KR20220094884A - Apparatus for treating a subatrate and method for treating a substrate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판에 처리 유체를 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate by supplying a processing fluid to the substrate.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 기판의 표면에는 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하여 막을 형성하는 도포 공정, 기판에 형성된 막에 회로 패턴을 전사하는 노광 공정, 노광 처리된 영역 또는 그 반대 영역에서 선택적으로 기판 상에 형성된 막을 제거하는 현상 공정을 포함한다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, the photo process includes a coating process of forming a film by applying a photoresist such as a photoresist to the surface of the substrate, an exposure process of transferring a circuit pattern to a film formed on the substrate, and a substrate selectively in the exposed region or vice versa and a developing process of removing the film formed thereon.
도 1은 기판에 처리액을 도포하는 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 내부 공간을 가지는 처리 용기(2), 내부 공간에서 기판(W)을 지지하는 지지 유닛(3), 지지 유닛(3)에 놓이며 회전하는 기판(W) 상으로 처리액을 공급하는 노즐(4), 그리고 처리 용기(2)에 연결되며 회전하는 기판(W)으로부터 튀는 처리액을 배출하는 배출관(5)을 가진다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a substrate processing apparatus for applying a processing liquid to a substrate. Referring to FIG. 1 , a
기판 처리 과정에서는 기판(W) 표면의 패턴에 따라 다양한 점도 및/또는 성질을 갖는 처리액을 사용한다. 서로 다른 점도 및/또는 성질을 갖는 처리액이 동일한 배출관(5)을 통해 배출된다. 이 경우, 서로 다른 점도 및/또는 성질을 갖는 처리액 간에 낮은 용해도(Solubility)로 인해 배출관(5)에서 침전 현상이 발생되어 드레인(Drain)이 용이하지 못하며, 심할 경우 배출관(5)이 막히게 된다.In the substrate processing process, a processing liquid having various viscosities and/or properties is used according to the pattern of the surface of the substrate W. Treatment liquids having different viscosities and/or properties are discharged through the
이때, 배출관(5)의 세정을 위해 세정액을 사용할 경우에도 침전물이 세정액에 용해되어 배출관(5)의 세정이 완료될 때까지 많은 시간이 소요되어 생산성 저하를 유발하는 문제가 있다.At this time, even when a cleaning solution is used for cleaning the
본 발명은 배출관 내의 침전물 간의 용해도가 증가된 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method having increased solubility between deposits in a discharge pipe.
또한, 본 발명은 배출관의 세정 효율이 증가된 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which cleaning efficiency of a discharge pipe is increased.
또한, 본 발명은 배출관의 세정 시간이 감소된 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which a cleaning time of a discharge pipe is reduced.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate.
기판 처리 장치는 내부 공간을 가지는 처리 용기와; 상기 내부 공간 내에서 기판을 지지 및 회전시키는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 놓인 기판 상으로 처리액 또는 세정액을 토출하는 액 공급 유닛과; 상기 처리 용기에 연결되고 상기 처리액 또는 상기 세정액을 배출하는 배출관과; 상기 배출관에 제공되며 상기 배출관을 진동시키는 진동 발생 장치를 포함한다.A substrate processing apparatus includes: a processing vessel having an interior space; a support unit for supporting and rotating the substrate in the inner space; a liquid supply unit for discharging a processing liquid or a cleaning liquid onto the substrate placed on the support unit; a discharge pipe connected to the processing container and discharging the processing liquid or the cleaning liquid; and a vibration generating device provided in the discharge pipe and vibrating the discharge pipe.
상기 진동 발생 장치는, 상기 배출관의 외부면에 제공되는 진동기와; 상기 진동기에 동력을 제공하여 상기 진동기를 진동시키는 구동기와; 상기 구동기를 제어하는 제어기를 포함하고, 상기 제어기는, 상기 액 공급 유닛에서 상기 처리액이 공급되는 중에는 상기 진동기가 진동되지 않도록 상기 구동기를 제어하고, 상기 액 공급 유닛에서 상기 세정액이 공급되는 중에는 상기 진동기가 진동되도록 상기 구동기를 제어할 수 있다.The vibration generating device may include: a vibrator provided on an outer surface of the discharge pipe; a driver providing power to the vibrator to vibrate the vibrator; a controller for controlling the actuator, wherein the controller controls the actuator so that the vibrator is not vibrated while the processing liquid is supplied from the liquid supply unit, and while the cleaning liquid is supplied from the liquid supply unit The actuator may be controlled so that the vibrator vibrates.
상기 처리액은 포토 레지스트(Photo Resist, PR)를 포함하고, 상기 세정액은 시너(Thinner)를 포함할 수 있다.The treatment solution may include a photo resist (PR), and the cleaning solution may include a thinner.
상기 처리액은, 서로 다른 점도를 가지는 고점도의 포토 레지스트(Photo Resist, PR)를 포함할 수 있다.The treatment solution may include high-viscosity photoresists (PRs) having different viscosities.
상기 배출관에서는 상기 서로 다른 점도를 가지는 고점도의 포토 레지스트의 용해도 차이에 의한 침전물이 발생되고, 상기 진동 발생 장치는 상기 침전물와 상기 세정액 사이의 용해도를 증가시킬 수 있다.In the discharge pipe, a precipitate may be generated due to a difference in solubility of the high-viscosity photoresist having different viscosities, and the vibration generating device may increase the solubility between the precipitate and the cleaning solution.
상기 진동 발생 장치는 상기 배출관의 외부면 감싸도록 제공되고, 상기 진동 발생 장치는 상기 배출관의 단부에 제공될 수 있다.The vibration generating device may be provided to surround the outer surface of the discharge pipe, and the vibration generating device may be provided at an end of the discharge pipe.
본 발명은 기판을 처리하는 방법을 개시한다.The present invention discloses a method of processing a substrate.
기판 처리 방법은 상에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계와; 상기 기판 상에 세정액을 공급하여 기판을 세정하는 기판 세정 단계를 포함하되, 상기 세정액이 공급되는 중에 상기 처리액과 상기 세정액을 외부로 배출하는 배출관을 진동시킨다.A substrate processing method includes: a substrate processing step of processing a substrate by supplying a processing liquid thereon; and a substrate cleaning step of cleaning the substrate by supplying a cleaning liquid to the substrate, wherein while the cleaning liquid is supplied, a discharge pipe for discharging the processing liquid and the cleaning liquid to the outside is vibrated.
상기 처리액은 포토 레지스트(Photo Resis, PR)를 포함하고, 상기 세정액은 시너(Thinner)를 포함할 수 있다.The treatment solution may include a photoresist (PR), and the cleaning solution may include a thinner.
상기 포토 레지스트는 상기 배출관을 흐르는 동안에 침전물을 생성하고, 상기 배출관의 진동에 의해 상기 침전물와 상기 세정액 사이의 용해도가 증가될 수 있다.The photoresist may generate a precipitate while flowing through the discharge pipe, and the solubility between the precipitate and the cleaning solution may be increased by vibration of the discharge pipe.
본 발명에 따르면, 배출관 내의 침전물 간의 용해도가 증가된 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.Advantageous Effects of Invention According to the present invention, it is possible to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method having increased solubility between deposits in a discharge pipe.
또한, 본 발명에 따르면, 배출관의 세정 효율이 증가된 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which the cleaning efficiency of the discharge pipe is increased.
또한, 본 발명에 따르면, 배출관의 세정 시간이 감소된 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which the cleaning time of the discharge pipe is reduced.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.
도 1은 기판을 회전시키면서 액처리하는 일반적이 구조의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 도포 블록 또는 현상 블록을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 반송 로봇을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 4의 열 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 4의 열 처리 챔버의 정면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 회전되는 기판에 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 9는 본 발명에 따른 배출관 내부에 침전물이 쌓인 상태를 도시한 도면이다.
도 10은 도 9의 배출관에 세정액이 흐르면서 침전물을 세정하는 과정을 도식화한 도면이다.
도 11은 도 9의 배출관에 진동을 인가하여 세정되는 과정을 도식화한 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus having a general structure for processing a liquid while rotating a substrate.
2 is a perspective view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 2 .
4 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 .
FIG. 5 is a plan view schematically illustrating the transport robot of FIG. 4 .
6 is a plan view schematically illustrating an example of the thermal treatment chamber of FIG. 4 .
7 is a front view of the thermal treatment chamber of FIG. 4 ;
8 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a liquid to a rotating substrate according to an embodiment of the present invention.
9 is a view showing a state in which the sediment is accumulated inside the discharge pipe according to the present invention.
10 is a diagram schematically illustrating a process of washing the sediment while the washing liquid flows through the discharge pipe of FIG. 9 .
11 is a diagram schematically illustrating a cleaning process by applying vibration to the discharge pipe of FIG. 9 .
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. However, the present invention may be implemented in several different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related well-known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions.
어떤 구성요소를 '포함한다'는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated. Specifically, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification is present, and includes one or more other features or It should be understood that the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof does not preclude the possibility of addition.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.
용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또한, 본 명세서에서 "연결된다"라는 의미는 A 부재와 B 부재가 직접 연결되는 경우뿐만 아니라, A 부재와 B 부재의 사이에 C 부재가 개재되어 A 부재와 B 부재가 간접 연결되는 경우도 의미한다.The term “and/or” includes any one and all combinations of one or more of those listed items. In addition, in the present specification, “connected” means not only when member A and member B are directly connected, but also when member A and member B are indirectly connected by interposing member C between member A and member B. do.
본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.
제어기(미도시)는 기판 처리 장치의 전체 동작을 제어할 수 있다. 제어기(미도시)는 CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory) 및 RAM(Random Access Memory)을 포함할 수 있다. CPU는 이들의 기억 영역에 저장된 각종 레시피에 따라, 후술되는 액처리, 건조 처리 등의 원하는 처리를 실행한다. 레시피에는 프로세스 조건에 대한 장치의 제어 정보인 프로세스 시간, 프로세스 압력, 프로레스 온도, 각종 가스 유량 등이 입력되어 있다. 한편, 이들 프로그램이나 처리 조건을 나타내는 레시피는, 하드 디스크나 반도체 메모리에 기억되어도 좋다. 또한, 레시피는 CD-ROM, DVD 등의 가반성(可搬性)의 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 수용된 상태로 기억 영역의 소정 위치에 세트하도록 해도 좋다.A controller (not shown) may control overall operations of the substrate processing apparatus. The controller (not shown) may include a central processing unit (CPU), read only memory (ROM), and random access memory (RAM). The CPU executes desired processing, such as liquid processing and drying processing, which will be described later, according to various recipes stored in these storage areas. In the recipe, process time, process pressure, press temperature, various gas flow rates, etc., which are control information of the device for process conditions, are input. In addition, recipes indicating these programs and processing conditions may be stored in a hard disk or semiconductor memory. In addition, the recipe may be set at a predetermined position in the storage area while being accommodated in a portable computer-readable storage medium such as a CD-ROM or DVD.
본 실시예의 장치는 원형 기판에 대해 사진 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 장치는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않고, 기판을 회전시키면서 기판에 처리액을 공급하는 다양한 종류의 공정에 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The apparatus of this embodiment can be used to perform photo processing on a circular substrate. In particular, the apparatus of this embodiment may be connected to an exposure apparatus and used to perform a coating process and a developing process on a substrate. However, the technical spirit of the present invention is not limited thereto, and may be used in various types of processes for supplying a treatment solution to the substrate while rotating the substrate. Hereinafter, a case in which a wafer is used as a substrate will be described as an example.
이하에서는, 도 2 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 11 .
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 도포 블록 또는 현상 블록을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이고, 도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.2 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 2 , and FIG. 4 is the substrate processing apparatus of FIG. 2 is a plan view of
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)는 인덱스 모듈(100, index module), 처리 모듈(300, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(500, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(100), 처리 모듈(300), 그리고 인터페이스 모듈(500)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하에서 인덱스 모듈(100), 처리 모듈(300), 그리고 인터페이스 모듈(500)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)으로 정의한다.2 to 4 , the
인덱스 모듈(100)은 기판(W)이 수납된 용기(F)로부터 기판(W)을 처리 모듈(300)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(F)로 수납한다. 인덱스 모듈(100)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(100)은 로드 포트(110)와 인덱스 프레임(130)을 가진다. 인덱스 프레임(130)을 기준으로 로드 포트(110)는 처리 모듈(300)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(F)는 로드 포트(110)에 놓인다. 로드 포트(110)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드 포트(110)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.The
용기(F)로는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod, FOUP)와 같은 밀폐용 용기(F)가 사용될 수 있다. 용기(F)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드 포트(110)에 놓일 수 있다.As the container (F), a closed container (F) such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The vessel F may be placed in the
인덱스 프레임(130)의 내부에는 인덱스 로봇(132)이 제공된다. 인덱스 프레임(130) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(136)이 제공되고, 인덱스 로봇(132)은 가이드 레일(136) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(132)은 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.An
처리 모듈(300)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행할 수 있다. 처리 모듈(300)은 용기(F)에 수납된 기판(W)을 전달받아 기판 처리 공정을 수행할 수 있다. 처리 모듈(300)은 도포 블록(300a) 및 현상 블록(300b)을 가진다. 도포 블록(300a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블록(300b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블록(300a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블록(300b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블록(300b)들은 서로 적층되게 제공된다. 도 4의 실시 예에 의하면, 도포 블록(300a)은 2개가 제공되고, 현상 블록(300b)은 2개가 제공된다. 도포 블록(300a)들은 현상 블록(300b)들의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블록(300a)들은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블록(300b)들은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The
도 4를 참조하면, 도포 블록(300a)은 열 처리 챔버(320), 반송 챔버(350), 액 처리 챔버(360), 그리고 버퍼 챔버(312, 316)를 가진다. 열 처리 챔버(320)는 기판(W)에 대해 열 처리 공정을 수행한다. 열 처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액 처리 챔버(360)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액 막을 형성한다. 액 막은 포토레지스트 막 또는 반사 방지막일 수 있다. 반송 챔버(350)는 도포 블록(300a) 내에서 열 처리 챔버(320)와 액 처리 챔버(360) 간에 기판(W)을 반송한다.Referring to FIG. 4 , the
반송 챔버(350)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(350)에는 반송 로봇(352)이 제공된다. 반송 로봇(352)은 열 처리 챔버(320), 액 처리 챔버(360), 그리고 버퍼 챔버(312, 316) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(352)은 기판(W)이 놓이는 핸드를 가지며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(350) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(356)이 제공되고, 반송 로봇(352)은 가이드 레일(356) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.The
도 5는 도 4의 반송 로봇을 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 4를 참조하면, 핸드(352)는 베이스(352a) 및 지지돌기(352b)를 가진다. 베이스(352a)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(352a)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지돌기(352b)는 베이스(352a)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지돌기(352b)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지돌기(352b)는 등간격으로 4개가 제공될 수 있다.FIG. 5 is a plan view schematically illustrating the transport robot of FIG. 4 . Referring to FIG. 4 , the
열 처리 챔버(320)는 복수 개로 제공된다. 열 처리 챔버(320)들은 제1 방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버(320)들은 반송 챔버(350)의 일 측에 위치된다.A plurality of
도 6은 도 4의 열 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 4의 열 처리 챔버의 정면도이다.6 is a plan view schematically illustrating an example of the thermal processing chamber of FIG. 4 , and FIG. 7 is a front view of the thermal processing chamber of FIG. 4 .
도 6과 도 7을 참조하면, 열 처리 챔버(320)는 하우징(321), 냉각 유닛(322), 가열 유닛(323), 그리고 반송 플레이트(324)를 가진다.6 and 7 , the
하우징(321)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(321)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(미도시)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(322), 가열 유닛(323), 그리고 반송 플레이트(324)는 하우징(321) 내에 제공된다. 냉각 유닛(322) 및 가열 유닛(323)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(322)은 가열 유닛(323)에 비해 반송 챔버(350)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The
냉각 유닛(322)은 냉각 판(322a)을 가진다. 냉각 판(322a)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각 판(322a)에는 냉각 부재(322b)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 부재(322b)는 냉각 판(322a)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다.The
가열 유닛(323)은 가열 판(323a), 커버(323c), 그리고 히터(323b)를 가진다. 가열 판(323a)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열 판(323a)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열 판(323a)에는 히터(323b)가 설치된다. 히터(323b)는 전류가 인가되는 발열 저항체로 제공될 수 있다. 가열 판(323a)에는 제3 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(323e)들이 제공된다. 리프트 핀(323e)은 가열 유닛(323) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열 판(323a) 상에 내려놓거나 가열 판(323a)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(323) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(323e)은 3개가 제공될 수 있다. 커버(323c)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다. 커버(323c)는 가열 판(323a)의 상부에 위치되며 구동기(323d)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(323c)가 이동되어 커버(323c)와 가열 판(323a)이 형성하는 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다.The
반송 플레이트(324)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(324)의 가장자리에는 노치(324b)가 형성된다. 노치(324b)는 상술한 반송 로봇(352)의 핸드에 형성된 돌기(352b)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(324b)는 핸드에 형성된 돌기(352b)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(352b)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드와 반송 플레이트(324)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드와 반송 플레이트(324)의 상하 위치가 변경하면 핸드(354)와 반송 플레이트(324) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(324)는 가이드 레일(324d) 상에 장착되고, 구동기(324c)에 의해 가이드 레일(324d)을 따라 이동될 수 있다. 반송 플레이트(324)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(324a)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(324a)은 반송 플레이트(324)의 끝 단에서 반송 플레이트(324)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(324a)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(324a)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(324a)은 반송 플레이트(324)와 가열 유닛(323) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(324)와 리프트 핀(323e)이 서로 간섭되는 것을 방지한다.The conveying
기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(324)가 냉각 판(322a)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각 판(322a)과 기판(W) 간에 열 전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(324)는 열 전도성이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(324)는 금속 재질로 제공될 수 있다.The substrate W is cooled while the
열 처리 챔버(320)들 중 일부의 열처리 챔버(320)에 제공된 가열 유닛(323)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착율을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(HMDS, hexamethyldisilane) 가스일 수 있다.A
액 처리 챔버(360)는 복수 개로 제공된다. 액 처리 챔버(360)들 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버(360)들은 반송 챔버(350)의 일 측에 배치된다. 액 처리 챔버(360)들은 제1 방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버(360)들 중 어느 일부는 인덱스 모듈(100)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액 처리 챔버(360)를 전단 액 처리 챔버(362)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버(360)들 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(500)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액 처리 챔버(360)를 후단 액처리 챔버(364)(rear heat treating chamber)라 칭한다.A plurality of
전단 액 처리 챔버(362)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액 처리 챔버(364)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사 방지막일 수 있다. 이 경우, 반사 방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front stage
이하에서는, 본 발명의 공정 챔버들 중 회전하는 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 구조에 대해 상세히 설명한다. 아래에서는 기판 처리 장치가 포토 레지스트를 도포하는 장치인 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나, 기판 처리 장치는 회전하는 기판(W)에 보호막 또는 반사 방지막과 같은 막을 형성하는 장치일 수 있다. 또한, 선택적으로 기판 처리 장치는 기판(W)에 현상액과 같은 처리액을 공급하는 장치일 수 있다.Hereinafter, a structure of a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid onto a rotating substrate among the process chambers of the present invention will be described in detail. Hereinafter, a case in which the substrate processing apparatus is an apparatus for applying a photoresist will be described as an example. However, the substrate processing apparatus may be an apparatus for forming a film such as a protective film or an antireflection film on the rotating substrate W. In addition, optionally, the substrate processing apparatus may be an apparatus for supplying a processing liquid such as a developer to the substrate W.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 회전되는 기판에 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도이다.8 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a liquid to a rotating substrate according to an embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 기판 처리 장치는 하우징(1100), 처리 용기(1200), 기판 지지 유닛(1400), 그리고 액 공급 유닛(1600)을 포함한다.Referring to FIG. 8 , the substrate processing apparatus includes a
하우징(1100)은 내부 공간(1120)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(1100)의 일측에는 개구(1102)가 형성된다. 개구(1102)는 기판(W)이 반출입되는 통로로 기능한다. 개구(1100)에는 도어(도시되지 않음)가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다.The
하우징(1100)의 내부 공간(1120)에는 처리 용기(1200)가 제공된다. 처리 용기(1200)는 내부 공간(1280)을 가진다. 내부 공간(1280)은 상부가 개방되도록 제공된다.A
지지 유닛(1400)은 처리 용기(1200)의 내부 공간(1280) 내에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(1400)은 지지판(1420), 회전축(1440), 그리고 구동기(1460)를 가진다. 지지판(1420)은 그 상부면이 원형으로 제공된다. 지지판(1420)은 기판(W)보다 작은 직경을 가진다. 지지판(1420)은 진공압에 의해 기판(W)을 지지하도록 제공된다. 선택적으로 지지판(1420)은 기판(W)을 지지하는 기계적 클램핑 구조를 가질 수 있다. 지지판(1420)의 저면 중앙에는 회전축(1440)이 결합되고, 회전축(1440)에는 회전축(1440)에 회전력을 제공하는 구동기(1460)가 제공된다. 구동기(1460)는 모터일 수 있다.The
액 공급 유닛(1600)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 처리액을 포토 레지스트와 같은 도포액일 수 있다. 처리액은 다양한 점도를 갖는 포로 레지스트로 제공될 수 있다. 일 예로, 처리액은 고점도의 포토 레지스트로 제공될 수 있다. 또는, 처리액은 고점도의 포토 레지스트와 중점도의 포토 레지스트가 제공될 수 있다. 액 공급 유닛(1600)은 노즐(1620), 노즐 이동 부재(1640) 및 그리고 액 공급원(도시되지 않음)을 가진다. 노즐(1620)은 하나 또는 복수 개로 제공되며, 기판(W)으로 처리액을 토출한다. 노즐(1620)은 노즐 이동 부재(1640)에 지지된다. 노즐 이동 부재(1640)는 공정 위치 및 대기 위치 간에 노즐(1620)을 이동시킨다. 공정 위치에서 노즐(1620)은 지지판(1420)에 놓인 기판(W)으로 처리액을 공급하고, 처리액의 공급을 완료한 노즐(1620)은 대기 위치에서 대기한다. 대기 위치에서 노즐(1620)은 홈 포트(도면 미도시)에서 대기하며, 홈 포트는 하우징(1100) 내에서 처리 용기(1200)의 바깥쪽에 위치한다.The
하우징(1100)의 상벽에는 내부 공간으로 하강기류를 공급하는 팬필터 유닛(1260)이 배치된다. 팬필터 유닛(1260)은 외부의 공기를 내부 공간으로 도입하는 팬과 외부의 공기를 여과하는 필터를 가진다.A
하우징(1100)에서 처리 용기(1200)의 바깥쪽에는 처리 용기(1200)와 하우징(1100) 사이의 공간으로 공급되는 기류를 배기하는 외측 배기관(1140)과, 처리 용기(1200)의 내부 공간으로 공급되는 기류를 배기는 내측 배기관(1160)이 연결된다. 외측 배기관(1140)과 내측 배기관(1160)에는 배기 공간 내의 기류를 강제 흡입하도록 압력 조절 부재(도시되지 않음)가 설치된다. 압력 조절 부재는 펌프일 수 있다.From the
처리 용기(1200)는 외측 컵(1220)과 내측 컵(1240)을 가진다.The
외측 컵(1220)은 지지 유닛(1400) 및 이에 지지된 기판(W)을 감싸도록 제공된다. 외측 컵(1220)은 바닥벽(1222), 측벽(1224), 그리고 상벽(1226)을 가진다. 외측 컵(1220)의 내부는 상술한 내부 공간(1280)으로 제공된다.The
바닥벽(1222)은 원형으로 제공되며, 중앙에 개구를 가진다. 측벽(1224)은 바닥벽(1222)의 외측단으로부터 상부로 연장된다. 측벽(1224)은 링 형상으로 제공되며, 바닥벽(1222)에 수직하게 제공된다. 일 예에 의하면 측벽(1224)은 지지판(1420)의 상면과 동일 높이까지 연장되거나, 지지판(1420)의 상면보다 조금 낮은 높이까지 연장된다. 상벽(1226)은 링 형상을 가지며, 중앙에 개구를 가진다. 상벽(1226)은 측벽(1224)의 상단으로부터 외측 컵(1220)의 중심축을 향해 상향 경사지게 제공된다.The
내측 컵(1240)은 외측 컵(1220)의 내측에 위치된다. 내측 컵(1240)은 내벽(1242), 외벽(1244), 그리고 상벽(1246)을 가진다. 내벽(1242)은 상하방향으로 관통된 관통공을 가진다. 내벽(1242)은 구동기(1460)를 감싸도록 배치된다. 내벽(1242)은 구동기(1460)가 처리 공간 내 기류에 노출되는 것을 최소화한다. 지지 유닛(1400)의 회전축(1440) 또는/및 구동기(1460)는 관통공을 통해 상하 방향으로 연장된다. 내벽(1242)의 하단은 외측 컵(1220)의 바닥벽(1222)에 위치될 수 있다. 외벽(1244)은 내벽(1242)과 이격되도록, 그리고 내벽(1242)을 감싸도록 배치된다. 외벽(1244)은 외측 컵(1220)의 측벽(1224)과 이격되게 위치된다. 내벽(1242)은 외측 컵(1220)의 바닥벽(1222)으로부터 상부로 이격되게 배치된다. 상벽(1246)은 외벽(1244)의 상단과 내벽(1242)의 상단을 연결한다. 상벽(1246)은 링 형상을 가지며, 지지판(1420)을 감싸도록 배치된다. 일 예에 의하면, 상벽(1246)은 위로 볼록한 형상을 가진다. 상벽(1246)은 외벽(1244)의 상단으로부터 회전축(1440)을 향해 상향 경사진 외측 상벽(1246a)과, 이로부터 내벽(1242)의 상단까지 하향 경사진 내측 상벽(1246b)을 가진다. 지지판(1420)은 내측 상벽(1246b)에 의해 둘러싸인 공간에 위치될 수 있다. 일 예에 의하면, 상벽(1226) 중 최정점은 지지판(1420)보다 외측에 위치되고, 지지 유닛(1400)에 지지된 기판(W)의 끝단보다 내측에 위치될 수 있다.The
처리 용기(1200)의 내부 공간(1280)에는 기액 분리판(1230)이 제공될 수 있다. 기액 분리판(1230)은 외측 컵(1220)의 바닥벽(1222)으로부터 상부로 연장되게 제공될 수 있다. 기액 분리판(1230)은 링 형상으로 제공될 수 있다. 기액 분리판(1230)은 상부에서 바라볼 때 외측 컵(1220)의 측벽(1224)과 내측 컵(1240)의 외벽(1244) 사이에 위치될 수 있다. 선택적으로 기액 분리판(1230)은 상부에서 바라볼 때 내측 컵(1240)의 외벽(1244)과 중첩되게 위치되거나, 내측 컵(1240)의 외벽(1244)보다 내측에 위치될 수 있다. 일 예에 의하면, 기액 분리판(1230)의 상단은 내측 컵(1240)의 외벽(1244)의 하단보다 낮은 위치에 위치될 수 있다.A gas-
외측 컵(1220)의 바닥벽(1222)에는 내측 배기관(1160)이 연결된다. 내측 배기관(1160)은 처리 용기(1200)의 내부 공간(1280)으로 유입되는 기류를 배기한다. 내측 배기관(1160)은 외측 컵(1220)보다 내측 컵(1240)에 가깝게 위치된다. 상부에서 바라볼 때, 내측 배기관(1160)은 내측 컵(1240)과 중첩되도록 제공된다.An
외측 컵(1220)의 바닥벽(1222)에는 처리액을 배출하는 배출관(1250)이 연결된다. 배출관(1250)은 외측 컵(1220)의 측벽(1224)과 내측 컵(1240)의 외벽(1244) 사이로 유입된 처리액을 처리 용기(1200)의 외부로 배출한다. 일 예에 의하면, 외측 컵(1220)의 측벽(1224)과 기액 분리판(1230) 사이의 공간은 처리액을 배출하는 배출 공간으로 제공되고, 배출관(1250)은 배출 공간에서 처리액을 배출하도록 제공된다. 외측 컵(1220)의 측벽(1224)과 내측 컵(1240)의 외벽(1244) 사이의 공간으로 흐르는 기류는 외측 컵(1220)의 측벽(1224)과 바닥벽(1222), 그리고 기액 분리판(1230)에 의해 둘러싸인 공간으로 유입되어 내측 배기관(1160)을 통해 배기된다. 이 과정에서 기류 내에 함유된 처리액은 배출 공간에서 배출관(1250)을 통해 처리 용기(1200)의 외부로 배출되고, 기류는 처리 용기(1200)의 배기 유닛(1900)에 의해 배기된다.A
배출관(1250)은 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 배출관(1250)이 복수 개가 제공되는 경우, 배출관(1250)은 내측 컵(1240)의 원주 방향을 따라 복수 개 제공될 수 있다. 배출관(1250)은 내부에 처리액 또는 세정액(82)이 흐르는 배출 공간(1252)이 형성된다. 배출관(1250)의 배출 공간(1252)는 배출관(1250)의 내부면으로 둘러싸여 형성된다. 배출관(1250)의 내부 공간에는 서로 다른 점도를 갖는 처리액이 흐른다. 일 예로, 배출관(1250)의 내부 공간에는 서로 다른 고점도의 포토 레지스트가 흐르거나, 고점도의 포토 레지스트와 중점도의 포토 레지스트가 흐를수 있다. 이때, 서로 다른 점도를 갖는 포토 레지스트 사이의 낮은 용해도로 인하여 침전물(P)이 발생된다. 침전물(P)은 배출관(1250)의 내부면에 고착되거나 배출관(1250)의 배출 공간(1252)를 부유하며 처리액의 배출을 방해한다.One or a plurality of
도 9는 본 발명에 따른 배출관 내부에 침전물이 쌓인 상태를 도시한 도면이고, 도 10은 도 9의 배출관에 세정액이 흐르면서 침전물을 세정하는 과정을 도식화한 도면이고, 도 11은 도 9의 배출관에 진동을 인가하여 세정되는 과정을 도식화한 도면이다.9 is a view showing a state in which the sediment is accumulated inside the discharge pipe according to the present invention, and FIG. It is a diagram schematically illustrating the cleaning process by applying vibration.
배출관(1250)에는 진동 발생 장치(1800)가 제공된다. 진동 발생 장치(1800)은 배출관(1250)에 설치되는 진동기(1820)을 포함한다. 진동기(1820)은 배출관(1250)의 외부면에 설치된다. 진동기(1820)는 원통 형으로 제공될 수 있다. 이 경우, 진동기(1820)은 배출관(1250)의 내부면을 감싸도록 제공될 수 있다. 진동기(1820)은 배출관(1250)의 단부에 제공될 수 있다. 이는, 배출관(1250)의 길이 방향을 따라 흐르는 서로 다른 점도의 포토 레지스트들은, 배출관(1250) 중 처리 용기(1200)와 가까운 위치에서 보다는 처리 용기(1200)와 멀어질수록 더 많은 침전물을 생성시키기 때문이다. 진동기(1820)는 배출관(1250)에 설치되어 진동을 발생시킨다. 진동기(1820)에는 동력을 제공하는 구동기(1840)이 연결된다. 구동기(1840)는 모터를 포함할 수 있다. 진동기(1820)는 구동기(1840)으로부터 동력을 받으면, 진동을 발생시키며 배출관(1250)에 진동을 인가한다.The
제어기(1860)은 구동기(1840)를 제어한다. 제어기(1860)은 배출관(1250)의 세정시 구동기(1840)을 작동시켜 진동기(1820)가 진동하도록 제어한다. 일 예로, 제어기(1860)은 세정액(82)가 공급되면 구동기(1840)을 작동시킨다. 세정액(82)는 시너(Thinner)를 포함할 수 있다. 즉, 제어기(1860)는 처리액이 공급되어 처리 공정 진행중에는 진동기(1820)가 구동하지 않도록 구동기(1840)을 제어하고, 세정액(82)이 공급되어 세정 공정 진행중에는 진동기(1820)가 구동하도록 구동기(1840)을 제어한다.The
도 9 내지 도 11을 참조하면, 세정액(82)은 배출관(1250)의 내부면과 배출 공간(1252)에 침전된 침전물(P)을 세정한다. 배출관(1250)의 침전물(P)을 세정하기 위해 세정액(82)이 공급되면, 제어기(1860)는 구동기(1840)를 작동시키고, 진동기(1820)은 구동기(1840)로부터 동력을 제공받아 진동(V)을 배출관(1250)에 인가한다. 배출관(1250)이 진동됨에 따라, 배출관(1250)의 내부를 흐르는 세정액(82)과 침전물(P)의 접촉/충돌 횟수가 증가한다. 즉, 진동기(1820)의 진동에 따른 진동 에너지가 세정액(82)과 침전물(P)의 운동 에너지를 증가시키고, 활발해진 운동에 의해 세정액(82)과 침전물(P) 사이의 접촉/충돌 횟수가 증가된다. 결과적으로 세정액(82)과 침전물(P) 사이의 용해도가 증가되어 배출관(1250)의 세정 효율이 증가되며 세정 시간은 감축된다.9 to 11 , the
한편, 도 8의 실시예에서는, 진동기(1820)가 배출관(1250)의 외부면에 제공되는 것으로 도시하고 설명하였으나, 이에 제한되는 것은 아니며 진동기(1820)는 배출관(1250)의 내부면에 제공될 수 있다.On the other hand, in the embodiment of FIG. 8 , the
기판 처리 장치(1000)은 승강 유닛(1700)을 포함한다. 승강 유닛(1700)은 처리 용기(1200)와 지지 유닛(1400) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(1700)은 처리 용기(1200)를 상하 방향으로 이동시킨다. 구체적으로, 승강 유닛(1700)은 지지판(1420)과 외측 컵(1220)의 상대 높이를 조절할 수 있다. 일 예에 의하면 승강 유닛(1700)은 외측 컵(1220)을 상하 방향으로 승하강시킬 있다. 예컨대, 지지판(1420)에 기판(W)을 로딩하거나 지지판(1420)으로부터 기판(W)을 언로딩할 때 기판(W)을 반송하는 반송부재가 외측 컵(1220)과 간섭하는 것을 방지하도록 지지판(1420)은 외측 컵(1220)의 상단보다 높은 높이에 위치한다. 또한, 공정을 진행시에는 기판(W)이 처리 공간 내에 위치하도록 지지판(1420)이 외측 컵(1220)의 상단부다 낮은 높이에 위치한다.The
승강 유닛(1700)은 브라켓(1720), 이동축(1740), 그리고 구동기(1760)을 포함한다. 브라켓(1720)은 처리 용기(1200)와 이동축(1740)을 연결한다. 브라켓(1720)은 처리 용기(1200)의 외측 컵(1220)에 고정된다. 브라켓(1720)은 외측 컵(1220)의 측벽(1224)에 고정 설치된다. 이동축(1740)은 그 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 이동축(1740)의 상단은 브라켓(1720)에 고정 결합된다. 이동축(1740)은 구동기(1760)로부터 동력을 제공받을 수 있다. 이동축(1740)은 구동기(1760)로부터 상하 방향으로 이동되고, 처리 용기(1200)는 이동축(1740)과 함께 승강 이동된다. 구동기(1760)은 이동축(1740)에 동력을 제공한다. 구동기(1760)은 이동축(1740)이 왕복 직선 운동 또는 승강 운동되도록 동력을 제공한다. 예건대, 구동기(1760)는 실린더 또는 모터일 수 있다.The
다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 전단 액 처리 챔버(362)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액 처리 챔버(364)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사 방지막일 수 있다. 이 경우, 반사 방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.4 and 5 again, the front stage
현상 블록(300b)은 도포 블록(300a)과 동일한 구조를 가지며, 현상 블록(300b)에 제공된 액 처리 챔버는 기판 상에 현상액을 공급한다.The developing
인터페이스 모듈(500)은 처리 모듈(300)을 외부의 노광 장치(700)와 연결한다. 인터페이스 모듈(500)은 인터페이스 프레임(510), 부가 공정 챔버(520), 인터페이스 버퍼(530), 그리고 인터페이스 로봇(550)을 가진다.The
인터페이스 프레임(510)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(520), 인터페이스 버퍼(530), 그리고 인터페이스 로봇(550)은 인터페이스 프레임(510)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(520)는 도포 블록(300a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(700)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(520)는 노광 장치(700)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블록(300b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(520)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(520)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(520)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit for forming a descending airflow therein may be provided at an upper end of the
인터페이스 버퍼(530)는 도포 블록(300a), 부가 공정 챔버(520), 노광 장치(700), 그리고 현상 블록(300b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(530)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼(530)들은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The
일 예에 의하면, 반송 챔버(350)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(520)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(530)가 배치될 수 있다.According to an example, the
인터페이스 로봇(550)은 도포 블록(300a), 부가 공정 챔버(520), 노광 장치(700), 그리고 현상 블록(300b) 간에 기판(W)을 반송한다. 인터페이스 로봇(550)은 기판(W)을 반송하는 반송 핸드를 가질 수 있다. 인터페이스 로봇(550)은 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 인터페이스 로봇(550)은 제1로봇(552) 및 제2로봇(554)을 가진다. 제1로봇(552)은 도포 블록(300a), 부가 공정 챔버(520), 그리고 인터페이스 버퍼(530) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(554)은 인터페이스 버퍼(530)와 노광 장치(700) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(530)와 현상 블록(300b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The
제1로봇(552) 및 제2로봇(554)은 각각 기판(W)이 놓이는 반송 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.The
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The above-described embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.
1250: 배출관
1252: 배출 공간
1800: 진동 발생 장치
1820: 진동기
1840: 구동기
1860: 제어기1250: discharge pipe
1252: exhaust space
1800: vibration generator
1820: vibrator
1840: actuator
1860: controller
Claims (9)
내부 공간을 가지는 처리 용기와;
상기 내부 공간 내에서 기판을 지지 및 회전시키는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 놓인 기판 상으로 처리액 또는 세정액을 토출하는 액 공급 유닛과;
상기 처리 용기에 연결되고 상기 처리액 또는 상기 세정액을 배출하는 배출관과;
상기 배출관에 제공되며 상기 배출관을 진동시키는 진동 발생 장치를 포함하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a processing vessel having an interior space;
a support unit for supporting and rotating the substrate in the inner space;
a liquid supply unit for discharging a processing liquid or a cleaning liquid onto the substrate placed on the support unit;
a discharge pipe connected to the processing container and discharging the processing liquid or the cleaning liquid;
and a vibration generating device provided on the discharge pipe and vibrating the discharge pipe.
상기 진동 발생 장치는,
상기 배출관의 외부면에 제공되는 진동기와;
상기 진동기에 동력을 제공하여 상기 진동기를 진동시키는 구동기와;
상기 구동기를 제어하는 제어기를 포함하고,
상기 제어기는,
상기 액 공급 유닛에서 상기 처리액이 공급되는 중에는 상기 진동기가 진동되지 않도록 상기 구동기를 제어하고, 상기 액 공급 유닛에서 상기 세정액이 공급되는 중에는 상기 진동기가 진동되도록 상기 구동기를 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The vibration generating device,
a vibrator provided on the outer surface of the discharge pipe;
a driver providing power to the vibrator to vibrate the vibrator;
a controller for controlling the actuator;
The controller is
and controlling the actuator so that the vibrator is not vibrated while the processing liquid is supplied from the liquid supply unit, and controlling the driver so that the vibrator is vibrated while the cleaning liquid is supplied from the liquid supply unit.
상기 처리액은 포토 레지스트(Photo Resist, PR)를 포함하고,
상기 세정액은 시너(Thinner)를 포함하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The treatment solution includes a photo resist (PR),
The cleaning liquid is a substrate processing apparatus including a thinner (Thinner).
상기 처리액은,
서로 다른 점도를 가지는 고점도의 포토 레지스트(Photo Resist, PR)를 포함하는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The treatment solution is
A substrate processing apparatus including a high-viscosity photoresist (PR) having different viscosities.
상기 배출관에서는 상기 서로 다른 점도를 가지는 고점도의 포토 레지스트의 용해도 차이에 의한 침전물이 발생되고,
상기 진동 발생 장치는 상기 침전물와 상기 세정액 사이의 용해도를 증가시키는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
In the discharge pipe, a precipitate is generated due to the difference in solubility of the high-viscosity photoresist having the different viscosities,
and the vibration generating device increases solubility between the deposit and the cleaning solution.
상기 진동 발생 장치는 상기 배출관의 외부면 감싸도록 제공되고,
상기 진동 발생 장치는 상기 배출관의 단부에 제공되는 기판 처리 장치.6. The method of claim 1 to 5,
The vibration generating device is provided to surround the outer surface of the discharge pipe,
The vibration generating device is a substrate processing apparatus provided at an end of the discharge pipe.
기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계와;
상기 기판 상에 세정액을 공급하여 기판을 세정하는 기판 세정 단계를 포함하되,
상기 세정액이 공급되는 중에 상기 처리액과 상기 세정액을 외부로 배출하는 배출관을 진동시키는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate, comprising:
a substrate processing step of processing the substrate by supplying a processing liquid onto the substrate;
A substrate cleaning step of cleaning the substrate by supplying a cleaning solution on the substrate,
A substrate processing method of vibrating a discharge pipe for discharging the processing liquid and the cleaning liquid to the outside while the cleaning liquid is supplied.
상기 처리액은 포토 레지스트(Photo Resis, PR)를 포함하고,
상기 세정액은 시너(Thinner)를 포함하는 기판 처리 방법.8. The method of claim 7,
The treatment solution includes a photo resist (Photo Resis, PR),
The cleaning solution is a substrate processing method including a thinner (Thinner).
상기 포토 레지스트는 상기 배출관을 흐르는 동안에 침전물을 생성하고,
상기 배출관의 진동에 의해 상기 침전물와 상기 세정액 사이의 용해도가 증가되는 기판 처리 방법.9. The method of claim 8,
The photoresist creates a precipitate while flowing through the discharge pipe,
A method for treating a substrate in which solubility between the sediment and the cleaning solution is increased by vibration of the discharge pipe.
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