KR20220148689A - 유기금속화학기상증착장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기금속화학기상증착장치에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 공정가스의 기생반응을 최대한 억제하면서 공정가스를 기판지지부의 중앙부까지 균일하게 공급할 수 있는 유기금속화학기상증착장치에 대한 것이다.

Description

유기금속화학기상증착장치 {Metal organic chemical vapor deposition apparatus}
본 발명은 유기금속화학기상증착장치에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 공정가스의 기생반응을 최대한 억제하면서 공정가스를 기판지지부의 중앙부까지 균일하게 공급할 수 있는 유기금속화학기상증착장치에 대한 것이다.
유기금속화학기상증착(MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장치는 3족알킬(유기금속원료가스) 및 5족 반응가스와 고순도 캐리어 가스와의 혼합가스를 반응실내에 공급하여 가열된 기판 위에서 열 분해하여 화합물 반도체 결정을 성장시키는 장치이다. 이러한 유기금속화학기상증착장치는 서셉터에 기판을 장착하여 회전시키면서 측면으로부터 가스를 주입하여 기판 상부에 반도체 결정을 성장시킨다.
예를 들어, 기판 상에 알루미늄 나이트라이드(AlN : Aluminium nitride) 막을 성장시키는 경우 원료가스로 TMA(TrimethylAluminum)을 사용하며 반응가스로 NH3를 사용할 수 있다.
그런데, TMA와 NH3는 서로 결합하여 안정화되려는 특성이 강하므로 기판을 향해 공급하는 경우에 최대한 빠른 유속과 낮은 압력을 유지하여 결합할 시간을 최소화하여 기생반응을 방지하는 것이 필요하다.
즉, 가스공급부에 의해 기판의 측면에서 공정가스가 공급되는 경우에 기생반응에 의해 원료가스와 반응가스가 기판지지부의 중앙부까지 원활하게 공급되지 않을 수 있다. 이에 의해 기판지지부의 중앙부에서 기판의 박막의 성장속도가 늦어질 수 있으며, 기판에 박막이 증착되는 경우에 두께 편차가 커질 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 공정가스의 기생반응을 최대한 억제하면서 공정가스를 기판지지부의 중앙부까지 균일하게 공급할 수 있는 유기금속화학기상증착장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 본 발명의 목적은 기판이 수용되는 챔버, 상기 챔버의 내부에 구비되어 상기 기판이 안착되어 가열되는 히터블록, 상기 챔버의 내측에 상기 히터블록의 상부에 구비되어 상기 히터블록과의 사이에 상기 기판이 처리되는 처리공간을 제공하는 배리어리드 및 상기 처리공간의 측면에서 상기 기판을 향해 공정가스를 공급하는 가스공급부를 구비하고, 상기 배리어리드의 하면의 적어도 일부에는 상기 처리공간의 높이를 변화시키는 경사부가 형성되며, 상기 경사부의 시작점은 상기 공정가스의 흐름방향에서 상기 히터블록의 전단부에지의 상류에 위치하며, 상기 경사부의 종료점은 상기 히터블록의 중앙부에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착장치에 의해 달성된다.
여기서, 상기 경사부의 종료점은 상기 공정가스의 흐름방향에서 상기 히터블록의 전단부에지에서 하류를 향해 상기 히터블록의 직경의 대략 45% 내지 55%의 범위에 위치할 수 있다.
또한, 상기 경사부의 경사는 1.1°내지 1.5°의 각도를 가질 수 있다.
전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면, 처리공간의 높이 또는 배리어리드와 히터블록 사이의 갭을 줄임으로써 공정가스의 유속을 빠르게 하여 공정가스의 기생반응을 현저하게 억제할 수 있다.
이에 의해, 히터블록의 중앙부까지는 배리어리드와 히터블록 사이의 갭이 줄어들도록 하여 공정가스를 공급하고 히터블록의 중앙부부터는 배리어리드와 히터블록 사이의 갭을 유지함으로써 박막의 성장속도를 유지하여 기판에 증착되는 박막의 두께 편차를 현저하게 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기금속화학기상증착장치의 측면도,
도 2는 배리어리드를 도시한 일부 측면도,
도 3은 배리어리드와 히터블록 사이의 처리공간을 도시한 일부 측단면도,
도 4는 도 3에서 히터블록의 일부 평면도,
도 5는 히터블록에 안착된 기판을 회전시키는 경우에 다양한 실시예의 배리어리드에 따른 박막의 두께를 도시한 그래프와 기판을 도시한 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 유기금속화학기상증착장치에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기금속화학기상증착장치(1000)의 구조를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 유기금속화학기상증착장치(1000)는 챔버(10)와, 기판지지부(20)와, 가스공급부(30)를 구비한다.
상기 챔버(10)는 외부챔버(15)와 상기 외부챔버(15)의 내측에서 상기 기판(W)을 처리하는 처리공간(46)을 제공하는 내부챔버(40)를 구비할 수 있다.
상기 외부챔버(15)는 상부를 덮는 챔버리드(11)와, 상기 챔버리드(11)에 체결되며 챔버의 측부를 덮는 외부벽부(12)와, 챔버의 하부 바닥면을 형성하는 바닥플랜지부(13)를 구비할 수 있다.
상기 챔버리드(11)는 상기 외부벽부(12)에 볼트 등의 체결수단을 통해 분리 가능하게 체결될 수 있으며, 상기 챔버리드(11)에는 냉각유로(11a)를 형성할 수 있다. 상기 냉각유로(11a)에는 냉각수 또는 냉각가스 등 냉각매체가 유동되도록 구성되어, 상기 챔버(10) 내의 증착공정에서 발생하는 고온의 열에 의해 가열된 상기 챔버(10)를 냉각시키도록 구성된다.
또한, 상기 챔버리드(11)에는 상기 내부챔버(40)내에서 상기 기판(W)상에 증착되는 박막을 광학적으로 측정하기 위한 광학센서(51)의 광측정 통로로서 기능하는 센서튜브(52)가 설치될 수 있다. 상기 센서튜브(52)는 상기 챔버리드(11) 및 내부챔버(40)를 관통하여 배치될 수 있다. 여기서, 상기 센서튜브(52)에는 퍼지가스를 도입하여 상기 내부챔버(40)로부터 반응가스가 상기 센서튜브(52)로 배출되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다.
상기 외부벽부(12)는 상기 챔버리드(11)에 체결되며, 상기 내부챔버(40)의 측부를 덮도록 구성된다. 상기 외부벽부(12)에는 배기홀(14)이 형성되며, 상기 배기홀(14)은 가스배기라인(미도시)에 연결되어, 증착공정의 완료후에 상기 처리공간(46)에 잔류하는 반응가스를 상기 배기홀(14)과 상기 가스배기라인(미도시)을 통해 상기 챔버(10)의 외부로 배출하도록 구성된다.
한편, 상기 외부챔버(15)의 하부에는 바닥플랜지부(13)가 마련된다. 상기 바닥플랜지부(13)에는 냉각유로(13a)를 형성할 수 있다. 상기 냉각유로(13a)에는 냉각수 또는 냉각가스 등 냉각매체가 유동되도록 구성되어, 상기 내부챔버(40) 내의 증착공정에서 발생하는 고온의 열에 의해 가열된 상기 챔버(10)를 냉각시키도록 구성된다.
또한, 상기 내부챔버(40) 내부에는 기판(W)이 안착되는 기판지지부(20)가 배치된다. 상기 기판지지부(20)는 상기 기판(W)을 가열하는 가열코일(24)이 구비된다. 예를 들어, 상기 기판지지부(20)는 상기 기판(W)이 안착되고 가열되는 히터블록(21)과, 상기 히터블록(21)을 지지하며 회전시키는 샤프트(22)와, 씰링부(23)와, 상기 히터블록(21)을 유도가열하여 상기 기판(W)을 가열하는 가열코일(24)을 포함한다. 이 경우, 상기 가열코일(24)은 상기 히터블록(21)의 측면에서 가열하도록 구성될 수 있다.
한편, 상기 기판지지부(20) 또는 히터블록(21)의 상부에는 배리어리드(44)가 구비된다. 상기 배리어리드(44)의 재질은 내부챔버(40) 내부의 고온의 환경으로 인해 내열성이 높은 세라믹 재질이 유리하다. 예를 들어, 보론나이트라이드(BN)을 사용할 수 있으며, 나아가 세라믹, SiC 및 SiC 코팅된 그래파이트(graphite) 재질을 사용할 수도 있다.
상기 배리어리드(44)와 상기 히터블록(21) 사이의 공간이 처리공간(46)에 해당한다. 전술한 가스공급부(30)는 상기 처리공간(46)의 상기 기판(W)을 향해 공정가스를 공급할 수 있다. 상기 공정가스 중에 반응에 참여하지 않은 가스는 전술한 배기홀(14)과 상기 가스배기라인(미도시)을 통해 상기 챔버(10)의 외부로 배출된다.
한편, 상기 가스공급부(30)는 상기 처리공간(46)에 배치된 기판(W)을 향해 공정가스 및 퍼지가스를 공급하게 된다. 예를 들어, 상기 가스공급부(30)는 상기 처리공간(46)의 측면에서 상기 기판(W)을 향해 공정가스 또는 퍼지가스를 공급할 수 있다. 상기 가스공급부(30)에 의해 상기 공정가스 또는 퍼지가스를 공급하는 경우에 상기 기판(W)을 향해 균일하게 공급하는 것이 필요하다.
이를 위하여, 상기 가스공급부(30)는 상기 공정가스 및 퍼지가스를 제공하는 가스제공부(미도시)와, 상기 가스제공부와 연결되어 상기 공정가스가 상기 처리공간(46)으로 균일하게 공급되도록 가이드하며 착탈 가능하게 연결되는 가스안내판(300)(도 3 참조)을 구비할 수 있다. 상기 가스안내판(300)은 한 개, 또는 복수개로 구성될 수 있으며, 공정가스 등이 상기 처리공간(46)으로 균일하게 공급되도록 가이드하게 된다.
한편, 본 발명에 따른 유기금속화학기상증착장치(1000)에서는 3족알킬(유기금속원료가스) 및 5족 반응가스와 고순도 캐리어 가스와의 혼합가스를 반응실내에 공급하여 가열된 기판 위에서 열 분해하여 화합물 반도체 결정을 성장시키게 된다.
예를 들어, 기판 상에 알루미늄 나이트라이드(AlN : Aluminium nitride) 막을 성장시키는 경우 원료가스로 TMA(TrimethylAluminum)을 사용하며 반응가스로 NH3를 사용할 수 있다.
그런데, TMA와 NH3는 서로 결합하여 안정화되려는 특성이 강하므로 기판을 향해 공급하는 경우에 최대한 빠른 유속과 낮은 압력을 유지하여 결합할 시간을 최소화하여 기생반응을 방지하는 것이 필요하다.
즉, 본 실시예와 같이 상기 가스공급부(30)에 의해 상기 기판(W)의 측면에서 공정가스가 공급되는 경우에 기생반응에 의해 히터블록(21)의 중앙부 이후의 구간에서는 원료가스와 반응가스의 밀도가 현저히 감소할 수 있다. 이에 의해 히터블록(21)의 중앙부에서 기판(W)의 박막의 성장속도가 늦어질 수 있으며, 기판(W)에 박막이 증착되는 경우에 두께 편차가 커질 수 있다.
본 발명에서는 전술한 문제점을 해결하기 위하여 상기 배리어리드(44)와 상기 히터블록(21) 사이의 거리를 조절하여 공정가스의 유속을 증가시켜 해결하고자 한다.
도 2는 상기 배리어리드(44)를 도시한 일부측면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 배리어리드(44)의 하면의 적어도 일부에는 상기 처리공간(46)의 높이를 변화시키는 경사부(45A)가 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 공정가스의 흐름방향을 따라 상기 경사부(45A)가 상류측에 먼저 형성되고, 상기 경사부(45A)의 하류에 평면부(45B)가 형성될 수 있다.
이 경우, 상기 경사부(45A)의 시작점(S)은 상기 공정가스의 흐름방향에서 상기 히터블록(21)의 전단부에지(22)(도 3 참조)의 상류에 위치할 수 있다.
전술한 구성과 같이 상기 배리어리드(44)의 하면에 경사부(45A)를 형성하게 되면, 상기 경사부(45A)의 구성에 의해 상기 처리공간(46)의 높이가 낮아지게 되어 전술한 가스공급부(30)에서 공급되는 공정가스의 유속이 증가하여 공정가스의 기생반응을 최대한 억제하면서 상기 히터블록(21)의 중앙부까지 공정가스를 공급할 수 있게 된다.
한편, 전술한 바와 같이 경사부(45A)를 형성하는 경우에 상기 경사부(45A)의 종료점(E)의 위치에 따라 상기 기판(W)의 박막의 성장속도가 달라질 수 있다. 본 발명자는 상기 경사부(45A)의 종료점(E)의 위치에 따른 박막의 성장속도의 차이를 확인하기 위하여 실험을 수행하였다.
도 3은 상기 배리어리드(44)와 히터블록(21) 사이의 처리공간(46)을 도시한 일부 측단면도이다. 도 3에서는 상기 히터블록(21)의 상면에 중앙부를 중심으로 복수개의 기판(W1, W2)이 안착되어 배치될 수 있다.
도 3을 참조하면, 전술한 가스안내판(300)은 복수개로 구성될 수 있다. 예를 들어, 최상부의 제1 가스안내판(310)과, 하부를 향해 순차적으로 제2 가스안내판(314) 및 제3 가스안내판(316)을 구비하여 3개의 가스안내판을 구비할 수 있다. 이러한 가스안내판의 개수는 일예를 들어 설명한 것에 불과하여 적절하게 변형될 수 있다.
한편, 상기 가스안내판(300)은 하부를 향해 미리 정해진 각도로 경사져서 상기 처리공간(46)을 향해 연장되어 배치된다. 이 경우, 상기 복수개의 가스안내판(300) 중에 적어도 하나의 기울어진 각도는 다른 가스안내판(300)의 기울어진 각도와 상이할 수 있다.
예를 들어, 상기 복수개의 가스안내판(300) 중에 최상부에 위치한 제1 가스안내판(310)의 기울어진 각도가 상대적으로 제일 크고, 상기 복수개의 가스안내판(300) 중에 최하부에 위치한 제3 가스안내판(316)의 기울어진 각도가 상대적으로 제일 작을 수 있다. 다만, 이러한 가스안내판(300)의 각도는 상기 처리공간(46)의 배치 및 크기 등에 따라 적절하게 변형될 수 있다.
한편, 상기 복수개의 가스안내판(300) 중에 적어도 하나의 길이는 다른 가스안내판(300)의 길이와 상이할 수 있다.
예를 들어, 상기 복수개의 가스안내판(300) 중에 최상부에 위치한 제1 가스안내판(310)의 길이가 제일 짧고, 상기 제1 가스안내판(310)의 하부에 위치한 제2 가스안내판(314) 및 제3 가스안내판(316)의 길이가 상대적으로 더 길 수 있다. 즉, 상기 제2 가스안내판(314) 및 제3 가스안내판(316)의 전단부는 상기 제1 가스안내판(310)에 비해 더 길게 연장되어 상기 배리어리드(44)와 히터블록(21) 사이의 공간으로 삽입될 수 있다.
이때, 상기 제1 가스안내판(310)의 전단부는 상기 배리어리드(44)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 배리어리드(44)에 고정홈부가 형성되고, 상기 제1 가스안내판(310)의 전단부가 상기 고정홈부에 삽입 고정되어 상기 제1 가스안내판(310)의 기울어진 각도를 유지할 수 있다.
전술한 구성을 가지는 유기금속화학기상증착장치(1000)에서 본 발명자는 상기 경사부(45A)의 종료점(E1, E2, E3, E4)의 위치를 변화시켜 가며 기판(W1) 상에 증착되는 박막의 두께를 측정하였다. 아래 (표 1)은 경사부(45A)의 종료점(E1, E2, E3, E4)의 위치 변화에 따른 박막의 두께 변화 및 두께 편차를 도시한 표이며, 도 5는 기판(W1) 상에서 박막의 두께 변화를 도시한 그래프이다.
종료점 위치 경사부 각도(θ)
(°)		 박막 두께 균일도 (%) 박막 두께 편차 (㎛)
실시예1 히터블록의 직경의 대략 -5% 내지 5%의 범위에 위치 3.5 ~ 4.5 5.14 0.55
실시예 2 히터블록의 직경의 대략 20% 내지 30%의 범위에 위치 1.5 ~ 3.5 3.23 0.35
실시예 3 히터블록의 직경의 대략 45% 내지 55%의 범위에 위치 1.1 ~ 1.5 2.14 0.21
실시예 4 히터블록의 직경의 대략 70% 내지 80%의 범위에 위치 0.8 ~ 1.1 2.96 0.43
상기 (표 1)에서 두께 편차는 박막의 최대 두께에서 최소 두께를 제외한 두께에 해당하며, 두께 균일도는 박막의 두께 표준편차를 두께로 나눈 값에 해당한다. 두께 편차와 두께 균일도는 낮은 값을 나타낼수록 박막이 우수한 것을 의미한다.
또한, 도 5의 그래프는 상기 (표 1)과 같이 경사부의 종료점을 변화시키는 경우에 도 4의 평면도에서 상기 히터블록(21)을 회전시키면서 성막 공정을 수행하는 경우에 어느 하나의 기판(W1), 예를 들어 제1 기판(W1)의 직경을 중심으로 증착되는 박막의 두께 프로파일을 도시한다. 도 4에서 상기 기판(W1)의 A 영역은 히터블록(21)의 에지측에 위치한 영역이며, B 영역은 상기 히터블록(21)의 중앙부에 위치한 영역에 해당한다.
상기 (표 1)에서 종료점의 위치는 상기 공정가스의 흐름방향에서 상기 히터블록(21)의 전단부에지(22)에서 하류를 향해 위치하게 된다. 전술한 (표 1)에 따른 실시예1 내지 실시에4의 각 종료점(E1)의 위치는 도 3에 도시된다.
예를 들어, 실시예1의 경우 상기 종료점(E1)은 상기 공정가스의 흐름방향에서 상기 히터블록(21)의 전단부에지(22)에서 하류를 향해 상기 히터블록(21)의 직경의 대략 -5% 내지 5%의 범위에 위치하게 된다. 여기서 '-'표시는 상기 경사부(45A)의 종료점(E1)이 상기 히터블록(21)의 전단부에지(22)보다 상류에 위치한 것을 의미한다. 실시예1의 경우 상기 종료점(E1)은 평면상에서 대략 상기 히터블록(21)의 전단부에지(22)의 위치에 대략 대응한다.
이 경우, 상기 경사부(45A)의 경사 각도(θ)는 대략 3.5°내지 4.5°에 해당하여 다른 실시예에 비해 상기 경사 각도(θ)가 큰 것을 알 수 있다. 이는 실시예1의 경사부(45A)의 길이가 다른 실시예에 비해 짧기 때문에 경사 각도(θ)가 상대적으로 커지기 때문이다.
한편, 전술한 (표 1)을 참조하면, 실시예1의 경우 상기 기판(W1)의 전단부에서 기판(W1)의 중앙부를 향할수록 박막이 두꺼워지는 것을 알 수 있다. 하지만, 상기 기판(W1)의 중앙부를 지나면서 박막의 두께가 현저히 얇아져서 공정가스가 상기 히터블록(21)의 중앙부(B영역)까지 원활하게 공급되지 않는 것을 알 수 있다. 실시예1의 경우, 두께 균일도가 5.14%이며, 두께 편차는 0.55㎛에 해당하여 상대적으로 큰 것을 알 수 있다.
한편, 실시예2의 경우 상기 종료점(E2)은 상기 공정가스의 흐름방향에서 상기 히터블록(21)의 전단부에지(22)에서 하류를 향해 상기 히터블록(21)의 직경의 대략 20% 내지 30%의 범위에 위치하게 된다. 즉, 상기 종료점(E2)은 평면상에서 대략 상기 히터블록(21)의 전단부에지(22)와 상기 히터블록(21)의 중앙부의 중간지점의 위치에 대응한다.
실시예2의 경우 상기 경사부(45A)의 경사 각도(θ)는 대략 1.5°내지 3.5°에 해당한다.
실시예2의 경우 상기 기판(W1)의 중앙부에서도 박막의 두께가 어느정도 유지되는 것을 알 수 있다. 하지만, 실시예2의 경우에서도 B 영역, 즉 히터블록(21)의 중앙부에 가까울수록 박막의 두께가 현저히 얇아져서 공정가스가 상기 히터블록(21)의 중앙부까지 원활하게 공급되지 않는 것을 알 수 있다. 실시예2의 경우, 두께 균일도가 3.23%이며, 두께 편차는 0.35㎛에 해당하여 전술한 실시예1보다 작지만 후술하는 실시예3보다는 큰 것을 알 수 있다.
한편, 실시예3의 경우 상기 종료점(E3)은 상기 공정가스의 흐름방향에서 상기 히터블록(21)의 직경의 대략 45% 내지 55%의 범위에 위치하게 된다. 즉, 상기 종료점(E3)은 평면상에서 대략 상기 히터블록(21)의 중앙부에 대응한다.
실시예3의 경우 상기 경사부(45A)의 경사 각도(θ)는 대략 1.1°내지 1.5°에 해당한다.
한편, 실시예3의 경우 상기 기판(W1)의 전단부에서 기판(W1)의 중앙부를 거쳐 B 영역, 즉 히터블록(21)의 중앙부에 가까운 영영에서도 박막의 두께를 유지하는 것을 알 수 있다. 즉, 실시예3의 경우 상기 히터블록(21)의 중앙부까지 비교적 공정가스가 원활하게 공급되는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예3의 경우 두께 균일도가 2.14%이며, 두께 편차는 0.21㎛에 해당하여 다른 실시예에 비해 상대적으로 두께 균일도 및 두께 편차가 낮은 것을 알 수 있다.
한편, 실시예4의 경우 상기 종료점(E4)은 상기 히터블록(21)의 직경의 대략 70% 내지 80%의 범위에 위치한다. 즉, 상기 종료점(E4)은 평면상에서 대략 상기 히터블록(21)의 중앙부를 지나서 위치하게 된다.
실시예4의 경우 상기 경사부(45A)의 경사 각도(θ)는 대략 0.8°내지 1.1°에 해당하여 다른 실시예에 비해 제일 작음을 알 수 있다. 이는 실시예4의 경사부(45A)의 길이가 다른 실시예에 비해 길기 때문에 경사 각도(θ)가 상대적으로 작아지기 때문이다.
실시예4의 경우 B 영역, 즉 히터블록(21)의 중앙부에 가까운 영영에서는 박막의 두께를 유지하지만, 기판(W1)의 A영역에서의 박막의 두께가 상대적으로 제일 얇은 것을 알 수 있다. 실시예4의 경우, 두께 균일도가 2.96%이며, 두께 편차는 0.43㎛에 해당하는 것을 알 수 있다.
결국, 전술한 (표 1)의 두께 균일도와 두께 편차의 결과와, 도 5의 박막 프로파일 그래프를 살펴볼 때, 상기 경사부(45A)의 종료점(E3)은 실시예3과 같이 상기 히터블록(21)의 중앙부에 위치하는 것이 바람직함을 알 수 있다.
더욱 바람직하게는 상기 경사부(45A)의 종료점(E3)은 상기 공정가스의 흐름방향에서 상기 히터블록(21)의 전단부에지(22)에서 하류를 향해 상기 히터블록(21)의 직경의 대략 45% 내지 55%의 범위에 위치함을 알 수 있다. 이 경우, 상기 경사부(45A)의 경사 각도(θ)는 대략 1.1°내지 1.5°에 해당한다.
또한, 전술한 실험에서 알 수 있는 바와 같이 실시예 4처럼 경사부(45A)의 종료점(E4)이 히터블록(21)의 중앙부보다 하류 쪽에 위치하는 경우에 박막 균일도가 증가하는 점을 봤을 때, 경사부(45A)의 종료점(E4) 이후의 구간은 히터블록(21)에 안착된 기판의 상면과 평행한 평면형태로 구성되는 것이 바람직하다
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.
10 : 챔버
15 : 외부챔버
20 : 기판지지부
21 : 히터블록
30 : 가스공급부
40 : 내부챔버
44 : 배리어리드
45A : 경사부
45B : 평면부
300 : 가이드판

Claims (3)

  1. 기판이 수용되는 챔버;
    상기 챔버의 내부에 구비되어 상기 기판이 안착되어 가열되는 히터블록;
    상기 챔버의 내측에 상기 히터블록의 상부에 구비되어 상기 히터블록과의 사이에 상기 기판이 처리되는 처리공간을 제공하는 배리어리드; 및
    상기 처리공간의 측면에서 상기 기판을 향해 공정가스를 공급하는 가스공급부;를 구비하고,
    상기 배리어리드의 하면의 적어도 일부에는 상기 처리공간의 높이를 변화시키는 경사부가 형성되며, 상기 경사부의 시작점은 상기 공정가스의 흐름방향에서 상기 히터블록의 전단부에지의 상류에 위치하며, 상기 경사부의 종료점은 상기 히터블록의 중앙부에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 경사부의 종료점은
    상기 공정가스의 흐름방향에서 상기 히터블록의 전단부에지에서 하류를 향해 상기 히터블록의 직경의 대략 45% 내지 55%의 범위에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 경사부의 경사는 1.1°내지 1.5°의 각도를 가지는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착장치.
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