KR20220130572A - 전극 제조 장치 - Google Patents

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Abstract

전극을 제조하기 위한 전극 제조 장치가 개시된다. 개시된 전극 제조 장치는 일 평면을 따라 연장된 플레이트 형상을 구비하며, 상기 일 평면에 수직한 제1-1 방향을 따라 제1 가압 유체를 분사하는 제1 지지부, 일 평면을 따라 연장된 플레이트 형상을 구비하고, 상기 제1 지지부와 소정의 간격을 사이에 두고 마주보도록 배치되며, 상기 제1-1 방향에 대향하는 제1-2 방향을 따라 제2 가압 유체를 분사하는 제2 지지부, 시트 형상의 전극을 중력 방향을 따라 이송시키며, 상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부 사이에 전극의 제1 영역을 배치시키는 이송부, 상기 제1-1 방향을 따라 레이저(laser)를 조사하여 상기 전극의 제2 영역 중 일부를 노칭 및 절단하는 레이저 빔 노칭부를 포함할 수 있다.

Description

전극 제조 장치 {Device for manufacturing electrode}
본 발명은 전극 제조 장치 및 전극 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이차 전지의 전극의 무지부 부분을 레이저로 전단 가공하여 전극 탭을 형성하는 전극 노칭 공정(notching processing)을 수행하는 전극 제조 장치에 관한 것이다.
이차 전지를 제조하는 장치의 하나인 노칭(notching) 시스템은, 시트 형태로 된 전극의 무지부를 전단 가공하여 전극 탭을 형성하는 장치로서, 롤 형태로 감겨 있는 전극을 풀어주는 로더부(unwinder)와, 프레스 기계 또는 레이저 노칭 장치를 이용하여 폴리머 전극을 전극 형태로 전단 가공해주는 노칭 가공부, 그리고 가공된 폴리머 전극이 정상적으로 가공 되었는지를 검사하는 비전검사부와, 가공된 전극을 롤 형태로 다시 감아주는 리와인더부(rewinder) 등으로 구성된다.
노칭 가공부에서는 미가공된 전극을 프레스 기계의 펀치 아래에 정렬한 후, 펀치를 하강 작동시켜 전극의 활물질이 도포되지 않은 무지부를 소정의 형상으로 전단 가공하여 일정 간격으로 전극 탭을 형성하는 방식과, 전극의 상측에서 전극의 무지부에 레이저를 조사하여 일정 간격으로 전극 탭을 전단 가공하는 방식이 있다.
이러한 노칭 방식 중 시트 형상의 전극에 레이저를 조사하여 전극 탭을 가공하는 방식에서는, 전극 탭의 패턴 형상을 가공하기 위해 전극의 일면을 패턴 형상으로 지지할 수 있다. 그러나, 전단 가공 과정에서 지지부와 전극 사이의 접촉으로 인해 전극에 스크래치 등의 불량이 발생할 수 있다. 또한, 레이저를 이용한 노칭 가공 방식에서는, 전극에 이물질이 쌓이거나 전단 가공 과정에서 전극의 흔들림이 발생하여 전극 탭이 제대로 커팅 되지 않는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명은 레이저 노칭 공정에서, 전극을 비접촉 방식으로 지지함으로써, 전극과 지지부 사이의 과도한 흡착 및 마찰로 인해 발생할 수 있는 제품의 불량 및 제조 비용의 증가를 효과적으로 방지할 수 있는 전극 제조 장치를 제공한다.
또한, 레이저 노칭 공정에서 발생되는 분진 및 스크랩의 배출 경로를 조정하여, 분진 및 스크랩에 의해 발생될 수 있는 레이저의 간섭을 최소화할 수 있는 전극 제조 장치를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따른 전극 제조 장치는, 일 평면을 따라 연장된 플레이트 형상을 구비하며, 상기 일 평면에 수직한 제1-1 방향을 따라 제1 가압 유체를 분사하는 제1 지지부, 일 평면을 따라 연장된 플레이트 형상을 구비하고, 상기 제1 지지부와 소정의 간격을 사이에 두고 마주보도록 배치되며, 상기 제1-1 방향에 대향하는 제1-2 방향을 따라 제2 가압 유체를 분사하는 제2 지지부, 시트 형상의 전극을 중력 방향을 따라 이송시키며, 상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부 사이에 전극의 제1 영역을 배치시키는 이송부, 상기 제1-1 방향을 따라 레이저(laser)를 조사하여 상기 전극의 제2 영역 중 일부를 노칭 및 절단하는 레이저 빔 노칭부를 포함할 수 있다.
상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부 사이의 상기 소정의 간격은 0.01mm 이상 1mm이하일 수 있다.
상기 제1 지지부에 의해 상기 전극의 제1 면에 인가되는 압력은 0.001Mpa 이상 0.3Mpa 이하이며, 상기 제2 지지부에 의해 상기 전극의 제2 면에 인가되는 압력은 0.001Mpa 이상 0.3Mpa 이하 일 수 있다.
상기 제1 지지부은 상기 제1-1 가압 유체를 분사하는 하나 이상의 분사부를 포함하며, 상기 제2 지지부은 상기 제1-2 가압 유체를 분사하는 하나 이상의 분사부를 포함할 수 있다.
상기 제1 지지부에 마련된 상기 하나 이상의 분사부는 복수 개로 마련되며, 상기 전극과 마주보도록 배치된 상기 제1 지지부의 일 평면 상에 균일한 간격을 구비하도록 배치되고, 상기 제2 지지부에 마련된 상기 하나 이상의 분사부는 복수 개로 마련되며, 상기 전극과 마주보도록 배치된 상기 제2 지지부의 일 평면 상에 균일한 간격을 구비하도록 배치될 수 있다.
상기 제1 지지부에 마련된 상기 하나 이상의 분사부는 단수 개로 마련되며, 오리피스 구조를 포함하고, 상기 제2 지지부에 마련된 상기 하나 이상의 분사부는 단수 개로 마련되며, 오리피스 구조를 포함할 수 있다.
상기 제1 지지부 또는 상기 제2 지지부 중 하나 이상은 다공질 플레이트를 포함할 수 있다.
상기 제1 가압 유체의 압력을 조절하는 제1 유체 가압부 및 상기 제2 가압 유체의 압력을 조절하는 제2 유체 가압부를 더 포함할 수 있다.
상기 레이저를 이용하여 상기 전극을 노칭 및 커팅하는 과정으로부터 생성되는 분진을 제거하기 위해 흡입 압력을 인가하는 분진 제거부; 를 더 포함할 수 있다.
상기 분진 제거부는 상기 전극을 사이에 두고 대향하도록 배치되는 제1 분진 제거 장치 및 제2 분진 제거 장치를 포함할 수 있다.
상기 제1 분진 제거 장치는 상기 전극의 일 측부에 배치되는 흡입구를 포함하는 제1-1 분진 제거 장치와 상기 전극의 다른 측부에 배치되는 흡입구를 포함하는 제1-2 분진 제거 장치를 포함할 수 있다.
상기 제1-1 분진 제거 장치에서 제1-1 흡입 압력에 의해 생성되는 제1-1 유체 유동의 방향은 상기 제1-1 방향과 상이하며, 상기 제2-1 분진 제거 장치에서 제2-1 흡입 압력에 의해 생성되는 제2-1 유체 유동의 방향은 상기 제1-1 방향과 상이할 수 있다.
상기 제2 분진 제거 장치는 상기 전극의 일 측부에 배치되는 흡입구를 포함하는 제2-1 분진 제거 장치와 상기 전극의 다른 측부에 배치되는 흡입구를 포함하는 제2-2 분진 제거 장치를 포함할 수 있다.
상기 제2-1 분진 제거 장치에서 제2-1 흡입 압력에 의해 생성되는 제1-1 유체 유동의 방향은 상기 제1-2 방향과 상이하며, 상기 제2-2 분진 제거 장치에서 제2-2 흡입 압력에 의해 생성되는 제2-1 유체 유동의 방향은 상기 제1-2 방향과 상이할 수 있다.
상기 제1 분진 제거 장치의 흡입 압력을 조절하는 제1 흡입 압력 조절부와 상기 제2 분진 제거 장치의 흡입 압력을 조절하는 제2 흡입 압력 조절부와 포함할 수 있다.
상기 중력 방향을 따라 상기 제1 지지부 및 상기 제2 지지부의 하부에 배치되며, 중력에 의해 하강하는 스크랩을 흡입하여 외부로 배출하는 스크랩 제거부;를 더 포함할 수 있다.
상기 스크랩 제거부는, 중력 방향을 따라 상부 및 하부에 배치되는 제1 스크랩 제거 영역과 제2 스크랩 제거 영역; 및 상기 제1 스크랩 제거 영역 및 상기 제2 스크랩 제거 영역에 흡입 압력을 인가하는 펌프;를 포함할 수 있다.
상기 제1 스크랩 제거 영역에는 제3 흡입 압력에 의해 상기 중력 방향을 따르는 제3 유체 유동이 형성되며, 상기 제2 스크랩 제거 영역에는 제4 흡입 압력에 의해 상기 중력 방향과 상이한 방향을 따르는 제4 유체 유동이 형성될 수 있다.
상기 제4 흡입 압력이 상기 제3 흡입 압력을 초과할 수 있다.
상기 이송부는 1250mm/s이상 6000mm/s 이하의 속도로 상기 전극을 이동시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 전극 제조 장치는, 레이저 노칭 공정에서, 전극을 비접촉 방식으로 지지함으로써, 전극과 지지부 사이의 과도한 흡착 및 마찰로 인해 발생할 수 있는 제품의 불량 및 제조 비용의 증가를 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 전극 제조 장치는, 레이저 노칭 공정에서 발생되는 분진 및 스크랩의 배출 경로를 조정하여, 분진 및 스크랩에 의해 발생될 수 있는 레이저의 간섭을 최소화함으로써 제품의 불량을 효과적으로 방지할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 전극 제조 장치의 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 전극 제조 장치의 개략도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 전극의 개략도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 전극 제조 장치의 부분 개략도이다.
도 5a는 비교예에 따라 전극 지지부에 지지된 전극의 떨림를 나타내는 그래프이다.
도 5b는 실시예 1에 따라 전극 지지부에 지지된 전극의 떨림를 나타내는 그래프이다.
도 5c는 실시예 2에 따라 전극 지지부에 지지된 전극의 떨림를 나타내는 그래프이다.
도 6은 일 실시예에 따른 제1 지지부의 평면도이다.
도 7a는 다른 실시예에 따른 제1 지지부의 평면도이다.
도 7b는 도 7a에 도시된 제1 지지부의 측단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 전극 제조 장치의 부분 개략도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 전극 제조 장치의 부분 개략도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다.
“제1”, “제2” 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. “및/또는” 이라는 용어는 복수의 관련된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 항목들 중의 어느 하나의 항목을 포함한다.
도 1은 일 실시예에 따른 전극 제조 장치의 평면도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 전극 제조 장치의 개략도이다. 도 3은 일 실시예에 따른 전극의 개략도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 일 예시에 따른 전극 제조 장치(1)는 이송부(10), 레이저 빔 노칭부(20), 전극 지지부(30), 분진 제거부(40) 및 스크랩 제거부(50)를 포함할 수 있다. 본 개시에서 가공의 대상인 전극(E)은 금속박판으로 형성되는 금속 집전체에 활성물질(또는 활물질)을 도포하여 마련된다. 금속 집전체에 활물질이 도포된 전극(E)은 긴 길이의 박판 형태인 시트 형상으로 형성된다. 예를 들어 금속 집전체는 알루미늄과 같은 금속일 수 있으며, 활물질은 이차 전지에서 사용되는 양극 활물질 또는 음극 활물질일 수 있으나, 이외에도 공지된 물질이 금속 집전체 또는 활물질로 이용될 수 있다.
이송부(10)는 시트 형상의 전극(E)의 이송이 이루어지도록 지지하는 역할을 한다. 이를 위해 이송부(10)는 도시되지 않은 공급부와 회수부 사이에서 전극(E)을 안내 및 지지하는 역할을 하며, 이를 위한 다수의 휠 또는 롤러를 포함하여 구성될 수 있다. 일 예로서, 이송부(10)는 공급부와 회수부에 의해 연속적으로 공급되는 시트 형상의 전극(E)이 가공위치에 정확히 안착된 상태에서 레이저 노칭 공정이 이루어지도록 전극(E)을 이송할 수 있다. 예를 들어, 이송부(10)는 공급부와 회수부 사이에서 단속적으로 전극(E)을 공급/회수할 수도 있다. 다만, 본 개시에서는 후술하게 될 레이저 빔 노칭부(20)에 의해 조사되는 레이저 출력에 따라 미리 정해진 속도, 예를 들어 1250mm/s이상 6000mm/s 이하의 속도로 연속적으로 전극(E)이 이동하는 방식 위주로 설명을 진행하기로 한다.
일 예시에 따른, 이송부(10)는 시트 형상의 전극(E)의 상면 또는 하면에 배치된 복수 개의 롤러들(11-15)을 포함할 수 있다. 예를 들어 이송부(10)는 전극 지지부(30)의 상부에 배치되어 공급부로부터 권취된 전극(E)을 전극 지지부(30)로 이송시키는 제1 롤러(11) 내지 제3 롤러(13)를 포함하며, 전극 지지부(30)의 하부에 배치되어 회수부로 전극(E)을 이송시키는 제4 롤러(14) 내지 제5 롤러(15)를 포함할 수 있다. 이때, 전극 지지부(30)를 사이에 두고 배치되는 제3 롤러(13)와 제4 롤러(14)는 중력 방향(-Z방향)을 따라 이격되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 전극(E)은 제3 롤러(13)와 제4 롤러(14)의 회전에 의해 중력 방향(-Z방향)을 따라 전극 지지부(30)를 통과할 수 있다. 이때, 도 3에 도시된 전극의 제1 영역(E1)은 전극 지지부(30)에 의해 지지될 수 있으며, 전극의 제2 영역(E2)은 레이저 빔 노칭부(20)에 의해 레이저 가공이 이루어질 수 있다.
레이저 빔 노칭부(20)는 전극(E)의 절삭을 위한 레이저(L)를 출력 및 조사한다. 일 예시에 따른 레이저 빔 노칭부(20)는 전극(E)의 일 평면에 수직한 방향, 예를 들어 제1-1 방향(+X 방향)을 따라 레이저(L)를 조사할 수 있다. 이때, 레이저 빔 노칭부(20)는 전극 지지부(30)에 의해 지지되는 도 3에 도시된 전극의 제1 영역(E1)을 제외한 나머지 영역, 즉 전극의 제2 영역(E2)을 향하여 레이저(L)를 조사할 수 있다. 또한, 이때 레이저(L)는 미리 정해진 절단 예정 라인(M)을 따라 이동하며 전극의 제2 영역(E2) 중 일부 영역을 절단할 수 있다.
일 예시에 따른 레이저 빔 노칭부(20)는 에너지 밀도가 높은 IR 펄스 방식의 파이버 레이저(fiber laser)를 출력하도록 구성될 수 있다. 이때의 출력은 200W 이상 300W 이하, 주파수는 200kHz 대역, 초점 심도(Depth of focus)가 0.8mm인 레이저가 출력되도록 할 수 있으나, 작은 파장의 높은 에너지 밀도를 가지는 레이저를 대신 이용할 수 있는 것으로 제시된 바에 의해서만 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
전극 지지부(30)는, 레이저에 의한 노칭 공정이 진행되는 동안 중력 방향(-Z 방향)을 따라 이동하는 전극(E)을 지지할 수 있다. 일 예시에 따른 전극 지지부(30)는 연속적으로 이동하는 전극(E)의 이동을 방해하지 않음과 동시에 전극(E)을 정확하게 지지해야 한다. 종래 기술에서는 연속적으로 이동하는 전극(E)을 지지하는 전극 지지부가 중력 방향(-Z 방향)에 수직한 수평 방향을 따라 접촉 방식으로 전극(E)을 지지함으로 인해, 전극(E)과 전극 지지부 사이의 과도한 흡착 및 마찰이 발생하였으며, 이로 인한 제품의 불량이 발생하였다. 또한, 전극(E)이 중력 방향(-Z 방향)에 수직한 다른 방향을 따라 이동하는 경우, 중력으로 인한 전극(E)의 처짐 및 흔들림이 발생하여 레이저의 초점 위치가 부정확해지는 문제점이 있었다.
일 예시에 따른 전극 지지부(30)는 상호 마주보도록 배치되어 상호 반대 방향으로 가압 유체를 분사하는 제1 지지부(31)와 제2 지지부(32)를 포함할 수 있다. 이때, 전극(E)은 제1 지지부(31)와 제2 지지부(32) 사이에 배치되어 비접촉 방식으로 지지될 수 있다. 일 예로서, 제1 지지부(31)는 일 평면(YZ 평면)을 따라 연장된 플레이트 형상을 구비하며, 일 평면(YZ 평면)에 수직한 제1-1 방향(+X 방향)을 따라 제1 가압 유체(F1)를 분사할 수 있다. 또한, 제2 지지부(32)는 일 평면(YZ 평면)을 따라 연장된 플레이트 형상을 구비할 수 있다. 이때, 제2 지지부(32)는 제1 지지부(31)와 소정의 간격을 사이에 두고 마주보도록 배치되며, 제1-1 방향(+X 방향)에 대향하는 제1-2 방향(-X 방향)을 따라 제2 가압 유체(F2)를 분사할 수 있다. 제1 지지부(31) 및 제2 지지부(32)와 관련된 자세한 사항은 도 4 내지 도 7b를 참조하여 후술한다.
분진 제거부(40)는 레이저(L)를 이용하여 전극(E)을 노칭 및 커팅하는 과정에서 발생되는 분진(B)을 흡입하여 제거할 수 있다. 일 예로서, 분진(B)은 직경 20 um 이하를 구비하며, 전극(E)의 주변에 부유하는 이물질일 수 있다. 다만 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니며, 레이저(L)를 이용하여 전극(E)을 노칭 및 커팅하는 과정에서 전극(E)의 주변에 배치되는 임의의 이물질을 분진(B)으로 정의할 수도 있다.
일 예로서, 분진 제거부(40)는 전극(E)을 사이에 두고 대향되도록 배치되는 제1 분진 제거 장치(41) 및 제2 분진 제거 장치(42)를 포함할 수 있다. 다만, 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 분진 제거 장치(41) 및 제2 분진 제거 장치(42) 중 어느 하나만 배치될 수도 있다.
일 예시에 따르면 제1 분진 제거 장치(41)는, 전극(E)의 일면과 마주보도록 레이저 빔 노칭부(20)와 제1 지지부(31) 사이에 배치되어 분진(B)을 흡수할 수 있다. 또한 제2 분진 제거 장치(42)는, 제1 분진 제거 장치(41)와 대향하도록 배치되며, 전극(E)의 다른 일면과 마주보도록 배치되어 분진(B)을 흡수할 수 있다. 다만 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니며, 다른 예시에 따르면 제1 분진 제거 장치(41)는, 전극(E)의 일면과 수직하게 배치된 전극(E)의 일 측부와 마주보도록 배치되어 분진(B)을 흡수할 수 있다. 또한 제2 분진 제거 장치(42)는, 전극(E)의 다른 측부와 마주보도록 배치되어 분진(B)을 흡수할 수도 있다.
일 예시에 따르면, 분진 제거부(40)는 전극(E)에 인접하게 배치되며, 전극(E) 인근에 부유하는 분진(B)을 흡입하여 외부로 배출할 수 있다. 일 예시에 따른 분진 제거부(40)는 흡입 압력을 형성하여 분진(B)을 흡입할 수 있다. 이때, 분진 제거부(40)에 의해 형성된 흡입 압력에 의해 전극(E)의 흔들림이 발생하여 레이저의 초점위치가 부정확해 질 수 있다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 일 예시에 따른 분진 제거부(40)는 제1 가압 유체(F1) 및 제2 가압 유체(F2)와 소정의 각도를 구비하도록 흡입 압력을 형성할 수 있다. 분진 제거부(40)를 이용한 흡입 압력의 경로 및 제1 가압 유체(F1) 및 제2 가압 유체(F2)와 관련된 자세한 사항은 도 7을 참조하여 후술한다.
스크랩 제거부(50)는 노칭 및 커팅하는 과정에서 발생한 스크랩(S)을 분리하여 배출할 수 있다. 일 예로서, 스크랩(S)은 직경 20 um를 초과하며, 전극(E)으로부터 분리된 이물질일 수 있다. 다만 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니며, 레이저(L)를 이용하여 전극(E)을 노칭 및 커팅하는 과정에서 중력에 의해 하강하는 임의의 이물질을 스크랩(S)으로 정의할 수도 있다.
일 예로서, 스크랩 제거부(50)는 중력 방향(-Z 방향)을 따라 제1 지지부(31) 및 제2 지지부(32)의 하부에 배치되며, 중력에 의해 하강하는 스크랩(S)을 흡입하여 외부로 배출할 수 있다. 일 예시에 따른 스크랩 제거부(50)는 흡입 압력을 형성하여 스크랩(S)을 흡입할 수 있다. 이때, 스크랩 제거부(50)에 의해 형성된 흡입 압력에 의해 전극(E)의 흔들림이 발생하여 레이저의 초점위치가 부정확해 질 수 있다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 일 예시에 따른 스크랩 제거부(50)는 제1 스크랩 제거 영역(51) 및 제2 스크랩 제거 영역(52)과 펌프(53)를 포함할 수 있다. 제1 스크랩 제거 영역(51) 및 제2 스크랩 제거 영역(52)과 펌프(53)와 관련된 자세한 사항은 도 8을 참조하여 후술한다.
도 4는 일 실시예에 따른 전극 제조 장치의 부분 개략도이다.
도 4를 참조하면, 전극 지지부(30)는 상호 마주보도록 배치되어 상호 반대 방향으로 가압 유체를 분사하는 제1 지지부(31)와 제2 지지부(32) 및 제1 지지부(31)로부터 분사되는 제1 가압 유체(F1)에 압력을 인가하는 제1 유체 가압부(33)와 제2 지지부(32)로부터 분사되는 제2 가압 유체(F2)에 압력을 인가하는 제2 유체 가압부(34)를 포함할 수 있다.
제1 지지부(31)는 일 평면(YZ 평면)을 따라 연장된 플레이트 형상을 구비하며, 일 평면(YZ 평면)에 수직한 제1-1 방향(+X 방향)을 따라 제1 가압 유체(F1)를 분사할 수 있다. 일 예로서, 제1 지지부(31)는 제1 가압 유체(F1)를 분사할 수 있는 다공질의 플레이트일 수 있다. 또한 다른 예로서, 제1 지지부(31)는 제1 가압 유체(F1)를 분사하는 하나 이상의 분사부(311: 도 5 참조)를 포함할 수도 있다. 제1 지지부(31)는 중력 방향(-Z 방향)을 따라 도 3에 도시된 전극의 제1 영역(E1)의 높이(k1)에 대응되는 높이(h)를 구비할 수 있다. 일 예로서, 제1 가압 유체(F1)는 클린 드라인 에어(clean dry air: CDA)일 수 있으나, 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 가압 유체(F1)는 전극의 제1 영역(E1)을 지지하는 임의의 유체가 사용될 수도 있다.
일 예시에 따른 제1 지지부(31)는 제1-1 방향(+X 방향)을 따라 전극(E)과 제1 간격(D1)을 사이에 두고 이격되도록 배치될 수 있다. 예를 들어 제1 간격(D1)은 0.01mm 이상 1mm 이하일 수 있다. 다만, 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니며, 전극(E)의 유형 및 무게 변화에 따라 제1 간격(D1)은 변화될 수 있다. 또한, 제1 지지부(31)로부터 분사되는 제1 가압 유체(F1)는 제1-1 방향(+X 방향)을 따라 전극의 제1 영역(E1)에 소정의 압력을 인가할 수 있다. 예를 들어, 제1 가압 유체(F1)에 의해 전극의 제1 영역(E1)에 인가되는 제1 압력은, 예를 들어 0.001Mpa이상 0.3Mpa이하 일 수 있다. 다만, 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 유체 가압부(33)는, 전극(E)의 유형 및 무게 변화에 따라 제1 가압 유체(F1)의 유량 또는 유속 등을 조정하여 제1 압력을 변화시킬 수 있다.
제2 지지부(32)는 일 평면(YZ 평면)을 따라 연장된 플레이트 형상을 구비하며, 일 평면(YZ 평면)에 수직한 제1-2 방향(-X 방향)을 따라 제2 가압 유체(F2)를 분사할 수 있다. 일 예로서, 제2 지지부(32)는 제2 가압 유체(F2)를 분사할 수 있는 다공질의 플레이트일 수 있다. 또한 다른 예로서, 제2 지지부(32)는 제2 가압 유체(F2)를 분사하는 하나 이상의 분사부를 포함할 수도 있다. 제2 지지부(32)는 제1 지지부(31)와 마주보도록 배치되며, 제1 지지부(31)의 높이(h)와 대응되는 높이를 구비할 수 있다. 일 예로서, 제2 가압 유체(F2)는 클린 드라인 에어(clean dry air: CDA)일 수 있으나, 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니다. 제2 가압 유체(F2)는 전극의 제1 영역(E1)을 지지하는 임의의 유체가 사용될 수도 있다.
일 예시에 따른 제2 지지부(32)는 제1-2 방향(-X 방향)을 따라 전극(E)과 제2 간격(D2)을 사이에 두고 이격되도록 배치될 수 있다. 예를 들어 제2 간격(D2)은 0.01mm 이상 1mm 이하일 수 있다. 다만, 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니며, 전극(E)의 유형 및 무게 변화에 따라 제2 간격(D2)은 변화될 수 있다. 또한, 제2 지지부(32)로부터 분사되는 제2 가압 유체(F2)는 제1-2 방향(-X 방향)을 따라 전극의 제1 영역(E1)에 소정의 압력을 인가할 수 있다. 예를 들어, 제2 가압 유체(F2)에 의해 전극의 제1 영역(E1)에 인가되는 제2 압력은, 예를 들어 0.001Mpa이상 0.3Mpa이하일 수 있다. 다만, 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니며, 제2 유체 가압부(34)는, 전극(E)의 유형 및 무게 변화에 따라 제2 가압 유체(F2)의 유량 또는 유속 등을 조정하여 제2 압력을 변화시킬 수 있다.
상술한 바와 같이 제1 지지부(31)와 제2 지지부(32)에서 상호 대응되는 방향, 예를 들어 제1-1 방향(+X 방향)및 제1-2 방향(-X 방향을 따라 제1 가압 유체(F1)와 제2 가압 유체(F2)를 분사함으로써 비접촉 방식으로 전극의 제1 영역(E1)을 지지할 수 있다. 이에 따라 전극(E)과 전극 지지부(30) 사이의 과도한 흡착 및 마찰로 인해 발생할 수 있는 제품의 불량 및 제조 비용의 증가를 효과적으로 방지할 수 있다.
도 5a는 비교예에 따라 전극 지지부에 지지된 전극(E)의 떨림를 나타내는 그래프이다. 도 5b는 실시예 1에 따라 전극 지지부에 지지된 전극(E)의 떨림를 나타내는 그래프이다. 도 5c는 실시예 2에 따라 전극 지지부에 지지된 전극(E)의 떨림를 나타내는 그래프이다.
[실시예 1]
전극(M)으로서, 20마이크로미터의 두께를 구비하는 알루미늄 포일(Aluminium foil)을 이용한다. 전극(M)은 1500mm/s의 속도로 중력 방향을 따라 이동한다. 전극(M)의 일면과 마주보도록 배치되는 제1 지지부(31)는, 제1-1 방향(+X 방향)을 따라 전극(E)의 일면과 0.35mm의 제1 간격(D1)을 사이에 두고 이격되도록 배치되며, 가압 유체로서 공기를 분사한다. 제1 지지부(31)에 의해 전극(M)의 일면에 0.04Mpa의 제1 압력이 인가된다. 전극(M)의 다른 일면과 마주보도록 배치되는 제2 지지부(32)는, 제1-2 방향(-X 방향)을 따라 전극(E)의 일면과 0.35mm의 제2 간격(D2)을 사이에 두고 이격되도록 배치되며, 가압 유체로서 공기를 분사한다. 제2 지지부(32)에 의해 전극(M)의 다른 일면에 0.04Mpa의 제2 압력이 인가된다.
[실시예 2]
제1 지지부(31)와 제2 지지부(32)에 의해 인가되는 제1 압력 및 제2 압력이 0.06Mpa인 점을 제외하면 실시예 1과 동일하다.
[비교예]
제1 지지부(31)와 제2 지지부(32)에 의해 인가되는 제1 압력 및 제2 압력이 0Mpa인 점을 제외하면 실시예 1과 동일하다.
도 5a를 참조하면, 실시예 1에 따른 전극 지지부(30)에 지지된 전극(M)은 일 평면에 수직한 일 방향(X 방향)을 따라 최대 변위(Max) 16.62803mm의 최소 변위(Min) 15.94159mm를 구비하며, 이에 따라 전극(M)의 최대 변위(Max)와 최소 변위(Min)의 차이(Max- Min) 즉, 전극(M)이 0.68644mm 발생했음을 확인할 수 있다.
도 5b를 참조하면, 실시예 2에 따른 전극 지지부(30)에 지지된 전극(M)은 일 평면에 수직한 일 방향(X 방향)을 따라 최대 변위(Max) 16.79985mm의 최소 변위(Min) 16.00269mm를 구비하며, 이에 따라 전극(M)의 최대 변위(Max)와 최소 변위(Min)의 차이(Max- Min) 즉, 전극(M)이 0.79716mm 발생했음을 확인할 수 있다.
도 5c를 참조하면, 비교예에 따른 전극 지지부(30)에 지지된 전극(M)은 일 평면에 수직한 일 방향(X 방향)을 따라 최대 변위(Max) 17.740931mm의 최소 변위(Min) 16.66041mm를 구비하며, 이에 따라 전극(M)의 최대 변위(Max)와 최소 변위(Min)의 차이(Max- Min) 즉, 전극(M)이 1.08052mm 발생했음을 확인할 수 있다.
도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 전극(M)의 일면 및 다른 면과 동일한 간격(D1, D2)으로 제1 지지부(31)와 제2 지지부(32)를 배치하는 경우, 제1 압력 및 제2 압력이 0.02Mpa 이상 0.04Mpa인 구간에서 전극(M)의 떨림이 감소함을 확인할 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 제1 지지부의 평면도이다. 도 7a는 다른 실시예에 따른 제1 지지부의 평면도이다. 도 7b는 도 7a에 도시된 제1 지지부의 측단면도이다.
도 6을 참조하면, 제1 지지부(31)는 제1 가압 유체(F1)를 분사하는 하나 이상의 분사부(311)를 포함할 수 있다. 제1 지지부(31)와 제2 지지부(32)는 상호 대응되는 형상으로 마련될 수 있으므로 설명의 편의상 여기서는 제1 지지부(31)를 중심으로 서술한다. 일 예로서, 전극(E)과 마주보는 제1 지지부(31)의 일 평면(310) 상에 하나 이상의 분사부(311)가 배치될 수 있다. 분사부(311)의 갯수는 분사부(311)의 유형에 따라 결정될 수 있다. 일 예로서, 분사부(311)가 고압 유체를 분사할 수 있는 노즐 구조로 마련되어 분사부(311)로부터 균일하게 제1 가압 유체(F1)가 분사되는 경우, 분사부(311)는 복수 개로 마련되어 제1 지지부(31)의 일 평면(310) 상에 균일한 간격을 구비하도록 배치될 수 있다. 일 예로서, 하나 이상의 분사부의 직경이 0.01mm 미만인 경우, 제1 가압 유체(F1)에 의해 전극의 제1 영역(E1)에 인가되는 제1 압력은, 예를 들어 0.006Mpa이상 0.3Mpa이하 이하일 수 있다. 또한, 하나 이상의 분사부의 직경이 0.01mm 이상인 경우, 제1 가압 유체(F1)에 의해 전극의 제1 영역(E1)에 인가되는 제1 압력은, 예를 들어 0.001Mpa이상 0.1Mpa이하 이하일 수 있다.
다만 본 개시가 이에 제한되는 것은 아니며, 분사부(311)가 도 7a 내지 도 7b에 도시된 바와 같은 오리피스 구조로 마련된 경우, 분사부(311)는 단일 구조로 마련될 수도 있다. 오리피스 구조로 마련된 분사부(311)로부터 배출되는 제1 가압 유체(F1)에 의해 전극의 제1 영역(E1) 에 균일한 압력이 인가될 수 있다. 일 예로서, 제1 가압 유체(F1)에 의해 전극의 제1 영역(E1)에 인가되는 제1 압력은, 예를 들어 0.001Mpa이상 0.18Mpa이하 이하일 수 있다.
도 8은 일 실시예에 따른 전극 제조 장치의 부분 개략도이다.
도 2 및 도 8을 참조하면, 일 예시에 따라 제1 지지부(31) 및 제2 지지부(32)에 의해 지지된 전극(E)은 레이저(L)에 의해 노칭 및 절단 공정이 이루어질 수 있다. 노칭 및 절단 공정에서 발생된 분진(B)은 스크랩(S)과 비교하여 상대적으로 가벼울 수 있으므로, 전극(E) 주변에 부유한 채 잔존할 수 있다. 이때, 전극(E) 주변에 부유하는 분진(B)에 의해 레이저(L)의 간섭 또는 전극(E)의 불량이 발생될 수 있다. 전극(E) 주변에 부유하는 분진(B)을 제거하기 위해 제1 분진 제거 장치(41)와 제2 분진 제거 장치(42)가 배치될 수 있다.
일 예로서, 제1 분진 제거 장치(41)는 제1-1 분진 제거 장치(411), 제1-2 분진 제거 장치(412), 흡입된 분진(B)을 외부로 배출하는 제1 분진 배출부(413) 및 제1 흡입 압력 조절부(414)를 포함할 수 있다. 일 예시에 따른, 제1-1 분진 제거 장치(411)는 전극(E)의 일 측부에 배치된 흡입구를 포함하도록 배치될 수 있다. 이때, 제1-1 분진 제거 장치(411)에서 발생되는 제1-1 흡입 압력에 의해 전극(E) 인근에서 부유하는 분진(B)이 흡입될 수 있다. 또한, 이때, 제1-1 흡입 압력에 의해 제1-1 유체 유동(H1)이 발생되며, 제1-1 유체 유동(H1)에 의해 전극(E)의 흔들림이 발생하여 레이저(L)의 초점 위치가 부정확해 질 수 있다. 전극(E)의 흔들림이 발생하는 상황을 방지하기 위해 제1-1 유체 유동(H1)은 제1-1 방향(+X 방향)과 상이한 방향을 따라 형성될 수 있다. 일 예로서, 제1-1 유체 유동(H1)은 제1-1 방향(+X 방향)에 대해 소정의 각도(θ), 예를 들어 0도 초과 90도 미만의 각도를 구비할 수 있다. 상술한 바와 같이 제1-1 유체 유동(H1)이 제1-1 방향(+X 방향)과 상이한 방향을 따라 형성됨에 따라 전극(E)의 흔들림을 최소화할 수 있다.
일 예시에 따른, 제1-2 분진 제거 장치(412)는 전극(E)의 다른 측부에 배치된 흡입구를 포함하도록 배치될 수 있다. 이때, 제1-2 분진 제거 장치(412)에서 발생되는 제1-2 흡입 압력에 의해 전극(E) 인근에서 부유하는 분진(B)이 흡입될 수 있다. 또한, 이때, 제1-2 흡입 압력에 의해 제1-2 유체 유동(H2)이 발생되며, 제1-2 유체 유동(H2)에 의해 전극(E)의 흔들림이 발생하여 레이저(L)의 초점 위치가 부정확해 질 수 있다. 전극(E)의 흔들림이 발생하는 상황을 방지하기 위해 제1-2 유체 유동(H2)은 제1-1 방향(+X 방향)과 상이한 방향을 따라 형성되는 것은 제1-1 유체 유동(H1)과 실질적으로 동일하므로 여기서는 설명을 생략한다. 제1-1 분진 제거 장치(411) 및 제1-2 분진 제거 장치(412)를 통해 흡입된 분진(B)은 제1 분진 배출부(413)를 통해 외부로 배출될 수 있다. 이때, 제1 흡입 압력 조절부(414)는 분진(B)의 크기 및 중량에 따라 제1-1 분진 제거 장치(411) 및 제1-2 분진 제거 장치(412)에 인가되는 제1-1 흡입 압력과 제1-2 흡입 압력을 조절할 수 있다.
일 예로서, 제2 분진 제거 장치(42)는 제2-1 분진 제거 장치(421), 제2-2 분진 제거 장치(422), 흡입된 분진(B)을 외부로 배출하는 제2 분진 배출부(423) 및 제2 흡입 압력 조절부(424)를 포함할 수 있다. 일 예시에 따라, 제2-1 흡입 압력에 의해 제2-1 유체 유동(H3)이 발생되는 제2-1 분진 제거 장치(421), 제2-2 흡입 압력에 의해 제2-2 유체 유동(H4)이 발생되는 제2-2 분진 제거 장치(422)는 제1-1 분진 제거 장치(411), 제1-2 분진 제거 장치(412)와 상호 마주보도록 배치되며, 전극(E)의 다른 일면과 마주보도록 배치되는 것을 제외한 나머지 사항은 제1-1 분진 제거 장치(411), 제1-2 분진 제거 장치(412)와 실질적으로 동일하다. 따라서 설명의 편의상 여기서는 서술을 생략한다. 제2-1 분진 제거 장치(421) 및 제2-2 분진 제거 장치(422)를 통해 흡입된 분진(B)은 제2 분진 배출부(423)를 통해 외부로 배출될 수 있다. 이때, 제2 흡입 압력 조절부(424)는 분진(B)의 크기 및 중량에 따라 제2-1 분진 제거 장치(421) 및 제2-2 분진 제거 장치(422)에 인가되는 제2-1 흡입 압력과 제2-2 흡입 압력을 조절할 수 있다.
도 9는 일 실시예에 따른 전극 제조 장치의 부분 개략도이다.
도 2 및 도 9를 참조하면, 일 예시에 따른 전극(E)은 중력 방향(-Z 방향)을 따라 제1 지지부(31) 및 제2 지지부(32)에 의해 지지될 수 있다. 제1 지지부(31) 및 제2 지지부(32)에 의해 지지된 전극(E)은 레이저(L)에 의해 노칭 및 절단 공정이 이루어질 수 있다. 노칭 및 절단 공정에서 발생된 스크랩(S)은 중력 방향(-Z 방향)을 따라 자유낙하 할 수 있다.
일 예시에 따라, 스크랩 제거부(50) 중 상부에 위치한 제1 스크랩 제거 영역(51)에는 중력 방향(-Z 방향)을 따라 소정의 제3 흡입 압력이 형성되어 자유 낙하하는 스크랩(S)을 흡입할 수 있다. 이에 따라 중력 방향(-Z 방향)을 따라 자유낙하하는 스크랩(S)이 외부로 비산되지 않도록 포집할 수 있다.
일 예로서, 제1 스크랩 제거 영역(51)은 가공 영역에 해당하는 레이저 빔 노칭부(20)의 하부에 배치될 수 있다. 이때, 제1 스크랩 제거 영역(51)에서 발생되는 제3 흡입 압력에 의해 제3 유체 유동(W1)이 발생되며, 제3 유체 유동(W1)에 의해 전극(E)의 흔들림이 발생하여 레이저(L)의 초점 위치가 부정확해 질 수 있다. 전극(E)의 흔들림이 발생하는 상황을 방지하기 위해 제3 유체 유동(W1)은 중력 방향(-Z 방향)을 따라 형성될 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 스크랩(S)은 중력에 의해 자유낙하하고 있으므로, 스크랩(S)의 비산을 방지하고, 스크랩(S)을 포집하기 위한 제3 흡입 압력의 크기가 상대적으로 작게 형성될 수 있으며, 이에 따라 전극(E)의 흔들림을 최소화할 수 있다.
일 예시에 따라, 제1 스크랩 제거 영역(51)의 하부에 위치한 제2 스크랩 제거 영역(52)에는 중력 방향(-Z 방향)과 상이한 방향을 따라 소정의 제4 흡입 압력이 형성되어 제1 스크랩 제거 영역(51)에 포집된 스크랩(S)을 외부로 배출할 수 있다.
일 예로서, 제2 스크랩 제거 영역(52)은 제1 스크랩 제거 영역(51)의 하부에 배치되므로, 제4 흡입 압력에 의해 발생된 제4 유체 유동(W2)에 의해 전극(E)의 흔들림이 발생할 염려가 없다. 이에 따라 제4 유체 유동(W2)은 중력 방향(-Z 방향)과 상이한 방향, 예를 들어 시계 방향 또는 반시계 방향과 같은 회전 방향을 따라 형성될 수 있다. 또한, 제2 스크랩 제거 영역(52)은 제1 스크랩 제거 영역(51)에 포집된 스크랩(S)이 가공 영역에 잔존하는 시간을 최소화하기 위해 제4 흡입 압력의 크기는 제3 흡입 압력의 크기 보다 크게 형성될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
1: 전극 제조 장치
10: 이송부
20: 레이저 빔 노칭부
30: 전극 지지부
40: 분진 제거부
50: 스크랩 제거부

Claims (20)

  1. 일 평면을 따라 연장된 플레이트 형상을 구비하며, 상기 일 평면에 수직한 제1-1 방향을 따라 제1 가압 유체를 분사하는 제1 지지부;
    일 평면을 따라 연장된 플레이트 형상을 구비하고, 상기 제1 지지부와 소정의 간격을 사이에 두고 마주보도록 배치되며, 상기 제1-1 방향에 대향하는 제1-2 방향을 따라 제2 가압 유체를 분사하는 제2 지지부;
    시트 형상의 전극을 중력 방향을 따라 이송시키며, 상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부 사이에 전극의 제1 영역을 배치시키는 이송부;
    상기 제1-1 방향을 따라 레이저(laser)를 조사하여 상기 전극의 제2 영역 중 일부를 노칭 및 절단하는 레이저 빔 노칭부;를 포함하는,
    전극 제조 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부 사이의 상기 소정의 간격은 0.01mm 이상 1mm 이하인,
    전극 제조 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 지지부에 의해 상기 전극의 제1 면에 인가되는 압력은 0.001Mpa 이상 0.3Mpa 이하이며, 상기 제2 지지부에 의해 상기 전극의 제2 면에 인가되는 압력은 0.001Mpa 이상 0.3Mpa 이하 인,
    전극 제조 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 지지부은 상기 제1-1 가압 유체를 분사하는 하나 이상의 분사부를 포함하며,
    상기 제2 지지부은 상기 제1-2 가압 유체를 분사하는 하나 이상의 분사부를 포함하는,
    전극 제조 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 지지부에 마련된 상기 하나 이상의 분사부는 복수 개로 마련되며, 상기 전극과 마주보도록 배치된 상기 제1 지지부의 일 평면 상에 균일한 간격을 구비하도록 배치되고,
    상기 제2 지지부에 마련된 상기 하나 이상의 분사부는 복수 개로 마련되며, 상기 전극과 마주보도록 배치된 상기 제2 지지부의 일 평면 상에 균일한 간격을 구비하도록 배치되는,
    전극 제조 장치.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 지지부에 마련된 상기 하나 이상의 분사부는 단수 개로 마련되며, 오리피스 구조를 포함하고,
    상기 제2 지지부에 마련된 상기 하나 이상의 분사부는 단수 개로 마련되며, 오리피스 구조를 포함하는,
    전극 제조 장치.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 지지부 또는 상기 제2 지지부 중 하나 이상은 다공질 플레이트를 포함하는
    전극 제조 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 가압 유체의 압력을 조절하는 제1 유체 가압부 및 상기 제2 가압 유체의 압력을 조절하는 제2 유체 가압부를 더 포함하는,
    전극 제조 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 레이저를 이용하여 상기 전극을 노칭 및 커팅하는 과정으로부터 생성되는 분진을 제거하기 위해 흡입 압력을 인가하는 분진 제거부; 를 더 포함하는,
    전극 제조 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 분진 제거부는 상기 전극을 사이에 두고 대향하도록 배치되는 제1 분진 제거 장치 및 제2 분진 제거 장치를 포함하는,
    전극 제조 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 분진 제거 장치는 상기 전극의 일 측부에 배치되는 흡입구를 포함하는 제1-1 분진 제거 장치와 상기 전극의 다른 측부에 배치되는 흡입구를 포함하는 제1-2 분진 제거 장치를 포함하는,
    전극 제조 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1-1 분진 제거 장치에서 제1-1 흡입 압력에 의해 생성되는 제1-1 유체 유동의 방향은 상기 제1-1 방향과 상이하며,
    상기 제2-1 분진 제거 장치에서 제2-1 흡입 압력에 의해 생성되는 제2-1 유체 유동의 방향은 상기 제1-1 방향과 상이한
    전극 제조 장치.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 분진 제거 장치는 상기 전극의 일 측부에 배치되는 흡입구를 포함하는 제2-1 분진 제거 장치와 상기 전극의 다른 측부에 배치되는 흡입구를 포함하는 제2-2 분진 제거 장치를 포함하는,
    전극 제조 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제2-1 분진 제거 장치에서 제2-1 흡입 압력에 의해 생성되는 제1-1 유체 유동의 방향은 상기 제1-2 방향과 상이하며,
    상기 제2-2 분진 제거 장치에서 제2-2 흡입 압력에 의해 생성되는 제2-1 유체 유동의 방향은 상기 제1-2 방향과 상이한
    전극 제조 장치.
  15. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 분진 제거 장치의 흡입 압력을 조절하는 제1 흡입 압력 조절부와 상기 제2 분진 제거 장치의 흡입 압력을 조절하는 제2 흡입 압력 조절부와 포함하는,
    전극 제조 장치.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 중력 방향을 따라 상기 제1 지지부 및 상기 제2 지지부의 하부에 배치되며, 중력에 의해 하강하는 스크랩을 흡입하여 외부로 배출하는 스크랩 제거부;를 더 포함하는,
    전극 제조 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 스크랩 제거부는,
    중력 방향을 따라 상부 및 하부에 배치되는 제1 스크랩 제거 영역과 제2 스크랩 제거 영역; 및
    상기 제1 스크랩 제거 영역 및 상기 제2 스크랩 제거 영역에 흡입 압력을 인가하는 펌프;를 포함하는,
    전극 제조 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 스크랩 제거 영역에는 제3 흡입 압력에 의해 상기 중력 방향을 따르는 제3 유체 유동이 형성되며,
    상기 제2 스크랩 제거 영역에는 제4 흡입 압력에 의해 상기 중력 방향과 상이한 방향을 따르는 제4 유체 유동이 형성되는,
    전극 제조 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제4 흡입 압력이 상기 제3 흡입 압력을 초과하는,
    전극 제조 장치.
  20. 제1 항에 있어서,
    상기 이송부는 1250mm/s이상 6000mm/s이하의 속도로 상기 전극을 이동시키는
    전극 제조 장치.
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