KR20220090264A - Transistor fault diagnosis apparatus and method - Google Patents

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Abstract

전류가 흐르는 트랜지스터로부터 측정 정보를 생성하여 기준 정보를 생성하고, 측정 정보와 기준 정보를 비교하여, 측정 정보가 정상 범위를 벗어나는 것으로 판단되는 경우, 트랜지스터에 이상이 발생한 것을 나타내는 이상 정보를 생성하여 출력하는, 트랜지스터 고장 진단 장치를 제공한다.Generates measurement information from a transistor through which current flows to generate reference information, compares the measurement information with reference information, and when it is determined that the measurement information is out of the normal range, generates and outputs abnormal information indicating that an abnormality has occurred in the transistor To provide a transistor fault diagnosis apparatus.

Description

트랜지스터 고장 진단 장치 및 방법{TRANSISTOR FAULT DIAGNOSIS APPARATUS AND METHOD}Transistor FAULT DIAGNOSIS APPARATUS AND METHOD

본 발명은 트랜지스터 고장 진단 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 트랜지스터의 상태를 측정하여 고장을 판단하는 트랜지스터 고장 진단 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for diagnosing a transistor failure, and more particularly, to an apparatus and method for diagnosing a failure by measuring a state of a transistor.

최근에 전기 자동차, 스마트 기기 등의 발전에 따라 전계 효과 트랜지스터(FET: Field Effect Transistor)와 같은 스위칭 소자들에 대한 관심이 높아지고 있다.Recently, with the development of electric vehicles and smart devices, interest in switching devices such as field effect transistors (FETs) is increasing.

이와 같은, 스위칭 소자들은 하나 또는 복수개의 트랜지스터가 마련되어, 스위칭 소자에 입력되는 전원에 따라 동작하게 된다. 이때, 전계 효과 트랜지스터는 크기가 작고, 전력 손실이 적으므로 다양한 분야에서 활용되고 있다.Such switching elements are provided with one or a plurality of transistors to operate according to power input to the switching elements. In this case, the field effect transistor is used in various fields because of its small size and low power loss.

그러나, 스위칭 소자에 마련되는 트랜지스터는 제어 불량, 제조 불량, 높은 소모 전류에 의한 발열, 장기간 동작에 따라 누적되는 부하, 고장 전류의 입력 등의 요인으로 고장이 발생할 수 있다.However, the transistor provided in the switching device may fail due to factors such as control failure, manufacturing failure, heat generation due to high consumption current, load accumulated according to long-term operation, and input of a fault current.

이러한 경우에, 고장이 발생한 트랜지스터는 트랜지스터가 마련된 스위칭 소자에 연결된 기기의 고장이나, 화재 등의 요인이 되기도 한다. 또한, 복수개의 트랜지스터가 마련되는 대부분의 스위칭 소자들은 각각의 트랜지스터가 병렬로 연결되도록 마련되며, 이에 따라, 스위칭 소자에 마련되는 복수개의 트랜지스터 중 하나의 트랜지스터에 고장이 발생한 경우, 고장이 발생한 트랜지스터에 입력되도록 설정된 전류가 다른 트랜지스터에 입력될 수도 있으며, 이러한 경우에, 다른 트랜지스터도 과부하 등의 이유로 고장이 발생할 확률이 증가하게 된다.In this case, the faulty transistor may cause a failure or fire of a device connected to the switching element provided with the transistor. In addition, most of the switching elements in which a plurality of transistors are provided are provided so that each transistor is connected in parallel. Accordingly, when a failure occurs in one of the plurality of transistors provided in the switching element, the failure occurs in the transistor. The current set to be input may be input to another transistor, and in this case, the probability that the other transistor also fails due to overload or the like increases.

이에 따라, 스위칭 소자 등에 마련되는 트랜지스터의 고장을 검출하는 방안이 요구되는 실정이다.Accordingly, there is a need for a method for detecting a failure of a transistor provided in a switching element or the like.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 전류가 흐르는 트랜지스터의 상태를 수집하여 정상 범위를 설정하고, 설정된 정상 범위에 기초하여 트랜지스터의 고장을 판단하는 트랜지스터 고장 진단 장치 및 방법을 제공하는 것이다.The technical problem to be solved by the present invention is to provide an apparatus and method for diagnosing a transistor failure that collects the state of a transistor through which current flows, sets a normal range, and determines a failure of the transistor based on the set normal range.

본 발명의 일측면은, 전류가 흐르는 트랜지스터로부터 측정 정보를 생성하는 측정부; 상기 측정 정보로부터 기준 정보를 생성하고, 상기 기준 정보에 기초하여 상기 트랜지스터의 정상 동작 범위를 나타내도록 정상 범위를 설정하는 설정부; 상기 기준 정보와 상기 정상 범위가 저장되는 저장부; 상기 측정 정보와 상기 기준 정보를 비교하여, 상기 측정 정보가 상기 정상 범위를 벗어나는 것으로 판단되는 경우, 상기 트랜지스터에 이상이 발생한 것을 나타내는 이상 정보를 생성하는 제어부; 및 상기 이상 정보를 출력하는 출력부;를 포함할 수 있다.One aspect of the present invention, a measurement unit for generating measurement information from a transistor through which a current flows; a setting unit generating reference information from the measurement information and setting a normal range to indicate a normal operating range of the transistor based on the reference information; a storage unit storing the reference information and the normal range; a control unit that compares the measurement information with the reference information and generates abnormality information indicating that an abnormality has occurred in the transistor when it is determined that the measurement information is out of the normal range; and an output unit for outputting the abnormality information.

또한, 상기 설정부는, 상기 기준 정보에 기초하여 상기 측정 정보가 상기 정상 범위 내에 존재하는 경우, 상기 측정 정보와 상기 기준 정보의 평균을 산출하여 상기 기준 정보를 갱신할 수 있다.Also, when the measurement information is within the normal range based on the reference information, the setting unit may calculate an average of the measurement information and the reference information to update the reference information.

또한, 상기 기준 정보는, 상기 측정 정보에 기초하여 상기 트랜지스터로부터 측정되는 임의의 온도 또는 임의의 전류에 대해, 상기 트랜지스터가 정상 동작하는 경우에 나타나는 상기 트랜지스터 저항의 크기를 나타내도록 생성될 수 있다.In addition, the reference information may be generated to indicate a magnitude of the transistor resistance that appears when the transistor operates normally with respect to an arbitrary temperature or an arbitrary current measured from the transistor based on the measurement information.

또한, 상기 기준 정보는, 상기 측정 정보에 기초하여 상기 트랜지스터로부터 측정되는 임의의 온도 또는 임의의 전류에 대해, 상기 트랜지스터가 정상 동작하는 경우에 상기 트랜지스터로부터 나타나는 전압 강하를 나타내도록 생성될 수 있다.In addition, the reference information may be generated to indicate a voltage drop that appears from the transistor when the transistor operates normally for a certain temperature or an arbitrary current measured from the transistor based on the measurement information.

또한, 상기 제어부는, 상기 트랜지스터에 이상이 발생한 것으로 판단되되, 상기 측정 정보에 기초하여 상기 트랜지스터로부터 측정되는 전류가 사전에 설정되는 임계 전류보다 낮은 경우, 상기 트랜지스터에 이상이 발생하는 임의의 확률을 나타내도록 사전에 설정되는 제 1 단계에 따른 이상 정보를 생성할 수 있다.In addition, when it is determined that an abnormality has occurred in the transistor, and the current measured from the transistor based on the measurement information is lower than a preset threshold current, the control unit determines a random probability that an abnormality occurs in the transistor. Anomaly information according to a first step preset to be displayed may be generated.

또한, 상기 제어부는, 상기 트랜지스터에 이상이 발생한 것으로 판단되되, 상기 측정 정보에 기초하여 상기 트랜지스터로부터 측정되는 전류가 사전에 설정되는 임계 전류보다 높은 경우, 상기 트랜지스터에 이상이 발생하는 확률에 대해, 상기 제 1 단계에 따른 확률보다 높은 확률을 나타내도록 사전에 설정되는 제 2 단계에 따른 이상 정보를 생성할 수 있다.In addition, when it is determined that an abnormality has occurred in the transistor, and the current measured from the transistor based on the measurement information is higher than a preset threshold current, the control unit determines the probability that an abnormality occurs in the transistor, Anomaly information according to the second step, which is preset to indicate a higher probability than the probability according to the first step, may be generated.

본 발명의 다른 일측면은, 트랜지스터 고장 진단 장치에서의 트랜지스터 고장 진단 방법에 있어서, 측정부가, 전류가 흐르는 트랜지스터로부터 측정 정보를 생성하는 단계; 설정부가 상기 측정 정보로부터 기준 정보를 생성하고, 상기 기준 정보에 기초하여 상기 트랜지스터의 정상 동작 범위를 나타내도록 정상 범위를 설정하는 단계; 저장부에 상기 기준 정보와 상기 정상 범위가 저장되는 단계; 제어부가 상기 측정 정보와 상기 기준 정보를 비교하여, 상기 측정 정보가 상기 정상 범위를 벗어나는 것으로 판단되는 경우, 상기 트랜지스터에 이상이 발생한 것을 나타내는 이상 정보를 생성하는 단계; 및 출력부가 상기 이상 정보를 출력하는 단계;를 포함할 수 있다.Another aspect of the present invention provides a method for diagnosing a transistor failure in a transistor failure diagnosis apparatus, the method comprising: generating, by a measurement unit, measurement information from a transistor through which a current flows; generating, by a setting unit, reference information from the measurement information, and setting a normal range to indicate a normal operating range of the transistor based on the reference information; storing the reference information and the normal range in a storage unit; generating, by a controller, the measurement information and the reference information, and when it is determined that the measurement information is out of the normal range, abnormality information indicating that an abnormality has occurred in the transistor; and outputting the abnormality information by an output unit.

또한, 상기 기준 정보를 생성하고, 정상 범위를 설정하는 단계는, 상기 기준 정보에 기초하여 상기 측정 정보가 상기 정상 범위 내에 존재하는 경우, 상기 측정 정보와 상기 기준 정보의 평균을 산출하여 상기 기준 정보를 갱신할 수 있다.In addition, the generating the reference information and setting the normal range may include calculating an average of the measurement information and the reference information when the measurement information is within the normal range based on the reference information to calculate the reference information can be updated.

상술한 본 발명의 일측면에 따르면, 트랜지스터 고장 진단 장치 및 방법을 제공함으로써, 전류가 흐르는 트랜지스터의 상태를 수집하여 정상 범위를 설정하고, 설정된 정상 범위에 기초하여 트랜지스터의 고장을 판단할 수 있다.According to one aspect of the present invention described above, by providing an apparatus and method for diagnosing a transistor failure, a normal range may be set by collecting the state of a transistor through which current flows, and a failure of the transistor may be determined based on the set normal range.

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터 고장 진단 장치가 이용되는 트랜지스터의 일 실시예를 나타낸 개략도이다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터 고장 진단 장치의 제어블록도이다.
도3은 도2의 설정부에서 기준 정보가 생성되는 과정을 나타낸 블록도이다.
도4는 도2의 제어부에서 이상 정보가 생성되는 과정을 나타낸 블록도이다.
도5는 트랜지스터에 흐르는 전류에 대한 전압 강하의 일 실시예를 나타낸 그래프이다.
도6은 트랜지스터에 흐르는 전류에 대한 저항의 크기의 일 실시예를 나타낸 그래프이다.
도7은 트랜지스터에 이상이 발생하는 경우에 나타나는 측정 정보 변화의 일 실시예를 나타낸 그래프이다.
도8은 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터 고장 진단 방법의 순서도이다.1 is a schematic diagram illustrating an embodiment of a transistor in which an apparatus for diagnosing a transistor failure according to an embodiment of the present invention is used.
2 is a control block diagram of an apparatus for diagnosing a transistor failure according to an embodiment of the present invention.
3 is a block diagram illustrating a process of generating reference information in the setting unit of FIG. 2 .
4 is a block diagram illustrating a process of generating abnormal information in the control unit of FIG. 2 .
5 is a graph illustrating an embodiment of a voltage drop with respect to a current flowing through a transistor.
6 is a graph showing an embodiment of the magnitude of the resistance with respect to the current flowing through the transistor.
7 is a graph illustrating an example of a change in measurement information that occurs when an abnormality occurs in a transistor.
8 is a flowchart of a transistor failure diagnosis method according to an embodiment of the present invention.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예와 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0010] DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0010] DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0013] Reference is made to the accompanying drawings, which show by way of illustration specific embodiments in which the present invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the present invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different but need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and characteristics described herein with respect to one embodiment may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention. In addition, it should be understood that the location or arrangement of individual components within each disclosed embodiment may be changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Accordingly, the following detailed description is not intended to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention, if properly described, is limited only by the appended claims, along with all scope equivalents to those claimed. Like reference numerals in the drawings refer to the same or similar functions throughout the various aspects.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터 고장 진단 장치가 이용되는 트랜지스터의 일 실시예를 나타낸 개략도이다.1 is a schematic diagram illustrating an embodiment of a transistor in which an apparatus for diagnosing a transistor failure according to an embodiment of the present invention is used.

트랜지스터 고장 진단 장치(100)는 전류가 흐르는 트랜지스터(10)로부터 측정 정보를 생성할 수 있으며, 이에 따라, 트랜지스터 고장 진단 장치(100)는 트랜지스터(10)로부터 측정된 측정 정보에 따라 트랜지스터(10)의 고장을 판단할 수 있다.The transistor failure diagnosis apparatus 100 may generate measurement information from the transistor 10 through which a current flows, and accordingly, the transistor failure diagnosis apparatus 100 determines the transistor 10 according to the measurement information measured from the transistor 10 . failure can be determined.

여기에서, 트랜지스터(10)는 전계 효과 트랜지스터(FET: Field Effect Transistor) 등의 트랜지스터(Here, the transistor 10 is a transistor (Field Effect Transistor (FET), etc.)

이를 위해, 트랜지스터 고장 진단 장치(100)는 트랜지스터(10)에 연결될 수 있으며, 이때, 트랜지스터(10)는 도1에 도시된 바와 같이, 복수개의 트랜지스터(10)가 마련되는 전자식 스위치(1)에 배치된 것일 수 있다.To this end, the transistor fault diagnosis apparatus 100 may be connected to the transistor 10 , and in this case, the transistor 10 is connected to the electronic switch 1 in which a plurality of transistors 10 are provided, as shown in FIG. 1 . may have been placed.

이러한 경우에, 트랜지스터 고장 진단 장치(100)는 트랜지스터 고장 진단 장치(100)에 연결된 복수개의 트랜지스터(10) 각각에 대해 측정 정보를 구분하여 생성할 수 있으며, 이를 통해, 트랜지스터 고장 진단 장치(100)는 서로 다른 트랜지스터(10)의 고장 발생을 각각 판단할 수 있다.In this case, the transistor failure diagnosis apparatus 100 may divide and generate measurement information for each of the plurality of transistors 10 connected to the transistor failure diagnosis apparatus 100 , and through this, the transistor failure diagnosis apparatus 100 can determine the occurrence of failure of different transistors 10, respectively.

한편, 트랜지스터 고장 진단 장치(100)는 트랜지스터 고장 진단 장치(100)에 연결된 복수개의 트랜지스터(10) 각각에 대해 측정 정보를 구분하여 생성하되, 트랜지스터 고장 진단 장치(100)에 연결된 복수개의 트랜지스터(10) 중 어느 하나의 트랜지스터(10)로부터 고장이 발생한 것으로 판단되는 경우에, 복수개의 트랜지스터(10)가 마련되는 전자식 스위치(1)에 고장이 발생한 것으로 판단하도록 마련될 수도 있다.Meanwhile, the transistor failure diagnosis apparatus 100 divides and generates measurement information for each of the plurality of transistors 10 connected to the transistor failure diagnosis apparatus 100 , but the plurality of transistors 10 connected to the transistor failure diagnosis apparatus 100 . ), when it is determined that a failure has occurred in any one of the transistors 10, it may be provided to determine that a failure has occurred in the electronic switch 1 in which a plurality of transistors 10 are provided.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터 고장 진단 장치의 제어블록도이다.2 is a control block diagram of an apparatus for diagnosing a transistor failure according to an embodiment of the present invention.

트랜지스터 고장 진단 장치(100)는 측정부(110), 설정부(120), 저장부(130), 제어부(140) 및 출력부(150)를 포함할 수 있다.The transistor failure diagnosis apparatus 100 may include a measuring unit 110 , a setting unit 120 , a storage unit 130 , a control unit 140 , and an output unit 150 .

또한, 트랜지스터 고장 진단 장치(100)는 도 2에 도시된 구성요소보다 많은 구성요소에 의해 구현될 수 있고, 그보다 적은 구성요소에 의해 구현될 수 있다. 또는, 트랜지스터 고장 진단 장치(100)는 트랜지스터 고장 진단 장치(100)에 마련되는 적어도 두 개의 구성요소가 하나의 구성요소로 통합되어 하나의 구성요소가 복합적인 기능을 수행할 수도 있다. 이하, 상술한 구성요소들에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.In addition, the transistor failure diagnosis apparatus 100 may be implemented by more components than the components shown in FIG. 2 , and may be implemented by fewer components than the components shown in FIG. 2 . Alternatively, in the transistor failure diagnosis apparatus 100 , at least two components provided in the transistor failure diagnosis apparatus 100 may be integrated into one component, and one component may perform a complex function. Hereinafter, the above-described components will be described in detail.

측정부(110)는 전류가 흐르는 트랜지스터(10)로부터 측정 정보를 생성할 수 있다. 이때, 측정 정보는 트랜지스터(10)에 흐르는 전류, 트랜지스터(10)에 가해지는 전압 및 트랜지스터(10)의 온도 중 적어도 하나의 정보를 포함할 수 있다.The measurement unit 110 may generate measurement information from the transistor 10 through which a current flows. In this case, the measurement information may include information on at least one of a current flowing through the transistor 10 , a voltage applied to the transistor 10 , and a temperature of the transistor 10 .

이에 따라, 측정부(110)는 트랜지스터(10)에 흐르는 전류를 측정할 수 있고, 이를 위해, 측정부(110)는 트랜지스터(10)의 양단에 연결되는 전류계 등의 전류 센서가 마련될 수 있다.Accordingly, the measurement unit 110 may measure the current flowing through the transistor 10 , and for this purpose, the measurement unit 110 may be provided with a current sensor such as an ammeter connected to both ends of the transistor 10 . .

또한, 측정부(110)는 트랜지스터(10)에 가해지는 전압을 측정할 수 있으며, 이를 위해, 측정부(110)는 트랜지스터(10)의 일측에 연결되는 전압계 등의 전압 센서가 마련될 수 있다.In addition, the measuring unit 110 may measure the voltage applied to the transistor 10 , and for this purpose, the measuring unit 110 may be provided with a voltage sensor such as a voltmeter connected to one side of the transistor 10 . .

또한, 측정부(110)는 트랜지스터(10)의 온도를 측정할 수 있으며, 이를 위해, 측정부(110)는 트랜지스터(10) 일측의 온도를 측정하는 온도계 등의 온도 센서가 마련될 수 있다.Also, the measuring unit 110 may measure the temperature of the transistor 10 , and for this purpose, the measuring unit 110 may be provided with a temperature sensor such as a thermometer for measuring the temperature of one side of the transistor 10 .

이때, 측정부(110)는 복수개의 트랜지스터(10)가 마련되는 경우에, 각각의 트랜지스터(10)로부터 측정 정보를 측정하여 생성할 수 있다.In this case, when the plurality of transistors 10 are provided, the measurement unit 110 may measure and generate measurement information from each transistor 10 .

설정부(120)는 측정 정보로부터 기준 정보를 생성할 수 있고, 설정부(120)는 기준 정보에 기초하여 트랜지스터(10)의 정상 동작 범위를 나타내도록 정상 범위를 설정할 수 있다.The setting unit 120 may generate reference information from the measurement information, and the setting unit 120 may set a normal range to indicate a normal operating range of the transistor 10 based on the reference information.

여기에서, 정상 범위는 트랜지스터(10)가 정상 동작을 하는 과정에서 측정되는 측정 정보의 범위를 나타내도록 설정될 수 있으며, 또한, 정상 범위는 트랜지스터(10)가 정상 동작을 수행하는 과정에서 발생 가능한 측정 정보의 오차를 포함하도록 마련될 수 있다.Here, the normal range may be set to indicate a range of measurement information measured while the transistor 10 operates normally, and the normal range is a range that can be generated during the normal operation of the transistor 10 . It may be provided to include an error of measurement information.

또한, 기준 정보는 트랜지스터(10)의 정상 동작을 판단할 수 있도록 설정될 수 있으며, 이를 위해, 설정부(120)는 정상 동작을 수행하는 트랜지스터(10)로부터 측정되는 측정 정보를 이용하여 기준 정보를 생성할 수 있다.In addition, the reference information may be set to determine the normal operation of the transistor 10 , and for this, the setting unit 120 uses measurement information measured from the transistor 10 performing the normal operation to determine the reference information. can create

예를 들어, 기준 정보는 측정 정보에 기초하여 트랜지스터(10)로부터 측정되는 임의의 온도 또는 임의의 전류에 대해, 트랜지스터(10)가 정상 동작하는 경우에 나타나는 트랜지스터 저항의 크기를 나타내도록 생성될 수 있다.For example, the reference information may be generated to indicate the magnitude of the transistor resistance that appears when the transistor 10 operates normally, for any temperature or any current measured from the transistor 10 based on the measurement information. have.

이때, 설정부(120)는 온도 또는 전류의 변동에 따른 저항의 크기가 나타나도록 기준 정보를 생성할 수 있다.In this case, the setting unit 120 may generate reference information to indicate the size of the resistance according to a change in temperature or current.

또는, 기준 정보는 측정 정보에 기초하여 트랜지스터(10)로부터 측정되는 임의의 온도 또는 임의의 전류에 대해, 트랜지스터(10)가 정상 동작하는 경우에 트랜지스터(10)로부터 나타나는 전압 강하를 나타내도록 생성될 수 있다.Alternatively, the reference information may be generated to indicate the voltage drop that appears from the transistor 10 when the transistor 10 is operating normally, for any temperature or any current measured from the transistor 10 based on the measurement information. can

이때, 설정부(120)는 온도 또는 전류의 변동에 따른 전압 강하의 크기가 나타나도록 기준 정보를 생성할 수 있다.In this case, the setting unit 120 may generate the reference information so that the magnitude of the voltage drop according to the change in temperature or current appears.

이와 관련하여, 설정부(120)는 사전에 설정되는 값의 간격으로 나타나는 온도 또는 전류에 대해 측정된 측정 정보를 이용하여 기준 정보를 생성할 수 있으며, 예를 들어, 설정부(120)는 온도의 간격을 10 도 간격으로 설정하고, 전류의 간격을 10 A 간격으로 설정할 수 있으며, 설정부(120)는 10 도 간격으로 설정된 임의의 온도 또는 10 A 간격으로 설정된 임의의 전류에 따른 측정 정보를 나열하여 기준 정보를 생성할 수 있다.In this regard, the setting unit 120 may generate reference information by using measurement information measured for a temperature or a current appearing at intervals of a preset value, for example, the setting unit 120 may set the temperature can be set at intervals of 10 degrees, and the interval of currents can be set at intervals of 10 A, and the setting unit 120 receives measurement information according to an arbitrary temperature set at an interval of 10 degrees or an arbitrary current set at an interval of 10 A. You can create reference information by listing.

이때, 설정부(120)는 기준 정보에 기초하여 측정 정보가 정상 범위 내에 존재하는 경우에, 측정 정보와 기준 정보의 평균을 산출하여 기준 정보를 갱신할 수 있다.In this case, when the measurement information is within a normal range based on the reference information, the setting unit 120 may update the reference information by calculating an average of the measurement information and the reference information.

한편, 설정부(120)는 온도 또는 전류의 변동에 따라 수집된 복수개의 측정 정보에 대해 공지된 근사화 기법을 이용하여 기준 정보를 생성할 수도 있다.Meanwhile, the setting unit 120 may generate reference information using a known approximation technique for a plurality of measurement information collected according to a change in temperature or current.

저장부(130)는 기준 정보와 정상 범위가 저장되도록 마련될 수 있다. 이때, 저장부(130)는 측정부(110)에서 측정되는 측정 정보가 저장될 수도 있다.The storage unit 130 may be provided to store the reference information and the normal range. In this case, the storage unit 130 may store measurement information measured by the measurement unit 110 .

한편, 저장부(130)는 이전에 생성된 기준 정보가 저장될 수도 있으며, 이러한 경우에, 저장부(130)는 이전에 생성된 기준 정보와 새롭게 생성된 기준 정보가 분류되어 저장될 수 있다.Meanwhile, the storage unit 130 may store previously generated reference information, and in this case, the storage unit 130 may classify and store previously generated reference information and newly generated reference information.

제어부(140)는 측정 정보와 기준 정보를 비교하여, 측정 정보가 정상 범위를 벗어나는 것으로 판단되는 경우에, 트랜지스터(10)에 이상이 발생한 것을 나타내는 이상 정보를 생성할 수 있다.The controller 140 compares the measurement information with the reference information, and when it is determined that the measurement information is out of a normal range, the controller 140 may generate abnormality information indicating that an abnormality has occurred in the transistor 10 .

이때, 제어부(140)는 측정 정보로부터 나타나는 온도 또는 전류와 동일한 온도 또는 전류가 나타나는 기준 정보를 비교할 수 있으며, 이때, 제어부(140)는 측정 정보와 기준 정보의 차이의 절대 값이 정상 범위를 벗어나는 경우에 이상 정보를 생성할 수 있다.At this time, the control unit 140 may compare the reference information indicating the same temperature or current with the temperature or current appearing from the measurement information, and in this case, the control unit 140 determines that the absolute value of the difference between the measurement information and the reference information is outside the normal range. In some cases, abnormal information may be generated.

여기에서, 이상 정보는 트랜지스터(10)에 이상이 발생한 시점 또는 이상이 발생한 트랜지스터(10)로부터 측정된 측정 정보 등을 포함하도록 설정될 수 있다. 또한, 이상 정보는 트랜지스터 고장 진단 장치(100)가 복수개의 트랜지스터(10) 각각의 이상을 진단하도록 마련되는 경우에, 이상이 발생한 트랜지스터(10)를 나타내는 정보를 더 포함할 수 있다.Here, the abnormality information may be set to include a time point when an abnormality occurs in the transistor 10 or measurement information measured from the abnormality occurring transistor 10 . In addition, the abnormality information may further include information indicating the transistor 10 in which an abnormality has occurred when the transistor failure diagnosis apparatus 100 is provided to diagnose an abnormality of each of the plurality of transistors 10 .

또한, 이상 정보는 트랜지스터(10)에 이상이 발생한 것을 알리도록 출력부(150)에 출력되는 알림의 형태를 더 포함할 수도 있으며, 이러한 경우에, 이상 정보는 시각적 자극, 청각적 자극, 촉각적 자극 중 어느 하나의 자극을 유발할 수 있는 알림 유형을 더 포함할 수 있다.In addition, the abnormal information may further include a form of a notification output to the output unit 150 to notify that an abnormality has occurred in the transistor 10 . In this case, the abnormal information may include visual stimulation, auditory stimulation, and tactile information. A notification type capable of triggering any one of the stimuli may be further included.

한편, 제어부(140)는 트랜지스터(10)에 이상이 발생한 것으로 판단되는 경우에, 측정 정보로부터 나타나는 전류의 크기에 따라 서로 다른 이상 정보를 생성할 수 있다.Meanwhile, when it is determined that an abnormality has occurred in the transistor 10 , the controller 140 may generate different abnormality information according to the magnitude of a current indicated from the measurement information.

예를 들어, 제어부(140)는 트랜지스터(10)에 이상이 발생한 것으로 판단되되, 측정 정보에 기초하여 트랜지스터(10)로부터 측정되는 전류가 사전에 설정되는 임계 전류보다 낮은 경우에, 트랜지스터에 이상이 발생하는 임의의 확률을 나타내도록 사전에 설정되는 제 1 단계에 따른 이상 정보를 생성할 수 있다.For example, when it is determined that an abnormality has occurred in the transistor 10 , and the current measured from the transistor 10 is lower than a preset threshold current based on the measurement information, the controller 140 has an abnormality in the transistor. Anomaly information according to a first step that is set in advance to indicate an arbitrary probability of occurrence may be generated.

이때, 제어부(140)는 트랜지스터(10)에 이상이 발생한 것으로 판단되되, 측정 정보에 기초하여 트랜지스터(10)로부터 측정되는 전류가 사전에 설정되는 임계 전류보다 높은 경우에, 트랜지스터(10)에 이상이 발생하는 확률에 대해, 제 1 단계에 따른 확률보다 높은 확률을 나타내도록 사전에 설정되는 제 2 단계에 따른 이상 정보를 생성할 수 있다.At this time, the controller 140 determines that an abnormality has occurred in the transistor 10 , but when the current measured from the transistor 10 based on the measurement information is higher than a preset threshold current, the transistor 10 is abnormal. With respect to the probability of this occurrence, anomaly information according to the second step, which is preset to indicate a higher probability than the probability according to the first step, may be generated.

이러한 경우에, 제 2 단계에 따른 이상 정보는 제 1 단계에 따른 이상 정보보다 사용자가 더 빠르게 인식하도록 설정될 수 있으며, 예를 들어, 제 1 단계에 따른 이상 정보는 시각적 자극의 알림 유형이 포함될 수 있고, 제 2 단계에 따른 이상 정보는 시각적 자극의 알림 유형, 청각적 자극의 알림 유형 및 촉각적 자극의 알림 유형 중 적어도 2개의 알림 유형이 포함될 수 있다.In this case, the abnormal information according to the second step may be set to be recognized more quickly by the user than the abnormal information according to the first step, and for example, the abnormal information according to the first step may include a notification type of a visual stimulus. In addition, the abnormal information according to the second step may include at least two notification types among a notification type of a visual stimulus, a notification type of an auditory stimulus, and a notification type of a tactile stimulus.

또는, 이상 정보는 청색, 황색 및 적색으로 마련되는 복수개의 램프 중 하나의 램프가 동작하도록 마련될 수도 있으며, 이러한 경우에, 제 1 단계에 따른 이상 정보는 황색의 램프가 동작하도록 마련될 수 있고, 제 2 단계에 따른 이상 정보는 적색의 램프가 동작하도록 마련될 수 있다.Alternatively, the abnormal information may be provided so that one of a plurality of lamps provided in blue, yellow, and red operates, and in this case, the abnormal information according to the first step may be provided so that the yellow lamp operates, , the abnormal information according to the second step may be provided so that the red lamp operates.

출력부(150)는 이상 정보를 출력할 수 있다. 이를 위해, 출력부(150)는 모니터 등의 디스플레이 기기가 마련될 수 있으며, 이에 따라, 출력부(150)는 디스플레이 기기에 이상 정보를 출력할 수 있다.The output unit 150 may output abnormality information. To this end, the output unit 150 may be provided with a display device such as a monitor, and accordingly, the output unit 150 may output abnormality information to the display device.

한편, 출력부(150)는 시각적 자극, 청각적 자극 및 촉각적 자극 중 어느 하나의 자극을 발생시키도록 마련될 수도 있으며, 이러한 경우에, 출력부(150)는 이상 정보에 따라 시각적 자극, 청각적 자극 및 촉각적 자극 중 어느 하나의 자극을 발생시킬 수 있다.Meanwhile, the output unit 150 may be provided to generate any one of a visual stimulus, an auditory stimulus, and a tactile stimulus. Any one of a visual stimulus and a tactile stimulus may be generated.

도3은 도2의 설정부에서 기준 정보가 생성되는 과정을 나타낸 블록도이다.3 is a block diagram illustrating a process of generating reference information in the setting unit of FIG. 2 .

도3을 참조하면, 측정부(110)는 전류가 흐르는 트랜지스터(10)로부터 측정 정보를 생성할 수 있다. 이에 따라, 설정부(120)는 측정 정보로부터 기준 정보를 생성할 수 있고, 설정부(120)는 기준 정보에 기초하여 트랜지스터(10)의 정상 동작 범위를 나타내도록 정상 범위를 설정할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the measurement unit 110 may generate measurement information from the transistor 10 through which a current flows. Accordingly, the setting unit 120 may generate reference information from the measurement information, and the setting unit 120 may set a normal range to indicate the normal operating range of the transistor 10 based on the reference information.

이와 관련하여, 기준 정보는 측정 정보에 기초하여 트랜지스터(10)로부터 측정되는 임의의 온도 또는 임의의 전류에 대해, 트랜지스터(10)가 정상 동작하는 경우에 나타나는 트랜지스터 저항의 크기를 나타내도록 생성될 수 있다.In this regard, the reference information may be generated to indicate the magnitude of the transistor resistance that appears when the transistor 10 operates normally for any temperature or any current measured from the transistor 10 based on the measurement information. have.

이때, 설정부(120)는 온도 또는 전류의 변동에 따른 저항의 크기가 나타나도록 기준 정보를 생성할 수 있다.In this case, the setting unit 120 may generate reference information to indicate the size of the resistance according to a change in temperature or current.

또는, 기준 정보는 측정 정보에 기초하여 트랜지스터(10)로부터 측정되는 임의의 온도 또는 임의의 전류에 대해, 트랜지스터(10)가 정상 동작하는 경우에 트랜지스터(10)로부터 나타나는 전압 강하를 나타내도록 생성될 수 있다.Alternatively, the reference information may be generated to indicate the voltage drop that appears from the transistor 10 when the transistor 10 is operating normally, for any temperature or any current measured from the transistor 10 based on the measurement information. can

이때, 설정부(120)는 온도 또는 전류의 변동에 따른 전압 강하의 크기가 나타나도록 기준 정보를 생성할 수 있다.In this case, the setting unit 120 may generate the reference information so that the magnitude of the voltage drop according to the change in temperature or current appears.

저장부(130)는 기준 정보와 정상 범위가 저장되도록 마련될 수 있다. 이때, 저장부(130)는 측정부(110)에서 측정되는 측정 정보가 저장될 수도 있다.The storage unit 130 may be provided to store the reference information and the normal range. In this case, the storage unit 130 may store measurement information measured by the measurement unit 110 .

한편, 저장부(130)는 이전에 생성된 기준 정보가 저장될 수도 있으며, 이러한 경우에, 저장부(130)는 이전에 생성된 기준 정보와 새롭게 생성된 기준 정보가 분류되어 저장될 수 있다.Meanwhile, the storage unit 130 may store previously generated reference information, and in this case, the storage unit 130 may classify and store previously generated reference information and newly generated reference information.

도4는 도2의 제어부에서 이상 정보가 생성되는 과정을 나타낸 블록도이다.4 is a block diagram illustrating a process of generating abnormal information in the control unit of FIG. 2 .

도4를 참조하면, 측정부(110)는 전류가 흐르는 트랜지스터(10)로부터 측정 정보를 생성할 수 있으며, 제어부(140)는 측정 정보와 기준 정보를 비교하여, 측정 정보가 정상 범위를 벗어나는 것으로 판단되는 경우에, 트랜지스터(10)에 이상이 발생한 것을 나타내는 이상 정보를 생성할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the measurement unit 110 may generate measurement information from the transistor 10 through which a current flows, and the control unit 140 compares the measurement information with reference information, and determines that the measurement information is out of the normal range. When it is determined, abnormality information indicating that an abnormality has occurred in the transistor 10 may be generated.

이때, 저장부(130)는 기준 정보와 정상 범위가 저장되도록 마련될 수 있다. 이때, 저장부(130)는 측정부(110)에서 측정되는 측정 정보가 저장될 수도 있다.In this case, the storage unit 130 may be provided to store the reference information and the normal range. In this case, the storage unit 130 may store measurement information measured by the measurement unit 110 .

또한, 저장부(130)는 이전에 생성된 기준 정보가 저장될 수도 있으며, 이러한 경우에, 저장부(130)는 이전에 생성된 기준 정보와 새롭게 생성된 기준 정보가 분류되어 저장될 수 있다.Also, the storage unit 130 may store previously generated reference information, and in this case, the storage unit 130 may classify and store previously generated reference information and newly generated reference information.

한편, 제어부(140)는 측정 정보로부터 나타나는 온도 또는 전류와 동일한 온도 또는 전류가 나타나는 기준 정보를 비교할 수 있으며, 이때, 제어부(140)는 측정 정보와 기준 정보의 차이의 절대 값이 정상 범위를 벗어나는 경우에 이상 정보를 생성할 수 있다.On the other hand, the control unit 140 may compare the reference information indicating the same temperature or current with the temperature or current appearing from the measurement information, at this time, the control unit 140, the absolute value of the difference between the measurement information and the reference information is out of the normal range In some cases, abnormal information may be generated.

이때, 제어부(140)는 트랜지스터(10)에 이상이 발생한 것으로 판단되는 경우에, 측정 정보로부터 나타나는 전류의 크기에 따라 서로 다른 이상 정보를 생성할 수 있다.In this case, when it is determined that an abnormality has occurred in the transistor 10 , the controller 140 may generate different abnormality information according to the magnitude of the current indicated from the measurement information.

예를 들어, 제어부(140)는 트랜지스터(10)에 이상이 발생한 것으로 판단되되, 측정 정보에 기초하여 트랜지스터(10)로부터 측정되는 전류가 사전에 설정되는 임계 전류보다 낮은 경우에, 트랜지스터에 이상이 발생하는 임의의 확률을 나타내도록 사전에 설정되는 제 1 단계에 따른 이상 정보를 생성할 수 있다.For example, when it is determined that an abnormality has occurred in the transistor 10 , and the current measured from the transistor 10 is lower than a preset threshold current based on the measurement information, the controller 140 has an abnormality in the transistor. Anomaly information according to a first step that is set in advance to indicate an arbitrary probability of occurrence may be generated.

이때, 제어부(140)는 트랜지스터(10)에 이상이 발생한 것으로 판단되되, 측정 정보에 기초하여 트랜지스터(10)로부터 측정되는 전류가 사전에 설정되는 임계 전류보다 높은 경우에, 트랜지스터(10)에 이상이 발생하는 확률에 대해, 제 1 단계에 따른 확률보다 높은 확률을 나타내도록 사전에 설정되는 제 2 단계에 따른 이상 정보를 생성할 수 있다.At this time, the controller 140 determines that an abnormality has occurred in the transistor 10 , but when the current measured from the transistor 10 based on the measurement information is higher than a preset threshold current, the transistor 10 is abnormal. With respect to the probability of this occurrence, anomaly information according to the second step, which is preset to indicate a higher probability than the probability according to the first step, may be generated.

이에 따라, 출력부(150)는 이상 정보를 출력할 수 있다.Accordingly, the output unit 150 may output abnormality information.

도5는 트랜지스터에 흐르는 전류에 대한 전압 강하의 일 실시예를 나타낸 그래프이다.5 is a graph illustrating an embodiment of a voltage drop with respect to a current flowing through a transistor.

이와 같이, 기준 정보는 측정 정보에 기초하여 트랜지스터(10)로부터 측정되는 임의의 온도 또는 임의의 전류에 대해, 트랜지스터(10)가 정상 동작하는 경우에 트랜지스터(10)로부터 나타나는 전압 강하를 나타내도록 생성될 수 있다.As such, the reference information is generated to represent the voltage drop that appears from the transistor 10 when the transistor 10 is operating normally, for any temperature or any current measured from the transistor 10 based on the measurement information. can be

도6은 트랜지스터에 흐르는 전류에 대한 저항의 크기의 일 실시예를 나타낸 그래프이다.6 is a graph showing an embodiment of the magnitude of the resistance with respect to the current flowing through the transistor.

이와 같이, 기준 정보는 트랜지스터(10)의 정상 동작을 판단할 수 있도록 설정될 수 있으며, 이를 위해, 설정부(120)는 정상 동작을 수행하는 트랜지스터(10)로부터 측정되는 측정 정보를 이용하여 기준 정보를 생성할 수 있다.In this way, the reference information may be set to determine the normal operation of the transistor 10 , and for this, the setting unit 120 uses measurement information measured from the transistor 10 performing the normal operation as a reference information can be created.

도7은 트랜지스터에 이상이 발생하는 경우에 나타나는 측정 정보 변화의 일 실시예를 나타낸 그래프이다.7 is a graph illustrating an example of a change in measurement information that occurs when an abnormality occurs in a transistor.

이와 같이, 제어부(140)는 측정 정보로부터 나타나는 온도 또는 전류와 동일한 온도 또는 전류가 나타나는 기준 정보를 비교할 수 있으며, 이때, 제어부(140)는 측정 정보와 기준 정보의 차이의 절대 값이 정상 범위를 벗어나는 경우에 이상 정보를 생성할 수 있다.In this way, the control unit 140 may compare the reference information indicating the same temperature or current with the temperature or current appearing from the measurement information, and in this case, the control unit 140 determines that the absolute value of the difference between the measurement information and the reference information is within the normal range. In the case of deviation, abnormal information may be generated.

도8은 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터 고장 진단 방법의 순서도이다.8 is a flowchart of a transistor failure diagnosis method according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터 고장 진단 방법은 도 1에 도시된 트랜지스터 고장 진단 장치(100)와 실질적으로 동일한 구성 상에서 진행되므로, 도 1의 트랜지스터 고장 진단 장치(100)와 동일한 구성요소에 대해 동일한 도면 부호를 부여하고, 반복되는 설명은 생략하기로 한다.Since the transistor failure diagnosis method according to an embodiment of the present invention proceeds in substantially the same configuration as the transistor failure diagnosis apparatus 100 illustrated in FIG. 1 , the same components as those of the transistor failure diagnosis apparatus 100 of FIG. The same reference numerals are given, and repeated descriptions will be omitted.

트랜지스터 고장 진단 방법은 트랜지스터로부터 측정 정보를 생성하는 단계(600), 기준 정보를 생성하고, 정상 범위를 설정하는 단계(610), 기준 정보와 정상 범위가 저장되는 단계(620), 트랜지스터에 이상이 발생한 것을 나타내는 이상 정보를 생성하는 단계(630) 및 이상 정보를 출력하는 단계(640)를 포함할 수 있다.The transistor failure diagnosis method includes the steps of generating measurement information from a transistor (600), generating reference information, and setting a normal range (610), storing the reference information and the normal range (620), and an abnormality in the transistor It may include generating abnormal information indicating that it has occurred ( 630 ) and outputting abnormal information ( 640 ).

트랜지스터로부터 측정 정보를 생성하는 단계(600)는 측정부(110)가, 전류가 흐르는 트랜지스터로부터 측정 정보를 생성하는 단계일 수 있다.The step 600 of generating the measurement information from the transistor may be a step in which the measurement unit 110 generates the measurement information from the transistor through which a current flows.

기준 정보를 생성하고, 정상 범위를 설정하는 단계(610)는 설정부(120)가 측정 정보로부터 기준 정보를 생성하고, 기준 정보에 기초하여 트랜지스터(10)의 정상 동작 범위를 나타내도록 정상 범위를 설정하는 단계일 수 있다.In the step 610 of generating the reference information and setting the normal range, the setting unit 120 generates the reference information from the measurement information and sets the normal range to indicate the normal operating range of the transistor 10 based on the reference information. This may be a setting step.

기준 정보와 정상 범위가 저장되는 단계(620)는 저장부(130)에 기준 정보와 정상 범위가 저장되는 단계일 수 있다.The step 620 of storing the reference information and the normal range may be a step of storing the reference information and the normal range in the storage unit 130 .

트랜지스터에 이상이 발생한 것을 나타내는 이상 정보를 생성하는 단계(630)는 제어부(140)가 측정 정보와 기준 정보를 비교하여, 측정 정보가 정상 범위를 벗어나는 것으로 판단되는 경우, 트랜지스터(10)에 이상이 발생한 것을 나타내는 이상 정보를 생성하는 단계일 수 있다.In the step 630 of generating abnormality information indicating that an abnormality has occurred in the transistor, the controller 140 compares the measurement information with the reference information, and when it is determined that the measurement information is out of the normal range, the transistor 10 has an abnormality. It may be a step of generating abnormal information indicating that it has occurred.

이상 정보를 출력하는 단계(640)는 출력부(150)가 이상 정보를 출력하는 단계일 수 있다.The step of outputting the abnormality information 640 may be a step in which the output unit 150 outputs the abnormality information.

이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to the embodiments, those skilled in the art will understand that various modifications and changes can be made to the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the following claims. will be able

1: 전자식 스위치
10: 트랜지스터
100: 트랜지스터 고장 진단 장치1: Electronic switch
10: transistor
100: transistor fault diagnosis device

Claims (8)

전류가 흐르는 트랜지스터로부터 측정 정보를 생성하는 측정부;
상기 측정 정보로부터 기준 정보를 생성하고, 상기 기준 정보에 기초하여 상기 트랜지스터의 정상 동작 범위를 나타내도록 정상 범위를 설정하는 설정부;
상기 기준 정보와 상기 정상 범위가 저장되는 저장부;
상기 측정 정보와 상기 기준 정보를 비교하여, 상기 측정 정보가 상기 정상 범위를 벗어나는 것으로 판단되는 경우, 상기 트랜지스터에 이상이 발생한 것을 나타내는 이상 정보를 생성하는 제어부; 및
상기 이상 정보를 출력하는 출력부;를 포함하는, 트랜지스터 고장 진단 장치.
a measurement unit generating measurement information from a transistor through which a current flows;
a setting unit generating reference information from the measurement information and setting a normal range to indicate a normal operating range of the transistor based on the reference information;
a storage unit storing the reference information and the normal range;
a control unit that compares the measurement information with the reference information and generates abnormality information indicating that an abnormality has occurred in the transistor when it is determined that the measurement information is out of the normal range; and
and an output unit for outputting the abnormality information.
 제1항에 있어서, 상기 설정부는,
상기 기준 정보에 기초하여 상기 측정 정보가 상기 정상 범위 내에 존재하는 경우, 상기 측정 정보와 상기 기준 정보의 평균을 산출하여 상기 기준 정보를 갱신하는, 트랜지스터 고장 진단 장치.
According to claim 1, wherein the setting unit,
When the measurement information is within the normal range based on the reference information, calculating an average of the measurement information and the reference information to update the reference information.
 제1항에 있어서, 상기 기준 정보는,
상기 측정 정보에 기초하여 상기 트랜지스터로부터 측정되는 임의의 온도 또는 임의의 전류에 대해, 상기 트랜지스터가 정상 동작하는 경우에 나타나는 상기 트랜지스터 저항의 크기를 나타내도록 생성되는, 트랜지스터 고장 진단 장치.
According to claim 1, wherein the reference information,
is generated to indicate a magnitude of the transistor resistance that appears when the transistor operates normally with respect to a certain temperature or a certain current measured from the transistor based on the measurement information.
 제1항에 있어서, 상기 기준 정보는,
상기 측정 정보에 기초하여 상기 트랜지스터로부터 측정되는 임의의 온도 또는 임의의 전류에 대해, 상기 트랜지스터가 정상 동작하는 경우에 상기 트랜지스터로부터 나타나는 전압 강하를 나타내도록 생성되는, 트랜지스터 고장 진단 장치.
According to claim 1, wherein the reference information,
and, for any temperature or any current measured from the transistor based on the measurement information, is generated to indicate a voltage drop that appears from the transistor when the transistor operates normally.
 제1항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 트랜지스터에 이상이 발생한 것으로 판단되되, 상기 측정 정보에 기초하여 상기 트랜지스터로부터 측정되는 전류가 사전에 설정되는 임계 전류보다 낮은 경우, 상기 트랜지스터에 이상이 발생하는 임의의 확률을 나타내도록 사전에 설정되는 제 1 단계에 따른 이상 정보를 생성하는, 트랜지스터 고장 진단 장치.
According to claim 1, wherein the control unit,
It is determined that an abnormality has occurred in the transistor, and when the current measured from the transistor based on the measurement information is lower than a preset threshold current, it is preset to indicate a random probability that an abnormality occurs in the transistor A transistor failure diagnosis apparatus for generating abnormality information according to the first step.
 제5항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 트랜지스터에 이상이 발생한 것으로 판단되되, 상기 측정 정보에 기초하여 상기 트랜지스터로부터 측정되는 전류가 사전에 설정되는 임계 전류보다 높은 경우, 상기 트랜지스터에 이상이 발생하는 확률에 대해, 상기 제 1 단계에 따른 확률보다 높은 확률을 나타내도록 사전에 설정되는 제 2 단계에 따른 이상 정보를 생성하는, 트랜지스터 고장 진단 장치.
According to claim 5, wherein the control unit,
When it is determined that an abnormality has occurred in the transistor, and the current measured from the transistor based on the measurement information is higher than a preset threshold current, the probability of occurrence of an abnormality in the transistor according to the first step A transistor failure diagnosis apparatus for generating abnormality information according to a second step preset to indicate a higher probability than the probability.
 트랜지스터 고장 진단 장치에서의 트랜지스터 고장 진단 방법에 있어서,
측정부가, 전류가 흐르는 트랜지스터로부터 측정 정보를 생성하는 단계;
설정부가 상기 측정 정보로부터 기준 정보를 생성하고, 상기 기준 정보에 기초하여 상기 트랜지스터의 정상 동작 범위를 나타내도록 정상 범위를 설정하는 단계;
저장부에 상기 기준 정보와 상기 정상 범위가 저장되는 단계;
제어부가 상기 측정 정보와 상기 기준 정보를 비교하여, 상기 측정 정보가 상기 정상 범위를 벗어나는 것으로 판단되는 경우, 상기 트랜지스터에 이상이 발생한 것을 나타내는 이상 정보를 생성하는 단계; 및
출력부가 상기 이상 정보를 출력하는 단계;를 포함하는, 트랜지스터 고장 진단 방법.
A method for diagnosing a transistor failure in a transistor failure diagnosis apparatus, the method comprising:
generating, by the measurement unit, measurement information from a transistor through which a current flows;
generating, by a setting unit, reference information from the measurement information, and setting a normal range to indicate a normal operating range of the transistor based on the reference information;
storing the reference information and the normal range in a storage unit;
generating, by a controller, the measurement information and the reference information, and when it is determined that the measurement information is out of the normal range, abnormality information indicating that an abnormality has occurred in the transistor; and
Outputting the abnormal information by an output unit; including, a transistor failure diagnosis method.
 제7항에 있어서, 상기 기준 정보를 생성하고, 정상 범위를 설정하는 단계는,
상기 기준 정보에 기초하여 상기 측정 정보가 상기 정상 범위 내에 존재하는 경우, 상기 측정 정보와 상기 기준 정보의 평균을 산출하여 상기 기준 정보를 갱신하는, 트랜지스터 고장 진단 방법.

The method of claim 7, wherein the generating the reference information and setting the normal range comprises:
When the measurement information is within the normal range based on the reference information, calculating an average of the measurement information and the reference information to update the reference information.
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