KR102428349B1 - Support unit, substrate processing apparatus including same, and manufacturing method of support unit - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 제공되는 지지 유닛을 제공한다. 지지 유닛은, 세라믹을 포함하는 재질로 제공되는 바디; 상기 바디의 상부에 배치되며, 세라믹을 포함하는 재질로 제공되는 유전 층; 및 상기 바디와 상기 유전 층 사이에 배치되며, 그라핀(Graphene)을 포함하는 재질로 제공되는 전극을 포함할 수 있다.The present invention provides a support unit provided in an apparatus for processing a substrate. The support unit may include a body made of a material including ceramic; a dielectric layer disposed on the body and made of a material including ceramic; and an electrode disposed between the body and the dielectric layer and made of a material including graphene.

Description

지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 지지 유닛 제조 방법{Support unit, substrate processing apparatus including same, and manufacturing method of support unit}Support unit, substrate processing apparatus including same, and support unit manufacturing method

본 발명은 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 지지 유닛 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a support unit, a substrate processing apparatus including the same, and a method for manufacturing the support unit.

플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 기판 상의 박막을 제거하는 애싱 또는 식각 공정을 포함한다. 애싱 또는 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 및 라디칼 입자들이 기판 상의 막과 충돌 또는 반응함으로써 수행된다.Plasma refers to an ionized gas state composed of ions, radicals, and electrons. Plasma is generated by a very high temperature, strong electric field or RF Electromagnetic Fields. A semiconductor device manufacturing process includes an ashing or etching process in which a thin film on a substrate is removed using plasma. The ashing or etching process is performed when ions and radical particles contained in plasma collide or react with a film on a substrate.

일반적으로, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에는 도 1에 도시된 바와 같이 기판(W)을 지지하는 척(2000)이 제공된다. 척(2000)은 전원(2400)과 연결되고, 정전기력을 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전 전극(2300)을 포함하고, 정전 전극(2300)은, 유전체(2100, 2200)에 의해 둘러 쌓인다. 또한, 정전 전극(2300)은 금속 재질로 제공되며, 유전체(2100, 2200)는 세라믹 재질로 제공된다. 이러한 척(2000)을 제조시, 정전 전극(2300)을 척(2000) 매설하기 위해 소결(Sintering) 공정이 수행된다. In general, an apparatus for processing a substrate using plasma is provided with a chuck 2000 for supporting the substrate W as shown in FIG. 1 . The chuck 2000 is connected to a power source 2400 and includes an electrostatic electrode 2300 that chucks the substrate W using an electrostatic force, and the electrostatic electrode 2300 is surrounded by dielectrics 2100 and 2200 . . In addition, the electrostatic electrode 2300 is provided with a metal material, and the dielectrics 2100 and 2200 are provided with a ceramic material. When the chuck 2000 is manufactured, a sintering process is performed to bury the electrostatic electrode 2300 in the chuck 2000 .

그러나, 소결 공정이 수행되면서, 정전 전극(2300) 및/또는 유전체(2100, 2200)에는 마이크로 크랙(Micro Crack, A)이 발생할 수 있다. 이는 정전 전극(2300)의 열 팽창 계수와 유전체(2100, 2200)의 열 팽창 계수가 서로 달라 소결 공정이 수행되면서 정전 전극(2300)의 팽창률과 유전체(2100, 2200)의 팽창률에 차이가 발생하기 때문이다. 정전 전극(2300) 및/또는 유전체(2100, 2200)에 마이크로 크랙(A)이 발생하게 되면 기판(W)에 대한 클램핑(Clamping)이 적절히 수행되지 않아 기판(W)의 지지 위치가 처리 공정 도중 변경될 수 있다. 이러한 기판(W)의 지지 위치 변경은 기판(W)에 대한 처리 효율을 떨어뜨린다. 또한, 상술한 문제를 최소화 하기 위해, 금속 재질로 제공되는 정전 전극(2300)에 세라믹 파우더(Ceramic Powder)를 혼합하는 방법을 고려할 수 있으나, 이는 정전 전극(2300)에 인가되는 전압의 효율을 떨어뜨리고, 전극(2300)이 발생시키는 정전기의 균일도를 떨어뜨리는 한계가 있다.However, while the sintering process is performed, micro cracks (A) may occur in the electrostatic electrode 2300 and/or the dielectrics 2100 and 2200 . This is because the coefficient of thermal expansion of the electrostatic electrode 2300 and the coefficient of thermal expansion of the dielectrics 2100 and 2200 are different from each other, so that the expansion rate of the electrostatic electrode 2300 and the expansion rate of the dielectrics 2100 and 2200 are different during the sintering process. Because. When micro-cracks A are generated in the electrostatic electrode 2300 and/or the dielectrics 2100 and 2200, clamping of the substrate W is not performed properly, so that the supporting position of the substrate W is changed during the processing process. can be changed. This change in the support position of the substrate W lowers the processing efficiency for the substrate W. In addition, in order to minimize the above-described problem, a method of mixing ceramic powder with the electrostatic electrode 2300 provided of a metal material may be considered, but this reduces the efficiency of the voltage applied to the electrostatic electrode 2300 . There is a limit in reducing the uniformity of static electricity generated by the electrode 2300 .

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a support unit capable of efficiently processing a substrate, and a substrate processing apparatus including the same.

또한, 본 발명은 기판을 효율적으로 클램핑 할 수 있는 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a support unit capable of efficiently clamping a substrate, and a substrate processing apparatus including the same.

또한, 본 발명은 기판에 효율적으로 열을 전달 할 수 있는 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a support unit capable of efficiently transferring heat to a substrate, and a substrate processing apparatus including the same.

또한, 본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에서 발생될 수 있는 변위 전류(Displacement Current)에 의한 기재 손상을 최소화 할 수 있는 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a support unit capable of minimizing damage to a substrate due to displacement current that may be generated in an apparatus for processing a substrate using plasma, and a substrate processing apparatus including the same. do.

또한, 본 발명은 지지 유닛에 제공되는 전극에 마이크로 크랙이 발생되는 것을 최소화 할 수 있는 지지 유닛 제조 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a support unit capable of minimizing the occurrence of microcracks in electrodes provided on the support unit.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면들로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and the accompanying drawings. There will be.

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 제공되는 지지 유닛을 제공한다. 지지 유닛은, 세라믹을 포함하는 재질로 제공되는 바디; 상기 바디의 상부에 배치되며, 세라믹을 포함하는 재질로 제공되는 유전 층; 및 상기 바디와 상기 유전 층 사이에 배치되며, 그라핀(Graphene)을 포함하는 재질로 제공되는 전극을 포함할 수 있다.The present invention provides a support unit provided in an apparatus for processing a substrate. The support unit may include a body made of a material including ceramic; a dielectric layer disposed on the body and made of a material including ceramic; and an electrode disposed between the body and the dielectric layer and made of a material including graphene.

일 실시 예에 의하면, 상기 바디에는, 그 상면의 중앙 영역과 가장자리 영역의 높이가 서로 상이하도록 상기 중앙 영역에서 아래 방향으로 만입된 홈이 형성되고, 상기 전극은, 상기 홈에 제공될 수 있다.According to an embodiment, a groove indented downward from the central region may be formed in the body so that the height of the central region and the edge region of the upper surface is different from each other, and the electrode may be provided in the groove.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 전극이 정전기력으로 지지된 기판을 클램핑할 수 있도록 상기 전극에 연결되는 정전 전원을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the support unit may further include an electrostatic power supply connected to the electrode so that the electrode can clamp the substrate supported by the electrostatic force.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 전극이 열을 발생시켜 지지된 기판의 온도를 조절할 수 있도록 상기 전극에 연결되는 발열 전원을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the support unit may further include a heating power source connected to the electrode so that the electrode generates heat to adjust the temperature of the supported substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 전극은, 그 상면의 높이가 상기 바디의 상기 가장자리 영역의 높이와 서로 일치하도록 제공될 수 있다.According to an embodiment, the electrode may be provided so that the height of the upper surface coincides with the height of the edge region of the body.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 유전 층의 상부에 제공되고, 기판을 지지하는 안착 면을 가지는 안착 판을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the support unit may further include a seating plate provided on the dielectric layer and having a seating surface for supporting the substrate.

또한, 본 발명은 지지 유닛을 제조하는 방법을 제공한다. 지지 유닛 제조 방법은, 상기 바디에 상기 홈을 형성하는 단계; 상기 홈에 상기 전극을 제공하는 단계; 및 상기 유전 층을 상기 전극의 상부에 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The invention also provides a method of manufacturing the support unit. A method of manufacturing a support unit includes: forming the groove in the body; providing the electrode in the groove; and forming the dielectric layer on the electrode.

일 실시 예에 의하면, 상기 홈에 상기 전극을 제공하는 단계는, 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 상기 홈에 상기 전극을 성장시킬 수 있다.According to an embodiment, in the step of providing the electrode in the groove, the electrode may be grown in the groove using a chemical vapor deposition method.

일 실시 예에 의하면, 상기 홈에 상기 전극을 제공하는 단계는, 상기 전극보다 더 낮은 증발 온도를 가지는 매개체의 상면에 상기 전극을 성장시키고, 상기 매개체의 하면이 상부를 향하도록 상기 매개체의 상면에 성장된 상기 전극을 상기 홈에 삽입하고, 상기 전극의 증발 온도보다는 낮고 상기 매개체의 증발 온도보다는 높은 온도로 상기 전극과 상기 매개체를 가열하여 상기 매개체를 증발시킬 수 있다.According to an embodiment, in the step of providing the electrode in the groove, the electrode is grown on the upper surface of the medium having a lower evaporation temperature than the electrode, and the lower surface of the medium is placed on the upper surface of the medium so that the lower surface faces upward. The grown electrode may be inserted into the groove, and the medium may be evaporated by heating the electrode and the medium to a temperature lower than the evaporation temperature of the electrode and higher than the evaporation temperature of the medium.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 기판에 대한 처리가 수행되는 처리 공간을 제공하는 공정 처리부와; 공정 가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마를 상기 처리 공간으로 공급하는 플라즈마 발생부를 포함하되, 상기 공정 처리부는, 상기 처리 공간을 제공하는 하우징과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 세라믹을 포함하는 재질로 제공되는 바디; 상기 바디의 상부에 배치되며, 세라믹을 포함하는 재질로 제공되는 유전 층; 및 상기 바디와 상기 유전 층 사이에 배치되며, 그라핀(Graphene)을 포함하는 재질로 제공되는 전극을 포함할 수 있다.The present invention also provides an apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus includes: a processing unit providing a processing space in which processing of a substrate is performed; a plasma generator configured to generate plasma by discharging a process gas and supply the plasma to the processing space, wherein the process processing part includes: a housing providing the processing space; a support unit for supporting a substrate in the processing space, wherein the support unit includes: a body made of a material including ceramic; a dielectric layer disposed on the body and made of a material including ceramic; and an electrode disposed between the body and the dielectric layer and made of a material including graphene.

일 실시 예에 의하면, 상기 바디에는, 그 상면의 중앙 영역과 가장자리 영역의 높이가 서로 상이하도록 상기 중앙 영역에서 아래 방향으로 만입된 홈이 형성되고, 상기 전극은, 상기 홈에 제공될 수 있다.According to an embodiment, a groove indented downward from the central region may be formed in the body so that the height of the central region and the edge region of the upper surface is different from each other, and the electrode may be provided in the groove.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 전극이 정전기력으로 지지된 기판을 클램핑할 수 있도록 상기 전극에 연결되는 정전 전원을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the support unit may further include an electrostatic power supply connected to the electrode so that the electrode can clamp the substrate supported by the electrostatic force.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 전극이 열을 발생시켜 지지된 기판의 온도를 조절할 수 있도록 상기 전극에 연결되는 발열 전원을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the support unit may further include a heating power source connected to the electrode so that the electrode generates heat to adjust the temperature of the supported substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스에 의한 변위 전류(Displacement current)에 의해 상기 지지 유닛이 가지는 기재들이 파손되는 것을 방지하기 위한 접지 경로를 형성할 수 있도록 상기 전극에 연결되는 접지 라인을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the support unit is configured to form a ground path for preventing the substrates of the support unit from being damaged by a displacement current generated by a plasma source generating the plasma. It may further include a ground line connected to.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 유전 층의 상부에 제공되고, 기판을 지지하는 안착 면을 가지는 안착 판을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the support unit may further include a seating plate provided on the dielectric layer and having a seating surface for supporting the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to efficiently process the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 클램핑 할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to efficiently clamp the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 효율적으로 열을 전달 할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, heat can be efficiently transferred to the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에서 발생될 수 있는 변위 전류(Displacement Current)에 의한 기재 손상을 최소화 할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize damage to the substrate due to a displacement current that may be generated in an apparatus for processing a substrate using plasma.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 지지 유닛에 제공되는 전극에 마이크로 크랙이 발생되는 것을 최소화 할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize the occurrence of micro-cracks in the electrode provided on the support unit.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면들로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and the effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains from the present specification and accompanying drawings.

도 1을 기판 처리 장치에 제공되는 일반적인 지지 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3는 도 2의 프로세스 챔버 중 플라즈마 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛 제조 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 6은 도 5의 홈 형성 단계를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 5의 전극 제공 단계를 보여주는 도면이다.
도 8은 도 5의 유전층 형성 단계를 보여주는 도면이다.
도 9는 도 5의 안착판 설치 단계를 보여주는 도면이다.
도 10 내지 도 12는 도 5의 전극 제공 단계의 다른 예를 보여주는 도면들이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.1 is a view showing a state of a general support unit provided in a substrate processing apparatus.
2 is a diagram schematically showing a substrate processing facility of the present invention.
FIG. 3 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus performing a plasma processing process in the process chamber of FIG. 2 .
4 is a view showing a state of a support unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a support unit according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a view showing the step of forming the groove of FIG. 5 .
7 is a view showing an electrode providing step of FIG. 5 .
FIG. 8 is a view showing a dielectric layer forming step of FIG. 5 .
9 is a view showing the mounting plate installation step of FIG. 5 .
10 to 12 are views showing another example of the electrode providing step of FIG. 5 .
13 is a view showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
14 is a view showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. However, the present invention may be embodied in various different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated. Specifically, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification is present, and includes one or more other features or It should be understood that the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof does not preclude the possibility of addition.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In addition, the shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.

이하 도 2 내지 도 14을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 14 .

도 2는 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM)(20) 및 처리 모듈(30)을 가진다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)은 일 방향으로 배치된다. 2 is a diagram schematically showing a substrate processing facility of the present invention. Referring to FIG. 2 , a substrate processing facility 1 has an equipment front end module (EFEM) 20 and a processing module 30 . The facility front end module 20 and the processing module 30 are arranged in one direction.

설비 전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(load port, 10) 및 이송 프레임(21)을 가진다. 로드 포트(10)는 제1방향(11)으로 설비 전방 단부 모듈(20)의 전방에 배치된다. 로드 포트(10)는 복수 개의 지지부(6)를 가진다. 각각의 지지부(6)는 제 2 방향(12)으로 일렬로 배치되며, 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(4)(예를 들어, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(4)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. 이송 프레임(21)은 로드 포트(10)와 처리 모듈(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(21)은 그 내부에 배치되고 로드 포트(10)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송하는 제 1 이송로봇(25)을 포함한다. 제 1 이송로봇(25)은 제 2 방향(12)으로 구비된 이송 레일(27)을 따라 이동하여 캐리어(4)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송한다.The equipment front end module 20 has a load port 10 and a transport frame 21 . The load port 10 is disposed in front of the facility front end module 20 in the first direction 11 . The load port 10 has a plurality of supports 6 . Each of the support parts 6 is arranged in a line in the second direction 12, and the carrier 4 (eg, a cassette, FOUP, etc.) is seated. The carrier 4 accommodates the substrate W to be provided for the process and the substrate W on which the process has been completed. The transport frame 21 is disposed between the load port 10 and the processing module 30 . The transfer frame 21 includes a first transfer robot 25 disposed therein and transferring the substrate W between the load port 10 and the processing module 30 . The first transfer robot 25 moves along the transfer rail 27 provided in the second direction 12 to transfer the substrate W between the carrier 4 and the processing module 30 .

처리 모듈(30)은 로드락 챔버(40), 트랜스퍼 챔버(50), 그리고 프로세스 챔버(60)를 포함한다. The processing module 30 includes a load lock chamber 40 , a transfer chamber 50 , and a process chamber 60 .

로드락 챔버(40)는 이송 프레임(21)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(40)는 트랜스퍼 챔버(50)와 설비 전방 단부 모듈(20)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 공정에 제공될 기판(W)이 프로세스 챔버(60)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 설비 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다. The load lock chamber 40 is disposed adjacent to the transfer frame 21 . For example, the load lock chamber 40 may be disposed between the transfer chamber 50 and the facility front end module 20 . The load lock chamber 40 is a space for waiting before the substrate W to be provided for the process is transferred to the process chamber 60 or the substrate W on which the process is completed is transferred to the facility front end module 20 . provides

트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 도 2를 참조하면, 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖는다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(40)와 복수개의 프로세스 챔버(60)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(50)와 로드락 챔버(40) 또는 프로세스 챔버(60)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하여 내부를 밀폐시키는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(50)의 내부공간에는 로드락 챔버(40)와 프로세스 챔버(60)들간에 기판(W)을 이송하는 제 2 이송로봇(53)이 배치된다. 제 2 이송로봇(53)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 프로세스 챔버(60)로 이송하거나, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(40)로 이송한다. 그리고, 복수개의 프로세스 챔버(60)에 기판(W)을 순차적으로 제공하기 위하여 프로세스 챔버(60)간에 기판(W)을 이송한다. 도 2과 같이, 트랜스퍼 챔버(50)가 오각형의 몸체를 가질 때, 설비 전방 단부 모듈(20)과 인접한 측벽에는 로드락 챔버(40)가 각각 배치되며, 나머지 측벽에는 프로세스 챔버(60)들이 연속하여 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상기 형상뿐만 아니라, 요구되는 공정모듈에 따라 다양한 형태로 제공될 수 있다.The transfer chamber 50 is disposed adjacent to the load lock chamber 40 . The transfer chamber 50 has a polygonal body when viewed from above. Referring to FIG. 2 , the transfer chamber 50 has a pentagonal body when viewed from above. A load lock chamber 40 and a plurality of process chambers 60 are disposed on the outside of the body along the circumference of the body. A passage (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on each sidewall of the body, and the passage connects the transfer chamber 50 and the load lock chamber 40 or the process chambers 60 . Each passage is provided with a door (not shown) that opens and closes the passage to seal the inside. A second transfer robot 53 for transferring the substrate W between the load lock chamber 40 and the process chambers 60 is disposed in the internal space of the transfer chamber 50 . The second transfer robot 53 transfers the unprocessed substrate W waiting in the load lock chamber 40 to the process chamber 60 , or transfers the processed substrate W to the load lock chamber 40 . do. Then, the substrate W is transferred between the process chambers 60 to sequentially provide the substrates W to the plurality of process chambers 60 . As shown in FIG. 2 , when the transfer chamber 50 has a pentagonal body, the load lock chamber 40 is disposed on the side wall adjacent to the facility front end module 20 , and the process chambers 60 are continuous on the other side wall. to be placed The transfer chamber 50 may be provided in various forms depending on the required process module as well as the above shape.

프로세스 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)의 둘레를 따라 배치된다. 프로세스 챔버(60)는 복수개 제공될 수 있다. 각각의 프로세스 챔버(60)내에서는 기판(W)에 대한 공정 처리가 진행된다. 프로세스 챔버(60)는 제 2 이송로봇(53)으로부터 기판(W)을 이송 받아 공정 처리를 하고, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 제 2 이송로봇(53)으로 제공한다. 각각의 프로세스 챔버(60)에서 진행되는 공정 처리는 서로 상이할 수 있다. 이하, 프로세스 챔버(60) 중 플라즈마 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치(1000)에 대해서 상세히 설명한다.The process chamber 60 is disposed along the perimeter of the transfer chamber 50 . A plurality of process chambers 60 may be provided. In each process chamber 60, a process process for the substrate W is performed. The process chamber 60 receives the substrate W from the second transfer robot 53 to process it, and provides the processed substrate W to the second transfer robot 53 . Processes performed in each process chamber 60 may be different from each other. Hereinafter, the substrate processing apparatus 1000 performing the plasma processing process in the process chamber 60 will be described in detail.

도 3은 도 2의 프로세스 챔버 중 플라즈마 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상에 소정의 공정을 수행한다. 일 예로, 기판 처리 장치(1000)는 기판(W) 상의 박막을 식각 또는 애싱할 수 있다. 박막은 폴리 실리콘막, 실리콘 산화막, 그리고 실리콘 질화막 등 다양한 종류의 막일 수 있다. 또한, 박막은 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막일 수 있다. FIG. 3 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus performing a plasma processing process in the process chamber of FIG. 2 . Referring to FIG. 3 , the substrate processing apparatus 1000 performs a predetermined process on the substrate W using plasma. For example, the substrate processing apparatus 1000 may etch or ashing the thin film on the substrate W. The thin film may be various types of films, such as a polysilicon film, a silicon oxide film, and a silicon nitride film. In addition, the thin film may be a natural oxide film or a chemically generated oxide film.

기판 처리 장치(1000)는 공정 처리부(200), 플라즈마 발생부(400), 그리고 배기부(600)를 가진다.The substrate processing apparatus 1000 includes a process processing unit 200 , a plasma generating unit 400 , and an exhaust unit 600 .

공정 처리부(200)는 기판(W)이 놓이고, 기판에 대한 처리가 수행되는 처리 공간(212)을 제공한다. 플라즈마 발생부(400) 공정 가스를 방전시켜 플라즈마(Plasma)를 생성시키고, 이를 공정 처리부(200)의 처리 공간(212)으로 공급한다. 배기부(600)는 공정 처리부(200) 내부에 머무르는 공정 가스 및/또는 기판 처리 과정에서 발생한 반응 부산물 등을 외부로 배출하고, 공정 처리부(200) 내의 압력을 설정 압력으로 유지한다. The processing unit 200 provides a processing space 212 in which the substrate W is placed and processing is performed on the substrate. Plasma is generated by discharging the process gas of the plasma generator 400 , and it is supplied to the processing space 212 of the process processor 200 . The exhaust unit 600 discharges the process gas remaining in the process processing unit 200 and/or reaction byproducts generated in the substrate processing process to the outside, and maintains the pressure in the process processing unit 200 as a set pressure.

공정 처리부(200)는 하우징(210), 지지 유닛(230), 그리고 배플(250)을 포함할 수 있다. The processing unit 200 may include a housing 210 , a support unit 230 , and a baffle 250 .

하우징(210)의 내부에는 기판 처리 공정을 수행하는 처리 공간(212)을 가질 수 있다. 하우징(210)은 상부가 개방되고, 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 기판(W)은 개구를 통하여 하우징(210) 내부로 출입한다. 개구는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 또한, 하우징(210)의 바닥면에는 배기홀(214) 형성된다. 배기홀(214)을 통해 처리 공간(212) 내 공정 가스 및/또는 부산물을 처리 공간(212)의 외부로 배기할 수 있다. 배기홀(214)은 후술하는 배기부(600)가 포함하는 구성들과 연결될 수 있다. The housing 210 may have a processing space 212 in which a substrate processing process is performed. The housing 210 has an open top, and an opening (not shown) may be formed in the sidewall. The substrate W enters and exits the housing 210 through the opening. The opening may be opened and closed by an opening and closing member such as a door (not shown). In addition, an exhaust hole 214 is formed in the bottom surface of the housing 210 . The process gas and/or by-products in the processing space 212 may be exhausted to the outside of the processing space 212 through the exhaust hole 214 . The exhaust hole 214 may be connected to components included in the exhaust unit 600 to be described later.

지지 유닛(230)은 처리 공간(212)에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(230)은 처리 공간(212)에서 정전기력으로 기판(W)을 클램핑 할 수 있다. 지지 유닛(230)에 대한 상세한 설명은 후술한다.The support unit 230 supports the substrate W in the processing space 212 . The support unit 230 may clamp the substrate W using an electrostatic force in the processing space 212 . A detailed description of the support unit 230 will be described later.

배플(250)은 지지 유닛(230)과 마주보도록 지지 유닛(230)의 상부에 위치한다. 배플(250)은 지지 유닛(230)과 플라즈마 발생부(400)의 사이에 배치될 수 있다. 플라즈마 발생부(400)에서 발생되는 플라즈마는 배플(250)에 형성된 복수의 홀(252)들을 통과할 수 있다. The baffle 250 is positioned above the support unit 230 to face the support unit 230 . The baffle 250 may be disposed between the support unit 230 and the plasma generator 400 . Plasma generated by the plasma generator 400 may pass through a plurality of holes 252 formed in the baffle 250 .

배플(250)은 처리 공간(212)으로 유입되는 플라즈마가 기판(W)으로 균일하게 공급되도록 한다. 배플(250)에 형성된 홀(252)들은 배플(250)의 상면에서 하면까지 제공되는 관통홀로 제공되며, 배플(250)의 각 영역에 균일하게 형성될 수 있다.The baffle 250 allows the plasma flowing into the processing space 212 to be uniformly supplied to the substrate W. The holes 252 formed in the baffle 250 are provided as through holes provided from the upper surface to the lower surface of the baffle 250 , and may be uniformly formed in each area of the baffle 250 .

플라즈마 발생부(400)는 하우징(210)의 상부에 위치될 수 있다. 플라즈마 발생부(400)는 공정 가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 처리 공간(212)으로 공급할 수 있다. 플라즈마 발생부(400)는 플라즈마 챔버(410), 가스 공급 유닛(420), 전력 인가 유닛(430), 그리고 확산 챔버(440)를 포함할 수 있다. The plasma generator 400 may be located on the housing 210 . The plasma generator 400 may generate plasma by discharging a process gas, and supply the generated plasma to the processing space 212 . The plasma generator 400 may include a plasma chamber 410 , a gas supply unit 420 , a power application unit 430 , and a diffusion chamber 440 .

플라즈마 챔버(410)에는 상면, 그리고 하면이 개방된 형상을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(410)는 상면, 그리고 하면이 개방된 통 형상을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(410)는 상면, 그리고 하면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(410)는 플라즈마 발생 공간(412)을 가질 수 있다. 또한, 플라즈마 챔버(410)는 산화 알루미늄(Al2O3)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 플라즈마 챔버(410)의 상면은 가스 공급 포트(414)에 의해 밀폐될 수 있다. 가스 공급 포트(414)는 가스 공급 유닛(420)과 연결될 수 있다. 공정 가스는 가스 공급 포트(414)를 통해 플라즈마 발생 공간(412)으로 공급될 수 있다. 플라즈마 발생 공간(412)으로 공급된 가스는 배플(250)을 거쳐 처리 공간(212)으로 유입될 수 있다.The plasma chamber 410 may have an open top and bottom surfaces. The plasma chamber 410 may have a cylindrical shape with an open upper surface and an open lower surface. The plasma chamber 410 may have a cylindrical shape with an open upper surface and an open lower surface. The plasma chamber 410 may have a plasma generating space 412 . Also, the plasma chamber 410 may be made of a material including aluminum oxide (Al2O3). The upper surface of the plasma chamber 410 may be sealed by a gas supply port 414 . The gas supply port 414 may be connected to the gas supply unit 420 . The process gas may be supplied to the plasma generating space 412 through the gas supply port 414 . The gas supplied to the plasma generating space 412 may be introduced into the processing space 212 through the baffle 250 .

가스 공급 유닛(420)은 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(420)은 가스 공급 포트(414)와 연결될 수 있다. 가스 공급 유닛(420)이 공급하는 공정 가스는 플루오린(Fluorine) 및/또는 하이드러전(Hydrogen)을 포함할 수 있다. The gas supply unit 420 may supply a process gas. The gas supply unit 420 may be connected to the gas supply port 414 . The process gas supplied by the gas supply unit 420 may include fluorine and/or hydrogen.

전력 인가 유닛(430)은 플라즈마 발생 공간(412)에 고주파 전력을 인가한다. 전력 인가 유닛(430)은 플라즈마 발생 공간(412)에서 공정 가스를 여기하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스일 수 있다. 전력 인가 유닛(430)은 안테나(432), 전원(434)을 포함할 수 있다.The power application unit 430 applies high-frequency power to the plasma generating space 412 . The power application unit 430 may be a plasma source that generates plasma by exciting a process gas in the plasma generating space 412 . The power application unit 430 may include an antenna 432 and a power source 434 .

안테나(432)는 유도 결합형 플라즈마(ICP) 안테나일 수 있다. 안테나(432)는 코일 형상으로 제공될 수 있다. 안테나(432)는 플라즈마 챔버(410) 외부에서 플라즈마 챔버(410)에 복수 회 감길 수 있다. 안테나(432)는 플라즈마 챔버(410)의 외부에서 나선 형으로 플라즈마 챔버(410)에 복수 회 감길 수 있다. 안테나(432)는 플라즈마 발생 공간(412)에 대응하는 영역에서 플라즈마 챔버(410)에 감길 수 있다. 안테나(432)의 일단은 플라즈마 챔버(410)의 정단면에서 바라볼 때, 플라즈마 챔버(410)의 상부 영역과 대응되는 높이에 제공될 수 있다. 안테나(432)의 타단은 플라즈마 챔버(410)의 정단면에서 바라볼 때, 플라즈마 챔버(410)의 하부 영역과 대응되는 높이에 제공될 수 있다. The antenna 432 may be an inductively coupled plasma (ICP) antenna. The antenna 432 may be provided in a coil shape. The antenna 432 may be wound around the plasma chamber 410 outside the plasma chamber 410 a plurality of times. The antenna 432 may be wound around the plasma chamber 410 a plurality of times in a spiral shape from the outside of the plasma chamber 410 . The antenna 432 may be wound around the plasma chamber 410 in a region corresponding to the plasma generating space 412 . One end of the antenna 432 may be provided at a height corresponding to the upper region of the plasma chamber 410 when viewed from the front cross-section of the plasma chamber 410 . The other end of the antenna 432 may be provided at a height corresponding to the lower region of the plasma chamber 410 when viewed from the front cross-section of the plasma chamber 410 .

전원(434)은 안테나(432)에 전력을 인가할 수 있다. 전원(434)은 안테나(432)에 고주파 교류 전류를 인가할 수 있다. 안테나(432)에 인가된 고주파 교류 전류는 플라즈마 발생 공간(412)에 유도 전기장을 형성할 수 있다. 플라즈마 발생 공간(412) 내로 공급되는 공정 가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 에너지를 얻어 플라즈마 상태로 변환될 수 있다. 또한, 전원(434)은 안테나(432)의 일단에 연결될 수 있다. 전원(434)은 플라즈마 챔버(410)의 상부 영역과 대응되는 높이에 제공되는 안테나(432)의 일단에 연결될 수 있다. 또한, 안테나(432)의 타단은 접지될 수 있다. 플라즈마 챔버(410)의 하부 영역과 대응되는 높이에 제공되는 안테나(432)의 타단은 접지될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 안테나(432)의 타단에 전원(434)이 연결되고 안테나(432)의 일단이 접지될 수도 있다.The power source 434 may apply power to the antenna 432 . The power source 434 may apply a high-frequency alternating current to the antenna 432 . The high-frequency alternating current applied to the antenna 432 may form an induced electric field in the plasma generating space 412 . The process gas supplied into the plasma generating space 412 may be converted into a plasma state by obtaining energy required for ionization from the induced electric field. Also, the power source 434 may be connected to one end of the antenna 432 . The power source 434 may be connected to one end of the antenna 432 provided at a height corresponding to the upper region of the plasma chamber 410 . Also, the other end of the antenna 432 may be grounded. The other end of the antenna 432 provided at a height corresponding to the lower region of the plasma chamber 410 may be grounded. However, the present invention is not limited thereto, and a power source 434 may be connected to the other end of the antenna 432 and one end of the antenna 432 may be grounded.

확산 챔버(440)는 플라즈마 챔버(410)에서 발생된 플라즈마를 확산시킬 수 있다. 확산 챔버(440)는 플라즈마 챔버(410)의 하부에 배치될 수 있다. 확산 챔버(440)는 상부와 하부가 개방된 형상을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)는 역 깔대기 형상을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)의 상단은 플라즈마 챔버(410)와 대응되는 직경을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)의 하단은 확산 챔버(440)의 상단보다 큰 직경을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)는 상단에서 하단으로 갈수록 그 직경이 커질 수 있다. 또한, 확산 챔버(440)는 확산 공간(442)을 가질 수 있다. 플라즈마 발생 공간(412)에서 발생된 플라즈마는 확산 공간(442)을 거치면서 확산될 수 있다. 확산 공간(442)으로 유입된 플라즈마는 배플(250)을 거쳐 처리 공간(412)으로 유입될 수 있다.The diffusion chamber 440 may diffuse the plasma generated in the plasma chamber 410 . The diffusion chamber 440 may be disposed under the plasma chamber 410 . The diffusion chamber 440 may have an open top and bottom. The diffusion chamber 440 may have an inverted funnel shape. The upper end of the diffusion chamber 440 may have a diameter corresponding to that of the plasma chamber 410 . The lower end of the diffusion chamber 440 may have a larger diameter than the upper end of the diffusion chamber 440 . The diameter of the diffusion chamber 440 may increase from the top to the bottom. Also, the diffusion chamber 440 may have a diffusion space 442 . Plasma generated in the plasma generating space 412 may be diffused while passing through the diffusion space 442 . Plasma introduced into the diffusion space 442 may be introduced into the processing space 412 through the baffle 250 .

배기부(600)는 공정 처리부(200) 내부의 공정 가스 및 불순물을 외부로 배기할 수 있다. 배기부(600)는 기판(W) 처리 과정에서 발생하는 불순물을 기판 처리 장치(1000)의 외부로 배기할 수 있다. 배기부(600)는 처리 공간(212) 내로 공급된 공정 가스를 외부로 배기할 수 있다. 배기부(600)는 배기 라인(602), 그리고 감압 부재(604)를 포함할 수 있다. 배기 라인(602)은 하우징(210)의 바닥면에 형성된 배기홀(214)과 연결될 수 있다. 또한, 배기 라인(602)은 감압을 제공하는 감압 부재(604)와 연결될 수 있다. 이에, 감압 부재(604)는 처리 공간(212)에 감압을 제공할 수 있다. 감압 부재(604)는 펌프 일 수 있다. 감압 부재(604)는 처리 공간(212)에 잔류하는 플라즈마 및 불순물을 하우징(210)의 외부로 배출할 수 있다. 또한, 감압 부재(604)는 처리 공간(212)의 압력을 기 설정된 압력으로 유지하도록 감압을 제공할 수 있다.The exhaust unit 600 may exhaust the process gas and impurities inside the process processing unit 200 to the outside. The exhaust unit 600 may exhaust impurities generated in the process of processing the substrate W to the outside of the substrate processing apparatus 1000 . The exhaust unit 600 may exhaust the process gas supplied into the processing space 212 to the outside. The exhaust unit 600 may include an exhaust line 602 and a pressure reducing member 604 . The exhaust line 602 may be connected to the exhaust hole 214 formed in the bottom surface of the housing 210 . Also, the exhaust line 602 may be connected to a pressure reducing member 604 that provides pressure reduction. Accordingly, the pressure reduction member 604 may provide pressure reduction to the processing space 212 . The pressure reducing member 604 may be a pump. The pressure reducing member 604 may discharge plasma and impurities remaining in the processing space 212 to the outside of the housing 210 . In addition, the pressure reducing member 604 may provide a pressure reduction to maintain the pressure of the processing space 212 at a preset pressure.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛의 모습을 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛(230)은 바디(231), 유전 층(232), 안착 판(233), 전극(235), 정전 전원(236), 그리고 지지 축(239)을 포함할 수 있다.4 is a view showing a state of a support unit according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4 , the support unit 230 according to an embodiment of the present invention includes a body 231 , a dielectric layer 232 , a mounting plate 233 , an electrode 235 , an electrostatic power source 236 , and a support. A shaft 239 may be included.

바디(231)는 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 바디(231)는 상부에서 바라볼 때 원 형상을 가질 수 있다. 바디(231)의 상면은 중앙 영역과 가장자리 영역의 높이가 서로 상이하도록 단차질 수 있다. 예컨대, 바디(231)의 상면은 중앙 영역과 가장자리 영역의 높이가 서로 상이하도록 중앙 영역에서 아래 방향으로 만입 된 홈(231a)이 형성될 수 있다. 바디(231)에 형성된 홈(231a)에는 전극(235)이 제공될 수 있다.The body 231 may be made of a material including ceramic. The body 231 may have a circular shape when viewed from the top. The upper surface of the body 231 may be stepped so that the heights of the central region and the edge region are different from each other. For example, the upper surface of the body 231 may have a groove 231a recessed downward in the central region so that the height of the central region and the edge region is different from each other. An electrode 235 may be provided in the groove 231a formed in the body 231 .

유전 층(232)은 바디(231)의 상부에 배치될 수 있다. 유전 층(232)은 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 유전 층(232)은 전극(235)의 상면 전부와 바디(231)의 상면 중 일부를 덮도록 제공될 수 있다. 예컨대, 유전 층(232)은 전극(235)의 상면과 바디(231)의 상면 중 가장자리 영역에 해당하는 상면을 덮도록 제공될 수 있다. 유전 층(232)은 상부에서 바라볼 때 바디(231)와 동일한 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 유전 층(232)은 상부에서 바라볼 때 원 형상을 가질 수 있다.A dielectric layer 232 may be disposed on top of the body 231 . The dielectric layer 232 may be made of a material including ceramic. The dielectric layer 232 may be provided to cover all of the top surface of the electrode 235 and a part of the top surface of the body 231 . For example, the dielectric layer 232 may be provided to cover an upper surface corresponding to an edge region among the upper surface of the electrode 235 and the upper surface of the body 231 . The dielectric layer 232 may have the same shape as the body 231 when viewed from the top. For example, the dielectric layer 232 may have a circular shape when viewed from above.

안착 판(233)은 기판(W)이 지지되는 안착 면을 가질 수 있다. 안착 판(233)은 바디(231), 전극(235), 그리고 유전 층(232)의 상부에 배치될 수 있다. 예컨대, 안착 판(233)은 그 하면이 유전 층(232)의 상면과 서로 접할 수 있다. 또한, 안착 판(233)은 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 안착 판(233)은 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 또한, 안착 판(233)은 상부에서 바라볼 때 바디(231)와 동일한 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 안착 판(233)은 상부에서 바라볼 때 원 형상을 가질 수 있다.The seating plate 233 may have a seating surface on which the substrate W is supported. The mounting plate 233 may be disposed on the body 231 , the electrode 235 , and the dielectric layer 232 . For example, the lower surface of the mounting plate 233 may be in contact with the upper surface of the dielectric layer 232 . In addition, the mounting plate 233 may be provided with a material including a metal. However, the present invention is not limited thereto, and the seating plate 233 may be made of a material including ceramic. In addition, the seating plate 233 may have the same shape as the body 231 when viewed from the top. For example, the seating plate 233 may have a circular shape when viewed from the top.

전극(235)은 바디(231)와 유전 층(232) 사이에 배치될 수 있다. 전극(235)은 바디(231)에 형성된 홈(231a)에 제공될 수 있다. 전극(235)의 상면은 바디(231)의 가장자리 영역의 상면의 높이와 서로 일치하도록 제공될 수 있다. 또한, 전극(235)은 전자의 이동성, 열 전도성, 그리고 신축성이 우수한 소재로 제공될 수 있다. 예컨대, 전극(235)은 그라핀(Graphene)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 또한, 전극(235)은 전원과 연결될 수 있다. 예컨대, 전극(235)은, 전극(235)이 정전기력으로 지지 유닛(230)에 지지된 기판(W)을 클램핑 할 수 있도록 정전 전원(236)과 연결될 수 있다. 전극(235)이 전자의 이동성, 열 전도성, 그리고 신축성이 우수한 소재로 제공되므로, 기판(W)을 처리하는 과정에서 지지 유닛(230)에 열이 전달되더라도 전극(235)에 마이크로 크랙(Micro Crack)이 발생하는 것을 최소화 할 수 있다. 이에, 지지 유닛(230)은 보다 균일한 정전기력을 발생시킬 수 있고, 이에, 기판(W)을 적절하게 클램핑 할 수 있다. 이에, 기판(W)에 대한 처리가 수행되는 동안 기판(W)의 처리 위치가 변경되는 것을 최소화 할 수 있어, 기판(W)에 대한 처리 효율을 보다 높일 수 있다.The electrode 235 may be disposed between the body 231 and the dielectric layer 232 . The electrode 235 may be provided in the groove 231a formed in the body 231 . The upper surface of the electrode 235 may be provided to coincide with the height of the upper surface of the edge region of the body 231 . Also, the electrode 235 may be made of a material having excellent electron mobility, thermal conductivity, and elasticity. For example, the electrode 235 may be made of a material including graphene. Also, the electrode 235 may be connected to a power source. For example, the electrode 235 may be connected to the electrostatic power supply 236 so that the electrode 235 may clamp the substrate W supported by the support unit 230 with an electrostatic force. Since the electrode 235 is made of a material excellent in electron mobility, thermal conductivity, and elasticity, even if heat is transferred to the support unit 230 in the process of processing the substrate W, the electrode 235 may have micro cracks (micro cracks). ) can be minimized. Accordingly, the support unit 230 may generate a more uniform electrostatic force, and accordingly, the substrate W may be properly clamped. Accordingly, it is possible to minimize the change in the processing position of the substrate (W) while the processing for the substrate (W) is performed, it is possible to further increase the processing efficiency of the substrate (W).

지지 축(239)은 바디(231), 유전 층(232), 안착 판(233), 그리고 전극(235)을 지지할 수 있다. 지지 축(239)은 그 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 지지 축(239)은 바디(231)와 결합 될 수 있다. 또한, 지지 축(239)은 대상물, 예컨대 지지 유닛(230)에 지지된 기판(W)을 이동시킬 수 있다. 예컨대, 지지 축(239)은 그 길이가 상하 방향으로 신축 가능하게 제공되어 지지 유닛(230)에 지지된 기판(W)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. The support shaft 239 may support the body 231 , the dielectric layer 232 , the mounting plate 233 , and the electrode 235 . The support shaft 239 may be provided such that its longitudinal direction is in the up-down direction. The support shaft 239 may be coupled to the body 231 . In addition, the support shaft 239 may move an object, for example, the substrate W supported by the support unit 230 . For example, the support shaft 239 may be provided to be stretchable in the vertical direction to move the substrate W supported by the support unit 230 in the vertical direction.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛 제조 방법을 보여주는 플로우 차트이다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛 제조 방법은 홈 형성 단계(S10), 전극 제공 단계(S20), 유전 층 형성 단계(S30), 그리고 안착 판 설치 단계(S40)를 포함할 수 있다.5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a support unit according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5 , the method for manufacturing a support unit according to an embodiment of the present invention includes a groove forming step ( S10 ), an electrode providing step ( S20 ), a dielectric layer forming step ( S30 ), and a mounting plate installation step ( S40 ). may include

도 6에 도시된 바와 같이, 홈 형성 단계(S10)에는 바디(231)의 상면에 홈(231a)을 형성할 수 있다. 홈 형성 단계(S10)에는 바디(231)의 상면으로부터 아래 방향으로 만입되는 형상으로 홈(231a)을 형성할 수 있다. 홈 형성 단계(S10)에는 바디(231)의 가장자리 영역의 상면 높이가 중앙 영역의 상면 높이보다 높도록 단차진 형상을 가지는 홈(231a)을 형성할 수 있다. 홈 형성 단계(S10)에서 형성되는 홈(231a)은 선반, 밀링 등을 이용한 기계적 가공 방법에 의해 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며 홈 형성 단계(S10)에서 형성되는 홈(231a)은 공지된 다양한 가공 방법에 의해 형성될 수 있다.As shown in FIG. 6 , a groove 231a may be formed on the upper surface of the body 231 in the groove forming step S10 . In the groove forming step ( S10 ), the groove 231a may be formed in a shape that is recessed downward from the upper surface of the body 231 . In the step of forming the groove ( S10 ), a groove 231a having a stepped shape may be formed so that the height of the upper surface of the edge region of the body 231 is higher than the height of the upper surface of the central region. The groove 231a formed in the groove forming step S10 may be formed by a mechanical machining method using a lathe, milling, or the like. However, the present invention is not limited thereto, and the groove 231a formed in the groove forming step S10 may be formed by various known processing methods.

도 7에 도시된 바와 같이, 전극 제공 단계(S20)에는 바디(231)에 형성된 홈(231a)에 전극(235)을 제공할 수 있다. 전극 제공 단계(S20)에는 화학적 기상 증착법(CVD, Vhemical Vapor Deposition)을 이용하여 홈(231a)에 전극(235)을 제공할 수 있다. 전극 제공 단계(S20)에는 그라핀(Graphene) 입자(G)를 홈(231a)에 직접적으로 전달하여, 홈(231a)에 전극(235)을 성장시킬 수 있다. 또한, 홈(231a)에 제공된 전극(235)의 상면 높이가 바디(231)의 가장자리 영역의 상면 높이가 서로 일치하도록 홈(231a)에 전극(235)이 성장될 수 있다. 또한, 상술한 예에서는 홈(231a)에 전극(235)을 제공하는 방법으로 화학적 기상 증착법(CVD)로 그 예를 들었으나, 이에 한정되는 것은 아니고 전극 제공 단계(S20)에는 물리적 기상 증착법(PVD, Physical Vapor Deposition) 또는 공지된 전극(235) 성장 방법을 이용하여 홈(231a)에 전극(235)을 성장시킬 수 있다. 그라핀 입자(G)가 전자의 이동성, 열 전도성, 그리고 신축성이 우수한 소재로 제공되므로, 전극(235)을 홈(231a)에 제공하는 과정에서, 전극(235)과 바디(231)의 열 팽창률 차이로 인하여 발생될 수 있는 마이크로 크랙(Micro Crack)을 최소화 할 수 있다.7 , in the electrode providing step S20 , the electrode 235 may be provided in the groove 231a formed in the body 231 . In the electrode providing step ( S20 ), the electrode 235 may be provided in the groove 231a using a chemical vapor deposition (CVD) method. In the electrode providing step S20 , graphene particles G may be directly transferred to the groove 231a to grow the electrode 235 in the groove 231a. Also, the electrode 235 may be grown in the groove 231a so that the height of the top surface of the electrode 235 provided in the groove 231a coincides with the top surface height of the edge region of the body 231 . In addition, in the above-described example, a chemical vapor deposition (CVD) method is exemplified as a method of providing the electrode 235 in the groove 231a, but the present invention is not limited thereto. , Physical Vapor Deposition) or a known electrode 235 growth method may be used to grow the electrode 235 in the groove 231a. Since the graphene particles (G) are provided as a material having excellent electron mobility, thermal conductivity, and elasticity, in the process of providing the electrode 235 to the groove 231a, the coefficient of thermal expansion of the electrode 235 and the body 231 It is possible to minimize micro-cracks that may occur due to the difference.

도 8에 도시된 바와 같이, 유전 층 형성 단계(S30)에는 홈(231a)에 제공된 전극(235)의 상부에 유전 층(232)을 형성할 수 있다. 유전 층 형성 단계(S30)에 전극(235)의 상부에 형성되는 유전 층(232)은 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 유전 층 형성 단계(S30)에는 판 형상을 가지는 유전 층(232)을 전극(235)의 상부에 설치할 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 이와 달리 세라믹을 포함하는 도포액을 전극(235)의 상부에 공급하고, 도포액을 경화시키는 방식으로 유전 층(232)을 형성할 수 도 있다.As shown in FIG. 8 , in the dielectric layer forming step S30 , the dielectric layer 232 may be formed on the electrode 235 provided in the groove 231a. The dielectric layer 232 formed on the electrode 235 in the dielectric layer forming step S30 may be made of a material including ceramic. In the dielectric layer forming step ( S30 ), the dielectric layer 232 having a plate shape may be installed on the electrode 235 . However, the present invention is not limited thereto. Alternatively, the dielectric layer 232 may be formed by supplying a coating liquid including a ceramic to the upper portion of the electrode 235 and curing the coating liquid.

도 9에 도시된 바와 같이, 안착 판 설치 단계(S40)에는 유전 층(232)의 상부에 안착 판(233)을 설치할 수 있다. 안착 판 설치 단계(S40)에는 유전 층(232)의 상부에 안착 판(233)을 기계 적 방식(예컨대, 나사 또는 볼트 등의 결합 수단을 이용한 결합)을 이용하여 결합시키거나, 안착 판(233)을 유전 층(232) 상부에 소결 공정 등을 통해 결합시킬 수 있다. As shown in FIG. 9 , in the mounting plate installation step S40 , the mounting plate 233 may be installed on the dielectric layer 232 . In the seating plate installation step (S40), the seating plate 233 is coupled to the upper portion of the dielectric layer 232 using a mechanical method (for example, coupling using a coupling means such as screws or bolts), or the seating plate 233 ) may be bonded to the upper portion of the dielectric layer 232 through a sintering process or the like.

상술한 예에서는 바디(231)에 형성된 홈(231a)에 직접적으로 전극(235)을 제공하는 방법을 예로 들어 설명하였으나, 이와 달리 도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이 매개체(M)를 이용하여 홈(231a)에 전극(235)을 제공할 수도 있다. 도 10 내지 도 12를 참조하면, 매개체(M)는 상부에서 바라볼 때 홈(231a)과 동일한 형상을 가질 수 있다. 매개체(M)는 전극(235), 즉 그라핀(Graphene) 입자(G)의 증발 온도보다 더 낮은 증발 온도를 가질 수 있다. 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전극 제공 단계(S20)에는, 상부에서 바라볼 때 홈(231a)과 대응하는 형상을 가지는 매개체(M)의 상면에 그라핀 입자(G)를 전달하여 전극(235)을 성장시킬 수 있다(도 10). 전극(235)의 성장은 상술한 화학적 기상 증착법(CVD) 또는 물리적 기상 증착법(PVD)에 의해 이루어질 수 있다. 또한, 전극(235)은 홈(231a)의 높이와 동일한 높이를 가질 때까지 성장될 수 있다. 전극(235)의 성장이 완료되면, 전극(235) 및 매개체(M)는 바디(231)의 홈(231a)에 삽입될 수 있다(도 11). 이때, 매개체(M)의 하면이 위를 향하고, 전극(235)의 상면이 아래를 향하도록 홈(231a)에 삽입될 수 있다. 이후, 전극(235)과 매개체(M)에 열을 가하여 매개체(M)를 증발시킬 수 있다(도 12). 이때, 전극(235)과 매개체(M)에 전달되는 열은 전극(235)의 증발 온도보다 낮고 매개체(M)의 증발 온도보다는 높은 온도를 가질 수 있다. 이에, 전극(235) 및 매개체(M)에 열이 전달되면 매개체(M)만 선택적으로 증발될 수 있다. 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 매개체(M)를 통해 전극(235)이 성장된다. 이에, 바디(231)의 홈(231a)에 직접적으로 전극(235)을 성장시키는 경우와 비교할 때, 전극(235) 성장 과정에서 홈(231a) 이외의 기재에 그라핀 입자(G)가 부착되는 것을 최소화 할 수 있다.In the above-described example, the method of providing the electrode 235 directly to the groove 231a formed in the body 231 has been described as an example. However, as shown in FIGS. 10 to 12, differently, using the medium M An electrode 235 may be provided in the groove 231a. 10 to 12 , the medium M may have the same shape as the groove 231a when viewed from the top. The medium M may have an evaporation temperature lower than the evaporation temperature of the electrode 235 , that is, the graphene particles G. In the electrode providing step (S20) according to another embodiment of the present invention, the electrode 235 by transferring the graphene particles G to the upper surface of the medium M having a shape corresponding to the groove 231a when viewed from the top. ) can be grown (FIG. 10). The electrode 235 may be grown by the aforementioned chemical vapor deposition (CVD) or physical vapor deposition (PVD). Also, the electrode 235 may be grown until it has the same height as the height of the groove 231a. When the growth of the electrode 235 is completed, the electrode 235 and the medium M may be inserted into the groove 231a of the body 231 ( FIG. 11 ). At this time, the lower surface of the medium M may be inserted into the groove 231a so that the upper surface of the electrode 235 faces downward. Thereafter, heat may be applied to the electrode 235 and the medium M to evaporate the medium M ( FIG. 12 ). In this case, the heat transferred to the electrode 235 and the medium M may have a temperature lower than the evaporation temperature of the electrode 235 and higher than the evaporation temperature of the medium M. Accordingly, when heat is transferred to the electrode 235 and the medium M, only the medium M may be selectively evaporated. According to another embodiment of the present invention, the electrode 235 is grown through the medium M. Accordingly, compared to the case of directly growing the electrode 235 in the groove 231a of the body 231, the graphene particles G are attached to the substrate other than the groove 231a during the electrode 235 growth process. can be minimized

상술한 예에서는 전극(235)에 연결되는 전원이 정전 전원(236)인 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 13에 도시된 바와 같이 전극(235)에 연결되는 전원은 발열 전원(237)일 수 있다. 이 경우 전극(235)은 열을 발생시켜 기판(W)의 온도를 조절할 수 있다.In the above-described example, it has been described that the power connected to the electrode 235 is the electrostatic power supply 236 as an example, but the present invention is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 13 , the power source connected to the electrode 235 may be a heating power source 237 . In this case, the electrode 235 may control the temperature of the substrate W by generating heat.

상술한 예에서는 전극(235)에 정전 전원(236) 또는 발열 전원(237)이 연결되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 전극(235)에는 도 14에 도시된 바와 같이 접지 라인(238)이 연결될 수 있다. 플라즈마를 발생시켜 기판(W)을 처리하는 기판 처리 장치의 경우, 플라즈마를 발생시키는 전력 인가 유닛(430), 즉 플라즈마 소스에 의해 변위 전류(Displacement current)가 발생된다. 변위 전류는 지지 유닛(230)이 가지는 기재, 예컨대 인터페이스 라인, 지지 유닛(230)이 가지는 기계적, 전기적 장치들을 파손시킬 수 있다. 그러나 본 발명의 다른 실시 예에 따르면 전극(235)에는 접지 라인(238)이 연결되어 접지 경로를 형성하므로, 플라즈마 소스가 발생시키는 변위 전류에 의해 지지 유닛(230)이 가지는 기재들이 파손되는 것을 최소화 할 수 있다.In the above-described example, an example in which the electrostatic power supply 236 or the heating power supply 237 is connected to the electrode 235 has been described as an example, but the present invention is not limited thereto. For example, a ground line 238 may be connected to the electrode 235 as shown in FIG. 14 . In the case of a substrate processing apparatus that processes the substrate W by generating plasma, a displacement current is generated by the power applying unit 430 that generates plasma, that is, a plasma source. The displacement current may damage a substrate of the support unit 230 , such as an interface line, and mechanical and electrical devices of the support unit 230 . However, according to another embodiment of the present invention, since the ground line 238 is connected to the electrode 235 to form a ground path, damage to the substrates of the support unit 230 by the displacement current generated by the plasma source is minimized. can do.

또한, 전극(235)에 정전 전원(236)이 연결되는 경우, 지지 유닛(230)에는 열을 발생시키는 별도의 가열 부재(미도시)가 제공될 수 있다. 예컨대, 가열 부재는 전극(235)보다 아래에 지지 유닛(230)에 제공될 수 있다. 가열 부재는 바디(231)에 매설되는 히터일 수 있다.In addition, when the electrostatic power source 236 is connected to the electrode 235 , a separate heating member (not shown) for generating heat may be provided in the support unit 230 . For example, the heating element may be provided in the support unit 230 below the electrode 235 . The heating member may be a heater embedded in the body 231 .

또한, 전극(235)에 발열 전원(236)이 연결되는 경우, 지지 유닛(230)에는 정전기를 발생시키는 별도의 정전 부재(미도시)가 제공될 수 있다. 예컨대, 정전 부재는 전극(235)보다 위에 지지 유닛(230)에 제공될 수 있다. 정전 부재는 안착 판(233)에 제공되는 정전 플레이트일 수 있다. 정전 플레이트에는 정전 전원이 연결될 수 있다.In addition, when the heating power source 236 is connected to the electrode 235 , a separate electrostatic member (not shown) for generating static electricity may be provided in the support unit 230 . For example, the electrostatic member may be provided on the support unit 230 above the electrode 235 . The electrostatic member may be an electrostatic plate provided on the mounting plate 233 . An electrostatic power source may be connected to the electrostatic plate.

또한, 전극(235)에 접지 라인(238)이 연결되는 경우, 지지 유닛(230)에는 열을 발생시키는 별도의 가열 부재 및/또는 정전 부재가 제공될 수 있다. 예컨대, 가열 부재는 전극(235)보다 아래에, 정전 부재는 전극(235)보다 위에 제공될 수 있다. 예컨대, 가열 부재는 바디(231)에 매설되는 히터일 수 있고, 정전 부재는 안착 판(233)에 제공되는 정전 플레이트일 수 있다.In addition, when the ground line 238 is connected to the electrode 235 , a separate heating member and/or an electrostatic member for generating heat may be provided in the support unit 230 . For example, the heating element may be provided below the electrode 235 , and the electrostatic element may be provided above the electrode 235 . For example, the heating member may be a heater embedded in the body 231 , and the electrostatic member may be an electrostatic plate provided on the mounting plate 233 .

상술한 실시 예들은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 다양하게 적용될 수 있다. 예컨대, 상술한 실시 예들은 플라즈마를 이용하여 애싱 공정, 증착 공정, 식각 공정, 또는 클린 공정을 수행하는 다양한 장치에 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다. The above-described embodiments may be variously applied to an apparatus for processing a substrate using plasma. For example, the above-described embodiments may be equally or similarly applied to various apparatuses that perform an ashing process, a deposition process, an etching process, or a clean process using plasma.

또한, 상술한 실시 예들은, 기판을 처리하는 장치에서 전극이 제공되고, 기판을 지지하는 척과 같은 다양한 지지 유닛에도 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다.In addition, the above-described embodiments may be equally or similarly applied to various support units such as a chuck for supporting a substrate in which an electrode is provided in an apparatus for processing a substrate.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The above-described embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

지지 유닛 : 230
바디 : 231
홈 : 231a
유전 층 : 232
안착 판 : 233
전극 : 235
정전 전원 : 236
발열 전원 : 237
접지 라인 : 238
지지 축 : 239Support unit: 230
Body: 231
Home: 231a
Dielectric layer: 232
Seating plate: 233
Electrode: 235
Power outage: 236
Fever power: 237
Ground line: 238
Support shaft: 239

Claims (15)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 세라믹을 포함하는 재질로 제공되는 바디, 상기 바디의 상부에 배치되며, 세라믹을 포함하는 재질로 제공되는 유전 층 및 상기 바디와 상기 유전 층 사이에 배치되며, 그라핀(Graphene)을 포함하는 재질로 제공되는 전극을 포함하고, 상기 바디에는 그 상면의 중앙 영역과 가장자리 영역의 높이가 서로 상이하도록 상기 중앙 영역에서 아래 방향으로 만입된 홈이 형성되고, 상기 전극은 상기 홈에 제공되는 지지 유닛을 제조하는 방법에 있어서,
상기 바디에 상기 홈을 형성하는 단계;
상기 홈에 상기 전극을 제공하는 단계; 및
상기 유전 층을 상기 전극의 상부에 형성하는 단계를 포함하고,
상기 홈에 상기 전극을 제공하는 단계는,
화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 상기 홈에 상기 전극을 성장시키되, 상기 전극보다 더 낮은 증발 온도를 가지는 매개체의 상면에 상기 전극을 성장시키며,
상기 매개체의 하면이 상부를 향하도록 상기 매개체의 상면에 성장된 상기 전극을 상기 홈에 삽입하고,
상기 전극의 증발 온도보다는 낮고 상기 매개체의 증발 온도보다는 높은 온도로 상기 전극과 상기 매개체를 가열하여 상기 매개체를 증발시키는 지지 유닛 제조 방법.A body made of a ceramic-containing material, a dielectric layer disposed on the body and made of a ceramic-containing material, and a material disposed between the body and the dielectric layer, including graphene. A support unit comprising an electrode provided, wherein the body has a groove recessed downward in the central region so that the height of the central region and the edge region of the upper surface is different from each other, and the electrode is provided in the groove in how to do it,
forming the groove in the body;
providing the electrode in the groove; and
forming the dielectric layer on top of the electrode;
The step of providing the electrode in the groove comprises:
Growing the electrode in the groove using a chemical vapor deposition method, growing the electrode on the upper surface of a medium having a lower evaporation temperature than the electrode,
Inserting the electrode grown on the upper surface of the medium into the groove so that the lower surface of the medium faces upward,
A method of manufacturing a support unit, wherein the medium is evaporated by heating the electrode and the medium to a temperature lower than the evaporation temperature of the electrode and higher than the evaporation temperature of the medium. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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