KR101396265B1 - Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film for display element, and formation method for same - Google Patents

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Abstract

본 발명은, [A] 동일 또는 상이한 중합체 분자 중에, 하기식 (1)로 나타나는 기를 갖는 구조 단위 (I)과 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)를 포함하는 중합체, [B] 산발생체, 그리고 [C] 하기식 (2)로 나타나는 질소 함유 화합물 및 하기식 (3)으로 나타나는 질소 함유 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 질소 함유 화합물을 함유하는 포지티브형 감방사선성 조성물이다. 상기식 (2)에 있어서의 R6, 그리고 상기식 (3)에 있어서의 R9 및 R10으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기는, tert-부틸기, tert-아밀기, 1-메틸사이클로헥실기 또는 1-에틸사이클로헥실기인 것이 바람직하다.

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Figure 112012080700305-pct00019
(A) a polymer comprising a structural unit (I) having a group represented by the following formula (1) and an epoxy group-containing structural unit (II) in the same or different polymer molecules, [B] ] A positive radiation-sensitive composition containing at least one nitrogen-containing compound selected from the group consisting of a nitrogen-containing compound represented by the following formula (2) and a nitrogen-containing compound represented by the following formula (3) At least one group selected from the group consisting of R 6 in the formula (2) and R 9 and R 10 in the formula (3) is a tert-butyl group, a tert-amyl group, Cyclohexyl group or 1-ethylcyclohexyl group.
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Description

포지티브형 감방사선성 조성물, 표시 소자용 층간 절연막 및 그 형성 방법 {POSITIVE RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM FOR DISPLAY ELEMENT, AND FORMATION METHOD FOR SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a positive radiation-sensitive composition, a positive-ion radiation-sensitive composition, a display element interlayer insulating film and a method for forming the same.

본 발명은 포지티브형 감방사선성 조성물, 표시 소자용 층간 절연막 및 그 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a positive-tone radiation-sensitive composition, an interlayer insulating film for a display element, and a method for forming the same.

표시 소자에는, 일반적으로 층 형상으로 배치되는 배선의 사이를 절연할 목적으로 층간 절연막이 형성되어 있다. 층간 절연막의 형성 재료로서는, 필요한 패턴 형상을 얻기 위한 공정수가 적고, 게다가, 충분한 평탄성을 갖는 것이 바람직한 점에서, 포지티브형 감방사선성 조성물이 폭넓게 사용되고 있다. 이러한 층간 절연막을 형성할 때에 이용되는 포지티브형 감방사선성 조성물에는 양호한 방사선 감도 및 보존 안정성이, 얻어지는 층간 절연막에는 우수한 내열성이나 투명성 등이 요구된다.In the display element, an interlayer insulating film is formed for the purpose of insulating between wirings generally arranged in layers. As a material for forming the interlayer insulating film, a positive radiation-sensitive composition is widely used because it is preferable that the number of steps for obtaining a necessary pattern shape is small and furthermore, it is desired to have sufficient flatness. The positive radiation-sensitive composition used for forming such an interlayer insulating film is required to have good radiation sensitivity and storage stability, and the obtained interlayer insulating film is required to have excellent heat resistance and transparency.

포지티브형 감방사선성 조성물로서는, 아크릴계 수지가 널리 채용되고 있으며, 예를 들면 산해리성기를 포함하는 구조 단위를 갖고, 이 산해리성기가 해리되었을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지, 카복실기와 반응하여 공유 결합을 생성할 수 있는 관능기(에폭시기 등)를 포함하는 구조 단위를 갖는 수지 및, 산발생제를 함유하는 포지티브형 감방사선성 조성물이 제안되고 있다(일본공개특허공보 2009-98673호 참조). 이 조성물에서는, 상기 2종류의 특정의 수지를 혼합하고 있고, 상기 조성물을 이용하여 형성한 도막에서, 산해리성기를 포함하는 구조 단위를 갖는 수지로부터 산의 작용에 의해 생성한 카복실기와, 에폭시기 등을 포함하는 구조 단위를 갖는 수지와의 가교 반응에 의해 경화 반응을 행하고 있다. 그러나, 가교 반응의 진행이 불충분한 것에 기인해서인지, 얻어지는 경화막의 표면 경도 및 내열성은 만족이 가는 레벨은 아니다.As the positive-tone radiation-sensitive composition, an acrylic resin is widely used, and for example, a resin having a structural unit containing an acid-cleavable group is reacted with a resin or a carboxyl group which becomes alkali-soluble when the acid- A positive radiation-sensitive composition containing a resin having a structural unit containing a functional group (such as an epoxy group) and an acid generator has been proposed (see JP-A-2009-98673). In this composition, the above-mentioned two kinds of specific resins are mixed, and in the coating film formed by using the above-mentioned composition, a carboxyl group produced by the action of an acid from a resin having a structural unit containing an acid-cleavable group, A curing reaction is carried out by a cross-linking reaction with a resin having a structural unit. However, due to the insufficient progress of the crosslinking reaction, the surface hardness and heat resistance of the obtained cured film are not satisfactory.

이러한 현상에 대하여, 에폭시계 재료의 경화제로서 이용되고 있는 아민 화합물의 첨가에 의해 가교 반응을 진행시키는 방책도 생각할 수 있지만, 일반적인 아민 화합물의 첨가로는, 조성물 중에 존재하는 에폭시기와의 경시적인 반응으로 연결되어 보존 안정성이 저하되는 경우가 있다.With respect to such a phenomenon, it is also possible to consider a method for advancing the crosslinking reaction by adding an amine compound used as a curing agent of an epoxy-based material. However, as for the addition of a common amine compound, a reaction with a epoxy group The storage stability may be lowered.

그래서, 아민 화합물을 산에서 탈리되는 보호기에 의해 보호하여 반응성을 저하시켜, 상기 조성물의 보존 안정성을 확보한다는 방책도 생각할 수 있다. 또한, 경화막의 형성 과정에서 발생한 산에 의해 보호기를 탈리하면, 아민 화합물을 에폭시기와의 가교 반응에 제공할 수 있다. 그러나, 산해리성기의 해리에 의해 알칼리 불용성 수지가 알칼리 가용성이 되는 반응과, 에폭시기의 아민 화합물에 의한 가교 반응이 동시에 진행되어버려, 상기 조성물이 포지티브형의 감방사선 특성을 발휘할 수 없는 경우가 있다.Therefore, it is conceivable that the amine compound is protected by protecting groups cleaved from the acid to lower the reactivity, thereby securing the storage stability of the composition. In addition, when the protecting group is removed by an acid generated in the process of forming a cured film, the amine compound can be provided for the crosslinking reaction with the epoxy group. However, the reaction in which the alkali-insoluble resin becomes alkali-soluble by the dissociation of the acid-dissociable group and the cross-linking reaction by the amine compound of the epoxy group proceed simultaneously, and the composition may not exhibit the positive radiation-sensitive characteristics.

일본공개특허공보 2009-98673호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-98673

본 발명은, 이상과 같은 사정에 기초하여 이루어진 것으로, 그 목적은 표면 경도 및 내열성이 우수하고, 일반적인 요구 특성인 투과율 및 전압보전율도 만족하는 표시 소자용 층간 절연막을 형성 가능하고, 그리고 보존 안정성이 우수하고, 충분한 방사선 감도를 갖는 포지티브형 감방사선성 조성물, 그 조성물로 형성되는 표시 소자용 층간 절연막, 그리고 그 형성 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a display element interlayer insulating film which is excellent in surface hardness and heat resistance and satisfies transmittance and voltage holding ratio which are general required characteristics, A positive radiation-sensitive composition having excellent radiation sensitivity and sufficient radiation sensitivity, an interlayer insulating film for a display element formed from the composition, and a method of forming the same.

상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 발명은,According to an aspect of the present invention,

[A] 동일 또는 상이한 중합체 분자 중에, 하기식 (1)로 나타나는 기를 갖는 구조 단위 (I)과 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)를 포함하는 중합체(이하, 「[A] 중합체」라고도 칭함),(A) a polymer containing a structural unit (I) having a group represented by the following formula (1) and an epoxy group-containing structural unit (II) in the same or different polymer molecules (hereinafter also referred to as "

[B] 산발생체, 그리고[B] Arrhythmia, and

[C] 하기식 (2)로 나타나는 질소 함유 화합물 (I) 및 하기식 (3)으로 나타나는 질소 함유 화합물 (Ⅱ)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 질소 함유 화합물(이하, 「[C] 질소 함유 화합물」이라고도 칭함)을 함유하는 포지티브형 감방사선성 조성물이다:[C] at least one nitrogen-containing compound selected from the group consisting of a nitrogen-containing compound (I) represented by the following formula (2) and a nitrogen-containing compound (II) represented by the following formula (3) Nitrogen-containing compound ") is a positive-tone radiation-sensitive composition containing:

Figure 112012080700305-pct00001
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(식 (1) 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 사이클로알킬기 또는 아릴기이고; 단, 상기 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는, 치환되어 있어도 좋고; 또한, R1 및 R2가 모두 수소 원자인 경우는 없고; R3은, 알킬기, 사이클로알킬기, 아르알킬기, 아릴기 또는 -M(R3m)3으로 나타나는 기이고; 이 M은, Si, Ge 또는 Sn이고; R3m은, 각각 독립적으로 알킬기이고; 또한, R1과 R3이 연결되어 환상 에테르 구조를 형성해도 좋고; 단, R3으로 나타나는 이들 기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는, 치환되어 있어도 좋음);(In the formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, with the proviso that some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group are substituted even good; also, R 1 and R 2 both are not a hydrogen atom; R 3 is an alkyl group, cycloalkyl group, aralkyl group, aryl group, or -M (R 3m) group represented by 3; M is yi, Si, Ge or Sn; R 3m each independently represents an alkyl group; and R 1 and R 3 may be connected to form a cyclic ether structure, provided that some or all of the hydrogen atoms of these groups represented by R 3 May be substituted);

Figure 112012080700305-pct00002
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(식 (2) 중, R4 및 R5는, 각각 독립적으로 수소 원자, 아미노기, 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 탄소수 6∼20의 아릴기이고; 단, 상기 알킬기 및 아릴기는, 하이드록실기, 카복실기, 카보닐기, 에스테르기, 술폰기, 아미드기, 에테르기, 티올기, 티오에테르기, 아미노기 또는 아미디노기를 포함하고 있어도 좋고; R6은, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 4∼20의 사이클로알킬기 또는 탄소수 6∼20의 아릴기이고; 단, R4와 R5가 연결되어 서로 결합하고 있는 질소 원자와 함께 환 구조를 형성해도 좋음);(Wherein R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, an amino group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, provided that the alkyl group and the aryl group each have a hydroxyl group, R 6 may be an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkyl group having 4 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a carboxyl group, a carbonyl group, an ester group, a sulfone group, an amide group, an ether group, a thiol group, A cycloalkyl group or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, provided that R 4 and R 5 may form a cyclic structure together with the nitrogen atom to which they are bonded to each other;

Figure 112012080700305-pct00003
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(식 (3) 중, R7 및 R8은, 각각 독립적으로 상기 R4와 동일한 의미이고; R9 및 R10은, 각각 독립적으로 상기 R6과 동일한 의미이고; A는, 탄소수 1∼12의 알칸디일기 또는 탄소수 6∼20의 아릴렌기임).(In the formula (3), R 7 and R 8 are each independently the same as R 4 , R 9 and R 10 are each independently the same as R 6 , A is a C 1-12 An alkanediyl group having 6 to 20 carbon atoms or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms).

당해 포지티브형 감방사선성 조성물에서는, 아민 화합물로서, 질소 원자 부분에 보호기를 도입하여 카바메이트 구조로 한 특정의 [C] 질소 함유 화합물을 이용하고 있기 때문에, 보존시에는 [C] 질소 함유 화합물의 반응성을 억제 가능하고, 당해 조성물의 보존 안정성을 향상시킬 수 있다. 또한, [C] 질소 함유 화합물의 보호 형태로서 특정의 카바메이트 구조를 채용함으로써, 산해리성기로서의 상기식 (1)로 나타나는 기의 산에 의한 해리를 위한 활성화 에너지보다 탈보호를 위한 활성화 에너지를 높게 하고 있다. 그 결과, [C] 질소 함유 화합물은, 노광시에 [B] 산발생체로부터 발생한 산에 의해서는 탈보호되지 않고, 현상 후의 포스트베이킹시의 열과 그 열에 의해 [B] 산발생체로부터 발생한 산과의 협동 작용에 의해 탈보호되게 된다. 따라서, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물에서는, 노광에서 현상까지의 일련의 공정에서 포지티브형의 감방사선 특성을 발휘할 수 있을 뿐만 아니라, 포스트베이킹시에 탈보호된 [C] 질소 함유 화합물에 의해 에폭시기의 가교 반응을 충분히 진행시킬 수 있어, 우수한 표면 경도 및 내열성을 갖는 층간 절연막으로서의 경화막을 형성할 수 있다.In the positive-tone radiation-sensitive composition, since a specific [C] nitrogen-containing compound having a carbamate structure is introduced by introducing a protecting group into a nitrogen atom portion as an amine compound, the [C] nitrogen- The reactivity can be suppressed, and the storage stability of the composition can be improved. Further, by employing a specific carbamate structure as the protective form of the [C] nitrogen-containing compound, the activation energy for deprotection is higher than the activation energy for dissociation of the group represented by the formula (1) . As a result, the [C] nitrogen-containing compound is not deprotected by the acid generated from the [B] acidogenic organism at the time of exposure, and the heat during post-baking after development and the co- And is deprotected by the action. Thus, in the positive-tone radiation-sensitive composition, not only a positive radiation-sensitive characteristic can be exhibited in a series of steps from exposure to development, but also the sensitivity of the epoxy group The crosslinking reaction can be sufficiently promoted and a cured film as an interlayer insulating film having excellent surface hardness and heat resistance can be formed.

상기식 (2)에 있어서의 R6, 그리고 상기식 (3)에 있어서의 R9 및 R10으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기는, tert-부틸기, tert-아밀기, 1-메틸사이클로헥실기 또는 1-에틸사이클로헥실기인 것이 바람직하다. 이에 따라, [C] 질소 함유 화합물의 반응성 제어가 용이해질 뿐만 아니라, [C] 질소 함유 화합물의 탈보호를 위한 활성화 에너지가 적절해져, 노광시의 산발생체로부터의 산에 대한 보호 기능과, 포스트베이킹시의 열 및 산에 의한 탈보호능을 밸런스 좋게 발휘할 수 있다.At least one group selected from the group consisting of R 6 in the formula (2) and R 9 and R 10 in the formula (3) is a tert-butyl group, a tert-amyl group, Cyclohexyl group or 1-ethylcyclohexyl group. Thus, not only the reactivity control of the [C] nitrogen-containing compound is facilitated, but also the activation energy for deprotection of the [C] nitrogen-containing compound becomes appropriate, thereby protecting the acid from the acidogenic organism upon exposure, It is possible to exhibit a good deacidifying ability by heat and acid at the time of baking in a well-balanced manner.

[C] 질소 함유 화합물의 함유량은, [A] 중합체 100질량부에 대하여 2질량부 이상 30질량부 이하인 것이 바람직하다. [C] 질소 함유 화합물의 함유량을 상기 특정 범위로 함으로써, 에폭시기의 가교 반응을 충분히 진행시킬 수 있고, 그리고 과잉량에 의한 예기치 못한 에폭시기와의 부반응을 방지하고, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 방사선 감도 및 보존 안정성의 저하, 그리고 얻어지는 경화막의 투과율 및 전압보전율의 저하를 방지할 수 있다.The content of the [C] nitrogen-containing compound is preferably 2 parts by mass or more and 30 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the polymer [A]. By setting the content of the [C] nitrogen-containing compound within the above-specified range, the crosslinking reaction of the epoxy group can be sufficiently advanced, and a side reaction with an unexpected epoxy group due to an excessive amount can be prevented, and the radiation of the positive radiation- Deterioration of sensitivity and storage stability and deterioration of transmittance and voltage holding ratio of the resulting cured film can be prevented.

당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, 표시 소자용 층간 절연막의 형성 재료로서 적합하다. 또한, 본 발명에는, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물로 형성되는 표시 소자용 층간 절연막도 적합하게 포함된다.The positive-tone radiation-sensitive composition is suitable as a material for forming an interlayer insulating film for a display element. Further, the present invention suitably includes an interlayer insulating film for a display element formed of the positive-tone radiation-sensitive composition.

본 발명의 표시 소자용 층간 절연막의 형성 방법은,In the method of forming an interlayer insulating film for a display element of the present invention,

(1) 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정,(1) a step of forming a coating film of the positive radiation-sensitive composition on a substrate,

(2) 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,(2) a step of irradiating at least a part of the coating film with radiation,

(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,(3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation, and

(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 공정을 갖는다.(4) heating the developed coating film.

당해 포지티브형 감방사선성 조성물을 이용하는 본 발명의 형성 방법에 의해, 표면 경도 및 내열성이 우수하고, 투과율 및 전압보전율을 충분히 만족하는 표시 소자용 층간 절연막을 형성할 수 있다.By the forming method of the present invention using the positive-tone radiation-sensitive composition, an interlayer insulating film for a display element which is excellent in surface hardness and heat resistance and sufficiently satisfies a transmittance and a voltage holding ratio can be formed.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 조성물은, [A] 중합체, [B] 산발생체 및 [C] 질소 함유 화합물을 포함함으로써, 투과율 및 전압보전율이라는 일반적인 요구 특성을 밸런스 좋게 충족시킬 뿐만 아니라, 우수한 표면 경도 및 내열성을 갖는 표시 소자용 층간 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, 우수한 보존 안정성을 갖고, 그리고 충분한 방사선 감도를 발현한다.As described above, the positive-tone radiation-sensitive composition of the present invention contains the [A] polymer, the [B] acidogenic organometallic compound and the [C] nitrogen-containing compound in a balanced manner so as to satisfy the general required characteristics of transmittance and voltage holding ratio In addition, an interlayer insulating film for a display element having excellent surface hardness and heat resistance can be formed. In addition, the positive radiation-sensitive composition has excellent storage stability and exhibits sufficient radiation sensitivity.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)

<포지티브형 감방사선성 조성물>≪ Positive radiation sensitive composition >

본 발명의 포지티브형 감방사선성 조성물은, [A] 중합체, [B] 산발생체 및 [C] 질소 함유 화합물을 함유한다. 또한, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물은 적합 성분으로서, [D] 계면활성제 및 [E] 밀착 조제를 함유해도 좋다. 또한, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한에서, 그 외의 임의 성분을 함유해도 좋다. 이하, 각 성분을 상술한다.The positive radiation-sensitive composition of the present invention contains the [A] polymer, the [B] acidogenic organism and the [C] nitrogen-containing compound. Further, the positive-tone radiation-sensitive composition may contain [D] a surfactant and [E] adhesion aid as suitable components. In addition, as long as the effect of the present invention is not impaired, other optional components may be contained. Hereinafter, each component will be described in detail.

<[A] 중합체><[A] Polymer>

[A] 중합체는, 동일 또는 상이한 중합체 분자 중에, 구조 단위 (I)과 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)를 포함하고 있다. 또한, 필요에 따라서 그 외의 구조 단위를 포함하고 있어도 좋다. 구조 단위 (I) 및 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)를 포함하는 [A] 중합체의 태양으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면The polymer [A] includes the structural unit (I) and the epoxy group-containing structural unit (II) in the same or different polymer molecules. In addition, other structural units may be included if necessary. Examples of the polymer [A] containing the structural unit (I) and the epoxy group-containing structural unit (II) are not particularly limited,

(i) 동일한 중합체 분자 중에 구조 단위 (I) 및 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ) 양쪽을 포함하고 있어, [A] 중합체 중에 1종의 중합체 분자가 존재하는 경우;(i) contains both a structural unit (I) and an epoxy group-containing structural unit (II) in the same polymer molecule, and [A] when one kind of polymer molecule is present in the polymer;

(ⅱ) 하나의 중합체 분자 중에 구조 단위 (I)을 포함하고, 그것과는 상이한 중합체 분자 중에 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)를 포함하고 있어, [A] 중합체 중에 2종의 중합체 분자가 존재하는 경우;(Ii) an epoxy group-containing structural unit (II) is contained in one polymer molecule, and the epoxy group-containing structural unit (II) is contained in a polymer molecule different from the structural unit ;

(ⅲ) 하나의 중합체 분자 중에 구조 단위 (I) 및 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ) 양쪽을 포함할 뿐만 아니라, 그것과는 상이한 중합체 분자 중에 구조 단위 (I)을 포함하고, 이들과는 또 다른 중합체 분자 중에 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)를 포함하고 있어, [A] 중합체 중에 3종의 중합체 분자가 존재하는 경우;(Iii) contains not only structural unit (I) and epoxy group-containing structural unit (II) in one polymer molecule but also structural unit (I) in a different polymer molecule, Containing structural unit (II) in the molecule, and [A] when three kinds of polymer molecules are present in the polymer;

(ⅳ) (i)∼(ⅲ)에 규정한 중합체 분자에 더하여, [A] 중합체 중에 또 다른 1종 또는 2종 이상의 중합체 분자를 포함하는 경우 등을 들 수 있다. 상기 어느 경우라도 본 발명의 효과를 나타낼 수 있다. 또한, [A] 중합체는, 각 구조 단위를 2종 이상 포함하고 있어도 좋다. 이하, 각 구조 단위를 상술한다.(Iv) a case in which, in addition to the polymer molecules defined in (i) to (iii), one or more other polymer molecules are contained in the polymer [A]. In either case, the effects of the present invention can be exhibited. The polymer [A] may contain two or more structural units. Hereinafter, each structural unit will be described in detail.

[구조 단위 (I)][Structural unit (I)]

구조 단위 (I)에서는, 상기식 (1)로 나타나는 기가, 산의 존재하에서 해리되어 극성기를 발생하는 기(산해리성기)로서 존재하고 있기 때문에, 방사선의 조사에 의해 산발생체로부터 발생한 산에 의해 산해리성기가 해리되고, 그 결과, 알칼리 불용성이었던 [A] 중합체는 알칼리 가용성이 된다. 상기 산해리성기는, 알칼리에 대해서는 비교적 안정된 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖고 있고, 이들이 산의 작용에 의해 해리되게 된다.In the structural unit (I), since the group represented by the formula (1) is present as a group (acid-cleavable group) dissociated in the presence of an acid to generate a polar group, As a result, the polymer [A] which was alkali-insoluble becomes alkali-soluble. The acid-dissociable group has a relatively stable acetal structure or ketal structure with respect to alkali, and these acid dissociable groups are dissociated by the action of an acid.

상기식 (1) 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 사이클로알킬기 또는 아릴기이다. 단, 상기 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는, 치환되어 있어도 좋다. 또한, R1 및 R2가 모두 수소 원자인 경우는 없다. R3은, 알킬기, 사이클로알킬기, 아르알킬기, 아릴기 또는 -M(R3m)3으로 나타나는 기이다. 이 M은, Si, Ge 또는 Sn이다. R3m은, 각각 독립적으로 알킬기이다. 또한, R1과 R3이 연결되어 환상 에테르 구조를 형성해도 좋다. 단, R3으로 나타나는 이들 기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는, 치환되어 있어도 좋다.In the formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group. However, some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group may be substituted. In addition, R 1 and R 2 are not both hydrogen atoms. R 3 is an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryl group or a group represented by -M (R 3m ) 3 . M is Si, Ge or Sn. R 3m each independently represents an alkyl group. R 1 and R 3 may be connected to form a cyclic ether structure. Provided that some or all of the hydrogen atoms of these groups represented by R &lt; 3 &gt; may be substituted.

상기 R1 및 R2로 나타나는 알킬기로서는, 예를 들면 탄소수 1∼30의 직쇄상 및 분기상의 알킬기 등을 들 수 있다. 이 알킬쇄 중에 산소 원자, 황 원자, 질소 원자를 갖고 있어도 좋다. 상기 탄소수 1∼30의 직쇄상 및 분기상의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-도데실기, n-테트라데실기, n-옥타데실기 등의 직쇄상 알킬기, i-프로필기, i-부틸기, t-부틸기, 네오펜틸기, 2-헥실기, 3-헥실기 등의 분기상의 알킬기 등을 들 수 있다.Examples of the alkyl group represented by R 1 and R 2 include a linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms. The alkyl chain may have an oxygen atom, a sulfur atom or a nitrogen atom. Examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n- , straight-chain alkyl groups such as n-tetradecyl and n-octadecyl, branched groups such as i-propyl, i-butyl, Alkyl groups and the like.

상기 R1 및 R2로 나타나는 사이클로알킬기로서는, 예를 들면 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기 등을 들 수 있다. 또한, 이 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기는, 다환이라도 좋고, 환 내에 산소 원자를 갖고 있어도 좋다. 상기 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기로서는, 예를 들면 사이클로프로필기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 보르닐기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등을 들 수 있다.Examples of the cycloalkyl group represented by R 1 and R 2 include a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms. The cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms may be a polycyclic ring or may have an oxygen atom in the ring. Examples of the cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a boronyl group, a norbornyl group and an adamantyl group.

상기 R1 및 R2로 나타나는 아릴기로서는, 예를 들면 탄소수 6∼14의 아릴기 등을 들 수 있다. 상기 탄소수 6∼14의 아릴기는, 단환이라도 좋고, 단환이 연결된 구조라도 좋고, 축합환이라도 좋다. 상기 탄소수 6∼14의 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다.Examples of the aryl group represented by R 1 and R 2 include an aryl group having 6 to 14 carbon atoms. The aryl group having 6 to 14 carbon atoms may be monocyclic or monocyclic, or may be a condensed ring. Examples of the aryl group having 6 to 14 carbon atoms include a phenyl group and a naphthyl group.

상기 R1 및 R2로 나타나는 치환되어 있어도 좋은 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴기의 치환기로서는, 예를 들면 할로겐 원자, 수산기, 니트로기, 시아노기, 카복실기, 카보닐기, 사이클로알킬기(예를 들면 사이클로프로필기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 보르닐기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등), 아릴기(예를 들면 페닐기, 나프틸기 등), 알콕시기(예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, n-부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기 등의 탄소수 1∼20의 알콕시기 등), 아실기(예를 들면, 아세틸기, 프로피오닐기, 부티릴기, i-부티릴기 등의 탄소수 2∼20의 아실기 등), 아실옥시기(예를 들면, 아세톡시기, 에티릴옥시기, 부티릴옥시기, t-부티릴옥시기, t-아미릴옥시기 등의 탄소수 2∼10의 아실옥시기 등), 알콕시카보닐기(예를 들면, 메톡시카보닐기, 에톡시카보닐기, 프로폭시카보닐기 등의 탄소수 2∼20의 알콕시카보닐기), 할로알킬기(예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-도데실기, n-테트라데실기, n-옥타데실기 등의 직쇄상 알킬기, i-프로필기, i-부틸기, t-부틸기, 네오펜틸기, 2-헥실기, 3-헥실기 등의 분기상의 알킬기 등의 알킬기; 사이클로프로필기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등의 사이클로알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가, 할로겐 원자로 치환된 기 등) 등을 들 수 있다.Examples of the substituent of the optionally substituted alkyl, cycloalkyl and aryl group represented by R 1 and R 2 include a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, a carboxyl group, a carbonyl group, a cycloalkyl group (Such as phenyl and naphthyl), an alkoxy group (e.g., methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, i-propyl, An alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms such as methoxy group, ethoxy group, propoxy group, n-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group and octyloxy group), an acyl group , An acyl group having 2 to 20 carbon atoms such as acetyl, propionyl, butyryl, and i-butyryl), an acyloxy group (e.g., acetoxy, Acyloxy group having 2 to 10 carbon atoms such as a t-amyloxy group, An alkoxycarbonyl group (for example, an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms such as a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group or a propoxycarbonyl group), a haloalkyl group (e.g., a methyl group, an ethyl group, an n- A straight chain alkyl group such as methyl, ethyl, propyl, n-butyl, n-pentyl, n-hexyl, n-octyl, n-dodecyl, an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an isopropyl group, an isobutyl group, a butyl group, a neopentyl group, And a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the cycloalkyl group such as a t-butyl group are substituted with a halogen atom), and the like.

상기 R3으로 나타나는 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴기로서는, 예를 들면 상기 R1 및 R2로 예시한 기를 적용할 수 있다. 이들 기의 치환기로서는, 예를 들면 상기 R1 및 R2로 나타나는 치환되어 있어도 좋은 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴기의 치환기로서 예시한 기를 적용할 수 있다. 상기 R3으로 나타나는 아르알킬기로서는, 예를 들면 탄소수 7∼20의 아르알킬기 등을 들 수 있다. 상기 탄소수 7∼20의 아르알킬기로서는, 예를 들면 벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기, 나프틸에틸기 등을 들 수 있다.As the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group represented by R 3 , for example, the groups exemplified as R 1 and R 2 above can be applied. As the substituent of these groups, for example, the groups exemplified as substituents of the optionally substituted alkyl, cycloalkyl and aryl groups represented by R 1 and R 2 above may be applied. Examples of the aralkyl group represented by R &lt; 3 &gt; include an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms. Examples of the aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms include a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group.

상기 -M(R3m)3으로 나타나는 기로서는, 예를 들면 트리메틸실라닐기, 트리메틸게르밀기 등을 들 수 있다. 이 R3으로 나타나는 아르알킬기 또는 -M(R3m)3으로 나타나는 기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 치환하고 있어도 좋은 치환기로서는, 상기 치환기를 적합하게 채용할 수 있다. 이 기의 치환기로서는, 예를 들면 상기 R1 및 R2로 나타나는 치환되어 있어도 좋은 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴기의 치환기로서 예시한 기를 적용할 수 있다.Examples of the group represented by -M (R 3m ) 3 include a trimethylsilanyl group, a trimethylgermyl group, and the like. As the substituent which may partially or wholly replace the hydrogen atom of the aralkyl group represented by R 3 or the group represented by -M (R 3m ) 3 , the substituent may be suitably employed. As the substituent of this group, for example, the groups exemplified as the substituents of the optionally substituted alkyl, cycloalkyl and aryl groups represented by R 1 and R 2 above may be applied.

상기 R1과 R3이 연결되어 형성해도 좋은 환상 에테르 구조를 갖는 기로서는, 예를 들면 2,2-옥세탄디일기, 2,2-테트라하이드로푸란디일기, 2-테트라하이드로피란디일기, 2-디옥산디일기 등을 들 수 있다.Examples of the group having a cyclic ether structure which may be formed by connecting R 1 and R 3 include a 2,2-oxetanediyl group, a 2,2-tetrahydrofuranyldihyl group, a 2-tetrahydropyranediyl group, And 2-dioxanediyl group.

구조 단위 (I)는, 다른 탄소 원자에 결합함으로써 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖게 되는 관능기를 가짐으로써, 그 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 가질 수 있다.The structural unit (I) may have an acetal structure or a ketal structure by having a functional group that has an acetal structure or a ketal structure by bonding to another carbon atom.

상기 다른 탄소 원자에 결합함으로써 아세탈 구조를 갖게 되는 관능기로서는, 예를 들면 1-메톡시에톡시기, 1-에톡시에톡시기, 1-n-프로폭시에톡시기, 1-i-프로폭시에톡시기, 1-n-부톡시에톡시기, 1-i-부톡시에톡시기, 1-sec-부톡시에톡시기, 1-t-부톡시에톡시기, 1-사이클로펜틸옥시에톡시기, 1-사이클로헥실옥시에톡시기, 1-노르보르닐옥시에톡시기, 1-보르닐옥시에톡시기, 1-페닐옥시에톡시기, 1-(1-나프틸옥시)에톡시기, 1-벤질옥시에톡시기, 1-페네틸옥시에톡시기, (사이클로헥실)(메톡시)메톡시기, (사이클로헥실)(에톡시)메톡시기, (사이클로헥실)(n-프로폭시)메톡시기, (사이클로헥실)(i-프로폭시)메톡시기, (사이클로헥실)(사이클로헥실옥시)메톡시기, (사이클로헥실)(페녹시)메톡시기, (사이클로헥실)(벤질옥시)메톡시기, (페닐)(메톡시)메톡시기, (페닐)(에톡시)메톡시기, (페닐)(n-프로폭시)메톡시기, (페닐)(i-프로폭시)메톡시기, (페닐)(사이클로헥실옥시)메톡시기, (페닐)(페녹시)메톡시기, (페닐)(벤질옥시)메톡시기, (벤질)(메톡시)메톡시기, (벤질)(에톡시)메톡시기, (벤질)(n-프로폭시)메톡시기, (벤질)(i-프로폭시)메톡시기, (벤질)(사이클로헥실옥시)메톡시기, (벤질)(페녹시)메톡시기, (벤질)(벤질옥시)메톡시기, 2-테트라하이드로푸라닐옥시기, 2-테트라하이드로피라닐옥시기, 1-트리메틸실라닐옥시에톡시기, 1-트리메틸게르밀옥시에톡시기 등을 들 수 있다.Examples of the functional group having an acetal structure by bonding to other carbon atoms include 1-methoxyethoxy group, 1-ethoxyethoxy group, 1-n-propoxyethoxy group, 1-i-propoxy Butoxyethoxy group, 1-t-butoxyethoxy group, 1-cyclopentyloxyethoxy group, 1-n-butoxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-norbornyloxyethoxy group, 1-boronyloxyethoxy group, 1-phenyloxyethoxy group, 1- (1-naphthyloxy) ethoxy group (Cyclohexyl) (n-propoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (n-propoxy) (Cyclohexyl) (phenoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (cyclohexyloxy) methoxy group, (cyclohexyl) (phenoxy) , (Phenyl) (methoxy) methoxy group, (phenyl) (ethoxy (Phenyl) (phenoxy) methoxy group, (phenyl) (n-propoxy) methoxy group, (Benzyl) (n-propoxy) methoxy group, (benzyl) (methoxy) methoxy group, (benzyl) (ethoxy) (Benzyl) (benzyloxy) methoxy group, 2-tetrahydrofuranyloxy group, 2-tetrahydropyranyloxy group, benzyloxy group, 1-trimethylsilanyloxyethoxy group, 1-trimethylgermyloxyethoxy group, and the like.

이들 중, 1-에톡시에톡시기, 1-사이클로헥실옥시에톡시기, 2-테트라하이드로푸라닐옥시기, 1-n-프로폭시에톡시기, 2-테트라하이드로피라닐옥시기가 바람직하다.Among them, 1-ethoxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 2-tetrahydrofuranyloxy group, 1-n-propoxyethoxy group and 2-tetrahydropyranyloxy group are preferable.

상기 다른 탄소 원자에 결합함으로써, 케탈 구조를 갖게 되는 관능기로서는, 예를 들면 1-메틸-1-메톡시에톡시기, 1-메틸-1-에톡시에톡시기, 1-메틸-1-n-프로폭시에톡시기, 1-메틸-1-i-프로폭시에톡시기, 1-메틸-1-n-부톡시에톡시기, 1-메틸-1-i-부톡시에톡시기, 1-메틸-1-sec-부톡시에톡시기, 1-메틸-1-t-부톡시에톡시기, 1-메틸-1-사이클로펜틸옥시에톡시기, 1-메틸-1-사이클로헥실옥시에톡시기, 1-메틸-1-노르보르닐옥시에톡시기, 1-메틸-1-보르닐옥시에톡시기, 1-메틸-1-페닐옥시에톡시기, 1-메틸-1-(1-나프틸옥시)에톡시기, 1-메틸-1-벤질옥시에톡시기, 1-메틸-1-페네틸옥시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-메톡시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-에톡시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-n-프로폭시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-i-프로폭시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-사이클로헥실옥시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-페녹시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-벤질옥시에톡시기, 1-페닐-1-메톡시에톡시기, 1-페닐-1-에톡시에톡시기, 1-페닐-1-n-프로폭시에톡시기, 1-페닐-1-i-프로폭시에톡시기, 1-페닐-1-사이클로헥실옥시에톡시기, 1-페닐-1-페닐옥시에톡시기, 1-페닐-1-벤질옥시에톡시기, 1-벤질-1-메톡시에톡시기, 1-벤질-1-에톡시에톡시기, 1-벤질-1-n-프로폭시에톡시기, 1-벤질-1-i-프로폭시에톡시기, 1-벤질-1-사이클로헥실옥시에톡시기, 1-벤질-1-페닐옥시에톡시기, 1-벤질-1-벤질옥시에톡시기, 2-(2-메틸-테트라하이드로푸라닐)옥시기, 2-(2-메틸-테트라하이드로피라닐)옥시기, 1-메톡시-사이클로펜틸옥시기, 1-메톡시-사이클로헥실옥시기 등을 들 수 있다.Methyl-1-methoxyethoxy group, 1-methyl-1-ethoxyethoxy group, 1-methyl-1-n Propoxyethoxy group, 1-methyl-1-i-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-i-butoxyethoxy group, 1 Methyl-1-cyclopentyloxyethoxy group, 1-methyl-1-cyclohexyloxy group, 1-methyl-1-cyclopentyloxyethoxy group, Methyl-1-norbornyloxyethoxy group, 1-methyl-1-bornyloxyethoxy group, 1-methyl- Methyl-1-benzyloxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-methoxyethoxy group, 1-cyclohexyl 1-cyclohexyl-1-cyclohexyloxy, 1-cyclohexyl-1-cyclohexyl-1-n-propoxyethoxy group, Toxic Cyclohexyl-1-phenoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-benzyloxyethoxy group, 1-phenyl-1-methoxyethoxy group, 1-phenyl-1-ethoxyethoxy group 1-phenyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-phenyl-1-n-propoxyethoxy group, 1-benzyl-1-ethoxyethoxy group, 1-benzyl-1-n-propyloxy group, Benzyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-benzyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-phenyloxyethoxy group, 1-benzyl- (2-methyl-tetrahydropyranyl) oxy group, a 1-methoxy-cyclopentyloxy group, a 1-methoxy -Cyclohexyloxy group and the like.

이들 중, 1-메틸-1-메톡시에톡시기, 1-메틸-1-사이클로헥실옥시에톡시기가 바람직하다.Of these, 1-methyl-1-methoxyethoxy group and 1-methyl-1-cyclohexyloxyethoxy group are preferable.

상기 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖는 구조 단위 (I)로서는, 예를 들면 하기식 (1-1)∼(1-3)으로 나타나는 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (I) having an acetal structure or a ketal structure include structural units represented by the following formulas (1-1) to (1-3).

Figure 112012080700305-pct00004
Figure 112012080700305-pct00004

상기식 (1-1)∼(1-3) 중, R'는, 수소 원자 또는 메틸기이다. R1, R2 및 R3은, 상기식 (1)과 동일한 의미이다.In the formulas (1-1) to (1-3), R 'is a hydrogen atom or a methyl group. R 1 , R 2 and R 3 have the same meanings as in the formula (1).

상기식 (1-1)∼(1-3)으로 나타나는 구조 단위 (I)을 부여하는 단량체로서는, 예를 들면Examples of the monomer giving the structural unit (I) represented by the above formulas (1-1) to (1-3)

1-알콕시알킬(메타)아크릴레이트, 1-(사이클로알킬옥시)알킬(메타)아크릴레이트, 1-(할로알콕시)알킬(메타)아크릴레이트, 1-(아르알킬옥시)알킬(메타)아크릴레이트, 테트라하이드로피라닐(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트계 아세탈 구조 함유 단량체;(Meth) acrylate, 1- (cycloalkyloxy) alkyl (meth) acrylate, 1- (haloalkoxy) , (Meth) acrylate-based acetal structure-containing monomers such as tetrahydropyranyl (meth) acrylate;

2,3-디(1-(트리알킬실라닐옥시)알콕시)카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(트리알킬게르밀옥시)알콕시)카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-알콕시알콕시카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(사이클로알킬옥시)알콕시카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(아르알킬옥시)알콕시카보닐)-5-노르보르넨 등의 노르보르넨계 아세탈 구조 함유 단량체;Carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (trialkylsilyloxy) alkoxy) carbonyl) Norbornene, 2,3-di (1-alkoxyalkoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (cycloalkyloxy) alkoxycarbonyl) Norbornene-based acetal structure-containing monomers such as 3-di (1- (aralkyloxy) alkoxycarbonyl) -5-norbornene;

1-알콕시알콕시스티렌, 1-(할로알콕시)알콕시스티렌, 1-(아르알킬옥시)알콕시스티렌, 테트라하이드로피라닐옥시스티렌 등의 스티렌계 아세탈 구조 함유 단량체를 들 수 있다.Monomers containing a styrenic acetal structure such as 1-alkoxyalkoxystyrene, 1- (haloalkoxy) alkoxystyrene, 1- (aralkyloxy) alkoxystyrene, and tetrahydropyranyloxystyrene.

이들 중, 1-알콕시알킬(메타)아크릴레이트, 테트라하이드로피라닐(메타)아크릴레이트, 1-알콕시알콕시스티렌, 테트라하이드로피라닐옥시스티렌이 바람직하고, 1-알콕시알킬(메타)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Of these, 1-alkoxyalkyl (meth) acrylate, tetrahydropyranyl (meth) acrylate, 1-alkoxyalkoxystyrene and tetrahydropyranyloxystyrene are preferable, and 1-alkoxyalkyl (meth) desirable.

상기식 (1-1)∼(1-3)으로 나타나는 구조 단위 (I)을 부여하는 구체적인 단량체로서는, 예를 들면Specific examples of the monomer giving the structural unit (I) represented by the above formulas (1-1) to (1-3)

1-에톡시에틸메타크릴레이트, 1-메톡시에틸메타크릴레이트, 1-n-부톡시에틸메타크릴레이트, 1-이소부톡시에틸메타크릴레이트, 1-t-부톡시에틸메타크릴레이트, 1-(2-클로로에톡시)에틸메타크릴레이트, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸메타크릴레이트, 1-n-프로폭시에틸메타크릴레이트, 1-사이클로헥실옥시에틸메타크릴레이트, 1-(2-사이클로헥실에톡시)에틸메타크릴레이트, 1-벤질옥시에틸메타크릴레이트, 2-테트라하이드로피라닐메타크릴레이트 등의 메타크릴레이트계 아세탈 구조 함유 단량체;Methoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1-t-butoxyethyl methacrylate, 1-ethoxyethyl methacrylate, 1- (2-ethylhexyloxy) ethyl methacrylate, 1-n-propoxyethyl methacrylate, 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, 1 Methacrylate-based acetal structure-containing monomers such as - (2-cyclohexylethoxy) ethyl methacrylate, 1-benzyloxyethyl methacrylate, and 2-tetrahydropyranyl methacrylate;

1-에톡시에틸아크릴레이트, 1-메톡시에틸아크릴레이트, 1-n-부톡시에틸아크릴레이트, 1-이소부톡시에틸아크릴레이트, 1-t-부톡시에틸아크릴레이트, 1-(2-클로로에톡시)에틸아크릴레이트, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸아크릴레이트, 1-n-프로폭시에틸아크릴레이트, 1-사이클로헥실옥시에틸아크릴레이트, 1-(2-사이클로헥실에톡시)에틸아크릴레이트, 1-벤질옥시에틸아크릴레이트, 2-테트라하이드로피라닐아크릴레이트 등의 아크릴레이트계 아세탈 구조 함유 단량체;Methoxyethyl acrylate, 1-n-butoxyethyl acrylate, 1-isobutoxyethyl acrylate, 1-t-butoxyethyl acrylate, 1- (2- Ethyl acrylate, 1-n-propyl acrylate, 1-cyclohexyloxyethyl acrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) Acrylate-based acetal structure-containing monomers such as ethyl acrylate, 1-benzyloxyethyl acrylate and 2-tetrahydropyranyl acrylate;

2,3-디(1-(트리메틸실라닐옥시)에톡시)카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(트리메틸게르밀옥시)에톡시)카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-메톡시에톡시카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(사이클로헥실옥시)에톡시카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(벤질옥시)에톡시카보닐)-5-노르보르넨 등의 노르보르넨계 아세탈 구조 함유 단량체;(1- (trimethylsilyloxy) ethoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (trimethylgermyloxy) ethoxy) carbonyl) -5- Norbornene, 2,3-di (1-methoxyethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (cyclohexyloxy) ethoxycarbonyl) Norbornene-based acetal structure-containing monomers such as 2,3-di (1- (benzyloxy) ethoxycarbonyl) -5-norbornene;

p 또는 m-1-에톡시에톡시스티렌, p 또는 m-1-메톡시에톡시스티렌, p 또는 m-1-n-부톡시에톡시스티렌, p 또는 m-1-이소부톡시에톡시스티렌, p 또는 m-1-(1,1-디메틸에톡시)에톡시스티렌, p 또는 m-1-(2-클로로에톡시)에톡시스티렌, p 또는 m-1-(2-에틸헥실옥시)에톡시스티렌, p 또는 m-1-n-프로폭시에톡시스티렌, p 또는 m-1-사이클로헥실옥시에톡시스티렌, p 또는 m-1-(2-사이클로헥실에톡시)에톡시스티렌, p 또는 m-1-벤질옥시에톡시스티렌 등의 스티렌계 아세탈 구조 함유 단량체 등을 들 수 있다. 또한, 이들 단량체는 단독 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.p or m-1-ethoxyethoxystyrene, p or m-1-methoxyethoxystyrene, p or m-1-n-butoxyethoxystyrene, p or m-1-isobutoxyethoxystyrene, p or m-1- (2-chloroethoxy) ethoxystyrene, p or m-1- (1-dimethylethoxy) ethoxystyrene, P or m-1-n-propoxyethoxystyrene, p or m-1-cyclohexyloxyethoxystyrene, p or m-1- (2-cyclohexylethoxy) ethoxystyrene, p Or m-1-benzyloxyethoxystyrene; and the like. These monomers may be used alone or in combination of two or more.

이들 중 구조 단위 (I)을 부여하는 단량체로서는, 1-에톡시에틸메타크릴레이트, 1-n-부톡시에틸메타크릴레이트, 2-테트라하이드로피라닐메타크릴레이트, 1-벤질옥시에틸메타크릴레이트가 바람직하다.Examples of the monomer giving the structural unit (I) include 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 2-tetrahydropyranyl methacrylate, 1-benzyloxyethyl methacrylate The rate is preferred.

구조 단위 (I)을 부여하는 단량체는, 시판의 것을 이용해도 좋고, 공지의 방법으로 합성한 것을 이용할 수도 있다. 예를 들면, 상기식 (1-1)로 나타나는 구조 단위 (I)을 부여하는 단량체는, 하기식에 나타내는 바와 같이 (메타)아크릴산을 산촉매의 존재하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다.As the monomer giving the structural unit (I), commercially available monomers may be used, and those synthesized by known methods may be used. For example, the monomer giving the structural unit (I) represented by the formula (1-1) can be synthesized by reacting (meth) acrylic acid with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst as shown in the following formula.

Figure 112012080700305-pct00005
Figure 112012080700305-pct00005

상기식 중, R', R1 및 R3은, 상기식 (1-1)과 동일한 의미이다. R21 및 R22는, -CH(R21)(R22)로서, 상기식 (1-1)에 있어서의 R2와 동일한 의미이다.In the above formula, R ', R 1 and R 3 have the same meanings as in the above formula (1-1). R 21 and R 22 are -CH (R 21 ) (R 22 ) and have the same meanings as R 2 in the formula (1-1).

[A] 중합체에 있어서의 구조 단위 (I)의 함유량으로서는, [A] 중합체가 산에 의해 알칼리 가용성을 나타내고, 경화막의 소망하는 내열성이 발휘되는 한 특별히 한정되지 않고, 하나의 중합체 분자에 구조 단위 (I)과 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ) 양쪽을 포함하는 경우, [A] 중합체에 포함되는 전체 구조 단위에 대하여, 단량체 투입비로, 5질량% 이상 70질량% 이하가 바람직하고, 10질량% 이상 60질량% 이하가 보다 바람직하고, 20질량% 이상 50질량% 이하가 특히 바람직하다.The content of the structural unit (I) in the polymer [A] is not particularly limited as long as the polymer [A] exhibits alkali solubility by the acid and exhibits the desired heat resistance of the cured film, Is preferably 5 mass% or more and 70 mass% or less, and more preferably 10 mass% or more, based on the total structural units contained in the polymer (A), in the case of containing both the structural unit (I) More preferably 60 mass% or less, and particularly preferably 20 mass% or more and 50 mass% or less.

한편, 하나의 중합체 분자에 구조 단위 (I)을 포함하고, 그리고 이것과는 상이한 중합체 분자에 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)를 포함하는 경우, 구조 단위 (I)을 갖는 그 하나의 중합체 분자에 있어서의 구조 단위 (I)의 함유량으로서는, 그 중합체 분자에 포함되는 전체 구조 단위에 대하여, 단량체 투입비로, 40질량% 이상 99질량% 이하가 바람직하고, 50질량% 이상 98질량% 이하가 보다 바람직하고, 55질량% 이상 95질량% 이하가 특히 바람직하다.On the other hand, in the case where one polymer molecule contains a structural unit (I) and a polymer molecule different therefrom contains an epoxy group-containing structural unit (II), in the one polymer molecule having the structural unit (I) , The content of the structural unit (I) in the polymer molecule is preferably 40 mass% or more and 99 mass% or less, more preferably 50 mass% or more and 98 mass% or less, with respect to the total structural units contained in the polymer molecule , And particularly preferably from 55 mass% to 95 mass%.

[에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)][Epoxy group-containing structural unit (II)]

에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)로서는, 에폭시기 함유 단량체에 유래하는 구조 단위이면 특별히 한정되지 않는다. [A] 중합체가 분자 중에 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)를 포함함으로써, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물로부터 얻어지는 경화막의 표면 경도 및 내열성을 추가로 높일 수 있다. 또한, 본 명세서의 에폭시기란, 옥시라닐기(1,2-에폭시 구조) 및 옥세타닐기(1,3-에폭시 구조)를 포함하는 개념이다.The epoxy group-containing structural unit (II) is not particularly limited as long as it is a structural unit derived from an epoxy group-containing monomer. By including the epoxy group-containing structural unit (II) in the molecule of the polymer [A], the surface hardness and heat resistance of the cured film obtained from the positive radiation sensitive composition can further be enhanced. The epoxy group in the present specification is a concept including an oxiranyl group (1,2-epoxy structure) and an oxetanyl group (1,3-epoxy structure).

에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)를 부여하는 단량체로서는, 예를 들면As the monomer giving the epoxy group-containing structural unit (II), for example,

(메타)아크릴산 글리시딜, (메타)아크릴산 3,4-에폭시부틸, 아크릴산 3-메틸-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산 3-에틸-3,4-에폭시부틸, (메타)아크릴산 5,6-에폭시헥실, 메타크릴산 5-메틸-5,6-에폭시헥실, 메타크릴산 5-에틸-5,6-에폭시헥실, (메타)아크릴산 6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실, 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실메틸, (메타)아크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실에틸, 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실프로필, 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실부틸, (메타)아크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실헥실, 아크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실메틸, 아크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실에틸, 아크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실프로필, 아크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실부틸, 아크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실헥실 등의 옥시라닐기 함유 (메타)아크릴계 화합물;(Meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, 3,4-epoxybutyl (meth) acrylate, 3-methyl-3,4-epoxybutyl acrylate, 3-ethyl- , 6-epoxyhexyl methacrylate, 5-methyl-5,6-epoxyhexyl methacrylate, 5-ethyl-5,6-epoxyhexyl methacrylate, 6,7-epoxyhexyl methacrylate, methacrylic acid, 4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylethyl (meth) acrylate, 3,4-epoxycyclohexylpropyl methacrylate, 3,4- Epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylpropyl acrylate, acrylic acid 3, 3-epoxycyclohexylmethyl acrylate, , 4-epoxycyclohexylbutyl, and 3,4-epoxycyclohexylhexyl acrylate (meth) acrylate-containing .;

o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-o-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-m-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-p-비닐벤질글리시딜에테르 등의 비닐벤질글리시딜에테르류;o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether,? -methyl-o-vinyl benzyl glycidyl ether,? -methyl- Vinyl benzyl glycidyl ethers such as diester,? -Methyl-p-vinylbenzyl glycidyl ether;

o-비닐페닐글리시딜에테르, m-비닐페닐글리시딜에테르, p-비닐페닐글리시딜에테르 등의 비닐페닐글리시딜에테르류;vinylphenyl glycidyl ethers such as o-vinylphenyl glycidyl ether, m-vinylphenyl glycidyl ether and p-vinylphenyl glycidyl ether;

3-아크릴로일옥시메틸옥세탄, 3-아크릴로일옥시메틸-3-메틸옥세탄, 3-아크릴로일옥시메틸-3-에틸옥세탄, 3-아크릴로일옥시메틸-3-페닐옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-3-메틸옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-3-에틸옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-3-페닐옥세탄, 3-메타크릴로일옥시메틸옥세탄, 3-메타크릴로일옥시메틸-3-메틸옥세탄, 3-메타크릴로일옥시메틸-3-에틸옥세탄, 3-메타크릴로일옥시메틸-3-페닐옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-3-메틸옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-3-에틸옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-3-페닐옥세탄, 2-아크릴로일옥시메틸옥세탄, 2-아크릴로일옥시메틸-2-메틸옥세탄, 2-아크릴로일옥시메틸-2-에틸옥세탄, 2-아크릴로일옥시메틸-2-페닐옥세탄, 2-(2-아크릴로일옥시에틸)옥세탄, 2-(2-아크릴로일옥시에틸)-2-메틸옥세탄, 2-(2-아크릴로일옥시에틸)-2-에틸옥세탄, 2-(2-아크릴로일옥시에틸)-2-페닐옥세탄, 2-메타크릴로일옥시메틸옥세탄, 2-메타크릴로일옥시메틸-2-메틸옥세탄, 2-메타크릴로일옥시메틸-2-에틸옥세탄, 2-메타크릴로일옥시메틸-2-페닐옥세탄, 2-(2-메타크릴로일옥시에틸)옥세탄, 2-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2-메틸옥세탄, 2-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2-에틸옥세탄, 2-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2-페닐옥세탄 등의 옥세타닐기 함유 (메타)아크릴계 화합물 등을 들 수 있다.3-acryloyloxymethyl-3-ethyloxetane, 3-acryloyloxymethyl-3-phenyloxane, 3-acryloyloxymethyl- Cetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-methyloxetane, 3- Cetyl, 3-methacryloyloxymethyloxetane, 3-methacryloyloxymethyl-3-methyloxetane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 3- 3-methyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) Acryloyloxymethyl-2-ethyloxetane, 2-acryloyloxymethyl-2-phenyloxetane, 2-acryloyloxymethyl-2-methyloxetane, 2- 2- (2- Acryloyloxyethyl) oxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2-methyloxetane, 2- 2-methacryloyloxymethyl-2-methyloxymethyl-2-methyloxetane, 2-methacryloyloxymethyl-2- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2-methyloctane, 2- (Meta) acrylic compounds containing an oxetanyl group such as cetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane and 2- (2-methacryloyloxyethyl) And the like.

이들 단량체 중, 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산-2-메틸글리시딜, 메타크릴산-3,4-에폭시사이클로헥실, 메타크릴산-3,4-에폭시사이클로헥실메틸, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-메틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄이 다른 단량체와의 공중합 반응성 및, 포지티브형 감방사선성 조성물의 현상성의 관점에서 바람직하다.Among these monomers, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, methacrylic acid-3,4-epoxycyclohexyl, methacrylic acid-3,4-epoxycyclohexylmethyl, 3- Methacryloyloxymethyl) -3-methyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, in view of the copolymerization reactivity with other monomers and the developability of the positive radiation-sensitive composition desirable.

[A] 중합체에 있어서의 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)의 함유량으로서는, 표시 소자용 층간 절연막의 소망하는 내열성이 발휘되는 한 특별히 한정되지 않고, 하나의 중합체 분자에 구조 단위 (I)과 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)를 포함하는 경우, [A] 중합체에 포함되는 전체 구조 단위에 대하여, 단량체 투입비로, 10질량% 이상 60질량% 이하가 바람직하고, 15질량% 이상 55질량% 이하가 보다 바람직하고, 20질량% 이상 50질량% 이하가 특히 바람직하다.The content of the epoxy group-containing structural unit (II) in the polymer [A] is not particularly limited as long as the desired heat resistance of the display interlayer insulating film is exhibited, and the content of the structural unit (I) and the epoxy group- When the unit (II) is contained, it is preferably 10 mass% or more and 60 mass% or less, more preferably 15 mass% or more and 55 mass% or less, based on the total structural units contained in the polymer [A] , And particularly preferably 20 mass% or more and 50 mass% or less.

한편, 하나의 중합체 분자에 구조 단위 (I)을 갖고, 그리고 다른 중합체 분자에 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)를 포함하는 경우, 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)를 포함하는 다른 중합체 분자에 포함되는 전체 구조 단위에 대한 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)의 함유량으로서는, 단량체 투입비로, 20질량% 이상 80질량% 이하가 바람직하고, 30질량% 이상 70질량% 이하가 보다 바람직하고, 35질량% 이상 65질량% 이하가 특히 바람직하다.On the other hand, in the case where one polymer molecule has a structural unit (I) and the other polymer molecule contains an epoxy group-containing structural unit (II), the total structure contained in another polymer molecule containing an epoxy group- The content of the epoxy group-containing structural unit (II) in the unit is preferably 20 mass% or more and 80 mass% or less, more preferably 30 mass% or more and 70 mass% or less, more preferably 35 mass% or more and 65 mass% Or less is particularly preferable.

[그 외의 구조 단위][Other structural units]

[A] 중합체는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 구조 단위 (I) 및 구조 단위 (Ⅱ) 이외의 그 외의 구조 단위를 포함하고 있어도 좋다.The polymer [A] may contain other structural units other than the structural unit (I) and the structural unit (II) within the range not impairing the effect of the present invention.

그 외의 구조 단위를 부여하는 단량체로서는, 카복실기 또는 그 유도체, 수산기를 갖는 단량체 등을 들 수 있다. Examples of the monomer giving another structural unit include a carboxyl group or a derivative thereof, and a monomer having a hydroxyl group.

상기 카복실기 또는 그 유도체를 갖는 단량체로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 2-아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-메타크릴로일옥시에틸숙신산, 2-아크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산, 2-메타크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산 등의 모노카본산; 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카본산; 상기 디카본산의 산무수물 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having the carboxyl group or derivative thereof include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, 2-acryloyloxyethylsuccinic acid, 2-methacryloyloxyethylsuccinic acid, 2-acryloyloxyethyl hexa Monocarboxylic acids such as hydrophthalic acid and 2-methacryloyloxyethylhexahydrophthalic acid; Dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid; And the acid anhydrides of the above-mentioned dicarboxylic acids.

상기 수산기를 갖는 단량체로서는, 예를 들면 아크릴산-2-하이드록시에틸에스테르, 아크릴산-3-하이드록시프로필에스테르, 아크릴산-4-하이드록시부틸에스테르, 아크릴산-4-하이드록시메틸사이클로헥실메틸에스테르 등의 아크릴산 하이드록시알킬에스테르; 메타크릴산-2-하이드록시에틸에스테르, 메타크릴산-3-하이드록시프로필에스테르, 메타크릴산-4-하이드록시부틸에스테르, 메타크릴산-5-하이드록시펜틸에스테르, 메타크릴산-6-하이드록시헥실에스테르, 메타크릴산-4-하이드록시메틸-사이클로헥실메틸에스테르 등의 메타크릴산 하이드록시알킬에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having a hydroxyl group include acrylic acid-2-hydroxyethyl ester, acrylic acid-3-hydroxypropyl ester, acrylic acid-4-hydroxybutyl ester, and acrylic acid-4-hydroxymethylcyclohexylmethyl ester Acrylic acid hydroxyalkyl esters; 2-hydroxyethyl methacrylate, 3-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, methacrylic acid-5-hydroxypentyl ester, methacrylic acid- Hydroxyethyl methacrylate, hydroxyhexyl ester, methacrylic acid-4-hydroxymethyl-cyclohexylmethyl ester, and the like.

이들 수산기를 갖는 단량체 중, 그 외의 단량체와의 공중합 반응성 및 얻어지는 표시 소자용 층간 절연막의 내열성의 관점에서, 아크릴산-2-하이드록시에틸에스테르, 아크릴산-3-하이드록시프로필에스테르, 아크릴산-4-하이드록시부틸에스테르, 메타크릴산-2-하이드록시에틸에스테르, 메타크릴산-4-하이드록시부틸에스테르, 아크릴산-4-하이드록시메틸-사이클로헥실메틸에스테르, 메타크릴산-4-하이드록시메틸-사이클로헥실메틸에스테르가 바람직하다.Among these monomers having a hydroxyl group, from the viewpoint of the copolymerization reactivity with other monomers and the heat resistance of the obtained interlayer insulating film for a display element, it is preferable to use acrylic acid-2-hydroxyethyl ester, acrylic acid-3-hydroxypropyl ester, Hydroxybutyl ester, methacrylic acid-2-hydroxyethyl ester, methacrylic acid-4-hydroxybutyl ester, acrylic acid-4-hydroxymethyl-cyclohexylmethyl ester, methacrylic acid-4-hydroxymethyl-cyclo Hexyl methyl esters are preferred.

그 외의 단량체로서는, 예를 들면 As other monomers, for example,

아크릴산 메틸, 아크릴산 i-프로필 등의 아크릴산 알킬에스테르;Acrylic acid alkyl esters such as methyl acrylate and i-propyl acrylate;

메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 n-부틸, 메타크릴산 sec-부틸, 메타크릴산 t-부틸 등의 메타크릴산 알킬에스테르;Methacrylic acid alkyl esters such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, and t-butyl methacrylate;

아크릴산 사이클로헥실, 아크릴산-2-메틸사이클로헥실, 아크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 아크릴산-2-(트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시)에틸, 아크릴산 이소보르닐 등의 아크릴산 지환식 알킬에스테르;Acrylic acid-tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl, acrylic acid -2- (tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8- yloxy Acrylic acid alicyclic alkyl esters such as ethyl and isobornyl acrylate;

메타크릴산 사이클로헥실, 메타크릴산-2-메틸사이클로헥실, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 메타크릴산-2-(트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시)에틸, 메타크릴산 이소보르닐 등의 메타크릴산 지환식 알킬에스테르;2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate, 2- (tricyclo [5.2.1.0 2, 6 ] decan-8-yloxy) ethyl methacrylate, isobornyl methacrylate and the like;

아크릴산 페닐, 아크릴산 벤질 등의 아크릴산의 아릴에스테르 및 아크릴산의 아르알킬에스테르;Aryl esters of acrylic acid such as phenyl acrylate and benzyl acrylate, and aralkyl esters of acrylic acid;

메타크릴산 페닐, 메타크릴산 벤질 등의 메타크릴산의 아릴에스테르 및 메타크릴산의 아르알킬에스테르;Aralkyl esters of methacrylic acid and aryl esters of methacrylic acid such as phenyl methacrylate and benzyl methacrylate;

말레산 디에틸, 푸마르산 디에틸, 이타콘산 디에틸 등의 디카본산 디알킬에스테르;Dicarboxylic acid dialkyl esters such as diethyl maleate, diethyl fumarate and diethyl itaconate;

메타크릴산 테트라하이드로푸르푸릴, 메타크릴산 테트라하이드로푸릴, 메타크릴산 테트라하이드로피란-2-메틸 등의 산소 1원자를 포함하는 불포화 복소 5원환 메타크릴산 에스테르 및 불포화 복소 6원환 메타크릴산 에스테르;Unsaturated complex 5-membered cyclic methacrylate esters containing one oxygen atom such as tetrahydrofuranyl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, tetrahydrofuryl methacrylate, and tetrahydropyran-2-methyl methacrylate, and unsaturated complex 6-membered methacrylic acid esters ;

4-메타크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, 4-메타크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-이소부틸-1,3-디옥소란, 4-메타크릴로일옥시메틸-2-사이클로헥실-1,3-디옥소란, 4-메타크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, 4-메타크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-이소부틸-1,3-디옥소란 등의 산소 2원자를 포함하는 불포화 복소 5원환 메타크릴산 에스테르;4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl- , 4-methacryloyloxymethyl-2-cyclohexyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl- 2-methyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane, and the like; unsaturated heterocyclic 5-membered cyclic methacrylate esters containing two oxygen atoms such as methacryloyloxymethyl-

4-아크릴로일옥시메틸-2,2-디메틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시메틸-2,2-디에틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-이소부틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시메틸-2-사이클로펜틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시메틸-2-사이클로헥실-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시에틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시프로필-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시부틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란 등의 산소 2원자를 포함하는 불포화 복소 5원환 아크릴산 에스테르;4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2,2-dimethyl- 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxy Methyl-2-cyclopentyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2-cyclohexyl-1,3-dioxolane, 4- acryloyloxyethyl- Ethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxypropyl-2-methyl-2-ethyl- Unsaturated heterocyclic 5-membered ring acrylate esters containing two oxygen atoms such as 1,3-dioxolane;

스티렌, α-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-메톡시스티렌, 4-이소프로페닐페놀 등의 비닐 방향족 화합물;Vinyl aromatic compounds such as styrene,? -Methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, p-methoxystyrene, and 4-isopropenylphenol;

N-페닐말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부틸레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트, N-(9-아크리디닐)말레이미드 등의 N위치 환 말레이미드;N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N-succinimidyl-3-maleimide benzoate, N-succinimidyl-4-maleimide butyrate, N- Maleimide caproate, N-succinimidyl-3-maleimide propionate, N- (9-acridinyl) maleimide;

1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔 등의 공액 디엔계 화합물;Conjugated diene-based compounds such as 1,3-butadiene, isoprene and 2,3-dimethyl-1,3-butadiene;

아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 염화 비닐, 염화 비닐리덴, 아세트산 비닐 등의 그 외의 불포화 화합물을 들 수 있다.And other unsaturated compounds such as acrylonitrile, methacrylonitrile, acrylamide, methacrylamide, vinyl chloride, vinylidene chloride, and vinyl acetate.

이들 그 외의 단량체 중, 스티렌, 4-이소프로페닐페놀, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 메타크릴산 테트라하이드로푸르푸릴, 1,3-부타디엔, 4-아크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, N-사이클로헥실말레이미드, N-페닐말레이미드, 메타크릴산 벤질이, 상기의 반응 관능기를 갖는 단량체와의 공중합 반응성 및, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 현상성의 점에서 바람직하다.Among these monomers, styrene, 4-isopropenylphenol, methacrylic tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl, methacrylic acid tetrahydrofurfuryl, 1,3-butadiene, 4- Acryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, N-cyclohexylmaleimide, N-phenylmaleimide and benzyl methacrylate, with monomers having the above- From the viewpoint of copolymerization reactivity and developability of the positive-tone radiation-sensitive composition.

[A] 중합체의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)으로서는, 바람직하게는 2.0×103∼1.0×105, 보다 바람직하게는 5.0×103∼5.0×104이다. [A] 중합체의 Mw를 상기 특정 범위로 함으로써, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 감도 및 알칼리 현상성을 높일 수 있다.The polystyrene-reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer [A] by gel permeation chromatography (GPC) is preferably 2.0 x 10 3 to 1.0 x 10 5 , more preferably 5.0 x 10 3 to 5.0 x 10 4 to be. By setting the Mw of the polymer [A] within the above-specified range, the sensitivity and alkali developability of the positive radiation sensitive composition can be increased.

[A] 중합체의 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 수평균 분자량(Mn)으로서는, 바람직하게는 2.0×103∼1.0×105, 보다 바람직하게는 5.0×103∼5.0×104이다. [A] 중합체의 Mn을 상기 특정 범위로 함으로써, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 도막의 경화시의 경화 반응성을 향상시킬 수 있다.The polystyrene reduced number average molecular weight (Mn) of the polymer [A] by GPC is preferably 2.0 x 10 3 to 1.0 x 10 5 , more preferably 5.0 x 10 3 to 5.0 x 10 4 . By setting the Mn of the polymer [A] within the above-specified range, the curing reactivity at the time of curing the coating film of the positive radiation-sensitive composition can be improved.

[A] 중합체의 분자량 분포(Mw/Mn)로서는, 바람직하게는 3.0 이하, 보다 바람직하게는 2.6 이하이다. [A] 중합체의 Mw/Mn을 3.0 이하로 함으로써, 얻어지는 표시 소자용 층간 절연막의 현상성을 높일 수 있다. [A] 중합체를 포함하는 당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, 현상할 때에 현상 잔사를 발생하는 일 없이 용이하게 소망하는 패턴 형상을 형성할 수 있다.The molecular weight distribution (Mw / Mn) of the polymer [A] is preferably 3.0 or less, more preferably 2.6 or less. By setting the Mw / Mn of the polymer [A] to 3.0 or less, the developability of the obtained interlayer insulating film for a display element can be enhanced. The positive-tone radiation-sensitive composition containing the polymer [A] can easily form a desired pattern shape without developing residuals during development.

또한, 본 명세서의 Mw 및 Mn은, 하기의 조건에 의한 GPC에 의해 측정했다.Mw and Mn of the present specification were measured by GPC under the following conditions.

장치: GPC-101(쇼와덴코 제조) Apparatus: GPC-101 (manufactured by Showa Denko Co., Ltd.)

칼럼: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 및 GPC-KF-804를 결합Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804

이동상: 테트라하이드로푸란Mobile phase: tetrahydrofuran

칼럼 온도: 40℃ Column temperature: 40 DEG C

유속: 1.0mL/분 Flow rate: 1.0 mL / min

시료 농도: 1.0질량%Sample concentration: 1.0 mass%

시료 주입량: 100μLSample injection amount: 100 μL

검출기: 시차굴절계 Detector: differential refractometer

표준 물질: 단분산 폴리스티렌Standard material: monodisperse polystyrene

<[A] 중합체의 합성 방법><Method of synthesizing [A] polymer>

[A] 중합체는, 상기 각 구조 단위를 부여하는 단량체의 라디칼 공중합에 의해 합성할 수 있다. 예를 들면, 동일한 중합체 분자에 구조 단위 (I) 및 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ) 양쪽을 포함하는 [A] 중합체를 합성하는 경우는, 구조 단위 (I)을 부여하는 단량체와 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)를 부여하는 단량체를 포함하는 혼합물을 이용하여 공중합시키면 좋다. 한편, 하나의 중합체 분자에 구조 단위 (I)을 갖고, 그리고 그것과는 상이한 중합체 분자에 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)를 갖는 [A] 중합체를 합성하는 경우는, 구조 단위 (I)을 부여하는 단량체를 포함하는 중합성 용액을 라디칼 중합시켜 구조 단위 (I)을 갖는 중합체 분자를 얻어 두고, 별도로 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)를 부여하는 단량체를 포함하는 중합성 용액을 라디칼 중합시켜 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)를 갖는 중합체 분자를 얻고, 마지막에 양자를 혼합하여 [A] 중합체로 하면 좋다.The polymer [A] can be synthesized by radical copolymerization of the monomers imparting the respective structural units. For example, in the case of synthesizing the polymer [A] containing both the structural unit (I) and the epoxy group-containing structural unit (II) in the same polymer molecule, it is preferable to use a monomer having a structural unit (I) Lt; RTI ID = 0.0 &gt; (II). &Lt; / RTI &gt; On the other hand, when a polymer [A] having a structural unit (I) in one polymer molecule and an epoxy group-containing structural unit (II) in a different polymer molecule is synthesized, Radical polymerization of a polymerizable solution containing a monomer to obtain a polymer molecule having a structural unit (I), and radical polymerization of a polymerizable solution containing a monomer giving an epoxy group-containing structural unit (II) separately to obtain an epoxy group- (II) is obtained, and finally the two are mixed to obtain a polymer [A].

[A] 중합체의 중합 반응에 이용되는 용매로서는, 예를 들면 후술하는 당해 조성물의 조제의 항에서 예시한 용매를 들 수 있다.Examples of the solvent used in the polymerization reaction of the polymer [A] include the solvents exemplified in the following section of the preparation of the composition of the present invention.

중합 반응에 이용되는 중합 개시제로서는, 일반적으로 라디칼 중합 개시제로서 알려져 있는 것을 사용할 수 있지만, 예를 들면 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스-(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산 메틸) 등의 아조 화합물; 벤조일퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1'-비스-(t-부틸퍼옥시)사이클로헥산 등의 유기 과산화물; 과산화 수소 등을 들 수 있다.As the polymerization initiator to be used in the polymerization reaction, those known as radical polymerization initiators can be used, and for example, 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis- (2,4- Azo compounds such as 2,2'-azobis- (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile) and 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate); Organic peroxides such as benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, t-butyl peroxy pivalate, 1,1'-bis- (t-butylperoxy) cyclohexane; Hydrogen peroxide and the like.

[A] 중합체의 중합 반응에 있어서는, 분자량을 조정하기 위해 분자량 조정제를 사용할 수도 있다. 분자량 조정제로서는, 예를 들면 클로로포름, 4브롬화 탄소 등의 할로겐화 탄화수소류; n-헥실메르캅탄, n-옥틸메르캅탄, n-도데실메르캅탄, t-도데실메르캅탄, 티오글리콜산 등의 메르캅탄류; 디메틸잔토겐술피드, 디이소프로필잔토겐디술피드 등의 잔토겐류; 테르피놀렌, α-메틸스티렌다이머 등을 들 수 있다.In the polymerization reaction of the polymer [A], a molecular weight regulator may be used to adjust the molecular weight. Examples of the molecular weight regulator include halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide; mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan and thioglycolic acid; Azetidine derivatives such as dimethylzantogen sulfide and diisopropylzantogen disulfide; Terpinolene, alpha -methylstyrene dimer, and the like.

<[B] 산발생체><[B] Arrhythmia>

[B] 산발생체는, 방사선의 조사에 의해서도 열의 부여에 의해서도 산을 발생하는 화합물이다. 방사선으로서는, 예를 들면 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, X선 등을 사용할 수 있다. 당해 포지티브형 감방사선성 조성물이, 산해리성기를 갖는 [A] 중합체와 [B] 산발생체를 함유함으로써, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물은 포지티브형의 감방사선 특성을 발휘할 수 있다. [B] 산발생체의 당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서의 함유 형태로서는, 후술하는 화합물의 형태(이하, 적절히 「[B] 산발생제」라고도 칭함)라도, [A] 중합체 또는 다른 중합체의 일부로서 조입된 산발생기의 형태라도, 이들 양쪽의 형태라도 좋다. 또한, 방사선의 조사 또는 열의 부여 중 어느 것에 의해 산발생체로부터 산을 발생시킬 것인지는, 노광 전의 프리베이킹시의 온도, 조사선의 조사량, 포스트베이킹시의 온도 등을 조정함으로써 결정할 수 있지만, [B] 산발생체로서는, 노광시의 방사선의 조사에 의해 산을 발생하고, 그리고 포스트베이킹시의 열에 의해 산을 발생하는 것이 바람직하다. 이들 [B] 산발생체를 이용함으로써, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물은 포지티브형의 감방사선 특성을 발휘할 수 있을 뿐만 아니라, 포스트베이킹시에 [C] 질소 함유 화합물을 탈보호하여 에폭시기의 가교 반응을 충분히 진행시킬 수 있다.[B] An acidogenic organism is a compound which generates an acid by the irradiation of radiation or by the application of heat. As the radiation, for example, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, X-ray and the like can be used. The positive-tone radiation-sensitive composition contains a polymer [A] having an acid-cleavable group and a [B] acid-generating organism, so that the positive-tone radiation-sensitive composition can exhibit a positive radiation-sensitive property. [B] The form of the scattered organism in the positive-tone radiation-sensitive composition of the present invention is not particularly limited as long as the form of the compound to be described later (hereinafter appropriately referred to as "[B] acid generator" Either a form of the acid generator injected as a part or a form of both of them may be used. Whether the acid is generated from the living body by irradiation of radiation or by application of heat can be determined by adjusting the temperature at the time of prebaking before exposure, the irradiation amount of radiation, the temperature at postbaking, etc., As the living body, it is preferable that an acid is generated by irradiation of radiation at the time of exposure, and an acid is generated by heat at the time of post-baking. By using these [B] acidogenic organics, not only the positive radiation-sensitive composition can exhibit positive radiation-sensitive properties, but also the [C] nitrogen-containing compound is deprotected during post-baking to perform the crosslinking reaction of the epoxy group It can be sufficiently advanced.

[B] 산발생제로서는, 옥심술포네이트 화합물, 오늄염, 술폰이미드 화합물, 할로겐 함유 화합물, 디아조메탄 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 에스테르 화합물, 퀴논디아지드 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 이들 [B] 산발생제는 각각을 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the acid generator [B] include an oxime sulfonate compound, an onium salt, a sulfonimide compound, a halogen-containing compound, a diazomethane compound, a sulfonic acid compound, a sulfonic acid ester compound and a quinone diazide compound. These [B] acid generators may be used alone or in combination of two or more.

[옥심술포네이트 화합물][Oxime sulfonate compound]

옥심술포네이트 화합물로서는, 예를 들면 하기식 (4)로 나타나는 옥심술포네이트기를 함유하는 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the oxime sulfonate compound include compounds containing an oxime sulfonate group represented by the following formula (4).

Figure 112012080700305-pct00006
Figure 112012080700305-pct00006

상기식 (4) 중, RB1은, 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 사이클로알킬기, 또는 아릴기이다. 단, 이들 기는 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환되어 있어도 좋다.In the above formula (4), R B1 is a linear or branched alkyl group, cycloalkyl group, or aryl group. However, these groups may be substituted with some or all of the hydrogen atoms.

상기 RB1로 나타나는 직쇄상 또는 분기상의 알킬기로서는, 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기가 바람직하다. 상기 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기는 치환되어 있어도 좋고, 치환기로서는 예를 들면 탄소수 1∼10의 알콕시기, 7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐기 등의 유교식 지환기를 포함하는 지환식기 등을 들 수 있다. 또한, 바람직한 지환식기로서는, 바이사이클로알킬기이다. 상기 RB1로 나타나는 아릴기로서는, 탄소수 6∼11의 아릴기가 바람직하고, 페닐기, 나프틸기가 보다 바람직하다. 상기 아릴기는 치환되어 있어도 좋고, 치환기로서는 예를 들면 탄소수 1∼5의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다.The linear or branched alkyl group represented by R B1 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. The linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms may be substituted, and examples of the substituent include a caproic ring group such as an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms and a 7,7-dimethyl-2-oxononorbornyl group And the like. The preferable alicyclic group is a bicycloalkyl group. The aryl group represented by R B1 is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, more preferably a phenyl group or a naphthyl group. The aryl group may be substituted, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, and a halogen atom.

상기식 (4)로 나타나는 옥심술포네이트기를 함유하는 화합물로서는, 예를 들면 하기식 (5)로 나타나는 옥심술포네이트 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the oxime sulfonate group-containing compound represented by the above formula (4) include an oxime sulfonate compound represented by the following formula (5).

Figure 112012080700305-pct00007
Figure 112012080700305-pct00007

상기식 (5) 중, RB1는, 상기식 (4)와 동일한 의미이다. X는, 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐 원자이다. m은, 0∼3의 정수이다. 단, X가 복수인 경우, 복수의 X는 동일해도 상이해도 좋다.In the formula (5), R B1 has the same meaning as in the formula (4). X is an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom. m is an integer of 0 to 3; Provided that when plural Xs are present, plural Xs may be the same or different.

상기 X로 나타날 수 있는 알킬기로서는, 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기가 바람직하다. 상기 X로 나타나는 알콕시기로서는, 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상의 알콕시기가 바람직하다. 상기 X로 나타나는 할로겐 원자로서는, 염소 원자, 불소 원자가 바람직하다. m으로서는, 0 또는 1이 바람직하다. 상기식 (5)에 있어서는, m이 1이고, X가 메틸기이며, X의 치환 위치가 오르토인 화합물이 바람직하다.The alkyl group which may be represented by X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkoxy group represented by X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The halogen atom represented by X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom. As m, 0 or 1 is preferable. In the above formula (5), a compound wherein m is 1, X is a methyl group, and X is an ortho substituted position is preferable.

상기식 (5)로 나타나는 옥심술포네이트 화합물로서는, 예를 들면 하기식 (5-1)∼(5-5)로 각각 나타나는 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the oxime sulfonate compound represented by the formula (5) include compounds represented by the following formulas (5-1) to (5-5), and the like.

Figure 112012080700305-pct00008
Figure 112012080700305-pct00008

상기 화합물(5-1)(5-프로필술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, 화합물(5-2)(5-옥틸술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, 화합물(5-3)(캠퍼술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, 화합물(5-4)(5-p-톨루엔술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴 및 화합물(5-5)(5-옥틸술포닐옥시이미노)-(4-메톡시페닐)아세토니트릴은, 시판품으로서 입수할 수 있다.The compound (5-1) (5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile, the compound (5-2) (5-octylsulfonyloxyimino- 5-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile, Compound 5-3 (camphorsulfonyloxyimino- , (5-4) (5- p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile and the compound (5-5) (5-octylsulfonyloxy Amino) - (4-methoxyphenyl) acetonitrile is available as a commercial product.

[오늄염][Onium salts]

오늄염으로서는, 예를 들면 디페닐요오도늄염, 트리페닐술포늄염, 술포늄염, 벤조티아조늄염, 테트라하이드로티오페늄염 등을 들 수 있다.Examples of the onium salts include diphenyl iodonium salts, triphenylsulfonium salts, sulfonium salts, benzothiazonium salts, and tetrahydrothiophenium salts.

디페닐요오도늄염으로서는, 예를 들면 디페닐요오도늄테트라플루오로보레이트, 디페닐요오도늄헥사플루오로포스포네이트, 디페닐요오도늄헥사플루오로아르세네이트, 디페닐요오도늄트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요오도늄트리플루오로아세테이트, 디페닐요오도늄-p-톨루엔술포네이트, 디페닐요오도늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄테트라플루오로보레이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄테트라플루오로보레이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄헥사플루오로아르세네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄트리플루오로메탄술포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄트리플루오로아세테이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄-p-톨루엔술포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄캠퍼술폰산 등을 들 수 있다.Examples of the diphenyl iodonium salt include diphenyl iodonium tetrafluoroborate, diphenyl iodonium hexafluorophosphate, diphenyl iodonium hexafluoroarsenate, diphenyl iodonium tri Diphenyl iodonium trifluoroacetate, diphenyl iodonium-p-toluene sulfonate, diphenyl iodonium butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate, 4- Bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluoroarsenate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium-p- (4-t-butylphenyl) iodonium camphorsulfonic acid, and the like.

트리페닐술포늄염으로서는, 예를 들면 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 트리페닐술포늄캠퍼술폰산, 트리페닐술포늄테트라플루오로보레이트, 트리페닐술포늄트리플루오로아세테이트, 트리페닐술포늄-p-톨루엔술포네이트, 트리페닐술포늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.Examples of the triphenylsulfonium salt include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium- p-toluenesulfonate, triphenylsulfonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, and the like.

술포늄염으로서는, 예를 들면 알킬술포늄염, 벤질술포늄염, 디벤질술포늄염, 치환 벤질술포늄염 등을 들 수 있다. Examples of the sulfonium salt include an alkylsulfonium salt, a benzylsulfonium salt, a dibenzylsulfonium salt, and a substituted benzylsulfonium salt.

알킬술포늄염으로서는, 예를 들면 4-아세톡시페닐디메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐디메틸술포늄헥사플루오로아르세네이트, 디메틸-4-(벤질옥시카보닐옥시)페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디메틸-4-(벤조일옥시)페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디메틸-4-(벤조일옥시)페닐술포늄헥사플루오로아르세네이트, 디메틸-3-클로로-4-아세톡시페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트 등을 들 수 있다.Examples of the alkylsulfonium salt include 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-4- (benzyloxycarbonyloxy) phenyl (Benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-3-chloro 4-acetoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, and the like.

벤질술포늄염으로서는, 예를 들면 벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로포스페이트, 4-아세톡시페닐벤질메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-메톡시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질-2-메틸-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질-3-클로로-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로아르세네이트, 4-메톡시벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다.Examples of the benzylsulfonium salt include benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexa 4-methoxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-3-chloro- 4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, and the like.

디벤질술포늄염으로서는, 예를 들면 디벤질-4-하이드록시페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-4-하이드록시페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 4-아세톡시페닐디벤질술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-4-메톡시페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-3-클로로-4-하이드록시페닐술포늄헥사플루오로아르세네이트, 디벤질-3-메틸-4-하이드록시-5-t-부틸페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-메톡시벤질-4-하이드록시페닐술포늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다.Examples of dibenzylsulfonium salts include dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenyldibenzylsulfonium Dibenzyl-4-methoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroarsenate, dibenzyl-3- Methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate and the like.

치환 벤질술포늄염으로서는, 예를 들면 p-클로로벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, p-니트로벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, p-클로로벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로포스페이트, p-니트로벤질-3-메틸-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 3,5-디클로로벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, o-클로로벤질-3-클로로-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트 등을 들 수 있다.Examples of the substituted benzylsulfonium salt include p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-nitrobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p -Chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, p-nitrobenzyl-3-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3,5-dichlorobenzyl- Hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, o-chlorobenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, and the like.

벤조티아조늄염으로서는, 예를 들면 3-벤질벤조티아조늄헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질벤조티아조늄헥사플루오로포스페이트, 3-벤질벤조티아조늄테트라플루오로보레이트, 3-(p-메톡시벤질)벤조티아조늄헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질-2-메틸티오벤조티아조늄헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질-5-클로로벤조티아조늄헥사플루오로안티모네이트 등을 들 수 있다.Examples of the benzothiazonium salt include 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluorophosphate, 3-benzylbenzothiazonium tetrafluoroborate, 3- (p- 3-benzyl-2-methylthiobenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-5-chlorobenzothiazonium hexafluoroantimonate, and the like can be used. .

테트라하이드로티오페늄염으로서는, 예를 들면 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라하이드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄노나플루오로-n-부탄술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄 1,1,2,2-테트라플루오로-2-(노르보르난-2-일)에탄술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄-2-(5-t-부톡시카보닐옥시바이사이클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄-2-(6-t-부톡시카보닐옥시바이사이클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄술포네이트 등을 들 수 있다.Examples of the tetrahydrothiophenium salt include 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen- 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- 1- (4-n-butoxy) -1,2,2-tetrafluoro-2- (norbornan- (5-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) -1,1,2,2-tetrafluoroethane (6-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) - (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophene- 1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, and the like.

[술폰이미드 화합물][Sulfonimide compound]

술폰이미드 화합물로서는, 예를 들면 N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)숙신이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)숙신이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)프탈이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)프탈이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)프탈이미드, N-(2-플루오로페닐술포닐옥시)프탈이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(트리플루오로메탄술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(노나플루오로브탄술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)-7-옥사바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)-7-옥사바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)-7-옥사바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)-7-옥사바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)-7-옥사바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카복실이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카복실이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카복실이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(페닐술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(펜타플루오로에틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(헵타플루오로프로필술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(노나플루오로부틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(에틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(프로필술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(부틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(펜틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(헥실술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(헵틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(옥틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(노닐술포닐옥시)나프틸디카복실이미드 등을 들 수 있다.Examples of the sulfonimide compounds include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (camphorsulfonyloxy) succinimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (2-trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (Camphorsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-fluorophenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (camphorsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- 2.2.1] hepto-5-ene -2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethanesulfonyloxy ) Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (nonafluorobutanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept- (Camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (camphorsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1 ] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hepto- , N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- 1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hepto- , N- (2-trifluoromethyl 2,6-dicarboxylic acid imide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept- 2,3-dicarboxylic imide, N (4-fluorophenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hepto-5- - (trifluoromethylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane- 5,6-oxy-2,3-dicarboxylic imide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane- 2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2. 1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyldicarboximide, N- (camphorsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N - (4-methylphenyl) (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylic imide, N- (4-fluoro-4-fluorophenylsulfonyloxy) (Pentafluoroethylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylic imide, N- (heptafluoropropylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (nonafluoro (Butylsulfonyloxy) naphthyldicarbamylimide, N- (ethylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (propylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (Pentylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylic imide, N- (hexylsulfonyloxy) naphthyldicarboximide, N- (heptylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylic imide, N- Naphthyldicarboxyimide, and N- (nonylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide.

[퀴논디아지드 화합물][Quinone diazide compound]

퀴논디아지드 화합물은 방사선의 조사에 의해 카본산을 발생하는 화합물이다. 퀴논디아지드 화합물로서는, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(이하, 「모핵」이라고도 칭함)과 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드와의 축합물을 이용할 수 있다.A quinone diazide compound is a compound that generates carbonic acid by irradiation with radiation. As the quinone diazide compound, a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter also referred to as &quot; mother nucleus &quot;) and 1,2-naphthoquinone diazidesulfonic acid halide can be used.

상기 모핵으로서는, 예를 들면 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 펜타하이드록시벤조페논, 헥사하이드록시벤조페논, (폴리하이드록시페닐)알칸, 그 외의 모핵 등을 들 수 있다.Examples of the above-mentioned mother nucleus include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, (polyhydroxyphenyl) alkane, and other parent nuclei.

트리하이드록시벤조페논으로서는, 예를 들면 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,4,6-트리하이드록시벤조페논 등을 들 수 있다. 테트라하이드록시벤조페논으로서는, 예를 들면 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,3'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,2'-테트라하이드록시-4'-메틸벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시-3'-메톡시벤조페논 등을 들 수 있다. 펜타하이드록시벤조페논으로서는, 예를 들면 2,3,4,2',6'-펜타하이드록시벤조페논 등을 들 수 있다. 헥사하이드록시벤조페논으로서는, 예를 들면 2,4,6,3',4',5'-헥사하이드록시벤조페논, 3,4,5,3',4',5'-헥사하이드록시벤조페논 등을 들 수 있다. (폴리하이드록시페닐)알칸으로서는, 예를 들면 비스(2,4-디하이드록시페닐)메탄, 비스(p-하이드록시페닐)메탄, 트리스(p-하이드록시페닐)메탄, 1,1,1-트리스(p-하이드록시페닐)에탄, 비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)메탄, 2,2-비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)프로판, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-하이드록시페닐)-3-페닐프로판, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 비스(2,5-디메틸-4-하이드록시페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 3,3,3',3'-테트라메틸-1,1'-스피로비인덴-5,6,7,5',6',7'-헥산올, 2,2,4-트리메틸-7,2',4'-트리하이드록시플라반 등을 들 수 있다. 그 외의 모핵으로서, 예를 들면 2-메틸-2-(2,4-디하이드록시페닐)-4-(4-하이드록시페닐)-7-하이드록시크로만, 1-[1-(3-{1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디하이드록시페닐)-1-메틸에틸]-3-(1-(3-{1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디하이드록시페닐)-1-메틸에틸)벤젠, 4,6-비스{1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸}-1,3-디하이드록시벤젠을 들 수 있다.Examples of the trihydroxybenzophenone include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone, and the like. Examples of the tetrahydroxybenzophenone include 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4'- Tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,2'-tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone, and 2,3,4,4'-tetrahydroxy-3'-methoxybenzophenone. have. Examples of the pentahydroxybenzophenone include 2,3,4,2 ', 6'-pentahydroxybenzophenone and the like. Examples of the hexahydroxybenzophenone include 2,4,6,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone Phenone, and the like. Examples of the (polyhydroxyphenyl) alkane include bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (p-hydroxyphenyl) methane, tris -Tris (p-hydroxyphenyl) ethane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, - [1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] Ethylidene] bisphenol, bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3 ', 3'- tetramethyl-1,1'-spirobindene- , 6,7,5 ', 6', 7'-hexanol, 2,2,4-trimethyl-7,2 ', 4'-trihydroxyflavone and the like. Hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman, 1- [1- (3- (4-hydroxyphenyl) Methylethyl] -3- (1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) ) -1- methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl) benzene, 4,6-bis {1- (4-hydroxyphenyl) - dihydroxybenzene.

이들 모핵 중, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 1,1,1-트리(p-하이드록시페닐)에탄, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀이 바람직하다.Among these nuclei, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane, 4,4 '- [1- [4- [1- [ 4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is preferable.

1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드로서는, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 클로라이드가 바람직하다. 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 클로라이드로서는, 예를 들면 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 클로라이드, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드 등을 들 수 있다. 이들 중, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드가 바람직하다.As the 1,2-naphthoquinone diazidesulfonic acid halide, 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid chloride is preferable. Examples of the 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid chloride include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride and the like . Of these, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride is preferable.

페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물과 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드와의 축합물로서는, 1,1,1-트리(p-하이드록시페닐)에탄과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드와의 축합물, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드와의 축합물이 바람직하다.Condensates of a phenolic compound or an alcoholic compound with 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide include 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane and 1,2-naphthoquinonediazide- Sulfonic acid chloride, a condensate of 4,4 '- [1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1- methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol and 1,2- Diazide-5-sulfonic acid chloride is preferable.

페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(모핵)과, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드와의 축합 반응에서는, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물 중의 OH기 수에 대하여, 바람직하게는 30몰%∼85몰%, 보다 바람직하게는 50몰%∼70몰%에 상당하는 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드를 이용할 수 있다. 축합 반응은, 공지의 방법에 의해 실시할 수 있다.In the condensation reaction of a phenolic compound or an alcoholic compound (mother nucleus) with 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide, the amount of the phenolic compound or the alcoholic compound is preferably 30 mol% to 85 mol %, More preferably from 50 mol% to 70 mol% of 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide. The condensation reaction can be carried out by a known method.

또한, 퀴논디아지드 화합물로서는, 상기 예시한 모핵의 에스테르 결합을 아미드 결합으로 변경한 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 아미드류, 예를 들면 2,3,4-트리아미노벤조페논 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 아미드 등도 적합하게 사용된다.Examples of the quinone diazide compound include 1,2-naphthoquinone diazidesulfonic acid amides in which the ester bond of the mother nucleus is changed to an amide bond as described above, for example, 2,3,4-triaminobenzophenone 1,2 -Naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid amide and the like are also suitably used.

[B] 산발생제로서는, 감도 및 용해성의 관점에서, 옥심술포네이트 화합물, 오늄염이 바람직하다. 옥심술포네이트 화합물로서는, 상기식 (4)로 나타나는 화합물이 바람직하고, 상기식 (5)로 나타나는 화합물이 보다 바람직하고, 시판품으로서 입수 가능한, 상기식 (5-1)∼(5-5)로 나타나는 화합물이 특히 바람직하다. 오늄염으로서는, 테트라하이드로티오페늄염, 벤질술포늄염이 바람직하고, 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라하이드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트, 벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로포스페이트가 보다 바람직하다.As the acid generator [B], oxime sulfonate compounds and onium salts are preferable from the viewpoint of sensitivity and solubility. The oxime sulfonate compound is preferably the compound represented by the formula (4), more preferably the compound represented by the formula (5), and the compounds represented by the formulas (5-1) to (5-5) Are particularly preferred. As the onium salts, tetrahydrothiophenium salts and benzylsulfonium salts are preferable, and 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, benzyl-4-hydroxy Phenylmethylsulfonium hexafluorophosphate is more preferable.

당해 조성물에 있어서의 [B] 산발생체의 함유량으로서는, [B] 산발생체가 [B] 산발생제인 경우로서, [A] 중합체 100질량부에 대하여, 바람직하게는 1질량부∼20질량부, 보다 바람직하게는 1질량부∼10질량부이다. [B] 산발생체의 함유량을 상기 특정 범위로 함으로써, 현상액이 되는 알칼리 수용액에 대한 방사선의 조사 부분과 미조사 부분과의 용해도의 차이가 커, 패터닝 성능이 양호해지고, 또한 얻어지는 표시 소자용 층간 절연막의 내열성도 양호해진다.The content of the [B] acidogenic organism in the composition is preferably from 1 part by mass to 20 parts by mass, more preferably from 1 part by mass to 20 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the polymer [A] More preferably 1 part by mass to 10 parts by mass. [B] By setting the content of the acidogenic organic matter to the above-specified range, the difference in solubility between the irradiated portion and the unirradiated portion of the irradiated portion of the aqueous alkaline solution becomes large and the patterning performance becomes good, The heat resistance of the substrate is also improved.

<[C] 질소 함유 화합물>&Lt; [C] Nitrogen-containing compound &gt;

[C] 질소 함유 화합물은, 노광시에 [B] 산발생체로부터 발생한 산으로는 탈보호되지 않고, 포스트베이킹시의 열 및 이 열에 의해 산발생체로부터 발생된 산의 협동 작용에 의해 탈보호되는 아민 화합물이다. 이 [C] 질소 함유 화합물의 포스트베이킹시의 탈보호에 의해, 아민 화합물로서의 반응성을 발휘하고, 에폭시기의 가교 반응을 충분히 진행시켜, 그 결과, 표면 경도 및 내열성이 우수한 표시 소자용 층간 절연막을 형성할 수 있다.The [C] nitrogen-containing compound is an amine which is not deprotected by an acid generated from a [B] acidogenic organism at the time of exposure and is deprotected by the heat during postbaking and by the action of the acid generated from the acidogenic organism by this heat / RTI &gt; By deprotecting the [C] nitrogen-containing compound during post-baking, the reactivity as an amine compound is exerted and the cross-linking reaction of the epoxy group proceeds sufficiently. As a result, an interlayer insulating film for a display element having excellent surface hardness and heat resistance is formed can do.

[C] 질소 함유 화합물은, 상기식 (2)로 나타나는 질소 함유 화합물 (I) 및 상기식 (3)으로 나타나는 질소 함유 화합물 (Ⅱ)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 질소 함유 화합물이다. 이하, 각 화합물을 상술한다.[C] The nitrogen-containing compound is at least one nitrogen-containing compound selected from the group consisting of the nitrogen-containing compound (I) represented by the formula (2) and the nitrogen-containing compound (II) represented by the formula (3). Hereinafter, each compound will be described in detail.

[질소 함유 화합물 (I)][Nitrogen-containing compound (I)]

상기식 (2) 중, R4 및 R5는, 각각 독립적으로 수소 원자, 아미노기, 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 탄소수 6∼20의 아릴기이다. 단, 상기 알킬기 및 아릴기는, 하이드록실기, 카복실기, 카보닐기, 에스테르기, 술폰기, 아미드기, 에테르기, 티올기, 티오에테르기, 아미노기 또는 아미디노기를 포함하고 있어도 좋다. R6은, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 4∼20의 사이클로알킬기 또는 탄소수 6∼20의 아릴기이다. 단, R4와 R5가 연결되어 서로 결합되어 있는 질소 원자와 함께 환 구조를 형성해도 좋다.In the formula (2), R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, an amino group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms. The alkyl group and the aryl group may include a hydroxyl group, a carboxyl group, a carbonyl group, an ester group, a sulfone group, an amide group, an ether group, a thiol group, a thioether group, an amino group or an amidino group. R 6 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms. Provided that R &lt; 4 &gt; and R &lt; 5 &gt; are connected to form a ring structure together with the nitrogen atom bonded to each other.

상기 R4, R5 및 R6으로 나타나는 탄소수 1∼20의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-도데실기, n-테트라데실기, n-옥타데실기 등의 직쇄상 알킬기, i-프로필기, i-부틸기, tert-부틸기, tert-아밀기, 네오펜틸기, 2-헥실기, 3-헥실기 등의 분기상 알킬기 등을 들 수 있다. 상기 R6으로 나타나는 탄소수 4∼20의 사이클로알킬기로서는, 예를 들면 사이클로프로필기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 1-메틸사이클로펜틸기, 1-에틸사이클로펜틸기, 1-메틸사이클로헥실기, 1-에틸사이클로헥실기, 2-메틸-2-노르보르닐기, 2-에틸-2-노르보르닐기 등을 들 수 있다. 상기 R4, R5 및 R6으로 나타나는 탄소수 6∼20의 아릴기로서는, 예를 들면 단환이라도 좋고, 단환이 연결된 구조라도 좋고, 축합환이라도 좋고, 예를 들면 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다. R6으로서는, [C] 질소 함유 화합물의 반응성 제어능, 산에 대한 보호 기능 및 탈보호능의 점에서, tert-부틸기, tert-아밀기, 1-메틸사이클로헥실기, 1-에틸사이클로헥실기가 바람직하다.Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 4 , R 5 and R 6 include methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, n-pentyl, , a straight chain alkyl group such as an n-dodecyl group, an n-tetradecyl group and an n-octadecyl group, an i-propyl group, an i-butyl group, a tert- And a branched alkyl group such as an acyl group and a 3-hexyl group. Examples of the cycloalkyl group having 4 to 20 carbon atoms represented by R 6 include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a 1-methylcyclopentyl group, Ethylcyclohexyl group, 1-ethylcyclohexyl group, 2-methyl-2-norbornyl group and 2-ethyl-2-norbornyl group. The aryl group having 6 to 20 carbon atoms represented by R 4 , R 5 and R 6 may be a monocyclic ring, a monocyclic ring or a condensed ring, and examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group have. As R 6, in view of the ability to control the reactivity of the [C] nitrogen-containing compound, the protecting function against the acid, and the ability to deprotect, the tertiary butyl group, tert-amyl group, 1-methylcyclohexyl group, Practical skill is preferable.

질소 함유 화합물 (I)로서는, 예를 들면 N-(tert-부톡시카보닐)-L-알라닌, N-(tert-부톡시카보닐)-L-알라닌-메틸에스테르, (S)-(-)-2-(tert-부톡시카보닐아미노)-3-사이클로헥실-1-프로판올, (R)-(+)-2-(tert-부톡시카보닐아미노)-3-메틸-1-부탄올, (R)-(+)-2-(tert-부톡시카보닐아미노)-3-페닐-1-프로판올, (S)-(-)-2-(tert-부톡시카보닐아미노)-3-페닐-1-프로판올, (R)-(+)-2-(tert-부톡시카보닐아미노)-3-페닐-2-프로판올, (S)-(-)-2-(tert-부톡시카보닐아미노)-3-페닐-2-프로판올, (R)-(+)-2-(tert-부톡시카보닐아미노)-1-프로판올, (S)-(-)-2-(tert-부톡시카보닐아미노)-1-프로판올, N-(tert-부톡시카보닐)-L-아스파라긴산 4-벤질에스테르, N-(tert-부톡시카보닐)-O-벤질-L-트레오닌, (R)-(+)-1-(tert-부톡시카보닐)-2-tert-부틸-3-메틸-4-이미다졸리디논, (S)-(-)-1-(tert-부톡시카보닐)-2-tert-부틸-3-메틸-4-이미다졸리디논, N-(tert-부톡시카보닐)-3-사이클로헥실-L-알라닌-메틸에스테르, N-(tert-부톡시카보닐)-L-시스테인-메틸에스테르, N-(tert-부톡시카보닐)에탄올아민, N-(tert-아밀옥시카보닐)에탄올아민, N-(1-메틸사이클로헥실카보닐)에탄올아민, N-(1-에틸사이클로헥실카보닐)에탄올아민, N-(tert-부톡시카보닐에틸렌디아민, N-(tert-부톡시카보닐)-D-글루코스아민, N-α-(tert-부톡시카보닐)-L-글루타민, 1-(tert-부톡시카보닐)이미다졸, N-(tert-부톡시카보닐)-L-이소류신, N-(tert-부톡시카보닐)-L-이소류신-메틸에스테르, N-(tert-부톡시카보닐)-L-로이시놀, N-α-(tert-부톡시카보닐)-L-리신, N-(tert-부톡시카보닐)-L-메티오닌, N-(tert-부톡시카보닐)-3-(2-나프틸)-L-알라닌, N-(tert-부톡시카보닐)-L-페닐알라닌, N-(tert-부톡시카보닐)-L-페닐알라닌-메틸에스테르, N-(tert-부톡시카보닐)-D-프롤린, N-(tert-부톡시카보닐)-L-프롤린, N-(tert-부톡시카보닐)-L-프롤린-N'-메톡시-N'-메틸아미드, N-(tert-부톡시카보닐)-1H-피라졸-1-카복시아미딘, (S)-(-)-1-(tert-부톡시카보닐)-2-피롤리딘메탄올, (S)-(-)-1-(tert-아밀옥시카보닐)-2-피롤리딘메탄올, (S)-(-)-1-(1-메틸사이클로헥실카보닐)-2-피롤리딘메탄올, (S)-(-)-1-(1-에틸사이클로헥실카보닐)-2-피롤리딘메탄올, (R)-(+)-1-(tert-부톡시카보닐)-2-피롤리딘메탄올, 1-(tert-부톡시카보닐)-3-[4-(1-피롤릴)페닐]-L-알라닌, N-(tert-부톡시카보닐)-L-세린, N-(tert-부톡시카보닐)-L-세린-메틸에스테르, N-(tert-부톡시카보닐)-L-트레오닌, N-(tert-부톡시카보닐)-p-톨루엔술폰아미드, N-(tert-부톡시카보닐)-S-트리틸-L-시스테인, N-α-(tert-부톡시카보닐)-L-트립토판, N-(tert-부톡시카보닐)-L-타이로신, N-(tert-부톡시카보닐)-L-타이로신메틸에스테르, N-(tert-부톡시카보닐)-L-발린, N-(tert-부톡시카보닐)-L-발린-메틸에스테르, N-(tert-부톡시카보닐)-L-발리놀, tert-부틸 카바메이트, tert-부틸 카바제이트(carbazate), tert-부틸 N-(3-하이드록시프로필)카바메이트, tert-부틸 N-(6-아미노헥실)카바메이트, tert-부틸 N-(벤질옥시)카바메이트, t-부틸 2-옥소-2,3-디하이드로옥사졸린카복실레이트, t-아밀 2-옥소-2,3-디하이드로옥사졸린카복실레이트, 1-메틸사이클로헥실 2-옥소-2,3-디하이드로옥사졸린카복실레이트, 1-에틸사이클로헥실 2-옥소-2,3-디하이드로옥사졸린카복실레이트, tert-부틸 (1S,4S)-(-)-2,5-디아자바이사이클로[2.2.1]헵탄-2-카복실레이트, tert-부틸 4-벤질-1-피페라진카복실레이트, tert-부틸 N-(2,3-디하이드록시프로필)카바메이트, tert-부틸 (S)-(-)-4-포르밀-2,2-디메틸-3-옥사졸리딘카복실레이트, tert-부틸 [R-(R*,S*)]-N-[2-하이드록시-2-(3-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]카바메이트, tert-부틸 4-옥소-1-피페리딘카복실레이트, tert-부틸 1-피롤카복실레이트, tert-부틸 1-피롤리딘카복실레이트, tert-부틸 N-(테트라하이드로-2-옥소-3-푸라닐)카바메이트 등을 들 수 있다.Examples of the nitrogen-containing compound (I) include N- (tert-butoxycarbonyl) -L-alanine, N- (tert-butoxycarbonyl) -L- ) - 2- (tert-butoxycarbonylamino) -3-cyclohexyl-1-propanol, (R) - (R) - (+) - 2- (tert-butoxycarbonylamino) -3-phenyl-1-propanol, (R) - (+) - 2- (tert-butoxycarbonylamino) -3-phenyl-2-propanol, Propanol, (R) - (+) - 2- (tert-butoxycarbonylamino) (Tert-butoxycarbonyl) -L-aspartic acid 4-benzyl ester, N- (tert-butoxycarbonyl) -O-benzyl-L-threonine, (S) - (-) - 1- (tert-butoxycarbonyl) -2-tert-butyl- Carbonyl) -2-tert-butyl-3-methyl-4-imidazoli (Tert-butoxycarbonyl) -3-cyclohexyl-L-alanine-methyl ester, N- (tert-butoxycarbonyl) -L-cysteine- N- (1-methylcyclohexylcarbonyl) ethanolamine, N- (1-ethylcyclohexylcarbonyl) ethanolamine, N- (tert-butoxycarbonyl) -L-glutamine, 1- (tert-butoxycarbonyl) -D-glucosamine, N- N- (tert-butoxycarbonyl) -L- isoleucine, N- (tert-butoxycarbonyl) -L-isoleucine- N- (tert-butoxycarbonyl) -L-lysine, N- (tert-butoxycarbonyl) -L-methionine, N- (Tert-butoxycarbonyl) -L-phenylalanine methyl ester, N- (tert-butoxycarbonyl) -L-phenylalanine, N- D-proline, N- (tert-butoxy) N- (tert-butoxycarbonyl) -L-proline-N'-methoxy-N'-methylamide, N- (S) - (-) - 1- (tert-amyloxycarbonyl) -2-pyrrolidinone Pyrrolidinemethanol, (S) - (-) - l- (1-ethyl-2-pyrrolidinecarbonyl) Pyrrolidine methanol, (R) - (+) - 1- (tert-butoxycarbonyl) -2-pyrrolidinemethanol and 1- (tert-butoxycarbonyl) L-serine, N- (tert-butoxycarbonyl) -L-serine-methyl ester , N- (tert-butoxycarbonyl) -L-threonine, N- (tert-butoxycarbonyl) -p-toluenesulfonamide, N- - Cysteine, N- (tert-butoxycarbonyl) -L-tryptophan, N- (tert-butoxycarbonyl) -L- tyrosine, N- Ester, N- (tert-butoxycarbonyl) -L-val , N- (tert-butoxycarbonyl) -L-valine-methyl ester, N- (tert-butoxycarbonyl) -L- valinol, tert- butylcarbamate, tert- butylcarbazate, butyl N- (3-hydroxypropyl) carbamate, tert-butyl N- (6-aminohexyl) carbamate, tert- butyl N- (benzyloxy) carbamate, , 3-dihydrooxazoline carboxylate, t-amyl 2-oxo-2,3-dihydrooxazoline carboxylate, 1-methylcyclohexyl 2-oxo-2,3-dihydrooxazoline carboxylate, 1- 2-oxo-2,3-dihydrooxazoline carboxylate, tert-butyl (1S, 4S) - (S) - (-) - 4-formyl-2, 3-dihydroxypropyl) carbamate, tert- 2-dimethyl-3-oxazolidinecarboxylate, tert-butyl [R- (R *, S *)] Butyl-1-pyrrolidinecarboxylate, tert-butyl N-methylcarbamate, tert-butyl N-methylcarbamate, (Tetrahydro-2-oxo-3-furanyl) carbamate.

이들 중, N-(tert-부톡시카보닐)-L-알라닌메틸에스테르, (S)-(-)-2-(tert-부톡시카보닐아미노)-3-사이클로헥실-1-프로판올, (R)-(+)-2-(tert-부톡시카보닐아미노)-3-메틸-1-부탄올, (R)-(+)-2-(tert-부톡시카보닐아미노)-3-페닐프로판올, (S)-(-)-2-(tert-부톡시카보닐아미노)-3-페닐프로판올, (R)-(+)-2-(tert-부톡시카보닐아미노)-3-페닐-1-프로판올, (S)-(-)-2-(tert-부톡시카보닐아미노)-3-페닐-1-프로판올, (R)-(+)-2-(tert-부톡시카보닐아미노)-1-프로판올, (S)-(-)-2-(tert-부톡시카보닐아미노)-1-프로판올, (R)-(+)-1-(tert-부톡시카보닐)-2-tert-부틸-3-메틸-4-이미다졸리디논, (S)-(-)-1-(tert-부톡시카보닐)-2-tert-부틸-3-메틸-4-이미다졸리디논, N-(tert-부톡시카보닐)-3-사이클로헥실-L-알라닌메틸에스테르, N-(tert-부톡시카보닐)-L-시스테인메틸에스테르, N-(tert-부톡시카보닐)에탄올아민, N-(tert-아밀옥시카보닐)에탄올아민, N-(1-메틸사이클로헥실카보닐)에탄올아민, N-(1-에틸사이클로헥실카보닐)에탄올아민, 1-(tert-부톡시카보닐)이미다졸, N-(tert-부톡시카보닐)-L-이소류신, N-(tert-부톡시카보닐)-L-이소류신메틸에스테르, N-(tert-부톡시카보닐)-L-로이시놀, N-(tert-부톡시카보닐)-D-프롤리날, N-(tert-부톡시카보닐)-L-프롤린, N-(tert-부톡시카보닐)-L-프롤린 N'-메톡시-N'-메틸아미드, N-(tert-부톡시카보닐)-1H-피라졸-1-카복시아미딘, (S)-(-)-1-(tert-부톡시카보닐)-2-피롤리딘메탄올, (S)-(-)-1-(tert-아밀카보닐)-2-피롤리딘메탄올, (R)-(+)-1-(tert-부톡시카보닐)-2-피롤리딘메탄올, N-(tert-부톡시카보닐)-S-트리틸-L-시스테인, N-α-(tert-부톡시카보닐)-L-트립토판, N-(tert-부톡시카보닐)-L-발린메틸에스테르, N-(tert-부톡시카보닐)-L-발리놀, tert-부틸 N-(3-하이드록시프로필)카바메이트, tert-부틸 N-(6-아미노헥실)카바메이트, tert-부틸 카바메이트, tert-부틸 카바제이트, tert-부틸 N-(벤질옥시)카바메이트, tert-부틸 (1S,4S)-(-)-2,5-디아자바이사이클로[2.2.1]헵탄-2-카복실레이트, tert-부틸 N-(2,3-디하이드록시프로필)카바메이트, t-부틸 2-옥소-2,3-디하이드로옥사졸린카복실레이트, t-아밀 2-옥소-2,3-디하이드로옥사졸린카복실레이트, tert-부틸 (S)-(-)-4-포르밀-2,2-디메틸-3-옥사졸리딘카복실레이트, tert-부틸 [R-(R*,S*)]-N-[2-하이드록시-2-(3-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]카바메이트, tert-부틸 4-옥소-1-피페리딘카복실레이트, tert-부틸 1-피롤카복실레이트, tert-부틸 1-피롤리딘카복실레이트, tert-부틸 (테트라하이드로-2-옥소-3-푸라닐)카바메이트가 바람직하고, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 보존시에는 반응성이 제어되고, 포스트베이킹시에 용이하게 탈보호되어 에폭시기의 가교 반응을 충분히 진행시키는 관점에서, 하기식 (2-1)∼(2-7)로 나타나는 질소 함유 화합물이 보다 바람직하다.Of these, N- (tert-butoxycarbonyl) -L-alanine methyl ester, (S) - (-) - 2- (tert- (R) - (+) - 2- (tert-butoxycarbonylamino) -3-phenyl- Propanol, (S) - (-) - 2- (tert-butoxycarbonylamino) -3-phenylpropanol, (R) - (+) - 2- Propanol, (S) - (-) - 2- (tert-butoxycarbonylamino) -3-phenyl-1-propanol, (S) - (-) - 2- (tert-butoxycarbonylamino) -1-propanol, (S) - (-) - 1- (tert-butoxycarbonyl) -2-tert-butyl-3-methyl-4-imidazole N- (tert-butoxycarbonyl) -3-cyclohexyl-L-alanine methyl ester, N- (tert-butoxycarbonyl) -L-cysteine methyl ester, N- N-propyl) ethanolamine, N- (tert-amyloxy 1- (tert-butoxycarbonyl) imidazole, N- (1-methylcyclohexylcarbonyl) ethanolamine, N- N-tert-butoxycarbonyl) -L-isoleucine, N- (tert-butoxycarbonyl) -L-isoleucine methyl ester, N- (tert-butoxycarbonyl) N- (tert-butoxycarbonyl) -L-proline N- (tert-butoxycarbonyl) -L-proline, N- (S) - (-) - 1- (tert-butoxycarbonyl) -2-pyrrolidine Methanol, (S) - (-) - 1- (tert-amylcarbonyl) -2-pyrrolidinemethanol, (R) - (+) - 1- (tert-butoxycarbonyl) (Tert-butoxycarbonyl) -S-trityl-L-cysteine, N- (tert-butoxycarbonyl) -L-tryptophane, N- (tert- -L-valine methyl ester, N- (tert-butoxycarbonyl) -L-valinol, tert-butyl N- (3-hydroxypropyl) carbamate, tert- Butyl (1S, 4S) - (-) - tert-butylcarbamate, tert-butyl N- (benzyloxy) Diazabicyclo [2.2.1] heptane-2-carboxylate, tert-butyl N- (2,3-dihydroxypropyl) carbamate, t- butyl 2-oxo-2,3-dihydro (S) - (-) - 4-formyl-2,2-dimethyl-3-oxazolidin e, (3-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] carbamate, tert-butyl 4-oxo Butyl-1-pyrrolidinecarboxylate, tert-butyl (tetrahydro-2-oxo-3-furanyl) carbamate are preferable , The reactivity is controlled when the positive-tone radiation-sensitive composition is stored, and when the post-baking is performed, It is more preferably a nitrogen-containing compound represented by the in view, the following formula (2-1) to (2-7) to sufficiently proceed cross-linking reaction of the epoxy group.

Figure 112012080700305-pct00009
Figure 112012080700305-pct00009

질소 함유 화합물 (I)은 단독 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 또한, 후술하는 염기성 화합물과 조합하여 이용해도 좋고, 조합의 첨가 비율을 바꿈으로써 가교의 정도를 컨트롤하는 것도 가능하다.The nitrogen-containing compound (I) may be used singly or in combination of two or more. Further, it may be used in combination with a basic compound described later, and the degree of crosslinking can be controlled by changing the addition ratio of the combination.

당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서, 질소 함유 화합물 (I)의 함유량으로서는, [A] 중합체 100질량부에 대하여 2질량부∼30질량부가 바람직하고, 3질량부∼20질량부가 보다 바람직하다. 질소 함유 화합물 (I)의 함유량을 상기 특정 범위로 함으로써, 에폭시기의 가교 반응을 충분히 진행시키고, 그리고 과잉량에 의한 소망하지 않은 에폭시기와의 부반응을 방지하여, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 방사선 감도 및 보존 안정성의 저하, 그리고 얻어지는 경화막의 투과율 및 전압보전율의 저하를 방지할 수 있다.In the positive-tone radiation-sensitive composition, the content of the nitrogen-containing compound (I) is preferably 2 parts by mass to 30 parts by mass, more preferably 3 parts by mass to 20 parts by mass, per 100 parts by mass of the polymer [A]. By setting the content of the nitrogen-containing compound (I) within the above-specified range, the crosslinking reaction of the epoxy group is sufficiently promoted and side reactions with undesired epoxy groups are prevented by the excess amount, and the radiation sensitivity of the positive radiation- And lowering of the storage stability and deterioration of the transmittance and the voltage holding ratio of the resulting cured film can be prevented.

[질소 함유 화합물 (Ⅱ)][Nitrogen-containing compound (II)]

질소 함유 화합물 (Ⅱ)는 상기식 (3)으로 나타나는 바와 같이, 카바메이트 구조를 분자 내에 2개 갖는다. 상기식 (3) 중, R7 및 R8은, 각각 독립적으로 상기 R4와 동일한 의미이다. R9 및 R10은, 각각 독립적으로 상기 R6과 동일한 의미이다. A는, 탄소수 1∼12의 알칸디일기 또는 탄소수 6∼20의 아릴렌기이다.The nitrogen-containing compound (II) has two carbamate structures in the molecule, as represented by the formula (3). In the above formula (3), R 7 and R 8 are each independently the same as R 4 above. R 9 and R 10 are each independently the same as R 6 above. A is an alkanediyl group having 1 to 12 carbon atoms or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms.

상기 A로 나타나는 탄소수 1∼12의 알칸디일기로서는, 예를 들면 메탄디일기, 에탄디일기, 프로판디일기, 부탄디일기, 펜탄디일기, 헥산디일기 등을 들 수 있다. 상기 A로 나타나는 탄소수 6∼20의 아릴렌기로서는, 상기식 (2)에 있어서의 R4, R5 및 R6으로 나타나는 탄소수 6∼20의 아릴기로부터 수소 원자를 2개 제거한 2가의 기를 적합하게 적용할 수 있으며, 예를 들면 페닐렌기, 나프틸렌기 등을 들 수 있다. R9 및 R10으로서는, [C] 질소 함유 화합물의 반응성 제어능, 산에 대한 보호 기능 및 탈보호능의 점에서, tert-부틸기, tert-아밀기, 1-메틸사이클로헥실기, 1-에틸사이클로헥실기가 바람직하다.The alkanediyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by A includes, for example, methanediyl, ethanediyl, propanediyl, butanediyl, pentanediyl, and hexanediyl. As the arylene group having 6 to 20 carbon atoms represented by A, a divalent group obtained by removing two hydrogen atoms from an aryl group having 6 to 20 carbon atoms represented by R 4 , R 5 and R 6 in the formula (2) For example, phenylene group, naphthylene group and the like. Examples of R 9 and R 10 include tert-butyl group, tert-amyl group, 1-methylcyclohexyl group, 1-methylcyclohexyl group, and 1-methylcyclohexyl group, from the viewpoints of reactivity control ability, An ethylcyclohexyl group is preferred.

질소 함유 화합물 (Ⅱ)로서는, 예를 들면 하기식 (3-1-1)∼(3-1-9) 및 (3-2-1)∼(3-2-4)로 나타나는 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the nitrogen-containing compound (II) include compounds represented by the following formulas (3-1-1) to (3-1-9) and (3-2-1) to (3-2-4) .

Figure 112012080700305-pct00010
Figure 112012080700305-pct00010

Figure 112012080700305-pct00011
Figure 112012080700305-pct00011

상기 질소 함유 화합물 (Ⅱ) 중, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 보존시에는 반응성이 제어되고 있어, 포스트베이킹시에 용이하게 탈보호되어 에폭시기의 가교 반응을 충분히 진행시키는 관점에서, 상기식 (3-1-3), (3-1-4), (3-1-5), (3-1-6), (3-2-1)로 나타나는 화합물이 바람직하다.In the nitrogen-containing compound (II), the reactivity is controlled when the positive-tone radiation-sensitive composition is stored, and from the viewpoint of satisfactorily deprotecting at the time of postbaking to sufficiently proceed the crosslinking reaction of the epoxy group, -1-3), (3-1-4), (3-1-5), (3-1-6) and (3-2-1).

당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서, 질소 함유 화합물 (Ⅱ)의 함유량으로서는, [A] 중합체 100질량부에 대하여 2질량부∼30질량부가 바람직하고, 3질량부∼20질량부가 보다 바람직하다. 질소 함유 화합물 (Ⅱ)의 함유량을 상기 특정 범위로 함으로써, 에폭시기의 가교 반응을 충분히 진행시키고, 그리고 과잉량에 의한 소망하지 않은 에폭시기와의 부반응을 방지하여, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 방사선 감도 및 보존 안정성의 저하, 그리고 얻어지는 경화막의 투과율 및 전압보전율의 저하를 방지할 수 있다.In the positive-tone radiation-sensitive composition, the content of the nitrogen-containing compound (II) is preferably 2 parts by mass to 30 parts by mass, more preferably 3 parts by mass to 20 parts by mass, per 100 parts by mass of the polymer [A]. By setting the content of the nitrogen-containing compound (II) to the above-specified range, the crosslinking reaction of the epoxy group is sufficiently promoted and side reactions with undesired epoxy groups are prevented by the excess amount, and the radiation sensitivity of the positive radiation- And lowering of the storage stability and deterioration of the transmittance and the voltage holding ratio of the resulting cured film can be prevented.

또한, 질소 함유 화합물 (I) 및 (Ⅱ)를 병용하는 경우, 양자의 합계가 [A] 중합체 100질량부에 대하여 2질량부∼30질량부인 것이 바람직하다.When the nitrogen-containing compounds (I) and (II) are used in combination, it is preferable that the total amount of the nitrogen-containing compounds (I) and (II) is 2 parts by mass to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer (A).

<[D] 계면활성제>&Lt; [D] Surfactant &gt;

[D] 계면활성제는, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 도막 형성성을 보다 향상시킬 수 있다. [D] 계면활성제로서는, 예를 들면 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 비이온계 계면활성제 등을 들 수 있다. 당해 포지티브형 감방사선성 조성물이, [D] 계면활성제를 함유함으로써, 도막의 표면 평활성을 향상할 수 있고, 그 결과 형성되는 표시 소자용 층간 절연막의 막두께 균일성을 보다 향상할 수 있다. 이러한 계면활성제는, 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.[D] The surfactant can further improve the film formability of the positive radiation-sensitive composition. Examples of the [D] surfactant include a fluorine-based surfactant, a silicon-based surfactant, and a nonionic surface-active agent. By containing the [D] surfactant in the positive-tone radiation-sensitive composition, the surface smoothness of the coating film can be improved, and the resulting film-thickness uniformity of the interlayer insulating film for a display element can be further improved. These surfactants may be used alone or in combination of two or more.

불소계 계면활성제로서는, 말단, 주쇄 및 측쇄의 적어도 어느 부위에 플루오로알킬기 및/또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물이 바람직하고, 예를 들면 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(1,1,2,2-테트라플루오로-n-프로필)에테르, 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(n-헥실)에테르, 헥사에틸렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타에틸렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 퍼플루오로-n-도데칸술폰산 나트륨, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-데칸, 1,1,2,2,3,3,9,9,10,10-데카플루오로-n-도데칸, 플루오로알킬벤젠술폰산 나트륨, 플루오로알킬인산 나트륨, 플루오로알킬카본산 나트륨, 디글리세린 테트라키스(플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르), 플루오로알킬암모늄요오다이드, 플루오로알킬베타인, 플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르, 퍼플루오로알킬폴리옥시에탄올, 퍼플루오로알킬알콕시레이트, 카본산 플루오로알킬에스테르 등을 들 수 있다.As the fluorine-based surfactant, a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group in at least any of the terminal, main chain and side chain is preferable, and for example, 1,1,2,2-tetrafluoro-n-octyl Tetrafluoro-n-octyl (n-hexyl) ether, hexaethylene glycol di (1,1,2,2- Hexafluoro-n-pentyl) ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3- Hexafluoro-n-pentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, perfluoro-n-dodecane sulfonic acid Sodium, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro-n-decane, 1,1,2,2,3,3,9,9,10,10-decafluoro-n-dodecane , Sodium fluoroalkylbenzenesulfonate, sodium fluoroalkylphosphate, sodium fluoroalkylcarbonate, diglycerin tetrakis (fluoroalkylpolyoxy Perfluoroalkylpolyoxyethanol, perfluoroalkylalkoxylate, carbonic acid fluoroalkyl ester, and the like can be used in combination with an organic peroxide such as methylene chloride, .

불소계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 BM-1000, BM-1100(이상, BM CHEMIE 제조), 메가팩 (Megaface) F142D, 동 F172, 동 F173, 동 F183, 동 F178, 동 F191, 동 F471, 동 F476(이상, 다이닛폰잉키카가쿠코교 제조), 플루오라드(Fluorad) FC-170C, 동 FC-171, 동 FC-430, 동 FC-431(이상, 스미토모 3M 제조), 서플론(Surflon) S-112, 동 S-113, 동 S-131, 동 S-141, 동 S-145, 동 S-382, 동 SC-101, 동 SC-102, 동 SC-103, 동 SC-104, 동 SC-105, 동 SC-106(이상, 아사히가라스 제조), 에프톱(Eftop) EF301, 동 EF303, 동 EF352(이상, 신아키타카세 제조), 프터젠트(Ftergent) FT-100, 동 FT-110, 동 FT-140A, 동 FT-150, 동 FT-250, 동 FT-251, 동 FT-300, 동 FT-310, 동 FT-400S, 동 FTX-218, 동 FT-251(이상, 네오스 제조) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the fluorinated surfactants include BM-1000, BM-1100 (manufactured by BM CHEMIE), Megaface F142D, Copper F172, Copper F173, Copper F183, Copper F178, Copper F191, Copper F471, Fluorad FC-170C, FC-171, FC-430 and FC-431 (manufactured by Sumitomo 3M Ltd.), Surflon (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Incorporated) S-112, S-113, S-131, S-141, S-145, S-382, SC-101, SC-102, SC-103 and SC-104 SC-105, SC-106 (manufactured by Asahi Glass), Eftop EF301, EF303, EF352 (manufactured by Shin Akitakase), Ftergent FT-100, 110, FT-140A, FT-150, FT-250, FT-251, Copper FT-300, Copper FT-310, Copper FT-400S, Copper FTX-218, Copper FT- And the like.

실리콘계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 토레실리콘(Toray silicone) DC3PA, 동 DC7PA, 동 SH11PA, 동 SH21PA, 동 SH28PA, 동 SH29PA, 동 SH30PA, 동 SH-190, 동 SH-193, 동 SZ-6032, 동 SF-8428, 동 DC-57, 동 DC-190, SH 8400 FLUID(이상, 토레 다우코닝 실리콘 제조), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452(이상, GE 토시바 실리콘 제조), 오르가노실록산 폴리머 KP341(신에츠카가쿠코교 제조) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available silicone surfactants include Toray silicone DC3PA, Copper DC7PA, Copper SH11PA, Copper SH21PA, Copper SH28PA, Copper SH29PA, Copper SH30PA, Copper SH-190, Copper SH-193, Copper SZ-6032 TSF-4440, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4440, TSF-4440, TSF-4440, and TSF-4460 FLUID (manufactured by Toray Dow Corning Silicone) -4452 (manufactured by GE Toshiba Silicone), and organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

비이온계 계면활성제로서는, 예를 들면 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류; 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르류; 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌디알킬에스테르류; (메타)아크릴산계 공중합체류 등을 들 수 있다. 비이온계 계면활성제의 시판품으로서는 폴리플로우(Polyflow) No.57, 95(쿄에샤카가쿠 제조) 등을 들 수 있다.Examples of the nonionic surfactant include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether and polyoxyethylene oleyl ether; Polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene octylphenyl ether and polyoxyethylene nonylphenyl ether; Polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate; (Meth) acrylic acid-based copolymer. Examples of commercially available nonionic surfactants include Polyflow No. 57 and 95 (manufactured by Kyowa Chemical Co., Ltd.).

당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서의 [D] 계면활성제의 함유량으로서는, [A] 중합체 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.05질량부 이상 5질량부 이하이며, 보다 바람직하게는 0.1질량부 이상 2질량부 이하이다. [D] 계면활성제의 함유량을 상기 특정 범위로 함으로써 기판 상에 도막을 형성할 때의 막거칠어짐을 억제할 수 있다.The content of the [D] surfactant in the positive-tone radiation-sensitive composition is preferably 0.05 parts by mass or more and 5 parts by mass or less, more preferably 0.1 parts by mass or more, per 100 parts by mass of the polymer [A] 2 parts by mass or less. By setting the content of the [D] surfactant within the above-specified range, it is possible to suppress film roughening when a coating film is formed on a substrate.

<[E] 밀착 조제><[E] Adhesion preparation>

당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서는, 기판이 되는 무기물, 예를 들면 실리콘, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 구리, 알루미늄 등의 금속과 절연막과의 접착성을 향상시키기 위해 [E] 밀착 조제를 사용할 수 있다. 이러한 밀착 조제로서는, 관능성 실란 커플링제가 바람직하게 사용된다. 관능성 실란 커플링제의 예로서는, 카복실기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기(바람직하게는 옥시라닐기), 티올기 등의 반응성 치환기를 갖는 실란 커플링제 등을 들 수 있다.In the positive-tone radiation-sensitive composition, in order to improve the adhesion between an inorganic substance serving as a substrate such as a silicon compound such as silicon, silicon oxide, or silicon nitride, a metal such as gold, copper, or aluminum, ] Adhesion aid can be used. As such an adhesion aid, a functional silane coupling agent is preferably used. Examples of the functional silane coupling agent include a silane coupling agent having a reactive substituent such as a carboxyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, an epoxy group (preferably an oxiranyl group), and a thiol group.

관능성 실란 커플링제로서는, 예를 들면 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 중, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란이 바람직하다.Examples of the functional silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane,? -Isocyanatepropyltriethoxysilane,? - Glycidoxypropyltrimethoxysilane, gamma -glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? -Chloropropyltrialkoxysilane,? -Mercaptopropyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl tri Methoxysilane and the like. Of these,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane Lt; / RTI &gt; is preferred.

당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서의 [E] 밀착 조제의 함유량으로서는, [A] 중합체 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.5질량부 이상 20질량부 이하, 보다 바람직하게는 1질량부 이상 10질량부 이하의 양으로 이용된다. [E] 밀착 조제의 양을 상기 특정 범위로 함으로써, 형성되는 표시 소자용 층간 절연막과 기판과의 밀착성이 개선된다.The content of the [E] adhesion aid in the positive-tone radiation-sensitive composition is preferably 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass or more and 10 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the polymer [A] Parts by mass or less. [E] By setting the amount of the adhesion aid to the above specific range, adhesion between the display element interlayer insulating film and the substrate is improved.

<그 외의 임의 성분>&Lt; Other optional components &gt;

당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, 상기 [A]∼[E] 성분에 더하여, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 필요에 따라서 염기성 화합물 등의 그 외의 임의 성분을 함유해도 좋다.In addition to the above components [A] to [E], the positive-tone radiation-sensitive composition may contain other optional components such as a basic compound, if necessary, without impairing the effects of the present invention.

[염기성 화합물][Basic compound]

당해 포지티브형 감방사선성 조성물이, 염기성 화합물을 함유함으로써, 노광에 의해 [B] 산발생체로부터 발생된 산의 확산 길이를 적절히 제어할 수 있어 패턴 현상성을 양호하게 할 수 있다. 염기성 화합물로서는, 화학 증폭 레지스트로 이용되는 것으로부터 임의로 선택하여 사용할 수 있으며, 예를 들면 지방족 아민, 혼성 아민류, 방향족 아민, 복소환식 아민, 카본산 4급 암모늄염 등을 들 수 있다.Since the positive-tone radiation-sensitive composition contains a basic compound, the diffusion length of the acid generated from the [B] acidogenic organism can be appropriately controlled by exposure, and the pattern developing property can be improved. The basic compound may be selected from those used as a chemically amplified resist, and examples thereof include aliphatic amines, mixed amines, aromatic amines, heterocyclic amines, and quaternary ammonium carbonic acid salts.

지방족 아민으로서는, 예를 들면 암모니아, 메틸아민, 에틸아민, n-프로필아민, 이소프로필아민, n-부틸아민, 이소부틸아민, sec-부틸아민, tert-부틸아민, 펜틸아민, tert-아밀아민, 사이클로펜틸아민, 헥실아민, 사이클로헥실아민, 헵틸아민, 옥틸아민, 노닐아민, 데실아민, 도데실아민, 세틸아민, 메틸렌디아민, 에틸렌디아민, 테트라에틸렌펜타민, 디메틸아민, 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디이소프로필아민, 디-n-부틸아민, 디이소부틸아민, 디-sec-부틸아민, 디펜틸아민, 디사이클로펜틸아민, 디헥실아민, 디사이클로헥실아민, 디헵틸아민, 디옥틸아민, 디노닐아민, 디데실아민, 디도데실아민, 디세틸아민, N,N-디메틸메틸렌디아민, N,N-디메틸에틸렌디아민, N,N-디메틸테트라에틸렌펜타민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리이소프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리이소부틸아민, 트리-sec-부틸아민, 트리펜틸아민, 트리사이클로펜틸아민, 트리헥실아민, 트리사이클로헥실아민, 트리헵틸아민, 트리옥틸아민, 트리노닐아민, 트리데실아민, 트리도데실아민, 트리세틸아민, N,N,N',N'-테트라메틸메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸테트라에틸렌펜타민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include aliphatic amines such as ammonia, methylamine, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, n-butylamine, isobutylamine, sec-butylamine, tert-butylamine, pentylamine, Such as cyclopentylamine, cyclohexylamine, cyclohexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dodecylamine, cetylamine, methylenediamine, ethylenediamine, tetraethylenepentamine, dimethylamine, diethylamine, di di-n-propylamine, di-n-butylamine, diisobutylamine, di-sec-butylamine, dipentylamine, dicyclopentylamine, dihexylamine, dicyclohexylamine, diheptyl And examples thereof include aliphatic amines such as amine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, didodecylamine, dicetylamine, N, N-dimethylmethylenediamine, N, , Triethylamine, tri-n-propylamine, triisopropylamine , Tri-n-butylamine, triisobutylamine, tri-sec-butylamine, tripentylamine, tricyclopentylamine, trihexylamine, tricyclohexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, N, N ', N'-tetramethylmethylenediamine, N, N, N', N'-tetramethylethylenediamine, N'-tetramethyltetraethylenepentamine, and the like.

혼성 아민류로서는, 예를 들면 디메틸에틸아민, 메틸에틸프로필아민, 벤질아민, 페네틸아민, 벤질디메틸아민, 디사이클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the mixed amines include dimethylethylamine, methylethylpropylamine, benzylamine, phenethylamine, benzyldimethylamine, dicyclohexylmethylamine, and the like.

방향족 아민류 및 복소환 아민류로서는, 예를 들면 아닐린, N-메틸아닐린, N-에틸아닐린, N-프로필아닐린, N,N-디메틸아닐린, 2-메틸아닐린, 3-메틸아닐린, 4-메틸아닐린, 에틸아닐린, 프로필아닐린, 트리메틸아닐린, 2-니트로아닐린, 3-니트로아닐린, 4-니트로아닐린, 2,4-디니트로아닐린, 2,6-디니트로아닐린, 3,5-디니트로아닐린, N,N-디메틸톨루이딘 등의 아닐린 유도체; 디페닐아민, 디페닐(p-톨릴)아민, 메틸디페닐아민, 트리페닐아민, 페닐렌디아민, 나프틸아민, 디아미노나프탈렌; 피롤, 2H-피롤, 1-메틸피롤, 2,4-디메틸피롤, 2,5-디메틸피롤, N-메틸피롤 등의 피롤 유도체; 옥사졸, 이소옥사졸 등의 옥사졸 유도체; 티아졸, 이소티아졸 등의 티아졸 유도체; 이미다졸, 4-메틸이미다졸, 4-메틸-2-페닐이미다졸, 벤즈이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 트리페닐이미다졸 등의 이미다졸 유도체; 피라졸 유도체, 플라잔 유도체; 피롤린, 2-메틸-1-피롤린 등의 피롤린 유도체; 피롤리딘, N-메틸피롤리딘, 피롤리디논, N-메틸피롤리돈 등의 피롤리딘 유도체; 이미다졸린 유도체, 이미다졸리딘 유도체, 피리딘, 메틸피리딘, 에틸피리딘, 프로필피리딘, 부틸피리딘, 4-(1-부틸펜틸)피리딘, 디메틸피리딘, 트리메틸피리딘, 트리에틸피리딘, 페닐피리딘, 3-메틸-2-페닐피리딘, 3-메틸-4-페닐피리딘, 4-tert-부틸피리딘, 디페닐피리딘, 벤질피리딘, 메톡시피리딘, 부톡시피리딘, 디메톡시피리딘, 1-메틸-2-피리돈, 4-피롤리디노피리딘, 1-메틸-4-페닐피리딘, 2-(1-에틸프로필)피리딘, 아미노피리딘, 디메틸아미노피리딘, 니코틴 등의 피리딘 유도체; 피리다진 유도체, 피리미딘 유도체, 피라진 유도체, 피라졸 유도체, 피라졸린 유도체, 피라졸리딘 유도체, 피페리딘 유도체, 피페라진 유도체; 모르폴린, 4-메틸모르폴린 등의 모르폴린 유도체; 인돌 유도체, 이소인돌 유도체, 1H-인다졸 유도체, 인돌린 유도체; 퀴놀린, 3-퀴놀린카보니트릴, 8-옥시퀴놀린 등의 퀴놀린 유도체; 이소퀴놀린 유도체, 신놀린 유도체, 퀴나졸린 유도체, 퀴녹사린 유도체, 프탈라진 유도체, 퓨린 유도체, 프테리딘 유도체, 카르바졸 유도체, 페난트리딘 유도체, 아크리딘 유도체, 페나진 유도체, 1,10-페난트롤린 유도체, 아데닌 유도체, 아데노신 유도체, 구아닌 유도체, 구아노신 유도체, 우라실 유도체, 우리딘 유도체, 1,5-디아자바이사이클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자바이사이클로[5.3.0]-7-운데센 등의 다환식 아민 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amines and heterocyclic amines include aniline, N-methylaniline, N-ethyl aniline, N-propylaniline, N, N-dimethylaniline, 2-methylaniline, Nitroaniline, 4-nitroaniline, 2,4-dinitroaniline, 2,6-dinitroaniline, 3,5-dinitroaniline, N, N-diethylaniline, Aniline derivatives such as N-dimethyltoluidine; Diphenylamine, diphenyl (p-tolyl) amine, methyldiphenylamine, triphenylamine, phenylenediamine, naphthylamine, diaminonaphthalene; Pyrrole derivatives such as pyrrole, 2H-pyrrole, 1-methylpyrrole, 2,4-dimethylpyrrole, 2,5-dimethylpyrrole and N-methylpyrrole; Oxazole derivatives such as oxazole and isoxazole; Thiazole derivatives such as thiazole and isothiazole; Imidazole derivatives such as imidazole, 4-methylimidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole, benzimidazole, 2-phenylbenzimidazole and triphenylimidazole; Pyrazole derivatives, &lt; / RTI &gt; Pyrroline derivatives such as pyrroline and 2-methyl-1-pyrroline; Pyrrolidine derivatives such as pyrrolidine, N-methylpyrrolidine, pyrrolidinone, and N-methylpyrrolidone; Imidazolidine derivatives, pyridine, methylpyridine, ethylpyridine, propylpyridine, butylpyridine, 4- (1-butylpentyl) pyridine, dimethylpyridine, trimethylpyridine, triethylpyridine, phenylpyridine, 3- Methyl-4-phenylpyridine, 4-tert-butylpyridine, diphenylpyridine, benzylpyridine, methoxypyridine, butoxypyridine, dimethoxypyridine, 1-methyl- Pyridine derivatives such as 4-pyrrolidinopyridine, 1-methyl-4-phenylpyridine, 2- (1-ethylpropyl) pyridine, aminopyridine, dimethylaminopyridine and nicotine; Pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, pyrazole derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolidine derivatives, piperidine derivatives, piperazine derivatives; Morpholine derivatives such as morpholine and 4-methylmorpholine; Indole derivatives, isoindole derivatives, 1H-indazole derivatives, indoline derivatives; Quinoline derivatives such as quinoline, 3-quinolinecarbonitrile and 8-oxyquinoline; A quinoxaline derivative, a quinoxaline derivative, a phthalazine derivative, a purine derivative, a pyridine derivative, a carbazole derivative, a phenanthridine derivative, an acridine derivative, a phenazine derivative, an isoquinoline derivative, a cinnoline derivative, Dianhydrides, adenine derivatives, guanine derivatives, guanosine derivatives, uracil derivatives, uridine derivatives, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [ And cyclic amines such as cyclo [5.3.0] -7-undecene.

카본산 4급 암모늄염으로서는, 예를 들면 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.Examples of the carbonic acid quaternary ammonium salt include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate and tetra-n-butylammonium benzoate.

또한, 하기식 (6) 및 (7)로 나타나는 염기성 화합물 등을 들 수 있다.Further, basic compounds represented by the following formulas (6) and (7) and the like can be given.

Figure 112012080700305-pct00012
Figure 112012080700305-pct00012

상기식 (6) 및 (7) 중, R41, R42, R43, R47 및 R48은, 각각 독립적으로 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상의 탄소수 1∼20의 알킬렌기이다. R44, R45, R46, R49 및 R50은, 수소 원자 또는 탄소수 1∼20의 알킬기이다. 단, 이 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부는 아미노기로 치환되어 있어도 좋다. R44와 R45, R45와 R46, R44와 R46, R44와 R45와 R46, R49와 R50은, 각각 결합되어 환 구조를 형성해도 좋다. S, T, U는, 각각 독립적으로 0∼20의 정수이다. 단, S, T, U가 모두 0일 때, R44, R45, R46, R49, R50이 모두 수소 원자인 경우는 없다.In the formulas (6) and (7), R 41 , R 42 , R 43 , R 47 and R 48 each independently represent a straight chain, branched chain or cyclic alkylene group having 1 to 20 carbon atoms. R 44 , R 45 , R 46 , R 49 and R 50 are each a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Provided that some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group may be substituted with an amino group. R 44 and R 45 , R 45 and R 46 , R 44 and R 46 , R 44 and R 45 and R 46 and R 49 and R 50 may be bonded to each other to form a ring structure. S, T, and U are each independently an integer of 0 to 20. When S, T and U are all 0, R 44 , R 45 , R 46 , R 49 and R 50 are not all hydrogen atoms.

상기 R41, R42, R43, R47 및 R48로 나타나는 알킬렌기의 탄소수로서는 1∼20이며, 바람직하게는 1∼10, 보다 바람직하게는 1∼8이다. 구체적으로는, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, 이소프로필렌기, n-부틸렌기, 이소부틸렌기, n-펜틸렌기, 이소펜틸렌기, 헥실렌기, 노닐렌기, 데실렌기, 사이클로펜틸렌기, 사이클로헥실렌기 등을 들 수 있다.The number of carbon atoms of the alkylene group represented by R 41 , R 42 , R 43 , R 47 and R 48 is 1 to 20, preferably 1 to 10, and more preferably 1 to 8. Specific examples thereof include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, an isopropylene group, an n-butylene group, an isobutylene group, an n-pentylene group, an isopentylene group, a hexylene group, a nonylene group, And a cyclohexylene group.

상기 R44, R45, R46, R49 및 R50으로 나타나는 알킬기의 탄소수로서는 1∼20이며, 바람직하게는 1∼8, 보다 바람직하게는 1∼6이다. 이들은 직쇄상, 분기상 또는 환상의 어느 것이라도 좋다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 헥실기, 노닐기, 데실기, 도데실기, 트리데실기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등을 들 수 있다.The number of carbon atoms of the alkyl group represented by R 44 , R 45 , R 46 , R 49 and R 50 is 1 to 20, preferably 1 to 8, more preferably 1 to 6. These may be linear, branched or cyclic. Specific examples thereof include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, An acyl group, a tridecyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group.

R44와 R45, R45와 R46, R44와 R46, R44와 R45와 R46, R49와 R50이 환 구조를 형성하는 경우, 탄소수는 대표적으로는 1∼20이며, 바람직하게는 1∼8, 보다 바람직하게는 1∼6이다. 또한, 이들 환 구조는 탄소수 1∼6, 바람직하게는 1∼4의 알킬기가 분기되어 있어도 좋다. S, T, U로서는, 바람직하게는 1∼10, 보다 바람직하게는 1∼8의 정수이다.When R 44 and R 45 , R 45 and R 46 , R 44 and R 46 , R 44 and R 45 and R 46 and R 49 and R 50 form a cyclic structure, the number of carbon atoms is typically 1 to 20, Preferably 1 to 8, and more preferably 1 to 6. These ring structures may have branched alkyl groups of 1 to 6 carbon atoms, preferably 1 to 4 carbon atoms. S, T, and U are preferably an integer of 1 to 10, and more preferably an integer of 1 to 8.

상기식 (6) 및 (7)로 나타나는 염기성 화합물로서는, 예를 들면 트리스{2-(메톡시메톡시)에틸}아민, 트리스{2-(메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스[2-{(2-메톡시에톡시)메톡시}에틸]아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시프로폭시)에틸}아민, 트리스[2-{(2-하이드록시에톡시)에톡시}에틸]아민, 4,7,13,16,21,24-헥사옥사-1,10-디아자바이사이클로[8.8.8]헥사코산, 4,7,13,18-테트라옥사-1,10-디아자바이사이클로[8.5.5]에이코산, 1,4,10,13-테트라옥사-7,16-디아자비사이클로옥타데칸, 1-아자-12-크라운-4, 1-아자-15-크라운-5, 1-아자-18-크라운-6 등을 들 수 있다.Examples of the basic compound represented by the above formulas (6) and (7) include tris {2- (methoxymethoxy) ethyl} amine, tris {2- (methoxyethoxy) ethyl} amine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl} Ethyl} amine, tris [2- (1-ethoxyethoxy) ethyl] amine, tris {2- 4,7,13,16,21,24-hexaoxa-1,10-diazabicyclo [8.8.8] hexacosane, 4,7,13,18-tetraoxa-1,10-diazabicyclo [8.5 5] eicosane, 1,4,10,13-tetraoxa-7,16-diazabicyclooctadecane, 1-aza-12-crown-4, 1-aza- -18-crown-6, and the like.

염기성 화합물로서는, 제3급 아민, 아닐린 유도체, 피롤리딘 유도체, 피리딘 유도체, 퀴놀린 유도체, 아미노산 유도체, 트리스{2-(메톡시메톡시)에틸}아민, 트리스{(2-(2-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스[2-{(2-메톡시에톡시)메틸}에틸]아민, 1-아자-15-크라운-5가 바람직하다.Examples of the basic compound include tertiary amines, aniline derivatives, pyrrolidine derivatives, pyridine derivatives, quinoline derivatives, amino acid derivatives, tris {2- (methoxymethoxy) ethyl} amine, tris { Ethoxy) ethyl} amine, tris [2 - {(2-methoxyethoxy) methyl} ethyl] amine and 1-aza-15-crown-5.

당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서의 염기성 화합물의 함유량으로서는, [A] 중합체 100질량부에 대하여 0.001질량부∼1질량부가 바람직하고, 0.005질량부∼0.2질량부가 보다 바람직하다. 염기성 화합물의 함유량을 상기 특정 범위로 함으로써, 패턴 현상성이 보다 향상된다.The content of the basic compound in the positive-tone radiation-sensitive composition is preferably 0.001 part by mass to 1 part by mass, more preferably 0.005 part by mass to 0.2 part by mass, relative to 100 parts by mass of the polymer [A]. By setting the content of the basic compound within the above-specified range, the pattern developability is further improved.

<포지티브형 감방사선성 조성물의 조제 방법>&Lt; Process for preparing positive-tone radiation-sensitive composition &gt;

당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, 용매에 [A] 중합체, [B] 산발생체, 필요에 따라서 적합 성분인 [C] 질소 함유 화합물 및, 그 외의 임의 성분을 혼합함으로써 용해 또는 분산시킨 상태로 조제된다. 예를 들면 용매 중에서, 각 성분을 소정의 비율로 혼합함으로써, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물을 조제할 수 있다.The positive-tone radiation-sensitive composition is prepared by dissolving or dispersing the [A] polymer, the [B] acidogenic organopolysiloxane, the [C] nitrogen-containing compound as a suitable component, and other optional components, do. For example, the positive radiation-sensitive composition can be prepared by mixing the components in a predetermined ratio in a solvent.

용매로서는, 각 성분이 균일하게 용해 또는 분산되고, 각 성분과 반응하지 않는 것이 적합하게 이용된다. 용매로서는, 예를 들면 알코올류, 에테르류, 글리콜에테르, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 기타 에스테르류 등을 들 수 있다. 또한, 이들 용매는, 단독 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.As the solvent, those in which each component is uniformly dissolved or dispersed and do not react with each component are suitably used. Examples of the solvent include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionate , Aromatic hydrocarbons, ketones, and other esters. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

알코올류로서는, 예를 들면 메탄올, 에탄올, 벤질알코올, 2-페닐에틸알코올, 3-페닐-1-프로판올 등을 들 수 있다.Examples of alcohols include methanol, ethanol, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol and the like.

에테르류로서는, 예를 들면 테트라하이드로푸란 등을 들 수 있다.As the ethers, for example, tetrahydrofuran and the like can be mentioned.

글리콜에테르로서, 예를 들면 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등을 들 수 있다.As the glycol ether, for example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether and the like can be given.

에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류로서는, 예를 들면 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등을 들 수 있다.Examples of the ethylene glycol alkyl ether acetates include methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate and the like.

디에틸렌글리콜알킬에테르로서는, 예를 들면 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등을 들 수 있다.Examples of the diethylene glycol alkyl ether include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether and the like.

프로필렌글리콜모노알킬에테르로서는, 예를 들면 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등을 들 수 있다.Examples of the propylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monobutyl ether.

프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류로서는, 예를 들면 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등을 들 수 있다.Examples of the propylene glycol monoalkyl ether acetates include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, and propylene glycol monobutyl ether acetate.

프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트로서는, 예를 들면 프로필렌모노글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르프로피오네이트 등을 들 수 있다.Examples of the propylene glycol monoalkyl ether propionate include propylene monoglycol methyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate, and the like. .

방향족 탄화수소류로서는, 예를 들면 톨루엔, 자일렌 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic hydrocarbons include toluene, xylene, and the like.

케톤류로서는, 예를 들면 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로헥산온, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜탄온 등을 들 수 있다.Examples of the ketones include methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone.

기타 에스테르류로서는, 예를 들면 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 프로필, 아세트산 부틸, 2-하이드록시프로피온산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 하이드록시아세트산 메틸, 하이드록시아세트산 에틸, 하이드록시아세트산 부틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 프로필, 락트산 부틸, 3-하이드록시프로피온산 메틸, 3-하이드록시프로피온산 에틸, 3-하이드록시프로피온산 프로필, 3-하이드록시프로피온산 부틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산 메틸, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 프로필, 메톡시아세트산 부틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸, 에톡시아세트산 프로필, 에톡시아세트산 부틸, 프로폭시아세트산 메틸, 프로폭시아세트산 에틸, 프로폭시아세트산 프로필, 프로폭시아세트산 부틸, 부톡시아세트산 메틸, 부톡시아세트산 에틸, 부톡시아세트산 프로필, 부톡시아세트산 부틸, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-메톡시프로피온산 부틸, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸, 2-에톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 부틸, 2-부톡시프로피온산 메틸, 2-부톡시프로피온산 에틸, 2-부톡시프로피온산 프로필, 2-부톡시프로피온산 부틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-메톡시프로피온산 프로필, 3-메톡시프로피온산 부틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 프로필, 3-에톡시프로피온산 부틸, 3-프로폭시프로피온산 메틸, 3-프로폭시프로피온산 에틸, 3-프로폭시프로피온산 프로필, 3-프로폭시프로피온산 부틸, 3-부톡시프로피온산 메틸, 3-부톡시프로피온산 에틸, 3-부톡시프로피온산 프로필, 3-부톡시프로피온산 부틸 등을 들 수 있다.Examples of other esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy- Hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, Propyl methoxyacetate, propyl methoxy propionate, butyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, ethoxyacetate, ethoxyacetate, , Butyl ethoxyacetate, methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propoxyacetate Methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, Ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, ethyl 2-butoxypropionate, 2- Methoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, propyl 3-methoxypropionate, butyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, 3- Ethyl propoxypropionate, propyl 3-ethoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, Butyl, 3-propoxypropionate, ethyl 3-butoxypropionate, propyl 3-butoxypropionate and butyl 3-butoxypropionate.

이들 용매 중, 용해성 또는 분산성이 우수할 것, 각 성분과 비반응성일 것 및, 도막 형성의 용이성의 관점에서, 디알킬에테르 등의 에테르류, 디에틸렌글리콜알킬에테르류, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 케톤류 및 에스테르류가 바람직하고, 특히, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 사이클로헥산온, 아세트산 프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 부틸, 2-하이드록시프로피온산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 프로필, 락트산 부틸, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸이 바람직하고, 디이소프로필에테르, 디-n-부틸에테르, 디-n-펜틸에테르, 디이소펜틸에테르, 디-n-헥실에테르 등의 디알킬에테르 등의 에테르류가 보다 바람직하고, 디이소펜틸에테르가 특히 바람직하다. 이러한 용매를 이용함으로써, 감방사선성 조성물을 슬릿 도포법으로 대형 유리 기판에 도포할 때에, 건조 공정 시간을 단축할 뿐만 아니라, 도포성을 보다 한층 향상(도포 얼룩을 억제)하는 것이 가능해진다.Among these solvents, from the viewpoints of excellent solubility or dispersibility, non-reactivity with each component, and easiness of forming a film, it is preferable to use an ether such as a dialkyl ether, a diethylene glycol alkyl ether, an ethylene glycol alkyl ether acetate Propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, ketones and esters are preferable, and in particular, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve, Propyleneglycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, cyclohexanone, propyl acetate, i-propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate , Methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, 2- Methyl propionate, ethyl lactate, methyl lactate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 2-methoxypropionate and ethyl 2-methoxypropionate are preferable, and diisopropyl ether, Di-n-pentyl ether, diisopentyl ether and di-n-hexyl ether are more preferable, and diisopentyl ether is particularly preferable. By using such a solvent, when the radiation sensitive composition is applied to a large glass substrate by a slit coating method, it is possible not only to shorten the drying process time but also to further improve the coating property (suppress coating unevenness).

또한, 상기 용매에 더하여, 필요에 따라서, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 아세토닐아세톤, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 페닐셀로솔브아세테이트, 카비톨아세테이트 등의 고비점 용매를 병용할 수도 있다.Further, in addition to the above-mentioned solvent, if necessary, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, acetonyl acetone, isophorone, Benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate,? -Butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, phenyl cellosolve acetate, And a high boiling solvent such as carbitol acetate may be used in combination.

포지티브형 감방사선성 조성물을 용액 또는 분산액 상태로서 조제하는 경우, 액 중에서 차지하는 용매 이외의 성분의 비율은, 사용 목적이나 소망하는 막두께 등에 따라 임의로 설정할 수 있지만, 바람직하게는 5질량%∼50질량%, 보다 바람직하게는 10질량%∼40질량%, 특히 바람직하게는 15질량%∼35질량%이다.When the positive radiation-sensitive composition is prepared in the form of a solution or a dispersion, the proportion of the components other than the solvent in the solution can be set arbitrarily depending on the purpose of use and the desired film thickness, but is preferably 5 mass% to 50 mass %, More preferably 10% by mass to 40% by mass, and particularly preferably 15% by mass to 35% by mass.

<표시 소자용 층간 절연막의 형성 방법>&Lt; Method of forming interlayer insulating film for display element &gt;

당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, 표시 소자용 층간 절연막의 형성 재료로서 적합하다. 또한, 본 발명에는, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물로 형성되는 표시 소자용 층간 절연막도 적합하게 포함된다.The positive-tone radiation-sensitive composition is suitable as a material for forming an interlayer insulating film for a display element. Further, the present invention suitably includes an interlayer insulating film for a display element formed of the positive-tone radiation-sensitive composition.

본 발명의 표시 소자용 층간 절연막의 형성 방법은,In the method of forming an interlayer insulating film for a display element of the present invention,

(1) 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정,(1) a step of forming a coating film of the positive radiation-sensitive composition on a substrate,

(2) 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,(2) a step of irradiating at least a part of the coating film with radiation,

(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,(3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation, and

(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 공정을 갖는다.(4) heating the developed coating film.

당해 포지티브형 감방사선성 조성물을 이용하는 본 발명의 형성 방법에 의해, 표면 경도 및 내열성이 우수하고 투과율 및 전압보전율을 충분히 만족하는 표시 소자용 층간 절연막을 형성할 수 있다. 이하, 각 공정을 상술한다.By the forming method of the present invention using the positive-tone radiation-sensitive composition, an interlayer insulating film for a display element which is excellent in surface hardness and heat resistance and sufficiently satisfactory in transmittance and voltage holding ratio can be formed. Hereinafter, each process will be described in detail.

[공정 (1)][Step (1)]

본 공정에서는, 기판 상에 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 용액 또는 분산액을 도포한 후, 바람직하게는 도포면을 프리베이킹함으로써 용매를 제거하여 도막을 형성한다. 도포 방법으로서는, 예를 들면 스프레이법, 롤 코트법, 회전 도포법(스핀 코트법), 슬릿 다이 도포법, 바 도포법 등을 들 수 있다. 이들 중, 스핀 코트법, 슬릿 다이 도포법이 바람직하고, 슬릿 다이 도포법이 보다 바람직하다.In the present step, the solution or dispersion of the positive-tone radiation-sensitive composition is applied onto the substrate, and then the coated surface is preferably pre-baked to remove the solvent to form a coated film. Examples of the application method include a spray method, a roll coating method, a rotary coating method (spin coating method), a slit die coating method, and a bar coating method. Of these, the spin coating method and the slit die coating method are preferable, and the slit die coating method is more preferable.

기판으로서는, 예를 들면 유리, 석영, 실리콘, 수지 등을 들 수 있다. 수지로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 환상 올레핀의 개환 중합체 및 그 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 프리베이킹의 조건으로서는, 각 성분의 종류, 배합 비율 등에 따라 상이하지만, 70℃∼120℃, 1분∼10분간 정도로 할 수 있다.Examples of the substrate include glass, quartz, silicon, resin, and the like. Examples of the resin include ring-opening polymers of polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate, polyimide and cyclic olefin, and hydrogenated products thereof. The conditions for prebaking vary depending on the kind of each component, blending ratio, etc., but can be set to about 70 to 120 캜 for about 1 to 10 minutes.

[공정 (2)][Step (2)]

본 공정에서는, 상기 형성된 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하여 노광한다. 노광할 때에는, 통상 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 개재하여 노광한다. 노광에 사용되는 방사선으로서는, 파장이 190㎚∼450㎚의 범위에 있는 방사선이 바람직하고, 365㎚의 자외선을 포함하는 방사선이 보다 바람직하다. 노광량으로서는, 방사선의 파장 365㎚에 있어서의 강도를, 조도계(OAI model 356, OAI Optical Associates 제조)에 의해 측정한 값으로, 300J/㎡∼5,000J/㎡가 바람직하고, 400J/㎡∼1,500J/㎡가 보다 바람직하다.In this step, at least a part of the formed coating film is exposed to radiation. When exposure is performed, exposure is usually performed through a photomask having a predetermined pattern. As the radiation used for exposure, radiation having a wavelength in the range of 190 nm to 450 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet light of 365 nm is more preferable. The exposure dose is preferably 300 J / m 2 to 5,000 J / m 2, more preferably 400 J / m 2 to 1,500 J / m 2, as measured by a light meter (OAI model 356, manufactured by OAI Optical Associates) / M &lt; 2 &gt; is more preferable.

[공정 (3)][Step (3)]

본 공정에서는, 상기 방사선이 조사된 도막을 현상한다. 노광 후의 도막을 현상함으로써, 불필요한 부분(방사선의 조사 부분)을 제거하여 소정의 패턴을 형성한다. 현상 공정에 사용되는 현상액으로서는, 알칼리성의 수용액이 바람직하다. 알칼리로서는, 예를 들면 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨, 암모니아 등의 무기 알칼리; 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드 등의 4급 암모늄염 등을 들 수 있다.In this step, the coated film irradiated with the radiation is developed. By developing the coated film after exposure, unnecessary portions (irradiated portions of radiation) are removed to form a predetermined pattern. As the developing solution used in the developing step, an alkaline aqueous solution is preferable. Examples of the alkali include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate and ammonia; Quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, and the like.

알칼리 수용액에는, 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매나 계면활성제를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다. 알칼리 수용액에 있어서의 알칼리의 농도로서는, 적당한 현상성을 얻는 관점에서, 0.1질량% 이상 5질량% 이하가 바람직하다. 현상 방법으로서는, 예를 들면 퍼들법, 딥핑법, 요동 침지법, 샤워법 등을 들 수 있다. 현상 시간으로서는, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 조성에 따라 상이하지만, 10초∼180초간 정도이다. 이러한 현상 처리에 이어서, 예를 들면 유수 세정을 30초∼90초간 행한 후, 예를 들면 압축 공기나 압축 질소로 풍건시킴으로써, 소망하는 패턴을 형성할 수 있다.To the aqueous alkali solution, a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant may be added in an appropriate amount. The concentration of the alkali in the aqueous alkali solution is preferably 0.1% by mass or more and 5% by mass or less from the viewpoint of achieving adequate developability. Examples of the developing method include a puddle method, a dipping method, a swing dipping method, a shower method, and the like. The developing time varies depending on the composition of the positive-tone radiation-sensitive composition and is, for example, about 10 seconds to 180 seconds. Following this development processing, for example, water washing is carried out for 30 seconds to 90 seconds, and then air is blown with compressed air or compressed nitrogen, for example, to form a desired pattern.

[공정 (4)][Step (4)]

본 공정에서는, 상기 현상된 도막을 가열한다. 가열에는, 핫플레이트, 오븐 등의 가열 장치를 이용하여, 패터닝된 박막을 가열함으로써, [A] 중합체 및 [C] 질소 함유 화합물의 경화 반응을 촉진하여, 경화물을 얻을 수 있다. 가열 온도로서는, 예를 들면 120℃∼250℃ 정도이다. 가열 시간으로서는, 가열 기기의 종류에 따라 상이하지만, 예를 들면 핫플레이트에서는 5분∼30분간 정도, 오븐에서는 30분∼90분간 정도이다. 또한, 2회 이상의 가열 공정을 행하는 스텝베이킹법 등을 이용할 수도 있다. 이와 같이 하여, 목적으로 하는 표시 소자용 층간 절연막에 대응하는 패턴 형상 박막을 기판의 표면 상에 형성할 수 있다. 또한, 상기 경화막의 용도로서는, 표시 소자용 층간 절연막으로 한정되지 않고, 스페이서나 보호막으로도 이용할 수 있다.In this step, the developed coating film is heated. For heating, the patterned thin film is heated by using a heating apparatus such as a hot plate or an oven to accelerate the curing reaction of the [A] polymer and the [C] nitrogen-containing compound to obtain a cured product. The heating temperature is, for example, about 120 ° C to 250 ° C. The heating time varies depending on the type of the heating apparatus, for example, about 5 minutes to 30 minutes for a hot plate and 30 minutes to 90 minutes for an oven. Further, a step baking method in which two or more heating steps are performed may be used. In this manner, a patterned thin film corresponding to the target interlayer insulating film for a display element can be formed on the surface of the substrate. The use of the cured film is not limited to the interlayer insulating film for a display element, and can also be used as a spacer or a protective film.

형성된 표시 소자용 층간 절연막의 막두께로서는, 바람직하게는 0.1㎛∼8㎛, 보다 바람직하게는 0.1㎛∼6㎛, 특히 바람직하게는 0.1㎛∼4㎛이다.The film thickness of the formed interlayer insulating film for a display element is preferably 0.1 mu m to 8 mu m, more preferably 0.1 mu m to 6 mu m, particularly preferably 0.1 mu m to 4 mu m.

실시예Example

이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 상술하지만, 이 실시예의 기재에 기초하여 본 발명이 한정적으로 해석되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail on the basis of examples, but the present invention is not limitedly interpreted based on the description of this example.

<[A] 성분의 합성>&Lt; Synthesis of Component [A] &gt;

[합성예 1][Synthesis Example 1]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 이어서 메타크릴산 5질량부, 1-에톡시에틸메타크릴레이트 40질량부, 스티렌 5질량부, 메타크릴산 글리시딜 40질량부, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 10질량부 및, α-메틸스티렌다이머 3질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체 (A-1)을 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체 (A-1)의 Mw는 9,000이었다. 중합체 용액의 고형분 농도는 32.1질량%였다.A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 5 parts by mass of methacrylic acid, 40 parts by mass of 1-ethoxyethyl methacrylate, 5 parts by mass of styrene, 40 parts by mass of glycidyl methacrylate, 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate, And 3 parts by mass of methylstyrene dimer were added and the mixture was purged with nitrogen, and stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 캜, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-1). The Mw of the polymer (A-1) was 9,000. The solid concentration of the polymer solution was 32.1 mass%.

[합성예 2][Synthesis Example 2]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 이어서 메타크릴산 5질량부, 2-테트라하이드로피라닐메타크릴레이트 40질량부, 스티렌 5질량부, 메타크릴산 글리시딜 40질량부, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 10질량부 및α-메틸스티렌다이머 3질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체 (A-2)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체 (A-2)의 Mw는 9,000이었다. 중합체 용액의 고형분 농도는 31.3질량%였다.A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 5 parts by mass of methacrylic acid, 40 parts by mass of 2-tetrahydropyranyl methacrylate, 5 parts by mass of styrene, 40 parts by mass of glycidyl methacrylate, 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate, And 3 parts by mass of methylstyrene dimer were added and the mixture was purged with nitrogen, and stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 캜, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-2). The Mw of the polymer (A-2) was 9,000. The solid concentration of the polymer solution was 31.3% by mass.

[합성예 3][Synthesis Example 3]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산 메틸) 7질량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 200질량부를 넣었다. 이어서 1-n-부톡시에틸메타크릴레이트 67질량부, 메타크릴산 벤질 23질량부, 메타크릴산 10질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체 (a-1)을 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체 (a-1)의 Mw는 9,000이었다. 중합체 용액의 고형분 농도는 30.3질량%였다.7 parts by mass of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate were placed in a flask equipped with a condenser and a stirrer. Subsequently, 67 parts by mass of 1-n-butoxyethyl methacrylate, 23 parts by mass of benzyl methacrylate and 10 parts by mass of methacrylic acid were purged with nitrogen, followed by gentle agitation. The temperature of the solution was raised to 80 캜, and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-1). The Mw of the polymer (a-1) was 9,000. The solid concentration of the polymer solution was 30.3 mass%.

[합성예 4][Synthesis Example 4]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산 메틸) 7질량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 200질량부를 넣었다. 이어서 1-벤질옥시에틸메타크릴레이트 90질량부, 메타크릴산 2-하이드록시에틸 6질량부, 메타크릴산 4질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체 (a-2)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체 (a-2)의 Mw는 9,000이었다. 중합체 용액의 고형분 농도는 31.2질량%였다.7 parts by mass of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate were placed in a flask equipped with a condenser and a stirrer. Subsequently, 90 parts by mass of 1-benzyloxyethyl methacrylate, 6 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate and 4 parts by mass of methacrylic acid were purged with nitrogen, followed by gentle agitation. The temperature of the solution was raised to 80 占 폚, and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-2). The Mw of the polymer (a-2) was 9,000. The solid content concentration of the polymer solution was 31.2 mass%.

[합성예 5][Synthesis Example 5]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산 메틸) 7질량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 200질량부를 넣었다. 이어서 2-테트라하이드로피라닐메타크릴레이트 85질량부, 메타크릴산 2-하이드록시에틸7질량부, 메타크릴산 8질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체 (a-3)을 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체 (a-3)의 Mw는 10,000이었다. 중합체 용액의 고형분 농도는 29.2질량%였다.7 parts by mass of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate were placed in a flask equipped with a condenser and a stirrer. Subsequently, 85 parts by mass of 2-tetrahydropyranyl methacrylate, 7 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate and 8 parts by mass of methacrylic acid were charged and replaced with nitrogen, and stirring was gently started. The temperature of the solution was raised to 80 캜, and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-3). The Mw of the polymer (a-3) was 10,000. The solid concentration of the polymer solution was 29.2 mass%.

[합성예 6][Synthesis Example 6]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 이어서 메타크릴산 글리시딜 52질량부, 메타크릴산 벤질 48질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체 (aa-1)을 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체 (aa-1)의 Mw는 10,000이었다. 중합체 용액의 고형분 농도는 32.3질량%였다.A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 52 parts by mass of glycidyl methacrylate and 48 parts by mass of benzyl methacrylate were added and replaced with nitrogen, followed by gentle agitation. The temperature of the solution was raised to 80 캜, and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (aa-1). The Mw of the polymer (aa-1) was 10,000. The solid concentration of the polymer solution was 32.3 mass%.

[합성예 7][Synthesis Example 7]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 이어서 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실메틸 45질량부, 메타크릴산 벤질 45질량부, 메타크릴산 10질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체 (aa-2)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체 (aa-2)의 Mw는 10,000이었다. 중합체 용액의 고형분 농도는 33.2질량%였다.A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 45 parts by mass of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 45 parts by mass of benzyl methacrylate, and 10 parts by mass of methacrylic acid were charged and replaced with nitrogen, followed by gentle agitation. The temperature of the solution was raised to 80 캜, and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (aa-2). The Mw of the polymer (aa-2) was 10,000. The solid content concentration of the polymer solution was 33.2 mass%.

[합성예 8][Synthesis Example 8]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부 및 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 이어서 1-n-부톡시에틸메타크릴레이트 35질량부, 메타크릴산 벤질 35질량부, 메타크릴산 글리시딜 30질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체 (aa-3)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체 (aa-3)의 Mw는 10,000이었다. 중합체 용액의 고형분 농도는 32.3질량%였다.7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed in a flask equipped with a condenser and a stirrer. Subsequently, 35 parts by mass of 1-n-butoxyethyl methacrylate, 35 parts by mass of benzyl methacrylate and 30 parts by mass of glycidyl methacrylate were purged with nitrogen and stirred gently. The temperature of the solution was raised to 80 캜, and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (aa-3). The Mw of the polymer (aa-3) was 10,000. The solid concentration of the polymer solution was 32.3 mass%.

<포지티브형 감방사선성 조성물의 조제><Preparation of positive-tone radiation-sensitive composition>

이하, 실시예 및 비교예의 포지티브형 감방사선성 조성물의 조제에 이용한 성분을 상술한다.Hereinafter, the components used for preparing the positive radiation-sensitive compositions of the examples and the comparative examples will be described in detail.

[B] 산발생제[B] acid generator

B-1: 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라하이드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트B-1: 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate

B-2: 벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로포스페이트B-2: Benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate

B-3: (5-프로필술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴(치바·스페셜티·케미컬즈 제조, IRGACURE PAG 103)B-3: (5-Propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile (IRGACURE PAG 103 manufactured by Chiba Specialty Chemicals)

B-4: (5-옥틸술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴(치바·스페셜티·케미컬즈 제조, IRGACURE PAG 108)B-4: (5-Octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile (IRGACURE PAG 108 manufactured by Chiba Specialty Chemicals)

B-5: (5-p-톨루엔술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴(치바·스페셜티·케미컬즈 제조, IRGACURE PAG 121)B-5: (5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2- methylphenyl) acetonitrile (IRGACURE PAG 121 manufactured by Chiba Specialty Chemicals)

B-6: (캠퍼술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴(치바·스페셜티·케미컬즈 제조, CGI1380)B-6: (camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile (CGI1380 manufactured by Chiba Specialty Chemicals)

B-7: (5-옥틸술포닐옥시이미노)-(4-메톡시페닐)아세토니트릴(치바·스페셜티·케미컬즈 제조, CGI725)B-7: (5-Octylsulfonyloxyimino) - (4-methoxyphenyl) acetonitrile (CGI725 manufactured by Chiba Specialty Chemicals)

[C] 질소 함유 화합물[C] Nitrogen-containing compound

C-1: 상기식 (2-1)로 나타나는 질소 함유 화합물C-1: The nitrogen-containing compound represented by the formula (2-1)

C-2: 상기식 (2-2)로 나타나는 질소 함유 화합물C-2: A nitrogen-containing compound represented by the formula (2-2)

C-3: 상기식 (2-4)로 나타나는 질소 함유 화합물C-3: A nitrogen-containing compound represented by the above formula (2-4)

C-4: 상기식 (3-1-3)으로 나타나는 질소 함유 화합물C-4: A nitrogen-containing compound represented by the formula (3-1-3)

C-5: 상기식 (3-2-1)로 나타나는 질소 함유 화합물C-5: A nitrogen-containing compound represented by the formula (3-2-1)

[D] 계면활성제[D] Surfactant

D-1: 실리콘계 계면활성제(토레 다우코닝 실리콘 제조, SH 8400 FLUID)D-1: Silicone surfactant (manufactured by Toray Dow Corning Silicone, SH 8400 FLUID)

D-2: 불소계 계면활성제(네오스 제조, 프터젠트 FTX-218)D-2: Fluorine-based surfactant (manufactured by NEOS, Fotogen FTX-218)

[E] 밀착 조제[E] Adhesion preparation

E-1: γ-글리시독시프로필트리메톡시실란E-1:? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane

E-2: β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란E-2: Synthesis of? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane

E-3: γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란E-3:? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane

[실시예 1][Example 1]

[A] 중합체로서의 (A-1)를 포함하는 용액((A-1) 100질량부(고형분)에 상당하는 양)에, [B] 산발생제로서의 (B-4) 3.0질량부, [C] 질소 함유 화합물로서의 (C-1) 5질량부, [D] 계면활성제로서의 (D-1) 0.20질량부 및, [E] 밀착 조제로서의 (E-1) 3.0질량부를 혼합하여, 공경 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과함으로써 포지티브형 감방사선성 조성물을 조제했다., 3.0 parts by mass of (B-4) as the acid generator [B] in an amount of 100 parts by mass (solid content) of the solution (A- 5 parts by mass of (C-1) as a nitrogen-containing compound, (D-1) as a surfactant (D-1) and 3.0 parts by mass of (E- Mu] m membrane filter to prepare a positive radiation-sensitive composition.

[실시예 2∼12 및 비교예 1 및 2][Examples 2 to 12 and Comparative Examples 1 and 2]

각 성분의 종류 및 배합량을 표 1에 기재한 대로 한 것 이외는, 실시예 1과 동일하게 조작하여 각 포지티브형 감방사선성 조성물을 조제했다. 또한, 표 1 중의 「―」는, 해당하는 성분을 사용하지 않았음을 나타낸다.Each positive-tone radiation-sensitive composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the kinds and blending amounts of the respective components were changed as shown in Table 1. In Table 1, &quot; - &quot; indicates that the corresponding component is not used.

<평가><Evaluation>

조제한 각 포지티브형 감방사선성 조성물을 이용하여, 하기의 평가를 실시했다. 결과를 표 1에 맞추어 나타낸다.The following evaluations were carried out using each of the prepared positive-tone radiation-sensitive compositions. The results are shown in Table 1.

[방사선 감도(J/㎡)][Radiation sensitivity (J / m 2)]

550×650㎜의 크롬 성막 유리 상에, 헥사메틸디실라잔(HMDS)을 도포하고, 60℃에서 1분간 가열했다. 이 HMDS 처리 후의 크롬 성막 유리 상에, 각 포지티브형 감방사선성 조성물을 슬릿다이 코터(토쿄오카코교 제조, TR632105-CL)를 이용하여 도포하고, 도달 압력을 100Pa로 설정하여 진공하에서 용매를 제거한 후, 추가로, 90℃에서 2분간 프리베이킹함으로써, 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 이어서, 노광기(캐논 제조, MPA-600FA)를 이용하여 60㎛의 라인·앤드·스페이스(10 대 1)의 패턴을 갖는 마스크를 개재하여, 도막에 대하여 노광량을 변량으로 하여 방사선을 조사했다. 그 후, 0.4질량%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액으로 25℃에서 80초간 현상했다. 이어서, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하고, 그 후 건조함으로써, HMDS 처리 후의 크롬 성막 유리 기판 상에 패턴을 형성했다. 이때, 6㎛의 스페이스·패턴이 완전하게 용해되기 위해 필요한 노광량을 방사선 감도(J/㎡)로 했다. 이 값이 600(J/㎡) 이하인 경우에 감도가 양호하다고 판단했다.Hexamethyldisilazane (HMDS) was applied onto a chromium-deposited glass of 550 x 650 mm and heated at 60 占 폚 for 1 minute. Each positive-tone radiation-sensitive composition was coated on the chromium-deposited glass after the HMDS treatment using a slit die coater (TR632105-CL, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), the solvent was removed under a vacuum set at an ultimate pressure of 100 Pa , And further baked at 90 DEG C for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 mu m. Subsequently, the coating film was irradiated with radiation with varying exposure dose through a mask having a pattern of 60 mu m line-and-space (10 to 1) using an exposure machine (manufactured by Canon, MPA-600FA). Then, it was developed with tetramethylammonium hydroxide aqueous solution of 0.4 mass% at 25 캜 for 80 seconds. Subsequently, the substrate was subjected to water washing with ultra-pure water for 1 minute, and then dried to form a pattern on the chromium-deposited glass substrate after the HMDS treatment. At this time, the radiation sensitivity (J / m 2) was determined as an exposure amount necessary for completely dissolving the 6 탆 space pattern. It was judged that the sensitivity was good when this value was 600 (J / m &lt; 2 &gt;) or less.

[투과율(%)][Transmittance (%)]

상기의 방사선 감도의 평가와 동일하게 조작하여, 실리콘 기판 상에 도막을 형성했다. 노광하지 않고, 이 실리콘 기판을 클린 오븐 내에서 220℃로 1시간 가열하여 경화막을 얻었다. 파장 400㎚에 있어서의 투과율(%)을, 분광 광도계(150-20형 더블빔, 히타치세사쿠쇼 제조)를 이용하여 측정하여 평가했다. 투과율이 90% 미만인 경우에 투명성이 불량이라고 판단했다.A coating film was formed on the silicon substrate in the same manner as in the above evaluation of the radiation sensitivity. Without exposure, this silicon substrate was heated in a clean oven at 220 캜 for 1 hour to obtain a cured film. The transmittance (%) at a wavelength of 400 nm was measured and evaluated by using a spectrophotometer (150-20 type double beam, manufactured by Hitachi, Ltd.). When the transmittance was less than 90%, it was judged that the transparency was poor.

[표면 경도][Surface hardness]

상기 투과율의 평가로 형성된 경화막을 갖는 기판에 대해서, JIS K-5400-1990의 8.4.1 연필 긁기 시험에 의해, 경화막의 연필 경도(표면 경도)를 측정했다. 이 값이 3H 이상인 경우, 표시 소자용 층간 절연막으로서의 표면 경도가 양호하다고 판단하고, 충분한 경화성을 갖는다고 말할 수 있다.The pencil hardness (surface hardness) of the cured film was measured by the pencil scratch test of JIS K-5400-1990 8.4.1 with respect to the substrate having the cured film formed by the evaluation of the transmittance. When the value is 3H or more, it is judged that the surface hardness of the display element interlayer insulating film is good, and it can be said that it has sufficient curability.

[내열성(%)][Heat resistance (%)]

상기 방사선 감도의 평가와 동일하게 조작하여, 실리콘 기판 상에 도막을 형성했다. 이어서, 100㎛의 라인·앤드·스페이스(1 대 1)의 패턴을 갖는 마스크를 개재하여, 도막에 대하여 노광량을 변량으로 하여 방사선을 조사한 후, 0.4질량%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액으로 25℃에서 퍼들법으로 현상했다. 현상 시간은 80초간으로 했다. 이어서, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하고, 그 후 건조함으로써, 패턴을 형성했다. 현상 후 패턴 높이(T1)를 촉침식 막두께 측정 장치 α-스텝(KLA 덴코르 제조)에 의해 측정했다. 그 후, 패턴 형성된 실리콘 기판을 클린 오븐 내에서 220℃로 1시간 가열하여 열경화 후의 패턴을 얻었다. 이와 같이 하여, 열경화 후의 패턴 높이(t1)를 측정하여, 하기식으로부터 열경화 전후의 열수축율(%)을 산출하고, 이것을 내열성(%)으로 했다.A coating film was formed on the silicon substrate by operating in the same manner as in the evaluation of the radiation sensitivity. Subsequently, the coating film was irradiated with radiation with varying exposure dose and exposure to 0.4% by mass of tetramethylammonium hydroxide aqueous solution with a mask having a line-and-space (one-to-one) pattern of 100 m Lt; RTI ID = 0.0 &gt; C &lt; / RTI &gt; The development time was 80 seconds. Subsequently, water washing with ultra-pure water for 1 minute was carried out, followed by drying to form a pattern. After development, the pattern height (T1) was measured by a stylus type film thickness measuring apparatus? -Step (manufactured by KLA Denk Co.). Thereafter, the patterned silicon substrate was heated in a clean oven at 220 캜 for one hour to obtain a pattern after heat curing. Thus, the pattern height t1 after heat curing was measured, and the heat shrinkage percentage (%) before and after the heat curing was calculated from the following equation, and this was regarded as heat resistance (%).

내열성(%)={(T1―t1)/T1}×100Heat resistance (%) = {(T1-t1) / T1} 100

내열성의 값이 클수록 가교 반응이 진행되어 있다고 말할 수 있다. 또한, 이와 같이 발생한 열수축은 실제의 사용상에서는 특히 영향이 없는 레벨이다.It can be said that the larger the value of the heat resistance is, the more the crosslinking reaction proceeds. In addition, the heat shrinkage thus generated is a level that does not particularly affect the actual use.

[전압보전율(%)][Voltage Conservation Rate (%)]

표면에 나트륨 이온의 용출을 방지하는 SiO2막이 형성되고, 추가로 ITO(인듐-산화 주석 합금) 전극을 소정 형상으로 증착한 소다 유리 기판 상에, 각 감방사선성 수지 조성물을, 스핀 코팅한 후, 90℃의 클린 오븐 내에서 10분간 프리베이킹을 행하여, 막두께 2.0㎛의 도막을 형성했다. 이어서, 포토마스크를 개재하지 않고, 도막에 500J/㎡의 노광량으로 노광했다. 그 후, 230℃에서 30분간 포스트베이킹을 행하여 도막을 경화시켰다. 이어서, 이 화소를 형성한 기판과 ITO 전극을 소정 형상으로 증착하기만 한 기판을, 0.8㎜의 글라스 비드를 혼합한 시일제로 접합한 후, 메르크제 액정 MLC6608을 주입하여, 액정 셀을 제작했다. 또한, 액정 셀을 60℃의 항온조에 넣고, 액정 셀의 전압보전율을, 액정 전압보전율 측정 시스템(VHR-1A형, 토요 테크니카 제조)에 의해 측정했다. 이때의 인가 전압은 5.5V의 방형파, 측정 주파수는 60Hz이다. 전압보전율(%)이란, 하기식으로부터 구해지는 값이다.Each of the radiation-sensitive resin compositions was spin-coated on a soda glass substrate on which an SiO 2 film was formed to prevent dissolution of sodium ions on the surface and an ITO (indium-tin oxide alloy) electrode was deposited in a predetermined shape , And then prebaked in a clean oven at 90 캜 for 10 minutes to form a coating film having a thickness of 2.0 탆. Subsequently, the coated film was exposed at an exposure amount of 500 J / m &lt; 2 &gt; without interposing a photomask. Thereafter, post-baking was performed at 230 캜 for 30 minutes to cure the coating film. Subsequently, the substrate on which the pixel was formed and the substrate on which the ITO electrode had been deposited in a predetermined shape were bonded to each other with a sealing material mixed with 0.8 mm glass beads, and then a liquid crystal cell MLC6608 was injected into the liquid crystal cell. The liquid crystal cell was placed in a thermostatic chamber at 60 占 폚 and the voltage holding ratio of the liquid crystal cell was measured by a liquid crystal voltage preservation rate measuring system (Model VHR-1A, manufactured by Toyo Technica). The applied voltage at this time is a square wave of 5.5 V, and the measurement frequency is 60 Hz. The voltage holding ratio (%) is a value obtained from the following formula.

전압보전율(%)=(16.7밀리초 후의 액정 셀 전위차/0밀리초로 인가한 전압)×100Voltage Conservation Rate (%) = (potential difference between the liquid crystal cell after 16.7 milliseconds / voltage applied at 0 milliseconds) × 100

액정 셀의 전압보전율이 90% 이하이면, 액정 셀은 16.7밀리초의 시간, 인가 전압을 소정 레벨로 보존유지하지 못하고, 충분히 액정을 배향시키지 못하는 것을 의미하며, 잔상 등의 「번인(burn-in)」을 일으킬 우려가 높다.When the voltage holding ratio of the liquid crystal cell is 90% or less, the liquid crystal cell can not maintain the applied voltage at a predetermined level for 16.7 milliseconds and can not sufficiently orient the liquid crystal. The "burn- There is a high possibility of causing it.

[보존 안정성(%)][Storage stability (%)]

각 감방사선성 수지 조성물 용액을 40℃의 오븐 중에서 1주간 방치하여, 오븐에 넣은 전후의 점도를 측정해, 점도 변화율(%)을 구하여, 보존 안정성(%)으로 했다. 점도 변화율이 5% 이하인 경우, 보존 안정성이 양호하다고 판단하고, 5%를 초과하는 경우에 보존 안정성이 불량이라고 판단했다. 점도는, E형 점도계(VISCONIC ELD.R, 토키산교 제조)를 이용하여 25℃에서 측정했다.Each of the radiation sensitive resin composition solutions was allowed to stand in an oven at 40 占 폚 for 1 week, and the viscosity before and after being placed in an oven was measured to determine the viscosity change rate (%). When the viscosity change rate was 5% or less, it was judged that the storage stability was good, and when it was more than 5%, it was judged that the storage stability was poor. The viscosity was measured at 25 캜 using an E-type viscometer (VISCONIC ELD.R, manufactured by Toray Industries, Inc.).

Figure 112012080700305-pct00013
Figure 112012080700305-pct00013

표 1의 결과로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1∼10의 포지티브형 감방사선성 조성물은, [C] 질소 함유 화합물을 포함하지 않는 비교예 1∼2의 감방사선성 조성물과 비교하여, 표면 경도에 대해서 우수한 것을 알았다. 또한, 내열성의 값으로부터도 에폭시기의 가교가 충분히 진행되어 있는 것을 알았다. 또한, 이들 실시예의 포지티브형 감방사선성 조성물은, 우수한 보존 안정성 및 충분한 방사선 감도를 가질 뿐만 아니라, 투과율 및 전압보전율이라는 일반적인 요구 특성을 충분히 만족하는 표시 소자용 층간 절연막을 형성 가능하다는 것을 알았다. 또한, 실시예 1∼10과 비교하면, 실시예 11에서는 약간이나마 표면 경도가 저하되어 있고, 또한, 실시예 12에서는 표면 경도는 우수하기는 하지만, 가교 반응성이 너무 높았기 때문인지, 보존 안정성, 투과율, 전압보전율이 약간 저하되어 있었다. 이상의 점에서, 실시예 1∼12의 포지티브형 감방사선성 조성물 모두에 대해서 양호한 결과가 얻어지고 있기는 하지만, [C] 질소 함유 화합물의 함유량은 [A] 중합체 100질량부에 대하여 2질량부 이상 30질량부 이하가 바람직하다고 말할 수 있다.As is evident from the results in Table 1, the positive radiation-sensitive compositions of Examples 1 to 10 are superior in surface hardness to the radiation-sensitive compositions of Comparative Examples 1 and 2 which do not contain the [C] nitrogen- . It was also found that the crosslinking of the epoxy group was sufficiently proceeded from the value of the heat resistance. It has also been found that the positive radiation-sensitive compositions of these Examples can form an interlayer insulating film for a display device which not only has excellent storage stability and sufficient radiation sensitivity but also satisfies generally required characteristics such as transmittance and voltage holding ratio. Compared with Examples 1 to 10, the surface hardness was slightly lowered in Example 11, and in Example 12, the surface hardness was excellent, but the crosslinking reactivity was too high, The transmittance and the voltage holding ratio were slightly lowered. In view of the above, good results are obtained for all of the positive radiation-sensitive compositions of Examples 1 to 12, but the content of the [C] nitrogen-containing compound is preferably 2 parts by mass or more per 100 parts by mass of the polymer [A] It can be said that 30 parts by mass or less is preferable.

본 발명의 포지티브형 감방사선성 조성물은, 전술한 바와 같이, 우수한 보존 안정성 및 충분한 방사선 감도를 갖고 있고, 투과율 및 전압보전율이라는 일반적 요구 특성을 구비하고, 우수한 표면 경도 및 내열성을 갖는 경화막을 형성 가능하다. 따라서, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, 표시 소자용 층간 절연막을 형성하기 위해 적합하게 이용된다.As described above, the positive radiation-sensitive composition of the present invention can form a cured film having excellent storage stability and sufficient radiation sensitivity and having general required characteristics such as transmittance and voltage holding ratio and having excellent surface hardness and heat resistance Do. Therefore, the positive-tone radiation-sensitive composition is suitably used for forming an interlayer insulating film for a display element.

Claims (6)

[A] 동일 또는 상이한 중합체 분자 중에, 하기식 (1)로 나타나는 기를 갖는 구조 단위 (I)과 에폭시기 함유 구조 단위 (Ⅱ)를 포함하는 중합체,
[B] 산발생체, 그리고
[C] 하기식 (2)로 나타나는 질소 함유 화합물 (I) 및 하기식 (3)으로 나타나는 질소 함유 화합물 (Ⅱ)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 질소 함유 화합물
을 함유하는 포지티브형 감방사선성 조성물:
Figure 112014003006053-pct00014

(식 (1) 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 사이클로알킬기 또는 아릴기이고; 단, 상기 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는, 할로겐 원자, 수산기, 니트로기, 시아노기, 카복실기, 카보닐기, 사이클로알킬기, 아릴기, 알콕시기, 아실기, 아실옥시기, 알콕시카보닐기, 또는 할로알킬기로 치환되어 있어도 좋고; 또한, R1 및 R2가 모두 수소 원자인 경우는 없고; R3은, 알킬기, 사이클로알킬기, 아르알킬기, 아릴기 또는 -M(R3m)3으로 나타나는 기이고; 이 M은, Si, Ge 또는 Sn이고; R3m은, 각각 독립적으로 알킬기이고; 또한, R1과 R3이 연결되어 환상 에테르 구조를 형성해도 좋고; 단, R3으로 나타나는 이들 기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는, 할로겐 원자, 수산기, 니트로기, 시아노기, 카복실기, 카보닐기, 사이클로알킬기, 아릴기, 알콕시기, 아실기, 아실옥시기, 알콕시카보닐기, 또는 할로알킬기로 치환되어 있어도 좋음)
Figure 112014003006053-pct00015

(식 (2) 중, R4 및 R5는, 각각 독립적으로 수소 원자, 아미노기, 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 탄소수 6∼20의 아릴기이고; 단, 상기 알킬기 및 아릴기는, 하이드록실기, 카복실기, 카보닐기, 에스테르기, 술폰기, 아미드기, 에테르기, 티올기, 티오에테르기, 아미노기 또는 아미디노기를 포함하고 있어도 좋고; R6은, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 4∼20의 사이클로알킬기 또는 탄소수 6∼20의 아릴기이고; 단, R4와 R5가 연결되어 서로 결합되어 있는 질소 원자와 함께 환 구조를 형성해도 좋음)
Figure 112014003006053-pct00016

(식 (3) 중, R7 및 R8은, 각각 독립적으로 상기 R4와 동일한 의미이고; R9 및 R10은, 각각 독립적으로 상기 R6와 동일한 의미이고; A는, 탄소수 1∼12의 알칸디일기 또는 탄소수 6∼20의 아릴렌기임).
[A] a polymer comprising a structural unit (I) having a group represented by the following formula (1) and an epoxy group-containing structural unit (II) in the same or different polymer molecules,
[B] Arrhythmia, and
[C] at least one nitrogen-containing compound selected from the group consisting of a nitrogen-containing compound (I) represented by the following formula (2) and a nitrogen-containing compound (II) represented by the following formula (3)
A positive radiation-sensitive composition comprising:
Figure 112014003006053-pct00014

(In the formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, with the proviso that some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group, cycloalkyl group, An alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, an alkoxycarbonyl group or a haloalkyl group; and R 1 and R 2 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, a carboxyl group, a carbonyl group, a cycloalkyl group, is not 2 when both a hydrogen atom; R 3 is an alkyl group, cycloalkyl group, aralkyl group, aryl group, or -M (R 3m) group represented by 3; yi M is a Si, Ge or Sn; R 3m R 1 and R 3 may be connected to form a cyclic ether structure, provided that some or all of the hydrogen atoms of these groups represented by R 3 may be replaced by a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group , A cyano group, a carboxyl group, a car Group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an acyl group, Good optionally substituted by an acyloxy group, alkoxycarbonyl group, or a haloalkyl group)
Figure 112014003006053-pct00015

(Wherein R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, an amino group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, provided that the alkyl group and the aryl group each have a hydroxyl group, R 6 may be an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkyl group having 4 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a carboxyl group, a carbonyl group, an ester group, a sulfone group, an amide group, an ether group, a thiol group, A cycloalkyl group having 6 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, provided that R 4 and R 5 may form a cyclic structure together with the nitrogen atom bonded to each other)
Figure 112014003006053-pct00016

(In the formula (3), R 7 and R 8 are each independently the same as R 4 , R 9 and R 10 are each independently the same as R 6 , A is a C 1-12 An alkanediyl group having 6 to 20 carbon atoms or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms).
제1항에 있어서,
상기식 (2)에 있어서의 R6, 그리고 상기식 (3)에 있어서의 R9 및 R10으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기가, tert-부틸기, tert-아밀기, 1-메틸사이클로헥실기 또는 1-에틸사이클로헥실기인 포지티브형 감방사선성 조성물.
The method according to claim 1,
At least one group selected from the group consisting of R 6 in the formula (2) and R 9 and R 10 in the formula (3) is a tert-butyl group, a tert-amyl group, A cyclohexyl group or a 1-ethylcyclohexyl group.
제1항에 있어서,
[C] 질소 함유 화합물의 함유량이, [A] 중합체 100질량부에 대하여 2질량부 이상 30질량부 이하인 포지티브형 감방사선성 조성물.
The method according to claim 1,
[C] The positive radiation-sensitive composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the content of the nitrogen-containing compound is 2 parts by mass or more and 30 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the polymer [A].
제1항에 있어서,
표시 소자용 층간 절연막의 형성에 이용되는 포지티브형 감방사선성 조성물.
The method according to claim 1,
A positive radiation-sensitive composition for use in forming an interlayer insulating film for a display element.
(1) 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 포지티브형 감방사선성 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정,
(2) 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,
(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,
(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 공정
을 갖는 표시 소자용 층간 절연막의 형성 방법.
(1) a step of forming a coating film of the positive radiation-sensitive composition described in any one of claims 1 to 4 on a substrate,
(2) a step of irradiating at least a part of the coating film with radiation,
(3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation, and
(4) a step of heating the developed coating film
Of the interlayer insulating film for a display element.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 포지티브형 감방사선성 조성물로 형성되는 표시 소자용 층간 절연막.An interlayer insulating film for a display element formed of the positive radiation sensitive composition according to any one of claims 1 to 4.
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