KR20220133418A - 벤트배관의 압력을 제어하는 반도체 제조용 화학약품 공급시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 벤트 배관의 압력을 제어하는 반도체 제조용 화학약품 공급시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조를 위해 증착챔버에서 사용되는 화학약품을 공급탱크에 이송하는 과정에서 벤트배관을 통해 배출되는 불활성 가스의 압력 변화량을 일정 수준 이하로 유지하도록 하는 벤트 배관의 압력을 제어하는 반도체 제조용 화학약품 공급시스템에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 공급탱크에 화학약품을 충전하기 위한 과정에서 공급탱크 내부의 압력이 일정한 기준범위 내에서 변화되도록 하여 화학약품의 충전량을 정확하게 제어할 수 있는 효과가 있다.

Description

벤트배관의 압력을 제어하는 반도체 제조용 화학약품 공급시스템{CHEMICAL SUPPLY SYSTEM FOR MANUFACTURING SEMI-CONDUCTOR WITH CONTROLLING PRESSURE IN VENT LINE}
본 발명은 벤트 배관의 압력을 제어하는 반도체 제조용 화학약품 공급시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조를 위해 증착챔버에서 사용되는 화학약품을 공급탱크에 이송하는 과정에서 벤트배관을 통해 배출되는 불활성 가스의 압력 변화량을 일정 수준 이하로 유지하도록 하는 벤트 배관의 압력을 제어하는 반도체 제조용 화학약품 공급시스템에 관한 것이다.
반도체, LED, Solar Cell 등의 제조공정 중의 하나인 에피텍시(epitaxy) 공정은 단결정실리콘 위에 각종 반도체 관련 재료들을 올려놓기 위해 일종의 얇은 필름으로 실리콘의 표면을 덮는 코팅공정이다. 각 재료들이 특정 위치에 정확히 위치할 수 있도록 기초공사를 하는 것으로서, 일반적인 선택적 에피텍시 성장법은 반도체물질이 노출된 표면에만 그와 동종 또는 이종의 반도체막이 성장되고, 산화막, 질화막 등의 절연막으로 덮여 있는 표면에 는 아무런 막도 성장되지 않도록 하는 기술이다.
특수가스를 활용해 화학적으로 코팅물질을 증착시킨다 하여 대개 CVD(Chemical Vapor Deposition)공정으로 불린다.
구체적으로 에피텍시 공정은 낮은 압력에서 특수가스와의 화학반응을 통해 증착시키는 LPCVD(Low Pressure CVD), 일반대기압에서 증착시키는 APCVD(Atmospheric Pressure CVD), 고압에서 증착시키는 HPCVD(High Pressure CVD), 강력한 전압으로 플라즈마를 발생시켜 증착시키는 PECVD(Plasma Enhanced CVD), 갈륨, 인, 알루미늄 등 금속유기물을 증착시키는 MOCVD(금속유기화학기상증착) 등으로 구분된다.
이 공정에는 고순도 TEOS, TiCL4, TMA, LTO520, TEMAZr, TEMAHf, HBO, 4MS, 3MS, TEB, TEPO 등의 화학약품(특수 약액)이 사용되며 운송가스(carrier gas)로서 고순도의 아르곤(Ar), 헬륨(He), 수소(H2), 질소(N2) 등이 사용된다.
아르곤과 같은 운송가스의 압력을 이용한 펌프로 증착용 화학약품에 추진력을 가하여 화학약품이 이동하도록 하는 방법을 사용한다.
화학약품은 반도체 제조공정에서 공급이 중단되거나 공급량이 급격히 변화하는 등의 변화가 생기지 않도록 할 필요가 있으며, 이를 위해 화학약품을 공급하는 탱크와 빈 탱크에 화학약품을 충전하는 탱크를 동시에 사용하고 있다.
도 1은 종래기술에 따른 화학약품 공급시스템의 구조를 나타낸 연결도이며, 도 2는 공급탱크에 화학약품을 충전하는 과정에서 벤트배관을 통해 압력을 조절하는 구조를 나타낸 연결도, 도 3은 공급탱크 내부의 압력의 변화량을 나타낸 그래프이다.
일반적인 화학약품 공급시스템(100)에는 화학약품을 증착챔버(10)에 공급하는 공급탱크(102)와, 공급탱크(102)의 저장량이 줄어든 경우에 화학약품을 공급하여 충전하는 충전탱크(104)가 구비된다.
공급탱크(102)와 충전탱크(104)에 저장된 화학약품을 이송하기 위해서는 운송을 위한 가스를 공급하는 수단이 사용되는데, 운송가스공급장치(106)는 배관을 통해 공급탱크(102) 및 충전탱크(104)에 고압의 운송가스를 주입한다. 운송가스의 압력에 의해 화학약품이 배관을 통해 배출되어 이송된다.
운송가스공급장치(106)에는 운송가스공급배관(108)이 연결되며, 운송가스공급배관(108)은 제1운송가스공급배관(108a)과 제2운송가스공급배관(108b)으로 분기된다. 제1운송가스공급배관(108a)은 공급탱크(102)에 연결되며, 제2운송가스공급배관(108b)은 충전탱크(104)에 연결된다. 제1운송가스공급배관(108a)과 제2운송가스공급배관(108b)은 각각 공급탱크(102)와 충전탱크(104)에 운송가스를 이송시킨다.
공급탱크(102)와 증착챔버(10)는 화학약품공급배관(110)으로 연결되며, 이를 통해 반도체 제조용 화학약품이 이송된다.
공급탱크(102)와 충전탱크(104)는 화학약품충전배관(112)으로 연결된다. 이를 통해 화학약품이 충전탱크(104)에서 공급탱크(102)로 이송되면서 공급탱크(102)가 다시 충전된다.
제1운송가스공급배관(108a)과 제2운송가스공급배관(108b)에는 각각 제1밸브(114)와 제3밸브(118)가 설치된다. 제1밸브(114)는 공급탱크(102)로부터 화학약품을 증착챔버(10)에 공급하기 위해 개방되어 운송가스가 공급탱크(102)의 내부로 이송되도록 한다.
화학약품공급배관(110)에는 제2밸브(116)가 설치된다. 제2밸브(116)가 개방된 상태에서 화학약품이 공급탱크(102)로부터 증착챔버(10)로 이송된다.
화학약품충전배관(112)에는 제4밸브(120)가 설치된다. 충전탱크(104)에서 공급탱크(102)로 화학약품을 충전하기 위해서 제3밸브(118)가 열리면서 운송가스가 충전탱크(104)의 내부로 이송된다. 그리고 제4밸브(220)가 열리면서 화학약품이 화학약품충전배관(112)을 통해 이송되어 공급탱크(102)의 내부로 유입된다.
화학약품의 충전 상태에서는 제1밸브(114)와 제2밸브(116)가 닫힌다. 그러나 공급탱크(102)에 화학약품을 충전하면서 동시에 증착챔버(10)에 화학약품을 공급하는 경우에는 제2밸브(116)가 열려있게 된다.
공급탱크(100)에는 벤트배관(122)의 일단이 연결되며, 벤트배관(122)의 타단은 벤트펌프(20)에 연결된다. 그리고 벤트배관(122)에는 제5밸브(124)가 설치된다.
운송가스는 일정한 압력으로 충전탱크(104)에 공급되면서 화학약품을 공급탱크(102)에 이송한다. 그런데 공급탱크(102) 내부의 압력이 설정된 펄스벤트압력 이상일 경우에는 제어부가 제5밸브(124)를 개방하여 공급탱크(102) 내부의 공기를 벤트배관(122)을 통해 외부로 배출시킨다. 이렇게 하여야만 일정한 압력으로 화학약품이 이송되면서 공급탱크(102) 내부에 정확한 양의 화학약품이 충전될 수 있다.
그런데, 공급탱크(102) 내부의 압력은 제5밸브(124)의 개폐시에 급격한 변화가 생기면서 균일한 압력을 유지할 수 없는 상태가 되기도 한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제5밸브(124)의 개폐시에 발생하는 압력의 변화로 인해 공급탱크(102) 내부로 일정한 양의 화학약품의 공급이 어려워지고, 이로 인해 정확한 화학약품의 잔량을 감지할 수 없는 문제가 생긴다.
KR 10-2007-0091408 A KR 10-2007-0093696 A KR 10-2003-0032743 A KR 20-1996-0033649 U
전술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 공급탱크 내부에 화학약품을 이송하여 충전하는 과정에서 공급탱크 내부의 압력을 제어하기 위한 벤트배관의 밸브를 복수개 설치하고, 벤트 과정에서 밸브를 순차적으로 개폐하여 압력의 급격한 변화를 방지하도록 하는 벤트 배관의 압력을 제어하는 반도체 제조용 화학약품 공급시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명은 반도체 제조를 위해 증착챔버(10)에서 사용되는 증착용 화학약품을 공급하고, 내부의 불활성 가스를 벤트펌프(20)를 통해 외부로 배출시키기 위한 공급시스템으로서, 상기 화학약품을 상기 증착챔버(10)에 공급하는 공급탱크(202)와; 충전을 위해 상기 공급탱크(202)에 화학약품을 공급하는 충전탱크(204)와; 상기 화학약품의 이송을 위한 운송가스를 공급하는 운송가스공급장치(206)와; 일단이 상기 운송가스공급장치(206)에 연결되며, 분기된 제1운송가스공급배관(208a) 및 제2운송가스공급배관(208b)의 타단은 상기 공급탱크(202) 및 상기 충전탱크(204)에 각각 연결되는 운송가스공급배관(208)과; 상기 제1운송가스공급배관(208a)에 설치되는 제1밸브(216)와; 상기 제2운송가스공급배관(208b)에 설치되는 제3밸브(218)와; 상기 공급탱크(202)와 상기 증착챔버(10) 사이에 설치되는 화학약품공급배관(210)과; 상기 화학약품공급배관(210)에 설치되는 제2밸브(216)와; 상기 공급탱크(202)와 상기 충전탱크(204) 사이에 설치되는 화학약품충전배관(212)과; 상기 화학약품충전배관(212)에 설치되는 제4밸브(220)와; 상기 벤트펌프(20)와 상기 공급탱크(202) 사이에 설치되는 벤트배관(222)과; 상기 벤트배관(222)에서 상기 벤트펌프(20)와 상기 공급탱크(202) 사이에 설치되는 제5밸브(224)와; 상기 벤트배관(222)에서 상기 벤트펌프(20)와 상기 제5밸브(224) 사이에 설치되는 제6밸브(226);를 포함하며, 제어부는 상기 공급탱크(202) 내부의 불활성 가스를 상기 벤트펌프(20)로 배출시키기위해 상기 제5밸브(224)와 상기 제6밸브(226)를 순차적으로 열었다가 닫도록 제어하는 것을 특징으로 한다.
제어부는 벤트 동작을 위해 상기 벤트펌프(20)를 작동시킨 상태에서 상기 제5밸브(224)를 열어주는 제1동작과, 상기 제5밸브(224)를 닫으면서 제6밸브(226)를 열어주는 제2동작을 순차적으로 실행하는 것을 특징으로 한다.
상기 제어부는 상기 제2동작에서 상기 제6밸브(226)를 열어준 후 소정의 시간이 경과한 후에 상기 제5밸브(224)를 닫도록 제어하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 공급탱크에 화학약품을 충전하기 위한 과정에서 공급탱크 내부의 압력이 일정한 기준범위 내에서 변화되도록 하여 화학약품의 충전량을 정확하게 제어할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래기술에 따른 화학약품 공급시스템의 구조를 나타낸 연결도.
도 2는 공급탱크에 화학약품을 충전하는 과정에서 벤트배관을 통해 압력을 조절하는 구조를 나타낸 연결도.
도 3은 공급탱크 내부의 압력의 변화량을 나타낸 그래프.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 화학약품 공급시스템의 구조를 나타낸 연결도.
도 5는 제5밸브의 연결부위까지 불활성 가스가 배출된 상태를 나타낸 연결도.
도 6은 제6밸브를 통과해서 불활성 가스가 벤트펌프로 배출되는 상태를 나타낸 연결도.
도 7은 제5밸브와 제6밸브 사이에 불활성 가스가 일시적으로 머물고 있는 상태를 나타낸 연결도.
이하에서 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 "벤트 배관의 압력을 제어하는 반도체 제조용 화학약품 공급시스템"(이하, '공급시스템'이라 함)을 설명한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 화학약품 공급시스템의 구조를 나타낸 연결도이며, 도 5는 제5밸브의 연결부위까지 불활성 가스가 배출된 상태를 나타낸 연결도, 도 6은 제6밸브를 통과해서 불활성 가스가 벤트펌프로 배출되는 상태를 나타낸 연결도, 도 7은 제5밸브와 제6밸브 사이에 불활성 가스가 일시적으로 머물고 있는 상태를 나타낸 연결도이다.
본 발명의 공급시스템(200)은 전술한 종래기술의 공급시스템(100)의 구성요소와 동일하며, 탱크와 배관, 밸브의 설치 상태도 동일하다. 다만, 벤트배관(222)에 설치되는 밸브의 수가 달라지며, 각 밸브의 개폐 순서를 변화시켜 일정한 압력을 유지할 수 있도록 한다.
공급시스템(200)에는 종래기술에서와 같이 공급탱크(202)와 충전탱크(204)가 구비되어 화학약품을 증착챔버(10)에 공급하거나 공급탱크(202)에 화학약품을 충전한다.
또한 운송가스공급장치(206)에 운송가스공급배관(208)의 일단이 연결되며, 분기된 제1운송가스공급배관(208a) 및 제2운송가스공급배관(208b)의 타단은 각각 공급탱크(202) 및 충전탱크(204)에 연결된다. 그리고 제1운송가스공급배관(208a) 및 제2운송가스공급배관(208b)에는 제1밸브(214) 및 제3밸브(218)가 각각 설치되어 화학약품의 공급 및 충전 동작에서 개방되거나 폐쇄된다.
공급탱크(202)와 증착챔버(10) 사이에는 화학약품공급배관(210)이 설치되며, 이 배관에는 제2밸브(216)가 설치된다.
공급탱크(202)와 충전탱크(204) 사이에는 화학약품충전배관(212)이 연결되며, 이 배관에는 제4밸브(220)가 설치되어 충전 동작에서 열리게 된다.
또한 벤트펌프(20)와 공급탱크(202) 사이에는 벤트배관(222)이 연결되며, 벤트배관(222)에는 제5밸브(224)와 제6밸브(226)가 설치된다. 본 발명에서는 공급탱크(202)에 가까운 것을 제5밸브(224)라고 하고, 벤트펌프(20)에 가까운 것을 제6밸브(226)라고 한다. 제5밸브(224)와 제6밸브(226) 사이의 거리는 비교적 짧은 것이 바람직하며, 공기의 이동과 압력의 분포가 균일해지도록 하기 위해 적절한 거리를 정할 필요가 있다. 실제 배관에서는 수 ㎝ 내지 수십 ㎝ 정도의 거리를 갖는 것이 일반적이다.
제어부는 공급탱크(202) 내부의 화학약품의 잔량이 일정 수준 이하일 경우에는 제1밸브(214)와 제2밸브(216)를 닫고, 제3밸브(218)와 제4밸브(220)를 연 상태에서 운송가스공급장치(206)를 작동시켜 화학약품이 충전탱크(204)에서 공급탱크(202)로 이송되도록 한다.
충전 과정에서 공급탱크(202) 내부의 압력이 정해진 수준 이상으로 올라가면 벤트펌프(20)를 작동시켜 공급탱크(202) 내부의 압력을 낮춰준다.
벤트 동작시에 제어부는 순차적으로 밸브를 열어서 압력의 급격한 변화가 생기지 않도록 한다.
먼저, 도 5에 도시된 바와 같이, 제어부는 벤트 동작을 위해 벤트펌프(20)를 작동시킨 상태에서 제5밸브(224)를 열어준다.(제1동작) 공급탱크(202) 내부의 공기(기타 증기 포함)는 벤트배관(222)의 내부로 유입되어 제5밸브(224)의 앞쪽까지 이동한다. 공급탱크(202)와 제5밸브(224)까지의 거리는 비교적 가깝기 때문에 공급탱크(202)의 내부에서 빠져나오는 불활성 가스의 양은 작을 것이다. 따라서 공급탱크(202) 내부의 압력의 변화는 크지 않다.
다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 제어부는 제5밸브(224)를 닫음과 동시에 제6밸브(226)를 열어준다.(제2동작) 그러면 공급탱크(202)와 제5밸브(224) 사이에 남아있던 불활성 가스가 제6밸브(226)를 통과하여 벤트펌프(20)로 이동한다. 불활성 가스의 원활한 이동을 위해 제6밸브(226)를 먼저 열면서 짧은 시간 후에 제5밸브(224)를 닫도록 제어할 수도 있을 것이다.
그리고 제어부는 제6밸브(226)를 닫음과 동시에 다시 제5밸브(224)를 열어서 불활성 가스가 벤트배관(222) 내부로 이동하도록 한다. 이 경우에도 제6밸브(226)를 닫은 후 짧은 시간이 경과한 후에 제5밸브(224)를 열도록 제어할 수도 있을 것이다.
이와 같이, 제5밸브(224)와 제6밸브(226)를 순차적으로 열고 닫는 동작을 반복함으로써 불활성 가스가 조금씩 벤트펌프(20)로 배출되도록 하여 압력의 급격한 변화없이 벤트 동작이 이루어진다.
한편, 도 7은 제5밸브(224)를 닫음과 동시에 제6밸브(226)을 열지 않고, 일정한 시간만큼 차이를 두어서 밸브를 열고 닫도록 하는 과정을 나타낸다. 즉, 불활성 가스가 공급탱크(202)와 제5밸브(224) 사이에 들어온 상태에서 제5밸브(224)만 열었다가 다시 닫아준다. 이렇게 되면 불활성 가스가 제5밸브(224)와 제6밸브(226) 사이에만 있게 된다. 이 상태를 잠시 유지한 후 제6밸브(226)를 열어서 외부로 배출되도록 함으로써 불활성 가스 압력의 변화량을 더욱 낮출 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10 : 증착챔버 20 : 벤트펌프
100, 200 : 공급시스템 102, 202 : 공급탱크
104, 204 : 충전탱크 106, 206 : 운송가스공급장치
108, 208 : 운송가스공급배관 110, 210 : 화학약품공급배관
112, 212 : 화학약품충전배관 114, 214 : 제1밸브
116, 216 : 제2밸브 118, 218 : 제3밸브
120, 220 : 제4밸브 122, 222 : 벤트배관
124, 224 : 제5밸브 226 : 제6밸브

Claims (3)

  1. 반도체 제조를 위해 증착챔버(10)에서 사용되는 증착용 화학약품을 공급하고, 내부의 불활성 가스를 벤트펌프(20)를 통해 외부로 배출시키기 위한 공급시스템으로서,
    상기 화학약품을 상기 증착챔버(10)에 공급하는 공급탱크(202)와;
    충전을 위해 상기 공급탱크(202)에 화학약품을 공급하는 충전탱크(204)와;
    상기 화학약품의 이송을 위한 운송가스를 공급하는 운송가스공급장치(206)와;
    일단이 상기 운송가스공급장치(206)에 연결되며, 분기된 제1운송가스공급배관(208a) 및 제2운송가스공급배관(208b)의 타단은 상기 공급탱크(202) 및 상기 충전탱크(204)에 각각 연결되는 운송가스공급배관(208)과;
    상기 제1운송가스공급배관(208a)에 설치되는 제1밸브(216)와;
    상기 제2운송가스공급배관(208b)에 설치되는 제3밸브(218)와;
    상기 공급탱크(202)와 상기 증착챔버(10) 사이에 설치되는 화학약품공급배관(210)과;
    상기 화학약품공급배관(210)에 설치되는 제2밸브(216)와;
    상기 공급탱크(202)와 상기 충전탱크(204) 사이에 설치되는 화학약품충전배관(212)과;
    상기 화학약품충전배관(212)에 설치되는 제4밸브(220)와;
    상기 벤트펌프(20)와 상기 공급탱크(202) 사이에 설치되는 벤트배관(222)과;
    상기 벤트배관(222)에서 상기 벤트펌프(20)와 상기 공급탱크(202) 사이에 설치되는 제5밸브(224)와;
    상기 벤트배관(222)에서 상기 벤트펌프(20)와 상기 제5밸브(224) 사이에 설치되는 제6밸브(226);를 포함하며,
    제어부는 상기 공급탱크(202) 내부의 불활성 가스를 상기 벤트펌프(20)로 배출시키기위해 상기 제5밸브(224)와 상기 제6밸브(226)를 순차적으로 열었다가 닫도록 제어하는 것을 특징으로 하는, 벤트 배관의 압력을 제어하는 반도체 제조용 화학약품 공급시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    제어부는
    벤트 동작을 위해 상기 벤트펌프(20)를 작동시킨 상태에서 상기 제5밸브(224)를 열어주는 제1동작과, 상기 제5밸브(224)를 닫으면서 제6밸브(226)를 열어주는 제2동작을 순차적으로 실행하는 것을 특징으로 하는, 벤트 배관의 압력을 제어하는 반도체 제조용 화학약품 공급시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는
    상기 제2동작에서 상기 제6밸브(226)를 열어준 후 소정의 시간이 경과한 후에 상기 제5밸브(224)를 닫도록 제어하는 것을 특징으로 하는, 벤트 배관의 압력을 제어하는 반도체 제조용 화학약품 공급시스템.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0520324U (ja) * 1991-08-23 1993-03-12 国際電気株式会社 半導体製造装置のプロセス排気ダクト
KR960033649U (ko) 1995-04-17 1996-11-19 엘지반도체 주식회사 액화 화학약품의 증기 압력 조절장치
KR20030032743A (ko) 2001-10-19 2003-04-26 삼성전자주식회사 배기 구조가 개선된 반도체 제조용 열처리장치
KR20070091408A (ko) 2006-03-06 2007-09-11 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 유체압력변화 모니터링장치 및 그 방법
KR20070093696A (ko) 2006-03-15 2007-09-19 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 진공 시스템
KR20120041037A (ko) * 2010-10-20 2012-04-30 주식회사 원익아이피에스 원료 공급장치 및 공급 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0520324U (ja) * 1991-08-23 1993-03-12 国際電気株式会社 半導体製造装置のプロセス排気ダクト
KR960033649U (ko) 1995-04-17 1996-11-19 엘지반도체 주식회사 액화 화학약품의 증기 압력 조절장치
KR20030032743A (ko) 2001-10-19 2003-04-26 삼성전자주식회사 배기 구조가 개선된 반도체 제조용 열처리장치
KR20070091408A (ko) 2006-03-06 2007-09-11 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 유체압력변화 모니터링장치 및 그 방법
KR20070093696A (ko) 2006-03-15 2007-09-19 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 진공 시스템
KR20120041037A (ko) * 2010-10-20 2012-04-30 주식회사 원익아이피에스 원료 공급장치 및 공급 방법

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