KR20220118578A

KR20220118578A - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Info

Publication number: KR20220118578A
Application number: KR1020210021701A
Authority: KR
Inventors: 노종덕; 이광민; 이상익; 한재구
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2021-02-18
Filing date: 2021-02-18
Publication date: 2022-08-26
Also published as: CN114975526A; US20220263050A1

Abstract

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법이 제공된다. 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 홀을 포함하는 기판, 및 기판 상에 배치되며, 제1 홀과 부분적으로 중첩하며 평면 상 가장자리가 제1 홀의 외측에 배치되는 제2 홀을 포함하는 적층 구조물을 포함하되, 기판은 제2 홀에 노출되는 기판 노출부를 포함하며, 기판 노출부는 부분적으로 제2 홀의 가장자리 방향으로 부분적으로 함몰된다.

Description

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFATURING THE SAME}

본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED), 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다. 이와 같은 표시 장치들은 다양한 모바일 전자 기기, 예를 들어 스마트폰, 스마트워치, 태블릿 PC 등의 포터블 전자 기기 등을 중심으로 그 적용예가 다양화되고 있다.

최근에는 표시 장치에 화면 표시 이외의 다양한 기능을 구현하기 위한 부품들도 함께 탑재되는 추세이다. 카메라, 적외선 센서 등의 광학 소자가 탑재된 스마트 폰이 그러한 예 중 하나이다. 광학 소자의 수광을 위해 표시 장치는 광학홀을 포함할 수 있다. 광학홀의 투과율을 높이기 위해 표시 장치의 일부 부재들은 물리적으로 관통된다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 화면이나 영상을 표시하는 활성 영역에 의해 둘러싸인 홀을 포함하는 표시 장치에서 활성 영역의 크기를 극대화한 표시 장치를 제공하는 것이다.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 화면이나 영상을 표시하는 활성 영역에 의해 둘러싸인 홀을 물리적 접촉 없이 형성하여 홀 형성 시 표시 장치에 발생할 수 있는 데미지를 저감시킬 수 있는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 홀을 포함하는 기판; 및 상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 홀과 부분적으로 중첩하며 평면 상 가장자리가 상기 제1 홀의 외측에 배치되는 제2 홀을 포함하는 적층 구조물을 포함하되, 상기 기판은 상기 제2 홀에 노출되는 기판 노출부를 포함하며, 상기 기판 노출부는 부분적으로 상기 제2 홀의 가장자리 방향으로 부분적으로 함몰된다.

상기 기판 노출부는 평면 상 상기 기판 노출부의 상기 제1 홀을 정의하는 측면으로부터 상기 적층 구조물의 상기 제2 홀을 정의하는 측면까지 제1 거리를 갖는 제1 부분 및 평면 상 상기 기판 노출부의 상기 측면으로부터 상기 적층 구조물의 상기 측면까지 상기 제1 거리보다 작은 제2 거리를 갖는 제2 부분을 포함할 수 있다.

상기 기판 노출부의 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 교번하여 배치될 수 있다.

상기 제1 부분의 상기 측면 및 상기 제2 부분의 상기 측면은 평면 상 곡면 형상을 갖되, 상기 제1 부분의 상기 측면의 곡률은 상기 제2 부분의 상기 측면의 곡률보다 작을 수 있다.

상기 제2 부분의 상기 측면 및 상기 제1 부분의 상기 측면이 만나는 사잇각은 둔각일 수 있다.

상기 기판은 상기 제2 홀과 중첩하는 홀 영역, 상기 홀 영역을 적어도 부분적으로 둘러싸며 화상이 표시되는 활성 영역 및 상기 홀 영역 및 상기 활성 영역 사이에 배치되는 봉지 영역을 포함하되, 상기 활성 영역에서, 상기 적층 구조물은 상기 기판 상에 배치되는 회로 소자층, 상기 회로 소자층 상에 배치되며 컨택홀을 포함하는 비아층, 상기 비아층 상에 배치되며 상기 컨택홀을 통해 상기 회로 소자층과 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되며 개구부를 포함하는 화소 정의막, 상기 개구부 내부에 배치되는 발광층, 상기 화소 정의막 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극, 상기 제2 전극 상에 배치되는 제1 무기층, 상기 제1 무기층 상에 배치되는 제2 무기층, 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층 사이에 배치되는 제1 유기층을 포함하고, 상기 봉지 영역에서, 상기 적층 구조물은 상기 기판 상에 배치되는 댐 구조물, 상기 댐 구조물 상에 배치되는 상기 제1 무기층, 상기 제1 무기층 상에 배치되는 제2 무기층, 상기 제2 무기층 상에 배치되는 제2 유기층을 포함할 수 있다.

상기 댐 구조물은 상기 기판 상에서 상기 비아층과 동일층에 배치된 제1 구조물 및 상기 제1 구조물 상에서 상기 화소 정의막과 동일층에 배치된 제2 구조물을 포함할 수 있다.

상기 봉지 영역에서 상기 제2 유기층의 상면은 상기 활성 영역에서 상기 제2 무기층의 상면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다.

상기 기판 노출부 상에 배치되는 탄화물을 더 포함할 수 있다.

상기 적층 구조물은 상기 활성 영역에서 상기 제2 무기층 상에 배치되며, 상기 봉지 영역에서 상기 제2 유기층 상에 배치되는 편광 부재를 더 포함하되, 상기 탄화물은 상기 제2 유기층에 포함된 물질 및 상기 편광 부재에 포함된 물질 중 적어도 어느 하나가 탄화된 물질일 수 있다.

상기 기판 노출부에서 상기 적층 구조물이 위치한 반대 방향의 하면과 상기 제1 홀을 정의하는 측면은 제1 각도를 이루고, 상기 기판 노출부의 상기 하면의 반대면인 상면과 상기 적층 구조물에서 상기 제2 홀을 정의하는 측면은 상기 제1 각도보다 작은 제2 각도를 이룰 수 있다.

상기 제2 홀의 폭은 상기 기판으로부터 멀어질수록 증가할 수 있다.

상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는 제1 홀을 포함하며, 상기 제1 홀에 인접 배치되는 기판 노출부를 포함하는 기판; 및 상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 홀과 부분적으로 중첩하는 제2 홀을 포함하는 적층 구조물을 포함하되, 상기 제1 홀을 정의하는 상기 기판 노출부의 측면과 상기 기판 노출부의 하면이 이루는 제1 각도는 상기 제2 홀을 정의하는 상기 적층 구조물의 측면과 상기 기판 노출부의 상면이 이루는 제2 각도보다 크다.

상기 적층 구조물은 상기 활성 영역에서 상기 제2 무기층 상에 배치되며, 상기 봉지 영역에서 상기 제2 유기층 상에 배치되는 편광 부재를 더 포함하되, 상기 제2 무기층에 인접하는 상기 편광 부재의 하면과 상기 제2 홀을 정의하는 상기 편광 부재의 측면이 이루는 제3 각도는 상기 제1 각도보다 작을 수 있다.

상기 기판 노출부 상에 배치되는 탄화물을 더 포함하되, 상기 탄화물은 상기 제2 유기층에 포함된 물질 및 상기 편광 부재에 포함된 물질 중 적어도 어느 하나가 탄화된 물질일 수 있다.

상기 제1 홀의 폭은 상기 제2 홀의 폭보다 작을 수 있다.

상기 기판 노출부는 상기 적층 구조물과 비중첩할 수 있다.

상기 다른 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 가상의 커팅 라인이 구비되며, 베이스 기판 및 상기 베이스 기판 상에 배치된 적층 구조물을 포함하는 대상 기판을 준비하는 단계; 초점에서의 빔 스팟의 중심부에서 극솟값의 에너지를 갖는 도넛 빔인 제1 레이저 빔을 상기 커팅 라인을 따라 상기 대상 기판의 상기 적층 구조물 상에 스캐닝하며 조사하여 상기 베이스 기판을 노출하는 홈을 형성하는 단계; 베셀 빔인 제2 레이저 빔을 상기 커팅 라인을 따라 상기 홈에 의해 노출된 상기 베이스 기판 상에 스팟 단위로 이격되도록 조사하여 커팅 홀을 형성하는 단계; 및 상기 도넛 빔인 제3 레이저 빔을 상기 커팅 라인을 따라 스캐닝하며 상기 홈에 의해 노출된 상기 베이스 기판 상에 조사하여 커팅 크랙을 형성하는 단계를 포함한다.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

일 실시예에 따른 표시 장치에 의하면, 화면이나 영상이 표시되는 활성 영역에 의해 둘러싸인 홀을 포함하는 표시 장치에서, 활성 영역의 크기를 극대화시킬 수 있다.

일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 의하면, 화면이나 영상을 표시하는 활성 영역에 의해 둘러싸인 홀을 물리적 접촉 없이 형성하여 홀 형성 시 표시 장치에 발생할 수 있는 데미지를 저감시킬 수 있다.

실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.

도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치가 펼쳐진 상태를 나타낸 사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치가 폴딩(Folding)된 상태를 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치의 일 화소의 단면도이다.
도 4는 도 1의 Q 영역의 확대도이다.
도 5는 도 4의 V-V'를 따라 자른 단면도이다.
도 6은 도 4의 R 영역의 확대도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 순서도이다.
도 8은 제1 레이저 가공 단계를 나타낸 개략도이다.
도 9는 도 8의 IX-IX'를 따라 자른 단면도이다.
도 10은 제1 레이저 빔의 스팟을 나타낸 개략도이다.
도 11은 도 10의 에너지 프로파일을 나타낸 그래프이다.
도 12는 제1 레이저 빔이 스캔하며 조사될 때 대상 기판이 받는 에너지 프로파일을 나타낸 그래프이다.
도 13은 제1 레이저 가공 단계 직후의 대상 기판을 나타낸 평면도이다.
도 14는 도 13의 XIV-XIV'를 따라 자른 단면도이다.
도 15는 제2 레이저 가공 단계를 나타낸 개략도이다.
도 16은 제2 레이저 빔이 베이스 기판을 관통하는 과정을 나타낸 개략도이다.
도 17은 제2 레이저 가공 단계 직후의 대상 기판을 나타낸 평면도이다.
도 18은 도 17의 XVIII-XVIII'를 따라 자른 단면도이다.
도 19는 제3 레이저 가공 단계를 나타낸 개략도이다.
도 20은 제3 레이저 가공 단계 직후의 대상 기판을 나타낸 평면도이다.
도 21은 도 20의 XXI-XXI'를 따라 자른 단면도이다.
도 22는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 도 4의 R 영역에 대응되는 확대도이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.

도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.

도 1을 참조하면, 제1 방향(X)은 평면 상에서 바라볼 때 표시 장치(1)의 일 변과 나란한 방향으로, 예를 들어 표시 장치(1)의 가로 방향일 수 있다. 제2 방향(Y)은 평면 상에서 바라볼 때 표시 장치(1)의 일변과 접하는 타 변과 나란한 방향으로, 표시 장치(1)의 세로 방향일 수 있다. 제3 방향(Z)은 표시 장치(1)의 두께 방향일 수 있다. 다만, 실시예에서 언급하는 방향은 상대적인 방향을 언급한 것으로 이해되어야 하며, 실시예는 언급한 방향에 한정되지 않는다.

일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 후술할 활성 영역(AAR)을 통해 화면이나 영상을 표시하며, 활성 영역(AAR)을 포함하는 다양한 장치가 그에 포함될 수 있다.

예를 들어 본 명세서의 실시예들에 따른 표시 장치(1)는 스마트폰 이외에 휴대 전화기, 태블릿 PC, PDA(Personal Digital Assistant), PMP(Portable Multimedia Player), 텔레비전, 게임기, 손목 시계형 전자 기기, 헤드 마운트 디스플레이, 퍼스널 컴퓨터의 모니터, 노트북 컴퓨터, 자동차 네비게이션, 자동차 계기판, 디지털 카메라, 캠코더, 외부 광고판, 전광판, 의료 장치, 검사 장치, 냉장고와 세탁기 등과 같은 다양한 가전 제품, 또는 사물 인터넷 장치에 적용될 수 있다.

표시 장치(1)는 평면상 직사각형 또는 정사각형 형상으로 이루어질 수 있다. 표시 장치(1)는 평면상 모서리가 수직인 직사각형 또는 모서리가 둥근 직사각형 형상일 수 있다. 표시 장치(1)는 가로 방향(제1 방향(X)) 일측 및 타측에 배치된 2개의 장변과 세로 방향(제2 방향(Y)) 일측 및 타측에 배치된 2개의 단변을 포함할 수 있다.

표시 장치(1)는 활성 영역(AAR)과 비활성 영역(NAR)을 포함한다. 표시 장치(1)의 활성 영역(AAR)은 화면을 표시하는 표시 영역을 포함할 수 있다. 또한, 표시 장치(1)가 터치 기능을 갖는 경우에 터치 입력의 감지가 이루어지는 영역인 터치 영역 또한 활성 영역(AAR)에 포함될 수 있다.

활성 영역(AAR)의 평면 형상은 활성 영역(AAR)이 적용되는 표시 장치(1)의 평면 형상에 상응할 수 있다. 예를 들어 표시 장치(1)가 평면 상 직사각형인 경우, 활성 영역(AAR)의 평면 형상 또한 직사각형일 수 있다.

활성 영역(AAR)은 복수의 화소를 포함할 수 있다. 복수의 화소는 행렬 방향으로 배열될 수 있다. 각 화소의 형상은 평면 상 직사각형 또는 정사각형일 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니다.

비활성 영역(NAR)은 활성 영역(AAR)의 주변에 배치될 수 있다. 비활성 영역(NAR)은 활성 영역(AAR)을 둘러쌀 수 있다. 비활성 영역(NAR)은 표시가 이루어지지 않는 비표시 영역을 포함할 수 있다. 비활성 영역(NAR)은 활성 영역(AAR)의 모든 변을 둘러쌀 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 활성 영역(AAR)의 네 변들 중 적어도 일부 부근에는 비활성 영역(NAR)이 배치되지 않을 수도 있다. 표시 장치(1)의 베젤 영역은 비활성 영역(NAR)으로 구성될 수 있다.

표시 장치(1)는 적어도 하나의 홀(HLE)을 포함하는 홀 영역(HLA)을 포함할 수 있다. 홀 영역(HLA)은 두께 방향(제3 방향(Z))으로 중첩하여 배치된 광학 소자(미도시)의 수광부에 광을 투과시키는 역할을 한다. 도면상 표시 장치(1)는 하나의 홀 영역(HLA)을 포함하는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 표시 장치(1)는 복수 개의 홀 영역(HLA)을 포함할 수도 있다.

홀 영역(HLA)은 활성 영역(AAR)의 내부에 배치될 수 있다. 홀 영역(HLA)은 활성 영역(AAR)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸일 수 있다. 도면에서는 홀 영역(HLA)의 주변을 활성 영역(AAR)이 완전히 둘러싸는 경우를 예시하였지만, 홀 영역(HLA)의 일부는 활성 영역(AAR)의 주변(또는 테두리)에 배치된 비활성 영역(NAR)과 연결될 수도 있다. 홀 영역(HLA)은, 이에 제한되는 것은 아니지만, 표시가 이루어지지 않는 비활성 영역(NAR)에 해당할 수 있다.

표시 장치(1)는 폴더블(foldable) 표시 장치일 수 있다. 본 명세서에서 폴더블 표시 장치라 함은 폴딩이 가능한 표시 장치로서, 폴딩 상태와 비폴딩 상태를 모두 가질 수 있는 표시 장치(1)를 지칭한다. 또한, 폴딩은 대표적으로 약 280°의 각도로 접히는 것을 포함하지만, 그에 제한되지 않고, 접히는 각도가 280°를 초과하거나 그에 미치지 못하는 경우, 예컨대 90° 이상 280° 미만 또는 220° 이상 280° 미만의 각도로 꺾이는 경우에도 폴딩된 것으로 이해될 수 있다. 아울러, 폴딩 상태는 완전한 폴딩이 이루어지지 않더라도, 비폴딩 상태를 벗어나 꺾여 있는 상태인 경우 폴딩 상태로 지칭될 수 있다. 예를 들어, 90° 이하의 각도로 꺽여 있다고 하더라도, 최대 폴딩 각도가 90°이상이 되는 이상 비폴딩 상태와 구별하기 위해 폴딩 상태에 있는 것으로 표현될 수 있다.

표시 장치(1)는 폴딩 영역(FDA)(또는, 폴딩 라인)을 포함할 수 있다. 표시 장치(1)는 폴딩 영역(FDA)을 기준으로 폴딩될 수 있다. 폴딩은 표시 장치(1)의 표시면이 내측을 향하도록 폴딩되는 인 폴딩(In-folding)과 외측을 향하도록 폴딩되는 아웃 폴딩(Out-folding)으로 구분될 수 있다. 도 2에서는 표시 장치(1)가 인 폴딩된 상태를 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않고, 아웃 폴딩 방식으로 폴딩될 수도 있다.

또한, 표시 장치(1)는 인 폴딩 방식과 아웃 폴딩 방식 중 어느 하나의 방식만으로 폴딩될 수도 있고, 인 폴딩과 아웃 폴딩이 모두 이루어질 수도 있다. 인 폴딩과 아웃 폴딩이 모두 이루어지는 표시 장치의 경우, 인 폴딩과 아웃 폴딩이 동일한 폴딩 영역(FDA)을 기준으로 이루어질 수도 있고, 인 폴딩 전용 폴딩 영역과 아웃 폴딩 전용 폴딩 영역 등 서로 다른 방식의 폴딩을 수행하는 복수의 폴딩 영역을 포함할 수도 있다.

폴딩 영역(FDA)은 표시 장치(1)의 일변에 평행한 연장 방향을 가질 수 있다. 예를 들어, 폴딩 영역(FDA)은 표시 장치(1)의 가로 방향과 동일한 방향(제1 방향(X))으로 연장될 수 있다. 도면에 예시적으로 도시된 세로 방향(제2 방향(Y))이 가로 방향(제1 방향(X))보다 긴 직사각형 형상의 표시 장치(1)에서, 가로 방향(제1 방향(X))으로 연장되는 폴딩 영역(FDA)을 가질 경우, 폴딩 전후로 표시 장치(1)의 장변은 절반 또는 그 이하로 줄어들지만, 단변은 그대로 유지될 수 있다. 다른 실시예에서, 폴딩 영역(FDA)은 장변 연장 방향과 동일한 방향(제2 방향(Y))으로 연장될 수도 있다.

폴딩 영역(FDA)은 제2 방향(Y)으로도 소정의 폭을 가질 수 있다. 폴딩 영역(FDA)의 제2 방향(Y)의 폭은 제1 방향(X)의 폭에 비해 작을 수 있다.

표시 장치(1)는 폴딩 영역(FDA) 주변에 배치된 비폴딩 영역(NFA)을 포함할 수 있다. 비폴딩 영역(NFA)은 폴딩 영역(FDA)의 제2 방향(Y) 일측에 위치하는 제1 비폴딩 영역(NFA1) 및 폴딩 영역(FDA)의 제2 방향(Y) 타측에 위치하는 제2 비폴딩 영역(NFA2)을 포함할 수 있다. 제1 비폴딩 영역(NFA1)과 제2 비폴딩 영역(NFA2)의 제2 방향(Y) 폭은 서로 동일할 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 폴딩 영역(FDA)의 위치에 따라 제1 비폴딩 영역(NFA1)의 폭과 제2 비폴딩 영역(NFA2)의 폭은 서로 상이할 수도 있다.

상술한 표시 장치(1)의 활성 영역(AAR)/비활성 영역(NAR)과 폴딩 영역(FDA)/비폴딩 영역(NFA)은 서로 동일한 위치에 중복할 수 있다. 예를 들어, 특정 위치는 활성 영역(AAR)이면서 동시에 제1 비폴딩 영역(NFA1)일 수 있다. 다른 특정 위치는 비활성 영역(NAR)이면서 동시에 제1 비폴딩 영역(NFA1)일 수 있다. 또 다른 특정 위치는 활성 영역(AAR)이면서 동시에 폴딩 영역(FDA) 배치 영역일 수 있다.

표시 장치(1)의 활성 영역(AAR)은 제1 비폴딩 영역(NFA1)과 제2 비폴딩 영역(NFA2) 모두에 걸쳐 배치될 수 있다. 나아가, 제1 비폴딩 영역(NFA1)과 제2 비폴딩 영역(NFA2)의 경계에 해당하는 폴딩 영역(FDA)에도 활성 영역(AAR)이 위치할 수 있다. 즉, 표시 장치(1)의 활성 영역(AAR)은 비폴딩 영역(NFA), 폴딩 영역(FDA) 등의 경계와 무관하게 연속적으로 배치될 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않고, 제1 비폴딩 영역(NFA1)과 제2 비폴딩 영역(NFA2) 중 어느 한 영역에만 활성 영역(AAR)이 위치할 수 있고, 제1 비폴딩 영역(NFA1)과 제2 비폴딩 영역(NFA2)에는 활성 영역(AAR)이 배치되지만 폴딩 영역(FDA)에는 활성 영역(AAR)이 배치되지 않을 수도 있다.

홀 영역(HLA)은 제1 비폴딩 영역(NFA1) 및 제2 비폴딩 영역(NFA2) 중 적어도 어느 하나의 영역에 배치될 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어, 홀 영역(HLA)은 제1 비폴딩 영역(NFA1)에 배치될 수 있다. 홀 영역(HLA)은 폴딩 영역(FDA)과는 이격되도록 배치된다.

이하, 상술한 표시 장치(1)의 단면 구조에 대해 설명한다.

도 3은 도 1의 표시 장치의 일 화소의 단면도이다.

도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 표시 패널(100) 및 표시 패널(100) 상에 배치되는 편광 부재(200)를 포함할 수 있다. 도 3에는 활성 영역(AAR)에 배치되는 하나의 화소를 구성하는 표시 장치(1)의 일부 단면 구조를 도시하였다. 또한, 도 3에는 표시 패널(100)과 편광 부재(200)를 포함하는 표시 장치(1)를 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 표시 패널(100)의 제3 방향(Z) 타측면 상에는 완충 부재(미도시) 및 방열 부재(미도시) 등의 다른 구성이 더 배치되고, 표시 패널(100)의 제3 방향(Z) 일측면 상에는 커버 윈도우(미도시) 및 윈도우 보호 부재(미도시) 등이 더 배치될 수 있다.

일 실시예에 따른 표시 장치(1)에 포함되는 표시 패널(100)은 복수의 적층 구조를 포함할 수 있다.

표시 패널(100)은 베이스 기판(101), 배리어층(111), 제1 도전층(120), 버퍼층(112), 반도체층(130), 제1 절연층(113), 제2 도전층(140), 제2 절연층(161), 제3 도전층(150), 제3 절연층(162), 화소 전극(171), 제4 절연층(163), 발광층(172), 공통 전극(173) 및 박막 봉지층(180)이 순차적으로 배치될 수 있다. 상술한 각 층들은 단일막으로 이루어질 수 있지만, 복수의 막을 포함하는 적층막으로 이루어질 수도 있다. 각 층들 사이에는 다른 층이 더 배치될 수도 있다.

베이스 기판(101)은 그 위에 배치되는 각 층들을 지지한다. 베이스 기판(101)은 예를 들어, 초박막(Ultra Thin Glass; UTG) 또는 박막 유리를 포함하여 이루어질 수 있다. 초박막 유리는 강화되어 내부에 소정의 응력 프로파일을 가질 수 있다. 강화된 초박막 유리는 강화 전보다 외부 충격에 의한 크랙 발생, 크랙의 전파, 파손 등을 더 잘 방지한다. 강화 공정을 통해 강화된 초박막 유리는 영역별로 다양한 응력을 가질 수 있다.

유리가 초박막 또는 박막으로 이루어지는 경우, 플렉시블한 특성을 가져 휘어지거나, 벤딩, 폴딩, 롤링될 수 있는 특성을 가질 수 있다. 유리의 두께는 예를 들어, 10㎛ 내지 300㎛의 범위에 있을 수 있고, 구체적으로 10㎛ 내지 100㎛ 두께 또는 약 50㎛ 두께의 유리가 적용될 수 있다.

베이스 기판(101)의 유리는 소다 라임 유리, 알칼리 알루미노 실리케이트 유리, 보로실리케이트 유리, 또는 리튬 알루미나 실리케이트 유리를 포함할 수 있다. 베이스 기판(101)의 유리는 강한 강도를 갖기 위해 화학적 강화 또는 열적 강화된 유리를 포함할 수 있다.

베이스 기판(101) 상에는 배리어층(111)이 배치될 수 있다. 배리어층(111)은 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면 평탄화 기능을 수행할 수 있다. 배리어층(111)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 또는 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다. 배리어층(111)은 베이스 기판(101)의 종류나 공정 조건 등에 따라 생략될 수도 있다.

배리어층(111) 상에는 제1 도전층(120)이 배치될 수 있다. 제1 도전층(120)은 차광 패턴(121)을 포함할 수 있다. 차광 패턴(121)은 후술하는 반도체 패턴(131a, 131b, 131c)의 채널 영역(131c)에 외부로부터 진입한 광이 조사되는 것을 차단하여 채널 영역(131c)에 광전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.

제1 도전층(120) 상에는 버퍼층(112)이 배치될 수 있다. 버퍼층(112)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 실리콘 산질화물 등 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 버퍼층(112)은 베이스 기판(101)의 종류나 공정 조건 등에 따라 생략될 수도 있다.

버퍼층(112) 상에는 반도체층(130)이 배치될 수 있다. 반도체층(130)은 반도체 패턴(131a, 131b, 131c)을 포함할 수 있다.

반도체 패턴(131a, 131b, 131c)은 후술하는 상부의 게이트 전극(141)과 두께 방향으로 중첩하는 채널 영역(131c), 채널 영역(131c)의 일측 및 타측에 각각 배치되는 제1 소스/드레인 영역(131a)과 제2 소스/드레인 영역(131b)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 소스/드레인 영역(131a, 131b)에는 다수의 캐리어 이온이 포함되어 있어, 채널 영역(131c)에 비해 도전성이 크고, 전기적인 저항이 낮을 수 있다. 반도체층(130)은 다결정 실리콘, 단결정 실리콘 또는 비정질 실리콘(amorphous silicon) 등으로 이루어질 수 있다.

반도체층(130) 상에는 제1 절연층(113)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(113)은 게이트 절연층으로서, 대체로 베이스 기판(101)의 전면에 걸쳐 배치될 수 있다. 제1 절연층(113)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.

제1 절연층(113) 상에는 제2 도전층(140)이 배치될 수 있다. 제2 도전층(140)은 게이트 도전층으로서, 게이트 전극(141)을 포함할 수 있다.

제2 도전층(140) 상에는 제2 절연층(161)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(161)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 제2 절연층(161)은 층간 절연 패턴(161a)을 포함할 수 있다. 층간 절연 패턴(161a)은 활성 영역(AAR)에서 게이트 전극(141)과 후술하는 제1 소스/드레인 전극(151) 및 제2 소스/드레인 전극(152)을 절연시킬 수 있다.

제2 절연층(161) 상에는 제3 도전층(150)이 배치될 수 있다. 제3 도전층(150)은 데이터 도전층이며, 데이터 신호를 인가하는 데이터 배선을 포함할 수 있다. 제3 도전층(150)은 구동 트랜지스터의 제1 소스/드레인 전극(151) 및 제2 소스/드레인 전극(152)을 포함할 수 있다.

제1 소스/드레인 전극(151)은 층간 절연 패턴(161a) 및 제1 절연층(113)을 관통하는 컨택홀을 통해 반도체 패턴(131a, 131b, 131c)의 제1 소스/드레인 영역(131a)과 전기적으로 연결될 수 있다.

제2 소스/드레인 전극(152)은 층간 절연 패턴(161a) 및 제1 절연층(113)을 관통하는 컨택홀을 통해 반도체 패턴(131a, 131b, 131c)의 제2 소스/드레인 영역(131b)과 전기적으로 연결될 수 있다.

제3 도전층(150) 상에는 제3 절연층(162)이 배치될 수 있다. 제3 절연층(162)은 제3 도전층(150) 상부에 배치되어 제2 절연층(161)의 상면을 완전히 덮을 수 있다. 제3 절연층(162)은 활성 영역(AAR)에 배치되는 비아층(162a)을 포함할 수 있다. 비아층(162a)은 층간 절연 패턴(161a)의 상면을 완전히 덮을 수 있다. 제3 절연층(162)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제3 절연층(162)이 유기막으로 이루어지는 경우, 하부의 단차에도 불구하고 그 상면은 부분적으로 평탄할 수 있다.

제3 절연층(162) 상에는 화소 전극(171)이 배치될 수 있다. 화소 전극(171)은 애노드 전극일 수 있다. 화소 전극(171)은 각 화소마다 분리되어 배치될 수 있다. 화소 전극(171)은 비아 패턴(162a)을 관통하는 컨택홀을 통해 제2 소스/드레인 전극(152)과 전기적으로 연결될 수 있다.

화소 전극(171) 상에는 제4 절연층(163)이 배치될 수 있다. 제4 절연층(163)은 활성 영역(AAR)에 배치되는 화소 정의막(163a)을 포함할 수 있다. 화소 정의막(163a)은 화소 전극(171)을 부분적으로 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 화소 정의막(163a)은 화소 전극(171) 및 제3 절연층(162)을 부분적으로 덮을 수 있다. 제4 절연층(163)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다.

화소 정의막(163a)이 노출하는 화소 전극(171) 상에는 발광층(172)이 배치될 수 있다. 발광층(172)의 적어도 일부는 제4 절연층(163)의 개구부 내에 배치될 수 있다. 발광층(172)은 제4 절연층(163)의 상면 및 개구부를 형성하는 제4 절연층(163)의 측면을 부분적으로 덮을 수 있다.

발광층(172)은 유기 물질층을 포함할 수 있다. 유기 물질층은 유기 발광층을 포함하며, 정공 주입/수송층 및 전자 주입/수송층을 더 포함할 수 있다.

발광층(172) 상에는 공통 전극(173)이 배치될 수 있다. 공통 전극(173)은 화소(PX)의 구분없이 전면적으로 배치될 수 있다. 공통 전극(173)은 캐소드 전극일 수 있다.

화소 전극(171), 발광층(172) 및 공통 전극(173)은 발광 소자(EMD)를 구성할 수 있다. 발광 소자(EMD)는 예를 들어, 예컨대, 유기 발광 소자일 수 있다.

공통 전극(173) 상부에는 박막 봉지층(180)이 배치될 수 있다. 박막 봉지층(180)은 제1 무기층(181), 제1 무기층(181) 상에 배치되는 제1 유기층(182) 및 제1 유기층(182) 상에 배치되는 제2 무기층(183)을 포함할 수 있다. 도시되지 않았지만, 박막 봉지층(180)의 단부에서 제1 무기층(181)과 제2 무기층(183)은 서로 접하여 제1 유기층(182)은 제1 무기층(181)과 제2 무기층(183)에 의해 밀봉될 수 있다.

제1 무기층(181) 및 제2 무기층(183)은 각각 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다. 제1 유기층(182)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.

일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 표시 패널(100)의 상부에 배치되는 편광 부재(200)를 더 포함할 수 있다. 편광 부재(200)는 외광 반사를 감소시킬 수 있다. 편광 부재(200)는 편광 필름의 형태로 제공될 수 있다. 편광 부재(200)는 통과하는 빛을 편광시킬 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 표시 패널(100)과 편광 부재(200) 사이에 배치되는 접착층(AL)을 더 포함할 수 있다. 접착층(AL)은 표시 패널(100)과 편광 부재(200)를 상호 접착시킬 수 있다.

이하, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)의 홀 영역(HLA)의 구조에 대해 설명한다.

도 4는 도 1의 Q 영역의 확대도이다. 도 5는 도 4의 V-V'를 따라 자른 단면도이다. 도 6은 도 4의 R 영역의 확대도이다.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 홀 영역(HLA)은 활성 영역(AAR)에 의해 둘러싸일 수 있다. 홀 영역(HLA)은 표시 장치(1)의 적어도 일부가 두께 방향(제3 방향(Z))으로 관통된 영역일 수 있다. 홀 영역(HLA)에는 복수의 홀(HLE)이 배치될 수 있다. 도시되지 않았지만, 홀(HLE)에는 카메라, 집광 렌즈, 광 경로 가이드 렌즈, 적외선 센서, 홍채 인식 센서, 조도 센서 중 적어도 어느 하나인 광학 소자가 배치될 수 있는 공간을 제공할 수 있다. 홀(HLE)은 베이스 기판(101)보다 상부에 위치하는 제1 홀(HLE1) 및 베이스 기판(101)을 관통하는 제2 홀(HLE2)을 포함할 수 있다.

제1 홀(HLE1)은 중앙에 배치되는 제1 중심점(CP1)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 중심점(CP1)은 제1 홀(HLE1)의 개구된 영역의 평면 상 무게중심일 수 있다. 제2 홀(HLE2)은 중앙에 배치되는 제2 중심점(CP2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 중심점(CP2)은 제2 홀(HLE2)의 개구된 영역의 평면 상 무게중심일 수 있다. 제1 홀(HLE1)의 제1 중심점(CP1)과 제2 홀(HLE2)의 제2 중심점(CP2)은 일치할 수 있으나, 경우에 따라 달라질 수 있다.

제1 홀(HLE1)은 평면 상 원형으로 개구될 수 있다. 다시 말해, 제1 홀(HLE1)의 가장자리는 대체로 원형일 수 있다. 제1 홀(HLE1)의 가장자리는 제2 홀(HLE2)의 가장자리보다 외측에 배치될 수 있다. 제1 홀(HLE1)의 가장자리는 베이스 기판 노출부(101e) 상에 배치될 수 있다.

제1 홀(HLE1)은 적층 구조물(LS)에 의해 둘러싸일 수 있다. 적층 구조물(LS)은 봉지 영역(CPA)에 배치되는 제1 무기층(181), 제2 무기층(183), 편광 부재(200) 및 접착층(AL)을 포함할 수 있다. 또한, 적층 구조물(LS)은 제2 무기층(183)과 편광 부재(200) 사이에 배치된 후술하는 평탄화층(190)을 더 포함할 수 있다. 제1 홀(HLE1)의 내부 폭(d1)은 서로 대향하는 적층 구조물(LS) 간의 거리로 정의할 수 있다. 제1 홀(HLE1)의 내부 폭(d1)은 제1 무기층(181)으로부터 편광 부재(200)를 향해 갈수록 증가할 수 있다. 즉, 제1 홀(HLE1)의 내부 폭(d1)은 베이스 기판(101)으로부터 멀어질수록 증가할 수 있다. 제1 홀(HLE1)의 내부 폭(d1)은 제1 홀(HLE1)의 개구된 영역에서 제1 홀(HLE1)의 중심점(CP1)을 지나는 평면 상 길이를 의미할 수 있다.

적층 구조물(LS)의 측면(LSa)은 제1 홀(HLE1)을 정의하는 면을 의미할 수 있다. 적층 구조물(LS)의 측면(LSa)은 정렬될 수 있다. 적층 구조물(LS)의 측면(LSa)이 이루는 경사각인 제1 측면 경사각(α)은 적층 구조물(LS)의 측면(LSa)과 베이스 기판(101)의 상면이 이루는 각도로 정의할 수 있다. 제1 측면 경사각(α)은 예각일 수 있다.

제2 홀(HLE2)은 평면 상 대체로 원형으로 개구되었으나, 외측으로 일부 함몰된 영역을 포함할 수 있다. 즉, 제2 홀(HLE2)의 가장자리는 부분적으로 외측으로 함몰될 수 있다.

베이스 기판(101)은 홀 영역(HLA)에 배치되며 적층 구조물(LS)과 비중첩하는 베이스 기판 노출부(101e)를 포함할 수 있다. 베이스 기판 노출부(101e)는 제1 홀(HLE1)에 인접 배치될 수 있다. 베이스 기판 노출부(101e)의 상면은 외부로 노출될 수 있다. 다시 말해, 베이스 기판 노출부(101e)의 상면은 다른 구성에 의해 커버되지 않을 수 있다. 베이스 기판 노출부(101e)의 상면은 제1 홀(HLE1)에 노출될 수 있다. 다시 말해, 베이스 기판 노출부(101e)의 상부에는 제1 홀(HLE1)이 배치될 수 있다.

베이스 기판 노출부(101e)는 제2 홀(HLE2)을 둘러쌀 수 있다. 베이스 기판 노출부(101e)의 측면(101ea)은 제2 홀(HLE2)을 정의하는 면을 의미할 수 있다. 베이스 기판 노출부(101e)의 측면(101ea)은 제2 홀(HLE2)의 가장자리 방향으로 부분적으로 함몰될 수 있다.

베이스 기판 노출부(101e)의 측면(101ea)은 적층 구조물(LS)의 측면(LSa)과 나란한 제1 측면(101ea1) 및 제1 측면(101ea1)으로부터 연장되며 활성 영역(AAR) 및 봉지 영역(CPA) 측으로 함몰된 제2 측면(101ea2)을 포함할 수 있다. 제1 측면(101ea1) 및 제2 측면(101ea2)은 평면 상 곡면 형상을 가질 수 있다. 제1 측면(101ea1)의 평면 형상의 곡률은 제2 측면(101ea2)의 평면 형상의 곡률보다 작을 수 있다. 베이스 기판 노출부(101e)의 측면(101ea)에서, 제1 측면(101ea1)과 제2 측면(101ea2)은 교번하여 배치될 수 있다.

제2 홀(HLE2)은 제2 측면(101ea2)에 의해 둘러싸이는 함몰부(DT)를 포함할 수 있다. 함몰부(DT)는 베이스 기판 노출부(101e)를 두께 방향으로 관통하는 홀일 수 있다. 함몰부(DT)는 베이스 기판 노출부(101e)가 활성 영역(AAR) 및 봉지 영역(CPA) 측으로 함몰되어 형성될 수 있다.

베이스 기판 노출부(101e)는 제1 측면(101ea1)과 적층 구조물(LS)의 측면(LSa) 사이에 배치되는 제1 베이스 기판 노출부(101e1)와 제2 측면(101ea2)과 적층 구조물(LS)의 측면(LSa) 사이에 배치되는 제2 베이스 기판 노출부(101e2)를 포함할 수 있다. 제2 베이스 기판 노출부(101e2)는 함몰부(DT)를 둘러싸며 배치될 수 있다. 제1 베이스 기판 노출부(101e1)의 폭(l1)은 평면 상 제1 측면(101ea1)과 적층 구조물(LS)의 측면(LSa) 사이의 거리로 정의할 수 있다. 제2 베이스 기판 노출부(101e2)의 폭(l2)은 평면 상 제2 측면(10ea2)과 적층 구조물(LS)의 측면(LSa) 사이의 거리로 정의할 수 있다.

제1 베이스 기판 노출부(101e1)의 폭(l1)은 영역별로 대체로 일정할 수 있다. 제2 베이스 기판 노출부(101e2)의 폭(l2)은 제2 베이스 기판 노출부(101e2)의 일측에 배치되는 제1 베이스 기판 노출부(101e1)로부터 타측에 배치되는 제1 베이스 기판 노출부(101e1)로 갈수록 증가하다가 감소할 수 있다. 다시 말해, 제2 베이스 기판 노출부(101e2)의 폭(l2)은 제2 베이스 기판 노출부(101e2)의 중앙부에서 최솟값을 가질 수 있다. 제1 베이스 기판 노출부(101e1)의 폭(l1)은 제2 베이스 기판 노출부(101e2)의 폭(l2)보다 클 수 있다.

제1 측면(101ea1) 및 제1 측면(101ea1)으로부터 연장되는 제2 측면(101ea2)은 사이에 측면 사잇각(θ)을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 측면 사잇각(θ)은 둔각일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

제2 홀(HLE2)은 베이스 기판 노출부(101e)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제2 홀(HLE2)의 내부 폭(d2)은 서로 대향하는 베이스 기판 노출부(101e) 간의 거리로 정의할 수 있다. 또한, 제2 홀(HLE2)의 내부 폭(d2)은 제2 홀(HLE2)의 개구된 영역에서 제2 홀(HLE2)의 중심점(CP2)을 지나는 평면 상 길이를 의미할 수 있다. 제2 홀(HLE2)의 내부 폭(d2)은 제1 홀(HLE1)의 내부 폭(d1)보다 작을 수 있다.

제2 홀(HLE2)의 내부 폭은 두께 방향으로 대체로 일정할 수 있다.

베이스 기판 노출부(101e)의 측면(101ea)이 이루는 경사각인 제2 측면 경사각(β)은 베이스 기판 노출부(101e)의 측면(101ea)과 베이스 기판 노출부(101e)의 하면이 이루는 각도로 정의할 수 있다. 베이스 기판 노출부(101e)의 하면은 베이스 기판 노출부(101e)에서 적층 구조물(LS)이 위치한 방향의 반대 방향의 면일 수 있다. 제2 측면 경사각(β)은 제1 측면 경사각(α)보다 클 수 있다. 예를 들어, 제2 측면 경사각(β)은 약 90°일 수 있으나, 이에 제한되지 않고 예각이거나 둔각일 수도 있다.

적층 구조물(LS)에서 편광 부재(200)의 측면(200a)은 제1 홀(HLE1)을 둘러싸는 면을 의미할 수 있다. 편광 부재(200)의 측면(200a)은 적층 구조물(LS)의 측면(LSa)의 일부분일 수 있다. 편광 부재(200)의 측면(200a)이 이루는 경사각인 제3 측면 경사각(γ)은 편광 부재(200)의 측면(200a)과 접착층(AL)과 접하는 편광 부재(200)의 하면이 이루는 각도로 정의할 수 있다. 제3 측면 경사각(γ)은 예각일 수 있다. 제3 측면 경사각(γ)은 상술한 제1 측면 경사각(α)과 실질적으로 동일할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 홀 영역(HLA) 및 활성 영역(AAR) 사이에 배치되는 봉지 영역(CPA)을 더 포함할 수 있다. 봉지 영역(CPA)은 활성 영역(AAR)의 각종 절연층이 봉지되는 영역으로서, 봉지 영역(CPA)에는 댐 구조물(DS)이 배치될 수 있다. 댐 구조물(DS)으로 인하여 제1 유기층(182)은 홀 영역(HLA) 측으로 흘러넘치지 않을 수 있다. 댐 구조물(DS)은 제2 절연층(161)에 포함되는 제1 구조물(161b), 제3 절연층(162)에 포함되는 제2 구조물(162b) 및 제4 절연층(163)에 포함되는 제3 구조물(163b)을 포함할 수 있다. 제1 구조물(161b)은 층간 절연 패턴(161a)과 동일층에 배치되고, 제2 구조물(162b)은 비아층(162a)과 동일층에 배치되고, 제3 구조물(163b)은 화소 정의막(163a)과 동일층에 배치될 수 있다.

댐 구조물(DS) 상에는 제1 무기층(181)이 배치되며, 제1 무기층(181)은 댐 구조물(DS)을 커버할 수 있다. 댐 구조물(DS) 상에는 제2 무기층(183)이 더 배치될 수 있다. 댐 구조물(DS) 상의 적어도 일부 영역에서 제1 무기층(181)과 제2 무기층(183)은 상호 접할 수 있다. 예를 들어, 제1 무기층(181)과 제2 무기층(183)은 댐 구조물(DS)의 상면 및 홀 영역(HLA) 측의 측면 상에서 상호 접할 수 있다. 한편, 댐 구조물(DS)의 활성 영역(AAR) 측 측면 상에 배치된 제1 무기층(181) 상에는 제1 유기층(182)이 배치될 수 있다. 여기서, 제1 유기층(182)은 제1 무기층(181)과 제2 무기층(183) 사이에 배치될 수 있다.

일 실시예에 따른 표시 장치(1)에서, 배리어층(111), 버퍼층(112), 층간 절연층(161a), 비아층(162a), 화소 정의막(163a), 공통 전극(173)은 활성 영역(AAR)으로부터 연장되어 봉지 영역(CPA)에 부분적으로 배치될 수 있다.

봉지 영역(CPA)에서 버퍼층(112)은 활성 영역(AAR)으로부터 연장된 배리어층(111)의 가장자리를 덮으며, 제1 절연층(113)은 활성 영역(AAR)으로부터 연장된 버퍼층(112)의 가장자리를 덮으며, 층간 절연 패턴(161a)은 활성 영역(AAR)으로부터 연장된 제1 절연층(113)의 가장자리를 덮으며, 비아층(162a)은 활성 영역(AAR)으로부터 연장된 층간 절연 패턴(161a)을 덮으며, 화소 정의막(163a)은 활성 영역(AAR)으로부터 연장된 비아층(162a)을 덮으며, 공통 전극(173)은 활성 영역(AAR)으로부터 연장된 화소 정의막(163a)을 덮으며, 제1 무기층(181)은 활성 영역(AAR)으로부터 연장된 공통 전극(173)을 덮을 수 있다.

일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 봉지 영역(CPA)에서 제2 무기층(183) 및 편광 부재(200) 사이에 배치되는 평탄화층(190)을 더 포함할 수 있다. 평탄화층(190)은 봉지 영역(CPA)에서 하부의 제2 무기층(183)의 단차에도 불구하고 평탄한 상면을 포함할 수 있다. 평탄화층(190)은 유기 물질로 이루어질 수 있다.

베이스 기판 노출부(101e) 상에는 복수의 탄화물(CM)이 배치될 수 있다. 탄화물(CM)은 후술하는 레이저 조사 공정에서 표시 패널(100)에서 베이스 기판(101) 상의 적층 구조물(LS)의 일부가 탄화되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 탄화물(CM)은 평탄화층(190), 접착층(AL) 및 편광 부재(200) 중 적어도 어느 하나가 부분적으로 탄화되어 형성될 수 있다. 따라서, 탄화물(CM)은 평탄화층(190)에 포함된 물질, 접착층(AL)에 포함된 물질 및 편광 부재(200)에 포함된 물질 중 적어도 어느 하나가 탄화된 물질을 포함할 수 있다.

일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 복수의 레이저 가공 공정을 통해 제작된 측면(LSa)이 제1 경사각(α)을 갖는 적층 구조물(LS)에 의해 둘러싸인 제1 홀(HLE1) 및 측면(101ea)이 제1 경사각(α)보다 큰 제2 측면 경사각(β)을 갖는 베이스 기판 노출부(101e)를 포함하여 봉지 영역(CPA)을 최소화할 수 있고, 이를 통해 화면이나 영상을 표시하는 활성 영역(AAR)의 크기를 극대화시킬 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치(1)를 제조하기 위한 레이저 가공 공정에 대해서는 이하 후술하기로 한다.

도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 순서도이다.

도 7을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 복수의 레이저 가공 공정을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 가상의 커팅 라인이 구비된 대상 기판을 준비하는 단계(S11), 대상 기판에 커팅 라인을 따라 제1 레이저 빔을 스캐닝하며 조사하여 홈을 형성하는 단계(S21), 대상 기판에 커팅 라인을 따라 제2 레이저 빔을 스팟 단위로 이격되도록 조사하여 커팅 홀을 형성하는 단계(S31) 및 대상 기판에 커팅 라인을 따라 제3 레이저 빔을 스캐닝하며 조사하여 커팅 크랙을 형성하는 단계(S41)를 포함할 수 있다.

이하, 도 8 내지 도 14를 참조하여 대상 기판에 커팅 라인을 따라 제1 레이저 빔을 스캐닝하며 조사하여 홈을 형성하는 단계(S21)에 대해 설명하고, 도 15 내지 도 18을 참조하여 대상 기판에 커팅 라인을 따라 제2 레이저 빔을 스팟 단위로 이격되도록 조사하여 커팅 홀을 형성하는 단계(S31)에 대해 설명하고, 도 19 내지 도 21을 참조하여 대상 기판에 커팅 라인을 따라 제3 레이저 빔을 스캐닝하며 조사하여 커팅 크랙을 형성하는 단계(S41)에 대해 설명하기로 한다.

도 8은 제1 레이저 가공 단계를 나타낸 개략도이다. 도 9는 도 8의 IX-IX'를 따라 자른 단면도이다. 도 10은 제1 레이저 빔의 스팟을 나타낸 개략도이다. 도 11은 도 10의 에너지 프로파일을 나타낸 그래프이다. 도 12는 제1 레이저 빔이 스캔하며 조사될 때 대상 기판이 받는 에너지 프로파일을 나타낸 그래프이다. 도 13은 제1 레이저 가공 단계 직후의 대상 기판을 나타낸 평면도이다. 도 14는 도 13의 XIV-XIV'를 따라 자른 단면도이다.

도 8 내지 도 14를 참조하면, 우선 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에서, 가상의 커팅 라인이 구비된 대상 기판을 준비하는 단계(S11)가 수행될 수 있다. 본 단계(S11)에서 대상 기판(SUB)은 도 3 내지 도 6을 참조하여 상술한 표시 장치(1)의 제조 공정 중의 상태일 수 있다. 예를 들어, 대상 기판(SUB)은 홀(HLE)이 형성되기 전 상태의 표시 패널(100) 및 표시 패널(100) 상에 배치되며 홀(HLE)이 형성되기 전 상태의 편광 부재(200)를 포함할 수 있다. 다시 말해, 대상 기판(SUB)은 베이스 기판(101) 및 베이스 기판(101) 상에 배치된 적층 구조물(LS)을 포함할 수 있다.

대상 기판(SUB) 상에는 가상의 커팅 라인(CL)이 형성될 수 있다. 커팅 라인(CL)은 레이저 조사 공정이 이루어지는 가상의 선으로서, 사용자가 임의로 지정한 라인일 수 있다. 도시되지 않았지만, 대상 기판(SUB) 상의 커팅 라인(CL)은 대체로 홀 영역(HLA)의 가장자리와 일치할 수 있다. 대상 기판(SUB)에서 커팅 라인(CL)을 기준으로 내측은 추후 공정을 통해 부분적으로 제거되는 더미 영역(DMA)이고, 외측은 잔존 영역(NDMA)일 수 있다. 더미 영역(DMA)은 추후 공정을 통해 제거되어 대상 기판(SUB)에서 더미 영역(DMA)이 있던 자리는 홀 영역(HLA)의 일부가 될 수 있다. 잔존 영역(NMDA)은 추후 공정을 통해 제조되는 표시 장치(1)의 봉지 영역(CPA) 및 활성 영역(AAR)을 포함할 수 있다. 또한, 잔존 영역(NMDA)은 홀 영역(HLA)의 가장자리 부분 일부를 더 포함할 수 있다.

대상 기판(SUB)의 더미 영역(DMA)에는 베이스 기판(101), 베이스 기판(101) 상에 배치되는 배리어층(111), 배리어층(111) 상에 배치되는 버퍼층(112), 버퍼층(112) 상에 배치되는 층간 절연 패턴(161a), 층간 절연층(162a) 상에 배치되는 화소 정의막(163a), 화소 정의막(163a) 상에 배치되는 제1 무기층(181), 제1 무기층(181) 상에 배치되는 제1 유기층(182), 제1 유기층(182) 상에 배치되는 제2 무기층(183), 제2 무기층(183) 상에 배치되는 접착층(AL) 및 접착층(AL) 상에 배치되는 편광 부재(200)가 배치될 수 있다. 또한, 더미 영역(DMA)에는 가장 자리를 따라 댐 구조물(DS)이 배치될 수 있다. 더미 영역(DMA)의 댐 구조물(DS)은 제2 절연층(161)에 포함되는 제1 구조물(161b), 제3 절연층(162)에 포함되는 제2 구조물(162b) 및 제4 절연층(163)에 포함되는 제3 구조물(163b)을 포함할 수 있다. 더미 영역(DMA)의 댐 구조물(DS)은 상술한 봉지 영역(CPA)의 댐 구조물(DS)과 실질적으로 동일한 구조를 가질 수 있다. 즉, 더미 영역(DMA)은 공통 전극(173)을 불포함한다는 점을 제외하고는 상술한 봉지 영역(CPA)과 동일한 구조를 가질 수 있다.

가상의 커팅 라인이 구비된 대상 기판을 준비하는 단계(S11) 이후에는 대상 기판에 커팅 라인을 따라 제1 레이저 빔을 스캐닝하며 조사하여 홈을 형성하는 단계(S21)가 수행될 수 있다. 우선, 본 단계에서 사용되는 제1 레이저 빔(LB1)에 대해 설명한다.

제1 레이저 빔(LB1)은 제1 레이저 모듈(LM1)로부터 방출되어 제1 광학계(OS1)를 지나 대상 기판(SUB) 상의 커팅 라인(CL) 상에 조사될 수 있다. 제1 레이저 빔(LB1)은 대상 기판(SUB)에 커팅 라인(CL)의 연장 방향과 수직한 방향으로 영역별로 균일한 에너지를 제공하도록 구성될 수 있다. 제1 레이저 빔(LB1)을 통해 대상 기판(SUB)에서 적층 구조물(LS)이 부분적으로 제거되고, 적층 구조물(LS)이 제거된 영역의 베이스 기판(101)이 노출될 수 있다. 적층 구조물(LS)이 부분적으로 제거된 영역에는 홈(GV)이 형성될 수 있다.

제1 레이저 모듈(LM1)은 CO2 레이저가 사용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 레이저 모듈(LM1)로부터 출력된 제1 레이저 빔(LB1)은 제1 광학계(OS1)로 진입할 수 있다. 제1 광학계(OS1)는 제1 레이저 모듈(LM1)로부터 제공된 제1 레이저 빔(LB1)의 광 경로 및 에너지 프로파일을 제어하여 조사 대상을 향해 출사할 수 있다. 제1 광학계(OS1)는 빔 스팟(LBS1)의 에너지 프로파일을 제어하는 빔 쉐이퍼(Beam Shaper)로서, 적어도 하나의 광학 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 광학계(OS1)는 볼록 렌즈, 오목 렌즈, 볼록 거울 및 오목 거울 중 적어도 어느 하나 또는 이들의 결합으로 이루어진 렌즈나 거울을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 광학계(OS1)는 하나의 렌즈에 볼록 렌즈와 오목 렌즈가 결합된 복합 렌즈를 포함할 수 있다.

제1 레이저 모듈(LM1)은 중심부에서 높은 에너지를 갖는 가우시안 분포의 레이저를 방출하지만, 상기 레이저는 제1 광학계(OS1)를 거쳐 빔 스팟(LBS1)의 에너지 프로파일이 제어된 제1 레이저 빔(LB1)으로 변화할 수 있다.

제1 광학계(OS1)를 거친 제1 레이저 빔(LB1)의 빔 스팟(LBS1)은 도 10에 도시된 바와 같이 형성될 수 있다. 도 10에서 제1 레이저 빔(LB1)의 빔 스팟(LBS1)의 중심을 지나는 가상의 선에 제1 내지 제5 위치(x1, x2, x3, x4, x5)를 나타내었다. 제1 및 제5 위치(x1, x5)는 상기 가상의 선에서 일측 및 타측 가장 자리 부분에 위치하고, 제3 위치(x3)는 제1 레이저 빔(LB1)의 빔 스팟(LBS1)의 중심에 위치하고, 제2 위치(x2)는 제1 위치(x1)와 제3 위치(x3) 사이에 위치하고, 제4 위치(x4)는 제3 위치(x3)와 제5 위치(x5) 사이에 위치한다.

도 11을 참조하여 제1 레이저 빔(LB1)의 빔 스팟(LBS1)의 상기 가상의 선의 각 위치별 에너지 프로파일을 살펴보면, 제1 레이저 빔(LB1)의 빔 스팟(LBS1)의 에너지 프로파일은 가장자리로부터 중심부를 향해 갈수록 에너지가 증가하다가 감소하는 M 쉐이프 에너지 프로파일 가질 수 있다. 여기서, M 쉐이프 에너지 프로파일은 빔 스팟(LBS1)의 제3 위치(x3)에서 제2 에너지(E2)를 갖고 제2 및 제4 위치(x2, x4)에서 제2 에너지(E2)보다 큰 제1 에너지(E1)를 갖는 에너지 프로파일을 의미할 수 있다. 제1 레이저 빔(LB1)의 빔 스팟(LBS1)은 중심부인 제3 위치(x3)에서 극솟값의 에너지를 가질 수 있다.

다만 이에 제한되지 않고, 제1 레이저 빔(LB1)의 빔 스팟(LBS1)은 볼텍스 에너지 프로파일을 가질 수 있다. 볼텍스 에너지 프로파일은 빔 스팟(LBS1)의 중심부인 제3 위치(x3)에서의 에너지인 제2 에너지(E2)가 0인 에너지 프로파일을 의미한다.

도 12를 참조하여, 대상 기판(SUB) 상의 커팅 라인(CL)을 따라 제1 레이저 빔(LB1)이 스캐닝하며 조사되면, 제1 레이저 빔(LB1)의 빔 스팟(LBS1)은 커팅 라인(CL)을 따라 중첩하며 이동하여 대상 기판(SUB)에 에너지를 제공할 수 있다. 빔 스팟(LBS1)이 중첩하며 이동하는 경우 나타나는 누적 에너지 프로파일은 도 12의 그래프와 같이 나타날 수 있다. 즉, 도 11에 도시된 에너지 프로파일을 갖는 빔 스팟(LBS1)이 커팅 라인(CL)을 따라 중첩하며 이동하면, 도 12의 그래프와 같은 누적 에너지 프로파일이 나타날 수 있다.

도 12의 누적 에너지 프로파일은 커팅 라인(CL)을 제1 레이저 빔(LB1)의 이동 방향과 수직하는 방향으로 자른 에너지 프로파일일 수 있다. 제1 레이저 빔(LB1)의 누적 에너지 프로파일은, 레이저 이동 방향(LDR)과 수직하는 방향의 가장자리에서 중앙으로 갈수록 증가하다가 대체로 일정한 누적 에너지(Et)를 나타내는 에너지 프로파일을 가질 수 있다.

구체적으로, 제1 레이저 빔(LB1)의 이동 방향과 수직한 방향으로 일측 및 타측 가장자리에 위치하는 제1 이동 수직 위치(y1) 및 제4 이동 수직 위치(y4)에서는 에너지가 0일 수 있다. 제1 이동 수직 위치(y1)로부터 제4 이동 수직 위치(y4)를 향해 이동하는 경우 에너지가 급격히 증가하여 제2 이동 수직 위치(y2)에서 일정한 누적 에너지(Et)를 가질 수 있다. 또한, 제4 이동 수직 위치(y4)로부터 제1 이동 수직 위치(y1)를 향해 소정의 길이만큼 이동하는 경우 에너지가 급격히 증가하여 제3 이동 수직 위치(y3)에서 일정한 누적 에너지(Et)를 가질 수 있다.

대상 기판에 커팅 라인을 따라 제1 레이저 빔을 스캐닝하며 조사하여 홈을 형성하는 단계(S21)가 수행된 이후의 대상 기판(SUB)은 베이스 기판(101) 상의 적층 구조물(LS)이 부분적으로 제거되어 커팅 라인(CL)을 따라 홈(GV)이 형성될 수 있다. 홈(GV)은 커팅 라인(CL)의 연장 방향과 수직하는 방향으로 소정의 폭을 가지며, 커팅 라인(CL)의 연장 방향을 따라 형성될 수 있다. 홈(GV)은 베이스 기판(101)의 상면의 적어도 일부를 노출할 수 있다. 홈(GV)에 의해 노출되는 베이스 기판(101) 상에는 탄화물(CM)이 배치될 수 있다. 즉, 탄화물(CM)은 제1 레이저 빔(LB1)을 조사하는 공정을 통해 형성되며, 적층 구조물(LS)을 이루는 물질 중 적어도 어느 하나가 탄화되어 형성될 수 있다. 홈(GV)은 커팅 라인(CL)의 연장 방향과 수직하는 방향으로 제1 폭(W1)을 가질 수 있다. 제1 폭(W1)은 두께 방향으로 베이스 기판(101) 측으로 갈수록 작아질 수 있다.

도 15는 제2 레이저 가공 단계를 나타낸 개략도이다. 도 16은 제2 레이저 빔이 베이스 기판을 관통하는 과정을 나타낸 개략도이다. 도 17은 제2 레이저 가공 단계 직후의 대상 기판을 나타낸 평면도이다. 도 18은 도 17의 XVIII-XVIII'를 따라 자른 단면도이다.

도 15 내지 도 18을 참조하면, 대상 기판에 커팅 라인을 따라 제1 레이저 빔을 스캐닝하며 조사하여 홈을 형성하는 단계(S21) 이후에는 대상 기판에 커팅 라인을 따라 제2 레이저 빔을 스팟 단위로 이격되도록 조사하여 커팅 홀을 형성하는 단계(S31)가 수행될 수 있다.

본 단계(S31)에서 제2 레이저 빔(LB2)은 필라멘테이션 빔 또는 베셀 빔일 수 있다. 또한, 제2 레이저 빔(LB2)의 파장은 적외선 영역의 파장대를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 레이저 빔(LB2)의 파장은 약 0.72μm 내지 약 300μm의 범위 내에 있을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제2 레이저 빔(LB2)은 제2 레이저 모듈(LM2)로부터 방출되어 제2 광학계(OS2)를 거쳐 대상 기판(SUB)의 커팅 라인(CL) 상에 조사될 수 있다. 제2 레이저 빔(LB2)은 홈(GV)에 의해 노출된 베이스 기판(101) 상에 조사될 수 있다. 이를 통해, 제2 레이저 빔(LB2)이 조사된 영역의 베이스 기판(101)에는 두께 방향(제3 방향(Z))으로 관통하는 커팅 홀(CH1)이 형성될 수 있다.

제2 레이저 모듈(LM2)은 적외선 파장 대의 레이저를 방출하는 적외선 레이저 모듈일 수 있다. 제2 광학계(OS2)는 엑시콘(Axicon) 렌즈를 포함할 수 있다. 이를 통해, 제2 광학계(OS2)를 거친 제2 레이저 빔(LB2)은 필라멘테이션 빔 또는 베셀 빔으로 변화할 수 있다. 제2 레이저 빔(LB2)은 스팟 단위로 이격되도록 조사될 수 있다.

제2 레이저 빔(LB2)의 초점은 소정의 길이를 갖는 초점 라인(FL)의 형태로 형성될 수 있다. 도 16에 도시된 바와 같이, 제2 레이저 빔(LB2)의 초점 라인(FL)의 길이(t2)는 베이스 기판(101)의 두께(t1)보다 클 수 있다. 제2 레이저 빔(LB2)의 초점 라인(FL)은 베이스 기판(101)을 두께 방향으로 전체적으로 커버하도록 배치될 수 있다. 이 경우, 제2 레이저 빔(LB2)을 통해 베이스 기판(101)에는 베이스 기판(101)을 두께 방향으로 관통하는 복수의 커팅 홀(CH1)이 형성될 수 있다. 각 커팅 홀(CH1)의 평면 형상은 원형일 수 있다. 커팅 홀(CH1)은 커팅 라인(CL)을 따라 이격되어 형성될 수 있다.

각 커팅 홀(CH1)의 폭(W2)은 베이스 기판(101)의 두께 방향으로 대체로 일정할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 각 커팅 홀(CH1)의 폭(W2)은 커팅 홀(CH1)의 직경을 의미할 수 있다.

제2 레이저 빔(LB2)을 이용하여 복수의 커팅 홀(CH1)을 형성하는 과정에서 각 커팅 홀(CH1)의 주변에는 미세 크랙이 형성될 수 있다. 후술하는 제3 레이저 빔(LB3)은 미세 크랙을 전파하여 복수의 커팅 홀(CH1) 각각을 연결하는 커팅 크랙(CH2)을 형성할 수 있다.

도 19는 제3 레이저 가공 단계를 나타낸 개략도이다. 도 20은 제3 레이저 가공 단계 직후의 대상 기판을 나타낸 평면도이다. 도 21은 도 20의 XXI-XXI'를 따라 자른 단면도이다.

도 19 내지 도 21을 참조하면, 대상 기판에 커팅 라인을 따라 제2 레이저 빔을 스팟 단위로 이격되도록 조사하여 커팅 홀을 형성하는 단계(S31) 및 대상 기판에 커팅 라인을 따라 제3 레이저 빔을 스캐닝하며 조사하여 커팅 크랙을 형성하는 단계(S41)가 수행될 수 있다.

본 단계(S41)에서, 제3 레이저 빔(LB3)은 제3 레이저 모듈(LM3)로부터 방출되어 제3 광학계(OS3)를 거쳐 커팅 라인(CL)을 따라 대상 기판(SUB) 상에 조사될 수 있다. 이를 통해, 커팅 홀(CH1) 간을 연결하는 커팅 크랙(CH2)이 형성될 수 있다.

제3 레이저 빔(LB3)의 빔 스팟은 상술한 제1 레이저 빔(LB1)의 빔 스팟(LBS1)과 실질적으로 동일한 형태의 에너지 프로파일을 가질 수 있다. 즉, 제3 레이저 빔(LB3)이 커팅 라인(CL)을 따라 스캐닝하며 조사되는 경우, 커팅 라인(CL)과 수직하는 방향으로 대체로 균일한 에너지 프로파일을 가질 수 있다.

제3 레이저 모듈(LM3)은 CO2 레이저를 방출할 수 있다. 제3 레이저 모듈(LM3)은 상술한 제1 레이저 모듈(LM1)과 실질적으로 동일할 수 있다. 제3 광학계(OS3)는 제3 레이저 모듈(LM3)로부터 제공된 제3 레이저 빔(LB3)의 광 경로 및 에너지 프로파일을 제어하여 조사 대상을 향해 출사할 수 있다. 제3 광학계(OS3)는 빔 스팟의 에너지 프로파일을 제어하는 빔 쉐이퍼(Beam Shaper)로서, 적어도 하나의 광학 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 광학계(OS3)는 볼록 렌즈, 오목 렌즈, 볼록 거울 및 오목 거울 중 적어도 어느 하나 또는 이들의 결합으로 이루어진 렌즈나 거울을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 광학계(OS3)는 하나의 렌즈에 볼록 렌즈와 오목 렌즈가 결합된 복합 렌즈를 포함할 수 있다.

상술한 바와 같이, 제3 레이저 빔(LB3)은 대상 기판(SUB) 상에 조사되어 복수의 커팅 홀(CH1) 중 서로 이웃하는 커팅 홀(CH1) 사이를 연결시킬 수 있다. 제3 레이저 빔(LB3)을 통해 대상 기판(SUB) 상에는 커팅 크랙(CH2)이 형성될 수 있다. 커팅 크랙(CH2)은 커팅 홀(CH1) 형성 시 발생한 미세 크랙이 제3 레이저 빔(LB3)에 의해 전파 및 성장하여 형성될 수 있다. 커팅 크랙(CH2)의 폭(W3)은 커팅 홀(CH1)의 폭(W2)보다 작을 수 있다. 커팅 크랙(CH2)이 복수의 커팅 홀(CH1) 각각을 모두 연결하는 경우, 대상 기판(SUB)의 더미 영역(DMA)은 분리되어 제거되고, 홀(HLE)이 형성될 수 있다. 본 단계(S41)에서, 대상 기판(SUB)의 더미 영역(DMA)이 분리되어 제거되는 경우, 커팅 홀(CH1)은 상술한 함몰부(DT)로 바뀔 수 있다.

여기서 홀(HLE)은 도 4 내지 도 6을 참조하여 상술한 표시 장치(1)에 형성된 화면이나 영상을 표시하는 활성 영역(AAR)에 의해 둘러싸인 홀(HLE)일 수 있다. 즉, 대상 기판(SUB)은 제1 내지 제3 레이저 빔(LB1, LB2, LB3)을 순차적으로 조사하여 물리적 접촉 없이 홀(HLE)을 형성할 수 있다.

일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 의하면, 화면이나 영상을 표시하는 활성 영역(AAR)에 의해 둘러싸인 홀(HLE)을 물리적 접촉 없이 형성하여 홀(HLE) 형성 시 표시 장치(1)에 발생할 수 있는 데미지를 저감시킬 수 있다.

이하, 표시 장치(1)의 다른 실시예에 대해 설명한다. 후술하는 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대한 설명은 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 중복되는 설명은 생략하고, 차이점 위주로 설명하기로 한다.

도 22는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 도 4의 R 영역에 대응되는 확대도이다.

도 22를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_1)에 포함되는 베이스 기판 노출부(101e_1)의 측면(101ea)은 적층 구조물(LS)의 측면(LSa)과 나란한 제1 측면(101ea1) 및 제1 측면(101ea1)으로부터 연장되며 활성 영역(AAR) 및 봉지 영역(CPA) 측으로 함몰된 제2 측면(101ea2_1)을 포함할 수 있다. 제2 측면(101ea2_1)은 평면 상 호의 형상을 가질 수 있다. 다시 말해, 제2 측면(101ea2_1)의 평면 상 형상은 원의 일부일 수 있다. 베이스 기판 노출부(101e_1)의 측면(101ea)에서, 제1 측면(101ea1)과 제2 측면(101ea2_1)은 교번하여 배치될 수 있다.

제2 홀(HLE2)은 제2 측면(101ea2_1)에 의해 둘러싸이는 함몰부(DT_1)를 포함할 수 있다. 함몰부(DT_1)는 베이스 기판 노출부(101e_1)를 두께 방향으로 관통하는 홀일 수 있다. 함몰부(DT_1)는 베이스 기판 노출부(101e_1)가 활성 영역(AAR) 및 봉지 영역(CPA) 측으로 함몰되어 형성될 수 있다.

본 실시예에 따른 표시 장치(1_1)는 제1 측면(101ea1) 및 제1 측면(101ea1)으로부터 연장되는 제2 측면(101ea2_1)은 사이에 측면 사잇각(θ_1)을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 측면 사잇각(θ_1)은 예각일 수 있다. 본 실시예에서, 측면 사잇각(θ_1)은 제3 레이저 빔(LB3)을 조사하여 커팅 홀(CH1)에서 함몰부(DT_1)로 변화할 때, 기존의 커팅 라인(CL)보다 내측 영역에 제3 레이저 빔(LB3)을 조사하여 형성할 수 있다. 즉, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_1)는 제3 레이저 빔(LB3)을 조사할 때, 활성 영역(AAR) 및 봉지 영역(CPA)에 데미지를 주지 않을 정도로 충분한 공정 마진을 확보하여 형성할 수 있다.

본 실시예에 따른 표시 장치(1_1)는 복수의 레이저 가공 공정을 통해 제작된 측면(LSa)이 제1 경사각(α)을 갖는 적층 구조물(LS)에 의해 둘러싸인 제1 홀(HLE1) 및 측면(101ea)이 제1 경사각(α)보다 큰 제2 측면 경사각(β)을 갖는 베이스 기판 노출부(101e)를 포함하여 봉지 영역(CPA)을 최소화할 수 있고, 이를 통해 화면이나 영상을 표시하는 활성 영역(AAR)의 크기를 극대화시킬 수 있다.

뿐만 아니라, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_1)는 제조 과정에서 제3 레이저 빔(LB3)의 조사 공정 마진을 충분히 확보하여 더미 영역(DMA)의 분리를 보다 용이하게 수행할 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

1: 표시 장치
100: 표시 패널
200: 편광 부재
HLE: 홀
HLA: 홀 영역
AAR: 활성 영역
CPA: 봉지 영역

Claims

제1 홀을 포함하는 기판; 및
상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 홀과 부분적으로 중첩하며 평면 상 가장자리가 상기 제1 홀의 외측에 배치되는 제2 홀을 포함하는 적층 구조물을 포함하되,
상기 기판은 상기 제2 홀에 노출되는 기판 노출부를 포함하며,
상기 기판 노출부는 부분적으로 상기 제2 홀의 가장자리 방향으로 부분적으로 함몰된 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 기판 노출부는 평면 상 상기 기판 노출부의 상기 제1 홀을 정의하는 측면으로부터 상기 적층 구조물의 상기 제2 홀을 정의하는 측면까지 제1 거리를 갖는 제1 부분 및 평면 상 상기 기판 노출부의 상기 측면으로부터 상기 적층 구조물의 상기 측면까지 상기 제1 거리보다 작은 제2 거리를 갖는 제2 부분을 포함하는 표시 장치.
제2 항에 있어서,
상기 기판 노출부의 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 교번하여 배치되는 표시 장치.
제2 항에 있어서,
상기 제1 부분의 상기 측면 및 상기 제2 부분의 상기 측면은 평면 상 곡면 형상을 갖되,
상기 제1 부분의 상기 측면의 곡률은 상기 제2 부분의 상기 측면의 곡률보다 작은 표시 장치.
제2 항에 있어서,
상기 제2 부분의 상기 측면 및 상기 제1 부분의 상기 측면이 만나는 사잇각은 둔각인 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 기판은 상기 제2 홀과 중첩하는 홀 영역, 상기 홀 영역을 적어도 부분적으로 둘러싸며 화상이 표시되는 활성 영역 및 상기 홀 영역 및 상기 활성 영역 사이에 배치되는 봉지 영역을 포함하되,
상기 활성 영역에서, 상기 적층 구조물은 상기 기판 상에 배치되는 회로 소자층, 상기 회로 소자층 상에 배치되며 컨택홀을 포함하는 비아층, 상기 비아층 상에 배치되며 상기 컨택홀을 통해 상기 회로 소자층과 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되며 개구부를 포함하는 화소 정의막, 상기 개구부 내부에 배치되는 발광층, 상기 화소 정의막 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극, 상기 제2 전극 상에 배치되는 제1 무기층, 상기 제1 무기층 상에 배치되는 제2 무기층, 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층 사이에 배치되는 제1 유기층을 포함하고,
상기 봉지 영역에서, 상기 적층 구조물은 상기 기판 상에 배치되는 댐 구조물, 상기 댐 구조물 상에 배치되는 상기 제1 무기층, 상기 제1 무기층 상에 배치되는 제2 무기층, 상기 제2 무기층 상에 배치되는 제2 유기층을 포함하는 표시 장치.
제6 항에 있어서,
상기 댐 구조물은 상기 기판 상에서 상기 비아층과 동일층에 배치된 제1 구조물 및 상기 제1 구조물 상에서 상기 화소 정의막과 동일층에 배치된 제2 구조물을 포함하는 표시 장치.
제6 항에 있어서,
상기 봉지 영역에서 상기 제2 유기층의 상면은 상기 활성 영역에서 상기 제2 무기층의 상면과 동일 평면 상에 위치하는 표시 장치.
제6 항에 있어서,
상기 기판 노출부 상에 배치되는 탄화물을 더 포함하는 표시 장치.
제9 항에 있어서,
상기 적층 구조물은 상기 활성 영역에서 상기 제2 무기층 상에 배치되며, 상기 봉지 영역에서 상기 제2 유기층 상에 배치되는 편광 부재를 더 포함하되,
상기 탄화물은 상기 제2 유기층에 포함된 물질 및 상기 편광 부재에 포함된 물질 중 적어도 어느 하나가 탄화된 물질인 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 기판 노출부에서 상기 적층 구조물이 위치한 반대 방향의 하면과 상기 제1 홀을 정의하는 측면은 제1 각도를 이루고,
상기 기판 노출부의 상기 하면의 반대면인 상면과 상기 적층 구조물에서 상기 제2 홀을 정의하는 측면은 상기 제1 각도보다 작은 제2 각도를 이루는 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 제2 홀의 폭은 상기 기판으로부터 멀어질수록 증가하는 표시 장치.
제1 홀을 포함하며, 상기 제1 홀에 인접 배치되는 기판 노출부를 포함하는 기판; 및
상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 홀과 부분적으로 중첩하는 제2 홀을 포함하는 적층 구조물을 포함하되,
상기 제1 홀을 정의하는 상기 기판 노출부의 측면과 상기 기판 노출부의 하면이 이루는 제1 각도는 상기 제2 홀을 정의하는 상기 적층 구조물의 측면과 상기 기판 노출부의 상면이 이루는 제2 각도보다 큰 표시 장치.
제13 항에 있어서,
상기 기판은 상기 제2 홀과 중첩하는 홀 영역, 상기 홀 영역을 적어도 부분적으로 둘러싸며 화상이 표시되는 활성 영역 및 상기 홀 영역 및 상기 활성 영역 사이에 배치되는 봉지 영역을 포함하되,
상기 활성 영역에서, 상기 적층 구조물은 상기 기판 상에 배치되는 회로 소자층, 상기 회로 소자층 상에 배치되며 컨택홀을 포함하는 비아층, 상기 비아층 상에 배치되며 상기 컨택홀을 통해 상기 회로 소자층과 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되며 개구부를 포함하는 화소 정의막, 상기 개구부 내부에 배치되는 발광층, 상기 화소 정의막 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극, 상기 제2 전극 상에 배치되는 제1 무기층, 상기 제1 무기층 상에 배치되는 제2 무기층, 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층 사이에 배치되는 제1 유기층을 포함하고,
상기 봉지 영역에서, 상기 적층 구조물은 상기 기판 상에 배치되는 댐 구조물, 상기 댐 구조물 상에 배치되는 상기 제1 무기층, 상기 제1 무기층 상에 배치되는 제2 무기층, 상기 제2 무기층 상에 배치되는 제2 유기층을 포함하는 표시 장치.
제14 항에 있어서,
상기 적층 구조물은 상기 활성 영역에서 상기 제2 무기층 상에 배치되며, 상기 봉지 영역에서 상기 제2 유기층 상에 배치되는 편광 부재를 더 포함하되,
상기 제2 무기층에 인접하는 상기 편광 부재의 하면과 상기 제2 홀을 정의하는 상기 편광 부재의 측면이 이루는 제3 각도는 상기 제1 각도보다 작은 표시 장치.
제15 항에 있어서,
상기 기판 노출부 상에 배치되는 탄화물을 더 포함하되,
상기 탄화물은 상기 제2 유기층에 포함된 물질 및 상기 편광 부재에 포함된 물질 중 적어도 어느 하나가 탄화된 물질인 표시 장치.
제14 항에 있어서,
상기 댐 구조물은 상기 기판 상에서 상기 비아층과 동일층에 배치된 제1 구조물 및 상기 제1 구조물 상에서 상기 화소 정의막과 동일층에 배치된 제2 구조물을 포함하는 표시 장치.
제13 항에 있어서,
상기 제1 홀의 폭은 상기 제2 홀의 폭보다 작은 표시 장치.
제13 항에 있어서,
상기 기판 노출부는 상기 적층 구조물과 비중첩하는 표시 장치.
가상의 커팅 라인이 구비되며, 베이스 기판 및 상기 베이스 기판 상에 배치된 적층 구조물을 포함하는 대상 기판을 준비하는 단계;
초점에서의 빔 스팟의 중심부에서 극솟값의 에너지를 갖는 도넛 빔인 제1 레이저 빔을 상기 커팅 라인을 따라 상기 대상 기판의 상기 적층 구조물 상에 스캐닝하며 조사하여 상기 베이스 기판을 노출하는 홈을 형성하는 단계;
베셀 빔인 제2 레이저 빔을 상기 커팅 라인을 따라 상기 홈에 의해 노출된 상기 베이스 기판 상에 스팟 단위로 이격되도록 조사하여 커팅 홀을 형성하는 단계; 및
상기 도넛 빔인 제3 레이저 빔을 상기 커팅 라인을 따라 스캐닝하며 상기 홈에 의해 노출된 상기 베이스 기판 상에 조사하여 커팅 크랙을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.