KR20220136385A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

Abstract

본 개시에 따른 기판 처리 방법은, 기판(W)을 유지하는 공정과, 도금액(L)을 공급하는 공정과, 기판을 덮는 공정과, 도금액을 가열하는 공정과, 냉각 가스를 공급하는 공정을 포함한다. 기판을 유지하는 공정은, 기판을 유지하는 유지부(52)를 이용하여 기판을 유지한다. 도금액을 공급하는 공정은, 유지된 기판의 상면에 도금액을 공급한다. 기판을 덮는 공정은, 도금액을 공급하는 공정의 전 또는 후에 있어서, 덮개체(6)를 이용하여 기판을 덮는다. 도금액을 가열하는 공정은, 덮개체로 기판을 덮은 상태에서, 덮개체에 마련된 가열부(63)를 이용하여 기판 상의 도금액을 가열한다. 냉각 가스를 공급하는 공정은, 도금액을 가열하는 공정에 있어서, 기판보다 하방으로부터 기판의 하면 또는 유지부에 대하여 냉각 가스를 공급한다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

본 개시는, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.

종래, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 도금액을 이용하여 무전해 도금 처리하는 기술이 알려져 있다. 특허 문헌 1에는, 기판의 상면에 도금액을 축적한 후, 기판을 덮개체로 덮고, 이 후, 덮개체에 마련된 히터를 이용하여 기판 상의 도금액을 가열함으로써, 기판 상에 도금막을 형성하는 기술이 개시되어 있다.

일본특허공개공보 2018-003097호

본 개시는, 기판 상의 도금액의 온도를 일정하게 유지하는 것을 용이하게 할 수 있는 기술을 제공한다.

본 개시의 일태양에 따른 기판 처리 방법은, 기판을 유지하는 공정과, 도금액을 공급하는 공정과, 기판을 덮는 공정과, 도금액을 가열하는 공정과, 냉각 가스를 공급하는 공정을 포함한다. 기판을 유지하는 공정은, 기판을 유지하는 유지부를 이용하여 기판을 유지한다. 도금액을 공급하는 공정은, 유지된 기판의 상면에 도금액을 공급한다. 기판을 덮는 공정은, 도금액을 공급하는 공정의 전 또는 후에 있어서, 덮개체를 이용하여 기판을 덮는다. 도금액을 가열하는 공정은, 덮개체로 기판을 덮은 상태에서, 덮개체에 마련된 가열부를 이용하여 기판 상의 도금액을 가열한다. 냉각 가스를 공급하는 공정은, 도금액을 가열하는 공정에 있어서, 기판보다 하방으로부터 기판의 하면 또는 유지부에 대하여 냉각 가스를 공급한다.

본 개시에 따르면, 기판 상의 도금액의 온도를 일정하게 유지하는 것을 용이하게 할 수 있다.

도 1은 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 도금 처리부의 구성을 나타내는 도이다.
도 3은 실시 형태에 따른 냉각 가스 공급부의 구성을 나타내는 도이다.
도 4는 실시 형태에 따른 도금 처리부가 실행하는 처리의 순서를 나타내는 순서도이다.
도 5는 도 4에 나타내는 기판 유지 처리의 설명도이다.
도 6은 도 4에 나타내는 도금액 축적 처리의 설명도이다.
도 7은 도 4에 나타내는 기판을 덮개체로 덮는 처리의 설명도이다.
도 8은 도 4에 나타내는 냉각 처리의 설명도이다.
도 9는 가열 처리 시에 있어서의 도금액의 온도 변화를 모식적으로 나타낸 그래프이다.
도 10은 제 1 변형예에 따른 도금 처리부의 구성을 나타내는 도이다.
도 11은 제 1 변형예에 따른 도금 처리부가 실행하는 처리의 순서를 나타내는 순서도이다.
도 12는 제 2 변형예에 따른 도금 처리부의 구성을 나타내는 도이다.
도 13은 히터가 가지는 복수의 가열 영역과 복수의 냉각 가스 노즐과의 위치 관계를 모식적으로 나타낸 도이다.

이하에, 본 개시에 따른 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 실시하기 위한 형태(이하, '실시 형태'라 기재함)에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 이 실시 형태에 의해 본 개시가 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 실시 형태는, 처리 내용을 모순시키지 않는 범위에서 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또한, 이하의 각 실시 형태에 있어서 동일한 부위에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략된다.

또한, 이하에 나타내는 실시 형태에서는, '일정', '직교', '수직' 혹은 '평행'과 같은 표현이 이용되는 경우가 있지만, 이들 표현은, 엄밀하게 '일정', '직교', '수직' 혹은 '평행'인 것을 요하지 않는다. 즉, 상기한 각 표현은, 예를 들면 제조 정밀도, 설치 정밀도 등의 오차를 허용하는 것으로 한다.

또한, 이하 참조하는 각 도면에서는, 설명을 알기 쉽게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 하는 직교 좌표계를 나타내는 경우가 있다. 또한, 연직축을 회전 중심으로 하는 회전 방향을 θ 방향이라 부르는 경우가 있다.

<기판 처리 장치의 구성>

도 1은 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는 반입반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.

반입반출 스테이션(2)은 캐리어 배치대(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치대(11)에는 복수 매의 기판, 실시 형태에서는 반도체 웨이퍼(이하 기판(W))를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.

캐리어 배치대(11)에는, 복수의 로드 포트가 반송부(12)에 인접하도록 배열되어 배치되어 있고, 복수의 로드 포트의 각각에 캐리어(C)가 1 개씩 배치된다.

반송부(12)는 캐리어 배치대(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는 기판(W)을 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14)와의 사이에서 기판(W)의 반송을 행한다.

처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은 반송부(15)와, 복수의 도금 처리부(5)를 구비한다. 복수의 도금 처리부(5)는, 반송부(15)의 양측에 배열되어 마련된다. 도금 처리부(5)의 구성에 대해서는, 후술한다.

반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는 기판(W)을 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14) 및 도금 처리부(5) 간에서 기판(W)의 반송을 행한다.

또한, 기판 처리 장치(1)는 제어 장치(9)를 구비한다. 제어 장치(9)는 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(91)와 기억부(92)를 구비한다. 기억부(92)에는, 기판 처리 장치(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(91)는, 기억부(92)에 기억된 프로그램을 읽어내 실행함으로써 기판 처리 장치(1)의 동작을 제어한다.

또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로, 그 기억 매체로부터 제어 장치(9)의 기억부(92)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.

상기와 같이 구성된 기판 처리 장치(1)에서는, 먼저, 반입반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치대(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하고, 취출한 기판(W)을 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 기판(W)은, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 도금 처리부(5)로 반송되고, 도금 처리부(5)에 의해 처리된다. 예를 들면, 기판(W)의 표면에는, 트렌치 또는 비아 등의 오목부가 형성되어 있고, 도금 처리부(5)는, 이러한 오목부에 대하여 무전해 도금법에 의한 금속의 매립을 행한다.

도금 처리부(5)에 의해 처리된 기판(W)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 도금 처리부(5)로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 기판(W)은, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치대(11)의 캐리어(C)로 되돌려진다.

<도금 처리부의 구성>

이어서, 도금 처리부의 구성에 대하여 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 실시 형태에 따른 도금 처리부(5)의 구성을 나타내는 도이다.

도금 처리부(5)는, 무전해 도금 처리를 포함하는 액 처리를 행하도록 구성되어 있다. 도금 처리부(5)는 챔버(51)와, 챔버(51) 내에 배치되고, 기판(W)을 수평으로 유지하는 기판 유지부(52)와, 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)의 표면(상면)에 도금액(L1)(처리액)을 공급하는 도금액 공급부(53)를 구비한다.

실시 형태에 있어서, 기판 유지부(52)는, 기판(W)의 하면(이면)을 진공 흡착하는 척 부재(521)를 가지고 있다. 이 척 부재(521)는, 이른바 진공 척 타입으로 되어 있다.

기판 유지부(52)에는, 회전 샤프트(522)를 개재하여 회전 모터(523)(회전 구동부)가 연결되어 있다. 이 회전 모터(523)가 구동되면, 기판 유지부(52)는 기판(W)과 함께 회전한다. 회전 모터(523)는, 챔버(51)에 고정된 베이스(524)에 지지되어 있다. 또한, 기판 유지부(52)의 내부에는 히터 등의 가열원은 마련되어 있지 않다.

도금액 공급부(53)는, 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)에 도금액(L1)을 토출(공급)하는 도금액 노즐(531)과, 도금액 노즐(531)에 도금액(L1)을 공급하는 도금액 공급원(532)을 가지고 있다. 이 중 도금액 공급원(532)은, 정해진 온도로 가열 내지 온도 조절된 도금액(L1)을, 도금액 배관(533)을 거쳐 도금액 노즐(531)로 공급하도록 구성되어 있다. 도금액 노즐(531)로부터의 도금액(L1)의 토출 시의 온도는, 예를 들면 55℃ 이상 75℃ 이하이며, 보다 바람직하게는 60℃ 이상 70℃ 이하이다. 도금액 노즐(531)은 노즐 암(56)에 유지되어, 이동 가능하게 구성되어 있다.

도금액(L1)은, 자기 촉매형(환원형) 무전해 도금용의 도금액이다. 도금액(L1)은, 예를 들면, 금속 이온과, 환원제를 함유한다. 도금액(L1)에 포함되는 금속 이온은, 예를 들면, 코발트(Co) 이온, 니켈(Ni) 이온, 텅스텐(W) 이온, 구리(Cu) 이온, 팔라듐(Pd) 이온, 금(Au) 이온, 루테늄(Ru) 이온 등이다. 또한, 도금액(L1)에 포함되는 환원제는, 차아인산, 디메틸아민 보란, 글리옥실산 등이다. 도금액(L1)을 사용한 도금 처리에 의해 형성되는 도금막으로서는, 예를 들면, CoWB, CoB, CoWP, CoWBP, NiWB, NiB, NiWP, NiWBP, Cu, Pd, Ru 등을 들 수 있다. 또한, 도금막은 단층으로 형성되어 있어도 되고, 2 층 이상에 걸쳐 형성되어도 된다. 도금막이 2 층 구조로 이루어지는 경우, 하지 금속층(시드층)측으로부터 차례로, 예를 들면 CoWB / CoB, Pd / CoB 등의 층 구성을 가지고 있어도 된다.

도금 처리부(5)는, 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)의 표면에 세정액(L2)을 공급하는 세정액 공급부(54)와, 당해 기판(W)의 표면에 린스액(L3)을 공급하는 린스액 공급부(55)를 더 구비하고 있다.

세정액 공급부(54)는, 기판 유지부(52)에 유지되어 회전하는 기판(W)에 대하여 세정액(L2)을 공급하고, 기판(W)에 형성된 시드층을 전세정 처리하는 것이다. 이 세정액 공급부(54)는, 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)에 대하여 세정액(L2)을 토출하는 세정액 노즐(541)과, 세정액 노즐(541)에 세정액(L2)을 공급하는 세정액 공급원(542)을 가지고 있다. 이 중 세정액 공급원(542)은, 후술하는 바와 같이 정해진 온도로 가열 내지 온도 조절된 세정액(L2)을, 세정액 배관(543)을 거쳐 세정액 노즐(541)로 공급하도록 구성되어 있다. 세정액 노즐(541)은 노즐 암(56)에 유지되어, 도금액 노즐(531)과 함께 이동 가능하게 되어 있다.

세정액(L2)으로서는, 다이카복실산 또는 트리카복실산이 이용된다. 이 중 다이카복실산으로서는, 예를 들면 사과산, 호박산, 말론산, 옥살산, 글루타르산, 아디프산, 주석산 등의 유기산을 이용할 수 있다. 또한, 트리카복실산으로서는, 예를 들면 구연산 등의 유기산을 이용할 수 있다.

린스액 공급부(55)는, 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)에 린스액(L3)을 토출하는 린스액 노즐(551)과, 린스액 노즐(551)에 린스액(L3)을 공급하는 린스액 공급원(552)을 가지고 있다. 이 중 린스액 노즐(551)은, 노즐 암(56)에 유지되어, 도금액 노즐(531) 및 세정액 노즐(541)과 함께 이동 가능하게 되어 있다. 또한, 린스액 공급원(552)은 린스액(L3)을, 린스액 배관(553)을 거쳐 린스액 노즐(551)로 공급하도록 구성되어 있다. 린스액(L3)으로서는, 예를 들면, DIW 등을 사용할 수 있다.

상술한 도금액 노즐(531), 세정액 노즐(541) 및 린스액 노즐(551)을 유지하는 노즐 암(56)에는, 도시하지 않는 노즐 이동 기구가 연결되어 있다. 이 노즐 이동 기구는, 노즐 암(56)을 수평 방향 및 상하 방향으로 이동시킨다. 보다 구체적으로, 노즐 이동 기구에 의해, 노즐 암(56)은, 기판(W)에 처리액(도금액(L1), 세정액(L2) 또는 린스액(L3))을 토출하는 토출 위치와, 토출 위치로부터 퇴피한 퇴피 위치와의 사이에서 이동 가능하게 되어 있다. 이 중 토출 위치는, 기판(W)의 표면 중 임의의 위치에 처리액을 공급 가능하면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판(W)의 중심에 처리액을 공급 가능한 위치로 하는 것이 적합하다. 기판(W)에 도금액(L1)을 공급하는 경우, 세정액(L2)을 공급하는 경우, 린스액(L3)을 공급하는 경우에서, 노즐 암(56)의 토출 위치는 상이해도 된다. 퇴피 위치는, 챔버(51) 내 중, 상방으로부터 본 경우에 기판(W)과 겹치지 않는 위치로서, 토출 위치로부터 먼 위치이다. 노즐 암(56)이 퇴피 위치에 위치되어 있는 경우, 이동하는 덮개체(6)가 노즐 암(56)과 간섭하는 것이 회피된다.

기판 유지부(52)의 주위에는, 컵(571)이 마련되어 있다. 이 컵(571)은, 상방으로부터 본 경우에 링 형상으로 형성되어 있고, 기판(W)의 회전 시에, 기판(W)으로부터 비산한 처리액을 받아, 드레인 덕트(581)로 안내한다. 컵(571)의 외주측에는, 분위기 차단 커버(572)가 마련되어 있어, 기판(W)의 주위의 분위기가 챔버(51) 내에 확산되는 것을 억제하고 있다. 이 분위기 차단 커버(572)는, 상하 방향으로 연장되도록 원통 형상으로 형성되어 있고, 상단이 개구되어 있다. 분위기 차단 커버(572) 내에, 후술하는 덮개체(6)가 상방으로부터 삽입 가능하게 되어 있다.

실시 형태에서는, 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)은, 덮개체(6)에 의해 덮인다. 이 덮개체(6)는 천장부(61)와, 천장부(61)로부터 하방으로 연장되는 측벽부(62)를 가지고 있다.

천장부(61)는 제 1 천장판(611)과, 제 1 천장판(611) 상에 마련된 제 2 천장판(612)을 포함하고 있다. 제 1 천장판(611)과 제 2 천장판(612)과의 사이에는, 히터(63)(가열부)가 개재되어 있다. 제 1 천장판(611) 및 제 2 천장판(612)은 히터(63)를 밀봉하여, 히터(63)가 도금액(L1) 등의 처리액에 접하지 않도록 구성되어 있다. 보다 구체적으로, 히터(63)의 외주측에는 실 링(613)이 마련되어 있고, 이 실 링(613)에 의해 히터(63)가 밀봉되어 있다. 제 1 천장판(611) 및 제 2 천장판(612)은, 도금액(L1) 등의 처리액에 대한 내부식성을 가지고 있는 것이 적합하며, 예를 들면, 알루미늄 합금에 의해 형성되어 있어도 된다. 또한 내부식성을 높이기 위하여, 제 1 천장판(611), 제 2 천장판(612) 및 측벽부(62)는, 테플론(등록 상표)으로 코팅되어 있어도 된다.

덮개체(6)에는, 덮개체 암(71)을 개재하여 덮개체 이동 기구(7)가 연결되어 있다. 덮개체 이동 기구(7)는, 덮개체(6)를 수평 방향 및 상하 방향으로 이동시킨다. 보다 구체적으로, 덮개체 이동 기구(7)는, 덮개체(6)를 수평 방향으로 이동시키는 선회 모터(72)와, 덮개체(6)를 상하 방향으로 이동시키는 실린더(73)(간격 조절부)를 가지고 있다. 이 중 선회 모터(72)는, 실린더(73)에 대하여 상하 방향으로 이동 가능하게 마련된 지지 플레이트(74) 상에 장착되어 있다. 실린더(73)의 대체로서, 모터와 볼 나사를 포함하는 액츄에이터(도시하지 않음)를 이용해도 된다.

덮개체 이동 기구(7)의 선회 모터(72)는, 덮개체(6)를, 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)의 상방에 배치된 상방 위치와, 상방 위치로부터 퇴피한 퇴피 위치와의 사이에서 이동시킨다. 이 중 상방 위치는, 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)에 대하여 비교적 큰 간격으로 대향하는 위치로서, 상방으로부터 본 경우에 기판(W)과 겹치는 위치이다. 퇴피 위치는, 챔버(51) 내 중, 상방으로부터 본 경우에 기판(W)과 겹치지 않는 위치이다. 덮개체(6)가 퇴피 위치에 위치되어 있는 경우, 이동하는 노즐 암(56)이 덮개체(6)와 간섭하는 것이 회피된다. 선회 모터(72)의 회전축선은, 상하 방향으로 연장되어 있고, 덮개체(6)는, 상방 위치와 퇴피 위치와의 사이에서, 수평 방향으로 선회 이동 가능하게 되어 있다.

덮개체 이동 기구(7)의 실린더(73)는, 덮개체(6)를 상하 방향으로 이동시켜, 도금액(L1)이 공급된 기판(W)과 천장부(61)의 제 1 천장판(611)과의 간격을 조절한다. 보다 구체적으로, 실린더(73)는, 덮개체(6)를 하방 위치(도 2에 있어서 실선으로 나타내는 위치)와, 상방 위치(도 2에 있어서 이점 쇄선으로 나타내는 위치)에 위치시킨다.

실시 형태에서는, 히터(63)가 구동되고, 상술한 하방 위치에 덮개체(6)가 위치된 경우에, 기판 유지부(52) 또는 기판(W) 상의 도금액(L1)이 가열되도록 구성되어 있다.

덮개체(6)의 천장부(61) 및 측벽부(62)는, 덮개체 커버(64)에 의해 덮여 있다. 이 덮개체 커버(64)는, 덮개체(6)의 제 2 천장판(612) 상에, 지지부(65)를 개재하여 배치되어 있다. 즉, 제 2 천장판(612) 상에, 제 2 천장판(612)의 상면으로부터 상방으로 돌출되는 복수의 지지부(65)가 마련되어 있고, 이 지지부(65)에 덮개체 커버(64)가 배치되어 있다. 덮개체 커버(64)는, 덮개체(6)와 함께 수평 방향 및 상하 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 또한, 덮개체 커버(64)는, 덮개체(6) 내의 열이 주위로 빠져나가는 것을 억제하기 위하여, 천장부(61) 및 측벽부(62)보다 높은 단열성을 가지고 있는 것이 바람직하다. 예를 들면, 덮개체 커버(64)는, 수지 재료에 의해 형성되어 있는 것이 적합하며, 그 수지 재료가 내열성을 가지고 있는 것이 보다 한층 적합하다.

이와 같이 실시 형태에서는, 히터(63)를 구비하는 덮개체(6)와 덮개체 커버(64)가 일체적으로 마련되고, 하방 위치에 배치된 경우에 기판 유지부(52) 또는 기판(W)을 덮는 커버 유닛(10)이, 이들 덮개체(6) 및 덮개체 커버(64)에 의해 구성된다.

챔버(51)의 상부에는, 덮개체(6)의 주위로 청정한 공기(기체)를 공급하는 팬 필터 유닛(59)(기체 공급부)이 마련되어 있다. 팬 필터 유닛(59)은, 챔버(51) 내(특히, 분위기 차단 커버(572) 내)로 공기를 공급하고, 공급된 공기는, 배기관(81)을 향해 흐른다. 덮개체(6)의 주위에는, 이 공기가 하향으로 흐르는 다운 플로우가 형성되고, 도금액(L1) 등의 처리액으로부터 기화한 가스는, 이 다운 플로우에 의해 배기관(81)을 향해 흐른다. 이와 같이 하여, 처리액으로부터 기화한 가스가 상승하여 챔버(51) 내에 확산되는 것을 방지하고 있다.

상술한 팬 필터 유닛(59)으로부터 공급된 기체는, 배기 기구(8)에 의해 배출되도록 되어 있다.

<냉각 가스 공급부의 구성>

실시 형태에 따른 도금 처리부(5)는, 또한, 기판(W)의 하면 또는 척 부재(521)에 대하여 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 공급부를 구비한다. 이 냉각 가스 공급부의 구성에 대하여 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 실시 형태에 따른 냉각 가스 공급부의 구성을 나타내는 도이다.

도 3에 나타내는 바와 같이, 냉각 가스 공급부(4)는, 냉각 가스를 토출하는 냉각 가스 노즐(41)과, 냉각 가스 노즐(41)에 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 공급원(42)을 가지고 있다. 실시 형태에 있어서, 냉각 가스 공급원(42)은, 실온의(온도 조정되어 있지 않음) 냉각 가스를, 냉각 가스 배관(43)을 거쳐 냉각 가스 노즐(41)로 공급한다. 냉각 가스로서는, 예를 들면 질소 또는 아르곤 등의 불활성 가스가 이용된다.

냉각 가스 노즐(41)은, 척 부재(521)에 유지된 기판(W)보다 하방에 배치되고, 기판(W)의 하면을 향해 냉각 가스를 토출한다. 실시 형태에 있어서, 냉각 가스 노즐(41)은, 기판(W)의 직경 방향 외방을 향해 냉각 가스를 토출한다. 이에 의해, 기판(W)의 하면 전면에 냉각 가스를 효율적으로 공급할 수 있다. 또한, 본 예에 한정되지 않고, 냉각 가스 노즐(41)은, 연직 상방으로 냉각 가스를 토출해도 된다. 또한, 냉각 가스 노즐(41)은, 척 부재(521)에 냉각 가스를 토출해도 된다.

<도금 처리부의 구체적 동작>

이어서, 상술한 도금 처리부(5)의 구체적 동작에 대하여 도 4 ~ 도 8을 참조하여 설명한다. 도 4는 실시 형태에 따른 도금 처리부(5)가 실행하는 처리의 순서를 나타내는 순서도이다. 또한, 도 5는, 도 4에 나타내는 기판 유지 처리의 설명도이며, 도 6은 도 4에 나타내는 도금액 축적 처리의 설명도이다. 또한, 도 7은 도 4에 나타내는 기판(W)을 덮개체(6)로 덮는 처리의 설명도이며, 도 8은 도 4에 나타내는 냉각 처리의 설명도이다. 또한, 도 4에 나타내는 일련의 처리는, 제어부(91)에 의한 제어에 따라 실행된다.

도 4에 나타내는 바와 같이, 먼저, 도금 처리부(5)로 반입된 기판(W)은, 기판 유지부(52)에 유지된다(단계(S101)). 여기서는, 기판(W)의 하면 중앙부가 진공 흡착되어, 기판 유지부(52)에 기판(W)이 수평으로 유지된다(도 5 참조).

이어서, 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)이, 세정 처리된다(단계(S102)). 이 경우, 먼저, 회전 모터(523)가 구동되어 기판(W)이 정해진 회전수로 회전한다. 이어서, 퇴피 위치(도 2에 있어서의 실선으로 나타내는 위치)에 위치되어 있던 노즐 암(56)이, 기판(W)의 중앙 상방의 토출 위치로 이동한다. 다음으로, 회전하는 기판(W)에, 세정액 노즐(541)로부터 세정액(L2)이 공급되어, 기판(W)의 표면이 세정된다. 이에 의해, 기판(W)에 부착된 부착물 등이, 기판(W)으로부터 제거된다. 기판(W)에 공급된 세정액(L2)은, 드레인 덕트(581)로 배출된다.

이어서, 세정 처리된 기판(W)이 린스 처리된다(단계(S103)). 이 경우, 회전하는 기판(W)에, 린스액 노즐(551)로부터 린스액(L3)이 공급되어, 기판(W)의 표면이 린스 처리된다. 이에 의해, 기판(W) 상에 잔존하는 세정액(L2)이 씻겨내진다. 기판(W)에 공급된 린스액(L3)은 드레인 덕트(581)로 배출된다.

이어서, 린스 처리된 기판(W) 상에 도금액(L1)이 공급되어 축적된다(단계(S104)). 이 경우, 먼저, 기판(W)의 회전수를, 린스 처리 시의 회전수보다 저감시킨다. 예를 들면, 기판(W)의 회전수를 50 ~ 150 rpm으로 해도 된다. 이에 의해, 기판(W) 상에 형성되는 도금막을 균일화시킬 수 있다. 또한, 기판(W)의 회전은 정지시켜도 된다.

이어서, 도금액 노즐(531)로부터 기판(W)의 표면에 도금액(L1)이 토출된다. 토출된 도금액(L1)은, 표면 장력에 의해 기판(W)의 표면에 머물고, 도금액(L1)이 기판(W)의 표면에 축적되어, 도금액(L1)의 층(이른바 퍼들)이 형성된다(도 6 참조). 도금액(L1)의 일부는, 기판(W)의 표면으로부터 유출되어, 드레인 덕트(581)로부터 배출된다. 정해진 양의 도금액(L1)이 도금액 노즐(531)로부터 토출된 후, 도금액(L1)의 토출이 정지된다. 이 후, 토출 위치에 위치되어 있던 노즐 암(56)이, 퇴피 위치에 위치된다.

이어서, 기판(W) 상에 축적된 도금액(L1)이 가열된다. 먼저, 기판(W)이 덮개체(6)에 의해 덮인다(단계(S105)). 이 경우, 먼저, 덮개체 이동 기구(7)의 선회 모터(72)가 구동되어, 덮개체(6)가 수평 방향으로 선회 이동하여, 상방 위치(도 2에 있어서의 이점 쇄선으로 나타내는 위치)에 위치된다.

이어서, 덮개체 이동 기구(7)의 실린더(73)가 구동되어, 상방 위치에 위치된 덮개체(6)가 하강하여 처리 위치에 위치된다. 이에 의해, 기판(W) 상의 도금액(L1)과 덮개체(6)의 제 1 천장판(611)과의 간격이 제 1 간격이 되고, 덮개체(6)의 측벽부(62)가, 기판(W)의 외주측에 배치된다. 본 실시 형태에서는, 덮개체(6)의 측벽부(62)의 하단이, 기판(W)의 하면보다 낮은 위치에 위치된다. 이와 같이 하여, 기판(W)이 덮개체(6)에 의해 덮여, 기판(W)의 주위의 공간이 폐색화된다(도 7 참조).

이어서, 가열 처리가 개시된다(단계(S106)). 구체적으로, 히터(63)가 온되어, 기판(W) 상에 축적된 도금액(L1)이 가열된다. 히터(63)의 설정 온도는, 가열 처리를 통하여 일정한 목표 온도로 고정된다. 목표 온도는, 예를 들면 90℃ 이상 100℃ 이하이다. 도금액(L1)의 온도가, 성분이 석출되는 온도까지 상승하면, 시드층의 표면에 도금액(L1)의 성분이 석출되어, 도금막이 형성된다.

이어서, 제어부(91)는, 기판(W) 상의 도금액(L1)의 온도가 목표 온도에 도달했는지 여부를 판정한다(단계(S107)). 이 판정은, 예를 들면, 단계(S106)에 있어서 가열 처리가 개시되고 나서의 경과 시간에 기초하여 행해진다. 즉, 제어부(91)는, 가열 처리가 개시되고 나서 미리 설정된 시간이 경과한 경우에, 도금액(L1)의 온도가 목표 온도에 도달했다고 판정한다. 제어부(91)는, 미리 설정된 시간이 경과할 때까지 단계(S107)의 판정을 반복한다(단계(S107), No).

단계(S107)에 있어서, 도금액(L1)의 온도가 목표 온도에 도달했다고 판정하면(단계(S107), Yes), 냉각 처리가 개시된다(단계(S108)). 구체적으로, 냉각 가스 공급부(4)로부터 기판(W)의 하면으로의 냉각 가스의 공급이 개시된다(도 8 참조).

도 9는 가열 처리 시에 있어서의 도금액(L1)의 온도 변화를 모식적으로 나타낸 그래프이다. 도 9에서는, 냉각 처리를 행하지 않는 경우에 있어서의 도금액(L1)의 온도 변화를 일점 쇄선으로 나타내고 있다. 또한, 도 9에 있어서, 부호 T0는 가열 처리 개시 시에 있어서의 도금액(L1)의 온도(예를 들면, 도금액 공급부(53)로부터 공급되는 도금액(L1)의 온도 이하의 온도)이다. 또한, 부호 T1은 도금액(L1)의 목표 온도이다.

도 9에 나타내는 바와 같이, 냉각 처리를 행하지 않는 경우, 도금액(L1)의 온도는, 목표 온도(T1)에 도달한 후에도 한동안 계속 상승한다. 이 온도 상승을 억제하기 위하여, 예를 들면 히터(63)의 설정 온도를 목표 온도(T1)를 향해 단계적으로 올려 가는 것도 상정되지만, 가열 처리에 요하는 시간이 길어진다고 하는 점에서 바람직하지 않다. 또한, 히터(63)는, 기판(W)의 면내에 있어서의 도금액(L1)의 온도의 균일성을 향상시키기 위하여, 개별로 온도 설정 가능한 복수의 가열 영역을 가지는 경우가 있다(이 점에 대해서는 후술한다). 이러한 경우, 히터(63)의 설정 온도는, 도금액(L1)의 온도의 면내 균일성이 높아지도록 가열 영역마다 조정된다. 따라서, 이러한 경우에 있어서, 가열 처리 중에 설정 온도를 동적으로 변경해 버리면, 도금액(L1)의 온도의 면내 균일성을 오히려 저하시켜 버릴 우려가 있다.

따라서, 실시 형태에 따른 도금 처리부(5)는, 도금액(L1)의 온도가 목표 온도(T1)에 달한 경우에, 기판(W)의 하면에 냉각 가스를 공급함으로써, 목표 온도(T1)를 초과하는 도금액(L1)의 온도 상승을 억제하는 것으로 했다. 이 때문에, 실시 형태에 따른 도금 처리부(5)는, 히터(63)의 설정 온도를 목표 온도로 고정하여 가열 처리를 행하는 경우라도, 기판(W) 상의 도금액(L1)의 온도를 일정하게 유지하는 것이 용이하다.

이어서, 예를 들면, 단계(S106)에 있어서 가열 처리가 개시되고 나서, 가열 처리의 처리 시간으로서 미리 설정된 시간이 경과하면, 가열 처리 및 냉각 처리가 종료된다(단계(S109)). 구체적으로, 히터(63)가 오프되고, 또한, 냉각 가스 공급부(4)로부터 기판(W)의 하면으로의 냉각 가스의 공급이 정지된다.

이어서, 덮개체 퇴피 처리가 행해진다(단계(S110)). 덮개체 퇴피 처리에서는, 덮개체 이동 기구(7)가 구동되어, 덮개체(6)가 퇴피 위치에 위치된다. 이 경우, 먼저, 덮개체 이동 기구(7)의 실린더(73)가 구동됨으로써, 덮개체(6)가 상승하여 상방 위치에 위치된다. 그 후, 덮개체 이동 기구(7)의 선회 모터(72)가 구동되어, 상방 위치에 위치된 덮개체(6)가 수평 방향으로 선회 이동하여, 퇴피 위치에 위치된다.

이어서, 기판(W)은, 린스 처리된다(단계(S111)). 이 경우, 먼저, 기판(W)의 회전수를, 도금 처리 시의 회전수보다 증대시킨다. 예를 들면, 도금 처리 전의 린스 처리(단계(S103))와 동일한 회전수로 기판(W)을 회전시킨다. 이어서, 퇴피 위치에 위치되어 있던 린스액 노즐(551)이, 토출 위치로 이동한다. 이어서, 회전하는 기판(W)에, 린스액 노즐(551)로부터 린스액(L3)이 공급되어, 기판(W)의 표면이 세정된다. 이에 의해, 기판(W) 상에 잔존하는 도금액(L1)이 씻겨내진다.

이어서, 린스 처리된 기판(W)이 건조 처리된다(단계(S112)). 이 경우, 예를 들면, 기판(W)의 회전수를, 린스 처리(단계(S111))의 회전수보다 증대시켜, 기판(W)을 고속으로 회전시킨다. 이에 의해, 기판(W) 상에 잔존하는 린스액(L3)이 털어내져 기판(W)이 건조된다.

건조 처리가 종료되면, 기판(W)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 도금 처리부(5)로부터 취출되어 전달부(14)로 반송된다. 또한, 전달부(14)로 반송된 기판(W)은, 기판 반송 장치(13)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어 캐리어(C)에 수용된다. 이에 의해, 1 매의 기판(W)에 대한 일련의 무전해 도금 처리가 종료된다.

(제 1 변형예)

도 10은 제 1 변형예에 따른 도금 처리부의 구성을 나타내는 도이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 제 1 변형예에 따른 도금 처리부(5A)는, 덮개체(6A)와 도금액 공급부(53A)의 도금액 노즐(531A)이 일체화된 구성을 가진다.

구체적으로, 도금액 노즐(531A)은, 덮개체(6A)의 천장부(61), 히터(63) 및 덮개체 커버(64)를 관통하여 마련된다. 도금액 노즐(531A)은, 덮개체 이동 기구(7)에 의해 덮개체(6A)와 함께 이동한다.

여기서는, 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)의 중앙 상방에 도금액 노즐(531A)이 배치되는 경우의 예를 나타내고 있지만, 도금액 노즐(531A)은, 기판(W)의 중앙 상방으로부터 어긋난 위치에 배치되어도 된다.

이어서, 제 1 변형예에 따른 도금 처리부(5A)의 구체적 동작에 대하여 도 11을 참조하여 설명한다. 도 11은 제 1 변형예에 따른 도금 처리부가 실행하는 처리의 순서를 나타내는 순서도이다.

도 11에 나타내는 단계(S201 ~ S212)의 처리 중, 단계(S204, S205) 이외의 처리는, 실시 형태에 따른 도금 처리부(5)가 실행하는 단계(S101 ~ S112)의 처리 중, 단계(S104, S105) 이외의 처리와 동일하다. 구체적으로, 단계(S201 ~ S203)의 처리는, 단계(S101 ~ S103)의 처리와 동일하며, 단계(S206 ~ S212)의 처리는, 단계(S106 ~ S112)의 처리와 동일하다.

도 11에 나타내는 바와 같이, 제 1 변형예에 따른 도금 처리부(5A)에서는, 기판(W)을 덮개체(6A)로 덮는 처리(단계(S204))가 행해진 후에, 도금액(L1)의 축적 처리(단계(S205))가 행해진다.

이와 같이, 기판(W)을 덮개체(6A)로 덮은 다음에 기판(W)에 도금액(L1)을 공급하도록 함으로써, 도금액(L1)을 공급한 후에 기판(W)을 덮개체(6A)로 덮는 경우와 비교하여, 기판(W) 상의 도금액(L1)의 온도 저하를 억제할 수 있다. 즉, 기판(W)에 도금액(L1)을 공급한 후, 덮개체(6A)를 이동시켜 기판(W)을 덮을 때까지의 사이에 생기는 도금액(L1)의 온도 저하를 억제할 수 있다.

또한, 도금 처리부(5A)는, 단계(S204)에 있어서 기판(W)을 덮개체(6A)로 덮은 후, 도금액(L1)을 공급하기 전에, 히터(63)를 온함으로써, 기판(W)을 사전 가열해도 된다.

또한, 도금 처리부(5A)는, 단계(S204)에 있어서 기판(W)을 덮개체(6A)로 덮을 시, 단계(S205)에 있어서 기판(W) 상에 축적되는 도금액(L1)에 덮개체(6A)의 제 1 천장판(611)이 접촉하는 위치에 덮개체(6A)를 배치해도 된다. 이에 의해, 그 후의 가열 처리(단계(S206 ~ S209))에 있어서, 히터(63)의 열을 도금액(L1)에 대하여 효율적으로 전달할 수 있다. 따라서, 도금액(L1)의 가열 효율을 높일 수 있다.

덮개체(6A)를 도금액(L1)에 접촉시키는 경우, 도금 처리부(5A)는, 기판(W)을 덮개체(6A)로 덮은 채로, 린스 처리(단계(S211)) 및 건조 처리(단계(S212))를 행해도 된다. 이에 의해, 덮개체(6A)의 제 1 천장판(611)에 부착된 도금액(L1)을 린스액(L3)에 의해 씻어낼 수 있고, 또한 제 1 천장판(611)을 건조시킬 수 있다. 또한, 이 경우, 도금액 노즐(531A)에는, 린스액 배관(553)을 개재하여 린스액 공급원(552)이 접속되어 있으면 된다. 또한, 도금액 노즐(531A)에는, 배관을 개재하여 건조용 가스 공급원이 접속되어도 된다. 이에 의해, 도금 처리부(5A)는, 건조 처리(단계(S212))에 있어서, 건조용 가스 공급원으로부터 공급되는 건조용 가스(예를 들면, 질소 등의 불활성 가스)를 덮개체(6A)의 내부로 공급하여 기판(W) 및 덮개체(6A)를 건조시킬 수 있다.

(제 2 변형예)

도 12는 제 2 변형예에 따른 도금 처리부의 구성을 나타내는 도이다. 또한, 도 13은 히터가 가지는 복수의 가열 영역과 복수의 냉각 가스 노즐과의 위치 관계를 모식적으로 나타낸 도이다.

도 12에 나타내는 바와 같이, 제 2 변형예에 따른 도금 처리부(5B)가 구비하는 덮개체(6B)는, 히터(63B)를 구비한다.

제 2 변형예에 따른 히터(63B)는, 개별로 온도 설정 가능한 복수의 가열 영역(631 ~ 633)을 가진다. 복수의 가열 영역(631 ~ 633)은, 예를 들면 동심원 형상으로 배치된다(도 13 참조). 복수의 가열 영역(631 ~ 633)은, 기판(W)의 중앙으로부터 외방을 향해 가열 영역(631), 가열 영역(632) 및 가열 영역(633)의 순으로 배열된다. 복수의 가열 영역(631 ~ 633) 중, 가열 영역(631)은, 예를 들면 척 부재(521)와 대략 동일 직경이다.

또한, 제 2 변형예에 따른 도금 처리부(5B)는, 복수의 냉각 가스 공급부(4B1 ~ 4B3)를 구비한다. 냉각 가스 공급부(4B1 ~ 4B3)는, 상술한 냉각 가스 공급부(4)와 동일한 구성을 가지고 있고, 각각 냉각 가스 노즐(411 ~ 413), 냉각 가스 공급원(421 ~ 423) 및 냉각 가스 배관(431 ~ 433)을 구비한다. 또한, 복수의 냉각 가스 노즐(411)은, 단일의 냉각 가스 노즐에 접속되어도 된다.

냉각 가스 노즐(411 ~ 413)은, 복수의 가열 영역(631 ~ 633)에 대응하는 위치에 배치된다. 구체적으로, 냉각 가스 노즐(411)은, 가열 영역(631)의 하방에 배치되고, 가열 영역(631)의 하방에 위치하는 척 부재(521)의 하면을 향해 하방으로부터 냉각 가스를 토출한다. 또한, 냉각 가스 노즐(412)은, 가열 영역(632)의 하방에 배치되고, 가열 영역(632)의 하방에 위치하는 기판(W)의 하면을 향해 하방으로부터 냉각 가스를 토출한다. 또한, 냉각 가스 노즐(413)은, 가열 영역(633)의 하방에 배치되고, 가열 영역(633)의 하방에 위치하는 기판(W)의 하면을 향해 하방으로부터 냉각 가스를 토출한다.

도 13에 나타내는 바와 같이, 냉각 가스 노즐(411 ~ 413)은, 각 가열 영역(631)에 대하여 각각 복수 마련되어도 된다.

여기서는, 냉각 가스 노즐(411 ~ 413)로부터 냉각 가스가 연직 상방으로 토출되는 경우의 예를 나타냈지만, 냉각 가스 노즐(411 ~ 413)은, 기판(W) 또는 척 부재(521)에 대하여 비스듬하게 냉각 가스를 토출해도 된다.

이와 같이, 도금 처리부(5B)는, 개별로 온도 설정 가능한 복수의 가열 영역(631 ~ 633)에 대응하는 복수의 냉각 가스 노즐(411 ~ 413)을 구비하고 있어도 된다. 이에 의해, 도금 처리부(5B)는, 기판(W) 상의 도금액(L1)의 온도를 일정하게 유지하는 것을 더 용이하게 할 수 있다.

(그 외의 변형예)

상술한 실시 형태에서는, 도금액(L1)의 온도가 목표 온도에 도달한 경우에, 냉각 가스의 공급을 개시하는 것으로 했지만, 냉각 가스는, 도금액(L1)의 온도가 목표 온도에 도달하기 전부터 공급되어도 된다. 예를 들면, 냉각 가스의 공급은, 가열 처리와 동시에 개시되어도 된다. 이 경우, 도금액(L1)이 목표 온도(T1)에 도달하기 전의 가열 처리(제 1 가열 처리)에 있어서의 냉각 가스의 유량(제 1 유량)은, 도금액(L1)이 목표 온도(T1)에 도달한 후의 가열 처리(제 2 가열 처리)에 있어서의 냉각 가스의 유량(제 2 유량)보다 적은 것으로 한다.

상술한 실시 형태에서는, 실온의 냉각 가스를 공급하는 것으로 했지만, 냉각 가스의 온도는, 적어도 목표 온도(T1)보다 낮은 온도이면 되며, 반드시 실온인 것을 요하지 않는다. 또한, 예를 들면 냉각 가스의 온도를 조절하기 위한 기기가 불필요해지는 점에서, 실온의 냉각 가스를 이용하는 것이 바람직하다.

상술한 바와 같이, 실시 형태에 따른 기판 처리 방법은, 기판을 유지하는 공정(일례로서, 기판 유지 처리)과, 도금액을 공급하는 공정(일례로서, 도금액 축적 처리)과, 기판을 덮는 공정(일례로서, 기판을 덮개체로 덮는 처리)과, 도금액을 가열하는 공정(일례로서, 가열 처리)과, 냉각 가스를 공급하는 공정(일례로서, 냉각 처리)을 포함한다. 기판을 유지하는 공정은, 기판(일례로서, 기판(W))을 유지하는 유지부(일례로서, 기판 유지부(52))를 이용하여 기판을 유지한다. 도금액을 공급하는 공정은, 유지된 기판의 상면에 도금액(일례로서, 도금액(L1))을 공급한다. 기판을 덮는 공정은, 도금액을 공급하는 공정의 전 또는 후에 있어서, 덮개체(일례로서, 덮개체(6))를 이용하여 기판을 덮는다. 도금액을 가열하는 공정은, 덮개체로 기판을 덮은 상태에서, 덮개체에 마련된 가열부(일례로서, 히터(63))를 이용하여 기판 상의 도금액을 가열한다. 냉각 가스를 공급하는 공정은, 도금액을 가열하는 공정에 있어서, 기판보다 하방으로부터 기판의 하면 또는 유지부에 대하여 냉각 가스(일례로서, 불활성 가스)를 공급한다. 따라서, 실시 형태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 기판 상의 도금액의 온도를 일정하게 유지하는 것을 용이하게 할 수 있다.

냉각 가스를 공급하는 공정은, 도금액의 온도가 목표 온도(일례로서, 목표 온도(T1))에 달한 경우에, 기판의 하면 또는 유지부에 대하여 냉각 가스를 공급해도 된다. 이에 의해, 목표 온도를 초과하는 도금액의 온도 상승을 억제할 수 있다. 따라서, 예를 들면 가열부의 설정 온도를 목표 온도로 고정하여 가열 처리를 행하는 경우라도, 기판 상의 도금액의 온도를 일정하게 유지하는 것이 용이하다.

목표 온도는, 가열부의 설정 온도이다. 도금액의 온도는, 가열부의 설정 온도인 목표 온도에 도달한 후에도 한동안 계속 상승한다. 실시 형태에 따른 기판 처리 방법은, 도금액의 온도가 목표 온도에 달한 경우에, 기판의 하면 또는 유지부에 대하여 냉각 가스를 공급함으로써, 목표 온도를 초과하는 도금액의 온도 상승을 억제할 수 있다.

냉각 가스의 온도는, 실온이다. 이에 의해, 냉각 가스의 온도를 조절하기 위한 기기가 불필요해진다.

가열부는, 개별로 온도 설정 가능한 복수의 가열 영역을 가진다. 이 경우, 냉각 가스를 공급하는 공정은, 기판보다 하방에 있어서 복수의 가열 영역에 대응하는 위치에 배치된 복수의 노즐로부터 냉각 가스를 공급해도 된다. 이에 의해, 기판 상의 도금액의 온도를 일정하게 유지하는 것을 더 용이하게 할 수 있다.

또한, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(일례로서, 도금 처리부(5))는, 유지부(일례로서, 기판 유지부(52))와, 도금액 공급부(일례로서, 도금액 공급부(53))와, 덮개체(일례로서, 덮개체(6))와, 이동 기구(일례로서, 덮개체 이동 기구(7))와, 가열부(일례로서, 히터(63))와, 냉각 가스 공급부(일례로서, 냉각 가스 공급부(4))와, 제어부(일례로서, 제어부(91))를 구비한다. 유지부는, 기판(일례로서, 기판(W))을 유지한다. 도금액 공급부는, 유지부에 유지된 기판의 상면에 도금액(일례로서, 도금액(L1))을 공급한다. 덮개체는, 유지부에 유지된 기판을 덮는다. 이동 기구는, 덮개체를 이동시킨다. 가열부는, 덮개체에 마련된다. 냉각 가스 공급부는, 유지부에 유지된 기판보다 하방에 배치되고, 기판의 하면 또는 유지부에 대하여 냉각 가스(일례로서, 불활성 가스)를 공급한다. 제어부는, 유지부를 이용하여 기판을 유지하는 단계(일례로서, 기판 유지 처리)와, 도금액 공급부를 이용하여 기판의 상면에 도금액을 공급하는 단계(일례로서, 도금액 축적 처리)와, 도금액을 공급하는 단계의 전 또는 후에 있어서, 덮개체를 이용하여 기판을 덮는 단계(일례로서, 기판을 덮개체로 덮는 처리)와, 덮개체로 기판을 덮은 상태에서, 가열부를 이용하여 기판 상의 도금액을 가열하는 단계(일례로서, 가열 처리)와, 도금액을 가열하는 단계에 있어서, 기판의 하면 또는 유지부에 대하여 냉각 가스 공급부로부터 냉각 가스를 공급하는 단계(일례로서, 냉각 처리)가 행해지도록 제어 신호를 출력한다. 따라서, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 기판 상의 도금액의 온도를 일정하게 유지하는 것을 용이하게 할 수 있다.

금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실로, 상기한 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시 형태는, 첨부한 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.

1 : 기판 처리 장치
4 : 냉각 가스 공급부
5 : 도금 처리부
6 : 덮개체
7 : 덮개체 이동 기구
9 : 제어 장치
41 : 냉각 가스 노즐
42 : 냉각 가스 공급원
43 : 냉각 가스 배관
52 : 기판 유지부
53 : 도금액 공급부
63 : 히터
91 : 제어부
92 : 기억부
411 ~ 413 : 냉각 가스 노즐
421 ~ 423 : 냉각 가스 공급원
431 ~ 433 : 냉각 가스 배관
521 : 척 부재
531 : 도금액 노즐
532 : 도금액 공급원
533 : 도금액 배관
631 ~ 633 : 가열 영역
L1 : 도금액
L2 : 세정액
L3 : 린스액
T1 : 목표 온도
W : 기판

Claims (6)

1. 기판을 유지하는 유지부를 이용하여 상기 기판을 유지하는 공정과,
   유지된 상기 기판의 상면에 도금액을 공급하는 공정과,
   상기 도금액을 공급하는 공정의 전 또는 후에 있어서, 덮개체를 이용하여 상기 기판을 덮는 공정과,
   상기 덮개체로 상기 기판을 덮은 상태에서, 상기 덮개체에 마련된 가열부를 이용하여 상기 기판 상의 상기 도금액을 가열하는 공정과,
   상기 도금액을 가열하는 공정에 있어서, 상기 기판보다 하방으로부터 상기 기판의 하면 또는 상기 유지부에 대하여 냉각 가스를 공급하는 공정
   을 포함하는, 기판 처리 방법.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 냉각 가스를 공급하는 공정은, 상기 도금액의 온도가 목표 온도에 달한 경우에, 상기 기판의 하면 또는 상기 유지부에 대하여 상기 냉각 가스를 공급하는, 기판 처리 방법.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 목표 온도는, 상기 가열부의 설정 온도인, 기판 처리 방법.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 냉각 가스의 온도는, 실온인, 기판 처리 방법.
5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 가열부는, 개별로 온도 설정 가능한 복수의 가열 영역을 가지고,
   상기 냉각 가스를 공급하는 공정은, 상기 기판보다 하방에 있어서 상기 복수의 가열 영역에 대응하는 위치에 배치된 복수의 노즐로부터 상기 냉각 가스를 공급하는, 기판 처리 방법.
6. 기판을 유지하는 유지부와,
   상기 유지부에 유지된 상기 기판의 상면에 도금액을 공급하는 도금액 공급부와,
   상기 유지부에 유지된 상기 기판을 덮는 덮개체와,
   상기 덮개체를 이동시키는 이동 기구와,
   상기 덮개체에 마련된 가열부와,
   상기 유지부에 유지된 상기 기판보다 하방에 배치되고, 상기 기판의 하면 또는 상기 유지부에 대하여 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 공급부와,
   상기 유지부를 이용하여 상기 기판을 유지하는 단계와, 상기 도금액 공급부를 이용하여 상기 기판의 상면에 상기 도금액을 공급하는 단계와, 상기 도금액을 공급하는 단계의 전 또는 후에 있어서, 상기 덮개체를 이용하여 상기 기판을 덮는 단계와, 상기 덮개체로 상기 기판을 덮은 상태에서, 상기 가열부를 이용하여 상기 기판 상의 상기 도금액을 가열하는 단계와, 상기 도금액을 가열하는 단계에 있어서, 상기 기판의 하면 또는 상기 유지부에 대하여 상기 냉각 가스 공급부로부터 상기 냉각 가스를 공급하는 단계가 행해지도록 제어 신호를 출력하는 제어부
   를 구비하는, 기판 처리 장치.

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