KR20220149450A - Radiation-sensitive composition, cured film and method for forming the same, semiconductor device and display device - Google Patents

Radiation-sensitive composition, cured film and method for forming the same, semiconductor device and display device Download PDF

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카오루 다코지마
타카히데 아사오카
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Abstract

An objective of the present invention is to provide a radiation-sensitive composition which can form a cured film having excellent development adhesion. The radiation-sensitive composition comprises: at least one polymer selected from the group consisting of a polymer containing a structural unit (I) having a group represented by formula (1) or an acid-dissociable group, and a siloxane polymer; a photoacid generator; and a silanol compound having a partial structure in which a hydrophobic group and a hydroxyl group are bonded to a silicon atom and having no alkoxy group. In formula (1), R^1, R^2 and R^3 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a phenyl group, where at least one of R^1, R^2 and R^3 is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and "*" represents a bonding site.

Description

감방사선성 조성물, 경화막 및 그의 제조 방법, 반도체 소자 그리고 표시 소자{RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, CURED FILM AND METHOD FOR FORMING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE}A radiation-sensitive composition, a cured film, and its manufacturing method, a semiconductor element, and a display element TECHNICAL FIELD

본 발명은, 감방사선성 조성물, 경화막 및 그의 제조 방법, 반도체 소자 그리고 표시 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a radiation-sensitive composition, a cured film, a method for producing the same, a semiconductor element, and a display element.

반도체 소자나 표시 소자가 갖는 경화막(예를 들면, 층간 절연막이나 스페이서, 보호막 등)은 일반적으로, 중합체 성분과 감방사선성 화합물(예를 들면, 광 산 발생제나 광 중합 개시제 등)을 함유하는 감방사선성 조성물을 이용하여 형성된다. 예를 들면, 감방사선성 조성물에 의해 형성된 도막에 대하여 방사선 조사 및 현상 처리를 실시함으로써 패턴을 형성한 후, 가열 처리를 행하여 열 경화시킴으로써, 패턴 형상을 갖는 경화막을 얻을 수 있다.A cured film (for example, an interlayer insulating film, a spacer, a protective film, etc.) of a semiconductor element or a display element generally contains a polymer component and a radiation-sensitive compound (for example, a photoacid generator or a photopolymerization initiator). It is formed using a radiation-sensitive composition. For example, a cured film having a pattern shape can be obtained by forming a pattern by performing radiation irradiation and developing treatment on a coating film formed of the radiation-sensitive composition, and then heat-treating and thermosetting it.

반도체 소자나 표시 소자가 갖는 경화막을 형성하는 재료로서, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에는, 알콕시실릴기 등의 규소 함유 관능기를 갖는 중합체나, 실록산 폴리머 등과 같은 규소 함유 중합체와, 광 산 발생제를 포함하는 감방사선성 조성물이 제안되어 있다.As a material for forming a cured film of a semiconductor element or a display element, Patent Documents 1 and 2 include a polymer having a silicon-containing functional group such as an alkoxysilyl group, a silicon-containing polymer such as a siloxane polymer, and a photoacid generator. A radiation-sensitive composition comprising is proposed.

특허문헌 1의 감방사선성 조성물을 이용하여 도막을 형성한 경우, 패턴 형성 시의 노광에 의해 광 산 발생제로부터 산이 발생하고, 발생한 산이 알콕시기를 분해하여 노광부를 현상액에 대하여 가용화시킨다. 미노광부는 알칼리 불용이고, 현상 후, 가열에 의해 탈수 축합시켜, 경화시킴으로써 경화막이 된다. 또한, 특허문헌 2의 감방사선성 조성물에서는, 노광에 의해 광 산 발생제로부터 발생한 산이 관여하여 실록산 폴리머의 자기 가교가 촉진됨으로써 경화막이 형성된다.When a coating film is formed using the radiation-sensitive composition of Patent Document 1, an acid is generated from the photoacid generator by exposure during pattern formation, and the generated acid decomposes an alkoxy group to solubilize the exposed portion with respect to a developer. An unexposed part is alkali-insoluble, and after image development, it becomes a cured film by making it dehydrate-condense by heating and hardening. Moreover, in the radiation-sensitive composition of patent document 2, the acid which generate|occur|produced from the photo-acid generator by exposure engages, The self-crosslinking of a siloxane polymer is accelerated|stimulated, and a cured film is formed.

또한, 반도체 소자나 표시 소자가 갖는 경화막을 형성하는 재료로서, 특허문헌 3에는, 산성기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체와, 중합성 단량체와, 광 중합 개시제를 포함하는 감방사선성 조성물이 제안되어 있다. 특허문헌 4에는, 산 해리성기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체와, 광 산 발생제를 함유하는 화학 증폭형의 감방사선성 조성물이 제안되어 있다. 특허문헌 5에는, 산성기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체와, 퀴논디아지드 화합물을 함유하는 감방사선성 조성물이 제안되어 있다.In addition, as a material for forming a cured film of a semiconductor element or a display element, Patent Document 3 proposes a radiation-sensitive composition containing a polymer containing a structural unit having an acidic group, a polymerizable monomer, and a photopolymerization initiator, have. Patent Document 4 proposes a chemically amplified radiation-sensitive composition containing a polymer including a structural unit having an acid-dissociable group and a photoacid generator. Patent Document 5 proposes a radiation-sensitive composition containing a polymer including a structural unit having an acidic group and a quinonediazide compound.

일본공개특허공보 2017-107024호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2017-107024 국제공개 제2011/065215호International Publication No. 2011/065215 일본공개특허공보 2003-5357호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2003-5357 일본공개특허공보 2011-232632호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-232632 일본공개특허공보 2014-186300호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-186300

방사선 조사 후의 도막과 기판과의 밀착성이 충분하지 않은 경우, 현상 처리 시에 막과 기판과의 계면으로부터 현상액이 침입하여, 막의 패턴 벗겨짐이 발생하는 경우가 있다. 특히 최근, 표시 장치의 한층 더 고품질화가 요구되고 있고, 표시 장치의 한층 더 고품질화의 요구에 의한 패턴의 세선화(細線化)에 수반하여, 현상 처리 시에 막의 패턴 벗겨짐이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. 제조 수율 저하의 억제를 도모하는 등의 관점에서, 감방사선성 조성물로서는, 현상 처리 시에 막과 기판과의 벗겨짐이 발생하기 어려운(즉, 현상 밀착성이 양호한) 것이 요구된다.When the adhesion between the coating film and the substrate after irradiation with radiation is not sufficient, the developer may penetrate from the interface between the film and the substrate during the development process, resulting in pattern peeling of the film. In particular, in recent years, there has been a demand for higher quality of display devices, and with the thinning of patterns due to the demand for higher quality of display devices, there is a tendency that the pattern peeling of the film tends to occur during development. have. From the viewpoint of suppressing the decrease in production yield, the radiation-sensitive composition is required to be less prone to peeling between the film and the substrate during development (that is, good development adhesion).

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 현상 밀착성이 우수한 경화막을 형성할 수 있는 감방사선성 조성물을 제공하는 것을 하나의 목적으로 한다.This invention was made|formed in view of the said subject, and one objective is to provide the radiation-sensitive composition which can form the cured film excellent in image development adhesiveness.

본 발명자는, 특정의 화합물을 감방사선성 조성물에 배합함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견했다. 즉, 본 발명에 의하면, 이하의 감방사선성 조성물, 경화막 및 그의 제조 방법, 반도체 소자 그리고 표시 소자가 제공된다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM This inventor discovered that the said subject could be solved by mix|blending a specific compound with a radiation-sensitive composition. That is, according to this invention, the following radiation-sensitive composition, a cured film, its manufacturing method, a semiconductor element, and a display element are provided.

[1] 하기식 (1)로 나타나는 기 또는 산 해리성기를 갖는 구조 단위 (I)을 포함하는 중합체 및 실록산 폴리머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 중합체와, 광 산 발생제와, 소수성기와 수산기가 규소 원자에 결합한 부분 구조를 갖고, 또한 알콕시기를 갖지 않는 실라놀 화합물을 함유하는, 감방사선성 조성물.[1] at least one polymer selected from the group consisting of polymers and siloxane polymers containing a structural unit (I) having a group represented by the following formula (1) or an acid dissociable group, a photoacid generator, a hydrophobic group and a hydroxyl group A radiation-sensitive composition comprising a silanol compound having a partial structure bonded to a silicon atom and having no alkoxy group.

Figure pat00001
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(식 (1) 중, R1, R2 및 R3은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 하이드록시기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 페닐기이다. 단, R1, R2 및 R3 중 1개 이상은, 탄소수 1∼6의 알콕시기이다. 「*」는, 결합손인 것을 나타낸다.)(In formula (1), R 1 , R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a phenyl group. However, at least one of R 1 , R 2 and R 3 is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. "*" represents a bond.)

[2] 산성기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체(단, 상기식 (1)로 나타나는 구조 단위를 갖는 중합체를 제외함)와, 퀴논디아지드 화합물과, 소수성기와 수산기가 규소 원자에 결합한 부분 구조를 갖고, 또한 알콕시기를 갖지 않는 실라놀 화합물과, 염기성 화합물과, 용제를 함유하는, 감방사선성 조성물.[2] A polymer containing a structural unit having an acidic group (except for a polymer having a structural unit represented by the above formula (1)), a quinonediazide compound, and a partial structure in which a hydrophobic group and a hydroxyl group are bonded to a silicon atom A radiation-sensitive composition comprising: a silanol compound having no alkoxy group; a basic compound; and a solvent.

[3] 산성기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체와, 중합성 단량체와, 광 중합 개시제와, 소수성기와 수산기가 규소 원자에 결합한 부분 구조를 갖고, 또한 알콕시기를 갖지 않는 실라놀 화합물과, 염기성 화합물과, 용제를 함유하는, 감방사선성 조성물.[3] A polymer comprising a structural unit having an acidic group, a polymerizable monomer, a photopolymerization initiator, a silanol compound having a partial structure in which a hydrophobic group and a hydroxyl group are bonded to a silicon atom and having no alkoxy group, and a basic compound; , A radiation-sensitive composition containing a solvent.

[4] 상기 [1]∼[3] 중 어느 하나의 감방사선성 조성물을 이용하여 도막을 형성하는 공정과, 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정과, 방사선이 조사된 상기 도막을 현상하는 공정과, 현상된 상기 도막을 가열하는 공정을 포함하는, 경화막의 제조 방법.[4] A step of forming a coating film using the radiation-sensitive composition according to any one of [1] to [3], a step of irradiating at least a part of the coating film with radiation, and developing the radiation-irradiated coating film The manufacturing method of a cured film including the process of doing and the process of heating the developed said coating film.

[5] 상기 [1]∼[3] 중 어느 하나의 감방사선성 조성물을 이용하여 형성된 경화막.[5] A cured film formed using the radiation-sensitive composition according to any one of [1] to [3].

[6] 상기 [5]의 경화막을 구비하는 반도체 소자.[6] A semiconductor element comprising the cured film according to [5] above.

[7] 상기 [5]의 경화막을 구비하는 표시 소자.[7] A display element comprising the cured film according to [5] above.

본 개시의 감방사선성 조성물에 의하면, 현상 밀착성이 우수한 경화막을 형성할 수 있다.According to the radiation-sensitive composition of this indication, the cured film excellent in image development adhesiveness can be formed.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Form for implementing the invention)

이하, 실시 형태에 관련된 사항에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「∼」를 이용하여 기재된 수치 범위는, 「∼」의 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미이다. 「구조 단위」란, 주쇄 구조를 주로 구성하는 단위로서, 적어도 주쇄 구조 중에 2개 이상 포함되는 단위를 말한다.Hereinafter, matters related to the embodiment will be described in detail. In addition, in this specification, the numerical range described using "-" is a meaning including the numerical value described before and after "-" as a lower limit and an upper limit. "Structural unit" refers to a unit mainly constituting the main chain structure, and includes at least two or more units in the main chain structure.

본 명세서에 있어서 「탄화수소기」는, 쇄상 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기를 포함하는 의미이다. 「쇄상 탄화수소기」란, 주쇄에 환상 구조를 포함하지 않고, 쇄상 구조만으로 구성된 직쇄상 탄화수소기 및 분기상 탄화수소기를 의미한다. 단, 포화라도 불포화라도 좋다. 「지환식 탄화수소기」란, 환 구조로서는 지환식 탄화수소의 구조만을 포함하고, 방향환 구조를 포함하지 않는 탄화수소기를 의미한다. 단, 지환식 탄화수소의 구조만으로 구성되어 있을 필요는 없고, 그의 일부에 쇄상 구조를 갖는 것도 포함한다. 「방향족 탄화수소기」란, 환 구조로서 방향환 구조를 포함하는 탄화수소기를 의미한다. 단, 방향환 구조만으로 구성되어 있을 필요는 없고, 그의 일부에 쇄상 구조나 지환식 탄화수소의 구조를 포함하고 있어도 좋다. 또한, 지환식 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기가 갖는 환 구조는, 탄화수소 구조로 이루어지는 치환기를 갖고 있어도 좋다. 「환상 탄화수소기」는, 지환식 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기를 포함하는 의미이다.In this specification, a "hydrocarbon group" is a meaning including a chain hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group. The "chain hydrocarbon group" means a straight-chain hydrocarbon group and a branched hydrocarbon group composed of only a chain structure without a cyclic structure in the main chain. However, saturated or unsaturated may be sufficient. The "alicyclic hydrocarbon group" means a hydrocarbon group containing only the structure of an alicyclic hydrocarbon as a ring structure and not containing an aromatic ring structure. However, it is not necessary to be constituted only by the structure of an alicyclic hydrocarbon, and those having a chain structure in a part thereof are also included. An "aromatic hydrocarbon group" means a hydrocarbon group containing an aromatic ring structure as a ring structure. However, it is not necessary to be constituted by only the aromatic ring structure, and a chain structure or the structure of an alicyclic hydrocarbon may be included in a part thereof. Moreover, the ring structure which an alicyclic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group have may have the substituent which consists of a hydrocarbon structure. "Cyclic hydrocarbon group" is a meaning including an alicyclic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group.

《감방사선성 조성물》《Radiation sensitive composition》

본 개시의 감방사선성 조성물(이하, 「본 조성물」이라고도 함)은, 예를 들면 표시 소자의 경화막을 형성하기 위해 이용된다. 본 조성물은, [A] 중합체 성분과, [B] 실라놀 화합물을 함유하는 수지 조성물이다. 이하에, 본 조성물의 구체적 태양인 제1 조성물, 제2 조성물 및 제3 조성물에 포함되는 각 성분 및, 필요에 따라서 배합되는 그 외의 성분에 대해서 설명한다. 또한, 각 성분에 대해서는, 특별히 언급하지 않는 한, 1종을 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.The radiation-sensitive composition (henceforth "this composition") of this indication is used in order to form the cured film of a display element, for example. The present composition is a resin composition containing the polymer component [A] and the silanol compound [B]. Hereinafter, each component contained in the 1st composition, 2nd composition, and 3rd composition which is a specific aspect of this composition, and other components mix|blended as needed are demonstrated. In addition, about each component, unless otherwise indicated, you may use individually by 1 type, and may use in combination of 2 or more type.

[제1 조성물][First composition]

제1 조성물은, [A] 중합체 성분과, [B] 실라놀 화합물과, [C] 광 산 발생제를 함유하는 포지티브형의 수지 조성물이다.The first composition is a positive resin composition containing [A] a polymer component, [B] a silanol compound, and [C] a photo acid generator.

<[A] 중합체 성분><[A] Polymer component>

[A] 중합체 성분은, 하기식 (1)로 나타나는 기 또는 산 해리성기를 갖는 구조 단위 (I)을 포함하는 중합체 및 실록산 폴리머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 중합체(이하, 「(A-1) 중합체」라고도 함)를 함유한다.[A] The polymer component is at least one polymer (hereinafter, "(A-) 1) polymer").

Figure pat00002
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(식 (1) 중, R1, R2 및 R3은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 하이드록시기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 페닐기이다. 단, R1, R2 및 R3 중 1개 이상은, 탄소수 1∼6의 알콕시기이다. 「*」는, 결합손인 것을 나타낸다.)(In formula (1), R 1 , R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a phenyl group. However, at least one of R 1 , R 2 and R 3 is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. "*" represents a bond.)

제1 조성물에 포함되는 중합체 성분의 구체예로서는, 상기식 (1)로 나타나는 기를 갖는 구조 단위 (I-1)을 포함하는 중합체(이하, 「중합체 (a1-1)」이라고도 함), 산 해리성기를 갖는 구조 단위 (I-2)를 포함하는 중합체(이하, 「중합체 (a1-2)」라고도 함) 및, 실록산 폴리머를 들 수 있다. 또한, (A-1) 중합체 중, 상기 식 (1)로 나타나는 기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체 및 실록산 폴리머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 이하, 「규소 함유 중합체」라고도 한다.Specific examples of the polymer component contained in the first composition include a polymer (hereinafter, also referred to as "polymer (a1-1)") containing a structural unit (I-1) having a group represented by the formula (1), an acid dissociable group. polymers (hereinafter, also referred to as "polymers (a1-2)") and siloxane polymers containing a structural unit (I-2) having In addition, (A-1) at least 1 sort(s) chosen from the group which consists of a polymer and a siloxane polymer containing the structural unit which has a group which has a group represented by the said Formula (1) among the polymers is also called "silicon-containing polymer" hereinafter.

여기에서, 상기의 특허문헌 1, 2의 감방사선성 조성물을 이용하여 형성된 경화막은, 현상 처리 시에 미노광부의 단부로부터 흡수(吸水)가 발생함으로써, 미노광부의 알콕시기가 실라놀기로 되어, 미노광부의 친수성이 증가하는 것을 생각할 수 있다. 이 경우, 미노광부의 기판에 대한 밀착성(현상 밀착성)이 저하하여, 패턴이 기판으로부터 박리되기 쉬워지는 것이 우려된다.Here, as for the cured film formed using the radiation-sensitive composition of said patent documents 1 and 2, absorption generate|occur|produces from the edge part of an unexposed part at the time of development, the alkoxy group of an unexposed part becomes a silanol group, It is conceivable that the hydrophilicity of the miner increases. In this case, we are concerned that the adhesiveness (development adhesiveness) with respect to the board|substrate of an unexposed part falls, and a pattern becomes easy to peel from a board|substrate.

또한, 상기의 특허문헌 1, 2의 감방사선성 조성물을 이용하여 형성된 경화막에 있어서, 현상 처리 시에 미노광부의 단부로부터 흡수가 발생하여, 미노광부의 알콕시기가 실라놀기로 변화한 경우, 중합체 측쇄에 수산기가 존재함으로써 경화막의 유전율이 높아지는 것이 우려된다. 그래서, 본 개시는, 중합체 성분으로서 규소 함유 중합체를 포함하는 경우에는, 현상 밀착성이 우수하고, 또한 유전율이 낮은 경화막을 형성할 수 있는 감방사선성 조성물을 제공하는 것을 하나의 목적으로 한다.In addition, in the cured film formed using the radiation-sensitive composition of Patent Documents 1 and 2 described above, when absorption occurs from the end of the unexposed portion during development and the alkoxy group of the unexposed portion is changed to a silanol group, the polymer We are concerned that the dielectric constant of a cured film becomes high because a hydroxyl group exists in a side chain. Then, when a silicon-containing polymer is included as a polymer component, this indication makes it one objective to provide the radiation-sensitive composition which is excellent in image development adhesiveness and can form a cured film with a low dielectric constant.

이 점, 상기식 (1)로 나타나는 기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체 및 실록산 폴리머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 규소 함유 중합체와 광 산 발생제와 상기 실라놀 화합물을 포함하는 감방사선성 조성물에 의하면, 현상 밀착성이 우수하고, 또한 유전율이 낮은 경화막을 형성할 수 있다.In this respect, a radiation-sensitive composition comprising at least one silicon-containing polymer selected from the group consisting of a polymer and a siloxane polymer comprising a structural unit having a group represented by the formula (1), a photoacid generator, and the silanol compound According to this, it is excellent in image development adhesiveness and can form a cured film with a low dielectric constant.

〔중합체 (a1-1)에 대해서〕[About polymer (a1-1)]

·구조 단위 (I-1)・Structural unit (I-1)

상기식 (1)에 있어서, R1∼R3으로 나타나는 탄소수 1∼6의 알콕시기로서는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기 및, tert-부톡시기 등을 들 수 있다. 이들 중, R1∼R3으로 나타나는 알콕시기는, 탄소수 1∼3이 바람직하고, 메톡시기 또는 에톡시기가 보다 바람직하다. 특히, 상기식 (1)로 나타나는 기가 방향환기에 결합하고 있는 경우, R1∼R3으로 나타나는 알콕시기는 메톡시기가 바람직하다. 상기식 (1)로 나타나는 기가 쇄상 탄화수소기에 결합하고 있는 경우, R1∼R3으로 나타나는 알콕시기는 에톡시기가 바람직하다.In the formula (1), as the alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 1 to R 3 , a methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group and tert-butoxy group time, and the like. Among these, C1 - C3 is preferable and, as for the alkoxy group represented by R1 - R3, a methoxy group or an ethoxy group is more preferable. In particular, when the group represented by the formula (1) is bonded to an aromatic ring group, the alkoxy group represented by R 1 to R 3 is preferably a methoxy group. When the group represented by the formula (1) is bonded to a chain hydrocarbon group, the alkoxy group represented by R 1 to R 3 is preferably an ethoxy group.

R1∼R3으로 나타나는 탄소수 1∼10의 알킬기는, 직쇄상이라도 좋고, 분기상이라도 좋다. R1∼R3으로 나타나는 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기 등을 들 수 있다. 이들 중, R1∼R3으로 나타나는 알킬기는, 메틸기, 에틸기 또는 프로필기가 바람직하다.The alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 1 to R 3 may be linear or branched. Examples of the alkyl group represented by R 1 to R 3 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group and tert-butyl group. Among these, the alkyl group represented by R 1 to R 3 is preferably a methyl group, an ethyl group or a propyl group.

R1∼R3으로 나타나는 기 중 1개는, 탄소수 1∼6의 알콕시기이다. 나머지의 기는, 하이드록시기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 페닐기인 것이 바람직하고, 하이드록시기, 탄소수 1∼3의 알콕시기, 또는 탄소수 1∼3의 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼3의 알콕시기, 또는 탄소수 1∼3의 알킬기인 것이 더욱 바람직하다.One of the groups represented by R 1 to R 3 is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The remaining group is preferably a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a phenyl group, a hydroxyl group, an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. It is more preferable that it is a C1-C3 alkoxy group or a C1-C3 alkyl group is still more preferable.

가교 구조의 형성에 의해 내열성이 우수한 경화막을 얻는 관점에서, R1∼R3은, 이들 중 2개 이상이 탄소수 1∼6의 알콕시기인 것이 바람직하고, 전부가 탄소수 1∼6의 알콕시기인 것이 특히 바람직하다.From a viewpoint of obtaining a cured film excellent in heat resistance by formation of a crosslinked structure, it is preferable that two or more of these are a C1 - C6 alkoxy group, and it is especially that all are a C1-C6 alkoxy group. desirable.

구조 단위 (I-1)에 있어서, 상기식 (1)로 나타나는 기는, 방향환기 또는 쇄상 탄화수소기에 결합하고 있는 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서 「방향환기」란, 방향환의 환 부분으로부터 n개(n은 정수)의 수소 원자를 제거한 기를 의미한다. 당해 방향환으로서는, 벤젠환, 나프탈렌환, 안트라센환을 들 수 있다. 이들 환은, 알킬기 등의 치환기를 갖고 있어도 좋다. 상기식 (1)로 나타나는 기가 쇄상 탄화수소기에 결합하고 있는 경우, 당해 쇄상 탄화수소기로서는, 알칸디일기, 알켄디일기 등을 들 수 있다.In the structural unit (I-1), the group represented by the formula (1) is preferably bonded to an aromatic ring group or a chain hydrocarbon group. In addition, in this specification, "aromatic ring group" means the group which removed n hydrogen atoms (n is an integer) from the ring part of an aromatic ring. As said aromatic ring, a benzene ring, a naphthalene ring, and an anthracene ring are mentioned. These rings may have substituents, such as an alkyl group. When the group represented by the formula (1) is bonded to a chain hydrocarbon group, examples of the chain hydrocarbon group include an alkanediyl group and an alkenediyl group.

상기식 (1)로 나타나는 기는, 상기 중, 벤젠환, 나프탈렌환 또는 알킬쇄에 결합하고 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 구조 단위 (I-1)은, 하기식 (3-1)로 나타나는 기, 하기식 (3-2)로 나타나는 기 및 하기식 (3-3)으로 나타나는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that group represented by said formula (1) is couple|bonded with a benzene ring, a naphthalene ring, or an alkyl chain among the above. Specifically, the structural unit (I-1) is selected from the group consisting of a group represented by the following formula (3-1), a group represented by the following formula (3-2), and a group represented by the following formula (3-3) It is preferable to have at least 1 type.

Figure pat00003
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(식 (3-1), 식 (3-2) 및 식 (3-3) 중, A1 및 A2는, 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 하이드록시기, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼6의 알콕시기이다. n1은 0∼4의 정수이다. n2는 0∼6의 정수이다. 단, n1이 2 이상인 경우, 복수의 A1은, 서로 동일 또는 상이하다. n2가 2 이상인 경우, 복수의 A2는, 서로 동일 또는 상이하다. R6은, 알칸디일기이다. R1, R2 및 R3은, 상기식 (1)과 동일한 의미이다. 「*」는, 결합손인 것을 나타낸다.)(In formulas (3-1), (3-2) and (3-3), A 1 and A 2 are each independently a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or 1 carbon atom. an alkoxy group of -6. n1 is an integer of 0-4. n2 is an integer of 0-6. However, when n1 is 2 or more, a plurality of A 1s are the same or different from each other. When n2 is 2 or more and a plurality of A 2 are the same or different from each other. R 6 is an alkanediyl group. R 1 , R 2 and R 3 have the same meaning as in the formula (1). “*” is a bond. indicate.)

상기식 (3-1), 식 (3-2)에 있어서, A1 및 A2에 의해 나타나는 탄소수 1∼6의 알콕시기 및 탄소수 1∼6의 알킬기의 예시에 대해서는, 상기식 (1)의 R1∼R3으로서 예시한 기와 마찬가지의 기를 들 수 있다. 방향환에 결합하는 기 「-SiR1R2R3」의 위치는, A1 및 A2를 제외한 다른 기의 결합 위치(즉, 「*」로 나타나는 결합손의 위치)에 대하여, 어떠한 위치라도 좋다. 예를 들면, 상기식 (3-1)의 경우, 「-SiR1R2R3」의 위치는, 「*」로 나타나는 결합손의 위치에 대하여, 오르토 위치, 메타 위치 및 파라 위치 중 어느 것이라도 좋다. 바람직하게는 파라 위치이다. n1은 0 또는 1이 바람직하고, 0이 보다 바람직하다. n2는, 0∼2가 바람직하고, 0이 보다 바람직하다.In the formulas (3-1) and (3-2), the alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms and the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by A 1 and A 2 are shown in the formula (1). The group similar to the group illustrated as R< 1 >-R< 3 > is mentioned. The position of the group "-SiR 1 R 2 R 3 " bonded to the aromatic ring is at any position with respect to the bonding position of other groups except for A 1 and A 2 (ie, the position of the bonding hand represented by "*"). good night. For example, in the case of the above formula (3-1), the position of "-SiR 1 R 2 R 3 " is any one of an ortho position, a meta position, and a para position with respect to the position of the bond represented by "*". also good Preferably it is the para position. 0 or 1 is preferable and, as for n1, 0 is more preferable. 0-2 are preferable and, as for n2, 0 is more preferable.

상기식 (3-3)에 있어서, R6은 직쇄상인 것이 바람직하다. 얻어지는 경화막의 내열성을 높게 하는 관점에서, R6은, 탄소수 1∼6이 바람직하고, 1∼4가 보다 바람직하다.In said formula (3-3), it is preferable that R< 6 > is linear. From a viewpoint of making the heat resistance of the cured film obtained high, C1-C6 is preferable and, as for R< 6 >, 1-4 are more preferable.

경화막의 내열성, 내약품성 및 경도를 높게 할 수 있는 점에서, 구조 단위 (I-1)은, 상기식 (3-1)∼식 (3-3) 중, 상기식 (3-1)로 나타나는 기 및 상기식 (3-2)로 나타나는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 방향환에 기 「-SiR1R2R3」이 직접 결합하고 있는 경우, 물의 존재에 수반하여 생긴 실라놀기의 안정화를 도모하는 것이 가능해진다. 이에 따라, 알칼리 현상액에 대한 노광부의 용해성을 높게 할 수 있어, 양호한 패턴을 형성할 수 있는 점에 있어서 바람직하다. 구조 단위 (I-1)은, 이들 중에서도, 상기식 (3-1)로 나타나는 기를 갖는 구조 단위인 것이 특히 바람직하다.Since the heat resistance, chemical resistance, and hardness of a cured film can be made high, structural unit (I-1) is represented by said Formula (3-1) in said Formula (3-1) - Formula (3-3) It is preferable to have at least 1 sort(s) chosen from the group which consists of group and group represented by said Formula (3-2). Moreover, when the group "-SiR 1 R 2 R 3 " is directly couple|bonded with the aromatic ring, it becomes possible to aim at stabilization of the silanol group which arises with presence of water. Thereby, the solubility of the exposed part with respect to alkaline developing solution can be made high, and it is preferable at the point which can form a favorable pattern. The structural unit (I-1) is particularly preferably a structural unit having a group represented by the formula (3-1) among these.

구조 단위 (I-1)은, 중합에 관여하는 결합으로서 중합성 탄소-탄소 불포화 결합을 갖는 단량체(이하, 「불포화 단량체」라고도 함)에 유래하는 구조 단위인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 하기식 (4-1)로 나타나는 구조 단위 및 하기식 (4-2)로 나타나는 구조 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.The structural unit (I-1) is preferably a structural unit derived from a monomer (hereinafter also referred to as “unsaturated monomer”) having a polymerizable carbon-carbon unsaturated bond as a bond involved in polymerization, specifically, the following It is preferable that it is at least 1 sort(s) chosen from the group which consists of the structural unit represented by Formula (4-1), and the structural unit represented by following formula (4-2).

Figure pat00004
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(식 (4-1) 및 식 (4-2) 중, RA는, 수소 원자, 메틸기, 하이드록시메틸기, 시아노기 또는 트리플루오로메틸기이다. R7 및 R8은, 각각 독립적으로, 2가의 방향환기 또는 쇄상 탄화수소기이다. R1, R2 및 R3은, 상기식 (1)과 동일한 의미이다.)(In Formulas (4-1) and (4-2), R A is a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, a cyano group, or a trifluoromethyl group. R 7 and R 8 are each independently 2 It is a valent aromatic ring group or a chain hydrocarbon group. R 1 , R 2 and R 3 have the same meaning as in Formula (1) above.)

상기식 (4-1) 및 식 (4-2)에 있어서, R7, R8로 나타나는 2가의 방향환기는, 치환 혹은 무치환의 페닐렌기, 또는 치환 혹은 무치환의 나프탈렌디일기인 것이 바람직하다. 치환기로서는, 할로겐 원자, 하이드록시기, 탄소수 1∼6의 알킬기 및 탄소수 1∼6의 알콕시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 들 수 있다. 2가의 쇄상 탄화수소기는, 탄소수 1∼6의 알칸디일기인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼4의 알칸디일기인 것이 보다 바람직하다.In the formulas (4-1) and (4-2), the divalent aromatic ring group represented by R 7 and R 8 is preferably a substituted or unsubstituted phenylene group or a substituted or unsubstituted naphthalenediyl group. do. As a substituent, 1 or more types chosen from the group which consists of a halogen atom, a hydroxyl group, a C1-C6 alkyl group, and a C1-C6 alkoxy group are mentioned. It is preferable that it is a C1-C6 alkanediyl group, and, as for the divalent chain hydrocarbon group, it is more preferable that it is a C1-C4 alkanediyl group.

내열성, 내약품성 및 경도가 보다 높은 경화막을 얻을 수 있는 점, 그리고 알칼리 현상액에 대한 노광부의 용해성을 높게 할 수 있는 점에서, R7, R8은, 상기 중에서도 2가의 방향환기인 것이 바람직하고, 치환 또는 무치환의 페닐렌기인 것이 특히 바람직하다.From the viewpoint that a cured film having higher heat resistance, chemical resistance and hardness can be obtained, and the solubility of the exposed portion to an alkali developer can be increased, R 7 , R 8 are preferably a divalent aromatic ring group among the above, It is especially preferable that it is a substituted or unsubstituted phenylene group.

상기식 (4-1)로 나타나는 구조 단위의 구체예로서는, 하기식 (4-1-1) 및 식 (4-1-2)의 각각으로 나타나는 구조 단위 등을 들 수 있다. 또한, 상기식 (4-2)로 나타나는 구조 단위의 구체예로서는, 하기식 (4-2-1) 및 식 (4-2-2)의 각각으로 나타나는 구조 단위 등을 들 수 있다.Specific examples of the structural unit represented by the formula (4-1) include a structural unit represented by each of the following formulas (4-1-1) and (4-1-2). Moreover, as a specific example of the structural unit represented by said formula (4-2), the structural unit etc. represented by each of following formula (4-2-1) and formula (4-2-2) are mentioned.

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(식 (4-1-1), 식 (4-1-2), 식 (4-2-1) 및 식 (4-2-2) 중, R11 및 R12는, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼4의 알킬기이다. R13은, 탄소수 1∼4의 알킬기, 탄소수 1∼4의 알콕시기 또는 수산기이다. n3은 1∼4의 정수이다. A1, A2, n1 및 n2는, 상기식 (3-1) 및 식 (3-2)와 동일한 의미이다. RA는, 상기식 (4-1) 및 식 (4-2)와 동일한 의미이다.)(In formulas (4-1-1), (4-1-2), (4-2-1), and (4-2-2), R 11 and R 12 each independently represent a carbon number is an alkyl group of 1 to 4. R 13 is an alkyl group of 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group of 1 to 4 carbon atoms or a hydroxyl group. n3 is an integer of 1 to 4. A 1 , A 2 , n1 and n2 are the above It has the same meaning as the formulas (3-1) and (3-2). R A has the same meaning as the formulas (4-1) and (4-2) above.)

구조 단위 (I-1)을 구성하는 단량체의 구체예로서는, 상기식 (3-1)로 나타나는 기를 갖는 화합물로서, 스티릴트리메톡시실란, 스티릴트리에톡시실란, 스티릴메틸디메톡시실란, 스티릴에틸디에톡시실란, 스티릴디메톡시하이드록시실란, 스티릴디에톡시하이드록시실란, (메타)아크릴옥시페닐트리메톡시실란, (메타)아크릴옥시페닐트리에톡시실란, (메타)아크릴옥시페닐메톡시디메톡시실란, (메타)아크릴옥시페닐에틸디에톡시실란 등을;As a specific example of the monomer constituting the structural unit (I-1), as a compound having a group represented by the formula (3-1), styryltrimethoxysilane, styryltriethoxysilane, styrylmethyldimethoxysilane, Styrylethyldiethoxysilane, styryldimethoxyhydroxysilane, styryldiethoxyhydroxysilane, (meth)acryloxyphenyltrimethoxysilane, (meth)acryloxyphenyltriethoxysilane, (meth)acryloxy phenylmethoxydimethoxysilane, (meth)acryloxyphenylethyldiethoxysilane, etc.;

상기식 (3-2)로 나타나는 기를 갖는 화합물로서, 트리메톡시(4-비닐나프틸)실란, 트리에톡시(4-비닐나프틸)실란, 메틸디메톡시(4-비닐나프틸)실란, 에틸디에톡시(4-비닐나프틸)실란, (메타)아크릴옥시나프틸트리메톡시실란 등을;As a compound having a group represented by the formula (3-2), trimethoxy (4-vinyl naphthyl) silane, triethoxy (4-vinyl naphthyl) silane, methyldimethoxy (4-vinyl naphthyl) silane, ethyl diethoxy (4-vinyl naphthyl) silane, (meth) acryloxy naphthyl trimethoxysilane, etc.;

상기식 (3-3)으로 나타나는 기를 갖는 화합물로서, 3-(메타)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메타)아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-(메타)아크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-(메타)아크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 4-(메타)아크릴옥시부틸트리메톡시실란 등을, 각각 들 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 「(메타)아크릴」은, 「아크릴」및 「메타크릴」을 포함하는 의미이다.As a compound which has group represented by said Formula (3-3), 3-(meth)acryloxy propyl trimethoxysilane, 3-(meth)acryloxypropyl triethoxysilane, 3-(meth)acryloxypropyl methyl dime oxysilane, 3-(meth)acryloxypropylmethyldiethoxysilane, 4-(meth)acryloxybutyl trimethoxysilane, etc. are mentioned, respectively. In addition, in this specification, "(meth)acryl" is a meaning including "acryl" and "methacryl."

중합체 (a1-1)에 있어서의 구조 단위 (I-1)의 함유 비율은, 중합체 (a1-1)을 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 5질량% 이상이 바람직하고, 7질량% 이상이 보다 바람직하고, 10질량% 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 구조 단위 (I-1)의 함유 비율은, 중합체 (a1-1)을 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 50질량% 이하가 바람직하고, 45질량% 이하가 보다 바람직하고, 40질량% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위 (I-1)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 얻어지는 경화막의 내열성 및 내약품성을 충분히 높게 할 수 있는 점, 고감도화를 도모할 수 있는 점, 그리고 도막이 보다 양호한 해상성을 나타내는 점에서 바람직하다.The content of the structural unit (I-1) in the polymer (a1-1) is preferably 5 mass% or more, more preferably 7 mass% or more, with respect to all the structural units constituting the polymer (a1-1). It is preferable, and 10 mass % or more is more preferable. Further, the content of the structural unit (I-1) is preferably 50 mass% or less, more preferably 45 mass% or less, and 40 mass% or less with respect to all the structural units constituting the polymer (a1-1). is more preferable. By making the content rate of structural unit (I-1) into the said range, the point which can make high enough the heat resistance and chemical-resistance of the cured film obtained, the point which high sensitivity can be aimed at, and the point which shows the better resolution of a coating film desirable.

· 그 외의 구조 단위・Other structural units

중합체 (a1-1)은, 구조 단위 (I-1) 이외의 구조 단위(이하, 「그 외의 구조 단위 (1)」이라고도 함)를 추가로 포함하고 있어도 좋다. 그 외의 구조 단위 (1)로서는, 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 갖는 구조 단위 (Ⅱ-1), 산성기를 갖는 구조 단위 (Ⅲ-1) 등을 들 수 있다. 또한, 본 명세서에서는, 옥시라닐기 및 옥세타닐기를 포함하여 「에폭시기」라고도 한다.The polymer (a1-1) may further contain a structural unit other than the structural unit (I-1) (hereinafter also referred to as “other structural unit (1)”). Examples of the other structural unit (1) include a structural unit (II-1) having at least one selected from the group consisting of an oxiranyl group and an oxetanyl group, a structural unit having an acidic group (III-1), and the like. . In addition, in this specification, it is also called "epoxy group" including oxiranyl group and oxetanyl group.

·구조 단위 (Ⅱ-1)・Structural unit (Ⅱ-1)

중합체 (a1-1)이 구조 단위 (Ⅱ-1)을 포함함으로써, 막의 해상성이나 밀착성을 보다 높일 수 있는 점에서 바람직하다. 또한, 에폭시기가 가교성기로서 작용함으로써, 내약품성이 높고, 장기간에 걸쳐 열화가 억제되는 경화막을 형성할 수 있는 점에서 바람직하다. 구조 단위 (Ⅱ-1)은, 에폭시기를 갖는 불포화 단량체에 유래하는 구조 단위인 것이 바람직하고, 구체적으로는 하기식 (5-1)로 나타나는 구조 단위 및 하기식 (5-2)로 나타나는 구조 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.When a polymer (a1-1) contains a structural unit (II-1), it is preferable at the point which can improve the resolution and adhesiveness of a film|membrane more. Moreover, when an epoxy group acts as a crosslinkable group, chemical-resistance is high and it is preferable at the point which can form the cured film by which deterioration is suppressed over a long period of time. The structural unit (II-1) is preferably a structural unit derived from an unsaturated monomer having an epoxy group, specifically, a structural unit represented by the following formula (5-1) and a structural unit represented by the following formula (5-2) It is preferable that it is at least 1 sort(s) selected from the group which consists of.

Figure pat00006
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(식 (5-1) 및 식 (5-2) 중, R20은, 옥시라닐기 또는 옥세타닐기를 갖는 1가의 기이다. RA는, 수소 원자, 메틸기, 하이드록시메틸기, 시아노기 또는 트리플루오로메틸기이다. X1은, 단결합 또는 2가의 연결기이다.)(In formulas (5-1) and (5-2), R 20 is a monovalent group having an oxiranyl group or an oxetanyl group. R A is a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, a cyano group, or It is a trifluoromethyl group. X 1 is a single bond or a divalent linking group.)

상기식 (5-1) 및 식 (5-2)에 있어서, R20으로서는, 옥시라닐기, 옥세타닐기, 3,4-에폭시사이클로헥실기, 3,4-에폭시트리사이클로[5.2.1.02,6]데실기, 3-에틸옥세타닐기 등을 들 수 있다.In the formulas (5-1) and (5-2), as R 20 , oxiranyl group, oxetanyl group, 3,4-epoxycyclohexyl group, 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2 ,6 ]decyl group, 3-ethyloxetanyl group, etc. are mentioned.

X1의 2가의 연결기로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, 1,3-프로판디일기 등의 알칸디일기; 알칸디일기의 임의의 메틸렌기가 산소 원자로 치환된 2가의 기 등이 바람직하다.As a divalent coupling group of X< 1 >, Alkanediyl groups, such as a methylene group, an ethylene group, and a 1, 3- propanediyl group; A divalent group in which any methylene group of the alkanediyl group is substituted with an oxygen atom is preferable.

에폭시기를 갖는 단량체의 구체예로서는, 예를 들면, 글리시딜(메타)아크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실(메타)아크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸(메타)아크릴레이트, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸(메타)아크릴레이트, 3,4-에폭시트리사이클로[5.2.1.02,6]데실(메타)아크릴레이트, (3-메틸옥세탄-3-일)메틸(메타)아크릴레이트, (3-에틸옥세탄-3-일)(메타)아크릴레이트, (옥세탄-3-일)메틸(메타)아크릴레이트, (3-에틸옥세탄-3-일)메틸(메타)아크릴레이트, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르 등을 들 수 있다.Specific examples of the monomer having an epoxy group include, for example, glycidyl (meth)acrylate, 3,4-epoxycyclohexyl (meth)acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth)acrylate, 2- (3,4-epoxycyclohexyl)ethyl (meth)acrylate, 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decyl (meth)acrylate, (3-methyloxetan-3-yl)methyl (meth)acrylate, (3-ethyloxetan-3-yl) (meth)acrylate, (oxetan-3-yl)methyl (meth)acrylate, (3-ethyloxetan-3-yl)methyl (meth)acrylate, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, etc. are mentioned.

중합체 (a1-1)에 있어서의 구조 단위 (Ⅱ-1)의 함유 비율은, 중합체 (a1-1)을 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 5질량% 이상이 바람직하고, 10질량% 이상이 보다 바람직하고, 20질량% 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 구조 단위 (Ⅱ-1)의 함유 비율은, 중합체 (a1-1)을 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 65질량% 이하가 바람직하고, 60질량% 이하가 보다 바람직하고, 55질량% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위 (Ⅱ-1)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 도막이 보다 양호한 해상성을 나타냄과 함께, 얻어지는 경화막의 내열성 및 내약품성을 충분히 높게 할 수 있는 점에서 바람직하다.The content of the structural unit (II-1) in the polymer (a1-1) is preferably 5 mass% or more, more preferably 10 mass% or more, with respect to all the structural units constituting the polymer (a1-1). It is preferable, and 20 mass % or more is more preferable. Further, the content of the structural unit (II-1) is preferably 65 mass% or less, more preferably 60 mass% or less, and 55 mass% or less with respect to all the structural units constituting the polymer (a1-1). is more preferable. By making the content rate of a structural unit (II-1) into the said range, while a coating film shows more favorable resolution, it is preferable at the point which can fully make high the heat resistance and chemical-resistance of the cured film obtained.

· 구조 단위 (Ⅲ-1)· Structural unit (III-1)

중합체 (a1-1)은, 산성기를 갖는 구조 단위 (Ⅲ-1)을 추가로 포함하는 것이 바람직하다. 구조 단위 (Ⅲ-1)의 도입에 의해, 알칼리 현상액에 대한 중합체 (a1-1)의 용해성(알칼리 가용성)을 높이거나, 경화 반응성을 높이거나 할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 「알칼리 가용」이란, 2.38질량% 농도의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액 등의 알칼리 수용액에 용해 가능한 것을 의미한다.The polymer (a1-1) preferably further contains a structural unit (III-1) having an acidic group. By introducing the structural unit (III-1), the solubility (alkali solubility) of the polymer (a1-1) in an alkali developer can be improved, or curing reactivity can be improved. In addition, in this specification, "alkali soluble" means what is soluble in aqueous alkali solutions, such as tetramethylammonium hydroxide aqueous solution of 2.38 mass % density|concentration.

구조 단위 (Ⅲ-1)은, 산성기를 갖는 한 특별히 한정되지 않는다. 구조 단위 (Ⅲ-1)은, 카복시기를 갖는 구조 단위, 술폰산기를 갖는 구조 단위, 페놀성 수산기를 갖는 구조 단위 및, 말레이미드 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서 「페놀성 수산기」란, 방향환(예를 들면 벤젠환, 나프탈렌환, 안트라센환 등)에 직접 결합하는 하이드록시기를 의미한다.The structural unit (III-1) is not particularly limited as long as it has an acidic group. The structural unit (III-1) is preferably at least one selected from the group consisting of a structural unit having a carboxy group, a structural unit having a sulfonic acid group, a structural unit having a phenolic hydroxyl group, and a maleimide unit. In addition, in this specification, "phenolic hydroxyl group" means the hydroxyl group couple|bonded directly with an aromatic ring (for example, a benzene ring, a naphthalene ring, anthracene ring, etc.).

구조 단위 (Ⅲ-1)은, 산성기를 갖는 불포화 단량체에 유래하는 구조 단위인 것이 바람직하다. 산성기를 갖는 불포화 단량체의 구체예로서는, 카복시기를 갖는 구조 단위를 구성하는 단량체로서, 예를 들면 (메타)아크릴산, 크로톤산, 4-비닐벤조산 등의 불포화 모노카본산; 말레인산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 불포화 디카본산을; 술폰산기를 갖는 구조 단위를 구성하는 단량체로서, 예를 들면 비닐술폰산, (메타)알릴술폰산, 스티렌술폰산, (메타)아크릴일옥시에틸술폰산 등을; 페놀성 수산기를 갖는 구조 단위를 구성하는 단량체로서, 예를 들면 4-하이드록시스티렌, o-이소프로페닐페놀, m-이소프로페닐페놀, p-이소프로페닐페놀, 하이드록시페닐(메타)아크릴레이트 등을, 각각 들 수 있다. 또한, 구조 단위 (Ⅲ-1)을 구성하는 단량체로서 말레이미드를 이용할 수도 있다.The structural unit (III-1) is preferably a structural unit derived from an unsaturated monomer having an acidic group. As a specific example of the unsaturated monomer which has an acidic group, As a monomer which comprises the structural unit which has a carboxy group, For example, Unsaturated monocarboxylic acids, such as (meth)acrylic acid, a crotonic acid, 4-vinyl benzoic acid; unsaturated dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, and itaconic acid; Examples of the monomer constituting the structural unit having a sulfonic acid group include vinylsulfonic acid, (meth)allylsulfonic acid, styrenesulfonic acid, (meth)acrylyloxyethylsulfonic acid and the like; As a monomer constituting the structural unit having a phenolic hydroxyl group, for example, 4-hydroxystyrene, o-isopropenylphenol, m-isopropenylphenol, p-isopropenylphenol, hydroxyphenyl (meth)acryl rate etc. are mentioned, respectively. Moreover, maleimide can also be used as a monomer which comprises structural unit (III-1).

중합체 (a1-1)에 있어서의 구조 단위 (Ⅲ-1)의 함유 비율은, 알칼리 현상액으로의 양호한 용해성을 부여하는 관점에서, 중합체 (a1-1)을 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 1질량% 이상이 바람직하고, 2질량% 이상이 보다 바람직하고, 5질량% 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 구조 단위 (Ⅲ-1)의 함유 비율이 지나치게 많으면, 노광 부분과 미노광 부분에 있어서, 알칼리 현상액으로의 용해성의 차이가 작아져, 양호한 패턴 형상이 얻어지기 어려워지는 것이 우려된다. 이러한 관점에서, 구조 단위 (Ⅲ-1)의 함유 비율은, 중합체 (a1-1)을 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 40질량% 이하가 바람직하고, 35질량% 이하가 보다 바람직하고, 30질량% 이하가 더욱 바람직하다.The content ratio of the structural unit (III-1) in the polymer (a1-1) is 1 mass with respect to all the structural units constituting the polymer (a1-1) from the viewpoint of imparting good solubility in an alkali developer. % or more is preferable, 2 mass % or more is more preferable, and 5 mass % or more is still more preferable. On the other hand, when the content ratio of the structural unit (III-1) is too large, the difference in solubility in an alkali developing solution between the exposed portion and the unexposed portion becomes small, and there is a concern that a favorable pattern shape becomes difficult to be obtained. From such a viewpoint, the content of the structural unit (III-1) is preferably 40 mass % or less, more preferably 35 mass % or less, and 30 mass % or less with respect to all the structural units constituting the polymer (a1-1). % or less is more preferable.

그 외의 구조 단위 (1)로서는, 추가로, (메타)아크릴산 알킬에스테르, 지환식 구조를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르, 방향환 구조를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르, 방향족 비닐 화합물, N-치환 말레이미드 화합물, 복소환 구조를 갖는 비닐 화합물, 공액 디엔 화합물, 질소 함유 비닐 화합물 및, 불포화 디카본산 디알킬에스테르 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 단량체에 유래하는 구조 단위 등을 들 수 있다. 이들 구조 단위를 중합체 중에 도입함으로써, 중합체 성분의 유리 전이 온도를 조정하여, 얻어지는 경화막의 패턴 형상, 내약품성을 향상시킬 수 있다.As the other structural unit (1), further, (meth)acrylic acid alkyl ester, (meth)acrylic acid ester having an alicyclic structure, (meth)acrylic acid ester having an aromatic ring structure, aromatic vinyl compound, N-substituted maleimide and structural units derived from at least one monomer selected from the group consisting of a compound, a vinyl compound having a heterocyclic structure, a conjugated diene compound, a nitrogen-containing vinyl compound, and an unsaturated dicarboxylic acid dialkyl ester compound. By introduce|transducing these structural units in a polymer, the glass transition temperature of a polymer component can be adjusted, and the pattern shape and chemical-resistance of the cured film obtained can be improved.

상기 단량체의 구체예로서는, (메타)아크릴산 알킬에스테르로서, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 n-프로필, (메타)아크릴산 이소프로필, (메타)아크릴산 부틸, (메타)아크릴산 2-에틸헥실, (메타)아크릴산 n-라우릴, (메타)아크릴산 n-스테아릴 등을;Specific examples of the monomer include (meth)acrylic acid alkyl ester, (meth) methyl acrylate, (meth) ethyl acrylate, (meth) acrylate n-propyl, (meth) acrylate isopropyl, (meth) butyl acrylate, (meth) 2-ethylhexyl acrylate, (meth)acrylic acid n-lauryl, (meth)acrylic acid n-stearyl and the like;

지환식 구조를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르로서, (메타)아크릴산 사이클로헥실, (메타)아크릴산 2-메틸사이클로헥실, (메타)아크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, (메타)아크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,5]데칸-8-일옥시에틸, (메타)아크릴산 이소보로닐 등을;As (meth)acrylic acid ester having an alicyclic structure, (meth)acrylic acid cyclohexyl, (meth)acrylic acid 2-methylcyclohexyl, (meth)acrylic acid tricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decan-8-yl, ( meth)acrylic acid tricyclo[5.2.1.0 2,5 ]decan-8-yloxyethyl, (meth)acrylic acid isoboronyl and the like;

방향환 구조를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르로서, (메타)아크릴산 페닐, (메타)아크릴산 벤질 등을;As (meth)acrylic acid ester which has an aromatic ring structure, (meth)acrylic acid phenyl, (meth)acrylic acid benzyl, etc.;

방향족 비닐 화합물로서, 스티렌, 2-메틸스티렌, 3-메틸스티렌, 4-메틸스티렌, α-메틸스티렌, 2,4-디메틸스티렌, 2,4-디이소프로필스티렌, 5-t-부틸-2-메틸스티렌, 디비닐벤젠, 트리비닐벤젠, t-부톡시스티렌, 비닐벤질디메틸아민, (4-비닐벤질)디메틸아미노에틸에테르, N,N-디메틸아미노에틸스티렌, N,N-디메틸아미노메틸스티렌, 2-에틸스티렌, 3-에틸스티렌, 4-에틸스티렌, 2-t-부틸스티렌, 3-t-부틸스티렌, 4-t-부틸스티렌, 디페닐에틸렌, 비닐나프탈렌, 비닐피리딘 등을;As the aromatic vinyl compound, styrene, 2-methylstyrene, 3-methylstyrene, 4-methylstyrene, α-methylstyrene, 2,4-dimethylstyrene, 2,4-diisopropylstyrene, 5-t-butyl-2 -Methylstyrene, divinylbenzene, trivinylbenzene, t-butoxystyrene, vinylbenzyldimethylamine, (4-vinylbenzyl)dimethylaminoethyl ether, N,N-dimethylaminoethylstyrene, N,N-dimethylaminomethyl styrene, 2-ethylstyrene, 3-ethylstyrene, 4-ethylstyrene, 2-t-butylstyrene, 3-t-butylstyrene, 4-t-butylstyrene, diphenylethylene, vinylnaphthalene, vinylpyridine, etc.;

N-치환 말레이미드 화합물로서, N-사이클로헥실말레이미드, N-사이클로펜틸말레이미드, N-(2-메틸사이클로헥실)말레이미드, N-(4-메틸사이클로헥실)말레이미드, N-(4-에틸사이클로헥실)말레이미드, N-(2,6-디메틸사이클로헥실)말레이미드, N-노르보르닐말레이미드, N-트리사이클로데실말레이미드, N-아다만틸말레이미드, N-페닐말레이미드, N-(2-메틸페닐)말레이미드, N-(4-메틸페닐)말레이미드, N-(4-에틸페닐)말레이미드, N-(2,6-디메틸페닐)말레이미드, N-벤질말레이미드, N-나프틸말레이미드 등을,As the N-substituted maleimide compound, N-cyclohexylmaleimide, N-cyclopentylmaleimide, N-(2-methylcyclohexyl)maleimide, N-(4-methylcyclohexyl)maleimide, N-(4 -Ethylcyclohexyl)maleimide, N-(2,6-dimethylcyclohexyl)maleimide, N-norbornylmaleimide, N-tricyclodecylmaleimide, N-adamantylmaleimide, N-phenylmaleimide Mid, N-(2-methylphenyl)maleimide, N-(4-methylphenyl)maleimide, N-(4-ethylphenyl)maleimide, N-(2,6-dimethylphenyl)maleimide, N-benzylmaleimide mide, N-naphthyl maleimide, etc.;

복소환 구조를 갖는 비닐 화합물로서, (메타)아크릴산 테트라하이드로푸르푸릴, (메타)아크릴산 테트라하이드로피라닐, (메타)아크릴산 5-에틸-1,3-디옥산-5-일메틸, (메타)아크릴산 5-메틸-1,3-디옥산-5-일메틸, (메타)아크릴산(2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란-4-일)메틸, 2-(메타)아크릴옥시메틸-1,4,6-트리옥사스피로[4,6]운데칸, (메타)아크릴산(γ-부티로락톤-2-일), (메타)아크릴산 글리세린카보네이트, (메타)아크릴산(γ-락탐-2-일), N-(메타)아크릴옥시에틸헥사하이드로프탈이미드 등을;As a vinyl compound having a heterocyclic structure, (meth)acrylic acid tetrahydrofurfuryl, (meth)acrylic acid tetrahydropyranyl, (meth)acrylic acid 5-ethyl-1,3-dioxan-5-ylmethyl, (meth) 5-methyl-1,3-dioxan-5-ylmethyl acrylate, (meth)acrylic acid (2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolan-4-yl)methyl, 2-(meth)acryl Oxymethyl-1,4,6-trioxaspiro [4,6] undecane, (meth)acrylic acid (γ-butyrolacton-2-yl), (meth)acrylic acid glycerin carbonate, (meth)acrylic acid (γ- lactam-2-yl), N-(meth)acryloxyethyl hexahydrophthalimide, etc.;

공액 디엔 화합물로서, 1,3-부타디엔, 이소프렌 등을;Examples of the conjugated diene compound include 1,3-butadiene, isoprene, and the like;

질소 함유 비닐 화합물로서, (메타)아크릴로니트릴, (메타)아크릴아미드 등을;As a nitrogen-containing vinyl compound, (meth)acrylonitrile, (meth)acrylamide, etc.;

불포화 디카본산 디알킬에스테르 화합물로서, 이타콘산 디에틸 등을, 각각 들 수 있다. 또한, 그 외의 구조 단위 (1)을 구성하는 단량체로서는, 상기 외에, 예를 들면, 염화 비닐, 염화 비닐리덴, 아세트산 비닐 등의 단량체를 들 수 있다.Examples of the unsaturated dicarboxylic acid dialkyl ester compound include diethyl itaconic acid and the like. Moreover, as a monomer which comprises another structural unit (1), other than the above, for example, monomers, such as vinyl chloride, a vinylidene chloride, and vinyl acetate, are mentioned.

중합체 성분의 유리 전이 온도를 조정하여 열 경화 시의 멜트플로우를 억제하는 관점에서, 중합체 (a1-1)은, 구조 단위 (Ⅱ-1) 및 구조 단위 (Ⅲ-1) 이외의 그 외의 구조 단위 (1)로서, (메타)아크릴산 알킬에스테르, 지환식 구조를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르 및, 방향환 구조를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 단량체에 유래하는 구조 단위를 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of controlling the glass transition temperature of the polymer component to suppress melt flow during thermal curing, the polymer (a1-1) has structural units other than the structural unit (II-1) and the structural unit (III-1). As (1), a structural unit derived from at least one monomer selected from the group consisting of (meth)acrylic acid alkyl esters, (meth)acrylic acid esters having an alicyclic structure, and (meth)acrylic acid esters having an aromatic ring structure. It is preferable to include

구조 단위 (Ⅱ-1) 및 구조 단위 (Ⅲ-1) 이외의 그 외의 구조 단위 (1)의 함유 비율은, 중합체 (a1-1)의 유리 전이 온도를 적절히 높게 하는 관점에서, 중합체 (a1-1)을 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 5질량% 이상이 바람직하고, 10질량% 이상이 보다 바람직하다. 또한, 당해 구조 단위의 함유 비율은, 중합체 (a1-1)을 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 50질량% 이하가 바람직하고, 40질량% 이하가 보다 바람직하다.The content ratio of the structural unit (1) other than the structural unit (II-1) and the structural unit (III-1) is, from the viewpoint of appropriately increasing the glass transition temperature of the polymer (a1-1), the polymer (a1-) 5 mass % or more is preferable with respect to all the structural units which comprise 1), and 10 mass % or more is more preferable. Moreover, 50 mass % or less is preferable with respect to all the structural units which comprise a polymer (a1-1), and, as for the content rate of the said structural unit, 40 mass % or less is more preferable.

중합체 (a1-1)은, 예를 들면, 전술한 각 구조 단위를 도입 가능한 불포화 단량체를 이용하여, 적당한 용매 중, 중합 개시제 등의 존재하에서, 라디칼 중합 등의 공지의 방법에 따라서 제조할 수 있다. 중합 개시제로서는, 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(이소부티르산)디메틸 등의 아조 화합물을 들 수 있다. 중합 개시제의 사용 비율은, 반응에 사용하는 단량체의 전체량 100질량부에 대하여, 0.01∼30질량부인 것이 바람직하다. 중합 용매로서는, 예를 들면 알코올류, 에테르류, 케톤류, 에스테르류, 탄화수소류 등을 들 수 있다. 중합 용매의 사용량은, 반응에 사용하는 단량체의 합계량이, 반응 용액의 전체량에 대하여, 0.1∼60질량%가 되는 바와 같은 양으로 하는 것이 바람직하다.The polymer (a1-1) can be produced by, for example, a known method such as radical polymerization in the presence of a polymerization initiator in a suitable solvent using an unsaturated monomer capable of introducing each structural unit described above. . Examples of the polymerization initiator include 2,2'-azobis(isobutyronitrile), 2,2'-azobis(2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis(isobutyronitrile)dimethyl, etc. and azo compounds. It is preferable that the usage-rate of a polymerization initiator is 0.01-30 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of the monomer used for reaction. Examples of the polymerization solvent include alcohols, ethers, ketones, esters, hydrocarbons, and the like. It is preferable that the usage-amount of a polymerization solvent sets it as the quantity so that the total amount of the monomer used for reaction will be 0.1-60 mass % with respect to the total amount of a reaction solution.

중합에 있어서, 반응 온도는, 통상, 30℃∼180℃이다. 반응 시간은, 중합 개시제 및 단량체의 종류나 반응 온도에 따라서 상이하지만, 통상, 0.5∼10시간이다. 중합 반응에 의해 얻어진 중합체는, 반응 용액에 용해된 상태인 채로 감방사선성 조성물의 조제에 이용되어도 좋고, 반응 용액으로부터 단리된 후, 감방사선성 조성물의 조제에 이용되어도 좋다. 중합체의 단리는, 예를 들면, 반응 용액을 대량의 빈용매 중에 붓고, 이에 의해 얻어지는 석출물을 감압하 건조하는 방법, 반응 용액을 이배포레이터로 감압 증류 제거하는 방법 등의 공지의 단리 방법에 의해 행할 수 있다.Superposition|polymerization WHEREIN: The reaction temperature is 30 degreeC - 180 degreeC normally. Although reaction time changes with the kind and reaction temperature of a polymerization initiator and a monomer, it is 0.5 to 10 hours normally. The polymer obtained by the polymerization reaction may be used for preparation of the radiation-sensitive composition while it is dissolved in the reaction solution, or after being isolated from the reaction solution, it may be used for preparation of the radiation-sensitive composition. The polymer is isolated, for example, by a known isolation method such as a method in which the reaction solution is poured into a large amount of poor solvent and the precipitate obtained thereby is dried under reduced pressure, and the reaction solution is distilled off under reduced pressure using an evaporator. can be done

[A] 중합체 성분이 중합체 (a1-1)을 포함하는 경우, [A] 중합체 성분은, 구조 단위 (I-1)을 포함하는 한, 구조 단위 (I-1)을 갖는 중합체 (a1-1)만에 의해 구성되어 있어도 좋고, 중합체 (a1-1)과 함께, 구조 단위 (I-1)을 갖지 않는 중합체를 추가로 포함하는 것이라도 좋다. 예를 들면, [A] 중합체 성분이 구조 단위 (I-1)과 구조 단위 (Ⅱ-1)과 구조 단위 (Ⅲ-1)을 포함하는 경우, 동일한 중합체가 구조 단위 (I-1), 구조 단위 (Ⅱ-1) 및 구조 단위 (Ⅲ-1)의 전부를 갖고 있어도 좋고, 구조 단위 (Ⅱ-1) 및 구조 단위 (Ⅲ-1)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을, 구조 단위 (I-1)을 갖는 중합체와는 상이한 중합체가 갖고 있어도 좋다. 또한, 구조 단위 (I-1), 구조 단위 (Ⅱ-1) 및 구조 단위 (Ⅲ-1)을, [A] 중합체 성분 중의 2종 이상의 상이한 중합체가 갖고 있는 경우, [A] 중합체 성분에 포함되는 각 구조 단위의 함유 비율이 상기 범위를 충족하도록 하는 것이 바람직하다. 감방사선성 조성물을 구성하는 성분의 수를 적게 하면서, 현상 밀착성 및 내약품성의 향상 효과가 얻어지는 점에서, [A] 중합체 성분은, 구조 단위 (I-1)과 구조 단위 (Ⅱ-1)과 구조 단위 (Ⅲ-1)을 갖는 중합체를 함유하는 것이 바람직하다. [A] 중합체 성분을 구성하는 각 중합체는, 바람직하게는 알칼리 가용성 수지이다.[A] When the polymer component contains the polymer (a1-1), [A] the polymer component contains the structural unit (I-1), as long as the polymer (a1-1) has the structural unit (I-1) ) alone, or may further include a polymer having no structural unit (I-1) together with the polymer (a1-1). For example, when the polymer component [A] contains a structural unit (I-1), a structural unit (II-1), and a structural unit (III-1), the same polymer has a structural unit (I-1), a structural It may have all of the unit (II-1) and the structural unit (III-1), and at least one selected from the group consisting of the structural unit (II-1) and the structural unit (III-1) is selected from the group consisting of a structural unit ( A polymer different from the polymer having I-1) may have it. Further, when two or more different polymers in the [A] polymer component have the structural unit (I-1), the structural unit (II-1) and the structural unit (III-1), the [A] polymer component contains It is preferable that the content ratio of each structural unit to be used satisfies the above range. [A] The polymer component contains structural units (I-1) and (II-1) and It is preferable to contain a polymer having a structural unit (III-1). [A] Each polymer constituting the polymer component is preferably alkali-soluble resin.

중합체 (a1-1)에 대해, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)은, 2,000 이상인 것이 바람직하다. Mw가 2,000 이상이면, 내열성이나 내약품성이 충분히 높고, 또한 양호한 현상성을 나타내는 경화막을 얻을 수 있는 점에서 바람직하다. 중합체 (a1-1)의 Mw는, 보다 바람직하게는 5,000 이상이고, 더욱 바람직하게는 6,000 이상이고, 특히 바람직하게는 7,000 이상이다. 또한, Mw는, 성막성을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 50,000 이하이고, 보다 바람직하게는 30,000 이하이고, 더욱 바람직하게는 20,000 이하이고, 특히 바람직하게는 15,000 이하이다.It is preferable that the weight average molecular weight (Mw) of polystyrene conversion by gel permeation chromatography (GPC) about a polymer (a1-1) is 2,000 or more. If Mw is 2,000 or more, heat resistance and chemical-resistance are sufficiently high, and it is preferable at the point which can obtain the cured film which shows favorable developability. Mw of a polymer (a1-1) becomes like this. More preferably, it is 5,000 or more, More preferably, it is 6,000 or more, Especially preferably, it is 7,000 or more. Moreover, Mw becomes like this. From a viewpoint of making film-forming property favorable, Preferably it is 50,000 or less, More preferably, it is 30,000 or less, More preferably, it is 20,000 or less, Especially preferably, it is 15,000 or less.

또한, 중량 평균 분자량(Mw)와 수 평균 분자량(Mn)과의 비로 나타나는 분자량 분포(Mw/Mn)는, 4.0 이하가 바람직하고, 3.0 이하가 보다 바람직하고, 2.5 이하가 더욱 바람직하다. 또한, [A] 중합체 성분이 2종 이상의 중합체로 이루어지는 경우, 각 중합체의 Mw 및 Mw/Mn가 각각 상기 범위를 충족하는 것이 바람직하다.Moreover, 4.0 or less are preferable, as for the molecular weight distribution (Mw/Mn) represented by ratio of a weight average molecular weight (Mw) to a number average molecular weight (Mn), 3.0 or less are more preferable, and its 2.5 or less are still more preferable. Further, when the polymer component [A] consists of two or more polymers, it is preferable that Mw and Mw/Mn of each polymer respectively satisfy the above ranges.

〔중합체 (a1-2)에 대해서〕[About polymer (a1-2)]

중합체 (a1-2)는, 산 해리성기를 갖는 구조 단위 (I-2)를 포함하는 중합체이다. 산 해리성기는, 카복시기, 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 술폰산기 등의 산성기가 갖는 수소 원자를 치환하는 기로서, 산의 작용에 의해 해리하는 기이다. 중합체 (a1-2)를 포함하는 본 조성물에 의하면, 본 조성물에 방사선을 조사함으로써 발생한 산에 의해 산 해리성기가 탈리하여 산성기가 발생한다. 이에 따라, 중합체 성분의 현상액으로의 용해성을 변화시킬 수 있어, 패턴이 형성된 경화막을 얻을 수 있다.The polymer (a1-2) is a polymer including a structural unit (I-2) having an acid dissociable group. An acid dissociable group is a group which substitutes the hydrogen atom which acidic groups, such as a carboxy group, a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, a sulfonic acid group, have, and is a group which dissociates by the action of an acid. According to this composition containing a polymer (a1-2), an acid-dissociable group detach|desorbs by the acid which generate|occur|produced by irradiating radiation to this composition, and an acidic group generate|occur|produces. Thereby, the solubility to the developing solution of a polymer component can be changed, and the cured film in which the pattern was formed can be obtained.

구조 단위 (I-2)는, 그 중에서도, 산의 작용에 의해 산 해리성기가 탈리하여 카복시기를 발생하는 구조 단위(이하, 「구조 단위 (I-2-1)」이라고도 함), 또는 산의 작용에 의해 산 해리성기가 탈리하여 페놀성 수산기를 발생하는 구조 단위(이하, 「구조 단위 (I-2-2)」라고도 함)인 것이 바람직하다.The structural unit (I-2) is, among others, a structural unit in which an acid dissociable group is released by the action of an acid to generate a carboxy group (hereinafter also referred to as “structural unit (I-2-1)”), or an acid It is preferable that it is a structural unit (hereinafter also referred to as "structural unit (I-2-2)") in which an acid dissociable group is released by action to generate a phenolic hydroxyl group.

·구조 단위 (I-2-1)에 대해서・About structural unit (I-2-1)

구조 단위 (I-2-1)로서는, 보호된 불포화 카본산에 유래하는 구조 단위를 들 수 있다. 사용하는 불포화 카본산은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 불포화 모노카본산, 불포화 디카본산, 불포화 산 무수물, 불포화 다가 카본산 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (I-2-1) include a structural unit derived from a protected unsaturated carboxylic acid. The unsaturated carboxylic acid to be used is not particularly limited, and examples thereof include an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid, an unsaturated acid anhydride, and an unsaturated polycarboxylic acid.

이들의 구체예로서는, 불포화 모노카본산으로서, (메타)아크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 신남산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸프탈산, (메타)아크릴산-2-카복시에틸에스테르, 4-비닐벤조산 등을 들 수 있다. 불포화 디카본산으로서는, 말레인산, 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산 등을 들 수 있다. 불포화 산 무수물로서는, 무수 말레인산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산 등을 들 수 있다. 불포화 다가 카본산으로서는, ω-카복시폴리카프로락톤모노(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Specific examples of the unsaturated monocarboxylic acids include (meth)acrylic acid, crotonic acid, α-chloroacrylic acid, cinnamic acid, 2-(meth)acryloyloxyethyl succinic acid, and 2-(meth)acryloyloxyethylhexa Hydrophthalic acid, 2-(meth)acryloyloxyethyl phthalic acid, (meth)acrylic acid 2-carboxyethyl ester, 4-vinyl benzoic acid, etc. are mentioned. Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, and citraconic acid. Examples of the unsaturated acid anhydride include maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride. Examples of the unsaturated polycarboxylic acid include ω-carboxypolycaprolactone mono(meth)acrylate.

구조 단위 (I-2-1)에 포함되는 산 해리성기로서는, 예를 들면, 아세탈계 관능기, 제3급 알킬기, 제3급 알킬카보네이트기 등을 들 수 있다. 이들 중, 산에 의해 해리하기 쉬운 점에서, 아세탈계 관능기가 바람직하다.Examples of the acid-dissociable group contained in the structural unit (I-2-1) include an acetal-based functional group, a tertiary alkyl group, and a tertiary alkyl carbonate group. Among these, an acetal-type functional group is preferable at the point which is easy to dissociate with an acid.

산 해리성기가 아세탈계 관능기인 경우, 구조 단위 (I-2-1)은, 보호된 카복시기로서, 카본산의 아세탈에스테르 구조를 갖는 것이 바람직하고, 구체적으로는, 하기식 (X-1)로 나타나는 기를 갖는 것이 바람직하다.When the acid-dissociable group is an acetal-based functional group, the structural unit (I-2-1) preferably has an acetal ester structure of carbonic acid as a protected carboxy group, specifically, the following formula (X-1) It is preferable to have a group represented by

Figure pat00007
Figure pat00007

(식 (X-1) 중, R31, R32 및 R33은, 다음의 (1) 또는 (2)이다. (1) R31은 수소 원자, 탄소수 1∼12의 알킬기 또는 탄소수 3∼20의 1가의 지환식 탄화수소기이다. R32 및 R33은, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 3∼20의 1가의 지환식 탄화수소기, 또는 탄소수 7∼20의 아르알킬기이다. (2) R31은, 수소 원자, 탄소수 1∼12의 알킬기 또는 탄소수 3∼20의 1가의 지환식 탄화수소기이다. R32 및 R33은, 서로 합쳐져 R32 및 OR33이 결합하는 탄소 원자와 함께 구성되는 환상 에테르 구조를 나타낸다. 「*」는 결합손을 나타낸다.)(In formula (X-1), R 31 , R 32 and R 33 are the following (1) or (2): (1) R 31 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or 3 to 20 carbon atoms R 32 and R 33 are each independently an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms ( 2) R 31 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, R 32 and R 33 are taken together and together with the carbon atom to which R 32 and OR 33 are bonded; It represents the cyclic ether structure constituted. "*" represents a bond.)

R31, R32 및 R33으로 나타나는 탄소수 1∼12의 알킬기는, 직쇄상이라도 분기상이라도 좋다. 당해 알킬기의 탄소수는, 바람직하게는 1∼6, 보다 바람직하게는 1∼4이다. R31, R32 및 R33으로 나타나는 탄소수 1∼12의 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기 등을 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 31 , R 32 and R 33 may be linear or branched. Carbon number of the said alkyl group becomes like this. Preferably it is 1-6, More preferably, it is 1-4. Specific examples of the alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 31 , R 32 and R 33 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and a tert-butyl group. and the like.

R31, R32 및 R33으로 나타나는 탄소수 3∼20의 1가의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면, 사이클로프로필기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 노르보르닐기, 이소보르닐기, 아다만틸기 등을 들 수 있다. R32 및 R33으로 나타나는 탄소수 7∼20의 아르알킬기로서는, 페닐메틸기, 페닐에틸기, 메틸페닐메틸기 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms represented by R 31 , R 32 and R 33 include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, an isobornyl group. , and an adamantyl group. Examples of the aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms represented by R 32 and R 33 include a phenylmethyl group, a phenylethyl group, and a methylphenylmethyl group.

R32 및 R33이 서로 합쳐져 구성되는 환상 에테르 구조는, 환원수 5 이상인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면 테트라하이드로푸란환 구조, 테트라하이드로피란환 구조 등을 들 수 있다.The cyclic ether structure formed by combining R 32 and R 33 with each other is preferably 5 or more reduced numbers. Specifically, a tetrahydrofuran ring structure, a tetrahydropyran ring structure, etc. are mentioned, for example.

산에 의해 해리하기 쉬운 점에서, R31은 그 중에서도, 수소 원자, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하고, 수소 원자가 보다 바람직하다.From the viewpoint of being easily dissociated by an acid, R 31 is particularly preferably a hydrogen atom, a methyl group, or an ethyl group, and more preferably a hydrogen atom.

상기식 (X-1)로 나타나는 카본산의 아세탈에스테르 구조의 구체예로서는, 1-메톡시에톡시카보닐기, 1-에톡시에톡시카보닐기, 1-프로폭시에톡시카보닐기, 1-부톡시에톡시카보닐기, 1-사이클로헥실옥시에톡시카보닐기, 2-테트라하이드로푸라닐옥시카보닐기, 2-테트라하이드로피라닐옥시카보닐기, 1-페닐메톡시에톡시카보닐기 등을 들 수 있다.As a specific example of the acetal ester structure of the carboxylic acid represented by said formula (X-1), 1-methoxyethoxycarbonyl group, 1-ethoxyethoxycarbonyl group, 1-propoxyethoxycarbonyl group, 1-butoxy an ethoxycarbonyl group, 1-cyclohexyloxyethoxycarbonyl group, 2-tetrahydrofuranyloxycarbonyl group, 2-tetrahydropyranyloxycarbonyl group, 1-phenylmethoxyethoxycarbonyl group, etc. are mentioned.

구조 단위 (I-2-1)은, 상기 중에서도, 하기식 (Y-1)로 나타나는 구조 단위 및 식 (Y-2)로 나타나는 구조 단위가 바람직하다.The structural unit (I-2-1), among the above, is preferably a structural unit represented by the following formula (Y-1) and a structural unit represented by the formula (Y-2).

Figure pat00008
Figure pat00008

(식 (Y-1) 중, R30은, 수소 원자 또는 메틸기이다. X30은, 단결합 또는 아릴렌기이다. R40은, 수소 원자 또는 알킬기이다. R41 및 R42는, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 3∼20의 1가의 지환식 탄화수소기, 또는 탄소수 7∼20의 아르알킬기이다.)(In formula (Y-1), R 30 is a hydrogen atom or a methyl group. X 30 is a single bond or an arylene group. R 40 is a hydrogen atom or an alkyl group. R 41 and R 42 are each independently , an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms.)

Figure pat00009
Figure pat00009

(식 (Y-2) 중, R30은, 수소 원자 또는 메틸기이다. X31은, 단결합 또는 아릴렌기이다. R43∼R49는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기이다. k는 1 또는 2이다.)(In formula (Y-2), R 30 is a hydrogen atom or a methyl group. X 31 is a single bond or an arylene group. R 43 to R 49 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. , where k is 1 or 2.)

구조 단위 (I-2-1)의 바람직한 구체예로서는, 하기식으로 나타나는 구조 단위를 들 수 있다. 또한, 식 중, R30은, 수소 원자 또는 메틸기이다.As a preferable specific example of a structural unit (I-2-1), the structural unit represented by a following formula is mentioned. In addition, in formula, R 30 is a hydrogen atom or a methyl group.

Figure pat00010
Figure pat00010

·구조 단위 (I-2-2)에 대해서Structural unit (I-2-2)

구조 단위 (I-2-2)는, 보호된 페놀성 수산기를 갖고 있으면 좋고, 특별히 한정되지 않는다. 구조 단위 (I-2-2)는 그 중에서도, 본 조성물의 감도의 관점에서, 하이드록시스티렌 또는 그의 유도체에 유래하는 구조 단위 및 하이드록시벤젠 구조를 갖는 (메타)아크릴 화합물에 유래하는 구조 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.The structural unit (I-2-2) should just have a protected phenolic hydroxyl group, and is not specifically limited. The structural unit (I-2-2) is, inter alia, from the viewpoint of the sensitivity of the present composition, a structural unit derived from hydroxystyrene or a derivative thereof, and a structural unit derived from a (meth)acrylic compound having a hydroxybenzene structure. It is preferable that it is at least 1 sort(s) chosen from the group which consists of.

구조 단위 (I-2-2)가 갖는 산 해리성기는 특별히 한정되지 않는다. 본 조성물의 감도나 패턴 형상, 보존 안정성 등의 관점에서, 구조 단위 (I-2-2)가 갖는 산 해리성기는 아세탈계 관능기가 바람직하다. 구조 단위 (I-2-2)에 이용할 수 있는 아세탈계 관능기로서는, 구조 단위 (I-2-1)에 이용할 수 있는 산 해리성기와 마찬가지의 기를 들 수 있다. 그 중에서도, 「-O-C(R31)(R32)(OR33)」(단, R31, R32 및 R33은 식 (X-1)과 동일한 의미임)으로 나타나는 기에 의해 보호된 페놀성 수산기인 것이 바람직하다. 이 경우, 구조 단위 (I-2-2)에 포함되는 보호된 페놀성 수산기는, 하기식 (Z-1)로 나타낼 수 있다.The acid-dissociable group included in the structural unit (I-2-2) is not particularly limited. From the viewpoints of sensitivity, pattern shape, storage stability, and the like of the present composition, the acid dissociable group of the structural unit (I-2-2) is preferably an acetal-based functional group. Examples of the acetal-based functional group that can be used for the structural unit (I-2-2) include groups similar to the acid dissociable group that can be used for the structural unit (I-2-1). Among them, phenolic protected by a group represented by "-OC(R 31 )(R 32 )(OR 33 )" (provided that R 31 , R 32 and R 33 have the same meaning as in Formula (X-1)) It is preferable that it is a hydroxyl group. In this case, the protected phenolic hydroxyl group contained in structural unit (I-2-2) can be represented by a following formula (Z-1).

Figure pat00011
Figure pat00011

(식 (Z-1) 중, Ar1은 아릴렌기이다. R31, R32 및 R33은 식 (X-1)과 동일한 의미이다. 「*」는 결합손을 나타낸다.)(In formula (Z-1), Ar 1 is an arylene group. R 31 , R 32 and R 33 have the same meaning as in formula (X-1). “*” represents a bond.)

구조 단위 (I-2-2)에 포함되는 「-C(R31)(R32)(OR33)」으로 나타나는 기의 바람직한 구체예로서는, 1-알콕시알킬기 및 1-아릴알콕시알킬기 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면 1-에톡시에틸기, 1-메톡시에틸기, 1-부톡시에틸기, 1-이소부톡시에틸기, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸기, 1-프로폭시에틸기, 1-사이클로헥실옥시에틸기, 1-(2-사이클로헥실에톡시)에틸기, 1-벤질옥시에틸기 등을 들 수 있다.Preferred specific examples of the group represented by “-C(R 31 )(R 32 )(OR 33 )” included in the structural unit (I-2-2) include a 1-alkoxyalkyl group and 1-arylalkoxyalkyl group. have. Specifically, for example, 1-ethoxyethyl group, 1-methoxyethyl group, 1-butoxyethyl group, 1-isobutoxyethyl group, 1-(2-ethylhexyloxy)ethyl group, 1-propoxyethyl group, 1 -cyclohexyloxyethyl group, 1-(2-cyclohexylethoxy)ethyl group, 1-benzyloxyethyl group, etc. are mentioned.

구조 단위 (I-2-2)의 바람직한 구체예로서는, 하기식으로 나타나는 구조 단위를 들 수 있다. 또한, 식 중, R30은, 수소 원자 또는 메틸기이다.As a preferable specific example of structural unit (I-2-2), the structural unit represented by a following formula is mentioned. In addition, in formula, R 30 is a hydrogen atom or a methyl group.

Figure pat00012
Figure pat00012

중합체 (a1-2)에 있어서의 구조 단위 (I-2)의 함유 비율은, 중합체 (a1-2)를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 5질량% 이상이 바람직하고, 10질량% 이상이 보다 바람직하고, 15질량% 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 구조 단위 (I-2)의 함유 비율은, 중합체 (a1-2)를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 60질량% 이하가 바람직하고, 55질량% 이하가 보다 바람직하고, 50질량% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위 (I-2)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 제1 조성물의 고감도화를 도모할 수 있는 점 및, 도막이 보다 양호한 해상성을 나타내는 점에서 바람직하다.The content of the structural unit (I-2) in the polymer (a1-2) is preferably 5 mass% or more, more preferably 10 mass% or more, with respect to all the structural units constituting the polymer (a1-2). It is preferable, and 15 mass % or more is more preferable. Further, the content of the structural unit (I-2) is preferably 60% by mass or less, more preferably 55% by mass or less, and 50% by mass or less with respect to all the structural units constituting the polymer (a1-2). is more preferable. By making the content rate of structural unit (I-2) into the said range, it is preferable at the point which can attain high sensitivity of a 1st composition, and the point which shows more favorable resolution of a coating film.

제1 조성물이 중합체 (a1-2)를 포함하는 경우, [A] 중합체 성분은, 구조 단위 (I-2) 이외의 구조 단위(이하, 「그 외의 구조 단위 (2)」라고도 함)를 추가로 포함하고 있어도 좋다. 그 외의 구조 단위 (2)로서는, 가교성기를 갖는 구조 단위 (Ⅱ-2), 산성기를 갖는 구조 단위 (Ⅲ-2) 등을 들 수 있다. 그 외의 구조 단위 (2)는, 중합체 (a1-2)에 도입되어도 좋고, 중합체 (a1-2)와는 상이한 중합체의 구조 단위로서 도입되어도 좋고, 중합체 (a1-2)와는 상이한 중합체 및 중합체 (a1-2)의 양쪽에 도입되어도 좋다. 제1 조성물을 구성하는 성분의 수를 가능한 한 적게 하면서, 현상 밀착성 및 경화 밀착성의 개선 효과를 얻을 수 있는 점에서, 중합체 (a1-2)는, 구조 단위 (I-2)와 함께, 구조 단위 (Ⅱ-2) 및 구조 단위 (Ⅲ-2)를 추가로 포함하는 것이 바람직하다.When the first composition contains the polymer (a1-2), the polymer component [A] adds a structural unit other than the structural unit (I-2) (hereinafter also referred to as “other structural unit (2)”) may be included as As another structural unit (2), the structural unit (II-2) which has a crosslinkable group, the structural unit (III-2) which has an acidic group, etc. are mentioned. The other structural unit (2) may be introduced into the polymer (a1-2), may be introduced as a structural unit of a polymer different from the polymer (a1-2), or a polymer different from the polymer (a1-2) and the polymer (a1) It may be introduced on both sides of -2). The polymer (a1-2) is a structural unit together with the structural unit (I-2), in that the improvement effect of developing adhesiveness and curing adhesiveness can be acquired while the number of components which comprise a 1st composition is reduced as much as possible. It is preferable to further include (II-2) and structural unit (III-2).

·구조 단위 (Ⅱ-2)・Structural unit (Ⅱ-2)

구조 단위 (Ⅱ-2)가 갖는 가교성기는, 가열 처리에 의해 경화 반응을 일으키는 기이면 좋고, 특별히 한정되지 않는다. 열 경화성이 높은 점에서, 가교성기는 그 중에서도, 옥시라닐기 및 옥세타닐기의 한쪽 또는 양쪽인 것이 바람직하다. 구조 단위 (Ⅱ-2)의 구체예 및 바람직한 예로서는, 구조 단위 (Ⅱ-1)의 설명에 있어서 나타낸 예와 마찬가지의 예를 들 수 있다.The crosslinkable group which the structural unit (II-2) has should just be a group which raise|generates a hardening reaction by heat processing, and is not specifically limited. From a point with high thermosetting property, it is preferable that a crosslinkable group is one or both of an oxiranyl group and an oxetanyl group especially. Specific examples and preferred examples of the structural unit (II-2) include the same examples as those shown in the description of the structural unit (II-1).

중합체 (a1-2)가 구조 단위 (Ⅱ-2)를 포함하는 경우, 구조 단위 (Ⅱ-2)의 함유 비율은, 중합체 (a1-2)를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 1질량% 이상이 바람직하고, 5질량% 이상이 보다 바람직하고, 10질량% 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 구조 단위 (Ⅱ-2)의 함유 비율은, 중합체 (a1-2)를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 40질량% 이하가 바람직하고, 35질량% 이하가 보다 바람직하고, 30질량% 이하가 더욱 바람직하다.When the polymer (a1-2) contains the structural unit (II-2), the content rate of the structural unit (II-2) is 1 mass % or more with respect to all the structural units constituting the polymer (a1-2). This is preferable, 5 mass % or more is more preferable, and 10 mass % or more is still more preferable. Moreover, 40 mass % or less is preferable with respect to all the structural units which comprise a polymer (a1-2), as for the content rate of structural unit (II-2), 35 mass % or less is more preferable, 30 mass % or less is more preferable.

·구조 단위 (Ⅲ-2)・Structural unit (III-2)

알칼리 현상액에 대한 용해성을 높이거나, 경화 반응성을 높이거나 할 수 있는 점에 있어서, 중합체 (a1-2)는, 산성기를 갖는 구조 단위 (Ⅲ-2)를 추가로 포함하는 것이 바람직하다. 구조 단위 (Ⅲ-2)의 구체예 및 바람직한 예로서는, 구조 단위 (Ⅲ-1)의 설명에 있어서 나타낸 예와 마찬가지의 예를 들 수 있다.It is preferable that the polymer (a1-2) further contains the structural unit (III-2) which has an acidic group in the point which can improve the solubility with respect to an alkaline developing solution, and can improve hardening reactivity. Specific examples and preferred examples of the structural unit (III-2) include the same examples as those shown in the description of the structural unit (III-1).

중합체 (a1-2)가 구조 단위 (Ⅲ-2)를 포함하는 경우, 구조 단위 (Ⅲ-2)의 함유 비율은, 알칼리 현상액으로의 양호한 용해성을 부여하는 관점에서, 중합체 (a1-2)를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 2질량% 이상이 바람직하고, 5질량% 이상이 보다 바람직하고, 10질량% 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 구조 단위 (Ⅲ-2)의 함유 비율은, 중합체 (a1-2)를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 80질량% 이하가 바람직하고, 50질량% 이하가 보다 바람직하고, 40질량% 이하가 더욱 바람직하다.When the polymer (a1-2) contains the structural unit (III-2), the content ratio of the structural unit (III-2) is the polymer (a1-2) from the viewpoint of imparting good solubility in an alkali developer. With respect to all the structural units which comprise, 2 mass % or more is preferable, 5 mass % or more is more preferable, and 10 mass % or more is still more preferable. Moreover, as for the content rate of structural unit (III-2), 80 mass % or less is preferable with respect to all the structural units which comprise the polymer (a1-2), 50 mass % or less is more preferable, 40 mass % or less is more preferable.

제1 조성물이 중합체 (a1-2)를 포함하는 경우, [A] 중합체 성분이 포함하고 있어도 좋은 그 외의 구조 단위 (2)로서는, 그 외의 구조 단위 (1)에 있어서 예시한 구조 단위를 들 수 있다. 중합체 (a1-2)가, 그 외의 구조 단위 (2)로서, 구조 단위 (Ⅱ-2) 및 구조 단위 (Ⅲ-2) 이외의 구조 단위를 포함하는 경우, 당해 구조 단위의 함유 비율은, 중합체 (a1-2)를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 50질량% 이하가 바람직하고, 40질량% 이하가 보다 바람직하다.When the first composition contains the polymer (a1-2), [A] Examples of the other structural unit (2) that the polymer component may contain include the structural units exemplified in the other structural unit (1). have. When the polymer (a1-2) contains structural units other than the structural unit (II-2) and the structural unit (III-2) as the other structural unit (2), the content ratio of the structural unit is the polymer 50 mass % or less is preferable with respect to all the structural units which comprise (a1-2), and 40 mass % or less is more preferable.

중합체 (a1-2)는, 예를 들면, 전술한 각 구조 단위를 도입 가능한 불포화 단량체를 이용하여, 적당한 용매 중, 중합 개시제 등의 존재하에서, 라디칼 중합 등의 공지의 방법에 따라서 제조할 수 있다. 중합 방법의 상세는 중합체 (a1-1)과 마찬가지이다.The polymer (a1-2) can be produced by, for example, a known method such as radical polymerization in the presence of a polymerization initiator in a suitable solvent using an unsaturated monomer capable of introducing each structural unit described above. . The details of the polymerization method are the same as those of the polymer (a1-1).

중합체 (a1-2)에 대해, GPC에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)은, 1,000 이상인 것이 바람직하다. 중합체 (a1-2)의 Mw는, 보다 바람직하게는 2,000 이상이고, 더욱 바람직하게는 5,000 이상이다. 또한, 중합체 (a1-2)의 Mw는, 성막성을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 200,000 이하이고, 보다 바람직하게는 50,000 이하이다. 또한, 중합체 (a1-2)에 대해, 중량 평균 분자량(Mw)과 수 평균 분자량(Mn)과의 비로 나타나는 분자량 분포(Mw/Mn)는, 5.0 이하가 바람직하고, 3.0 이하가 보다 바람직하다.It is preferable that the weight average molecular weight (Mw) of polystyrene conversion by GPC about a polymer (a1-2) is 1,000 or more. Mw of a polymer (a1-2) becomes like this. More preferably, it is 2,000 or more, More preferably, it is 5,000 or more. Further, Mw of the polymer (a1-2) is preferably 200,000 or less, and more preferably 50,000 or less from the viewpoint of improving film formability. Moreover, with respect to a polymer (a1-2), 5.0 or less are preferable and, as for the molecular weight distribution (Mw/Mn) represented by ratio of a weight average molecular weight (Mw) and a number average molecular weight (Mn), 3.0 or less is more preferable.

〔실록산 폴리머에 대해서〕[About siloxane polymer]

실록산 폴리머는, 가수 분해 축합에 의해 경화막을 형성 가능하면 특별히 한정되지 않는다. 실록산 폴리머는, 하기식 (6)으로 나타나는 가수 분해성 실란 화합물을 가수 분해함으로써 얻어지는 중합체인 것이 바람직하다.A siloxane polymer will not be specifically limited if a cured film can be formed by hydrolysis-condensation. It is preferable that a siloxane polymer is a polymer obtained by hydrolyzing the hydrolysable silane compound represented by following formula (6).

(R21)rSi(OR22)4-r …(6)(R 21 ) r Si(OR 22 ) 4-r … (6)

(식 (6) 중, R21은, 비가수 분해성의 1가의 기이다. R22는, 탄소수 1∼4의 알킬기이다. r은 0∼3의 정수이다. 단, r이 2 또는 3인 경우, 식 중의 복수의 R21은, 서로 동일 또는 상이하다. r이 0∼2인 경우, 식 중의 복수의 R22는, 서로 동일 또는 상이하다.)(In formula (6), R 21 is a non-hydrolyzable monovalent group. R 22 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. r is an integer of 0 to 3. However, when r is 2 or 3 , a plurality of R 21 in the formula are the same or different from each other. When r is 0 to 2, a plurality of R 22 in the formula are the same or different from each other.)

R21로서는, 예를 들면, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 2∼20의 알케닐기, 탄소수 6∼20의 아릴기, 탄소수 7∼20의 아르알킬기, (메타)아크릴로일기를 갖는 기 및, 에폭시기를 갖는 기를 들 수 있다.R 21 is, for example, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, a (meth)acryloyl group; The group which has an epoxy group is mentioned.

R22로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기 등을 들 수 있다. 이들 중, 가수 분해성이 높은 점에서, R22는, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다.Examples of R 22 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, and a tert-butyl group. Among these, a methyl group or an ethyl group is preferable for R 22 from a point with high hydrolysis property.

r은, 바람직하게는 0∼2, 보다 바람직하게는 0 또는 1, 더욱 바람직하게는 1이다.r becomes like this. Preferably it is 0-2, More preferably, it is 0 or 1, More preferably, it is 1.

실록산 폴리머를 구성하는 단량체의 구체예로서는, 4개의 가수 분해성기를 갖는 실란 화합물로서, 예를 들면 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 트리에톡시메톡시실란, 테트라부톡시실란, 테트라페녹시실란, 테트라벤질옥시실란, 테트라-n-프로폭시실란 등을;Specific examples of the monomer constituting the siloxane polymer include a silane compound having four hydrolyzable groups, for example, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, triethoxymethoxysilane, tetrabutoxysilane, tetraphenoxysilane, tetrabenzyloxysilane, tetra-n-propoxysilane, and the like;

3개의 가수 분해성기를 갖는 실란 화합물로서, 예를 들면 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리-i-프로폭시실란, 메틸트리부톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 에틸트리-i-프로폭시실란, 에틸트리부톡시실란, 부틸트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-(메타)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메타)아크릴옥시프로필트리에톡시실란 등을;Examples of the silane compound having three hydrolyzable groups include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-i-propoxysilane, methyltributoxysilane, phenyltrimethoxysilane, and ethyltrimethoxysilane. Silane, ethyltriethoxysilane, ethyltri-i-propoxysilane, ethyltributoxysilane, butyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltrie oxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-(meth)acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-(meth)acryloxypropyltriethoxysilane, etc.;

2개의 가수 분해성기를 갖는 실란 화합물로서, 예를 들면 디메틸디메톡시실란, 디페닐디메톡시실란 등을;As a silane compound which has two hydrolysable groups, For example, dimethyldimethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, etc.;

1개의 가수 분해성기를 갖는 실란 화합물로서, 예를 들면 트리메틸메톡시실란, 트리메틸에톡시실란 등을, 각각 들 수 있다.As a silane compound which has one hydrolysable group, trimethylmethoxysilane, trimethylethoxysilane, etc. are mentioned, respectively, for example.

실록산 폴리머는, 상기의 가수 분해성 실란 화합물의 1종 또는 2종 이상과 물을, 바람직하게는 적당한 촉매 및 유기 용매의 존재하에서 가수 분해·축합시킴으로써 얻을 수 있다. 가수 분해·축합 반응에 있어서, 물의 사용 비율은, 가수 분해성 실란 화합물이 갖는 가수 분해성기(-OR22)의 합계량 1몰에 대하여, 바람직하게는 0.1∼3몰이고, 보다 바람직하게는 0.2∼2몰이고, 더욱 바람직하게는 0.5∼1.5몰이다. 이러한 양의 물을 사용함으로써, 가수 분해 축합의 반응 속도를 최적화할 수 있다.The siloxane polymer can be obtained by hydrolyzing and condensing one or two or more of the above hydrolyzable silane compounds and water, preferably in the presence of a suitable catalyst and organic solvent. In the hydrolysis/condensation reaction, the proportion of water used is preferably 0.1 to 3 moles, more preferably 0.2 to 2 moles, with respect to 1 mole of the total amount of the hydrolysable groups (-OR 22 ) of the hydrolysable silane compound. moles, and more preferably 0.5 to 1.5 moles. By using this amount of water, it is possible to optimize the reaction rate of the hydrolytic condensation.

가수 분해·축합 반응 시에 사용하는 촉매로서는, 예를 들면 산, 알칼리 금속 화합물, 유기 염기, 티탄 화합물, 지르코늄 화합물 등을 들 수 있다. 촉매의 사용량은, 촉매의 종류, 온도와 같은 반응 조건 등에 따라 상이하고, 적절히 설정되지만, 가수 분해성 실란 화합물 1몰에 대하여, 바람직하게는 0.0001∼0.2몰이고, 보다 바람직하게는 0.0005∼0.1몰이다.As a catalyst used at the time of a hydrolysis and condensation reaction, an acid, an alkali metal compound, an organic base, a titanium compound, a zirconium compound, etc. are mentioned, for example. The amount of the catalyst used varies depending on the type of catalyst and reaction conditions such as temperature and is appropriately set, but is preferably 0.0001 to 0.2 mol, more preferably 0.0005 to 0.1 mol, per 1 mol of the hydrolyzable silane compound. .

상기의 가수 분해·축합 반응 시에 사용하는 유기 용매로서는, 예를 들면 탄화수소, 케톤, 에스테르, 에테르, 알코올 등을 들 수 있다. 이들 중, 비수용성 또는 난수용성의 유기 용매를 이용하는 것이 바람직하고, 예를 들면, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 프로피온산 에스테르 화합물 등을 들 수 있다. 유기 용매의 사용 비율은, 반응에 사용하는 가수 분해성 실란 화합물의 합계 100질량부에 대하여, 바람직하게는 10∼10,000질량부이고, 보다 바람직하게는 50∼1,000질량부이다.Examples of the organic solvent used in the hydrolysis/condensation reaction include hydrocarbons, ketones, esters, ethers, and alcohols. Among these, it is preferable to use a water-insoluble or poorly water-soluble organic solvent, for example, ethylene glycol monoalkyl ether acetate, diethylene glycol dialkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetate, propionic acid ester. a compound etc. are mentioned. To [ the ratio of the organic solvent used / 100 mass parts in total of the hydrolysable silane compound used for reaction ], Preferably it is 10-10,000 mass parts, More preferably, it is 50-1,000 mass parts.

가수 분해·축합 반응 시에는, 반응 온도를 130℃ 이하로 하는 것이 바람직하고, 40∼100℃로 하는 것이 보다 바람직하다. 반응 시간은, 0.5∼24시간으로 하는 것이 바람직하고, 1∼12시간으로 하는 것이 보다 바람직하다. 반응 중은, 혼합액을 교반해도 좋고, 환류하에 두어도 좋다. 가수 분해 축합 반응 후에는, 반응 용액 중에 탈수제를 더하고, 이어서 증발시킴으로써, 물 및 생성된 알코올을 반응계로부터 제거해도 좋다.In the case of a hydrolysis/condensation reaction, it is preferable to make reaction temperature into 130 degrees C or less, and it is more preferable to set it as 40-100 degreeC. It is preferable to set it as 0.5 to 24 hours, and, as for reaction time, it is more preferable to set it as 1 to 12 hours. During the reaction, the liquid mixture may be stirred or may be placed under reflux. After the hydrolysis-condensation reaction, a dehydrating agent may be added to the reaction solution and then evaporated to remove water and the generated alcohol from the reaction system.

실록산 폴리머에 대해, GPC에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)은, 500 이상인 것이 바람직하다. Mw가 500 이상이면, 내열성이나 내용제성이 충분히 높고, 또한 양호한 현상성을 나타내는 경화막을 얻을 수 있는 점에서 바람직하다. Mw는, 보다 바람직하게는 1000 이상이다. 또한, Mw는, 성막성을 양호하게 하는 관점 및 감방사선성의 저하를 억제하는 관점에서, 바람직하게는 10000 이하이고, 보다 바람직하게는 5000 이하이다. 또한, 분자량 분포(Mw/Mn)는, 4.0 이하가 바람직하고, 3.0 이하가 보다 바람직하고, 2.5 이하가 더욱 바람직하다.It is preferable that the weight average molecular weight (Mw) of polystyrene conversion by GPC is 500 or more with respect to a siloxane polymer. If Mw is 500 or more, heat resistance and solvent resistance are sufficiently high, and it is preferable at the point which can obtain the cured film which shows favorable developability. Mw is more preferably 1000 or more. Moreover, Mw becomes like this. From a viewpoint of making film-forming property favorable, and a viewpoint of suppressing the fall of radiation sensitivity, Preferably it is 10000 or less, More preferably, it is 5000 or less. Moreover, 4.0 or less are preferable, as for molecular weight distribution (Mw/Mn), 3.0 or less are more preferable, and 2.5 or less are still more preferable.

(A-1) 중합체의 함유 비율은, 감방사선성 조성물에 포함되는 고형분의 전체량(즉, 감방사선성 조성물 중의 용제 이외의 성분의 합계 질량)에 대하여, 20질량% 이상인 것이 바람직하고, 30질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 50질량% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, (A-1) 중합체의 함유 비율은, 감방사선성 조성물에 포함되는 고형분의 전체량에 대하여, 99질량% 이하인 것이 바람직하고, 95질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. (A-1) 중합체의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 내열성 및 내약품성이 충분히 높고, 또한 양호한 현상성 및 투명성을 나타내는 경화막을 얻을 수 있다.(A-1) The content rate of the polymer is preferably 20 mass % or more with respect to the total amount of solids contained in the radiation-sensitive composition (that is, the total mass of components other than the solvent in the radiation-sensitive composition), 30 It is more preferable that it is mass % or more, and it is still more preferable that it is 50 mass % or more. Moreover, it is preferable that it is 99 mass % or less, and, as for the content rate of (A-1) polymer, it is more preferable that it is 95 mass % or less with respect to the whole amount of solid content contained in a radiation-sensitive composition. (A-1) By making the content rate of a polymer into the said range, heat resistance and chemical-resistance are sufficiently high, and the cured film which shows favorable developability and transparency can be obtained.

<[B] 실라놀 화합물><[B] Silanol compound>

[B] 실라놀 화합물은, 소수성기와 수산기가 동일한 규소 원자에 결합한 부분 구조를 갖는 화합물이다. 단, [B] 실라놀 화합물은 알콕시기를 갖지 않는다. 이와 같은 [B] 실라놀 화합물을 (A-1) 중합체와 함께 감방사선성 조성물에 함유시킴으로써, 저유전율이고, 또한 현상 밀착성이 우수한 경화막을 얻을 수 있다. 또한, [B] 실라놀 화합물은, 알칼리 현상액에 대하여 안정되고 소수적이고, 미노광부에 미치는 영향(예를 들면, 감도에의 영향)도 적은 점에서 바람직하다.[B] The silanol compound is a compound having a partial structure in which a hydrophobic group and a hydroxyl group are bonded to the same silicon atom. However, the [B] silanol compound does not have an alkoxy group. By containing such a [B] silanol compound together with the polymer (A-1) in the radiation-sensitive composition, a cured film having a low dielectric constant and excellent in image development adhesion can be obtained. Further, the [B] silanol compound is preferable because it is stable and hydrophobic to an alkaline developer and has little effect on unexposed areas (eg, on sensitivity).

[B] 실라놀 화합물이 갖는 소수성기로서는, 탄화수소기, 불소화 탄화수소기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, [B] 실라놀 화합물이 갖는 소수성기는 탄화수소기가 바람직하고, 예를 들면 탄소수 1∼12의 1가의 쇄상 탄화수소기, 탄소수 3∼12의 1가의 지환식 탄화수소기, 탄소수 6∼12의 1가의 방향족 탄화수소기 등을 들 수 있다. 이들 중, [B] 실라놀 화합물이 갖는 소수성기는, 1가의 쇄상 탄화수소기 및 1가의 방향족 탄화수소기가 바람직하고, 탄소수 1∼10의 알킬기 및 탄소수 6∼12의 아릴기가 보다 바람직하다.[B] Examples of the hydrophobic group of the silanol compound include a hydrocarbon group and a fluorinated hydrocarbon group. Among these, the hydrophobic group of the [B] silanol compound is preferably a hydrocarbon group, for example, a monovalent chain hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, and 1 having 6 to 12 carbon atoms. A valent aromatic hydrocarbon group, etc. are mentioned. Among these, the hydrophobic group of the [B] silanol compound is preferably a monovalent chain hydrocarbon group and a monovalent aromatic hydrocarbon group, and more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and an aryl group having 6 to 12 carbon atoms.

탄소수 1∼10의 알킬기는, 직쇄상이라도 분기상이라도 좋다. 탄소수 1∼10의 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, 3-펜틸기, tert-펜틸기를 들 수 있다. 이들 중에서도, 탄소수 1∼5의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼3의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기가 보다 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 더욱 바람직하다.A C1-C10 alkyl group may be linear or branched form may be sufficient as it. Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, sec-pentyl group , 3-pentyl group, and tert-pentyl group. Among these, a C1-C5 linear or branched alkyl group is preferable, a C1-C3 linear or branched alkyl group is more preferable, A methyl group or an ethyl group is still more preferable.

탄소수 6∼12의 아릴기로서는, 페닐기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, 디메틸페닐기, 디에틸페닐기, 트리메틸페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 페닐기, 메틸페닐기 또는 에틸페닐기가 바람직하고, 페닐기 또는 메틸페닐기가 보다 바람직하다.Examples of the aryl group having 6 to 12 carbon atoms include a phenyl group, a methylphenyl group, an ethylphenyl group, a dimethylphenyl group, a diethylphenyl group, a trimethylphenyl group, and a naphthyl group. Among these, a phenyl group, a methylphenyl group, or an ethylphenyl group is preferable, and a phenyl group or a methylphenyl group is more preferable.

[B] 실라놀 화합물로서 구체적으로는, 하기식 (2)로 나타나는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.[B] As the silanol compound, specifically, a compound represented by the following formula (2) can be preferably used.

(R4)mSi(OH)4-m …(2)(R 4 ) m Si(OH) 4-m … (2)

(식 (2) 중, R4는, 1가의 탄화수소기이다. m은 1∼3의 정수이다.)(In formula (2), R 4 is a monovalent hydrocarbon group. m is an integer of 1 to 3.)

상기식 (2)에 있어서, R4로 나타나는 1가의 탄화수소기는, 탄소수 1∼10의 쇄상 탄화수소기, 탄소수 3∼12의 지환식 탄화수소기, 또는 탄소수 6∼12의 방향족 탄화수소기가 바람직하다. 이들 중, 1가의 쇄상 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼10의 알킬기 및 탄소수 6∼12의 아릴기가 더욱 바람직하다.In the formula (2), the monovalent hydrocarbon group represented by R 4 is preferably a C1-C10 chain hydrocarbon group, a C3-C12 alicyclic hydrocarbon group, or a C6-C12 aromatic hydrocarbon group. Among these, a monovalent chain hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group is more preferable, and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and an aryl group having 6 to 12 carbon atoms are still more preferable.

상기식 (2) 중의 m은, 경화막의 현상 밀착성 및 저유전율화의 효과를 보다 높게 할 수 있는 점에서, 1 또는 2가 바람직하다.As for m in said Formula (2), 1 or 2 is preferable at the point which can make higher the effect of image development adhesiveness of a cured film, and low-dielectric constant-ization.

[B] 실라놀 화합물의 구체예로서는, 예를 들면, 트리메틸실라놀, 에틸디메틸실라놀, 디에틸메틸실라놀, 트리에틸실라놀, 메틸실란트리올, 디페닐실란디올, 페닐실란트리올, 트리페닐실라놀, 비스(4-톨릴)실란디올, 트리스(4-톨릴)실라놀 등을 들 수 있다.[B] Specific examples of the silanol compound include, for example, trimethylsilanol, ethyldimethylsilanol, diethylmethylsilanol, triethylsilanol, methylsilanetriol, diphenylsilanediol, phenylsilanetriol, and trimethylsilanol. phenylsilanol, bis(4-tolyl)silanediol, tris(4-tolyl)silanol, etc. are mentioned.

막을 형성할 때에는, 통상, 감방사선성 조성물로 이루어지는 도포막을 가열(프리베이킹)함으로써, 감방사선성 조성물에 포함되는 용제 성분을 제거하는 처리가 행해진다. 이 프리베이킹 시에 [B] 실라놀 화합물의 휘발을 억제하여, 프리베이킹 후의 막 중에 [B] 실라놀 화합물을 많이 잔존시키는 관점에서, [B] 실라놀 화합물로서는, 비점이 충분히 높은 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, [B] 실라놀 화합물의 비점은, 80℃ 이상인 것이 바람직하고, 95℃ 이상인 것이 보다 바람직하고, 120℃ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 150℃ 이상인 것이 보다 더욱 바람직하고, 180℃ 이상인 것이 한층 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서, 화합물의 비점은 1기압하에서의 값이다.When forming a film|membrane, the process which removes the solvent component contained in a radiation-sensitive composition by heating (pre-baking) the coating film which consists of a radiation-sensitive composition is normally performed. From the viewpoint of suppressing volatilization of the [B] silanol compound during this prebaking and allowing a large amount of the [B] silanol compound to remain in the film after prebaking, as the [B] silanol compound, a compound having a sufficiently high boiling point is preferable. can be used Specifically, the boiling point of the [B] silanol compound is preferably 80°C or higher, more preferably 95°C or higher, still more preferably 120°C or higher, even more preferably 150°C or higher, and even more preferably 180°C or higher. more preferably. In addition, in this specification, the boiling point of a compound is a value under 1 atm.

[B] 실라놀 화합물은, 비점이 프리베이킹 온도보다도 고온인 것이 바람직하다. 프리베이킹 온도보다도 비점이 높은 실라놀 화합물을 이용함으로써, 프리베이킹 후의 막 중에 잔존하는 [B] 실라놀 화합물의 양을 많게 할 수 있어, 경화막의 현상 밀착성 및 저유전율화의 개선 효과를 보다 높일 수 있다. 구체적으로는, [B] 실라놀 화합물의 비점은, 프리베이킹 온도보다도 5℃ 이상 높은 것이 바람직하고, 10℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 20℃ 이상 높은 것이 더욱 바람직하고, 30℃ 이상 높은 것이 보다 더욱 바람직하고, 50℃ 이상 높은 것이 한층 바람직하다.[B] It is preferable that the boiling point of the silanol compound is higher than the prebaking temperature. By using a silanol compound having a boiling point higher than the prebaking temperature, the amount of [B] silanol compound remaining in the film after prebaking can be increased, and the effect of improving the development adhesion and low dielectric constant of the cured film can be further enhanced. have. Specifically, the boiling point of the [B] silanol compound is preferably 5°C or higher higher than the pre-baking temperature, more preferably 10°C or higher, still more preferably 20°C or higher, and more preferably 30°C or higher. It is more preferable, and it is still more preferable that it is high 50 degreeC or more.

[B] 실라놀 화합물로서는, 상기 중에서도, 고비점 또한 고소수성이고, 경화막의 현상 밀착성 및 저유전율화의 개선 효과를 높게 할 수 있는 점에 있어서, 방향환을 갖는 화합물을 특히 바람직하게 사용할 수 있다. 이와 같은 [B] 실라놀 화합물의 구체예로서는, 디페닐실란디올, 페닐실란트리올, 트리페닐실라놀, 비스(4-톨릴)실란디올, 트리스(4-톨릴)실라놀 등을 들 수 있다. 경화막의 현상 밀착성 및 저유전율화의 개선 효과가 보다 높은 점에서, 이들 중, 방향환을 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하고, 방향환을 3개 이상 갖는 화합물이 보다 바람직하다.[B] Among the above, as the silanol compound, a compound having an aromatic ring can be particularly preferably used in that it has a high boiling point and high hydrophobicity and can enhance the effect of improving the development adhesion and low dielectric constant of the cured film. . Specific examples of the [B] silanol compound include diphenylsilanediol, phenylsilanetriol, triphenylsilanol, bis(4-tolyl)silanediol, and tris(4-tolyl)silanol. Since the improvement effect of the image development adhesiveness of a cured film and low-dielectric-ization-ization is higher, the compound which has two or more aromatic rings among these is preferable, and the compound which has three or more aromatic rings is more preferable.

[B] 실라놀 화합물의 분자량은, 90 이상이 바람직하고, 100 이상이 보다 바람직하고, 150 이상이 더욱 바람직하다. 또한, [B] 실라놀 화합물의 분자량은, 500 이하가 바람직하고, 450 이하가 보다 바람직하고, 400 이하가 더욱 바람직하다. [B] 실라놀 화합물이 상기 범위이면, 감방사선성 조성물의 감도 및 현상 용해성의 저하를 억제하면서, 경화막의 현상 밀착성을 높게 할 수 있고, 또한 저유전율화를 도모할 수 있는 점에서 적합하다.[B] The molecular weight of the silanol compound is preferably 90 or more, more preferably 100 or more, and still more preferably 150 or more. Further, the molecular weight of the [B] silanol compound is preferably 500 or less, more preferably 450 or less, and still more preferably 400 or less. [B] When the silanol compound is within the above range, it is suitable from the viewpoint that the developing adhesiveness of the cured film can be made high and the dielectric constant can be reduced while suppressing the decrease in the sensitivity and development solubility of the radiation-sensitive composition.

제1 조성물에 있어서, [B] 실라놀 화합물의 함유 비율은, (A-1) 중합체 100질량부에 대하여, 0.5질량부 이상인 것이 바람직하고, 1질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 2질량부 이상인 것이 더욱 바람직하고, 3질량부 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, [B] 실라놀 화합물의 함유 비율은, (A-1) 중합체 100질량부에 대하여, 25질량부 이하인 것이 바람직하고, 20질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 15질량부 이하인 것이 더욱 바람직하다. [B] 실라놀 화합물의 함유 비율이 0.5질량부 이상인 경우, [B] 실라놀 화합물을 막 중에 존재시킴에 의한 도막의 현상 밀착성 및 저유전율화의 개선 효과를 충분히 얻을 수 있는 점에서 바람직하다. 또한, [B] 실라놀 화합물의 함유 비율이 25질량부 이하인 경우, [B] 실라놀 화합물에 기인하는 감도의 저하를 억제할 수 있는 점에서 바람직하다.In the first composition, the content of the [B] silanol compound is preferably 0.5 parts by mass or more, more preferably 1 part by mass or more, and 2 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the polymer (A-1). It is more preferable, and it is especially preferable that it is 3 mass parts or more. Further, the content of the [B] silanol compound is preferably 25 parts by mass or less, more preferably 20 parts by mass or less, further preferably 15 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer (A-1). . [B] When the content of the silanol compound is 0.5 parts by mass or more, the [B] silanol compound is preferably present in the film, from the viewpoint of sufficiently improving the development adhesion and low dielectric constant of the coating film. Moreover, when the content rate of the [B] silanol compound is 25 mass parts or less, it is preferable at the point which can suppress the fall of the sensitivity resulting from the [B] silanol compound.

< [C] 광 산 발생제>< [C] Photoacid generator>

광 산 발생제는, 방사선 조사에 의해 산을 발생하는 화합물이면 좋고, 특별히 한정되지 않는다. 광 산 발생제로서는, 예를 들면, 옥심술포네이트 화합물, 오늄염, 술폰이미드 화합물, 할로겐 함유 화합물, 디아조메탄 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 에스테르 화합물, 카본산 에스테르 화합물, 퀴논디아지드 화합물을 들 수 있다.The photoacid generator may be a compound that generates an acid upon irradiation with radiation, and is not particularly limited. Examples of the photoacid generator include an oxime sulfonate compound, an onium salt, a sulfonimide compound, a halogen-containing compound, a diazomethane compound, a sulfone compound, a sulfonic acid ester compound, a carbonic acid ester compound, and a quinonediazide compound. can be heard

옥심술포네이트 화합물, 오늄염, 술폰이미드 화합물, 할로겐 함유 화합물, 디아조메탄 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 에스테르 화합물 및, 카본산 에스테르 화합물의 구체예로서는, 일본공개특허공보 2014-157252호의 단락 0078∼0106에 기재된 화합물, 국제공개 제2016/124493호에 기재된 화합물 등을 들 수 있다. 광 산 발생제로서는, 방사선 감도의 관점에서, 옥심술포네이트 화합물 및 술폰이미드 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용하는 것이 바람직하다.As specific examples of oxime sulfonate compounds, onium salts, sulfonimide compounds, halogen-containing compounds, diazomethane compounds, sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, and carbonic acid ester compounds, paragraphs 0078 to JP-A 2014-157252 The compound of 0106, the compound of international publication 2016/124493, etc. are mentioned. As a photoacid generator, it is preferable to use at least 1 sort(s) selected from the group which consists of an oxime sulfonate compound and a sulfonimide compound from a viewpoint of radiation sensitivity.

옥심술포네이트 화합물은, 하기식 (7)로 나타나는 술포네이트기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.It is preferable that an oxime sulfonate compound is a compound which has a sulfonate group represented by following formula (7).

Figure pat00013
Figure pat00013

(식 (7) 중, R23은, 1가의 탄화수소기, 또는 당해 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 일부 혹은 전부가 치환기로 치환된 1가의 기이다. 「*」는 결합손인 것을 나타낸다.)(In formula (7), R 23 is a monovalent hydrocarbon group or a monovalent group in which some or all of the hydrogen atoms of the hydrocarbon group are substituted with substituents. “*” represents a bond.)

상기식 (7)에 있어서, R23의 1가의 탄화수소기로서는, 예를 들면, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 4∼12의 사이클로알킬기, 탄소수 6∼20의 아릴기 등을 들 수 있다. 치환기로서는, 예를 들면, 탄소수 1∼5의 알킬기, 탄소수 1∼5의 알콕시기, 옥소기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다.In the formula (7), examples of the monovalent hydrocarbon group for R 23 include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 12 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 20 carbon atoms. As a substituent, a C1-C5 alkyl group, a C1-C5 alkoxy group, an oxo group, a halogen atom etc. are mentioned, for example.

옥심술포네이트 화합물을 예시하면, (5-프로필술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, (5-옥틸술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, (캠퍼술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, (5-p-톨루엔술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, {2-[2-(4-메틸페닐술포닐옥시이미노)]-2,3-디하이드로티오펜-3-일리덴}-2-(2-메틸페닐)아세토니트릴, 2-(옥틸술포닐옥시이미노)-2-(4-메톡시페닐)아세토니트릴, 국제공개 제2016/124493호에 기재된 화합물 등을 들 수 있다. 옥심술포네이트 화합물의 시판품으로서는, BASF사 제조의 Irgacure PAG121 등을 들 수 있다.Examples of the oximesulfonate compound include (5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl)acetonitrile, (5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophene) -2-ylidene)-(2-methylphenyl)acetonitrile, (camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl)acetonitrile, (5-p-toluenesulfonyloxyii mino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl)acetonitrile, {2-[2-(4-methylphenylsulfonyloxyimino)]-2,3-dihydrothiophen-3-yl den}-2-(2-methylphenyl)acetonitrile, 2-(octylsulfonyloxyimino)-2-(4-methoxyphenyl)acetonitrile, the compound of International Publication No. 2016/124493, etc. are mentioned. . As a commercial item of an oxime sulfonate compound, the BASF company Irgacure PAG121 etc. are mentioned.

술폰이미드 화합물을 예시하면, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)숙신이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)숙신이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)프탈이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)프탈이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)프탈이미드, N-(2-플루오로페닐술포닐옥시)프탈이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)디페닐말레이미드, (4-메틸페닐술포닐옥시)디페닐말레이미드, 트리플루오로메탄술폰산-1,8-나프탈이미드를 들 수 있다.Examples of the sulfonimide compound include N-(trifluoromethylsulfonyloxy)succinimide, N-(camphorsulfonyloxy)succinimide, N-(4-methylphenylsulfonyloxy)succinimide, N -(2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy)succinimide, N-(4-fluorophenylsulfonyloxy)succinimide, N-(trifluoromethylsulfonyloxy)phthalimide, N-( Camphorsulfonyloxy)phthalimide, N-(2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy)phthalimide, N-(2-fluorophenylsulfonyloxy)phthalimide, N-(trifluoromethylsulf Ponyloxy)diphenylmaleimide, N-(camphorsulfonyloxy)diphenylmaleimide, (4-methylphenylsulfonyloxy)diphenylmaleimide, and trifluoromethanesulfonic acid-1,8-naphthalimide. can

광 산 발생제로서는, 옥심술포네이트 화합물, 오늄염, 술폰이미드 화합물, 할로겐 함유 화합물, 디아조메탄 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 에스테르 화합물 및, 카본산 에스테르 화합물 중 1종 이상과, 퀴논디아지드 화합물을 병용해도 좋다. 또한, 퀴논디아지드 화합물을 단독으로 이용해도 좋다.Examples of the photoacid generator include at least one of an oxime sulfonate compound, an onium salt, a sulfonimide compound, a halogen-containing compound, a diazomethane compound, a sulfone compound, a sulfonic acid ester compound, and a carbonic acid ester compound, and a quinonediazide. You may use a compound together. Moreover, you may use independently a quinonediazide compound.

퀴논디아지드 화합물은, 방사선의 조사에 의해 카본산을 발생하는 감방사선성 산 발생체이다. 퀴논디아지드 화합물로서는, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(이하 「모핵」이라고도 함)과, 오르토나프토퀴논디아지드 화합물과의 축합물을 들 수 있다. 이들 중, 사용하는 퀴논디아지드 화합물은, 모핵으로서의 페놀계 수산기를 갖는 화합물과, 오르토나프토퀴논디아지드 화합물과의 축합물이 바람직하다. 모핵의 구체예로서는, 예를 들면, 일본공개특허공보 2014-186300호의 단락 0065∼0070에 기재된 화합물을 들 수 있다. 오르토나프토퀴논디아지드 화합물은, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드가 바람직하다.A quinonediazide compound is a radiation-sensitive acid generator which generate|occur|produces a carboxylic acid by irradiation of a radiation. Examples of the quinonediazide compound include a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter also referred to as a “mother nucleus”) and an orthonaphthoquinonediazide compound. Among these, as for the quinonediazide compound to be used, the condensate of the compound which has a phenol-type hydroxyl group as a mother nucleus, and an orthonaphthoquinonediazide compound is preferable. As a specific example of a mother nucleus, the compound of Paragraph 0065 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2014-186300 - 0070 is mentioned, for example. The orthonaphthoquinone diazide compound is preferably a 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide.

퀴논디아지드 화합물로서는, 모핵으로서의 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물과, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드와의 축합물을 바람직하게 사용할 수 있고, 페놀성 화합물과 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드와의 축합물을 보다 바람직하게 사용할 수 있다.As a quinonediazide compound, the condensate of a phenolic compound or alcoholic compound as a mother nucleus, and 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide can be used preferably, A phenolic compound and 1,2-naphthoquinonedia A condensate with a zidsulfonic acid halide can be used more preferably.

퀴논디아지드 화합물의 구체예로서는, 4,4'-디하이드록시디페닐메탄, 2,3,4,2',4'-펜타하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 트리(p-하이드록시페닐)메탄, 1,1,1-트리(p-하이드록시페닐)메탄, 1,1,1-트리(p-하이드록시페닐)에탄, 1,1-비스(4-하이드록시페닐)-1-페닐에탄, 1,3-비스[1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]벤젠, 1,4-비스[1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]벤젠, 4,6-비스[1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]-1,3-디하이드록시벤젠 및, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀로부터 선택되는 페놀성 수산기 함유 화합물과, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 클로라이드 또는 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드와의 에스테르 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the quinonediazide compound include 4,4'-dihydroxydiphenylmethane, 2,3,4,2',4'-pentahydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy Benzophenone, tri (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl)-1-phenylethane, 1,3-bis[1-(4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl]benzene, 1,4-bis[1-(4-hydroxyphenyl) )-1-methylethyl]benzene, 4,6-bis[1-(4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl]-1,3-dihydroxybenzene and 4,4′-[1-[ A compound containing a phenolic hydroxyl group selected from 4-[1-[4-hydroxyphenyl]-1-methylethyl]phenyl]ethylidene]bisphenol, and 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid chloride or 1 and ester compounds with ,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride.

상기 축합물을 얻기 위한 축합 반응에 있어서, 모핵과 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드와의 비율은, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드의 사용량을, 모핵 중의 OH기의 수에 대하여, 바람직하게는 30∼85몰%, 보다 바람직하게는 50∼70몰%에 상당하는 양으로 한다. 또한, 상기 축합 반응은, 공지의 방법에 따라서 행할 수 있다.In the condensation reaction for obtaining the above-mentioned condensate, the ratio of the mother nucleus to the 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide is the amount of 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide, the number of OH groups in the mother nucleus. , Preferably it is 30-85 mol%, More preferably, it is set as the amount corresponding to 50-70 mol%. In addition, the said condensation reaction can be performed according to a well-known method.

제1 조성물에 있어서, [C] 광 산 발생제의 함유 비율은, (A-1) 중합체 100질량부에 대하여, 0.05질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.1질량부 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, [C] 광 산 발생제의 함유 비율은, (A-1) 중합체 100질량부에 대하여, 20질량부 이하인 것이 바람직하고, 15질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. [C] 광 산 발생제의 함유 비율을 0.05질량부 이상으로 하면, 방사선의 조사에 의해 산이 충분히 생성되어, 알칼리 용액에 대한, 방사선의 조사 부분과 미조사 부분과의 용해도의 차를 충분히 크게 할 수 있다. 이에 따라, 양호한 패터닝을 행할 수 있다. 또한, [A] 중합체 성분과의 반응에 관여하는 산의 양을 많게 할 수 있어, 내열성 및 내용제성을 충분히 확보할 수 있다. 한편, [C] 광 산 발생제의 함유 비율을 20질량부 이하로 함으로써, 노광 후에 있어서 미반응의 광 산 발생제의 양을 충분히 적게 할 수 있어, [C] 광 산 발생제의 잔존에 의한 현상성의 저하를 억제할 수 있는 점에서 적합하다.1st composition WHEREIN: It is preferable that it is 0.05 mass part or more, and, as for the content rate of [C] photoacid generator, it is preferable with respect to 100 mass parts of (A-1) polymers, and it is more preferable that it is 0.1 mass part or more. Moreover, it is preferable that it is 20 mass parts or less with respect to 100 mass parts of (A-1) polymers, and, as for the content rate of [C] photoacid generator, it is more preferable that it is 15 mass parts or less. [C] When the content ratio of the photoacid generator is 0.05 parts by mass or more, the acid is sufficiently generated by irradiation with radiation, and the difference in solubility between the irradiated portion and the unirradiated portion in the alkaline solution is sufficiently large. can Thereby, favorable patterning can be performed. In addition, the amount of the acid involved in the reaction with the polymer component [A] can be increased, so that heat resistance and solvent resistance can be sufficiently secured. On the other hand, when the content ratio of the [C] photo acid generator is 20 parts by mass or less, the amount of the unreacted photo acid generator after exposure can be sufficiently reduced, and It is suitable at the point which can suppress the fall of developability.

여기에서, 현상 시에 미노광부의 단부에 있어서 흡수가 발생한 경우, 미노광부의 단부에 존재하는 알콕시기가 실라놀기로 됨으로써 미노광부의 단부의 친수성이 증가하여, 도막의 현상 밀착성이 저하되는 것을 생각할 수 있다. 이러한 현상 밀착성의 저하를 억제하기 위해, 감방사선성 조성물에 소수성 첨가제를 배합하거나, 중합체 성분에 소수성 단량체에 유래하는 구조 단위를 도입하거나 함으로써 막의 소수성을 높게 하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 막의 소수성을 올리면, 감방사선성 조성물의 감도의 저하를 초래하기 쉬워진다. 이에 대하여, 본 개시에 있어서는, (A-1) 중합체를 이용한 감방사선성 조성물에 [B] 실라놀 화합물을 배합함으로써, 감방사선성 조성물의 감도를 높게 유지하면서, 감방사선성 조성물에 의해 형성되는 경화막의 현상 밀착성을 높일 수 있다.Here, when absorption occurs at the end of the unexposed portion during development, it is conceivable that the alkoxy group present at the end of the unexposed portion becomes a silanol group, thereby increasing the hydrophilicity of the end of the unexposed portion and lowering the developing adhesion of the coating film. have. In order to suppress the fall of such image development adhesiveness, it is conceivable to make the hydrophobicity of a film|membrane high by mix|blending a hydrophobic additive with a radiation-sensitive composition, or introduce|transducing the structural unit derived from a hydrophobic monomer into a polymer component. However, if the hydrophobicity of the film is increased, the sensitivity of the radiation-sensitive composition is likely to be lowered. On the other hand, in the present disclosure, by blending the [B] silanol compound in the radiation-sensitive composition using the (A-1) polymer, while maintaining the high sensitivity of the radiation-sensitive composition, the radiation-sensitive composition is formed by The image development adhesiveness of a cured film can be improved.

또한, 현상 시에 미노광부의 단부에서 흡수가 발생하여, 미노광부의 알콕시기가 실라놀기로 변화한 경우, 중합체 측쇄에 수산기가 존재함으로써, 경화막의 유전율이 높아지는 것을 생각할 수 있다. 이에 대하여, 본 개시에 있어서는, (A-1) 중합체를 이용한 감방사선성 조성물에 [B] 실라놀 화합물을 배합함으로써, 경화막의 저유전율화를 도모할 수 있다.Moreover, when absorption arises at the edge part of an unexposed part at the time of image development, and the alkoxy group of an unexposed part changes to a silanol group, it is conceivable that the dielectric constant of a cured film becomes high because a hydroxyl group exists in a polymer side chain. On the other hand, in this indication, the dielectric constant of a cured film can be reduced by mix|blending the [B] silanol compound in the radiation-sensitive composition using the (A-1) polymer.

또한, 본 개시의 상기 효과는, [B] 실라놀 화합물이 갖는 소수성기에 의해 기판 표면이 소수화된 것이나, 미노광부의 단부에 존재하는 실라놀기가 [B] 실라놀 화합물에 의해 캡된 것에 의한 것이라고 추찰된다. 단, 이 추찰은 본 개시의 내용을 하등 한정하는 것은 아니다.In addition, it is assumed that the above effect of the present disclosure is due to the fact that the surface of the substrate is hydrophobized by the hydrophobic group of the [B] silanol compound or that the silanol group present at the end of the unexposed portion is capped with the [B] silanol compound. do. However, this guess does not limit the content of this indication at all.

<그 외의 성분><Other ingredients>

제1 조성물은, 전술한 [A] 중합체 성분, [B] 실라놀 화합물 및 [C] 광 산 발생제에 더하여, 이들 이외의 성분(이하, 「그 외의 성분」이라고도 함)을 추가로 함유하고 있어도 좋다.In addition to the above-mentioned [A] polymer component, [B] silanol compound and [C] photo acid generator, the first composition further contains components other than these (hereinafter also referred to as "other components"), good to be

(용제)(solvent)

제1 조성물은, [A] 중합체 성분, [B] 실라놀 화합물, [C] 광 산 발생제 및, 필요에 따라서 배합되는 성분이, 바람직하게는 용제에 용해 또는 분산된 액상의 조성물이다. 사용하는 용제로서는, 제1 조성물에 배합되는 각 성분을 용해하고, 또한 각 성분과 반응하지 않는 유기 용매가 바람직하다.The first composition is a liquid composition in which [A] polymer component, [B] silanol compound, [C] photo acid generator, and components to be blended as necessary are preferably dissolved or dispersed in a solvent. As a solvent to be used, the organic solvent which melt|dissolves each component mix|blended with the 1st composition and does not react with each component is preferable.

용제의 구체예로서는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 옥탄올 등의 알코올류; 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 락트산 에틸, γ-부티로락톤, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등의 에스테르류; 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌디글리콜모노메틸에테르, 에틸렌디글리콜에틸메틸에테르, 디메틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등의 에테르류; 디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로헥산온 등의 케톤류; 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 에틸벤젠 등의 방향족 탄화수소를 들 수 있다. 이들 중, 용제는, 에테르류 및 에스테르류로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하고, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르 및, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 보다 바람직하다.Specific examples of the solvent include alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, butanol, and octanol; esters such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, methyl 3-methoxypropionate, and ethyl 3-ethoxypropionate; Ethers, such as ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene diglycol monomethyl ether, ethylene diglycol ethyl methyl ether, dimethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, and diethylene glycol ethyl methyl ether; amides such as dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone; and aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene and ethylbenzene. Among these, the solvent preferably contains at least one selected from the group consisting of ethers and esters, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol, propylene glycol monoalkyl ether, and propylene glycol monoalkyl ether. It is more preferable that it is at least 1 sort(s) chosen from the group which consists of acetate.

(밀착 조제)(adhesive preparation)

밀착 조제는, 감방사선성 조성물을 이용하여 형성되는 경화막과 기판과의 접착성을 향상시키는 성분이다. 밀착 조제로서는, 반응성 관능기를 갖는 관능성 실란 커플링제를 바람직하게 사용할 수 있다. 관능성 실란 커플링제가 갖는 반응성 관능기로서는, 카복시기, (메타)아크릴로일기, 에폭시기, 비닐기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다.Adhesion adjuvant is a component which improves the adhesiveness of the cured film formed using a radiation-sensitive composition, and a board|substrate. As the adhesion aid, a functional silane coupling agent having a reactive functional group can be preferably used. As a reactive functional group which a functional silane coupling agent has, a carboxy group, a (meth)acryloyl group, an epoxy group, a vinyl group, an isocyanate group, etc. are mentioned.

관능성 커플링제의 구체예로서는, 예를 들면, 트리메톡시실릴벤조산, 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-(메타)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메타)아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다.Specific examples of the functional coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, 2-(3,4-epoxy) Cyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-(meth)acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-(meth)acryloxypropyltriethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, 3-isocyanate Propyltriethoxysilane etc. are mentioned.

제1 조성물에 밀착 조제를 배합하는 경우, 그의 함유 비율은, (A-1) 중합체 100질량부에 대하여, 0.01질량부 이상 30질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.1질량부 이상 20질량부 이하인 것이 보다 바람직하다.When blending the adhesion aid in the first composition, its content is preferably 0.01 parts by mass or more and 30 parts by mass or less, and more preferably 0.1 parts by mass or more and 20 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the (A-1) polymer. desirable.

(산 확산 제어제)(acid diffusion control agent)

산 확산 제어제는, 노광에 의해 [C] 광 산 발생제로부터 발생한 산의 확산 길이를 제어하는 성분이다. 제1 조성물에 산 확산 제어제를 배합함으로써, 산의 확산 길이를 적절히 제어할 수 있어, 패턴 현상성을 양호하게 할 수 있다. 또한, 산 확산 제어제를 배합함으로써, 현상 밀착성의 향상을 도모하면서, 내약품성을 높일 수 있다.The acid diffusion control agent is a component that controls the diffusion length of the acid generated from the [C] photo acid generator by exposure. By mix|blending an acid diffusion controlling agent with a 1st composition, the diffusion length of an acid can be suitably controlled, and pattern developability can be made favorable. Moreover, chemical-resistance can be improved, aiming at the improvement of image development adhesiveness by mix|blending an acid diffusion control agent.

산 확산 제어제로서는, 화학 증폭 레지스트에 있어서 산 확산 제어제로서 이용되는 염기성 화합물 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 이러한 염기성 화합물로서는, 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 방향족 아민, 4급 암모늄하이드록사이드, 카본산 4급 암모늄염 등을 들 수 있다. 화학 증폭 레지스트에 있어서 산 확산 제어제로서 이용되는 염기성 화합물의 구체예로서는, 일본공개특허공보 2011-232632호의 단락 0128∼0147에 기재된 화합물 등을 들 수 있다. 제1 조성물에 배합되는 산 확산 제어제로서는, 방향족 아민 및 복소환식 방향족 아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 바람직하게 사용할 수 있다.The acid diffusion controlling agent can be arbitrarily selected from among basic compounds used as acid diffusion controlling agents in chemically amplified resists. Examples of such basic compounds include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic aromatic amines, quaternary ammonium hydroxides, and quaternary ammonium carbonate salts. As a specific example of the basic compound used as an acid diffusion control agent in a chemically amplified resist, the compound etc. which were described in Paragraph 0128-0147 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-232632 are mentioned. At least one selected from the group consisting of aromatic amines and heterocyclic aromatic amines can be preferably used as the acid diffusion controlling agent to be blended in the first composition.

방향족 아민 및 복소환식 방향족 아민으로서는, 아닐린 유도체, 이미다졸 유도체 및 피롤 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 바람직하게 사용할 수 있다. 방향족 아민 및 복소환식 방향족 아민의 구체예로서는, 예를 들면, 아닐린, N-메틸아닐린, N-에틸아닐린, N-프로필아닐린, N,N-디메틸아닐린, 2-메틸아닐린, 3-메틸아닐린, 4-메틸아닐린, 에틸아닐린, 프로필아닐린, 트리메틸아닐린, 2-니트로아닐린, 3-니트로아닐린, 4-니트로아닐린, 2,4-디니트로아닐린, 2,6-디니트로아닐린, 3,5-디니트로아닐린, N,N-디메틸톨루이딘 등의 아닐린 유도체; 이미다졸, 4-메틸이미다졸, 4-메틸-2-페닐이미다졸, 벤즈이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 트리페닐이미다졸, N-(tert-부톡시카보닐)-2-페닐벤즈이미다졸 등의 이미다졸 유도체; 피롤, 2H-피롤, 1-메틸피롤, 2,4-디메틸피롤, 2,5-디메틸피롤, N-메틸피롤 등의 피롤 유도체; 피리딘, 메틸피리딘, 에틸피리딘, 프로필피리딘, 부틸피리딘, 4-(1-부틸펜틸)피리딘, 디메틸피리딘, 트리메틸피리딘, 트리에틸피리딘, 페닐피리딘, 3-메틸-2-페닐피리딘, 3-메틸-4-페닐피리딘, 4-tert-부틸피리딘, 디페닐피리딘, 벤질피리딘, 메톡시피리딘, 부톡시피리딘, 디메톡시피리딘, 1-메틸-2-피리돈, 4-피롤리디노피리딘, 1-메틸-4-페닐피리딘, 2-(1-에틸프로필)피리딘, 아미노피리딘, 디메틸아미노피리딘, 니코틴 등의 피리딘 유도체 외에, 일본공개특허공보 2011-232632호에 기재된 화합물을 들 수 있다.As the aromatic amine and the heterocyclic aromatic amine, at least one selected from the group consisting of aniline derivatives, imidazole derivatives and pyrrole derivatives can be preferably used. Specific examples of the aromatic amine and the heterocyclic aromatic amine include aniline, N-methylaniline, N-ethylaniline, N-propylaniline, N,N-dimethylaniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4 -Methylaniline, ethylaniline, propylaniline, trimethylaniline, 2-nitroaniline, 3-nitroaniline, 4-nitroaniline, 2,4-dinitroaniline, 2,6-dinitroaniline, 3,5-dinitro aniline derivatives such as aniline and N,N-dimethyltoluidine; Imidazole, 4-methylimidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole, benzimidazole, 2-phenylbenzimidazole, triphenylimidazole, N-(tert-butoxycarbonyl)-2 -imidazole derivatives such as phenylbenzimidazole; pyrrole derivatives such as pyrrole, 2H-pyrrole, 1-methylpyrrole, 2,4-dimethylpyrrole, 2,5-dimethylpyrrole, and N-methylpyrrole; Pyridine, methylpyridine, ethylpyridine, propylpyridine, butylpyridine, 4-(1-butylpentyl)pyridine, dimethylpyridine, trimethylpyridine, triethylpyridine, phenylpyridine, 3-methyl-2-phenylpyridine, 3-methyl- 4-phenylpyridine, 4-tert-butylpyridine, diphenylpyridine, benzylpyridine, methoxypyridine, butoxypyridine, dimethoxypyridine, 1-methyl-2-pyridone, 4-pyrrolidinopyridine, 1-methyl In addition to pyridine derivatives such as -4-phenylpyridine, 2-(1-ethylpropyl)pyridine, aminopyridine, dimethylaminopyridine and nicotine, the compound described in JP 2011-232632 A can be mentioned.

제1 조성물에 산 확산 제어제를 배합하는 경우, 그의 함유 비율은, 산 확산 제어제의 배합에 의한 내약품성의 개선 효과를 충분히 얻는 관점에서, (A-1) 중합체 100질량부에 대하여, 0.005질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.01질량부 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 산 확산 제어제의 함유 비율은, (A-1) 중합체 100질량부에 대하여, 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 5질량부 이하인 것이 보다 바람직하다.When the acid diffusion controlling agent is blended in the first composition, the content ratio thereof is 0.005 with respect to 100 parts by mass of the polymer (A-1) from the viewpoint of sufficiently obtaining the effect of improving chemical resistance by blending the acid diffusion controlling agent. It is preferable that it is mass part or more, and it is more preferable that it is 0.01 mass part or more. Moreover, it is preferable that it is 10 mass parts or less with respect to 100 mass parts of (A-1) polymers, and, as for the content rate of an acid diffusion controlling agent, it is more preferable that it is 5 mass parts or less.

(염기성 화합물)(basic compound)

제1 조성물은, 염기성 화합물(단, 산 확산 제어제를 제외한다. 이하, 「[E] 염기성 화합물」이라고도 한다.)을 함유하고 있어도 좋다. [B] 실라놀 화합물과 [E] 염기성 화합물을 병용함으로써, 경화막의 현상 밀착성을 더욱 높일 수 있다. 또한, [E] 염기성 화합물을 추가로 포함하는 제1 조성물에 의하면, 유전율이 보다 낮은 경화막을 얻을 수 있다.The first composition may contain a basic compound (however, the acid diffusion controlling agent is excluded. Hereinafter, also referred to as "[E] basic compound"). [B] By using a silanol compound and a [E] basic compound together, the image development adhesiveness of a cured film can be improved further. Moreover, according to the 1st composition further containing [E] a basic compound, the cured film with a lower dielectric constant can be obtained.

[E] 염기성 화합물은, 무기 염기(탄산나트륨 등)라도 좋고, 유기 염기라도 좋고, 그들 양쪽이라도 좋다. 현상 밀착성의 개선 효과가 높은 점에 있어서, [E] 염기성 화합물은 유기 염기가 바람직하다.[E] The basic compound may be an inorganic base (such as sodium carbonate), an organic base, or both. The point with the high improvement effect of image development adhesiveness WHEREIN: As for [E] basic compound, an organic base is preferable.

[E] 염기성 화합물은, 산 해리 정수 (pKa)가 8 이상인 유기 염기가 바람직하다. 이러한 유기 염기로서는, 제1급 쇄상 아민, 제2급 쇄상 아민, 제3급 쇄상 아민, 지환식 아민, 방향족 아민, 아미딘류, 구아니딘류, 유기 포스파젠류 등을 들 수 있다. 감도의 저하를 억제하면서 현상 밀착성의 개선 효과를 충분히 얻을 수 있는 점에서, [E] 염기성 화합물은, 이들 유기 염기 중에서도, 아미딘류, 구아니딘류 및 유기 포스파젠류로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 바람직하다.[E] The basic compound is preferably an organic base having an acid dissociation constant (pKa) of 8 or more. Examples of such an organic base include primary chain amines, secondary chain amines, tertiary chain amines, alicyclic amines, aromatic amines, amidines, guanidines, and organic phosphazenes. [E] The basic compound is at least one selected from the group consisting of amidines, guanidines, and organic phosphazenes among these organic bases, from the viewpoint that the effect of improving the development adhesion can be sufficiently obtained while suppressing the decrease in sensitivity. desirable.

이들의 구체예로서는, 아미딘류로서, 디아자바이사이클로노넨(1,5-디아자바이사이클로[4.3.0]노나-5-엔, DBN), 디아자바이사이클로운데센(1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]운데카-7-엔, DBU), 6-디부틸아미노-1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]운데카-7-엔(DBA-DBU) 등의 환상 아미딘류를 들 수 있다.Specific examples of these include amidines, such as diazabicyclononene (1,5-diazabicyclo[4.3.0]nona-5-ene, DBN), diazabicycloundecene (1,8-diazabicyclo[5.4). .0] undeca-7-ene, DBU) and 6-dibutylamino-1,8-diazabicyclo [5.4.0] undeca-7-ene (DBA-DBU), such as cyclic amidines; have.

구아니딘류로서는, 구아니딘, 테트라메틸구아니딘(TMG), 부틸구아니딘, 디페닐구아니딘(DPG), 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로데카-5-엔(7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, MTBD), 1,5,7-트리아자바이사이클로데카-5-엔(1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, TBD) 등의 쇄상 또는 환상 구아니딘류를 들 수 있다.Examples of the guanidines include guanidine, tetramethylguanidine (TMG), butylguanidine, diphenylguanidine (DPG), 7-methyl-1,5,7-triazabicyclodeca-5-ene (7-methyl-1,5, 7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene, MTBD), 1,5,7-triazabicyclodeca-5-ene (1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca- chain or cyclic guanidines such as 5-ene and TBD).

유기 포스파젠류로서는, 2-tert-부틸이미노-2-디에틸아미노-1,3-디메틸-퍼하이드로-1,3,2-디아자포스포린(BEMP) 등을 들 수 있다.Examples of the organic phosphazenes include 2-tert-butylimino-2-diethylamino-1,3-dimethyl-perhydro-1,3,2-diazaphosphorine (BEMP).

[E] 염기성 화합물은, 상기 중에서도, 산 해리 정수 (pKa)가 9 이상인 유기 염기가 바람직하다. 특히, 아미딘류, 구아니딘류 및 유기 포스파젠류로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로서, 산 해리 정수 (pKa)가 9∼14인 화합물이 바람직하고, 환상 아미딘류, 쇄상 구아니딘류 및 환상 구아니딘류로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로서, 산 해리 정수 (pKa)가 10∼14인 화합물이 보다 바람직하다.[E] Among the above, as for the basic compound, an organic base having an acid dissociation constant (pKa) of 9 or more is preferable. In particular, as at least one member selected from the group consisting of amidines, guanidines and organic phosphazenes, compounds having an acid dissociation constant (pKa) of 9 to 14 are preferable, and cyclic amidines, chain guanidines and cyclic guanidines are preferable. As at least 1 sort(s) selected from the group which consists of, the compound whose acid dissociation constant (pKa) is 10-14 is more preferable.

또한, 본 명세서에 있어서, 산 해리 정수란, 25℃ 물 중에서의 산 해리 정수 (pKa)이다. 산 해리 정수 (pKa)는, pKa=-log10Ka에 의해 나타난다. 2단계 이상의 해리를 생각할 수 있는 경우는 최초의 해리를 고려한다. 무기 염기에 대해서는, 전기적으로 중성의 분자 (HA)로부터 1개의 수소 이온 H가 해리하여 1가의 음이온 (A)가 되는 단계의 산 해리 정수 (pKa)이다. 유기 염기에 대해서는, 전기적으로 중성의 분자 (B)가 1개의 수소 이온 H를 수용하여 1가의 양이온 (BH)가 되는 단계의 산 해리 정수 (pKa)이다. [E] 염기성 화합물의 산 해리 정수 (pKa)는, 보다 상세하게는, [E] 염기성 화합물의 공액산 (BH)이 산으로서 해리하는 경우 (BH→B+H)의 산 해리 정수 (pKa)를 가리킨다.In addition, in this specification, an acid dissociation constant is an acid dissociation constant (pKa) in 25 degreeC water. The acid dissociation constant (pKa) is represented by pKa = -log 10 Ka. If more than two stages of dissociation are conceivable, consider the first dissociation. For an inorganic base, it is the acid dissociation constant (pKa) of a stage in which one hydrogen ion H + dissociates from an electrically neutral molecule (HA) to become a monovalent anion (A ). For an organic base, it is the acid dissociation constant (pKa) of a stage in which an electrically neutral molecule (B) accepts one hydrogen ion H + and becomes a monovalent cation (BH + ). [E] The acid dissociation constant (pKa) of the basic compound is, more specifically, the acid dissociation constant (pKa) of (BH + → B + H + ) when the conjugate acid (BH + ) of the [E] basic compound dissociates as an acid. ) points to

감방사선성 조성물에 [E] 염기성 화합물을 함유시키는 경우, [E] 염기성 화합물의 함유 비율은, 현상 밀착성의 개선 효과를 충분히 얻는 관점에서, (A-1) 중합체 100질량부에 대하여, 0.001질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.01질량부 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, [E] 염기성 화합물의 함유 비율은, (A-1) 중합체 100질량부에 대하여, 5질량부 이하인 것이 바람직하고, 1질량부 이하인 것이 보다 바람직하다.When the radiation-sensitive composition contains the [E] basic compound, the content ratio of the [E] basic compound is 0.001 mass with respect to 100 parts by mass of the polymer (A-1) from the viewpoint of sufficiently obtaining the effect of improving image development adhesion. It is preferable that it is a part or more, and it is more preferable that it is 0.01 mass part or more. Moreover, it is preferable that it is 5 mass parts or less with respect to 100 mass parts of (A-1) polymers, and, as for the content rate of [E] basic compound, it is more preferable that it is 1 mass part or less.

그 외의 성분으로서는, 상기 외에, 예를 들면, 다관능 중합성 화합물(다관능(메타)아크릴레이트 등), 계면 활성제(불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제, 비이온계 계면 활성제 등), 중합 금지제, 산화 방지제, 연쇄 이동제, 오르토에스테르류 등을 들 수 있다. 이들 성분의 배합 비율은, 본 개시된 효과를 해치지 않는 범위에서 각 성분에 따라서 적절히 선택된다.As other components, in addition to the above, for example, polyfunctional polymerizable compounds (polyfunctional (meth)acrylate, etc.), surfactants (fluorine-based surfactants, silicone-based surfactants, nonionic surfactants, etc.), polymerization inhibitors , antioxidants, chain transfer agents, orthoesters, and the like. The blending ratio of these components is appropriately selected according to each component within a range that does not impair the effect disclosed herein.

제1 조성물은, 그의 고형분 농도(감방사선성 조성물 중의 용제 이외의 성분의 합계 질량이, 감방사선성 조성물의 전체 질량에 대하여 차지하는 비율)는, 점성이나 휘발성 등을 고려하여 적절히 선택된다. 제1 조성물의 고형분 농도는, 바람직하게는 5∼60질량%의 범위이다. 고형분 농도가 5질량% 이상이면, 감방사선성 조성물을 기판상에 도포했을 때에 도막의 막두께를 충분히 확보할 수 있다. 또한, 고형분 농도가 60질량% 이하이면, 도막의 막두께가 지나치게 과대하게 되지 않고, 또한 감방사선성 조성물의 점성을 적절히 높게 할 수 있어, 양호한 도포성을 확보할 수 있다. 제1 조성물의 고형분 농도는, 보다 바람직하게는 10∼55질량%이고, 더욱 바람직하게는 12∼50질량%이다.The first composition is appropriately selected in consideration of its solid content concentration (the ratio of the total mass of components other than the solvent in the radiation-sensitive composition to the total mass of the radiation-sensitive composition) in consideration of viscosity, volatility, and the like. Solid content concentration of a 1st composition becomes like this. Preferably it is the range of 5-60 mass %. When a radiation-sensitive composition is apply|coated as solid content concentration is 5 mass % or more on a board|substrate, the film thickness of a coating film can fully be ensured. Moreover, when solid content concentration is 60 mass % or less, the film thickness of a coating film does not become excessively excessive, and the viscosity of a radiation-sensitive composition can be made high suitably, and favorable applicability|paintability can be ensured. Solid content concentration of a 1st composition becomes like this. More preferably, it is 10-55 mass %, More preferably, it is 12-50 mass %.

[제2 조성물][Second composition]

다음으로, 제2 조성물에 대해서 설명한다. 제2 조성물은, [A] 중합체 성분과, [B] 실라놀 화합물과, [Dq] 퀴논디아지드 화합물과, [E] 염기성 화합물과, 용제를 함유하는 수지 조성물이다. 제2 조성물은 포지티브형의 수지 조성물로서 적합하다.Next, the 2nd composition is demonstrated. The second composition is a resin composition containing [A] a polymer component, [B] a silanol compound, a [Dq] quinonediazide compound, [E] a basic compound, and a solvent. The second composition is suitable as a positive resin composition.

<[A] 중합체 성분><[A] Polymer component>

제2 조성물은, [A] 중합체 성분으로서, 산성기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체(이하, 「중합체 (a2)」라고도 함) 및 실록산 폴리머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 중합체(이하, 「(A-2) 중합체」라고도 함)를 포함한다.The second composition is [A] as a polymer component, at least one polymer (hereinafter, " (A-2) polymer").

〔중합체 (a2)에 대해서〕[About polymer (a2)]

중합체 (a2)는, 산성기를 갖는 구조 단위(이하, 「구조 단위 (Ⅲ-3)」이라고도 함)를 포함하는 중합체이다. 구조 단위 (Ⅲ-3)의 구체예 및 바람직한 예는, 중합체 (a1-1)이 포함하고 있어도 좋은 구조 단위 (Ⅲ-1)의 설명에 있어서 나타낸 예와 마찬가지이다.The polymer (a2) is a polymer including a structural unit having an acidic group (hereinafter also referred to as “structural unit (III-3)”). Specific examples and preferred examples of the structural unit (III-3) are the same as those shown in the description of the structural unit (III-1) that the polymer (a1-1) may contain.

중합체 (a2)에 있어서, 구조 단위 (Ⅲ-3)의 함유 비율은, 알칼리 현상액으로의 양호한 용해성을 부여하는 관점에서, 중합체 (a2)를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 1질량% 이상이 바람직하고, 2질량% 이상이 보다 바람직하고, 5질량% 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 구조 단위 (Ⅲ-3)의 함유 비율은, 중합체 (a2)를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 40질량% 이하가 바람직하고, 35질량% 이하가 보다 바람직하고, 30질량% 이하가 더욱 바람직하다.In the polymer (a2), the content of the structural unit (III-3) is preferably 1 mass % or more with respect to all the structural units constituting the polymer (a2) from the viewpoint of imparting good solubility in an alkali developer. and 2 mass % or more is more preferable, and 5 mass % or more is still more preferable. Moreover, the content rate of the structural unit (III-3) is preferably 40 mass % or less, more preferably 35 mass % or less, and furthermore 30 mass % or less with respect to all the structural units constituting the polymer (a2). desirable.

중합체 (a2)를 포함하는 경우, [A] 중합체 성분은, 구조 단위 (Ⅲ-3) 이외의 구조 단위(이하, 「그 외의 구조 단위 (3)」이라고도 함)를 추가로 포함하고 있어도 좋다. 그 외의 구조 단위 (3)의 바람직한 구체예로서는, 가교성기를 갖는 구조 단위 (Ⅱ-3)을 들 수 있다. 그 외의 구조 단위 (3)은, 중합체 (a2)에 도입되어 있어도 좋고, 중합체 (a2)와는 상이한 중합체의 구조 단위로서 도입되어 있어도 좋고, 이들 양쪽의 중합체에 도입되어 있어도 좋다. 제2 조성물을 구성하는 성분의 수를 가능한 한 적게 하면서, 현상 밀착성의 개선 효과를 얻을 수 있는 점에서, 중합체 (a2)가 추가로 구조 단위 (Ⅱ-3)을 포함하는 것이 바람직하다.When the polymer (a2) is included, the polymer component [A] may further contain a structural unit other than the structural unit (III-3) (hereinafter also referred to as “other structural unit (3)”). As a preferable specific example of another structural unit (3), the structural unit (II-3) which has a crosslinkable group is mentioned. The other structural unit (3) may be introduce|transduced into the polymer (a2), may be introduce|transduced as a structural unit of a polymer different from the polymer (a2), and may be introduce|transduced into both of these polymers. It is preferable that the polymer (a2) further contains a structural unit (II-3) from the point which the improvement effect of image development adhesiveness can be acquired, making the number of components which comprise a 2nd composition as small as possible.

·구조 단위 (Ⅱ-3)・Structural unit (Ⅱ-3)

구조 단위 (Ⅱ-3)이 갖는 가교성기는, 가열 처리에 의해 경화 반응을 일으키는 기이면 좋고, 특별히 한정되지 않는다. 열 경화성이 높은 점에서, 그 중에서도, 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다. 구조 단위 (Ⅱ-3)의 구체예 및 바람직한 예는, 구조 단위 (Ⅱ-1)의 설명에 있어서 나타낸 예와 마찬가지이다.The crosslinkable group which the structural unit (II-3) has should just be a group which raise|generates a hardening reaction by heat processing, and is not specifically limited. It is preferable that thermosetting property is high, and it is especially 1 or more types chosen from the group which consists of an oxiranyl group and oxetanyl group. Specific examples and preferred examples of the structural unit (II-3) are the same as those shown in the description of the structural unit (II-1).

중합체 (a2)가 구조 단위 (Ⅱ-3)을 포함하는 경우, 구조 단위 (Ⅱ-3)의 함유 비율은, 중합체 (a2)를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 5질량% 이상이 바람직하고, 10질량% 이상이 보다 바람직하고, 20질량% 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 구조 단위 (Ⅱ-3)의 함유 비율은, 중합체 (a2)를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 65질량% 이하가 바람직하고, 60질량% 이하가 보다 바람직하고, 55질량% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위 (Ⅱ-3)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 도막이 보다 양호한 해상성을 나타냄과 함께, 얻어지는 경화막의 내열성 및 내약품성을 충분히 높게 할 수 있는 점에서 바람직하다.When the polymer (a2) contains the structural unit (II-3), the content of the structural unit (II-3) is preferably 5 mass% or more with respect to all the structural units constituting the polymer (a2), 10 mass % or more is more preferable, and 20 mass % or more is still more preferable. Moreover, as for the content rate of structural unit (II-3), 65 mass % or less is preferable with respect to all the structural units which comprise polymer (a2), 60 mass % or less is more preferable, 55 mass % or less is further desirable. By making the content rate of structural unit (II-3) into the said range, while a coating film shows more favorable resolution, it is preferable at the point which can fully make high the heat resistance and chemical-resistance of the cured film obtained.

제2 조성물이 중합체 (a2)를 포함하는 경우, [A] 중합체 성분이 포함하고 있어도 좋은 그 외의 구조 단위 (3)으로서는, 그 외의 구조 단위 (1)에 있어서 예시한 구조 단위를 들 수 있다. 중합체 (a2)가 그 외의 구조 단위 (3)으로서 구조 단위 (Ⅱ-3) 이외의 구조 단위를 포함하는 경우, 당해 구조 단위의 함유 비율은, 중합체 (a2)를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 80질량% 이하가 바람직하고, 70질량% 이하가 보다 바람직하다.When the 2nd composition contains a polymer (a2), [A] As another structural unit (3) which the polymer component may contain, the structural unit illustrated in the other structural unit (1) is mentioned. When the polymer (a2) contains structural units other than the structural unit (II-3) as the other structural units (3), the content of the structural units is based on the total structural units constituting the polymer (a2), 80 mass % or less is preferable, and 70 mass % or less is more preferable.

중합체 (a2)는, 예를 들면, 전술한 각 구조 단위를 도입 가능한 불포화 단량체를 이용하여, 적당한 용매 중, 중합 개시제 등의 존재하에서, 라디칼 중합 등의 공지의 방법에 따라서 제조할 수 있다. 중합 방법의 상세는, 중합체 (a1-1)과 마찬가지이다.The polymer (a2) can be produced, for example, by a known method such as radical polymerization in an appropriate solvent in the presence of a polymerization initiator or the like using an unsaturated monomer capable of introducing each structural unit described above. The details of the polymerization method are the same as those of the polymer (a1-1).

중합체 (a2)에 대해, GPC에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)은, 1,000 이상인 것이 바람직하다. 중합체 (a2)의 Mw는, 보다 바람직하게는 2,000 이상이고, 더욱 바람직하게는 5,000 이상이다. 또한, 중합체 (a2)의 Mw는, 성막성을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 200,000 이하이고, 보다 바람직하게는 50,000 이하이다.It is preferable that the weight average molecular weight (Mw) of polystyrene conversion by GPC about a polymer (a2) is 1,000 or more. Mw of a polymer (a2) becomes like this. More preferably, it is 2,000 or more, More preferably, it is 5,000 or more. Further, Mw of the polymer (a2) is preferably 200,000 or less, and more preferably 50,000 or less from the viewpoint of improving film formability.

중합체 (a2)에 대해, 중량 평균 분자량(Mw)과 수 평균 분자량(Mn)과의 비로 나타나는 분자량 분포(Mw/Mn)는, 5.0 이하가 바람직하고, 3.0 이하가 보다 바람직하다.About a polymer (a2), 5.0 or less are preferable and, as for the molecular weight distribution (Mw/Mn) represented by ratio of a weight average molecular weight (Mw) and a number average molecular weight (Mn), 3.0 or less are more preferable.

〔실록산 폴리머에 대해서〕[About siloxane polymer]

제2 조성물에 포함되는 실록산 폴리머로서는, 제1 조성물에 포함되어 있어도 좋은 실록산 폴리머의 구체예 및 바람직한 예와 마찬가지이다.The siloxane polymer contained in the second composition is the same as the specific examples and preferred examples of the siloxane polymer which may be contained in the first composition.

<퀴논디아지드 화합물><quinonediazide compound>

제2 조성물은, 방사선의 조사에 의해 카본산을 발생하는 감방사선성 화합물로서 [Dq] 퀴논디아지드 화합물을 포함한다. [Dq] 퀴논디아지드 화합물로서는, 제1 조성물의 설명에 있어서 [C] 광 산 발생제로서 예시한 퀴논디아지드 화합물의 구체예 및 바람직한 예와 마찬가지의 화합물을 들 수 있다.A 2nd composition contains the [Dq] quinonediazide compound as a radiation-sensitive compound which generate|occur|produces a carbonic acid by irradiation of a radiation. As a [Dq] quinonediazide compound, the compound similar to the specific example and preferable example of the quinonediazide compound illustrated as [C] photoacid generator in description of 1st composition is mentioned.

제2 조성물에 있어서, 퀴논디아지드 화합물의 함유 비율은, 제2 조성물에 포함되는 (A-2) 중합체 100질량부에 대하여, 2질량부 이상으로 하는 것이 바람직하고, 5질량부 이상으로 하는 것이 보다 바람직하고, 10질량부 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 퀴논디아지드 화합물의 함유 비율은, 제2 조성물에 포함되는 (A-2) 중합체 100질량부에 대하여, 60질량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 50질량부 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 40질량부 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.2nd composition WHEREIN: It is preferable that the content rate of a quinonediazide compound shall be 2 mass parts or more with respect to 100 mass parts of (A-2) polymer contained in 2nd composition, and it is to set it as 5 mass parts or more It is more preferable, and it is still more preferable to set it as 10 mass parts or more. Moreover, it is preferable to set it as 60 mass parts or less, and, as for the content rate of a quinonediazide compound with respect to 100 mass parts of (A-2) polymer contained in 2nd composition, it is more preferable to set it as 50 mass parts or less, It is more preferable to set it as 40 mass parts or less.

퀴논디아지드 화합물의 함유 비율을 2질량부 이상으로 하면, 활성 광선의 조사에 의해 산이 충분히 생성되어, 활성 광선의 조사 부분과 미조사 부분에 있어서의 알칼리 용액에 대한 용해도의 차를 충분히 크게 할 수 있다. 이에 따라, 양호한 패터닝을 행할 수 있다. 또한, (A-2) 중합체와의 반응에 관여하는 산의 양을 많게 할 수 있어, 내열성 및 약액 내성을 충분히 확보할 수 있다. 한편, 퀴논디아지드 화합물의 함유 비율을 60질량부 이하로 하면, 미반응의 퀴논디아지드 화합물의 양을 충분히 적게 할 수 있어, 퀴논디아지드 화합물의 잔존에 기인하는 현상성 및 투명성의 저하를 억제할 수 있는 점에서 적합하다.When the content ratio of the quinonediazide compound is 2 parts by mass or more, an acid is sufficiently generated by irradiation with actinic light, and the difference in solubility with respect to the alkali solution in the portion irradiated with actinic light and the portion not irradiated with actinic light can be sufficiently large. have. Thereby, favorable patterning can be performed. In addition, (A-2) the amount of the acid involved in the reaction with the polymer can be increased, so that heat resistance and chemical resistance can be sufficiently secured. On the other hand, when the content ratio of the quinonediazide compound is 60 parts by mass or less, the amount of the unreacted quinonediazide compound can be sufficiently reduced, and the development of the quinonediazide compound due to the residual and the decrease in transparency are suppressed. suitable for what you can do.

<실라놀 화합물><Silanol compound>

제2 조성물은, 전술한 [B] 실라놀 화합물을 포함한다. 제2 조성물에 포함되는 [B] 실라놀 화합물의 구체예 및 바람직한 예는 제1 조성물과 마찬가지이다.The second composition contains the above-mentioned [B] silanol compound. Specific examples and preferred examples of the [B] silanol compound contained in the second composition are the same as in the first composition.

제2 조성물에 있어서, [B] 실라놀 화합물의 함유 비율은, 제2 조성물에 포함되는 (A-2) 중합체 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상으로 하는 것이 바람직하고, 0.5질량부 이상으로 하는 것이 보다 바람직하고, 1질량부 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, [B] 실라놀 화합물의 함유 비율은, 제2 조성물에 포함되는 (A-2) 중합체 100질량부에 대하여, 20질량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 15질량부 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 10질량부 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.In the second composition, the content of the [B] silanol compound is preferably 0.1 parts by mass or more, and 0.5 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the polymer (A-2) contained in the second composition. It is more preferable to use it, and it is still more preferable to set it as 1 mass part or more. Further, the content of the [B] silanol compound is preferably 20 parts by mass or less, more preferably 15 parts by mass or less, with respect to 100 parts by mass of the polymer (A-2) contained in the second composition. And it is more preferable to set it as 10 mass parts or less.

<염기성 화합물><Basic compound>

제2 조성물은 [E] 염기성 화합물을 포함한다. 제2 조성물에 포함되는 [E] 염기성 화합물의 구체예 및 바람직한 예는 제1 조성물과 마찬가지이다.The second composition includes [E] a basic compound. Specific examples and preferred examples of the [E] basic compound contained in the second composition are the same as in the first composition.

제2 조성물에 있어서, [E] 염기성 화합물의 함유 비율은, 현상 밀착성의 개선 효과를 충분히 얻는 관점에서, 제2 조성물에 포함되는 (A-2) 중합체 100질량부에 대하여, 0.001질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.01질량부 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, [E] 염기성 화합물의 함유 비율은, (A-2) 중합체 100질량부에 대하여, 5질량부 이하인 것이 바람직하고, 1질량부 이하인 것이 보다 바람직하다.2nd composition WHEREIN: It is 0.001 mass part or more that the content rate of [E] basic compound is 0.001 mass part or more with respect to 100 mass parts of (A-2) polymer contained in 2nd composition from a viewpoint of fully acquiring the improvement effect of image development adhesiveness. It is preferable, and it is more preferable that it is 0.01 mass part or more. Moreover, it is preferable that it is 5 mass parts or less with respect to 100 mass parts of (A-2) polymers, and, as for the content rate of [E] basic compound, it is more preferable that it is 1 mass part or less.

<용제><solvent>

제2 조성물은 용제를 함유한다. 제2 조성물은, [A] 중합체 성분, [Dq] 퀴논디아지드 화합물, [B] 실라놀 화합물, [E] 염기성 화합물 및, 필요에 따라서 배합되는 성분이, 용제에 용해 또는 분산된 액상의 조성물인 것이 바람직하다. 사용하는 용제로서는, 제2 조성물에 배합되는 각 성분을 용해하고, 또한 각 성분과 반응하지 않는 유기 용매가 바람직하다. 제2 조성물에 포함되는 용제의 구체예로서는, 제1 조성물에 포함되는 용제와 마찬가지이다.The second composition contains a solvent. The second composition is a liquid composition in which [A] polymer component, [Dq] quinonediazide compound, [B] silanol compound, [E] basic compound, and, if necessary, components to be blended are dissolved or dispersed in a solvent It is preferable to be As a solvent to be used, each component mix|blended with a 2nd composition is melt|dissolved, and the organic solvent which does not react with each component is preferable. Specific examples of the solvent contained in the second composition are the same as those of the solvent contained in the first composition.

제2 조성물에 있어서, 용제의 함유량(용제를 2종 이상 포함하는 경우에는 그의 합계량)은, 제2 조성물의 전체 성분 100질량부당, 50∼95질량부인 것이 바람직하고, 60∼90질량부인 것이 보다 바람직하다.In the second composition, the content of the solvent (the total amount when two or more solvents are included) is preferably 50 to 95 parts by mass, more preferably 60 to 90 parts by mass, per 100 parts by mass of all components of the second composition. desirable.

<그 외의 성분><Other ingredients>

제2 조성물은, 전술한 [A] 중합체 성분, [Dq] 퀴논디아지드 화합물, [B] 실라놀 화합물, [E] 염기성 화합물 및, 용제에 더하여, 이들 이외의 성분(그 외의 성분)을 추가로 함유해도 좋다. 제2 조성물에 포함되어 있어도 좋은 그 외의 성분의 구체예 및 바람직한 예로서는, 제1 조성물과 마찬가지이다.In the second composition, in addition to the above-mentioned [A] polymer component, [Dq] quinonediazide compound, [B] silanol compound, [E] basic compound, and a solvent, components other than these (other components) are added may be contained as Specific examples and preferred examples of other components that may be contained in the second composition are the same as in the first composition.

제2 조성물의 고형분 농도는, 점성이나 휘발성 등을 고려하여 적절하게 선택할 수 있다. 제2 조성물의 고형분 농도는, 바람직하게는 5∼60질량%의 범위이고, 보다 바람직하게는 10∼55질량%이고, 더욱 바람직하게는 12∼50질량%이다.The solid content concentration of the second composition can be appropriately selected in consideration of viscosity, volatility, and the like. Solid content concentration of a 2nd composition becomes like this. Preferably it is the range of 5-60 mass %, More preferably, it is 10-55 mass %, More preferably, it is 12-50 mass %.

[제3 조성물][Third composition]

다음으로, 제3 조성물에 대해서 설명한다. 제3 조성물은, [A] 중합체 성분과, [B] 실라놀 화합물과, [Di] 광 중합 개시제와, [M] 중합성 단량체와, [E] 염기성 화합물과, 용제를 함유하는 수지 조성물이다. 제3 조성물은 네거티브형의 수지 조성물로서 적합하다.Next, the 3rd composition is demonstrated. The third composition is a resin composition containing [A] polymer component, [B] silanol compound, [Di] photoinitiator, [M] polymerizable monomer, [E] basic compound, and a solvent . The 3rd composition is suitable as a negative resin composition.

<[A] 중합체 성분><[A] Polymer component>

제3 조성물은, [A] 중합체 성분으로서, 산성기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체(이하, 「중합체 (a3)」이라고도 함)를 포함한다.A 3rd composition contains the polymer (henceforth "polymer (a3)") containing the structural unit which has an acidic group as [A] polymer component.

〔중합체 (a3)에 대해서〕[About polymer (a3)]

중합체 (a3)은, 산성기를 갖는 구조 단위(이하, 「구조 단위 (Ⅲ-4)」라고도 함)를 포함하는 중합체이다. 구조 단위 (Ⅲ-4)의 구체예 및 바람직한 예는, 중합체 (a1-1)이 포함하고 있어도 좋은 구조 단위 (Ⅲ-1)의 설명에 있어서 나타낸 예와 마찬가지이다. 중합체 (a3)에 있어서, 구조 단위 (Ⅲ-4)의 함유 비율은, 비노광부에 대하여 알칼리 현상액으로의 양호한 용해성을 부여하는 관점에서, 중합체 (a3)을 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 1질량% 이상이 바람직하고, 2질량% 이상이 보다 바람직하다. 또한, 구조 단위 (Ⅲ-4)의 함유 비율은, 중합체 (a3)을 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 35질량% 이하가 바람직하고, 30질량% 이하가 보다 바람직하다.The polymer (a3) is a polymer including a structural unit having an acidic group (hereinafter also referred to as “structural unit (III-4)”). Specific examples and preferred examples of the structural unit (III-4) are the same as those shown in the description of the structural unit (III-1) that the polymer (a1-1) may contain. In the polymer (a3), the content ratio of the structural unit (III-4) is 1 mass with respect to all the structural units constituting the polymer (a3) from the viewpoint of imparting good solubility in an alkali developer to the unexposed part. % or more is preferable, and 2 mass % or more is more preferable. Moreover, 35 mass % or less is preferable with respect to all the structural units which comprise a polymer (a3), and, as for the content rate of a structural unit (III-4), 30 mass % or less is more preferable.

[A] 중합체 성분은, 구조 단위 (Ⅲ-4) 이외의 구조 단위(이하, 「그 외의 구조 단위 (4)」라고도 함)를 추가로 포함하고 있어도 좋다. 그 외의 구조 단위 (4)의 바람직한 구체예로서는, 가교성기를 갖는 구조 단위 (Ⅱ-4)를 들 수 있다. 그 외의 구조 단위 (4)는, 중합체 (a3)에 도입되어 있어도 좋고, 중합체 (a3)과는 상이한 중합체의 구조 단위로서 도입되어 있어도 좋고, 그들 중합체의 양쪽에 도입되어 있어도 좋다. 제3 조성물을 구성하는 성분의 수를 가능한 한 적게 하면서, 현상 밀착성의 개선 효과를 얻을 수 있는 점에서, 중합체 (a3)이 추가로 구조 단위 (Ⅱ-4)를 포함하는 것이 바람직하다.[A] The polymer component may further contain a structural unit other than the structural unit (III-4) (hereinafter also referred to as "other structural unit (4)"). As a preferable specific example of another structural unit (4), the structural unit (II-4) which has a crosslinkable group is mentioned. The other structural unit (4) may be introduce|transduced into the polymer (a3), may be introduce|transduced as a structural unit of a polymer different from the polymer (a3), and may be introduce|transduced into both of those polymers. It is preferable that the polymer (a3) further contains a structural unit (II-4) from the point which the improvement effect of image development adhesiveness can be acquired, making the number of components which comprise a 3rd composition as small as possible.

·구조 단위 (Ⅱ-4)・Structural unit (Ⅱ-4)

구조 단위 (Ⅱ-4)가 갖는 가교성기는, 가열 처리에 의해 경화 반응을 일으키는 기이면 좋고, 특별히 한정되지 않는다. 열 경화성이 높은 점에서, 그 중에서도, 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다. 구조 단위 (Ⅱ-4)의 구체예 및 바람직한 예는, 구조 단위 (Ⅱ-1)의 설명에 있어서 나타낸 예와 마찬가지이다.The crosslinkable group which the structural unit (II-4) has should just be a group which raise|generates a hardening reaction by heat processing, and is not specifically limited. It is preferable that thermosetting property is high, and it is especially 1 or more types chosen from the group which consists of an oxiranyl group and oxetanyl group. Specific examples and preferred examples of the structural unit (II-4) are the same as those shown in the description of the structural unit (II-1).

중합체 (a3)이 구조 단위 (Ⅱ-4)를 포함하는 경우, 구조 단위 (Ⅱ-4)의 함유 비율은, 중합체 (a3)을 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 5질량% 이상이 바람직하고, 10질량% 이상이 보다 바람직하고, 20질량% 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 구조 단위 (Ⅱ-4)의 함유 비율은, 중합체 (a3)을 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 65질량% 이하가 바람직하고, 60질량% 이하가 보다 바람직하고, 55질량% 이하가 더욱 바람직하다.When the polymer (a3) contains the structural unit (II-4), the content of the structural unit (II-4) is preferably 5 mass% or more with respect to all the structural units constituting the polymer (a3), 10 mass % or more is more preferable, and 20 mass % or more is still more preferable. Moreover, as for the content rate of structural unit (II-4), with respect to all the structural units which comprise the polymer (a3), 65 mass % or less is preferable, 60 mass % or less is more preferable, 55 mass % or less is further desirable.

[A] 중합체 성분이 포함하고 있어도 좋은 그 외의 구조 단위 (4)로서는, 그 외의 구조 단위 (1)로서 예시한 구조 단위와 마찬가지의 것을 들 수 있다.[A] As another structural unit (4) which the polymer component may contain, the thing similar to the structural unit illustrated as another structural unit (1) is mentioned.

중합체 (a3)은, 예를 들면, 전술한 각 구조 단위를 도입 가능한 불포화 단량체를 이용하여, 적당한 용매 중, 중합 개시제 등의 존재하에서, 라디칼 중합 등의 공지의 방법에 따라서 제조할 수 있다. 중합 방법의 상세는 중합체 (a1-1)과 마찬가지이다.The polymer (a3) can be produced, for example, by a known method such as radical polymerization in the presence of a polymerization initiator in a suitable solvent using an unsaturated monomer capable of introducing each structural unit described above. The details of the polymerization method are the same as those of the polymer (a1-1).

중합체 (a3)에 대해, GPC에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)은, 1,000 이상인 것이 바람직하다. 중합체 (a3)의 Mw는, 보다 바람직하게는 2,000 이상이고, 더욱 바람직하게는 5,000 이상이다. 또한, 중합체 (a3)의 Mw는, 성막성을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 200,000 이하이고, 보다 바람직하게는 50,000 이하이다.It is preferable that the weight average molecular weight (Mw) of polystyrene conversion by GPC about a polymer (a3) is 1,000 or more. Mw of a polymer (a3) becomes like this. More preferably, it is 2,000 or more, More preferably, it is 5,000 or more. Further, Mw of the polymer (a3) is preferably 200,000 or less, and more preferably 50,000 or less from the viewpoint of improving film formability.

중합체 (a3)에 대해, 중량 평균 분자량(Mw)과 수 평균 분자량(Mn)과의 비로 나타나는 분자량 분포(Mw/Mn)는, 5.0 이하가 바람직하고, 3.0 이하가 보다 바람직하다.About a polymer (a3), 5.0 or less are preferable and, as for the molecular weight distribution (Mw/Mn) represented by ratio of a weight average molecular weight (Mw) and a number average molecular weight (Mn), 3.0 or less is more preferable.

<중합성 단량체><Polymerizable Monomer>

제3 조성물은, [M] 중합성 단량체를 함유한다. 제3 조성물에 포함되는 [M] 중합성 단량체는, 중합성기를 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상 갖는 화합물이다. 중합성기로서는, 예를 들면, 에틸렌성 불포화기, 옥시라닐기, 옥세타닐기, N-알콕시메틸아미노기 등을 들 수 있다. 이들 중, 중합성이 높은 점에서, 에틸렌성 불포화기 및 N-알콕시메틸아미노기가 바람직하고, (메타)아크릴로일기, 비닐기 및 비닐페닐기 등의 비닐기 함유기가 바람직하다.The third composition contains [M] a polymerizable monomer. The [M] polymerizable monomer contained in the third composition is at least one polymerizable group, preferably a compound having at least two polymerizable groups. Examples of the polymerizable group include an ethylenically unsaturated group, an oxiranyl group, an oxetanyl group, and an N-alkoxymethylamino group. Among these, an ethylenically unsaturated group and an N-alkoxymethylamino group are preferable at a point with high polymerizability, and vinyl group containing groups, such as a (meth)acryloyl group, a vinyl group, and a vinylphenyl group, are preferable.

구체적으로는, [M] 중합성 단량체로서는, 2개 이상의 (메타)아크릴로일기를 갖는 화합물, 또는 2개 이상의 N-알콕시메틸아미노기를 갖는 화합물이 바람직하고, 2개 이상의 (메타)아크릴로일기를 갖는 화합물이 특히 바람직하다. [M] 중합성 단량체 1분자가 갖는 중합성기의 수는, 바람직하게는 2∼10개이고, 보다 바람직하게는 2∼8개이다.Specifically, the [M] polymerizable monomer is preferably a compound having two or more (meth)acryloyl groups, or a compound having two or more N-alkoxymethylamino groups, and two or more (meth)acryloyl groups. Compounds having [M] The number of polymerizable groups in one molecule of the polymerizable monomer is preferably 2 to 10, more preferably 2 to 8.

[M] 중합성 단량체의 구체예로서는, 2개 이상의 (메타)아크릴로일기를 갖는 화합물로서, 3가 이상의 지방족 폴리하이드록시 화합물과 (메타)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 다관능 (메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성된 다관능 (메타)아크릴레이트, 알킬렌옥사이드 변성된 다관능 (메타)아크릴레이트, 수산기를 갖는 (메타)아크릴레이트와 다관능 이소시아네이트를 반응시켜 얻어지는 다관능 우레탄(메타)아크릴레이트, 수산기를 갖는 (메타)아크릴레이트와 산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카복시기를 갖는 다관능 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.[M] Specific examples of the polymerizable monomer include a compound having two or more (meth)acryloyl groups, and a polyfunctional (meth)acrylate obtained by reacting a trivalent or higher aliphatic polyhydroxy compound with (meth)acrylic acid, capro Lactone-modified polyfunctional (meth)acrylate, alkylene oxide-modified polyfunctional (meth)acrylate, polyfunctional urethane (meth)acrylate obtained by reacting polyfunctional isocyanate with (meth)acrylate having a hydroxyl group, hydroxyl group The polyfunctional (meth)acrylate etc. which have a carboxy group obtained by making (meth)acrylate which have and an acid anhydride react are mentioned.

2개 이상의 N-알콕시메틸아미노기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면, 멜라민 구조, 벤조구아나민 구조, 우레아 구조를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 멜라민 구조, 벤조구아나민 구조란, 1 이상의 트리아진환 또는 페닐 치환 트리아진환을 기본 골격으로서 갖는 화학 구조를 말하고, 멜라민, 벤조구아나민 또는 그들의 축합물도 포함하는 개념이다. 2개 이상의 N-알콕시메틸아미노기를 갖는 화합물의 구체예로서는, N,N,N',N',N'',N''-헥사(알콕시메틸)멜라민, N,N,N',N'-테트라(알콕시메틸)벤조구아나민, N,N,N',N'-테트라(알콕시메틸)글리콜우릴 등을 들 수 있다.As a compound which has two or more N-alkoxy methylamino groups, the compound etc. which have a melamine structure, a benzoguanamine structure, and a urea structure are mentioned, for example. In addition, a melamine structure and a benzoguanamine structure mean the chemical structure which has one or more triazine rings or a phenyl-substituted triazine ring as basic skeleton, It is a concept including melamine, benzoguanamine, or those condensates. Specific examples of the compound having two or more N-alkoxymethylamino groups include N,N,N',N',N'',N''-hexa(alkoxymethyl)melamine, N,N,N',N'- tetra(alkoxymethyl)benzoguanamine, N,N,N',N'-tetra(alkoxymethyl)glycoluril, etc. are mentioned.

[M] 중합성 단량체로서는, 그 중에서도, 3가 이상의 지방족 폴리하이드록시 화합물과 (메타)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 다관능 (메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성된 다관능 (메타)아크릴레이트, 다관능 우레탄(메타)아크릴레이트, 카복시기를 갖는 다관능 (메타)아크릴레이트, N,N,N',N',N'',N''-헥사(알콕시메틸)멜라민, N,N,N',N'-테트라(알콕시메틸)벤조구아나민이 바람직하고, 3가 이상의 지방족 폴리하이드록시 화합물과 (메타)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 다관능 (메타)아크릴레이트, 다관능 우레탄(메타)아크릴레이트, 카복시기를 갖는 다관능 (메타)아크릴레이트가 보다 바람직하고, 3가 이상의 지방족 폴리하이드록시 화합물과 (메타)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 다관능 (메타)아크릴레이트가 더욱 바람직하다.[M] Examples of the polymerizable monomer include polyfunctional (meth)acrylate obtained by reacting a trivalent or higher aliphatic polyhydroxy compound with (meth)acrylic acid, caprolactone-modified polyfunctional (meth)acrylate, and polyfunctional Urethane (meth)acrylate, polyfunctional (meth)acrylate having a carboxy group, N,N,N',N',N'',N''-hexa(alkoxymethyl)melamine, N,N,N', N'-tetra(alkoxymethyl)benzoguanamine is preferable, and polyfunctional (meth)acrylate obtained by making trivalent or more aliphatic polyhydroxy compound and (meth)acrylic acid react, polyfunctional urethane (meth)acrylate, carboxy The polyfunctional (meth)acrylate which has a group is more preferable, and the polyfunctional (meth)acrylate obtained by making a trivalent or more aliphatic polyhydroxy compound and (meth)acrylic acid react is still more preferable.

3가 이상의 지방족 폴리하이드록시 화합물과 (메타)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 다관능 (메타)아크릴레이트의 구체예로서는, 예를 들면, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨폴리아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중, 분자 간 또는 분자 내에 있어서의 가교 밀도가 높아져, 저온 소성에 의해서도 막의 경화성을 보다 향상시킬 수 있는 점에서, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨폴리아크릴레이트가 특히 바람직하다.As a specific example of the polyfunctional (meth)acrylate obtained by making a trivalent or more aliphatic polyhydroxy compound react with (meth)acrylic acid, For example, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth) Acrylate, dipentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol di(meth)acrylate, trimethylolpropane di(meth)acrylate, dipentaerythritol Polyacrylate etc. are mentioned. Among these, intermolecular or intramolecular crosslinking density becomes high, and since sclerosis|hardenability of a film|membrane can be improved more even by low-temperature baking, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol poly Acrylates are particularly preferred.

제3 조성물에 있어서의 [M] 중합성 단량체의 함유 비율은, 제3 조성물에 포함되는 중합체 (a3) 100질량부에 대하여, 10질량부 이상인 것이 바람직하고, 20질량부 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, [M] 중합성 단량체의 함유 비율은, 중합체 (a3) 100질량부에 대하여, 1,000질량부 이하인 것이 바람직하고, 500질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. [M] 중합성 단량체의 함유 비율이 상기 범위에 있으면, 경화막으로서 충분한 경화성과 충분한 알칼리 현상성을 확보할 수 있음과 함께, 미노광부의 기판상 혹은 차광층상의 오염, 막 잔여 등의 발생을 충분히 억제할 수 있는 점에서 바람직하다.It is preferable that it is 10 mass parts or more with respect to 100 mass parts of polymers (a3) contained in 3rd composition, and, as for the content rate of the [M] polymerizable monomer in 3rd composition, it is more preferable that it is 20 mass parts or more. Moreover, it is preferable that it is 1,000 mass parts or less with respect to 100 mass parts of polymers (a3), and, as for the content rate of a [M] polymerizable monomer, it is more preferable that it is 500 mass parts or less. [M] When the content of the polymerizable monomer is within the above range, sufficient curability as a cured film and sufficient alkali developability can be ensured, and generation of contamination, film residue, etc. on the substrate or light-shielding layer of an unexposed part is prevented. It is preferable at the point which can fully suppress.

<광 중합 개시제><Photoinitiator>

제3 조성물은, 감방사선성 화합물로서 [Di] 광 중합 개시제를 포함한다. 제3 조성물에 포함되는 [Di] 광 중합 개시제(이하, 간단히 「광 중합 개시제」라고도 함)로서는, 파장 300㎚ 이상(바람직하게는 300∼450㎚)의 활성 광선에 감응하고, [M] 중합성 단량체의 중합을 개시, 촉진하는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 파장 300㎚ 이상의 활성 광선에 직접 감응하지 않는 광 중합 개시제를 이용하는 경우, 증감제와 병용함으로써 파장 300㎚ 이상의 활성 광선에 감응하여, [M] 중합성 단량체의 중합을 개시, 촉진하도록 해도 좋다.The third composition contains a [Di] photopolymerization initiator as a radiation-sensitive compound. As a [Di] photopolymerization initiator (hereinafter also simply referred to as "photoinitiator") contained in the third composition, it is sensitive to actinic light having a wavelength of 300 nm or more (preferably 300 to 450 nm), and [M] polymerization A compound for initiating and accelerating polymerization of the monomeric monomer can be preferably used. When using a photoinitiator that does not directly sensitize to actinic light having a wavelength of 300 nm or longer, it may be used in combination with a sensitizer to react to actinic light having a wavelength of 300 nm or longer to initiate and promote polymerization of the [M] polymerizable monomer.

광 중합 개시제로서는, 공지의 화합물을 이용할 수 있다. 그의 구체예로서는, 옥심에스테르 화합물, 유기 할로겐화 화합물, 옥시디아졸 화합물, 카보닐 화합물, 케탈 화합물, 벤조인 화합물, 아크리딘 화합물, 유기 과산화 화합물, 아조 화합물, 쿠마린 화합물, 아지드 화합물, 메탈로센 화합물, 헥사아릴비이미다졸 화합물, 유기 붕산 화합물, 디술폰산 화합물, α-아미노케톤 화합물, 오늄염 화합물, 아실포스핀(옥사이드) 화합물 등을 들 수 있다. 제3 조성물의 감도를 보다 높게 할 수 있는 점에서, 이들 중에서도, 옥심에스테르 화합물, α-아미노케톤 화합물 및, 헥사아릴비이미다졸 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 바람직하고, 옥심에스테르 화합물 또는 α-아미노케톤 화합물이 보다 바람직하다. 또한, 광 중합 개시제로서는 시판품을 이용해도 좋고, 예를 들면, IRGACURE OXE01, IRGACURE OXE02(이상, BASF사 제조) 등을 들 수 있다.As a photoinitiator, a well-known compound can be used. Specific examples thereof include oxime ester compounds, organic halogenated compounds, oxydiazole compounds, carbonyl compounds, ketal compounds, benzoin compounds, acridine compounds, organic peroxide compounds, azo compounds, coumarin compounds, azide compounds, metallocenes compounds, hexaarylbiimidazole compounds, organic boric acid compounds, disulfonic acid compounds, α-aminoketone compounds, onium salt compounds, acylphosphine (oxide) compounds, and the like. At least one selected from the group consisting of an oxime ester compound, an α-aminoketone compound, and a hexaarylbiimidazole compound is preferable from the viewpoint of increasing the sensitivity of the third composition, an oxime ester compound or An α-aminoketone compound is more preferable. Moreover, as a photoinitiator, you may use a commercial item, for example, IRGACURE OXE01, IRGACURE OXE02 (above, the BASF company make), etc. are mentioned.

제3 조성물에 있어서, 광 중합 개시제의 함유 비율은, 제3 조성물에 포함되는 중합체 (a3) 100질량부에 대하여, 1질량부 이상으로 하는 것이 바람직하고, 2질량부 이상으로 하는 것이 보다 바람직하고, 5질량부 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 광 중합 개시제의 함유 비율은, 제3 조성물에 포함되는 중합체 (a3) 100질량부에 대하여, 40질량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 30질량부 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 20질량부 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.3rd composition WHEREIN: It is preferable to set it as 1 mass part or more with respect to 100 mass parts of polymer (a3) contained in 3rd composition, and, as for the content rate of a photoinitiator, it is more preferable to set it as 2 mass parts or more, , more preferably 5 parts by mass or more. Moreover, as for the content rate of a photoinitiator, it is preferable to set it as 40 mass parts or less with respect to 100 mass parts of polymer (a3) contained in 3rd composition, It is more preferable to set it as 30 mass parts or less, It is 20 mass parts It is more preferable to set it as below.

<실라놀 화합물><Silanol compound>

제3 조성물은 [B] 실라놀 화합물을 포함한다. 제3 조성물에 포함되는 [B] 실라놀 화합물의 구체예 및 바람직한 예는 제1 조성물과 마찬가지이다.The third composition includes [B] a silanol compound. Specific examples and preferred examples of the [B] silanol compound contained in the third composition are the same as in the first composition.

제3 조성물에 있어서, [B] 실라놀 화합물의 함유 비율은, 제3 조성물에 포함되는 중합체 (a3) 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상으로 하는 것이 바람직하고, 0.5질량부 이상으로 하는 것이 보다 바람직하고, 1질량부 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, [B] 실라놀 화합물의 함유 비율은, 제3 조성물에 포함되는 중합체 (a3) 100질량부에 대하여, 20질량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 15질량부 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 10질량부 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.In the third composition, the content of the [B] silanol compound is preferably 0.1 parts by mass or more, and preferably 0.5 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the polymer (a3) contained in the third composition. It is more preferable, and it is still more preferable to set it as 1 mass part or more. [B] The content of the silanol compound is preferably 20 parts by mass or less, more preferably 15 parts by mass or less, with respect to 100 parts by mass of the polymer (a3) contained in the third composition, It is more preferable to set it as 10 mass parts or less.

<염기성 화합물><Basic compound>

제3 조성물은, [E] 염기성 화합물을 포함한다. 제3 조성물에 포함되는 [E] 염기성 화합물의 구체예 및 바람직한 예는 제1 조성물과 마찬가지이다.The third composition contains [E] a basic compound. Specific examples and preferred examples of the [E] basic compound contained in the third composition are the same as in the first composition.

제3 조성물에 있어서, [E] 염기성 화합물의 함유 비율은, 현상 밀착성의 개선 효과를 충분히 얻는 관점에서, 제3 조성물에 포함되는 중합체 (a3) 100질량부에 대하여, 0.001질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.01질량부 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, [E] 염기성 화합물의 함유 비율은, 중합체 (a3) 100질량부에 대하여, 5질량부 이하인 것이 바람직하고, 1질량부 이하인 것이 보다 바람직하다.In the third composition, the content ratio of the [E] basic compound is preferably 0.001 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the polymer (a3) contained in the third composition from the viewpoint of sufficiently obtaining the effect of improving the image development adhesion. , more preferably 0.01 parts by mass or more. Moreover, it is preferable that it is 5 mass parts or less with respect to 100 mass parts of polymers (a3), and, as for the content rate of [E] basic compound, it is more preferable that it is 1 mass part or less.

<용제><solvent>

제3 조성물은 용제를 함유한다. 제3 조성물은, [A] 중합체 성분, [M] 중합성 단량체, [Di] 광 중합 개시제, [B] 실라놀 화합물, [E] 염기성 화합물 및, 필요에 따라서 배합되는 성분이, 용제에 용해 또는 분산된 액상의 조성물인 것이 바람직하다. 사용하는 용제로서는, 제3 조성물에 배합되는 각 성분을 용해하고, 또한 각 성분과 반응하지 않는 유기 용매가 바람직하다. 제3 조성물에 포함되는 용제의 구체예는, 제1 조성물에 포함되는 용제와 마찬가지이다.The third composition contains a solvent. In the third composition, [A] polymer component, [M] polymerizable monomer, [Di] photoinitiator, [B] silanol compound, [E] basic compound, and components to be blended as needed are dissolved in a solvent Or it is preferably a dispersed liquid composition. As a solvent to be used, the organic solvent which melt|dissolves each component mix|blended with the 3rd composition and does not react with each component is preferable. The specific example of the solvent contained in 3rd composition is the same as that of the solvent contained in 1st composition.

제3 조성물에 있어서, 용제의 함유량(용제를 2종 이상 포함하는 경우에는 그의 합계량)은, 제3 조성물의 전체 성분 100질량부당, 50∼95질량부인 것이 바람직하고, 60∼90질량부인 것이 보다 바람직하다.3rd composition WHEREIN: It is preferable that content of the solvent (the total amount when 2 or more types of solvent is included) is 50-95 mass parts per 100 mass parts of all components of 3rd composition, It is more preferable that it is 60-90 mass parts desirable.

<그 외의 성분><Other ingredients>

제3 조성물은, 전술한 [A] 중합체 성분, [M] 중합성 단량체, [Di] 광 중합 개시제, [B] 실라놀 화합물, [E] 염기성 화합물 및, 용제에 더하여, 이들 이외의 성분(그 외의 성분)을 추가로 함유해도 좋다. 제3 조성물에 포함되어 있어도 좋은 그 외의 성분의 구체예 및 바람직한 예는 제1 조성물과 마찬가지이다.The third composition is, in addition to the above-mentioned [A] polymer component, [M] polymerizable monomer, [Di] photoinitiator, [B] silanol compound, [E] basic compound, and a solvent, components other than these ( other components) may be further contained. Specific examples and preferred examples of other components that may be included in the third composition are the same as in the first composition.

제3 조성물의 고형분 농도는, 점성이나 휘발성 등을 고려하여 적절히 선택되지만, 바람직하게는 5∼60질량%의 범위이고, 보다 바람직하게는 10∼55질량%이고, 더욱 바람직하게는 12∼50질량%이다.Although the solid content concentration of the 3rd composition is suitably selected in consideration of viscosity, volatility, etc., Preferably it is the range of 5-60 mass %, More preferably, it is 10-55 mass %, More preferably, it is 12-50 mass %. %to be.

본 개시에 의하면, 이하의 감방사선성 조성물이 제공된다.According to the present disclosure, the following radiation-sensitive compositions are provided.

〔1〕상기식 (1)로 나타나는 기 또는 산 해리성기를 갖는 구조 단위 (I)을 포함하는 중합체 및 실록산 폴리머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 중합체와,[1] at least one polymer selected from the group consisting of a polymer and a siloxane polymer containing a structural unit (I) having a group represented by the formula (1) or an acid dissociable group;

광 산 발생제와,a photoacid generator;

소수성기와 수산기가 규소 원자에 결합한 부분 구조를 갖고, 또한 알콕시기를 갖지 않는 실라놀 화합물A silanol compound having a partial structure in which a hydrophobic group and a hydroxyl group are bonded to a silicon atom and having no alkoxy group

을 함유하는, 감방사선성 조성물.containing, a radiation-sensitive composition.

〔2〕 상기 실라놀 화합물은, 비점이 80℃ 이상인, 〔1〕에 기재된 감방사선성 조성물.[2] The radiation-sensitive composition according to [1], wherein the silanol compound has a boiling point of 80°C or higher.

〔3〕 상기 실라놀 화합물은, 하기식 (2)로 나타나는 화합물인, 〔1〕 또는 〔2〕에 기재된 감방사선성 조성물.[3] The radiation-sensitive composition according to [1] or [2], wherein the silanol compound is a compound represented by the following formula (2).

(R4)mSi(OH)4-m …(2)(R 4 ) m Si(OH) 4-m … (2)

(식 (2) 중, R4는, 1가의 탄화수소기이다. m은 1∼3의 정수이다.)(In formula (2), R 4 is a monovalent hydrocarbon group. m is an integer of 1 to 3.)

〔4〕 상기 실라놀 화합물은 방향환을 갖는, 〔1〕∼〔3〕 중 어느 것에 기재된 감방사선성 조성물.[4] The radiation-sensitive composition according to any one of [1] to [3], wherein the silanol compound has an aromatic ring.

〔5〕 상기식 (1)로 나타나는 기는, 방향환기 또는 쇄상 탄화수소기에 결합하고 있는, 〔1〕∼〔4〕 중 어느 것에 기재된 감방사선성 조성물.[5] The radiation-sensitive composition according to any one of [1] to [4], wherein the group represented by the formula (1) is bonded to an aromatic ring group or a chain hydrocarbon group.

〔6〕 상기 구조 단위 (I)은, 상기식 (3-1)로 나타나는 기, 상기식 (3-2)로 나타나는 기 및 상기식 (3-3)으로 나타나는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 갖는, 〔1〕∼〔5〕 중 어느 것에 기재된 감방사선성 조성물.[6] The structural unit (I) is at least one selected from the group consisting of a group represented by the formula (3-1), a group represented by the formula (3-2), and a group represented by the formula (3-3). The radiation-sensitive composition according to any one of [1] to [5], which has a species.

〔7〕 상기 광 산 발생제는, 옥심술포네이트 화합물 및 술폰이미드 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 〔1〕∼〔6〕 중 어느 것에 기재된 감방사선성 조성물.[7] The radiation-sensitive composition according to any one of [1] to [6], wherein the photo acid generator contains at least one selected from the group consisting of an oxime sulfonate compound and a sulfonimide compound.

〔8〕 산 확산 제어제를 추가로 함유하는, 〔1〕∼〔7〕 중 어느 것에 기재된 감방사선성 조성물.[8] The radiation-sensitive composition according to any one of [1] to [7], further comprising an acid diffusion controlling agent.

〔9〕 상기 산 확산 제어제는, 방향족 아민 및 복소환식 방향족 아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, 〔8〕에 기재된 감방사선성 조성물.[9] The radiation-sensitive composition according to [8], wherein the acid diffusion controlling agent is at least one selected from the group consisting of aromatic amines and heterocyclic aromatic amines.

〔10〕 염기성 화합물(단, 산 확산 제어제를 제외함)을 추가로 함유하는, 〔1〕∼〔9〕 중 어느 것에 기재된 감방사선성 조성물.[10] The radiation-sensitive composition according to any one of [1] to [9], further comprising a basic compound (except for an acid diffusion controlling agent).

〔11〕 상기 염기성 화합물은 유기 염기인, 〔10〕에 기재된 감방사선성 조성물.[11] The radiation-sensitive composition according to [10], wherein the basic compound is an organic base.

〔12〕 상기 염기성 화합물은, 산 해리 정수 (pKa)가 9 이상의 유기 염기인, 〔11〕에 기재된 감방사선성 조성물.[12] The radiation-sensitive composition according to [11], wherein the basic compound has an acid dissociation constant (pKa) of 9 or more, an organic base.

〔13〕 상기 염기성 화합물은, 아미딘류, 구아니딘류 및 유기 포스파젠류로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, 〔11〕 또는 〔12〕에 기재된 감방사선성 조성물.[13] The radiation-sensitive composition according to [11] or [12], wherein the basic compound is at least one selected from the group consisting of amidines, guanidines and organic phosphazenes.

〔14〕 상기 구조 단위 (I)을 포함하는 중합체는, 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 갖는 구조 단위를 추가로 포함하는, 〔1〕∼〔13〕 중 어느 것에 기재된 감방사선성 조성물.[14] Any of [1] to [13], wherein the polymer containing the structural unit (I) further contains a structural unit having at least one selected from the group consisting of an oxiranyl group and an oxetanyl group. The radiation-sensitive composition as described in it.

〔15〕 상기 구조 단위 (I)을 포함하는 중합체는, 산성기를 갖는 구조 단위를 추가로 포함하는, 〔1〕∼〔14〕 중 어느 것에 기재된 감방사선성 조성물.[15] The radiation-sensitive composition according to any one of [1] to [14], wherein the polymer containing the structural unit (I) further contains a structural unit having an acidic group.

〔16〕 산성기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체(단, 상기식 (1)로 나타나는 구조 단위를 갖는 중합체를 제외함)와,[16] a polymer containing a structural unit having an acidic group (provided that the polymer having a structural unit represented by the formula (1) is excluded);

퀴논디아지드 화합물과,A quinonediazide compound, and

소수성기와 수산기가 규소 원자에 결합한 부분 구조를 갖고, 또한 알콕시기를 갖지 않는 실라놀 화합물과,A silanol compound having a partial structure in which a hydrophobic group and a hydroxyl group are bonded to a silicon atom and having no alkoxy group;

염기성 화합물과,a basic compound, and

용제solvent

를 함유하는, 감방사선성 조성물.containing, a radiation-sensitive composition.

〔17〕 상기 산성기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체는, 가교성기를 갖는 구조 단위를 추가로 포함하는, 〔16〕에 기재된 감방사선성 조성물.[17] The radiation-sensitive composition according to [16], wherein the polymer containing the structural unit having an acidic group further contains a structural unit having a crosslinkable group.

〔18〕 상기 가교성기는, 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인, 〔17〕에 기재된 감방사선성 조성물.[18] The radiation-sensitive composition according to [17], wherein the crosslinkable group is at least one selected from the group consisting of an oxiranyl group and an oxetanyl group.

〔19〕 상기 퀴논디아지드 화합물은, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물과, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드와의 축합물인, 〔16〕∼〔18〕 중 어느 것에 기재된 감방사선성 조성물.[19] The radiation-sensitive composition according to any one of [16] to [18], wherein the quinonediazide compound is a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound and a 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide.

〔20〕 상기 실라놀 화합물은, 비점이 80℃ 이상인, 〔16〕∼〔19〕 중 어느 것에 기재된 감방사선성 조성물.[20] The radiation-sensitive composition according to any one of [16] to [19], wherein the silanol compound has a boiling point of 80°C or higher.

〔21〕 상기 실라놀 화합물은, 하기식 (2)로 나타나는 화합물인, 〔16〕∼〔20〕 중 어느 것에 기재된 감방사선성 조성물.[21] The radiation-sensitive composition according to any one of [16] to [20], wherein the silanol compound is a compound represented by the following formula (2).

(R4)mSi(OH)4-m …(2)(R 4 ) m Si(OH) 4-m … (2)

(식 (2) 중, R4는, 1가의 탄화수소기이다. m은 1∼3의 정수이다.)(In formula (2), R 4 is a monovalent hydrocarbon group. m is an integer of 1 to 3.)

〔22〕 상기 실라놀 화합물은 방향환을 갖는, 〔16〕∼〔21〕 중 어느 것에 기재된 감방사선성 조성물.[22] The radiation-sensitive composition according to any one of [16] to [21], wherein the silanol compound has an aromatic ring.

〔23〕 상기 염기성 화합물은 유기 염기인, 〔16〕∼〔22〕중 어느 것에 기재된 감방사선성 조성물.[23] The radiation-sensitive composition according to any one of [16] to [22], wherein the basic compound is an organic base.

〔24〕 상기 염기성 화합물은, 산 해리 정수 (pKa)가 9 이상의 유기 염기인, 〔23〕에 기재된 감방사선성 조성물.[24] The radiation-sensitive composition according to [23], wherein the basic compound has an acid dissociation constant (pKa) of 9 or more, an organic base.

〔25〕 상기 염기성 화합물은, 아미딘류, 구아니딘류 및 유기 포스파젠류로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, 〔23〕 또는 〔24〕에 기재된 감방사선성 조성물.[25] The radiation-sensitive composition according to [23] or [24], wherein the basic compound is at least one selected from the group consisting of amidines, guanidines and organic phosphazenes.

〔26〕 산성기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체와,[26] a polymer comprising a structural unit having an acidic group;

중합성 단량체와,a polymerizable monomer;

광 중합 개시제와,a photopolymerization initiator;

소수성기와 수산기가 규소 원자에 결합한 부분 구조를 갖고, 또한 알콕시기를 갖지 않는 실라놀 화합물과,A silanol compound having a partial structure in which a hydrophobic group and a hydroxyl group are bonded to a silicon atom and having no alkoxy group;

염기성 화합물과,a basic compound, and

용제solvent

를 함유하는, 감방사선성 조성물.containing, a radiation-sensitive composition.

〔27〕 상기 산성기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체는, 가교성기를 갖는 구조 단위를 추가로 포함하는, 〔26〕에 기재된 감방사선성 조성물.[27] The radiation-sensitive composition according to [26], wherein the polymer containing the structural unit having an acidic group further contains a structural unit having a crosslinkable group.

〔28〕 상기 가교성기는, 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인, 〔27〕에 기재된 감방사선성 조성물.[28] The radiation-sensitive composition according to [27], wherein the crosslinkable group is at least one selected from the group consisting of an oxiranyl group and an oxetanyl group.

〔29〕 상기 실라놀 화합물은, 비점이 80℃ 이상인, 〔26〕∼〔28〕 중 어느 것에 기재된 감방사선성 조성물.[29] The radiation-sensitive composition according to any one of [26] to [28], wherein the silanol compound has a boiling point of 80°C or higher.

〔30〕 상기 실라놀 화합물은, 하기식 (2)로 나타나는 화합물인, 〔26〕∼〔29〕 중 어느 것에 기재된 감방사선성 조성물.[30] The radiation-sensitive composition according to any one of [26] to [29], wherein the silanol compound is a compound represented by the following formula (2).

(R4)mSi(OH)4-m …(2)(R 4 ) m Si(OH) 4-m … (2)

(식 (2) 중, R4는, 1가의 탄화수소기이다. m은 1∼3의 정수이다.)(In formula (2), R 4 is a monovalent hydrocarbon group. m is an integer of 1 to 3.)

〔31〕 상기 실라놀 화합물은 방향환을 갖는, 〔26〕∼〔30〕 중 어느 것에 기재된 감방사선성 조성물.[31] The radiation-sensitive composition according to any one of [26] to [30], wherein the silanol compound has an aromatic ring.

〔32〕 상기 염기성 화합물은 유기 염기인, 〔26〕∼〔31〕중 어느 것에 기재된 감방사선성 조성물.[32] The radiation-sensitive composition according to any one of [26] to [31], wherein the basic compound is an organic base.

〔33〕 상기 염기성 화합물은, 산 해리 정수 (pKa)가 9 이상의 유기 염기인, 〔32〕에 기재된 감방사선성 조성물.[33] The radiation-sensitive composition according to [32], wherein the basic compound has an acid dissociation constant (pKa) of 9 or more, an organic base.

〔34〕 상기 염기성 화합물은, 아미딘류, 구아니딘류 및 유기 포스파젠류로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, 〔32〕 또는 〔33〕에 기재된 감방사선성 조성물.[34] The radiation-sensitive composition according to [32] or [33], wherein the basic compound is at least one selected from the group consisting of amidines, guanidines and organic phosphazenes.

<경화막 및 그의 제조 방법><Cured film and its manufacturing method>

본 개시의 경화막은, 상기와 같이 조제된 감방사선성 조성물에 의해 형성된다. 상기 감방사선성 조성물은, 방사선 감도가 높고, 보존 안정성이 우수하다. 또한, 당해 감방사선성 조성물을 이용함으로써, 현상 후에도 기판에 대하여 높은 밀착성을 나타내고, 저유전율이고, 또한 내약품성이 우수한 패턴막을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 감방사선성 조성물은, 예를 들면, 층간 절연막, 평탄화막, 스페이서, 보호막, 컬러 필터용 착색 패턴막, 격벽, 뱅크 등의 형성 재료로서 바람직하게 이용할 수 있다.The cured film of this indication is formed of the radiation-sensitive composition prepared as mentioned above. The radiation-sensitive composition has high radiation sensitivity and excellent storage stability. Moreover, by using the said radiation-sensitive composition, it shows high adhesiveness with respect to a board|substrate even after image development, has a low dielectric constant, and can form the pattern film excellent in chemical-resistance. Accordingly, the radiation-sensitive composition can be preferably used as a material for forming an interlayer insulating film, a planarization film, a spacer, a protective film, a color pattern film for color filters, a partition wall, a bank, and the like, for example.

경화막의 제조 시에 있어서, 상기의 감방사선성 조성물을 이용함으로써, 감광제의 종류에 따라서 포지티브형의 경화막을 형성할 수 있다. 경화막은, 상기 감방사선성 조성물을 이용하여, 예를 들면 이하의 공정 1∼공정 4를 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다.At the time of manufacture of a cured film, a positive cured film can be formed according to the kind of photosensitive agent by using said radiation-sensitive composition. A cured film can be manufactured using the said radiation-sensitive composition by the method containing the following processes 1-4, for example.

(공정 1) 상기 감방사선성 조성물을 이용하여 도막을 형성하는 공정.(Process 1) The process of forming a coating film using the said radiation-sensitive composition.

(공정 2) 상기 도막의 적어도 일부를 노광하는 공정.(Process 2) The process of exposing at least a part of the said coating film.

(공정 3) 노광 후의 도막을 현상하는 공정.(Process 3) The process of developing the coating film after exposure.

(공정 4) 현상된 도막을 가열하는 공정.(Process 4) The process of heating the developed coating film.

이하, 각 공정에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, each process is demonstrated in detail.

[공정 1: 도포 공정][Process 1: Application process]

본 공정에서는, 막을 형성하는 면(이하, 「피성막면」이라고도 함)에 상기 감방사선성 조성물을 도포하고, 바람직하게는 가열 처리(프리베이킹)를 행함으로써 용매를 제거하여 피성막면 상에 도막을 형성한다. 피성막면의 재질은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 층간 절연막을 형성하는 경우, TFT 등의 스위칭 소자가 형성된 기판 상에 상기 감방사선성 조성물을 도포하여, 도막을 형성한다. 기판으로서는, 예를 들면, 유리 기판, 실리콘 기판, 수지 기판이 이용된다. 도막을 형성하는 기판의 표면에는, 용도에 따른 금속 박막이 형성되어 있어도 좋고, HMDS(헥사메틸디실라잔) 처리 등의 각종 표면 처리가 실시되어 있어도 좋다.In this step, the radiation-sensitive composition is applied to the surface on which the film is to be formed (hereinafter also referred to as the "film-forming surface"), and the solvent is removed by heat treatment (pre-baking) preferably to remove the solvent on the film-forming surface. to form a coating film. The material of the film-forming surface is not specifically limited. For example, when forming an interlayer insulating film, the said radiation-sensitive composition is apply|coated on the board|substrate on which switching elements, such as TFT, were formed, and a coating film is formed. As the substrate, for example, a glass substrate, a silicon substrate, or a resin substrate is used. The metal thin film according to a use may be formed in the surface of the board|substrate which forms a coating film, and various surface treatments, such as an HMDS (hexamethyldisilazane) process, may be given.

감방사선성 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들면, 스프레이법, 롤 코트법, 스핀 코트법, 슬릿 다이 도포법, 바 도포법, 잉크젯법 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 스핀 코트법, 슬릿 다이 도포법 또는 바 도포법에 의해 행하는 것이 바람직하다. 프리베이킹 조건으로서는, 감방사선성 조성물에 있어서의 각 성분의 종류 및 함유 비율 등에 따라서도 상이하지만, 예를 들면 60∼130℃에서 0.5∼10분이다. 형성되는 도막의 막두께(즉, 프리베이킹 후의 막두께)는, 0.1∼12㎛가 바람직하다. 피성막면에 도포한 감방사선 조성물에 대해서는, 프리베이킹 전에 감압 건조(VCD)를 행해도 좋다.As a coating method of a radiation-sensitive composition, the spray method, the roll coating method, the spin coating method, the slit-die coating method, the bar coating method, the inkjet method etc. are mentioned, for example. Among these, it is preferable to carry out by the spin coating method, the slit die coating method, or the bar coating method. As prebaking conditions, although it changes also with the kind, content rate, etc. of each component in a radiation sensitive composition, it is 0.5 to 10 minutes at 60-130 degreeC, for example. As for the film thickness (that is, the film thickness after prebaking) of the coating film to be formed, 0.1-12 micrometers is preferable. About the radiation-sensitive composition apply|coated to the film-forming surface, you may perform reduced pressure drying (VCD) before prebaking.

[공정 2: 노광 공정][Process 2: Exposure Process]

본 공정에서는, 상기 공정 1에서 형성한 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사한다. 이 때, 도막에 대하여, 소정의 패턴을 갖는 마스크를 통하여 방사선을 조사함으로써, 패턴을 갖는 경화막을 형성할 수 있다. 방사선으로서는, 예를 들면, 자외선, 원자외선, 가시광선, X선, 전자선 등의 하전 입자선을 들 수 있다. 이들 중에서도 자외선이 바람직하고, 예를 들면 g선(파장 436㎚), i선(파장 365㎚)을 들 수 있다. 방사선의 노광량으로서는, 0.1∼20,000J/㎡가 바람직하다.In this step, at least a part of the coating film formed in step 1 is irradiated with radiation. At this time, the cured film which has a pattern can be formed by irradiating a radiation with respect to a coating film through the mask which has a predetermined pattern. Examples of the radiation include charged particle beams such as ultraviolet rays, far ultraviolet rays, visible rays, X-rays, and electron beams. Among these, an ultraviolet-ray is preferable, for example, g line|wire (wavelength 436 nm) and i line|wire (wavelength 365 nm) are mentioned. As an exposure amount of a radiation, 0.1-20,000 J/m<2> is preferable.

[공정 3: 현상 공정][Process 3: Development process]

본 공정에서는, 상기 공정 2에서 방사선을 조사한 도막을 현상한다. 구체적으로는, 공정 2에서 방사선이 조사된 도막에 대하여, 현상액에 의해 현상을 행하여 방사선의 조사 부분을 제거하는 포지티브형 현상을 행한다. 현상액으로서는, 예를 들면, 알칼리(염기성 화합물)의 수용액을 들 수 있다. 알칼리로서는, 예를 들면, 수산화 나트륨, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 일본공개특허공보 2016-145913호의 단락 [0127]에 예시된 알칼리를 들 수 있다. 알칼리 수용액에 있어서의 알칼리 농도로서는, 적절한 현상성을 얻는 관점에서, 0.1∼5질량%가 바람직하다. 현상 방법으로서는, 퍼들법, 딥핑법, 요동 침지법, 샤워법 등의 적절한 방법을 들 수 있다. 현상 시간은, 조성물의 조성에 따라서도 상이하지만, 예를 들면 30∼120초이다. 또한, 현상 공정의 후, 패터닝된 도막에 대하여 유수 세정에 의한 린스 처리를 행하는 것이 바람직하다.In this step, the coating film irradiated with radiation in step 2 is developed. Specifically, the coating film irradiated with radiation in step 2 is developed with a developer to perform positive development in which the radiation-irradiated portion is removed. As a developing solution, the aqueous solution of an alkali (basic compound) is mentioned, for example. Examples of the alkali include sodium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, and alkalis exemplified in paragraph [0127] of JP-A-2016-145913. As alkali concentration in aqueous alkali solution, 0.1-5 mass % is preferable from a viewpoint of obtaining suitable developability. Suitable methods, such as the puddle method, the dipping method, the rocking|fluctuation immersion method, and the shower method, are mentioned as a developing method. Although development time changes also with the composition of a composition, it is 30 to 120 second, for example. Moreover, it is preferable to perform the rinse process by running water washing with respect to the patterned coating film after a developing process.

[공정 4: 가열 공정][Process 4: Heating Process]

본 공정에서는, 상기 공정 3에서 현상된 도막을 가열하는 처리(포스트베이킹)를 행한다. 포스트베이킹은, 예를 들면 오븐이나 핫 플레이트 등의 가열 장치를 이용하여 행할 수 있다. 포스트베이킹 조건에 대해서, 가열 온도는, 예를 들면 120∼250℃이다. 가열 시간은, 예를 들면 핫 플레이트상에서 가열 처리를 행하는 경우에는 5∼40분, 오븐 중에서 가열 처리를 행하는 경우에는 10∼80분이다. 이상과 같이 하여, 목적으로 하는 패턴을 갖는 경화막을 기판 상에 형성할 수 있다. 경화막이 갖는 패턴의 형상은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 라인·앤드·스페이스 패턴, 도트 패턴, 홀 패턴, 격자 패턴을 들 수 있다.In this process, the process (post-baking) which heats the coating film developed in the said process 3 is performed. Post-baking can be performed using heating apparatuses, such as an oven and a hotplate, for example. About post-baking conditions, heating temperature is 120-250 degreeC, for example. The heating time is, for example, 5 to 40 minutes when heat treatment is performed on a hot plate, and 10 to 80 minutes when heat treatment is performed in oven. As mentioned above, the cured film which has the pattern made into the objective can be formed on a board|substrate. The shape of the pattern which a cured film has is not specifically limited, For example, a line and space pattern, a dot pattern, a hole pattern, and a lattice pattern are mentioned.

<반도체 소자><Semiconductor element>

본 개시의 반도체 소자는, 상기 감방사선성 조성물을 이용하여 형성된 경화막을 구비한다. 당해 경화막은, 바람직하게는, 반도체 소자 중의 배선 간을 절연하는 층간 절연막이다. 본 개시의 반도체 소자는, 공지의 방법을 이용하여 제조할 수 있다.The semiconductor element of this indication is equipped with the cured film formed using the said radiation-sensitive composition. The cured film is preferably an interlayer insulating film that insulates between wirings in a semiconductor element. The semiconductor device of the present disclosure can be manufactured using a known method.

<표시 소자><display element>

본 개시의 표시 소자는, 상기 감방사선성 조성물을 이용하여 형성된 경화막을 구비한다. 또한, 본 개시의 표시 소자는, 본 개시의 반도체 소자를 구비함으로써, 상기 감방사선성 조성물을 이용하여 형성된 경화막을 구비하는 것이라도 좋다. 또한 추가로, 본 개시의 표시 소자는, 상기 감방사선성 조성물을 이용하여 형성된 경화막으로서, TFT 기판 상에 형성되는 평탄화막을 구비하고 있어도 좋다. 표시 소자로서는, 예를 들면, 액정 표시 소자, 유기 일렉트로 루미네선스(EL) 표시 소자를 들 수 있다.The display element of this indication is equipped with the cured film formed using the said radiation-sensitive composition. Moreover, the display element of this indication may be equipped with the cured film formed using the said radiation-sensitive composition by providing the semiconductor element of this indication. Furthermore, the display element of this indication is a cured film formed using the said radiation-sensitive composition, Comprising: You may be equipped with the planarization film formed on a TFT substrate. As a display element, a liquid crystal display element and an organic electroluminescent (EL) display element are mentioned, for example.

(실시예)(Example)

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예, 비교예 중의 「부」 및 「%」는, 특별히 언급하지 않는 한 질량 기준이다. 본 실시예에 있어서, 중합체의 중량 평균 분자량(Mw) 및 수 평균 분자량(Mn)은 이하의 방법에 의해 측정했다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited to these Examples. In addition, unless otherwise indicated, "part" and "%" in an Example and a comparative example are a mass reference|standard. In the present Example, the weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) of a polymer were measured by the following method.

[중량 평균 분자량(Mw) 및 수 평균 분자량(Mn)][Weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn)]

중합체의 Mw 및 Mn은, 하기 방법에 의해 측정했다.Mw and Mn of the polymer were measured by the following method.

·측정 방법: 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법・Measuring method: gel permeation chromatography (GPC) method

·장치: 쇼와덴코사의 GPC-101Device: Showa Denko GPC-101

·GPC 칼럼: 시마즈 디엘씨사의 GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 및 GPC-KF-804를 결합GPC column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804 from Shimadzu DLC are combined

·이동상: 테트라하이드로푸란Mobile phase: tetrahydrofuran

·칼럼 온도: 40℃·Column temperature: 40℃

·유속: 1.0mL/분Flow rate: 1.0 mL/min

·시료 농도: 1.0질량%-Sample concentration: 1.0 mass %

·시료 주입량: 100μL・Sample injection volume: 100 μL

·검출기: 시차 굴절계Detector: Differential Refractometer

·표준 물질: 단분산 폴리스티렌Standard material: monodisperse polystyrene

[단량체][monomer]

중합체의 합성에 이용한 단량체의 약칭은 이하와 같다.The abbreviation of the monomer used for the synthesis|combination of a polymer is as follows.

《구조 단위 (I)을 부여하는 단량체》<Monomer giving structural unit (I)>

·상기식 (1)로 나타나는 기를 갖는 단량체- Monomer which has group represented by said formula (1)

MPTMS: 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란MPTMS: 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane

MPTES: 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란MPTES: 3-methacryloxypropyltriethoxysilane

STMS: p-스티릴트리메톡시실란STMS: p-styryltrimethoxysilane

SDMS: p-스티릴디메톡시하이드록시실란SDMS: p-styryldimethoxyhydroxysilane

STES: p-스티릴트리에톡시실란STES: p-styryltriethoxysilane

·산 해리성기를 갖는 단량체・A monomer having an acid dissociable group

MATHF: 2-테트라하이드로푸라닐메타크릴레이트MATHF: 2-tetrahydrofuranyl methacrylate

《그 외의 단량체》《Other monomers》

AA: 아크릴산AA: acrylic acid

MA: 메타크릴산MA: methacrylic acid

MI: 말레이미드MI: maleimide

OXMA: OXE-30(오사카유키카가쿠고교사 제조)(3-에틸옥세탄-3-일)메틸메타크릴레이트OXMA: OXE-30 (manufactured by Osaka Yuki Chemical Industry Co., Ltd.) (3-ethyloxetan-3-yl)methyl methacrylate

GMA: 메타크릴산 글리시딜GMA: glycidyl methacrylate

ECHMA: 3,4-에폭시사이클로헥실메틸메타크릴레이트ECHMA: 3,4-epoxycyclohexylmethylmethacrylate

EDCPMA: 메타크릴산[3,4-에폭시트리사이클로(5.2.1.02,6)데칸-9-일]EDCPMA: methacrylic acid [3,4-epoxytricyclo (5.2.1.0 2,6 ) decan-9-yl]

MMA: 메타크릴산 메틸MMA: methyl methacrylate

ST: 스티렌ST: Styrene

<중합체 (A)의 합성><Synthesis of Polymer (A)>

[합성예 1] 중합체 (A-1)의 합성[Synthesis Example 1] Synthesis of Polymer (A-1)

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 24부를 넣고, 이어서, 메틸트리메톡시실란 39부, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 18부를 넣고, 용액 온도가 60℃가 될 때까지 가열했다. 용액 온도가 60℃에 도달한 후, 포름산 0.1부, 물 19부를 넣고, 천천히 교반하면서, 용액의 온도를 75℃로 상승시켜, 이 온도를 2시간 보존 유지했다. 45℃로 냉각 후, 탈수제로서 오르토포름산 트리메틸 28질량부를 더하여, 1시간 교반했다. 또한 용액 온도를 40℃로 하여, 온도를 유지하면서 증발시킴으로써, 물 및, 가수 분해 축합으로 발생한 메탄올을 제거함으로써, 중합체 (A-1)을 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이 중합체 용액의 고형분 농도는 35질량%이고, 중합체 (A-1)의 중량 평균 분자량(Mw)은 1,800이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.2였다.In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, put 24 parts of propylene glycol monomethyl ether, then 39 parts of methyltrimethoxysilane and 18 parts of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and the solution temperature would be 60°C. heated until After the solution temperature reached 60°C, 0.1 parts of formic acid and 19 parts of water were added, the temperature of the solution was raised to 75°C while stirring slowly, and the temperature was maintained for 2 hours. After cooling to 45 degreeC, 28 mass parts of trimethyl orthoformate was added as a dehydrating agent, and it stirred for 1 hour. Furthermore, the polymer solution containing a polymer (A-1) was obtained by making solution temperature 40 degreeC, and removing water and methanol which generate|occur|produced by hydrolysis condensation by evaporating, maintaining temperature. The solid content concentration of this polymer solution was 35 mass %, the weight average molecular weight (Mw) of the polymer (A-1) was 1,800, and molecular weight distribution (Mw/Mn) was 2.2.

[합성예 2] 중합체 (A-2)의 합성[Synthesis Example 2] Synthesis of Polymer (A-2)

사용하는 단량체를 페닐트리메톡시실란 39부, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 18부로 변경한 것 이외는 합성예 1과 마찬가지의 수법으로, 중합체 (A-1)과 동등의 고형분 농도, 중량 평균 분자량 및 분자량 분포를 갖는 중합체 (A-2)를 얻었다.In the same manner as in Synthesis Example 1 except that the monomer to be used was changed to 39 parts of phenyltrimethoxysilane and 18 parts of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, a solid content concentration equivalent to that of the polymer (A-1), A polymer (A-2) having a weight average molecular weight and molecular weight distribution was obtained.

[합성예 3] 중합체 (A-3)의 합성[Synthesis Example 3] Synthesis of Polymer (A-3)

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 10부 및 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 200부를 넣었다. 이어서, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 15부, 메타크릴산 10부, (3-에틸옥세탄-3-일)메틸메타크릴레이트 20부, 메타크릴산 글리시딜 30부 및, 메타크릴산 메틸 25부를 넣어, 질소 치환한 후, 천천히 교반하면서, 용액의 온도를 70℃로 상승시켜, 이 온도를 5시간 보존 유지함으로써, 중합체 (A-3)을 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이 중합체 용액의 고형분 농도는 34.0질량%이고, 중합체 (A-3)의 Mw는 10,500, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.2였다.Into a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 10 parts of 2,2'-azobis(2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts of diethylene glycol methyl ethyl ether were put. Subsequently, 15 parts of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 10 parts of methacrylic acid, 20 parts of (3-ethyloxetan-3-yl)methyl methacrylate, 30 parts of glycidyl methacrylate, and methacrylic acid After putting 25 parts of methyl acrylate and nitrogen substitution, the temperature of a solution was raised to 70 degreeC, stirring slowly, and the polymer solution containing a polymer (A-3) was obtained by preserving this temperature for 5 hours. Solid content concentration of this polymer solution was 34.0 mass %, Mw of polymer (A-3) was 10,500, and molecular weight distribution (Mw/Mn) was 2.2.

[합성예 4∼12, 합성예 19, 20] 중합체 (A-4)∼(A-12), (CA-1), (CA-2)의 합성[Synthesis Examples 4 to 12, Synthesis Examples 19 and 20] Synthesis of polymers (A-4) to (A-12), (CA-1) and (CA-2)

표 1에 나타내는 종류 및 배합량(질량부)의 각 성분을 이용한 것 이외는 합성예 3과 마찬가지의 수법으로, 중합체 (A-3)과 동등의 고형분 농도, 중량 평균 분자량 및 분자량 분포를 갖는 중합체 (A-4)∼(A-12), (CA-1), (CA-2)를 각각 포함하는 중합체 용액을 얻었다.A polymer having a solid content concentration, weight average molecular weight and molecular weight distribution equivalent to that of the polymer (A-3) in the same manner as in Synthesis Example 3 except that each component of the type and compounding amount (parts by mass) shown in Table 1 was used ( A polymer solution containing each of A-4) to (A-12), (CA-1) and (CA-2) was obtained.

[합성예 13∼18] 중합체 (A-13)∼(A-18)의 합성[Synthesis Examples 13 to 18] Synthesis of polymers (A-13) to (A-18)

표 1에 나타내는 종류 및 배합량(질량부)의 각 성분을 이용한 것 이외는 합성예 3과 마찬가지의 수법으로, 중합체 (A-3)과 동등의 고형분 농도, 중량 평균 분자량 및 분자량 분포를 갖는 중합체 (A-13)∼(A-18)을 각각 포함하는 중합체 용액을 얻었다.A polymer having a solid content concentration, weight average molecular weight and molecular weight distribution equivalent to that of the polymer (A-3) in the same manner as in Synthesis Example 3 except that each component of the type and compounding amount (parts by mass) shown in Table 1 was used ( A polymer solution containing each of A-13) to (A-18) was obtained.

Figure pat00014
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<감방사선성 조성물의 조제 (1)><Preparation of radiation-sensitive composition (1)>

감방사선성 조성물의 조제에 이용한 중합체 (A), 실라놀 화합물 (B), 광 산 발생제 (C), 첨가제 (X) 및 용제 (G)를 이하에 나타낸다.The polymer (A), the silanol compound (B), the photoacid generator (C), the additive (X), and the solvent (G) used for preparation of the radiation-sensitive composition are shown below.

《중합체(A)》<< Polymer (A) >>

A-1∼A-12: 합성예 1∼12에서 합성한 중합체 (A-1)∼(A-12)A-1 to A-12: Polymers (A-1) to (A-12) synthesized in Synthesis Examples 1 to 12

CA-1∼CA-2: 합성예 19, 20에서 합성한 중합체 (CA-1), (CA-2)CA-1 to CA-2: Polymers (CA-1) and (CA-2) synthesized in Synthesis Examples 19 and 20

《실라놀 화합물 (B)》《Silanol compound (B)》

B-1: 트리메틸실라놀B-1: trimethylsilanol

B-2: 트리에틸실라놀B-2: triethylsilanol

B-3: 메틸실란트리올B-3: methylsilanetriol

B-4: 디페닐실란디올B-4: diphenylsilanediol

B-5: 페닐실란트리올B-5: Phenylsilanetriol

B-6: 트리페닐실라놀B-6: triphenylsilanol

B-7: 트리스(4-톨릴)실라놀B-7: tris (4-tolyl) silanol

《광 산 발생제 (C)》《Light acid generator (C)》

C-1: Irgacure PAG121(BASF사 제조)C-1: Irgacure PAG121 (manufactured by BASF)

C-2: 국제공개 제2016/124493호에 기재된 OS-17C-2: OS-17 described in International Publication No. 2016/124493

C-3: 국제공개 제2016/124493호에 기재된 OS-25C-3: OS-25 described in International Publication No. 2016/124493

《첨가제 (X)》《Additive (X)》

·밀착 조제・Adhesive preparation

X-1: 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란X-1: 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane

X-2: 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란X-2: 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane

·산 확산 제어제・Acid diffusion control agent

X-3: 2-페닐벤즈이미다졸X-3: 2-phenylbenzimidazole

X-4: N-(tert-부톡시카보닐)-2-페닐벤즈이미다졸X-4: N-(tert-butoxycarbonyl)-2-phenylbenzimidazole

X-5: 4-메틸-2-페닐벤즈이미다졸X-5: 4-methyl-2-phenylbenzimidazole

《용제 (G)》《Solvent (G)》

G-1: 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르G-1: diethylene glycol ethyl methyl ether

G-2: 프로필렌글리콜모노메틸에테르G-2: propylene glycol monomethyl ether

G-3: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트G-3: propylene glycol monomethyl ether acetate

[실시예 1][Example 1]

상기 합성예 1에서 얻어진 중합체 (A-1)을 함유하는 중합체 용액에, 중합체 (A-1) 100부(고형분)에 상당하는 양에 대하여, 실라놀 화합물 (B-1) 5부, 광 산 발생제 (C-2) 1부 및, 첨가제 (X-1) 5부를 혼합하여, 최종적인 고형분 농도가 20질량%가 되도록, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 1:1의 질량비로 첨가했다. 이어서, 공경 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 감방사선성 조성물을 조제했다.To the polymer solution containing the polymer (A-1) obtained in Synthesis Example 1 above, 5 parts of the silanol compound (B-1) and a mineral acid in an amount equivalent to 100 parts (solid content) of the polymer (A-1) 1 part of generator (C-2) and 5 parts of additive (X-1) are mixed, and diethylene glycol ethyl methyl ether and propylene glycol monomethyl ether are mixed in 1:1 ratio so that the final solid content concentration may be 20 mass %. It was added by mass ratio. Then, it filtered with a membrane filter with a pore diameter of 0.2 micrometer, and the radiation-sensitive composition was prepared.

[실시예 2∼20, 비교예 1∼5][Examples 2 to 20, Comparative Examples 1 to 5]

표 2에 나타내는 종류 및 배합량(질량부)의 각 성분을 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지의 수법으로, 실시예 2∼20, 비교예 1∼5의 감방사선성 조성물을 각각 조제했다. 또한, 표 2 중, 용제 (G)에 대해서는, 2종의 유기 용매를 이용한 예(실시예 1, 2, 4∼14, 18∼20, 비교예 5)에서는, 용매 1 및 용매 2를 용매 1:용매 2=1:1의 질량비로 혼합하여 사용했다. 3종의 유기 용매를 이용한 예(실시예 3, 15∼17, 비교예 1∼4)에서는, 용매 1, 용매 2 및 용매 3을 용매 1:용매 2:용매 3=5:4:1의 질량비로 혼합하여 사용했다.The radiation-sensitive compositions of Examples 2-20 and Comparative Examples 1-5 were prepared by the method similar to Example 1 except having used each component of the kind and compounding quantity (part by mass) shown in Table 2, respectively. In addition, in Table 2, about the solvent (G), in the examples (Examples 1, 2, 4-14, 18-20, and Comparative Example 5) using two types of organic solvents, solvent 1 and solvent 2 were mixed with solvent 1 : Solvent 2 = 1:1 mass ratio was mixed and used. In the examples using three types of organic solvents (Examples 3, 15 to 17, and Comparative Examples 1 to 4), solvent 1, solvent 2, and solvent 3 were mixed in a mass ratio of solvent 1: solvent 2: solvent 3 = 5:4:1. was used by mixing.

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<평가><Evaluation>

실시예 1∼20 및 비교예 1∼5의 감방사선성 조성물을 이용하여, 이하에 설명하는 수법에 의해 하기 항목을 평가했다. 평가 결과를 표 3에 나타낸다.The following items were evaluated by the method demonstrated below using the radiation-sensitive compositions of Examples 1-20 and Comparative Examples 1-5. Table 3 shows the evaluation results.

[방사선 감도][radiation sensitivity]

스피너를 이용하여, 60℃에서 60초간 HMDS 처리한 실리콘 기판 상에 감방사선성 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 평균 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 이 도막에, 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴을 갖는 패턴 마스크를 통하여, 수은 램프에 의해 소정량의 자외선을 조사했다. 이어서, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 2.38질량% 수용액을 현상액으로서 이용하여, 25℃에서 60초간, 현상 처리를 행한 후, 초순수로 1분간 유수 세정을 행했다. 이 때, 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴을 형성 가능한 최소 노광량을 측정했다. 최소 노광량의 측정값이 300J/㎡ 미만인 경우에 방사선 감도가 양호하고, 300J/㎡ 이상인 경우에 방사선 감도가 불량이라고 평가할 수 있다.Using a spinner, the radiation-sensitive composition was applied on a silicon substrate subjected to HMDS treatment at 60° C. for 60 seconds, and then prebaked on a hot plate at 90° C. for 2 minutes to form a coating film having an average film thickness of 3.0 μm. A predetermined amount of ultraviolet light was irradiated to this coating film with a mercury lamp through a pattern mask having a line and space pattern with a width of 10 µm. Next, after performing a development process at 25 degreeC for 60 second using the 2.38 mass % aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide as a developing solution, running water washing was performed for 1 minute with ultrapure water. At this time, the minimum exposure amount capable of forming a line and space pattern having a width of 10 µm was measured. When the measured value of the minimum exposure dose is less than 300 J/m 2 , the radiation sensitivity is good, and when it is 300 J/m 2 or more, the radiation sensitivity can be evaluated as poor.

[경화막의 내약품성의 평가][Evaluation of chemical resistance of cured film]

박리액에 의한 팽윤의 정도에 따라 경화막의 내약품성을 평가했다. 스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 감방사선성 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 평균 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 이어서, 프록시미티 노광기(캐논사의 「MA-1200」(ghi선 혼합))를 이용하여, 3000J/㎡의 빛을 기판 전체면에 조사한 후, 230℃로 가온한 오븐을 이용하여 30분간 소성(포스트베이킹)하여, 경화막을 형성했다. 얻어진 경화막을, 40℃로 가온한 N-메틸-2-피롤리돈 용제 중에 6분간 침지시켜, 침지 전후의 막두께 변화율(%)을 구했다. 이 막두께 변화율을 내약품성의 지표로 하여, 이하의 기준에 의해 평가했다.The chemical resistance of the cured film was evaluated according to the degree of swelling by the peeling solution. After apply|coating a radiation-sensitive composition on a silicon substrate using a spinner, it prebaked on a hotplate at 90 degreeC for 2 minute(s), and formed the coating film with an average film thickness of 3.0 micrometers. Next, using a proximity exposure machine (Canon's "MA-1200" (ghi line mixing)), after irradiating the entire surface of the substrate with light of 3000 J/m2, baking for 30 minutes using an oven heated to 230°C (post baking) to form a cured film. The obtained cured film was immersed for 6 minutes in the N-methyl- 2-pyrrolidone solvent heated at 40 degreeC, and the film thickness change rate (%) before and behind immersion was calculated|required. This film thickness change rate was made into the parameter|index of chemical-resistance, and the following criteria evaluated it.

AA: 막두께 변화율이 2% 미만AA: film thickness change rate is less than 2%

A: 막두께 변화율이 2% 이상 5% 미만A: The film thickness change rate is 2% or more and less than 5%

B: 막두께 변화율이 5% 이상 10% 미만B: Film thickness change rate is 5% or more and less than 10%

C: 막두께 변화율이 10% 이상 15% 미만C: A film thickness change rate of 10% or more and less than 15%

D: 막두께 변화율이 15% 이상D: film thickness change rate is 15% or more

AA, A 또는 B의 경우에 내약품성이 양호하고, C 또는 D의 경우에 내약품성이 불량이라고 평가할 수 있다. 막두께는, 광 간섭식 막두께 측정 장치(람다 에이스 VM-1010)를 이용하여 25℃에서 측정했다.In the case of AA, A, or B, the chemical resistance is good, and in the case of C or D, the chemical resistance can be evaluated as poor. The film thickness was measured at 25 degreeC using the optical interference type film thickness measuring apparatus (Lambda Ace VM-1010).

[보존 안정성의 평가][Evaluation of storage stability]

조제한 감방사선성 조성물을 차광·밀폐성의 용기에 봉입했다. 25℃에서 7일간 경과 후, 용기를 개봉하고, 상기의 [방사선 감도]의 평가에 따라 측정을 행하여, 7일간 보관 전후에서의 방사선 감도(최소 노광량)의 증가율을 계산했다. 이 값이 5% 미만인 경우를 「AA」, 5% 이상 10% 미만인 경우를 「A」, 10% 이상 20% 미만인 경우를 「B」, 20% 이상 30% 미만인 경우를 「C」, 30% 이상인 경우를 「D」라고 판정했다. AA, A 또는 B의 경우에 보존 안정성이 양호하고, C 또는 D의 경우에 보존 안정성이 불량이라고 평가할 수 있다.The prepared radiation-sensitive composition was sealed in a light-shielding and hermetic container. After 7 days had elapsed at 25°C, the container was opened, measurement was performed according to the above evaluation of [radiation sensitivity], and the rate of increase in radiation sensitivity (minimum exposure dose) before and after storage for 7 days was calculated. "AA" when this value is less than 5%, "A" when it is 5% or more and less than 10%, "B" when it is 10% or more and less than 20%, "C" when it is 20% or more and less than 30%, "C", 30% The case of abnormality was determined as "D". In the case of AA, A, or B, the storage stability is good, and in the case of C or D, it can be evaluated that the storage stability is poor.

[기판 밀착성(현상 밀착성)의 평가][Evaluation of substrate adhesion (development adhesion)]

스피너를 이용하여, HMDS 처리를 실시하고 있지 않은 실리콘 기판 상에 감방사선성 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 평균 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 이 도막에, 폭 1∼50㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴을 갖는 패턴 마스크를 통하여, 수은 램프에 의해 365㎚에 있어서의 노광량이 400J/㎡의 자외선을 조사했다. 이어서, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 2.38질량% 수용액을 현상액으로서 이용하여, 25℃에서 60초 현상 처리를 행한 후, 초순수로 1분간 유수 세정을 행했다. 이 때, 기판 상으로부터 벗겨지지 않고 남아 있는 라인·앤드·스페이스 패턴의 최소폭을 측정한 최소폭의 측정값이 2㎛ 이하인 경우를 「AA」, 2㎛보다 크고 5㎛ 이하인 경우를 「A」, 5㎛보다 크고 10㎛ 이하인 경우를 「B」, 10㎛보다 크고 30㎛ 이하인 경우를 「C」, 30㎛보다 큰 경우를 「D」라고 판정했다. AA, A 또는 B의 경우에 현상 밀착성이 양호하고, C 또는 D의 경우에 현상 밀착성이 불량이라고 평가할 수 있다.Using a spinner, after apply|coating a radiation-sensitive composition on the silicon substrate which has not given HMDS processing, it prebaked on the hotplate at 90 degreeC for 2 minute(s), and the coating film with an average film thickness of 3.0 micrometers was formed. The ultraviolet-ray of 400 J/m<2> of exposure amount in 365 nm was irradiated to this coating film with the mercury lamp through the pattern mask which has a line and space pattern of 1-50 micrometers in width. Then, using the 2.38 mass % aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide as a developing solution, after performing the image development process at 25 degreeC for 60 second, it washed with running water for 1 minute with ultrapure water. At this time, "AA" is the case where the minimum width measured by measuring the minimum width of the line and space pattern remaining without being peeled off from the substrate is 2 µm or less, and "A" is greater than 2 µm and 5 µm or less. , a case larger than 5 µm and 10 µm or less was determined as "B", a case larger than 10 µm and 30 µm or less as "C", and a case larger than 30 µm as "D". In the case of AA, A, or B, image development adhesiveness can be evaluated as favorable, and in the case of C or D, image development adhesiveness can be evaluated as poor.

[비유전율의 평가][Evaluation of dielectric constant]

스피너를 이용하여, 유리 기판 상에 감방사선성 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 평균 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 이어서, 프록시미티 노광기(캐논사의 「MA-1200」(ghi선 혼합))를 이용하여, 3000J/㎡의 빛을 기판면 전체에 조사한 후, 230℃로 가온한 오븐을 이용하여 30분간 소성(포스트베이킹)하여, 경화막을 형성했다. 얻어진 경화막의 10㎑의 주파수에 있어서의 비유전율을 측정했다. 실시예 5의 비유전율을 기준으로 하여 비유전율의 감소율을 계산하고, 이 감소율을 이하의 기준에 의해 평가했다.After apply|coating the radiation-sensitive composition on the glass substrate using the spinner, it prebaked on the hotplate at 90 degreeC for 2 minute(s), and the coating film with an average film thickness of 3.0 micrometers was formed. Then, using a proximity exposure machine (Canon's "MA-1200" (ghi line mixing)), after irradiating the entire substrate surface with light of 3000 J/m2, baking for 30 minutes using an oven heated to 230°C (post baking) to form a cured film. The dielectric constant in the frequency of 10 kHz of the obtained cured film was measured. A decrease rate of the relative permittivity was calculated based on the relative permittivity of Example 5, and the rate of decrease was evaluated according to the following criteria.

AA: 비유전율의 감소율이 20% 이상AA: The reduction rate of the relative dielectric constant is 20% or more

A: 비유전율의 감소율이 15% 이상 20% 미만A: The decrease rate of the relative dielectric constant is 15% or more and less than 20%

B: 비유전율의 감소율이 10% 이상 15% 미만B: The decrease rate of the relative dielectric constant is 10% or more and less than 15%

C: 비유전율의 감소율이 5% 이상 10% 미만C: The decrease rate of the relative dielectric constant is 5% or more and less than 10%

D: 비유전율의 감소율이 5% 미만D: The decrease rate of the relative dielectric constant is less than 5%

AA, A 또는 B의 경우에 비유전율이 양호이고, C의 경우에 비유전율이 가능이고, D의 경우에 비유전율이 불량이라고 평가할 수 있다.In the case of AA, A, or B, the relative permittivity is good, in the case of C, the relative permittivity is possible, and in the case of D, the relative permittivity can be evaluated as poor.

Figure pat00016
Figure pat00016

또한, 표 3 중, 「-」은, 감도 평가에 있어서 해상하지 않았기 때문에, 평가할 수 없었던 것을 나타낸다.In addition, in Table 3, since "-" did not resolve in sensitivity evaluation, it shows that it was not able to evaluate.

표 3에 나타나는 바와 같이, 실시예 1∼20의 각 감방사선성 조성물은, 실용 특성으로서 방사선 감도, 내약품성, 보존 안정성, 현상 밀착성 및 비유전율의 어느 것이나 양호하고, 각종 특성의 밸런스가 잡혀 있었다. 이에 대하여, 비교예 1∼3에서는 노광에 의해 해상하지 않고, 내약품성 및 비유전율도 낮았다. 또한, 비교예 4, 5의 감방사선성 조성물은, 방사선 감도, 내약품성 및 보존 안정성의 평가는 실시예 1∼20과 동등하기는 했지만, 현상 밀착성 및 비유전율이 실시예 1∼20보다도 낮았다.As shown in Table 3, each of the radiation-sensitive compositions of Examples 1 to 20 was excellent in any of radiation sensitivity, chemical resistance, storage stability, development adhesion, and dielectric constant as practical properties, and various characteristics were balanced. . On the other hand, in Comparative Examples 1-3, it did not resolve by exposure, and chemical-resistance and dielectric constant were also low. Moreover, although evaluation of radiation sensitivity, chemical-resistance, and storage stability of the radiation-sensitive composition of Comparative Examples 4 and 5 was equivalent to Examples 1-20, image development adhesiveness and dielectric constant were lower than Examples 1-20.

<감방사선성 조성물의 조제 (2)><Preparation of radiation-sensitive composition (2)>

감방사선성 조성물의 조제에 이용한 화합물을 이하에 나타낸다. 또한, 중합체 (A), 실라놀 화합물 (B), 광 산 발생제 (C), 첨가제 (X) 및 용제 (G)에 대해서는, 감방사선성 조성물의 조제 (1)과 동일하기 때문에, 기재를 생략한다.The compound used for preparation of a radiation-sensitive composition is shown below. In addition, the polymer (A), the silanol compound (B), the photoacid generator (C), the additive (X), and the solvent (G) are the same as in the preparation (1) of the radiation-sensitive composition, so the base material omit

《염기성 화합물 (E)》《Basic compound (E)》

E-1: 1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]-7-운데센E-1: 1,8-diazabicyclo[5.4.0]-7-undecene

E-2: 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔E-2: 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene

[실시예 21∼29][Examples 21-29]

표 4에 나타내는 종류 및 배합량(질량부)의 각 성분을 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지의 수법으로, 실시예 21∼29의 감방사선성 조성물을 각각 조제했다. 또한, 표 4 중, 용제 (G)에 대해서는, 2종의 유기 용매를 이용한 예에서는, 용매 1 및 용매 2를 용매 1:용매 2=1:1의 질량비로 혼합하여 사용했다. 3종의 유기 용매를 이용한 예에서는, 용매 1, 용매 2 및 용매 3을 용매 1:용매 2:용매 3=5:4:1의 질량비로 혼합하여 사용했다(표 6에 대해서도 동일).The radiation-sensitive compositions of Examples 21-29 were prepared by the method similar to Example 1 except having used each component of the kind and compounding quantity (part by mass) shown in Table 4, respectively. In addition, in Table 4, about the solvent (G), in the example using 2 types of organic solvents, the solvent 1 and the solvent 2 were mixed and used by the mass ratio of solvent 1: solvent 2 = 1:1. In the example in which three types of organic solvents were used, solvent 1, solvent 2, and solvent 3 were mixed and used in a mass ratio of solvent 1: solvent 2: solvent 3 = 5:4:1 (the same applies to Table 6).

Figure pat00017
Figure pat00017

<평가><Evaluation>

실시예 21∼29의 감방사선성 조성물을 이용하여, 실시예 1과 마찬가지의 수법에 의해 각 항목을 평가했다. 평가 결과를 표 5에 나타낸다. 또한, 실시예 21∼29의 감방사선성 조성물은 각각, 염기성 화합물 (E)를 배합한 이외는 실시예 2, 5, 7, 8, 10, 13, 14, 16, 19의 각 감방사선성 조성물과 동일한 조성이다.Each item was evaluated by the method similar to Example 1 using the radiation-sensitive composition of Examples 21-29. Table 5 shows the evaluation results. In addition, the radiation-sensitive compositions of Examples 21 to 29 are each of the radiation-sensitive compositions of Examples 2, 5, 7, 8, 10, 13, 14, 16, and 19, except that the basic compound (E) is blended. has the same composition as

Figure pat00018
Figure pat00018

표 5에 나타나는 바와 같이, 실시예 21∼29의 각 감방사선성 조성물은, 염기성 화합물 (E)를 포함하지 않는 이외는 동일한 조성인 실시예 2, 5, 7, 8, 10, 13, 14, 16, 19와 비교하여, 방사선 감도, 내약품성 및 보존 안정성을 고도로 유지하면서, 현상 밀착성을 더욱 개선할 수 있었다. 또한, 염기성 화합물 (E)를 배합함으로써, 경화막의 비유전율이 향상되는 것이 확인되었다.As shown in Table 5, each of the radiation-sensitive compositions of Examples 21 to 29 had the same composition as Examples 2, 5, 7, 8, 10, 13, 14, except that the basic compound (E) was not included. Compared with 16 and 19, development adhesion could be further improved while maintaining high radiation sensitivity, chemical resistance and storage stability. Moreover, it was confirmed that the dielectric constant of a cured film improves by mix|blending a basic compound (E).

<감방사선성 조성물의 조제 (3)><Preparation of radiation-sensitive composition (3)>

감방사선성 조성물의 조제에 이용한 화합물을 이하에 나타낸다. 또한, 중합체 (A), 실라놀 화합물 (B), 광 산 발생제 (C), 첨가제 (X) 및 용제 (G) 중 감방사선성 조성물의 조제 (1)과 동일한 화합물, 그리고 염기성 화합물 (E)의 상세는 전술한 바와 같고, 기재를 생략한다.The compound used for preparation of a radiation-sensitive composition is shown below. Further, the same compound as in the preparation (1) of the radiation-sensitive composition among the polymer (A), the silanol compound (B), the photo acid generator (C), the additive (X) and the solvent (G), and the basic compound (E) ) is the same as described above, and description is omitted.

《중합체 (A)》《Polymer (A)》

A-13∼A-18: 합성예 13∼18에서 합성한 중합체 (A-13)∼(A-18)A-13 to A-18: Polymers (A-13) to (A-18) synthesized in Synthesis Examples 13 to 18

《감방사선성 화합물 (D)》《Radiation sensitive compound (D)》

D-1: 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀(1.0몰)과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드(2.0몰)와의 축합물D-1: 4,4'-[1-[4-[1-[4-hydroxyphenyl]-1-methylethyl]phenyl]ethylidene]bisphenol (1.0 mol) and 1,2-naphthoquinonedia Condensate with Zide-5-Sulphonic Acid Chloride (2.0 mol)

D-2: 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀(1.0몰)과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드(1.0몰)와의 축합물D-2: 4,4'-[1-[4-[1-[4-hydroxyphenyl]-1-methylethyl]phenyl]ethylidene]bisphenol (1.0 mol) and 1,2-naphthoquinonedia Condensate with Zide-5-Sulphonic Acid Chloride (1.0 mol)

D-3: 1,1,1-트리(p-하이드록시페닐)에탄(1.0몰)과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드(2.0몰)와의 축합물D-3: Condensate of 1,1,1-tri(p-hydroxyphenyl)ethane (1.0 mol) and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride (2.0 mol)

D-4: 1,1,1-트리(p-하이드록시페닐)에탄(1.0몰)과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드(1.0몰)와의 축합물D-4: Condensate of 1,1,1-tri(p-hydroxyphenyl)ethane (1.0 mol) and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride (1.0 mol)

D-5: Irgacure OXE02(BASF사 제조)D-5: Irgacure OXE02 (manufactured by BASF)

《중합성 단량체 (M)》《Polymerizable Monomer (M)》

M-1: KAYARAD DPHA(닛뽄카야쿠(주) 제조)M-1: KAYARAD DPHA (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)

[실시예 30∼35 및 비교예 6∼14][Examples 30 to 35 and Comparative Examples 6 to 14]

표 6에 나타내는 종류 및 배합량(질량부)의 각 성분을 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지의 수법으로, 실시예 30∼35 및 비교예 6∼14의 감방사선성 조성물을 각각 조제했다. 또한, 실시예 30 및 31의 감방사선성 조성물은 제1 조성물에 상당하고, 실시예 32∼34의 감방사선성 조성물은 제2 조성물에 상당하고, 실시예 35는 제3 조성물에 상당한다.The radiation-sensitive compositions of Examples 30-35 and Comparative Examples 6-14 were prepared by the method similar to Example 1 except having used each component of the kind and compounding quantity (part by mass) shown in Table 6, respectively. In addition, the radiation-sensitive compositions of Examples 30 and 31 correspond to the first composition, the radiation-sensitive compositions of Examples 32 to 34 correspond to the second composition, and Example 35 corresponds to the third composition.

Figure pat00019
Figure pat00019

<평가><Evaluation>

실시예 30∼35 및 비교예 6∼14의 감방사선성 조성물을 이용하여, 실시예 1과 마찬가지의 수법에 의해 각 항목을 평가했다. 평가 결과를 표 7에 나타낸다.Each item was evaluated by the method similar to Example 1 using the radiation-sensitive compositions of Examples 30-35 and Comparative Examples 6-14. Table 7 shows the evaluation results.

Figure pat00020
Figure pat00020

제1 조성물인 실시예 30, 31의 각 감방사선성 조성물은, 실용 특성으로서 방사선 감도, 내약품성, 보존 안정성, 현상 밀착성 및 비유전율의 어느 것이나 양호하고, 각종 특성의 밸런스가 잡혀져 있었다. 특히, 염기성 화합물 (E)를 포함하는 실시예 31의 감방사선성 조성물은, 방사선 감도, 내약품성, 보존 안정성 및 비유전율을 고도로 유지하면서, 현상 밀착성을 개선할 수 있었다.Each of the radiation-sensitive compositions of Examples 30 and 31, which is the first composition, was satisfactory in any of radiation sensitivity, chemical resistance, storage stability, development adhesion, and dielectric constant as practical properties, and the various properties were balanced. In particular, the radiation-sensitive composition of Example 31 containing the basic compound (E) was able to improve development adhesion while maintaining high radiation sensitivity, chemical resistance, storage stability, and relative dielectric constant.

제2 조성물인 실시예 32∼34의 각 감방사선성 조성물은, 염기성 화합물 (E)를 포함하지 않는 이외는 거의 동일한 조성의 비교예 6, 9, 12와 각각 비교하여, 방사선 감도, 내약품성 및 보존 안정성을 고도로 유지하면서, 현상 밀착성을 개선할 수 있었다.Each of the radiation-sensitive compositions of Examples 32 to 34, which is the second composition, compared with Comparative Examples 6, 9, and 12 having substantially the same composition except that the basic compound (E) was not included, radiation sensitivity, chemical resistance, and Developing adhesiveness was able to be improved, maintaining storage stability highly.

제3 조성물인 실시예 35의 감방사선성 조성물은, 염기성 화합물 (E)를 포함하지 않는 비교예 14와 비교하여, 방사선 감도, 보존 안정성 및 비유전율을 고도로 유지하면서, 내약품성 및 현상 밀착성을 개선할 수 있었다.The radiation-sensitive composition of Example 35, which is the third composition, improved chemical resistance and development adhesion while maintaining high radiation sensitivity, storage stability, and dielectric constant, compared to Comparative Example 14, which did not contain the basic compound (E). Could.

Claims (26)

하기식 (1)로 나타나는 기 또는 산 해리성기를 갖는 구조 단위 (I)을 포함하는 중합체 및 실록산 폴리머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 중합체와,
광 산 발생제와,
소수성기와 수산기가 규소 원자에 결합한 부분 구조를 갖고, 또한 알콕시기를 갖지 않는 실라놀 화합물
을 함유하는, 감방사선성 조성물.
Figure pat00021

(식 (1) 중, R1, R2 및 R3은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 하이드록시기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 페닐기이고; 단, R1, R2 및 R3 중 1개 이상은, 탄소수 1∼6의 알콕시기이고; 「*」는, 결합손인 것을 나타냄)
At least one polymer selected from the group consisting of a polymer and a siloxane polymer comprising a structural unit (I) having a group represented by the following formula (1) or an acid dissociable group;
a photoacid generator;
A silanol compound having a partial structure in which a hydrophobic group and a hydroxyl group are bonded to a silicon atom and having no alkoxy group
containing, a radiation-sensitive composition.
Figure pat00021

(in formula (1), R 1 , R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a phenyl group; provided that at least one of R 1 , R 2 and R 3 is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms; "*" represents a bond)
제1항에 있어서,
상기 실라놀 화합물은, 비점이 80℃ 이상인, 감방사선성 조성물.
According to claim 1,
The silanol compound has a boiling point of 80°C or higher, the radiation-sensitive composition.
제1항에 있어서,
상기 실라놀 화합물은, 하기식 (2)로 나타나는 화합물인, 감방사선성 조성물.
(R4)mSi(OH)4-m …(2)
(식 (2) 중, R4는, 1가의 탄화수소기이고; m은 1∼3의 정수임)
According to claim 1,
The said silanol compound is a compound represented by following formula (2), The radiation-sensitive composition.
(R 4 ) m Si(OH) 4-m … (2)
(in formula (2), R 4 is a monovalent hydrocarbon group; m is an integer of 1 to 3)
제1항에 있어서,
상기 실라놀 화합물은 방향환을 갖는, 감방사선성 조성물.
According to claim 1,
The silanol compound has an aromatic ring, radiation-sensitive composition.
제1항에 있어서,
상기식 (1)로 나타나는 기는, 방향환기 또는 쇄상 탄화수소기에 결합하고 있는, 감방사선성 조성물.
According to claim 1,
The radiation-sensitive composition in which group represented by said Formula (1) is couple|bonded with an aromatic ring group or a chain|strand-shaped hydrocarbon group.
제1항에 있어서,
상기 구조 단위 (I)은, 하기식 (3-1)로 나타나는 기, 하기식 (3-2)로 나타나는 기 및 하기식 (3-3)으로 나타나는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 갖는, 감방사선성 조성물.
Figure pat00022

(식 (3-1), 식 (3-2) 및 식 (3-3) 중, A1 및 A2는, 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 하이드록시기, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼6의 알콕시기이고; n1은 0∼4의 정수이고; n2는 0∼6의 정수이고; 단, n1이 2 이상인 경우, 복수의 A1은, 서로 동일 또는 상이하고; n2가 2 이상인 경우, 복수의 A2는, 서로 동일 또는 상이하고; R6은, 알칸디일기이고; R1, R2 및 R3은, 상기식 (1)과 동일한 의미이고; 「*」는, 결합손인 것을 나타냄)
According to claim 1,
The structural unit (I) has at least one selected from the group consisting of a group represented by the following formula (3-1), a group represented by the following formula (3-2), and a group represented by the following formula (3-3); , a radiation-sensitive composition.
Figure pat00022

(In formulas (3-1), (3-2) and (3-3), A 1 and A 2 are each independently a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or 1 carbon atom. -6 alkoxy group; n1 is an integer from 0 to 4; n2 is an integer from 0 to 6; provided that, when n1 is 2 or more, a plurality of A 1s are the same or different from each other; when n2 is 2 or more , a plurality of A 2 are the same or different from each other; R 6 is an alkanediyl group; R 1 , R 2 and R 3 have the same meaning as in Formula (1) above; “*” is a bond. indicated)
제1항에 있어서,
상기 광 산 발생제는, 옥심술포네이트 화합물 및 술폰이미드 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 감방사선성 조성물.
According to claim 1,
The photoacid generator includes at least one selected from the group consisting of an oxime sulfonate compound and a sulfonimide compound, the radiation-sensitive composition.
제1항에 있어서,
산 확산 제어제를 추가로 함유하는, 감방사선성 조성물.
According to claim 1,
A radiation-sensitive composition further comprising an acid diffusion controlling agent.
제8항에 있어서,
상기 산 확산 제어제는, 방향족 아민 및 복소환식 방향족 아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, 감방사선성 조성물.
9. The method of claim 8,
The acid diffusion controlling agent is at least one selected from the group consisting of aromatic amines and heterocyclic aromatic amines.
제1항에 있어서,
염기성 화합물(단, 산 확산 제어제를 제외함)을 추가로 함유하는, 감방사선성 조성물.
According to claim 1,
A radiation-sensitive composition further comprising a basic compound (with the proviso that an acid diffusion controlling agent is excluded).
제10에 있어서,
상기 염기성 화합물은 유기 염기인, 감방사선성 조성물.
11. The method of claim 10,
The basic compound is an organic base, the radiation-sensitive composition.
제11항에 있어서,
상기 염기성 화합물은, 산 해리 정수 (pKa)가 9 이상의 유기 염기인, 감방사선성 조성물.
12. The method of claim 11,
The said basic compound is an organic base whose acid dissociation constant (pKa) is 9 or more, The radiation-sensitive composition.
제11항에 있어서,
상기 염기성 화합물은, 아미딘류, 구아니딘류 및 유기 포스파젠류로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, 감방사선성 조성물.
12. The method of claim 11,
The said basic compound is at least 1 sort(s) selected from the group which consists of amidines, guanidines, and organic phosphazenes, The radiation-sensitive composition.
제1항에 있어서,
상기 구조 단위 (I)을 포함하는 중합체는, 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 갖는 구조 단위를 추가로 포함하는, 감방사선성 조성물.
According to claim 1,
The polymer comprising the structural unit (I) further comprises a structural unit having at least one selected from the group consisting of an oxiranyl group and an oxetanyl group.
제1항에 있어서,
상기 구조 단위 (I)을 포함하는 중합체는, 산성기를 갖는 구조 단위를 추가로 포함하는, 감방사선성 조성물.
According to claim 1,
The polymer comprising the structural unit (I) further comprises a structural unit having an acidic group, the radiation-sensitive composition.
산성기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체(단, 하기식 (1)로 나타나는 구조 단위를 갖는 중합체를 제외함)와,
퀴논디아지드 화합물과,
소수성기와 수산기가 규소 원자에 결합한 부분 구조를 갖고, 또한 알콕시기를 갖지 않는 실라놀 화합물과,
염기성 화합물과,
용제
를 함유하는, 감방사선성 조성물.
Figure pat00023

(식 (1) 중, R1, R2 및 R3은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 하이드록시기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 페닐기이고; 단, R1, R2 및 R3 중 1개 이상은, 탄소수 1∼6의 알콕시기이고; 「*」는, 결합손인 것을 나타냄)
A polymer containing a structural unit having an acidic group (however, except for a polymer having a structural unit represented by the following formula (1));
A quinonediazide compound, and
A silanol compound having a partial structure in which a hydrophobic group and a hydroxyl group are bonded to a silicon atom and having no alkoxy group;
a basic compound, and
solvent
containing, a radiation-sensitive composition.
Figure pat00023

(in formula (1), R 1 , R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a phenyl group; provided that at least one of R 1 , R 2 and R 3 is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms; "*" represents a bond)
제16항에 있어서,
상기 산성기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체는, 가교성기를 갖는 구조 단위를 추가로 포함하는, 감방사선성 조성물.
17. The method of claim 16,
The polymer comprising a structural unit having an acidic group further comprises a structural unit having a crosslinkable group, the radiation-sensitive composition.
제17항에 있어서,
상기 가교성기는, 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인, 감방사선성 조성물.
18. The method of claim 17,
The crosslinkable group is at least one selected from the group consisting of an oxiranyl group and an oxetanyl group, the radiation-sensitive composition.
제16항에 있어서,
상기 퀴논디아지드 화합물은, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물과, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드와의 축합물인, 감방사선성 조성물.
17. The method of claim 16,
The radiation-sensitive composition, wherein the quinonediazide compound is a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound and a 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide.
산성기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체와,
중합성 단량체와,
광 중합 개시제와,
소수성기와 수산기가 규소 원자에 결합한 부분 구조를 갖고, 또한 알콕시기를 갖지 않는 실라놀 화합물과,
염기성 화합물과,
용제
를 함유하는, 감방사선성 조성물.
A polymer comprising a structural unit having an acidic group;
a polymerizable monomer;
a photopolymerization initiator;
a silanol compound having a partial structure in which a hydrophobic group and a hydroxyl group are bonded to a silicon atom and having no alkoxy group;
a basic compound, and
solvent
containing, a radiation-sensitive composition.
제20항에 있어서,
상기 산성기를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체는, 가교성기를 갖는 구조 단위를 추가로 포함하는, 감방사선성 조성물.
21. The method of claim 20,
The polymer comprising a structural unit having an acidic group further comprises a structural unit having a crosslinkable group, the radiation-sensitive composition.
제21항에 있어서,
상기 가교성기는, 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인, 감방사선성 조성물.
22. The method of claim 21,
The crosslinkable group is at least one selected from the group consisting of an oxiranyl group and an oxetanyl group, the radiation-sensitive composition.
제1항 내지 제22항 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 조성물을 이용하여 도막을 형성하는 공정과,
상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정과,
방사선이 조사된 상기 도막을 현상하는 공정과,
현상된 상기 도막을 가열하는 공정
을 포함하는, 경화막의 제조 방법.
A step of forming a coating film using the radiation-sensitive composition according to any one of claims 1 to 22;
a step of irradiating at least a part of the coating film with radiation;
a process of developing the coating film irradiated with radiation;
The process of heating the developed coating film
A method for producing a cured film, comprising:
제1항 내지 제22항 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 조성물을 이용하여 형성된 경화막.The cured film formed using the radiation-sensitive composition in any one of Claims 1-22. 제24항에 기재된 경화막을 구비하는 반도체 소자.A semiconductor element provided with the cured film of Claim 24. 제24항에 기재된 경화막을 구비하는 표시 소자.A display element provided with the cured film of Claim 24.
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