JP4355159B2

JP4355159B2 - Electrostatic chuck holder and substrate processing apparatus

Info

Publication number: JP4355159B2
Application number: JP2003110701A
Authority: JP
Inventors: 康実佐護; 一秋金子; 拓士岡田; 真義池田
Original assignee: Canon Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 2002-04-16
Filing date: 2003-04-15
Publication date: 2009-10-28
Anticipated expiration: 2023-04-15
Also published as: KR20030082473A; KR100886120B1; JP2004006813A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願の発明は、基板を静電吸着して保持する静電吸着ホルダーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
基板を静電吸着して保持する静電吸着ホルダーは、基板の表面に所定の処理を施す基板処理の分野で盛んに使用されている。例えば、ＬＳＩ（大規模集積回路）をはじめとする各種半導体デバイスや液晶ディスプレイ等の製造においては、製品の元になる基板を処理する工程が多々存在している。この際、処理の均一性や再現性のため、処理中に基板を所定の位置に保持すべく、静電吸着ホルダーが使用される。例えば、レジストパターンをマスクとしたエッチング処理では、プラズマ中で生成されるイオンや活性種の作用を利用してエッチングが行われる。この際、プラズマに対して最適な空間位置に基板を保持するため、静電吸着ホルダーが使用される。
静電吸着ホルダーは、大まかには、静電吸着のための電圧が印加される吸着電極と、吸着電極に印加された電圧によって誘電分極する部材であって基板が直接接する部材である誘電体プレートとから構成されている。基板は、誘電体プレートの表面に誘起された静電気により吸着されて保持される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上述した静電吸着ホルダーにおいては、吸着した基板が安定した状態であることが要請される。例えば、基板の処理中に基板の位置が変化したり基板の姿勢が変化したりすると、処理の再現性や均一性が低下する問題がある。
処理の再現性や均一性の観点から基板処理の際に問題となるのは、静電吸着ホルダーの熱変形や熱膨張である。室温より高い温度に基板を保持して処理したり、基板が処理の際に熱を受けて温度上昇したりする場合、静電吸着ホルダーも基板と同様に温度上昇する。この際、静電吸着ホルダーに熱変形や熱膨張が生ずると、吸着保持している基板にも変形や位置ずれが生ずる恐れがある。
本願の発明は、かかる課題を解決するため成されたものであり、基板の変形や位置ずれを抑えた優れた性能の静電吸着ホルダーを提供する技術的意義がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願の請求項１記載の発明は、板状の対象物を静電吸着して保持する静電吸着ホルダーであって、
表面が静電吸着面である誘電体プレートと、
吸着電極と、
誘電体プレートと吸着電極との間に設けられているとともに誘電体プレートと吸着電極との中間の熱膨張率を持つ材料より成る第一の層と、
吸着電極の誘電体プレートとは反対側に設けられているともに誘電体プレートと吸着電極との中間の熱膨張率を持つ材料より成る第二の層と、
金属製のホルダー本体と
を備えおり、
前記誘電体プレートはアルミナより成るものであって、前記吸着電極はアルミニウムより成るものであり、前記第一の層はシリコンカーバイドとアルミニウムの複合材より成るものであり、
前記誘電体プレートと前記第一の層とは、インジウムを主成分とするろう材でろう付けされており、
前記吸着電極は前記ホルダー本体に短絡されており、吸着電源がホルダー本体に接続された際、吸着電源による電圧がホルダー本体を介して吸着電極に印加されるものであるという構成を有する。
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態について説明する。
まず、静電吸着ホルダーの発明の実施形態について説明する。図１は、静電吸着ホルダーの発明の実施形態の正面断面概略図である。図１に示す静電吸着ホルダーは、ホルダー本体４１と、表面が静電吸着面である誘電体プレート４２と、静電吸着用の電圧が印加される吸着電極４３とから主に構成されている。
【０００６】
本実施形態の静電吸着ホルダーは、全体としては台状であり、上面に板状の対象物９を載置して保持するものである。ホルダー本体４１はアルミニウム又はステンレスなどの金属製である。ホルダー本体４１は、高さの低いほぼ円柱状である。
吸着電極４３は、ホルダー本体４１上に固定されている。図１に示すように、吸着電極４３は、下端部の周囲にフランジ状の部分（以下、電極フランジ）を有する。吸着電極４３は、この電極フランジの部分においてホルダー本体４１に対してネジ止めされることでホルダー本体４１に対して固定されている。尚、吸着電極４３は、ホルダー本体４１に対して電気的に短絡された状態で固定されている。
【０００７】
また、ネジ止めされた電極フランジの部分を覆うようにして保護リング４９が設けられている。保護リング４９は、酸化シリコンのような絶縁物で形成されている。保護リング４９は、吸着電極４３の側面や電極フランジの表面を覆って保護するものである。後述するように、静電吸着ホルダーがプラズマが存在する環境下や放電用の電極として使用される場合、保護リング４９は、吸着電極４３の側面や保護リング４９の表面をプラズマや放電による損傷から保護する。また、静電吸着ホルダーが基板処理に使用される場合、基板がシリコンウェーハであれば、酸化シリコン製の保護リング４９を設けることで、保護リング４９がエッチングされても基板を汚損する可能性は低くなる。
【０００８】
誘電体プレート４２は、吸着電極４３の上側に位置している。吸着電極４３は、図１に示すように、上方に突出した凸部と、その周囲のフランジ状の部分（以下、プレートフランジ）とから成っている。誘電体プレート４２は、吸着電極４３とほぼ同径の円盤状である。
【０００９】
上記静電吸着ホルダーには、吸着電源４０が接続される。吸着電源４０のタイプは、吸着の方式によって多少異なるが、本実施形態では、単極式となっており、正の直流電源が吸着電源４０として採用されている。吸着電源４０は、ホルダー本体４１に接続されており、ホルダー本体４１を介して正の直流電圧を吸着電極４３に印加するようになっている。
吸着電極４３に電圧が印加されると、前述したように、誘電体プレート４２に誘電分極が生じ、対象物９が静電吸着される。本実施形態では、正の直流電圧が印加されるので、誘電体プレート４２の表面には正の電荷が誘起され、これにより対象物９が静電吸着される。
【００１０】
尚、静電吸着のメカニズムとしては、二つのものが知られている。一つは、クーロン力によるものであり、もう一つはジョンソンラーベク力によるものである。ジョンソンラーベク力は、微小な領域に電流が集中することにより生ずる吸着力である。即ち、誘電体プレート４２の表面や対象物９の裏面は、微視的には小さな凹凸があり、対象物９が誘電体プレート４２に載置された際には、これらの凹凸が接触している。吸着電源４０が動作して誘電体プレート４２の表面に電荷が誘起されると、これらの微小な凹凸の接触箇所に電流が集中して流れ、この結果、ジョンソンラーベク力による吸着力が生ずる。本実施形態のような静電吸着ホルダーは、クーロン力よりもジョンソンラーベク力の方が支配的であり、主にジョンソンラーベク力により静電吸着が成される。但し、ジョンソンラーベク力が支配的であるものに本願発明が限定される訳ではない。
【００１１】
さて、本実施形態の静電吸着ホルダーの大きな特徴点は、静電吸着中に熱による対象物９の変位や変形を抑えるための効果的な構成を備えている点である。以下、この点について説明する。
本実施形態のような静電吸着ホルダーは、室温より高い温度の環境下で対象物９の保持を行うことが想定されている。これは、後述するような基板処理装置の場合の他、高温環境下での試験のために対象物９を吸着保持するような場合があげられる。本実施形態の静電吸着ホルダーは、高温状態においても、対象物９の変位や変形が抑制されている。
【００１２】
具体的に説明すると、まず、図１に示すように、誘電体プレート４２と吸着電極４３との間には、第一の層として緩和層４４が挟み込まれている。緩和層４４は、誘電体プレート４２と吸着電極４３との熱膨張率の差を緩和し、誘電体プレート４２の熱による変形や変位を抑制するものである。より具体的には、緩和層４４は、吸着電極４３と誘電体プレート４２の中間の熱膨張率を有する。「中間の熱膨張率」とは、例えば吸着電極４３の熱膨張率の方が誘電体プレート４２より大きい場合、吸着電極４３より小さく且つ誘電体プレート４２より大きい熱膨張率ということである。また、誘電体プレート４２の熱膨張率が吸着電極４３よりより大きい場合、誘電体プレート４２より小さく且つ吸着電極４３より大きい熱膨張率ということである。
【００１３】
さらに具体的に説明すると、本実施形態では、吸着電極４３は、アルミニウムで形成されている。また、誘電体プレート４２は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）で形成されている。そして、緩和層４４は、セラミックスと金属の複合材で形成されている。
アルミニウムとアルミナとの中間の熱膨張率を持つ複合材としては、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）とアルミニウムの複合材（以下、ＳｉＣ−Ａｌ複合材）があげられる。アルミニウムの熱膨張率は、０．２３７１０^−４／Ｋ、アルミナの熱膨張率は７．３×１０^−６／Ｋである。この場合、１０×１０^−６／Ｋ程度の熱膨張率を有するＳｉＣ＋Ａｌ複合材が、緩和層４４の材料として選定される。
【００１４】
このようなＳｉＣ＋Ａｌ複合材としては、ＳｉＣ粉末を高温高圧で焼結させてポーラスな（多孔性の）部材（以下、多孔性セラッミクス）を成形し、融解したアルミニウムをその中に流し込んで充填し、その後に冷却したものが使用できる。多孔性セラミックスの焼結時の温度と圧力を適宜選定することにより、多孔性セラミックスの体積開口率が調整できる。この結果、充填するアルミニウムの量も調整できる。尚、体積開口率は、ポーラスでないセラッミクスの密度に対する多孔性セラミックスの密度の比により求められる。尚、このようにして得られた複合材を機械加工することで、図１に示すような形状の緩和層４４が製作される。このようにして製作するＳｉＣ＋Ａｌ複合材の熱膨張率は、両者の成分比によって異なる。体積開口率を調整して所望の成分比を得ることで、上述した１０×１０^−６／Ｋの熱膨張率とすることができる。
【００１５】
また、どちらかというと、緩和層４４の熱膨張率は誘電体プレート４２に近い方が好ましい。アルミニウムの熱膨張率が０．２３７×１０^−４／Ｋ、アルミナの熱膨張率が７．３×１０^−６／Ｋであることを考慮すると、緩和層４４の熱膨張率は９．５×１０^−６／Ｋ以上であって１０．５×１０^−６／Ｋ以下とすることが好ましい。これには、全体に対してシリコンカーバイドの体積比を５０％〜６０％にしておけば良い。このようにすると、誘電体プレート４２の熱による変形や変位を抑制する効果がさらに高く得られる。尚、「誘電体プレート４２に近い熱膨張率」とは、誘電体プレート４２と吸着電極４３とのちょうど中間の熱膨張率よりも誘電体プレート４２の熱膨張率に近い、という意味である。
【００１６】
また、図１に示すように、本実施形態の静電吸着ホルダーでは、吸着電極４３の誘電体プレート４２とは反対側の表面に、第二の層として被覆層４５が設けられている。つまり、吸着電極４３が緩和層４４と被覆層４５によって挟まれた構造となっている。本実施形態では、被覆層４５は、吸着電極４３とホルダー本体４１との間に挟み込まれた状態となっている。
この被覆層４５も、誘電体プレート４２と吸着電極４３との中間の熱膨張率を持つ材料より形成されている。被覆層４５の材料を緩和層４４と同じにすればこの要件を満足するが、被覆層４５の材料に緩和層４４とは異なる材料を用いても良い。
【００１７】
このように、誘電体プレート４２と吸着電極４３との中間の熱膨張率を持つ材料よりなる緩和層４４と被覆層４５で吸着電極４３を挟んだ構造にしておくと、静電吸着される対象物９の熱による変形や変位を効果的に抑制できる。以下、この点について、図２を使用して詳細に説明する。図２は、図１に示す静電吸着ホルダーの技術的意義について模式的に示した図である。
【００１８】
吸着電極４３は金属であり、誘電体プレート４２はその名の通り誘電体製であるから、一般的に熱膨張率の差が大きい。そして、誘電体プレート４２が吸着電極４３に対して固定されているため、静電吸着ホルダーが熱を受けて全体に温度上昇した際、両者の熱膨張率の違いから、吸着電極４３が大きく変形し易い。この結果、図２（１）に示すように誘電体プレート４２も凸状に変形したり、図２（２）に示すように凹状に変形したりすることがある。このような誘電体プレート４２の変形が生ずると、吸着されている対象物９に変形や変位が生ずる恐れがある。
【００１９】
このような場合、図２（３）に示すように、吸着電極４３と静電吸着ホルダーの間に、中間の熱膨張率を持つ緩和層４４を挿入してやると、熱膨張率の差が緩和され、誘電体プレート４２の変形は抑制される。本願の発明者の研究によると、このような緩和層４４に加え、図２（４）に示すように、さらに反対側にも同様の層（被覆層４５）を設けてやると、さらに誘電体プレート４２の変形が抑えられることが判明した。この理由は、完全に明らかになった訳ではないが、一つには、同様の熱膨張率を持つ層により吸着電極４３がサンドイッチされることで、両側の面の熱膨張のバランスが取れた状態になることが考えられる。また、同様の熱膨張率を持つ層により吸着電極４３がサンドイッチされることで、吸着電極４３の内部応力のバランスが均一になることが原因であるとも考えられる。
【００２０】
内部応力に着目すると、緩和層４４や被覆層４５の内部応力が吸着電極４３の変形を抑制する働きを有しているとも考えられる。例えば、吸着電極４３が上に凸になるように変形しようとした場合、緩和層４４や被覆層４５の内部応力はそれを抑える向きに、つまり下に凸になるように変形するよう作用することがあり得る。また、吸着電極４３に圧縮応力が発生した際、緩和層４４や被覆層４５に引っ張り応力が発生したり、逆に、吸着電極４３に引っ張りが発生した際、緩和層４４や被覆層４５に圧縮が発生することがあり得ると考えられる。一般的に言えば、吸着電極４３の内部応力とは逆向きの内部応力を緩和層４４や被覆層４５が有するということである。この場合の逆向きとは、完全に逆向きでなくともよい。ベクトルで言えば、吸着電極４３の内部応力に対し緩和層４４や被覆層４５の内部応力が９０度を越える角度を成すということである。
【００２１】
いずれにしても、被覆層４５を設けることで、吸着電極４３の変形がさらに抑制され、誘電体プレート４２の変形、及びこれに起因した対象物９の変形や変位がさらに抑制される。尚、被覆層４５が緩和層４４と同様の熱膨張率を持つとは、熱膨張率の値が一致しているということではなく、吸着電極４３と誘電体プレート４２の中間の熱膨張率を持つ、という点で「同様」ということに過ぎない。とはいえ、本実施形態では、緩和層４４と同様のセラッミクスと金属の複合材（例えばＳｉＣ−Ａｌ複合材）が被覆層４５の材料に用いられている。被覆層４５に用いた複合材は、充分な金属含有量を有し、導電性である。これは、被覆層４５が吸着電極４３とホルダー本体４１との間を絶縁しないようにするためである。
【００２２】
尚、誘電体プレート４２の固定の仕方も、誘電体プレート４２の変形等を抑制する上で重要である。ねじ止めのようなスポット的な方法で誘電体プレート４２を固定した場合、固定箇所でピンチされた状態となるとともに固定箇所において局所的に熱伝達性が向上するため、誘電体プレート４２の熱変形が助長される問題がある。
【００２３】
本実施形態では、誘電体プレート４２は、インジウムを主成分とするろう付けにより緩和層４４を挟んで吸着電極４３に接合されている。この場合の「主成分とする」とは、１００％インジウムでも良いし、何らかの添加物が入っていても良い。
例えばインジウムで形成された薄いシート状の部材を誘電体プレート４２と緩和層４４との間に挟み込み、１２０〜１３０℃程度に加熱した後に冷却して全面ろう付けすることで、接合が行われる。
【００２４】
尚、熱接触性や機械的強度を向上させる観点から、ろう付けの際、機械的に圧力をかけて界面での拡散を生じさせる拡散接合の手法を採用することが好ましい。例えば、５７０〜５９０℃程度に加熱し、１〜２ＭＰａ（メガパスカル）程度の圧力をかけて接合する。
このようなろう付けにより誘電体プレート４２が接合されているため、誘電体プレート４２の熱変形がさらに効果的に抑制されている。尚、ろう材としては、尚、緩和層４４と吸着電極４３との固定、吸着電極４３と被覆層４５との固定についても、同様のろう付けとすることができる。
【００２５】
また、誘電体プレート４２、吸着電極４３、緩和層４４及び被覆層４５の合計の厚さ（以下、全体厚さ）は、２８ｍｍ以上３２ｍｍ以下であることが好ましい。これは、次のような理由による。全体厚さが２８ｍｍ未満であると、まず全体に薄くなるので、前述したような熱変形が生じやすくなる。また、２８ｍｍ未満であると、後述するように吸着電極４３内に冷媒流通用の空洞が設けられる場合、その空洞の容積や冷媒が接触する面の面積が足りずに冷却が充分できなかったりする問題がある。一方、全体厚さが３２ｍｍを越えると、必要以上に大きくなり、占有スペース上の問題やコスト上の問題が発生する。吸着電極３２を固定するネジとして長いものが必要になってしまう問題や、保護リング４９も大きなものが必要になってしまう問題も発生する。このようなことから、全体厚さは、２８ｍｍ以上３２ｍｍ以下とすることが好ましい。
【００２６】
次に、基板処理装置の発明の実施形態について説明する。本願発明の基板処理装置は、基板を室温より高い所定の温度に維持しつつ処理する装置である。以下の説明では、このような装置の一例として、プラズマエッチング装置を採り上げる。また、以下の説明では、「対象物」をその下位概念である「基板」に言い換える。
【００２７】
図３は、基板処理装置の発明の実施形態の正面断面概略図である。図３に示す装置は、内部で基板９の表面のエッチングがなされる処理容器１と、処理容器１内に所定のプロセスガスを導入するプロセスガス導入系２と、プロセスガスにエネルギーを与えて処理容器１内にプラズマを形成するプラズマ形成手段３と、プラズマの作用によってエッチングされる処理容器１内の所定の位置に基板９を静電吸着して保持する静電吸着ホルダー４とから主に構成されている。静電吸着ホルダー４は、上述した実施形態のものとほぼ同様である。
【００２８】
処理容器１は、気密な真空容器であり、排気系１１によって内部が排気されるようになっている。処理容器１は、ステンレス等の金属で形成されたおり、電気的には接地されている。排気系１１は、ドライポンプ等の真空ポンプ１１１及び排気速度調整器１１２を備えており、処理容器１内を１０^−３Ｐａ〜１０Ｐａ程度の真空圧力に維持することが可能になっている。
【００２９】
プロセスガス導入系２は、プラズマエッチングに必要なプロセスガスを所定の流量で導入できるようになっている。本実施形態では、ＣＨＦ_３等の反応性ガスをプロセスガスとして処理容器１内に導入するようになっている。プロセスガス導入系２は、ＣＨＦ_３のようなフッ素系ガスのプロセスガスを溜めた不図示のガスボンベと、ガスボンベと処理容器１とを繋ぐ配管等から構成されている。
【００３０】
プラズマ形成手段３は、導入されたプロセスガスに高周波エネルギーを与えてプラズマを形成するようになっている。即ち、プラズマ形成手段３は、静電吸着ホルダー４に対向するようにして処理容器１内に設けられた対向電極３０と、対向電極３０に高周波電圧を印加するプラズマ用高周波電源３１により構成されている。プラズマ用高周波電源３１は、周波数が数１００ｋＨｚ〜数１０ＭＨｚ程度のものであり、不図示の整合器を介して対向電極３０に接続されている。プラズマ用高周波電源３１の出力は、３００〜２５００Ｗ程度でよい。対向電極３０は、絶縁部３２を介在させながら処理容器１に気密に取り付けられている。
【００３１】
プラズマ用高周波電源３１が対向電極３０に高周波電圧を印加すると、処理容器１内に高周波電界が設定され、導入されたプロセスガスに高周波放電が生じ、プラズマが形成される。フッ素系ガスのプラズマ中では、フッ素又はフッ素化合物のイオンや活性種が盛んに生成され、これらのイオンや活性種が基板９に到達することにより基板９の表面がエッチングされる。
尚、静電吸着ホルダー４には、基板９に効率よくイオンを入射させるためのイオン入射用高周波電源６がキャパシタンスを介して接続されている。プラズマが形成されている状態でイオン入射用高周波電源６が動作すると、プラズマと高周波電界の相互作用により、負の直流分の電圧である自己バイアス電圧が基板９に与えられる。この自己バイアス電圧によりイオンが効率良く基板９に入射するため、エッチングが効率よく行われる。
【００３２】
また、本実施形態における静電吸着ホルダー４は、誘電体プレート４２のプレートフランジに、補正リング４６が設けられている。補正リング４６は、誘電体プレート４２上の基板９とほぼ面一になるよう設けられている。補正リング４６は、単結晶シリコン等の基板９と同じ又は類似した材料で形成されている。補正リング４６は、基板９の周辺部分における処理の不均一化を防止するものである。
本実施形態の装置において、基板９の周辺部分は、基板９の端面からの熱放散があるため、中央部分に比べて温度が低くなり易い。そこで、端面からの熱の放散に見合うだけの熱が与えられるように、基板９と同じ材料で形成された補正リング４６を基板９の周囲に設けて基板９の温度を均一にしている。
【００３３】
また、処理容器１内に形成されたプラズマは、エッチングの過程で基板９から放出されるイオンや電子によっても維持されている。プラズマが形成された空間全体のうち基板９の周辺部分を臨む部分は、基板９の中央部分を臨む部分に比べてイオンや電子の供給が少なく、プラズマ密度が低くなっている。このため、基板９と同じ材料で形成された補正リング４６を周囲に設けることにより、基板９の周辺部分を臨む空間部分への電子やイオンの供給量を相対的に多くしてプラズマ密度を均一にしている。
【００３４】
静電吸着ホルダー４は、絶縁ブロック４７を介して処理容器１に取り付けられている。絶縁ブロック４７は、アルミナ等の絶縁材で形成されており、ホルダー本体４１と処理容器１とを絶縁するとともに、ホルダー本体４１をプラズマから保護するようになっている。尚、処理容器１内に真空リークが生じないようにするため、静電吸着ホルダー４と絶縁ブロック４７との間及び処理容器１と絶縁ブロック４７との間にＯリング等の封止部材が設けられている。
【００３５】
また、本実施形態では、処理中に基板９を冷却しながら温度制御する温度制御手段５が設けられている。エッチングの際に維持すべき基板９の温度（以下、最適温度）は、室温より高いある程度の高温である場合が多い。しかしながら、基板９はエッチング中にプラズマからの熱を受けて温度上昇し、最適温度を超えてしまう場合が多い。温度制御手段５は、エッチング中に基板９を冷却し、最適温度に維持するようにしている。
【００３６】
図３に示すように、吸着電極４３は、内部に空洞を有している。温度制御手段５は、この空洞に冷媒を流通させて吸着電極４３を冷却し、間接的に基板９を冷却するものである。温度制御手段５は、吸着電極４３内の空洞に冷媒を供給する冷媒供給管５１と、空洞から冷媒を排出する冷媒排出管５２と、冷媒の温度調節を行いながら冷媒を循環させるサーキュレータ５３等から構成されている。冷媒としては、流体が用いられ、例えば３Ｍ社製のフロリナート（商品名）が使用される。温度制御手段５は、冷媒を３０〜４０℃程度にして循環させることで、基板９を室温より高い８０〜９０℃程度に冷却するよう構成されている。
【００３７】
尚、静電吸着された基板９と誘電体プレート４２との間にガスを供給して熱伝達性を向上させる不図示の熱伝達用ガス導入系が設けられている。基板９の裏面の微小な凹凸及び誘電体プレート４２の表面の微小な凹凸により形成される微小な空間は、真空圧力となり、熱伝達性が悪い。熱伝達用ガス導入系は、この微小な空間にヘリウムのようなガスを導入して熱伝達性を改善する。
また、静電吸着ホルダー４は、基板９の受け渡しのためのリフトピン４８を内蔵している。リフトピン４８は、不図示の昇降機構によって昇降するようになっている。リフトピン４８は、図３では一本のみが示されているが、実際には三本程度設けられている。
【００３８】
次に、上記実施形態の基板処理装置の動作について説明する。
不図示の搬送機構によって基板９が処理容器１内に搬入され静電吸着ホルダー４上に載置されると、吸着電源４０が動作し、基板９は静電吸着ホルダー４に静電吸着される。排気系１１によって処理容器１内は予め所定の圧力まで排気されている。この状態で、プロセスガス導入系２が動作し、所定のプロセスガスが導入される。そして、プラズマ用高周波電源３１が動作し、前述したようにプラズマが生成されてエッチングが行われる。温度制御手段５は、基板９を冷却しながら最適温度に維持する。このようにして所定時間エッチングを行った後、プロセスガス導入系２、プラズマ用高周波電源３１、イオン入射用高周波電源６の動作を停止する。そして、吸着電源４０の動作を停止させて静電吸着を解除し、処理容器１内を排気した後、不図示の搬送機構によって基板９が搬出される。
【００３９】
上記基板処理装置では、エッチング中に吸着電極４３は室温より高い温度となるものの、前述したように、緩和層４４と被覆層４５により変形が抑えられる。このため、誘電体プレート４２の変形及びこれに起因した基板９の変形や変位も抑制される。従って、処理の均一性や再現性が高くなる。
【００４０】
緩和層４４及び被覆層４５による熱変形の抑制の技術的意義は、本実施形態のように補正リング４６を使用する場合に著しい。以下、この点について説明する。
補正リング４６は、基板９を外側に向けて実質的に延長した（大きくした）構成とするものであり、前述したように基板９と同様の材質であって基板９とほぼ面一となるものである。このため、誘電体プレート４２は、プレートフランジを有し、この部分に補正リング４６が配置される。補正リング４６は、基板９と同様に静電吸着され、前述した作用効果を奏する。
【００４１】
ここで、補正リング４６が置かれたプレートフランジは、厚さが薄く、また周縁部であるため、熱変形し易く変形量も大きくなり易い。もし、補正リング４６に変形や変位が生ずると、基板９の端面からの熱放散を補償する作用が不均一になってしまう。また、変形や変位によって補正リング４６の誘電体プレート４２に対する熱接触性が低下し、基板９に比べて温度が高くなってしまう。特に問題なのは、補正リング４６の誘電体プレート４２に対する熱接触性の低下がランダムに生ずると、補正リング４６が基板９を加熱する作用もランダムに生じ、処理の際の基板９の温度の再現性が大きく低下してしまう点である。
本実施形態では、前述したように吸着電極４３の変形を抑え込むことで誘電体プレート４２の変形や変位を抑制しているので、補正リング４６の変形や変位もまた抑制されている。このため、上述した基板９の温度の不均一化や再現性低下が抑制されている。
【００４２】
次に、上記本実施形態の構成による効果について確認した実験の結果について説明する。図４から図７は、実施形態の構成による効果について確認した実験の結果について概略的に示した図である。
図４から図７に結果を示す実験は、前述した実施形態の静電吸着ホルダー４を異なる温度（又は温度履歴）にした状態で、誘電体プレート４２の表面の変形又は変位を測定したものである。測定は、静電吸着ホルダー４の上方に一定の高さを設定し、この高さから誘電体プレート４２の表面の各点までの距離を距離計により計測することにより行われた。
【００４３】
図４及び図５は、誘電体プレート４２の凸部の表面の各点の高さを示している。このうち、図４は、緩和層４４及び被覆層４５のない従来タイプの静電吸着ホルダーの場合、図５は、緩和層４４及び被覆層４５のある実施形態のタイプの静電吸着ホルダー４の場合である。また、図６及び図７は、誘電体プレート４２のフランジ部の表面の各点の高さを示している。図６は、緩和層４４及び被覆層４５のない従来タイプの静電吸着ホルダーの場合、図７は、緩和層４４及び被覆層４５のある実施形態のタイプの静電吸着ホルダー４の場合である。尚、図６及び図７におけるプレートフランジの表面上の点（▲１▼，▲２▼，▲３▼，▲４▼）が具体的にどこであるのか、同様の符号（▲１▼，▲２▼，▲３▼，▲４▼）で図１中に指し示されている。
【００４４】
図４から図７において、Ａは、２０℃の状態で一晩放置してからそのまま２０℃の条件で測定したデータ、Ｂは５℃に維持して測定したデータ、Ｃは、５℃にした後に加熱して２０℃にして測定したデータ、Ｄは、５０℃に維持して測定したデータ、Ｅは５０℃にした後に強制冷却して２０℃にして測定したデータである。尚、静電吸着ホルダー４は、リフトピン４８等のような内蔵部材のため表面に開口を有するが、開口の部分に相当するデータは図４から図７では無視されている。
【００４５】
まず、図４から図７に示すデータにおいて、一般的に、温度が高い方が誘電体プレート４２の表面は高い位置に位置している。これは、静電吸着ホルダー４全体の熱膨張に主に起因しており、ある意味で当然の結果である。問題なのは、誘電体プレート４２の表面の変位又は変形の仕方が温度又は温度履歴によって異なることである。
即ち、図５に示す、静電吸着ホルダー４の表面の各点の高さを結んだ線（以下、表面高さ分布）は、同様の形状を描きながら、温度又は温度履歴によって上昇したり下降したりしている。つまり、平行移動している。これは、誘電体プレート４２が、基本的には変形せず、全体に均一に熱膨張していることを示していると考えられる。
【００４６】
しかし、図４では、表面高さ分布は、異なる形状を描きながら温度又は温度履歴によって上昇したり下降したりしている。つまり、平行移動していない。これは、誘電体プレート４２の変形が生じていることを示していると考えられる。特に問題なのは、温度履歴によって表面高さ分布が異なる形状になってしまうことである。つまり、同じ２０℃の場合の測定であっても、一晩放置して自然になった場合と、５℃の後に加熱してなった場合と、５０℃の後に強制冷却してなった場合とでは、表面高さ分布は異なった曲線になってしまっている。
【００４７】
プレートフランジにおけるデータについても、同様のことがいえる。即ち、図６及び図７とを比較すると解るように、緩和層４４及び被覆層４５がある場合は、表面高さ分布は平行移動しながら上昇したり下降したりしているが、それらが無い従来の構成では、そうはなっていない。そして、温度履歴が相違する場合も、表面高さ分布は異なる曲線となっている。
【００４８】
温度履歴によって表面高さ分布が異なってしまうことは、基板処理の再現性という点で深刻な問題をもたらす。基板処理装置は、製造メーカーで製造され、出荷テスト等を経て生産ラインに組み込まれて使用される。しかしながら、実際に基板処理が行われるまでの静電吸着ホルダー４の温度履歴は、常に同じという訳にはいかない。たとえ全く同じ処理を行う装置であっても、出荷テストや生産ラインでの稼働テスト等において、異なる温度履歴になることが殆どである。さらに、基板９の枚葉処理を考えてみると、ある基板９が処理される際のそれまでの静電吸着ホルダー４の温度履歴と、別の基板９が処理される際のそれまでの静電吸着ホルダー４の温度履歴とが相違することは、往々にしてありうる。例えば、枚葉処理が連続して行われている場合と、定期メンテナンスがあり、装置の稼働が相当時間停止した後に最初に処理する場合とでは、温度履歴が相違してしまうことは容易に想像がつく。
【００４９】
温度履歴によって表面高さ分布が異なるということは、温度制御手段５によって静電吸着ホルダー４を一定の温度に維持していても、温度履歴によって基板９の位置や形状が変化してしまうことを意味する。つまり、処理の再現性の点で深刻な問題となってしまう。一方、緩和層４４及び被覆層４５がある構成では、温度履歴によって表面高さ分布が異なることはなく、基板９の位置や形状は変化しない。従って、静電吸着ホルダー４をある定められた温度に維持するだけで再現性の高い処理が行えることになる。
【００５０】
次に、本願発明の別の実施形態について説明する。
図８は、本願発明の別の実施形態に係る静電吸着ホルダーの正面断面概略図である。図８に示す静電吸着ホルダー４は、吸着電極４３の構造が異なっている。この実施形態では、吸着電極４３は、一対の電極板４３１，４３２から構成されている。
【００５１】
下側の電極板４３１は、上側の電極板４３２に向かい合った面に上方に突出した多数のフィンを有している。これらのフィンは、静電吸着ホルダー４と同軸の円周上に延びる円弧状又は円周状である。これらのフィンは、冷却フィンと同様の機能を有する。上側の電極板４３２は、下側の電極板４３１に向かい合った面に下方に突出した多数のフィンを有している。これらのフィンも、静電吸着ホルダー４と同軸の円周上に延びる円弧状又は円周状で、冷却フィンと同様の機能を有する。図８に示すように、一対の電極板４３１，４３２のフィンは、互い違いに入り込んでいる。即ち、下側の電極板４３１の各フィンは、上側の電極板４３２の二つのフィンの間に入り込み、上側の電極板４３２の各フィンは、下側の電極板４３１の二つのフィンの間に入り込んでいる。
【００５２】
このような両側の電極板４３１，４３２のフィンにより、図８に示すような複雑な形状の空洞４３０が形成されている。そして、この空洞に冷媒を流通させて吸着電極４３を冷却し、間接的に基板９を冷却する温度制御手段が設けられている。温度制御手段は、空洞４３０に冷媒を供給する冷媒供給管５１と、空洞４３０から冷媒を排出する冷媒排出管５２と、冷媒の温度調節を行いながら冷媒を循環させる図８中不図示のサーキュレータ等から構成されている。
【００５３】
この実施形態によれば、冷媒が接触する吸着電極４３の表面積がより大きいので、冷却の効率が高くなっている。このため、投入電力を大きくしてプラズマ密度を高くすることで処理速度を高くした場合でも、基板９の温度を所定の低温に保持することが容易であり、処理の高速化に貢献できる。また、フィンが、静電吸着ホルダー４と同軸の円周上に延びる円弧状又は円周状である構成は、吸着電極４３を均一に冷却するに役立ち、この点は、基板９の温度を均一にして均一な処理を行うのに貢献する。
【００５４】
尚、このような技術的意義は、本実施形態のように緩和層４４と被覆層４５とを有するものではない静電吸着ホルダーの場合でも同様に妥当する。従って、図８についての上記説明は、請求項８及び請求項９の発明の実施形態の説明でもある。尚、プラズマを形成しない場合の例としては、例えば処理後に基板９を冷却する場合があり、このような場合に用いられる静電吸着ホルダーとして、上記構成は好適に採用され得る。尚、吸着電極４３が上下に配置された一対の電極板４３１，４３２から成ることは、必ずしも必要ではなく、左右に一対の電極板が配置されていても良い。
【００５５】
【実施例】
上述した実施形態に属する実施例について、以下に説明する。
静電吸着ホルダーの実施例として、以下の構成があげられる。
吸着電極４３の材料：アルミニウム
誘電体プレート４２の材料：アルミナ
誘電体プレート４２の固定：インジウムによるろう付け
緩和層４４の材料：ＳｉＣ＋Ａｌ複合材
緩和層４４の厚さ：１２ｍｍ
被覆層４５の材料：ＳｉＣ＋Ａｌ複合材
被覆層４５の厚さ：１２ｍｍ
吸着用電圧：５００Ｖ
上記構成の静電吸着ホルダー４を使用し、直径３００ｍｍの基板９を静電吸着しながらプラズマエッチングを行う装置が、基板処理装置の実施例としてあげられる。
【００５６】
上述した実施形態及び実施例において、緩和層４４及び被覆層４５の材料として、ＳｉＣ＋Ａｌの複合材が使用されたが、他のセラミックスと金属の複合材でも良い。例えば、シリコンカーバイドと銅の複合材や、ニッケルとＳｉＣとの複合材、鉄−ニッケル−コバルト合金とＳｉＣとの複合材、鉄−ニッケル合金とＳｉＣとの複合材、ニッケルとＳｉ_３Ｎ_４との複合材、鉄−ニッケル−コバルト合金とＳｉ_３Ｎ_４との複合材、鉄−ニッケル合金とＳｉ_３Ｎ_４との複合材等である。また、セラミックスと金属の複合材に限定される訳ではなく、吸着電極４３と誘電体プレート４２の中間の熱膨張率を有するものであれば良い。
【００５７】
また、静電吸着のタイプとして、前述した単極式の他、双極式や多極式がある。双極式は、一対の吸着電極を設け、正負の電圧（互いに極性の異なる電圧）を印加するタイプである。多極式は、多数対の吸着電極を設け、対を構成する電極に正負の電圧を印加するタイプである。双極式や多極式のタイプでは、吸着電極が誘電体プレートの中に埋設される場合もある。また、単極式の場合、負の直流電圧を印加するタイプもある。このようなタイプの場合であっても、本願発明は同様に実施できる。
さらに、上述した静電吸着ホルダー４は、対象物又は基板９を上面に載置して保持するものであったが、静電吸着面を下方に向けて保持する構成や、側方に向けて保持する（対象物又は基板９を立てて保持する）構成が採用されることもある。
【００５８】
また、上述した説明では、基板処理の例として、プラズマエッチング装置をとりあげたが、プラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）装置、スパッタリング装置など、他の基板処理装置についても同様に実施できる。尚、温度制御手段５は、処理中に基板９を加熱しながら所定の温度に維持する場合もある。また、静電吸着ホルダー４の用途としては、基板処理の他、環境試験装置のように対象物９の試験を行う場合などがあげられる。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明した通り、本願の請求項１の発明によれば、吸着電極の変形が抑制されるので、対象物を安定して吸着することができる。
また、請求項２の発明によれば、上記効果に加え、吸着電極の熱変形が生じにくく、吸着電極内に冷媒流通用の空洞が設けられる場合、その空洞の容積や冷媒が接触する面の面積が足りずに冷却が充分できなかったりする問題がない。また、占有スペース上の問題、コスト上の問題、吸着電極を固定する際の問題なども発生しない。
また、請求項３又は４の発明によれば、上記効果に加え、誘電体プレートの熱による変形や変位を抑制する効果がさらに高く得られる。
また、請求項８の発明によれば、静電吸着ホルダーが室温より高い温度に加熱される場合でも、再現性や均一性の点で優れた基板処理を行うことができる。
また、請求項９の発明によれば、上記効果に加え、補正リングを使用する効果が損なわれないという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】静電吸着ホルダーの発明の実施形態の正面断面概略図である。
【図２】図１に示す静電吸着ホルダーの技術的意義について模式的に示した図である。
【図３】基板処理装置の発明の実施形態の正面断面概略図である。
【図４】実施形態の構成による効果について確認した実験の結果について概略的に示した図である。
【図５】実施形態の構成による効果について確認した実験の結果について概略的に示した図である。
【図６】実施形態の構成による効果について確認した実験の結果について概略的に示した図である。
【図７】実施形態の構成による効果について確認した実験の結果について概略的に示した図である。
【図８】本願発明の別の実施形態に係る静電吸着ホルダーの正面断面概略図である。
【符号の説明】
１処理容器
１１排気系
２プロセスガス導入系
３プラズマ形成手段
３０対向電極
３１プラズマ用高周波電源
４静電吸着ホルダー
４０吸着電源
４１ホルダー本体
４２誘電体プレート
４３吸着電極
４３０空洞
４３１電極板
４３２電極板
５温度制御手段
５イオン入射用高周波電源
９対象物又は基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electrostatic chuck holder that holds a substrate by electrostatic chucking.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art An electrostatic chuck holder that holds a substrate by electrostatic chucking is actively used in the field of substrate processing in which predetermined processing is performed on the surface of a substrate. For example, in the manufacture of various semiconductor devices such as LSIs (Large Scale Integrated Circuits), liquid crystal displays, and the like, there are many processes for processing a substrate on which a product is based. At this time, an electrostatic chuck holder is used to hold the substrate in a predetermined position during processing for the uniformity and reproducibility of the processing. For example, in an etching process using a resist pattern as a mask, etching is performed using the action of ions or active species generated in plasma. At this time, an electrostatic chuck holder is used in order to hold the substrate at an optimum spatial position with respect to the plasma.
The electrostatic chuck holder is roughly a chucking electrode to which a voltage for electrostatic chucking is applied, and a dielectric plate that is a member that is dielectrically polarized by the voltage applied to the chucking electrode and is in direct contact with the substrate It consists of and. The substrate is attracted and held by static electricity induced on the surface of the dielectric plate.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
In the electrostatic chuck holder described above, the sucked substrate is required to be in a stable state. For example, if the position of the substrate changes or the posture of the substrate changes during the processing of the substrate, there is a problem that the reproducibility and uniformity of the processing deteriorates.
From the viewpoint of process reproducibility and uniformity, a problem in substrate processing is thermal deformation and thermal expansion of the electrostatic chuck holder. When processing is performed while holding the substrate at a temperature higher than room temperature, or when the substrate is heated due to heat during processing, the electrostatic chuck holder also rises in temperature similarly to the substrate. At this time, if thermal deformation or thermal expansion occurs in the electrostatic chuck holder, there is a possibility that deformation or misalignment may occur in the substrate that is held by suction.
The invention of the present application has been made to solve such a problem, and has technical significance to provide an electrostatic chuck holder with excellent performance in which deformation and displacement of the substrate are suppressed.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
  In order to solve the above problems, the invention according to claim 1 of the present application is an electrostatic chuck holder for electrostatically chucking and holding a plate-like object,
  A dielectric plate whose surface is an electrostatic attraction surface;
  An adsorption electrode;
  It is provided between the dielectric plate and the adsorption electrode and is made of a material having an intermediate thermal expansion coefficient between the dielectric plate and the adsorption electrode.First layerWhen,
  It is provided on the opposite side of the adsorption electrode from the dielectric plate and is made of a material having an intermediate coefficient of thermal expansion between the dielectric plate and the adsorption electrode.The second layer,
  Metal holder bodyWhen
With
  The dielectric plate is made of alumina, and the adsorption electrode is made of aluminum.First layerIs made of a composite of silicon carbide and aluminum,
  The dielectric plate and theFirst layerIs brazed with a brazing material mainly composed of indiumAnd
  The suction electrode is short-circuited to the holder body, and when the suction power source is connected to the holder body, a voltage from the suction power source is applied to the suction electrode through the holder body.
[0005]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below.
First, an embodiment of the invention of the electrostatic chuck holder will be described. FIG. 1 is a schematic front sectional view of an embodiment of the invention of an electrostatic chuck holder. 1 mainly includes a holder body 41, a dielectric plate 42 whose surface is an electrostatic adsorption surface, and an adsorption electrode 43 to which a voltage for electrostatic adsorption is applied. .
[0006]
The electrostatic chuck holder of the present embodiment has a trapezoidal shape as a whole, and places and holds a plate-like object 9 on the upper surface. The holder body 41 is made of metal such as aluminum or stainless steel. The holder main body 41 has a substantially cylindrical shape with a low height.
The adsorption electrode 43 is fixed on the holder body 41. As shown in FIG. 1, the adsorption electrode 43 has a flange-like portion (hereinafter referred to as an electrode flange) around the lower end portion. The adsorption electrode 43 is fixed to the holder body 41 by being screwed to the holder body 41 at the electrode flange portion. The adsorption electrode 43 is fixed in a state where it is electrically short-circuited with respect to the holder body 41.
[0007]
A protective ring 49 is provided so as to cover the screwed electrode flange portion. The protection ring 49 is formed of an insulator such as silicon oxide. The protection ring 49 covers and protects the side surface of the adsorption electrode 43 and the surface of the electrode flange. As will be described later, when the electrostatic chuck holder is used in an environment where plasma exists or as an electrode for discharge, the protective ring 49 protects the side surface of the chucking electrode 43 and the surface of the protective ring 49 from damage caused by plasma or discharge. Protect. In addition, when the electrostatic chuck holder is used for substrate processing, if the substrate is a silicon wafer, a protective ring 49 made of silicon oxide is provided, and even if the protective ring 49 is etched, the substrate may be soiled. Lower.
[0008]
The dielectric plate 42 is located above the adsorption electrode 43. As shown in FIG. 1, the attracting electrode 43 includes a convex portion protruding upward and a flange-like portion (hereinafter referred to as a plate flange) around the convex portion. The dielectric plate 42 has a disk shape with substantially the same diameter as the attracting electrode 43.
[0009]
A suction power source 40 is connected to the electrostatic suction holder. The type of the suction power source 40 is slightly different depending on the suction method, but in this embodiment, it is a single pole type, and a positive DC power source is adopted as the suction power source 40. The suction power source 40 is connected to the holder main body 41, and applies a positive DC voltage to the suction electrode 43 via the holder main body 41.
When a voltage is applied to the attracting electrode 43, as described above, dielectric polarization occurs in the dielectric plate 42, and the object 9 is electrostatically attracted. In the present embodiment, since a positive DC voltage is applied, a positive charge is induced on the surface of the dielectric plate 42, and thereby the object 9 is electrostatically adsorbed.
[0010]
There are two known electrostatic adsorption mechanisms. One is due to Coulomb force, and the other is due to Johnson Rahbek force. The Johnson rabek force is an attracting force generated when current is concentrated in a minute region. That is, the surface of the dielectric plate 42 and the back surface of the object 9 have microscopic unevenness, and when the object 9 is placed on the dielectric plate 42, these unevennesses come into contact with each other. Yes. When the suction power source 40 operates to induce a charge on the surface of the dielectric plate 42, current concentrates and flows at the contact points of these minute irregularities, and as a result, an attraction force due to the Johnson rabe force is generated. In the electrostatic chuck holder as in the present embodiment, the Johnson rabe force is more dominant than the Coulomb force, and electrostatic chuck is mainly performed by the Johnson rabe force. However, the present invention is not limited to the case where the Johnson rabek force is dominant.
[0011]
Now, a major feature of the electrostatic chuck holder of the present embodiment is that it has an effective configuration for suppressing displacement and deformation of the object 9 due to heat during electrostatic chucking. Hereinafter, this point will be described.
The electrostatic chuck holder as in this embodiment is assumed to hold the object 9 in an environment at a temperature higher than room temperature. In addition to the case of a substrate processing apparatus as described later, this includes a case where the object 9 is held by suction for a test under a high temperature environment. In the electrostatic chuck holder of the present embodiment, the displacement and deformation of the object 9 are suppressed even in a high temperature state.
[0012]
  Specifically, first, as shown in FIG. 1, between the dielectric plate 42 and the adsorption electrode 43,As the first layerA relaxation layer 44 is sandwiched. The relaxation layer 44 relaxes the difference in coefficient of thermal expansion between the dielectric plate 42 and the adsorption electrode 43 and suppresses deformation and displacement of the dielectric plate 42 due to heat. More specifically, the relaxation layer 44 has an intermediate coefficient of thermal expansion between the adsorption electrode 43 and the dielectric plate 42. The “intermediate coefficient of thermal expansion” refers to a coefficient of thermal expansion smaller than that of the adsorption electrode 43 and larger than that of the dielectric plate 42 when, for example, the coefficient of thermal expansion of the adsorption electrode 43 is larger than that of the dielectric plate 42. Further, when the coefficient of thermal expansion of the dielectric plate 42 is larger than that of the adsorption electrode 43, the coefficient of thermal expansion is smaller than that of the dielectric plate 42 and larger than that of the adsorption electrode 43.
[0013]
More specifically, in this embodiment, the adsorption electrode 43 is made of aluminum. The dielectric plate 42 is made of alumina (Al₂O₃). The relaxation layer 44 is formed of a composite material of ceramics and metal.
As a composite material having an intermediate thermal expansion coefficient between aluminum and alumina, a composite material of silicon carbide (SiC) and aluminum (hereinafter, SiC-Al composite material) can be given. The thermal expansion coefficient of aluminum is 0.23710.^-4/ K, the thermal expansion coefficient of alumina is 7.3 × 10^-6/ K. In this case, 10 × 10^-6A SiC + Al composite material having a thermal expansion coefficient of about / K is selected as the material of the relaxation layer 44.
[0014]
As such a SiC + Al composite material, SiC powder is sintered at high temperature and high pressure to form a porous (porous) member (hereinafter referred to as porous ceramics), and molten aluminum is poured into it and filled. Then, the cooled one can be used. By appropriately selecting the temperature and pressure during the sintering of the porous ceramic, the volume opening ratio of the porous ceramic can be adjusted. As a result, the amount of aluminum to be filled can also be adjusted. The volume opening ratio is determined by the ratio of the density of porous ceramics to the density of ceramics that is not porous. The composite material obtained in this manner is machined to produce a relaxation layer 44 having a shape as shown in FIG. The coefficient of thermal expansion of the SiC + Al composite material manufactured in this way varies depending on the component ratio between the two. By adjusting the volumetric aperture ratio to obtain a desired component ratio, the above-mentioned 10 × 10^-6/ K coefficient of thermal expansion.
[0015]
If anything, the thermal expansion coefficient of the relaxation layer 44 is preferably close to that of the dielectric plate 42. The thermal expansion coefficient of aluminum is 0.237 × 10^-4/ K, the thermal expansion coefficient of alumina is 7.3 × 10^-6/ K, the thermal expansion coefficient of the relaxation layer 44 is 9.5 × 10^-6/ K and 10.5 × 10^-6/ K or less is preferable. For this purpose, the volume ratio of silicon carbide may be 50% to 60% with respect to the whole. In this way, the effect of suppressing deformation and displacement due to heat of the dielectric plate 42 can be further enhanced. Note that “the coefficient of thermal expansion close to the dielectric plate 42” means that the coefficient of thermal expansion of the dielectric plate 42 is closer to that of the dielectric plate 42 than the intermediate coefficient of thermal expansion between the dielectric plate 42 and the adsorption electrode 43.
[0016]
  Further, as shown in FIG. 1, in the electrostatic chuck holder of the present embodiment, the surface of the chucking electrode 43 on the side opposite to the dielectric plate 42,As the second layerA covering layer 45 is provided. That is, the adsorption electrode 43 is sandwiched between the relaxation layer 44 and the covering layer 45. In the present embodiment, the coating layer 45 is sandwiched between the adsorption electrode 43 and the holder main body 41.
  The covering layer 45 is also formed of a material having an intermediate thermal expansion coefficient between the dielectric plate 42 and the adsorption electrode 43. This requirement is satisfied if the material of the covering layer 45 is the same as that of the relaxing layer 44, but a material different from that of the relaxing layer 44 may be used as the material of the covering layer 45.
[0017]
In this way, if the structure in which the adsorption electrode 43 is sandwiched between the relaxation layer 44 and the coating layer 45 made of a material having an intermediate thermal expansion coefficient between the dielectric plate 42 and the adsorption electrode 43 is to be electrostatically adsorbed Deformation and displacement due to heat of the object 9 can be effectively suppressed. Hereinafter, this point will be described in detail with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram schematically showing the technical significance of the electrostatic chuck holder shown in FIG.
[0018]
Since the adsorption electrode 43 is made of metal and the dielectric plate 42 is made of a dielectric as the name suggests, the difference in coefficient of thermal expansion is generally large. Since the dielectric plate 42 is fixed to the adsorption electrode 43, when the electrostatic adsorption holder receives heat and the temperature rises as a whole, the adsorption electrode 43 is greatly deformed due to the difference in thermal expansion coefficient between the two. Easy to do. As a result, the dielectric plate 42 may be deformed into a convex shape as shown in FIG. 2 (1), or may be deformed into a concave shape as shown in FIG. 2 (2). When such deformation of the dielectric plate 42 occurs, there is a possibility that deformation or displacement occurs in the attracted object 9.
[0019]
In such a case, as shown in FIG. 2 (3), if a relaxation layer 44 having an intermediate thermal expansion coefficient is inserted between the adsorption electrode 43 and the electrostatic adsorption holder, the difference in thermal expansion coefficient is alleviated. The deformation of the dielectric plate 42 is suppressed. According to the research of the inventors of the present application, in addition to such a relaxation layer 44, when a similar layer (covering layer 45) is provided on the opposite side as shown in FIG. It has been found that the deformation of the plate 42 can be suppressed. The reason for this is not completely clear, but first, the adsorption electrode 43 is sandwiched by layers having the same coefficient of thermal expansion, so that the thermal expansion of both sides can be balanced. It is possible to become a state. Further, it is considered that the cause is that the internal stress balance of the adsorption electrode 43 becomes uniform because the adsorption electrode 43 is sandwiched between layers having the same coefficient of thermal expansion.
[0020]
Focusing on the internal stress, it is considered that the internal stress of the relaxation layer 44 and the covering layer 45 has a function of suppressing the deformation of the adsorption electrode 43. For example, when the adsorption electrode 43 is to be deformed so as to be convex upward, the internal stress of the relaxation layer 44 or the covering layer 45 acts to suppress it, that is, to deform so as to be convex downward. There can be. Further, when a compressive stress is generated in the adsorption electrode 43, a tensile stress is generated in the relaxation layer 44 and the coating layer 45. Conversely, when a tensile stress is generated in the adsorption electrode 43, the compression is applied to the relaxation layer 44 and the coating layer 45. It is thought that may occur. Generally speaking, the relaxation layer 44 and the coating layer 45 have an internal stress opposite to the internal stress of the adsorption electrode 43. The reverse direction in this case may not be completely reverse. In terms of vectors, the internal stress of the relaxation layer 44 and the covering layer 45 makes an angle exceeding 90 degrees with respect to the internal stress of the adsorption electrode 43.
[0021]
In any case, by providing the covering layer 45, the deformation of the attracting electrode 43 is further suppressed, and the deformation of the dielectric plate 42 and the deformation and displacement of the object 9 resulting therefrom are further suppressed. Note that the coating layer 45 having the same thermal expansion coefficient as that of the relaxation layer 44 does not mean that the thermal expansion coefficient values coincide with each other, but the thermal expansion coefficient intermediate between the adsorption electrode 43 and the dielectric plate 42. It is just "similar" in terms of having. However, in this embodiment, the same ceramics and metal composite material (for example, SiC-Al composite material) as that of the relaxation layer 44 is used as the material of the coating layer 45. The composite material used for the coating layer 45 has a sufficient metal content and is conductive. This is to prevent the coating layer 45 from insulating between the adsorption electrode 43 and the holder body 41.
[0022]
The method of fixing the dielectric plate 42 is also important for suppressing deformation of the dielectric plate 42 and the like. When the dielectric plate 42 is fixed by a spot-like method such as screwing, the dielectric plate 42 is pinched at the fixing portion and the heat transfer performance is locally improved at the fixing portion. There is a problem that is encouraged.
[0023]
In the present embodiment, the dielectric plate 42 is joined to the adsorption electrode 43 with the relaxation layer 44 sandwiched by brazing containing indium as a main component. The “main component” in this case may be 100% indium or may contain some additive.
For example, a thin sheet-like member formed of indium is sandwiched between the dielectric plate 42 and the relaxation layer 44, heated to about 120 to 130 ° C., cooled, and then brazed on the entire surface to perform bonding.
[0024]
From the viewpoint of improving thermal contact properties and mechanical strength, it is preferable to employ a diffusion bonding technique in which diffusion is caused at the interface by mechanically applying pressure during brazing. For example, it heats to about 570-590 degreeC, and it joins by applying the pressure of about 1-2 MPa (megapascal).
Since the dielectric plate 42 is joined by such brazing, the thermal deformation of the dielectric plate 42 is further effectively suppressed. As the brazing material, the brazing layer 44 and the adsorption electrode 43 can be fixed and the adsorption electrode 43 and the covering layer 45 can be fixed in the same manner.
[0025]
The total thickness of the dielectric plate 42, the adsorption electrode 43, the relaxation layer 44, and the coating layer 45 (hereinafter referred to as the overall thickness) is preferably 28 mm or greater and 32 mm or less. This is due to the following reason. If the total thickness is less than 28 mm, the entire film is first thinned, so that thermal deformation as described above is likely to occur. Further, if the thickness is less than 28 mm, as will be described later, when a refrigerant circulation cavity is provided in the adsorption electrode 43, the volume of the cavity and the area of the surface in contact with the refrigerant are insufficient, and cooling may not be sufficient. There's a problem. On the other hand, when the total thickness exceeds 32 mm, it becomes larger than necessary, which causes a problem in occupied space and a problem in cost. There also arises a problem that a long screw is required as a screw for fixing the suction electrode 32 and a large protection ring 49 is required. For this reason, the overall thickness is preferably 28 mm or more and 32 mm or less.
[0026]
Next, an embodiment of the substrate processing apparatus will be described. The substrate processing apparatus of the present invention is an apparatus for processing a substrate while maintaining the substrate at a predetermined temperature higher than room temperature. In the following description, a plasma etching apparatus is taken as an example of such an apparatus. Further, in the following description, “object” is paraphrased as “substrate” which is a subordinate concept thereof.
[0027]
FIG. 3 is a schematic front sectional view of an embodiment of the substrate processing apparatus. The apparatus shown in FIG. 3 includes a processing container 1 in which the surface of the substrate 9 is etched, a process gas introduction system 2 that introduces a predetermined process gas into the processing container 1, and a process gas that is supplied with energy. Mainly composed of plasma forming means 3 for forming plasma in the container 1 and an electrostatic adsorption holder 4 for electrostatically adsorbing and holding the substrate 9 at a predetermined position in the processing container 1 etched by the action of the plasma. Has been. The electrostatic chuck holder 4 is substantially the same as that of the above-described embodiment.
[0028]
The processing container 1 is an airtight vacuum container, and the inside is exhausted by an exhaust system 11. The processing container 1 is made of a metal such as stainless steel and is electrically grounded. The exhaust system 11 includes a vacuum pump 111 such as a dry pump and an exhaust speed adjuster 112.^-3It is possible to maintain a vacuum pressure of about Pa to 10 Pa.
[0029]
The process gas introduction system 2 can introduce a process gas necessary for plasma etching at a predetermined flow rate. In this embodiment, CHF₃Such a reactive gas is introduced into the processing vessel 1 as a process gas. Process gas introduction system 2 is CHF₃Such a gas cylinder (not shown) in which a process gas of fluorine-based gas is stored, and a pipe connecting the gas cylinder and the processing container 1 are configured.
[0030]
The plasma forming means 3 is adapted to form plasma by applying high frequency energy to the introduced process gas. That is, the plasma forming means 3 includes a counter electrode 30 provided in the processing container 1 so as to face the electrostatic chuck holder 4, and a plasma high-frequency power source 31 that applies a high-frequency voltage to the counter electrode 30. Yes. The plasma high-frequency power supply 31 has a frequency of about several hundred kHz to several tens of MHz, and is connected to the counter electrode 30 via a matching unit (not shown). The output of the plasma high frequency power supply 31 may be about 300 to 2500 W. The counter electrode 30 is airtightly attached to the processing container 1 with the insulating portion 32 interposed.
[0031]
When the high frequency power supply 31 for plasma applies a high frequency voltage to the counter electrode 30, a high frequency electric field is set in the processing container 1, high frequency discharge is generated in the introduced process gas, and plasma is formed. In the plasma of the fluorine-based gas, ions or active species of fluorine or a fluorine compound are actively generated, and the surface of the substrate 9 is etched when these ions or active species reach the substrate 9.
The electrostatic adsorption holder 4 is connected to a high frequency power source 6 for ion incidence for efficiently making ions incident on the substrate 9 via a capacitance. When the ion-incident high-frequency power supply 6 operates in a state where plasma is formed, a self-bias voltage, which is a negative DC component voltage, is applied to the substrate 9 due to the interaction between the plasma and the high-frequency electric field. Etching is efficiently performed because ions are efficiently incident on the substrate 9 by the self-bias voltage.
[0032]
Further, in the electrostatic attraction holder 4 in this embodiment, a correction ring 46 is provided on the plate flange of the dielectric plate 42. The correction ring 46 is provided so as to be substantially flush with the substrate 9 on the dielectric plate 42. The correction ring 46 is made of the same or similar material as the substrate 9 such as single crystal silicon. The correction ring 46 prevents uneven processing in the peripheral portion of the substrate 9.
In the apparatus according to the present embodiment, the peripheral portion of the substrate 9 has heat dissipation from the end surface of the substrate 9, and therefore the temperature is likely to be lower than that of the central portion. Therefore, the temperature of the substrate 9 is made uniform by providing a correction ring 46 made of the same material as that of the substrate 9 around the substrate 9 so that heat corresponding to the heat dissipation from the end face is given.
[0033]
The plasma formed in the processing container 1 is also maintained by ions and electrons emitted from the substrate 9 during the etching process. Of the entire space where the plasma is formed, the portion facing the peripheral portion of the substrate 9 is less supplied with ions and electrons than the portion facing the central portion of the substrate 9, and the plasma density is low. For this reason, by providing a correction ring 46 made of the same material as that of the substrate 9 in the periphery, the amount of electrons and ions supplied to the space portion facing the peripheral portion of the substrate 9 is relatively increased, and the plasma density is made uniform. I have to.
[0034]
The electrostatic adsorption holder 4 is attached to the processing container 1 via an insulating block 47. The insulating block 47 is made of an insulating material such as alumina, and insulates the holder main body 41 and the processing container 1 and protects the holder main body 41 from plasma. Note that a sealing member such as an O-ring is provided between the electrostatic chuck holder 4 and the insulating block 47 and between the processing container 1 and the insulating block 47 so as not to cause a vacuum leak in the processing container 1. It has been.
[0035]
In the present embodiment, temperature control means 5 for controlling the temperature while cooling the substrate 9 during processing is provided. In many cases, the temperature of the substrate 9 to be maintained at the time of etching (hereinafter, optimum temperature) is a certain high temperature higher than room temperature. However, the substrate 9 often receives a heat from the plasma during etching and rises in temperature to exceed the optimum temperature. The temperature control means 5 cools the substrate 9 during etching and maintains it at an optimum temperature.
[0036]
As shown in FIG. 3, the adsorption electrode 43 has a cavity inside. The temperature control means 5 cools the adsorption electrode 43 by circulating a refrigerant through the cavity, and indirectly cools the substrate 9. The temperature control means 5 includes a refrigerant supply pipe 51 that supplies a refrigerant to the cavity in the adsorption electrode 43, a refrigerant discharge pipe 52 that discharges the refrigerant from the cavity, a circulator 53 that circulates the refrigerant while adjusting the temperature of the refrigerant, and the like. It is configured. As the refrigerant, a fluid is used, for example, 3M Fluorinert (trade name) is used. The temperature control means 5 is configured to cool the substrate 9 to about 80 to 90 ° C., which is higher than room temperature, by circulating the refrigerant at about 30 to 40 ° C.
[0037]
Note that a heat transfer gas introduction system (not shown) for supplying heat between the electrostatically adsorbed substrate 9 and the dielectric plate 42 to improve heat transfer is provided. A minute space formed by minute irregularities on the back surface of the substrate 9 and minute irregularities on the surface of the dielectric plate 42 becomes a vacuum pressure, and heat transferability is poor. The heat transfer gas introduction system improves the heat transfer performance by introducing a gas such as helium into the minute space.
Further, the electrostatic chuck holder 4 incorporates lift pins 48 for transferring the substrate 9. The lift pin 48 is moved up and down by a lifting mechanism (not shown). Although only one lift pin 48 is shown in FIG. 3, about three lift pins 48 are actually provided.
[0038]
Next, the operation of the substrate processing apparatus of the above embodiment will be described.
When the substrate 9 is carried into the processing container 1 and placed on the electrostatic suction holder 4 by a transport mechanism (not shown), the suction power source 40 is operated, and the substrate 9 is electrostatically attracted to the electrostatic suction holder 4. . The inside of the processing container 1 is exhausted to a predetermined pressure by the exhaust system 11 in advance. In this state, the process gas introduction system 2 operates and a predetermined process gas is introduced. Then, the plasma high-frequency power supply 31 is operated, and plasma is generated and etched as described above. The temperature control means 5 maintains the optimum temperature while cooling the substrate 9. After performing the etching for a predetermined time in this way, the operations of the process gas introduction system 2, the plasma high frequency power supply 31, and the ion incident high frequency power supply 6 are stopped. Then, the operation of the suction power supply 40 is stopped to release the electrostatic suction, and after the processing container 1 is exhausted, the substrate 9 is unloaded by a transport mechanism (not shown).
[0039]
In the substrate processing apparatus, the adsorption electrode 43 is heated to a temperature higher than room temperature during the etching, but the deformation is suppressed by the relaxing layer 44 and the covering layer 45 as described above. For this reason, the deformation of the dielectric plate 42 and the deformation and displacement of the substrate 9 resulting therefrom are also suppressed. Accordingly, the uniformity and reproducibility of the processing is improved.
[0040]
The technical significance of suppression of thermal deformation by the relaxation layer 44 and the covering layer 45 is significant when the correction ring 46 is used as in the present embodiment. Hereinafter, this point will be described.
The correction ring 46 has a configuration in which the substrate 9 is substantially extended (enlarged) toward the outside. As described above, the correction ring 46 is made of the same material as the substrate 9 and is substantially flush with the substrate 9. It is. For this reason, the dielectric plate 42 has a plate flange, and the correction ring 46 is disposed in this portion. The correction ring 46 is electrostatically attracted in the same manner as the substrate 9 and exhibits the above-described effects.
[0041]
Here, since the plate flange on which the correction ring 46 is placed is thin and has a peripheral edge, it is likely to be thermally deformed and the amount of deformation is likely to be large. If the correction ring 46 is deformed or displaced, the effect of compensating for heat dissipation from the end face of the substrate 9 becomes non-uniform. Further, due to deformation and displacement, the thermal contact property of the correction ring 46 with respect to the dielectric plate 42 is lowered, and the temperature becomes higher than that of the substrate 9. Particularly problematic is that when the thermal contact property of the correction ring 46 with respect to the dielectric plate 42 randomly occurs, the correction ring 46 also randomly heats the substrate 9, and the reproducibility of the temperature of the substrate 9 during processing. This is a point that greatly decreases.
In the present embodiment, as described above, since the deformation and displacement of the dielectric plate 42 are suppressed by suppressing the deformation of the attracting electrode 43, the deformation and displacement of the correction ring 46 are also suppressed. For this reason, the non-uniformity of the temperature of the substrate 9 and the decrease in reproducibility are suppressed.
[0042]
Next, the result of the experiment confirmed about the effect by the structure of the said embodiment is demonstrated. FIG. 4 to FIG. 7 are diagrams schematically showing the results of an experiment for confirming the effect of the configuration of the embodiment.
The experiments whose results are shown in FIG. 4 to FIG. 7 are obtained by measuring the deformation or displacement of the surface of the dielectric plate 42 with the electrostatic chuck holder 4 of the above-described embodiment at different temperatures (or temperature history). is there. The measurement was performed by setting a certain height above the electrostatic chuck holder 4 and measuring the distance from this height to each point on the surface of the dielectric plate 42 with a distance meter.
[0043]
4 and 5 show the height of each point on the surface of the convex portion of the dielectric plate 42. Among these, FIG. 4 shows a case of a conventional type electrostatic chuck holder without the relaxation layer 44 and the covering layer 45, and FIG. 5 shows a case of the electrostatic chuck holder 4 of the embodiment type having the relaxation layer 44 and the coating layer 45. Is the case. 6 and 7 show the height of each point on the surface of the flange portion of the dielectric plate 42. FIG. 6 shows a case of a conventional type electrostatic chuck holder without the relaxation layer 44 and the coating layer 45, and FIG. 7 shows a case of the electrostatic chuck holder 4 of an embodiment type having the relaxation layer 44 and the coating layer 45. . It should be noted that the same reference numerals (1), (2) indicate where the points ((1), (2), (3), (4)) on the surface of the plate flange in FIGS. ▼, ▲ 3 ▼, ▲ 4 ▼) are indicated in FIG.
[0044]
4 to 7, A is the data measured at 20 ° C. after being left overnight at 20 ° C., B is the data measured while maintaining at 5 ° C., and C is 5 ° C. Data measured after heating to 20 ° C., D is data measured at 50 ° C., and E is data measured at 20 ° C. after forced cooling after 50 ° C. The electrostatic chuck holder 4 has an opening on the surface because of a built-in member such as a lift pin 48, but data corresponding to the opening portion is ignored in FIGS.
[0045]
First, in the data shown in FIGS. 4 to 7, the surface of the dielectric plate 42 is generally positioned higher when the temperature is higher. This is mainly due to the thermal expansion of the entire electrostatic adsorption holder 4 and is a natural result in a sense. The problem is that the manner of displacement or deformation of the surface of the dielectric plate 42 varies with temperature or temperature history.
That is, the line connecting the heights of the points on the surface of the electrostatic chuck holder 4 shown in FIG. 5 (hereinafter referred to as surface height distribution) rises or falls depending on the temperature or temperature history while drawing the same shape. I do. That is, they are moving in parallel. This is considered to indicate that the dielectric plate 42 is basically not deformed and is thermally expanded uniformly throughout.
[0046]
However, in FIG. 4, the surface height distribution rises or falls depending on the temperature or temperature history while drawing different shapes. That is, it is not translated. This is considered to indicate that the dielectric plate 42 is deformed. A particular problem is that the surface height distribution becomes different depending on the temperature history. In other words, even when the measurement is performed at the same temperature of 20 ° C., when it is left to stand overnight, it becomes natural, when it is heated after 5 ° C., and when it is forcedly cooled after 50 ° C. Then, the surface height distribution has become a different curve.
[0047]
The same is true for the data in the plate flange. That is, as can be seen by comparing FIG. 6 and FIG. 7, when there is the relaxing layer 44 and the covering layer 45, the surface height distribution rises or falls while moving in parallel, but there is no such thing. This is not the case with conventional configurations. Even when the temperature histories are different, the surface height distribution is a different curve.
[0048]
The difference in surface height distribution depending on the temperature history causes a serious problem in terms of reproducibility of substrate processing. The substrate processing apparatus is manufactured by a manufacturer, and is used by being incorporated into a production line through a shipping test or the like. However, the temperature history of the electrostatic chuck holder 4 until the substrate processing is actually performed is not always the same. Even devices that perform exactly the same processing often have different temperature histories in shipping tests and production line operation tests. Further, when considering the single wafer processing of the substrate 9, the temperature history of the electrostatic chuck holder 4 until the time when a certain substrate 9 is processed and the static history until when another substrate 9 is processed. It is often the case that the temperature history of the electroadsorption holder 4 is different. For example, it is easy to imagine that the temperature history is different between the case where single wafer processing is performed continuously and the case where there is regular maintenance and the processing is first performed after the operation of the apparatus is stopped for a considerable time. Be angry.
[0049]
The fact that the surface height distribution differs depending on the temperature history means that even if the electrostatic chuck holder 4 is maintained at a constant temperature by the temperature control means 5, the position and shape of the substrate 9 change depending on the temperature history. means. That is, it becomes a serious problem in terms of process reproducibility. On the other hand, in the configuration having the relaxing layer 44 and the covering layer 45, the surface height distribution does not vary depending on the temperature history, and the position and shape of the substrate 9 do not change. Therefore, a process with high reproducibility can be performed only by maintaining the electrostatic chuck holder 4 at a predetermined temperature.
[0050]
Next, another embodiment of the present invention will be described.
FIG. 8 is a schematic front sectional view of an electrostatic chuck holder according to another embodiment of the present invention. The electrostatic chuck holder 4 shown in FIG. 8 differs in the structure of the chucking electrode 43. In this embodiment, the adsorption electrode 43 includes a pair of electrode plates 431 and 432.
[0051]
The lower electrode plate 431 has a large number of fins protruding upward on the surface facing the upper electrode plate 432. These fins have an arc shape or a circumferential shape extending on a circumference coaxial with the electrostatic chuck holder 4. These fins have the same function as the cooling fins. The upper electrode plate 432 has a large number of fins protruding downward on the surface facing the lower electrode plate 431. These fins also have an arc shape or a circumferential shape extending on a circumference coaxial with the electrostatic chuck holder 4 and have the same functions as the cooling fins. As shown in FIG. 8, the fins of the pair of electrode plates 431 and 432 are staggered. That is, each fin of the lower electrode plate 431 enters between the two fins of the upper electrode plate 432, and each fin of the upper electrode plate 432 is between the two fins of the lower electrode plate 431. It has entered.
[0052]
A cavity 430 having a complicated shape as shown in FIG. 8 is formed by the fins of the electrode plates 431 and 432 on both sides. Then, a temperature control means for cooling the adsorption electrode 43 by circulating a refrigerant through the cavity and indirectly cooling the substrate 9 is provided. The temperature control means includes a refrigerant supply pipe 51 that supplies the refrigerant to the cavity 430, a refrigerant discharge pipe 52 that discharges the refrigerant from the cavity 430, and a circulator (not shown in FIG. 8) that circulates the refrigerant while adjusting the temperature of the refrigerant. It is composed of
[0053]
According to this embodiment, since the surface area of the adsorption electrode 43 in contact with the refrigerant is larger, the cooling efficiency is increased. For this reason, even when the processing speed is increased by increasing the input power and increasing the plasma density, it is easy to maintain the temperature of the substrate 9 at a predetermined low temperature, which can contribute to an increase in processing speed. Further, the configuration in which the fin has an arc shape or a circumferential shape extending on the circumference coaxial with the electrostatic chuck holder 4 is useful for cooling the chuck electrode 43 uniformly, and this point makes the temperature of the substrate 9 uniform. Contribute to uniform processing.
[0054]
Such technical significance is also valid in the case of an electrostatic chuck holder that does not have the relaxing layer 44 and the coating layer 45 as in the present embodiment. Accordingly, the above description of FIG. 8 is also a description of the embodiments of the inventions of claims 8 and 9. As an example of the case where plasma is not formed, for example, there is a case where the substrate 9 is cooled after processing, and the above configuration can be suitably employed as an electrostatic chuck holder used in such a case. In addition, it is not necessarily required that the adsorption electrode 43 is composed of a pair of electrode plates 431 and 432 arranged vertically, and a pair of electrode plates may be arranged on the left and right.
[0055]
【Example】
An example belonging to the above-described embodiment will be described below.
Examples of the electrostatic chuck holder include the following configurations.
Adsorption electrode 43 material: Aluminum
Dielectric plate 42 material: Alumina
Fixing of dielectric plate 42: brazing with indium
Material of relaxation layer 44: SiC + Al composite material
The thickness of the relaxation layer 44: 12 mm
Material of coating layer 45: SiC + Al composite material
Cover layer 45 thickness: 12 mm
Adsorption voltage: 500V
An apparatus for performing plasma etching while electrostatically adsorbing a substrate 9 having a diameter of 300 mm using the electrostatic adsorption holder 4 having the above-described configuration is an example of the substrate processing apparatus.
[0056]
In the above-described embodiments and examples, the SiC + Al composite material is used as the material of the relaxing layer 44 and the covering layer 45, but other ceramic and metal composite materials may be used. For example, a composite material of silicon carbide and copper, a composite material of nickel and SiC, a composite material of iron-nickel-cobalt alloy and SiC, a composite material of iron-nickel alloy and SiC, nickel and Si₃N₄Composite material with iron-nickel-cobalt alloy and Si₃N₄Composite material with iron-nickel alloy and Si₃N₄And composite materials. Further, the material is not limited to a ceramic and metal composite material, and any material having a thermal expansion coefficient intermediate between the adsorption electrode 43 and the dielectric plate 42 may be used.
[0057]
In addition to the monopolar type described above, there are bipolar and multipolar types as the electrostatic adsorption type. The bipolar type is a type in which a pair of adsorption electrodes are provided and positive and negative voltages (voltages having different polarities) are applied. The multi-pole type is a type in which a large number of pairs of adsorption electrodes are provided, and positive and negative voltages are applied to the electrodes constituting the pair. In the bipolar or multipolar type, the adsorption electrode may be embedded in the dielectric plate. In the case of a single pole type, there is also a type that applies a negative DC voltage. Even in this type of case, the present invention can be similarly implemented.
Furthermore, although the electrostatic chuck holder 4 described above is intended to place and hold the object or the substrate 9 on the upper surface, the structure for holding the electrostatic chuck surface facing downward or to the side. A configuration of holding (holding the object or the substrate 9 upright) may be adopted.
[0058]
In the above description, the plasma etching apparatus is taken as an example of the substrate processing, but other substrate processing apparatuses such as a plasma chemical vapor deposition (CVD) apparatus and a sputtering apparatus can be similarly implemented. Note that the temperature control means 5 may maintain a predetermined temperature while heating the substrate 9 during processing. In addition to the substrate processing, the electrostatic chuck holder 4 can be used for testing the object 9 like an environmental test apparatus.
[0059]
【The invention's effect】
  As described above, according to the first aspect of the present invention, since the deformation of the adsorption electrode is suppressed, the object can be adsorbed stably.
  According to the invention of claim 2, in addition to the above effect, when the adsorption electrode is hardly deformed by heat and a cavity for refrigerant circulation is provided in the adsorption electrode, the volume of the cavity and the surface in contact with the refrigerant There is no problem of insufficient cooling due to insufficient area. Also, there are no problems with occupied space, problems with cost, problems with fixing the adsorption electrode, and the like.
  According to the invention of claim 3 or 4, in addition to the above effect, the effect of suppressing deformation and displacement of the dielectric plate due to heat can be further enhanced.
  Claims8According to this invention, even when the electrostatic chuck holder is heated to a temperature higher than room temperature, it is possible to perform substrate processing excellent in reproducibility and uniformity.
  Claims9According to the invention, in addition to the above effect, an effect that the effect of using the correction ring is not impaired can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic front sectional view of an embodiment of the invention of an electrostatic chuck holder.
FIG. 2 is a diagram schematically showing the technical significance of the electrostatic chuck holder shown in FIG.
FIG. 3 is a schematic front sectional view of an embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 4 is a diagram schematically showing the results of an experiment for confirming the effect of the configuration of the embodiment.
FIG. 5 is a diagram schematically showing a result of an experiment for confirming an effect of the configuration of the embodiment.
FIG. 6 is a diagram schematically showing a result of an experiment for confirming an effect of the configuration of the embodiment.
FIG. 7 is a diagram schematically showing a result of an experiment for confirming an effect of the configuration of the embodiment.
FIG. 8 is a schematic front sectional view of an electrostatic attraction holder according to another embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Processing container
11 Exhaust system
2 Process gas introduction system
3 Plasma formation means
30 Counter electrode
31 High frequency power supply for plasma
4 Electrostatic chuck holder
40 Suction power supply
41 Holder body
42 Dielectric Plate
43 Adsorption electrode
430 cavity
431 Electrode plate
432 Electrode plate
5 Temperature control means
5 High frequency power supply for ion injection
9 Object or substrate

Claims

An electrostatic adsorption holder for electrostatically adsorbing and holding a plate-like object,
A dielectric plate whose surface is an electrostatic attraction surface;
An adsorption electrode;
A first layer made of a material provided between the dielectric plate and the adsorption electrode and having a thermal expansion coefficient intermediate between the dielectric plate and the adsorption electrode;
A second layer made of a material provided on the opposite side of the adsorption electrode from the dielectric plate and having a thermal expansion coefficient intermediate between the dielectric plate and the adsorption electrode ;
With a metal holder body ,
The dielectric plate is made of alumina, the adsorption electrode is made of aluminum, and the first layer is made of a composite of silicon carbide and aluminum;
The dielectric plate and the first layer are brazed with a brazing material containing indium as a main component ,
The adsorption electrode is short-circuited to the holder body, and when the adsorption power source is connected to the holder body, a voltage by the adsorption power source is applied to the adsorption electrode through the holder body. Suction holder.

The electrostatic attraction holder according to claim 1, wherein a total thickness of the dielectric plate, the adsorption electrode, the first layer, and the second layer is 28 mm or more and 32 mm or less.

3. The electrostatic chuck holder according to claim 1, wherein the composite material has a volume ratio of silicon carbide to 50% or more and 60% or less of the whole.

The static expansion coefficient according to any one of claims 1 to 3, wherein the thermal expansion coefficient of the composite material is 9.5 x ^10-6 / K or more and 10.5 x ^10-6 / K or less. Electroadsorption holder.

The adsorption electrode has an electrode flange around the end on the holder body side, the electrode flange protrudes to the holder body side, and the second layer is provided inside the electrode flange. The electrostatic attraction holder according to any one of claims 1 to 4.

The electrostatic attraction holder according to claim 5, wherein the attraction electrode is screwed to the holder main body at the electrode flange.

The electrostatic attraction holder according to claim 6, wherein the screw does not penetrate the second layer.

A substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a surface of a substrate while maintaining the substrate at a predetermined temperature higher than room temperature, comprising the electrostatic chuck holder according to any one of claims 1 to 7 , wherein the electrostatic chuck A substrate processing apparatus for performing processing while holding a substrate in a holder.

The dielectric plate is provided with a step around the portion where the substrate is electrostatically attracted and is lowered, and a correction ring surrounding the substrate to be electrostatically attracted is provided at the lowered portion. 9. The substrate processing apparatus according to claim 8 , wherein the correction ring prevents unevenness of processing in the peripheral portion of the substrate.