KR20220138049A - 표시 장치, 전자 기기 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치, 전자 기기 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20220138049A
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마사시 나카타
세이이치로 진타
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소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 표시 품질을 손상시키지 않고, 투과율을 향상시킨다.
[해결 수단]표시 장치는, 기판과, 상기 기판 상에 배치되고, 각각 복수의 화소를 가지는 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 구비하고, 상기 제1 표시 영역에서는, 상기 기판은 제1 투과율을 가지고, 상기 제2 표시 영역에서는, 상기 기판은 상기 제1 투과율보다 높은 제2 투과율을 가진다.

Description

표시 장치, 전자 기기 및 표시 장치의 제조 방법
본 개시는, 표시 장치, 전자 기기 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근의 스마트폰이나 휴대 전화, PC(Personal Computer) 등의 전자 기기에서는, 표시 패널의 테두리(베젤)에, 카메라 등의 다양한 센서를 탑재하고 있다. 그 한편으로, 화면 사이즈에 영향을 주지 않고 전자 기기의 외형 사이즈를 가능한 한 콤팩트하게 하고자 하는 요구가 있어, 베젤 폭은 좁아지는 경향에 있다. 이러한 배경으로부터, 표시 패널의 바로 아래에 카메라 모듈을 배치하고, 표시 패널을 통과한 피사체광을 카메라 모듈로 촬영하는 기술이 제안되어 있다.
미국 특허공개공보 2018/0069060
표시 패널에는, 외부로부터의 수분 등의 혼입을 방지하기 위한 봉지 재료가 필요하고, 봉지 재료에는 일반적으로 폴리이미드가 사용된다. 폴리이미드는, 내열성도 우수하여, TFT를 형성할 때의 열처리 공정에도 견딜 수 있다.
그러나, 폴리이미드는 가시광 투과율이 낮기 때문에, 상술한 바와 같이, 표시 패널을 통해 카메라 모듈로 촬영을 행하면, 촬영 화질이 나빠진다.
폴리이미드를 투명화하는 개발도 진행되고 있지만, 폴리이미드를 투명화하면, 일반적으로는 내열성이 나빠져, 표시 패널에 형성되는 TFT의 전기적 특성이 열화할 우려가 있다.
이에, 본 개시에서는, 표시 품질을 손상시키지 않고, 투과율을 향상시킬 수 있는 표시 장치, 전자 기기 및 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기의 과제를 해결하기 위해서, 본 개시에 의하면, 기판과,
상기 기판 상에 배치되고, 각각 복수의 화소를 가지는 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 구비하고,
상기 제1 표시 영역에서는, 상기 기판은 제1 투과율을 가지고,
상기 제2 표시 영역에서는, 상기 기판은 상기 제1 투과율보다 높은 제2 투과율을 가지는, 표시 장치가 제공된다.
상기 제2 표시 영역은, 상기 기판 상의 표시면과 반대의 면측에 배치되는 센싱 장치와 대향하는 영역이어도 된다.
상기 제1 표시 영역 내의 상기 표시면과 반대의 면측에 배치되고, 상기 제1 투과율을 가지는 제1 막을 구비해도 된다.
상기 제2 표시 영역 내의 상기 표시면과 반대의 면측에 배치되고, 상기 제2 투과율을 가지는 제2 막을 구비해도 된다.
상기 제2 막은, 상기 제2 표시 영역 내의 인접하는 화소의 경계 부분을 포함하는 상기 제2 표시 영역의 적어도 일부의 영역에서의 상기 표시면과 반대의 면측에 배치되어도 된다.
상기 제2 표시 영역 내의 발광 영역의 면적에 대해, 상기 제2 막의 면적은 30% 이상이어도 된다.
상기 제2 막은, 적외광을 컷트하는 기능을 가져도 된다.
상기 제2 막은, 상기 제1 막의 일부를 제거한 개구부에 배치되고,
상기 제1 막 및 상기 제2 막의 경계 부분의 투과율은, 상기 제1 막으로부터 상기 제2 막에 걸쳐 연속적 또는 단계적으로 달라도 된다.
상기 제1 막은, 폴리이미드를 함유하고,
상기 제2 막은, 상기 제1 막의 폴리이미드보다 투과율이 높은 재료를 함유해도 된다.
상기 제2 막은, 오목부 및 볼록부의 적어도 일방을 가져도 된다.
상기 제2 막을 사용하여 구성되는 광학 렌즈를 가져도 된다.
상기 제2 막을 사용하여 구성되는 모스 아이(Moth eye) 구조층을 가져도 된다.
상기 제2 표시 영역 내의 인접하는 화소의 경계 부분을 제외한 적어도 일부에는 상기 제1 막이 설치되고,
상기 제2 표시 영역 내의 인접하는 화소의 경계 부분에는 상기 제1 막의 개구부가 설치되어도 된다.
상기 제1 투과율은, 파장 400nm의 가시광에 대해 0∼50%의 투과율을 가지고,
상기 제2 투과율은, 상기 가시광에 대해 51∼100%의 투과율을 가져도 된다.
본 개시에 의하면, 표시 장치와,
상기 표시 장치의 표시면과는 반대측에 배치되는 센싱 장치를 구비하고,
상기 표시 장치는,
기판과,
상기 기판 상에 배치되고, 각각 복수의 화소를 가지는 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 구비하고,
상기 제1 표시 영역에서는, 상기 기판은 제1 투과율을 가지고,
상기 제2 표시 영역에서는, 상기 기판은 상기 제1 투과율보다 높은 제2 투과율을 가지는, 전자 기기가 제공된다.
상기 센싱 장치는, 촬상 센서를 가져도 된다.
상기 센싱 장치는, 생체 정보 검출 센서를 가져도 된다.
상기 제2 표시 영역은, 상기 표시면의 복수 위치에 설치되고,
복수 위치의 상기 제2 표시 영역에 대응지어, 복수의 상기 센싱 장치가 배치되어도 된다.
복수 위치의 상기 제2 표시 영역 중 적어도 2개의 상기 제2 표시 영역의 상기 제2 투과율은, 각각 달라도 된다.
본 개시에 의하면, 제1 지지 기판 상에, 제1 투과율의 제1 막을 형성하는 공정과,
상기 제1 막 상에, 발광층을 형성하는 공정과,
상기 발광층 상에, 보호막을 형성하는 공정과,
상기 보호막 상에, 제2 지지 기판을 형성하는 공정과,
상기 제1 지지 기판을 제거하는 공정과,
센싱 장치의 배치 장소에 맞추어 상기 제1 막에 개구부를 형성하는 공정을 구비하는 표시 장치의 제조 방법이 제공된다.
상기 개구부에, 상기 제1 투과율보다 높은 제2 투과율의 제2 막을 형성해도 된다.
본 개시에 의하면, 지지 기판 상에, 제1 투과율의 제1 막을 형성하는 공정과,
센싱 장치의 배치 장소에 맞추어 상기 제1 막에 개구부를 형성하는 공정과,
상기 개구부에 절연 부재를 충전하는 공정과,
상기 제1 막 상에, 제1 보호막을 형성하는 공정과,
상기 제1 보호막 상에, 발광층을 형성하는 공정과,
상기 발광층 상에, 제2 보호막을 형성하는 공정과,
상기 절연 부재를 제거하고, 상기 제1 막에 상기 개구부를 형성하는 공정을 구비하는, 제조 방법이 제공된다.
상기 절연 부재를 제거하고 형성된 상기 개구부에, 상기 제1 막보다 투과율이 높은 제2 막을 형성하는 공정을 구비해도 된다.
도 1은, 제1 실시 형태에 의한 표시 장치를 탑재한 전자 기기의 모식적인 외관도이다.
도 2a는, 제2 표시 영역의 일부를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 2b는, 제1 표시 영역의 일부를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 2c는, 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 가지는 표시 장치의 모식적인 단면도이다.
도 2d는, 제2 표시 영역에 제1 막과 제2 막을 배치한 표시 장치의 모식적인 단면도이다.
도 3a는, 제1 실시 형태에 의한 표시 장치의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도 3b는, 도 3a에 이어지는 공정 단면도이다.
도 3c는, 도 3b에 이어지는 공정 단면도이다.
도 3d는, 도 3c에 이어지는 공정 단면도이다.
도 3e는, 도 3d에 이어지는 공정 단면도이다.
도 3f는, 도 3e에 이어지는 공정 단면도이다.
도 4a는, 투과 부재의 중심으로부터 주연(周緣)에 걸쳐서, 투과율이 낮은 영역의 밀도가 단계적으로 커지는 예를 나타내는 도면이다.
도 4b는, 투과 부재의 중심으로부터 주연에 걸쳐서, 투과율이 연속적으로 변화하는 예를 나타내는 도면이다.
도 5a는, 투과 부재에 렌즈를 형성하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 5b는, 도 5a에 이어지는 공정 단면도이다.
도 5c는, 도 5b에 이어지는 공정 단면도이다.
도 5d는, 도 5c에 이어지는 공정 단면도이다.
도 5e는, 도 5d에 이어지는 공정 단면도이다.
도 5f는, 도 5e에 이어지는 공정 단면도이다.
도 6a는, 임프린트 공정의 순서의 일 예를 모식적으로 설명하는 도면이다.
도 6b는, 도 6a에 이어지는 공정 단면도이다.
도 7a는, 제2 실시 형태에 의한 표시 장치의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도 7b는, 도 7a에 이어지는 공정 단면도이다.
도 7c는, 도 7b에 이어지는 공정 단면도이다.
도 7d는, 도 7c에 이어지는 공정 단면도이다.
도 7e는, 도 7d에 이어지는 공정 단면도이다.
도 7f는, 도 7e에 이어지는 공정 단면도이다.
도 8a는, 제3 실시 형태에 의한 표시 장치의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도 8b는, 도 8a에 이어지는 공정 단면도이다.
도 8c는, 도 8b에 이어지는 공정 단면도이다.
도 8d는, 도 8c에 이어지는 공정 단면도이다.
도 8e는, 도 8d에 이어지는 공정 단면도이다.
도 8f는, 도 8e에 이어지는 공정 단면도이다.
도 9a는, 제4 실시 형태에 의한 표시 장치의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도 9b는, 도 9a에 이어지는 공정 단면도이다.
도 9c는, 도 9b에 이어지는 공정 단면도이다.
도 9d는, 도 9c에 이어지는 공정 단면도이다.
도 9e는, 도 9d에 이어지는 공정 단면도이다.
도 9f는, 도 9e에 이어지는 공정 단면도이다.
도 9g는, 도 9f에 이어지는 공정 단면도이다.
도 10a는, 도 9b 및 도 9c 대신에 실시되는 공정의 단면도이다.
도 10b는, 도 10a에 이어지는 공정 단면도이다.
도 10c는, 도 10b에 이어지는 공정 단면도이다.
도 11a는, 제5 실시 형태에 의한 표시 장치의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도 11b는, 도 11a에 이어지는 공정 단면도이다.
도 11c는, 도 11b에 이어지는 공정 단면도이다.
도 11d는, 도 11c에 이어지는 공정 단면도이다.
도 11e는, 도 11d에 이어지는 공정 단면도이다.
도 11f는, 도 11e에 이어지는 공정 단면도이다.
도 11g는, 도 11f에 이어지는 공정 단면도이다.
도 11h는, 도 11g에 이어지는 공정 단면도이다.
도 11i는, 도 11h에 이어지는 공정 단면도이다.
도 11j는, 도 11i에 이어지는 공정 단면도이다.
도 12는, 제6 실시 형태에 의한 전자 기기의 평면도이다.
도 13은, 제7 실시 형태에 의한 전자 기기에 탑재되는 카메라 모듈의 촬상부의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 14는, 제1~제7 실시 형태의 전자 기기를 캡슐 내시경에 적용한 경우의 평면도이다.
도 15는, 제1~제7 실시 형태의 전자 기기를 디지털 SLR 카메라에 적용한 경우의 배면도이다.
도 16a는, 제1~제7 실시 형태의 전자 기기를 HMD에 적용한 예를 나타내는 평면도이다.
도 16b는, 현 상황의 HMD를 나타내는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여, 표시 장치의 실시 형태에 대해 설명한다. 이하에서는, 표시 장치의 주요한 구성 부분을 중심으로 설명하지만, 표시 장치(1)에는, 도시 또는 설명되어 있지 않은 구성 부분이나 기능이 존재할 수 있다. 이하의 설명은, 도시 또는 설명되어 있지 않은 구성 부분이나 기능을 제외하는 것이 아니다.
(제1 실시 형태)
도 1은 제1 실시 형태에 의한 표시 장치(1)를 탑재한 전자 기기(2)의 모식적인 외관도이다. 도 1의 전자 기기(2)는, 스마트폰이나 휴대 전화, 태블릿, PC 등, 표시 기능과 촬영 기능을 겸비한 임의의 전자 기기(2)이다. 도 1의 전자 기기(2)는, 표시 장치(1)의 표시면(1a)과는 반대측에 배치되는 카메라 모듈(촬상부)(3)을 구비하고 있다. 도 1에서는, 카메라 모듈(3)의 배치 장소를 파선으로 나타내고 있다. 이와 같이, 도 1a의 전자 기기(2)는, 표시 장치(1)의 표시면(1a)의 이면측에 카메라 모듈(3)을 설치하고 있다. 따라서, 카메라 모듈(3)은, 표시 장치(1)를 통해 촬영을 행하게 된다. 본 명세서에서는, 표시 장치(1)의 표시면(1a) 측을 표(전)면, 카메라 모듈(3)이 배치되는 측을 이면이라고 부른다.
본 실시형태는, 표시 장치(1)의 이면측의 카메라 모듈(3)의 배치 장소와 겹치는 일부의 표시 영역의 투과율을 높게 하고 있다.
본 실시형태에 의한 표시 장치(1)는, 기판 상에 배치되는 제1 표시 영역(D1) 및 제2 표시 영역(D2)을 구비하고 있다. 제1 표시 영역(D1)에서는, 기판은 제1 투과율을 가진다. 제2 표시 영역(D2)에서는, 기판은 제1 투과율보다 높은 제2 투과율을 가진다. 제2 표시 영역(D2)은, 기판 상의 표시면과 반대의 면측에 배치되는 카메라 모듈(3) 등의 센싱 장치와 대향하는 영역일 수 있다.
도 2a는 제2 표시 영역(D2)의 일부를 나타내는 모식적인 단면도, 도 2b는 제1 표시 영역(D1)의 일부를 나타내는 모식적인 단면도, 도 2c는 제1 표시 영역(D1) 및 제2 표시 영역(D2)을 가지는 표시 장치(1)의 모식적인 단면도이다. 도 2a 및 도 2b에는, 인접하는 3화소의 영역이 나타나 있다. 각 화소는 상부 전극(4), 발광층(5) 및 하부 전극(6)을 가진다. 실제로는, 복잡한 층 구성을 가지지만, 도 2a 및 도 2b에서는 간략화하여 나타내고 있다. 도 2a 및 도 2b의 상면이 표시면(1a)이며, 하면측에 카메라 모듈(3)이 배치된다.
도 2b에 나타낸 바와 같이, 제1 표시 영역(D1)의 하부 전극(6)의 아래에는, 베이스 필름(7)이 배치되어 있다. 이 베이스 필름(7)은, 투과율이 낮은 불투명한 폴리이미드로 형성되어 있다. 베이스 필름(7)의 투과율이 낮으면, 표시면(1a) 측으로부터의 광이 베이스 필름(7)에서 차단되어, 카메라 모듈(3)에 입사되는 광량이 적어진다. 이에, 본 실시형태에서는, 제2 표시 영역(D2)에 대해서는, 도 2a에 나타낸 바와 같이, 하부 전극(6)의 아래에, 베이스 필름(7)을 배치하고 있지 않다. 도 2a 및 도 2b에서는, 베이스 필름(7)을 제1 막(7b)이라 부르고, 제2 표시 영역(D2)에서의 하부 전극(6)의 아래에, 베이스 필름(7)(제1 막(7b))보다 투과율이 높은 제2 막(7c)을 배치한 예를 나타내고 있다. 도 2c에 나타낸 바와 같이, 제2 표시 영역(D2)은, 표시 장치(1)의 기판 상의 표시면(1a)과 반대의 면(1b) 측에 배치되는 카메라 모듈(3)과 대향하는 영역이다.
도 2b에서는, 제2 표시 영역(D2)의 전역에 걸쳐, 하부 전극(6)의 아래에 제2 막(7c)을 배치하는 예를 나타내고 있지만, 도 2d에 나타낸 바와 같이, 제2 표시 영역(D2)의 하부 전극(6)의 아래에 제1 막(7b)을 배치하고, 제1 막(7b)에 부분적으로 개구부(7a)를 설치하고, 개구부(7a) 내에 제2 막(7c)을 배치해도 된다. 도 2d에서의 제2 막(7c)은, 제2 표시 영역(D2) 내의 인접하는 화소의 경계 부분을 포함하는 제2 표시 영역(D2)의 적어도 일부의 영역에서의 표시면(1a)과 반대의 면(1b) 측에 배치되어 있다.
개구부(7a)는, 적어도 화소의 경계 부분에 설치되어 있다. 카메라 모듈(3)에 충분한 광이 입사되기 위해서는, 제2 표시 영역(D2) 내의 발광 영역의 면적에 대해, 개구부(7a) 또는 제2 막(7c)의 면적은 30% 이상이 바람직하다.
후술하는 바와 같이, 제2 막(7c)은 적외광을 컷트(cut)하는 기능을 가지고 있어도 된다. 또한, 제1 막(7b) 및 제2 막(7c)의 경계 부분의 투과율은, 제1 막(7b)으로부터 제2 막(7c)에 걸쳐서 연속적 또는 단계적으로 달라도 된다.
제1 투과율은, 예를 들면 파장 400nm의 가시광에 대해 0∼50%의 투과율을 가지고, 제2 투과율은, 예를 들면 가시광에 대해 51∼100%의 투과율을 가진다.
한편, 제1 표시 영역(D1)에 대해서는, 도 2b에 나타낸 바와 같이, 화소의 경계 부분에도 베이스 필름(7)이 배치되어 있고, 개구부는 설치되어 있지 않다.
이에 의해, 카메라 모듈(3)의 배치 장소와 겹치는 제2 표시 영역(D2)의 카메라 모듈(3) 측의 투과율을 보다 높게 할 수 있고, 카메라 모듈(3)에 입사되는 광량을 증가시킬 수 있기 때문에, 촬영 화상의 화질을 향상시킬 수 있다.
본 실시형태에 의한 표시 장치(1)는, 상술한 제2 표시 영역(D2)의 카메라 모듈(3) 측의 투과율을 보다 높게 한 것에 특징이 있다. 이하에서는, 본 실시형태에 의한 표시 장치(1)의 구성 및 그 제조 공정을 설명한다. 본 실시형태에 의한 표시 장치(1)는, 자발광을 행하는 유기 EL 소자를 구비한 표시 장치(1)에 적용 가능하지만, 액정 표시 장치(1)에도 적용 가능하다.
통상의 카메라 모듈(3)은, 주로 가시광을 촬상하기 때문에, 가시광에 대한 투과율이 낮은 것을 불투명이라고 부르는 경우가 많은데, 표시 장치(1)의 이면측에 배치되는 카메라 모듈(3)이 예를 들면 적외광을 촬상하는 것인 경우, 적외광에 대한 투과율이 낮은 것이 불투명이 된다.
이와 같이, 투명인지 불투명인지의 기준이나, 투과율의 값은, 표시 장치(1)의 이면측에 배치되는 카메라 모듈(3)이 검출 감도를 갖는 광의 파장과 균형을 맞추어 결정된다. 이하에서는, 주로, 가시광을 검출 또는 촬상하는 카메라 모듈(3)을 표시 장치(1)의 이면측에 배치하는 것을 전제로, 가시광 투과율이 높은 것을 투명, 가시광 투과율이 낮은 것을 불투명이라고 부른다.
도 3a∼도 3f는 제1 실시 형태에 의한 표시 장치(1)의 제조 공정을 나타내는 단면도이다. 도 3a∼도 3f는, 도 2의 제2 표시 영역(D2)의 일부의 단면 구조를 나타내고 있다. 도 3a∼도 3f에서는, 본 실시형태에 의한 표시 장치(1)의 특징 부분에 관련이 있는 층 구성을 나타내고 있고, 실제의 표시 장치(1)에는, 도시되어 있지 않은 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 최근의 표시 장치(1)의 대부분은, 터치 패널 방식을 채용하고 있어, 표시 장치(1)의 층 구성 안에 터치 센서층이 설치되지만, 도 3a∼도 3f에서는 생략하고 있다. 또한, 도 3a∼도 3f에서는, 유기 EL 소자를 발광시키는 발광층(5)을 EL층(15)으로서 도시하고 있지만, 실제로는 발광층(5)은 복수의 층으로 구성될 수 있다. 또한, 유기 EL 소자의 발광을 제어하는 복수의 TFT를 TFT층(14)으로서 도시하고 있지만, 실제로는 TFT층(14)은 복수의 층으로 구성될 수 있다.
먼저, 도 3a에 나타낸 바와 같이, 유리 기판(11) 위에, 베이스 필름(12), 제1 보호막(13), TFT층(14), EL층(15), 제2 보호막(16), 및 투명 필름(17)을 순서대로 형성한다. 베이스 필름(12)은, 봉지재로서 기능하고, 통상은 내열성이 우수한 불투명한 폴리이미드로 형성된다. 제1 보호막(13)은, SiN 또는 SiO2 등의 투과성이 높은 절연막으로 형성된다. TFT층(14)은, 드레인 영역 및 소스 영역 등에 불순물 이온을 주입하여 열 확산시켜 형성된다. EL층(15)은, 실제로는, 전자 주입층, 전자 수입층, 발광층(5), 정공 수송층, 전하 발생층, 전자 수입층 등의 복수의 층으로 이루어진다. 제2 보호막(16)은, SiN 또는 SiO2 등의 투과성이 높은 절연막으로 형성된다. 도 3a의 공정은, 통상의 유기 EL 표시 장치(1)의 공정과 같다.
도 3a에 나타내는 각 층 중, 불투명한 층은 베이스 필름(12)이며, 그 밖의 층(희생층을 제외한다)은, 베이스 필름(12)보다 투과율이 높은 재료로 형성되어 있다.
다음으로, 도 3b에 나타낸 바와 같이, 투명 필름(17) 상에, 희생층(18)을 통해 유리 기판(19)을 형성한다. 희생층(18)은, 후의 공정에서 레이저 리프트오프에 의해 유리 기판(19)을 박리할 때에, 레이저광을 흡수하여 유리 기판(19)을 박리하기 쉽게 할 목적으로 설치된다.
다음으로, 도 3c에 나타낸 바와 같이, 베이스 필름(12) 상의 유리 기판(11)을 제거하여, 베이스 필름(12)을 노출시킨다. 유리 기판(11)의 제거는, BGR이나 CMP(Chemical Mechanical Polishing)로 행해도 되고, 레이저 리프트오프에 의해 유리 기판(11)을 박리해도 된다.
다음으로, 도 3d에 나타낸 바와 같이, 표리를 반대로 하여, 노출된 베이스 필름(12) 위에 레지스트(10)를 도포하고, 리소그래피에 의해 레지스트(10)를 패터닝한다. 보다 구체적으로는, 카메라 모듈(3)의 배치 장소와 겹치는 장소에 맞추어, 레지스트(10)에 개구부(12a)를 설치한다. 그리고, 레지스트(10)를 마스크로 하여, 레지스트(10)의 개구부(12a)에 위치하는 베이스 필름(12)의 일부를 에칭한다.
다음으로, 도 3e에 나타낸 바와 같이, 레지스트(10)를 박리하여 베이스 필름(12)을 노출시킨다. 베이스 필름(12)의 일부(카메라 모듈(3)의 배치 장소와 겹치는 영역)는, 상술한 에칭에 의해 깎여 개구부(12a)가 형성되어 있다. 이 개구부(12a)에는 투과 부재(20)가 형성된다. 투과 부재(20)는, 예를 들면 투명 폴리이미드여도 된다. 한편, 투과 부재(20)는 도 2의 제2 막(7c)에 해당하고, 베이스 필름(12)은 제1 막(7b)에 해당한다.
상술한 바와 같이, 투명 폴리이미드는, 불투명한 기존의 폴리이미드보다, 내열성이 뒤떨어지는 경우가 많다. 단, 본 실시형태에서는, 카메라 모듈(3)과 겹치는 부분에만, 한정적으로 투명 폴리이미드를 형성하고 있다. 베이스 필름(12) 자체는 내열성을 구비하고 있기 때문에, 고열을 가하여 확산 공정을 행할 수 있다는 점에서, TFT층(14)에 형성되는 TFT의 전기적 특성이 저하할 우려는 없다.
도 3e의 공정 후에, 도 3f에 나타낸 바와 같이, 레이저 리프트오프에 의해 유리 기판(19)을 박리한다. 유리 기판(19)에 조사된 레이저광은 희생층(18)에서 흡수되어, 희생층(18) 위에 형성된 유리 기판(19)을 용이하게 박리할 수 있다. 이에 의해, 가요성이 우수한 플렉서블 기판 형상의 표시 장치(1)가 얻어진다. 표시 장치(1)는, 만곡 형상으로 하여 사용할 수도 있기 때문에, 이용 가치가 높아진다.
도 3f의 공정 후에, 베이스 필름(12)의 일부에 형성된 투과 부재(20)에 대향시켜 카메라 모듈(3)을 장착할 수 있다. 한편, 후술하는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 표시 장치(1)의 이면측에는, 카메라 모듈(3) 이외의 다양한 센서 모듈을 장착해도 된다. 예를 들면, 지문 센서 등의 다양한 생체 정보 검출 센서를, 베이스 필름(12)의 투과 부재(20)에 대향하여 배치해도 된다. 이하에서는, 카메라 모듈(3)을 포함하는 임의의 종류의 센싱을 행하는 구조체를 총칭하여, 센싱 장치라고 부른다.
도 3a∼도 3f의 제조 공정으로 제작되는 표시 장치(1)에서는, 베이스 필름(12)의 일부에 형성된 투과 부재(20)의 센싱 장치측의 투과율(제2 투과율)은, 베이스 필름(12)의 센싱 장치측의 투과율(제1 투과율)보다 높게 하고 있다. 베이스 필름(12)의 일부에 형성되는 투과 부재(20)는, 표시 장치(1)의 화소의 경계 부분에 형성할 수 있다. 본 명세서에서는, 센싱 장치에 대향하지 않는 표시 영역을 제1 표시 영역(D1)이라고 부르고, 센싱 장치에 대향하는 표시 영역을 제2 표시 영역(D2)이라고 부른다. 제1 표시 영역(D1) 내의 표시면(1a)과 반대의 면측의 투과율이 제1 투과율이고, 제2 표시 영역(D2) 내의 표시면(1a)과 반대의 면측 (센싱 장치측)의 투과율이, 제1 투과율보다 높은 제2 투과율이다.
투과 부재(20)는, 베이스 필름(12)보다 투과율이 높을뿐만 아니라, 적외광을 컷트하는 기능을 갖추고 있어도 된다. 투과 부재(20)가 적외광을 컷트하는 기능을 가지고 있으면, 센싱 장치측에 적외광 컷트 필름 등을 설치하지 않아도 되어, 센싱 장치의 구성을 간략화할 수 있다.
베이스 필름(12)과 투과 부재(20)의 투과율이 크게 다른 경우에는, 베이스 필름(12)과 투과 부재(20)의 경계가 표시면(1a)을 통해 시인될 우려가 있다. 이에, 도 4a 또는 도 4b에 나타낸 바와 같이, 베이스 필름(12) 및 투과 부재(20)의 경계 부분의 투과율을, 베이스 필름(12)으로부터 투과 부재(20)에 걸쳐서 연속적 또는 단계적으로 다르게 해도 된다. 도 4a 및 도 4b에서는, 투과율이 낮은 위치를 흑색으로 나타내고 있다. 도 4a는, 투과 부재(20)의 중심으로부터 주연에 걸쳐서, 투과율이 낮은 영역의 밀도가 단계적으로 커지는 예를 나타내고 있다. 도 4b는, 투과 부재(20)의 중심으로부터 주연에 걸쳐서, 투과율이 연속적으로 변화하는 예를 나타내고 있다.
도 3a∼도 3e의 공정에 의해 제조한 투과 부재(20)에는, 예를 들면 카메라 모듈(3)용의 렌즈를 형성할 수 있다. 도 5a∼도 5f는 투과 부재(20)에 렌즈를 형성하는 공정을 나타내는 단면도이다. 도 5a는, 도 3e와 마찬가지의 단면 구조를 나타내고 있다. 다음으로, 도 5b에 나타낸 바와 같이, 베이스 필름(12)의 일부에 형성된 투과 부재(20)의 일부를 제거하여 오목부(20a)를 형성한다. 이 오목부(20a)는, 예를 들면 에칭이나 임프린트 등에 의해 형성 가능하다. 도 6a 및 도 6b는 임프린트 공정의 순서의 일 예를 모식적으로 설명하는 도면이다. 먼저, 도 6a에 나타낸 바와 같이, 투과 부재(20)의 표면에, 임프린트의 원반(21)을 가압하여 열을 가하거나, 광을 조사하여, 원반(21)의 외형 형상을 투과 부재(20)에 전사한다. 다음으로, 원반(21)을 이형시켜, 열처리나 광조사 등을 행한다. 이에 의해, 투과 부재(20)의 표면 형상을, 렌즈의 외형 형상에 맞는 형상으로 할 수 있다.
이와 같이, 임프린트 공정을 행함으로써, 투과 부재(20)의 표면에, 오목부와 볼록부의 적어도 일방을 형성할 수 있다.
도 5b의 공정이 끝나면, 다음으로, 도 5c에 나타낸 바와 같이, CMOS 이미지 센서의 온 칩 렌즈의 제조 공정과 마찬가지의 공정으로, 상술한 오목부(20a)의 내부도 포함하여, 베이스 필름(12) 위에 투명 수지층(22)을 형성한다.
다음으로, 도 5d에 나타낸 바와 같이, 투명 수지층(22) 위에 레지스트(23)를 도포하고 패터닝하여, 투과 부재(20)의 바로 위에만 레지스트(23)를 남긴다. 다음으로, 도 5e에 나타낸 바와 같이, 레지스트(23)를 마스크로 하여, 투명 수지층(22)을 부분적으로 에칭에 의해 제거하고, 그 후에 레지스트(23)를 제거한다. 이에 의해, 투과 부재(20)의 일부에, 투명 수지층(22)으로 렌즈(24)가 형성된다. 이 렌즈(24)는, 예를 들면 볼록 렌즈이다. 렌즈(24)의 외형 형상에 맞추어, 도 5b에서 투과 부재(20)의 표면 가공과, 도 5d의 레지스트(23)의 패터닝을 행함으로써, 원하는 외형 형상의 렌즈를 형성할 수 있다.
다음으로, 도 5f에 나타낸 바와 같이, 도 3f와 마찬가지로, 예를 들면 레이저 리프트오프에 의해 유리 기판(19)을 박리함으로써, 플렉서블 기판 형상의 렌즈가 부착된 표시 장치(1)가 얻어진다. 이 렌즈는, 카메라 모듈(3) 등의 센싱 장치에 광을 집광시키기 위해서 사용할 수 있다.
도 5a∼도 5f에서는, 투과 부재(20)의 표면을 가공하여 볼록 렌즈를 형성하는 예를 설명했지만, 예를 들면 임프린트 공정을 사용함으로써, 투과 부재(20)를 다양한 형상으로 가공할 수 있다. 예를 들면, 투과 부재(20)를 가공하여, 미세한 요철을 가지는 모스 아이 구조층을 형성하는 것도 가능하다. 모스 아이 구조층은, 반사를 억제하는 기능을 가지기 때문에, 예를 들면, 발광층(5)과 카메라 모듈(3)의 렌즈의 사이에 모스 아이 구조층을 배치함으로써, 렌즈에 입사되는 광의 광량을 늘릴 수 있고, 촬영 화질을 향상시킬 수 있다.
이와 같이, 제1 실시 형태에서는, 불투명한 폴리이미드로 형성되는 베이스 필름(12)의 일부에, 카메라 모듈(3) 등의 센싱 장치의 배치 장소에 맞추어 개구부(12a)를 설치하고, 이 개구부(12a)에 투과 부재(20)를 형성하기 때문에, 투과 부재(20)를 통해 충분한 광을 센싱 장치에 가이드할 수 있고, 센싱 장치의 검출 감도를 향상시킬 수 있다.
(제2 실시 형태)
제1 실시 형태에서는, 베이스 필름(12)의 일부에 형성된 개구부(12a)에 투과 부재(20)를 형성했지만, 개구부(12a)인 채로 해 두어도 된다. 개구부(12a)인 채로, 즉, 개구부(12a)의 내부에 투과 부재(20)를 배치하지 않아도, 개구부(12a)의 센싱 장치측의 투과율은, 베이스 필름(12)의 센싱 장치측의 투과율보다 높아진다. 이 때문에, 개구부(12a)에 대향하여 센싱 장치를 배치함으로써, 센싱 장치에 입사되는 광의 양을 늘릴 수 있다.
도 7a∼도 7f는 제2 실시 형태에 의한 표시 장치(1)의 제조 공정을 나타내는 단면도이다. 도 7a∼도 7d는, 도 3a∼도 3d와 같다. 도 3e에서는, 노출된 베이스 필름(12)에, 센싱 장치의 배치 장소에 맞추어 개구부(12a)를 형성하고, 이 개구부(12a)에 투과 부재(20)를 형성했지만, 도 7e에서는, 개구부(12a)를 형성한 채로 하고, 개구부(12a) 내에는 투과 부재(20)를 형성하지 않는다. 다음으로, 도 7f에 나타낸 바와 같이, 레이저 리프트오프에 의해 유리 기판(19)을 박리함으로써, 플렉서블 기판 형상의 가요성이 우수한 표시 장치(1)가 얻어진다.
도 7f의 공정 후, 베이스 필름(12)의 일부에 형성된 개구부(12a)에 대향시켜 카메라 모듈(3) 등의 센싱 장치를 배치해도 되고, 베이스 필름(12)을 보호하기 위해서, 개구부(12a)를 남긴 채로, 베이스 필름(12)의 표면을 투과성의 보호막으로 덮어도 된다. 이 경우, 개구부(12a)는, 베이스 필름(12)과 보호막으로 봉지된 공극부가 되어, 높은 투과성이 유지된다.
이와 같이, 제2 실시 형태에서는, 베이스 필름(12)의 일부에, 센싱 장치의 배치 장소에 맞추어 개구부(12a)를 형성하기 때문에, 개구부(12a)를 통해 센싱 장치에 충분한 광을 입사시킬 수 있다. 개구부(12a)에 다른 부재를 형성하는 공정을 생략할 수 있기 때문에, 제1 실시 형태보다 제조 공정을 간략화할 수 있다.
(제3 실시 형태)
제3 실시 형태는, 표시 장치(1)를 제작할 때에 열을 가하는 공정이 종료된 후에, 폴리이미드로 이루어지는 베이스 필름(12)을 제거하는 것이다.
표시 장치(1)의 베이스 필름(12)으로서 불투명한 폴리이미드를 사용하는 이유는, 내열성이 우수하기 때문이다. 표시 장치(1)에서는, 폴리 실리콘 등을 사용하여 TFT층(14)을 형성할 필요가 있는데, TFT층(14)의 형성에는, 불순물 이온의 확산 처리가 불가결하다. 확산 처리에서는, 열처리가 행해지기 때문에, 예를 들면 투명 폴리이미드를 베이스 필름(12)으로서 사용한 경우에는, 그다지 높은 열을 가할 수 없기 때문에, TFT의 전기적 특성이 나빠질 우려가 있다.
이에, 본 실시형태에서는, 표시 장치(1)의 열을 가하는 공정이 끝날 때까지는, 불투명한 폴리이미드를 사용한 베이스 필름(12)을 형성해 두고, 열을 가하는 공정이 종료되면, 베이스 필름(12)을 박리한다.
도 8a∼도 8f는 제3 실시 형태에 의한 표시 장치(1)의 제조 공정을 나타내는 단면도이다. 도 8a∼도 8c는, 도 3a∼도 3c와 같다. 도 8d에 나타낸 바와 같이, 유리 기판(11)을 제거(박리)하여 베이스 필름(12)을 노출시킨 단계에서는, TFT층(14)과 EL층(15)의 형성은 이미 끝나 있고, 그 후에 고열을 가하는 공정은 존재하지 않는다. 이에, 도 8e에 나타낸 바와 같이, 베이스 필름(12)을 에칭 등에 의해 제거한다. 이 때, SiN 등으로 이루어지는 보호막을 에칭 스토퍼층으로서 사용한다. 다음으로, 도 8f에 나타낸 바와 같이, 레이저 리프트오프에 의해, 유리 기판(19)을 박리한다.
베이스 필름(12)을 제거한 것에 의해, 표시 장치(1)의 보호 기능 및 봉지 기능이 불충분하게 되는 경우에는, 투명 수지층(22) 등을 보호막 위에 배치해도 된다.
이와 같이, 제3 실시 형태에서는, 표시 장치(1)를 제작할 때의 열을 가하는 공정이 끝날 때까지는, 불투명한 폴리이미드로 이루어지는 베이스 필름(12)을 형성해 두고, 열을 가하는 공정이 끝나면, 베이스 필름(12)을 제거한다. 이에 의해, 제2 표시 영역(D2)의 전역의 투과율을 높게 할 수 있고, 충분한 광을 센싱 장치에 입사시킬 수 있다.
(제4 실시 형태)
제4 실시 형태는, 베이스 필름(12)의 일부에 개구부(12a)를 형성하는 공정 순서가, 제1~제3 실시 형태와는 다른 것이다.
도 9a∼도 9g는 제4 실시 형태에 의한 표시 장치(1)의 제조 공정을 나타내는 단면도이다. 먼저, 도 9a에 나타낸 바와 같이, 유리 기판(11) 위에 불투명한 폴리이미드로 이루어지는 베이스 필름(12)을 형성하고, 센싱 장치의 배치 장소에 맞추어, 베이스 필름(12)에 개구부(12a)를 형성한다. 여기서는, 예를 들면, 베이스 필름(12) 위에 레지스트를 도포하여 패터닝하고, 에칭에 의해 개구부(12a)를 형성한다.
다음으로, 도 9b에 나타낸 바와 같이, 개구부(12a)의 내부를 포함하여, 베이스 필름(12)의 상면을 SiO2나 SiN 등의 투과성이 높은 절연막(25)으로 덮는다. 다음으로, 도 9c에 나타낸 바와 같이, 베이스 필름(12)의 상면에 형성된 절연막(25)을 예를 들면 CMP에 의해 제거하고, 베이스 필름(12)과 개구부(12a) 내의 절연막(25)을 노출시킨다.
다음으로, 도 9d에 나타낸 바와 같이, 베이스 필름(12) 상에, 제1 보호막(13), TFT층(14), EL층(15), 제2 보호막(16), 및 투명 필름(17)을 순서대로 형성한다.
다음으로, 도 9e에 나타낸 바와 같이, 에칭이나 레이저 리프트오프 등에 의해 유리 기판(11)을 제거(박리)하여, 베이스 필름(12)을 노출시킨다.
다음으로, 도 9f에 나타낸 바와 같이, 베이스 필름(12)의 개구부(12a)의 내부에 형성된 절연막(25)을 예를 들면 에칭에 의해 제거한다. 이 때, 베이스 필름(12) 아래의 제2 보호막(16)이 에칭 스토퍼층으로서 기능한다.
다음으로, 도 9g에 나타낸 바와 같이, 개구부(12a)의 내부를 포함하여 베이스 필름(12)의 상면 전체를 투과 부재(20)로 덮는다. 이에 의해, 플렉서블 기판 형상의 표시 장치(1)가 얻어진다.
도 9a∼도 9g에서는, 표시 장치(1)의 제조 공정의 초기 단계에서 베이스 필름(12) 내에 개구부(12a)를 형성하여, 이 개구부(12a) 내에 내열성이 높은 절연막(25)을 형성한 상태에서, 표시 장치(1)의 각 층을 순서대로 형성하고, 마지막으로, 개구부(12a) 내의 절연막(25)을 본래의 투과 부재(20)로 치환한다.
상술한 도 9c의 공정에서는, 절연막(25)을 CMP 등으로 제거하여, 베이스 필름(12)과 개구부(12a) 내의 절연막(25)을 노출시키고 있지만, 미리 베이스 필름(12)의 상면에 스토퍼층을 설치해 두어도 된다.
도 10a∼도 10c는, 도 9b 및 도 9c 대신에 실시되는 공정의 단면도이다. 먼저, 도 9a에 나타낸 바와 같이, 베이스 필름(12)의 일부에 개구부(12a)를 형성한 후, 도 10a에 나타낸 바와 같이, 개구부(12a)의 내벽 부분을 포함하여, 베이스 필름(12)의 상면을 스토퍼층(26)으로 덮는다. 스토퍼층(26)은, 예를 들면 ALD(Atomic Layer deposition)나 CVD(Chemical Vapor Deposition)등에 의해, 형성된다.
다음으로, 도 10b에 나타낸 바와 같이, 스토퍼층(26) 위에 절연막(25)을 형성한다. 다음으로, 에칭에 의해, 스토퍼층(26) 위의 절연막(25)을 제거하여, 스토퍼층(26)과 개구부(12a) 내의 절연층(25)을 노출시킨다.
이와 같이, 제4 실시 형태에서는, 표시 장치(1)의 제조 공정의 초기 단계에서 베이스 필름(12)에 개구부(12a)를 형성하기 때문에, 베이스 필름(12)의 아래에 에칭 스토퍼층(26) 등을 배치할 필요가 없어, 개구부(12a)를 간이하게 형성할 수 있다. 또한, 개구부(12a)에는, 내열성이 높은 임시의 절연막(25)을 형성하고, 최종 단계에서 절연막(25)을 투과 부재(20)로 치환하기 때문에, 표시 장치(1)의 제조시에 고열을 가할 수 있어, 전기적 특성이 우수한 표시 장치(1)를 제작할 수 있다.
(제5 실시 형태)
상술한 제1~제4 실시 형태에 의한 표시 장치(1)에서는, 베이스 필름(12)의 일부에 형성된 개구부(12a)에 대향시켜, 다양한 센싱 장치를 배치할 수 있다. 이하에서는, 생체 정보를 검출하는 센싱 장치의 일 예로서, 렌즈를 필요로 하지 않는 지문 센서를 배치하는 예를 설명한다.
도 11a∼도 11j는 제5 실시 형태에 의한 표시 장치(1)의 제조 공정을 나타내는 단면도이다. 도 11a∼도 11e는 도 7a∼도 7e와 마찬가지이다. 단, 본 실시형태에서는, 지문 센서(31)를 배치하는 것을 상정하고 있기 때문에, 베이스 필름(12)의 일부에 형성되는 개구부(12a)의 개구 사이즈는, 지문 센서(31)의 외형 형상에 합치하는 사이즈가 된다. 보다 구체적으로는, 개구부(12a)의 개구 사이즈는, 지문 센서(31)의 외형 사이즈보다 크게 할 필요가 있다.
다음으로, 도 11f에 나타낸 바와 같이, 베이스 필름(12)의 일부에 형성된 개구부(12a) 내에 지문 센서(31)를 형성한다. 지문 센서(31)는, 외측에는 렌즈를 필요로 하지 않지만, 지문 센서(31)의 내부에는 이너 렌즈(31a)가 설치되어 있다.
상술한 바와 같이, 베이스 필름(12)의 일부에 형성된 개구부(12a)의 개구 사이즈는, 지문 센서(31)의 외형 사이즈보다 크기 때문에, 개구부(12a)의 내부에 지문 센서(31)를 배치하면, 개구부(12a)의 내벽면과 지문 센서(31)의 외벽면의 사이에는 간극이 형성된다. 이에, 도 11g에 나타낸 바와 같이, 이 간극을 포함하여, 베이스 필름(12)의 상면 전체에 접착층 또는 절연막(32)을 형성한다. 이 경우의 절연막(32)은, 예를 들면 SiO2나 SiN 등이다.
다음으로, 도 11h에 나타낸 바와 같이, 접착층 또는 절연막(32)을 CMP나 에칭 등에 의해 제거하고, 베이스 필름(12)을 노출시킨다. 이에 의해, 개구부(12a)의 내벽면과 지문 센서(31)의 외벽면의 사이에는, 접착층 또는 절연막(32)이 충전된다.
다음으로, 도 11i에 나타낸 바와 같이, 지문 센서(31)의 패드부(33) 위에 형성된 접착층 또는 절연막(32)을 리소그래피 및 에칭으로 제거하고, 패드부(33)를 노출시킨다. 다음으로, 도 11j에 나타낸 바와 같이, 지문 센서(31)의 패드부(33)에 본딩 와이어(34)를 접속하고, 배선 접속을 행한다.
이와 같이, 제5 실시 형태에서는, 베이스 필름(12)의 일부에 형성된 개구부(12a)에 직접 센싱 장치를 배치할 수 있다.
(제6 실시 형태)
제6 실시 형태는, 표시 장치(1)의 표시면(1a)과는 반대측에 복수의 센싱 장치를 배치하는 것이다.
도 12는 제6 실시 형태에 의한 전자 기기(2)의 평면도이다. 도 12의 전자 기기(2)는, 표시 장치(1)의 표시면(1a)과는 반대측에 3개의 센싱 장치(30)를 배치하고 있다. 한편, 센싱 장치(30)의 수는 3개에 한정되지 않는다. 또한, 센싱 장치(30)가 검지하는 대상도 임의이다. 예를 들면, 3개의 센싱 장치(30)가 모두 카메라 모듈이고, 각각 초점거리가 달라도 된다. 혹은, 카메라 모듈과 2개의 생체 정보 검출 센싱 장치를 조합하여 배치해도 된다.
표시 장치(1)의 베이스 필름(12)에는, 각 센싱 장치(30)에 대응지어, 개구부(12a)가 형성되어 있다. 개구부(12a)에는, 투과 부재(20)가 배치되어 있어도 되고, 개구의 상태여도 된다. 센싱 장치(30)의 종류에 따라, 입사광의 최적의 광량이 다를 가능성이 있기 때문에, 개구부(12a)에 투과 부재(20)를 배치하는 경우에는, 투과 부재(20)의 투과율을 각 센싱 장치(30)에 따른 값으로 설정하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 제6 실시 형태에서는, 표시 장치(1)의 이면측에 복수 종류의 센싱 장치(30)를 배치하고, 각 센싱 장치(30)와 겹치는 장소에 배치되는 투과 부재(20)의 투과율을 개별로 최적화하기 때문에, 모든 센싱 장치(30)의 검출 감도를 향상시킬 수 있다.
(제7 실시 형태)
제7 실시 형태에 의한 전자 기기(2)는, 카메라 모듈(3)의 광학계가 제1~제6 실시 형태와는 다른 것이다.
도 13은 제7 실시 형태에 의한 전자 기기(2)에 탑재되는 카메라 모듈(3)의 촬상부의 단면 구조를 나타내는 도면이다. 도 13의 촬상부는, 단일의 렌즈 또는 단일의 렌즈를 광축 방향으로 나열한 렌즈군이 아니라, 마이크로 렌즈 어레이(64)를 가진다.
보다 상세하게는, 도 13의 촬상부는, 케이스(63)의 저면을 따라 배치되는 광전 변환부(4a)와, 광전 변환부(4a)의 상방에 배치되는 마이크로 렌즈 어레이(64)와, 인접하는 마이크로 렌즈(65)의 사이에 배치되는 복수의 차광체(66)와, 마이크로 렌즈 어레이(64)의 상방에 배치되는 도광판(67)을 가진다. 도 13의 촬상부는, 상술한 제1~제8 실시 형태 모두에 적용 가능하다.
(제8 실시 형태)
상술한 제1~제7 실시 형태에서 설명한 구성을 구비한 전자 기기(2)의 구체적인 후보로서는, 다양한 것을 생각할 수 있다. 예를 들면, 도 14는 제1~제7 실시 형태의 전자 기기(2)를 캡슐 내시경(50)에 적용한 경우의 평면도이다. 도 14의 캡슐 내시경(50)은, 예를 들면 양단면이 반구 형상이고 중앙부가 원통 형상인 케이스(51) 내에, 체강 내의 화상을 촬영하기 위한 카메라(초소형 카메라)(52), 카메라(52)에 의해 촬영된 화상 데이터를 기록하기 위한 메모리(53), 및, 캡슐 내시경(50)이 피험자의 체외로 배출된 후에, 기록된 화상 데이터를 안테나(54)를 통해 외부로 송신하기 위한 무선 송신기(55)를 구비하고 있다.
또한, 케이스(51) 내에는, CPU(Central Processing Unit)(56) 및 코일(자력·전류 변환 코일)(57)이 설치되어 있다. CPU(56)는, 카메라(52)에 의한 촬영, 및 메모리(53)에의 데이터 축적 동작을 제어하고, 메모리(53)로부터 무선 송신기(55)에 의한 케이스(51) 밖의 데이터 수신 장치(도시하지 않음)로의 데이터 송신을 제어한다. 코일(57)은, 카메라(52), 메모리(53), 무선 송신기(55), 안테나(54) 및 후술하는 광원(52b)에의 전력 공급을 행한다.
또한, 케이스(51)에는, 캡슐 내시경(50)을 데이터 수신 장치에 세트했을 때에, 이것을 검지하기 위한 자기(리드) 스위치(58)가 설치되어 있다. CPU(56)는, 이 리드 스위치(58)가 데이터 수신 장치에 대한 세트를 검지하고, 데이터의 송신이 가능하게 된 시점에서, 코일(57)로부터의 무선 송신기(55)에의 전력 공급을 행한다.
카메라(52)는, 예를 들면 체강 내의 화상을 촬영하기 위한 대물 광학계를 포함하는 촬상 소자(52a), 체강 내를 조명하는 복수의 광원(52b)을 가지고 있다. 구체적으로는, 카메라(52)는, 광원(52b)으로서, 예를 들면 LED(Light Emitting Diode)를 구비한 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 센서나 CCD(Charge Coupled Device) 등에 의해 구성된다.
제1~제7 실시 형태의 전자 기기(2)에서의 표시 장치(1)는, 도 14의 광원(52b)과 같은 발광체를 포함하는 개념이다. 도 14의 캡슐 내시경(50)에서는, 예를 들면 2개의 광원(52b)을 가지지만, 이들 광원(52b)을, 복수의 광원부를 가지는 표시 패널이나, 복수의 LED를 가지는 LED 모듈로 구성 가능하다. 이 경우, 표시 패널이나 LED 모듈의 아래쪽에 카메라(52)의 촬상부를 배치함으로써, 카메라(52)의 레이아웃 배치에 관한 제약이 적어져, 보다 소형의 캡슐 내시경(50)을 실현할 수 있다.
또한, 도 15는 제1~제7 실시 형태의 전자 기기(2)를 디지털 SLR 카메라(60)에 적용한 경우의 배면도이다. 디지털 SLR 카메라(60)나 컴팩트 카메라는, 렌즈와는 반대측의 배면에, 프리뷰 화면을 표시하는 표시 장치(1)를 구비하고 있다. 이 표시 장치(1)의 표시면과는 반대측에 카메라 모듈(3)을 배치하여, 촬영자의 얼굴 화상을 표시 장치(1)의 표시면(1a)에 표시할 수 있도록 해도 된다. 제1~제7 실시 형태에 의한 전자 기기(2)에서는, 표시 장치(1)와 겹치는 영역에 카메라 모듈(3)을 배치할 수 있기 때문에, 카메라 모듈(3)을 표시 장치(1)의 테두리 부분에 설치하지 않아도 되어, 표시 장치(1)의 사이즈를 가능한 한 대형화할 수 있다.
도 16a는 제1~제7 실시 형태의 전자 기기(2)를 헤드마운트 디스플레이(이하, HMD)(61)에 적용한 예를 나타내는 평면도이다. 도 16a의 HMD(61)는, VR(Virtual Reality), AR(Augmented Reality), MR(Mixed Reality), 또는 SR(Substitutional Reality) 등에 이용되는 것이다. 현 상황의 HMD는, 도 16b에 나타낸 바와 같이, 외표면에 카메라(62)를 탑재하고 있어, HMD의 장착자는, 주위의 화상을 시인할 수 있는 한편, 주위의 사람은, HMD의 장착자의 눈이나 얼굴 표정을 알 수 없다고 하는 문제가 있다.
이에, 도 16a에서는, HMD(61)의 외표면에 표시 장치(1)의 표시면을 설치하고, 표시 장치(1)의 표시면의 반대측에 카메라 모듈(3)을 설치한다. 이에 의해, 카메라 모듈(3)로 촬영한 장착자의 얼굴 표정을 표시 장치(1)의 표시면에 표시시킬 수 있고, 장착자의 주위의 사람이 장착자의 얼굴 표정이나 눈의 움직임을 실시간으로 파악할 수 있다.
도 16a의 경우, 표시 장치(1)의 이면측에 카메라 모듈(3)을 설치하기 때문에, 카메라 모듈(3)의 설치 장소에 대한 제약이 없어져, HMD(61)의 디자인의 자유도를 높일 수 있다. 또한, 카메라를 최적의 위치에 배치할 수 있기 때문에, 표시면에 표시되는 장착자의 시선이 맞지 않는 등의 문제를 방지할 수 있다.
이와 같이, 제8 실시 형태에서는, 제1~제7 실시 형태에 의한 전자 기기(2)를 다양한 용도로 사용할 수 있어, 이용 가치를 높일 수 있다.
한편, 본 기술은 이하와 같은 구성을 취할 수 있다.
(1) 기판과,
상기 기판 상에 배치되고, 각각 복수의 화소를 가지는 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 구비하고,
상기 제1 표시 영역에서는, 상기 기판은 제1 투과율을 가지고,
상기 제2 표시 영역에서는, 상기 기판은 상기 제1 투과율보다 높은 제2 투과율을 가지는, 표시 장치.
(2) 상기 제2 표시 영역은, 상기 기판 상의 표시면과 반대의 면측에 배치되는 센싱 장치와 대향하는 영역인, (1)에 기재된 표시 장치.
(3) 상기 제1 표시 영역 내의 상기 표시면과 반대의 면측에 배치되고, 상기 제1 투과율을 가지는 제1 막을 구비하는, (2)에 기재된 표시 장치.
(4) 상기 제2 표시 영역 내의 상기 표시면과 반대의 면측에 배치되고, 상기 제2 투과율을 가지는 제2 막을 구비하는, (3)에 기재된 표시 장치.
(5) 상기 제2 막은, 상기 제2 표시 영역 내의 인접하는 화소의 경계 부분을 포함하는 상기 제2 표시 영역의 적어도 일부의 영역에서의 상기 표시면과 반대의 면측에 배치되는, (4)에 기재된 표시 장치.
(6) 상기 제2 표시 영역 내의 발광 영역의 면적에 대해, 상기 제2 막의 면적은 30% 이상인, (4) 또는 (5)에 기재된 표시 장치.
(7) 상기 제2 막은, 적외광을 컷트하는 기능을 가지는, (4) 내지 (6) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(8) 상기 제2 막은, 상기 제1 막의 일부를 제거한 개구부에 배치되고,
상기 제1 막 및 상기 제2 막의 경계 부분의 투과율은, 상기 제1 막으로부터 상기 제2 막에 걸쳐서 연속적 또는 단계적으로 다른, (4) 내지 (7) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(9) 상기 제1 막은, 폴리이미드를 함유하고,
상기 제2 막은, 상기 제1 막의 폴리이미드보다 투과율이 높은 재료를 함유하는, (4) 내지 (8) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(10) 상기 제2 막은, 오목부 및 볼록부의 적어도 일방을 가지는, (4) 내지 (9) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(11) 상기 제2 막을 사용하여 구성되는 광학 렌즈를 가지는, (10)에 기재된 표시 장치.
(12) 상기 제2 막을 사용하여 구성되는 모스 아이 구조층을 가지는, (10)에 기재된 표시 장치.
(13) 상기 제2 표시 영역 내의 인접하는 화소의 경계 부분을 제외한 적어도 일부에는 상기 제1 막이 설치되고,
상기 제2 표시 영역 내의 인접하는 화소의 경계 부분에는 상기 제1 막의 개구부가 설치되는, (3) 내지 (12) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(14) 상기 제1 투과율은, 파장 400nm의 가시광에 대해 0∼50%의 투과율을 가지고,
상기 제2 투과율은, 상기 가시광에 대해 51∼100%의 투과율을 가지는, (1) 내지 (13) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(15) 표시 장치와,
상기 표시 장치의 표시면과는 반대측에 배치되는 센싱 장치를 구비하고,
상기 표시 장치는,
기판과,
상기 기판 상에 배치되고, 각각 복수의 화소를 가지는 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 구비하고,
상기 제1 표시 영역에서는, 상기 기판은 제1 투과율을 가지고,
상기 제2 표시 영역에서는, 상기 기판은 상기 제1 투과율보다 높은 제2 투과율을 가지는, 전자 기기.
(16) 상기 센싱 장치는, 촬상 센서를 가지는, (15)에 기재된 전자 기기.
(17) 상기 센싱 장치는, 생체 정보 검출 센서를 가지는, (15)에 기재된 전자 기기.
(18) 상기 제2 표시 영역은, 상기 표시면의 복수 위치에 설치되고,
복수 위치의 상기 제2 표시 영역에 대응지어, 복수의 상기 센싱 장치가 배치되는, (15) 내지 (17) 중 어느 한 항에 기재된 전자 기기.
(19) 복수 위치의 상기 제2 표시 영역 중 적어도 2개의 상기 제2 표시 영역의 상기 제2 투과율은, 각각 다른, (18)에 기재된 전자 기기.
(20) 제1 지지 기판 상에, 제1 투과율의 제1 막을 형성하는 공정과,
상기 제1 막 상에, 발광층을 형성하는 공정과,
상기 발광층 상에, 보호막을 형성하는 공정과,
상기 보호막 상에, 제2 지지 기판을 형성하는 공정과,
상기 제1 지지 기판을 제거하는 공정과,
센싱 장치의 배치 장소에 맞추어 상기 제1 막에 개구부를 형성하는 공정을 구비하는 표시 장치의 제조 방법.
(21) 상기 개구부에, 상기 제1 투과율보다 높은 제2 투과율의 제2 막을 형성하는, (20)에 기재된 표시 장치의 제조 방법.
(22) 지지 기판 상에, 제1 투과율의 제1 막을 형성하는 공정과,
센싱 장치의 배치 장소에 맞추어 상기 제1 막에 개구부를 형성하는 공정과,
상기 개구부에 절연 부재를 충전하는 공정과,
상기 제1 막 상에, 제1 보호막을 형성하는 공정과,
상기 제1 보호막 상에, 발광층을 형성하는 공정과,
상기 발광층 상에, 제2 보호막을 형성하는 공정과,
상기 절연 부재를 제거하여, 상기 제1 막에 상기 개구부를 형성하는 공정을 구비하는, 제조 방법.
(23) 상기 절연 부재를 제거하여 형성된 상기 개구부에, 상기 제1 막보다 투과율이 높은 제2 막을 형성하는 공정을 구비하는, (22)에 기재된 표시 장치의 제조 방법.
본 개시의 양태는, 상술한 각각의 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 당업자가 생각해낼 수 있는 다양한 변형도 포함하는 것이며, 본 개시의 효과도 상술한 내용에 한정되지 않는다. 즉, 특허청구의 범위에 규정된 내용 및 그 균등물로부터 도출되는 본 개시의 개념적인 사상과 취지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 추가, 변경 및 부분적 삭제가 가능하다.
1; 표시 장치
1a; 표시면
2; 전자 기기
3; 카메라 모듈
4; 상부 전극
5; 발광층
6; 하부 전극
7; 베이스 필름
7a; 개구부
7b; 제1 막
7c; 제2 막
10; 레지스트
11; 유리 기판
12; 베이스 필름
13; 제1 보호막
14; TFT층
15; EL층
16; 제2 보호막
17; 투명 필름
18; 희생층
19; 유리 기판
20; 투과 부재
20a; 오목부
21; 원반
22; 투명 수지층
23; 레지스트
24; 렌즈
25; 절연막
26; 스토퍼층
31; 지문 센서
31a; 이너 렌즈
32; 접착층 또는 절연막
33; 패드부
34; 본딩 와이어
50; 캡슐 내시경
51; 케이스
52; 카메라
53; 메모리
54; 안테나
55; 무선 송신기
60; 디지털 SLR 카메라
61; 헤드마운트 디스플레이
64; 마이크로 렌즈 어레이
65; 마이크로 렌즈
66; 차광체

Claims (23)

  1. 기판과,
    상기 기판 상에 배치되고, 각각 복수의 화소를 가지는 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 구비하고,
    상기 제1 표시 영역에서는, 상기 기판은 제1 투과율을 가지고,
    상기 제2 표시 영역에서는, 상기 기판은 상기 제1 투과율보다 높은 제2 투과율을 가지는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 표시 영역은, 상기 기판 상의 표시면과 반대의 면측에 배치되는 센싱 장치와 대향하는 영역인, 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 표시 영역 내의 상기 표시면과 반대의 면측에 배치되고, 상기 제1 투과율을 가지는 제1 막을 구비하는, 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 표시 영역 내의 상기 표시면과 반대의 면측에 배치되고, 상기 제2 투과율을 가지는 제2 막을 구비하는, 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 막은, 상기 제2 표시 영역 내의 인접하는 화소의 경계 부분을 포함하는 상기 제2 표시 영역의 적어도 일부의 영역에서의 상기 표시면과 반대의 면측에 배치되는, 표시 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2 표시 영역 내의 발광 영역의 면적에 대해, 상기 제2 막의 면적은 30% 이상인, 표시 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제2 막은, 적외광을 컷트(cut)하는 기능을 가지는, 표시 장치.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 제2 막은, 상기 제1 막의 일부를 제거한 개구부에 배치되고,
    상기 제1 막 및 상기 제2 막의 경계 부분의 투과율은, 상기 제1 막으로부터 상기 제2 막에 걸쳐서 연속적 또는 단계적으로 다른, 표시 장치.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 제1 막은, 폴리이미드를 함유하고,
    상기 제2 막은, 상기 제1 막의 폴리이미드보다 투과율이 높은 재료를 함유하는, 표시 장치.
  10. 제4항에 있어서,
    상기 제2 막은, 오목부 및 볼록부의 적어도 일방을 가지는, 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2 막을 사용하여 구성되는 광학 렌즈를 가지는, 표시 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제2 막을 사용하여 구성되는 모스 아이(moth-eye) 구조층을 가지는, 표시 장치.
  13. 제3항에 있어서,
    상기 제2 표시 영역 내의 인접하는 화소의 경계 부분을 제외한 적어도 일부에는 상기 제1 막이 설치되고,
    상기 제2 표시 영역 내의 인접하는 화소의 경계 부분에는 상기 제1 막의 개구부가 설치되는, 표시 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1 투과율은, 파장 400nm의 가시광에 대해 0∼50%의 투과율을 가지고,
    상기 제2 투과율은, 상기 가시광에 대해 51∼100%의 투과율을 가지는, 표시 장치.
  15. 표시 장치와,
    상기 표시 장치의 표시면과는 반대측에 배치되는 센싱 장치를 구비하고,
    상기 표시 장치는,
    기판과,
    상기 기판 상에 배치되고, 각각 복수의 화소를 가지는 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 구비하고,
    상기 제1 표시 영역에서는, 상기 기판은 제1 투과율을 가지고,
    상기 제2 표시 영역에서는, 상기 기판은 상기 제1 투과율보다 높은 제2 투과율을 가지는, 전자 기기.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 센싱 장치는, 촬상 센서를 가지는, 전자 기기.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 센싱 장치는, 생체 정보 검출 센서를 가지는, 전자 기기.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 제2 표시 영역은, 상기 표시면의 복수 위치에 설치되고,
    복수 위치의 상기 제2 표시 영역에 대응지어, 복수의 상기 센싱 장치가 배치되는, 전자 기기.
  19. 제18항에 있어서,
    복수 위치의 상기 제2 표시 영역 중 적어도 2개의 상기 제2 표시 영역의 상기 제2 투과율은, 각각 다른, 전자 기기.
  20. 제1 지지 기판 상에, 제1 투과율의 제1 막을 형성하는 공정과,
    상기 제1 막 상에, 발광층을 형성하는 공정과,
    상기 발광층 상에, 보호막을 형성하는 공정과,
    상기 보호막 상에, 제2 지지 기판을 형성하는 공정과,
    상기 제1 지지 기판을 제거하는 공정과,
    센싱 장치의 배치 장소에 맞추어 상기 제1 막에 개구부를 형성하는 공정을 구비하는 표시 장치의 제조 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 개구부에, 상기 제1 투과율보다 높은 제2 투과율의 제2 막을 형성하는, 표시 장치의 제조 방법.
  22. 지지 기판 상에, 제1 투과율의 제1 막을 형성하는 공정과,
    센싱 장치의 배치 장소에 맞추어 상기 제1 막에 개구부를 형성하는 공정과,
    상기 개구부에 절연 부재를 충전하는 공정과,
    상기 제1 막 상에, 제1 보호막을 형성하는 공정과,
    상기 제1 보호막 상에, 발광층을 형성하는 공정과,
    상기 발광층 상에, 제2 보호막을 형성하는 공정과,
    상기 절연 부재를 제거하고, 상기 제1 막에 상기 개구부를 형성하는 공정을 구비하는, 표시 장치의 제조 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 절연 부재를 제거하고 형성된 상기 개구부에, 상기 제1 막보다 투과율이 높은 제2 막을 형성하는 공정을 구비하는, 표시 장치의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220062208A (ko) * 2020-11-06 2022-05-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180069060A (ko) 2016-09-23 2018-06-22 애플 인크. 다층 송신기 코일 배열을 갖는 무선 충전 매트

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8947627B2 (en) 2011-10-14 2015-02-03 Apple Inc. Electronic devices having displays with openings
KR20160116162A (ko) * 2015-03-26 2016-10-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6730803B2 (ja) * 2015-12-18 2020-07-29 デクセリアルズ株式会社 反射防止光学体の形成方法、ディスプレイパネルおよび光学フィルム
KR102646280B1 (ko) * 2016-05-27 2024-03-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN108885376A (zh) * 2017-04-25 2018-11-23 华为技术有限公司 Lcd显示屏、电子设备及lcd显示屏的制作方法
CN110071121B (zh) * 2019-04-17 2020-09-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110534541A (zh) * 2019-08-30 2019-12-03 武汉天马微电子有限公司 一种电致发光显示面板及显示装置
CN110783347A (zh) * 2019-10-12 2020-02-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180069060A (ko) 2016-09-23 2018-06-22 애플 인크. 다층 송신기 코일 배열을 갖는 무선 충전 매트

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