KR20220152710A - Assembly for supporting substrate and Apparatus for processing substrate - Google Patents

Assembly for supporting substrate and Apparatus for processing substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20220152710A
KR20220152710A KR1020210059959A KR20210059959A KR20220152710A KR 20220152710 A KR20220152710 A KR 20220152710A KR 1020210059959 A KR1020210059959 A KR 1020210059959A KR 20210059959 A KR20210059959 A KR 20210059959A KR 20220152710 A KR20220152710 A KR 20220152710A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
satellite
unit
support assembly
lift pin
Prior art date
Application number
KR1020210059959A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이충현
오영택
한천호
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 원익아이피에스 filed Critical 주식회사 원익아이피에스
Priority to KR1020210059959A priority Critical patent/KR20220152710A/en
Publication of KR20220152710A publication Critical patent/KR20220152710A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

The present invention relates to a substrate support assembly and a substrate handling apparatus, which can prevent interference between a substrate and lift pins, suppress particle generation, and improve productivity. The substrate support assembly of the present invention comprises: a susceptor plate including a substrate seating part on which a substrate is seated; a satellite disposed on the substrate seating part, provided with a disc-shaped body part with a diameter smaller than a diameter of the substrate on which the substrate is seated on an upper surface thereof, provided with a substrate separation prevention part extended from a side surface of the body part and guiding the edge of the substrate, and rotated in a floating state from the substrate seating part by the gas supplied from a gas supply hole formed in the substrate seating part to rotate the substrate; and a lift pin capable of loading or unloading the substrate to or from the satellite by being relatively moved with respect to the satellite while penetrating a lift pin hole formed at the edge of the substrate seating part, which is an outer periphery of the body part of the substrate seating part.

Description

기판 지지 조립체 및 기판 처리 장치{Assembly for supporting substrate and Apparatus for processing substrate}Substrate support assembly and substrate processing apparatus {Assembly for supporting substrate and Apparatus for processing substrate}

본 발명은 기판을 처리하기 위한 반도체 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 기판 지지 조립체 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to semiconductor devices for processing substrates, and more particularly to substrate support assemblies and substrate processing devices.

일반적으로, 반도체 소자나 디스플레이 소자 혹은 태양 전지를 제조하기 위해서는 진공 분위기의 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치에서 각종 공정이 수행된다. 예컨대, 공정 챔버 내에 기판을 로딩하고 기판 상에 박막을 증착하거나 박막을 식각하는 등의 공정이 진행될 수 있다. 기판은 공정 챔버 내에 설치된 기판 지지 조립체에 의해서 지지되며, 기판 지지 조립체와 대향되도록 설치된 가스 분사부를 통해 공정 가스를 기판으로 분사할 수 있다.In general, in order to manufacture semiconductor devices, display devices, or solar cells, various processes are performed in a substrate processing apparatus including a process chamber in a vacuum atmosphere. For example, a process such as loading a substrate into a process chamber, depositing a thin film on the substrate, or etching the thin film may be performed. The substrate is supported by a substrate support assembly installed in the process chamber, and a process gas may be injected to the substrate through a gas dispensing unit installed to face the substrate support assembly.

이러한 기판 처리 장치에 있어서, 기판을 균일하게 처리하기 위해서 기판을 회전시키면서 기판을 처리할 필요가 있다. 기판이 공정 가스에 노출되는 동안 기판을 자전시킴으로써 균일한 기판 처리를 도모할 수 있다. 기판을 자전시키기 위해서, 기판 지지 조립체는 새틀라이트(Satellite)를 이용하여 기판을 부유시킨 상태로서 회전 시키는 기술을 적용하고 있다.In such a substrate processing apparatus, it is necessary to process the substrate while rotating the substrate in order to treat the substrate uniformly. Uniform substrate processing can be achieved by rotating the substrate while it is exposed to the process gas. In order to rotate the substrate, the substrate support assembly employs a technique of rotating the substrate in a floating state using a satellite.

새틀라이트(Satellite)를 이용하여 기판을 부유시킨 상태로 회전 시키는 기술을 적용하기 위하여 새틀라이트에 부유 가스와 회전 가스를 공급할 수 있다. 한편, 새틀라이트를 구비한 설비에서 기판의 스왑(swap)을 위한 리프트핀 구조를 도입하는 경우, 새틀라이트 회전을 통하여 기판 자전시 새틀라이트에 안착된 기판이 새틀라이트로부터 벗어나지 않도록 리프트핀으로 기판의 측면을 지지할수 밖에 없는 구조이나, 기판 슬라이딩으로 기판과 리프트핀이 간섭하거나 파티클 발생이 증가하는 문제점이 있다. In order to apply a technology of rotating a substrate in a floating state using a satellite, floating gas and rotating gas can be supplied to the satellite. On the other hand, in the case of introducing a lift pin structure for substrate swap in a facility equipped with a satellite, the lift pin is used to prevent the substrate seated on the satellite from escaping from the satellite when the substrate rotates through the rotation of the satellite. It is a structure that can only support the side, but there is a problem that the substrate and the lift pin interfere with the substrate sliding or the generation of particles increases.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 기판과 리프트핀의 간섭을 방지하고 파티클 발생을 억제하며 생산성을 개선할 수 있는 기판 지지 조립체 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to solve various problems including the above problems, and to provide a substrate support assembly and a substrate processing apparatus capable of preventing interference between a substrate and a lift pin, suppressing particle generation, and improving productivity. to be

그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.However, these tasks are illustrative, and the scope of the present invention is not limited thereby.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 조립체는, 기판이 안착되는 기판 안착부를 포함하는 서셉터 플레이트; 상기 기판 안착부 상에 배치되며, 상면에 상기 기판이 안착되되 상기 기판의 직경보다 작은 직경을 가지는 원판 형상의 바디부 및 상기 바디부의 측면에서 연장 형성되어 상기 기판의 가장자리를 가이드하는 기판 이탈 방지부를 구비하며, 상기 기판 안착부에 형성된 가스 공급홀에서 공급된 가스에 의해 상기 기판 안착부로부터 부유된 상태로 회전하여 상기 기판을 자전시키는 새틀라이트; 및 상기 기판 안착부 중 상기 바디부의 외곽인 상기 기판 안착부의 가장자리에 형성된 리프트핀홀을 관통하면서 상기 새틀라이트에 대해서 상대적으로 상하 이동됨으로써 상기 기판을 상기 새틀라이트로 로딩 또는 언로딩할 수 있는, 리프트핀; 을 포함한다. A substrate support assembly according to an embodiment of the present invention includes a susceptor plate including a substrate seating portion on which a substrate is seated; A disc-shaped body portion disposed on the substrate seating portion, on which the substrate is seated, and having a diameter smaller than that of the substrate, and a substrate detachment preventing portion extending from a side surface of the body portion and guiding an edge of the substrate. a satellite for rotating the substrate in a floating state from the substrate seating portion by gas supplied from a gas supply hole formed in the substrate seating portion; and a lift pin capable of loading or unloading the substrate to or from the satellite by moving up and down relative to the satellite while penetrating a lift pin hole formed at an edge of the substrate seating portion, which is an outer periphery of the body portion, among the substrate seating portions. ; includes

상기 기판 지지 조립체에서, 상기 기판 이탈 방지부는 상기 바디부의 원주 방향을 따라 서로 이격되면서 복수개로 배열될 수 있다. In the substrate support assembly, a plurality of substrate separation prevention units may be arranged while being spaced apart from each other in a circumferential direction of the body unit.

상기 기판 지지 조립체에서, 상기 기판 이탈 방지부는 상기 기판의 가장자리 하면의 일부분을 지지하도록 상기 바디부의 측면에서 연장되는 연장부; 및 상기 기판의 가장자리 측면의 일부분을 지지하도록 상기 연장부에서 상방으로 돌출된 돌출부;를 포함할 수 있다.In the substrate support assembly, the substrate detachment prevention unit includes an extension portion extending from a side surface of the body portion to support a portion of a bottom surface of an edge of the substrate; and a protrusion protruding upward from the extension portion to support a portion of an edge side surface of the substrate.

상기 기판 지지 조립체는 상기 기판 안착부 상에 배치되고, 상기 기판 안착부로부터 공급된 상기 가스를 분배하여 상기 새틀라이트의 하면으로 공급하는 가스 분배판;을 포함할 수 있다. The substrate support assembly may include a gas distribution plate disposed on the substrate seating portion and distributing the gas supplied from the substrate seating portion to a lower surface of the satellite.

상기 기판 지지 조립체에서, 상기 새틀라이트의 하면으로 공급된 상기 가스가 외부로 배출되는 동안 상기 바디부를 지나 외부로 노출된 상기 기판의 하면을 퍼지하도록, 상기 가스 분배판은 가장자리에 상부로 돌출된 턱이 형성될 수 있다. In the substrate support assembly, while the gas supplied to the lower surface of the satellite is discharged to the outside, the gas distribution plate has an edge protruding upward to purge the lower surface of the substrate exposed to the outside through the body part. can be formed.

상기 기판 지지 조립체에서, 상기 기판을 상기 새틀라이트로 로딩 또는 언로딩할 때 상기 리프트핀은 상기 새틀라이트와 결합되거나 간섭되지 않고 상기 새틀라이트로부터 항상 이격되도록 위치하며, 상기 기판이 상기 새틀라이트와 함께 회전할 때 상기 리프트핀은 상기 기판과 간섭되지 않고 상기 기판과 상기 새틀라이트로부터 항상 이격되도록 위치할 수 있다. In the substrate support assembly, when loading or unloading the substrate to or from the satellite, the lift pin is positioned so as to be always separated from the satellite without engaging with or interfering with the satellite, and the substrate is moved together with the satellite. When rotating, the lift pin may be positioned so as to be always separated from the substrate and the satellite without interfering with the substrate.

상기 기판 지지 조립체에서, 상기 기판 이탈 방지부는 상기 바디부의 원주 방향을 따라 서로 이격되면서 복수개로 배열되며, 상기 기판을 상기 새틀라이트로 로딩 또는 언로딩할 때 상기 리프트핀은 인접한 상기 기판 이탈 방지부의 원주 방향 사이를 통해 승하강할 수 있다.In the substrate support assembly, a plurality of substrate detachment prevention units are arranged spaced apart from each other along a circumferential direction of the body portion, and when loading or unloading the substrate to or from the satellite, the lift pins extend along the circumference of the substrate separation prevention unit adjacent to each other. You can go up and down in between directions.

상기 기판 지지 조립체에서, 상기 리프트핀은 상기 기판의 하면을 지지하기 위한 제 1 지지부를 포함하고, 상기 기판이 상기 새틀라이트와 함께 회전할 때 상기 리프트핀이 상기 기판 이탈 방지부와 간섭되지 않도록, 상기 제 1 지지부는 상기 기판 이탈 방지부의 하면보다 낮은 높이에 위치할 수 있다.In the substrate support assembly, the lift pin includes a first support portion for supporting a lower surface of the substrate, and the lift pin does not interfere with the substrate separation prevention portion when the substrate rotates together with the satellite, The first support portion may be positioned at a height lower than a lower surface of the substrate separation preventing portion.

상기 기판 지지 조립체는, 상기 서셉터 플레이트의 상방에 배치되어 상기 기판 이탈 방지부 또는 상기 기판 이탈 방지부와 상기 리프트핀을 감지하는 감지부; 및 상기 감지부로부터 감지된 데이터를 기초로 상기 리프트핀 상에 상기 기판 이탈 방지부가 위치하는 지 여부를 판별하고, 상기 리프트핀 상에 상기 기판 이탈 방지부가 위치하는 경우 상기 새틀라이트를 회전시켜 상기 기판 이탈 방지부가 상기 리프트핀 상에 위치하지 않도록 상기 기판 안착부에 형성된 가스 공급홀을 통한 상기 가스의 공급을 제어하는 제어부;를 포함할 수 있다. The substrate support assembly may include: a sensing unit disposed above the susceptor plate to detect the substrate separation prevention unit or the substrate separation prevention unit and the lift pin; and determining whether or not the substrate separation prevention unit is located on the lift pin based on data sensed by the sensing unit, and rotating the satellite when the substrate separation prevention unit is located on the lift pin. and a control unit for controlling the supply of the gas through the gas supply hole formed in the substrate mounting portion so that the separation preventing portion is not positioned on the lift pin.

상기 기판 지지 조립체에서, 상기 감지부는 상기 리프트핀의 상방에 위치하는 비전 센서를 포함할 수 있다. In the substrate support assembly, the sensing unit may include a vision sensor positioned above the lift pin.

상기 기판 지지 조립체에서, 상기 서셉터 플레이트는 기판이 각각 안착되는 복수의 기판 안착부를 포함하고, 상기 감지부는 상기 복수의 기판 안착부 중 어느 하나의 기판 안착부에 대응하는 상기 기판 이탈 방지부 또는 상기 기판 이탈 방지부와 상기 리프트핀을 감지하는 제 1 감지부 및 상기 복수의 기판 안착부 중 다른 어느 하나의 기판 안착부에 대응하는 상기 기판 이탈 방지부 또는 상기 기판 이탈 방지부와 상기 리프트핀을 감지하는 제 2 감지부를 포함하고, 상기 제어부는 상기 제 1 감지부 및 상기 제 2 감지부 중 적어도 어느 하나의 감지부로부터 감지된 데이터를 기초로 상기 리프트핀 상에 상기 기판 이탈 방지부가 위치하는 지 여부를 판별하고, 상기 리프트핀 상에 상기 기판 이탈 방지부가 위치하는 경우 해당되는 상기 새틀라이트를 회전시켜 상기 기판 이탈 방지부가 상기 리프트핀 상에 위치하지 않도록 상기 가스의 공급을 제어할 수 있다. In the substrate support assembly, the susceptor plate includes a plurality of substrate seating portions on which substrates are respectively seated, and the sensing unit corresponds to the substrate separation preventing portion corresponding to any one substrate seating portion among the plurality of substrate seating portions or the substrate separation preventing portion. A first detection unit for detecting the substrate separation prevention unit and the lift pin and detecting the substrate separation prevention unit corresponding to any one other substrate seating unit among the plurality of substrate seating units or the substrate separation prevention unit and the lift pin and a second sensing unit configured to determine whether or not the substrate separation prevention unit is located on the lift pin based on data sensed by at least one of the first sensing unit and the second sensing unit. is determined, and when the substrate detachment preventing part is located on the lift pin, the supply of the gas may be controlled so that the substrate separation preventing part is not located on the lift pin by rotating the corresponding satellite.

상기 기판 지지 조립체에서, 상기 제 1 감지부는 프로세스 모듈과 트랜스퍼 모듈 간 상기 기판의 이송을 위한 엔드 이펙터(end effector)가 진입하는 제 1 기판 안착부 상에 배치되고, 상기 제 2 감지부는 상기 제 1 기판 안착부에 바로 인접하는 제 2 기판 안착부 상에 배치될 수 있다. In the substrate support assembly, the first sensing unit is disposed on a first substrate receiving unit into which an end effector for transferring the substrate between a process module and a transfer module enters, and the second sensing unit is disposed on the first substrate seating unit. It may be disposed on a second substrate seating portion immediately adjacent to the substrate seating portion.

상기 기판 지지 조립체에서, 상기 제어부는 상기 제 1 기판 안착부 상에 상기 기판이 로딩 또는 언로딩되는 시간동안 상기 제 2 감지부를 통하여 상기 제 2 기판 안착부의 상기 리프트핀 상에 상기 기판 이탈 방지부가 위치하는지 여부를 판별할 수 있다.In the substrate support assembly, the control unit is configured to detect that the substrate separation prevention unit is positioned on the lift pin of the second substrate seating unit through the second sensing unit during a time when the substrate is loaded or unloaded on the first substrate seating unit. can determine whether or not

기판 처리 장치.본 발명의 다른 관점에 따른 기판 처리 장치는, 공정 챔버와, 상기 공정 챔버에 설치되는 전술한 기판 지지 조립체와, 상기 기판 지지 조립체와 대향되도록 상기 공정 챔버에 설치되며, 상기 기판 지지 조립체를 향해 공정 가스를 분사하는 가스 분사부를 포함한다.Substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to another aspect of the present invention includes a process chamber, the above-described substrate support assembly installed in the process chamber, and installed in the process chamber to face the substrate support assembly, and supporting the substrate and a gas injection unit for injecting process gas toward the assembly.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면 기판과 리프트핀의 간섭을 방지하고 파티클 발생을 억제하며 생산성을 개선할 수 있는 기판 지지 조립체 및 기판 처리 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention made as described above, it is possible to implement a substrate support assembly and a substrate processing apparatus capable of preventing interference between a substrate and a lift pin, suppressing particle generation, and improving productivity. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 조립체를 도해한 단면도이다.
도 2는 도 1에서 A 영역을 확대하여 도시한 도면이다.
도 3은 도 1에서 B 영역을 확대하여 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 조립체를 도해하는 분해 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 조립체를 구성하는 가스 분배판의 상면을 도해하는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 조립체를 구성하는 가스 분배판의 배면을 보여주는 배면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 조립체를 구성하는 새틀라이트의 상면을 도해하는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 조립체에서 (a) 새틀라이트의 일부를 확대하여 도해하고 (b) 기판이 안착된 상태를 도해하는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 조립체에서 리프트핀과 기판 이탈 방지부가 배치된 구성을 도해하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 조립체에서 기판이 새틀라이트에 로딩되어 공정이 진행되는 상태를 도해하는 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 조립체에서 기판이 새틀라이트로부터 언로딩되고 리프트핀 상에 로딩된 상태를 도해하는 도면이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 조립체에서 리프트핀과 기판 이탈 방지부가 중첩되는 위치에 있어 기판 스왑이 불가한 상태를 도해하는 도면이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 조립체에서 리프트핀과 기판 이탈 방지부가 중첩되지 않아 기판 스왑이 가능한 상태를 도해하는 도면이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 조립체에서 기판이 각각 안착되는 복수의 기판 안착부 상에 감지부가 감지하는 영역을 도해하는 도면이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도해하는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view illustrating a substrate support assembly according to one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of area A in FIG. 1 .
FIG. 3 is an enlarged view of region B in FIG. 1 .
4 is an exploded perspective view illustrating a substrate support assembly according to an embodiment of the present invention.
5 is a perspective view illustrating an upper surface of a gas distribution plate constituting a substrate support assembly according to an embodiment of the present invention.
6 is a rear view showing a rear surface of a gas distribution plate constituting a substrate support assembly according to an embodiment of the present invention.
7 is a perspective view illustrating a top surface of a satellite constituting a substrate support assembly according to an embodiment of the present invention.
8 is a diagram illustrating (a) an enlarged view of a part of a satellite and (b) illustrating a state in which a substrate is seated in a substrate support assembly according to an embodiment of the present invention.
9 is a view illustrating a structure in which a lift pin and a substrate separation prevention unit are disposed in a substrate support assembly according to an embodiment of the present invention.
10 is a view illustrating a state in which a substrate is loaded onto a satellite and a process is performed in a substrate support assembly according to an embodiment of the present invention.
11 is a diagram illustrating a state in which a substrate is unloaded from a satellite and loaded on lift pins in a substrate support assembly according to an embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a diagram illustrating a state in which substrate swapping is impossible in the substrate support assembly according to an embodiment of the present invention because the lift pin and the substrate separation prevention unit overlap each other.
13 is a view illustrating a state in which a substrate can be swapped without overlapping a lift pin and a substrate separation prevention unit in the substrate support assembly according to an embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a diagram illustrating an area sensed by a sensing unit on a plurality of substrate seating portions on which substrates are respectively seated in a substrate support assembly according to an embodiment of the present invention.
15 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, several preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art, and the following examples may be modified in many different forms, and the scope of the present invention is as follows It is not limited to the examples. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art. In addition, the thickness or size of each layer in the drawings is exaggerated for convenience and clarity of explanation.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the drawings, variations of the depicted shape may be expected, depending on, for example, manufacturing techniques and/or tolerances. Therefore, embodiments of the inventive concept should not be construed as being limited to the specific shape of the region shown in this specification, but should include, for example, a change in shape caused by manufacturing.

도면들을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 지지 조립체(100)는 서셉터 플레이트(110), 새틀라이트(130), 리프트핀(150)을 포함할 수 있다.Referring to the drawings, a substrate support assembly 100 according to an embodiment of the present invention may include a susceptor plate 110, a satellite 130, and a lift pin 150.

도 1, 도 4 및 도 15를 참조하면, 서셉터 플레이트(110)는 기판(W)이 안착되는 적어도 하나의 기판 안착부(120)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 안착부(120)는 서셉터 플레이트(110)에 포켓홈 형상으로 제공될 수 있다. 다수의 기판들(S)을 한번에 처리하기 위하여, 기판 안착부(120)는 복수로 제공될 수 있다. 예를 들어, 복수의 기판 안착부들(120)이 서셉터 플레이트(110) 상면에 원주 방향을 따라서 일정 거리 이격되게 형성될 수 있다. 기판 안착부들(120)은 서셉터 플레이트(110)의 회전축을 중심으로 방사상으로 등각 배치될 수 있다.Referring to FIGS. 1 , 4 and 15 , the susceptor plate 110 may include at least one substrate seating portion 120 on which the substrate W is seated. For example, the substrate receiving portion 120 may be provided in the shape of a pocket groove in the susceptor plate 110 . In order to process a plurality of substrates S at once, a plurality of substrate seating units 120 may be provided. For example, a plurality of substrate seating parts 120 may be formed on the upper surface of the susceptor plate 110 and spaced apart from each other by a predetermined distance along the circumferential direction. The substrate seating parts 120 may be radially and conformally arranged around the rotational axis of the susceptor plate 110 .

서셉터 플레이트(110)에는 기판(W)을 부유시키기 위한 부유 가스가 상방으로 공급될 수 있는 부유 가스 공급홀(112)이 형성된다. 나아가, 서셉터 플레이트(110)에는 기판(W)을 회전시키기 위한 회전 가스가 상방으로 공급될 수 있는 회전 가스 공급홀(114)이 형성될 수 있다. 서셉터 플레이트(110) 내에는 부유 가스 공급홀(112) 및 회전 가스 공급홀(114)에 각각 연결되는 가스 유동 라인들이 제공될 수 있다. 즉, 상기 가스 유동 라인들을 통해서 기판 안착부(120)로 소정의 작동 가스, 에컨대 기판(W)을 부유시키기 위한 부유 가스 및/또는 기판(W)을 회전시키기 위한 회전 가스를 공급할 수 있다.A floating gas supply hole 112 through which floating gas for floating the substrate W can be supplied upward is formed in the susceptor plate 110 . Furthermore, a rotation gas supply hole 114 through which rotation gas for rotating the substrate W can be supplied upward may be formed in the susceptor plate 110 . Gas flow lines respectively connected to the floating gas supply hole 112 and the rotation gas supply hole 114 may be provided in the susceptor plate 110 . That is, predetermined working gas, for example, a floating gas for floating the substrate W and/or a rotation gas for rotating the substrate W may be supplied to the substrate seat 120 through the gas flow lines.

샤프트(160)는 서셉터 플레이트(110)에 결합될 수 있다. 샤프트(160)는 기판(W)이 공전될 수 있도록 회전 가능할 수 있다. 예를 들어, 샤프트(160)에는 구동 장치(미도시)가 결합될 수 있고, 이 구동 장치에 의해서 샤프트(160)는 회전되거나 또는 상하 이동될 수 있다. 샤프트(160)가 회전되거나 상하 이동됨에 따라서, 서셉터 플레이트(110)도 회전되거나 상하 이동될 수 있다. 한편, 기판 안착부(120)로 공급되는 부유 가스 및 회전 가스는 샤프트(160)를 통해서 공급될 수 있다.The shaft 160 may be coupled to the susceptor plate 110 . The shaft 160 may be rotatable so that the substrate W may revolve. For example, a driving device (not shown) may be coupled to the shaft 160, and the shaft 160 may be rotated or moved up and down by the driving device. As the shaft 160 is rotated or moved up and down, the susceptor plate 110 may also be rotated or moved up and down. Meanwhile, the floating gas and the rotating gas supplied to the substrate seat 120 may be supplied through the shaft 160 .

적어도 하나의 새틀라이트(130)는 기판 안착부(120)에 배치될 수 있다. 새틀라이트(130)의 상면 상에 기판(W)이 안착될 수 있다. 예를 들어, 복수의 새틀라이트들(130)은 복수의 기판 안착부들(120)에 각각 배치될 수 있고, 이 경우 새틀라이트들(130)의 수는 기판 안착부들(120)의 수와 동일할 수 있다.At least one satellite 130 may be disposed on the substrate seating part 120 . A substrate W may be seated on the upper surface of the satellite 130 . For example, the plurality of satellites 130 may be respectively disposed on the plurality of substrate seating parts 120, and in this case, the number of satellites 130 may be the same as the number of substrate seating parts 120. can

도 1 내지 도 4와 도 7 내지 도 8을 참조하면, 새틀라이트(130)는 상기 기판 안착부(120)에 형성된 가스 공급홀(112, 114)에서 공급된 가스(부유 가스, 회전 가스)에 의해 상기 기판 안착부(120)로부터 부유된 상태로 회전하여 상기 기판(W)을 자전시킨다. 새틀라이트(130)는 기판 안착부(120)로부터 공급되는 회전 가스에 의해서 서셉터 플레이트(110)에 대해서 상대적으로 회전하여 기판(W)을 서셉터 플레이트(110)에 대해서 상대적으로 회전시킬 수 있다. 이러한 회전은 서셉터 플레이트(110)에 대한 상대적인 회전이기 때문에, 자전으로 부를 수 있다. Referring to FIGS. 1 to 4 and 7 to 8 , the satellite 130 receives gas (floating gas, rotating gas) supplied from the gas supply holes 112 and 114 formed in the substrate seating part 120 . The substrate (W) is rotated by rotating in a floating state from the substrate seating part 120. The satellite 130 is relatively rotated with respect to the susceptor plate 110 by the rotation gas supplied from the substrate seating part 120, thereby relatively rotating the substrate W with respect to the susceptor plate 110. . Since this rotation is a rotation relative to the susceptor plate 110, it can be referred to as autorotation.

일부 실시예에서, 새틀라이트(130)는 기판 안착부(120)로부터 부유 가스를 공급받아 기판 안착부(120)로부터 부유된 상태로 회전 가스에 의해서 회전될 수도 있다. 예를 들어, 부유 가스와 회전 가스는 분리되어 기판 안착부(120)를 통해서 새틀라이트(130)로 공급될 수 있다.In some embodiments, the satellite 130 may be supplied with floating gas from the substrate seating unit 120 and rotated by the rotating gas in a floating state from the substrate seating unit 120 . For example, the floating gas and the rotational gas may be separated and supplied to the satellite 130 through the substrate seating part 120 .

변형된 실시예에서, 새틀라이트(130)는 부유 가스와 회전 가스를 구분하지 않고 하나의 가스만 공급 받아 부유된 상태로 회전될 수도 있다. In a modified embodiment, the satellite 130 may rotate in a floating state by receiving only one gas without distinguishing between the floating gas and the rotating gas.

일부 실시예에서, 새틀라이트(130)는 회전 가스에 의한 회전력을 전달받기 용이하도록 하면에 톱니 형상의 회전 패턴(135)을 포함할 수도 있다. 또한, 새틀라이트(130)의 정지를 조절하기 위하여, 기판 안착부(120)로부터 회전 반대 방향으로 정지 가스를 공급 받을 수도 있다.In some embodiments, the satellite 130 may include a sawtooth-shaped rotation pattern 135 on the lower surface to facilitate transmission of rotational force by the rotational gas. In addition, in order to control the stop of the satellite 130, stop gas may be supplied from the substrate seat 120 in a direction opposite to the rotation.

한편, 새틀라이트(130)의 중앙부와 이와 대응되는 서셉터 플레이트(110)의 중앙부의 적어도 일부에는 오목부에 삽입되어 서로 결합될 수 있는 결합 구조체(170)가 배치됨으로써 새틀라이트(130)가 서셉터 플레이트(110) 상에서 안정적으로 회전할 수 있다. 결합 구조체(170)는, 예를 들어, 핀 형상을 가질 수 있다. 새틀라이트(130)가 서셉터 플레이트(110) 상에서 회전할 경우, 결합 구조체(170)와의 마찰에 의하여 파티클이 발생할 수 있다. 따라서, 발생된 상기 파티클이 기판(W) 상으로 이동하여 기판(W)을 오염시키지 않도록, 상기 파티클을 서셉터 플레이트(110)의 하부로 배출시키기 위하여 서셉터 플레이트(110)를 관통하는 배출 경로(175)가 형성될 수 있다.On the other hand, a coupling structure 170 is disposed in the central portion of the satellite 130 and at least a part of the central portion of the corresponding susceptor plate 110 to be inserted into the concave portion and coupled to each other, so that the satellite 130 can be It can stably rotate on the scepter plate 110. The coupling structure 170 may have, for example, a pin shape. When the satellite 130 rotates on the susceptor plate 110, particles may be generated due to friction with the coupling structure 170. Therefore, the discharge path penetrating the susceptor plate 110 to discharge the particles to the lower portion of the susceptor plate 110 so that the generated particles do not move onto the substrate W and contaminate the substrate W. (175) can be formed.

새틀라이트(130)는 기판 안착부(120) 상에 배치되며, 상면에 기판(W)이 안착되되 기판(W)의 직경보다 작은 직경을 가지는 원판 형상의 바디부(132) 및 바디부(132)의 측면에서 연장 형성되어 상기 기판(W)의 가장자리를 가이드하는 기판 이탈 방지부(134)를 구비한다. The satellite 130 is disposed on the substrate seating portion 120, and the substrate W is seated on the upper surface of the body portion 132 having a disk shape having a smaller diameter than the diameter of the substrate W, and the body portion 132 ) Is formed extending from the side of the substrate (W) is provided with a substrate detachment prevention portion 134 for guiding the edge.

기판 이탈 방지부(134)는 기판(W)의 가장자리 하면의 일부분을 지지하도록 바디부(132)의 측면에서 연장되는 연장부(134a); 및 기판(W)의 가장자리 측면의 일부분을 지지하도록 연장부(134a)에서 상방으로 돌출된 돌출부(134b);를 포함할 수 있다. The substrate detachment prevention unit 134 includes an extension portion 134a extending from a side surface of the body portion 132 to support a portion of the bottom edge of the substrate W; and a protrusion 134b protruding upward from the extension 134a so as to support a portion of an edge side of the substrate W.

본 발명의 일 실시예에 의한 기판 지지 조립체(100)를 이용하여 공정을 수행하는 과정에서, 기판 이탈 방지부(134)는 기판(W)의 측면을 지지하지 않고 하면만 지지하게 되는 경우가 발생할 수 있다. 기판(W) 슬라이딩이 일어나는 경우에는 기판 이탈 방지부(134)가 기판(W)의 측면을 지지할 수 있다. 기판(W)이 안착된 새틀라이트(130)가 회전하는 경우 기판(W)이 원심력으로 슬라이딩되어 외부로 이탈되는 것을 구조적으로 방지하기 위하여, 기판 이탈 방지부(134)는 상방으로 돌출된 턱 형상을 가지는 돌출부(134b)를 포함할 수 있다. 한편, 리프트핀(150)은 기판(W)의 가장자리 하면과 측면 중 적어도 일부분을 지지해야 하기 때문에, 기판 지지 조립체(100)의 상방에서 하방으로 바라볼 때, 새틀라이트(130)의 기판 이탈 방지부(134)의 적어도 일부는 리프트핀(150)의 적어도 일부와 중첩되도록 배치될 수 있다. In the process of performing a process using the substrate support assembly 100 according to an embodiment of the present invention, the substrate separation prevention unit 134 does not support the side surface of the substrate W, but only supports the lower surface. can When the substrate (W) slides, the substrate separation prevention unit 134 may support the side surface of the substrate (W). When the satellite 130 on which the substrate W is seated rotates, in order to structurally prevent the substrate W from sliding by centrifugal force and escaping to the outside, the substrate separation prevention unit 134 has a chin shape protruding upward. It may include a protrusion (134b) having a. Meanwhile, since the lift pins 150 support at least a portion of the bottom edge and the side surface of the substrate W, the satellite 130 is prevented from leaving the substrate when viewed from the top to the bottom of the substrate support assembly 100. At least a portion of the portion 134 may be disposed to overlap at least a portion of the lift pin 150 .

기판 이탈 방지부(134)는 바디부(132)의 원주 방향을 따라 서로 이격되면서 복수개로 배열될 수 있다. 즉, 기판 이탈 방지부(134)는 바디부(132)의 원주 방향을 따라 일체로 연속적으로 연결되는 것이 아니라 서로 이격되어 배열된 적어도 2 이상의 복수의 구조체로 제공된다. The substrate separation prevention unit 134 may be arranged in plurality while being spaced apart from each other along the circumferential direction of the body unit 132 . That is, the substrate separation prevention unit 134 is not integrally and continuously connected along the circumferential direction of the body unit 132, but is provided as a plurality of structures spaced apart from each other.

도 7을 참조하면, 예를 들어, 기판 이탈 방지부(134)는 바디부(132)의 원주 방향을 따라 120도만큼 서로 이격되면서 3개로 제공될 수 있다. 만약, 기판 이탈 방지부(134)가 바디부(132)의 원주 방향을 따라 서로 이격된 복수의 구조체가 아니라 360도 연속적으로 일체로 연결된다면, 리프트핀(150)이 기판(W)을 지지하기 위하여 상하로 움직일 때 기판 이탈 방지부(134)가 리프트핀(150)과 간섭되는 문제점이 발생한다. Referring to FIG. 7 , for example, the substrate detachment preventing part 134 may be provided in three pieces while being spaced apart from each other by 120 degrees along the circumferential direction of the body part 132 . If the substrate detachment preventing part 134 is not a plurality of structures spaced apart from each other along the circumferential direction of the body part 132 but is integrally connected 360 degrees continuously, the lift pins 150 support the substrate W. There is a problem in that the substrate separation preventing part 134 interferes with the lift pin 150 when moving up and down for the purpose.

도 1 내지 도 4 및 도 9 내지 도 11을 참조하면, 리프트핀(150)은 기판 안착부(120) 중 바디부(132)의 외곽인 기판 안착부(120)의 가장자리에 형성된 리프트핀홀(151)을 관통하면서 새틀라이트(130)에 대해서 상대적으로 상하 이동됨으로써 기판(W)을 새틀라이트(130)로 로딩 또는 언로딩할 수 있다. 예를 들어, 도 9를 참조하면, 하나의 기판 안착부(120)에는 3개의 리프트핀(150)이 배치되어 기판(W)을 새틀라이트(130)로 로딩 또는 언로딩할 수 있다. Referring to FIGS. 1 to 4 and 9 to 11 , the lift pin 150 is a lift pin hole 151 formed at the edge of the substrate seating portion 120, which is outside the body portion 132 of the substrate seating portion 120. ), the substrate W may be loaded or unloaded from the satellite 130 by moving up and down relative to the satellite 130 while penetrating the substrate W. For example, referring to FIG. 9 , three lift pins 150 are disposed on one substrate seating part 120 to load or unload the substrate W to or from the satellite 130 .

리프트핀(150)은 서셉터 플레이트(110)와 가스 분배판(140)을 상하로 관통하여 새틀라이트(130)에 대해서 상대적으로 상하 이동할 수 있다. 구체적으로, 리프트핀(150)은 서셉터 플레이트(110)를 관통하는 리프트핀홀(151)과 가스 분배판(140)을 관통하는 리프트핀홀(145)을 통하여 상하 이동할 수 있다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 조립체(100)에서 리프트핀(150)은 새틀라이트(130)를 관통하지는 않으며 새틀라이트(130)와 항상 이격되도록 배치되어야 한다. The lift pins 150 may pass through the susceptor plate 110 and the gas distribution plate 140 to move up and down relative to the satellite 130 . Specifically, the lift pins 150 may move up and down through the lift pinholes 151 penetrating the susceptor plate 110 and the lift pinholes 145 penetrating the gas distribution plate 140 . Meanwhile, in the substrate support assembly 100 according to an embodiment of the present invention, the lift pins 150 do not penetrate the satellite 130 and should always be spaced apart from the satellite 130 .

리프트핀(150)의 헤드부는 기판(W)의 하면 가장자리를 지지하기 위한 제 1 지지부(152)와 기판(W)의 슬라이딩 현상을 제한하도록 기판(W)의 측면을 지지하기 위한 제 2 지지부(154)를 포함할 수 있다. 제 1 지지부(152)와 제 2 지지부(154)는 서로 수직으로 연결될 수 있으나, 기판(W)의 이동을 가이드하기 위하여 제 2 지지부(154)는 경사진 테이퍼 구조를 가질 수도 있다. The head part of the lift pin 150 includes a first support part 152 for supporting the bottom edge of the substrate W and a second support part for supporting the side surface of the substrate W to limit the sliding phenomenon of the substrate W ( 154) may be included. The first support part 152 and the second support part 154 may be vertically connected to each other, but in order to guide the movement of the substrate W, the second support part 154 may have an inclined tapered structure.

한편, 도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 지지 조립체(100)는 서셉터 플레이트(110)의 기판 안착부(120)와 새틀라이트(130) 사이에 개재되는 가스 분배판(140)을 더 포함할 수 있다. 가스 분배판(140)은 기판 안착부(120) 상에 고정되고, 새틀라이트(130)는 가스 분배판(140) 상에 안착될 수 있다. 예를 들어, 가스 분배판(140)은 기판 안착부(120) 상에 볼팅 체결부(180)에 의하여 고정될 수 있다. Meanwhile, referring to FIGS. 1 to 6 , in the substrate support assembly 100 according to an embodiment of the present invention, a gas interposed between the substrate seating portion 120 of the susceptor plate 110 and the satellite 130 A distribution plate 140 may be further included. The gas distribution plate 140 may be fixed on the substrate seating part 120 , and the satellite 130 may be seated on the gas distribution plate 140 . For example, the gas distribution plate 140 may be fixed on the substrate seating part 120 by the bolting part 180 .

가스 분배판(140)은 기판 안착부(120)로부터 공급되는 부유 가스 및 회전 가스를 분배하여 새틀라이트(130)로 공급할 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 가스 분배판(140)의 배면에는 기판 안착부(120)의 부유 가스 공급홀(112)로부터 공급된 부유 가스를 분배하기 위한 부유 가스 분배 유로(143)와 부유 가스를 가스 분배판(140)의 전면으로 공급하기 위한 복수의 관통홀들(142)이 부유 가스 분배 유로(143)에 형성될 수 있다. The gas distribution plate 140 may distribute the floating gas and the rotational gas supplied from the substrate seat 120 and supply them to the satellite 130 . As shown in FIG. 6 , a floating gas distribution passage 143 for distributing the floating gas supplied from the floating gas supply hole 112 of the substrate seating part 120 and the floating gas are provided on the rear surface of the gas distribution plate 140 . A plurality of through-holes 142 may be formed in the floating gas distribution channel 143 to supply the gas distribution plate 140 to the front surface.

나아가, 가스 분배판(140)의 배면에는 기판 안착부(120)의 회전 가스 공급홀(114)로부터 공급된 회전 가스를 분배하기 위한 회전 가스 분배 유로(145)와 회전 가스를 가스 분배판(140)의 전면으로 공급하기 위한 적어도 하나의 관통홀(144)이 회전 가스 분배 유로(145)에 형성될 수 있다.Furthermore, on the rear surface of the gas distribution plate 140, there is a rotational gas distribution passage 145 for distributing the rotational gas supplied from the rotational gas supply hole 114 of the substrate mounting unit 120, and the rotational gas is supplied to the gas distribution plate 140. At least one through hole 144 for supplying to the front surface of ) may be formed in the rotational gas distribution passage 145 .

가스 분배판(140)에 형성된 부유 가스 분배 유로(143) 및 회전 가스 분배 유로(145)의 형상과 연결 관계는 다양한 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 기판 안착부(120)에 형성된 1개의 부유 가스 공급홀(112)에서 분사되어 공급된 부유 가스는 가스 분배판(140)에 형성된 부유 가스 분배 유로(143)를 거쳐 가스 분배판(140)에 형성된 6개의 관통홀들(142)을 통하여 새틀라이트(130)의 하면에 최종적으로 공급될 수 있다. 기판 안착부(120)에 형성된 1개의 회전 가스 공급홀(114)에서 분사되어 공급된 회전 가스는 가스 분배판(140)에 형성된 회전 가스 분배 유로(145)를 거쳐 가스 분배판(140)에 형성된 2개의 관통홀들(144)을 통하여 새틀라이트(130)의 하면에 최종적으로 공급될 수 있다. The shape and connection relationship of the floating gas distribution passage 143 and the rotary gas distribution passage 145 formed in the gas distribution plate 140 may be provided in various forms. For example, the floating gas sprayed and supplied from one floating gas supply hole 112 formed in the substrate seating part 120 passes through the floating gas distribution passage 143 formed in the gas distribution plate 140 to the gas distribution plate ( It can be finally supplied to the lower surface of the satellite 130 through six through-holes 142 formed in 140 . The rotational gas sprayed and supplied from one rotational gas supply hole 114 formed in the substrate seating part 120 passes through the rotational gas distribution passage 145 formed in the gas distribution plate 140 and formed in the gas distribution plate 140. It can be finally supplied to the lower surface of the satellite 130 through the two through holes 144 .

도 1 및 도 3을 참조하면, 새틀라이트(130)의 하면으로 공급된 부유 가스 및/또는 회전 가스가 외부로 배출되는 동안 바디부(132)를 지나 외부로 노출된 상기 기판(W)의 하면을 퍼지하도록, 가스 분배판(140)은 가장자리에 상부로 돌출된 턱(148)이 형성될 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 3 , while the floating gas and/or rotational gas supplied to the lower surface of the satellite 130 is discharged to the outside, the lower surface of the substrate W is exposed to the outside through the body 132 . To purge, the gas distribution plate 140 may have an upper protruding jaw 148 formed at an edge thereof.

본 발명의 일 실시예에 의한 기판 지지 조립체(100)에서는 바디부(132)의 직경이 기판(W)의 직경보다 작기 때문에 기판(W)이 바디부(132)와 접촉하지 않고 바디부(132)를 지나 외부로 노출되는 하면이 존재하게 된다. 상기 노출되는 하면에 오염이 발생하는 것을 방지하기 위하여, 새틀라이트(130)의 하면으로 공급된 부유 가스 및/또는 회전 가스가 새틀라이트(130)의 하면을 따라 외부로 배출되는 유로(도 3의 점선 화살표 참조)를 상기 노출되는 하부면에 인접하도록 구성하기 위하여, 가스 분배판(140)의 가장자리에 상부로 돌출된 턱(148)이 형성될 수 있다. In the substrate support assembly 100 according to an embodiment of the present invention, since the diameter of the body portion 132 is smaller than the diameter of the substrate W, the substrate W does not contact the body portion 132 and the body portion 132 ), there is a lower surface exposed to the outside. In order to prevent contamination of the exposed lower surface, a flow path through which floating gas and/or rotating gas supplied to the lower surface of the satellite 130 is discharged to the outside along the lower surface of the satellite 130 (FIG. 3). In order to configure the dotted line arrow) to be adjacent to the exposed lower surface, a protrusion 148 protruding upward may be formed at an edge of the gas distribution plate 140 .

도 5를 참조하면, 상기 상부로 돌출된 턱(148)은 가스 분배판(140)의 가장자리를 따라 연속적으로 신장하지만, 리프트핀(150)이 상하로 이동할 수 있는 공간을 확보하기 위하여 가스 분배판(140)을 관통하는 리프트핀홀(145)과 새틀라이트(130)의 회전속도를 감지하기 위한 감지패턴 확인용 홀(147)에서는 끊어질 수 있다. 감지패턴 확인용 홀(147)을 통하여 새틀라이트(130)의 측면에 형성된 감지패턴(도 7의 137)을 센싱하여 새틀라이트(130)의 회전속도를 확인할 수 있다. Referring to FIG. 5 , the upper protrusion 148 continuously extends along the edge of the gas distribution plate 140, but in order to secure a space in which the lift pins 150 can move up and down, the gas distribution plate The lift pin hole 145 penetrating through 140 and the detection pattern confirmation hole 147 for detecting the rotational speed of the satellite 130 may be cut off. The rotation speed of the satellite 130 can be checked by sensing the detection pattern (137 in FIG. 7) formed on the side of the satellite 130 through the detection pattern confirmation hole 147.

도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 조립체(100)에서 기판(W)이 새틀라이트(130)에 로딩되어 공정이 진행되는 상태를 나타내고, 도 11을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 조립체(100)에서 기판(W)이 새틀라이트(130)로부터 언로딩되고 리프트핀(150) 상에 로딩된 상태를 나타낸다. Referring to FIG. 10, in the substrate support assembly 100 according to an embodiment of the present invention, a substrate W is loaded onto the satellite 130 and a process is progressing. Referring to FIG. 11, the present invention In the substrate support assembly 100 according to an embodiment of the above, a state in which the substrate W is unloaded from the satellite 130 and loaded onto the lift pins 150 is shown.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 조립체(100)에서는 기판(W)을 새틀라이트(130)로 로딩 또는 언로딩할 때 리프트핀(150)은 새틀라이트(130)와 결합되거나 간섭되지 않고 새틀라이트(130)로부터 항상 이격되도록 위치하며, 기판(W)이 새틀라이트(130)로 로딩되어 새틀라이트(130)와 함께 회전할 때 리프트핀(150)은 기판(W)과 간섭되지 않고 기판(W)과 새틀라이트(130)로부터 항상 이격되도록 위치할 수 있다. In the substrate support assembly 100 according to an embodiment of the present invention, when loading or unloading the substrate W to or from the satellite 130, the lift pin 150 does not engage or interfere with the satellite 130 and It is always positioned so as to be spaced apart from the light 130, and when the substrate W is loaded into the satellite 130 and rotates together with the satellite 130, the lift pin 150 does not interfere with the substrate W and the substrate ( W) and the satellite 130 may be positioned so as to be always spaced apart from each other.

구체적으로, 기판 이탈 방지부(134)는 바디부(132)의 원주 방향을 따라 서로 이격되면서 복수개로 배열되며, 기판(W)을 새틀라이트(130)로 로딩 또는 언로딩할 때 리프트핀(150)은 인접한 기판 이탈 방지부(134)의 원주 방향 사이를 통해 승하강할 수 있다. 한편, 도 2를 참조하면, 리프트핀(150)은 기판(W)의 하면을 지지하기 위한 제 1 지지부(152)를 포함하고, 기판(W)이 새틀라이트(130)와 함께 회전할 때 리프트핀(150)이 기판 이탈 방지부(134)와 간섭되지 않도록, 제 1 지지부(152)는 기판 이탈 방지부(134)의 하면보다 낮은 높이에 위치할 수 있다. Specifically, the substrate detachment preventing part 134 is arranged in plurality while being spaced apart from each other along the circumferential direction of the body part 132, and when loading or unloading the substrate W to the satellite 130, the lift pin 150 ) may move up and down through the circumferential direction of the adjacent substrate detachment preventing part 134 . Meanwhile, referring to FIG. 2 , the lift pin 150 includes a first support part 152 for supporting the lower surface of the substrate W, and lifts the substrate W when it rotates together with the satellite 130. To prevent the pin 150 from interfering with the substrate detachment preventing part 134 , the first support part 152 may be located at a height lower than the lower surface of the substrate separation preventing part 134 .

한편, 새틀라이트를 구비한 기판 지지 조립체에서 기판의 스왑(swap)을 위한 리프트핀 구조를 도입하는 다양한 구조의 비교예들을 상정하여 본 발명과 비교 설명할 수 있다. Meanwhile, comparative examples of various structures in which a lift pin structure for swapping a substrate is introduced in a substrate support assembly having a satellite may be assumed and compared with the present invention.

제 1 비교예는 기판 지지 조립체를 구성하는 새틀라이트가 기판의 직경보다 작은 직경을 가지는 원판 형상의 바디부로만 이루어지는 경우이다. 즉, 새틀라이트의 바디부의 측면에서 연장 형성되어 기판의 가장자리를 가이드하는 기판 이탈 방지부가 개시되지 않는 경우이다. 상술한 제 1 비교예의 구성에 의하면, 기판 스왑용 리프트핀은 새틀라이트와 함께 회전하지 않는다. 다만, 새틀라이트가 회전할 경우 기판의 슬라이딩으로 리프트핀과 기판 간에 간섭이 발생하는 문제점이 발생할 수 있다. 이는 기판의 슬라이딩을 제한하는 기판 이탈 방지부의 구성이 존재하지 않기 때문이다. Comparative Example 1 is a case in which the satellite constituting the substrate support assembly is composed of only a disc-shaped body having a diameter smaller than that of the substrate. That is, this is a case in which the substrate separation prevention unit extending from the side surface of the body portion of the satellite and guiding the edge of the substrate is not disclosed. According to the structure of the first comparative example described above, the lift pin for substrate swapping does not rotate together with the satellite. However, when the satellite rotates, interference between the lift pin and the substrate may occur due to sliding of the substrate. This is because there is no structure of the substrate separation prevention unit that limits the sliding of the substrate.

이와 달리, 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 지지 조립체에서는 상면에 기판이 안착되되 기판의 직경보다 작은 직경을 가지는 원판 형상의 바디부(132) 및 바디부(132)의 측면에서 연장 형성되어 기판의 가장자리를 가이드하는 기판 이탈 방지부(134)를 구비하는 새틀라이트(130)를 도입하고, 나아가, 기판 안착부(120) 중 바디부(132)의 외곽인 기판 안착부(120)의 가장자리에 리프트핀홀을 관통하면서 새틀라이트(130)에 대해서 상대적으로 상하 이동됨으로써 기판을 새틀라이트(130)로 로딩 또는 언로딩할 수 있는, 리프트핀(150)을 도입하며, 새틀라이트(130)의 기판 이탈 방지부(134)의 하부와 스왑용 리프트핀(150)의 최상면은 일정 간격(d)을 유지하여 공정 시 서로 간섭되지 않도록 한다. Unlike this, in the substrate support assembly according to an embodiment of the present invention, the substrate is seated on the upper surface but has a disk-shaped body portion 132 having a diameter smaller than the diameter of the substrate and extending from the side of the body portion 132 to form a substrate. A satellite 130 having a substrate separation prevention unit 134 for guiding the edge of the board is introduced, and furthermore, at the edge of the board seating portion 120, which is the outside of the body portion 132, among the substrate seating portion 120. A lift pin 150 is introduced, which can load or unload a substrate into the satellite 130 by moving up and down relative to the satellite 130 while penetrating the lift pin hole, and the satellite 130 leaves the substrate. The lower part of the prevention part 134 and the uppermost surface of the swap lift pin 150 maintain a certain distance (d) so that they do not interfere with each other during the process.

한편, 도 12 내지 도 15를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 지지 조립체 및 이를 구비하는 기판 처리 장치는 서셉터 플레이트(110)의 상방에 배치되어 기판 이탈 방지부(134) 또는 기판 이탈 방지부(134)와 리프트핀(150)을 감지하는 감지부(310); 및 감지부(310)로부터 감지된 데이터를 기초로 리프트핀(150) 상에 기판 이탈 방지부(134)가 위치하는 지 여부를 판별하고, 리프트핀(150) 상에 기판 이탈 방지부(134)가 위치하는 경우 새틀라이트(130)를 회전시켜 기판 이탈 방지부(134)가 리프트핀(150) 상에 위치하지 않도록 기판 안착부(120)에 형성된 가스 공급홀(112, 114)을 통한 부유 가스, 회전 가스 및/또는 정지 가스 등의 공급을 제어하는 제어부(320);를 포함할 수 있다.Meanwhile, referring to FIGS. 12 to 15 , the substrate support assembly and the substrate processing apparatus having the same according to an embodiment of the present invention are disposed above the susceptor plate 110 to prevent the substrate separation 134 or the substrate. a detection unit 310 that detects the departure prevention unit 134 and the lift pin 150; And based on the data detected by the sensing unit 310, it is determined whether the substrate separation prevention unit 134 is located on the lift pin 150, and the substrate separation prevention unit 134 is located on the lift pin 150. is located, the floating gas through the gas supply holes 112 and 114 formed in the substrate seating part 120 so that the substrate separation preventing part 134 is not positioned on the lift pin 150 by rotating the satellite 130. , a control unit 320 for controlling the supply of rotational gas and/or stop gas.

감지부(310)는, 예를 들어, 리프트핀(150)이 상방에 위치하는 비전 센서를 포함할 수 있으며, 공정 챔버(210)의 탑 리드(top lid)에 설치될 수 있다. The sensing unit 310 may include, for example, a vision sensor positioned above the lift pin 150 and may be installed on a top lid of the process chamber 210 .

상술한 감지부(310) 및 제어부(320)의 구성을 도입함으로써, 상방에서 하방으로 바라볼 때 기판 이탈 방지부(134)와 리프트핀(150)이 중첩되지 않는 조건에서 기판(W)의 스왑이 진행될 수 있다. By introducing the configuration of the detection unit 310 and the control unit 320 described above, swapping of the substrate W under the condition that the substrate separation prevention unit 134 and the lift pin 150 do not overlap when viewed from the top to the bottom this can proceed.

예를 들어, 도 12를 참조하면, 기판 지지 조립체(100)의 상방에서 하방으로 바라볼 때 기판 이탈 방지부(134)가 리프트핀(150) 상에 위치하게 된다. 즉, 기판 이탈 방지부(134)와 리프트핀(150)이 중첩되는 위치에 존재하게 된다. For example, referring to FIG. 12 , when looking down from above the substrate support assembly 100 , the substrate separation preventing part 134 is positioned on the lift pin 150 . That is, the substrate detachment preventing part 134 and the lift pin 150 are present at an overlapping position.

이 경우, 리프트핀(150)이 기판(W)을 로딩하기 위하여 새틀라이트(130)에 대해서 상대적으로 상방으로 이동할 경우 리프트핀(150)과 기판 이탈 방지부(134)가 서로 간섭하게 되어 기판의 스왑 공정이 불가하게 된다. In this case, when the lift pins 150 move relatively upward with respect to the satellite 130 to load the substrate W, the lift pins 150 and the substrate detachment preventing part 134 interfere with each other, thereby preventing the substrate from moving. The swap process becomes impossible.

한편, 도 13을 참조하면, 기판 지지 조립체(100)의 상방에서 하방으로 바라볼 때 기판 이탈 방지부(134)가 리프트핀(150) 상에 위치하지 않는다. 즉, 기판 이탈 방지부(134)와 리프트핀(150)이 서로 중첩되지 않는 위치에 존재하게 된다. On the other hand, referring to FIG. 13 , when looking down from the top of the substrate support assembly 100 , the substrate detachment preventing part 134 is not located on the lift pin 150 . That is, the substrate detachment preventing part 134 and the lift pin 150 exist at a position where they do not overlap each other.

이 경우, 리프트핀(150)이 기판(W)을 로딩하기 위하여 새틀라이트(130)에 대해서 상대적으로 상방으로 이동할 경우 리프트핀(150)과 기판 이탈 방지부(134)가 서로 간섭되지 않으며, 리프트핀(150)과 엔드 이펙터(190)가 서로 간섭되지 않으므로, 기판의 스왑 공정이 가능하게 된다. In this case, when the lift pin 150 moves relatively upward with respect to the satellite 130 in order to load the substrate W, the lift pin 150 and the substrate separation prevention unit 134 do not interfere with each other, and the lift pin 150 does not interfere with each other. Since the pin 150 and the end effector 190 do not interfere with each other, a board swapping process is possible.

도 14를 참조하면, 서셉터 플레이트(110)는 기판(W1, W2, W3, W4, W5, W6)이 각각 안착되는 복수의 기판 안착부(120_1, 120_2, 120_3, 120_4, 120_5, 120_6)를 포함한다. 서셉터 플레이트(110)는, 예를 들어, 반시계 방향으로 회전할 수 있다. Referring to FIG. 14 , the susceptor plate 110 includes a plurality of substrate seating portions 120_1, 120_2, 120_3, 120_4, 120_5, and 120_6 on which substrates W1, W2, W3, W4, W5, and W6 are respectively seated. include The susceptor plate 110 may rotate counterclockwise, for example.

감지부는 상기 복수의 기판 안착부 중 어느 하나의 기판 안착부(120_1)에 대응하는 기판 이탈 방지부(134) 또는 기판 이탈 방지부(134)와 리프트핀(150)을 감지하는 제 1 감지부 및 상기 복수의 기판 안착부 중 다른 어느 하나의 기판 안착부(120_2)에 대응하는 기판 이탈 방지부(134) 또는 기판 이탈 방지부(134)와 리프트핀(150)을 감지하는 제 2 감지부를 포함한다. The sensing unit includes a first sensing unit that detects the substrate separation preventing unit 134 or the substrate separation preventing unit 134 and the lift pin 150 corresponding to one of the plurality of substrate seating units 120_1, and It includes a substrate separation prevention unit 134 corresponding to any other substrate seating unit 120_2 of the plurality of substrate seating units or a second detection unit that senses the substrate separation prevention unit 134 and the lift pin 150. .

감지부는 고정된 일정 영역을 계속해서 감지하고 있고, 해당 영역 안에 기판 이탈 방지부(134)가 감지되면 상기 감지부로부터 감지된 데이터를 기초로 후속 공정을 수행할 수 있다. 예를 들어, 리프트핀(150)이 서셉터 플레이트에 삽입되어 서섭터 승하강을 통하여 리프트핀(150)이 승하강하는 구조에서는 상기 제 2 감지부는 기판 이탈 방지부(134)와 리프트핀(150)을 감지할 수 있다. 한편, 이와 달리, 서셉터 플레이트 하부에 별도로 리프트핀이 승하강되는 구조인 경우에는 실제 기판의 스왑이 일어나는 위치에만 리프트핀이 존재하게 되므로 상기 제 2 감지부는 리프트핀 자체를 감지하지 않고 기판 이탈 방지부(134)만 감지할 수도 있다.The sensing unit continues to sense a fixed area, and when the substrate departure prevention unit 134 is detected within the area, subsequent processes may be performed based on data sensed by the sensing unit. For example, in a structure in which the lift pin 150 is inserted into the susceptor plate and the lift pin 150 moves up and down through the susceptor up and down, the second sensing unit includes the substrate separation prevention unit 134 and the lift pin 150. ) can be detected. On the other hand, unlike this, in the case of a structure in which lift pins are separately raised and lowered under the susceptor plate, since the lift pins exist only at the position where the board actually swaps, the second detector does not detect the lift pin itself and prevents the board from leaving. It is also possible to detect only part 134 .

상기 제 1 감지부는 프로세스 모듈(PM)과 트랜스퍼 모듈(TM) 간 상기 기판의 이송을 위한 엔드 이펙터(end effector, 190)가 진입하는 제 1 기판 안착부(120_1) 상에 배치되고, 상기 제 2 감지부는 상기 제 1 기판 안착부(120_1)에 바로 인접하는 제 2 기판 안착부(120_2) 상에 배치될 수 있다. The first sensing unit is disposed on a first substrate seating unit 120_1 into which an end effector 190 for transferring the substrate between a process module PM and a transfer module TM enters, and The sensing unit may be disposed on the second substrate seating unit 120_2 immediately adjacent to the first substrate seating unit 120_1.

상기 제 1 감지부가 감지하는 영역(S1)은 제 1 기판 안착부(120_1)에 가장자리에 리프트핀이 위치하는 영역을 포함할 수 있으며, 상기 제 2 감지부가 감지하는 영역(S2)은 제 2 기판 안착부(120_2)에 가장자리에 리프트핀이 위치하는 영역을 포함할 수 있다. The area S1 sensed by the first sensing unit may include an area where lift pins are located at the edge of the first substrate mounting part 120_1, and the area S2 sensed by the second sensing unit may include the area where the lift pins are located at the edge of the first substrate seating part 120_1. An area where lift pins are located at an edge of the seating portion 120_2 may be included.

상기 제어부(320)는 상기 제 1 감지부 및 상기 제 2 감지부 중 적어도 어느 하나의 감지부로부터 감지된 데이터를 기초로 상기 리프트핀(150) 상에 상기 기판 이탈 방지부(134)가 위치하는 지 여부를 판별하고, 상기 리프트핀(150) 상에 상기 기판 이탈 방지부(134)가 위치하는 경우 해당되는 상기 새틀라이트(130)를 회전시켜 상기 기판 이탈 방지부(134)가 상기 리프트핀(150) 상에 위치하지 않도록 기판 안착부(120)에 형성된 가스 공급홀(112, 114)을 통한 부유 가스, 회전 가스 및/또는 정지 가스 등의 공급을 제어할 수 있다. The control unit 320 determines that the substrate separation prevention unit 134 is located on the lift pin 150 based on data sensed by at least one of the first sensing unit and the second sensing unit. It is determined whether or not the substrate separation prevention unit 134 is located on the lift pin 150, and the corresponding satellite 130 is rotated so that the substrate separation prevention unit 134 is the lift pin ( Supply of floating gas, rotational gas, and/or stop gas through the gas supply holes 112 and 114 formed in the substrate mounting portion 120 may be controlled so as not to be located on the substrate seating portion 150 .

예를 들어, 도 9에 도시된 제 1 기판 안착부(120_1) 상의 새틀라이트(130)와 리프트핀(150)의 위치가 구현될 경우, 엔드 이펙터(190)가 제 1 기판 안착부(120_1)에 진입하여 기판(W1)을 로딩하고 이송하는 것이 가능하다. 구체적으로, 도 9의 좌측에서 엔드 이펙터(190)가 진입하는 경우 엔드 이펙터(190)와 리프트핀(150) 간의 간섭이 발생하지 않으며, 리프트핀(150)이 기판(W)을 지지하기 위하여 상승하는 과정에서 리프트핀(150)과 기판 이탈 방지부(134) 간의 간섭이 발생하지 않는다. For example, when the positions of the satellite 130 and the lift pins 150 on the first substrate seating portion 120_1 shown in FIG. It is possible to load and transfer the substrate W1 by entering. Specifically, when the end effector 190 enters from the left side of FIG. 9, interference between the end effector 190 and the lift pin 150 does not occur, and the lift pin 150 rises to support the substrate W. In the process, interference between the lift pins 150 and the substrate separation prevention unit 134 does not occur.

상술한 구성에 의하면, 복수의 감지부를 배치하고 부유 가스, 회전 가스 및/또는 정지 가스를 이용한 자동 제어 시스템을 구현할 수 있다. According to the configuration described above, it is possible to implement an automatic control system using a floating gas, a rotating gas, and/or a stationary gas by arranging a plurality of sensing units.

예를 들어, 상기 제 1 감지부, 상기 제 2 감지부 및 제어부를 이용하여, 제 1 기판(W1)이 안착된 제 1 기판 안착부(120_1) 상의 새틀라이트의 위치를 조정하고, 제 2 기판(W2)이 안착된 제 2 기판 안착부(120_2) 상의 새틀라이트의 위치를 조정할 수 있다. 계속하여, 제 1 기판 안착부(120_1) 상의 제 1 기판(W1)을 스왑하면서 제 2 기판 안착부(120_2) 상의 새틀라이트의 위치 조정을 완료한다. For example, the position of the satellite on the first substrate seating portion 120_1 on which the first substrate W1 is seated is adjusted using the first sensing unit, the second sensing unit, and the control unit, and the second substrate W1 is seated. The position of the satellite on the second substrate seating portion 120_2 where W2 is seated may be adjusted. Subsequently, while the first substrate W1 on the first substrate mounting unit 120_1 is swapped, the position adjustment of the satellite on the second substrate mounting unit 120_2 is completed.

제어부(320)는, 상기 제 1 기판 안착부(120_1) 상에 기판(W1)이 로딩 또는 언로딩되는 시간동안, 상기 제 2 감지부를 통하여 상기 제 2 기판 안착부(120_2)의 리프트핀 상에 기판 이탈 방지부(134)가 위치하는지 여부를 판별하고, 상기 리프트핀 상에 상기 기판 이탈 방지부(134)가 위치하는 경우 상기 새틀라이트를 회전시켜 상기 기판 이탈 방지부(134)가 상기 리프트핀 상에 위치하지 않도록 상기 제 2 기판 안착부(120_2)에 형성된 가스 공급홀을 통한 가스의 공급을 제어하여 새틀라이트의 위치 조정을 완료할 수 있다.During the loading or unloading time of the substrate W1 on the first substrate mounting unit 120_1, the control unit 320 is placed on the lift pin of the second substrate mounting unit 120_2 through the second sensing unit. It is determined whether the substrate separation prevention unit 134 is located, and if the substrate separation prevention unit 134 is located on the lift pin, the satellite is rotated so that the substrate separation prevention unit 134 is positioned on the lift pin. The position adjustment of the satellite may be completed by controlling the supply of gas through the gas supply hole formed in the second substrate seating part 120_2 so as not to be positioned on the upper side of the satellite.

그리고, 서셉터 플레이트(110)가 반시계 방향으로 60도 만큼 회전한 후, 같은 방식으로, 제 2 기판 안착부(120_2) 상의 제 2 기판(W2)을 스왑하면서 제 3 기판 안착부(120_3) 상의 새틀라이트의 위치 조정을 완료한다. 계속하여, 서셉터 플레이트(110)가 반시계 방향으로 60도 만큼 회전한 후 제 3 기판 안착부(120_3) 상의 제 3 기판(W3)을 스왑하면서 제 4 기판 안착부(120_4) 상의 새틀라이트의 위치 조정을 완료한다. 동일한 방식을 계속 진행하여 제 6 기판(W6)의 스왑 공정까지 순차적으로 진행할 수 있다. Then, after the susceptor plate 110 rotates counterclockwise by 60 degrees, in the same way, while swapping the second substrate W2 on the second substrate seating portion 120_2, the third substrate seating portion 120_3 Complete the position adjustment of the satellite on the image. Subsequently, after the susceptor plate 110 rotates counterclockwise by 60 degrees, the third substrate W3 on the third substrate seating portion 120_3 is swapped while the satellite on the fourth substrate seating portion 120_4 Complete position adjustment. In the same way, the swapping process of the sixth substrate W6 may be sequentially performed.

일반적으로 기판 하나의 스왑 공정에 50 내지 80초 정도 소요되는 점을 고려하면 상술한 초기 위치 조정 시간(3 내지 5초) 외 추가 시간이 불필요하므로 생산성 측면에서 적용이 가능함을 확인할 수 있다. Considering that it generally takes about 50 to 80 seconds for the swapping process of one substrate, it can be confirmed that it is applicable in terms of productivity since additional time other than the initial position adjustment time (3 to 5 seconds) described above is unnecessary.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)를 보여주는 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus 200 according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(200)는 공정 챔버(210), 전술한 기판 지지 조립체(100) 및 가스 분사부(220)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6 , the substrate processing apparatus 200 may include a process chamber 210 , the substrate support assembly 100 described above, and a gas injection unit 220 .

공정 챔버(210)는 내부에 기판(W)을 처리하기 위한 처리 공간을 한정할 수 있다. 예를 들어, 공정 챔버(210)는 기밀을 유지하도록 구성되며, 처리 공간 내 공정 가스를 배출하고 처리 공간 내 진공도를 조절하도록 적어도 하나의 배기 포트(212)를 통해서 진공 펌프(미도시)에 연결될 수 있다. The process chamber 210 may define a processing space for processing the substrate W therein. For example, the process chamber 210 is configured to be airtight and may be connected to a vacuum pump (not shown) through at least one exhaust port 212 to exhaust process gases in the process space and adjust the degree of vacuum in the process space. can

공정 챔버(210)는 다양한 형상으로 제공될 수 있으며, 예컨대 처리 공간을 한정하는 측벽부와 측벽부 상단에 위치하는 덮개부(top lid)를 포함할 수 있다. 나아가, 공정 챔버(210)는 기판(W)의 이동을 위하여 측벽부에 개폐 가능한 게이트(미도시)를 포함할 수 있다.The process chamber 210 may be provided in various shapes, and may include, for example, a side wall portion defining a processing space and a top lid positioned at an upper portion of the side wall portion. Furthermore, the process chamber 210 may include a gate (not shown) that can be opened and closed on the sidewall for the movement of the substrate W.

기판 지지 조립체(100)는 공정 챔버(210)에 승하강 및/또는 회전 가능하게 설치될 수 있다. 예를 들어, 기판 지지 조립체(100)는 샤프트(160)의 승하강 및/또는 회전 시 공정 챔버(210)의 기밀이 유지될 수 있도록 벨로우즈 구조(미도시)를 이용하여 공정 챔버(210)에 결합될 수 있다.The substrate support assembly 100 may be installed in the process chamber 210 to be elevating and/or rotatable. For example, the substrate support assembly 100 is installed in the process chamber 210 by using a bellows structure (not shown) so that airtightness of the process chamber 210 can be maintained when the shaft 160 moves up and down and/or rotates. can be combined

샤프트(160)에는 부유 가스가 이동되는 가스 공급 라인(162)과 회전 가스가 이동되는 가스 공급 라인들(164)이 형성될 수 있다. 가스 공급 라인들(162, 164)은 가스 공급부(미도시)에 연결되어 부유 가스 및 회전 가스를 공급받을 수 있다. 가스 공급 라인들(162, 164)과 가스 공급부는 샤프트(160)의 회전 시에도 연결을 유지할 수 있도록 별도의 실링 장치, 예컨대 자성 실링 장치 등에 의해서 연결될 수 있다. A gas supply line 162 through which floating gas is moved and gas supply lines 164 through which rotational gas is moved may be formed on the shaft 160 . The gas supply lines 162 and 164 may be connected to a gas supply unit (not shown) to receive floating gas and rotating gas. The gas supply lines 162 and 164 and the gas supply unit may be connected by a separate sealing device, such as a magnetic sealing device, to maintain the connection even when the shaft 160 rotates.

나아가, 가스 공급 라인들(162, 164)은 서셉터 플레이트(110)에 형성된 상기 가스 유동 라인들에 연결되어 기판 안착부(120)로 공급될 수 있다.Furthermore, the gas supply lines 162 and 164 may be connected to the gas flow lines formed on the susceptor plate 110 and supplied to the substrate seat 120 .

가스 분사부(220)는 공정 챔버(210)의 외부로부터 공급된 공정 가스를 공정 챔버(210) 내 처리 공간으로 공급하도록 공정 챔버(210)에 설치될 수 있다. 예를 들어, 가스 분사부(220)는 기판 지지 조립체(100)에 대항되도록 공정 챔버(210)에 설치되어, 기판 지지 조립체(100)를 향해 공정 가스를 분사할 수 있다. 보다 구체적으로 보면, 가스 분사부(220)는 기판 지지 조립체(100) 상에 안착된 기판(W)에 공정 가스를 분사하도록 공정 챔버(210)의 상부에 서셉터 플레이트(110)에 대항되게 설치될 수 있다.The gas injection unit 220 may be installed in the process chamber 210 to supply process gas supplied from the outside of the process chamber 210 to a process space within the process chamber 210 . For example, the gas spraying unit 220 may be installed in the process chamber 210 to face the substrate support assembly 100 and spray process gas toward the substrate support assembly 100 . More specifically, the gas dispensing unit 220 is installed on the upper part of the process chamber 210 to face the susceptor plate 110 so as to spray process gas to the substrate W seated on the substrate support assembly 100. It can be.

가스 분사부(220)는 외부로부터 공정 가스를 공급받기 위해 상측 또는 측부에 형성된 적어도 하나의 유입홀과, 기판(W) 상에 공정 가스를 분사하기 위해서 기판(W)을 바라보는 하방으로 형성된 복수의 분사홀들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 가스 분사부(220)는 샤워 헤드(shower head) 형태, 노즐(nozzle) 형태 등 다양한 형태를 가질 수 있다.The gas dispensing unit 220 includes at least one inlet hole formed on the upper side or side to receive process gas from the outside, and a plurality of inlet holes formed downward facing the substrate W to inject process gas onto the substrate W. It may include injection holes of. For example, the gas spraying unit 220 may have various shapes such as a shower head shape and a nozzle shape.

공정 챔버(210)의 하부에 돌출된 구조를 가지는 바닥 지지부(214)는 리프트핀(150)의 바닥을 지지하도록 공정 챔버(210)에 설치될 수 있다. The floor support 214 having a structure protruding from the bottom of the process chamber 210 may be installed in the process chamber 210 to support the bottom of the lift pin 150 .

기판 처리 장치(200)는 기판(W) 상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치로 이용될 수 있다. 예를 들어, 기판 처리 장치(200)는 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD) 또는 원자층증착(atomic layer deposition, ALD)을 이용한 박막 증착 장치에 이용될 수 있다.The substrate processing apparatus 200 may be used as a thin film deposition apparatus for forming a thin film on the substrate W. For example, the substrate processing apparatus 200 may be used as a thin film deposition apparatus using chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD).

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

100: 기판 지지 조립체
110: 서셉터 플레이트
120: 기판 안착부
130: 새틀라이트
132: 바디부
134: 기판 이탈 방지부
140: 가스 분배판
150: 리프트핀
160: 샤프트
200: 기판 처리 장치
210: 공정 챔버
220: 가스 분사부
100: substrate support assembly
110: susceptor plate
120: board seating part
130: satellite
132: body part
134: board separation prevention unit
140: gas distribution plate
150: lift pin
160: shaft
200: substrate processing device
210: process chamber
220: gas injection unit

Claims (14)

기판이 안착되는 기판 안착부를 포함하는 서셉터 플레이트;
상기 기판 안착부 상에 배치되며, 상면에 상기 기판이 안착되되 상기 기판의 직경보다 작은 직경을 가지는 원판 형상의 바디부 및 상기 바디부의 측면에서 연장 형성되어 상기 기판의 가장자리를 가이드하는 기판 이탈 방지부를 구비하며, 상기 기판 안착부에 형성된 가스 공급홀에서 공급된 가스에 의해 상기 기판 안착부로부터 부유된 상태로 회전하여 상기 기판을 자전시키는 새틀라이트; 및
상기 기판 안착부 중 상기 바디부의 외곽인 상기 기판 안착부의 가장자리에 형성된 리프트핀홀을 관통하면서 상기 새틀라이트에 대해서 상대적으로 상하 이동됨으로써 상기 기판을 상기 새틀라이트로 로딩 또는 언로딩할 수 있는, 리프트핀; 을 포함하는,
기판 지지 조립체.
A susceptor plate including a substrate seating portion on which a substrate is seated;
A disc-shaped body portion disposed on the substrate seating portion, on which the substrate is seated, and having a diameter smaller than that of the substrate, and a substrate detachment preventing portion extending from a side surface of the body portion and guiding an edge of the substrate. a satellite for rotating the substrate in a floating state from the substrate seating portion by gas supplied from a gas supply hole formed in the substrate seating portion; and
a lift pin capable of loading or unloading the substrate to or from the satellite by moving up and down relative to the satellite while penetrating a lift pin hole formed at an edge of the substrate seating portion, which is an outer periphery of the body portion among the substrate seating portions; including,
Substrate support assembly.
제 1 항에 있어서,
상기 기판 이탈 방지부는 상기 바디부의 원주 방향을 따라 서로 이격되면서 복수개로 배열된 것을 특징으로 하는,
기판 지지 조립체.
According to claim 1,
Characterized in that the substrate detachment preventing part is arranged in plurality while being spaced apart from each other along the circumferential direction of the body part,
Substrate support assembly.
제 1 항에 있어서,
상기 기판 이탈 방지부는,
상기 기판의 가장자리 하면의 일부분을 지지하도록 상기 바디부의 측면에서 연장되는 연장부; 및
상기 기판의 가장자리 측면의 일부분을 지지하도록 상기 연장부에서 상방으로 돌출된 돌출부;를 포함하는,
기판 지지 조립체.
According to claim 1,
The substrate separation prevention unit,
an extension portion extending from a side surface of the body portion to support a portion of a bottom surface of an edge of the substrate; and
A protrusion protruding upward from the extension portion to support a portion of the edge side of the substrate; including,
Substrate support assembly.
제 1 항에 있어서,
상기 기판 안착부 상에 배치되고, 상기 기판 안착부로부터 공급된 상기 가스를 분배하여 상기 새틀라이트의 하면으로 공급하는 가스 분배판;을 포함하는,
기판 지지 조립체.
According to claim 1,
A gas distribution plate disposed on the substrate seating portion and distributing the gas supplied from the substrate seating portion and supplying the gas to the lower surface of the satellite;
Substrate support assembly.
제 4 항에 있어서,
상기 새틀라이트의 하면으로 공급된 상기 가스가 외부로 배출되는 동안 상기 바디부를 지나 외부로 노출된 상기 기판의 하면을 퍼지하도록, 상기 가스 분배판은 가장자리에 상부로 돌출된 턱이 형성된 것을 특징으로 하는,
기판 지지 조립체.
According to claim 4,
While the gas supplied to the lower surface of the satellite is discharged to the outside, the gas distribution plate is characterized in that a chin protruding upward is formed on an edge of the gas distribution plate to purge the lower surface of the substrate exposed to the outside through the body part. ,
Substrate support assembly.
제 1 항에 있어서,
상기 기판을 상기 새틀라이트로 로딩 또는 언로딩할 때 상기 리프트핀은 상기 새틀라이트와 결합되거나 간섭되지 않고 상기 새틀라이트로부터 항상 이격되도록 위치하며, 상기 기판이 상기 새틀라이트와 함께 회전할 때 상기 리프트핀은 상기 기판과 간섭되지 않고 상기 기판과 상기 새틀라이트로부터 항상 이격되도록 위치하는 것을 특징으로 하는,
기판 지지 조립체.
According to claim 1,
When loading or unloading the substrate to or from the satellite, the lift pins do not engage with or interfere with the satellite and are always spaced apart from the satellite, and when the substrate rotates with the satellite, the lift pins Characterized in that it is positioned so that it is always spaced apart from the substrate and the satellite without interfering with the substrate,
Substrate support assembly.
제 6 항에 있어서,
상기 기판 이탈 방지부는 상기 바디부의 원주 방향을 따라 서로 이격되면서 복수개로 배열되며,
상기 기판을 상기 새틀라이트로 로딩 또는 언로딩할 때 상기 리프트핀은 인접한 상기 기판 이탈 방지부의 원주 방향 사이를 통해 승하강하는 것을 특징으로 하는,
기판 지지 조립체.
According to claim 6,
The substrate detachment preventing part is arranged in plurality while being spaced apart from each other along the circumferential direction of the body part,
Characterized in that, when loading or unloading the substrate to the satellite, the lift pin moves up and down through the circumferential direction of the adjacent substrate detachment prevention part.
Substrate support assembly.
제 6 항에 있어서,
상기 리프트핀은 상기 기판의 하면을 지지하기 위한 제 1 지지부를 포함하고,
상기 기판이 상기 새틀라이트와 함께 회전할 때 상기 리프트핀이 상기 기판 이탈 방지부와 간섭되지 않도록, 상기 제 1 지지부는 상기 기판 이탈 방지부의 하면보다 낮은 높이에 위치하는 것을 특징으로 하는,
기판 지지 조립체.
According to claim 6,
The lift pin includes a first support part for supporting the lower surface of the substrate,
Characterized in that the first support part is located at a height lower than the lower surface of the substrate separation preventing part so that the lift pin does not interfere with the substrate separation preventing part when the substrate rotates together with the satellite.
Substrate support assembly.
제 1 항에 있어서,
상기 서셉터 플레이트의 상방에 배치되어 상기 기판 이탈 방지부 또는 상기 기판 이탈 방지부와 상기 리프트핀을 감지하는 감지부; 및
상기 감지부로부터 감지된 데이터를 기초로 상기 리프트핀 상에 상기 기판 이탈 방지부가 위치하는 지 여부를 판별하고, 상기 리프트핀 상에 상기 기판 이탈 방지부가 위치하는 경우 상기 새틀라이트를 회전시켜 상기 기판 이탈 방지부가 상기 리프트핀 상에 위치하지 않도록 상기 기판 안착부에 형성된 가스 공급홀을 통한 상기 가스의 공급을 제어하는 제어부;를 포함하는,
기판 지지 조립체.
According to claim 1,
a sensing unit disposed above the susceptor plate to detect the substrate separation prevention unit or the substrate separation prevention unit and the lift pin; and
Based on the data sensed by the sensing unit, it is determined whether or not the substrate separation preventing unit is located on the lift pin, and if the substrate separation preventing unit is located on the lift pin, the satellite is rotated to prevent the substrate separation. A control unit controlling the supply of the gas through a gas supply hole formed in the substrate seating portion so that the preventing portion is not located on the lift pin;
Substrate support assembly.
제 9 항에 있어서,
상기 감지부는 상기 리프트핀의 상방에 위치하는 비전 센서를 포함하는,
기판 지지 조립체.
According to claim 9,
The sensing unit includes a vision sensor located above the lift pin,
Substrate support assembly.
제 9 항에 있어서,
상기 서셉터 플레이트는 기판이 각각 안착되는 복수의 기판 안착부를 포함하고,
상기 감지부는 상기 복수의 기판 안착부 중 어느 하나의 기판 안착부에 대응하는 상기 기판 이탈 방지부 또는 상기 기판 이탈 방지부와 상기 리프트핀을 감지하는 제 1 감지부 및 상기 복수의 기판 안착부 중 다른 어느 하나의 기판 안착부에 대응하는 상기 기판 이탈 방지부 또는 상기 기판 이탈 방지부와 상기 리프트핀을 감지하는 제 2 감지부를 포함하고,
상기 제어부는 상기 제 1 감지부 및 상기 제 2 감지부 중 적어도 어느 하나의 감지부로부터 감지된 데이터를 기초로 상기 리프트핀 상에 상기 기판 이탈 방지부가 위치하는 지 여부를 판별하고, 상기 리프트핀 상에 상기 기판 이탈 방지부가 위치하는 경우 해당되는 상기 새틀라이트를 회전시켜 상기 기판 이탈 방지부가 상기 리프트핀 상에 위치하지 않도록 상기 가스의 공급을 제어하는 것을 특징으로 하는,
기판 지지 조립체.
According to claim 9,
The susceptor plate includes a plurality of substrate seating portions on which substrates are respectively seated,
The sensing unit detects the substrate separation prevention unit corresponding to any one substrate seating unit of the plurality of substrate seating units or the substrate separation prevention unit and the lift pin, and another one of the plurality of substrate seating units. A second detection unit for detecting the substrate separation prevention unit corresponding to any one substrate seating unit or the substrate separation prevention unit and the lift pin,
The control unit determines whether or not the substrate separation preventing unit is located on the lift pin based on data sensed by at least one of the first sensing unit and the second sensing unit, and Characterized in that, when the substrate separation prevention unit is located, the supply of the gas is controlled so that the substrate separation prevention unit is not located on the lift pin by rotating the corresponding satellite.
Substrate support assembly.
제 11 항에 있어서,
상기 제 1 감지부는 프로세스 모듈과 트랜스퍼 모듈 간 상기 기판의 이송을 위한 엔드 이펙터(end effector)가 진입하는 제 1 기판 안착부 상에 배치되고,
상기 제 2 감지부는 상기 제 1 기판 안착부에 바로 인접하는 제 2 기판 안착부 상에 배치된,
기판 지지 조립체.
According to claim 11,
The first sensing unit is disposed on a first substrate seating unit into which an end effector for transferring the substrate between a process module and a transfer module enters,
The second sensing unit is disposed on a second substrate seating portion immediately adjacent to the first substrate seating portion,
Substrate support assembly.
제 12 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 제 1 기판 안착부 상에 상기 기판이 로딩 또는 언로딩되는 시간동안 상기 제 2 감지부를 통하여 상기 제 2 기판 안착부의 상기 리프트핀 상에 상기 기판 이탈 방지부가 위치하는지 여부를 판별하는 것을 특징으로 하는,
기판 지지 조립체.
According to claim 12,
The control unit determines whether or not the substrate separation prevention unit is located on the lift pin of the second substrate seating unit through the second detection unit during a time when the substrate is loaded or unloaded on the first substrate seating unit. characterized by,
Substrate support assembly.
공정 챔버;
상기 공정 챔버에 설치되는 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 기판 지지 조립체; 및
상기 기판 지지 조립체와 대향되도록 상기 공정 챔버에 설치되며, 상기 기판 지지 조립체를 향해 공정 가스를 분사하는 가스 분사부;를 포함하는,
기판 처리 장치.
process chamber;
a substrate support assembly according to any one of claims 1 to 13 installed in the process chamber; and
A gas injection unit installed in the process chamber to face the substrate support assembly and injecting a process gas toward the substrate support assembly; including,
Substrate processing device.
KR1020210059959A 2021-05-10 2021-05-10 Assembly for supporting substrate and Apparatus for processing substrate KR20220152710A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210059959A KR20220152710A (en) 2021-05-10 2021-05-10 Assembly for supporting substrate and Apparatus for processing substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210059959A KR20220152710A (en) 2021-05-10 2021-05-10 Assembly for supporting substrate and Apparatus for processing substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220152710A true KR20220152710A (en) 2022-11-17

Family

ID=84233064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210059959A KR20220152710A (en) 2021-05-10 2021-05-10 Assembly for supporting substrate and Apparatus for processing substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20220152710A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10332767B2 (en) Substrate transport device and substrate processing apparatus
KR102514879B1 (en) Conical wafer centering and holding device for semiconductor processing
JP5527197B2 (en) Deposition equipment
US8845857B2 (en) Substrate processing apparatus
US7335090B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate handling method
JP5062143B2 (en) Deposition equipment
JP6287240B2 (en) Vacuum processing apparatus and vacuum processing method
US9464353B2 (en) Substrate processing apparatus
TW201635329A (en) Carrier ring structure and chamber systems including the same
KR20150100559A (en) Substrate processing apparatus using rotatable table
US10157768B2 (en) Substrate processing apparatus, transfer method, and susceptor
WO2008070302A2 (en) Bernoulli wand
US20240279809A1 (en) Showerhead and substrate treatment apparatus including same
US20220213594A1 (en) Process module, substrate processing system, and processing method
JP5795920B2 (en) Substrate processing equipment
JP6512063B2 (en) Film deposition system
KR20100128864A (en) Atomic layer deposition apparatus
KR20120048879A (en) Semi-batch type atomic layer deposition apparatus having clamp ring
CN109898072B (en) Semiconductor processing apparatus
KR20220152710A (en) Assembly for supporting substrate and Apparatus for processing substrate
TWI770258B (en) Substrate supporting device and substrate processing apparatus
CN116137240A (en) Substrate processing apparatus
KR20220014524A (en) Assembly for supporting substrate and Apparatus for processing substrate
KR20220132344A (en) Assembly for supporting substrate and Apparatus for processing substrate
KR20220018762A (en) Assembly for supporting substrate and Apparatus for processing substrate