KR20220094745A - Apparatus and method for treating a substrate - Google Patents

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KR20220094745A
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김진규
유양열
최병두
박재훈
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세메스 주식회사
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Abstract

The present invention provides a substrate processing device. In one embodiment, the substrate processing device has a plurality of liquid processing chambers for liquid processing on a substrate. Each of the plurality of liquid processing chambers includes: a cup having a processing space with an open top; a support unit supporting the substrate within the processing space; and a nozzle for supplying the processing liquid to the substrate supported by the support unit. Nozzles corresponding to the liquid processing chamber may have different liquid film parameters.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and substrate processing method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}

본 발명은 기판 상으로 처리액을 토출하는 노즐을 가지는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method having a nozzle for discharging a processing liquid onto a substrate.

반도체 소자 및 평판표시패널의 제조를 위해 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정은 노광 처리된 기판의 패턴을 선택적으로 현상하는 공정이다.Various processes such as photography, etching, ashing, thin film deposition, and cleaning processes are performed for manufacturing semiconductor devices and flat panel display panels. Among these processes, the photographic process sequentially performs application, exposure, and development steps. The coating process is a process of applying a photosensitive liquid such as a resist to the surface of the substrate. The exposure process is a process of exposing a circuit pattern on a substrate on which a photosensitive film is formed. The developing process is a process of selectively developing the pattern of the exposed substrate.

일반적으로 현상 공정은 노즐로부터 회전하는 기판 상에 현상액을 공급하여 감광막을 제거한다. 현상 공정에 사용되는 노즐은 공간의 한계로 인해, 각 챔버 마다 한 개 또는 두 개로 제공된다. 각각의 노즐을 이용하여 기판을 액 처리하는 경우에는 서로 상반된 장단점이 나타난다.In general, a developing process removes the photosensitive film by supplying a developer onto a rotating substrate from a nozzle. Due to space limitations, one or two nozzles used in the developing process are provided in each chamber. When the substrate is liquid-processed using each nozzle, opposite advantages and disadvantages appear.

본 발명은 공정 조건에 따라 각기 다른 노즐을 제공할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of providing different nozzles according to process conditions.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에서, 기판 처리 장치는, 기판 상에 액처리를 하는 복수 개의 액처리 챔버를 가지고, 복수 개의 액처리 챔버는 각각, 상부가 개방된 처리 공간을 가지는 컵; 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지유닛; 및 지지유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 노즐을 포함하되, 액처리 챔버에 대응되는 노즐은 각각 서로 상이한 액막 파라미터를 가질 수 있다.The present invention provides a substrate processing apparatus. In one embodiment, a substrate processing apparatus includes a plurality of liquid processing chambers for performing liquid processing on a substrate, each of the plurality of liquid processing chambers comprising: a cup having an open upper processing space; a support unit for supporting the substrate in the processing space; and a nozzle for supplying the processing liquid to the substrate supported by the support unit, wherein the nozzles corresponding to the liquid processing chamber may have different liquid film parameters.

일 실시예에서, 액막 파라미터는, 노즐 내에 제공된 유로의 길이를 포함할 수 있다.In an embodiment, the liquid film parameter may include a length of a flow path provided in the nozzle.

일 실시예에서, 노즐 내에 제공된 유로의 유입구와 유로의 토출구 간의 면적의 비율을 포함할 수 있다.In one embodiment, it may include a ratio of an area between an inlet of a flow path and an outlet of the flow path provided in the nozzle.

일 실시예에서, 액막 파라미터는, 노즐이 기판 상으로 처리액을 토출하는 토출 각을 포함할 수 있다.In an embodiment, the liquid film parameter may include an ejection angle at which the nozzle ejects the processing liquid onto the substrate.

일 실시예에서, 노즐은, 바디와; 바디 내에 형성된 유로를 포함하고, 유로는, 유입부와; 유입부에서 소정의 각도를 가지도록 절곡된 토출부를 가질 수 있다.In one embodiment, the nozzle comprises: a body; It includes a flow path formed in the body, the flow path comprising: an inlet; The discharge portion may be bent to have a predetermined angle at the inlet portion.

일 실시예에서, 액막 파라미터는, 토출부의 길이를 포함할 수 있다.In an embodiment, the liquid film parameter may include a length of the discharge part.

일 실시예에서, 액막 파라미터는, 토출부의 입구와 토출부의 출구 간의 면적의 비율을 포함할 수 있다.In an embodiment, the liquid film parameter may include a ratio of an area between an inlet of the discharge unit and an outlet of the discharge unit.

일 실시예에서, 액막 파라미터는, 유입부와 토출부가 이루는 각도를 포함할 수 있다.In an embodiment, the liquid film parameter may include an angle between the inlet and the outlet.

일 실시예에서, 처리액은 감광액으로 제공될 수 있다.In one embodiment, the treatment liquid may be provided as a photoresist.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 예에서, 기판 처리 방법은, 기판 상으로 처리액을 공급하는 노즐이 제공된 액처리 챔버를 이용하여 기판을 처리하되, 노즐은 복수 개 제공되며 각각 서로 상이한 액막 파라미터를 가지고, 노즐은 공정 조건에 따라 선택 가능하게 제공될 수 있다.The present invention also provides a method for processing a substrate. In one example, the substrate processing method processes the substrate using a liquid processing chamber provided with a nozzle for supplying a processing liquid onto the substrate, wherein a plurality of nozzles are provided and each has different liquid film parameters, and the nozzles are configured according to process conditions. It may be selectively provided according to.

일 실시예에서, 액막 파라미터는, 노즐 내에 제공된 유로의 길이를 포함할 수 있다.In an embodiment, the liquid film parameter may include a length of a flow path provided in the nozzle.

일 실시예에서, 노즐 내에 제공된 유로의 유입구와 유로의 토출구 간의 면적의 비율을 포함할 수 있다.In one embodiment, it may include a ratio of an area between an inlet of a flow path and an outlet of the flow path provided in the nozzle.

일 실시예에서, 액막 파라미터는, 노즐이 기판 상으로 처리액을 토출하는 토출 각을 포함할 수 있다.In an embodiment, the liquid film parameter may include an ejection angle at which the nozzle ejects the processing liquid onto the substrate.

일 실시예에서, 노즐은, 바디와; 바디 내에 형성된 유로를 포함하고, 유로는, 유입부와; 유입부에서 소정의 각도를 가지도록 절곡된 토출부를 가질 수 있다.In one embodiment, the nozzle comprises: a body; It includes a flow path formed in the body, the flow path comprising: an inlet; The discharge portion may be bent to have a predetermined angle at the inlet portion.

일 실시예에서, 액막 파라미터는, 토출부의 길이를 포함할 수 있다.In an embodiment, the liquid film parameter may include a length of the discharge part.

일 실시예에서, 액막 파라미터는, 토출부의 입구와 토출부의 출구 간의 면적의 비율을 포함할 수 있다.In an embodiment, the liquid film parameter may include a ratio of an area between an inlet of the discharge unit and an outlet of the discharge unit.

일 실시예에서, 액막 파라미터는, 유입부와 토출부가 이루는 각도를 포함할 수 있다.In an embodiment, the liquid film parameter may include an angle between the inlet and the outlet.

일 실시예에서, 처리액은 감광액으로 제공될 수 있다.In one embodiment, the treatment liquid may be provided as a photoresist.

일 실시예에서, 액처리 챔버에 대응되는 노즐은 각각 서로 상이한 액막 파라미터를 가지도록 제공될 수 있다.In an embodiment, the nozzles corresponding to the liquid processing chamber may be provided to have different liquid film parameters from each other.

일 실시예에서, 공정 조건은, 처리액의 유량, 처리액의 온도, 처리액의 종류를 포함할 수 있다.In an embodiment, the process conditions may include a flow rate of the treatment liquid, a temperature of the treatment liquid, and a type of the treatment liquid.

본 발명의 일실시예에 의하면, 본 발명은 공정 조건에 따라 각기 다른 노즐을 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the present invention may provide different nozzles according to process conditions.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4은 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5은 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다.
도 7은 도 3의 액처리 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 3의 노즐의 사시 단면도이다.
도 9는 도 3의 노즐의 측단면도이다.
도 10은 도 3의 노즐의 평면도이다.
도 11 내지 도 12는 각각 본 발명이 노즐에서 처리액이 토출되는 모습을 나타내는 도면이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 1 .
3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
FIG. 4 is a view showing an example of a hand of the transport robot of FIG. 3 .
5 is a plan sectional view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 3 .
6 is a front cross-sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 5 .
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating the liquid processing chamber of FIG. 3 .
8 is a perspective cross-sectional view of the nozzle of FIG. 3 .
9 is a side cross-sectional view of the nozzle of FIG. 3 .
FIG. 10 is a plan view of the nozzle of FIG. 3 .
11 to 12 are views each illustrating a state in which a treatment liquid is discharged from a nozzle according to the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장 및 축소된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated and reduced to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 1 , and FIG. 3 is the substrate processing apparatus of FIG. 1 is a plan view of

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20, index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.1 to 3 , the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20 , a processing module 30 , and an interface module 40 . According to an embodiment, the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as an X-axis direction 12, and a direction perpendicular to the X-axis direction 12 when viewed from the top The Y-axis direction 14 is called, and the direction perpendicular to both the X-axis direction 12 and the Y-axis direction 14 is called the Z-axis direction 16 .

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is accommodated to the processing module 30 , and accommodates the processed substrate W in the container 10 . The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the Y-axis direction 14 . The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24 . With reference to the index frame 24 , the load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 . The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22 . A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be disposed along the Y-axis direction 14 .

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.As the container 10, a closed container 10 such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. Vessel 10 may be placed in loadport 22 by an operator or by a transfer means (not shown) such as an Overhead Transfer, Overhead Conveyor, or Automatic GuidedVehicle. have.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.An index robot 2200 is provided inside the index frame 24 . A guide rail 2300 having a longitudinal direction in the Y-axis direction 14 is provided in the index frame 24 , and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300 . The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the Z-axis direction 16, and performs the Z-axis direction 16. It may be provided to be movable along with it.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 1의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has an application block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a development process on the substrate W. A plurality of application blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 1, two application blocks 30a are provided, and two development blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed below the developing blocks 30b. According to an example, the two application blocks 30a may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure. In addition, the two developing blocks 30b may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure.

도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.Referring to FIG. 3 , the application block 30a includes a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , a liquid processing chamber 3600 , and a buffer chamber 3800 . The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid treatment chamber 3600 in the application block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 유닛(3420)은 기판(W)이 놓이는 핸드(A)를 가지며, 핸드(A)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.The transfer chamber 3400 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the X-axis direction 12 . The transfer chamber 3400 is provided with a transfer unit 3420 . The transfer unit 3420 transfers a substrate between the heat treatment chamber 3200 , the liquid processing chamber 3600 , and the buffer chamber 3800 . According to an example, the transfer unit 3420 has a hand A on which the substrate W is placed, and the hand A moves forward and backward, rotates about the Z-axis direction 16 , and the Z-axis direction It may be provided movably along (16). A guide rail 3300 having a longitudinal direction parallel to the X-axis direction 12 is provided in the transfer chamber 3400 , and the transfer unit 3420 may be provided movably on the guide rail 3300 . .

도 4은 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 핸드(A)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.FIG. 4 is a view showing an example of a hand of the transport robot of FIG. 3 . Referring to FIG. 4 , the hand A has a base 3428 and a support protrusion 3429 . The base 3428 may have an annular ring shape in which a portion of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter greater than the diameter of the substrate W. As shown in FIG. A support protrusion 3429 extends inwardly from the base 3428 . A plurality of support protrusions 3429 are provided, and support an edge region of the substrate W. As shown in FIG. According to an example, four support protrusions 3429 may be provided at equal intervals.

다시 도 2와 도 3을 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.Referring back to FIGS. 2 and 3 , a plurality of heat treatment chambers 3200 are provided. The heat treatment chambers 3200 are arranged in a row along the first direction 12 . The heat treatment chambers 3200 are located at one side of the transfer chamber 3400 .

도 5은 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다. 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다.5 is a plan sectional view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 3 , and FIG. 6 is a front cross-sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 5 . The heat treatment chamber 3200 includes a housing 3210 , a cooling unit 3220 , a heating unit 3230 , and a transport plate 3240 .

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 Y축 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is provided in the shape of a substantially rectangular parallelepiped. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3210 . The inlet may remain open. Optionally, a door (not shown) may be provided to open and close the inlet. A cooling unit 3220 , a heating unit 3230 , and a conveying plate 3240 are provided in the housing 3210 . The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the Y-axis direction 14 . According to an example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the heating unit 3230 .

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다.The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222 . The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. A cooling member 3224 is provided on the cooling plate 3222 . According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which the cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 가열판(3232), 커버(3234), 그리고 히터(3233)를 가진다. 가열판(3232)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열판(3232)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열판(3232)에는 히터(3233)가 설치된다. 히터(3233)는 전류가 인가되는 발열저항체로 제공될 수 있다. 가열판(3232)에는 Z축 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3238)들이 제공된다. 리프트 핀(3238)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열판(3232) 상에 내려놓거나 가열판(3232)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3238)은 3개가 제공될 수 있다. 커버(3234)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다. 커버(3234)는 가열판(3232)의 상부에 위치되며 구동기(3236)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(3234)가 가열판(3232)에 접촉되면, 커버(3234)와 가열판(3232)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다.The heating unit 3230 has a heating plate 3232 , a cover 3234 , and a heater 3233 . The heating plate 3232 has a generally circular shape when viewed from the top. The heating plate 3232 has a larger diameter than the substrate W. A heater 3233 is installed on the heating plate 3232 . The heater 3233 may be provided as a heating resistor to which current is applied. The heating plate 3232 is provided with lift pins 3238 drivable in the vertical direction along the Z-axis direction 16 . The lift pin 3238 receives the substrate W from the transfer means outside the heating unit 3230 and puts it down on the heating plate 3232 or lifts the substrate W from the heating plate 3232 to the outside of the heating unit 3230 hand over by means of transport. According to an example, three lift pins 3238 may be provided. The cover 3234 has a space with an open lower portion therein. The cover 3234 is located on the heating plate 3232 and is moved in the vertical direction by the driver 3236 . When the cover 3234 is in contact with the heating plate 3232 , the space surrounded by the cover 3234 and the heating plate 3232 is provided as a heating space for heating the substrate W .

반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3420)의 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(A)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 이동된다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 Y축 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 X축 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀이 서로 간섭되는 것을 방지한다.The transfer plate 3240 is provided in a substantially disk shape, and has a diameter corresponding to that of the substrate W. As shown in FIG. A notch 3244 is formed at the edge of the conveying plate 3240 . The notch 3244 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed on the hand A of the transfer robot 3420 described above. In addition, the notch 3244 is provided in a number corresponding to the protrusions 3429 formed on the hand A, and is formed at positions corresponding to the protrusions 3429 . When the upper and lower positions of the hand A and the carrier plate 3240 are changed in the position where the hand A and the carrier plate 3240 are vertically aligned, the transfer takes place The conveying plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 , and is moved along the guide rail 3249 by the actuator 3246 . A plurality of slit-shaped guide grooves 3242 are provided in the carrying plate 3240 . The guide groove 3242 extends from the end of the carrying plate 3240 to the inside of the carrying plate 3240 . The guide grooves 3242 are provided along the Y-axis direction 14 in their longitudinal direction, and the guide grooves 3242 are spaced apart from each other along the X-axis direction 12 . The guide groove 3242 prevents the transfer plate 3240 and the lift pins from interfering with each other when the substrate W is transferred between the transfer plate 3240 and the heating unit 3230 .

기판(W)의 가열은 기판(W)이 히터 유닛(1200) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다.The substrate W is heated in a state where the substrate W is placed directly on the heater unit 1200 , and the substrate W is cooled by the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed and the cooling plate 3222 . made in contact with The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W is well achieved. According to one example, the transport plate 3240 may be provided with a metal material.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다.The heating unit 3230 provided in some of the heat treatment chambers 3200 may supply a gas while heating the substrate W to improve the adhesion rate of the photoresist to the substrate W. According to an example, the gas may be hexamethyldisilane gas.

다시 도 2와 도 3을 참조하면, 액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3420)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다.Referring again to FIGS. 2 and 3 , a plurality of liquid processing chambers 3600 are provided. Some of the liquid processing chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed at one side of the transfer chamber 3420 . The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side in the first direction 12 . Some of the liquid processing chambers 3600 are provided adjacent to the index module 20 . Hereinafter, these liquid treatment chambers will be referred to as a front liquid treating chamber 3602 (front liquid treating chamber). Other portions of the liquid processing chambers 3600 are provided adjacent to the interface module 40 . Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treating chambers 3604 (rear heat treating chambers).

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front stage liquid processing chamber 3602 applies the first liquid on the substrate W, and the rear stage liquid processing chamber 3604 applies the second liquid on the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different types of liquid. According to one embodiment, the first liquid is an anti-reflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on the substrate W on which the anti-reflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist, and the second liquid may be an anti-reflection film. In this case, the anti-reflection film may be applied on the photoresist-coated substrate (W). Optionally, the first liquid and the second liquid are the same type of liquid, and they may both be photoresist.

도 7은 도 3의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 액 처리 챔버(3602)는 하우징(3610), 컵(3620), 지지유닛(3640), 액 공급 유닛(3660) 그리고 대기포트(3670)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3610) 내에 하강 기류를 형성하는 팬필터유닛(3680)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 지지유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(3640)은 액처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급유닛(3660)은 지지유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 대기포트(3670)는 액 공급 유닛(3660) 일측에 구비된다. 액 공급 유닛(3660)을 통한 기판으로의 액 공급 전후에 액 공급 유닛(3660)이 대기포트(3670)에 대기한다. 대기포트(3670)에서 액 공급 유닛(3660)이 세척되고, 변질된 처리액을 토출한다.7 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 3 . Referring to FIG. 7 , the liquid processing chamber 3602 includes a housing 3610 , a cup 3620 , a support unit 3640 , a liquid supply unit 3660 , and a standby port 3670 . The housing 3610 is provided in the shape of a substantially rectangular parallelepiped. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3610 . The inlet may be opened and closed by a door (not shown). The cup 3620 , the support unit 3640 , and the liquid supply unit 3660 are provided in the housing 3610 . A fan filter unit 3680 for forming a downdraft in the housing 3610 may be provided on the upper wall of the housing 3610 . The cup 3620 has a processing space with an open top. The support unit 3640 is disposed in the processing space and supports the substrate W. The support unit 3640 is provided so that the substrate W is rotatable during liquid processing. The liquid supply unit 3660 supplies the liquid to the substrate W supported by the support unit 3640 . The standby port 3670 is provided on one side of the liquid supply unit 3660 . The liquid supply unit 3660 waits in the standby port 3670 before and after supplying the liquid to the substrate through the liquid supply unit 3660 . The liquid supply unit 3660 is washed in the standby port 3670 , and the deteriorated treatment liquid is discharged.

액 공급 유닛(3660)은, 노즐(3630)을 갖는다. 노즐(3630)은 기판으로 처리액을 공급한다. 일 예에서, 처리액은 포토레지스트와 같은 감광액으로 제공된다. 노즐(3630)은 공정 조건에 따라 선택 가능하게 제공될 수 있다. 일 예에서, 각각의 액 처리 챔버(3600)에는 각각 상이한 노즐(3630)이 제공된다. 일 예에서, 노즐(3630)은 각 액 처리 챔버(3600)에 제공된 노즐(3630)은 각각 서로 상이한 액막 파라미터를 가진다. 일 실시예에서, 공정 조건은, 처리액의 유량, 처리액의 온도, 처리액의 종류를 포함할 수 있다.The liquid supply unit 3660 includes a nozzle 3630 . The nozzle 3630 supplies the processing liquid to the substrate. In one example, the treatment liquid is provided as a photoresist, such as a photoresist. The nozzle 3630 may be selectively provided according to process conditions. In one example, each liquid processing chamber 3600 is provided with a different nozzle 3630, respectively. In an example, the nozzles 3630 provided in each liquid processing chamber 3600 have liquid film parameters different from each other. In an embodiment, the process conditions may include a flow rate of the treatment liquid, a temperature of the treatment liquid, and a type of the treatment liquid.

일 예에서, 액막 파라미터는, 노즐(3630) 내에 제공된 유로(3634, 3636)의 길이를 포함할 수 있다. 또한, 노즐(3630) 내에 제공된 유로(3634, 3636)의 유입구와 유로(3634, 3636)의 토출구 간의 면적의 비율을 포함할 수 있다. 또한, 액막 파라미터는, 노즐(3630)이 기판 상으로 처리액을 토출하는 토출 각을 포함할 수 있다. 액막 파라미터에 따라, 노즐(3630)이 기판 상으로 토출한 액막의 형태는 상이하게 제공된다. 또한, 이와 같은 액막의 형태는 처리액의 유량, 처리액의 온도, 처리액의 종류, 기판을 처리하는 공정 레시피 등에 따라 상이하게 나타날 수 있다. 이에, 각 공정에서 기판 상에 원하는 액막을 형성하기 위해, 공정 조건에 따라 소정의 액막 파라미터를 가지는 노즐(3630)을 선택하여 사용한다.In one example, the liquid film parameter may include lengths of the flow paths 3634 and 3636 provided in the nozzle 3630 . In addition, the ratio of the area between the inlets of the flow paths 3634 and 3636 provided in the nozzle 3630 and the discharge ports of the flow paths 3634 and 3636 may be included. Also, the liquid film parameter may include a discharge angle at which the nozzle 3630 discharges the processing liquid onto the substrate. Depending on the liquid film parameter, the shape of the liquid film ejected by the nozzle 3630 onto the substrate is provided differently. In addition, the shape of the liquid film may appear differently depending on the flow rate of the processing liquid, the temperature of the processing liquid, the type of the processing liquid, a process recipe for processing the substrate, and the like. Accordingly, in order to form a desired liquid film on a substrate in each process, a nozzle 3630 having a predetermined liquid film parameter is selected and used according to process conditions.

이하, 도 8 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 노즐(3630)의 액막 파라미터에 대해 자세히 설명한다. 도 8은 도 3의 노즐(3630)의 사시 단면도이고, 도 9는 도 3의 노즐(3630)의 측단면도이고, 도 10은 도 3의 노즐(3630)의 평면도이다. 일 예에서, 노즐(3630)은, 바디(3632)와; 바디(3632) 내에 형성된 유로(3634, 3636)를 포함한다. 일 예에서, 유로(3634, 3636)는, 유로(3634, 3636) 내로 처리액을 도입하기 위한 유입부(3634)와 유입부(3634)에서 소정의 각도를 가지도록 절곡된 토출부(3636)를 가질 수 있다.Hereinafter, the liquid film parameters of the nozzle 3630 of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 8 to 10 . FIG. 8 is a perspective cross-sectional view of the nozzle 3630 of FIG. 3 , FIG. 9 is a side cross-sectional view of the nozzle 3630 of FIG. 3 , and FIG. 10 is a plan view of the nozzle 3630 of FIG. 3 . In one example, the nozzle 3630 includes a body 3632; It includes flow paths 3634 and 3636 formed in the body 3632 . In one example, the flow passages 3634 and 3636 include an inlet portion 3634 for introducing the treatment liquid into the flow passages 3634 and 3636 and a discharge portion 3636 bent to have a predetermined angle at the inlet portion 3634 . can have

일 예에서, 유입부(3634)는 원통형상으로 제공된다. 이에, I1, I2, I3 그리고 I4는 유로(3634, 3636)의 직경이며, 모두 같은 수치일 수 있다. 선택적으로, 유입부(3634)는 원통형이 아닌 형상으로 제공될 수 있다. 이에, I1, I2, I3 그리고 I4는 그 중 일부가 다른 수치를 가지도록 제공될 수 있다. 유입부(3634)는, 액 공급 유닛 내에 제공된 배관에 연결되도록 제공되는 바, 각각의 액처리 챔버에서, I1(=I3)의 값은 모두 동일하게 제공될 수 있다.In one example, the inlet 3634 is provided in a cylindrical shape. Accordingly, I1, I2, I3, and I4 are diameters of the flow paths 3634 and 3636, and may all have the same value. Optionally, the inlet 3634 may be provided in a non-cylindrical shape. Accordingly, I1, I2, I3, and I4 may be provided so that some of them have different values. The inlet 3634 is provided to be connected to a pipe provided in the liquid supply unit, and in each liquid processing chamber, the values of I1 (=I3) may all be the same.

일 예에서, 액막 파라미터는, 토출부(3636)의 길이를 포함할 수 있다. 토출부(3636)의 길이가 짧을수록 노즐(3630)로부터 토출된 처리액의 액막은 기판 상에서 노즐(3630)의 양쪽으로 퍼지도록 제공된다. 예컨대, 도 11은 상대적으로 토출부(3636)의 길이가 긴 노즐(3630)에서 처리액이 토출되는 모습을 나타내고, 도 12는 상대적으로 토출부(3636)의 길이가 짧은 노즐(3630)에서 처리액이 토출되는 모습을 나타낸다. 도 11 내지 도 12를 참조하면, 토출부(3636)의 길이가 긴 경우, 처리액은 항아리와 같은 형상으로 토출되고, 토출부(3636)의 길이가 짧은 경우 처리액은 넓게 퍼지는 형상으로 토출된다.In one example, the liquid film parameter may include a length of the discharge unit 3636 . As the length of the discharge part 3636 is shorter, the liquid film of the processing liquid discharged from the nozzle 3630 is provided to spread to both sides of the nozzle 3630 on the substrate. For example, FIG. 11 shows a state in which a treatment liquid is discharged from a nozzle 3630 having a relatively long discharge unit 3636, and FIG. 12 is a nozzle 3630 having a relatively short discharge unit 3636. It shows how the liquid is discharged. 11 to 12 , when the length of the discharge unit 3636 is long, the treatment liquid is discharged in a jar-like shape, and when the length of the discharge unit 3636 is short, the treatment liquid is discharged in a widely spreading shape. .

이에, 처리액의 온도나, 공정의 레시피 등의 공정 조건에 따라 처리액을 항아리와 같은 형상으로 토출시키고자 하는 경우 도 11에 도시된 노즐(3630)을 선택하고, 공정 조건에 따라 처리액을 넓게 퍼지는 형상으로 토출시키고자 하는 경우 도 12에 도시된 노즐(3630)을 선택하여 기판을 처리한다.Accordingly, when it is desired to discharge the treatment liquid in the shape of a jar according to process conditions such as the temperature of the treatment liquid or the recipe of the process, the nozzle 3630 shown in FIG. 11 is selected, and the treatment liquid is supplied according to the process conditions. In the case of discharging in a widely spreading shape, the nozzle 3630 shown in FIG. 12 is selected to process the substrate.

일 예에서, 액막 파라미터는, 토출부(3636)의 입구와 토출부(3636)의 출구 간의 면적의 비율을 포함할 수 있다. 만약, 각 액처리 챔버 내에 제공된 노즐(3630)의 I2 값과 I4 값이 고정 값으로 제공되는 경우, 토출부(3636)의 입구와 토출부(3636)의 출구 간의 면적 비율은 E1과 E2 값에 의해 결정된다. 다르게 말하면, 토출부(3636)의 입구와 토출부(3636)의 출구 간의 면적 비율은 β 값으로 결정된다. 일 예에서, 토출부(3636)의 입구와 토출부(3636)의 출구 간의 면적 비율이 상대적으로 크게 제공되는 경우, 토출부(3636)를 통해 토출되는 처리액의 속도가 빠르게 제공된다. 반대로, 토출부(3636)의 입구와 토출부(3636)의 출구 간의 면적 비율이 상대적으로 작게 제공되는 경우 토출부(3636)를 통해 토출되는 처리액의 속도가 느리고, 처리액이 기판 상에서 널리 퍼지는 모양이 된다.In an example, the liquid film parameter may include a ratio of an area between an inlet of the discharge unit 3636 and an outlet of the discharge unit 3636 . If the I2 value and I4 value of the nozzle 3630 provided in each liquid processing chamber are provided as fixed values, the area ratio between the inlet of the discharge unit 3636 and the outlet of the discharge unit 3636 is equal to the E1 and E2 values. is determined by In other words, the area ratio between the inlet of the discharge unit 3636 and the outlet of the discharge unit 3636 is determined by the β value. In one example, when the area ratio between the inlet of the discharge unit 3636 and the outlet of the discharge unit 3636 is provided to be relatively large, the speed of the processing liquid discharged through the discharge unit 3636 is provided quickly. Conversely, when the area ratio between the inlet of the discharge unit 3636 and the outlet of the discharge unit 3636 is provided to be relatively small, the speed of the processing liquid discharged through the discharge unit 3636 is slow, and the processing liquid spreads widely on the substrate. become in shape

일 예에서, 액막 파라미터는, 유입부(3634)와 토출부(3636)가 이루는 각도(α)를 포함할 수 있다. 예컨대, 유입부(3634)와 토출부(3636)가 이루는 각도(α)는 0도 내지 90도로 제공될 수 있다. 예컨대, 유입부(3634)와 토출부(3636)가 이루는 각도(α)는 0도일 경우, 유로(3634, 3636)는 수직으로 제공되고, 예컨대, 유입부(3634)와 토출부(3636)가 이루는 각도(α)는 90도일 경우, 유로(3634, 3636)는 90도로 절곡된다. 유입부(3634)와 토출부(3636)가 이루는 각도(α)는 0도일 경우, 노즐(3630)로부터 토출되는 처리액은 수직으로 낙하한다. 이에, 유입부(3634)와 토출부(3636)가 이루는 각도가 클때보다, 처리액의 낙하 속도가 빠르고 처리액이 좁은 영역으로 토출된다. 이에 비해, 유입부(3634)와 토출부(3636)가 이루는 각도(α)는 90도일 경우, 노즐(3630)로부터 토출되는 처리액의 속도는 느려지고, 처리액은 보다 넓은 영역으로 토출된다.In one example, the liquid film parameter may include an angle α between the inlet part 3634 and the outlet part 3636 . For example, the angle α between the inlet part 3634 and the outlet part 3636 may be provided at 0 degrees to 90 degrees. For example, when the angle α between the inlet part 3634 and the outlet part 3636 is 0 degrees, the flow paths 3634 and 3636 are provided vertically, for example, the inlet part 3634 and the discharge part 3636 are When the angle α formed is 90 degrees, the flow paths 3634 and 3636 are bent by 90 degrees. When the angle α between the inlet part 3634 and the discharge part 3636 is 0 degrees, the processing liquid discharged from the nozzle 3630 falls vertically. Accordingly, the falling speed of the treatment liquid is faster and the treatment liquid is discharged to a narrow area than when the angle formed between the inlet part 3634 and the discharge part 3636 is large. On the other hand, when the angle α between the inflow part 3634 and the discharge part 3636 is 90 degrees, the speed of the processing liquid discharged from the nozzle 3630 is slowed, and the processing liquid is discharged to a wider area.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 공정 조건에 따라 각기 상이한 파라미터를 가지는 노즐(3630)로 기판을 처리하여, 기판 상에 원하는 형태의 액막을 형성할 수 있는 이점이 있다.According to an embodiment of the present invention, there is an advantage in that a liquid film having a desired shape can be formed on the substrate by processing the substrate with the nozzle 3630 having different parameters according to process conditions.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3420)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3420) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.Referring back to FIGS. 2 and 3 , a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400 . Hereinafter, these buffer chambers will be referred to as a front buffer 3802 (front buffer). The front-end buffers 3802 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Another portion of the buffer chambers 3802 and 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 hereinafter. These buffer chambers are referred to as rear buffer 3804 (rear buffer). The rear end buffers 3804 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Each of the front-end buffers 3802 and the back-end buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. As shown in FIG. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is loaded or unloaded by the index robot 2200 and the transfer robot 3420 . The substrate W stored in the downstream buffer 3804 is carried in or carried out by the transfer robot 3420 and the first robot 4602 .

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , and a liquid treatment chamber 3600 . The heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the application block 30a . ) and is provided in a structure and arrangement substantially similar to those of ), so a description thereof will be omitted. However, in the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as the developing chamber 3600 for processing the substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.The interface module 40 connects the processing module 30 to the external exposure apparatus 50 . The interface module 40 includes an interface frame 4100 , an additional process chamber 4200 , an interface buffer 4400 , and a transfer member 4600 .

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit for forming a descending airflow therein may be provided at an upper end of the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 , the interface buffer 4400 , and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the application block 30a, is loaded into the exposure apparatus 50 . Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W that has been processed in the exposure apparatus 50 is loaded into the developing block 30b. According to one example, the additional process is an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a bottom surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W can A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and these may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, the additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the transfer chamber 3400 along the lengthwise extension line, and the interface buffer 4400 may be disposed on the other side thereof.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The transfer member 4600 transfers the substrate W between the application block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the conveying member 4600 includes a first robot 4602 and a second robot 4606 . The first robot 4602 transfers the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 uses the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transfer the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the Z-axis direction 16, and Z It may be provided to be movable along the axial direction 16 .

이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.It should be understood that the above embodiments are presented to help the understanding of the present invention, and do not limit the scope of the present invention, and various modified embodiments therefrom also fall within the scope of the present invention. The technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the claims, and the technical protection scope of the present invention is not limited to the literal description of the claims itself, but is substantially equivalent to the technical value. It should be understood that it extends to the invention of

Claims (20)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판 상에 액처리를 하는 복수 개의 액처리 챔버를 가지고,
상기 복수 개의 액처리 챔버는 각각,
상부가 개방된 처리 공간을 가지는 컵;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지유닛; 및
상기 지지유닛에 지지된 상기 기판으로 처리액을 공급하는 노즐을 포함하되,
상기 액처리 챔버에 대응되는 상기 노즐은 각각 서로 상이한 액막 파라미터를 가지는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
Having a plurality of liquid processing chambers for liquid processing on a substrate,
Each of the plurality of liquid processing chambers,
a cup having an open upper processing space;
a support unit for supporting a substrate in the processing space; and
A nozzle for supplying a processing liquid to the substrate supported by the support unit,
The nozzles corresponding to the liquid processing chambers each have different liquid film parameters. 제1항에 있어서,
상기 액막 파라미터는,
상기 노즐 내에 제공된 유로의 길이를 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The liquid film parameter is
and a length of a flow path provided in the nozzle. 제1항에 있어서,
상기 노즐 내에 제공된 유로의 유입구와 상기 유로의 토출구 간의 면적의 비율을 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
and a ratio of an area between an inlet of a flow path provided in the nozzle and an outlet of the flow path. 제1항에 있어서,
상기 액막 파라미터는,
상기 노즐이 상기 기판 상으로 상기 처리액을 토출하는 토출 각을 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The liquid film parameter is
and a discharge angle at which the nozzle discharges the processing liquid onto the substrate. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나에 있어서,
상기 노즐은,
바디와;
상기 바디 내에 형성된 유로를 포함하고,
상기 유로는,
유입부와;
상기 유입부에서 소정의 각도를 가지도록 절곡된 토출부를 가지는 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The nozzle is
body and;
Including a flow path formed in the body,
The flow path is
an inlet;
A substrate processing apparatus having a discharge portion bent to have a predetermined angle at the inlet portion. 제5항에 있어서,
상기 액막 파라미터는,
상기 토출부의 길이를 포함하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The liquid film parameter is
A substrate processing apparatus including a length of the discharge part. 제5항에 있어서,
상기 액막 파라미터는,
상기 토출부의 입구와 상기 토출부의 출구 간의 면적의 비율을 포함하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The liquid film parameter is
and a ratio of an area between an inlet of the discharge unit and an outlet of the discharge unit. 제5항에 있어서,
상기 액막 파라미터는,
상기 유입부와 상기 토출부가 이루는 각도를 포함하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The liquid film parameter is
and an angle formed by the inlet and the outlet. 제1항에 있어서,
상기 처리액은 감광액으로 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The processing liquid is a substrate processing apparatus provided as a photosensitive liquid. 기판 상으로 처리액을 공급하는 노즐이 제공된 액처리 챔버를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 노즐은 복수 개 제공되며 각각 서로 상이한 액막 파라미터를 가지고,
상기 노즐은 공정 조건에 따라 선택 가능하게 제공되는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate using a liquid processing chamber provided with a nozzle for supplying a processing liquid onto the substrate, the method comprising:
The nozzles are provided in plurality and each has different liquid film parameters,
The nozzle is a substrate processing method that is provided selectively according to process conditions. 제10항에 있어서,
상기 액막 파라미터는,
상기 노즐 내에 제공된 유로의 길이를 포함하는 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
The liquid film parameter is
and a length of a flow path provided within the nozzle. 제10항에 있어서,
상기 노즐 내에 제공된 유로의 유입구와 상기 유로의 토출구 간의 면적의 비율을 포함하는 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
and a ratio of an area between an inlet of a flow path provided in the nozzle and an outlet of the flow path. 제10항에 있어서,
상기 액막 파라미터는,
상기 노즐이 상기 기판 상으로 상기 처리액을 토출하는 토출 각을 포함하는 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
The liquid film parameter is
and a discharge angle at which the nozzle discharges the processing liquid onto the substrate. 제10항에 있어서,
상기 노즐은,
바디와;
상기 바디 내에 형성된 유로를 포함하고,
상기 유로는,
유입부와;
상기 유입부에서 소정의 각도를 가지도록 절곡된 토출부를 가지는 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
The nozzle is
body and;
Including a flow path formed in the body,
The flow path is
an inlet;
A substrate processing method having a discharge portion bent to have a predetermined angle at the inlet portion. 제14항에 있어서,
상기 액막 파라미터는,
상기 토출부의 길이를 포함하는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
The liquid film parameter is
The substrate processing method including the length of the discharge part. 제14항에 있어서,
상기 액막 파라미터는,
상기 토출부의 입구와 상기 토출부의 출구 간의 면적의 비율을 포함하는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
The liquid film parameter is
and a ratio of an area between an inlet of the discharge unit and an outlet of the discharge unit. 제14항에 있어서,
상기 액막 파라미터는,
상기 유입부와 상기 토출부가 이루는 각도를 포함하는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
The liquid film parameter is
and an angle between the inlet and the outlet. 제10항에 있어서,
상기 처리액은 감광액으로 제공되는 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
The substrate processing method in which the processing liquid is provided as a photoresist. 제10항에 있어서,
상기 액처리 챔버에 대응되는 상기 노즐은 각각 서로 상이한 액막 파라미터를 가지도록 제공되는 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
The nozzles corresponding to the liquid processing chamber are provided to have different liquid film parameters from each other. 제10항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 공정 조건은,
상기 처리액의 유량, 상기 처리액의 온도, 상기 처리액의 종류를 포함하는 기판 처리 방법.20. The method according to any one of claims 10 to 19,
The process conditions are
A substrate processing method including a flow rate of the processing liquid, a temperature of the processing liquid, and a type of the processing liquid.
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