KR20180013356A - Organic light emitting display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display)와 같은 여러가지 표시장치가 활용되고 있다. 이들 중에서 유기발광표시장치는 저전압 구동이 가능하고, 박형이며, 시야각이 우수하고, 응답속도가 빠른 특성이 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. In recent years, various display devices such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting display (OLED) have been used. Of these, the organic light emitting display device can be driven at a low voltage, is thin, has excellent viewing angle, and has a high response speed.
유기발광표시장치는 데이터라인들, 스캔라인들, 데이터라인들과 스캔라인들의 교차부에 형성된 다수의 서브 화소들을 구비하는 표시패널, 스캔라인들에 스캔신호들을 공급하는 스캔 구동부, 및 데이터라인들에 데이터전압들을 공급하는 데이터 구동부를 포함한다. 서브 화소들 각각은 유기발광다이오드(organic light emitting diode), 게이트 전극의 전압에 따라 유기발광다이오드에 공급되는 전류의 양을 조절하는 구동 트랜지스터(transistor), 스캔라인의 스캔신호에 응답하여 데이터라인의 데이터 전압을 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하는 공급하는 스캔 트랜지스터를 포함한다.The organic light emitting display includes a display panel having data lines, scan lines, a plurality of sub-pixels formed at intersections of data lines and scan lines, a scan driver for supplying scan signals to the scan lines, And a data driver for supplying data voltages to the data driver. Each of the sub-pixels includes an organic light emitting diode, a driving transistor for controlling the amount of current supplied to the organic light emitting diode according to the voltage of the gate electrode, And supplying the data voltage to the gate electrode of the driving transistor.
유기발광표시장치의 제조시의 공정 편차 또는 장기간 구동으로 인한 구동 트랜지스터의 열화 등의 원인으로 인하여, 구동 트랜지스터의 문턱전압(threshold voltage)과 전자 이동도(mobility)는 화소마다 달라질 수 있다. 즉, 화소들에 동일한 데이터전압을 인가하는 경우 유기발광다이오드에 공급되는 전류는 동일하여야 한다. 하지만, 화소들 사이의 구동 트랜지스터의 문턱전압과 전자 이동도의 차이로 인하여 화소들에 동일한 데이터전압을 인가하더라도 유기발광다이오드에 공급되는 전류가 화소마다 달라질 수 있다. 이에 따라, 화소들에 동일한 데이터전압을 인가하더라도, 유기발광다이오드가 발광하는 휘도가 화소마다 달라질 수 있다. 이를 해결하기 위해, 구동 트랜지스터의 문턱전압과 전자 이동도를 보상하는 보상 방법이 제안되었다.The threshold voltage and the electron mobility of the driving transistor may vary from pixel to pixel due to a process variation during manufacturing of the organic light emitting display device or deterioration of the driving transistor due to long-term driving. That is, when the same data voltage is applied to the pixels, the current supplied to the organic light emitting diode must be the same. However, even if the same data voltage is applied to the pixels due to the difference between the threshold voltage and the electron mobility of the driving transistor between the pixels, the current supplied to the organic light emitting diode may vary from pixel to pixel. Accordingly, even if the same data voltage is applied to the pixels, the luminance at which the organic light emitting diode emits light may vary from pixel to pixel. To solve this problem, a compensation method for compensating the threshold voltage and the electron mobility of the driving transistor has been proposed.
구동 트랜지스터의 문턱전압과 전자 이동도는 다음과 같은 외부 보상 방법에 의해 보상될 수 있다. 외부 보상 방법은 화소에 미리 설정된 데이터 전압을 공급하고, 미리 설정된 데이터 전압에 따라 구동 트랜지스터의 소스 전압 또는 구동 트랜지스터의 구동 전류를 소정의 센싱 라인을 통해 센싱하며, 아날로그 디지털 컨버터(analog digital converter)를 이용하여 센싱된 전압을 디지털 데이터인 센싱 데이터로 변환하고, 센싱 데이터에 따라 화소(P)에 공급될 디지털 비디오 데이터를 보상하는 방법이다.The threshold voltage and electron mobility of the driving transistor can be compensated by the following external compensation method. The external compensation method supplies a predetermined data voltage to the pixel, senses the source voltage of the driving transistor or the driving current of the driving transistor through a predetermined sensing line according to a preset data voltage, and outputs an analog digital converter And converts the sensed voltage into digital data sensing data to compensate digital video data to be supplied to the pixel P in accordance with the sensing data.
아날로그 디지털 컨버터는 도 1과 같이 데이터 전압들을 데이터 라인들에 공급하는 소스 드라이브 IC들(SIC1~SIC8) 각각에 내장될 수 있다. 표시패널(DIS)의 블록들(BL1~BL8)은 소스 드라이브 IC에 따라 분할될 수 있다. 즉, 제i(i는 2 이상의 정수) 소스 드라이브 IC의 아날로그 디지털 컨버터는 표시패널(DIS)의 제i 블록의 센싱 라인들에 접속되므로, 제i 블록의 센싱 라인들을 통해 소정의 전압을 센싱한다.The analog-to-digital converter can be embedded in each of the source drive ICs (SIC1 to SIC8) for supplying the data voltages to the data lines as shown in Fig. The blocks BL1 to BL8 of the display panel DIS can be divided according to the source drive IC. That is, since the analog digital converter of the i-th (i is an integer of 2 or more) source drive IC is connected to the sensing lines of the i-th block of the display panel DIS, a predetermined voltage is sensed through the sensing lines of the i-th block .
한편, 아날로그 디지털 컨버터의 특성은 제품 출하 후에 온도, 습도, 및 압력 등의 요인에 의해 영향을 받을 수 있다. 이 경우, 아날로그 디지털 컨버터들 각각이 센싱 라인을 통해 동일한 전압을 센싱하더라도, 아날로그 디지털 컨버터의 특성 변화에 따라 아날로그 디지털 컨버터들 사이에서 센싱 데이터에 차이가 발생할 수 있다. 이에 따라, 외부 보상 방법에 의해 구동 트랜지스터의 문턱전압과 전자 이동도를 보상하더라도, 아날로그 디지털 컨버터의 특성에 따른 센싱 데이터의 차이로 인하여, 도 2와 같이 소스 드라이브 IC(SIC)에 따라 분할된 표시패널(DIS)의 블록들(BL1~BL8)에서 휘도의 차이가 발생하는 블록 딤(block dim)이 사용자에게 시인될 수 있다.On the other hand, the characteristics of the analog-to-digital converter can be affected by factors such as temperature, humidity, and pressure after shipment. In this case, even if each of the analog-to-digital converters senses the same voltage through the sensing line, a difference may occur in the sensing data between the analog-digital converters according to the characteristic change of the analog-digital converter. Accordingly, even if the threshold voltage and the electron mobility of the driving transistor are compensated by the external compensation method, due to the difference in the sensing data depending on the characteristics of the analog-to-digital converter, A block dim where a difference in brightness occurs in the blocks BL1 to BL8 of the panel DIS can be visually recognized by the user.
본 발명은 아날로그 디지털 컨버터의 특성 변화에 따라 아날로그 디지털 컨버터들의 센싱 데이터 간에 차이가 발생하는 것을 보상할 수 있는 유기발광표시장치를 제공한다.The present invention provides an organic light emitting display capable of compensating for a difference between sensing data of analogue digital converters according to characteristics of an analogue digital converter.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치는 데이터 라인들과 기준전압 라인들에 접속된 화소들을 포함하는 표시패널, 디지털 보상 데이터를 데이터 전압들로 변환하여 데이터 라인들에 공급하는 데이터 전압 공급부와 기준전압 라인들을 통해 화소들의 소정의 전압들을 센싱하여 디지털 데이터인 센싱 데이터로 출력하는 아날로그 디지털 컨버터를 각각 포함하는 소스 드라이브 IC들, 외부로부터 입력된 디지털 비디오 데이터를 센싱 데이터에 기초하여 디지털 보상 데이터로 변환하여 데이터 전압 공급부에 공급하는 타이밍 콘트롤러를 구비한다. 소스 드라이브 IC들 중 적어도 두 개의 소스 드라이브 IC들의 아날로그 디지털 컨버터들은 동일한 라인으로부터 동일한 센싱 전압을 입력받는다.The organic light emitting display according to an embodiment of the present invention includes a display panel including pixels connected to data lines and reference voltage lines, a data voltage supply unit for converting the digital compensation data into data voltages, Source drive ICs each including an analog digital converter for sensing predetermined voltages of pixels through reference voltage lines and outputting them as digital data sensing data, digital video data inputted from the outside, And supplies the data voltage to the data voltage supply unit. Analog digital converters of at least two of the source drive ICs receive the same sensing voltage from the same line.
본 발명의 실시예는 소스 드라이브 IC들 중 적어도 두 개의 소스 드라이브 IC들의 아날로그 디지털 컨버터들이 동일한 라인으로부터 동일한 센싱 전압을 입력받는다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 아날로그 디지털 컨버터의 특성 변화에 따라 아날로그 디지털 컨버터들의 센싱 데이터 간에 차이가 발생하는 것을 보상할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 블록 딤이 사용자에게 시인되는 것을 방지할 수 있다.The embodiment of the present invention receives the same sensing voltage from the same line by analogue digital converters of at least two of the source drive ICs. As a result, the embodiment of the present invention can compensate for the occurrence of a difference between the sensing data of the analog-digital converters according to the characteristic change of the analog-digital converter. Therefore, the embodiment of the present invention can prevent the block dim from being viewed to the user.
도 1은 소스 드라이브 IC에 따라 분할된 표시패널의 블록들을 보여주는 일 예시도면이다.
도 2는 도 1의 표시패널의 블록 딤을 보여주는 일 예시도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치를 보여주는 블록도이다.
도 4는 도 1의 표시패널의 하부기판, 소스 드라이브 IC들, 타이밍 제어부, 데이터 보상부, 연성필름들, 소스 회로보드, 연성 케이블, 및 제어 회로보드를 보여주는 일 예시도면이다.
도 5는 도 4의 소스 드라이브 IC를 상세히 보여주는 블록도이다.
도 6은 도 5의 화소를 상세히 보여주는 회로도이다.
도 7은 표시 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 스위치에 공급되는 스위치 제어신호, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 8은 제1 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 스위치에 공급되는 스위치 제어신호, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 9는 제2 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 스위치에 공급되는 스위치 제어신호, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 서로 인접한 소스 드라이브 IC들에 접속된 센싱 라인들을 보여주는 예시도면이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 소스 드라이브 IC들과 소스 회로보드를 보여주는 예시도면이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 소스 드라이브 IC들과 소스 회로보드를 보여주는 예시도면이다.1 is an exemplary view showing blocks of a display panel divided according to a source drive IC.
2 is an exemplary view showing a block dim of the display panel of FIG.
3 is a block diagram illustrating an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an exemplary view showing a lower substrate, source drive ICs, a timing control section, a data compensation section, flexible films, a source circuit board, a flexible cable, and a control circuit board of the display panel of FIG.
5 is a detailed block diagram of the source drive IC of FIG.
6 is a circuit diagram showing the pixel of FIG. 5 in detail.
7 is a waveform diagram showing a scan signal and a sensing signal supplied to the pixel in the display mode, a switch control signal supplied to the switch, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor.
8 is a waveform diagram showing a scan signal and a sensing signal supplied to a pixel in the first sensing mode, a switch control signal supplied to the switch, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor.
9 is a waveform diagram showing a scan signal and a sensing signal supplied to the pixel in the second sensing mode, a switch control signal supplied to the switch, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor.
10 is an exemplary view showing sensing lines connected to adjacent source drive ICs according to an embodiment of the present invention.
11 is an exemplary view showing source drive ICs and a source circuit board according to another embodiment of the present invention.
12 is an exemplary view showing source drive ICs and a source circuit board according to another embodiment of the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.
본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. Where the terms "comprises," "having," "consisting of," and the like are used in this specification, other portions may be added as long as "only" is not used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if the temporal relationship is described by 'after', 'after', 'after', 'before', etc., May not be continuous unless they are not used.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.
"X축 방향", "Y축 방향" 및 "Z축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다. The terms "X-axis direction "," Y-axis direction ", and "Z-axis direction" should not be construed solely by the geometric relationship in which the relationship between them is vertical, It may mean having directionality.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다. It should be understood that the term "at least one" includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first item, the second item and the third item" means not only the first item, the second item or the third item, but also the second item and the second item among the first item, May refer to any combination of items that may be presented from more than one.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치를 보여주는 블록도이다. 도 4는 도 1의 표시패널의 하부기판, 소스 드라이브 IC들, 타이밍 제어부, 데이터 보상부, 연성필름들, 소스 회로보드, 연성 케이블, 및 제어 회로보드를 보여주는 일 예시도면이다. 도 5는 도 4의 소스 드라이브 IC를 상세히 보여주는 블록도이다.3 is a block diagram illustrating an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 4 is an exemplary view showing a lower substrate, source drive ICs, a timing control section, a data compensation section, flexible films, a source circuit board, a flexible cable, and a control circuit board of the display panel of FIG. 5 is a detailed block diagram of the source drive IC of FIG.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동부(20), 연성필름(22)들, 스캔 구동부(40), 소스 회로보드(50), 타이밍 제어부(60), 데이터 보상부(70), 기준전압 공급부(50), 연성 케이블(91), 및 제어 회로보드(90)를 포함한다.3 to 5, an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a
표시패널(10)은 표시영역(AA)과 표시영역(AA)의 주변에 마련된 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시영역(AA)은 화소(P)들이 형성되어 화상을 표시하는 영역이다. 표시패널(10)에는 데이터라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 양의 정수), 기준전압 라인들(R1~Rp, p는 2 이상의 양의 정수), 스캔라인들(S1~Sn, n은 2 이상의 양의 정수), 및 센싱신호라인들(SE1~SEn)이 마련된다. 데이터라인들(D1~Dm)과 기준전압 라인들(R1~Rp)은 스캔라인들(S1~Sn)과 센싱신호라인들(SE1~SEn)과 교차될 수 있다. 데이터라인들(D1~Dm)과 기준전압 라인들(R1~Rp)은 서로 나란할 수 있다. 스캔라인들(S1~Sn)과 센싱신호라인들(SE1~SEn)은 서로 나란할 수 있다.The
화소(P)들 각각은 데이터라인들(D1~Dm) 중 어느 하나, 기준전압 라인들(R1~Rp) 중 어느 하나, 스캔라인들(S1~Sn) 중 어느 하나, 및 센싱신호라인들(SE1~SEn) 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 표시패널(10)의 화소(P)들 각각은 도 6과 같이 유기발광다이오드(organic light emitting diode, OLED)와 유기발광다이오드(OLED)에 전류를 공급하기 위한 다수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 표시영역의 화소(P)들 각각에 대한 자세한 설명은 도 6을 결부하여 후술한다.Each of the pixels P includes one of the data lines D1 to Dm, one of the reference voltage lines R1 to Rp, one of the scan lines S1 to Sn, and one of the sensing signal lines SE1 to SEn, respectively. Each of the pixels P of the
데이터 구동부(20)는 도 2와 같이 다수의 소스 드라이브 IC(21)들을 포함할 수 있다. 소스 드라이브 IC(21)들 각각은 연성필름(22)들 각각에 실장될 수 있다. 연성필름(22)들 각각은 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package) 또는 칩온 필름(chip on film)일 수 있다. 연성필름(22)들 각각은 휘어지거나 구부러질 수 있다. 연성필름(22)들 각각은 하부기판(11)과 소스 회로보드(50)에 부착될 수 있다. 연성필름(22)들 각각은 이방성 도전 필름(anisotropic conductive flim)을 이용하여 TAB(tape automated bonding) 방식으로 하부기판(11)상에 부착될 수 있으며, 이로 인해 소스 드라이브 IC(21)들은 데이터라인들(D1~Dm)에 연결될 수 있다. 소스 회로보드(50)는 연성 케이블(91)에 의해 제어 회로보드(90)에 연결될 수 있다. 소스 회로보드(50)는 인쇄회로보드(printed circuit board)일 수 있다.The
소스 드라이브 IC(21)들 각각은 도 4와 같이 데이터전압 공급부(110), 아날로그 디지털 컨버터(analog digital converter, 이하 "ADC"라 칭함, 140), 및 스위치(SW)를 포함할 수 있다. 도 3에서는 설명의 편의를 위해, 하나의 소스 드라이브 IC(21)가 w(w는 1≤w≤m을 만족하는 양의 정수) 개의 데이터라인들(D1~Dw)과 z(z는 1≤z≤p을 만족하는 양의 정수) 개의 기준전압 라인들(R1~Rz)에 접속되는 것을 중심으로 설명하였다.Each of the source drive
데이터전압 공급부(110)는 데이터라인들(D1~Dw)에 접속되어 데이터전압들을 공급한다. 데이터전압 공급부(110)는 타이밍 제어부(60)로부터 보상 데이터(CDATA) 또는 센싱용 데이터(PDATA)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 입력 받는다.The data
데이터전압 공급부(110)는 표시모드에서 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 보상 데이터(CDATA)를 발광 데이터전압들로 변환하여 데이터라인들(D1~Dw)에 공급한다. 발광 데이터전압은 화소(P)의 유기발광다이오드(OLED)를 소정의 휘도로 발광하기 위한 전압이다.The
데이터전압 공급부(110)는 센싱 모드에서 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 센싱용 데이터(PDATA)를 센싱 데이터전압으로 변환하여 데이터라인들(D1~Dw)에 공급한다. 센싱 데이터전압은 화소(P)의 구동 트랜지스터의 전류를 센싱하기 위한 전압이다.The
ADC(140)는 기준전압 라인들(R1~Rz) 각각의 전압을 디지털 데이터인 센싱 데이터(SD1, SD2, SD3)로 변환한다. 또는, ADC(140)는 기준전압 라인들(R1~Rz) 각각에 흐르는 전류를 전압으로 변환하고, 변환된 전압을 디지털 데이터인 센싱 데이터(SD1, SD2, SD3)로 변환한다. ADC(140)는 센싱 모드에서 기준전압 라인들(R1~Rz) 각각의 전압 또는 전류를 센싱 데이터(SD1, SD2, SD3)로 변환하여 데이터 보상부(70)로 출력한다.The
스위치(SW)는 기준전압 라인들(R1~Rz)과 전압 공급부(80) 사이에 접속되어 기준전압 라인들(R1~Rz)과 전압 공급부(80) 사이의 접속을 스위칭한다. 스위치(SW)는 타이밍 제어부(60)로부터 입력되는 스위치 제어신호(SCS)에 의해 턴-온 및 턴-오프될 수 있다. 스위치(SW)가 스위치 제어신호(SCS)에 의해 턴-온되는 경우 기준전압 라인들(R1~Rz)은 전압 공급부(80)에 접속되므로, 전압 공급부(80)의 기준전압이 기준전압 라인들(R1~Rz)에 공급될 수 있다.The switch SW is connected between the reference voltage lines R1 to Rz and the
스캔 구동부(40)는 스캔신호 출력부(41)와 센싱신호 출력부(42)를 포함한다. 스캔신호 출력부(41)는 스캔라인들(S1~Sn)에 접속되어 스캔신호들을 공급한다. 스캔신호 출력부(41)는 타이밍 제어부(60)로부터 입력되는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)에 따라 스캔라인들(S1~Sn)에 스캔신호들을 공급한다.The
센싱신호 출력부(42)는 센싱신호라인들(SE1~SEn)에 접속되어 센싱신호들을 공급한다. 센싱신호 출력부(42)는 타이밍 제어부(60)로부터 입력되는 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)에 따라 센싱신호라인들(SE1~SEn)에 센싱신호들을 공급한다.The sensing
스캔신호 출력부(41)와 센싱신호 출력부(42)는 다수의 트랜지스터들을 포함하여 GIP(Gate driver In Panel) 방식으로 표시패널(10)의 비표시영역(NDA)에 직접 형성될 수 있다. 또는, 스캔신호 출력부(41)와 센싱신호 출력부(42)는 구동 칩(chip) 형태로 형성되어 표시패널(10)에 접속되는 연성필름(미도시)상에 실장될 수 있다.The scan
타이밍 제어부(60)는 데이터 보상부(70)로부터 보상 데이터(CDATA) 또는 센싱용 데이터(PDATA)와 타이밍 신호들을 입력받는다. 타이밍 신호들은 수직동기신호(vertical sync signal), 수평동기신호(horizontal sync signal), 데이터 인에이블 신호(data enable signal), 및 도트 클럭(dot clock)을 포함할 수 있다.The
타이밍 제어부(60)는 데이터 구동부(20), 스캔신호 출력부(41), 및 센싱신호 출력부(42)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 생성한다. 타이밍 제어신호들은 데이터 구동부(20)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DCS), 스캔신호 출력부(41)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 타이밍 제어신호(SCS), 및 센싱신호 출력부(42)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 포함한다.The
타이밍 제어부(60)는 보상 데이터(CDATA) 또는 센싱용 데이터(PDATA)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터 구동부(20)로 출력한다. 타이밍 제어부(60)는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(41)로 출력하고, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(42)로 출력한다. 또한, 타이밍 제어부(60)는 데이터 구동부(20)의 스위치(SW)를 제어하기 위한 스위치 제어신호(SCS)를 출력할 수 있다.The
타이밍 제어부(60)는 표시 모드와 센싱 모드로 제어할 수 있다. 표시 모드는 화소(P)들에 보상 데이터(CDATA)에 따른 발광 데이터 전압들을 공급하여 화소(P)들이 발광하는 모드이다. 센싱 모드는 화소(P)들에 센싱용 데이터 전압들을 공급하고, 기준전압 라인들(R1~Rp)을 통해 화소(P)들의 소정의 전압들을 센싱하는 모드이다.The
센싱 모드는 제1 내지 제3 센싱 모드들로 구분될 수 있다. 제1 센싱 모드는 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하기 위해 구동 트랜지스터의 소스 전압(또는 구동 트랜지스터의 구동 전류)를 센싱하는 모드이다. 제1 센싱 모드에서 센싱된 구동 트랜지스터의 소스 전압은 ADC(140)에 의해 제1 센싱 데이터(SD1)로 변환되어 데이터 보상부(70)의 메모리에 저장될 수 있다. 제1 센싱 데이터(SD1)는 구동 트랜지스터의 문턱전압이 반영된 데이터이다. 제1 센싱 모드는 유기발광표시장치의 전원이 오프되기 전에 수행될 수 있다.The sensing mode may be divided into first to third sensing modes. The first sensing mode is a mode for sensing the source voltage of the driving transistor (or the driving current of the driving transistor) to compensate the threshold voltage of the driving transistor. The source voltage of the driving transistor sensed in the first sensing mode may be converted into the first sensing data SD1 by the
제2 센싱 모드는 구동 트랜지스터의 전자 이동도를 보상하기 위해 구동 트랜지스터의 소스 전압(또는 구동 트랜지스터의 구동 전류)를 센싱하는 모드이다. 제2 센싱 모드에서 센싱된 구동 트랜지스터의 소스 전압은 ADC(140)에 의해 제1 센싱 데이터(SD1)로 변환되어 데이터 보상부(70)의 메모리에 저장될 수 있다. 제2 센싱 데이터(SD2)는 구동 트랜지스터의 전자 이동도가 반영된 데이터이다. 제2 센싱 모드는 유기발광표시장치의 전원이 켜지자마자 수행되거나, 유기발광표시장치의 전원이 켜진 상태에서 소정의 주기로 수행될 수 있다.The second sensing mode is a mode for sensing the source voltage of the driving transistor (or the driving current of the driving transistor) to compensate the electron mobility of the driving transistor. The source voltage of the driving transistor sensed in the second sensing mode may be converted into the first sensing data SD1 by the
제3 센싱 모드는 ADC(140)의 특성 변화를 보상하기 위해 적어도 두 개의 ADC(140)들에 동일한 라인으로부터 공급되는 동일한 센싱 전압을 공급하는 모드이다. 제3 센싱 모드에서 동일한 센싱 전압은 ADC(140)에 의해 제3 센싱 데이터(SD3)로 변환되어 데이터 보상부(70)의 메모리에 저장될 수 있다. 제3 센싱 데이터(SD3)는 ADC(140)의 특성 변화가 반영된 데이터이다. 제3 센싱 모드는 유기발광표시장치의 전원이 켜진 상태에서 소정의 주기로 수행될 수 있다.The third sensing mode is a mode for supplying the same sensing voltage supplied from the same line to at least two
데이터 보상부(70)는 제1 내지 제3 센싱 데이터(SD1, SD2, SD3)를 이용하여 디지털 비디오 데이터(DATA)를 보정할 보정 데이터를 생성한다. 데이터 보상부(70)는 외부로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)에 보정 데이터를 적용하여 보상 데이터(CDATA)를 생성한다. 데이터 보상부(70)는 보상 데이터(CDATA)를 타이밍 콘트롤러(60)로 출력한다.The data compensator 70 generates correction data for correcting the digital video data DATA using the first through third sensing data SD1, SD2, and SD3. The data compensator 70 applies correction data to the digital video data DATA from outside to generate compensation data CDATA. The data compensator 70 outputs the compensation data CDATA to the
데이터 보상부(70)는 제1 내지 제3 센싱 데이터(SD1, SD2, SD3)를 저장하는 메모리를 포함할 수 있다. 또한, 데이터 보상부(70)는 보정 데이터를 저장하는 메모리를 포함할 수 있다. 데이터 보상부(70)의 메모리는 EEPROM(electrically erasable programmable read-only memory)과 같은 비휘발성 메모리일 수 있다. 데이터 보상부(70)는 타이밍 제어부(60)에 내장될 수 있다.The
전압 공급부(80)는 기준전압을 생성하여 데이터 구동부(20)의 소스 드라이브 IC(21)들에 공급한다. 전압 공급부(80)는 기준전압 이외에도 유기발광표시장치의 구동에 필요한 구동 전압들을 생성하여 필요한 구성에 공급할 수 있다.The
타이밍 제어부(60), 데이터 보상부(70), 및 전압 공급부(80)는 제어 회로보드에 실장될 수 있다. 제어 회로보드(90)는 연성 케이블(91)에 의해 소스 회로보드(50)에 연결될 수 있다. 제어 회로보드(90)는 인쇄회로보드(printed circuit board)일 수 있다.The
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치는 제1 내지 제3 센싱 모드들에서 센싱된 제1 내지 제3 센싱 데이터(SD1, SD2, SD3)를 이용하여 보정 데이터를 생성하고, 디지털 비디오 데이터(DATA)에 보정 데이터를 적용하여 보상 데이터(CDATA)를 생성한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 화소들 각각의 구동 트랜지스터의 문턱전압과 전자 이동도, 및 소스 드라이브 IC(21)들 각각의 ADC(140)의 특성 변화를 보상할 수 있다. 이하에서는, 도 6 내지 도 9을 결부하여 본 발명의 실시예에 따른 표시 모드와 제1 내지 제2 센싱 모드들에서 화소(P)의 동작을 설명한다.As described above, the OLED display according to the exemplary embodiment of the present invention generates correction data using the first through third sensing data SD1, SD2, and SD3 sensed in the first through third sensing modes. , And applies correction data to the digital video data (DATA) to generate compensation data (CDATA). As a result, the embodiment of the present invention can compensate for the threshold voltage and electron mobility of the driving transistor of each of the pixels, and the characteristic change of the
도 6은 도 5의 화소를 상세히 보여주는 회로도이다. 도 6에서는 설명의 편의를 위해 제j(j는 1≤j≤m을 만족하는 양의 정수) 데이터라인(Dj), 제u(u는 1≤u≤p을 만족하는 양의 정수) 기준전압 라인(Ru), 제k(k는 1≤k≤n을 만족하는 양의 정수) 스캔라인(Sk), 및 제k 센싱신호라인(SEk)에 접속된 서브 화소, 전압 공급부(80), 데이터전압 공급부(110), ADC(140), 제u 기준전압 라인(Ru)과 전압 공급부(80) 사이에 접속된 스위치(SW)만을 도시하였다.6 is a circuit diagram showing the pixel of FIG. 5 in detail. In FIG. 6, for convenience of explanation, a data line Dj (j is a positive integer satisfying 1? J? M) data line Dj, a u (u is a positive integer satisfying 1? A scan line Sk and a kth sensing signal line SEk, a
도 6을 참조하면, 표시패널(10)의 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DT), 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 6, a pixel P of the
유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)를 통해 공급되는 전류에 따라 발광한다. 유기발광다이오드(OLED)는 애노드 전극(anode electrode), 정공 수송층(hole transporting layer), 유기발광층(organic light emitting layer), 전자 수송층(electron transporting layer), 및 캐소드 전극(cathode electrode)을 포함할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 애노드전극과 캐소드전극에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기발광층으로 이동되며, 유기발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다. 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속되고, 캐소드 전극은 제1 전원보다 낮은 제2 전원이 공급되는 제2 전원 라인(VSL)에 접속될 수 있다.The organic light emitting diode OLED emits light according to the current supplied through the driving transistor DT. The organic light emitting diode OLED may include an anode electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and a cathode electrode. have. In the organic light emitting diode (OLED), when a voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes and electrons move to the organic light emitting layer through the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively. The anode electrode of the organic light emitting diode OLED may be connected to the source electrode of the driving transistor DT and the cathode electrode may be connected to a second power supply line VSL to which a second power supply lower than the first power supply is supplied.
구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극과 소스 전극의 전압 차에 따라 제1 전원 라인(EVL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 조정한다. 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극은 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 제1 전극에 접속되고, 소스 전극은 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 접속되며, 드레인 전극은 제1 전원 라인(EVL)에 접속될 수 있다.The driving transistor DT adjusts the current flowing from the first power supply line EVL to the organic light emitting diode OLED in accordance with the voltage difference between the gate electrode and the source electrode. The gate electrode of the driving transistor DT is connected to the first electrode of the first switching transistor ST1. The source electrode of the driving transistor DT is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. The drain electrode of the driving transistor DT is connected to the first power line EVL. Lt; / RTI >
제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)의 제k 스캔신호에 의해 턴-온되어 제j 데이터라인(Dj)을 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 접속시킨다. 제1 스위칭 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제k 스캔라인(Sk)에 접속되고, 제1 전극은 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트 전극에 접속되며, 제2 전극은 제j 데이터라인(Dj)에 접속될 수 있다.The first switching transistor ST1 is turned on by the kth scan signal of the kth scan line Sk to connect the jth data line Dj to the gate electrode of the driving transistor DT. The first electrode of the first switching transistor T1 is connected to the kth scan line Sk and the first electrode of the first switching transistor T1 is connected to the gate electrode of the first driving transistor DT1. .
제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호라인(SEk)의 제k 센싱신호에 의해 턴-온되어 제u 기준전압 라인(Ru)을 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속시킨다. 제2 스위칭 트랜지스터(ST3)의 게이트 전극은 제k 센싱신호라인(SEk)에 접속되고, 제1 전극은 제u 기준전압 라인(Ru)에 접속되며, 제2 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속될 수 있다.The second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal of the kth sensing signal line SEk to connect the u th reference voltage line Ru to the source electrode of the driving transistor DT. The gate electrode of the second switching transistor ST3 is connected to the kth sensing signal line SEk and the first electrode thereof is connected to the u th reference voltage line Ru and the second electrode is connected to the source of the driving transistor DT Can be connected to the electrode.
제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2) 각각의 제1 전극은 소스 전극이고, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2) 각각의 제1 전극은 드레인 전극이고, 제2 전극은 소스 전극일 수 있다.It should be noted that the first electrode of each of the first and second switching transistors ST1 and ST2 may be a source electrode and the second electrode may be a drain electrode. That is, the first electrode of each of the first and second switching transistors ST1 and ST2 may be a drain electrode, and the second electrode may be a source electrode.
스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압과 소스 전압의 차전압을 저장한다.The storage capacitor Cst is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT. The storage capacitor Cst stores the difference voltage between the gate voltage of the driving transistor DT and the source voltage.
구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 박막 트랜지스터(thin film transistor)로 형성될 수 있다. 또한, 도 6에서는 구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)이 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다. 구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 P 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있다. 이 경우 도 7 내지 도 9의 타이밍도는 P 타입 MOSFET의 특성에 맞게 적절하게 수정될 수 있다.The driving transistor DT and the first and second switching transistors ST1 and ST2 may be formed of a thin film transistor. Although the driving transistor DT and the first and second switching transistors ST1 and ST2 are formed of an N-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) in FIG. 6, shall. The driving transistor DT and the first and second switching transistors ST1 and ST2 may be formed of a P-type MOSFET. In this case, the timing charts of FIGS. 7 to 9 can be appropriately modified in accordance with the characteristics of the P-type MOSFET.
도 7은 표시 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 스위치에 공급되는 스위치 제어신호, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.7 is a waveform diagram showing a scan signal and a sensing signal supplied to the pixel in the display mode, a switch control signal supplied to the switch, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor.
도 7을 참조하면, 표시 모드의 제1 및 제2 기간들(t1, t2) 동안 스위치(SW)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 스위치 제어신호(SCS)에 의해 턴-온된다. 이로 인해, 표시 모드의 제1 및 제2 기간들(t1, t2) 동안 제u 기준 전압 라인(Ru)에 전압 공급부(80)로부터 기준전압(VREF)이 공급된다.Referring to Fig. 7, during the first and second periods t1, t2 of the display mode, the switch SW is turned on by the switch control signal SCS of the first logic level voltage V1. The reference voltage VREF is supplied from the
제1 기간(t1) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1) 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1) 동안 스위치(SW)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 스위칭 제어신호(SCS)에 의해 턴-온된다.During the first period t1, the first switching transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th scan line Sk. During the first period t1, the second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During the first period t1, the switch SW is turned on by the switching control signal SCS of the first logic level voltage V1.
제1 기간(t1) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제j 데이터라인(Dj)의 발광 데이터전압(EVdata)이 공급된다. 제1 기간(t1) 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압(VREF)이 공급된다.The emission data voltage EVdata of the jth data line Dj is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT due to the turn-on of the first switching transistor ST1 during the first period t1. Due to the turn-on of the second switching transistor ST2 during the first period t1, the reference voltage VREF of the u-th reference voltage line Ru is supplied to the source electrode of the driving transistor DT.
제2 기간(t2) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-오프된다. 제2 기간(t2) 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호라인(SEk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-오프된다.During the second period t2, the first switching transistor ST1 is turned off by the k-th scan signal SCANk of the gate-off voltage Voff supplied to the k-th scan line Sk. During the second period t2, the second switching transistor ST2 is turned off by the kth sensing signal SENSk of the gate-off voltage Voff supplied to the kth sensing signal line SEk.
제2 기간(t2) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압(Vg)과 소스 전압(Vs) 간의 전압 차에 따른 전류(Ids)는 유기발광다이오드(OLED)로 흐른다. 이로 인해, 유기발광다이오드(OLED)는 발광한다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 "구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압(Vg)과 소스 전압(Vs) 간의 전압 차에 따라 구동 트랜지스터(DT)를 통해 흐르는 전류"를 "구동 트랜지스터의 전류"로 정의한다.The current Ids corresponding to the voltage difference between the gate voltage Vg and the source voltage Vs of the driving transistor DT flows to the organic light emitting diode OLED during the second period t2. As a result, the organic light emitting diode OLED emits light. Hereinafter, for the sake of convenience of explanation, it is defined as "current flowing through the driving transistor DT according to the voltage difference between the gate voltage Vg of the driving transistor DT and the source voltage Vs & do.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 표시모드에서 발광 데이터전압(EVdata)을 화소(P)에 공급한다. 발광 데이터 전압(EVdata)는 제1 및 제2 센싱 모드들에 따라 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압과 전자 이동도를 센싱한 후 이에 따라 디지털 비디오 데이터(DATA)를 보상한 보상 데이터(CDATA)에 따라 생성된 데이터 전압이다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 화소(P)의 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압과 전자 이동도에 의존하지 않는 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Ids)에 따라 발광할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 화소(P)들의 휘도 균일도를 높일 수 있다.As described above, the embodiment of the present invention supplies the emission data voltage (EVdata) to the pixel P in the display mode. The emission data voltage EVdata senses the threshold voltage and the electron mobility of the driving transistor DT according to the first and second sensing modes and then outputs the compensation data CDATA compensated for the digital video data DATA And is the data voltage generated accordingly. As a result, in the embodiment of the present invention, the organic light emitting diode OLED of the pixel P emits light according to the threshold voltage of the driving transistor DT and the current Ids of the driving transistor DT, can do. Therefore, the embodiment of the present invention can increase the luminance uniformity of the pixels P.
도 8은 제1 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 스위치에 공급되는 스위치 제어신호, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.8 is a waveform diagram showing a scan signal and a sensing signal supplied to a pixel in the first sensing mode, a switch control signal supplied to the switch, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor.
제1 기간(t1') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-오프되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1') 동안 스위치(SW)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 스위치 제어신호(SCS)에 의해 턴-온된다. During the first period t1 ', the first switching transistor ST1 is turned off by the k-th scan signal SCANk of the gate-off voltage Voff supplied to the k-th scan line Sk, The transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During the first period t1 ', the switch SW is turned on by the switch control signal SCS of the first logic level voltage V1.
제1 기간(t1') 동안 스위치(SW)의 턴-온으로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에 전압 공급부(80)로부터 기준전압(VREF)이 공급된다. 제1 기간(t1') 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압(VREF)이 공급된다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 기준전압(VREF)으로 초기화된다.The reference voltage VREF is supplied from the
제2 기간(t2') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제2 기간(t2') 동안 스위치(SW)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 스위치 제어신호(SCS)에 의해 턴-오프된다.During the second period t2 ', the first switching transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th scan line Sk, The transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During the second period t2 ', the switch SW is turned off by the switch control signal SCS of the second logic level voltage V2.
제2 기간(t2') 동안 스위치(SW)의 턴-오프로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압(VREF)이 공급되지 않으며, 제u 기준 전압 라인(Ru)은 ADC(140)에 접속된다. 제2 기간(t2') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 센싱용 데이터전압(SVdata)이 공급된다. 제2 기간(t2') 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압(VREF)이 공급된다.The reference voltage VREF is not supplied to the u th reference voltage line Ru due to the turn-off of the switch SW during the second period t2 ', and the u th reference voltage line Ru is supplied to the
제2 기간(t2') 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs=SVdata-VREF)가 문턱전압(threshold voltage, Vth)보다 크기 때문에, 구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs)가 문턱전압(Vth)에 도달할 때까지 전류를 흘리게 된다. 이로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압은 도 8과 같이 "SVdata-Vth"까지 상승한다. 따라서, 제2 기간(t2') 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 센싱된다.Since the voltage difference (Vgs = SVdata-VREF) between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT is greater than the threshold voltage Vth during the second period t2 ' And the voltage difference (Vgs) between the source electrode and the source electrode reaches the threshold voltage (Vth). As a result, the source voltage of the driving transistor DT rises to "SVdata-Vth" as shown in Fig. Therefore, the threshold voltage of the driving transistor DT is sensed to the source electrode of the driving transistor DT during the second period t2 '.
제3 기간(t3') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제3 기간(t3') 동안 스위치(SW)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 스위치 제어신호(SCS)에 의해 턴-오프된다.During the third period t3 ', the first switching transistor ST1 is turned on by the kth scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the kth scan line Sk, The transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During the third period t3 ', the switch SW is turned off by the switch control signal SCS of the second logic level voltage V2.
제3 기간(t3') 동안 스위치(SW)의 턴-오프로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압(VREF)이 공급되지 않으며, 제u 기준 전압 라인(Ru)은 ADC(140)에 접속된다. 제3 기간(t3') 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 제u 기준전압 라인(Ru)을 통해 ADC(140)에 접속된다. 따라서, ADC(140)는 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압, 즉, "SVdata-Vth"를 센싱할 수 있다.The reference voltage VREF is not supplied to the u th reference voltage line Ru due to the turn-off of the switch SW during the third period t3 ', and the u th reference voltage line Ru is supplied to the
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 제1 센싱모드에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 반영된 구동 트랜지스터의 소스 전압 "SVdata-Vth"를 센싱할 수 있다.As described above, the embodiment of the present invention can sense the source voltage "SVdata-Vth" of the driving transistor in which the threshold voltage of the driving transistor DT is reflected in the first sensing mode.
도 9는 제2 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호, 센싱신호와 스위치에 공급되는 스위치 제어신호, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.9 is a waveform diagram showing a scan signal supplied to a pixel in the second sensing mode, a sensing signal and a switch control signal supplied to the switch, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor.
제1 기간(t1") 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-오프되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1") 동안 스위치(SW)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 스위치 제어신호(SCS)에 의해 턴-온된다. During the first period t1 ", the first switching transistor ST1 is turned off by the k-th scan signal SCANk of the gate-off voltage Voff supplied to the k-th scan line Sk, The transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During the first period t1 ", the switch SW And is turned on by the switch control signal SCS of the first logic level voltage V1.
제1 기간(t1") 동안 스위치(SW)의 턴-온으로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에 전압 공급부(80)로부터 기준전압(VREF)이 공급된다. 제1 기간(t1") 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압(VREF)이 공급된다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 기준전압(VREF)으로 초기화된다.The reference voltage VREF is supplied from the
제2 기간(t2") 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제2 기간(t2") 동안 스위치(SW)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 스위치 제어신호(SCS)에 의해 턴-오프된다.During the second period t2 ", the first switching transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th scan line Sk, The transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During the second period t2 ", the switch SW And is turned off by the switch control signal SCS of the second logic level voltage V2.
제2 기간(t2") 동안 스위치(SW)의 턴-오프로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압(VREF)이 공급되지 않으며, 제u 기준 전압 라인(Ru)은 ADC(140)에 접속된다. 제2 기간(t2") 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 센싱용 데이터전압(SVdata)이 공급된다. 제2 기간(t2") 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압(VREF)이 공급된다.The reference voltage VREF is not supplied to the u th reference voltage line Ru due to the turn-off of the switch SW during the second period t2 ", and the u th reference voltage line Ru is supplied to the
제2 기간(t2") 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs=SVdata-VREF)가 문턱전압(threshold voltage, Vth)보다 크기 때문에, 구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs)가 문턱전압(Vth)에 도달할 때까지 전류를 흘리게 된다. 하지만, 도 9의 제2 기간(t2")은 도 8의 제2 기간(t2')에 비해 짧으며, 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs)이 "Vdata-Vth"에 도달하기 전에 제2 기간(t2")이 끝나게 된다.Since the voltage difference (Vgs = SVdata-VREF) between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT is greater than the threshold voltage (Vth) during the second period t2 " Current flows until the voltage difference Vgs between the source electrode and the source electrode reaches the threshold voltage Vth. However, the second period t2 "in Fig. 9 corresponds to the second period t2 ' And the second period t2 "ends before the source voltage Vs of the driving transistor DT reaches" Vdata-Vth ".
이때, 구동 트랜지스터(DT)의 전류는 수학식 1과 같이 정의될 수 있다.At this time, the current of the driving transistor DT can be defined as shown in Equation (1).
수학식 1에서, "Ids"는 구동 트랜지스터(DT)의 전류, "K"는 전자 이동도, "Cox"는 절연막의 커패시턴스, "W"는 구동 트랜지스터(DT)의 채널 폭, "L"은 구동 트랜지스터(DT)의 채널 길이를 의미한다.&Quot; W "is the channel width of the driving transistor DT," L "is the capacitance of the driving transistor DT, Quot; means the channel length of the driving transistor DT.
구동 트랜지스터(DT)의 전류는 수학식 1과 같이 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)에 비례하므로, 제2 기간(t2") 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs)의 상승량은 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)에 비례한다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도가 클수록 제2 기간(t2") 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압(Vs)의 상승량은 더욱 커진다.The current of the driving transistor DT is proportional to the electron mobility K of the driving transistor DT as shown in
결국, 제2 기간(t2") 동안 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)에 따라 소스 전압(Vs)의 상승량이 달라지며, 도 9에서는 전자 이동도(K)에 따른 소스 전압(Vs)의 상승량을 α로 정의하였다. 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압은 전자 이동도(K)에 따라 도 9와 같이 "SVdata+α"까지 상승한다. 따라서, 제2 기간(t2") 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)가 반영된 전압이 센싱된다.As a result, the amount of rise of the source voltage Vs varies depending on the electron mobility K of the driving transistor DT during the second period t2 ", and in Fig. 9, the source voltage Vs The source voltage of the driving transistor DT rises to "SVdata + alpha" as shown in Fig. 9 in accordance with the electron mobility K. Therefore, during the second period t2 " The voltage reflecting the electron mobility K of the driving transistor DT is sensed to the source electrode of the transistor DT.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 제2 센싱 모드에서 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)가 반영된 구동 트랜지스터의 소스 전압 "SVdata+α"를 센싱할 수 있다.As described above, the embodiment of the present invention can sense the source voltage "SVdata + alpha" of the driving transistor in which the electron mobility K of the driving transistor DT is reflected in the second sensing mode.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 서로 인접한 소스 드라이브 IC들에 접속된 기준전압 라인들을 보여주는 예시도면이다.10 is an exemplary view showing reference voltage lines connected to adjacent source drive ICs according to an embodiment of the present invention.
도 10에는 제3 센싱 모드를 구동하기 위한 본 발명의 일 실시예가 나타나 있다. 제3 센싱 모드는 ADC(140)의 특성 변화를 보상하기 위해 적어도 두 개의 ADC(140)들에 동일한 라인으로부터 공급되는 동일한 센싱 전압을 공급하는 모드이다. 도 10에서는 설명의 편의를 위해 제1 및 제2 소스 드라이브 IC들(21a, 21b)만을 예시하였다.FIG. 10 shows an embodiment of the present invention for driving the third sensing mode. The third sensing mode is a mode for supplying the same sensing voltage supplied from the same line to at least two
도 10을 참조하면, 제1 소스 드라이브 IC(21a)는 제1 연성 필름(22a) 상에 실장되고, 제2 소스 드라이브 IC(21b)는 제2 연성 필름(22b) 상에 실장된다. 제1 및 제2 연성필름들(22a, 22b) 각각은 이방성 도전 필름(anisotropic conductive flim)을 이용하여 표시패널의 하부기판(11)에 부착될 수 있다. 이로 인해, 제1 및 제2 소스 드라이브 IC들(21a, 21b) 각각은 하부기판(11)의 데이터 라인들과 기준전압 라인들에 접속될 수 있다.10, the first
제1 및 제2 소스 드라이브 IC들(21a, 21b) 각각은 도 4와 같이 z 개의 기준전압 라인들에 접속될 수 있다. 표시 모드, 제1 및 제2 센싱 모드들에서 제1 소스 드라이브 IC(21a)는 제1 내지 제z 기준전압 라인들(R1~Rz)에 접속될 수 있으며, 제2 소스 드라이브 IC(21b)는 제z+1 내지 제2z 기준전압 라인들(Rz+1~R2z)에 접속될 수 있다. 즉, 표시 모드, 제1 및 제2 센싱 모드들에서 제1 소스 드라이브 IC(21a)는 제1 내지 제z 기준전압 라인들(R1~Rz)로부터 화소(P)들의 소정의 전압들을 센싱하며, 제2 소스 드라이브 IC(21b)는 제z+1 내지 제2z 기준전압 라인들(Rz+1~R2z)로부터 화소(P)들의 소정의 전압들을 센싱할 수 있다.Each of the first and second
제3 센싱 모드에서 제2 소스 드라이브 IC(21b)는 제1 소스 드라이브 IC(21a)에 접속된 기준전압 라인들 중 어느 하나의 기준전압 라인에 접속될 수 있다. 예를 들어, 제3 센싱 모드에서 제2 소스 드라이브 IC(21b)는 제1 소스 드라이브 IC(21a)에 접속된 제z 기준전압 라인에 접속될 수 있다. 이 경우, 제2 소스 드라이브 IC(21b)는 제z+1 내지 제2z 기준전압 라인들(Rz+1~R2z) 중 어느 하나의 기준전압 라인과의 접속이 끊어질 수 있다. 예를 들어, 제2 소스 드라이브 IC(21b)는 제z+1 기준전압 라인들(Rz+1)과의 접속이 끊어질 수 있다.In the third sensing mode, the second
한편, 도 10에서는 제3 센싱 모드에서 제2 소스 드라이브 IC(21b)가 제1 소스 드라이브 IC(21a)에 접속된 기준전압 라인들 중 어느 하나의 기준전압 라인에 접속되고, 제z+1 내지 제2z 기준전압 라인들(Rz+1~R2z) 중 어느 하나의 기준전압 라인과의 접속이 끊어진 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 제3 센싱 모드에서 제1 소스 드라이브 IC(21a)가 제2 소스 드라이브 IC(21a)에 접속된 기준전압 라인들 중 어느 하나의 기준전압 라인에 접속되고, 제1 내지 제z 기준전압 라인들(R1~Rz) 중 어느 하나의 기준전압 라인과의 접속이 끊어질 수 있다.10, in the third sensing mode, the second
제2 소스 드라이브 IC(21b)와 제z 기준전압 라인(Rz) 사이의 접속을 제어하기 위해 제2 소스 드라이브 IC(21b)와 제z 기준전압 라인(Rz) 사이에는 제1 트랜지스터(T1)가 배치될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제1 제어라인(CL1)의 제1 제어신호에 의해 턴-온되어 제2 소스 드라이브 IC(21b)와 제z 기준전압 라인(Rz)를 접속시킨다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제1 제어라인(CL1)에 접속되고, 제1 전극은 제2 소스 드라이브 IC(21b)에 접속되며, 제2 전극은 제z 기준전압 라인(Rz)에 접속될 수 있다.A first transistor T1 is connected between the second
또한, 제2 소스 드라이브 IC(21b)와 제z+1 기준전압 라인(Rz+1) 사이의 접속을 제어하기 위해 제2 소스 드라이브 IC(21b)와 제z+1 기준전압 라인(Rz+1) 사이에는 제2 트랜지스터(T2)가 배치될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 제1 제어신호의 반전 신호에 의해 턴-온되어 제2 소스 드라이브 IC(21b)와 제z+1 기준전압 라인(Rz+1)를 접속시킨다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제1 제어라인(CL1)에 접속된 인버터(INV)에 접속되고, 제1 전극은 제2 소스 드라이브 IC(21b)에 접속되며, 제2 전극은 제z 기준전압 라인(Rz)에 접속될 수 있다. 인버터(INV)는 제1 제어라인(CL1)과 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극 사이에 접속될 수 있다. 인버터(INV2)는 제1 제어 라인(CL1)의 제1 제어신호를 반전한 반전 신호를 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에 공급한다.The second
제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2) 각각의 제1 전극은 소스 전극이고, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2) 각각의 제1 전극은 드레인 전극이고, 제2 전극은 소스 전극일 수 있다.It should be noted that the first electrode of each of the first and second transistors T1 and T2 may be a source electrode and the second electrode may be a drain electrode. That is, the first electrode of each of the first and second transistors T1 and T2 may be a drain electrode, and the second electrode may be a source electrode.
제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)은 박막 트랜지스터(thin film transistor)로 형성될 수 있다. 또한, 도 10에서는 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)이 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다. 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)은 P 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있다. 이 경우 제1 제어라인(CL1)의 제1 제어신호 역시 P 타입 MOSFET의 특성에 맞게 적절하게 수정될 수 있다.The first and second transistors T1 and T2 may be formed of a thin film transistor. In FIG. 10, the first and second transistors T1 and T2 are formed of an N-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). However, the present invention is not limited thereto. The first and second transistors T1 and T2 may be formed of a P-type MOSFET. In this case, the first control signal of the first control line CL1 may also be appropriately modified to match the characteristics of the P-type MOSFET.
결국, 표시 모드, 제1 및 제2 센싱 모드들에서 제1 트랜지스터(T1)는 제1 제어라인(CL1)의 제1 로직 레벨 전압을 갖는 제1 제어신호에 의해 턴-오프되고, 제2 트랜지스터(T2)는 제2 로직 레벨 전압을 갖는 제1 제어신호의 반전신호에 의해 턴-온될 수 있다. 이에 따라, 표시 모드, 제1 및 제2 센싱 모드들에서 제1 소스 드라이브 IC(21a)는 제1 내지 제z 기준전압 라인들(R1~Rz)에 접속될 수 있으며, 제2 소스 드라이브 IC(21b)는 제z+1 내지 제2z 기준전압 라인들(Rz+1~R2z)에 접속될 수 있다. 즉, 표시 모드, 제1 및 제2 센싱 모드들에서 제1 소스 드라이브 IC(21a)는 제1 내지 제z 기준전압 라인들(R1~Rz)로부터 화소(P)들의 소정의 전압들을 센싱하며, 제2 소스 드라이브 IC(21b)는 제z+1 내지 제2z 기준전압 라인들(Rz+1~R2z)로부터 화소(P)들의 소정의 전압들을 센싱할 수 있다.As a result, in the display mode, in the first and second sensing modes, the first transistor T1 is turned off by the first control signal having the first logic level voltage of the first control line CL1, (T2) may be turned on by the inverted signal of the first control signal having the second logic level voltage. Accordingly, in the display mode, the first and second sensing modes, the first
또한, 제3 센싱 모드에서 제1 트랜지스터(T1)는 제1 제어라인(CL1)의 제2 로직 레벨 전압을 갖는 제1 제어신호에 의해 턴-온되고, 제2 트랜지스터(T2)는 제1 로직 레벨 전압을 갖는 제1 제어신호의 반전신호에 의해 턴-오프될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 소스 드라이브 IC들(21a, 21b)의 ADC(140)들은 제3 센싱 모드에서 동일한 제z 기준전압 라인(Rz)으로부터 동일한 센싱 전압을 입력받을 수 있다.Also, in the third sensing mode, the first transistor (T1) is turned on by a first control signal having a second logic level voltage of the first control line (CL1), and the second transistor (T2) Can be turned off by the inverted signal of the first control signal having the level voltage. Accordingly, the
이상에서 살펴본 바와 같이, 제1 및 제2 소스 드라이브 IC들(21a, 21b)의 ADC(140)들은 제3 센싱 모드에서 동일한 제z 기준전압 라인(Rz)으로부터 동일한 센싱 전압을 입력받을 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 소스 드라이브 IC들(21a, 21b)의 ADC(140)들은 제3 센싱 모드에서 제1 센싱 모드에 따라 제z 기준전압 라인(Rz)을 통해 화소(P)의 구동 트랜지스터의 소스 전압을 센싱할 수 있다. 또는, 제1 및 제2 소스 드라이브 IC들(21a, 21b)의 ADC(140)들은 제3 센싱 모드에서 제2 센싱 모드에 따라 제z 기준전압 라인(Rz)을 통해 화소(P)의 구동 트랜지스터의 소스 전압을 센싱할 수 있다.As described above, the
한편, ADC(140)는 동일한 센싱 전압을 입력받는 경우 동일한 센싱 데이터를 출력하여야 하나, 제품 출하 후에 온도, 습도, 및 압력 등의 요인에 의해 ADC(140)의 특성이 영향을 받을 수 있다. 이 경우, ADC(140)들 각각이 센싱 라인을 통해 동일한 전압을 센싱하더라도, ADC(140)의 특성 변화에 따라 ADC(140)들 사이에서 센싱 데이터에 차이가 발생할 수 있다.On the other hand, if the same sensing voltage is input to the
본 발명의 일 실시예는 제1 및 제2 소스 드라이브 IC들(21a, 21b)의 ADC(140)들이 동일한 제z 기준전압 라인(Rz)으로부터 동일한 센싱 전압을 입력받도록 한 후 ADC(140)들이 출력하는 센싱 데이터를 분석한다. 예를 들어, 제3 센싱 모드에서 제1 소스 드라이브 IC(21a)의 ADC(140)로부터 출력된 제3 센싱 데이터(SD3)가 3V를 지시하고, 제2 소스 드라이브 IC(21a)의 ADC(140)로부터 출력된 제3 센싱 데이터(SD3)가 3.5V를 지시하는 경우를 가정하자. 이 경우, 제1 소스 드라이브 IC(21a)의 ADC(140)의 제3 센싱 데이터(SD3)가 제2 소스 드라이브 IC(21a)의 ADC(140)의 제3 센싱 데이터(SD3)에 비해 0.5V 만큼 낮다. 따라서, 데이터 보상부(70)는 제1 소스 드라이브 IC(21a)의 ADC(140)로부터 출력되는 제1 및 제2 센싱 데이터(SD1, SD2)를 0.5V 만큼 가산하거나 또는 소정의 게인값을 곱할 수 있다. 이로 인해, 본 발명의 실시예는 ADC(140)의 특성 변화로 인해 ADC(140)들의 센싱 데이터 간에 차이가 발생하는 것을 보상할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 블록 딤이 사용자에게 시인되는 것을 방지할 수 있다.One embodiment of the present invention allows the
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 소스 드라이브 IC들과 소스 회로보드를 보여주는 예시도면이다.11 is an exemplary view showing source drive ICs and a source circuit board according to another embodiment of the present invention.
도 11에는 제3 센싱 모드를 구동하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예가 나타나 있다. 제3 센싱 모드는 ADC(140)의 특성 변화를 보상하기 위해 적어도 두 개의 ADC(140)들에 동일한 라인으로부터 공급되는 동일한 센싱 전압을 공급하는 모드이다.FIG. 11 shows another embodiment of the present invention for driving the third sensing mode. The third sensing mode is a mode for supplying the same sensing voltage supplied from the same line to at least two
도 11을 참조하면, 소스 드라이브 IC들(21a, 21b, 21c, 21d) 각각은 연성 필름들(22a, 22b, 22c, 22d) 각각 상에 실장된다. 연성 필름들(22a, 22b, 22c, 22d)은 소스 회로보드(50)와 표시패널의 하부기판(11)에 부착될 수 있다.Referring to FIG. 11, each of the
소스 회로보드(50)는 전압 공급부(80)에 연결되며, 전압 공급부(80)로부터 센싱 전압을 공급받는 센싱 전압 라인(SVL)을 포함한다. 센싱 전압 라인(SVL)은 소스 드라이브 IC들(21a, 21b, 21c, 21d)의 ADC(140)들에 접속될 수 있다.The
소스 회로보드(50)는 센싱 전압 라인(SVL)에 접속된 커패시터(C)들을 더 포함할 수 있다. 커패시터(C)들은 센싱 전압 라인(SVL)의 센싱 전압을 안정적으로 유지시키는 역할을 한다.The
소스 회로보드(50)는 센싱 전압 라인(SVL)과 소스 드라이브 IC들(21a, 21b, 21c, 21d) 각각의 사이에 배치되어 센싱 전압 라인(SVL)과 소스 드라이브 IC들(21a, 21b, 21c, 21d) 각각의 접속을 제어하는 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, TR6)을 포함한다. 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, TR6)은 제3 센싱 모드에서 센싱 전압 라인(SVL)을 소스 드라이브 IC들(21a, 21b, 21c, 21d)의 ADC(140)들에 접속시킬 수 있다. 즉, 제3 센싱 모드에서 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, TR6) 각각은 제2 제어라인(CL2)의 제2 제어신호에 의해 턴-온되어 센싱 전압 라인(SVL)을 소스 드라이브 IC들(21a, 21b, 21c, 21d)의 ADC(140)들에 접속시킬 수 있다. 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, TR6) 각각의 제어 전극은 제2 제어라인(CL2)에 접속되고, 제1 전극은 소스 드라이브 IC들(21a, 21b, 21c, 21d)의 ADC(140)들에 접속되며, 제2 전극은 센싱 전압 라인(SVL)에 접속될 수 있다.The
제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2) 각각의 제1 전극은 소스 전극이고, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2) 각각의 제1 전극은 드레인 전극이고, 제2 전극은 소스 전극일 수 있다.It should be noted that the first electrode of each of the first and second transistors T1 and T2 may be a source electrode and the second electrode may be a drain electrode. That is, the first electrode of each of the first and second transistors T1 and T2 may be a drain electrode, and the second electrode may be a source electrode.
트랜지스터들(TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, TR6)은 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor) 또는 양극성 접합 트랜지스터(bipolar junction transistor)로 형성될 수 있다. 또한, 도 11에서는 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, TR6)이 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다. 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, TR6)은 P 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있다. 이 경우 제2 제어라인(CL2)의 제2 제어신호 역시 P 타입 MOSFET의 특성에 맞게 적절하게 수정될 수 있다.The transistors TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, and TR6 may be formed of a field effect transistor or a bipolar junction transistor. Although the transistors TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, and TR6 are formed of an N-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) in FIG. 11, the present invention is not limited thereto. The transistors TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, and TR6 may be formed of a P-type MOSFET. In this case, the second control signal of the second control line CL2 may also be appropriately modified to match the characteristics of the P-type MOSFET.
결국, 표시 모드, 제1 및 제2 센싱 모드들에서 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, TR6)은 제2 제어라인(CL2)의 제1 로직 레벨 전압을 갖는 제2 제어신호에 의해 턴-오프될 수 있다. 제3 센싱 모드에서 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, TR6)은 제2 제어라인(CL2)의 제2 로직 레벨 전압을 갖는 제2 제어신호에 의해 턴-온될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 소스 드라이브 IC들(21a, 21b)의 ADC(140)들은 제3 센싱 모드에서 동일한 센싱 전압 라인(SVL)으로부터 동일한 센싱 전압을 입력받을 수 있다.As a result, in the display mode, the first and second sensing modes, the transistors TR1, TR2, TR3, TR4, TR5 and TR6 are connected to the second control signal having the first logic level voltage of the second control line CL2 As shown in FIG. In the third sensing mode, the transistors TR1, TR2, TR3, TR4, TR5 and TR6 can be turned on by the second control signal having the second logic level voltage of the second control line CL2. Accordingly, the
이상에서 살펴본 바와 같이, 제1 및 제2 소스 드라이브 IC들(21a, 21b)의 ADC(140)들은 제3 센싱 모드에서 동일한 센싱 전압 라인(SVL)으로부터 동일한 센싱 전압을 입력받을 수 있다.As described above, the
도 11에서는 소스 드라이브 IC들(21a, 21b, 21c, 21d)이 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, TR6)을 통해 하나의 센싱 전압 라인(SVL)에 접속되는 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 도 12와 같이 제1 및 제2 소스 드라이브 IC들(21a, 21b)이 제1 및 제2 트랜지스터들(TR1, TR2)을 통해 제1 센싱 전압 라인(SVL1)에 접속되고, 제2 및 제3 소스 드라이브 IC들(21b, 21c)이 제3 및 제4 트랜지스터들(TR3, TR4)을 통해 제2 센싱 전압 라인(SVL2)에 접속되며, 제3 및 제4 소스 드라이브 IC들(21c, 21d)이 제5 및 제6 트랜지스터들(TR5, TR6)을 통해 제3 센싱 전압 라인(SVL3)에 접속될 수 있다.11, the
한편, ADC(140)는 동일한 센싱 전압을 입력받는 경우 동일한 센싱 데이터를 출력하여야 하나, 제품 출하 후에 온도, 습도, 및 압력 등의 요인에 의해 ADC(140)의 특성이 영향을 받을 수 있다. 이 경우, ADC(140)들 각각이 센싱 라인을 통해 동일한 전압을 센싱하더라도, ADC(140)의 특성 변화에 따라 ADC(140)들 사이에서 센싱 데이터에 차이가 발생할 수 있다.On the other hand, if the same sensing voltage is input to the
본 발명의 실시예는 소스 드라이브 IC들(21a, 21b)의 ADC(140)들이 동일한 센싱 전압 라인(SVL)으로부터 동일한 센싱 전압을 입력받도록 한 후 ADC(140)들이 출력하는 센싱 데이터를 분석한다. 예를 들어, 제3 센싱 모드에서 제1 소스 드라이브 IC(21a)의 ADC(140)로부터 출력된 제3 센싱 데이터(SD3)가 3V를 지시하고, 제2 소스 드라이브 IC(21a)의 ADC(140)로부터 출력된 제3 센싱 데이터(SD3)가 3.5V를 지시하는 경우를 가정하자. 이 경우, 제1 소스 드라이브 IC(21a)의 ADC(140)의 제3 센싱 데이터(SD3)가 제2 소스 드라이브 IC(21a)의 ADC(140)의 제3 센싱 데이터(SD3)에 비해 0.5V 만큼 낮다. 따라서, 데이터 보상부(70)는 제1 소스 드라이브 IC(21a)의 ADC(140)로부터 출력되는 제1 및 제2 센싱 데이터(SD1, SD2)를 0.5V 만큼 가산하거나 또는 소정의 게인값을 곱할 수 있다. 이로 인해, 본 발명의 실시예는 ADC(140)의 특성 변화로 인해 ADC(140)들의 센싱 데이터 간에 차이가 발생하는 것을 보상할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 블록 딤이 사용자에게 시인되는 것을 방지할 수 있다.The embodiment of the present invention analyzes the sensing data output by the
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
10: 표시패널
20: 데이터 구동부
21: 소스 드라이브 IC
22: 연성 필름
40: 스캔 구동부
41: 스캔신호 출력부
42: 센싱신호 출력부
50: 소스 회로보드
60: 타이밍 콘트롤러
70: 데이터 보상부
80: 전압 공급부
90: 제어 회로보드
91: 연성 케이블
110: 데이터 전압 공급부
140: 아날로그 디지털 컨버터10: display panel 20: data driver
21: Source drive IC 22: Flexible film
40: scan driver 41: scan signal output unit
42: sensing signal output unit 50: source circuit board
60: timing controller 70: data compensating unit
80: voltage supply unit 90: control circuit board
91: flexible cable 110: data voltage supply unit
140: Analog to Digital Converters
Claims (10)
디지털 보상 데이터를 데이터 전압들로 변환하여 상기 데이터 라인들에 공급하는 데이터 전압 공급부와 상기 기준전압 라인들을 통해 상기 화소들의 소정의 전압들을 센싱하여 디지털 데이터인 센싱 데이터로 출력하는 아날로그 디지털 컨버터를 각각 포함하는 소스 드라이브 IC들; 및
외부로부터 입력된 디지털 비디오 데이터를 상기 센싱 데이터에 기초하여 상기 디지털 보상 데이터로 변환하여 상기 데이터 전압 공급부에 공급하는 타이밍 콘트롤러를 구비하고,
상기 소스 드라이브 IC들 중 적어도 두 개의 소스 드라이브 IC들의 아날로그 디지털 컨버터들은 동일한 라인으로부터 동일한 센싱 전압을 입력받는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.A display panel including pixels connected to the data lines and the reference voltage lines; And
A data voltage supplier for converting the digital compensation data into data voltages and supplying the data voltages to the data lines, and an analog digital converter for sensing predetermined voltages of the pixels through the reference voltage lines and outputting the sensed data as digital data sensing data Source drive ICs; And
And a timing controller for converting the digital video data input from the outside into the digital compensation data based on the sensing data and supplying the digital compensation data to the data voltage supply unit,
And the analog digital converters of the at least two source drive ICs of the source drive ICs receive the same sensing voltage from the same line.
상기 화소들에 센싱용 데이터 전압들을 공급하고, 상기 기준전압 라인들을 통해 상기 화소들의 소정의 전압들을 센싱하는 센싱 모드에서,
상기 제i+1(i는 양의 정수) 소스 드라이브 IC는 상기 제i 소스 드라이브 IC에 접속된 기준전압 라인들 중 어느 한 기준전압 라인에 접속되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
In a sensing mode of supplying data voltages for sensing to the pixels and sensing predetermined voltages of the pixels through the reference voltage lines,
And the i + 1 (i is a positive integer) source drive IC is connected to one of the reference voltage lines connected to the ith source drive IC.
상기 센싱 모드에서,
상기 제i 소스 드라이브 IC는 제1 내지 제z(z는 2 이상의 정수) 기준전압 라인들에 접속되고, 상기 제i+1 소스 드라이브 IC는 제1 내지 제z 기준전압 라인들 중 어느 한 기준전압 라인에 접속되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.3. The method of claim 2,
In the sensing mode,
Th source drive IC is connected to first to z-th (where z is an integer of 2 or more) reference voltage lines, and the (i + 1) th source drive IC is connected to any one of the first to z- Line of the organic light emitting display device.
상기 화소들에 표시용 데이터 전압들을 공급하고, 상기 화소들이 발광하는 표시 모드에서,
상기 제i 소스 드라이브 IC는 상기 제1 내지 제z 기준전압 라인들에 접속되고, 상기 제i+1 소스 드라이브 IC는 제z+1 내지 제2z 기준전압 라인들에 접속되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.The method of claim 3,
In the display mode in which the display data voltages are supplied to the pixels and the pixels emit light,
Th source drive IC is connected to the first to z-th reference voltage lines, and the (i + 1) th source drive IC is connected to z + Display device.
상기 어느 한 기준전압 라인과 제i+1 소스 드라이브 IC 사이에 접속된 제1 트랜지스터; 및
상기 어느 한 기준전압 라인과 상기 제i 소스 드라이브 IC 사이에 접속된 제2 트랜지스터를 더 구비하는 유기발광표시장치.5. The method of claim 4,
A first transistor connected between any one of the reference voltage lines and the (i + 1) th source drive IC; And
And a second transistor connected between any one of the reference voltage lines and the i-th source drive IC.
상기 센싱 모드에서 상기 제1 트랜지스터는 제1 스위치 제어라인의 제1 로직 레벨 전압을 갖는 제1 스위치 제어신호에 의해 턴-오프되고, 상기 제2 트랜지스터는 제2 로직 레벨 전압을 갖는 제1 스위치 제어신호의 반전 신호에 의해 턴-온되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.6. The method of claim 5,
Wherein in the sensing mode the first transistor is turned off by a first switch control signal having a first logic level voltage of a first switch control line and the second transistor is turned off by a first switch control having a second logic level voltage, And turned on by an inverted signal of the signal.
상기 표시 모드에서 상기 제1 트랜지스터는 상기 제2 로직 레벨 전압을 갖는 제1 스위치 제어신호에 의해 턴-온되고, 상기 제2 트랜지스터는 상기 제1 로직 레벨 전압을 갖는 제1 스위치 제어신호의 반전 신호에 의해 턴-오프되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.The method according to claim 6,
The first transistor is turned on by the first switch control signal having the second logic level voltage and the second transistor is turned on by the inverted signal of the first switch control signal having the first logic level voltage, Off state of the organic light emitting display device.
상기 화소들에 센싱용 데이터 전압들을 공급하고, 상기 기준전압 라인들을 통해 상기 화소들의 소정의 전압들을 센싱하는 센싱 모드에서,
상기 소스 드라이브 IC들의 아날로그 디지털 컨버터들에 센싱 전압을 공급하는 전압 공급부를 더 구비하는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
In a sensing mode of supplying data voltages for sensing to the pixels and sensing predetermined voltages of the pixels through the reference voltage lines,
Further comprising a voltage supply unit for supplying a sensing voltage to the analog digital converters of the source drive ICs.
상기 소스 드라이브 IC들 각각이 실장된 연성 필름들; 및
상기 연성 필름들에 부착되는 소스 회로보드를 더 구비하고,
상기 소스 회로보드는,
상기 전원 공급원으로부터 상기 센싱 전압이 공급되며, 상기 상기 소스 드라이브 IC들의 아날로그 디지털 컨버터들에 접속된 센싱 전압 라인; 및
상기 센싱 전압 라인에 접속된 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.9. The method of claim 8,
Flexible films on which each of the source drive ICs is mounted; And
Further comprising a source circuit board attached to the flexible films,
The source circuit board includes:
A sensing voltage line to which the sensing voltage is supplied from the power source and is connected to analog digital converters of the source drive ICs; And
And a capacitor connected to the sensing voltage line.
상기 센싱 전압 라인과 상기 소스 드라이브 IC들 각각 사이에 접속된 트랜지스터들을 더 구비하고,
상기 트랜지스터들은 상기 센싱 모드에서 제2 제어라인의 제2 제어신호에 의해 턴-온되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.10. The method of claim 9,
Further comprising transistors connected between the sensing voltage line and each of the source drive ICs,
And the transistors are turned on by the second control signal of the second control line in the sensing mode.
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---|---|---|---|
KR1020160096949A KR102599508B1 (en) | 2016-07-29 | 2016-07-29 | Organic light emitting display device |
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KR1020160096949A KR102599508B1 (en) | 2016-07-29 | 2016-07-29 | Organic light emitting display device |
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