KR20220103198A - Flux composition and solder paste using same - Google Patents

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센주긴조쿠고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 플럭스 조성물은, 3-메틸-1,3-부탄디올, 및 활성제를 포함하는 것이다.The flux composition of the present invention comprises 3-methyl-1,3-butanediol and an active agent.

Description

플럭스 조성물, 및 그것을 이용한 땜납 페이스트Flux composition and solder paste using same

본 발명은, 플럭스 조성물, 및 그것을 이용한 땜납 페이스트에 관한 것이다.The present invention relates to a flux composition and a solder paste using the same.

지금까지, 납땜용의 플럭스에 대하여 여러가지 개발이 이루어져 왔다. 이런 종류의 기술로서, 예를 들면, 특허문헌 1에 기재된 기술이 알려져 있다. 특허문헌 1에는, 용제로서 이소보닐시클로헥산올을 포함하는 플럭스 조성물이 기재되어 있다(특허문헌 1의 청구항 1). Up to now, various developments have been made on fluxes for soldering. As a technique of this kind, the technique described in patent document 1 is known, for example. Patent Document 1 describes a flux composition containing isobornylcyclohexanol as a solvent (Claim 1 of Patent Document 1).

특허문헌 1: 일본 특개 2015-160244호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-160244

그렇지만, 본 발명자가 검토한 결과, 상기 특허문헌 1에 기재된 플럭스 조성물에 있어서, 급가열시에 있어서의 저잔사성의 점에서 개선의 여지가 있는 것이 판명되었다. 또한, 플럭스 조성물에 있어서는, 땜납 볼의 유지성이 요구된다.However, as a result of the inventor's examination, it was found that, in the flux composition described in Patent Document 1, there is room for improvement in terms of low residual properties during rapid heating. In addition, in the flux composition, the retainability of the solder ball is required.

본 발명자는 추가로 검토했는데, 다음과 같은 것이 지견되었다. The present inventors further investigated, and found the following.

승온 속도의 빠른 리플로우나 TCB(열압착) 등에 따른 땜납 접합 프로세스에 있어서, 종래 보다도 높은 수준의 저잔사성이 요구된다. In a solder bonding process according to a fast reflow of a temperature increase rate, TCB (thermocompression bonding), or the like, a higher level of low residue than in the prior art is required.

종래의 저잔사용 플럭스의 용제로서, 이소보닐시클로헥산올이 사용되는 경우가 있다. As a conventional low-residue flux solvent, isobornylcyclohexanol is sometimes used.

그렇지만, 이소보닐시클로헥산올은, 고점도 용제이기 때문에, 땜납 볼의 유지성이 뛰어나지만, 고비점 용제이기도 하기 때문에, 급속 가열시에 있어서의 잔사에 개선의 여지가 있었다. However, since isobornylcyclohexanol is a high-viscosity solvent, it has excellent retainability of solder balls, but since it is also a high-boiling solvent, there is room for improvement in the residue at the time of rapid heating.

이것에 대해서, 이소보닐시클로헥산올보다도 비점이 비교적 낮은 용제로서, 예를 들면, 헥실 디글리콜 등이 알려져 있다. On the other hand, as a solvent with a relatively lower boiling point than isobornyl cyclohexanol, hexyl diglycol etc. are known, for example.

그렇지만, 헥실 디글리콜은, 비교적으로 저비점이지만, 저점도 용제이기도 하기 때문에, 땜납 볼의 유지성이 저하하여, 땜납 접합 프로세스에 있어서, 볼 미씽 등의 결함이 생길 우려가 있었다. However, although hexyl diglycol has a relatively low boiling point, since it is also a low-viscosity solvent, the retainability of the solder balls is lowered, and there is a fear that defects such as ball missing are generated in the solder bonding process.

본 발명자는, 상기의 비점과 점도의 기술적 관계를 밟은 다음 용제의 특성에 착안하여 열심히 연구했는데, 3-메틸-1,3-부탄디올을 플럭스 조성물의 용제에 사용하는 것에 의해서, 급가열시에 있어서의 저잔사성, 땜납 볼의 유지성의 모두를 향상할 수 있는 것을 찾아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. The present inventors studied the above technical relationship between the boiling point and the viscosity, paying attention to the characteristics of the solvent, and studied diligently. It found that it was possible to improve both the low residue properties and the retainability of the solder balls, thereby completing the present invention.

본 발명에 의하면,According to the present invention,

3-메틸-1,3-부탄디올, 및 활성제를 포함하는, 플럭스 조성물이 제공된다. A flux composition is provided comprising 3-methyl-1,3-butanediol, and an active agent.

또한, 본 발명에 의하면, In addition, according to the present invention,

상기의 플럭스 조성물 및 금속 분말(粉)을 포함하는, 땜납 페이스트가 제공된다.A solder paste comprising the above flux composition and metal powder is provided.

본 발명에 의하면, 급가열시에 있어서의 저잔사성, 땜납 볼의 유지성이 뛰어난 플럭스 조성물, 및 그것을 이용한 땜납 페이스트가 제공된다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the flux composition excellent in the low residual property at the time of rapid heating, and the retainability of a solder ball, and the solder paste using the same are provided.

본 실시 형태의 플럭스 조성물의 개요를 설명한다. An outline of the flux composition of the present embodiment will be described.

플럭스 조성물은, 3-메틸-1,3-부탄디올, 및 활성제를 포함하는 것이다. The flux composition comprises 3-methyl-1,3-butanediol, and an active agent.

이 플럭스 조성물은, 땜납과 접합 대상의 금속을 접합하는, 땜납 접합 프로세스에 이용된다. This flux composition is used in a solder bonding process for bonding solder and a metal to be joined.

본 발명자의 지견에 의하면, 다음과 같은 것이 발견되었다. According to the knowledge of the present inventors, the following were discovered.

통상, 땜납 접합시의 리플로우 공정에 있어서는, 약 1~2℃/sec의 승온 속도가 채용되고 있다. 예를 들면, 특허문헌 1의 도 1에는 리플로우 온도와 시간의 관계가 기재되어 있고, 거기에는, 180℃~240℃를 약 40 sec로 승온하는 조건, 즉, 약 1.5℃/sec의 승온 속도로 리플로우하는 것이 나타나 있다. Usually, in the reflow process at the time of solder bonding, the temperature increase rate of about 1-2 degreeC/sec is employ|adopted. For example, in FIG. 1 of Patent Document 1, the relationship between the reflow temperature and time is described, therein, there is a condition in which the temperature of 180°C to 240°C is raised to about 40 sec, that is, a temperature increase rate of about 1.5°C/sec. Reflow is shown.

그렇지만, 급가열의 리플로우 공정이나 TCB(열압착) 등의 땜납 접합 프로세스에서는, 통상보다도, 추가로 빠른 승온 속도가 되기 때문에, 플럭스 조성물에는, 종래보다도 높은 수준의 저잔사성이 요구된다. However, in a reflow process of rapid heating or a solder bonding process such as TCB (thermocompression bonding), the temperature rise rate is higher than usual, and therefore, the flux composition is required to have a low residual property at a higher level than before.

종래의 저잔사용 플럭스의 용제로서, 이소보닐시클로헥산올이나 헥실 디글리콜이 사용되는 경우가 있다. As a conventional low-residue flux solvent, isobornylcyclohexanol or hexyl diglycol may be used.

이소보닐시클로헥산올은, 고점도 용제이기 때문에, 땜납 볼의 유지성이 뛰어나지만, 고비점 용제이기도 하기 때문에, 급속 가열시에 있어서의 잔사에 개선의 여지가 있었다. 한편의, 헥실 디글리콜은, 비교적으로 저비점이지만, 저점도 용제이기도 하기 때문에, 땜납 볼의 유지성이 저하하여, 땜납 접합 프로세스에 있어서, 볼 미씽 등의 결함이 생길 우려가 있었다. Since isobornylcyclohexanol is a high-viscosity solvent, it has excellent retainability of solder balls, but since it is also a high-boiling solvent, there is room for improvement in the residue at the time of rapid heating. On the other hand, although hexyl diglycol has a relatively low boiling point, since it is also a low-viscosity solvent, the retainability of the solder balls is lowered, and there is a fear that defects such as ball missing are generated in the solder bonding process.

상기의 비점과 점도의 기술적 관계를 바탕으로 한 다음 용제의 특성에 착안하여 열심히 연구했는데, 3-메틸-1,3-부탄디올을 플럭스 조성물의 용제로 사용하는 것에 의해서, 급가열시에 있어서의 저잔사성, 땜납 볼의 유지성의 모두를 향상할 수 있는 것이 발견되었다. Based on the technical relationship between the boiling point and the viscosity, the following research was intensively conducted, paying attention to the characteristics of the solvent. It has been found that both the four properties and the retainability of the solder ball can be improved.

상세한 메카니즘은 확실하지 않지만, 비점과 점도가 적절한 용제로서, 3-메틸-1,3-부탄디올을 사용하는 것에 의해서, 플럭스 조성물의, 급가열시에 있어서의 저잔사성, 및 땜납 볼의 유지성을 향상할 수 있는 것이라고 생각할 수 있다. Although the detailed mechanism is not clear, the use of 3-methyl-1,3-butanediol as a solvent having an appropriate boiling point and viscosity improves the flux composition's low residue during rapid heating and solder ball retention. You might think you can do it.

본 실시 형태의 플럭스 조성물은, 승온 속도의 하한이, 예를 들면, 3℃/sec 이상, 바람직하게는 4℃/sec 이상, 더욱 바람직하게는 5℃/sec 이상의 땜납 접합 프로세스에 이용할 수 있다. 승온 속도의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 실제의 프로세스 준하여 적절히 설정 가능하다. The flux composition of the present embodiment can be used in a solder bonding process in which the lower limit of the temperature increase rate is, for example, 3°C/sec or more, preferably 4°C/sec or more, and more preferably 5°C/sec or more. Although the upper limit of a temperature increase rate is not specifically limited, According to an actual process, it can set suitably.

본 실시 형태에 의하면, 이러한 비교적 승온 속도가 높은 리플로우 공정이나 TCB 공정에 있어서도, 저잔사의 플럭스 조성물을 실현할 수 있다. According to the present embodiment, a flux composition with a low residue can be realized even in the reflow process and the TCB process with such a relatively high rate of temperature increase.

일반적으로, 납땜의 후에 잔사의 세정을 필요로 하는 세정 용도와, 납땜 후에 세정을 하지 않고 사용할 수 있는 무세정 용도가 알려져 있다. Generally, there are known a cleaning application that requires cleaning of residues after brazing, and a no-cleaning application that can be used without cleaning after brazing.

본 실시 형태의 플럭스 조성물은, 어느 용도에도 적용할 수 있지만, 무세정 용도의 플럭스 조성물, 보다 바람직하게는, 승온 속도가 빠른 땜납 접합 프로세스시의 무세정 용도의 플럭스 조성물로서 사용할 수 있다. Although the flux composition of the present embodiment can be applied to any application, it can be used as a flux composition for no-clean use, and more preferably as a flux composition for no-clean use in a solder bonding process with a high temperature increase rate.

또한, 하기의 절차로 측정되는 플럭스 조성물의 잔사량의 상한은, 예를 들면, 10 중량% 이하, 바람직하게는 8 중량% 이하, 보다 바람직하게는 5 중량% 미만이다. 이것에 의해서, 급가열시에 있어서의 저잔사성을 한층 높일 수 있다. 상기 잔사량의 하한은, 특별히 한정되지 않는다. In addition, the upper limit of the residual amount of the flux composition as measured by the following procedure is, for example, 10% by weight or less, preferably 8% by weight or less, more preferably less than 5% by weight. Thereby, the low residual property at the time of rapid heating can be improved further. The lower limit of the residual amount is not particularly limited.

(절차) (procedure)

당해 플럭스 조성물을, 질소 분위기하, 5℃/sec의 승온 속도로, 25℃에서 250℃까지 가열 처리했을 때, 가열전의 중량 W0, 및 가열 후의 중량 W1를 측정하고, 얻어진 W0, W1를 이용하여, 식: W1/W0Х100%로부터, 잔사량(중량%)을 구한다. When the flux composition was heat-treated from 25°C to 250°C in a nitrogen atmosphere at a temperature increase rate of 5°C/sec, the weight W0 before heating and the weight W1 after heating were measured, and the obtained W0 and W1 were used. , from the formula: W1/W0Х100%, the amount of residue (% by weight) is calculated.

플럭스 조성물은, 3-메틸-1,3-부탄디올을 포함하는 것에 의해서, 활성제, 다른 용제, 베이스 수지 및 첨가제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 또는 2 이상을 포함하는 경우에서도, 그 저잔사성을 유지하는 것이 가능하다. By including 3-methyl-1,3-butanediol, the flux composition maintains its low residue even when it contains one or two or more selected from the group consisting of an activator, another solvent, a base resin, and an additive. it is possible

또한, JIS Z 3284-3: 2014에 준거하여 측정되는, 25℃에 있어서의 플럭스 조성물의 점도의 하한은, 예를 들면, 500 mPa·s 이상으로 해도 된다. 이것에 의해, 땜납 볼의 유지성을 향상시키는 것이 가능하다. 상기 25℃에 있어서의 플럭스 조성물의 점도의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 5,000 mPa·s 이하로 해도 된다. The lower limit of the viscosity of the flux composition at 25°C, measured in accordance with JIS Z 3284-3:2014, may be, for example, 500 mPa·s or more. Thereby, it is possible to improve the retainability of the solder ball. The upper limit of the viscosity of the flux composition at 25°C is not particularly limited, but may be, for example, 5,000 mPa·s or less.

본 실시 형태에서는, 예를 들어 플럭스 조성물 중에 포함되는 각 성분의 종류나 배합량, 플럭스 조성물의 조제 방법 등을 적절히 선택하는 것에 의해, 상기 잔사량, 점도를 제어하는 것이 가능하다. 이들 중에서도, 예를 들어 3-메틸-1,3-부탄디올과 그 외의 성분의 함유 비율, 용제로서, 3-메틸-1,3-부탄디올 단독을 사용하는 것, 혹은 3-메틸-1,3-부탄디올과 다른 용제의 혼합 용제에 있어서, 다른 용제의 종류나 함유 비율을 적절히 조정하는 것, 또한, 칙소제가 되는 지방산 아마이드를 실질적으로 포함하지 않는 것 등이, 상기 잔사량, 점도를 원하는 수치 범위로 하기 위한 요소로서 들 수 있다. In the present embodiment, it is possible to control the residual amount and viscosity by appropriately selecting the type and compounding amount of each component contained in the flux composition, a method for preparing the flux composition, and the like, for example. Among these, for example, the content ratio of 3-methyl-1,3-butanediol and other components, the solvent using 3-methyl-1,3-butanediol alone, or 3-methyl-1,3- In the mixed solvent of butanediol and other solvent, the type and content ratio of the other solvent are appropriately adjusted, and the fatty acid amide serving as the thixotropic agent is substantially not included, etc. It can be mentioned as an element for making

이하, 본 실시 형태의 플럭스 조성물의 각 성분에 대하여 상술한다. Hereinafter, each component of the flux composition of the present embodiment will be described in detail.

(활성제) (activator)

플럭스 조성물은, 금속 산화물을 제거하는 특성을 가지는, 활성제를 포함해도 된다. The flux composition may contain an activator having a property of removing metal oxides.

활성제를 포함하는 것에 의해서, 땜납 접합 프로세스시의 땜납 젖음성을 높이는 것이 가능하다. By including the activator, it is possible to increase the solder wettability during the solder bonding process.

일반적으로, 땜납 접합 프로세스에 대해서, 포름산 가스 등의 환원 가스 분위기하에서 수행하는 경우와, 환원 가스를 실질적으로 포함하지 않는, 질소 가스나 아르곤 가스 등을 포함하는 불활성 가스 분위기하 혹은 감압 분위기하에서 수행하는 경우, 대기압 환경하에서 수행하는 경우가 알려져 있다. In general, the solder bonding process is carried out in a reducing gas atmosphere such as formic acid gas, or in an inert gas atmosphere containing nitrogen gas or argon gas, etc. which does not contain a reducing gas substantially or under a reduced pressure atmosphere. In this case, it is known that it is carried out under an atmospheric pressure environment.

활성제를 포함하는 플럭스 조성물은, 환원 가스를 실질적으로 포함하지 않는 불활성 가스 분위기 또는 감압 분위기의 땜납 접합 프로세스에 이용하는 것이 가능하다. The flux composition containing the activator can be used in a solder bonding process in an inert gas atmosphere or a reduced pressure atmosphere substantially free of reducing gas.

활성제의 구체예로서, 예를 들면, 유기산, 아민류, 할로겐계 활성제, 인계 활성제 등을 들 수 있다. 이들을 단독으로 이용해도 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. Specific examples of the activator include organic acids, amines, halogen activators, phosphorus activators, and the like. These may be used independently or may be used in combination of 2 or more type.

이들 활성제는, 상세한 메카니즘은 확실하지 않지만, 금속 산화물과 염 또는 킬레이트를 형성하는 것에 의해서, 땜납 및 납땜 대상의 금속 표면의 금속 산화막을 제거할 수 있다고 생각할 수 있다. Although the detailed mechanism of these activators is not certain, it is thought that the metal oxide film on the surface of the metal to be soldered and soldered can be removed by forming a salt or chelate with the metal oxide.

플럭스 조성물 중의 활성제의 함유량의 상한은, 예를 들면, 30 중량% 이하이어도 되고, 20 중량% 이하이어도 된다. 또한, 플럭스 조성물 중의 활성제의 함유량의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 0.1 중량% 이상이어도 되고, 1 중량% 이상이어도 된다. The upper limit of the content of the active agent in the flux composition may be, for example, 30 wt% or less or 20 wt% or less. The lower limit of the content of the active agent in the flux composition is not particularly limited, but may be 0.1 wt% or more or 1 wt% or more.

덧붙여, 본 명세서 중, 「~」는, 특별히 명시하지 않는 한, 상한치와 하한치를 포함하는 것을 나타낸다. In addition, in this specification, "-" represents that an upper limit and a lower limit are included unless otherwise indicated.

유기산으로서는, 모노카르복시산, 디카르복시산, 디카르복시산의 무수물, 옥시산 등을 들 수 있다. 이들을 단독으로 이용해도 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이 중에서도, 히드록시기 및 카르복시기의 적어도 한쪽을 분자 중에 2개 이상 가지는 다가의 유기산을 이용해도 된다. Examples of the organic acid include monocarboxylic acids, dicarboxylic acids, anhydrides of dicarboxylic acids, and oxy acids. These may be used independently or may be used in combination of 2 or more type. Among these, you may use the polyhydric organic acid which has two or more of at least one of a hydroxyl group and a carboxy group in a molecule|numerator.

유기산의 구체예의 일례로서는, 예를 들면, 글루타르산, 아디핀산, 아제라인산, 에이코산 이산, 구연산, 글리콜산, 숙신산, 살리실산, 디글리콜산, 디피콜린산, 디부틸아닐린 디글리콜산, 수베린산, 세바신산, 티오 글리콜산, 테레프탈산, 도데칸 이산, 파라히드록시페닐 아세트산, 피콜린산, 페닐 숙신산, 프탈산, 프말산, 말레인산, 말론산, 라우린산, 벤조산, 주석산, 이소시아눌산 트리스(2-카르복시에틸), 글리신, 1,3-시클로헥산 디카르복시산, 2,2-비스(히드록시메틸) 프로피온산, 2,2-비스(히드록시메틸) 부탄산, 2,3-디히드록시벤조산, 2,4-디에틸글루타르산, 2-퀴놀린 카르복시산, 3-히드록시벤조산, 사과산, p-아니스산, 스테아린산, 12-히드록시스테아린산, 올레인산, 리놀산, 리놀렌산 등을 들 수 있다. As an example of a specific example of an organic acid, For example, glutaric acid, adipic acid, azeraic acid, eicosic acid diacid, citric acid, glycolic acid, succinic acid, salicylic acid, diglycolic acid, dipicolinic acid, dibutylaniline diglycolic acid, water Beric acid, sebacic acid, thioglycolic acid, terephthalic acid, dodecane diacid, parahydroxyphenyl acetic acid, picolinic acid, phenyl succinic acid, phthalic acid, fumaric acid, maleic acid, malonic acid, lauric acid, benzoic acid, tartaric acid, isocyanuric acid Tris(2-carboxyethyl), glycine, 1,3-cyclohexane dicarboxylic acid, 2,2-bis(hydroxymethyl) propionic acid, 2,2-bis(hydroxymethyl) butanoic acid, 2,3-dihydr and hydroxybenzoic acid, 2,4-diethylglutaric acid, 2-quinoline carboxylic acid, 3-hydroxybenzoic acid, malic acid, p-anisic acid, stearic acid, 12-hydroxystearic acid, oleic acid, linoleic acid, and linolenic acid.

이 중에서도, 저잔사성의 관점으로부터, 유기산은, 탄소수가 11 이하인 유기산을 포함해도 된다. Among these, from the viewpoint of low residue, the organic acid may include an organic acid having 11 or less carbon atoms.

탄소수가 11 이하인 유기산으로서는, 예를 들면, 글리콜산(탄소수 2), 티오글리콜산(탄소수 2), 글리신(탄소수 2), 말론산(탄소수 3), 프말산(탄소수 4), 말레인산(탄소수 4), 숙신산(탄소수 4), 디글리콜산(탄소수 4), 주석산(탄소수 4), 사과산(탄소수 4), 글루타르산(탄소수 5), 2,2-비스(히드록시메틸) 프로피온산(탄소수 5), 아디핀산(탄소수 6), 구연산(탄소수 6), 피콜린산(탄소수 6), 벤조산(탄소수 7), 2,2-비스(히드록시메틸) 부탄산(탄소수 6), 살리실산(탄소수 7), 디피콜린산(탄소수 7), 2,3-디히드록시벤조산(탄소수 7), 3-히드록시벤조산(탄소수 7), 수베린산(탄소수 8), 프탈산(탄소수 8), 이소프탈산(탄소수 8), 테레프탈산(탄소수 8), 파라히드록시페닐 아세트산(탄소수 8), 1,3-시클로헥산 디카르복시산(탄소수 8), p-아니스산(탄소수 8), 아제라인산(탄소수 9), 2,4-디에틸글루타르산(탄소수 9), 세바신산(탄소수 10), 페닐 숙신산(탄소수 10), 2-퀴놀린 카르복시산(탄소수 10), 4-tert-부틸 벤조산(탄소수 11) 등을 들 수 있다. Examples of the organic acid having 11 or less carbon atoms include glycolic acid (2 carbon atoms), thioglycolic acid (2 carbon atoms), glycine (2 carbon atoms), malonic acid (3 carbon atoms), fmalic acid (4 carbon atoms), maleic acid (4 carbon atoms). ), succinic acid (4 carbon atoms), diglycolic acid (4 carbon atoms), tartaric acid (4 carbon atoms), malic acid (4 carbon atoms), glutaric acid (5 carbon atoms), 2,2-bis(hydroxymethyl) propionic acid (5 carbon atoms) ), adipic acid (6 carbon atoms), citric acid (6 carbon atoms), picolinic acid (6 carbon atoms), benzoic acid (7 carbon atoms), 2,2-bis(hydroxymethyl) butanoic acid (6 carbon atoms), salicylic acid (7 carbon atoms) ), dipicolinic acid (7 carbon atoms), 2,3-dihydroxybenzoic acid (7 carbon atoms), 3-hydroxybenzoic acid (7 carbon atoms), suberic acid (8 carbon atoms), phthalic acid (8 carbon atoms), isophthalic acid ( 8 carbon atoms), terephthalic acid (8 carbon atoms), parahydroxyphenyl acetic acid (8 carbon atoms), 1,3-cyclohexane dicarboxylic acid (8 carbon atoms), p-anisic acid (8 carbon atoms), azeranic acid (9 carbon atoms), 2 ,4-diethylglutaric acid (9 carbon atoms), sebacic acid (10 carbon atoms), phenyl succinic acid (10 carbon atoms), 2-quinoline carboxylic acid (10 carbon atoms), 4-tert-butyl benzoic acid (11 carbon atoms), etc. have.

또한, 유기산으로서는, 예를 들면, 다이마산, 트리머산, 다이마산에 수소를 첨가한 수첨물인 수첨 다이마산, 트리머산에 수소를 첨가한 수첨물인 수첨 트리머산을 들 수 있다. Moreover, as an organic acid, the hydrogenated dimeric acid which is the hydrogenated product which added hydrogen to dimeric acid, trimeric acid, and dimeric acid, and the hydrogenated trimeric acid which are the hydrogenated products which added hydrogen to trimer acid are mentioned, for example.

플럭스 조성물 중의 유기산의 함유량은, 예를 들면, 0~15 중량%이어도 되고, 1~10 중량%이어도 된다. The content of the organic acid in the flux composition may be, for example, 0 to 15% by weight or 1 to 10% by weight.

아민류로서는, 예를 들면, 모노에탄올 아민, 디페닐구아니딘, 에틸아민, 트리에틸아민, 에틸렌디아민, 트리에틸렌테트라민, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸리움 트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸리움 트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2´-메틸이미다졸일(1´)]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2´-운데실이미다졸일(1´)]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2´-에틸-4´-메틸이미다졸일(1´)]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2´-메틸이미다졸일(1´)]-에틸-s-트리아진 이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸 이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸 이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸 이미다졸, 2,3-디히드로-1H-피로로[1,2-a]벤즈 이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸리움 클로라이드, 2-메틸이미다졸인, 2-페닐이미다졸인, 2,4-디아미노-6-비닐-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-비닐-s-트리아진 이소시아눌산 부가물, 2,4-디아미노-6-메타크릴로일옥시에틸-s-트리아진, 에폭시-이미다졸 어덕트, 2-메틸벤조이미다졸, 2-옥틸벤조이미다졸, 2-펜틸벤조이미다졸, 2-(1-에틸펜틸) 벤조이미다졸, 2-노닐벤조이미다졸, 2-(4-티아졸일) 벤조이미다졸, 벤조이미다졸, 2-(2´-히드록시-5´-메틸페닐) 벤조트리아졸, 2-(2´-히드록시-3´-tert-부틸-5´-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2´-히드록시-3´,5´-디-tert-아밀페닐) 벤조트리아졸, 2-(2´-히드록시-5´-tert-옥틸페닐) 벤조트리아졸, 2,2´-메틸렌 비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-tert-옥틸페놀], 6-(2-벤조트리아졸일)-4-tert-옥틸-6´-tert-부틸-4´-메틸-2,2´-메틸렌비스페놀, 1,2,3-벤조트리아졸, 1-[N,N-비스(2-에틸헥실) 아미노메틸]벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 1-[N,N-비스(2-에틸헥실) 아미노메틸]메틸벤조트리아졸, 2,2´-[[(메틸-1H-벤조트리아졸-1-일) 메틸]이미노]비스 에탄올, 1-(1´,2´-디카르복시에틸) 벤조트리아졸, 1-(2,3-디카르복시프로필) 벤조트리아졸, 1-[(2-에틸헥실아미노) 메틸]벤조트리아졸, 2,6-비스[(1H-벤조트리아졸-1-일) 메틸]-4-메틸페놀, 5-메틸벤조트리아졸, 5-페닐테트라졸 등을 들 수 있다. Examples of the amines include monoethanolamine, diphenylguanidine, ethylamine, triethylamine, ethylenediamine, triethylenetetramine, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, and 2-heptadecyl. Midazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole Sol, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl- 4-Methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium tri Mellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecylimida Zolyl(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl(1')]-ethyl-s-triazine, 2 ,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl(1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl- 4,5-dihydroxymethyl imidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethyl imidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrroro[1,2-a]benzimidazole, 1 -Dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazine, 2,4- Diamino-6-vinyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-s-triazine, epoxy-imidazole adduct, 2-methylbenzoimi Dazole, 2-octylbenzoimidazole, 2-pentylbenzoimidazole, 2-(1-ethylpentyl)benzoimidazole, 2-nonylbenzoimidazole, 2-(4-thiazolyl)benzoimidazole, benzimidazole , 2-(2'-hydroxy-5'-methylphenyl) benzotriazole, 2-(2'-hydroxy-3'-tert-butyl-5'-methylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2- (2'-hydroxyl-3',5'-di-tert-amylphenyl) benzotriazole, 2-(2'-hydroxy-5'-tert-octylphenyl) benzotriazole, 2,2'- methylene bis[6-(2H-benzot) Riazol-2-yl)-4-tert-octylphenol], 6-(2-benzotriazolyl)-4-tert-octyl-6′-tert-butyl-4′-methyl-2,2′-methylene Bisphenol, 1,2,3-benzotriazole, 1-[N,N-bis(2-ethylhexyl) aminomethyl]benzotriazole, carboxybenzotriazole, 1-[N,N-bis(2-ethyl) Hexyl) aminomethyl]methylbenzotriazole, 2,2′-[[(methyl-1H-benzotriazol-1-yl)methyl]imino]bis ethanol, 1-(1′,2′-dicarboxyethyl ) benzotriazole, 1-(2,3-dicarboxypropyl) benzotriazole, 1-[(2-ethylhexylamino) methyl] benzotriazole, 2,6-bis[(1H-benzotriazole-1 -yl) methyl]-4-methylphenol, 5-methylbenzotriazole, 5-phenyltetrazole, etc. are mentioned.

플럭스 조성물 중의 아민류의 함유량의 상한은, 예를 들면, 15 중량% 이하이어도 되고, 10 중량%이어도 된다. 또한, 플럭스 조성물 중의 아민류의 함유량의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 0.1 중량% 이상이어도 되고, 1 중량% 이상이어도 된다. The upper limit of the content of the amines in the flux composition may be, for example, 15 wt% or less or 10 wt%. The lower limit of the content of the amines in the flux composition is not particularly limited, but may be 0.1 wt% or more or 1 wt% or more.

할로겐계 활성제로서는, 유기 할로겐 화합물류 또는 아민 할로겐화 수소산 염류 등을 들 수 있다. Examples of the halogen-based activator include organic halogen compounds and amine hydrohalic acid salts.

유기 할로겐 화합물로서는, 예를 들면, trans-2,3-디브로모-1,4-부텐디올, 트리아릴 이소시아누레이트 6 브롬화물, 1-브로모-2-부탄올, 1-브로모-2-프로판올, 3-브로모-1-프로판올, 3-브로모-1,2-프로판디올, 1,4-디브로모-2-부탄올, 1,3-디브로모-2-프로판올, 2,3-디브로모-1-프로판올, 2,3-디브로모-1,4-부탄디올, 2,3-디브로모-2-부텐-1,4-디올 등을 들 수 있다. Examples of the organic halogen compound include trans-2,3-dibromo-1,4-butenediol, triaryl isocyanurate 6 bromide, 1-bromo-2-butanol, 1-bromo- 2-propanol, 3-bromo-1-propanol, 3-bromo-1,2-propanediol, 1,4-dibromo-2-butanol, 1,3-dibromo-2-propanol, 2 and 3-dibromo-1-propanol, 2,3-dibromo-1,4-butanediol, and 2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol.

그 외의 유기 할로겐 화합물로서는, 예를 들면, 유기 클로로 화합물인 클로로알칸, 염소화 지방산 에스테르, 헤트산, 헤트산 무수물 등을 들 수 있다. 추가로 유기 플루오르 화합물인 불소계 계면활성제, 퍼플루오로알킬기를 가지는 계면활성제, 폴리테트라플루오로에틸렌 등을 들 수 있다. Examples of other organic halogen compounds include chloroalkane which are organic chloro compounds, chlorinated fatty acid esters, hetic acid, and hetic anhydride. Further, fluorine-based surfactants which are organic fluorine compounds, surfactants having a perfluoroalkyl group, polytetrafluoroethylene, and the like can be mentioned.

아민 할로겐화 수소산염으로서는, 예를 들면, 요오드화 수소산(HI), 브롬화 수소산(HBr), 염화 수소산(HCl), 플루오르화 수소산(HF) 등의 할로겐화 수소산과, 아닐린, 디페닐구아니딘, 디에틸아민, 이소프로필아민 등의 아민 화합물을 조합시킨 염을 들 수 있다. 또한, 아민 할로겐화 수소산 염류 동등물로서, 테트라플루오로붕산(HBF4)과, 아민 화합물을 조합시킨 염도 이용할 수 있다. Examples of the amine hydrohalides include hydrohalic acids such as hydroiodic acid (HI), hydrobromic acid (HBr), hydrochloric acid (HCl) and hydrofluoric acid (HF), aniline, diphenylguanidine, diethylamine, The salt which combined amine compounds, such as isopropylamine, is mentioned. Moreover, as an amine hydrohalic acid salt equivalent, the salt which combined tetrafluoroboric acid (HBF 4 ) and an amine compound can also be used.

플럭스 조성물 중의 할로겐계 활성제의 함유량의 상한은, 예를 들면, 10 중량% 이하이어도 되고, 5 중량% 이하이어도 된다. 또한, 플럭스 조성물 중의 할로겐계 활성제의 함유량의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 0.1 중량% 이상이어도 되고, 1 중량% 이상이어도 된다. The upper limit of the content of the halogen-based active agent in the flux composition may be, for example, 10 wt% or less or 5 wt% or less. The lower limit of the content of the halogen-based active agent in the flux composition is not particularly limited, but may be 0.1 wt% or more or 1 wt% or more.

플럭스 조성물 중의 유기 할로겐 화합물의 함유량은, 예를 들면, 0~5 중량%이어도 된다. The content of the organic halogen compound in the flux composition may be, for example, 0 to 5% by weight.

플럭스 조성물 중의 아민 할로겐화 수소산염의 함유량은, 예를 들면, 0~1 중량%이어도 된다. The content of the amine hydrohalide in the flux composition may be, for example, 0-1 wt%.

인계 활성제로서는, 예를 들면, 포스폰산 에스테르, 페닐 치환 포스핀산 포스폰산류, 인산 에스테르류 등을 들 수 있다. Examples of the phosphorus-based activator include phosphonic acid esters, phenyl-substituted phosphinic acid phosphonic acids, and phosphoric acid esters.

포스폰산 에스테르로서는, 예를 들면, 2-에틸헥실(2-에틸헥실) 포스포네이트, n-옥틸(n-옥틸) 포스포네이트, n-데실(n-데실) 포스포네이트, 및 n-부틸(n-부틸) 포스포네이트를 들 수 있다. As the phosphonic acid ester, for example, 2-ethylhexyl (2-ethylhexyl) phosphonate, n-octyl (n-octyl) phosphonate, n-decyl (n-decyl) phosphonate, and n- butyl (n-butyl) phosphonate.

페닐 치환 포스핀산으로서는, 예를 들면, 페닐포스핀산, 및 디페닐포스핀산을 들 수 있다. Examples of the phenyl-substituted phosphinic acid include phenylphosphinic acid and diphenylphosphinic acid.

플럭스 조성물 중의 인계 활성제의 함유량의 상한은, 예를 들면, 10 중량% 이하이어도 되고, 5 중량% 이하이어도 된다. 또한, 플럭스 조성물 중의 인계 활성제의 함유량의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 0.1 중량% 이상이어도 되고, 1 중량% 이상이어도 된다. The upper limit of the content of the phosphorus-based active agent in the flux composition may be, for example, 10 wt% or less or 5 wt% or less. The lower limit of the content of the phosphorus-based active agent in the flux composition is not particularly limited, but may be 0.1 wt% or more or 1 wt% or more.

(용제) (solvent)

플럭스 조성물은, 용제를 포함한다. The flux composition contains a solvent.

플럭스 조성물은, 용제로서, 적어도 3-메틸-1,3-부탄디올을 포함한다. The flux composition contains, as a solvent, at least 3-methyl-1,3-butanediol.

플럭스 조성물 중의 용제에는, 3-메틸-1,3-부탄디올의 단독 용제를 이용해도 되지만, 3-메틸-1,3-부탄디올 외에, 다른 용제를 포함하는 혼합 용제를 이용해도 된다. As the solvent in the flux composition, a single solvent of 3-methyl-1,3-butanediol may be used, or a mixed solvent containing another solvent other than 3-methyl-1,3-butanediol may be used.

다른 용제로서는, 예를 들면, 고형 용제, 액상 용제가 있다. 이들을 단독으로 이용해도 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. As another solvent, there exist a solid solvent and a liquid solvent, for example. These may be used independently or may be used in combination of 2 or more type.

3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량의 하한의 일례는, 당해 플럭스 조성물 100 중량% 중, 예를 들면, 10 중량% 이상이어도 되고, 20 중량% 이상이어도 되고, 30 중량% 이상이어도 된다. 이것에 의해서, 급가열시에 있어서의 저잔사성, 땜납 볼의 유지성을 향상할 수 있다. 3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량의 하한의 일례는, 예를 들면, 90 중량% 이상이어도 된다. 이것에 의해서, 땜납 접합 프로세스에 있어서의 접합 온도의 상한이 비교적 낮은 경우에서도, 급가열시에 있어서의 저잔사성을 높일 수 있다. An example of the lower limit of the content of 3-methyl-1,3-butanediol is, for example, 10% by weight or more, 20% by weight or more, or 30% by weight or more in 100% by weight of the flux composition. Thereby, the low residual property at the time of rapid heating and the holding|maintenance of a solder ball can be improved. An example of the lower limit of the content of 3-methyl-1,3-butanediol may be, for example, 90% by weight or more. Thereby, even when the upper limit of the bonding temperature in a solder bonding process is comparatively low, the low residual property at the time of rapid heating can be improved.

3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 100 중량% 이하이어도 되지만, 99 중량% 이하이어도 된다. Although the upper limit of content of 3-methyl-1, 3- butanediol is not specifically limited, 100 weight% or less may be sufficient, and 99 weight% or less may be sufficient.

플럭스 조성물은, 고형 용제를 추가로 포함해도 된다. 즉, 플럭스 조성물은, 3-메틸-1,3-부탄디올과 고형 용제의 혼합 용제를 포함해도 된다. The flux composition may further contain a solid solvent. That is, the flux composition may contain a mixed solvent of 3-methyl-1,3-butanediol and a solid solvent.

고형 용제는, 25℃에서 고형의 용제이면 되고, 융점의 하한이, 예를 들면, 30℃ 이상이어도 되고, 40℃ 이상이어도 되고, 50℃ 이상이어도 된다. 융점의 상한은, 예를 들면, 280℃ 이하로 해도 된다. The solid solvent may be a solid solvent at 25°C, and the lower limit of the melting point may be, for example, 30°C or higher, 40°C or higher, or 50°C or higher. The upper limit of melting|fusing point is good also as 280 degrees C or less, for example.

고형 용제로서는, 예를 들면, 알코올계 고형 용제나 페놀계 고형 용제 등이 이용된다. As a solid solvent, an alcohol type solid solvent, a phenol type solid solvent, etc. are used, for example.

이들을 단독으로 이용해도 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. These may be used independently or may be used in combination of 2 or more type.

알코올계 고형 용제는, 분자 내에 1개 또는 2개 이상의 히드록시기를 가지는 고형 용제이면 되고, 2개 또는 3개 이상의 복수의 히드록시기를 가지는 다가 알코올계 고형 용제가 바람직하다. The alcohol-based solid solvent should just be a solid solvent which has one or two or more hydroxyl groups in a molecule|numerator, and the polyhydric-alcohol-type solid solvent which has two or more than three hydroxyl groups is preferable.

다가 알코올계 고형 용제의 구체예로서는, 예를 들면, 펜타에리트리톨, 트리메티롤프로판, 2,5-디메틸-2,5-헥산디올, 네오펜틸글리콜 등을 들 수 있다. Specific examples of the polyhydric alcohol-based solid solvent include pentaerythritol, trimethylolpropane, 2,5-dimethyl-2,5-hexanediol, and neopentyl glycol.

페놀계 고형 용제는, 분자 내에 1개 또는 2개 이상의 페놀기를 가지는 고형 용제이면 되고, 페놀기의 벤젠환에는, 1또는 2개 이상의 히드록시기가 결합해도 된다. A phenolic solid solvent may just be a solid solvent which has 1 or 2 or more phenol groups in a molecule|numerator, and 1 or 2 or more hydroxyl groups may couple|bond with the benzene ring of a phenol group.

플럭스 조성물 중의 고형 용제의 함유량은, 예를 들면, 0~40 중량%이어도 되고, 1~30 중량%이어도 된다. The content of the solid solvent in the flux composition may be, for example, 0 to 40% by weight or 1 to 30% by weight.

플럭스 조성물은, 3-메틸-1,3-부탄디올 이외의, 25℃에서 액상의 액상 용제를 추가로 포함해도 된다. The flux composition may further contain a liquid solvent that is liquid at 25°C other than 3-methyl-1,3-butanediol.

액상 용제로는, 알코올계 용제, 글리콜 에테르계 용제, 테르피네올류, 탄화수소류, 에스테르류, 물 등이 이용된다. 이들을 단독으로 이용해도 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이 중에서도, 액상 용제로서, 알코올계 용제 및 글리콜 에테르계 용제의 적어도 한쪽을 이용해도 된다. As the liquid solvent, an alcohol-based solvent, a glycol ether-based solvent, terpineols, hydrocarbons, esters, water, and the like are used. These may be used independently or may be used in combination of 2 or more type. Among these, as the liquid solvent, at least one of an alcohol-based solvent and a glycol ether-based solvent may be used.

플럭스 조성물 중의 액상 용제의 함유량은, 예를 들면, 0~50 중량%이어도 되고, 1~45 중량%이어도 된다. The content of the liquid solvent in the flux composition may be, for example, 0 to 50% by weight or 1 to 45% by weight.

알코올계 용제로서는, 예를 들면, 이소프로필알코올, 1,2-부탄디올, 이소보닐시클로헥산올, 2,4-디에틸-1,5-펜탄디올, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올, 2,5-디메틸-2,5-헥산디올, 2,5-디메틸-3-헥신-2,5-디올, 2,3-디메틸-2,3-부탄디올, 1,1,1-트리스(히드록시메틸) 에탄, 2-에틸-2-히드록시메틸-1,3-프로판디올, 2,2'-옥시 비스(메틸렌) 비스(2-에틸-1,3-프로판디올), 2,2-비스(히드록시메틸)-1,3-프로판디올, 1,2,6-트리히드록시헥산, 비스[2,2,2-트리스(히드록시메틸) 에틸]에테르, 1-에틴일-1-시클로헥산올, 1,4-시클로헥산디올, 1,4-시클로헥산 디메탄올, 에리트리톨, 트레이톨, 구아이아콜 글리세롤 에테르, 3,6-디메틸-4-옥틴-3,6-디올, 2,4,7,9-테트라메틸-5-데신-4,7-디올 등을 들 수 있다. Examples of the alcohol-based solvent include isopropyl alcohol, 1,2-butanediol, isobornylcyclohexanol, 2,4-diethyl-1,5-pentanediol, and 2,2-dimethyl-1,3-propane. Diol, 2,5-dimethyl-2,5-hexanediol, 2,5-dimethyl-3-hexyne-2,5-diol, 2,3-dimethyl-2,3-butanediol, 1,1,1-tris (hydroxymethyl) ethane, 2-ethyl-2-hydroxymethyl-1,3-propanediol, 2,2'-oxy bis (methylene) bis (2-ethyl-1,3-propanediol), 2, 2-bis(hydroxymethyl)-1,3-propanediol, 1,2,6-trihydroxyhexane, bis[2,2,2-tris(hydroxymethyl)ethyl]ether, 1-ethynyl- 1-Cyclohexanol, 1,4-cyclohexanediol, 1,4-cyclohexane dimethanol, erythritol, threitol, guaiacol glycerol ether, 3,6-dimethyl-4-octyne-3,6-diol , 2,4,7,9-tetramethyl-5-decyne-4,7-diol, and the like.

글리콜 에테르계 용제로서는, 예를 들면, 헥실디글리콜, 디에틸렌글리콜 모노-2-에틸헥실 에테르, 에틸렌글리콜 모노페닐 에테르, 2-메틸펜탄-2,4-디올, 디에틸렌글리콜 모노헥실 에테르, 디에틸렌글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 테트라에틸렌글리콜 모노메틸 에테르 등을 들 수 있다. Examples of the glycol ether solvent include hexyldiglycol, diethylene glycol mono-2-ethylhexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, 2-methylpentane-2,4-diol, diethylene glycol monohexyl ether, di Ethylene glycol dibutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, tetraethylene glycol monomethyl ether, etc. are mentioned.

(베이스 수지) (Base resin)

플럭스 조성물은, 베이스 수지를 포함해도 된다. The flux composition may also contain a base resin.

베이스 수지로서는, 예를 들면, 로진계 수지, (메타)아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 폴리에스테르계 수지, 페녹시 수지, 비닐 에테르계 수지, 테르펜 수지, 변성 테르펜 수지(예를 들면, 방향족 변성 테르펜 수지, 수첨 테르펜 수지, 수첨 방향족 변성 테르펜 수지 등), 테르펜페놀 수지, 변성 테르펜페놀 수지(예를 들면, 수첨 테르펜페놀 수지 등), 스틸렌 수지, 변성 스틸렌 수지(예를 들면, 스틸렌 아크릴 수지, 스틸렌말레인 수지 등), 크실렌 수지, 변성 크실렌 수지(예를 들면, 페놀 변성 크실렌 수지, 알킬 페놀 변성 크실렌 수지, 페놀 변성 레조르형 크실렌 수지, 폴리올 변성 크실렌 수지, 폴리옥시 에틸렌 부가 크실렌 수지 등) 등을 들 수 있다. 이들을 단독으로 이용해도 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. Examples of the base resin include rosin-based resins, (meth)acrylic resins, urethane-based resins, polyester-based resins, phenoxy resins, vinyl ether-based resins, terpene resins, and modified terpene resins (eg, aromatic modified terpene resins). , hydrogenated terpene resin, hydrogenated aromatic modified terpene resin, etc.), terpene phenol resin, modified terpene phenol resin (eg, hydrogenated terpene phenol resin, etc.), styrene resin, modified styrene resin (eg, styrene acrylic resin, styrene maleate) phosphorus resin, etc.), xylene resin, modified xylene resin (for example, phenol-modified xylene resin, alkylphenol-modified xylene resin, phenol-modified resor-type xylene resin, polyol-modified xylene resin, polyoxyethylene-added xylene resin, etc.) can These may be used independently or may be used in combination of 2 or more type.

덧붙여, 본 명세서 중, 「(메타)아크릴계 수지」란, 메타크릴계 수지 및 아크릴계 수지를 포함하는 개념을 말한다. In addition, in this specification, "(meth)acrylic-type resin" means the concept containing a methacryl-type resin and an acrylic resin.

이들 중에서도, 베이스 수지는, 로진계 수지를 포함해도 된다. Among these, base resin may also contain rosin-type resin.

로진계 수지로서는, 예를 들면, 검 로진, 우드 로진, 톨유 로진 등의 원료 로진, 원료 로진으로부터 얻을 수 있는 유도체를 들 수 있다. 유도체로서는, 예를 들면, 정제 로진, 수첨 로진, 불균화 로진, 중합 로진 및 α,β 불포화 카르복시산 변성물(아크릴화 로진), 말레인화 로진, 프말화 로진 등), 및 중합 로진의 정제물, 수소화물 및 불균화물, 및 α,β 불포화 카르복시산 변성물의 정제물, 수소화물, 불균화물 등을 들 수 있다. 이들 로진계 수지는, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다. Examples of the rosin-based resin include raw material rosin such as gum rosin, wood rosin, and tall oil rosin, and derivatives obtained from raw material rosin. As the derivative, for example, purified rosin, hydrogenated rosin, disproportionated rosin, polymerized rosin, and α,β unsaturated carboxylic acid-modified products (acrylated rosin), maleinized rosin, promalated rosin, etc.), and purified products of polymerized rosin, water Digested substances and disproportionated substances, purified substances of α,β unsaturated carboxylic acid-modified substances, hydrides, disproportionation substances, and the like are exemplified. These rosin-type resins are used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

플럭스 조성물 중의 베이스 수지의 함유량은, 예를 들면, 0~10 중량%이어도 되고, 1~5 중량%이어도 된다. The content of the base resin in the flux composition may be, for example, 0 to 10% by weight or 1 to 5% by weight.

(첨가제) (additive)

플럭스 조성물은, 본 발명의 효과를 해치지 않는 한, 플럭스에 통상 첨가되는 첨가제를 포함해도 된다. The flux composition may contain additives normally added to the flux as long as the effects of the present invention are not impaired.

첨가제로서는, 예를 들면, 칙소제, 산화 방지제, 방수제, 소포제, 염소제(艶消劑), 계면활성제, 착색제 등을 들 수 있다. 이들을 단독으로 이용해도 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. As an additive, a thixotropic agent, antioxidant, a waterproofing agent, an antifoamer, a chlorine agent, surfactant, a coloring agent, etc. are mentioned, for example. These may be used independently or may be used in combination of 2 or more type.

칙소제로서는, 예를 들면, 피마자 경화유, 카르나바 왁스, 밀랍 등의 왁스계 칙소제 등을 들 수 있다. Examples of the thixotropic agent include wax-based thixotropic agents such as hydrogenated castor oil, carnauba wax, and beeswax.

산화 방지제로서는, 힌더드 페놀계 산화 방지제, 인계 산화 방지제 등을 들 수 있다. As antioxidant, a hindered phenol-type antioxidant, phosphorus antioxidant, etc. are mentioned.

이 중에서도, 플럭스 조성물은, 칙소제로서, 지방산 아마이드를 실질적으로 포함하지 않도록 구성되어도 된다. 이것에 의해서, 급가열시에 있어서의 저잔사성을 향상할 수 있다. Among these, the flux composition may be constituted so as to contain substantially no fatty acid amide as a thixotropic agent. Thereby, the low residual property at the time of rapid heating can be improved.

본 실시 형태의 플럭스 조성물은, 예를 들면, 금속 분말과 혼합하고 땜납 페이스트로서 사용하거나, 볼 어태치용, 혹은 팁 어태치용의 플럭스로서 사용할 수 있다. The flux composition of the present embodiment can be mixed with metal powder and used as a solder paste, or can be used as a flux for ball attachment or tip attachment.

본 실시 형태의 땜납 페이스트는, 상기의 플럭스 조성물과, 금속 분말을 포함한다. The solder paste of this embodiment contains the flux composition and the metal powder.

금속 분말은, Sn 단체(單體), 또는, Sn-Ag계, Sn-Cu계, Sn-Ag-Cu계, Sn-Bi계, Sn-In계 등, 혹은, 이들 합금에 Pb, Sb, Bi, In, Cu, Zn, As, Ag, Cd, Fe, Ni, Co, Au, Ge, P 등을 첨가한 땜납 분체로 구성되어도 된다.Metal powder is Sn alone, Sn-Ag-based, Sn-Cu-based, Sn-Ag-Cu-based, Sn-Bi-based, Sn-In-based or the like, or Pb, Sb, It may be composed of a solder powder to which Bi, In, Cu, Zn, As, Ag, Cd, Fe, Ni, Co, Au, Ge, P or the like is added.

땜납 합금은, As: 25~300 중량 ppm, 및 Sb: 0 중량 ppm 초과 3000 중량 ppm 이하, Bi: 0 중량 ppm 초과 10000 중량 ppm 이하, 및 Pb: 0 중량 ppm 초과 5100 중량 ppm 이하의 적어도 1종, 및 잔부가 Sn으로 이루어지는 합금 조성을 가지는 것이 바람직하다. 땜납 합금은, Ag: 0~4 중량% 및 Cu: 0~0.9 중량%가 적어도 1종을 추가로 함유하고 있어도 된다. The solder alloy includes at least one of As: 25 to 300 ppm by weight, and Sb: greater than 0 ppm by weight and up to 3000 ppm by weight, Bi: greater than 0 ppm by weight and less than or equal to 10000 ppm by weight, and Pb: greater than 0 ppm by weight and less than or equal to 5100 ppm by weight. , and the balance preferably has an alloy composition composed of Sn. The solder alloy may further contain at least one of Ag: 0-4 wt% and Cu: 0-0.9 wt%.

땜납 페이스트 중의 금속 분말 및 플럭스 조성물의 함유량에 한정은 없고, 예를 들면, 금속 분말을 5~95 중량%, 플럭스를 5~95 중량%로 할 수 있다. The content of the metal powder and the flux composition in the solder paste is not limited, and the content of the metal powder and the flux can be, for example, 5 to 95% by weight and 5 to 95% by weight of the flux.

플럭스 조성물 및 땜납 페이스트의 제조 방법에 한정은 없고, 원료를 동시에 또는 차례로, 임의의 방법으로 혼합하는 것에 의해 제조할 수 있다. There is no limitation on the method for producing the flux composition and the solder paste, and it can be produced by mixing the raw materials simultaneously or sequentially by any method.

플럭스 조성물의 제조는, 최종적으로 플럭스 조성물의 전체 성분이 혼합되면 되고, 용제에 다른 성분을 차례로 혼합해도 되고, 다른 성분을 혼합한 것을 용제에 첨가해도 되고, 용제와 다른 전체 성분을 동시에 혼합해도 된다. For the preparation of the flux composition, all the components of the flux composition may be finally mixed, the other components may be sequentially mixed with the solvent, the mixture of the other components may be added to the solvent, or the solvent and all other components may be mixed simultaneously. .

또한, 땜납 페이스트의 제조는, 반드시, 플럭스 조성물을 미리 조제하고, 이것을 금속 분말과 혼합할 필요는 없고, 최종적으로 플럭스 조성물의 전체 성분, 금속 분말 및 필요에 따라서 땜납 페이스트에 첨가되는 첨가제가 혼합되는 것이면 혼합의 차례는 불문하고, 플럭스 조성물의 성분의 일부와 금속 분말을 혼합한 후, 플럭스 조성물의 나머지의 성분을 첨가하는 등 해도 된다. In addition, in the preparation of the solder paste, it is not necessarily necessary to prepare a flux composition in advance and mix it with the metal powder. Finally, all components of the flux composition, the metal powder, and an additive to be added to the solder paste as needed are mixed. As long as it is a mixture, it is possible to mix a part of the components of the flux composition with the metal powder, and then add the remaining components of the flux composition.

본 실시 형태의 플럭스 조성물이나 땜납 페이스트는, 일례로서, 반도체 장치의 제조 방법에 이용할 수 있다. The flux composition and solder paste of the present embodiment can be used, for example, in a method for manufacturing a semiconductor device.

반도체 장치의 제조 방법은, 플럭스 조성물이나 땜납 페이스트를 전극에 도포하는 공정과, 그 전극에 땜납 볼을 게재하고, 예를 들면, 리드 프레임이나 프린트 배선 기판 등의 기판과 반도체 소자를 가열 처리하고, 용융한 땜납 볼을 통해서 이들을 접합하는 공정을 포함해도 된다. A method for manufacturing a semiconductor device includes a step of applying a flux composition or solder paste to an electrode, placing a solder ball on the electrode, for example, heat-treating a substrate such as a lead frame or a printed wiring board and a semiconductor element, You may also include the process of joining these through the molten solder ball.

가열 처리는, 질소 분위기하 또는 감압 분위기 하에서 수행해도 되고, 승온 속도가 예를 들면 3℃/sec 이상의 조건으로 수행해도 된다. The heat treatment may be performed under a nitrogen atmosphere or a reduced pressure atmosphere, and the temperature increase rate may be performed under conditions of, for example, 3°C/sec or more.

반도체 장치의 제조 방법은, 접합하는 공정의 후, 플럭스 조성물이나 땜납 페이스트를 세정하는 공정을 포함하지 않도록 구성되어도 된다. The manufacturing method of a semiconductor device may be comprised so that the process of washing|cleaning a flux composition or a solder paste may not be included after the process of joining.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 말했지만, 이들은 본 발명의 예시이며, 상기 이외의 여러가지 구성을 채용할 수 있다. 또한, 본 발명은 상술의 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서의 변형, 개량 등은 본 발명에 포함된다. As mentioned above, although embodiment of this invention was mentioned, these are illustrations of this invention, and various structures other than the above can be employ|adopted. In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, The deformation|transformation, improvement, etc. within the range which can achieve the objective of this invention are included in this invention.

이하, 참고 형태의 예를 부기한다. Hereinafter, examples of reference forms are given.

1. 활성제를 포함하는, 플럭스 조성물로서,1. A flux composition comprising an active agent, comprising:

3-메틸-1,3-부탄디올을 포함하고, 3-methyl-1,3-butanediol;

하기의 절차로 측정되는 당해 플럭스 조성물의 잔사량이 10 중량% 미만이며,The residual amount of the flux composition, as measured by the following procedure, is less than 10% by weight;

JIS Z 3284-3: 2014에 준거하여 측정되는, 25℃에 있어서의 당해 플럭스 조성물의 점도가, 500 mPa·s 이상인, The viscosity of the flux composition at 25°C measured in accordance with JIS Z 3284-3: 2014 is 500 mPa·s or more;

플럭스 조성물. flux composition.

(절차) (procedure)

당해 플럭스 조성물을, 질소 분위기하, 5℃/sec의 승온 속도로, 25℃로부터 250℃까지 가열 처리했을 때, 가열 전의 중량 W0, 및 가열 후의 중량 W1를 측정하고, 얻어진 W0, W1를 이용하여, 식: W1/W0Х100%로부터, 잔사량(중량%)을 구한다. When the flux composition was heat-treated from 25°C to 250°C in a nitrogen atmosphere at a temperature increase rate of 5°C/sec, the weight W0 before heating and the weight W1 after heating were measured, and the obtained W0 and W1 were used. , from the formula: W1/W0Х100%, the amount of residue (% by weight) is calculated.

2. 1.에 기재된 플럭스 조성물로서, 2. The flux composition according to 1., wherein

승온 속도가 3℃/sec 이상의 땜납 접합 프로세스에 이용되는, 플럭스 조성물. A flux composition for use in a solder bonding process having a temperature increase rate of 3°C/sec or more.

3. 1. 또는 2.에 기재된 플럭스 조성물로서, 3. The flux composition according to 1. or 2., wherein

상기 활성제가, 유기산, 아민류, 할로겐계 활성제, 및 인계 활성제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 또는 2 이상을 포함하는, 플럭스 조성물. The flux composition, wherein the activator comprises one or two or more selected from the group consisting of organic acids, amines, halogen activators, and phosphorus activators.

4. 1.~3.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서, 4. The flux composition according to any one of 1.3 to 1.

상기 활성제가, 탄소수 11 이하의 유기산을 포함하는, 플럭스 조성물. The flux composition, wherein the activator comprises an organic acid having 11 or less carbon atoms.

5. 1.~4.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서, 5. The flux composition according to any one of 1. to 4.

환원 가스를 실질적으로 포함하지 않는 불활성 가스 분위기 또는 감압 분위기의 땜납 접합 프로세스에 이용되는, 플럭스 조성물. A flux composition used in a solder bonding process in an inert gas atmosphere or a reduced pressure atmosphere substantially free of reducing gas.

6. 1.~5.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서, 6. The flux composition according to any one of 1. to 5.

지방산 아마이드를 실질적으로 포함하지 않는, 플럭스 조성물. A flux composition substantially free of fatty acid amides.

7. 1.~6.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서, 7. The flux composition according to any one of 1. to 6.

상기 3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량이, 당해 플럭스 조성물 100 중량% 중, 10 중량% 이상인, 플럭스 조성물. The flux composition, wherein the content of 3-methyl-1,3-butanediol is 10% by weight or more in 100% by weight of the flux composition.

8. 1.~7.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서, 8. The flux composition according to any one of 1. to 7.

상기 3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량이, 당해 플럭스 조성물 100 중량% 중, 90 중량% 이상인, 플럭스 조성물. The flux composition, wherein the content of 3-methyl-1,3-butanediol is 90% by weight or more in 100% by weight of the flux composition.

9. 1.~8.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서, 9. The flux composition according to any one of 1. to 8.

고형 용제를 포함하는, 플럭스 조성물. A flux composition comprising a solid solvent.

10. 1.~9.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,10. The flux composition according to any one of 1. to 9.

3-메틸-1,3-부탄디올 이외의 액상 용제를 포함하는, 플럭스 조성물. A flux composition comprising a liquid solvent other than 3-methyl-1,3-butanediol.

11. 1.~10.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서, 11. The flux composition according to any one of 1. to 10.

베이스 수지를 포함하는, 플럭스 조성물. A flux composition comprising a base resin.

12. 1.~11.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서, 12. The flux composition according to any one of 1. to 11.

무세정 용도인, 플럭스 조성물. A flux composition for no-clean use.

13. 1.~12.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물 및 금속 분말을 포함하는, 땜납 페이스트. 13. A solder paste comprising the flux composition according to any one of 1. to 12 and a metal powder.

이하, 참고 형태의 추가적인 예를 부기한다. Hereinafter, additional examples of reference forms are appended.

1. 3-메틸-1,3-부탄디올을 포함하는, 플럭스 조성물. 1. A flux composition comprising 3-methyl-1,3-butanediol.

2. 1.에 기재된 플럭스 조성물로서, 2. The flux composition according to 1., wherein

하기의 절차로 측정되는 당해 플럭스 조성물의 잔사량이 10 중량% 이하인, 플럭스 조성물. The flux composition, wherein the residual amount of the flux composition measured by the following procedure is 10% by weight or less.

(절차) (procedure)

당해 플럭스 조성물을, 질소 분위기하, 5℃/sec의 승온 속도로, 25℃로부터 250℃까지 가열 처리했을 때, 가열 전의 중량 W0, 및 가열 후의 중량 W1를 측정하고, 얻어진 W0, W1를 이용하여, 식: W1/W0Х100%로부터, 잔사량(중량%)을 구한다. When the flux composition was heat-treated from 25°C to 250°C in a nitrogen atmosphere at a temperature increase rate of 5°C/sec, the weight W0 before heating and the weight W1 after heating were measured, and the obtained W0 and W1 were used. , from the formula: W1/W0Х100%, the amount of residue (% by weight) is calculated.

3. 1. 또는 2. 에 기재된 플럭스 조성물로서, 3. The flux composition according to 1. or 2.

승온 속도가 3℃/sec 이상의 땜납 접합 프로세스에 이용되는, 플럭스 조성물. A flux composition for use in a solder bonding process having a temperature increase rate of 3°C/sec or more.

4. 1.~3.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서, 4. The flux composition according to any one of 1.3 to 1.

활성제를 포함하는, 플럭스 조성물. A flux composition comprising an active agent.

5. 4.에 기재된 플럭스 조성물로서, 5. A flux composition as described in 4.

상기 활성제가, 유기산, 아민류, 할로겐계 활성제, 및 인계 활성제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1또는 2 이상을 포함하는, 플럭스 조성물. The flux composition, wherein the activator comprises one or two or more selected from the group consisting of organic acids, amines, halogen activators, and phosphorus activators.

6. 4. 또는 5.에 기재된 플럭스 조성물로서, 6. The flux composition according to 4. or 5.

상기 활성제가, 탄소수 11 이하의 유기산을 포함하는, 플럭스 조성물. The flux composition, wherein the activator comprises an organic acid having 11 or less carbon atoms.

7. 4.~6.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서, 7. The flux composition according to any one of 4. to 6.

환원 가스를 실질적으로 포함하지 않는 불활성 가스 분위기 또는 감압 분위기의 땜납 접합 프로세스에 이용되는, 플럭스 조성물. A flux composition used in a solder bonding process in an inert gas atmosphere or a reduced pressure atmosphere substantially free of reducing gas.

8. 1.~7.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서, 8. The flux composition according to any one of 1. to 7.

지방산 아마이드를 실질적으로 포함하지 않는, 플럭스 조성물. A flux composition substantially free of fatty acid amides.

9. 1.~8.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서, 9. The flux composition according to any one of 1. to 8.

상기 3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량이, 당해 플럭스 조성물 100 중량% 중, 10 중량% 이상인, 플럭스 조성물. The flux composition, wherein the content of 3-methyl-1,3-butanediol is 10% by weight or more in 100% by weight of the flux composition.

10. 1.~9.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서, 10. The flux composition according to any one of 1. to 9.

상기 3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량이, 당해 플럭스 조성물 100 중량% 중, 90 중량% 이상인, 플럭스 조성물. The flux composition, wherein the content of 3-methyl-1,3-butanediol is 90% by weight or more in 100% by weight of the flux composition.

11.1.~10.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서, The flux composition according to any one of 11.1. to 10., comprising:

고형 용제를 포함하는, 플럭스 조성물. A flux composition comprising a solid solvent.

12. 1.~11.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,12. The flux composition according to any one of 1. to 11.

3-메틸-1,3-부탄디올 이외의 액상 용제를 포함하는, 플럭스 조성물. A flux composition comprising a liquid solvent other than 3-methyl-1,3-butanediol.

13. 1.~12.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서, 13. The flux composition according to any one of 1. to 12.

베이스 수지를 포함하는, 플럭스 조성물. A flux composition comprising a base resin.

14. 1.~13.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서, 14. The flux composition according to any one of 1. to 13.

무세정 용도의, 플럭스 조성물. A flux composition for no-clean use.

15. 1.~14.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물로서,15. The flux composition according to any one of 1. to 14.

JIS Z 3284-3: 2014에 준거하여 측정되는, 25℃에 있어서의 당해 플럭스 조성물의 점도가, 500 mPa·s 이상인, 플럭스 조성물. A flux composition, wherein the flux composition has a viscosity of 500 mPa·s or more at 25°C, measured in accordance with JIS Z 3284-3: 2014.

16. 1.~15.의 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물 및 금속 분말을 포함하는, 땜납 페이스트. 16. A solder paste comprising the flux composition according to any one of 1. to 15 and a metal powder.

[실시예][Example]

이하, 본 발명에 대해 실시예를 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은, 이들 실시예의 기재로 전혀 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail with reference to an Example, this invention is not limited at all by description of these Examples.

이하, 표 1 중의 원료 성분의 정보를 나타낸다. Hereinafter, the information of the raw material component in Table 1 is shown.

(용제)(solvent)

·3-메틸-1,3-부탄디올(25℃ 액상, 비점: 203℃, 25℃의 점도: 250 mPa·s)·3-Methyl-1,3-butanediol (liquid at 25°C, boiling point: 203°C, viscosity at 25°C: 250 mPa·s)

·고형 용제 1: 펜타에리트리톨(25℃ 고형, 융점: 260℃)·Solid solvent 1: pentaerythritol (25°C solid, melting point: 260°C)

·고형 용제 2: 트리메티롤프로판(25℃ 고형, 융점: 58℃)·Solid solvent 2: trimethylolpropane (25°C solid, melting point: 58°C)

·액상 용제 1: 이소보닐시클로헥산올(25℃ 액상, 비점: 318℃, 25℃의 점도: 89,000 mPa·s)·Liquid solvent 1: isobornylcyclohexanol (liquid at 25°C, boiling point: 318°C, viscosity at 25°C: 89,000 mPa·s)

·액상 용제 2: 헥실디글리콜(25℃ 액상, 비점: 258℃, 25℃의 점도: 8.6 mPa·s)·Liquid solvent 2: Hexyldiglycol (liquid at 25°C, boiling point: 258°C, viscosity at 25°C: 8.6 mPa·s)

(활성제)(activator)

·유기산 1: 숙신산·Organic acid 1: succinic acid

·유기산 2: 디글리콜산·Organic acid 2: diglycolic acid

·유기산 3: 글루타르산·Organic acid 3: glutaric acid

·아민류 1: 모노에탄올 아민·Amines 1: monoethanolamine

·유기 할로겐 화합물류 1: trans-디브로모부텐디올·Organic halogen compounds 1: trans-dibromobutenediol

·아민 할로겐화 수소산염류 1: 디페닐구아니딘·HBr염·Amine hydrohalides 1: diphenylguanidine HBr salt

(첨가제)(additive)

·지방족 아마이드 1: 폴리아마이드Aliphatic amide 1: Polyamide

(베이스 수지)(Base resin)

·로진계 수지 1: 수첨 로진·Rosin-based resin 1: hydrogenated rosin

<플럭스 조성물의 조제><Preparation of flux composition>

하기 표 1에 나타내는 배합 비율로, 원료 성분을 혼합하는 것에 의해, 플럭스 조성물을 얻었다. A flux composition was obtained by mixing the raw material components in the mixing ratio shown in Table 1 below.

Figure pct00001
Figure pct00001

얻어진 플럭스 조성물에 대해서, 이하의 평가 항목에 대하여 평가를 수행했다. The obtained flux composition was evaluated for the following evaluation items.

<점도><Viscosity>

얻어진 플럭스 조성물에 대해서, JIS Z 3284-3: 2014에 준거하고, 25℃에 있어서의 점도를 측정했다. 그 결과, 실시예 1~15는, 500 mPa·s 이상, 비교예 1은, 500 mPa·s 미만을 나타냈다. About the obtained flux composition, the viscosity in 25 degreeC was measured based on JIS Z 3284-3:2014. As a result, Examples 1-15 showed 500 mPa*s or more, and Comparative Example 1 showed less than 500 mPa*s.

<저잔사성><Low residue>

TG법(열중량 측정법)에 따른 시험 평가방법으로서, 알루미늄 팬에 각 실시예 및 각 비교예의 플럭스 조성물을 10 mg 채우고, ULVAC사 제 TGD9600을 이용하고, 질소 분위기 하에서, 25℃~250℃까지, 승온 속도 5℃/sec로 가열했다. As a test evaluation method according to the TG method (thermogravimetry), an aluminum pan is filled with 10 mg of the flux composition of each Example and each comparative example, and TGD9600 manufactured by ULVAC is used, under a nitrogen atmosphere, from 25°C to 250°C, It heated at the temperature increase rate of 5 degreeC/sec.

가열 전의 각 플럭스 조성물의 중량 W0, 가열 후의 각 플럭스 조성물의 중량 W1를 측정하고, 얻어진 W0, W1를 이용하여, 식: W1/W0Х100%로부터, 잔사량 △W(중량%)을 구했다. The weight W0 of each flux composition before heating and the weight W1 of each flux composition after heating were measured. Using the obtained W0 and W1, the residual amount ΔW (wt%) was obtained from the formula: W1/W0Х100%.

잔사량 △W가, 3 중량% 미만인 경우를 000, 3 중량% 이상 5 중량% 미만인 경우를 00, 5 중량% 이상 10 중량% 미만인 경우를 ○, 10 중량% 이상인 경우를 Х로 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다. The residual amount ΔW was evaluated as 000 when it was less than 3% by weight, 00 when it was 3% by weight or more and less than 5% by weight, ○ when it was 5% by weight or more and less than 10% by weight, and Х when it was 10% by weight or more. A result is shown in Table 1.

<땜납 볼 유지성><Solder Ball Retention>

프리플럭스 처리된 구리(Cu-OSP) 전극을 구비하는 프린트 기판 상에, φ0.24 mm의 SRO(솔더레지스트 개구 지름)를 30개(N=30) 형성하여, 샘플을 준비했다. On the printed circuit board provided with the copper (Cu-OSP) electrode by which the preflux process was carried out, 30 pieces (N=30) of SRO (solder resist opening diameter) of (phi) 0.24 mm were formed, and the sample was prepared.

이어서, 솔더레지스트 개구 내의 구리 전극에 대해서, 각 실시예 및 각 비교예의 플럭스 조성물을 스프레이 도포했다. Next, the flux composition of each Example and each comparative example was spray-coated with respect to the copper electrode in soldering resist opening.

이어서, 개구 내의 구리 전극 상에, 각각, φ0.3 mm의 땜납 볼(SAC305: Sn-3Ag-0.5Cu)을 마운트하고, 질소 분위기 하에서, 25℃~250℃까지, 승온 속도 5℃/sec로 가열하고, 250℃에서 30 sec 가열했다. 그 후, N2 리플로우에서, 25℃까지 냉각했다. 리플로우 후, 구리 전극의 모습을 확인했다. Then, on the copper electrode in the opening, each φ0.3 mm solder ball (SAC305: Sn-3Ag-0.5Cu) is mounted, and in a nitrogen atmosphere, from 25°C to 250°C, at a temperature increase rate of 5°C/sec. It heated and heated at 250 degreeC for 30 sec. Then, in N 2 reflow, it cooled to 25 degreeC. After reflow, the state of the copper electrode was confirmed.

땜납 볼이 구리 전극으로부터 떨어진 개수가, 30 개 중 0개인 경우를 ○, 30 개 중 1개 이상인 경우를 Х로 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다. The case where the number of solder balls separated from the copper electrode was 0 out of 30 was evaluated as ○, and the case where 1 or more out of 30 was evaluated as Х. A result is shown in Table 1.

실시예 1~15의 플럭스 조성물은, 비교예 1과 비교하여, 땜납 볼 유지성이 뛰어나고 있고, 비교예 2와 비교하여, 저잔사성이 뛰어난 결과를 나타냈다. 이러한 실시예 1~15의 플럭스 조성물은, 실프로세스에 있어서, 통상의 땜납 접합 조건뿐만 아니라, 급속 가열시에 있어도 플럭스 성분의 잔사분을 저감할 수 있는 것으로부터, 땜납용의 플럭스 조성물로서 적합하게 이용할 수 있다. The flux compositions of Examples 1 to 15 exhibited superior solder ball retention properties compared to Comparative Example 1 and excellent low residue properties compared to Comparative Example 2. The flux compositions of Examples 1 to 15 are suitable as flux compositions for soldering because they can reduce the amount of residual flux components in the actual process, not only under normal solder bonding conditions but also during rapid heating. Available.

이 출원은, 2020년 4월 2일에 출원된 일본 출원 특원 2020-066440호를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시의 모두를 여기에 삽입한다.This application claims the priority on the basis of Japanese application Japanese Patent Application No. 2020-066440 for which it applied on April 2, 2020, and inserts all the indication here.

Claims (16)

3-메틸-1,3-부탄디올, 및 활성제를 포함하는, 플럭스 조성물. A flux composition comprising 3-methyl-1,3-butanediol, and an active agent. 청구항 1에 있어서,
하기의 절차로 측정되는 당해 플럭스 조성물의 잔사량이 10 중량% 이하인, 플럭스 조성물.
(절차)
당해 플럭스 조성물을, 질소 분위기하, 5℃/sec의 승온 속도로, 25℃로부터 250℃까지 가열 처리했을 때, 가열 전의 중량 W0, 및 가열 후의 중량 W1을 측정하고, 얻어진 W0, W1를 이용하여, 식: W1/W0Х100%로부터, 잔사량(중량%)을 구한다.
The method according to claim 1,
The flux composition, wherein the residual amount of the flux composition measured by the following procedure is 10% by weight or less.
(procedure)
When the flux composition was heat-treated from 25°C to 250°C in a nitrogen atmosphere at a temperature increase rate of 5°C/sec, the weight W0 before heating and the weight W1 after heating were measured, and the obtained W0 and W1 were used. , from the formula: W1/W0Х100%, the amount of residue (% by weight) is calculated.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
승온 속도가 3℃/sec 이상의 땜납 접합 프로세스에 이용되는, 플럭스 조성물.
The method according to claim 1 or 2,
A flux composition used in a solder bonding process having a temperature increase rate of 3° C./sec or more.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 활성제가, 유기산, 아민류, 할로겐계 활성제, 및 인계 활성제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 또는 2 이상을 포함하는, 플럭스 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The flux composition, wherein the activator comprises one or two or more selected from the group consisting of organic acids, amines, halogen activators, and phosphorus activators.
청구항 4에 있어서,
당해 플럭스 조성물 중의 상기 유기산의 함유량은, 15 중량% 이하,
당해 플럭스 조성물 중의 상기 아민류의 함유량은, 15 중량% 이하
당해 플럭스 조성물 중의 상기 할로겐계 활성제의 함유량은, 10 중량% 이하, 및
당해 플럭스 조성물 중의 상기 인계 활성제의 함유량은, 10 중량% 이하인, 플럭스 조성물.
5. The method according to claim 4,
The content of the organic acid in the flux composition is 15% by weight or less;
The content of the amines in the flux composition is 15% by weight or less.
The content of the halogen-based active agent in the flux composition is 10% by weight or less, and
and a content of the phosphorus-based active agent in the flux composition is 10% by weight or less.
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 활성제가, 탄소수 11 이하의 유기산을 포함하는, 플럭스 조성물.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The flux composition, wherein the activator comprises an organic acid having 11 or less carbon atoms.
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
환원 가스를 실질적으로 포함하지 않는 불활성 가스 분위기 또는 감압 분위기의 땜납 접합 프로세스에 이용되는, 플럭스 조성물.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
A flux composition used in a solder bonding process in an inert gas atmosphere or a reduced pressure atmosphere substantially free of reducing gas.
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
지방산 아마이드를 실질적으로 포함하지 않는, 플럭스 조성물.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
A flux composition substantially free of fatty acid amides.
청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량이, 당해 플럭스 조성물 100 중량% 중, 10 중량% 이상인, 플럭스 조성물.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
The flux composition, wherein the content of 3-methyl-1,3-butanediol is 10% by weight or more in 100% by weight of the flux composition.
청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
상기 3-메틸-1,3-부탄디올의 함유량이, 당해 플럭스 조성물 100 중량% 중, 90 중량% 이상인, 플럭스 조성물.
10. The method according to any one of claims 1 to 9,
The flux composition, wherein the content of 3-methyl-1,3-butanediol is 90% by weight or more in 100% by weight of the flux composition.
청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
고형 용제를 포함하는, 플럭스 조성물.
11. The method of any one of claims 1 to 10,
A flux composition comprising a solid solvent.
청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,
3-메틸-1,3-부탄디올 이외의 액상 용제를 포함하는, 플럭스 조성물.
12. The method according to any one of claims 1 to 11,
A flux composition comprising a liquid solvent other than 3-methyl-1,3-butanediol.
청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
베이스 수지를 포함하는, 플럭스 조성물.
13. The method according to any one of claims 1 to 12,
A flux composition comprising a base resin.
청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
무세정 용도의, 플럭스 조성물.
14. The method according to any one of claims 1 to 13,
A flux composition for no-clean use.
청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
JIS Z 3284-3: 2014에 준거하여 측정되는, 25℃에 있어서의 당해 플럭스 조성물의 점도가, 500 mPa·s 이상인, 플럭스 조성물.
15. The method according to any one of claims 1 to 14,
A flux composition, wherein the flux composition has a viscosity of 500 mPa·s or more at 25°C, measured in accordance with JIS Z 3284-3: 2014.
청구항 1 내지 청구항 15 중 어느 한 항의 플럭스 조성물 및 금속 분말을 포함하는, 땜납 페이스트.A solder paste comprising the flux composition of any one of claims 1 to 15 and a metal powder.
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