KR20220155416A - Mcu로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치 - Google Patents

Mcu로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220155416A
KR20220155416A KR1020210066379A KR20210066379A KR20220155416A KR 20220155416 A KR20220155416 A KR 20220155416A KR 1020210066379 A KR1020210066379 A KR 1020210066379A KR 20210066379 A KR20210066379 A KR 20210066379A KR 20220155416 A KR20220155416 A KR 20220155416A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
detonator
spark
electric
mcu
blaster
Prior art date
Application number
KR1020210066379A
Other languages
English (en)
Inventor
유시온
Original Assignee
유시온
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 유시온 filed Critical 유시온
Publication of KR20220155416A publication Critical patent/KR20220155416A/ko

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F42—AMMUNITION; BLASTING
    • F42D—BLASTING
    • F42D1/00—Blasting methods or apparatus, e.g. loading or tamping
    • F42D1/04—Arrangements for ignition
    • F42D1/045—Arrangements for electric ignition
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F42—AMMUNITION; BLASTING
    • F42D—BLASTING
    • F42D1/00—Blasting methods or apparatus, e.g. loading or tamping
    • F42D1/04—Arrangements for ignition
    • F42D1/045—Arrangements for electric ignition
    • F42D1/05—Electric circuits for blasting
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F42—AMMUNITION; BLASTING
    • F42D—BLASTING
    • F42D3/00—Particular applications of blasting techniques
    • F42D3/04—Particular applications of blasting techniques for rock blasting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
    • H01T1/00—Details of spark gaps
    • H01T1/14—Means structurally associated with spark gap for protecting it against overload or for disconnecting it in case of failure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
    • H01T13/00—Sparking plugs
    • H01T13/02—Details

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Air Bags (AREA)

Abstract

본 발명은 발파로 터널굴착을 하는 현장에서 사용되는 비전기뇌관을 원거리에서 고전압의 전기발파기를 이용하여 기폭시키기 위한 MCU로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치에 관한 것이다.
본 발명은 터널굴착현장에서 발생할 수 있는 누설전류 및 서지전류 뿐만 아니라 터널 굴착 장비의 주 전원이 되는 500V 내외의 교류전기 및 터널에서 발생할 수 있는 어떠한 전기적인 위험에서도 안전한 MCU로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치를 제시하기 위함이다.
상기 과제를 해결하기 위하여 종래의 스파크 기폭장치의 전기회로에 MCU 및 주변회로를 추가로 구성한 스파크 기폭장치와 이를 검사하고 제어하여 스파크를 일으키는 전기발파기를 구성하여, 전기발파기에서 송출하는 전기적인 신호와 전류에 의해서만 스파크 기폭장치가 격발하도록 구성하였다.
본 발명은 비전기뇌관을 이용하여 발파하는 터널굴착 현장에서 어떠한 전기적인 위험에서도 안전하게 비전기뇌관을 기폭할 수 있게 한다.

Description

MCU로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치{Spark ignition device for non-electric detonator controlled by MCU}
본 발명은 발파로 터널굴착을 하는 현장에서 사용되는 비전기뇌관을 원거리에서 고전압의 전기발파기를 이용하여 기폭시키기 위한 MCU로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치에 관한 것이다.
스파크 기폭장치는 선행기술인 대한민국 특허출원 제2010-0129434호 "스파크 기폭기를 이용한 비전기식 뇌관의 기폭장치 및 이를 이용한 발파 시공 방법"에서 상세히 게시하고 있는데 발파로 터널을 굴착하는 현장에서는 선행기술에서 제시한 스파크 기폭장치보다 전기적인 위험에서 더욱 안전한 제품을 요구하고 있어 이러한 요구를 충족할만한 제품이 필요하게 되었다.
따라서 본 발명은 터널굴착현장에서 발생할 수 있는 누설전류 및 서지전류 뿐만 아니라 터널 굴착 장비의 주 전원이 되는 500V 내외의 교류전기 및 터널에서 발생할 수 있는 어떠한 전기적인 위험에서도 안전한 MCU로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치를 제시하기 위함이다.
상기 과제를 해결하기 위하여 종래의 스파크 기폭장치의 전기회로에 MCU 및 주변회로를 추가로 구성한 스파크 기폭장치와 이를 검사하고 제어하여 스파크를 일으키는 전기발파기를 구성하여, 전기발파기에서 송출하는 전기적인 신호와 전류에 의해서만 스파크 기폭장치가 격발하도록 구성하였다.
본 발명은 비전기뇌관을 이용하여 발파하는 터널굴착 현장에서 어떠한 전기적인 위험에서도 안전하게 비전기뇌관을 기폭할 수 있게 한다.
도 1: 비전기뇌관용 스파크 기폭시스템의 결선 구성도.
도 2: 종래의 스파크 기폭장치의 외관 사시도.
도 3: 종래의 스파크 기폭장치의 내부 부품 회로도.
도 4: MCU로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치의 회로도.
도 5: 본 발명이 구성된 기폭시스템의 특징을 설명하기 위한 설명도.
도 6: 반도체 스위칭소자가 구성된 본 발명의 회로도.
본 발명은 주로 비전기뇌관으로 발파하는 지하굴착 또는 터널굴착 현장에서 전기의 위험으로부터 더욱 안전하게 비전기뇌관을 스타트 기폭할 수 있도록 개발된 MCU로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치에 관한 것이다.
첨부된 도면을 통하여 본 발명의 스파크 기폭장치의 구성과 작동방법을 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 비전기뇌관용 스파크 기폭시스템의 결선 구성도이다.
스파크 기폭장치를 사용하여 발파하는 과정을 스파크 기폭시스템이라 한다면 기폭시스템의 결선 구성은 비전기뇌관으로 장약한 터널막장(50), 터널막장의 비전기뇌관을 최종 1개로 묶어 결선하는 번치뇌관(40), 번치뇌관의 쇼크튜브에 결선하는 스파크 기폭장치(30), 스파크 기폭장치의 리드선에 연결하여 안전거리까지 대피하기 위한 발파모선(25), 발파모선의 끝단에 연결하여 저전압 및 고전압의 전류를 보내는 전기발파기(20) 및 저전압의 전기로 발파회로의 이상 유무를 검사하는 회로테스터기(10)로 구성된다.
다음은 상기 구성 요소에서 본 발명의 주요 구성인 스파크 기폭장치의 구조와 특징 및 이를 격발하기 위한 전기발파기와의 작동과정을 설명하고자 한다.
도 2는 종래의 스파크 기폭장치의 외관 사시도이다.
스파크 기폭장치(30)의 외부는 플라스틱 몸체(30-a)와 조임캡(30-b)으로 구성되며, 플라스틱 몸체에는 조임캡을 돌려 결속시키기 위한 나사부(30-a1)와 쇼크튜브(40)의 결선 여부를 확인하기 위한 확인홈(30-a2)과 결선된 쇼크튜브를 빠지지 않도록 강하게 조이기 위한 바이스(30-a3)가 형성된다.
본 발명에서도 종래의 스파크 기폭장치의 구조적인 특징을 그대로 인용하여 사용하고자 한다.
도 3은 종래의 스파크 기폭장치의 내부 부품 회로도이다.
플라스틱 몸체(30-a) 내부에는 PCB기판이 내장되고, 상기 PCB기판에는 두 가닥의 병렬회로가 형성되며, 상기 병렬회로의 전단에는 1~2m 길이의 리드선(30-c)이 연결되고, 리드선 후단에는 전기저항(30-d), 커패시터(30-e), 스파크단자(30-f)가 차례로 구성된다.
상기 부품 중 본 명세서에서는 전기저항, 커패시터, 스파크단자를 묶어 편의상 기폭부(30-A)라고 명명하기로 한다.
상기 구성부품의 특징을 살펴보면 전기저항의 주 목적은 발파실패시 커패시터의 전기를 방전하는 역할을 하며 통상적으로 10KΩ(키로옴)~100KΩ(키로옴)의 것을 사용하고, 커패시터는 극성이 없는 1uF(마이크로 패럿) 이상의 필름커패시터를 사용하며, 스파크단자는 플러스 마이너스의 두 간극(30-f1, 30-f2)이 0.1mm 이내를 유지하도록 한다.
다만 상기 제원은 비전기뇌관의 쇼크튜브를 기폭하기 위한 빈번한 실험에 의하여 구해진 값으로 그 사양은 얼마든지 변경이 가능함을 밝혀둔다.
지금까지 설명한 종래의 스파크 기폭장치를 기초로 본 발명의 구성과 특징을 살펴보고자 한다.
종래의 스파크 기폭장치는 누설전류나 낮은 전압의 서지전류에는 안전하였으나 터널 내의 굴착장비를 기동시키기 위한 500V 내외의 교류전원에는 결코 안전하다고 확신할 수는 없었다.
이유는 스파크단자의 플러스 마이너스의 두 간극이 0.1mm 이내이기 때문에 습도가 높은 터널 내에서는 교류전원 500V에서도 방전을 일으킬 수 있고, 근래에는 터널이 길어지면서 3,000V 이상의 동력선이 터널 내에 유입되기도 하기 때문이다.
또한, 터널현장에서는 낙뢰에 의한 높은 전압의 서지전류에도 확실히 안전한 제품을 요구하여 터널 내에서 발생할 수 있는 어떠한 전기에도 안전한 스파크 기폭장치가 필요하게 되었다.
따라서 본 발명은 상기의 요구를 충족하기 위한 것이다.
도 4는 MCU로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치의 회로도이다.
본 명세서의 회로도는 실제 제품을 제조하기 위한 정밀 회로도가 아니라 작동과정을 설명하기 위한 일종의 개념도임을 밝혀둔다.
첨부한 도면과 같이 본 발명의 스파크 기폭장치는 종래 스파크 기폭장치의 기폭부(30-A) 전단에 전기회로로 구성된 제어부(30-B)가 추가로 구성된다.
제어부는 MCU(30-g)와 스위칭소자인 릴레이(30-h)가 기본적으로 구성되고 이를 정확하게 구동 또는 제어하기 위하여 발파기로부터 송출되는 신호를 수신하는 신호수신부(30-s), 릴레이에 지연시간을 주기 위한 보조커패시터(30-i), MCU에 안정된 전원을 공급하기 위한 레귤레이터(30-k) 등으로 이루어진 주변회로가 추가로 구성되며, 상기 제어부는 MCU가 작동하기 위한 5V 내외의 낮은 전압으로 작동한다.
그러므로 본 발명의 스파크 기폭장치는 스파크단자(30-f)에서 스파크를 일으키기 위한 500V 이상의 고전압을 필요로 하는 기폭부(30-A)와 MCU와 릴레이를 제어하기 위한 5V 내외의 저전압을 필요로 하는 제어부(30-b)로 구성된다.
다만 상기의 고전압과 저전압의 크기는 제품을 제조하는 과정에서 부품의 선택에 따라 얼마든지 변경가능하므로 수치에 제한을 두지 않기로 한다.
통상적으로 전기발파는 두 가닥의 발파모선으로 이루어 지고 스파크 기폭장치도 두 가닥의 리드선(30-c)으로 이루어지기 때문에 두 가닥의 전기회로로 고전압의 기폭부와 저전압의 제어부를 작동시키는 방법이 본 특허의 주요 특징이 된다.
제시된 도면을 구체적으로 살펴보면 리드선(30-c)을 따라 스파크 기폭장치의 기폭부(30-A)에 연결되는 두 가닥의 전기회로 중 적어도 어느 하나는 릴레이(30-h)의 a접점에 의해 끊어진 상태이며, 릴레이의 b점점에 의해 신호수신부(30-s), 보조커패시터(30-i), 레귤레이터(30-k), MCU(30-g), 릴레이(30-h) 등으로 이루어진 제어부(30-B)의 전기회로는 연결된 상태이다.
이러한 구성의 스파크 기폭장치를 전기발파기의 두 단자에 연결하여 발파기의 충전스위치를 누르면 발파기는 MCU를 작동시키기 위한 저전압의 전기를 스파크 기폭장치의 회로에 흘려보내고, 회로에 흐르는 전기는 릴레이의 b접점을 따라 보조커패시터(30-i)에 일부 축적되며, MCU(30-g)는 깨어나 발파명령이 오면 즉시 릴레이(30-h)를 작동시켜 저전압이 흐르는 b접점을 끊고 고전압이 흐르는 a접점을 연결할 수 있는 대기상태가 된다.
충전이 완료되어 발파스위치를 누르면 발파기에서는 특정 주파수를 갖는 펄스신호를 송출하며, 발파신호를 전달받은 MCU(30-g)는 릴레이의 b접점을 끊고 a점점을 연결하며 계산된 시간차를 두고 발파기에서 고전압의 전기를 방출함으로써 스파크단자에서 스파크가 일어나게 된다.
다른 방법으로는 충전중에는 저전압의 전기를 방출하지 않다가 발파스위치를 누르면 발파신호와 함께 저전압이 스파크 기폭장치에 흐르고, 발파신호를 전달받은 MCU(30-g)는 릴레이의 b접점을 끊고 a점점을 연결하며, 계산된 시간차를 두고 발파기에서 고전압의 전기가 방출됨으로써 스파크단자에서 스파크가 일어나게 구성할 수도 있다.
또 다른 방법으로는 발파기에서 발파스위치를 누르면 전기발파기는 저전압의 전기와 함께 발파신호를 MCU(30-g)에 송출하고, MCU는 발파신호를 수신하여 릴레이의 b접점을 끊고 a점점을 연결하는데 이때 발파기는 저항값의 변화를 감지하고 있다가 기폭부(30-A)의 전기저항(30-d)의 값이 감지되면 고전압을 방출하여 스파크단자에서 스파크가 일어나도록 구성할 수도 있다.
상기 작동과정에서 보조커패시터(30-i)는 릴레이(30-h)가 작동하여 MCU로 흐르는 저전압을 차단한 경우 릴레이의 a접점이 일정시간 유지할 수 있도록 지연효과를 주는 역할을 한다.
상기 설명한 내용을 상세한 예시 도면을 통하여 알아보면 다음과 같다.
도 5는 본 발명이 구성된 기폭시스템의 특징을 설명하기 위한 설명도이다.
기폭시스템이라 표현한 이유는 본 발명의 스파크 기폭장치는 일반적인 전기발파기로는 격발되지 않고 저전압과 고전압을 출력하는 전기발파기가 일체로 구성되어야 하기 때문이다.
만약 저전압의 전기가 유입되지 않고 일반적인 전기뇌관용 발파기와 같은 고전압의 전기가 먼저 유입되면 MCU를 포함하는 제어부가 먼저 손상되기 때문에 릴레이가 작동하지 못해 고전압의 전기가 기폭부에 흐를 수 없게 된다.
도 5[A]는 스파크 기폭장치에 발파모선과 전기발파기를 연결한 그림이다.
본 발명의 기폭시스템에 있어서 전기발파기는 저전압의 전기와 고전압의 전기를 같은 단자에서 출력할 수 있도록 제작된다.
전기발파기의 전원스위치(20-a)를 켜면 회로테스트를 하고, 발파회로가 정상일 경우 충전스위치(20-b)를 켜면 충전을 함과 동시에 저전압의 전기를 흘려 보내 스파크 기폭장치의 MCU가 대기상태가 되도록 한다.
충전완료 후 발파스위치(20-c)를 누르면 저전압에 발파신호를 실어 송출하고 이 신호를 신호수신부(30-s)로부터 전달받은 MCU는 정상신호인 경우 릴레이를 작동시킴과 동시에 짧은 시간차를 두고 발파기로부터 고전압이 기폭부에 방출되어 스파크단자에서 스파크가 일어나도록 한다.
발파기의 회로테스트는 스파크 기폭장치 및 발파모선을 포함하는 발파회로의 이상 유무를 점검하는 것으로 발파기에서 발파모선(25)에 저전압의 전기와 함께 모의 발파신호를 흘려보내면 MCU는 릴레이를 구동시켜 b접점을 끊고 a접점을 연결하는데, 이때 전기발파기는 저항값의 변화를 감지하다가 기폭부의 전기저항(30-d)의 값이 감지되면 스파크 기폭장치 및 발파회로가 정상임을 판단하여 디스플레이에 정상임을 표시한다.
도 5[B]는 저전압이 흐르는 릴레이의 b접점을 휴즈(30-h2)로 대체한 그림으로 릴레이는 a접점으로만 된 single pole single throw 릴레이(30-h1)이며 고전압이 흐르면 휴즈가 끊어져 MCU로 흐르는 전기를 차단하도록 구성한 예시이다.
도 5[C]는 제어부의 기본 회로에 주변회로를 더 부가한 것으로 발파기에 발파모선을 극성에 관계없이 연결하더라도 MCU에 동일한 극성의 저전압을 공급하기 위한 브릿지회로(30-j)와 일정한 전압의 전기를 MCU에 공급하기 위한 레귤레이터(30-k)를 MCU 전단에 추가로 구성한 그림이다.
또한, 릴레이는 더욱 안전한 회로를 구성하기 위하여 고압으로 흐르는 두 선이 끊어져 있는 Double pole Double throw 릴레이(30-h2)를 적용한 그림이다.
본 명세서에서는 이해를 돕기 위하여 릴레이를 기계식으로 표현하였으나 이를 대체하여 전자식 무접점 릴레이를 사용할 수도 있다.
통상적으로 릴레이는 전력제어에 매우 유용하게 상용되는 부품이지만 부피가 크고 접점의 간격에 따라 절연성능에 편차가 있어 릴레이를 반도체로 대체한 스파크 기폭장치를 제시해 보고자 한다.
도 6은 반도체 스위칭소자가 구성된 본 발명의 일실시 회로도이다.
대표적인 반도체 스위칭소자(30-T)로는 사이리스터를 대표로 들 수 있는데 본 발명의 명세서에서는 발파기 전원의 극성에 영향을 받지 않도록 사이리스터의 일종인 트라이악(TRIAC)을 예로 들어 도시하였다.
트라이악(30-T)은 낮은 전압의 게이트 전류로 높은 전압의 전류를 제어할 수 있기 때문에 본 발명을 구성하는데 매우 적합한 소자이다.
도 6[A]는 발파기의 극성을 고려한 회로이며 도[B]는 브릿지회로를 구성하여 발파기의 극성을 고려하지 않아도 되는 회로도이다.
제시된 도면을 살펴보면 스파크 기폭장치는 기폭부(30-A)와 제어부(30-B)로 구성되고, 전ㄱ용발파기0)에서 발파모선(25)을 통하여 제어부에 저전압의 전기를 흘려 보내면 저전압의 전기는 일정 전압을 유지하기 위한 레귤레이터(30-k)를 거쳐 MCU에 전달되고, MCU는 트라이악의 게이트(G)에 전기를 흘려보내 트라이악의 애노드(A)와 캐소드(C)를 도통시켜 고전압이 흐를 수 있는 기폭조건을 만들게 된다.
이후 발파스위치를 눌러 특정 주파수를 갖는 발파신호를 MCU에 흘려 보내면 MCU는 정상신호일 경우 애노드와 캐소드를 도통시켜 고전압의 전기가 기폭부(30-A)에 흐르게 하고, 고전압에 의해 게이트로 흐르던 전기는 휴즈(30-h2)에 의해 차단되면서 스파크단자에 스파크가 일어나게 된다.
지금까지 예시로 보여준 회로도는 스파크 기폭장치의 작동을 설명하기 위한 일종의 개념도로 기술자에 따라 이를 응용하여 얼마든지 변경된 회로를 갖는 스파크 기폭장치를 구현할 수 있을 것이나 저전압과 고전압을 방출하는 발파기에 의하여 작동하는 스파크 기폭장치는 본 발명의 범위에서 벗어날 수 없음을 밝혀둔다.
10: 회로테스터기 20:전기발파기
25: 발파모선 30:스파크 기폭장치
30-A: 스파크 기폭장치의 기폭부 30-B: 스파크 기폭장치의 제어부
30-g: MCU 30-h:릴레이
30-i: 보조커패시터 30-j: 브릿지회로
30-k: 레귤레이터 30-s: 신호수신부
30-T: 반도체 스위칭소자(TRIAC)

Claims (8)

  1. 비전기뇌관으로 장약한 터널막장의 최종 쇼크튜브를 안전거리 이상 길이의 발파모선과 전기발파기를 결선하여 전기발파기에서 출력되는 고전압으로 스파크를 일으켜 기폭시키는 스파크 기폭장치에 있어서,
    상기 스파크 기폭장치의 몸체 내부에 내장되는 두 가닥의 병렬회로가 형성된 PCB기판,
    상기 PCB기판의 병렬회로의 전단에 연결되는 두 가닥의 리드선(30-c),
    상기 리드선 후단에 구성되는 전기저항(30-d), 커패시터(30-e), 스파크단자(30-f)로 이루어진 기폭부(30-A),
    상기 기폭부 전단에는 MCU와 릴레이와 주변회로로 이루어진 제어부(30-B)가 구성되어,
    전기발파기로부터 제어부로 흐르는 저전압에 의하여 MCU가 작동하고, 상기 MCU는 릴레이(30-h)를 작동하여 전기발파기의 고전압이 스파크 기폭장치의 기폭부에 흘러 스파크단자에서 스파크가 일어나도록 회로가 구성된 것이 특징인 MCU로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치.
  2. 제 1항에 있어서, 스파크 기폭장치는 전기발파기에서 송출하는 저전압의 전기와 함께 특정 주파수를 갖는 펄스신호를 받은 경우에만 MCU가 작동하고, 상기MCU는 릴레이(30-h)를 작동하여 전기발파기의 고전압이 스파크 기폭장치의 기폭부에 흐를 수 있도록 회로가 구성된 것이 특징인 MCU로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치.
  3. 제 1항에 있어서, 제어부의 주변회로는 전기발파기로부터 송출되는 발파신호를 수신하여 MCU에 전달하는 신호수신부(30-s)가 구성된 것이 특징인 MCU로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치.
  4. 제 1항에 있어서, 제어부의 주변회로는 전기발파기의 극성에 관계 없이 저전압의 전기를 MCU에 흐르도록 하는 브릿지회로(30-j)와 일정 전압을 MCU에 공급하는 레귤레이터(30-k)로 구성된 것이 특징인 MCU로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치.
  5. 스파크 기폭장치의 몸체 내부에 내장되는 두 가닥의 병렬회로가 형성된 PCB기판, 상기 PCB기판의 병렬회로의 전단에 연결되는 두 가닥의 리드선(30-c), 상기 리드선 후단에 구성되는 전기저항(30-d), 커패시터(30-e), 스파크단자(30-f)로 이루어진 기폭부(30-A), 상기 기폭부 전단에는 MCU와 반도체 스위칭소자(30-T)와 주변회로로 이루어진 제어부(30-B)가 구성되어, 전기발파기로부터 제어부로 흐르는 저전압에 의하여 MCU가 작동하고, 상기 MCU는 릴레이(30-h)를 작동하여 전기발파기의 고전압이 스파크 기폭장치의 기폭부에 흘러 스파크단자에서 스파크가 일어나도록 회로가 구성된 것이 특징인 MCU로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치.
  6. 제 1항 또는 제5항에 있어서, 전기발파기는 스파크 기폭장치의 제어부로 흐르는 저전압과 기폭부로 흐르는 고전압을 시간차를 두고 방출하는 것이 특징인 스파크 기폭장치용 전기발파기.
  7. 제 6항에 있어서, 전기발파기는 스파크 기폭장치에 저전압의 전기를 흘려보내 스파크 기폭장치의 기폭부의 전기저항(30-d)을 감지하면 고전압의 전기를 방출하도록 구성된 것이 특징인 스파크 기폭장치용 전기발파기.
  8. 제 7항에 있어서, 전기발파기는 발파모선(25)에 저전압의 전기와 함께 모의 발파신호를 흘려보내 스파크 기폭장치의 릴레이가 작동하여 스파크 기폭장치 기폭부의 전기저항의 값이 읽혀지면 스파크 기폭장치 및 발파회로가 정상임을 판단하여 디스플레이에 정상임을 표시하는 것이 특징인 스파크 기폭장치용 전기발파기.
KR1020210066379A 2021-05-15 2021-05-24 Mcu로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치 KR20220155416A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210063066 2021-05-15
KR20210063066 2021-05-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220155416A true KR20220155416A (ko) 2022-11-22

Family

ID=84236156

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210066379A KR20220155416A (ko) 2021-05-15 2021-05-24 Mcu로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치
KR1020210153861A KR102634773B1 (ko) 2021-05-15 2021-11-10 Mcu로 제어되는 비전기 뇌관용 기폭장치, 이를 이용한 비전기 뇌관 기폭방법 및 기폭시스템

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210153861A KR102634773B1 (ko) 2021-05-15 2021-11-10 Mcu로 제어되는 비전기 뇌관용 기폭장치, 이를 이용한 비전기 뇌관 기폭방법 및 기폭시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR20220155416A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024075878A1 (ko) * 2022-10-07 2024-04-11 유시온 Mcu로 제어되는 비전기 뇌관용 기폭장치, 이를 이용한 비전기 뇌관 기폭방법 및 기폭시스템

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101345618B1 (ko) 2010-11-16 2013-12-27 유선진 바리스터가 내장된 스파크 기폭장치
KR101230156B1 (ko) * 2010-12-16 2013-02-05 유선진 스파크 기폭기를 이용한 비전기식 뇌관의 기폭장치 및 이를 이용한 발파 시공 방법
KR20160002879U (ko) * 2015-02-10 2016-08-18 윤순덕 발파기의 마이크로 컨투롤러에 의한 승압회로 및 제어
KR200490781Y1 (ko) * 2018-02-22 2019-12-31 김희진 전기식 발파기

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024075878A1 (ko) * 2022-10-07 2024-04-11 유시온 Mcu로 제어되는 비전기 뇌관용 기폭장치, 이를 이용한 비전기 뇌관 기폭방법 및 기폭시스템

Also Published As

Publication number Publication date
KR102634773B1 (ko) 2024-02-07
KR20220155417A (ko) 2022-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101230156B1 (ko) 스파크 기폭기를 이용한 비전기식 뇌관의 기폭장치 및 이를 이용한 발파 시공 방법
US4145970A (en) Electric detonator cap
KR101143389B1 (ko) 전자식 지연 뇌관 장치 및 전자식 뇌관 발파 시스템
CN204831040U (zh) 电雷管安全点火电路
KR101815512B1 (ko) 터널 발파용 비전기식 뇌관의 기폭장치
JP6144551B2 (ja) 電子式延時点火着火具および破砕、発破システム
KR20220155416A (ko) Mcu로 제어되는 비전기뇌관용 스파크 기폭장치
CN102608430B (zh) 与电路保护装置一起使用的电容检测和电压监测电路
US4314507A (en) Sequential initiation of explosives
RU2710432C1 (ru) Способ эксплуатации высоковольтной импульсной системы
CN111735354A (zh) 一种电子雷管点火头可靠性检测电路、方法、芯片
KR100509273B1 (ko) 전기 발파기의 지연 발파 제어 방법 및 장치
JPH01102300A (ja) 電子式延時雷管
CN101819013A (zh) 一种雷管系统
KR101339081B1 (ko) 전기 발파기와 스파크 기폭기를 사용하는 비전기식 뇌관의 기폭장치 및 방법
US3409804A (en) Ordnance control circuit
CN109029165A (zh) 一种电子延时控制的雷管电路及测试方法
KR20180104816A (ko) 터널 발파용 비전기식 뇌관의 기폭장치
RU2421687C1 (ru) Устройство для инициирования ударно-волновой трубки и электродетонаторов с выносным исполнительным элементом
US10483723B2 (en) Power amplification device
WO2024075878A1 (ko) Mcu로 제어되는 비전기 뇌관용 기폭장치, 이를 이용한 비전기 뇌관 기폭방법 및 기폭시스템
EP1482271A1 (en) Apparatus for supplying electric energy to explosion cartridge
CN211425227U (zh) 一种基于总线通信的新型充电起爆电路
CN203981043U (zh) 一种具有网路电阻测量和自适应加压的发爆器
CN104132596A (zh) 一种具有网路电阻测量和自适应加压的发爆器

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal