KR20220127744A - Electrostatic Chuck with Bush Type DC Port and Manufacturing Thereof - Google Patents

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Abstract

Disclosed are an electrostatic chuck having a bush-type DC port capable of preventing damage to a DC port due to a thermal expansion coefficient difference and a manufacturing method thereof. This sets an exposed temperature when using an electrostatic chuck (ESC) and predicts an expansion amount of a through-hole formed in the electrostatic chuck at the set temperature to mount a DC port with a larger diameter than the expansion amount through a shrinkage fitting process, thereby obtaining a margin due to a thermal expansion coefficient. In addition, a damage due to a thermal expansion coefficient difference of an electrostatic chuck and a DC port is obtained to prevent damage to the DC port.

Description

부쉬형 DC 포트를 갖는 정전척 및 이의 제조방법{Electrostatic Chuck with Bush Type DC Port and Manufacturing Thereof}Electrostatic Chuck with Bush Type DC Port and Manufacturing Thereof

본 발명은 부쉬형 DC 포트를 갖는 정전척 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 열팽창계수 차이에 따른 DC 포트의 파손을 방지할 수 있는 부쉬형 DC 포트를 갖는 정전척 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electrostatic chuck having a bush-type DC port and a method for manufacturing the same, and more particularly, to an electrostatic chuck having a bush-type DC port capable of preventing damage to the DC port due to a difference in thermal expansion coefficient and a method for manufacturing the same. it's about

플라즈마 처리장치에서 처리대상물을 지지하기 위한 구조 요소로 정전척(Electrostatic Chuck, ESC)을 일반적으로 사용한다. 정전척은 반도체 또는 LCD 기판 제조 공정장치 등에 사용되는 것으로, 정전력을 이용해 웨이퍼 또는 처리대상물을 고정시키는 부품이다. 이러한 정전척은 화학기상증착, 식각, 스퍼터링 및 이온 주입 공정 등과 같은 다양한 공정에 널리 사용된다.An electrostatic chuck (ESC) is generally used as a structural element for supporting a processing object in a plasma processing apparatus. An electrostatic chuck is used for a semiconductor or LCD substrate manufacturing process device, and is a part that uses an electrostatic power to fix a wafer or an object to be processed. Such electrostatic chucks are widely used in various processes such as chemical vapor deposition, etching, sputtering, and ion implantation processes.

종래의 기계적 클램프(Mechanical Clamp), 진공 척(Vacuum Chuck) 등은 기판의 단순한 고정만을 위한 것이었으나, 최근에는 처리대상물을 밀착한 상태에서 균일한 열처리도 가능하고 불순물 파티클(Particle)의 발생도 최소화할 수 있는 정전척의 사용이 확대되고 있다.Conventional mechanical clamps, vacuum chucks, etc. were only for simple fixing of the substrate, but in recent years, uniform heat treatment is possible with the object to be treated in close contact and the generation of impurity particles is minimized. The use of electrostatic chucks that can do this is expanding.

이러한 정전척에는 정전척을 발생시키기 위해 높은 전압의 DC(High Voltage DC, HVDC)가 DC 포트를 통해 인가된다.In order to generate the electrostatic chuck, a high voltage DC (High Voltage DC, HVDC) is applied to the electrostatic chuck through a DC port.

도 1은 종래의 정전척에 장착된 DC 포트를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a DC port mounted on a conventional electrostatic chuck.

도 2는 종래의 정전척에 따른 DC 포트 주위에 발생된 크렉을 나타낸 도면이다.2 is a view showing cracks generated around a DC port according to a conventional electrostatic chuck.

도 1 및 도 2를 참조하면, 정전척(10)은 DC를 인가하기 위한 DC 포트(20)를 포함한다. DC 포트(20)는 정전척에 형성된 관통홀(11)에 삽입되는 형태를 가지되, 정전척(10) 상부에 형성된 코팅층(30)에 의해 상부가 매립되는 형태를 가질 수 있다.1 and 2 , the electrostatic chuck 10 includes a DC port 20 for applying DC. The DC port 20 may have a shape to be inserted into the through hole 11 formed in the electrostatic chuck 10 , and may have a shape in which the upper portion is buried by the coating layer 30 formed on the electrostatic chuck 10 .

DC 포트(20)를 정전척(10)의 관통홀(11)에 장착하기 위해서, 종래에는 관통홀(11)의 크기보다 DC 포트(20)의 크기를 작게 형성하고, 관통홀(11) 내벽에 접착제를 도포하여 DC 포트(20)를 관통홀(11)에 접착하는 접착 방식을 갖는다.In order to mount the DC port 20 to the through hole 11 of the electrostatic chuck 10 , in the related art, the size of the DC port 20 is formed smaller than the size of the through hole 11 , and the inner wall of the through hole 11 is formed. It has an adhesive method of applying an adhesive to the DC port 20 and adhering it to the through hole 11 .

허나, 일반적으로 정전척(10)은 메탈 소재로 제작되는 반면, DC 포트(20)는 절연성이 우수한 세라믹 소재로 형성되기 때문에 두 소재간 열팽창계수 차이에 따른 스트레스(stress)가 발생되며, 도 2에서와 같이, 열팽창계수 차이에 의해 DC 포트(20) 상부에 크렉(crack)이 발생되어 DC 전류(DC Current)가 증가하거나, 크렉 발생 부위에 아킹이 유발되는 문제점이 있다.However, in general, the electrostatic chuck 10 is made of a metal material, whereas the DC port 20 is made of a ceramic material having excellent insulation, so stress is generated due to a difference in the coefficient of thermal expansion between the two materials, as shown in FIG. As in , there is a problem in that a crack is generated in the upper portion of the DC port 20 due to a difference in the coefficient of thermal expansion, so that the DC current increases or arcing is induced in the crack generation region.

한국등록특허 10-2115745Korean Patent No. 10-2115745

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 정전척과 DC 포트의 열팽창계수 차이에 따른 DC 포트의 파손을 방지하기 위한 부쉬형 DC 포트를 갖는 정전척 및 이의 제조방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide an electrostatic chuck having a bush-type DC port for preventing damage to a DC port due to a difference in thermal expansion coefficient between the electrostatic chuck and the DC port, and a method for manufacturing the same.

상술한 과제를 해결하기 위해 본 발명의 부쉬형 DC 포트를 갖는 정전척은 피처리 기판을 지지하고, 상기 피처리 기판의 온도를 일정하게 유지시키되, 내부에 관통홀이 형성된 정전척 전극, 상기 정전척 전극 상부면에 형성되고, 표면에 돌기 형태의 엠보스를 갖는 유전체층 및 상기 정전척 전극의 상기 관통홀 내에 배치되고, 원통 형상의 DC 포트를 포함하고, 상기 DC 포트의 외경은 상기 관통홀의 내경보다 더 큰 크기를 가지되, 상기 DC 포트는 열박음(shrinkage fitting) 공정에 의해 상기 관통홀 내에 삽입된다.In order to solve the above problems, the electrostatic chuck having a bush-type DC port of the present invention supports a substrate to be processed and maintains a constant temperature of the substrate, an electrostatic chuck electrode having a through hole formed therein, and the electrostatic chuck a dielectric layer formed on an upper surface of the chuck electrode and having a protrusion-shaped embossing on its surface; and a cylindrical DC port disposed in the through hole of the electrostatic chuck electrode, wherein an outer diameter of the DC port is an inner diameter of the through hole It has a larger size, but the DC port is inserted into the through hole by a shrinkage fitting process.

상기 DC 포트는, 원통형 형태를 갖는 몸체부 및 상기 몸체부 하부에 연장되어 형성되되, 상기 몸체부의 직경보다 더 큰 직경을 갖는 지지부를 포함할 수 있다.The DC port may include a body portion having a cylindrical shape and a support portion extending under the body portion and having a larger diameter than the diameter of the body portion.

상기 몸체부는, 상기 몸체부 상부에 배치된 가이드부 및 상기 가이드부와 상기 지지부 사이에 배치되고, 상기 가이드부의 직경보다 더 큰 직경을 갖는 포트부를 포함할 수 있다.The body portion may include a guide portion disposed on the upper portion of the body portion and a port portion disposed between the guide portion and the support portion and having a diameter greater than a diameter of the guide portion.

상기 몸체부는 상부 방향으로 갈수록 직경이 작아지는 형태를 가질 수 있다.The body portion may have a shape in which a diameter becomes smaller toward an upper direction.

상술한 과제를 해결하기 위해 본 발명의 부쉬형 DC 포트를 갖는 정전척 제조방법은 피처리 기판을 지지하고, 상기 피처리 기판의 온도를 일정하게 유지시키되, 내부에 관통홀이 형성된 정전척 전극을 준비하는 단계, 상기 관통홀의 내경보다 더 큰 크기의 직경을 갖는 DC 포트를 준비하는 단계 및 상기 DC 포트를 열박음(shrinkage fitting) 공정을 이용하여 상기 관통홀 내에 삽입하는 단계를 포함한다.In order to solve the above problems, the method for manufacturing an electrostatic chuck having a bush-type DC port according to the present invention supports a substrate to be processed, maintains a constant temperature of the substrate, and includes an electrostatic chuck electrode having a through hole formed therein. Preparing, preparing a DC port having a diameter larger than the inner diameter of the through hole, and inserting the DC port into the through hole using a shrinkage fitting process.

상기 DC 포트는, 원통형 형태를 갖는 몸체부 및 상기 몸체부 하부에 연장되어 형성되되, 상기 몸체부의 직경보다 더 큰 직경을 갖는 지지부를 포함할 수 있다.The DC port may include a body portion having a cylindrical shape and a support portion extending under the body portion and having a larger diameter than the diameter of the body portion.

상기 몸체부는, 상기 몸체부 상부에 배치되되, 상기 몸체부 상부 방향으로 갈수록 직경이 작아지는 형태를 갖는 가이드부 및 상기 가이드부와 상기 지지부 사이에 배치되고, 상기 가이드부의 직경보다 더 큰 직경을 갖는 포트부를 포함할 수 있다.The body portion is disposed on the upper portion of the body portion, the guide portion having a shape that the diameter becomes smaller toward the upper direction of the body portion and disposed between the guide portion and the support portion, having a diameter larger than the diameter of the guide portion It may include a port unit.

상기 열박음 공정을 이용하는 단계는, 상기 정전척 전극에 열을 인가하여 상기 관통홀을 확장시키는 단계, 상기 정전척 전극에 인가된 열에 의해 확장된 상기 관통홀 내에 상기 가이드부를 이용하여 상기 DC 포트를 삽입하는 단계 및 상기 지지부에 의해 상기 DC 포트가 상기 관통홀 내에서 고정된 상태를 확인한 후에, 상기 정전척 전극을 냉각시키는 단계를 더 포함할 수 있다.The step of using the shrink fit process may include applying heat to the electrostatic chuck electrode to expand the through hole, and using the guide part in the through hole expanded by the heat applied to the electrostatic chuck electrode to secure the DC port. The method may further include cooling the electrostatic chuck electrode after inserting and confirming that the DC port is fixed in the through hole by the support part.

상기 정전척 전극에 열을 인가하는 단계에서, 상기 정전척 전극에 인가되는 열의 온도는 정전척 동작시 상기 정전척 전극에 발생되는 온도보다 작은 온도의 열이 인가될 수 있다.In the step of applying heat to the electrostatic chuck electrode, a temperature of the heat applied to the electrostatic chuck electrode may be lower than a temperature generated in the electrostatic chuck electrode during the electrostatic chuck operation.

상기 DC 포트를 삽입하는 단계는, 상기 DC 포트 표면에 본딩 처리를 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.Inserting the DC port may further include performing a bonding process on the surface of the DC port.

상기 열박음 공정을 이용하는 단계는, 상기 DC 포트를 냉각시켜 상기 DC 포트를 수축시키는 단계, 상기 관통홀 내에 상기 냉각에 의해 수축된 상기 DC 포트를 상기 가이드부를 이용하여 삽입하는 단계 및 상기 지지부에 의해 상기 DC 포트가 상기 관통홀 내에서 고정된 상태를 확인한 후에, 상기 DC 포트에 열을 인가하는 단계를 포함할 수 있다.The step of using the shrink fit process includes cooling the DC port to shrink the DC port, inserting the DC port contracted by the cooling into the through hole using the guide part, and the support part. After confirming that the DC port is fixed in the through hole, the method may include applying heat to the DC port.

상술한 본 발명에 따르면, ESC 사용시 노출되는 온도를 설정하고, 설정된 온도에서 정전척에 형성된 관통홀의 확장량을 예상하여 확장량보다 직경이 큰 DC 포트를 열박음 공정을 통해 장착함으로써 열팽창계수에 따른 마진을 확보할 수 있다.According to the present invention described above, by setting the temperature to which the ESC is exposed when using the ESC, and by predicting the expansion amount of the through hole formed in the electrostatic chuck at the set temperature, the DC port having a larger diameter than the expansion amount is mounted through a shrink fit process according to the coefficient of thermal expansion. margin can be secured.

또한, 정전척과 DC 포트의 열팽창계수 차이에 따른 마진을 확보함으로써 DC 포트의 파손을 방지할 수 있다.In addition, damage to the DC port can be prevented by securing a margin according to a difference in thermal expansion coefficient between the electrostatic chuck and the DC port.

본 발명의 기술적 효과들은 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other technical effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 종래의 정전척에 장착된 DC 포트를 나타낸 도면이다.
도 2는 종래의 정전척에 따른 DC 포트 주위에 발생된 크렉을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 정전척에 장착된 부쉬형 DC 포트를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 정전척에 장착된 부쉬형 DC 포트의 다른 실시예를 나타낸 도면이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 정전척에 따른 부쉬형 DC 포트를 장착하는 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 정전척에 따른 부쉬형 DC 포트를 장착하는 다른 제조방법을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a DC port mounted on a conventional electrostatic chuck.
2 is a view showing cracks generated around a DC port according to a conventional electrostatic chuck.
3 is a view showing a bush-type DC port mounted on the electrostatic chuck of the present invention.
4 is a view showing another embodiment of the bush-type DC port mounted on the electrostatic chuck of the present invention.
5 to 8 are views illustrating a manufacturing method for mounting a bush-type DC port according to the electrostatic chuck of the present invention.
9 to 11 are views showing another manufacturing method for mounting the bush-type DC port according to the electrostatic chuck of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

이하, 본 발명에 따른 실시 예들을 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. do it with

도 3은 본 발명의 정전척에 장착된 부쉬형 DC 포트를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a bush-type DC port mounted on the electrostatic chuck of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 정전척은 정전척 전극(100), 유전체층(200) 및 DC 포트(300)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the electrostatic chuck according to the present invention may include an electrostatic chuck electrode 100 , a dielectric layer 200 , and a DC port 300 .

정전척 전극(100)은 피처리 기판(101)을 지지하는 동시에 피처리 기판(101)을 고정하며, 피처리 기판(101)의 온도를 유지시킨다. 피처리 기판(101)은 정전척 전극(100)의 상부에 안착될 수 있다.The electrostatic chuck electrode 100 supports the processing target substrate 101 and fixes the processing target substrate 101 , and maintains the temperature of the processing target substrate 101 . The target substrate 101 may be seated on the electrostatic chuck electrode 100 .

또한, 정전척 전극(100)은 DC 포트(300)가 삽입되는 관통홀(110)을 포함할 수 있다.Also, the electrostatic chuck electrode 100 may include a through hole 110 into which the DC port 300 is inserted.

관통홀(110)의 단면은 원형일 수 있으며, 정전척 전극(100)의 상부면에서 하부면까지 연장된 홀 일 수 있다. 다만, 관통홀(110)은 정전척 전극(100)의 상부면에서 하부면까지 연장되어 형성되되, 정전척 전극(100)의 하부면에 근접한 부위는 관통홀(110)의 직경보다 큰 직경을 갖는 확장된 형태를 가질 수 있다.The cross-section of the through hole 110 may be circular, and may be a hole extending from an upper surface to a lower surface of the electrostatic chuck electrode 100 . However, the through hole 110 is formed to extend from the upper surface to the lower surface of the electrostatic chuck electrode 100 , and a portion close to the lower surface of the electrostatic chuck electrode 100 has a larger diameter than the diameter of the through hole 110 . It may have an expanded form with

정전척 전극(100)에는 DC 포트(300)가 삽입되는 관통홀(110) 외에, 헬륨가스를 이용하여 피처리 기판(101)의 열전달 효율을 높이고 온도 분포를 향상시킬 수 있는 다수의 헬륨 홀들이 형성될 수 있다. 헬륨 홀은 피처리 기판(101)을 향하여 헬륨 가스를 분사하며, 온도 분포를 높이기 위해 피처리 기판(101)에 균일하게 분사되도록 형성될 수 있다.In addition to the through hole 110 through which the DC port 300 is inserted, the electrostatic chuck electrode 100 includes a plurality of helium holes capable of increasing heat transfer efficiency of the target substrate 101 and improving temperature distribution using helium gas. can be formed. The helium hole may be formed to spray the helium gas toward the target substrate 101 and uniformly spray the helium gas to the target substrate 101 in order to increase a temperature distribution.

유전체층(200)은 정전척 전극(100)의 상부면에 형성될 수 있다. 일예로, 유전체층(200)은 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 보다 상세하게는, 유전체층(200)은 알루미늄 질화물 또는 붕소 질화물로부터 제조될 수 있다. 이런 부분적인 도전성 세라믹 재료는 고온 처리 동안에 존슨-라벡 효과를 향상시킨다. 또한, 다른 부분적인 도전성 세라믹은 티타늄 산화물 또는 크롬 산화물로 도핑된 알루미나와 같은 유용한 유전체층(200)의 재료로 사용될 수 있다. 피처리 기판(101)은 유전체층 상부면에 안착될 수 있다.The dielectric layer 200 may be formed on the upper surface of the electrostatic chuck electrode 100 . For example, the dielectric layer 200 may be formed of a ceramic material. More specifically, the dielectric layer 200 may be made from aluminum nitride or boron nitride. This partially conductive ceramic material enhances the Johnson-Rahbek effect during high-temperature processing. Additionally, other partially conductive ceramics may be used as materials for useful dielectric layer 200, such as alumina doped with titanium oxide or chromium oxide. The target substrate 101 may be seated on the upper surface of the dielectric layer.

유전체층(200) 상에는 돌기 형태를 갖는 복수개의 엠보스(emboss)가 형성될 수 있다. 엠보스는 상술한 돌기를 가짐으로써 유전체층(200)의 표면을 요철면이 되도록 할 수 있다. 따라서, 피처리 기판(101)이 엠보스 상에 안착되면 피처리 기판(101)과 유전체층(200) 사이에 소정 공간이 형성될 수 있다. 여기서, 엠보스는 용사법을 사용하여 유전체층(200) 상에 증착될 수 있다.A plurality of emboss having a protrusion shape may be formed on the dielectric layer 200 . The embossing may make the surface of the dielectric layer 200 a concave-convex surface by having the above-described protrusions. Accordingly, when the processing target substrate 101 is seated on the embossment, a predetermined space may be formed between the processing target substrate 101 and the dielectric layer 200 . Here, the embossing may be deposited on the dielectric layer 200 using a thermal spraying method.

DC 포트(300)는 부쉬 형태(bush type)를 가지되, 정전척 전극(100)의 관통홀(110) 내에 배치될 수 있다. 일반적으로, 플라즈마 처리장치는 높은 온도에 의해 피처리 기판(101)이 휘어지게 되며, 이를 방지하기 위해 기판의 전면적을 고정시키기 위한 정전척(Electrostatic Chuck, ESC)을 사용한다. 따라서, 정전척 전극(100)은 정전척을 발생시키기 위해 DC 포트(300)를 정전척 전극(100) 내에 장착하고, DC 제너레이터를 이용하여 높은 전압의 DC(HVDC)를 인가할 수 있다.The DC port 300 has a bush type, and may be disposed in the through hole 110 of the electrostatic chuck electrode 100 . In general, the plasma processing apparatus uses an electrostatic chuck (ESC) for fixing the entire surface of the substrate to prevent the substrate 101 from being bent due to a high temperature. Accordingly, the electrostatic chuck electrode 100 may mount a DC port 300 in the electrostatic chuck electrode 100 to generate an electrostatic chuck, and apply a high voltage DC (HVDC) using a DC generator.

또한, 본 발명에 따른 부쉬형 DC 포트(300)는 몸체부(310) 및 지지부(320)를 포함한다.In addition, the bush-type DC port 300 according to the present invention includes a body portion 310 and a support portion (320).

몸체부(310)는 기둥 형태를 가지되, 정전척 전극(100)의 관통홀(110)과 동일한 형태를 갖도록 형성될 수 있다. 일예로, 몸체부(310)는 단면이 원형으로 된 원기둥 형태일 수 있다. 또한, 몸체부(310)는 가이드부(311) 및 포트부(312)를 포함할 수 있다.The body portion 310 may have a pillar shape, but may be formed to have the same shape as the through hole 110 of the electrostatic chuck electrode 100 . For example, the body 310 may have a cylindrical shape having a circular cross-section. In addition, the body part 310 may include a guide part 311 and a port part 312 .

가이드부(311)는 몸체부(310) 상부에 형성될 수 있다. 가이드부(311)는 DC 포트(300)를 정전척 전극(100)에 삽입시, 신속한 삽입을 위한 가이드 기능을 수행할 수 있다. 일예로, 열박음(shrinkage fitting) 공정 등을 이용하여 DC 포트(300)를 정전척 전극(100)에 삽입시, 가이드부(311)를 통해 DC 포트(300)를 관통홀(110) 내에 신속히 장착할 수 있다.The guide part 311 may be formed on the body part 310 . When the DC port 300 is inserted into the electrostatic chuck electrode 100 , the guide part 311 may perform a guide function for quick insertion. For example, when the DC port 300 is inserted into the electrostatic chuck electrode 100 using a shrinkage fitting process, the DC port 300 is quickly inserted into the through hole 110 through the guide part 311 . can be installed

포트부(312)는 가이드부(311) 하부에 배치되되, 가이드부(311)에 하부 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 이때, 몸체부(310)가 관통홀(110) 내에 신속히 장착되도록, 가이드부(311)의 직경은 포트부(312)의 직경보다 작은 직경을 갖는 것이 바람직하다.The port part 312 is disposed below the guide part 311 , and may be formed to extend downwardly to the guide part 311 . At this time, it is preferable that the diameter of the guide part 311 is smaller than the diameter of the port part 312 so that the body part 310 is quickly mounted in the through hole 110 .

지지부(320)는 몸체부(310) 하부에 배치되되, 몸체부(310) 하부 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 일예로, 지지부(320)는 몸체부(310)와 일체로 형성될 수 있다. 또한, 지지부(320)의 직경은 몸체부(310)의 직경보다 큰 직경을 가질 수 있다. 바람직하게는, DC 포트(300)에서 하부에 위치한 지지부(320)의 직경이 가장 크고, 상부에 위치한 가이드부(311)의 직경이 가장 작을 수 있다. 일예로, 몸체부(310)와 지지부(320)는 정전척 전극(100)의 관통홀(110) 및 관통홀(110) 하부의 확장된 영역의 형태와 서로 대응되는 형태를 갖도록 형성될 수 있다. 따라서, DC 포트(300)는 정전척 전극(100)의 하부에서 상부 방향으로 관통홀(110)에 삽입되어 장착될 수 있다.The support part 320 may be disposed below the body part 310 and may be formed to extend in a downward direction of the body part 310 . For example, the support 320 may be integrally formed with the body 310 . In addition, the diameter of the support part 320 may have a larger diameter than the diameter of the body part 310 . Preferably, the diameter of the support portion 320 located at the lower portion of the DC port 300 may be the largest, and the diameter of the guide portion 311 located at the upper portion may be the smallest. For example, the body part 310 and the support part 320 may be formed to have a shape corresponding to the shape of the through hole 110 of the electrostatic chuck electrode 100 and the shape of the extended area under the through hole 110 . . Accordingly, the DC port 300 may be inserted and mounted in the through hole 110 from the bottom to the top of the electrostatic chuck electrode 100 .

이때, 본 발명에 따른 DC 포트(300)는 정전척 전극(100)에 장착시 열박음 공정을 이용하여 장착될 수 있다. 일예로, 관통홀(110)의 크기는 DC 포트(300)의 크기보다 작게 형성될 수 있다. 즉, 정전척 전극(100)에 열을 인가하여 관통홀(110)이 확장되도록 하고, 확장된 관통홀(110)에 DC 포트(300)를 삽입한 후, 냉각시킴으로써 DC 포트(300)가 정전척 전극(100)에 장착되어 고정되도록 할 수 있다. 지지부(320)는 냉각에 의한 관통홀(110) 수축시, DC 포트(300)가 정전척 전극(100)의 상부 방향으로 밀려 올라가는 것을 방지하도록 기능할 수 있다.In this case, the DC port 300 according to the present invention may be mounted using a shrink fit process when mounted on the electrostatic chuck electrode 100 . For example, the size of the through hole 110 may be formed smaller than the size of the DC port 300 . That is, heat is applied to the electrostatic chuck electrode 100 so that the through-hole 110 is expanded, and the DC port 300 is inserted into the expanded through-hole 110 and then cooled to prevent the DC port 300 from being electrostatic. It may be mounted to and fixed to the chuck electrode 100 . The support part 320 may function to prevent the DC port 300 from being pushed up in the upper direction of the electrostatic chuck electrode 100 when the through hole 110 is contracted by cooling.

정전척 전극(100)에 인가되는 열의 온도는 관통홀(110)이 DC 포트(300)가 삽입 가능한 틈새를 형성할 수 있는 크기를 갖도록 하는 온도이거나, 또는 정전척 동작시, 정전척 전극(100)에서 발생되는 온도보다 높은 온도를 가질 수 있다. 즉, 정전척 전극(100)에서 발생되는 온도보다 높은 온도를 이용하여 정전척 전극(100)을 가열함으로써, 정전척 동작시, 정전척 전극(100)의 열팽창에 의한 관통홀(110) 확장의 마진을 확보할 수 있다.The temperature of the heat applied to the electrostatic chuck electrode 100 is a temperature at which the through hole 110 has a size at which the DC port 300 can be inserted, or, during the electrostatic chuck operation, the electrostatic chuck electrode 100 . ) may have a higher temperature than the temperature generated in That is, by heating the electrostatic chuck electrode 100 using a temperature higher than the temperature generated by the electrostatic chuck electrode 100 , the expansion of the through hole 110 due to thermal expansion of the electrostatic chuck electrode 100 during the electrostatic chuck operation is reduced. margin can be secured.

다른 실시예로써, 정전척 전극(100)은 상온을 유지한 상태에서, DC 포트(300)를 냉각시켜 DC 포트(300)가 수축되도록 하고, 수축된 DC 포트(300)를 상온의 정전척 전극(100)에 삽입하여 장착할 수 있다. 이때, DC 포트(300)를 냉각하기 위한 냉각 온도는 관통홀(110)이 DC 포트(300)가 삽입 가능한 틈새를 형성할 수 있는 크기를 갖는 온도를 가질 수 있다. 크기가 큰 정전척 전극(100)에 열을 인가하는 방식이 아닌, 상대적으로 크기가 작은 DC 포트(300)를 냉각하여 수축된 DC 포트(300)를 관통홀(110)에 삽입함으로써, 제조 시간을 단축할 수 있다. 또한, 냉각에 의한 DC 포트(300)를 수축시키기 위해, DC 포트(300) 표면은 열팽창 계수가 높은 금속 또는 비금속 재료로 코팅될 수 있다.As another embodiment, in a state where the electrostatic chuck electrode 100 is maintained at room temperature, the DC port 300 is cooled so that the DC port 300 is contracted, and the contracted DC port 300 is applied to the electrostatic chuck electrode at room temperature. It can be installed by inserting it into (100). At this time, the cooling temperature for cooling the DC port 300 may have a temperature at which the through-hole 110 has a size at which the DC port 300 can form an insertable gap. By inserting the DC port 300 contracted by cooling the relatively small DC port 300 into the through hole 110, rather than applying heat to the large electrostatic chuck electrode 100, manufacturing time can be shortened In addition, in order to shrink the DC port 300 by cooling, the surface of the DC port 300 may be coated with a metal or non-metal material having a high coefficient of thermal expansion.

도 4는 본 발명의 정전척에 장착된 부쉬형 DC 포트의 다른 실시예를 나타낸 도면이다.4 is a view showing another embodiment of the bush-type DC port mounted on the electrostatic chuck of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 정전척에 장착된 부쉬형 DC 포트(300)의 다른 실시예는 DC 포트(300)가 몸체부(310) 및 지지부(320)를 포함하되, 몸체부(310)의 가이드부(311)가 상부 방향으로 갈수록 직경이 작아지는 경사진 형태를 가질 수 있다. 즉, 가이드부(311)는 포트부(312) 및 지지부(320)보다 작은 직경을 가지되, 상부 방향으로 경사진 형태를 가질 수 있다. 가이드부(311)를 경사지게 형성함으로써, 인가된 열에 의해 확장된 관통홀(110)이 정전척 전극(100)의 열전도에 의해 냉각되어 수축하기 전에 빠르게 삽입되도록 할 수 있다. 따라서, 대형 사이즈의 정전척 전극(100) 전체를 가열하지 않고, 관통홀(110)이 형성된 일부 영역에만 열을 인가해도 DC 포트(300)가 빠르게 삽입되도록 할 수 있다. 이때, 관통홀(110)의 상단부도 가이드부(311)와 동일한 형태를 갖도록 경사지게 형성하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 4 , in another embodiment of the bush-type DC port 300 mounted on the electrostatic chuck of the present invention, the DC port 300 includes a body part 310 and a support part 320 , but the body part 310 . ) of the guide portion 311 may have an inclined shape in which the diameter decreases toward the upper direction. That is, the guide part 311 may have a smaller diameter than that of the port part 312 and the support part 320 , and may have an upwardly inclined shape. By forming the guide part 311 inclined, the through-hole 110 extended by the applied heat can be cooled by the heat conduction of the electrostatic chuck electrode 100 and quickly inserted before shrinking. Accordingly, the DC port 300 can be quickly inserted even when heat is applied only to a partial region in which the through-hole 110 is formed without heating the entire large-sized electrostatic chuck electrode 100 . At this time, it is preferable that the upper end of the through hole 110 is also inclined to have the same shape as the guide portion 311 .

DC 포트(300)는 열박음 공정을 이용하여 정전척 전극(100)에 삽입시 발생될 수 있는 팽창 또는 수축의 압축을 견딜 수 있는 소결된 세라믹 소재를 갖는 것이 바람직하다.The DC port 300 preferably has a sintered ceramic material capable of withstanding compression of expansion or contraction that may occur when inserted into the electrostatic chuck electrode 100 using a shrink fit process.

일반적으로, 정전척 전극(100)은 Al, SUS 또는 Ti 소재로 형성된다. 따라서, 세라믹 소재를 갖는 DC 포트(300)와는 아래의 표 1에서와 같이 열팽창계수 차이를 갖는다.In general, the electrostatic chuck electrode 100 is formed of Al, SUS, or Ti material. Therefore, the DC port 300 having a ceramic material has a difference in coefficient of thermal expansion as shown in Table 1 below.

MaterialMaterial 열팽창계수(m/m℃)Coefficient of thermal expansion (m/m℃) Al2O3 Al 2 O 3 8×10-6 8×10 -6 AlAl 23.6×10-6 23.6×10 -6 SUSSUS 16.2×10-6 16.2×10 -6 TiTi 8.5×10-6 8.5×10 -6

이러한 두 소재간 열팽창계수 차이에 의해 종래와 같이 DC 포트(20)를 정전척 전극(10)에 접착제를 이용하여 접착할 경우, DC 포트(20) 상부에 크렉(crack)이 발생되어 파손되거나, 크렉 발생 부위에 아킹이 유발되는 문제점을 갖는다.When the DC port 20 is adhered to the electrostatic chuck electrode 10 using an adhesive according to the prior art due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the two materials, a crack is generated in the upper part of the DC port 20 and damaged, There is a problem in that arcing is induced at the crack occurrence site.

따라서, 본 발명은 접착 방식이 아닌 열박음 방식을 이용하여 DC 포트(300)를 정전척 전극(100)에 장착한다.Accordingly, in the present invention, the DC port 300 is mounted to the electrostatic chuck electrode 100 using a shrink fit method instead of an adhesive method.

즉, 본 발명에 따른 DC 포트(300)의 크기보다 정전척 전극(100)의 관통홀(110) 크기를 작게 형성하고, 정전척 전극(100)에 열을 가하여 관통홀(110)의 크기를 확장시키거나, 또는 DC 포트(300)를 냉각시켜 DC 포트(300)를 수축시킴으로써 DC 포트(300)를 정전척 전극(100)에 장착한다. 따라서, 정전척 전극(100)의 관통홀(110)에 DC 포트(300)가 장착된 후에도, 열에 의해 관통홀(110)이 확장되는 마진을 확보할 수 있기 때문에 정전척 전극(100)과 DC 포트(300)의 열팽창계수 차이에 따른 DC 포트(300)의 파손을 방지할 수 있다. 또한, DC 포트(300) 상부에 가이드부(311)를 갖도록 형성하고, 하부에 지지부(320)를 갖도록 형성함으로써, 열박음 공정시 DC 포트(300)를 신속하게 삽입되도록 할 수 있고, 관통홀(110)의 수축에 의해 DC 포트(300)가 밀려 정전척 전극(100)의 상부면으로 돌출되는 것을 방지할 수 있다.That is, the size of the through hole 110 of the electrostatic chuck electrode 100 is formed smaller than that of the DC port 300 according to the present invention, and heat is applied to the electrostatic chuck electrode 100 to increase the size of the through hole 110 . The DC port 300 is mounted on the electrostatic chuck electrode 100 by expanding or cooling the DC port 300 to contract the DC port 300 . Therefore, even after the DC port 300 is mounted in the through hole 110 of the electrostatic chuck electrode 100 , a margin for expanding the through hole 110 by heat can be secured, so that the electrostatic chuck electrode 100 and the DC It is possible to prevent damage to the DC port 300 due to the difference in the coefficient of thermal expansion of the port 300 . In addition, by forming the DC port 300 to have the guide part 311 on the upper part and the support part 320 on the lower part, the DC port 300 can be quickly inserted during the shrink fit process, and the through hole It is possible to prevent the DC port 300 from being pushed by the contraction of 110 and protruding from the upper surface of the electrostatic chuck electrode 100 .

도 5 내지 도 8은 본 발명의 정전척에 따른 부쉬형 DC 포트를 장착하는 제조방법을 나타낸 도면이다.5 to 8 are views illustrating a manufacturing method for mounting a bush-type DC port according to the electrostatic chuck of the present invention.

우선, 도 5를 참조하면, 정전척 전극(100) 내에 관통홀(110)이 형성된다. 관통홀(110)은 정전척 전극(100)의 상부면에서 하부면으로 연장되도록 형성될 수 있다. 이때, 관통홀(110)은 정전척 전극(100)의 하부면에서 확장된 형태를 갖도록 형성될 수 있다. 즉, 관통홀(110)은 DC 포트(300)와 동일한 형태를 가지되, DC 포트(300)의 크기보다 작은 크기를 갖도록 형성될 수 있다.First, referring to FIG. 5 , a through hole 110 is formed in the electrostatic chuck electrode 100 . The through hole 110 may be formed to extend from the upper surface to the lower surface of the electrostatic chuck electrode 100 . In this case, the through hole 110 may be formed to have an extended shape on the lower surface of the electrostatic chuck electrode 100 . That is, the through hole 110 has the same shape as the DC port 300 , but may be formed to have a size smaller than the size of the DC port 300 .

도 6을 참조하면, 정전척 전극(100)에 열을 가하여 관통홀(110)을 확장시킨다. 이때, 정전척 전극(100)에 인가되는 열의 온도는 관통홀(110)이 DC 포트(300)가 삽입 가능한 틈새를 형성할 수 있는 크기를 갖도록 하는 온도이거나, 또는 정전척 동작시, 정전척 전극(100)에서 발생되는 온도보다 높은 온도를 가질 수 있다.Referring to FIG. 6 , heat is applied to the electrostatic chuck electrode 100 to expand the through hole 110 . In this case, the temperature of the heat applied to the electrostatic chuck electrode 100 is a temperature at which the through hole 110 has a size at which the DC port 300 can be inserted, or when the electrostatic chuck is operated, the electrostatic chuck electrode It may have a temperature higher than the temperature generated in (100).

도 7을 참조하면, 확장된 관통홀(110)에 DC 포트(300)를 삽입한다. 이때, DC 포트(300)의 가이드부(311)에 의해, 정전척 전극(100)이 냉각되어 관통홀(110)이 다시 수축되기 전에 DC 포트(300)를 빠르게 삽입할 수 있다. 또한, 가이드부(311)에 의해 대형 사이즈의 정전척 전극(100) 전체를 가열하지 않고, 관통홀(110)이 형성된 일부 영역에만 열을 인가해도 DC 포트(300)가 빠르게 삽입되도록 할 수 있다. DC 포트(300)를 관통홀(110) 내에 삽입할 때는, DC 포트(300)의 지지부(320)가 관통홀(110) 하부의 확장된 영역에 밀착되어 고정될 때까지 삽입하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 7 , the DC port 300 is inserted into the extended through-hole 110 . In this case, the DC port 300 may be quickly inserted before the through-hole 110 is contracted again as the electrostatic chuck electrode 100 is cooled by the guide part 311 of the DC port 300 . In addition, the DC port 300 can be quickly inserted even when heat is applied only to a partial region in which the through-hole 110 is formed without heating the entire large-sized electrostatic chuck electrode 100 by the guide part 311 . . When inserting the DC port 300 into the through hole 110, it is preferable to insert it until the support 320 of the DC port 300 is in close contact with the extended area under the through hole 110 and is fixed.

DC 포트(300)를 관통홀(110)에 삽입 후에는 정전척 전극(100)을 냉각시켜, 관통홀(110)이 수축되도록 하여 DC 포트(300)를 정전척 전극(100) 내에 고정시킬 수 있다. 이때, DC 포트(300)의 지지부(320)에 의해 DC 포트(300)의 몸체부(310)가 정전척 전극(100)의 상부로 돌출되는 것을 방지할 수 있다.After the DC port 300 is inserted into the through hole 110 , the electrostatic chuck electrode 100 is cooled to contract the through hole 110 , so that the DC port 300 can be fixed in the electrostatic chuck electrode 100 . have. In this case, it is possible to prevent the body 310 of the DC port 300 from protruding above the electrostatic chuck electrode 100 by the support 320 of the DC port 300 .

도 8을 참조하면, DC 포트(300)가 장착된 정전척 전극(100) 상부면에 유전체층(200)이 형성된다. 유전체층(200)은 정전척 전극(100)의 상부면을 모두 덮도록 형성될 수 있으며, 유전체층(200)이 형성된 후에 엠보스를 형성하기 위한 증착 공정이 수행될 수 있다.Referring to FIG. 8 , the dielectric layer 200 is formed on the upper surface of the electrostatic chuck electrode 100 on which the DC port 300 is mounted. The dielectric layer 200 may be formed to cover the entire upper surface of the electrostatic chuck electrode 100 , and a deposition process for forming embossing may be performed after the dielectric layer 200 is formed.

도 9 내지 도 11은 본 발명의 정전척에 따른 부쉬형 DC 포트를 장착하는 다른 제조방법을 나타낸 도면이다.9 to 11 are views showing another manufacturing method for mounting the bush-type DC port according to the electrostatic chuck of the present invention.

도 9를 참조하면, 정전척 전극(100)과 DC 포트(300)의 제조는 도 5에 도시된 정전척 전극(100)과 DC 포트(300)와 동일할 수 있다. 즉, 정전척 전극(100) 내에 관통홀(110)이 형성된다. 관통홀(110)은 정전척 전극(100)의 상부면에서 하부면으로 연장되도록 형성될 수 있다. 이때, 관통홀(110)은 정전척 전극(100)의 하부면에서 확장된 형태를 갖도록 형성될 수 있다. 즉, 관통홀(110)은 DC 포트(300)와 동일한 형태를 가지되, DC 포트(300)의 크기보다 작은 크기를 갖도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 9 , the electrostatic chuck electrode 100 and the DC port 300 may be manufactured in the same manner as the electrostatic chuck electrode 100 and the DC port 300 illustrated in FIG. 5 . That is, the through hole 110 is formed in the electrostatic chuck electrode 100 . The through hole 110 may be formed to extend from the upper surface to the lower surface of the electrostatic chuck electrode 100 . In this case, the through hole 110 may be formed to have an extended shape on the lower surface of the electrostatic chuck electrode 100 . That is, the through hole 110 has the same shape as the DC port 300 , but may be formed to have a size smaller than the size of the DC port 300 .

도 10을 참조하면, 정전척 전극은 상온 상태를 유지하고, DC 포트(300)를 냉각시켜 DC 포트(300)가 수축되도록 한다. 이때, DC 포트(300)를 냉각하는 냉각 온도는 관통홀(110)의 틈새를 통해 DC 포트(300)가 삽입 가능한 크기를 갖는 온도가 바람직하다.Referring to FIG. 10 , the electrostatic chuck electrode maintains a room temperature state and cools the DC port 300 so that the DC port 300 contracts. At this time, the cooling temperature for cooling the DC port 300 is preferably a temperature having a size at which the DC port 300 can be inserted through the gap of the through hole 110 .

도 11을 참조하면, 관통홀(110)에 수축된 DC 포트(300)를 삽입한다. 이때, DC 포트(300)의 가이드부(311)에 의해, DC 포트(300)가 원래의 크기로 다시 회복되기 전에 DC 포트(300)를 관통홀(110)에 빠르게 삽입할 수 있다. DC 포트(300)를 관통홀(110) 내에 삽입할 때는, DC 포트(300)의 지지부(320)가 관통홀(110) 하부의 확장된 영역에 밀착되어 고정될 때까지 삽입하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 11 , the contracted DC port 300 is inserted into the through hole 110 . At this time, by the guide part 311 of the DC port 300 , the DC port 300 can be quickly inserted into the through hole 110 before the DC port 300 is restored to its original size. When inserting the DC port 300 into the through hole 110, it is preferable to insert it until the support 320 of the DC port 300 is in close contact with the extended area under the through hole 110 and is fixed.

DC 포트(300)를 관통홀(110)에 삽입 후에는 DC 포트(300)에 열을 인가하여 DC 포트(300)를 원래의 크기로 회복시킴으로써, DC 포트(300)가 정전척 전극(100) 내에 고정되도록 한다. 이때, DC 포트(300)의 지지부(320)에 의해 DC 포트(300)의 몸체부(310)가 정전척 전극(100)의 상부로 돌출되는 것을 방지할 수 있다.After inserting the DC port 300 into the through-hole 110 , heat is applied to the DC port 300 to restore the DC port 300 to its original size, so that the DC port 300 is formed by the electrostatic chuck electrode 100 . to be fixed within. In this case, it is possible to prevent the body 310 of the DC port 300 from protruding above the electrostatic chuck electrode 100 by the support 320 of the DC port 300 .

또한, DC 포트(300)를 냉각시켜 수축된 DC 포트(300)를 정전척 전극(100)에 삽입되도록 함으로써, 대면적의 정전척 전극(100)에 열을 인가하는 방식에 비해, 제조시간을 단축시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, by cooling the DC port 300 and inserting the contracted DC port 300 into the electrostatic chuck electrode 100 , the manufacturing time is reduced compared to the method of applying heat to the electrostatic chuck electrode 100 having a large area. It has the effect of shortening it.

도 12를 참조하면, DC 포트(300)가 장착된 정전척 전극(100) 상부면에 유전체층(200)이 형성된다. 유전체층(200)은 정전척 전극(100)의 상부면을 모두 덮도록 형성될 수 있으며, 유전체층(200)이 형성된 후에 엠보스를 형성하기 위한 증착 공정이 수행될 수 있다.Referring to FIG. 12 , the dielectric layer 200 is formed on the upper surface of the electrostatic chuck electrode 100 on which the DC port 300 is mounted. The dielectric layer 200 may be formed to cover the entire upper surface of the electrostatic chuck electrode 100 , and a deposition process for forming embossing may be performed after the dielectric layer 200 is formed.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 정전척은 ESC 사용시 노출되는 온도를 설정하고, 설정된 온도에서 정전척에 형성된 관통홀(110)의 확장량을 예상하여 확장량보다 직경이 큰 DC 포트(300)를 열박음 공정을 통해 장착함으로써 열팽창계수에 따른 마진을 확보할 수 있다. 또한, 정전척과 DC 포트(300)의 열팽창계수 차이에 따른 마진을 확보함으로써 DC 포트(300)의 파손을 방지할 수 있다.As described above, the electrostatic chuck according to the present invention sets the temperature to which the ESC is exposed when using the ESC, and predicts the expansion amount of the through hole 110 formed in the electrostatic chuck at the set temperature, so that the diameter of the DC port 300 is larger than the expansion amount. The margin according to the coefficient of thermal expansion can be secured by installing the slab through the shrink fit process. In addition, damage to the DC port 300 may be prevented by securing a margin according to a difference in the coefficient of thermal expansion between the electrostatic chuck and the DC port 300 .

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.On the other hand, the embodiments of the present invention disclosed in the present specification and drawings are merely presented as specific examples to aid understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. It will be apparent to those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains that other modifications based on the technical spirit of the present invention can be implemented in addition to the embodiments disclosed herein.

100 : 정전척 전극 110 : 관통홀
200 : 유전체층 300 : DC 포트
310 : 몸체부 311 : 가이드부
312 : 포트부 320 : 지지부100: electrostatic chuck electrode 110: through hole
200: dielectric layer 300: DC port
310: body portion 311: guide portion
312: port 320: support

Claims (11)

피처리 기판을 지지하고, 상기 피처리 기판의 온도를 일정하게 유지시키되, 내부에 관통홀이 형성된 정전척 전극;
상기 정전척 전극 상부면에 형성되고, 표면에 돌기 형태의 엠보스를 갖는 유전체층; 및
상기 정전척 전극의 상기 관통홀 내에 배치되고, 원통 형상의 DC 포트를 포함하고,
상기 DC 포트의 외경은 상기 관통홀의 내경보다 더 큰 크기를 가지되, 상기 DC 포트는 열박음(shrinkage fitting) 공정에 의해 상기 관통홀 내에 삽입되는 것인 부쉬형 DC 포트를 갖는 정전척.an electrostatic chuck electrode supporting a target substrate and maintaining a constant temperature of the target substrate, the electrostatic chuck electrode having a through hole therein;
a dielectric layer formed on an upper surface of the electrostatic chuck electrode and having a protrusion-shaped embossing on the surface; and
It is disposed in the through hole of the electrostatic chuck electrode and includes a DC port having a cylindrical shape,
An outer diameter of the DC port is larger than an inner diameter of the through hole, and the DC port is inserted into the through hole by a shrinkage fitting process. 제1항에 있어서, 상기 DC 포트는,
원통형 형태를 갖는 몸체부; 및
상기 몸체부 하부에 연장되어 형성되되, 상기 몸체부의 직경보다 더 큰 직경을 갖는 지지부를 포함하는 부쉬형 DC 포트를 갖는 정전척.According to claim 1, wherein the DC port,
a body portion having a cylindrical shape; and
An electrostatic chuck having a bush-type DC port extending under the body part and including a support part having a larger diameter than the body part. 제2항에 있어서, 상기 몸체부는,
상기 몸체부 상부에 배치된 가이드부; 및
상기 가이드부와 상기 지지부 사이에 배치되고, 상기 가이드부의 직경보다 더 큰 직경을 갖는 포트부를 포함하는 부쉬형 DC 포트를 갖는 정전척.According to claim 2, wherein the body portion,
a guide part disposed on the upper part of the body part; and
An electrostatic chuck having a bush-type DC port disposed between the guide part and the support part and including a port part having a larger diameter than the guide part. 제2항에 있어서,
상기 몸체부는 상부 방향으로 갈수록 직경이 작아지는 형태를 갖는 것인 부쉬형 DC 포트를 갖는 정전척.3. The method of claim 2,
The electrostatic chuck having a bush-type DC port in which the body portion has a shape in which a diameter becomes smaller toward an upper direction. 피처리 기판을 지지하고, 상기 피처리 기판의 온도를 일정하게 유지시키되, 내부에 관통홀이 형성된 정전척 전극을 준비하는 단계;
상기 관통홀의 내경보다 더 큰 크기의 직경을 갖는 DC 포트를 준비하는 단계; 및
상기 DC 포트를 열박음(shrinkage fitting) 공정을 이용하여 상기 관통홀 내에 삽입하는 단계를 포함하는 부쉬형 DC 포트를 갖는 정전척 제조방법.preparing an electrostatic chuck electrode supporting a target substrate and maintaining a constant temperature of the target substrate, the electrostatic chuck electrode having a through hole formed therein;
preparing a DC port having a larger diameter than the inner diameter of the through hole; and
and inserting the DC port into the through hole using a shrinkage fitting process. 제5항에 있어서, 상기 DC 포트는,
원통형 형태를 갖는 몸체부; 및
상기 몸체부 하부에 연장되어 형성되되, 상기 몸체부의 직경보다 더 큰 직경을 갖는 지지부를 포함하는 부쉬형 DC 포트를 갖는 정전척 제조방법.According to claim 5, wherein the DC port,
a body portion having a cylindrical shape; and
A method of manufacturing an electrostatic chuck having a bush-type DC port extending from a lower portion of the body portion and including a support portion having a larger diameter than the diameter of the body portion. 제6항에 있어서, 상기 몸체부는,
상기 몸체부 상부에 배치되되, 상기 몸체부 상부 방향으로 갈수록 직경이 작아지는 형태를 갖는 가이드부; 및
상기 가이드부와 상기 지지부 사이에 배치되고, 상기 가이드부의 직경보다 더 큰 직경을 갖는 포트부를 포함하는 부쉬형 DC 포트를 갖는 정전척 제조방법.According to claim 6, The body portion,
a guide part disposed on the upper part of the body part, the guide part having a shape in which the diameter becomes smaller toward the upper part of the body part; and
A method of manufacturing an electrostatic chuck having a bush-type DC port, which is disposed between the guide part and the support part and includes a port part having a diameter larger than a diameter of the guide part. 제7항에 있어서, 상기 열박음 공정을 이용하는 단계는,
상기 정전척 전극에 열을 인가하여 상기 관통홀을 확장시키는 단계;
상기 정전척 전극에 인가된 열에 의해 확장된 상기 관통홀 내에 상기 가이드부를 이용하여 상기 DC 포트를 삽입하는 단계; 및
상기 지지부에 의해 상기 DC 포트가 상기 관통홀 내에서 고정된 상태를 확인한 후에, 상기 정전척 전극을 냉각시키는 단계를 더 포함하는 부쉬형 DC 포트를 갖는 정전척 제조방법.The method of claim 7, wherein the step of using the shrink fit process comprises:
expanding the through hole by applying heat to the electrostatic chuck electrode;
inserting the DC port using the guide part into the through hole extended by the heat applied to the electrostatic chuck electrode; and
and cooling the electrostatic chuck electrode after confirming that the DC port is fixed in the through hole by the support part. 제5항에 있어서, 상기 정전척 전극에 열을 인가하는 단계에서,
상기 정전척 전극에 인가되는 열의 온도는 정전척 동작시 상기 정전척 전극에 발생되는 온도보다 작은 온도의 열이 인가되는 것인 부쉬형 DC 포트를 갖는 정전척 제조방법.The method of claim 5 , wherein in the step of applying heat to the electrostatic chuck electrode,
The method for manufacturing an electrostatic chuck having a bush-type DC port, wherein the temperature of the heat applied to the electrostatic chuck electrode is lower than the temperature generated in the electrostatic chuck electrode during the electrostatic chuck operation. 제5항에 있어서, 상기 DC 포트를 삽입하는 단계는,
상기 DC 포트 표면에 본딩 처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 부쉬형 DC 포트를 갖는 정전척 제조방법.The method of claim 5, wherein inserting the DC port comprises:
The method of manufacturing an electrostatic chuck having a bush-type DC port further comprising the step of performing a bonding process on the surface of the DC port. 제7항에 있어서, 상기 열박음 공정을 이용하는 단계는,
상기 DC 포트를 냉각시켜 상기 DC 포트를 수축시키는 단계;
상기 관통홀 내에 상기 냉각에 의해 수축된 상기 DC 포트를 상기 가이드부를 이용하여 삽입하는 단계; 및
상기 지지부에 의해 상기 DC 포트가 상기 관통홀 내에서 고정된 상태를 확인한 후에, 상기 DC 포트에 열을 인가하는 단계를 포함하는 부쉬형 DC 포트를 갖는 정전척 제조방법.The method of claim 7, wherein the step of using the shrink fit process comprises:
cooling the DC port to shrink the DC port;
inserting the DC port contracted by the cooling into the through hole using the guide part; and
and applying heat to the DC port after confirming that the DC port is fixed in the through hole by the support part.
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