KR20220090122A - C2 대칭성 led 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명에서는 기판의 평면을 C2 대칭 형태로 패턴화화여 상하좌우가 구별이 되는 LED 소자를 제공하고자 한다.
또한, 전극의 배치에 있어서 기판 상에 가운데에 일 도전형의 전극이 배치되도록 하고, 해당 전극을 중심으로 동일한 거리로 서로 반대 방향에 상이한 도전형의 전극이 각각 배치되게 함으로써 전극을 매칭시킬 때 180도 회전이 되어서 매칭이 되더라도 어느 경우에나 전극 매칭이 이루어지도록 하고자 한다.

Description

C2 대칭성 LED 소자 {LIGHT EMITTING DIODE COMPRISING C2 SYMMETRY}
본 발명은 C2 대칭성 LED 소자에 관한 것이다.
본 명세서에서 C2 대칭이란 표현은 무기화학에서 분자구조를 그룹으로 분류할 때 사용하는 분자의 배치형태에 대한 내용을 이용한 표현으로써 구체적으로 C2 회전을 하여 대칭이 되는 배치 형태를 의미한다. C2 대칭이라고 함은 더욱 구체적으로 180도 회전 대칭을 의미하는 표현이다.
사파이어위에 GaN 에피텍셜층을 성장시킨 blue-emitting LED는 100 μm 이상 크기일 경우 사파이어의 두께를 100 μm 미만으로 에피텍셜층의 뒤쪽을 그라인딩한 후 다이아몬드 칼, 혹은 레이저 빔을 이용하여 절단함으로써 칩을 만들어 낸다. 이 떼 사팡이어의 두께를 60μm 미만으로 그라인딩할 경우 에피텍셜층에 스트레스를 주어 성능을 저하시킬 수 잇으며, 두꺼울 경우 칩의 모양을 임의로 만들기가 용이하지 않다.
이를 해결하기 위한 방식으로 LLO (laser lift off) 방식으로 사파이어와 에피텍셜층을 떼어내어 ~7μm 의 두께를 만들어 사용하는 방식을 취하게 된다.
일반적으로 사용하는 LED 칩은 가공하기가 용이하도록 평면을 정사각형, 혹은 직사각형으로 패턴하여 웨이퍼의 후면을 그라인딩하여 두께를 얇게 한 후 다이아몬드 칼이나 레이저 빔으로 쏘우잉(sawing)하여 칩을 만든다.
본 발명에서는 기판의 평면을 C2 대칭 형태로 패턴화화여 상하좌우가 구별이 되는 LED 소자를 제공하고자 한다.
또한, 전극의 배치에 있어서 기판 상에 가운데에 일 도전형의 전극이 배치되도록 하고, 해당 전극을 중심으로 동일한 거리로 서로 반대 방향에 상이한 도전형의 전극이 각각 배치되게 함으로써 전극을 매칭시킬 때 180도 회전이 되어서 매칭이 되더라도 어느 경우에나 전극 매칭이 이루어지도록 하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 C2 대칭성 LED(Light Emitting Diode) 소자는, 기판; 기판 상의 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상의 LED 발광소자를 포함하고, 상기 LED 발광 소자는 제 1 도전형 반도체층; 광활성층; 및 제 2 도전형 반도체층이 차례대로 적층된 형태이며, 상기 제 1 도전형 반도체층의 상부에는 제 1 도전형 전극이 배치되고 상기 제 2 도전형 반도체층의 상부에는 제 2 도전형 전극이 배치되며, 상기 제 1 도전형 전극은 상기 제 2 도전형 전극과 상기 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 이격되어 배치되어 상기 제 2 도전형 전극을 둘러싸는 형태이며, 상기 C2 대칭성 LED 소자는 180도 회전 대칭 형상을 갖고, 상기 C2 대칭성 LED 소자가 180도 회전 대칭 형상을 가짐으로써 상기 제 2 도전형 전극의 중심으로부터 상기 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 제 1 도전형 전극이 위치한다.
상기 기판은 사파이어 기판이 이용될 수 있다.
제 1 도전형 반도체는 n형 또는 p형 반도체 중의 어느 하나이고, 제 2 도전형 반도체는 제 1 도전형 반도체와 상이한 형의 반도체이다.
상기 180도 회전 대칭 형상이 평행 사변형 형태이다.
상기 제 2 도전형 전극의 중심으로부터 상기 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 동일한 거리에 제 1 도전형 전극이 위치한다.
본 발명의 추가적인 실시예에 따른 C2 대칭성 LED 소자는, 기판; 기판 상의 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상의 LED 발광소자를 포함하고, 상기 LED 발광 소자는 제 1 도전형 반도체층; 광활성층; 및 제 2 도전형 반도체층이 차례대로 적층된 형태이며, 상기 제 1 도전형 반도체층의 상부에는 제 1 도전형 전극이 2개가 배치되고 상기 제 2 도전형 반도체층의 상부에는 제 2 도전형 전극이 배치되며, 상기 제 1 도전형 전극 2개는 각각 상기 제 2 도전형 전극과 상기 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 이격되어 배치되고, 상기 C2 대칭성 LED 소자는 180도 회전 대칭 형상을 갖고, 상기 C2 대칭성 LED 소자가 180도 회전 대칭 형상을 가짐으로써 상기 제 2 도전형 전극의 중심으로부터 상기 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 제 1 도전형 전극이 위치한다.
상기 기판은 사파이어 기판이 이용될 수 있다.
제 1 도전형 반도체는 n형 또는 p형 반도체 중의 어느 하나이고, 제 2 도전형 반도체는 제 1 도전형 반도체와 상이한 형의 반도체이다.
상기 180도 회전 대칭 형상이 평행 사변형 형태이다.
상기 제 2 도전형 전극의 중심으로부터 상기 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 동일한 거리에 제 1 도전형 전극이 위치한다.
본 발명에 따르면 C2 대칭성 LED 소자를 제공함으로써 상하좌우가 구별이 되는 LED 소자를 제공하고, 이에 의해 LED 소자를 배치하여 전극을 매칭시킬 때 그대로의 형태 뿐만 아니라 180도 회전이 되어서 매칭이 되더라도 전극 매칭이 이루어진다는 장점을 갖는다.
도 1은 GaN 계열의 LED 소자의 단면도를 도시한다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 C2 대칭성 LED 소자의 평면도를 도시한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 소자의 형태에 대응된 홈에 소자가 안착되는 모습의 모식도를 도시한다.
도 5는 본 발명의 추가적인 실시예에 따른 C2 대칭성 LED 소자의 평면도를 도시한다.
도 6은 본 발명의 추가적인 실시예에 따른 C2 대칭성 LED 소자의 평면도를 도시한다.
다양한 실시예들이 이제 도면을 참조하여 설명되며, 전체 도면에서 걸쳐 유사한 도면번호는 유사한 엘리먼트를 나타내기 위해서 사용된다. 설명을 위해 본 명세서에서, 다양한 설명들이 본 발명의 이해를 제공하기 위해서 제시된다. 그러나 이러한 실시예들은 이러한 특정 설명 없이도 실행될 수 있음이 명백하다. 다른 예들에서, 공지된 구조 및 장치들은 실시예들의 설명을 용이하게 하기 위해서 블록 다이아그램 형태로 제시된다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 GaN 계열의 LED 소자의 단면도를 도시한다. 일반적인 GaN 계열의 LED 소자는 도 1과 같이 기판(10); 버퍼층(20); n형 GaN층(30); 광활성층(40); p형 GaN층(50); n형 전극(60) 및 p형 전극(70)을 포함한다. 일반적으로 기판(10) 상에 버퍼층(20), n형 GaN 층(30), 활성층(InGaN 또는 GaN)(40) 및 p형 GaN층(50)을 순차적으로 결정 성장시킨 후, n형 금속전극(60)의 형성을 위해 일부분을 상기 n형 GaN층(30)까지 식각(etching)하고, 필요에 따라 투명 전극(15)을 형성한 다음, 전극 영역을 제외한 부분을 유전체 보호막(미도시)으로 씌우고, n형 금속전극(60) 및 p형 금속전극(70)을 증착함으로써 형성되는 것이 일반적인 공정이다.
본 발명에서는 이러한 LED 소자에서 기판의 평면을 C2 대칭 형태로 패턴화화여 상하좌우가 구별이 되는 LED 소자를 개시한다. 이 경우 전극의 배치에 있어서 기판 상에 가운데에 일 도전형의 전극이 배치되도록 하고, 해당 전극을 중심으로 동일한 거리로 서로 반대 방향에 상이한 도전형의 전극이 각각 배치되게 함으로써 전극을 매칭시킬 때 180도 회전이 되어서 매칭이 되더라도 어느 경우에나 전극 매칭이 이루어질 수 있다는 장점을 갖는다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 C2 대칭성 LED 소자의 평면도를 도시한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 C2 대칭성 LED 소자는, 기판; 기판 상의 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상의 LED 발광소자를 포함하고, 상기 LED 발광 소자는 제 1 도전형 반도체층; 광활성층; 및 제 2 도전형 반도체층이 차례대로 적층된 형태를 갖는다. 이 부분은 도 1에서 설명된 것과 동일한 적층 구조를 갖는다.
기판은 사파이어 기판이 이용될 수 있다.
제 1 도전형 반도체는 n형 또는 p형 반도체 중 어느 하나이며, 제 2 도전형 반도체는 제 1 도전형 반도체와 상이한 형의 반도체이다. 예를 들어 제 1 도전형 반도체가 n형이면, 제 2 도전형 반도체는 p형이다.
제 1 도전형 반도체층의 상부에는 제 1 도전형 전극이 배치되고 제 2 도전형 반도체층의 상부에는 제 2 도전형 전극이 배치된다. 예를 들어 제 1 도전형 반도체가 n형이면 제 1 도전형 전극은 n형 전극이고, 제 2 도전형 반도체가 p형이면 제 2 도전형 전극은 p형 전극이다.
한편, 제 1 도전형 전극은 제 2 도전형 전극과 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 이격되어 배치되며 제 2 도전형 전극을 둘러싸는 형태를 갖는다. 이러한 모습은 도 2의 모습에서 제 1 도전형 전극(130)이 제 2 도전형 전극(120)을 둘러싸는 형태로부터 확인할 수 있다. 한편, 도 3과 같은 형태로 제 1 도전형 전극이 기판의 형상과 동일한 형상으로 전극이 배치될 수도 있다.
도 2 및 도 3에서 보는 것처럼 이러한 C2 대칭성 LED 소잔느 180도 회전 대칭 형상을 갖는다. 이러한 180도 회전 대칭 형상이 평행 사변형 형태이다. C2 대칭성 LED 소자가 180도 회전 대칭 형상을 가짐으로써 제 2 도전형 전극(120)의 중심으로부터 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 제 1 도전형 전극(130)이 위치하게 된다. 특히 도 2 및 도 3을 기준으로 제 2 도전형 전극(120)의 위 아래에 각각 제 1 도전형 전극(130)이 배치되고, 이 경우 제 2 도전형 전극으로부터 이격된 거리는 동일한 것이 바람직하다. 즉, 제 2 도전형 전극의 중심으로부터 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 동일한 거리에 제 1 도전형 전극이 위치하는 것이 바람직하다. 이러한 배치에 의해 평행사변형 형태의 소자가 180도 회전한 형태를 갖더라도 여전히 동일하게 제 2 도전형 전극(120)을 중심으로 위아래에 각각 제 1 도전형 전극(130)이 배치되는 형태를 가지므로 소자가 그대로의 모습으로 배치되거나 또는 180도 회전하여 배치되거나 모두 동일하게 전극의 매칭이 이루어지도록 할 수 있다.
이 부분은 특히 다수의 LED 소자를 이용해 디스플레이를 제작할 때 LED 소자를 배치시키는데 있어서 C2 대칭성 LED 소자를 이용해 배치할 때 상하좌우가 구분이 되므로 소자가 현재 모습 그대로 배치되거나 180도 회전하여 배치하더라도 모두 동일하게 전극 매칭이 이루어지므로 매우 효율적이다. 이 부분과 관련하여 디스플레이 제작시 이송판에 미리 홈이 형성되어 있고, 예를 들어 소자가 평행사변형일 경우 해당 홈 역시 평행사변형의 소자가 맞게끔 평행사변형 형태를 이룸으로써 홈에 소자가 안착했을때 무조건 전극 매칭이 이루어지도록 할 수 있게 되는 것이다. 이러한 모습은 도 4와 같이 소자의 형태에 대응된 홈에 소자가 안착되는 모습을 통해 알 수 있으며, 이에 의해 궁극적으로 소자가 안착되면 전극 매칭이 이루어지게 된다.
도 5는 본 발명의 추가적인 실시예에 따른 C2 대칭성 LED 소자의 평면도를 도시한다. 도 5는 도 2 및 도 3의 실시예와 제 1 도전형 전극 형태가 상이한 것이며 나머지는 동일한 내용을 갖는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 C2 대칭성 LED 소자는, 기판; 기판 상의 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상의 LED 발광소자를 포함하고, 상기 LED 발광 소자는 제 1 도전형 반도체층; 광활성층; 및 제 2 도전형 반도체층이 차례대로 적층된 형태를 갖는다. 이 부분은 도 1에서 설명된 것과 동일한 적층 구조를 갖는다.
기판은 사파이어 기판이 이용될 수 있다.
제 1 도전형 반도체는 n형 또는 p형 반도체 중 어느 하나이며, 제 2 도전형 반도체는 제 1 도전형 반도체와 상이한 형의 반도체이다. 예를 들어 제 1 도전형 반도체가 n형이면, 제 2 도전형 반도체는 p형이다.
제 1 도전형 반도체층의 상부에는 제 1 도전형 전극이 배치되고 제 2 도전형 반도체층의 상부에는 제 2 도전형 전극이 배치된다. 예를 들어 제 1 도전형 반도체가 n형이면 제 1 도전형 전극은 n형 전극이고, 제 2 도전형 반도체가 p형이면 제 2 도전형 전극은 p형 전극이다.
한편, 제 1 도전형 전극(130)은 2개가 배치되며, 2개의 제 1 도전형 전극은 각각 제 2 도전형 전극(120)과 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 이격되어 배치된다. 이러한 모습은 도 5의 모습에서 제 1 도전형 전극(130)이 제 2 도전형 전극(120)과 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 이격되어 배치된 모습을 확인할 수 있다.
도 5에서 보는 것처럼 이러한 C2 대칭성 LED 소자는 180도 회전 대칭 형상을 갖는다. 이러한 180도 회전 대칭 형상이 평행 사변형 형태이다. C2 대칭성 LED 소자가 180도 회전 대칭 형상을 가짐으로써 제 2 도전형 전극(120)의 중심으로부터 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 제 1 도전형 전극(130)이 위치하게 된다. 특히 도 5를 기준으로 제 2 도전형 전극(120)의 위 아래에 각각 제 1 도전형 전극(130)이 배치되고, 이 경우 제 2 도전형 전극으로부터 이격된 거리는 동일한 것이 바람직하다. 즉, 제 2 도전형 전극의 중심으로부터 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 동일한 거리에 제 1 도전형 전극이 위치하는 것이 바람직하다. 이러한 배치에 의해 평행사변형 형태의 소자가 180도 회전한 형태를 갖더라도 여전히 동일하게 제 2 도전형 전극(120)을 중심으로 위아래에 각각 제 1 도전형 전극(130)이 배치되는 형태를 가지므로 소자가 그대로의 모습으로 배치되거나 또는 180도 회전하여 배치되거나 모두 동일하게 전극의 매칭이 이루어지도록 할 수 있다.
도 6은 본 발명의 추가적인 실시예에 따른 C2 대칭성 LED 소자의 평면도를 도시한다. 도 6에서 보는 것처럼 C2 대칭성 LED 소자는 180도 회전 대칭 형상을 갖고, 180도 회전 대칭 형상이 평행 사변형 형태이다. 또한, 도 6에서 처럼 전극(120, 130)도 모두 소자의 형상과 유사한 평행 사변형 형태를 가짐으로써 C2 대칭성 LED 소자가 180도 회전 대칭 형상을 가짐으로써 제 2 도전형 전극(120)의 중심으로부터 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 제 1 도전형 전극(130)이 위치하게 된다. 특히 제 2 도전형 전극(120)의 위 아래에 각각 제 1 도전형 전극(130)이 배치되고, 이 경우 제 2 도전형 전극으로부터 이격된 거리는 동일한 것이 바람직하다. 즉, 제 2 도전형 전극의 중심으로부터 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 동일한 거리에 제 1 도전형 전극이 위치하는 것이 바람직하다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (10)

  1. C2 대칭성 LED(Light Emitting Diode) 소자로서,
    기판; 기판 상의 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상의 LED 발광소자를 포함하고,
    상기 LED 발광 소자는 제 1 도전형 반도체층; 광활성층; 및 제 2 도전형 반도체층이 차례대로 적층된 형태이며,
    상기 제 1 도전형 반도체층의 상부에는 제 1 도전형 전극이 배치되고 상기 제 2 도전형 반도체층의 상부에는 제 2 도전형 전극이 배치되며,
    상기 제 1 도전형 전극은 상기 제 2 도전형 전극과 상기 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 이격되어 배치되어 상기 제 2 도전형 전극을 둘러싸는 형태이며,
    상기 C2 대칭성 LED 소자는 180도 회전 대칭 형상을 갖고,
    상기 C2 대칭성 LED 소자가 180도 회전 대칭 형상을 가짐으로써 상기 제 2 도전형 전극의 중심으로부터 상기 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 제 1 도전형 전극이 위치하는 것을 특징으로 하는,
    C2 대칭성 LED 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 사파이어 기판인,
    C2 대칭성 LED 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    제 1 도전형 반도체는 n형 또는 p형 반도체 중의 어느 하나이고, 제 2 도전형 반도체는 제 1 도전형 반도체와 상이한 형의 반도체인,
    C2 대칭성 LED 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 180도 회전 대칭 형상이 평행 사변형 형태인,
    C2 대칭성 LED 소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 도전형 전극의 중심으로부터 상기 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 동일한 거리에 제 1 도전형 전극이 위치하는,
    C2 대칭성 LED 소자.
  6. C2 대칭성 LED 소자로서,
    기판; 기판 상의 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상의 LED 발광소자를 포함하고,
    상기 LED 발광 소자는 제 1 도전형 반도체층; 광활성층; 및 제 2 도전형 반도체층이 차례대로 적층된 형태이며,
    상기 제 1 도전형 반도체층의 상부에는 제 1 도전형 전극이 2개가 배치되고 상기 제 2 도전형 반도체층의 상부에는 제 2 도전형 전극이 배치되며,
    상기 제 1 도전형 전극 2개는 각각 상기 제 2 도전형 전극과 상기 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 이격되어 배치되고,
    상기 C2 대칭성 LED 소자는 180도 회전 대칭 형상을 갖고,
    상기 C2 대칭성 LED 소자가 180도 회전 대칭 형상을 가짐으로써 상기 제 2 도전형 전극의 중심으로부터 상기 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 제 1 도전형 전극이 위치하는 것을 특징으로 하는,
    C2 대칭성 LED 소자.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판은 사파이어 기판인,
    C2 대칭성 LED 소자.
  8. 제 6 항에 있어서,
    제 1 도전형 반도체는 n형 또는 p형 반도체 중의 어느 하나이고, 제 2 도전형 반도체는 제 1 도전형 반도체와 상이한 형의 반도체인,
    C2 대칭성 LED 소자.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 180도 회전 대칭 형상이 평행 사변형 형태인,
    C2 대칭성 LED 소자.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 도전형 전극의 중심으로부터 상기 기판의 평면에 평행한 방향을 따라 반대 방향으로 각각 동일한 거리에 제 1 도전형 전극이 위치하는,
    C2 대칭성 LED 소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001345480A (ja) * 2000-03-31 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子

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