KR20220092841A - Organic light emitting display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 출원은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.This application relates to an organic light emitting display device.
정보화 사회에서 시각 정보를 영상 또는 화상으로 표시하기 위한 표시장치 분야 기술이 많이 개발되고 있다. 표시장치 중 유기발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 다이오드를 이용하여 화상을 표시한다. 유기발광 표시장치는 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 자발광에 따라 저계조 표현력이 가능하여 차세대 디스플레이로 각광받고 있다.In the information society, many technologies in the field of display devices for displaying visual information as images or images are being developed. Among display devices, an organic light emitting diode display displays an image using an organic light emitting diode that generates light by recombination of electrons and holes. The organic light emitting display device has a fast response speed and at the same time is able to express low grayscale according to self-luminescence, so it is in the spotlight as a next-generation display.
유기 발광 표시 장치는 데이터 라인들, 스캔 라인들, 데이터 라인들과 스캔 라인들의 교차부에 형성된 다수의 서브 화소들을 구비하는 표시 패널, 스캔 라인들에 스캔 신호들을 공급하는 게이트 구동부, 및 데이터 라인들에 데이터 전압들을 공급하는 데이터 구동부를 포함한다. 화소들 각각은 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode), 게이트 전극의 전압에 따라 유기 발광 다이오드에 공급되는 전류의 양을 조절하는 구동 트랜지스터, 스캔 라인의 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인의 데이터 전압을 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하는 스캔 트랜지스터를 포함한다.An organic light emitting diode display includes a display panel including data lines, scan lines, a plurality of sub-pixels formed at intersections of data lines and scan lines, a gate driver supplying scan signals to the scan lines, and data lines and a data driver supplying data voltages to the . Each of the pixels is an organic light emitting diode (OLED), a driving transistor that adjusts the amount of current supplied to the organic light emitting diode according to the voltage of the gate electrode, and drives the data voltage of the data line in response to the scan signal of the scan line It includes a scan transistor that supplies the gate electrode of the transistor.
구동 트랜지스터의 문턱 전압(threshold voltage)은 유기 발광 표시 장치의 제조시의 공정 편차 또는 장기간 구동으로 인한 구동 트랜지스터의 열화 등의 원인으로 인하여 화소마다 달라질 수 있다. 즉, 화소들에 동일한 데이터 전압을 인가하는 경우 유기 발광 다이오드에 공급되는 전류는 동일하여야 하나, 화소들 사이의 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 차이로 인하여 화소들에 동일한 데이터 전압을 인가하더라도 유기 발광 다이오드에 공급되는 전류가 화소마다 달라질 수 있다. 또한, 유기 발광 다이오드 역시 장기간 구동으로 인한 열화될 수 있으며, 이 경우 유기 발광 다이오드의 휘도가 화소마다 달라질 수 있다. 이에 따라, 화소들에 동일한 데이터 전압을 인가하더라도, 유기 발광 다이오드가 발광하는 휘도가 화소마다 달라질 수 있다. 이를 해결하기 위해, 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 유기 발광 다이오드의 열화를 보상하는 보상 방법이 마련되었다.The threshold voltage of the driving transistor may vary for each pixel due to a process deviation in manufacturing the organic light emitting diode display or deterioration of the driving transistor due to long-term driving. That is, when the same data voltage is applied to the pixels, the current supplied to the organic light emitting diode must be the same. However, even when the same data voltage is applied to the pixels due to the difference in the threshold voltage of the driving transistor between the pixels, The supplied current may vary for each pixel. In addition, the organic light emitting diode may also deteriorate due to long-term driving, and in this case, the luminance of the organic light emitting diode may vary for each pixel. Accordingly, even when the same data voltage is applied to the pixels, the luminance emitted by the organic light emitting diode may vary for each pixel. To solve this problem, a compensation method for compensating for the threshold voltage of the driving transistor and deterioration of the organic light emitting diode has been prepared.
구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 유기 발광 다이오드의 열화는 외부 보상 방법에 의해 보상될 수 있다. 외부 보상 방법은 화소에 미리 설정된 데이터 전압을 공급하고, 미리 설정된 데이터 전압에 따라 구동 트랜지스터의 소스 전압을 소정의 센싱 라인을 통해 센싱하며, 아날로그-디지털 컨버터(analog digital converter)를 이용하여 센싱된 전압을 디지털 데이터인 센싱 데이터로 변환하고, 센싱 데이터에 따라 화소에 공급될 디지털 비디오 데이터를 보상하는 방법이다.The threshold voltage of the driving transistor and deterioration of the organic light emitting diode may be compensated for by an external compensation method. The external compensation method supplies a preset data voltage to the pixel, senses the source voltage of the driving transistor through a predetermined sensing line according to the preset data voltage, and uses an analog-to-digital converter to sense the voltage. is digital data, which is sensed data, and compensates for digital video data to be supplied to pixels according to the sensed data.
기존의 보상 방법은 표시 패널 별 또는 하나의 표시 패널 내에서 동일한 열화가 발생하는 경우를 가정하여 각각의 유기 발광 다이오드를 보상한다. 따라서, 유기 발광 다이오드의 공정 편차로 인하여 표시 패널 별 또는 하나의 표시 패널 내 영역 별로 열화 속도의 편차가 발생할 경우 보상 오차가 발생한다.The conventional compensation method compensates each organic light emitting diode on the assumption that the same deterioration occurs for each display panel or within one display panel. Accordingly, when a deviation in the degradation rate occurs for each display panel or for each region within one display panel due to a process deviation of the organic light emitting diode, a compensation error occurs.
본 출원은 표시 패널 별 또는 하나의 표시 패널 내 영역 별로 대응하는 열화 모델을 갖는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.An object of the present application is to provide an organic light emitting diode display having a degradation model corresponding to each display panel or each region within one display panel.
본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들을 포함하고, 복수의 화소 각각이 구동 트랜지스터, 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되는 커패시터, 및 유기 발광 다이오드를 포함하는 표시 패널, 제1 트랜지스터에 스캔 신호를 제공하는 스캔 신호 출력부, 및 제2 트랜지스터에 센싱 신호를 제공하는 센싱 신호 출력부를 포함하고, 구동 트랜지스터는 적어도 일부의 구동 구간이 선형 영역으로 동작할 수 있다.An organic light emitting diode display according to the present application includes a plurality of pixels, and each of the plurality of pixels includes a driving transistor, a first transistor, a second transistor, a capacitor connected to a gate electrode of the driving transistor, and an organic light emitting diode A panel, a scan signal output unit providing a scan signal to the first transistor, and a sensing signal output unit providing a sensing signal to the second transistor, the driving transistor may operate in a linear region in at least a part of the driving period.
본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들을 포함하고, 복수의 화소 각각이 구동 트랜지스터, 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되는 커패시터, 및 유기 발광 다이오드를 포함하는 표시 패널, 제1 트랜지스터에 스캔 신호를 제공하는 스캔 신호 출력부, 제2 트랜지스터에 센싱 신호를 제공하는 센싱 신호 출력부, 및 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 유기 발광 다이오드의 열화 특성의 측정과 관련하여, 센싱 모드에서 구동 트랜지스터를 선형 영역으로 동작시키고, 선형 영역으로 동작하는 구동 트랜지스터를 통해 복수의 화소 각각의 전류를 센싱하고, 센싱된 전류로부터 센싱 전압을 생성하여 출력하는 보상 회로를 포함할 수 있다.An organic light emitting diode display according to the present application includes a plurality of pixels, and each of the plurality of pixels includes a driving transistor, a first transistor, a second transistor, a capacitor connected to a gate electrode of the driving transistor, and an organic light emitting diode In connection with measurement of a panel, a scan signal output unit providing a scan signal to the first transistor, a sensing signal output unit providing a sensing signal to the second transistor, and a threshold voltage of a driving transistor and deterioration characteristics of an organic light emitting diode, sensing mode, the driving transistor operates in the linear region, senses the current of each of the plurality of pixels through the driving transistor operating in the linear region, and generates and outputs a sensing voltage from the sensed current.
본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 다이오드 및 구동 트랜지스터를 포함하는 복수의 화소를 포함하고, 유기 발광 다이오드는, 구동 트랜지스터의 소스 전극에 접속된 애노드 전극, 제1 고전위 전원 전압보다 낮은 저전위 전원 전압을 공급받는 캐소드 전극, 및 발광층을 포함하고, 구동 트랜지스터는, 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극의 전압 차를 기초하여, 제1 고전위 전원 전압이 공급되는 전원 라인으로부터 유기 발광 다이오드로 흐르는 전류를 제어하고, 전원 라인에 제1 고전위 전원 전압보다 낮은 제2 고전위 전원 전압이 공급되는 적어도 일부의 구동 구간에서 선형 영역으로 동작할 수 있다.An organic light emitting diode display according to the present application includes a plurality of pixels including an organic light emitting diode and a driving transistor, and the organic light emitting diode includes an anode connected to a source electrode of the driving transistor and a low voltage lower than a first high potential power supply voltage. a cathode electrode to which a potential power supply voltage is supplied, and a light emitting layer, wherein the driving transistor is configured to transmit the organic light emitting diode from the power supply line supplied with the first high potential power supply voltage based on a voltage difference between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor. It may control a flowing current and operate in a linear region in at least a portion of the driving period in which a second high potential power voltage lower than the first high potential power voltage is supplied to the power line.
본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 패널 별 또는 하나의 표시 패널 내 영역 별로 대응하는 열화 모델을 갖는다. 편차를 보정한 모델을 이용하여 열화 보상을 실시하는 경우, 유기 발광 다이오드(OLED)의 공정 편차에 의한 열화 속도의 차이로 인한 열화 보상 오차 및 이에 따른 잔상 현상을 방지할 수 있다.The organic light emitting diode display according to the present application has a degradation model corresponding to each display panel or each area within one display panel. When deterioration compensation is performed using a model in which deviation is corrected, deterioration compensation error due to a difference in deterioration rate due to process deviation of the organic light emitting diode (OLED) and an afterimage phenomenon may be prevented.
도 1은 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 블록도이다.
도 2는 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 3은 본 출원의 일 예에 따른 화소, 소스 드라이버 IC, 기준 전압 생성부, 및 아날로그-디지털 컨버터를 나타낸 회로도이다.
도 4는 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔 신호, 센싱 신호, 제 1 스위치 제어 신호, 제 2 스위치 제어 신호, 게이트 전압, 및 소스 전압을 나타낸 파형도이다.
도 5는 본 출원의 일 예에 따른 화소의 제 1 기간의 구동을 나타낸 회로도이다.
도 6은 본 출원의 일 예에 따른 화소의 제 2 기간의 구동을 나타낸 회로도이다.
도 7은 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 시간에 따른 각각의 유기 발광 다이오드 휘도의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 트랜지스터의 소스 전압 및 각각의 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류를 나타낸 그래프이다.
도 9는 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 보상 회로, 복수의 구동 트랜지스터들, 및 복수의 유기 발광 다이오드들을 나타낸 평면도이다.
도 10은 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 보상 회로의 구동을 나타낸 파형도이다.
도 11은 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시 패널의 보상 방식을 나타낸 평면도이다.
도 12는 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 문턱 전압의 변화와 유기 발광 다이오드의 열화 사이의 관계를 나타낸 그래프이다.1 is a block diagram of an organic light emitting diode display according to the present application.
2 is a plan view of an organic light emitting display device according to the present application.
3 is a circuit diagram illustrating a pixel, a source driver IC, a reference voltage generator, and an analog-to-digital converter according to an example of the present application.
4 is a waveform diagram illustrating a scan signal, a sensing signal, a first switch control signal, a second switch control signal, a gate voltage, and a source voltage supplied to a pixel in a sensing mode.
5 is a circuit diagram illustrating driving of a pixel in a first period according to an example of the present application.
6 is a circuit diagram illustrating driving of a pixel in a second period according to an example of the present application.
7 is a graph illustrating a change in luminance of each organic light emitting diode according to time of the organic light emitting diode display according to the present application.
8 is a graph illustrating a source voltage of a driving transistor of an organic light emitting diode display and a current flowing through each organic light emitting diode according to the present application.
9 is a plan view illustrating a compensation circuit, a plurality of driving transistors, and a plurality of organic light emitting diodes of the organic light emitting diode display according to the present application.
10 is a waveform diagram illustrating driving of a compensation circuit of an organic light emitting diode display according to the present application.
11 is a plan view illustrating a compensation method of a display panel of an organic light emitting display device according to the present application.
12 is a graph illustrating a relationship between a change in a threshold voltage of an organic light emitting diode display and deterioration of an organic light emitting diode according to the present application.
본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 출원은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 출원은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present application, and a method of achieving them, will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present application is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only the present embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which this application belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present application is only defined by the scope of the claims.
본 출원의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present application are exemplary, and thus the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, cases including the plural are included unless otherwise explicitly stated.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is construed as including an error range even if there is no separate explicit description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, 'immediately' or 'directly' when a temporal relationship is described with 'after', 'following', 'after', 'before', etc. It may include cases that are not continuous unless this is used.
제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 출원의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present application.
"X축 방향", "Y축 방향" 및 "Z축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다."X-axis direction", "Y-axis direction", and "Z-axis direction" should not be interpreted only as a geometric relationship in which the relationship between each other is vertical, and is wider than within the scope where the configuration of the present invention can function functionally. It may mean having a direction.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.The term “at least one” should be understood to include all possible combinations of one or more related items. For example, the meaning of “at least one of the first, second, and third items” means that each of the first, second, or third items as well as two of the first, second and third items It may mean a combination of all items that can be presented from more than one.
본 출원의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present application may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments may be independently implemented with respect to each other or implemented together in a related relationship. may be
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 출원의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 블록도이다. 도 2는 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다. 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 패널(10), 데이터 구동부(20), 게이트 구동부(40), 소스 인쇄 회로 보드(Source Printed Circuit Board, S-PCB)(50), 타이밍 컨트롤러(Timing Controller, T-con)(60), 외부 보상 회로(70), 기준 전압 생성부(80), 및 제어 인쇄 회로 보드(Control Printed Circuit Board, C-PCB)(90)를 포함한다.1 is a block diagram of an organic light emitting display device according to the present application. 2 is a plan view of an organic light emitting display device according to the present application. The organic light emitting diode display according to the present application includes a
표시 패널(10)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 화소(P)들이 형성되어 화상을 표시하는 영역이다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 주변에 마련된 영역이다. 표시 패널(10)에는 데이터 라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 양의 정수), 기준 전압 라인들(R1~Rp, p는 2 이상의 양의 정수), 스캔 라인들(S1~Sn, n은 2 이상의 양의 정수), 및 센싱 신호 라인들(SE1~SEn)이 마련된다. 데이터 라인들(D1~Dm)과 기준 전압 라인들(R1~Rp)은 스캔 라인들(S1~Sn)과 센싱 신호 라인들(SE1~SEn)과 교차될 수 있다. 데이터 라인들(D1~Dm)과 기준 전압 라인들(R1~Rp)은 서로 나란할 수 있다. 스캔 라인들(S1~Sn)과 센싱 신호 라인들(SE1~SEn)은 서로 나란할 수 있다.The
화소(P)들 각각은 데이터 라인들(D1~Dm) 중 어느 하나, 기준 전압 라인들(R1~Rp) 중 어느 하나, 스캔 라인들(S1~Sn) 중 어느 하나, 및 센싱 신호 라인들(SE1~SEn) 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 화소(P)들은 표시 패널(10)의 하부 기판(11) 상에 마련된다. 화소(P)들 각각은 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)와 유기 발광 다이오드(OLED)에 전류를 공급하기 위한 다수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다.Each of the pixels P includes any one of the data lines D1 to Dm, any one of the reference voltage lines R1 to Rp, any one of the scan lines S1 to Sn, and the sensing signal lines ( SE1 to SEn) may be connected to any one of. The pixels P are provided on the
데이터 구동부(20)는 다수의 소스 드라이버 IC(Source Driver Integrated Circuit, SDIC)(21)들을 포함할 수 있다. 소스 드라이버 IC(21)는 타이밍 컨트롤러(60)로부터 보상 디지털 비디오 데이터(CDATA), 센싱 디지털 비디오 데이터(PDATA), 및 데이터 타이밍 제어 신호(DCS)를 입력 받는다. 소스 드라이버 IC(21)는 소스 드라이버 IC(21)는 데이터 라인들(D1~Dm)에 접속되어 데이터 전압들을 공급한다. 소스 드라이버 IC(21)들 각각은 연성 필름(22)들 각각에 실장될 수 있다.The
연성 필름(22)들 각각은 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package) 또는 칩 온 필름(chip on film)일 수 있다. 연성 필름(22)들 각각은 휘어지거나 구부러질 수 있다. 연성 필름(22)들 각각은 하부 기판(11)과 소스 인쇄 회로 보드(50)에 부착될 수 있다. 연성 필름(22)들 각각은 이방성 도전 필름(anisotropic conductive flim)을 이용하여 TAB(tape automated bonding) 방식으로 하부 기판(11) 상에 부착될 수 있으며, 이로 인해 소스 드라이버 IC(21)들은 데이터 라인들(D1~Dm)에 연결될 수 있다. 소스 인쇄 회로 보드(50)는 연성 케이블(91)에 의해 제어 인쇄 회로 보드(90)에 연결될 수 있다.Each of the
데이터 구동부(20)는 기준 전압 라인들(R1~Rp)에 접속되어 화소(P)들의 구동 트랜지스터의 소스 전압을 센싱한다. 데이터 구동부(20)는 센싱한 전압을 이용하여 센싱 데이터(SD)를 생성하고, 센싱 데이터(SD)를 외부 보상 회로(70)로 공급한다.The
게이트 구동부(40)는 스캔 신호 출력부(41)와 센싱 신호 출력부(42)를 포함한다.The
스캔 신호 출력부(41)는 스캔 라인들(S1~Sn)에 접속되어 스캔 신호들을 공급한다. 스캔 신호 출력부(41)는 타이밍 컨트롤러(60)로부터 입력되는 스캔 타이밍 제어 신호(SCS)에 따라 스캔 라인들(S1~Sn)에 스캔 신호들을 공급한다.The scan
센싱 신호 출력부(42)는 센싱 신호 라인들(SE1~SEn)에 접속되어 센싱 신호들을 공급한다. 센싱 신호 출력부(42)는 타이밍 컨트롤러(60)로부터 입력되는 센싱 타이밍 제어 신호(SENCS)에 따라 센싱 신호 라인들(SE1~SEn)에 센싱 신호들을 공급한다.The sensing
스캔 신호 출력부(41)와 센싱 신호 출력부(42)는 다수의 트랜지스터들을 포함하여 GIP(Gate driver In Panel) 방식으로 표시 패널(10)의 비표시 영역(NDA)에 직접 형성될 수 있다. 또는, 스캔 신호 출력부(41)와 센싱 신호 출력부(42)는 구동 칩(chip) 형태로 형성되어 표시 패널(10)에 접속되는 연성 필름 상에 실장될 수 있다.The scan
타이밍 컨트롤러(60)는 외부 보상 회로(70)로부터 보상 디지털 비디오 데이터(CDATA), 센싱 디지털 비디오 데이터(PDATA), 및 타이밍 신호들을 입력받는다. 타이밍 신호들은 수직 동기 신호(vertical sync signal), 수평 동기 신호(horizontal sync signal), 데이터 인에이블 신호(data enable signal), 및 도트 클럭(dot clock)을 포함할 수 있다.The
타이밍 컨트롤러(60)는 데이터 구동부(20), 스캔 신호 출력부(41), 및 센싱 신호 출력부(42)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어 신호들을 생성한다. 타이밍 제어 신호들은 데이터 구동부(20)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어 신호(DCS), 스캔 신호 출력부(41)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 타이밍 제어 신호(SCS), 및 센싱 신호 출력부(42)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 센싱 타이밍 제어 신호(SENCS)를 포함한다.The
타이밍 컨트롤러(60)는 보상 디지털 비디오 데이터(CDATA), 센싱 디지털 비디오 데이터(PDATA), 및 데이터 타이밍 제어 신호(DCS)를 데이터 구동부(20)로 출력한다. 타이밍 컨트롤러(60)는 스캔 타이밍 제어 신호(SCS)를 스캔 신호 출력부(41)로 출력한다. 센싱 타이밍 제어 신호(SENCS)를 센싱 신호 출력부(42)로 출력한다. 또한, 타이밍 컨트롤러(60)는 데이터 구동부(20)의 스위치를 제어하기 위한 스위치 제어 신호(SCS)를 출력할 수 있다.The
타이밍 컨트롤러(60)는 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치를 표시 모드 또는 센싱 모드 중 어느 하나로 제어할 수 있다.The
표시 모드는 화소(P)들에 보상 디지털 비디오 데이터(CDATA)에 따른 데이터 전압들을 공급함으로써 화소(P)들을 발광시키는 모드이다.The display mode is a mode in which the pixels P emit light by supplying data voltages according to the compensation digital video data CDATA to the pixels P.
센싱 모드는 화소(P)들에 센싱 디지털 비디오 데이터(PDATA)에 따른 센싱 데이터 전압들을 공급한다. 센싱 모드에서는 각각의 화소(P)들에 연결된 기준 전압 라인들(R1~Rp)을 통해 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱한다. 또한 센싱 모드에서는 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 전자 이동도, 또는 화소(P)들 각각의 유기 발광 다이오드의 열화를 보상하기 위해 구동 트랜지스터의 소스 전압을 센싱한다. 센싱 모드에서 센싱된 구동 트랜지스터의 소스 전압은 아날로그-디지털 컨버터(140)에 의해 센싱 데이터(SD)로 변환되어 외부 보상 회로(70)의 메모리에 저장될 수 있다. 센싱 모드는 유기 발광 표시 장치의 전원이 오프되기 전에 수행되거나, 유기 발광 표시 장치의 전원이 켜지자마자 수행되거나, 유기 발광 표시 장치의 전원이 켜진 상태에서 소정의 주기로 수행될 수 있다.In the sensing mode, sensing data voltages according to the sensing digital video data PDATA are supplied to the pixels P. In the sensing mode, the threshold voltage of the driving transistor of each of the pixels P is sensed through the reference voltage lines R1 to Rp connected to each of the pixels P. Also, in the sensing mode, the source voltage of the driving transistor is sensed to compensate for the electron mobility of the driving transistor of each of the pixels P or deterioration of the organic light emitting diode of each of the pixels P. The source voltage of the driving transistor sensed in the sensing mode may be converted into sensing data SD by the analog-to-
외부 보상 회로(70)는 데이터 구동부(20)로부터 센싱 데이터(SD)를 공급받는다. 외부 보상 회로(70)는 센싱 데이터(SD)를 이용하여 디지털 비디오 데이터(DATA)를 보정할 보정 데이터를 생성한다. 외부 보상 회로(70)는 디지털 비디오 데이터(DATA)에 보정 데이터를 적용하여 보상 디지털 비디오 데이터(CDATA) 및 센싱 디지털 비디오 데이터(PDATA)를 생성한다. 외부 보상 회로(70)는 보상 디지털 비디오 데이터(CDATA) 및 센싱 디지털 비디오 데이터(PDATA)를 타이밍 컨트롤러(60)로 출력한다.The
외부 보상 회로(70)는 센싱 데이터(SD)를 저장하는 메모리를 포함할 수 있다. 외부 보상 회로(70)의 메모리는 EEPROM(electrically erasable programmable read-only memory)과 같은 비휘발성 메모리일 수 있다. 외부 보상 회로(70)는 타이밍 컨트롤러(60)에 내장될 수 있다.The
기준 전압 생성부(80)는 기준 전압을 생성하여 소스 드라이버 IC(21)들에 공급한다. 기준 전압 생성부(80)는 센싱 모드에서 센싱 전압 범위 설정을 위한 로우 전압 또는 하이 전압을 생성한다. 기준 전압 생성부(80)는 기준 전압 이외에도 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동에 필요한 구동 전압들을 생성하여 필요한 구성들에 공급할 수 있다.The
타이밍 컨트롤러(60), 외부 보상 회로(70), 및 기준 전압 생성부(80)는 제어 인쇄 회로 보드(90)에 실장될 수 있다. 제어 인쇄 회로 보드(90)는 연성 케이블(91)에 의해 소스 인쇄 회로 보드(50)에 연결될 수 있다.The
본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치는 센싱 모드에서 센싱된 센싱 데이터(SD)를 이용하여 디지털 비디오 데이터(DATA)를 보상 비디오 데이터(CDATA)로 변환한다. 그 결과, 본 출원은 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 문턱 전압, 각각의 구동 트랜지스터의 전자 이동도, 및 유기 발광 다이오드의 열화를 보상할 수 있다.The organic light emitting diode display according to the present application converts digital video data DATA into compensation video data CDATA by using the sensed data SD sensed in the sensing mode. As a result, the present application may compensate for the threshold voltage of each driving transistor of the pixels P, the electron mobility of each driving transistor, and deterioration of the organic light emitting diode.
도 3은 본 출원의 일 예에 따른 화소(P), 소스 드라이버 IC(21), 기준 전압 생성부(80), 및 아날로그-디지털 컨버터(Analog-Digital Converter, ADC)(140)를 나타낸 회로도이다. 도 3에서는 설명의 편의를 위해 제 j(j는 1쩟j≤?m을 만족하는 양의 정수) 데이터 라인(Dj), 제 j 기준 전압 라인(Rj), 제 k(k는 1쩟k≤?n을 만족하는 양의 정수) 스캔 라인(Sk), 및 제 k 센싱 신호 라인(SEk)에 접속된 서브 화소, 소스 드라이버 IC(21), 기준 전압 생성부(80), 아날로그-디지털 컨버터(140), 제 1 스위치(SW1), 및 제 2 스위치(SW2)만을 도시하였다.3 is a circuit diagram illustrating a pixel P, a
도 3를 참조하면, 화소(P)는 유기 발광 다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DT), 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the pixel P may include an organic light emitting diode OLED, a driving transistor DT, first and second switching transistors ST1 and ST2 , and a storage capacitor Cst.
유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)를 통해 공급되는 전류에 따라 발광한다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 애노드 전극(anode electrode), 정공 수송층(hole transporting layer), 유기 발광층(organic light emitting layer), 전자 수송층(electron transporting layer), 및 캐소드 전극(cathode electrode)을 포함할 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 애노드 전극과 캐소드 전극에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기 발광층으로 이동되며, 유기 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다. 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속되고, 캐소드 전극은 고전위 전원 전압(ELVDD)보다 낮은 저전위 전원 전압(ELVSS)을 공급받는다.The organic light emitting diode OLED emits light according to a current supplied through the driving transistor DT. An organic light emitting diode (OLED) may include an anode electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and a cathode electrode. have. In an organic light emitting diode (OLED), when a voltage is applied to an anode electrode and a cathode electrode, holes and electrons move to the organic light emitting layer through the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and combine with each other in the organic light emitting layer to emit light. The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the source electrode of the driving transistor DT, and the cathode electrode receives the low potential power supply voltage ELVSS lower than the high potential power supply voltage ELVDD.
구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극과 소스 전극의 전압 차에 따라 고전위 전원 전압(ELVDD) 라인으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 조정한다. 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극은 제 1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 제 1 전극에 접속되고, 소스 전극은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극에 접속되며, 드레인 전극은 고전위 전원 전압(ELVDD) 라인에 접속될 수 있다.The driving transistor DT adjusts a current flowing from the high potential power supply voltage ELVDD line to the organic light emitting diode OLED according to a voltage difference between the gate electrode and the source electrode. The gate electrode of the driving transistor DT is connected to the first electrode of the first switching transistor ST1 , the source electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED, and the drain electrode is connected to the high potential power supply voltage ELVDD. can be connected to the line.
제 1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제 k 스캔 라인(Sk)의 제 k 스캔 신호에 의해 턴-온 되어 제 j 데이터 라인(Dj)을 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 접속시킨다. 제 1 스위칭 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제 k 스캔 라인(Sk)에 접속되고, 제 1 전극은 제 1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트 전극에 접속되며, 제 2 전극은 제 j 데이터 라인(Dj)에 접속될 수 있다.The first switching transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal of the k-th scan line Sk to connect the j-th data line Dj to the gate electrode of the driving transistor DT. The gate electrode of the first switching transistor T1 is connected to the k-th scan line Sk, the first electrode is connected to the gate electrode of the first driving transistor DT1, and the second electrode is connected to the j-th data line Dj. ) can be connected to
제 2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제 k 센싱 신호 라인(SEk)의 제 k 센싱 신호에 의해 턴-온 되어 제 j 기준 전압 라인(Rj)을 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속시킨다. 제 2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 게이트 전극은 제 k 센싱 신호 라인(SEk)에 접속되고, 제 1 전극은 제 j 기준 전압 라인(Rj)에 접속되며, 제 2 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속될 수 있다.The second switching transistor ST2 is turned on by the k-th sensing signal of the k-th sensing signal line SEk to connect the j-th reference voltage line Rj to the source electrode of the driving transistor DT. The gate electrode of the second switching transistor ST2 is connected to the k-th sensing signal line SEk, the first electrode is connected to the j-th reference voltage line Rj, and the second electrode is the source of the driving transistor DT. can be connected to the electrode.
제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2) 각각의 제 1 전극은 소스 전극이고, 제 2 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2) 각각의 제 1 전극은 드레인 전극이고, 제 2 전극은 소스 전극일 수 있다.A first electrode of each of the first and second switching transistors ST1 and ST2 may be a source electrode, and the second electrode may be a drain electrode, but it should be noted that the present invention is not limited thereto. That is, a first electrode of each of the first and second switching transistors ST1 and ST2 may be a drain electrode, and a second electrode may be a source electrode.
스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압과 소스 전압의 차전압을 저장한다.The storage capacitor Cst is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT. The storage capacitor Cst stores a difference voltage between the gate voltage and the source voltage of the driving transistor DT.
구동 트랜지스터(DT)와 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 박막 트랜지스터(thin film transistor)로 형성될 수 있다. 또한, 도 3에서는 구동 트랜지스터(DT)와 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)이 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다. 구동 트랜지스터(DT)와 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 P 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있다.The driving transistor DT and the first and second switching transistors ST1 and ST2 may be formed of thin film transistors. In addition, in FIG. 3 , the driving transistor DT and the first and second switching transistors ST1 and ST2 have been mainly described as being formed of an N-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), but it should be noted that the present invention is not limited thereto. shall. The driving transistor DT and the first and second switching transistors ST1 and ST2 may be formed of a P-type MOSFET.
소스 드라이버 IC(21)는 표시 모드에서 데이터 타이밍 제어 신호(DCS)에 따라 보상 비디오 데이터(CDATA)를 데이터 전압들로 변환하여 데이터 라인들(D1~Dm)에 공급한다. 표시 모드는 화소(P)들이 발광하여 화상을 표시하는 모드이다. 데이터 전압은 화소(P)의 유기 발광 다이오드(OLED)를 소정의 휘도로 발광시키기 위한 전압이다.The
소스 드라이버 IC(21)는 센싱 모드에서 데이터 타이밍 제어 신호(DCS)에 따라 센싱 비디오 데이터(PDATA)를 센싱 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인들(D1~Dm)에 공급한다. 센싱 모드는 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하기 위해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압을 센싱하는 문턱 전압 보상 모드, 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 전자 이동도를 보상하기 위해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압을 센싱하는 모빌리티 보상 모드, 및 화소(P)들 각각의 유기 발광 다이오드의 열화를 보상하기 위해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압을 센싱하는 열화 보상 모드 중 어느 하나가 될 수 있다.The
아날로그-디지털 컨버터(140)는 센싱 모드에서 기준 전압 라인들(R1~Rp)로부터 센싱되는 전압들을 디지털 데이터인 센싱 데이터(SD)로 변환하여 외부 보상 회로(70)로 출력한다.In the sensing mode, the analog-to-
제 1 스위치(SW1)는 기준 전압 라인들(R1~Rp)과 기준 전압 생성부(80) 사이에 접속되어 기준 전압 라인들(R1~Rp)과 기준 전압 생성부(80) 사이의 접속을 스위칭한다. 제 1 스위치(SW1)는 타이밍 컨트롤러(60)로부터 입력되는 제 1 스위치 제어 신호(SCS1)에 의해 턴-온 및 턴-오프될 수 있다. 제 1 스위치(SW1)가 제 1 스위치 제어 신호(SCS1)에 의해 턴-온 되는 경우 기준 전압 라인들(R1~Rp)은 기준 전압 생성부(80)에 접속되므로, 기준 전압 생성부(80)에서 생성한 기준 전압이 기준 전압 라인들(R1~Rp)에 공급될 수 있다.The first switch SW1 is connected between the reference voltage lines R1 to Rp and the
제 2 스위치(SW2)들은 기준 전압 라인들(R1~Rp)과 아날로그-디지털 컨버터(140) 사이에 접속되어 기준 전압 라인들(R1~Rp)과 아날로그-디지털 컨버터(140) 사이의 접속을 스위칭한다. 제 2 스위치(SW2)들은 타이밍 컨트롤러(60)로부터 입력되는 제 2 스위치 제어 신호(SCS2)에 의해 턴-온 및 턴-오프될 수 있다. 제 2 스위치(SW2)들이 제 2 스위치 제어 신호(SCS2)에 의해 턴-온 되는 경우 기준 전압 라인들(R1~Rp)은 아날로그-디지털 컨버터(140)에 접속되므로, 기준 전압 라인들(R1~Rp) 각각을 통해 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 소스 전압이 센싱될 수 있다.The second switches SW2 are connected between the reference voltage lines R1 to Rp and the analog-to-
도 4는 센싱 모드에서 화소(P)에 공급되는 스캔 신호(SCANk), 센싱 신호(SENSk), 제 1 스위치 제어 신호(SCS1), 제 2 스위치 제어 신호(SCS2), 게이트 전압(Vg), 및 소스 전압(Vs)을 나타낸 파형도이다.4 is a scan signal SCANk, a sensing signal SENSk, a first switch control signal SCS1, a second switch control signal SCS2, a gate voltage Vg, and It is a waveform diagram showing the source voltage (Vs).
센싱 모드에서 1 프레임 기간은 제 1 및 제 2 기간들(t1, t2)을 포함할 수 있다. 제 1 기간(t1)은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극을 기준 전압(VREF)으로 초기화하는 기간이다. 제2 기간(t2)은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 센싱 데이터 전압(SVdata)을 인가하고, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압을 센싱하는 기간이다.In the sensing mode, one frame period may include first and second periods t1 and t2. The first period t1 is a period in which the source electrode of the driving transistor DT is initialized to the reference voltage VREF. The second period t2 is a period in which the sensing data voltage SVdata is applied to the gate electrode of the driving transistor DT and the source voltage of the driving transistor DT is sensed.
제 k 스캔 라인(Sk)의 제 k 스캔 신호(SCANk)는 제 2 기간(t2) 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다. 제 k 스캔 라인(Sk)의 제 k 스캔 신호(SCANk)가 제 1 기간(t1) 동안 게이트 오프 전압(Voff)으로 공급되는 것을 예시하였으나, 게이트 온 전압(Von)으로 공급될 수도 있다. 제 k 센싱 신호 라인(SEk)의 제 k 센싱 신호(SENSk)는 제 1 및 제 2 기간들(t1, t2) 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다. 화소(P)의 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 게이트 온 전압(Von)에 의해 턴-온 되고, 게이트 오프 전압(Voff)에 의해 턴-오프 될 수 있다.The k-th scan signal SCANk of the k-th scan line Sk is supplied as the gate-on voltage Von during the second period t2. Although it has been exemplified that the k-th scan signal SCANk of the k-th scan line Sk is supplied as the gate-off voltage Voff during the first period t1, it may also be supplied as the gate-on voltage Von. The k-th sensing signal SENSk of the k-th sensing signal line SEk is supplied as the gate-on voltage Von during the first and second periods t1 and t2. The first and second switching transistors ST1 and ST2 of the pixel P may be turned on by the gate-on voltage Von and turned off by the gate-off voltage Voff.
제 1 스위치 제어 신호(SCS1)는 제 1 기간(t1) 동안 제 1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급되고, 제2 기간(t2) 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급된다. 제 2 스위치 제어 신호(SCS2)는 제 1 기간(t1) 동안 제 2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급되고, 제 2 기간(t2) 동안 제 1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급된다. 제 1 및 제 2 스위치들(SW1, SW2) 각각은 제 1 로직 레벨 전압에 의해 턴-온 되고, 제 2 로직 레벨 전압에 의해 턴-오프 될 수 있다.The first switch control signal SCS1 is supplied as the first logic level voltage V1 during the first period t1 and is supplied as the second logic level voltage V2 during the second period t2. The second switch control signal SCS2 is supplied as the second logic level voltage V2 during the first period t1 and is supplied as the first logic level voltage V1 during the second period t2. Each of the first and second switches SW1 and SW2 may be turned on by the first logic level voltage and turned off by the second logic level voltage.
도 5는 본 출원의 일 예에 따른 화소의 제 1 기간(t1)의 구동을 나타낸 회로도이다.5 is a circuit diagram illustrating driving of a pixel during a first period t1 according to an example of the present application.
제1 기간(t1) 동안 제 1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제 k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제 k 스캔 신호(SCANk)에 의해 턴-오프 된다. 제 2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제 k 센싱 신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제 k 센싱 신호(SENSk)에 의해 턴-온 된다. 제 1 기간(t1) 동안 제 1 스위치(SW1)는 제 1 로직 레벨 전압(V1)의 제 1 스위치 제어 신호(SCS1)에 의해 턴-온 된다. 제 2 스위치(SW2)는 제 2 로직 레벨 전압(V2)의 제 2 스위치 제어 신호(SCS2)에 의해 턴-오프 된다.During the first period t1 , the first switching transistor ST1 is turned off by the k-th scan signal SCANk of the gate-off voltage Voff supplied to the k-th scan line Sk. The second switching transistor ST2 is turned on by the k-th sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th sensing signal line SEk. During the first period t1 , the first switch SW1 is turned on by the first switch control signal SCS1 of the first logic level voltage V1 . The second switch SW2 is turned off by the second switch control signal SCS2 of the second logic level voltage V2.
제 1 기간(t1) 동안 제 1 스위치(SW1)의 턴-온 으로 인해 제 j 기준 전압 라인(Rj)에는 기준 전압 생성부(80)로부터 기준 전압(VREF)이 공급된다. 제 1 기간(t1) 동안 제 2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제 j 기준 전압 라인(Rj)의 기준 전압(VREF)이 공급된다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 기준 전압(VREF)으로 초기화된다.The reference voltage VREF is supplied from the
도 6은 본 출원의 일 예에 따른 화소의 제 2 기간(t)의 구동을 나타낸 회로도이다.6 is a circuit diagram illustrating driving of a pixel for a second period t according to an example of the present application.
제 2 기간(t2) 동안 제 1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제 k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제 k 스캔 신호(SCANk)에 의해 턴-온 된다. 제 2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제 k 센싱 신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제 k 센싱 신호(SENSk)에 의해 턴-온 된다. 제 2 기간(t2) 동안 제 1 스위치(SW1)는 제 2 로직 레벨 전압(V2)의 제 1 스위치 제어 신호(SCS1)에 의해 턴-오프 된다. 제 2 스위치(SW2)는 제 1 로직 레벨 전압(V1)의 제 2 스위치 제어 신호(SCS2)에 의해 턴-온 된다.During the second period t2 , the first switching transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th scan line Sk. The second switching transistor ST2 is turned on by the k-th sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th sensing signal line SEk. During the second period t2 , the first switch SW1 is turned off by the first switch control signal SCS1 of the second logic level voltage V2 . The second switch SW2 is turned on by the second switch control signal SCS2 of the first logic level voltage V1 .
제 2 기간(t2) 동안 제 1 스위치(SW1)의 턴-오프로 인해 제 j 기준 전압 라인(Rj)에는 기준 전압(VREF)이 공급되지 않는다. 또한, 제 2 기간(t2) 동안 제 2 스위치(SW2)의 턴-온으로 인해 기준 전압 라인(Rj)은 아날로그-디지털 컨버터(140)에 접속된다. 제 2 기간(t2) 동안 제 1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 센싱 데이터 전압(SVdata)이 공급된다. 제 2 기간(t2) 동안 제 2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 제 j 기준 전압 라인(Rj)을 통해 아날로그-디지털 컨버터(140)에 접속된다.The reference voltage VREF is not supplied to the j-th reference voltage line Rj due to the turn-off of the first switch SW1 during the second period t2 . In addition, the reference voltage line Rj is connected to the analog-to-
제2 기간(t2) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs=SVdata-VREF)가 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(threshold voltage, Vth)보다 크기 때문에, 구동 트랜지스터(DT)는 전류를 흘리게 된다.Since the voltage difference (Vgs=SVdata-VREF) between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT during the second period t2 is greater than the threshold voltage Vth of the driving transistor DT, the driving transistor ( DT) flows through the current.
구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압은 "VREF+α"까지 상승한다. α 는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압, 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도, 또는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정도에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 제 2 기간(t2) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압, 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도, 또는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정도가 반영된 전압이 센싱된다.The source voltage of the driving transistor DT rises to “VREF+α”. α may vary depending on the threshold voltage of the driving transistor DT, electron mobility of the driving transistor DT, or the degree of deterioration of the organic light emitting diode (OLED). Accordingly, during the second period t2 , the threshold voltage of the driving transistor DT at the source electrode of the driving transistor DT, the electron mobility of the driving transistor DT, or a voltage reflecting the deterioration degree of the organic light emitting diode (OLED) This is sensed
도 7은 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 시간에 따른 각각의 유기 발광 다이오드 휘도의 변화를 나타낸 그래프이다.7 is a graph illustrating a change in luminance of each organic light emitting diode according to time of the organic light emitting diode display according to the present application.
본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치는 제 1 및 제 2 유기 발광 다이오드(OLED1, OLED2)를 포함한다.The organic light emitting diode display according to the present application includes first and second organic light emitting diodes OLED1 and OLED2.
제 1 유기 발광 다이오드(OLED1)는 표준 OLED 열화 모델에서 예측하는 열화 속도인 표준 열화 속도로 열화되는 경우와 동일하게 시간에 따른 휘도의 감소 현상이 발생한다.In the case of the first organic light emitting diode OLED1 being degraded at the standard degradation rate, which is the degradation rate predicted by the standard OLED degradation model, the luminance decrease with time occurs.
제 2 유기 발광 다이오드(OLED2)는 및 표준 OLED 열화 모델에서 예측하는 열화 속도인 표준 열화 속도보다 빠른 속도로 시간에 따른 휘도의 감소 현상이 발생한다.In the second organic light emitting diode OLED2, a decrease in luminance with time occurs at a faster rate than the standard deterioration rate, which is a deterioration rate predicted by the standard OLED deterioration model.
제 2 유기 발광 다이오드(OLED2)는 설계 또는 내부의 유기 발광층의 결함으로 인하여 쉽게 열화가 발생하거나, 표시 패널(10) 상에서 다른 영역 대비 높은 휘도로 사용되거나 보다 긴 시간 동안 턴-온 상태를 유지하여 열화가 빨리 진행되는 영역에 마련된 유기 발광 다이오드(OLED)일 수 있다. 제 1 구동 시간(T1)이 경과한 이후에 초기 휘도(LV_INI) 대비 제 2 유기 발광 다이오드(OLED2)의 열화로 인한 휘도 감소량(βL')은 제 1 유기 발광 다이오드(OLED1)의 열화로 인한 휘도 감소량(βL) 보다 크다.The second organic light emitting diode OLED2 is easily deteriorated due to design or defects in the organic light emitting layer therein, is used with higher luminance compared to other regions on the
일반적으로 유기 발광 다이오드(OLED)의 공정 편차로 인하여 유기 발광 다이오드의 열화 속도는 각각의 표시 패널(10) 별로 상이하며, 동일한 표시 패널(10) 내에서도 영역 별로 상이하다. 따라서, 하나의 표준 열화 속도로 표현되는 열화 속도 모델로 복수의 표시 패널(10) 또는 하나의 표시 패널(10) 내 복수의 영역의 열화량을 추정하여 열화 보상을 실시할 경우, 열화 모델에서 추정하는 열화량과 실제 표시 패널(10)의 열화량 차이가 발생한다. 열화량 차이가 발생하는 경우, 열화 보상 오차가 발생하며, 열화 보상 후에도 잔상(image sticking) 현상이 나타난다.In general, the degradation rate of an organic light emitting diode (OLED) is different for each
본 출원에서는 표시 패널(10) 별로, 그리고 동일한 표시 패널(10) 내에서도 영역 별로 유기 발광 다이오드(OLED)의 실제 열화 수준을 전기적인 물리량인 고전위 전원 전압(ELVDD)로부터 흐르는 전류의 측정을 통하여 산정한다. 각각의 고전위 전원 전압(ELVDD)로부터 유기 발광 다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 측정한 후, 측정한 전류값으로부터 산정한 보정 계수를 열화량 모델에 반영하여 표시 패널(10) 내 영역 별 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화량을 산정한다. 본 출원은 영역 별 열화량을 이용하여 열화 보상을 실시하여, 열화 속도의 차이로 인한 열화 보상 오차 및 잔상 현상을 방지할 수 있다.In the present application, the actual degradation level of the organic light emitting diode (OLED) is calculated for each
도 8은 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압 및 각각의 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 나타낸 그래프이다.8 is a graph illustrating a source voltage of a driving transistor DT and a current flowing through each organic light emitting diode OLED of the organic light emitting diode display according to the present application.
구동 트랜지스터(DT) 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 I-V 특성 곡선을 도시하였다. 또한 I-V 특성 곡선 상의 구동 시작점 및 고전위 전원 전압(ELVDD)에 따른 전류의 결정 방식을 나타내고 있다.I-V characteristic curves of the driving transistor (DT) and the organic light emitting diode (OLED) are shown. Also, the driving start point on the I-V characteristic curve and the current determination method according to the high potential power supply voltage ELVDD are shown.
표시 모드에서는 유기 발광 다이오드(OLED)가 구동 트랜지스터(DT)의 포화 영역(SAT)에서 구동한다. 포화 영역(SAT)에서는 고전위 전원 전압(ELVDD)의 변화가 있더라도 유기 발광 다이오드(OLED)에 일정한 양의 전류가 흐른다. 하지만, 본 출원은 센싱 모드에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(Vth), 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도, 또는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 특성을 측정하기 위하여 구동 트랜지스터(DT)를 선형 영역(LIN)에서 구동한다.In the display mode, the organic light emitting diode OLED is driven in the saturation region SAT of the driving transistor DT. In the saturation region SAT, a constant amount of current flows through the organic light emitting diode OLED even when the high potential power voltage ELVDD is changed. However, in the present application, the driving transistor DT is used in the sensing mode to measure the threshold voltage Vth of the driving transistor DT, the electron mobility of the driving transistor DT, or the deterioration characteristic of the organic light emitting diode (OLED). It operates in the linear region (LIN).
구동 트랜지스터(DT)의 선형 영역(LIN)에서는 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱 전압(Vth)의 크기가 상이한 경우, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압(VTFT)의 크기가 상이하게 된다.When the threshold voltage Vth of the organic light emitting diode OLED is different in the linear region LIN of the driving transistor DT, the level of the source voltage VTFT of the driving transistor DT is different.
일 예로, 제 1 유기 발광 다이오드(OLED1)의 제 1 문턱 전압(Vth1)의 크기는 제 2 유기 발광 다이오드(OLED2)의 제 2 문턱 전압(Vth1)의 크기보다 작을 수 있다. 이 경우, 제 1 유기 발광 다이오드(OLED1)에 연결된 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압인 제 1 소스 전압(VTFT1)의 크기는 제 2 유기 발광 다이오드(OLED2)에 연결된 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압인 제 2 소스 전압(VTFT2)의 크기보다 클 수 있다. 이 경우, 제 1 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류가 제 2 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류보다 크다. 또한, 제 2 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정도가 심하여 제 2 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류가 감소하였음을 알 수 있다.For example, the level of the first threshold voltage Vth1 of the first organic light emitting diode OLED1 may be smaller than the level of the second threshold voltage Vth1 of the second organic light emitting diode OLED2 . In this case, the level of the first source voltage VTFT1 , which is the source voltage of the driving transistor DT connected to the first organic light emitting diode OLED1 , is the source voltage of the driving transistor DT connected to the second organic light emitting diode OLED2 . may be greater than the magnitude of the second source voltage VTFT2. In this case, the current flowing through the first organic light emitting diode OLED is greater than the current flowing through the second organic light emitting diode. Also, it can be seen that the degree of deterioration of the second organic light emitting diode (OLED) is severe, and thus the current flowing through the second organic light emitting diode (OLED) is reduced.
구동 트랜지스터(DT)를 선형 영역(LIN)에서 구동하기 위하여, 센싱 모드에서는 표시 모드에서 유기 발광 다이오드(OLED)의 구동에 사용되는 고전위 전원 전압(ELVDD) 보다 작은 전압을 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극에 공급한다.In order to drive the driving transistor DT in the linear region LIN, in the sensing mode, a voltage smaller than the high potential power voltage ELVDD used to drive the organic light emitting diode OLED in the display mode is applied to the driving transistor DT. supplied to the drain electrode.
도 9는 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 보상 회로(200), 복수의 구동 트랜지스터들(DT1~DTk), 및 복수의 유기 발광 다이오드들(OLED1~OLEDk)을 나타낸 평면도이다.9 is a plan view illustrating a
보상 회로(200)는 고전위 전원 전압(ELVDD)보다 작은 전압을 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 공급하고, 표시 패널(10) 내 영역 별로 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화량을 측정한다. 본 출원에 따른 보상 회로(200)는 제 1 전원 전압 공급부(ELVDD1), 제 2 전원 전압 공급부(ELVDD2), 제 1 및 제 2 제어 스위치(SWC1, SWC2), 연산 증폭기(210), 피드백 저항(RF)을 포함한다.The
제 1 전원 전압 공급부(ELVDD1)는 고전위 전원 전압(ELVDD)을 공급한다. 제 1 전원 전압 공급부(ELVDD1)는 전원 관리 집적 회로(Power Management Integrated Circuit, PMIC)와 연결되어 전원 관리 집적 회로에서 생성한 고전위 전원 전압을 전달하는 라인일 수 있다. 고전위 전원 전압(ELVDD)은 표시 모드에서 표시 패널(10)을 구동하는 고전위 전원 전압(ELVDD)과 동일한 전압이다. 이에 따라, 제 1 전원 전압 공급부(ELVDD1)는 표시 모드에서 복수의 구동 트랜지스터들(DT1~DTk) 및 복수의 유기 발광 다이오드들(OLED1~OKEDk)을 구동할 수 있다.The first power supply voltage ELVDD1 supplies the high potential power voltage ELVDD. The first power supply voltage ELVDD1 may be a line that is connected to a power management integrated circuit (PMIC) and transmits a high potential power voltage generated by the power management integrated circuit. The high potential power voltage ELVDD is the same voltage as the high potential power voltage ELVDD driving the
제 2 전원 전압 공급부(ELVDD2)는 고전위 전원 전압(ELVDD)보다 작은 전압인 센싱 전원 전압을 공급한다. 제 2 전원 전압 공급부(ELVDD2)는 전원 관리 집적 회로(Power Management Integrated Circuit, PMIC)와 연결되어 전원 관리 집적 회로에서 생성한 구동 전원 전압들 중 하나를 이용하여 센싱 전원 전압을 생성할 수 있다. 센싱 전원 전압은 고전위 전원 전압(ELVDD)보다 작은 전압이며, 복수의 구동 트랜지스터들(DT1~DTk)이 선형 영역(LIN)에서 동작하도록 하는 전압이다. 이에 따라, 보상 회로(200)는 센싱 모드에서 복수의 구동 트랜지스터들(DT1~DTk)의 문턱 전압, 복수의 구동 트랜지스터들(DT1~DTk)의 전자 이동도, 또는 복수의 유기 발광 다이오드들(OLED1~OKEDk)의 열화 정도를 센싱할 수 있다.The second power supply voltage supply unit ELVDD2 supplies a sensing power supply voltage that is smaller than the high potential power supply voltage ELVDD. The second power voltage supply ELVDD2 may be connected to a power management integrated circuit (PMIC) to generate a sensing power voltage using one of the driving power voltages generated by the power management integrated circuit. The sensing power supply voltage is a voltage smaller than the high potential power supply voltage ELVDD, and is a voltage that causes the plurality of driving transistors DT1 to DTk to operate in the linear region LIN. Accordingly, in the sensing mode, the
제 1 제어 스위치(SWC1)는 제 1 전원 전압 공급부(ELVDD1)와 복수의 구동 트랜지스터들(DT1~DTk)을 연결한다. 제 1 제어 스위치(SWC1)는 제 1 발광 신호(EL1)에 의해 턴-온 되어 제 1 전원 전압 공급부(ELVDD1)가 복수의 구동 트랜지스터들(DT)에 고전위 전원 전압(ELVDD)을 공급할 수 있도록 한다. 제 1 제어 스위치(SWC1)는 P형 MOS 트랜지스터로 구현할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 제 1 제어 스위치(SWC1)는 제어 신호에 의해 턴-온 및 턴-오프를 제어할 수 있는 회로 소자로 구현할 수 있다.The first control switch SWC1 connects the first power supply voltage supply ELVDD1 and the plurality of driving transistors DT1 to DTk. The first control switch SWC1 is turned on by the first light emitting signal EL1 so that the first power voltage supply unit ELVDD1 supplies the high potential power voltage ELVDD to the plurality of driving transistors DT. do. The first control switch SWC1 may be implemented as a P-type MOS transistor. However, the present invention is not limited thereto, and the first control switch SWC1 may be implemented as a circuit element capable of controlling turn-on and turn-off according to a control signal.
제 2 제어 스위치(SWC2)는 제 2 전원 전압 공급부(ELVDD2)와 복수의 구동 트랜지스터들(DT1~DTk)을 연결한다. 제 2 제어 스위치(SWC1)는 제 2 발광 신호(EL2)에 의해 턴-온 되어 제 2 전원 전압 공급부(ELVDD2)가 복수의 구동 트랜지스터들(DT)에 센싱 전원 전압을 공급할 수 있도록 한다. 제 2 제어 스위치(SWC2)는 P형 MOS 트랜지스터로 구현할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 제 2 제어 스위치(SWC2)는 제어 신호에 의해 턴-온 및 턴-오프를 제어할 수 있는 회로 소자로 구현할 수 있다.The second control switch SWC2 connects the second power supply voltage supply unit ELVDD2 and the plurality of driving transistors DT1 to DTk. The second control switch SWC1 is turned on by the second light emitting signal EL2 to allow the second power supply voltage supply ELVDD2 to supply the sensing power voltage to the plurality of driving transistors DT. The second control switch SWC2 may be implemented as a P-type MOS transistor. However, the present invention is not limited thereto, and the second control switch SWC2 may be implemented as a circuit element capable of controlling turn-on and turn-off according to a control signal.
연산 증폭기(210)는 이상적인 오피-앰프(OP-AMP)에 가까운 회로 소자로 구현될 수 있다. 연산 증폭기(210)의 양극 입력 단자는 제 2 전원 전압 공급부(ELVDD2)와 연결된다. 연산 증폭기(210)의 음극 입력 단자는 제 2 제어 스위치(SWC2)와 연결된다. 연산 증폭기(210)의 출력 단자는 아날로그-디지털 컨버터(140)와 연결된다.The
연산 증폭기(210)는 양극 입력 단자와 음극 입력 단자의 전압을 동일하게 유지하는 특성이 있다. 이에 따라, 연산 증폭기(210)는 제 2 전원 전압 공급부(ELVDD2)에서 공급한 센싱 전원 전압을 제 2 제어 스위치(SWC2)에 전달할 수 있다.The
피드백 저항(RF)은 연산 증폭기(210)의 음극 입력 단자와 연산 증폭기(210)의 출력 단자 사이에 연결된다. 연산 증폭기(210)의 음극 입력 단자를 통해서는 전류가 흐르지 않는다. 따라서, 연산 증폭기(210)의 음극 입력 단자와 출력 단자를 라인으로 연결하여야 전류를 피드백 받아서 아날로그-디지털 컨버터(140)에 전달할 수 있다. 피드백 저항(RF)은 연산 증폭기(210)의 음극 입력 단자와 출력 단자를 연결하는 라인 상에 배치된다.The feedback resistor RF is connected between the negative input terminal of the
본 출원의 보상 회로(200)는 표시 패널(10)에 공급하는 구동 전원을 표시 모드와 센싱 모드에 따라 2가지로 구별하였다. 표시 모드에서는 표시 패널(10)의 화상을 표시하는 구동을 위한 고전위 전원 전원(ELVDD)을 공급한다. 센싱 모드에서는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화량을 측정하기 위한 센싱 전원 전압을 공급한다.In the
따라서, 표시 모드 시에는 제 1 전원 전압 공급부(ELVDD1)에서 고전위 전원 전압(ELVDD)를 공급하고, 센싱 모드 시에는 제 2 전원 전압 공급부(ELVDD2)에서 고전위 전원 전압(ELVDD)보다 낮은 센싱 전원 전압을 공급할 수 있어야 한다. 이를 위해, 제 1 및 제 2 제어 스위치(SWC1, SWC2)를 통해 제 1 및 제 2 전원 전압 공급부(ELVDD1, ELVDD2)를 선택적으로 표시 패널(10)에 연결할 수 있다.Accordingly, in the display mode, the first power supply voltage ELVDD1 supplies the high potential power supply voltage ELVDD, and in the sensing mode, the second power supply voltage supply unit ELVDD2 supplies a sensing power lower than the high potential power supply voltage ELVDD. It must be able to supply voltage. To this end, the first and second power supply voltage supplies ELVDD1 and ELVDD2 may be selectively connected to the
제 2 전원 전압 공급부(ELVDD2)에서 센싱 전원 전압을 공급하여 구동 트랜지스터(DT)를 선형 영역(LIN)에서 구동하는 경우 보상 회로(200)는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화량을 측정할 수 있다. 센싱 전원 전압에 대응하여 보상 회로(200)에서 소정의 전류가 측정된다. 측정된 전류는 연산 증폭기(210)를 통하여 피드백 저항(RF)에 의해 센싱 전압으로 산정된다. 센싱 전압은 아날로그-디지털 컨버터(140)에 의하여 디지털 값으로 변환된다. 디지털 값으로 변환된 센싱 데이터(SD)는 디지털 비디오 데이터(DATA)를 보상 디지털 비디오 데이터(CDATA)로 보정하기 위한 열화 보상 게인을 산정하는 데 사용된다.When the driving transistor DT is driven in the linear region LIN by supplying the sensing power voltage from the second power supply voltage supply ELVDD2, the
보상 회로(200)는 전원 관리 집적 회로에 내장될 수 있다. 또는, 보상 회로(200)는 소스 드라이버 IC(21)에 내장될 수 있다. 또는, 보상 회로(200)는 별도의 개별 소자들로 구성되어, 소스 인쇄 회로 보드(50) 상에 배치될 수도 있다.The
도 10은 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 보상 회로(200)의 구동을 나타낸 파형도이다.10 is a waveform diagram illustrating driving of the
본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치는 구동 중 센싱 모드(SEN)와 표시 모드(DIS)를 갖는다. 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 제 1 및 제 2 제어 스위치(SWC1, SWC2)는 P형 MOS 트랜지스터인 경우를 예시하였으므로, 하이 로직 레벨의 신호를 게이트 전극에 입력받는 경우 턴-오프 되고, 로우 로직 레벨의 신호를 게이트 전극에 입력받는 경우 턴-온 된다.The organic light emitting diode display according to the present application has a sensing mode (SEN) and a display mode (DIS) during driving. Since the case where the first and second control switches SWC1 and SWC2 of the organic light emitting diode display according to the present application is a P-type MOS transistor is exemplified, when a high logic level signal is input to the gate electrode, the first and second control switches are turned off and turned off. It is turned on when a logic level signal is input to the gate electrode.
센싱 모드(SEN)에서는 제 1 발광 신호(EL1)는 하이 로직 레벨 상태를 유지하여 제 1 제어 스위치(SWC1)를 턴-오프 시킨다. 제 2 발광 신호(EL2)는 로우 로직 레벨을 유지하여 제 2 제어 스위치(SWC2)를 턴-온 시킨다. 이에 따라, 센싱 모드(SEN)에서는 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극이 제 2 전원 전압 공급부(ELVDD2)가 연결되어 센싱 전원 전압을 공급받는다.In the sensing mode SEN, the first light emitting signal EL1 maintains a high logic level state to turn off the first control switch SWC1. The second light emitting signal EL2 maintains a low logic level to turn on the second control switch SWC2 . Accordingly, in the sensing mode SEN, the drain electrode of the driving transistor DT is connected to the second power supply voltage supply ELVDD2 to receive the sensing power voltage.
표시 모드(DIS)에서는 제 1 발광 신호(EL1)는 로우 로직 레벨을 유지하여 제 1 제어 스위치(SWC1)를 턴-온 시킨다. 제 2 발광 신호(EL2)는 하이 로직 레벨을 유지하여 제 2 제어 스위치(SWC2)를 턴-오프 시킨다. 이에 따라, 표시 모드(DIS)에서는 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극이 제 1 전원 전압 공급부(ELVDD1)가 연결되어 고전위 전원 전압(ELVDD)을 공급받는다.In the display mode DIS, the first light emitting signal EL1 maintains a low logic level to turn on the first control switch SWC1. The second light emission signal EL2 maintains a high logic level to turn off the second control switch SWC2. Accordingly, in the display mode DIS, the drain electrode of the driving transistor DT is connected to the first power supply voltage supply ELVDD1 to receive the high potential power voltage ELVDD.
데이터 전압(Vdata)은 데이터 라인들(D1~Dm) 상에서 1 프레임 구간(1 frame)과 블랭크 구간(BP)을 반복하면서 센싱 모드(SEN)와 표시 모드(DIS)에서 입력된다.The data voltage Vdata is input in the sensing mode SEN and the display mode DIS while repeating one frame period and a blank period BP on the data lines D1 to Dm.
아날로그-디지털 컨버터(ADC)의 출력 데이터인 ADC는 센싱 모드(SEN)의 블랭크 구간(BP)에서만 출력되고, 센싱 모드(SEN)의 1 프레임 구간(1 frame) 및 표시 모드(DIS)에서는 출력되지 않는다.ADC, which is the output data of the analog-to-digital converter (ADC), is output only in the blank section (BP) of the sensing mode (SEN), and is not output in the 1 frame section (1 frame) and the display mode (DIS) of the sensing mode (SEN). does not
본 출원의 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화량의 측정을 위한 센싱 구간(SEN)에서 제 1 제어 스위치(SWC1)는 턴-오프 되고 제 2 제어 스위치(SWC2)는 턴-온 된다. 이에 따라 센싱 모드(SEN)에서 표시 패널(10)에 센싱 전원 전압을 공급할 수 있다. 디지털 비디오 데이터(DATA)는 순차적으로 1 프레임 구간(1 frame)씩 입력된다. 각각의 1 프레임 구간(1 frame)의 구동 후에 블랭크 구간(BP)에서 아날로그-디지털 컨버터(140)를 통하여 제 2 전원 전압 공급부(ELVDD2)에 흐르는 전류의 측정이 이루어진다.In the sensing period SEN for measuring the amount of deterioration of the organic light emitting diode (OLED) of the present application, the first control switch SWC1 is turned off and the second control switch SWC2 is turned on. Accordingly, the sensing power voltage may be supplied to the
측정을 완료한 후에 센싱 구간(SEN)이 종료되고 표시 모드(DIS)가 진행된다. 표시 모드(DIS)에서는 제 1 제어 스위치(SWC1)는 턴-온 되고 제 2 제어 스위치(SWC2)는 턴-오프 된다. 이에 따라 표시 모드(DIS)에서 표시 패널(10)에 고전위 전원 전압(ELVDD)을 공급할 수 있다.After completing the measurement, the sensing period (SEN) ends and the display mode (DIS) proceeds. In the display mode DIS, the first control switch SWC1 is turned on and the second control switch SWC2 is turned off. Accordingly, the high potential power voltage ELVDD may be supplied to the
본 출원의 측정 및 구동 타이밍은 사용자가 유기 발광 표시 장치의 전원을 켜서 구동이 시작되는 시점에 이루어 질 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치의 구동 중에 진행될 수도 있으며, 구동이 끝나는 시점에서 이루어 질 수도 있다.The measurement and driving timing according to the present application may be performed when the user turns on the power of the organic light emitting display device and driving starts. In addition, the process may be performed while the organic light emitting display device is being driven, or may be performed when the driving is finished.
도 11은 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시 패널(10)의 보상 방식을 나타낸 평면도이다.11 is a plan view illustrating a compensation method of the
본 출원에 따른 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화량의 추정을 위한 전류 측정은 표시 패널(10) 상에서 영역 별로 이루어진다. 표시 패널(10)의 표시 영역(DA) 전체를 가로 m(m은 2 이상의 정수)개, 세로 n(n은 2 이상의 정수)개로 이루어진 복수의 영역(a11~anm)으로 나눈다. 이후, 복수의 영역(a11~anm)을 순차적으로 열화량을 측정한다. 이를 위해 복수의 영역(a11~anm) 각각을 순차적으로 일정한 계조를 갖는 디지털 비디오 데이터(DATA)를 공급하여 구동시킨다. 열화량을 측정하고자 하는 측정 대상 영역을 제외한 다른 영역은 블랙 계조를 갖는 디지털 비디오 데이터(DATA)를 공급한다.Current measurement for estimating the amount of deterioration of the organic light emitting diode (OLED) according to the present application is performed for each area on the
열화량을 측정하고자 하는 측정 대상 영역에 마련된 구동 트랜지스터(DT)가 선형 영역(LIN)에서 동작 가능하도록 센싱 전원 전압을 인가한다. 이 때, 제 2 전원 전압 공급부(ELVDD2)를 통하여 흐르는 전류를 보상 회로(200)를 통하여 측정한다. 복수의 영역(a11~anm) 별로 구동시키면서 전류를 측정하여 복수의 영역(a11~anm) 각각에 대한 측정 전류값을 확보할 수 있다.A sensing power voltage is applied so that the driving transistor DT provided in the measurement target region for which the degradation amount is to be measured is operable in the linear region LIN. At this time, a current flowing through the second power supply voltage supply unit ELVDD2 is measured through the
표시 패널(10)의 출하 초기에 측정을 실시하여 유기 발광 다이오드(OLED)에 열화가 발생하기 이전에 각각의 표시 패널(10) 별로, 그리고 표시 패널(10) 내 영역 별로 측정 전류 데이터를 확보한다. 한편, 사용자가 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치를 사용하는 경우에도 설정된 시기마다, 일 예로 유기 발광 표시 장치의 턴-온 시에도 표시 패널(10)의 영역 별로 센싱 작업을 수행하면서 전류를 측정한다. 측정한 전류 값을 표시 패널(10)의 출하 초기에 확보한 측정 전류값과 비교하여, 전류값의 차이로부터 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정도를 계산할 수 있다.Measurement is performed at the initial stage of shipment of the
도 12는 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 문턱 전압의 변화와 유기 발광 다이오드의 열화 사이의 관계를 나타낸 그래프이다.12 is a graph illustrating a relationship between a change in a threshold voltage of an organic light emitting diode display and deterioration of an organic light emitting diode according to the present application.
하나의 표시 패널(10) 내에서도 영역 별로 다르게 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화가 발생한다. 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화량을 측정하기 위해 센싱 전원 전압에 따른 측정 전류값의 변화가 있고, 그러한 측정 전류값의 변화로부터 문턱 전압 변화량(ΔVth)을 계산할 수 있다. 또한, 휘도계를 사용하여 표시 패널(10)의 영역 별로 휘도의 변화량을 측정하여, 휘도 열화량(ΔL)을 산출할 수 있다. 결과적으로, 문턱 전압 변화량(ΔVth)과 휘도 열화량(ΔL)의 상관 관계를 확인할 수 있다.Even within one
사전에 측정을 통하여 확보한 문턱 전압 변화량(ΔVth)과 휘도 열화량(ΔL)의 상관 관계를 이용하면 유기 발광 다이오드(OLED)의 구동 시 각각의 영역별로 측정한 문턱 전압 변화량(ΔVth)으로부터 각각의 영역 별로 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화량의 편차를 보정할 수 있는 계수를 산출할 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화량의 편차를 보정할 수 있는 계수는 표시 패널(10) 별로 또는 표시 패널(10) 내 영역 별로 발생하는 열화 정도의 차이를 반영한 값이 된다. 따라서, 각각의 표시 패널(10) 별로 또는 표시 패널(100) 내 각각의 영역 별로 열화량의 편차를 보정할 수 있는 계수를 표준 열화량 모델에 반영하여 열화량을 산정할 수 있다.Using the correlation between the threshold voltage change amount (ΔVth) and the luminance deterioration amount (ΔL) secured through measurement in advance, each A coefficient capable of correcting a deviation in the amount of deterioration of the organic light emitting diode (OLED) for each region may be calculated. The coefficient for correcting the deviation in the amount of deterioration of the organic light emitting diode (OLED) is a value that reflects the difference in the degree of deterioration occurring for each
본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치와 그의 구동 방법은 표시 패널 별 또는 하나의 표시 패널 내 영역 별로 대응하는 열화 모델을 갖는다. 편차를 보정한 모델을 이용하여 열화 보상을 실시하는 경우, 유기 발광 다이오드(OLED)의 공정 편차에 의한 열화 속도의 차이로 인한 열화 보상 오차 및 이에 따른 잔상 현상을 방지할 수 있다.The organic light emitting diode display and the driving method thereof according to the present application have a deterioration model corresponding to each display panel or each area within one display panel. When deterioration compensation is performed using a model in which deviation is corrected, deterioration compensation error due to a difference in deterioration rate due to process deviation of the organic light emitting diode (OLED) and an afterimage phenomenon may be prevented.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치를 상세하게 설명하였으나, 본 출원은 반드시 이러한 예로 국한되는 것은 아니고, 본 출원의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 그러므로, 본 출원의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 출원의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the organic light emitting display device according to the present application has been described in detail above with reference to the accompanying drawings, the present application is not necessarily limited to this example, and various modifications may be made within the scope without departing from the technical spirit of the present application. . Therefore, the protection scope of the present application should be construed by the claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present application.
10: 표시 패널 20: 데이터 구동부
21: 소스 드라이버 IC 22: 연성 필름
40: 게이트 구동부 41: 스캔 신호 출력부
42: 센싱 신호 출력부 50: 소스 인쇄 회로 보드
60: 타이밍 컨트롤러 70: 외부 보상 회로
80: 기준 전압 생성부 90: 제어 인쇄 회로 보드
91: 연성 케이블 140: 아날로그-디지털 컨버터
200: 보상 회로
ELVDD1, ELVDD2: 제 1 및 제 2 전원 전압 공급부
SWC1, SWC2: 제 1 및 제 2 제어 스위치
210: 연산 증폭기 RF: 피드백 저항10: display panel 20: data driver
21: source driver IC 22: flexible film
40: gate driver 41: scan signal output unit
42: sensing signal output unit 50: source printed circuit board
60: timing controller 70: external compensation circuit
80: reference voltage generator 90: control printed circuit board
91: flexible cable 140: analog-to-digital converter
200: compensation circuit
ELVDD1, ELVDD2: first and second power supply voltage supplies
SWC1, SWC2: first and second control switches
210: op amp RF: feedback resistor
Claims (22)
상기 제1 트랜지스터에 스캔 신호를 제공하는 스캔 신호 출력부; 및
상기 제2 트랜지스터에 센싱 신호를 제공하는 센싱 신호 출력부를 포함하고,
상기 구동 트랜지스터는 적어도 일부의 구동 구간이 선형 영역으로 동작하는, 유기 발광 표시 장치.a display panel including a plurality of pixels, each pixel including a driving transistor, a first transistor, a second transistor, a capacitor connected to a gate electrode of the driving transistor, and an organic light emitting diode;
a scan signal output unit providing a scan signal to the first transistor; and
a sensing signal output unit providing a sensing signal to the second transistor;
The organic light emitting diode display device, wherein at least a part of the driving transistor operates as a linear region.
센싱 모드에서,
상기 구동 트랜지스터를 상기 선형 영역으로 동작시키고, 상기 선형 영역으로 동작하는 구동 트랜지스터를 통해 상기 복수의 화소 각각의 전류를 센싱하고, 센싱된 전류로부터 센싱 전압을 생성하여 출력하는 보상 회로를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
In sensing mode,
Further comprising a compensation circuit for operating the driving transistor in the linear region, sensing the current of each of the plurality of pixels through the driving transistor operating in the linear region, and generating and outputting a sensing voltage from the sensed current, organic light emitting display device.
상기 보상 회로는,
상기 구동 트랜지스터와 연결된 전원 라인을 통해 센싱 전원 전압을 공급하여 상기 구동 트랜지스터를 상기 선형 영역으로 동작시키고,
상기 선형 영역으로 동작하는 구동 트랜지스터 및 상기 전원 라인을 이용하여 상기 복수의 화소 각각의 전류를 센싱하는, 유기 발광 표시 장치.3. The method according to claim 2,
The compensation circuit is
A sensing power voltage is supplied through a power line connected to the driving transistor to operate the driving transistor in the linear region,
and sensing the current of each of the plurality of pixels using the driving transistor operating in the linear region and the power line.
상기 보상 회로는,
상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압 또는 상기 유기 발광 다이오드의 열화량이 반영된 상기 복수의 화소 각각의 전류를 센싱하는, 유기 발광 표시 장치.3. The method according to claim 2,
The compensation circuit is
and sensing a current of each of the plurality of pixels to which a threshold voltage of the driving transistor or an amount of deterioration of the organic light emitting diode is reflected.
상기 센싱 모드는,
상기 제2 트랜지스터를 통해 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극이 초기화되는 제1 기간; 및
상기 제1 트랜지스터를 통해 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 센싱 데이터 전압이 인가되고, 상기 구동 트랜지스터의 소스 전압이 반영된 상기 복수의 화소 각각의 전류를 상기 보상 회로에서 센싱하는 제2 기간을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.3. The method according to claim 2,
The sensing mode is
a first period during which the source electrode of the driving transistor is initialized through the second transistor; and
and a second period in which a sensing data voltage is applied to the gate electrode of the driving transistor through the first transistor, and the compensation circuit senses the current of each of the plurality of pixels to which the source voltage of the driving transistor is reflected. luminescent display.
상기 센싱 전압을 센싱 데이터로 변환하여 출력하는 아날로그-디지털 컨버터; 및
상기 센싱 데이터를 기초하여 상기 각 화소의 비디오 데이터를 보상하기 위한 보상 게인을 산출하고, 산출된 보상 게인을 적용하여 상기 비디오 데이터를 보상하는 외부 보상 회로를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치. 3. The method according to claim 2,
an analog-to-digital converter converting the sensed voltage into sensed data and outputting it; and
and an external compensation circuit calculating a compensation gain for compensating the video data of each pixel based on the sensed data, and compensating the video data by applying the calculated compensation gain.
상기 제2 트랜지스터와 연결된 기준 전압 라인; 및
상기 기준 전압 라인에 기준 전압을 공급하는 기준 전압 생성부를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
a reference voltage line connected to the second transistor; and
and a reference voltage generator configured to supply a reference voltage to the reference voltage line.
상기 보상 회로는,
표시 모드에서 상기 전원 라인으로 고전위 전원 전압을 공급하는 제1 전원 전압 공급부; 및
상기 센싱 모드에서 상기 전원 라인으로 상기 고전위 전원 전압보다 낮은 상기 센싱 전원 전압을 공급하는 제2 전원 전압 공급부를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.4. The method according to claim 3,
The compensation circuit is
a first power supply voltage supply unit supplying a high potential power voltage to the power line in a display mode; and
and a second power supply voltage supply configured to supply the sensing power voltage lower than the high potential power voltage to the power line in the sensing mode.
상기 보상 회로는,
상기 표시 모드에서 상기 고전위 전원 전압을 상기 전원 라인에 공급하도록 스위칭되는 제1 제어 스위치; 및
상기 센싱 모드시 상기 센싱 전원 전압을 상기 전원 라인에 공급하도록 스위칭되는 제2 제어 스위치를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.9. The method of claim 8,
The compensation circuit is
a first control switch switched to supply the high potential power voltage to the power line in the display mode; and
and a second control switch switched to supply the sensing power voltage to the power line in the sensing mode.
상기 보상 회로는,
제1 입력 단자에 공급된 상기 센싱 전원 전압을, 상기 전원 라인과 연결되는 제2 입력 단자로 공급하고, 상기 전원 라인을 통해 상기 제2 입력 단자로 흐르는 상기 센싱 전류를 센싱하여 상기 센싱 전압으로 출력하는 연산 증폭기; 및
상기 연산 증폭기의 상기 제2 입력 단자와 출력 단자 사이에 연결된 피드백 저항을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.4. The method according to claim 3,
The compensation circuit is
The sensing power voltage supplied to the first input terminal is supplied to a second input terminal connected to the power line, the sensing current flowing to the second input terminal through the power line is sensed and output as the sensing voltage an operational amplifier; and
and a feedback resistor connected between the second input terminal and the output terminal of the operational amplifier.
상기 보상 회로는,
상기 표시 패널 내 영역 별로 순차적으로 상기 유기 발광 다이오드의 열화량이 반영된 센싱 전류를 센싱하는, 유기 발광 표시 장치.5. The method according to claim 4,
The compensation circuit is
An organic light emitting diode display for sequentially sensing a sensing current reflecting an amount of deterioration of the organic light emitting diode for each region within the display panel.
상기 아날로그-디지털 컨버터는 상기 센싱 모드 내 블랭크 구간에서 상기 센싱 전압을 상기 센싱 데이터로 변환하여 출력하는, 유기 발광 표시 장치.7. The method of claim 6,
The analog-to-digital converter converts the sensed voltage into the sensed data in a blank section in the sensing mode and outputs the converted data.
상기 제1 트랜지스터에 스캔 신호를 제공하는 스캔 신호 출력부;
상기 제2 트랜지스터에 센싱 신호를 제공하는 센싱 신호 출력부; 및
상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 상기 유기 발광 다이오드의 열화 특성의 측정과 관련하여, 센싱 모드에서 상기 구동 트랜지스터를 선형 영역으로 동작시키고, 상기 선형 영역으로 동작하는 구동 트랜지스터를 통해 상기 복수의 화소 각각의 전류를 센싱하고, 센싱된 전류로부터 센싱 전압을 생성하여 출력하는 보상 회로를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.a display panel including a plurality of pixels, each pixel including a driving transistor, a first transistor, a second transistor, a capacitor connected to a gate electrode of the driving transistor, and an organic light emitting diode;
a scan signal output unit providing a scan signal to the first transistor;
a sensing signal output unit providing a sensing signal to the second transistor; and
In relation to the measurement of the threshold voltage of the driving transistor and the deterioration characteristic of the organic light emitting diode, the driving transistor is operated in a linear region in a sensing mode, and the current of each of the plurality of pixels is passed through the driving transistor operating in the linear region. 1 . An organic light emitting diode display comprising: a compensation circuit for sensing and generating and outputting a sensed voltage from the sensed current.
상기 보상 회로는,
상기 구동 트랜지스터와 연결된 전원 라인을 통해 센싱 전원 전압을 공급하여 상기 구동 트랜지스터를 상기 선형 영역으로 동작시키고,
상기 선형 영역으로 동작하는 구동 트랜지스터 및 상기 전원 라인을 통해 상기 복수의 화소 각각의 전류를 센싱하는, 유기 발광 표시 장치.14. The method of claim 13,
The compensation circuit is
A sensing power voltage is supplied through a power line connected to the driving transistor to operate the driving transistor in the linear region,
and sensing a current of each of the plurality of pixels through a driving transistor operating in the linear region and the power line.
상기 보상 회로는,
상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압 또는 상기 유기 발광 다이오드의 열화량이 반영된 상기 복수의 화소 각각의 전류를 센싱하는, 유기 발광 표시 장치.14. The method of claim 13,
The compensation circuit is
and sensing a current of each of the plurality of pixels to which a threshold voltage of the driving transistor or an amount of deterioration of the organic light emitting diode is reflected.
상기 센싱 전압을 센싱 데이터로 변환하여 출력하는 아날로그-디지털 컨버터; 및
상기 센싱 데이터를 기초하여 상기 복수의 화소 각각의 비디오 데이터의 보상과 관련된 보상 게인을 산출하고, 상기 산출된 보상 게인을 이용하여 상기 비디오 데이터를 보상하는 외부 보상 회로를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.14. The method of claim 13,
an analog-to-digital converter converting the sensed voltage into sensed data and outputting it; and
and an external compensation circuit configured to calculate a compensation gain related to compensation of the video data of each of the plurality of pixels based on the sensed data and compensate the video data using the calculated compensation gain. .
상기 제2 트랜지스터와 연결된 기준 전압 라인; 및
상기 기준 전압 라인에 기준 전압을 공급하는 기준 전압 생성부를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.14. The method of claim 13,
a reference voltage line connected to the second transistor; and
and a reference voltage generator configured to supply a reference voltage to the reference voltage line.
상기 보상 회로는,
표시 모드에서, 고전위 전원 전압을 공급하는 제1 전원 전압 공급부;
상기 센싱 모드시 상기 고전위 전원 전압보다 낮은 상기 센싱 전원 전압을 공급하는 제2 전원 전압 공급부;
상기 제2 전원 전압 공급부로부터 제1 입력 단자에 공급된 상기 센싱 전원 전압을, 상기 전원 라인과 연결되는 제2 입력 단자로 공급하고, 상기 전원 라인을 통해 상기 제2 입력 단자로 흐르는 상기 센싱 전류를 센싱하여 상기 센싱 전압으로 출력하는 연산 증폭기;
상기 연산 증폭기의 상기 제2 입력 단자와 출력 단자 사이에 연결된 피드백 저항;
상기 표시 모드시 상기 고전위 전원 전압을 상기 전원 라인에 공급하는 제1 제어 스위치; 및
상기 센싱 모드시 상기 연상 증폭기로부터의 상기 센싱 전원 전압을 상기 전원 라인에 공급하는 제2 제어 스위치를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.14. The method of claim 13,
The compensation circuit is
In the display mode, the first power supply voltage supply for supplying a high potential power voltage;
a second power supply voltage supply unit supplying the sensing power supply voltage lower than the high potential power supply voltage in the sensing mode;
The sensing power voltage supplied from the second power supply voltage supply unit to the first input terminal is supplied to a second input terminal connected to the power line, and the sensing current flowing to the second input terminal through the power line is applied. an operational amplifier for sensing and outputting the sensed voltage;
a feedback resistor coupled between the second input terminal and the output terminal of the operational amplifier;
a first control switch for supplying the high potential power voltage to the power line in the display mode; and
and a second control switch configured to supply the sensing power voltage from the associative amplifier to the power line in the sensing mode.
상기 유기 발광 다이오드는,
상기 구동 트랜지스터의 소스 전극에 접속된 애노드 전극, 제1 고전위 전원 전압보다 낮은 저전위 전원 전압을 공급받는 캐소드 전극, 및 발광층을 포함하고,
상기 구동 트랜지스터는,
상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극의 전압 차를 기초하여, 상기 제1 고전위 전원 전압이 공급되는 전원 라인으로부터 상기 유기 발광 다이오드로 흐르는 전류를 제어하고, 상기 전원 라인에 상기 제1 고전위 전원 전압보다 낮은 제2 고전위 전원 전압이 공급되는 적어도 일부의 구동 구간에서 선형 영역으로 동작하는, 유기 발광 표시 장치.A plurality of pixels including an organic light emitting diode and a driving transistor,
The organic light emitting diode,
An anode electrode connected to the source electrode of the driving transistor, a cathode electrode receiving a low potential power supply voltage lower than the first high potential power supply voltage, and a light emitting layer,
The driving transistor is
Based on the voltage difference between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor, a current flowing from a power line to which the first high potential power voltage is supplied to the organic light emitting diode is controlled, and the first high potential power supply is supplied to the power line. An organic light emitting diode display operating in a linear region in at least a part of a driving period to which a second high potential power voltage lower than the voltage is supplied.
상기 복수의 화소 각각은,
상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 접속된 제1 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 소스 전극과 접속된 제2 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 및 소스 전극 사이에 접속된 커패시터를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.20. The method of claim 19,
Each of the plurality of pixels,
a first transistor connected to a gate electrode of the driving transistor;
a second transistor connected to the source electrode of the driving transistor; and
and a capacitor connected between a gate electrode and a source electrode of the driving transistor.
상기 제1 트랜지스터는 제1 게이트 라인에 공급되는 스캔 신호를 기초로 데이터 라인과 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극을 전기적으로 연결하고,
상기 제2 트랜지스터는 제2 게이트 라인에 공급되는 센싱 신호를 기초로 기준 전압 라인과 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극을 전기적으로 연결하는, 유기 발광 표시 장치.21. The method of claim 20,
the first transistor electrically connects a data line and a gate electrode of the driving transistor based on a scan signal supplied to the first gate line;
The second transistor electrically connects a reference voltage line and a source electrode of the driving transistor based on a sensing signal supplied to a second gate line.
상기 유기 발광 다이오드는 정공 수송층과 전자 수송층을 더 포함하고,
상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극과 상기 캐소드 전극에 전압이 인가되면, 상기 정공 수송층을 통해 정공이 발광층으로 이동되고 상기 전자 수송층을 통해 상기 전자가 발광층으로 이동되는, 유기 발광 표시 장치.21. The method of claim 20,
The organic light emitting diode further comprises a hole transport layer and an electron transport layer,
When a voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode, holes are moved to the light emitting layer through the hole transport layer and the electrons are moved to the light emitting layer through the electron transport layer.
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