의해 달성되는 최고 온도보다 적어도 55℃ 낮고, 적어도 155℃ 낮고, 적어도 355℃ 낮고, 적어도 555℃ 낮고, 그리고 심지어 적어도 1055℃ 낮은 유체이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도하게 높은 온도는 권장되지 않는다. 다른 실시 예들에서, 더 차가운 유체는 평균 온도가 열 처리되는 구성요소에 의해 달성되는 최고 온도보다 최대 3555℃ 낮고, 최대 2555℃ 낮고, 그리고 심지어 최대 1555℃ 낮은 유체이다. 몇몇의 어플리케이션들에서, 유체가 유지되는 압력이 합리적인 비용으로 원하는 특성들을 달성하는데 있어서 놀랍게도 중요한 역할을 함이 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, 더 차가운 유체는 2.1 bar 이상, 6.1 bar 이상, 11 bar 이상, 21 bar 이상, 그리고 심지어 31 bar 이상으로 가압된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 압력은 권장되지 않는다. 다른 실시 예들에서, 더 차가운 유체는 98 bar 미만, 그리고 심지어 48 bar 미만으로 가압된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 훨씬 더 높은 압력들이 이점을 야기한느 것으로 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, 더 차가운 유체는 120 bar 이상, 520 bar 이상, 1100 bar 이상, 1550 bar 이상, 2100 bar 이상, 그리고 심지어 6000 bar이상으로 가압된다. 과도한 압력은 더이상 유리하지 않은 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, 더 차가운 유체는 22000 bar 미만, 12000 bar 미만, 4000 bar 미만, 그리고 심지어 1900 bar미만으로 가압된다. 일 실시 예에서, 가압은 구성요소의 냉각이 발생하는 챔버 내 유체의 최대 압력을 의미한다. 일 실시 예에서, 가압은 구성요소의 냉각이 발생하는 챔버 내 유체의 최대 압력 평균을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 평균은 압력이 가장 높은 지점에서 2분동안, 5분 동안, 그리고 심지어 15분 동안 계산된다. 일부 어플리케이션들의 경우 부과될 충분히 빠른 냉각을 정량화하는 가장 편리한 방법은 냉각속도를 통하는 것임이 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, 냉각 속도는 1.2 K/min 보다 빠르고, 1.2 K/s 보다 빠르고, 22 K/s 보다 빠르고, 52 K/s 보다 빠르고, 102 K/s 보다 빠르고, 202 K/s 보다 빠르고, 302 K/s 보다 빠르고, 그리고 심지어 502 K/s 보다 빠르다. 일부 어플리케이션들은 과도한 냉각 속도로부터 이점을 얻지 않는다. 다른 실시 예들에서, 냉각 속도는 1020 K/s 보다 느리고, 490 K/s 보다 느리고, 190 K/s 보다 느리고, 90 K/s 보다 느리고, 그리고 심지어 38 K/s 보다 느리다. 일 실시 예에서, 냉각 속도는 과정 전반에 걸쳐 최대 냉각 속도를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 구성요소의 냉각 속도는 전체 과정 내에서 시뮬레이션되는 냉각 속도의 최대값이다. 추가 대안적 실시 예에서, 구성요소의 냉각 속도는 냉각 속도의 평균값이다. 일 실시 예에서, 냉각 속도의 평균값은 구성요소의 최고 온도가 700℃ 에서 400℃ 사이인 구간에서 계산된다. 추가 실시 예에서, 냉각 속도의 평균값은 구성요소의 최고 온도가 560℃ 에서 500℃ 사이인 구간에서 계산된다. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조합으로 서로간 결합될 수 있으며, 예를 들어: 빠른 냉각 속도가 1.2 K/min에서 1020 K/sec 사이인 열처리가 있고, 여기서 50vol% 초과의 가스를 포함하는 더 차가운 유체로 냉각되며, 이는 2.1 bar 이상 22000 bar 이하로 가압됨; 혹은 예를 들어 빠른 냉각 속도가 1.2 K/min에서 1020 K/sec 사이인 열처리가 있고, 여기서 가스를 포함하는 더 차가운 유체와 함께 대류에 의해 냉각됨; 일부 어플리케이션들의 경우 부과될 충분히 빠른 냉각을 정량화하는 가장 편리한 방법은 인터페이스 구성요소-더 차가운 유체에서 열전달계수를 통한 것임이 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, 더 차가운 유체-구성요소 인터페이스에서의 열전달계수는 2.5 W/(m2*K) 이상, 25 W/(m2*K) 이상, 250 W/(m2*K) 이상, 1005 W/(m2*K) 이상, 2500 W/(m2*K) 이상, 그리고 심지어 5200 W/(m2*K) 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 열전달은 성능과 비용 측면에서의 결점을 초래한다. 다른 실시 예들에서, 더 차가운 유체-구성요소 인터페이스에서의 열전달계수는 24000 W/(m2*K) 이하, 14000 W/(m2*K) 이하, 4900 W/(m2*K) 이하, 그리고 심지어 900 W/(m2*K) 이하다. 일 실시 예에서, 더 차가운 유체-구성요소 인터페이스에서의 열전달계수는 전체 과정 내에서 측정되는 열전달계수의 최대값이다. 대안적 실시 예에서, 더 차가운 유체-구성요소 인터페이스에서의 열전달계수는 전체 과정 내에서 시뮬레이션되는 열전달계수의 최대값이다. 추가 대안적 실시 예에서, 더 차가운 유체-구성요소 인터페이스에서의 열전달계수는 열전달계수의 평균값이다. 일 실시 예에서, 열전달계수의 평균값은 구성요소의 최고 온도가 700℃ 에서 400℃ 사이인 구간에서 계산된다. 추가 실시 예에서, 열전달계수의 평균값은 구성요소의 최고 온도가 560℃ 에서 500℃ 사이인 구간에서 계산된다. 일 실시 예에서, 더 차가운 유체-구성요소 인터페이스에서의 열전달계수는 열전달계수의 이론적 최대값이다. 일 실시 예에서, 열전달계수의 시뮬레이션은 유한요소 시뮬레이션(FEM)과 인공신경망(ANN)에 의해 수행된다[모델링 및 실험적 검증을 활용하여 대형 단조 블럭이 담금질되는 동안 열전달계수의 Prediction에서 수행됨-Yassine Bouissa et al.]. 앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조합으로 서로간 및 본 문서에서 공개된 "충분히 빠른 냉각"과 관련한 다른 실시 예와 결합될 수 있다.
다음 단락에서 공개되는 발명은 금속을 포함하는 기하학적으로 복잡한 조각들 및/혹은 부분들(구성요소들)을 생산하는 방법에 관한 것이다. 해당 방법은 특히 고성능 구성요소를 제조하는데 적합하다. 해당 방법은 또한 초대형 구성요소들에 적합하다. 일부 어플리케이션들의 경우, 방법은 다음을 포함한다: 구성요소를 형성하기 위한 적층제조(AM) 기법 적용. 일부 어플리케이션들의 경우, AM기법은 유기물질 점결제의 사용을 포함한다. 일 실시 예에서, 기법은 MAM 기술의 활용을 포함한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 압출 및/혹은 금속사출주형(MIM)을 포함하는 다른 냉간 제조기법들이 또한 적용될 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 고분자 수지 혹은 금속성 입자들을 포함하는 와이어를 제조하기 위한 압출의 활용이 특히 흥미롭다. 일 실시 예에서, 기법은 융합 증착 모델링(FDM)의 활용을 포함한다. 일 실시 예에서, 기법은 용융수지 압출 적층(FFF)의 활용을 포함한다. 일 실시 예에서, 금속성 입자들은 본 문서 전반에 걸쳐 공개된 임의의 분말들 및/혹은 분말 혼합물들을 포함한다. 일 실시 예에서, 기법은 구성요소를 제조하기 위해 본 문서 전반에 걸쳐 공개된 임의의 분말들 및/혹은 분말 혼합물들의 활용을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물은 질소 오스테나이트계 강분말이다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 적어도 하나의 질소 오스테나이트계 강분말을 포함한다. 특정 어플리케이션들의 경우, 질소 오스테나이트계 강분말 혹은 질소 오스테나이트계 강의 조성에 상응하는 전반적인 조성을 갖는 분말 혼합물의 활용이 선호된다. 일 실시 예에서, 분말은 질소 오스테나이트계 강분말이다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 질소 오스테나이트계 강의 조성에 상응하는 평균 조성을 갖는다. 일부 실시 예들에서, 혼합 전략들에 따라 본 문서에서 공개된 분말 혹은 분말 혼합물들의 활용은 현재의 방법으로 임의의 조성으로 결합될 수 있다. 일 실시 예에서, 분말 혼합물은 적어도 (앞서 정의된 바와 같은) LP와 SP 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물은 (앞서 정의된 바와 같은) LP분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물은 (앞서 정의된 바와 같은) SP 분말을 포함한다. 일 실시 예에서, 분말 혹은 분말 혼합물은 적어도 (앞서 정의된 바와 같은) 분말 P1, P2, P3 및/혹은 P4를 포함한다. 일부 실시 예들에서, 특허 출원 번호 PCT/EP2019/075743에서 공개된 분말들 및/혹은 분말 혼합물들의 활용이 특히 흥미로운데, 그 내용은 이 문서에 참조로 포함된다. 일 실시 예에서, 기법은 구성요소를 제조하기 위해 적어도 하나의 금속 분말을 포함하는 분말 혼합물의 활용을 포함한다. 일 실시 예에서, 기법은 구성요소의 적어도 일부분이 AM에 의해 제조되는 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 기법은 구성요소가 AM에 의해 제조되는 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 기법은 구성요소의 적어도 일부분이 MAM에 의해 제조되는 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 기법은 구성요소가 MAM에 의해 제조되는 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 기법은 유기물질의 활용을 포함한다. 일 실시 예에서, 기법은 구성요소의 적어도 일부분이 유기물질의 활용을 포함하는 AM기법에 의해 제조되는 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 기법은 구성요소가 유기물질의 활용을 포함하는 AM기법에 의해 제조되는 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 유기 물질은 점결제를 포함한다. 일 실시예에서, 유기 물질은 점결제다. 일 실시 예에서, 유기물질은 풀을 포함한다. 일 실시 예에서, 유기 물질은 풀이다. 일 실시 예에서, 유기 물질은 고분자 물질을 포함한다. 일 실시 예에서, 유기 물질은 고분자 물질이다. 일 실시 예에서, 유기 물질은 중합체(polymer)를 포함한다. 일 실시 예에서, 유기 물질은 중합체다. 일 실시 예에서, 기법은 구성요소의 적어도 일부분이 접착제 분사 기술(BJ, jet binding 혹은 binder jet 3D printing라고도 불림)에 의해 제조되는 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 기법은 구성요소가 접착제 분사 기술(BJ)에 의해 제조되는 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 기법은 구성요소의 적어도 일부분이 융합 증착 모델링 기술(FDM)에 의해 제조되는 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 기법은 구성요소가 융합 증착 모델링 기술(FDM)에 의해 제조되는 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 구성요소의 적어도 일부분이 용융수지 압출 적층 기술(FFF)에 의해 제조되는 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 기법은 구성요소가 용융수지 압출 적층 기술(FFF)에 의해 제조되는 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 기법은 구성요소의 적어도 일부분이 압출에 의해 제조되는 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 기법은 구성요소가 재료 압출에 의해 제조되는 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 압출된 재료는 수지 혹은 와이어이다. 일 실시 예에서, 기법은 구성요소의 적어도 일부분이 MIM에 의해 제조되는 단계를 포함한다. 일 실시 예에서, 기법은 구성요소가 MIM에 의해 제조되는 단계를 포함한다.
일부 어플리케이션들의 경우, 제조된 구성요소는 이 때 압력 어플리케이션을 포함하는 처리의 대상이다. 일 실시 예에서, 더 나아가 기법은 제조된 구성요소가 압력 및/혹은 온도 처리의 대상인 단계를 포함한다.
일부 어플리케이션들의 경우, 최소 공정 시간이 요구된다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리 공정 시간은 최소 1분, 최소 6분, 최소 25분, 최소 246분, 최소 410분, 그리고 심지어 최소 1200분이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 공정 시간은 제조된 구성요소의 기계적 특성을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리 공정 시간은 119시간 미만, 47시간 미만, 23.9시간 미만, 12시간 미만, 2시간 미만, 54분 미만, 34분 미만, 24.9분 미만, 21분 미만, 14분 미만, 그리고 심지어 8분 미만이다.
일부 어플리케이션들의 경우, 압력을 적용하는데 사용되는 수단이 중요하다. 반면, 일부 어플리케이션들은 압력이 적용되는 방법과 심지어 도달된 압력 수준에 대해 다소 둔감하다. 이와 관련하여, 본 발명자는 일부 어플리케이션들은 균질한 방법으로 압력을 적용함으로써 이점을 얻는다는 것을 발견했다. 일부 실시 예에서 압력 및/혹은 온도 처리는 (앞서 정의된 바와 같은) "균질한 방법으로 압력을 적용하기 위해 발달된 전략들"을 적용하는 것을 포함한다. 본 발명자는 또한 일부 어플리케이션들의 경우, 극초단파를 활용하여 가열의 적어도 일부분을 수행하는 것이 특히 유리하다는 점을 발견했다. 일 실시 예에서, 압력 및/혹은 온도 처리는 (앞서 정의된 바와 같은) "극초단파 가열"을 적용하는 것을 포함한다.
일부 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 사용된 압력은 제조된 구성요소의 기계적 특성들과 관련이 있을 수 있다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 압력은 6 MPa 이상, 60 MPa 이상, 110 MPa 이상, 220 MPa 이상, 340 MPa 이상, 560 MPa 이상, 860 MPa 이상, 그리고 심지어 1060 MPa이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 압력의 적용은 제조된 구성요소의 기계적 특성들을 저하시키는 것으로 보인다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 압력은 2100 MPa 이하, 1600 MPa 이하, 1200 MPa 이하, 990 MPa 이하, 790 MPa 이하, 640 MPa 이하, 590 MPa 이하, 그리고 심지어 390 MPa 이하다. 일 실시 예에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 압력은 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 평균 압력을 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 압력은 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 최소 압력을 의미한다. 추가 대안적 실시 예에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 압력은 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 평균 압력을 의미하며, 여기서 평균 압력은 (앞서 정의된 바와 같은) 임계 시간 미만으로 적용된 임의의 압력을 제외하고 계산된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 최대 압력이 적절할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 최대 압력은 105 MPa 이상, 210 MPa 이상, 310 MPa 이상, 405 MPa 이상, 640 MPa 이상, 1260 MPa 이상, 그리고 심지어 2600 MPa 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 압력은 권장되지 않는다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 최대 압력은 2100 MPa 이하, 1200 MPa 이하, 990 MPa 이하, 790 MPa 이하, 640 MPa 이하, 590 MPa 이하, 490 MPa 이하, 그리고 심지어 390 MPa 이하다. 일 실시 예에서, (앞서 정의된 바와 같은) "임계 시간" 미만으로 유지되는 임의의 압력은 최대 압력으로 고려되지 않는다. 일 실시 예에서, 최대 압력은 (앞서 정의된 바와 같은) "적절한 시간"동안 적용된다. 일 실시 예에서, 압력은 지속적으로 적용된다. 일 실시 예에서, 압력은 (앞서 정의된 바와 같은) "적절한 시간"동안 지속적으로 적용된다. 일 실시 예에서, 유체 압력의 적어도 일부분은 구성요소 위로 직접적으로 적용된다. 일 실시 예에서, 유체의 압력은 구성요소 위로 직접적으로 적용된다. 일 실시 예에서, 구성요소가 내부 피처들을 포함할 때, 유체 압력의 적어도 일부분은 내부 피처들 위로 직접적으로 적용된다. 일 실시 예에서, 구성요소가 내부 피처들을 포함할 때, 유체의 압력은 내부 피처들 위로 직접적으로 적용된다. 일 실시 예에서, 구성요소가 내부 피처들을 포함할 때, 입자 유동층의 압력은 내부 피처들 위로 직접적으로 적용된다.
일부 어플리케이션들의 경우, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 온도는 제조된 구성요소의 기계적 특성들과 관련이 있을 수 있다. 본 발명자는 일부 어플리케이션들의 경우, 구성요소를 제조하는데 사용되는 분말 혹은 분말 혼합물의 용융온도와 압력 및/혹은 온도 처리에 수반되는 온도 간의 특정한 관계가 유리할 수 있음을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 온도는 0.94*Tm 미만, 0.84*Tm 미만, 0.74*Tm 미만, 0.64*Tm 미만, 0.44*Tm 미만, 0.34*Tm 미만, 0.29*Tm 미만, 그리고 심지어 0.24*Tm미만이며, 여기서 Tm은 분말 혼합물 내 용융점이 가장 낮은 금속성 분말의 용융온도다. 대안적 일 실시 예에서, Tm은 (앞서 정의된 바와 같은) 임계 분말인 분말 혼합물 내에서 용융점이 가장 낮은 금속성 분말의 용융온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 (앞서 정의된 바와 같은) 유의미한 분말인 분말 혼합물 내에서 용융점이 가장 낮은 금속성 분말의 용융온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 중량은 부피 분율임)을 포함하는 금속의 용융온도 평균이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 (앞서 정의된 바와 같은( 분말 혼합물의 용융온도를 의미한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 오로지 하나의 분말만이 사용될 때, Tm은 분말의 용융온도이다. 해당 문맥에서, 앞서 공개된 온도들은 kelvin을 단위로 한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 온도는 특정 값을 초과하여 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 온도는 0.16*Tm 초과, 0.19*Tm 초과, 0.26*Tm 초과, 0.26*Tm 초과, 0.3*Tm 초과, 0.45*Tm 초과, 0.61*Tm 초과, 0.69*Tm 초과, 0.74*Tm 초과, 그리고 심지어 0.86*Tm를 초과하며, 여기서, Tm은 분말 혼합물 내 용융점이 가장 낮은 금속성 분말의 용융온도이다. 대안적 일 실시 예에서, Tm은 (앞서 정의된 바와 같은) 임계 분말인 분말 혼합물 내에서 용융점이 가장 낮은 금속성 분말의 용융온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 (앞서 정의된 바와 같은) 유의미한 분말인 분말 혼합물 내에서 용융점이 가장 낮은 금속성 분말의 용융온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 중량은 부피 분율임)을 포함하는 금속의 용융온도 평균이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 (앞서 정의된 바와 같은( 분말 혼합물의 용융온도를 의미한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 오로지 하나의 분말만이 사용될 때, Tm은 분말의 용융온도이다. 해당 문맥에서, 앞서 공개된 온도들은 kelvin을 단위로 한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 온도를 절대명사로 정의하는 것이 더 낫다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 온도는 649℃ 미만, 440℃ 미만, 298℃ 미만, 249℃ 미만, 149℃ 미만, 90℃ 미만, 49℃ 미만, 그리고 심지어 29℃ 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 적용된 온도는 특정 값을 초과하여 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 온도는 -14℃ 초과, 9℃ 초과, 31℃ 초과, 46℃ 초과, 86℃ 초과, 110℃ 초과, 156℃ 초과, 210℃ 초과, 270℃ 초과, 그리고 심지어 310℃ 를 초과한다. 일 실시 예에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 온도는 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 최고 온도를 의미한다. 대안적 일 실시 예에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 온도는 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 평균 온도를 의미한다. 일 실시 예에서, 평균 온도는 (앞서 정의된 바와 같은) "임계 시간" 미만으로 유지되는 임의의 온도를 제외하고 계산된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 최고 온도는 제조된 구성요소의 기계적 특성들과 연관이 있을 수 있다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 최고 온도는 995℃ 미만, 495℃ 미만, 245℃ 미만, 145℃ 미만, 그리고 심지어 85℃ 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 적용된 최고 온도는 특정 값을 초과하여야 한다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 최고 온도는 최소 26℃, 최소 46℃, 최소 76℃, 최소 106℃, 최소 260℃, 최소 460℃, 최소 600℃, 그리고 심지어 최소 860℃ 이다.일 실시 예에서, 최고 온도는 (앞서 정의된 바와 같은) "적절한 시간"동안 유지된다. 일 실시 예에서, (앞서 정의된 바와 같은) "임계 시간" 미만으로 유지되는 임의의 온도는 최고 온도로 고려되지 않는다. 일부 어플리케이션들의 경우, 적용된 최저 온도가 유의미할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 최저 온도는 - 29℃, - 2℃, 9℃, 16℃, 26℃, 그리고 심지어 76℃ 이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 적용된 최저 온도는 특정 값 미만이어야 한다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리에 적용된 최저 온도는 99℃ 미만, 49℃ 미만, 19℃ 미만, 1 미만, -6℃ 미만, 그리고 심지어 -26℃ 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 적용된 최저 온도는 특정 값을 초과해야 한다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리 내 최저 온도는 최소 -51℃, 최소 -16℃, 최소 0.1℃, 최소 11℃, 최소 26℃, 최소 51℃, 그리고 심지어 최소 91℃ 이다. 일 실시 예에서, 최저 온도는 (앞서 정의된 바와 같은) "적절한 시간"동안 유지되어야 한다. 일 실시 예에서, (앞서 정의된 바와 같은) "임계 시간" 미만으로 유지되는 임의의 온도는 최저 온도로 고려되지 않는다. 일 실시 예에서, 압력 및/혹은 온도 처리 내 온도는 압력 및/혹은 온도 처리 내 압력을 적용하는데 사용되는 가압 유체(pressurized fluid)의 온도를 의미한다. 본 발명자는 일부 어플리케이션들의 경우, 압력 및/혹은 온도 처리 동안 가압 유체 온도의 상당한 변화들이 유리함을 발견했다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리 동안 가압 유체의 최고 온도 구배는 6℃ 초과, 11℃ 초과, 16℃ 초과, 21℃ 초과, 55℃ 초과, 105℃ 초과, 그리고 심지어 145℃를 초과한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 최고 온도 구배는 특정 값 미만으로 제한되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 압력 및/혹은 온도 처리 동안 가압 유체의 최고 온도 구배는 380℃ 미만, 290℃ 미만, 245℃ 미만, 149℃ 미만, 94℃ 미만, 49℃ 미만, 24.4℃ 미만, 23℃ 미만, 그리고 심지어 19℃ 미만이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 최고 온도 구배는 특정 시간 동안 유지되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 특정 시간은 최소 1초, 최소 21초, 그리고 심지어 최소 51초이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 최고 온도 구배의 어플리케이션이 제한되어야 한다. 다른 실시 예들에서, 특정 시간은 4분 미만, 1분 미만, 39초 미만, 19초 미만이다. 일 실시 예에서, 압력 및/혹은 온도 처리 내 달성되는 최고 압력과 온도는 동시에 발생한다.
특정 어플리케이션들의 경우, 몇몇의 사이클의 활용이 유리하다. 일 실시 예에서, 압력 및/혹은 온도 처리의 사이클이 적어도 2번 적용된다. 추가 실시 예에서, 압력 및/혹은 온도 처리의 사이클이 적어도 3번 적용된다.
본 발명자는 놀랍게도 일부 어플리케이션들의 경우, 압력 및/혹은 온도 처리 동안 유기물질의 일부분이 제거될 때, 심지어 대형 구성요소들에 대해서도 형태보형성이 유지됨을 발견했다. 일 실시 예에서, 유기 물질의 적어도 일부분은 압력 및/혹은 온도 처리 동안 제거된다. 일부 어플리케이션들의 경우, 유기 물질의 적어도 일부분의 열 제거가 유리하다. 대안적 일 실시 예에서, 유기 물질은 압력 및/혹은 온도 처리 동안 완전히 제거된다. 반면, 일부 어플리케이션들의 경우, 유기 물질의 적어도 일부분은 제조된 구성요소 내에 남아있어야 한다. 다른 실시 예들에서, 유기 물질의 적어도 일부분은 6vol% 이상, 11vol% 이상, 36vol% 이상, 52vol% 이상, 76vol% 이상, 그리고 심지어 98vol% 이상을 의미한다. 특정 어플리케이션들의 경우, 유기 물질의 완전 제거는 유해할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 유기 물질의 적어도 일부분은 99vol% 이하, 79vol% 이하, 54vol% 이하, 29vol% 이하, 14vol% 이하를 의미한다. 추가 실시 예에서, 유기 물질의 적어도 일부분은 9vol% 이하를 의미한다. 대안적 실시 예에서, 앞서 공개된 백분율은 중량을 기준(wt%)으로 한다.
놀랍게도, 본 발명자는 일부 어플리케이션들이 경우 유기 물질이 산화물 환원을 위한 탄소원으로 활용될 수 있음을 발견했다. 일 실시 에에서, 유기 물질의 적어도 일부분은 산화물 환원을 위한 탄소원으로 사용된다. 일 실시 예에서, 유기 물질은 산화물 환원을 위한 탄소원으로 사용된다. 다른 실시 예들에서, 유기 물질의 적어도 일부분은 0.1vol% 이상, 0.6vol% 이상, 3.1vol% 이상, 26vol% 이상, 51vol% 이상, 그리고 심지어 71vol% 이상을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 유기 물질의 적어도 일부분은 94vol% 이하, 64vol% 이하, 44vol% 이하, 14vol% 이하, 4vol% 이하, 그리고 심지어 0.99vol% 이하를 의미한다. 대안적 실시 예들에서, 앞서 공개된 백분율은 중량을 기준(wt%)으로 한다. 일 실시 예에서, 유기 물질은 점결제다.
많은 추가적 기법 단계들이 이전 단락에 개시된 기법들과 결합하여 적용될 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 통합 단계 및/혹은 고밀화 단계가 구성요소에 적용될 수 있다. 일 실시 예에서, 그 다음 기법은 다음의 단계를 포함한다: 고압, 고온 처리 적용. 일 실시 예에서, 고압, 고온 처리는 열간등압성형(HIP) 적용을 포함한다. 다른 실시 예들에서, 고온, 고압 처리에 적용되는 압력은 110 bar 이상, 260 bar이상, 460 bar이상, 960 bar이상, 1260 bar이상, 그리고 심지어 1600 bar 이상이다. 일부 어플리케이션들의 경우, 과도한 압력들이 기계적 특성들에 불리하게 작용할 수 있다. 다른 실시 예들에서, 고온, 고압 처리에 적용되는 압력은 4900 bar 이하, 3900 bar 이하, 2900 bar 이하, 2100 bar 이하, 1600 bar 이하, 1300 bar 이하, 800 bar 이하, 600 bar 이하, 그리고 심지어 490 bar 이하다. 다른 실시 예들에서, 고온, 고압 처리 내 온도는 0.46*Tm 이상, 0.56*Tm 이상, 0.66*Tm 이상, 0.71*Tm 이상, 0.76*Tm 이상, 0.81*Tm 이상, 그리고 심지어 0.86*Tm 이상이다. 전술한 바와 같이, 일부 어플리케이션들의 경우 온도를 다소 낮게 유지하는 것이 유리하다는 점이 놀랍게도 밝혀졌다. 다른 실시 예들에서, 고온, 고압 처리 내 온도는 0.91*Tm 이하, 0.89*Tm 이하, 0.79*Tm 이하, 0.74*Tm 이하, 그리고 심지어 0.69*Tm 이하다. 일 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물 내 용융점이 가장 낮은 금속성 분말의 용융온도다. 대안적 일 실시 예에서, Tm은 (앞서 정의된 바와 같은) 임계 분말인 분말 혼합물 내에서 용융점이 가장 낮은 금속성 분말의 용융온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 (앞서 정의된 바와 같은) 유의미한 분말인 분말 혼합물 내에서 용융점이 가장 낮은 금속성 분말의 용융온도이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 분말 혼합물(부피 가중 산술 평균, 여기서 중량은 부피 분율임)을 포함하는 금속의 용융온도 평균이다. 추가 대안적 실시 예에서, Tm은 (앞서 정의된 바와 같은( 분말 혼합물의 용융온도를 의미한다. 일부 어플리케이션들의 경우, 오로지 하나의 분말만이 사용될 때, Tm은 분말의 용융온도이다. 해당 문맥에서, 앞서 공개된 온도들은 kelvin을 단위로 한다. 이전 단락에서 공개된 기법 단계들을 활용하여 얻어진 구성요소는 선택적으로 열 처리를 거쳐 제조된 구성요소의 기계적 특성들을 개선할 수 있다. 일부 어플리케이션들의 경우, 기계 가공 단계 및/혹은 표면 컨디셔닝의 적용 또한 유리할 수 있다.
앞서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조합으로 결합될 수 있다.
일반적으로 강의 경우 매우 작은 변화들이 결과 특성들에 아주 상당한 영향을 미치는 것으로 오랫동안 관찰되어 왔으며, 이는 공구강들과 같이 매우 까다로운 어플리케이션들에 사용되는 강의 경우 더욱 그러하다. 설상가상으로 강 특성들의 측정에서 종종 실수가 발생하고 그러므로 이와 같은 결과들을 야기하는 특수 조건들의 간과 때문이든 옳지 않은 측정 때문에 생긴 결과들을 이유로 나중에 재생산이 불가능하다는 결과가 보고된다. 이러한 이유로, 인류가 최초로 강을 개발한 지 수 천년이 지난 지금까지도 매년 강과 관련된 수백 가지 새로운 발명들이 이루어지고 있다. 따라서, 공개된 문헌에도 수 백만 가지의 강 관련 발명들이 있으며 이들은 달성된 단일 값은 일반적으로 믿는 값에서 완전히 잘못 정렬된 경우 때때로 진정한 돌파구이자 대개 부적절한 측정 혹은 보고의 결과(바람직한 예기치 않은 결과를 통제하는 물리적 측면으로 이어지는 일부 활용 측면은 실험을 수행하는 사람들에게 잘 알려지지 않았기 때문에 보고되기 않았음)이다. 따라서, 우연히 예기치 않은 결과들이 발견되었다고 주장하는 보고서를 발견할 때, 연구원은 해당 결과들이 보고서에서 올바르게 측정되었는지 혹은 결과들이 실제로 올바르게 측정되었다면 원 보고서를 쓴 과학자에게도 또한 알려지지 않았고 해당 중요한 결과들에 대해 진정한 책임이 있는 일부 매우 특정한 매개변수 집합을 재생산할 수 없는지를 파악하는데 있어서의 어려움과 마주한다. 그런 까닭에, 공구강에 대한 접근 가능한 연구의 양을 고려할 때, 일부 단일 부분들이 일반적으로 받아 들여지는 반응들과 모순되는 것은 거의 피할 수 없는 일이며, 그렇기 때문에 이러한 일반적인 이론들은 단지 이들과 모순되는 문서들을 가질 확률에 의해 운명지어지고, 또다른 문제는 이러한 모순되는 문서들이 잘못된 측정에서 비롯되었는지다. 그럼에도 불구하고, 본 문서에서 일반적으로 받아 들여지는 강 반응 이론을 참조한다. 이러한 이론 중 하나는 (예를 들어 %Ni 및 %Co 같은) 공구강들 내 일부 원소들의 인성에 대한 이점이다. 또한 높은 온도에서의 높은 항복 강도와 높은 인성이 요구되는 (예를 들어 AISI H11 혹은 AISI H13와 같은) 알루미늄 다이캐스팅에 사용되는 공구강들 일부는 주요 합금원소로 %Cr를 갖는다. Autor는 다이, 주형, 그리고 동화할 수 있는 어플리케이션들의 경우에 필요한 다이를 얻기 위해 필요한 블럭 두께로 압축된다는 것이 발견했다. 이 두께는 전문가들에게 잘 알려져 있고 다이를 제조하는 조각들과 조각을 제조하기 위한 사용 가능한 장비와 연관이 있지만, 일반적인 경우 (1,5*조각의 두께)의 더 작은 쪽과 (조각의 두께 + 150mm)를 적절한 두께[조각의 두께는 최대 높이 차이로 이해되어야 하기 때문에, 즉 만약 평평한 테이블에 조각이 놓여져 있다면, 테이블 표면으로부터 조각의 임의의 지점에 도달하는 최대 높이임]로 취함으로써 대략적으로 계산된다. 두께가 300mm보다 얇지만 60mm보다는 두꺼운 경우 %Cr가 3%를 초과하는 공구재료가 종종 사용된다. 이는 만약 %Cr이 3%를 초과하고 대부분 이것이 3.5-5%(일부의 경우 3-9.5% 사이임)일 때 매우 까다로운 툴링 어플리케이션에서 기계적 특성들이 충분히 절충될 수 있음이 밝혀졌기 때문이다. 모든 경우에 있어서 %Cr은 최종 구성요소에서 선호되는 미세조직이 달성되도록 보장할 책임이 있다. 바람직한 미세조직은 대부분 열조질 마르텐사이트로 구성되며, 이례적일 정도로 우수한 경도-인성 절충안을 제공한다고 알려져 있다. 문헌에 따르면 이는 %Cr이 바람직하지 못한 변태를 방지하는데 매우 효과적이기 때문이다. %Cr 이외에, 다른 원소들은 의도된 어플리케이션의 경우 다른 바람직한 어플리케이션을 제공하기 위해 존재한다.
예를 들어 다이 캐스팅 어플리케이션의 경우, 일반적으로 AISI H11 혹은 H13와 같은 열간 작업 공구강이 사용되는데, 이 강철은 해당 어플리케이션(대부분 2차 탄화물)에 바람직한 탄화물을 제공하기 위해 0.5 - 1% 사이의 %V와 1% - 2% 사이의 %Mo을 포함하는 반면, 고속강(HSS)은 매우 높은 내마멸성을 제공할 목적으로 경질 1차 탄화물을 개발하는 것을 겨냥하여 훨씬 더 높은 수준의 합금 원소들을 전통적으로 포함하며, 예를 들어 AISI T15는 대략 4%의 언급된 %Cr, 4,5%를 초과하는 %V, 약 12%의 %W와 약 5%의 %Co를 통합할 것이고 이로써 원하는 최종 미세조직을 달성하기 위해 동일한 기본 전략이지만 완벽한 내마멸성을 갖기 위한 목적으로 훨씬 더 많은 합금화를 한다. 일부 냉간 작업 공구강들에서 더 높은 양의 %Cr가 사용되는데 이는 %Cr의 일부분을 1차 탄화물(예: AISI D2와 같은 레데부라이트(ledeburitic) 공구강들의 경우)에 통합하는 것이 바람직하기 때문이다. 많은 다른 조성들이 다른 %Cr 함량들로 개발되어왔고, 이들 중 일부는 더 높은 %Cr로 중간 정도의 성공을 거둔 반면, 더 낮은 %Cr을 가진 구성요소들로는 단지 몇 번의 성공만 거둘 뿐이었고 이는 다소 작은 구성요소들에 대한 것이었다. 한가지 중요한 돌파구는 %Cr이 더 낮은 강들을 사용하여 이러한 강들의 합금화를 신중하게 선택하고 전통적으로 바람직하지 못하다고 알려져 있지만 놀랍게도 이례적인 특성들을 나타낸다고 증명된 미세조직들을 의도적으로 달성함으로써 이러한 문제를 피해가는 것이었다. 요약하자면, 현재까지 3-9% Cr, 더 낮은 %C이지만 더 작은 구성요소들이거나 더 낮은 %Cr 및 강화 마르텐사이트 이외의 구조이다. 현재 발명 내에서, 본 발명자는 예상 외로 복합체를 사용할 필요가 없이 대형 구성요소들의 경우 %Cr이 더 낮은 재료들로 높은 특성들이 달성될 수 있고, 미세조직들을 재생산 하기 어려움을 발견했다. 이를 위해 다음의 방법이 개발되었다:
단계 1: 복셀들에 의해 정의된 구성요소 기하학 제공.
단계 2: 적층 제조 단계를 포함하는 제조 공정으로 구성요소를 적어도 부분적으로 제조.
단계 3: 필요한 경우, 제조된 구성요소의 적어도 일부가 평균 조성 측면에서 -국부적 분리가 있는 경우- 올바른 조성을 포함하도록 보장하기 위한 필요한 단계들을 수행.
단계 4: 구성요소에 올바른 담금을 적용.
일 실시 예에서, 국부적 분리는 미소편석(micro-segregation)을 의미한다. 일 실시 예에서, 국부적 분리는 다른 조성들을 갖는 둘 이상의 분말을 혼합할 때 균질성의 부족으로 발생하는 편석을 의미한다. 일 실시 예에서, 국부적 분리는 다른 조성들을 갖는 둘 이상의 분말을 혼합하고 불완전한 확산을 수반하는 열처리를 적용할 때 균질성에 의해 발생할 수 있는 편석을 의미한다.
높은 정밀도가 요구되고 구성요소에 다소 제어되지 않은 왜곡이 발생되는 제조 단계를 통합하는 임의의 구성요소의 경우 일반적으로 구성요소를 센터링(centering)하는데 있어서, 그리고 제어되지 않은 왜곡을 도입하는 단계 이후 수행되는 정밀 기계가공 공정을 위해 남겨질 잉여량을 결정하는데 있어서 큰 문제가 되며, 기계가공 노력을 최소화하는 동시에 최종 구성요소가 적절한 공차 수준과 함께 바람직한 치수를 갖도록 하기 위해 잉여량을 할당하는 방법(기계가공 전에 조각 센터링)을 결정하는데 자주 큰 문제가 된다. 개념들의 설명에 있어서 좋은 예들의 경우, 구성요소에 다소 제어되지 않은 왜곡이 발생되는 제조 단계는 예를 들어 담금질 단계(예상되는 왜곡에 대해 어퍼컷을 평가하는 것은 상당히 쉬우나 정확한 수치가 아니므로, 만약 요구된 공차가 빡빡한 경우 기계가공 재고가 필요함)를 통합하는 열처리이다. 조각의 방향을 적절하게 조정하고 적절한 기계가공 전략을 결정하고 구현하기 위한 해당 배치 작업은 고되고 비용이 많이 든다. 이는 종종 몇몇의 외부 피처 부분의 정밀한 측정들을 수반하고, 종종 더 중요한 기하학적 측면은 이러한 피처들의 최대 정밀도를 보장하기 위해 측정된다. 본 발명자는 많은 어플리케이션들의 경우 부품의 외부 피처들 혹은 기하학적 특성들에 기반한 방향 혹은 배치가 최상은 아니며 조각의 기능을 심각하게 제한할 수 있음을 발견했다. 본 발명자는 종종 부품 혹은 구성요소의 내부 피처를 참조하는 배치가 훨씬 유리함을 발견했다. 발명자의 지식에 있어서 이러한 진행 방식은 새롭다. 일 실시 예에서, 현재 문서에 서술된 내부 피처의 정의가 사용된다. 일 실시 예에서, 내부 피처의 일반적 정의가 사용된다. 일 실시 예에서, 내부 피처는 접촉에 의해 측정이 불가능한 임의의 기하학적 측면이다. 일 실시 예에서, 기하학적 측면은 조각의 재료와 부품과 가스 사이의 계면이다. 일 실시 예에서, 가스는 공기다. 일 실시 예에서, 내부 피처는 재료의 침투깊이가 1mm 미만인 방사(광, 레이저,…)로 측정이 불가능한 임의의 기하학적 측면이다. 일 실시 예에서, 내부 피처는 측정 헤드가 있는 기계로 측정이 불가능한 기하학적 측면이다. 일 실시 예에서, 내부 피처들의 적절한 측정은 방사(radiation)를 통해 수행된다. trough radiation. 일 실시 예에서, 방사는 이온화 방사다. 일 실시 예에서, 방사는 비이온화 방사다. 일 실시 예에서, 내부 피처들의 적절한 측정은 50% 미만의 손실 강도로 1mm보다 큰 구성요소의 재료에 침투하여 방사를 통해 수행된다. 일 실시 예에서, 내부 피처들의 적절한 측정은 올바른 파장의 방사를 통해 수행된다. 일부 경우에서 본 발명자는 고주파 방사선이 선호됨을 발견했다. 일 실시 예에서, 올바른 파장은 10-16에서 8*10-7 meters(미터)사이다. 일 실시 예에서, 올바른 파장은 1.2*10-15 에서 9*10-9 meters(미터)사이다. 일 실시 예에서, 올바른 파장은 1.2*10-14 에서 9*10-9 meters(미터)사이다. 일 실시 예에서, 올바른 파장은 1.2*10-12 에서 9*10-9 meters(미터)사이다. 일 실시 예에서, 올바른 파장은 1.2*10-11에서 9*10-9 meters(미터)사이다. 일 실시 예에서, 올바른 파장은 1.2*10-14 에서 9*10-10 meters(미터)사이다. 일 실시 예에서, 올바른 파장은 1.2*10-12 에서 9*10-10 meters(미터)사이다. 일 실시 예에서, 올바른 파장은 1.2*10-11에서 9*10-10 meters(미터)사이다. 일부 경우에서 저주파가 바람직하다. 일 실시 예에서, 올바른 파장은 1.2*10-4 에서 9*104 meters사이다. 일 실시 예에서, 올바른 파장은 1.2*10-4 에서 90 meters사이다. 일 실시 예에서, 올바른 파장은 1.2*10-4 에서 9 meters사이다. 일 실시 예에서, 올바른 파장은 1.2*10-4에서 0.9 meters사이다. 일 실시 예에서, 올바른 파장은 1.2*10-2 에서 9*104 meters사이다. 일 실시 예에서, 올바른 파장은 1.2*10-2 에서 90 meters사이다. 일 실시 예에서, 올바른 파장은 1.2*10-2 에서 0.9 meters사이다. 일 실시 예에서, 내부 피처들의 적절한 측정은 컴퓨터 단층 촬영을 통해 수행된다. 이는 다음의 방법에 의해 서술되는 독립형 발명일 수 있다:
단계 1: 적층제조 단계를 포함하는 내부 피처들을 포함하는 구성요소 제공.
단계 2: 내부 피처들의 적어도 일부의 적절한 측정 수행.
단계 3: 내부 피처들의 실제 배치를 고려한 절삭가공(subtractive manufacturing) 전략 발굴.
단계 4: 절삭가공 단계 수행.
일 실시 예에서, 절삭 가공은 기계 가공(machining)을 통한 칩 제거를 포함한다. 일 실시 예에서, 절삭가공은 방전가공(electro-erosion)을 통한 재료 제거를 포함한다. 일 실시 예에서, 절삭가공은 와이어방전가공(EDM)을 통한 재료 제거를 포함한다. 일 실시 예에서, 절삭가공은 침투방전가공(penetration electro-erosion)을 통한 재료 제거를 포함한다. 일 실시 예에서, 절삭가공은 연삭(grinding)을 통한 재료 제거를 포함한다. 일 실시 예에서, 절삭가공은 연마(polishing)를 통한 재료 제거를 포함한다. 일 실시 예에서, 절삭가공은 래핑(lapping)을 통한 재료 제거를 포함한다. 일 실시 예에서, 절삭가공은 칩 생성(generation of chips)을 통한 재료 제거를 포함한다. 일 실시 예에서, 절삭가공은 분쇄(milling)을 통한 재료 제거를 포함한다. 일 실시 예에서, 절삭가공은 재료 제거를 선삭(turning)을 통한 포함한다. 일 실시 예에서, 적어도 하나의 절삭가공기계에서 참조로 사용되고 측정될 수 있는 외부 피처들에 내부 피처들의 실제 배치를 연결하는 것을 포함하는 전략을 통해 내부 피처들의 실제 배치를 고려하여 절삭가공 전략을 발굴하는 것이 수행된다.
몇몇의 타당한 실시 예들 중 하나의 경우, 방법은 다음으로 서술될 수 있다:
단계 1: 적층제조 단계를 포함하는 내부 피처들을 포함하는 구성요소 제공.
단계 2: 파장이 10-16에서 8*10-7 meters 사이인 방사에 의해서 내부 피처들의 적절한 측정 수행.
단계 3: 내부 피처들의 적어도 일부의 실제 배치를 고려한 절삭가공 전략 발굴. 해당 전략은 적어도 하나의 절삭가공 기계에 참조로 사용되고 측정될 수 있는 외부 피처들에 내부 피처들의 실제 배치를 연결하는 것을 포함한다.
단계 4: 기계 가공을 통한 칩 제거를 포함하는 절삭가공 단계 수행.
이전 단락에 공개된 방법은 위에서 서술된 목적을 충족시킬 수 있는 이전 실시 예들에 대한 변형으로 구현될 수 있다. 동일, 동등 혹은 비슷한 목적을 제공하는 이러한 실시 예들은 별도로 명시되지 않는 한 해당 방법의 기술적 범위에 모두 포함되는 앞서 공개된 피처들로 대체될 수 있다.
본 문서에서 공개된 임의의 실시 예는 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조성으로 서로간 결합될 수 있다.
본 문서에서 공개된 모든 실시 예들은 서로 상호 배타적이지 아니하면, 임의의 조성으로 서로간 결합될 수 있다. 일부 비제한적인 예시들은 다음과 같다: [1] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 또는 분말 혼합물 제공; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [2] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [3] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 또는 분말 혼합물 제공; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [4] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 또는 분말 혼합물 제공; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 디바인딩 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [5] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 또는 분말 혼합물 제공; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [6] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 또는 분말 혼합물 제공; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 디바인딩 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [7] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [8] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 또는 분말 혼합물 제공; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [9] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [10] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [11] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 디바인딩 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [12] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 또는 분말 혼합물 제공; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 디바인딩 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [13] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [14] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 또는 분말 혼합물 제공; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 선택적으로, 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 선택적으로, 디바인딩 단계; - 선택적으로, 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 선택적으로, 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 선택적으로, 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [15] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 2% 초과 89% 미만입니다. [16] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 부피는 구성요소의 작업 표면으로 성형된 직육면체의 부피의 2% 초과 89% 미만이고, 구성요소의 작업 표면으로 성형된 직육면체는 구성 요소를 포함하는 가능한 최소 체적, 구성 요소의 작업 표면과 접촉하는 직사각형 직육면체의 면은 구성 요소의 작업 표면의 기하학적 모양과 일치하는 기하학적 모양의 면으로 대체되며, 가능한 최소 면적을 가지고 있습니다. [17] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 2% 초과 89% 미만입니다. [18] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및-선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 부피는 구성요소의 작업 표면으로 성형된 직육면체의 부피의 2% 초과 89% 미만이고, 구성요소의 작업 표면으로 성형된 직육면체는 구성 요소를 포함하는 가능한 최소 체적, 구성 요소의 작업 표면과 접촉하는 직사각형 직육면체의 면은 구성 요소의 작업 표면의 기하학적 모양과 일치하는 기하학적 모양의 면으로 대체되며, 가능한 최소 면적을 가지고 있습니다. [19] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 유효 단면적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 0.19배 이하입니다. [20] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 분말 혼합물을 포함하는 금속을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로 고밀도화 단계, 여기서 고온, 고압 처리가 적용됨; 여기서 구성요소의 유효 단면적은 0.2 mm2 초과 2900000 mm2 미만입니다. [21] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 상당한 두께는 0.12mm 초과 1900mm 미만입니다. [22] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 상당한 두께는 0.12mm 초과 1900mm 미만입니다. [23] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 상당한 두께는 0.12mm 초과 580mm 미만입니다. [24] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 디바인딩 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로 고밀도화 단계, 여기서 고온, 고압 처리가 적용됨; 여기서 구성요소의 상당한 두께는 0.12mm 초과 580mm 미만입니다. [25] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 390ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [26] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.02ppm 초과 140ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [27] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 48000ppm 미만의 산소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 390ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [28] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.02ppm 초과 140ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [29] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 620ppm 초과 19000ppm 미만의 산소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.2ppm 초과 140ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로 고밀도화 단계, 여기서 고온 고압 처리가 적용된다. [30] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 99ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [31] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.01ppm 초과 49ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [32] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 99ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [33] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 55ppm 초과 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.01ppm 초과 49ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로 고밀도화 단계, 여기서 고온 고압 처리가 적용된다. [34] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 48000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 부품의 금속 부분의 산소 수준이 390ppm 미만으로 설정되고 부품의 금속 부분의 질소 수준이 99ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [35] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 620ppm 초과 19000ppm 미만의 산소 함량 및 55ppm 초과 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.2ppm 초과 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.06ppm 초과 49ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [36] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과이다. [37] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 21% 초과 99.8% 미만인 방법. [38] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서, 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 21% 초과이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 14% 미만이다. [39] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과 99.8% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 24% 미만인 방법. [40] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 6% 초과이다. [41] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.4% 미만이다. [42] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로 고밀도화 단계, 여기서 고온, 고압 처리가 적용됨; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 51% 초과 99.8% 미만이다. [43] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 51%보다 높고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81%보다 높다. [44] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 것이 51% 초과 99.8% 미만이고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 81% 초과 99.8% 미만인 방법. [45] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 51%보다 높고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81%보다 높고 고온, 고압 처리 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96%보다 높습니다. [46] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 것이 51% 초과 96.9% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 98.9% 미만이고 고온, 고압 처리 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과 99.98% 미만입니다. [47] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 51% 초과 96.9% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 98.9% 미만이고 고온, 고압 처리 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과 99.98% 미만입니다. [48] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 것이 51% 초과 96.9% 미만이고; 압밀 단계 후 부품의 겉보기 밀도는 81% 초과 98.9% 미만이고, 고온 고압 처리 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 99.2% 초과입니다. [49] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및-선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 49% 미만이다. [50] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 49% 미만인 방법. [51] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 49% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 9% 미만이다. [52] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 49% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 9% 미만이다. [53] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 %NMVC는 6.2% 초과 49% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분 중 %NMVC는 0.002% 초과 4% 미만이다. [54] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 620ppm 초과 19000ppm 미만의 산소 함량 및 900ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.2ppm 초과 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.06ppm 초과 49ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 가장 큰 단면은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 0.79배 이하입니다. [55]하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 250ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 12ppm 초과의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.02ppm 초과 90ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.01ppm 초과 19ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 평균 단면적은 0.2mm2 초과 2900000mm2 미만이며, 여기서 가장 큰 단면적의 20%와 가장 작은 단면적의 20%는 평균 단면적을 계산하는 것으로 간주되지 않습니다, 성분의 단면적은 성분 전체를 포함하는 각 직사각형 입방체 복셀로부터 계산된 성분의 최소 단면적이며, 여기서 구성 요소에 포함된 직사각형 입방형 복셀의 수는 Vrc=V/n3로부터 계산되며 Vrc는 m3 단위의 직사각형 입방형 복셀의 부피입니다, V는 m3 단위의 직사각형 직육면체의 부피이며, n3은 직사각형 입방체에 포함된 직사각형 입방체 복셀의 수이며, n은 11보다 크고 990000보다 작은 자연수이며, 각 직사각형 입방 복셀과 관련된 구성요소의 최소 단면적은 직사각형 입방 복셀의 기하학적 중심을 구성하는 구성요소의 최소 단면적입니다.[56] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 250ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 12ppm 초과의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.02ppm 초과 90ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.01ppm 초과 19ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 평균 단면적은 0.2mm2 초과 2900000mm2 미만이며, 여기서 가장 큰 단면적의 20%와 가장 작은 단면적의 20%는 평균 단면적을 계산하는 것으로 간주되지 않습니다, 성분의 단면적은 성분 전체를 포함하는 각 직사각형 입방체 복셀로부터 계산된 성분의 최소 단면적이며, 여기서 구성요소에 포함된 직사각형 입방체 복셀의 수는 Vrc=V/n3으로부터 계산되고 Vrc는 m3 단위의 직사각형 입방체 복셀의 부피이며, V는 m3 단위의 직사각형 직육면체의 부피이고 n3은 직사각형 직육면체에 포함된 직사각형 직육면체 복셀의 수이며, n은 11보다 크고 990000보다 작은 자연수이고, 단, 각 직사각형 입방 복셀과 연관된 구성요소의 최소 단면적은 직사각형 입방체 복셀의 기하학적 중심을 구성하는 구성요소의 최소 단면적입니다. [57] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 250ppm 초과의 산소 함량 및 55ppm 초과 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.2ppm 초과 140ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 49ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 평균 단면적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 0.2mm2 초과 및 49% 미만입니다. [58] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 1100ppm 초과 48000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 390ppm 미만으로 설정되고 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 1.2ppm 초과 99ppm 미만으로 설정되는 고정 단계: -압밀 강화 처리가 적용되는 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서, 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 21% 초과이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 14% 미만이다. [59] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 1100ppm 초과 48000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 390ppm 미만으로 설정되고 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 1.2ppm 초과 99ppm 미만으로 설정되는 고정 단계: -압밀 강화 처리가 적용되는 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서, 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 21% 초과이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 14% 미만이다. [60] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 620ppm 초과 19000ppm 미만의 산소 함량 및 55ppm 초과 490ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.2ppm 초과 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.06ppm 초과 49ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 것이 71%보다 높고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 81% 초과 99.8% 미만인 방법. [61] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 620ppm 초과 48000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 부품의 금속 부분의 산소 수준이 390ppm 미만으로 설정되고 부품의 금속 부분의 질소 수준이 99ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 가장 큰 단면은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 19% 미만이고 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율 통합 단계 후 6% 이상입니다. [62] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 620ppm 초과 48000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 부품의 금속 부분의 산소 수준이 390ppm 미만으로 설정되고 부품의 금속 부분의 질소 수준이 99ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 가장 큰 단면은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 19% 미만이고 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율 통합 단계 후 6% 이상입니다. [63] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 620ppm 초과 19000ppm 미만의 산소 함량 및 12ppm 초과 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 평균 단면적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 0.79배 이하이고; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과 99.8% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 24% 미만인 방법. [64] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 250ppm 이상의 산소 함량 및 12ppm 이상의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.2ppm 초과 140ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 가장 큰 단면은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 0.2mm2보다 크고 49% 미만이고; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 %NMVC는 6.2% 초과 49% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분 중 %NMVC는 0.002% 초과 4% 미만이다. [65] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 620ppm 초과 48000ppm 미만의 산소 함량 및 12ppm 초과 900ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 부품의 금속 부분의 산소 수준이 390ppm 미만으로 설정되고 부품의 금속 부분의 질소 수준이 99ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 평균 단면적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 0.2mm2보다 크고 49% 미만입니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 49% 미만이고; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 9% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 부분이 51%보다 높고; 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81%보다 높고 고온, 고압 처리 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96% 초과 99.98% 미만 . [66] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 99.8% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 것이 21% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.1% 초과이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 9% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81%보다 높고 부품의 부피는 부품을 포함하는 가능한 최소 부피를 갖는 직사각형 직육면체의 2% 초과 89% 미만입니다. [67] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 99.8% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 것이 21% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.1% 초과이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 9% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81%보다 높고 부품의 부피는 부품을 포함하는 가능한 최소 부피를 갖는 직사각형 직육면체의 2% 초과 89% 미만입니다. [68] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 99.8% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 것이 21% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.1% 초과이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 9% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81%보다 높고 부품의 부피는 작업 표면으로 성형된 직육면체의 부피의 2% 초과 89% 미만입니다. 요소, 여기서 구성 요소의 작업 표면으로 형성된 직육면체는 구성 요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체로 정의되며, 구성 요소의 작업 표면과 접촉하는 직사각형 직육면체의 면은 면으로 대체됩니다. 구성 요소의 작업 표면의 기하학적 모양과 일치하고 가능한 최소 면적을 갖는 기하학적 모양으로. [69] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.2ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.06ppm 초과 49ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 평균 단면적은 0.2 mm2 초과 9000 mm2 미만이고, 여기서 가장 큰 횡단면의 20%와 가장 작은 횡단면의 20%는 평균 횡단면을 계산하는 것으로 간주되지 않으며, 구성요소에 전체적으로 포함된 각 직사각형 입방 복셀로부터 계산된 구성요소의 최소 단면적 각각의 구성요소의 단면이고, 여기서 구성요소에 포함된 직사각형 입방체 복셀의 수는 Vrc=V/n3으로부터 계산되고 Vrc는 m3 단위의 직사각형 입방체 복셀의 부피이며, V는 m3 단위의 직사각형 직육면체의 부피이고 n3은 직사각형 직육면체에 포함된 직사각형 직육면체 복셀의 수이며, n = 41000이고, 각 직사각형 입방 복셀과 연관된 구성요소의 최소 단면적은 직사각형 입방체 복셀의 기하학적 중심을 구성하는 구성요소의 최소 단면적입니다. 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 12% 초과 24% 미만이고; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 9% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 것이 71% 초과 89.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 89% 미만이고 고온, 고압 처리 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96% 초과이다. [70] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.2ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.06ppm 초과 49ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 12% 초과 24% 미만이고; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 9% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 것이 71% 초과 89.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 89% 미만이고 고온, 고압 처리 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96% 초과이다. [71] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.2ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.06ppm 초과 49ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 12% 초과 24% 미만이고; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 9% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 것이 71% 초과 89.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 89% 미만이고 고온, 고압 처리 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96% 초과이다. [72] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 55ppm 초과 900ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 49ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 81% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 14% 미만이다. [73] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 55ppm 초과 900ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 49ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 81% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 14% 미만이고 구성요소의 부피는 2% 초과 및 89% 미만인 직사각형 직육면체 부피 구성 요소를 포함하는 가능한 최소 볼륨입니다. [74] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 55ppm 초과 900ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법을 적용하여 부품을 형성하는 성형 단계, - 부품의 금속 부분의 산소 수준을 140ppm 미만으로 설정하고 금속 부분의 질소 수준을 140ppm 미만으로 설정하는 고정 단계 구성 요소는 49ppm 미만으로 설정됩니다. - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 81% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 14% 미만이고 고온 고압 처리 후 부품의 금속 부분에서 NMVC의 감소 백분율은 8 초과 %. [75] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 620ppm 이상의 산소 함량 및 110ppm 이상의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 부품의 금속 부분의 산소 수준이 390ppm 미만으로 설정되고 부품의 금속 부분의 질소 수준이 99ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 99.8% 미만이고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 11%를 초과합니다. [76] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 620ppm 이상의 산소 함량 및 110ppm 이상의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 부품의 금속 부분의 산소 수준이 390ppm 미만으로 설정되고 부품의 금속 부분의 질소 수준이 99ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 99.8% 미만이고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 11%를 초과합니다. [77] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 24% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.1% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이다. [78] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 24% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.1% 초과이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이고 고온 고압 처리 후 부품의 금속 부분에서 NMVC의 감소 백분율은 3.6 초과 %. [79] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되고, 적층 제조 방법이 중합체 및/또는 바인더의 사용을 포함하는 성형 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 51% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 9% 미만이다. [80] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 620ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.06ppm 초과로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 것이 31% 초과 79.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.02% 초과 0.9% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 98.9% 미만이고 압밀 단계 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 6% 초과 그리고 69% 미만. [81] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 140ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.6% 초과 4% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 86% 초과 99.8% 미만인 방법. [82] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 620ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.06ppm 초과로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 93.9% 미만이고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 19% 미만이다. [83] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 부품을 형성하기 위해 적용되는 성형 단계로서, 적층 제조 방법에 사용된 평균 온도가 분말에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도인 Tm인 0.5*Tm 미만인 성형 단계 혼합물 - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 부분이 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVS는 0.06% 초과 39% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이다. [84] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 부품을 형성하기 위해 적용되는 성형 단계, 여기서 적층 제조 방법에 사용된 최대 온도는 분말에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도 Tm인 0.46*Tm 미만 분말 혼합물의 0.06wt% 이상인 혼합물; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과 98% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 것이 41% 초과 89.8% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율이 19% 미만인 방법. [85] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 부품을 형성하기 위해 적용되는 성형 단계로서, 적층 제조 방법에 사용된 최대 온도가 분말에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도인 Tm인 0.64*Tm 미만인 성형 단계 분말 혼합물의 2.6wt% 이상인 혼합물; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 51% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 14% 미만이다. [86] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 부품을 형성하기 위해 적용되는 성형 단계로서, 적층 제조 방법에 사용된 평균 온도가 분말에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도인 Tm인 0.59*Tm 이상인 성형 단계 분말 혼합물의 1.2wt% 이상인 혼합물; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 9% 미만이고; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 71% 초과 99.98% 미만이고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 19% 미만인 방법. [87] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 250ppm 초과 4900ppm 미만의 산소 함량 및 12ppm 초과 900ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 부품을 형성하기 위해 적용되는 성형 단계로서, 적층 제조 방법에 사용된 최대 온도가 분말에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도인 Tm인 0.64*Tm 이상인 성형 단계 혼합물; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 1.2ppm 초과 90ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 1.2ppm 초과 49ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; 및 - 선택적으로, 통합 처리가 적용되는 통합 단계; - 선택적으로, 고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 86% 초과 99.98% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 9% 미만이고 고온, 고압 처리 후 부품의 금속 부분에서 NMVS 감소 백분율은 0.22% 초과 .[88] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 부품을 형성하기 위해 적용되는 성형 단계로서, 적층 제조 방법에 사용된 최대 온도가 분말에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도인 Tm인 0.36*Tm 이상인 성형 단계 혼합물; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 6ppm 초과 90ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.06ppm 초과 19ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; 및 - 선택적으로, 통합 처리가 적용되는 통합 단계; - 선택적으로, 고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.6% 초과인 방법. [89] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 성형 단계로서, 적층 제조 방법은 선택적 레이저 소결(SLS), 선택적 레이저 용융(SLM), 직접 금속 레이저 용융(DMLS), 줄 인쇄 (Joule Printing), 전자빔 용융(EBM), 직접 에너지 증착(DeD) 및 대면적 적층 제조(BAAM); - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.2ppm 초과 390ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.06ppm 초과 99ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 0.001 bar 이상 790 bar 미만이고; 여기서 최대 온도는 0.54*Tm과 0.96*Tm 사이이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 최대 압력은 160 bar 내지 1800 bar이고, 최대 온도는 0.45*Tm 내지 0.88*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.2% 초과 29%% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.1% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이다. [90] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법을 적용하여 부품을 형성하되, 적층 제조 방법은 바인더 분사(BJ)이고 바인더 분사(BJ) 공정 온도는 기준 온도 미만인 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과 99.98% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이다. [91] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; -적용하는 적층 제조 방법으로서, 상기 적층 제조 방법은 바인더 분사(BJ)이고, 상기 바인더 분사(BJ) 평균 인쇄 온도는 0.5*Tm 미만이고, 상기 금속 분말의 용융 온도는 Tm에서 가장 낮은 융점을 갖는 것 분말 혼합물; - 바인더의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.02% 초과 0.9% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 6% 초과 이하 69%. [92] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법을 적용하여 부품을 형성하는 성형 단계, 여기서 적층 제조 방법은 다중 제트 융합(MJF)이고 다중 분사 융합(MJF) 최대 온도는 Tm인 Tm인 0.46*Tm 미만인 것 분말 혼합물의 0.06wt% 이상인, 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 온도; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 6.2% 초과 49% 미만이고; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 41% 초과 89.8% 미만이고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 19% 미만인 방법. [93] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법을 적용하여 부품을 형성하는 성형 단계, 여기서 적층 제조 방법은 다중 제트 융합(MJF)이고 다중 분사 융합(MJF) 최대 온도는 Tm인 Tm인 0.46*Tm 미만인 것 분말 혼합물의 0.06wt% 이상인, 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 온도; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과 98% 미만이고; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 41% 초과 89.8% 미만이고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 11% 초과 그리고 59% 미만. [94] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되고, 적층 제조 방법이 융합 증착(FDM)이고, 융합 증착(FDM)에 사용된 필라멘트가 유기 재료 및 금속 분말 또는 분말 혼합물을 포함하는 금속; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.06% 초과 24% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.1% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이다. [95] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 또는 분말 혼합물 제공; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되고, 적층 제조 방법이 융합 증착(FDM)이고, 융합 증착(FDM)에 사용된 필라멘트가 유기 재료와 분말의 혼합물을 포함하는 형성 단계 또는 분말 혼합물; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.1% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 11% 초과 이하 69%. [96] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 성형 단계, 여기서 적층 제조 방법은 선택적 레이저 소결(SLS)이고, 선택적 레이저 소결(SLS)에 사용되는 재료는 중합체 입자 및 금속 분말 또는 분말 혼합물을 포함하는 금속; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 51% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 9% 미만이다. [97] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되고, 적층 제조 방법이 용융 증착(FDM)인 성형 단계; 여기서 융합 증착(FDM)에 사용된 필라멘트는 유기 재료와 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물의 혼합물을 포함하고, 융합 증착(FDM) 최대 온도는 0.64*Tm 미만이고, 분말 혼합물의 2.6wt% 이상인 분말 혼합물의 최저 융점을 갖는 금속 분말; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 51% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이다. [98] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 620ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 부품을 형성하기 위해 적용되는 성형 단계, 여기서 적층 제조 방법은 바인더 제팅(BJ)임; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.06ppm 초과로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도는 93.9% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 6% 초과 59% 미만이다. [99] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되고, 적층 제조 방법이 대면적 적층 제조(BAAM)이고, 대면적 적층 제조(BAAM) 평균 성형 온도가 0.59*Tm 이상인 성형 단계, Tm 분말 혼합물의 1.2wt% 이상인 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 9% 미만이고; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 71% 초과 99.98% 미만이고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 19% 미만인 방법. [100] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되고, 적층 제조 방법이 대면적 적층 제조(BAAM)인 성형 단계; 여기서 대면적 적층 제조(BAAM)에 사용된 필라멘트는 유기 재료와 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물의 혼합물을 포함하고, 대면적 적층 제조(BAAM) 평균 성형 온도는 Tm인 0.5*Tm 미만이다. 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과 98% 미만이고; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만인 방법. [101] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 250ppm 초과 4900ppm 미만의 산소 함량 및 12ppm 초과 900ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되고, 적층 제조 방법이 직접 에너지 증착(DeD)이고, 직접 에너지 증착(DeD) 최대 온도가 0.64*Tm 이상이고, Tm이 용융되는 성형 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 온도; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 1.2ppm 초과 90ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 1.2ppm 초과 49ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; 및 - 선택적으로, 통합 처리가 적용되는 통합 단계; - 선택적으로, 고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 86% 초과 99.98% 미만이고; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 9% 미만이고, 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 0.02% 초과인 방법. [102] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되고, 적층 제조 방법이 선택적 레이저 용융(SLM)이고 선택적 레이저 용융(SLM) 최대 온도가 Tm인 용융인 0.36*Tm 초과인 성형 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 온도; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 6ppm 초과 90ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.06ppm 초과 19ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; 및 다음 중 적어도 하나: - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 고정 단계 및 압밀 단계 및/또는 고정 단계 및 치밀화 단계가 동시에 수행되고; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.6% 초과인 방법. [103] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 첨가제 제조 방법을 적용하여 부품을 형성하며, 여기서 첨가제 제조 방법은 바인더 젯팅(BJ)임; - 바인더의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 79.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 98.9% 미만인 방법. [104] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 첨가제 제조 방법을 적용하여 부품을 형성하며, 여기서 첨가제 제조 방법은 바인더 젯팅(BJ)임; - 바인더의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 79.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 98.9% 미만이고; 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 2% 초과 89% 미만입니다. [105] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 첨가제 제조 방법을 적용하여 부품을 형성하며, 여기서 첨가제 제조 방법은 바인더 젯팅(BJ)임; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.06% 초과 39% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.4% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이다. [106] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 첨가제 제조 방법을 적용하여 부품을 형성하며, 여기서 첨가제 제조 방법은 바인더 젯팅(BJ)임; - 바인더의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 41% 초과 89.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.02% 초과 0.9% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 86% 초과 99.4% 미만이고 압밀 단계 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 11% 초과 그리고 69% 미만. [107] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 250ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 12ppm 초과 900ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 첨가제 제조 방법을 적용하여 부품을 형성하며, 여기서 첨가제 제조 방법은 바인더 젯팅(BJ)임; - 바인더의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 140ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 49ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.4% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이다. [108] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법을 적용하여 구성요소를 형성하고, 여기서 적층 제조 방법은 용융 증착(FDM)이고, 용융 증착(FDM)에 사용된 필라멘트는 유기 재료와 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물의 혼합물을 포함함 ; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 79.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 98.9% 미만인 방법. [109] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법을 적용하여 구성요소를 형성하고, 여기서 적층 제조 방법은 용융 증착(FDM)이고, 용융 증착(FDM)에 사용된 필라멘트는 유기 재료와 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물의 혼합물을 포함함 ; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.4% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이다. [110] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법을 적용하여 구성요소를 형성하고, 여기서 적층 제조 방법은 용융 증착(FDM)이고, 용융 증착(FDM)에 사용된 필라멘트는 유기 재료와 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물의 혼합물을 포함함 ; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 41% 초과 89.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.02% 초과 0.9% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.06% 초과 39% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 86% 초과 99.4% 미만이고 압밀 단계 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 11% 초과 그리고 69% 미만. [111] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 250ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 12ppm 초과 900ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법을 적용하여 구성요소를 형성하고, 여기서 적층 제조 방법은 용융 증착(FDM)이고, 용융 증착(FDM)에 사용된 필라멘트는 유기 재료와 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물의 혼합물을 포함함 ; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.02ppm 초과 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.01ppm 초과 49ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.4% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이다. [112] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되고, 적층 제조 방법이 대면적 적층 제조(BAAM)인 성형 단계; 여기서 대면적 적층 제조(BAAM)에 사용된 필라멘트는 유기 재료와 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물의 혼합물을 포함하고, 대면적 적층 제조(BAAM) 평균 성형 온도는 Tm인 0.5*Tm 미만이다. 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 79.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 98.9% 미만인 방법. [113] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되고, 적층 제조 방법이 대면적 적층 제조(BAAM)인 성형 단계; 여기서 대면적 적층 제조(BAAM)에 사용된 필라멘트는 유기 재료와 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물의 혼합물을 포함하고, 대면적 적층 제조(BAAM) 평균 성형 온도는 Tm인 0.5*Tm 미만이다. 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.4% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVS는 0.06% 초과 39% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이다. [114] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되고, 적층 제조 방법이 대면적 적층 제조(BAAM)인 성형 단계; 여기서 대면적 적층 제조(BAAM)에 사용된 필라멘트는 유기 재료와 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물의 혼합물을 포함하고, 대면적 적층 제조(BAAM) 평균 성형 온도는 Tm인 0.5*Tm 미만이다. 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.4% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.06% 초과 39% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이고; 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 6% 초과 89% 미만입니다. [115] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법을 적용하여 구성요소를 형성하며, 여기서 적층 제조 방법은 BAAM(Big Area Additive Manufacturing)인 단계; 상기 대면적 적층 제조(BAAM)에 사용된 필라멘트는 유기 재료 및 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물의 혼합물을 포함하고, 대면적 적층 제조(BAAM) 평균 성형 온도는 Tm인 0.59*Tm 미만 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 41% 초과 89.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.02% 초과 0.9% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 86% 초과 99.4% 미만이고 압밀 단계 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 11% 초과 그리고 69% 미만. [116] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 250ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 12ppm 초과 900ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법을 적용하며, 여기서 적층 제조 방법은 대면적 적층 제조(BAAM)인 적층 제조 방법; 여기서 대면적 적층 제조(BAAM)에 사용된 필라멘트는 유기 재료와 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물의 혼합물을 포함하고, 대면적 적층 제조(BAAM) 평균 성형 온도는 Tm인 0.64*Tm 미만이다. 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.02ppm 초과 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.01ppm 초과 49ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.4% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이다. [117] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 1.6 bar 및 790 bar 미만이고, 최대 온도는 0.36*Tm 내지 0.88*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 평균 단면적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 0.79배 이하이고; 여기서, 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과 99.8% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 39% 미만이다. [118] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.2ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.06ppm 초과 49ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 고밀도화 단계로서, 고온 고압 처리가 적용되고, 적용되는 최대 압력은 160 bar 내지 4900 bar이고, 최대 온도는 0.45*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 의 용융 온도이다. 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 3.2% 초과 24% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 14% 미만이고, 여기서 의 겉보기 밀도 성형 단계 후 부품의 금속 부분이 41% 초과 89.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 89% 미만이고 치밀화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96%보다 높다. [119] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되고, 적층 제조 방법이 중합체 및/또는 바인더의 사용을 포함하는 성형 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 0.001 bar 이상이지만 89 bar 미만이고, 평균 온도는 0.54*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 고밀도화 단계, 여기서 고온, 고압 처리가 적용됨; 인가된 압력은 320 bar 내지 2200 bar이고 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 여기서 성형 단계 후 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고, 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이다. [120] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 부품을 형성하기 위해 적용되는 성형 단계, 여기서 적층 제조 방법에 사용된 평균 온도는 분말에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도인 Tm인 0.5*Tm 이상 혼합물; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고; 여기서 최대 온도는 Tm과 1.49*Tm 사이이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 용융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도이고, 고화 단계 동안 최대 액상은 29vol% 미만으로 유지되고; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.45*Tm 내지 0.88*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 9% 미만이고; 여기서 성형 단계 후 겉보기 밀도는 51% 초과 99.98% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이다. [121] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar 및 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.8% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 41% 초과 99.98% 미만이고; 여기서, 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 19% 미만이고, 여기서 구성요소의 가장 큰 단면은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 0.2mm2 초과 및 49% 미만이고, 여기서 구성요소의 단면은 구성요소에 전체적으로 포함되는 모서리 길이가 0.009mm인 각 입방 복셀로부터 계산된 구성요소의 최소 단면적 각각이고, 단, 각 입방 복셀과 관련된 구성요소의 최소 단면적은 입방 복셀의 기하학적 중심을 구성하는 구성요소의 최소 단면이고 직육면체의 기하학적 중심과 정육면체 복셀의 면과 직육면체의 면이 평행합니다.[122] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 140ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 0.001 bar 이상이지만 89 bar 미만이고, 평균 온도는 0.54*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 압력은 320 bar 내지 2200 bar이고 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 것이 31% 초과 79.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 98.9% 미만인 방법. [123] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 620ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.06ppm 초과로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar 및 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 부분이 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 초과입니다. 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 및 4% 미만이고, 여기서 겉보기 강화 단계 후 부품의 금속 부분의 밀도는 86% 초과 99.8% 미만입니다. [124] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 620ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.06ppm 초과로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar 및 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 부분이 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 초과이고, 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 4% 미만이고; 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 86% 초과 99.8% 미만이고; 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 6% 초과 89% 미만입니다. [125] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계 - 압밀 처리가 적용되는 압밀화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 고정 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.002vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 분위기를 사용하여 1시간 이상 90도 미만의 시간 동안 적용되는 것을 포함합니다. 시간; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 구성 요소에서 %O는 공식 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+2.47*%Ti +0.67*%REE), KYS= 2100입니다. [126] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계 - 압밀 처리가 적용되는 압밀화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 고정 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.02vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 분위기를 사용하여 1시간 이상 90도 미만 동안 적용하는 것을 포함합니다. 시간; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 여기서 구성 요소 중 %O는 공식 %O ≤KYS*(%Y+1.98*%Sc +0.67*%REE), KYS=2350입니다. [127] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계 - 압밀 처리가 적용되는 압밀화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 고정 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.02vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 분위기를 사용하여 1시간 이상 90도 미만 동안 적용하는 것을 포함합니다. 시간; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 여기서 성분의 %O는 공식 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc + 0.67*%REE)를 따르며, KYS=2350이고; 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 6% 초과 89% 미만입니다. [128] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 410ppm 초과 14000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계 - 압밀 처리가 적용되는 압밀화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 고정 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.002vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 분위기를 사용하여 1시간 이상 90도 미만의 시간 동안 적용되는 것을 포함합니다. 시간; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만인 방법. [129] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 410ppm 초과 14000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 14000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도는 0.46*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이며; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.45*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고정 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.002vol%와 49vol% 이하의 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하되 1시간 미만 동안 적용됩니다 90시간; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이다. [130] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 0.03wt% 초과 8.9wt% 미만인 %Yeq(1) 함량을 포함하는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [131] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; 질소 함유 물질이 분말 또는 분말 혼합물에 혼합되고; 여기서 질소 함유 물질의 양은 0.22wt% 내지 2.9wt%의 질소를 갖도록 선택되고; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 2.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; [132] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 0.03wt% 초과 8.9wt% 미만인 %Yeq(1) 함량을 포함하는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.2wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만인 방법. [133] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 2.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 상기 조밀화 단계 후의 상기 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2%보다 높고, 상기 부품의 %Yeq(1) 함량은 0.03wt% 초과 8.9wt% 미만인 방법.[134] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 2.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 상기 조밀화 단계 후의 상기 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2%보다 높고, 상기 부품의 %Yeq(1) 함량은 0.03wt% 초과 8.9wt% 미만인 방법. [135] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 상기 조밀화 단계 후의 상기 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2%보다 높고, 상기 부품의 %Yeq(1) 함량은 0.03wt% 초과 8.9wt% 미만인 방법. [136] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 형태의 질소 오스테나이트 강을 포함하는 분말 혼합물 또는 금속 분말을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 2.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이다. [137] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 형태의 질소 오스테나이트 강을 포함하는 분말 혼합물 또는 금속 분말을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 부분이 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이다. [138] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 형태의 질소 오스테나이트 강을 포함하는 분말 혼합물 또는 금속 분말을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 부분이 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이다. [139] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 2.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이고; 여기서 구성요소는 질소 오스테나이트 강의 조성을 갖는다. [140] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이고; 여기서 구성요소는 질소 오스테나이트 강의 조성을 갖는다. [141] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 구성요소는 질소 오스테나이트 강의 조성을 갖는 적어도 하나의 재료를 포함한다. [142] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 구성요소는 질소 오스테나이트 강의 조성을 갖는 적어도 하나의 재료를 포함한다. [143] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 0.12wt% 내지 34wt% 사이의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 2.14mol% 내지 89mol%이고 온도가 220℃ 초과 980℃미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이다. [144] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 0.12wt%와 34wt% 사이의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 2.14mol% 내지 89mol%이고 온도가 220℃ 초과 980℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 부분이 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이다. [145] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 2.14mol% 내지 89mol%이고 온도가 220℃ 초과 980℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 더 높은 부분이 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 여기서 치밀화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2%보다 높고 부품에서 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb의 함량은 0.12wt%와 34wt% 사이입니다. [146] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 2.14mol% 내지 89mol%이고 온도가 220℃ 초과 980℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 여기서 치밀화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2%보다 높고 부품에서 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb의 함량은 0.12wt% 내지 34wt%를 포함한다. [147] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 제1항에 있어서, 압밀 단계는 0.9*10-2 mbar와 0.9*10-12 mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함한다. [148] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 또는 분말 혼합물 제공; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 압밀 단계는 0.9*10-3mbar와 0.9*10-12mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함한다. [149] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 또는 분말 혼합물 제공; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 압밀 단계는 0.9*10-3mbar와 0.9*10-12mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함한다. [150] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 압밀 단계는 0.9*10-3 mbar와 0.9*10-12 mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 99.8% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분 중 %NMVS는 0.02% 초과 39% 미만이고, 압밀 단계 후 구성 요소의 금속 부분 내 %NMVC는 0.002% 초과 9% 미만인 방법. [151] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 또는 분말 혼합물 제공; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 통합 단계는 0.9*10-2 mbar와 0.9*10-12 mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.2% 초과 99.8% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 49% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분 중 %NMVS는 0.06% 초과 39% 미만이고, 압밀 단계 후 구성 요소의 금속 부분 내 %NMVC는 0.006% 초과 9% 미만인 방법. [152] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 부품의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 고화 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.002vol%와 89vol% 또는 그 미만의 %O2를 포함하는 대기의 사용을 포함하며, 이 온도는 1시간 이상 90도 미만 동안 적용됩니다. 시간; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서, 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 구성요소 중 %O는 공식 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+2.47*%Ti +0.67*%REE), KYS=2100입니다. [153] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 부품의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 고정 단계 및 강화 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.02vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 분위기를 사용하는 것을 포함하며, 이는 적어도 1시간 동안 적용됩니다. 그러나 90시간 미만; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 여기서 구성 요소 중 %O는 공식 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc + 0.67 *%REE), KYS=2350입니다. [154] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 부품의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 고정 단계 및 강화 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.02vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 분위기를 사용하는 것을 포함하며, 이는 적어도 1시간 동안 적용됩니다. 그러나 90시간 미만; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 여기서 구성 요소 중 %O는 공식 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc + 0.67 *%REE), KYS=2350입니다. [155] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 410ppm 초과 14000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 부품의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 압밀 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.002vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 대기의 사용을 포함하되 1시간 미만 동안 적용됩니다. 90시간; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만인 방법. [156] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 0.03wt% 초과 8.9wt% 미만인 %Yeq(1) 함량을 포함하는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 2.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 고정 단계 및 고화 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만인 방법. [157] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 2.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고화 단계는 0.78mol%와 15.21mol% 사이의 원자 질소 함량과 655℃ 초과 1440℃ 미만의 온도를 갖는 대기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 상기 조밀화 단계 후 상기 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이고, 상기 부품의 %Yeq(1) 함량은 0.03wt% 초과 8.9wt% 미만인 방법. [158] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 형태의 질소 오스테나이트 강을 포함하는 분말 혼합물 또는 금속 분말을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.2wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고화 단계는 0.78mol%와 15.21mol% 사이의 원자 질소 함량과 655℃ 초과 1440℃ 미만의 온도를 갖는 대기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이다. [159] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고정 단계 및 고화 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 상기 조밀화 단계 후의 상기 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2%보다 높고, 상기 부품은 질소 오스테나이트 강의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 방법. [160] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 적용 - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고정 단계 및 고화 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 여기서 치밀화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2%보다 높고; 여기서 구성요소는 질소 오스테나이트 강의 조성을 갖고 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 2% 초과 89% 미만인 방법. [161] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고화 단계는 0.78mol%와 15.21mol% 사이의 원자 질소 함량과 655℃ 초과 1440℃ 미만의 온도를 갖는 대기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 상기 조밀화 단계 후 상기 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2%보다 더 높고, 상기 부품은 질소 오스테나이트 강의 조성을 갖는 적어도 하나의 재료를 포함한다. [162] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 0.12wt%와 34wt% 사이의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb 함량을 갖는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 유기 물질의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.2wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 압밀 단계는 원자 질소 함량이 2.14mol% 내지 89mol%이고 온도가 220℃ 초과 980℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이다. [163] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 0.01 bar이지만 4900 bar 미만이고, 최대 온도는 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이며, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 여기서 고정 단계 및 압밀 단계는 원자 질소 함량이 2.14mol% 내지 89mol%이고 온도가 220℃ 초과 980℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이고; 여기서, 성분 중 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb의 함량은 0.12wt% 내지 34wt%이다. [164] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 분말 또는 분말 혼합물 제공; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소는 12보다 크고 1098보다 작은 H 값을 갖는 미세 채널을 포함하며, H = 미세 채널의 총 길이/미세 채널의 평균 길이이고; 미세 채널의 등가 직경은 0.1mm 내지 128mm이고; 온도 조절된 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 21 내지 14000이고; 유체는 평균 레이놀즈 수가 810보다 크고 89000보다 작게 유지되는 방식으로 미세 채널에서 흐릅니다. 여기서 구성 요소는 39℃ 미만의 수집기 내 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널에 의해 연결된 하나 이상의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함하고 미세 채널의 두 삽입 지점 사이의 온도 구배는 수집기, 두 삽입 지점 사이의 온도 구배가 더 큰 미세 채널의 %는 1.1℃ 이상입니다. [165] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 디바인딩 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소는 미세 채널 및 메인 채널을 포함하고; 여기서 메인 채널의 평균 단면적은 온도 조절이 필요한 구성 요소 영역의 모든 미세 채널 중 가장 작은 채널의 단면적보다 6배 이상 높습니다. 미세 채널로부터 온도 조절될 표면까지의 거리는 0.6mm와 32mm 사이이고; 미세 채널의 등가 직경은 0.1mm 내지 128mm이고; 온도 조절된 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 21 내지 14000이고; 유체는 평균 레이놀즈 수가 810보다 크고 89000보다 작게 유지되는 방식으로 미세 채널에서 흐릅니다. 여기서 채널의 거칠기는 0.9 마이크론과 190 마이크론 사이이고; 여기서 구성 요소는 39℃ 미만의 수집기 내 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널에 의해 연결된 하나 이상의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함하고 미세 채널의 두 삽입 지점 사이의 온도 구배는 수집기, 두 삽입 지점 사이의 온도 구배가 더 큰 미세 채널의 %는 1.1℃ 이상입니다. [166] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 디바인딩 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소는 미세 채널을 포함하고, 미세 채널로부터 온도 조절될 표면까지의 거리는 0.6 mm 내지 32 mm이고; 미세 채널의 등가 직경은 0.1mm 내지 128mm이고; 온도 조절된 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 21 내지 14000이고; 여기서 유체는 평균 레이놀즈 수가 810보다 크고 89000보다 작게 유지되는 방식으로 미세 채널에서 흐릅니다. [167] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 부품을 형성하기 위해 적층 제조 방법을 적용하는 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.06% 초과 39% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.4% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이고 구성요소는 0.1mm와 128mm 사이의 등가 직경을 갖는 미세 채널 및 적어도 하나의 입구 수집기 및 하나의 출구를 포함합니다. 39℃ 미만의 컬렉터 내부의 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널로 연결된 수집기 및 미세 채널의 두 삽입점 사이의 온도 구배, 수집기 사이의 온도 구배를 갖는 미세 채널의 50% 삽입 지점이 더 크고 1.1℃ 이상 199℃ 미만입니다. [168] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 2% 초과 89% 미만이고, 구성요소는 미세 채널을 포함하고; 및 주요 채널; 여기서 메인 채널의 단면은 온도 조절이 필요한 구성 요소 영역의 모든 미세 채널 중 가장 작은 채널의 단면보다 3배 이상 높고; 미세 채널로부터 온도 조절될 표면까지의 거리는 1.2mm와 19mm 사이이고; 미세 채널의 등가 직경은 1.2mm와 18mm 사이이고; 온도 조절된 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 61 내지 4000이고; 유체는 평균 레이놀즈 수가 2800보다 크고 26000보다 작게 유지되는 방식으로 미세 채널에서 흐릅니다. 여기서 채널의 요철은 10.2 미크론 (microns) 이상 98 미크론 미만이고; 여기서 구성 요소는 9℃ 미만의 수집기 내부 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널에 의해 연결된 하나 이상의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함하고 미세 채널의 두 삽입 지점 사이의 온도 구배는 수집기, 두 삽입 지점 사이의 온도 구배가 더 큰 미세 채널의 %는 2.6℃ 이상입니다. [169] [1] 내지 [168] 중 어느 하나에 있어서, 적층 제조 방법이 유기 재료의 사용을 포함하고, 탈지 단계를 적용하여 적층 제조 부품의 유기 재료의 적어도 일부를 제거하는 방법. [170] [1] 내지 [169] 중 어느 한 항에 있어서, 적층 제조 방법이 유기 재료의 사용을 포함하고, 탈지 단계를 적용하여 제조 후 얻어진 성분의 유기 재료의 적어도 일부를 제거하는 방법. 압력 및/또는 온도 처리. [171] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 금속 적층 제조(MAM) 방법을 사용하여 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로부터의 성분이 형성되고, 여기서 MAM 방법은 중합체의 사용을 포함하는 성형 단계, 및/ 또는 바인더; - 폴리머 및/또는 바인더의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 정확한 겉보기 밀도를 달성하기 위해 압밀 처리가 적용되는 압밀 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [172] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 금속 적층 제조(MAM) 방법을 사용하여 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로부터의 성분이 형성되고, 여기서 MAM 방법은 중합체의 사용을 포함하는 성형 단계, 및/ 또는 바인더; - 폴리머 및/또는 바인더의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩을 적용하는 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다.[173] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 금속 적층 제조(MAM) 방법을 사용하여 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로부터의 성분이 형성되고, 여기서 MAM 방법은 중합체의 사용을 포함하는 성형 단계, 및/ 또는 바인더; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 폴리머 및/또는 바인더의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [174] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 금속 적층 제조(MAM) 방법을 사용하여 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로부터의 성분이 형성되고, 여기서 MAM 방법은 중합체의 사용을 포함하는 성형 단계, 및/ 또는 바인더; - 폴리머 및/또는 바인더의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [175] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 금속 적층 제조(MAM) 방법을 사용하여 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로부터의 성분이 형성되고, 여기서 MAM 방법은 중합체의 사용을 포함하는 성형 단계, 및/ 또는 바인더; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 폴리머 및/또는 바인더의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [176] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 금속 적층 제조(MAM) 방법을 사용하여 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로부터의 성분이 형성되는 성형 단계로서, 여기서 MAM 방법은 중합체의 사용을 포함하고, 또는 바인더; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [177] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 금속 적층 제조(MAM) 방법을 사용하여 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로부터의 성분이 형성되고, 여기서 MAM 방법은 중합체의 사용을 포함하는 성형 단계, 및/ 또는 바인더; - 폴리머 및/또는 바인더의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [178] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 금속 적층 제조(MAM) 방법을 사용하여 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로부터의 성분이 형성되고, 여기서 MAM 방법은 중합체의 사용을 포함하는 성형 단계, 및/ 또는 바인더; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 폴리머 및/또는 바인더의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및-선택적으로, 열처리 및/또는 기계가공을 적용하는 단계. [179] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 금속 적층 제조(MAM) 방법을 사용하여 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로부터의 성분이 형성되고, 여기서 MAM 방법은 중합체의 사용을 포함하는 성형 단계, 및/ 또는 바인더; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 폴리머 및/또는 바인더의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; --압력 및/또는 온도 처리 적용; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [180] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 금속 적층 제조(MAM) 방법을 사용하여 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로부터의 성분이 형성되고, 여기서 MAM 방법은 중합체의 사용을 포함하는 성형 단계, 및/ 또는 바인더; - 폴리머 및/또는 바인더의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 선택적으로, 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 선택적으로, 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 선택적으로, 강화 처리가 적용되는 강화 단계; - 선택적으로, 고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [181] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 금속 적층 제조(MAM) 방법을 사용하여 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로부터의 성분이 형성되고, 여기서 MAM 방법은 중합체의 사용을 포함하는 성형 단계, 및/ 또는 바인더; - 선택적으로, 폴리머 및/또는 바인더의 적어도 일부를 제거하기 위해 탈결합을 적용하는 단계; - 선택적으로, 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 선택적으로, 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 선택적으로, 강화 처리가 적용되는 강화 단계; - 선택적으로, 고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [182] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 정확한 겉보기 밀도를 달성하기 위해 압밀 처리가 적용되는 압밀 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [183] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [184] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [185] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [186] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용하는 단계;- 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [187] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [188] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [189] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [190] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [191] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [192] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [193] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [194] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; 및 - 선택적으로, 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 선택적으로, 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 선택적으로, 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 선택적으로, 강화 처리가 적용되는 강화 단계; - 선택적으로, 고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [195] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; 및 - 선택적으로, 압력 및/또는 온도 처리를 적용하는 단계; - 선택적으로, 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 선택적으로, 강화 처리가 적용되는 강화 단계; - 선택적으로, 고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [196] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 99.8% 미만인 방법. [197] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.1% 초과이다. [198] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 39% 미만이다. [199] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 21% 초과 99.8% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 24% 미만인 방법. [200] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 98% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 14% 미만이고 고밀도화 단계 후 %NMVS는 9% 미만이다. [201] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도를 적용하여 구성요소를 형성하는 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 89.8% 미만이다. [202] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계 가공을 적용합니다. 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 21% 초과 99.8% 미만이다. [203] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 압력 및/또는 온도 처리를 적용하는 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31%보다 높고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81%보다 높다. [204] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 96.9% 미만이고; 상기 조밀화 단계 후 상기 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과 99.98% 미만이다. [205] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31%보다 높고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81%보다 높고 치밀화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96%보다 높다. [206] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 21% 초과 89.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 98.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과 99.98% 미만입니다. [207] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 압력 및/또는 온도 처리를 적용하는 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 64% 미만이다. [208] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 49% 미만인 방법. [209] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로, 열처리 및/또는 기계가공을 적용하고, 성형 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 49% 미만이고, 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 다음보다 낮습니다. 9%. [210] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 그리고; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 49% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 9% 미만이다. [211] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. 및 - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; - 선택적으로, 고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계 가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분 중 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분 중 %NMVC는 0.002% 초과 4% 미만인 방법. [212] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 그리고; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 49% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분 중 %NMVC는 9% 미만이고, 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분 중 %NMVC는 1.9% 미만이다. [213] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.1% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 11% 초과 69% 미만이다. [214] 하기 단계를 포함하는 구성요소를 포함하는 금속의 적어도 일부를 제조하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 98% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 6% 초과이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 6% 초과 69% 미만이고 고밀도화 단계 후 %NMVS는 19% 미만이다. [215] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVS는 0.06% 초과 39% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만인 방법. [216] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과 98% 미만이고; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 41% 초과 89.8% 미만이고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 19% 미만인 방법. [217] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 51% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 14% 미만이다. [218] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하고, 여기서 적층 제조 방법은 선택적 레이저 소결(SLS), 다중 제트 융합(MJF), 주문형 드롭(DOD), 광조형(SLA), 바인더 분사( BJ), 디지털 광 처리(DLP), 연속 디지털 광 처리(CDLP), 디지털 광 합성(DLS), 연속 액체 계면 생산(CLIP), 직접 에너지 증착(DeD), 융합 증착(FDM) 기반 기술, 용융 필라멘트 제조(FFF), 선택적 열 소결(SHS) 및 대면적 적층 제조(BAAM) - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.02% 초과 0.9% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 6% 초과 이하 69%. [219] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과 99.98% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 초과이고 고밀도화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVC 감소 백분율은 3.6% 초과이다. [220] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 6% 초과 이하 69%. [221] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 6.2% 초과 49% 미만이고; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 41% 초과 89.8% 미만이고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 19% 미만인 방법. [222] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과 98% 미만이고; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 41% 초과 89.8% 미만이고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 11% 초과 그리고 59% 미만. [223] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.06% 초과 24% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.1% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이다. [224] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계 가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 51% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 9% 미만이다. [225] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 51% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이다. [226] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 51% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 9% 미만이다. [227] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 24% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.1% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이다. [228] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 및 4% 미만이고, 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96% 초과이다. [229] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계 가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 49% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.1% 초과이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 9% 미만인 방법. [230] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 2% 초과 89% 미만입니다. [231] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 2% 초과 89% 미만입니다. [232] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 부피는 구성요소의 작업 표면으로 성형된 직육면체의 부피의 2% 초과 89% 미만이고, 구성요소의 작업 표면으로 성형된 직육면체는 구성 요소를 포함하는 가능한 최소 체적, 구성 요소의 작업 표면과 접촉하는 직사각형 직육면체의 면은 구성 요소의 작업 표면의 기하학적 모양과 일치하는 기하학적 모양의 면으로 대체되며, 가능한 최소 면적을 가지고 있습니다. [233] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; 및 - 선택적으로 고밀도화 단계, 여기서 고온, 고압 처리가 적용됨; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과이고, 그리고 여기서 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 2% 초과 74% 미만입니다. [234] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 99.8% 미만이고 구성요소의 체적은 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체 체적의 89% 미만입니다. 구성 요소를 포함합니다. [235] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하고, 여기서 적층 제조 방법은 선택적 레이저 소결(SLS), 다중 제트 융합(MJF), 주문형 드롭(DOD), 광조형(SLA), 바인더 분사( BJ), 디지털 광 처리(DLP), 연속 디지털 광 처리(CDLP), 디지털 광 합성(DLS), 연속 액체 계면 생산(CLIP), 직접 에너지 증착(DeD), 융합 증착(FDM) 기반 기술, 융합 필라멘트 제조(FFF), 선택적 열 소결(SHS) 및 대면적 적층 제조(BAAM) ; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 99.8% 미만이고 구성요소의 체적은 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체 체적의 74% 미만이고, 구성 요소를 포함합니다. [236] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 55ppm 초과 900ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계 ; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 부품의 금속 부분의 산소 수준을 140ppm 미만으로 설정하고 부품의 금속 부분의 질소 수준을 49ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 14% 미만이고 부품의 부피는 20% 초과 89% 미만인 직사각형 직육면체 부피 구성 요소를 포함하는 가능한 최소 볼륨입니다. [237] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 21% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.1% 초과이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 9% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81%보다 높고 구성요소의 체적은 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체 체적의 2% 초과 89% 미만입니다. 구성 요소를 포함합니다. [238] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 21% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.1% 초과이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 9% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81%보다 높고 부품의 부피는 작업 표면으로 성형된 직육면체의 부피의 2% 초과 89% 미만입니다. 구성 요소의 작업 표면과 함께 형성된 직육면체는 구성 요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체로 정의되며, 구성 요소의 작업 표면과 접촉하는 직사각형 직육면체의 면은 다음으로 대체됩니다. 구성 요소 작업 표면의 기하학적 모양과 일치하고 가능한 최소 면적을 갖는 기하학적 모양의 면. [239] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 79.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 98.9% 미만이고; 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 20% 초과 89% 미만입니다. [240] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법:
- 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.4% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.06% 초과 39% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이고; 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 6% 초과 89% 미만입니다. [241] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; -산소 함량이 620ppm 초과 9000ppm 미만이고 질소 함량이 9000ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계 - 성형 단계, 여기서 구성요소는 압력 및/또는 온도 처리를 몰드에 적용함으로써 형성되고; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준은 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준은 0.06ppm 초과로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되는 압밀 단계로서, 가해진 평균 압력이 0.01bar 이상 4900bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm은 금속의 용융 온도임 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 초과이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 4% 미만이고; 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 86% 초과 99.8% 미만이고; 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 6% 초과 89% 미만입니다. [242] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 0.012wt%와 6.8wt% 사이의 %Al+%Ti+%Y+%Sc+%REE의 함량을 갖는 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 부품의 금속 부분의 질소 수준을 0.02wt% 초과 3.9wt% 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 2.14mol%와 89mol% 사이인 분위기의 사용을 포함하고 구성요소의 부피는 가능한 한 최소로 직사각형 직육면체의 부피의 20% 초과 89% 미만입니다. 구성 요소를 포함하는 볼륨입니다. [243] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 410ppm 초과 14000ppm 미만의 산소 함량을 갖는 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 압밀 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.002vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 대기의 사용을 포함하되 1시간 미만 동안 적용됩니다, 90시간; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만입니다. 그리고 여기서 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 74% 미만입니다. [244] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계 - 압밀 처리가 적용되는 압밀화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.02vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 분위기를 사용하여 1시간 이상 90도 미만 동안 적용하는 것을 포함합니다. 시간; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 여기서 성분의 %O는 공식 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc + 0.67*%REE)를 따르며, KYS=2350이고; 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 6% 초과 89% 미만입니다. [245] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계 및 고화 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 여기서 치밀화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2%보다 높고; 여기서 구성요소는 질소 오스테나이트 강의 조성을 가지며; 여기서 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 2% 초과 89% 미만입니다. [246] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 620ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 평균 단면적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 0.79배 이하이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과 99.8% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.06% 초과 24% 미만인 방법. [247] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; 250ppm 초과의 산소 함량 및 12ppm 초과의 질소 함량 - 성형 단계로서, 구성요소는 주형에 압력 및/또는 온도 처리를 적용함으로써 형성됨; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.2ppm 초과 140ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 평균 단면적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적이 0.2mm2 초과 0.49배 이하이고; 여기서 가장 큰 단면의 20%와 가장 작은 단면의 20%는 평균 단면을 계산하는 것으로 간주되지 않습니다. 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분 중 %NMVC는 6.2% 초과 49% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분 중 %NMVC는 0.002% 초과 4% 미만이다. [248] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 채우는 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 정확한 겉보기 밀도를 달성하기 위해 압밀 처리가 적용되는 압밀 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 평균 단면적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적이 0.2mm2보다 크고 0.59배 이하입니다. [249] 하기 단계를 포함하는 구성요소를 포함하는 금속의 적어도 일부를 제조하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 최대 단면적은 0.2 mm2 초과 2900000 mm2 미만이고; 여기서 구성요소의 최대 단면적은 최대 단면적의 50%를 제외한 후 얻은 최대 단면적입니다. [250] 하기 단계를 포함하는 구성요소를 포함하는 금속의 적어도 일부를 제조하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 최대 단면적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적이 0.2mm2 초과 0.59배 이하이고, 구성요소의 최대 단면적은 가장 큰 단면의 40%를 제외하고 얻은 가장 큰 단면. [251] 하기 단계를 포함하는 구성요소를 포함하는 금속의 적어도 일부를 제조하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 평균 단면적은 0.2mm2 초과 2900000mm2 미만이며, 여기서 가장 큰 단면적의 20%와 가장 작은 단면적의 20%는 평균 단면적을 계산하는 것으로 간주되지 않습니다. 부품의 가장 큰 두께는 0.12mm 초과 1900mm 미만입니다. [252] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정되고/하거나 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.01ppm 초과 및 그 미만으로 설정되는 고정 단계 99ppm 초과; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 평균 단면적은 2 mm2 초과 400000 mm2 미만이고; 구성요소의 평균 단면적은 최대 단면적의 20% 및 최소 단면적의 20%가 평균 단면적을 계산하는 데 고려되지 않을 때 얻은 평균 단면적입니다. [253] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 620ppm 초과 48000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 부품의 금속 부분의 산소 수준이 390ppm 미만으로 설정되고 부품의 금속 부분의 질소 수준이 99ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 가장 큰 단면은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 0.19배 이하이고 구성요소의 금속 부분에서 NMVS 감소 백분율 통합 단계는 6% 이상입니다. [254] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 41% 초과 89.8% 미만이고; 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 98.9% 미만이고; 여기서 치밀화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과 99.98% 미만이고; 여기서 구성요소의 평균 단면적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적이 0.2mm2 초과 0.49배 이하이고; 여기서 가장 큰 단면의 20%와 가장 작은 단면의 20%는 평균 단면을 계산하는 것으로 간주되지 않습니다. [255] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 정확한 겉보기 밀도를 달성하기 위해 압밀 처리가 적용되는 압밀 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 평균 단면적은 0.2mm2 초과 2900000mm2 미만이며, 구성요소의 단면적은 전체를 포함하는 각 직사각형 입방 복셀에서 계산된 구성요소의 최소 단면적 각각입니다. 구성요소, 여기서 구성요소에 포함된 직사각형 직육면체 복셀의 수는 Vrc=V/n3에서 계산되며 Vrc는 m3 단위의 직사각형 입방체의 부피이고 V는 m3 단위의 직사각형 직육면체의 부피이고 n3은 직사각형의 수입니다. 직사각형 입방체에 포함된 입방체 복셀은 n이 11보다 크고 94000보다 작은 자연수입니다. 단, 각 직사각형 입방 복셀과 관련된 구성요소의 최소 단면적은 다음을 충족하는 구성요소의 최소 단면적입니다. 직사각형 직육면체 복셀의 기하학적 중심을 구성합니다. [256] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정되고/하거나 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.01ppm 초과 및 그 미만으로 설정되는 고정 단계 99ppm 초과; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 평균 단면적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적이 0.2mm2 초과 0.49배 이하이며, 여기서 최대 단면적의 20% 및 최소 단면적의 20%는 평균 단면적을 계산하는 것으로 간주되지 않습니다. 여기서 구성요소의 횡단면은 구성요소에 전체적으로 포함되는 0.09mm의 모서리 길이를 갖는 각 입방 복셀로부터 계산된 구성요소의 최소 횡단면 각각입니다. 단, 연관된 구성요소의 최소 횡단면은 각 입방체 복셀에 대한 최소 단면적은 입방체 복셀의 기하학적 중심을 구성하고 직사각형 입방체의 기하학적 중심과 일치하는 무게 중심을 갖는 하나 이상의 입방체 복셀이 있고 면이 입방 복셀의 면과 직사각형 입방체의 면이 평행합니다. [257] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정되고/하거나 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.01ppm 초과 및 그 미만으로 설정되는 고정 단계 99ppm 초과; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 최대 단면적은 0.2mm2 초과 및 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적이고 0.49배 이하이며, 구성요소를 제외하고 얻은 최대 단면적입니다. 구성요소의 최대 단면적의 40%, 여기서 구성요소의 단면적은 구성요소에 전체적으로 포함되는 모서리 길이가 0.09mm인 각 큐빅 복셀로부터 계산된 구성요소의 최소 단면적 각각 단, 각 입방 복셀과 관련된 구성요소의 최소 단면적은 입방 복셀의 기하학적 중심을 구성하는 구성요소의 최소 단면이고 중력 중심이 일치하는 하나 이상의 입방 복셀이 있는 경우 직사각형 직육면체의 기하학적 중심이 있고, 입방체 복셀의 면과 직사각형 직육면체의 면이 평행합니다. [258] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.02ppm 초과 140ppm 미만으로 설정되고/하거나 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.01ppm 초과 및 그 미만으로 설정되는 고정 단계 49ppm 초과; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과 98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 11% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 4% 미만이고; 여기서 치밀화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 99.98% 미만이고; 여기서 구성요소의 평균 단면적은 0.2 mm2 초과 2900000 mm2 미만입니다. [259] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 정확한 겉보기 밀도를 달성하기 위해 압밀 처리가 적용되는 압밀 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 평균 단면적은 0.2mm2 초과 2900000mm2 미만이며, 0.01mm의 모서리 길이를 갖는 각 입방 복셀로부터 계산된 구성요소의 최소 단면적 각각의 구성요소 단면적 각 입방 복셀과 관련된 구성 요소의 최소 단면적이 입방 복셀의 기하학적 중심을 구성하는 구성 요소의 최소 단면이고 적어도 하나의 입방 복셀이 있는 경우 구성 요소에 완전히 포함됩니다. 직육면체의 균질한 밀도를 고려하여 무게중심과 일치하는 기하학적 중심을 가지며, 입방복셀의 면과 직육면체의 면이 평행한 것을 특징으로 한다.[260] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 620ppm 초과 48000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 부품의 금속 부분의 산소 수준이 390ppm 미만으로 설정되고 부품의 금속 부분의 질소 수준이 99ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 가장 큰 단면은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 19% 미만이고 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율 통합 단계 후 6% 이상입니다. [261] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 250ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 12ppm 초과의 질소 함량을 갖는 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.02ppm 초과 90ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.01ppm 초과 19ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 평균 단면적은 0.2mm2 초과 2900000mm2 미만이며, 여기서 가장 큰 단면적의 20%와 가장 작은 단면적의 20%는 평균 단면적을 계산하는 것으로 간주되지 않습니다. , 구성요소에 전체적으로 포함된 각 직사각형 3차 복셀로부터 계산된 구성요소의 최소 단면적 각각의 구성요소 단면이고, 여기서 구성요소에 포함된 직사각형 직육면체 복셀의 수는 Vrc = V/n3에서 계산됩니다. Vrc는 m3 단위의 직사각형 입방 복셀의 부피이고, V는 m3 단위의 직사각형 직육면체의 부피이고 n3은 직사각형 직육면체에 포함된 직사각형 직육면체 복셀의 수이며, n은 11보다 크고 990000보다 작은 자연수이고, 단, 각 직사각형 입방 복셀과 관련된 구성요소의 최소 단면적은 직사각형 입방체 복셀의 기하학적 중심을 구성하는 구성요소의 최소 단면적입니다. [262] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 620ppm 초과 48000ppm 미만의 산소 함량 및 12ppm 초과 900ppm 미만의 질소 함량을 갖는 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 부품의 금속 부분의 산소 수준이 390ppm 미만으로 설정되고 부품의 금속 부분의 질소 수준이 99ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 평균 단면적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적이 0.2mm2 초과 0.49배 이하이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 49% 미만이고; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 9% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 51%보다 높고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과이고 치밀화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96% 초과 99.98% 미만이다. [263] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계 ; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.2ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.06ppm 초과 49ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 평균 단면적은 0.2 mm2 초과 9000 mm2 미만이고, 여기서 가장 큰 횡단면의 20%와 가장 작은 횡단면의 20%는 평균 횡단면을 계산하는 것으로 간주되지 않으며, 구성요소의 단면은 구성요소에 전체를 포함하는 각 직사각형 입방체 복셀로부터 계산된 구성요소의 각 최소 단면적이며, 구성요소에 포함된 직사각형 입방체 복셀의 수는 다음과 같이 계산됩니다. Vrc=V/n3 Vrc는 m3 단위의 직사각형 입방 복셀의 부피이고, V는 m3 단위의 직사각형 직육면체의 부피입니다. 그리고 n3은 직사각형 입방체에 포함된 직사각형 직육면체 복셀의 수이며, n = 41000입니다. 단, 각 직사각형 입방체 복셀과 연관된 구성요소의 최소 단면적은 기하학적 구성요소를 구성하는 구성요소의 최소 단면적입니다. 직사각형 직육면체 복셀의 중심; 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 12% 초과 24% 미만이고; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 9% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 71% 초과 89.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 99.8% 미만이고 치밀화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96% 초과입니다. [264] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 부품의 금속 부분의 산소 수준을 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정하고/하거나 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.02wt% 초과로 설정하는 고정 단계 및 2.9중량% 미만; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%인 분위기 및/또는 %O2가 포함된 분위기의 사용을 포함하며, 여기서 %O2는 0.02vol% 이상이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 89.8% 미만이고; 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 99.4% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 2.1% 초과이고; 구성요소의 평균 단면적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 0.79배 이하입니다. [265] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 상당한 두께는 0.12mm 초과 1900mm 미만입니다. [266] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 상당한 두께는 0.12mm 초과 1900mm 미만입니다. [267] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 상당한 두께는 0.12mm 초과 580mm 미만입니다. [268] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 또는 분말 혼합물의 %O가 다음 식 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 0.67*%REE); KYS = 2100이고; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 부품의 금속 부분의 산소 수준을 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정하고/하거나 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.02wt% 초과로 설정하는 고정 단계 및 2.9중량% 미만; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [269] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; 질소 함유 물질이 분말 또는 분말 혼합물에 혼합되고; 여기서 질소 함유 물질의 양은 0.22wt% 내지 2.9wt%의 질소를 갖도록 선택되고; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.02wt% 초과 2.9wt% 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [270] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; 질소 함유 물질이 분말 또는 분말 혼합물에 혼합되고; 여기서 질소 함유 물질의 양은 0.22wt% 내지 3.9wt%의 질소를 갖도록 선택되고; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 부품의 금속 부분의 질소 수준을 0.02wt% 초과 3.9wt% 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. [271] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 1100ppm 초과 48000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 390ppm 미만으로 설정되고 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 1.2ppm 초과 99ppm 미만으로 설정되는 고정 단계: -압밀 강화 처리가 적용되는 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서, 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 21% 초과이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 14% 미만이다. [272] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 1100ppm 초과 48000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 1.2ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서, 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 21% 초과이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 14% 미만이다. [273] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 620ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 55ppm 초과 490ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계 ; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.2ppm 초과 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.06ppm 초과 49ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과이고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 99.8% 미만이다.
[274] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000 ppm, 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.2ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.06ppm 초과 49ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 12% 초과 24% 미만이고; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 9% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 71% 초과 89.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81%보다 높고 치밀화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96%보다 높다. [275] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000 ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계- 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.2ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.06ppm 초과 49ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 24% 미만이고; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 9% 미만이고; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 71% 초과 89.8% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96% 초과입니다. [276] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 55ppm 초과 900ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계 ; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 49ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계 가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 81% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 14% 미만이다. [277] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 620ppm 초과의 산소 함량 및 110ppm 초과의 질소 함량을 갖는 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 부품의 금속 부분의 산소 수준이 390ppm 미만으로 설정되고 부품의 금속 부분의 질소 수준이 99ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 99.8% 미만이고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 11%를 초과합니다. [278] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 620ppm 초과의 산소 함량 및 110ppm 초과의 질소 함량을 갖는 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 부품의 금속 부분의 산소 수준이 390ppm 미만으로 설정되고 부품의 금속 부분의 질소 수준이 99ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 99.8% 미만이고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 11%를 초과합니다. [279] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 620ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.06ppm 초과로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 79.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.006% 초과 0.9% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 98.9% 미만이고 압밀 단계 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 6% 초과 그리고 69% 미만. [280] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계 ; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 140ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.6% 초과 4% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 86% 초과 99.8% 미만인 방법. [281] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 620ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.06ppm 초과로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 93.9% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 19% 미만이고 고밀도화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVC의 감소 백분율은 8% 이상이다. [282] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; 620ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량 - 성형 단계로서, 구성요소는 금형에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 형성됨; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.06ppm 초과로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도는 93.9% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 6% 초과 59% 미만이다. [283] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과 98% 미만이고; 여기서 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만인 방법. [284] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 79.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 98.9% 미만인 방법. [285] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계 ; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.06% 초과 39% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.4% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이다. [286] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계 ; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 41% 초과 89.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.02% 초과 0.9% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 86% 초과 99.4% 미만이고 압밀 단계 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 11% 초과 그리고 69% 미만. [287] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; 250ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 12ppm 초과 900ppm 미만의 질소 함량; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.02ppm 초과 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.01ppm 초과 49ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.4% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이다. [288] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 79.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 98.9% 미만인 방법. [289] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.4% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이다. [290] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 250ppm 초과 48000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계 ; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계 가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 41% 초과 89.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.02% 초과 0.9% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.06% 초과 39% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 86% 초과 99.4% 미만이고 압밀 단계 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 11% 초과 그리고 69% 미만. [291] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 250ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 12ppm 초과 900ppm 미만의 질소 함량을 갖는 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계 ; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.02ppm 초과 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.01ppm 초과 49ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.4% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이다. [292] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 79.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 98.9% 미만인 방법. [293] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계 ; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.4% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVS는 0.06% 초과 39% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만인 방법. [294] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 41% 초과 89.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.02% 초과 0.9% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 86% 초과 99.4% 미만이고 압밀 단계 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 11% 초과 그리고 69% 미만. [295] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 250ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 12ppm 초과 900ppm 미만의 질소 함량을 갖는 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.02ppm 초과 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.01ppm 초과 49ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계 가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.4% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이다. [296] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 250ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 12ppm 초과 900ppm 미만의 질소 함량을 갖는 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준이 0.02ppm 초과 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.01ppm 초과 49ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.4% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이다. [297] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 인가된 평균 압력은 적어도 1.6 bar 및 790 bar 미만이고, 최대 온도는 0.36*Tm 내지 0.88*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도이고; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 평균 단면적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 0.79배 이하이고; 여기서, 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 초과 99.8% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.02% 초과 39% 미만이다. [298] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계 ; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.2ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.06ppm 초과 49ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되고, 적용되는 최대 압력은 160bar 내지 4900bar이고 최대 온도는 0.45*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 용융 온도인 고밀도화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 3.2% 초과 24% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 14% 미만이고, 여기서 의 겉보기 밀도 성형 단계 후 부품의 금속 부분이 41% 초과 89.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 89% 미만이고 치밀화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96%보다 높다. [299] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.2ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.06ppm 초과 49ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되고, 적용되는 최대 압력은 160bar 내지 4900bar이고 최대 온도는 0.45*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 용융 온도인 고밀도화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 3.2% 초과 24% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 14% 미만이고, 여기서 의 겉보기 밀도 성형 단계 후 부품의 금속 부분이 41% 초과 89.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 89% 미만이고 치밀화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96%보다 높다. [300] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.001 bar 이상 89 bar 미만이고, 평균 온도가 0.54*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 압력은 320 bar 내지 2200 bar이고 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 여기서 성형 단계 후 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고, 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이다. [301] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압밀 처리가 적용되는 압밀 단계로서, 가해진 평균 압력이 0.01bar 이상 4900bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm은 금속의 용융 온도임 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.8% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 41% 초과 99.98% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 19% 미만이고 부품의 최대 단면적은 0.2mm2 초과 및 0.49배 이하인 가장 큰 직사각형 면적 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 면, 여기서 구성요소의 단면은 구성요소에 전체적으로 포함되는 모서리 길이가 0.009mm인 각 입방 복셀로부터 계산된 구성요소의 최소 단면적 각각이고, 단, 각 입방 복셀과 관련된 구성요소의 최소 단면적은 입방 복셀의 기하학적 중심을 구성하는 구성요소의 최소 단면이고 직육면체의 기하학적 중심과 정육면체 복셀의 면과 직육면체의 면이 평행합니다.[302] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 산소 함량이 250ppm 초과 19000ppm 미만이고 질소 함량이 12ppm 초과 9000ppm 미만인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계 ; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 140ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.001 bar 이상 89 bar 미만이고, 평균 온도가 0.54*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 압력은 320 bar 내지 2200 bar이고 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 79.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 98.9% 미만인 방법. [303] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 620ppm 초과 9000ppm 미만의 산소 함량 및 9000ppm 미만의 질소 함량을 갖는 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계;- 부품의 금속 부분의 산소 수준이 140ppm 미만으로 설정되고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준이 다음과 같은 고정 단계 0.06ppm 이상으로 설정; - 압밀 처리가 적용되는 압밀 단계로서, 가해진 평균 압력이 0.01bar 이상 4900bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm은 금속의 용융 온도임 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 51% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 초과입니다. 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 및 4% 미만이고, 여기서 겉보기 강화 단계 후 부품의 금속 부분의 밀도는 86% 초과 99.8% 미만입니다. [304] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 부품의 금속 부분의 산소 수준을 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정하고/하거나 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.02wt% 초과로 설정하는 고정 단계 및 2.9중량% 미만; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%인 분위기 및/또는 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하며, 여기서 %O2는 0.02vol% 이상이다. [305] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; 여기서 분말 혼합물은 %Y, %Sc, %REE 및/또는 %Ti 중 적어도 하나를 포함하고; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 1시간 이상 90시간 미만 동안 적용되는 0.002vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 분위기의 사용을 포함합니다, 여기서 구성요소의 %O는 공식 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE)를 따르며, KYS= 2100입니다.[306] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 압밀 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 대기의 사용을 포함하고, 여기서 고정 단계 후 부품의 금속 부분에서 %O, %Sc, %Y, %Ti 및 %REE의 함량은 다음 공식을 따릅니다. KYI*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE) ＜ %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE), KYI = 3800이고 KYS = 2100. [307] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 1시간 이상 90시간 미만 동안 적용되는 0.002vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 분위기의 사용을 포함합니다; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만입니다 그리고 여기서 구성 요소의 %O는 다음 공식을 따릅니다. %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE), KYS= 2100 [308] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 선택적으로 열처리 및/또는 기계 가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 1시간 이상 90시간 미만 동안 적용되는 0.002vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 분위기의 사용을 포함합니다. ; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만입니다. 그리고 여기서 구성 요소의 %O는 다음 공식을 따릅니다 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE), KYS= 2100 [309] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.02vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 분위기를 사용하여 1시간 이상 90도 미만 동안 적용하는 것을 포함합니다. 시간; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만입니다. 그리고 여기서 구성 요소의 %O는 다음 공식을 따릅니다 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc + 0.67*%REE), KYS=2350. [310] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 410ppm 초과 14000ppm 미만의 산소 함량을 갖는 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.002vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 분위기를 사용하여 1시간 이상 90도 미만의 시간 동안 적용되는 것을 포함합니다. 시간; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만인 방법. [311] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 410ppm 초과 14000ppm 미만의 산소 함량을 갖는 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 14000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01bar 이상 4900bar 미만이고 최대 온도가 0.46*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.45*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.002vol%와 49vol% 이하의 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하되 1시간 미만 동안 적용됩니다. 90시간; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이다. [312] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 0.03wt% 초과 8.9wt% 미만인 %Yeq(1) 함량을 포함하는 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.2wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만인 방법. [313] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 0.03wt% 초과 8.9wt% 미만인 %Yeq(1) 함량을 포함하는 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.2wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만인 방법. [314] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 2.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이고; 여기서 성분의 %Yeq(1) 함량은 0.03wt% 초과 8.9wt% 미만인 방법. [315] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 2.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 상기 조밀화 단계 후의 상기 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2%보다 높고, 상기 부품의 %Yeq(1) 함량은 0.03wt% 초과 8.9wt% 미만인 방법. [316] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 상기 조밀화 단계 후의 상기 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2%보다 높고, 상기 부품의 %Yeq(1) 함량은 0.03wt% 초과 8.9wt% 미만인 방법. [317] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 2.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이다. [318] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이다. [319] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이다. [320] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이다. [321] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 2.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이고; 여기서 구성요소는 질소 오스테나이트 강의 조성을 갖는다. [322] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이고; 여기서 구성요소는 질소 오스테나이트 강의 조성을 갖는다. [323] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 구성요소는 질소 오스테나이트 강의 조성을 갖는 적어도 하나의 재료를 포함한다. [324] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 구성요소는 질소 오스테나이트 강의 조성을 갖는 적어도 하나의 재료를 포함한다. [325] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb의 함량이 0.12wt% 내지 34wt%인 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 2.14mol% 내지 89mol%이고 온도가 220℃ 초과 980℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이다. [326] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 0.12wt%와 34wt% 사이의 함량이 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb인 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 2.14mol% 내지 89mol%이고 온도가 220℃초과 980℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이다. [327] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및-선택적으로, 열처리 및/또는 기계가공을 적용하는 단계; 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 2.14mol% 내지 89mol%이고 온도가 220℃ 초과 980℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서, 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고, 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이고; 여기서 성분 중 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb의 함량은 0.12wt% 내지 29wt%이다. [328] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 2.14mol% 내지 89mol%이고 온도가 220℃ 초과 980℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 여기서 치밀화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2%보다 높고 부품에서 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb의 함량은 0.12wt%와 34wt% 사이입니다. [329] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계는 원자 질소 함량이 2.14mol% 내지 89mol%이고 온도가 220℃초과 980℃미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 상기 조밀화 단계 후 상기 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2%보다 높고, 상기 부품에서 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb의 함량은 0.12wt% 및 34wt%이다. [330] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 압밀 단계는 0.9*10-3 mbar와 0.9*10-12 mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.8% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분 중 %NMVS는 0.02% 초과 39% 미만이고, 압밀 단계 후 구성 요소의 금속 부분 내 %NMVC는 0.002% 초과 9% 미만인 방법. [331] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 압밀 단계는 0.9*10-3 mbar와 0.9*10-12 mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분 중 %NMVS는 0.02% 초과 39% 미만이고, 압밀 단계 후 구성 요소의 금속 부분 내 %NMVC는 0.002% 초과 9% 미만인 방법. [332] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 통합 단계는 0.9*10-2 mbar와 0.9*10-12 mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.8% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 49% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분 중 %NMVS는 0.06% 초과 39% 미만이고, 압밀 단계 후 구성 요소의 금속 부분 내 %NMVC는 0.006% 초과 9% 미만인 방법. [333] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계 - 압밀 처리가 적용되는 압밀화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; - 열처리 및/또는 기계가공 적용 및-선택적으로, 열처리 및/또는 기계가공을 적용하는 단계; 여기서 고화 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.002vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 대기를 사용하여 1시간 이상 90시간 미만 동안 적용하는 단계를 포함합니다. ; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만입니다 그리고 여기서 구성 요소의 %O는 다음 공식을 따릅니다 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti+0.67*%REE), KYS=2100. [334] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 채우는 단계 - 성형 단계, 여기서 부품은 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용함으로써 형성됨; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고화 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 1시간 이상 90시간 미만 동안 적용되는 0.002vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만입니다 그리고 여기서 구성 요소의 %O는 다음 공식을 따릅니다 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE), KYS=2100. [335] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계 및 고화 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.02vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 분위기를 사용하여 적어도 1시간 동안 적용하되, 90시간 미만; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만입니다 그리고 여기서 구성 요소의 %O는 다음 공식을 따릅니다 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc + 0.67*%REE), KYS=2350. [336] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계 및 고화 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.02vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 분위기를 사용하여 적어도 1시간 동안 적용하되, 90시간 미만; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만입니다 그리고 여기서 구성 요소의 %O는 다음 공식을 따릅니다 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc + 0.67*%REE), KYS=2350. [337] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 410ppm 초과 14000ppm 미만의 산소 함량을 갖는 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준이 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고화 단계는 105℃ 초과 890℃ 미만의 온도에서 0.002vol%와 89vol% 이하의 %O2를 포함하는 대기의 사용을 포함하며 1시간 이상 90시간 미만 동안 적용됩니다; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만인 방법. [338] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 0.03wt% 초과 8.9wt% 미만인 %Yeq(1) 함량을 포함하는 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 2.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계 및 고화 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 초과이고 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만인 방법. [339] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 2.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및-선택적으로, 열처리 및/또는 기계가공을 적용하는 단계; 여기서 고화 단계는 0.78mol%와 15.21mol% 사이의 원자 질소 함량과 655℃ 초과 1440℃ 미만의 온도를 갖는 대기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 상기 조밀화 단계 후의 상기 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2%보다 높고, 상기 부품의 %Yeq(1) 함량은 0.03wt% 초과 8.9wt% 미만인 방법. [340] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 질소 오스테나이트 강을 포함하는 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.2wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고화 단계는 0.78mol%와 15.21mol% 사이의 원자 질소 함량과 655℃ 초과 1440℃ 미만의 온도를 갖는 대기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이다. [341] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계 및 고화 단계는 원자 질소 함량이 0.78mol% 내지 15.21mol%이고 온도가 655℃초과 1440℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 상기 조밀화 단계 후의 상기 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2%보다 높고, 상기 부품은 질소 오스테나이트 강의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 방법. [342] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계;- 부품의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고화 단계는 0.78mol%와 15.21mol% 사이의 원자 질소 함량과 655℃ 초과 1440℃ 미만의 온도를 갖는 대기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 상기 조밀화 단계 후 상기 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2%보다 더 높고, 상기 부품은 질소 오스테나이트 강의 조성을 갖는 적어도 하나의 재료를 포함한다. [343] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 0.12wt%와 34wt% 사이의 함량이 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb인 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.2wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 압밀 단계는 원자 질소 함량이 2.14mol% 내지 89mol%이고 온도가 220℃ 초과 980℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2% 초과이다. [344] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정되는 고정 단계; - 압밀 처리가 적용되고, 적용된 평균 압력이 0.01 bar 이상 4900 bar 미만이고 최대 온도가 0.54*Tm 내지 0.96*Tm이고, Tm이 용융 온도인 압밀화 단계 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 인가된 평균 압력은 160 bar 내지 2800 bar이고, 최대 온도는 0.55*Tm 내지 0.92*Tm이고, Tm은 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점이고; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 고정 단계 및 압밀 단계는 원자 질소 함량이 2.14mol% 내지 89mol%이고 온도가 220℃ 초과 980℃ 미만인 분위기의 사용을 포함하고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 6% 초과 99.98% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율은 26% 이상이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만이고; 여기서 치밀화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 98.2%보다 높고 부품에서 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb의 함량은 0.12wt%와 34wt% 사이입니다. [345] 하기 단계를 포함하는 구성요소를 포함하는 금속의 적어도 일부를 제조하는 방법 - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로, 열처리 및/또는 기계가공을 적용하는 단계. 여기서 구성요소는 H 값이 12 초과 1098 미만인 미세 채널을 포함하며, H = 미세 채널의 전체 길이/미세 채널의 평균 길이이고; 미세 채널의 등가 직경은 0.1mm 내지 128mm이고; 온도 조절된 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 21 내지 14000이고; 유체는 평균 레이놀즈 수가 810보다 크고 89000보다 작게 유지되는 방식으로 미세 채널에서 흐릅니다. 여기서 구성 요소는 39℃ 미만의 수집기 내 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널에 의해 연결된 하나 이상의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함하고 미세 채널의 두 삽입 지점 사이의 온도 구배는 수집기, 두 삽입 지점 사이의 온도 구배가 더 큰 미세 채널의 %는 1.1℃ 이상입니다. [346] 하기 단계를 포함하는 구성요소를 포함하는 금속의 적어도 일부를 제조하는 방법 - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소는 미세 채널 및 메인 채널을 포함하고; 여기서 메인 채널의 평균 단면적은 온도 조절이 필요한 구성 요소 영역의 모든 미세 채널 중 가장 작은 채널의 단면적보다 6배 이상 높습니다. 미세 채널로부터 온도 조절될 표면까지의 거리는 0.6mm와 32mm 사이이고; 미세 채널의 등가 직경은 0.1mm 내지 128mm이고; 온도 조절된 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 21 내지 14000이고; 유체는 평균 레이놀즈 수가 810보다 크고 89000보다 작게 유지되는 방식으로 미세 채널에서 흐릅니다. 여기서 채널의 거칠기는 0.9 마이크론과 190 마이크론 사이이고; 여기서 구성 요소는 39℃ 미만의 수집기 내 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널에 의해 연결된 하나 이상의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함하고 미세 채널의 두 삽입 지점 사이의 온도 구배는 수집기, 두 삽입 지점 사이의 온도 구배가 더 큰 미세 채널의 %는 1.1℃ 이상입니다. [347] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소는 미세 채널을 포함하고, 미세 채널로부터 온도 조절될 표면까지의 거리는 0.6mm와 32mm 사이이고; 미세 채널의 등가 직경은 0.1mm 내지 128mm이고; 온도 조절된 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 21 내지 14000이고; 여기서 유체는 평균 레이놀즈 수가 810보다 크고 89000보다 작게 유지되는 방식으로 미세 채널에서 흐릅니다 채널의 요철은 0.9 마이크론 이상 190 마이크론 미만입니다. [348] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 250ppm 초과 19000ppm 미만의 산소 함량 및 12ppm 초과 및 미만의 질소 함량을 갖는 분말 혼합물을 포함하는 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 충전하는 단계 9000ppm 초과; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성 요소의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하고 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 성형 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS는 0.06% 초과 39% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.4% 미만이고; 여기서 강화 단계 후 구성요소의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가 백분율은 29% 미만이고 구성요소는 0.1mm와 128mm 사이의 등가 직경을 갖는 미세 채널 및 적어도 하나의 입구 수집기 및 하나의 출구를 포함합니다. 39℃ 미만의 컬렉터 내부의 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널로 연결된 수집기 및 미세 채널의 두 삽입점 사이의 온도 구배, 수집기 사이의 온도 구배를 갖는 미세 채널의 50% 삽입 지점이 더 크고 1.1℃ 이상 199℃ 미만입니다. [349] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 2% 초과 89% 미만이고, 구성요소는 미세 채널을 포함하고; 및 주요 채널; 여기서 메인 채널의 단면은 온도 조절이 필요한 구성 요소 영역의 모든 미세 채널 중 가장 작은 채널의 단면보다 3배 이상 높고; 미세 채널로부터 온도 조절될 표면까지의 거리는 1.2mm와 19mm 사이이고; 미세 채널의 등가 직경은 1.2mm와 18mm 사이이고; 온도 조절된 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 61 내지 4000이고; 유체는 평균 레이놀즈 수가 2800보다 크고 26000보다 작게 유지되는 방식으로 미세 채널에서 흐릅니다. 여기서 채널의 요철은 10.2 미크론 이상 98 미크론 미만이고; 여기서 구성 요소는 9℃ 미만의 수집기 내 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널로 연결된 하나 이상의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함합니다. 그리고 여기서 두 삽입점 사이의 온도 구배가 더 큰 미세 채널의 20%에 대해 수집기에 대한 미세 채널의 두 삽입점 사이의 온도 구배는 2.6℃ 이상입니다. [350] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계; - 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소의 평균 단면적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 0.2mm2 초과 및 49% 미만이며 제외 후 얻은 최대 단면적입니다. 구성요소의 최대 단면적의 40%, 여기서 구성요소의 단면적은 에지 길이가 0.09mm인 각 입방 복셀로부터 계산된 구성요소의 최소 단면적이며, 단, 각 입방 복셀과 관련된 구성요소의 최소 단면적은 입방 복셀의 기하학적 중심을 구성하는 구성요소의 최소 단면이고 다음과 같은 무게 중심을 갖는 하나 이상의 입방 복셀이 있어야 합니다. 직사각형 직육면체의 기하학적 중심과 일치하고 입방체 복셀의 면과 직사각형 직육면체의 면이 평행하고 구성요소는 다음을 포함합니다. 평균 길이가 0.6mm에서 1.8m 사이인 미세 채널, 그리고 수집기 내부의 온도 구배가 39℃ 미만인 하나 이상의 미세 채널로 연결된 하나 이상의 입구 수집기 및 배출구 수집기; 여기서 두 삽입점 사이의 온도 구배가 더 큰 미세 채널의 50%에 대해 수집기에 대한 미세 채널의 두 삽입점 사이의 온도 구배는 1.1℃ 초과 199℃ 미만입니다.
[351] 적어도 분말 LP를 포함하는 분말 또는 분말 혼합물. 분말 또는 분말 혼합물], 여기서 분말 또는 분말 혼합물은 적어도 분말 SP를 포함한다. 분말 또는 분말 혼합물이 적어도 분말 LP 및 SP를 포함하는 분말 또는 분말 혼합물. [354] [1] 내지 [353] 중 어느 하나에 있어서, LP 및 SP가 동일한 분말인 분말 또는 분말 혼합물. [355] [1] 내지 [354] 중 어느 하나에 있어서, LP 및 SP가 동일한 조성을 갖는 분말 또는 분말 혼합물. 적어도 분말 P1을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물. 적어도 하나 이상의 분말 P2를 포함하는 분말 또는 분말 혼합물. 적어도 하나 이상의 분말 P3을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물. [359] [1] 내지 [358] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물이 적어도 분말 P4를 포함하는 분말 혼합물. [360] [1] 내지 [359] 중 어느 하나에 있어서, LP가 하기 조성을 갖는 분말이고, 모든 백분율은 중량%로 표시되는 분말 또는 분말 혼합물:%Mo: 0 - 3.9; %W: 0 - 3.9; %Moeq: 0.6 - 3.9; %Ceq: 0 - 0.49; %C: 0 - 0.49; %N: 0 - 0.2; %B: 0 - 0.8; %Si: 0 - 2.5 ; %Mn: 0 - 2.9 ; %Ni: 0 - 2.9 ; %Mn+2*%Ni: 0 -3.8 ; %Cr: 0 - 2.9; %V: 0 - 2.9; %Nb: 0 - 2.9; %Zr: 0 - 3.9; %Hf: 0 - 2.9; %Ta: 0 - 2.9; %S: 0 - 0.8; %P: 0 - 0.8; %Pb: 0 - 1.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.8; %Se: 0 - 0.8; %Co: 0 - 3.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 -0.299; 철 및 미량 원소로 구성된 나머지; 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B 및 %Moeq=%Mo+1/2*%W.[361] [1] 내지 [360] 중 어느 하나에 있어서, SP가 하기 조성을 갖는 분말이고, 모든 백분율은 중량%로 표시되는 분말 또는 분말 혼합물: %Mo: 0 - 0.9; %W: 0 - 0.9; %Moeq: 0 - 0.9; %Ceq: 0 - 2.9; %C: 0 - 2.9; %N: 0 - 0.2; %B: 0 - 0.8; %Si: 0 - 0.9 ; %Mn: 0 - 1.9 ; %Ni: 0 - 2.9 ; %Mn+2*%Ni: 0 -3.8 ; %Cr: 0 - 1.9; %V: 0 - 0.9; %Nb: 0 - 0.9; %Zr: 0 - 0.4; %Hf: 0 - 0.4; %Ta: 0 - 0.4; %S: 0 - 0.2; %P: 0 - 0.09; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 1.9; %Bi: 0 - 0.2; %Se: 0 - 0.2; %Co: 0 - 1.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 -0.299; 철 및 미량 원소로 구성된 나머지; 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B 및 %Moeq=%Mo+1/2*%W.[362] [1] 내지 [361] 중 어느 하나에 있어서, LP가 하기 조성을 갖는 분말이고, 모든 백분율은 중량%로 표시되는 분말 또는 분말 혼합물:%Mo: 0 - 8.9; %W: 0 - 3.9; %Moeq: 1.6 - 8.9; %Ceq: 0 - 1.49; %C: 0 - 1.49; %N: 0 - 0.2; %B: 0 - 0.8; %Si: 0 - 2.5 ; %Mn: 0 - 2.9 ; %Ni: 0 - 2.9 ; %Mn+2*%Ni: 0 -6.8 ; %Cr: 0 - 2.9; %V: 0 - 3.9; %Nb: 0 - 2.9; %Zr: 0 - 3.9; %Hf: 0 - 2.9; %Ta: 0 - 2.9; %S: 0 - 0.8; %P: 0 - 0.8; %Pb: 0 - 1.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.8; %Se: 0 - 0.8; %Co: 0 - 3.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 -0.299; 나머지는 철 및 미량 원소로 구성되며, 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B 및 %Moeq=%Mo+1/2*%W. [363] [1] 내지 [362] 중 어느 하나에 있어서, SP가 하기 조성을 갖는 분말이고, 모든 백분율은 중량%로 표시되는 분말 또는 분말 혼합물: %Mo: 0 - 2.9; %W: 0 - 2.9; %Moeq: 0 - 2.9; %Ceq: 0 - 2.99; %C: 0 - 2.99; %N: 0 - 0.2; %B: 0 - 0.8; %Si: 0 - 0.9 ; %Mn: 0 - 1.9 ; %Ni: 0 - 2.9 ; %Mn+2*%Ni: 0 -6.8 ; %Cr: 0 - 1.9; %V: 0 - 0.9; %Nb: 0 - 0.9; %Zr: 0 - 0.4; %Hf: 0 - 0.4; %Ta: 0 - 0.4; %S: 0 - 0.2; %P: 0 - 0.09; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 1.9; %Bi: 0 - 0.2; %Se: 0 - 0.2; %Co: 0 - 1.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 -0.299; 철 및 미량 원소로 구성된 나머지; 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B 및 %Moeq=%Mo+1/2*%W.[364] [1] 내지 [363] 중 어느 하나에 있어서, LP가 하기 조성을 갖는 분말이고, 모든 백분율은 중량%로 표시되는 분말 또는 분말 혼합물:%Mo: 0 - 4.9; %W: 0 - 4.9; %Moeq: 0 - 4.9; %Ceq: 0.15 - 2.49; %C: 0.15 - 2.49; %N: 0 - 0.9; %B: 0 - 0.08; %Si: 0 - 2.5 ; %Mn: 0 - 2.9 ; %Ni: 0 - 3.9; %Cr: 11.5 - 19.5; %V: 0 - 3.9; %Nb: 0 - 2.9; %Zr: 0 - 3.9; %Hf: 0 - 2.9; %Ta: 0 - 2.9; %S: 0 - 0.8; %P: 0 - 0.8; %Pb: 0 - 1.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.8; %Se: 0 - 0.8; %Co: 0 - 3.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 -0.299; 철 및 미량 원소로 구성된 나머지; 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B 및 %Moeq=%Mo+1/2*%W.[365] [1] 내지 [364] 중 어느 하나에 있어서, SP가 하기 조성을 갖는 분말이고, 모든 백분율은 중량%로 표시되는 분말 또는 분말 혼합물:%Mo: 0 - 2.9; %W: 0 - 2.9; %Moeq: 0 - 2.9; %Ceq: 0 - 2.99; %C: 0 - 2.99; %N: 0 - 0.2; %B: 0 - 0.8; %Si: 0 - 1.9 ; %Mn: 0 - 2.9 ; %Ni: 0 - 3.9 ; %Cr: 0 - 19; %V: 0 - 1.9; %Nb: 0 - 0.9; %Zr: 0 - 0.4; %Hf: 0 - 0.4; %Ta: 0 - 0.4; %S: 0 - 0.2; %P: 0 - 0.09; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 1.9; %Bi: 0 - 0.2; %Se: 0 - 0.2; %Co: 0 - 1.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 -0.299; 철 및 미량 원소로 구성된 나머지; 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B 및 %Moeq=%Mo+1/2*%W.[366] [1] 내지 [365] 중 어느 하나에 있어서, LP가 하기 조성을 갖는 분말이고, 모든 백분율은 중량%로 표시되는 분말 또는 분말 혼합물: %Mo: 0.05 - 2.9; %W: 0 - 3.9; %Moeq: 0.05 - 2.9; %Ceq: 0.002 - 0.14; %C: 0.002 - 0.09; %N: 0 - 2.0; %B: 0 - 0.08; %Si: 0.05 - 1.5 ; %Mn: 0.05 - 1.5 ; %Ni: 9.5 - 11.9; %Cr: 10.5 - 13.5; %Ti: 0.5 - 2.4; %Al: 0.001 - 1.5; %V: 0 - 0.4; %Nb: 0 - 0.9; %Zr: 0 - 0.9; %Hf: 0 - 0.9; %Ta: 0 - 0.9; %S: 0 - 0.08; %P: 0 - 0.08; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.08; %Se: 0 - 0.08; %Co: 0 - 3.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 -0.299 %Y+%Sc+%REE: 0.006 - 1.9%; 철 및 미량 원소로 구성된 나머지; 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B 및 %Moeq=%Mo+1/2*%W.[367] [1] 내지 [366] 중 어느 하나에 있어서, SP가 하기 조성을 갖는 분말인 분말 또는 분말 혼합물: %Mo: 0 - 2.9; %W: 0 - 2.9; %Moeq: 0 - 2.9; %Ceq: 0 - 2.99; %C: 0 - 2.99; %N: 0 - 0.2; %B: 0 - 0.8; %Si: 0 - 1.9 ; %Mn: 0 - 2.9 ; %Ni: 0 - 3.9 ; %Cr: 0 - 19; %V: 0 - 1.9; %Nb: 0 - 0.9; %Zr: 0 - 0.4; %Hf: 0 - 0.4; %Ta: 0 - 0.4; %S: 0 - 0.2; %P: 0 - 0.09; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 1.9; %Bi: 0 - 0.2; %Se: 0 - 0.2; %Co: 0 - 1.9; %REE: 0 - 1.4; %Y: 0 - 0.96; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0 -0.299; 철 및 미량 원소로 구성된 나머지; 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B 및 %Moeq=%Mo+1/2*%W.[368] [1] 내지 [367] 중 어느 하나에 있어서, AP1이 하기 조성을 갖는 분말이고, 모든 백분율은 중량%로 표시되는 분말 또는 분말 혼합물: %Moeq: 40 - 99.999; %Mo: 0 - 99.999; %W: 0 - 99.9; %Ceq: 0 - 2.99; %C: 0 - 2.99; %N: 0 - 2.2; %B: 0 - 2.9; %O: 0 - 8; %Cr: 0 - 9; %V: 0 - 5; %Mn+%Ni+%Si: 0 - 12; 철 및 미량 원소로 구성된 나머지; 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B 및 %Moeq=%Mo+1/2*%W.[369] [1] 내지 [368] 중 어느 하나에 있어서, AP2가 66wt% 이상의 %C를 포함하는 분말인 방법. [370] [1] 내지 [369] 중 어느 하나에 있어서, AP2가 86wt% 이상의 %C를 포함하는 분말인 방법. [371] AP2가 카르보닐 철 분말인 [1] 내지 [370] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [372] [1] 내지 [371] 중 어느 하나에 있어서, AP2의 %C가 52% 이상의 흑연으로 구성되는 분말 또는 분말 혼합물. [373] [1] 내지 [372] 중 어느 하나에 있어서, AP2의 %C가 풀러렌 탄소의 52% 이상으로 구성되는 분말 또는 분말 혼합물. [374] AP2가 존재하지 않는, [1] 내지 [373] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [375] [1] 내지 [374] 중 어느 하나에 있어서, AP3이 하기 조성을 갖는 분말이고, 모든 백분율은 중량%로 표시되는 분말 또는 분말 혼합물: %Mn+%Ni+%Si: 22 - 99.999; %Moeq: 0 - 9.0; %Mo: 0 - 9.0; %W: 0 - 9.0; %Ceq: 0 - 2.99; %C: 0 - 2.99; %N: 0 - 2.2; %B: 0 - 2.9; %O: 0 - 8; %Cr: 0 - 9; %V: 0 - 5; 철 및 미량 원소로 구성된 나머지; 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B 및 %Moeq=%Mo+1/2*%W.[376] [1] 내지 [375] 중 어느 하나에 있어서, AP4가 하기 조성을 갖는 분말이고, 모든 백분율은 중량%로 표시되는 분말 또는 분말 혼합물: %V+%Moeq+%Mn+%Ni+%Si : 40 - 99.999; %Mo: 0 - 99.999; %W: 0 - 99.9; %Ceq: 0 - 2.99; %C: 0 - 2.99; %N: 0 - 2.2; %B: 0 - 2.9; %O: 0 - 8; %Cr: 0 - 9; %V: 0 - 99.99; %Mn+%Ni+%Si: 0 - 82; 철 및 미량 원소로 구성된 나머지; 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B 및 %Moeq=%Mo+1/2*%W.[377] [1] 내지 [376] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 이론적 조성은 하기 요소 및 제한을 가지며, 모든 백분율은 중량%로 표시된다:%C: 0.25-0.8; Mn: 0-1.15; %Si: 0-0.35; Cr: 0.1 최고; %Mo: 1.5-6.5; %V: 0-0.6; %W: 0-4; Ni: 0-4; %Co: 0-3; 균형 Fe 및 미량 원소. [378] [1] 내지 [377] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 이론적인 조성은 하기 요소 및 제한을 가지며, 모든 백분율은 중량%로 표시된다: %C: 0.25-0.55; %Mn: 0.10-1.2; %Si: 0.10-1.20; %Cr: 2.5-5.50; %Mo: 1.00-3.30; %V: 0.30-1.20; 균형 Fe 및 미량 원소. [379] [1] 내지 [378] 중 어느 하나에 있어서, 상기 분말 또는 분말 혼합물의 이론적인 조성은 하기 요소 및 제한을 가지며, 모든 백분율은 중량%로 표시된다:%C: 0.15-2.35; %Mn: 0.10-2.5; %Si: 0.10-1.0; %Cr: 0.2-17.50; %Mo: 0-1.4; %V: 0-1; %W: 0-2.2; %Ni: 0-4.3; 균형 Fe 및 미량 원소.[380] [1] 내지 [379] 중 어느 하나에 있어서, 상기 분말 또는 분말 혼합물의 이론적인 조성은 하기 요소 및 제한을 가지며, 모든 백분율은 중량%로 표시된다: %C: 0-0.4; %Mn: 0.1-1; %Si: 0-0.8; %Cr: 0-5.25; %Mo: 0-1.0; %V: 0-0.25; %Ni: 0-4.25; %Al: 0-1.25; 균형 Fe 및 미량 원소.[381] [1] 내지 [380] 중 어느 하나에 있어서, 상기 분말 또는 분말 혼합물의 이론 조성은 하기 요소 및 제한을 가지며, 모든 백분율은 중량%로 표시된다:%C: 0.77-1.40; %Si: 0-0.70; %Cr: 3.5-4.5; %Mo: 3.2-10; %V: 0.9-3.60; %W: 0-18.70; %Co: 0-10.50; 균형 Fe 및 미량 원소.[382] [1] 내지 [381] 중 어느 하나에 있어서, 상기 분말 또는 분말 혼합물의 이론적인 조성은 하기 요소 및 제한을 가지며, 모든 백분율은 중량%로 표시된다:%C: 0.03 최고; %Mn:0.1 최고; %Si:0.1 최고; %Mo:3.0-5.2; %Ni:18-19; %Co:0-12.5; %Ti: 0-2; 균형 Fe 및 미량 원소.[383] [1] 내지 [382] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 이론 조성은 하기 요소 및 제한을 가지며, 모든 백분율은 중량 백분율로 표시된다:%C: 1.5-1.85; %Mn: 0.15-0.5; %Si: 0.15-0.45; %Cr:3.5-5.0; %Mo:0-6.75; %V:4.5-5.25; %W:11.5-13.00; %Co:0-5.25; 균형 Fe 및 미량 원소.[384] [1] 내지 [383] 중 어느 하나에 있어서, 상기 분말 또는 분말 혼합물의 이론 조성은 하기 요소 및 제한을 가지며, 모든 백분율은 중량%로 표시된다:%C: 0-0.6; %Mn: 0-1.5; %Si: 0-1; %Cr:11.5-17.5; % Mo:0-1.5; %V:0-0.2; %Ni: 0-6.0; 균형 Fe 및 미량 원소.[385] [1] 내지 [383] 중 어느 하나에 있어서, 상기 분말 또는 분말 혼합물의 이론 조성은 하기 요소 및 제한을 가지며, 모든 백분율은 중량%로 표시된다: C: 0.015 최고; Mn: 0.5-1.25; Si: 0.2-1; Cr:11-18; Mo:0-3.25; Ni:3.0-9.5; Ti:0-1.40; Al:0-1.5; Cu:0-5; 균형 Fe 및 미량 원소.[386] [1] 내지 [385] 중 어느 하나에 있어서, 상기 분말 또는 분말 혼합물의 이론적인 조성은 하기 요소 및 제한을 가지며, 모든 백분율은 중량%로 표시된다:%Mg: 0.006-10.6; %Si: 0.006-23; %Ti: 0.002-0.35; %Cr: 0.01-0.40; %Mn - 0.002-1.8; %Fe: 0.006-1.5; %Ni: 0-3.0; %Cu: 0.006-10.7; %Zn: 0.006-7.8; %Sn: 0-7; %Zr :0-0.5; 균형 Al 및 미량 원소. [387] [1] 내지 [386] 중 어느 하나에 있어서, 상기 분말 또는 분말 혼합물의 이론적인 조성은 하기 요소 및 제한을 가지며, 모든 백분율은 중량%로 표시된다: Zn:0-40; Ni:0-31; Al:0-13; Sn:0-10; Fe:0-5.5; Si:0-4; Pb:0-4; Mn:0-3; Co:0-2.7; Be:0-2.75; Cr:0-1; 균형 Cu 및 미량 원소. [388] [1] 내지 [387] 중 어느 하나에 있어서, 상기 분말 또는 분말 혼합물의 이론 조성은 하기 요소 및 제한을 가지며, 모든 백분율은 중량%로 표시된다: %Be :0.15-3.0; %Co: 0-3; %Ni: 0-2.2; % Pb: 0-0.6; %Fe: 0-0.25; %Si: 0-0.35; %Sn: 0-0.25, %Zr 0-0.5; 균형 Cu 및 미량 원소. [388] [1] 내지 [388] 중 어느 하나에 있어서, 상기 분말 또는 분말 혼합물의 이론적인 조성은 하기 요소 및 제한을 가지며, 모든 백분율은 중량%로 표시된다: %Cr: 9-33; %W: 0-26; %Mo: 0-29; %C: 0-3.5; %Fe: 0-9; %Ni: 0-35; %Si: 0-3.9; Mn: 0-2.5; %B: 0-1; %V: 0-4.2; %Nb/%Ta: 0-5.5; 균형 Co 및 미량 원소. [390] [1] 내지 [389] 중 어느 하나에 있어서, 상기 분말 또는 분말 혼합물의 이론 조성은 하기 요소 및 제한을 가지며, 모든 백분율은 중량%로 표시된다: %Fe:0-42; %Cu:0-34; %Cr:0-31; %Mo:0-24; %Co:0-18; %W:0-14; %Nb:0-5.5; %Mn:0-5.25; % Al:0-5; Ti:0-3; %Zn:0-1; %Si:0-1; %C:0-0.3; %S:0.01 최고; 균형 Ni 및 미량 원소. [391] [1] 내지 [390] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물로서, 분말 또는 분말 혼합물의 이론 조성은 하기 요소 및 제한을 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다:%V:0-14.5; %Mo:0-13; %Cr:0-12; %Sn:0-11.5; %Al:0-8; %Mn:0-8; %Zr:0-7.5; %Cu:0-3; %Nb:0-2.5; %Fe: 0-2.5; %Ta:0-1.5; %Si:0-0.5; %C:0.1 최고; %N:0.05 최고; %O: 0.2 최고; %H:0.03 최고; 균형 Ti 및 미량 원소. [392] [1] 내지 [391] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 이론적인 조성은 하기 요소 및 제한을 가지며, 모든 백분율은 중량%로 표시된다: %Al:0-10; %Zn: 0-6; %Y:0-5.2; %Cu:0-3; %Ag: 0-2.5, %Th:0-3.3; Si:0-1.1; %Mn:0-0.75; 균형 Mg 및 미량 원소. [393] [1] 내지 [392] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물이 조성을 의미하는 것인 분말 또는 분말 혼합물은 하기 조성 범위를 가지며, 모든 백분율은 중량 퍼센트로 표시된다:%Mo: 0 - 6.8; %W: 0 - 6.9; %Moeq: 0 - 6.8; %Ceq: 0.16 - 1.8; %C: 0 - 1.29; %N: 0.11 - 2.09; %B: 0 - 0.14; %Si: 0 - 1.5 ; %Mn: 0 - 24 ; %Ni: 0 - 18.9; %Cr: 12.1 - 38; %Ti: 0 - 2.4; %Al: 0 - 14; %V: 0 - 4; %Nb: 0 - 4; %Zr: 0 - 3; %Hf: 0 - 3; %Ta: 0 - 3; %S: 0 - 0.098; %P: 0 - 0.098; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.08; %Se: 0 - 0.08; %Co: 0 - 14; %REE: 0 - 4; %Y: 0 - 1.86; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0.00012 -0.899; %Y+%Sc+%REE: 0.0022 - 3.9%; 철 및 미량 원소로 구성된 나머지; 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B 및 %Moeq=%Mo+1/2*%W.[394] [1] 내지 [393] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물에서, 트레이스는 하기 원소 중 임의의 것을 지칭한다: H, He, Xe, F, S, P, Cu, Pb, Co, Ta, Zr, Nb, Hf, Cs, Y, Sc, Mn, Ni, Mo, W, C, N, B, O, Cr, Fe, Ne, Na, Cl, Ar, K, Br, Kr, Sr, Tc, Ru, Rh, Ti, Pd, Ag, I, Ba, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Po, At, Rn, Fr, Ra, Ac, Th, Pa, U, Np, Pu, Am, Cm, Bk, Cf, Es, Fm, Md, No, Lr, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Li, Be, Mg, Ca, Rb, Zn, Cd, Al, Ga, In, Ge, Sn, Bi, Sb, As, Se, Te, Ds, Rg, Cn, Nh, Fl, Mc, Lv, Ts, Og 그리고Mt, 합금의 구성에 나열된 요소 제외. [395] [1] 내지 [394] 중 어느 하나에 있어서, 모든 미량 원소의 합이 2.0wt% 미만인 분말 또는 분말 혼합물. [396] 하나 이상의 구형 분말을 포함하는, [1] 내지 [395] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [397]LP가 구형 분말인 [1] 내지 [396] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [398] SP가 구형 분말인 [1] 내지 [397] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [399] 구형 분말이 76% 이상의 구형도를 갖는 분말인 [1] 내지 [398] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [400] 구형 분말이 82% 이상의 구형도를 갖는 분말인 [1] 내지 [399] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [401] 구형 분말이 92% 이상의 구형도를 갖는 분말인 [1] 내지 [400] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [402] 구형 분말이 기체 분무에 의해 수득된 분말인 [1] 내지 [401] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [403] 구형 분말이 원심 분말 또는 분말 혼합물에 의해 수득된 분말인 [1] 내지 [402] 중 어느 하나에 따른 방법. [404] 구형 분말이 플라즈마 처리에 의해 둥근 분말인 [1] 내지 [403] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [405] [1] 내지 [404] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물은 하나 이상의 비구형 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물. [406]LP가 비구형 분말인 [1] 내지 [405] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [407] SP가 비구형 분말인 [1] 내지 [406] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [408] 비구형 분말이 기계적으로 분쇄된 분말인 [1] 내지 [407] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [409]비구형 분말이 물 분무에 의해 얻어지는 분말인 [1] 내지 [408] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [410]비구형 분말이 구형도가 99% 미만인 분말인 [1] 내지 [409] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [411]비구형 분말이 89% 미만의 구형도를 갖는 분말인 [1] 내지 [410] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [412]비구형 분말이 구형도가 79% 미만인 분말인 [1] 내지 [411] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [413] [1] 내지 [412] 중 어느 하나에 있어서, 분말 혼합물 중 LP의 부피 백분율이 85vol% 이상인 분말 또는 분말 혼합물. [414] [1] 내지 [413] 중 어느 하나에 있어서, LP가 구형 분말이고, LP의 체적 백분율이 구형 LP의 올바른 체적 백분율인 분말 또는 분말 혼합물. [415] 구형 LP의 올바른 체적 백분율이 52체적% 이상인 [1] 내지 [414] 중 어느 하나에 따른 분체 또는 분체 혼합물. [416] 구형 LP의 올바른 체적%가 61체적% 이상인, [1] 내지 [415] 중 어느 하나에 기재된 분체 또는 분체 혼합물. [417] 구형 LP의 우측 체적 백분율이 84vol% 이하인, [1] 내지 [416] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [418] 구형 LP의 우측 체적%가 79체적% 이하인, [1] 내지 [417] 중 어느 하나에 기재된 분체 또는 분체 혼합물. [419] [1] 내지 [418] 중 어느 하나에 있어서, LP가 비구형 분말이고 LP의 부피 백분율이 비구형 LP의 올바른 부피 백분율인 방법. [420]비구형 LP의 적체 부피%가 41체적% 이상인, [1] 내지 [419] 중 어느 하나에 기재된 분체 또는 분체 혼합물. [421]비구형 LP의 적체 부피%가 51체적% 이상인, [1] 내지 [420] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [422]비구형 LP의 적체적 백분율이 79vol% 이하인, [1] 내지 [421] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [423]비구형 LP의 적체 부피%가 70체적% 이하인, [1] 내지 [422] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [424] [1] 내지 [423] 중 어느 하나에 있어서, 부피 백분율은 분말 혼합물에 포함된 분말을 포함하는 금속만을 고려하여 계산되는 방법. [425] [1] 내지 [424] 중 어느 하나에 있어서, LP에 대한 분말 크기 임계값이 2 마이크론 내지 1990 마이크론인 분말 또는 분말 혼합물. [426]LP에 대한 분말 크기 임계값이 22 마이크론 이상인 [1] 내지 [425] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [427] [1] 내지 [426] 중 어느 하나에 있어서, LP에 대한 분말 크기 임계값이 42 마이크론 이상인 분말 또는 분말 혼합물. [428]LP에 대한 분말 크기 임계값이 1490 마이크론 이하인 [1] 내지 [427] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [429]LP에 대한 분말 크기 임계값이 990 마이크론 이하인 [1] 내지 [428] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [430] [1] 내지 [429] 중 어느 하나에 있어서, SP에 대한 분말 크기 임계값이 0.6 나노미터 (nanometers)내지 990 미크론인 분말 또는 분말 혼합물. [431] [1] 내지 [430] 중 어느 하나에 있어서, SP에 대한 분말 크기 임계값이 52 나노미터 이상인 방법. [432]SP에 대한 분말 크기 임계값이 602 나노미터 이상인 [1] 내지 [431] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [433] [1] 내지 [432] 중 어느 하나에 있어서, SP에 대한 분말 크기 임계값이 490 미크론 이하인 분말 또는 분말 혼합물. [434] [1] 내지 [433] 중 어느 하나에 있어서, SP에 대한 분말 크기 임계값이 190 마이크론 이하인 분말 또는 분말 혼합물. [435] [1] 내지 [434] 중 어느 하나에 있어서, 분말 크기 임계값이 D50인 분말 또는 분말 혼합물. [436] [1] 내지 [435] 중 어느 하나에 있어서, 분말 크기 임계값이 D10인 분말 또는 분말 혼합물. [437] [1] 내지 [436] 중 어느 하나에 있어서, 분말 크기 임계값이 D90인 분말 또는 분말 혼합물. [438] D10이 입자 크기의 누적 분포에서 샘플 부피의 10%가 더 작은 입자로 구성된 입자 크기를 나타내는 [1] 내지 [437] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [439] D50이 입자 크기의 누적 분포에서 샘플 부피의 50%가 더 작은 입자로 구성된 입자 크기를 나타내는 [1] 내지 [438] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [440] D90이 입자 크기의 누적 분포에서 샘플 부피의 90%가 더 작은 입자로 구성된 입자 크기를 나타내는 [1] 내지 [439] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [441]입자 크기가 ISO 13320-2009에 따라 레이저 회절에 의해 측정되는, [1] 내지 [440] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [442] [1] 내지 [504] 중 어느 하나에 있어서, 혼합물 내의 분말 중 하나가 적어도 하나의 원소에서 적절한 차이를 갖는 것인 분말 또는 분말 혼합물. [443] [1] 내지 [442] 중 어느 하나에 있어서, 혼합물 내의 분말 중 하나가 적어도 2개의 원소에서 적절한 차이를 갖는 것인 분말 또는 분말 혼합물. [444] [1] 내지 [443] 중 어느 하나에 있어서, 혼합물 내의 분말 중 하나가 적어도 3개의 원소에서 적절한 차이를 갖는 것인 분말 또는 분말 혼합물. [445] [1] 내지 [444] 중 어느 하나에 있어서, 혼합물 내의 분말 중 하나가 4개 이상의 원소에서 적절한 차이를 갖는 것인 분말 또는 분말 혼합물. [446] [1] 내지 [445] 중 어느 하나에 있어서, 혼합물 내의 분말 중 하나가 5개 이상의 원소에서 적절한 차이를 갖는 것인 분말 또는 분말 혼합물. [447] [1] 내지 [446] 중 어느 하나에 있어서, 관련 차이가 적어도 20wt% 이상인 분말 또는 분말 혼합물. [448] [1] 내지 [447] 중 어느 하나에 있어서, 관련 차이가 적어도 60wt% 이상인 분말 또는 분말 혼합물. [449] 관련 차이가 적어도 2배인 [1] 내지 [448] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [450] 해당 차이가 20배 이하인 [1] 내지 [449] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [451] 해당 차이가 10배 이하인, [1] 내지 [450] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [452] 해당 차이가 99중량% 이하인, [1] 내지 [451] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [453] [1] 내지 [452] 중 어느 하나에 있어서, 적절하게 존재하는 원소들만을 고려하는 것인 분말 또는 분말 혼합물. [454] [1] 내지 [453] 중 어느 하나에 있어서, 해당 원소가 0.012wt% 이상의 양으로 존재하는 원소인 분말 또는 분말 혼합물. [455] [1] 내지 [454] 중 어느 하나에 있어서, 해당 원소가 0.12wt% 이상의 양으로 존재하는 원소인 분말 또는 분말 혼합물. [456]상기 원소가 Cr인, [1] 내지 [455] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [457]상기 원소가 Mn인, [1] 내지 [456] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [458] 원소가 V인 [1] 내지 [457] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [459] 원소가 인 [1] 내지 [458] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. 티. [460] 원소가 Mo인 [1] 내지 [459] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [461] 원소가 인 [1] 내지 [460] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. W. [1] 내지 [461] 중 어느 하나에 있어서, 원소가 Al인 분말 또는 분말 혼합물. [463] 원소가 Zr인 [1] 내지 [462] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [464] 원소가 Si인 [1] 내지 [463] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [465] 원소가 Sn인 [1] 내지 [464] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [466] 원소가 Mg인 [1] 내지 [465] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [467] 원소가 Cu인 [1] 내지 [466] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [468] 원소가 C인 [1] 내지 [467] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [469] 원소가 인 [1] 내지 [468] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. B. 원소가 N인 [1] 내지 [469] 중 어느 하나에 기재된 분말 또는 분말 혼합물. [471] [1] 내지 [470] 중 어느 하나에 있어서, 원소는 Ni이다. [472] 혼합물 내의 분말이 혼합물에서 가장 부드러운 분말의 경도와 가장 단단한 것의 경도 사이에 상당한 차이가 있도록 선택되는 [1] 내지 [471] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물 . [473] 상당한 차이가 6HV 이상인, [1] 내지 [472] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [474] 상당한 차이가 12 HV 이상인, [1] 내지 [473] 중 어느 하나에 따른 분말 또는 분말 혼합물. [475] [1] 내지 [474] 중 어느 하나에 있어서, 혼합물의 적어도 하나의 관련 분말은 289 HV 이하의 낮은 경도로 선택되는 분말 또는 분말 혼합물. 구형 LP 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로서, 혼합물 중 LP의 부피 백분율은 61 부피% 내지 84 부피%인 분말 혼합물. 비구형 LP를 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로서, 혼합물 중 LP의 부피 백분율이 51vol% 내지 70vol%인 분말 또는 분말 혼합물. 물 분무 LP 분말 및 기체 분무 SP 분말을 포함하는 분말 혼합물. 물 분무 LP 분말 및 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 혼합물. 물 분무된 LP 분말 및 산화물 환원에 의해 수득된 SP 분말을 포함하는 분말 혼합물. 물 분무된 LP 분말 및 산화물 환원에 의해 수득된 SP 분말 및 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 혼합물. 기체 분무된 LP 분말 및 기체 분무된 SP 분말을 포함하는 분말 혼합물. [483] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 적어도 구형 분말을 포함하는 분말 혼합물을 포함하는 금속을 제공하는 단계;- 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법을 적용하여 구성요소를 형성하는 성형 단계;-압력을 가하는 단계 및/또는 온도 처리;-결합제의 적어도 일부를 제거하기 위해 탈결합을 적용;-고화 처리가 적용되는 고화 단계; 및-고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [484] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 적어도 비구형 분말을 포함하는 분말 혼합물을 포함하는 금속을 제공하는 단계;- 유기 재료의 사용을 포함하는 적층 제조 방법을 적용하여 구성요소를 형성하는 형성 단계;-적용 압력 및/또는 온도 처리 - 바인더의 적어도 일부를 제거하기 위해 탈바인딩을 적용함 - 압밀 처리가 적용되는 압밀 단계; 및-고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; [485] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: -적어도 부분적으로 적층 제조에 의해 제조된 주형을 제공하는 단계;-구형 LP 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 주형을 채우는 단계(여기서 혼합물 중 LP의 부피 백분율은 61vol% 내지 84vol%임);-성형 단계 구성요소가 금형에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 형성됨;-몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계;-압밀 처리가 적용되는 압밀 단계, 여기서 최대 온도 고화 처리에 적용된 것은 0.85*Tm 이상 - 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및-선택적으로, 열처리 및/또는 기계가공을 적용하는 단계. [486] 혼합물 중 LP의 부피 백분율이 61vol% 내지 84vol%인 비구형 LP 분말, 및 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물(여기서, 혼합물 중 카르보닐 철 분말의 부피 백분율은 20wt% 내지 50%. 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법:-적어도 부분적으로 적층 제조에 의해 제조된 주형을 제공하는 단계; 혼합물 중 LP의 부피 백분율이 61vol% 내지 84vol%인 구형 LP 분말, 및 혼합물 중 카보닐 철 분말의 부피 백분율이 20vol% 내지 50vol%인 카르보닐 철 분말,-형성 단계 구성요소가 금형에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 형성됨;-몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계;-압밀 처리가 적용되는 압밀 단계, 여기서 최대 온도 고화 처리에 적용된 것은 0.85*Tm 이상 - 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및-선택적으로, 열처리 및/또는 기계가공을 적용하는 단계. LP 분말을 포함하는 분말 혼합물로서, 혼합물 중 LP의 부피 백분율이 46vol% 초과 및 89vol% 미만이고, LP의 %C가 낮은 간극 함량 수준에 있고; 제1항에 있어서, 분말 혼합물이 카르보닐 철 분말을 포함하고, 혼합물 중 카르보닐 철 분말의 부피 백분율이 10vol% 내지 40vol%인 것인 방법. 가스 원자화된 LP 분말 및 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 혼합물. 가스 원자화된 LP 분말 및 산화물 환원에 의해 수득된 SP 분말을 포함하는 분말 혼합물. 가스 원자화된 LP 분말, 산화물 환원에 의해 수득된 SP 분말 및 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 혼합물. [492] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 하나 이상의 구형 LP 분말을 포함하는 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하는 단계로서, 혼합물 중 LP의 부피 백분율은 61vol% 내지 84vol%이고; 상기 분말 혼합물은 카르보닐 철 분말을 포함하고, 상기 혼합물 중 상기 카르보닐 철 분말의 부피 백분율은 10vol% 초과이고, 상기 구성요소는 적층 제조 방법을 적용하여 형성되고, 상기 적층 제조 방법은 유기 물질의 사용 - 압력 및/또는 온도 처리 적용; 균일한 방식으로 압력이 가해지는 단계;-결합제의 적어도 일부를 제거하기 위해 결합 제거를 적용하는 단계;-고화 처리가 적용되는 압밀화 단계; 압밀 처리에 적용된 최대 온도는 0.85*Tm 이상이고; 및-고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [493] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: -적어도 부분적으로 적층 제조에 의해 제조된 몰드를 제공하는 단계;-적어도 구형 LP 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 몰드를 채우는 단계(여기서, 혼합물 중 LP의 부피 백분율은 61vol% 내지 84vol%임); 상기 분말 혼합물은 카르보닐 철 분말을 포함하고, 상기 혼합물 중 상기 카르보닐 철 분말의 부피 백분율은 10vol% 초과이고;-성형 단계로서, 상기 구성요소는 상기 주형에 압력 및/또는 온도 처리를 적용함으로써 형성되고; 압력이 균질한 방식으로 적용되는 단계;-몰드의 적어도 일부가 제거되는 결합 제거 단계;-압밀화 처리가 적용되는 통합 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및-선택적으로, 열처리 및/또는 기계가공 적용. [494] 금속을 포함하는 구성요소의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법:-적어도 부분적으로 적층 제조에 의해 제조된 주형을 제공하는 단계;-주형을 분말 또는 적어도 구형 LP 분말을 포함하는 분말 혼합물로 채우는 단계 여기서, 혼합물 중 LP의 부피 백분율은 61vol% 내지 84vol%이고; 상기 분말 혼합물은 카르보닐 철 분말을 포함하고, 상기 혼합물 중 상기 카르보닐 철 분말의 부피 백분율은 10vol% 이상이고; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계;-압밀 처리에 적용되는 온도가 0.85*Tm 이상인 압밀화 단계;-고화 단계, 여기서 고온 , 고압 처리가 적용됩니다. 및-선택적으로, 열처리 및/또는 기계가공을 적용하는 단계. [495] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: -카보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계;-적정 제조 방법을 적용하는 단계, 여기서 첨가제 제조 방법은 바인더 분사(BJ) 및/또는 융합 필라멘트 가공(FFF)으로부터 선택되는 단계;-적용하여 적어도 유기 물질의 일부; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [496] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 성형 단계, 여기서 적층 제조 방법은 바인더 젯팅(BJ) 및/또는 융합 필라멘트 제조(FFF)로부터 선택됨; - 유기 물질의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 유효 단면적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 0.79배 이하이고; 여기서 구성요소는 1.13 mm2와 50 mm2 사이의 단면을 갖는 미세 채널, 및 39℃ 미만의 수집기 내 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널에 의해 연결된 적어도 하나의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함합니다. [497] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 성형 단계, 여기서 적층 제조 방법은 바인더 젯팅(BJ) 및/또는 융합 필라멘트 제조(FFF)로부터 선택됨; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. - 유기 물질의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; [498] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 성형 단계, 여기서 적층 제조 방법은 바인더 젯팅(BJ) 및/또는 융합 필라멘트 제조(FFF)로부터 선택됨; - 유기 물질의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. 여기서 압력은 균일한 방식으로 가해지고; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 그리고 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 제1항에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리에서의 가열은 마이크로파로 적어도 부분적으로 이루어진다. [499] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 성형 단계, 여기서 적층 제조 방법은 바인더 젯팅(BJ) 및/또는 융합 필라멘트 제조(FFF)로부터 선택됨; - 압력 및/또는 온도 처리를 적용합니다. 여기서 압력은 균일한 방식으로 가해지고; - 유기 물질의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 제1항에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리에서의 가열은 마이크로파로 적어도 부분적으로 이루어진다. [500] [1] 내지 [499] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 마이크로파에 의한 가열을 포함하고, 사용된 주파수는 2.45GHz+/-250Mhz이고, 압력을 가하는 데 사용되는 유체는 0.006과 3.99 사이의 극성. [501] [1] 내지 [500] 중 어느 하나에 있어서, 상기 압력 및/또는 온도 처리는 마이크로파에 의한 가열을 포함하고, 사용되는 주파수는 2.45GHz+/-250Mhz이고 총 전력은 55W 이상이고, 여기서 압력을 가하는 데 사용되는 유체는 극성이 0.011 이상인 유체를 포함합니다. [502] [1] 내지 [501] 중 어느 하나에 있어서, 고온 고압 처리가 0.02% 내지 2% 사이의 %NMVS 및 6% 초과의 %NMVC를 갖는 부품에 적용되고, 여기서, 고온 고압 처리는 모바일 시스템과 적어도 1개의 어플리케이터 또는 안테나 및 59개 미만의 어플리케이터 또는 안테나를 포함하는 가압 챔버에서 수행되는 마이크로파로 가열하는 마이크로파 가열을 포함하고; 제1항에 있어서, 상기 가압 챔버는 21 Ohms와 99 Ohms 사이의 임피던스를 갖는 동축 피드-트로프(feed-trough)를 포함한다. [503] [1] 내지 [502] 중 어느 하나에 있어서, 고온 고압 처리가 0.02% 내지 2% 사이의 %NMVS 및 6% 초과의 %NMVC를 갖는 구성요소에 적용되고, 여기서 고온 고압 압력 처리는 모바일 시스템, 적어도 1개의 어플리케이터 또는 안테나 및 59개 미만의 어플리케이터 또는 안테나를 포함하는 가압 챔버에서 수행되는 마이크로파를 사용한 가열을 포함하고; 상기 가압 챔버는 21 Ohms와 99 Ohms 사이의 임피던스를 갖는 동축 피드-트로프를 포함하고; 제1항에 있어서, 가압 챔버는 10.49 내지 199의 유전 손실을 갖는 발광 물질 및 발광 물질을 지지하는 요소를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. [504] 하기 단계를 포함하는 부품의 제조 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하고, 여기서 분말 또는 분말 혼합물은 조성이 하기 조성 범위를 가지며, 모든 백분율은 중량 백분율로 표시됨:%Mo: 0 - 6.8; %W: 0 - 6.9; %Moeq: 0 - 6.8; %Ceq: 0.16 - 1.8; %C: 0 - 1.29; %N: 0.11 - 2.09; %B: 0 - 0.14; %Si: 0 - 1.5 ; %Mn: 0 - 24 ; %Ni: 0 - 18.9; %Cr: 12.1 - 38; %Ti: 0 - 2.4; %Al: 0 - 14; %V: 0 - 4; %Nb: 0 - 4; %Zr: 0 - 3; %Hf: 0 - 3; %Ta: 0 - 3; %S: 0 - 0.098; %P: 0 - 0.098; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.08; %Se: 0 - 0.08; %Co: 0 - 14; %REE: 0 - 4; %Y: 0 - 1.86; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0.00012 -0.899; %Y+%Sc+%REE: 0.0022 - 3.9%; 철 및 미량 원소로 구성된 나머지; 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B 및 %Moeq=%Mo+1/2*%W; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; ; - 구성요소의 금속 부분의 산소 수준을 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정하는 고정 단계, 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성 요소의 %O는 다음 공식을 따릅니다. %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc + 0.67*%REE), KYS=2350. [504] 하기 단계를 포함하는 부품의 제조 방법: - 금속 분말 또는 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 혼합물을 포함하는 금속을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 선택적으로, 디바인딩 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계 - 압밀 처리가 적용되는 압밀 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 2% 초과 89% 미만이고; 구성요소는 미세 채널을 포함하고, 미세 채널로부터 온도 조절될 표면까지의 거리는 0.6mm와 32mm 사이이고; 미세 채널의 등가 직경은 0.1mm 내지 128mm이고; 온도 조절된 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 21 내지 14000이고; 여기서 유체는 평균 레이놀즈 수가 810보다 크고 89000보다 작게 유지되는 방식으로 미세 채널에서 흐릅니다. 그리고 여기서 채널의 거칠기는 0.9 마이크론 이상 190 마이크론 미만입니다. . [505] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 몰드를 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 채우는 단계;- 성형 단계, 여기서 구성요소는 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 형성됨; - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 압밀 처리가 적용되는 압밀 단계; - 고온 고압 처리가 적용되는 조밀화 단계; 및-선택적으로, 열처리 및/또는 기계가공을 적용하는 단계; 여기서 구성요소는 12보다 크고 230보다 작은 H 값을 갖는 미세 채널을 포함하며, H = 미세 채널의 전체 길이/미세 채널의 평균 길이이고; 미세 채널의 등가 직경은 1.2mm와 18mm 사이이고; 온도 조절된 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 61 내지 4000이고; 여기서 구성요소는 9℃ 미만의 수집기 내 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널에 의해 연결된 하나 이상의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함하고, 구성요소의 평균 단면적은 0.2 mm2 초과 2900000 mm2 미만이고, 여기서 가장 큰 단면의 20%와 가장 작은 단면의 20%는 평균 단면을 계산하는 것으로 간주되지 않습니다. [506] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 분말 또는 분말 혼합물을 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계; - 금속 적층 제조(MAM) 방법을 사용하여 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로부터 성분을 형성하는 형성 단계로서, 여기서 MAM 방법은 유기 재료의 사용을 포함함; - 유기 물질의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; -고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 및 - 선택적으로 열처리 및/또는 기계가공을 적용합니다. 여기서 구성요소는 미세 채널 및 메인 채널을 포함하고; 여기서 메인 채널의 평균 단면적은 온도 조절이 필요한 구성 요소 영역의 모든 미세 채널 중 가장 작은 채널의 단면적보다 3배 이상 높습니다. 온도 조절된 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 61 내지 4000이고; 여기서 채널의 요철은 10.2 미크론 이상 98 미크론 미만이고 구성요소의 최대 단면적은 0.2 mm2 초과 및 0.59배 이하인 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면 면적 구성요소를 포함하고 구성요소의 최대 단면적이 최대 단면적의 40%를 제외한 후 얻은 최대 단면적인 가능한 최소 체적.[507] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공함 - 성형 단계, 여기서 적층 제조 방법을 적용하여 구성요소를 형성하는 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소는 미세 채널 및 메인 채널을 포함하고; 여기서 채널의 거칠기는 10.2 마이크론 이상 98 마이크론 미만입니다. 그리고 여기서 구성요소의 유효 단면적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 0.79배 이하입니다. [508] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: - 금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물을 제공하며, 여기서 분말 또는 분말 혼합물은 조성이 하기 조성 범위를 가지며, 모든 백분율은 중량 백분율로 표시됨: %Mo: 0 - 6.8; %W: 0 - 6.9; %Moeq: 0 - 6.8; %Ceq: 0.16 - 1.8; %C: 0 - 1.29; %N: 0.11 - 2.09; %B: 0 - 0.14; %Si: 0 - 1.5 ; %Mn: 0 - 24 ; %Ni: 0 - 18.9; %Cr: 12.1 - 38; %Ti: 0 - 2.4; %Al: 0 - 14; %V: 0 - 4; %Nb: 0 - 4; %Zr: 0 - 3; %Hf: 0 - 3; %Ta: 0 - 3; %S: 0 - 0.098; %P: 0 - 0.098; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.08; %Se: 0 - 0.08; %Co: 0 - 14; %REE: 0 - 4; %Y: 0 - 1.86; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0.00012 -0.899; %Y+%Sc+%REE: 0.0022 - 3.9%; 철 및 미량 원소로 구성된 나머지; 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B 및 %Moeq=%Mo+1/2*%W;- 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 부품의 금속 부분의 산소 수준을 520ppm 이상으로 설정하는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성 요소의 %O는 다음 공식을 따릅니다. %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc + 0.67*%REE), KYS=2350. [509] 하기 단계를 포함하는 부품의 제조 방법: - 금속 분말 또는 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 혼합물을 포함하는 금속을 제공하는 단계; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 선택적으로, 디바인딩 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계 - 압밀 처리가 적용되는 압밀 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계; 여기서 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 2% 초과 89% 미만입니다. . [509] 금속을 포함하는 부품의 적어도 일부를 제조하는 방법으로서, 다음 단계를 포함하는 방법: - 적층 제조에 의해 적어도 부분적으로 제조된 몰드를 제공하는 단계; - 몰드를 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 채우는 단계;- 성형 단계, 여기서 구성요소는 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하여 형성됨; 여기서 압력 및/또는 온도 처리는 균질한 방식으로 적용하는 것을 포함하며 - 몰드의 적어도 일부가 제거되는 탈지 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; - 고밀도화 단계, 여기서 높은 온도, 고압 처리가 적용됩니다. 및-선택적으로, 열처리 및/또는 기계가공을 적용하는 단계; 여기서 구성요소의 체적은 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 체적의 0.79배 이하입니다. [508] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: -비구형 LP 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계(여기서, 혼합물 중 LP의 부피 백분율은 61vol% 내지 84vol%임), 및 카르보닐 철 분말, 여기서 혼합물 중 카르보닐 철 분말의 부피 백분율은 20vol%와 50vol% 사이; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [509] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: -비구형 LP 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계(여기서, 혼합물 중 LP의 부피 백분율은 61vol% 내지 84vol%임), 및 카르보닐 철 분말, 여기서 혼합물 중 카르보닐 철 분말의 부피 백분율은 20vol%와 50vol% 사이; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 디바인딩 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [510] 하기 단계를 포함하는 부품을 제조하는 방법: -비구형 LP 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물을 제공하는 단계(여기서, 혼합물 중 LP의 부피 백분율은 61vol% 내지 84vol%임), 및 카르보닐 철 분말, 여기서 혼합물 중 카르보닐 철 분말의 부피 백분율은 20wt%와 50% 사이.; - 적층 제조 방법이 구성요소를 형성하기 위해 적용되는 형성 단계; - 구성요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계; - 강화 처리가 적용되는 강화 단계; 및 - 선택적으로, 고온 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계. [511] 비구형 분말 및 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로서, 혼합물 중 카르보닐 철 분말의 부피 백분율이 10vol% 내지 50vol%인 분말 혼합물. [512] 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 혼합물로서, 혼합물 중 카르보닐 철 분말의 부피 백분율이 10vol% 내지 50vol%인 분말 혼합물. [513] 구형 분말 및 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로서, 상기 카르보닐 철 분말의 부피 백분율. [514] 구형 분말과 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로서, 혼합물 중 카르보닐 철 분말의 부피 백분율이 10vol% 이상인 분말 또는 분말 혼합물.. [515] 산화물 환원에 의해 얻어진 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물. [516] 가스 분무 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물. [517] 원심 분무 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물. [518] 가스 분무에 의해 얻어진 분말과 물 분무에 의해 얻어진 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물. [519] 물 분무 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물. [520] 가스 분무 분말 및 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물. [521] 원심 분무 분말 및 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물. [522] 가스 분무에 의해 얻어진 분말, 물 분무에 의해 얻어진 분말 및 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물. [523] 물 분무 분말 및 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물. [524] 기체 분무 분말 및 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로서, 혼합물 중 카르보닐 철 분말의 부피 백분율이 10vol% 내지 50vol%인 것인 분말 혼합물. [515] 원심 분무 분말 및 카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로서, 혼합물 중 카르보닐 철 분말의 부피 백분율은 10vol% 내지 50vol%인 분말 혼합물. [525] [1] 내지 [524] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 공정 후에 얻어진 성분에 압밀 처리를 실시하는 방법. [526] [1] 내지 [525] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 처리가 가압 및/또는 온도 처리를 적용한 후에 얻어진 부품에 적용되는 방법. [527] [1] 내지 [526] 중 어느 하나에 있어서, 고정 공정 후에 얻어진 부품에 압밀 처리를 실시하는 방법. [528] [1] 내지 [527] 중 어느 하나에 있어서, 고정 공정 후에 얻어진 부품에 고온 고압 처리를 가하는 방법. [529] [1] 내지 [528] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 후에 얻어지는 부품에 고온 고압 처리를 가하는 방법. [530] [1] 내지 [529] 중 어느 하나에 있어서, 고화 공정 후에 얻어진 성분에 고온 고압 처리를 가하는 방법. [531] [1] 내지 [530] 중 어느 하나에 있어서, 고온 고압 처리가 가압 및/또는 온도 처리 후에 얻어지는 부품에 적용되는 방법. [532] "분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물"이 "분말 또는 분말 혼합물"로 대체되는 [1] 내지 [531] 중 어느 하나에 따른 방법. [533] [1] 내지 [532] 중 어느 하나에 있어서, "분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물"이 "분말"로 대체되는 방법. [534] [1] 내지 [533] 중 어느 하나에 있어서, "분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물"이 "분말 혼합물"로 대체되는 방법. [535] [1] 내지 [534] 중 어느 하나에 있어서, "금속 분말 또는 금속 포함 분말 혼합물"이 "분말 또는 분말 혼합물"로 대체되는 방법. [536] [1] 내지 [535] 중 어느 하나에 있어서, "금속 분말 또는 분말 혼합물을 포함하는 금속"이 "분말"로 대체되는 방법. [537] [1] 내지 [536] 중 어느 하나에 있어서, "금속 분말 또는 금속을 포함하는 분말 혼합물"이 "분말 혼합물"로 대체되는 방법. [538] [1] 내지 [537] 중 어느 하나에 있어서, "분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 또는 분말 혼합물"이 "분말 혼합물을 포함하는 금속 분말 또는 금속"으로 대체되는 방법. [539] [1] 내지 [538] 중 어느 하나에 있어서, 금속 분말 또는 금속 함유 분말 혼합물이 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 혼합물인 방법. [540] [1] 내지 [539] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 산소 함량이 250ppm 초과 48000ppm 미만인 방법. [541] [1] 내지 [540] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 산소 함량이 250ppm 초과인 방법. [542] [1] 내지 [541] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 산소 함량이 620ppm 초과인 방법. [543] [1] 내지 [542] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 산소 함량이 1100ppm 초과 48000ppm 미만인 방법. [544] [1] 내지 [543] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 산소 함량이 48000ppm 미만인 방법. [545] [1] 내지 [544] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 산소 함량이 19000ppm 미만인 방법. [546] [1] 내지 [545] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 산소 함량이 9000ppm 미만인 방법. [547] [1] 내지 [546] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 산소 함량이 620ppm 초과 9000ppm 미만인 방법. [548] [1] 내지 [547] 중 어느 하나에 있어서, 산소 함량이 분말 혼합물에 포함된 분말 중 적어도 하나의 산소 함량을 지칭하는 방법. [549] [1] 내지 [548] 중 어느 하나에 있어서, 산소 함유량이 분말 중의 산소 함유량을 나타내는 방법. [550] [1] 내지 [549] 중 어느 하나에 있어서, 산소 함량이 분말 혼합물의 산소 함량을 나타내는 방법. [551] [1] 내지 [550] 중 어느 하나에 있어서, 분말 혼합물은 산소 함량이 250ppm 초과 48000ppm 미만인 분말을 적어도 포함하는 방법. [552] [1] 내지 [551] 중 어느 하나에 있어서, 분말이 620 ppm 초과의 산소 함량을 갖는 분말을 적어도 포함하는 것인 방법. [553] [1] 내지 [552] 중 어느 하나에 있어서, 분말 혼합물은 산소 함량이 620ppm 초과 19000ppm 미만인 분말을 적어도 포함하는 방법. [554] [1] 내지 [553] 중 어느 하나에 있어서, 분말 혼합물은 19000ppm 미만의 산소 함량을 갖는 분말을 적어도 포함하는 것인 방법. [555] [1] 내지 [554] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 질소 함량이 12 ppm 초과인 방법. [556] [1] 내지 [555] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 질소 함량이 9000ppm 미만인 방법. [557] [1] 내지 [556] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 질소 함량이 12 ppm 초과 9000 ppm 미만인 방법. [558] [1] 내지 [557] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 질소 함량이 55 ppm 초과 9000 ppm 미만인 방법. [559] [1] 내지 [558] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 질소 함량이 900ppm 미만인 방법. [560] [1] 내지 [559] 중 어느 하나에 있어서, 질소 함량이 분말 혼합물에 포함된 분말 중 적어도 하나의 질소 함량을 지칭하는 방법. [561] [1] 내지 [560] 중 어느 하나에 있어서, 질소 함량이 분말 혼합물의 질소 함량을 지칭하는 방법. [562] [1] 내지 [561] 중 어느 하나에 있어서, 산소 함유량이 분말 중의 산소 함유량을 나타내는 방법. [563] [1] 내지 [562] 중 어느 하나에 있어서, 분말 혼합물은 질소 함량이 12 ppm 초과인 분말을 적어도 포함하는 것인 방법. [564] [1] 내지 [563] 중 어느 하나에 있어서, 분말 혼합물이 12 ppm 초과 9000 ppm 미만의 질소 함량을 갖는 하나 이상의 분말을 포함하는 방법. [565] [1] 내지 [564] 중 어느 하나에 있어서, 분말 혼합물은 질소 함량이 55 ppm 초과인 분말을 적어도 포함하는 것인 방법. [566] [1] 내지 [565] 중 어느 하나에 있어서, 분말 혼합물은 질소 함량이 55ppm 초과 9000ppm 미만인 하나 이상의 분말을 포함하는 방법. [567] [1] 내지 [566] 중 어느 하나에 있어서, 분말 혼합물이 900 ppm 미만의 질소 함량을 갖는 하나 이상의 분말을 포함하는 방법. [568] [1] 내지 [567] 중 어느 하나에 있어서, 분말 혼합물 중의 적어도 하나의 분말은 질소 오스테나이트 강의 조성을 갖는 것인 방법. [569] [1] 내지 [568] 중 어느 하나에 있어서, 분말이 질소 오스테나이트 강의 조성을 갖는 것인 방법. [570] [1] 내지 [569] 중 어느 하나에 있어서, 상기 혼합 분말은 질소 오스테나이트 강의 조성을 갖는 것인 방법. [571] [1] 내지 [570] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물은 0.12wt% 이상의 함량으로 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb를 포함하는 방법. [572] [1] 내지 [571] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물은 34wt% 이하의 함량으로 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb를 포함하는 방법. [573] [1] 내지 [572] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물은 %V, %Al, %Cr, %Mo, %Ta, %W 및/또는 %Nb 중 적어도 하나를 포함하는 것인 방법. . [574] [1] 내지 [573] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물이 %Y, %Sc 및/또는 %REE 중 적어도 하나를 포함하는 방법. [575] [1] 내지 [574] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물이 %Y, %Sc, %REE 및/또는 %Ti 중 적어도 하나를 포함하는 방법. [576] [1] 내지 [575] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물은 0.012wt% 내지 6.8wt%의 %Y+%Sc+%REE 함량을 포함하는 방법. [577] [1] 내지 [576] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물이 0.012wt% 내지 6.8wt%의 %Ti+%Y+%Sc+%REE 함량을 포함하는 방법. [578] [1] 내지 [577] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물 중 %Yeq(1) 함량이 0.03wt% 초과 8.9wt% 미만인 방법. [579] [1] 내지 [578] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 %Yeq(1) 함량이 0.06wt% 초과인 방법. [580] [1] 내지 [579] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물 중의 %Yeq(1) 함량이 1.2wt% 초과인 방법. [581] [1] 내지 [580] 중 어느 하나에 있어서, %Yeq(1) 함량은 분말 혼합물에 포함된 분말 중 적어도 하나의 %Yeq(1) 함량인 방법. [582] [1] 내지 [581] 중 어느 하나에 있어서, %Yeq(1) 함량이 분말 혼합물 중 %Yeq(1) 함량인 방법. [583] [1] 내지 [582] 중 어느 하나에 있어서, %Yeq(1) 함량이 분말 중의 %Yeq(1) 함량인 방법. [584] [1] 내지 [583] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 질소 함량이 55ppm 초과 9000ppm 미만인 방법. [585] [1] 내지 [584] 중 어느 하나에 있어서, 분말 혼합물이 질소 함량이 55ppm 초과 9000ppm 미만인 분말을 적어도 포함하는 방법. [586] [1] 내지 [585] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 %O는 화학식 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67 *%REE). [587] [1] 내지 [586] 중 어느 하나에 있어서, 분말 또는 분말 혼합물의 %O가 하기 화학식을 따르는 것인 방법: %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 0.67*%REE). [588] [1] 내지 [587] 중 어느 하나에 있어서, 산소 함량이 분말 혼합물의 %O 함량을 나타내는 방법.[589] [1] 내지 [588] 중 어느 하나에 있어서, 산소 함량이 분말 혼합물에 포함된 분말 중 적어도 하나의 분말의 %O 함량을 나타내는 것인 방법. [590] [1] 내지 [589] 중 어느 하나에 있어서, 분말을 사용하는 방법. [591] [1] 내지 [590] 중 어느 하나에 있어서, 분말 혼합물이 사용되는 방법. [592] [1] 내지 [591] 중 어느 하나에 있어서, 분말이 금속 분말인 방법. [593] [1] 내지 [592] 중 어느 하나에 있어서, 분말이 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말인 방법. [594] [1] 내지 [593] 중 어느 하나에 있어서, 분말 혼합물이 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 적어도 포함하는 분말 혼합물인 방법. [595] [1] 내지 [594] 중 어느 하나에 있어서, 분말 혼합물이 분말 혼합물을 포함하는 금속인 방법. [596] [1] 내지 [595] 중 어느 하나에 있어서, 충전된 몰드를 밀봉하는 방법. [597] [1] 내지 [596] 중 어느 한 항에 있어서, 몰드를 고분자 필름으로 밀봉하는 것인 방법. [598] [1] 내지 [597] 중 어느 하나에 있어서, 코팅이 충전된 몰드에 적용되는 방법. [599] [1] 내지 [598] 중 어느 하나에 있어서, 유기 코팅이 몰드의 적어도 일부에 도포되는 방법. [600] [1] 내지 [599] 중 어느 하나에 있어서, 코팅이 중합체를 포함하는 방법. [601] [1] 내지 [600] 중 어느 하나에 있어서, 코팅이 엘라스토머를 포함하는 방법. [602] [1] 내지 [601] 중 어느 하나에 있어서, 코팅이 고무질 재료를 포함하는 방법. [603] [1] 내지 [602] 중 어느 하나에 있어서, 코팅이 라텍스를 포함하는 것인 방법. [604] [1] 내지 [603] 중 어느 하나에 있어서, 코팅이 실리콘을 포함하는 방법. [605] [1] 내지 [604] 중 어느 한 항에 있어서, 코팅이 충전된 몰드 위에 배치되는 진공 백인 방법. [606] [1] 내지 [605] 중 어느 하나에 있어서, 상기 코팅은 몰드 내의 진공을 유지하기 위한 진공 용기로서 사용되는 것인 방법. [607] [1] 내지 [606] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 진공 기밀 방식으로 밀봉되는 방법. [608] [1] 내지 [607] 중 어느 하나에 있어서, 낮은 누설률로 몰드를 밀봉하는 방법. [609] [1] 내지 [608] 중 어느 하나에 있어서, 낮은 누설률이 0.9 mbar*l/s 이하인 방법. [610] [1] 내지 [609] 중 어느 하나에 있어서, 낮은 누설률이 0.08 mbar*l/s 이하인 방법. [611] 낮은 누설률이 0.008 mbar*l/s 이하인 [1] 내지 [610] 중 어느 하나에 기재된 방법. [612] 낮은 누설률이 0.0008 mbar*l/s 이하인 [1] 내지 [611] 중 어느 하나에 기재된 방법. [613] [1] 내지 [612] 중 어느 하나에 있어서, 낮은 누설률이 1.2*10-9 mbar*l/s 이상인 방법. [614] [1] 내지 [613] 중 어느 하나에 있어서, 낮은 누설률이 1.2*10-7 mbar*l/s 이상인 방법. [615] [1] 내지 [614] 중 어느 하나에 있어서, 낮은 누설률이 1.2*10-6 mbar*l/s 이상인 방법. [616] [1] 내지 [615] 중 어느 하나에 있어서, 누설률이 DIN-EN 1330-8에 따라 측정되는 것인 방법. [617] [1] 내지 [616] 중 어느 하나에 있어서, 누설률이 DIN-EN 13185:2001에 따라 측정되는 방법. [618] [1] 내지 [617] 중 어느 하나에 있어서, 제조된 진공이 10-8 mbar 이상인 방법. [619] [1] 내지 [618] 중 어느 하나에 있어서, 제조된 진공이 10-6 mbar 이상인 방법. [620] [1] 내지 [619] 중 어느 하나에 있어서, 제조된 진공이 790 mbar 이상인 방법. [621] [1] 내지 [620] 중 어느 하나에 있어서, 제조된 진공이 490 mbar 이상인 방법. [622] [1] 내지 [621] 중 어느 하나에 있어서, 제조된 진공이 90 mbar 이상인 방법. [623] [1] 내지 [622] 중 어느 하나에 있어서, 진공을 490mbar 이하로 하는 것인 방법. [624] [1] 내지 [623] 중 어느 하나에 있어서, 제조된 진공이 0.0009 mbar 이하인 방법. [625] [1] 내지 [624] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 몰드를 제조하기 위해 사용되는 적층 제조 기술은 구성 요소를 층별로 형성하는 것을 포함하는 방법. [626] [1] 내지 [625] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정에서 몰드를 제조하는데 사용되는 적층 제조 기술이 무첨가 제조 방법인 방법. [627] [1] 내지 [626] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 몰드를 제조하기 위해 사용되는 적층 제조 기술이 PIM인 방법. [628] [1] 내지 [627] 중 어느 하나에 있어서, 몰드 제조에 사용되는 AM 방법은 융합 증착(FDM), 융합 필라멘트 제조(FFF), 스테레오리소그래피(SLA), 디지털 광 처리(DLP)로부터 선택되는 것인 방법. ), 연속 디지털 광 처리(CDLP), 디지털 광 합성(DLS), 연속 액체 계면 생산(CLIP), 재료 분사(MJ), 주문형 드롭(DOD), 다중 제트 융합(MJF), 바인더 기반 기술 제팅(BJ), 레이저 소결(SLS), 선택적 열 소결(SHS), 직접 에너지 증착(DeD), 대면적 적층 제조(BAAM) 및/또는 이들의 조합을 포함한다. [629] [1] 내지 [628] 중 어느 하나에 있어서, 몰드 제조에 사용되는 AM 방법이 FDM인 방법. [630] [1] 내지 [629] 중 어느 하나에 있어서, 몰드 제조에 사용되는 AM 방법이 FFF인 방법. [631] [1] 내지 [630] 중 어느 하나에 있어서, 몰드 제조에 사용되는 AM 방법이 DLS인 방법. [632] [1] 내지 [631] 중 어느 하나에 있어서, 몰드 제조에 사용되는 AM 방법은 CLIP 기반 기술인 방법. [633] 1] 내지 [632] 중 어느 하나에 있어서, 몰드 제조에 사용되는 AM 방법이 SLA인 방법. [634] [1] 내지 [633] 중 어느 하나에 있어서, 몰드 제조에 사용되는 AM 방법이 DLP인 방법. [635] [1] 내지 [634] 중 어느 하나에 있어서, 몰드 제조에 사용되는 AM 방법이 SHS인 방법. [636] [1] 내지 [635] 중 어느 하나에 있어서, 몰드 제조에 사용되는 AM 방법이 SLS인 방법. [637] [1] 내지 [636] 중 어느 하나에 있어서, 몰드 제조에 사용되는 AM 방법이 BJ인 방법. [638] [1] 내지 [637] 중 어느 하나에 있어서, 몰드 제조에 사용되는 AM법이 MJ인 방법. [639] [1] 내지 [638] 중 어느 하나에 있어서, 몰드 제조에 사용되는 AM 방법이 DOD인 방법. [640] [1] 내지 [639] 중 어느 하나에 있어서, 몰드 제조에 사용되는 AM 방법이 MJF인 방법. [641] [1] 내지 [640] 중 어느 하나에 있어서, 몰드 제조에 사용되는 AM 방법이 DeD인 방법. [642] [1] 내지 [641] 중 어느 하나에 있어서, 몰드 제조에 사용되는 AM 방법이 CDLP인 방법. [643] [1] 내지 [642] 중 어느 하나에 있어서, 몰드 제조에 사용되는 AM 방법이 BAAM인 방법. [644] [1] 내지 [643] 중 어느 하나에 있어서, 적어도 2개의 상이한 AM 방법을 사용하여 몰드를 제조하는 방법. [645] [1] 내지 [644] 중 어느 하나에 있어서, 몰드는 함께 조립되는 상이한 조각으로 제조되는 방법. [646] [1] 내지 [645] 중 어느 하나에 있어서, 함께 조립된 3개 이상의 상이한 조각으로 금형을 제조하는 방법. [647] [1] 내지 [646] 중 어느 하나에 있어서, 몰드를 제작하기 위해 조립된 피스들 중 적어도 하나에는 피스들 중 적어도 하나에 대해 방향을 고정하는 안내 기구가 제공되는 것인 방법. 그것이 조립됩니다. [648] [1] 내지 [647] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 엘라스토머를 포함하는 방법. [649] [1] 내지 [648] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PPS를 포함하는 방법. [650] [1] 내지 [649] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PEEK를 포함하는 방법. [651] [1] 내지 [650] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PI를 포함하는 방법. [652] 몰드가 바이턴을 포함하는, [1] 내지 [651] 중 어느 하나에 따른 방법. [653] [1] 내지 [652] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 열경화성 중합체를 포함하는 방법. [654] [1] 내지 [653] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 열가소성 중합체를 포함하는 방법. [655] [1] 내지 [654] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 비정질 중합체를 포함하는 방법. [656] [1] 내지 [655] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PS를 포함하는 방법. [657] [1] 내지 [656] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PCL을 포함하는 방법. [658] [1] 내지 [657] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 다공성 PCL을 포함하는 방법. [659] [1] 내지 [658] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PA를 포함하는 방법. [660] [1] 내지 [659] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 HDPE 및/또는 LDHE를 포함하는 방법. [661] [1] 내지 [660] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PP를 포함하는 방법. [662] [1] 내지 [661] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 비정질 PP를 포함하는 방법. [663] [1] 내지 [662] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PVA를 포함하는 방법. [664] [1] 내지 [663] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 Kollidon VA64를 포함하는 방법. [665] [1] 내지 [664] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 Kollidon 12PF를 포함하는 방법. [666] [1] 내지 [665] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 방향족 기를 포함하는 중합체를 포함하는 방법. [667] [1] 내지 [666] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 폴리메틸 메타크릴레이트를 포함하는 방법. [668] [1] 내지 [667] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 아크릴로니트릴을 포함하는 공중합체를 포함하는 방법. [669] [1] 내지 [668] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 스티렌을 포함하는 공중합체를 포함하는 방법. [670] [1] 내지 [669] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 ABS를 포함하는 방법. [671] [1] 내지 [670] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 SAN을 포함하는 것인 방법. [672] [1] 내지 [671] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PC를 포함하는 방법. [673] [1] 내지 [672] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PPO를 포함하는 방법. [674] [1] 내지 [673] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 비닐계 중합체를 포함하는 방법. [675] [1] 내지 [674] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PVC를 포함하는 방법. [676] [1] 내지 [675] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 아크릴계 중합체를 포함하는 방법. [677] [1] 내지 [676] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PMMA를 포함하는 방법. [678] [1] 내지 [677] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 폴리부틸렌 PBT를 포함하는 방법. [679] [1] 내지 [678] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 POM을 포함하는 방법. [680] [1] 내지 [679] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PET를 포함하는 방법. [681] [1] 내지 [680] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PE를 포함하는 방법. [682] [1] 내지 [681] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 아미드 결합에 의해 연결된 단량체를 포함하는 중합체를 포함하는 방법. [683] [1] 내지 [682] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PA를 포함하는 방법. [684] [1] 내지 [683] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 지방족 폴리아미드를 포함하는 방법. [685] [1] 내지 [684] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 나일론을 포함하는 방법. [686] [1] 내지 [685] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PA11 계열 재료를 포함하는 방법. [687] [1] 내지 [686] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PA12 계열 재료를 포함하는 방법. [688] [1] 내지 [687] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PA12를 포함하는 방법. [689] [1] 내지 [688] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PA6을 포함하는 방법. [690] [1] 내지 [689] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PA6 계열 재료를 포함하는 방법. [691] [1] 내지 [690] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 폴리올레핀을 포함하는 방법. [692] [1] 내지 [691] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 폴리아미드를 포함하는 방법. [693] [1] 내지 [692] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 폴리올레핀 및/또는 폴리아미드를 포함하는 방법. [694] [1] 내지 [693] 중 어느 하나에 있어서, 중합체가 그들의 공중합체를 포함하는 방법. [695] [1] 내지 [694] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 반결정성 열가소성 중합체를 포함하는 방법. [696] [1] 내지 [695] 중 어느 하나에 있어서, 반결정성 열가소성 중합체의 용융 온도가 290℃ 미만인 방법. [697] [1] 내지 [696] 중 어느 하나에 있어서, 반결정성 열가소성 중합체의 용융 온도가 28℃ 초과인 방법. [698] [1] 내지 [697] 중 어느 하나에 있어서, 중합체의 결정도가 12% 초과인 방법. [699] [1] 내지 [698] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 16vol% 이상의 고분자 재료가 8500 이상 및 55vol% 이하의 충분히 큰 분자량으로 유지되는 고분자 재료를 포함하는 방법. 고분자 물질의 4900000 이하의 충분히 낮은 분자량으로 유지됩니다. [700] [1] 내지 [699] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 엘라스토머로 제조되는 방법. [701] [1] 내지 [700] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PPS로 제조되는 방법. [702] [1] 내지 [701] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PEEK로 제조되는 방법. [703] [1] 내지 [702] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 PI로 제조되는 방법. [704] [1] 내지 [703] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 바이턴으로 제조되는 방법. [705] [1] 내지 [704] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 열경화성 중합체로 제조되는 방법. [706] [1] 내지 [705] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 열가소성 중합체로 제조되는 방법. [707] [1] 내지 [706] 중 어느 하나에 있어서, 형성 단계에서 사용된 MAM 기술은 구성요소를 층별로 형성하는 것을 포함하는 방법. [708] [1] 내지 [707] 중 어느 하나에 있어서, MAM 기술은 유기 재료의 사용을 포함하는 것인 방법. [709] [1] 내지 [708] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하는 데 사용되는 MAM 방법은 융합 증착(FDM), 융합 필라멘트 제조(FFF), 스테레오리소그래피(SLA), 디지털 광 처리(DLP)로부터 선택되는 것인 방법. ), 연속 디지털 광 처리(CDLP), 디지털 광 합성(DLS), 연속 액체 계면 생산(CLIP), 재료 분사(MJ), 주문형 드롭(DOD), 다중 제트 융합(MJF), 바인더 기반 기술 제팅(BJ), 레이저 소결(SLS), 선택적 열 소결(SHS), 직접 에너지 증착(DeD), 대면적 적층 제조(BAAM) 및/또는 이들의 조합을 포함한다. [710] [1] 내지 [709] 중 어느 하나에 있어서, 컴포넌트를 형성하기 위해 사용되는 MAM 방법이 FDM인 방법. [711] [1] 내지 [710] 중 어느 하나에 있어서, 컴포넌트를 형성하기 위해 사용되는 MAM 방법은 FFF인 방법. [712] [1] 내지 [711] 중 어느 하나에 있어서, 컴포넌트를 형성하기 위해 사용된 MAM 방법이 DLS인 방법. [713] [1] 내지 [712] 중 어느 하나에 있어서, 컴포넌트를 형성하기 위해 사용되는 MAM 방법은 CLIP 기반 기술인 방법. [714] [1] 내지 [713] 중 어느 하나에 있어서, 컴포넌트를 형성하기 위해 사용되는 MAM 방법은 SLA인 방법. [715] [1] 내지 [714] 중 어느 하나에 있어서, 컴포넌트를 형성하기 위해 사용되는 MAM 방법이 DLP인 방법. [716] [1] 내지 [715] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소를 형성하기 위해 사용된 MAM 방법이 SHS인 방법. [717] [1] 내지 [716] 중 어느 하나에 있어서, 컴포넌트를 형성하기 위해 사용되는 MAM 방법은 SLS인 방법. [718] [1] 내지 [717] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용된 MAM 방법이 BJ인 방법. [719] [1] 내지 [718] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용된 MAM 방법이 MJ인 방법. [720] [1] 내지 [719] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용된 MAM 방법이 DOD인 방법. [721] [1] 내지 [720] 중 어느 하나에 있어서, 컴포넌트를 형성하기 위해 사용된 MAM 방법이 MJF인 방법. [722] [1] 내지 [721] 중 어느 하나에 있어서, 컴포넌트를 형성하기 위해 사용되는 MAM 방법이 DeD인 방법. [723] [1] 내지 [722] 중 어느 하나에 있어서, 컴포넌트를 형성하기 위해 사용되는 MAM 방법은 CDLP인 방법. [724] [1] 내지 [723] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소를 형성하기 위해 사용되는 MAM 방법이 BAAM인 방법. [725] [1] 내지 [724] 중 어느 하나에 있어서, 적어도 2개의 상이한 MAM 방법을 사용하여 구성요소를 형성하는 방법. [726] [1] 내지 [725] 중 어느 하나에 있어서, 형성 단계에서 구성요소를 제조하기 위해 사용되는 AM 기술은 구성요소를 층별로 형성하는 것을 포함하는 방법. [727] [1] 내지 [726] 중 어느 하나에 있어서, 몰드 제조에 사용되는 AM 기술은 몰드를 층별로 형성하는 것을 포함하는 방법. [728] [1] 내지 [727] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소를 형성하는 데 사용되는 AM 기술은 융합 증착(FDM), 융합 필라멘트 제조(FFF), 스테레오리소그래피(SLA), 디지털 광으로부터 선택되는 것인 방법. 처리(DLP), 연속 디지털 광 처리(CDLP), 디지털 광 합성(DLS), 연속 액체 계면 생산(CLIP), 재료 분사(MJ), 주문형 드롭(DOD), 다중 제트 융합(MJF) 기반 기술 ), 바인더 분사(BJ), 선택적 레이저 소결(SLS), 선택적 열 소결(SHS), 직접 에너지 증착(DeD), 대면적 적층 제조(BAAM), 직접 금속 레이저 용융(DMLS), 선택적 레이저 용융(SLM) ), 전자빔 용융(EBM), 줄 프린팅, 및/또는 이들의 조합을 포함한다. [729] [1] 내지 [728] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하는 데 사용되는 AM 기술은 선택적 레이저 소결(SLS), 선택적 레이저 용융(SLM), 전자빔 용융(EBM)으로부터 선택되는 것인 방법. , 직접 에너지 증착(DeD) 대면적 적층 제조(BAAM) 및/또는 이들의 조합. [730] [1] 내지 [729] 중 어느 하나에 있어서, AM 기술이 유기 재료의 사용을 포함하는 방법. [731] [1] 내지 [730] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하는 데 사용되는 AM 기술은 융합 증착(FDM), 융합 필라멘트 제작(FFF), 스테레오리소그래피(SLA), 디지털 조명으로부터 선택되는 것인 방법. 처리(DLP), 연속 디지털 광 처리(CDLP), 디지털 광 합성(DLS), 연속 액체 계면 생산(CLIP), 재료 분사(MJ), 주문형 드롭(DOD), 다중 제트 융합(MJF) 기반 기술 ), 바인더 분사(BJ), 레이저 소결(SLS), 선택적 열 소결(SHS), 직접 에너지 증착(DeD), 대면적 적층 제조(BAAM) 및/또는 이들의 조합을 포함한다. [732] [1] 내지 [731] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용되는 AM 방법이 FDM인 방법. [733] [1] 내지 [732] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용되는 AM 방법이 FFF인 방법. [734] [1] 내지 [733] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용되는 AM 방법이 DLS인 방법. [735] [1] 내지 [734] 중 어느 하나에 있어서, 컴포넌트를 형성하는데 사용되는 AM 방법은 CLIP 기반 기술인 방법. [736] [1] 내지 [735] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용된 AM 방법이 SLA인 방법. [737] [1] 내지 [736] 중 어느 하나에 있어서, 컴포넌트를 형성하기 위해 사용되는 AM 방법이 DLP인 방법. [738] [1] 내지 [737] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용되는 AM 방법이 SHS인 방법. [739] [1] 내지 [738] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용되는 AM 방법이 SLS인 방법. [740] [1] 내지 [739] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용된 AM 방법이 BJ인 방법. [741] [1] 내지 [740] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용되는 AM 방법이 MJ인 방법. [742] [1] 내지 [741] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용되는 AM 방법이 DOD인 방법. [743] [1] 내지 [742] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용된 AM 방법이 MJF인 방법. [744] [1] 내지 [743] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용되는 AM 방법이 DeD인 방법. [745] [1] 내지 [744] 중 어느 하나에 있어서, 컴포넌트를 형성하기 위해 사용되는 AM 방법은 CDLP인 방법. [746] [1] 내지 [745] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용되는 AM 방법이 BAAM인 방법. [747] [1] 내지 [746] 중 어느 하나에 있어서, 컴포넌트를 형성하기 위해 사용되는 AM 방법이 DMLS인 방법. [748] [1] 내지 [747] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용되는 AM 방법이 SLM인 방법. [749] [1] 내지 [748] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용되는 AM 방법이 EBM인 방법. [750] [1] 내지 [749] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 형성하기 위해 사용되는 AM 방법이 줄 인쇄인 방법. [751] [1] 내지 [750] 중 어느 하나에 있어서, 적어도 2개의 상이한 AM 방법을 사용하여 구성요소를 형성하는 방법. [752] [1] 내지 [751] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 제조하는데 사용되는 AM 방법은 유기 재료와 분말 또는 분말 혼합물의 혼합물을 포함하는 필라멘트의 사용을 포함하는 방법. [753] [1] 내지 [752] 중 어느 하나에 있어서, 부품을 제조하는데 사용되는 AM 방법이 필라멘트 내의 유기 재료의 적어도 일부를 융합하는 것을 포함하는 방법. [754] [1] 내지 [753] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 사용되는 AM 방법이 SLS인 방법. [755] [1] 내지 [754] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 사용되는 AM 방법이 MJF인 방법. [756] [1] 내지 [755] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 사용되는 AM 방법이 DOD인 방법. [757] [1] 내지 [756] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 사용되는 AM 방법이 SLA인 방법. [758] [1] 내지 [757] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 사용되는 AM 방법이 BJ인 방법. [759] [1] 내지 [758] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 사용되는 AM 방법이 DLP인 방법. [760] [1] 내지 [759] 중 어느 하나에 있어서, 형성 단계에서 사용되는 AM 방법이 CDLP인 방법. [761] [1] 내지 [760] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 사용되는 AM 방법이 FDM인 방법. [762] [1] 내지 [761] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 사용되는 AM 방법이 FFF인 방법. [763] [1] 내지 [762] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 사용되는 AM 방법이 줄 인쇄인 방법. [764] [1] 내지 [763] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정에서 사용되는 AM 방법이 SHS인 방법. [765] [1] 내지 [764] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 사용되는 AM 방법이 BAAM인 방법. [766] [1] 내지 [765] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 사용되는 AM 방법이 SLM인 방법. [767] [1] 내지 [766] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 사용되는 AM 방법이 EBM인 방법. [768] [1] 내지 [767] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 사용되는 AM 방법이 DeD인 방법. [769] [1] 내지 [768] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 부품을 제조하기 위해 사용되는 AM 방법이 BAAM 방법이고, 여기서 증착은 FDM과 유사한 시스템을 통해 달성되고, 여기서 필라멘트는 유기 물질과 금속 분말의 혼합물 또는 금속을 포함하는 분말 혼합물이다. [770] [1] 내지 [769] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 부품을 제조하기 위해 사용되는 AM 방법은 BAAM 방법이고, 여기서 부품 빌드 프로세스는 유기물의 접착 결합에 의해 이루어진다. 재료. [771] [1] 내지 [770] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 부품을 제조하기 위해 사용되는 AM 방법이 BAAM 방법이고, 여기서 부품 빌드 프로세스는 금속 입자의 융합을 포함하지 않는다. [772] [1] 내지 [771] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 부품을 제조하기 위해 사용되는 AM 방법은 BAAM 방법이고, 여기서 증착은 분말 또는 분말 혼합물 및 유기 물질. [773] [1] 내지 [772] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 부품을 제조하기 위해 사용되는 AM 방법은 BAAM 방법이고, 여기서 분말 또는 분말 혼합물과 유기 물질은 별도로 분리됩니다. [774] [1] 내지 [773] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 부품을 제조하기 위해 사용되는 AM 방법이 BAAM 방법이고, 여기서 증착은 콜드 스프레이 시스템과 유사한 시스템을 통해 달성된다. [775] [1] 내지 [774] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 부품을 제조하기 위해 사용되는 AM 방법이 분말 또는 분말 혼합물의 고속 투영에 의해 증착이 달성되는 BAAM 방법인 방법. [776] [1] 내지 [775] 중 어느 하나에 있어서, 형성 단계에서 부품을 제조하기 위해 사용되는 AM 방법이 BAAM 방법이고, 여기서 증착은 유기 입자 및 유기 입자의 혼합물의 고속 투영에 의해 달성된다. 금속 및/또는 세라믹 입자. [777] [1] 내지 [776] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 부품을 제조하기 위해 사용되는 AM 방법이 BAAM 방법이고, 여기서 금속 입자의 적어도 일부는 부품 빌드 프로세스 동안 융합된다. [778] [1] 내지 [777] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계에서 부품을 제조하기 위해 사용되는 AM 방법이 부품 빌드 프로세스 동안 모든 금속 입자가 융합되는 BAAM 방법인 방법. [779] [1] 내지 [778] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 21% 초과 99.98% 미만인 방법. [780] [1] 내지 [779] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 31% 초과 99.98% 미만인 방법. [781] [1] 내지 [780] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 99.8% 미만인 방법. [782] [1] 내지 [781] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 31% 초과 99.8% 미만인 방법. [783] [1] 내지 [782] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 51% 초과 99.8% 미만인 방법. [784] [1] 내지 [783] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 71% 초과 99.98% 미만인 방법. [785] [1] 내지 [784] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 98.4% 미만인 방법. [786] [1] 내지 [785] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 89.8% 미만인 방법. [787] [1] 내지 [786] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 31% 초과인 방법. [788] [1] 내지 [787] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 41% 초과인 방법. [789] [1] 내지 [788] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 51% 초과인 방법. [790] [1] 내지 [789] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 86% 초과인 방법. [791] [1] 내지 [790] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 0.02% 초과 99.98% 미만인 방법. [792] [1] 내지 [791] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 6% 초과 99.98% 미만인 방법. [793] [1] 내지 [792] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 0.02% 초과 99.8% 미만인 방법. [794] [1] 내지 [793] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 0.2% 초과인 방법. [795] [1] 내지 [794] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 6% 초과인 방법. [796] [1] 내지 [795] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 12% 초과 98% 미만인 방법. [797] [1] 내지 [796] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 31% 초과인 방법. [798] [1] 내지 [797] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 51% 초과인 방법. [799] [1] 내지 [798] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 1.1% 초과인 방법. [800] [1] 내지 [799] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 0.3% 초과 64% 미만인 방법. [801] [1] 내지 [800] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 1.2% 초과인 방법. [802] [1] 내지 [801] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 1.2% 초과 49% 미만인 방법. [803] [1] 내지 [802] 중 어느 한 항에 있어서, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 3.2% 초과인 방법. [804] [1] 내지 [803] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 49% 미만인 방법. [805] [1] 내지 [804] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 24% 미만인 방법. [806] [1] 내지 [805] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 6 MPa 내지 2100 MPa의 압력을 적용하는 것을 포함하는 방법. [807] [1] 내지 [806] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 60 MPa 이상의 압력을 적용하는 것을 포함하는 방법. [808] [1] 내지 [807] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 110 MPa 이상의 압력을 적용하는 것을 포함하는 방법. [809] [1] 내지 [808] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 1600 MPa 이하의 압력을 적용하는 것을 포함하는 방법. [810] [1] 내지 [809] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 1200 MPa 이하의 압력을 적용하는 것을 포함하는 방법. [811] [1] 내지 [810] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 인가된 평균 압력인 방법. [812] [1] 내지 [811] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 인가된 최대 압력인 방법. [813] [1] 내지 [812] 중 어느 하나에 있어서, 3초 미만으로 유지되는 임의의 압력은 고려되지 않는 방법. [814] [1] 내지 [813] 중 어느 하나에 있어서, 9초 미만으로 유지되는 임의의 압력은 고려되지 않는 방법. [815] [1] 내지 [814] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 0.16*Tm 초과 및 0.94*Tm 미만의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [816] [1] 내지 [815] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 0.19*Tm 이상의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [817] [1] 내지 [816] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 0.26*Tm 이상의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [818] [1] 내지 [817] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 0.84*Tm 미만의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [819] [1] 내지 [818] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 0.74*Tm 미만의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [820] [1] 내지 [819] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 -14℃ 초과 및 649℃ 미만의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [821] [1] 내지 [820] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 9℃ 이상의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [822] [1] 내지 [821] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 31℃ 이상의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [823] [1] 내지 [822] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 440℃ 미만의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [824] [1] 내지 [823] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 298℃ 미만의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [825] [1] 내지 [824] 중 어느 하나에 있어서, 온도가 적용된 평균 온도인 방법. [826] [1] 내지 [825] 중 어느 하나에 있어서, 온도는 적용되는 최고 온도인 방법. [827] [1] 내지 [826] 중 어느 하나에 있어서, 3초 미만으로 유지되는 임의의 온도는 고려되지 않는 방법. [828] [1] 내지 [827] 중 어느 하나에 있어서, 9초 미만으로 유지되는 임의의 온도는 고려되지 않는 방법. [829] [1] 내지 [828] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리 동안의 가압 유체의 최대 온도 구배가 6℃ 초과 380℃ 미만인 방법. [830] [1] 내지 [829] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리 동안의 가압 유체의 최대 온도 구배가 11℃ 초과인 방법. [831] [1] 내지 [830] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리 동안의 가압 유체의 최대 온도 구배가 16℃ 초과인 방법. [832] [1] 내지 [831] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리 동안의 가압 유체의 최대 온도 구배가 290℃ 미만인 방법. [833] [1] 내지 [832] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리 동안의 가압 유체의 최대 온도 구배가 245℃ 미만인 방법. [834] [1] 내지 [833] 중 어느 하나에 있어서, 최대 온도 구배가 1초 이상 동안 유지되는 것인 방법. [835] [1] 내지 [834] 중 어느 하나에 있어서, 최대 온도 구배는 21초 이상 동안 유지되는 것인 방법. [836] [1] 내지 [835] 중 어느 하나에 있어서, 최대 온도 구배가 119시간 미만으로 유지되는 방법. [837] [1] 내지 [836] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 다음 단계를 포함하는 방법: 단계 i) 금형에 고압을 가하는 단계; ii) 고압을 유지하면서 금형의 온도를 높이는 단계; 단계 iii) 충분히 높은 온도를 유지하면서 금형 적용 압력의 적어도 일부를 해제하는 단계. [838] [1] 내지 [837] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리는 다음 단계를 포함하는 방법: 단계 i) 구성요소에 고압을 가하는 단계; ii) 고압 수준을 유지하면서 부품의 온도를 높이는 단계; 단계 iii) 충분히 높은 온도를 유지하면서 구성 요소에 적용된 압력의 적어도 일부를 해제합니다. [839] [1] 내지 [838] 중 어느 하나에 있어서, 고압이란 적정한 최대 압력을 의미하는 것인 방법. [840] [1] 내지 [839] 중 어느 하나에 있어서, 단계 i)에서 최대 압력의 적정량이 12 MPa 내지 1900 MPa인 방법. [841] [1] 내지 [840] 중 어느 하나에 있어서, 단계 i)에서의 최대 압력의 적정량이 105 MPa 초과인 방법. [842] [1] 내지 [841] 중 어느 하나에 있어서, 단계 i)에서의 최대 압력의 적정량이 410 MPa 초과인 방법. [843] [1] 내지 [842] 중 어느 하나에 있어서, 단계 i)의 최대 압력의 적정량이 510 MPa 초과인 방법. [844] [1] 내지 [843] 중 어느 하나에 있어서, 단계 i)의 최대 압력의 적정량이 900 MPa 미만인 방법. [845] [1] 내지 [844] 중 어느 하나에 있어서, 단계 i)의 적정 최대 압력량이 690 MPa 미만인 방법. [846] [1] 내지 [845] 중 어느 하나에 있어서, 최대 압력의 적정량이 최대 압력을 의미하는 것인 방법. [847] [1] 내지 [846] 중 어느 하나에 있어서, 단계 i)에서 최대 압력의 적정량이 단계적으로 적용되고, 제1 단계는 적정량의 처음 20% 내에서 수행되는 것인 방법. 최대 압력. [848] [1] 내지 [847] 중 어느 하나에 있어서, 제1 단계 유지 시간이 2초 이상인 방법. [849] [1] 내지 [848] 중 어느 하나에 있어서, 인가 압력의 변동이 ±5% 이하인 방법. [850] [1] 내지 [849] 중 어느 하나에 있어서, 적어도 2개의 단계가 있는 방법. [851] [1] 내지 [850] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 적어도 초기 연신 내에서 980 MPa/s 이하의 속도로 인가되는 방법. [852] [1] 내지 [851] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 적어도 초기 연신 내에서 0.9MPa/h보다 높은 속도로 인가되는 방법. [853] [1] 내지 [852] 중 어느 하나에 있어서, 초기 스트레치가 올바른 최대 압력량의 처음 5%인 방법. [854] [1] 내지 [853] 중 어느 하나에 있어서, 압력을 가하는 데 사용되는 유체가 고온일 때 압력 인가 장치에 몰드를 도입하는 방법. [855] [1] 내지 [854] 중 어느 한 항에 있어서, 압력을 가하는 데 사용되는 유체가 고온일 때 압력 인가 장치에 성분을 도입하는 방법. [856] [1] 내지 [855] 중 어느 하나에 있어서, 고온은 35℃ 이상의 온도를 의미하는 방법. [857] [1] 내지 [856] 중 어느 하나에 있어서, 고온은 145℃ 이하의 온도를 의미하는 방법. [858] [1] 내지 [857] 중 어느 하나에 있어서, 단계 ii)에서 온도를 320K 이상으로 상승시키는 방법. [859] 단계 ii)에서 온도를 380K 이상으로 상승시키는 [1] 내지 [858] 중 어느 하나에 따른 방법. [860] [1] 내지 [859] 중 어느 하나에 있어서, 단계 ii)에서 온도가 690K 미만으로 유지되는 방법. [861] [1] 내지 [860] 중 어느 하나에 있어서, 단계 ii)에서 온도가 660K 미만으로 유지되는 방법. [862] [1] 내지 [861] 중 어느 하나에 있어서, 온도를 0.73*Tm 미만으로 유지하는 방법. [863] [1] 내지 [862] 중 어느 하나에 있어서, 단계 ii)에서 달성된 최대 관련 온도가 190℃이하인 방법. [864] [1] 내지 [863] 중 어느 하나에 있어서, 단계 ii)에서 달성되는 최대 관련 온도가 190℃ 이하 140℃ 이하인 방법. [865] [1] 내지 [864] 중 어느 하나에 있어서, 해당 온도는 1초 이상 유지되는 온도를 의미하는 방법. [866] [1] 내지 [865] 중 어느 하나에 있어서, 해당 온도는 20초 이상 유지되는 온도를 의미하는 방법. [867] [1] 내지 [866] 중 어느 하나에 있어서, 고압 레벨을 유지하면서 단계 ii)에서 올바른 압력 레벨을 의미하는 방법. [868] [1] 내지 [867] 중 어느 하나에 있어서, 단계 ii)의 우측 압력 레벨이 0.5 MPa 내지 1300 MPa인 방법. [869] [1] 내지 [868] 중 어느 하나에 있어서, 공정 ii)의 우측 압력 레벨이 5.5 MPa 이상인 방법. [870] [1] 내지 [869] 중 어느 하나에 있어서, 단계 ii)의 우측 압력 레벨이 1300 MPa 이하인 방법. [871] [1] 내지 [870] 중 어느 하나에 있어서, 단계 iii)에서 충분히 높은 온도는 320K 내지 690K를 의미한다. [872] [1] 내지 [871] 중 어느 하나에 따른 방법, 여기서 단계 iii)에서 충분히 높은 온도는 560K 미만을 의미합니다. [873] [1] 내지 [872] 중 어느 하나에 있어서, 단계 iii)에서 충분히 높은 온도는 350K 이상을 의미하는 방법. [874] [1] 내지 [873] 중 어느 하나에 있어서, 단계 iii) 후에 금형에 가해진 압력이 완전히 해제되는 방법. [875] [1] 내지 [874] 중 어느 하나에 있어서, 단계 iii) 후에 금형의 온도를 38℃ 미만으로 낮추는 방법. [876] [1] 내지 [875] 중 어느 하나에 있어서, 단계 iii) 후에 부품에 가해진 압력이 완전히 해제되는 방법. [877] [1] 내지 [876] 중 어느 하나에 있어서, 단계 iii) 후에 부품의 온도를 38℃ 미만으로 낮추는 방법. [878] [1] 내지 [877] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리가 균일한 방식으로 압력을 가하는 것을 포함하는 방법. 균질한 방식으로 압력을 가하는 단계를 포함하는 부품 제조 방법. [880] [1] 내지 [879] 중 어느 한 항에 있어서, 균일한 방식으로 압력을 인가하는 단계는 적절한 점도 수준의 유체를 사용하는 것을 포함하는 방법. [881] [1] 내지 [880] 중 어느 하나에 있어서, 균일한 방식으로 압력을 인가하는 것은 적절한 온도 저항 유체를 사용하여 압력을 인가하는 것을 포함하는 방법. [882] [1] 내지 [881] 중 어느 하나에 있어서, 균일한 방식으로 압력을 인가하는 것은 점도가 적절한 수준의 유체를 사용하는 것을 포함하는 방법. [883] [1] 내지 [882] 중 어느 하나에 있어서, 균일한 방식으로 압력을 가하는 단계는 극성이 올바른 수준의 유체를 사용하는 것을 포함하는 방법. [884] [1] 내지 [883] 중 어느 하나에 있어서, 균질한 방식으로 압력을 인가하는 것은 소수성 유체의 사용을 포함하는 것인 방법. [885] [1] 내지 [884] 중 어느 한 항에 있어서, 점도가 적정한 유체가 규소계 재료를 포함하는 것인 방법. [886] [1] 내지 [885] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 실리콘 유체를 포함하는 것인 방법. [887] [1] 내지 [886] 중 어느 하나에 있어서, 적절한 점도 수준을 갖는 유체가 하나 이상의 실록산 작용기를 갖는 유체를 포함하는 방법. [888] [1] 내지 [887] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 폴리디메틸실록산을 포함하는 방법. [889] [1] 내지 [888] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 선형 폴리디메틸실록산 유체를 포함하는 방법. [890] [1] 내지 [889] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 실리콘 오일을 포함하는 것인 방법. [891] [1] 내지 [890] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 과불소계 오일을 포함하는 것인 방법. [892] [1] 내지 [891] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 과불화 폴리에테르 오일(PFPE)을 포함하는 방법. [893] [1] 내지 [892] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 과불소화 폴리에테르 고체 윤활제를 포함하는 방법. [894] [1] 내지 [893] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 리튬계 고체 윤활제를 포함하는 방법. [895] [1] 내지 [894] 중 어느 하나에 있어서, 적절한 점도 수준을 갖는 유체가 하나 이상의 올레핀 작용기를 갖는 유체를 포함하는 방법. [896] [1] 내지 [895] 중 어느 하나에 있어서, 적절한 점도 수준을 갖는 유체가 하나 이상의 알파올레핀 작용기를 갖는 유체를 포함하는 방법. [897] [1] 내지 [896] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 폴리알파올레핀을 포함하는 것인 방법. [898] [1] 내지 [897] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 메탈로센 폴리알파올레핀을 포함하는 것인 방법. [899] [1] 내지 [898] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 오일을 포함하는 방법. [900] [1] 내지 [899] 중 어느 한 항에 있어서, 점도가 적정한 유체가 광유를 포함하는 것인 방법. [901] [1] 내지 [900] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 식물성 기름을 포함하는 방법. [902] [1] 내지 [901] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 천연 오일을 포함하는 방법. [903] [1] 내지 [902] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적절한 유체가 그리스를 포함하는 방법. [904] [1] 내지 [903] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 동물성 그리스 또는 지방을 포함하는 방법.
[905] [1] 내지 [904] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 과불화 폴리에테르 오일(PFPE)을 포함하는 그리스를 포함하는 방법. [906] [1] 내지 [905] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 실리콘 오일을 포함하는 그리스를 포함하는 방법. [907] [1] 내지 [906] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 과불소화 폴리에테르 고체 윤활제를 포함하는 그리스를 포함하는 방법. [908] [1] 내지 [907] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체가 리튬계 고체 윤활제를 포함하는 그리스를 포함하는 방법. [909] [1] 내지 [908] 중 어느 하나에 있어서, 적절한 점도 수준을 갖는 유체가 NLGI 지수가 000보다 큰 그리스를 포함하는 방법. [910] [1] 내지 [908] 중 어느 하나에 따른 방법. [909] 상기 적정 점도의 유체는 NLGI 지수가 00보다 큰 그리스를 포함하는 것인 방법. [1] 내지 [910] 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적정 점도의 유체는 0보다 큰 NLGI 지수(DIN 51818에 따름)를 갖는 그리스를 포함함. [1] 내지 [911] 중 어느 하나에 있어서, 적절한 점도 수준을 갖는 유체가 NLGI를 갖는 그리스를 포함하는 것인 방법. 1보다 큰 지수. [913] [1] 내지 [912] 중 어느 하나에 있어서, 적절한 점도 수준을 갖는 유체가 2보다 큰 NLGI 지수를 갖는 그리스를 포함하는 방법. [914] 어느 하나에 따른 방법. [1] 내지 [913] 중 어느 하나에 있어서, 적절한 점도 수준을 갖는 유체가 3보다 큰 NLGI 지수를 갖는 그리스를 포함하는 것인 방법. [915] [1] t 중 어느 하나에 따른 방법. o [914]에 있어서, 점도가 적정한 유체는 NLGI 지수가 4 이상인 그리스를 포함하는 것인 방법. 점도 수준이 NLGI 지수가 00 이하인 그리스를 포함하는 것. [1] 내지 [916] 중 어느 하나에 있어서, 적절한 점도 수준을 갖는 유체가 NLGI 지수가 더 작은 그리스를 포함하는 방법. 또는 0과 동일. [918] [1] 내지 [917] 중 어느 하나에 있어서, 적절한 점도 수준을 갖는 유체가 1 이하의 NLGI 지수를 갖는 그리스를 포함하는 방법. [919] [1] 내지 [918] 중 어느 하나에 있어서, 적절한 점도 수준을 갖는 유체가 NLGI 지수가 2 이하인 그리스를 포함하는 것인 방법. [920] [1] 내지 [919] 중 어느 하나에 기재된 방법, 적절한 점도 수준을 갖는 유체는 NLGI 지수가 3 이하인 그리스를 포함하는 것인 방법. [1] 내지 [920] 중 어느 하나에 있어서, 적절한 점도 수준을 갖는 유체는 4보다 작은 NLGI 지수를 갖는 그리스를 포함한다. [1] 내지 [921] 중 어느 하나에 있어서, NLGI 지수는 DIN 51818에 따라 결정되는 방법. [923] [1] 내지 [922] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정한 유체의 점도가 1.1cSt 이상 490000000cSt 미만인 방법. [924] [1] 내지 [923] 중 어느 한 항에 있어서, 점도가 적정한 유체의 점도가 1.6cSt 이상인 방법. [925] [1] 내지 [924] 중 어느 한 항에 있어서, 적정 점도의 유체가 6cSt 이상의 점도를 갖는 것인 방법. [926] [1] 내지 [925] 중 어느 한 항에 있어서, 적정 점도의 유체가 1006 cSt 이상의 점도를 갖는 것인 방법. [927] [1] 내지 [926] 중 어느 하나에 있어서, 적정 점도의 유체는 10016 cSt 이상의 점도를 갖는 것인 방법. [928] [1] 내지 [927] 중 어느 하나에 있어서, 적정 점도의 유체는 1560000cSt 이상의 점도를 갖는 것인 방법. [929] [1] 내지 [928] 중 어느 하나에 있어서, 적정 점도의 유체는 11001000 cSt 이상의 점도를 갖는 것인 방법. [930] [1] 내지 [929] 중 어느 한 항에 있어서, 적정 점도 수준을 갖는 유체는 94000000 cSt 미만의 점도를 갖는 것인 방법. [931] [1] 내지 [930] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정 수준인 유체가 49000000 cSt 미만의 점도를 갖는 것인 방법. [932] [1] 내지 [931] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 적정 수준인 유체는 점도가 940000 cSt 미만인 방법. [933] [1] 내지 [932] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 실온 및 1 기압에서 측정되는 방법. [934] [1] 내지 [933] 중 어느 하나에 있어서, 점도가 JISZ8803-2011에 따라 측정되는 방법. [935] [1] 내지 [934] 중 어느 하나에 있어서, 극성의 우측 레벨은 0.006 내지 3.99 사이의 유전 손실인 방법. [936] [1] 내지 [935] 중 어느 하나에 있어서, 극성의 우측 레벨은 1.99 이하의 유전 손실인 방법. [937] [1] 내지 [936] 중 어느 하나에 있어서, 극성의 우측 레벨은 유전 손실이 0.011 이상인 방법. [938] [1] 내지 [937] 중 어느 하나에 있어서, 극성의 우측 레벨은 1.1 내지 48 사이의 유전 상수인 방법. [939] [1] 내지 [938] 중 어느 하나에 있어서, 극성의 올바른 수준은 18 이하의 유전 상수입니다. [940] [1] 내지 [939] 중 어느 하나에 있어서, 극성의 우측 레벨은 1.6 이상의 유전 상수를 의미하는 것인 방법. [941] [1] 내지 [940] 중 어느 하나에 있어서, 유전 손실이 2.45GHz로 측정되는 방법. [942] [1] 내지 [941] 중 어느 하나에 있어서, 유전 손실이 915MHz에서 측정되는 방법. [943] [1] 내지 [942] 중 어느 하나에 있어서, 유전 상수가 2.45GHz로 측정되는 방법. [944] [1] 내지 [943] 중 어느 하나에 있어서, 유전 상수는 915MHz에서 측정되는 방법. [945] [1] 내지 [944] 중 어느 하나에 있어서, 적절한 온도 저항이 56℃ 내지 588℃인 방법. [946] [1] 내지 [945] 중 어느 하나에 있어서, 적정 온도 저항이 92℃ 이상인 방법. [947] [1] 내지 [946] 중 어느 하나에 있어서, 적정 온도 저항이 498℃ 이하인 방법. [948] [1] 내지 [947] 중 어느 하나에 있어서, 적어도 2개의 상이한 유체를 사용하여 압력을 전달하는 방법. [949] [1] 내지 [948] 중 어느 하나에 있어서, 서로 분리된 적어도 2개의 상이한 유체가 사용되는 방법. [950] [1] 내지 [949] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소와 직접 접촉하는 유체가 압력 전달 용기에 의해 다른 유체로부터 분리되는 것인 방법. 중합체 몰드와 직접 접촉하는 유체를 명명할 수 있다. 내부 유체 및 내부 유체에 압력을 전달하는 유체(또는 유체들)는 외부 유체로 명명될 수 있다. 구체예에서, [1] 내지 [950] 중 어느 하나에 따른 방법으로서, 여기서 유체는 몰드는 외부 유체 중 적어도 하나보다 더 높은 동점도를 갖는다. [952] [1] 내지 [951] 중 어느 하나에 있어서, 부품과 직접 접촉하는 유체는 외부 유체 중 적어도 하나보다 높은 동점도를 갖는 것인 방법. [953] [1] 내지 [952] 중 어느 하나에 있어서, 더 높은 동점도는 20 cSt 이상 89000000 cSt 미만의 차이인 방법. [954] [1] 내지 [953] 중 어느 하나에 있어서, 더 높은 동점도가 206 cSt 이상 89000000 cSt 미만의 차이인 방법. [955] [1] 내지 [954] 중 어느 하나에 있어서, 더 높은 동점도는 20 cSt 이상 19000000 cSt 미만의 차이인 방법. [956] [1] 내지 [955] 중 어느 하나에 있어서, 부품과 직접 접촉하는 유체가 압력 전달 용기에 의해 다른 유체로부터 분리되는 방법. [957] [1] 내지 [956] 중 어느 하나에 있어서, 몰드와 직접 접촉하는 유체는 압력 전달 용기에 의해 다른 유체로부터 분리되는 방법. [958] [1] 내지 [957] 중 어느 한 항에 있어서, 압력 전달 용기의 재료가 엘라스토머를 포함하는 방법. [959] [1] 내지 [958] 중 어느 하나에 있어서, 압력 전달 용기의 재료가 중합체를 포함하는 방법. [960] [1] 내지 [959] 중 어느 하나에 있어서, 압력 전달 용기의 재료는 HNBR, ACM, AEM, FVMQ, VMQ, FKM, FEPM, FFKM, PTFE, PPS 중 적어도 하나를 포함하는 것인 방법. , PEEK, PI, 바이턴, EPDM 및/또는 이들의 혼합물. [961] [1] 내지 [960] 중 어느 하나에 있어서, 압력 전달 용기의 재료가 적층 중합체를 포함하는 방법. [962] [1] 내지 [961] 중 어느 하나에 있어서, 압력 전달 용기의 재료가 2개 이상의 적층 중합체를 포함하는 방법. [963] [1] 내지 [962] 중 어느 하나에 있어서, 압력 전달 용기의 재료는 서로 적층된 적어도 2개의 중합체를 포함하는 방법. [964] [1] 내지 [963] 중 어느 한 항에 있어서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 적층된 폴리머 및 금속을 포함하는 포일을 포함하는 것인 방법. [965] [1] 내지 [964] 중 어느 하나에 있어서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 적층 중합체 및 금속박을 포함하는 것인 방법. [966] [1] 내지 [965] 중 어느 한 항에 있어서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 적층 중합체 및 금속 호일이 접합된 트로프 적층을 포함하는 것인 방법. [967] [1] 내지 [966] 중 어느 하나에 있어서, 상기 압력 전달 용기의 재료는 접착 밴드를 포함하는 금속 및 적층 중합체를 포함하는 것인 방법. [968] [1] 내지 [967] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 고체 입자를 포함하는 유동층을 통해 적용되는 방법. [969] [1] 내지 [968] 중 어느 하나에 있어서, 볼을 포함하는 유동층을 통해 압력이 인가되는 방법. [970] [1] 내지 [969] 중 어느 하나에 있어서, 세라믹 볼을 포함하는 유동층을 통해 압력이 인가되는 방법. [971] [1] 내지 [970] 중 어느 하나에 있어서, 중합체 볼을 포함하는 유동층을 통해 압력이 가해지는 것인 방법. [972] [1] 내지 [971] 중 어느 하나에 있어서, 금속 볼을 포함하는 유동층을 통해 압력이 인가되는 방법. [973] [1] 내지 [972] 중 어느 하나에 있어서, 압력은 적절한 수준의 탄성 한계를 갖는 금속 볼을 포함하는 유동층을 통해 인가되는 것인 방법. [974] [1] 내지 [973] 중 어느 하나에 있어서, 우측 탄성 한계가 153 ㎫ 초과 4940 ㎫ 미만인 방법. [975] [1] 내지 [974] 중 어느 하나에 있어서, 우측 탄성 한계가 210 ㎫ 초과인 방법. [976] [1] 내지 [975] 중 어느 하나에 있어서, 우측 탄성 한계가 3940 MPa 미만인 방법. [977] [1] 내지 [976] 중 어느 하나에 있어서, 탄성 한계가 낮은 금속 볼을 포함하는 유동층을 통해 압력이 가해지는 방법. [978] [1] 내지 [977] 중 어느 하나에 있어서, 저탄성 한계가 16 MPa 내지 190 MPa 이하의 탄성 한계인 방법. [979] [1] 내지 [978] 중 어느 하나에 있어서, 탄성 하한이 140 ㎫ 이하인 방법. [980] [1] 내지 [979] 중 어느 하나에 있어서, 탄성 하한이 106 MPa 이상인 방법. [981] [1] 내지 [980] 중 어느 하나에 있어서, 탄성 한계가 실온에서 ASTM E8/E89M-16a에 따라 측정되는 방법. [982] [1] 내지 [981] 중 어느 하나에 있어서, 볼의 크기가 0.0016mm 내지 98mm인 방법. [983] [1] 내지 [982] 중 어느 하나에 있어서, 볼의 크기가 19mm 이하인 방법. [984] [1] 내지 [983] 중 어느 하나에 있어서, 볼의 크기가 0.012mm 이상인 방법. [985] [1] 내지 [984] 중 어느 하나에 있어서, 큰 볼과 작은 볼의 직경의 비율로 정의되는 볼 크기 비율이 5.1 내지 24.4인 방법. [986] [1] 내지 [985] 중 어느 하나에 있어서, 큰 볼과 작은 볼의 직경의 비율로 정의되는 볼 크기 비율이 7.1 이상인 방법. [987] [1] 내지 [986] 중 어느 하나에 있어서, 큰 볼과 작은 볼의 직경의 비율로 정의되는 볼 크기 비율이 19.4 이하인 방법. [988] [1] 내지 [987] 중 어느 한 항에 있어서, 압력을 가하는 유체가 볼을 3vol% 이상 포함하는 방법. [989] [1] 내지 [988] 중 어느 한 항에 있어서, 압력을 가하는 유체가 볼을 6vol% 이상 포함하는 방법. [990] [1] 내지 [989] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 분말을 포함하는 유동층을 통해 인가되는 것인 방법. [991] [1] 내지 [990] 중 어느 하나에 있어서, 세라믹 분말을 포함하는 유동층을 통해 압력이 인가되는 방법. [992] [1] 내지 [991] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 MgO 분말을 포함하는 유동층을 통해 인가되는 것인 방법. [993] [1] 내지 [992] 중 어느 하나에 있어서, 압력은 납석 분말을 포함하는 유동층을 통해 인가되는 것인 방법. [994] [1] 내지 [993] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 염분 분말을 포함하는 유동층을 통해 인가되는 것인 방법. [995] [1] 내지 [994] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 26℃ 초과 249℃ 미만의 용융 온도를 갖는 적어도 부분적으로 용융된 중합체를 통해 적어도 부분적으로 가해지는 것인 방법. [996] [1] 내지 [995] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 194℃ 미만의 용융 온도를 갖는 적어도 부분적으로 용융된 중합체를 통해 적어도 부분적으로 가해지는 것인 방법. [997] [1] 내지 [996] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 57℃ 초과의 용융 온도를 갖는 적어도 부분적으로 용융된 중합체를 통해 적어도 부분적으로 가해지는 것인 방법. [998] [1] 내지 [997] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 110℃ 초과 249℃ 미만의 용융 온도를 갖는 적어도 부분적으로 용융된 중합체를 통해 적어도 부분적으로 가해지는 것인 방법. [999] [1] 내지 [998] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 194℃ 미만의 용융 온도를 갖는 적어도 부분적으로 용융된 중합체를 통해 적어도 부분적으로 가해지는 것인 방법. [1] 내지 [999] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 170℃ 초과의 용융 온도를 갖는 적어도 부분적으로 용융된 중합체를 통해 적어도 부분적으로 가해지는 것인 방법. [1001] [1] 내지 [1000] 중 어느 하나에 있어서, 중합체의 용융 온도가 ISO 11357-1/-3:2016에 따라 측정되는 방법. [1002] [1] 내지 [1001] 중 어느 하나에 있어서, 중합체 재료의 크기는 26 미크론 내지 143 미크론인 방법. [1] 내지 [1002] 중 어느 하나에 있어서, 고분자 재료의 크기가 56 마이크론 이상인 방법. [1004] [1] 내지 [1003] 중 어느 하나에 있어서, 고분자 재료의 크기가 93 마이크론 이하인 방법. [1] 내지 [1004] 중 어느 하나에 있어서, 사이즈는 D50 값을 나타내는 것인 방법. [1] 내지 [1005] 중 어느 하나에 있어서, D50이 입자 크기의 누적 분포에서 샘플 부피의 50%가 더 작은 입자로 구성된 입자 크기를 나타내는 방법. [1] 내지 [1006] 중 어느 하나에 있어서, D50이 입자 크기의 누적 분포에서 샘플 질량의 50%가 더 작은 입자로 구성된 입자 크기를 나타내는 방법. [1] 내지 [1007] 중 어느 하나에 있어서, 중합체 물질이 PPS, PEEK, PI, PCL, 다공성 PCL 및/또는 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하는 것인 방법. [1009] [1] 내지 [1008] 중 어느 하나에 있어서, 고분자 재료가 폴리페닐렌 설파이드(PPS)를 포함하는 방법. [1010] [1] 내지 [1009] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리에서의 가열은 적어도 부분적으로 마이크로파에 의해 행해지는 것인 방법. [1011] [1] 내지 [1010] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리에서의 가열은 마이크로파에 의해 행해지는 것인 방법. [1012] [1] 내지 [1011] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리가 마이크로파에 의한 가열을 포함하는 방법. 마이크로파로 가열하는 단계를 포함하는 부품 제조 방법. [1] 내지 [1013] 중 어느 하나에 있어서, 마이크로파 주파수는 2.45GHz +/-250MHz인 방법. [1015] [1] 내지 [1014] 중 어느 하나에 있어서, 마이크로파 주파수는 5.8 GHz +/- 1050 MHz인 방법. [1016] [1] 내지 [1015] 중 어느 하나에 있어서, 마이크로파 주파수가 915MHz +/-250MHz인 방법. [1017] [1] 내지 [1016] 중 어느 하나에 있어서, 마이크로파 주파수가 2.45MHz +/-250MHz인 방법. [1018] [1] 내지 [1017] 중 어느 하나에 있어서, 사용된 마이크로파 발생기의 총 전력이 55 W 내지 55000 W인 방법. [1] 내지 [1018] 중 어느 하나에 따른 방법. 사용되는 마이크로파 발생기의 총 전력은 155W 이상입니다. [1020] [1] 내지 [1019] 중 어느 하나에 있어서, 사용된 마이크로파 발생기의 총 전력이 19000W 이하인 방법. [1021] [1] 내지 [1020] 중 어느 하나에 있어서, 몰드를 충전하는 분말의 적어도 일부가 적절한 유전율을 갖는 방법. [1022] [1] 내지 [1021] 중 어느 하나에 있어서, 몰드를 충전하는 분말은 적절한 유전율을 갖는 것인 방법. [1023] [1] 내지 [1022] 중 어느 하나에 있어서, 몰드는 적절한 유전율을 갖는 것인 방법. [1024] [1] 내지 [1023] 중 어느 하나에 있어서, 상기 분말 혼합물의 적어도 일부는 적절한 유전율을 갖는 것인 방법. [1025] [1] 내지 [1024] 중 어느 하나에 있어서, 해당 유전율이 2.09 이상의 유전 손실인 방법. [1026] [1] 내지 [1025] 중 어느 하나에 있어서, 해당 유전율이 199 이하의 유전 손실인 방법. [1027] 내지 [1026] 중 어느 하나에 있어서, 해당 유전율이 2.4 이상의 유전율인 방법. [1028] [1] 내지 [1027] 중 어느 하나에 있어서, 해당 유전율이 24000 이하의 유전율인 방법. [1029] [1] 내지 [1028] 중 어느 하나에 있어서, 유전 상수는 2.45GHz에서 측정되는 방법. [1] 내지 [1029] 중 어느 하나에 있어서, 유전 손실이 2.45GHz에서 측정되는 방법. [1031] [1] 내지 [1030] 중 어느 하나에 있어서, 유전 상수는 915MHz에서 측정되는 방법. [1] 내지 [1031] 중 어느 하나에 있어서, 유전 손실은 915MHz에서 측정되는 것인 방법. [1033] [1] 내지 [1032] 중 어느 하나에 있어서, 마이크로파에 의한 가열은 고압 챔버 내에서 행해지는 것인 방법. [1034] [1] 내지 [1033] 중 어느 하나에 있어서, 고압 챔버는 유체로 1200바 이상으로 가압된 챔버인 방법. [1035] [1] 내지 [1034] 중 어느 한 항에 있어서, 고압 챔버가 2100바 이상의 유체로 가압된 챔버인 방법. [1036] [1] 내지 [1035] 중 어느 하나에 있어서, 챔버가 노 또는 압력 용기인 방법. [1037] 내지 [1036] 중 어느 하나에 있어서, 몰드는 올바른 수준의 극성을 갖는 것인 방법. [1038] [1] 내지 [1037] 중 어느 하나에 있어서, 몰드가 고분자 몰드인 방법. [1039] [1] 내지 [1038] 중 어느 하나에 있어서, 챔버 내의 가압 유체는 극성의 올바른 수준을 갖는 하나 이상의 유체를 포함하는 것인 방법. [1040] [1] 내지 [1039] 중 어느 하나에 있어서, 챔버 내의 모든 유체는 올바른 수준의 극성을 나타내는 것인 방법. [1041] [1] 내지 [1040] 중 어느 하나에 있어서, 극성의 오른쪽 레벨은 3.99 이하의 유전 손실을 의미하는 것인 방법. [1042] [1] 내지 [1041] 중 어느 하나에 있어서, 극성의 오른쪽 레벨은 0.006 이상의 유전 손실을 의미하는 것인 방법. [1] 내지 [1042] 중 어느 하나에 있어서, 극성의 우측 레벨은 1000 이하의 유전 상수를 의미하는 것인 방법. [1] 내지 [1043] 중 어느 하나에 있어서, 극성의 우측 레벨은 1.1 이상의 유전율을 의미하는 것인 방법. [1045] [1] 내지 [1044] 중 어느 하나에 있어서, 고압 챔버는 발광 요소를 포함하는 것인 방법. [1046] [1] 내지 [1045] 중 어느 하나에 있어서, 발광 재료가 고압 챔버에 포함된 요소에 적용되는 방법. [1047] 내지 [1046] 중 어느 하나에 있어서, 발광 물질이 분말 형태로 도포되는 방법. [1048] [1] 내지 [1047] 중 어느 하나에 있어서, 발광 물질을 분무하는 방법. [1049] [1] 내지 [1048] 중 어느 하나에 있어서, 발광 물질을 분말 형태로 분무하는 방법. [1050] 내지 [1049] 중 어느 하나에 있어서, 발광 재료를 지지하는 소자의 내면의 적어도 일부에 발광 재료가 분무되는 방법. [1051] 내지 [1050] 중 어느 하나에 있어서, 발광 재료가 합금을 포함하는 방법. [1052] [1] 내지 [1051] 중 어느 하나에 있어서, 발광 물질이 금속 합금을 포함하는 방법. [1053] [1] 내지 [1052] 중 어느 하나에 있어서, 발광 재료가 몰리브덴 합금을 포함하는 방법. [1054] [1] 내지 [1053] 중 어느 하나에 있어서, 발광 재료가 텅스텐 합금을 포함하는 방법. [1055] [1] 내지 [1054] 중 어느 하나에 있어서, 발광 재료가 텅스텐 합금을 포함하는 방법. [1056] [1] 내지 [1055] 중 어느 하나에 있어서, 발광 물질이 탄탈륨 합금을 포함하는 방법. [1057] [1] 내지 [1056] 중 어느 하나에 있어서, 발광 물질이 지르코늄 합금을 포함하는 방법. [1058] [1] 내지 [1057] 중 어느 하나에 있어서, 발광 물질이 니켈 합금을 포함하는 방법. [1059] 내지 [1058] 중 어느 하나에 있어서, 발광 재료가 철계 합금을 포함하는 방법. [1] 내지 [1059] 중 어느 하나에 있어서, 발광 물질은 관심 주파수 범위에서 높은 유전 손실을 갖는 물질을 포함하는 방법. [1061] 내지 [1060] 중 어느 하나에 있어서, 발광 물질이 탄화물을 포함하는 방법. [1] 내지 [1061] 중 어느 하나에 있어서, 발광 물질이 탄화티타늄(TiC)을 포함하는 방법. [1063] [1] 내지 [1062] 중 어느 하나에 있어서, 발광 물질이 붕소화물을 포함하는 방법. [1064] [1] 내지 [1063] 중 어느 하나에 있어서, 발광 재료가 티탄산바륨(BaTiO3)을 포함하는 방법. [1065] [1] 내지 [1064] 중 어느 하나에 있어서, 발광 물질이 스트론튬 티타네이트(SrTiO3)를 포함하는 방법. [1066] [1] 내지 [1065] 중 어느 하나에 있어서, 발광 물질이 바륨-스트론튬 티타네이트(Ba, Sr(TiO3)를 포함하는 방법. [1067] [1] 내지 [1066] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리 단계를 적용하는 단계가 필수인 방법. [1] 내지 [1067] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리를 적용하는 단계가 선택적인 방법. [1069] [1] 내지 [1068] 중 어느 하나에 있어서, 압력 및/또는 온도 처리를 적용하는 단계가 생략되는 방법. [1070] 내지 [1069] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계 전에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하는 단계가 필수인 방법. [1071] [1] 내지 [1070] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계 전에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하는 단계가 생략되는 방법. [1072] [1] 내지 [1071] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 공정 후에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하는 단계가 생략되는 방법. [1073] [1] 내지 [1072] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계 후에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하는 단계가 필수인 방법. [1074] [1] 내지 [1073] 중 어느 하나에 있어서, 단계 ii)가 생략되는 방법. [1075] [1] 내지 [1074] 중 어느 하나에 있어서, 단계 iii)이 생략되는 방법. [1076] [1] 내지 [1075] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계 후에 얻어진 구성요소에 기계가공 단계를 적용하는 단계를 더 포함하는 방법. [1077] [1] 내지 [1076] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계가 열적 탈바인딩을 적용하는 것을 포함하는 방법. [1078] [1] 내지 [1077] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계가 비열적 탈지를 적용하는 것을 포함하는 방법. [1079] [1] 내지 [1078] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계가 화학적 탈지제를 적용하는 것을 포함하는 방법. [1] 내지 [1079] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 공정의 온도가 51℃ 내지 1390℃인 방법. [1] 내지 [1080] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 공정의 온도가 110℃ 이상인 방법. [1082] [1] 내지 [1081] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 공정의 온도가 890℃ 이하인 방법. [1083] [1] 내지 [1082] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 공정에서 사용되는 분위기가 유기 가스를 포함하는 방법. [1084] [1] 내지 [1083] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 공정에서 사용되는 분위기가 %Ar을 포함하는 방법. [1085] [1] 내지 [1084] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 공정에서 사용되는 분위기가 %N2를 포함하는 방법. [1086] [1] 내지 [1085] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 공정에서 사용되는 분위기가 %H2를 포함하는 방법. [1087] [1] 내지 [1086] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 공정에서 사용되는 분위기가 55wt% 이상의 %H2를 포함하는 방법. [1088] [1] 내지 [1087] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 공정에서 사용되는 분위기가 %N2, %H2 및/또는 %Ar을 포함하는 방법. [1089] [1] 내지 [1088] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계가 590 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1090] [1] 내지 [1089] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계는 1.2*10-6 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1091] [1] 내지 [1090] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계가 99 mbar 내지 1.2*10-4 mbar의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1092] [1] 내지 [1091] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계에서 사용되는 분위기는 0.9*10-3 mbar와 0.9*10-9mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1093] [1] 내지 [1092] 중 어느 하나에 있어서, 분위기는 탈지 공정이 수행되는 노 또는 압력 용기의 분위기를 지칭하는 방법. [1094] [1] 내지 [1093] 중 어느 하나에 있어서, 상기 방법은 탈지 단계 후에 얻어진 구성요소에 기계가공 단계를 적용하는 단계를 더 포함하는 방법. [1] 내지 [1094] 중 어느 하나에 있어서, 디바인딩 단계가 필수인 방법. [1] 내지 [1095] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계가 선택적인 방법. [1097] [1] 내지 [1096] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계가 생략되는 방법. [1098] [1] 내지 [1097] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 부품의 금속 부분의 산소 수준을 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정하는 방법. [1099] [1] 내지 [1098] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 부품의 금속 부분의 산소 수준을 140ppm 미만으로 설정하는 방법. [1100] [1] 내지 [1099] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 부품의 금속 부분의 산소 수준을 0.2ppm 초과로 설정하는 방법. [1101] [1] 내지 [1100] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 부품의 금속 부분의 질소 수준을 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정하는 방법. [1102] [1] 내지 [1101] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 부품의 금속 부분의 질소 수준을 99ppm 미만으로 설정하는 방법. [1103] [1] 내지 [1102] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 부품의 금속 부분의 질소 수준을 49ppm 미만으로 설정하는 방법. [1104] [1] 내지 [1103] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 부품의 금속 부분의 질소 수준을 0.06ppm 초과로 설정하는 방법. [1105] [1] 내지 [1104] 중 어느 하나에 있어서, 고정 공정에서 부품의 금속 부분의 질소 수준을 0.06ppm 초과 19ppm 미만으로 설정하는 방법. [1106] [1] 내지 [1105] 중 어느 하나에 있어서, 상기 고정 단계에서, 상기 부품의 금속 부분의 산소 수준은 390ppm 미만으로 설정되고, 상기 금속 부분의 질소 수준은 성분을 99ppm 미만으로 낮춥니다. [1107] [1] 내지 [1106] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서, 부품의 금속 부분의 산소 수준은 0.02ppm 초과 390ppm 미만으로 설정되고/되거나 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준은 0.01ppm 초과 99ppm 미만으로 설정됩니다. [1108] [1] 내지 [1107] 중 어느 하나에 있어서, 상기 고정 단계에서, 상기 부품의 산소 농도는 0.2ppm 초과 90ppm 미만으로 설정되고, 상기 금속 부분의 질소 농도는 성분의 0.06ppm 초과 49ppm 미만으로 설정됩니다. [1109] [1] 내지 [1108] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 부품의 금속 부분의 산소 수준을 260ppm 내지 19000ppm 사이로 설정하는 것을 포함하는 방법. [1110] [1] 내지 [1109] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 부품의 금속 부분의 산소 수준을 520ppm 이상으로 설정하는 방법. [1111] [1] 내지 [1110] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 부품의 금속 부분의 산소 수준을 1100ppm 이상으로 설정하는 방법. [1112] [1] 내지 [1111] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 부품의 금속 부분의 산소 수준을 14000ppm 이하로 설정하는 방법. [1113] [1] 내지 [1112] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 부품의 금속 부분의 산소 수준을 9000ppm 이하로 설정하는 방법. [1114] [1] 내지 [1113] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 부품의 금속 부분의 질소 수준을 0.02wt% 내지 3.9wt%로 설정하는 방법. [1115] [1] 내지 [1114] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 부품의 금속 부분의 질소 수준을 0.2wt% 이상으로 설정하는 방법. [1116] [1] 내지 [1115] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 부품의 금속 부분의 질소 수준을 0.3wt% 이상으로 설정하는 방법. [1117] [1] 내지 [1116] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 부품의 금속 부분의 질소 수준을 2.9wt% 이하로 설정하는 방법. [1118] [1] 내지 [1117] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 부품의 금속 부분의 질소 수준을 1.9wt% 이하로 설정하는 방법. [1119] [1] 내지 [1118] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서, 부품의 금속 부분의 산소 수준은 260ppm 초과 19000ppm 미만으로 설정되고/되거나 구성 요소의 금속 부분의 질소 수준은 0.02wt%와 3.9wt% 사이에서 설정됩니다. [1120] [1] 내지 [1119] 중 어느 하나에 있어서, 정착 단계에서 사용되는 분위기가 %H2및/또는 %Ar을 포함하는 방법. [1] 내지 [1120] 중 어느 하나에 있어서, 정착 단계에서 사용되는 분위기가 %H2를 포함하는 방법. [1122] [1] 내지 [1121] 중 어느 하나에 있어서, 정착 단계에서 사용되는 분위기가 %N2를 포함하는 방법. [1123] [1] 내지 [1122] 중 어느 하나에 있어서, 정착 단계에서 사용되는 분위기가 %N2 및/또는 %H2를 포함하는 방법. [1124] [1] 내지 [1123] 중 어느 하나에 있어서, 정착 단계에서 사용되는 분위기가 55wt% 이상의 Ar을 포함하는 방법. [1125] [1] 내지 [1124] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 사용된 분위기는 2*10-8 내지 2*1013 인 pH2/pH2O를 포함하고, PH2 는 H2의 분압인 방법. bar 단위의 pH2 /H2O의 분압(bar 단위). [1126] [1] 내지 [1125] 중 어느 하나에 있어서, 정착 공정에서 사용되는 분위기를 55wt% 이상의 %H2를 포함하는 분위기로부터 55% 이상의 %Ar을 포함하는 분위기로 변경하는 방법.[1127] [1] 내지 [1126] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 590 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1128] [1] 내지 [1127] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 99 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1129] [1] 내지 [1128] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 9 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1130] [1] 내지 [1129] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.9 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1131] [1] 내지 [1130] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.9*10-2 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1132] [1] 내지 [1131] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.9*10-3 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1133] [1] 내지 [1132] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.9*10-4 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1134] [1] 내지 [1133] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.9*10-5 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 인가를 포함하는 방법. [1135] [1] 내지 [1134] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.9*10-6 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1136] [1] 내지 [1135] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.9*10-7 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1137] [1] 내지 [1136] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.9*10-12 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1138] [1] 내지 [1137] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.9*10-11 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1139] [1] 내지 [1138] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 1.2*10-10 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1140] [1] 내지 [1139] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.9*10-10 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1141] [1] 내지 [1140] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.9*10-9 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1142] [1] 내지 [1141] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 1.2*10-8 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1143] [1] 내지 [1142] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.9*10-8 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1144] [1] 내지 [1143] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 1.2*10-6 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1145] [1] 내지 [1144] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 1.2*10-4 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1146] [1] 내지 [1145] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 590 mbar 내지 1.2*10-8 mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1147] [1] 내지 [1146] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 99 mbar 내지 1.2*10-6 mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1148] [1] 내지 [1147] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.9 mbar 내지 1.2*10-4 mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1149] [1] 내지 [1148] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.9*10-3 mbar와 0.9*10-12 mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1150] [1] 내지 [1149] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.9*10-3 mbar와 0.9*10-8 mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1151] [1] 내지 [1150] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.9*10-2 mbar 이상에서 0.9*10-3 mbar로 변경되는 절대 압력으로 진공을 적용하는 것을 포함하는 방법. 또는 더 낮습니다. [1152] [1] 내지 [1151] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 부품 표면의 탄소 전위와 관련하여 노의 탄소 전위 또는 압력 용기 분위기의 사용을 포함하는 방법 0.0001% 이상입니다. [1153] [1] 내지 [1152] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 부품 표면의 탄소 포텐셜과 관련하여 노의 탄소 포텐셜을 갖는 분위기 또는 압력 용기 분위기의 사용을 포함하는 방법 0.01% 이상 14% 미만입니다. [1154] [1] 내지 [1153] 중 어느 하나에 있어서, 고정 공정 후의 부품의 금속 부분의 탄소 함량에 대한 노 또는 압력 용기 분위기의 탄소 포텐셜이 0.0001% 초과인 방법. [1155] [1] 내지 [1154] 중 어느 하나에 있어서, 고정 공정 후의 부품의 금속 부분의 탄소 함량에 대한 노 또는 압력 용기 분위기의 탄소 포텐셜이 69% 미만인 방법. [1156] [1] 내지 [1155] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분의 탄소 함량에 대한 노 또는 압력 용기 분위기의 탄소 포텐셜은 절대값으로 정의된다. [(고정 단계 후 부품의 금속 부분의 탄소 함량 -로 또는 압력 용기 분위기의 탄소 포텐셜) /로 또는 압력 용기 분위기의 탄소 포텐셜]*100. [1157] [1] 내지 [1156] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.078mol% 이상의 원자 질소 함량을 갖는 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1158] [1] 내지 [1157] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 2.14mol% 이상의 원자 질소 함량을 갖는 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1159] [1] 내지 [1158] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 원자 질소 함량이 89mol% 이하인 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1160] [1] 내지 [1159] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 원자 질소 함량이 46.8mol% 이하인 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1161] [1] 내지 [1160] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.78mol% 내지 15.21mol% 사이의 원자 질소 함량을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1162] [1] 내지 [1161] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 4.29mol% 내지 49mol% 이하의 원자 질소 함량을 갖는 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1163] [1] 내지 [1162] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.02wt% 이상의 질소 함량을 갖는 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1164] [1] 내지 [1163] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 질소 함량이 3.9wt% 이하인 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1165] [1] 내지 [1164] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 질소 함량이 0.2wt% 내지 3.9wt%인 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1166] [1] 내지 [1165] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.1vol% 초과의 암모니아 함량을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1167] [1] 내지 [1166] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 89vol% 미만의 암모니아 함량을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1168] [1] 내지 [1167] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.11vol% 초과 49% 미만의 암모니아 함량을 포함하는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1169] [1] 내지 [1168] 중 어느 하나에 있어서, 고정 공정 후의 부품 표면의 질소 비율이 0.02wt% 이상인 방법. [1170] [1] 내지 [1169] 중 어느 하나에 있어서, 고정 공정 후의 부품 표면의 질소 비율이 3.9wt% 이하인 방법. [1171] [1] 내지 [1170] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품 표면의 질소 비율이 0.2wt% 내지 3.9wt%인 방법. [1172] [1] 내지 [1171] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.002 bar-1/2 초과의 질화 전위 kn을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1173] [1] 내지 [1172] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 89 bar-1/2 미만인 질화 전위 kn을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1174] [1] 내지 [1173] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 0.012 bar-1/2 초과 및 89 bar-1/2 미만인 질화 전위 kn을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 것인 방법. [1175] [1] 내지 [1174] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 적어도 0.0012 bar의 과압의 적용을 포함하는 방법. [1176] [1] 내지 [1175] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계는 4800 bar 미만의 과압의 적용을 포함하는 방법. [1177] [1] 내지 [1176] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 1.7 bar 이상 740 bar 미만의 과압의 적용을 포함하는 것인 방법. [1178] [1] 내지 [1177] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 220℃ 이상의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [1179] [1] 내지 [1178] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 580℃ 이상의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [1180] [1] 내지 [1179] 중 어느 하나에 있어서, 정착 단계가 1440℃ 미만의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [1] 내지 [1180] 중 어느 하나에 있어서, 정착 단계가 980℃ 미만의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [1182] [1] 내지 [1181] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 655℃ 초과 1440℃ 미만의 온도의 적용을 포함하는 방법. [1183] [1] 내지 [1182] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계에서 220℃ 초과 790℃ 미만의 온도를 적용하는 단계를 포함하는 방법. [1184] [1] 내지 [1183] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1185] [1] 내지 [1184] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 %O2 함유 분위기의 사용을 포함하고, 여기서 %O2는 0.002vol% 이상인 방법. [1186] [1] 내지 [1185] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하고, 여기서 %O2는 0.02vol% 이상인 방법. [1187] [1] 내지 [1186] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하고, 여기서 %O2는 89vol% 이하인 방법. [1188] [1] 내지 [1187] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하고, 여기서 %O2는 49vol% 이하인 방법. [1190] [1189] [1] 내지 [1188] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 55℃보다 높은 온도에서 적어도 1시간 동안 %O2 포함 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1] 내지 [1189] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 90시간 미만 동안 890℃ 미만의 온도에서 분위기를 포함하는 %O2의 사용을 포함하는 것인 방법. [1191] [1] 내지 [1190] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 105℃ 초과 90시간 미만 동안 105℃보다 높은 온도에서 분위기를 포함하는 %O2의 사용을 포함하는 것인 방법. [1192] [1] 내지 [1191] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 적어도 2개의 상이한 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1193] [1] 내지 [1192] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 3가지 이상의 상이한 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1194] [1] 내지 [1193] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 적어도 4개의 상이한 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1195] [1] 내지 [1194] 중 어느 하나에 있어서, 분위기는 고정 단계가 수행되는 노 또는 압력 용기의 분위기를 의미하는 방법. [1196] [1] 내지 [1195] 중 어느 하나에 있어서, 정착 단계가 220℃ 초과1490℃미만의 적절한 온도의 적용을 포함하는 방법. [1197] [1] 내지 [1196] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계는 420℃ 이상의 적절한 온도의 적용을 포함하는 방법. [1198] [1] 내지 [1197] 중 어느 하나에 있어서, 정착 단계가 1140℃ 미만인 적절한 온도의 적용을 포함하는 방법. [1199] [1] 내지 [1198] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 성분 내의 %O는 식 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%를 준수하는 것인 방법 리). [1200] [1] 내지 [1199] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 성분 중 %O가 다음 식을 따르는 것인 방법 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 0.67*%REE). [1201] [1] 내지 [1200] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 성분 중 %O가 다음 식을 따르는 것인 방법 KYI*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE) ＜ %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE). [1202] [1] 내지 [1201] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 성분 중 %O가 다음 식을 따르는 것인 방법 KYI*(%Y+1.98*%Sc+0.67*%REE) ＜ %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 0.67*%REE). [1203] [1] 내지 [1202] 중 어느 하나에 있어서, 고정 공정 후의 부품 표면의 질소 비율이 0.02wt% 내지 3.9wt%인 방법. [1204] [1] 내지 [1203] 중 어느 하나에 있어서, 고정 공정 후의 부품 표면의 질소 비율이 0.2wt% 이상인 방법. [1205] [1] 내지 [1204] 중 어느 하나에 있어서, 고정 공정 후의 부품 표면의 질소 비율이 2.9wt% 이하인 방법. [1206] [1] 내지 [1205] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 0.02% 초과 99.98% 미만인 방법. [1207] [1] 내지 [1206] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 6% 초과 99.98% 미만인 방법. [1208] [1] 내지 [1207] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 0.02% 초과 99.8% 미만인 방법. [1209] [1] 내지 [1208] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 31% 초과인 방법. [1210] [1] 내지 [1209] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 51% 초과인 방법. [1211] [1] 내지 [1210] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 0.2% 초과인 방법. [1212] [1] 내지 [1211] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 1.1% 초과인 방법. [1213] [1] 내지 [1212] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 0.3% 초과 64% 미만인 방법. [1214] [1] 내지 [1213] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분에서 %NMVC가 0.4% 초과인 방법. [1215] [1] 내지 [1214] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 1.2% 초과인 방법. [1216] [1] 내지 [1215] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 2.1% 초과인 방법. [1217] [1] 내지 [1216] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분에서 %NMVC가 3.2% 초과인 방법. [1218] [1] 내지 [1217] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 49% 미만인 방법. [1219] [1] 내지 [1218] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 39% 미만인 방법. [1220] [1] 내지 [1219] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 24% 미만인 방법. [1221] [1] 내지 [1220] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분에서 %NMVS가 압밀 단계의 어떤 지점에서 달성되는 것인 방법. [1222] [1] 내지 [1221] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC가 압밀 단계의 어떤 지점에서 달성되는 것인 방법. [1223] [1] 내지 [1222] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 압밀 단계의 어떤 지점에서 달성되는 것인 방법. [1224] [1] 내지 [1223] 중 어느 하나에 있어서, 상기 방법은 상기 고정 단계 후에 얻어진 부품에 기계 가공 단계를 적용하는 단계를 더 포함하는 방법. [1225] [1] 내지 [1224] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 필수인 방법. [1226] [1] 내지 [1225] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계는 선택적이다. [1227] [1] 내지 [1226] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 생략되는 방법. [1228] [1] 내지 [1227] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 소결을 포함하는 방법.[1229] [1] 내지 [1228] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 소결인 방법. [1230] [1] 내지 [1229] 중 어느 하나에 있어서, 채용된 소결 기술이 스파크 플라즈마 소결인 방법. [1231] [1] 내지 [1230] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계는 고압, 고온 사이클의 적용을 포함하며, 여기서 압력은 2개 이상의 고압 기간을 나타내는 사이클 동안 크게 변한다. 시간의 다른 순간. [1232] [1] 내지 [1231] 중 어느 하나에 있어서, 2개의 상이한 순간에 적어도 2개의 고압 기간을 나타내는 사이클 동안 압력이 크게 변화하는 고압, 고온 사이클은 다음을 포함하는 방법: 단계: 1단계: 고압 및 고온 처리, 단계 2: 온건한 압력 고온 처리 그리고 3단계: 고압 및 고온 처리. [1233] [1] 내지 [1232] 중 어느 하나에 있어서, 단계 1에서 고압이 22 MPa 내지 1900 MPa인 방법. [1234] [1] 내지 [1233] 중 어느 하나에 있어서, 단계 1에서 고압이 22 MPa 이상인 방법. [1235] [1] 내지 [1234] 중 어느 하나에 있어서, 공정 1에서 고압이 52 MPa 이상인 방법. [1236] [1] 내지 [1235] 중 어느 하나에 있어서, 단계 1에서 고압이 1900 MPa 이하인 방법. [1237] [1] 내지 [1236] 중 어느 하나에 있어서, 단계 1에서 고압이 890 MPa 이하인 방법. [1238] [1] 내지 [1237] 중 어느 하나에 있어서, 단계 2에서 중간 압력은 1e-9 mbar 내지 90 MPa인 방법. [1239] [1] 내지 [1238] 중 어느 하나에 있어서, 공정 2에서 중압이 90 MPa 이하인 방법. [1240] [1] 내지 [1239] 중 어느 하나에 있어서, 공정 2에서 중압이 19 MPa 이하인 방법. [1241] [1] 내지 [1240] 중 어느 하나에 있어서, 단계 2에서 중간 압력은 1e-5mbar 이상인 방법. [1242] [1] 내지 [1241] 중 어느 하나에 있어서, 단계 2에서 중간 압력이 0.01 mbar 이상인 방법. [1243] [1] 내지 [1242] 중 어느 하나에 있어서, 동일한 노 또는 압력 용기에서 하나 이상의 단계를 수행할 때, 가해지는 압력의 변화가 0.2 MPa 내지 890 MPa인 방법. [1244] [1] 내지 [1243] 중 어느 하나에 있어서, 동일한 노 또는 압력 용기에서 하나 이상의 단계를 수행할 때, 가해지는 압력의 변화가 52 MPa 이상인 방법. [1245] [1] 내지 [1244] 중 어느 하나에 있어서, 동일한 노 또는 압력 용기에서 하나 이상의 단계를 수행할 때, 가해지는 압력의 변화가 380 MPa 이하인 방법. [1246] [1] 내지 [1245] 중 어느 하나에 있어서, 고온이 0.36*Tcm 내지 2.9*Tcm의 온도인 방법. [1247] [1] 내지 [1246] 중 어느 하나에 있어서, 고온이 0.46*Tcm 이상인 방법. [1248] [1] 내지 [1247] 중 어느 하나에 있어서, 고온이 1.9*Tcm 이하인 방법. [1249] [1] 내지 [1248] 중 어느 하나에 있어서, 고온이 0.99*Tcm 이하인 방법. [1250] [1] 내지 [1249] 중 어느 하나에 있어서, Tcm가 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 분말의 융점인 방법. [1251] Tcm이 Tm인, [1] 내지 [1250] 중 어느 하나에 기재된 방법. [1252] [1] 내지 [1251] 중 어느 하나에 있어서, 온도가 고온 범위 내에서 유지되는 체류 시간이 0.1시간 내지 1900시간인 방법. [1253] [1] 내지 [1252] 중 어느 하나에 있어서, 고온 범위 내에서 온도를 유지하는 체류 시간이 0.52시간 이상인 방법. [1254] [1] 내지 [1253] 중 어느 하나에 있어서, 온도가 고온 범위 내에서 유지되는 체류 시간이 192시간 이하인 방법. [1255] [1] 내지 [1254] 중 어느 하나에 있어서, 고압 범위 내에서 압력을 유지하는 체류 시간이 0.01시간 내지 1700시간인 방법. [1256] [1] 내지 [1255] 중 어느 하나에 있어서, 고압 범위 내에서 압력을 유지하는 체류 시간이 0.12시간 이상인 방법. [1257] [1] 내지 [1256] 중 어느 하나에 있어서, 고압 범위 내에서 압력을 유지하는 체류 시간이 182시간 이하인 방법. [1258] [1] 내지 [1257] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 적당한 압력 범위 내에서 유지되는 체류 시간이 0.01시간 내지 1800시간인 방법. [1259] [1] 내지 [1258] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 적당한 압력 범위 내에서 유지되는 체류 시간이 0.12시간 이상인 방법. [1260] [1] 내지 [1259] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 적당한 압력 범위 내에서 유지되는 체류 시간이 172시간 이하인 방법. [1261] [1] 내지 [1260] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 사이클 동안 크게 변화하는 고압, 고온 사이클에서 2개의 상이한 시간적 순간에 적어도 2개의 고압 기간 및 압밀을 나타내는 것인 방법. 단계가 동시에 수행됩니다. [1262] [1] 내지 [1261] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 %N2를 포함하는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1263] [1] 내지 [1262] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 75wt% 이상의 %H2를 포함하는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1264] [1] 내지 [1263] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 55wt% 이상의 Ar을 포함하는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1] 내지 [1264] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 2*10-8 내지 2*1013 인 pH2/pH2O를 갖는 분위기의 사용을 포함하고, 분압이 pH2인 방법 H2 (bar) 및 pH2O의 H2O 분압(bar). [1266] [1] 내지 [1265] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정에서 사용되는 분위기를 55wt% 이상의 %H2를 포함하는 분위기로부터 55wt% 이상의 %Ar을 포함하는 분위기로 변경하는 방법. [1267] [1] 내지 [1266] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계가 590 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1268] [1] 내지 [1267] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계가 99 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1269] [1] 내지 [1268] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계가 9 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1270] [1] 내지 [1269] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계가 0.9 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1271] [1] 내지 [1270] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 0.9*10-2 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1772] [1] 내지 [1271] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 0.9*10-3 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1273] [1] 내지 [1272] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 0.9*10-4 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1274] [1] 내지 [1273] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 0.9*10-5 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1275] [1] 내지 [1274] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 0.9*10-6 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1276] [1] 내지 [1275] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계가 0.9*10-7 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1277] [1] 내지 [1276] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 0.9*10-12 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1278] [1] 내지 [1277] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계가 0.9*10-11 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1279] [1] 내지 [1278] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계가 1.2*10-10 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1280] [1] 내지 [1279] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계가 0.9*10-10 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1281] [1] 내지 [1280] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계가 0.9*10-9 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1282] [1] 내지 [1281] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계가 1.2*10-8 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1283] [1] 내지 [1282] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계가 0.9*10-8 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1284] [1] 내지 [1283] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계가 1.2*10-6 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1285] [1] 내지 [1284] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계가 1.2*10-4 mbar 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1286] [1] 내지 [1285] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계는 590 mbar 내지 1.2*10-8 mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1287] [1] 내지 [1286] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계는 99 mbar 내지 1.2*10-6 mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1288] [1] 내지 [1287] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 0.9 mbar 내지 1.2*10-4 mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1289] [1] 내지 [1288] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 0.9*10-3 mbar와 0.9*10-12mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1290] [1] 내지 [1289] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계가 0.9*10-3mbar와 0.9*10-8mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1291] [1] 내지 [1290] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계가 0.9*10-2 mbar 이상에서 0.9*10-3mbar로 변경되는 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 것인 방법. 또는 더 낮습니다. [1292] [1] 내지 [1291] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 부품 표면의 탄소 포텐셜과 관련하여 노의 탄소 포텐셜을 갖는 분위기 또는 압력 용기 분위기의 사용을 포함하는 방법 0.0001% 초과 [1293] [1] 내지 [1292] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계는 의 탄소 포텐셜과 관련하여 노의 탄소 포텐셜 또는 압력 용기 분위기의 사용을 포함하는 방법. 0.0001% 이상 69% 미만인 구성요소의 표면. [1294] [1] 내지 [1293] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계는 금속 부분의 탄소 함량과 관련하여 노의 탄소 포텐셜을 갖는 분위기 또는 압력 용기 분위기의 사용을 포함하는 것인 방법. 0.0001% 이상인 구성 요소. [1295] [1] 내지 [1294] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계는 69% 미만, [1] 내지 [1295] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계 후 구성요소의 금속 부분의 탄소 함량에 대한 노 또는 압력 용기 분위기의 탄소 포텐셜은 [(고화 단계 후 부품의 금속 부분의 탄소 함량 -로 또는 압력 용기 분위기의 탄소 포텐셜) /로 또는 압력 용기 분위기의 탄소 포텐셜]*100의 절대값으로 정의됩니다. [1297] [1] 내지 [1296] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 0.078mol% 이상의 원자 질소 함량을 갖는 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1298] [1] 내지 [1297] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 2.14mol% 이상의 원자 질소 함량을 갖는 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1299] 내지 [1298] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 원자 질소 함량이 89mol% 이하인 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1300] [1] 내지 [1299] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 46.8mol% 이하의 원자 질소 함량을 갖는 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1301] [1] 내지 [1300] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 0.78mol% 내지 15.21mol% 사이의 원자 질소 함량을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1302] [1] 내지 [1301] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 4.29mol% 내지 69mol% 이하의 원자 질소 함량을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1303] [1] 내지 [1302] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 0.02wt% 이상의 질소 함량을 갖는 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1304] [1] 내지 [1303] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 질소 함량이 3.9wt% 이하인 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1305] [1] 내지 [1304] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 0.2wt% 내지 3.9wt%의 질소 함량을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1306] [1] 내지 [1305] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 0.1vol% 초과의 암모니아 함량을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1307] [1] 내지 [1306] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 89vol% 미만의 암모니아 함량을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1308] [1] 내지 [1307] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 0.11vol% 초과 49% 미만의 암모니아 함량을 포함하는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1309] [1] 내지 [1308] 중 어느 하나에 있어서, 고화 공정 후의 성분 표면의 질소 비율이 0.02wt% 이상인 방법. [1310] [1] 내지 [1309] 중 어느 하나에 있어서, 고화 공정 후의 부품 표면의 질소 비율이 3.9wt% 이하인 방법. [1311] [1] 내지 [1310] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품 표면의 질소 비율이 0.2wt% 내지 3.9wt%인 방법. [1312] [1] 내지 [1311] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계가 0.002 bar-1/2 초과의 질화 전위 kn을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 것인 방법. [1313] [1] 내지 [1312] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 89 bar-1/2 미만인 질화 전위 kn을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1314] [1] 내지 [1313] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 0.012 bar-1/2 초과 및 89 bar-1/2 미만인 질화 전위 kn을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법 . [1315] [1] 내지 [1314] 중 어느 하나에 있어서, 강화 단계가 0.0012 bar 이상의 과압을 적용하는 것을 포함하는 방법. [1316] [1] 내지 [1315] 중 어느 하나에 있어서, 강화 단계가 4800 bar 미만의 과압의 적용을 포함하는 방법. [1317] [1] 내지 [1316] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 1.7 bar 이상 740 bar 미만의 과압의 적용을 포함하는 것인 방법. [1318] [1] 내지 [1317] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 220℃ 이상의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [1319] [1] 내지 [1318] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 580℃ 이상의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [1320] [1] 내지 [1319] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계에서 사용되는 분위기는 1440℃ 미만의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [1321] [1] 내지 [1320] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계에서 사용되는 분위기가 980℃ 미만의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [1322] [1] 내지 [1321] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 655℃ 초과 1440℃ 미만의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [1323] [1] 내지 [1322] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계는 220℃ 초과 790℃ 미만의 온도의 적용을 포함하는 방법. [1324] [1] 내지 [1323] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1325] [1] 내지 [1324] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하고, 여기서 %O2는 0.002vol% 이상인 방법. [1326] [1] 내지 [1325] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하고, 여기서 %O2는 0.02vol% 이상인 방법. [1327] [1] 내지 [1326] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하고, 여기서 %O2는 89vol% 이하인 방법. [1328] [1] 내지 [1327] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하고, 여기서 %O2는 49vol% 이하인 방법. [1329] [1] 내지 [1328] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계는 55℃보다 높은 온도에서 적어도 1시간 동안 %O2를 포함하는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1330] [1] 내지 [1329] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계는 90시간 미만 동안 890℃ 미만의 온도에서 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1331] [1] 내지 [1330] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계는 105℃ 초과 90시간 미만 동안 105℃보다 높은 온도에서 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하는 것인 방법. [1332] [1] 내지 [1331] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 적어도 2개의 상이한 분위기의 적용을 포함하는 방법. [1333] [1] 내지 [1332] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 3개 이상의 상이한 분위기의 적용을 포함하는 방법. [1334] [1] 내지 [1333] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 적어도 4개의 상이한 분위기의 적용을 포함하는 방법. [1335] [1] 내지 [1334] 중 어느 하나에 있어서, 분위기는 고화 단계가 수행되는 노 또는 압력 용기의 분위기를 의미하는 방법. [1336] [1] 내지 [1335] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계가 고정 단계에서 사용된 것과 동일한 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1337] [1] 내지 [1336] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계에서 적용되는 평균 압력이 적어도 0.01 bar인 방법. [1338] [1] 내지 [1337] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계에서 적용되는 최소 압력이 10 mbar 이상인 방법. [1339] [1] 내지 [1338] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계에서 적용되는 최소 압력이 0.1 bar 이상인 방법. [1340] [1] 내지 [1339] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계에서 적용되는 최소 압력이 1.6 bar 이상인 방법. [1341] [1] 내지 [1340] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계에서 적용되는 최소 압력이 89 bar 미만인 방법. [1342] [1] 내지 [1341] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계에서 적용되는 평균 압력이 0.1 bar 이상 4900 bar 미만인 방법. [1343] [1] 내지 [1342] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계에서 적용되는 평균 압력이 790 bar 미만인 방법. [1344] [1] 내지 [1343] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계에서 적용되는 평균 압력은 790 bar 미만이고, 여기서 평균 압력은 29초 미만 동안 유지되는 임의의 압력을 제외하고 계산되는 것인 방법. [1345] [1] 내지 [1344] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계의 최고 온도가 0.36*Tm 내지 0.96*Tm인 방법. [1346] [1] 내지 [1345] 중 어느 하나에 있어서, 고화 공정의 최고 온도가 0.46*Tm 이상인 방법. [1347] [1] 내지 [1346] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계의 평균 온도가 0.36*Tm 내지 0.96*Tm인 방법. [1348] [1] 내지 [1347] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정의 평균 온도가 0.46*Tm 이상인 방법. [1349] [1] 내지 [1348] 중 어느 하나에 있어서, 고화 공정의 최고 온도가 0.96*Tm 이상인 방법. [1350] [1] 내지 [1349] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정의 평균 온도가 1.9*Tm 이하인 방법. [1351] [1] 내지 [1350] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계의 최대 온도가 Tm 내지 1.49*Tm인 방법. [1352] [1] 내지 [1351] 중 어느 하나에 있어서, 고화 공정의 최고 온도가 Tm+22 이상인 방법. [1353] [1] 내지 [1352] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정의 평균 온도가 Tm+890 이하인 방법. [1354] [1] 내지 [1353] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계의 최고 온도가 Tm+11 내지 Tm+450인 방법. [1355] [1] 내지 [1354] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계 동안의 최대 액상이 0.2vol% 초과인 방법. [1356] [1] 내지 [1355] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계 동안의 최대 액상이 39vol% 미만으로 유지되는 방법. [1357] [1] 내지 [1356] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 0.02% 초과인 방법. [1358] [1] 내지 [1357] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 0.02% 초과 39% 미만인 방법. [1359] [1] 내지 [1358] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 24% 미만인 방법. [1360] [1] 내지 [1359] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 14% 미만인 방법. [1361] [1] 내지 [1360] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 0.06% 초과인 방법. [1362] [1] 내지 [1361] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 0.06% 초과 14% 미만인 방법. [1363] [1] 내지 [1362] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 0.2% 초과인 방법. [1364] [1] 내지 [1363] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분에서 NMVS의 환원율이 0.12% 초과인 방법. [1365] [1] 내지 [1364] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분에서 NMVS의 환원율이 0.6% 초과인 방법. [1] 내지 [1365] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분에서 NMVS의 환원율이 2.1% 초과인 방법. [1367] [1] 내지 [1366] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분에서 NMVS의 환원율이 6% 초과인 방법. [1368] [1] 내지 [1367] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 0.002% 초과인 방법. [1369] [1] 내지 [1368] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 9% 미만인 방법. [1370] [1] 내지 [1369] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 0.002% 초과 9% 미만인 방법. [1371] [1] 내지 [1370] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 4% 미만인 방법. [1372] [1] 내지 [1371] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 0.9% 미만인 방법. [1373] [1] 내지 [1372] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 0.006% 초과인 방법. [1374] [1] 내지 [1373] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 0.02% 초과인 방법. [1375] [1] 내지 [1374] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 99.8% 미만인 방법. [1376] [1] 내지 [1375] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 81% 초과 99.8% 미만인 방법. [1377] [1] 내지 [1376] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 99.4% 미만인 방법. [1378] [1] 내지 [1377] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 98.9% 미만인 방법. [1379] [1] 내지 [1378] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 81% 초과인 방법. [1380] [1] 내지 [1379] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 86% 초과인 방법. [1381] [1] 내지 [1380] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 91% 초과인 방법. [1382] [1] 내지 [1381] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율이 6% 초과 69% 미만인 방법. [1383] [1] 내지 [1382] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율이 11% 초과인 방법. [1384] [1] 내지 [1383] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율이 16% 초과인 방법. [1385] [1] 내지 [1384] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율이 59% 이하인 방법. [1386] [1] 내지 [1385] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율이 49% 이하인 방법. [1387] [1] 내지 [1386] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율이 29% 이하인 방법. [1388] [1] 내지 [1387] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율이 19% 이하인 방법. [1389] [1] 내지 [1388] 중 어느 하나에 있어서, 상기 방법은 상기 압밀 단계 후에 얻어진 부품에 기계 가공 단계를 적용하는 단계를 더 포함하는 방법. [1390] [1] 내지 [1389] 중 어느 하나에 있어서, 상기 방법은 고화 단계 후에 수득된 부품에 열처리를 적용하는 단계를 추가로 포함하는 방법. [1391] [1] 내지 [1390] 중 어느 하나에 있어서, 상기 방법은 상기 치밀화 단계를 적용한 후 더 큰 부품을 만들기 위해 서로 다른 부분들을 접합하는 단계를 더 포함하는 방법. [1392] [1] 내지 [1391] 중 어느 하나에 있어서, 금속을 포함하는 적어도 2개의 부품이 접합되어 더 큰 부품을 제조하는 방법. [1393] [1] 내지 [1392] 중 어느 하나에 있어서, 금속을 포함하는 적어도 3개의 부품이 접합되어 더 큰 부품을 제조하는 방법. [1394] [1] 내지 [1393] 중 어느 하나의 방법에 따라 제조된 적어도 하나의 부품인, 적어도 2개의 부품이 결합되어 더 큰 부품을 제조하는 [1] 내지 [1393] 중 어느 하나에 따른 방법 . [1395] [1] 내지 [1394] 중 어느 하나의 방법에 따라 제조된 적어도 하나의 부품인, 적어도 3개의 부품이 접합되어 더 큰 부품을 제조하는 [1] 내지 [1394] 중 어느 하나에 따른 방법 . [1396] [1] 내지 [1395] 중 어느 하나의 방법에 따라 제조된 적어도 2개의 부품인, 적어도 3개의 부품이 접합되어 더 큰 부품을 제조하는 [1] 내지 [1395] 중 어느 하나에 따른 방법 . [1397] [1] 내지 [1396] 중 어느 하나의 방법에 따라 제조된 적어도 2개의 부품이 함께 결합되어 더 큰 부품을 제조하는 [1] 내지 [1396] 중 어느 하나에 따른 방법. [1398] [1] 내지 [1397] 중 어느 하나의 방법에 따라 제조된 적어도 3개의 부품이 함께 결합되어 더 큰 부품을 제조하는 [1] 내지 [1397] 중 어느 하나에 따른 방법. [1399] [1] 내지 [1398] 중 어느 하나의 방법에 따라 제조된 적어도 5개의 부품이 함께 결합되어 더 큰 부품을 제조하는 [1] 내지 [1398] 중 어느 하나에 따른 방법. [1400] [1] 내지 [1399] 중 어느 하나에 있어서, 함께 모이는 상이한 부분들의 표면 중 적어도 일부는 접합 전에 산화물로부터 제거되는 것인 방법. [1401] [1] 내지 [1400] 중 어느 하나에 있어서, 함께 모이는 상이한 부분들의 표면 중 적어도 일부는 접합 전에 유기 제품으로부터 제거되는 것인 방법. [1402] [1] 내지 [1401] 중 어느 하나에 있어서, 함께 모이는 상이한 부분들의 표면 중 적어도 일부는 접합 전에 먼지로부터 제거되는 것인 방법. [1403] [1] 내지 [1402] 중 어느 하나에 있어서, 표면의 일부가 표면 중 적어도 하나인 방법.[1404] [1] 내지 [1403] 중 어느 하나에 있어서, 상기 표면 중 적어도 2개는 표면. [1405] [1] 내지 [1404] 중 어느 하나에 있어서, 표면의 적어도 일부는 함께 모이는 상이한 부분의 표면의 적어도 일부인 방법. [1406] [1] 내지 [1405] 중 어느 하나에 있어서, 상이한 부품을 접합하는 단계가 0.01 MPa 이상으로 표면을 함께 당기는 것을 포함하는 방법. [1407] [1] 내지 [1406] 중 어느 하나에 있어서, 상이한 부분을 접합하는 단계가 0.12 MPa 이상으로 표면을 함께 당기는 것을 포함하는 방법. [1408] [1] 내지 [1407] 중 어느 하나에 있어서, 상이한 부분을 접합하는 단계가 1.2 MPa 이상으로 표면을 함께 당기는 것을 포함하는 방법. [1409] [1] 내지 [1408] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 접합은 용접에 의해 행해지는 것인 방법. [1410] [1] 내지 [1409] 중 어느 하나에 있어서, 부품들의 접합이 플라즈마-아크 가열을 포함하는 방법. [1411] [1] 내지 [1410] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 접합이 전기 아크 가열을 포함하는 방법. [1412] [1] 내지 [1411] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 접합이 레이저 가열을 포함하는 방법. [1413] [1] 내지 [1412] 중 어느 하나에 있어서, 부품들의 접합이 전자빔 가열을 포함하는 방법. [1414] [1] 내지 [1413] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 접합이 산소 연료 가열을 포함하는 방법. [1415] [1] 내지 [1414] 중 어느 하나에 있어서, 부품들의 접합이 저항 가열을 포함하는 방법. [1416] [1] 내지 [1415] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 접합이 유도 가열을 포함하는 방법. [1417] [1] 내지 [1416] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 접합은 초음파 가열을 포함하는 방법. [1418] [1] 내지 [1417] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 접합은 치밀화 처리에서 확산 용접하기 위해 접합 표면 상에서 부품을 함께 유지하는 것이 유일한 목적인 얇은 용접을 포함하는 것인 방법 . [1419] [1] 내지 [1418] 중 어느 하나에 있어서, 접합이 고온 접착제로 수행되는 방법. [1420] 내지 [1419] 중 어느 하나에 있어서, 함께 결합될 부품은 서로에 대해 올바른 기준으로 위치 결정하기 위한 안내 기구를 갖는 것인 방법. [1421] [1] 내지 [1420] 중 어느 하나에 있어서, 접합이 900 mbar 이하의 진공 환경에서 이루어지는 방법. [1422] [1] 내지 [1421] 중 어느 하나에 있어서, 접합이 0.09 mbar 이하의 진공 환경에서 이루어지는 것인 방법. [1423] [1] 내지 [1422] 중 어느 하나에 있어서, 접합이 10-11 mbar 이상의 진공 환경에서 이루어지는 방법. [1424] [1] 내지 [1423] 중 어느 하나에 있어서, 접합이 10-9 mbar 이상의 진공 환경에서 이루어지는 방법. [1425] [1] 내지 [1424] 중 어느 하나에 있어서, 접합이 10-7 mbar 이상의 진공 환경에서 이루어지는 방법. [1426] [1] 내지 [1425] 중 어느 하나에 있어서, 접합이 무산소 환경에서 이루어지는 방법. [1427] [1] 내지 [1426] 중 어느 하나에 있어서, 접합이 산소 함량이 9wt% 이하인 환경에서 이루어지는 방법. [1428] [1] 내지 [1427] 중 어느 하나에 있어서, 접합이 산소 함량이 90ppm 이하인 환경에서 이루어지는 방법. [1429] [1] 내지 [1428] 중 어느 하나에 있어서, 접합이 산소 함량이 0.9ppm 이하인 환경에서 이루어지는 방법.[1430] [1] 내지 [1429] 중 어느 하나에 있어서, 접합이 산소 함량이 9vol% 이하인 환경에서 이루어지는 방법. [1431] [1] 내지 [1430] 중 어느 하나에 있어서, 접합이 산소 함량이 90 부피ppm 이하인 환경에서 수행되는 방법. [1432] [1] 내지 [1431] 중 어느 하나에 있어서, 접합이 산소 함량이 0.9 부피ppm 이하인 환경에서 수행되는 방법. [1433] [1] 내지 [1432] 중 어느 하나에 있어서, 상기 접합은 기밀 방식으로 함께 모이는 적어도 2개의 구성요소 중 서로 접하는 면의 주변 전체에서 행해지는 것인 방법. [1434] [1] 내지 [1433] 중 어느 하나에 있어서, 기밀 방식은 접합된 구성요소가 유체에 도입되고 고압이 가해질 때 이 유체가 공간 및/또는 서로 대면하고 함께 조립된 두 구성 요소 각각의 모든 주변 표면을 통해 결합된 두 개 사이의 미세 공동. [1435] [1] 내지 [1434] 중 어느 하나에 있어서, 기밀 방식이란 접합된 부품이 유체에 도입되고 52 MPa 이상의 압력이 가해질 때, 이 유체가 내부에서 흐를 수 없는 것을 의미하는 것인 방법. 서로 대면하고 함께 조립된 두 구성 요소 각각의 모든 주변 표면을 통해 결합된 둘 사이의 공간 및/또는 미세 공동. [1436] [1] ~ [1435] 중 어느 하나에 있어서, 기밀 방식이란 접합된 부품이 유체에 도입되고 152 MPa 이상의 압력이 가해지면 이 유체가 내부에서 흐를 수 없는 것을 의미하는 것인 방법. 서로 대면하고 함께 조립된 두 구성 요소 각각의 모든 주변 표면을 통해 결합된 둘 사이의 공간 및/또는 미세 공동. [1437] [1] 내지 [1436] 중 어느 하나에 있어서, 기밀 방식이란 접합된 부품이 유체에 도입되고 202 MPa 이상의 압력이 가해질 때, 이 유체가 내부에서 흐를 수 없는 것을 의미하는 것인 방법. 서로 대면하고 함께 조립된 두 구성 요소 각각의 모든 주변 표면을 통해 결합된 둘 사이의 공간 및/또는 미세 공동. [1438] [1] 내지 [1437] 중 어느 하나에 있어서, 기밀 방식이란 접합된 부품이 유체에 도입되고 252 MPa 이상의 압력이 가해지면 이 유체가 내부에서 흐를 수 없는 것을 의미하는 것인 방법. 서로 대면하고 함께 조립된 두 구성 요소 각각의 모든 주변 표면을 통해 결합된 둘 사이의 공간 및/또는 미세 공동. [1439] [1] 내지 [1438] 중 어느 하나에 있어서, 기밀 방식이란 접합된 부품이 유체에 도입되고 555 MPa 이상의 압력이 가해질 때, 이 유체가 내부에서 흐를 수 없는 것을 의미하는 것인 방법. 서로 대면하고 함께 조립된 두 구성 요소 각각의 모든 주변 표면을 통해 결합된 둘 사이의 공간 및/또는 미세 공동. [1440] [1] 내지 [1439] 중 어느 하나에 있어서, 적어도 일부 영역에서, 임계 용접 깊이가 충분히 작은 것인 방법. [1441] [1] 내지 [1440] 중 어느 하나에 있어서, 임계 용접 깊이는 함께 오는 2개의 면의 둘레에 있는 용접 라인의 적어도 6%에서 충분히 작은 것인 방법. [1442] [1] 내지 [1441] 중 어느 하나에 있어서, 용접의 임계 깊이는 함께 오는 2개의 면의 주변에 있는 용접 라인의 적어도 16%에서 충분히 작은 것인 방법. [1443] [1] 내지 [1442] 중 어느 하나에 있어서, 용접의 임계 깊이는 함께 오는 2개의 면의 주변에 있는 용접 라인의 적어도 56%에서 충분히 작은 것인 방법. [1444] [1] 내지 [1443] 중 어느 하나에 있어서, 임계 용접 깊이는 고려된 길이에서의 용접 깊이의 평균값을 지칭하는 방법. [1445] [1] 내지 [1444] 중 어느 하나에 있어서, 임계 용접 깊이는 고려된 길이에서 용접 깊이의 가중 길이-평균값을 지칭하는 방법. [1446] [1] 내지 [1445] 중 어느 하나에 있어서, 임계 용접 깊이는 고려된 길이에서의 용접 깊이의 최대값을 지칭하는 방법. [1447] [1] 내지 [1446] 중 어느 하나에 있어서, 임계 용접 깊이는 고려되는 길이에서의 용접 깊이의 최소값을 지칭하는 방법. [1448] [1] 내지 [1447] 중 어느 하나에 있어서, 용접의 임계 깊이는 용접의 용융 영역의 깊이의 확장을 의미하는 방법. [1449] [1] 내지 [1448] 중 어느 하나에 있어서, 용접의 임계 깊이는 단면에서 평가된 용접의 용융 영역의 깊이의 확장을 의미하는 방법. [1450] [1] 내지 [1449] 중 어느 하나에 있어서, 용접의 임계 깊이는 용접의 열영향부(HAZ) 깊이의 확장을 의미하는 방법. [1451] [1] 내지 [1450] 중 어느 하나에 있어서, 용접의 임계 깊이가 단면에서 평가된 용접의 HAZ 깊이의 확장을 나타내는 방법. [1452] [1] 내지 [1451] 중 어느 하나에 있어서, 충분히 작은 임계 용접 깊이가 19mm 이하인 방법. [1453] [1] 내지 [1452] 중 어느 하나에 있어서, 충분히 작은 임계 용접 깊이가 3.8mm 이하인 방법. [1454] [1] 내지 [1453] 중 어느 하나에 있어서, 충분히 작은 임계 용접 깊이가 0.4mm 이하인 방법. [1455] [1] 내지 [1454] 중 어느 하나에 있어서, 열원의 전력 밀도를 900W/mm3 미만으로 유지하는 방법. [1456] [1] 내지 [1455] 중 어느 하나에 있어서, 열원의 전력 밀도를 90W/mm3 미만으로 유지하는 방법. [1457] [1] 내지 [1456] 중 어느 하나에 있어서, 열원의 전력 밀도를 0.9 W/mm3 미만으로 유지하는 방법. [1458] [1] 내지 [1457] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계 후의 성분 내의 %O가 다음 식을 따르는 것인 방법 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE). [1459] [1] 내지 [1458] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계 후의 성분 중 %O가 하기 식을 따르는 것인 방법 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 0.67*%REE). [1460] [1] 내지 [1459] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계 후의 성분 내의 %O가 다음 식을 따르는 것인 방법 KYI*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE) ＜ %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE). [1] 내지 [1460] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계 후의 성분 중 %O가 하기 식을 따르는 것인 방법 KYI*(%Y+1.98*%Sc+0.67*%REE) ＜ %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 0.67*%REE). [1462] [1] 내지 [1461] 중 어느 하나에 있어서, 통합 단계가 필수인 방법. [1463] [1] 내지 [1462] 중 어느 하나에 있어서, 강화 단계가 선택적인 방법. [1464] [1] 내지 [1463] 중 어느 하나에 있어서, 강화 공정이 생략되는 방법. [1465] [1] 내지 [1464] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 51%보다 높고, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 통합 단계는 81%보다 높습니다. [1466] [1] 내지 [1465] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 51% 초과 96.9% 미만이고, 여기서 금속의 겉보기 밀도 통합 단계 후 구성 요소의 일부가 81% 초과 99.8% 미만입니다. [1467] [1] 내지 [1466] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 12% 초과이고, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 통합 단계는 24% 미만입니다. [1468] [1] 내지 [1467] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS는 31% 초과 98% 미만이고, 여기서 %NMVS는 통합 단계 후 구성 요소는 0.02% 이상 24% 미만입니다. [1469] [1] 내지 [1468] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 49% 미만이고, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 통합 단계는 9% 미만입니다. [1470] [1] 내지 [1469] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC가 3.2% 초과 24% 미만이고; 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.002% 초과 0.9% 미만인 방법. [1] 내지 [1470] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVC는 6.2% 초과 49% 미만이고, 여기서 %NMVC는 통합 단계 후 구성 요소는 4% 미만입니다. [1472] [1] 내지 [1471] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 0.02% 초과 99.8% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 0.3% 초과 64% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분 중 %NMVS는 0.02% 초과 39% 미만이고, 압밀 단계 후 구성 요소의 금속 부분 내 %NMVC는 0.002% 초과 9% 미만인 방법. [1473] [1] 내지 [1472] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 %NMVS가 1.1% 초과 99.8% 미만이고; 형성 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 1.2% 초과 64% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분 중 %NMVS는 0.06% 초과 24% 미만이고, 압밀 단계 후 구성 요소의 금속 부분 내 %NMVC는 0.002% 초과 4% 미만인 방법. [1474] [1] 내지 [1473] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 전에 상이한 부품을 접합하여 더 큰 부품을 만드는 단계를 더 포함하는 방법. [1475] [1] 내지 [1474] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 단계가 열간 등방압 프레스(HIP)를 포함하는 방법. [1476] [1] 내지 [1475] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 열간 등방압 압축(HIP)인 방법. [1477] [1] 내지 [1476] 중 어느 하나에 있어서, 고밀도화 단계는 고압, 고온 사이클의 적용을 포함하며, 여기서 압력은 2개 이상의 고압 기간을 나타내는 사이클 동안 크게 변한다. 시간의 다른 순간. [1478] [1] 내지 [1477] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 사이클 동안 크게 변하는 고압, 고온 사이클이 2개의 상이한 시간적 모멘트에서 적어도 2개의 고압 기간을 나타내는 고압 고온 사이클 및 고밀도화 단계가 동시에 수행됩니다. [1479] [1] 내지 [1478] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 사이클 동안 크게 변화하는 고압 고온 사이클에서 2개의 상이한 순간에 적어도 2개의 고압 기간을 나타내는, 압밀, 단계와 통합 단계는 동시에 수행됩니다. [1480] [1] 내지 [1479] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 %N2를 포함하는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1481] [1] 내지 [1480] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 %H2를 포함하는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1482] [1] 내지 [1481] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 55wt% 이상의 Ar을 포함하는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1483] [1] 내지 [1482] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 2*10-8 내지 2*1013 인 분위기의 pH2/pH2O를 사용하는 것을 포함하고, 분압이 pH2인 방법 H2 (bar) 및 pH2O의 H2O 분압(bar). [1484] [1] 내지 [1483] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정에서 사용되는 분위기를 55wt% 이상의 %H2를 포함하는 분위기로부터 55wt% 이상의 %Ar을 포함하는 분위기로 변경하는 방법. [1485] [1] 내지 [1484] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 590 mbar 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1486] [1] 내지 [1485] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 0.9 mbar 내지 1.2*10-10 mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1487] [1] 내지 [1486] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 0.9*10-3mbar와 0.9*10-12mbar 사이의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함하는 방법. [1488] [1] 내지 [1487] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정에서 사용되는 분위기는 0.9*10-2mbar 이상에서 0.9*10-3mbar로 변화된 절대 압력으로 진공을 인가하는 것을 포함하는 방법. 10-3mbar 이하. [1489] [1] 내지 [1488] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 부품 표면의 탄소 포텐셜과 관련하여 노의 탄소 포텐셜을 갖는 분위기 또는 압력 용기 분위기의 사용을 포함하는 방법 0.0001% 이상입니다. [1490] [1] 내지 [1489] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 부품 표면의 탄소 포텐셜과 관련하여 노의 탄소 포텐셜을 갖는 분위기 또는 압력 용기 분위기의 사용을 포함하는 방법 0.0001% 이상 69% 미만입니다. [1491] [1] 내지 [1490] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 단계는 상기 퍼니스의 금속 부분의 탄소 함량과 관련하여 노의 탄소 포텐셜을 갖는 분위기 또는 압력 용기 분위기의 사용을 포함하는 것인 방법. 0.0001% 이상인 구성 요소. [1492] [1] 내지 [1491] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 단계는 상기 퍼니스의 금속 부분의 탄소 함량과 관련하여 노의 탄소 포텐셜을 갖는 분위기 또는 압력 용기 분위기의 사용을 포함하는 것인 방법. 69% 미만인 성분, [1493] [1] 내지 [1492] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 부품의 금속 부분의 탄소 함량에 대한 노 또는 압력 용기 분위기의 탄소 포텐셜은 [ (고밀화 단계 후 부품의 금속 부분의 탄소 함량 - 로 또는 압력 용기 분위기의 탄소 포텐셜) / 로 또는 압력 용기 분위기의 탄소 포텐셜]*100. [1494] [1] 내지 [1493] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정이 원자 질소 함량이 0.078mol% 이상인 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1495] [1] 내지 [1494] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정이 원자 질소 함량이 2.14mol% 이상인 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1496] [1] 내지 [1495] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 원자 질소 함량이 89mol% 이하인 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1497] [1] 내지 [1496] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 46.8mol% 이하의 원자 질소 함량을 갖는 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1498] [1] 내지 [1497] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 0.78mol% 내지 15.21mol% 사이의 원자 질소 함량을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1499] [1] 내지 [1498] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 4.29mol% 내지 69mol% 이하의 원자 질소 함량을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1500] [1] 내지 [1499] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 0.02wt% 이상의 질소 함량을 갖는 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1501] [1] 내지 [1500] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 단계는 질소 함량이 3.9wt% 이하인 분위기를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1502] [1] 내지 [1501] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 단계는 질소 함량이 0.2wt% 내지 3.9wt%인 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1503] [1] 내지 [1502] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 단계는 0.1vol% 초과의 암모니아 함량을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1504] [1] 내지 [1503] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 단계는 89vol% 미만의 암모니아 함량을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1505] [1] 내지 [1504] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 0.11vol% 초과 49vol% 미만의 암모니아 함량을 포함하는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1506] [1] 내지 [1505] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 부품 표면의 질소 비율이 0.02wt% 내지 3.9wt%인 방법. [1507] [1] 내지 [1506] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 부품 표면의 질소 비율이 0.2wt% 이상인 방법. [1508] [1] 내지 [1507] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 부품 표면의 질소 비율이 2.9wt% 이하인 방법. [1509] [1] 내지 [1508] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 0.002 bar-1/2 초과의 질화 전위 kn을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1510] [1] 내지 [1509] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 89 bar-1/2 미만인 질화 전위 kn을 갖는 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1511] [1] 내지 [1510] 중 어느 하나에 있어서, 고밀도화 단계가 0.012 bar-1/2 초과 및 89 bar-1/2.1512 미만인 질화 전위 kn을 갖는 대기의 사용을 포함하는 것인 방법. ] [1] 내지 [1511] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 0.0012 bar 이상의 과압의 적용을 포함하는 방법.[1513] [1] 내지 [1512] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 4800 bar 미만의 과압의 적용을 포함하는 방법. [1514] [1] 내지 [1513] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 1.7 bar 이상 740 bar 미만의 과압의 적용을 포함하는 것인 방법. [1515] [1] 내지 [1514] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 220℃ 이상의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [1516] [1] 내지 [1515] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 580℃ 이상의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [1517] [1] 내지 [1516] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 1440℃ 미만의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [1518] [1] 내지 [1517] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 980℃ 미만의 온도를 적용하는 것을 포함하는 방법. [1519] [1] 내지 [1518] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 655℃ 초과 1440℃ 미만인 온도의 적용을 포함하는 방법. [1520] [1] 내지 [1519] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 220℃ 초과 790℃ 미만의 온도의 적용을 포함하는 방법. [1521] [1] 내지 [1520] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1522] [1] 내지 [1521] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하고, 여기서 %O2는 0.002vol% 이상인 방법. [1523] [1] 내지 [1522] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하고, 여기서 %O2는 0.02vol% 이상인 방법. [1524] [1] 내지 [1523] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하고, 여기서 %O2는 89vol% 이하인 방법. [1525] [1] 내지 [1524] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하고, 여기서 %O2는 49vol% 이하인 방법. [1526] [1] 내지 [1525] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 단계는 55℃보다 높은 온도에서 적어도 1시간 동안 분위기를 포함하는 %O2의 사용을 포함하는 것인 방법. [1527] [1] 내지 [1526] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 90시간 미만 동안 890℃ 미만의 온도에서 %O2 포함 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1528] [1] 내지 [1527] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 105℃초과 90시간 미만 동안 105℃보다 높은 온도에서 분위기를 포함하는 %O2를 사용하는 것을 포함하는 방법. [1529] [1] 내지 [1528] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 2개 이상의 상이한 분위기의 적용을 포함하는 방법. [1530] [1] 내지 [1529] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 단계는 3개 이상의 상이한 분위기의 적용을 포함하는 방법. [1531] [1] 내지 [1530] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 단계는 적어도 4개의 상이한 분위기의 적용을 포함하는 방법. [1532] [1] 내지 [1531] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 고정 단계 및/또는 고화 단계에서 사용된 동일한 분위기의 사용을 포함하는 방법. [1533] [1] 내지 [1532] 중 어느 하나에 있어서, 분위기는 치밀화 공정이 수행되는 노 또는 압력 용기의 분위기를 지칭하는 방법. [1534] [1] 내지 [1533] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 충분히 빠른 냉각을 적용하는 것을 포함하는 방법. [1535] [1] 내지 [1534] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계와 충분히 빠른 냉각이 동시에 수행되는 방법. [1536] [1] 내지 [1535] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 및 충분히 빠른 냉각이 동일한 노 또는 압력 용기에서 수행되는 방법. [1537] [1] 내지 [1536] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 단계에서 적용되는 최대 압력은 160 bar 초과 4900 bar 미만인 방법. [1538] [1] 내지 [1537] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 공정에서 적용되는 최대 압력이 320 bar 이상인 방법. [1539] [1] 내지 [1538] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 단계에서 적용되는 최대 압력이 560 bar 이상인 방법. [1540] [1] 내지 [1539] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계에서 적용되는 최대 압력이 2800 bar 미만인 방법. [1541] [1] 내지 [1540] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계에서 적용되는 최대 압력이 2200 bar 미만인 방법. [1542] [1] 내지 [1541] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 단계에서 적용되는 평균 압력은 160 bar 초과 4900 bar 미만인 방법. [1543] [1] 내지 [1542] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정에서 가해지는 평균 압력이 320 bar 이상인 방법. [1544] [1] 내지 [1543] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계에서 적용되는 평균 압력이 560 bar 이상인 방법. [1545] [1] 내지 [1544] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계에서 적용되는 평균 압력이 2800 bar 미만인 방법. [1546] [1] 내지 [1545] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계에서 적용되는 평균 압력이 2200 bar 미만인 방법. [1547] [1] 내지 [1546] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계의 최고 온도가 0.45*Tm 내지 0.92*Tm인 방법. [1548] [1] 내지 [1547] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정의 최고 온도가 0.55*Tm 이상인 방법. [1549] [1] 내지 [1548] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정의 최고 온도가 0.65*Tm 이상인 방법. [1550] [1] 내지 [1549] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 공정의 평균 온도가 0.88*Tm 이하인 방법. [1551] [1] 내지 [1550] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 공정의 평균 온도가 0.78*Tm 이하인 방법. [1552] [1] 내지 [1551] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 공정의 가열은 적어도 부분적으로 마이크로파에 의해 행해지는 방법. [1553] [1] 내지 [1552] 중 어느 하나에 있어서, 상기 치밀화 공정에서의 가열은 마이크로파에 의해 행해지는 것인 방법. [1554] [1] 내지 [1553] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 마이크로파 가열을 포함하는 방법. [1555] [1] 내지 [1554] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 균일한 방식으로 압력을 인가하는 것을 포함하는 방법. [1556] [1] 내지 [1555] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 96% 초과인 방법. [1557] [1] 내지 [1556] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 99.98% 미만인 방법. [1558] [1] 내지 [1557] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 96% 초과 99.98% 미만인 방법. [1559] [1] 내지 [1558] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 99.94% 미만인 방법. [1560] [1] 내지 [1559] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 99.89% 미만인 방법. [1561] [1] 내지 [1560] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 98.2%보다 높은 방법. [1562] [1] 내지 [1561] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 99.2% 초과인 방법. [1563] [1] 내지 [1562] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 전체 밀도인 방법. [1564] [1] 내지 [1563] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 겉보기 밀도가 96% 초과인 방법. [1565] [1] 내지 [1564] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 겉보기 밀도가 전체 밀도인 방법. [1566] [1] 내지 [1565] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 겉보기 밀도 증가율이 6% 초과 69% 미만인 방법. [1567] [1] 내지 [1566] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 겉보기 밀도 증가율이 6% 초과인 방법. [1568] [1] 내지 [1567] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 겉보기 밀도 증가율이 11% 초과인 방법. [1569] [1] 내지 [1568] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 겉보기 밀도 증가율이 16% 초과인 방법. [1570] [1] 내지 [1569] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 겉보기 밀도 증가율이 59% 미만인 방법. [1571] [1] 내지 [1570] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 겉보기 밀도 증가율이 49% 미만인 방법. [1572] [1] 내지 [1571] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 %NMVS가 0.002% 초과 29% 미만인 방법. [1573] [1] 내지 [1572] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 %NMVS가 0.01% 초과인 방법. [1574] [1] 내지 [1573] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 %NMVS가 0.06% 초과인 방법. [1575] [1] 내지 [1574] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 %NMVS가 19% 미만인 방법. [1576] [1] 내지 [1575] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 %NMVS가 9% 미만인 방법. [1577] [1] 내지 [1576] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 %NMVS가 0%인 방법. [1578] [1] 내지 [1577] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 NMVS의 감소율이 0.02% 초과인 방법. [1579] [1] 내지 [1578] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 NMVS의 감소율이 0.22% 초과인 방법. [1580] [1] 내지 [1579] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 NMVS의 감소율이 3.6% 초과인 방법. [1581] [1] 내지 [1580] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 NMVS의 감소율이 8% 초과인 방법. [1582] [1] 내지 [1581] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 %NMVC가 0.002% 초과 9% 미만인 방법. [1583] [1] 내지 [1582] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 %NMVC가 0.006% 초과인 방법. [1584] [1] 내지 [1583] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 %NMVC가 0.01% 초과인 방법. [1585] [1] 내지 [1584] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 %NMVC가 1.9% 미만인 방법. [1586] [1] 내지 [1585] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 %NMVC가 0.8% 미만인 방법. [1587] [1] 내지 [1586] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 %NMVC가 0%인 방법. [1588] [1] 내지 [1587] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 NMVC의 감소율이 0.06% 초과인 방법. [1589] [1] 내지 [1588] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 NMVC의 감소율이 0.12% 초과인 방법. [1590] [1] 내지 [1589] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 NMVC의 감소율이 3.6% 초과인 방법. [1591] [1] 내지 [1590] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 NMVC의 감소율이 8% 초과인 방법. [1592] [1] 내지 [1591] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후에 얻어진 부품에 열처리를 더 포함하는 방법. [1593] [1] 내지 [1592] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 열-기계적 처리를 포함하는 방법. [1594] [1] 내지 [1593] 중 어느 하나에 있어서, 열처리는 적어도 하나의 상 변화를 포함하는 것인 방법. [1595] [1] 내지 [1594] 중 어느 하나에 있어서, 열처리는 적어도 2개의 상 변화를 포함하는 방법. [1596] [1] 내지 [1595] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 적어도 3개의 상 변화를 포함하는 방법. [1597] [1] 내지 [1596] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 오스테나이트화를 포함하는 방법. [1598] [1] 내지 [1597] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 가용화를 포함하는 방법. [1599] [1] 내지 [1598] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 상의 가용화를 포함하는 방법. [1600] [1] 내지 [1599] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 금속간 상의 가용화를 포함하는 방법. [1601] [1] 내지 [1600] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 탄화물의 가용화를 포함하는 방법. [1602] [1] 내지 [1601] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 고온 노출을 포함하는 방법. [1603] [1] 내지 [1602] 중 어느 하나에 있어서, 고온이 0.52*Tm 이상을 의미하는 방법. [1604] [1] 내지 [1603] 중 어느 하나에 있어서, 열처리는 제어된 냉각을 구성요소에 적용하는 것을 포함하는 방법. [1605] [1] 내지 [1604] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 부품을 담금질하는 것을 포함하는 방법. [1606] [1] 내지 [1605] 중 어느 하나에 있어서, 부분 상변태를 포함하는 열처리가 구성요소에 적용되는 방법. [1607] [1] 내지 [1606] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 마르텐사이트 변태를 포함하는 방법. [1608] [1] 내지 [1607] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 베이나이트 변태를 포함하는 방법. [1609] [1] 내지 [1608] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 석출 변태를 포함하는 방법. [1610] [1] 내지 [1609] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 금속간 상의 침전을 포함하는 방법. [1611] [1] 내지 [1610] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 탄화물 석출 변태를 포함하는 방법. [1612] [1] 내지 [1611] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 시효 변태를 포함하는 방법. [1613] [1] 내지 [1612] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 재결정화 변태를 포함하는 방법. [1614] [1] 내지 [1613] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 구상화 변태를 포함하는 방법. [1615] [1] 내지 [1614] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 어닐링 변태를 포함하는 방법. [1616] [1] 내지 [1615] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 템퍼링 변태를 포함하는 방법. [1617] [1] 내지 [1616] 중 어느 하나에 있어서, 열처리가 충분히 빠른 냉각을 적용하는 것을 포함하는 방법. [1618] [1] 내지 [1617] 중 어느 하나에 있어서, 충분히 빠른 냉각이 더 차가운 유체와의 대류에 의해 구현되는 것인 방법. [1619] [1] 내지 [1618] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 기체를 포함하는 방법. [1620] [1] 내지 [1619] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 50vol% 이상의 기체인 방법. [1621] [1] 내지 [1620] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 액체를 포함하는 방법. [1622] [1] 내지 [1621] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 50vol% 초과의 액체인 방법. [1623] [1] 내지 [1622] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 Ar을 포함하는 방법. [1624] [1] 내지 [1623] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 He를 포함하는 방법. [1625] [1] 내지 [1624] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 질소를 포함하는 방법. [1626] [1] 내지 [1625] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 수소를 포함하는 방법. [1627] [1] 내지 [1626] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 용융염을 포함하는 방법. [1628] [1] 내지 [1627] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 물을 포함하는 방법. [1629] [1] 내지 [1628] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 수증기를 포함하는 방법. [1630] [1] 내지 [1629] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 메탄을 포함하는 방법. [1631] [1] 내지 [1630] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 유기 성분을 포함하는 방법. [1632] [1] 내지 [1631] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 고체 입자의 유동층으로 적어도 부분적으로 대체되는 것인 방법. [1633] [1] 내지 [1632] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체는 열처리되는 부품에 의해 달성되는 최대 온도보다 적어도 55℃ 낮은 평균 온도를 갖는 유체인 방법. [1634] [1] 내지 [1633] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체는 열처리되는 부품에 의해 달성되는 최대 온도보다 적어도 155℃ 낮은 평균 온도를 갖는 유체인 방법. [1635] [1] 내지 [1634] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체는 열처리되는 부품에 의해 달성된 최대 온도보다 최대 3555℃ 낮은 평균 온도를 갖는 유체인 방법. [1636] [1] 내지 [1635] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체는 열처리되는 부품에 의해 달성되는 최대 온도보다 최대 2555℃ 낮은 평균 온도를 갖는 유체인 방법. [1637] [1] 내지 [1636] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체를 2.1 bar 이상 98 bar 미만으로 가압하는 방법. [1638] [1] 내지 [1637] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 6.1 bar 이상으로 가압되는 방법. [1639] [1] 내지 [1638] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 48 bar 미만으로 가압되는 방법. [1640] [1] 내지 [1639] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체를 120 bar 이상 22000 bar 미만으로 가압하는 방법. [1641] [1] 내지 [1640] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 520 bar 이상으로 가압되는 방법. [1642] [1] 내지 [1641] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체가 12000 bar 미만으로 가압되는 방법. [1643] [1] 내지 [1642] 중 어느 하나에 있어서, 가압이란 부품의 냉각이 일어나는 챔버 내부의 유체의 최대 압력을 지칭하는 것인 방법. [1644] [1] 내지 [1643] 중 어느 하나에 있어서, 가압이란 부품의 냉각이 일어나는 챔버 내부의 유체의 평균 최대 압력을 지칭하는 것인 방법. [1645] [1] 내지 [1644] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 가장 높은 2분 동안의 평균을 계산하는 방법. [1646] [1] 내지 [1645] 중 어느 하나에 있어서, 압력이 가장 높은 5분 동안의 평균을 계산하는 방법. [1647] [1] 내지 [1646] 중 어느 하나에 있어서, 충분히 빠른 냉각은 1.2 K/min 내지 1020 K/s 이상의 냉각 속도를 포함하는 것인 방법. [1648] [1] 내지 [1647] 중 어느 하나에 있어서, 충분히 빠른 냉각은 1.2K/s 이상의 냉각 속도를 포함하는 방법. [1649] [1] 내지 [1648] 중 어느 하나에 있어서, 충분히 빠른 냉각은 490K/s 이하의 냉각 속도를 포함하는 방법. [1650] [1] 내지 [1649] 중 어느 하나에 있어서, 냉각 속도가 공정 전반에 걸친 최대 냉각 속도를 나타내는 방법. [1651] [1] 내지 [1650] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 냉각 속도는 전체 공정에서 시뮬레이션된 냉각 속도의 최대값인 방법. [1652] [1] 내지 [1651] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 냉각 속도가 냉각 속도의 평균값인 방법. [1653] [1] 내지 [1652] 중 어느 하나에 있어서, 냉각 속도의 평균값은 부품의 최고 온도가 700℃와 400℃ 사이인 구간에서 계산되는 방법. [1654] [1] 내지 [1653] 중 어느 하나에 있어서, 냉각 속도의 평균값은 부품의 최고 온도가 560℃와 500℃ 사이인 구간에서 계산되는 방법. [1655] [1] 내지 [1654] 중 어느 하나에 있어서, 더 차가운 유체-성분 계면에서의 열전달 계수는 열전달 계수의 최대 이론값인 방법. [1656] [1] 내지 [1655] 중 어느 하나에 따른 방법에서, 열 전달 계수의 시뮬레이션은 유한 요소 시뮬레이션(FEM) 및 인공 신경망(ANN)에 의해 수행됨[열 예측에서 수행됨 모델링 및 실험 검증을 사용한 대형 단조 블록의 담금질 중 전달 계수 - Yassine Bouissa et al.]. [1657] [1] 내지 [1656] 중 어느 하나에 있어서, 충분히 빠른 냉각의 적어도 2 사이클이 수행되는 방법. [1658] [1] 내지 [1657] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝을 수행하는 단계를 더 포함하는 방법. [1659] [1] 내지 [1658] 중 어느 하나에 있어서, 열처리 후에 표면 컨디셔닝을 수행하는 단계를 더 포함하는 방법. [1660] [1] 내지 [1659] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝이 부품의 표면의 적어도 일부의 화학적 개질을 포함하는 방법. [1661] [1] 내지 [1660] 중 어느 하나에 있어서, 성분의 표면의 적어도 일부가 화학 조성이 변화하는 방식으로 변경되는 방법. [1662] [1] 내지 [1661] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 구성요소의 조성 변화를 포함하는 방법. [1663] [1] 내지 [1662] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 대기와의 반응에 의해 달성되는 방법. [1664] [1] 내지 [1663] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 침탄에 의해 달성되는 방법. [1665] [1] 내지 [1664] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 질화에 의해 달성되는 방법. [1666] [1] 내지 [1665] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 산화에 의해 달성되는 방법. [1667] [1] 내지 [1666] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화가 붕소화에 의해 달성되는 방법. [1668] [1] 내지 [1667] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화가 술폰화에 의해 달성되는 방법. [1] 내지 [1668] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 %C에 영향을 미치는 방법. [1670] [1] 내지 [1669] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 %N에 영향을 미치는 방법. [1671] [1] 내지 [1670] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 %B에 영향을 미치는 방법. [1672] [1] 내지 [1671] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 %O에 영향을 미치는 방법. [1673] [1] 내지 [1672] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 %S에 영향을 미치는 방법. [1674] [1] 내지 [1673] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화는 %B, %C, %N, %S 및 %O 중 적어도 2개에 영향을 미치는 것인 방법. [1] 내지 [1674] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화는 %B, %C, %N, %S 및 %O 중 적어도 3개에 영향을 미치는 것인 방법. [1676] [1] 내지 [1675] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화는 %C, %N, %B, %O 및/또는 %S 중 적어도 하나에 영향을 미치는 것인 방법. [1677] [1] 내지 [1676] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 원자의 주입에 의해 달성되는 방법. [1678] [1] 내지 [1677] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 이온 충격에 의해 달성되는 방법. [1679] [1] 내지 [1678] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 층의 증착에 의해 달성되는 방법. [1680] [1] 내지 [1679] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 층의 성장에 의해 달성되는 방법. [1681] [1] 내지 [1680] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 화학 기상 증착(CVD)에 의해 달성되는 방법. [1682] [1] 내지 [1681] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 경질 도금에 의한 층의 성장에 의해 달성되는 방법. [1683] [1] 내지 [1682] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화가 경질 크롬 도금에 의해 달성되는 방법. [1684] [1] 내지 [1683] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 전기 도금에 의해 달성되는 방법. [1685] [1] 내지 [1684] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화가 경질 크롬 도금에 의해 달성되는 방법. [1686] [1] 내지 [1685] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 전해 증착에 의해 달성되는 방법. [1687] [1] 내지 [1686] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 물리 기상 증착(PVD)에 의해 달성되는 방법. [1688] [1] 내지 [1687] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 치밀한 코팅에 의해 달성되는 방법. [1689] [1] 내지 [1688] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 고출력 임펄스 마그네트론 스퍼터링(HIPIMS)에 의해 달성되는 방법. [1690] [1] 내지 [1689] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화는 고에너지 아크 플라즈마 가속 증착에 의해 달성되는 것인 방법. [1691] [1] 내지 [1690] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 두꺼운 코팅에 의해 달성되는 방법. [1692] [1] 내지 [1691] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 표면에 대한 입자의 가속을 통한 층의 침착에 의해 달성되는 방법. [1693] [1] 내지 [1692] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 용사에 의해 달성되는 방법. [1694] [1] 내지 [1693] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 콜드 스프레이에 의해 달성되는 방법. [1695] [1] 내지 [1694] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 도료의 화학 반응에 의한 층의 퇴적에 의해 달성되는 방법. [1696] [1] 내지 [1695] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 스프레이의 화학 반응을 통한 층의 증착에 의해 달성되는 방법. [1697] [1] 내지 [1696] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 적용된 페인트 또는 스프레이의 건조에 의해 달성되는 방법. [1698] [1] 내지 [1697] 중 어느 하나에 있어서, 조성의 변화가 졸-겔 반응을 통해 달성되는 방법. [1699] [1] 내지 [1698] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화를 일으키는 표면층이 세라믹 성질을 갖는 것인 방법. [1700] [1] 내지 [1699] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화를 일으키는 표층은 세라믹 재료를 포함하는 방법. [1701] [1] 내지 [1700] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화를 일으키는 표면층이 산화물을 포함하는 방법. [1702] [1] 내지 [1701] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화를 일으키는 표층은 탄화물을 포함하는 방법. [1703] [1] 내지 [1702] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화를 일으키는 표층은 질화물을 포함하는 방법. [1704] [1] 내지 [1703] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화를 일으키는 표층은 붕소화물을 포함하는 방법. [1705] [1] 내지 [1704] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화를 일으키는 표면층이 금속간 성질을 갖는 것인 방법. [1706] [1] 내지 [1705] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화를 일으키는 표면층이 금속간 물질을 포함하는 방법. [1707] [1] 내지 [1706] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화를 일으키는 표층은 하지 재료 중 어느 것보다 높은 %Ti를 포함하는 방법. [1708] [1] 내지 [1707] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화를 일으키는 표층은 하지 재료 중 어느 것보다 높은 %Cr을 포함하는 것인 방법. [1709] [1] 내지 [1708] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화를 일으키는 표층은 하지 재료 중 어느 것보다 높은 %Al을 포함하는 것인 방법. [1710] [1] 내지 [1709] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화를 일으키는 표층은 하지 재료 중 어느 것보다 높은 %Si를 포함하는 방법. [1711] [1] 내지 [1710] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화를 일으키는 표층은 하지 재료 중 어느 것보다 높은 %Ba를 포함하는 것인 방법. [1712] [1] 내지 [1711] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화를 일으키는 표층은 하지 재료 중 어느 것보다 높은 %Sr을 포함하는 방법. [1713] [1] 내지 [1712] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화를 일으키는 표층은 하지 재료 중 어느 것보다 높은 %Ni를 포함하는 것인 방법. [1714] [1] 내지 [1713] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화를 일으키는 표층은 하지 재료 중 어느 것보다 높은 %V를 포함하는 방법. [1715] [1] 내지 [1714] 중 어느 하나에 있어서, 하지 재료를 언급할 때, 그것은 층과 직접 접촉하는 임의의 재료로 제한되는 것인 방법. [1716] [1] 내지 [1715] 중 어느 하나에 있어서, 기초 재료가 제조된 부품에 포함된 모든 재료인 방법. [1717] [1] 내지 [1716] 중 어느 하나에 있어서, 조성 변화를 일으키는 표층은 코팅인 방법. [1718] [1] 내지 [1717] 중 어느 하나에 있어서, 알루미늄, 지르코늄, 란탄, 칼슘 및 기타 백색 산화물과 같은 산화물 코팅이 사용되는 방법. [1719] [1] 내지 [1718] 중 어느 하나에 있어서, 예를 들어 티타늄과 같은 어두운 산화물이 사용되는 방법. [1720] [1] 내지 [1719] 중 어느 하나에 있어서, 산소 및 %Cr, %Al, %Si, %Ti, %Y, %La, % 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 코팅인 방법. Ca, %Zr, %Hf, %Ba, %Sr이 사용됩니다. [1721] [1] 내지 [1720] 중 어느 하나에 있어서, 산소 및 %Cr, %Al, %Si, %Ti, %Y, %La, % Ca, %Zr, %Hf, %Ba, %Sr이 사용됩니다. [1722] [1] 내지 [1721] 중 어느 하나에 있어서, 질화물 코팅이 사용되는 방법. [1723] [1] 내지 [1722] 중 어느 하나에 있어서, 붕소화물 코팅이 사용되는 방법. [1724] [1] 내지 [1723] 중 어느 하나에 있어서, 질소 및 %Cr, %Al, %Si, %Ti, %V 원소 중 적어도 하나를 포함하는 코팅이 사용되는 방법. [1725] [1] 내지 [1724] 중 어느 하나에 있어서, 질소 및 %Cr, %Al, %Si, %Ti, %V 원소 중 2개 이상을 포함하는 코팅이 사용되는 방법. [1726] [1] 내지 [1725] 중 어느 하나에 있어서, 탄소 및 %Cr, %Al, %Si, %Ti, %V 원소 중 적어도 하나를 포함하는 코팅이 사용되는 방법. [1727] [1] 내지 [1726] 중 어느 하나에 있어서, 탄소 및 %Cr, %Al, %Si, %Ti, %V 원소 중 2종 이상을 포함하는 코팅이 사용되는 방법. [1728] [1] 내지 [1727] 중 어느 하나에 있어서, 붕소 및 %Cr, %Al, %Si, %Ti, %V 원소 중 적어도 하나를 포함하는 코팅이 사용되는 방법. [1729] [1] 내지 [1728] 중 어느 하나에 있어서, 붕소 및 %Cr, %Al, %Si, %Ti, %V 원소 중 2종 이상을 포함하는 코팅이 사용되는 방법. [1730] [1] 내지 [1729] 중 어느 하나에 있어서, 코팅이 바륨 또는 스트론튬 티타네이트와 같은 티타네이트를 기재로 하는 방법. [1731] [1] 내지 [1730] 중 어느 하나에 있어서, 작업 표면의 적어도 일부가 티탄산바륨으로 코팅되는 방법. [1732] [1] 내지 [1731] 중 어느 하나에 있어서, 작업 표면의 적어도 일부가 스트론튬 티타네이트로 코팅되는 방법. [1733] [1] 내지 [1732] 중 어느 하나에 있어서, 작업 표면의 적어도 일부가 바륨-스트론튬 티타네이트로 코팅되는 방법. [1734] [1] 내지 [1733] 중 어느 하나에 있어서, 형태학적으로 유사한 코팅이 사용되는 방법. [1735] [1] 내지 [1734] 중 어느 하나에 있어서, 기능적으로 유사한 코팅 재료가 사용되는 방법. [1736] [1] 내지 [1735] 중 어느 하나에 있어서, 방법이 부품에 기계가공 단계를 적용하는 단계를 더 포함하는 방법. [1737] [1] 내지 [1736] 중 어느 하나에 있어서, 기능적으로 유사한 재료가 코팅의 탄성 계수, 파괴 인성 및/또는 습윤성 각도 중 2가지 이상의 특성을 갖는 재료인 방법. [1738] [1] 내지 [1737] 중 어느 하나에 있어서, 공구 재료는 150℃로 유지되고 주조된 합금은 용융 온도보다 50℃ 높게 유지되며, 코팅 상의 주조 합금의 접촉각 히스테리시스는 선택된 코팅에 적용됩니다. 공구 재료는 150℃로 유지되고 주조된 합금은 용융 온도 및 전기 저항보다 50℃ 높게 유지됩니다. [1739] [1] 내지 [1738] 중 어느 하나에 있어서, 공구 재료가 티탄산바륨에 대해 얻어진 값의 ±45% 범위 내로 유지되는 방법. [1740] [1] 내지 [1739] 중 어느 하나에 있어서, 공구 재료 특성이 티탄산바륨 대신에 티탄산 스트론튬과 유사하게 유지되는 방법. [1741] [1] 내지 [1740] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 제조된 부품의 표면의 적어도 일부의 물리적 변형을 포함하는 방법. [1742] [1] 내지 [1741] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 표면 거칠기의 변화를 포함하는 방법. [1743] [1] 내지 [1742] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 표면 거칠기를 의도된 수준으로 변경하는 것을 포함하는 방법. [1744] [1] 내지 [1743] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 표면에 대한 기계적 작업을 포함하는 방법. [1745] [1] 내지 [1744] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 연마 작업을 포함하는 방법. [1746] [1] 내지 [1745] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 랩핑 작업을 포함하는 방법. [1747] [1] 내지 [1746] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 전해 연마 작업을 포함하는 방법. [1748] [1] 내지 [1747] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 또한 표면에 잔류 응력을 남기는 표면 상의 기계적 작업을 포함하는 방법. [1749] [1] 내지 [1748] 중 어느 하나에 있어서, 잔류 응력의 적어도 일부가 압축성인 방법. [1750] [1] 내지 [1749] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 샷-페닝(shot-penning) 작업을 포함하는 방법. [1] 내지 [1749] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 볼을 포함하는 방법. 폭파 작업. [1751] [1] 내지 [1750] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 표면에 대한 텍스처링 작업을 포함하는 방법. [1752] [1] 내지 [1751] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 표면에 대한 맞춤형 텍스처링 작업을 포함하는 방법. [1753] [1] 내지 [1752] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 표면의 상이한 영역에 적어도 2개의 상이한 텍스처링 패턴을 제공하는 표면 상의 텍스처링 작업을 포함하는 방법. [1754] [1] 내지 [1753] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 에칭 작업을 포함하는 방법. [1755] [1] 내지 [1754] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 화학적 에칭 작업을 포함하는 방법. [1756] [1] 내지 [1755] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 빔 에칭 작업을 포함하는 방법. [1757] [1] 내지 [1756] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 전자빔 에칭 작업을 포함하는 방법. [1758] [1] 내지 [1757] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 레이저 빔 에칭 작업을 포함하는 방법. [1759] [1] 내지 [1758] 중 어느 하나에 있어서, 텍스처링은 레이저 조각을 통해 행해지는 것인 방법. [1760] [1] 내지 [1759] 중 어느 하나에 있어서, 텍스처링은 전자빔 조각을 통해 행해지는 것인 방법. [1761] [1] 내지 [1760] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 부품의 표면의 적어도 일부의 물리적 및 화학적 변형 모두를 포함하는 것인 방법. [1762] [1] 내지 [1761] 중 어느 하나에 있어서, 표면 컨디셔닝은 코팅 및 그 상의 텍스처링 작업을 포함하는 방법. [1763] [1] 내지 [1762] 중 어느 하나에 있어서, 텍스처링이 화학적으로 개질된 표면에 수행되는 방법. [1764] [1] 내지 [1763] 중 어느 하나에 있어서, 텍스쳐링이 적용된 코팅 상에 수행되는 방법. [1765] [1] 내지 [1764] 중 어느 하나에 있어서, 조각이 적용된 코팅 상에 수행되는 방법. [1766] [1] 내지 [1765] 중 어느 하나에 있어서, 에칭이 도포된 코팅 상에 수행되는 방법. [1767] [1] 내지 [1766] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 필수인 방법. [1768] [1] 내지 [1767] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정이 생략되는 방법. [1769] [1] 내지 [1768] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계가 선택적인 방법. [1770] 열처리가 필수인 [1] 내지 [1769] 중 어느 하나에 기재된 방법. [1771] [1] 내지 [1770] 중 어느 하나에 있어서, 기계가공이 필수인 방법. [1772] [1] 내지 [1771] 중 어느 하나에 있어서, 성형 단계 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 51%보다 높고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81%보다 높고 치밀화 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96%보다 높다. [1773] [1] 내지 [1772] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 51% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 99.8% 미만이고, 고밀도화 단계 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96% 초과 96% 미만입니다. 99.98%. [1774] [1] 내지 [1773] 중 어느 하나에 있어서, 성형 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 51% 초과 99.8% 미만이고; 여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 81% 초과 99.8% 미만이고 고밀도화 단계 후 구성 요소의 금속 부분의 겉보기 밀도는 96% 초과입니다. [1775] [1] 내지 [1774] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소가 상이한 조성을 갖는 적어도 2개의 재료를 포함하는 방법. [1776] [1] 내지 [1775] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소는 상이한 조성을 갖는 3종 이상의 재료를 포함하는 방법. [1777] [1] 내지 [1776] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도가 전체 밀도인 방법. [1778] [1] 내지 [1777] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 금속 부분의 %NMVS가 0%인 방법. [1779] [1] 내지 [1778] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 금속 부분의 %NMVC가 0%인 방법. [1780] [1] 내지 [1779] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 %Yeq(1) 함량이 0.03wt% 초과 8.9wt% 미만인 방법. [1781] [1] 내지 [1780] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 %Yeq(1) 함량이 0.03wt% 초과인 방법. [1782] [1] 내지 [1781] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 %Yeq(1) 함량이 4.9wt% 미만인 방법. [1783] [1] 내지 [1782] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 %Yeq(1) 함량은 성분에 포함된 재료 중 적어도 하나의 %Yeq(1) 함량을 지칭하는 방법. [1784] [1] 내지 [1783] 중 어느 하나에 있어서, %YEQ(1) = %Y+1.55*(%Sc+%Ti)+0.68*%REE인 방법. [1785] [1] 내지 [1784] 중 어느 하나에 있어서, %YEQ(1)=%Y+1.55*%Sc+0.68*%REE인 방법. [1786] [1] 내지 [1785] 중 어느 하나에 있어서, 성분이 질소 오스테나이트 강의 조성을 갖는 방법. [1787] [1] 내지 [1786] 중 어느 하나에 있어서, 질소 오스테나이트계 강이 하기 조성을 갖는 강이고, 모든 백분율은 wt%:Mo: 0 - 6.8; %W: 0 - 6.9; %Moeq: 0 - 6.8; %Ceq: 0.16 - 1.8; %C: 0 - 1.29; %N: 0.11 - 2.09; %B: 0 - 0.14; %Si: 0 - 1.5 ; %Mn: 0 - 24 ; %Ni: 0 - 18.9; %Cr: 12.1 - 38; %Ti: 0 - 2.4; %Al: 0 - 14; %V: 0 - 4; %Nb: 0 - 4; %Zr: 0 - 3; %Hf: 0 - 3; %Ta: 0 - 3; %S: 0 - 0.098; %P: 0 - 0.098; %Pb: 0 - 0.9; %Cu: 0 - 3.9; %Bi: 0 - 0.08; %Se: 0 - 0.08; %Co: 0 - 14; %REE: 0 - 4; %Y: 0 - 1.86; %Sc: 0 - 0.96; %Cs: 0 - 1.4; %O: 0.00012 -0.899; %Y+%Sc+%REE: 0.0022 - 3.9%; 나머지는 철 및 미량원소로 구성되며 2.0 미만의 모든 미량원소의 합입니다; 여기서 %Ceq=%C+0.86*%N+1.2*%B 및 %Moeq=%Mo+1/2*%W. [1788] [1] 내지 [1787] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb의 함량이 0.12wt% 내지 34wt%인 방법. [1789] [1] 내지 [1788] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 %V+%Al+%Cr+%Mo+%Ta+%W+%Nb의 함유량이 %V+%Al+%Cr+%의 함유량을 나타내는 것인 방법. 구성 요소에 포함된 재료 중 적어도 하나에서 Mo+%Ta+%W+%Nb. [1790] [1] 내지 [1789] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 산소 함유량이 0.02ppm 초과 390ppm 미만인 방법. [1791] [1] 내지 [1790] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 산소 함량이 0.2ppm 초과인 방법. [1792] [1] 내지 [1791] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 산소 함량이 140ppm 미만인 방법. [1793] [1] 내지 [1792] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 질소 함량이 0.01ppm 초과 99ppm 미만인 방법. [1794] [1] 내지 [1793] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 질소 함량이 0.06ppm 초과인 방법. [1795] [1] 내지 [1794] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 질소 함량이 49ppm 미만인 방법. [1796] [1] 내지 [1795] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 산소 함량이 0.02ppm 초과 390ppm 미만이고, 성분의 질소 수준이 0.01ppm 내지 99ppm인 방법. [1] 내지 [1796] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 산소 함유량이 260ppm 초과 19000ppm 미만인 방법. [1798] [1] 내지 [1797] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 산소 함량이 520ppm 초과인 방법. [1799] [1] 내지 [1798] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 산소 함량이 14000ppm 미만인 방법. [1800] [1] 내지 [1799] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 질소 함량이 0.02wt% 내지 3.9wt%인 방법. [1801] [1] 내지 [1800] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 질소 함량이 2.9중량% 이하인 방법. [1802] [1] 내지 [1801] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 질소 함량이 0.2wt% 이상인 방법. [1803] [1] 내지 [1802] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 산소 함량이 260ppm 초과 19000ppm 미만이고 성분의 질소 수준이 0.02wt% 내지 3.9wt%인 방법. . [1804] [1] 내지 [1803] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 산소 함량은 구성요소에 포함된 재료 중 적어도 하나의 산소 함량을 지칭하는 방법. [1805] [1] 내지 [1804] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 질소 함량은 성분에 포함된 재료 중 적어도 하나의 질소 함량을 지칭하는 방법. [1806] [1] 내지 [1805] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 %Yeq(1) 함량이 0.03wt% 초과 8.9wt% 미만인 방법. [1807] [1] 내지 [1806] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 %Yeq(1) 함량이 0.06wt% 초과인 방법. [1808] [1] 내지 [1807] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 %Yeq(1) 함량이 1.2wt% 초과인 방법. [1809] [1] 내지 [1808] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 %Yeq(1) 함량이 4.9wt% 미만인 방법. [1810] [1] 내지 [1809] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 %Yeq(1) 함량은 성분에 포함된 재료 중 적어도 하나의 %Yeq(1) 함량을 지칭하는 방법. [1811] [1] 내지 [1810] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 %O가 하기 화학식을 따르는 것인 방법 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE). [1] 내지 [1811] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 %O가 하기 화학식을 따르는 것인 방법 %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 0.67*%REE). [1] 내지 [1812] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 %O가 하기 화학식을 따르는 것인 방법 KYI*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE) ＜ %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 2.47*%Ti + 0.67*%REE). [1814] [1] 내지 [1813] 중 어느 하나에 있어서, 성분 내의 %O가 하기 식 KYI*(%Y+1.98*%Sc+0.67*%REE) ＜ %O ≤ KYS*(%Y+1.98*%Sc+ 0.67*%REE). [1815] [1] 내지 [1814] 중 어느 하나에 있어서, 성분 중의 %O는 성분에 포함된 재료 중 적어도 하나의 산소 함량을 나타내는 것인 방법. [1816] KYS가 2100인, [1] 내지 [1815] 중 어느 하나에 기재된 방법. [1817] KYS가 2350인, [1] 내지 [1816] 중 어느 하나에 기재된 방법. [1818] 에 기재된 방법. [1] 내지 [1817] 중 어느 하나에 있어서, KYI는 3800이다. [1819] KYI는 2900인, [1] 내지 [1818] 중 어느 하나에 기재된 방법. [1820] [1] 중 어느 하나에 기재된 방법. ~ [1819], 여기서 구성 요소는 통합 단계 후에 얻은 구성 요소입니다. [1821] [1] 내지 [1820] 중 어느 하나에 있어서, 성분이 치밀화 공정 후에 얻어지는 성분인 방법. [1822] [1] 내지 [1821] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품을 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직육면체의 체적의 2% 초과 89% 미만인 방법. [1823] [1] 내지 [1822] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품을 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직육면체의 체적의 89% 미만인 방법. [1824] [1] 내지 [1823] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품을 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직육면체의 체적의 74% 미만인 방법. [1825] [1] 내지 [1824] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품을 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직육면체의 체적의 68% 미만인 방법. [1826] [1] 내지 [1825] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품을 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직육면체의 체적의 49% 미만인 방법. [1827] [1] 내지 [1826] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품을 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직육면체의 체적의 29% 미만인 방법. [1828] [1] 내지 [1827] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품을 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직육면체의 체적의 19% 미만인 방법. [1829] [1] 내지 [1828] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품을 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직육면체의 체적의 2% 이상인 방법. [1830] [1] 내지 [1829] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품을 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직육면체의 체적의 6% 이상인 방법. [1831] [1] 내지 [1830] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품을 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직육면체의 체적의 12% 이상인 방법. [1832] [1] 내지 [1831] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품을 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직육면체의 체적의 22% 이상인 방법. [1833] [1] 내지 [1832] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품을 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직육면체의 체적의 44% 이상인 방법. [1834] [1] 내지 [1833] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품을 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직육면체의 체적의 49% 이상인 방법. [1835] [1] 내지 [1834] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품을 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직육면체의 체적의 55% 초과인 방법. [1836] [1] 내지 [1835] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 체적은 부품의 작업면으로 성형된 직육면체의 체적의 2% 초과 89% 미만인 방법. [1837] [1] 내지 [1836] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품의 작업면으로 성형된 직육면체의 체적의 89% 미만인 방법. [1838] [1] 내지 [1837] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품의 작업면으로 성형된 직육면체의 체적의 74% 미만인 방법. [1839] [1] 내지 [1838] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품의 작업면으로 성형된 직육면체의 체적의 68% 미만인 방법. [1840] [1] 내지 [1839] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품의 작업면으로 성형된 직육면체의 체적의 49% 미만인 방법.[1841] [1] 내지 [1840] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품의 작업면으로 성형된 직육면체의 체적의 29% 미만인 방법. [1842] [1] 내지 [1841] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품의 작업면으로 성형된 직육면체의 체적의 19% 미만인 방법. [1843] [1] 내지 [1842] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품의 작업면으로 성형된 직육면체의 체적의 2% 초과인 방법. [1844] [1] 내지 [1843] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품의 작업면으로 성형된 직육면체의 체적의 6% 초과인 방법. [1845] [1] 내지 [1844] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품의 작업면으로 성형된 직육면체의 체적의 12% 초과인 방법. [1846] [1] 내지 [1845] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품의 작업 표면으로 성형된 직육면체의 체적의 22% 초과인 방법. [1847] [1] 내지 [1846] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 상기 부품의 작업면으로 성형된 직육면체의 체적의 44% 초과인 방법. [1848] [1] 내지 [1847] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 체적은 부품의 작업 표면으로 성형된 직육면체의 체적의 49% 초과인 방법. [1849] [1] 내지 [1848] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 체적은 부품의 작업 표면으로 성형된 직육면체의 체적의 55% 초과인 방법. [1850] [1] 내지 [1849] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 작업 표면을 갖는 직육면체는 부품을 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체로 정의되고, 여기서 직사각형의 면은 구성 요소의 작업 표면과 접촉하는 직육면체는 구성 요소의 작업 표면의 기하학적 모양과 일치하고 가능한 최소 면적을 갖는 기하학적 모양의 면으로 대체됩니다. [1851] [1] 내지 [1850] 중 어느 하나에 있어서, 작업 표면이 활성 표면인 방법. [1852] [1] 내지 [1851] 중 어느 하나에 있어서, 작업 표면이 관련 활성 표면인 방법. [1853] [1] 내지 [1852] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적은 0.2 mm2초과 2900000 mm2 미만인 방법. [1854] [1] 내지 [1853] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적이 0.2 mm2초과인 방법. [1855] [1] 내지 [1854] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 단면적은 2 mm2초과인 방법. [1856] [1] 내지 [1855] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 단면적은 20 mm2초과인 방법. [1857] [1] 내지 [1856] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적은 200mm2초과인 방법. [1858] [1] 내지 [1857] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적이 2000mm2초과인 방법. [1859] [1] 내지 [1858] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 단면적이 2900000 mm2미만인 방법. [1860] [1] 내지 [1859] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 단면적이 900000 mm2 미만인 방법. [1861] [1] 내지 [1860] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 단면적이 400000 mm2미만인 방법. [1862] [1] 내지 [1861] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적이 90000mm2미만인 방법. [1863] [1] 내지 [1862] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 단면적이 40000 mm2미만인 방법. [1864] [1] 내지 [1863] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적이 29000mm2미만인 방법. [1865] [1] 내지 [1864] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적이 9000mm2미만인 방법. [1866] [1] 내지 [1865] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적이 4900mm2미만인 방법. [1867] [1] 내지 [1866] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적이 2400mm2미만인 방법. [1868] [1] 내지 [1867] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적이 900mm2미만인 방법. [1869] [1] 내지 [1868] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 단면적이 400 mm2미만인 방법. [1870] [1] 내지 [1869] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 단면적이 190 mm2 미만인 방법. [1871] [1] 내지 [1870] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 단면적이 90mm2미만인 방법. [1872] [1] 내지 [1871] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 단면적이 40mm2미만인 방법. [1873] [1] 내지 [1872] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 단면적이 부품을 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적이 0.79배 이하인 방법. [1874] [1] 내지 [1873] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적은, 요소. [1875] [1] 내지 [1874] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적은 요소. [1876] [1] 내지 [1875] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적은 요소. [1877] [1] 내지 [1876] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적은 요소. [1878] [1] 내지 [1877] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적은 요소. [1879] [1] 내지 [1878] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 단면적은 요소. [1880] [1] 내지 [1879] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적은 요소. [1881] [1] 내지 [1880] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적은 요소. [1882] [1] 내지 [1881] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적은 요소. [1883] [1] 내지 [1882] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적은 요소. [1884] [1] 내지 [1883] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 단면적이 0.0009배 이하이고, 요소. [1885] [1] 내지 [1884] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 유효 단면적이 0.0002배 이하이고, 요소. [1886] [1] 내지 [1885] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 유효 단면적이 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 49% 미만인 방법. [1887] [1] 내지 [1886] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 유효 단면적이 구성 요소. [1888] [1] 내지 [1887] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 유효 단면적이 구성 요소. [1889] [1] 내지 [1888] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 유효 단면적이 구성 요소. [1890] [1] 내지 [1889] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 유효 단면적이 구성 요소. [1891] [1] 내지 [1890] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 유효 단면적이 구성 요소. [1892] [1] 내지 [1891] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 유효 단면적이 구성 요소. [1893] [1] 내지 [1892] 중 어느 하나에 있어서, 유효 단면적은 부품의 최대 단면적인 방법. [1894] [1] 내지 [1893] 중 어느 하나에 있어서, 유효 단면적이 부품의 평균 단면인 방법. [1895] [1] 내지 [1894] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 유효 단면적이 가장 큰 단면의 20% 및 가장 작은 단면의 20%가 단면은 평균 단면을 계산하는 것으로 간주되지 않습니다. [1896] [1] 내지 [1895] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적은 최대 단면적의 10%를 제외한 후 얻어진 최대 단면적인 방법. [1897] [1] 내지 [1896] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적은 최대 단면적의 15%를 제외한 후 얻어진 최대 단면적인 방법. [1898] [1] 내지 [1897] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적은 최대 단면적의 20%를 제외한 후 얻어진 최대 단면적인 방법. [1899] [1] 내지 [1898] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적은 최대 단면적의 30%를 제외한 후 얻어진 최대 단면적인 방법. [1900] [1] 내지 [1899] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적은 최대 단면적의 40%를 제외한 후 얻어진 최대 단면적인 방법. [1901] [1] 내지 [1900] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 단면적은 최대 단면적의 50%를 제외하고 얻어진 최대 단면적인 방법. [1902] [1] 내지 [1901] 중 어느 하나에 있어서, 단면의 적어도 20%가 범위 내에 있을 때 단면이 유의한 것인 방법. [1903] [1] 내지 [1902] 중 어느 하나에 있어서, 단면의 적어도 30%가 범위 내에 있을 때 단면이 유의한 것인 방법. [1904] [1] 내지 [1903] 중 어느 하나에 있어서, 성분의 단면은 0.01 mm의 모서리 길이를 갖는 각 입방 복셀로부터 계산된 성분의 각각의 최소 단면이고, 이는 각 입방 복셀과 관련된 구성 요소의 최소 단면적이 입방 복셀의 기하학적 중심을 구성하는 구성 요소의 최소 단면이고 직육면체의 균질한 밀도를 고려하여 무게중심과 일치하고, 입방복셀의 면과 직육면체의 면이 평행한 기하학적 중심. [1905] [1] 내지 [1904] 중 어느 하나에 있어서, 성분의 단면이 0.04 mm의 모서리 길이를 갖는 각 입방 복셀로부터 계산된 성분의 각각의 최소 단면이고, 이는 각 입방 복셀과 관련된 구성 요소의 최소 단면적이 입방 복셀의 기하학적 중심을 구성하는 구성 요소의 최소 단면이고 균질한 밀도를 고려하여 직사각형 직육면체의 기하학적 중심과 일치하고, 입방체 복셀의 면과 직사각형 직육면체의 면이 평행한 기하학적 중심. [1906] [1] 내지 [1905] 중 어느 하나에 있어서, 상기 성분의 단면은 상기 성분에 전체적으로 포함되는 각 직사각형 3차 복셀로부터 계산된 상기 성분의 각각의 최소 단면적, 여기서 구성 요소에 포함된 직사각형 직육면체 복셀의 수는 Vrc=V/n3에서 계산되며 Vrc는 m3 단위의 직사각형 입방 복셀의 부피이고 V는 m3 단위의 직사각형 직육면체의 부피이고 n3은 직사각형 직육면체 복셀의 수입니다. 직사각형 입방체에 포함된 n은 11보다 크고 990000보다 작은 자연수입니다. 단, 각 직사각형 입방 복셀과 관련된 구성 요소의 최소 단면적은 다음을 구성하는 구성 요소의 최소 단면적입니다. 직사각형 직육면체 복셀의 기하학적 중심. [1907] [1] 내지 [1906] 중 어느 하나에 있어서, 상기 성분의 단면은 상기 성분에 전체적으로 포함되는 각 직사각형 3차 복셀로부터 계산된 성분의 최소 단면 각각이고, 상기 수는 구성요소에 포함된 직사각형 직육면체 복셀의 수는 Vrc=V/n3에서 계산되며 Vrc는 m3 단위의 직사각형 입방체 복셀의 부피이고 V는 m3 단위의 직사각형 직육면체의 부피이고 n3은 포함된 직사각형 직육면체 복셀의 수입니다. 직사각형 입방체에서 n은 11보다 크고 94000보다 작은 자연수입니다. 단, 각 직사각형 입방 복셀과 관련된 구성요소의 최소 단면적은 의 기하학적 중심을 구성하는 구성요소의 최소 단면적입니다. 직사각형 입방체 복셀. [1908] [1] 내지 [1907] 중 어느 하나에 있어서, 상기 성분의 단면은 상기 성분에 전체적으로 포함되는 각 직사각형 3차 복셀로부터 계산된 상기 성분의 각각의 최소 단면인, 여기서 구성 요소에 포함된 직사각형 직육면체 복셀의 수는 Vrc=V/n3에서 계산되며 Vrc는 m3 단위의 직사각형 입방 복셀의 부피이고 V는 m3 단위의 직사각형 직육면체의 부피이고 n3은 직사각형 직육면체 복셀의 수입니다. n=41000인 직사각형 입방체에 포함된 값은 각 직사각형 입방체 복셀과 관련된 구성요소의 최소 단면적이 직사각형 입방체 복셀의 기하학적 중심을 구성하는 구성요소의 최소 단면적입니다. [1909] [1] 내지 [1908] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 평균 단면적이 0.2 mm2초과 0.79배 이하인 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적인 방법. 구성 요소를 포함합니다. [1910] [1] 내지 [1909] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 평균 단면적은 0.2 mm2 초과 0.69배 이하인 직사각형 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적이 최소 구성 요소를 포함하는 가능한 볼륨입니다. [1911] [1] 내지 [1910] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 평균 단면적이 0.2 mm2 초과 및 구성 요소를 포함하는 가능한 최소 볼륨입니다. [1912] [1] 내지 [1911] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 평균 단면적이 0.2 mm2초과 및 구성 요소를 포함하는 가능한 최소 볼륨입니다. [1913] [1] 내지 [1912] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 최대 단면적이 0.2mm2 초과 및 구성 요소를 포함하고 구성 요소의 최대 단면적의 40%를 제외하고 얻은 최대 단면적이며,구성 요소의 단면적은 각각 계산된 구성 요소의 최소 단면적입니다. 각 입방 복셀과 관련된 구성 요소의 최소 단면적이 구성 요소의 기하학적 중심을 구성하는 구성 요소의 최소 단면인 경우 구성 요소에 완전히 포함된 0.04mm의 모서리 길이를 가진 각 입방 복셀에서 3차 복셀 및 직사각형 직육면체의 기하학적 중심과 일치하는 무게 중심을 갖는 1개 이상의 3차 복셀이 있고, 3차 복셀의 면과 직사각형의 면이 ar 직육면체는 평행합니다. [1914] [1] 내지 [1913] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 최대 단면적이 2mm2초과이고, 구성요소를 포함하고 구성요소의 최대 단면적의 50%를 제외하고 얻은 최대 단면적이며, 구성요소의 단면적은 각각 계산된 구성요소의 최소 단면적입니다. 각 입방 복셀과 관련된 구성 요소의 최소 단면적이 구성 요소의 기하학적 중심을 구성하는 구성 요소의 최소 단면인 경우 구성 요소에 완전히 포함된 0.04mm의 모서리 길이를 가진 각 입방 복셀에서 입방 복셀 및 직사각형 입방체의 기하학적 중심과 일치하는 무게 중심을 갖는 적어도 하나의 입방 복셀이 있고, 입방체 복셀의 면과 직사각형의 면 직육면체는 평행합니다. [1915] [1] 내지 [1914] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 두께가 0.12mm 초과 1900mm 미만인 방법. [1916] [1] 내지 [1915] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 두께가 0.12 mm 초과 580 mm 미만인 방법. [1917] [1] 내지 [1916] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 두께가 0.12 mm 초과인 방법. [1918] [1] 내지 [1917] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 두께가 1.2 mm 초과인 방법. [1919] [1] 내지 [1918] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 두께가 12 mm 초과인 방법. [1920] [1] 내지 [1919] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 유효 두께가 22 mm 초과인 방법. [1921] [1] 내지 [1920] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 유효 두께가 112 mm 초과인 방법. [1922] [1] 내지 [1921] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 두께가 1900 mm 미만인 방법. [1923] [1] 내지 [1922] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 두께가 900 mm 미만인 방법. [1924] [1] 내지 [1923] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 두께가 580 mm 미만인 방법. [1925] [1] 내지 [1924] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 두께가 380 mm 미만인 방법. [1926] [1] 내지 [1925] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 두께가 180 mm 미만인 방법. [1927] [1] 내지 [1926] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 두께가 80 mm 미만인 방법. [1928] [1] 내지 [1927] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 두께가 40 mm 미만인 방법. [1929] [1] 내지 [1928] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 두께가 19 mm 미만인 방법. [1930] [1] 내지 [1929] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 두께가 9 mm 미만인 방법. [1931] [1] 내지 [1930] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 유효 두께가 0.9 mm 미만인 방법. [1932] [1] 내지 [1931] 중 어느 하나에 있어서, 상기 유효 두께는 상기 구성요소의 최소 단면적의 제곱근이고, 각각의 최소 단면적은 상기 구성요소의 단면적이다. 각 입방 복셀과 관련된 구성 요소의 최소 단면적이 3차 복셀의 기하학적 중심 및 직사각형 직육면체의 기하학적 중심과 일치하는 무게 중심을 갖는 하나 이상의 3차 복셀이 있고 3차 복셀의 면과 직사각형 직육면체의 면이 평행하다는 것. [1933] [1] 내지 [1932] 중 어느 하나에 있어서, 상기 유효 두께는 상기 부품의 최소 단면적의 제곱근이고, 각각의 최소 단면적은 상기 부품의 단면적이다. 각 입방 복셀과 관련된 구성 요소의 최소 단면적이 3차 복셀의 기하학적 중심 및 직사각형 직육면체의 기하학적 중심과 일치하는 무게 중심을 갖는 하나 이상의 3차 복셀이 있고 3차 복셀의 면과 직사각형 직육면체의 면이 평행하다는 것. [1934] [1] 내지 [1933] 중 어느 하나에 있어서, 상기 유효 두께는 상기 부품의 최소 단면적 각각의 상기 부품의 단면인 상기 부품의 최소 단면적의 제곱근인, 방법 구성요소에 포함된 각 직사각형 입방 복셀로부터 계산되며, 여기서 구성요소에 포함된 직사각형 입방 복셀의 수는 Vrc=V/n3에서 계산되며, Vrc는 m3 단위의 직사각형 입방 복셀의 부피이고, V는 다음의 부피입니다. m3 및 n3의 직사각형 직육면체는 직사각형 직육면체에 포함된 직사각형 직육면체 복셀의 수이며 n=41000입니다. 단, 각 직사각형 입방체 복셀과 관련된 구성요소의 최소 단면적은 다음의 최소 단면적입니다. 직사각형 직육면체 복셀의 기하학적 중심을 구성하는 구성요소. [1935] [1] 내지 [1934] 중 어느 하나에 있어서, 유효 두께가 부품의 최소 단면적의 제곱근인 방법, 구성요소에 전체적으로 포함된 각 직사각형 입방 복셀로부터 계산된 구성요소의 최소 단면적 각각의 구성요소의 단면이고, 여기서 구성요소에 포함된 직사각형 직육면체 복셀의 수는 다음과 같이 계산됩니다. Vrc=V/n3 Vrc는 m3 단위의 직사각형 입방 복셀의 부피이고, V는 m3 단위의 직사각형 직육면체의 부피입니다. 그리고 n3은 직육면체에 포함된 직육면체 복셀의 수이고, n=41000이고, 각 직사각형 입방체 복셀과 관련된 구성요소의 최소 단면적은 직사각형 입방체 복셀의 무게 중심을 구성하는 구성요소의 최소 단면적입니다. [1936] [1] 내지 [1935] 중 어느 하나에 있어서, 유효 두께가 부품의 가장 큰 두께인 방법. [1937] [1] 내지 [1936] 중 어느 하나에 있어서, 유효 두께가 부품의 평균 두께인 방법. [1938] [1] 내지 [1937] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 두께는 상기 최대 두께의 10%를 제외한 후 얻어진 최대 두께인, 방법. [1939] [1] 내지 [1938] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 두께는 상기 최대 두께의 20%를 제외한 후 얻어진 최대 두께인, 방법. [1940] [1] 내지 [1939] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 두께는 상기 최대 두께의 30%를 제외한 후 얻어진 최대 두께인, 방법. [1941] [1] 내지 [1940] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 두께는 상기 최대 두께의 40%를 제외한 후 얻어진 최대 두께인, 방법. [1942] [1] 내지 [1941] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 유효 두께는 상기 최대 두께의 50%를 제외한 후 얻어진 최대 두께인, 방법. [1943] [1] 내지 [1942] 중 어느 하나에 있어서, 두께의 적어도 20%가 범위 내에 있을 때 두께가 유의한 것인 방법. [1944] [1] 내지 [1943] 중 어느 하나에 있어서, 두께의 적어도 40%가 범위 내에 있을 때 두께가 유의한 것인 방법. [1945] [1] 내지 [1944] 중 어느 하나에 있어서, 부품이 제조된 부품인 방법. [1946] [1] 내지 [1945] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 기계적 강도가 730 MPa초과인 방법. [1947] [1] 내지 [1946] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 기계적 강도가 1055 MPa 초과인 방법. [1948] [1] 내지 [1947] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 기계적 강도가 1355 MPa초과인 방법. [1949] [1] 내지 [1948] 중 어느 하나에 있어서, 기계적 강도가 실온에서 측정되는 방법. [1950] [1] 내지 [1949] 중 어느 하나에 있어서, 기계적 강도가 ASTM E8/E89M-16a에 따라 측정되는 방법. [1951] [1] 내지 [1950] 중 어느 하나에 있어서, 부품이 11 J CVN보다 높은 인성을 갖는 방법. [1952] [1] 내지 [1951] 중 어느 하나에 있어서, 부품이 16 J CVN보다 높은 인성을 갖는 방법. [1953] [1] 내지 [1952] 중 어느 하나에 있어서, 부품이 26 J CVN보다 높은 인성을 갖는 방법. [1954] [1] 내지 [1953] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품은 상기 부품의 표면으로부터 적어도 20mm 내에서 11줄보다 높은 CVN을 갖는, 방법. [1955] [1] 내지 [1954] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품은 상기 부품의 표면으로부터 적어도 20mm 내에서 16줄보다 높은 CVN을 갖는, 방법. [1956] [1] 내지 [1955] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품은 상기 부품의 표면으로부터 적어도 20mm 내에서 26줄보다 높은 CVN을 갖는, 방법. [1957] [1] 내지 [1956] 중 어느 하나에 있어서, 성분이 4% 초과의 신도를 갖는 방법. [1958] [1] 내지 [1957] 중 어느 하나에 있어서, 성분이 10.1% 초과의 신도를 갖는 방법. [1959] [1] 내지 [1958] 중 어느 하나에 있어서, 성분이 21% 초과의 신도를 갖는 방법. [1960] [1] 내지 [1959] 중 어느 하나에 있어서, 신도가 실온에서 측정되는 방법. [1961] 신도가 파단 신도인 [1] 내지 [1960] 중 어느 하나에 기재된 방법. [1962] [1] 내지 [1961] 중 어느 하나에 있어서, 신율이 ASTM E8/8M-16a에 따라 측정되는 방법. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 구성요소는 도구인 방법. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 부품이 다이인 방법. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 부품이 다이 캐스팅 다이인 방법. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 구성요소가 플라스틱 사출 금형인 방법. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 구성요소는 핫 스탬핑 다이인 방법. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 구성요소가 압출 다이인 방법. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 부품이 냉간 가공 다이인 방법. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 구성요소는 드로잉 및/또는 벤딩 다이인 것인 방법. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 부품이 시트 성형 다이인 방법. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 구성요소는 절단 다이인 것인 방법. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 구성요소가 섬유 인발된 복합 다이인 방법. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 부품이 복합 성형 다이인 방법. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 구성요소는 CFRP를 준수하는 다이인 방법. [1976] [1] 내지 [1975] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 란탄족 원소인 방법. [1977] [1] 내지 [1976] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 악티늄족 원소인 방법. [1978] [1] 내지 [1977] 중 어느 하나에 있어서, %REE는 %La + %Ce + %Pr + %Nd + %Pm +% Sm + %Eu + %Gd + %Tb + % Dy + %Ho + %Er + % Tm + %Yb + %Lu. [1979] [1] 내지 [1978] 중 어느 하나에 있어서, %REE는 %Ac + %Th + %Pa + %U + %Np +% Pu + %Am + %Cm + %Bk + %Cf + %Es + %Fm + % Md + %No + %Lr. [1980] [1] 내지 [1979] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 란탄족 원소와 악티늄족 원소의 합인 방법. [1981] [1] 내지 [1980] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 %La인 방법. [1982] [1] 내지 [1981] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 %Ac인 방법. [1983] [1] 내지 [1982] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 %Ce인 방법. [1984] [1] 내지 [1983] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 %Nd인 방법. [1985] [1] 내지 [1984] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 %Gd인 방법. [1986] [1] 내지 [1985] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 %Sm인 방법. [1987] [1] 내지 [1986] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 %Pr인 방법. [1988] [1] 내지 [1987] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 %Pm인 방법. [1989] [1] 내지 [1988] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 %Eu인 방법. [1990] [1] 내지 [1989] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 %Tb인 방법. [1991] [1] 내지 [1990] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 %Dy인 방법. [1992] [1] 내지 [1991] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 %Ho인 방법. [1993] [1] 내지 [1992] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 %Er인 방법. [1994] [1] 내지 [1993] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 %Tm인 방법. [1995] [1] 내지 [1994] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 %Yb인 방법. [1996] [1] 내지 [1995[ 중 어느 하나에 있어서, %REE가 %Lu인 방법. [1997] [1] 내지 [1996] 중 어느 하나에 있어서, %REE가 부분적으로 또는 전체적으로 %Cs로 대체되는 방법. [1998] [1] 내지 [1997] 중 어느 하나에 있어서, 디바인딩 단계가 필수인 방법. [1999] [1] 내지 [1998] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 필수인 방법. [2000] [1] 내지 [1999] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계가 성형 단계 후에 수행되는 방법. [2001] [1] 내지 [2000] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계가 탈지 단계 후에 수행되는 방법. [2002] [1] 내지 [2001] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계는 성형 단계 후에 수행되는 방법. [2003] [1] 내지 [2002] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계 및 고정 단계가 동시에 및/또는 동일한 노 또는 압력 용기에서 수행되는 방법. [2004] [1] 내지 [2003] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계, 고정 단계 및 고화 단계가 동시에 및/또는 동일한 노 또는 압력 용기에서 수행되는 방법. [2005] [1] 내지 [2004] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 및 고화 단계가 동시에 및/또는 동일한 노 또는 압력 용기에서 수행되는 방법. [2006] [1] 내지 [2005] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계, 고정 단계, 고화 단계 및 고밀도화 단계가 동시에 및/또는 동일한 노 또는 압력 용기에서 수행되는 방법. [2007] [1] 내지 [2006] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계, 압밀 단계 및 고밀도화 단계가 동시에 및/또는 동일한 노 또는 압력 용기에서 수행되는 방법. [2008] [1] 내지 [2007] 중 어느 하나에 있어서, 고화 단계 및 고밀도화 단계가 동시에 및/또는 동일한 노 또는 압력 용기에서 수행되는 방법. [2009] [1] 내지 [2008] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계 및 고정 단계가 동시에 수행되는 방법. [2010] [1] 내지 [2009] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계, 고정 단계 및 압밀 단계가 동시에 수행되는 방법. [2011] [1] 내지 [2010] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계 및 압밀 단계가 동시에 수행되는 방법. [2012] [1] 내지 [2011] 중 어느 하나에 있어서, 탈지 단계, 고정 단계, 압밀 단계 및 고밀도화 단계가 동시에 수행되는 방법. [2013] [1] 내지 [2012] 중 어느 하나에 있어서, 고정 단계, 압밀 단계 및 치밀화 단계가 동시에 수행되는 방법. [2014] [1] 내지 [2013] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계 및 치밀화 단계가 동시에 수행되는 방법. [2015] [1] 내지 [2014] 중 어느 하나에 있어서, 직육면체의 가장 큰 직사각형 면의 면적은 a*b, a*c 및 b*c 중 가장 큰 값이고, a, b 및 c 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체의 치수. [2016] [1] 내지 [2015] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소를 포함하는 가능한 최소 체적을 갖는 직사각형 직육면체가 구성요소를 포함하는 가장 작은 직사각형 직육면체인 방법. [2017] [1] 내지 [2016] 중 어느 하나에 있어서, Tm이 분말 혼합물에서 가장 낮은 융점을 갖는 금속 분말의 융점인 방법. [2018] [1] 내지 [2017] 중 어느 하나에 있어서, Tm이 분말 혼합물의 0.6wt% 이상인 분말 혼합물의 최저 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도인 방법. [2019] [1] 내지 [2018] 중 어느 하나에 있어서, Tm이 분말 혼합물의 2.6wt% 이상인 분말 혼합물의 최저 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도인 방법. [2020] [1] 내지 [2019] 중 어느 하나에 있어서, Tm이 분말 혼합물의 0.6vol% 이상인 분말 혼합물의 최저 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도인 방법. [2021] [1] 내지 [2020] 중 어느 하나에 있어서, Tm이 분말 혼합물의 2.6vol% 이상인 분말 혼합물의 최저 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도인 방법. [2022] [1] 내지 [2021] 중 어느 하나에 있어서, Tm이 분말 혼합물에서 가장 높은 융점을 갖는 금속 분말의 융점인 방법. [2023] [1] 내지 [2022] 중 어느 하나에 있어서, Tm이 분말 혼합물의 0.6wt% 이상인 분말 혼합물에서 가장 높은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도인 방법. [2024] [1] 내지 [2023] 중 어느 하나에 있어서, Tm이 분말 혼합물의 2.6wt% 이상인 분말 혼합물 중 가장 높은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도인 방법. [2025] [1] 내지 [2024] 중 어느 하나에 있어서, Tm이 분말 혼합물의 0.6vol% 이상인 분말 혼합물에서 가장 높은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도인 방법. [2026] [1] 내지 [2025] 중 어느 하나에 있어서, Tm이 분말 혼합물의 2.6vol% 이상인 분말 혼합물에서 가장 높은 융점을 갖는 금속 분말의 용융 온도인 방법. [2027] [1] 내지 [2026] 중 어느 하나에 있어서, Tm이 분말 혼합물의 평균 용융 온도(체적 가중 산술 평균, 여기서 중량은 체적 분율)인 방법. [2028] [1] 내지 [2027] 중 어느 하나에 있어서, Tm이 분말 혼합물의 평균 용융 온도(질량 가중 산술 평균, 여기서 중량은 중량 분율)인 방법. [2029] [1] 내지 [2028] 중 어느 하나에 있어서, Tm이 금속 분말의 용융 온도인 방법. [2030] [1] 내지 [2029] 중 어느 하나에 있어서, 용융 온도가 열 분석에 의해 측정되는 방법. [2031] [1] 내지 [2030] 중 어느 하나에 있어서, 용융 온도가 ASTM E794-06(2012)에 따라 측정되는 방법. [2032] [1] 내지 [2031] 중 어느 하나에 있어서, 노 또는 압력 용기 분위기의 탄소 포텐셜은 ThermoCalc(버전 2020b)를 사용한 시뮬레이션에 의해 결정되는 방법. [2033] [1] 내지 [2032] 중 어느 하나에 있어서, 부품 표면의 탄소 포텐셜은 ThermoCalc(버전 2020b)를 사용한 시뮬레이션에 의해 결정되는 방법. [2034] [1] 내지 [2033] 중 어느 하나에 있어서, Kn이 pNH3/pH2 3/2로서 계산되고, pNH3 NH3의 분압(bar) 및 pH2 H2의 분압(bar)인 방법. [2035] [1] 내지 [2034] 중 어느 하나에 있어서, 질화 전위 kn은 DIN 17 022-4에 따라 측정되는 것인 방법. [2036] [1] 내지 [2035] 중 어느 하나에 있어서, 질화 전위 kn이 SAE AMS 2759/10 B에 따라 측정되는 것인 방법. [2037] [1] 내지 [2036] 중 어느 하나에 따른 방법 ], 여기서 D50은 레이저 회절에 의해 측정된다. [2038] [1] 내지 [2037] 중 어느 하나에 있어서, D50이 ISO 13320-2009에 따라 측정되는 방법. [2039] [1] 내지 [2038] 중 어느 하나에 있어서, 성분의 금속 부분의 %NMVS=(NMVS의 체적/NMVT의 체적)*100. [2040] [1] 내지 [2039] 중 어느 하나에 있어서, NMVS의 부피는 교차하지 않고 부품의 표면에 직접 접근하는 부품의 금속 부분 내부에 위치한 비금속 공극의 부피인 것인 방법. 금속 부품, m3 단위의 부피입니다. [2041] [1] 내지 [2040] 중 어느 하나에 있어서, NMVS의 체적은 금속 부품을 가로지르지 않고 부품의 표면에 직접 접근하는 부품의 금속 부품 내부에 위치한 보이드의 체적이고, m3의 부피입니다. [2042] [1] 내지 [2041] 중 어느 하나에 있어서, NMVS의 체적은 부품의 표면에 직접 접근하는 부품의 금속 부분 내부에 위치한 기공의 체적이며, m3 단위의 체적 . [2043] [1] 내지 [2042] 중 어느 하나에 있어서, NMVT의 부피는 m3 단위의 부피인 부품 내의 비금속 공극의 총 부피인 방법. [2044] [1] 내지 [2043] 중 어느 하나에 있어서, NMVT의 체적은 m3 단위의 체적인 구성요소 내의 공극의 총 체적인 방법.[2045] [1] 내지 [2044] 중 어느 하나에 있어서, NMVT의 부피가 m3 단위의 부피인 구성요소의 기공의 총 부피인 방법. [2046] [1] 내지 [2045[] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 금속 부분의 %NMVC = (NMVS의 체적/컴포넌트의 총 체적)*100인 방법. [2047] [1] 내지 [2046] 중 어느 하나에 있어서, NMVS의 부피가 Pure & Appl.Chern., Vol.66, No.8, pp.1739-1758, 1994에 따라 측정되는 방법. [2048] [1] 내지 [2047] 중 어느 하나에 있어서, NMVT의 부피가 Pure & Appl.Chern., Vol.66, No.8, pp.1739-1758, 1994에 따라 측정되는 방법. [1] 내지 [2048] 중 어느 하나에 있어서, NMVT의 부피가 입체학에 의해 측정되는 것인 방법. [2050] [1] 내지 [2049] 중 어느 하나에 있어서, NMVS의 부피가 입체학에 의해 측정되는 것인 방법. [2051] [1] 내지 [2050] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분에서 NMVS의 감소율 = [(압밀 공정 후의 부품 내 총 %NMVT*% 강화 단계 후 구성요소의 NMVS)/(형성 단계 후 구성요소의 총 %NMVT*성형 단계 후 구성요소의 %NMVS)]*100, 여기서 구성요소의 총 %NMVT = 100%-겉보기 밀도 (안에 %). [2052] [1] 내지 [2051] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분에서 NMVS의 감소율 = [(압밀 공정 후의 부품 내 총 %NMVT*% 강화 단계 후 구성요소의 NMVS)/(탈지 단계 후 구성요소의 총 %NMVT* 탈지 단계 후 구성요소의 %NMVS)]*100, 여기서 구성요소의 총 %NMVT = 100%-겉보기 밀도 (안에 %). [2053] [1] 내지 [2052] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 부품의 금속 부분에 있어서의 NMVS의 환원율=[(고밀화 공정 후의 부품 중의 전체 %NMVT*%) 고밀도화 단계 후 구성요소의 NMVS)/(성형 단계 후 구성요소의 총 %NMVT*성형 단계 후 구성요소의 %NMVS)]*100, 여기서 구성요소 중 총 %NMVT = 100%-겉보기 밀도 (안에 %). [2054] [1] 내지 [2053] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 부품의 금속 부분에 있어서의 NMVS의 환원율=[(고밀화 공정 후의 부품 중의 전체 %NMVT*%) 고밀도화 단계 후 구성요소의 NMVS)/(탈지 단계 후 구성요소의 총 %NMVT* 탈지 단계 후 구성요소의 %NMVS)]*100, 여기서 구성요소 중 총 %NMVT = 100%-겉보기 밀도 (%), 여기서 성분의 총 %NMVT = 100% - 겉보기 밀도(%). [2055] [1] 내지 [2054] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 부품의 금속 부분의 NMVC의 환원율 = [(밀화 공정 후의 부품의 총 %NMVT*% 고밀도화 단계 후 성분의 NMVC)/(성형 단계 후 성분의 총 %NMVT*성형 단계 후 성분의 %NMVC)]*100, 여기서 성분 내의 총 %NMVT = 100%-겉보기 밀도 (안에 %). [2056] [1] 내지 [2055] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 부품의 금속 부분의 NMVC의 환원율 = [(밀화 공정 후의 부품의 총 %NMVT * % 고밀도화 단계 후 성분의 NMVC)/(탈지 단계 후 성분의 총 %NMVT* 탈지 단계 후 성분의 %NMVC)]*100, 여기서 성분의 총 %NMVT = 100%-겉보기 밀도 (안에 %). [2057] [1] 내지 [2056] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분에서 NMVS의 환원율 = [(압밀 공정 후의 부품의 금속 부분에서 총 %NMVT* 압밀 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS)/(성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 총 %NMVT* 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS)]*100, 여기서 구성 요소의 금속 부분에서 총 %NMVT = 100% - 겉보기 밀도(%). [2058] [1] 내지 [2057] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 단계 후의 부품의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율 = [( 강화 단계* 강화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS)/(탈지 단계 후 부품의 금속 부분에서 총 %NMVT* 탈지 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS)]* 100, 여기서 성분의 총 %NMVT = 100% - 겉보기 밀도(%). [2059] [1] 내지 [2058] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 부품의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율 = [( 조밀화 단계 * 조밀화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS)/ (성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 총 %NMVT* 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS)]* 100, 여기서 구성요소의 금속 부분의 총 %NMVT = 100% - 겉보기 밀도(%). [2060] [1] 내지 [2059] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 부품의 금속 부분에서 NMVS의 감소 백분율 = [( 조밀화 단계 *고밀화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS)/(탈지 단계 후 부품의 금속 부분에서 총 %NMVT* 탈지 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVS)]* 100, 여기서 구성요소의 금속 부분의 총 %NMVT = 100%-겉보기 밀도(%), 여기서 구성요소의 총 %NMVT = 100%-겉보기 밀도(%). [2061] [1] 내지 [2060] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 공정 후의 부품의 금속 부분의 NMVC의 환원율=[(고밀화 공정 후의 부품의 금속 부분의 총 %NMVT*) 고밀도화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC)/(성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 총 %NMVT* 성형 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC)]*100, 여기서 구성 요소의 금속 부분에서 총 %NMVT = 100% - 겉보기 밀도(%). [2062] [1] 내지 [2061] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 단계 후의 부품의 금속 부분에서 NMVC의 감소 백분율 = [( 조밀화 단계 *고밀화 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC)/(탈지 단계 후 부품의 금속 부분에서 총 %NMVT* 탈지 단계 후 부품의 금속 부분에서 %NMVC)]* 100, 여기서 성분의 총 %NMVT = 100% - 겉보기 밀도(%). [2063] [1] 내지 [2062] 중 어느 하나에 있어서, 상기 성분의 체적 * 10-2를 초과하는 체적을 갖는 보이드는 보이드의 체적을 계산할 때 고려되지 않는 방법. 2064] [1] 내지 [2063] 중 어느 하나에 있어서, NMVT의 체적은 m3 단위의 구성요소 내의 보이드의 총 체적인 방법. [2065] [1] 내지 [2064] 중 어느 하나에 있어서, 공극의 체적을 계산하기 위해 세라믹스를 배제하는 방법. [2066] [1] 내지 [2065] 중 어느 하나에 있어서, 금속간 화합물을 배제하여 공극의 체적을 계산하는 방법. [2067] [1] 내지 [2066] 중 어느 하나에 있어서, 구성요소의 설계의 일부인 기하학적 측면은 보이드의 체적을 계산하는 데 고려되지 않는 것인 방법. [2068] [1] 내지 [2067] 중 어느 하나에 있어서, 상기 성분의 체적 * 10-2를 초과하는 체적을 갖는 보이드는 보이드의 체적을 계산할 때 고려되지 않는 방법. [2069] [1] 내지 [2068] 중 어느 하나에 있어서, 상기 성분의 체적 * 10-3을 초과하는 체적을 갖는 보이드는 보이드의 체적을 계산할 때 고려되지 않는 방법. [2070] [1] 내지 [2069] 중 어느 하나에 있어서, 상기 성분의 체적 * 10-4를 초과하는 체적을 갖는 보이드는 보이드의 체적을 계산할 때 고려되지 않는 방법. [2071] [1] 내지 [2070] 중 어느 하나에 있어서, 상기 성분의 체적 * 10-5를 초과하는 체적을 갖는 보이드는 보이드의 체적을 계산할 때 고려되지 않는 방법. [2072] [1] 내지 [2071] 중 어느 하나에 있어서, 상기 성분의 체적 * 10-6을 초과하는 체적을 갖는 보이드는 보이드의 체적을 계산할 때 고려되지 않는 방법.[2073] [1] 내지 [2072] 중 어느 하나에 있어서, 공극은 다공성을 포함하는 것인 방법. [2074] [1] 내지 [2073] 중 어느 하나에 있어서, 공극은 다공성만을 포함하는 것인 방법. [2075] [1] 내지 [2074] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율 = [(공정 후의 부품의 겉보기 밀도)의 절대값 압밀 공정 - 성형 공정 후 성분의 겉보기 밀도) / 압밀 공정 후 성분의 겉보기 밀도]*100. [2076] [1] 내지 [2075] 중 어느 하나에 있어서, 압밀 공정 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율=[(압밀 공정 후의 겉보기 밀도 - 겉보기 밀도)의 절대값 탈지 후/압밀 공정 후의 겉보기 밀도] *100. [1] 내지 [2076] 중 어느 하나에 있어서, 치밀화 후의 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율의 백분율인 방법. 단계 = [(고밀화 단계 후의 성분의 겉보기 밀도 - 성형 단계 후의 성분의 겉보기 밀도)/고밀화 단계 후의 성분의 겉보기 밀도]*100의 절대값*100. 어느 하나에 따른 방법. [1] 내지 [2077] 중, 치밀화 공정 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도 증가율 = [(밀밀화 공정 후 겉보기 밀도 - 겉보기 밀도)의 절대값 탈지 후 ty/고밀화 단계 후 겉보기 밀도]*100. [2079] [1] 내지 [2078] 중 어느 하나에 있어서, 겉보기 밀도 = (실제 밀도/이론 밀도) * 100인 방법. [2080] [1] 내지 [2079] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 실제 밀도는 아르키메데스 프린시페에 의해 측정되는 것인 방법. [2081] [1] 내지 [2080] 중 어느 하나에 있어서, 성분의 실제 밀도가 ASTM B962-08에 따라 측정되는 방법. [1] 내지 [2081] 중 어느 하나에 있어서, 밀도 값이 20℃ 및 1 atm인 방법. [2083] [1] 내지 [2082] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 체적은 아르키메데스 프린시페에 의해 측정되는 것인 방법. [2084] [1] 내지 [2083] 중 어느 하나에 있어서, %NMVS가 언급될 때, "구성요소의 금속 부분에서"가 "구성요소의 무기 부분에서"로 대체되는 것인 방법. NMVS 감소 백분율, %NMVC, NMVC 감소 백분율, 겉보기 밀도 또는 겉보기 밀도 증가 백분율. [2085] [1] 내지 [2084] 중 어느 하나에 있어서, "부품의 금속 부분에서"가 "부품의 무기 부분에서"로 대체되는 방법. [2086] [1] 내지 [2085] 중 어느 하나에 있어서, "구성요소"가 "구성요소의 적어도 일부"로 대체되고, %NMVS, NMVS의 감소 백분율에 대한 참조가 이루어질 때, %NMVC, NMVC 감소 백분율, 겉보기 밀도 또는 겉보기 밀도 증가 백분율. [2087] [1] 내지 [2086] 중 어느 하나에 있어서, "구성요소"가 "구성요소의 적어도 일부"로 대체되는 방법. [2088] [1] 내지 [2087] 중 어느 하나에 있어서, %NMVS가 언급될 때 "구성요소의 금속 부분에서"가 "적어도 구성요소에 포함된 재료에서"로 대체되는 것인 방법, NMVS 감소 백분율, %NMVC, NMVC 감소 백분율, 겉보기 밀도 또는 겉보기 밀도 증가 백분율. [2089] [1] 내지 [2088] 중 어느 하나에 있어서, "구성요소의 금속 부분에서"가 "적어도 구성요소에 포함된 재료에서"로 대체되는 방법. [2090] [1] 내지 [2089] 중 어느 하나에 있어서, "폴리머 및/또는 바인더"가 "유기 재료"로 대체되는 방법. [2091] [1] 내지 [2090] 중 어느 하나에 있어서, 유기 재료가 중합체 및/또는 바인더인 방법. [2092] [1] 내지 [2091] 중 어느 하나에 있어서, 유기 재료가 중합체인 방법. [2093] [1] 내지 [2092] 중 어느 하나에 있어서, 유기 재료가 결합제인 방법. [2094] [1] 내지 [2093] 중 어느 하나에 기재된 방법. [1] 내지 [2094] 중 어느 하나에 따라 제조된 부품. 메인 채널을 포함하는 구성요소. 하나의 메인 채널을 포함하는 컴포넌트. [2098] [1] 내지 [2097] 중 어느 하나에 있어서, 2개 이상 39개 미만의 메인 채널을 포함하는 부품. [2099] [1] 내지 [2098] 중 어느 하나에 따른 부품, 적어도 4개의 메인 채널. [2100] [1] 내지 [2099] 중 어느 하나에 따른 부품, 적어도 11개의 메인 채널. [2101] [1] 내지 [2100] 중 어느 하나에 있어서, 29개 미만의 메인 채널. [2102] 메인 채널이 19개 미만인, [1] 내지 [2101] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2103] [1] 내지 [2102] 중 어느 하나에 따른 컴포넌트, 9개 미만의 메인 채널. [2104] [1] 내지 [2103] 중 어느 하나에 있어서, 메인 채널은 입구 채널인 부품. [2105] [1] 내지 [2104] 중 어느 하나에 있어서, 메인 채널이 출구 채널인 부품. [2106] [1] 내지 [2105] 중 어느 하나에 있어서, 유체의 입구와 출구는 컴포넌트 내부에 위치하는 다른 채널을 통해 이루어집니다. [2107] [1] 내지 [2106] 중 어느 한 항에 있어서, 메인 채널의 프로파일은 모서리가 둥근 사각형인 것을 특징으로 하는 부품. [2108] 메인 채널의 프로파일이 원통형인 [1] 내지 [2107] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2109] [1] 내지 [2108] 중 어느 하나에 있어서, 메인 채널의 프로파일이 역 액적인 부품. [2110] [1] 내지 [2109] 중 어느 하나에 있어서, 메인 채널의 프로파일이 타원형인 부품. [2111] 상기 채널이 온도 조절 채널인, [1] 내지 [2110] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2112] [1] 내지 [2111] 중 어느 하나에 있어서, 메인 채널의 직경이 3.8 mm 내지 348 mm인 부품. [2113] 메인 채널의 직경이 11 mm 이상인 [1] 내지 [2112] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2114] 상기 메인 채널의 직경이 294mm 이하인, [1] 내지 [2113] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2115] 메인 채널의 직경이 57 mm 이하인 [1] 내지 [2114] 중 어느 하나에 기재된 부품. [1] 내지 [2115] 중 어느 하나에 있어서, 직경이 직경인 것을 특징으로 하는 부품. [2117] [1] 내지 [2116] 중 어느 하나에 있어서, 직경과 직경이 등가 직경인 부품. [2118] [1] 내지 [2117] 중 어느 하나에 있어서, 등가 직경의 직경은 등가 면적의 원의 직경인 부품. [2119] [1] 내지 [2118] 중 어느 하나에 있어서, 부품이 미세 채널을 포함하는 부품. [2120] [1] 내지 [2119] 중 어느 한 항에 있어서, 미세 채널의 프로파일은 모서리가 둥근 사각형인 것을 특징으로 하는 부품. [2121] 미세 채널의 프로파일이 원통형인 [1] 내지 [2120] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2122] 미세 채널의 프로파일이 역액적인 [1] 내지 [2121] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2123] 미세 채널의 프로파일이 타원형인, [1] 내지 [2122] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2124] [1] 내지 [2123] 중 어느 하나에 있어서, 입구 채널의 단면은 열이 공급되는 구성 요소 영역의 모든 미세 채널 중 가장 작은 채널의 단면보다 3배 이상 더 높은 것입니다. - 규제가 필요하다. [2125] [1] 내지 [2124] 중 어느 하나에 있어서, 입구 채널의 단면이 컴포넌트 영역의 모든 미세 채널 중 가장 작은 채널의 단면보다 6배 이상 더 큰 컴포넌트 온도 조절이 필요한 곳. [2126] [1] 내지 [2125] 중 어느 하나에 있어서, 메인 채널의 단면이 모든 미세 채널 중 가장 작은 채널의 단면보다 3배 이상 큰 부품. [2127] [1] 내지 [2126] 중 어느 하나에 있어서, 메인 채널의 단면은 모든 미세 채널 중 가장 작은 채널의 단면보다 6배 이상 큰 부품. [2128] [1] 내지 [2127] 중 어느 하나에 있어서, 메인 채널의 단면적이 9 mm2와 95115 mm2 사이인 부품. [2129] 상기 메인 채널의 단면이 2550 mm2이하인, [1] 내지 [2128] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2130] [1] 내지 [2129] 중 어느 한 항에 있어서, 메인 채널의 단면적이 14 mm2이상인 부품.1] 내지 [2130] 중 어느 하나에 있어서, 메인 채널의 단면적이 126 mm2이상인 부품. [2132] 단면이 평균 단면인 [1] 내지 [2131] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2133] 단면이 최소 단면인 [1] 내지 [2132] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2134] 단면이 최대 단면인 [1] 내지 [2133] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2135] [1] 내지 [2134] 중 어느 하나에 있어서, 메인 채널은 2 내지 280개의 가지를 포함하는 부품. [2136] [1] 내지 [2135] 중 어느 하나에 있어서, 메인 채널은 3개 이상의 브랜치를 포함하는 부품. [2137] [1] 내지 [2136] 중 어느 하나에 있어서, 메인 채널은 88개 이하의 브랜치를 포함하는 부품. [2138] [1] 내지 [2137] 중 어느 하나에 있어서, 메인 채널은 18개 이하의 브랜치를 포함하는 부품. [2139] [1] 내지 [2138] 중 어느 한 항에 있어서, 가지가 메인 채널의 출구에 위치하는 부품. [2140] [1] 내지 [2139] 중 어느 하나에 있어서, 2차 채널을 포함하는 컴포넌트. [2141] 3차 채널을 포함하는, [1] 내지 [2140] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2142] [1] 내지 [2141] 중 어느 하나에 있어서, 4차 채널을 포함하는 부품. [2143] [1] 내지 [2142] 중 어느 하나에 있어서, 상기 메인 채널은 세컨더리 채널에 연결되는 부품. [2144] [1] 내지 [2143] 중 어느 하나에 있어서, 상기 메인 채널은 2개 이상 280개 이하의 세컨더리 채널에 연결되는 부품. [2145] [1] 내지 [2144] 중 어느 하나에 있어서, 상기 메인 채널은 110개 이상의 세컨더리 채널에 연결되는 부품. [2146] 상기 메인 채널은 18개 이하의 세컨더리 채널에 접속되는, [1] 내지 [2145] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2147] [1] 내지 [2146] 중 어느 하나에 있어서, 상기 메인 채널은 88개 이하의 세컨더리 채널에 연결되는 부품. [2148] [1] 내지 [2147] 중 어느 하나에 있어서, 적어도 하나의 메인 채널은 2개 이상 280개 이하의 세컨더리 채널에 연결된다. [2149] [1] 내지 [2148] 중 어느 하나에 있어서, 적어도 하나의 메인 채널은 18개 이하의 세컨더리 채널에 연결되는 부품. [2150] [1] 내지 [2149] 중 어느 하나에 있어서, 적어도 하나의 메인 채널은 88개 이하의 세컨더리 채널에 연결되는 부품. [2151] [1] 내지 [2150] 중 어느 하나에 있어서, 적어도 하나의 메인 채널은 110개 이상의 세컨더리 채널에 연결된다. [2152] [1] 내지 [2151] 중 어느 하나에 있어서, 2차 채널의 프로파일은 모서리가 둥근 사각형인 것인 부품. [2153] [1] 내지 [2152] 중 어느 하나에 있어서, 2차 채널의 프로파일이 원통형인 부품. [2154] [1] 내지 [2153] 중 어느 하나에 있어서, 2차 채널의 프로파일이 역 액적인 부품. [2155] [1] 내지 [2154] 중 어느 하나에 있어서, 2차 채널의 프로파일이 타원형인 부품. [2156] [1] 내지 [2155] 중 어느 하나에 있어서, 2차 채널의 단면적이 0.18 mm2 이상 122.3 mm2 미만인 부품. [2157] [1] 내지 [2156] 중 어느 하나에 있어서, 2차 채널의 단면이 3.8 mm2이상인 부품. [2158] [1] 내지 [2157] 중 어느 하나에 있어서, 2차 채널의 단면적이 82.1 mm2미만인 부품.[2159] [1] 내지 [2158] 중 어느 하나에 있어서, 2차 채널의 단면이 등가 직경의 1.4배 미만인 부품. [2160] 상기 2차 채널이 2개 이상 4900개 이하의 미세 채널에 접속되는, [1] 내지 [2159] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2161] [1] 내지 [2160] 중 어느 하나에 있어서, 2차 채널은 4개 이상의 미세 채널에 연결되는 부품. [2162] 상기 2차 채널이 680개 이하의 미세 채널에 접속되는, [1] 내지 [2161] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2163] [1] 내지 [2162] 중 어느 하나에 있어서, 적어도 하나의 2차 채널이 2개 이상 4900개 이하의 미세 채널에 연결되는 부품. [2164] [1] 내지 [2163] 중 어느 하나에 있어서, 적어도 하나의 2차 채널이 4개 이상의 미세 채널에 연결되는 부품. [2165] [1] 내지 [2164] 중 어느 하나에 있어서, 적어도 하나의 2차 채널은 680개 이하의 미세 채널에 연결되는 부품. [2166] [1] 내지 [2165] 중 어느 하나에 따른 부품에서, 2차 채널에 연결된 모든 미세 채널의 최소 단면적의 합은 2차 채널에 연결된 2차 채널의 단면적과 같아야 합니다. 연결되어있다. [2167] 상기 미세 채널에 메인 채널이 직접 접속되어 있는, [1] 내지 [2166] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2168] [1] 내지 [2167] 중 어느 하나에 있어서, 부품이 미세 채널만을 포함하는 부품. [2169] 미세 채널의 길이가 0.6 mm 내지 1.8 m인 [1] 내지 [2168] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2170] 미세 채널의 길이가 450 mm 이하인 [1] 내지 [2169] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2171] 미세 채널의 길이가 180mm 이하인, [1] 내지 [2170] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2172] 미세 채널의 길이가 1.2 mm 이상인 [1] 내지 [2171] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2173] 미세 채널의 길이가 12mm 이상인 [1] 내지 [2172] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2174] 미세 채널의 길이가 21mm 이상인 [1] 내지 [2173] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2175] [1] 내지 [2174] 중 어느 하나에 있어서, 미세 채널의 길이가 미세 채널의 평균 길이를 나타내는 부품. [2176] 미세 채널의 길이가 효율적인 온도 조절이 요구되는 활성 표면 아래 섹션의 미세 채널의 길이를 나타내는 [1] 내지 [2175] 중 어느 하나에 따른 부품. [2177] 미세 채널의 길이가 미세 채널의 전체 길이를 나타내는 [1] 내지 [2176] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2178] 미세 채널의 표면 밀도가 12% 이상인 [1] 내지 [2177] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2179] 미세 채널의 표면 밀도가 27% 이상인 [1] 내지 [2178] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2180] 미세 채널의 표면 밀도가 42% 이상인 [1] 내지 [2179] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2181] 미세 채널의 표면 밀도가 57% 이하인 [1] 내지 [2180] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2182] 미세 채널의 표면 밀도가 47% 이하인 [1] 내지 [2181] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2183] [1] 내지 [2182] 중 어느 하나에 있어서, 미세 채널의 표면 밀도는 미세 채널 돌기가 차지하는 표면/전체 온도 조절된 표면으로서 계산되는 것인 부품. [2184] H가 12 초과 1098 미만인 [1] 내지 [2183] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2185] H가 12보다 큰 [1] 내지 [2184] 중 어느 하나에 기재된 부품 110. [1] 내지 [2185] 중 어느 하나에 있어서, H가 900 미만인 부품. [2187] H가 230 미만인, [1] 내지 [2186] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2188] [1] 내지 [2187] 중 어느 한 항에 있어서, H = 미세 채널의 전체 길이/미세 채널의 평균 길이인 부품. [2189] 미세 유로의 전체 길이가 모든 미세 유로의 길이의 합인, [1] 내지 [2188] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2190] [1] 내지 [2189] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수가 평방 미터당 21 내지 14000개의 미세 채널인 부품. [2191] [1] 내지 [2190] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 평방 미터당 미세 채널이 1100개 이상인 부품. [2192] [1] 내지 [2191] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 표면의 평방 미터당 미세 채널의 개수가 평방 미터당 46개 이상의 미세 채널인 부품. [2193] [1] 내지 [2192] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수가 평방 미터당 9000개의 미세 채널 이하인 부품. [2194] [1] 내지 [2193] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 평방 미터당 4000개의 미세 채널 이하인 부품. [2195] [1] 내지 [2194] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 표면이 온도 조절되는 표면인 부품. [2196] [1] 내지 [2195] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 표면이 활성 표면인 부품. [2197] [1] 내지 [2196] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 표면이 작업 표면인 부품. [2198] [1] 내지 [2197] 중 어느 하나에 있어서, 표면까지의 미세 채널의 거리가 0.6mm 내지 32mm인 부품. [2199] [1] 내지 [2198] 중 어느 하나에 있어서, 표면까지의 미세 채널의 거리가 1.2 mm 이상인 부품. [2200] [1] 내지 [2199] 중 어느 한 항에 있어서, 표면까지의 미세 유로의 거리가 18mm 이하인 부품. [2201] [1] 내지 [2200] 중 어느 하나에 있어서, 표면까지의 미세 채널의 거리가 8 mm 이하인 부품. [2202] [1] 내지 [2201] 중 어느 하나에 있어서, 표면까지의 미세 유로의 거리는 모든 단일 미세 유로의 표면까지의 전체 거리 중 평균 거리인 부품. [2203] [1] 내지 [2202] 중 어느 하나에 있어서, 표면까지의 미세 유로의 거리는 모든 단일 미세 유로의 표면까지의 모든 거리 중 최소 거리인 부품. [2204] [1] 내지 [2203] 중 어느 하나에 있어서, 표면까지의 미세 유로의 거리는 모든 단일 미세 유로의 표면까지의 모든 거리 중 최대 거리인 부품. [2205] [1] 내지 [2204] 중 어느 하나에 있어서, 표면이 온도 조절되는 부품의 표면적을 나타내는 부품. [2206] [1] 내지 [2205] 중 어느 하나에 있어서, 표면까지의 단일 미세 채널의 거리는 온도 조절될 표면적 내의 점까지의 채널 내의 임의의 점의 최소 거리인 것인 부품 . [2207] [1] 내지 [2206] 중 어느 하나에 있어서, 표면까지의 단일 미세 채널의 거리는 다음 방식으로 계산된다: 열적으로 될 표면적에 동시에 직교하는 모든 평면에 대해 조절되고 미세 채널에서 순환하는 유체의 최대 속도의 벡터, 미세 채널에 속하는 평면의 임의 지점의 온도 조절될 표면까지의 최소 거리가 고려되고, 모든 고려된 거리의 평균값은 다음과 같습니다. 찍은. [2208] [1] 내지 [2207] 중 어느 하나에 있어서, 미세 채널이 서로 0.2 mm 내지 18 mm의 거리로 이격되어 있는 부품. [2209] [1] 내지 [2208] 중 어느 하나에 있어서, 미세 채널은 0.9 mm 이상의 거리로 서로 이격되어 있는 부품. [2210] [1] 내지 [2209] 중 어느 하나에 있어서, 미세 채널은 1.2 mm 이상의 거리로 서로 이격되어 있는 부품. [2211] [1] 내지 [2210] 중 어느 하나에 있어서, 미세 채널이 9 mm 이하의 거리만큼 떨어져 있는 것인 부품. [2212] 거리가 평균 거리인 [1] 내지 [2211] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2213] 거리가 최소 거리인 [1] 내지 [2212] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2214] 거리가 최대 거리인 [1] 내지 [2213] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2215] 미세 채널의 직경이 0.1 mm 내지 128 mm인 [1] 내지 [2214] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2216] 미세 채널의 직경이 0.6 mm 이상인 [1] 내지 [2215] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2217] 미세 채널의 직경이 1.2mm 이상인 [1] 내지 [2216] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2218] 미세 채널의 직경이 38 mm 이하인 [1] 내지 [2217] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2219] 미세 채널의 직경이 8 mm 이하인 [1] 내지 [2218] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2220] [1] 내지 [2219] 중 어느 하나에 있어서, 직경이 평균 직경인 부품. [2221] 직경이 최소 직경인 [1] 내지 [2220] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2222] 직경이 평균 등가 직경인 [1] 내지 [2221] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2223] [1] 내지 [2222] 중 어느 하나에 있어서, 직경이 평균 최소 등가 직경인 부품. [2224] 미세 채널의 단면이 0.008mm2내지 12868 mm2인 [1] 내지 [2223] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2225] 미세 유로의 단면적이 3900 mm2 이하 255 mm2이하인, [1] 내지 [2224] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2226] 미세 유로의 단면이 0.28 mm2이상인 [1] 내지 [2225] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2227] 미세 유로의 단면이 1.13 mm2 이상인 [1] 내지 [2226] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2228] [1] 내지 [2227] 중 어느 하나에 있어서, 온도 조절 시스템의 전체 압력 강하는 0.01 bar 이상 7.9 bar 미만인 부품. [2229] [1] 내지 [2228] 중 어느 하나에 있어서, 온도 조절 시스템의 전체 압력 강하는 0.1 bar 이상인 부품. [2230] [1] 내지 [2229] 중 어느 하나에 있어서, 온도 조절 시스템의 전체 압력 강하는 3.8 bar 미만인 부품. [2231] 미세 채널의 압력 강하는 0.01 bar 이상 5.9 bar 미만인 [1] 내지 [2230] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2232] 미세 채널의 압력 강하는 2.8 bar 미만인 [1] 내지 [2231] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2233] [1] 내지 [2232] 중 어느 하나에 있어서, 미세 채널의 압력 강하는 0.09 bar 이상인 부품. [2234] 미세 채널의 압력 강하는 0.2 bar 이상인 [1] 내지 [2233] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2235] 1] 내지 [2234] 중 어느 하나에 있어서, 채널 내의 요철이 0.9 미크론 이상 198 미크론 미만인 부품. [2236] [1] 내지 [2235] 중 어느 하나에 있어서, 채널 내의 요철이 98 미크론 미만인 부품. [2237] [1] 내지 [2236] 중 어느 하나에 있어서, 채널 내의 요철이 10.2 미크론 이상인 부품. [2238] [1] 내지 [2237] 중 어느 하나에 있어서, 상기 유체는 레이놀즈 수가 810 초과 89000 미만이 되도록 채널 내를 흐르는 것인 부품. [2239] 어느 하나에 기재된 부품. [1] 내지 [2238]에 있어서, 상기 유체는 레이놀즈 수가 2800보다 크도록 상기 채널을 유동한다. [2240] 상기 유체가 유동하는 [1] 내지 [2239] 중 어느 하나에 기재된 부품 레이놀즈 수가 26000 미만이 되도록 채널을 구성한다. [1] 내지 [2240] 중 어느 하나에 있어서, 채널 내의 유체의 평균 속도가 0.7m/s보다 크고, 14m/s 미만. [2242] [1] 내지 [2241] 중 어느 하나에 있어서, 채널 내의 유체의 평균 속도가 1.6m/s보다 큰 부품. [2243] [1] 내지 [2242] 중 어느 하나에 있어서, 채널 내의 유체의 평균 속도가 9m/s 미만인 부품. [2244] [1] 내지 [2243] 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 미세 채널에 의해 연결된 적어도 하나의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함하는 부품. [2245] [1] 내지 [2244] 중 어느 하나에 있어서, 2개 이상 4900개 미만의 미세 채널에 의해 연결된 적어도 하나의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함하는 부품. [2246] [1] 내지 [2245] 중 어느 하나에 있어서, 적어도 3개의 미세 채널에 의해 연결된 적어도 하나의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함하는 부품. [2247] [1] 내지 [2246] 중 어느 하나에 있어서, 680개 미만의 미세 채널에 의해 연결된 적어도 하나의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함하는 부품. [2248] 집전체 내의 온도 구배가 39℃ 미만인, [1] 내지 [2247] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2249] [1] 내지 [2248] 중 어느 하나에 있어서, 집전체 내의 온도 구배가 9℃ 미만인 부품. [2250] [1] 내지 [2249] 중 어느 하나에 있어서, 집전체 내의 온도 구배가 4℃미만인 부품. [2251] [1] 내지 [2250] 중 어느 하나에 있어서, 온도 구배는 집전체의 일부인 메인/2차 채널로의 미세 채널의 삽입 섹션에 대응하는 평균 온도를 사용하여 계산되는 부품. [2252] [1] 내지 [2251] 중 어느 하나에 있어서, 집전체의 온도 구배는 집전체 내의 최소 구배에 이르는 삽입 섹션의 12%로 계산되는 부품. [2253] [1] 내지 [2252] 중 어느 하나에 있어서, 수집기의 온도 구배는 수집기 내의 최소 구배를 유도하는 삽입 섹션의 20%로 계산되는 부품. [2254] [1] 내지 [2253] 중 어느 하나에 있어서, 집전체의 온도 구배는 집전체 내의 최소 구배에 이르는 삽입 섹션의 50%로 계산되는 부품. [2255] [1] 내지 [2254] 중 어느 하나에 있어서, 2개의 삽입점 사이의 온도 구배를 갖는 미세 채널의 12%에 대해, 집전체에 대한 미세 채널의 2개의 삽입점 사이의 온도 구배 1.1℃ 초과 199℃ 미만입니다. [2256] 집전체에 대한 미세 채널의 2개의 삽입점 사이의 온도 구배가 2.6℃ 초과인 [1] 내지 [2255] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2257] 집전체에 대한 미세 채널의 2개의 삽입점 사이의 온도 구배가 94℃미만인 [1] 내지 [2256] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2258] 집전체에 대한 미세 채널의 2개의 삽입점 사이의 온도 구배가 1.1℃ 초과 199℃ 미만인 [1] 내지 [2257] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2259] [1] 내지 [2258] 중 어느 하나에 있어서, 2개의 삽입점 사이의 온도 구배를 갖는 미세 채널의 50%에 대해, 집전체에 대한 미세 채널의 2개의 삽입점 사이의 온도 구배 더 크면 2.6℃ 이상입니다. [2260] [1] 내지 [2259] 중 어느 하나에 있어서, 2개의 삽입점 사이의 온도 구배를 갖는 미세 채널의 50%에 대해 집전체에 대한 미세 채널의 2개의 삽입점 사이의 온도 구배 94℃ 미만입니다. [2261] 2개의 삽입점 사이의 온도 구배를 갖는 미세 채널의 12%에 대해, 집전체에 대한 미세 채널의 2개의 삽입점 사이의 온도 구배인 [1] 내지 [2260] 중 어느 하나에 기재된 부품 더 크면 2.6℃ 이상입니다. [2262] 2개의 삽입점 사이의 온도 구배를 갖는 미세 채널의 12%에 대해, 집전체에 대한 미세 채널의 2개의 삽입점 사이의 온도 구배인 [1] 내지 [2261] 중 어느 하나에 따른 부품 94℃ 미만입니다. [2263] [1] 내지 [2262] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 표면에 액체를 운반하는 채널을 포함하는 부품. [2264] [1] 내지 [2263] 중 어느 하나에 있어서, 액체를 부품의 표면까지 운반하는 채널의 거리가 19mm 미만인 부품. [2265] [1] 내지 [2264] 중 어느 하나에 있어서, 액체를 부품의 표면까지 운반하는 채널의 거리가 0.6mm 이상인 부품. [2266] [1] 내지 [2265] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 표면에 있는 구멍의 직경이 2미크론 내지 1mm인 부품. [2267] [1] 내지 [2266] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 표면에 있는 구멍의 직경이 12 미크론 이상인 부품. [2268] [1] 내지 [2267] 중 어느 하나에 있어서, 부품의 표면에 있는 구멍의 직경이 490미크론 미만인 부품. [2269] [1] 내지 [2268] 중 어느 하나에 있어서, 부품 표면의 구멍의 길이가 0.1mm 이상 19mm 미만인 부품. [2270] [1] 내지 [2269] 중 어느 하나에 있어서, 부품 표면의 구멍의 길이가 0.6mm 이상인 부품. [2271] [1] 내지 [2270] 중 어느 하나에 있어서, 부품 표면의 구멍의 길이가 9mm 이하인 부품. [2272] 상기 부품의 표면까지 액체를 운반하는 유로의 직경이 0.6mm 이상 19mm 이하인, [1] 내지 [2271] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2273] [1] 내지 [2272] 중 어느 하나에 있어서, 상기 부품의 표면에 액체를 운반하는 채널의 직경이 1.1mm 초과인 부품. [2274] [1] 내지 [2273] 중 어느 하나에 있어서, 액체를 부품의 표면으로 운반하는 채널의 직경이 4mm 미만인 부품. [2275] 단면이 단면적인 [1] 내지 [2274] 중 어느 하나에 기재된 부품. [1] 내지 [2275] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2277] 단면적이 0.008mm2와 12868mm2 사이이고 평균 길이가 0.6mm와 1.8m 사이이고 H 값이 12보다 크고 1098보다 작은 미세 채널을 포함하는 구성요소(H= 미세 채널의 총 길이) / 미세 채널의 평균 길이; 여기서 미세 채널의 등가 직경은 0.1mm 내지 128mm 사이이다. 1.13 mm2와 50 mm2 사이의 단면을 갖는 미세 채널, 및 39℃ 미만의 수집기 내 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널에 의해 연결된 하나 이상의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함하는 구성요소; 여기서 두 삽입점 사이의 온도 구배가 더 큰 미세 채널의 12%에 대해 수집기에 대한 미세 채널의 두 삽입점 사이의 온도 구배는 1.1℃ 이상입니다. 미세 채널을 포함하는 부품으로서, 미세 채널로부터 온도 조절될 표면까지의 거리는 0.6 mm 내지 32 mm이고; 미세 채널의 등가 직경은 0.1mm 내지 128mm이고; 온도 조절된 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 21 내지 14000이고; 여기서 유체는 평균 레이놀즈 수가 810보다 크고 89000보다 작게 유지되는 방식으로 미세 채널에서 흐릅니다. 0.1mm에서 128mm 사이의 등가 직경을 갖는 미세 채널, 및 39℃ 미만의 수집기 내 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널로 연결된 적어도 하나의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함하는 구성요소; 여기서 두 삽입점 사이의 온도 구배가 더 큰 미세 채널의 12%에 대해 수집기에 대한 미세 채널의 두 삽입점 사이의 온도 구배는 1.1℃ 이상입니다. [2281] 미세 채널 및 메인 채널을 포함하는 구성 요소; 여기서 메인 채널의 평균 단면적은 온도 조절이 필요한 구성 요소 영역의 모든 미세 채널 중 가장 작은 채널의 단면적보다 3배 이상 높습니다. 제1항에 있어서, 온도 조절된 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 61 내지 4000이고 채널의 거칠기는 10.2 마이크론 이상 98 마이크론 미만입니다. 12보다 크고 1098보다 작은 H 값을 갖는 미세 채널을 포함하는 구성요소로서, H = 미세 채널의 전체 길이/미세 채널의 평균 길이; 미세 채널의 등가 직경은 0.1mm 내지 128mm이고; 온도 조절된 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 21 내지 14000이고; 유체는 평균 레이놀즈 수가 810보다 크고 89000보다 작게 유지되는 방식으로 미세 채널에서 흐릅니다. 여기서 구성 요소는 39℃ 미만의 수집기 내 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널에 의해 연결된 하나 이상의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함하고 미세 채널의 두 삽입 지점 사이의 온도 구배는 수집기, 두 삽입 지점 사이의 온도 구배가 더 큰 미세 채널의 %는 1.1℃ 이상입니다. 12보다 크고 230보다 작은 H 값을 갖는 미세 채널을 포함하는 구성요소로서, H = 미세 채널의 전체 길이/미세 채널의 평균 길이; 미세 채널의 등가 직경은 1.2mm와 18mm 사이이고; 온도 조절된 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 61 내지 4000이고; 유체는 평균 레이놀즈 수가 2800보다 크고 26000보다 작게 유지되는 방식으로 미세 채널에서 흐릅니다. 여기서 구성 요소는 9℃ 미만의 수집기 내부 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널에 의해 연결된 하나 이상의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함하고 미세 채널의 두 삽입 지점 사이의 온도 구배는 수집기, 두 삽입 지점 사이의 온도 구배가 더 큰 미세 채널의 %는 2.6℃ 이상입니다. [2284] 미세 채널 및 메인 채널을 포함하는 구성 요소; 여기서 메인 채널의 평균 단면적은 온도 조절이 필요한 구성 요소 영역의 모든 미세 채널 중 가장 작은 채널의 단면적보다 6배 이상 높습니다. 미세 채널로부터 온도 조절될 표면까지의 거리는 0.6mm와 32mm 사이이고; 미세 채널의 등가 직경은 0.1mm 내지 128mm이고; 온도 조절된 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 21 내지 14000이고; 유체는 평균 레이놀즈 수가 810보다 크고 89000보다 작게 유지되는 방식으로 미세 채널에서 흐릅니다. 여기서 채널의 거칠기는 0.9 마이크론과 190 마이크론 사이이고; 여기서 구성 요소는 39℃ 미만의 수집기 내 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널에 의해 연결된 하나 이상의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함하고 미세 채널의 두 삽입 지점 사이의 온도 구배는 수집기, 두 삽입 지점 사이의 온도 구배가 더 큰 미세 채널의 %는 1.1℃ 이상입니다. 미세 채널을 포함하는 구성요소; 및 주요 채널; 여기서 메인 채널의 단면은 온도 조절이 필요한 구성 요소 영역의 모든 미세 채널 중 가장 작은 채널의 단면보다 3배 이상 높고; 미세 채널로부터 온도 조절될 표면까지의 거리는 1.2mm와 19mm 사이이고; 미세 채널의 등가 직경은 1.2mm와 18mm 사이이고; 온도 조절된 표면의 평방 미터당 미세 채널의 수는 61 내지 4000이고; 유체는 평균 레이놀즈 수가 2800보다 크고 26000보다 작게 유지되는 방식으로 미세 채널에서 흐릅니다. 여기서 채널의 요철은 10.2 미크론 이상 98 미크론 미만이고; 여기서 구성 요소는 9℃ 미만의 수집기 내부 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널에 의해 연결된 하나 이상의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함하고 미세 채널의 두 삽입 지점 사이의 온도 구배는 수집기, 두 삽입 지점 사이의 온도 구배가 더 큰 미세 채널의 %는 2.6℃ 이상입니다. [2286] 평균 길이가 0.6mm와 1.8m 사이인 미세 채널과 39℃ 미만의 수집기 내부 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널로 연결된 하나 이상의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기로 구성된 구성요소. 여기서 두 삽입점 사이의 온도 구배가 더 큰 미세 채널의 50%에 대해 수집기에 대한 미세 채널의 두 삽입점 사이의 온도 구배는 1.1℃ 초과 199℃ 미만입니다. 0.1mm와 128mm 사이의 등가 직경을 갖는 미세 채널과 39℃ 미만의 수집기 내 온도 구배를 갖는 하나 이상의 미세 채널에 의해 연결된 하나 이상의 입구 수집기 및 하나의 출구 수집기를 포함하는 구성요소로서, 여기서 온도 구배는 두 삽입 지점 사이의 온도 구배가 더 큰 미세 채널의 50%에 대해 수집기에 대한 미세 채널의 두 삽입 지점 사이는 1.1℃ 이상 199℃ 미만입니다. [2288] [1] 내지 [2287] 중 어느 하나에 기재된 방법에 따라 제조되는, [1] 내지 [2287] 중 어느 하나에 기재된 부품. [2288] [1] 내지 [2287] 중 어느 하나에 있어서, 마이크로파 가열은 챔버 내로 도입되는 고압 저항 마그네트론을 포함하는 방법. [2289] [1] 내지 [2288] 중 어느 하나에 있어서, 마이크로파 가열은 적어도 하나의 안테나 또는 어플리케이터를 포함하는 가압 챔버를 포함하는 것인 방법. [2290] [1] 내지 [2289] 중 어느 하나에 있어서, 마이크로파 가열은 적어도 하나의 동축 피드스루를 포함하는 가압 챔버를 포함하는 방법. [2291] [1] 내지 [2290] 중 어느 하나에 있어서, 동축 피드스루는 적절한 임피던스를 갖는 것인 방법. [2292] [1] 내지 [2291] 중 어느 하나에 있어서, 적절한 임피던스가 1.1 Ohms와 199 Ohms 사이인 방법. [2293] [1] 내지 [2292] 중 어느 하나에 있어서, 적절한 임피던스가 21 Ohms 이상인 방법. [2294] [1] 내지 [2293] 중 어느 하나에 있어서, 적절한 임피던스가 99 Ohms 이하인 방법. [2295] [1] 내지 [2288] 중 어느 하나에 따라 제조된 부품. [2296] [1] 내지 [2295] 중 어느 하나에 있어서, "부가적 제조 방법이 부품을 형성하기 위해 적용되는 성형 단계"의 단계가 "사용하여 부품을 형성하는 것을 포함하는 성형 단계"로 대체되는 방법. 적층 제조 방법". [2297] [1] 내지 [2296] 중 어느 하나에 있어서, "-압밀 처리가 적용되는 압밀 단계"의 단계가 "압밀 처리를 적용하는 것을 포함하는 압밀 단계"로 대체되는 방법. [2298] [1] 내지 [2297] 중 어느 하나에 있어서, "고온, 고압 처리가 적용되는 고밀도화 단계"의 단계가 "고온, 고압을 적용하는 것을 포함하는 고밀도화 단계, 고압 치료". [2299] [1] 내지 [2298] 중 어느 하나에 있어서, "고정 단계, 여기서 부품의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준이 설정되는 고정 단계"의 단계는 "고정 단계 구성 요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준을 설정하는 단계를 포함합니다." [2300] [1] 내지 [2299] 중 어느 하나에 있어서, "성형 단계로서, 금속 적층 제조(MAM)를 사용하여 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로부터의 성분 ) 방법 형성"은 "금속 적층 제조(MAM) 방법을 사용하여 분말 형태의 적어도 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로부터 구성요소를 형성하는 것을 포함하는 형성 단계"로 대체된다. [2301] [1] 내지 [2300] 중 어느 하나에 있어서, "성형 단계, 여기서 부품은 몰드에 압력 및/또는 온도 처리를 가함으로써 형성된다"의 단계는 "성형 단계"로 대체된다. 금형에 압력 및/또는 온도 처리를 적용하는 단계를 포함합니다. [2302] [1] 내지 [2301] 중 어느 하나에 기재된 방법. [2302] [1] 내지 [2301] 중 어느 하나에 있어서, 마이크로파 가열은 적절한 치수를 갖는 동축 케이블 또는 동축 피드스루를 포함하는 챔버에서 이루어지는 것인 방법. [2303] [1] 내지 [2302] 중 어느 하나에 있어서, 적절한 치수가 7/32" 이상의 공칭 외경(OD)인 방법. [2304] [1] 내지 [2303] 중 어느 하나에 있어서, 적절한 치수가 4-1/16" 이하의 공칭 외경(OD)인 방법.
일부 시험 조건들은 다음을 따른다:
본 문서에서, 달리 명시되지 않은 경우, Tm은 동일한 조건에서 제1액체가 형성되는 절대온도를 의미한다.
일 실시 예에서, 분말 재료의 용융온도는 ASTM E794-06 (2012)에 따라 측정된다.
일 실시 예에서, HDT의 값은 ASTM D648-07 표준 시험 방법에 따라 결정된다.
대안적 일 실시 예에서, HDT는 ISO 75-1:2013 표준에 따라 결정된다.
추가 대안적 실시 예들에서, 용융온도는 열무게 측정 혹은 다른 임의의 특성화 기술을 사용하여 매우 간단한 방법으로 DSC, 혹은 DTA, 혹은 심지어 STA 와 함께 DTA에 의해 또한 측정된다.
추가 대안적 실시 예에서, HDT는 2018년 1월 29일 발표된 UL IDES Prospector Plastic Database에서 가장 가까운 재료에 대해 보고된 HDT이다.
ASTM D648-07 표준 시험 방법에 의해 0.455 MPa [66 psi] 혹은 1.82 MPa [264 psi] 하중으로 측정된 변형 온도를 결정하기 위한 해당 HDT 시험 조건들은 아래에 공개된다.
열 변형 온도는 최대 250℃까지 액체 열전달 매체로서 실리콘 오일이 사용되어 자동화 장치에서 측정되며 고온용 흑연 분말은 열전달 매체 및 온도 측정을 위한 온도계 대신 ASTM E2846-14에 따라 교정된 열전대로 사용된다. ASTM D648-07 방법 A에 따라 3mm 폭의 시편 3개를 사용하며 하중은 0.46MPa [0.66psi] 또는 1.82MPa [264psi]이며, 각 측정된 하중을 표시한다. 분석 시험 시편과 수조는 30℃에서 평형 상태를 유지하기 전 가열 속도는 2℃ /min이다. 시험 시편은 다음에 개시된 A~C의 성형 방법에 따라 구한다. 둘 이상의 성형 방법(A~C)으로 시편을 구할 수 있을 때, 각 방법으로 구한 시편을 시험하고 가장 높은 값은 열 변형 온도의 선택값이다.
테스트 시편의 준비: 열변형온도에 대한 테스트 시편을 얻기 위해 사용된 주형의 길이는 127 mm이며, HDT가 0.455 MPa 혹은 1.82 MPa(사용된 하중은 각각의 측정에 대해 표시됨)의 하중으로 ISO 75-1:2013 방법 B 테스트에 의해 측정되었을 때 13 mm이다.
유리 전이 온도 (Tg)는 ASTM D3418-12에 따라 시차 주사 열량 측정법 (DSC)에 의해 측정된다. 샘플의 무게는 10mg이다. 세라믹 용기에 담는다. 퍼지 가스는 유량 25ml/min에서 아르곤 (99.9%)을 사용하였다. 냉각 및 가열 속도는 10℃ /min이다. 액상 폴리머 또는 수지의 경우, 분쇄 후 시험편을 얻기 위해 A에서 C까지의 성형 방법에 따라 샘플이 중합되고, 그 후 샘플을 분쇄한다. 여러 성형 방법 (A~C)에 의해 시험편을 얻을 수 있는 경우 각 방법에서 얻어진 시험편이 시험되고 얻어지는 최고치는 유리 전이 온도 중에서 선택된 값이다.
성형법
성형법 A. 광중합화는 광개시제를 사용하여 수행된다. 광개시제의 유형, 백분율은 공급 업체의 권장 사항에 따라 선택된다. 제공되지 않은 경우, 광개시제는 중량 기준 2%의 과산화 벤조일이 사용된다. 필요한 시편의 기능에 필요한 치수를 갖춘 금형은 수지와 광개시제 사이의 균일한 혼합물로 충전된다. 혼합물은 공급 업체가 제공한 파장 길이 및 노출 시간의 경화 조건에 따라 중합되며, 그렇지 않은 경우 365nm, 6W의 UV 램프에서 2시간 동안 경화된다. 시간 경과 후 시편을 금형에서 제거하고 바닥 부분도 상단 부분과 동일한 조건에서 경화된다. 경화는 램프의 광원에서 10cm 떨어진 방사선만 시편에 입사하는 밀폐된 단열 상자에서 수행한다.
성형법 B. 열성형은 기존의 영성형 기계에서 수행되며, 3mm 두께를 얻기 위해 필요한 양의 재료를 금형 프레임에 고정한다. 재료 시트를 가열 영역에 고정시킨 후, 공급 업체의 권장 사항에 따라 선택한 성형 온도로 가열되며, 제공되지 않은 경우 선택한 온도는 유리 전이 온도보다 20℃ 낮다. 시편이 금형에 들어가면 25갬* 냉각된다. 필요한 시편을 얻기 위해 과잉 물질은 제거된다.
성형법 C. 사출 성형은 기존의 사출 성형 기계에서 수행된다. 플라스틱 펠릿은 가능한 경우 원료로 선택되며, 그렇지 않은 경우 다른 화학 성분이 배럴에 주입된다. 재료가 온도와 공급 업체가 권장하는 시간 동안 가열된다. 제공되지 않은 경우, 재료는 재료의 분해점이 녹는점보다 50℃ 이상 높은 경우 용융 온도보다 10℃ 높은 온도이거나 분해 점이 용융 온도보다 50℃ 미만인 경우 재료의 유리 전이 온도보다 20℃ 높은 온도로 가열되고 5분동안 유지된다.
본 문서에서 이미 사용된 것과 같이, 별도로 명시되지 않는 한, 실온은 23℃ 이다.
본 문서에서, 별도로 명시되지 않는 한, 측정은 1 atm 및 상온(23℃ )에서 이루어진다.
본 문서에서, 별도로 명시되지 않는 한, mbar로 표시되는 압력은 절대압력값이며, bar 및/혹은 MPa로 표시되는 압력은 상대압력값이다.
일 실시 예에서, 본 문서에서 나타난 모든 압력들(진공 수준이 아닌 오로지 정압으로만 정의된 압력들)은 PRESS+1 bar로 표시되고, 여기서 PRESS는 절대압력 수준이다. 일 실시 예에서, 본 문서에서 서술된 모든 진공 수준은 절대압력값으로 표시된다.
본 문서에서 이미 사용된 것과 같이, 문맥 "x 및/혹은 y"에서 활용된 용어 "및/혹은"은 "x," 또는 "y," 또는 "x와 y."로 해석되어야 한다.
본 문서에서 이미 사용된 것과 같이, 산소(%O)는 별도로 명쾌하게 명시되지 않는 한, ASTM-751-14a 에 따라 측정된 O2의 ppm을 의미한다.
본 문서에서 이미 사용된 것과 같이, 산소(%N)는 별도로 명쾌하게 명시되지 않는 한, ASTM-751-14a 에 따라 측정된 N2의 ppm을 의미한다.
현재 발명의 추가 특징들과 이점들은 일부 예시들의 다음 설명으로부터 명백해진다.
예 시 1: 금형의 일부는 PP 분말의 SLS 3D 프린팅으로 제작되었다. 부품을 조립하고 금형을 세 가지 분말 혼합물로 채웠다: 그 중 두 개는 96% 이상의 철분이고, 한 개는 물 원자화되었으며, 다른 하나는 카보닐 공정을 통해 얻어졌다. 세 번째 분말은 50% 미만의 철을 가진 고도로 합금화된 분말로서 가스 원자화된 분말이다. 충전된 금형은 분말 충전이 이루어지는 개방면에 뚜껑을 덮고 전자 납땜으로 금형에 뚜껑을 용접하였다. 밀봉된 금형은 두 장의 FKM 엘라스토머가 접착된 봉투에 넣어졌고, 그 외 테두리는 금속 프레임으로 함께 보관되었다. 상기 FKM 백에는 20000000 cSt의 점도를 나타내는 선형 폴리디메틸실록산 오일(Polydimethylsiloxane oil)이 추가로 채워졌다. 그 후, 봉지는 수용액(35% 폴리프로필렌글리콜, polypropylenglycol)을 침수시킨 용기에 넣어 600 bar의 압력을 받았다. 그리고 나서 온도를 100℃ 까지 올리고 2시간 동안 유지했다. 그 후 압력은 3200bar로 상승했고 온도는 180℃ 로 상승시켰다. 그리고 나서, 압력과 온도는 2시간 동안 일정하게 유지된다. 그리고 나서 압력을 천천히 풀어준다. 마지막으로 용기를 열고 FKM 봉투를 추출하는 동안 온도가 낮아졌다. 정의된 몰드 형태(예상 수축)와 높은 녹색 강도를 가진 압축된 조각을 얻었다.
예 시2: 마이크로파에 의한 가열 가능성과 그 장점을 시험하기 위하여, 앞선 예(예 24)와 같은 금형을 제작하여 동일한 FKM 봉투(이번에는 금속 프레임이 없음)에 넣었다. 또한 가방은 1000000 cSt의 점도를 나타내는 선형 폴리디메틸실록산 오일로 채워졌다. 글루 FKM 백으로 채우고 밀봉한 것을 붕규산염 유리 용기에 넣고 폴리알파 올레핀 액을 채운 뒤 유리 용기를 2.45GHz와 600W 마그네트론이 있는 원통형 챔버 전자레인지에 넣었다. 오븐은 5분 동안 켜져 있었다. 그 결과 유리, 폴리알파올레핀, FKM 백, 선형 폴리디메틸실록산 오일은 모두 광가열(100℃ 이하)을 실험했지만 금형을 채운 금속 분말은 200℃ 이상으로 가열되어 금형의 내부 특징과 외부 특징의 일부를 녹였다. 타당성을 결론짓기 위해 선행 실험의 녹색 조각을 이전 실험의 점도가 20000000 cSt인 선형 폴리디메틸실록산 오일로 덮고 3200 bars의 압력을 가하였다. 압축분말 내부로 선형 폴리디메틸실록산 오일이 침투하지 않아 이전 실험에서 가열에 마이크로파 방사선을 사용했더라면 PP 몰드가 용융된 것을 알 수 있다. 따라서 선형 폴리디메틸실록산 오일과 압착된 피스가 직접 접촉하면 피스의 침투 및 파괴가 발생하지 않는다. 이렇게 하면 ii) 단계에 필요한 시간을 상당히 줄일 수 있다.
예시 3. 본 발명에 따른 분체 조성으로 BJ에 의해 여러 기어를 제조하고, 바인더로서 액체 고분자를 사용하였다. 실시 예 1, 3, 4, 11에서 15 그리고 16에서 30의 금속 재료를 시험하였다. 추가로 제조된 기어의 금속 부분의 겉보기 밀도는 46%에서 69% 사이였다. 그리고 190℃ 에서 680℃ 사이의 온도에서 열분해(thermal pyrolysis)를 통해 바인더를 제거한 용해로에 도입되기 전에는 기어 금속 부분의 %NMVC가 29%에서 52% 사이였 다(일부 경우 분해를 화학적으로 수행한 경우도 있음). 디바인딩에서 몇 가지 분위기가 테스트되었다: Ar, N2, H2, 유기 가스 및/또는 이들의 혼합물,　및/또는 용광로의 챔버를 진공상태에서 배출하고 열분해를 실현하였다. 일부 기어에는 압력 처리가 적용되었다(압력은 210MPa에서 640MPa까지 다양했다). 일부 기어에는 압력 및/또는 온도 처리가 적용되었다(최대 온도는 90℃ 에서 280℃ 이며 대부분의 시험은 160℃ 에서 245℃ 사이의 최대 온도에서 수행되고 110 MPa에서 590 MPa까지의　압력이 시험되었고 210 MPa에서 480 MPa의 범위에서 대부분의 시험을 수행했다). 어떤 경우에는 압력 및/또는 온도 처리를 마이크로파 가열 시스템으로 적용했는데, 이 경우 최대 온도가 더 높았다(거의 600℃ 까지, 그리고 심지어 몇 가지 특수 테스트에서 더 높았다). 상기 압력 및/또는 온도처리는 상기 디바인딩 단계 이전 및 상기 디바인딩 단계 이후에 일부 적용되었다. 어떤 경우에는 기어가 압력 및/또는 온도 처리를 그대로 적용했고 어떤 경우에는 기어가 이전에 캡슐화되었다. 여러 가지 캡슐화 방법(예: 고분자 필름, 진공 처리된 백, 컨포멀 코팅, 몰드 등)이 사용되었고, 여러 개의 엘라스토머 및 기타 고분자 물질이 캡슐화를 위해 사용되었다. 압력 및/또는 온도 처리가 적용된 기어 중 일부는 테스트 시 가장 높은 겉보기 밀도를 가진 기어 중 하나였고, 특히, 압밀 처리 후 고압, 고온 처리를 한 경우. 일부 기어는 바인더 제거에 사용된 것과 동일한 분위기를 사용하여 동일한 용해로에서 압밀하였으나, 경우에 따라 Ar, H2 N2, O2, 유기 가스, 질화 분위기 및/또는 이들의 혼합물로 분위기 전환 및/또는 진공으로 전환하여 0.9*10-3 mbar에서 0.1*10-9 mbar의 범위를 사용하였다. 종종 통합은 디바인딩과는 다른 용해로에서 수행되었다. 모든 경우에 적절한 %O 및 %N 레벨을 설정하기 위해 재료 및 대기의 함수로 난방 램프(heating ramp) 및 드웰(dwells)이 선택되었다. 일부 기어에서 %O의 고정은 0.6에서 120ppm사이의 낮은 수준으로 설정되었다(레벨이 48ppm 이하이거나 19ppm 이하인 경우가 오히려 더 나은 성능을 보인다). 일부 다른 기어에서는 %O가 610에서 9000ppm으로 다소 높은 수준으로 설정되었다(1200ppm 이상의 레벨을 가진 경우, 4100ppm 이상의 레벨을 가진 경우 경도가 높은 경향이 있다). 일부 기어에서 %N의 고정 장치가 0.06에서 99ppm사이의 낮은 레벨로 설정되었다(수준이 48ppm 이하인 경우, 수준이 14ppm 이하인 경우 시험 중 균열 측면에서 다소 더 나은 성능을 보인다). 일부 다른 기어에서 %N은 0.26%에서 2.9% 사이의 높은 레벨로 설정되었다(0.4% 이상의 레벨을 가진 기어, 0.8% 이상의 기어에서는 좌굴(buckling)에 대한 저항이 더 높은 것으로 보인다). 대부분의 경우, 통합 처리 중에 0.46*Tm에서 0.92*Tm 사이의 온도에 도달했다. 경우에 따라서는, 압밀 열처리 시에 액체상이 형성되는 경우도 있었다(0.2%와 19% 사이). 액체상이 형성된 경우에는 1.02*Tm에서 1.29*Tm 사이의 고온에 도달하였다. 압밀 열처리 후 겉보기 밀도는 86%와 99.8% 사이였고, %NMVC는 0.002%와 4% 사이였으며, %NMVS의 감소는 대부분 2.1%와 6% 사이였다.
일부 기어를 압력 용기로 이동하여 불활성 분위기에서 0.55*Tm에서 0.92*Tm 사이의 최대(경우에 따라서는 평균) 온도로 320에서 2800bar 사이의 최대(경우에 따라서는 평균) 압력으로 고온 고압 처리되었다. 고온, 고압 처리 후의 겉보기 밀도는 96% 이상(대부분의 경우 98.2% 이상)이며, 경우에 따라서는 완전밀도가 달성되었으나, 대부분 99.98% 이하의 겉보기 밀도를 보였다. 고온 고압 처리 후 기어의 %NMVC는 0.002%와 9% 사이(대부분의 경우 0.02에서 1.9% 사이, 그리고 일부의 경우 %NMVC는 0%)였다. 첨가제 제조 성분에서 고압, 고온 처리 후의 %NMVS 및 %NMVC의 감소는 대부분 20%에서 96% 사이였으며, 일부 경우에는 그 이하이고 일부 경우에는 100%에 가깝거나 심지어 도달하기까지 하였다.
또한 기어는 유사한 합금(최소 두 개의 주 합금 요소)을 가진 기존의 BJ로 제작되었다. 모든 기어는 20.000 사이클마다 부하를 증가시키는 부하 하에서 사이클링되었다. 본 실시 예의 모든 기어는 적어도 15% 이상의 부하 용량을 갖는 종래의 BJ로 제조된 기어를 능가하였다. 또한, 일부 기어는 개선된 물리적 성질, 열물성, 내식성 등과 같은 다른 매우 관련 있는 이점을 제시했다.
달성 가능한 관련 열 특성은 다음 테스트에서 보여준다:
BJ는 다음과 같은 조성의 금속 분말을 사용하여 100 gr 기어를 제조했으며, 모든 비율은 중량 백분율이었다: %C=0.42 ; %Cr=0.02 ; %Ni= 1.08; %V= 0,46; %Mo= 3.28; %P= 0.004; %Si= 0.04; %Mn= 0.08; %S= 0.0008 ; *%O= 648 ppm; %N= 437 ppm, 나머지는 철 및 미량 원소(총 0.4wt% 이하), 그리고 입도 분포이다(**D10=18.6; D50=30.9 ; D90=44.1; 평균=31.9); 바인더로는 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르(ethylene glycol monomethyl ether)와 디에틸렌 글리콜(diethylene glycol)의 혼합물을 사용하였다. [일부 시험에서는 금속 분말을 위와 같이 통합하였으나 %C 0.1%로 한 후 흑연과 혼합하고, 침탄 분위기에서 처리하거나 %C 소스로 바인더를 사용하여 %C~0.42의 금속 부분의 최종 조성을 얻었다. 일부 시험에서는 입자 크기의 이항 혼합물이 사용되었다. 일부 시험에서는 분말의 혼합물이 여기에 제시된 조성에 더하여 사용되었으며, 시험 중 몇 개는 서로 다른 양의 카보닐 철을 통합하였다.] 바인더가 제거되고 기어가 통합된 용해로에 각 기어를 도입하기 전에, 가감적으로 제조된 기어의 금속 부분의 겉보기 밀도는 약 54%, 가감적으로 제조된 기어의 금속 부분의 %NMVC는 약 43%였다. 이 경우 바인더를 제거하기 위해 H2 분위기를 사용한 세 가지 다른 설정이 사용되었으며, 다른 설정은 낮은 %O2 함량의 Ar 분위기를 사용한 설정과 마지막으로 용해로의 챔버를 배출하는 설정이 사용되었다 - 이 경우 챔버를 대략 10-4 mbar로 방출시킨 후, Ar로 범람시킨 후 10-4와 10-5 mbar 사이의 진공 레벨로 대피시켰다 - 세 가지 경우 모두 온도 프로파일은 260℃ 에서의 고정값과 어떤 경우에는　440℃ 에서의 고정값을 구성했다. 가열은 주로 바인더 제거를 위한 대류를 통해 이루어졌다. 260℃ 고정으로만 이루어진 경우에는 바인더의 열제거가 완료되지 않았을 수 있고, 620℃ 까지 가열하고 등온선의 드웰로 온도를 안정시키고, 이 시점부터 가열은 주로 방사선을 통해 이루어졌으며 최대 온도인 1280℃ 까지(몇몇 경우에는 최대 온도로 1350℃ 를 사용), 900℃ 이상의 온도에서는 10-6에서 10-10mbar 사이의 진공 레벨이 사용되었다. 통합 처리 후 기어의 %O 및 %N 수준은 모든 경우에서 각각 140ppm 미만과 49ppm 미만(몇 가지 경우에서 각각 29 ppm 이하와 19 ppm 이하)이었다. 대부분의 경우 %O는 0.2ppm 이상이고, %N은 0.05ppm 이상으로 설정되었다. 겉보기 밀도는 96%에서 99.4% 사이였다.
여러 기어가 압력 용기로 이동되어 고온, 고압 처리를 거쳤다.
비교를 위해 일부 기어는 본 문서에 설명된 바와 같이 금속 물질이 입자 형태로 채워진 적층 제조 금형을 사용하여 제조되었다. 상기 금형은 실시 예 11(일부 테스트는 테스트 5, 6, 12~15와 같이 제작된 금형으로 수행되었지만)에 기재된 바와 같이 제조하였으며, 충진 및 압력 및/또는 온도처리는 실시 예 12에서 15에 기재된 바와 같이 하였다. 통합 및 밀도화는 이 예제의 다른 테스트와 동일하게 수행되었다(모두 다른 구성으로). 12 mm2/s 이상 및 경우에 따라서는 15 mm2/s 이상에서도 50% 이상의 부하 용량 증가로 열확산도가 얻어졌다.
기어의 겉보기 밀도, 부하 용량(기존 BJ에 의해 제조된 기어의 평균과 비교한다) 및 열 확산 특성(기존의 BJ 기어 값은 항상 9 mm2/s 미만이었다.) 1은 아래 표에 나와 있다.
기어 겉보기 밀도 부하용량 열확산성1
표본 1 99.5% +23% 14.21
표본 2 99.91% +52% 11.40
표본 3 99.96% +38% 12.18
1 ASTM E1461-13에 따라 상온(23℃)에서 측정: 플래시법(Flash Method)에 의한 열확산성 시험방법(Standard Test Method for Thermal Diffusivity).
*%O는 O2의 ppm 그리고 %N은 N2의 ppm(ASTM-751-14a)으로 측정되었다.
***입자 크기는 ISO 13320-2009에 따라 레이저 회절에 의해 측정되었다.
달성 가능한 관련 기계적 성질은 다음 테스트에서 확인할 수 있다:
BJ는 다음과 같은 전체 최종 조성을 갖는 금속 분말 혼합물을 사용하여 여러 개의 100gr 기어를 제작했으며, 모든 비율은 중량 백분율이었다: %Cr=17-27 ; %Ni= 0.01 - 14; %Mo= 0.003 - 6%; %Si＜ 1.5; %Mn= 0.008 - 19%; %S＜ 0.08; %P ＜ 0.09; %W ＜ 5; %V ＜ 0.8; %Ti= 0.00001 - 1.9; %Yeq(1)=0.22 - 4; *%O= 500 - 9.900 ppm; %N= 1200 - 25000 ppm, 나머지는 철과 미량 원소(총　0.4wt% 이하)이다. 일부 기어는 -%C, %N, %B 및/또는 %O가 종종 누락된 탄소-니트로-옥소-붕소 질화물(carbo-nitro-oxo-boro nitrides )을 포함한- 질화물로 구성된 %Cr, %Mo, %V, %Nb, %W, %Ti 및/또는 %Fe를 가지고 있었다. 테스트된 모든 기어는 허용 가능한 결과를 보였지만,　특히 특정 편협한 구성의 선택과 관련이 있을 수 있는 다른 것들보다 훨씬 더 나은 결과도 있었다. (예를 들어, %Cr=19.5-25.5이 있는 기어; %Ni= 4.5 - 11; %Mo= 0.003 - 4.5%; %Si ＜ 0.09; %Mn= 0.008 - 6%; %S＜ 0.01; %P ＜ 0.01; %W ＜ 3; %V ＜ 0.08;%Ti= 0.00001 - 1.1; %Yeq(1)=0.78 - 2.5; *%O= 2100 - 6800 ppm; %N= 4000 - 12000 ppm과 KYI = 2600과 KYS = 3000, %C, %N, %B 및/또는 %O가 종종 누락된 탄소-니트로-옥소-붕소-니트라이드를 포함한 질화물을 포함하는 %Cr 및/또는 %Fe가 %N의 적어도 70%가 도입된 경우, 고성능에 속한다).각각의 기어를 도입하기 전에, 첨가제 제조 기어의 금속 부분의 겉보기 밀도는 48%에서 66% 사이였고, 첨가제 제조 기어의 금속 부분의 %NMVC는 33%에서 49% 사이였다. 바인더의 제거를 위한 이 경우 열열분해(thermal pyrolysis) 및 200℃ 내지 650℃ 사이의 온도를 위해 여러 분위기가 사용되었지만, 일부 경우에는 적어도 부분적으로 바인더의 화학적 제거가 사용되었다. 어떤 경우에는 디바인딩된 기어는 210℃ 와 490℃ 사이의 온도가 1에서 49시간 사이 동안 (대부분의 경우 처리 시간이 2.5시간보다 길었다)유지되는 분위기로 구성된 처리에 대해 구성된 %O 고정 단계(0.02 vol%에서 49 vol% 사이)를 거쳤다. 그러한 경우에 최종 구성요소에서 1100과 9900ppm 사이의 O2 수준에 도달했다(여러 경우에서 2200과 6900 ppm 사이). 일부 경우에는 기어가 대기로 구성된　보통의 원자 질소의 고온 고정 단계를 거쳤다(예를 들어: 원자 질소[0.078-46.8mol% 사이, 그리고 몇 가지 경우에 0.78-15.21mol% 사이], NH3[0.11-49vol% 사이], 그리고 대기 노출 최대 온도는 580℃ 와 1440℃ 사이[몇 가지 경우에655℃ 와 1290℃ 사이]). 전체적으로, %N은 0.22%에서 2.9% 사이의 다소 높은 수준으로 설정되었다(레벨이 0.4 이상인 경우와 심지어 0.8% 이상인 경우 좌굴에 대한 저항이 더 높은 것으로 보인다). 몇몇 기어는 대부분 N2, 비활성 기체(Ar, He, …), H2, 유기 가스 또는 이들의 혼합물(Ar+H2, N2+H2, 여러 유기 가스의 혼합물 등)로 구성된 적절한 대기에서 고온 처리(최고 온도는 0.45Tm과 0.92Tm 사이, 몇몇 처리는 최고 온도는 0.55Tm과 0.88Tm사이)를 통해 통합되었다. 경우에 따라서는 0.9*10-3 mbar와 0.6*10-9 mbar 사이 범위의 진공에서 이루어지는 적절한 분위기 하에서 수행되는 단계를 포함하는 경우도 있었다(실제로 이러한 방식으로 처리된 기어와 0.6*10-5mbar와 0.6*10-9mbar 사이의 진공 하에서 처리된 기어 중 일부는 특히 좋은 결과를 나타내는 것으로 보였다). 압밀 열처리의 겉보기 밀도는 96%와 99.96% 사이, %NMVC는 0.002%와 4% 사이였으며, %NMVS의 감소는 대부분 3.6%와 96% 사이였다. 기어의 일부는 압력 용기로 이동되어 상술한 바와 같이 고온, 고압 처리를 받았다. 일부 기어는 이 단계에서 전체 밀도를 보였다(다른 기어는 98.2%에서 99.98% 사이의　겉보기 밀도를 보였다). 기어 중 일부는 0%의 %NMVC 및/또는 %NMVS를 나타냈다 (다른 일부는 0.002%와 1.9% 사이의 %NMVC, 0.002%와 2% 사이의 %NMVS를 나타냈다). 본 실시 예의 모든 기어는 정적 하중 하에서 적어도 80% 이상의 부하 용량을 갖는 기존의 BJ로 제조된 기어를 능가하였다. 어떤 경우에는 부하 용량이 10배 이상 높았는데, 이는 놀라운 결과이다. 비교를 위해 일부 기어는 본 문서에 설명된 바와 같이 금속 물질이 입자 형태로 채워진 적층 제조 금형을 사용하여 제조되었다. 상기 금형은 실시 예 11(일부 테스트는 테스트 5, 6, 12~15와 같이 제작된 금형으로 수행되었지만)에 기재된 바와 같이 제조하였으며, 충진 및/또는 압력 및/또는 온도처리는 실시 예 12 내지 15에 기재된 바와 같이 하였다. 압밀 및 밀도화는 이 예제의 다른 테스트와 동일하게 수행되었다(모두 다른 구성을 사용). 결과는 비슷했고 몇 가지 경우에는 훨씬 더 좋았다.
예 시4.　유기 재료와 입자 형태의 금속 재료를 포함하는 적층 제조 방법을 사용하여 여러 테스트 구성 요소를 제조했다(FDM/FFF와 같은 재료 압출 기반 기술; SLA, DLP, DLS와 같은 vat 광중합(vat photopolymerization) 기반 기술 - 디지털 광합성(Digital Light Synthesis) - 또는 CLIP에 기반한 유사한 기술 - 연속 액체 인터페이스 생산(Continuous Liquid Interface Production), 연속 디지털 광선 처리(CDLP), -; Bed Fusion 기반 기술 - PBF- SLS, SHS같은 - 선택적 열 소결(Selective Heat Sintering) -; MJ, DOD, DIW와 같은 재료 분사(material jetting) 기반 기술 - 직접 쓰기 방식(Direct Ink Writing) - 에폭시와 같은 일부 열경화성 고분자와 심지어 강화 에폭시; BJ, MJF와 같은 바인더 분사(binder jetting) 기반 기술; 또한 심지어 직접 에너지 증착(direct energy deposition) -DED- 기반 기술-; 또한 이 문서에 설명된 다양한 BAAM 구성을 테스트했다.) 이러한 모든 기술로 만족스러운 결과를 얻을 수 있었지만, 일부는 좋은 결과를 제공했고 일부는 예외적인 결과를 제공했다. 제조된 부품 중 일부는 실시 예 3, 5, 6의 전략을 이용하여 제작되었다. 이러한 모든 제조 전략으로 만족스러운 결과를 얻을 수 있었지만, 일부는 좋은 결과를 제공했고 일부는 예외적인 결과를 제공했다. 본 문서에 기재된 유기물을 사용하였으며, 그 중에서도 실시 예 1, 2, 3, 5, 9, 11 및 12에서 15까지 기재된 물질을 시험하였으며, 이들 유기물을 모두 만족스러운 결과를 얻을 수 있었으며, 일부는 좋은 결과를, 일부는 예외적인 결과를 나타내었다. 본 문서에 기재된 물질을 포함하는 금속을 사용하였으며, 그 중에서도 실시 예 1, 3, 11에서 15까지 및 16에서 30까지 기재된 물질을 시험하였으며, 이들 물질을 포함하는 금속은 모두 만족스러운 결과를 얻을 수 있었으며, 일부는 좋은 결과를 제공하였고, 일부는 예외적인 결과를 제공하였다. 사용되는 기술과 재료에 따라 특정한 장점이 발견되었으나, 사용되는 기술과 재료에 관계없이 성능이 보장되었다. 기계적 성능 측면에서 이러한 구성 요소 중 몇 가지에서 달성된 고성능은 기존의 기존 기술과 MAM 기술과는 비교할 수 없는 것이다. 예시를 위해　이 예에서 수행된 테스트의 100분의 1이 더 논의될 것이다:
FDM/FFF와 같은 재료 압출을 기반으로 하는 기술에서는 이미 언급한 바와 같이 여러 유기 재료를 테스트했으며, 일부 테스트에서는 와이어의 유기 재료로서PLA, ABS, TLCPs - Thermotropic Liquid Crystaline Polymers -, PS, PPE, PP, PA,PEI, PEEK, PEKK, PAI, PVDF, PPSU, PPS, PES, PSU, PC, PVA, TPU, TPE, PET, POM, PCL, PLGA, PBT, SAN, ASA, HIPS, PEVA, PMMA, 및 이들의 혼합물을 사용하여 보다 심층적인 분석을 수행했다. PLA, ABS, TPU, PCL 및 HIPS는 이 문서에 설명된 모든 금속 재료와 혼합되어 테스트되었다. 다른 모든 유기물들은 적어도 실시 예 1, 3, 5, 11에서 15까지 및 16에서 30까지의 분체를 포함하는 금속과 혼합되어 시험되었다.
부가적으로 제조된 구성 요소들의 금속 부분의 겉보기 밀도는 31%에서 79.8% 사이였으며, 디바인딩 전 구성 요소들의 금속 부분의 %NMVC는 12%에서 49% 사이였다. 디바인딩은 화학적 방법이나 열분해로 이루어졌다. 190℃ 에서 680℃ 사이의 온도에서 열열분해를 통해 바인더가 제거된 용해로에 도입되었다. 디바인딩에서는 Ar, N2, H2, 유기 가스 및/또는 이들의 혼합물 및/또는 용해로의 챔버를 배기하고 진공 하에서 열분해가 실현되었다. 일부 구성 요소에는 압력 처리가 적용되었다(압력 범위는 60 MPa에서 1200 MPa). 일부 구성 요소에 압력 및/또는 온도 처리를 적용했다(최대 온도 범위는 86℃ ~ 298℃ 이며, 대부분의 시험은 110℃ ~ 249℃ 사이의 최대 온도에서 수행되고, 시험 압력 범위는 110 MPa ~ 640 MPa이며 대부분의 시험은 220 MPa에서 590 MPa까지의 범위에서 수행되었다). 어떤 경우에는 압력 및/또는 온도 처리를 마이크로파 가열 시스템으로 적용했는데, 이 경우 최대 온도가 더 높았다(거의 600℃ 이상, 그리고 몇 가지 특수 테스트에서는 그 이상). 상기 압력 및/또는 온도 처리는 상기 디바인딩 단계 이전 및 상기 디바인딩 단계 이후에 적용된 경우도 있다. 어떤 경우에는 그대로 압력 및/또는 온도 처리를 가하고, 어떤 경우에는 이전에 캡슐화하였다. 여러 캡슐화 방법이 사용되었으며(고분자 필름, 진공 백, 컨포멀 코팅, 금형 등), 여러 엘라스토머 및 기타 고분자 물질이 캡슐화를 위해 사용되었다(본 문서에서 언급한 것). 압력 및/또는 온도 처리가 적용된 구성 요소 중 일부는 테스트 시 외관 밀도가 가장 높은 구성 요소들 중 하나였으며, 특히 압밀 처리 후 고압, 고온 처리가 적용된 구성 요소들 중 하나였다. 일부 성분은 바인더 제거에 사용된 것과 동일한 분위기의 용해로에서 일체화하였으나, 경우에 따라 Ar, H2 N2, O2, 유기 가스, 질화 분위기 및/또는 이들의 혼합물 및/또는 진공으로 0.9*10-3 mbar 내지 0.1*10-9 mbar의 범위로 분위기를 변경하였다. 종종 통합은 디바인딩과는 다른 용해로에서 수행되었다. 모든 경우에 적절한 %O 및 %N 레벨을 설정하기 위해　난방 램프(heating ramps)와　드웰(dwells)은 재료와 대기의　기능(function)으로 선택되었다. 일부 구성 요소에서 %O의 고정은 0.2와 90 ppm 사이의 다소 낮은 수준으로 설정되었다(수준이 49ppm 이하인 경우,　심지어 19ppm 이하인 경우 오히려 성능이 더 나은 것으로 보인다). 일부 다른 구성 요소에서 %O는 520와 14000 ppm 사이의 다소 높은 수준으로 설정되었다(수준이 1100 ppm 이상인 경우, 심지어 2500 ppm 이상인 경우 경도가 더 높은 경향이 있는 것으로 보인다). 일부 구성 요소에서 %N의 고정은 0.02와 99 ppm 사이의 낮은 수준으로 설정되었다(수준이 49 ppm 이하인 경우, 심지어 19 ppm 이하인 경우 테스트 중 균열 측면에서 다소 더 나은 성능을 보인다). 일부 다른 구성 요소에서 %N은 0.2%에서 3.9% 사이의 다소 높은 수준으로 설정되었다(수준이0.6% 이상인 경우, 심지어 0.91% 이상인 경우 좌굴에 대한 더 높은 저항을 갖는 것으로 보인다). 대부분의 경우,　압밀 처리 중에 0.36*Tm에서 0.96*Tm 사이의 온도에 도달했다. 경우에 따라서는, 압밀 열처리 시에 액체상이 형성되는 경우도 있었다(0.2%에서 29% 사이). 액체상이 형성된 경우에는 1.02*Tm 내지 1.29*Tm의 고온에 도달하였다. 압밀 열처리 후의 겉보기 밀도는 81%에서 99.8% 사이이고, %NMVC는 0.002%에서 9%사이, %NMVS의 감소는　대부분 2.1%에서 61% 사이이다.
일부 성분은 압력 용기로 이동되어 불활성 분위기에서 160에서 4900bar 사이의 최대(경우에 따라서는 평균) 압력과 0.45*Tm에서 0.92*Tm 사이의 최대(경우에 따라서는 평균) 온도로 고온 고압 처리되었다. 고온, 고압 처리 후의 겉보기 밀도는 96% 이상(대부분의 경우 98.2% 이상)이었고, 어떤 경우에는 전체 밀도가 달성되었지만, 대부분의 경우 99.98% 이하였다. 고온, 고압 처리 후 구성 요소의 %NMVC는 0.002%에서 9% 사이(대부분의 경우 0.01%에서 1.9% 사이, 일부의 경우 %NMVC는 0%)였다. 첨가제 제조 성분에서 고압, 고온 처리 후의 %NMVC 및 %NMVS의 감소는 대부분 56% 이상이었으며, 일부 경우는 그 이하, 일부 경우는 100%에 근접하거나 심지어 도달하기까지 하였다.
또한 구성 요소는 유사한 합금(최소 두 개의 주 합금 요소 측면에서)을 갖는 기존의 FDM 기반 MAM으로 제조되었다. 종래에 처리된 구성 요소들은 파단시 연신율이 훨씬 낮았고, 파단 인성 및 피로 강도를 나타내었다.
달성 가능한 관련 물리적 및 기계적 특성은 다음 테스트에서 보여준다:
몇몇 더 큰 부품들은 FFF에 의해 제조되었고, 몇몇 유기 재료들은 와이어를 위한 유기 재료로서 테스트되었다(PLA, ABS, TPU, PCL, PVA, HIPS 및 PEEK). 다음과 같은 조성을 가진 금속 분말의 경우, 모든 백분율은 중량 백분율이다: %Al=6.20 ; %V=4.01 ; %Fe=0.17 ; %C=0.011 ; %Y= 0.002 ; *%O= 1400 ppm ; %H=32 ppm ; %N= 140 ppm, 나머지는 티타늄과 미량 원소(총 0.6wt% 이하)와 입도 분포이다(**D10=7; D50=14 ; D90=21; 탭 밀도= 3 g/cm3). 일부 시험에서는 입자 크기의 이항 혼합물이 약 27%의 미세 분말과 73%의 거친 분말과 함께 사용되었으며 전체 입자 크기 분포는(**D10=9; D50=53 ; D90=135; 탭 밀도= 3.4 g/cm3)였으며, 피크는 약 11 microns및 약 70 microns였다. 부가적으로 제조된 성분들의 금속 부분의 겉보기 밀도는 단일 피크 분포의 경우 약 52.5%, 이항 분포의 경우 62.0%였으며, 바인더가 제거된 용해로에 각 성분을 도입하기 전에 첨가제 제조 부품의 금속 부분에서 %NMVC는 약 44%, 35%였다. 바인더는 주로 용매(HIPS 및 PVA의 경우처럼)로 화학적으로 제거되었고, 다른 경우에는 주로 열적으로 제거되었다. 이 경우 바인더의 열 제거를 위해 세 가지 다른 설정이 사용되었으며, 하나는 H2 분위기 사용, 다른 하나는 낮은 %O2 함량 Ar 분위기 사용 및 마지막 하나는 용해로의 챔버를 배출했다 - 이 경우 챔버를 대략 10-4 mbar로　배출시킨 후 Ar으로 범람시키고 그 후 챔버를 10-5에서 10-7 mbar 사이의 진공 레벨로 배출시킨다 - 세 가지 경우 모두 온도 프로파일은 260℃, 어떤 경우에는 두번째를 440℃, 어떤 경우에는 세번째를 620℃ 의 유지로 구성되었다. 바인더의 열 제거 후, 구성 요소들은 방사선 가열, 마이크로파 가열(총 방출 전력 2.45GHz 및 6000W) 또는 스파크 플라즈마 소결(spark plasma sintering)을 통해　통합되었다. 통합을 위해 사용된 최대 온도는 1100℃ (몇몇 경우에는 1250℃ 를 최대 온도로 사용했고, 심지어 최대 1350℃ 까지 사용하기도 했다)이며 900℃ 이상의 온도에서는 10-6와 10-10mbar의 진공 레벨이 사용되었다. 압밀 처리 후 성분들의 %O 및 %N 수치는 모든 경우에서 각각 150 ppm 이하와 36 ppm 이하(몇 가지 경우에는 각각 44ppm 이하와 14ppm 이하)였다. 경우에 따라서는 2ppm　이하의 %H 수준이 달성되었다. 겉보기 밀도는 93%에서 99.85% 사이였다.
비교를 위해 일부 구성 요소는 본 문서에 설명된 바와 같이 금속 물질이 입자 형태로 채워진 적층 제조 금형을 사용하여 제조되었다. 상기 금형은 실시 예 11(일부 테스트는 테스트 5, 6, 12~15와 같이 제작된 금형으로 수행되었지만)에 기재된 바와 같이 제조하였으며, 충진 및/또는 압력 및/또는 온도처리는 실시 예 12 내지 15에 기재된 바와 같이 하였다. 통합 및 밀도화는 이 예제의 다른 테스트와 동일하게 수행되었다(모두 다른 구성을 사용). 결과는 비슷했고 몇몇 경우에는 훨씬 더 좋았다.
여러 구성 요소는 압력 용기로 이동하였고 고온, 고압 처리를 하여 여러 경우에서 전체 밀도를 달성하였다.
겉보기 밀도, 파단 연신율, 항복 강도 및 피로 한계는 모두 첨가제 제조 티타늄 구성 요소에 대한 문헌에 보고된 것보다 높았다. 여기서 금속 입자의 형성은 0.5Tm 이하의 온도에서 수행된다. 특히　파단시 변형 값은 모든 경우에 최소 2배 이상, 어떤 경우에는 10배 이상 높았다.
*%O는 O2 ppm으로, %N은 N2 ppm(ASTM-751-14a)으로 측정되었다.
***입자 크기는 ISO 13320-2009에 따라 레이저 회절에 의해 측정되었다.
예시 5. 몇몇의 다이들과 다른 구성요소들은 쿨링 채널들과 함께 미립자 형태(FDM/FFF와 같은 재료 압출에 기반한 기술들; 홀로그램을 투사하고 또한 DLS -디지털 광합성- 으로 작동해야만 하는 SLA, DLP, DLP와 같은 액조 광중합(vat photopolymerization)에 기반한 기술들 혹은 CLIP - 클립, Continuous Liquid Interface Production- , 연속 디지털 광원 처리(CDLP)에 기반한 비슷한 기술들; SLS, SHS -선택적 열소결-와 같은 용융방식(bed fusion) -PBF-에 기반한 기술들; MJ, DOD와 같은 재료 분사에 기반한 기술들; BJ, MJF와 같은 접착제 분사 방식에 기반한 기술들; 그리고 심지어 에너지 직접 조사 -DED-에 기반한 기술들; 또한 해당 단락에서 언급된 일부 기술들로 일부 헤드들은 BAAM용 초대형 프린터에 탑재됨)로 금속성 물질 뿐만 아니라 유기물질을 포함하는 적층제조기법을 활용하여 제조되었고, 이러한 모든 기술들로 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으며, 몇몇은 우수한 결과를 제공한 반면, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 쿨링 채널들을 포함하는 이러한 다이들과 다른 구성요소들의 일부는 예시 3, 4, 그리고 6의 전략을 활용하여 제조되었으며, 이러한 모든 제조 전략들로 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으나, 몇몇은 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 본 문서에서 서술된 유기물질들이 사용되었고, 그 중에서도 예시 1, 2, 3, 4, 9, 11과 12부터 15까지에서 서술된 물질들이 테스트되었으며, 이러한 모든 유기물질들로 만족스러운 결과를 달성했으나, 몇몇은 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 본 문서에서 서술된 재료들을 포함하는 금속이 사용되었으며, 그 중에서도 예시 1, 3, 4, 11부터 15, 그리고 16부터 30에 서술된 재료들이 테스트되었으며, 재료들을 포함하는 이러한 모든 금속으로 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으나, 몇몇은 만족스러운 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 기술과 사용된 재료들에 따라 어느정도 특정한 이점들이 발견되었으나, 기술과 사용된 재료들과 관계없이 성능은 보장되었다.
몇몇의 다이들과 냉각 채널들이 있는 다른 구성요소들은 미립자 혹은 와이어 형태(DMLS, SLM, EBM, 그리고 심지어 SLS와 같은 용융방식-PBF-을 기반으로 한 기법들; 직접에너지조사-DED-를 기반으로 한 기법들, 이 경우 다른 용접 원칙들을 기반으로 한 몇몇의 기법들이 또한 테스트됨; 줄 프린팅 또한 테스트 됨; 또한 해당 단락에서 언급된 일부 기법들 중 일부 헤드는 BAAM용 초대형 프린터에 장착됨)인 금속성 물질을 포함하는 적층제조기법을 활용하여 제조되었다. 이러한 모든 기법들로 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으나, 몇몇은 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 이러한 다이와 냉각 채널들을 포함하는 다른 구성요소들 일부는 예시 31의 전략들을 활용하여 제조되었다. 이러한 모든 전략들로 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으나, 일부는 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 본 문서에서 서술된 재료들을 포함하는 금속이 사용되었으며, 그 중에서도 예시 1, 3, 4, 11부터 15, 그리고 16부터 30에 서술된 재료들이 테스트되었으며, 재료들을 포함하는 이러한 모든 금속들로 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으나, 몇몇은 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 기술과 사용된 재료들에 따라 어느정도 특정한 이점들이 발견되었으나, 기술과 사용된 재료들과 관계없이 성능은 보장되었다. 일부 예시들,
몇몇의 다이들과 냉각 채널들이 있는 다른 구성요소들은 미립자 형태로 된 금속성 재료들로 채워지고 적층제조된 주형을 활용하여 제조되었다. 이 주형들은 본 문서에서 서술된 바와 같이 제조되었으며, 예시 1, 11, 그리고 13부터 15에 서술된 경우들 또한 테스트(일부 테스트들에서, 주형들은 몇몇의 기법들을 활용하여 제조되었음; FDM, FFF; SLA, DLP, 홀로그램이 투사된 DLP, CLIP에 기반한 DLS, CDLP, SLS, SHS, MJ, DOD; BJ, MJF; DED-; FDM, FFF 혹은 심지어 DED와 비슷한 프린트 헤드를 갖는 BAAM)되었고, 이러한 모든 기법들로 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으나, 몇몇은 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 본 문서에서 언급된 유기물질들은, 그 중에서도 예시 1, 2, 3, 4, 9, 11, 그리고 12부터 15에 포함된 재료들, 주형들을 제조하는데 사용되곤 하였으며, 이러한 모든 유기 물질들로 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으나, 몇몇은 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 본 문서에서 서술된 재료들을 포함하는 금속은, 그 중에서도 예시 1, 3, 4, 11부터 15, 그리고 16부터 30에 포함된 금속들, 주형을 채우는데 사용되곤 했으며, 재료들을 포함하는 이러한 모든 금속은 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으나, 몇몇은 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 다이들과 다른 구성요소들의 제조는 본 문서에 서술된 제조 단계들에 따라 수행되며, 예시 11부터 15, 8, 19, 그리고 9에서 언급된 모든 것들 또한 테스트된다. 기술과 사용된 재료들에 따라 어느정도 특정한 이점들이 발견되었으나, 기술과 사용된 재료들에 관계없이 성능은 보장되었다. 일부 예시들은 그림.1, 그림5, 그리고 그림6-3 중간 부분들에서 볼 수 있다.
일부 경우들에서 사실 냉각 채널들은 이들을 통해 뜨거운 유체를 순환시킴으로써 구성요소를 가열하는데 사용되었으므로, 테스트 된 회로들은 일반적으로 냉각 채널들의 보다 특정한 경우보다 온도조절 채널이라고 설명될 수 있다. 대부분의 경우들에서 냉각 채널들의 구성은 열 조절 유체 주입구(대부분의 경우들에서 다른 유체들 중에서도 물이 테스트 되었으며, 해당 예시에서 물과 열 조절 유체가 구별되지 않고 사용됨)를 위한 하나 혹은 복수의 메인 채널들로 구성되었다. 종종 이러한 메인 채널들은 분기가 있거나 없고 종종 하나 혹은 여러 개의 2차채널을 갖는 하나 혹은 여러 개의 1차채널을 포함하며 여기서 2차채널은 때때로 하나 혹은 여러 개의 3차 채널들을 가졌고, 때때로 하나 혹은 여러 개의 4차 채널들을 차례차례 갖는 식이다. 동일한 방법으로, 종종 다른 특정한 구성에도 불구하고 물 배출구를 위한 채널들(1차, 2차, 3차, 4차 등)의 메인 채널 혹은 메인 시스템이 있다. 본 단락에서 언급된 경우들에서, 전부는 아니나, 몇몇의 미세채널들은 메인 물 주입구 cannel 혹은 채널 시스템과 메인 물 배출구 채널 혹은 채널 시스템과 "연결"되어 있었다. 이러한 일부 경우들에서 미세 채널들 사이의 온도 구배가 매우 낮다는 점에서 물 주입구 채널 혹은 채널 시스템 혹은 메인 물 배출구 채널 혹은 채널 시스템 혹은 둘다 "수집기" 역할을 했고 하나의 "수집기" 주입구 혹은 배출구 내 삽입점들은 그들 자체(수집기로의 미세채널들의 삽입점들에서 물 온도 차이 -삽입지점의 온도 평균으로 이해되며, 여기서 지점은 미세 채널과 미세 채널으로/으로부터 물이/물을 제공되는/제공받는 "수집기"의 채널 모두에 속함- 는 작고, 이는 적어도 "유입구" 수집기로의 미세 채널의 삽입점들 사이의 구배와 비교해서 상당히 많은 양의 삽입점들에 대한 것이자 "배출구" 수집기로의 것과 비교해서 적어도 상당히 많은 미세채널들에 대한 것임 -- 대부분의 경우에서 미세채널들 혹은 모세관-채널들은 일반적으로 둘의 가장자리에, 오로지 두 개의 삽입점을 가졌으나, 일부 경우들에서 미세 채널들은 세 개 이상의 삽입점들을 갖도록 분기되어 있음) 내에 매우 작은 온도 구배를 가졌다. 거의 40개의 메인 채널들을 갖는 구성에 대해 오로지 하나의 메인 채널만을 갖는 구성들이 테스트되었다 - 다시 구성은 "주입구" 혹은 "배출구"를 지칭하지만 둘 모두 동일한 구성을 가질 수 있으며, 예를 들어 "주입구"-오로지 하나의 메인채널을 갖는 시스템과 "배출구"-12개의 메인 채널들을 갖는 시스템 혹은 "주입구"-시스템과 "배출구"-시스템이 오로지 하나의 메인 채널만을 갖는 구성--. 2차 채널이 없는 구성, 오로지 하나의 2레벨 혹은 2차채널부터 최대 10레벨(3차, 4차)이 테스트되었다. 거의 20개의 분기가 있는 구성들에 분기가 없는 구성들이 테스트되었다 - 분기는 범위 손실(rang loss)없이 메인채널에서부터 출발하는 2개의 2차채널들과 비교하여 두 개의 메인 채널들로의 하나의 메인채널로 이해된다. 2차 채널이 없는 구성들이 메인 채널에 연결된 2차 채널이 100을 초과하는 구성들에 대해 메인채널에 연결된 2 2차 채널들로 테스트되었다. 3차 채널에 동일한 내용이 2차 채널로, 4차 채널이 3차 채널로 이어지는 식이다. 미세 채널들의 몇 백분의 일을 갖는 구성들에 대해 오로지 소수의 미세(모세관) 채널들을 갖는 구성들이 테스트되었다. 특정 구성들의 경우, 백 분의 일의 예에서 구현된 바와 같이 좁은 범위는 개선된 성능을 보여주며, 때때로 다른 특정 변수 선택과 일치하기도 했다: 채널들의 "주입구"-시스템과 또한 "배출구"-시스템에 대해 1부터 10 이내 메인 채널들, 분기가 없고 최대 4 분기를 갖는 구성들, 2차 채널이 없는 구성 4차 채널을 갖는 구성까지와 2차(3차 혹은 4차) 채널이 없는 구성들, 오로지 하나의 주어진 메인채널에서 오로지 2 2차 채널 10부터 200 미세(모세관) 채널들을 갖는 20 채널들까지 -그림.1에서 볼 수 있듯이- 우수한 결과들을 제시하지만 다른 변수들의 값에 따라 또한 다양하다. 다양한 등가 지름들(대부분의 경우 3.8mm에서 거의 350 mm, 몇몇의 경우는 11mm와 57 mm 사이 값임), 다른 횡단면들(대부분의 경우 9mm2부터 심지어 90000mm2 초과하는 값까지, 몇몇의 경우 126 mm2에서 2550mm2 사이 값임)을 갖는 원통형부터 모서리가 둥근 정사각형형, 역물방울형, 타원형 등까지 다른 프로파일들을 갖는 메인 채널들이 테스트되었다. 2차 채널들과 일정하고 비일정한 횡단면들을 갖는 미세 채널들, 두 메인 채널들 모두 테스트 되었다. 대부분의 구성들에서, 미세 채널들에서부터 작업 표면 혹은 열조절 될 표면까지 다소 짧은 거리가 선호(대부분의 경우 0.6mm에서 32mm사이의 거리가 테스트 되었고, 몇몇의 경우 거리는 1.2mm에서 18mm 사이였음)되었다. 대부분의 경우에서 6.6mm2에서 82mm2 사이의 횡단면을 갖는 몇몇의 구성들로, 2차(3차 혹은 4차) 채널들의 경우 3.8mm2에서 122mm2 사이의 횡단면들이 테스트 되었다. 대부분의 예시에서 메인 채널들의 평균 횡단면적은 미세 채널들의 횡단면적보다 최소 3배 더 크며, 몇몇의 경우에서는 6배보다 더 크고 심지어 일부 경우에서는 100배보다 더 크다. 다른 미세 채널 구성들의 테스트에 매우 특별한 주의가 철저하게 기울여진다. 원통형부터 모서리가 둥근 정사각형형, 역물방울형, 타원형 등까지 다른 프로파일들을 갖는 미세 채널들이 테스트 되었는데, 이는 다양한 등기 지름들(대부분의 경우 0.1mm부터 거의 128mm까지, 몇몇의 경우 1.2 mm에서 18 mm 사이, 일부 경우 1.2mm에서 8mm 사이 값임), 다른 횡단면들(대부분의 경우 0.008mm2부터 심지어 12000mm2를 초과하는 값, 몇몇의 경우 1.13mm2에서 50mm2 사이 값임), 각각으로부터의 분리(대부분의 경우 0.2mm부터 거의 20 mm까지, 몇몇의 경우 1.2mm에서 9mm 사이 값임),열 조절 표면의 제곱미터당 미세 채널의 수(대부분의 경우 21부터 10.000 초과, 몇몇의 경우 61에서 4000 사이 값), H-value(대부분의 경우 12부터 1000 초과, 몇몇의 경우 12부터 230까지), 미세 채널의 표면 밀도(대부분의 경우 12% 부터 80% 초과, 몇몇의 경우 27%부터 47%까지), 미세 채널들의 평균 길이(대부분의 경우 0.6mm에서 500mm 초과, 몇몇의 경우 12 mm에서 180 mm 사이값), 압력강하(대부분의 경우 0.01 bar에서 5.9 bar 사이 값, 몇몇의 경우 0.2 bar에서 2.8 bar 사이 값), 주름(대부분의 경우 0.9 microns에서 190 microns 초과 사이 값, 몇몇의 경우 10.2 microns에서 98 microns 사이 값)을 갖는다. 특정 구성들의 경우, 백 분의 일부터의 예에서 구현된 바와 같이, 좁은 범위가 냉각 성능에 있어서 개선된 성능을 보이는데, 때때로 다른 특정 변수 선택과 일치하기도 했다: 모서리가 둥근 정사각형형이고, 표면까지의 거리 평균이 2.6 mm에서 8 mm사이이자, 편균 횡단면이 가장 큰 메인 채널의 횡단면 보다 6배 초과하는 값보다 작으며, 평균 등가 지름이 1.2 mm에서 8 mm사이이고 각각으로부터 분리가 1.2 mm에서 9 mm사이이고, 열조절 표면의 제곱미터당 미세 채널의 수가 1100에서 4000 사이이고, H-value이 12에서 230 사이이고, 미세 채널의 평균 길이가 21 mm에서 180 mm 사이이고, 미세 채널의 주름이 10.2 microns에서 98 microns 사이이고 압력 강하가 0.2 bar에서 2.8 bar 사이인 미세 채널들은 -그림.1에서 볼 수 있듯이- 우수한 결과들을 제시하지만 다른 변수들의 값에 따라 또한 다양하다.
제조된 다이들과 구성요소들이 적절한 냉각을 보장하기 위해 모든 경우에 대해 테스트 되었다. 테스트 조건은 유체가 미세 채널들 내부에서 평균 레이놀즈(Reynolds) 값이 대부분의 경우에서 0.7 m/s에서 14 m/s 사이의 유체속도(레이놀즈 수가 810에서 14000 사이로 바람직하게 유지되는 동안 대부분의 경우 1.6 m/s에서 9 m/s 사이 값임)로 대부분의 경우에서 810에서 89000 사이로 유지되고, 많은 경우에서 2800에서 26000 사이, 몇몇의 경우에서 4200에서 14000사이로 유지되는 방식으로 흐르도록 보장하고자 설계되었다. 일부 경우들에서 메인 채널들 및/혹은 2차(3차, 4차, …) 채널들의 적어도 일부는 주입구 수집기들이 배출구 수집기들에 연결되는 미세 채널들을 갖는 수집기로서 역할을 했다. 적어도 일부 수집기들 내 열 구배는 대부분의 경우에서 0.09℃ 에서 39℃ 사이로 유지되고, 몇몇의 경우에서 0.4℃ 에서 9℃ 사이 값으로 일부 경우들에서 0.4℃ 에서 4℃ 사이 값으로 유지됐다. 대부분의 경우들에서 미세 채널들의 적어도 50%는 가장 큰 구배값이 1.1℃ 에서 199℃ 사이이고 몇몇의 경우들에서 열 구배가 2.6℃ 에서 48℃ 사이로 나타나는 미세 채널들은 20%를 초과하며, 일부 경우들에서 열 구배가 2.6℃ 에서 14℃ 사이로 나타나는 미세채널들은 12%를 초과하는 수집기로의 미세 채널들의 두 삽입점들 사이의 열 구배를 나타냈다. 대부분의 경우들에서 수집기 사이 2에서 수 천개의 미세 채널들이 존재했으며, 임의의 경우들에서 12에서 390 사이, 몇몇의 경우들에서 22에서 140개 사이로 존재했다. 냉각 효율성에 대한 특정한 차이들이 발견되었는데, 주로 선택된 구성들에 따라 다르지만 성능은 저하되지 않았다. 특정한 구성들의 경우, 백분의 일부터의 예에서 구현된 바와 같이, 좁은 범위가 냉각 성능에 있어서 개선된 성능을 보여주었으며, 때때로 다른 특정 변수들의 선택과 일치하기도 했다: 오로지 메인 채널들 혹은 미세 채널들의 삽입점들에서 수집기 내 온도 구배가 0.4 C 에서 0.9℃ 사이이고 수집기들의 두 삽입점들 사이 온도 구배를 나타내는 수집기들 사이 22부터 140 미세 채널들의 적어도 80%가 2.6℃ 에서 14℃ 사이인 수집기 사이 미세 채널들의 메인 및 2차 채널들로 구성된 주입구 및 배출구 수집기를 갖는 미세 채널들의 경우 레이놀즈 수가 4200에서 14000 사이가 되도록 설계된 테스트 조건들은 -그림.2에서 볼 수 있듯이-, 우수한 냉각 성능 결과를 제시하지만 다른 변수들의 값에 따라 또한 다양하다.
예시 6. 몇몇의 광 및 대형 다이들과 다른 광과 대형 구성요소들은 미립자 형태(FDM/FFF와 같은 재료 압출에 기반한 기술들; 홀로그램을 투사하고 DLS -디지털 광합성-으로 작동해야만 하는 SLA, DLP, DLP와 같은 액조 광중합에 기반한 기술들 혹은 CLIP- Continuous Liquid Interface Production, 연속 디지털 광원처리(CDLP), -에 기반한 비슷한 기술들; SLS, SHS-선택적 열소결-와 같은 용융방식-PBF-에 기반한 기술들; MJ, DOD와 같이 재료 분사에 기반한 기술들; BJ, MJF와 같은 접착제 분사 방식에 기반한 기술들; 그리고 심지어 에너지 직접 조사-DED-에 기반한 기술들; 또한 해당 단락에서 언급된 일부 기술들로 일부 헤드는 BAAM용 초대형 프린터에 탑재됨)로 금속성 물질 뿐만 아니라 유기물질을 포함하는 적층제조기법을 활용하여 제조되었으며 이러한 모든 기술들로 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으며, 몇몇은 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 이러한 광 및 대형 다이들과 다른 광 및 대형 구성요소들은 예시 3, 4, 그리고 6의 전략을 활용하여 제조되었으며, 이러한 모든 제조 전략들로 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으나, 몇몇은 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 본 문서에서 서술된 유기물질이 사용되었으며, 그 중에서도 예시 1, 2, 3, 4, 9, 11 그리고 12에서 15에 서술된 물질들이 테스트 되었고, 이러한 모든 유기 물질들로 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으나, 몇몇은 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 본 문서에서 서술된 물질들을 포함하는 금속이 사용되었으며, 그 중에서도 예시 1, 3, 4, 11부터 15, 그리고 16부터 30에 서술된 물질들이 테스트 되었고, 물질들을 포함하는 이러한 모든 금속으로 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으나, 몇몇은 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 기술과 사용된 제료들에 따라 어느정도 특정한 이점들이 발견되었으나, 기술과 사용된 재료에 관계 없이 성능은 보장되었다. 일부 예시들은 그림.4 상단 이미지와 그림.-6의 3상단 세그먼트에서 볼 수 있다.
몇몇의 광 대형 다이들과 다른 광 및 대형 구성요소들은 미립자 혹은 와이어 형태(DMLS, SLM, EBM, 그리고 심지어 SLS와 같은 용융방식-PBF-에 기반한 기술들; 에너지 직접조사-DED-에 기반한 기술들, 해당 경우 다른 용접 원칙들에 기반한 몇몇의 기술들이 또한 테스트 되었음; 줄 프린팅 또한 테스트 되었음; 또한 해당 단락에서 언급된 일부 기술들로 일부 헤드가 BAAM용 초대형 프린터에 탑재됨)로 금속성 물질을 포함하는 적층제조기법을 활용하여 제조되었다. 이러한 모든 기술들로 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으나, 몇몇은 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 이러한 광 및 대형 다이들과 다른 광 및 대형 구성요소들 일부는 예시 31의 전략을 활용하여 제조되었다. 이러한 모든 전략들로 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으나, 몇몇은 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 본 문서에서 서술된 재료들을 포함하는 금속이 사용되었는데, 그 중에서도 예시 1, 3, 4, 11부터 15 그리고 16부터 30에 서술된 재료들이 테스트 되었고, 재료들을 포함하는 이러한 모든 금속으로 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으나, 몇몇은 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 기술과 사용된 제료들에 따라 어느정도 특정한 이점들이 발견되었으나, 기술과 사용된 재료에 관계 없이 성능은 보장되었다. 일부 예시들은 그림.4의 상단 이미지와 그림.-6의 3 하단 세그먼트에서 볼 수 있다.
몇몇의 광 대형 다이들과 다른 광 및 대형 구성요소들은 미립자 형태로 금속성 물질로 채워진 적층 제조된 주형을 활용하여 제조되었다. 주형들은 본 문서에 서술된 바와 동일하게 제조되었으며, 예시 1, 11, 그리고 13부터 15에 서술된 경우들 또한 테스트(일부 테스트들에서, 주형들은 몇몇의 기술들: 홀로그램을 투사하는 FDM, FFF; SLA, DLP, DLP, CLIP에 기반한 DLS, CDLP, SLS, SHS, MJ, DOD; BJ, MJF; DED-; FDM, FFF 혹은 심지어 DED와 비슷한 프린트 헤드를 가진 BAAM을 활용하여 제조되었음)되었으며, 이러한 모든 기술들로 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으나, 몇몇은 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 본 문서에서 언급된 유기물질들은, 그 중에서도 예시 1, 2, 3, 4, 9, 11, 그리고 12부터 15에 포함된 재료들이 주형을 제조하는데 사용되곤 했으며, 이러한 모든 유기 물질들로 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으나, 몇몇은 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 본 문서에 서술된 재료들, 그 중에서도 예시 1, 3, 4, 11부터 15, 그리고 16부터 30에 포함된 재료들을 포함하는 금속은 주형을 채우는데 사용되곤 했으며, 재료들을 포함하는 이러한 모든 금속은 만족스러운 결과를 달성해낼 수 있었으나, 몇몇은 우수한 결과를, 소수는 예외적인 결과를 제공했다. 다이들과 다른 구성요소들의 제조는 본 문서에 서술된 제조 단계들에 따라 수행되며, 예시 11부터 15, 8, 19 그리고 9에서 언급된 것들 또한 테스트 되었다. 기술과 사용된 재료들에 따라 어느정도 특정한 이점들이 발견되었으나, 기술과 사용된 재료들에 관계없이 성능은 보장되었다. 일부 예시들은 그림.4 하부 이미지, 그림.5 그리고 그림. 6의 3 중간 세그먼트에서 볼 수 있다. 일부 주형들은 전술한 바와 같이 제조된 다른 조각들을 함께 조립됨으로써 구성되고 그림. 7에서 보이는 것과 같이 접합된다. 일부는 오직 같이 조립되기만 하고, 일부는 접합 매체(글루, 시아노아크릴레이트,…)로 접합되며, 일부는 접합부에서 AM 부분들의 유기물질을 용융함(내열, 핫팁(hot-tip), 고온공기 송풍, 등)으로써 접합되고, 일부 경우들에서 또한 재료는 "용융"되거나 다른 재료가 직접적으로 AM 조각 가장자리 위에서 접합(PP, PCL, 그리고 많은 다른 것들이 테스트 됨)되기 위해 용융되었다.
위 그림.4에서 상술된 구성요소는 미립자 형태의 금속성 물질 뿐만 아니라 유기물질을 포함하는 적층제조기법과 미립자 혹은 와이어 형태로 금속성 물질을 포함하는 적층제조기법 둘 모두를 사용하여 제조되었다.
이러한 광 대형 다이들과 다른 광 및 대형 구성요소들 일부는 냉각 채널들을 포함했고, 일부는 본 문서에서 제공된 설계 전략에 따라 냉각 채널을 포함하여 상당히 개선된 열조절 기능을 보여주었다. 냉각 채널들을 포함하는 이러한 대형 광 다이들과 다른 광 및 대형 구성요소들 일부는 예시 5의 전략을 활용하여 제조되었다. 이러한 모든 전략들로 만족스러운 열 조절 결과를 달성해낼 수 있었으나, 많은 전략은 우수한 결과를 몇몇은 예외적인 결과를 제공했다. 일부 예시들은 그림.5와 그림.6에서 볼 수 있다.
그림.4부터 그림.7에서 볼 수 있는 제조된 몇몇의 구성요소들과 다이는 공극을 포함했다. 이러한 테스트들 중 일부에서 공극의 양과 형태, 유의한 횡단면, 유의한 두께 및/혹은 구성요소를 포함하는 최소 직사각형 입방체와 관련된 구성요소의 부피에 대해 특별한 주의가 기울여졌다. (그림.8 직사각형 입방체의 개념에서, 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형면, 횡단면 백분율 그리고 구성요소의 작업표면 형태의 입방체가 묘사되었다). 예시 7에서 그러한 및 다른 유의미한 기하학적 변수들의 값을 계산하는 방법에 대한 자세한 방법은 그림. 8에 묘사된 구성요소에서 찾을 수 있다. 제한된 확장을 위해 기하학적 측면에 관해 유의미한 기하학적 변수들에 사용된 값은 여기에 열거되지 아니할 것이며 이는 예시 7과 최대 경계치를 공유하지만 현재 예시에서는 오로지 12 mm를 초과하는 두께만이 사용되는 유의한 두께와 구성요소의 두께 뿐만 아니라, 두 횡단면 모두 예시 7과 최대 경계치를 공유하지만 현재 예시에서는 오로지 20mm2를 초과하는 횡단면만이 사용되는(12 mm보다 작거나 심지어 최대 1.2mm인 몇 가지 예외) 유의한 횡단면들과 구성요소의 횡단면의 유일한 예외로, 다른 테스트들에서 요약되고 예시 7에서 보고된 값들과 완전히 일치하기 때문이다.
작은 구성요소들로 이루어진 몇몇의 대형 구성요소들이 함께 접합된다. 언급된 바와 같이 만들어진 구성요소들은 서로 접합되고 일부 경우들에서 기존의 제조된 구성요소들과도 접합된다. 2개의 구성요소부터 30개까지 서로 다른 테스트에서 접합된다. 일 예시는 미립자 형태의 금속성 물질로 채워진 적층 제조된 주형을 활용하여 제조된 3개의 구성요소들과 미립자 혹은 와이어 형태의 금속성 물질을 포함하는 적층제조기법을 활하여 제조된 3개의 구성요소들, 미립자 형태의 금속성 물질 뿐만 아니라 유기물질을 포함하는 적층제조기법을 활용한 3개의 구성요소들과 그림.6에서 볼 수 있다. 종종 접합되는 표면 혹은 적어도 그것들의 일부는 산화물 제거, 먼지 제거, 유기물질 제거 등을 통해 특수적으로 제조 준비되었다. 일부 테스트들에서, 표면들을 함께 견인할 결합을 보장하기 위해서 외부 임시 결합을 만드는데 사용된 기술에 맞게 용접 리세스 혹은 홈(groove) 디자인에 대해 많은 주의가 기울여졌는데, 이는 대부분의 경우들에서 0.01MPa를 초과하고, 몇몇의 경우들에서 0.12 MPa를 초과하고 일부 경우들에서 심지어 5.12 MPa를 초과한다. 대부분의 테스트들에서, 다른 접합 기술들은 외막(envelope) 접합에 사용되었으며, 대부분은 다른 가열원(플라즈마 아아크, 전기 아이크, 레이저, 전자빔, 옥시 연료, 저항, 유도, 초음파,...)과 함께 용접 기술로 고려될 수 있었으며 일부 저온의 용융온도 재료들에 대해서는 심지어 고온의 글루가 테스트되었다. 자주 접합은 진공 수준이 900 mbar부터 심지어 10-7 mbar인 진공 환경에서 수행되었다. 일부 테스트들에서 접합은 대부분의 경우 9%에서 1 ppm 미만의 범위에서, 종종 그 수준은 90 ppm 미만을 범위로 하는 무산소 환경에서 수행되었다. 일부 테스트들에서, 함께 접합될 구성요소들은 각각의 정확한 배치를 위한 안내 메커니즘을 가졌다. 많은 테스트들에서 용접은 통합 단계 이후, 고밀화 단계 이전에 이루어졌으며, 일부 테스트들에서 용접 혹은 접합은 통합 단계 이전에 행해졌다. 종종 용접 라인을 만들거나 함께 접합될 표면에 가스가 새지 않도록 보장하기 위한 방법을 통해 결합을 적용하는 특수한 케어가 행해졌다. 해당 테스트의 확장을 위해 일부 테스트 구성요소들은 액체 내에 담가졌으며 약 58 MPa 정도의 압력으로, 종종 152 MPa 초과의 압력으로, 수차례는 약 220 MPa 정도의 압력으로, 때때로 약 300 MPa정도의 압력으로, 그리고 심지어 두 세번의 경우에서는 555 MPa를 초과하는 압력으로 가압되었고 용접이 항상 기밀하다는 짧은 학습 단계 이후 이들은 건조되고 결합될 표면 내 액체가 침투하는지 (때때로는 파괴적으로) 확인되었다. 몇몇의 경우들에서, 얕은 임계 용접 깊이를 얻는데 특수한 주의가 기울여졌으며, 이러한 경우들의 대부분은 19 mm 미만, 몇몇의 경우에서는 3.8 mm 미만 그리고 일부 경우에서는 0.4 mm 미만이다. 이러한 경우들에서, 다른 경우들에서 또한, 사용된 전력 밀도에 특수한 케어가 행해졌는데, 이러한 경우들의 대부분에서 이는 900 W/mm3 미만으로, 몇몇의 경우들에서는 90 W/mm3 미만으로 그리고 일부 경우들에서는 심지어 0.9 W/mm3 미만으로 유지되었다. 테스트 대부분에서, 고온 고압 처리 동안 접합될 표면 내 확산 용접을 보장하기 위해 특수한 케어가 행해졌다. 일부 테스트들에서, 통합 단계 동안 접합될 표면 내 확산 용접을 보장하기 위해 특수한 케어가 행해졌다. 자주 용접 라인은 부분적으로 제거되었고 몇몇의 경우들에서 마지막 가공 단계들 중 하나에서 이는 완전히 제거 되었다. 본 문서에서 서술된 설정들의 많은 조합들은 고온고압 처리, 그 중에서도 예시 10과 14에 서술된 것들에서 사용된다.
예시 7. 공극이 있는 몇몇의 구성요소들은 다른 제조 기술들과 본 문서의 재료들로 제조되었다. 그림.4와 그림.5에서 이러한 일부 예시들이 묘사되었다. 본 문서에 제시된 모든 예시들에서 공극이 있는 둘 이상의 구성요소가 제조(예를 들어 1, 3, 4, 5, 6, 8, 31 그리고 11부터 15 각 경우에서, 공극이 있는 20개 초과의 구성요소들이 제조되었음)되었다. 해당 예시에서, 이러한 모든 테스트들에 대한 주요 변수는 요약되고 또한 그림.8에 묘사된 예시에 대해 실례의 목적으로 자세히 계산되었다.
그림.8에서 직사각형 입방체, 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형면, 횡단면 백분위수와 구성요소의 작업표면과 함께 형성되는 입방체의 개념들이 묘사된다.
그림.8에서 묘사되는 예시는 다이이며, 특히 냉간 드로잉 및 커팅 다이다.
해당 예시에서 요약된 테스트들에서, 비어있는 직사각형 입방체의 부피 백분율은 거의 항상 52%에서 99% 사이, 대부분의 경우에서 62%에서 94% 사이, 몇몇의 경우에서 76%에서 89% 사이 그리고 일부 경우들에서 92%를 초과하고 심지어 96%를 초과했다.
해당 예시에서 요약된 테스트들에서, 구성요소의 부피는 거의 항상 직사각형 입방체 부피의 2%에서 89% 사이다. 대부분의 경우들에서 이는 6%에서 74% 사이이고, 많은 경우들에서 12%에서 68% 사이, 몇몇의 경우들에서 49% 미만, 일부 경우들에서 39% 미만 그리고 심지어 19% 미만이며, 몇몇의 경우들에서 22% 초과, 일부 경우들에서 44%를 초과하고 심지어 55%를 초과했다.
해당 예시에서 요약된 테스트들에서, 구성요소의 부피는 거의 항상 구성요소의 작업 표면과 함께 형성된 입방체 부피의 2%에서 89% 사이다. 대부분의 경우에서 이는 6%에서 74% 사이고, 많은 경우들에서 12%에서 68% 사이이며, 몇몇의 경우들에서 49% 미만, 일부 경우들에서 39% 미만이고 심지어 19% 미만이며, 몇몇의 경우들에서 22% 초과, 일부 경우들에서 44%를 초과하고 심지어 55%를 초과했다.
그림.8에 묘사된 예시에서, 직사각형 입방체(b)는 84961 cm3 부피를 가지며, 구성요소 (d)와 (e)의 작업표면과 함께 형성된 입방체는 54156 cm3의 부피를 가지고, 구성요소는 19022 cm3 부피를 가지므로 직사각형 입방체 내 공극이 최대 84961 - 19022 = 65939 cm3까지 더해진다. 그러므로 비어있는 직사각형 입방체의 부피 백분율은 77.61%이다. 구성요소의 부피는 직사각형 입방체의 부피의 22.39%이다. 구성요소의 부피는 구성요소의 작업표면과 함께 형성된 입방체 부피의 35.12%이다.
해당 예시 내 요약된 많은 테스트들에서, 공극의 적어도 일부가 상호연결 되었다. 대부분의 경우에서 2에서 10000까지 공극들이 상호연결 되었다. 몇몇의 예시들에서, 11부터 4000까지의 공극들이 상호연결 되었다. 대부분의 경우들에서 상호연결된 공극들의 백분율은 6%에서 99% 사이이며, 많은 경우들에서 12%에서 96% 사이고, 몇몇의 경우들에서 26%에서 84% 사이이고, 일부 경우들에서 46%에서 79% 사이이며, 소수의 경우들에서 56%를 초과하고 심지어 91%를 초과하고, 소수의 경우들에서는 54% 미만이고 심지어 44% 미만이다. 본 예시들의 대부분에서 공극의 일부는 구성요소 외부로 연결되었다.
대부분의 경우들에서 구성요소 외부로 연결된 공극들의 백분율은 6%에서 99% 사이이며, 많은 경우들에서 11%에서 94% 사이, 몇몇의 경우들에서 21%에서 89% 사이, 일부 경우들에서 41%에서 74% 사이, 소수 경우들에서 76%를 초과하고 심지어 91%를 초과하며, 소수의 경우들에서는 64% 미만이고 심지어 49% 미만이다.
특정한 구성들의 경우, 백 분의 일의 예에서 구현된 바와 같이 좁은 범위가 개선된 성능을 보이며, 때때로 다른 특정한 변수의 선택과 일치하기도 했다: 부피 백분율이 62%에서 89% 사이인 직사각형 입방체는, 구성요소의 작업표면과 함께 형성된 입방체 부피의 12%에서 68% 사이인 구성요소의 부피, 2개를 초과하여(3개 이상) 상호연결된 공극들, 상호연결된 공극의 최소 6%와 구성요소 외부로 연결된 공극의 최소 11%, 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형면적의 0.69배 미만인 구성요소의 유의미한 횡단면과 함께, 우수한 성능 결과를 보여주지만 다른 변수들의 값에 따라 또한 다양하다.
해당 예시에서 요약된 테스트들에서, 구성요소의 유의한 횡단면은 거의 항상 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형면적의 0.79배 이하, 대부분의 경우에서 0.69배 이하, 많은 경우에서 0.59배 이하, 몇몇의 경우에서 0.49배 이하, 일부 경우에서 0.39배 이하, 소수의 경우에서 0.19배 이하 그리고 심지어 0.0009배 이하다. 횡단면의 상이한 정의가 다른 어플리케이션들에서 흥미롭기 때문에, 이번 경우에서는 모든 정의가 평가되었다.
그림.8 (c)에서 묘사된 예시에서 가장 큰 횡단면의 20%와 가장 작은 횡단면의 20%가 고려되지 않을 때 얻어진 평균 횡단면은 56.91cm2이다. 그림.8 (c)에서 보여지듯 80번 째 백분위수에서의 횡단면은 76.5cm2이다. 그림.8 (b)에서 묘사된 바와 같이 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형면은 172cm2이다. 유의한 횡단면이 특정한 백분위수와 가장 잘 맞는 어플리케이션들에서, 그림.8 (c)에서의 도표가 사용될 수 있으며, 특히 80번째 백분위수의 경우, 구성요소의 유의한 횡단면은 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형면적의 0.44 혹은 44%이다. 가장 큰 횡단면의 20%와 가장 작은 횡단면의 20%가 고려되지 않을 때 유의한 횡단면이 평균 횡단면과 가장 잘 맞는 어플리케이션들-그림.8에서 묘사된 예시에서의 경우와 같은-에서, 구성요소의 유의한 횡단면이 0.33 (= 56.91/172) 혹은 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형면적의 33% 임을 계산하기 위해 그림.8 (c)에서의 도표가 사용될 수 있다.
자동화된 방법으로 다른 유의미한 기하학적 변수들을 평가하기 위해서, "복셀"의 개념이 매우 효율적이다. 해당 예시에서 요약된 테스트들에서 본 문서에 서술된 "복셀"의 모든 가능한 정의들이 테스트(복셀의 모든 기하학, 모든 가장자리 길이, 존재하는 복셀, n값 등과 관련하여 기하학적 변수를 평가하는 모든 방법들)되었다.
해당 예시에서 요약된 테스트들에서, 구성요소의 유의한 단면적과 구성요소의 단면적 둘 모두 거의 항상 0.2mm2에서 2900000mm2 사이며, 대부분의 경우에서 2mm2에서 900000mm2 사이, 많은 경우에서 20mm2에서 90000mm2 사이, 몇몇의 경우에서 200mm2에서 29000mm2 사이, 일부 경우들에서 2000mm2에서 40000mm2 사이, 소수의 경우에서 9000mm2 미만이고 심지어는 4900mm2 미만이다. 일부 테스트들에서, 생체모방 설계가 적용된 많은 경우는 구성요소의 유의한 횡단면과 구성요소의 횡단면 둘 모두에서 매우 작은 값을 가졌는데 이는 거의 항상 2400mm2 미만, 대부분의 경우에서 900mm2 미만, 많은 경우에서 400mm2 미만, 몇몇의 경우에서 190mm2 미만, 일부 경우에서 90mm2 미만, 그리고 소수의 경우에서 40mm2미만이었다.
해당 예시에서 요약된 테스트들에서, 구성요소의 유의한 두께와 구성요소의 두께 둘 모두 거의 항상 0.12 mm에서 1900 mm 사이며, 대부분 경우들에서 1.2 mm에서 900 mm 사이, 많은 경우들에서 12mm에서 580 mm 사이, 몇몇의 경우들에서 22mm에서 380 mm 사이, 일부 경우들에서는 112 mm 초과, 일부 경우들에서는 180 mm 미만, 소수 경우들에서는 80 mm미만이고 심지어 40 mm 미만이다. 일부 테스트들에서, 생체모방 설계가 적용된 많은 경우는 구성요소의 유의한 두께와 구성요소의 두께 둘 모두에서 매우 작은 값을 가졌는데 이는 종종 19mm 미만, 때때로 9mm 미만, 그리고 심지어 0.9mm 미만이다.
그림.8에서 묘사된 예시에서 가장 두꺼운 두께의 30%를 제외하고 n=19100을 활용한 복셀로 평가된 후 구성요소의 가장 두꺼운 두께로서 얻어진 구성요소의 유의한 두께는 56.4 mm이었다. n=1060을 활용한 복셀로 평가되고 60번 째 백분위수 미만인 구성요소의 가장 두꺼운 두께로서 얻어진 구성요소의 유의한 두께는 49.2 mm였다.
특정 구성들의 경우, 백 분의 일의 예에서 구현된 바와 같이 좁은 범위가 개선된 성능을 보이며, 때때로 다른 특정한 변수들의 선택과 일치하기도 한다: 직사각형 입방체의 가장 큰 직사각형면적의 0.69배 이하 구성요소의 유의한 횡단면, 가장 큰 횡단면의 20%와 가장 작은 횡단면의 20%를 제외할 때 얻어지는 평균 횡단면으로 평가된 2mm2에서 29000 mm2 사이 구성요소의 유의한 횡단면, n=41000을 활용한 복셀로 평가된 70번 째 백분위 수 미만 구성요소의 가장 두꺼운 두께로 평가된 1.2 mm에서 900 mm 사이 구성요소의 유의한 두께는 우수한 성능 결과를 보여주지만 다른 변수들의 값에 따라 또한 다양하다.
예시 8. 이러한 처리의 혜택을 받는 경우에 대해 압력 및/또는 온도 처리를 미세 조정하기 위해 많은 테스트가 수행되었다. 본 문서에 언급된 모든 구성이 테스트되었다. 그 중, 모든 구성은 예 1, 3, 4, 5, 6, 7, 9, 10, 11 내지 15 및 31에서 테스트되었다. 이러한 모든 경우에, 적어도 하나의 테스트가 수행되었다 - 각 구성과 - 디바인딩 전에 수행된 압력 및/또는 온도 처리 및 최소 한 번의 테스트 수행　-각 구성과- 디바인딩 후 압력 및/또는 온도 처리를 수행한다. 테스트한 압력 및/또는 온도 처리의 각 구성은 적어도 "동일한 압력 적용" 환경에서 테스트되었다. 여기에는 예시 12에서 15까지 수행한 모든 시험도 포함된다. 실시 예 1, 3, 4, 11 내지 15 및 16 내지 30에 기재된 모든 물질을 시험하였다.
첫 번째 구성에서 압력을 가하기 위해 균질한 유체가 사용되었고, 이 유체는 종종 다른 유체 또는 고체 입자로 구성된 유체의 혼합이었지만 오히려 균질하게 혼합되었다. 유체의 점도 수준이 많은 테스트에서 매우 중요한 것으로 증명된 반면, 일부 테스트는 압력을 전달하는 유체에 대한 높은 점도 수준에서 훨씬 더 잘 작동한다는 것을 알게 된 것은 놀라운 일이었다. 다른 테스트들은 압력을 전달하는 유체에 대한 낮은 점도의 수준에서 더 잘 실행되지만, 심지어 일부 테스트들은 점도의 관련성을 보여주지 않았다.
압력 전달 유체의 경우 거의 모든 경우 점도가　1.1 cSt에서 490000000 cSt 사이, 대부분의 경우에 6 cSt에서 49000000 cSt 사이, 많은 경우에 26 cSt에서 9000000 cSt 사이, 몇몇의 경우에 106 cSt에서 940000 cSt 사이, 일부의 경우에 255 cSt 이상, 심지어 1006 cSt 이상인 경우도 있었다.
압력 전달 유체의 높은 점도 수준으로부터 분명히 이익을 얻은 사례들, 이러한 사례들 중 몇 가지는 유체가 소수성이라는 것도 흥미로웠다. 이러한 테스트의 경우 거의 모든 경우 점도는1006 cSt에서 490000000 cSt 사이, 대부분의 경우 10016 cSt에서 94000000 cSt 사이, 많은 경우에 100026 cSt에서 49000000 cSt 사이, 몇몇의 경우에 1006000 cSt 이상, 일부의 경우에 11001000 cSt 이상, 심지어 200001000 cSt 이상이었다. 이러한 경우 다음과 같은 여러 가지 유형의 액체가 테스트되었다: 오일(무기물, 야채, 천연 등), 실리콘 기반 재료, 실리콘 유체, 하나 이상의 실록산 작용기(siloxane functional group)를 가진 액체, 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxanes), 선형 폴리디메틸실록산 용액(linear polydimethylsiloxane fluids), 하나 이상의 올레핀 작용기를 가진 액체, 알파 올레핀 작용기가 하나 이상 있는 액체, 폴리알파올레핀(PAO), 메탈로센 폴리알파올레핀(mPAO), 실리콘 오일, 과불화 오일(perfluorinated oils), 과불화 폴리에테르 오일(PFPE). 또한 일부 경우에는 증점제로 고체 윤활유가 사용되었다: 예를 들어 리튬 베이스와 PFPE 고체 윤활제 등. 여러 테스트에서 압력을 가하기 위한 "유체"는 사실 그리스였기 때문에 "유체"의 개념은 압력을 가하기 위한 "유체"의 그리스로도 확장되어야 한다. 동물성 기름이나 지방이 실험되었고, 많은 경우에 좋은 결과를 제공했지만, 그 냄새는 매우 불쾌했다. 사용된 산업용 그리스의 몇 가지 예로는: 과불화 폴리에테르 오일(PFPE)을 포함하는 그리스, 실리콘 오일을 포함하는 그리스, 과불화 폴리에테르 고체 윤활제로 구성된 그리스, 리튬 기반 고체 윤활유를 포함하는 그리스가 있다. 그리스가 종종 NLGI 지수를 사용하는 경우, 제조사와 더 쉽게 통신할 수 있기 때문에 다음과 같은 NLGI 지수를 사용한 그리스가 테스트되었다: 000, 00, 0, 1, 2, 3, 4 및 4+(4 이상의 것을 포함).
운동학적 점도는 RT,　40℃ 및　100℃ 에서 측정되었다. 이 예에서 보고된 것들은 RT에 있는 것들이다.
압력 전달 유체의 점도가 낮아서 이득을 본 케이스들은 구성 요소를 봉합했을 때(진공 백, 등각 탄성 중합체 코팅 등) 더 잘 작동하는 것처럼 보였고 금속 분말로 채워진 금형의 경우 뚜껑을 닫을 때 특히 주의를 기울이는 것이 더 좋았다. 이러한 테스트의 경우 거의 모든 경우 점도가　1.1 cSt에서 440000 cSt 사이, 대부분의 경우 점도는 6 cSt이상, 많은 경우 26 cSt이상, 몇몇 경우에는 106 cSt 이상, 그리고 일부 경우에는 255 cSt 이상이었다. 몇몇 경우에는 더 높은 점도가 사용되어　1006 cSt 이상이 되었고, 어떤 경우에는 점도가990 cSt 이하였다. 그 경우에 사용된 액체는 몇 가지였다. 몇 가지 언급하자면: 물, 수용액(에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 등), 오일(무기물, 야채, 천연 등), 하나 이상의 올레핀 작용기를 가진 액체, 알파 올레핀 작용기가 하나 이상 있는 액체, 폴리알파올레핀(PAO), 메탈로센 폴리알파올레핀(mPAO), 실리콘 오일, 과불화 오일, 과불화 폴리에테르 오일(PFPE), 탄화수소, 방향족 탄화수소, 지방족 탄화수소가 있다.
여러 테스트에서 압력 전달 유체의 유전체 손실과 유전 상수는 -예 2, 9, 10에서 수행한 것을 포함하여- 매우 중요한 것으로 관찰되었다. 이러한 테스트의 경우 유전체 손실이 중요했으며, 거의 모든 경우 값이 0.006과 3.99 사이였고, 대부분의 경우, 0.011과 1.99 사이, 많은 경우에 0.011과 1.49 사이, 일부 경우에 0.051 이상, 그리고 심지어 0.12 이상인 경우도 있으며, 일부 경우에는 0.97 이하, 몇몇 경우에는 0.09 이하, 심지어 0.009 이하였다. 이러한 테스트의 경우 유전 상수가 중요했으며, 거의 모든 경우 값이 1.1과 48 사이, 대부분의 경우 1.6과 18 사이,　몇몇 경우엔 9 이하와 심지어 3.9 이하, 몇몇 경우에는 2.1 이상과 심지어 2.6 이상이었다. 대부분의 경우 유전 상수 및 유전 손실은 2.45GHz에서 평가되었다. 어떤 경우에는 유전 상수와 유전체 손실이 0.915GHz에서 평가되었다.
일부 테스트에서는 - 실시 예 1, 5, 6, 7, 11 내지 15에서 수행한 것을 포함하여 - 압력 전달 유체의 열화 온도가 중요함을 관찰하였다. 이러한 테스트의 경우 열화 온도가 중요했으며, 거의 모든 경우 값이 56℃ 와 588℃ 사이, 대부분의 경우 92℃ 와 498℃ 사이, 많은 경우 156℃ 와 387℃ 사이, 일부 경우 206℃ 와 297℃ 사이였다.
이 모든 기술로 만족스러운 결과를 얻을 수 있었지만, 일부는 좋은 결과를 제공했고 일부는 구성 요소의 최종 밀도 측면에서 예외적인 결과를 제공했으며, 많은 수는 최대 밀도에 접근하거나 심지어 최대 밀도에 도달했으며, 다른 일부는 원하는 밀도 수준에 도달했지만 예외적인 인성 관련 특성을 동반했다.
특정 구성의 경우, 좁은 범위는 개선된 성능을 보여주었고, 때로는 구현된 100분의 1의 예에서처럼 다른 특정 변수 선택과 일치하기도 했다: 점도가 6 cSt에서 440000 cSt 사이, 유전율 상수가 1.6와 18 사이, 열화 온도가 206℃ 와 297℃ 사이인 적어도 하나 이상 올레핀 작용기를 가진 유체에 기초하여 압력을 가하는 균질 유체. - Expectrasyn과 15.4 cSt, 2.09 및 248℃ 의 mPAO처럼-. 양호한 성능 결과를 나타냈지만 다른 변수의 값에 따라 달라지기도 했다. 또는 적어도 하나의 실록산 관능기를 갖는 실리콘계 유체를 기준으로 압력을 인가하기 위하여 균질 유체를 갖는 점도가 높은 것 중 또 다른 예로는, 점도가 10016 cSt와 49000000 cSt 사이, 유전 손실 0.011와 1.99 사이, 유전 상수 1.1와 48 사이, 열화 온도 156℃ 와 387℃ 사이인 것이 있다. 20,000,000 cSt, 0.1, 2.75와 321℃ 의 clearco 순실리콘처럼-, 우수한 성능을 보였으나 다른 변수의 값에 따라 변화하였다.
두 번째 구성에서, 압력을 가하기 위해 적어도 두 개의 다른 유체가 사용되었고 그것들은 명확하게 분리되었고 두 개의 다른 유체 성질은 공간의 다른 지점에서 감지될 수 있었다. 일부 테스트에서는 압력 전달 용기가 다른 유체를 분리하는 데 사용되었다.
압력 전달 컨테이너의 다양한 재료들이 테스트되었으며, 그 중 다른 재료들은 다음을 포함한다: 탄성체 재료, 수소화 니트릴(HNBR), 폴리아크릴레이트(ACM), 에틸렌 아크릴레이트(AEM), 플루오로실리콘(FVMQ), 실리콘(VMQ), 플루오로카본(FKM), TFE/프로필렌(FEPM), 과불화 엘라스토머(FFKM), 폴리테트라플루오레틸렌(PTFE), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리이미드(PI), 바이턴 (Viton), 에틸렌-프로필렌-디엔 모노머 고무(EPDM), 고분자, 적층 고분자(laminated polymer), 적어도 두 개가 서로 적층(laminated)된다. 적층 고분자 및 호일로 구성된 금속, 적층 고분자와 금속 호일, 적층 고분자와 금속 호일이 접합된 트로프 라미네이션(trough lamination), 적층 고분자 및 접착 밴드로 구성된 금속, 금속 호일. 다른 것들 중에서 금속 호일 Cu 합금, 강철 및 알루미늄 합금이 테스트되었다.
여러 테스트에서 구성 요소와 접촉하는 내부 유체가 다른 유체 중 적어도 하나보다 운동학적 점도가 더 높은지 확인했다. 그 차이는 대부분의 경우 20 cSt와 89000000 cSt 사이, 206 cSt와 19000000 cSt 사이, 많은 경우 1020 cSt와 1900000 cSt 사이, 어떤 경우에는 차이가 90000 cSt보다 낮았고, 몇몇　경우에서 차이는 12000 cSt 보다 컸다. 일부 경우에서 102000 cSt보다 컸고, 몇 가지 경우에 890000 cSt 보다 컸고 심지어 2200000 cSt 보다 컸다.
몇몇 경우에서, 압력 전달 유체는 유동층으로 대체되었고, 따라서 그러한 테스트에서 압력은 단독 또는 적어도 부분적으로 유동층에 의해 적용되었다. 고체 입자부터 압력 및/또는 온도 처리 중에 연화되거나 완전히 녹는 고체 입자, 고체 입자를 포함하는 유체까지 여러 유형의 유동층이 테스트되었다. 유동층에는 금속, 세라믹, 고분자 등 다양한 입자가 사용되었다. 금속 중에서, 실시 예 16 내지 30에서 구할 수 있는 분말의 대부분이 시험되었다.　일부 테스트의 경우 볼의 탄성 한계가 영향을 미치는 것으로 관찰되었으며, 탄성 한계가 영향을 미치는 것으로 관찰된 거의 모든 만족스러운 경우에서 153 MPa와 4940 MPa 사이였고, 대부분의 경우 210 MPa와 3940 MPa 사이, 많은 경우 360 MPa와 2940 MPa 사이, 몇몇 경우 440 MPa 이상, 일부 경우 620 MPa 이상, 몇 가지 경우 1020 MPa 이상, 그리고 심지어 2020 MPa이상이었다. 상기 "금속" 입자 중 일부는 세라믹으로 구성되었으며, 이들은 실시 예 30에서 얻은 것과 같은 MMC(Metal Matrix Composite)였다. 몇몇 사례에서 볼로 구성된 저탄성 한계 금속이 바람직하다는 것을 알 수 있었지만, 재활용성이 훨씬 더 어려웠다. 낮은 탄성 한계가 영향을 미치는 것으로 관찰된 거의 모든 만족스러운 사례는 16 MPa와 190 MPa 사이였고, 대부분의 경우 106 MPa와 140 MPa 사이였다. 대부분의 경우 볼의 크기는 0.0016mm에서 98mm 사이였고, 많은 경우 0.012mm와 19mm 사이, 어떤 경우에는 9.4mm 이하, 어떤 경우에는 0.9 mm 이하, 그리고 심지어 0.42mm 이하였다. 여러 테스트에서 세라믹 입자가 사용되었다(세라믹 분말, MgO 분말, 파이로필라이트 분말,　심지어 다른 것들 사이에서도 고운 보통 소금 등). 여러 테스트에서 고분자 입자가 테스트되었으며, 여기서 두 가지 다른 전반적인 전략이 테스트되었다: 1) 적어도 부분적으로 녹는 고분자, 이 경우 낮은 녹는점 고분자가 사용되었고 압력 및/또는 온도 처리 동안 - 적어도 부분적으로 녹이거나 - 많이 부드러워지도록 허용되었다. 대부분의 경우 최고 압력이 가해지기 전에 용해 또는 연화가 허용되었으며, 거의 모든 경우 고분자 또는 고분자 블렌드의 용해 온도는 26℃ 에서 249℃ 사이, 대부분의 경우 57℃ 에서 194℃ 사이, 일부 경우 103℃ 이상, 일부 경우 123℃ 이하, 일부 경우 93℃ 이하, 그리고 심지어 59℃ 이하였다. - 이러한 사용된 고분자의 예로는 PP, PCL, HIPs, PVA, PE, LDPE, HDPE, ABS, SAN, PMMA, PEVA 등이 있다.-; 2) 유동층의 고분자 입자들은 녹는 것이 허용되지 않았고, 거의 항상 이 테스트에서 고분자는 용융 온도가 110℃ 이상, 많은 경우 170℃ 이상, 220℃ 이상, 일부 경우 310℃ 이상, 그리고 몇몇 경우 350℃ 이상이었다. - 이러한 고분자의 예로는 PPS, PEEK, PI 등이 있다 -. 고분자 분말은 대부분 26와 143 microns 사이, 일부 경우 93 microns 이하, 일부 경우 68 microns 이하, 그리고 심지어 44 microns 이하였다. 일부 테스트에서는 서로 다른 고분자 분말의 혼합물이 사용되었고, 또한 세라믹 입자 및/또는 금속 볼과 함께 고분자 분말의 혼합물이 사용되었으며, 또한 그러한 경우에는 거의 항상 유체 내 입자의 부피 비율이 3% 이상, 대부분의 경우 6% 이상, 많은 경우 11% 이상, 일부 경우 16% 이상, 그리고 일부 경우 36% 이상이었다.
이러한 모든 기술로 만족스러운 결과를 얻을 수 있었지만, 일부는 좋은 결과를 제공했고 일부는 예외적인 결과를 제공했다.
특정 구성의 경우, 좁은 범위는 종종 다른 특정 변수 선택과 일치하는 개선된 성능을 보여주었으며, 이는 100분의 1에서 구현된 몇 가지 예와 같다: 운동학적 점도가 100,000 cSt 이상 또는 심지어 1,000,000 cSt 이상인 내부 유체로 1000 cSt 미만의 미네랄 오일로 구성된 외부 유체를 포함하는 FKM 압력 전달 용기, 또는 내부에 폴리올레핀 분말을 유동층으로, 외부에 폴리프로필렌글리콜을 압력 전달 유체로 하는 바이턴 압력 전달 용기, 또는 내부 압력 전달 유체로서 약 2200 MPa의 탄성 한계를 갖는 36% 이상의 머레이징 볼(크기 약 70microns)을 포함하는 약 1000 cSt를 갖는 mPAO 압력 전달 용기로서 0.8mm 두께의 구리 호일을, 그리고 외부 유체로서 물을, 또는 압력전달용기로서 구리 호일에 PI를 적층하여 내부에 유동층(44microns 미만)을, 외부에는 압력전달용액으로 식물성 오일을 사용하였을 때 좋은 성능 결과를 나타내었으나 다른 변수의 값에 따라 다르게 나타났다.
예 시9.　압력 및/또는 온도 처리의 경우, 고급 적용을 위해 다양한 구성으로 많은 테스트가 수행되었다. 이러한 테스트 중 일부는 서로 다른 열원을 사용했다. 마이크로파를 열원으로 사용했을 때 매우 흥미로운 결과를 얻었다. 그러한 경우 중 일부에서는 %NMVS(일부 경우 %NMVC) 및/또는 프로세스의 겉보기 밀도 및 효율성 사이의 상관관계가 관찰되었다. 기술을 개발하는 동안 (본 문서에 이르는) 어떤 예나 개념 증명에 대해 압력 및/또는 온도 처리를 수행한 모든 경우에서 마이크로파를 대체 소스로 테스트했다(예를 들어 예 1, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 12~15 및 31과 마찬가지로, 예 16~30의 재료와 함께). 이 예에서는 이러한 모든 테스트의 요약이 제공된다.
모든 테스트에서 2.45 GHz가 테스트되었으며, 일부 테스트에서는 0.915 GHz, 5.8 GHz, 6 GHz와 19 GHz 사이의 주파수, 그리고 심지어 몇 가지 테스트에서는 2.45 MHz의 추가 주파수가 테스트되었다. 테스트를 위해 여러 개의 방이 지어졌으며, 거의 모든 방이 원통형이었다. 챔버의 크기는 매우 신중하게 선택되었고, 어떤 경우에는 마이크로파의 공진 측면에서 챔버의 "효과적인" 크기와 모양을 변경하기 위해 금속판이 사용되었다. 때때로 판은 원형이며 "효과적인" 길이를 단축하는 뚜껑 역할을 한다. 그리고 몇몇 다른 테스트에서 금속 판은 다소 직사각형 모양이었고 챔버의 특별한 "효과적인" 모양을 형성하기 위해 배치되었다. (다각형 기하학은 그 중에서 시험되었고, - 따라서 판의 다각형 위치도 - 그 중에서 시험되었다: 육각형 - 따라서 판의 육면체 위치-, 칠각형 - 칠면체-, 팔각형 - 팔면체-, 십이 변형 - 십이면체-; 그리고 삼각형 - 삼각형의-), 플레이트의 조감도 관점(원통형 챔버의 경우 챔버가 원형으로 보이도록 상단에서 원통형 챔버를 바라보는 것)에서 보았을 때 기하학은 거의 모든 경우에 시험한 주파수의 첫 번째 고유값 중 일부에 따라 배치되었다. 챔버에 높은 압력이 가해져 거의 모든 테스트가 620bar와 8900bar 수행되었으며 - 어떤 경우에는 불충분한 것으로 판명되었다 - 대부분 테스트는 1200bar와 8900bar 사이, 많은 경우에는 2100bar 이상, 일부 경우에는 2600bar 이상,　몇몇 경우에는 3010bar 이상, 심지어 3800bar 이상도 있다. 시험에 사용된 전력은 거의 모든 경우에 55W와 55000W 사이, 대부분의 경우에 355W와 19000W 사이, 많은 경우에 555W와 9000W 사이, 여러 테스트에서 1055W 이상, 일부 테스트에서 3055W 이상, 일부 테스트에서 3900W 이하, 심지어 900W　이하였다. 이러한 다양한 테스트를 위해 해당 압력 정격의 챔버를 사용했다.
마이크로파를 가압 챔버로 가져오는 방법에는 다음과 같은 여러 가지 솔루션이 테스트되었다: 1- 전체 마그네트론은 종종 마이크로파로부터 보호하기 위한 차폐판과 함께 챔버 내부에 배치되었다. 이 경우 압력 저항 마그네트론을 제작해야 했으며, 또한 이 경우 챔버에 충분한 전력을 공급하기 위해 고출력 공급 수조가 제공되었으며, 어떤 경우에는 하나 이상의 공급 수조가 사용되었다(대부분의 경우 1100W와 44000W 사이의 전력으로 정격되는 고출력 공급 수조가 사용되었고, 대부분의 테스트에서 5600W와 214000W 사이,　많은 경우 10100W와 169000W 사이, 몇몇 경우 10100W와 79000W 사이였다). 2- 자석전자의 음극과 안테나 사이의 연결은 피드-트루(feed-through)에 의해 중단되었고, 이 경우 고전압 피드-트루(feed-through)가 사용되었다. (거의 모든 경우600V와 190000V 사이, 대부분의 경우 1200V와 110000V 사이, 많은 경우 2200V와 49000V 사이, 또한 겉보기 전력에 도달했을 때 거의 모든 경우 1200VA와 990000VA 사이, 대부분의 경우 6200VA와 190000VA 사이, 많은 경우 11000 VA와 89000 VA사이). 3- 전체 발전기는 가압실 밖에 방치되었고 마이크로파는 동축 피드 스루(coaxial feed-trough)를 통해 챔버에 유입되었으며, 이때 어플리케이터(또는 많은 테스트에선 어플리케이터들)는 챔버 내부에 배치되었다(이 경우 동축 피드 스루가 사용되었다). 거의 모든 경우에서 동축 케이블의 공칭 외경은 7/32"와 4-1/16" 사이, 대부분의 경우 7/16"와 3-1/8" 사이, 많은 경우 7/8"와 3-1/8" 사이, 일부 경우 1-5/8"와 같거나 이상, 그리고 일부 경우 1-5/8" 이하였다. 거의 모든 경우에서 임피던스는 1.1 Ohms와 199 Ohms 사이, 많은 경우 21 Ohms와 150 Ohms 사이, 여러 경우 41 Ohms와 99 Ohms 사이, 일부 경우 41 Ohms와 69 Ohms 사이, 그리고 몇몇 경우 49 Ohms이하), 여러 테스트에서 어플리케이터는 안테나였다 (일부 테스트에서 말한 바와 같이,　어플리케이터는 하나뿐이었고, 일부 테스트에서는 2개에서 990개였다 - 대부분의 경우 2개에서 90개, 많은 경우 2개에서 19개, 여러 경우 4개에서 14개였다). 세 가지 경우 모두 피드 스루가 하나만 있는 구성이 테스트되었지만 피드 스루가 두 개 이상인 구성도 테스트되었다(대부분의 테스트에서 2개에서 19개 사이, 많은 경우 2개에서 9개 사이, 일부에서 4개와 14개 사이). 일부 테스트에서는 마그네트론이 하나만 있는 구성이 테스트되었지만 둘 이상의 마그네트론이 있는 구성도 테스트되었다(대부분의 테스트에서 2개와 19개 사이, 많은 경우 2개와 9개 사이, 일부 경우 4개와 14개 사이). 일부 테스트에서는 마이크로파 발생기가 하나만 있는 구성이 테스트되었지만 하나 이상의 마이크로파 발생기가 있는 구성도 테스트되었다(대부분의 테스트에서 2개와 19개 사이, 많은 테스트에서 2개와 9개 사이, 일부 테스트에서 4개와 14개 사이). 마이크로파 발전기가 사용되었을 때, 종종 압력실의 벽 중 하나 또는 뚜껑 중 하나에 있는 하나 또는 여러 개의 동축 피드 스루에 연결되었고, 응용 장치(종종 안테나)는 동축 피드 스루의 고압 측에 연결되었다. 테스트를 거친 많은 종류의 피드 스루 중에서 많은 것이 밀봉을 위한 유리를 가지고 있었다. 테스트를 거친 많은 종류의 피드 스루 중 많은 것은 밀봉을 위한 세라믹을 가지고 있었다. 마이크로파 발전기가 사용되었을 때, 그것은 종종 고체 상태의 발전기였다. 많은 테스트에서 가압실은 처리 또는 테스트되는 하중이 상하좌우로 이동하거나 회전할 수 있도록 이동을 조달할 수 있는 시스템으로 구성되었으며, 많은 경우 이동 시스템은 가압 유체로 구성되었다. 많은 경우에, 이동 시스템은 종종 챔버 내부에 있었고 또한 종종 금속 판을 통해 마이크로파로부터 차폐된 모터로 구성되었다.
일부 시험은 또한 실시 예 10에서 설명한 것과 동일한 방법으로 "광택" 물질 또는 "광택 패널"로 수행되었다.
고분자 금형(채용 시), 압력 전달 용기(채용 시), 포장 재료(채용 시), 포장 재료(채용 시), 압력을 가하기 위해 사용되는 유체(또는 유동층) 중 적어도 일부 재료의 유전 상수와 유전 손실에 많은 관심이 집중되었다. 대부분의 경우 유전체 손실은 0.006과 3.99 사이, 대부분의 경우 0.011과 1.99 사이, 많은 테스트에서 0.051과 0.97 사이, 일부 테스트에서 0.12 이상, 일부 경우 0.09 이하, 그리고 심지어 0.009 이하로 사용되었다. 대부분의 경우 유전율 상수는 1.1과 1000 사이, 대부분의 경우 1.6과 48 사이,　많은 테스트의 경우 1.6과 9 사이, 여러 테스트에선 3.9 이하, 일부 경우 2.1 이상 그리고 심지어 2.6 이상이다. 때로는 분말 혼합물, 금형의 재료, 봉지 또는 포장 재료, 심지어 압력 인가 유체에도 일종의 "광택" 재료가 포함되기도 했다.
이러한 모든 기술로 만족스러운 결과를 얻을 수 있었지만, 일부는 좋은 결과를 제공했고 일부는 예외적인 결과를 제공했다. 사용된 특정 구성에 따라 특정한 장점이 발견되었지만, 사용된 구성에 관계없이 성능이 보장되었다.
제조된 부품의 기계적 성능 측면에서 이러한 구성을 통해 달성된 고성능은 기존의 기존 및 기존의 MAM 제조 부품과는 비교할 수 없는 수준이다.
예 시10.　고온/고압 또는 밀도화 처리의 경우 고급 적용을 위해 다양한 구성으로 많은 테스트가 수행되었다. 이러한 테스트 중 일부는 서로 다른 열원을 사용했다. 마이크로파를 열원으로 사용했을 때 매우 흥미로운 결과를 얻었다. 그러한 경우 중 일부에서는 %NMVS(일부 경우 %NMVC) 및/또는 겉보기 밀도(AD)와 공정의 효율성 사이의 상관 관계가 관찰되었다. 기술을 개발하는 동안 모든 사례와 개념 증명에 대해 고온/고압 또는 밀도화 처리를 수행한 모든 경우 - 이것이 현재의 문서로 이어졌다 - 마이크로파는 대체 소스로 테스트되었다(예를 들어 예 1, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 12~15, 그리고 31의 경우와 마찬가지로, 예 16~30의 재료와 함께). 이 예에서는 이러한 모든 테스트의 요약이 제공된다.
모든 테스트에서 2.45 GHz가 테스트되었으며, 일부 테스트에서는 0.915 GHz, 5.8 GHz가, 6 GHz와 19 GHz 사이의 주파수, 그리고 심지어 몇 가지 테스트에서 2.45 MHz의 추가 주파수가 시도되었다. 테스트를 위해 여러 개의 방이 지어졌으며, 거의 모든 방이 원통형이었다. 챔버의 크기는 매우 신중하게 선택되었고, 어떤 경우에는 마이크로파의 공진 측면에서 챔버의 "효과적인" 크기와 모양을 변경하기 위해 금속판이 사용되었다. 때때로 판은 원형이며 "효과적인" 길이를 단축하는 뚜껑 역할을 한다. 그리고 몇몇 다른 테스트에서 금속 판은 다소 직사각형 모양이었고 챔버의 특별한 "효과적인" 모양을 형성하기 위해 배치되었다. (다각형 기하학은 그 중에서 시험되었고, - 따라서 판의 다각형 위치도 - 그 중에서 시험되었다: 육각형 - 따라서 판의 육면체 위치-, 칠각형 - 칠면체-, 팔각형 - 팔면체-, 십이 변형 - 십이면체-; 그리고 삼각형 - 삼각형의-), 플레이트의 조감도 관점(원통형 챔버의 경우 챔버가 원형으로 보이도록 상단에서 원통형 챔버를 바라보는 것)에서 보았을 때 기하학은 거의 모든 경우에 시험한 주파수의 첫 번째 고유값 중 일부에 따라 배치되었다. 챔버에 높은 압력이 가해져 거의 모든 테스트가 620bar와 8900bar 수행되었으며 - 어떤 경우에는 불충분한 것으로 판명되었다 - 대부분 테스트는 1200bar와 8900bar 사이, 많은 경우에는 2100bar 이상, 일부 경우에는 2600bar 이상,　몇몇 경우에는 3010bar 이상, 심지어 3800bar 이상도 있다. 시험에 사용된 전력은 거의 모든 경우에 55W와 55000W 사이, 대부분의 경우에 355W와 19000W 사이, 많은 경우에 555W와 9000W 사이, 여러 테스트에서 1055W 이상, 일부 테스트에서 3055W 이상, 일부 테스트에서 3900W 이하, 심지어 900W　이하였다. 이 다른 시험에는 해당 압력 정격의 챔버를 사용하였다.
마이크로파를 가압 챔버로 가져오는 방법에는 다음과 같은 여러 가지 솔루션이 테스트되었다: 1- 전체 마그네트론은 종종 마이크로파로부터 보호하기 위한 차폐판과 함께 챔버 내부에 배치되었다. 이 경우 압력 저항 마그네트론을 제작해야 했으며, 또한 이 경우 챔버에 충분한 전력을 공급하기 위해 고출력 공급 수조가 제공되었으며, 어떤 경우에는 하나 이상의 공급 수조가 사용되었다(대부분의 경우 1100W와 44000W 사이의 전력으로 정격되는 고출력 공급 수조가 사용되었고, 대부분의 테스트에서 5600W와 214000W 사이,　많은 경우 10100W와 169000W 사이, 몇몇 경우 10100W와 79000W 사이였다). 2- 자석전자의 음극과 안테나 사이의 연결은 피드-트루(feed-through)에 의해 중단되었고, 이 경우 고전압 피드-트루(feed-through)가 사용되었다. (거의 모든 경우600V와 190000V 사이, 대부분의 경우 1200V와 110000V 사이, 많은 경우 2200V와 49000V 사이, 또한 겉보기 전력에 도달했을 때 거의 모든 경우 1200VA와 990000VA 사이, 대부분의 경우 6200VA와 190000VA 사이, 많은 경우 11000 VA와 89000 VA사이). 3- 전체 발전기는 가압실 밖에 방치되었고 마이크로파는 동축 피드 스루(coaxial feed-trough)를 통해 챔버에 유입되었으며, 이때 어플리케이터(또는 많은 테스트에선 어플리케이터들)는 챔버 내부에 배치되었다(이 경우 동축 피드 스루가 사용되었다). 거의 모든 경우에서 동축 케이블의 공칭 외경은 7/32"과 4-1/16" 사이, 대부분의 경우 7/16"와 3-1/8" 사이, 많은 경우 7/8"와 3-1/8" 사이, 일부 경우 1-5/8"와 같거나 이상, 그리고 일부 경우 1-5/8" 이하였다. 거의 모든 경우에서 임피던스는 1.1 Ohms와 199 Ohms 사이, 많은 경우 21 Ohms와 150 Ohms 사이, 여러 경우 41 Ohms와 99 Ohms 사이, 일부 경우 41 Ohms와 69 Ohms 사이, 그리고 몇몇 경우 49 Ohms이하), 여러 테스트에서 어플리케이터는 안테나였다 (일부 테스트에서 말한 바와 같이,　어플리케이터는 하나뿐이었고, 일부 테스트에서는 2개에서 990개였다 - 대부분의 경우 2개에서 90개, 많은 경우 2개에서 19개, 여러 경우 4개에서 14개였다). 세 가지 경우 모두 피드 스루가 하나만 있는 구성이 테스트되었지만 피드 스루가 두 개 이상인 구성도 테스트되었다(대부분의 테스트에서 2개에서 19개 사이, 많은 경우 2개에서 9개 사이, 일부에서 4개와 14개 사이). 일부 테스트에서는 마그네트론이 하나만 있는 구성이 테스트되었지만 둘 이상의 마그네트론이 있는 구성도 테스트되었다(대부분의 테스트에서 2개와 19개 사이, 많은 경우 2개와 9개 사이, 일부 경우 4개와 14개 사이). 일부 테스트에서는 마이크로파 발생기가 하나만 있는 구성이 테스트되었지만 하나 이상의 마이크로파 발생기가 있는 구성도 테스트되었다(대부분의 테스트에서 2개와 19개 사이, 많은 테스트에서 2개와 9개 사이, 일부 테스트에서 4개와 14개 사이). 마이크로파 발전기가 사용되었을 때, 종종 압력실의 벽 중 하나 또는 뚜껑 중 하나에 있는 하나 또는 여러 개의 동축 피드 스루에 연결되었고, 응용 장치(종종 안테나)는 동축 피드 스루의 고압 측에 연결되었다. 테스트를 거친 많은 종류의 피드 스루 중에서 많은 것이 밀봉을 위한 유리를 가지고 있었다. 테스트를 거친 많은 종류의 피드 스루 중 많은 것은 밀봉을 위한 세라믹을 가지고 있었다. 마이크로파 발전기가 사용되었을 때, 그것은 종종 고체 상태의 발전기였다. 많은 테스트에서 가압실은 처리 또는 테스트되는 하중이 상하좌우로 이동하거나 회전할 수 있도록 이동을 조달할 수 있는 시스템으로 구성되었으며, 많은 경우 이동 시스템은 가압 유체로 구성되었다. 많은 경우에, 이동 시스템은 종종 챔버 내부에 있었고 또한 종종 금속 판을 통해 마이크로파로부터 차폐된 모터로 구성되었다. 때때로 금속판은 광택이 났다.
처리 중인 구성요소의 값이 %NMVS 및 %NMVC 및/또는 높은 AD 값인 경우 - AD 값이 71% 이상인 경우가 더 많으며, 자주 79,8% 이상, 심지어 자주 86% 이상인 경우, 꽤 규칙적으로 97% 이상인 경우, 심지어 99.1%인 경우 더 많았다; %NMVS 및 %NMVC의 경우 값이 9%　이하일 때가 있고, 4%　이하가 더 많으며, 1.2%　이하일 때는 더 자주, 0.3%　이하일 때는 더 많이) 원하는 온도로 가열하는 것이 때로는 어려웠다. 이러한 경우, "광택" 재료와 "광택" 패널을 사용하는 것이 큰 도움이 되었다. 많은 테스트에서 발광 재료는 전자파를 적용했을 때 매우 빠르게 9가열되었다. 몇 가지 "발광" 물질이 테스트되었다 (그 중에서도: 여러 합금, 합금을 포함하는 금속 - 다른 몰리브덴 기반 합금들 중에서, 텅스텐 기반 합금, 탄탈륨 기반 합금, 지르코늄 기반 합금, 니켈 기반 합금, 철계 합금 등- 테스트에 사용된 주파수에서 유전체 손실이 높은 많은 재료 - 대부분의 경우 2.45GHz에서 10.49와 199 사이, 많은 경우2.45GHz에서 20.97과 99 사이 -, 이러한 재료 중 세라믹 재료 - 탄화물 *p.e. TiC*, 붕소 화물 *p.e. TiB2*, 티탄산염 *p.e (Ba, Sr (TiO3) 등)와 같이. "발광" 재료는 종종 분말 형태로 사용되었고, 때때로 지지 재료에 분사 및/또는 투사되었으며, "발광" 재료에 대한 다른 많은 접합 방법도 테스트되었다. 발광 재료를 지지하는 요소의 몇 가지 형태가 시험되었다: 정사각형, 직사각형, 구형, 원뿔형, 원통형, 다각형, 불규칙형 등. 일부 테스트에서는 마이크로파 응용 프로그램, 안테나 및/또는 마그네트론 및/또는 마이크로파 발생기의 부품이 "발광" 물질을 지지하는 요소 내부에 있었다. 많은 재료들이 "광택" 재료를 지지하는 요소들에 대해 테스트되었다 - 금속판, 합금, 합금으로 구성된 금속, 몰리브덴 기반 합금, 텅스텐 기반 합금, 탄탈륨 기반 합금, 지르코늄 기반 합금, 니켈 기반 합금, 철계 합금, 세라믹 등. - 종종 온도 노출을 낮추고 특정 유해 방사선을 차단하기 위해 "발광" 물질을 지지하는 요소와 가압실 사이에 방사선 차폐물을 설치했다. 많은 경우에 방패 하나면 충분했지만 다른 많은 경우에 하나 이상의 방패가 더 나았다. - 종종 2개와 49개 사이, 어떤 경우에는 2개와 19개 사이, 어떤 경우에는 4개와 9개 사이이다-. 때로는 연마된 방사선 실드의 재료로서 많은 것들이 시험되었다 - 다른 합금들 중에서 합금으로 구성된 금속, 몰리브덴 기반 합금, 텅스텐 기반 합금, 탄탈륨 기반 합금, 지르코늄계 합금, 등-. 종종 방사선 실드는 서로에 대해 동심원하게 배치되었고 종종 수직 축을 중심으로 동심원하게 배치되었다(또는 종종 차례로 가압된 챔버의 축과 평행한 "발광" 물질을 지지하는 요소 중 하나와 공유되거나 평행한 축). 때때로 크기는 다르지만 "발광" 재료를 지지하는 요소의 형상과 일치하는 다양한 방사선 차폐 형상이 테스트되었다. - 그 중에서도: 원통형, 사각형, 직사각형, 구형, 원뿔형, 다각형, 불규칙형 등-.
이러한 모든 구성으로 만족스러운 결과를 얻을 수 있었지만, 일부는 좋은 결과를 제공했고 일부는 예외적인 결과를 제공했다.
사용된 특정 구성에 따라 특정한 장점이 발견되었지만, 사용된 구성에 관계없이 성능이 보장되었다. 제조된 부품의 기계적 성능 측면에서 이러한 구성을 통해 달성된 고성능은 기존 및 기존 MAM 제조 부품에 적용된 기존의 보다 전통적인 고온 고압 처리 기술과는 비교할 수 없을 정도였다.
예 시11. 본 문서에서 설명하는 입자 형태의 금속 재질로 채워진 적층 제조 금형을 사용하는 제조 기술에 대해서는 여러 적층 제조 기술 및 재료를 시험하였다. 이러한 테스트 중 일부는 사용된 고분자 물질의 특성과 함께 이 예에서 보고된다.
AM(CLIP 기반 DLS, FDM, FFF 또는 DED와 유사한 인쇄 헤드가 있는 BAAM)을 비롯한 다양한 기술을 통해 다양한 종류 또는 금형(일부는 복잡한 기하학적 구조와 내부 특징을 가지고 있음)을 제조하는 데 사용되는 일부 고분자 물질의 관련 특성은 다음 표와 같이 시험하였다:
폴리머 Tg
(℃)		 Tm
( ℃ )		 0.455 MPa에서HDT (℃ ) 1.82 MPa에서 HDT (℃) 비카트 ( ℃ ) 인장강도
(MPa)		 인장계수
(MPa)		 탄성계수
(GPa)
수지 1 62 　 　 　 　 8 3500 　＜ 3.5
수지 2 62 　 　 　 　 　 　 　 ＜2.14
PP 0 　 62 　 107 　 　 　
PP
***		 0 139± 2 　 56± 5 　 29± 1 1400± 100 1.15± 0.025
PP **** 0 139 71 56 　 25 1400 1.15
PEBA 　 150 　 　 　 8 80 　
PA121 50 187 175 95 　 48 1700 　
PA122 50 176 　 　 163 52 1800 1.5
PS 105 　 　 　 　 5.5 1600 　
PCL* -59 79 57 　 　 45 350 　
PCL** -59 58-60 　 　 　 17.5 470 0.41
PLA1 57 150 　 65 85 110 3309 　
PLA2 54-64 145-160 　 56 　 108 3600 　
HIPS 100 　 　 79 100 38 1750 　
LDPE -125 112 　 　 95 13.5 115 　
HDPE -125 132 　 　 79 27 1100 　
PMMA 90 155 　 　 77 51 　 2.3
ABS 108 　240 96 82 　 31 2200 2.1
PC 150 225 148 133 145 76.4 2310 2.13
*분자 중량은 75000. **분자 중량은 47500-130000
***결정도＞ 20% ****결정도 ＞30%.
모든 용융점(Tm)은 다음의 ISO11357-1/-3:2016의 테스트 조건을 따라 측정된다. 더욱이, 1.82 MPa에서의 HDT와 유리전이온도(Tg)는 각각 다음의 ASTM D648-07과 ASTM D3418-12의 테스트 조건을 따라 결정된다. 0.455 MPa에서의 HDT는 다음의 ISO 75-1:2013의 테스트 조건을 따라 결정된다. 모든 경우에서, 측정은 시금의 재현성을 보장하기 위해 3번씩 수행되고 성형단계 A를 활용하여 제조된 테스트 시편을 사용한다.
서로 다른 AM 기술을 사용하여 금형을 제조하는 데 사용되는 고분자 물질의 일부 예는 아래 표와 같다:
AM 기법 폴리머
SLA 수지 1, 수지 2, 에폭시 수지, UF, MF
DLP 수지 1, 수지 2, PF, UF, MF
CDLP 수지1, 수지 2, 에폭시 수지, UF, MF
SLS PP***, PP****, PEBA, PA122, PS, PCL2, PVC, Kollidon VA64, Kollidon 12FP, 에폭시 수지, PA6, PE, PA11, PHA, PHB
MJF PA121, PPO, PA6, PA122, PA11
FDM PP (homopolymer), PCL1, PLA1, PLA2, HIPS, LDPE, HDPE, PMMA, ABS, SAN, PPO, PVC, PVA, PC, POM, PE, PET, PBT, UP, PHA, PHB
BJ PVA, PMMA, PA12, PA6
DOD 수지1, 수지2, 에폭시 수지, PF
PIM PET, PP, PA6, HDPE
***결정도＞ 20% ****결정도 ＞30%.
예 시12. 입자 형태의 금속 물질로 채워진 적층 제조 금형을 사용하여 여러 테스트 구성 요소를 제조하였다. 금형은 본 문서에 설명된 대로 제조되었으며, 실시 예 1, 11 및 13 내지 15에 설명된 사례도 테스트되었다(일부 테스트에서 금형은 여러 기술을 사용하여 제조되었다: FDM, FFF; SLA, DLP, DLP 투영 홀로그램, DLS based on CLIP, CDLP, SLS, SHS, MJ, DOD; BJ, MJF; DED-; 위에서 설명한 기술에 사용되는 것과 유사한 인쇄 헤드가 있는 BAAM). 이러한 모든 기술로 만족스러운 결과를 얻을 수 있었지만, 일부는 좋은 결과를 제공했고 일부는 예외적인 결과를 제공했다. 이 문서에 언급된 유기 재료는 금형을 제조하는 데 사용되었으며, 그 중 실시 예 1, 2, 3, 4, 9, 11, 및 12내지15에 포함된 재료가 모두 만족스러운 결과를 얻을 수 있었고, 유기 물질 중 일부는 좋은 결과를 제공하고 일부는 탁월한 결과를 제공했다. 이 문서에 설명된 금속 구성 재료는 주형을 채우는 데 사용되었으며, 그 중 실시 예 1, 3, 4, 11~15 및 16~30에 포함된 재료가 포함되었으며, 이러한 모든 금속 구성 재료로 만족스러운 결과를 얻을 수 있었고 몇몇은 좋은 결과를 제공했고 몇몇은 예외적인 결과를 제공했다. 금형 및 기타 부품의 제조는 본 문서에 기재된 제조단계에 따라 수행하였으며, 사용되는 기술 및 재료에 따라 특정한 장점이 발견되었으나, 사용되는 기술 및 재료에 관계없이 성능이 확보되었다. FIG. 4의 하부 이미지, FIG. 5 및 FiG. 6의 3개 중간 세그먼트에서 몇 가지 예를 확인할 수 있다. 금형 중 일부는 상기와 같이 제조되고 접합된 서로 다른 조각들을 조립하여 구성하였으며,　FIG. 7에서 볼 수 있다. 어떤 것들은 단지 함께 조립되었을 뿐이고, 어떤 것들은 결합 매체로 결합되었으며(접착제, 시아노아크릴레이트, …), 일부는 접합 가장자리에서 AM 부품의 유기 물질을 녹임으로써 접합되었고(저항열, 핫팁, 열풍 등 포함), 또한 어떤 경우에는 재료가 "융해"로 유입되거나 직접 다른 물질이 AM 조각 가장자리 위에서 용융되어 접합되었다(PP, PCL 및 기타 많은 것들이 테스트되었다). 예를 들어, 이 예에서 수행한 100분의 1의 시험 중 하나를 더 논의한다:
고분자 첨가제 제조에 기반을 둔 기술들 내에서, 본 문서에 기술된 물질들을 시험하였다. 예 11에서는 그러한 재료 중 일부의 특성과 시험한 모든 금속 재료의 모든 제조 방법에 사용된 특성을 보고한다. 금형을 채우기 위한 금속분말로서 본 문서에 기재된 것을 시험하였으며, 또한 실시 예 1, 2, 3, 5, 17 및 19 내지 30에 기재된 것을 포함하였다. 실시 예 16 및 18에서 설명한 혼합 전략 및 기타 전략을 모두 테스트하였다. 이 문서에서 정의한 압력 및/또는 온도 처리에 균질한 압력 적용에 대한 전략을 적용했을 때 매우 큰 성공을 거두었다 - 이 전략은 예 8에서 잘 예시되어 있고, (예 1에서도 찾을 수 있음)-. 또한 이 문서에서 압력 및/또는 온도 처리에서의 마이크로파 가열 사용에 대해 설명하고, 예 9에 예시된 전략은 매우 성공적이었다. 또한 입증된 예 9의 예 2-에서 특정 예가 제공되었다. 종종 몰드에 채워질 때 분말 또는 분말 혼합물이 특정 %O 및 %N 함량을 가지도록 선택되었다(%O:　대부분의 경우 250ppm과 19000ppm 사이, 대부분의 경우 410~4900ppm, 여러 테스트의 경우 210에서 900 ppm사이; %N: 대부분의 경우 12ppm에서 9000ppm 사이, 대부분의 테스트에서 55~490ppm, 여러 테스트에서 110에서900ppm 사이). 여러 충전 기술이 테스트되었으며, 분말을 혼합하기 위한 다양한 유형의 혼합 전략과 또한 진동 및 금형의 충진을 개선하기 위한 기타 수단을 포함했다.
거의 모든 경우에, 채워진 금형은 밀봉되었다(뚜껑을 접착하거나, 진공으로 녹이거나,　캡슐화하거나, 진공 포장, 주위에 등각 금형을 만들거나 - 액체 엘라스토머에 담그거나, 용액으로 구성된 엘라스토머/플라스틱을 분사하거나 도장하는 등). 그런 다음 압력 및/또는 온도 처리가 적용되었다. 그 단계에 많은 관심이 집중되었다.　대부분의 경우 6 MPa와 2100 MPa 사이의 최대 압력에 도달했고, 대부분의 테스트에서 110 MPa와 990 MPa 사이의 최대 압력에 도달했으며,　일부 경우에서 220 MPa와 590 MPa 사이 경우에서도 최대 압력에 도달했다. 대부분의 테스트에서 압력 및/또는 온도 처리에는 온도 상승도 포함되었다(대부분의 테스트에서 46℃ 에서 995℃ 사이의 최대 온도,　많은 테스트에서 106℃ ~ 495℃ 사이, 그리고 여러 경우 76℃ 에서 245℃ 사이). 일부 테스트에서, 가장 흥미롭고 따라서 모니터링된 것은 가압 유체의 최대 온도 기울기였다(대부분의 경우 6℃ 에서 380℃ 사이, 많은 경우 11℃ 에서 245℃ 사이, 몇 가지 경우에 6℃ 그리고 여러 경우 105℃ 에서 380℃ 사이). 한 가지 흥미로운 변수는 최적의 처리 시간으로 종종 246분에서 119시간 사이, 가끔 410분에서 23.9시간 사이였지만, 예 9의 전략이 시험되었을 때,　그것은 1분에서 54분 사이의 시간으로 단축될 수 있었고, 사실 종종 최적 시간은 21분 미만, 심지어 8분 미만으로 단축되었다. - 예 14와 15는 이러한 효과를 예시한다-.
대부분의 경우 압력 및/또는 온도 처리는 이 문서에 설명된 대로 3단계로 구성된다:
I) 금형에 고압을 가함
II) 고압을 유지하면서 Mold의 온도를 높인다. 그리고
III) 충분히 높은 온도를 유지하면서 일부 압력을 가한 몰드로 방출한다.
단계 i)에서 최대 압력의 올바른 양을 위해 (거의 모든 경우에 10 MPa와 1900 MPa 사이의 값이 사용되었다; 대부분의 테스트에서 20MPa와 690 MPa 사이, 많은 테스트에서 60 MPa와 490 MPa 사이) 단계 ii)에서 금형의 온도를 올렸고 (대부분의 테스트에서 350 K와 690 K 사이의 최대 온도, 많은 테스트에서 380 K와 560 K 사이), 단계 ii)의 올바른 압력 수준은 (대부분의 경우 5.5 MPa와 1300 MPa 사이; 많은 테스트에서 105 MPa와 860 MPa 사이, 여러 테스트에서 215 MPa와 790 MPa 사이였다). iii) 단계에서 충분히 높은 온도(대부분의 테스트에서 380K와 690K 사이, 많은 테스트에서 400K와 660K 사이)는 대부분의 경우 390 MPa 이하, 많은 테스트에서 19 MPa 이하, 여러 테스트에서 0.2 MPa 이하였고, 실제로 많은 테스트에서 이 단계에서 압력이 완전히 해제되었다.
이 단계부터:
- 일부 테스트의 경우 이 문서에 설명된 대로 디바인딩 단계가 수행되었다.
- 일부 테스트의 경우 디바인딩 단계가 생략되었다.
- 일부 테스트의 경우 이 예제에 제공된 지침으로 구성된 이 문서의 표시에 따라 두 번째 압력 및/또는 온도 처리가 적용되었다.
- 일부 테스트의 경우 두 번째 압력 및/또는 단계가 생략되었다.
- 일부 테스트의 경우 %O 및/또는 %N 고정 단계가 적용되었다.
- 일부 테스트의 경우 고정 단계가 생략되었다.
- 일부 테스트의 경우 이 문서에 설명된 대로 통합 단계를 적용했다 - 예 13과 3에서 7까지 예시된 모든 전략들 중 몇몇 전략들은 다른 전략들 사이에서 시도되었다.　
- 일부 테스트의 경우 통합 단계가 생략되고 대신 밀도화 단계가 적용되었다. - 예 10의 전략도 테스트되었다-
- 일부 테스트의 경우 통합 및 밀도화 단계가 동시에 적용되었다. 　-　예 10의 전략도 테스트되었다.
- 일부 테스트의 경우 밀도화 단계가 적용되었다 - 예 10의 전략도 테스트되었다-
- 일부 테스트의 경우 밀도화 단계가 생략되었다.
- 일부 테스트의 경우 열처리 단계가 적용되었다.
- 일부 테스트의 경우 열처리 단계가 생략되었다.
- 일부 테스트의 경우 구성 요소에 대해 기계가공이 수행되었다(디바인딩 단계 후, 고정 단계 후, 밀도화 단계 후 및/또는 열처리 단계 후).
- 일부 테스트의 경우 기계가공이 생략되었다.
예시 13. 압밀 단계에 대한 몇 가지 구성을 테스트했다. 대부분의 테스트에서 최대 압력은 최소 1mbar와 4900bar 이하 사이로 유지되었으며,　많은 테스트에서 최대 압력은 10mbar와 790bar 사이에 유지되었으며,　심지어 다른 테스트에서도 최대 압력은 89bar 이하로 유지되었다. 그러한 한계 사이에 모든 경우에 평균 압력이 유지되었다. 사용된 최대 온도는 일부 경우 0.36*Tm 이상 0.96*Tm　이하, 대부분의 경우 0.46*Tm에서 0.88*Tm 사이, 0.54*Tm, 0.66*Tm에서 0.78*Tm와 0.68*Tm 사이에서도 최대 온도를 테스트했다. 특정 구성의 경우, Tm 이상의 온도도 테스트되며, 대부분의 경우 최대 1.9*Tm, 심지어 0.96*Tm에서 1.49*Tm까지였다. 이러한 테스트 중 일부의 경우 액체의 부피 위상은 일반적으로 0.2 vol%에서 39 vol% 사이에서 결정되었으며,　많은 경우 29 vol%　이하, 심지어 19 vol%이하였다.
일부 다른 테스트에서는 최대 압력을 900bar 이하, 90bar 이하, 그리고 일부 테스트에서는 1.9bar 이하로 유지하면서 온도를 높였다. 이 첫 번째 단계에서 도달한 최대 온도는 0.89*Tm과 0.36*Tm 사이, 많은 테스트에서 0.46*Tm과 0.79*Tm 사이, 심지어 일부 테스트에서 0.69*Tm 이하였다. 이러한 조건은 일부 테스트에서 590분 이하, 390분 이하, 그리고 심지어 일부 테스트에서 240분 이하로 유지되었다. 그 후, 대부분의 경우 사용된 최대 압력은 많은 경우 210bar와 6400bar 사이,　일부 경우 551bar와 2900bar 사이, 일부 테스트에서는 1900MPa　이하의 최대 압력도 테스트했다. 그런 다음, 온도를 0.76*Tm으로 올렸고, 일부 테스트에서는 0.86Tm으로, 일부 테스트에서는 0.96*Tm으로 16분 동안, 다른 테스트에서는 66분 동안, 다른 테스트에서는 적어도 178분 이상 이러한 조건을 유지했다.
예시 14. 그림 8에 표시된 구성 요소의 음극인 대형 몰드(베이스가 열린 채로 있고 해당 뚜껑이 동일한 재료로 인쇄된 경우)는 평균 벽 두께 2mm의 PP 분말 SLS 인쇄를 통해 제조되었다. 벽은 1mm 미만의 편차로 상당히 일정했다. 금형을 세척하여 느슨한 분말을 제거하고, 실시 예 17에서 합금 4에 명시된 제4 혼합 전략을 30분 동안 분말 블렌더에 혼합한 후 진동 및 교반을 이용하여 금형에 채워 76.8%의 겉보기 밀도를 달성하였다. 금형은 뚜껑의 가장자리와 금형을 함께 녹이는 방법으로 인쇄된 뚜껑으로 밀봉되었다. 그런 다음 밀봉된 금형을 압력 및/또는 온도 처리했다 - 압력 전달 용기 및 예 8에 따른 적절한 유체를 사용했다 - 이 시점에서 단계 i)를 위해 실온에서 150 MPa의 압력을 가하고, 그런 다음 온도를 천천히 150℃ 로 올리고 2시간 동안 유지했으며, 이는 단계 ii)에서 압력이 220MPa까지 상승하는 부수적인 의미를 갖는다. 그런 다음 챔버 압력이 해제되는 동안 온도가 천천히 떨어지도록 했으며 전체 처리 시간은 7.5시간이었다.
예시 15. 그림 8에 표시된 구성 요소의 음극인 대형 몰드(베이스가 열린 채로 있고 해당 뚜껑이 동일한 재료로 인쇄된 경우)는 평균 벽 두께 2mm의 PP 분말 SLS 인쇄를 통해 제조되었다. 벽은 1mm 미만의 편차로 상당히 일정했다. 금형을 세척하여 느슨한 분말을 제거하고, 실시 예 17에서 합금 4에 명시된 제4 혼합 전략을 30분 동안 분말 블렌더에 혼합한 후 진동 및 교반을 이용하여 금형에 채워 76.8%의 겉보기 밀도를 달성하였다. 금형은 뚜껑의 가장자리와 금형을 함께 녹이는 방법으로 인쇄된 뚜껑으로 밀봉되었다. 그런 다음 밀봉된 금형을 압력 및/또는 온도 처리했다 - 압력 전달 용기 및 예 8에 따른 적절한 유체를 사용했다 - 이 시점에서 단계 i)에 대해 실온에서 350 MPa의 압력을 가한 다음 실시 예 9에 설명된 바와 같이 마이크로파 가열을 통해 분말의 온도를 120℃ 이상으로 매우 빠르게 상승시켰다 - 2.45GHz; 2분의 펄스로 6000W- 단계 ii)에서 압력이 370MPa까지 상승하는 부수적인 영향을 미치는 5분 동안 유지한 다음 챔버 압력이 해제되는 동안 온도가 천천히 떨어지도록 허용하였고 전체 처리 시간은 18분이었다.
예시 16. 수천 개의 철 기반 분말과 분말 혼합물이 테스트되었다. 본 문서에 설명된 철 기반 분말 및 분말 혼합물의 다양한 전략이 테스트되었다. 철 기반의 분말 특성에 많은 관심을 기울였다. 단독 분말을 사용한 경우에는 다른 성질을 시험하였다. 철계 분말 혼합물의 경우, 성질이 다른 분말 혼합물을 시험하였다. 결과 보고는 여러 예(주로 16-23)로 분할되었다. 수천 개의 결과를 보고할 수 없기 때문에 모든 실행에서 적어도 하나의 관련 특성이 실험실 아크 용해로가 있는 LAB에서 정확히 동일한 구성 용융과 비교하여 더 나은 구성 중 적어도 일부를 보고하기로 결정되었다 - Edmund Buhler GmbH Arc Melter AM200실시 예 17 및 19 내지 23은 단일 분말로서 시험했을 때의 조성이나, 다른 분말의 혼합으로서 시험했을 때의 혼합물의 전체적인 조성을 보고하고 있다. 단일 분말 및 분말 혼합물로서 이러한 전체 조성물 각각에서 항상 수행된 시험은 실시 예 18에 보고되어 있는 반면, 이 실시 예에서는 철계 분말에 대해서만 수행되거나 적어도 더 자주 수행된 시험 중 일부는 이 예에서 보고된다. 보고된 모든 구성에 대해 수행되지 않은 테스트는 보고되지 않는다.
실시 예 18에서 이미 언급한 바와 같이, 모든 조성물을 단일분말로 시험하였으며, 그 중에서도 물 원자화, 산화물 환원 및 분쇄된 분말을 사용하였다. 이들은 일반적으로 철계 합금의 통상적인 MAM에는 사용되지 않으며, 본 예에서는 특별히 주의를 기울였다.
모든 조성물은 서로 다른 성질의 분말의 많은 다른 혼합물로 시험되었으나, 실시 예 18에서 언급한 것과 동일한 "전체" 조성을 제공하였고, 실시 예 18에서 언급한 일부 다른 성질은 이 예에서 더욱 심도 있게 시험되었다.
그러한 경우 중 하나는 카보닐 분말의 사용 사례이다. 철 기반 합금 분말의 경우, 카르보닐 철 분말로 구성된 혼합물을 사용하여 평소보다 훨씬 더 많은 테스트를 수행했다. 작은 분말의 적어도 일부로 카르보닐 철을 사용하여 많은 테스트를 수행했다. 불규칙한 분말(대부분의 경우 22%에서 89% 사이, 많은 경우 36%에서 79% 사이) 및 높은 카보닐 비율(대부분의 경우 11%에서 59% 사이, 많은 경우 21%에서 39% 사이)의 LP와의 혼합물에 각별한 주의를 기울였다(대부분의 경우 42%에서 79% 사이, 많은 경우 46%에서 66% 사이). 종종 LP 전력의 최종 전체 조성보다 낮은 수준에서 적어도 하나의 인터스티셜(interstitial)을 가지고(몇몇 경우에서 %C는 마지막에 있었던 것의 절반 이하, 종종 10배 이하 작은 함량, 때로는 조절된 수조 함량이 0.15% 이하, 많은 경우 0.1% 이하), 종종 카보닐 철 이외에 추가적인 SP 분말을 가지고 있다(여기서 많은 대안이 시도되었는데, 적어도 하나의 추가적인 SP가 통합되었고 서로 다른 관련 요소들이 서로 다른 SP 분말과 LP 분말의 함량에서 상당한 차이를 보이는 것을 언급할 가치가 있다. 동일한 전략이 LP 구형 분말(대부분의 경우 구형도가 76% 이상, 많은 경우 92% 이상)로 테스트되었는데, 이 경우 LP와 카보닐 철의 양이 다양하지만, 다른 SP 분말과 함께 반드시 전략을 따르는 것은 아니다 - LP 함량: 대부분의 경우 51%와 89% 사이, 많은 경우 65%와 78% 사이,　카보닐 철 - 대부분의 경우 6%와 45% 사이, 많은 경우 17%와 26% 사이). 적어도 일부 인터스티셜이 낮은 수준으로 유지되는 전략에 대해 인터스티셜을 제외한 모든 요소를 볼 때 언급할 가치가 있는 구성 전략은 다음과 같다: 최종 조성(언급한 바와 같이, 인터스티셜은 제외)과 거의 동일한 조성을 가진 LP 및 LP 분말과 유사한 카보닐-철과 함께 모든 SP 분말의 전체 조성을 전달하도록 배열된 조성을 가진 카보닐-철을 제외한 모든 SP(몇몇 경우에 SP는 맞춤형 조성을 가진 원자화된 분말이었지만 어떤 경우에는 SP 분말의 적어도 일부가 합금철 또는 일반 모합금이었다). 또한 SP를 다수의 카르보닐철 분말로 구성한 분말 혼합물과 원하는 전체 조성을 제공하는 마스터 합금인 LP를 불규칙한 LP와 구형 LP로 모두 시도했다.
분명히 적어도 하나의 관련 원소에서 상당한 차이가 있는 모든 혼합물은 실시 예 18에서 언급된 바와 같이 테스트되었으나, 고체 용액에 존재할 때 강한 강화 작용을 하는 요소에 특별한 주의를 기울였다. 이 점에서 작은 분말 중 하나 이상과 비교하여 큰 분말에 대한 하나 이상의 요소에서 상당한 차이를 초래하기 때문에 LP의 합금화가 제한되어 동일한 %C, %N 및 %O 수준의 강철에서 5%Cr의 고용체에 의한 등가적인 강화를 초과하지 않도록 수행되었다. 또한 일부 시험에서는 순수철에 5% Cr의 고용체에 의한 등가강화를 초과하지 않도록 합금화가 제한되었던 주요 SP 분말에 대해서도 주의를 기울였다.
예시 17. 공구강(Tool Steels)에 특히 주의를 기울이는 몇 가지 고열전도성(High Thermal Conductivity) 강철이 테스트되었다. 본 문서에 설명된 분말 및 분말 혼합물의 관점에서 서로 다른 전략을 테스트했으며, 그 중에서도 예 16 및 18에 설명된 모든 전략은 아래 표의 모든 전체 조성물에 대해 테스트되었다. 특히 철 카보닐 분말을 포함하는 많은 테스트가 수행되었다. 크기가 다른 분말을 혼합한 여러 테스트에서 작은 분말 중 하나로 카르보닐 분말을 사용하였다. 시험한 합금의 목록은 100페이지 이상이며, 확장을 위해 분말 혼합물을 사용했을 때 시험한 분말의 조성 또는 혼합물의 전체 조성만 나열되며, 몇 가지 대표적인 경우에 한한다. 실시 예 16 및 18의 전략에 따라 표에 나열된 합금을 사용한 모든 테스트에서 적어도 하나의 관련 특성이 실험실 아크 용해로가 있는 LAB에서 정확히 동일한 조성의 용융물과 비교하여 더 우수했다- Edmund Buhler GmbH Arc Melter AM20- 또한 대부분의 경우 예 16의 전략(예 18의 모든 전략을 통합한)을 따를 때, 3, 4, 8, 12, 13, 14 또는 15의 더 나은 인성 관련 성능을 얻을 수 있었다. 예 8의 전략이 통합되었을 때 항상 그랬다. - 예 9에 설명된 전략을 통합한 압력 및/또는 온도 처리가 완료되었을 때 더욱 그랬다-. 예 10의 전략이 통합될 때도 항상 그랬다.
＃ %Cr %Mn %Si %Mo %Co %W %Ni %V %C %O AA 기타
1 0.01 0.59 0.1 1.6 - - - - 0.19
2 - - 2.7 0.9 1.4 0.6 0.41 0.2 0.06
3 - 0.01 - 1.5 - - - 0.16 0.08 0.3
4 0.01 0.82 0.03 3.27 - - - 0.44 0.39 -
5 - 0.02 0.03 1.8 - - 0.1 0.22
6 - 0.68 - 3.18 - - - 0.41 0.2 1.3 5.1 0.9 %N
7 0.019 0.022 0.04 3.36 0.1 0.002 0.29
8 0.02 0.025 0.04 3.59 0.6 0.003 0.28
9 0.01 0.02 0.04 3.7 1.19 ＜0.005 0.28 0.864 3.2
10 0.01 0.02 0.05 3.71 1.2 0,84, 0.6 0.39
11 0.01 0.02 0.04 3.63 3 1.63 0.81 0.41 Hf,Nb,Zr
12 8.2 0.14 0.11 1.15 6 0.02 0.87 0.4
13 0.01 0.02 0.05 3.4 1.08 ＜0.005 0.27 0.0459 1.7 Al
14 0.01 0.019 0.05 3.7 1.01 0.005 0.29
15 0.01 0.24 0.05 3.39 1.11 0.43 0.33 Hf
16 0.01 0.12 0.05 3.36 1.15 - 0.44 0.32
17 0.01 0.02 0.05 3.62 1.18 0.004 0.29 0.135 0.5 Nb
18 0.01 0.14 0.05 3.58 1.27 2,04 ＜0.005 0.33
19 0.01 0.14 0.07 3.58 1.16 - 0.65 0.41
20 0.01 0.26 0.05 3.64 1.1 3,09 0.46 0.33
21 0.01 0.26 0.05 3.7 1.36 0.43 0.33 0.766 2.84 Nb
22 0.01 0.21 0.04 3.2 1.04 0.3 0.21 Nb
23 0.01 0.02 0.02 3.7 2.3 ＜0.005 0.31 Nb, Zr
24 0.01 0.11 0.02 3.9 2 - ＜0.005 0.37
25 0.01 0.02 0.05 3.64 1.97 1,86 0.7 0.44 1.28 4.73
26 0.01 0.02 0.05 3.73 1.8 2,05 0.69 0.43
27 0.01 0.09 0.04 3.1 1.68 Co 3,00 ＜0.005 0.32
28 0.01 0.015 0.03 3.6 3 1.09 ＜0.005 0.29
29 ＜0.01 ＜0.01 ＜0.01 3.57 1.35 2,96 0.44 0.39 1.45 5.39
30 0.1 0.17 0.1 3.1 1.7 0.03 0.32 Hf, B, Zr
31 ＜ 0.01 0.058 ＜0.05 3.9 1.4 0.484 0.356 Hf,Zr, Nb
32 ＜ 0.01 0.061 ＜0.05 3.81 1.41 0,017 0.461 0.353
33 0.0108 0.055 ＜0.05 3.68 1.49 0,47 0.44 0.326 0.58 2.17
34 ＜ 0.01 0.055 ＜0.05 3.89 1.67 0,481 0.452 0.464
35 ＜ 0.01 0.051 ＜0.05 3.77 1.31 0,488 0.452 0.299
36 ＜ 0.01 0.061 ＜0.05 3.8 2.46 0,516 0.457 0.404
37 ＜ 0.01 0.059 ＜0.05 3.81 1.35 0,95 0.473 0.377 0.99 3.69
38 0.012 0.054 ＜0.05 3.89 1.64 0,969 0.47 0.345
39 ＜ 0.01 0.055 ＜0.05 3.77 1.58 1,01 0.462 0.336
40 ＜ 0.01 0.06 ＜0.05 3.75 1.36 1,41 0.451 0.409
41 ＜ 0.01 0.06 ＜0.05 3.73 1.51 1,58 0.457 0.371 0.58 2.14
42 ＜ 0.01 0.062 ＜0.05 3.66 2 1,62 0.448 0.467
43 ＜ 0.02 1.12 ＜0.05 3.7E - 4 2.2 2 ＜0.001 0.36
44 ＜ 0.01 0.062 ＜0.05 3.67 1.69 2,12 0.45 0.401
45 ＜ 0.01 0.06 ＜0.05 3.66 1.46 2,15 0.463 0.367 0.52 1.95
46 0.066 0.145 ＜0.05 3.03 1.93 2,56 0.016 0.403
47 0.061 0.149 0.103 3.04 1.93 2,58 0.012 0.336
48 0.091 0.160 0.085 2.92 1.97 2,84 0.017 0.24
49 0.0327 0.117 0.119 3.35 1.92 2,87 ＜0.001 0.383 1.04 3.87
50 0.094 0.15 0.08 3.02 2.07 2,98 0.018 0.35
51 0.12 0.21 0 2.81 2.1 2,98 0.08 0.32
52 0.071 0.144 ＜0.05 3.01 1.93 2,99 0.017 0.322
53 0.07 0.17 0.13 3.13 1.9 0.03 0.32 1.42 5.26 Cu, 3,00
54 0.12 0.135 ＜0.05 3.1 1.99 3,01 0.016 0.34
55 ＜ 0.01 0.066 ＜0.05 3.66 1.39 3,04 0.465 0.371
56 0.085 0.166 ＜0.05 3.06 2.1 3,07 0.02 0.402
57 0.074 0.158 0.088 3.08 2.13 3,07 0.016 0.384 0.69 2.58
58 0.1 0.16 0.14 2.92 1.75 3,08 0.03 0.32
59 0.079 0.168 0.104 3.09 2.08 3,08 0.019 0.384
60 ＜ 0.01 0.070 ＜0.05 3.67 1.5 3,1 0.459 0.392
61 0.07 0.24 0.01 3.2 2.39 3,11 0.05 0.24 0.34 1.26
62 0.0832 0.213 0.0958 3.63 2.52 3,19 0.0216 0.392
63 ＜0.01 1.98 1.59 0.25 ＜0.01 3,21 o 0.8
64 ＜0.01 1.98 1.59 0.25 ＜0.01 3,73 3.0 1.4
65 ＜0.01 1.98 1.59 0.25 ＜0.01 - 2.4 0.8 0.97 3.58
66 ＜0.01 1.56 1.5 0.05 ＜0.01 - 0.04 0.388
67 0.04 1.61 1.62 0.1 ＜0.01 - 0.03 0.391
68 2.08 1.53 1.43 0.09 ＜0.01 0.06 0.05 0.388
69 0.01 1.61 1.52 0.05 ＜0.01 1.15 0.02 0.388 1.4 5.21
70 0.05 0.2 0.05 4.4 3.4 3.1 0.345
71 0.07 0.21 0.11 4.6 3.5 3.4 0.357 0.837 3.19
72 3.63 1.44 ＜ 0.005 ＜ 0.005 0.293 Hf, Zr, B
73 3.63 1.44 ＜ 0.005 ＜ 0.005 0.59 Hf, Zr, B
74 3.229 0.977 ＜ 0.005 ＜ 0.005 0.511 Hf, Zr, B
75 3.24 0.981 ＜ 0.005 ＜ 0.005 0.235 Hf, Zr, B
76 3.3 1 o o 0.284 Hf, Zr, B
77 3.3 1 o o 0.579 Hf, Zr, B
78 3.3 1 o o 0.253 Hf, Zr, B
79 3.3 1 o o 0.558 Hf, Zr, B
80 3.3 o o o 0.53 Hf, Zr, B
AA - %Y+%Sc+%REE의 합을 나타낸다.
실시 예 16 및 18의 전략에 따라 각 단일 합금 전체 조성에 대해 테스트된 다양한 특성의 예시:
단일 가스 분무 분말로서의 합금 4(D10= 15 micron; D50 = 43 micron; D90 = 55 micron).
단일 원심 분무 분말이지만 %C가 낮은 합금 4(D10= 21 micron; D50 = 72 micron; D90 = 95 micron) - %C는　혼합 흑연, 침탄 분위기 사용, 몰드 열분해 또는 기타 유기 소스 등 모든 특정 공정에서 다른 방식으로 첨가된다.
2개의 가스 원자화 분말의 혼합물인 합금 4 - 둘 다 합금 4의 조성을 가지지만 %C는 포함하지 않음 - 72.6%는 D50=80microns이고 27%는 D50=11microns이다. %C는 혼합 흑연, 침탄 분위기 사용, 몰드 열분해 또는 기타 유기 소스 등 모든 특정 공정에서 다른 방식으로 첨가된다.
혼합물로서 합금 4: %C가 없는 합금 4와 유사한 조성을 가진 원심 분무 분말 73%(D10= 90 micron), LC 카보닐 철 24%(D50 =6 micron), 흑연 분말 형태 (D50 = 20 microns)에서 %C (D90=12 micron) 및 약 0.5%C를 제외한 합금 4의 전체 조성과 일치시키는 데 필요한 조성을 가진 미세 가스 원자화 분말 약 2.5% - 본 발명의 가공방법뿐만 아니라 사용하는 성형법에 따른 흑연의 양도 %C를 고정하는 방법은 다양하므로, 본 발명의 가공방법에 따른 흑연의 양-
혼합물로서 합금 4: 합금 4의 조성을 가지지만 %C가 없는 물 분무 분말 60%(D50 = 110 microns), LC 카보닐 철의 35%(D50 =4 micron), 전체 합금 4의 구성과 일치하도록 필요한 조성을 가진 가스 분무 분말 약 4.5% (D50 = 32 microns), 그리고 흑연 분말 형태에서 약 0.5% C (D50 = 30 microns) - %C를 고정하는 다양한 방법이 있기 때문에 사용되는 성형 방법 및 본 발명의 가공 방법에 따라 흑연의 양-
혼합물로서 합금 4: 합금 4의 조성을 가지지만 %C를 포함하지 않는 물 분무 분말 55%와 %Mn 및 D50 =　160 microns, 흑연 분말 형태로 약 0.5% C　(D50 = 30 microns) - %C를 고정하는 다양한 방법이 있기 때문에 사용되는 성형 방법 및 본 발명의 가공 방법에 따라 흑연의 양- 그리고 대략 44.5%의 원심 분무 분말과 합금 4의 전체 조성 (D50 = 26 microns)과 일치하도록 필요한 조성을 가진다.
혼합물로서 합금 4: 1.6% Mo의 물 분무 철분 60%와 D50 = 40 microns, 카르보닐 철의 30%(D90 = 11 microns), 3.3%의 70Mo30Fe 분쇄된 철 합금 분말 (D90 = 12 microns), 흑연 분말 형태로 약 0.5% C (D50 = 4 microns) - %C를 고정하는 방법은 다양하므로 본 발명의 가공방법뿐만 아니라 사용하는 성형법에 따른 흑연의 양- 그리고 대략 6.3%의 가스 원자화 분말과 합금 4의 전체 조성 (D50 = 9 microns)과 일치하도록 필요한 조성을 가진다.
혼합물로서 합금 4: 산화환원철분말 58% (D50= 135 microns), 카보닐 철의 27.8%(D10 = 2 microns), 70Mo30Fe 분쇄된 철-황분말 4.7% ( D50 = 27 microns), 흑연 분말 형태로 약 0.5% C　(D50 = 4 microns) - %C를 고정하는 방법은 다양하므로 본 발명의 가공방법뿐만 아니라 사용하는 성형법에 따른 흑연의 양 - 그리고 합금 4의 전체 조성(D90 = 35 microns)과 일치하는 데 필요한 조성을 갖는 대략 9%의 원심 분무 분말.
기타.
예 시18. 수천 개의 분말과 분말 혼합물이 테스트되었다. 이 문서에 설명된 분말 및 분말 혼합물의 다양한 전략이 테스트되었다. 가루 성질에 많은 관심이 집중되었다. 단독 분말을 사용한 경우에는 다른 성질을 시험하였다. 분말 혼합물의 경우 성질이 다른 분말 혼합물이 시험되었다. 결과에 대한 보고는 몇 가지 사례(주로 16~30)로 나뉘었다. 수천 개의 결과를 보고할 수 없기 때문에 모든 실행에서 최소한 하나의 관련 특성이 실험실 아크 용해로가 있는 LAB에서 정확히 동일한 구성의 용융물과 비교하여 더 나은 구성 중 일부를 보고하기로 결정했다 - Edmund Buhler GmbH Arc Melter AM200실시 예 16, 17 및 19 내지 30은 단일 분말로서 시험했을 때의 조성이나, 다른 분말의 혼합으로서 시험했을 때의 혼합물의 전체적인 조성을 보고한다. 항상 단일 분말 및 분말 혼합물로 이러한 전체 조성물 각각에서 수행되었던 테스트가 이 예에서 보고되고, 보고된 모든 조성물에 대해 수행되지 않은 일부 테스트는 보고되지 않는다. 구성이 보고되는 대부분의 예에서 설명을 위해 본 예에 따른 두 가지 또는 최대 세 가지 구현이 수행된 테스트에 대해 보고된다- 더 나은 이해를 위해서만-.
모든 조성물은 하나의 가루로 시험되었다. 이 경우 테스트된 다양한 성질은 크기, 형태학, 분말이 어떻게 얻어지는지, 경도 등을 가리킨다. 거의 모든 경우에 크기가 0.6nm에서 1990 microns 사이인 분말이 사용되었으며, 대부분의 테스트에서는 2에서 290 microns, 많은 경우에는 22에서 190 microns, 일부 경우에는 22에서 90 microns 사이였다. 일부 테스트에서는 구형 분말이 사용되었고(거의 모든 경우 구형도 76% 이상, 대부분의 시험에서 82% 이상, 많은 시험에서 92% 이상, 일부 시험에서 100%) 일부 테스트에서는 불규칙한 분말이 사용되었다(거의 모든 경우에 구형도는 22%에서 89% 사이, 대부분의 테스트에서 36%에서 79% 사이, 많은 경우에 51%에서 74% 사이, 일부 경우에는 69% 이하). 분말은 다양한 경로로 생산되었다(물 분무, 원심 분무, 기체 분무, 기계적 분쇄, 환원, 카르보닐 분해 등).
또한 %Y+%Sc+%REE or %Y+%Sc+%REE+%Al 또는 %Y+%Sc+%REE+%Ti를 포함하는 테스트 구성과 존재하는 %O와 비교하여 이러한 요소의 영향에 특별한 주의를 기울였으며, 종종 %O 수준은 처리 중에 고정되었다. 원자 퍼센트를 볼 때 %O의 수준은 대부분의 경우 일부의 원자 퍼센트 합계의 0.2~5배 사이였다: %Y, %Sc, %REE, %Al, %Ti.
일부 테스트에서는 분말의 경도에 주의를 기울이고 경도를 원하는 수준으로 낮추기 위해 필요한 처리를 했다. 289 HV 이하의 경도 수준이 종종 달성되었으며, 어떤 경우에는 148 HV 이하, 89 이하, 49 이하 및 심지어 28 HV 이하의 경도 수준이 달성되었다.
테스트된 일부 분말은 원래의 인터스티셜 레벨을 고정하기 위해 처리되었으며, 일부 경우에는 환원 분위기와 마이크로파 가열이 가능한 오븐에서 이 처리를 수행했다. 이러한 경우 종종 처리 중에 분말이 계속 움직였다.
동일한 분말 조성의 이러한 모든 다른 성질들로 만족스러운 결과를 얻을 수 있었지만, 몇몇은 좋은 결과를 제공하였고 몇몇은 예외적인 결과를 제공하였다.
동일한 분말 구성의 특정 특성에 대해 구현된 수천 가지의 몇 가지 예에서와 같이 좁은 범위에서 향상된 성능을 보여주었으며 때로는 다른 특정 변수 선택과 일치하기도 했다: 구형도가 82% 이상인 기체 분무 구형 분말, 2 microns과 90 microns 사이의 D50 및 289 HV 이하의 경도를 갖는 입자 크기, 또는 6 내지 19 microns사이의 D10 및 51% 내지 90% 사이의 D90을 갖는 92% 이상의 구형도를 갖는 원심 원자화된 구형 분말, 또는 구형도가 74% 이하이고 D50이 22에서 90사이이고 %Y+%Sc+%REE가 0.052%에서 6% 사이인 불규칙한 물 분무 분말은 좋은 성능 결과를 나타내었지만 다른 변수의 값에 따라 다르다.
사용된 분말 혼합물의 특정 성질에 따라 특정한 장점이 발견되었으나, 채용된 분말 혼합물의 개념과 관계없이 성능이 확보되었다. 적어도 하나의 관련 성질 측면에서 이러한 혼합 개념들 중 몇 개로 달성된 고성능은 동일한 전체 조성의 주조 합금의 특성과 일치하지 않았다.
모든 조성물은 서로 다른 성질의 분말의 많은 다른 혼합물로 테스트되었지만 동일한 "전체" 조성을 제공한다. 이 경우 테스트된 다양한 성질은 구성, 크기, 형태, 분말의 획득 방법, 경도 등을 나타낸다.
예시 19. 몇 개의 초고강도 스테인레스강이 시험되었다. 본 문서에 설명된 분말 및 분말 혼합물의 관점에서 서로 다른 전략을 테스트했으며, 그 중에서도 예 16 및 18에 설명된 모든 전략은 아래 표의 모든 전체 조성물에 대해 테스트되었다. 특히 철 카르보닐 분말을 사용하여 많은 테스트를 수행했다. 크기가 다른 분말을 혼합한 여러 테스트에서 작은 분말 중 하나로 카르보닐 분말을 사용하였다. 시험한 합금의 목록은 100페이지 이상이며, 확장을 위해 분말 혼합물을 사용했을 때 시험한 분말의 조성 또는 혼합물의 전체 조성만 나열되며, 몇 가지 대표적인 경우에 한한다. 실시 예 16 및 18의 전략에 따라 표에 나열된 합금을 사용한 모든 테스트에서 적어도 하나의 관련 특성이 실험실 아크 용해로가 있는 LAB에서 정확히 동일한 조성의 용융물과 비교하여 더 우수했다 - Edmund Buhler GmbH Arc Melter AM20- 또한 대부분의 경우 실시 예 16의 전략(실시 예 18의 모든 전략을 통합함)과 3, 4, 8, 12, 13, 14 또는 15 중 하나를 따를 때 적층 제조된 동등한 재료가 달성된 인성 관련 성능이 더 우수했다. 실시 예 8의 전략이 통합된 경우에는 항상 그랬다 - 압력 및/또는 온도 처리가 실시 예 9에 설명된 전략을 통합하여 수행된 경우에는 더욱 그렇다-. 이는 예 10의 전략이 통합되었을 때도 마찬가지였다.
# %C %Cr %Ni %Mn %Nb %N %Mo %Al %Ti %O AA 기타
1 19 14
2 19 8 0.3 0.1 0.2
3 19 11 0.1 0.3
4 19 14 0.6 1.1 0.9 1.6
5 19 17 1.4 5.8
6 19 9
 0.9
7 19 4 0.9 1.1 0.4 0.1
8 19 6 0.9 0.1 0.3
9 19 8 0.9 0.8 0.8 1.7
10 19 11 0.9 1.5 5.6
11 18 15 0.9 0.05 0.2
12 19 11 0.9
13 18 18 0.45 0.05 0.1
14 20 8 5 2 0.9 0.6 2.3
15 18 17.5 0.9 2.1 0.6
16 18 15 0.9 0.05 3.5
17 19 8 0.9 0.05 0.3
18 19 8 5
19 23 8 0.9 0.08 0.3
20 20 8 5 2 0.9 0.1 0.3
21 25 5 0.45 0.4 1.6
22 0.8 30 0.05 0.2
23 0.8 5 30 0.1
24 0.8 30 0.6 2.2
25 20 8 5 2 0.9
26 20 8 5 2 0.45 0.1 0.3
27 20 8 5 2 0.7 0.4 1.6
28 20 8 5 2 0.9 1.5 5.8
29 - 11.6 11.2 0.1 - - 1.1 1.6 0.1 0.3
30 - 11.4 11.2 0.1 0.25 - 1.0 1.2
31 - 11.5 11.1 0.15 - - 1.0 1.1 0.9 0.15 0.5
32 - 11.4 10.9 - - 0.01 0.8 1.1 0.6 2.2
33 %C %Cr %Ni %Mn %Nb %N %Mo %Al %Ti %O AA
34 - 11.4 11.5 0.1 - 0.8 0.9 - 2.1 0.1 0.3
35 - 10.8 10.8 - - - 0.8 - 1.7
36 0.01 12.1 9.9 0.1 - 0.1 1.1 0.6 1.1 0.1 0.3
37 - 12.0 10.2 - 0.25 0.9 0.8 1.2
38 0.01 12.3 10.0 0.1 - 1.1 1.1 1.0
39 - 12.5 10.1 0.9 1.0 0.5 1.1 1.13 4.2
40 - 12.2 10.2 - 1.0 0.4 2.3 0.03 0.1
41 - 12.0 8.9 4.6 - 1.1 1.1 - 0.4 1.7 6.2
42 - 15.1 11.1 - - 0.6 - 0.4 - 0.9 3.5
43 - 16.2 8.1 5.2 - 0.9 0.9 - 0.3 1.4 5.2
AA - %Y+%Sc+%REE의 합을 나타낸다.
실시 예 16 및 18의 전략에 따라 각 단일 합금 전체 조성에 대해 테스트된 다양한 특성의 예시:
+10/-55 micron 분포(D50 = 43 micron)를 갖는 단일 가스 분무 분말로서의 합금 36.
2개의 구형 분말의 혼합물인 합금 36 - 둘 다 합금 36의 조성을 갖는다 - 크기D50= 80 microns(원심으로 원자화)의 경우 73%, D50= 10 microns(가스 원자화) 크기의 경우 27%.
혼합물로서의 합금 36: %N이 없는 합금 36과 유사한 조성을 갖는 73%의 원심 분무 분말(D10= 73 micron), LC 카르보닐철(D50 =4 micron) 15,53%, %N (D90=9 micron) 및 0.47% 분쇄 CrN (D50 = 20 microns)이 없는 합금 36의 전체 조성과 일치하는 데 필요한 조성을 갖는 미세 가스 분무 분말의 대략 11%.
기타.
예 시20. 여러 냉간 가공 공구강이 테스트되었다. 이 문서에 설명된 분말 및 분말 혼합물의 관점에서 다양한 전략이 테스트되었으며, 무엇보다도 실시 예 16 및 18에 설명된 모든 전략이 아래 표의 모든 단일 전체 조성에 대해 테스트되었다. 특히 철 카르보닐 분말을 사용하여 많은 테스트를 수행했다. 다양한 크기의 분말 혼합물을 포함하는 여러 테스트에서 카르보닐 분말이 더 작은 분말 중 하나로 사용되었다. 시험한 합금의 목록은 100페이지 이상이며, 확장을 위해 분말 혼합물을 사용했을 때 시험한 분말의 조성 또는 혼합물의 전체 조성만 나열되며, 몇 가지 대표적인 경우에 한한다. 실시 예 16 및 18의 전략에 따라 표에 나열된 합금을 사용한 모든 테스트에서 적어도 하나의 관련 특성이 실험실 아크 용해로가 있는 LAB에서 정확히 동일한 조성의 용융물과 비교하여 더 우수했다 - Edmund Buhler GmbH Arc Melter AM20- 또한 대부분의 경우 실시 예 16의 전략(실시 예 18의 모든 전략을 통합함)과 3, 4, 8, 12, 13, 14 또는 15 중 하나를 따를 때 적층 제조된 동등한 재료가 달성된 인성 관련 성능이 더 우수했다. 실시 예 8의 전략이 통합된 경우에는 항상 그랬다-압력 및/또는 온도 처리가 실시 예 9에 설명된 전략을 통합하여 수행된 경우에는 더욱 그렇다-. 이는 예 10의 전략이 통합되었을 때도 마찬가지였다.
# %Cr %Mn %Si %Mo %Co %W %Nb %V %C %O* AA 기타
1 22.8 1.3 0.6 3.2 - - - - 0.02 0.62 2.3
2 25.2 0.55 0.25 3.7 - 0.65 - - 0.02 0.6%Cu
3 25.8 0.55 0.25 3.4 - 0.55 - - 0.02 7%Ni
4 7.8 0.2 1.1 1.6 - 1.0 - 2.5 1.2 1.2 4.5
5 26 0.02 0.01 6.0 - - - - 0.01 1.0%Cu
6 28 2 0.3 7.0 - - - - 0.02 1.4%Cu
7 19.0 2.0 0.7 4.0 - - - - 0.02 24.0%Ni
8 21.0 2.0 0.7 5.0 - - - - 0.02 26%Ni
9 20.3 0.65 0.18 6.3 - - - - - 17.8%Ni
10 0.95 0.3 0.22 0.2 - - - 0.15 0.19 1.25%Ni
11 20.8 0.75 0.35 - - - - - 0.07 0.3%Ti
12 11.5 0.35 0.25 - - - - - 2.0 0.2 0.8
13 11.5 0.3 0.35 0.6 - 0.5 - 0.3 1.6
14 11.5 0.4 0.25 - - 0.7 - - 2.1
15 11.3 0.3 0.3 0.75 - - - - 1.55
16 12.5 0.3 0.6 1.1 - - - 4.0 2.3 0.31 1.3
17 0.6 1.1 1.1 - - - - - 0.63
18 5.2 0.5 0.9 1.3 - - - 9.5 2.45
19 8.2 0.4 0.7 2.1 - - - 0.5 1.1
20 4.2 0.4 0.55 3.8 2.0 1.0 - 9.0 2.47 0.82 3.2
21 0.55 1.1 0.25 - - 0.55 - 0.1 0.95
22 6.4 - - 1.5 - 3.5 - 3.7 1.4
23 5.3 0.5 0.65 - - - - 9.0 1.85
24 1.3 0.4 0.23 0.25 - - - - 0.48 4.0%Ni
25 4.35 0.4 0.55 2.8 4.5 2.55 - 2.10 0.85 0.14 0.4
26 16.1 - - 16.2 - 3.75 - 0.2 58%Ni
27 21.5 - - 9.0 - - 3.65 - 0.05 0.2%Ti
28 19.0 - - 3.05 - - 5.13 - 0.04 52.5%Ni
29 18.0 - - 3.0 - - 5.0 - 0.02
30 1.9 1.5 0.4 0.2 - - - - 0.4
31 2.0 1.5 0.3 0.2 - - - - 0.38 1.1%Ni
32 17.5 0.4 0.45 1.1 - - - 0.1 0.9 0.27 1.1
33 16.2 - - - - - 0.34 - 0.04 4.0%Ni
34 - - - 5.0 8.8 - - - - 18.5Ni
35 5.2 0.4 0.9 1.3 - - - 0.45 0.38
36 5.2 0.4 0.9 1.4 - - - 0.95 0.39 0.17 0.78
37 4.5 0.25 0.2 3.0 - - - 0.6 0.5
38 4.6 0.45 0.2 3.0 - - - 0.75 0.5
39 - - - 5.0 9.0 - - - - 18.5%Ni
40 - - - 4.9 9.3 - - - - 1.10%Ti
AA - %Y+%Sc+%REE의 합을 나타낸다.
*- ppm으로.
실시 예 16 및 18의 전략에 따라 각 단일 합금 전체 조성에 대해 테스트된 다양한 특성의 예시:
단일 가스 분무 분말로서의 합금 4 (D50 = 36 micron).
2개의 구형 분말의 혼합물인 합금 4 - 둘 다 합금 4의 조성을 갖는다 - 크기 D50= 35 microns (원심으로 원자화)의 경우 68%, D50= 5 microns (가스 원자화) 크기의 경우 22%.
혼합물로서의 합금 4: %C (D10= 150 micron)가 없는 합금 4와 유사한 조성을 갖는 72%의 원심 분무 분말, LC카르보닐철(D50 =11 micron) 18%, %C (D90=18 micron) 없이 합금 4의 전체 조성과 일치하는 데 필요한 조성을 갖는 미세 기체 분무 분말의 대략 8.5% 및 흑연 분말 형태의 대략 1.5% (D50 = 20 microns) - %C를 고정하는 방법은 다양하므로 본 발명의 가공방법뿐만 아니라 사용하는 성형법에 따른 흑연의 양-
혼합물로서의 합금 4: 합금 4의 조성을 가지지만 %C 및 %Mo를 포함하지 않고 D50 = 270 microns와 %Cr의 절반만 포함하는 물 분무 분말 57%, 4.5%의 80Cr20Fe 합금철(D50 = 69 microns), 70Mo30Fe 철 합금의 2.29% (D50 = 64 microns), 흑연 분말 형태의 약 1.5% C (D50 = 20 microns) - LC카보닐철(D50 =6 micron)의 %C-25%, 9.71%를 고정하는 방법은 다양하기 때문에 본 발명의 가공방법 뿐만 아니라 사용되는 성형방법에 따른 흑연의 양 합금 4의 전체 조성(D50 = 59 microns)과 일치하는 데 필요한 조성을 가진 원심 분리된 분말.
혼합물로서의 합금 4: 1.6% Mo 및 D50 = 60 microns을 포함하는 60%의 물 원자화된 철 분말, 18%의 카르보닐 철(D90 = 11 microns), 흑연 분말 형태로 약 1.5% C (D50 = 20 microns) - %C를 고정하는 방법은 다양하므로 본 발명의 가공방법뿐만 아니라 사용하는 성형법에 따른 흑연의 양- 그리고 20.5%의 가스 원자화 분말과 합금 4의 전체 조성 (D50 = 15 microns)과 일치하도록 필요한 조성을 가진다.
기타.
예시 21. 여러 개의 강철이 테스트되었다. 본 문서에 설명된 분말 및 분말 혼합물의 관점에서 서로 다른 전략을 테스트했으며, 그 중에서도 예 16 및 18에 설명된 모든 전략은 아래 표의 모든 전체 조성물에 대해 테스트되었다. 특히 철 카르보닐 분말을 사용하여 많은 테스트를 수행했다. 다양한 크기의 분말 혼합물을 포함하는 여러 테스트에서 카르보닐 분말이 더 작은 분말 중 하나로 사용되었다. 시험한 합금의 목록은 100페이지 이상이며, 확장을 위해 분말 혼합물을 사용했을 때 시험한 분말의 조성 또는 혼합물의 전체 조성만 나열되며, 몇 가지 대표적인 경우에 한한다. 실시 예 16 및 18의 전략에 따라 표에 나열된 합금을 사용한 모든 테스트에서 적어도 하나의 관련 특성이 실험실 아크 용해로가 있는 LAB에서 정확히 동일한 조성의 용융물과 비교하여 더 우수했다 - Edmund Buhler GmbH Arc Melter AM20- 또한 대부분의 경우 실시 예 16의 전략(실시 예 18의 모든 전략을 통합함)과 3, 4, 8, 12, 13, 14 또는 15 중 하나를 따를 때 적층 제조된 동등한 재료가 달성된 인성 관련 성능이 더 우수했다. 실시 예 8의 전략이 통합된 경우에는 항상 그랬다-압력 및/또는 온도 처리가 실시 예 9에 설명된 전략을 통합하여 수행된 경우에는 더욱 그렇다-. 이는 예 10의 전략이 통합되었을 때도 마찬가지였다.
# %Cr %Mn %Si %Mo %Co %W %Nb %V %C %O* AA 기타
1 0.55 0.25 0.34 1.26
2 0.65 0.35
3 0.65 0.45
4 0.75 0.55
5 0.75 0.6 0.71 2.62
6 ＜1.4 ＜0.22 P, S, N
7 ＜1.6 ＜0.55 ＜0.22 P, S
8 1.05 0.75 0.41
9 1.05 0.75 0.22 0.25 1.41 5.21
10 1.05 0.75 0.22 0.34
11 1.05 0.75 0.22 0.42
12 1.05 0.75 0.22 0.42 S
13 1.5 0.65 0.22 0.34 1.34 4.98 Ni 1.5
14 2.0 0.45 0.4 0.3 Ni 2.0
15 1.8 0.45 0.35 0.36 Ni 3.85
16 1.5 0.35 0.25 1.0 Al ＜0.05, Cu
17 1.55 1.10 0.6 1.0 0.24 0.9 Al ＜0.05, Cu
18 1.8 0.70 0.25 0.17 1.0 Al ＜0.05, Cu
19 0.65 1.65 0.38 Cu, Sn
20 0.35 0.85 1.8 0.61 0.67 2.47 Cu, Sn
21 0.85 0.85 0.55 Cu, Sn
22 1.05 0.9 0.17 0.55 Cu, Sn
23 1.05 0.9 0.22 0.15 0.52 1.39 5.14 Cu, Sn
24 0.85 0.75 0.17
25 0.95 1.15 0.16
26 0.95 1.15 0.16 1.15 4.25 S 0.03
27 1.15 1.25 0.20
28 0.55 0.80 0.2 0.20 Ni 0.55
29 0.55 0.80 0.2 0.20 S 0.03, Ni 0.55
30 0.75 0.55 0.17 0.72 2.67 Ni 3.25
31 1.65 0.70 0.3 0.18 Ni 1.55
32 1.05 0.75 0.2 0.18 0.53 1.98 S 0.03
33 1.15 0.55 0.2 0.34 Al 1.00
34 1.65 0.55 0.3 0.41 Al 1.00
35 2.50 0.55 0.2 0.15 0.31 0.28 1.05
36 1.65 0.55 0.2 0.34 Al 1.00, Ni 1.00
37 ＜0.11 1.10 ＜0.05 ＜0.14 1.44 5.36 P, S
38 ＜0.11 1.10 ＜0.05 ＜0.14 P, S, Pb
39 0.04 1.40 0.50 0.14 0.19 1.14 5.24
40 0.04 1.40 0.50 0.14 0.38
41 0.04 1.40 0.50 0.14 0.46
42 1.30 0.30 B 0.003
43 0.45 1.25 0.27 1.17 4.35 B 0.003
44 0.45 1.35 0.33 B 0.003
AA - %Y+%Sc+%REE의 합을 나타낸다.
*-ppm으로.
실시 예 16 및 18의 전략에 따라 각 단일 합금 전체 조성에 대해 테스트된 다양한 특성의 예시:
단일 기체 분무 분말로서의 합금 4 (D50 = 120 micron).
2개의 구형 분말의 혼합물인 합금 4 - 둘 다 합금 4의 조성을 갖는다 - 크기 D50= 35 microns (원심적으로 원자화됨)을 갖는 52% 및 D50= 45 microns (기체 원자화) 크기를 갖는 48%.
혼합물로서의 합금 4: 산화환원철분말 52%(D10= 450 micron), 18%의 LC카보닐철(D50 =12 micron), 합금 4 (D90=32 micron)의 전체 조성과 일치하는 데 필요한 조성을 갖는 대략 29.75%의 완전 구형 고압 수 분무 분말과 흑연 분말 형태의 대략 0.25% C (D50 = 20 microns) - %C를 고정하는 방법은 다양하므로 본 발명의 가공방법뿐만 아니라 사용하는 성형법에 따른 흑연의 양-
기타.
예 시22. 여러 초고강도 철 기반 합금이 테스트되었다. 이 문서에 설명된 분말 및 분말 혼합물의 관점에서 다양한 전략이 테스트되었으며, 무엇보다도 실시 예 16 및 18에 설명된 모든 전략이 아래 표의 모든 단일 전체 조성에 대해 테스트되었다. 특히 철 카르보닐 분말을 사용하여 많은 테스트를 수행했다. 다양한 크기의 분말 혼합물을 포함하는 여러 테스트에서 카르보닐 분말이 더 작은 분말 중 하나로 사용되었다. 시험한 합금의 목록은 100페이지 이상이며, 확장을 위해 분말 혼합물을 사용했을 때 시험한 분말의 조성 또는 혼합물의 전체 조성만 나열되며, 몇 가지 대표적인 경우에 한한다. 실시 예 16 및 18의 전략에 따라 표에 나열된 합금을 사용한 모든 테스트에서 적어도 하나의 관련 특성이 실험실 아크 용해로가 있는 LAB에서 정확히 동일한 조성의 용융물과 비교하여 더 우수했다 - Edmund Buhler GmbH Arc Melter AM20- 또한 대부분의 경우 실시 예 16의 전략(실시 예 18의 모든 전략을 통합함)과 3, 4, 8, 12, 13, 14 또는 15 중 하나를 따를 때 적층 제조된 동등한 재료가 달성된 인성 관련 성능이 더 우수했다. 실시 예 8의 전략이 통합된 경우에는 항상 그랬다-압력 및/또는 온도 처리가 실시 예 9에 설명된 전략을 통합하여 수행된 경우에는 더욱 그렇다-. 이는 예 10의 전략이 통합되었을 때도 마찬가지였다.
# %Cr %Mn %Si %Mo %Co %Ni %Nb %V %C %O* AA 기타
1 0.01 0.02 0.02 4.8 11.9 18.5 - - 0.01
2 9.9 - - 1.9 14.2 5.4 - 0.28 0.21 720 2.7
3 3.4 - - 1.8 16.3 7.6 - 0.03 0.12
4 3.4 - - 1.1 18.1 9.5 - 0.08 0.14
5 0.9 - - 1.9 6.9 9.9 - 0.11 0.31 1160 4.3
6 23.0 1.0 0.5 - - 60 - - 0.1
7 - - - 3 8.0 17.0 - - - 0.15%Ti
8 - - - 3.5 9.0 19.0 - - - 0.25%Ti
9 - - - 4.6 7.0 17.0 - - - 0.3%Ti
10 - - - 5.2 8.5 19.0 - - - 0.5%Ti
11 - - - 4.6 8.5 18.0 - - - 0.5%Ti
12 - - - 5.2 9.5 19.0 - - - 0.8%Ti
13 - - - 4.6 11.5 18.0 - - - 1.3%Ti
14 - - - 5.2 12.5 19.0 - - - 1.6%Ti
15 1.25 0.75 0.65 - - 0.5 - - 0.27
16 1.0 0.5 0.75 - - 1.0 - 0.1 0.2 200 0.8
17 5.0 0.75 0.3 1.4 - - - 0.5 0.4
18 3.75 0.3 0.5 5.0 - - - 0.5 0.8 5.5%W
19 4.0 0.3 0.45 8.0 0.25 - - 1.0 0.8 0.25%W
20 13.0 0.5 0.5 0.5 - 2.0 - - 0.2 3%W
21 11.5 1.35 0.5 2.75 - 0.5 - 0.25 0.3 320 1.2
22 17.5 1.0 1.0 - - 5.0 0.45 - 0.07 5%Cu
23 16.5 1.25 0.5 1.25 - 5.0 - - 0.11
24 17.5 1.0 1.0 - - 7.5 - - 0.08 940 3.5
25 16.0 1.75 - 6.0 - 25.0 - - 0.05
26 15.9 0.75 0.5 2.5 - 14.1 0.45 - 0.12 0.25%Ti
27 24.0 3.6 - 7.3 - 22.0 - - 0.01 0.6%Cu
28 16.0 2.0 1.0 1.5 - 27.0 - 0.5 - 2.35%Ti
29 13.5 1.65 0.8 1.75 - 26.0 - - 0.03 3%Ti
AA - %Y+%Sc+%REE의 합을 나타낸다.
*- ppm으로.
실시 예 16 및 18의 전략에 따라 각 단일 합금 전체 조성에 대해 테스트된 다양한 특성의 예시:
단일 가스 분무 분말로서의 합금 1 (D50 = 30 micron).
2개의 구형 분말의 혼합물인 합금 1 - 둘 다 합금 1의 조성 - 크기D50= 38 microns(원심으로 원자화)의 경우 91%, D50= 42 microns(가스 원자화) 크기의 9%.
혼합물로서의 합금 4: 합금 1의 조성을 갖지만 10% Ni 및 7% Co(D10= 20 micron)만 포함하는 70%의 원심 분무 분말, 5%의 LC카보닐철(D50 =2 micron), 합금 1의 전체 조성(D90=9 micron)과 일치하는 데 필요한 조성을 갖는 미세 가스 분무 분말 25%.
기타.
예시 23. 여러 열간 작업 공구강이 테스트되었다. 이 문서에 설명된 분말 및 분말 혼합물의 관점에서 다양한 전략이 테스트되었으며, 무엇보다도 실시 예 16 및 18에 설명된 모든 전략이 아래 표의 모든 단일 전체 조성에 대해 테스트되었다. 특히 철 카르보닐 분말을 사용하여 많은 테스트를 수행했다. 다양한 크기의 분말 혼합물을 포함하는 여러 테스트에서 카르보닐 분말이 더 작은 분말 중 하나로 사용되었다. 시험한 합금의 목록은 100페이지 이상이며, 확장을 위해 분말 혼합물을 사용했을 때 시험한 분말의 조성 또는 혼합물의 전체 조성만 나열되며, 몇 가지 대표적인 경우에 한한다. 실시 예 16 및 18의 전략에 따라 표에 나열된 합금을 사용한 모든 테스트에서 적어도 하나의 관련 특성이 실험실 아크 용해로가 있는 LAB에서 정확히 동일한 조성의 용융물과 비교하여 더 우수했다. - Edmund Buhler GmbH Arc Melter AM200 - 또한 대부분의 경우 실시 예 16의 전략(실시 예 18의 모든 전략을 통합함)과 3, 4, 8, 12, 13, 14 또는 15 중 하나를 따를 때 적층 제조된 동등한 재료가 달성된 인성 관련 성능이 더 우수했다. 실시 예 8의 전략이 통합된 경우에는 항상 그랬다-압력 및/또는 온도 처리가 실시 예 9에 설명된 전략을 통합하여 수행된 경우에는 더욱 그렇다-. 이는 예 10의 전략이 통합되었을 때도 마찬가지였다.
# %Cr %Mn %Si %Mo %Co %W %Nb %V %C %O* AA 기타
1 4.5 - - 1.0 - - - 0.2 0.35 555 2.1
2 5.0 0.3 1.0 1.1 - - 0.1 0.4 0.4 260 0.1
3 2.6 0.2 0.3 1.2 - - 0.1 0.3 0.42 1430 5.3
4 4.96 0.35 1.1 1.18 - - - 0.44 0.39 -
5 5.0 0.4 1.1 1.3 - - - 0.4 0.38
6 5.2 0.4 1.1 1.3 - - - 0.95 0.39
7 5.2 0.4 0.4 2.8 - - - 0.55 0.38
8 2.9 0.35 0.3 2.8 - - - 0.5 0.31 1620 0.6
9 5.0 0.55 0.2 1.75 - - - 0.55 0.38
10 4.5 0.25 0.2 3.0 - - - 0.55 0.5
11 5.0 0.25 0.2 1.3 - - - 0.45 0.37
12 5.0 0.25 0.2 2.8 - - - 0.65 0.38 1215 0.45
13 - 0.1 0.05 5.0 9.0 - - - 0.01 0.7%Ti
14 - 0.05 0.05 4.9 9.3 - - - 0.01 1.0%Ti
15 1.9 1.5 0.4 0.2 - - - - 0.4
16 2.0 1.5 0.3 0.2 - - - - 0.38 785 0.29
17 2.0 1.5 0.3 0.2 - - - - 0.38 1.1%Ni
18 0.35 2.0 0.3 - - - - - 0.13 3.5%Ni
19 2.0 1.8 0.2 0.3 - - - - 0.36 920 0.34
20 5.3 0.4 1.0 1.3 - - - 0.9 0.39
21 2.6 0.75 0.3 2.25 - - - 0.9 0.38
22 5.0 0.5 0.2 2.3 - - - 0.6 0.35
23 5.2 0.4 1.0 1.4 - - - 0.9 0.39 1375 0.51
24 5.2 0.4 1.0 1.3 - - - 0.9 0.41
25 5.2 0.6 0.3 2.7 - - - 0.9 0.35
26 5.2 0.6 0.2 2.2 - - - 0.8 0.4 0.6%Ni
27 5.1 0.6 0.3 1.6 - - - 0.7 0.42 0.6%Ni
28 4.3 0.5 0.5 2.1 - 0.7 - 0.9 0.4 2100 0.78
29 3.4 0.9 0.3 2.5 - - - 0.6 0.39 0.9%Ni
30 4.4 0.5 0.3 1.6 - 2.0 - 1.7 0.51
31 5.2 0.7 1.0 1.3 - - - 0.4 0.3 570 0.21
32 1.3 0.9 0.3 0.4 - - - 0.2 0.51 1.8%Ni
33 4.2 0.5 0.2 2.0 - 1.6 - 1.2 0.49
34 3.0 0.15 0.15 - - 8.5 - 0.3 0.26
35 3.75 0.4 0.5 - - 10 - 0.6 0.36 1430 0.53
36 4.0 0.2 0.2 0.3 4.0 3.75 - 1.75 0.32
37 4.75 0.5 0.5 0.55 4.5 4.5 - 2.2 0.45
38 1.1 0.75 0.25 0.45 - - - 0.1 0.32 1.65%Ni
39 13.0 0.7 1.35 - - 2.15 - 0.6 0.5 13%Ni
AA - %Y+%Sc+%REE의 합을 나타낸다.
*- ppm으로.
실시 예 16 및 18의 전략에 따라 각 단일 합금 전체 조성에 대해 테스트된 다양한 특성의 예시:
합금 4는 +5/-50 micron 분포(D50 = 38 micron)를 가진 단일 가스 분무 분말이다.
2개의 가스 분무 분말의 혼합물인 합금 4 - 둘 다 합금 4의 조성 - D50= 120 microns 크기의 73% 및 D50= 15 microns 크기의 27%.
혼합물로서의 합금 4: %C (D10= 70 micron)가 없는 합금 4와 유사한 조성을 갖는 73%의 원심 분무 분말, 20%의 LC카보닐철(D50 =4 micron), %C (D90=10 micron)가 없는 합금 4의 전체 조성과 일치하는 데 필요한 조성을 갖는 미세 기체 분무 분말의 대략 6.5%와 흑연 분말 형태의 대략 0.5% C (D50 = 20 microns) - %C를 고정하는 방법은 다양하므로 본 발명의 가공방법뿐만 아니라 사용하는 성형법에 따른 흑연의 양-
혼합물로서의 합금 4: 합금 4의 조성을 갖지만 D50 = 100 microns 및 %Cr 및 %C가 없는 53%의 물 분무 분말, 6.25%의 80Cr20Fe 합금철(D50 = 69 microns), 0.6% 흑연 분말(D50 =20 microns) 및 40.15%의 가스 분무 분말이 합금 4의 전체 조성(D50 = 15 microns)과 일치하는 데 필요한 조성을 갖는다.
혼합물로서의 합금 4: 1.6% Mo 및 D50 = 120 microns을 포함하는 60%의 수분무화된 철 분말, 20%의 카르보닐철(D90 = 11 microns), 0.6% 흑연 분말(D50 =20 microns) 및 19.4%의 가스 분무 분말이 합금 4의 전체 조성(D50 = 15 microns)과 일치하는 데 필요한 조성을 갖는다.
혼합물로서의 합금 4: D50 = 120 microns 및 %C 없이 합금 4와 유사한 조성을 갖는 60%의 물 분무 분말, 34.4%의 카르보닐철(D90 = 11 microns), 0.6% 흑연 분말(D50 =20 microns) 및 5%의 가스 분무 분말이 합금 4의 전체 조성(D50 = 15 microns)과 일치하는 데 필요한 조성을 갖는다.
기타.
예시 24. 여러 티타늄 기본 합금이 테스트되었다. 이 문서에 설명된 분말 및 분말 혼합물의 관점에서 다양한 전략이 테스트되었으며, 무엇보다도 실시 예 18에 설명된 모든 전략이 아래 표의 모든 단일 전체 조성에 대해 테스트되었다. 특히 순수 티타늄 분말을 사용하여 많은 테스트를 수행했다. 다양한 크기의 분말 혼합물을 포함하는 여러 테스트에서 순수한 티타늄 분말이 더 작은 분말 중 하나로 사용되었다. 시험한 합금의 목록은 100페이지 이상이며, 확장을 위해 분말 혼합물을 사용했을 때 시험한 분말의 조성 또는 혼합물의 전체 조성만 나열되며, 몇 가지 대표적인 경우에 한한다. 실시 예 18의 전략에 따라 표에 나열된 합금을 사용한 모든 테스트에서 적어도 하나의 관련 특성이 실험실 아크 용해로가 있는 LAB에서 정확히 동일한 조성의 용융물과 비교하여 더 우수했다 - Edmund Buhler GmbH Arc Melter AM200 - 또한 대부분의 경우 실시 예 18 및 3, 4, 8, 12, 13, 14 또는 15의 전략을 따를 때 적층 제조된 동등한 재료가 달성된 인성 관련 성능이 더 우수했다. 실시 예 8의 전략이 통합된 경우에는 항상 그랬다-압력 및/또는 온도 처리가 실시 예 9에 설명된 전략을 통합하여 수행된 경우에는 더욱 그렇다-. 이는 예 10의 전략이 통합되었을 때도 마찬가지였다.
# %V %Mo %Cr %Sn %Al %Mn %Zr %Cu %Nb %Fe AA 기타
1 4.1 - - - 6.2 - - - - 0.2 3.9 %W
2 5.1 - - 2.4 4.8 - - 1.1 - 0.2 1.4 0.3%O
3 3.9 - - 0.01 6.3 - - - - 0.1 1.1 0.28 %O
4 - - - 2.0 4.0 - - - - 0.5
5 - - - 3.0 6.0 - - - - 0.3
6 3.5 - - - 6.75 - - - - 0.3 0.08%C
7 4.5 - - - 5.5 - - - - 0.3 0.05%N
8 3.75 - - - 5.8 - - - - 0.4 0.01%H
9 3.8 - - - 5.6 - - - - 0.25
10 5.0 - - 2.5 4.9 - - 1.0 - 1.0
11 6.0 - - 1.5 6.1 - - 0.35 - 0.35 0.04%N
12 - 2.2 - 2.2 6.5 - 4.4 - - 0.25 0.05%C
13 - 1.8 - 1.8 5.5 - 3.6 - - 0.2 0.04%N
14 - 1.9 - 2.0 5.8 - 3.9 - - 0.23 0.8 0.21%O
15 8.4 4.5 6.5 - 4.0 - 4.5 - - 0.3
16 7.6 3.5 5.5 - 3.0 - 3.5 - - 0.27
17 8.0 3.9 5.8 - 3.4 - 3.8 - - 0.2 0.3 0.11%O
18 - 0.25 1.2 - 2.7 1.1 - - - 1.7
19 - 0.15 0.75 - 2.1 0.65 - - - 2.3
20 - 0.65 1.5 - 3.2 0.65 0.3 - - 0.8 1.2 0.3%O
21 - - - - - - - 2.8 - 0.2
22 - 1.75 - 2.25 6.5 - 3.5 - - 0.25 0.05%N
23 - 2.25 - 1.75 5.5 - 4.5 - - 0.2
24 2.0 - - - 2.5 - - - - 0.15 0.03%N
25 3.0 - - - 3.5 - - - - 0.2 0.015%H
26 - 1.0 - 2.5 6.0 - 1.5 - - 1.3 2.5 0.45%O
27 - 0.8 - - 6.1 - - - 2.0 0.12 1%Ta
28 - 0.4 - - 5.3 - - - 2.3 0.15 1.3%Ta
AA - %Y+%Sc+%REE의 합을 나타낸다.
실시 예 18의 전략에 따라 각각의 단일 합금 전체 조성에 대해 테스트된 다양한 특성의 예시:
+5/-25 micron 분포(D50 = 19 micron)를 갖는 단일 가스 분무 분말로서의 합금 3.
혼합물로서의 합금 3: 합금 3과 유사하지만 0.1% O (D50 = 154 microns) 이하의 조성을 갖는 기체 분무 분말 73%, 20%의 플라즈마 원자화된 순수 티타늄 구형 분말(D50=21 microns) 및 7%의 플라즈마 원자화된 분말은 %O를 제외하고 합금 3의 전체 조성과 일치하는 데 필요한 조성을 갖는다. 분말은 낮은 온도에서 제어된 방식으로 산화되어 합금 3의 %O 수준을 달성했다.
기타.
예시 25. 여러 니켈 기반 합금이 테스트되었다. 이 문서에 설명된 분말 및 분말 혼합물의 관점에서 다양한 전략이 테스트되었으며, 무엇보다도 실시 예 18에 설명된 모든 전략이 아래 표의 모든 단일 전체 조성에 대해 테스트되었다. 특히 니켈 카르보닐 분말을 포함하는 많은 테스트가 수행되었다. 다양한 크기의 분말 혼합물을 포함하는 여러 테스트에서 카르보닐 분말이 더 작은 분말 중 하나로 사용되었다. 시험한 합금의 목록은 100페이지 이상이며, 확장을 위해 분말 혼합물을 사용했을 때 시험한 분말의 조성 또는 혼합물의 전체 조성만 나열되며, 몇 가지 대표적인 경우에 한한다. 실시 예 18의 전략에 따라 표에 나열된 합금을 사용한 모든 테스트에서 적어도 하나의 관련 특성이 실험실 아크 용해로가 있는 LAB에서 정확히 동일한 조성의 용융물과 비교하여 더 우수했다 - Edmund Buhler GmbH Arc Melter AM200 - 또한 대부분의 경우 실시 예 18 및 3, 4, 8, 12, 13, 14 또는 15의 전략을 따를 때 적층 제조된 동등한 재료가 달성된 인성 관련 성능이 더 우수했다. 실시 예 8의 전략이 통합된 경우에는 항상 그랬다-압력 및/또는 온도 처리가 실시 예 9에 설명된 전략을 통합하여 수행된 경우에는 더욱 그렇다-. 이는 예 10의 전략이 통합되었을 때도 마찬가지였다. 이 경우, 산화가 어려웠고 산화물로 %O를 포함하는 전략이 선호되었다 - 비록 직접 산화도 거의 구현되었지만-.
# %Fe %Cu %Si %Mo %Co %Cr %Nb %Mn %Al %Zn AA 기타
1 5.6 - 0.04 15.8 1.2 15.7 - 0.35 - - 3.9 %W
2 19.2 0.01 0.1 3.2 0.05 19.5 5.2 0.15 0.7 - 0.92 %Ti
3 20.1 - - 2.9 - 20.1 4.9 - 0.6 - 0.3 0,08 %O
4 39.5 0.01 0.15 3.2 - 21.3 - - 0.15 -
5 30.6 1.7 0.35 3.2 - 23 - 0.8 0.1 - 0.01%C
6 6.0 - 0.08 14.5 2.5 21.4 - 0.5 0.6 -
7 6.3 - - 13.2 2.3 21.1 - 0.7 0.7 - 2.1 0.56%O
8 3.0 - 0.08 17.0 2.0 16.4 - 1.0 - -
9 7.8 0.2 0.1 22.6 3.0 3.0 0.2 3.0 0.5 3.0%W
10 5.3 0.01 0.5 9.2 1 20.1 0.5 0.4
11 5.1 - - 8 - 23.0 - - - 0.9 0.20%O
12 6.0 0.3 0.08 12.8 2.5 21.3 - 0.5 - -
13 2.0 - - 14.5 - 22.5 - - - - 0.01%C
14 1.3 - 0.1 30.0 1.0 1.0 - 1.0 - - 0.02%C
15 2.0 - - 26.0 - - - - - - 0.5 0.12%O
16 0.4 0.02 0.07 9.0 - 22.0 3.6 0.01 0.1 -
17 5.2 0.2 0.96 1.3 - 16.1 0.05 0.2 - - 3.4%W
18 1.0 0.01 0.01 16.2 0.5 20.6 - - 0.2 - 3.9%W
19 0.5 0.2 0.1 9.0 12.3 22.0 - - 1.0 0.3%Ti
20 0.2 0.14 - 8.3 11.7 25.0 - - - - 4 1.0%O
21 1.2 29.0 0.2 0.6 0.3 0.8 - 3.2 0.1 2.2%Ti
22 8.6 0.01 0.2 0.01 - 29.7 0.75 0.4 0.25 - 0.45%Ti
23 7.0 - - - 30.6 - - - 2.56%Ti
24 18.5 0.5 1.0 8.5 1.0 21.3 - 0.5 0.1 - 0.5%W
25 18.4 0.3 0.6 8.1 - 22.5 - - - 3.4 0.9%O
26 20.5 0.05 0.15 3.0 0.2 17.5 5.0 0.1 0.4 -
27 20.8 - - 3.2 - 17.3 4.75 - - - 0.7 0.15%O
28 7.3 0.01 0.02 0.05 0.04 16.7 - 2.4 - -
29 1.3 0.02 0.1 0.01 0.05 20.5 2.4 3.1 - - 0.03%C
30 1.2 - - - - 22.3 2.8 4.25 - - 1.9 0.5%O
31 1.5 0.5 0.1 16.0 - 23.0 - 0.5 0.4 -
32 13.3 0.01 0.24 0.01 - 22.8 - 0.55 1.4 - 0.04%C
33 1.1 0.3 0.3 0.5 1.0 30.8 0.8 0.5 1 - 0.7%Ti
34 1.0 - - 0.5 0.9 30.3 0.4 0.2 0.8 - 4.3 1.1%O
AA - %Y+%Sc+%REE의 합을 나타낸다.
실시 예 18의 전략에 따라 각각의 단일 합금 전체 조성에 대해 테스트된 다양한 특성의 예시:
합금 2는 +10/-45 micron 분포 (D50 = 32 micron)를 가진 단일 가스 분무 분말이다.
2개의 가스 분무 분말의 혼합물인 합금 2 - 둘 다 합금 2의 조성 - D50= 80 microns 크기의 73% 및 D50= 10 microns 크기의 27%.
혼합물로서의 합금 2: 합금 2와 유사한 조성의 가스 분무 분말 73%, 카르보닐 니켈 10% 및 합금 2의 전체 조성과 일치하는 데 필요한 조성의 가스 분무 분말 17%.
혼합물로서의 합금 2: 합금 2의 조성을 갖지만 D50 = 150 microns 및 %Al 및 %Ti는 포함하지 않는 60%의 물 분무 분말, 1.4%의 50Ni50Al 마스터 합금(D50 = 40 microns), 9.2%의 10Ti90Al 마스터 합금 및 29.4%의 가스 분무 분말이 합금 2의 전체 구성과 일치하는 데 필요하다(D50 = 30 microns).
기타.
예시 26. 여러 구리 기본 합금이 테스트되었다. 이 문서에 설명된 분말 및 분말 혼합물의 관점에서 다양한 전략이 테스트되었으며, 무엇보다도 실시 예 18에 설명된 모든 전략이 아래 표의 모든 단일 전체 조성에 대해 테스트되었다. 시험한 합금의 목록은 100페이지 이상이며, 확장을 위해 분말 혼합물을 사용했을 때 시험한 분말의 조성 또는 혼합물의 전체 조성만 나열되며, 몇 가지 대표적인 경우에 한한다. 실시 예 18의 전략에 따라 표에 나열된 합금을 사용한 모든 테스트에서 적어도 하나의 관련 특성이 실험실 아크 용해로가 있는 LAB에서 정확히 동일한 조성의 용융물과 비교하여 더 우수했다 - Edmund Buhler GmbH Arc Melter AM200 - 또한 대부분의 경우 실시 예 18 및 3, 4, 8, 12, 13, 14 또는 15의 전략을 따를 때 적층 제조된 동등한 재료가 달성된 인성 관련 성능이 더 우수했다. 실시 예 8의 전략이 통합된 경우에는 항상 그랬다-압력 및/또는 온도 처리가 실시 예 9에 설명된 전략을 통합하여 수행된 경우에는 더욱 그렇다-. 이는 예 10의 전략이 통합되었을 때도 마찬가지였다. 이 경우 산화가 어려웠고 %O를 산화물로 포함하는 전략이 선호되었다.
# %Ni %Zn %Al %Sn %Fe %Si %Pb %Co %Be %Mn AA 기타
1 - 3.0 - - 0.05 - 0.05 - - -
2 - 6.0 - - 0.03 - 0.01 - - -
3 - 10 - - - - - - - 0.05
4 - 8.7 - - - - - - - 0.08
5 - 9.2 - - - - - - - 0.06 1.2 0.3%O
6 - 0.3 - 4.9 0.1 - 0.05 - - -
7 - 0.24 - 3.5 0.05 - 0.04 - - -
8 - 3.5 - 4.5 0.1 - 4.0 - - - 0.5%P
9 - 1.5 - 3.5 0.08 - 3.0 - - - 0.01%P
10 - 0.3 - 4.2 0.1 - 0.05 - - -
11 - 0.24 - 5.8 0.03 - - - - - 0.5 0.12%O
12 - 14.2 3.0 0.5 2.0 - 0.2 - - 2.5
13 - 13.6 6.0 0.34 4.0 - 0.05 - - 5.0
14 - 13.8 4.3 0.41 3.1 - - - - 3.2 2.3 0.6%O
15 - 30.2 - 0.5 0.4 - 0.5 - - 0.05
16 - 34.3 - 1.5 1.3 - 1.0 - - 0.5
17 - 0.2 7.0 - 1.5 - 0.01 - - 1.0 0.015%P
18 - 0.25 8.2 - 3.5 - 0.05 - - 1.3
19 4.0 0.01 8.7 - 3.5 0.1 0.02 - - 1.2
20 4.8 0.05 9.5 - 4.3 - - - - 2.0 0.8 0.16%O
21 - - 0.2 - 0.05 0.2 - 0.2 1.8 -
22 - - 0.13 0.01 0.03 0.15 - 0.36 2.0 -
23 0.1 - 0.2 - 0.3 0.2 - 0.2 1.3 -
24 0.2 - 0.14 - 0.4 0.1 - 0.3 2.4 - 3.2 0.9%O
25 16.5 20.8 - - 0.25 - 0.05 - - 0.5
26 19.5 24.8 0.05 - 0.2 - 0.08 - - 0.36
27 - - 1.5 1.0 2.5 4.0 - - - 1.5
28 - - 2.5 0.8 1.5 3.6 - - - 1.0
29 - 2 - 10 - - 0.3 - - -
30 - 0.5 - 11 - - 0.5 - - - 0.65 0.13%O
31 12.0 20.3 - 2.3 - - 10.0 - - -
32 20.5 8.1 - 4.6 - - 4.3 - - -
33 25.3 2.7 - 5.1 - - 2.3 - - - 1.9 0.5%O
34 1.0 4.1 0.05 4.2 0.3 0.05 4.2 - - - 0.25%Sb
35 0.6 3.9 0.02 3.7 0.24 - 6.2 - - - 0.05%P
36 0.74 5.7 - 4.1 0.32 - 5.3 - - - 3.7 1.0%O
AA - %Y+%Sc+%REE의 합을 나타낸다.
실시 예 18의 전략에 따라 각각의 단일 합금 전체 조성에 대해 테스트된 다양한 특성의 예시:
+40/-150 micron 분포 (D50 = 84 micron)를 갖는 단일 플라즈마 원자화된 분말로서의 합금 8.
2개의 원심 분무 분말의 혼합물로서의 합금 8- 둘 다 합금 8의 조성 - D50= 830 microns크기의80% 및 D50= 0.6 microns크기의20%.
혼합물로서의 합금 8: 합금 8 및 D50 = 1100 microns의 조성을 갖는 분쇄 분말 45%, 순동 고압수 분무 분말 20%(D50 = 80 microns), 합금 8(D50 = 7 microns)의 전체 조성과 일치하는 데 필요한 조성을 가진 25%의 원심 분무 분말.
기타.
예시 27. 여러 코발트 기반 합금이 테스트되었다. 이 문서에 설명된 분말 및 분말 혼합물의 관점에서 다양한 전략이 테스트되었으며, 무엇보다도 실시 예 18에 설명된 모든 전략이 아래 표의 모든 단일 전체 조성에 대해 테스트되었다. 시험한 합금의 목록은 100페이지 이상이며, 확장을 위해 분말 혼합물을 사용했을 때 시험한 분말의 조성 또는 혼합물의 전체 조성만 나열되며, 몇 가지 대표적인 경우에 한한다. 실시 예 18의 전략에 따라 표에 나열된 합금을 사용한 모든 테스트에서 적어도 하나의 관련 특성이 실험실 아크 용해로가 있는 LAB에서 정확히 동일한 조성의 용융물과 비교하여 더 우수했다 - Edmund Buhler GmbH Arc Melter AM200 - 또한 대부분의 경우 실시 예 18 및 3, 4, 8, 12, 13, 14 또는 15의 전략을 따를 때 적층 제조된 동등한 재료가 달성된 인성 관련 성능이 더 우수했다. 실시 예 8의 전략이 통합된 경우에는 항상 그랬다-압력 및/또는 온도 처리가 실시 예 9에 설명된 전략을 통합하여 수행된 경우에는 더욱 그렇다-. 이는 예 10의 전략이 통합되었을 때도 마찬가지였다. 이 경우 산화가 어려웠고 %O를 산화물로 포함하는 전략이 선호되었다.
# %Cr %W %Mo %C %Fe %Si %Ni %V %Nb %Mn AA 기타
1 20.1 12.9 - 0.05 0.01 0.2 20.3 - - 0.01
2 24.0 15.9 - 0.02 3.0 0.5 23.9 - - 1.25 0.12%La
3 22.5 13.7 - 0.03 2.1 0.34 22.5 - - 0.7 1.3 0.35%O
4 18.7 14.2 - 0.05 0.02 0.01 8.9 - - 1.0
5 21.2 16.7 - 0.15 3.2 0.45 11.7 - - 2.0
6 20.4 15.3 - 0.07 1.64 0.23 10.4 - - 1.45 0.8 0.2%O
7 27.0 3.5 1.5 0.9 3.0 1.5 3.0 - - 1.0
8 31.1 5.5 1.4 1.4 2.7 1.3 2.8 - - 0.9
9 29.3 4.6 - 1.2 - - - - - - 3.1 0.8%O
10 30.2 4.3 1.6 1.3 3.6 2.0 3.7 - - 2.0
11 23.2 11.1 - 1.8 2.0 0.8 3.0 - - 0.5
12 26.3 13.2 - 2.5 0.05 1.5 0.08 - - 0.01
13 24.7 12.1 - 2.2 1.4 1.2 0.16 - - 0.32 0.5 0.12%O
14 26.3 - 4.5 0.2 0.05 0.05 2.0 - - -
15 29.1 - 6.0 0.35 3.0 1.5 3.0 - - -
16 28.3 0.01 5.7 0.28 2.4 1.1 2.4 - - 0.05 2.3 0.52%O
17 24.5 6.9 - 0.45 0.06 0.07 9.5 - - 0.04
18 26.5 8.1 - 0.55 2.0 1.0 11.5 - - 1.0 4.3 1.0%O
19 0.05 0.05 - 0.02 1.3 0.5 3.2 1.7 - 0.8
20 1.3 1.2 - 0.5 2.0 1.0 4.6 2.1 - 1.0
21 19.0 - 1.2 0.02 3.0 0.4 20.3 - 2.2 5.0
22 20.3 - 2.3 0.8 5.6 1.0 24.1 - 3.1 7.2 0.8 0.2%O
AA - %Y+%Sc+%REE의 합을 나타낸다.
실시 예 18의 전략에 따라 각각의 단일 합금 전체 조성에 대해 테스트된 다양한 특성의 예시:
+10/-50 micron 분포 (D50 = 32 micron)를 갖는 단일 고압 물 분무 분말로서의 합금 3.
1개의 원심 분무 분말과 1개의 기체 분무 분말의 혼합물인 합금 3 - 둘 다 합금 3의 조성 - D50= 180 microns 크기의 50% 및 크기 D50= 240 microns의 50%.
혼합물로서의 합금 3: 합금 3 및 D50 = 410 microns의 조성을 갖는 55%의 물 분무 분말, 순수 코발트 분쇄 분말 10% (D50 = 380 microns), 합금 3의 전체 조성(D50 = 45 microns)과 일치하는 데 필요한 조성을 가진 35%의 원심 분무 분말.
기타.
예시 28. 여러 알루미늄 기본 합금이 테스트되었다. 이 문서에 설명된 분말 및 분말 혼합물의 관점에서 다양한 전략이 테스트되었으며, 무엇보다도 실시 예 18에 설명된 모든 전략이 아래 표의 모든 단일 전체 조성에 대해 테스트되었다. 시험한 합금의 목록은 100페이지 이상이며, 확장을 위해 분말 혼합물을 사용했을 때 시험한 분말의 조성 또는 혼합물의 전체 조성만 나열되며, 몇 가지 대표적인 경우에 한한다. 실시 예 18의 전략에 따라 표에 나열된 합금을 사용한 모든 테스트에서 적어도 하나의 관련 특성이 실험실 아크 용해로가 있는 LAB에서 정확히 동일한 조성의 용융물과 비교하여 더 우수했다 - Edmund Buhler GmbH Arc Melter AM200 - 또한 대부분의 경우 실시 예 18 및 3, 4, 8, 12, 13, 14 또는 15의 전략을 따를 때 적층 제조된 동등한 재료가 달성된 인성 관련 성능이 더 우수했다. 실시 예 8의 전략이 통합된 경우에는 항상 그랬다-압력 및/또는 온도 처리가 실시 예 9에 설명된 전략을 통합하여 수행된 경우에는 더욱 그렇다-. 이는 예 10의 전략이 통합되었을 때도 마찬가지였다.
# %Mg %Si %Mn %Ti %Cr %Fe %Ni %Cu %Zn %Sn AA 기타
1 0.7 0.5 0.2 0.8 0.3 0.2 1.44 0.39% O
2 ≤0.05 ≤0.05 ≤0.05 - ≤0.40 - ≤0.05 ≤0.07 -
3 - ≤0.05 ≤0.05 - - - ≤0.05 ≤0.10 -
4 0.4 0.5 ≤0.20 ≤0.10 ≤0.80 ≤0.20 3.3 ≤0.80 ≤0.20
5 1.8 1.0 ≤0.20 ≤0.10 ≤0.80 ≤0.20 4.6 ≤0.80 ≤0.20 2.98 0.8% O, Pb, Sn, Bi
6 - - - - ≤0.70 - 5.0 ≤0.30 - Pb, Sn, Bi
7 0.2 0.4 ≤0.15 ≤0.10 ≤0.70 - 3.9 ≤0.25 -
8 0.8 1.2 ≤0.15 ≤0.10 ≤0.70 - 5.0 ≤0.25 -
9 0.2 0.4 ≤0.15 ≤0.10 ≤0.50 ≤0.10 3.9 ≤0.25 - 3.87 1.04% O
10 0.8 1.2 ≤0.15 ≤0.10 ≤0.50 ≤0.10 5.0 ≤0.25 -
11 0.4 0.4 - ≤0.10 ≤0.70 - 3.5 ≤0.25 -
12 1.0 1.0 - ≤0.10 ≤0.70 - 4.5 ≤0.25 -
13 1.2 0.3 ≤0.15 ≤0.10 ≤0.50 - 3.8 ≤0.25 - 5.42 1.46% O
14 1.8 0.9 ≤0.15 ≤0.10 ≤0.50 - 3.8 ≤0.25
15 0.5 0.2 ≤0.20 ≤0.10 ≤0.70 - 3.3 ≤0.50 - Bi, Pb
16 1.3 1.0 ≤0.20 ≤0.10 ≤0.70 - 3.3 ≤0.50
17 - 1.0 - - ≤0.70 - 0.05 ≤0.10 - 4.63 1.25% O
18 0.8 1.0 - - ≤0.70 - ≤0.25 ≤0.25 -
19 1.3 1.5 - - ≤0.70 - ≤0.25 ≤0.25 -
20 0.2 1.0 ≤0.10 ≤0.10 ≤0.70 - ≤0.30 ≤0.25 -
21 0.6 1.5 ≤0.10 ≤0.10 ≤0.70 - ≤0.30 ≤0.25 - 0.25 0.06% O
22 ≤0.30 0.9 - ≤0.10 ≤0.70 - ≤0.10 ≤0.20 -
23 ≤0.30 1.5 - ≤0.10 ≤0.70 - ≤0.10 ≤0.20 -
24 0.2 0.3 ≤0.10 ≤0.20 ≤0.70 - ≤0.30 ≤0.40 -
25 0.8 0.8 ≤0.10 ≤0.20 ≤0.70 - ≤0.30 ≤0.40 - 1.05 0.28% O
26 0.5 ≤0.20 - ≤0.10 ≤0.70 - ≤0.20 ≤0.25 -
27 1.1 ≤0.20 - ≤0.10 ≤0.70 - ≤0.20 ≤0.25 -
28 0.7 ≤0.15 - ≤0.10 ≤0.45 - ≤0.05 ≤0.20 -
29 1.1 ≤0.15 - ≤0.10 ≤0.45 - ≤0.05 ≤0.20 - 3.09 0.83% O
30 1.6 0.5 ≤0.1 ≤0.30 ≤0.50 - ≤0.10 ≤0.20 -
31 2.5 1.1 ≤0.1 ≤0.30 ≤0.50 - ≤0.10 ≤0.20 -
32 2.2 ≤0.10 - 0.15 ≤0.40 - ≤0.10 ≤0.10 -
33 2.8 ≤0.10 - 0.35 ≤0.40 - ≤0.10 ≤0.10 - 4.93 1.33% O
34 4.0 0.4 ≤0.15 0.05 ≤0.40 - ≤0.10 ≤0.25 -
35 4.9 1.0 ≤0.15 0.25 ≤0.40 - ≤0.10 ≤0.25 -
36 3.5 0.2 ≤0.15 0.05 ≤.50 - ≤0.10 ≤0.25 -
37 4.5 0.7 ≤0.15 0.25 ≤0.50 - ≤0.10 ≤0.25 5.87 1.58% O
38 3.1 ≤0.50 ≤0.20 ≤0.25 ≤0.50 - ≤0.10 ≤0.20 -
39 3.9 ≤0.50 ≤0.20 ≤0.25 ≤0.50 - ≤0.10 ≤0.20 -
40 4.0 0.2 ≤0.10 ≤0.10 ≤0.35 - ≤0.15 ≤0.25 - 2.72 0.73% O
41 5.0 0.5 ≤0.10 ≤0.10 ≤0.35 - ≤0.15 ≤0.25
42 1.7 0.1 ≤0.15 ≤0.15 ≤0.50 - ≤0.15 ≤0.15 -
43 2.6 0.6 ≤0.20 0.1 ≤0.40 - ≤0.10 ≤0.25 -
44 2.9 ≤0.50 ≤0.15 ≤0.30 ≤0.40 - ≤0.10 ≤0.20 - 4.89 1.32% O
45 0.6 ≤0.50 ≤0.10 ≤0.30 ≤0.35 - ≤0.30 ≤0.20 -
46 0.4 ≤0.20 ≤0.15 ≤0.10 ≤0.50 - ≤0.20 ≤0.20 -
47 0.52 ≤0.10 ≤0.10 ≤0.05 0.2 - ≤0.10 ≤0.15 -
48 0.9 ≤0.15 ≤0.15 0.1 ≤0.7 - 0.25 ≤0.25 - 5.01 1.35% O
49 0.6 ≤0.10 ≤0.10 ≤0.10 ≤0.35 - ≤0.10 ≤0.10 -
50 0.8 0.4 ≤0.10 ≤0.25 ≤0.50 - ≤0.10 ≤0.20 -
51 0.7 0.05 ≤0.10 ≤0.20 ≤0.35 - ≤0.25 ≤0.15 -
52 2.5 ≤0.10 ≤0.06 ≤0.05 ≤0.15 ≤0.05 1.9 5.9 - 3.28 0.88% O
53 1.2 0.1 - 0.19 ≤0.40 - ≤0.20 4.8 -
54 2.5 ≤0.30 ≤0.20 0.19 ≤0.50 - 1.4 5.4 -
55 ≤0.05 ≤0.05 ≤0.05 - ≤0.40 - ≤0.05 ≤0.07 - 2.15 0.58% O
AA - %Y+%Sc+%REE의 합을 나타낸다.
실시 예 18의 전략에 따라 각각의 단일 합금 전체 조성에 대해 테스트된 다양한 특성의 예시:
+1/-15 micron 분포 (D50 = 9 micron)를 갖는 단일 플라즈마 원자화된 분말로서의 합금 3.
1개의 원심 분무 분말과 1개의 기체 분무 분말의 혼합물인 합금 3 - 둘 다 합금 3의 조성 - D50= 310 microns 크기의 70% 및 D50= 18 microns 크기의 30%.
혼합물로서의 합금 3: D50 = 60 microns 및 %Zn 및 %Cu, %Si를 제외한 합금 3의 조성을 갖는 55%의 분쇄된 분말, 순수 알루미늄 원심 분무 분말 35%(D50 = 12 microns), 50Si50Al 마스터 합금의 1%(D50= 15 microns), 50Cu50Al 마스터 합금의 0.6%(D50=14 microns), 합금 3(D50 = 16 microns)의 전체 조성과 일치하는 데 필요한 조성을 가진 8.4%의 원심 분무 분말.
기타.
예시 29. 여러 마그네슘 기본 합금이 테스트되었다. 이 문서에 설명된 분말 및 분말 혼합물의 관점에서 다양한 전략이 테스트되었으며, 무엇보다도 실시 예 18에 설명된 모든 전략이 아래 표의 모든 단일 전체 조성에 대해 테스트되었다. 시험한 합금의 목록은 100페이지 이상이며, 확장을 위해 분말 혼합물을 사용했을 때 시험한 분말의 조성 또는 혼합물의 전체 조성만 나열되며, 몇 가지 대표적인 경우에 한한다. 실시 예 18의 전략에 따라 표에 나열된 합금을 사용한 모든 테스트에서 적어도 하나의 관련 특성이 실험실 아크 용해로가 있는 LAB에서 정확히 동일한 조성의 용융물과 비교하여 더 우수했다 - Edmund Buhler GmbH Arc Melter AM200 - 또한 대부분의 경우 실시 예 18 및 3, 4, 8, 12, 13, 14 또는 15의 전략을 따를 때 적층 제조된 동등한 재료가 달성된 인성 관련 성능이 더 우수했다. 실시 예 8의 전략이 통합된 경우에는 항상 그랬다-압력 및/또는 온도 처리가 실시 예 9에 설명된 전략을 통합하여 수행된 경우에는 더욱 그렇다-. 이는 예 10의 전략이 통합되었을 때도 마찬가지였다.
# %Al %Fe %Zn %Cu %Si %Mn % Ni %Li %Ag AA 기타
1 8.5 0.004 0.45 0.025 0.05 0.17 0.001 0.5 1.29 0.35% O
2 9.5 0.004 0.9 0.025 0.05 0.40 0.001
3 5.6 0.004 0.20 0.008 0.05 0.26 0.001
4 6.4 0.004 0.20 0.008 0.05 0.5 0.001
5 4.5 0.004 0.20 0.008 0.005 0.28 0.001 2.49 0.67% O
6 5.3 0.004 0.20 0.008 0.005 0.5 0.001 2.3
7 3.7 0.003 0.10 0.015 0.6 0.35 0.001
8 4.8 0.003 0.10 0.015 1.4 0.6 0.001 4.98 1.34% O
9 5.5 12.0 1.0
AA - %Y+%Sc+%REE의 합을 나타낸다.
실시 예 18의 전략에 따라 각각의 단일 합금 전체 조성에 대해 테스트된 다양한 특성의 예시:
단일 가스 분무 분말로서의 합금 3 (D50 = 129 micron).
1개의 원심 분무 분말과 1개의 플라즈마 분무 분말의 혼합물로서의 합금 3 - 둘 다 합금 3의 조성을 갖는 - D50= 1200 microns 크기의 70% 및 D50= 58 microns 크기의 30%.
기타.
예시 30. 여러 금속 매트릭스 복합 재료가 테스트되었다. 그들은 단단한 입자로 강화된 금속 합금으로 구성되었다. 종종 입자의 양이 금속 리간드의 양보다 훨씬 더 많다. 이 문서에 설명된 분말 및 분말 혼합물의 관점에서 다양한 전략이 테스트되었으며, 무엇보다도 실시 예 18에 설명된 모든 전략이 아래 표의 모든 단일 전체 조성에 대해 테스트되었다. 시험한 합금의 목록은 긴데, 확장상으로는 분말 혼합물을 사용한 경우 시험한 분말의 조성 또는 혼합물의 전체 조성만 열거되어 있으며, 몇 가지 대표적인 경우에 한한다. 예 18의 전략에 따라 표에 나열된 합금을 사용한 모든 테스트에서 적어도 하나의 관련 특성이 공구용 초경합금 또는 탄화물과 동일하게 처리된 조성과 비교하여 더 우수했다. 또한 대부분의 경우 실시 예 18 및 3, 4, 8, 12, 13, 14 또는 15의 전략을 따를 때 적층 제조된 동등한 재료가 달성된 인성 관련 성능이 더 우수했다. 실시 예 8의 전략이 통합된 경우에는 항상 그랬다-압력 및/또는 온도 처리가 실시 예 9에 설명된 전략을 통합하여 수행된 경우에는 더욱 그렇다-. 이는 예 10의 전략이 통합되었을 때도 마찬가지였다.
# %Ni %Co %Fe %Cu %WC %MoC %VC %TiC 혼합 탄화물 (Mixed Carbides) 기타
1 5.5 12.0 - - 80.5 - 2 -
2 - - 18.8 - 80.0 1.2 - -
3 1.1 0.5 80.3 - 2.1 - 1 15
4 - 1.3 35 5.5 15 3.2 - 40
5 2.2 - 35.2 3.2 2.3 - 38.9 -
6 13.2 1.2 40.8 - 3.1 - -
7 3.4 - 56.4 - 12.3 4.6 41.7 -
8 - - 54.8 1.7 15.1 - 28.7 -
9 - 9.8 60.5 - 23.2 6.5 - -
10 - - 80.2 12.5 7.3 - - -
AA - %Y+%Sc+%REE의 합을 나타낸다.
실시 예 18의 전략에 따라 각각의 단일 합금 전체 조성에 대해 테스트된 다양한 특성의 예시:
단일 가스 분무 분말(D50 = 259 micron)로서 MMC 1.
1개의 원심 분무 분말과 1개의 플라즈마 분무 분말의 혼합물로서 MMC 1 - 둘 다 MMC 1의 조성으로 - 크기 D50= 32 microns인 70% 및 크기 D50= 4 microns인 30%.
80.5% 텅스텐 카바이드 분말의 혼합물로서 MMC 1 - 고온에서 화학반응으로 인한 - (D50 = 0.6 microns), 2.0%의 탄화바나듐 분말 - 고온에서 화학반응으로 인한 - (D50=0.8 microns), 5%의 크기 D50= 22 microns 및 12% 가스 원자화된 순수 코발트(D50= 18 microns)의 전해 Ni 분말.
기타.
예시 31. 입자 또는 와이어 형태의 금속 재료를 포함하는 적층 제조 방법을 사용하여 여러 구조 부품 및 일부 다이를 제조했다(DMLS, SLM, EBM, 심지어 SLS와 같은 소결방식(bed fusion) -PBF- 기반 기술; 직접 에너지 증착 기반 기술 - DED-, 이 경우 서로 다른 용접 원리를 기반으로 하는 여러 기술도 테스트되었다; 줄 인쇄(Joule printing)도 테스트되었다; 또한 이 단락에서 언급한 일부 기술을 사용하는 일부 헤드는 BAAM용 초대형 프린터에 탑재되었다). 이러한 모든 기술로 만족스러운 결과를 얻을 수 있었지만 몇몇은 좋은 결과를 제공했고 몇몇은 예외적인 결과를 제공했다. 이러한 구조적 구성요소 및 다이 중 일부는 예 5의 전략을 사용하여 제조된 냉각 채널로 구성되었다. 일부 구성 요소는 크기가 크며 그 중 일부는 예 6의 표시에 따라 구성되었다. 이러한 모든 전략으로 만족스러운 결과를 얻을 수 있었지만 몇몇은 좋은 결과를 제공했고 몇몇은 예외적인 결과를 제공했다. 이 문서에 기술된 금속을 포함하는 재료가 사용되었으며, 그 중에서도 실시 예 1, 3, 4, 11 내지 15 및 16 내지 30에 기술된 재료가 테스트되었으며, 이러한 모든 금속 포함 재료로 만족스러운 결과를 얻을 수 있었고, 몇몇은 좋은 결과를 제공했고 몇몇은 예외적인 결과를 제공했다. 이 문서에 설명된 기하학적 측면은 예 7에서 자세히 설명된 측면에서 테스트되었다. 사용된 기술 및 재료에 따라 특정 이점이 발견되었지만 사용된 기술 및 재료에 관계없이 성능이 보장되었다.
모든 예 중에서 이 기술을 더 잘 예시하기 위해 하나가 선택되었다. 선박 및 이동 기계의 일부 구조적 구성 요소의 구성에 특별한 주의를 기울였고, 이를 위해 줄 인쇄 및 DED라는 두 가지 기술이 우선 적용되었다 - 특히 분말과 와이어를 모두 인쇄할 수 있는 레이저 헤드가 있는 BAAM 기계 -. 사용된 재료는 의도적으로 첨가된 합금 원소로 %C 및 %Mn 만, 불가피한 불순물로 %S, %P, %Si, %Cr, %Cu, %Ni 및 기타 몇 가지를 첨가하여 특정 한계까지 허용된 건축용 강이었다. %Cu, %Ni, %Cr 및 모든 불순물은 0.15%로, %Si는 0.5%, %S, 그리고 %P는 0.035% 제한되었다. %C는 0.12%에서 0.21% 범위이고 0.15%에서 0.21% 범위가 선호된다. %Mn은 0.1% 내지 0.8% 범위이고 0.2% 내지 0.7% 범위가 바람직하다. 일부 분말 및 와이어 배치(wire batches)는 기계적 특성을 개선하기 위해 소량의 %Al, %Ti, %Nb 및/또는 %V가 추가되지만 양은 항상 0.2% 미만인 미세합금(microalloying)을 추가하여 만들어졌다. 기공을 피하기 위해 매개변수를 최적화하여 더 높은 밀도를 달성하는 동시에 기존 층에서 유발되는 HAZ- Heat Affected Zone-를 최소화하기 위해 노력했다. 결과는 항복 강도에서 허용 가능했지만 원래 계획된 일부 적용의 경우 연신율이 짧다. 이러한 단점을 극복하기 위해 여러 압력 및/또는 온도 처리가 사례 1, 8 및 9에서 설명한 처리를 반복하여 테스트되었으며, 여러 %O 및 %N 고정 처리가 사례 3 [참고-1]에서 적용된 처리를 반복하여 눈에 띄게, 그리고 다소 예상치 못한 개선을 얻었다. 일부 검체는 고온/고압 처리를 통해 추가 가공을 수행했고(몇 가지가 테스트됨: 대부분은 실시 예 14의 표시를 따르고 일부는 실시 예 10의 표시를 따름), 또한 압력 및/또는 온도 처리를 받지 않은 일부 검체는 %O 및 %N 고정 처리를 거쳤으며, 여러 검체를 테스트하여 예 3 [참고-1]에 적용된 검체를 복제한 후 고온/고압 처리도 적용했다(몇 가지 테스트됨: 다시 대부분은 실시 예 14의 표시를 따르고 일부는 실시 예 10의 표시를 따름). 거의 모든 경우에 연신율이 증가했으며 몇몇 경우에 얻은 값은 이미 만족스러웠다.
[참고-1]: 고정 단계는 실시 예 3의 단계와 일치하도록 맞춤화되었으며 결과적으로 동일한 수준의 %O 및 %N이 달성되었다. 눈에 띄게 달라 혼동을 피하기 위해 보고할 가치가 있는 것은 겉보기 밀도, %NMVC, %NMVC 및 %NMVS 값의 감소이다. 이 예의 일부 테스트만 전체 통합 처리를 거쳤다. 기본적으로, 실시 예 3에서 겉보기 밀도(AD), %NMVC 및 %NMVS 감소의 일부 값은 통합 처리 후 보고되며, 현재 예에서 해당 값은 AD- (대부분의 테스트는 91%와 전체 밀도 사이, 많은 테스트는 94.2%와 전체 밀도 사이, 여러 테스트는 96.4%와 99.8% 사이, 일부 테스트는 99.4%와 전체 밀도 사이), %NMVC - (대부분의 테스트는 0.002%와 9% 사이, 많은 테스트는 0.006%와 0.9% 사이, 몇몇은 0.02%와 0.4% 사이, 몇몇은 0%), %NMVS의 감소 - (대부분의 테스트는 0.12% 이상, 일부는 0.6% 이상, 일부는 6% 이상)이다. 또한 실시 예 3에서는 고압 및 고온 처리 후에 AD, %NMVC 및 %NMVC 및 %NMVS의 감소의 일부 값이 보고되며, 현재 실시 예에서 이러한 값은 AD - (대부분의 테스트는 96%와 전체 밀도 사이, 많은 테스트는 98.2%와 전체 밀도 사이, 여러 테스트는 99.2%와 99.98% 사이, 일부는 99.82%와 전체 밀도 사이), %NMVC - (대부분의 테스트는 0.002%와 1.9% 사이, 많은 테스트는 0.006%와 0.8% 사이, 몇몇은 0.01%와 0.09% 사이, 일부는 0%), %NMVS 감소 - (대부분의 테스트는 0.02% 이상, 일부는 0.22% 이상, 일부는 2.6% 이상), %NMVC 감소 - (대부분의 테스트는 0.06% 이상, 일부는 0.12% 이상, 일부는 6% 이상)이다.

Claims (15)

  1. 하기 단계를 포함하는 구성요소를 포함하는 금속의 적어도 일부를 제조하는 방법:
    - 적어도 부분적으로 적층 제조에 의해 제조된 몰드를 제공;
    - 적어도 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채움;
    - 압력 및/또는 온도를 적용하여 구성요소 형성;
    - 몰드의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩 적용;
    - 올바른 겉보기 밀도를 얻기 위해 압밀법을 적용; 그리고
    선택적으로,
    - 고온, 고압 처리 적용;
    - 열처리 및/또는 기계가공을 수행한다.
  2. 하기 단계를 포함하는 구성요소를 포함하는 금속의 적어도 일부를 제조하는 방법:
    - 적어도 부분적으로 적층 제조에 의해 제조된 금형을 제공;
    - 적어도 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채움;
    - 압력 및/또는 온도를 적용하여 구성요소 형성;
    - 몰드의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩 적용;
    - 올바른 겉보기 밀도를 얻기 위해 압밀법을 적용;
    - 고온, 고압 처리 적용; 그리고
    선택적으로,
    - 열처리 및/또는 기계가공을 수행한다.
  3. 하기 단계를 포함하는 구성요소를 포함하는 금속의 적어도 일부를 제조하는 방법:
    - 적어도 부분적으로 적층 제조에 의해 제조된 금형을 제공;
    - 적어도 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채움;
    - 압력 및/또는 온도를 적용하여 구성요소 형성;
    - 몰드의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩 적용;
    - 구성 요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준 설정
    - 압밀 방법 적용; 그리고
    선택적으로
    - 고온, 고압 처리 적용;
    - 열처리 및/또는 기계가공을 수행한다.
  4. 하기 단계를 포함하는 구성요소를 포함하는 금속의 적어도 일부를 제조하는 방법:
    - 적어도 부분적으로 적층 제조에 의해 제조된 금형을 제공;
    - 적어도 분말 형태의 금속 또는 금속 합금을 포함하는 분말 또는 분말 혼합물로 금형을 채움;
    - 압력 및/또는 온도를 적용하여 구성요소 형성;
    - 몰드의 적어도 일부를 제거하기 위해 디바인딩 적용;
    - 구성 요소의 금속 부분의 산소 및/또는 질소 수준 설정;
    - 압밀 방법 적용;
    - 고온, 고압 처리 적용; 그리고
    선택적으로,
    - 열처리 및/또는 기계가공을 수행한다.
  5. 상기 클레임 중 어느 하나에 따른 방법으로,　여기서, 분말 또는 분말 혼합물의 산소 함유량은 620 ppm 이상이다.
  6. 고정 단계 후 성분은 0.2ppm 이상이다.
  7. 상기 클레임 중 어느 하나에 따른 방법으로,　여기서 상기 고정 단계 이후의 상기 성분의 산소 함량은 140 ppm 미만이다.
  8. 상기 클레임 중 어느 하나에 따른 방법으로,　여기서, 고정 단계 후 구성 요소의 금속 부분에서 %NMVS는 31% 이상이다.
  9. 상기 클레임 중 어느 하나에 따른 방법으로,　여기서 고정 단계는0.9*10-4 mbar 또는 그 이하의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함한다.
  10. 상기 클레임 중 어느 하나에 따른 방법으로,　여기서 고정 단계는 0.9*10-10 mbar 또는 그 이상의 절대 압력을 갖는 진공의 적용을 포함한다.
  11. 상기 클레임 중 어느 하나에 따른 방법으로,　여기서 압밀 단계 후 부품의 금속 부분의 겉보기 밀도는 99.4% 미만이다.
  12. 상기 클레임 중 어느 하나에 따른 방법으로,　여기서 고온 고압 처리 후 부품의 금속 부분에서의 %NMVC는 9% 미만이다.
  13. 상기 클레임 중 어느 하나에 따른 방법으로,　제조된 부품의 중요한 단면은 0.2 mm2 이상이고 제조된 부품을 포함하는 최소 부피로 직사각형의 가장 큰 직사각형 면의 면적의 49% 이하이다.
  14. 상기 클레임 중 어느 하나에 따른 방법으로,　구성요소의 유의한 단면은 가장 큰 단면의 20%와 가장 작은 단면의 20%가 평균 단면을 계산하는 것으로 간주되지 않을 때 얻은 평균 단면이다.
  15. 상기클레임 중 어느 하나에 따른 방법으로,　카르보닐 철 분말을 포함하는 분말 혼합물을 포함하는 금속이 사용된다.
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