KR20220141055A - Gas supply device - Google Patents

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KR20220141055A
KR20220141055A KR1020210047124A KR20210047124A KR20220141055A KR 20220141055 A KR20220141055 A KR 20220141055A KR 1020210047124 A KR1020210047124 A KR 1020210047124A KR 20210047124 A KR20210047124 A KR 20210047124A KR 20220141055 A KR20220141055 A KR 20220141055A
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동우에이치에스티 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a gas supply unit capable of supplying gas at uniform flow and flow rate. The gas supply unit comprises: an inner pipe provided in a hollow shape so that gas can be supplied to the inside and having a plurality of inlet holes formed in a circumferential direction and a longitudinal direction so that gas supplied to an opened upper side can be discharged to the outside; an intermediate pipe having a plurality of communication holes formed in a circumferential direction and a longitudinal direction so as to discharge the gas discharged through the inlet hole to the outside; an outer pipe having a plurality of supply holes formed in a circumferential direction and a longitudinal direction to discharge the gas discharged through the communication holes to the outside; and a guide plate formed to protrude outward in a radial direction from the outer pipe and guiding gas discharged through the plurality of supply holes to move in a circumferential direction. As configured above, gas can be supplied at uniform flow and flow rate.

Description

가스 공급유닛{GAS SUPPLY DEVICE}Gas supply unit {GAS SUPPLY DEVICE}

본 발명은 가스 공급유닛에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 가스를 균일한 유량 및 유속으로 공급할 수 있는 가스 공급유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a gas supply unit, and more particularly, to a gas supply unit capable of supplying gas at a uniform flow rate and flow rate.

일반적으로, 적층 콘덴서, 고전압 콘덴서 등을 포함한 세라믹 콘덴서, 압전 세라믹 등의 압전재료, 마이크로파 유전체, 반도체 콘덴서, PTC서미스터, NTC서미스터, 세라믹 센서 등의 반도체 세라믹스의 원료로는 티탄산 바륨(BaTiO3), 티탄산산지루콘산연(PbZrTiO3), 산화아연(ZnO), 산화지르코늄(ZrO2), 희토류산화물, 그라스 재료, 산화알루미늄, 산화 규소 등의 산화물, 혹은 이들의 복합물이 이용된다. In general, as raw materials for semiconductor ceramics such as multilayer capacitors, ceramic capacitors including high voltage capacitors, piezoelectric materials such as piezoelectric ceramics, microwave dielectrics, semiconductor capacitors, PTC thermistors, NTC thermistors, and ceramic sensors, barium titanate (BaTiO 3 ), Lead zirconate titanate (PbZrTiO 3 ), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2 ), rare earth oxides, glass materials, oxides such as aluminum oxide and silicon oxide, or composites thereof are used.

상기한 세라믹 전자부품은 세라믹 원료를 소정의 형상으로 성형하여 성형체로 제조된 후, 오븐에서 탈바인더 공정과 소성로에서의 소성 공정 및 냉각 공정을 차례로 거침으로써 적층 세라믹 콘덴서의 제작이 완료된다.The above-described ceramic electronic component is manufactured by molding a ceramic raw material into a predetermined shape to be manufactured into a compact, and then the multilayer ceramic capacitor is manufactured by sequentially performing a binder removal process in an oven, a sintering process in a kiln, and a cooling process.

이와 같은, 세라믹 콘덴서를 제조하는 공정은, BaTiO3, CaCa3, MnO, Glass Frit 등의 원료 분말에 유기물 성분인 바인더를 첨가하여 슬러리(slurry)를 제조하고, 상기 슬러리를 유전체 시트로 하는 세라믹 시트가 성형되며, 상기 세라믹 시트의 표면에 Ni, Cu, Pd, Pd/Ag 소재의 금속 성분인 내부전극을 패턴 인쇄하여 상기 내부전극이 인쇄된 세라믹 시트가 다층으로 적층됨에 의해서 적층시트가 제조되고, 상기 적층시트를 500~1300㎏f/㎠의 압력으로 압착한 후에 압착된 적층시트를 소정의 길이로 절단함으로써 직육면체 형상의 세라믹 콘덴서가 제조된다.In the process of manufacturing such a ceramic capacitor, a slurry is prepared by adding a binder, which is an organic component, to raw powder such as BaTiO 3 , CaCa 3 , MnO, Glass Frit, and the like, and the slurry is used as a dielectric sheet. is molded, and the inner electrode, which is a metal component of Ni, Cu, Pd, Pd/Ag, is pattern printed on the surface of the ceramic sheet, and the ceramic sheet printed with the inner electrode is laminated in multiple layers to prepare a laminated sheet, A rectangular parallelepiped ceramic capacitor is manufactured by compressing the laminated sheet at a pressure of 500 to 1300 kgf/cm 2 and then cutting the compressed laminated sheet to a predetermined length.

또한, 상기 세라믹 콘덴서는 오븐에서 230 ~ 350℃의 온도로 가소(bake-out)되어 바인더 성분이 제거되는 탈바인더 공정과, 900 ~ 1300℃의 온도로 10 ~ 24시간 동안 소성하는 소성 공정, 및 소성 완료 후 저온으로 냉각하는 냉각공정을 연속적으로 거치게 되고, 상기 소성로에서 소성된 세라믹 콘덴서는 그 외주면에 외부전극 및 단자전극의 도포에 의한 도금 처리에 의하여 세라믹 콘덴서가 완성된다.In addition, the ceramic capacitor is calcined (bake-out) at a temperature of 230 ~ 350 ℃ in an oven to remove the binder component, a firing process of firing at a temperature of 900 ~ 1300 ℃ for 10 ~ 24 hours, and After the firing is completed, a cooling process of cooling to a low temperature is continuously performed, and the ceramic capacitor fired in the firing furnace is plated by coating external electrodes and terminal electrodes on the outer peripheral surface thereof to complete the ceramic capacitor.

여기서, 유기물 성분인 바인더와 금속 성분인 내부전극 및 세라믹 성분인 세라믹 시트로 이루어진 세라믹 콘덴서를 적층하는데 사용된 바인더는 탈바인더 공정인 가소 공정에서 효과적으로 제거되도록 함으로써, 상호 이질적 특성의 세라믹 성형체의 비정합성(mismatching)에 의해 발생될 수 있는 들뜸(delamination)이나, 크랙(crack)불량이 방지되도록 하는 것이 세라믹 성형체의 품질 특성을 제어하는 중요한 공정 변수로 작용된다.Here, the binder used for stacking the ceramic capacitor composed of the binder, which is an organic component, the internal electrode, which is a metal, and a ceramic sheet, which is a ceramic component, is effectively removed in the calcination process, which is a binder removal process, so that the ceramic molded body having mutually heterogeneous characteristics is inconsistent. Preventing delamination or crack defects that may be caused by mismatching acts as an important process variable controlling the quality characteristics of ceramic compacts.

한국 등록특허 제2025609호(이하 "특허문헌 1"이라 지칭)에는 "전자부품 제조용 가스 오븐"이 개시되어 있다. 하지만, 특허문헌 1에 개시되어 있는 가스 오븐은 챔버가 박스 형태로 구성되어 있어서 가스가 챔버 내부에 공급될 때 대상체의 위치에 따라서 가스의 공급 유량, 온도 등이 균일하지 않아 대상체의 배치 위치에 따라 품질이 달라지는 문제가 있다. 또한, 박스 형태로 구성되어 가스가 챔버 내부로 공급되면 가스가 공급되는 입구측 모서리 부분과 가스가 배출되는 출구측 모서리 부분에는 가스가 공급되지 않는 데드존(dead zone)이 발생하여 대상체의 품질에 악영향을 미치는 문제가 있다.Korean Patent Registration No. 2025609 (hereinafter referred to as "Patent Document 1") discloses a "gas oven for manufacturing electronic components". However, in the gas oven disclosed in Patent Document 1, since the chamber is configured in a box shape, when gas is supplied into the chamber, the gas supply flow rate, temperature, etc. are not uniform depending on the position of the object. There is a problem with quality. In addition, it is configured in a box shape and when gas is supplied to the inside of the chamber, a dead zone is generated in which gas is not supplied to the inlet side corner where gas is supplied and the gas is discharged at the outlet side corner, so that the quality of the object is affected. There is a problem that has an adverse effect.

한국 등록특허 제2025609호 (2019.11.04)Korean Patent Registration No. 2025609 (2019.11.04)

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 균일한 유량으로 챔버 내부에 가스를 공급하여 대상체의 배치 위치에 따른 온도 불균일을 방지하고, 챔버 내부에 데드존의 형성 없이 가스를 공급할 수 있는 가스 공급유닛을 제공하는 데에 그 목적이 있다. The present invention has been devised to solve the above problems, and it is possible to supply gas into the chamber at a uniform flow rate to prevent temperature non-uniformity according to the arrangement position of the object, and to supply gas without the formation of a dead zone inside the chamber. An object of the present invention is to provide a gas supply unit.

그리고, 본 발명은 가스 공급유닛으로 통하여 배출되는 가스가 챔버 내부의 일정 영역까지 일정 속도 이상으로 균일한 유속을 가지면서 유동하도록 가스를 공급할 수 있는 가스 공급유닛을 제공하는 데에 그 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a gas supply unit capable of supplying a gas such that the gas discharged through the gas supply unit flows to a predetermined region inside the chamber with a uniform flow rate at a predetermined velocity or more.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스 공급유닛은, 중공 형태로 마련되어 내측에 가스가 공급되고, 개방된 상측으로 공급되는 가스를 외측으로 배출하도록 원주 방향 및 길이 방향을 따라 복수의 유입홀이 형성된 내측 배관; 중공 형태로 마련되어 내측에 상기 내측 배관이 배치되고, 상기 유입홀을 통하여 배출된 가스를 외측으로 배출하도록 원주 방향 및 길이 방향을 따라 복수의 연통홀이 형성된 중간 배관; 중공 형태로 마련되어 내측에 상기 중간 배관이 배치되고, 상기 연통홀을 통하여 배출된 가스를 외측으로 배출하도록 원주 방향 및 길이 방향을 따라 복수의 공급홀이 형성된 외측 배관; 및 상기 외측 배관에서 반경 방향의 외측으로 돌출 형성되고, 복수의 상기 공급홀을 통하여 배출되는 가스를 원주 방향으로 이동하도록 가이드하는 가이드 플레이트;를 포함하여 이루어질 수 있다. In order to achieve the above object, the gas supply unit according to a preferred embodiment of the present invention is provided in a hollow shape so that the gas is supplied to the inside and the gas supplied to the open upper side is discharged to the outside in the circumferential and longitudinal directions. an inner pipe having a plurality of inlet holes formed along it; an intermediate pipe having a hollow shape and having the inner pipe disposed therein, and having a plurality of communication holes formed along the circumferential direction and the longitudinal direction to discharge the gas discharged through the inlet hole to the outside; an outer pipe having a hollow shape, the intermediate pipe being disposed inside, and having a plurality of supply holes formed along the circumferential direction and the longitudinal direction to discharge the gas discharged through the communication hole to the outside; and a guide plate protruding radially outward from the outer pipe and guiding the gas discharged through the plurality of supply holes to move in the circumferential direction.

여기서, 상기 가이드 플레이트는, 복수로 마련되고, 복수의 상기 공급홀 각각에 이웃하여 형성될 수 있다. Here, the guide plate may be provided in plurality, and may be formed adjacent to each of the plurality of supply holes.

보다 구체적으로, 상기 가이드 플레이트는, 상기 외측 배관에서 반경 방향으로 돌출된 제1 플레이트; 및 상기 제1 플레이트의 단부에서 원주 방향으로 절곡 형성된 제2 플레이트;를 포함하여 이루어질 수 있다. More specifically, the guide plate may include a first plate protruding in a radial direction from the outer pipe; and a second plate bent in a circumferential direction at an end of the first plate.

여기서, 상기 제2 플레이트는, 상기 외측 배관에서 반경 방향으로 특정 거리 이격된 위치에서 유동하는 가스의 속도가 특정 속도 이상을 만족하도록 절곡 형성될 수 있다. Here, the second plate may be bent so that the speed of the gas flowing at a location spaced apart from the outer pipe by a specific distance in the radial direction satisfies a specific speed or more.

일 예로, 상기 제2 플레이트는, 상기 제1 플레이트에 대하여 90~150도 각도를 가지도록 절곡 형성될 수 있다. For example, the second plate may be bent to have an angle of 90 to 150 degrees with respect to the first plate.

본 발명의 실시예에 의한 가스 공급유닛은 원뿔 형태로 마련되어 상기 내측 배관의 내측에 배치되고, 상기 내측 배관의 개방된 상측으로 공급되는 가스가 상기 내측 배관의 길이 방향으로 형성된 유입홀을 통하여 균일한 유량으로 배출되도록 가이드하는 가이드부;를 더 포함하여 이루어질 수도 있다. The gas supply unit according to an embodiment of the present invention is provided in a cone shape and disposed inside the inner pipe, and the gas supplied to the open upper side of the inner pipe is uniformly supplied through an inlet hole formed in the longitudinal direction of the inner pipe. A guide part for guiding the discharge at a flow rate; may be made to further include.

여기서, 상기 연통홀은, 길이 방향 및 원주 방향을 따라서 상기 유입홀과 서로 다른 위치에 형성되고, 상기 유입홀보다 많은 수로 형성되며, 상기 유입홀보다 직경이 작게 형성될 수 있다. Here, the communication holes may be formed at different positions from the inflow holes along the longitudinal and circumferential directions, be formed in a greater number than the inflow holes, and may have a smaller diameter than the inflow holes.

그리고, 상기 공급홀은, 길이 방향 및 원주 방향을 따라서 상기 연통홀과 서로 다른 위치에 형성되고, 상기 연통홀보다 많은 수로 형성되며, 상기 연통홀보다 직경이 작게 형성될 수 있다. In addition, the supply holes may be formed at different positions from the communication holes along the longitudinal direction and the circumferential direction, formed in a greater number than the communication holes, and have a diameter smaller than that of the communication holes.

나아가, 상기 내측 배관과 상기 중간 배관 사이의 간격이 상기 중간 배관과 상기 외측 배관 사이의 간격보다 좁게 형성될 수도 있다. Furthermore, the interval between the inner pipe and the intermediate pipe may be formed to be narrower than the interval between the intermediate pipe and the outer pipe.

그리고, 상기 내측 배관은, 단면이 반원 형태로 마련되어 상기 유입홀의 하측 둘레에 구비되고, 개방된 상측을 통하여 공급되는 가스에 저항으로 작용하여 가스의 유동 방향을 상기 유입홀로 유도하는 유도부;를 더 포함하여 이루어질 수도 있다. In addition, the inner pipe has a semicircular cross-section, is provided around the lower side of the inlet hole, and acts as a resistance to the gas supplied through the open upper side to guide the flow direction of the gas to the inlet hole; may be done by

본 발명에 의한 가스 공급유닛에 따르면, 가스 공급유닛에서 공급되는 가스를 챔버의 높이 방향으로 균일하게 공급할 수 있고, 챔버 내부에 데드존의 형성 없이 가스를 공급할 수 있어 대상체의 배치 위치에 따른 온도 불균일을 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.According to the gas supply unit according to the present invention, the gas supplied from the gas supply unit can be uniformly supplied in the height direction of the chamber, and the gas can be supplied without the formation of a dead zone inside the chamber, so that the temperature non-uniformity according to the arrangement position of the object can be prevented.

또한, 본 발명에 따르면, 가스 공급유닛의 외측 배관에 가이드 플레이트를 구비하여 외측 배관에서 배출되는 가스가 챔버 내부의 일정 영역까지 일정 속도 이상으로 균일한 유속을 가지면서 유동하도록 가스를 공급할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, a guide plate is provided on the outer pipe of the gas supply unit to supply the gas so that the gas discharged from the outer pipe flows to a certain area inside the chamber at a constant speed or more while having a uniform flow rate. can get

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 가스 공급유닛을 개략적으로 도시해 보인 사시도,
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 가스 공급유닛을 개략적으로 도시해 보인 평면도,
도 3은 도 2의 A-A' 영역을 절단하여 개략적으로 도시해 보인 단면도,
도 4는 본 발명의 실시예에 의한 가스 공급유닛이 적용된 가스 오븐을 개략적으로 도시해 보인 단면도,
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 가스 공급유닛을 통하여 챔버 내부로 공급되는 가스의 유속을 해석하여 개략적으로 나타낸 도면,
도 6은 본 발명의 실시예에 의한 가스 공급유닛에서 120도 각도로 절곡된 가이드 플레이트가 적용된 상태의 가스의 유속을 해석하여 개략적으로 나타낸 도면,
도 7은 가이드 플레이트가 구비되지 않은 가스 공급유닛을 통하여 챔버 내부로 공급되는 가스의 유속을 해석하여 개략적으로 나타낸 도면,
도 8 및 도 9는 본 발명의 실시예에 의한 가스 공급유닛에서 다양한 각도로 절곡된 가이드 플레이트가 적용된 상태의 가스의 유속을 해석하여 개략적으로 나타낸 도면이다. 1 is a perspective view schematically showing a gas supply unit according to an embodiment of the present invention;
2 is a plan view schematically showing a gas supply unit according to an embodiment of the present invention;
3 is a cross-sectional view schematically shown by cutting the area AA' of FIG. 2;
4 is a cross-sectional view schematically showing a gas oven to which a gas supply unit according to an embodiment of the present invention is applied;
5 is a view schematically showing the analysis of the flow rate of the gas supplied into the chamber through the gas supply unit according to an embodiment of the present invention;
6 is a view schematically showing the analysis of the flow rate of gas in a state in which a guide plate bent at an angle of 120 degrees is applied in a gas supply unit according to an embodiment of the present invention;
7 is a view schematically showing the analysis of the flow rate of the gas supplied into the chamber through the gas supply unit is not provided with a guide plate;
8 and 9 are views schematically showing the analysis of the flow rate of the gas in a state in which the guide plate bent at various angles is applied in the gas supply unit according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 구체적으로 설명하고자 한다. 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 의도는 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 해석되어야 한다. Since the present invention can have various changes and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and will be described in detail in the detailed description. This is not intended to limit the present invention to a specific embodiment, it should be construed to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression may include the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가질 수 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석될 수 있으며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않을 수 있다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, may have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in a commonly used dictionary may be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in the present application, it is interpreted in an ideal or excessively formal meaning. it may not be

이하에서는 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 구체적인 실시예에 대하여 설명한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 의한 가스 공급유닛을 개략적으로 도시해 보인 사시도 및 평면도이고, 도 3은 도 2의 A-A' 영역을 절단하여 개략적으로 도시해 보인 단면도이다. 1 and 2 are a perspective view and a plan view schematically showing a gas supply unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view schematically shown by cutting an area A-A' of FIG. 2 .

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 가스 공급유닛(100)은 내측 배관(110), 중간 배관(120), 외측 배관(130)인 3중 배관으로 구성된다. 즉, 상기 내측 배관(110)에 가스가 공급되면 상기 내측 배관(110)을 통과한 가스가 상기 내측 배관(110)과 상기 중간 배관(120) 사이로 유입되고, 상기 중간 배관(120)을 통과한 가스는 상기 외측 배관(130)을 통과하여 외부로 배출된다. 1 to 3 , the gas supply unit 100 according to the embodiment of the present invention includes a triple pipe that is an inner pipe 110 , an intermediate pipe 120 , and an outer pipe 130 . That is, when gas is supplied to the inner pipe 110 , the gas passing through the inner pipe 110 flows between the inner pipe 110 and the intermediate pipe 120 , and passes through the intermediate pipe 120 . The gas passes through the outer pipe 130 and is discharged to the outside.

이러한 다중 배관을 차례로 통과하면서 가스가 배출되면 하나의 배관을 통과하여 배출되는 구성과 비교하여, 배관의 길이 방향을 따라 배출되는 가스의 유량을 보다 균일하게 배출할 수 있다. When the gas is discharged while passing through these multiple pipes in turn, the flow rate of the gas discharged along the longitudinal direction of the pipe may be more uniformly discharged compared to the configuration in which the gas is discharged through one pipe.

보다 구체적으로, 상기 내측 배관(110)은 중공 형태로 마련되어 내측에 가스가 공급되고, 개방된 상측으로 공급되는 가스를 외측으로 배출하도록 원주 방향 및 길이 방향을 따라 복수의 유입홀(111)이 형성된다.More specifically, the inner pipe 110 is provided in a hollow shape, gas is supplied to the inside, and a plurality of inlet holes 111 are formed along the circumferential direction and the longitudinal direction to discharge the open upper gas to the outside. do.

상기 중간 배관(120)은 중공 형태로 마련되어 내측에 상기 내측 배관(110)이 배치되고, 상기 유입홀(111)을 통하여 배출된 가스를 외측으로 배출하도록 원주 방향 및 길이 방향을 따라 복수의 연통홀(121)이 형성된다.The intermediate pipe 120 is provided in a hollow shape, the inner pipe 110 is disposed inside, and a plurality of communication holes along the circumferential direction and the longitudinal direction to discharge the gas discharged through the inlet hole 111 to the outside. (121) is formed.

상기 외측 배관(130)은 중공 형태로 마련되어 내측에 상기 중간 배관(120)이 배치되고, 상기 연통홀(121)을 통하여 배출된 가스를 외측으로 배출하도록 원주 방향 및 길이 방향을 따라 복수의 공급홀(131)이 형성된다.The outer pipe 130 is provided in a hollow shape, the intermediate pipe 120 is disposed inside, and a plurality of supply holes along the circumferential direction and the longitudinal direction to discharge the gas discharged through the communication hole 121 to the outside. (131) is formed.

여기서, 상기 내측 배관(110)과 상기 중간 배관(120) 사이의 간격이 상기 중간 배관(120)과 상기 외측 배관(130) 사이의 간격보다 좁게 형성된다.Here, the interval between the inner pipe 110 and the intermediate pipe 120 is formed to be narrower than the interval between the intermediate pipe 120 and the outer pipe 130 .

그리고, 상기 연통홀(121)은 길이 방향 및 원주 방향을 따라서 상기 유입홀(111)과 서로 다른 위치에 형성되고, 상기 유입홀(111)보다 많은 수로 형성되며, 상기 유입홀(111)보다 직경이 작게 형성된다. In addition, the communication holes 121 are formed at different positions from the inflow holes 111 along the longitudinal and circumferential directions, are formed in a greater number than the inflow holes 111 , and have a diameter larger than that of the inflow holes 111 . This is formed small.

또한, 상기 공급홀(131)은 길이 방향 및 원주 방향을 따라서 상기 연통홀(121)과 서로 다른 위치에 형성되고, 상기 연통홀(121)보다 많은 수로 형성되며, 상기 연통홀(121)보다 직경이 작게 형성된다. In addition, the supply holes 131 are formed at different positions from the communication holes 121 along the longitudinal and circumferential directions, are formed in a greater number than the communication holes 121 , and have a diameter greater than that of the communication holes 121 . This is formed small.

즉, 내측에서 외측으로 갈수록 가스가 통과하는 홀의 직경이 작아지면서 홀의 수량이 많아지게 형성하여 가스의 유동 속도를 평준화하여 최종적으로 배출되는 가스의 유량을 균등하게 할 수 있다. That is, from the inside to the outside, the diameter of the hole through which the gas passes becomes smaller and the number of the hole is formed to increase to equalize the flow rate of the gas to equalize the flow rate of the finally discharged gas.

또한, 상기 유입홀(111)과 상기 연통홀(121) 및 상기 연통홀(121)과 상기 공급홀(131)은 반경 방향 및 배관의 길이 방향으로 서로 다른 위치에 형성된다. 즉, 상기 유입홀(111)에서 배출된 가스가 바로 상기 연통홀(121)로 배출되면 가스의 유동 속도를 균등화함에 효과가 없다. In addition, the inlet hole 111 and the communication hole 121 and the communication hole 121 and the supply hole 131 are formed at different positions in the radial direction and the longitudinal direction of the pipe. That is, when the gas discharged from the inlet hole 111 is directly discharged to the communication hole 121 , there is no effect in equalizing the flow rate of the gas.

따라서, 상기 내측 배관(110)과 상기 중간 배관(120) 사이에 공간에서 유동하여 상기 내측 배관(110)의 상측에 형성된 유입홀(111)을 통하여 유입된 가스와 상기 내측 배관(110)의 하측에 형성된 유입홀(111)을 통하여 유입된 가스가 상기 내측 배관(110)과 상기 중간 배관(120) 사이에 공간에서 혼합되면서 가스의 유동 속도를 어느 정도 평준화하면서 상기 연통홀(121)을 통하여 상기 중간 배관(120)과 상기 외측 배관(130) 사이로 배출된다. Therefore, the gas flowing in the space between the inner pipe 110 and the intermediate pipe 120 and introduced through the inlet hole 111 formed at the upper side of the inner pipe 110 and the lower side of the inner pipe 110 . The gas introduced through the inlet hole 111 formed in It is discharged between the intermediate pipe 120 and the outer pipe 130 .

또한, 상기 중간 배관(120)과 상기 외측 배관(130) 사이에서도 가스가 혼합되면서 가스의 유동 속도가 다시 평준화된 후 상기 공급홀(131)을 통하여 배출된다. 즉, 복수의 배관과 서로 다른 크기, 수량, 위치에 형성된 복수의 홀에 의하여 배관의 길이 방향을 따라 동일한 유량으로 가스를 공급할 수 있다. Also, the gas is mixed between the intermediate pipe 120 and the outer pipe 130 , and the flow velocity of the gas is re-leveled and then discharged through the supply hole 131 . That is, the gas can be supplied at the same flow rate along the longitudinal direction of the pipe by the plurality of holes formed in different sizes, quantities, and positions from the plurality of pipes.

그리고, 본 발명의 실시예에 의한 가스 공급유닛(100)은 상기 외측 배관(130)에서 반경 방향의 외측으로 돌출 형성되고, 복수의 상기 공급홀(131)을 통하여 배출되는 가스를 원주 방향으로 이동하도록 가이드하는 가이드 플레이트(132)를 더 포함한다. In addition, the gas supply unit 100 according to the embodiment of the present invention is formed to protrude outward in a radial direction from the outer pipe 130 , and moves the gas discharged through the plurality of supply holes 131 in the circumferential direction. It further includes a guide plate 132 for guiding to do so.

즉, 상기 가이드 플레이트(132)는 복수로 마련되어, 복수의 상기 공급홀(131) 각각에 이웃하여 형성될 수 있다. That is, the guide plate 132 may be provided in plurality, and may be formed adjacent to each of the plurality of supply holes 131 .

일 예로, 상기 가이드 플레이트(132)는, 도 2를 참조하면, 상기 외측 배관(130)에서 반경 방향으로 돌출된 제1 플레이트(133)와, 상기 제1 플레이트(133)의 단부에서 원주 방향으로 절곡 형성된 제2 플레이트(134)를 포함하여 이루어질 수 있다. As an example, the guide plate 132 includes a first plate 133 protruding in a radial direction from the outer pipe 130 , and a circumferential direction from an end of the first plate 133 , referring to FIG. 2 . The bent second plate 134 may be included.

여기서, 상기 제2 플레이트(134)는 상기 외측 배관(130)에서 반경 방향으로 가면서 가스의 유동 방향 및 속도가 균일하도록 가이드할 수 있다. Here, the second plate 134 may guide the gas so that the flow direction and velocity of the gas are uniform while going in the radial direction from the outer pipe 130 .

또한, 상기 제2 플레이트(134)는 상기 외측 배관(130)에서 반경 방향으로 특정 거리 이격된 위치인 유속 측정위치(도 6의 P)에서 유동하는 가스의 속도가 특정 속도 이상을 만족하도록 절곡 형성될 수 있다.In addition, the second plate 134 is bent so that the velocity of the gas flowing in the flow velocity measurement position (P in FIG. 6 ), which is a position spaced apart from the outer pipe 130 by a specific distance in the radial direction, satisfies a specific velocity or more. can be

즉, 상기 제2 플레이트(134)는 상기 제1 플레이트(133)에 대하여 소정 각도를 가지도록 경사지게 형성되고, 상기 공급홀(131)을 통하여 배출되는 가스가 절곡 배치된 상기 제2 플레이트(134)에 의해 상기 외측 배관(130)의 원주 방향을 따라 공급되도록 가이드할 수 있다. That is, the second plate 134 is inclined to have a predetermined angle with respect to the first plate 133 , and the gas discharged through the supply hole 131 is bent. may guide the supply along the circumferential direction of the outer pipe 130 by the .

이때, 상기 제2 플레이트(134)의 절곡되는 각도에 따라서 상기 공급홀(131)을 통하여 배출된 가스의 유동 속도가 상기 외측 배관(130)에서 반경 방향으로 갈수록 달라지게 된다. 따라서, 대상체의 배치 위치 등 사용자의 사용 목적에 따라 상기 제2 플레이트(134)의 절곡 각도를 설정할 수 있다. At this time, according to the bending angle of the second plate 134 , the flow rate of the gas discharged through the supply hole 131 changes in the radial direction from the outer pipe 130 . Accordingly, the bending angle of the second plate 134 may be set according to the purpose of use of the user, such as the arrangement position of the object.

나아가, 본 발명의 실시예에 의한 가스 공급유닛(100)은 상기 유입홀(111)을 통하여 균일한 유량으로 가스가 배출되도록 가이드하는 가이드부(140)를 더 포함할 수 있다. Furthermore, the gas supply unit 100 according to the embodiment of the present invention may further include a guide part 140 for guiding the gas to be discharged at a uniform flow rate through the inlet hole 111 .

상기 가이드부(140)는 원뿔 형태로 마련되어 상기 내측 배관(110)의 내측에 배치되고, 상기 내측 배관(110)의 개방된 상측으로 공급되는 가스가 상기 내측 배관(110)의 길이 방향으로 형성된 유입홀(111)을 통하여 균일한 유량으로 배출되도록 가이드한다. The guide part 140 is provided in a conical shape and disposed inside the inner pipe 110 , and the gas supplied to the open upper side of the inner pipe 110 is introduced in the longitudinal direction of the inner pipe 110 . It guides so that it is discharged at a uniform flow rate through the hole 111 .

즉, 상기 내측 배관(110)의 개방된 상측으로 가스가 공급되면 가스의 공급 압력 및 유동 관성에 의해 공급되는 가스는 상기 내측 배관(110)의 최하단에서 채워지면서 상기 내측 배관(110)의 최하단에 형성된 유입홀(111)을 통하여 우선적으로 배출이 된다. 그리고, 상기 내측 배관(110)의 최하단에서 상측으로 가스가 채워져야만 상기 내측 배관(110)의 중간 위치 및 상측 위치에 형성된 유입홀(111)을 통하여 가스가 배출되므로, 상기 내측 배관(110)의 길이 방향을 따라 불균일하게 가스가 배출된다.That is, when gas is supplied to the open upper side of the inner pipe 110 , the gas supplied by the supply pressure and flow inertia of the gas is filled at the lower end of the inner pipe 110 and at the lower end of the inner pipe 110 . It is preferentially discharged through the formed inlet hole 111 . And, since the gas is discharged through the inlet hole 111 formed in the middle position and the upper position of the inner pipe 110 only when the gas is filled from the lower end of the inner pipe 110 to the upper side, the inner pipe 110 of The gas is discharged non-uniformly along the longitudinal direction.

이에 본 발명에서는 아래로 갈수록 직경이 커지는 원뿔 형태의 가이드부(140)를 상기 내측 배관(110)에 배치하였다. 즉, 상기 가이드부(140)에 의해 상기 내측 배관(110)의 최하단 측으로 갈수록 공간이 작아지므로, 상기 내측 배관(110)의 최하단에서 최상단으로 가스가 채워지는 시간이 단축되어 상기 유입홀(111)을 통하여 배출되는 가스의 유량을 최단시간에 균일하게 할 수 있다. 추가적으로, 상기 내측 배관(110)의 상측에서 공급되는 가스가 상기 가이드부(140)의 측면과 충돌하여 가스 유동 방향이 상기 유입홀(111) 측으로 바뀌게 되므로, 상기 유입홀(111)을 통하여 배출되는 가스의 유량을 최단시간에 균일하게 할 수 있다.Accordingly, in the present invention, the guide portion 140 in the form of a cone having a diameter increasing downward is disposed on the inner pipe 110 . That is, since the space becomes smaller toward the lowermost end of the inner pipe 110 by the guide unit 140, the time for filling the gas from the lower end to the upper end of the inner pipe 110 is shortened and the inlet hole 111 It is possible to uniform the flow rate of the gas discharged through the Additionally, since the gas supplied from the upper side of the inner pipe 110 collides with the side surface of the guide part 140 , the gas flow direction is changed to the inlet hole 111 side, so that the gas is discharged through the inlet hole 111 . The gas flow rate can be made uniform in the shortest time.

또한, 본 발명의 실시예에 의한 가스 공급유닛(100)은 상기 내측 배관(110)의 길이 방향으로 형성된 상기 유입홀(111)을 통하여 배출되는 가스의 유량을 보다 균등하게 하기 위하여 상기 내측 배관(110)에 유도부(112)를 더 구비할 수 있다. In addition, the gas supply unit 100 according to the embodiment of the present invention has the inner pipe ( An induction part 112 may be further provided in 110 .

상기 유도부(112)는 단면이 반원 형태로 마련되어 상기 유입홀(111)의 하측 둘레에 구비되고, 상기 내측 배관(110)의 개방된 상측을 통하여 공급되는 가스에 저항으로 작용하여 가스의 유동 방향을 상기 유입홀(111)로 유도할 수 있다. The induction part 112 has a semicircular cross-section and is provided around the lower side of the inlet hole 111 , and acts as a resistance to the gas supplied through the open upper side of the inner pipe 110 to control the flow direction of the gas. It may be guided to the inlet hole 111 .

그리고, 상기 유도부(112)는 상기 내측 배관(110)의 최상측에 형성된 유입홀(111)에서부터 중간측에 형성된 유입홀(111)까지만 형성될 수 있다. 즉, 최하측에서부터 가스가 채워지면서 배출되므로 최하측에 형성된 유입홀(111)에 상기 유도부(112)가 형성되면 오히려 배출을 방해할 수 있다. 따라서, 상기 내측 배관(110)의 중간측 위치에서부터 최하측 위치까지는 상기 유도부(112)가 형성되지 않는 것이 바람직하다. In addition, the induction part 112 may be formed only from the inlet hole 111 formed at the uppermost side of the inner pipe 110 to the inlet hole 111 formed at the middle side. That is, since the gas is discharged while being filled from the lowermost side, when the induction part 112 is formed in the inlet hole 111 formed at the lowermost side, the discharge may be prevented. Therefore, it is preferable that the induction part 112 is not formed from the middle position of the inner pipe 110 to the lowermost position.

또한, 상기 유도부(112)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 내측 배관(110)의 내측면에서 중심으로 돌출된 길이가 상측에서 하측으로 갈수록 짧아지게 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 상기 내측 배관(110)의 상측에 형성된 유입홀(111)이 가장 늦게 가스가 배출되므로, 상측에 위치한 유도부(112)의 면적을 보다 넓게 형성하여 보다 많은 가스를 유입홀(111) 측으로 배출되도록 유도할 수 있다. In addition, as shown in FIG. 3 , the induction part 112 is preferably formed so that the length protruding from the inner surface of the inner pipe 110 to the center becomes shorter from the upper side to the lower side. That is, since the inlet hole 111 formed on the upper side of the inner pipe 110 is the latest to discharge gas, the area of the induction part 112 located on the upper side is formed to be wider, and more gas is discharged toward the inlet hole 111 . can be induced.

이러한 구성을 통하여, 상기 내측 배관(110)의 길이 방향 및 원주 방향을 따라 복수로 형성된 유입홀(111)을 통하여 균일한 유량으로 가스가 배출되도록 가이드 할 수 있어, 최종적으로 상기 외측 배관(130)에 형성된 복수의 공급홀(131)을 통하여 보다 균일하게 가스가 배출되도록 유도할 수 있다. Through this configuration, it is possible to guide the gas to be discharged at a uniform flow rate through the inlet holes 111 formed in a plurality along the longitudinal and circumferential directions of the inner pipe 110, and finally the outer pipe 130 It is possible to induce the gas to be discharged more uniformly through the plurality of supply holes 131 formed in the .

이하에서는, 본 발명의 실시예에 의한 가스 공급유닛을 가스 오븐에 설치하고, 가이드 플레이트의 절곡 각도에 따른 챔버 내부에서의 가스의 유속을 해석하여 가이드 플레이트의 절곡 각도를 최적화한 결과에 대하여 설명한다.Hereinafter, the results of optimizing the bending angle of the guide plate by installing the gas supply unit according to an embodiment of the present invention in a gas oven and analyzing the flow rate of gas in the chamber according to the bending angle of the guide plate will be described. .

도 4는 상기 가스 공급유닛이 적용된 가스 오븐을 개략적으로 도시해 보인 단면도이고, 도 5는 상기 가스 공급유닛을 통하여 챔버 내부로 공급되는 가스의 유속을 해석하여 개략적으로 나타낸 도면이다. 4 is a cross-sectional view schematically illustrating a gas oven to which the gas supply unit is applied, and FIG. 5 is a diagram schematically illustrating a flow rate of the gas supplied into the chamber through the gas supply unit.

그리고, 도 6은 상기 가스 공급유닛에서 120도 각도로 절곡된 가이드 플레이트가 적용된 상태의 가스의 유속을 해석하여 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 7은 가이드 플레이트가 구비되지 않은 가스 공급유닛을 통하여 챔버 내부로 공급되는 가스의 유속을 해석하여 개략적으로 나타낸 도면이다. And, FIG. 6 is a view schematically showing the flow rate of gas in a state in which a guide plate bent at an angle of 120 degrees is applied in the gas supply unit, and FIG. 7 is a view showing the inside of the chamber through the gas supply unit not provided with the guide plate. It is a diagram schematically showing the flow rate of the gas supplied to the

도 4를 참조하면, 상기 가스 오븐(10)은 중공을 가지고 상측이 개방된 챔버(200)와, 상기 챔버(200)의 개방된 상측에 체결되어 상기 챔버(200)의 내측에 가스를 공급하는 가스 공급유닛(100)과, 상기 챔버(200)에 배치되고 상기 가스 공급유닛(100)에서 공급되는 가스가 상기 챔버(200)의 개방된 상측으로 배출되도록 가이드하는 가스 배출유닛(300), 그리고 상기 가스 공급유닛(100)과 상기 가스 배출유닛(300)의 사이에 대상체가 위치하도록 대상체가 안착되는 안착 유닛(400)을 포함한다. Referring to FIG. 4 , the gas oven 10 has a hollow chamber 200 with an open upper side, and is fastened to the open upper side of the chamber 200 to supply gas to the inside of the chamber 200 . A gas supply unit 100 and a gas discharge unit 300 disposed in the chamber 200 and guiding the gas supplied from the gas supply unit 100 to be discharged to an open upper side of the chamber 200, and and a seating unit 400 on which the object is seated so that the object is positioned between the gas supply unit 100 and the gas discharge unit 300 .

상기 가스 공급유닛(100)은 상기 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 본 발명의 실시예에 의한 가스 공급유닛(100)과 동일한 구성이므로, 이하에서는 구체적인 설명은 생략한다. Since the gas supply unit 100 has the same configuration as the gas supply unit 100 according to the embodiment of the present invention described with reference to FIGS. 1 to 3 , a detailed description thereof will be omitted below.

상기 가스 배출유닛(300)은 상부가 개방되고 상기 챔버(200)와 상기 가스 공급유닛(100)의 사이에 배치되며 대상체를 통과한 가스가 배출되도록 원주 방향 및 길이 방향을 따라 복수의 배출홀(311)이 형성된 배출부(310)와, 중심에 상기 가스 공급유닛(100)이 관통되게 체결되고 상기 배출부(310)의 개방된 상측을 폐쇄하도록 체결되어 상기 챔버(200)의 개방된 상측으로 가스의 유동을 가이드하는 배출 가이드(320), 그리고 상기 챔버(200)의 개방된 상측과 연결되고 상기 배출 가이드(320)를 통하여 배출되는 가스를 외부로 배출하는 배출유로(330)를 포함한다. 여기서, 상기 배출유로(330)는 상기 챔버(200)와 외부에 구비된 가스 수집부(미도시)를 연결하여 상기 가스 수집부로 배출되도록 구비될 수 있다. The gas discharge unit 300 has an open top and is disposed between the chamber 200 and the gas supply unit 100, and a plurality of discharge holes ( 311) is formed, the gas supply unit 100 is fastened to pass through the center, and is fastened to close the open upper side of the discharge unit 310 to the open upper side of the chamber 200 It includes a discharge guide 320 for guiding the flow of gas, and a discharge passage 330 connected to the open upper side of the chamber 200 and discharging the gas discharged through the discharge guide 320 to the outside. Here, the discharge passage 330 may be provided to connect the chamber 200 and a gas collection unit (not shown) provided outside to be discharged to the gas collection unit.

이러한 구성으로, 도 4를 참조하면, 공급유로(150)가 외부의 가스 공급원과 상기 가스 공급유닛(100)을 연결하고 있고, 상기 공급유로(150)를 통하여 상기 가스 공급유닛(100)에 가스가 공급되면, 상기 가스 공급유닛(100)을 통하여 상기 챔버(200)의 내측 중심에서 높이 방향 및 반경 방향으로 균일한 유량으로 가스가 배출되면, 상기 안착 유닛(400)에 배치된 대상체를 통과한 후 상기 배출부(310)에 형성된 복수의 배출홀(311)을 통하여 배출된다. With this configuration, referring to FIG. 4 , a supply passage 150 connects an external gas supply source and the gas supply unit 100 , and gas is supplied to the gas supply unit 100 through the supply passage 150 . is supplied, when the gas is discharged at a uniform flow rate in the height direction and the radial direction from the inner center of the chamber 200 through the gas supply unit 100, it passes through the object disposed in the seating unit 400 Then, it is discharged through a plurality of discharge holes 311 formed in the discharge unit 310 .

그리고, 상기 배출홀(311)을 통과한 가스는 상기 배출부(310)와 상기 챔버(200) 사이의 공간을 통하여 상측으로 유동한 후 상기 챔버(200)와 상기 배출 가이드(320)를 따라서 이동한 후 상기 배출유로(330)로 유입되어 외부로 배출된다. Then, the gas passing through the discharge hole 311 flows upward through the space between the discharge unit 310 and the chamber 200 and then moves along the chamber 200 and the discharge guide 320 . After that, it flows into the discharge passage 330 and is discharged to the outside.

나아가, 상기 가스 배출유닛(300)은 상기 배출유로(330)에 구비되고, 배출되는 가스에 강제 유동을 발생시키는 구동팬(340)을 더 구비할 수 있다. 즉, 상기 배출유로(330)에 상기 구동팬(340)을 구비하여 상기 배출유로(330)를 통하여 배출되는 가스에 강제 유동을 발생시킬 수 있어서 보다 원활하게 상기 챔버(200)에서 가스를 배출할 수 있다. Furthermore, the gas discharge unit 300 may further include a driving fan 340 that is provided in the discharge passage 330 and generates a forced flow in the discharged gas. That is, by providing the driving fan 340 in the discharge passage 330 to generate a forced flow in the gas discharged through the discharge passage 330, it is possible to more smoothly discharge the gas from the chamber 200. can

상기 안착 유닛(400)은 상기 챔버(200)의 하측에 회전되게 배치되는 베이스 플레이트(410)와, 상기 베이스 플레이트(410)를 회전시키는 구동부(430)를 포함한다. The seating unit 400 includes a base plate 410 rotatably disposed under the chamber 200 , and a driving unit 430 for rotating the base plate 410 .

즉, 상기 베이스 플레이트(410)에 안착되고 상기 챔버(200)의 높이 방향을 쌓여있는 대상체에 균등하게 가스와 접촉시키기 위하여 상기 베이스 플레이트(410)가 회전하도록 마련될 수 있다. That is, the base plate 410 may be provided to rotate so as to be seated on the base plate 410 and evenly contact the objects stacked in the height direction of the chamber 200 with the gas.

이를 위하여, 상기 구동부(430)는 회전축이 상기 베이스 플레이트(410)에 체결되어 상기 베이스 플레이트(410)를 일 방향으로 회전시킬 수 있다. To this end, the driving unit 430 may rotate the base plate 410 in one direction by having a rotation shaft coupled to the base plate 410 .

이러한 구성으로, 본 발명의 실시예에 의한 상기 가스 공급유닛(100)을 통하여 상기 챔버(200)의 내측에 가스를 공급하면 상기 챔버(200) 내부에서의 가스 유동 속도가 도 5에 도시된 바와 같이 나타난다. 즉, 상기 가스 공급유닛에서 배출된 가스는 상기 가스 공급유닛에서 반경 방향으로 멀어질수록 속도가 감소함을 알 수 있다. With this configuration, when gas is supplied to the inside of the chamber 200 through the gas supply unit 100 according to the embodiment of the present invention, the gas flow rate in the chamber 200 is as shown in FIG. appear together That is, it can be seen that the speed of the gas discharged from the gas supply unit decreases as the distance from the gas supply unit in the radial direction increases.

본 발명에서는 상기 가스 공급유닛(100)의 가이드 플레이트(132)의 절곡 각도를 변경하여 챔버 내부에서의 가스 유동 방향 및 속도를 균일하게 할 수 있다. 또한, 상기 가스 공급유닛(100)에서 반경 방향으로 특정 거리 이격된 위치인 유속 측정위치(P)에서 유동하는 가스의 속도가 특정 속도 이상을 만족하도록 절곡 형성될 수 있다. In the present invention, by changing the bending angle of the guide plate 132 of the gas supply unit 100, the gas flow direction and speed in the chamber can be made uniform. Also, the gas supply unit 100 may be bent so that the velocity of the gas flowing at the position P, which is a position spaced apart by a specific distance in the radial direction, satisfies a specific velocity or more.

여기서, 도 2를 참조하면, 상기 가이드 플레이트(132)의 절곡 각도는 상기 제1 플레이트(133)에 대한 상기 제2 플레이트(134)의 절곡 각도이다.Here, referring to FIG. 2 , the bending angle of the guide plate 132 is the bending angle of the second plate 134 with respect to the first plate 133 .

일 예로, 도 6의 (a)는 절곡 각도가 120도인 가이드 플레이트에서의 가스의 유동 속도를 나타낸 것이고, 도 6의 (b)는 절곡 각도가 120도인 가이드 플레이트가 구비된 경우의 챔버 내부에서의 가스 유동 속도를 나타낸 것이다. 그리고, 유속 측정위치(P)는 가스 공급유닛의 외측면에서 반경 방향으로 100mm 이격된 위치이다. As an example, (a) of FIG. 6 shows the flow rate of gas in the guide plate having a bending angle of 120 degrees, and FIG. It represents the gas flow rate. And, the flow rate measurement position (P) is a position spaced 100mm from the outer surface of the gas supply unit in the radial direction.

도 6에 도시된 바와 같이, 절곡 각도가 120도인 가이드 플레이트가 구비된 경우에 상기 유속 측정위치(P) 이상의 지점까지 가스의 유동 속도가 3mm/sec가 됨을 확인할 수 있다.As shown in FIG. 6 , when the guide plate having a bending angle of 120 degrees is provided, it can be confirmed that the flow rate of the gas to a point above the flow rate measurement position P is 3 mm/sec.

이와 비교하여, 도 7을 참조하면, 도 7은 가이드 플레이트가 구비되지 않은 가스 공급유닛에 의한 가스 유동 속도를 나타낸 것이다. In comparison, referring to FIG. 7 , FIG. 7 shows a gas flow rate by a gas supply unit not provided with a guide plate.

즉, 도 7의 (a)는 가이드 플레이트가 구비되지 않은 상태에서의 가스 공급유닛에서 배출되는 가스의 유동 속도를 나타낸 것이고, 도 7의 (b)는 가이드 플레이트가 구비되지 않은 경우의 챔버 내부에서의 가스 유동 속도를 나타낸 것이다.That is, (a) of FIG. 7 shows the flow rate of the gas discharged from the gas supply unit in a state where the guide plate is not provided, and (b) of FIG. 7 shows the inside of the chamber when the guide plate is not provided. represents the gas flow rate.

도 7에 도시된 바와 같이, 가이드 플레이트가 구비되지 않은 경우에는 상기 유속 측정위치(P)에서 원주 방향을 따라 서로 다른 유동 속도를 가지면서 가스가 유동하고 또한 유동 방향도 불균일한 것을 확인할 수 있다. As shown in FIG. 7 , when the guide plate is not provided, it can be confirmed that the gas flows while having different flow velocities along the circumferential direction at the flow rate measuring position P, and the flow direction is also non-uniform.

따라서, 본 발명에서는 가스 공급유닛에 가이드 플레이트를 구비하여 챔버 내부에서의 가스 유동을 반경 방향으로 균일하게 유동하도록 가이드 하면서, 가이드 플레이트의 절곡 각도를 조절하여 원하는 위치에서의 유동 속도 또한 설정할 수 있다. Accordingly, in the present invention, the gas supply unit is provided with a guide plate to guide the gas flow in the chamber to uniformly flow in the radial direction, and the flow rate at a desired position can also be set by adjusting the bending angle of the guide plate.

도 8 및 도 9는 상기 가스 공급유닛에서 다양한 각도로 절곡된 가이드 플레이트가 적용된 상태의 가스의 유속을 해석하여 개략적으로 나타낸 도면이다. 8 and 9 are views schematically showing the analysis of the flow rate of the gas in a state in which the guide plate bent at various angles is applied in the gas supply unit.

보다 구체적으로, 도 8은 절곡 각도가 80도, 90도 110도인 가이드 플레이트가 적용된 상태의 가스 유동 속도를 나타낸 것이다. More specifically, FIG. 8 shows the gas flow rate in a state in which a guide plate having a bending angle of 80 degrees, 90 degrees and 110 degrees is applied.

도 8에 도시된 바와 같이, 가이드 플레이트의 절곡 각도가 80도인 경우에는 챔버 내부에서 가스의 유동이 타원 형태로 나타나고, 유속 측정위치에서 가스의 유속이 불균일하게 나타나며, 또한 유속 측정위치에서 가스의 유속이 3m/s가 되지 않는 부분도 발생한다. As shown in FIG. 8 , when the bending angle of the guide plate is 80 degrees, the flow of gas appears in an elliptical shape inside the chamber, and the flow rate of the gas is non-uniform at the flow rate measurement position, and the gas flow rate at the flow rate measurement position. There is also a part where this 3m/s is not reached.

이와 비교하여, 가이드 플레이트의 절곡 각도가 90도 및 110도인 경우에는 챔버 내부에서 가스의 유동이 원형을 나타나고, 유속 측정위치에서 가스의 유속이 균일하게 나타나며, 또한 유속 측정위치에서 가스의 유속이 3m/s가 되도록 나타난다. In comparison, when the bending angle of the guide plate is 90 degrees and 110 degrees, the flow of gas appears in a circular shape inside the chamber, the flow rate of gas appears uniformly at the flow rate measurement position, and the gas flow rate at the flow rate measurement position is 3 m It appears to be /s.

그리고, 도 9는 절곡 각도가 130도, 150도 160도인 가이드 플레이트가 적용된 상태의 가스 유동 속도를 나타낸 것이다. And, FIG. 9 shows the gas flow rate in a state in which the guide plate having bending angles of 130 degrees, 150 degrees and 160 degrees is applied.

도 9에 도시된 바와 같이, 가이드 플레이트의 절곡 각도가 130도 및 150도인 경우에는 챔버 내부에서 가스의 유동이 원형을 나타나고, 유속 측정위치에서 가스의 유속이 균일하게 나타나며, 또한 유속 측정위치에서 가스의 유속이 3m/s가 되도록 나타난다. 9, when the bending angle of the guide plate is 130 degrees and 150 degrees, the flow of gas in the chamber appears circular, the flow rate of gas appears uniformly at the flow rate measurement position, and the gas at the flow rate measurement position The flow velocity is shown to be 3 m/s.

하지만, 가이드 플레이트의 절곡 각도가 160도인 경우에는 챔버 내부에서 가스의 유동이 불균일하게 나타나고, 유속 측정위치에서 가스의 유속이 불균일하게 나타나며, 또한 유속 측정위치에서 가스의 유속이 3m/s가 되지 않는 부분도 발생한다. However, when the bending angle of the guide plate is 160 degrees, the flow of gas in the chamber appears non-uniform, the flow rate of gas appears non-uniform at the flow rate measurement position, and the gas flow rate does not reach 3 m/s at the flow rate measurement position. part occurs.

따라서, 본 발명의 실시예에 의한 가스 공급유닛은 상기 가이드 플레이트의 절곡 각도를 90~150도 각도를 가지도록 절곡 형성할 수 있다. 즉, 상기 제2 플레이트를 상기 제1 플레이트에 대하여 90~150도 각도를 가지도록 절곡하여 형성할 수 있다.Accordingly, in the gas supply unit according to an embodiment of the present invention, the bending angle of the guide plate may be bent to have an angle of 90 to 150 degrees. That is, the second plate may be formed by bending to have an angle of 90 to 150 degrees with respect to the first plate.

이러한 구성으로, 본 발명의 실시예에 의한 가스 공급유닛은 가스 공급유닛에서 공급되는 가스를 챔버의 높이 방향으로 균일하게 공급하여 챔버 내부에 데드존의 형성 없이 가스를 공급할 수 있어 대상체의 배치 위치에 따른 온도 불균일을 방지할 수 있고, 가이드 플레이트를 통해 챔버 내부의 일정 영역까지 일정 속도 이상으로 균일한 유속을 가지면서 유동하도록 가스를 공급할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.With this configuration, the gas supply unit according to the embodiment of the present invention can supply the gas uniformly in the height direction of the chamber by supplying the gas supplied from the gas supply unit without forming a dead zone inside the chamber, so that the object is located at the placement position of the object. It is possible to prevent temperature non-uniformity, and it is possible to obtain an effect of supplying gas to flow with a uniform flow rate over a certain speed to a certain area inside the chamber through the guide plate.

이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명은 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다.Although the present invention has been described in detail through specific examples, it is intended to describe the present invention in detail, and the present invention is not limited thereto. It is clear that the transformation or improvement is possible by the person.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다. All simple modifications or changes of the present invention fall within the scope of the present invention, and the specific scope of protection of the present invention will be made clear by the appended claims.

100 : 가스 공급유닛 110 : 내측 배관
111 : 유입홀 112 : 유도부
120 : 중간 배관 121 : 연통홀
130 : 외측 배관 131 : 공급홀
132 : 가이드 플레이트 133 : 제1 플레이트
134 : 제2 플레이트 140 : 가이드부100: gas supply unit 110: inner pipe
111: inlet hole 112: induction part
120: middle pipe 121: communication hole
130: outer pipe 131: supply hole
132: guide plate 133: first plate
134: second plate 140: guide part

Claims (10)

중공 형태로 마련되어 내측에 가스가 공급되고, 개방된 상측으로 공급되는 가스를 외측으로 배출하도록 원주 방향 및 길이 방향을 따라 복수의 유입홀이 형성된 내측 배관;
중공 형태로 마련되어 내측에 상기 내측 배관이 배치되고, 상기 유입홀을 통하여 배출된 가스를 외측으로 배출하도록 원주 방향 및 길이 방향을 따라 복수의 연통홀이 형성된 중간 배관;
중공 형태로 마련되어 내측에 상기 중간 배관이 배치되고, 상기 연통홀을 통하여 배출된 가스를 외측으로 배출하도록 원주 방향 및 길이 방향을 따라 복수의 공급홀이 형성된 외측 배관; 및
상기 외측 배관에서 반경 방향의 외측으로 돌출 형성되고, 복수의 상기 공급홀을 통하여 배출되는 가스를 원주 방향으로 이동하도록 가이드하는 가이드 플레이트;
를 포함하는 가스 공급유닛.
an inner pipe having a plurality of inlet holes provided in a hollow shape, in which gas is supplied to the inside, and a plurality of inflow holes are formed along the circumferential direction and the longitudinal direction to discharge the gas supplied to the open upper side to the outside;
an intermediate pipe having a hollow shape and having the inner pipe disposed therein, and having a plurality of communication holes formed along the circumferential direction and the longitudinal direction to discharge the gas discharged through the inlet hole to the outside;
an outer pipe having a hollow shape, the intermediate pipe being disposed inside, and having a plurality of supply holes formed along the circumferential direction and the longitudinal direction to discharge the gas discharged through the communication hole to the outside; and
a guide plate protruding radially outward from the outer pipe and guiding the gas discharged through the plurality of supply holes to move in the circumferential direction;
A gas supply unit comprising a.
 제1항에 있어서,
상기 가이드 플레이트는,
복수로 마련되고, 복수의 상기 공급홀 각각에 이웃하여 형성된 것을 특징으로 하는 가스 공급유닛.
According to claim 1,
The guide plate is
A gas supply unit, which is provided in plurality and is formed adjacent to each of the plurality of supply holes.
 제1항에 있어서,
상기 가이드 플레이트는,
상기 외측 배관에서 반경 방향으로 돌출된 제1 플레이트; 및
상기 제1 플레이트의 단부에서 원주 방향으로 절곡 형성된 제2 플레이트;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급유닛.
According to claim 1,
The guide plate is
a first plate protruding in a radial direction from the outer pipe; and
a second plate bent in a circumferential direction at an end of the first plate;
A gas supply unit comprising a.
 제3항에 있어서,
상기 제2 플레이트는,
상기 외측 배관에서 반경 방향으로 특정 거리 이격된 위치에서 유동하는 가스의 속도가 특정 속도 이상을 만족하도록 절곡 형성된 것을 특징으로 하는 가스 공급유닛.
4. The method of claim 3,
The second plate,
The gas supply unit, characterized in that the bending is formed so that the speed of the gas flowing at a location spaced apart a certain distance in the radial direction from the outer pipe to satisfy a certain speed or more.
 제3항에 있어서,
상기 제2 플레이트는,
상기 제1 플레이트에 대하여 90~150도 각도를 가지도록 절곡 형성된 것을 특징으로 하는 가스 공급유닛.
4. The method of claim 3,
The second plate,
The gas supply unit, characterized in that bent to have an angle of 90 to 150 degrees with respect to the first plate.
 제1항에 있어서,
원뿔 형태로 마련되어 상기 내측 배관의 내측에 배치되고, 상기 내측 배관의 개방된 상측으로 공급되는 가스가 상기 내측 배관의 길이 방향으로 형성된 유입홀을 통하여 균일한 유량으로 배출되도록 가이드하는 가이드부;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급유닛.
According to claim 1,
a guide part provided in a conical shape and disposed inside the inner pipe and guiding the gas supplied to the open upper side of the inner pipe to be discharged at a uniform flow rate through an inlet hole formed in the longitudinal direction of the inner pipe;
Gas supply unit further comprising a.
 제1항에 있어서,
상기 연통홀은,
길이 방향 및 원주 방향을 따라서 상기 유입홀과 서로 다른 위치에 형성되고, 상기 유입홀보다 많은 수로 형성되며, 상기 유입홀보다 직경이 작게 형성된 것을 특징으로 하는 가스 공급유닛.
According to claim 1,
The communication hole is
The gas supply unit, characterized in that it is formed at different positions from the inlet hole along the longitudinal direction and the circumferential direction, is formed in a greater number than the inlet hole, and has a diameter smaller than that of the inlet hole.
 제7항에 있어서,
상기 공급홀은,
길이 방향 및 원주 방향을 따라서 상기 연통홀과 서로 다른 위치에 형성되고, 상기 연통홀보다 많은 수로 형성되며, 상기 연통홀보다 직경이 작게 형성된 것을 특징으로 하는 가스 공급유닛.
8. The method of claim 7,
The supply hole is
The gas supply unit, characterized in that it is formed at different positions from the communication hole along the longitudinal direction and the circumferential direction, is formed in a greater number than the communication hole, and has a diameter smaller than that of the communication hole.
 제1항에 있어서,
상기 내측 배관과 상기 중간 배관 사이의 간격이 상기 중간 배관과 상기 외측 배관 사이의 간격보다 좁게 형성된 것을 특징으로 하는 가스 공급유닛.
According to claim 1,
The gas supply unit, characterized in that the gap between the inner pipe and the intermediate pipe is formed to be narrower than the gap between the middle pipe and the outer pipe.
 제1항에 있어서,
상기 내측 배관은,
단면이 반원 형태로 마련되어 상기 유입홀의 하측 둘레에 구비되고, 개방된 상측을 통하여 공급되는 가스에 저항으로 작용하여 가스의 유동 방향을 상기 유입홀로 유도하는 유도부;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급유닛.
According to claim 1,
The inner pipe is
an induction unit having a semicircular cross-section, provided around the lower side of the inlet hole, and acting as a resistance to the gas supplied through the open upper side to guide the flow direction of the gas to the inlet hole;
Gas supply unit further comprising a.
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