KR102463347B1 - Organic light emitting display device - Google Patents

Organic light emitting display device Download PDF

Info

Publication number
KR102463347B1
KR102463347B1 KR1020150191377A KR20150191377A KR102463347B1 KR 102463347 B1 KR102463347 B1 KR 102463347B1 KR 1020150191377 A KR1020150191377 A KR 1020150191377A KR 20150191377 A KR20150191377 A KR 20150191377A KR 102463347 B1 KR102463347 B1 KR 102463347B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pixels
data
sub
lines
scan
Prior art date
Application number
KR1020150191377A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170080138A (en
Inventor
김도성
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150191377A priority Critical patent/KR102463347B1/en
Publication of KR20170080138A publication Critical patent/KR20170080138A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102463347B1 publication Critical patent/KR102463347B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2230/00Details of flat display driving waveforms
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/06Details of flat display driving waveforms
    • G09G2310/061Details of flat display driving waveforms for resetting or blanking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

본 발명은 소스 드라이브 IC의 개수를 줄임으로써 제조 비용을 절감할 수 있는 유기발광 표시장치에 관한 것이다. 본 발명은 데이터 라인들, 데이터 라인들과 교차되며 서로 나란한 스캔 라인들과 센싱 라인들, 복수의 서브 화소들을 포함하는 화소들을 구비한다. 스캔 라인 방향으로 서로 인접한 두 개의 서브 화소들은 동일한 데이터 라인에 접속되고 서로 다른 스캔 라인들에 접속된다. 데이터 라인 방향으로 서로 인접한 두 개의 화소들의 서브 화소들은 동일한 센싱 라인에 접속된다.The present invention relates to an organic light emitting diode display capable of reducing manufacturing cost by reducing the number of source drive ICs. The present invention includes data lines, scan lines intersecting the data lines and parallel to each other, and sensing lines, and pixels including a plurality of sub-pixels. Two sub-pixels adjacent to each other in the scan line direction are connected to the same data line and are connected to different scan lines. Sub-pixels of two pixels adjacent to each other in the data line direction are connected to the same sensing line.

Description

유기발광 표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 발명의 실시예는 유기발광 표시장치에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to an organic light emitting display device.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광 표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display)와 같은 여러가지 표시장치가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for a display device for displaying an image is increasing in various forms. Accordingly, various display devices, such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting display (OLED), have recently been used.

이들 중에서 유기발광 표시장치는 저전압 구동이 가능하고, 박형이며, 시야각이 우수하고, 응답속도가 빠른 특성이 있다. 유기발광 표시장치는 데이터라인들, 스캔라인들, 데이터라인들과 스캔라인들의 교차부에 형성된 다수의 화소들을 구비하는 표시패널, 스캔라인들에 스캔신호들을 공급하는 스캔 구동부, 및 데이터라인들에 데이터전압들을 공급하는 소스 드라이브 IC들을 포함한다. 화소들 각각은 유기발광다이오드(organic light emitting diode), 게이트 전극의 전압에 따라 유기발광다이오드에 공급되는 전류의 양을 조절하는 구동 트랜지스터(transistor), 스캔라인의 스캔신호에 응답하여 데이터라인의 데이터 전압을 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하는 공급하는 스캔 트랜지스터를 포함한다.Among them, the organic light emitting display device can be driven at a low voltage, is thin, has an excellent viewing angle, and has a fast response speed. An organic light emitting display device includes a display panel including data lines, scan lines, a plurality of pixels formed at intersections of data lines and scan lines, a scan driver supplying scan signals to the scan lines, and a data line. Source drive ICs supplying data voltages. Each of the pixels includes an organic light emitting diode, a driving transistor that adjusts the amount of current supplied to the organic light emitting diode according to the voltage of the gate electrode, and data on the data line in response to the scan signal of the scan line. and a scan transistor supplying a voltage to the gate electrode of the driving transistor.

유기발광표시장치의 제조시의 공정 편차 또는 장기간 구동으로 인한 구동 트랜지스터의 문턱전압 쉬프트 등의 원인으로 인하여, 구동 트랜지스터의 문턱전압(threshold voltage)은 화소마다 달라질 수 있다. 따라서, 화소들에 동일한 데이터전압을 인가하는 경우 유기발광다이오드에 공급되는 구동 트랜지스터의 전류(Ids)는 동일하여야 하지만, 화소들에 동일한 데이터전압을 인가하더라도 화소들 사이의 구동 트랜지스터의 문턱전압과 전자이동도의 차이로 인하여 유기발광다이오드에 공급되는 구동 트랜지스터의 전류(Ids)는 화소마다 달라진다. 그 결과, 화소들에 동일한 데이터전압을 인가하더라도, 유기발광다이오드가 발광하는 휘도는 화소마다 달라지는 문제가 발생한다. 이를 해결하기 위해, 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하는 보상 방법이 제안되었다.The threshold voltage of the driving transistor may vary for each pixel due to a process deviation during manufacturing of the organic light emitting display device or a threshold voltage shift of the driving transistor due to long-term driving. Therefore, when the same data voltage is applied to the pixels, the current Ids of the driving transistor supplied to the organic light emitting diode should be the same, but even when the same data voltage is applied to the pixels, the threshold voltage and electrons of the driving transistor between the pixels Due to the difference in mobility, the current Ids of the driving transistor supplied to the organic light emitting diode varies for each pixel. As a result, even when the same data voltage is applied to the pixels, the luminance emitted by the organic light emitting diode varies for each pixel. To solve this problem, a compensation method for compensating the threshold voltage of the driving transistor has been proposed.

상기 보상 방법은 크게 내부 보상방법과 외부 보상방법으로 구분된다. 내부 보상방법은 화소의 내부에서 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하여 보상하는 방법이다. 외부 보상 방법은 화소에 미리 설정된 데이터 전압을 공급하고, 상기 미리 설정된 데이터 전압에 따라 화소의 구동 트랜지스터의 전류(Ids)를 센싱 라인을 통해 센싱하고 디지털 데이터로 변환하며, 센싱된 디지털 데이터를 이용하여 상기 화소에 공급될 디지털 비디오 데이터를 보상하는 방법이다.The compensation method is largely divided into an internal compensation method and an external compensation method. The internal compensation method is a method of compensating by sensing the threshold voltage of the driving transistor inside the pixel. The external compensation method supplies a preset data voltage to the pixel, senses the current (Ids) of the driving transistor of the pixel according to the preset data voltage through a sensing line, converts it into digital data, and uses the sensed digital data to A method of compensating for digital video data to be supplied to the pixel.

외부 보상 방법은 화소의 구동 트랜지스터의 전류(Ids)를 센싱라인을 통해 센싱하고 디지털 데이터인 센싱 데이터로 변환하여 출력하는 센싱 데이터 출력부가 필요하다. 센싱 데이터 출력부는 소스 드라이브 IC에 내장된다. 이로 인해, 외부 보상 방법에서는 소스 드라이브 IC들이 데이터라인들뿐만 아니라 센싱라인들에 접속된다. 이에 따라, 소스 드라이브 IC들의 개수가 증가하기 때문에, 유기발광 표시장치의 제조 비용이 상승하는 문제가 있다.The external compensation method requires a sensing data output unit that senses the current (Ids) of the driving transistor of the pixel through a sensing line, converts it into sensing data that is digital data, and outputs the sensed data. The sensing data output unit is built into the source drive IC. For this reason, in the external compensation method, the source drive ICs are connected to the sensing lines as well as the data lines. Accordingly, since the number of source drive ICs increases, there is a problem in that the manufacturing cost of the organic light emitting display device increases.

본 발명의 실시예는 소스 드라이브 IC의 개수를 줄임으로써 제조 비용을 절감할 수 있는 유기발광 표시장치를 제공한다.An embodiment of the present invention provides an organic light emitting diode display capable of reducing manufacturing cost by reducing the number of source drive ICs.

본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 데이터 라인들, 데이터 라인들과 교차되며 서로 나란한 스캔 라인들과 센싱 라인들, 복수의 서브 화소들을 포함하는 화소들을 구비한다. 스캔 라인 방향으로 서로 인접한 두 개의 서브 화소들은 동일한 데이터 라인에 접속되고 서로 다른 스캔 라인들에 접속된다. 데이터 라인 방향으로 서로 인접한 두 개의 화소들의 서브 화소들은 동일한 센싱 라인에 접속된다.An organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention includes data lines, scan lines crossing the data lines and parallel to each other, sensing lines, and pixels including a plurality of sub-pixels. Two sub-pixels adjacent to each other in the scan line direction are connected to the same data line and are connected to different scan lines. Sub-pixels of two pixels adjacent to each other in the data line direction are connected to the same sensing line.

본 발명의 실시예는 2 개의 스캔 라인들과 2 개의 데이터 라인들을 이용하여 제1 내지 제4 서브 화소들에 데이터 전압을 공급할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예는 종래 1 개의 스캔 라인과 4 개의 데이터 라인들을 이용하여 제1 내지 제4 서브 화소들에 데이터 전압을 공급할 때보다 데이터 라인들의 개수를 절반으로 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 소스 드라이브 IC의 개수를 줄임으로써, 제조 비용을 절감할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a data voltage may be supplied to the first to fourth sub-pixels using two scan lines and two data lines. Accordingly, according to the embodiment of the present invention, the number of data lines can be reduced by half compared to when the data voltage is supplied to the first to fourth sub-pixels using one scan line and four data lines in the related art. Accordingly, the embodiment of the present invention can reduce the manufacturing cost by reducing the number of source drive ICs.

본 발명의 실시예는 서로 인접한 다른 두 개의 화소(P)들의 서브 화소들을 하나의 센싱 라인과 하나의 기준전압 라인에 접속시킨다. 이로 인해, 본 발명의 실시예는 하나의 센싱 라인에 센싱 신호가 공급될 때 서로 인접한 다른 두 개의 화소들의 서브 화소들의 구동 트랜지스터들의 전류들을 하나의 기준전압 라인을 통해 센싱할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 센싱 라인들의 개수를 줄일 수 있으므로, 화소들 각각의 서브 화소들의 개구율을 높일 수 있다.According to the embodiment of the present invention, sub-pixels of the other two pixels P adjacent to each other are connected to one sensing line and one reference voltage line. For this reason, according to the embodiment of the present invention, when a sensing signal is supplied to one sensing line, currents of driving transistors of sub-pixels of other two adjacent pixels may be sensed through one reference voltage line. Accordingly, in the embodiment of the present invention, the number of sensing lines can be reduced, so that the aperture ratio of each sub-pixel of the pixels can be increased.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치를 보여주는 블록도이다.
도 2는 도 1의 표시패널의 하부기판, 소스 드라이브 IC들, 타이밍 제어부, 데이터 보상부, 연성필름들, 소스 회로보드, 연성 케이블, 및 제어 회로보드를 보여주는 일 예시도면이다.
도 3은 도 2의 소스 드라이브 IC를 상세히 보여주는 블록도이다.
도 4는 도 1의 표시영역의 화소들 일부를 상세히 보여주는 일 예시도면이다.
도 5는 도 1의 표시영역의 화소들 일부를 상세히 보여주는 회로도이다.
도 6은 제N 및 제N+1 프레임 기간들 동안 제1 내지 제8 스캔 라인들에 인가되는 제1 내지 제8 스캔 신호들과 제1 및 제2 센싱신호 라인들에 인가되는 제1 및 제2 센싱신호들을 보여주는 파형도이다.
도 7은 도 1의 표시영역의 화소들을 상세히 보여주는 다른 예시도면이다.
도 8는 도 7의 화소들 일부를 상세히 보여주는 회로도이다.
1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an exemplary view illustrating a lower substrate, source drive ICs, timing controller, data compensation unit, flexible films, source circuit board, flexible cable, and control circuit board of the display panel of FIG. 1 .
3 is a block diagram illustrating the source drive IC of FIG. 2 in detail.
FIG. 4 is an exemplary view showing in detail some of the pixels of the display area of FIG. 1 .
FIG. 5 is a circuit diagram illustrating in detail some of the pixels of the display area of FIG. 1 .
6 illustrates first to eighth scan signals applied to first to eighth scan lines and first and second sensing signal lines applied to first and second sensing signal lines during Nth and N+1th frame periods; 2 It is a waveform diagram showing sensing signals.
FIG. 7 is another exemplary view showing in detail pixels of the display area of FIG. 1 .
8 is a circuit diagram illustrating in detail some of the pixels of FIG. 7 .

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative and the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is interpreted as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, 'immediately' or 'directly' when a temporal relationship is described as 'after', 'following', 'after', 'before', etc. It may include cases that are not continuous unless this is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.

"X축 방향", "Y축 방향" 및 "Z축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다. "X-axis direction", "Y-axis direction", and "Z-axis direction" should not be interpreted only as a geometric relationship in which the relationship between each other is vertical, and is wider than the range in which the configuration of the present invention can function functionally. It may mean having a direction.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다. The term “at least one” should be understood to include all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first, second, and third items" means 2 of the first, second, and third items as well as each of the first, second, or third items. It may mean a combination of all items that can be presented from more than one.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship. may be

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치를 보여주는 블록도이다. 도 2는 도 1의 표시패널의 하부기판, 소스 드라이브 IC들, 타이밍 제어부, 데이터 보상부, 기준전압 공급부, 연성필름들, 소스 회로보드, 연성 케이블, 및 제어 회로보드를 보여주는 일 예시도면이다. 도 3은 도 2의 소스 드라이브 IC를 상세히 보여주는 블록도이다.1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an exemplary view showing a lower substrate, source drive ICs, timing controller, data compensator, reference voltage supply unit, flexible films, source circuit board, flexible cable, and control circuit board of the display panel of FIG. 1 . 3 is a block diagram illustrating the source drive IC of FIG. 2 in detail.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동부(20), 연성필름(22)들, 스캔 구동부(40), 소스 회로보드(50), 타이밍 제어부(60), 데이터 보상부(70), 기준전압 공급부(80), 연성 케이블(91), 및 제어 회로보드(90)를 포함한다.1 to 3 , an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel 10 , a data driver 20 , flexible films 22 , a scan driver 40 , and a source circuit board ( 50 ), a timing control unit 60 , a data compensation unit 70 , a reference voltage supply unit 80 , a flexible cable 91 , and a control circuit board 90 .

표시패널(10)은 표시영역(AA)과 표시영역(AA)의 주변에 마련된 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시영역(AA)은 화소(P)들이 형성되어 화상을 표시하는 영역이다. 표시패널(10)에는 데이터라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 양의 정수), 기준전압 라인들(R1~Rp, p는 2 이상의 양의 정수), 스캔라인들(S1~Sn, n은 2 이상의 양의 정수), 및 센싱라인들(SE1~SEq, q는 2 이상의 양의 정수)이 마련된다. 데이터라인들(D1~Dm)과 기준전압 라인들(R1~Rp)은 스캔라인들(S1~Sn) 및 센싱라인들(SE1~SEq)과 교차될 수 있다. 데이터라인들(D1~Dm)과 기준전압 라인들(R1~Rp)은 서로 나란할 수 있다. 스캔라인들(S1~Sn)과 센싱라인들(SE1~SEq)은 서로 나란할 수 있다.The display panel 10 includes a display area AA and a non-display area NDA provided around the display area AA. The display area AA is an area in which pixels P are formed to display an image. The display panel 10 includes data lines (D1 to Dm, m is a positive integer greater than or equal to 2), reference voltage lines (R1 to Rp, p is a positive integer greater than or equal to 2), and scan lines (S1 to Sn, n). is a positive integer greater than or equal to 2), and sensing lines SE1 to SEq, where q is a positive integer greater than or equal to 2) are provided. The data lines D1 to Dm and the reference voltage lines R1 to Rp may cross the scan lines S1 to Sn and the sensing lines SE1 to SEq. The data lines D1 to Dm and the reference voltage lines R1 to Rp may be parallel to each other. The scan lines S1 to Sn and the sensing lines SE1 to SEq may be parallel to each other.

화소(P)들 각각은 데이터라인들(D1~Dm) 중 두 개의 데이터라인들, 기준전압 라인들(R1~Rp) 중 하나의 기준전압 라인, 스캔라인들(S1~Sn) 중 두 개의 스캔라인들, 및 센싱라인들(SE1~SEp) 중 하나의 센싱라인에 접속될 수 있다. 표시패널(10)의 화소(P)들 각각은 도 4 및 도 7과 같이 복수의 서브 화소들을 포함할 수 있다. 복수의 서브 화소들 각각은 도 5 및 도 8과 같이 유기발광다이오드(organic light emitting diode, OLED)와 유기발광다이오드(OLED)에 전류를 공급하기 위한 다수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 표시영역의 화소(P)들과 화소(P)들의 서브 화소들에 대한 자세한 설명은 도 4, 도 5, 도 7 및 도 8을 결부하여 후술한다.Each of the pixels P includes two data lines among the data lines D1 to Dm, one reference voltage line among the reference voltage lines R1 to Rp, and two scans among the scan lines S1 to Sn. It may be connected to one of the lines and the sensing lines SE1 to SEp. Each of the pixels P of the display panel 10 may include a plurality of sub-pixels as shown in FIGS. 4 and 7 . Each of the plurality of sub-pixels may include an organic light emitting diode (OLED) and a plurality of transistors for supplying current to the organic light emitting diode (OLED) as shown in FIGS. 5 and 8 . A detailed description of the pixels P of the display area and sub-pixels of the pixels P will be described later with reference to FIGS. 4, 5, 7 and 8 .

데이터 구동부(20)는 도 2와 같이 다수의 소스 드라이브 IC(21)들을 포함할 수 있다. 소스 드라이브 IC(21)들 각각은 연성필름(22)들 각각에 실장될 수 있다. 연성필름(22)들 각각은 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package) 또는 칩온 필름(chip on film)일 수 있다. 연성필름(22)들 각각은 휘어지거나 구부러질 수 있다. 연성필름(22)들 각각은 하부기판(11)과 소스 회로보드(80)에 부착될 수 있다. 연성필름(22)들 각각은 이방성 도전 필름(anisotropic conductive flim)을 이용하여 TAB(tape automated bonding) 방식으로 하부기판(11)상에 부착될 수 있으며, 이로 인해 소스 드라이브 IC(21)들은 데이터라인들(D1~Dm)에 연결될 수 있다. 소스 회로보드(80)는 연성 케이블(91)에 의해 제어 회로보드(90)에 연결될 수 있다. 소스 회로보드(80)는 인쇄회로보드(printed circuit board)일 수 있다.The data driver 20 may include a plurality of source drive ICs 21 as shown in FIG. 2 . Each of the source drive ICs 21 may be mounted on each of the flexible films 22 . Each of the flexible films 22 may be a tape carrier package or a chip on film. Each of the flexible films 22 may be bent or bent. Each of the flexible films 22 may be attached to the lower substrate 11 and the source circuit board 80 . Each of the flexible films 22 may be attached on the lower substrate 11 by a tape automated bonding (TAB) method using an anisotropic conductive film, whereby the source drive ICs 21 are connected to the data line may be connected to the fields D1 to Dm. The source circuit board 80 may be connected to the control circuit board 90 by a flexible cable 91 . The source circuit board 80 may be a printed circuit board.

소스 드라이브 IC(21)들 각각은 도 3과 같이 데이터전압 공급부(110), 제1 스위칭부(120), 제2 스위칭부(130), 및 센싱 데이터 출력부(140)를 포함할 수 있다. 도 3에서는 설명의 편의를 위해, 데이터전압 공급부(110)가 w(w는 1≤w≤m을 만족하는 양의 정수) 개의 데이터라인들(D1~Dw)에 접속되고, 제1 스위칭부(120)와 초기화전압 공급부(130)가 z(z는 1≤z≤p을 만족하는 양의 정수) 개의 기준전압 라인들(R1~Rz)에 접속되는 것을 중심으로 설명하였다.Each of the source drive ICs 21 may include a data voltage supply unit 110 , a first switching unit 120 , a second switching unit 130 , and a sensing data output unit 140 as shown in FIG. 3 . In FIG. 3 , for convenience of explanation, the data voltage supply unit 110 is connected to w (w is a positive integer satisfying 1≤w≤m) data lines D1 to Dw, and the first switching unit ( 120) and the initialization voltage supply unit 130 are mainly described as being connected to z (z is a positive integer satisfying 1≤z≤p) reference voltage lines R1 to Rz.

데이터전압 공급부(110)는 데이터라인들(D1~Dw)에 접속되어 데이터전압들을 공급한다. 데이터전압 공급부(110)는 타이밍 제어부(60)로부터 보상 데이터(CDATA) 또는 센싱용 데이터(SDATA)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 입력 받는다.The data voltage supply unit 110 is connected to the data lines D1 to Dw to supply data voltages. The data voltage supply unit 110 receives compensation data CDATA or sensing data SDATA and a data timing control signal DCS from the timing control unit 60 .

데이터전압 공급부(110)는 표시 모드에서 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 보상 데이터(CDATA)를 발광 데이터전압들로 변환하여 데이터라인들(D1~Dw)에 공급한다. 발광 데이터전압은 화소(P)의 유기발광다이오드(OLED)를 소정의 휘도로 발광하기 위한 전압이다. 데이터 구동부(20)에 공급되는 보상 데이터(CDATA)가 8 비트인 경우, 발광 데이터전압은 256 개의 전압들 중 어느 하나로 공급될 수 있다.The data voltage supply unit 110 converts the compensation data CDATA into light emitting data voltages according to the data timing control signal DCS in the display mode and supplies the converted data to the data lines D1 to Dw. The emission data voltage is a voltage for emitting light with a predetermined luminance of the organic light emitting diode (OLED) of the pixel P. When the compensation data CDATA supplied to the data driver 20 is 8 bits, the light emitting data voltage may be supplied as any one of 256 voltages.

데이터전압 공급부(110)는 센싱 모드에서 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 센싱용 데이터(SDATA)를 센싱 데이터전압으로 변환하여 데이터라인들(D1~Dw)에 공급한다. 센싱 데이터전압은 화소(P)의 구동 트랜지스터(DT)의 전류를 센싱하기 위한 전압이다.The data voltage supply unit 110 converts the sensing data SDATA into a sensing data voltage according to the data timing control signal DCS in the sensing mode and supplies it to the data lines D1 to Dw. The sensing data voltage is a voltage for sensing the current of the driving transistor DT of the pixel P.

제1 스위칭부(120)는 기준전압 라인들(R1~Rz)과 기준전압 공급부(80) 사이에 접속되어 기준전압 라인들(R1~Rz)과 기준전압 공급부(80) 사이의 접속을 스위칭한다. 제1 스위칭부(120)는 도 3과 같이 타이밍 제어부(60)로부터 입력되는 제1 스위치 제어신호에 의해 턴-온 및 턴-오프되는 제1 스위치(SW1)들을 포함할 수 있다. 제1 스위칭부(120)의 제1 스위치(SW1)들이 제1 스위치 제어신호에 의해 턴-온되는 경우 기준전압 라인들(R1~Rz)은 기준전압 공급부(80)에 접속되므로, 기준전압 공급부(80)의 기준전압이 기준전압 라인들(R1~Rz)에 공급될 수 있다.The first switching unit 120 is connected between the reference voltage lines R1 to Rz and the reference voltage supply unit 80 to switch the connection between the reference voltage lines R1 to Rz and the reference voltage supply unit 80 . . The first switching unit 120 may include first switches SW1 that are turned on and off by the first switch control signal input from the timing controller 60 as shown in FIG. 3 . When the first switches SW1 of the first switching unit 120 are turned on by the first switch control signal, the reference voltage lines R1 to Rz are connected to the reference voltage supply unit 80 , so that the reference voltage supply unit A reference voltage of 80 may be supplied to the reference voltage lines R1 to Rz.

제2 스위칭부(130)는 기준전압 라인들(R1~Rz)과 센싱 데이터 출력부(140) 사이에 접속되어 기준전압 라인들(R1~Rz)과 센싱 데이터 출력부(30) 사이의 접속을 스위칭한다. 제2 스위칭부(120)는 도 3과 같이 타이밍 제어부(60)로부터 입력되는 제2 스위치 제어신호에 의해 턴-온 및 턴-오프되는 제2 스위치(SW2)들을 포함할 수 있다. 제2 스위칭부(130)의 제2 스위치(SW2)들이 제2 스위치 제어신호에 의해 턴-온되는 경우 기준전압 라인들(R1~Rz)은 센싱 데이터 출력부(140)에 접속되므로, 기준전압 라인들(R1~Rz) 각각에 흐르는 전류가 센싱 데이터 출력부(140)에 의해 센싱될 수 있다.The second switching unit 130 is connected between the reference voltage lines R1 to Rz and the sensing data output unit 140 to connect between the reference voltage lines R1 to Rz and the sensing data output unit 30 . switch The second switching unit 120 may include second switches SW2 that are turned on and off by the second switch control signal input from the timing controller 60 as shown in FIG. 3 . When the second switches SW2 of the second switching unit 130 are turned on by the second switch control signal, the reference voltage lines R1 to Rz are connected to the sensing data output unit 140 , so that the reference voltage Current flowing through each of the lines R1 to Rz may be sensed by the sensing data output unit 140 .

센싱 데이터 출력부(140)는 기준전압 라인들(R1~Rz) 각각에 흐르는 전류를 전압으로 변환하고, 변환된 전압을 디지털 데이터인 센싱 데이터(SD)로 변환한다. 이를 위해, 센싱 데이터 출력부(140)는 기준전압 라인들(R1~Rz) 각각에 흐르는 전류를 전압으로 변환하는 전류-전압 변환부와 전류-전압 변환부의 출력전압을 디지털 데이터인 센싱 데이터(SD)로 변환하는 아날로그 디지털 변환부(analog digital converter)를 포함할 수 있다. 센싱 데이터 출력부(140)는 센싱 데이터(SD)를 데이터 보상부(70)로 출력한다.The sensing data output unit 140 converts current flowing through each of the reference voltage lines R1 to Rz into a voltage, and converts the converted voltage into sensing data SD, which is digital data. To this end, the sensing data output unit 140 converts the current flowing through each of the reference voltage lines R1 to Rz into a voltage, and converts the output voltage of the current-voltage converter and the current-voltage converter to the sensing data SD as digital data. ) may include an analog-to-digital converter (analog digital converter) for converting. The sensing data output unit 140 outputs the sensing data SD to the data compensator 70 .

스캔 구동부(40)는 스캔신호 출력부(41)와 센싱신호 출력부(42)를 포함한다. 스캔신호 출력부(41)는 스캔라인들(S1~Sn)에 접속되어 스캔신호들을 공급한다. 스캔신호 출력부(41)는 타이밍 제어부(60)로부터 입력되는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)에 따라 스캔라인들(S1~Sn)에 스캔신호들을 공급한다. 스캔신호 출력부(41)의 스캔신호 공급에 대한 자세한 설명은 도 7을 결부하여 후술한다.The scan driver 40 includes a scan signal output unit 41 and a sensing signal output unit 42 . The scan signal output unit 41 is connected to the scan lines S1 to Sn to supply scan signals. The scan signal output unit 41 supplies scan signals to the scan lines S1 to Sn according to the scan timing control signal SCS input from the timing controller 60 . A detailed description of the scan signal supply of the scan signal output unit 41 will be described later with reference to FIG. 7 .

센싱신호 출력부(42)는 센싱라인들(SE1~SEq)에 접속되어 센싱신호들을 공급한다. 센싱신호 출력부(42)는 타이밍 제어부(60)로부터 입력되는 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)에 따라 센싱라인들(SE1~SEq)에 센싱신호들을 공급한다. 센싱신호 출력부(42)의 센싱신호 공급에 대한 자세한 설명은 도 7을 결부하여 후술한다.The sensing signal output unit 42 is connected to the sensing lines SE1 to SEq to supply sensing signals. The sensing signal output unit 42 supplies sensing signals to the sensing lines SE1 to SEq according to the sensing timing control signal SENCS input from the timing control unit 60 . A detailed description of the sensing signal supply of the sensing signal output unit 42 will be described later with reference to FIG. 7 .

스캔신호 출력부(41)와 센싱신호 출력부(42) 각각은 다수의 트랜지스터들을 포함하여 GIP(Gate driver In Panel) 방식으로 표시패널(10)의 비표시영역(NDA)에 직접 형성될 수 있다. 또는, 스캔신호 출력부(41)와 센싱신호 출력부(42) 각각은 구동 칩(chip) 형태로 형성되어 표시패널(10)에 접속되는 연성필름(미도시)상에 실장될 수 있다.Each of the scan signal output unit 41 and the sensing signal output unit 42 may include a plurality of transistors and may be formed directly in the non-display area NDA of the display panel 10 in a gate driver in panel (GIP) method. . Alternatively, each of the scan signal output unit 41 and the sensing signal output unit 42 may be formed in the form of a driving chip and mounted on a flexible film (not shown) connected to the display panel 10 .

타이밍 제어부(60)는 데이터 보상부(70)로부터 보상 데이터(CDATA) 또는 센싱용 데이터(SDATA)와 타이밍 신호들을 입력받는다. 타이밍 신호들은 수직동기신호(vertical sync signal), 수평동기신호(horizontal sync signal), 데이터 인에이블 신호(data enable signal), 및 도트 클럭(dot clock)을 포함할 수 있다.The timing controller 60 receives compensation data CDATA or sensing data SDATA and timing signals from the data compensator 70 . The timing signals may include a vertical sync signal, a horizontal sync signal, a data enable signal, and a dot clock.

타이밍 제어부(60)는 데이트 구동부(20), 스캔신호 출력부(41), 및 센싱신호 출력부(42)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 생성한다. 타이밍 제어신호들은 데이터 구동부(20)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DCS), 스캔신호 출력부(41)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 타이밍 제어신호(SCS), 및 센싱신호 출력부(42)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 포함한다.The timing control unit 60 generates timing control signals for controlling the operation timings of the data driver 20 , the scan signal output unit 41 , and the sensing signal output unit 42 . The timing control signals include a data timing control signal DCS for controlling the operation timing of the data driver 20 , a scan timing control signal SCS for controlling the operation timing of the scan signal output unit 41 , and a sensing signal output. and a sensing timing control signal SENCS for controlling the operation timing of the unit 42 .

타이밍 제어부(60)는 보상 데이터(CDATA) 또는 센싱용 데이터(SDATA)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터 구동부(20)로 출력한다. 타이밍 제어부(60)는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(41)로 출력한다. 타이밍 제어부(60)는 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(42)로 출력한다. 타이밍 제어부(60)는 데이터 구동부(20)의 제1 및 제2 스위칭부들(120, 130)의 제1 및 제2 스위치들(SW1, SW2)을 제어하기 위한 제1 및 제2 스위칭 제어신호들을 출력할 수 있다. The timing controller 60 outputs compensation data CDATA or sensing data SDATA and a data timing control signal DCS to the data driver 20 . The timing controller 60 outputs the scan timing control signal SCS to the scan signal output unit 41 . The timing controller 60 outputs the sensing timing control signal SENCS to the sensing signal output unit 42 . The timing controller 60 transmits first and second switching control signals for controlling the first and second switches SW1 and SW2 of the first and second switching units 120 and 130 of the data driver 20 . can be printed out.

또한, 타이밍 제어부(60)는 1 프레임 기간을 도 7과 같이 액티브 기간과 블랭크 기간으로 분할하고, 액티브 기간 동안 표시패널(10)의 화소(P)들이 화상을 표시하고, 블랭크 기간 동안 화소(P)들의 구동 트랜지스터(DT)의 전류를 센싱하도록 제어한다. 1 프레임 기간의 액티브 기간과 블랭크 기간 동안 화소(P)들의 동작에 대한 자세한 설명은 도 7을 결부하여 후술한다.In addition, the timing controller 60 divides one frame period into an active period and a blank period as shown in FIG. 7 , and during the active period, the pixels P of the display panel 10 display an image, and during the blank period, the pixels P ) to sense the current of the driving transistor DT. A detailed description of the operation of the pixels P during the active period and the blank period of one frame period will be described later with reference to FIG. 7 .

데이터 보상부(70)는 데이터 구동부(20)로부터 센싱 데이터(SD)를 입력받는다. 데이터 보상부(70)는 센싱 데이터(SD)를 연산 처리하여 디지털 비디오 데이터(DATA)를 보상할 보정 데이터를 생성한다. 데이터 보상부(70)는 보상 데이터를 저장하는 룩-업 테이블 형태의 메모리를 포함할 수 있다. 데이터 보상부(70)는 외부로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)에 보상 데이터를 적용하여 보상 데이터(CDATA)를 생성한다. 데이터 보상부(70)는 보상 데이터(CDATA)를 타이밍 콘트롤러(60)로 출력한다. 데이터 보상부(70)는 타이밍 제어부(60)에 내장될 수 있다.The data compensator 70 receives sensing data SD from the data driver 20 . The data compensator 70 generates compensation data to compensate for the digital video data DATA by processing the sensing data SD. The data compensator 70 may include a memory in the form of a look-up table for storing compensation data. The data compensator 70 generates compensation data CDATA by applying compensation data to digital video data DATA from the outside. The data compensator 70 outputs the compensation data CDATA to the timing controller 60 . The data compensator 70 may be built in the timing controller 60 .

구체적으로, 센싱 데이터(SD)는 센싱용 데이터 전압을 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 공급하였을 때 구동 트랜지스터(DT)를 통해 흐르는 전류를 센싱한 데이터이다. 예를 들어, 센싱 데이터(SD)는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 반영된 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압의 디지털 데이터일 수 있다. 이 경우, 디지털 비디오 데이터(DATA)에 보정 데이터를 적용함으로써 생성된 보상 데이터(CDATA)는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 보상된 데이터이다. 따라서, 본 발명의 실시예는 센싱 데이터(SD)를 연산 처리하여 보정 데이터를 생성하고, 디지털 비디오 데이터(DATA)에 보정 데이터를 적용하여 보상 데이터(CDATA)를 생성함으로써, 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 외부 보상할 수 있다.Specifically, the sensing data SD is data sensed by a current flowing through the driving transistor DT when a sensing data voltage is supplied to the gate electrode of each of the driving transistors DT of the pixels P. For example, the sensing data SD may be digital data of the source voltage of the driving transistor DT to which the threshold voltage of the driving transistor DT is reflected. In this case, the compensation data CDATA generated by applying the correction data to the digital video data DATA is data for which the threshold voltage of the driving transistor DT is compensated. Accordingly, according to the exemplary embodiment of the present invention, correction data is generated by processing the sensing data SD, and compensation data CDATA is generated by applying the correction data to the digital video data DATA, thereby generating the driving transistor DT. Threshold voltage can be compensated externally.

기준전압 공급부(80)는 기준전압을 생성하여 데이터 구동부(20)의 소스 드라이브 IC(21)들에 공급한다.The reference voltage supply unit 80 generates a reference voltage and supplies it to the source drive ICs 21 of the data driver 20 .

타이밍 제어부(60), 데이터 보상부(70), 및 기준전압 공급부(80)는 제어 회로보드에 실장될 수 있다. 제어 회로보드(90)는 연성 케이블(91)에 의해 소스 회로보드(80)에 연결될 수 있다. 제어 회로보드(90)는 인쇄회로보드(printed circuit board)일 수 있다.The timing control unit 60 , the data compensator 70 , and the reference voltage supply unit 80 may be mounted on the control circuit board. The control circuit board 90 may be connected to the source circuit board 80 by a flexible cable 91 . The control circuit board 90 may be a printed circuit board.

도 4는 도 1의 표시영역의 화소들을 상세히 보여주는 일 예시도면이다. 도 4에서는 표시영역(AA)의 화소(P)들 각각이 스캔 라인(X축 방향)으로 배열된 제1 내지 제4 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)을 포함하는 것을 예시하였다. 제1 서브 화소(RP)들은 적색 광을 발광하는 서브 화소들이고, 제2 서브 화소(WP)들은 백색 광을 발광하는 서브 화소들이며, 제3 서브 화소(BP)들은 청색 광을 발광하는 서브 화소들이고, 제4 서브 화소(GP)들은 녹색 광을 발광하는 서브 화소들일 수 있다.FIG. 4 is an exemplary view showing in detail pixels of the display area of FIG. 1 . 4 illustrates that each of the pixels P of the display area AA includes the first to fourth sub-pixels RP, WP, BP, and GP arranged in the scan line (X-axis direction). The first sub-pixels RP are sub-pixels emitting red light, the second sub-pixels WP are sub-pixels emitting white light, and the third sub-pixels BP are sub-pixels emitting blue light. , the fourth sub-pixels GP may be sub-pixels emitting green light.

도 4를 참조하면, 화소(P)들 각각은 스캔 라인들(S1~S6), 센싱 라인들(SE1, SE2), 및 데이터 라인들(D1~D3)의 교차에 의해 형성되는 영역들에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 4 , each of the pixels P is disposed in regions formed by intersections of the scan lines S1 to S6 , the sensing lines SE1 and SE2 , and the data lines D1 to D3 . can be

스캔 라인 방향(X축 방향)으로 이웃하는 화소(P)들 사이에는 두 개의 데이터 라인들(D2, D3)이 배치될 수 있다. 이로 인해, 화소(P)들 각각은 두 개의 데이터 라인들에 접속될 수 있다. 구체적으로, 서로 인접한 두 개의 서브 화소들은 어느 하나의 데이터 라인에 접속되고, 서로 인접한 다른 두 개의 서브 화소들은 다른 하나의 데이터 라인에 접속된다. 예를 들어, 제1 및 제2 서브 화소들(RP, WP)은 제1 데이터 라인(D1)에 접속되고, 제3 및 제4 서브 화소들(BP, GP)은 제2 데이터 라인(D2)에 접속될 수 있다.Two data lines D2 and D3 may be disposed between pixels P adjacent to each other in the scan line direction (X-axis direction). Accordingly, each of the pixels P may be connected to two data lines. Specifically, two adjacent sub-pixels are connected to one data line, and two other adjacent sub-pixels are connected to the other data line. For example, the first and second sub-pixels RP and WP are connected to the first data line D1 , and the third and fourth sub-pixels BP and GP are connected to the second data line D2 . can be connected to

또한, 데이터 라인 방향(Y축 방향)으로 배열된 3 개의 화소(P)들 중에서 서로 인접한 두 개의 화소(P)들 사이에는 복수 개의 스캔 라인들(S3~S6)이 배치될 수 있다. 이로 인해, 화소(P)들 각각은 두 개의 스캔 라인들에 접속될 수 있다. 구체적으로, 화소(P)들 각각의 두 개의 서브 화소들은 어느 하나의 스캔 라인에 접속되고, 다른 두 개의 서브 화소들은 다른 하나의 스캔 라인에 접속된다. 이때, 서로 인접한 두 개의 서브 화소들은 서로 다른 스캔 라인들에 접속되고, 서로 인접한 다른 두 개의 서브 화소들 역시 서로 다른 스캔 라인들에 접속될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 서브 화소들(RP, WP)은 제1 데이터 라인(D1)에 접속되고, 제3 및 제4 서브 화소들(BP, GP)은 제2 데이터 라인(D2)에 접속될 수 있다.Also, a plurality of scan lines S3 to S6 may be disposed between two adjacent pixels P among the three pixels P arranged in the data line direction (the Y-axis direction). Accordingly, each of the pixels P may be connected to two scan lines. Specifically, two sub-pixels of each of the pixels P are connected to one scan line, and the other two sub-pixels are connected to another scan line. In this case, two adjacent sub-pixels may be connected to different scan lines, and two other adjacent sub-pixels may also be connected to different scan lines. For example, the first and second sub-pixels RP and WP are connected to the first data line D1 , and the third and fourth sub-pixels BP and GP are connected to the second data line D2 . can be connected to

즉, 화소(P)들 각각은 두 개의 데이터 라인들과 두 개의 스캔 라인들에 접속됨으로써, 제1 스캔 라인(S1)에 스캔 신호가 공급될 때 제1 서브 화소(RP)에 제1 데이터 라인(D1)의 데이터 전압을 공급하고 제4 서브 화소(GP)에 제2 데이터 라인(D2)의 데이터 전압을 공급할 수 있다. 또한, 제2 스캔 라인(S2)에 스캔 신호가 공급될 때 제2 서브 화소(WP)에 제1 데이터 라인(D1)의 데이터 전압을 공급하고 제3 서브 화소(BP)에 제2 데이터 라인(D2)의 데이터 전압을 공급할 수 있다.That is, each of the pixels P is connected to two data lines and two scan lines, so that when a scan signal is supplied to the first scan line S1 , the first data line is provided to the first sub-pixel RP. The data voltage of D1 may be supplied and the data voltage of the second data line D2 may be supplied to the fourth sub-pixel GP. Also, when the scan signal is supplied to the second scan line S2 , the data voltage of the first data line D1 is supplied to the second sub-pixel WP and the second data line ( BP) is supplied to the third sub-pixel BP. The data voltage of D2) can be supplied.

결국, 본 발명의 실시예는 2 개의 스캔 라인들과 2 개의 데이터 라인들을 이용하여 제1 내지 제4 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)에 데이터 전압을 공급할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예는 종래 1 개의 스캔 라인과 4 개의 데이터 라인들을 이용하여 제1 내지 제4 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)에 데이터 전압을 공급할 때보다 데이터 라인들의 개수를 절반으로 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 소스 드라이브 IC의 개수를 줄일 수 있으므로, 제조 비용을 절감할 수 있다.As a result, according to the embodiment of the present invention, data voltages may be supplied to the first to fourth sub-pixels RP, WP, BP, and GP using two scan lines and two data lines. Accordingly, in the exemplary embodiment of the present invention, the number of data lines is higher than when data voltages are supplied to the first to fourth sub-pixels RP, WP, BP, and GP using one scan line and four data lines in the related art. can be reduced by half. Accordingly, the embodiment of the present invention can reduce the number of source drive ICs, thereby reducing manufacturing cost.

또한, 데이터 라인 방향(Y축 방향)으로 배열된 3 개의 화소(P)들 중에서 서로 인접한 다른 두 개의 화소(P)들 사이에는 하나의 센싱 라인(SE1)이 배치된다. 이로 인해, 서로 인접한 다른 두 개의 화소(P)들은 하나의 센싱 라인(SE1)에 접속될 수 있다.In addition, one sensing line SE1 is disposed between the other two adjacent pixels P among the three pixels P arranged in the data line direction (the Y-axis direction). Accordingly, the other two pixels P adjacent to each other may be connected to one sensing line SE1.

또한, 제2 서브 화소(WP)와 제3 서브 화소(BP) 사이에는 기준전압 라인(R1)이 배치될 수 있다. 이로 인해, 화소(P)들 각각의 제1 내지 제4 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)은 하나의 기준전압 라인(R1)에 접속될 수 있다.Also, a reference voltage line R1 may be disposed between the second sub-pixel WP and the third sub-pixel BP. Accordingly, the first to fourth sub-pixels RP, WP, BP, and GP of each of the pixels P may be connected to one reference voltage line R1 .

즉, 서로 인접한 다른 두 개의 화소(P)들의 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)은 하나의 센싱 라인(SE1)에 접속되고 하나의 기준전압 라인(R1)에 접속된다. 이로 인해, 본 발명의 실시예는 하나의 센싱 라인(SE1)에 센싱 신호가 공급될 때 서로 인접한 다른 두 개의 화소(P)들의 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)의 구동 트랜지스터들의 전류들을 하나의 기준전압 라인(R1)을 통해 센싱할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 센싱 라인들(SE1, SE2)의 개수를 줄일 수 있으므로, 화소(P)들 각각의 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)의 개구율을 높일 수 있다.That is, the sub-pixels RP, WP, BP, and GP of the other two adjacent pixels P are connected to one sensing line SE1 and connected to one reference voltage line R1. For this reason, in the embodiment of the present invention, when a sensing signal is supplied to one sensing line SE1, the current of the driving transistors of the sub-pixels RP, WP, BP, and GP of the other two pixels P adjacent to each other. may be sensed through one reference voltage line R1. Accordingly, in the embodiment of the present invention, since the number of sensing lines SE1 and SE2 can be reduced, the aperture ratio of each of the sub-pixels RP, WP, BP, and GP of the pixels P can be increased.

이하에서는, 도 5를 결부하여 표시영역(AA)의 화소들 일부의 구조에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a structure of some of the pixels of the display area AA will be described in detail with reference to FIG. 5 .

도 5는 도 1의 표시영역의 화소들 일부를 상세히 보여주는 회로도이다. 도 5를 참조하면, 화소(P)에 포함된 제1 내지 제4 서브 화소들(RP, WP, BP, GP) 각각은 유기발광 다이오드(ROLED/WOLED/BOLED/GOLED), 구동 트랜지스터(DT), 제1 트랜지스터(T1), 및 제2 트랜지스터(T2), 및 커패시터(C)를 포함할 수 있다. FIG. 5 is a circuit diagram illustrating in detail some of the pixels of the display area of FIG. 1 . Referring to FIG. 5 , each of the first to fourth sub-pixels RP, WP, BP, and GP included in the pixel P includes an organic light emitting diode (ROLED/WOLED/BOLED/GOLED) and a driving transistor DT. , a first transistor T1 , a second transistor T2 , and a capacitor C may be included.

유기발광 다이오드(ROLED/WOLED/BOLED/GOLED)는 구동 트랜지스터(DT)를 통해 공급되는 전류에 따라 발광한다. 유기발광 다이오드(ROLED/WOLED/BOLED/GOLED)의 애노드 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 제1 전극에 접속되고, 캐소드 전극은 제1 전원전압보다 낮은 제2 전원전압이 공급되는 제2 전원라인에 접속될 수 있다.The organic light emitting diodes (ROLED/WOLED/BOLED/GOLED) emit light according to a current supplied through the driving transistor DT. The anode electrode of the organic light emitting diode (ROLED/WOLED/BOLED/GOLED) is connected to the first electrode of the driving transistor DT, and the cathode electrode is connected to the second power line to which a second power voltage lower than the first power voltage is supplied. can be connected.

유기발광 다이오드(ROLED/WOLED/BOLED/GOLED)는 애노드 전극(anode electrode), 정공 수송층(hole transporting layer), 유기발광층(organic light emitting layer), 전자 수송층(electron transporting layer), 및 캐소드 전극(cathode electrode)을 포함할 수 있다. 유기발광 다이오드(ROLED/WOLED/BOLED/GOLED)는 애노드전극과 캐소드전극에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기발광층으로 이동되며, 유기발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.Organic light emitting diodes (ROLED/WOLED/BOLED/GOLED) include an anode electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and a cathode. electrode) may be included. In organic light emitting diodes (ROLED/WOLED/BOLED/GOLED), when a voltage is applied to the anode and cathode electrodes, holes and electrons are moved to the organic light emitting layer through the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and combine with each other in the organic light emitting layer to emit light. .

제1 서브 화소(RP)는 적색 광을 발광하는 적색 유기발광 다이오드(ROLED)를 포함하고, 제2 서브 화소(WP)는 백색 광을 발광하는 백색 유기발광 다이오드(WOLED)를 포함할 수 있다. 또한, 제3 서브 화소(BP)는 청색 광을 발광하는 청색 유기발광 다이오드(BOLED)를 포함하고, 제4 서브 화소(GP)는 녹색 광을 발광하는 녹색 유기발광 다이오드(GOLED)를 포함할 수 있다. 또는, 제1 내지 제4 서브 화소들(RP, WP, BP, GP) 각각은 백색 유기발광 다이오드를 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 서브 화소(RP)는 적색 컬러필터를 포함하고, 제3 서브 화소(BP)는 청색 컬러필터를 포함하며, 제4 서브 화소(GP)는 녹색 컬러필터를 포함할 수 있다.The first sub-pixel RP may include a red organic light-emitting diode ROLED emitting red light, and the second sub-pixel WP may include a white organic light-emitting diode WOLED emitting white light. In addition, the third sub-pixel BP may include a blue organic light-emitting diode BOLED emitting blue light, and the fourth sub-pixel GP may include a green organic light-emitting diode GOLED emitting green light. have. Alternatively, each of the first to fourth sub-pixels RP, WP, BP, and GP may include a white organic light emitting diode. In this case, the first sub-pixel RP may include a red color filter, the third sub-pixel BP may include a blue color filter, and the fourth sub-pixel GP may include a green color filter.

구동 트랜지스터(DT)는 제1 전원라인(EVL)과 유기발광 다이오드(ROLED/WOLED/BOLED/GOLED) 사이에 배치된다. 구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극과 제1 전극의 전압 차에 따라 제1 전원라인(EVL)으로부터 유기발광 다이오드(ROLED/WOLED/BOLED/GOLED)로 흐르는 전류를 조정한다. 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극은 제1 트랜지스터(ST1)의 제1 전극에 접속되고, 제1 전극은 유기발광 다이오드(ROLED/WOLED/BOLED/GOLED)의 애노드 전극에 접속되며, 제2 전극은 제1 전원전압이 공급되는 제1 전원라인(EVL)에 접속될 수 있다.The driving transistor DT is disposed between the first power line EVL and the organic light emitting diodes ROLED/WOLED/BOLED/GOLED. The driving transistor DT adjusts the current flowing from the first power line EVL to the organic light emitting diodes ROLED/WOLED/BOLED/GOLED according to the voltage difference between the gate electrode and the first electrode. The gate electrode of the driving transistor DT is connected to the first electrode of the first transistor ST1, the first electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting diodes ROLED/WOLED/BOLED/GOLED, and the second electrode is It may be connected to the first power line EVL to which the first power voltage is supplied.

제1 트랜지스터(ST1)는 제k(k는 1≤k≤n을 만족하는 양의 정수) 스캔라인(Sk)의 제k 스캔신호에 의해 턴-온되어 제j(j는 1≤j≤m을 만족하는 양의 정수) 데이터라인(Dj)의 전압을 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 공급한다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제k 스캔라인(Sk)에 접속되고, 제1 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 접속되며, 제2 전극은 제j 데이터라인(Dj)에 접속될 수 있다. 제1 트랜지스터(ST1)는 스캔 트랜지스터로 통칭될 수 있다.The first transistor ST1 is turned on by the kth scan signal of the kth (k is a positive integer satisfying 1≤k≤n) scan line Sk, and the jth (j is 1≤j≤m) (a positive integer that satisfies ) is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT with the voltage of the data line Dj. The gate electrode of the first transistor T1 is connected to the k-th scan line Sk, the first electrode is connected to the gate electrode of the driving transistor DT, and the second electrode is connected to the j-th data line Dj. can be The first transistor ST1 may be collectively referred to as a scan transistor.

제2 트랜지스터(ST2)는 제v(v는 1≤v≤q을 만족하는 양의 정수) 센싱라인(SEv)의 제v 센싱신호에 의해 턴-온되어 제u(u는 1≤u≤p을 만족하는 양의 정수) 기준전압 라인(Ru)을 구동 트랜지스터(DT)의 제1 전극에 접속시킨다. 제2 트랜지스터(ST2)의 게이트 전극은 제v 센싱라인(SEv)에 접속되고, 제1 전극은 제u 기준전압 라인(Ru)에 접속되며, 제2 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 제1 전극에 접속될 수 있다. 제2 트랜지스터(ST2)는 센싱 트랜지스터로 통칭될 수 있다.The second transistor ST2 is turned on by the vth sensing signal of the vth (v is a positive integer satisfying 1≤v≤q) sensing line SEv and the uth (u is 1≤u≤p). (a positive integer satisfying ) is connected to the reference voltage line Ru to the first electrode of the driving transistor DT. The gate electrode of the second transistor ST2 is connected to the v-th sensing line SEv, the first electrode is connected to the u-th reference voltage line Ru, and the second electrode is the first electrode of the driving transistor DT. can be connected to The second transistor ST2 may be collectively referred to as a sensing transistor.

커패시터(C)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 제1 전극 사이에 형성된다. 커패시터(C)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전압과 소스전압 간의 차전압을 저장한다.The capacitor C is formed between the gate electrode and the first electrode of the driving transistor DT. The capacitor C stores the difference voltage between the gate voltage and the source voltage of the driving transistor DT.

도 5에서는 구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 트랜지스터들(ST1, ST2)이 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다. 구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 트랜지스터들(ST1, ST2)은 P 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있다. 또한, 제1 전극은 소스 전극일 수 있고 제2 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다. 즉, 제1 전극은 드레인 전극일 수 있고 제2 전극은 소스 전극일 수 있다.In FIG. 5 , the driving transistor DT and the first and second transistors ST1 and ST2 are mainly described as being formed of an N-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), but it should be noted that the present invention is not limited thereto. The driving transistor DT and the first and second transistors ST1 and ST2 may be formed of a P-type MOSFET. In addition, the first electrode may be a source electrode and the second electrode may be a drain electrode, but it should be noted that the present invention is not limited thereto. That is, the first electrode may be a drain electrode and the second electrode may be a source electrode.

서브 화소들 각각의 표시 모드와 센싱 모드에서의 동작을 살펴보면 다음과 같다.The operation in the display mode and the sensing mode of each of the sub-pixels is as follows.

표시 모드에서 제k 스캔라인(Sk)에 스캔신호가 공급될 때 제j 데이터라인(Dj)의 발광 데이터전압이 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 공급되고, 제v 센싱라인(SEv)에 센싱신호가 공급될 때 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압이 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 공급된다. 이로 인해, 표시 모드에서 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극의 전압과 소스 전극의 전압 간의 전압 차에 따라 흐르는 구동 트랜지스터(DT)의 전류가 유기발광다이오드(OLED)에 공급되며, 유기발광다이오드(OLED)는 발광하게 된다. 이때, 발광 데이터전압은 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 보상한 전압이므로, 구동 트랜지스터(DT)의 전류는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압에 의존하지 않는다.In the display mode, when a scan signal is supplied to the k-th scan line Sk, the light emission data voltage of the j-th data line Dj is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT, and is sensed by the v-th sensing line SEv. When the signal is supplied, the reference voltage of the u-th reference voltage line Ru is supplied to the source electrode of the driving transistor DT. Accordingly, in the display mode, the current of the driving transistor DT flowing according to the voltage difference between the voltage of the gate electrode and the voltage of the source electrode of the driving transistor DT is supplied to the organic light emitting diode OLED, and the organic light emitting diode OLED ) will emit light. In this case, since the light emitting data voltage is a voltage obtained by compensating for the threshold voltage of the driving transistor DT, the current of the driving transistor DT does not depend on the threshold voltage of the driving transistor DT.

또한, 센싱 모드에서 제k 스캔라인(Sk)에 스캔신호가 공급될 때 제j 데이터라인의 센싱 데이터전압이 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 공급되고, 제v 센싱라인(SEv)에 센싱신호가 공급될 때 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압이 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 공급된다. 또한, 센싱 모드에서 제v 센싱라인(SEv)에 센싱신호에 의해 제2 트랜지스터(ST2)를 턴-온시켜 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극의 전압과 소스 전극의 전압 간의 전압 차에 따라 흐르는 구동 트랜지스터(DT)의 전류가 제u 기준전압 라인(Ru)으로 흐르도록 한다. 그 결과, 센싱 데이터 출력부(30)는 제2 스위칭부(130)의 스위칭에 따라 제u 기준전압 라인(Ru)에 흐르는 전류를 센싱하여 센싱 데이터(SD)를 출력할 수 있으며, 데이터 보상부(70)는 센싱 데이터(SD)를 이용하여 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 외부 보상할 수 있다.In addition, when a scan signal is supplied to the k-th scan line Sk in the sensing mode, the sensing data voltage of the j-th data line is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT, and the sensing signal is supplied to the v-th sensing line SEv. When is supplied, the reference voltage of the u-th reference voltage line Ru is supplied to the source electrode of the driving transistor DT. In addition, in the sensing mode, the second transistor ST2 is turned on by a sensing signal on the v-th sensing line SEv to flow according to the voltage difference between the voltage of the gate electrode of the driving transistor DT and the voltage of the source electrode. The current of the transistor DT flows to the u-th reference voltage line Ru. As a result, the sensing data output unit 30 may sense the current flowing through the u-th reference voltage line Ru according to the switching of the second switching unit 130 and output the sensing data SD, and the data compensator Reference numeral 70 externally compensates the threshold voltage of the driving transistor DT by using the sensing data SD.

화소(P)에 포함된 제1 내지 제4 서브 화소들(RP, WP, BP, GP) 중 두 개의 서브 화소들의 제1 트랜지스터(ST1)들의 게이트 전극들은 제k 스캔 라인에 접속되고, 다른 두 개의 서브 화소들의 제1 트랜지스터(ST1)들의 게이트 전극들은 제k+1 스캔 라인(Sk+1)에 접속될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제4 서브 화소들(RP, GP)의 제1 트랜지스터(ST1)들의 게이트 전극들이 제k 스캔 라인(Sk)에 접속되는 경우, 제2 및 제3 서브 화소들(WP, BP)의 제1 트랜지스터(ST1)들의 게이트 전극들이 제k+1 스캔 라인(Sk+1)에 접속될 수 있다. 또는, 제1 및 제4 서브 화소들(RP, GP)의 제1 트랜지스터(ST1)들의 게이트 전극들이 제k+1 스캔 라인(Sk+1)에 접속되는 경우, 제2 및 제3 서브 화소들(WP, BP)의 제1 트랜지스터(ST1)들의 게이트 전극들이 제k 스캔 라인(Sk)에 접속될 수 있다.Gate electrodes of the first transistors ST1 of two of the first to fourth sub-pixels RP, WP, BP, and GP included in the pixel P are connected to the k-th scan line, and the other two Gate electrodes of the first transistors ST1 of the sub-pixels may be connected to the k+1th scan line Sk+1. For example, when the gate electrodes of the first transistors ST1 of the first and fourth sub-pixels RP and GP are connected to the k-th scan line Sk, the second and third sub-pixels WP , BP), gate electrodes of the first transistors ST1 may be connected to the k+1th scan line Sk+1. Alternatively, when the gate electrodes of the first transistors ST1 of the first and fourth sub-pixels RP and GP are connected to the k+1th scan line Sk+1, the second and third sub-pixels Gate electrodes of the first transistors ST1 of (WP, BP) may be connected to the k-th scan line Sk.

화소(P)에 포함된 제1 내지 제4 서브 화소들(RP, WP, BP, GP) 중 두 개의 서브 화소들의 제1 트랜지스터(ST1)들의 드레인 전극들은 제j 데이터 라인(Dj)에 접속되고, 다른 두 개의 서브 화소들의 제1 트랜지스터(ST1)들의 드레인 전극들은 제j+1 데이터 라인(Dj+1)에 접속될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 서브 화소들(RP, WP)의 제1 트랜지스터(ST1)들의 드레인 전극들이 제j 데이터 라인(Dj)에 접속되는 경우, 제3 및 제4 서브 화소들(BP, GP)의 제1 트랜지스터(ST1)들의 드레인 전극들은 제j+1 데이터 라인(Dj+1)에 접속될 수 있다.Drain electrodes of the first transistors ST1 of two of the first to fourth sub-pixels RP, WP, BP, and GP included in the pixel P are connected to the j-th data line Dj, , drain electrodes of the first transistors ST1 of the other two sub-pixels may be connected to the j+1th data line Dj+1. For example, when the drain electrodes of the first transistors ST1 of the first and second sub-pixels RP and WP are connected to the j-th data line Dj, the third and fourth sub-pixels BP , GP, drain electrodes of the first transistors ST1 may be connected to the j+1th data line Dj+1.

즉, 본 발명의 실시예는 2 개의 스캔 라인들과 2 개의 데이터 라인들을 이용하여 제1 내지 제4 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)에 데이터 전압들을 공급할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예는 종래 1 개의 스캔 라인과 4 개의 데이터 라인들을 이용하여 제1 내지 제4 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)에 데이터 전압을 공급할 때보다 데이터 라인들의 개수를 절반으로 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 소스 드라이브 IC의 개수를 줄일 수 있으므로, 제조 비용을 절감할 수 있다.That is, in the embodiment of the present invention, data voltages may be supplied to the first to fourth sub-pixels RP, WP, BP, and GP using two scan lines and two data lines. Accordingly, in the exemplary embodiment of the present invention, the number of data lines is higher than when data voltages are supplied to the first to fourth sub-pixels RP, WP, BP, and GP using one scan line and four data lines in the related art. can be reduced by half. Accordingly, the embodiment of the present invention can reduce the number of source drive ICs, thereby reducing manufacturing cost.

또한, 화소(P)에 포함된 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)의 제2 트랜지스터(ST2)들의 게이트 전극들은 동일한 센싱 라인에 접속되고, 드레인 전극들은 동일한 기준전압 라인에 접속될 수 있다. 특히, 서로 인접한 두 개의 화소(P)들의 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)의 제2 트랜지스터(ST2)들의 게이트 전극들은 동일한 센싱 라인에 접속되고, 드레인 전극들은 동일한 기준전압 라인에 접속될 수 있다. 이로 인해, 본 발명의 실시예는 동일한 센싱 라인에 센싱 신호가 공급될 때 서로 인접한 두 개의 화소(P)들의 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)의 구동 트랜지스터들의 전류들을 동일한 기준전압 라인을 통해 센싱할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 센싱 라인들의 개수를 줄일 수 있으므로, 화소(P)들 각각의 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)의 개구율을 높일 수 있다.Also, the gate electrodes of the second transistors ST2 of the sub-pixels RP, WP, BP, and GP included in the pixel P may be connected to the same sensing line, and the drain electrodes may be connected to the same reference voltage line. have. In particular, the gate electrodes of the second transistors ST2 of the sub-pixels RP, WP, BP, and GP of the two adjacent pixels P are connected to the same sensing line, and the drain electrodes are connected to the same reference voltage line. can be For this reason, in the embodiment of the present invention, when a sensing signal is supplied to the same sensing line, the currents of the driving transistors of the sub-pixels RP, WP, BP, and GP of the two pixels P adjacent to each other are transferred to the same reference voltage line. can be sensed through Accordingly, since the embodiment of the present invention can reduce the number of sensing lines, the aperture ratio of each of the sub-pixels RP, WP, BP, and GP of the pixels P can be increased.

도 6은 제N 및 제N+1 프레임 기간들 동안 제1 내지 제8 스캔 라인들에 인가되는 제1 내지 제8 스캔 신호들과 제1 및 제2 센싱신호 라인들에 인가되는 제1 및 제2 센싱신호들을 보여주는 파형도이다.6 illustrates first to eighth scan signals applied to first to eighth scan lines and first and second sensing signal lines applied to first and second sensing signal lines during Nth and N+1th frame periods; 2 It is a waveform diagram showing sensing signals.

도 6에서는 설명의 편의를 위해 제N(N은 양의 정수) 및 제N+1 프레임 기간들(frame periods)만을 예시하였다. 60㎐의 주파수로 구동되는 경우, 1 초(1 second)에 60 개의 프레임 기간들이 포함될 수 있다. 이 경우, 프레임 기간들 각각은 대략 16.68㎳일 수 있다. 또한, 도 6에서는 설명의 편의를 위해 제1 내지 제8 스캔 신호들(Scan1~Scan8)과 제1 및 제2 센싱 신호들(Sense1, Sense2)만을 예시하였다.In FIG. 6 , only Nth (N is a positive integer) and N+1th frame periods are illustrated for convenience of explanation. When driven at a frequency of 60 Hz, 60 frame periods may be included in 1 second. In this case, each of the frame periods may be approximately 16.68 ms. Also, in FIG. 6 , only the first to eighth scan signals Scan1 to Scan8 and the first and second sensing signals Sense1 and Sense2 are exemplified for convenience of explanation.

도 6을 참조하면, 프레임 기간들 각각은 액티브 기간(active perid, AP)과 블랭크 기간(blank period, BP)를 포함한다. 액티브 기간(AP)은 표시패널(10)의 화소(P)들의 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)에 데이터 전압들이 공급되는 데이터 어드레싱(data addressing) 기간이다. 블랭크 기간(BP)은 휴지 기간일 수 있으나, 본 발명의 실시예에서는 하나의 센싱 라인에 접속된 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)의 구동 트랜지스터(DT)들의 전류들을 센싱하는 센싱 기간으로 동작된다.Referring to FIG. 6 , each of the frame periods includes an active period (AP) and a blank period (BP). The active period AP is a data addressing period in which data voltages are supplied to the sub-pixels RP, WP, BP, and GP of the pixels P of the display panel 10 . The blank period BP may be a rest period, but in an exemplary embodiment of the present invention, a sensing period for sensing currents of the driving transistors DT of the sub-pixels RP, WP, BP, and GP connected to one sensing line. is operated with

액티브 기간(AP) 동안 게이트 하이 전압(VGH)의 스캔 신호들(Scan1~Scan8)은 스캔 라인들에 순차적으로 인가된다. 이때, 발광 데이터 전압들은 스캔 신호들(Scan1~Scan8)에 동기화하여 데이터 라인들에 공급된다. 따라서, 액티브 기간(AP) 동안 스캔 신호가 공급되는 스캔 라인에 접속된 서브 화소들은 데이터 라인들을 통해 발광 데이터 전압들을 인가받을 수 있다. During the active period AP, the scan signals Scan1 to Scan8 of the gate high voltage VGH are sequentially applied to the scan lines. At this time, the emission data voltages are supplied to the data lines in synchronization with the scan signals Scan1 to Scan8. Accordingly, the sub-pixels connected to the scan line to which the scan signal is supplied during the active period AP may receive the emission data voltages through the data lines.

액티브 기간(AP) 동안 게이트 하이 전압(VGH)의 센싱 신호들(Sense1, Sense2)은 센싱 라인들에 순차적으로 인가된다. 이때, 기준전압 라인들에는 기준전압이 공급된다. 따라서, 액티브 기간(AP) 동안 센싱 신호가 공급되는 센싱 라인에 접속된 서브 화소들은 기준전압 라인을 통해 기준전압을 인가받을 수 있다.During the active period AP, the sensing signals Sense1 and Sense2 of the gate high voltage VGH are sequentially applied to the sensing lines. At this time, the reference voltage is supplied to the reference voltage lines. Accordingly, the sub-pixels connected to the sensing line to which the sensing signal is supplied during the active period AP may receive the reference voltage through the reference voltage line.

게이트 하이 전압(VGH)은 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)의 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)을 턴-온시킬 수 있는 전압에 해당한다. 게이트 로우 전압(VGL)은 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)의 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)을 턴-오프시킬 수 있는 전압에 해당한다. 게이트 로우 전압(VGL)은 게이트 하이 전압(VGH)보다 낮은 레벨의 전압일 수 있다.The gate high voltage VGH corresponds to a voltage capable of turning on the first and second transistors T1 and T2 of the sub-pixels RP, WP, BP, and GP. The gate low voltage VGL corresponds to a voltage capable of turning off the first and second transistors T1 and T2 of the sub-pixels RP, WP, BP, and GP. The gate low voltage VGL may be a voltage at a lower level than the gate high voltage VGH.

한편, 하나의 센싱 라인에 접속되는 두 개의 화소(P)들의 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)이 4 개의 스캔 라인들에 접속된다. 이로 인해, 센싱 신호들(Sense1, Sense2) 각각은 4 개의 스캔 신호들마다 인가될 수 있다. 즉, 센싱 신호들(Sense1, Sense2) 각각의 폭은 스캔 신호들 각각의 폭보다 넓으며, 도 4 및 도 5와 같이 하나의 센싱 라인에 접속되는 두 개의 화소(P)들의 서브 화소들(RP, WP, BP, GP)이 4 개의 스캔 라인들에 접속되는 경우 센싱 신호들(Sense1, Sense2) 각각의 폭은 스캔 신호들 각각의 폭보다 대략 4 배 넓을 수 있다.Meanwhile, the sub-pixels RP, WP, BP, and GP of the two pixels P connected to one sensing line are connected to the four scan lines. For this reason, each of the sensing signals Sense1 and Sense2 may be applied every four scan signals. That is, the width of each of the sensing signals Sense1 and Sense2 is wider than the width of each of the scan signals, and the sub-pixels RP of the two pixels P connected to one sensing line as shown in FIGS. 4 and 5 . , WP, BP, and GP) are connected to the four scan lines, the width of each of the sensing signals Sense1 and Sense2 may be approximately 4 times wider than the width of each of the scan signals.

액티브 기간(AP) 동안 서브 화소들(RP, WP, BP, GP) 각각의 동작은 다음과 같다.Operations of each of the sub-pixels RP, WP, BP, and GP during the active period AP are as follows.

첫 번째로, 액티브 기간(AP) 동안 제1 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)으로 게이트 하이 전압(VGH)의 제k 스캔신호(Scank)가 공급되는 경우 턴-온된다. 이로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제j 데이터라인(Dj)의 발광 데이터전압이 공급된다.First, during the active period AP, the first transistor ST1 is turned on when the k-th scan signal Scank of the gate high voltage VGH is supplied to the k-th scan line Sk. Accordingly, the light emission data voltage of the j-th data line Dj is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT.

두 번째로, 액티브 기간(AP) 동안 제2 트랜지스터(ST2)는 제v 센싱라인(SEv)으로 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)의 제v 센싱신호(Sensev)에 의해 턴-온된다. 이로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압이 공급된다.Second, during the active period AP, the second transistor ST2 is turned on by the vth sensing signal Sensev of the gate high voltage VGH supplied to the vth sensing line SEv. Accordingly, the reference voltage of the u-th reference voltage line Ru is supplied to the source electrode of the driving transistor DT.

액티브 기간(AP) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압과 소스 전압 간의 차이는 커패시터(C)에 저장된다. 제1 및 제2 트랜지스터(ST1, ST2)가 모두 턴-오프되는 경우, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압과 소스 전압 간의 차이에 따른 전류(Ids)는 유기발광 다이오드(ROLED/WOLED/BOLED/GOLED)로 흐른다. 발광 데이터 전압은 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 보상된 전압이므로, 구동 트랜지스터(DT)를 통해 유기발광 다이오드(ROLED/WOLED/BOLED/GOLED)로 흐르는 전류는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압에 의존하지 않는다.A difference between the gate voltage and the source voltage of the driving transistor DT during the active period AP is stored in the capacitor C. When both the first and second transistors ST1 and ST2 are turned off, the current Ids according to the difference between the gate voltage and the source voltage of the driving transistor DT is the organic light emitting diode (ROLED/WOLED/BOLED/GOLED). ) flows to Since the emission data voltage is a voltage in which the threshold voltage of the driving transistor DT is compensated, the current flowing to the organic light emitting diodes ROLED/WOLED/BOLED/GOLED through the driving transistor DT is equal to the threshold voltage of the driving transistor DT. do not depend

블랭크 기간(BP)은 제1 내지 제2 기간들(T1, T2)로 구분된다. 제1 기간(T1)은 하나의 스캔 라인을 제외한 나머지 스캔 라인들에 스캔 신호들이 동시에 공급되는 기간이고, 제2 기간(T2)은 상기 하나의 스캔 라인과 상기 하나의 스캔 라인에 접속된 서브 화소들에 접속된 센싱 라인에 센싱 신호를 공급하는 기간이다.The blank period BP is divided into first to second periods T1 and T2 . The first period T1 is a period in which scan signals are simultaneously supplied to the remaining scan lines except for one scan line, and the second period T2 is the one scan line and the sub-pixels connected to the one scan line. It is a period in which a sensing signal is supplied to a sensing line connected to the .

제1 기간(T1) 동안 제k 스캔 라인을 제외한 나머지 스캔 라인들에 게이트 하이 전압(VGH)의 스캔 신호들이 동시에 공급된다. 예를 들어, 도 6과 같이 제N 프레임 기간의 블랭크 기간(BP)의 제1 기간(T1) 동안 제1 스캔 라인을 제외한 나머지 스캔 라인들에 게이트 하이 전압(VGH)의 스캔 신호들(Scan2~Scan8)이 동시에 공급될 수 있다. 또한, 도 6과 같이 제N+1 프레임 기간의 블랭크 기간(BP)의 제1 기간(T1) 동안 제2 스캔 라인을 제외한 나머지 스캔 라인들에 게이트 하이 전압(VGH)의 스캔 신호들(Scan1, Scan3~Scan8)이 동시에 공급될 수 있다. 이때, 블랙 데이터 전압들이 제1 기간(T1) 동안 데이터 라인들에 공급된다. 따라서, 제1 기간(T1) 동안 상기 나머지 스캔 라인들에 접속된 서브 화소들은 데이터 라인들을 통해 블랙 데이터 전압들을 인가받을 수 있다. 제1 기간(T1) 동안 게이트 로우 전압(VGL)의 센싱 신호들(Sense1, Sense2)이 센싱 라인들에 인가된다.During the first period T1, scan signals of the gate high voltage VGH are simultaneously supplied to the remaining scan lines except for the k-th scan line. For example, as shown in FIG. 6 , during the first period T1 of the blank period BP of the Nth frame period, the scan signals Scan2 to the gate high voltage VGH are applied to the remaining scan lines except for the first scan line. Scan8) can be fed simultaneously. Also, as shown in FIG. 6 , during the first period T1 of the blank period BP of the N+1th frame period, scan signals Scan1 of the gate high voltage VGH are applied to the remaining scan lines except for the second scan line. Scan3~Scan8) can be supplied at the same time. In this case, the black data voltages are supplied to the data lines during the first period T1. Accordingly, during the first period T1 , the sub-pixels connected to the remaining scan lines may receive black data voltages through the data lines. During the first period T1 , the sensing signals Sense1 and Sense2 of the gate low voltage VGL are applied to the sensing lines.

제2 기간(T2) 동안 상기 제k 스캔 라인에만 게이트 하이 전압(VGH)의 스캔 신호가 공급된다. 예를 들어, 도 6과 같이 제N 프레임 기간의 블랭크 기간(BP)의 제2 기간(T2) 동안 제1 스캔 라인에만 게이트 하이 전압(VGH)의 제1 스캔 신호(Scan1)가 공급될 수 있다. 또한, 도 6과 같이 제N+1 프레임 기간의 블랭크 기간(BP)의 제2 기간(T2) 동안 제2 스캔 라인에만 게이트 하이 전압(VGH)의 스캔 신호(Scan2)가 공급될 수 있다. 이때, 센싱 데이터 전압들이 제2 기간(T2) 동안 데이터 라인들에 공급된다. 따라서, 제2 기간(T2) 동안 상기 제k 스캔 라인에 접속된 서브 화소들은 데이터 라인들을 통해 센싱 데이터 전압들을 인가받을 수 있다.During the second period T2, the scan signal of the gate high voltage VGH is supplied only to the k-th scan line. For example, as shown in FIG. 6 , the first scan signal Scan1 of the gate high voltage VGH may be supplied only to the first scan line during the second period T2 of the blank period BP of the Nth frame period. . Also, as shown in FIG. 6 , the scan signal Scan2 of the gate high voltage VGH may be supplied only to the second scan line during the second period T2 of the blank period BP of the N+1th frame period. In this case, the sensed data voltages are supplied to the data lines during the second period T2. Accordingly, during the second period T2 , the sub-pixels connected to the k-th scan line may receive sensing data voltages through the data lines.

제2 기간(T2) 동안 제k 스캔 라인에 접속된 서브 화소들에 접속된 제v 센싱 라인에만 게이트 하이 전압(VGH)의 센싱 신호가 인가된다. 예를 들어, 제1 스캔 라인에 접속된 서브 화소들은 도 4 및 도 5와 같이 제1 센싱 라인에 접속되므로, 제N 프레임 기간의 블랭크 기간(BP)의 제2 기간(T2) 동안 제1 센싱 라인(SE1)에만 게이트 하이 전압(VGH)의 제1 센싱 신호(Sense1)가 인가될 수 있다. 또한, 제2 스캔 라인에 접속된 서브 화소들은 도 4 및 도 5와 같이 제1 센싱 라인에 접속되므로, 제N+1 프레임 기간의 블랭크 기간(BP)의 제2 기간(T2) 동안 제1 센싱 라인(SE1)에만 게이트 하이 전압(VGH)의 제1 센싱 신호(Sense1)가 인가될 수 있다.During the second period T2, the sensing signal of the gate high voltage VGH is applied only to the v-th sensing line connected to the sub-pixels connected to the k-th scan line. For example, since sub-pixels connected to the first scan line are connected to the first sensing line as shown in FIGS. 4 and 5 , the first sensing is performed during the second period T2 of the blank period BP of the Nth frame period. The first sensing signal Sense1 of the gate high voltage VGH may be applied only to the line SE1 . In addition, since the sub-pixels connected to the second scan line are connected to the first sensing line as shown in FIGS. 4 and 5 , the first sensing is performed during the second period T2 of the blank period BP of the N+1th frame period. The first sensing signal Sense1 of the gate high voltage VGH may be applied only to the line SE1 .

한편, 제2 기간(T2) 동안 인가되는 센싱 신호의 폭은 제2 기간(T2) 동안 인가되는 스캔 신호의 폭보다 넓을 수 있다. 이로 인해, 제2 기간(T2)은 제2-1 기간(T2-1)과 제2-2 기간(T2-2)로 구분될 수 있다. 제2-1 기간(T2-1)은 제2 기간(T2)에서 스캔 신호와 센싱 신호가 게이트 하이 전압(VGH)으로 인가되는 기간을 나타내고, 제2-2 기간(T2-2)은 제2 기간(T2) 동안 스캔 신호가 게이트 로우 전압(VGL)으로 인가되고 센싱 신호가 게이트 하이 전압(VGH)으로 인가되는 기간을 나타낸다.Meanwhile, the width of the sensing signal applied during the second period T2 may be wider than the width of the scan signal applied during the second period T2 . Accordingly, the second period T2 may be divided into a 2-1 period T2-1 and a 2-2 period T2-2. The 2-1 period T2-1 represents a period in which the scan signal and the sensing signal are applied as the gate high voltage VGH in the second period T2, and the 2-2 period T2-2 is the second period T2. During the period T2, the scan signal is applied as the gate low voltage VGL and the sensing signal is applied as the gate high voltage VGH.

블랭크 기간(BP)의 제1 기간(T1) 동안 기준전압 라인들에는 기준전압이 공급된다. 또한, 블랭크 기간(BP)의 제2 기간(T2)에서 제k 스캔 신호가 공급되는 제2-1 기간(T2-1) 동안 기준전압 라인들에 기준전압이 공급되며, 제2-1 기간(T2-1) 이후의 제2-2 기간(T2-2) 동안 기준전압 라인들은 제2 스위칭부(130)을 통해 센싱 데이터 출력부(140)에 접속된다.A reference voltage is supplied to the reference voltage lines during the first period T1 of the blank period BP. In addition, in the second period T2 of the blank period BP, the reference voltage is supplied to the reference voltage lines during the 2-1 period T2-1 in which the k-th scan signal is supplied, and the reference voltage is supplied to the reference voltage lines during the 2-1 period ( After T2-1), the reference voltage lines are connected to the sensing data output unit 140 through the second switching unit 130 during the 2-2 period T2 - 2 .

첫 번째로, 블랭크 기간(BP)의 제1 기간(T1) 동안 어느 하나의 센싱 라인에 접속된 서브 화소들에 접속된 스캔 라인들 중 하나의 스캔 라인을 제외한 나머지 스캔 라인들에 스캔 신호들이 동시에 공급된다. 상기 나머지 스캔 라인들에 접속된 서브 화소들(RP, WP, BP, GP) 각각의 제1 트랜지스터(ST1)는 상기 나머지 스캔 라인들로 게이트 하이 전압(VGH)의 스캔신호들이 공급되는 경우 턴-온된다. 이로 인해, 상기 나머지 스캔 라인들에 접속된 서브 화소들(RP, WP, BP, GP) 각각의 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 데이터 라인들의 블랙 데이터전압이 공급된다.First, during the first period T1 of the blank period BP, scan signals are simultaneously applied to the remaining scan lines except for one of the scan lines connected to the sub-pixels connected to any one sensing line. is supplied The first transistor ST1 of each of the sub-pixels RP, WP, BP, and GP connected to the remaining scan lines is turned on when the scan signals of the gate high voltage VGH are supplied to the remaining scan lines. comes on Accordingly, the black data voltage of the data lines is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT of each of the sub-pixels RP, WP, BP, and GP connected to the remaining scan lines.

두 번째로, 블랭크 기간(BP)의 제2-1 기간(T2-1) 동안 상기 하나의 스캔 라인에만 스캔 신호가 공급된다. 상기 하나의 스캔 라인에 접속된 서브 화소들(RP, WP, BP, GP) 각각의 제2 트랜지스터(ST2)는 상기 하나의 스캔 라인으로 게이트 하이 전압(VGH)의 스캔신호가 공급되는 경우 턴-온된다. 이로 인해, 상기 하나의 스캔 라인에 접속된 서브 화소들(RP, WP, BP, GP) 각각의 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 데이터 라인들의 센싱 데이터전압이 공급된다.Second, the scan signal is supplied to only the one scan line during the 2-1 th period T2-1 of the blank period BP. The second transistor ST2 of each of the sub-pixels RP, WP, BP, and GP connected to the one scan line is turned on when the scan signal of the gate high voltage VGH is supplied to the one scan line. comes on Accordingly, the sensing data voltage of the data lines is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT of each of the sub-pixels RP, WP, BP, and GP connected to the one scan line.

제2 기간(T2) 동안 제2 트랜지스터(ST2)는 어느 하나의 센싱 라인으로 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)의 센싱신호에 의해 턴-온된다. 제2-1 기간(T2-1) 동안 기준전압 라인들에 기준전압이 공급되고, 제2-2 기간(T2-2) 동안 기준전압 라인들은 센싱 데이터 출력부(140)에 접속된다.During the second period T2, the second transistor ST2 is turned on by the sensing signal of the gate high voltage VGH supplied to any one sensing line. Reference voltages are supplied to the reference voltage lines during the 2-1 period T2-1, and the reference voltage lines are connected to the sensing data output unit 140 during the 2-2 period T2-2.

제2-1 기간(T2-1) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압과 소스 전압 간의 차이는 커패시터(C)에 저장된다. 제2-2 기간(T2-2) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압과 소스 전압 간의 차이에 따른 전류(Ids)가 제2 트랜지스터(ST2)를 통해 기준전압 라인들로 흐른다. 제2-2 기간(T2-2) 동안 기준전압 라인들은 센싱 데이터 출력부(140)에 접속되므로, 구동 트랜지스터(DT)의 전류는 센싱 데이터 출력부(140)에 센싱될 수 있다.A difference between the gate voltage and the source voltage of the driving transistor DT is stored in the capacitor C during the 2-1 th period T2-1. A current Ids according to a difference between the gate voltage and the source voltage of the driving transistor DT flows to the reference voltage lines through the second transistor ST2 during the 2-2 period T2 - 2 . Since the reference voltage lines are connected to the sensing data output unit 140 during the 2-2 period T2 - 2 , the current of the driving transistor DT may be sensed by the sensing data output unit 140 .

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 하나의 센싱 라인에 두 개의 화소(P)들의 서브 화소들(RP, WP, GP, BP)이 접속되므로, 블랭크 기간(BP) 동안 상기 두 개의 화소(P)들에 접속된 스캔 라인들 중 어느 하나의 스캔 라인에 접속된 서브 화소들만을 센싱한다. 특히, 본 발명의 실시예는 상기 두 개의 화소(P)들에 접속된 스캔 라인들 중 나머지 스캔 라인들에는 블랙 데이터전압을 공급함으로써, 나머지 서브화소들의 영향을 받지 않고, 상기 어느 하나의 스캔 라인에 접속된 서브 화소들의 구동 트랜지스터(DT)들의 전류를 정확하게 센싱할 수 있다.As described above, in the embodiment of the present invention, since the sub-pixels RP, WP, GP, and BP of the two pixels P are connected to one sensing line, during the blank period BP, the two pixels Only sub-pixels connected to any one scan line among the scan lines connected to (P) are sensed. In particular, according to the embodiment of the present invention, a black data voltage is supplied to the remaining scan lines among the scan lines connected to the two pixels P, so that the other sub-pixels are not affected, and any one of the scan lines is not affected. Currents of the driving transistors DT of the sub-pixels connected to can be accurately sensed.

도 7은 도 1의 표시영역의 화소들을 상세히 보여주는 다른 예시도면이다. 도 7에서는 표시영역(AA)의 화소(P)들 각각이 스캔 라인 방향(X축 방향)으로 배열된 제1 내지 제3 서브 화소들(RP, GP, BP)을 포함하는 것을 예시하였다. 구체적으로, 제1 서브 화소(RP)들은 적색 광을 발광하는 서브 화소들이고, 제2 서브 화소(GP)들은 녹색 광을 발광하는 서브 화소들이고, 제3 서브 화소(BP)들은 청색 광을 발광하는 서브 화소들일 수 있다.FIG. 7 is another exemplary view showing in detail pixels of the display area of FIG. 1 . 7 illustrates that each of the pixels P of the display area AA includes the first to third sub-pixels RP, GP, and BP arranged in the scan line direction (X-axis direction). Specifically, the first sub-pixels RP are sub-pixels emitting red light, the second sub-pixels GP are sub-pixels emitting green light, and the third sub-pixels BP are sub-pixels emitting blue light. They may be sub-pixels.

도 7에서는 화소(P)들 각각이 스캔 라인 방향(X축 방향)으로 배열된 제1 내지 제3 서브 화소들(RP, GP, BP)을 포함함으로써 서브 화소들(RP, GP, BP)의 배치 위치가 변경되는 것을 제외하고는 도 4를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하게 설계된다. 즉, 도 7에서 스캔 라인 방향(X축 방향)으로 배열된 4 개의 서브 화소들의 스캔 라인들, 데이터 라인들, 센싱 라인, 및 기준전압 라인의 접속 구조는 도 4를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다.In FIG. 7 , each of the pixels P includes the first to third sub-pixels RP, GP, and BP arranged in the scan line direction (X-axis direction). The design is substantially the same as described in connection with FIG. 4 except that the arrangement position is changed. That is, the connection structure of the scan lines, data lines, sensing line, and reference voltage line of the four sub-pixels arranged in the scan line direction (X-axis direction) in FIG. 7 is substantially the same as that described in connection with FIG. 4 . do.

도 8는 도 7의 화소들 일부를 상세히 보여주는 회로도이다. 도 8을 참조하면, 화소(P)에 포함된 제1 내지 제3 서브 화소들(RP, GP, BP) 각각은 유기발광 다이오드(ROLED/GOLED/BOLED), 구동 트랜지스터(DT), 제1 트랜지스터(T1), 및 제2 트랜지스터(T2), 및 커패시터(C)를 포함할 수 있다.8 is a circuit diagram illustrating in detail some of the pixels of FIG. 7 . Referring to FIG. 8 , each of the first to third sub-pixels RP, GP, and BP included in the pixel P includes an organic light emitting diode (ROLED/GOLED/BOLED), a driving transistor DT, and a first transistor. ( T1 ), a second transistor T2 , and a capacitor C may be included.

도 8에 도시된 제1 내지 제3 서브 화소들(RP, GP, BP) 각각의 유기발광 다이오드(ROLED/GOLED/BOLED), 구동 트랜지스터(DT), 제1 트랜지스터(T1), 및 제2 트랜지스터(T2), 및 커패시터(C)는 도 5를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하므로, 이들에 대한 자세한 설명은 생략한다.The organic light emitting diode ROLED/GOLED/BOLED, the driving transistor DT, the first transistor T1, and the second transistor of each of the first to third sub-pixels RP, GP, and BP illustrated in FIG. 8 . Since T2 and the capacitor C are substantially the same as those described with reference to FIG. 5 , a detailed description thereof will be omitted.

또한, 도 8에서는 화소(P)들 각각이 스캔 라인 방향(X축 방향)으로 배열된 제1 내지 제3 서브 화소들(RP, GP, BP)을 포함함으로써 서브 화소들(RP, GP, BP)의 배치 위치가 변경되는 것을 제외하고는 도 4를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하게 설계된다. 즉, 도 7에서 스캔 라인 방향(X축 방향)으로 배열된 4 개의 서브 화소들의 스캔 라인들, 데이터 라인들, 센싱 라인, 및 기준전압 라인의 접속 구조는 도 4를 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하다.Also, in FIG. 8 , each of the pixels P includes the first to third sub-pixels RP, GP, and BP arranged in the scan line direction (X-axis direction), so that the sub-pixels RP, GP, and BP ) is designed substantially the same as described in connection with FIG. 4 except that the arrangement position is changed. That is, the connection structure of the scan lines, data lines, sensing line, and reference voltage line of the four sub-pixels arranged in the scan line direction (X-axis direction) in FIG. 7 is substantially the same as that described in connection with FIG. 4 . do.

또한, 도 8에 도시된 화소(P)들의 서브 화소들(RP, GP, BP)에는 도 6에 도시된 스캔 신호들과 센싱 신호들이 공급될 수 있으며, 도 8에 도시된 화소(P)들의 서브 화소들(RP, GP, BP)은 도 6을 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하게 동작될 수 있다.In addition, the scan signals and sensing signals shown in FIG. 6 may be supplied to the sub-pixels RP, GP, and BP of the pixels P shown in FIG. 8 , and the pixels P shown in FIG. The sub-pixels RP, GP, and BP may operate substantially the same as described with reference to FIG. 6 .

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The protection scope of the present invention should be construed by the claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

10: 표시패널 20: 데이터 구동부
21: 소스 드라이브 IC 22: 연성필름
40: 스캔 구동부 41: 스캔신호 출력부
42: 센싱신호 출력부 50: 소스 회로보드
60: 타이밍 제어부 70: 데이터 보상부
80: 기준전압 공급부 90: 제어 회로보드
91: 연성 케이블 110: 데이터전압 공급부
120: 제1 스위칭부 130: 제2 스위칭부
140: 센싱 데이터 출력부
10: display panel 20: data driver
21: source drive IC 22: flexible film
40: scan driver 41: scan signal output unit
42: sensing signal output unit 50: source circuit board
60: timing control unit 70: data compensation unit
80: reference voltage supply 90: control circuit board
91: flexible cable 110: data voltage supply
120: first switching unit 130: second switching unit
140: sensing data output unit

Claims (10)

데이터 라인들;
상기 데이터 라인들과 교차되며, 서로 나란한 스캔 라인들과 센싱 라인들; 및
복수의 서브 화소들을 포함하는 화소들을 구비하고,
상기 스캔 라인 방향으로 서로 인접한 두 개의 서브 화소들은 동일한 데이터 라인에 접속되고 서로 다른 스캔 라인들에 접속되며,
상기 데이터 라인 방향으로 서로 인접한 두 개의 화소들의 서브 화소들은 동일한 센싱 라인에 접속된 유기발광 표시장치.
data lines;
scan lines and sensing lines that cross the data lines and are parallel to each other; and
having pixels including a plurality of sub-pixels,
two sub-pixels adjacent to each other in the scan line direction are connected to the same data line and connected to different scan lines;
The sub-pixels of the two pixels adjacent to each other in the data line direction are connected to the same sensing line.
제 1 항에 있어서,
상기 스캔 라인 방향으로 배열된 4 개의 서브 화소들 중 어느 두 개의 서브 화소들은 상기 데이터 라인들 중 제j(j는 양의 정수) 데이터 라인에 접속되고 제k(k는 양의 정수) 및 제k+1 스캔 라인들에 접속되며, 다른 두 개의 서브 화소들은 상기 데이터 라인들 중 제j+1 데이터 라인에 접속되고 상기 제k 및 제k+1 스캔 라인들에 접속되는 유기발광 표시장치.
The method of claim 1,
Any two sub-pixels among the four sub-pixels arranged in the scan line direction are connected to a j-th (j is a positive integer) data line among the data lines, and k-th (k is a positive integer) and k-th sub-pixels. The organic light emitting diode display is connected to +1 scan lines, and the other two sub-pixels are connected to a j+1th data line among the data lines and connected to the kth and k+1th scan lines.
제 2 항에 있어서,
상기 데이터 라인들과 나란한 기준전압 라인들을 더 구비하고,
상기 4 개의 서브 화소들은 동일한 기준전압 라인에 접속되는 유기발광 표시장치.
3. The method of claim 2,
Further comprising reference voltage lines parallel to the data lines,
The four sub-pixels are connected to the same reference voltage line.
제 1 항에 있어서,
상기 화소들 각각의 서브 화소들은 상기 데이터 라인들 중 두 개의 데이터 라인들, 상기 스캔 라인들 중 두 개의 스캔 라인들, 및 상기 센싱 라인들 중 하나의 센싱 라인에 접속되는 유기발광 표시장치.
The method of claim 1,
The sub-pixels of each of the pixels are connected to two data lines among the data lines, two scan lines among the scan lines, and one sensing line among the sensing lines.
제 4 항에 있어서,
상기 데이터 라인들과 나란한 기준전압 라인들을 더 구비하고,
상기 화소들 각각의 서브 화소들은 상기 기준전압 라인들 중 하나의 기준전압 라인에 접속되는 유기발광 표시장치.
5. The method of claim 4,
Further comprising reference voltage lines parallel to the data lines,
The sub-pixels of each of the pixels are connected to one reference voltage line among the reference voltage lines.
제 5 항에 있어서,
상기 화소들 각각은 상기 스캔 라인 방향으로 배열된 4 개의 서브 화소들을 포함하는 유기발광 표시장치.
6. The method of claim 5,
and each of the pixels includes four sub-pixels arranged in the scan line direction.
제 5 항에 있어서,
상기 화소들 각각은 스캔 라인 방향으로 배열된 3 개의 서브 화소들을 포함하는 유기발광 표시장치.
6. The method of claim 5,
Each of the pixels includes an organic light emitting diode display including three sub-pixels arranged in a scan line direction.
제 1 항에 있어서,
상기 서브 화소들 각각은,
유기발광다이오드;
게이트전압과 소스전압 간의 전압 차에 따라 상기 유기발광다이오드로 흐르는 전류량을 조정하는 구동 트랜지스터;
상기 스캔라인의 스캔신호에 의해 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 상기 데이터라인의 데이터전압을 공급하는 제1 트랜지스터;
상기 센싱라인의 센싱신호에 의해 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극을 기준전압 라인과 접속시키는 제2 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
The method of claim 1,
Each of the sub-pixels,
organic light emitting diodes;
a driving transistor for adjusting an amount of current flowing through the organic light emitting diode according to a voltage difference between a gate voltage and a source voltage;
a first transistor turned on by the scan signal of the scan line to supply the data voltage of the data line to the gate electrode of the driving transistor;
a second transistor turned on by a sensing signal of the sensing line to connect a source electrode of the driving transistor to a reference voltage line; and
and a capacitor formed between a gate electrode and a source electrode of the driving transistor.
제 1 항에 있어서,
1 프레임 기간은 액티브 기간과 블랭크 기간을 포함하고, 상기 블랭크 기간은 제1 및 제2 기간들을 포함하며,
상기 액티브 기간 동안 상기 스캔 라인들에 스캔 신호들을 순차적으로 공급하고, 상기 블랭크 기간의 제1 기간(T1) 동안 어느 하나의 센싱 라인에 접속된 서브 화소들에 접속된 스캔 라인들 중 어느 하나의 스캔 라인을 제외한 나머지 스캔 라인들에 스캔 신호들을 동시에 공급하며, 상기 블랭크 기간의 상기 제2 기간 동안 상기 어느 하나의 스캔 라인에만 스캔 신호를 공급하는 스캔 신호 출력부; 및
상기 블랭크 기간의 상기 제2 기간 동안 상기 어느 하나의 센싱 라인에만 센싱 신호를 공급하는 센싱 신호 출력부를 더 구비하는 유기발광 표시장치.
The method of claim 1,
One frame period includes an active period and a blank period, the blank period includes first and second periods,
During the active period, scan signals are sequentially supplied to the scan lines, and during the first period T1 of the blank period, any one of scan lines connected to sub-pixels connected to any one sensing line is scanned. a scan signal output unit that simultaneously supplies scan signals to the remaining scan lines except for the line and supplies scan signals to only one of the scan lines during the second period of the blank period; and
and a sensing signal output unit configured to supply a sensing signal to only the one sensing line during the second period of the blank period.
제 9 항에 있어서,
상기 제2 기간 동안 공급되는 상기 센싱 신호의 폭은 상기 제2 기간 동안 공급되는 상기 스캔 신호의 폭 보다 넓은 유기발광 표시장치.
10. The method of claim 9,
A width of the sensing signal supplied during the second period is wider than a width of the scan signal supplied during the second period.
KR1020150191377A 2015-12-31 2015-12-31 Organic light emitting display device KR102463347B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150191377A KR102463347B1 (en) 2015-12-31 2015-12-31 Organic light emitting display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150191377A KR102463347B1 (en) 2015-12-31 2015-12-31 Organic light emitting display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170080138A KR20170080138A (en) 2017-07-10
KR102463347B1 true KR102463347B1 (en) 2022-11-03

Family

ID=59355494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150191377A KR102463347B1 (en) 2015-12-31 2015-12-31 Organic light emitting display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102463347B1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102413866B1 (en) * 2017-08-16 2022-06-27 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method for driving the same
KR102461395B1 (en) * 2017-12-18 2022-10-31 엘지디스플레이 주식회사 Method for driving Organic light emitting diode display device
KR20210068769A (en) * 2019-12-02 2021-06-10 엘지디스플레이 주식회사 Ultrasonic sensor and display device
US11955057B2 (en) * 2021-03-30 2024-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100846969B1 (en) 2007-04-10 2008-07-17 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display and driving method thereof
KR100846970B1 (en) 2007-04-10 2008-07-17 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display and driving method thereof

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101073226B1 (en) * 2010-03-17 2011-10-12 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic Light Emitting Display Device
KR102102251B1 (en) * 2013-12-24 2020-04-20 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100846969B1 (en) 2007-04-10 2008-07-17 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display and driving method thereof
KR100846970B1 (en) 2007-04-10 2008-07-17 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display and driving method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170080138A (en) 2017-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102577493B1 (en) Organic light emitting device and its driving method
KR102597608B1 (en) Organic light emitting display device and method for driving the same
CN109599057B (en) Double-sided display
EP3327712B1 (en) Display device and method of compensating for deterioration of the same
KR102316986B1 (en) Organic light emitting display device
KR102463348B1 (en) Organic light emitting display device
KR102630608B1 (en) Organic light emitting display device and method for driving the same
KR102463347B1 (en) Organic light emitting display device
KR102429137B1 (en) Organic light emitting display device and method for driving the same
US11854495B2 (en) Display device and display driving method
KR102566579B1 (en) Organic Light Emitting Diode display device
KR20230103588A (en) Display device
KR102624365B1 (en) Display panel and tiled display device including the same
US11100867B2 (en) Light emitting display apparatus
KR102425237B1 (en) Organic light emitting display device and its driving method
KR102338038B1 (en) Organic Light Emitting Display Device And Method Of Driving The Same
KR20170081108A (en) Organic light emitting display device and method for driving the same
KR102578704B1 (en) Organic light emitting display apparatus
KR102635757B1 (en) Organic light emitting display device and method for driving the same
KR102660242B1 (en) Display device and its driving method
KR102599508B1 (en) Organic light emitting display device
KR102451384B1 (en) Display device
KR102644016B1 (en) Organic light emitting display device and method for driving the same
US20240203364A1 (en) Display device and display panel
US11847977B2 (en) Display device having a reference voltage for outputting to a subpixel

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant