JP7397419B1 - Radiation sensitive composition, cured film and method for producing the same, semiconductor element and display element - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
【課題】感度、基板密着性、及び低アウトガス性を十分なレベルで発揮し得る硬化膜を形成可能な感放射線性組成物、当該感放射線性組成物から形成された硬化膜及びその製造方法、当該硬化膜を備える半導体素子、表示素子の提供。【解決手段】式(1)で表される基を有する構造単位(I)を含む重合体及びシロキサンポリマーよりなる群から選択される少なくとも1種であるケイ素含有重合体(A)と、1個以上の環構造及び2個以上のエポキシ基を有するエポキシ基含有化合物(B)(ただし、上記ケイ素含有重合体(A)を除く)と、光酸発生剤(C)と、を含有する感放射線性組成物。JPEG0007397419000045.jpg28141(式(1)中、R1、R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~10のアルキル基、又はフェニル基である。ただし、R1、R2及びR3のうち少なくとも1つは、炭素数1~6のアルコキシ基である。)【選択図】なし[Problems] A radiation-sensitive composition capable of forming a cured film that exhibits sufficient levels of sensitivity, substrate adhesion, and low outgassing properties, a cured film formed from the radiation-sensitive composition, and a method for producing the same; Provided are semiconductor devices and display devices comprising the cured film. [Solution] A silicon-containing polymer (A) that is at least one selected from the group consisting of a polymer containing a structural unit (I) having a group represented by formula (1) and a siloxane polymer; A radiation-sensitive radiation-sensitive compound containing an epoxy group-containing compound (B) having the above ring structure and two or more epoxy groups (excluding the above silicon-containing polymer (A)), and a photoacid generator (C). sexual composition. JPEG0007397419000045.jpg28141 (In formula (1), R1, R2 and R3 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or It is a phenyl group.However, at least one of R1, R2 and R3 is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms.) [Selection diagram] None
Description
本発明は、感放射線性組成物、硬化膜及びその製造方法、半導体素子並びに表示素子に関する。 The present invention relates to a radiation-sensitive composition, a cured film, a method for producing the same, a semiconductor element, and a display element.
半導体素子や表示素子が有する硬化膜(例えば、層間絶縁膜やスペーサー、保護膜等)は一般に、重合体成分と感放射線性化合物(例えば、光酸発生剤や光重合開始剤等)とを含有する感放射線性組成物を用いて形成される。例えば、感放射線性組成物により形成された塗膜に対して放射線照射及び現像処理を施すことによってパターンを形成した後、加熱処理を行って熱硬化させることにより、パターン形状を有する硬化膜を得ることができる。 Cured films (e.g., interlayer insulating films, spacers, protective films, etc.) possessed by semiconductor elements and display elements generally contain a polymer component and a radiation-sensitive compound (e.g., a photoacid generator, a photopolymerization initiator, etc.). It is formed using a radiation-sensitive composition. For example, a cured film having a pattern shape is obtained by forming a pattern by subjecting a coating film formed from a radiation-sensitive composition to radiation irradiation and development treatment, and then heat-curing it by heat treatment. be able to.
半導体素子や表示素子が有する硬化膜を形成する材料として、アルコキシシリル基等のケイ素含有官能基を有する重合体や、シロキサンポリマー等といったケイ素含有重合体と、キノンジアジドとを含む感放射線性組成物が提案されている(例えば、特許文献1及び特許文献2参照)。 A radiation-sensitive composition containing a polymer having a silicon-containing functional group such as an alkoxysilyl group, a silicon-containing polymer such as a siloxane polymer, and quinone diazide is used as a material for forming a cured film of a semiconductor element or a display element. It has been proposed (for example, see Patent Document 1 and Patent Document 2).
感光性シロキサン組成物を用いることにより、高耐熱性、高透明性、低誘電率性、高耐薬品性、及び高解像性を併せもった硬化膜を形成可能であるとされているが、一方で、現像処理の際に、膜と基板との界面から現像液が侵入し、膜と基板の密着性(基板密着性、現像密着性ともいう)が劣る場合があった。また、膜の吸水が、アウトガスの原因になる場合があった。 It is said that by using a photosensitive siloxane composition, it is possible to form a cured film that has high heat resistance, high transparency, low dielectric constant, high chemical resistance, and high resolution. On the other hand, during the development process, a developer may enter from the interface between the film and the substrate, resulting in poor adhesion between the film and the substrate (also referred to as substrate adhesion or development adhesion). In addition, water absorption by the membrane may cause outgassing.
本発明は、基板密着性及び低アウトガス性を十分なレベルで発揮し得る硬化膜を形成可能な感放射線性組成物、当該感放射線性組成物から形成された硬化膜及びその製造方法、当該硬化膜を備える半導体素子、表示素子を提供することを目的とする。 The present invention relates to a radiation-sensitive composition capable of forming a cured film that exhibits sufficient levels of substrate adhesion and low outgas properties, a cured film formed from the radiation-sensitive composition, a method for producing the same, and a cured film formed from the radiation-sensitive composition. An object of the present invention is to provide a semiconductor device and a display device including a film.
本発明者らは、本課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の構造を有するエポキシ基含有化合物を感放射線性組成物に配合することにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。 As a result of intensive studies to solve this problem, the present inventors discovered that the above object can be achieved by incorporating an epoxy group-containing compound having a specific structure into a radiation-sensitive composition, and the present invention was completed.
本発明は、一実施形態において、
下記式(1)で表される基を有する構造単位(I)を含む重合体及びシロキサンポリマーよりなる群から選択される少なくとも1種であるケイ素含有重合体(A)と、
1個以上の環構造及び2個以上のエポキシ基を有するエポキシ基含有化合物(B)(ただし、上記ケイ素含有重合体(A)を除く)と、
光酸発生剤(C)と、
を含有する感放射線性組成物に関する。
A silicon-containing polymer (A) that is at least one selected from the group consisting of a polymer containing a structural unit (I) having a group represented by the following formula (1) and a siloxane polymer;
An epoxy group-containing compound (B) having one or more ring structures and two or more epoxy groups (excluding the above silicon-containing polymer (A)),
a photoacid generator (C);
The present invention relates to a radiation-sensitive composition containing.
本発明は、別の実施形態において、
上記感放射線性組成物を用いて塗膜を形成する工程と、
前記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程と、
放射線が照射された前記塗膜を現像する工程と、
現像された前記塗膜を加熱する工程と、
を含む、硬化膜の製造方法に関する。
In another embodiment, the present invention provides:
forming a coating film using the radiation-sensitive composition;
irradiating at least a portion of the coating film with radiation;
Developing the coating film irradiated with radiation;
heating the developed coating film;
The present invention relates to a method for producing a cured film, including:
本発明は、別の実施形態において、
上記感放射線性組成物を用いて形成された硬化膜、当該硬化膜を備える、半導体素子、表示素子に関する。
In another embodiment, the present invention provides:
The present invention relates to a cured film formed using the radiation-sensitive composition, a semiconductor element, and a display element equipped with the cured film.
本発明の感放射線性組成物によれば、基板密着性、低アウトガス性を満足する硬化膜を構築することができる。この理由は、以下のように推察される。現像処理時の基板密着性の低下は、未露光部の端部から現像液が染み込むことにより生じると考えられるが、本発明においては感放射線性組成物に含まれるエポキシ基含有化合物(B)が、疎水性が高い構造を有するため、基板界面が疎水的環境になり、現像処理時の膜と基板の界面への現像液の染み込みが抑制され、その結果、基板密着性の低下を抑制できると考えられる。また、エポキシ基含有化合物(B)の架橋効果により、アウトガスの量も抑制できると考えられる。 According to the radiation-sensitive composition of the present invention, a cured film that satisfies substrate adhesion and low outgassing properties can be constructed. The reason for this is inferred as follows. The decrease in substrate adhesion during development is thought to be caused by the developer seeping into the edges of the unexposed areas, but in the present invention, the epoxy group-containing compound (B) contained in the radiation-sensitive composition is Because it has a highly hydrophobic structure, the substrate interface becomes a hydrophobic environment, suppressing the penetration of the developer into the interface between the film and the substrate during development processing, and as a result, suppressing the decline in substrate adhesion. Conceivable. It is also believed that the amount of outgas can be suppressed due to the crosslinking effect of the epoxy group-containing compound (B).
本発明の硬化膜の製造方法では、基板密着性、及び低アウトガス性に優れる硬化膜を形成可能な上記感放射線性組成物を用いているので、高品位の硬化膜を効率的に形成することができる。本発明の硬化膜は、上記感放射線性組成物を用いているので、感度、基板密着性、及び低アウトガス性に優れる。 The method for producing a cured film of the present invention uses the above-mentioned radiation-sensitive composition capable of forming a cured film with excellent substrate adhesion and low outgassing properties, so that a high-quality cured film can be efficiently formed. I can do it. Since the cured film of the present invention uses the radiation-sensitive composition described above, it has excellent sensitivity, substrate adhesion, and low outgassing properties.
本発明の半導体素子、表示素子は、基板密着性及び低アウトガス性に優れる硬化膜を備えるため、高品位なものである。 The semiconductor element and display element of the present invention are of high quality because they include a cured film that has excellent substrate adhesion and low outgas properties.
以下、本発明の実施形態について詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。なお、本明細書において、「~」を用いて記載された数値範囲は、「~」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味である。「構造単位」とは、主鎖構造を主として構成する単位であって、少なくとも主鎖構造中に2個以上含まれる単位をいう。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail, but the present invention is not limited to these embodiments. In addition, in this specification, a numerical range described using "~" has the meaning of including the numerical values described before and after "~" as a lower limit value and an upper limit value. "Structural unit" is a unit that mainly constitutes the main chain structure, and refers to at least two or more units included in the main chain structure.
本明細書において、「炭化水素基」は、鎖状炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基を含む意味である。「鎖状炭化水素基」とは、主鎖に環状構造を含まず、鎖状構造のみで構成された直鎖状炭化水素基及び分岐状炭化水素基を意味する。ただし、飽和でも不飽和でもよい。「脂環式炭化水素基」とは、環構造としては脂環式炭化水素の構造のみを含み、芳香環構造を含まない炭化水素基を意味する。ただし、脂環式炭化水素の構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造を有するものも含む。「芳香族炭化水素基」とは、環構造として芳香環構造を含む炭化水素基を意味する。ただし、芳香環構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造や脂環式炭化水素の構造を含んでいてもよい。なお、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が有する環構造は、炭化水素構造からなる置換基を有していてもよい。 As used herein, the term "hydrocarbon group" includes a chain hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group. The term "chain hydrocarbon group" refers to a straight chain hydrocarbon group and a branched hydrocarbon group that do not contain a cyclic structure in the main chain and are composed only of a chain structure. However, it may be saturated or unsaturated. "Alicyclic hydrocarbon group" means a hydrocarbon group containing only an alicyclic hydrocarbon structure as a ring structure and not containing an aromatic ring structure. However, it does not have to be composed only of an alicyclic hydrocarbon structure, and includes a structure having a chain structure as a part thereof. "Aromatic hydrocarbon group" means a hydrocarbon group containing an aromatic ring structure as a ring structure. However, it is not necessary to consist only of an aromatic ring structure, and a part thereof may include a chain structure or an alicyclic hydrocarbon structure. Note that the ring structures of the alicyclic hydrocarbon group and the aromatic hydrocarbon group may have a substituent consisting of a hydrocarbon structure.
本明細書において、「(メタ)アクリロ」は、「アクリロ」及び「メタクリロ」を包含する意味であり、「(メタ)アクリル」は、「アクリル」及び「メタクリル」を包含する意味である。「(メタ)アクリレート」は、「アクリレート」及び「メタクリレート」を包含する意味である。 In the present specification, "(meth)acrylo" includes "acrylo" and "methacrylo," and "(meth)acrylic" includes "acrylic" and "methacrylic." “(Meth)acrylate” is meant to include “acrylate” and “methacrylate”.
≪感放射線性組成物≫
本実施形態に係る感放射線性組成物(以下、単に「組成物」ともいう。)は、下記式(1)で表される基を有する構造単位(I)を含む重合体(A-1)及びシロキサンポリマー(A-2)よりなる群から選択される少なくとも1種であるケイ素含有重合体(A)と、
1個以上の環構造及び2個以上のエポキシ基を有するエポキシ基含有化合物(B)(ただし、上記ケイ素含有重合体(A)を除く)と、
光酸発生剤(C)と、
を含有する。
The radiation-sensitive composition (hereinafter also simply referred to as "composition") according to the present embodiment is a polymer (A-1) containing a structural unit (I) having a group represented by the following formula (1). and a silicon-containing polymer (A) that is at least one selected from the group consisting of siloxane polymer (A-2);
An epoxy group-containing compound (B) having one or more ring structures and two or more epoxy groups (excluding the above silicon-containing polymer (A)),
a photoacid generator (C);
Contains.
<ケイ素含有重合体(A)>
ケイ素含有重合体(A)は、上記式(1)で表される基を有する構造単位(I)を含む重合体(A-1)及びシロキサンポリマー(A-2)よりなる群から選択される少なくとも1種である。
<Silicon-containing polymer (A)>
The silicon-containing polymer (A) is selected from the group consisting of a polymer (A-1) containing a structural unit (I) having a group represented by the above formula (1) and a siloxane polymer (A-2). At least one type.
(重合体(A-1))
重合体(A-1)は、下記式(1)で表される基を有する構造単位(I)を含む重合体の集合体である(以下、この集合体を「ベース重合体」ともいう。)。重合体(A-1)に含まれる少なくとも一の重合体が、構造単位(I)を含んでいればよく、重合体(A-1)を構成する重合体全体として構造単位(I)を含んでいればよい。重合体(A)は、構造単位(I)以外の構造単位を含んでいてもよい。
The polymer (A-1) is an aggregate of polymers containing a structural unit (I) having a group represented by the following formula (1) (hereinafter, this aggregate is also referred to as a "base polymer". ). It is sufficient that at least one polymer contained in the polymer (A-1) contains the structural unit (I), and the entire polymer constituting the polymer (A-1) does not contain the structural unit (I). It's fine as long as you are. The polymer (A) may contain structural units other than the structural unit (I).
以下、重合体(A-1)に含まれる各構造単位について説明する。 Each structural unit contained in the polymer (A-1) will be explained below.
[構造単位(I)]
構造単位(I)は、下記式(1)で表される基を有する。
Structural unit (I) has a group represented by the following formula (1).
式(1)において、R1~R3で表される炭素数1~6のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、及びtert-ブトキシ基等が挙げられる。これらのうち、R1~R3で表されるアルコキシ基は、炭素数1~3が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましい。 In formula (1), the alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 1 to R 3 includes methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, and tert-butoxy group. Examples include groups. Among these, the alkoxy group represented by R 1 to R 3 preferably has 1 to 3 carbon atoms, and more preferably a methoxy group or an ethoxy group.
R1~R3で表される炭素数1~10のアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。R1~R3で表されるアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等が挙げられる。これらのうち、R1~R3で表されるアルキル基は、メチル基、エチル基又はプロピル基が好ましい。 The alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 1 to R 3 may be linear or branched. Examples of the alkyl group represented by R 1 to R 3 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and a tert-butyl group. Among these, the alkyl group represented by R 1 to R 3 is preferably a methyl group, an ethyl group, or a propyl group.
R1~R3で表される基のうち少なくとも1つは、炭素数1~6のアルコキシ基である。架橋構造の形成により耐熱性に優れた硬化膜を得る観点から、R1~R3のうち2個以上が炭素数1~6のアルコキシ基であることが好ましく、全部が炭素数1~6のアルコキシ基であることが特に好ましい。R1~R3のうち1個又は2個が炭素数1~6のアルコキシ基である場合、残りの基は、ヒドロキシ基又は炭素数1~10のアルキル基であることが好ましい。 At least one of the groups represented by R 1 to R 3 is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. From the viewpoint of obtaining a cured film with excellent heat resistance by forming a crosslinked structure, it is preferable that two or more of R 1 to R 3 are alkoxy groups having 1 to 6 carbon atoms, and all of them are alkoxy groups having 1 to 6 carbon atoms. Particularly preferred is an alkoxy group. When one or two of R 1 to R 3 are alkoxy groups having 1 to 6 carbon atoms, the remaining groups are preferably hydroxy groups or alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms.
上記構造単位(I)において、式(1)で表される基は、芳香環基又は鎖状炭化水素基に結合していることが好ましい。なお、本明細書において「芳香環基」とは、芳香環の環部分からn個(nは整数)の水素原子を取り除いた基を意味する。当該芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が挙げられる。これらの環は、アルキル基等の置換基を有していてもよい。上記式(1)で表される基が鎖状炭化水素基に結合している場合、当該鎖状炭化水素基としては、アルカンジイル基、アルケンジイル基等が挙げられる。 In the above structural unit (I), the group represented by formula (1) is preferably bonded to an aromatic ring group or a chain hydrocarbon group. In this specification, the term "aromatic ring group" refers to a group obtained by removing n hydrogen atoms (n is an integer) from the ring portion of an aromatic ring. Examples of the aromatic ring include a benzene ring, a naphthalene ring, and an anthracene ring. These rings may have a substituent such as an alkyl group. When the group represented by the above formula (1) is bonded to a chain hydrocarbon group, examples of the chain hydrocarbon group include an alkanediyl group and an alkenediyl group.
式(1)で表される基は、上記のうち、ベンゼン環、ナフタレン環又はアルキル鎖に結合していることが好ましい。具体的には、構造単位(I)は、下記式(1-1)で表される基、下記式(1-2)で表される基及び下記式(1-3)で表される基よりなる群から選択される少なくとも1種を有することが好ましい。
上記式(1-1)、式(1-2)において、A1及びA2により表される炭素数1~6のアルコキシ基及び炭素数1~6のアルキル基の例示については、上記式(1)のR1~R3として例示した基と同様の基が挙げられる。n1は0又は1が好ましく、0がより好ましい。n2は、0~2が好ましく、0がより好ましい。 In the above formulas (1-1) and (1-2), examples of the alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms and the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by A 1 and A 2 are as follows: The same groups as those exemplified as R 1 to R 3 in 1) can be mentioned. n1 is preferably 0 or 1, and more preferably 0. n2 is preferably 0 to 2, more preferably 0.
上記式(1-1)、式(1-2)において、芳香環に結合する基「-SiR1R2R3」の位置は、A1及びA2を除く他の基の結合位置(すなわち、「*」で表される結合手の位置)に対し、いずれの位置であってもよい。例えば、上記式(1-1)の場合、「-SiR1R2R3」の位置は、「*」で表される結合手の位置に対して、オルト位、メタ位及びパラ位のうちいずれでもよく、パラ位であることが好ましい。 In the above formulas (1-1) and (1-2), the position of the group “-SiR 1 R 2 R 3 ” bonded to the aromatic ring is the bonding position of other groups other than A 1 and A 2 (i.e. , the position of the bond represented by "*"), it may be in any position. For example, in the case of the above formula (1-1), the position of "-SiR 1 R 2 R 3 " is the ortho position, meta position, and para position with respect to the position of the bond represented by "*". Either position may be used, but the para position is preferred.
上記式(1-3)において、R6は直鎖状であることが好ましい。得られる硬化膜の耐熱性を高くする観点から、R6は、炭素数1~6が好ましく、1~4がより好ましい。 In the above formula (1-3), R 6 is preferably linear. From the viewpoint of increasing the heat resistance of the resulting cured film, R 6 preferably has 1 to 6 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms.
構造単位(I)は、重合に関与する結合として重合性炭素-炭素不飽和結合を有する単量体(以下、「不飽和単量体」ともいう)に由来する構造単位であることが好ましく、具体的には、下記式(2-1)で表される構造単位及び下記式(2-2)で表される構造単位よりなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。
上記式(2-1)及び式(2-2)において、R7、R8で表される2価の芳香環基は、置換若しくは無置換のフェニレン基、又は置換若しくは無置換のナフタレンジイル基であることが好ましい。置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基及び炭素数1~6のアルコキシ基よりなる群から選択される1種以上が挙げられる。2価の鎖状炭化水素基は、炭素数1~6のアルカンジイル基であることが好ましく、炭素数1~4のアルカンジイル基であることがより好ましい。 In the above formulas (2-1) and (2-2), the divalent aromatic ring group represented by R 7 and R 8 is a substituted or unsubstituted phenylene group, or a substituted or unsubstituted naphthalenediyl group. It is preferable that Examples of the substituent include one or more selected from the group consisting of a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The divalent chain hydrocarbon group is preferably an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms.
上記式(2-1)で表される構造単位の具体例としては、下記式(2-1-1)及び式(2-1-2)のそれぞれで表される構造単位等が挙げられる。また、上記式(2-2)で表される構造単位の具体例としては、下記式(2-2-1)及び式(2-2-2)のそれぞれで表される構造単位等が挙げられる。
構造単位(I)を構成する単量体の具体例としては、
上記式(1-1)で表される基を有する化合物として、スチリルトリメトキシシラン、スチリルトリエトキシシラン、スチリルメチルジメトキシシラン、スチリルエチルジエトキシシラン、スチリルジメトキシヒドロキシシラン、スチリルジエトキシヒドロキシシラン、4-ビニルフェニルトリメトキシシラン、(メタ)アクリロキシフェニルトリメトキシシラン、(メタ)アクリロキシフェニルトリエトキシシラン、(メタ)アクリロキシフェニルメトキシジメトキシシラン、(メタ)アクリロキシフェニルエチルジエトキシシラン等を;
上記式(1-2)で表される基を有する化合物として、トリメトキシ(4-ビニルナフチル)シラン、トリエトキシ(4-ビニルナフチル)シラン、メチルジメトキシ(4-ビニルナフチル)シラン、エチルジエトキシ(4-ビニルナフチル)シラン、(メタ)アクリロキシナフチルトリメトキシシラン等を;
上記式(1-3)で表される基を有する化合物として、(メタ)アクリロキシメチルトリメトキシシラン、(メタ)アクリロキシメチルトリエトキシシラン、(メタ)アクリロキシメチルメチルジメトキシシラン、(メタ)アクリロキシメチルメチルジエトキシシラン、3-(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-(メタ)アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3-(メタ)アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-(メタ)アクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、4-(メタ)アクリロキシブチルトリメトキシシラン等を;
また、その他の化合物として、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等を挙げることができる。
Specific examples of monomers constituting structural unit (I) include:
Examples of the compound having a group represented by the above formula (1-1) include styryltrimethoxysilane, styryltriethoxysilane, styrylmethyldimethoxysilane, styrylethyldiethoxysilane, styryldimethoxyhydroxysilane, styryldiethoxyhydroxysilane, 4 -vinylphenyltrimethoxysilane, (meth)acryloxyphenyltrimethoxysilane, (meth)acryloxyphenyltriethoxysilane, (meth)acryloxyphenylmethoxydimethoxysilane, (meth)acryloxyphenylethyldiethoxysilane, etc.;
Examples of compounds having a group represented by the above formula (1-2) include trimethoxy(4-vinylnaphthyl)silane, triethoxy(4-vinylnaphthyl)silane, methyldimethoxy(4-vinylnaphthyl)silane, and ethyldiethoxy(4-vinylnaphthyl)silane. -vinylnaphthyl)silane, (meth)acryloxinaphthyltrimethoxysilane, etc.;
As a compound having a group represented by the above formula (1-3), (meth)acryloxymethyltrimethoxysilane, (meth)acryloxymethyltriethoxysilane, (meth)acryloxymethylmethyldimethoxysilane, (meth) Acryloxymethylmethyldiethoxysilane, 3-(meth)acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-(meth)acryloxypropyltriethoxysilane, 3-(meth)acryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-(meth)acrylic Roxypropylmethyldiethoxysilane, 4-(meth)acryloxybutyltrimethoxysilane, etc.;
In addition, examples of other compounds include vinyltrimethoxysilane and vinyltriethoxysilane.
重合体(A-1)は、構造単位(I)を1種又は2種以上組み合わせて含んでいてもよい。 The polymer (A-1) may contain one type of structural unit (I) or a combination of two or more types.
構造単位(I)の含有割合(複数種含む場合は合計の含有割合)は、ベース重合体を構成する全構造単位に対して、5質量%以上が好ましく、10質量%以上がより好ましく、15質量%以上が更に好ましい。また、上記含有割合は、ベース重合体を構成する全構造単位に対して、50質量%以下が好ましく、40質量%以下がより好ましく、30質量%以下が更に好ましい。構造単位(I)の含有割合を上記範囲とすることで、感度、低アウトガスの観点から好ましい。 The content ratio of the structural unit (I) (total content ratio when multiple types are included) is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, and 15% by mass or more, based on all structural units constituting the base polymer. More preferably, the amount is % by mass or more. Moreover, the content ratio is preferably 50% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, and even more preferably 30% by mass or less, based on all structural units constituting the base polymer. It is preferable to set the content ratio of the structural unit (I) within the above range from the viewpoint of sensitivity and low outgas.
[構造単位(II)]
重合体(A-1)は、構造単位(II)として、無置換マレイミド由来の構造単位又は酸基を有する構造単位を含有することが好ましい。構造単位(II)を含有することで、アルカリ現像液に対する重合体(A-1)の溶解性(アルカリ可溶性)を高めたり、硬化反応性を高めたりすることができる。なお、本明細書において「アルカリ可溶」とは、例えば、構造単位(II)を含む重合体(A―1)が、2.38質量%濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液等のアルカリ水溶液に溶解又は膨潤可能であることを意味する。
[Structural unit (II)]
The polymer (A-1) preferably contains a structural unit derived from unsubstituted maleimide or a structural unit having an acid group as the structural unit (II). By containing the structural unit (II), the solubility (alkali solubility) of the polymer (A-1) in an alkaline developer can be increased and the curing reactivity can be increased. In this specification, "alkali-soluble" means, for example, that the polymer (A-1) containing the structural unit (II) is soluble in an alkaline aqueous solution such as a 2.38% by mass aqueous tetramethylammonium hydroxide solution. Means capable of dissolving or swelling.
構造単位(II)における酸基を有する構造単位としては、酸基を有する限り特に限定されないが、カルボキシ基を有する構造単位、無置換マレイミド由来の構造単位、スルホン酸基を有する構造単位、及びフェノール性水酸基を有する構造単位よりなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましく、カルボキシ基を有する構造単位、無置換マレイミド由来の構造単位がより好ましい。なお、本明細書において「フェノール性水酸基」とは、芳香環(例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等)に直接結合するヒドロキシ基を意味する。 The structural unit having an acid group in structural unit (II) is not particularly limited as long as it has an acid group, but includes a structural unit having a carboxy group, a structural unit derived from unsubstituted maleimide, a structural unit having a sulfonic acid group, and a phenol. The structural unit is preferably at least one selected from the group consisting of structural units having a hydroxyl group, and more preferably a structural unit having a carboxyl group or a structural unit derived from unsubstituted maleimide. In this specification, the term "phenolic hydroxyl group" refers to a hydroxy group directly bonded to an aromatic ring (eg, benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, etc.).
酸基を有する構造単位としては、酸基を有する不飽和単量体に由来する構造単位であることが好ましい。酸基を有する不飽和単量体の具体例としては、
カルボキシ基を有する構造単位を構成する単量体として、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸、4-ビニル安息香酸等の不飽和モノカルボン酸;マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等の不飽和ジカルボン酸;
スルホン酸基を有する構造単位を構成する単量体として、例えば、ビニルスルホン酸、(メタ)アリルスルホン酸、スチレンスルホン酸、(メタ)アクリロイルオキシエチルスルホン酸等;
フェノール性水酸基を有する構造単位を構成する単量体として、例えば、4-ヒドロキシスチレン、o-イソプロペニルフェノール、m-イソプロペニルフェノール、p-イソプロペニルフェノール、ヒドロキシフェニル(メタ)アクリレート等、
をそれぞれ挙げることができる。
The structural unit having an acid group is preferably a structural unit derived from an unsaturated monomer having an acid group. Specific examples of unsaturated monomers having acid groups include:
Monomers constituting the structural unit having a carboxy group include, for example, unsaturated monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid, crotonic acid, and 4-vinylbenzoic acid; maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, Unsaturated dicarboxylic acids such as itaconic acid;
Examples of monomers constituting a structural unit having a sulfonic acid group include vinylsulfonic acid, (meth)allylsulfonic acid, styrenesulfonic acid, (meth)acryloyloxyethylsulfonic acid, etc.;
Examples of monomers constituting the structural unit having a phenolic hydroxyl group include 4-hydroxystyrene, o-isopropenylphenol, m-isopropenylphenol, p-isopropenylphenol, hydroxyphenyl (meth)acrylate, etc.
can be mentioned respectively.
また、構造単位(II)における無置換マレイミド由来の構造単位を構成する単量体としては、マレイミドを挙げることができる。 Moreover, as a monomer constituting the structural unit derived from unsubstituted maleimide in the structural unit (II), maleimide can be mentioned.
これらの中でも、不飽和モノカルボン酸、マレイミドが好ましく、(メタ)アクリル酸、マレイミドがより好ましい。 Among these, unsaturated monocarboxylic acids and maleimides are preferred, and (meth)acrylic acid and maleimide are more preferred.
重合体(A-1)は、構造単位(II)を1種又は2種以上組み合わせて含んでいてもよい。 The polymer (A-1) may contain one type of structural unit (II) or a combination of two or more types.
重合体(A-1)が構造単位(II)を含む場合、構造単位(II)の含有割合(複数種含む場合は合計の含有割合)は、アルカリ現像液への良好な溶解性を付与する観点から、ベース重合体を構成する全構造単位に対して、0.1質量%以上が好ましく、0.5質量%以上がより好ましく、1質量%以上が更に好ましく、5質量%以上がより更に好ましく、10質量%以上が特に好ましい。一方、良好なパターン形状が得られる観点から、構造単位(II)の含有割合は、ベース重合体を構成する全構造単位に対して、50質量%以下が好ましく、40質量%以下がより好ましく、30質量%以下が更に好ましい。 When the polymer (A-1) contains a structural unit (II), the content ratio of the structural unit (II) (or the total content ratio if multiple types are included) provides good solubility in an alkaline developer. From this point of view, it is preferably at least 0.1% by mass, more preferably at least 0.5% by mass, even more preferably at least 1% by mass, and even more preferably at least 5% by mass, based on all structural units constituting the base polymer. Preferably, 10% by mass or more is particularly preferable. On the other hand, from the viewpoint of obtaining a good pattern shape, the content of the structural unit (II) is preferably 50% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, based on the total structural units constituting the base polymer. More preferably, it is 30% by mass or less.
[構造単位(III)]
重合体(A-1)が、構造単位(III)として、オキシラニル基及びオキセタニル基よりなる群から選択される1種以上を有する構造単位を含むことが好ましい。なお、本明細書では、オキシラニル基及びオキセタニル基を包含して「エポキシ基」ともいう。
[Structural unit (III)]
It is preferable that the polymer (A-1) contains, as the structural unit (III), a structural unit having one or more types selected from the group consisting of an oxiranyl group and an oxetanyl group. In addition, in this specification, oxiranyl group and oxetanyl group are also referred to as "epoxy group."
重合体(A-1)が、構造単位(III)を含むことにより、膜の解像性や密着性をより高めることができる点で好ましい。また、エポキシ基が架橋性基として作用することにより、耐薬品性が高く、長期間に亘って劣化が抑制される硬化膜を形成できる点で好ましい。構造単位(III)は、エポキシ基を有する不飽和単量体に由来する構造単位であることが好ましく、具体的には下記式(3-1)で表される構造単位及び下記式(3-2)で表される構造単位よりなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。 Polymer (A-1) is preferable because it can further improve the resolution and adhesion of the film by including the structural unit (III). Further, since the epoxy group acts as a crosslinkable group, it is preferable that a cured film can be formed that has high chemical resistance and whose deterioration is suppressed over a long period of time. The structural unit (III) is preferably a structural unit derived from an unsaturated monomer having an epoxy group, specifically a structural unit represented by the following formula (3-1) and a structural unit derived from the following formula (3-1). It is preferable that the structural unit is at least one selected from the group consisting of the structural units represented by 2).
上記式(3-1)及び式(3-2)において、R20としては、オキシラニル基、オキセタニル基、3,4-エポキシシクロヘキシル基、3,4-エポキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デシル基、3-エチルオキセタニル基等が挙げられる。 In the above formulas (3-1) and (3-2), R 20 is an oxiranyl group, an oxetanyl group, a 3,4-epoxycyclohexyl group, a 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decyl group, 3-ethyloxetanyl group, etc.
X1の2価の連結基としては、メチレン基、エチレン基、1,3-プロパンジイル基等のアルカンジイル基;アルカンジイル基の任意のメチレン基が酸素原子に置き換えられた2価の基等が好ましい。 Examples of the divalent linking group for X 1 include alkanediyl groups such as methylene group, ethylene group, and 1,3-propanediyl group; divalent groups in which any methylene group of the alkanediyl group is replaced with an oxygen atom, etc. is preferred.
エポキシ基を有する単量体の具体例としては、例えば、グリシジル(メタ)アクリレート、3,4-エポキシシクロヘキシル(メタ)アクリレート、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレート、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチル(メタ)アクリレート、3,4-エポキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デシル(メタ)アクリレート、メタクリル酸2-ヒドロキシエチル[3,4-エポキシトリシクロ(5.2.1.02,6)デカン-9-イル]、メタクリル酸[3,4-エポキシトリシクロ(5.2.1.02,6)デカン-9-イル]、(3-メチルオキセタン-3-イル)メチル(メタ)アクリレート、(3-エチルオキセタン-3-イル)(メタ)アクリレート、(3-エチルオキセタン-3-イル)メチル(メタ)アクリレート、(オキセタン-3-イル)メチル(メタ)アクリレート、3-(メタ)アクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン、o-ビニルベンジルグリシジルエーテル、m-ビニルベンジルグリシジルエーテル、p-ビニルベンジルグリシジルエーテル等が挙げられる。 Specific examples of monomers having epoxy groups include glycidyl (meth)acrylate, 3,4-epoxycyclohexyl (meth)acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth)acrylate, 2-(3,4 -Epoxycyclohexyl)ethyl (meth)acrylate, 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decyl (meth)acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate [3,4-epoxytricyclo( 5.2.1.0 2,6 )decane-9-yl], methacrylic acid [3,4-epoxytricyclo(5.2.1.0 2,6 )decane-9-yl], (3- Methyloxetan-3-yl) methyl (meth)acrylate, (3-ethyloxetan-3-yl) (meth)acrylate, (3-ethyloxetan-3-yl) methyl (meth)acrylate, (oxetan-3-yl) ) methyl (meth)acrylate, 3-(meth)acryloyloxymethyl-3-ethyloxetane, o-vinylbenzylglycidyl ether, m-vinylbenzylglycidyl ether, p-vinylbenzylglycidyl ether and the like.
ベース重合体は、構造単位(III)を1種又は2種以上組み合わせて含んでいてもよい。 The base polymer may contain one type of structural unit (III) or a combination of two or more types.
重合体(A-1)が構造単位(III)を含む場合、構造単位(III)の含有割合(複数種含む場合は合計の含有割合)は、重合体成分を構成する全構造単位に対して、0.1質量%以上が好ましく、0.5質量%以上がより好ましく、1質量%以上が更に好ましく、5質量%以上がより更に好ましく、10質量%以上が特に好ましい。また、構造単位(III)の含有割合は、重合体成分を構成する全構造単位に対して、50質量%以下が好ましく、40質量%以下がより好ましく、30質量%以下が更に好ましい。構造単位(III)の含有割合を上記範囲とすることで、塗膜がより良好な解像性を示すとともに、得られる硬化膜の耐熱性及び耐薬品性を十分に高くすることができる点で好ましい。 When the polymer (A-1) contains a structural unit (III), the content ratio of the structural unit (III) (or the total content ratio if it contains multiple types) is based on all the structural units constituting the polymer component. , is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, even more preferably 1% by mass or more, even more preferably 5% by mass or more, and particularly preferably 10% by mass or more. Moreover, the content ratio of the structural unit (III) is preferably 50% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, and even more preferably 30% by mass or less, based on all the structural units constituting the polymer component. By setting the content ratio of the structural unit (III) within the above range, the coating film shows better resolution, and the resulting cured film can have sufficiently high heat resistance and chemical resistance. preferable.
[構造単位(IV)]
上記重合体(A-1)は、更に、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、脂環式構造を有する(メタ)アクリル酸エステル、芳香環構造を有する(メタ)アクリル酸エステル、芳香族ビニル化合物、N-置換マレイミド化合物、複素環構造を有するビニル化合物、共役ジエン化合物、窒素含有ビニル化合物、及び不飽和ジカルボン酸ジアルキルエステル化合物よりなる群から選択される少なくとも1種の単量体に由来する構造単位(IV)を含むことができる。これらの構造単位(IV)を重合体中に導入することにより、重合体(A-1)のガラス転移温度を調整し、得られる硬化膜のパターン形状性を向上させることができる点で好ましい。
[Structural unit (IV)]
The above polymer (A-1) further includes a (meth)acrylic acid alkyl ester, a (meth)acrylic acid ester having an alicyclic structure, a (meth)acrylic acid ester having an aromatic ring structure, an aromatic vinyl compound, A structural unit derived from at least one monomer selected from the group consisting of N-substituted maleimide compounds, vinyl compounds having a heterocyclic structure, conjugated diene compounds, nitrogen-containing vinyl compounds, and unsaturated dicarboxylic acid dialkyl ester compounds. (IV). Introducing these structural units (IV) into the polymer is preferable in that the glass transition temperature of the polymer (A-1) can be adjusted and the pattern shape of the resulting cured film can be improved.
上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとして、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n-プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸n-ラウリル、(メタ)アクリル酸n-ステアリル等を挙げることができる。 Examples of the above (meth)acrylic acid alkyl ester include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, ( Examples include 2-ethylhexyl meth)acrylate, n-lauryl (meth)acrylate, and n-stearyl (meth)acrylate.
上記脂環式構造を有する(メタ)アクリル酸エステルとして、例えば、(メタ)アクリル酸シクロへキシル、(メタ)アクリル酸2-メチルシクロへキシル、(メタ)アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イル、(メタ)アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,5]デカン-8-イルオキシエチル、(メタ)アクリル酸イソボロニル等を挙げることができる。 Examples of the (meth)acrylic ester having an alicyclic structure include cyclohexyl (meth)acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth)acrylate, tricyclo(meth)acrylate [5.2.1. 0 2,6 ]decane-8-yl, tricyclo[5.2.1.0 2,5 ]decane-8-yloxyethyl (meth)acrylate, and isobornyl (meth)acrylate.
上記芳香環構造を有する(メタ)アクリル酸エステルとして、例えば、(メタ)アクリル酸フェニル、(メタ)アクリル酸ベンジル等を挙げることができる。 Examples of the (meth)acrylic ester having an aromatic ring structure include phenyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, and the like.
上記芳香族ビニル化合物として、例えば、スチレン、2-メチルスチレン、3-メチルスチレン、4-メチルスチレン、α-メチルスチレン、2,4-ジメチルスチレン、2,4-ジイソプロピルスチレン、5-t-ブチル-2-メチルスチレン、ジビニルベンゼン、トリビニルベンゼン、t-ブトキシスチレン、ビニルベンジルジメチルアミン、(4-ビニルベンジル)ジメチルアミノエチルエーテル、N,N-ジメチルアミノエチルスチレン、N,N-ジメチルアミノメチルスチレン、2-エチルスチレン、3-エチルスチレン、4-エチルスチレン、2-t-ブチルスチレン、3-t-ブチルスチレン、4-t-ブチルスチレン、ジフェニルエチレン、ビニルナフタレン、ビニルピリジン等を挙げることができる。 Examples of the aromatic vinyl compounds include styrene, 2-methylstyrene, 3-methylstyrene, 4-methylstyrene, α-methylstyrene, 2,4-dimethylstyrene, 2,4-diisopropylstyrene, 5-t-butyl -2-Methylstyrene, divinylbenzene, trivinylbenzene, t-butoxystyrene, vinylbenzyldimethylamine, (4-vinylbenzyl)dimethylaminoethyl ether, N,N-dimethylaminoethylstyrene, N,N-dimethylaminomethyl Styrene, 2-ethylstyrene, 3-ethylstyrene, 4-ethylstyrene, 2-t-butylstyrene, 3-t-butylstyrene, 4-t-butylstyrene, diphenylethylene, vinylnaphthalene, vinylpyridine, etc. I can do it.
上記N-置換マレイミド化合物として、例えば、N-シクロヘキシルマレイミド、N-シクロペンチルマレイミド、N-(2-メチルシクロヘキシル)マレイミド、N-(4-メチルシクロヘキシル)マレイミド、N-(4-エチルシクロヘキシル)マレイミド、N-(2,6-ジメチルシクロヘキシル)マレイミド、N-ノルボルニルマレイミド、N-トリシクロデシルマレイミド、N-アダマンチルマレイミド、N-フェニルマレイミド、N-(2-メチルフェニル)マレイミド、N-(4-メチルフェニル)マレイミド、N-(4-エチルフェニル)マレイミド、N-(2,6-ジメチルフェニル)マレイミド、N-ベンジルマレイミド、N-ナフチルマレイミド等を挙げることができる。 Examples of the N-substituted maleimide compound include N-cyclohexylmaleimide, N-cyclopentylmaleimide, N-(2-methylcyclohexyl)maleimide, N-(4-methylcyclohexyl)maleimide, N-(4-ethylcyclohexyl)maleimide, N-(2,6-dimethylcyclohexyl)maleimide, N-norbornylmaleimide, N-tricyclodecylmaleimide, N-adamantylmaleimide, N-phenylmaleimide, N-(2-methylphenyl)maleimide, N-(4 -methylphenyl)maleimide, N-(4-ethylphenyl)maleimide, N-(2,6-dimethylphenyl)maleimide, N-benzylmaleimide, N-naphthylmaleimide, and the like.
上記複素環構造を有するビニル化合物として、例えば、(メタ)アクリル酸テトラヒドロフルフリル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニル、(メタ)アクリル酸-5-エチル-1,3-ジオキサン-5-イルメチル、(メタ)アクリル酸-5-メチル-1,3-ジオキサン-5-イルメチル、(メタ)アクリル酸(2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン-4-イル)メチル、2-(メタ)アクリロキシメチル-1,4,6-トリオキサスピロ[4,6]ウンデカン、(メタ)アクリル酸(γ-ブチロラクトン-2-イル)、(メタ)アクリル酸グリセリンカーボネート、(メタ)アクリル酸(γ-ラクタム-2-イル)、N-(メタ)アクリロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド等を挙げることができる。 Examples of the vinyl compound having a heterocyclic structure include tetrahydrofurfuryl (meth)acrylate, tetrahydropyranyl (meth)acrylate, 5-ethyl-1,3-dioxan-5-ylmethyl (meth)acrylate, 5-methyl-1,3-dioxan-5-ylmethyl (meth)acrylate, (2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolan-4-yl)methyl (meth)acrylate, 2-(meth)acrylate ) acryloxymethyl-1,4,6-trioxaspiro[4,6]undecane, (meth)acrylic acid (γ-butyrolactone-2-yl), (meth)acrylic acid glycerin carbonate, (meth)acrylic acid ( γ-lactam-2-yl), N-(meth)acryloxyethylhexahydrophthalimide, and the like.
上記共役ジエン化合物として、例えば、1,3-ブタジエン、イソプレン等を、上記窒素含有ビニル化合物として、例えば、(メタ)アクリロニトリル、(メタ)アクリルアミド等を、上記不飽和ジカルボン酸ジアルキルエステル化合物として、例えば、イタコン酸ジエチル等をそれぞれ挙げることができる。また、その他の構造単位を構成する単量体としては、上記の他、例えば、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル等の単量体が挙げられる。 Examples of the conjugated diene compound include 1,3-butadiene and isoprene; examples of the nitrogen-containing vinyl compound include (meth)acrylonitrile and (meth)acrylamide; and examples of the unsaturated dicarboxylic acid dialkyl ester compound, such as , diethyl itaconate, and the like. In addition to the above, examples of monomers constituting other structural units include monomers such as vinyl chloride, vinylidene chloride, and vinyl acetate.
上記構造単位(IV)を与える単量体としては、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、芳香族ビニル化合物、及びN-置換マレイミド化合物よりなる群から選択される少なくとも1種を含むことが好ましく、(メタ)アクリル酸メチル、スチレン、及びN-シクロヘキシルマレイミドからなる群から選択される少なくとも1種を含むことが好ましい。 The monomer providing the structural unit (IV) preferably contains at least one selected from the group consisting of (meth)acrylic acid alkyl esters, aromatic vinyl compounds, and N-substituted maleimide compounds, and ( It is preferable to contain at least one member selected from the group consisting of methyl meth)acrylate, styrene, and N-cyclohexylmaleimide.
ベース重合体は、構造単位(IV)を1種又は2種以上組み合わせて含んでいてもよい。 The base polymer may contain one type of structural unit (IV) or a combination of two or more types.
重合体(A-1)が構造単位(IV)を含む場合、構造単位(IV)の含有割合(複数種含む場合は合計の含有割合)は、重合体(A-1)のガラス転移温度を適度に高くする観点から、重ベース重合体を構成する全構造単位に対して、1質量%以上が好ましく、5質量%以上がより好ましい。また、上記含有割合は、50質量%以下が好ましく、40質量%以下がより好ましい。 When the polymer (A-1) contains a structural unit (IV), the content ratio of the structural unit (IV) (or the total content ratio when multiple types are included) is determined by the glass transition temperature of the polymer (A-1). From the viewpoint of increasing the content appropriately, the content is preferably 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, based on all structural units constituting the heavy base polymer. Further, the content ratio is preferably 50% by mass or less, more preferably 40% by mass or less.
[その他の構造単位]
上記重合体(A-1)は、上記構造単位(I)~(IV)以外の構造単位も含むことができる。そのほかの構造単位としては、例えば、酸解離性基を有する構造単位(V)や、下記式(1’)で表される基を有する構造単位(VI)(但し、構造単位(I)、構造単位(V)を除く)を挙げることができる。
[Other structural units]
The polymer (A-1) may also contain structural units other than the structural units (I) to (IV). Other structural units include, for example, the structural unit (V) having an acid-dissociable group, and the structural unit (VI) having a group represented by the following formula (1') (However, the structural unit (I), the structural unit (excluding unit (V)).
[構造単位(V)]
酸解離性基は、カルボキシ基、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、スルホン酸基等の酸性基が有する水素原子を置換する基であって、酸の作用により解離する基である。本発明の組成物によれば、組成物に放射線を照射することによって発生した酸により酸解離性基が脱離して酸性基が生じる。これにより、重合体(A-1)の現像液への溶解性を変化させることができ、パターンが形成された硬化膜を得ることができるため、好ましい。
[Structural unit (V)]
The acid-dissociable group is a group that substitutes a hydrogen atom of an acidic group such as a carboxy group, a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, or a sulfonic acid group, and is a group that dissociates under the action of an acid. According to the composition of the present invention, the acid dissociable group is detached by the acid generated by irradiating the composition with radiation, and an acidic group is generated. This is preferred because the solubility of the polymer (A-1) in the developer can be changed and a cured film in which a pattern is formed can be obtained.
構造単位(V)は、中でも、酸の作用により酸解離性基が脱離してカルボキシ基を生じる構造単位(以下、「構造単位(V-1)」ともいう)、又は酸の作用により酸解離性基が脱離してフェノール性水酸基を生じる構造単位(以下、「構造単位(V-2)」ともいう)であることが好ましい。 Structural unit (V) is, among others, a structural unit (hereinafter also referred to as "structural unit (V-1)") in which an acid-dissociable group is eliminated by the action of an acid to produce a carboxy group, or a structural unit that produces a carboxy group by the action of an acid. It is preferably a structural unit (hereinafter also referred to as "structural unit (V-2)") that produces a phenolic hydroxyl group when a functional group is eliminated.
前記構造単位(V-1)としては、保護された不飽和カルボン酸に由来する構造単位が挙げられる。使用する不飽和カルボン酸は特に限定されず、例えば、不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、不飽和酸無水物、不飽和多価カルボン酸等が挙げられる。 Examples of the structural unit (V-1) include structural units derived from protected unsaturated carboxylic acids. The unsaturated carboxylic acid used is not particularly limited, and examples include unsaturated monocarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic acids, unsaturated acid anhydrides, and unsaturated polycarboxylic acids.
これらの具体例としては、不飽和モノカルボン酸として、(メタ)アクリル酸、クロトン酸、α-クロロアクリル酸、桂皮酸、2-(メタ)アクリロイロキシエチル-コハク酸、2-(メタ)アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、2-(メタ)アクリロイロキシエチル-フタル酸、(メタ)アクリル酸-2-カルボキシエチルエステル、4-ビニル安息香酸等が挙げられる。不飽和ジカルボン酸としては、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸等が挙げられる。不飽和酸無水物としては、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸等が挙げられる。不飽和多価カルボン酸としては、ω-カルボキシポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート等が挙げられる。 Specific examples of these include unsaturated monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid, crotonic acid, α-chloroacrylic acid, cinnamic acid, 2-(meth)acryloyloxyethyl-succinic acid, and 2-(meth)acrylic acid. Examples include acryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid, 2-(meth)acryloyloxyethyl-phthalic acid, (meth)acrylic acid-2-carboxyethyl ester, and 4-vinylbenzoic acid. Examples of unsaturated dicarboxylic acids include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, and citraconic acid. Examples of the unsaturated acid anhydride include maleic anhydride, itaconic anhydride, citraconic anhydride, and the like. Examples of the unsaturated polycarboxylic acid include ω-carboxypolycaprolactone mono(meth)acrylate.
構造単位(V-1)に含まれる酸解離性基としては、例えば、アセタール系官能基、第3級アルキル基、第3級アルキルカーボネート基、トリアルキルシリル基等が挙げられる。これらのうち、酸により解離しやすい点で、アセタール系官能基が好ましい。 Examples of the acid-dissociable group contained in the structural unit (V-1) include an acetal functional group, a tertiary alkyl group, a tertiary alkyl carbonate group, and a trialkylsilyl group. Among these, acetal functional groups are preferred because they are easily dissociated by acid.
酸解離性基がアセタール系官能基である場合、構造単位(V-1)は、保護されたカルボキシ基として、カルボン酸のアセタールエステル構造を有することが好ましく、具体的には、下記式(X-1)で表される基を有することが好ましい。 When the acid-dissociable group is an acetal functional group, the structural unit (V-1) preferably has a carboxylic acid acetal ester structure as a protected carboxy group. It is preferable to have a group represented by -1).
(1)R31は、水素原子、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基である。R32及びR33は、それぞれ独立して、炭素数1~12のアルキル基、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基、又は炭素数7~20のアラルキル基である。
(2)R31は、水素原子、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基である。R32及びR33は、互いに合わせられR32及びOR33が結合する炭素原子とともに構成される環状エーテル構造を表す。
「*」は結合手を表す。)
(1) R 31 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms. R 32 and R 33 are each independently an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms.
(2) R 31 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms. R 32 and R 33 are combined with each other and represent a cyclic ether structure constituted by the carbon atom to which R 32 and OR 33 are bonded.
"*" represents a bond. )
R31、R32及びR33で表される炭素数1~12のアルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよい。R31、R32及びR33で表される炭素数1~12のアルキル基の具体例としては、上記式(1)で表されるR1~R3で例示されたものと同じものを挙げることができる。 The alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 31 , R 32 and R 33 may be linear or branched. Specific examples of the alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 31 , R 32 and R 33 are the same as those exemplified by R 1 to R 3 represented by the above formula (1). be able to.
R31、R32及びR33で表される炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。R32及びR33で表される炭素数7~20のアラルキル基としては、フェニルメチル基、フェニルエチル基、メチルフェニルメチル基等が挙げられる。 Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms represented by R 31 , R 32 and R 33 include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, and an isobornyl group. , adamantyl group, etc. Examples of the aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms represented by R 32 and R 33 include phenylmethyl group, phenylethyl group, methylphenylmethyl group, and the like.
R32及びR33が互いに合わせられて構成される環状エーテル構造は、環員数5以上であることが好ましい。具体的には、例えばテトラヒドロフラン環構造、テトラヒドロピラン環構造等が挙げられる。 The cyclic ether structure formed by combining R 32 and R 33 preferably has 5 or more ring members. Specific examples include a tetrahydrofuran ring structure and a tetrahydropyran ring structure.
酸により解離しやすい点で、R31は中でも、水素原子、メチル基又はエチル基が好ましく、水素原子がより好ましい。 Among them, R 31 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or an ethyl group, and more preferably a hydrogen atom, since it is easily dissociated by an acid.
構造単位(V-1)で表されるカルボン酸のアセタールエステル構造の具体例としては、1-メトキシエトキシカルボニル基、1-エトキシエトキシカルボニル基、1-プロポキシエトキシカルボニル基、1-ブトキシエトキシカルボニル基、1-シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル基、2-テトラヒドロフラニルオキシカルボニル基、2-テトラヒドロピラニルオキシカルボニル基、1-フェニルメトキシエトキシカルボニル基等を挙げることができる。 Specific examples of the acetal ester structure of carboxylic acid represented by structural unit (V-1) include 1-methoxyethoxycarbonyl group, 1-ethoxyethoxycarbonyl group, 1-propoxyethoxycarbonyl group, and 1-butoxyethoxycarbonyl group. , 1-cyclohexyloxyethoxycarbonyl group, 2-tetrahydrofuranyloxycarbonyl group, 2-tetrahydropyranyloxycarbonyl group, 1-phenylmethoxyethoxycarbonyl group, and the like.
構造単位(V-1)は、上記の中でも、下記式(Y-1)で表される構造単位及び式(Y-2)で表される構造単位が好ましい。
構造単位(V-1)の好ましい具体例としては、下記式で表される構造単位が挙げられる。なお、式中、R30は、水素原子又はメチル基である。
構造単位(V-2)は、保護されたフェノール性水酸基を有していればよい。構造単位(V-2)は、中でも、ヒドロキシスチレン又はその誘導体に由来する構造単位及びヒドロキシベンゼン構造を有する(メタ)アクリル化合物に由来する構造単位よりなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。 The structural unit (V-2) may have a protected phenolic hydroxyl group. The structural unit (V-2) is at least one type selected from the group consisting of a structural unit derived from hydroxystyrene or a derivative thereof and a structural unit derived from a (meth)acrylic compound having a hydroxybenzene structure. is preferred.
構造単位(V-2)が有する酸解離性基は特に限定されないが、アセタール系官能基が好ましい。構造単位(V-2)に用いることのできるアセタール系官能基としては、構造単位(V-1)に用いることができる酸解離性基と同様の基を挙げることができる。中でも、「-O-C(R31)(R32)(OR33)」(ただし、R31、R32及びR33は式(X-1)と同義である)で表される基により保護されたフェノール性水酸基であることが好ましい。この場合、構造単位(V-2)に含まれる保護されたフェノール性水酸基は、下記式(Z-1)で表すことができる。 The acid dissociable group possessed by the structural unit (V-2) is not particularly limited, but an acetal functional group is preferred. Examples of the acetal functional group that can be used in the structural unit (V-2) include the same groups as the acid-dissociable groups that can be used in the structural unit (V-1). Among them, those protected by a group represented by "-OC(R 31 )(R 32 )(OR 33 )" (wherein R 31 , R 32 and R 33 are synonymous with formula (X-1)) It is preferable that the phenolic hydroxyl group is a phenolic hydroxyl group. In this case, the protected phenolic hydroxyl group contained in the structural unit (V-2) can be represented by the following formula (Z-1).
構造単位(V-2)に含まれる「-C(R31)(R32)(OR33)」で表される基の好ましい具体例としては、1-アルコキシアルキル基及び1-アリールアルコキシアルキル基等を挙げることができる。具体的には、例えば、1-エトキシエチル基、1-メトキシエチル基、1-ブトキシエチル基、1-イソブトキシエチル基、1-(2-エチルヘキシルオキシ)エチル基、1-プロポキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、1-(2-シクロヘキシルエトキシ)エチル基、1-ベンジルオキシエチル基等が挙げられる。 Preferred specific examples of the group represented by "-C(R 31 )(R 32 )(OR 33 )" contained in the structural unit (V-2) include a 1-alkoxyalkyl group and a 1-arylalkoxyalkyl group. etc. can be mentioned. Specifically, for example, 1-ethoxyethyl group, 1-methoxyethyl group, 1-butoxyethyl group, 1-isobutoxyethyl group, 1-(2-ethylhexyloxy)ethyl group, 1-propoxyethyl group, 1 -cyclohexyloxyethyl group, 1-(2-cyclohexylethoxy)ethyl group, 1-benzyloxyethyl group, etc.
構造単位(V-2)の好ましい具体例としては、下記式で表される構造単位が挙げられる。なお、式中、R30は、水素原子又はメチル基である。 Preferred specific examples of the structural unit (V-2) include structural units represented by the following formula. In addition, in the formula, R 30 is a hydrogen atom or a methyl group.
重合体(A-1)が構造単位(V)を含む場合、本発明の効果を損なわない範囲で添加できる。 When the polymer (A-1) contains the structural unit (V), it can be added within a range that does not impair the effects of the present invention.
[構造単位(VI)]
重合体(A-1)は、下記式(1’)で表される基を有する構造単位(VI)を含むことができる。
[Structural unit (VI)]
The polymer (A-1) can include a structural unit (VI) having a group represented by the following formula (1').
上記式(1’)のR1’~R3’において、1価の炭化水素基としては、炭素数1~20の1価の鎖状炭化水素基、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基、炭素数6~20の1価の芳香族炭化水素基等が挙げられる。これらの具体例としては、炭素数1~20の鎖状炭化水素基として、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基等のアルキル基;ビニル基、アリル基等のアルケニル基等が挙げられる。 In R 1' to R 3' of the above formula (1 ' ), the monovalent hydrocarbon group includes a monovalent chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, and a monovalent fatty acid group having 4 to 20 carbon atoms. Examples include cyclic hydrocarbon groups, monovalent aromatic hydrocarbon groups having 6 to 20 carbon atoms, and the like. Specific examples of these include, as chain hydrocarbon groups having 1 to 20 carbon atoms, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, tert-butyl group; , an alkyl group such as n-pentyl group; and an alkenyl group such as a vinyl group and an allyl group.
炭素数4~20の脂環式炭化水素基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、シクロオクチル基等の単環の脂環式炭化水素基;ビシクロ[2.2.2]オクチル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等の多環の脂環式炭化水素基等が挙げられる。 Examples of the alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms include monocyclic alicyclic hydrocarbon groups such as cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, methylcyclohexyl group, and cyclooctyl group; bicyclo [2.2.2 ] Octyl group, tricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decyl group, adamantyl group, norbornyl group, and other polycyclic alicyclic hydrocarbon groups.
炭素数6~20の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等が挙げられる。 Examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include aryl groups such as phenyl, tolyl, xylyl, and naphthyl; aralkyl groups such as benzyl and phenethyl.
R1’~R3’が、炭素数1~20の炭化水素基が有する水素原子の一部若しくは全部が置換基で置換された基である場合、当該置換基としては、例えば、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等)、ヒドロキシ基等が挙げられる。 When R 1' to R 3' are groups in which some or all of the hydrogen atoms of a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms are substituted with a substituent, examples of the substituent include a halogen atom ( (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom, etc.), hydroxy group, etc.
上記式(1’)において、R4の2価の芳香環基は、置換又は無置換の芳香環の環部分から2個の水素原子を取り除いた基である。当該芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等が挙げられる。R4が有する芳香環が置換基を有する場合、当該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基等が挙げられる。 In the above formula (1 ' ), the divalent aromatic ring group R 4 is a group obtained by removing two hydrogen atoms from the ring portion of a substituted or unsubstituted aromatic ring. Examples of the aromatic ring include a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, and the like. When the aromatic ring of R 4 has a substituent, examples of the substituent include a halogen atom, an alkyl group, and an alkoxy group.
構造単位(VI)は、上記式(1’)中のnが1である基を有することが好ましく、具体的には、下記式(1’-1)で表される基及び下記式(1’-2)で表される基よりなる群から選択される少なくとも1種を有することが好ましい。 Structural unit (VI) preferably has a group in which n in the above formula (1 ' ) is 1, specifically, a group represented by the following formula ( 1' -1) and a group represented by the following formula (1'). It is preferable to have at least one group selected from the group consisting of groups represented by ' -2).
上記式(1’-1)、式(1’-2)において、A1’及びA2’の炭素数1~6のアルキル基及び炭素数1~6のアルコキシ基の具体例については、上記式(1’)のR1’~R3’のアルキル基、アルコキシ基として例示した基が挙げられる。 In the above formulas ( 1' -1) and (1' - 2), specific examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and the alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms in A 1' and A 2' are as follows. Examples of the alkyl group and alkoxy group of R 1' to R 3' in formula (1 ' ) include the groups exemplified above.
芳香環に結合する基「-O-SiR1’R2’R3’」の位置は、A1’及びA2’を除く他の基に対していずれの位置であってもよい。例えば上記式(1’-1)の場合、「-O-SiR1’R2’R3’」の位置は、オルト位、メタ位、パラ位のいずれでもよく、パラ位であることが好ましい。 The position of the group "-O-SiR 1' R 2' R 3' " bonded to the aromatic ring may be at any position relative to other groups except A 1' and A 2' . For example, in the case of the above formula ( 1' -1), the position of "-O-SiR 1' R 2' R 3' " may be any of the ortho position, meta position, and para position, and the para position is preferable. .
上記式(1’)中の基「-SiR1’R2’R3’」は、酸解離性基であることが好ましい。構造単位(VI)において、基「-SiR1’R2’R3’」が酸解離性基として機能することにより、上記式(1’)中のnが1の場合には、放射線照射に伴い光酸発生剤(C)から生じた酸の作用によりフェノール性水酸基が生成され、上記式(1’)中のnが0の場合には-NH-が生成される。これにより、重合体(A-1)のアルカリ現像液に対する溶解性(アルカリ可溶性)及び硬化反応性を高めることができる。なお、本明細書において、「酸解離性基」とは、カルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基等の極性の水素原子を置換する基であって、酸の作用により解離する基をいう。「アルカリ可溶」とは、前述の通り、重合体(A―1)が、2.38質量%濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液等のアルカリ水溶液に溶解又は膨潤可能であることを意味する。 The group "--SiR 1' R 2' R 3' " in the above formula (1 ' ) is preferably an acid-dissociable group. In the structural unit (VI), the group "-SiR 1' R 2' R 3'" functions as an acid-dissociable group, so that when n in the above formula (1 ' ) is 1, it is resistant to radiation irradiation. Accordingly, a phenolic hydroxyl group is generated by the action of the acid generated from the photoacid generator (C), and when n in the above formula (1') is 0, -NH- is generated. Thereby, the solubility of the polymer (A-1) in an alkaline developer (alkali solubility) and curing reactivity can be increased. In this specification, the term "acid-dissociable group" refers to a group that substitutes for a polar hydrogen atom, such as a carboxy group, hydroxyl group, amino group, or sulfo group, and is dissociated by the action of an acid. As mentioned above, "alkali soluble" means that the polymer (A-1) can be dissolved or swelled in an alkaline aqueous solution such as a 2.38% by mass aqueous tetramethylammonium hydroxide solution.
構造単位(VI)は、重合性炭素-炭素不飽和結合を有する単量体に由来する構造単位であることが好ましい。具体的には、構造単位(VI)は、下記式(1’-1A)で表される構造単位及び下記式(1’-2A)で表される構造単位よりなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。 The structural unit (VI) is preferably a structural unit derived from a monomer having a polymerizable carbon-carbon unsaturated bond. Specifically, the structural unit (VI) is at least one selected from the group consisting of a structural unit represented by the following formula (1'-1A) and a structural unit represented by the following formula (1'-2A). Preferably it is a seed.
構造単位(VI)を与える単量体の具体例としては、上記式(1’)中のnが1である場合の例として、4-イソプロペニルフェニルオキシトリメチルシラン、4-イソプロペニルフェニルオキシトリエチルシラン、4-イソプロペニルフェニルオキシメチルジエチルシラン、4-イソプロペニルフェニルオキシジメチルエチルシラン、3-イソプロペニルフェニルオキシトリメチルシラン、4-イソプロペニルナフチルオキシトリメチルシラン、4-ビニルフェニルオキシトリメチルシラン、4-ビニルフェニルオキシトリエチルシラン、4-ビニルフェニルオキシメチルジエチルシラン、4-ビニルフェニルオキシジメチルエチルシラン、3-ビニルフェニルオキシトリメチルシラン、4-ビニルナフチルオキシトリメチルシラン、4-トリメチルシリルオキシ-N-フェニルマレイミド、4-トリメチルシリルオキシフェニル(メタ)アクリレート等が挙げられる。 Specific examples of the monomer giving the structural unit (VI), when n in the above formula (1') is 1, include 4-isopropenylphenyloxytrimethylsilane, 4-isopropenylphenyloxytriethyl Silane, 4-isopropenylphenyloxymethyldiethylsilane, 4-isopropenylphenyloxydimethylethylsilane, 3-isopropenylphenyloxytrimethylsilane, 4-isopropenylnaphthyloxytrimethylsilane, 4-vinylphenyloxytrimethylsilane, 4- Vinylphenyloxytriethylsilane, 4-vinylphenyloxymethyldiethylsilane, 4-vinylphenyloxydimethylethylsilane, 3-vinylphenyloxytrimethylsilane, 4-vinylnaphthyloxytrimethylsilane, 4-trimethylsilyloxy-N-phenylmaleimide, Examples include 4-trimethylsilyloxyphenyl (meth)acrylate.
また、上記式(1’)中のnが0である場合の例として、N-トリメチルシリルマレイミド、N-トリエチルシリルマレイミド、N-メチルジエチルシリルマレイミド等が挙げられる。 Examples of the case where n in the above formula (1') is 0 include N-trimethylsilylmaleimide, N-triethylsilylmaleimide, N-methyldiethylsilylmaleimide, and the like.
重合体(A-1)が構造単位(VI)を含む場合、本発明の効果を損なわない範囲で添加できる。 When the polymer (A-1) contains the structural unit (VI), it can be added within a range that does not impair the effects of the present invention.
(重合体(A-1)の合成方法)
重合体(A-1)は、例えば、上述した各構造単位を導入可能な不飽和単量体を用い、適当な溶媒中、重合開始剤等の存在下で、ラジカル重合等の公知の方法に従って製造することができる。
(Method of synthesizing polymer (A-1))
Polymer (A-1) can be prepared, for example, by using an unsaturated monomer into which each of the structural units described above can be introduced, in an appropriate solvent, in the presence of a polymerization initiator, etc., according to a known method such as radical polymerization. can be manufactured.
上記重合開始剤としては、2,2’-アゾビス(イソブチロニトリル)、2,2’-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)、2,2’-アゾビス(イソ酪酸)ジメチル等のアゾ化合物が挙げられる。重合開始剤の使用割合は、反応に使用する単量体の全量100質量部に対して、0.01~30質量部であることが好ましい。 Examples of the above polymerization initiator include azobis(isobutyronitrile), 2,2′-azobis(2,4-dimethylvaleronitrile), dimethyl 2,2′-azobis(isobutyrate), etc. Examples include compounds. The proportion of the polymerization initiator used is preferably 0.01 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of monomers used in the reaction.
重合溶媒としては、例えば、アルコール類、エーテル類、ケトン類、エステル類、炭化水素類等が挙げられる。重合溶媒の使用量は、反応に使用する単量体の合計量が、反応溶液の全体量に対して、0.1~60質量%になる量にすることが好ましい。 Examples of the polymerization solvent include alcohols, ethers, ketones, esters, and hydrocarbons. The amount of polymerization solvent used is preferably such that the total amount of monomers used in the reaction is 0.1 to 60% by mass based on the total amount of the reaction solution.
重合において、反応温度は、通常、30℃~180℃である。反応時間は、重合開始剤及び単量体の種類や反応温度に応じて異なるが、通常、0.5~10時間である。重合反応により得られた重合体は、反応溶液に溶解された状態のまま感放射線性組成物の調製に用いられてもよいし、反応溶液から単離された後、感放射線性組成物の調製に用いられてもよい。重合体の単離は、例えば、反応溶液を大量の貧溶媒中に注ぎ、これにより得られる析出物を減圧下乾燥する方法、反応溶液をエバポレーターで減圧留去する方法等の公知の単離方法により行うことができる。 In polymerization, the reaction temperature is usually 30°C to 180°C. The reaction time varies depending on the type of polymerization initiator and monomer and the reaction temperature, but is usually 0.5 to 10 hours. The polymer obtained by the polymerization reaction may be used in the preparation of the radiation-sensitive composition while being dissolved in the reaction solution, or it may be used in the preparation of the radiation-sensitive composition after being isolated from the reaction solution. May be used for. The polymer can be isolated using known isolation methods such as pouring the reaction solution into a large amount of poor solvent and drying the resulting precipitate under reduced pressure, or distilling the reaction solution off under reduced pressure using an evaporator. This can be done by
重合体成分に含まれる重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は、2,000以上であることが好ましい。Mwが2,000以上であると、耐熱性や耐薬品性が十分に高く、かつ良好な現像性を示す硬化膜を得ることができる点で好ましい。重合体のMwは、より好ましくは5,000以上であり、更に好ましくは6,000以上であり、特に好ましくは7,000以上である。また、Mwは、成膜性を良好にする観点から、好ましくは50,000以下であり、より好ましくは30,000以下であり、更に好ましくは20,000以下であり、特に好ましくは15,000以下である。 The weight average molecular weight (Mw) of the polymer contained in the polymer component as measured by gel permeation chromatography (GPC) in terms of polystyrene is preferably 2,000 or more. It is preferable that Mw is 2,000 or more because a cured film having sufficiently high heat resistance and chemical resistance and exhibiting good developability can be obtained. The Mw of the polymer is more preferably 5,000 or more, still more preferably 6,000 or more, particularly preferably 7,000 or more. Further, from the viewpoint of improving film formability, Mw is preferably 50,000 or less, more preferably 30,000 or less, still more preferably 20,000 or less, and particularly preferably 15,000 or less. It is as follows.
また、重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnとの比で表される分子量分布(Mw/Mn)は、4.0以下が好ましく、3.0以下がより好ましく、2.5以下が更に好ましい。なお、ベース重合体が2種以上の重合体からなる場合、各重合体のMw及びMw/Mnがそれぞれ上記範囲を満たすことが好ましい。 Further, the molecular weight distribution (Mw/Mn) represented by the ratio of the weight average molecular weight Mw to the number average molecular weight Mn is preferably 4.0 or less, more preferably 3.0 or less, and even more preferably 2.5 or less. In addition, when the base polymer is composed of two or more types of polymers, it is preferable that the Mw and Mw/Mn of each polymer satisfy the above ranges.
(シロキサンポリマー(A-2))
シロキサンポリマー(A-2)は、加水分解縮合によって硬化膜を形成可能であれば特に限定されない。シロキサンポリマー(A-2)は、下記式(4)で表される加水分解性シラン化合物を加水分解することにより得られる重合体であることが好ましい。
(R21)rSi(OR22)4-r (4)
(式(4)中、R21は、非加水分解性の1価の基である。R22は、炭素数1~4のアルキル基である。rは0~3の整数である。ただし、rが2又は3の場合、式中の複数のR21は、互いに同一又は異なる。rが0~2の場合、式中の複数のR22は、互いに同一又は異なる。)
(Siloxane polymer (A-2))
The siloxane polymer (A-2) is not particularly limited as long as it can form a cured film through hydrolytic condensation. The siloxane polymer (A-2) is preferably a polymer obtained by hydrolyzing a hydrolyzable silane compound represented by the following formula (4).
(R 21 ) r Si(OR 22 ) 4-r (4)
(In formula (4), R 21 is a non-hydrolyzable monovalent group. R 22 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. r is an integer of 0 to 3. However, When r is 2 or 3, multiple R 21s in the formula are the same or different. When r is 0 to 2, multiple R 22s in the formula are the same or different.)
R21としては、例えば、炭素数1~20のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、(メタ)アクリロイル基を有する基、及びエポキシ基を有する基が挙げられる。 R 21 includes, for example, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, and a (meth)acryloyl group. group, and a group having an epoxy group.
R22としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基等が挙げられる。これらのうち、加水分解性が高い点で、R22は、メチル基又はエチル基が好ましい。 Examples of R 22 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, and tert-butyl group. Among these, R22 is preferably a methyl group or an ethyl group in terms of high hydrolyzability.
rは、好ましくは0~2、より好ましくは0又は1、更に好ましくは1である。 r is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and still more preferably 1.
シロキサンポリマーを構成する単量体の具体例としては、
4個の加水分解性基を有するシラン化合物として、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、トリエトキシメトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラフェノキシシラン、テトラベンジロキシシラン、テトラ-n-プロポキシシラン等を;
3個の加水分解性基を有するシラン化合物として、例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ-i-プロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ-i-プロポキシシラン、エチルトリブトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、3-グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、2-(3,4-エポキシシクロへキシル)エチルトリメトキシシラン、3-(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-(メタ)アクリロキシプロピルトリエトキシシラン等を;
2個の加水分解性基を有するシラン化合物として、例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン等を;
1個の加水分解性基を有するシラン化合物として、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン等を、それぞれ挙げることができる。
Specific examples of monomers constituting the siloxane polymer include:
Examples of the silane compound having four hydrolyzable groups include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, triethoxymethoxysilane, tetrabutoxysilane, tetraphenoxysilane, tetrabenzyloxysilane, tetra-n-propoxysilane, etc.;
Examples of silane compounds having three hydrolyzable groups include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-i-propoxysilane, methyltributoxysilane, phenyltrimethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, and ethyltriethoxysilane. Silane, ethyltri-i-propoxysilane, ethyltributoxysilane, butyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl Trimethoxysilane, 3-(meth)acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-(meth)acryloxypropyltriethoxysilane, etc.;
As a silane compound having two hydrolyzable groups, for example, dimethyldimethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, etc.;
Examples of the silane compound having one hydrolyzable group include trimethylmethoxysilane and trimethylethoxysilane.
シロキサンポリマーは、上記の加水分解性シラン化合物の1種又は2種以上と水とを、好ましくは適当な触媒及び有機溶媒の存在下で加水分解・縮合させることにより得ることができる。加水分解・縮合反応に際し、水の使用割合は、加水分解性シラン化合物が有する加水分解性基(-OR22)の合計量1モルに対して、好ましくは0.1~3モルであり、より好ましくは0.2~2モルであり、更に好ましくは0.5~1.5モルである。このような量の水を使用することにより、加水分解縮合の反応速度を最適化することができる。 The siloxane polymer can be obtained by hydrolyzing and condensing one or more of the above hydrolyzable silane compounds and water, preferably in the presence of an appropriate catalyst and organic solvent. In the hydrolysis/condensation reaction, the proportion of water used is preferably 0.1 to 3 mol, and more The amount is preferably 0.2 to 2 mol, more preferably 0.5 to 1.5 mol. By using such amounts of water, the reaction rate of the hydrolytic condensation can be optimized.
加水分解・縮合反応の際に使用する触媒としては、例えば、酸、アルカリ金属化合物、有機塩基、チタン化合物、ジルコニウム化合物等を挙げることができる。触媒の使用量は、触媒の種類、温度といった反応条件等により異なり、適宜に設定されるが、加水分解性シラン化合物1モルに対して、好ましくは0.0001~0.2モルであり、より好ましくは0.0005~0.1モルである。 Examples of the catalyst used in the hydrolysis/condensation reaction include acids, alkali metal compounds, organic bases, titanium compounds, and zirconium compounds. The amount of the catalyst to be used varies depending on the type of catalyst, reaction conditions such as temperature, etc., and is set appropriately, but is preferably 0.0001 to 0.2 mol per mol of the hydrolyzable silane compound, and more Preferably it is 0.0005 to 0.1 mol.
上記の加水分解・縮合反応の際に使用する有機溶媒としては、例えば、炭化水素、ケトン、エステル、エーテル、アルコール等を挙げることができる。これらのうち、非水溶性又は難水溶性の有機溶媒を用いることが好ましく、例えば、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピオン酸エステル化合物等が挙げられる。有機溶媒の使用割合は、反応に使用する加水分解性シラン化合物の合計100質量部に対して、好ましくは10~10,000質量部であり、より好ましくは50~1,000質量部である。 Examples of the organic solvent used in the above hydrolysis/condensation reaction include hydrocarbons, ketones, esters, ethers, and alcohols. Among these, it is preferable to use water-insoluble or poorly water-soluble organic solvents, such as ethylene glycol monoalkyl ether acetate, diethylene glycol dialkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetate, and propionic acid ester compounds. etc. The proportion of the organic solvent used is preferably 10 to 10,000 parts by weight, more preferably 50 to 1,000 parts by weight, based on 100 parts by weight of the hydrolyzable silane compound used in the reaction.
加水分解・縮合反応時には、反応温度を130℃以下とすることが好ましく、40~100℃とすることがより好ましい。反応時間は、0.5~24時間とすることが好ましく、1~12時間とすることがより好ましい。反応中は、混合液を撹拌してもよいし、還流下に置いてもよい。加水分解縮合反応後には、反応溶液中に脱水剤を加え、次いでエバポレーションすることにより、水及び生成したアルコールを反応系から除去してもよい。 During the hydrolysis/condensation reaction, the reaction temperature is preferably 130°C or lower, more preferably 40 to 100°C. The reaction time is preferably 0.5 to 24 hours, more preferably 1 to 12 hours. During the reaction, the mixture may be stirred or placed under reflux. After the hydrolytic condensation reaction, water and the produced alcohol may be removed from the reaction system by adding a dehydrating agent to the reaction solution and then performing evaporation.
シロキサンポリマーにつき、GPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は、500以上であることが好ましい。Mwが500以上であると、耐熱性や耐溶剤性が十分に高く、かつ良好な現像性を示す硬化膜を得ることができる点で好ましい。Mwは、より好ましくは1000以上である。また、Mwは、成膜性を良好にする観点及び感放射線性の低下を抑制する観点から、好ましくは10000以下であり、より好ましくは5000以下である。また、分子量分布(Mw/Mn)は、4.0以下が好ましく、3.0以下がより好ましく、2.5以下が更に好ましい。 The weight average molecular weight (Mw) of the siloxane polymer in terms of polystyrene by GPC is preferably 500 or more. It is preferable that Mw is 500 or more because a cured film having sufficiently high heat resistance and solvent resistance and exhibiting good developability can be obtained. Mw is more preferably 1000 or more. Moreover, Mw is preferably 10,000 or less, more preferably 5,000 or less, from the viewpoint of improving film formability and suppressing a decrease in radiation sensitivity. Further, the molecular weight distribution (Mw/Mn) is preferably 4.0 or less, more preferably 3.0 or less, and even more preferably 2.5 or less.
ケイ素含有重合体(A)の含有割合は、感放射線性組成物に含まれる固形分の全量(すなわち、感放射線性組成物中の溶剤以外の成分の合計質量)に対して、20質量%以上であることが好ましく、30質量%以上であることがより好ましく、50質量%以上であることが更に好ましい。また、重合体(A)の含有割合は、感放射線性組成物に含まれる固形分の全量に対して、99質量%以下であることが好ましく、95質量%以下であることがより好ましい。重合体(A)の含有割合を上記範囲とすることにより、耐熱性及び耐薬品性が十分に高く、かつ良好な現像性及び透明性を示す硬化膜を得ることができる。 The content of the silicon-containing polymer (A) is 20% by mass or more based on the total amount of solids contained in the radiation-sensitive composition (i.e., the total mass of components other than the solvent in the radiation-sensitive composition). The content is preferably 30% by mass or more, more preferably 50% by mass or more. Further, the content ratio of the polymer (A) is preferably 99% by mass or less, more preferably 95% by mass or less, based on the total amount of solid content contained in the radiation-sensitive composition. By setting the content ratio of the polymer (A) within the above range, it is possible to obtain a cured film that has sufficiently high heat resistance and chemical resistance, and also exhibits good developability and transparency.
<エポキシ基含有化合物(B)>
感放射線性組成物は、上記ケイ素含有重合体(A)と供に、エポキシ基含有化合物(B)を含有する。エポキシ基含有化合物(B)は、1個以上の環構造及び2個以上のエポキシ基を有するものであれば特に限定されるものではない。ただし、上記ケイ素含有重合体(A)を除くものである。上記エポキシ基含有化合物(B)は、2個以上のエポキシ基を有するため、架橋反応を起こして、感放射線性組成物の硬化反応を促進する作用を奏する成分である。
<Epoxy group-containing compound (B)>
The radiation-sensitive composition contains the silicon-containing polymer (A) and an epoxy group-containing compound (B). The epoxy group-containing compound (B) is not particularly limited as long as it has one or more ring structures and two or more epoxy groups. However, the above silicon-containing polymer (A) is excluded. Since the epoxy group-containing compound (B) has two or more epoxy groups, it is a component that causes a crosslinking reaction and promotes the curing reaction of the radiation-sensitive composition.
上記エポキシ基含有化合物(B)は、低分子化合物(例えば、分子量1000未満)であってもよいし、高分子化合物(例えば、分子量1000以上、ポリマーの場合は、重量平均分子量が1000以上)であってもよい。 The epoxy group-containing compound (B) may be a low molecular compound (for example, molecular weight less than 1000) or a high molecular compound (for example, molecular weight 1000 or more; in the case of a polymer, the weight average molecular weight is 1000 or more). There may be.
上記エポキシ基含有化合物(B)のエポキシ基の数は、2個以上であれば良いが、基板密着性の観点から3個以上であることが好ましい。 The number of epoxy groups in the epoxy group-containing compound (B) may be two or more, but is preferably three or more from the viewpoint of adhesion to the substrate.
上記エポキシ基含有化合物(B)の環構造の数は、1個以上であれば良いが、基板密着性の観点から3個以上であることが好ましい。 The number of ring structures in the epoxy group-containing compound (B) may be one or more, but from the viewpoint of adhesion to the substrate, it is preferably three or more.
上記環構造としては、脂環構造、芳香環構造、複素環構造又はこれらの組み合わせのいずれでもよい。組み合わせの場合、環構造が鎖状構造で結合した構造であってもよく、2つ以上の環構造が縮合環構造や有橋環構造を形成していてもよい。また、環構造の炭素原子上の水素原子が他の置換基で置換されていてもよい。 The ring structure may be an alicyclic structure, an aromatic ring structure, a heterocyclic structure, or a combination thereof. In the case of a combination, the ring structures may be connected in a chain structure, or two or more ring structures may form a fused ring structure or a bridged ring structure. Furthermore, hydrogen atoms on carbon atoms in the ring structure may be substituted with other substituents.
上記脂環構造としては、炭素数3~20のn価の脂環式炭化水素基が挙げられる。n価の脂環式炭化水素基とは、脂環式炭化水素からn個(nは整数)の水素原子を取り除いた基を意味する。また、飽和炭化水素基及び不飽和炭化水素基のいずれでもよい。上記脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ノルボルナン、アダマンタン等のシクロアルカン、シクロプロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、ノルボルネン等のシクロアルケン等が挙げられる。 Examples of the alicyclic structure include n-valent alicyclic hydrocarbon groups having 3 to 20 carbon atoms. The n-valent alicyclic hydrocarbon group means a group obtained by removing n hydrogen atoms (n is an integer) from an alicyclic hydrocarbon. Moreover, either a saturated hydrocarbon group or an unsaturated hydrocarbon group may be used. Examples of the alicyclic hydrocarbons include cycloalkanes such as cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, norbornane, and adamantane, and cycloalkenes such as cyclopropene, cyclobutene, cyclopentene, cyclohexene, and norbornene.
上記芳香環構造としては、炭素数6~30のn価の芳香族炭化水素基を挙げられる。n価の芳香族炭化水素基とは、芳香族炭化水素からn個(nは整数)の水素原子を取り除いた基を意味する。上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、メチルナフタレン、ジメチルナフタレン、アントラセン等を挙げることができる。 Examples of the aromatic ring structure include n-valent aromatic hydrocarbon groups having 6 to 30 carbon atoms. The n-valent aromatic hydrocarbon group means a group obtained by removing n hydrogen atoms (n is an integer) from an aromatic hydrocarbon. Examples of the aromatic hydrocarbons include benzene, toluene, xylene, mesitylene, naphthalene, methylnaphthalene, dimethylnaphthalene, anthracene, and the like.
上記複素環構造としては、芳香族複素環構造から水素原子をn個取り除いた基及び脂環複素環構造から水素原子をn個取り除いた基が挙げられる。ヘテロ原子を導入することで芳香族性を有する5員環の芳香族構造も複素環構造に含まれる。ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。 Examples of the above-mentioned heterocyclic structure include a group obtained by removing n hydrogen atoms from an aromatic heterocyclic structure and a group obtained by removing n hydrogen atoms from an alicyclic heterocyclic structure. A 5-membered aromatic structure that has aromaticity by introducing a heteroatom is also included in the heterocyclic structure. Examples of the heteroatom include an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, and the like.
上記芳香族複素環構造としては、例えば、フラン、ピラン、ベンゾフラン、ベンゾピラン等の酸素原子含有芳香族複素環構造;ピロール、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、インドール、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナジン、カルバゾール等の窒素原子含有芳香族複素環構造;チオフェン等の硫黄原子含有芳香族複素環構造;
チアゾール、ベンゾチアゾール、チアジン、オキサジン等の複数のヘテロ原子を含有する芳香族複素環構造等が挙げられる。
Examples of the aromatic heterocyclic structures include oxygen atom-containing aromatic heterocyclic structures such as furan, pyran, benzofuran, and benzopyran; pyrrole, imidazole, pyridine, pyrimidine, pyrazine, indole, quinoline, isoquinoline, acridine, phenazine, and carbazole. Nitrogen atom-containing aromatic heterocyclic structures such as; sulfur atom-containing aromatic heterocyclic structures such as thiophene;
Examples include aromatic heterocyclic structures containing multiple heteroatoms such as thiazole, benzothiazole, thiazine, and oxazine.
上記脂環複素環構造としては、例えば、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキソラン、ジオキサン等の酸素原子含有脂環複素環構造;アジリジン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン等の窒素原子含有脂環複素環構造;チエタン、チオラン、チアン等の硫黄原子含有脂環複素環構造;モルホリン、1,2-オキサチオラン、1,3-オキサチオラン等の複数のヘテロ原子を含有する脂環複素環構造;ラクトン構造、環状カーボネート構造及びスルトン構造等が挙げられる。 Examples of the alicyclic heterocyclic structures include oxygen atom-containing alicyclic heterocyclic structures such as tetrahydrofuran, tetrahydropyran, dioxolane, and dioxane; nitrogen atom-containing alicyclic heterocyclic structures such as aziridine, pyrrolidine, piperidine, and piperazine; thietane; Sulfur atom-containing alicyclic heterocyclic structures such as thiolane and thiane; alicyclic heterocyclic structures containing multiple heteroatoms such as morpholine, 1,2-oxathiolane, and 1,3-oxathiolane; lactone structures, cyclic carbonate structures, and sultones Examples include structure.
上記環構造としては、炭素数3~20のn価の脂環式炭化水素基、炭素数6~30のn価の芳香族炭化水素基が好ましく、脂環式炭化水素としてはシクロヘキサンが好ましく、芳香族炭化水素としてはベンゼンが好ましい。 The ring structure is preferably an n-valent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms or an n-valent aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms, and the alicyclic hydrocarbon is preferably cyclohexane. Benzene is preferred as the aromatic hydrocarbon.
上記エポキシ基含有化合物(B)の具体例としては、ビスフェノールA型エポキシ化合物、水素化ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、水素化ビスフェノールF型エポキシ化合物、ビスフェノールS型エポキシ化合物、水素化ビスフェノールS型エポキシ化合物、ビスフェノールAD型エポキシ化合物、水素化ビスフェノールAD型エポキシ化合物、ノボラック型エポキシ化合物、環式脂肪族系エポキシ化合物、複素環式エポキシ化合物、グリシジルエステル型化合物、テトラグリシジルアミン型エポキシ化合物、テトラフェニルエタン型エポキシ化合物、エポキシ化油、エポキシノボラック化合物等のエポキシ化合物及びその臭素化物;トリスフェノール型エポキシ化合物;トリス(グリシジルフェニル)メタン、トリグリシジルイソシアヌレート等のエポキシ基含有化合物;3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3’,4’-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル-5,5-スピロ-3,4-エポキシ)シクロヘキサン-メタ-ジオキサン、ビス(3,4-エポキシシクロヘキシルメチル)アジペート、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、ビス(3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシルメチル)アジペート、3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシル-3’,4’-エポキシ-6’-メチルシクロヘキサンカルボキシレート、メチレンビス(3,4-エポキシシクロヘキサン)、ジシクロペンタジエンジエポキサイド、エチレングリコールのジ(3,4-エポキシシクロヘキシルメチル)エーテル、エチレンビス(3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート)、ラクトン変性3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3’,4’-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ラクトン変性エポキシ化テトラヒドロベンジルアルコール等の脂環式エポキシ化合物類;1,4-ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,6-ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル類等の多価アルコールのポリグリシジルエーテル類;脂肪族長鎖二塩基酸のジグリシジルエステル類;脂肪族高級アルコールのモノグリシジルエーテル類;フェノール、クレゾール、ブチルフェノール又はこれらにアルキレンオキサイドを付加して得られるポリエーテルアルコールのモノグリシジルエーテル類;高級脂肪酸のグリシジルエステル類;エポキシ化大豆油、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシ化アマニ油等を挙げることができる。これらの中でも、アルカリ現像液への溶解性の観点から、ノボラック型エポキシ化合物、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、テトラグリシジルアミン型エポキシ化合物、テトラフェニルエタン型エポキシ化合物、水素化ビスフェノールA型エポキシ化合物、及びトリスフェノール型エポキシ化合物よりなる群から選択される少なくとも1つであることが好ましい。 Specific examples of the epoxy group-containing compound (B) include bisphenol A epoxy compounds, hydrogenated bisphenol A epoxy compounds, bisphenol F epoxy compounds, hydrogenated bisphenol F epoxy compounds, bisphenol S epoxy compounds, and hydrogenated bisphenol A epoxy compounds. Bisphenol S type epoxy compounds, bisphenol AD type epoxy compounds, hydrogenated bisphenol AD type epoxy compounds, novolak type epoxy compounds, cycloaliphatic epoxy compounds, heterocyclic epoxy compounds, glycidyl ester type compounds, tetraglycidyl amine type epoxy compounds , epoxy compounds such as tetraphenylethane type epoxy compounds, epoxidized oils, epoxy novolak compounds, and their brominated compounds; trisphenol type epoxy compounds; epoxy group-containing compounds such as tris(glycidylphenyl)methane, triglycidyl isocyanurate; 3, 4-Epoxycyclohexylmethyl-3',4'-epoxycyclohexanecarboxylate, 2-(3,4-epoxycyclohexyl-5,5-spiro-3,4-epoxy)cyclohexane-meta-dioxane, bis(3,4 -Epoxycyclohexylmethyl)adipate, vinylcyclohexene dioxide, bis(3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl)adipate, 3,4-epoxy-6-methylcyclohexyl-3',4'-epoxy-6'- Methyl cyclohexane carboxylate, methylene bis(3,4-epoxycyclohexane), dicyclopentadiene diepoxide, ethylene glycol di(3,4-epoxycyclohexylmethyl) ether, ethylene bis(3,4-epoxycyclohexane carboxylate), lactone Alicyclic epoxy compounds such as modified 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3',4'-epoxycyclohexane carboxylate, lactone-modified epoxidized tetrahydrobenzyl alcohol; 1,4-butanediol diglycidyl ether, 1,6- Polyglycidyl ethers of polyhydric alcohols such as hexanediol diglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether; diglycidyl of aliphatic long-chain dibasic acids Esters; monoglycidyl ethers of aliphatic higher alcohols; monoglycidyl ethers of phenol, cresol, butylphenol, or polyether alcohols obtained by adding alkylene oxide to these; glycidyl esters of higher fatty acids; epoxidized soybean oil; Examples include butyl epoxy stearate, octyl epoxy stearate, epoxidized linseed oil, and the like. Among these, from the viewpoint of solubility in an alkaline developer, novolak type epoxy compounds, bisphenol A type epoxy compounds, bisphenol F type epoxy compounds, tetraglycidylamine type epoxy compounds, tetraphenylethane type epoxy compounds, hydrogenated bisphenol A It is preferably at least one selected from the group consisting of a type epoxy compound and a trisphenol type epoxy compound.
上記エポキシ基含有化合物(B)のエポキシ当量としては、特に限定されないが、80g/当量以上であることが好ましく、100g/当量以上であることがより好ましい。また、1000g/当量以下であることが好ましく、800g/当量以下であることがより好ましく、500g/当量以下であることが更に好ましい。エポキシ基含有化合物(B)のエポキシ当量が前記範囲にあることにより、低吸水性かつ熱架橋性に優れた硬化膜が得られるため好ましい。ここでのエポキシ当量は、JISK7236に準拠し測定することができる。 The epoxy equivalent of the epoxy group-containing compound (B) is not particularly limited, but is preferably 80 g/equivalent or more, more preferably 100 g/equivalent or more. Further, it is preferably 1000 g/equivalent or less, more preferably 800 g/equivalent or less, and even more preferably 500 g/equivalent or less. It is preferable that the epoxy equivalent of the epoxy group-containing compound (B) is within the above range because a cured film with low water absorption and excellent thermal crosslinkability can be obtained. The epoxy equivalent here can be measured in accordance with JIS K7236.
上記エポキシ基含有化合物(B)は、下記式(B1)~(B8)で表される化合物よりなる群から選択される少なくとも1つの化合物を含有することが好ましい。
上記式(B3)~(B5)、(B7)、(B8)で表される化合物はそれぞれ、i、j、km又はpの値が異なる2種以上の化合物の混合物であることもできる。 The compounds represented by the above formulas (B3) to (B5), (B7), and (B8) can also be a mixture of two or more compounds having different values of i, j, km, or p.
上記式(B1)の市販品としては、JER1032H60(三菱ケミカル(株)製)、上記式(B2)の市販品としては、YH-434(日鉄ケミカル&マテリアル(株)製)、上記式(B3)の市販品としては、JER834、JER828、JER1001(いずれも、三菱ケミカル(株)製)、上記式(B4)の市販品としては、YX8000(三菱ケミカル(株)製)、上記式(B5)の市販品としては、JER152(三菱ケミカル(株)製)、上記式(B6)の市販品としては、JER1031S(三菱ケミカル(株)製)、上記式(B7)の市販品としては、JER157S65(三菱ケミカル(株)製)、上記式(B8)の市販品としては、JER806(三菱ケミカル(株)製)を挙げることができる。エポキシ基含有化合物(B)は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。 The commercial product of the above formula (B1) is JER1032H60 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and the commercial product of the above formula (B2) is YH-434 (manufactured by Nippon Steel Chemical & Materials Co., Ltd.), the above formula ( Commercial products of the above formula (B3) include JER834, JER828, and JER1001 (all manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and commercial products of the above formula (B4) include YX8000 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and the above formula (B5). ) is a commercial product of JER152 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), a commercial product of the above formula (B6) is JER1031S (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and a commercial product of the above formula (B7) is JER157S65. (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and as a commercially available product of the above formula (B8), JER806 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) can be mentioned. The epoxy group-containing compound (B) can be used alone or in combination of two or more.
エポキシ基含有化合物(B)の含有量(複数種含む場合は合計の含有量)は、ケイ素含有重合体(A)100重量部に対して、1質量部以上であることが好ましく、3質量部以上であることがより好ましく、5質量部以上であることが更に好ましい。また、ケイ素含有重合体(A)100重量部に対して、50質量部以下であることが好ましく、30質量部以下であることがより好ましく、20質量部以下であることが更に好ましく、15質量部以下であることが特に好ましい。エポキシ基含有化合物(B)の添加量を前記範囲にすることで、感度と基板密着性とアウトガス性の全て効果がバランスよく発現することができる観点から好ましい。 The content of the epoxy group-containing compound (B) (the total content when multiple types are included) is preferably 1 part by mass or more, and 3 parts by mass, based on 100 parts by weight of the silicon-containing polymer (A). The amount is more preferably 5 parts by mass or more, and even more preferably 5 parts by mass or more. Further, the amount is preferably 50 parts by weight or less, more preferably 30 parts by weight or less, even more preferably 20 parts by weight or less, and 15 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the silicon-containing polymer (A). It is particularly preferable that the amount is less than 1 part. Setting the amount of the epoxy group-containing compound (B) added within the above range is preferable from the viewpoint that sensitivity, substrate adhesion, and outgas properties can all be achieved in a well-balanced manner.
<光酸発生剤(C)>
感放射線性組成物は、上記重合体(A)、エポキシ基含有化合物(B)と供に、光酸発生剤(C)を含有する。
<Photoacid generator (C)>
The radiation-sensitive composition contains the above-mentioned polymer (A), epoxy group-containing compound (B), and a photoacid generator (C).
光酸発生剤(C)は、放射線照射により酸を発生する化合物であればよく、特に限定されない。光酸発生剤(C)としては、例えば、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物、キノンジアジド化合物が挙げられる。 The photoacid generator (C) is not particularly limited as long as it is a compound that generates an acid upon irradiation with radiation. Examples of the photoacid generator (C) include oxime sulfonate compounds, onium salts, sulfonimide compounds, halogen-containing compounds, diazomethane compounds, sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, carboxylic acid ester compounds, and quinonediazide compounds.
オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、及びカルボン酸エステル化合物の具体例としては、特開2014-157252号公報の段落[0078]~[0106]に記載された化合物、国際公開第2016/124493号に記載された化合物等が挙げられる。光酸発生剤としては、放射線感度の観点から、オキシムスルホネート化合物及びスルホンイミド化合物よりなる群から選択される少なくとも1種を使用することが好ましい。 Specific examples of oxime sulfonate compounds, onium salts, sulfonimide compounds, halogen-containing compounds, diazomethane compounds, sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, and carboxylic acid ester compounds include paragraphs [0078] to JP-A No. 2014-157252. Examples include the compound described in [0106], the compound described in International Publication No. 2016/124493, and the like. As the photoacid generator, from the viewpoint of radiation sensitivity, it is preferable to use at least one selected from the group consisting of oxime sulfonate compounds and sulfonimide compounds.
オキシムスルホネート化合物は、下記式(5)で表されるスルホネート基を有する化合物であることが好ましい。
上記式(5)において、R23の1価の炭化水素基としては、例えば、炭素数1~20のアルキル基、炭素数4~12のシクロアルキル基、炭素数6~20のアリール基等が挙げられる。置換基としては、例えば、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、オキソ基、ハロゲン原子等が挙げられる。 In the above formula (5), the monovalent hydrocarbon group for R 23 includes, for example, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 12 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, etc. Can be mentioned. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, an oxo group, and a halogen atom.
オキシムスルホネート化合物を例示すると、(5-プロピルスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン)-(2-メチルフェニル)アセトニトリル、(5-オクチルスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン)-(2-メチルフェニル)アセトニトリル、(カンファースルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン)-(2-メチルフェニル)アセトニトリル、(5-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン)-(2-メチルフェニル)アセトニトリル、(2-[2-(4-メチルフェニルスルホニルオキシイミノ)]-2,3-ジヒドロチオフェン-3-イリデン]-2-(2-メチルフェニル)アセトニトリル)、2-(オクチルスルホニルオキシイミノ)-2-(4-メトキシフェニル)アセトニトリル、国際公開第2016/124493号に記載の化合物等が挙げられる。オキシムスルホネート化合物の市販品としては、BASF社製のIrgacure PAG121等が挙げられる。 Examples of oxime sulfonate compounds include (5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl)acetonitrile, (5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-( 2-Methylphenyl)acetonitrile, (camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl)acetonitrile, (5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-( 2-methylphenyl)acetonitrile, (2-[2-(4-methylphenylsulfonyloxyimino)]-2,3-dihydrothiophene-3-ylidene]-2-(2-methylphenyl)acetonitrile), 2-( Examples include octylsulfonyloxyimino)-2-(4-methoxyphenyl)acetonitrile, the compound described in International Publication No. 2016/124493, and the like. Commercially available oxime sulfonate compounds include Irgacure PAG121 manufactured by BASF.
スルホンイミド化合物を例示すると、N-(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N-(カンファスルホニルオキシ)スクシンイミド、N-(4-メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N-(2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N-(4-フルオロフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N-(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N-(カンファスルホニルオキシ)フタルイミド、N-(2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N-(2-フルオロフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N-(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N-(カンファスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、4-メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、トリフルオロメタンスルホン酸-1,8-ナフタルイミド(N-ヒドロキシナフタルイミドトリフラート)が挙げられる。 Examples of sulfonimide compounds include N-(trifluoromethylsulfonyloxy)succinimide, N-(camphorsulfonyloxy)succinimide, N-(4-methylphenylsulfonyloxy)succinimide, N-(2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) ) Succinimide, N-(4-fluorophenylsulfonyloxy)succinimide, N-(trifluoromethylsulfonyloxy)phthalimide, N-(camphorsulfonyloxy)phthalimide, N-(2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy)phthalimide, N -(2-fluorophenylsulfonyloxy)phthalimide, N-(trifluoromethylsulfonyloxy)diphenylmaleimide, N-(camphorsulfonyloxy)diphenylmaleimide, 4-methylphenylsulfonyloxy)diphenylmaleimide, trifluoromethanesulfonic acid-1, Examples include 8-naphthalimide (N-hydroxynaphthalimide triflate).
光酸発生剤(C)としては、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、及びカルボン酸エステル化合物のうち1種以上と、キノンジアジド化合物とを併用してもよい。また、キノンジアジド化合物を単独で用いてもよい。 The photoacid generator (C) includes one or more of oxime sulfonate compounds, onium salts, sulfonimide compounds, halogen-containing compounds, diazomethane compounds, sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, and carboxylic acid ester compounds, and quinonediazide compounds. You may use it together. Further, a quinonediazide compound may be used alone.
キノンジアジド化合物は、放射線の照射によりカルボン酸を発生する感放射線性酸発生体である。キノンジアジド化合物としては、フェノール性化合物又はアルコール性化合物(以下「母核」ともいう)と、オルソナフトキノンジアジド化合物との縮合物が挙げられる。これらのうち、使用するキノンジアジド化合物は、母核としてのフェノール系水酸基を有する化合物と、オルソナフトキノンジアジド化合物との縮合物が好ましい。母核の具体例としては、例えば、特開2014-186300号公報の段落0065~0070に記載された化合物が挙げられる。オルソナフトキノンジアジド化合物は、1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドが好ましい。 Quinonediazide compounds are radiation-sensitive acid generators that generate carboxylic acids when irradiated with radiation. Examples of the quinonediazide compound include a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter also referred to as "mother core") and an orthonaphthoquinonediazide compound. Among these, the quinonediazide compound used is preferably a condensate of a compound having a phenolic hydroxyl group as a mother nucleus and an orthonaphthoquinonediazide compound. Specific examples of the mother nucleus include, for example, the compounds described in paragraphs 0065 to 0070 of JP-A No. 2014-186300. The orthonaphthoquinonediazide compound is preferably 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide.
キノンジアジド化合物としては、母核としてのフェノール性化合物又はアルコール性化合物と、1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物を好ましく使用でき、フェノール性化合物と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物をより好ましく使用できる。 As the quinonediazide compound, a condensate of a phenolic compound or alcoholic compound as a mother nucleus and 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide can be preferably used; A condensate of can be more preferably used.
キノンジアジド化合物の具体例としては、4,4’-ジヒドロキシジフェニルメタン、2,3,4,2’,4’-ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、トリ(p-ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,1-トリ(p-ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,1-トリ(p-ヒドロキシフェニル)エタン、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-1-フェニルエタン、1,3-ビス[1-(4-ヒドロキシフェニル)-1-メチルエチル]ベンゼン、1,4-ビス[1-(4-ヒドロキシフェニル)-1-メチルエチル]ベンゼン、4,6-ビス[1-(4-ヒドロキシフェニル)-1-メチルエチル]-1,3-ジヒドロキシベンゼン、及び4,4’-[1-[4-[1-[4-ヒドロキシフェニル]-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノールから選ばれるフェノール性水酸基含有化合物と、1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸クロリド又は1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリドとのエステル化合物が挙げられる。 Specific examples of quinonediazide compounds include 4,4'-dihydroxydiphenylmethane, 2,3,4,2',4'-pentahydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, tri(p-hydroxy phenyl)methane, 1,1,1-tri(p-hydroxyphenyl)methane, 1,1,1-tri(p-hydroxyphenyl)ethane, 1,1-bis(4-hydroxyphenyl)-1-phenylethane , 1,3-bis[1-(4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl]benzene, 1,4-bis[1-(4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl]benzene, 4,6-bis [1-(4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl]-1,3-dihydroxybenzene, and 4,4'-[1-[4-[1-[4-hydroxyphenyl]-1-methylethyl] Examples include ester compounds of a phenolic hydroxyl group-containing compound selected from phenyl]ethylidene]bisphenol and 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid chloride or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride.
上記縮合物を得るための縮合反応において、母核と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの割合は、1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドの使用量を、母核中のOH基の数に対して、好ましくは30~85モル%、より好ましくは50~70モル%に相当する量とする。なお、上記縮合反応は、公知の方法に従って行うことができる。 In the condensation reaction to obtain the above condensate, the ratio of the mother nucleus to the 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide is determined by the amount of 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide used, and the number of OH groups in the mother nucleus. The amount corresponds to preferably 30 to 85 mol%, more preferably 50 to 70 mol%. In addition, the said condensation reaction can be performed according to a well-known method.
上記光酸発生剤(C)の含有量(複数種含む場合は合計の含有量)は、ケイ素含有重合体(A)100質量部に対して、0.01質量部以上であることが好ましく、0.05質量部以上であることがより好ましく、0.1質量部以上であることが更に好ましい。また、光酸発生剤(C)の含有割合は、ケイ素含有重合体(A)100質量部に対して、20質量部以下であることが好ましく、10質量部以下であることがより好ましく、5質量部以下であることが好ましい。光酸発生剤(C)の含有割合を0.01質量部以上とすると、放射線の照射によって酸が十分に生成し、アルカリ溶液に対する、放射線の照射部分と未照射部分との溶解度の差を十分に大きくできる。これにより、良好なパターニングを行うことができるため、好ましい。また、重合体成分との反応に関与する酸の量を多くでき、耐熱性及び耐溶剤性を十分に確保できるため、好ましい。一方、光酸発生剤(C)の含有割合を20質量部以下とすることにより、露光後において未反応の光酸発生剤の量を十分に少なくでき、光酸発生剤(C)の残存による現像性の低下を抑制できる点で好適である。 The content of the photoacid generator (C) (total content if multiple types are included) is preferably 0.01 parts by mass or more based on 100 parts by mass of the silicon-containing polymer (A), It is more preferably 0.05 parts by mass or more, and even more preferably 0.1 parts by mass or more. Further, the content ratio of the photoacid generator (C) is preferably 20 parts by mass or less, more preferably 10 parts by mass or less, and 5 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the silicon-containing polymer (A). It is preferably less than parts by mass. When the content ratio of the photoacid generator (C) is 0.01 parts by mass or more, acid is sufficiently generated by radiation irradiation, and the difference in solubility between the radiation irradiated part and the unirradiated part in the alkaline solution is sufficiently compensated for. Can be made larger. This is preferable because good patterning can be performed. Further, it is preferable because the amount of acid involved in the reaction with the polymer component can be increased and sufficient heat resistance and solvent resistance can be ensured. On the other hand, by setting the content of the photoacid generator (C) to 20 parts by mass or less, the amount of unreacted photoacid generator after exposure can be sufficiently reduced, and the amount of unreacted photoacid generator (C) can be reduced. This is suitable in that it can suppress deterioration in developability.
本発明の感放射線性組成物は、上記ケイ素含有重合体(A)、エポキシ基含有化合物(B)、光酸発生剤(C)を含有すれば良いものであり、その他の成分については特に限定されないが、例えば、基板密着性向上の観点からは、密着助剤(D)やオルトエステル化合物(E)を含有することが好ましく、塗布性の観点から溶剤(F)を含有することが好ましい。 The radiation-sensitive composition of the present invention only needs to contain the silicon-containing polymer (A), the epoxy group-containing compound (B), and the photoacid generator (C), and other components are not particularly limited. However, for example, from the viewpoint of improving substrate adhesion, it is preferable to contain an adhesion aid (D) or an orthoester compound (E), and from the viewpoint of coatability, it is preferable to contain a solvent (F).
<密着助剤(D)>
密着助剤(D)は、感放射線性組成物を用いて形成される硬化膜と基板との接着性を向上させる成分である。密着助剤(D)としては、例えば、カルド構造を有するカルド化合物や、反応性官能基を有する官能性シランカップリング剤を好ましく使用できる。
<Adhesion aid (D)>
The adhesion aid (D) is a component that improves the adhesion between the cured film formed using the radiation-sensitive composition and the substrate. As the adhesion aid (D), for example, a cardo compound having a cardo structure or a functional silane coupling agent having a reactive functional group can be preferably used.
(官能性シランカップリング剤)
官能性シランカップリング剤が有する反応性官能基としては、カルボキシ基、(メタ)アクリロイル基、エポキシ基、ビニル基、イソシアネート基等が挙げられる。
(Functional silane coupling agent)
Examples of the reactive functional group that the functional silane coupling agent has include a carboxy group, (meth)acryloyl group, epoxy group, vinyl group, and isocyanate group.
官能性カップリング剤の具体例としては、例えば、トリメトキシシリル安息香酸、3-グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、2-(3,4-エポキシシクロへキシル)エチルトリメトキシシラン、3-(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-(メタ)アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、3-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。 Specific examples of the functional coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl Examples include trimethoxysilane, 3-(meth)acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-(meth)acryloxypropyltriethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, etc. .
(カルド化合物)
カルド化合物は、アルコキシシリル基、オキシラニル基、オキセタニル基、メルカプト基、(メタ)アクリロイル基、ビニル基及びアミノ基よりなる群から選択される少なくとも1種の官能基(X)と、カルド構造とを有する。
(cardo compound)
The cardo compound has a cardo structure and at least one functional group (X) selected from the group consisting of an alkoxysilyl group, an oxiranyl group, an oxetanyl group, a mercapto group, a (meth)acryloyl group, a vinyl group, and an amino group. have
カルド構造は、第1の環構造、第2の環構造及び第3の環構造を有し、第1の環構造の環骨格に含まれる同一炭素原子に対し、第2の環構造及び第3の環構造が直接結合した構造を有する。カルド構造は、具体的には下記式(10)で表すことができる。
上記式(10)において、A11及びA12で表される2価の環状基は、脂環式基及び芳香環基のいずれでもよい。脂環式基は、置換又は無置換の脂肪族炭化水素環の環部分から2個の水素原子を取り除いた基であり、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基のいずれでもよい。2価の脂環式基が多環式炭化水素基である場合、多環式炭化水素基は、有橋脂環式炭化水素基及び縮合脂環式炭化水素基のいずれでもよく、また飽和炭化水素基及び不飽和炭化水素基のいずれでもよい。なお、縮合脂環式炭化水素基とは、複数の脂環が辺(隣接する2つの炭素原子間の結合)を共有する形で構成された多環性の脂環式炭化水素基をいう。 In the above formula (10), the divalent cyclic groups represented by A 11 and A 12 may be either an alicyclic group or an aromatic ring group. The alicyclic group is a group obtained by removing two hydrogen atoms from the ring portion of a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon ring, and may be either a monocyclic hydrocarbon group or a polycyclic hydrocarbon group. When the divalent alicyclic group is a polycyclic hydrocarbon group, the polycyclic hydrocarbon group may be either a bridged alicyclic hydrocarbon group or a fused alicyclic hydrocarbon group, and may be a saturated hydrocarbon group. Either a hydrogen group or an unsaturated hydrocarbon group may be used. Note that the condensed alicyclic hydrocarbon group refers to a polycyclic alicyclic hydrocarbon group in which a plurality of alicyclic rings share a side (a bond between two adjacent carbon atoms).
単環の脂環式炭化水素基の具体例としては、飽和炭化水素基として、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロヘプタンジイル基及びシクロオクタンジイル基等を;不飽和炭化水素基として、シクロペンテンジイル基、シクロヘキセンジイル基、シクロヘプテンジイル基、シクロオクテンジイル基、シクロペンタジエンジイル基及びシクロヘキサジエンジイル基等が挙げられる。多環の脂環式炭化水素基の具体例としては、有橋脂環式飽和炭化水素基として、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2,2-ジイル基(ノルボルナン-2,2-ジイル基)、ビシクロ[2.2.2]オクタン-2,2-ジイル基、及びトリシクロ[3.3.1.13,7]デカン-2,2-ジイル基(アダマンタン-2,2-ジイル基)等を;縮合脂環式炭化水素基として、デカヒドロナフタレンジイル基等を、それぞれ挙げることができる。 Specific examples of monocyclic alicyclic hydrocarbon groups include cyclopentanediyl, cyclohexanediyl, cycloheptanediyl, and cyclooctanediyl groups as saturated hydrocarbon groups; cyclopentenediyl as unsaturated hydrocarbon groups; Examples include diyl group, cyclohexenediyl group, cycloheptenediyl group, cyclooctenediyl group, cyclopentadienediyl group, and cyclohexadienediyl group. Specific examples of polycyclic alicyclic hydrocarbon groups include bicyclo[2.2.1]heptane-2,2-diyl group (norbornane-2,2-diyl) as a bridged alicyclic saturated hydrocarbon group. ), bicyclo[2.2.2]octane-2,2-diyl group, and tricyclo[3.3.1.1 3,7 ]decane-2,2-diyl group (adamantane-2,2-diyl Examples of the condensed alicyclic hydrocarbon group include a decahydronaphthalenediyl group and the like.
2価の芳香環基は、置換又は無置換の芳香環の環部分から2個の水素原子を取り除いた基であり、単環式及び多環式のいずれでもよい。2価の芳香環基が多環式炭化水素基である場合、多環式炭化水素基は、有橋芳香族炭化水素基及び縮合芳香族炭化水素基のいずれでもよい。 The divalent aromatic ring group is a group obtained by removing two hydrogen atoms from the ring portion of a substituted or unsubstituted aromatic ring, and may be either monocyclic or polycyclic. When the divalent aromatic ring group is a polycyclic hydrocarbon group, the polycyclic hydrocarbon group may be either a bridged aromatic hydrocarbon group or a fused aromatic hydrocarbon group.
単環の芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニレン基等が挙げられる。多環の芳香族炭化水素基は、縮合芳香環炭化水素基が好ましく、例えば、ナフタニレン基、アントラセンジイル基、フルオレンジイル基、フェナレンジイル基等が挙げられる。 Specific examples of monocyclic aromatic hydrocarbon groups include phenylene groups and the like. The polycyclic aromatic hydrocarbon group is preferably a fused aromatic ring hydrocarbon group, and examples thereof include a naphthanylene group, anthracenediyl group, fluorenediyl group, and phenalenediyl group.
2価の脂環式基及び芳香環基が環部分に置換基を有する場合、当該置換基としては、炭素数1~6のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基等が挙げられる。 When the divalent alicyclic group and aromatic ring group have a substituent on the ring portion, examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen atom, a cyano group, and the like.
A11及びA12で表される2価の環状基は、中でも、2価の芳香環基が好ましく、置換又は無置換のフェニレン基が特に好ましい。 Among the divalent cyclic groups represented by A 11 and A 12 , a divalent aromatic ring group is preferable, and a substituted or unsubstituted phenylene group is particularly preferable.
A10は、A11及びA12が結合する炭素原子と共に形成される環状基である。A10で表される環状基の具体例としては、A11及びA12で表される2価の環状基として例示した2価の脂環式基及び2価の芳香環基と同様のものが挙げられる。これらのうち、A10で表される環状基の好ましい具体例としては、下記式(10a-1)~式(10a-6)で表される基及びこれらの基の環部分に置換基が導入された基が挙げられる。
A10で表される環状基としては、上記の中でも、上記式(10a-1)~式(10a-3)のそれぞれで表される基及びこれらの環部分に置換基が導入された基が好ましく、フルオレン構造を有する基(すなわち、上記式(10a-1)で表される基及び環部分に置換基が導入された基)が特に好ましい。 As the cyclic group represented by A10 , among the above, groups represented by each of the above formulas (10a-1) to (10a-3) and groups in which substituents are introduced into the ring portions of these groups are included. Particularly preferred are groups having a fluorene structure (ie, groups represented by the above formula (10a-1) and groups in which a substituent is introduced into the ring portion).
上記式(10)で表されるカルド構造は、本発明の組成物を用いて得られる膜の基板密着性及び硬化密着性の改善効果が高い点で、中でも、下記式(10-1)で表される構造が好ましい。
カルド化合物が有する官能基(X)は、アルコキシシリル基、オキシラニル基、オキセタニル基、メルカプト基、(メタ)アクリロイル基、ビニル基及びアミノ基よりなる群から選択される少なくとも1種である。 The functional group (X) possessed by the cardo compound is at least one selected from the group consisting of an alkoxysilyl group, an oxiranyl group, an oxetanyl group, a mercapto group, a (meth)acryloyl group, a vinyl group, and an amino group.
アルコキシシリル基は、アルコキシ基がケイ素原子に結合した構造を有していればよく、例えば、式「-Si(R61)(R62)(R63)」で表される基が挙げられる。ここで、R61、R62及びR63は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~10のアルキル基、又はフェニル基であり、R61、R62及びR63のうち少なくとも1つは、炭素数1~6のアルコキシ基である。アルコキシシリル基の具体例としては、上記式(1)で表される基と同様のものが挙げられる。これらのうち、R61、R62及びR63は、1個が炭素数1~6のアルコキシ基であり、残りが炭素数1~6のアルコキシ基又は炭素数1~10のアルキル基であることが好ましい。中でも、R61、R62及びR63のうち1個が炭素数1~3のアルコキシ基であり、残りが炭素数1~3のアルコキシ基又は炭素数1~3のアルキル基であることが、基板密着性及び硬化密着性の改善効果をより高くできる点で好ましい。 The alkoxysilyl group may have a structure in which an alkoxy group is bonded to a silicon atom, and examples thereof include a group represented by the formula "--Si(R 61 )(R 62 )(R 63 )". Here, R 61 , R 62 and R 63 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a phenyl group. , R 61 , R 62 and R 63 is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkoxysilyl group include those similar to the group represented by the above formula (1). Among these, one of R 61 , R 62 and R 63 is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the rest are an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. is preferred. Among them, one of R 61 , R 62 and R 63 is an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, and the rest are an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, This is preferable because it can further enhance the effect of improving substrate adhesion and cured adhesion.
本発明の組成物を用いて得られる膜の基板密着性及び硬化密着性をより優れたものとすることができる点で、官能基(X)は、中でも、アルコキシシリル基、オキシラニル基、オキセタニル基及び(メタ)アクリロイル基よりなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましく、アルコキシシリル基が特に好ましい。 The functional group (X) can be an alkoxysilyl group, an oxiranyl group, an oxetanyl group, among others, in that the film obtained using the composition of the present invention can have better substrate adhesion and cured adhesion. and (meth)acryloyl group, and an alkoxysilyl group is particularly preferred.
本組成物に含まれるカルド化合物は、1分子内にカルド構造及び官能基(X)をそれぞれ1個以上有していればよく、他の部分の構造は特に限定されない。カルド化合物としては、例えば、カルド構造を有する構造単位を含むオリゴマー、及びカルド構造を有するシランカップリング剤が挙げられる。カルド化合物は、具体的には、下記式(11)で表される化合物及び下記式(12)で表される化合物等が挙げられる。また、カルド化合物として、国際公開第2009/119622号に記載のフルオレン骨格を有する化合物と四塩基酸二無水物とを反応させて得られる高分子化合物に、カルボン酸反応性(メタ)アクリレート化合物を付加させて得られる感光性樹脂を用いることができ、例えば同公報の実施例2に記載された感光性樹脂(A2)を用いることができる。
上記式(11)及び式(12)において、Y61~Y64で表される2価の有機基としては、炭素数1~40の2価の炭化水素基、当該炭化水素基の少なくとも1個のメチレン基がヘテロ原子含有基で置き換えられた2価の基等が挙げられる。ヘテロ原子含有基としては、-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-NR67CO-、-CONR67-、-NR67-COO-、-OCO-NR67-等(ただし、R67は水素原子又はアルキル基)が挙げられる。 In the above formulas (11) and (12), the divalent organic group represented by Y 61 to Y 64 includes a divalent hydrocarbon group having 1 to 40 carbon atoms, and at least one of the hydrocarbon groups. Examples include divalent groups in which the methylene group of is replaced with a heteroatom-containing group. Examples of heteroatom-containing groups include -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -NR 67 CO-, -CONR 67 -, -NR 67 -COO-, -OCO-NR 67 -, etc. (wherein R 67 is a hydrogen atom or an alkyl group).
カルド化合物は、本発明の組成物により形成される膜の基板密着性及び硬化密着性をより高くできる点で、上記のうち、上記式(11)で表される化合物が好ましく、上記式(11)においてX61及びX62がアルコキシシリル基である化合物が特に好ましい。 Among the above, the cardo compound is preferably a compound represented by the above formula (11) in that it can further increase the substrate adhesion and cured adhesion of the film formed by the composition of the present invention. ) in which X 61 and X 62 are alkoxysilyl groups are particularly preferred.
カルド化合物としては、市販品を使用してもよい。カルド化合物の市販品としては、商品名で、例えば、オグソールSC-001、オグソールEA-0200、オグソールEA-0300、及びオグソールCR1030(以上、大阪ガスケミカル(株)製);WR-301((株)ADEKA製);V-259ME(新日鉄住金化学(株)製);オンコートEXシリーズ(ナガセケムテックス(株)製)等が挙げられる。 As the cardo compound, commercially available products may be used. Commercial products of cardo compounds include, for example, Ogsol SC-001, Ogsol EA-0200, Ogsol EA-0300, and Ogsol CR1030 (manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.); and WR-301 (manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.); ) manufactured by ADEKA); V-259ME (manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.); and Oncoat EX series (manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.).
本発明の感放射線性組成物に密着助剤(D)を配合する場合、密着助剤(D)の含有量(複数種含む場合は合計の含有量)は、ケイ素含有重合体(A)100質量部に対して、0.1質量部以上であることが好ましく、0.5質量部以上であることがより好ましく、1質量部以上であることが更に好ましく、3質量部以上であることが特に好ましい。また、密着助剤(D)の含有量は、ケイ素含有重合体(A)100質量部に対して、20質量部以下であることが好ましく、15質量部以下であることがより好ましく、10質量部以下であることが更に好ましい。密着助剤(D)の含有量を前記範囲とすることにより、本発明の組成物により形成される膜の基板密着性がより向上するため好ましい。 When blending the adhesion aid (D) into the radiation-sensitive composition of the present invention, the content of the adhesion aid (D) (total content if multiple types are included) is 100% of the silicon-containing polymer (A). It is preferably 0.1 part by mass or more, more preferably 0.5 part by mass or more, even more preferably 1 part by mass or more, and preferably 3 parts by mass or more. Particularly preferred. Further, the content of the adhesion aid (D) is preferably 20 parts by mass or less, more preferably 15 parts by mass or less, and 10 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the silicon-containing polymer (A). It is more preferable that the amount is less than 1 part. Setting the content of the adhesion aid (D) within the above range is preferable because the adhesion to the substrate of the film formed from the composition of the present invention is further improved.
<オルトエステル化合物(E)>
オルトエステル化合物(E)としては、3個の基「-OR30」(ただし、R30は1価の炭化水素基である)が同一の炭素に結合した構造を有する化合物であり、一般式:R31-C(OR30)3で表される。ここで、R31は、水素原子又は1価の有機基である。オルトエステル化合物(E)は、酸の存在下で吸水性を発現し、加水分解してエステルに変わる。こうしたオルトエステル化合物(E)を、ケイ素含有重合体(A)と共に感放射線性組成物に含有させることにより、光酸発生剤(C)から発生した酸(換言すれば、放射線の照射)によりオルトエステル化合物(E)の吸水作用が発現され、オルトエステル化合物(E)の吸水作用によって塗膜の現像密着性を向上させることができるため、好ましい。また、オルトエステル化合物(E)は、アルカリ現像液に対し安定で疎水的であり、未露光部に及ぼす影響(例えば、感度への影響)も少ない点で好ましい。
<Orthoester compound (E)>
The orthoester compound (E) is a compound having a structure in which three groups "-OR 30 " (wherein R 30 is a monovalent hydrocarbon group) are bonded to the same carbon, and has the general formula: It is represented by R 31 -C(OR 30 ) 3 . Here, R 31 is a hydrogen atom or a monovalent organic group. The orthoester compound (E) exhibits water absorbing properties in the presence of an acid, and is hydrolyzed into an ester. By including such an orthoester compound (E) together with the silicon-containing polymer (A) in a radiation-sensitive composition, the acid generated from the photoacid generator (C) (in other words, by radiation irradiation) It is preferable because the water absorption effect of the ester compound (E) is expressed and the development adhesion of the coating film can be improved by the water absorption effect of the orthoester compound (E). Further, the orthoester compound (E) is preferable because it is stable and hydrophobic with respect to an alkaline developer, and has little influence on unexposed areas (for example, influence on sensitivity).
オルトエステル化合物が有する基「-OR30」としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、i-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基、フェノキシ基、メチルフェニル基等が挙げられる。これらのうち、オルトエステル化合物が有する基「-OR30」は、アルコキシ基が好ましく、炭素数1~4のアルコキシ基がより好ましい。なお、オルトエステル化合物(E)が有する3個の基「-OR30」は、互いに同一の基又は異なる基である。 Examples of the group "-OR 30 " possessed by the orthoester compound include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, i-butoxy group, tert-butoxy group, n-pentoxy group, etc. group, phenoxy group, methylphenyl group, etc. Among these, the group "-OR 30 " possessed by the orthoester compound is preferably an alkoxy group, more preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. Note that the three groups "-OR 30 " that the orthoester compound (E) has are the same group or different groups.
R31としては、例えば、水素原子、1価の鎖状炭化水素基、当該鎖状炭化水素基の少なくとも1個の水素原子がハロゲン原子で置換されたハロゲン化鎖状炭化水素基、1価の芳香環基等が挙げられる。これらのうち、R31は、水素原子、1価の鎖状炭化水素基又は1価の芳香環基が好ましく、具体的には、水素原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数6~20のアリール基が挙げられる。 Examples of R 31 include a hydrogen atom, a monovalent chain hydrocarbon group, a halogenated chain hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom of the chain hydrocarbon group is substituted with a halogen atom, and a monovalent chain hydrocarbon group. Examples include aromatic ring groups. Among these, R 31 is preferably a hydrogen atom, a monovalent chain hydrocarbon group, or a monovalent aromatic ring group, and specifically, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and 2 to 20 carbon atoms. Examples include an alkenyl group having 20 carbon atoms and an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
オルトエステル化合物(E)の具体例としては、オルトクロロ酢酸トリエチル、オルト蟻酸トリメチル、オルト蟻酸トリエチル、オルト蟻酸トリプロピル、オルト蟻酸トリイソプロピル、オルト蟻酸トリブチル、オルト蟻酸ジエチルフェニル、オルト酢酸トリメチル、オルト酢酸トリエチル、オルトジクロロ酢酸トリエチル、オルト酪酸トリメチル、オルト酪酸トリエチル、オルトプロピオン酸トリメチル、オルトプロピオン酸トリエチル、オルト吉草酸トリメチル、オルト吉草酸トリエチル、オルトイソ酪酸トリメチル、オルト安息香酸トリメチル、オルト安息香酸トリエチル等が挙げられる。 Specific examples of the orthoester compound (E) include triethyl orthochloroacetate, trimethyl orthoformate, triethyl orthoformate, tripropyl orthoformate, triisopropyl orthoformate, tributyl orthoformate, diethylphenyl orthoformate, trimethyl orthoacetate, triethyl orthoacetate. , triethyl orthodichloroacetate, trimethyl orthobutyrate, triethyl orthobutyrate, trimethyl orthopropionate, triethyl orthopropionate, trimethyl orthovalerate, triethyl orthovalerate, trimethyl orthoisobutyrate, trimethyl orthobenzoate, triethyl orthobenzoate, etc. It will be done.
オルトエステル化合物としては、上記の中でも、下記式(6)で表される化合物を好ましく使用することができる。
R33-C-(OR32)3 (6)
(式(6)中、R32は、炭素数1~4のアルキル基又はフェニル基である。R33は、水素原子、炭素数1~4の1価の鎖状炭化水素基又は炭素数6~12の1価の芳香環基である。式中の3個のR32は、互いに同一の基又は異なる基である。)
Among the orthoester compounds mentioned above, a compound represented by the following formula (6) can be preferably used.
R 33 -C-(OR 32 ) 3 (6)
(In formula (6), R 32 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a phenyl group. R 33 is a hydrogen atom, a monovalent chain hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, or a C 6 ~12 monovalent aromatic ring group.The three R32s in the formula are the same group or different groups.)
上記式(6)において、R32のアルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよい。塗膜の現像密着性を改善する効果が高い点、及び感度への影響がより小さい点で、R32は、メチル基、エチル基又はフェニル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。 In the above formula (6), the alkyl group of R 32 may be linear or branched. R32 is preferably a methyl group, an ethyl group, or a phenyl group, and more preferably a methyl group or an ethyl group, since it is highly effective in improving the development adhesion of the coating film and has less influence on sensitivity.
R33の鎖状炭化水素基は、炭素数1~4の鎖状又は分岐状のアルキル基が好ましい。R33の芳香環基としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。R33は、塗膜の現像密着性を改善する効果が高い点で、1価の芳香環基が好ましく、フェニル基が特に好ましい。 The chain hydrocarbon group for R 33 is preferably a chain or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Examples of the aromatic ring group for R 33 include phenyl group, methylphenyl group, dimethylphenyl group, ethylphenyl group, and naphthyl group. R33 is preferably a monovalent aromatic ring group, and particularly preferably a phenyl group, since it is highly effective in improving the development adhesion of the coating film.
塗膜の現像密着性をより高くできる点で、オルトエステル化合物(E)としては、芳香環基を有する化合物を好ましく使用できる。芳香環基を有する化合物の具体例としては、上記式(6)においてR32及びR33の少なくとも一方が芳香環基である化合物が挙げられる。なお、オルトエステル化合物(E)が芳香環を有する場合、オルトエステル化合物(E)の疎水性向上によりオルトエステル化合物(E)が膜中に残存しやすくなり、未露光部の端部の脱水が十分に行われることによるものと考えられる。 As the orthoester compound (E), a compound having an aromatic ring group can be preferably used since the development adhesion of the coating film can be further improved. A specific example of a compound having an aromatic ring group includes a compound in which at least one of R 32 and R 33 in the above formula (6) is an aromatic ring group. In addition, when the orthoester compound (E) has an aromatic ring, the orthoester compound (E) tends to remain in the film due to the improved hydrophobicity of the orthoester compound (E), and the dehydration of the edges of the unexposed area is prevented. This is thought to be due to sufficient implementation.
芳香環基を有するオルトエステル化合物(E)の具体例としては、オルト安息香酸トリメチル、オルト安息香酸トリエチル、オルト蟻酸ジエチルフェニル等を挙げることができる。これらのうち、塗膜の現像密着性の改善効果が高い点、及び感度をより良好に維持できる点で、オルト安息香酸トリメチル及びオルト安息香酸トリエチルが特に好ましい。 Specific examples of the orthoester compound (E) having an aromatic ring group include trimethyl orthobenzoate, triethyl orthobenzoate, diethylphenyl orthoformate, and the like. Among these, trimethyl orthobenzoate and triethyl orthobenzoate are particularly preferred because they have a high effect of improving the development adhesion of the coating film and can better maintain sensitivity.
オルトエステル化合物(E)は、沸点がプレベーク温度よりも高温であることが好ましい。プレベーク温度に対し十分に高い沸点を有するオルトエステル化合物(E)を用いることにより、塗膜の現像密着性をより高めることができる。具体的には、オルトエステル化合物(E)の沸点は、105℃以上であることが好ましく、110℃以上であることがより好ましく、115℃以上であることが更に好ましい。なお、オルトエステル化合物(E)の沸点がプレベーク温度に対し十分に高い場合、プレベーク時にオルトエステル化合物(E)の揮発が抑制され、オルトエステル化合物(E)がプレベーク後においても膜中に残存しやすくなり、これにより未露光部の端部の脱水が十分に行われることによるものと考えられる。 It is preferable that the orthoester compound (E) has a boiling point higher than the pre-baking temperature. By using the orthoester compound (E) having a sufficiently high boiling point with respect to the pre-baking temperature, the development adhesion of the coating film can be further improved. Specifically, the boiling point of the orthoester compound (E) is preferably 105°C or higher, more preferably 110°C or higher, and even more preferably 115°C or higher. In addition, when the boiling point of the orthoester compound (E) is sufficiently higher than the prebaking temperature, the volatilization of the orthoester compound (E) is suppressed during prebaking, and the orthoester compound (E) remains in the film even after prebaking. This is thought to be due to the fact that the edges of the unexposed areas are sufficiently dehydrated.
沸点が105℃以上であるオルトエステル化合物(E)の具体例としては、オルト蟻酸トリエチル、オルト蟻酸トリプロピル、オルト蟻酸トリブチル、オルト酢酸トリメチル、オルト酢酸トリエチル、オルトジクロロ酢酸トリエチル、オルト酪酸トリメチル、オルトプロピオン酸トリメチル、オルトプロピオン酸トリエチル、オルト吉草酸トリメチル、オルト安息香酸トリメチル、オルト安息香酸トリエチル等が挙げられる。なお、本明細書において沸点は1気圧下での値である。 Specific examples of the orthoester compound (E) having a boiling point of 105° C. or higher include triethyl orthoformate, tripropyl orthoformate, tributyl orthoformate, trimethyl orthoacetate, triethyl orthoacetate, triethyl orthodichloroacetate, trimethyl orthobutyrate, ortho Examples include trimethyl propionate, triethyl orthopropionate, trimethyl orthovalerate, trimethyl orthobenzoate, and triethyl orthobenzoate. In addition, in this specification, the boiling point is a value under 1 atmosphere.
本発明の感放射線性組成物にオルトエステル化合物(E)を配合する場合、オルトエステル化合物(E)の含有量(複数種含む場合は合計の含有量)は、ケイ素含有重合体(A)100質量部に対して、1質量部以上であることが好ましく、5質量部以上であることがより好ましく、10質量部以上であることが更に好ましい。また、オルトエステル化合物(E)の含有量は、ケイ素含有重合体(A)100質量部に対して、30質量部以下であることが好ましく、25質量部以下であることがより好ましく、20質量部以下であることが更に好ましい。オルトエステル化合物(E)の含有量を前記範囲とすることにより、本発明の組成物により形成される膜の基板密着性がより向上するため好ましい。 When the orthoester compound (E) is blended into the radiation-sensitive composition of the present invention, the content of the orthoester compound (E) (total content when multiple types are included) is 100% of the silicon-containing polymer (A). It is preferably 1 part by mass or more, more preferably 5 parts by mass or more, and even more preferably 10 parts by mass or more. Further, the content of the orthoester compound (E) is preferably 30 parts by mass or less, more preferably 25 parts by mass or less, and 20 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the silicon-containing polymer (A). It is more preferable that the amount is less than 1 part. Setting the content of the orthoester compound (E) within the above range is preferable because the adhesion to the substrate of the film formed from the composition of the present invention is further improved.
<溶剤(F)>
本発明の感放射線性組成物は、配合される成分が、好ましくは溶剤(F)に溶解又は分散された液状の組成物である。使用する溶剤(F)としては、本発明の感放射線性組成物に配合される各成分を溶解し、かつ各成分と反応しない有機溶媒が好ましい。
<Solvent (F)>
The radiation-sensitive composition of the present invention is a liquid composition in which the ingredients are preferably dissolved or dispersed in a solvent (F). The solvent (F) to be used is preferably an organic solvent that dissolves each component contained in the radiation-sensitive composition of the present invention and does not react with each component.
溶剤(F)の具体例としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール等のアルコール類;酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類;エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレンジグリコールモノメチルエーテル、エチレンジグリコールエチルメチルエーテル、ジメチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等のエーテル類;ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のアミド類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素が挙げられる。これらのうち、溶剤(F)は、エーテル類及びエステル類よりなる群から選択される少なくとも1種を含むことが好ましく、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコール類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、及びプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートよりなる群から選択される少なくとも1種であることがより好ましい。 Specific examples of the solvent (F) include alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, butanol, and octanol; ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether Esters such as acetate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate; ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene diglycol monomethyl ether, ethylene diglycol ethyl methyl ether, dimethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether , ethers such as diethylene glycol ethyl methyl ether; amides such as dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, and N-methylpyrrolidone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone; benzene, toluene, xylene, and ethylbenzene Aromatic hydrocarbons such as Among these, the solvent (F) preferably contains at least one selected from the group consisting of ethers and esters, including ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycols, propylene glycol monoalkyl ether, and propylene glycol monoalkyl ether. More preferably, it is at least one selected from the group consisting of alkyl ether acetates.
本発明の感放射線性組成物は、上記各成分以外にも、例えば、酸拡散制御剤を適宜含有することができる。 The radiation-sensitive composition of the present invention may appropriately contain, for example, an acid diffusion control agent in addition to the above-mentioned components.
<酸拡散制御剤>
酸拡散制御剤は、露光により光酸発生剤(C)から発生した酸の拡散長を制御する成分である。感放射線性組成物に酸拡散制御剤を配合することにより、酸の拡散長を適度に制御することができ、パターン現像性を改善できる点で好ましい。
<Acid diffusion control agent>
The acid diffusion control agent is a component that controls the diffusion length of acid generated from the photoacid generator (C) upon exposure to light. By blending an acid diffusion control agent into the radiation-sensitive composition, the acid diffusion length can be appropriately controlled and pattern developability can be improved, which is preferable.
酸拡散制御剤としては、化学増幅レジストにおいて用いられる塩基性化合物の中から任意に選択して使用することができる。塩基性化合物としては、例えば、脂肪酸アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、4級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸4級アンモニウム塩等が挙げられる。塩基性化合物の具体例としては、特開2011-232632号公報の[0128]~[0147]に記載された化合物等が挙げられる。酸拡散制御剤としては、芳香族アミン及び複素環式アミンよりなる群から選択される少なくとも1種を好ましく使用することができる。 The acid diffusion control agent can be arbitrarily selected from basic compounds used in chemically amplified resists. Examples of the basic compound include fatty acid amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, and carboxylic acid quaternary ammonium salts. Specific examples of the basic compound include compounds described in [0128] to [0147] of JP-A No. 2011-232632. As the acid diffusion control agent, at least one selected from the group consisting of aromatic amines and heterocyclic amines can be preferably used.
芳香族アミン及び複素環式アミンとしては、例えば、アニリン、N-メチルアニリン、N-エチルアニリン、N-プロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、2-ニトロアニリン、3-ニトロアニリン、4-ニトロアニリン、2,4-ジニトロアニリン、2,6-ジニトロアニリン、3,5-ジニトロアニリン、N,N-ジメチルトルイジン等のアニリン誘導体;イミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール、トリフェニルイミダゾール、N-(tert-ブトキシカルボニル)-2-フェニルベンゾイミダゾール等のイミダゾール誘導体;ピロール、2H-ピロール、1-メチルピロール、2,4-ジメチルピロール、2,5-ジメチルピロール、N-メチルピロール等のピロール誘導体;ピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、4-(1-ブチルペンチル)ピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、3-メチル-2-フェニルピリジン、3-メチル-4-フェニルピリジン、4-tert-ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、1-メチル-2-ピリドン、4-ピロリジノピリジン、1-メチル-4-フェニルピリジン、2-(1-エチルプロピル)ピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン、ニコチン等のピリジン誘導体の他、特開2011-232632号公報に記載の化合物が挙げられる。 Examples of aromatic amines and heterocyclic amines include aniline, N-methylaniline, N-ethylaniline, N-propylaniline, N,N-dimethylaniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4-methyl Aniline, ethylaniline, propylaniline, trimethylaniline, 2-nitroaniline, 3-nitroaniline, 4-nitroaniline, 2,4-dinitroaniline, 2,6-dinitroaniline, 3,5-dinitroaniline, N,N -Aniline derivatives such as dimethyltoluidine; imidazole, 4-methylimidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole, benzimidazole, 2-phenylbenzimidazole, triphenylimidazole, N-(tert-butoxycarbonyl)-2-phenylbenzo Imidazole derivatives such as imidazole; Pyrrole derivatives such as pyrrole, 2H-pyrrole, 1-methylpyrrole, 2,4-dimethylpyrrole, 2,5-dimethylpyrrole, N-methylpyrrole; pyridine, methylpyridine, ethylpyridine, propylpyridine , butylpyridine, 4-(1-butylpentyl)pyridine, dimethylpyridine, trimethylpyridine, triethylpyridine, phenylpyridine, 3-methyl-2-phenylpyridine, 3-methyl-4-phenylpyridine, 4-tert-butylpyridine , diphenylpyridine, benzylpyridine, methoxypyridine, butoxypyridine, dimethoxypyridine, 1-methyl-2-pyridone, 4-pyrrolidinopyridine, 1-methyl-4-phenylpyridine, 2-(1-ethylpropyl)pyridine, amino Examples include pyridine derivatives such as pyridine, dimethylaminopyridine, and nicotine, as well as compounds described in JP-A-2011-232632.
感放射線性組成物に酸拡散制御剤を配合する場合、酸拡散制御剤の含有量は、ケイ素含有重合体(A)100質量部に対して、0.001質量部以上であることが好ましく、0.005質量部以上であることがより好ましく、0.01質量部以上であることが更に好ましい。また、酸拡散制御剤の含有量は、ケイ素含有重合体(A)100質量部に対して、10質量部以下であることが好ましく、10質量部以下であることがより好ましく、2質量部以下であることが更に好ましい。 When blending an acid diffusion control agent into the radiation-sensitive composition, the content of the acid diffusion control agent is preferably 0.001 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the silicon-containing polymer (A), It is more preferably 0.005 parts by mass or more, and even more preferably 0.01 parts by mass or more. Further, the content of the acid diffusion control agent is preferably 10 parts by mass or less, more preferably 10 parts by mass or less, and 2 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the silicon-containing polymer (A). It is more preferable that
<その他の成分>
本発明の感放射線性組成物は、上記各成分以外にも、例えば、酸化防止剤、架橋剤等を適宜含有することができる。
<Other ingredients>
The radiation-sensitive composition of the present invention may appropriately contain, for example, an antioxidant, a crosslinking agent, etc. in addition to the above-mentioned components.
<感放射線性組成物の調製方法>
上記感放射線性組成物は、例えば、ケイ素含有重合体(A)、エポキシ基含有化合物(B)、光酸発生剤(C)と、必要に応じてその他の任意成分とを所定の割合で混合することにより調製できる。上記感放射線性組成物は、混合後に、例えば、孔径0.05μm~0.4μm程度のフィルター等でろ過することが好ましい。上記感放射線性組成物の固形分濃度(感放射線性組成物中の溶剤以外の成分の合計質量が、感放射線性組成物の全質量に対して占める割合)は、粘性や揮発性等を考慮して適宜に選択される。感放射線性組成物の固形分濃度は、好ましくは5~60質量%の範囲であり、より好ましくは10~55質量%であり、更に好ましくは12~50質量%である。固形分濃度が5質量%以上であると、感放射線性組成物を基板上に塗布した際に塗膜の膜厚を十分に確保できる。また、固形分濃度が60質量%以下であると、塗膜の膜厚が過大となりすぎず、更に感放射線性組成物の粘性を適度に高くでき、良好な塗布性を確保できる。
<Method for preparing radiation-sensitive composition>
The radiation-sensitive composition may include, for example, a silicon-containing polymer (A), an epoxy group-containing compound (B), a photoacid generator (C), and, if necessary, other optional components mixed in a predetermined ratio. It can be prepared by After mixing, the radiation-sensitive composition is preferably filtered, for example, through a filter having a pore size of about 0.05 μm to 0.4 μm. The solid content concentration of the above radiation-sensitive composition (the ratio of the total mass of components other than the solvent in the radiation-sensitive composition to the total mass of the radiation-sensitive composition) takes into account viscosity, volatility, etc. and selected appropriately. The solid content concentration of the radiation-sensitive composition is preferably in the range of 5 to 60% by weight, more preferably 10 to 55% by weight, and even more preferably 12 to 50% by weight. When the solid content concentration is 5% by mass or more, a sufficient thickness of the coating film can be ensured when the radiation-sensitive composition is applied onto the substrate. Moreover, when the solid content concentration is 60% by mass or less, the film thickness of the coating film does not become excessively large, and furthermore, the viscosity of the radiation-sensitive composition can be appropriately increased, and good coating properties can be ensured.
≪硬化膜及びその製造方法≫
本発明の硬化膜は、上記のように調製された感放射線性組成物により形成される。上記感放射線性組成物は、放射線感度が高いものである。また、当該感放射線性組成物を用いることにより、現像後にも基板に対して高い密着性を示し、低アウトガス性に優れたパターン膜を形成することができる。したがって、上記感放射線性組成物は、例えば、層間絶縁膜、平坦化膜、スペーサー、保護膜、カラーフィルタ用着色パターン膜、隔壁、バンク等の形成材料として好ましく用いることができる。
≪Cured film and its manufacturing method≫
The cured film of the present invention is formed from the radiation-sensitive composition prepared as described above. The radiation-sensitive composition has high radiation sensitivity. Furthermore, by using the radiation-sensitive composition, it is possible to form a patterned film that exhibits high adhesion to the substrate even after development and has excellent low outgassing properties. Therefore, the radiation-sensitive composition can be preferably used as a forming material for, for example, an interlayer insulating film, a flattening film, a spacer, a protective film, a colored pattern film for a color filter, a partition wall, a bank, and the like.
硬化膜の製造に際し、上記の感放射線性組成物を用いることにより、感光剤の種類に応じてポジ型の硬化膜を形成することができる。硬化膜は、上記感放射線性組成物を用いて、例えば以下の工程1~工程4を含む方法により製造することができる。
(工程1)上記感放射線性組成物を用いて塗膜を形成する工程。
(工程2)上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程。
(工程3)放射線が照射された塗膜を現像する工程。
(工程4)現像された塗膜を加熱する工程。
以下、各工程について詳細に説明する。
When producing a cured film, by using the above radiation-sensitive composition, a positive cured film can be formed depending on the type of photosensitizer. A cured film can be produced using the radiation-sensitive composition described above, for example, by a method including steps 1 to 4 below.
(Step 1) A step of forming a coating film using the radiation-sensitive composition.
(Step 2) A step of irradiating at least a portion of the coating film with radiation.
(Step 3) Step of developing the coating film irradiated with radiation.
(Step 4) Step of heating the developed coating film.
Each step will be explained in detail below.
[工程1:塗布工程]
本工程では、膜を形成する面(以下、「被成膜面」ともいう)に上記感放射線性組成物を塗布し、好ましくは加熱処理(プレベーク)を行うことにより溶媒を除去して被成膜面上に塗膜を形成する。被成膜面の材質は特に限定されない。例えば、層間絶縁膜を形成する場合、TFT等のスイッチング素子が設けられた基板上に上記感放射線性組成物を塗布し、塗膜を形成する。基板としては、例えば、ガラス基板、シリコン基板、樹脂基板が用いられる。塗膜を形成する基板の表面には、用途に応じた金属薄膜が形成されていてもよく、HMDS(ヘキサメチルジシラザン)処理等の各種表面処理が施されていてもよい。
[Process 1: Coating process]
In this step, the radiation-sensitive composition is applied to the surface on which the film is to be formed (hereinafter also referred to as the "film-forming surface"), the solvent is removed, preferably by heat treatment (pre-baking), and the film is formed. A coating film is formed on the film surface. The material of the film-forming surface is not particularly limited. For example, when forming an interlayer insulating film, the radiation-sensitive composition is applied onto a substrate provided with switching elements such as TFTs to form a coating film. As the substrate, for example, a glass substrate, a silicon substrate, or a resin substrate is used. A metal thin film may be formed on the surface of the substrate on which the coating film is to be formed, depending on the intended use, and various surface treatments such as HMDS (hexamethyldisilazane) treatment may be performed.
感放射線性組成物の塗布方法としては、例えば、スプレー法、ロールコート法、スピンコート法、スリットダイ塗布法、バー塗布法、インクジェット法等が挙げられる。これらの中でも、スピンコート法、スリットダイ塗布法又はバー塗布法により行うことが好ましい。プレベーク条件としては、感放射線性組成物における各成分の種類及び含有割合等によっても異なるが、例えば、60~130℃で0.5~10分である。形成される塗膜の膜厚(すなわち、プレベーク後の膜厚)は、0.1~12μmが好ましい。被成膜面に塗布した感放射線組成物に対しては、プレベーク前に減圧乾燥(VCD)を行ってもよい。 Examples of methods for applying the radiation-sensitive composition include a spray method, a roll coating method, a spin coating method, a slit die coating method, a bar coating method, an inkjet method, and the like. Among these, it is preferable to use a spin coating method, a slit die coating method, or a bar coating method. Prebaking conditions vary depending on the type and content ratio of each component in the radiation-sensitive composition, but are, for example, 60 to 130° C. for 0.5 to 10 minutes. The thickness of the coating film to be formed (ie, the thickness after prebaking) is preferably 0.1 to 12 μm. The radiation-sensitive composition applied to the film-forming surface may be subjected to vacuum drying (VCD) before prebaking.
[工程2:露光工程]
本工程では、上記工程1で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する。このとき、塗膜に対し、所定のパターンを有するマスクを介して放射線を照射することにより、パターンを有する硬化膜を形成することができる。放射線としては、例えば、紫外線、遠紫外線、可視光線、X線、電子線等の荷電粒子線が挙げられる。これらの中でも紫外線が好ましく、例えば、g線(波長436nm)、i線(波長365nm)が挙げられる。放射線の露光量としては、0.1~20,000J/m2が好ましい。
[Step 2: Exposure step]
In this step, at least a portion of the coating film formed in step 1 is irradiated with radiation. At this time, a cured film having a pattern can be formed by irradiating the coating film with radiation through a mask having a predetermined pattern. Examples of the radiation include charged particle beams such as ultraviolet rays, far ultraviolet rays, visible light, X-rays, and electron beams. Among these, ultraviolet rays are preferable, and examples thereof include g-line (wavelength: 436 nm) and i-line (wavelength: 365 nm). The amount of radiation exposure is preferably 0.1 to 20,000 J/m 2 .
[工程3:現像工程]
本工程では、上記工程2で放射線を照射した塗膜を現像する。具体的には、工程2で放射線が照射された塗膜に対し、現像液により現像を行って放射線の照射部分を除去するポジ型現像を行う。現像液としては、例えば、アルカリ(塩基性化合物)の水溶液が挙げられる。アルカリとしては、例えば、水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、特開2016-145913号公報の段落[0127]に例示されたアルカリが挙げられる。アルカリ水溶液におけるアルカリ濃度としては、適度な現像性を得る観点から、0.1~5質量%が好ましい。現像方法としては、例えば、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等の適宜の方法が挙げられる。現像時間は、組成物の組成によっても異なるが、例えば、30~120秒である。なお、現像工程の後、パターニングされた塗膜に対して流水洗浄によるリンス処理を行うことが好ましい。
[Step 3: Development step]
In this step, the coating film irradiated with radiation in step 2 is developed. Specifically, the coating film irradiated with radiation in step 2 is developed with a developer to perform positive development in which the radiation irradiated portion is removed. Examples of the developer include an aqueous alkali (basic compound) solution. Examples of the alkali include sodium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, and the alkali exemplified in paragraph [0127] of JP-A No. 2016-145913. The alkali concentration in the alkaline aqueous solution is preferably 0.1 to 5% by mass from the viewpoint of obtaining appropriate developability. Examples of the developing method include appropriate methods such as a piling method, a dipping method, a rocking immersion method, and a shower method. The development time varies depending on the composition of the composition, but is, for example, 30 to 120 seconds. Note that after the development step, it is preferable to perform a rinsing treatment on the patterned coating film by washing with running water.
[工程4:加熱工程]
本工程では、上記工程3で現像された塗膜を加熱する処理(ポストベーク)を行う。ポストベークは、例えば、オーブンやホットプレート等の加熱装置を用いて行うことができる。ポストベーク条件について、加熱温度は、例えば、120~250℃である。加熱時間は、例えば、ホットプレート上で加熱処理を行う場合には5~40分、オーブン中で加熱処理を行う場合には10~80分である。
[Step 4: Heating step]
In this step, the coating film developed in step 3 is heated (post-bake). Post-baking can be performed, for example, using a heating device such as an oven or a hot plate. Regarding the post-bake conditions, the heating temperature is, for example, 120 to 250°C. The heating time is, for example, 5 to 40 minutes when the heat treatment is performed on a hot plate, and 10 to 80 minutes when the heat treatment is performed in an oven.
以上のようにして、目的とするパターンを有する硬化膜を基板上に形成することができる。硬化膜が有するパターンの形状は特に限定されず、例えば、ライン・アンド・スペースパターン、ドットパターン、ホールパターン、格子パターンが挙げられる。 In the manner described above, a cured film having a desired pattern can be formed on the substrate. The shape of the pattern of the cured film is not particularly limited, and examples thereof include a line and space pattern, a dot pattern, a hole pattern, and a lattice pattern.
≪半導体素子≫
本発明の半導体素子は、上記感放射線性組成物を用いて形成された硬化膜を備える。当該硬化膜は、好ましくは、半導体素子中の配線間を絶縁する層間絶縁膜である。本発明の半導体素子は、公知の方法を用いて製造することができる。
≪Semiconductor device≫
The semiconductor element of the present invention includes a cured film formed using the radiation-sensitive composition. The cured film is preferably an interlayer insulating film that insulates between wirings in a semiconductor element. The semiconductor device of the present invention can be manufactured using a known method.
≪表示素子≫
本発明の表示素子は、上記感放射線性組成物を用いて形成された硬化膜を備える。また、本発明の表示素子は、本発明の半導体素子を備えることにより、上記感放射線性組成物を用いて形成された硬化膜を備えるものであってもよい。また更に、本発明の表示素子は、上記感放射線性組成物を用いて形成された硬化膜として、TFT基板上に形成される平坦化膜を備えていてもよい。表示素子としては、例えば、液晶表示素子、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示素子が挙げられる。
≪Display element≫
The display element of the present invention includes a cured film formed using the radiation-sensitive composition. Moreover, the display element of the present invention may include a cured film formed using the radiation-sensitive composition described above by including the semiconductor element of the present invention. Furthermore, the display element of the present invention may include a flattening film formed on the TFT substrate as a cured film formed using the radiation-sensitive composition. Examples of display elements include liquid crystal display elements and organic electroluminescence (EL) display elements.
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例、比較例中の「部」及び「%」は、特に断らない限り質量基準である。本実施例において、重合体の重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)は以下の方法により測定した。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically explained with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples. Note that "parts" and "%" in Examples and Comparative Examples are based on mass unless otherwise specified. In this example, the weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) of the polymer were measured by the following methods.
[重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)]
重合体のMw及びMnは、下記方法により測定した。
・測定方法:ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法
・装置:昭和電工(株)製のGPC-101
・GPCカラム:(株)島津ジーエルシー製のGPC-KF-801、GPC-KF-802、GPC-KF-803及びGPC-KF-804を結合
・移動相:テトラヒドロフラン
・カラム温度:40℃
・流速:1.0mL/分
・試料濃度:1.0質量%
・試料注入量:100μL
・検出器:示差屈折計
・標準物質:単分散ポリスチレン
[Weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn)]
Mw and Mn of the polymer were measured by the following method.
・Measurement method: Gel permeation chromatography (GPC) method ・Apparatus: GPC-101 manufactured by Showa Denko K.K.
・GPC column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804 manufactured by Shimadzu GLC Co., Ltd. combined ・Mobile phase: tetrahydrofuran ・Column temperature: 40°C
・Flow rate: 1.0mL/min ・Sample concentration: 1.0% by mass
・Sample injection amount: 100μL
・Detector: Differential refractometer ・Standard material: Monodisperse polystyrene
<重合体(A)を構成する単量体>
重合体(A)の合成に用いた単量体の略称は以下のとおりである。
(構造単位(I)を与える単量体)
・MPTMS:3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
・MPTES:3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン
・STMS:p-スチリルトリメトキシシラン
・SDMS:p-スチリルジメトキシヒドロキシシラン
・STES:p-スチリルトリエトキシシラン
<Monomer constituting polymer (A)>
The abbreviations of the monomers used in the synthesis of polymer (A) are as follows.
(Monomer giving structural unit (I))
・MPTMS: 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane ・MPTES: 3-methacryloxypropyltriethoxysilane ・STMS: p-styryltrimethoxysilane ・SDMS: p-styryldimethoxyhydroxysilane ・STES: p-styryltriethoxysilane
(構造単位(II)を与える単量体)
・MA:メタクリル酸
・MI:マレイミド
(Monomer giving structural unit (II))
・MA: Methacrylic acid ・MI: Maleimide
(構造単位(III)を与える単量体)
・OXMA:OXE-30(3-エチルオキセタン-3-イル)メチルメタクリレート(大阪有機化学工業(株)製)
・GMA:メタクリル酸グリシジル(大阪有機化学工業(株)製)
・EDCPMA:メタクリル酸[3,4-エポキシトリシクロ(5.2.1.02,6)デカン-9-イル]
(Monomer giving structural unit (III))
・OXMA: OXE-30 (3-ethyloxetan-3-yl) methyl methacrylate (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.)
・GMA: Glycidyl methacrylate (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.)
・EDCPMA: Methacrylic acid [3,4-epoxytricyclo(5.2.1.0 2,6 )decane-9-yl]
(構造単位(IV)を与える単量体)
・MMA:メタクリル酸メチル
・ST:スチレン
(Monomer giving structural unit (IV))
・MMA: Methyl methacrylate ・ST: Styrene
<重合体(A)の合成>
[合成例1]重合体(A-1)の合成
冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)10部及びジエチレングリコールメチルエチルエーテル200部を仕込んだ。引き続き、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン20部、メタクリル酸15部、(3-エチルオキセタン-3-イル)メチルメタクリレート30部、メタクリル酸グリシジル30部、及びメタクリル酸メチル5部を仕込み、窒素置換した後、緩やかに撹拌しつつ、溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持することにより、重合体(A-1)を含有する重合体溶液を得た。この重合体溶液の固形分濃度は34.0質量%であり、重合体(A-1)のMwは10,800、分子量分布(Mw/Mn)は2.1であった。
<Synthesis of polymer (A)>
[Synthesis Example 1] Synthesis of Polymer (A-1) In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 10 parts of 2,2'-azobis(2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts of diethylene glycol methyl ethyl ether were added. I prepared it. Subsequently, 20 parts of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 15 parts of methacrylic acid, 30 parts of (3-ethyloxetan-3-yl)methyl methacrylate, 30 parts of glycidyl methacrylate, and 5 parts of methyl methacrylate were charged, followed by nitrogen purging. After that, the temperature of the solution was raised to 70° C. while stirring gently, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing polymer (A-1). The solid content concentration of this polymer solution was 34.0% by mass, the Mw of the polymer (A-1) was 10,800, and the molecular weight distribution (Mw/Mn) was 2.1.
[合成例2~14、比較合成例1、2]重合体(A-2)~(A-14)、(CA-1)、(CA-2)の合成
表1に示す種類及び配合量(質量部)の各成分を用いたこと以外は合成例1と同様の手法にて、重合体(A-1)と同等の固形分濃度、重量平均分子量及び分子量分布を有する重合体(A-2)~(A-14)、(CA-1)、(CA-2)をそれぞれ含む重合体溶液を得た。なお、表1中、「-」は該当する成分を用いなかったことを示す。
[Synthesis Examples 2 to 14, Comparative Synthesis Examples 1 and 2] Synthesis of Polymers (A-2) to (A-14), (CA-1), and (CA-2) Types and blending amounts shown in Table 1 ( A polymer (A-2) having the same solid content concentration, weight average molecular weight and molecular weight distribution as the polymer (A-1) was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1 except that each component (parts by mass) was used. ) to (A-14), (CA-1), and (CA-2), respectively, were obtained. In Table 1, "-" indicates that the corresponding component was not used.
[合成例15]重合体(A-15)の合成
冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテル24部を仕込み、続いて、メチルトリメトキシシラン39部、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン18部を仕込み、溶液温度が60℃になるまで加熱した。溶液温度が60℃に到達した後、ギ酸0.1部、水19部を仕込み、緩やかに撹拌しつつ、溶液の温度を75℃に上昇させ、この温度を2時間保持した。45℃に冷却後、脱水剤としてオルト蟻酸トリメチル28質量部を加え、1時間撹拌した。さらに溶液温度を40℃にし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、水、及び加水分解縮合で発生したメタノールを除去することにより、重合体(A-15)を含有する重合体溶液を得た。この重合体溶液の固形分濃度は35質量%であり、重合体(A-15)の重量平均分子量(Mw)は1,800であり、分子量分布(Mw/Mn)は2.2であった。
[Synthesis Example 15] Synthesis of Polymer (A-15) A flask equipped with a cooling tube and a stirrer was charged with 24 parts of propylene glycol monomethyl ether, followed by 39 parts of methyltrimethoxysilane and 3-methacryloxypropyltritri. 18 parts of methoxysilane was charged and heated until the solution temperature reached 60°C. After the solution temperature reached 60°C, 0.1 part of formic acid and 19 parts of water were added, and while stirring gently, the temperature of the solution was raised to 75°C, and this temperature was maintained for 2 hours. After cooling to 45° C., 28 parts by mass of trimethyl orthoformate was added as a dehydrating agent, and the mixture was stirred for 1 hour. Furthermore, the solution temperature was raised to 40°C, and water and methanol generated by hydrolytic condensation were removed by evaporation while maintaining the temperature, thereby obtaining a polymer solution containing polymer (A-15). . The solid content concentration of this polymer solution was 35% by mass, the weight average molecular weight (Mw) of the polymer (A-15) was 1,800, and the molecular weight distribution (Mw/Mn) was 2.2. .
[合成例16]重合体(A-16)の合成
使用する単量体をフェニルトリメトキシシラン39部、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン18部に変更したこと以外は合成例1と同様の手法にて、重合体(A-15)と同等の固形分濃度、重量平均分子量及び分子量分布を有する重合体(A-16)を得た。
[Synthesis Example 16] Synthesis of Polymer (A-16) Same method as Synthesis Example 1 except that the monomers used were changed to 39 parts of phenyltrimethoxysilane and 18 parts of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane. A polymer (A-16) having the same solid content concentration, weight average molecular weight and molecular weight distribution as the polymer (A-15) was obtained.
<感放射線性組成物の調製>
感放射線性組成物の調製に用いた重合体(A)、エポキシ基含有化合物(B)、光酸発生剤(C)、添加剤(X)を以下に示す。
<Preparation of radiation-sensitive composition>
The polymer (A), epoxy group-containing compound (B), photoacid generator (C), and additive (X) used in the preparation of the radiation-sensitive composition are shown below.
(重合体(A))
A-1~A-16:合成例1~16で合成した重合体(A-1)~(A-16)
CA-1~CA-2:比較合成例1~2で合成した重合体(CA-1)、(CA-2)
(Polymer (A))
A-1 to A-16: Polymers (A-1) to (A-16) synthesized in Synthesis Examples 1 to 16
CA-1 to CA-2: Polymers (CA-1) and (CA-2) synthesized in Comparative Synthesis Examples 1 and 2
(エポキシ基含有化合物(B))
B-1:JER834(三菱ケミカル(株)製、エポキシ当量:230~270、式(B3)に該当する化合物)
B-2:JER828(三菱ケミカル(株)製、エポキシ当量:184~194、式(B3)に該当する化合物)
B-3:JER1001(三菱ケミカル(株)製、エポキシ当量:475、式(B3)に該当する化合物)
B-4:JER152(三菱ケミカル(株)製、エポキシ当量:176~178、式(B5)に該当する化合物)
B-5:JER1031S(三菱ケミカル(株)製、エポキシ当量:180~220、式(B6)に該当する化合物)
B-6:JER1032H60(三菱ケミカル(株)製、エポキシ当量:163~175、式(B1)に該当する化合物)
B-7:JER157S65(三菱ケミカル(株)製、エポキシ当量:210、式(B7)に該当する化合物)
B-8:YX8000(三菱ケミカル(株)製、式(B4)に該当する化合物(jは約 ))
B-9:YH-434(日鉄ケミカル&マテリアル(株)製、エポキシ当量:115~119、式(B2)に該当する化合物)
B-10:JER806(三菱ケミカル(株)製、エポキシ当量:160~170、式(B8)に該当する化合物)
(Epoxy group-containing compound (B))
B-1: JER834 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 230 to 270, compound corresponding to formula (B3))
B-2: JER828 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 184 to 194, compound corresponding to formula (B3))
B-3: JER1001 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 475, compound corresponding to formula (B3))
B-4: JER152 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 176-178, compound corresponding to formula (B5))
B-5: JER1031S (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 180 to 220, compound corresponding to formula (B6))
B-6: JER1032H60 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 163 to 175, compound corresponding to formula (B1))
B-7: JER157S65 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 210, compound corresponding to formula (B7))
B-8: YX8000 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, compound corresponding to formula (B4) (j is approximately ))
B-9: YH-434 (manufactured by Nippon Steel Chemical & Materials Co., Ltd., epoxy equivalent: 115-119, compound corresponding to formula (B2))
B-10: JER806 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 160 to 170, compound corresponding to formula (B8))
(光酸発生剤(C))
C-1:国際公開第2016/124493号に記載のOS-17
C-4:NIT(N-ヒドロキシナフタルイミドトリフラート)
C-5:特許第5914663号のB-9
C-1: OS-17 described in International Publication No. 2016/124493
C-4: NIT (N-hydroxynaphthalimide triflate)
C-5: B-9 of Patent No. 5914663
(その他の添加剤)
X-1:カルド化合物(WR-301、(株)ADEKA製)
X-2:カルド化合物(オグソール CR1030、大阪ガスケミカル(株)製)
X-3:カルド化合物(V-259ME、新日鉄住金化学(株)製)
X-4:カルド化合物(オグソール SC001、大阪ガスケミカル(株)製)
X-5:コハク酸変性ペンタエリスリトールトリアクリレート(アロニックス TO-756、東亜合成(株)製)
(Other additives)
X-1: Caldo compound (WR-301, manufactured by ADEKA Co., Ltd.)
X-2: Cardo compound (Ogsol CR1030, manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.)
X-3: Cardo compound (V-259ME, manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.)
X-4: Cardo compound (Ogsol SC001, manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.)
X-5: Succinic acid-modified pentaerythritol triacrylate (Aronix TO-756, manufactured by Toagosei Co., Ltd.)
[実施例1]
上記合成例1で得られた重合体(A-1)を含有する重合体溶液に、重合体(A-1)100部(固形分)に相当する量に対して、エポキシ基含有化合物(B-1)5部、光酸発生剤(C-1)1部、オルトギ酸トリメチル10部、及びオルト安息香酸トリメチル5部を混合し、最終的な固形分濃度が20質量%になるように、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルを1:1の質量比で添加した。次いで、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過して、感放射線性組成物を調製した。
[Example 1]
Epoxy group-containing compound (B -1) 5 parts, 1 part of photoacid generator (C-1), 10 parts of trimethyl orthoformate, and 5 parts of trimethyl orthobenzoate, so that the final solid content concentration is 20% by mass, Diethylene glycol ethyl methyl ether and propylene glycol monomethyl ether were added in a 1:1 mass ratio. Next, the mixture was filtered through a membrane filter with a pore size of 0.2 μm to prepare a radiation-sensitive composition.
[実施例2~37、比較例1~4]
表2に示す種類及び配合量(質量部)の各成分を用いたこと以外は実施例1と同様の手法にて、実施例2~37、比較例1~4の感放射線性組成物をそれぞれ調製した。なお、表2中、「-」は該当する成分を用いなかったことを示す。
[Examples 2 to 37, Comparative Examples 1 to 4]
The radiation-sensitive compositions of Examples 2 to 37 and Comparative Examples 1 to 4 were prepared in the same manner as in Example 1 except that the types and amounts (parts by mass) of each component shown in Table 2 were used. Prepared. In Table 2, "-" indicates that the corresponding component was not used.
<評価>
実施例1~37及び比較例1~4の感放射線性組成物を用いて、以下に説明する手法により下記項目を評価した。評価結果を表3に示す。
<Evaluation>
Using the radiation-sensitive compositions of Examples 1 to 37 and Comparative Examples 1 to 4, the following items were evaluated by the methods described below. The evaluation results are shown in Table 3.
[放射線感度]
スピンナーを用い、60℃で60秒間HMDS処理したシリコン基板上に感放射線性組成物を塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして平均膜厚3.0μmの塗膜を形成した。この塗膜に、幅10μmのライン・アンド・スペースパターンを有するパターンマスクを介して、水銀ランプによって所定量の紫外線を照射した。次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38質量%水溶液を現像液として用いて、25℃で60秒間、現像処理を行った後、超純水で1分間流水洗浄を行った。このとき、幅10μmのライン・アンド・スペースパターンを形成可能な最小露光量を測定した。最小量の測定値が50J/m2以下の場合を「A」、50J/m2より大きく100J/m2以下の場合を「B」、100J/m2より大きい場合を「C」と判定した。
[Radiation sensitivity]
Using a spinner, the radiation-sensitive composition was applied on a silicon substrate treated with HMDS at 60°C for 60 seconds, and then prebaked on a hot plate at 90°C for 2 minutes to form a coating film with an average thickness of 3.0 μm. did. This coating film was irradiated with a predetermined amount of ultraviolet rays using a mercury lamp through a pattern mask having a line and space pattern with a width of 10 μm. Next, development was performed at 25° C. for 60 seconds using a 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide as a developer, followed by washing with running ultrapure water for 1 minute. At this time, the minimum exposure amount capable of forming a line and space pattern with a width of 10 μm was measured. When the measured value of the minimum amount was 50 J/ m2 or less, it was judged as "A", when it was greater than 50 J/ m2 and less than 100 J/ m2 , it was judged as "B", and when it was larger than 100 J/ m2 , it was judged as "C". .
[基板密着性(現像密着性)の評価]
スピンナーを用い、HMDS処理を実施していないシリコン基板上に感放射線性組成物を塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして平均膜厚3.0μmの塗膜を形成した。この塗膜に、幅1~50μmのライン・アンド・スペースパターンを有するパターンマスクを介して、水銀ランプによって365nmにおける露光量が400J/m2の紫外線を照射した。次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38質量%水溶液を現像液として用い、25℃で60秒現像処理を行った後、超純水で1分間流水洗浄を行った。このとき、基板上から剥がれずに残っているライン・アンド・スペースパターンの最小幅を測定した。このとき、基板上から剥がれずに残っているライン・アンド・スペースパターンの最小幅を測定した最小幅の測定値が2μm以下の場合を「AA」、2μmより大きく5μm以下の場合を「A」、5μmより大きく10μm以下の場合を「B」、10μmより大きい場合を「C」と判定した。AA、A又はBの場合に基板密着性が良好であり、Cの場合に基板密着性が不良であると評価できる。
[Evaluation of substrate adhesion (development adhesion)]
A radiation-sensitive composition was applied onto a silicon substrate that had not been subjected to HMDS treatment using a spinner, and then prebaked on a hot plate at 90°C for 2 minutes to form a coating film with an average thickness of 3.0 μm. . This coating film was irradiated with ultraviolet rays at an exposure dose of 400 J/m 2 at 365 nm using a mercury lamp through a pattern mask having a line-and-space pattern with a width of 1 to 50 μm. Next, using a 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide as a developer, development was performed at 25° C. for 60 seconds, followed by washing with running ultrapure water for 1 minute. At this time, the minimum width of the line and space pattern remaining on the substrate without being peeled off was measured. At this time, if the minimum width of the line and space pattern that remains without being peeled off from the substrate is 2 μm or less, it is "AA", and if it is greater than 2 μm and 5 μm or less, it is "A". , the case where it was larger than 5 μm and not more than 10 μm was judged as “B”, and the case where it was larger than 10 μm was judged as “C”. In the case of AA, A or B, it can be evaluated that the substrate adhesion is good, and in the case of C, it can be evaluated that the substrate adhesion is poor.
[アウトガス特性]
スピンナーを用い、シリコン基板上に感放射線性組成物を塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして平均膜厚3.0μmの塗膜を形成した。更に、230℃に加温したオーブンを用いて30分間焼成し、硬化膜を形成した。続いて、シリコン基板を1cm×5cmの大きさにカットした後、日本分析工業(株)製JTD-505と(株)島津製作所製GC-QP-2010とからなるP&T-GCMS装置を用いて、230℃で15分間ベークを行い、クロマトグラムを得た。硬化膜を用いて測定したクロマトグラムのC18のピーク面積と、別途同装置を用いて測定した標準試料C18のクロマトグラムのピーク面積を用いて、下記数式(I)よりアウトガス量を算出した。なお、「標準試料の導入量」とは、標準試料C18のクロマトグラムを得る際に装置に導入した標準試料の導入量のことである。
アウトガス量(μg)=(硬化膜のクロマトグラムのピーク面積/標準試料のピーク面積)×標準試料の導入量(μg) …(I)
このとき、アウトガス量が5μg以下の場合を「A」、5μgより大きく10μg以下の場合を「B」、10μgより大きい場合を「C」と判定した。
[Outgas characteristics]
After applying the radiation-sensitive composition onto a silicon substrate using a spinner, it was prebaked on a hot plate at 90° C. for 2 minutes to form a coating film with an average thickness of 3.0 μm. Furthermore, it was baked for 30 minutes using an oven heated to 230° C. to form a cured film. Next, after cutting the silicon substrate into a size of 1 cm x 5 cm, using a P&T-GCMS device consisting of JTD-505 manufactured by Japan Analytical Industry Co., Ltd. and GC-QP-2010 manufactured by Shimadzu Corporation, Baking was performed at 230°C for 15 minutes, and a chromatogram was obtained. The outgas amount was calculated from the following formula (I) using the peak area of C18 in the chromatogram measured using the cured film and the peak area of the chromatogram of standard sample C18 measured separately using the same device. Note that the "introduced amount of standard sample" refers to the amount of the standard sample introduced into the apparatus when obtaining the chromatogram of standard sample C18.
Amount of outgas (μg) = (peak area of chromatogram of cured film/peak area of standard sample) × amount of standard sample introduced (μg) … (I)
At this time, the case where the outgas amount was 5 μg or less was judged as “A”, the case where it was greater than 5 μg and less than 10 μg was judged as “B”, and the case where it was larger than 10 μg was judged as “C”.
なお、表3中、「-」は、感度評価において解像しなかったため、評価できなかったことを示す。 Note that in Table 3, "-" indicates that the sensitivity evaluation could not be evaluated because resolution was not achieved.
表3に示されるように、実施例1~37の各感放射線性組成物は、実用特性として放射線感度、基板密着性、及びアウトガスの評価がいずれも良好であり、各種特性のバランスが取れていた。これに対し、比較例1~2は基板密着性及びアウトガスが劣った。比較例3~4は露光によって解像しなかった。 As shown in Table 3, each of the radiation-sensitive compositions of Examples 1 to 37 had good evaluations of radiation sensitivity, substrate adhesion, and outgassing as practical properties, and had a good balance of various properties. Ta. On the other hand, Comparative Examples 1 and 2 were inferior in substrate adhesion and outgas. Comparative Examples 3 and 4 were not resolved by exposure.
Claims (9)
下記式(1)で表される基及び重合性炭素-炭素不飽和結合を有する単量体に由来する構造単位(I)と、
オキシラニル基及びオキセタニル基よりなる群から選択される1種以上の基及び重合性炭素-炭素不飽和結合を有する単量体に由来する構造単位(III)を含む重合体(A-1)であるケイ素含有重合体(A)と、
1個以上の環構造及び2個以上のエポキシ基を有するエポキシ基含有化合物(B)(ただし、上記ケイ素含有重合体(A)を除く)と、
光酸発生剤(C)と、
オルトエステル化合物(E)と、を含有し、
上記エポキシ基含有化合物(B)が、ノボラック型エポキシ化合物、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、テトラグリシジルアミン型エポキシ化合物、テトラフェニルエタン型エポキシ化合物、水素化ビスフェノールA型エポキシ化合物、及びトリスフェノール型エポキシ化合物よりなる群から選択される少なくとも1つの化合物を含有し、
上記光酸発生剤(C)は、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、及びカルボン酸エステル化合物よりなる群から選択される少なくとも1種であり、
前記表示素子用硬化膜が、層間絶縁膜、平坦化膜、スペーサー、保護膜、カラーフィルタ用着色パターン膜、隔壁、又はバンクである感放射線性組成物。
A structural unit (I) derived from a monomer having a group represented by the following formula (1) and a polymerizable carbon-carbon unsaturated bond,
A polymer (A-1 ) containing a structural unit (III) derived from a monomer having one or more groups selected from the group consisting of an oxiranyl group and an oxetanyl group and a polymerizable carbon-carbon unsaturated bond. a silicon-containing polymer (A);
An epoxy group-containing compound (B) having one or more ring structures and two or more epoxy groups (excluding the above silicon-containing polymer (A)),
a photoacid generator (C);
Contains an orthoester compound (E),
The epoxy group-containing compound (B) is a novolac type epoxy compound, a bisphenol A type epoxy compound, a bisphenol F type epoxy compound, a tetraglycidylamine type epoxy compound, a tetraphenylethane type epoxy compound, a hydrogenated bisphenol A type epoxy compound, and Containing at least one compound selected from the group consisting of trisphenol type epoxy compounds,
The photoacid generator (C) is at least one selected from the group consisting of oxime sulfonate compounds, onium salts, sulfonimide compounds, halogen-containing compounds, diazomethane compounds, sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, and carboxylic acid ester compounds. is a seed,
A radiation-sensitive composition , wherein the cured film for a display element is an interlayer insulating film, a flattening film, a spacer, a protective film, a colored pattern film for a color filter, a partition, or a bank .
なる群から選択される少なくとも1つの化合物を含有する、請求項1に記載の感放射線性
組成物。
前記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程と、
放射線が照射された前記塗膜を現像する工程と、
現像された前記塗膜を加熱する工程と、
を含む、硬化膜の製造方法。 forming a coating film using the radiation-sensitive composition according to any one of claims 1 to 5;
irradiating at least a portion of the coating film with radiation;
Developing the coating film irradiated with radiation;
heating the developed coating film;
A method for producing a cured film, including:
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