KR20220133980A - 세장형 (elongated) RF 스트랩을 갖는 임피던스 매칭부 - Google Patents

Abstract

임피던스 매칭부 (impedance match) 가 기술된다. 임피던스 매칭부는 하단 부분 및 상단 부분을 갖는 하우징을 포함한다. 하단 부분은 매칭 컴포넌트들 (components) 을 갖고 그리고 상단 부분은 세장형 바디 (elongated body) 를 갖는다. 저 주파수 입력부는 하우징의 하단 부분을 통해 연결되고, 그리고 저 주파수 입력부는 제 1 세트의 커패시터들 (capacitors) 및 인덕터들 (inductors) 에 상호 연결된다. 고 주파수 입력부는 하우징의 하단 부분을 통해 연결되고, 그리고 고 주파수 입력부는 제 2 세트의 커패시터들 및 인덕터들에 상호 연결된다. 세장형 스트랩은 하우징의 하단 부분과 상단 부분 사이에서 연장된다 (extend). 세장형 스트랩의 하부 부분은 제 2 세트의 커패시터들 및 인덕터들에 커플링되고, 세장형 스트랩의 상부 부분은 세장형 바디의 단부에서 RF 로드 (rod) 에 연결된다.

Description

세장형 (elongated) RF 스트랩을 갖는 임피던스 매칭부

본 개시에 기술된 실시 예들은 세장형 (elongated) 무선 주파수 (radio frequency; RF) 스트랩을 갖는 임피던스 매칭 회로 시스템에 관한 것이다.

본 명세서에 제공된 배경기술 기술 (description) 은 본 개시의 맥락을 일반적으로 제시할 목적을 위한 것이다. 이 배경기술 섹션에 기술된 정도의 본 명세서에 명명된 발명자들의 업적, 뿐만 아니라 출원 시 종래 기술로서 달리 인증되지 않을 수도 있는 본 기술의 양태들은 본 개시에 대한 종래 기술로서 명시적으로나 암시적으로 인정되지 않는다.

무선 주파수 (radio frequency; RF) 생성기는 RF 신호를 생성하고 그리고 RF 신호를 매칭부 (match) 를 통해 플라즈마 반응기에 공급한다. 플라즈마 반응기는 RF 신호가 공급되고 에천트 가스가 플라즈마 반응기로 공급될 때 에칭되는 반도체 웨이퍼를 갖는다. 그러나, 매칭부는 특정한 미리 설정된 제약들을 충족시키는 것이 바람직하다.

이러한 맥락에서 본 개시에 기술된 실시 예들이 발생한다.

본 개시의 실시 예들은 세장형 (elongated) 무선 주파수 (radio frequency; RF) 스트랩 (strap) 을 갖는 임피던스 매칭 회로 시스템을 제공한다. 본 실시 예들은 다수의 방식들, 예를 들어, 프로세스, 장치, 시스템, 하드웨어 부품 (a piece of hardware), 또는 컴퓨터 판독 가능 매체 상의 방법으로 구현될 수 있다는 것이 인식되어야 한다. 몇몇 실시 예들이 이하에 기술된다.

일 실시 예에서, 플라즈마 챔버의 전극으로 RF 전력을 전달하기 위한 임피던스 매칭부가 제공된다. 하단 부분 및 상단 부분을 갖는 하우징이 제공된다. 하단 부분은 매칭 컴포넌트들 (components) 을 갖고 그리고 상단 부분은 세장형 바디 (body) 를 갖는다. 세장형 스트랩은 하우징의 하단 부분과 상단 부분 사이에서 연장되고 (extend), 그리고 세장형 스트랩의 하부 부분은 매칭 컴포넌트들에 커플링된다 (couple). 세장형 스트랩의 상부 부분은 세장형 바디의 단부에서 RF 로드 (rod) 에 연결된다. 중간 스트랩이 제 1 단부에서 하부 부분과 상부 부분 사이에 있는 중간-연결부에서 세장형 스트랩에 커플링된다. 중간 스트랩은 제 2 단부에서 보조 커패시터 (capacitor) 에 연결된다.

일 실시 예에서, 플라즈마 챔버의 전극으로 RF 전력을 전달하기 위한 임피던스 매칭부가 기술된다. 임피던스 매칭부는 하단 부분 및 상단 부분을 갖는 하우징을 포함한다. 하단 부분은 매칭 컴포넌트들을 갖고 그리고 상단 부분은 세장형 바디를 갖는다. 저 주파수 입력부는 하우징의 하단 부분을 통해 연결되고, 그리고 저 주파수 입력부는 제 1 세트의 커패시터들 및 인덕터들 (inductors) 에 상호 연결된다. 고 주파수 입력부는 하우징의 하단 부분을 통해 연결되고, 그리고 고 주파수 입력부는 제 2 세트의 커패시터들 및 인덕터들에 상호 연결된다. 세장형 스트랩은 하우징의 하단 부분과 상단 부분 사이에서 연장된다. 세장형 스트랩의 하부 부분은 제 2 세트의 커패시터들 및 인덕터들에 커플링되고 그리고 세장형 스트랩의 상부 부분은 세장형 바디의 단부에서 RF 로드에 연결된다. 중간 스트랩이 제 1 단부에서 하부 부분과 상부 부분 사이에 있는 중간-연결부에서 세장형 스트랩에 커플링된다. 중간 스트랩은 제 2 단부에서 보조 커패시터에 연결된다.

본 명세서에 기술된 세장형 RF 스트랩을 갖는 임피던스 매칭 회로 시스템의 일부 이점들은 제조 설비의 클린 룸 (clean room) 의 플로어 (floor) 상의 공간을 절약하는 것을 포함한다. RF 스트랩은 세장되고 그리고 RF 스트랩을 포함하는 임피던스 매칭 회로 시스템의 하우징은 좁아진다. 하우징은 또 다른 매칭 시스템의 하우징과 비교하여 플로어 상에서 보다 적은 공간을 차지한다.

본 명세서에 기술된 임피던스 매칭 회로 시스템의 부가적인 이점들은 임피던스 매칭부의 하우징을 포함한다. 임피던스 매칭부의 하우징은 임피던스 매칭 회로 시스템의 하우징 내에 위치되고 그리고 임피던스 매칭 회로 시스템의 하우징 내에, 척 (chuck) 전력 공급부 및 필터와 같은, 컴포넌트들 및 튜닝 가능한 에지 시스 (tunable edge sheath; TES) 매칭부를 피팅하기 (fit) 위해 세장된다. 또한, 임피던스 매칭부의 세장형 하우징은 세장형 RF 스트랩을 수용한다.

다른 양태들은 첨부된 도면들과 함께 취해진, 이하의 상세한 기술로부터 자명해질 것이다.

실시 예들은 첨부된 도면들과 함께 취해진 이하의 기술을 참조하여 이해된다.
도 1a는 도 1b를 참조하여 본 명세서에 기술된 다른 플라즈마 툴들에 의해 소비된 것보다 보다 많은 양의 플로어 (floor) 공간을 소비하는 복수의 플라즈마 툴들을 예시하기 위한 시스템의 일 실시 예의 다이어그램 (diagram) 이다.
도 1b는 도 1a의 플라즈마 툴들에 의해 소비된 것보다 보다 적은 양의 플로어 공간을 소비하는 복수의 플라즈마 툴들을 예시하기 위한 시스템의 일 실시 예의 다이어그램이다.
도 2는 도 1b의 플라즈마 툴들 중 하나의 컴포넌트들의 스택 가능한 (stackable) 배열을 예시하기 위한 시스템의 일 실시 예의 다이어그램이다.
도 3은 임피던스 매칭 회로의 무선 주파수 (radio frequency; RF) 스트랩들 (straps) 과 연관된 인덕턴스들 (inductances) 을 예시하기 위한 임피던스 매칭 회로의 일 실시 예의 다이어그램이다.
도 4a는 임피던스 매칭 회로의 RF 스트랩들의 배열을 예시하기 위한 임피던스 매칭 회로의 하우징 내의 내부도이다.
도 4b는 임피던스 매칭 회로의 하우징의 전면도의 일 실시 예의 다이어그램이다.
도 4c는 임피던스 매칭 회로의 하우징의 측면도의 일 실시 예의 다이어그램이다.
도 5는 임피던스 매칭 회로의 사용을 예시하기 위한 시스템의 일 실시 예의 다이어그램이다.

다음의 실시 예들은 세장형 (elongated) 무선 주파수 (radio frequency; RF) 스트랩 (strap) 을 갖는 임피던스 매칭 회로를 기술한다. 본 실시 예들은 이들 구체적인 상세들 중 일부 또는 전부가 없이 실시될 수도 있다는 것이 자명할 것이다. 다른 예들에서, 공지의 프로세스 동작들은 본 실시 예들을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 기술되지 않았다.

도 1a는 도 1b를 참조하여 본 명세서에 기술된 다른 플라즈마 툴들에 의해 소비된 것보다 보다 많은 양의 플로어 공간을 소비하는 복수의 플라즈마 툴들을 예시하기 위한 시스템 (100) 의 평면도의 일 실시 예의 다이어그램 (diagram) 이다. 시스템 (100) 은 복수의 플라즈마 툴들 (102A, 102B, 102C, 102D, 102E, 102F, 102G 및 102H) 을 포함한다.

본 명세서에 기술된 플라즈마 툴 각각은 길이, 폭 및 깊이를 갖는다. 예를 들어, 플라즈마 툴 (102A) 은 폭 (105A) 을 갖고 그리고 플라즈마 툴 (102B) 은 폭 (105B) 을 갖는다. 폭 (105A) 은 x-축을 따라 측정된다. 플라즈마 툴 (102A) 은 z-축을 따라 측정되는, 깊이 (107A) 를 갖는다. 플라즈마 툴들 (102A 내지 102H) 은 도 1b를 참조하여 이하에 기술된 플라즈마 툴들보다 플로어 (104) 상에서 보다 많은 공간을 점유하는 팔각형 배열을 형성하기 위해 제조 설비의 플로어 (104) 상에 위치된다. 플라즈마 툴 (102A 내지 102H) 각각은 플라즈마 툴들 (102A 내지 102H) 중 임의의 다른 플라즈마 툴과 동일한 치수들, 예를 들어, 폭, 깊이 및 높이를 갖는다.

임의의 2 개의 인접한 플라즈마 툴들 (102A 내지 102H) 사이에 공간이 있다는 것을 주의해야 한다. 예를 들어, 플라즈마 툴 (102A) 의 측면 (103A) 은 플라즈마 툴 (102B) 의 측면 (103B) 에 인접하지 않고 두 측면들 (103A 및 103B) 사이에 빈 공간이 있고, 그리고 예각이 측면들 (103A 및 103B) 사이에 형성된다. 빈 공간은 사람이 플라즈마 툴 (102A) 또는 플라즈마 툴 (102B) 을 개방하기 위해 공간으로 들어가기에 충분하다.

일 실시 예에서, 용어 플로어 공간 (floor space) 및 풋 프린트 (footprint) 는 본 명세서에서 상호 교환 가능하게 사용된다.

도 1b는 플라즈마 툴들 (102A 내지 102H) 에 의해 소비된 것보다 보다 적은 양의 플로어 공간을 소비하는 복수의 플라즈마 툴들을 예시하기 위한 시스템 (110) 의 일 실시 예의 다이어그램이다. 시스템 (110) 은 복수의 플라즈마 툴들 (110A, 110B, 110C, 110D, 110E, 110F, 110G 및 110H) 을 포함한다. 플라즈마 툴 (110A 내지 110H) 각각은 동일한 치수들, 예를 들어, 폭, 깊이 및 높이를 갖는다.

플라즈마 툴 (110A) 은 폭 (113A) 을 갖고 그리고 플라즈마 툴 (110B) 은 폭 (113B) 을 갖는다. 폭 (113A) 은 z-축을 따라 측정된다. 또한, 플라즈마 툴 (110A) 은 깊이 (115A) 를 갖는다. 깊이 (115A) 는 플라즈마 툴 (102A) (도 1a) 의 깊이 (107A) 보다 보다 작다. 깊이 (115A) 는 x-축을 따라 측정된다.

플라즈마 툴들 (110A 내지 110H) 은 직사각형 배열을 형성하기 위해 플로어 (104) 상에 위치되고, 그리고 직사각형 배열은 도 1a를 참조하여 상기 예시된 팔각형 배열에 의해 취해진 것보다 보다 적은 공간을 차지한다. 예를 들어, 사람은 플라즈마 툴들 (110A 내지 110H) 중 임의의 2 개의 인접한 플라즈마 툴들 사이의 공간으로 들어갈 수 없다. 또 다른 예로서, 플라즈마 툴 (110A) 의 측면 (111A) 은 측면들 (111A 및 111B) 사이에 무시할 만한 양의 공간이 있거나 공간이 없도록 플라즈마 툴 (110B) 의 측면 (111B) 에 인접하다. 또 다른 예로서, 깊이 (115A) 는 깊이 (107A) 보다 보다 작고 그리고 폭 (113A) 은 폭 (105A) 보다 보다 작다.

일 실시 예에서, 8 개의 플라즈마 툴들 대신, 4 또는 5 또는 6과 같은, 임의의 다른 수의 툴들이 플로어 (104) 상에 배열될 수 있다.

일 실시 예에서, 플라즈마 툴 (110A) 의 깊이는 플라즈마 툴 (102A) 의 깊이보다 보다 크다. 일 실시 예에서, 플라즈마 툴 (110A) 의 폭은 플라즈마 툴 (102A) 의 폭보다 보다 크다.

도 2는 도 1b의 플라즈마 툴들 (110A 내지 110H) 중 임의의 플라즈마 툴과 같은, 플라즈마 툴의 컴포넌트들의 스택 가능한 배열을 예시하기 위한 시스템 (200) 의 일 실시 예의 다이어그램이다. 시스템 (200) 은 시스템 (202) 및 임피던스 매칭 회로 시스템 (impedance matching circuit system; IMCS) (203) 을 포함한다. 시스템 (200) 은 플라즈마 툴들 (110A 내지 110H) (도 1b) 중 임의의 플라즈마 툴의 일 예이다.

IMCS (203) 는 하우징 (211) 을 포함하는 하우징이다. 본 명세서에 사용된, 하우징의 예들은 컴파트먼트 (compartment), 인클로저 (enclosure), 박스, 컨테이너, 등을 포함한다. 하우징 (211) 은 임피던스 매칭 회로 (IMC) (204) 를 인클로징한다 (enclose). IMCS (203) 는 튜닝 가능한 에지 시스 (tunable edge sheath; TES) 매칭부 인클로저 (205), 척 전력 공급부 (power supply; PS) 및 필터 인클로저 (207) 및 헬륨 RF 컴포넌트들의 세트 (209) 를 더 포함한다. 세트 (209) 는 때때로 본 명세서에서 설비들 및 RF 컴포넌트들의 세트로 지칭된다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 인클로저의 예들은 컴파트먼트, 하우징, 박스, 컨테이너, 등을 포함한다. 척 PS 및 필터 인클로저 (207) 는 척과 같은, 전극에 DC 전력을 제공하는 척 전력 공급부를 포함한다. 척 PS 및 필터 인클로저 (207) 는 RF 전력과 DC 전력의 간섭 기회들을 감소시키기 위해 DC 전력에 커플링되는 것으로부터 RF 전력을 필터링하는 필터를 더 포함한다. TES 매칭부 인클로저 (205) 는 전극을 둘러싸는 튜닝 가능한 에지 링 (tunable edge ring; TER) 에 커플링되는 TES 매칭부를 포함한다. TES 매칭부는 하나 이상의 인덕터들, 하나 이상의 레지스터들, 또는 하나 이상의 커패시터들, 또는 이들의 조합과 같은, 전기적 컴포넌트들을 포함하고, 그리고 전기적 컴포넌트들은 서로 커플링된다. TES 매칭부의 전기적 컴포넌트들은 TES 매칭부의 출력부에 커플링된 TER과 같은, 부하 (load) 의 임피던스와 TES 매칭부의 입력부에 커플링된 소스 (source) 사이에 매칭을 제공하는 임피던스들을 갖는다. TES 매칭부의 입력부에 커플링된 소스의 일 예는 RF 생성기 및 RF 생성기를 TES 매칭부의 입력부에 커플링하는 RF 케이블을 포함한다.

하우징 (211) 은 상단 부분 (211A) 및 하단 부분 (211B) 을 갖는다. 상단 부분 (211A) 의 형상은 세장된다. 예를 들어, 상단 부분 (211A) 의 형상은 TES 매칭부 인클로저 (205) 가 IMCS (203) 내에 피팅되는 (fit) 것을 용이하게 하기 위해 하단 부분 (211B) 의 형상보다 실질적으로 보다 좁다. 더욱이, 상단 부분 (211A) 의 세장형 형상은 척 PS 및 필터 인클로저 (207) 및 TES 매칭부 인클로저 (205) 로 하여금 IMCS (203) 내에 피팅되게 한다. TES 매칭부 인클로저 (205) 는 하단 부분 (211B) 위에 위치되고 그리고 척 PS 및 필터 인클로저 (207) 는 TES 매칭부 인클로저 (205) 위에 위치된다. 헬륨 RF 컴포넌트들의 세트 (209) 는 TES 매칭부 인클로저 (205) 가 위치되는 측면과 반대되는 측면 상의 IMC (204) 의 하우징 (211) 옆에 위치된다.

헬륨 RF 컴포넌트들의 세트 (209) 는 플라즈마 챔버의, 하부 전극과 같은, 전극의 온도를 제어하기 위한 냉각제 가스의 통과를 위한, 헬륨 채널들과 같은, 복수의 도관들을 포함한다. 복수의 도관들은 플라즈마 챔버의 상부 전극과 하부 전극 사이의 갭 (gap) 내에서 상이한 존들 (zones) 을 냉각하기 위해 전극으로 연장된다 (extend). 온도는 전극으로의 냉각제 가스의 플로우를 상승시키거나 감소시킴으로써 제어된다. 예를 들어, 전극으로의 냉각제 가스의 플로우가 상승될 때 온도가 상승되고 그리고 전극으로의 냉각제 가스의 플로우가 감소될 때 온도가 감소된다. 냉각제 가스의 일 예는 헬륨을 포함하고 그리고 전극의 예들은 척 및 기판 지지부를 포함한다.

더욱이, 헬륨 RF 컴포넌트들의 세트 (209) 는 전극의 상단 상에 배치된 기판을 프로세싱하기 위해 전극을 회전시키기 위해 전극에 연결될 수 있는, 전기 모터에 전력을 제공하기 위한 교류 (AC) 전력 공급부를 포함한다. 또한, 헬륨 RF 컴포넌트들의 세트 (209) 는 플라즈마 챔버의 하부 전극과 상부 전극 사이의 갭의 양을 제어하기 위해, 예컨대 증가시키거나 감소시키기 위해, 트랜지스터들의 세트 및 모터를 포함하는, 갭 드라이버를 포함한다. 헬륨 RF 컴포넌트들의 세트 (209) 는 IMC (204) 의 출력부에서 또는 IMC (204) 의 입력부에서 변수를 센싱하기 (sense) 위해, 복소 (complex) 전류 센서 및 복소 전압 센서, 전압 센서들, 전력 센서들, 등과 같은, 센서들을 더 포함한다. 변수의 예들은 복소 전압 및 전류, 임피던스, 전압, 전력, 반사된 전력 및 공급된 전력을 포함한다.

일 실시 예에서, 유전체 링은 척과 같은, 전극과 튜닝 가능한 에지 링 사이에 위치된다.

시스템 (202) 은 저 주파수 (LF) RF 생성기 및 고 주파수 (HF) RF 생성기를 포함하고, 그리고 IMCS (203) 위에 위치된다. 저 주파수 RF 생성기의 일 예는 400 ㎑ RF 생성기의 저 주파수 동작을 갖는 RF 생성기이고 그리고 고 주파수 RF 생성기의 일 예는 27 ㎒ 또는 60 ㎒ RF 생성기의 고 주파수 동작을 갖는 RF 생성기이다. 저 주파수 RF 생성기의 또 다른 예는 2 ㎒의 저 주파수 동작을 갖는 RF 생성기이다. 시스템 (202) 은 플로어 (104) (도 1a 및 도 1b) 상의 공간을 절약하기 위해 IMCS (203) 의 상단에 위치된다.

IMC (204) 의 하우징 (211) 은 하단 벽 (206B) 을 갖는다. 시스템 (202) 의 저 주파수 RF 생성기는 하단 벽 (206B) 의 개구부를 통해 임피던스 매칭 회로 (204) 의 회로 컴포넌트들에 연결된다. 예를 들어, 저 주파수 RF 생성기는 임피던스 매칭 회로 (204) 의 회로 컴포넌트들에 커플링하기 위해 하단 벽 (206B) 의 개구부를 통과하는 RF 케이블 (208A) 을 통해 커플링된다. 유사하게, 시스템 (202) 의 고 주파수 RF 생성기는 하단 벽 (206B) 의 개구부를 통해 임피던스 매칭 회로 (204) 의 회로 컴포넌트들에 연결된다. 예를 들어, 고 주파수 RF 생성기는 임피던스 매칭 회로 (204) 의 회로 컴포넌트들에 커플링하기 위해 하단 벽 (206B) 의 개구부를 통과하는 RF 케이블 (208B) 을 통해 커플링된다.

일 실시 예에서, 용어들 임피던스 매칭 회로, 임피던스 매칭 네트워크, 매칭부, 임피던스 매칭부, 매칭 네트워크, 매칭 회로 및 매치 네트워크는 본 명세서에서 상호 교환 가능하게 사용된다.

일 실시 예에서, 시스템 (202) 은 IMCS (203) 의 상단이 아니라 IMCS (203) 위에 위치된다. 예를 들어, 지지 로드들의 네트워크와 같은, 캐리어가 IMCS (203) 위에 제공되고, 그리고 시스템 (202) 은 캐리어에 의해 지지된다.

일 실시 예에서, 시스템 (202) 은 IMCS (203) 내에 위치된다.

일 실시 예에서, RF 송신 라인 (502) 은 기판 지지부 (506) 를 포함하고 그리고 기판 지지부 (506) 는 RF 송신 라인 (502) 의 RF 시스에 의해 둘러싸인다.

일 실시 예에서, 용어들 기판 지지부 및 전력 공급된 전극은 본 명세서에서 상호 교환 가능하게 사용된다.

도 3은 임피던스 매칭 회로 (300) 의 RF 스트랩들과 연관된 인덕턴스들을 예시하기 위한 임피던스 매칭 회로 (300) 의 일 실시 예의 다이어그램이다. 임피던스 매칭 회로 (300) 는 임피던스 매칭 회로 (204) (도 2) 의 일 예이다.

임피던스 매칭 회로 (300) 는 브랜치 (branch) (302A) 및 제 2 브랜치 (302B) 를 포함한다. 브랜치 (302A) 는 인덕터 (L1), 인덕터 (L2), 커패시터 (C1), 커패시터 (C4), 커패시터 (C5), 커패시터 (C6) 및 인덕터 (L3) 와 같은, 회로 컴포넌트들을 포함한다. 커패시터들 (C5 및 C6) 은 이하에 더 기술되는, 직류 (DC) 차단 커패시터들이다. 브랜치 (302B) 는 인덕터 (L4), 커패시터 (C2), 커패시터 (C7) 및 커패시터 (C3) 와 같은, 회로 컴포넌트들을 포함한다. 커패시터들 (C1, C2 및 C3) 은 가변 커패시터들이다. 커패시터들 (C1 및 C2) 은 주 커패시터들이고 그리고 커패시터 (C3) 는 보조 커패시터이다. 인덕터들 (L1 내지 L4) 는 인덕터를 형성하기 위해 감기는 코일이고 그리고 RF 스트랩들이 아니다.

브랜치 (302B) 는 RF 스트랩 부분 (304A), RF 스트랩 부분 (304B), RF 스트랩 (304C), RF 스트랩 (304D) 및 RF 스트랩 (304E) 을 더 포함한다. 부분들 (304A 및 304B) 은 하나의 RF 스트랩의 부분들이다. 일 예로서, 본 명세서에 사용된 바와 같이, RF 스트랩은 구리 또는 구리의 합금과 같은, 도전체로부터 이루어진 편평하고 세장형 금속 조각이다. 예시를 위해, RF 스트랩은 길이, 폭 및 두께를 갖는다. RF 스트랩의 길이는 RF 스트랩의 폭보다 보다 크고 그리고 폭은 RF 스트랩의 두께보다 보다 크다. 또 다른 예시로서, RF 스트랩은 실질적으로 직사각형 볼륨 또는 직사각형 볼륨을 점유하고 그리고 구부러지거나 재성형되도록 가요성이다. 직사각형 볼륨의 일 예는 직사각형 바 (bar) 에 의해 점유된 볼륨이다.

인덕터 (L1) 는 연결부를 통해 임피던스 매칭 회로 (300) 의 입력부 (I1) 에 커플링되고 그리고 연결부를 통해 인덕터 (L2) 에 커플링된다. 입력부 (I1) 의 일 예는 입력부 (I1) 와 인덕터 (L1) 사이의 연결부의 일 단부이다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 연결부의 일 예는 전도성 와이어 또는 케이블 또는 RF 스트랩 또는 일련의 RF 스트랩들 또는 커넥터 또는 이들의 조합을 포함한다. 또한, 커패시터 (C1) 는 인덕터들 (L1 및 L2) 사이의 연결부 상의 지점 (point) 에 커플링되고 그리고 접지 전위에 커플링된다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 지점의 예들은 일 연결부를 또 다른 연결부에 커플링하는, 금속 볼트 및 너트, 또는 전도성 볼트 및 너트와 같은 커넥터, 또는 용접 지점을 포함한다.

인덕터 (L2) 는 연결부를 통해 커패시터 (C6) 에 커플링되고 그리고 커패시터 (C4) 는 인덕터 (L2) 와 커패시터 (C6) 사이의 연결부 상의 지점에 커플링된다. 커패시터 (C4) 는 또한 접지 전위에 커플링된다. 커패시터 (C5) 는 커패시터 (C5) 에 병렬로 커플링된다. 커패시터 (C6) 는 연결부를 통해 임피던스 매칭 회로 (300) 의 출력부 (O1) 에 커플링되는, 인덕터 (L3) 에 연결부를 통해 커플링된다.

인덕터 (L4) 는 연결부를 통해 임피던스 매칭 회로 (300) 의 입력부 (I2) 에 커플링되고 그리고 접지 연결부에 커플링된다. 입력부 (I2) 의 일 예는 입력부 (I2) 와 인덕터 (L4) 사이의 연결부의 일 단부이다. 인덕터 (L4) 는 RF 스트랩 (304D) 상의 지점에 커플링된다. 입력부 (I2) 의 일 예는 RF 스트랩 (304D) 의 일 단부이다. 커패시터 (C2) 는 RF 스트랩들 (304D 및 304E) 사이의 지점 (P2) 에 커플링된다. RF 스트랩들 (304D 및 304E) 은 지점 (P2) 에서 서로 연결된다. 커패시터 (C2) 는 또한 접지 연결부에 커플링된다. 커패시터 (C7) 는 RF 스트랩 (304E) 및 RF 스트랩 부분 (304A) 에 커플링된다.

커패시터 (C3) 는 브랜치 (302B) 의 지점 (P1) 에 커플링되는, RF 스트랩 (304C) 에 커플링된다. 커패시터 (C3) 는 또한 접지 연결부에 커플링된다. RF 스트랩 부분 (304A) 은 지점 (P1) 에서 RF 스트랩 부분 (304B) 에 커플링된다. RF 스트랩 부분 (304B) 은 임피던스 매칭 회로 (300) 의 출력부 (O1) 에 커플링된다.

RF 스트랩 부분 (304A 및 304B) 각각 및 RF 스트랩 (304C 내지 304E) 각각은 각각의 인덕턴스를 갖는다. 예를 들어, RF 스트랩 부분 (304A) 은 인덕턴스 (LA) 를 갖고, RF 스트랩 부분 (304B) 은 또 다른 인덕턴스 (LB) 를 갖고, RF 스트랩 (304C) 은 또 다른 인덕턴스 (LC) 를 갖고, RF 스트랩 (304D) 은 인덕턴스 (LD) 를 갖고, 그리고 RF 스트랩 (304E) 은 인덕턴스 (LE) 를 갖는다. RF 스트랩들 (304A 내지 304E) 중 임의의 RF 스트랩과 같은, 본 명세서에 기술된 임의의 RF 스트랩은 인덕터를 형성하기 위해 코일로 감기지 않고 편평하고 세장형 금속 조각이라는 것을 주의해야 한다.

일 예로서, 인덕터 (L1) 는 45 μH (microHenries) 내지 55 μH 범위의 인덕턴스를 갖는다. 예시를 위해, 인덕터 (L1) 는 40 μH의 인덕턴스를 갖는다. 또 다른 예로서, 인덕터 (L2) 는 35 μH 내지 41 μH 범위의 인덕턴스를 갖는다. 예시를 위해, 인덕터 (L2) 는 38 μH의 인덕턴스를 갖는다. 또 다른 예로서, 커패시터 (C1) 는 60 pF (picoFarads) 내지 2000 pF 범위의 커패시턴스를 갖는다. 또 다른 예로서, 커패시터 (C4) 는 110 pF 내지 120 pF 범위의 커패시턴스를 갖는다. 또한, 일 예로서, 커패시터 (C5) 는 2700 pF 내지 2900 pF 범위의 커패시턴스를 갖는다. 예시를 위해, 커패시터 (C5) 는 2800 pF의 커패시턴스를 갖는다. 또 다른 예로서, 인덕터 (L3) 는 2.1 μH 내지 2.3 μH 범위의 인덕턴스를 갖는다. 예시를 위해, 인덕터 (L3) 는 2.2 μH의 인덕턴스를 갖는다.

또 다른 예로서, 인덕터 (L4) 는 0.44 μH 내지 0.46 μH 범위의 인덕턴스를 갖는다. 예시를 위해, 인덕터 (L4) 는 0.45 μH의 인덕턴스를 갖는다. 또한, 일 예로서, 커패시터 (C2) 는 25 pF 내지 250 pF 범위의 커패시턴스를 갖는다. 또 다른 예로서, 커패시터 (C7) 는 7 pF 내지 17 pF 범위의 커패시턴스를 갖는다. 또 다른 예로서, 커패시터 (C3) 는 3 pF 내지 30 pF 범위의 커패시턴스를 갖는다.

저 주파수 RF 생성기에 의해 생성된 RF 신호는 입력부 (I1) 에서 수신되고 그리고 인덕터 (L1) , 인덕터 (L2) , 커패시터 (C5 및 C6) 및 인덕터 (L3) 를 통해 출력부 (O1) 로 전송된다. 커패시터들 (C1 및 C4) 은 입력부 (I1) 에서 수신된 RF 신호의 임피던스를 변화시킨다.

더욱이, 고 주파수 RF 생성기에 의해 생성된 RF 신호는 입력부 (I2) 에서 수신되고 그리고 RF 스트랩 (304D), 지점 (P2), RF 스트랩 (304E), 커패시터 (C7), RF 스트랩 부분 (304A) 및 RF 스트랩 부분 (304B) 을 통해 출력부 (O1) 로 전송된다. 인덕터 (L4), 커패시터 (C2), RF 스트랩 (304C) 및 커패시터 (C3) 는 입력부 (I2) 에서 수신된 RF 신호의 임피던스를 수정한다.

브랜치 회로 (302A) 는 임피던스 매칭 회로 (300) 를 통해 플라즈마 챔버로부터 저 주파수 RF 생성기를 향해 반사된 전력을 감소시키기 위해 입력부 (I1) 에서 수신된 저 주파수 RF 신호의 임피던스를 수정한다. 임피던스는 인덕터 (L3) 의 출력부로부터 수정된 RF 신호 (310A) 를 출력하도록 출력부 (O1) 에 커플링된 부하의 임피던스를 입력부 (I1) 에 커플링된 소스의 임피던스와 매칭시키기 위해 수정된다. 부하의 일 예는 플라즈마 챔버 및 임피던스 매칭 회로 (300) 를 플라즈마 챔버에 커플링하는 RF 송신 라인을 포함한다. 입력부 (I1) 에 커플링된 소스의 일 예는 저 주파수 RF 생성기 및 저 주파수 RF 생성기를 입력부 (I1) 에 커플링하는 RF 케이블 (208A) (도 2) 을 포함한다.

유사하게, 브랜치 회로 (302B) 는 임피던스 매칭 회로 (300) 를 통해 플라즈마 챔버로부터 고 주파수 RF 생성기를 향해 반사된 전력을 감소시키기 위해 입력부 (I2) 에서 수신된 고 주파수 RF 신호의 임피던스를 수정한다. 임피던스는 RF 스트랩 부분 (304B) 의 출력부로부터 수정된 RF 신호 (310B) 를 출력하도록 출력부 (O1) 에 커플링된 부하의 임피던스를 입력부 (I2) 에 커플링된 소스의 임피던스와 매칭시키기 위해 수정된다. 입력부 (I2) 에 커플링된 소스의 일 예는 고 주파수 RF 생성기 및 고 주파수 RF 생성기를 입력부 (I2) 에 커플링하는 RF 케이블 (208B) (도 2) 을 포함한다. 인덕터 (L3) 및 RF 스트랩 부분 (304B) 으로부터 출력된 수정된 신호들 (310A 및 310B) 은 출력부 (O1) 로부터 결합된 RF 신호 (312) 를 출력하기 위해, 출력부 (O1) 에서 결합, 예컨대 합산된다.

일 실시 예에서, 도 3에 예시된 커패시터들 또는 인덕터들 중 임의의 커패시터 또는 인덕터는 고정되거나 가변적이다. 예를 들어, 커패시터들 (C4 내지 C7) 중 하나 이상은 고정 커패시터들이다. 또 다른 예로서, 인덕터 (L1 내지 L4) 중 하나 이상은 가변 인덕터들이고 그리고 이들의 인덕턴스들은 가변될 수 있다.

일 실시 예에서, RF 스트랩 부분들 (304A 및 304B) 대신, 2 개의 RF 스트랩들이 사용된다. 예를 들어, RF 스트랩 부분 (304A) 의 인덕턴스를 갖는 제 1 RF 스트랩은 커넥터를 통해 RF 스트랩 부분 (304B) 의 인덕턴스를 갖는 제 2 RF 스트랩에 연결된다. 커넥터의 예들은 이하에 제공된다.

일 실시 예에서, 임피던스 매칭 회로 (300) 는 도 3에 예시된 것과 상이한 수의 커패시터들을 포함한다. 예를 들어, 커패시터들 (C5 및 C6) 대신에, 하나의 커패시터가 사용된다. 일 실시 예에서, 임피던스 매칭 회로 (300) 는 도 3에 예시된 것과 상이한 수의 인덕터들을 포함한다.

도 4a는 임피던스 매칭 회로 (400) 의 RF 스트랩들의 배열을 예시하기 위한 임피던스 매칭 회로 (400) 의 하우징 (413) 의 내부도이다. 임피던스 매칭 회로 (400) 는 임피던스 매칭 회로 (300) (도 3) 의 일 예이고 그리고 하우징 (413) 은 임피던스 매칭 회로 (204) (도 2) 의 하우징 (211) (도 2) 의 일 예이다.

임피던스 매칭 회로 (400) 는 때때로 본 명세서에서 중간 스트랩으로 지칭되는, RF 스트랩 부분 (404A), RF 스트랩 부분 (404B) 및 RF 스트랩 (404C) 을 포함한다. RF 스트랩 부분 (404A) 은 RF 스트랩 부분 (304A) (도 3) 의 일 예이고, RF 스트랩 부분 (404B) 은 RF 스트랩 부분 (304B) (도 3) 의 일 예이고, 그리고 RF 스트랩 (404C) 은 RF 스트랩 (304C) (도 3) 의 일 예이다. RF 스트랩 부분 (404A) 은 때때로 본 명세서에서 하부 부분으로 지칭되고 그리고 RF 스트랩 부분 (404B) 은 때때로 본 명세서에서 상부 부분으로 지칭된다. RF 스트랩 부분들 (404A 및 404B) 은 때때로 본 명세서에서 세장형 스트랩으로 지칭되는, RF 스트랩 (404) 의 부분들이다. 예를 들어, RF 스트랩 부분들 (404A 및 404B) 은 하나의 세장형 금속 조각으로부터 제조된다. RF 스트랩 (404C) 은 RF 스트랩 (404) 보다 길이가 보다 짧다.

RF 스트랩 (404) 은 하우징 (413) 의 상단 부분 (424A) 과 하우징 (413) 의 하단 부분 (424B) 사이에서 연장된다. 예를 들어, RF 스트랩 (404) 은 하단 부분 (424B) 으로부터 가상 베이스 (imaginary base) (428) 를 통해 상단 부분 (424A) 으로 연장된다. 상단 부분 (424A) 은 상단 부분 (211A) (도 2) 의 일 예이고 그리고 하단 부분 (424B) 은 하단 부분 (211B) (도 2) 의 일 예이다. 가상 베이스 (428) 는 도 4b를 참조하여 이하에 더 기술된다.

임피던스 매칭 회로 (400) 는 저 주파수 RF 생성기의 출력부에 커플링된 RF 케이블 (208A) (도 2) 을 수용하기 위한 포트 (408A) 를 더 포함하고 그리고 고 주파수 RF 생성기의 출력부에 커플링된 RF 케이블 (208B) (도 2) 을 수용하기 위한 포트 (408B) 를 포함한다. 포트 (408A) 는 RF 케이블 (208A) 이 저 주파수 RF 생성기에 의해 생성된 저 주파수 RF 신호를 임피던스 매칭 회로 (400) 로 통신하기 위한 커넥터와 같은, 통신 엔드포인트 (endpoint) 를 포함하고 그리고 포트 (408B) 는 RF 케이블 (208B) 이 고 주파수 RF 생성기에 의해 생성된 고 주파수 RF 신호를 임피던스 매칭 회로 (400) 로 통신하기 위한 커넥터와 같은, 통신 엔드포인트를 포함한다. 임피던스 매칭 회로 (400) 는 커패시터들 (C1 내지 C3) 을 포함하고, 그리고 DC 전력이 임피던스 매칭 회로 (400) 의 회로 컴포넌트들에 부정적으로 영향을 주는 것을 차단하는, DC 차단 커패시터들 (406A 및 406B) 을 더 포함한다. DC 차단 커패시터들 (406A 및 406B) 은 DC 차단 커패시터들 (C5 및 C6) (도 3) 의 예들이다. 임피던스 매칭 회로 (400) 는 저 주파수로 동작하는 회로 컴포넌트들, 예컨대 커패시터 (C1) 를 보호하기 위해 입력부 (I2) 에서 수신된 RF 신호의 고 주파수를 필터링하기 위한 필터 (411) 를 포함한다.

RF 스트랩 (404C) 의 제 1 단부 (432) 는 나사 또는 볼트와 같은, 커넥터 (410) 를 통해 RF 스트랩 부분들 (404A 및 404B) 에 커플링된다. 커넥터 (410) 는 때때로 본 명세서에서 중간-연결부로서 지칭되고 그리고 RF 스트랩 부분 (404A) 과 RF 스트랩 부분 (404B) 사이에 있다. RF 스트랩 (404C) 의 제 2 단부 (434) 는 커패시터 (C3) 에 연결된다. 제 1 단부 (432) 는 제 2 단부 (434) 에 대향하여 위치되고 그리고 RF 스트랩 (404C) 의 바디는 2 개의 단부들 (432 및 434) 사이에 위치된다. RF 스트랩 (404C) 의 부분 (415) 은 z-축을 따른 방향으로 RF 스트랩 부분 (404B) 의 부분과 오버랩하지만 (overlap) RF 스트랩 부분 (404B) 의 부분과 물리적으로 콘택트하지 (contact) 않는다. 일 예로서, RF 스트랩 부분 (404A) 및 RF 스트랩 (404C) 은 커넥터 (410) 를 통해 서로 연결되고 그리고 RF 스트랩 부분 (404A) 은 RF 스트랩 부분 (404A) 을 따라 임의의 다른 지점에서 RF 스트랩 (404C) 에 연결되지 않는다.

커넥터 (410) 는 도 3의 지점 (P1) 의 일 예이다. 예를 들어, 임피던스 매칭 회로 (400) 의 출력부 (O1) 는 RF 송신 라인을 통해 플라즈마 챔버의 전극에 커플링된다. 더욱이, RF 스트랩 부분 (404B) 은 또한 출력부 (O1) 에 커플링되기 위해 세장되고 그리고 커넥터 (410) 를 통해 RF 스트랩 (404C) 에 커플링되기 위해 세장된다. 또한, RF 스트랩 부분 (404A) 은 커넥터 (410) 를 통해 RF 스트랩 (404C) 에 커플링되기 위해 세장된다.

일 실시 예에서, 세장형 RF 스트랩은 RF 스트랩의 폭보다 실질적으로 보다 긴 길이를 갖는다. 예를 들어, RF 스트랩 (404C) 의 길이는 RF 스트랩 (404C) 의 폭의 10 내지 20 배이다. 또 다른 예로서, RF 스트랩 부분들 (404A 및 404B) 의 총 길이는 RF 스트랩 부분들 (404A 및 404B) 의 폭의 10 내지 30 배이다. 세장형 RF 스트랩 부분들 (404A 및 404B) 및 RF 스트랩 (404C) 은 플로어 공간을 절약하기 위해 임피던스 매칭 회로 (400) 의 하우징 (413) 의 보다 좁은 구성을 용이하게 한다. 또한, 하우징 (413) 의 보다 좁은 구성은 헬륨 RF 컴포넌트들의 세트 (209) (도 2) 와 같은, 컴포넌트들 및 척 PS 및 필터 컴파트먼트 (207) (도 2) 및 TES 매칭부 컴파트먼트 (205) (도 2) 와 같은 컴파트먼트들이 IMCS (203) (도 2) 내에 피팅되는 것을 용이하게 한다.

도 4b는 임피던스 매칭 회로 (400) (도 4a) 의 하우징 (413) 의 일 실시 예의 다이어그램이다. 하우징 (413) 은 커넥터 (410) 를 통해 RF 스트랩 (404C) 에 연결되는 RF 스트랩 부분들 (404A 및 404B) 을 포함한다. 또한, RF 스트랩 부분 (404B) 의 단부 (430A) 는 출력부 (O1) 를 통해 RF 송신 라인의 RF 로드 (rod) (422) 에 연결되고 그리고 RF 스트랩 부분 (404B) 의 반대편 단부 (430B) 는 도 3을 참조하여 예시된 방식으로 커패시터들 (C2 및 C7) 에 연결된다. RF 로드는 하우징 (413) 의 후면 (426G) 과 대면하는, 플라즈마 챔버에 연결된다. RF 송신 라인은 RF 로드 (422) 및 RF 로드 (422) 를 둘러싸는 RF 시스를 포함한다. RF 시스는 RF 로드 (422) 를 둘러싸는 절연 재료에 의해 RF 로드 (422) 로부터 분리된다. 절연 재료는 RF 로드 (422) 와 RF 시스 사이에 위치된다.

하우징 (413) 은 상단 부분 (424A) 및 하단 부분 (424B) 을 갖는다. 상단 부분 (424A) 은 때때로 본 명세서에서 상단 부분으로 지칭되고, 하단 부분 (424B) 은 때때로 본 명세서에서 하단 부분으로 지칭된다. 상단 부분 (424A) 은 하단 부분 (424B) 보다 x-축을 따라, 보다 좁다. 일 예로서, 상단 부분 (424A) 은 하단 부분 (424B) 보다 보다 좁은 폭을 갖는다. 또한, 상단 부분 (424A) 은 y-축을 따라, 길이를 갖는다. 일 예로서, 상단 부분 (424A) 의 길이는 6 내지 12 인치 범위이다. 예시를 위해, 상단 부분 (424A) 의 길이는 8 내지 10 인치 범위이다. 상단 부분 (424A) 은 RF 스트랩 부분 (404B) 을 위한 하우징을 제공하거나 RF 스트랩 부분 (404B) 을 하우징하고 그리고 하단 부분 (424B) 은 RF 스트랩 부분 (404A) 을 위한 하우징을 제공하거나 RF 스트랩 부분 (404A) 을 하우징한다. 예를 들어, 상단 부분 (424A) 은 RF 스트랩 부분 (404B) 을 위한 커버를 제공하고 그리고 하단 부분 (424B) 은 RF 스트랩 부분 (404A) 을 위한 커버를 제공한다. x-축은 y-축에 수직이고 그리고 x 및 y 축은 모두 z-축에 수직이다.

하단 부분 (424B) 은 측면 (426A), 하단 표면 (426B), 측면 부분 (426C1), 전면 부분 (426F1) 및 후면 부분 (426G1) 을 갖는다. 상단 부분 (424A) 은 측면 (426E), 상단 표면 (426D), 측면 부분 (426C2), 전면 부분 (426F2) 및 후면 부분 (426G2) 을 갖는다.

측면 부분들 (426C1 및 426C2) 은 서로 인접하고 (contiguous) 하우징 (413) 의 측면 (426C) 의 부분들이다. 유사하게, 전면 부분들 (426F1 및 426F2) 은 서로 인접하고 하우징 (413) 의 전면 (426F) 의 부분들이고 그리고 후면 부분들 (426G1 및 426G2) 은 서로 인접하고 하우징 (413) 의 후면 (426G) 의 부분들이다.

상단 부분 (424A) 의 가상 베이스 (428) 는 하단 부분 (424B) 으로부터 상단 부분 (424A) 을 분리한다. 예를 들어, 가상 베이스 (428) 는 측면 부분 (426C1) 을 측면 부분 (426C2) 으로부터 분리한다. 커넥터 (410) 는 가상 베이스 (428) 에 근접한다. 예를 들어, 커넥터 (410) 는 상단 표면 (426D) 보다 가상 베이스 (428) 에 보다 가깝게 위치된다.

상단 표면 (426D) 은 커브된다. 또한, 하단 부분 (424B) 보다 보다 좁은 상단 부분 (424A) 은 하단 부분 (424B) 의 볼륨보다 보다 작은 볼륨을 갖는다. 더욱이, 상단 부분 (424A) 은 상단 부분 (404B) 내에 있도록 RF 스트랩 부분 (404B) 을 수용하게 플라즈마 툴들 (102A 내지 102H) (도 1a) 중 어느 하나의 매칭부의 상단 부분보다 폭이 보다 좁다. 또한, 상단 부분 (424A) 은 플라즈마 툴들 (102A 내지 102H) 중 어느 하나의 매칭부의 상단 부분보다 보다 길다. 상단 부분 (424A) 의 보다 좁은 폭은 헬륨 RF 컴포넌트들의 세트 (209) (도 2) 와 같은 컴포넌트들 및 척 PS 및 필터 컴파트먼트 (207) (도 2) 및 TES 매칭 컴파트먼트 (205) (도 2) 와 같은 컴파트먼트들이 IMCS (203) (도 2) 내에 피팅되는 것을 용이하게 한다.

일 실시 예에서, 커넥터 (410) 가 상단 부분 (424A) 내에 위치되는 대신, 커넥터 (410) 는 하단 부분 (424B) 내에 위치되고 그리고 가상 베이스 (428) 에 근접한다. 예를 들어, 커넥터 (410) 는 하단 표면 (426B) 보다 가상 베이스 (428) 에 보다 가깝게 위치된다.

일 실시 예에서, RF 스트랩 부분 (404B) 의 일부는 상단 부분 (424A) 으로부터 하단 부분 (424B) 으로 연장된다. 일 실시 예에서, RF 스트랩 부분 (404A) 의 일부는 하단 부분 (424B) 으로부터 상단 부분 (424A) 으로 연장된다.

일 실시 예에서, RF 스트랩 (404C) 의 일부는 하단 부분 (424B) 으로부터 상단 부분 (424A) 으로 연장된다.

도 4c는 단면 A-A로부터, 도 4b의 측면도를 예시한다. 이 도면은 RF 로드 (422) 에 연결되는, 출력부 (O1) 까지 세장형 RF 스트랩 부분 (404A) 을 연장하기 위해 상단 부분 (424A) 이 세장되는 것을 도시한다. 예를 들어, 상단 부분 (424A) 은 상단 부분 (424A) 의 x-축을 따른, 폭이 상단 부분 (424A) 의 y-축을 따른, 길이보다 보다 작거나 실질적으로 보다 작도록 세장된다. 예시를 위해, 가상 베이스 (428) 의 폭은 상단 부분 (424A) 의 길이의 절반 또는 대략 절반이다. 도 4c의 이 측면도는 또한 RF 로드 (422) 가 도 4b의 전면도에 수직이거나 실질적으로 수직이라는 것을 도시한다. 일 이점으로서, 서비스를 위해, 도 4b의 전면도는 하우징 (413) 을 빼낼 필요 없이, 임피던스 매칭 회로 (300) (도 3) 의 모든 회로 컴포넌트들로의 완전한 액세스를 가능하게 한다. 예를 들어, 임피던스 매칭 회로 (300) 의 하우징 (413) 은 하우징 (413) 의 측면 (426F) 과 같은, 전면으로부터의 액세스를 허용한다. 예시를 위해, 전면 (426) 은 프로세스 모듈, 예를 들어, 플라즈마 챔버의 반대편이다.

또한, 하단 부분 (424B) 은 플라즈마 툴들 (102A 내지 102H) (도 1a) 중 어느 하나의 매칭부의 최대 폭보다 보다 좁다. 플라즈마 툴들 (102A 내지 102H) 중 어느 하나의 매칭부의 최대 폭은 매칭부의 하단 부분의 폭이다. 또한, 도 4c에 예시된 바와 같이, 상단 부분 (424A) 은 z-축을 따른 방향으로 하단 부분 (424B) 보다 보다 좁다. 더욱이, 도 4b에 예시된 바와 같이, 상단 부분 (424A) 은 x-축을 따른 방향으로 하단 부분 (424B) 보다 보다 좁다. 상단 부분 (424A) 및 하단 부분 (424B) 의 좁음은 플로어 (104) (도 1b) 상의 플로어 공간을 절약한다.

도 5는 임피던스 매칭 회로 (204) 의 사용을 예시하기 위한 시스템 (500) 의 일 실시 예의 다이어그램이다. 시스템 (500) 은 저 주파수 RF 생성기 (LF RFG), 고 주파수 RF 생성기 (HF RFG), RF 케이블들 (208A 및 208B), 임피던스 매칭 회로 (204), RF 송신 라인 (502) 및 플라즈마 챔버 (504) 를 포함한다. 시스템 (500) 은 TES RF 생성기와 같은, 또 다른 RF 생성기를 더 포함한다. 또한, 시스템 (500) 은 RF 케이블 (511), TES 매칭부 (509) 및 RF 송신 라인 (517) 을 포함한다.

TES RF 생성기는 저 주파수 또는 고 주파수 RF 생성기이다. 예를 들어, TES RF 생성기는 저 주파수 또는 고 주파수를 갖고, 그리고 저 주파수 및 고 주파수의 예들은 상기에 제공된다. TES 매칭부 (509) 는 TES 매칭부 인클로저 (205) (도 2) 내에 위치된다.

RF 송신 라인 (502) 은 RF 로드 (422) (도 4b) 및 RF 시스를 포함한다. RF 로드 (422) 는 RF 송신 라인 (502) 의 절연 재료에 의해 둘러싸이고, 그리고 절연 재료는 RF 송신 라인 (502) 의 RF 시스에 의해 둘러싸인다. 유사하게, RF 송신 라인 (517) 은 RF 로드 및 RF 로드를 둘러싸는 RF 시스를 포함한다. 또한, 절연 재료는 RF 송신 라인 (517) 의 RF 로드를 둘러싸고, 그리고 RF 송신 라인 (517) 의 RF 시스는 절연 재료를 둘러싼다.

플라즈마 챔버 (504) 는 기판 지지부 (506) 및 상부 전극 (508) 을 포함한다. 기판 지지부 (506) 의 일 예는 하부 전극을 포함하는, 척이다. 하부 전극은 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 같은, 금속으로 이루어진다. 기판 지지부 (506) 는 금속 및 알루미늄 옥사이드 (Al₂O₃) 와 같은, 세라믹으로 이루어진다. 상부 전극 (508) 은 실리콘으로 제조되고 그리고 접지 연결부에 커플링된다. 플라즈마 챔버 (504) 는 기판 지지부 (506) 를 둘러싸는 TER (507) 을 더 포함한다. TER (507) 은 하나 이상의 재료들, 예를 들어, 결정 실리콘, 다결정 실리콘, 실리콘 카바이드, 석영, 알루미늄 옥사이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 나이트라이드, 등으로 이루어진다. TER (507) 은 기판 지지부 (506) 상에 기판 (S) 을 위치시키는 것 및 기판 (S) 에 의해 보호되지 않는, 플라즈마 챔버 (504) 의 커플링 링과 같은, 아래에 놓인 (underlying) 컴포넌트들이 플라즈마 챔버 (504) 내부에 형성된 플라즈마의 이온들에 의해 손상되는 것을 차폐하는 것을 포함하는, 많은 기능들을 수행한다. TER (507) 은 또한 플라즈마를 기판 (S) 위의 영역으로 한정하고 (confine) 그리고 플라즈마에 의한 부식으로부터 기판 지지부 (506) 를 보호한다.

TES RF 생성기는 RF 케이블 (511) 을 통해 TES 매칭부 (509) 의 입력부에 커플링된다. TES 매칭부 (519) 의 출력은 RF 송신 라인 (517) 을 통해 TER (507) 에 커플링된다.

저 주파수 RF 생성기는 저 주파수 RF 신호 (504A) 를 생성하고 그리고 저 주파수 RF 신호 (504A) 를 RF 케이블 (208A) 을 통해 임피던스 매칭 회로 (204) 의 입력부 (I1) 로 전송한다. 유사하게, 고 주파수 RF 생성기는 고 주파수 RF 신호 (504B) 를 생성하고 그리고 고 주파수 RF 신호 (504B) 를 RF 케이블 (208B) 에 의해 임피던스 매칭 회로 (204) 의 입력부 (I2) 로 전송한다.

브랜치, 예컨대 임피던스 매칭 회로 (204) 의 브랜치 (302A) (도 3) 는 입력부 (I1) 로부터 저 주파수 RF 신호 (504A) 를 수신하고, 그리고 제 1 수정된 RF 신호, 예컨대 수정된 RF 신호 (310A) (도 3) 를 출력하기 위해 입력부 (I1) 에 커플링된 소스의 임피던스와 출력부 (O1) 에 커플링된 부하의 임피던스를 매칭하도록 저 주파수 RF 신호 (504A) 의 임피던스를 수정한다. 출력부 (O1) 에 커플링된 부하의 일 예는 플라즈마 챔버 (504) 및 RF 송신 라인 (502) 을 포함한다. 입력부 (I1) 에 커플링된 소스의 일 예는 저 주파수 RF 생성기 및 RF 케이블 (208A) 을 포함한다.

유사하게, 브랜치, 예컨대 임피던스 매칭 회로 (204) 의 브랜치 (302B) (도 3) 는 입력부 (I2) 로부터 고 주파수 RF 신호 (504B) 를 수신하고, 그리고 제 2 수정된 RF 신호, 예컨대 수정된 RF 신호 (310B) (도 3) 를 출력하기 위해 입력부 (I2) 에 커플링된 소스의 임피던스와 출력부 (O1) 에 커플링된 부하의 임피던스를 매칭하도록 고 주파수 RF 신호 (504B) 의 임피던스를 수정한다. 제 1 수정된 RF 신호 (310A) 및 제 2 수정된 RF 신호 (310B) 는 출력부 (O1) 에서 결합된 RF 신호 (510) 를 출력하기 위해 출력부 (O1) 에서 결합, 예컨대 합산된다. 입력부 (I2) 에 커플링된 소스의 일 예는 고 주파수 RF 생성기 및 RF 케이블 (208B) 을 포함한다. 결합된 RF 신호 (312) (도 3) 는 결합된 RF 신호 (510) 의 일 예이다.

결합된 RF 신호 (510) 는 플라즈마 챔버 내에서 플라즈마를 스트라이킹하거나 (strike) 유지하기 위해 RF 송신 라인 (502) 을 통해 플라즈마 챔버 (504) 의 하부 전극으로 공급된다. 예를 들어, 결합된 RF 신호 (510) 의 공급으로 하나 이상의 프로세스 가스들, 예컨대 산소 함유 가스 또는 불소 함유 가스가 상부 전극 (508) 과 기판 지지부 (506) 사이의 갭에 공급될 때, 플라즈마는 플라즈마 챔버 (504) 내에서 스트라이킹되거나 유지된다.

이에 더하여, TES RFG는 RF 신호 (513) 를 생성하고 그리고 RF 신호 (513) 를 RF 케이블 (511) 을 통해 TES 매칭부 (509) 의 입력부로 전송한다. RF 신호 (513) 의 수신 시, TES 매칭부 (509) 는 수정된 RF 신호 (515) 를 TES 매칭부 (519) 의 출력부에서 출력하기 위해 TES 매칭부 (509) 의 출력부에 커플링된 부하의 임피던스와 TES 매칭부 (509) 의 입력부에 커플링된 소스의 임피던스를 매칭시킨다. TES 매칭부 (519) 의 입력부에 커플링된 소스의 일 예는 TES RFG 및 RF 케이블 (511) 을 포함하고 그리고 TES 매칭부 (509) 의 출력부에 커플링된 소스의 일 예는 TER (507) 및 RF 송신 라인 (517) 을 포함한다. TER (507) 은 기판 (S) 의 에지 영역을 프로세싱하도록 수정된 RF 신호 (515) 를 수신한다.

일 실시 예에서, 커플링 링은 TER (507) 아래에 위치되고 그리고 기판 지지부 (506) 를 둘러싼다. 커플링 링은 전기 절연체 재료, 예를 들어, 유전체 재료, 세라믹, 유리, 합성 폴리머, 알루미늄 옥사이드, 등으로 이루어진다.

본 명세서에 기술된 실시 예들은 휴대형 하드웨어 유닛들, 마이크로프로세서 시스템들, 마이크로프로세서-기반 또는 프로그램 가능한 가전제품들, 미니컴퓨터들, 메인프레임 컴퓨터들 등을 포함하는 다양한 컴퓨터 시스템 구성들로 실시될 수도 있다. 본 명세서에 기술된 실시 예들은 또한 컴퓨터 네트워크를 통해 링크된 원격 프로세싱 하드웨어 유닛들에 의해 태스크들이 수행되는 분산 컴퓨팅 환경들에서 실시될 수 있다.

일부 실시 예들에서, 제어기는 상기 기술된 예들의 일부일 수도 있는 시스템의 일부이다. 시스템은, 프로세싱 툴 또는 툴들, 챔버 또는 챔버들, 프로세싱용 플랫폼 또는 플랫폼들 및/또는 특정 프로세싱 컴포넌트들 (웨이퍼 페데스탈, 가스 플로우 시스템, 등) 을 포함하는, 반도체 프로세싱 장비를 포함한다. 시스템은 반도체 웨이퍼 또는 기판의 프로세싱 이전에, 프로세싱 동안에 그리고 프로세싱 이후에 그들의 동작을 제어하기 위한 전자 장치 (electronics) 와 통합된다. 전자 장치는 시스템의 다양한 컴포넌트들 또는 하위부분들을 제어할 수도 있는 "제어기"로서 지칭된다. 제어기는, 시스템의 프로세싱 요건들 및/또는 타입에 따라서, 프로세스 가스들의 전달, 온도 설정 사항들 (예를 들어, 가열 및/또는 냉각), 압력 설정 사항들, 진공 설정 사항들, 전력 설정 사항들, RF 생성기 설정 사항들, RF 매칭부 회로 설정 사항들, 주파수 설정 사항들, 플로우 레이트 설정 사항들, 유체 전달 설정 사항들, 위치 및 동작 설정 사항들, 툴 및 다른 이송 툴들 및/또는 시스템과 연결되거나 인터페이싱된 로드 록들 내외로의 웨이퍼 이송들을 포함하는, 본 명세서에 개시된 임의의 프로세스를 제어하도록 프로그래밍된다.

일반적으로 말하면, 다양한 실시 예들에서, 제어기는 인스트럭션들을 수신하고, 인스트럭션들을 발행하고, 동작을 제어하고, 세정 동작들을 인에이블하고, 엔드포인트 측정들을 인에이블하는, 등을 하는 다양한 집적 회로들, 로직, 메모리 및/또는 소프트웨어를 갖는 전자 장치로서 규정된다. 집적 회로들은 프로그램 인스트럭션들을 저장하는 펌웨어의 형태의 칩들, 디지털 신호 프로세서들 (DSPs), ASIC들 (Application Specific Integrated Circuits) 로서 규정되는 칩들, PLD들 (programmable logic devices), 프로그램 인스트럭션들 (예를 들어, 소프트웨어) 을 실행하는 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 마이크로제어기들을 포함한다. 프로그램 인스트럭션들은 반도체 웨이퍼 상에서 또는 반도체 웨이퍼에 대한 프로세스를 수행하기 위한 동작 파라미터들을 규정하는, 다양한 개별 설정 사항들 (또는 프로그램 파일들) 의 형태로 제어기로 전달되는 인스트럭션들이다. 일부 실시 예들에서, 동작 파라미터들은 하나 이상의 층들, 재료들, 금속들, 옥사이드들, 실리콘, 실리콘 다이옥사이드, 표면들, 회로들 및/또는 웨이퍼의 다이들의 제조 동안에 하나 이상의 프로세싱 단계들을 달성하도록 프로세스 엔지니어들에 의해서 규정된 레시피의 일부이다.

제어기는, 일부 실시 예들에서, 시스템에 통합되거나, 시스템에 커플링되거나, 그렇지 않으면 시스템에 네트워킹되거나, 또는 이들의 조합인 컴퓨터에 커플링되거나 일부이다. 예를 들어, 제어기는 웨이퍼 프로세싱을 위해 원격 액세스를 가능하게 하는 공장 (fab) 호스트 컴퓨터 시스템의 전부 또는 일부이거나 "클라우드" 내에 있다. 제어기는 제조 동작들의 현재 진행을 모니터링하고, 과거 제조 동작들의 이력을 조사하고, 복수의 제조 동작들로부터 경향들 또는 성능 메트릭들을 조사하고, 현재 프로세싱의 파라미터들을 변경하고, 현재 프로세싱에 후속하는 프로세싱 단계들을 설정하고, 또는 새로운 프로세스 시작하도록 시스템에 대한 원격 액세스를 인에이블한다.

일부 실시 예들에서, 원격 컴퓨터 (예를 들어, 서버) 는 로컬 네트워크 또는 인터넷을 포함하는 컴퓨터 네트워크를 통해 시스템에 프로세스 레시피들을 제공한다. 원격 컴퓨터는 차후에 원격 컴퓨터로부터 시스템으로 전달될 파라미터들 및/또는 설정 사항들의 입력 또는 프로그래밍을 인에이블하는 사용자 인터페이스를 포함한다. 일부 예들에서, 제어기는 웨이퍼를 프로세싱하기 위한 설정 사항들의 형태의 인스트럭션들을 수신한다. 설정 사항들은 웨이퍼 상에서 수행될 프로세스의 타입 및 제어기가 인터페이싱하거나 제어하는 툴의 타입에 특정된다는 것이 이해되어야 한다. 따라서 상기 기술된 바와 같이, 제어기는 예컨대 본 명세서에 기술된 프로세스들을 이행하는 것과 같은, 공동의 목적을 향해 함께 네트워킹되고 작동되는 하나 이상의 개별 제어기들을 포함함으로써 분산된다. 이러한 목적들을 위한 분산형 제어기의 예는 챔버의 프로세스를 제어하도록 조합되는 (예컨대 플랫폼 레벨에서 또는 원격 컴퓨터의 일부로서) 원격으로 위치한 하나 이상의 집적 회로들과 통신하는 챔버 상의 하나 이상의 집적 회로들을 포함한다.

제한 없이, 다양한 실시 예들에서, 본 명세서에 기술된, 플라즈마 시스템은 플라즈마 에칭 챔버, 증착 챔버, 스핀-린스 챔버, 금속 도금 챔버, 세정 챔버, 베벨 에지 에칭 챔버, 물리적 기상 증착 (physical vapor deposition; PVD) 챔버, 화학적 기상 증착 (chemical vapor deposition; CVD) 챔버, 원자 층 증착 (atomic layer deposition; ALD) 챔버, 원자 층 에칭 (atomic layer etch; ALE) 챔버, 이온 주입 챔버, 트랙 챔버 및 반도체 웨이퍼들의 제조 및/또는 제작에 연관되거나 사용되는 임의의 다른 반도체 프로세싱 챔버를 포함한다.

상기 기술된 동작들이 병렬 플레이트 플라즈마 챔버, 예를 들어, 용량 커플링 플라즈마 챔버, 등을 참조하여 기술되었지만, 일부 실시 예들에서, 상기 기술된 동작들은 다른 타입들의 플라즈마 챔버들, 예를 들어, 유도 커플링 플라즈마 (inductively coupled plasma; ICP) 반응기, TCP (transformer coupled plasma) 반응기를 포함하는 플라즈마 챔버, 전도체 툴들, 유전체 툴들, ECR (electron cyclotron resonance) 반응기, 등을 포함하는 플라즈마 챔버, 등에 적용된다는 것을 또한 주의한다. 예를 들어, X ㎒ RF 생성기, Y ㎒ RF 생성기 및 Z ㎒ RF 생성기가 ICP 플라즈마 챔버 내에서 인덕터에 커플링되고, 여기서 X, Y, 및 Z는 정수들이다. 또 다른 예로서, 400 ㎑ RF 생성기, Y ㎒ RF 생성기 및 Z ㎒ RF 생성기가 ICP 플라즈마 챔버 내에서 인덕터에 커플링된다.

상술한 바와 같이, 툴에 의해서 수행될 프로세스 동작에 따라서, 제어기는, 반도체 제작 공장 내의 툴 위치들 및/또는 로드 포트들로부터/로드 포트들로 웨이퍼들의 컨테이너들을 이동시키는 재료 이송 시에 사용되는, 다른 툴 회로들 또는 모듈들, 다른 툴 컴포넌트들, 클러스터 툴들, 다른 툴 인터페이스들, 인접 툴들, 이웃하는 툴들, 공장 도처에 위치한 툴들, 메인 컴퓨터, 또 다른 제어기, 또는 툴들 중 하나 이상과 통신한다.

상기 실시 예들을 염두에 두고, 일부 실시 예들은 컴퓨터 시스템들에 저장된 데이터를 수반하는 다양한 컴퓨터-구현된 동작들을 채용한다는 것이 이해되어야 한다. 이러한 컴퓨터로 구현된 동작들은 물리량들을 조작하는 동작들이다.

실시 예들 중 일부는 또한 이들 동작들을 수행하기 위한 하드웨어 유닛 또는 장치와 관련된다. 장치는 특수 목적 컴퓨터를 위해 특별히 구성된다. 특수 목적 컴퓨터로서 규정될 때, 컴퓨터는 특수 목적의 일부가 아닌 다른 프로세싱, 프로그램 실행 또는 루틴들을 수행하지만, 여전히 특수 목적을 위해 동작할 수 있다.

일부 실시 예들에서, 본 명세서에 기술된 동작들은 선택적으로 활성화된 컴퓨터에 의해 수행되거나 컴퓨터 메모리에 저장되거나 컴퓨터 네트워크를 통해 획득되는 하나 이상의 컴퓨터 프로그램들에 의해 구성된다. 데이터가 컴퓨터 네트워크를 통해 획득될 때, 데이터는 컴퓨터 네트워크 상의 다른 컴퓨터들, 예를 들어, 컴퓨팅 리소스들의 클라우드에 의해 프로세싱될 수도 있다.

본 명세서에 기술된 하나 이상의 실시 예들은 또한 비일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체 상의 컴퓨터 판독 가능 코드로서 제조될 수 있다. 비일시적 컴퓨터-판독 가능 매체는 데이터를 저장하는 임의의 데이터 저장 하드웨어 유닛, 예를 들어, 메모리 디바이스, 등이고, 그 후 컴퓨터 시스템에 의해 판독된다. 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체의 예들은 하드 드라이브들, NAS (network attached storage), ROM, RAM, CD-ROM들, CD-Rs (CD-recordables), CD RWs (CD-rewritables), 자기 테이프들 및 다른 광학 및 비광학 데이터 저장 하드웨어 유닛들을 포함한다. 일부 실시 예들에서, 비일시적인 컴퓨터-판독 가능 매체는 컴퓨터-판독 가능 코드가 분산된 방식으로 저장되고 실행되도록 네트워크-커플링된 컴퓨터 시스템을 통해 분산된 컴퓨터-판독 가능 유형의 매체를 포함한다.

상기 기술된 일부 방법 동작들이 특정한 순서로 제시되었지만, 다양한 실시 예들에서, 다른 하우스 키핑 동작들이 방법 동작들 사이에 수행되거나, 방법 동작들이 약간 상이한 시간들에 발생하도록 조정되거나, 다양한 인터벌들로 방법 동작들의 발생을 허용하거나 상기 기술된 것과 상이한 순서로 수행되는 시스템에 분산된다는 것이 이해되어야 한다.

일 실시 예에서, 상기 기술된 임의의 실시 예로부터의 하나 이상의 특징들은 본 개시에 기술된 다양한 실시 예들에서 기술된 범위로부터 벗어나지 않고 임의의 다른 실시 예의 하나 이상의 특징들과 결합된다는 것을 또한 주의해야 한다.

전술한 실시 예들이 이해의 명확성의 목적들을 위해 다소 상세히 기술되었지만, 특정한 변화들 및 수정들이 첨부된 청구항들의 범위 내에서 실시될 수도 있다는 것이 자명할 것이다. 따라서, 본 실시 예들은 제한적이지 않고 예시적인 것으로 간주되어야 하고, 실시 예들은 본 명세서에 제공된 상세들로 제한되지 않고, 첨부된 청구항들의 범위 및 등가물 내에서 수정될 수도 있다.

Claims (22)

1. 무선 주파수 (radio frequency; RF) 전력을 플라즈마 챔버의 전극으로 전달하기 위한 임피던스 매칭부에 있어서,
   하단 부분 및 상단 부분을 갖는 하우징으로서, 상기 하단 부분은 매칭 컴포넌트들 (components) 을 갖고 그리고 상기 상단 부분은 세장형 바디 (elongated body) 를 갖는, 상기 하우징;
   상기 하우징의 상기 하단 부분을 통해 연결되는 저 주파수 입력부로서, 제 1 세트의 커패시터들 (capacitors) 및 인덕터들 (inductors) 에 상호 연결되는, 상기 저 주파수 입력부;
   상기 하우징의 상기 하단 부분을 통해 연결되는 고 주파수 입력부로서, 제 2 세트의 커패시터들 및 인덕터들에 상호 연결되는, 상기 고 주파수 입력부;
   상기 하우징의 상기 하단 부분과 상기 상단 부분 사이에서 연장되는 (extend) 세장형 스트랩 (strap) 으로서, 상기 세장형 스트랩은 하부 부분 및 상부 부분을 갖고, 상기 세장형 스트랩의 상기 하부 부분은 상기 제 2 세트의 커패시터들 및 인덕터들에 커플링되고 (couple) 그리고 상기 세장형 스트랩의 상기 상부 부분은 상기 세장형 바디의 일 단부에서 RF 로드 (rod) 에 연결되는, 상기 세장형 스트랩; 및
   제 1 단부에서 상기 하부 부분과 상기 상부 부분 사이에 있는 중간-연결부에서 상기 세장형 스트랩에 커플링되는 중간 스트랩으로서, 상기 중간 스트랩은 제 2 단부에서 보조 커패시터에 연결되는, 상기 중간 스트랩을 포함하는, 임피던스 매칭부.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 세장형 스트랩으로의 상기 중간 스트랩의 상기 중간-연결부는 상기 하우징의 상기 세장형 바디의 베이스에 근접하게 위치되는, 임피던스 매칭부.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 하우징의 상기 세장형 바디는 상기 중간-연결부 위로 연장되는 상기 세장형 스트랩의 상기 상부 부분을 하우징하기 위해 제공되는, 임피던스 매칭부.
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 중간-연결부 위로 연장되는 상기 세장형 스트랩은 상기 RF 로드로 이어지는 부가적인 인덕턴스를 제공하는, 임피던스 매칭부.
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 세장형 스트랩 및 상기 중간 스트랩 각각은 편평한 전도성 바 (bar) 재료에 의해 규정되는, 임피던스 매칭부.
6. 제 1 항에 있어서,
   상기 하우징은 전면 및 후면을 갖고, 상기 후면은 상기 플라즈마 챔버를 향해 대면하도록 구성되고, 그리고 상기 RF 로드는 상기 세장형 스트랩의 상기 하부 부분으로부터 상기 하우징의 상기 후면으로부터 연장되는, 임피던스 매칭부.
7. 제 1 항에 있어서,
   상기 중간-연결부가 상기 보조 커패시터의 인덕턴스 및 가변 커패시턴스를 제공하기 위한 위치를 제공하도록, 상기 중간 스트랩이 상기 세장형 스트랩의 상기 하부 부분과 콘택트하지 (contact) 않고 오버랩하도록 (overlap) 구성된 부분을 갖는, 임피던스 매칭부.
8. 제 1 항에 있어서,
   상기 세장형 바디는 상기 하우징의 상기 하단 부분보다 보다 좁은, 임피던스 매칭부.
9. 제 1 항에 있어서,
   상기 고 주파수 입력부는 RF 케이블을 통해 고 주파수 RF 생성기에 연결되도록 구성되고, 상기 저 주파수 입력부는 RF 케이블을 통해 저 주파수 RF 생성기에 연결되도록 구성되고, 상기 저 주파수 RF 생성기는 상기 고 주파수 RF 생성기의 동작 주파수보다 보다 낮은 주파수로 동작하도록 구성되는, 임피던스 매칭부.
10. 제 1 항에 있어서,
    상기 하우징의 상기 하단 부분은 상기 저 주파수 입력부를 저 주파수 RF 생성기에 커플링하는 제 1 RF 케이블을 수용하도록 구성된 제 1 포트를 갖는, 임피던스 매칭부.
11. 제 10 항에 있어서,
    상기 하우징의 상기 하단 부분은 상기 고 주파수 입력부를 고 주파수 RF 생성기에 커플링하는 제 2 RF 케이블을 수용하도록 구성된 제 2 포트를 갖는, 임피던스 매칭부.
12. 제 1 항에 있어서,
    상기 세장형 스트랩은 상기 중간 스트랩보다 보다 긴, 임피던스 매칭부.
13. 제 1 항에 있어서,
    상기 하우징은 또 다른 하우징 내에 위치되고, 상기 다른 하우징은 척 전력 공급부 (chuck power supply) 및 필터를 포함하는 컴파트먼트 (compartment) 를 포함하고, 상기 다른 하우징은 튜닝 가능한 에지 링을 위한 매칭 회로를 포함하는 또 다른 컴파트먼트를 더 포함하는, 임피던스 매칭부.
14. RF 전력을 플라즈마 챔버의 전극으로 전달하기 위한 임피던스 매칭부에 있어서,
    하단 부분 및 상단 부분을 갖는 하우징으로서, 상기 하단 부분은 매칭 컴포넌트들을 갖고 그리고 상기 상단 부분은 세장형 바디를 갖는, 상기 하우징;
    상기 하우징의 상기 하단 부분과 상기 상단 부분 사이에서 연장되는 세장형 스트랩으로서, 상기 세장형 스트랩은 상부 부분 및 하부 부분을 갖고, 상기 세장형 스트랩의 상기 하부 부분은 상기 매칭 컴포넌트들에 커플링되고 그리고 상기 세장형 스트랩의 상기 상부 부분 스트랩은 상기 세장형 바디의 단부에서 RF 로드에 연결되는, 상기 세장형 스트랩; 및
    제 1 단부에서 상기 하부 부분과 상기 상부 부분 사이에 있는 중간-연결부에서 상기 세장형 스트랩에 커플링되는 중간 스트랩으로서, 상기 중간 스트랩은 제 2 단부에서 보조 커패시터에 연결되는, 상기 중간 스트랩을 포함하는, 임피던스 매칭부.
15. 제 14 항에 있어서,
    상기 매칭 컴포넌트들은,
    고 주파수 입력부에 커플링된 제 1 세트의 커패시터들 및 인덕터들; 및
    저 주파수 입력부에 커플링된 제 2 세트의 커패시터들 및 인덕터들을 포함하는, 임피던스 매칭부.
16. 제 14 항에 있어서,
    상기 세장형 스트랩 및 상기 중간 스트랩 각각은 편평한 전도성 바 재료에 의해 규정되는, 임피던스 매칭부.
17. 제 14 항에 있어서,
    상기 중간-연결부 위로 연장되는 상기 세장형 스트랩은 상기 상부 부분을 통해 상기 RF 로드로 이어지는 부가적인 인덕턴스를 제공하는, 임피던스 매칭부.
18. 제 14 항에 있어서,
    상기 하우징은 또 다른 하우징 내에 위치되고, 상기 다른 하우징은 척 전력 공급부 및 필터를 포함하는 컴파트먼트를 포함하고, 상기 다른 하우징은 튜닝 가능한 에지 링을 위한 매칭 회로를 포함하는 또 다른 컴파트먼트를 더 포함하는, 임피던스 매칭부.
19. 임피던스 매칭부에 있어서,
    상단 부분 및 하단 부분을 갖는 하우징으로서, 상기 상단 부분은 상기 하단 부분보다 보다 좁은, 상기 하우징;
    제 1 RF 생성기에 커플링되도록 구성된 제 1 브랜치 (branch);
    제 2 RF 생성기에 커플링되도록 구성된 제 2 브랜치; 및
    출력부를 포함하고,
    상기 제 2 브랜치는 제 1 커패시터, 제 2 커패시터, 상기 출력부, 제 1 RF 스트랩 및 제 1 RF 스트랩 부분과 제 2 RF 스트랩 부분을 포함하는 제 2 RF 스트랩을 포함하고,
    상기 제 1 RF 스트랩, 상기 제 1 스트랩 부분 및 상기 제 2 RF 스트랩 부분은 일 지점에서 서로 커플링되고,
    상기 제 1 커패시터는 상기 제 1 RF 스트랩 부분 및 상기 제 2 RF 스트랩 부분을 통해 임피던스 매칭부의 상기 출력부에 커플링되고,
    상기 제 2 커패시터는 상기 제 1 RF 스트랩 및 상기 제 2 RF 스트랩 부분을 통해 상기 임피던스 매칭부의 상기 출력부에 커플링되고, 상기 상단 부분은 상기 제 2 RF 스트랩 부분을 하우징하도록 구성되는, 임피던스 매칭부.
20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 1 RF 스트랩 및 상기 제 2 RF 스트랩 각각은 편평한 전도성 바 재료에 의해 규정되는, 임피던스 매칭부.
21. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 1 RF 생성기는 상기 제 2 RF 생성기의 동작 주파수보다 보다 낮은 주파수로 동작하도록 구성되는, 임피던스 매칭.
22. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 1 RF 스트랩은 상기 제 1 RF 스트랩 부분과 콘택트하지 않고 오버랩하도록 구성된 부분을 갖는, 임피던스 매칭부.

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